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特開2024-155681ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法
発明の名称 ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法
出願人 豊田合成株式会社 （識別番号 241463）
特許公開件数ランキング 96 位（301件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 156 位（181件）（共同出願を含む）
出願人 学校法人 名城大学 （識別番号 599002043）
特許公開件数ランキング 1314 位（25件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1160 位（23件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2024-155681
公報発行日 2024年10月31
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2024-155681
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