▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024155729
(43)【公開日】2024-10-31
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20241024BHJP
H01G 4/12 20060101ALI20241024BHJP
C04B 35/49 20060101ALI20241024BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 515
H01G4/12 450
H01G4/30 201L
H01G4/30 512
H01G4/30 201K
C04B35/49
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024017937
(22)【出願日】2024-02-08
(31)【優先権主張番号】10-2023-0051569
(32)【優先日】2023-04-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2023-0118903
(32)【優先日】2023-09-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】リム、ヨン ジュン
(72)【発明者】
【氏名】ソン、バエ ソーン
(72)【発明者】
【氏名】カン、スン ヒュン
(72)【発明者】
【氏名】リー、キュン ホ
(72)【発明者】
【氏名】バエ、セ ナ
(72)【発明者】
【氏名】ジン、ヒエ ジン
(72)【発明者】
【氏名】パク、サン エオン
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AE04
5E001AJ02
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC35
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG28
5E082PP03
5E082PP09
(57)【要約】
【課題】ＣＳＺＴを誘電体層の主成分として含む積層型電子部品への誘電特性を向上させ、ＣＳＺＴを誘電体層の主成分として含む積層型電子部品の耐電圧特性、温度－容量特性などの信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分及びマンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分を含み、上記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒及び隣接した誘電体結晶粒の間に配置された結晶粒界を含み、上記複数の誘電体結晶粒の少なくとも一部はコア－シェル構造を有する。
【選択図】図５
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分及びマンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分を含み、上記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒及び隣接した誘電体結晶粒の間に配置された結晶粒界を含み、上記複数の誘電体結晶粒の少なくとも一部はコア－シェル構造を有する。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分及びマンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分を含み、
前記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒及び隣接した誘電体結晶粒の間に配置された結晶粒界を含み、前記複数の誘電体結晶粒の少なくとも一部はコア－シェル構造を有し、
前記コア－シェル構造において、前記コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して前記コアに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｃ、前記コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して前記シェルに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｓとするとき、
Ｙｓ／Ｙｃ＞９を満たす、積層型電子部品。
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分及びマンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分を含み、
前記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒及び隣接した誘電体結晶粒の間に配置された結晶粒界を含み、前記複数の誘電体結晶粒の少なくとも一部はコア－シェル構造を有し、
前記コア－シェル構造において、前記コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して前記コアに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｃ、前記コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して前記シェルに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｓとするとき、
Ｙｓ／Ｙｃ＞９を満たす、積層型電子部品。
【請求項2】
前記結晶粒界の少なくとも一部には二次相が配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記誘電体層のうち前記二次相が占める面積分率は、２．２７％以上２．５７％以下である、請求項２に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記誘電体層は前記二次相を複数個含み、前記複数個の二次相の平均面積は０．１０４μｍ２以上０．１７０μｍ２以下である、請求項２に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記二次相は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む、請求項２に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記二次相が形成された領域を除いた領域に含まれるケイ素（Ｓｉ）の含有量は、酸素（Ｏ）を除いた全体元素の総含有量に対して０．０５ａｔ％以下である、請求項２に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記誘電体結晶粒に含まれるマンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．６８モル以上２．８３モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記誘電体結晶粒に含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量は、前記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．２６モル以上３．３３モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記コアの平均大きさに対する前記コア及びシェルの平均大きさの割合は、２以上２．５７以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記誘電体結晶粒の平均粒径は４４４ｎｍ以上５０６ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記誘電体層は、アルミニウム（Ａｌ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうち１つ以上をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記誘電体層は、ハフニウム（Ｈｆ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、テルビウム（Ｔｂ）及びバナジウム（Ｖ）のうち１つ以上をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関するものである。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話、インフォテインメントシステム、自動車システムなどの様々な電子及び自動車製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。
【0003】
積層セラミックキャパシタは、要求される特性に応じて、ＣａＺｒＯ３基盤の常誘電性（Ｃａ１－ｘＳｒｘ）（Ｚｒ１－ｙＴｉｙ）Ｏ３（ＣＳＺＴ）を誘電体層の主成分として用いる温度補償型Ｃｌａｓｓ Ｉ及び（ＡＢＯ３）結晶構造を有する強誘電性ＢａＴｉＯ３（ＢＴ）を誘電体層の主成分として用いて高誘電率特性を有するＣｌａｓｓ ＩＩに分類されることができる。
【0004】
電子製品の小型化、スリム化、多機能化により、チップ部品も小型化が求められており、電子部品の実装も高集積化されている。また、電子製品を自動車システムに適用する場合、高熱及び振動に晒されるため、さらに高い信頼性が要求されることがある。
【0005】
このように、様々な目的に適した積層セラミックキャパシタの電気的特性及び信頼性を向上させることができる方案が必要な実情である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の様々な目的の一つは、ＣＳＺＴを誘電体層の主成分として含む積層型電子部品への誘電特性を向上させることである。
【0007】
本発明の様々な目的の一つは、ＣＳＺＴを誘電体層の主成分として含む積層型電子部品の耐電圧特性、温度－容量特性などの信頼性を向上させることである。
【0008】
但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分及びマンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分を含み、上記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒及び隣接した誘電体結晶粒の間に配置された結晶粒界を含み、上記複数の誘電体結晶粒の少なくとも一部はコア－シェル構造を有し、上記コア－シェル構造において上記コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して上記コアに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｃ、上記コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して上記シェルに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｓとするとき、Ｙｓ／Ｙｃ＞９を満たすことができる。
【発明の効果】
【0010】
本発明の様々な効果の一つは、ＣＳＺＴを誘電体層の主成分として含む積層型電子部品において、誘電体層の微細構造または組成を制御することにより、積層型電子部品の誘電特性を向上させることである。
【0011】
本発明の様々な効果の一つは、ＣＳＺＴを誘電体層の主成分として含む積層型電子部品において、誘電体層の微細構造または組成を制御することにより、積層型電子部品の耐電圧特性、温度－容量特性などの信頼性を向上させることである。
【0012】
但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図である。
【図4】一実施形態による内部電極、誘電体層及びカバー部が配置された構造を表す分解斜視図である。
【図6a】一実施形態による添加剤の含有量によるコア－シェル平均大きさの変化を示したグラフである。
【図6b】一実施形態による添加剤の含有量によるコア－シェル平均大きさの変化を示したグラフである。
【図6c】一実施形態による添加剤の含有量によるコア－シェル平均大きさの変化を示したグラフである。
【図7a】一実施形態による添加剤の含有量による誘電定数、静電容量及び品質係数の変化を示したグラフである。
【図7b】一実施形態による添加剤の含有量による誘電定数、静電容量及び品質係数の変化を示したグラフである。
【図7c】一実施形態による添加剤の含有量による誘電定数、静電容量及び品質係数の変化を示したグラフである。
【図8】一実施形態による添加剤の含有量による温度－容量特性の変化を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。
【0015】
尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0016】
図面において、第１方向は、誘電体層を挟んで第１及び第２内部電極が交互に配置される方向または厚さ（Ｔ）方向、上記第１方向と垂直な方向である第２方向及び第３方向のうち、上記第２方向は長さ（Ｌ）方向、上記第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。
【0017】
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図４は、一実施形態による内部電極、誘電体層及びカバー部が配置された構造を表す分解斜視図であり、図５は、図３のＰ領域拡大図であり、図６の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、一実施形態による添加剤の含有量によるコア－シェル平均大きさの変化を示したグラフであり、図７の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、一実施形態による添加剤の含有量による誘電定数、静電容量及び品質係数の変化を示したグラフであり、図８は、一実施形態による添加剤の含有量による温度－容量特性の変化を示したグラフである。
【0018】
【0019】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記誘電体層は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分及びマンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分を含み、上記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒２０及び隣接した誘電体結晶粒との間に配置された結晶粒界３０を含み、上記複数の誘電体結晶粒の少なくとも一部はコア－シェル構造を有し、上記コア－シェル構造において、上記コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して上記コアに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｃ、上記コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して上記シェルに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｓとするとき、Ｙｓ／Ｙｃ＞９を満たすことができる。
【0020】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含む。
【0021】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図１～図３に示したように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程において本体１１０に含まれたセラミック材料の収縮により、本体１１０は完全な直線のエッジを有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。
【0022】
本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面５、６を含むことができる。
【0023】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は、焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0024】
誘電体層１１１を形成する原料は、その目的に応じて多様であることができる。具体的には、高い単位体積当たりの静電容量の達成を主目的として強誘電性ＢａＴｉＯ３を材料とすることができ、高温環境での信頼性向上を主目的として常誘電性ＣａＺｒＯ３を材料として用いることができる。ＢａＴｉＯ３基盤の材料の例示としては、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられ、ＣａＺｒＯ３基板の材料の例示としては、（Ｃａ１－ｘＳｒｘ）（Ｚｒ１－ｙＴｉｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）が挙げられる。
【0025】
一方、本発明の一実施形態及びこの様々な実施形態では、ＣａＺｒＯ３基盤の材料を用いて誘電体層１１１を形成する場合、最適な品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）、静電容量、ＢＤＶ特性及び容量－温度特性を確保するための様々な例示について説明する。すなわち、本発明の一実施形態による誘電体層１１１は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分を含む。
【0026】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に制限されない。
【0027】
積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を目的とする場合、焼成後の誘電体層１１１の平均厚さｔｄは２．５μｍ以下であることができ、積層型電子部品１００の高温高圧下での信頼性を向上させるために焼成後の誘電体層１１１の平均厚さｔｄは３．０μｍ以上であり得る。
【0028】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味することができる。
【0029】
内部電極の厚さｔｅと同様に、誘電体層１１１の平均厚さｔｄも本体１１０の第３及び第１方向の断面（Ｌ－Ｔ断面）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。
【0030】
例えば、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記本体１１０の幅方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてスキャンしたイメージから抽出された誘電体層のうち、本体の長さ方向の中央線と厚さ方向の中央線が会う地点の誘電体層の１層を基準として上部に２層と下部に２層の合計５層の誘電体層について、上記本体の長さ方向の中央線と厚さ方向の中央線が会う地点を基準として、上記基準点１つを中心に左側に２つ及び右側に２つの５つの地点を等間隔に定めた後、各地点の厚さを測定して平均値を測定することができる。
【0031】
内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１を挟んで交互に配置される。
【0032】
内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４でそれぞれ露出することができる。
【0033】
図２を参照すると、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。
【0034】
このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。
【0035】
図４を参照すると、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0036】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気導電性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。
【0037】
上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができ、本発明がこれに限定されるものではない。
【0038】
内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に制限されず、目的に応じて異なることができる。積層型電子部品１００の小型化のために、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは０．１μｍ以上２．５μｍ以下であることができ、積層型電子部品１００の高温高圧下での信頼性を向上させるために内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、０．１μｍ以上２．５μｍ以下または０．１以上５．０μｍ以下であることができる。
【0039】
内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、上記本体１１０の幅方向の中央部で切断した長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてスキャンしたイメージから抽出された内部電極層のうち、本体の長さ方向の中央線と厚さ方向の中央線が会う地点の内部電極層の１層を基準として上部に２層と下部に２層の合計５層の内部電極層について、上記本体の長さ方向の中央線と厚さ方向の中央線が会う地点を基準として、上記基準点１つを中心に左側に２つ及び右側に２つの５つの地点を等間隔で定めた後、各地点の厚さを測定して平均値を測定することができる。
【0040】
一方、図２を参照すると、本体１１０は本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。
【0041】
また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であり、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成されることができる。
【0042】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0043】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。
【0044】
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは特に制限されない。積層型電子部品の小型化及び高容量化を達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下の値を有することができる。
【0045】
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは第１方向の大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部または下部で等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを平均した値であることができる。
【0046】
また、上記容量形成部Ａｃの側面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。
【0047】
マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第６面６に配置されたマージン部１１４と第５面５に配置されたマージン部１１５を含む。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向の両側面に配置されることができる。
【0048】
マージン部１１４、１１５は、図３に示されたように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
【0049】
マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0050】
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成されるところを除いて導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することで形成されたものであることができる。
【0051】
また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に幅方向に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。
【0052】
一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であることができる。
【0053】
マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面で等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを平均した値であることができる。
【0054】
本体１１０上には外部電極１３１、１３２が配置される。
【0055】
外部電極１３１、１３２は本体１１０に配置され、内部電極１２１、１２２と連結される。
【0056】
図２に示された形態のように、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。
【0057】
本実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。
【0058】
一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気導電性を有するものであれば、どのような物質を用いても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して、具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。
【0059】
例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に形成されためっき層を含むことができる。
【0060】
電極層に対するより具体的な例を挙げると、電極層は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。
【0061】
また、電極層は、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であることができる。また、電極層は、本体１１０上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。
【0062】
電極層に含まれる導電性金属として電気導電性に優れた材料を用いることができ、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上であることができる。
【0063】
めっき層は、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることができる。
【0064】
めっき層に対するより具体的な例を挙げると、めっき層は、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層は、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。
【0065】
一実施形態において、ＣａＺｒＯ３基盤の材料を含む主成分の以外に、添加剤を添加して誘電体層１１１を形成することができる。具体的には、上記添加剤は、焼成前の基準ＣａＺｒＯ３ １００モル、Ｍｎ３Ｏ２：０．９８モル（ＣａＺｒＯ３ １００モルに対して）、Ｙ２Ｏ３：１．２２５モル（ＣａＺｒＯ３ １００モルに対して）、ＳｉＯ２：１．４７モル（ＣａＺｒＯ３ １００モルに対して）の組成比からなることができるが、これに制限されるものではない。上記添加剤は、本体１１０及び外部電極１３１、１３２の焼成後にはその組成比が変わることができ、焼成後の誘電体層１１１はカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分及びマンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）、及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分を含むことができる。
【0066】
マンガン（Ｍｎ）は誘電体層１１１において、酸素空孔の移動を抑制する役割を果たすことができ、イットリウム（Ｙ）はＡＢＯ３構造のＡ－ｓｉｔｅにドナーとして作用して酸素空孔の集中を減少させる役割を果たすことができ、シリコン（Ｓｉ）は、誘電体層１１１の焼結温度を低下させ、誘電体層１１１に含まれる他の元素のうち１つ以上と反応して焼結性を促進させる役割を果たすことができる。
【0067】
本発明の一実施形態では、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分を含む誘電体層１１１が、マンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）、及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分をさらに含むようにすることで、誘電体層１１１の酸素空孔の移動及び集中を抑制して絶縁抵抗を向上させることができ、これにより積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができる。
【0068】
このとき、一実施形態では、誘電体結晶粒２０に含まれるマンガン（Ｍｎ）の含有量は上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．６８モル以上２．８３モル以下であることができる。
【0069】
また、一実施形態では、誘電体結晶粒２０に含まれるマンガン（Ｍｎ）の含有量は上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．６８モル以上２．８３モル以下であることができる。
【0070】
また、一実施形態では、誘電体結晶粒２０に含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量は上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．２６モル以上３．３３モル以下であることができる。
【0071】
このように、誘電体結晶粒に含まれる副成分の含有量を適宜調節することにより誘電体層１１１の酸素空孔の移動及び集中を抑制して絶縁抵抗を向上させ、低い焼成温度でも高い焼結密度を実現することで積層型電子部品１００の品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）及び容量の温度変化特性（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の低下を最小化すると同時に、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）を向上させることができる。
【0072】
但し、誘電体層１１１に含まれる成分が上記主成分及び副成分に限定されるものではない。誘電体層１１１は、焼結特性を向上させるためにアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）及びこれらの酸化物のうち１つ以上をさらに含むことができ、信頼性をさらに向上させるためにハフニウム（Ｈｆ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、テルビウム（Ｔｂ）、バナジウム（Ｖ）及びこれらの酸化物のうち１つ以上をさらに含むことができる。
【0073】
一方、本発明の誘電体層１１１の微細構造によって静電容量特性、信頼性及び温度－容量特性が変わることができ、このような誘電体層１１１の微細構造は上述した添加剤の濃度によって変わることができる。但し、添加剤の濃度を変化させることが後述する誘電体層１１１の微細構造を制御する唯一の手段ではないことができ、焼成温度、雰囲気などの様々な手段を介して誘電体層１１１の微細構造を制御することができる。以下では、一実施形態による誘電体層１１１の様々な微細構造について詳細に説明する。
【0074】
図５を参照すると、本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、複数の誘電体結晶粒２０及び隣接した誘電体結晶粒２０の間に配置された結晶粒界３０を含み、複数の誘電体結晶粒２０の少なくとも一部は、コア２１－シェル２２構造を有することができる。
【0075】
マンガン（Ｍｎ）、イットリウム（Ｙ）、及びケイ素（Ｓｉ）を含む副成分の平均含有量は、コア２１よりもシェル２２でさらに高いことができる。
【0076】
コア２１とシェル２２を区分する基準は以下のとおりであり得る。誘電体結晶粒２０の中心点を通る直線に沿ってＬｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅしたとき、特定元素の含有量が誘電体結晶粒２０の内部の任意の地点で急激な変化が発生する可能性があるが、急激な変化が発生する領域の中心を基準として、上記特定元素の含有量が少ない領域をコア２１と定義し、上記特定元素の含有量が多い領域をシェル２２と定義することができる。
【0077】
本発明の一実施形態では、コア２１及びシェル２２をイットリウム（Ｙ）の含有量を基準として定義することができる。具体的には、コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して上記コアに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｃ、コア及びシェルに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して上記シェルに含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量をＹｓとするとき、Ｙｓ／Ｙｃ＞９を満たすことができる。一方、イットリウム（Ｙ）が実質的にシェルにのみ含まれることができるため、Ｙｓ／Ｙｃの上限値は特に制限されない。
【0078】
一方、コア２１及びシェル２２が誘電体結晶粒２０で占める比重によって、積層型電子部品１００の静電容量及び品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）が変わることができる。後述する実験例による結果、適切な誘電定数、静電容量及び品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）を確保することができるコア２１の平均大きさに対するコア２１及びシェル２２の平均大きさの割合が２以上２．５７以下の区間に該当することができる。すなわち、一実施形態では、コア２１の平均大きさに対するコア２１及びシェル２２の平均大きさの割合を２以上２．５７に調節することにより、積層型電子部品１００の容量特性及び品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）を向上させることができる。
【0079】
一方、コア２１の平均大きさは、コア２１の短軸と長軸を加えた値を２で割った値を意味することができ、コア２１及びシェル２２の平均大きさはコア２１及びシェル２２の短軸と長軸を加えた値を２で割った値を意味することができる。なお、コア２１及びシェル２２の平均大きさは誘電体結晶粒２０の平均大きさを意味することができ、誘電体結晶粒２０の短軸と長軸を加えた値を２で割った値を意味することができる。
【0080】
コア２１の平均大きさに対するコア２１及びシェル２２の平均大きさの割合を測定する一例示として、積層型電子部品１００の第２方向の中心まで研磨した第１方向及び第３方向の断面において、容量形成部の中央部に位置した誘電体層１１１の２．６８μｍ×２．６８μｍ領域をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により組成を分析して、Ｙの含有量が急激に変化する地点をコア２１とシェル２２の境界とし、コア２１の短軸と長軸、コア２１及びシェル２２の短軸と長軸を測定する方法が挙げられる。
【0081】
一実施形態において、結晶粒界３０の少なくとも一部には、二次相４０が配置されることができる。結晶粒界３０の少なくとも一部に二次相４０が配置される場合、誘電体層１１１の絶縁抵抗を向上させることができ、これにより、積層型電子部品１００の絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が向上することができる。
【0082】
二次相４０に含まれる元素の種類は、誘電体層１１１の成分、焼成温度などの条件によって変わることができる。一実施形態において、上記二次相４０は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びシリコン（Ｓｉ）を含むことができ、これによって積層型電子部品１００の絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）はさらに向上することができる。
【0083】
一方、ケイ素（Ｓｉ）は実質的に二次相４０にのみ含まれることができ、二次相４０が形成された領域を除いた結晶粒界３０及び結晶粒２０には実質的にケイ素（Ｓｉ）が含まれないことができる。但し、測定方法によって二次相４０が形成された領域を除いた結晶粒界３０及び結晶粒２０にＳｉ元素の含有量がノイズレベルで測定されることができる。例えば、上記二次相が形成された領域を除いた領域に含まれるケイ素（Ｓｉ）の含有量は、酸素（Ｏ）を除いた全体元素の総含有量に対して０．０５ａｔ％以下であることができる。
【0084】
一方、誘電体層１１１の中から二次相４０が占める比重が向上するほど、品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）及び容量の温度変化特性（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が低下することがある。具体的には、誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率が増加するほど、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が向上することができるが、３％を超過する場合、品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）及び容量の温度変化特性（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が低下する可能性がある。したがって、一実施形態において、誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率は３％以下であることができ、より好ましくは２．５７％以下であることが好ましい。
【0085】
誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率の下限は、特に制限されないが、十分な絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）の向上効果を得るために誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率は２．２７％以上であることが好ましい。
【0086】
すなわち、一実施形態において、誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率は２．２７％以上２．５７％以下であることができ、これにより積層型電子部品１００の品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）及び容量の温度変化特性（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の低下を最小化すると同時に、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）を向上させることができる。
【0087】
誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率の他にも、二次相４０の平均面積も積層型電子部品１００の品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）、容量の温度変化特性（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）及び絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）の特性を変化させる原因となる可能性がある。すなわち、一実施形態において、誘電体層１１１は二次相４０を複数個含むことができ、複数個の二次相４０の平均面積は０．１０４μｍ２以上０．１７０μｍ２であり得る。これにより、積層型電子部品１００の品質係数（Ｑ、Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）及び容量の温度変化特性（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の低下を最小化すると同時に、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）を向上させることができる。
【0088】
上述した誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率及び複数個の二次相４０の平均面積を測定する一例示として、積層型電子部品１００の第２方向の中心部まで研磨した第１方向及び第３方向の断面において、容量形成部の中心部に位置した誘電体層の１０．８２μｍ×１０．８２μｍ領域をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を介してケイ素（Ｓｉ）元素をｍａｐｐｉｎｇした後、イメージ分析プログラム（ＩｍａｇｅＪ）で各領域の面積を算出する方法が挙げられる。このとき、誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率は、測定されたイメージ全体面積に対する二次相４０が形成された領域の割合で計算されることができ、複数個の二次相４０の平均面積は、任意の５つ以上の二次相４０の面積を計算した平均値を意味することができる。
【0089】
本発明の一実施形態のように、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む主成分を含む誘電体層１１１を含む積層型電子部品１００の場合、誘電体層１１１の誘電率は、誘電体結晶粒の平均粒径よりは焼結密度にさらに大きな影響を受ける。すなわち、誘電体結晶粒２０の平均粒径を過度に調節することなく、低い焼成温度で高い焼結密度の実現が可能であり、これにより誘電率を向上させることができる。具体的には、一実施形態において、誘電体結晶粒２０の平均粒径は、４４４ｎｍ以上５０６ｎｍ以下であることができる。
【0090】
以下では、ＣａＺｒＯ３ １００モルを基準として、Ｍｎ３Ｏ２：０．９８０モル、Ｙ２Ｏ３：１．２２５モル、ＳｉＯ２：１．４７０モル添加した場合を「添加剤１００％」と定義し、添加剤の量を異ならせて進行した様々な実験例について詳細に説明する。
【0091】
後述する全ての実験例は、上記添加剤の含有量を異ならせた状態の誘電体層形成用粉末をエタノールとトルエンを溶媒として分散剤と共に混合した後、バインダーを混合してセラミックシートを製作した。成形されたセラミックシートにＮｉ電極を印刷して積層し、圧着、切断したチップを４００℃以下のエア雰囲気で仮焼した後、約１，３００℃以下水素（Ｈ２）濃度７．０％以下の条件で１時間程度焼成した。この後、銅（Ｃｕ）ペーストでターミネーション工程及び電極焼成を行い、積層型電子部品１００を完成することができる。
【0092】
（実験例１）
表１は、添加剤の含有量を異ならせて形成した積層型電子部品１００において誘電体層１１１に含まれる元素の含有量を測定した結果を示したものである。
表１は、添加剤の含有量を異ならせて形成した積層型電子部品１００において誘電体層１１１に含まれる元素の含有量を測定した結果を示したものである。
【0093】
各元素の含有量は、コア及びシェルに含まれたジルコニウム（Ｚｒ）の含有量１００モル基準相対値に該当する。
【0094】
表１の元素含有量は、積層型電子部品１００の第２方向の中心部まで研磨した第１方向及び第３方向の断面において、容量形成部の中心部に位置した誘電体層の２．６８μｍ×２．６８μｍ領域を２００ｋＶ透過電子顕微鏡（ＴＥＭ、Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で４万倍の倍率でＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により測定した。
【0095】
【表1】
【0096】
表１を参照すると、二次相はカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）及びケイ素（Ｓｉ）を含むことが確認できる。特に、ケイ素（Ｓｉ）は実質的に二次相４０にのみ含まれることが確認できる。
【0097】
マンガン（Ｍｎ）の含有量に関して、添加剤１００％で誘電体結晶粒に含まれるマンガン（Ｍｎ）の含有量は、上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．６８モルであり、添加剤１４０％で誘電体結晶粒に含まれるマンガン（Ｍｎ）の含有量は、上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．８３モルであることが確認できる。
【0098】
イットリウム（Ｙ）の含有量に関して、添加剤１００％で誘電体結晶粒に含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量は、上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．２６モルであり、添加剤１４０％で上記誘電体結晶粒に含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量は、上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して３．３３モルであることが確認できる。
【0099】
（実験例２）
表２は、添加剤の含有量を異ならせて形成した積層型電子部品１００において、誘電体層１１１の微細構造を測定し、それによる特性を評価した結果である。
表２は、添加剤の含有量を異ならせて形成した積層型電子部品１００において、誘電体層１１１の微細構造を測定し、それによる特性を評価した結果である。
【0100】
コアの平均大きさはｄ１、コア及びシェルの平均大きさ（誘電体結晶粒の平均大きさ）はｄ２で表し、積層型電子部品１００の第２方向の中心まで研磨した第１方向及び第３方向の断面において、容量形成部の中央部に位置した誘電体層１１１の２．６８μｍ×２．６８μｍ領域をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により組成を分析して、Ｙの含有量が急激に変わる地点をコア２１とシェル２２の境界とし、コア２１の短軸と長軸を加えた値を２で割った値をｄ１とし、誘電体結晶粒２０の短軸と長軸を加えた値を２で割った値をｄ２とした。
【0101】
チップの常温静電容量及び品質係数は、ＬＣＲ ｍｅｔｅｒを用いて１ｋＨｚ、１．０Ｖ条件で容量を合計２０個のサンプルで測定した値の平均値をとった。誘電定数は、測定された静電容量と誘電体の厚さによって計算された値である。ＢＤＶは、２０個のサンプルについて２５℃４００Ｖ／ｓ昇圧条件で測定して、電流値が１０ｍＡとなる瞬間のＶｏｌｔａｇｅ値をＢＤＶ値で測定して平均値をとった。
【0102】
【表2】
【0103】
表２及び図６を参照すると、添加剤の含有量が増加するほど誘電体結晶粒でシェルが占める比重は減少する傾向が確認でき、誘電体結晶粒でコアが占める比重は「添加剤１４０％」までは増加し、その後減少する傾向が確認できる。
【0104】
一方、表２と図７を参照すると、添加剤の含有量が増加するにつれて品質係数が減少する傾向が確認でき、特に、誘電定数と静電容量は「添加剤１４０％」を超過する場合、減少する傾向が確認できる。
【0105】
一方、表２を参照すると、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は、添加剤の含有量が増加するほど向上する傾向が確認できる。
【0106】
表１と表２の結果を総合すると、積層型電子部品１００の静電容量、誘電定数、品質係数及びＢＤＶを同時に向上させることができる添加剤の含有量は「添加剤１００％」以上「添加剤１４０％」以下の範囲を有することができる。
【0107】
このとき、「添加剤１００％」以上「添加剤１４０％」以下の範囲は、表１によって焼成後の誘電体層１１１における特定元素の含有量で表すことができる。例えば、一実施形態において、誘電体結晶粒に含まれるマンガン（Ｍｎ）の含有量は、上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．６８モル以上２．８３モル以下であるか、誘電体結晶粒に含まれるイットリウム（Ｙ）の含有量は、上記誘電体結晶粒に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）１００モルに対して２．２６モル以上３．３３モル以下であることができる。
【0108】
（実験例３）
表３は、添加剤の含有量を異ならせた積層型電子部品１００の第２方向の中心部まで研磨した第１方向及び第３方向の断面において、容量形成部の中心部に位置した誘電体層の１０．８２μｍ×１０．８２μｍ領域をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を介してケイ素（Ｓｉ）元素をｍａｐｐｉｎｇした後、イメージ分析プログラム（ＩｍａｇｅＪ）で二次相４０が占める面積分率及び複数個の二次相４０の平均面積を測定した。ケイ素（Ｓｉ）元素は実質的に二次相４０にのみ配置されるため、誘電体層１１１においてケイ素（Ｓｉ）元素が相対的に集中して配置されている領域を二次相４０が形成された領域とした。
表３は、添加剤の含有量を異ならせた積層型電子部品１００の第２方向の中心部まで研磨した第１方向及び第３方向の断面において、容量形成部の中心部に位置した誘電体層の１０．８２μｍ×１０．８２μｍ領域をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を介してケイ素（Ｓｉ）元素をｍａｐｐｉｎｇした後、イメージ分析プログラム（ＩｍａｇｅＪ）で二次相４０が占める面積分率及び複数個の二次相４０の平均面積を測定した。ケイ素（Ｓｉ）元素は実質的に二次相４０にのみ配置されるため、誘電体層１１１においてケイ素（Ｓｉ）元素が相対的に集中して配置されている領域を二次相４０が形成された領域とした。
【0109】
このとき、誘電体層１１１のうち二次相４０が占める面積分率は、測定されたイメージ全体面積に対する二次相４０が形成された領域の割合で計算し、複数個の二次相４０の平均面積は任意の５個以上の二次相４０の面積を計算した平均値をとった。
【0110】
【表3】
【0111】
表２～表３の結果を総合すると、このとき、「添加剤１００％」以上「添加剤１４０％」以下の範囲は、二次相４０の面積に関連するパラメータで表すことができる。具体的には、一実施形態において、誘電体層のうち上記二次相が占める面積分率は、２．２７％以上２．５７％以下であるか、上記複数個の二次相の平均面積は、０．１０４μｍ２以上０．１７０μｍ２以下であることができる。
【0112】
（実験例４）
図８を参照すると、添加剤の含有量が増加するにつれて、容量の温度変化（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が大きくなることが確認できるが、「添加剤１００％」～「添加剤１８０％」領域では全て－５５～１２５℃で３０ｐｐｍ／℃未満のＣＯＧ特性は満たすことが確認できる。
図８を参照すると、添加剤の含有量が増加するにつれて、容量の温度変化（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が大きくなることが確認できるが、「添加剤１００％」～「添加剤１８０％」領域では全て－５５～１２５℃で３０ｐｐｍ／℃未満のＣＯＧ特性は満たすことが確認できる。
【0113】
但し、「添加剤１００％」～「添加剤１４０％」領域において、容量の温度変化（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）特性により優れていることが確認できる。
【0114】
積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。
【0115】
積層型電子部品１００は、小型化及び高容量化を同時に達成するために、０２０１（長さ×幅、０．２ｍｍ×０．１ｍｍ）以下のサイズを有することができ、高温高圧環境での信頼性が重要な製品の場合、３２２５（長さ×幅、３．２ｍｍ×２．５ｍｍ）以上のサイズを有することができるが、これに制限されるものではない。
【0116】
ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向の最大大きさを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品の第３方向の最大大きさ（Ｗ）を意味することができる。
【0117】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【0118】
また、本開示で用いられた「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。
【0119】
本開示で用いられた用語は、単に一実施形態を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0120】
１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図7a】
【図7b】
【図7c】
【図8】
