特開 2024-155855 マイクロＬＥＤパッケージ構造、および、その形成方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024155855

(43)【公開日】2024-10-31

(54)【発明の名称】マイクロＬＥＤパッケージ構造、および、その形成方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20241024BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024067861

(22)【出願日】2024-04-19

(31)【優先権主張番号】112114491

(32)【優先日】2023-04-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(31)【優先権主張番号】113106760

(32)【優先日】2024-02-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】314014379

【氏名又は名称】隆達電子股▲ふん▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110003166

【氏名又は名称】弁理士法人山王内外特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】郭 修邑

(72)【発明者】

【氏名】許 國翊

(72)【発明者】

【氏名】羅 錦宏

(72)【発明者】

【氏名】林 志豪

(72)【発明者】

【氏名】李 政憲

(72)【発明者】

【氏名】馬 維遠

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA56

5F142AA86

5F142CA11

5F142CB14

5F142CG04

5F142CG05

5F142FA30

5F142FA31

5F142FA46

(57)【要約】

【課題】 マイクロＬＥＤパッケージ構造、および、その形成方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、マイクロＬＥＤパッケージ構造、および、その形成方法を提供する。マイクロＬＥＤパッケージ構造は、複数のマイクロＬＥＤダイ、透光層、第一絶縁層、複数の再分配層、および、複数の導電素子、を有する。マイクロＬＥＤダイは並んで設置され、且つ、それぞれ、電極表、発光面、および、側面を有し、電極表面と発光面は、互いに対向しており、且つ、側面は、電極表面と発光面の間に位置する。透光層は、発光面と側面を被覆する。第一絶縁層は、マイクロＬＥＤダイ下に設置され、且つ、電極表面は、第一絶縁層に直接接触する。再分配層は、第一絶縁層下に設置されるとともに、第一絶縁層を通過して、電極表面に電気的に接続される。導電素子は、複数の再分配層下に設置されるとともに、再分配層に電気的に接続される。
【選択図】 図１５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

マイクロＬＥＤパッケージ構造であって、
並んで設置され、それぞれ、電極表面、発光面、および、複数の側面を有し、前記電極表面と前記発光面は、互いに対向しており、且つ、それらの側面が、前記電極表面と前記発光面の間に位置する複数のマイクロＬＥＤダイと、
前記マイクロＬＥＤダイの前記発光面とそれらの側面を被覆する透光層と、
前記マイクロＬＥＤダイ下に設置され、且つ、前記マイクロＬＥＤダイの前記電極表面が直接接触する第一絶縁層と、
前記第一絶縁層下に設置されるとともに、前記第一絶縁層を通過して、それぞれ、前記マイクロＬＥＤダイの前記電極表面と電気的に接続する複数の再分配層、および、
前記再分配層下に設置されるとともに、前記再分配層に電気的に接続される複数の導電素子、
を有することを特徴とするマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項2】

前記第一絶縁層は、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ、ＰＢＯ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、二酸化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ）、窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）、あるいは、その組み合わせを有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項3】

前記透光層は、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、あるいは、その組み合わせを有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項4】

前記透光層の光透過率は、前記第一絶縁層の光透過率より大きいことを特徴とする請求項１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項5】

前記第一絶縁層と前記透光層の間に、第一接触面を有し、前記第一絶縁層と前記マイクロＬＥＤダイの前記電極表面の間に、第二接触面を有し、且つ、前記第一接触面と前記第二接触面は、異なる平面であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項6】

前記第一絶縁層は、前記マイクロＬＥＤダイの前記側面を部分的に被覆することを特徴とする請求項１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項7】

更に、第二絶縁層を有し、前記第二絶縁層は、前記第一絶縁層下に設置され、且つ、前記再分配層は、前記第二絶縁層中に埋設されることを特徴とする請求項１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項8】

前記導電素子は、ボンデイングパッドであり、且つ、前記マイクロＬＥＤパッケージ構造は、更に、ハードマスク層を有し、前記ハードマスク層は、前記第二絶縁層下に設置されるとともに、前記導電素子を囲繞することを特徴とする請求項７に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項9】

前記ハードマスク層は、酸化ケイ素を有することを特徴とする請求項８に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項10】

前記導電素子は金属柱であり、且つ、前記マイクロＬＥＤパッケージ構造は、更に、充填材料層を有し、前記充填材料層は、前記第二絶縁層下に設置されるとともに、前記導電素子を囲繞することを特徴とする請求項７に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造。

【請求項11】

マイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法であって、
複数のマイクロＬＥＤダイを、第一基板上に並べて配置し、前記マイクロＬＥＤダイは、それぞれ、電極表面、発光面、および、複数の側面を有し、前記電極表面と前記発光面は、互いに対向しており、前記側面が、前記電極表面と前記発光面の間に位置する工程と、
透光層を設置して、前記マイクロＬＥＤダイの前記発光面、および、前記側面を被覆する工程と、
前記第一基板を除去して、前記マイクロＬＥＤダイの前記電極表面を露出する工程と、
第一絶縁層を、前記マイクロＬＥＤダイの前記電極表面に設置し、前記第一絶縁層が、前記マイクロＬＥＤダイの前記電極表面に直接接触するとともに、被覆する工程と、
複数の再分配層を、前記第一絶縁層上に設置し、前記再分配層は、前記第一絶縁層を通過して、それぞれ、前記マイクロＬＥＤダイの前記電極表面に電気的に接続される工程、および、
複数の導電素子を、前記再分配層上に設置し、前記導電素子と前記再分配層が電気的に接続する工程、を有することを特徴とするマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項12】

前記第一基板を除去する工程は、前記第一基板と前記マイクロＬＥＤダイの間のゲルを除去して、前記第一基板を除去するとともに、前記電極表面を露出する工程を有することを特徴とする請求項１１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項13】

前記第一基板を除去する前、前記形成方法は、更に、
第二基板を、前記透光層上に貼合する工程、および、
前記第二基板を貼合後、前記第一基板を反転させる工程、
を有することを特徴とする請求項１１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項14】

複数の前記導電素子を、前記再分配層上に設置後、前記形成方法は、更に：
第三基板を、前記導電素子上に貼合する工程と、
前記第三基板を貼合後、翻轉前記第二基板を反転させる工程、および、
前記第二基板を除去する工程、
を有することを特徴とする請求項１３に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項15】

前記第二基板を除去後、前記形成方法は、更に、前記第三基板を除去する工程を有することを特徴とする請求項１４に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項16】

前記第一絶縁層と前記透光層の間に、第一接触面を有し、前記第一絶縁層と前記マイクロＬＥＤダイの前記電極表面の間は、第二接触面を有し、且つ、前記第一接触面と前記第二接触面は、異なる平面であることを特徴とする請求項１１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項17】

前記第一絶縁層の設置工程は、更に、前記第一絶縁層に、前記マイクロＬＥＤダイの前記側面を部分的に被覆させる工程を有することを特徴とする請求項１１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項18】

複数の前記導電素子を、前記再分配層上に設置する工程の前、前記形成方法は、更に、第二絶縁層を、前記第一絶縁層上に設置し、前記第二絶縁層が、前記再分配層を被覆する工程を有することを特徴とする請求項１１に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項19】

前記導電素子は、ボンデイングパッドであり、且つ、複数の前記導電素子を、前記再分配層上に設置する工程の後、前記形成方法は、更に、ハードマスク層を、前記第二絶縁層上に設置し、前記ハードマスク層は、前記導電素子を囲繞する工程を有することを特徴とする請求項１８に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【請求項20】

前記導電素子は金属柱であり、且つ、複数の前記導電素子を、前記再分配層上に設置する工程の後、前記形成方法は、更に、充填材料層を、前記第二絶縁層上に設置し、前記充填材料層が、前記導電素子を囲繞する工程を有することを特徴とする請求項１８に記載のマイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光ダイオードに関するものであって、特に、マイクロＬＥＤパッケージ構造（ＭＩＣＲＯ ＬＩＧＨＴ－ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＰＡＣＫＡＧＥ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ）、および、その形成方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

電子装置の高度な発展に伴い、電子装置内の各構成要素は徐々に微細化（ｓｃａｌｉｎｇ ｄｏｗｎ）されている。マイクロＬＥＤパッケージ構造を例に取ると、発光ダイオードデバイスのサイズの縮小はプロセスの難易度を著しく上昇させ、歩留まりの低下などの問題を引き起こす。よって、既存のマイクロＬＥＤパッケージ構造はそれらの特定の用途を段階的に満たしてきたが、すべての側面で要件を満たすわけではない。そのため、マイクロＬＥＤパッケージ構造に関しては、まだ克服すべきいくつかの問題が存在する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明は、マイクロＬＥＤパッケージ構造、および、その形成方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0004】

一実施形態において、マイクロＬＥＤパッケージ構造を提供し、複数のマイクロＬＥＤダイ、透光層、第一絶縁層、複数の再分配層、および、複数の導電素子を有する。複数のマイクロＬＥＤダイは並んで設置され、且つ、それぞれ、電極表面、発光面、および、複数の側面を有し、電極表面と発光面は、互いに対向しており、且つ、複数の側面は、電極表面と発光面の間に位置する。透光層は、複数のマイクロＬＥＤダイの発光面と複数の側面を被覆する。第一絶縁層は、複数のマイクロＬＥＤダイ下に設置され、且つ、複数のマイクロＬＥＤダイの電極表面は、第一絶縁層と直接接触する。複数の再分配層は、第一絶縁層下に設置されるとともに、第一絶縁層を通過して、複数のマイクロＬＥＤダイの電極表面に電気的に接続される。複数の導電素子は、複数の再分配層下に設置されるとともに、複数の再分配層に電気的に接続される。

【0005】

一実施形態において、マイクロＬＥＤパッケージ構造の形成方法を提供する。複数のマイクロＬＥＤダイを、第一基板上に並べて配置し、複数のマイクロＬＥＤダイは、それぞれ、電極表面、発光面、および、複数の側面を有する。電極表面と発光面は、互いに対向しており、複数の側面は、電極表面と発光面の間に位置する。透光層を設置して、複数のマイクロＬＥＤダイの発光面、および、複数の側面を被覆する。第一基板を除去して、複数のマイクロＬＥＤダイの電極表面を露出する。第一絶縁層を、複数のマイクロＬＥＤダイの電極表面に設置し、第一絶縁層は、マイクロＬＥＤダイと直接接触するとともに、被覆する。複数の再分配層を、第一絶縁層上に設置し、複数の再分配層は、第一絶縁層を通過して、それぞれ、複数のマイクロＬＥＤダイの電極表面に電気的に接続される。複数の導電素子を、複数の再分配層上に設置し、複数の導電素子と複数の再分配層は、電気的に接続される。

【発明の効果】

【0006】

本発明のマイクロＬＥＤパッケージ構造、および、その形成方法は、各種タイプの電子裝置中に応用することができる。この開示に関する特徴や利点をより明確に理解するために、以下に各種の実施例を挙げ、付属の図面とともに詳細に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図2】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図3A】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図3B】本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤダイの拡大図である。

【図3C】本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤダイのスタンプ転写工程を示す図である。

【図3D】本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤダイのスタンプ転写工程を示す図である。

【図3E】周期的に配置された凹凸模様を持つ青色ＬＥＤ、および、緑色ＬＥＤの上表面を示す図である。

【図4】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図5】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図6】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図7】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図8A】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図8B】接合工程により接続された電極と錫ペーストの間を示す図である。

【図8C】電気メッキ、スパッタリング工程、あるいは、電子ビーム工程により接続された電極と再分配層の間を示す図である。

【図9】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図10】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図11】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図12】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図13】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図14】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図15】本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図16】本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の上視図である。

【図17】本発明のもう一つの実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図18】本発明のもう一つの実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図19】本発明のもう一つの実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図20】本発明のもう一つの実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図21】本発明のもう一つの実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図22】本発明のもう一つの実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の上視図である。

【図23A】本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図23B】本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図23C】本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図24A】本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図24B】本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図24C】本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図24D】本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図25】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図26】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図27】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図28】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図29】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図30】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図31】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図32】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図33】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図34】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図35】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図36】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図37】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図38】本発明のさらに別の実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。

【図39】本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の上視図である。

【図40】本発明のいくつかの実施形態によるディスプレイモジュールを示す図である。

【図41】本発明のいくつかの実施形態によるスプライシングディスプレイ装置を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下の詳細な説明と添付の図面を組み合わせることで、本開示の実施例をより理解することができる。注意すべきことは、工業界の標準的な慣習に従い、一部の部品（ｆｅａｔｕｒｅ）は比例して描かれていない場合があることである。実際には、明確な説明のために、異なる部品のサイズは、拡大、または、縮小される場合がある。
以下には、提供されたマイクロＬＥＤパッケージ構造、および、その形成方法の実施例、または、例が多数示されており、本開示の実施例を簡素化するために、各部品、および、その配置の具体的な例が記載されている。ただし、これらの記述は本開示を制限するためではなく、例えば、記載されたように、第一部品が第二部品の上に配置される場合、第一部品と第二部品が直接接触する実施例だけでなく、第一部品と第二部品の間に追加の部品が配置され、第一部品と第二部品が直接接触しない実施例も含まれる。さらに、本開示の実施例や例において、部品記号や文字が繰り返されることがあるが、これは異なる実施例や例の関係を示すためではなく、説明を明確にするためのものである。

【0009】

本文中の方向語句、「上」、「下」、「左」、「右」など類似の語句は、図に基づく方向を参照している。したがって、使用される方向語句は、本開示を説明するためのものであり、制約するものではない。

【0010】

本開示のいくつかの実施例において、「設置」、「接続」などの用語は、特に定義されていない限り、２つの部品が直接接触している場合だけでなく、２つの部品の間に追加の部品がある場合も指すことができる。設置や接続に関する用語は、両方の構造が移動可能である場合や、両方の構造が固定されている場合も含まれることがある。

【0011】

さらに、本説明書や特許請求の範囲における「第一」、「第二」といった類似の用語は、異なる部品を識別したり、異なる実施例や範囲を区別するために使用されるものであり、部品数の上限や下限を制限するためではなく、部品の製造順序や配置順序を制限するために使用されるものではない。

【0012】

以下の文脈では、「おおよそ」、「実質的に」、またはそれに類する用語は、与えられた値や値の範囲の１０％以内、または、５％以内、または、３％以内、または、２％以内、または１％以内、または、０．５％以内を意味する。ここでの数量は、おおよその数量であり、特に「おおよそ」、または、「実質的に」と明示されていない場合でも、その意味が暗黙的に含まれることがある。

【0013】

特に定義されない限り、本明細書で使用される用語（技術用語および科学用語）は、当業者によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。さらに、一般的に使用される辞書において定義されるような用語は、関連技術の文脈におけるこれらの意味と一致する意味を有するものとして解釈されるべきであり、本明細書において明示的に定義されない限り、理想化された意味または過度に形式的な意味で解釈されない。

【0014】

以下は、実施例の変更に関する説明である。異なる図面や説明の実施例では、同じ、または、類似の部品を示すために、同じ、または、類似の部品記号が使用される。また、方法の前、中、後に追加の工程を提供することができ、一部の記載された工程は、他の実施例の方法で置き換えられるか、削除される。

【0015】

現有の技術において、一般的に、パッケージ材料により、マイクロＬＥＤダイを被覆して、マイクロＬＥＤダイを、外部の不純物から保護する。このほか、パッケージ材料により、複数のマイクロＬＥＤダイを互いに電気的に隔離して、電気的な安定を確保することもある。しかし、マイクロ発光ダイオードダイ尺寸が縮小するにつれて、パッケージ材料は、適切なマイクロＬＥＤダイの被覆が困難になる。特に、ダイの微細化を目指す場合、マイクロ発光ダイオードの元の基板を除去することを選択して、ダイの厚さを大幅に減少させ、従来のパッケージ技術中のダイの取り扱いや固定（プローブ先端の高さ調整／吸引ノズルによる吸引／圧力による固定）に関する多くの工程方法が、マイクロ発光ダイオードにとって、実行可能ではなくなる。また、マイクロＬＥＤダイとパッケージ材料の間には、予期しないギャップが生成されやすく、これらのギャップは、不必要な光の散乱、および、寄生容量を生じ、且つ、散熱效果を低下させる。このほか、パッケージ材料中で、予期しない応力が生成される場合があり、これによって、製造期間中や使用期間中に、マイクロＬＥＤダイが破損する可能性があり、予期しない損失になる。よって、本発明は、マイクロＬＥＤダイ、および、その形成方法を提供して、現有の技術における少なくとも上記の問題を改善する。

【0016】

図１～図３Ａ、図４～図８Ａ、および、図９～図１５を参照すると、それぞれ、本発明のいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。図１に示されるように、第一基板１０を提供する。一実施形態において、第一基板１０は：ＩＶ族元素またはＩＶ族化合物、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ダイヤモンド（Ｃ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、その他の適当な材料、または、それらの組み合わせであるか、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第一基板１０は、可撓性基材、軟性基材、剛性基材、または、これらの組み合わせであるか、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第一基板１０は、ガラス、石英、サファイヤ、セラミックス、その他の適切な材料、またはそれらの組み合わせであるか、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第一基板１０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ、ＰＰ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせであるか、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。たとえば、第一基板１０は、サファイヤ基板である。一実施形態において、第一基板１０は、透明な基材、半透明な基材、あるいは、不透明な基材であるか、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。

【0017】

図２に示されるように、一実施形態において、第一剥離層（ｄｅｂｏｎｄ ｌａｙｅｒ）１１を、第一基板１０上に設置する。一実施形態において、第一剥離層１１は、熱剥離（ｔｈｅｒｍａｌ ｒｅｌｅａｓｅ）、ＵＶ剥離（ＵＶ ｒｅｌｅａｓｅ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。注意すべきことは、図２では、第一剥離層１１が、第一基板１０の上表面を完全に被覆する実施形態を示しているが、本開示はこれに制限されない。その他の実施形態において、第一剥離層１１は、第一基板１０の上表面を部分的に被覆している。たとえば、第一剥離層１１は、後続で設置されるマイクロＬＥＤダイの位置に対応して、第一基板１０の上表面を部分的に被覆する。

【0018】

図３Ａに示されるように、一実施形態において、複数のマイクロＬＥＤダイ１３を、第一基板１０上の第一剥離層１１上に並んで設置する。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３は、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）マイクロＬＥＤダイ１３であるか、あるいは、それを有する。たとえば、まず、複数のマイクロＬＥＤダイ１３を、一時的基板（図示しない）の粘着層（図示しない）上に設置するとともに、レーザー転写（ｌａｓｅｒ ｔｒａｎｓｆｅｒ）工程やその類似工程により、粘着層、および、その上の一時的基板を除去して、複数のマイクロＬＥＤダイ１３を、第一剥離層１１上に転写させるが、本開示はこれに制限されない。あるいは、ピックアップ （ｐｉｃｋ－ｕｐ）工程により、複数のマイクロＬＥＤダイ１３を、第一剥離層１１上に転写させることもできる。

【0019】

図３Ｂも一緒に参照すると、図３Ｂは、本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤダイの拡大図である。図のように、いくつかの実施形態において、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）マイクロＬＥＤダイ１３は、二種の反射層、たとえば、第一反射層１３１と第二反射層１３２を有することができる。第一反射層１３１は、マイクロＬＥＤダイ（たとえば、半導体スタック層１３３）上に設置され、第一反射層１３１は、発光ダイオードダイ（たとえば、半導体スタック層１３３）からの出射光を反射して、これにより、発光ダイオードの外部量子效率（ＥＱＥ）を増加させるとともに、発光ダイオードの発光効率を増加させることができる。第二反射層１３２は、第一反射層１３１上に設置されるとともに、第二反射層１３２は、レーザー光を反射することができ、レーザー光の波長は、４２０ｎｍより小さいとともに、第一反射層１３１は、第二反射層１３２よりも、マイクロＬＥＤダイ１３の活性層（たとえば、半導体スタック層１３３中に位置する）に接近する。よって、レーザー転写（ｌａｓｅｒ ｔｒａｎｓｆｅｒ）工程時、第二反射層１３２は、レーザー光を反射するのに用いられて、レーザー光が、マイクロＬＥＤダイ１３を傷つけるのを防止する。一実施形態において、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）マイクロＬＥＤダイ１３は、発光ダイオードダイ（たとえば、半導体スタック層１３３）からの出射光を反射する第一反射層１３１だけを有し、レーザー光の波長を反射する第二反射層１３２を有さない。

【0020】

図３Ｃ、および、図３Ｄを参照すると、それぞれ、本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤダイのスタンプ転写工程を示す図である。図のように、一実施形態において、スタンプ転写（Ｓｔａｍｐ ｔｒａｎｓｆｅｒ）により、マイクロＬＥＤダイ１３を、第一剥離層１１上に転写させることができる。マイクロＬＥＤダイ１３を転写させるのに用いられる基板は、搭載基板１６０、粘着層１７０、および、犠牲層１４０を有する。粘着層１７０は、搭載基板１６０上に設置され、且つ、犠牲層１４０は、粘着層１７０上方に設置される。一実施形態において、犠牲層１４０をエッチングして、マイクロＬＥＤダイ１３を支持する支承フレーム１４２を形成する。スタンプ転写により、マイクロＬＥＤダイ１３を、第一剥離層１１上に転写させる時、マイクロＬＥＤダイ１３は、支承フレーム１４２の断裂によって得られた支承断裂点を有する。図３Ｃに示されるように、一実施形態において、支承断裂点は、マイクロＬＥＤダイ１３の発光面１３Ａ上に位置する。図３Ｄに示されるように、一実施形態において、支承断裂点は、マイクロＬＥＤダイ１３の両電極１３０の間に位置する。しかし、本開示は、この限りではない。支承フレーム１４２は、マイクロＬＥＤダイ１３の任意の位置に接続され、よって、断裂後、各種位置の支承断裂点に留まる。たとえば、一実施形態において、支承断裂点は、マイクロＬＥＤダイ１３の側面に位置する。一実施形態において、支承断裂点は、マイクロＬＥＤダイ１３側面の対角線位置に位置する。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３は、複数の支承断裂点を有する。

【0021】

引き続き、図３Ａを参照すると、一実施形態において、複数のマイクロＬＥＤダイ１３は、それぞれ、発光面１３Ａ、電極表面１３Ｂ、および、複数の側面１３Ｃを有する。電極表面１３Ｂと発光面１３Ａは、互いに対向しており、且つ、複数の側面１３Ｃは、電極表面１３Ｂと発光面１３Ａの間に位置する。注意すべきことは、ここで、電極表面１３Ｂというのは、マイクロＬＥＤダイ１３自身が電極１３０を設置する表面のことを指し、電極１３０の表面のことではない。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂは、電極１３０により、その他の電子素子と電気的に接続されるために配置され、且つ、発光面１３Ａは、光源の生成のために配置される。これらの実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂは、第一基板１０を向き、発光面１３Ａは、第一基板１０に背く。

【0022】

一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３は、赤色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、あるいは、緑色ＬＥＤである。一実施形態において、赤色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、および、緑色ＬＥＤの発光面１３Ａは、粗化構造を有する。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３中の青色ＬＥＤ、あるいは、緑色ＬＥＤの発光面１３Ａは、均一な粗化構造を有する。図３Ｅを併せて参照すると、図３Ｅは、本発明のいくつかの実施形態による青色ＬＥＤ、および、緑色ＬＥＤの周期排列を有する凹凸紋様の上表面（すなわち、発光面１３Ａ）を示す図である。たとえば、青色ＬＥＤ、および、緑色ＬＥＤ自身は、パターン化されたサファイヤ基板（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ、ＰＳＳ）のようなエピタキシャル基板を有さず（たとえば、マイクロＬＥＤダイ１３は、半導体スタック層１３３を有するが、パターン化されたサファイヤ基板を有さない）、且つ、その発光面１３Ａは、レーザー光により、パターン化されたサファイヤ基板を剥離後に生成された周期的に排列された凹凸紋様を有する。具体的には、前述の凹凸紋様は、光線の取り出しを増加させるとともに、マイクロＬＥＤダイ１３の指向角を調整する。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３中の赤色ＬＥＤの発光面１３Ａは、不均一な粗化構造（たとえば、不均一な紋様）を有する。一実施形態において、化学エッチングを発光面１３Ａに施して、マイクロＬＥＤダイ１３中の赤色ＬＥＤの発光面１３Ａに、不均一な粗化構造を生成させる。

【0023】

注意すべきことは、図３Ａ、および、後続の図面で、厚さが等しい複数のマイクロＬＥＤダイ１３が示されているが、本開示はこれに制限されないことである。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３は、異なる厚さを有してもよい。たとえば、マイクロＬＥＤダイ１３中の赤色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、および、緑色ＬＥＤの任意の二個は、異なる厚さを有することができる。たとえば、青色ＬＥＤと緑色ＬＥＤは、等しい厚さを有するが、青色ＬＥＤと赤色ＬＥＤは、異なる厚さを有することができ、且つ、緑色ＬＥＤと赤色ＬＥＤは、異なる厚さを有することができる。このような状況下で、後文中で設置される再分配層により、厚さが異なるこれらのマイクロＬＥＤダイ１３の発光面１３Ａを互いに同じ高さにして、好ましい表示効果を維持する。

【0024】

図３Ａを続けて参照すると、一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３と第一剥離層１１の間に、更に、粘着層１２を設置することができる。たとえば、先ず、粘着層１２を、マイクロＬＥＤダイ１３上に設置するとともに、マイクロＬＥＤダイ１３を、粘着層１２と一緒に、第一剥離層１１上に転写させることができる。あるいは、先ず、粘着層１２を、第一剥離層１１上に設置するとともに、マイクロＬＥＤダイ１３を、粘着層１２上に貼合することができる。一実施形態において、粘着層１２は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ、ＰＢＯ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。

【0025】

図４に示されるように、一実施形態において、まず、マイクロＬＥＤダイ１３により被覆されていない粘着層１２、および、第一剥離層１１を除去する。たとえば、粘着層１２、および／または、第一剥離層１１の材料に基づいて、加熱、レーザー、ＵＶ光等の方式を使用して、粘着層１２、および、第一剥離層１１を除去するが、本開示はこれに制限されない。その他の実施形態において、物理方式を結合、あるいは、単独使用して、粘着層１２、および、第一剥離層１１を除去することもできる。上記の工程に続いて、透光層１４を設置して、マイクロＬＥＤダイ１３の発光面１３Ａ、および、側面１３Ｃを被覆する。たとえば、圧縮成形（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｍｏｌｄｉｎｇ）、ラミネート、トランスファー成形（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍｏｌｄｉｎｇ）、その他の適当な方法、あるいは、その組み合わせにより、覆うように（ｂｌａｎｋｅｔｌｙ）、透光層１４を、マイクロＬＥＤダイ１３上に形成して、マイクロＬＥＤダイ１３の発光面１３Ａ、および、側面１３Ｃ、粘着層１２の側面、第一剥離層１１の側面、および、二個のマイクロＬＥＤダイ１３の間で露出する第一基板１０を被覆する。

【0026】

一実施形態において、透光層１４は、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせであるか、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、透光層１４のショアＤ（Ｓｈｏｒｅ Ｄ）は、９０以下である。たとえば、透光層１４のショアＤは、９０、８０、７０、６０、５０、４０、３０、あるいは、上述の数値の任意の範囲である。透光層１４のショアＤが９０より大きい時、透光層１４が固化する過程で、過大な応力によって、チップが引き裂かれる可能性がある。

【0027】

一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３が発する光は、順に、発光面１３Ａ、透光層１４から外向けに伝達される。よって、透光層１４の光透過率（たとえば、可視光範囲の光透過率）は８０％以上で、好ましい表示効果を提供するが、本開示はこれに制限されない。たとえば、透光層１４の光透過率は、８０％、８５％、９０％、９５％、１００％、あるいは、上述の数値の任意の範囲である。

【0028】

図５に示されるように、一実施形態において、まず、第二基板１６を、透光層１４上に貼合するとともに、第一基板１０を反転させる。たとえば、まず、第二剥離層１５を、第二基板１６上に設置して、さらに、第二剥離層１５により、第二基板１６を、透光層１４上に貼合する。あるいは、先ず、第二剥離層１５を、透光層１４上に設置して、第二基板１６を第二剥離層１５上に貼合してもよい。

【0029】

一実施形態において、第二基板１６は、ＩＶ族元素、あるいは、ＩＶ族化合物、例えば、シリコン、ダイヤモンド、炭化ケイ素、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａN）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせであるか、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第二基板１６は、可撓性基材、軟性基材、剛性基材、あるいは、その組み合わせであるか、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第二基板１６は、ガラス、石英、サファイヤ（ｓａｐｐｈｉｒｅ）、セラミック、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第二基板１６は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ、ＰＰ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。たとえば、第二基板１６は、サファイヤ基板である。一実施形態において、第二基板１６は、透光基材、半透光基材、あるいは、不透光基材である、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第二基板１６の材料は、第一基板１０の材料に類似する、あるいは、同じであるが、本開示はこれに制限されない。

【0030】

一実施形態において、第二剥離層１５は、熱剥離、ＵＶ剥離、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第二剥離層１５の材料は、第一剥離層１１の材料に類似する、あるいは、第一剥離層１１の材料と同じであるが、本開示はこれに制限されない。

【0031】

上述の工程に続いて、第一基板１０を除去する。一実施形態において、レーザー剥離（ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ－ｏｆｆ）工程、その他の適当な工程、あるいは、その組み合わせにより、第一基板１０を除去するが、本開示はこれに制限されない。たとえば、第一基板１０とマイクロＬＥＤダイ１３間のゲル（存在する場合、ゲルは図示されない）を除去することにより、第一基板１０を除去する。注意すべきことは、上述方法は単なる例であり、本開示は、この限りではないことである。その他のいくつかの実施形態において、物理破壊の方式により、直接、第一基板１０の一部分を除去して、マイクロＬＥＤダイ１３と分けることもできる。

【0032】

図６に示されるように、一実施形態において、第一基板１０を除去した後、第一剥離層１１、粘着層１２、および、一部分の透光層１４を除去して、マイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂ、および、側面１３Ｃの一部分を露出する。一実施形態において、エッチング工程、研磨工程、その他の適当な工程、あるいは、その組み合わせにより、上述の材料を除去するが、本開示はこれに制限されない。

【0033】

一実施形態において、一部分の透光層１４を除去した後、残りの透光層１４の厚さｔ１とマイクロＬＥＤダイ１３の厚さｔ２の間の比率は、１：１～３０：１の間であるが、本開示はこれに制限されない。たとえば、透光層１４の厚さｔ１とマイクロＬＥＤダイ１３の厚さｔ２の間の比率は、１：１、３：１、５：１、７：１、１０：１、１５：１、２０：１、２５：１、上述の数値の間の任意の数値、あるいは、任意の数値範囲である。一実施形態において、透光層１４の厚さｔ１とマイクロＬＥＤダイ１３の幅ｗ１の間の比率は、３０：１～０．４：１の間であるが、本開示はこれに制限されない。たとえば、透光層１４の厚さｔ１とマイクロＬＥＤダイ１３の幅ｗ１の間の比率は、３０：１、２０：１、１５：１、１０：１、５：１、２：１、１：１、０．４：１、上述の数値の間の任意の数値、あるいは、任意の数値範囲である。透光層１４の厚さとマイクロＬＥＤダイ１３の厚さ／幅の間を、特定の関係にすることにより、効果的に、素子全体の表示効果を向上させることができる。

【0034】

図７に示されるように、一実施形態において、第一絶縁層１７を、マイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂ上に設置し、第一絶縁層１７が、直接、マイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂに接触するとともに、マイクロＬＥＤダイ１３の電極１３０を露出する。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３は、二個の電極１３０を有し、且つ、二個の電極１３０は互いに隔てられる。このような状況下で、第一絶縁層１７は、二個の電極１３０の間のギャップを充填して、マイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂが、電極１３０以外、完全に、第一絶縁層１７に被覆されるようにする。一実施形態において、第一絶縁層１７は、連続して、マイクロＬＥＤダイ１３の側面を環繞する。一実施形態において、第一絶縁層１７は、連続で、マイクロＬＥＤダイ１３の電極１３０の側面を環繞する。

【0035】

一実施形態において、第一絶縁層１７と透光層１４の間に、第一接触面Ｓ１を有し、第一絶縁層１７とマイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂの間に、第二接触面Ｓ２を有し、且つ、第一接触面Ｓ１と第二接触面Ｓ２は、同一平面ではない。具体的には、前述の除去工程により、残った透光層１４の水平高度を、電極表面１３Ｂより低くし、これにより、第一接触面Ｓ１の図７中の水平高度は、第二接触面Ｓ２の水平高度より低く、且つ、第一絶縁層１７に、更に、部分的に、マイクロＬＥＤダイ１３の側面１３Ｃを被覆させる。第一絶縁層１７に、部分的に、マイクロＬＥＤダイ１３の側面１３Ｃを被覆させることにより、第一絶縁層１７とマイクロＬＥＤダイ１３の間の接触面積を増加させて、二個の素子の間の密合度を増加させる。一実施形態において、第一絶縁層１７は、連続して、マイクロＬＥＤダイ１３の一部分の側面１３Ｃを環繞する。

【0036】

一実施形態において、第一絶縁層１７は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ＰＩ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、シリコーン、二酸化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ）、窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第一絶縁層１７の材料は、透光層１４の材料と異なる。別のいくつかの実施形態において、第一絶縁層１７の材料は、透光層１４の材料に類似してもよいが、両者の少なくとも一部の物理性質は異なる。たとえば、第一絶縁層１７の硬度は、透光層１４の硬度と異なってもよい。あるいは、第一絶縁層１７の透光度は、透光層１４の透光度と異なってもよい。

【0037】

一実施形態において、第一絶縁層１７のショアＤ（Ｓｈｏｒｅ Ｄ）は、４０以上である。たとえば、第一絶縁層１７のショアＤは、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、あるいは、上述の数値の任意の範囲である。第一絶縁層１７のショアＤが、上述の数値より小さい時、第一絶縁層１７は、後続の過程において、応力のせいで、内向けに延伸して、チップを引き裂く可能性がある。

【0038】

一実施形態において、第一絶縁層１７の光透過率（たとえば、可視光範囲の光透過率）は、７０％以下である。たとえば、第一絶縁層１７の光透過率は、７０％、６５％、６０％、５５％、５０％、４５％、４０％、３５％、あるいは、上述の数値の任意の範囲である。一実施形態において、第一絶縁層１７の透光度は、透光層１４の透光度より低くてもよい。一実施形態において、第一絶縁層１７に、光吸收率が９０％より大きい材料である、あるいは、それらを有させることにより、第一絶縁層１７の光透過率を調整する。たとえば、第一絶縁層１７中に、カーボンブラックなどの黒色分散粒子を添加して、第一絶縁層１７の光透過率を１０％より低くすることにより、第一絶縁層１７を黒色にする。第一絶縁層１７を黒色にすることにより、上面図中で、各マイクロＬＥＤパッケージ構造中の黒色が占める割合を高め、これにより、素子全体の表示効果を向上させる。たとえば、マイクロＬＥＤパッケージ構造を有するディスプレイ装置のコントラストを向上させることができる。一実施形態において、マイクロＬＥＤパッケージ構造中の黒色が占める割合は、８０％以上に達する。

【0039】

図８Ａに示されるように、一実施形態において、複数の再分配層１８を、第一絶縁層１７上に設置し、さらに、再分配層１８は、第一絶縁層１７を通過して、それぞれ、マイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂ上の電極１３０に電気的に接続される。

【0040】

一実施形態において、電気メッキなどのメッキ工程、スパッタリング、または、電子ビーム蒸着工程により、電極１３０上に、再分配層１８を形成する。このような状況下で、再分配層１８と電極１３０の間の接触表面は、明らかな境界を有してもよく、且つ、平坦表面でもよい。図８Ｂは、それぞれ、接合工程（ｂｏｎｄｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）により接続された電極１３０と錫ペーストＳＰの間を示す図である。具体的には、接合工程で生成される粗造界面と比べると、たとえば、図８Ｂでは、電極１３０と錫ペーストＳＰは、ぼやけた界面を有する。図８Ｃは、電気メッキ、スパッタリング工程、あるいは、電子ビーム工程により接続された電極と再分配層の間を示す図である。電気メッキ、スパッタリング工程、あるいは、電子ビーム工程により形成される再分配層１８と電極１３０の間の接触表面は、滑らかな界面（図８Ｃで示されるクリアな界面）を有する。つまり、再分配層１８と電極１３０の間の接触表面の粗造度は、接合工程で生成される接触表面の粗造度より小さい。たとえば、再分配層１８と電極１３０の間の接触表面の最大粗造度は１μｍを超えないが、本開示はこれに制限されない。再分配層１８と電極１３０の間の接触表面が明らかな境界を有し、且つ、平坦表面な表面を有するので、マイクロＬＥＤパッケージ構造１の信頼度が向上する。

【0041】

一実施形態において、再分配層１８は、共形で（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）、電極１３０の表面上に形成される。これにより、再分配層１８は、電極１３０の表面形状に貼合する。たとえば、図８Ｃに示されるように、マイクロＬＥＤダイ１３の電極１３０は、上部１３０Ａ、および、下部１３０Ｂを有し、且つ、上部１３０Ａ、および、下部１３０Ｂは、段差を有する。このような状況下で、再分配層１８は、上部１３０Ａ、下部１３０Ｂ、および、両者間の段差に沿って、電極１３０上に設置されるとともに、電極１３０に似た形状を有する。

【0042】

図９に示されるように、一実施形態において、再分配層１８は、垂直接続部１８Ａ、および、水平接続部１８Ｂを有し、垂直接続部１８Ａは、マイクロＬＥＤダイ１３に電気的に接続され、且つ、水平接続部１８Ｂは、その他の電子素子、例えば、後文で提示される導電素子２０に電気的に接続される。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３の半導体スタック層の総厚さが互いに異なる時、再分配層１８の垂直接続部１８Ａの延伸長さ（あるいは、厚さ）が異なる。よって、各マイクロＬＥＤダイ１３の発光面１３Ａが、実質上、同一平面になるとともに、各マイクロＬＥＤダイ１３が対応する再分配層１８の水平接続部１８Ｂが、実質上、同一平面になる。

【0043】

一実施形態において、再分配層１８は、導電材料である、あるいは、導電材料を有する。たとえば、導電材料は、金属、金属化合物、その他の適当な導電材料、あるいは、その組み合わせを有するが、本開示はこれに制限されない。たとえば、金属は、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、あるいは、その合金である。たとえば、金属化合物は、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、ケイ化タングステン（ＷＳｉ_２）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等である。

【0044】

図９に示されるように、一実施形態において、第二絶縁層１９を、第一絶縁層１７上に設置し、第二絶縁層１９は、再分配層１８を被覆する。つまり、再分配層１８は、第二絶縁層１９中に埋設される。一実施形態において、第二絶縁層１９は、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、シリコーン樹脂、酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第二絶縁層１９の材料は、第一絶縁層１７の材料に類似する、あるいは、同じであるが、本開示はこれに制限されない。

【0045】

一実施形態において、第二絶縁層１９の光透過率（たとえば、可視光範囲の光透過率）は、７０％以下である。たとえば、第二絶縁層１９の光透過率は、７０％、６５％、６０％、５５％、５０％、４５％、４０％、３５％、あるいは、上述の数値の任意の範囲である。一実施形態において、第二絶縁層１９の透光度は、透光層１４の透光度より小さくてもよい。一実施形態において、第二絶縁層１９を、光吸收率が９０％より大きい材料にする、あるいは、有させることにより、第二絶縁層１９の光透過率を調整する。たとえば、第二絶縁層１９中に、カーボンブラック等の黒色分散粒子を添加することにより、第二絶縁層１９の光透過率を１０％より低くして、これにより、第二絶縁層１９を黒くする。第二絶縁層１９を黒くすることにより、上面図中で、各マイクロＬＥＤパッケージ構造中の黒色の割合を増加させ、これにより、素子全体の表示効果を向上させる。

【0046】

一実施形態において、第二絶縁層１９の光透過率は、第一絶縁層１７の光透過率より大きい。たとえば、第一絶縁層１７は、不透明の黒色にできるとともに、第二絶縁層１９を、透明、あるいは、半透明の任意の色にすることができる。このような状況下で、上面図中で、各マイクロＬＥＤパッケージ構造中の黒色の高い割合を維持することができる。一実施形態において、黒色の高い割合は、８０％以上であるが、本開示は、この限りではない。一実施形態において、第一絶縁層１７を、不透明の黒色にすることができるとともに、第二絶縁層１９を、半透明、あるいは、不透明の黒色にすることができ、上面図中で、さらに、各マイクロＬＥＤパッケージ構造中の黒色の高い割合を増加させる。

【0047】

図１０に示されるように、設置複数の導電素子２０を、第二絶縁層１９、および、再分配層１８上に設置し、導電素子２０と再分配層１８を電気的に接続する。一実施形態において、導電素子２０は、ボンデイングパッドであるが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、導電素子２０は、導電材料であるか、あるいは、それを有する。たとえば、導電材料は、金属、金属化合物、その他の適当な導電材料、あるいは、その組み合わせを有するが、本開示はこれに制限されない。たとえば、金属は、錫、銅、金、銀、ニッケル、インジウム、プラチナ、パラジウム、イリジウム、チタン、クロム、タングステン、アルミニウム、モリブデン、マグネシウム、亜鉛、ゲルマニウム、あるいは、その合金である。たとえば、金属化合物は、窒化タンタル、窒化チタン、ケイ化タングステン、インジウムスズ酸化物等である。一実施形態において、導電素子２０の材料は、再分配層１８の材料に類似する、あるいは、同じであるが、本開示はこれに制限されない。

【0048】

図１１に示されるように、一実施形態において、ハードマスク層２１を、第二絶縁層１９上に設置し、ハードマスク層２１は、導電素子２０を囲繞する。一実施形態において、リソグラフィ工程、その他の適当な工程、あるいは、その組み合わせにより、パターン化されたハードマスク層２１を形成するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、ハードマスク層２１は、酸化ケイ素を有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、ハードマスク層２１は、第二絶縁層１９の一部分を露出して、露出した第二絶縁層１９を、カット領域にして、後続の工程で使用する。一実施形態において、三個のマイクロＬＥＤダイ１３を一組として定義するとともに、多組のマイクロＬＥＤダイ１３の間の第二絶縁層１９を露出させる（即ち、ハードマスク層２１により被覆されない）。注意すべきことは、上述の数量は単なる例であり、本開示は、この限りではないことである。

【0049】

図１２に示されるように、ハードマスク層２１を保護層として、一組の（たとえば、図１２中で示される三個）マイクロＬＥＤダイ１３ともう一組の（図示しない）マイクロＬＥＤダイ１３の間の第二絶縁層１９、および、その下の第一絶縁層１７、透光層１４、および、第二剥離層１５に対して、第二基板１６まで、カッティングを施す。たとえば、プラズマダイシング（ｐｌａｓｍａ ｄｉｃｉｎｇ）を使用して、上述の工程を実行することができるが、本開示はこれに制限されない。その他の実施形態において、レーザー、刀具、その他の適当な方式や工具、あるいは、その組み合わせ等を用いて、二組のマイクロＬＥＤダイ１３の間のカッティング工程を実行することもできる。一実施形態において、一個の第二基板１６上に、複数組のマイクロＬＥＤダイ１３が存在し、且つ、一組のマイクロＬＥＤダイ１３の透光層１４、第一絶縁層１７、および、第二絶縁層１９を被覆し、このカッティング工程を経た後、もう一組のマイクロＬＥＤダイ１３を被覆する対応素子と互いに分離される （連続しない）。

【0050】

図１３、および、図１４に示されるように、一実施形態において、まず、第三基板２３を、導電素子２０上に貼合するとともに、第二基板１６を反転させる。たとえば、まず、第三剥離層２２を、第三基板２３上に設置し、さらに、第三剥離層２２により、第三基板２３を、導電素子２０上に貼合する。あるいは、まず、第三剥離層２２を、導電素子２０上に設置し、第三基板２３を、第三剥離層２２上に貼合することもできる。

【0051】

一実施形態において、第三基板２３は、ＩＶ族元素、あるいは、ＩＶ族化合物、例えば、シリコン、ダイヤモンド、炭化ケイ素、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａｎ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第三基板２３は、可撓性基材、軟性基材、剛性基材、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第三基板２３は、ガラス、石英、サファイヤ（ｓａｐｐｈｉｒｅ）、セラミック、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第三基板２３は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ、ＰＰ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。たとえば、第三基板２３は、サファイヤ基板である。一実施形態において、第三基板２３は、透光基材、半透光基材、あるいは、不透光基材である、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第三基板２３の材料は、第一基板１０の材料に類似する、あるいは、同じであるが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第三剥離層２２は、熱剥離、ＵＶ剥離、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第三剥離層２２の材料は、第一剥離層１１の材料に類似する、あるいは、同じであるが、本開示はこれに制限されない。

【0052】

上述の工程に続いて、第二基板１６を除去する。たとえば、第二剥離層１５の種類に基づいて、加熱、ＵＶ光、レーザー等の方式により、第二剥離層１５に粘着性を喪失させて、その上の第二基板１６を除去する。続いて、物理方式、あるいは、化学方式により、第二剥離層１５を除去する。注意すべきことは、同一工程中で、適当な工程を用いて、同時に、第二剥離層１５と第二基板１６を除去することもでき、上述の方式に制限されないことである。

【0053】

図１５に示されるように、一実施形態において、第三基板２３を除去する。たとえば、第三剥離層２２の種類に基づいて、加熱、ＵＶ光、レーザー等の方式により、第三剥離層２２に、粘着性を喪失させて、移除その上の第三基板２３を除去する。続いて、物理方式、あるいは、化学方式により、第三剥離層２２を除去する。注意すべきことは、注意すべきことは、同一工程中で、適当な工程を用いて、同時に、第三剥離層２２と第三基板２３を除去することもでき、上述の方式に制限されないことである。

【0054】

図１６を併せて参照すると、図１６は、本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の上視図であり、且つ、図１５は、図１６中のＡ－Ａ’に沿った断面図である。図１６に示されるように、上述の工程を経た後、マイクロＬＥＤパッケージ構造１を形成する。一実施形態において、導電素子２０は、負極の導電素子２０ｂ、あるいは、正極の導電素子２０ａである。マイクロＬＥＤパッケージ構造１中、並べて配置された三個のマイクロＬＥＤダイ１３を有し、且つ、各マイクロＬＥＤダイ１３の一個の電極１３０は、共同で、一個のコモン負極の導電素子２０ｂに電気的に接続され、各マイクロＬＥＤダイ１３のもう一個の電極１３０は、各自、正極の導電素子２０ａに接続される。一実施形態において、上視図中、導電素子２０の形状は同じでもよい。一実施形態において、上視図中、導電素子２０の形状は、異なってもよい。一実施形態において、コモンの導電素子２０の形状は正方形であり、且つ、一個の三角形ノッチを有し、その他の非コモンの導電素子２０の形状は正方形である。一実施形態において、コモンの導電素子２０の三角形ノッチは、正方形の左上角、右上角、左下角、あるいは、右下角に位置する。一実施形態において、コモンの導電素子２０の形状は正方形で、二個の三角形ノッチを有する。注意すべきことは、図１６で示されるは単なる例であり、本開示は、この限りではないことである。その他の実施形態において、マイクロＬＥＤパッケージ構造１は、三個より多い、あるいは、三個より少ないマイクロＬＥＤダイ１３を有し、且つ、複数のマイクロＬＥＤダイ１３は、個別で、異なる導電素子２０に接続される。一実施形態において、マイクロＬＥＤパッケージ構造１中のマイクロＬＥＤダイ１３の電極接続方式は、前述と異なってもよい。たとえば、各マイクロＬＥＤダイ１３の一個の電極１３０は、共同で、一個のコモン正極の導電素子に接続され、各マイクロＬＥＤダイ１３のもう一個の電極１３０は、各自、負極の導電素子（図示しない）に接続される。

【0055】

上述の工程により、工程が簡潔なマイクロＬＥＤパッケージ構造１を実現することができる。一方、第一絶縁層１７に、大面積で、且つ、部分的に横向けに、マイクロＬＥＤダイ１３を被覆させることにより、マイクロＬＥＤダイ１３周囲の応力制御を確保するとともに、マイクロＬＥＤダイ１３とその他の素子の間により優れた絶縁性を有させ、これにより、高い歩留まりを有するマイクロＬＥＤパッケージ構造１を実現する。このほか、単一のマイクロＬＥＤダイ１３に対する電気特性テストと比較して、マイクロＬＥＤパッケージ構造１を単位として、電気特性テストを実行することにより、テスト接点が、小面積の六個の電極１３０から、大面積の四個の導電素子２０に移行するので、テストの難易度が大幅に減少し、テストにかかる費用が削減される。

【0056】

図１７～図２１は、それぞれ、本発明のもう一つの実施形態による形成方法における各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。注意すべきことは、図１７は、図９の後続工程を受けたもので、その前のすべての工程は、皆、図１～図９で示されるので、ここで詳述しない。このほか、前述の工程に類似する工程も、ここで詳述しない。本実施形態と前述の実施形態の主な差異は、本実施形態の導電素子２４が、前述の実施形態中のボンデイングパッドではなくて、金属柱であることである。注意すべきことは、金属柱の導電素子２４を使用して、金属層の厚度さと体積を増加させることができ、電流の分配、ＬＥＤの冷却、応力の放出、後続のダイボンディング時の圧力緩和、および部品の寿命の改善に大きな利益がもたらされる。一実施形態において、金属柱の導電素子２４は、電気メッキ、蒸着、スクリーン印刷、真空スプレイ等の方法を用いて形成し、その厚さは、前述のもう一種の実施形態中のボンデイングパッドの導電素子２０の数倍から、数十倍である。一実施形態において、金属柱の導電素子２４の厚さは、５μｍ～１００μｍである。

【0057】

図９を引き続き参照し、図１７に示されるように、一実施形態において、複数の導電素子２４を、第二絶縁層１９、および、再分配層１８上に設置し、導電素子２４と再分配層１８は、電気的に接続する。一実施形態において、導電素子２４は、金属柱であるが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、導電素子２４の材料は、再分配層１８の材料に類似する、あるいは、同じであるが、本開示はこれに制限されない。

【0058】

一実施形態において、更に、充填材料層２５を、第二絶縁層１９上に設置し、充填材料層２５は、導電素子２４を囲繞する。一実施形態において、充填材料層２５は、ポリイミド（ＰＩ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）、その他の適当な材料、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。

【0059】

一実施形態において、充填材料層２５の光透過率（たとえば、可視光範囲の光透過率）は、７０％以下である。たとえば、充填材料層２５の光透過率は、７０％、６５％、６０％、５５％、５０％、４５％、４０％、３５％、３０％、２５％、２０％、あるいは、上述の数値の任意の範囲である。
一実施形態において、充填材料層２５を、光吸收率が９０％より大きい材料にする、あるいは、有させることにより、充填材料層２５の光透過率を調整する。たとえば、充填材料層２５中に、カーボンブラック等の黒色分散粒子を添加することにより、充填材料層２５の光透過を１０％より小さくすることにより、充填材料層２５を黒く見せる。充填材料層２５を黒色く見せることにより、光学上で、充填材料層２５下方の位置する素子（たとえば、再分配層１８）を遮蔽して、後続の接合（ｂｏｎｄｉｎｇ）工程中で、たとえば、撮影装置の光学設備が、更に、導電素子２４とその他の電子素子の間の照準を行いやすくする。

【0060】

一実施形態において、充填材料層２５は、高い光吸收率の材料である、あるいは、それを有する。
一実施形態において、充填材料層２５の光吸收率は、第二絶縁層１９の光吸收率より大きい。

【0061】

図１８に示されるように、一実施形態において、上記に類似して、一組の（たとえば、図１８で示される三個）マイクロＬＥＤダイ１３ともう一組の（図示しない）マイクロＬＥＤダイ１３の間の充填材料層２５、および、その下の第二絶縁層１９、第一絶縁層１７、透光層１４、および、第二剥離層１５に対してカッティングを施す。たとえば、プラズマダイシング（ｐｌａｓｍａ ｄｉｃｉｎｇ）を使用して、上述の工程を実行できるが、本開示はこれに制限されない。その他の実施形態において、たとえば、レーザー、刀具、その他の適当な方式、あるいは、工具、あるいは、その組み合わせを使用して、二組のマイクロＬＥＤダイ１３の間のカッティング工程を実行することもできる。

【0062】

図１９、および、図２０に示されるように、一実施形態において、まず、第三基板２３を、導電素子２４上に貼合するとともに、第二基板１６を反転させる。たとえば、まず、第三剥離層２２を第三基板２３上に設置し、第三剥離層２２により、第三基板２３を、導電素子２４上に貼合する。あるいは、先ず、第三剥離層２２を、導電素子２４上に設置して、第三基板２３を、第三剥離層２２上に貼合することもできる。上述の工程に続いて、第二基板１６を除去する。

【0063】

図２１に示されるように、一実施形態において、第三基板２３を除去する。たとえば、第三剥離層２２の種類に基づいて、加熱、ＵＶ光、レーザー等の方式により、第三剥離層２２に、粘着性を喪失させて、その上の第三基板２３を除去する。続いて、物理方式、あるいは、化学方式により、第三剥離層２２を除去する。注意すべきことは、同一工程中で、適当な工程を用いて、同時に、第三剥離層２２と第三基板２３を除去することもでき、上述の方式に制限されないことである。

【0064】

この実施形態が、上述の実施形態の長所を有する以外に、この実施形態の導電素子２４は、さらに大きい体積を有し、これにより、その他の素子との間の良好な電気的接続を実現することができる。図２２を併せて参照すると、図２２は、本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の上視図であり、且つ、図２２は、図２１中の線Ｂ－Ｂ’に沿った断面図である。一実施形態において、上視図中、導電素子２４の形状は同じである。一実施形態において、上視図中、導電素子２４の形状は異なる。一実施形態において、コモンの導電素子２４の形状は正方形で、一個の三角形ノッチを有し、その他の非コモンの導電素子２４の形状は正方形である。一実施形態において、コモンの導電素子２４の三角形ノッチは、正方形の左上角、右上角、左下角、あるいは、右下角に位置する。一実施形態において、コモンの導電素子２４の形状は正方形であり、二個の三角形ノッチを有する。注意すべきことは、本開示は、導電素子の具体的な形状、尺寸や材料等に制限されず、当業者なら、必要に応じて、適当な導電素子を選択して、上述の導電素子２０、および／または、導電素子２４、および／または、導電素子３７を代替することができることである。

【0065】

上文中、すでに、本発明のいくつかの実施形態に基づいて、特定の再分配構造を有するマイクロＬＥＤパッケージ構造、および、その形成方法をほぼ描写している。上記のマイクロＬＥＤパッケージ構造は、再分配ラスト（ＲＤＬ ｌａｓｔ）方式で製造される。以下の文で、本発明のもう一つの実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造のいくつかの変化例を示し、および、もう一種の再分配ラスト方式で製造されるマイクロＬＥＤパッケージ構造を描写する。具体的には、以下の各種実施形態と前述の実施形態の主な差異は、以下の実施形態中のマイクロＬＥＤパッケージ構造が、更に、余分の素子、あるいは、特徴を有する、あるいは、異なる形成順序で、各種素子や特徴を形成することができる。

【0066】

図２３Ａ～図２３Ｃは、本発明のさらにいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。一実施形態において、マイクロＬＥＤパッケージ構造は、さらに、反射構造（たとえば、以下の反射構造２６ａ～反射構造２６ｃ）を有し、且つ、反射構造は、マイクロＬＥＤダイ１３の周囲に設置される。

【0067】

図２３Ａに示されるように、反射構造２６ａは、マイクロＬＥＤダイ１３の周囲に環繞設置される。一実施形態において、反射構造２６ａの底表面は、マイクロＬＥＤダイ１３の電極表面１３Ｂと同一平面でもよいが、本開示はこれに制限されない。あるいは、図２３Ｂに示されるように、反射構造２６ｂは、共形で、マイクロＬＥＤダイ１３の下表面（たとえば、電極表面１３Ｂ）上、および、二個のマイクロＬＥＤダイ１３の間に設置されるとともに、マイクロＬＥＤダイ１３の電極１３０を露出する。このような状況下で、反射構造２６ｂは、反射構造２６ａよりさらに大きい被覆面積を有して、さらに好ましい光反射效果を達成する。

【0068】

一実施形態において、反射構造２６ａ、あるいは、反射構造２６ｂは、反射材料を有する。たとえば、反射材料は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、その類似物、あるいは、その組み合わせを有するが、本開示はこれに制限されない。あるいは、反射材料は、白色塗料やその他の白色材料、その類似物、あるいは、その組み合わせである、あるいは、それらを有するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、第一絶縁層１７の形成前（たとえば、図６の形成工程中）、電気メッキ、化学気相蒸着、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、その他の適当な形成工程、あるいは、その組み合わせにより、マイクロＬＥＤダイ１３上に、反射構造２６ａ、あるいは、反射構造２６ｂを形成することができる。一実施形態において、反射構造２６ａ、あるいは、反射構造２６ｂは、異なる屈折率を有する複数の膜層を有して、分布フラッグ反射素子（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を形成する。

【0069】

あるいは、図２３Ｃに示されるように、反射構造２６ｃを設置して、第一絶縁層１７を代替してもよい。このような状況下で、マイクロＬＥＤパッケージ構造は、第一絶縁層を有さず、且つ、反射構造２６ｃは、同時に、電気的隔離と光線の反射に用いられる。一実施形態において、直接、反射材料を設置して、第一絶縁層１７を代替することができる。たとえば、図７の形成工程中、誘電材料を設置せず、よって、第一絶縁層１７を形成しないとともに、反射材料を設置することにより、反射構造２６ｃを形成する。このような状況下で、反射構造２６ｃに、異なる屈折率の複数の膜層を有させて、分布フラッグ反射素子（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を形成する。

【0070】

図２４Ａ、および、図２４Ｂは、本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。一実施形態において、マイクロＬＥＤパッケージ構造の透光層１４は、粗化構造を有して、表示効果を向上させる。たとえば、凹凸不平な表面や特定の弧度を有する表面により、マイクロＬＥＤダイ１３の光線を収束、あるいは、散乱させる。図２４Ａに示されるように、透光層１４は、不規則な粗化表面１４ｓ２を有する。このような状況下で、マイクロＬＥＤダイ１３から発射される光線は、粗化表面１４ｓ２の影響を受けて分散し、光線を均一に発散させる。

【0071】

図２４Ｂに示されるように、透光層１４は、規則的な粗化表面１４ｓ３を有してもよい。たとえば、透光層１４は、複数のレンズユニットを有し、複数のレンズユニットは、アレイで、透光層１４の粗化表面１４ｓ３上から突出する。しかし、本開示は、この限りではない。その他の実施形態において、透光層１４の複数のレンズユニットの数量は、マイクロＬＥＤダイ１３の数量と対応する。たとえば、マイクロＬＥＤダイ１３の数量が３個の時、レンズユニットの数量も３個である。このような状況下で、複数のレンズユニットは、各自、一個のマイクロＬＥＤダイ１３に対応するとともに、マイクロＬＥＤダイ１３上に設置されて、光線の制御效果を実現する。

【0072】

一実施形態において、透光層１４上に、光学層（図示しない）を設置して、マイクロＬＥＤダイ１３が発射する光線の透光層１４に対する光透過度を向上させることもできる。図２４Ｃ、および、図２４Ｄは、本発明のさらに別の実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。図２４Ｄは、図２４Ｃ中の領域Ａの拡大図である。図のように、開示中、導電素子２４の第二絶縁層１９に隣接する位置は、内凹構造ＣＳを有し、且つ、充填材料層２５が、導電素子２４を環繞するとともに、導電素子２４の内凹構造ＣＳ中に充填される。一実施形態において、内凹構造ＣＳは、導電素子２４の両端に位置し、且つ、充填材料層２５は、導電素子２４両端に位置する内凹構造ＣＳ中に充填される。一実施形態において、内凹構造ＣＳは、導電素子２４の周縁に、環形で設置され、且つ、充填材料層２５は、導電素子２４周縁に位置する内凹構造ＣＳ中に充填される。一実施形態において、内凹構造ＣＳは、導電素子２４の辺縁から、導電素子２４の内部に向かって、徐々に先端を形成する。一実施形態において、断面中、内凹構造ＣＳは、錘状である。いくつかの実施形態において、充填材料層２５は、充填物２５０（たとえば、図２４Ｄ中的黒色部分）、および、拡散粒子２５１（Ｆｉｌｌｅｒ）（たとえば、図２４Ｄ中の白色部分）を有する。いくつかの実施形態において、拡散粒子は、二酸化チタン （ＴｉＯ_２）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化ホウ素 （ＢＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、あるいは、ジルコニア （ＺｒＯ_２）を有する。いくつかの実施形態において、拡散粒子は、中空の二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、あるいは、実心の二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）が含まれる。いくつかの実施形態において、充填材料層２５は、二種以上の異なる尺寸の拡散粒子を有する。たとえば、充填材料層２５は、二種の異なる尺寸、三種の異なる尺寸、四種の異なる尺寸、あるいは、五種異なる尺寸以上の拡散粒子を有する。いくつかの実施形態において、拡散粒は、球形や長方形である。いくつかの実施形態において、充填材料層２５は、二種以上の異なる半径の球形の拡散粒子を有する。いくつかの実施形態において、充填材料層２５は、内凹構造ＣＳの領域を充填し、充填物２５０だけを有してもよい。いくつかの実施形態において、充填材料層２５は、内凹構造ＣＳの領域を充填し、充填物２５０、および、拡散粒子２５１（Ｆｉｌｌｅｒ）を有することができる。

【0073】

一実施形態において、内凹構造ＣＳは、導電素子２４の種晶層と導電素子２４自身の間の界面を形成することにより生成される構造特徴であるが、本開示はこれに制限されない。この構造特徴により、導電素子２４と充填材料層２５の間の付着力を増加させることができる（たとえば、接触面積を増加させる）。充填材料層２５は、導電素子２４に位置する内凹構造ＣＳ中に充填され、マイクロＬＥＤパッケージ構造の信頼度を向上させることができる。図２５～図３８は、それぞれ、本発明のさらにいくつかの実施形態による形成方法の各階段のマイクロＬＥＤパッケージ構造の断面図である。注意すべきことは、図２５～図３８で示される素子や部品の材料や功能は、それぞれ、図１～図２２で示される素子や部品の材料や功能に類似、あるいは、同じであるので、ここで詳述しない。たとえば、第一基板３０は、第一基板１０に類似する、あるいは、同じである。第一絶縁層３４は、第一絶縁層１７に類似する、あるいは、同じである。充填材料層３８は、充填材料層２５に類似する、あるいは、同じである。このほか、前述の工程と類似する工程も、ここで詳述しない。本実施形態と前述の実施形態の主な差異は、本実施形態の形成方法の工程と前述の実施形態が異なることである。

【0074】

図２５に示されるように、第一基板３０を提供する。図２６に示されるように、一実施形態において、第一剥離層（ｄｅｂｏｎｄ ｌａｙｅｒ）３１を、第一基板３０上に設置する。図２６に示されるように、粘着層３２を、第一剥離層３１上に設置し、且つ、複数のマイクロＬＥＤダイ３３を、粘着層３２上に並べて配置する。図２７に示されるように、これらの実施形態において、マイクロＬＥＤダイ３３の発光面３３Ａは、第一基板３０に向き、電極表面３３Ｂは、第一基板３０に背く。つまり、マイクロＬＥＤダイ３３の発光面３３Ａは、粘着層３２に向くとともに、粘着層３２と接触する。

【0075】

図２８に示されるように、粘着層３２の一部分を除去する。具体的には、たとえば、エッチングの除去工程により、粘着層３２がマイクロＬＥＤダイ３３により遮蔽されていない部分を除去することができる。

【0076】

図２９に示されるように、第一絶縁層３４を、マイクロＬＥＤダイ３３の電極表面３３Ｂ上に設置し、第一絶縁層３４は、マイクロＬＥＤダイ３３の電極表面３３Ｂ、および、側面３３Ｃに直接接触するとともに、マイクロＬＥＤダイ３３の電極３３０を露出する。一実施形態において、第一絶縁層３４は、連続で、途切れることなく、マイクロＬＥＤダイ３３の側面３３Ｃを囲繞する。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ３３の厚さが異なる時、たとえば、赤色マイクロＬＥＤダイ、青色マイクロＬＥＤダイ、緑色マイクロＬＥＤダイの厚さは異なる。マイクロＬＥＤダイ３３上に、第一絶縁層３４を形成するとともに、マイクロＬＥＤダイ３３の電極３３０を露出するホール３４０の深さを異ならせる。一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ１３中の赤色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、および、緑色ＬＥＤの任意の二者は、異なる厚さを有する。たとえば、青色ＬＥＤと緑色ＬＥＤは、同じ厚さを有するが、青色ＬＥＤと赤色ＬＥＤは、異なる厚さを有し、且つ、緑色ＬＥＤとＬＥＤは、異なる厚さを有する。後述の文中で設置される再分配層により、厚さが異なるこれらのマイクロＬＥＤダイ１３の発光面１３Ａを互いに均等にして、好ましい表示効果を維持する。一実施形態において、青色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤの厚さは、赤色ＬＥＤより厚い。

【0077】

図３０に示されるように、複数の再分配層３５を、第一絶縁層３４上に設置し、再分配層３５は、第一絶縁層３４を通過して、それぞれ、マイクロＬＥＤダイ３３の電極表面３３Ｂ上の電極３３０に電気的に接続される。上記に類似して、再分配層３５の垂直接続部３５Ａの延伸長さ（あるいは、厚さ）は異なる。これにより、各マイクロＬＥＤダイ３３の発光面３３Ａを、実質上、同一平面にするとともに、各マイクロＬＥＤダイ３３が対応する再分配層３５の水平接続部３５Ｂを、実質上、同一平面にする。

【0078】

一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ３３の厚さが同じとき、たとえば、赤色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、ＬＥＤダイの厚さは同じである。

【0079】

一実施形態において、マイクロＬＥＤダイ３３の厚さが同じ時、マイクロＬＥＤダイ３３上に、第一絶縁層３４を形成するとともに、マイクロＬＥＤダイ３３の電極３３０を露出するホール３４０の深さを同じにする。複数の再分配層３５を、第一絶縁層３４上に設置し、再分配層３５が、第一絶縁層３４を通過して、それぞれ、マイクロＬＥＤダイ３３の電極表面３３Ｂ上の電極３３０に電気的に接続される。再分配層３５の垂直接続部３５Ａの延伸長さ（あるいは、厚さ）は互いに同じである。これにより、各マイクロＬＥＤダイ３３の発光面３３Ａを、実質上、同一平面にするとともに、各マイクロＬＥＤダイ３３が対応する再分配層３５の水平接続部３５Ｂを、実質上、同一平面にする。

【0080】

図３１に示されるように、第二絶縁層３６を、第一絶縁層３４上に設置し、第二絶縁層３６が、再分配層３５を被覆する。つまり、再分配層３５は、第二絶縁層３６中に埋設される。

【0081】

図３２に示されるように、複数の導電素子３７を、第一絶縁層３４、および、再分配層３５上に設置し、導電素子３７と再分配層３５は電気的に接続する。一実施形態において、導電素子３７は、金属柱であるが、本開示はこれに制限されない。

【0082】

図３３に示されるように、充填材料層３８を第二絶縁層３６上に設置し、充填材料層３８は、導電素子３７を囲繞し、且つ、完全に被覆する。

【0083】

図３４に示されるように、充填材料層３８の一部分を除去して、導電素子３７の上表面を露出する。たとえば、たとえば、化学機械研磨、エッチング、その他の適当な方法、あるいは、その組み合わせの方式により、充填材料層３８を除去するが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、導電素子３７の上表面を露出後、充填材料層３８の上表面と導電素子３７が、同一平面になる。

【0084】

図３５に示されるように、導電パッド３９を、導電素子３７上に設置し、且つ、導電パッド３９の上表面と充填材料層３８の上表面は、異なる平面である。導電パッド３９は、導電素子３７に電気的に接続される。一実施形態において、導電パッド３９は、垂直方向上で、導電素子３７、および、一部の充填材料層３８を被覆する。つまり、上視方向で、導電パッド３９は、導電素子３７に重なるとともに、直接接触し、且つ、導電パッド３９の端部、あるいは、周縁は、重なるとともに、充填材料層３８の一部分と直接接触する。一実施形態において、導電パッド３９の上面積は、導電素子３７の上面積より大きい。これにより、上視方向で、導電パッド３９は、導電素子３７と完全に重なるとともに、直接接触し、且つ、導電パッド３９の二個の端部、あるいは、全周縁が、充填材料層３８の一部分と重なるとともに、直接接触する。図３９を併せて参照すると、図３９は、本発明のいくつかの実施形態によるマイクロＬＥＤパッケージ構造の上視図であり、且つ、図３９は、図３８中のＣ－Ｃ’に沿った断面図である。一実施形態において、導電パッド３９の数量は四個であり、そのうちの一個が、コモンの導電パッド３９である。一実施形態において、上視図中、導電パッド３９の形状は同じでもよい。一実施形態において、上視図中、導電パッド３９の形状は、異なってもよい。一実施形態において、コモンの導電パッド３９の形状は正方形で、且つ、一個の三角形ノッチを有し、その他の非コモンの導電パッド３９の形状は正方形である。一実施形態において、コモンの導電パッド３９の三角形ノッチは、正方形の左上角、右上角、左下角、あるいは、右下角に位置することができる。一実施形態において、コモンの導電パッド３９の形状は正方形で、且つ、二個の三角形ノッチを有する。

【0085】

一実施形態において、上視方向上で、導電パッド３９は、再分配層３５と重なる。一実施形態において、上視方向上で、いくつかのマイクロＬＥＤダイ３３は、二個の導電パッド３９と重なり、たとえば、その配置方式は、図１６に類似するが、本開示はこれに制限されない。注意すべきことは、図１～図２２の実施形態は、特に導電パッドを示していないが、本実施形態の導電パッドを、前述の実施形態に応用することもできる。

【0086】

一実施形態において、導電パッド３９は、導電材料である、あるいは、導電材料を有する。たとえば、導電材料は、金属、金属化合物、その他の適当な導電材料、あるいは、その組み合わせを有するが、本開示はこれに制限されない。たとえば、金属は、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム （Ｉｎ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン （Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、あるいは、その合金である。たとえば、金属化合物は、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、ケイ化タングステン（ＷＳｉ_２）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等である。

【0087】

図３６に示されるように、第一基板３０を反転させるとともに、第一基板３０を除去する。たとえば、第一剥離層３１の種類に基づいて、加熱、ＵＶ光、レーザー等の方式により、第一剥離層３１に、粘着性を喪失させて、その上の第一基板３０を除去する。

【0088】

図３７に示されるように、粘着層３２、および、第一絶縁層３４の一部分を除去して、マイクロＬＥＤダイ３３の発光面３３Ａを露出する。たとえば、エッチング、研磨、その他の適当な方法、あるいは、その組み合わせ等の除去工程により、粘着層３２、および、第一絶縁層３４の一部分を除去する。粘着層３２、および、第一絶縁層３４の一部分を除去した後、第一絶縁層３４の上表面３４Ａは、発光面３３Ａと同一平面であるが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、粘着層３２、および、第一絶縁層３４の一部分を除去して、第一絶縁層３４の上表面３４Ａが、発光面３３Ａより低くなるまで、発光面３３Ａ上の粘着層３２を確実に、完全に除去する。このような状況下で、第一絶縁層３４の上表面３４Ａは、マイクロＬＥＤダイ３３の側面３３Ｃに接触する。一実施形態において、第一絶縁層３４は、連続で、マイクロＬＥＤダイ３３の側面３３Ｃを囲繞する。第一絶縁層３４は、マイクロＬＥＤダイ３３の電極３３０の間に充填される。よって、粘着層３２、および、第一絶縁層３４の一部分を除去する前述の工程前に、第一絶縁層３４は、マイクロＬＥＤダイ３３を脱落させない。また、粘着層３２、および、第一絶縁層３４の一部分の除去工程後、第一絶縁層３４は、マイクロＬＥＤダイ３３を、マイクロＬＥＤパッケージ構造１中に固定する。図３８に示されるように、透光層４０を設置して、マイクロＬＥＤダイ３３の発光面３３Ａを被覆して、マイクロＬＥＤパッケージ構造１を形成する。一実施形態において、第一絶縁層３４の上表面３４Ａが、発光面３３Ａより低い時、透光層４０は、マイクロＬＥＤダイ３３の発光面３３Ａ、および、側面３３Ｃを被覆することができる。一実施形態において、透光層４０の側面、第一絶縁層３４の側面、第二絶縁層３６と充填材料層３８は、同一平面である。一実施形態において、マイクロＬＥＤパッケージ構造１は、立方体、あるいは、直方体である。

【0089】

図４０は、本発明のいくつかの実施形態によるディスプレイモジュールを示す図である。マイクロＬＥＤパッケージ構造１は、画素ユニットとして、ディスプレイ装置中に応用される。一実施形態において、本発明のマイクロＬＥＤパッケージ構造１は、ディスプレイモジュール２中に応用されるとともに、画素ユニットとして使用する。図３８に示されるように、ディスプレイモジュール２は、マイクロＬＥＤパッケージ構造１、プリント回路基板ＰＣＢを有する。マイクロＬＥＤパッケージ構造１は、プリント回路基板ＰＣＢに電気的に接続される。一実施形態において、接合材料により、マイクロＬＥＤパッケージ構造１とプリント回路基板ＰＣＢを電気的に接続する。一実施形態において、パッケージ材料ＥＬを使用して、これらのマイクロＬＥＤパッケージ構造１を被覆して、一個のディスプレイモジュール２を形成する。一実施形態において、パッケージ材料ＥＬの材料は、透光層１４、４０の材料に類似する、あるいは、同じであるが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、パッケージ材料の材料は、透光層１４、４０の材料と異なるが、本開示はこれに制限されない。一実施形態において、パッケージ材料ＥＬは、透明の材料であるが、本開示はこれに制限されない。

【0090】

注意すべきことは、図４０は、ディスプレイモジュール２の可能な構造、および、その配置を示しているが、本開示はこれに制限されないことである。その他の実施形態において、本発明のマイクロＬＥＤパッケージ構造１は、当業者なら熟知している各種ディスプレイモジュール中に応用することができる。一実施形態において、本発明のディスプレイモジュール２は、各種尺寸のディスプレイ装置に接合することができる。

【0091】

図４１は、本発明のいくつかの実施形態によるスプライシングディスプレイ装置を示す図である。一実施形態において、本発明のマイクロＬＥＤパッケージ構造１は、ディスプレイモジュール２中に応用することができ、且つ、複数のディスプレイモジュール２は、複数のディスプレイ装置中に応用することができる。図のように、複数のディスプレイモジュール２を有する複数のディスプレイ装置を、共同で、スプライシングディスプレイ装置に応用することができる。

【0092】

この実施例における部品は、発明の精神に適合し、かつ衝突しない限り、任意に組み合わせて使用することができる。また、本開示の保護範囲は、説明書内で特定の実施例に限定される製造方法、機器、製造、物質組成、装置、方法、および、手順に限定されない。当業者は、本開示の内容から、現在、または、将来に開発される製造方法、機器、製造、物質組成、装置、方法、および手順を理解することができる。これらは、本実施例において本質的に同等の機能を実施するか、本質的に同等の結果を得ることができる場合、本開示に基づいて使用することができる。したがって、本開示の保護範囲は、上記の製造方法、機器、製造、物質組成、装置、方法、および手順を含む。本開示の任意の実施例、または、請求項は、本開示に公開されたすべての目的、利点、および／または、特徴を達成する必要はない。

【0093】

上述は、いくつかの実施例を概説することで、当業者が本開示された実施例の視点をより理解できるようにするためのものである。当業者が理解すべきことは、本開示された実施例を基にして、他のプロセスや構造を設計または変更し、ここで紹介された実施例と同じ目的や利点を達成することが可能であることである。当業者が理解すべきことは、このような同等のプロセスや構造が、本開示の精神や範囲から逸脱していないことであり、そして、本開示の精神や範囲を侵害しない範囲で、さまざまな変更、代替、および、置換が行われ得る。

【符号の説明】

【0094】

１ マイクロＬＥＤパッケージ構造、２ ディスプレイモジュール、１０，３０ 第一基板、１１，３１ 第一剥離層、１２，３２ 粘着層、１３，３３ マイクロＬＥＤダイ、１３Ａ，３３Ａ 発光面、１３Ｂ，３３Ｂ 電極表面、１３Ｃ，３３Ｃ 側面、１４ 透光層、１４ｓ２，１４ｓ３ 粗化表面、１５ 第二剥離層、１６ 第二基板、１７，３４ 第一絶縁層、１８，３５ 再分配層、１８Ａ，３５Ａ 垂直接続部、１８Ｂ，３５Ｂ 水平接続部、１９，３６ 第二絶縁層、２０，２０ａ，２０ｂ，２４，３７ 導電素子、２１ ハードマスク層、２２ 第三剥離層、２３ 第三基板、２５，３８ 充填材料層、２６ａ，２６ｂ，２６ｃ 反射構造、３９ 導電パッド、４０ 透光層、１３０ 電極、１３０Ａ 上部、１３０Ｂ 下部、１３１ 第一反射層、１３２ 第二反射層、１３３ 半導体スタック層、１４０ 犠牲層、１４２ 支承フレーム、１６０ 搭載基板、１７０ 粘着層、３３０ 電極、３４０ 孔洞、Ａ 領域、Ａ－Ａ’，Ｂ－Ｂ’，Ｃ－Ｃ’ 線、ＥＬ パッケージ材料、ＰＣＢ プリント回路基板、Ｓ１ 第一接触面、Ｓ２ 第二接触面、ＳＰ 錫ペースト、ｔ１，ｔ２ 厚さ、ｗ１ 幅。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23A】

【図23B】

【図23C】

【図24A】

【図24B】

【図24C】

【図24D】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】