特開 2024-15652 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024015652

(43)【公開日】2024-02-06

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/82 20060101AFI20240130BHJP

   H01L 21/822 20060101ALI20240130BHJP

【ＦＩ】

H01L21/82 F

H01L27/04 V

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022117867

(22)【出願日】2022-07-25

(71)【出願人】

【識別番号】302062931

【氏名又は名称】ルネサスエレクトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】児玉 栄介

(72)【発明者】

【氏名】河合 徹

【テーマコード（参考）】

5F038

5F064

【Ｆターム（参考）】

5F038AV15

5F038EZ12

5F038EZ14

5F038EZ17

5F038EZ20

5F064FF24

5F064FF27

5F064FF29

5F064FF30

5F064FF34

5F064FF45

5F064GG07

(57)【要約】

【課題】電気ヒューズの溶断性を向上させる。
【解決手段】ヒューズ本体ＦＢとヒューズパッドＦＰとを備えた電気ヒューズＥＦＳは、ポリシリコン膜ＰＳＦとコバルトシリサイド膜ＣＳＦとの積層構造である。ヒューズ本体ＦＢには、第１厚さＦＴ１を有する第１部ＦＢ１と、第２厚さＦＴ２を有する第２部ＦＢ２とが形成されている。第１厚さＦＴ１は、第２厚さＦＴ２よりも薄い。第１部ＦＢ１におけるポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ１が、第２部ＦＢ２におけるポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ２よりも薄くなるように、ポリシリコン膜ＰＳＦが形成されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電気ヒューズを備えた半導体装置であって、
主面を有する半導体基板と、
前記主面上に形成され、幅を有し、かつ一方向に延在するヒューズ本体を含む前記電気ヒューズと、
を有し、
前記ヒューズ本体は、
第１融点を有する第１層と、
前記第１層に接するように積層され、前記第１融点よりも高い第２融点を有する第２層と、
を含み、
前記ヒューズ本体は、
前記電気ヒューズとして切断される部分である、第１厚さを有する第１部と、
前記第１部に接続された、第２厚さを有する第２部と、
を備え、
前記第１部の前記第１厚さは、前記第２部の前記第２厚さよりも薄く、
前記ヒューズ本体の前記第１部における前記第１層の厚さは、前記第２部における前記第１層の厚さよりも薄い、半導体装置。

【請求項2】

電気ヒューズを備えた半導体装置であって、
主面を有する半導体基板と、
前記主面上に形成され、幅を有し、かつ一方向に延在するヒューズ本体を含む前記電気ヒューズと、
を有し、
前記ヒューズ本体は、
第１融点を有する第１層と、
前記第１層に接するように積層され、前記第１融点よりも高い第２融点を有する第２層と、
を含み、
前記ヒューズ本体は、
前記電気ヒューズとして切断される部分である、第１厚さを有する第１部と、
前記第１部に接続された、第２厚さを有する第２部と、
を備え、
前記第１部の前記第１厚さは、前記第２部の前記第２厚さよりも厚く、
前記ヒューズ本体の前記第１部における前記第２層の厚さは、前記第２部における前記第２層の厚さよりも厚い、半導体装置。

【請求項3】

前記第１層は、ポリシリコン膜であり、
前記第２層は、金属シリサイド膜である、請求項１または２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記金属シリサイド膜は、コバルトシリサイド膜を含む、請求項３記載の半導体装置。

【請求項5】

電気ヒューズを備えた半導体装置であって、
主面を有する半導体基板と、
前記主面上に形成され、幅を有し、かつ第１方向に延在するヒューズ本体を含む前記電気ヒューズと、
前記ヒューズ本体の上に、絶縁材を介在させて配置されたヒートシンクと、
を有し、
前記ヒューズ本体は、
第１融点を有する第１層と、
前記第１層と前記ヒートシンクとの間に、前記第１層に接するように積層され、前記第１融点よりも高い第２融点を有する第２層と、
を備えた、半導体装置。

【請求項6】

前記ヒートシンクは、前記第１方向と交差する第２方向に延在するように形成された、請求項５記載の半導体装置。

【請求項7】

前記半導体基板の前記主面を覆うように形成されたコンタクト層間絶縁膜と、
前記コンタクト層間絶縁膜上に形成された第１配線層と、
を有し、
前記ヒートシンクは、前記コンタクト層間絶縁膜上に形成され、
前記絶縁材として、前記ヒートシンクと前記ヒューズ本体との間に前記コンタクト層間絶縁膜の部分が介在する、請求項５記載の半導体装置。

【請求項8】

前記ヒートシンクは、前記第１配線層の下面に対応する前記コンタクト層間絶縁膜の上面の位置から、前記第１配線層の前記下面よりも前記半導体基板の前記主面に近い位置にわたり形成された、請求項７記載の半導体装置。

【請求項9】

前記ヒートシンクは、前記第１配線層の上面に対応する位置から、前記第１配線層の下面に対応する前記コンタクト層間絶縁膜の上面にわたり形成された、請求項７記載の半導体装置。

【請求項10】

前記半導体基板の前記主面を覆うように形成されたコンタクト層間絶縁膜と、
前記コンタクト層間絶縁膜上に形成された第１配線層と、
前記第１配線層を覆うように形成されたヴィア層間絶縁膜と、
前記ヴィア層間絶縁膜上に形成された第２配線層と、
を有し、
前記ヒートシンクは、前記第２配線層の下面に対応する前記ヴィア層間絶縁膜の上面の位置から、前記ヴィア層間絶縁膜と前記コンタクト層間絶縁膜との界面よりも前記半導体基板の前記主面に近い位置にわたり形成され、
前記絶縁材として、前記ヒートシンクと前記ヒューズ本体との間に前記コンタクト層間絶縁膜の部分が介在する、請求項５記載の半導体装置。

【請求項11】

前記第１層は、ポリシリコン膜であり、
前記第２層は、金属シリサイド膜である、請求項５記載の半導体装置。

【請求項12】

前記金属シリサイド膜は、コバルトシリサイド膜を含む、請求項１１記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置に関し、たとえば、電気ヒューズを備えた半導体装置に好適に利用できるものである。

【背景技術】

【0002】

半導体装置には、不良と判定された回路を半導体チップをモールドした後に救済するために、電気ヒューズを備えた半導体装置がある（特許文献１および特許文献２）。電気ヒューズに電流を流すことによって、電気ヒューズが切断される。

【0003】

電気ヒューズは、ポリシリコン膜と金属シリサイド膜との二層構造とされる。ポリシリコン膜の上に、金属シリサイド膜が形成されている。電流は、主として金属シリサイド膜を流れることによって、金属シリサイド膜の温度が融点にまで上昇する。その金属シリサイド膜の熱がポリシリコン膜に伝導することでポリシリコン膜の温度が上昇し、ポリシリコン膜が溶断されて、電気ヒューズが切断されることになる。

【0004】

金属シリサイド膜として、従来、タングステンシリサイド膜（ＷＳｉ）またはチタンシリサイド膜（ＴｉＳｉ）が適用されていたが、半導体装置の微細化等に伴って、プロセス的に有利なコバルトシリサイド膜（ＣｏＳｉ）が適用されるようになっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００９－２９５６７３号公報

【特許文献2】特開２０１１－２２２６９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

タングステンシリサイド膜を適用した電気ヒューズの場合、シリコン（Ｓｉ）の融点（１４１４℃）に対して、タングステン（Ｗ）の融点は約３４２２℃である。また、チタンシリサイド膜を適用した電気ヒューズの場合、シリコン（Ｓｉ）の融点（１４１４℃）に対して、チタン（Ｔｉ）の融点は約１６６８℃である。

【0007】

一方、コバルトシリサイド膜を適用した電気ヒューズの場合、シリコン（Ｓｉ）の融点（１４１４℃）に対して、コバルト（Ｃｏ）の融点は約１４９５℃である。このため、コバルトの融点とシリコンの融点との温度差は、タングステンの融点とシリコンの融点との温度差およびチタンの融点とシリコンの融点との温度差よりも十分に小さい。

【0008】

このように、コバルトの融点とシリコンの融点との温度差が小さいことから、電流が主としてコバルトシリサイド膜を流れることによってコバルトシリサイド膜の温度が融点まで上昇した時点で、コバルトシリサイド膜の熱がシリコンに十分には伝導せず、シリコンの温度が融点にまで上昇しないことが想定される。その結果、電気ヒューズとして溶断させることができないおそれがある。

【0009】

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付の図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0010】

一実施の形態に係る半導体装置は、電気ヒューズを備えた半導体装置であって、半導体基板と電気ヒューズとを有する。半導体基板は、主面を有する。電気ヒューズは、主面上に形成され、幅を有し、かつ一方向に延在するヒューズ本体を含む。ヒューズ本体は、第１層と第２層とを含む。第１層は、第１融点を有する。第２層は、第１層に接するように積層され、第１融点よりも高い第２融点を有する。ヒューズ本体は、第１厚さを有する第１部と、第２厚さを有する第２部とを有する。第１部は、電気ヒューズとして切断される部分である。第２部は、第１部に接続されている。第１部の第１厚さは、第２部の第２厚さよりも薄い。ヒューズ本体の第１部における第１層の厚さは、第２部における第１層の厚さよりも薄い。

【0011】

他の実施の形態に係る半導体装置は、電気ヒューズを備えた半導体装置であって、半導体基板と電気ヒューズとを有する。半導体基板は、主面を有する。電気ヒューズは、主面上に形成され、幅を有し、かつ一方向に延在するヒューズ本体を含む。ヒューズ本体は、第１層と第２層とを含む。第１層は、第１融点を有する。第２層は、第１層に接するように積層され、第１融点よりも高い第２融点を有する。ヒューズ本体は、第１厚さを有する第１部と、第２厚さを有する第２部とを備えている。第１部は、電気ヒューズとして切断される部分である。第２部は、第１部に接続されている。第１部の第１厚さは、第２部の第２厚さよりも厚い。ヒューズ本体の第１部における第２層の厚さは、第２部における第２層の厚さよりも厚い。

【0012】

さらに他の実施の形態に係る半導体装置は、電気ヒューズを備えた半導体装置であって、半導体基板と電気ヒューズとヒートシンクとを有する。半導体基板は、主面を有する。電気ヒューズは、主面上に形成され、幅を有し、かつ第１方向に延在するヒューズ本体を含む。ヒートシンクは、ヒューズ本体の上に絶縁材を介在させて配置されている。ヒューズ本体は、第１層と第２層とを備えている。第１層は、第１融点を有する。第２層は、第１層とヒートシンクとの間に、第１層に接するように積層され、第１融点よりも高い第２融点を有する。

【発明の効果】

【0013】

一実施の形態に係る半導体装置によれば、電気ヒューズの溶断性を向上させることができる。

【0014】

他の実施の形態に係る半導体装置によれば、電気ヒューズの溶断性を向上させることができる。

【0015】

さらに他の実施の形態に係る半導体装置によれば、電気ヒューズの溶断性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】各実施の形態に係る半導体装置における電気ヒューズの回路図である。

【図2】実施の形態１に係る半導体装置における電気ヒューズの平面構造の一例を示す平面図である。

【図3】実施の形態１において、図１に示される断面線ＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。

【図4】実施の形態１において、図１に示される断面線ＩＶ－ＩＶにおける断面図である。

【図5】比較例に係る電気ヒューズへの電流の印加時間と電気ヒューズの温度との関係および電流の印加時間と電気ヒューズを流れる電流との関係をそれぞれ示す図である。

【図6】実施の形態１において、電気ヒューズへの電流の印加時間と電気ヒューズの温度との関係および電流の印加時間と電気ヒューズを流れる電流との関係をそれぞれ示す図である。

【図7】実施の形態１において、電気ヒューズの作用効果を比較例とともに示す図である。

【図8】実施の形態１において、変形例に係る半導体装置における電気ヒューズの構造の一例を示す断面図である。

【図9】実施の形態２に係る半導体装置における電気ヒューズの平面構造の一例を示す平面図である。

【図10】実施の形態２において、図９に示される断面線Ｘ－Ｘにおける断面図である。

【図11】実施の形態２において、図９に示される断面線ＸＩ－ＸＩにおける断面図である。

【図12】実施の形態２において、電気ヒューズの作用効果を比較例とともに示す図である。

【図13】実施の形態３の第１例に係る半導体装置における電気ヒューズの平面構造の一例を示す平面図である。

【図14】実施の形態３において、図１３に示される断面線ＸＩＶ－ＸＩＶにおける断面図である。

【図15】実施の形態３において、図１３に示される断面線ＸＶ－ＸＶにおける断面図である。

【図16】実施の形態３の第２例に係る半導体装置における電気ヒューズの平面構造の一例を示す平面図である。

【図17】実施の形態３において、図１６に示される断面線ＸＶＩＩ－ＸＶＩＩにおける断面図である。

【図18】実施の形態３において、図１６に示される断面線ＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩにおける断面図である。

【図19】実施の形態３の第３例に係る半導体装置における電気ヒューズの平面構造の一例を示す平面図である。

【図20】実施の形態３において、図１９に示される断面線ＸＸ－ＸＸにおける断面図である。

【図21】実施の形態３において、図１９に示される断面線ＸＸＩ－ＸＸＩにおける断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

はじめに、各実施の形態に係る半導体装置における電気ヒューズを含むヒューズ回路の一例について説明する。図１に示すように、電気ヒューズ回路ＦＳＣには、電気ヒューズＥＦＳとドライバトランジスタＤＴＲとが電気的に接続されている。ドライバトランジスタＤＴＲをオンすることによって、電流が電気ヒューズＥＦＳを流れる（矢印参照）。以下、各実施の形態に係る電気ヒューズＥＦＳの構造について、具体的に説明する。

【0018】

実施の形態１
実施の形態１に係る電気ヒューズの一例について説明する。図２、図３および図４に示すように、電気ヒューズＥＦＳは、ヒューズ本体ＦＢとヒューズパッドＦＰとを備えている。ヒューズ本体ＦＢ（電気ヒューズＥＦＳ）は、ポリシリコン膜ＰＳＦ（第１層）とコバルトシリサイド膜ＣＳＦ（第２層）との積層構造であり、ポリシリコン膜ＰＳＦに接するようにコバルトシリサイド膜ＣＳＦが形成されている。コバルトシリサイド膜ＣＳＦの融点は、ポリシリコン膜ＰＳＦの融点よりも高い。
ヒューズ本体ＦＢには、厚さＦＴ１（第１厚さ）を有する第１部ＦＢ１と、厚さＦＴ２（第２厚さ）を有する第２部ＦＢ２とが形成されている。厚さＦＴ１は、厚さＦＴ２よりも薄い。厚さＦＴ１および厚さＦＴ２のそれぞれは、ポリシリコン膜ＰＳＦの下面からコバルトシリサイド膜ＣＳＦの上面までの高さに相当する。すなわち、厚さＦＴ１および厚さＦＴ２のそれぞれは、ポリシリコン膜ＰＳＦの厚さとコバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さとを合わせた厚さである。

【0019】

この電気ヒューズＥＦＳでは、第１部ＦＢ１におけるポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ１が、第２部ＦＢ２におけるポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ２よりも薄くなるように、ポリシリコン膜ＰＳＦが形成されている。ポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ１は、ポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ２の約５％～９０％程度の厚さとされる。また、第１部ＦＢ１は、ヒューズ本体ＦＢの長手方向の中心部を含む態様で、第１部ＦＢ１の長さＬＦＢ１が、ヒューズ本体ＦＢの長さＬＦＢの少なくとも５％の長さを有するように、形成されていることが望ましい。

【0020】

電気ヒューズＥＦＳは、たとえば、ドライバトランジスタＤＴＲ（図１参照）のゲート電極を形成する工程において、ゲート電極と同時に形成される。半導体基板ＳＵＢの主面を覆うようにポリシリコン膜（図示せず）が形成された後、第１部ＦＢ１となる領域に位置するポリシリコン膜の部分にエッチング処理を行う。これによって、第１部ＦＢ１となる領域に位置するポリシリコン膜の厚さが、第２部ＦＢ２となる領域に位置するポリシリコン膜の厚さよりも薄くなる。

【0021】

次に、そのポリシリコン膜が電気ヒューズＥＦＳの形状にパターニングされた後に、ポリシリコン膜を覆うようにコバルト膜（図示せず）が形成される。次に、コバルトとシリコンとを反応させてコバルトシリサイド膜を自己整合的に形成し、未反応のコバルト膜を除去することによって、電気ヒューズＥＦＳが形成される。

【0022】

ポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ１が、ポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ２の５％よりも薄い場合には、ポリシリコン膜のエッチング処理の制御が難しくなる。一方、ポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ１が、ポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ２の９０％よりも厚い場合には、ポリシリコン膜ＰＳＦを溶断させる効果が低くなる。

【0023】

上述した半導体装置ＳＥＤでは、電気ヒューズＥＦＳのヒューズ本体ＦＢにおける第１部ＦＢ１の厚さＦＴ１が、第２部ＦＢ２の厚さＦＴ２よりも薄いことで、ヒューズ本体ＦＢをより確実に溶断させることができる。このことについて説明する。

【0024】

まず、金属シリサイド膜として、タングステンシリサイド膜（ＷＳｉ）を適用した電気ヒューズの場合について説明する。図５に、電気ヒューズに電流を流し始めてからの時間に対する、タングステンシリサイド膜の温度変化のグラフＧＴＷと、ポリシリコン膜の温度変化のグラフＧＴＳとをそれぞれ示す。また、電気ヒューズに電流を流し始めてからの時間に対する、タングステンシリサイド膜を流れる電流の変化のグラフＧＣＷと、ポリシリコン膜を流れる電流の変化のグラフＧＣＳとをそれぞれ示す。

【0025】

電気ヒューズに電流を流し始めると、電流は、主としてタングステンシリサイド膜を流れる。図５に示すように、タングステンシリサイド膜に電流が流れることによって、エレクトロマイグレーションが起こり、タングステンシリサイド膜の温度が上昇する。エレクトロマイグレーションの進行とともに、タングステンシリサイド膜を流れる電流は徐々に減少する。タングステンシリサイド膜の温度が融点に到達した時点で、エレクトロマイグレーションによって、タングステンシリサイド膜は切断（溶断）されて、タングステンシリサイド膜を流れる電流はなくなる。

【0026】

ここで、タングステンシリサイド膜の融点（タングステンの融点：３４２２℃）は、ポリシリコン膜の融点（シリコンの融点：１４１４℃）よりも十分に高い。このため、タングステンシリサイド膜の温度が融点に到達した時点で、タングステンシリサイド膜の熱がポリシリコン膜に十分に供給されて、ポリシリコン膜の温度も融点に到達する。ポリシリコン膜の温度が融点に達することで、ポリシリコン膜が溶融し、ポリシリコン膜が揮発する。揮発する際に圧力が上昇し、電気ヒューズには空洞が形成されて、電気ヒューズが切断（溶断）される。なお、電気ヒューズが切断されるまでの間に、ポリシリコン膜には、ほぼ一定の電流が流れる。

【0027】

次に、金属シリサイド膜として、コバルトシリサイド膜（ＣｏＳｉ）を適用した電気ヒューズの場合について説明する。図６に、電気ヒューズに電流を流し始めてからの時間に対する、コバルトシリサイド膜の温度変化のグラフＧＴＣと、ポリシリコン膜の温度変化のグラフＧＴＳとをそれぞれ示す。また、電気ヒューズに電流を流し始めてからの時間に対する、コバルトシリサイド膜を流れる電流の変化のグラフＧＣＣと、ポリシリコン膜を流れる電流の変化のグラフＧＣＳとをそれぞれ示す。

【0028】

電気ヒューズに電流を流し始めると、電流は、主としてコバルトシリサイド膜を流れる。図６に示すように、コバルトシリサイド膜に電流が流れることによって、エレクトロマイグレーションが起こり、コバルトシリサイド膜の温度が上昇する。エレクトロマイグレーションの進行とともに、コバルトシリサイド膜を流れる電流は徐々に減少する。コバルトシリサイド膜の温度が融点に到達した時点で、エレクトロマイグレーションによって、コバルトシリサイド膜は切断（溶断）されて、コバルトシリサイド膜を流れる電流はなくなる。

【0029】

ここで、コバルトシリサイド膜の融点（コバルトの融点：１４９５℃）は、ポリシリコン膜の融点（シリコンの融点：１４１４℃）に近い。すなわち、コバルトシリサイド膜の融点とポリシリコン膜の融点との温度差が、タングステンシリサイド膜の場合に比べて小さい。このため、コバルトシリサイド膜の温度が融点に到達した時点で、コバルトシリサイド膜の熱がポリシリコン膜に十分には供給されておらず、ポリシリコン膜の温度は融点に到達していない。

【0030】

コバルトシリサイド膜の温度が融点に到達した時点で、エレクトロマイグレーションによって、コバルトシリサイド膜は切断（溶断）されて、コバルトシリサイド膜を流れる電流はなくなり、ポリシリコン膜に熱を供給することができなくなる。その結果、コバルトシリサイド膜を適用した電気ヒューズでは、電気ヒューズの切断（溶断）を確実に行うことができないおそれがある。

【0031】

本実施の形態１において、コバルトシリサイド膜ＣＳＦを適用した電気ヒューズＥＦＳでは、ヒューズ本体ＦＢは、第１部ＦＢ１の厚さＦＴ１が、第２部ＦＢ２の厚さＦＴ２よりも薄い構造を備えている。特に、第１部ＦＢ１におけるポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ１が、第２部ＦＢ２におけるポリシリコン膜ＰＳＦの厚さＰＦＴ２よりも薄い。

【0032】

ここで、コバルトシリサイド膜ＣＳＦからポリシリコン膜ＰＳＦに熱が供給されることによって、ポリシリコン膜ＰＳＦに生じる温度分布について説明する。

【0033】

図７に、第１部ＦＢ１におけるポリシリコン膜ＰＳＦにおいて、コバルトシリサイド膜ＣＳＦに接触しているポリシリコン膜ＰＳＦの上面から、ポリシリコン膜ＰＳＦの下面までの温度分布（向かって右側）を示す。また、比較例として、ポリシリコン膜ＰＳＦの膜厚が一定の場合（厚さＦＴ２のみ）のポリシリコン膜の温度分布（向かって左側）を併せて示す。

【0034】

図７に示すように、ポリシリコン膜ＰＳＦの温度は、上面から下面に向かって徐々に下がる傾向を示す。実施の形態１に係る電気ヒューズＥＦＳでは、ポリシリコン膜ＰＳＦの膜厚が薄い分、上面における温度と下面における温度との温度差ＥＤＴは、比較例における対応する温度差ＲＤＴに比べて小さくなる。言い換えると、実施の形態１に係る電気ヒューズＥＦＳでは、コバルトシリサイド膜ＣＳＦから熱が供給されるポリシリコン膜ＰＳＦの体積が、比較例における対応する体積に比べて小さくなる。

【0035】

これにより、電流を流し始めてからの時間に対するポリシリコン膜の温度変化の傾きが、比較例における傾きと比べて大きい。このため、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が融点に到達した時点で、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの熱がポリシリコン膜ＰＳＦに十分に供給されて、ポリシリコン膜ＰＳＦの温度を融点に到達させることができる。その結果、コバルトシリサイド膜ＣＳＦを適用した電気ヒューズＥＦＳを、より確実に切断（溶断）させることができる。

【0036】

（変形例）
図８に示すように、変形例に係る半導体装置ＳＥＤの電気ヒューズＥＦＳでは、特に、第１部ＦＢ１の長さＬＦＢ１は、ヒューズ本体ＦＢの長さＬＦＢの半分（５０％）以上の長さに設定されていてもよい。

【0037】

なお、上述した電気ヒューズＥＦＳでは、厚さが薄い第１部ＦＢ１の長さＬＦＢ１が長くなると、電気ヒューズＥＦＳの電気的抵抗が高くなるため、ドライバトランジスタを介して電気ヒューズＥＦＳに流す電流を増加させる必要がある。電流を増加させるには、ドライバトランジスタのサイズを大きくする必要がある。半導体装置の小型化を図る観点から、ドライバトランジスタを大きく形成する必要がない条件となるように、第１部ＦＢ１の長さを設定する必要がある。

【0038】

実施の形態２
実施の形態２に係る電気ヒューズの一例について説明する。図９、図１０および図１１に示すように、電気ヒューズＥＦＳは、ヒューズ本体ＦＢとヒューズパッドＦＰとを備えている。ヒューズ本体ＦＢには、厚さＦＴ１（第１厚さ）を有する第１部ＦＢ１と、厚さＦＴ２（第２厚さ）を有する第２部ＦＢ２とが形成されている。厚さＦＴ１は、厚さＦＴ２よりも厚い。

【0039】

この電気ヒューズＥＦＳでは、第１部ＦＢ１におけるコバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さＣＳＴ１が、第２部ＦＢ２におけるコバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さＣＳＴ２よりも厚くなるように、コバルトシリサイド膜ＣＳＦが形成されている。コバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さＣＳＴ１は、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さＣＳＴ２に対して、約１％～２０％程度厚い厚さとされる。

【0040】

また、第１部ＦＢ１は、ヒューズ本体ＦＢの長手方向の中心部を含む態様で、第１部ＦＢ１の長さＬＦＢ１が、ヒューズ本体ＦＢの長さＬＦＢの約５％～５０％程度の長さを有するように、形成されていることが望ましい。なお、図２等に示される電気ヒューズＥＦＳと実質的に同一部材については同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。

【0041】

電気ヒューズＥＦＳは、たとえば、ドライバトランジスタＤＴＲ（図１参照）のゲート電極を形成する工程と同時に形成される。半導体基板ＳＵＢの主面を覆うようにポリシリコン膜（図示せず）が形成された後、第１部ＦＢ１となる領域に位置するポリシリコン膜の部分に、ｎ型の不純物が注入される。次に、そのポリシリコン膜が電気ヒューズＥＦＳの形状にパターニングされた後に、ポリシリコン膜を覆うようにコバルト膜（図示せず）が形成される。

【0042】

次に、コバルトとシリコンとを反応させてコバルトシリサイド膜を自己整合的に形成する。このとき、ｎ型の不純物が注入されたポリシリコン膜の部分を覆うコバルト膜では、ｎ型の不純物が注入されていないポリシリコン膜の部分を覆うコバルト膜と比較して、コバルトシリサイド膜が、より厚く形成される。その後、未反応のコバルト膜を除去することによって、電気ヒューズＥＦＳが形成される。

【0043】

上述した半導体装置ＳＥＤでは、電気ヒューズＥＦＳのヒューズ本体ＦＢにおけるコバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さＣＳＴ１が、第２部ＦＢ２におけるコバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さＣＳＴ２よりも厚いことで、ヒューズ本体ＦＢをより確実に溶断させることができる。このことについて説明する。

【0044】

図１２に、まず、実施の形態２に係る電気ヒューズＥＦＳに電流を流すことによってコバルトシリサイド膜ＣＳＦから発生する熱が、ポリシリコン膜ＰＳＦに伝導する様子を模式的に表現したモデルＥＭＬを示す。また、比較例に係る電気ヒューズＥＦＳに電流を流すことによってコバルトシリサイド膜ＣＳＦから発生する熱が、ポリシリコン膜ＰＳＦに伝導する様子を模式的に表現したモデルＨＭＬを示す。なお、矢印の太さは、放出される熱の大小を模式的に表したものである。

【0045】

さらに、実施の形態２に係る電気ヒューズの、電流の印加時間とヒューズ本体の温度との関係を、グラフＣＴＥとグラフＰＴＥとに示す。また、比較例に係る電気ヒューズの、電流印加時間とヒューズ本体の温度との関係を、グラフＲＣＴＥとグラフＲＰＴＥとに示す。グラフＣＴＥは、電気ヒューズに電流を流し始めてからの時間に対する、コバルトシリサイド膜の温度変化を示すグラフである。グラフＰＴＥは、電気ヒューズに電流を流し始めてからの時間に対する、ポリシリコン膜の温度変化を示すグラフである。

【0046】

まず、比較例に係る電気ヒューズＥＦＳについて説明する。比較例に係る電気ヒューズＥＦＳでは、モデルＨＭＬに示すように、ヒューズ本体ＦＢは、延在する方向にわたって一様な厚さを有する。このため、電流が主としてコバルトシリサイド膜ＣＳＦを流れることによって発生する熱は、ポリシリコン膜ＰＳＦに伝導する際には、延在方向に沿ってほぼ均一に伝導する。

【0047】

このとき、グラフＲＣＴＥに示されるように、電流を流し始めからの時間の経過とともに、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が上昇する。コバルトシリサイド膜ＣＳＦにおいて発生する熱がポリシリコン膜ＰＳＦに伝導することで、グラフＲＰＴＥに示されるように、ポリシリコン膜ＰＳＦの温度も上昇し始める。ここで、レファレンスの電気ヒューズＥＦＳのコバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が融点ＭＰＣに達する時間を時間Ｔ１とし、その時間Ｔ１におけるポリシリコン膜ＰＳＦの温度を温度ＴＲとする。この場合、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度（融点）とポリシリコン膜ＰＳＦの温度ＴＲとの温度差ＤＲＴは、融点ＭＰＣ－温度ＴＲとなる。

【0048】

次に、実施の形態２に係る電気ヒューズＥＦＳについて説明する。実施の形態２に係る電気ヒューズＥＦＳでは、モデルＥＭＬに示すように、ヒューズ本体ＦＢでは、第１部ＦＢ１におけるコバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さＣＳＴ１が、第２部ＦＢ２におけるコバルトシリサイド膜ＣＳＦの厚さＣＳＴ２よりも厚い。すなわち、第１部ＦＢ１に位置するコバルトシリサイド膜ＣＳＦの体積は、比較例の場合の第１部ＦＢ１に位置するコバルトシリサイド膜ＣＳＦの体積よりも大きくなる。

【0049】

このため、グラフＣＴＥに示されるように、実施の形態２に係るコバルトシリサイド膜ＣＳＦでは、体積が増加する分、電流を流し始めからの時間の経過とともに、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が上昇する速さが遅くなり、融点に達するまでの時間（時間Ｔ２）は、比較例の場合の時間（時間Ｔ１）よりも長くなる。

【0050】

一方、ポリシリコン膜ＰＳＦでは、第１部ＦＢ１に位置するコバルトシリサイド膜ＣＳＦから発生する熱が、直下に位置するポリシリコン膜ＰＳＦへ供給される量が多少減少するものの、第１部ＦＢ１の近傍に位置する第２部ＦＢ２におけるコバルトシリサイド膜ＣＳＦから発生する熱が、第１部ＦＢ１に位置するポリシリコン膜ＰＳＦへ供給される量には変わりがない。

【0051】

このため、グラフＰＴＥに示すように、実施の形態２に係るポリシリコン膜ＰＳＦでは、電流を流し始めからの時間の経過とともに、ポリシリコン膜ＰＳＦの温度が上昇する速さが多少遅くなるものの、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が融点に達するまでの時間が長くなる分、その間にポリシリコン膜ＰＳＦの温度が上昇することになる。

【0052】

これにより、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が融点に到達した時間におけるポリシリコン膜ＰＳＦの温度ＴＥは、比較例の場合のポリシリコン膜ＰＳＦの温度ＴＲよりも高くなる。その結果、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度（融点）とポリシリコン膜ＰＳＦの温度ＴＥとの温度差ＤＴ（融点ＭＰＣ－温度ＴＥ）は、比較例の場合の温度差ＤＲＴよりも小さくなり、ポリシリコン膜ＰＳＦを溶断させやすくなる。

【0053】

このように、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が融点に達するまでの時間を、より長く確保することで、その間にポリシリコン膜ＰＳＦの温度を上昇させることができる。これによって、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度（融点）とポリシリコン膜ＰＳＦの温度ＴＥとの温度差ＤＴが縮まって、ポリシリコン膜ＰＳＦが溶断しやすくなる。その結果、電気ヒューズＥＦＳを、より確実に切断することができる。

【0054】

実施の形態３
（第１例）
実施の形態３に係る電気ヒューズの第１例について説明する。図１３、図１４および図１５に示すように、半導体基板ＳＵＢに形成された分離絶縁膜ＢＩＦの表面に、電気ヒューズＥＦＳが配置されている。電気ヒューズＥＦＳは、ヒューズ本体ＦＢとヒューズパッドＦＰとを備えている。

【0055】

電気ヒューズＥＦＳを覆うように、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが形成されている。コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦを貫通するコンタクトホールＣＰＧＨ中に、コンタクトプラグＣＰＧが形成されている。コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦ上に第１配線層Ｍ１が形成されている。第１配線層Ｍ１を覆うように、ヴィア層間絶縁膜ＶＩＦが形成されている。ヴィア層間絶縁膜ＶＩＦ上に第２配線層Ｍ２が形成されている。第２配線層Ｍ２を覆うように、さらに層間絶縁膜等が形成されている。

【0056】

第２配線層Ｍ２の下面に対応するヴィア層間絶縁膜ＶＩＦの上面の位置から、ヴィア層間絶縁膜ＶＩＦとコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦとの界面よりも半導体基板ＳＵＢに近い位置にわたって、ヒューズ本体ＦＢの熱を吸収するヒートシンクＨＳＢが、ヴィアＶＢとして形成されている。ヒートシンクＨＳＢは、ヒューズ本体ＦＢが延在する方向と交差する方向に延在するように形成されている。ヒューズ本体ＦＢとヒートシンクＨＳＢとの間には、厚さＤＣＦ分のコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが介在する。厚さＤＣＦは、たとえば、０．０５μｍ～２μｍ程度である。なお、図２等に示される電気ヒューズＥＦＳと実質的に同一部材については同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。

【0057】

上述した電気ヒューズＥＦＳは、たとえば、ドライバトランジスタＤＴＲ（図１参照）のゲート電極を形成する工程と同時に形成される。電気ヒューズＥＦＳが形成された後、電気ヒューズＥＦＳを覆うように、たとえば、酸化シリコン膜等のコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが形成される。次に、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦにコンタクトホールＣＰＧＨが形成される。そのコンタクトホールＣＰＧＨ内にコンタクトプラグＣＰＧが形成される。次に、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦ上に第１配線層Ｍ１が形成される。第１配線層Ｍ１は、コンタクトプラグＣＰＧを介して電気ヒューズＥＦＳにおけるヒューズパッドＦＰに電気的に接続される。

【0058】

次に、第１配線Ｍ１等を覆うように、たとえば、酸化シリコン膜等のヴィア層間絶縁膜ＶＩＦが形成される。次に、ヴィア層間絶縁膜ＶＩＦに開口部ＶＨが形成される。このとき、ヒューズ本体ＦＢの直上には、第１配線は形成されていない。このため、開口部ＶＨを形成する際のオーバーエッチングによって、開口部ＶＨは、ヴィア層間絶縁膜ＶＩＦを貫通してコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦ中に達するように形成される。

【0059】

ここで、開口部ＶＨは、ヒートシンクＨＳＢとヒューズ本体ＦＢとの所定の距離ＤＣＦが確保される深さに達するように形成される。次に、その開口部ＶＨ内にヒートシンクＨＳＢが形成される。次に、ヴィア層間絶縁膜ＶＩＦ上に第２配線層Ｍ２が形成される。次に、その第２配線層Ｍ２を覆うように、さらに層間絶縁膜等が形成される。

【0060】

上述した電気ヒューズＥＦＳでは、ヒューズ本体ＦＢにおいて溶断される部分の直上に、ヒートシンクＨＳＢが配置されている。ヒートシンクＨＳＢは、主としてコバルトシリサイド膜ＣＳＦを電流が流れることによって発生する熱を吸収する機能を有する。このため、ヒューズ本体ＦＢにおいて溶断される部分の熱がヒートシンクＨＳＢに吸収されて、電流を流し始めてからの時間の経過とともに、溶断される部分に位置するコバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が上昇する速さが、ヒートシンクＨＳＢが配置されていない場合に比べて遅くなり、融点に達するまでの時間がより長くなる。

【0061】

コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が融点に達するまでの時間が、ヒートシンクＨＳＢが配置されていない場合と比べて長くなることで、その間にポリシリコン膜ＰＳＦの温度を上昇させることができる。これにより、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度（融点）とポリシリコン膜ＰＳＦの温度との温度差が縮まり、ポリシリコン膜ＰＳＦが溶断しやすくなる。その結果、電気ヒューズＥＦＳを、より確実に切断することができる。

【0062】

（第２例）
実施の形態３に係る電気ヒューズの第２例について説明する。図１６、図１７および図１８に示すように、半導体基板ＳＵＢに形成された分離絶縁膜ＢＩＦの表面に、電気ヒューズＥＦＳが配置されている。電気ヒューズＥＦＳを覆うように、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが形成されている。コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦを貫通するコンタクトホールＣＰＧＨ中にコンタクトプラグＣＰＧが形成されている。コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦ上に第１配線層Ｍ１が形成されている。第１配線層Ｍ１を覆うように、ヴィア層間絶縁膜ＶＩＦ等が形成されている。

【0063】

第１配線層Ｍ１の下面に対応するコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦの上面の位置から、第１配線層Ｍ１の下面よりも半導体基板ＳＵＢに近い位置にわたって、ヒューズ本体ＦＢの熱を吸収するヒートシンクＨＳＢが、コンタクト部ＣＢとして形成されている。ヒートシンクＨＳＢは、ヒューズ本体ＦＢが延在する方向と交差する方向に延在するように形成されている。ヒューズ本体ＦＢとヒートシンクＨＳＢとの間には、厚さＤＣＦ分のコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが介在する。厚さＤＣＦは、たとえば、０．０５μｍ～２μｍ程度である。なお、図２等に示される電気ヒューズＥＦＳと実質的に同一部材については同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。

【0064】

上述した電気ヒューズＥＦＳは、たとえば、ドライバトランジスタＤＴＲ（図１参照）のゲート電極を形成する工程において、ゲート電極と同時に形成される。電気ヒューズＥＦＳが形成された後、電気ヒューズＥＦＳを覆うように、たとえば、酸化シリコン膜等のコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが形成される。次に、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦにコンタクトホールＣＰＧＨと開口部ＣＨとが順次形成される。ここで、開口部ＣＨは、ヒートシンクＨＳＢとヒューズ本体ＦＢとの所定の距離ＤＣＦが確保される深さに達するように形成される。

【0065】

次に、コンタクトホールＣＰＧＨ内にコンタクトプラグＣＰＧが形成される。また、開口部ＣＨ内に、ヒートシンクＨＳＢが形成される。次に、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦ上に第１配線層Ｍ１が形成される。第１配線層Ｍ１は、コンタクトプラグＣＰＧを介して電気ヒューズＥＦＳにおけるヒューズパッドＦＰに電気的に接続される。次に、第１配線層Ｍ１を覆うように、さらにヴィア層間絶縁膜ＶＩＦ等が形成される。

【0066】

上述した電気ヒューズＥＦＳでは、ヒューズ本体ＦＢにおいて溶断される部分の直上に、ヒートシンクＨＳＢが配置されている。ヒートシンクＨＳＢは、主としてコバルトシリサイド膜ＣＳＦを電流が流れることによって発生する熱を吸収する機能を有する。このため、ヒューズ本体ＦＢにおいて溶断される部分の熱がヒートシンクＨＳＢに吸収されて、電流を流し始めてからの時間の経過とともに、溶断される部分に位置するコバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が上昇する速さが、ヒートシンクＨＳＢが配置されていない場合に比べて遅くなり、融点に達するまでの時間がより長くなる。

【0067】

コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が融点に達するまでの時間が、ヒートシンクＨＳＢが配置されていない場合と比べて長くなることで、その間にポリシリコン膜ＰＳＦの温度を上昇させることができる。これにより、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度（融点）とポリシリコン膜ＰＳＦの温度との温度差が縮まり、ポリシリコン膜ＰＳＦが溶断しやすくなる。その結果、電気ヒューズＥＦＳを、より確実に切断することができる。

【0068】

（第３例）
実施の形態３に係る電気ヒューズの第３例について説明する。図１９、図２０および図２１に示すように、半導体基板ＳＵＢに形成された分離絶縁膜ＢＩＦの表面に、電気ヒューズＥＦＳが配置されている。電気ヒューズＥＦＳを覆うように、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが形成されている。コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦを貫通するコンタクトホールＣＰＧＨ中に、コンタクトプラグＣＰＧが形成されている。コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦ上に第１配線層Ｍ１が形成されている。

【0069】

さらに、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦ上には、ヒューズ本体ＦＢの熱を吸収するヒートシンクＨＳＢが、第１配線層Ｍ１として形成されている。ヒートシンクＨＳＢは、第１配線層Ｍ１の上面に対応する位置から、第１配線層Ｍ１の下面に対向するコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦの上面にわたり形成されている。ヒートシンクＨＳＢは、ヒューズ本体ＦＢが延在する方向と交差する方向に延在するように形成されている。ヒューズ本体ＦＢとヒートシンクＨＳＢとの間には、厚さＤＣＦ分のコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが介在する。第１配線層Ｍ１およびヒートシンクＨＳＢを覆うように、さらにヴィア層間絶縁膜ＶＩＦ等が形成されている。なお、図２等に示される電気ヒューズＥＦＳと実質的に同一部材については同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。

【0070】

上述した電気ヒューズＥＦＳは、たとえば、ドライバトランジスタＤＴＲ（図１参照）のゲート電極を形成する工程において、ゲート電極と同時に形成される。電気ヒューズＥＦＳが形成された後、電気ヒューズＥＦＳを覆うように、たとえば、シリコン酸化膜等のコンタクト層間絶縁膜ＣＩＦが形成される。ここで、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦは、後述するヒートシンクＨＳＢとヒューズ本体ＦＢとの所定の距離ＤＣＦが確保される厚さを有するように形成される。厚さＤＣＦは、たとえば、０．０５μｍ～２μｍ程度である。

【0071】

次に、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦにコンタクトホールＣＰＧＨが形成される。そのコンタクトホールＣＰＧＨ内にコンタクトプラグＣＰＧが形成される。次に、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＦ上に第１配線層Ｍ１とヒートシンクＨＳＢとが形成される。次に、第１配線層Ｍ１およびヒートシンクＨＳＢを覆うように、さらにヴィア層間絶縁膜ＶＩＦ等が形成される。

【0072】

上述した電気ヒューズＥＦＳでは、ヒューズ本体ＦＢにおいて溶断される部分の直上に、ヒートシンクＨＳＢが配置されている。ヒートシンクＨＳＢは、主としてコバルトシリサイド膜ＣＳＦを電流が流れることによって発生する熱を吸収する機能を有する。このため、ヒューズ本体ＦＢにおいて溶断される部分の熱がヒートシンクＨＳＢに吸収されて、電流を流し始めてからの時間の経過とともに、溶断される部分に位置するコバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が上昇する速さが、ヒートシンクＨＳＢが配置されていない場合に比べて遅くなり、融点に達するまでの時間がより長くなる。

【0073】

コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度が融点に達するまでの時間が、ヒートシンクＨＳＢが配置されていない場合と比べて長くなることで、その間にポリシリコン膜ＰＳＦの温度を上昇させることができる。これにより、コバルトシリサイド膜ＣＳＦの温度（融点）とポリシリコン膜ＰＳＦの温度との温度差が縮まり、ポリシリコン膜ＰＳＦが溶断しやすくなる。その結果、電気ヒューズＥＦＳを、より確実に切断することができる。

【0074】

なお、実施の形態３では、ヒートシンクＨＳＢは、ヒューズ本体ＦＢが延在する方向と交差する方向に延在するように形成されている場合について説明した。ヒートシンクＨＳＢとしては、コンタクトプラグＣＰＧと同様に、円柱状に形成されたヒートシンクＨＳＢをヒューズ本体ＦＢの直上に配置してもよい。

【0075】

また、各実施の形態では、電気ヒューズＥＦＳの金属シリサイド膜として、コバルトシリサイド膜を例に挙げて説明したが、たとえば、ニッケルシリサイド膜、タングステンシリサイド膜またはチタンシリサイド膜にも適用することができる。また、第１層としてポリシリコン膜、第２層として金属シリサイド膜を例に挙げたが、第２層の融点が第１層の融点よりも高く、主として第２層を電流が流れることによって電気ヒューズを切断することができる材料であれば、ポリシリコン膜および金属シリサイド膜に限られない。

【0076】

各実施の形態において説明した電気ヒューズについては、必要に応じて種々組み合わせることが可能である。

【0077】

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【符号の説明】

【0078】

ＳＥＤ 半導体装置、ＦＳＣ 電気ヒューズ回路、ＤＴＲ ドライバトランジスタ、ＥＦＳ 電気ヒューズ、ＦＢ ヒューズ本体、ＦＢ１ 第１部、ＦＢ２ 第２部、ＦＰ ヒューズパッド、ＰＳＦ ポリシリコン膜、ＣＳＦ コバルトシリサイド膜、ＳＵＢ 半導体基板、ＢＩＦ 分離絶縁膜、ＣＩＦ コンタクト層間絶縁膜、ＶＩＦ ヴィア層間絶縁膜、ＣＰＧ コンタクトプラグ、ＣＰＧＨ コンタクトホール、ＣＨ 開口部、Ｍ１ 第１配線層、ＭＨ 開口部、Ｍ２ 第２配線層、ＶＨ 開口部、ＨＳＢ ヒートシンク、ＶＢ ヴィア、ＣＢ コンタクト部、ＧＴＷ グラフ、ＬＦＢ、ＬＦＢ１ 長さ、ＦＴ１、ＦＴ２、ＰＦＴ１、ＰＦＴ２、ＣＳＴ１、ＣＳＴ２ 厚さ、ＧＴＳ、ＧＣＷ、ＧＣＳ、ＧＴＣ、ＧＣＣ グラフ、ＲＤＴ、ＥＤＴ 温度差、ＥＭＬ、ＨＭＬ モデル、ＣＴＥ、ＰＴＥ、ＲＣＴＥ、ＲＰＴＥ グラフ、ＴＲ、ＴＥ 温度、ＭＰＣ 融点、ＤＣＦ 厚さ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】