特開 2024-156599 高透過率、耐腐食性、および薄型化を実現した光学偏光子を用いた光アイソレータ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024156599

(43)【公開日】2024-11-06

(54)【発明の名称】高透過率、耐腐食性、および薄型化を実現した光学偏光子を用いた光アイソレータ

(51)【国際特許分類】

   G02B 5/30 20060101AFI20241029BHJP

   G02B 27/28 20060101ALI20241029BHJP

   C09D 5/24 20060101ALI20241029BHJP

   C09J 201/00 20060101ALI20241029BHJP

   C09J 163/00 20060101ALI20241029BHJP

【ＦＩ】

G02B5/30

G02B27/28 A

C09D5/24

C09J201/00

C09J163/00

【審査請求】有

【請求項の数】25

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024014437

(22)【出願日】2024-02-01

(31)【優先権主張番号】63/495,415

(32)【優先日】2023-04-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/460,184

(32)【優先日】2023-04-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】18/382,778

(32)【優先日】2023-10-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】519146787

【氏名又は名称】ツー－シックス デラウェア インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＩＩ－ＶＩ Ｄｅｌａｗａｒｅ，Ｉｎｃ．

(74)【代理人】

【識別番号】110001070

【氏名又は名称】弁理士法人エスエス国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ジャスティン エム． ハニガン

(72)【発明者】

【氏名】クリストフ グライナー

(72)【発明者】

【氏名】ラメシュ スンダラム

(72)【発明者】

【氏名】ジュアン ニー

(72)【発明者】

【氏名】ビクトリア ソルグ

(72)【発明者】

【氏名】ドミトリー イアジコフ

(57)【要約】

【課題】高透過率、耐腐食性、および薄型化を実現した光学偏光子を用いた光アイソレータを提供すること。
【解決手段】光アイソレータは、光信号源からの光信号を受け取るための偏光子と、偏光子の１つの表面に配置され、偏光子によって出力された光信号の偏光を回転させ、それを回転子出力光信号として出力するためのファラデー回転子と、偏光子の対向表面に配置され、回転子出力光信号を受け取り、その少なくとも一部を出力するための検光子とを含む。偏光子および検光子は各々いくつかの離隔された細長い誘電体リッジを含む。各誘電体リッジは、ファラデー回転子の１つの表面に沿って延びる長さ方向と、ファラデー回転子の１つの表面から離れて延びる１対の離隔された側面と、ファラデー回転子の１つの表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面とを有する。各誘電体リッジは、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の偏光軸を有し、光信号源からの光信号を直接受け取り、前記光信号の少なくとも一部を出力するための偏光子と、
前記偏光子によって出力された前記光信号の前記少なくとも一部を直接受け取り、その偏光を回転させ、その少なくとも一部を回転子出力光信号として出力するためのファラデー回転子と、
第２の偏光軸を有し、前記回転子出力光信号を直接受け取り、その少なくとも一部を出力するための検光子と
を含む光アイソレータであって、
前記偏光子および前記検光子が、前記ファラデー回転子の対向表面に結合され、
前記偏光子および前記検光子の各々が、
前記ファラデー回転子の前記表面のうちの１つに結合された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、
各誘電体リッジが、前記ファラデー回転子の前記１つの表面に沿って延びる長さ方向を有し、
各誘電体リッジが、前記ファラデー回転子の前記１つの表面から離れて延びる１対の離隔された側面、および前記ファラデー回転子の前記１つの表面に直接結合される前記離隔された側面の間に延びる上面を含み、
各誘電体リッジが、前記誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジ
を含む、光アイソレータ。

【請求項2】

前記偏光子および前記検光子のうちの少なくとも１つの前記複数の離隔された細長い誘電体リッジが、接着剤を介してまたは基板を介して前記ファラデー回転子の前記１つの表面に結合される、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項3】

前記ファラデー回転子が、ガーネットである、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項4】

前記接着剤が、屈折率整合エポキシである、請求項２に記載の光アイソレータ。

【請求項5】

前記ファラデー回転子とは反対側の前記検光子の前記誘電体リッジの側に結合された波長板をさらに含む、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項6】

前記波長板が、半波長（λ／２）板である、請求項５に記載の光アイソレータ。

【請求項7】

前記波長板が、前記第２の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有する、請求項６に記載の光アイソレータ。

【請求項8】

前記基板が、１つまたは複数の層を含む、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項9】

前記１つまたは複数の層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、請求項９に記載の光アイソレータ。

【請求項10】

光アイソレータを形成する方法であって、
（ａ）各々が、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面に位置づけされたかまたは配置された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、前記誘電体基板の前記表面に沿って延びる長さ方向を有し、各誘電体リッジが、
前記誘電体基板の表面から離れて延びる１対の離隔された側面、前記誘電体基板の前記表面から離隔され、前記誘電体基板の前記表面とは反対側の前記離隔された側面の間に延びる上面、および各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジと
を含む偏光子および検光子を用意するステップと、
（ｂ）前記偏光子の前記誘電体リッジをファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップと、
（ｃ）前記検光子の前記誘電体リッジを前記ファラデー回転子の対向表面に結合させるステップと
を含む、方法。

【請求項11】

（１）ステップ（ｂ）は、前記偏光子の前記誘電体基板が前記ファラデー回転子の前記１つの表面から離隔された状態で、前記偏光子の前記誘電体リッジの前記上面を前記ファラデー回転子の前記１つの表面に結合させるステップを含み、
前記方法が、前記偏光子の前記誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むこと、および／または
（２）ステップ（ｃ）は、前記検光子の前記誘電体基板が前記ファラデー回転子の前記対向表面から離隔された状態で、前記検光子の前記誘電体リッジの前記上面を前記ファラデー回転子の前記対向表面に結合させるステップを含み、
前記方法が、前記検光子の前記誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むこと
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

波長板を、ステップ（２）において除去された前記検光子の前記誘電体基板の残りの部分を介して、前記検光子の前記誘電体リッジに結合させるステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

（１）ステップ（ｂ）が、前記偏光子の前記誘電体リッジを、前記偏光子の前記誘電体基板を介して、前記ファラデー回転子の前記１つの表面に結合させるステップを含むこと、および／または
（２）ステップ（ｃ）が、前記検光子の前記誘電体リッジを、前記偏光子の前記誘電体基板を介して、前記ファラデー回転子の前記対向表面に結合させるステップを含むこと
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項14】

前記波長板が、半波長（λ／２）板である、請求項１２に記載の方法。

【請求項15】

前記波長板が、前記検光子の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有する、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記ファラデー回転子が、ガーネットである、請求項１０に記載の方法。

【請求項17】

ステップ（ｂ）の前記結合させることが、第１の接着剤を介するかまたは第１の基板を介するものであること、および
ステップ（ｃ）の前記結合させることが、第２の接着剤を介するかまたは第２の基板を介するものであること
のうちの少なくとも１つであり、
前記第１および第２の接着剤が、同じであるか、または異なる、請求項１０に記載の方法。

【請求項18】

前記第１および第２の接着剤のうちの少なくとも１つが、屈折率整合エポキシである、請求項１７に記載の方法。

【請求項19】

前記第１および第２の誘電体基板のうちの少なくとも１つが、１つまたは複数の層を含む、請求項１７に記載の方法。

【請求項20】

前記１つまたは複数の層のうちの少なくとも１つが、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、請求項１９に記載の方法。

【請求項21】

ファラデー回転子と、
前記ファラデー回転子の表面に結合された光学偏光子であって、前記光学偏光子が、
前記ファラデー回転子の前記表面に結合された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、
各誘電体リッジが、前記ファラデー回転子の前記表面に沿って延びる長さ方向を有し、
各誘電体リッジが、前記ファラデー回転子の前記表面から離れて延びる１対の離隔された側面、および前記ファラデー回転子の前記１つの表面に直接結合される前記離隔された側面の間に延びる上面を含み、
各誘電体リッジが、前記誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジと
を含む、光学偏光子と
を含む光アイソレータ。

【請求項22】

前記ファラデー回転子の対向表面に結合された別の光学偏光子をさらに含む、請求項２１に記載の光アイソレータ。

【請求項23】

各誘電体リッジの各側面上の前記導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションを含むことができる、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項24】

各誘電体リッジの各側面上の前記導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションを含むことができる、請求項１０に記載の方法。

【請求項25】

各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションを含むことができる、請求項２１に記載の光アイソレータ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２３年４月１１日に出願された米国仮特許出願第６３／４９５，４１５号および２０２３年４月１８日に出願された米国仮特許出願第６３／４６０，１８４号の利益を主張し、両方の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

本開示は、吸収損失が最小化され、耐腐食性が改善され、厚さが減少された光学偏光子と、前記光学偏光子を含む光アイソレータとに関する。

【背景技術】

【0003】

図１を参照すると、例示的な先行技術のワイヤグリッド偏光子は、偏光子の動作波長（λ）において適切に透明である基板（Ｓ）の表面に位置づけされたかまたは配置されたアルミニウム（Ａｌ）偏光子ラインまたは導電性リッジの周期パターンを含む。偏光子周期（Λ）は、Λ＜λ／ｎになるように選ばれ（垂直入射の場合）、ここで、ｎ＞１は、基板屈折率であり、または非垂直入射ではこれより小さい。この制限内では、基板または周囲媒体への回折は生じない。

【0004】

図１の例では、Ａｌラインの偏光子周期Λは、１．３μｍ～１．５μｍの動作波長において３００ｎｍであり得る。基板材料は、溶融石英（ｎ＝１．４５）とすることができ、Ａｌラインの高さ（ｈ）は、５００±６０ｎｍとすることができ、Ａｌラインのライン幅（Ｗ）は、１１４±２４ｎｍとすることができる。図１の偏光子は、動作波長範囲でまたはその近くで、電界方向またはベクトルが導電性リッジに対して垂直である光のビームを通過させ（図１において、下から上にまたはその逆に横切って）、電界方向またはベクトルが導電性リッジに対して直交するが垂直ではない、例えば、電界方向またはベクトルが導電性リッジと平行である通過光ビームの少なくとも一部を反射することによって機能する。垂直偏光の光の透過パワーに対する平行偏光の光の透過パワーの比は、消光比（ＥＲ）またはコントラストと呼ばれる。ＥＲに加えて、垂直偏光（偏光子通過方向）の光の偏光子透過性または透過率（Ｔ）も、偏光子性能を特徴づけるために使用されるパラメータである。図１の例示的な偏光子は、１３１０ｎｍの中心波長でＥＲ＝６６ｄＢ、およびＴ＝９３％の透過率を達成することができる。

【0005】

本明細書において、偏光子のデューティサイクル（ＤＣ）は、ライン幅（Ｗ）を周期Λで割った比、すなわち、ＤＣ＝ｗ／Λとすることができる。図１の偏光子において、高い透過率、例えば、Ｔ＞９８％、および高い消光比、例えば、ＥＲ＞５０ｄＢの区域は、互いに排他的であることが見いだされている。その上、図１の偏光子において、偏光子の（吸収）損失は、１－（Ｒ＋Ｔ）として定義することができ、ここで、Ｒは、偏光子表面からの反射による入射光損失の割合を表す。

【0006】

高いＥＲ（＞５０ｄＢ）を有する図１の偏光子の領域において、および１：４未満の製造可能なアスペクト比（ライン幅（ｗ）をライン高さ（ｈ）で割ったものとして定義される）を維持するワイヤ断面では、偏光子の透過性または透過率（Ｔ）は、反射および吸収損によって約９５％未満に制限される。反射損は、反射をキャンセルする追加の層を組み込むことによって低減することができるが、吸収損は、基本的に、偏光子の透過性または透過率（Ｔ）に制限される。

【0007】

図１の偏光子において、偏光子の損失は、消光比（ＥＲ）が増加するにつれて増加し、デューティサイクル、すなわち、ＤＣ＝ｗ／Λ、およびライン高さ（ｈ）に比例し、すなわち、最終的に、光ビーム経路中の金属体積に比例する。偏光子を必要とする多くの用途では、できるだけ高い消光比（ＥＲ）と高い透過率（Ｔ）の両方が望まれる。そのような要件の一例は、Ｔ＞９８．５％およびＥＲ＞５０ｄＢの偏光子である。図１の先行技術の偏光子は、製造可能な寸法を要求すると、このレベルの性能を達成することができない。本開示は、損失を低減しながら、高い透過率（Ｔ）と消光比（ＥＲ）の両方を可能することができる偏光子を説明する。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0008】

本明細書において、誘電体基板と、誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い誘電体リッジとを含む光学偏光子が開示される。各誘電体リッジは、基板の表面に沿って延びる湾曲したまたは真っすぐな長さ方向を有し、各誘電体リッジは、基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面と、基板の表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面とを含む。各誘電体リッジの各側面は、導電性コーティングを含む。

【0009】

光学偏光子は、隣接または近接する対の誘電体リッジの対面する側面上の導電性コーティングの間に溝またはトレンチを含むことができる。誘電体が、隣接または近接する対の誘電体リッジの対面する側面の間の少なくとも各溝またはトレンチに配置され得る。少なくとも各溝またはトレンチに配置される誘電体は、複数の細長い誘電体リッジの上面をさらに覆うことができる。

【0010】

誘電体基板は、多層誘電体基板とすることができる。各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む複数の細長い誘電体リッジ間の間隔は、一定または不定／チャープのうちの１つとすることができる。

【0011】

光学偏光子は、誘電体リッジの長さ方向と平行に誘電体基板と複数の誘電体リッジとの間に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの層、および／または誘電体リッジの長さ方向と平行に複数の誘電体リッジの上に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの層を含むことができる。

【0012】

光学偏光子は、複数の誘電体リッジの上面の上に上下に位置づけされたかまたは配置された１対の導電性ストリップの層と、第２の複数の細長い誘電体リッジの各誘電体リッジの各側面に、１対の導電性ストリップの層の間に位置づけされたかまたは配置された導電性コーティングを含む第２の複数の細長い誘電体リッジとを含むことができる。

【0013】

さらに、本明細書において、多層誘電体基板と、多層誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い導電性リッジとを含む光学偏光子が開示される。

【0014】

多層誘電体基板は、ケイ素（Ｓｉ）の層と、ケイ素（Ｓｉ）の層と複数の導電性リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の導電性リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含むことができる。

【0015】

多層誘電体基板は、溶融石英（ＦＳ）の層と、溶融石英（ＦＳ）の層と複数の導電性リッジとの間の五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と複数の導電性リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含むことができる。

【0016】

多層誘電体基板は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の下部層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の下部層と複数の導電性リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の導電性リッジとの間の二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の中間層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の中間層と複数の導電性リッジとの間の硫化亜鉛（ＺｎＳ）の上部層とを含むことができる。

【0017】

さらに、本明細書において、（ａ）１対の光学偏光子の上部のものの誘電体基板が、１対の光学偏光子の上部のものの誘電体リッジと、１対の光学偏光子の上部のものの誘電体基板とは反対側の細長い誘電体リッジの側に位置づけられた誘電体基板を有する１対の光学偏光子の下部のものの誘電体リッジとの間に位置づけされたかまたは配置された１対の光学偏光子の第１の構成、または（ｂ）１対の光学偏光子の細長い誘電体リッジが交互配置または交互嵌合の方法で位置づけされたかまたは配置された光学偏光子の第２の構成のうちの１つを含む、上下に積み重ねられた上述の１対の光学偏光子を含む光学偏光子が開示される。

【0018】

１対の光学偏光子の第１の構成において、１対の光学偏光子の上部のものの基板が、１対の光学偏光子の下部のものの基板と比較して減少した厚さを有することができる。１対の光学偏光子の下部のものの基板は、多層基板とすることができ、１対の光学偏光子の上部のものの基板は、単層基板とすることができる。本明細書に記載の光学偏光子のいずれも、複数の細長い誘電体リッジを完全に囲むフレームを画定する、リッジを欠いている外周を含む基板を含むことができる。

【0019】

各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む細長い誘電体リッジを含む本明細書に記載の光学偏光子のいずれも、各細長い誘電体リッジ、前記誘電体リッジの各側面上の導電性コーティング、または両方に１つまたは複数の中断部または間隙を含み、１つまたは複数の中断部または間隙は、前記中断部または間隙の両側の前記細長い誘電体リッジのセクションの導電性コーティングを電気的に切り離すことができる。一例では、隣接または近接する細長い誘電体リッジおよび各リッジの各側面上の導電性コーティングの中断部または間隙は、複数の細長い誘電体リッジおよび各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングの長さ方向に対して垂直にまたは横切って延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成することができる。別の例では、隣接または近接する細長い誘電体リッジおよび各リッジの各側面上の導電性コーティングの中断部または間隙は、ランダムまたはオフセットパターンで配置されるかまたは位置づけられる。

【0020】

多層誘電体基板と、多層誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い導電性リッジを含む本明細書に記載の光学偏光子のいずれも、各導電性リッジに、各中断部または間隙の両側の細長い導電性リッジのセクションを電気的に分離する１つまたは複数の中断部または間隙を含むことができる。一例では、隣接または近接する細長い導電性リッジの中断部または間隙は、複数の細長い導電性リッジに対して垂直にまたは横切って延びる中断部または間隙のラインを形成することができる。別の例では、隣接または近接する細長い導電性リッジの中断部または間隙は、ランダムまたはオフセットパターンで配置されるかまたは位置づけられる。

【0021】

さらに、本明細書において、第１の偏光軸を有し、光信号源からの光信号を直接受け取り、光信号の少なくとも一部を出力するための偏光子と、偏光子によって出力された光信号の少なくとも一部を直接受け取り、その偏光を回転させ、その少なくとも一部を回転子出力光信号として出力するためのファラデー回転子と、第２の偏光軸を有し、回転子出力光信号を直接受け取り、その少なくとも一部を出力するための検光子とを含む光学偏光子が開示される。偏光子および検光子は、ファラデー回転子の対向表面に結合される。偏光子および検光子の各々は、ファラデー回転子の表面のうちの１つに結合される複数の離隔された細長い誘電体リッジを含む。各誘電体リッジは、ファラデー回転子の１つの表面に沿って延びる湾曲したまたは真っすぐな長さ方向を有する。各誘電体リッジは、ファラデー回転子の１つの表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面と、ファラデー回転子の１つの表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面とを含む。各誘電体リッジは、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む。

【0022】

光学偏光子は、ファラデー回転子とは反対側の検光子の誘電体リッジの側に結合された波長板を含むことができる。波長板は、半波長（λ／２）板とすることができる。波長板は、第２の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有することができる。

【0023】

さらに、本明細書において、（ａ）各々が、誘電体基板と、誘電体基板の表面に位置づけされたかまたは配置された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、誘電体基板の表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジが、誘電体基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面、誘電体基板の表面から離隔され、誘電体基板の表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面、および各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジとを含む、偏光子および検光子を用意するステップと、（ｂ）偏光子の誘電体リッジをファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップと、（ｃ）検光子の誘電体リッジをファラデー回転子の対向表面に結合させるステップとを含む光アイソレータを形成する方法が開示される。

【0024】

この方法には、（１）ステップ（ｂ）は、偏光子の誘電体基板がファラデー回転子の１つの表面から離隔された状態で、偏光子の誘電体リッジの上面をファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップを含み、この方法は、偏光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）は、検光子の誘電体基板がファラデー回転子の対向表面から離隔された状態で、検光子の誘電体リッジの上面をファラデー回転子の対向表面に結合させるステップを含み、この方法は、検光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むことのうちの少なくとも１つが含まれ得る。

【0025】

この方法は、波長板を、ステップ（２）において除去された検光子の誘電体基板の残りの部分を介して、検光子の誘電体リッジに結合させるステップを含むことができる。

【0026】

この方法は、（１）ステップ（ｂ）が、偏光子の誘電体リッジを、偏光子の誘電体基板を介して、ファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップを含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）が、検光子の誘電体リッジを、偏光子の誘電体基板を介して、ファラデー回転子の対向表面に結合させるステップを含むことのうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0027】

さらに、本明細書において、ファラデー回転子と、第１の偏光軸を含む、ファラデー回転子の表面に結合された光学偏光子であって、光学偏光子が、ファラデー回転子の表面に結合された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の表面に沿って延びる長さ方向を有し、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の１つの表面から離れて延びる１対の離隔された側面、およびファラデー回転子の１つの表面に直接結合される離隔された側面の間に延びる上面を含み、各誘電体リッジが、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジを含む、光学偏光子とを含む光学偏光子が開示される。光アイソレータは、第２の偏光軸を含む、ファラデー回転子の対向表面に結合された別の光学偏光子を含むことができる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】例示の先行技術のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0029】

【図2】誘電体リッジによって画定された溝またはトレンチによって分離される、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する、導電性側面を含む、離隔された直線の、真っすぐな、または細長い誘電体リッジを含む本開示の原理による例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図である。

【0030】

【図3】図２および図４におけるラインＩＩＩ－ＩＩＩに沿って得られた概略断面図である。

【0031】

【図4】誘電体リッジによって画定された溝またはトレンチによって分離される、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する、導電性側面を含む、離隔された湾曲した誘電体リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図である。

【0032】

【図5】図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様であるが、図３の単層基板に対して多層基板を有する別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0033】

【図6】多層基板上に、導電性リッジによって画定された溝またはトレンチによって分離される、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する離隔された直線の、真っすぐな、または細長い導電性リッジを含む、本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0034】

【図7A】本開示の原理によるワイヤグリッド偏光子のいずれでも使用することができる大きい下端部から小さい上端部へと狭くなる離隔された側面を含む、本開示の原理による、導電性側面を含む、別の例示の形状の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【0035】

【図7B】本開示の原理によるワイヤグリッド偏光子のいずれでも使用することができる小さい下端部から大きい上端部へと広くなる離隔された側面を含む、本開示の原理による、導電性側面を含む、別の例示の形状の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【0036】

【図7C】本開示の原理によるワイヤグリッド偏光子のいずれでも使用することができる、丸みのある縁部を有する離隔された平行なまたは実質的に平行な側面を含む、本開示の原理による、導電性側面を含む、別の例示の形状の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【0037】

【図7D】いくつかの水平誘電体層で構成されている、本開示の原理による、導電性側面を含む、他の例示の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【図7E】いくつかの垂直誘電体層で構成されている、本開示の原理による、導電性側面を含む、他の例示の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【0038】

【図8】図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様であるが、異なる距離または偏光子周期（Λ）で、例えば、変動しているまたはチャープされた偏光子周期で互いに離隔された誘電体リッジを有する本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0039】

【図9】各々が図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様の２つのワイヤグリッド偏光子を積み重ねたものを含む、本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0040】

【図10】各々が図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様である２つのワイヤグリッド偏光子を、それぞれのリッジが交互配置または交互嵌合された状態で一緒に接合されたものを含む、本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0041】

【図11】各々が図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様の２つのワイヤグリッド偏光子を積み重ねたものを含む、本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図であり、上方のワイヤグリッド偏光子の基板の厚さは減少されている。

【0042】

【図12】多層基板の上部に、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する、導電性側面を含む、誘電体リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図であり、誘電体リッジが、誘電体リッジによって画定される溝またはトレンチによって分離され、導電性（例えば、金属）ストリップの層が、多層基板と誘電体リッジとの間に位置づけされるかまたは配置される。

【0043】

【図13】多層基板の上部に、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する、導電性側面を含む、誘電体リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図であり、誘電体リッジが、誘電体リッジによって画定される溝またはトレンチによって分離され、導電性（例えば、金属）ストリップの層が、誘電体リッジの上面の上に位置づけされるかまたは配置される。

【0044】

【図14】多層基板の上部に、長方形または実質的に長方形の断面を有する、導電性側面を含む、第１の（下方の）セットの誘電体リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図であり、第１のセットの誘電体リッジが、第１のセットの誘電体リッジによって画定される溝またはトレンチによって分離され、導電性（例えば金属）ストリップの第１の（下方の）層が、第１のセットの誘電体リッジの上面の上に位置づけされるかまたは配置され、導電性側面を含み、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する第２の（上方の）セットの誘電体リッジが、導電性（例えば金属）ストリップの第１の層の上に位置づけされるかまたは配置され、第２のセットの誘電体リッジが、第２のセットの誘電体リッジによって画定された溝によって分離され、導電性（例えば、金属）ストリップの第２の（上方の）層が、第２のセットの誘電体リッジの上に位置づけされるかまたは配置される。

【0045】

【図15】近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチを画定する導電性側面を含む誘電体リッジ、または導電性リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図であり、基板が、リッジのまわりにフレームを画定する。

【0046】

【図16】近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチを画定する導電性側面を含む誘電体リッジ、または導電性リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図であり、各リッジが、その長さに沿って１つまたは複数の間隙によって分離され、リッジにおける間隙が、リッジの長さを横切って延びる間隙の１つまたは複数のラインを画定する。

【0047】

【図17】近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチを画定する導電性側面を含む誘電体リッジ、または導電性リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図であり、各リッジが、その長さに沿って１つまたは複数の間隙によって分離され、リッジにおける間隙が、リッジの長さに対して垂直に延びる間隙の１つまたは複数のラインを画定する。

【0048】

【図18】近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチを画定する導電性側面を含む誘電体リッジ、または導電性リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図であり、リッジが、長さに沿ってランダムまたはオフセットパターンの間隙によって分離される。

【0049】

【図19】図の下から上に、偏光子（概略断面の）、ファラデー回転子、および検光子（概略断面の）を含む本開示の原理による光アイソレータの概略側面図であり、偏光子および検光子は、本開示に記載のワイヤグリッド偏光子のうちの１つまたは複数から形成される。

【0050】

【図20】図の下から上に、偏光子（概略断面の）、ファラデー回転子、検光子（概略断面の）、および波長板を含む本開示の原理による光アイソレータの概略側面図であり、偏光子および検光子は、本開示に記載のワイヤグリッド偏光子のうちの１つまたは複数から形成される。

【0051】

【図21】図の下から上に、偏光子（概略断面の）、ファラデー回転子、および検光子（概略断面の）を含む本開示の原理による本開示の原理による光アイソレータの概略側面図であり、偏光子および検光子は、各々、単層基板（図２１に図示せず）または多層基板（図２１に図示）を含むことができる本開示に記載のワイヤグリッド偏光子のうちの１つまたは複数から形成され、偏光子および検光子の各々の基板は、偏光子または検光子のリッジと、ファラデー回転子との間に位置づけされるかまたは配置される。

【発明を実施するための形態】

【0052】

本明細書で使用される、「左」、「右」、「内側」、「外側」、「の上に」、「の下に」、などのような空間的または方向的用語は、描かれた図に示されている通りに本開示に関連する。しかしながら、本開示は様々な代替の向きを前提とすることができ、したがって、そのような用語は限定と考えるべきではないことを理解されたい。さらに、本明細書で使用されるとき、本明細書および特許請求の範囲で使用される寸法、物理的特性、処理パラメータ、成分の量、反応条件、などを表すすべての数字は、すべての事例において、「およそ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」または「約（ａｂｏｕｔ）」という用語によって修飾されていると理解されるべきである。したがって、そうではないことが示されない限り、以下の明細書および特許請求の範囲に記載される数値は、本開示によって得ようとする所望の特性に応じて変化してもよい。

【0053】

最低限でも、特許請求の範囲の範囲への均等論の適用を限定する試みとしてではなく、各数値は、少なくとも、報告された有効数字の数に照らして、および通常の丸め技法を適用することによって解釈されるべきである。その上、本明細書で開示されるすべての範囲は、最初の範囲値および最後の範囲値ならびにその中に包含されるすべての部分範囲を包含すると理解されるべきである。例えば、「１～１０」の記載された範囲は、１の最小値と１０の最大値との間の（および最小値と最大値とを含む）すべての部分範囲、すなわち、１以上の最小値で始まり、１０以下の最大値で終わるすべての部分範囲、例えば、１～３．３、４．７～７．５、５．５～１０、などを含むと考えられるべきである。「ａ」または「ａｎ」は、１つまたは複数を指す。

【0054】

本明細書で使用される「結合される（ｃｏｕｐｌｅｄ）」、「結合する（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）」、および同様の用語は、２つ以上の要素が互いに接合される、連結される、固定される、接続される、連通される、またはさもなければ関連づけられる（例えば、機械的に、電気的に、流体的に、光学的に、電磁的に）ことを指す。様々な例において、要素は、直接または間接的に関連づけられ得る。一例として、要素Ａは、要素Ｂに直接関連づけられ得る。別の例として、要素Ａは、例えば別の要素Ｃを介して、要素Ｂに間接的に関連づけられ得る。様々な開示される要素の間のすべての関連が必ずしも表されているわけではないことが理解されるであろう。したがって、図に示されたもの以外の結合も存在し得る。

【0055】

本明細書で使用される「のうちの少なくとも１つ」という語句は、アイテムのリストとともに使用されるとき、リストされたアイテムの１つまたは複数の異なる組合せが使用されてもよいこと、およびリスト内の各アイテムの１つのみが必要とされてもよいことを意味する。例えば、「アイテムＡ、アイテムＢ、およびアイテムＣのうちの少なくとも１つ」は、限定ではなく、アイテムＡ、またはアイテムＡおよびアイテムＢを含むことができる。この例は、さらに、アイテムＡ、アイテムＢ、およびアイテムＣ、またはアイテムＢおよびアイテムＣを含むことができる。他の例では、「のうちの少なくとも１つ」は、例えば、限定ではなく、アイテムＡの２つ、アイテムＢの１つ、およびアイテムＣの１０個；アイテムＢの４つおよびアイテムＣの７つ；および他の適切な組合せであり得る。

【0056】

ここで、様々な非限定的な例が、同様の参照番号が同様のまたは機能的に等価な要素に対応する添付の図を参照して説明されることになる。

【0057】

本明細書において、動作波長範囲でまたはその近くで、側面に導電性コーティングを含む誘電体リッジ、または導電性リッジに対して垂直な電界方向またはベクトルをもつ光のビームを通過させ、前記リッジを横切るが垂直ではない電界方向またはベクトル、例えば、リッジと平行な電界方向またはベクトルをもつ通過光ビームの少なくとも一部を反射させるために使用することができる例示的な光学偏光子が開示される。さらに、例示的な光アイソレータが開示され、各アイソレータは、本明細書に記載の例示的な光学偏光子のうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0058】

本明細書に記載の様々な光学偏光子および／または光アイソレータは、当技術分野で知られている半導体製作技法で製造することができる。したがって、簡単にするために、および開示される光学偏光子および／または光アイソレータのうちの１つまたは複数の構成を理解するのに必要でない限り、様々な光学偏光子および／または光アイソレータを製造する方法は、本明細書において説明されない場合がある。

【0059】

図２および図３を参照すると、本開示の原理による１つの非限定的な実施形態または例示の光学偏光子または光学偏光子アセンブリ２は、誘電体基板８の表面６上に離隔関係で、例えば、限定ではなく、離隔された平行な関係で位置づけされるかまたは配置され、パターニングおよびエッチングによって形成された複数の細長い誘電体リッジ４を含む。本明細書では、「光学偏光子アセンブリ」および「光学偏光子」という用語は、交換可能に使用され得る。

【0060】

各誘電体リッジ４は、基板８の表面６に沿って延びる長さ方向（図２に矢印１０で示される）を有することができる。各誘電体リッジ４は、基板８の表面６から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面１２－１および１２－２と、基板８の表面６とは反対側の離隔された側面１２－１と１２－２との間に延びる上面１４とを有することができる。各誘電体リッジ４の側面１２－１および１２－２は、それぞれ、導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことができる。

【0061】

一例では、各誘電体リッジ４の導電性コーティング１６－１および１６－２の一方または両方は、誘電体リッジ４の側面１２－１および１２－２ならびに上面１４と、近接または隣接するリッジ４間の溝またはトレンチ１８における誘電体基板８の表面６とに共形にコーティングされる、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物から形成され得る。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１および１６－２にとって望ましい。その後、リッジ４の上面１４を覆っている導電性コーティングと、近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチ１８における誘電体基板８の表面６を覆っている導電性コーティングとは、例えば、異方性反応性イオンエッチングを介して除去され得る。

【0062】

図２および図３の例示の光学偏光子アセンブリ２を、図１に示された先行技術の光学偏光子と比較すると、図２および図３の例示の光学偏光子アセンブリ２は、図２に示された例示の光学偏光子アセンブリ２を通って垂直に上方または下方に伝搬する光ビームの経路２０に含まれる導電性材料が少ないことを理解することができる。その上、本開示の図における様々な例示の光学偏光子アセンブリ２は、平坦な側壁をもつプロファイルを有する（例えば、各誘電体リッジ４の側面１２－１および１２－２、および／または各誘電体リッジ４の側面１２－１および１２－２上の導電性コーティング１６－１および１６－２の露出した側面は平坦である）として示されているが、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの側壁のうちの１つ、一部、またはすべてが平坦でないプロファイルを有してもよいことが想定されるからである。例えば、限定ではなく、側壁は、狭まるかまたは広がるプロファイル（図７Ａ～図７Ｂを参照）、凹状または凸状プロファイル、正弦曲線プロファイル、または任意の他の形状の側壁を有することができる。さらに、本開示の図における様々な例示の光学偏光子アセンブリ２のプロファイルは、基板８へのオーバーエッチング（例えば、図１における基板Ｓにおけるオーバーエッチングで示されるような）を含むことができ、および／またはリッジへのアンダーエッチング（例えば、図１における角度θで示されたような）を含むことができる。

【0063】

一例では、基板８は、ｎ_１の屈折率を有することができる。溝またはトレンチ１８と、オプションとして、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４の上および／またはまわりまたは周囲のスーパーストレート（周囲媒体）とは、ｎ_２の屈折率を有する誘電体媒体２２を含むかまたはそれで満たされ得る。一例では、誘電体媒体２２は、隣接または近接する対の誘電体リッジ４の対面する側面の間の各溝またはトレンチ１８に存在し得る。本開示の全体を通して、隣接または近接する対の誘電体リッジ４の対面する側面の間にある誘電体媒体２２の例は、各溝またはトレンチ１８が、誘電体媒体２２で部分的に満たされ得ること、各溝またはトレンチ１８が、溝またはトレンチ１８の一方または両方の側の導電性コーティング１６－１および１６－２のすべてまたは一部と、溝またはトレンチ１８の基部または底部のすべてまたは一部とを覆う誘電体媒体２２を含み、それに関して、基部または底部の上に、および導電性コーティング１６－１と導電性コーティング１６－２との間に、誘電体媒体１８を欠いている空間を画定することができること、誘電体媒体２２が、溝またはトレンチ１８の両側の導電性コーティング１６－１および１６－２の少なくとも一部と、溝またはトレンチ１８を画定する隣接または近接する誘電体リッジ４の上面１４と、オプションとして、導電性コーティング１６－１と導電性コーティング１６－２との間の溝またはトレンチ１８の基部または底部の少なくとも一部とを覆い、そのとき、基部または底部の上、および導電性コーティング１６－１と導電性コーティング１６－２との間の空間が、誘電体媒体１８を欠いていることを含むことができる。誘電体リッジ４は、ｎ_３の屈折率を有することができる。一例では、ｎ_１、ｎ_２、およびｎ_３がすべて同じ値を有することができ、またはｎ_１、ｎ_２、およびｎ_３のうちの１つまたは複数が異なる値を有することができる。その上、ｎ_２の屈折率を有する誘電体媒体２２は、固体または気体、例えば、限定ではなく、周囲環境または周囲空気とすることができる。

【0064】

図１に示された先行技術の光学偏光子と同様に、図２および図３に示された例示の光学偏光子アセンブリ２の偏光子は、Λの偏光子周期およびデューティサイクル（ｗ＋ｔ_１＋ｔ_２）／Λを有することができ、ここで、ｗは、それぞれ厚さｔ_１およびｔ_２の導電性コーティング１６－１および１６－２を含む、屈折率ｎ_３を有する誘電体材料の誘電体リッジ４の幅である。異なる屈折率を有する追加の（水平）層が、基板８と、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４との間に導入されてもよい。この例では、ｎ_１、ｎ_２、ｎ_３∈Ｒ、すなわち、誘電体である材料。幅ｔ_１およびｔ_２の導電性コーティング１６－１および１６－２は、多数の異なる材料で形成されてもよく、それによって、複素屈折率のもの（例えば、吸収性材料）、例えば、一般に、金属を有してもよい。

【0065】

図２および図３の例示の光学偏光子アセンブリ２では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、ｗは、１３０ｎｍ±５０ｎｍの値を有することができ、ｈは、４５０ｎｍ±５０ｎｍの値を有することができ、ｔ_１は、２０ｎｍの値を有することができ、ｔ_２は、２０ｎｍの値を有することができる。しかしながら、この例および本開示に記載の他の例では、Λ、ｗ、ｈ、ｔ_１、およびｔ_２の値は、例示的であり、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図２および図３に示された例示の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬する光ビームの波長に基づいて選択されてもよいことが想定されるからである。

【0066】

図４を参照し、図２および図３を引き続き参照すると、以下の例外を除いて、図２および図４に示された例示の光学偏光子アセンブリ２は同じである。例外は、図４における導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４が、図２に示された導電性コーティング１６－１および１６－２を含む真っすぐなまたは直線の誘電体リッジ４に対して湾曲または弓形であり得ることである。

【0067】

図５を参照し、図３を引き続き参照すると、以下の例外を除いて、図３および図５に示された例示の光学偏光子アセンブリ２は同じである。例外は、図５では、基板８が、図３に示された単層基板８に対して多層基板８であることである。一例では、図５に示される多層基板８は、多数の（２つまたは３つまたはそれより多くの）層を含むことができる。一例では、前記多層のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有する異なる材料または化合物とすることができる。さらに、この例では、誘電体媒体２２は、周囲環境または周囲空気とすることができ、そのとき、誘電体媒体２２のｎ_２の屈折率の値は、周囲環境または周囲空気の屈折率の値である。

【0068】

１つの特定の非限定的な例において、図５の多層基板８は、同じまたは異なる材料または化合物の３つの層Ｌ_１、Ｌ_２、およびＬ_３を含むことができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。一例では、層Ｌ_１は、例えば、用途によって決定される任意の適切なおよび／または望ましい値の厚さｔ_１を有するケイ素（Ｓｉ）の層とすることができ、層Ｌ_２は、３７０ｎｍ±３０ｎｍの厚さｔ_２を有するセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層とすることができ、層Ｌ_３は、４２５ｎｍ±３０ｎｍの厚さｔ_３を有するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、各層Ｌの厚さおよび各層Ｌを形成する材料または組成が特定の用途のために選択されてもよいことが想定されるからである。

【0069】

中赤外スペクトル範囲で使用することができる図５の例示の光学偏光子アセンブリ２の第１の事例では、導電性コーティング１６－１および１６－２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１および１６－２にとって望ましい。この例では、導電性コーティング１６－１および１６－２は、アルミニウム（Ａｌ）で製作することができ、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、ｗは、１２０ｎｍ±３０ｎｍの値を有することができ、ｈは、３５０ｎｍ±１５ｎｍの値を有することができ、ｔ_１は、３０ｎｍ±５ｎｍの値を有することができ、ｔ_２は、３０ｎｍ±５ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図５に示されたこの第１の事例の例示の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬されるように意図された光ビームの波長に基づいて設計または選択されてもよいことが想定されるからである。

【0070】

図５に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例では、誘電体媒体２２は、周囲環境または周囲空気とすることができ、そのとき、誘電体媒体２２のｎ_２の屈折率の値は、周囲環境または周囲空気の屈折率の値とすることができる。図５に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例は、３μｍ～５μｍの波長範囲λにわたって消光比（ＥＲ）＞５０ｄＢおよび透過率（Ｔ）＞９７％を有すると推定または決定された。

【0071】

中赤外スペクトル範囲で使用することができる図５の例示の光学偏光子アセンブリ２の第２の事例では、導電性コーティング１６－１および１６－２は、Ａｌの代わりに金（Ａｕ）で製作することができる。図５の例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第２の事例では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、ｗは、１０５ｎｍ±２０ｎｍの値を有することができ、ｈは、４００ｎｍ±２０ｎｍの値を有することができ、ｔ_１は、３０ｎｍ±５ｎｍの値を有することができ、ｔ_２は、３０ｎｍ±５ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図５に示されたこの第２の事例の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬されるように意図された光ビームの波長に基づいて設計または選択されてもよいことが想定されるからである。

【0072】

図５の例示の光学偏光子アセンブリ２の第３の事例では、層Ｌ_３（ＭｇＦ_２）は、３９５ｎｍ±１５ｎｍの厚さｔ_３を有することができ、層Ｌ_２（ＺｎＳｅ）は、３７０ｎｍ±２０ｎｍの厚さｔ_２を有することができ、層Ｌ_１（Ｓｉ）は、例えば用途によって決定される任意の適切なおよび／または望ましい厚さを有することができる。しかしながら、これらの厚さは、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0073】

図５に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例では、誘電体媒体２２は、周囲環境または周囲空気とすることができ、そのとき、誘電体媒体２２のｎ_２の屈折率の値は、周囲環境または周囲空気の屈折率の値とすることができる。図５の例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例では、＞５０ｄＢの消光比（ＥＲ）および透過率（Ｔ）＞９７％を有すると推定または決定された。

【0074】

次に図６を参照すると、本開示の原理による別の非限定的な実施形態または例示の光学偏光子アセンブリ２は、例えば、限定ではなく、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物などの導電性材料から全体的に製作された複数の細長い導電性リッジ２４を含むことができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性リッジ２４にとって望ましい。この例では、複数の導電性リッジ２４は、誘電体基板８の表面６に離隔関係で、例えば、限定ではなく、離隔された平行な関係で位置づけされるかまたは配置される。各導電性リッジ２４は、基板８の表面６に沿って、すなわち、図６を含むページの中に延びる長さ方向（図２および図４に示された長さ方向１０のように、真っすぐなまたは湾曲した）を有することができる。各導電性リッジ２４は、基板８の表面６から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面２５－１および２５－２と、基板８の表面６とは反対側の離隔された側面２５－１と離隔された側面２５－２との間に延びる上面１４とを有することができる。図６の導電性リッジ２４は、図２～図５に示された導電性コーティング１６－１および１６－２を含まなくてもよい。

【0075】

一例では、図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２の基板８は、多数の（２つ、３つ、４つ、またはそれより多くの）層を含むことができる多層基板８とすることができる。一例では、前記多層のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有することができる異なる材料または化合物から製作することができる。

【0076】

近赤外スペクトル範囲で有用であり得る図６に示された光学偏光子アセンブリ２の第１の事例は、同じまたは異なる材料または化合物の４つの層Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３、およびＬ_４を含むことができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例では、層Ｌ_１は、任意の適切なおよび／または望ましい厚さの二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の層とすることができ、層Ｌ_２は、厚さｔ_２＝２６８ｎｍを有するセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層とすることができ、層Ｌ_３は、厚さｔ_３＝２５１ｎｍを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の層とすることができ、層Ｌ_４（仮想線で示される）は、厚さｔ４＝２３１ｎｍを有する硫化亜鉛（ＺｎＳ）の層とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、各層Ｌの厚さおよび各層Ｌを形成する材料または組成が特定の用途のために選択されてもよいことが想定されるからである。

【0077】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例では、溝またはトレンチ１８の誘電体媒体２２と、導電性リッジ４（Ａｌで製作された）の上および／またはまわりのスーパーストレート（周囲媒体）とは、ｎの屈折率を有することができる。一例では、誘電体媒体２２は、エポキシまたはＳｉＯ_２とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。誘電体媒体２２の屈折率ｎの値は、１．５４とすることができる。しかしながら、これも限定する意味に解釈されるべきではない。

【0078】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、ｗは、８０ｎｍの値を有することができ、ｈは、４９０ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図６に示されたこの第１の事例の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬されるように望まれる光ビームの波長に基づいて選択されてもよいことが想定されるからである。

【0079】

図６に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例は、消光比（ＥＲ）＝４０ｄＢ、透過率（Ｔ）＝９３％、および反射損（Ｒ）＝０．５％を有すると推定または決定された。

【0080】

中赤外スペクトル範囲で有用であり得る図６に示された光学偏光子アセンブリ２の第２の事例は、同じまたは異なる材料または化合物の３つの層Ｌ_１、Ｌ_２、およびＬ_３を含むことができ、すなわち、層Ｌ_４（図６に仮想線で示される）は省略されるかまたは存在しない。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。この第２の事例では、層Ｌ_１は、例えば、用途によって決定される任意の適切なおよび／または望ましい厚さのケイ素（Ｓｉ）の層とすることができ、層Ｌ_２は、厚さｔ_２＝３４８ｎｍを有する硫化亜鉛（ＺｎＳ）の層とすることができ、層Ｌ_３は、厚さｔ_３＝２０３ｎｍを有するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、各層Ｌの厚さおよび各層Ｌを形成する材料または組成が特定の用途のために選択されてもよいことが想定されるからである。

【0081】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第２の事例では、溝またはトレンチ１８の誘電体媒体２２と、例えばＰｔで製作された誘電体リッジ４の上および／またはまわりのスーパーストレート（周囲媒体）とは、周囲環境または周囲空気のｎの屈折率を有する周囲環境または周囲空気とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0082】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第２の事例では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、ｗは、９５ｎｍの値を有することができ、ｈは、５１０ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図６に示された第２の事例の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬されるように望まれる光ビームの波長に基づいて選択されてもよいことが想定されるからである。

【0083】

図６に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第２の事例は、消光比（ＥＲ）＞４０ｄＢ、透過率（Ｔ）＞９５％、および反射損（Ｒ）＜２％を有すると推定または決定された。比較すると、多層基板８のない、すなわち、単層基板の光学偏光子アセンブリは、約７４％の透過率（Ｔ）しか提供することができない。

【0084】

近赤外スペクトル範囲で有用であり得る図６に示された光学偏光子アセンブリ２の第３の事例は、同じまたは異なる材料または化合物の３つの層Ｌ_１、Ｌ_２、およびＬ_３を含むことができ、すなわち、層Ｌ_４（図６に仮想線で示される）は省略されるかまたは存在しない。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。この第３の事例では、層Ｌ_１は、例えば、用途によって決定される任意の適切なおよび／または望ましい厚さの溶融石英（ＦＳ）の層とすることができ、層Ｌ_２は、厚さｔ_２＝２７３ｎｍおよび２．１の屈折率有する五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層とすることができ、層Ｌ_３は、厚さｔ_３＝１７２ｎｍおよび１．４５の屈折率を有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の層とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、各層Ｌの厚さおよび屈折率と、各層Ｌを形成する材料または組成とが、特定の用途のために選択されてもよいことが想定されるからである。

【0085】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例では、溝またはトレンチ１８の誘電体媒体２２と、例えばＡｌで製作された誘電体リッジ４の上および／またはまわりのスーパーストレート（周囲媒体）とは、周囲環境または周囲空気のｎの屈折率を有する周囲環境または周囲空気とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0086】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、ｗは、９５ｎｍの値を有することができ、ｈは、５００ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図６に示された第３の事例の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬される光ビームの波長に基づいて選択されてもよいことが想定されるからである。

【0087】

図６に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例は、消光比（ＥＲ）＞５０ｄＢ、透過率（Ｔ）＝９６％、および０．０４％の反射損（Ｒ）を有すると推定または決定された。比較すると、多層基板８のない光学偏光子アセンブリは、約７４％の透過率（Ｔ）しか提供することができない。

【0088】

図７Ａ～図７Ｃを参照すると、各誘電体リッジ４は、図３および図５に示された長方形断面と異なる断面形状を有することができる。例えば、図７Ａは、大きい下端部から小さい上面１４へと狭くなる、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された側面１２－１および１２－２を有する誘電体リッジ２４の単離した断面図を示す。同様に、図６に示された各導電性リッジ２４は、大きい下端部から小さい上面１４へと狭くなる離隔された側面２６－１および２６－２を有することができる。

【0089】

別の例では、図７Ｂは、小さい下端部から大きい上面１４へと広くなる、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された側面１２－１および１２－２を有する誘電体リッジ２４の単離した断面図を示す。同様に、図６に示された各導電性リッジ２４は、小さい下端部から大きい上面１４へと広くなる離隔された側面２６－１および２６－２を有することができる。

【0090】

別の例では、図７Ｃは、下端部から上面１４まで延び、上面１４に近接または隣接する丸みのある縁部２８－１および２８－２を有する導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された平行なまたは実質的に平行な側面１２－１および１２－２を有する誘電体リッジ２４の単離した断面図を示す。同様に、図６に示される各導電性リッジ２４は、下端部から上面１４まで延び、上面１４に近接または隣接する丸みのある縁部を有する離隔された側面２６－１および２６－２を有することができる。

【0091】

図７Ｄ～図７Ｅを参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示に記載の各誘電体リッジ４は、多数の水平（図７Ｄ）または垂直（図７Ｅ）誘電体層ｎ３で構成され得る。図７Ｄ～図７Ｅに示された例示の誘電体リッジ４は、４つの誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４を含む。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、図７Ｄ～図７Ｅの各々に示された誘電体リッジ４が、任意の数の２つ以上の誘電体層ｎ３を含むことができることが想定されるからである。図７Ｄ～図７Ｅに示された例示の誘電体リッジでは、各誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４は、任意の他の誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４と同じまたは異なる誘電体材料で製作することができる。その上、各誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４の厚さ（図７Ｄ）または幅（図７Ｅ）は、任意の他の誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４の厚さまたは幅と同じであっても異なっていてもよい。同じまたは異なる誘電体材料の多数の層、および／または誘電体材料の異なる幅または厚さを有する層で構成される誘電体リッジ４は、誘電体リッジ４による反射損失の低減のために有用であり、例えば、最適化され得る。

【0092】

図８を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された側面１２－１および１２－２を有する誘電体リッジ４は、異なる距離または偏光子周期（Λ）で、すなわち、変動しているまたはチャープされた偏光子周期で、互いに離隔され得る。図８は、異なる距離Λ１、Λ２、およびΛ３によって分離された、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された側面１２－１および１２－２を有する４つの誘電体リッジ２４を示す。同様に、離隔された側面２６－１および２６－２を有する各導電性リッジ２４（図６）は、異なる距離または偏光子周期（Λ）で、すなわち、変動しているまたはチャープされた偏光子周期で、互いに離隔され得る。図８において、誘電体媒体２２は、固体または気体、例えば、周囲環境または周囲空気とすることができる。

【0093】

図９～図１１を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による光学偏光子は、上下に積み重ねられたまたは順に積み重ねられた、図２～図６および図８に示された光学偏光子２の任意の１つまたは組合せの対を含むことができる。限定ではなく単に例示の目的で、１対の図３または図５の光学偏光子２は、上下に積み重ねられたまたは順に積み重ねられたものとして説明することができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0094】

図９に示された一例では、光学偏光子２’は、上下に積み重ねられたまたは順に積み重ねられた１対の図３または図５の光学偏光子２－１および２－２を含む第１の構成を含むことができる。この例では、１対の光学偏光子の上部のもの２－２の誘電体基板８－２は、１対の光学偏光子の上部のもの２－２の細長い誘電体リッジ４－２と、１対の光学偏光子の下部のもの２－１の細長い誘電体リッジ４－１との間に位置づけされるかまたは配置される。１対の光学偏光子の下部のもの２－１は、１対の光学偏光子の上部のもの２－２の誘電体基板８－２とは反対側の細長い誘電体リッジ４－１の側に誘電体基板８－１の位置を有する。

【0095】

光学偏光子２－１の誘電体基板８－１は、単層基板、例えば層Ｌ_１、または２つ、３つ、４つ、もしくはそれより多くの層、例えば層Ｌ_１およびＬ_２を含む多層基板を含むことができる。さらに、または代替として、光学偏光子２－２の誘電体基板８－２は、単層基板、例えば層Ｌ_１、または２つ、３つ、４つ、もしくはそれより多くの層、例えば層Ｌ_１およびＬ_２を含む多層基板を含むことができる。誘電体基板８－１および８－２の層Ｌ_１およびもしあればＬ_２は、同じまたは異なる材料または化合物とすることができる。

【0096】

光学偏光子２－１は、近接または隣接する誘電体リッジ４－１の間にオプションの誘電体媒体２２－１を含むことができる。さらに、または代替として、光学偏光子２－２は、近接または隣接する誘電体リッジ４－２の間にオプションの誘電体媒体２２－２を含むことができる。各誘電体媒体２２－１および２２－２は、例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体、または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体とすることができる。

【0097】

図９の光学偏光子アセンブリ２の第１の例では、各誘電体基板８－１および８－２は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で製作された単層Ｌ_１（すなわち、層Ｌ_２は存在しない）とすることができ、誘電体基板８－２は、例えば、限定ではなく、約１μｍの厚さ３１を有することができる。誘電体媒体２２－１および２２－２は、屈折率ｎ＝１．４５を有することができる。その上、誘電体媒体２２－１および２２－２は、オプションとして、誘電体基板８－２とは反対側の誘電体リッジ４－１および４－２の端部と誘電体リッジ４－１および４－２の側壁上の導電性コーティング１６－１および１６－２の端部とを覆うことができる。光学偏光子２－１および２－２の誘電体リッジ４－１および４－２の側壁上の導電性コーティング１６－１および１６－２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１および１６－２にとって望ましい。

【0098】

図９の光学偏光子２’の第２の例は、以下の例外を除いて、すぐ上に記載された第１の例と同じであり得る。この第２の例における例外は、誘電体基板８－１が省略されることであり得る。

【0099】

これらの第１および第２の例示の光学偏光子２’を、例えば、下から上にまたはその逆に通過する光の透過率Ｔの変化は、低い反射率のため最小であり得る。しかしながら、これらの第１および第２の例示の光学偏光子２’を通過する光の消光比（ＥＲ）またはコントラストは、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の厚さ３１に依存し得る。一例では、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の厚さ３１の変化は、±１２デシベル（ｄＢ）のＥＲまたはコントラストの変化をもたらすことがある。

【0100】

より具体的には、図９のこれらの第１および第２の例示の光学偏光子２’において、光学偏光子２－１および２－２は、Δλ＝λ^２／（２ｎＬ）の自由スペクトル範囲をもつファブリペローキャビティ／共振器（エタロン）の性質の反射器として機能することができ、ここで、λは、光学偏光子２’を通過する光の波長であり、Ｌは、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の厚さ３１であり、ｎは、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２がＳｉＯ_２で製作されている場合、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の屈折率、例えば、ｎ＝１．４５である。これらの第１および第２の例示の光学偏光子２’のＥＲまたはコントラストを改善するために、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の厚さ３１は、波長λの光に対して、キャビティが反共振である、すなわち、キャビティの共振の中間であるように選ぶことができる。この例では、阻止される偏光の透過は、追加として、これらの第１および第２の例示の光学偏光子２’の上部の光学偏光子２－２および下部光学偏光子２－１の抑制を超えて抑制される。コントラストのＥＲは、キャビティの自由スペクトル範囲の２０～３０％であり得る波長範囲にわたって許容可能な均一性で維持されることになる。

【0101】

一例では、図９に示された光学偏光子２－１および２－２の一方または両方は、導電性リッジおよび多層基板を有する図６に示された光学偏光子と置き換えられてもよい。

【0102】

図１０に示される別の例では、光学偏光子２’’は、１対の光学偏光子２－１および２－２の細長い誘電体リッジ４－１および４－２が交互配置または交互嵌合の方法で位置づけされたかまたは配置された状態で、上下に積み重ねられたまたは順に積み重ねられた１対の図３または図５の光学偏光子２－１および２－２を含む第２の構成を含むことができる。一例では、各光学偏光子２－１および２－２は、その各誘電体リッジ４の側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことができ、そのとき、細長い誘電体リッジ４－１および４－２が交互配置または交互嵌合の方法で位置づけされたかまたは配置された状態で、光学偏光子２－１および２－２が積み重ねられる場合、直接に近接または隣接するリッジ４－１および４－２の導電性コーティング１６は、図１０に示されるように、間隙または空間２９によって分離され得る。その上、光学偏光子のうちの一方、例えば光学偏光子２－１の各誘電体リッジ４の側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２は省略されてもよく、そのとき、他方の光学偏光子、例えば、光学偏光子２－２の各誘電体リッジ４の側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２は、光学偏光子２－１および２－２の交互配置または交互嵌合された誘電体リッジ４－１と４－２との間に位置づけされるかまたは配置され得ることが想定される。

【0103】

図１１に示される別の例示の光学偏光子２’’’は、以下の例外を除いて、図９に示された光学偏光子２’の第１の構成と同様である。例外は、１対の光学偏光子の上部のもの２－２の誘電体基板８－２が、１対の光学偏光子の下部のもの２－１の誘電体基板８－１と比較して減少した厚さを有することができることである。誘電体基板８－２は、単層基板または多層基板とすることができる。誘電体基板８－１は、単層基板または多層基板とすることができる。一例では、誘電体基板８－１は多層基板とすることができ、誘電体基板８－１は、単層基板とすることができる。

【0104】

図９～図１１に示された例示の光学偏光子２’、２’’、および２’’’において、誘電体リッジ４－１および４－２は、同じまたは異なる、デューティサイクル、溝またはトレンチ１８の深さ、および／または導電性コーティング１６－１および１６－２の厚さを有することができる。

【0105】

図１２および図１３を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による別の例示の光学偏光子２は、（１）誘電体基板８と複数の誘電体リッジ４との間に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップ３２の層３０（図１２）、または（２）複数の誘電体リッジ４の上に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップ３２の層３０（図１３）を含むことができる。各誘電体リッジ４は、離隔された側面１２－１および１２－２上に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことができる。これらの例では、導電性ストリップ３２の各層３０は、導電性ストリップ３２を支持する誘電体材料３４を含むことができる。一例では、導電性ストリップ３２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で形成することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性ストリップ３２にとって望ましい。

【0106】

導電性ストリップ３２の長さ方向は、誘電体リッジ４の長さ方向と平行に、すなわち、図１２および図１３のページの中に進むかまたは延びることができる。各導電性ストリップ３２の幅ｗは、各誘電体リッジ４の幅Ｗ未満とすることができる。誘電体媒体２２（例えば、例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体、または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体）は、誘電体リッジ４を囲み、近接または隣接するリッジ４間の溝またはトレンチ１８を満たすことができる。図１３の例は、誘電体媒体２２によってリッジ４の上面１４から離隔された導電性ストリップ３２の層３０を示す。この例では、誘電体媒体２２は、例えば、エポキシまたはＳｉＯ_２などの固体とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、図１３における導電性ストリップ３２の層３０が、誘電体リッジ４の上面１４と直接接触して配置されるかもしくは位置づけられてもよく、誘電体媒体２２が、省略されてもよく、あるいは例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体であってもよいことが想定されるからである。

【0107】

図１２および図１３における各誘電体基板８は、単層誘電体基板８、または２つ、３つ、もしくはより多くの層を含む多層誘電体基板８とすることができる。一例では、図１２および１３における誘電体基板８は、図の下から上に、層Ｌ_１、Ｌ_２、およびＬ_３を含む多層誘電体基板８とすることができる。一例では、層Ｌ_１は、ケイ素（Ｓｉ）の層とすることができ、層Ｌ_２は、ケイ素（Ｓｉ）の層Ｌ_１と複数の細長い導電性リッジ４との間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層とすることができ、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層Ｌ_２と複数の細長い導電性リッジ４との間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層Ｌ_３がある。

【0108】

図１４を参照し、図１３を引き続き参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による別の例示の光学偏光子２は、図１４にコピーまたは再現されている図１３の例示の光学偏光子２の導電性ストリップ３２の層３０の上に位置づけられた、導電性コーティング１６－１’および１６－２’を含む複数の誘電体リッジ４’を含むことができる。一例では、導電性コーティング１６－１’および１６－２’は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１’および１６－２’にとって望ましい。図１３に示された光学偏光子２の上述の説明が、図１４に再現されている図１３の光学偏光子２のコピーにも当てはまるので、図１４に再現されている図１３の光学偏光子２のコピーに関する詳細は、不必要な冗長を避けるために、図１４に関しては説明されない。

【0109】

誘電体リッジ４’の上には、導電性ストリップ３２’の層３０’が位置づけられる。この層３０’は、導電性ストリップ３２’を支持する誘電体材料３４’を含むことができる。導電性ストリップ３２’の長さ方向は、誘電体リッジ４’の長さ方向と平行に、すなわち、図１４のページの中に進むかまたは延びることができる。各導電性ストリップ３２’の幅ｗ’は、各誘電体リッジ４’の幅Ｗ’未満とすることができる。一例では、導電ストリップ３２’は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性ストリップ３２’にとって望ましい。

【0110】

誘電体媒体２２’（例えば、例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体、または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体）は、リッジ４’を囲み、近接または隣接するリッジ４’間の溝またはトレンチ１８’を満たすことができる図１４の例は、リッジ４’の上面１４’から離隔された導電性ストリップ３２’の層３０’を示す。この例では、誘電体媒体２２’は、例えば、エポキシまたはＳｉＯ_２などの固体とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、図１４における導電性ストリップ３２’の層３０’が、誘電体リッジ４’の上面１４’と直接接触して配置されるかもしくは位置づけられてもよく、そのとき、残りの誘電体媒体２２’が、省略されてもよく、あるいは例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体であってもよいことが想定されるからである。

【0111】

さらに、図１４は、一例では、例えばエポキシまたはＳｉＯ_２などの固体とすることができる誘電体媒体２２’によって層３０の上面から離隔されたリッジ４’の底面１５’を示しているが、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、リッジ４’の底面１５’が層３０の上面と直接接触して配置されるかまたは位置づけられてもよく、そのとき、残りの誘電体媒体２２’は、省略されてもよく、あるいは例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体、または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体とすることができるからである。

【0112】

導電性コーティング１６－１’および１６－２’を含む誘電体リッジ４’は、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４に対して垂直に位置合せされてもよく（図１４に示されるように）、または水平にオフセットされてもよい。層３０’の導電性ストリップ３２’は、層３０の導電性ストリップ３２に対して垂直に位置合せされてもよく、または（図１４に示されるように）水平にオフセットされてもよい。

【0113】

一例では、図１４において、同じように番号づけされた要素（「’」の有無にかかわらず、例えば４および４’）を形成する材料は同じであってもよい。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、図１４において、同じように番号づけされた要素の以下のセット（例えば対）（「’」の有無にかかわらず、例えば４および４’）を形成する材料、すなわち、誘電体媒体２２および２２’、リッジ４および４’、導電性ストリップ３２および３２’、誘電体媒体３４および３４’、誘電体媒体２２、２２’、３４、および３４’、導電性コーティング１６－１および１６－２、導電性コーティング１６－１’および１６－２’、および導電性コーティング１６－１、１６－１’、１６－２、および１６－２’の各々を形成する材料は、同じであっても異なっていてもよいことが想定されるからである。

【0114】

図１５を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による例示の光学偏光子２は、図２～図５および図７Ａ～図８の導電性コーティング１６－１および１６－２を含む複数の細長い（真っすぐなまたは湾曲した）誘電体リッジ４、または図６の導電性リッジ２４を完全に囲む、誘電体リッジ４を欠いているフレーム３６（基板の一部である）を含むかまたは画定する基板８を含むことができる。基板と、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４、または導電性リッジ２４の上に配置されたパッシベーション層３８と組み合わせたフレーム３６は、特に、図２～図５および図７Ａ～図８の誘電体リッジ４上の導電性コーティング１６－１および１６－２、または図６の導電性リッジ２４の端部４０－１および４０－２における腐食を避ける。

【0115】

図１６～図１８を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による例示の光学偏光子２は、各誘電体リッジ４ならびにその側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２（図２～図５および図７Ａ～図８）に、または各導電性リッジ２４（図６）に、１つまたは複数の中断部または間隙４２を含むことができる。各誘電体リッジ４ならびにその側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２（図２～図５および図７Ａ～図８）の各中断部または間隙４２は、前記中断部または間隙４２の両側の前記細長い誘電体リッジのセクションの導電性コーティング１６－１および１６－２を電気的に切り離し、それによって、中断部または間隙４２の一方の側の導電性コーティング１６－１および／または１６－２から中断部または間隙４２の他方の側の導電性コーティング１６－１および／または１６－２への腐食の伝播が避けられる。同様に、各導電性リッジ２４（図６）の各中断部または間隙４２は、中断部または間隙の４２の一方の側の導電性リッジ２４のセクションから中断部または間隙４２の他方の側の導電性リッジ２４のセクションへの腐食の伝播が避けられる。

【0116】

図１５～図１８では、誘電体リッジ４または誘電体リッジ４のセクションの側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２は、簡単にするために省略されている。しかしながら、次に説明する例外を除いて、本明細書に記載の各誘電体リッジ４または誘電体リッジ４のセクションは、例えば図２～図５および図７Ａ～図８に示されたように、その側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことを理解されたい。

【0117】

図１５に示される例外は、各誘電体リッジ４または誘電体リッジ４のセクションが連続的であり得るが、その側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２が１つまたは複数の中断部または間隙を含むことができることである。これは、図１５において、側面に導電性コーティング１６－１Ａおよび１６－２Ａを含むただ１つの例示的な誘電体リッジ４Ａに対して示されており、導電性コーティング１６－１Ａおよび１６－２Ａの各々は１つまたは複数の中断部または間隙４６を含む。導電性コーティング１６－１Ａおよび１６－２Ａにおける１つまたは複数の中断部または間隙４６が、図１５ではただ１つの例示的な誘電体リッジ４Ａに関して示されているが、図１５～図１８の任意のものに示された任意の数の誘電体リッジ４または誘電体リッジ４のセクションが、導電性コーティングに１つまたは複数の中断部または間隙４６を含むことができることを理解されたい。一例では、導電性コーティング１６－１Ａおよび１６ー２Ａは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１Ａおよび１６－２Ａにとって望ましい。

【0118】

図１６および図１７を参照すると、いくつかの例では、隣接または近接する誘電体リッジ４ならびにその側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２（図２～図５および図７Ａ～図８）、あるいは隣接または近接する導電性リッジ２４（図６）における中断部または間隙４２は、互いに平行に進むことができ、複数のリッジ４／２４の長さ方向に対して横切って（図１６）または垂直に（図１７）進むことができる中断部または間隙４２の１つまたは複数のライン４４を形成することができる。

【0119】

図１８に示される別の例では、隣接または近接する誘電体リッジ４ならびにその側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２（図２～図５および図７Ａ～図８）の中断部または間隙４２、あるいは隣接または近接する導電性リッジ２４（図６）の中断部または間隙４２は、ランダムまたはオフセットパターンで配列され得る。

【0120】

図１９～図２１を参照し、図２～図５および図７Ａ～図８を引き続き参照すると、本開示の原理による例示の光アイソレータ５０は、第１の偏光軸５４（例えば、０°）を有し、光信号源からの光信号５６を直接受け取り、光信号の少なくとも一部６０を出力するための偏光子５２と、偏光子５２によって出力された光信号出力の少なくとも一部６０を直接受け取り、その偏光を回転させ、その少なくとも一部を回転子出力光信号６２として出力するためのファラデー回転子５８と、第２の偏光軸６６（例えば、４５°）を有し、回転子出力光信号６２を直接受け取り、その少なくとも一部６８を出力するための、時には検光子６４と呼ばれる、第２の偏光子とを含むことができる。偏光子５２および検光子６４は、対向した（ｏｐｐｏｓｅｄ）、対向する（ｏｐｐｏｓｉｎｇ）、または反対側の（ｏｐｐｏｓｉｔｅ）ファラデー回転子５８に結合される一例では、ファラデー回転子は、例えば、限定ではなく、ビスマス鉄ガーネット、テルビウムガリウムガーネット、またはイットリウム鉄ガーネットなどのガーネットとすることができる。当技術分野で知られているように、ファラデー回転子５８は、外部印加磁場（図示せず）の存在下で機能することができ、またはファラデー回転子５８は、「自己ラッチング」タイプとすることができる。

【0121】

偏光子５２は、図２～図５および図７Ａ～図８の任意のものに示された光学偏光子２のうちの１つを含むか、またはそれから形成され得る。検光子６４は、図２～図５および図７Ａ～図８の任意のものに示された光学偏光子２のうちの１つを含むか、またはそれから形成され得る。偏光子５２を構成または形成する光学偏光子２は、検光子６４を構成または形成する光学偏光子２と同じであっても異なっていてもよい。その上、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による例示の光アイソレータ５０は、単一の偏光子、例えば偏光子５２のみ、または１対の偏光子、例えば偏光子５２および検光子６４を含むことができる。

【0122】

図１９に示された例示の光アイソレータ５０において、偏光子５２を構成する光学偏光子２は、誘電体基板８（図１９に仮想線で示される）が、ファラデー回転子５８とは反対側の細長い誘電体リッジ４の側に配置されるかまたは位置づけられる状態で、ファラデー回転子５８の対向表面の一方（例えば、下部の表面）に直接結合された（例えば、例えば屈折率整合エポキシなどの接着剤７０を介して）複数の離隔された細長い誘電体リッジ４の上面１４を含むことができる。その上、検光子６４を含む光学偏光子２は、誘電体基板８（図１９に同様に仮想線で示される）が、ファラデー回転子５８とは反対側の細長い誘電体リッジ４の側に配置されるかまたは位置づけられる状態で、ファラデー回転子５８の対向表面の他方（例えば、上部の表面）に直接結合された（例えば、例えば屈折率整合エポキシなどの接着剤７０を介して）複数の離隔された細長い誘電体リッジ４の上面１４を含むことができる。偏光子５２および検光子６４を構成する光学偏光子２は、各誘電体リッジ４の側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことを理解されたい。一例では、導電性コーティング１６－１および１６－２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションまたは任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１および１６－２にとって望ましい。

【0123】

偏光子５２と検光子６４を構成する光学偏光子２の誘電体リッジ４の上面１４がファラデー回転子５８の対向表面に結合された後、誘電体基板８は、例えば、等方性ウエットエッチング、レーザアブレーションを介して、またはバックグラインディングとその後に続く化学機械研磨を介して除去され得る。

【0124】

図２０を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例において、本開示の原理による例示の光アイソレータ５０は、以下の例外を除いて、図１９に示された光アイソレータ５０と同じであり得る。図２０に示された例示の光アイソレータ５０では、検光子６４の基板８は保持され（除去されず）、波長板７２が、ファラデー回転子５８とは反対側の検光子６４の基板８の側に結合される。一例では、波長板７２は、半波長（λ／２）板とすることができ、および／または波長板７２は、第２の偏光軸６６の偏光方向に対して２２．５°に方向づけられた速軸７４を有することができる。一例では、図２０の光アイソレータ５０を出る光信号６８は、偏光子５２によってファラデー回転子５８に出力される光信号の少なくとも一部６０の偏光方向と同じ偏光方向７６を有することができる。

【0125】

図２１を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例において、本開示の原理による別の光アイソレータ５０は、偏光子５２、ファラデー回転子５８、および検光子６４を含む（図２１の下から上に）ことができる。図２１において、偏光子５２および検光子６４の各々は、厳密に言えば説明のために、図５に示された光学偏光子２で構成されるとして示される。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、偏光子５２は、図２～図５および図７Ａ～図８に示された光学偏光子２の任意のものを含むことができ、および／または検光子６４は、図２～図５および図７Ａ～図８に示された光学偏光子２の任意のものを含むことができることが想定されるからである。

【0126】

この例では、偏光軸５４（例えば、０°）を有する偏光子５２および異なる偏光軸７８（例えば、４５°）を有する検光子６４を構成する光学偏光子２の基板８は、側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むそれぞれの誘電体リッジ４がファラデー回転子５８とは反対側の基板８の側に配置されるかまたは位置づけられる状態で、ファラデー回転子５８の対向表面に直接結合される（接着剤を介して）かまたは置かれ得る。

【0127】

図１９～図２１に示された例示の光アイソレータ５０では、各基板８は、１つまたは複数の層Ｌを含むことができる。各基板８の層Ｌのうちの少なくとも１つは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含むことができる。その上、図１９～図２１における誘電体リッジ４および／または導電性コーティング１６－１および１６－２の向きは、厳密に言えば説明のために示されており、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0128】

図１９～図２１に示された例示の光アイソレータ５０は、オプションとして、少なくとも、各誘電体リッジ４の側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含む近接または隣接する誘電体リッジ４間に誘電体媒体２２を含むことができる。

【0129】

図１９～図２１を継続して参照し、図２～図５および図７Ａ～図８を引き続き参照すると、本開示の原理に従って光アイソレータ５０を形成する方法は、（ａ）各々が誘電体基板８と、誘電体基板８の表面に位置づけされたかまたは配置された複数の離隔された細長い誘電体リッジ４とを含む偏光子５２および検光子６４とを用意するステップであり、各誘電体リッジ４が、誘電体基板８の表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジ４が、誘電体基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面１２－１および１２－２と、誘電体基板８の表面から離隔され、誘電体基板８の表面とは反対側の離隔された側面１２－１と側面１２－２との間に延びる上面１４と、各誘電体リッジ４の各側面１２－１および１２－２上の導電性コーティング１６－１および１６－２とを含む、用意するステップと、（ｂ）偏光子５２の誘電体リッジ４をファラデー回転子５８の１つの表面に結合させるステップと、（ｃ）検光子６４の誘電体リッジ４をファラデー回転子５８の対向表面に結合させるステップとを含むことができる。

【0130】

この方法には、（１）ステップ（ｂ）は、偏光子５２の誘電体基板８がファラデー回転子５８の１つの表面から離隔された状態で、偏光子５２の誘電体リッジ４の上面１４をファラデー回転子５８の１つの表面に結合させるステップ、および偏光子５２の誘電体基板８の少なくとも一部を除去するステップを含むことができること、および／または（２）ステップ（ｃ）は、偏光子５２の誘電体基板８がファラデー回転子５８の対向表面から離隔された状態で、検光子６４の誘電体リッジ４の上面１４をファラデー回転子５８の対向表面に結合させるステップ、および検光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップを含むことができることのうちの少なくとも１つが含まれ得る。

【0131】

この方法は、波長板を、ステップ（２）において除去された検光子の誘電体基板８の残りの部分を介して、検光子６４の誘電体リッジ４に結合させるステップを含むことができる。波長板は、半波長（λ／２）板とすることができ、および／または波長板は、検光子の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有することができる。

【0132】

この方法は、（１）ステップ（ｂ）が、偏光子５２の誘電体リッジ４を、偏光子５２の誘電体基板８を介して、ファラデー回転子５８の１つの表面に結合させるステップを含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）が、検光子６４の誘電体リッジ４を、偏光子の誘電体基板８を介して、ファラデー回転子５８の対向表面に結合させるステップを含むことのうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0133】

この方法は、ビスマス鉄ガーネット、テルビウムガリウムガーネット、またはイットリウム鉄ガーネットなどのガーネットであるファラデー回転子５８を含むことができる。

【0134】

この方法は、ステップ（ｂ）の結合させることが、第１の接着剤を介してまたは第１の基板を介するものであり得ること、およびステップ（ｃ）の結合させることが、第２の接着剤を介してまたは第２の基板を介するものであり得ることのうちの少なくとも１つを含むことができ、第１および第２の接着剤は、同じであっても異なっていてもよい。

【0135】

この方法は、第１および第２の接着剤のうちの少なくとも１つが屈折率整合エポキシであることを含むことができる。

【0136】

この方法は、第１および第２の誘電体基板８のうちの少なくとも１つが１つまたは複数の層で構成されることを含むことができる。誘電体基板８の１つまたは複数の層のうちの少なくとも１つは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含むことができる。

【0137】

他の非限定的な例または態様が、以下の例証的および例示的な番号づけされた条項に記載される。

【0138】

条項１：
誘電体基板と、基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、基板の表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジが、基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面、基板の表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面、および各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の細長い誘電体リッジとを含む光学偏光子。

【0139】

条項２：
各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含む、条項１に記載の光学偏光子。

【0140】

条項３：
各誘電体リッジが、四角形または長方形の断面を有する、条項１または２に記載の光学偏光子。

【0141】

条項４：
誘電体基板が、ｎ_１の屈折率を有し、誘電体リッジが、ｎ_２の屈折率を有し、ｎ_１＝ｎ_２またはｎ_１≠ｎ_２である、条項１～３のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0142】

条項５：
隣接または近接する対の誘電体リッジの対面する側面上の導電性コーティングの間に溝またはトレンチをさらに含み、少なくとも各溝またはトレンチ内にｎ_３の屈折率を有する誘電体がある、条項１～４のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0143】

条項６：
ｎ_１＝ｎ_２＝ｎ_３であるか、またはｎ_１、ｎ_２、およびｎ_３のうちの少なくとも１つの屈折率が異なる、条項１～５のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0144】

条項７：
誘電体基板および誘電体リッジが、ＳｉＯ_２で形成される、条項１～６のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0145】

条項８：
誘電体基板、誘電体リッジ、および少なくとも各溝またはトレンチ内の誘電体がすべてＳｉＯ_２で形成される、条項１～７のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0146】

条項９：
少なくとも各溝またはトレンチ内の誘電体が、複数の細長い誘電体リッジの上面をさらに覆う、条項１～８のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0147】

条項１０：
誘電体基板が、多層誘電体基板である、条項１～９のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0148】

条項１１：
多層誘電体基板が、ケイ素（Ｓｉ）の層と、ケイ素（Ｓｉ）の層と複数の誘電体リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の誘電体リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含む、条項１～１０のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0149】

条項１２：
各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む複数の誘電体リッジ間の間隔が、一定、または不定／チャープのうちの１つである、条項１～１１のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0150】

条項１３：
誘電体リッジの長さ方向と平行に誘電体基板と複数の誘電体リッジとの間に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの層、または誘電体リッジの長さ方向と平行に複数の誘電体リッジの上に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの層のうちの少なくとも１つをさらに含む、条項１～１２のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0151】

条項１４：
各導電性ストリップの幅が、各誘電体リッジの幅より小さい、条項１～１３のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0152】

条項１５：
複数の誘電体リッジの上面の上に上下に位置づけされたかまたは配置された１対の導電性ストリップの層と、第２の複数の細長い誘電体リッジの各誘電体リッジの各側面に、１対の導電性ストリップの層の間に位置づけされたかまたは配置された導電性コーティングを含む第２の複数の細長い誘電体リッジとをさらに含む、条項１～１４のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0153】

条項１６：
以下のこと、すなわち、第２の複数の誘電体リッジの誘電体リッジが、誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された誘電体リッジとオフセットされてまたは整列せずに位置づけされるかまたは配置されること、および誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の誘電体リッジの上面の上に上下に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの１対の層の導電性ストリップが、互いにオフセットされてまたは整列せずに位置づけされるかまたは配置されることのうちの少なくとも１つである、条項１～１５のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0154】

条項１７：
各導電性ストリップの幅が、各誘電体リッジの幅より小さい、条項１～１６のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0155】

条項１８：
各細長い誘電体リッジと、前記誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングに、１つまたは複数の中断部または間隙をさらに含み、１つまたは複数の中断部または間隙が、前記中断部または間隙の両側の前記細長い誘電体リッジのセクションの導電性コーティングを電気的に切り離す、条項１～１７のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0156】

条項１９：
隣接または近接する誘電体リッジおよび前記誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの中断部または間隙が、複数の誘電体リッジおよび各誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの長さ方向に対して垂直に延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成すること、あるいは隣接または近接する誘電体リッジおよび前記誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの中断部または間隙が、複数の誘電体リッジおよび各誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの長さ方向を横切って延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成すること、あるいは隣接または近接する誘電体リッジおよび前記誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの中断部または間隙が、ランダムまたはオフセットパターンで配置されるかまたは位置づけられることのうちの少なくとも１つである、条項１～１８のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0157】

条項２０：
多層誘電体基板と、多層誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い導電性リッジとを含む光学偏光子。一例では、複数の細長い導電性リッジは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0158】

条項２１：
多層誘電体基板が、ケイ素（Ｓｉ）の層と、ケイ素（Ｓｉ）の層と複数の導電性リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の導電性リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含む、条項２０に記載の光学偏光子。

【0159】

条項２２：
多層誘電体基板が、溶融石英（ＦＳ）の層と、溶融石英（ＦＳ）の層と複数の導電性リッジとの間の五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と複数の導電性リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含む、条項２０に記載の光学偏光子。

【0160】

条項２３：
多層誘電体基板が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の下部層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の下部層と複数の導電性リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の導電性リッジとの間の二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の中間層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の中間層と複数の導電性リッジとの間の硫化亜鉛（ＺｎＳ）の上部層とを含む、条項２０に記載の光学偏光子。

【0161】

条項２４：
少なくとも複数の導電性リッジの間の硫化亜鉛（ＺｎＳ）の上部層に位置づけされたかまたは配置された誘電体材料をさらに含む、条項２３に記載の光学偏光子。

【0162】

条項２５：
誘電体材料が、エポキシまたはＳｉＯ_２である、条項２４に記載の光学偏光子。

【0163】

条項２６：
誘電体材料が、１．５４の屈折率（ｎ）を有する、条項２４または２５に記載の光学偏光子。

【0164】

条項２７：
各導電性リッジに１つまたは複数の中断部または間隙をさらに含み、１つまたは複数の中断部または間隙が、各中断部または間隙の両側の細長い導電性リッジのセクションを電気的に分離する、条項２０～２６のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0165】

条項２８：
隣接または近接する導電性リッジの中断部または間隙が、複数の導電性リッジに対して垂直に延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成すること、あるいは隣接または近接する導電性リッジの中断部または間隙が、複数の細長い導電性リッジを横切って延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成すること、あるいは隣接または近接する導電性リッジの中断部または間隙が、ランダムまたはオフセットパターンで配置されるかまたは位置づけられることのうちの少なくとも１つである、条項２０～２７のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0166】

条項２９：
１対の条項１～１９のいずれか一項に記載の光学偏光子を上下に積み重ねて含む光学偏光子であって、（ａ）１対の光学偏光子の上部または上方のものの誘電体基板が、１対の光学偏光子の上部または上方のものの誘電体リッジと、１対の光学偏光子の上部のものの誘電体基板とは反対側の誘電体リッジの側に位置づけられた誘電体基板を有する１対の光学偏光子の下部のものの誘電体リッジとの間に位置づけされたかまたは配置された光学偏光子の第１の構成、または（ｂ）１対の光学偏光子の誘電体リッジが交互配置または交互嵌合の方法で位置づけされたかまたは配置された光学偏光子の第２の構成のうちの１つを含む、光学偏光子。

【0167】

条項３０：
誘電体基板のうちの少なくとも１つが、多層誘電体基板である、条項２９に記載の光学偏光子。

【0168】

条項３１：
光学偏光子の第１の構成において、１対の光学偏光子の上部のものの基板が、１対の光学偏光子の下部のものの基板と比較して減少した厚さを有する、条項２９または３０に記載の光学偏光子。

【0169】

条項３２：
１対の光学偏光子の下部のものの基板が多層基板であり、１対の光学偏光子の上部のものの基板が単層基板である、条項２９～３１のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0170】

条項３３：
基板が、複数の細長い誘電体リッジを完全に囲むフレームの形態を有する、条項１～３２のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0171】

条項３４：
第１の偏光軸を有し、光信号源からの光信号を直接受け取り、光信号の少なくとも一部を出力するための偏光子と、偏光子によって出力された光信号の少なくとも一部を直接受け取り、その偏光を回転させ、その少なくとも一部を回転子出力光信号として出力するためのファラデー回転子と、第２の偏光軸を有し、回転子出力光信号を直接受け取り、その少なくとも一部を出力するための検光子とを含む光アイソレータであって、偏光子および検光子が、ファラデー回転子の対向表面に結合され、偏光子および検光子の各々が、ファラデー回転子の表面のうちの１つに結合される複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の１つの表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の１つの表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面、および離隔された側面の間に延び、ファラデー回転子の１つの表面に直接結合される上面を含み、各誘電体リッジが、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジを含む、光アイソレータ。一例では、各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0172】

条項３５：
偏光子および検光子のうちの少なくとも１つの複数の離隔された細長い誘電体リッジが、接着剤を介してまたは基板を介してファラデー回転子の１つの表面に結合される、条項３４に記載の光アイソレータ。

【0173】

条項３６：
ファラデー回転子が、ビスマス鉄ガーネット、テルビウムガリウムガーネット、またはイットリウム鉄ガーネットなどのガーネットである、条項３４または３５に記載の光アイソレータ。

【0174】

条項３７：
接着剤が、屈折率整合エポキシである、条項３４～３６のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0175】

条項３８：
検光子の誘電体リッジの上面に結合された波長板をさらに含む、条項３４～３７のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0176】

条項３９：
波長板が、半波長（λ／２）板である、条項３４～３８のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0177】

条項４０：
波長板が、第２の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有する、条項３４～３９のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0178】

条項４１：
基板が、１つまたは複数の層を含む、条項３４～４０のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0179】

条項４２：
１つまたは複数の層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、条項３４～４１のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0180】

条項４３：
光アイソレータを形成する方法であって、（ａ）各々が、誘電体基板と、誘電体基板の表面に位置づけされたかまたは配置された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、誘電体基板の表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジが、誘電体基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面、誘電体基板の表面から離隔され、誘電体基板の表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面、および各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジとを含む、偏光子および検光子を用意するステップと、（ｂ）偏光子の誘電体リッジをファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップと、（ｃ）検光子の誘電体リッジをファラデー回転子の対向表面に結合させるステップとを含む、方法。一例では、各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0181】

条項４４：
（１）ステップ（ｂ）は、偏光子の誘電体基板がファラデー回転子の１つの表面から離隔された状態で、偏光子の誘電体リッジの上面をファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップを含み、この方法は、偏光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）は、検光子の誘電体基板がファラデー回転子の対向表面から離隔された状態で、検光子の誘電体リッジの上面をファラデー回転子の対向表面に結合させるステップと、検光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップとを含むことのうちの少なくとも１つを含む、条項４３に記載の方法。

【0182】

条項４５：
波長板を、ステップ（２）において除去された検光子の誘電体基板の残りの部分を介して、検光子の誘電体リッジに結合させるステップをさらに含む、条項４３または４４に記載の方法。

【0183】

条項４６：
（１）ステップ（ｂ）が、偏光子の誘電体リッジを、偏光子の誘電体基板を介して、ファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップを含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）が、検光子の誘電体リッジを、偏光子の誘電体基板を介して、ファラデー回転子の対向表面に結合させるステップを含むことのうちの少なくとも１つを含む、条項４３～４５のいずれか一項に記載の方法。

【0184】

条項４７：
波長板が、半波長（λ／２）板である、条項４３～４６のいずれか一項に記載の方法。

【0185】

条項４８：
波長板が、検光子の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有する、条項４３～４７のいずれか一項に記載の方法。

【0186】

条項４９：
ファラデー回転子が、例えば、限定ではなく、ビスマス鉄ガーネット、テルビウムガリウムガーネット、またはイットリウム鉄ガーネットなどのガーネットである、条項４３～４８のいずれか一項に記載の方法。

【0187】

条項５０：
ステップ（ｂ）の結合させることが、第１の接着剤を介するかまたは第１の基板を介するものであること、およびステップ（ｃ）の結合させることが、第２の接着剤を介するかまたは第２の基板を介するものであることのうちの少なくとも１つであり、第１および第２の接着剤が、同じであるか、または異なる、条項４３～４９のいずれか一項に記載の方法。

【0188】

条項５１：
第１および第２の接着剤のうちの少なくとも１つが、屈折率整合エポキシである、条項４３～５０のいずれか一項に記載の方法。

【0189】

条項５２：
第１および第２の誘電体基板のうちの少なくとも１つが、１つまたは複数の層を含む、条項４３～５１のいずれか一項に記載の方法。

【0190】

条項５３：
１つまたは複数の層のうちの少なくとも１つが、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、条項４３～５２のいずれか一項に記載の方法。

【0191】

条項５４：
ファラデー回転子と、ファラデー回転子の表面に結合された光学偏光子であって、光学偏光子が、ファラデー回転子の表面に結合された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の表面に沿って延びる長さ方向を有し、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の表面から離れて延びる１対の離隔された側面と、離隔された側面の間に延び、ファラデー回転子の１つの表面に直接結合される上面とを含み、各誘電体リッジが、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジを含む、光学偏光子とを含む光アイソレータ。一例では、各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ｓｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0192】

条項５５：
ファラデー回転子の対向表面に結合された別の光学偏光子をさらに含む、条項５４に記載の光アイソレータ。

【0193】

本開示が、現在最も実用的で好ましい実施形態であると考えられるものに基づいて、例示の目的のために詳細に説明されたが、そのような詳細は、単にその目的のためのものであること、および本開示が、開示された実施形態に限定されるのではなく、それどころか、添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲内にある変更形態および等価構成を包含するように意図されていることを理解されたい。例えば、本開示は、可能な限り、任意の実施形態の１つまたは複数の特徴を、任意の他の実施形態の１つまたは複数の特徴と組み合わせることができることを意図していることを理解されたい。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【手続補正書】

【提出日】2024-08-26

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の偏光軸を有し、光信号源からの光信号を直接受け取り、前記光信号の少なくとも一部を出力するための偏光子と、
前記偏光子によって出力された前記光信号の前記少なくとも一部を直接受け取り、その偏光を回転させ、その少なくとも一部を回転子出力光信号として出力するためのファラデー回転子と、
第２の偏光軸を有し、前記回転子出力光信号を直接受け取り、その少なくとも一部を出力するための検光子と
を含む光アイソレータであって、
前記偏光子および前記検光子が、前記ファラデー回転子の対向表面に結合され、
前記偏光子および前記検光子の各々が、
前記ファラデー回転子の前記表面のうちの１つに結合された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、
各誘電体リッジが、前記ファラデー回転子の前記１つの表面に沿って延びる長さ方向を有し、
各誘電体リッジが、前記ファラデー回転子の前記１つの表面から離れて延びる１対の離隔された側面、および前記ファラデー回転子の前記１つの表面に直接結合される前記離隔された側面の間に延びる上面を含み、
各誘電体リッジが、前記誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジ
を含む、光アイソレータ。

【請求項2】

前記偏光子および前記検光子のうちの少なくとも１つの前記複数の離隔された細長い誘電体リッジが、接着剤を介してまたは基板を介して前記ファラデー回転子の前記１つの表面に結合される、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項3】

前記ファラデー回転子が、ガーネットである、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項4】

前記接着剤が、屈折率整合エポキシである、請求項２に記載の光アイソレータ。

【請求項5】

前記ファラデー回転子とは反対側の前記検光子の前記誘電体リッジの側に結合された波長板をさらに含む、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項6】

前記波長板が、半波長（λ／２）板である、請求項５に記載の光アイソレータ。

【請求項7】

前記波長板が、前記第２の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有する、請求項６に記載の光アイソレータ。

【請求項8】

前記基板が、１つまたは複数の層を含む、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項9】

前記１つまたは複数の層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、請求項８に記載の光アイソレータ。

【請求項10】

光アイソレータを形成する方法であって、
（ａ）各々が、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面に位置づけされたかまたは配置された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、前記誘電体基板の前記表面に沿って延びる長さ方向を有し、各誘電体リッジが、
前記誘電体基板の表面から離れて延びる１対の離隔された側面、前記誘電体基板の前記表面から離隔され、前記誘電体基板の前記表面とは反対側の前記離隔された側面の間に延びる上面、および各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジと
を含む偏光子および検光子を用意するステップと、
（ｂ）前記偏光子の前記誘電体リッジをファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップと、
（ｃ）前記検光子の前記誘電体リッジを前記ファラデー回転子の対向表面に結合させるステップと
を含む、方法。

【請求項11】

（１）ステップ（ｂ）は、前記偏光子の前記誘電体基板が前記ファラデー回転子の前記１つの表面から離隔された状態で、前記偏光子の前記誘電体リッジの前記上面を前記ファラデー回転子の前記１つの表面に結合させるステップを含み、
前記方法が、前記偏光子の前記誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むこと、および／または
（２）ステップ（ｃ）は、前記検光子の前記誘電体基板が前記ファラデー回転子の前記対向表面から離隔された状態で、前記検光子の前記誘電体リッジの前記上面を前記ファラデー回転子の前記対向表面に結合させるステップを含み、
前記方法が、前記検光子の前記誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むこと
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

波長板を、ステップ（２）において除去された前記検光子の前記誘電体基板の残りの部分を介して、前記検光子の前記誘電体リッジに結合させるステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

（１）ステップ（ｂ）が、前記偏光子の前記誘電体リッジを、前記偏光子の前記誘電体基板を介して、前記ファラデー回転子の前記１つの表面に結合させるステップを含むこと、および／または
（２）ステップ（ｃ）が、前記検光子の前記誘電体リッジを、前記検光子の前記誘電体基板を介して、前記ファラデー回転子の前記対向表面に結合させるステップを含むこと
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項14】

前記波長板が、半波長（λ／２）板である、請求項１２に記載の方法。

【請求項15】

前記波長板が、前記検光子の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有する、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記ファラデー回転子が、ガーネットである、請求項１０に記載の方法。

【請求項17】

ステップ（ｂ）の前記結合させることが、第１の接着剤を介するかまたは第１の基板を介するものであること、および
ステップ（ｃ）の前記結合させることが、第２の接着剤を介するかまたは第２の基板を介するものであること
のうちの少なくとも１つであり、
前記第１および第２の接着剤が、同じであるか、または異なる、請求項１０に記載の方法。

【請求項18】

前記第１および第２の接着剤のうちの少なくとも１つが、屈折率整合エポキシである、請求項１７に記載の方法。

【請求項19】

前記第１および第２の誘電体基板のうちの少なくとも１つが、１つまたは複数の層を含む、請求項１７に記載の方法。

【請求項20】

前記１つまたは複数の層のうちの少なくとも１つが、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、請求項１９に記載の方法。

【請求項21】

ファラデー回転子と、
前記ファラデー回転子の表面に結合された光学偏光子であって、前記光学偏光子が、
前記ファラデー回転子の前記表面に結合された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、
各誘電体リッジが、前記ファラデー回転子の前記表面に沿って延びる長さ方向を有し、
各誘電体リッジが、前記ファラデー回転子の前記表面から離れて延びる１対の離隔された側面、および前記ファラデー回転子の前記１つの表面に直接結合される前記離隔された側面の間に延びる上面を含み、
各誘電体リッジが、前記誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジと
を含む、光学偏光子と
を含む光アイソレータ。

【請求項22】

前記ファラデー回転子の対向表面に結合された別の光学偏光子をさらに含む、請求項２１に記載の光アイソレータ。

【請求項23】

各誘電体リッジの各側面上の前記導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションを含むことができる、請求項１に記載の光アイソレータ。

【請求項24】

各誘電体リッジの各側面上の前記導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションを含むことができる、請求項１０に記載の方法。

【請求項25】

各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションを含むことができる、請求項２１に記載の光アイソレータ。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２３年４月１１日に出願された米国仮特許出願第６３／４９５，４１５号および２０２３年４月１８日に出願された米国仮特許出願第６３／４６０，１８４号の利益を主張し、両方の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

本開示は、吸収損失が最小化され、耐腐食性が改善され、厚さが減少された光学偏光子と、前記光学偏光子を含む光アイソレータとに関する。

【背景技術】

【0003】

図１を参照すると、例示的な先行技術のワイヤグリッド偏光子は、偏光子の動作波長（λ）において適切に透明である基板（Ｓ）の表面に位置づけされたかまたは配置されたアルミニウム（Ａｌ）偏光子ラインまたは導電性リッジの周期パターンを含む。偏光子周期（Λ）は、Λ＜λ／ｎになるように選ばれ（垂直入射の場合）、ここで、ｎ＞１は、基板屈折率であり、または非垂直入射ではこれより小さい。この制限内では、基板または周囲媒体への回折は生じない。

【0004】

図１の例では、Ａｌラインの偏光子周期Λは、１．３μｍ～１．５μｍの動作波長において３００ｎｍであり得る。基板材料は、溶融石英（ｎ＝１．４５）とすることができ、Ａｌラインの高さ（ｈ）は、５００±６０ｎｍとすることができ、Ａｌラインのライン幅（Ｗ）は、１１４±２４ｎｍとすることができる。図１の偏光子は、動作波長範囲でまたはその近くで、電界方向またはベクトルが導電性リッジに対して垂直である光のビームを通過させ（図１において、下から上にまたはその逆に横切って）、電界方向またはベクトルが導電性リッジに対して直交するが垂直ではない、例えば、電界方向またはベクトルが導電性リッジと平行である通過光ビームの少なくとも一部を反射することによって機能する。垂直偏光の光の透過パワーに対する平行偏光の光の透過パワーの比は、消光比（ＥＲ）またはコントラストと呼ばれる。ＥＲに加えて、垂直偏光（偏光子通過方向）の光の偏光子透過性または透過率（Ｔ）も、偏光子性能を特徴づけるために使用されるパラメータである。図１の例示的な偏光子は、１３１０ｎｍの中心波長でＥＲ＝６６ｄＢ、およびＴ＝９３％の透過率を達成することができる。

【0005】

本明細書において、偏光子のデューティサイクル（ＤＣ）は、ライン幅（Ｗ）を周期Λで割った比、すなわち、ＤＣ＝Ｗ／Λとすることができる。図１の偏光子において、高い透過率、例えば、Ｔ＞９８％、および高い消光比、例えば、ＥＲ＞５０ｄＢの区域は、互いに排他的であることが見いだされている。その上、図１の偏光子において、偏光子の（吸収）損失は、１－（Ｒ＋Ｔ）として定義することができ、ここで、Ｒは、偏光子表面からの反射による入射光損失の割合を表す。

【0006】

高いＥＲ（＞５０ｄＢ）を有する図１の偏光子の領域において、および１：４未満の製造可能なアスペクト比（ライン幅（Ｗ）をライン高さ（ｈ）で割ったものとして定義される）を維持するワイヤ断面では、偏光子の透過性または透過率（Ｔ）は、反射および吸収損によって約９５％未満に制限される。反射損は、反射をキャンセルする追加の層を組み込むことによって低減することができるが、吸収損は、基本的に、偏光子の透過性または透過率（Ｔ）に制限される。

【0007】

図１の偏光子において、偏光子の損失は、消光比（ＥＲ）が増加するにつれて増加し、デューティサイクル、すなわち、ＤＣ＝Ｗ／Λ、およびライン高さ（ｈ）に比例し、すなわち、最終的に、光ビーム経路中の金属体積に比例する。偏光子を必要とする多くの用途では、できるだけ高い消光比（ＥＲ）と高い透過率（Ｔ）の両方が望まれる。そのような要件の一例は、Ｔ＞９８．５％およびＥＲ＞５０ｄＢの偏光子である。図１の先行技術の偏光子は、製造可能な寸法を要求すると、このレベルの性能を達成することができない。本開示は、損失を低減しながら、高い透過率（Ｔ）と消光比（ＥＲ）の両方を可能することができる偏光子を説明する。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0008】

本明細書において、誘電体基板と、誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い誘電体リッジとを含む光学偏光子が開示される。各誘電体リッジは、基板の表面に沿って延びる湾曲したまたは真っすぐな長さ方向を有し、各誘電体リッジは、基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面と、基板の表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面とを含む。各誘電体リッジの各側面は、導電性コーティングを含む。

【0009】

光学偏光子は、隣接または近接する対の誘電体リッジの対面する側面上の導電性コーティングの間に溝またはトレンチを含むことができる。誘電体が、隣接または近接する対の誘電体リッジの対面する側面の間の少なくとも各溝またはトレンチに配置され得る。少なくとも各溝またはトレンチに配置される誘電体は、複数の細長い誘電体リッジの上面をさらに覆うことができる。

【0010】

誘電体基板は、多層誘電体基板とすることができる。各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む複数の細長い誘電体リッジ間の間隔は、一定または不定／チャープのうちの１つとすることができる。

【0011】

光学偏光子は、誘電体リッジの長さ方向と平行に誘電体基板と複数の誘電体リッジとの間に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの層、および／または誘電体リッジの長さ方向と平行に複数の誘電体リッジの上に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの層を含むことができる。

【0012】

光学偏光子は、複数の誘電体リッジの上面の上に上下に位置づけされたかまたは配置された１対の導電性ストリップの層と、第２の複数の細長い誘電体リッジの各誘電体リッジの各側面に、１対の導電性ストリップの層の間に位置づけされたかまたは配置された導電性コーティングを含む第２の複数の細長い誘電体リッジとを含むことができる。

【0013】

さらに、本明細書において、多層誘電体基板と、多層誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い導電性リッジとを含む光学偏光子が開示される。

【0014】

多層誘電体基板は、ケイ素（Ｓｉ）の層と、ケイ素（Ｓｉ）の層と複数の導電性リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の導電性リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含むことができる。

【0015】

多層誘電体基板は、溶融石英（ＦＳ）の層と、溶融石英（ＦＳ）の層と複数の導電性リッジとの間の五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と複数の導電性リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含むことができる。

【0016】

多層誘電体基板は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の下部層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の下部層と複数の導電性リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の導電性リッジとの間の二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の中間層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の中間層と複数の導電性リッジとの間の硫化亜鉛（ＺｎＳ）の上部層とを含むことができる。

【0017】

さらに、本明細書において、（ａ）１対の光学偏光子の上部のものの誘電体基板が、１対の光学偏光子の上部のものの誘電体リッジと、１対の光学偏光子の上部のものの誘電体基板とは反対側の細長い誘電体リッジの側に位置づけられた誘電体基板を有する１対の光学偏光子の下部のものの誘電体リッジとの間に位置づけされたかまたは配置された１対の光学偏光子の第１の構成、または（ｂ）１対の光学偏光子の細長い誘電体リッジが交互配置または交互嵌合の方法で位置づけされたかまたは配置された光学偏光子の第２の構成のうちの１つを含む、上下に積み重ねられた上述の１対の光学偏光子を含む光学偏光子が開示される。

【0018】

１対の光学偏光子の第１の構成において、１対の光学偏光子の上部のものの基板が、１対の光学偏光子の下部のものの基板と比較して減少した厚さを有することができる。１対の光学偏光子の下部のものの基板は、多層基板とすることができ、１対の光学偏光子の上部のものの基板は、単層基板とすることができる。本明細書に記載の光学偏光子のいずれも、複数の細長い誘電体リッジを完全に囲むフレームを画定する、リッジを欠いている外周を含む基板を含むことができる。

【0019】

各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む細長い誘電体リッジを含む本明細書に記載の光学偏光子のいずれも、各細長い誘電体リッジ、前記誘電体リッジの各側面上の導電性コーティング、または両方に１つまたは複数の中断部または間隙を含み、１つまたは複数の中断部または間隙は、前記中断部または間隙の両側の前記細長い誘電体リッジのセクションの導電性コーティングを電気的に切り離すことができる。一例では、隣接または近接する細長い誘電体リッジおよび各リッジの各側面上の導電性コーティングの中断部または間隙は、複数の細長い誘電体リッジおよび各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングの長さ方向に対して垂直にまたは横切って延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成することができる。別の例では、隣接または近接する細長い誘電体リッジおよび各リッジの各側面上の導電性コーティングの中断部または間隙は、ランダムまたはオフセットパターンで配置されるかまたは位置づけられる。

【0020】

多層誘電体基板と、多層誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い導電性リッジを含む本明細書に記載の光学偏光子のいずれも、各導電性リッジに、各中断部または間隙の両側の細長い導電性リッジのセクションを電気的に分離する１つまたは複数の中断部または間隙を含むことができる。一例では、隣接または近接する細長い導電性リッジの中断部または間隙は、複数の細長い導電性リッジに対して垂直にまたは横切って延びる中断部または間隙のラインを形成することができる。別の例では、隣接または近接する細長い導電性リッジの中断部または間隙は、ランダムまたはオフセットパターンで配置されるかまたは位置づけられる。

【0021】

さらに、本明細書において、第１の偏光軸を有し、光信号源からの光信号を直接受け取り、光信号の少なくとも一部を出力するための偏光子と、偏光子によって出力された光信号の少なくとも一部を直接受け取り、その偏光を回転させ、その少なくとも一部を回転子出力光信号として出力するためのファラデー回転子と、第２の偏光軸を有し、回転子出力光信号を直接受け取り、その少なくとも一部を出力するための検光子とを含む光学偏光子が開示される。偏光子および検光子は、ファラデー回転子の対向表面に結合される。偏光子および検光子の各々は、ファラデー回転子の表面のうちの１つに結合される複数の離隔された細長い誘電体リッジを含む。各誘電体リッジは、ファラデー回転子の１つの表面に沿って延びる湾曲したまたは真っすぐな長さ方向を有する。各誘電体リッジは、ファラデー回転子の１つの表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面と、ファラデー回転子の１つの表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面とを含む。各誘電体リッジは、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む。

【0022】

光学偏光子は、ファラデー回転子とは反対側の検光子の誘電体リッジの側に結合された波長板を含むことができる。波長板は、半波長（λ／２）板とすることができる。波長板は、第２の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有することができる。

【0023】

さらに、本明細書において、（ａ）各々が、誘電体基板と、誘電体基板の表面に位置づけされたかまたは配置された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、誘電体基板の表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジが、誘電体基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面、誘電体基板の表面から離隔され、誘電体基板の表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面、および各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジとを含む、偏光子および検光子を用意するステップと、（ｂ）偏光子の誘電体リッジをファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップと、（ｃ）検光子の誘電体リッジをファラデー回転子の対向表面に結合させるステップとを含む光アイソレータを形成する方法が開示される。

【0024】

この方法には、（１）ステップ（ｂ）は、偏光子の誘電体基板がファラデー回転子の１つの表面から離隔された状態で、偏光子の誘電体リッジの上面をファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップを含み、この方法は、偏光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）は、検光子の誘電体基板がファラデー回転子の対向表面から離隔された状態で、検光子の誘電体リッジの上面をファラデー回転子の対向表面に結合させるステップを含み、この方法は、検光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むことのうちの少なくとも１つが含まれ得る。

【0025】

この方法は、波長板を、ステップ（２）において除去された検光子の誘電体基板の残りの部分を介して、検光子の誘電体リッジに結合させるステップを含むことができる。

【0026】

この方法は、（１）ステップ（ｂ）が、偏光子の誘電体リッジを、偏光子の誘電体基板を介して、ファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップを含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）が、検光子の誘電体リッジを、検光子の誘電体基板を介して、ファラデー回転子の対向表面に結合させるステップを含むことのうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0027】

さらに、本明細書において、ファラデー回転子と、第１の偏光軸を含む、ファラデー回転子の表面に結合された光学偏光子であって、光学偏光子が、ファラデー回転子の表面に結合された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の表面に沿って延びる長さ方向を有し、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の１つの表面から離れて延びる１対の離隔された側面、およびファラデー回転子の１つの表面に直接結合される離隔された側面の間に延びる上面を含み、各誘電体リッジが、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジを含む、光学偏光子とを含む光学偏光子が開示される。光アイソレータは、第２の偏光軸を含む、ファラデー回転子の対向表面に結合された別の光学偏光子を含むことができる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】例示の先行技術のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0029】

【図2】誘電体リッジによって画定された溝またはトレンチによって分離される、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する、導電性側面を含む、離隔された直線の、真っすぐな、または細長い誘電体リッジを含む本開示の原理による例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図である。

【0030】

【図3】図２および図４におけるラインＩＩＩ－ＩＩＩに沿って得られた概略断面図である。

【0031】

【図4】誘電体リッジによって画定された溝またはトレンチによって分離される、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する、導電性側面を含む、離隔された湾曲した誘電体リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図である。

【0032】

【図5】図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様であるが、図３の単層基板に対して多層基板を有する別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0033】

【図6】多層基板上に、導電性リッジによって画定された溝またはトレンチによって分離される、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する離隔された直線の、真っすぐな、または細長い導電性リッジを含む、本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0034】

【図7A】本開示の原理によるワイヤグリッド偏光子のいずれでも使用することができる大きい下端部から小さい上端部へと狭くなる離隔された側面を含む、本開示の原理による、導電性側面を含む、別の例示の形状の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【0035】

【図7B】本開示の原理によるワイヤグリッド偏光子のいずれでも使用することができる小さい下端部から大きい上端部へと広くなる離隔された側面を含む、本開示の原理による、導電性側面を含む、別の例示の形状の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【0036】

【図7C】本開示の原理によるワイヤグリッド偏光子のいずれでも使用することができる、丸みのある縁部を有する離隔された平行なまたは実質的に平行な側面を含む、本開示の原理による、導電性側面を含む、別の例示の形状の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【0037】

【図7D】いくつかの水平誘電体層で構成されている、本開示の原理による、導電性側面を含む、他の例示の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【図7E】いくつかの垂直誘電体層で構成されている、本開示の原理による、導電性側面を含む、他の例示の誘電体リッジの概略の単離した断面図である。

【0038】

【図8】図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様であるが、異なる距離または偏光子周期（Λ）で、例えば、変動しているまたはチャープされた偏光子周期で互いに離隔された誘電体リッジを有する本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0039】

【図9】各々が図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様の２つのワイヤグリッド偏光子を積み重ねたものを含む、本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0040】

【図10】各々が図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様である２つのワイヤグリッド偏光子を、それぞれのリッジが交互配置または交互嵌合された状態で一緒に接合されたものを含む、本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図である。

【0041】

【図11】各々が図３に示されたワイヤグリッド偏光子と同様の２つのワイヤグリッド偏光子を積み重ねたものを含む、本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図であり、上方のワイヤグリッド偏光子の基板の厚さは減少されている。

【0042】

【図12】多層基板の上部に、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する、導電性側面を含む、誘電体リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図であり、誘電体リッジが、誘電体リッジによって画定される溝またはトレンチによって分離され、導電性（例えば、金属）ストリップの層が、多層基板と誘電体リッジとの間に位置づけされるかまたは配置される。

【0043】

【図13】多層基板の上部に、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する、導電性側面を含む、誘電体リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図であり、誘電体リッジが、誘電体リッジによって画定される溝またはトレンチによって分離され、導電性（例えば、金属）ストリップの層が、誘電体リッジの上面の上に位置づけされるかまたは配置される。

【0044】

【図14】多層基板の上部に、長方形または実質的に長方形の断面を有する、導電性側面を含む、第１の（下方の）セットの誘電体リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略断面図であり、第１のセットの誘電体リッジが、第１のセットの誘電体リッジによって画定される溝またはトレンチによって分離され、導電性（例えば金属）ストリップの第１の（下方の）層が、第１のセットの誘電体リッジの上面の上に位置づけされるかまたは配置され、導電性側面を含み、長方形または実質的に長方形の形状の断面を有する第２の（上方の）セットの誘電体リッジが、導電性（例えば金属）ストリップの第１の層の上に位置づけされるかまたは配置され、第２のセットの誘電体リッジが、第２のセットの誘電体リッジによって画定された溝によって分離され、導電性（例えば、金属）ストリップの第２の（上方の）層が、第２のセットの誘電体リッジの上に位置づけされるかまたは配置される。

【0045】

【図15】近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチを画定する導電性側面を含む誘電体リッジ、または導電性リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図であり、基板が、リッジのまわりにフレームを画定する。

【0046】

【図16】近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチを画定する導電性側面を含む誘電体リッジ、または導電性リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図であり、各リッジが、その長さに沿って１つまたは複数の間隙によって分離され、リッジにおける間隙が、リッジの長さを横切って延びる間隙の１つまたは複数のラインを画定する。

【0047】

【図17】近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチを画定する導電性側面を含む誘電体リッジ、または導電性リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図であり、各リッジが、その長さに沿って１つまたは複数の間隙によって分離され、リッジにおける間隙が、リッジの長さに対して垂直に延びる間隙の１つまたは複数のラインを画定する。

【0048】

【図18】近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチを画定する導電性側面を含む誘電体リッジ、または導電性リッジを含む本開示の原理による別の例示のワイヤグリッド偏光子の概略平面図であり、リッジが、長さに沿ってランダムまたはオフセットパターンの間隙によって分離される。

【0049】

【図19】図の下から上に、偏光子（概略断面の）、ファラデー回転子、および検光子（概略断面の）を含む本開示の原理による光アイソレータの概略側面図であり、偏光子および検光子は、本開示に記載のワイヤグリッド偏光子のうちの１つまたは複数から形成される。

【0050】

【図20】図の下から上に、偏光子（概略断面の）、ファラデー回転子、検光子（概略断面の）、および波長板を含む本開示の原理による光アイソレータの概略側面図であり、偏光子および検光子は、本開示に記載のワイヤグリッド偏光子のうちの１つまたは複数から形成される。

【0051】

【図21】図の下から上に、偏光子（概略断面の）、ファラデー回転子、および検光子（概略断面の）を含む本開示の原理による本開示の原理による光アイソレータの概略側面図であり、偏光子および検光子は、各々、単層基板（図２１に図示せず）または多層基板（図２１に図示）を含むことができる本開示に記載のワイヤグリッド偏光子のうちの１つまたは複数から形成され、偏光子および検光子の各々の基板は、偏光子または検光子のリッジと、ファラデー回転子との間に位置づけされるかまたは配置される。

【発明を実施するための形態】

【0052】

本明細書で使用される、「左」、「右」、「内側」、「外側」、「の上に」、「の下に」、などのような空間的または方向的用語は、描かれた図に示されている通りに本開示に関連する。しかしながら、本開示は様々な代替の向きを前提とすることができ、したがって、そのような用語は限定と考えるべきではないことを理解されたい。さらに、本明細書で使用されるとき、本明細書および特許請求の範囲で使用される寸法、物理的特性、処理パラメータ、成分の量、反応条件、などを表すすべての数字は、すべての事例において、「およそ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」または「約（ａｂｏｕｔ）」という用語によって修飾されていると理解されるべきである。したがって、そうではないことが示されない限り、以下の明細書および特許請求の範囲に記載される数値は、本開示によって得ようとする所望の特性に応じて変化してもよい。

【0053】

最低限でも、特許請求の範囲の範囲への均等論の適用を限定する試みとしてではなく、各数値は、少なくとも、報告された有効数字の数に照らして、および通常の丸め技法を適用することによって解釈されるべきである。その上、本明細書で開示されるすべての範囲は、最初の範囲値および最後の範囲値ならびにその中に包含されるすべての部分範囲を包含すると理解されるべきである。例えば、「１～１０」の記載された範囲は、１の最小値と１０の最大値との間の（および最小値と最大値とを含む）すべての部分範囲、すなわち、１以上の最小値で始まり、１０以下の最大値で終わるすべての部分範囲、例えば、１～３．３、４．７～７．５、５．５～１０、などを含むと考えられるべきである。「ａ」または「ａｎ」は、１つまたは複数を指す。

【0054】

本明細書で使用される「結合される（ｃｏｕｐｌｅｄ）」、「結合する（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）」、および同様の用語は、２つ以上の要素が互いに接合される、連結される、固定される、接続される、連通される、またはさもなければ関連づけられる（例えば、機械的に、電気的に、流体的に、光学的に、電磁的に）ことを指す。様々な例において、要素は、直接または間接的に関連づけられ得る。一例として、要素Ａは、要素Ｂに直接関連づけられ得る。別の例として、要素Ａは、例えば別の要素Ｃを介して、要素Ｂに間接的に関連づけられ得る。様々な開示される要素の間のすべての関連が必ずしも表されているわけではないことが理解されるであろう。したがって、図に示されたもの以外の結合も存在し得る。

【0055】

本明細書で使用される「のうちの少なくとも１つ」という語句は、アイテムのリストとともに使用されるとき、リストされたアイテムの１つまたは複数の異なる組合せが使用されてもよいこと、およびリスト内の各アイテムの１つのみが必要とされてもよいことを意味する。例えば、「アイテムＡ、アイテムＢ、およびアイテムＣのうちの少なくとも１つ」は、限定ではなく、アイテムＡ、またはアイテムＡおよびアイテムＢを含むことができる。この例は、さらに、アイテムＡ、アイテムＢ、およびアイテムＣ、またはアイテムＢおよびアイテムＣを含むことができる。他の例では、「のうちの少なくとも１つ」は、例えば、限定ではなく、アイテムＡの２つ、アイテムＢの１つ、およびアイテムＣの１０個；アイテムＢの４つおよびアイテムＣの７つ；および他の適切な組合せであり得る。

【0056】

ここで、様々な非限定的な例が、同様の参照番号が同様のまたは機能的に等価な要素に対応する添付の図を参照して説明されることになる。

【0057】

本明細書において、動作波長範囲でまたはその近くで、側面に導電性コーティングを含む誘電体リッジ、または導電性リッジに対して垂直な電界方向またはベクトルをもつ光のビームを通過させ、前記リッジを横切るが垂直ではない電界方向またはベクトル、例えば、リッジと平行な電界方向またはベクトルをもつ通過光ビームの少なくとも一部を反射させるために使用することができる例示的な光学偏光子が開示される。さらに、例示的な光アイソレータが開示され、各アイソレータは、本明細書に記載の例示的な光学偏光子のうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0058】

本明細書に記載の様々な光学偏光子および／または光アイソレータは、当技術分野で知られている半導体製作技法で製造することができる。したがって、簡単にするために、および開示される光学偏光子および／または光アイソレータのうちの１つまたは複数の構成を理解するのに必要でない限り、様々な光学偏光子および／または光アイソレータを製造する方法は、本明細書において説明されない場合がある。

【0059】

図２および図３を参照すると、本開示の原理による１つの非限定的な実施形態または例示の光学偏光子または光学偏光子アセンブリ２は、誘電体基板８の表面６上に離隔関係で、例えば、限定ではなく、離隔された平行な関係で位置づけされるかまたは配置され、パターニングおよびエッチングによって形成された複数の細長い誘電体リッジ４を含む。本明細書では、「光学偏光子アセンブリ」および「光学偏光子」という用語は、交換可能に使用され得る。

【0060】

各誘電体リッジ４は、基板８の表面６に沿って延びる長さ方向（図２に矢印１０で示される）を有することができる。各誘電体リッジ４は、基板８の表面６から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面１２－１および１２－２と、基板８の表面６とは反対側の離隔された側面１２－１と１２－２との間に延びる上面１４とを有することができる。各誘電体リッジ４の側面１２－１および１２－２は、それぞれ、導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことができる。

【0061】

一例では、各誘電体リッジ４の導電性コーティング１６－１および１６－２の一方または両方は、誘電体リッジ４の側面１２－１および１２－２ならびに上面１４と、近接または隣接するリッジ４間の溝またはトレンチ１８における誘電体基板８の表面６とに共形にコーティングされる、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物から形成され得る。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１および１６－２にとって望ましい。その後、リッジ４の上面１４を覆っている導電性コーティングと、近接または隣接するリッジ間の溝またはトレンチ１８における誘電体基板８の表面６を覆っている導電性コーティングとは、例えば、異方性反応性イオンエッチングを介して除去され得る。

【0062】

図２および図３の例示の光学偏光子アセンブリ２を、図１に示された先行技術の光学偏光子と比較すると、図２および図３の例示の光学偏光子アセンブリ２は、図３に示された例示の光学偏光子アセンブリ２を通って垂直に上方または下方に伝搬する光ビームの経路２０に含まれる導電性材料が少ないことを理解することができる。その上、本開示の図における様々な例示の光学偏光子アセンブリ２は、平坦な側壁をもつプロファイルを有する（例えば、各誘電体リッジ４の側面１２－１および１２－２、および／または各誘電体リッジ４の側面１２－１および１２－２上の導電性コーティング１６－１および１６－２の露出した側面は平坦である）として示されているが、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの側壁のうちの１つ、一部、またはすべてが平坦でないプロファイルを有してもよいことが想定されるからである。例えば、限定ではなく、側壁は、狭まるかまたは広がるプロファイル（図７Ａ～図７Ｂを参照）、凹状または凸状プロファイル、正弦曲線プロファイル、または任意の他の形状の側壁を有することができる。さらに、本開示の図における様々な例示の光学偏光子アセンブリ２のプロファイルは、基板８へのオーバーエッチング（例えば、図１における基板Ｓにおけるオーバーエッチングで示されるような）を含むことができ、および／またはリッジへのアンダーエッチング（例えば、図１における角度θで示されたような）を含むことができる。

【0063】

一例では、基板８は、ｎ_１の屈折率を有することができる。溝またはトレンチ１８と、オプションとして、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４の上および／またはまわりまたは周囲のスーパーストレート（周囲媒体）とは、ｎ_２の屈折率を有する誘電体媒体２２を含むかまたはそれで満たされ得る。一例では、誘電体媒体２２は、隣接または近接する対の誘電体リッジ４の対面する側面の間の各溝またはトレンチ１８に存在し得る。本開示の全体を通して、隣接または近接する対の誘電体リッジ４の対面する側面の間にある誘電体媒体２２の例は、各溝またはトレンチ１８が、誘電体媒体２２で部分的に満たされ得ること、各溝またはトレンチ１８が、溝またはトレンチ１８の一方または両方の側の導電性コーティング１６－１および１６－２のすべてまたは一部と、溝またはトレンチ１８の基部または底部のすべてまたは一部とを覆う誘電体媒体２２を含み、それに関して、基部または底部の上に、および導電性コーティング１６－１と導電性コーティング１６－２との間に、誘電体媒体１８を欠いている空間を画定することができること、誘電体媒体２２が、溝またはトレンチ１８の両側の導電性コーティング１６－１および１６－２の少なくとも一部と、溝またはトレンチ１８を画定する隣接または近接する誘電体リッジ４の上面１４と、オプションとして、導電性コーティング１６－１と導電性コーティング１６－２との間の溝またはトレンチ１８の基部または底部の少なくとも一部とを覆い、そのとき、基部または底部の上、および導電性コーティング１６－１と導電性コーティング１６－２との間の空間が、誘電体媒体１８を欠いていることを含むことができる。誘電体リッジ４は、ｎ_３の屈折率を有することができる。一例では、ｎ_１、ｎ_２、およびｎ_３がすべて同じ値を有することができ、またはｎ_１、ｎ_２、およびｎ_３のうちの１つまたは複数が異なる値を有することができる。その上、ｎ_２の屈折率を有する誘電体媒体２２は、固体または気体、例えば、限定ではなく、周囲環境または周囲空気とすることができる。

【0064】

図１に示された先行技術の光学偏光子と同様に、図２および図３に示された例示の光学偏光子アセンブリ２の偏光子は、Λの偏光子周期およびデューティサイクル（Ｗ＋ｔ_１＋ｔ_２）／Λを有することができ、ここで、Ｗは、それぞれ厚さｔ_１およびｔ_２の導電性コーティング１６－１および１６－２を含む、屈折率ｎ_３を有する誘電体材料の誘電体リッジ４の幅である。異なる屈折率を有する追加の（水平）層が、基板８と、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４との間に導入されてもよい。この例では、ｎ_１、ｎ_２、ｎ_３∈Ｒ、すなわち、誘電体である材料。幅ｔ_１およびｔ_２の導電性コーティング１６－１および１６－２は、多数の異なる材料で形成されてもよく、それによって、複素屈折率のもの（例えば、吸収性材料）、例えば、一般に、金属を有してもよい。

【0065】

図２および図３の例示の光学偏光子アセンブリ２では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、Ｗは、１３０ｎｍ±５０ｎｍの値を有することができ、ｈは、４５０ｎｍ±５０ｎｍの値を有することができ、ｔ_１は、２０ｎｍの値を有することができ、ｔ_２は、２０ｎｍの値を有することができる。しかしながら、この例および本開示に記載の他の例では、Λ、Ｗ、ｈ、ｔ_１、およびｔ_２の値は、例示的であり、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図２および図３に示された例示の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬する光ビームの波長に基づいて選択されてもよいことが想定されるからである。

【0066】

図４を参照し、図２および図３を引き続き参照すると、以下の例外を除いて、図２および図４に示された例示の光学偏光子アセンブリ２は同じである。例外は、図４における導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４が、図２に示された導電性コーティング１６－１および１６－２を含む真っすぐなまたは直線の誘電体リッジ４に対して湾曲または弓形であり得ることである。

【0067】

図５を参照し、図３を引き続き参照すると、以下の例外を除いて、図３および図５に示された例示の光学偏光子アセンブリ２は同じである。例外は、図５では、基板８が、図３に示された単層基板８に対して多層基板８であることである。一例では、図５に示される多層基板８は、多数の（２つまたは３つまたはそれより多くの）層を含むことができる。一例では、前記多層のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有する異なる材料または化合物とすることができる。さらに、この例では、誘電体媒体２２は、周囲環境または周囲空気とすることができ、そのとき、誘電体媒体２２のｎ_２の屈折率の値は、周囲環境または周囲空気の屈折率の値である。

【0068】

１つの特定の非限定的な例において、図５の多層基板８は、同じまたは異なる材料または化合物の３つの層Ｌ_１、Ｌ_２、およびＬ_３を含むことができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。一例では、層Ｌ_１は、例えば、用途によって決定される任意の適切なおよび／または望ましい値の厚さｔ_１を有するケイ素（Ｓｉ）の層とすることができ、層Ｌ_２は、３７０ｎｍ±３０ｎｍの厚さｔ_２を有するセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層とすることができ、層Ｌ_３は、４２５ｎｍ±３０ｎｍの厚さｔ_３を有するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、各層Ｌの厚さおよび各層Ｌを形成する材料または組成が特定の用途のために選択されてもよいことが想定されるからである。

【0069】

中赤外スペクトル範囲で使用することができる図５の例示の光学偏光子アセンブリ２の第１の事例では、導電性コーティング１６－１および１６－２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１および１６－２にとって望ましい。この例では、導電性コーティング１６－１および１６－２は、アルミニウム（Ａｌ）で製作することができ、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、Ｗは、１２０ｎｍ±３０ｎｍの値を有することができ、ｈは、３５０ｎｍ±１５ｎｍの値を有することができ、ｔ_１は、３０ｎｍ±５ｎｍの値を有することができ、ｔ_２は、３０ｎｍ±５ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図５に示されたこの第１の事例の例示の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬されるように意図された光ビームの波長に基づいて設計または選択されてもよいことが想定されるからである。

【0070】

図５に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例では、誘電体媒体２２は、周囲環境または周囲空気とすることができ、そのとき、誘電体媒体２２のｎ_２の屈折率の値は、周囲環境または周囲空気の屈折率の値とすることができる。図５に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例は、３μｍ～５μｍの波長範囲λにわたって消光比（ＥＲ）＞５０ｄＢおよび透過率（Ｔ）＞９７％を有すると推定または決定された。

【0071】

中赤外スペクトル範囲で使用することができる図５の例示の光学偏光子アセンブリ２の第２の事例では、導電性コーティング１６－１および１６－２は、Ａｌの代わりに金（Ａｕ）で製作することができる。図５の例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第２の事例では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、Ｗは、１０５ｎｍ±２０ｎｍの値を有することができ、ｈは、４００ｎｍ±２０ｎｍの値を有することができ、ｔ_１は、３０ｎｍ±５ｎｍの値を有することができ、ｔ_２は、３０ｎｍ±５ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図５に示されたこの第２の事例の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬されるように意図された光ビームの波長に基づいて設計または選択されてもよいことが想定されるからである。

【0072】

図５の例示の光学偏光子アセンブリ２の第３の事例では、層Ｌ_３（ＭｇＦ_２）は、３９５ｎｍ±１５ｎｍの厚さｔ_３を有することができ、層Ｌ_２（ＺｎＳｅ）は、３７０ｎｍ±２０ｎｍの厚さｔ_２を有することができ、層Ｌ_１（Ｓｉ）は、例えば用途によって決定される任意の適切なおよび／または望ましい厚さを有することができる。しかしながら、これらの厚さは、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0073】

図５に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例では、誘電体媒体２２は、周囲環境または周囲空気とすることができ、そのとき、誘電体媒体２２のｎ_２の屈折率の値は、周囲環境または周囲空気の屈折率の値とすることができる。図５の例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例では、＞５０ｄＢの消光比（ＥＲ）および透過率（Ｔ）＞９７％を有すると推定または決定された。

【0074】

次に図６を参照すると、本開示の原理による別の非限定的な実施形態または例示の光学偏光子アセンブリ２は、例えば、限定ではなく、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物などの導電性材料から全体的に製作された複数の細長い導電性リッジ２４を含むことができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性リッジ２４にとって望ましい。この例では、複数の導電性リッジ２４は、誘電体基板８の表面６に離隔関係で、例えば、限定ではなく、離隔された平行な関係で位置づけされるかまたは配置される。各導電性リッジ２４は、基板８の表面６に沿って、すなわち、図６を含むページの中に延びる長さ方向（図２および図４に示された長さ方向１０のように、真っすぐなまたは湾曲した）を有することができる。各導電性リッジ２４は、基板８の表面６から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面２６－１および２６－２と、基板８の表面６とは反対側の離隔された側面２６－１と離隔された側面２６－２との間に延びる上面１４とを有することができる。図６の導電性リッジ２４は、図２～図５に示された導電性コーティング１６－１および１６－２を含まなくてもよい。

【0075】

一例では、図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２の基板８は、多数の（２つ、３つ、４つ、またはそれより多くの）層を含むことができる多層基板８とすることができる。一例では、前記多層のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有することができる異なる材料または化合物から製作することができる。

【0076】

近赤外スペクトル範囲で有用であり得る図６に示された光学偏光子アセンブリ２の第１の事例は、同じまたは異なる材料または化合物の４つの層Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３、およびＬ_４を含むことができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例では、層Ｌ_１は、任意の適切なおよび／または望ましい厚さの二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の層とすることができ、層Ｌ_２は、厚さｔ_２＝２６８ｎｍを有するセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層とすることができ、層Ｌ_３は、厚さｔ_３＝２５１ｎｍを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の層とすることができ、層Ｌ_４（仮想線で示される）は、厚さｔ４＝２３１ｎｍを有する硫化亜鉛（ＺｎＳ）の層とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、各層Ｌの厚さおよび各層Ｌを形成する材料または組成が特定の用途のために選択されてもよいことが想定されるからである。

【0077】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例では、溝またはトレンチ１８の誘電体媒体２２と、導電性リッジ２４（Ａｌで製作された）の上および／またはまわりのスーパーストレート（周囲媒体）とは、ｎの屈折率を有することができる。一例では、誘電体媒体２２は、エポキシまたはＳｉＯ_２とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。誘電体媒体２２の屈折率ｎの値は、１．５４とすることができる。しかしながら、これも限定する意味に解釈されるべきではない。

【0078】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、Ｗは、８０ｎｍの値を有することができ、ｈは、４９０ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図６に示されたこの第１の事例の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬されるように望まれる光ビームの波長に基づいて選択されてもよいことが想定されるからである。

【0079】

図６に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第１の事例は、消光比（ＥＲ）＝４０ｄＢ、透過率（Ｔ）＝９３％、および反射損（Ｒ）＝０．５％を有すると推定または決定された。

【0080】

中赤外スペクトル範囲で有用であり得る図６に示された光学偏光子アセンブリ２の第２の事例は、同じまたは異なる材料または化合物の３つの層Ｌ_１、Ｌ_２、およびＬ_３を含むことができ、すなわち、層Ｌ_４（図６に仮想線で示される）は省略されるかまたは存在しない。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。この第２の事例では、層Ｌ_１は、例えば、用途によって決定される任意の適切なおよび／または望ましい厚さのケイ素（Ｓｉ）の層とすることができ、層Ｌ_２は、厚さｔ_２＝３４８ｎｍを有する硫化亜鉛（ＺｎＳ）の層とすることができ、層Ｌ_３は、厚さｔ_３＝２０３ｎｍを有するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、各層Ｌの厚さおよび各層Ｌを形成する材料または組成が特定の用途のために選択されてもよいことが想定されるからである。

【0081】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第２の事例では、溝またはトレンチ１８の誘電体媒体２２と、例えばＰｔで製作された誘電体リッジ４の上および／またはまわりのスーパーストレート（周囲媒体）とは、周囲環境または周囲空気のｎの屈折率を有する周囲環境または周囲空気とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0082】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第２の事例では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、Ｗは、９５ｎｍの値を有することができ、ｈは、５１０ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図６に示された第２の事例の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬されるように望まれる光ビームの波長に基づいて選択されてもよいことが想定されるからである。

【0083】

図６に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第２の事例は、消光比（ＥＲ）＞４０ｄＢ、透過率（Ｔ）＞９５％、および反射損（Ｒ）＜２％を有すると推定または決定された。比較すると、多層基板８のない、すなわち、単層基板の光学偏光子アセンブリは、約７４％の透過率（Ｔ）しか提供することができない。

【0084】

近赤外スペクトル範囲で有用であり得る図６に示された光学偏光子アセンブリ２の第３の事例は、同じまたは異なる材料または化合物の３つの層Ｌ_１、Ｌ_２、およびＬ_３を含むことができ、すなわち、層Ｌ_４（図６に仮想線で示される）は省略されるかまたは存在しない。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。この第３の事例では、層Ｌ_１は、例えば、用途によって決定される任意の適切なおよび／または望ましい厚さの溶融石英（ＦＳ）の層とすることができ、層Ｌ_２は、厚さｔ_２＝２７３ｎｍおよび２．１の屈折率有する五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層とすることができ、層Ｌ_３は、厚さｔ_３＝１７２ｎｍおよび１．４５の屈折率を有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の層とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、各層Ｌの厚さおよび屈折率と、各層Ｌを形成する材料または組成とが、特定の用途のために選択されてもよいことが想定されるからである。

【0085】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例では、溝またはトレンチ１８の誘電体媒体２２と、例えばＡｌで製作された誘電体リッジ４の上および／またはまわりのスーパーストレート（周囲媒体）とは、周囲環境または周囲空気のｎの屈折率を有する周囲環境または周囲空気とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0086】

図６に示された例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例では、Λは、３００ｎｍの値を有することができ、Ｗは、９５ｎｍの値を有することができ、ｈは、５００ｎｍの値を有することができる。しかしながら、これらの値は、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、これらの値のうち１つまたは複数が異なっていてもよく、例えば、これらの値のうちの１つまたは複数が、図６に示された第３の事例の光学偏光子アセンブリ２を通って伝搬される光ビームの波長に基づいて選択されてもよいことが想定されるからである。

【0087】

図６に示し、上述した例示の光学偏光子アセンブリ２のこの第３の事例は、消光比（ＥＲ）＞５０ｄＢ、透過率（Ｔ）＝９６％、および０．０４％の反射損（Ｒ）を有すると推定または決定された。比較すると、多層基板８のない光学偏光子アセンブリは、約７４％の透過率（Ｔ）しか提供することができない。

【0088】

図７Ａ～図７Ｃを参照すると、各誘電体リッジ４は、図３および図５に示された長方形断面と異なる断面形状を有することができる。例えば、図７Ａは、大きい下端部から小さい上面１４へと狭くなる、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された側面１２－１および１２－２を有する誘電体リッジ４の単離した断面図を示す。同様に、図６に示された各導電性リッジ２４は、大きい下端部から小さい上面１４へと狭くなる離隔された側面２６－１および２６－２を有することができる。

【0089】

別の例では、図７Ｂは、小さい下端部から大きい上面１４へと広くなる、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された側面１２－１および１２－２を有する誘電体リッジ４の単離した断面図を示す。同様に、図６に示された各導電性リッジ２４は、小さい下端部から大きい上面１４へと広くなる離隔された側面２６－１および２６－２を有することができる。

【0090】

別の例では、図７Ｃは、下端部から上面１４まで延び、上面１４に近接または隣接する丸みのある縁部２８－１および２８－２を有する導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された平行なまたは実質的に平行な側面１２－１および１２－２を有する誘電体リッジ４の単離した断面図を示す。同様に、図６に示される各導電性リッジ２４は、下端部から上面１４まで延び、上面１４に近接または隣接する丸みのある縁部を有する離隔された側面２６－１および２６－２を有することができる。

【0091】

図７Ｄ～図７Ｅを参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示に記載の各誘電体リッジ４は、多数の水平（図７Ｄ）または垂直（図７Ｅ）誘電体層ｎ３で構成され得る。図７Ｄ～図７Ｅに示された例示の誘電体リッジ４は、４つの誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４を含む。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、図７Ｄ～図７Ｅの各々に示された誘電体リッジ４が、任意の数の２つ以上の誘電体層ｎ３を含むことができることが想定されるからである。図７Ｄ～図７Ｅに示された例示の誘電体リッジでは、各誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４は、任意の他の誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４と同じまたは異なる誘電体材料で製作することができる。その上、各誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４の厚さ（図７Ｄ）または幅（図７Ｅ）は、任意の他の誘電体層ｎ３－１～ｎ３－４の厚さまたは幅と同じであっても異なっていてもよい。同じまたは異なる誘電体材料の多数の層、および／または誘電体材料の異なる幅または厚さを有する層で構成される誘電体リッジ４は、誘電体リッジ４による反射損失の低減のために有用であり、例えば、最適化され得る。

【0092】

図８を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された側面１２－１および１２－２を有する誘電体リッジ４は、異なる距離または偏光子周期（Λ）で、すなわち、変動しているまたはチャープされた偏光子周期で、互いに離隔され得る。図８は、異なる距離Λ１、Λ２、およびΛ３によって分離された、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む離隔された側面１２－１および１２－２を有する４つの誘電体リッジ４を示す。同様に、離隔された側面２６－１および２６－２を有する各導電性リッジ２４（図６）は、異なる距離または偏光子周期（Λ）で、すなわち、変動しているまたはチャープされた偏光子周期で、互いに離隔され得る。図８において、誘電体媒体２２は、固体または気体、例えば、周囲環境または周囲空気とすることができる。

【0093】

図９～図１１を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による光学偏光子は、上下に積み重ねられたまたは順に積み重ねられた、図２～図６および図８に示された光学偏光子２の任意の１つまたは組合せの対を含むことができる。限定ではなく単に例示の目的で、１対の図３または図５の光学偏光子２は、上下に積み重ねられたまたは順に積み重ねられたものとして説明することができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0094】

図９に示された一例では、光学偏光子２’は、上下に積み重ねられたまたは順に積み重ねられた１対の図３または図５の光学偏光子２－１および２－２を含む第１の構成を含むことができる。この例では、１対の光学偏光子の上部のもの２－２の誘電体基板８－２は、１対の光学偏光子の上部のもの２－２の細長い誘電体リッジ４－２と、１対の光学偏光子の下部のもの２－１の細長い誘電体リッジ４－１との間に位置づけされるかまたは配置される。１対の光学偏光子の下部のもの２－１は、１対の光学偏光子の上部のもの２－２の誘電体基板８－２とは反対側の細長い誘電体リッジ４－１の側に誘電体基板８－１の位置を有する。

【0095】

光学偏光子２－１の誘電体基板８－１は、単層基板、例えば層Ｌ_１、または２つ、３つ、４つ、もしくはそれより多くの層、例えば層Ｌ_１およびＬ_２を含む多層基板を含むことができる。さらに、または代替として、光学偏光子２－２の誘電体基板８－２は、単層基板、例えば層Ｌ_１、または２つ、３つ、４つ、もしくはそれより多くの層、例えば層Ｌ_１およびＬ_２を含む多層基板を含むことができる。誘電体基板８－１および８－２の層Ｌ_１およびもしあればＬ_２は、同じまたは異なる材料または化合物とすることができる。

【0096】

光学偏光子２－１は、近接または隣接する誘電体リッジ４－１の間にオプションの誘電体媒体２２－１を含むことができる。さらに、または代替として、光学偏光子２－２は、近接または隣接する誘電体リッジ４－２の間にオプションの誘電体媒体２２－２を含むことができる。各誘電体媒体２２－１および２２－２は、例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体、または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体とすることができる。

【0097】

図９の光学偏光子アセンブリ２の第１の例では、各誘電体基板８－１および８－２は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で製作された単層Ｌ_１（すなわち、層Ｌ_２は存在しない）とすることができ、誘電体基板８－２は、例えば、限定ではなく、約１μｍの厚さ３１を有することができる。誘電体媒体２２－１および２２－２は、屈折率ｎ＝１．４５を有することができる。その上、誘電体媒体２２－１および２２－２は、オプションとして、誘電体基板８－２とは反対側の誘電体リッジ４－１および４－２の端部と誘電体リッジ４－１および４－２の側壁上の導電性コーティング１６－１および１６－２の端部とを覆うことができる。光学偏光子２－１および２－２の誘電体リッジ４－１および４－２の側壁上の導電性コーティング１６－１および１６－２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１および１６－２にとって望ましい。

【0098】

図９の光学偏光子２’の第２の例は、以下の例外を除いて、すぐ上に記載された第１の例と同じであり得る。この第２の例における例外は、誘電体基板８－１が省略されることであり得る。

【0099】

これらの第１および第２の例示の光学偏光子２’を、例えば、下から上にまたはその逆に通過する光の透過率Ｔの変化は、低い反射率のため最小であり得る。しかしながら、これらの第１および第２の例示の光学偏光子２’を通過する光の消光比（ＥＲ）またはコントラストは、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の厚さ３１に依存し得る。一例では、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の厚さ３１の変化は、±１２デシベル（ｄＢ）のＥＲまたはコントラストの変化をもたらすことがある。

【0100】

より具体的には、図９のこれらの第１および第２の例示の光学偏光子２’において、光学偏光子２－１および２－２は、Δλ＝λ^２／（２ｎＬ）の自由スペクトル範囲をもつファブリペローキャビティ／共振器（エタロン）の性質の反射器として機能することができ、ここで、λは、光学偏光子２’を通過する光の波長であり、Ｌは、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の厚さ３１であり、ｎは、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２がＳｉＯ_２で製作されている場合、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の屈折率、例えば、ｎ＝１．４５である。これらの第１および第２の例示の光学偏光子２’のＥＲまたはコントラストを改善するために、単層Ｌ_１の誘電体基板８－２の厚さ３１は、波長λの光に対して、キャビティが反共振である、すなわち、キャビティの共振の中間であるように選ぶことができる。この例では、阻止される偏光の透過は、追加として、これらの第１および第２の例示の光学偏光子２’の上部の光学偏光子２－２および下部光学偏光子２－１の抑制を超えて抑制される。ＥＲまたはコントラストは、キャビティの自由スペクトル範囲の２０～３０％であり得る波長範囲にわたって許容可能な均一性で維持されることになる。

【0101】

一例では、図９に示された光学偏光子２－１および２－２の一方または両方は、導電性リッジおよび多層基板を有する図６に示された光学偏光子と置き換えられてもよい。

【0102】

図１０に示される別の例では、光学偏光子２’’は、１対の光学偏光子２－１および２－２の細長い誘電体リッジ４－１および４－２が交互配置または交互嵌合の方法で位置づけされたかまたは配置された状態で、上下に積み重ねられたまたは順に積み重ねられた１対の図３または図５の光学偏光子２－１および２－２を含む第２の構成を含むことができる。一例では、各光学偏光子２－１および２－２は、その各誘電体リッジ４の側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことができ、そのとき、細長い誘電体リッジ４－１および４－２が交互配置または交互嵌合の方法で位置づけされたかまたは配置された状態で、光学偏光子２－１および２－２が積み重ねられる場合、直接に近接または隣接するリッジ４－１および４－２の導電性コーティング１６は、図１０に示されるように、間隙または空間２９によって分離され得る。その上、光学偏光子のうちの一方、例えば光学偏光子２－１の各誘電体リッジ４の側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２は省略されてもよく、そのとき、他方の光学偏光子、例えば、光学偏光子２－２の各誘電体リッジ４の側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２は、光学偏光子２－１および２－２の交互配置または交互嵌合された誘電体リッジ４－１と４－２との間に位置づけされるかまたは配置され得ることが想定される。

【0103】

図１１に示される別の例示の光学偏光子２’’’は、以下の例外を除いて、図９に示された光学偏光子２’の第１の構成と同様である。例外は、１対の光学偏光子の上部のもの２－２の誘電体基板８－２が、１対の光学偏光子の下部のもの２－１の誘電体基板８－１と比較して減少した厚さを有することができることである。誘電体基板８－２は、単層基板または多層基板とすることができる。誘電体基板８－１は、単層基板または多層基板とすることができる。一例では、誘電体基板８－２は多層基板とすることができ、誘電体基板８－１は、単層基板とすることができる。

【0104】

図９～図１１に示された例示の光学偏光子２’、２’’、および２’’’において、誘電体リッジ４－１および４－２は、同じまたは異なる、デューティサイクル、溝またはトレンチ１８の深さ、および／または導電性コーティング１６－１および１６－２の厚さを有することができる。

【0105】

図１２および図１３を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による別の例示の光学偏光子２は、（１）誘電体基板８と複数の誘電体リッジ４との間に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップ３２の層３０（図１２）、または（２）複数の誘電体リッジ４の上に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップ３２の層３０（図１３）を含むことができる。各誘電体リッジ４は、離隔された側面１２－１および１２－２上に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことができる。これらの例では、導電性ストリップ３２の各層３０は、導電性ストリップ３２を支持する誘電体材料３４を含むことができる。一例では、導電性ストリップ３２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で形成することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性ストリップ３２にとって望ましい。

【0106】

導電性ストリップ３２の長さ方向は、誘電体リッジ４の長さ方向と平行に、すなわち、図１２および図１３のページの中に進むかまたは延びることができる。各導電性ストリップ３２の幅ｗは、各誘電体リッジ４の幅Ｗ未満とすることができる。誘電体媒体２２（例えば、例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体、または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体）は、誘電体リッジ４を囲み、近接または隣接するリッジ４間の溝またはトレンチ１８を満たすことができる。図１３の例は、誘電体媒体２２によってリッジ４の上面１４から離隔された導電性ストリップ３２の層３０を示す。この例では、誘電体媒体２２は、例えば、エポキシまたはＳｉＯ_２などの固体とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、図１３における導電性ストリップ３２の層３０が、誘電体リッジ４の上面１４と直接接触して配置されるかもしくは位置づけられてもよく、誘電体媒体２２が、省略されてもよく、あるいは例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体であってもよいことが想定されるからである。

【0107】

図１２および図１３における各誘電体基板８は、単層誘電体基板８、または２つ、３つ、もしくはより多くの層を含む多層誘電体基板８とすることができる。一例では、図１２および１３における誘電体基板８は、図の下から上に、層Ｌ_１、Ｌ_２、およびＬ_３を含む多層誘電体基板８とすることができる。一例では、層Ｌ_１は、ケイ素（Ｓｉ）の層とすることができ、層Ｌ_２は、ケイ素（Ｓｉ）の層Ｌ_１と複数の細長い誘電体リッジ４との間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層とすることができ、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層Ｌ_２と複数の細長い誘電体リッジ４との間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層Ｌ_３がある。

【0108】

図１４を参照し、図１３を引き続き参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による別の例示の光学偏光子２は、図１４にコピーまたは再現されている図１３の例示の光学偏光子２の導電性ストリップ３２の層３０の上に位置づけられた、導電性コーティング１６－１’および１６－２’を含む複数の誘電体リッジ４’を含むことができる。一例では、導電性コーティング１６－１’および１６－２’は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１’および１６－２’にとって望ましい。図１３に示された光学偏光子２の上述の説明が、図１４に再現されている図１３の光学偏光子２のコピーにも当てはまるので、図１４に再現されている図１３の光学偏光子２のコピーに関する詳細は、不必要な冗長を避けるために、図１４に関しては説明されない。

【0109】

誘電体リッジ４’の上には、導電性ストリップ３２’の層３０’が位置づけられる。この層３０’は、導電性ストリップ３２’を支持する誘電体材料３４’を含むことができる。導電性ストリップ３２’の長さ方向は、誘電体リッジ４’の長さ方向と平行に、すなわち、図１４のページの中に進むかまたは延びることができる。各導電性ストリップ３２’の幅ｗ’は、各誘電体リッジ４’の幅Ｗ’未満とすることができる。一例では、導電ストリップ３２’は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性ストリップ３２’にとって望ましい。

【0110】

誘電体媒体２２’（例えば、例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体、または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体）は、誘電体リッジ４’を囲み、近接または隣接する誘電体リッジ４’間の溝またはトレンチ１８’を満たすことができる図１４の例は、誘電体リッジ４’の上面１４’から離隔された導電性ストリップ３２’の層３０’を示す。この例では、誘電体媒体２２’は、例えば、エポキシまたはＳｉＯ_２などの固体とすることができる。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、図１４における導電性ストリップ３２’の層３０’が、誘電体リッジ４’の上面１４’と直接接触して配置されるかもしくは位置づけられてもよく、そのとき、残りの誘電体媒体２２’が、省略されてもよく、あるいは例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体であってもよいことが想定されるからである。

【0111】

さらに、図１４は、一例では、例えばエポキシまたはＳｉＯ_２などの固体とすることができる誘電体媒体２２’によって層３０の上面から離隔されたリッジ４’の底面１５’を示しているが、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、リッジ４’の底面１５’が層３０の上面と直接接触して配置されるかまたは位置づけられてもよく、そのとき、残りの誘電体媒体２２’は、省略されてもよく、あるいは例えばエポキシもしくはＳｉＯ_２などの固体、または例えば周囲空気もしくは周囲環境などの気体とすることができるからである。

【0112】

導電性コーティング１６－１’および１６－２’を含む誘電体リッジ４’は、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４に対して垂直に位置合せされてもよく（図１４に示されるように）、または水平にオフセットされてもよい。層３０’の導電性ストリップ３２’は、層３０の導電性ストリップ３２に対して垂直に位置合せされてもよく、または（図１４に示されるように）水平にオフセットされてもよい。

【0113】

一例では、図１４において、同じように番号づけされた要素（「’」の有無にかかわらず、例えば４および４’）を形成する材料は同じであってもよい。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、図１４において、同じように番号づけされた要素の以下のセット（例えば対）（「’」の有無にかかわらず、例えば４および４’）を形成する材料、すなわち、誘電体媒体２２および２２’、誘電体リッジ４および４’、導電性ストリップ３２および３２’、誘電体媒体３４および３４’、誘電体媒体２２、２２’、３４、および３４’、導電性コーティング１６－１および１６－２、導電性コーティング１６－１’および１６－２’、および導電性コーティング１６－１、１６－１’、１６－２、および１６－２’の各々を形成する材料は、同じであっても異なっていてもよいことが想定されるからである。

【0114】

図１５を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による例示の光学偏光子２は、図２～図５および図７Ａ～図８の導電性コーティング１６－１および１６－２を含む複数の細長い（真っすぐなまたは湾曲した）誘電体リッジ４、または図６の導電性リッジ２４を完全に囲む、誘電体リッジ４を欠いているフレーム３６（基板の一部である）を含むかまたは画定する基板８を含むことができる。基板と、導電性コーティング１６－１および１６－２を含む誘電体リッジ４、または導電性リッジ２４の上に配置されたパッシベーション層３８と組み合わせたフレーム３６は、特に、図２～図５および図７Ａ～図８の誘電体リッジ４上の導電性コーティング１６－１および１６－２、または図６の導電性リッジ２４の端部４０－１および４０－２における腐食を避ける。

【0115】

図１６～図１８を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による例示の光学偏光子２は、各誘電体リッジ４ならびにその側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２（図２～図５および図７Ａ～図８）に、または各導電性リッジ２４（図６）に、１つまたは複数の中断部または間隙４２を含むことができる。各誘電体リッジ４ならびにその側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２（図２～図５および図７Ａ～図８）の各中断部または間隙４２は、前記中断部または間隙４２の両側の前記細長い誘電体リッジのセクションの導電性コーティング１６－１および１６－２を電気的に切り離し、それによって、中断部または間隙４２の一方の側の導電性コーティング１６－１および／または１６－２から中断部または間隙４２の他方の側の導電性コーティング１６－１および／または１６－２への腐食の伝播が避けられる。同様に、各導電性リッジ２４（図６）の各中断部または間隙４２は、中断部または間隙の４２の一方の側の導電性リッジ２４のセクションから中断部または間隙４２の他方の側の導電性リッジ２４のセクションへの腐食の伝播が避けられる。

【0116】

図１５～図１８では、誘電体リッジ４または誘電体リッジ４のセクションの側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２は、簡単にするために省略されている。しかしながら、次に説明する例外を除いて、本明細書に記載の各誘電体リッジ４または誘電体リッジ４のセクションは、例えば図２～図５および図７Ａ～図８に示されたように、その側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことを理解されたい。

【0117】

図１５に示される例外は、各誘電体リッジ４または誘電体リッジ４のセクションが連続的であり得るが、その側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２が１つまたは複数の中断部または間隙を含むことができることである。これは、図１５において、側面に導電性コーティング１６－１Ａおよび１６－２Ａを含むただ１つの例示的な誘電体リッジ４Ａに対して示されており、導電性コーティング１６－１Ａおよび１６－２Ａの各々は１つまたは複数の中断部または間隙４６を含む。導電性コーティング１６－１Ａおよび１６－２Ａにおける１つまたは複数の中断部または間隙４６が、図１５ではただ１つの例示的な誘電体リッジ４Ａに関して示されているが、図１５～図１８の任意のものに示された任意の数の誘電体リッジ４または誘電体リッジ４のセクションが、導電性コーティングに１つまたは複数の中断部または間隙４６を含むことができることを理解されたい。一例では、導電性コーティング１６－１Ａおよび１６ー２Ａは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーション、または任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１Ａおよび１６－２Ａにとって望ましい。

【0118】

図１６および図１７を参照すると、いくつかの例では、隣接または近接する誘電体リッジ４ならびにその側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２（図２～図５および図７Ａ～図８）、あるいは隣接または近接する導電性リッジ２４（図６）における中断部または間隙４２は、互いに平行に進むことができ、複数のリッジ４／２４の長さ方向に対して横切って（図１６）または垂直に（図１７）進むことができる中断部または間隙４２の１つまたは複数のライン４４を形成することができる。

【0119】

図１８に示される別の例では、隣接または近接する誘電体リッジ４ならびにその側面上の導電性コーティング１６－１および１６－２（図２～図５および図７Ａ～図８）の中断部または間隙４２、あるいは隣接または近接する導電性リッジ２４（図６）の中断部または間隙４２は、ランダムまたはオフセットパターンで配列され得る。

【0120】

図１９～図２１を参照し、図２～図５および図７Ａ～図８を引き続き参照すると、本開示の原理による例示の光アイソレータ５０は、第１の偏光軸５４（例えば、０°）を有し、光信号源からの光信号５６を直接受け取り、光信号の少なくとも一部６０を出力するための偏光子５２と、偏光子５２によって出力された光信号出力の少なくとも一部６０を直接受け取り、その偏光を回転させ、その少なくとも一部を回転子出力光信号６２として出力するためのファラデー回転子５８と、第２の偏光軸６６（例えば、４５°）を有し、回転子出力光信号６２を直接受け取り、その少なくとも一部６８を出力するための、時には検光子６４と呼ばれる、第２の偏光子とを含むことができる。偏光子５２および検光子６４は、対向した（ｏｐｐｏｓｅｄ）、対向する（ｏｐｐｏｓｉｎｇ）、または反対側の（ｏｐｐｏｓｉｔｅ）ファラデー回転子５８に結合される一例では、ファラデー回転子は、例えば、限定ではなく、ビスマス鉄ガーネット、テルビウムガリウムガーネット、またはイットリウム鉄ガーネットなどのガーネットとすることができる。当技術分野で知られているように、ファラデー回転子５８は、外部印加磁場（図示せず）の存在下で機能することができ、またはファラデー回転子５８は、「自己ラッチング」タイプとすることができる。

【0121】

偏光子５２は、図２～図５および図７Ａ～図８の任意のものに示された光学偏光子２のうちの１つを含むか、またはそれから形成され得る。検光子６４は、図２～図５および図７Ａ～図８の任意のものに示された光学偏光子２のうちの１つを含むか、またはそれから形成され得る。偏光子５２を構成または形成する光学偏光子２は、検光子６４を構成または形成する光学偏光子２と同じであっても異なっていてもよい。その上、いくつかの非限定的な実施形態または例では、本開示の原理による例示の光アイソレータ５０は、単一の偏光子、例えば偏光子５２のみ、または１対の偏光子、例えば偏光子５２および検光子６４を含むことができる。

【0122】

図１９に示された例示の光アイソレータ５０において、偏光子５２を構成する光学偏光子２は、誘電体基板８（図１９に仮想線で示される）が、ファラデー回転子５８とは反対側の細長い誘電体リッジ４の側に配置されるかまたは位置づけられる状態で、ファラデー回転子５８の対向表面の一方（例えば、下部の表面）に直接結合された（例えば、例えば屈折率整合エポキシなどの接着剤７０を介して）複数の離隔された細長い誘電体リッジ４の上面１４を含むことができる。その上、検光子６４を含む光学偏光子２は、誘電体基板８（図１９に同様に仮想線で示される）が、ファラデー回転子５８とは反対側の細長い誘電体リッジ４の側に配置されるかまたは位置づけられる状態で、ファラデー回転子５８の対向表面の他方（例えば、上部の表面）に直接結合された（例えば、例えば屈折率整合エポキシなどの接着剤７０を介して）複数の離隔された細長い誘電体リッジ４の上面１４を含むことができる。偏光子５２および検光子６４を構成する光学偏光子２は、各誘電体リッジ４の側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むことを理解されたい。一例では、導電性コーティング１６－１および１６－２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションまたは任意の他の適切なおよび／または望ましい導電性材料もしくは化合物で製作することができる。一例では、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションは、それらの低い酸化作用のために、導電性コーティング１６－１および１６－２にとって望ましい。

【0123】

偏光子５２と検光子６４を構成する光学偏光子２の誘電体リッジ４の上面１４がファラデー回転子５８の対向表面に結合された後、誘電体基板８は、例えば、等方性ウエットエッチング、レーザアブレーションを介して、またはバックグラインディングとその後に続く化学機械研磨を介して除去され得る。

【0124】

図２０を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例において、本開示の原理による例示の光アイソレータ５０は、以下の例外を除いて、図１９に示された光アイソレータ５０と同じであり得る。図２０に示された例示の光アイソレータ５０では、検光子６４の基板８は保持され（除去されず）、波長板７２が、ファラデー回転子５８とは反対側の検光子６４の基板８の側に結合される。一例では、波長板７２は、半波長（λ／２）板とすることができ、および／または波長板７２は、第２の偏光軸６６の偏光方向に対して２２．５°に方向づけられた速軸７４を有することができる。一例では、図２０の光アイソレータ５０を出る光信号６８は、偏光子５２によってファラデー回転子５８に出力される光信号の少なくとも一部６０の偏光方向と同じ偏光方向７６を有することができる。

【0125】

図２１を参照すると、いくつかの非限定的な実施形態または例において、本開示の原理による別の光アイソレータ５０は、偏光子５２、ファラデー回転子５８、および検光子６４を含む（図２１の下から上に）ことができる。図２１において、偏光子５２および検光子６４の各々は、厳密に言えば説明のために、図５に示された光学偏光子２で構成されるとして示される。しかしながら、これは、限定する意味に解釈されるべきではなく、その理由は、偏光子５２は、図２～図５および図７Ａ～図８に示された光学偏光子２の任意のものを含むことができ、および／または検光子６４は、図２～図５および図７Ａ～図８に示された光学偏光子２の任意のものを含むことができることが想定されるからである。

【0126】

この例では、偏光軸５４（例えば、０°）を有する偏光子５２および異なる偏光軸７８（例えば、４５°）を有する検光子６４を構成する光学偏光子２の基板８は、側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含むそれぞれの誘電体リッジ４がファラデー回転子５８とは反対側の基板８の側に配置されるかまたは位置づけられる状態で、ファラデー回転子５８の対向表面に直接結合される（接着剤を介して）かまたは置かれ得る。

【0127】

図１９～図２１に示された例示の光アイソレータ５０では、各基板８は、１つまたは複数の層Ｌを含むことができる。各基板８の層Ｌのうちの少なくとも１つは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含むことができる。その上、図１９～図２１における誘電体リッジ４および／または導電性コーティング１６－１および１６－２の向きは、厳密に言えば説明のために示されており、限定する意味に解釈されるべきではない。

【0128】

図１９～図２１に示された例示の光アイソレータ５０は、オプションとして、少なくとも、各誘電体リッジ４の側面に導電性コーティング１６－１および１６－２を含む近接または隣接する誘電体リッジ４間に誘電体媒体２２を含むことができる。

【0129】

図１９～図２１を継続して参照し、図２～図５および図７Ａ～図８を引き続き参照すると、本開示の原理に従って光アイソレータ５０を形成する方法は、（ａ）各々が誘電体基板８と、誘電体基板８の表面に位置づけされたかまたは配置された複数の離隔された細長い誘電体リッジ４とを含む偏光子５２および検光子６４とを用意するステップであり、各誘電体リッジ４が、誘電体基板８の表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジ４が、誘電体基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面１２－１および１２－２と、誘電体基板８の表面から離隔され、誘電体基板８の表面とは反対側の離隔された側面１２－１と側面１２－２との間に延びる上面１４と、各誘電体リッジ４の各側面１２－１および１２－２上の導電性コーティング１６－１および１６－２とを含む、用意するステップと、（ｂ）偏光子５２の誘電体リッジ４をファラデー回転子５８の１つの表面に結合させるステップと、（ｃ）検光子６４の誘電体リッジ４をファラデー回転子５８の対向表面に結合させるステップとを含むことができる。

【0130】

この方法には、（１）ステップ（ｂ）は、偏光子５２の誘電体基板８がファラデー回転子５８の１つの表面から離隔された状態で、偏光子５２の誘電体リッジ４の上面１４をファラデー回転子５８の１つの表面に結合させるステップ、および偏光子５２の誘電体基板８の少なくとも一部を除去するステップを含むことができること、および／または（２）ステップ（ｃ）は、検光子６４の誘電体基板８がファラデー回転子５８の対向表面から離隔された状態で、検光子６４の誘電体リッジ４の上面１４をファラデー回転子５８の対向表面に結合させるステップ、および検光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップを含むことができることのうちの少なくとも１つが含まれ得る。

【0131】

この方法は、波長板を、ステップ（２）において除去された検光子の誘電体基板８の残りの部分を介して、検光子６４の誘電体リッジ４に結合させるステップを含むことができる。波長板は、半波長（λ／２）板とすることができ、および／または波長板は、検光子の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有することができる。

【0132】

この方法は、（１）ステップ（ｂ）が、偏光子５２の誘電体リッジ４を、偏光子５２の誘電体基板８を介して、ファラデー回転子５８の１つの表面に結合させるステップを含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）が、検光子６４の誘電体リッジ４を、検光子の誘電体基板８を介して、ファラデー回転子５８の対向表面に結合させるステップを含むことのうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0133】

この方法は、ビスマス鉄ガーネット、テルビウムガリウムガーネット、またはイットリウム鉄ガーネットなどのガーネットであるファラデー回転子５８を含むことができる。

【0134】

この方法は、ステップ（ｂ）の結合させることが、第１の接着剤を介してまたは第１の基板を介するものであり得ること、およびステップ（ｃ）の結合させることが、第２の接着剤を介してまたは第２の基板を介するものであり得ることのうちの少なくとも１つを含むことができ、第１および第２の接着剤は、同じであっても異なっていてもよい。

【0135】

この方法は、第１および第２の接着剤のうちの少なくとも１つが屈折率整合エポキシであることを含むことができる。

【0136】

この方法は、第１および第２の誘電体基板８のうちの少なくとも１つが１つまたは複数の層で構成されることを含むことができる。誘電体基板８の１つまたは複数の層のうちの少なくとも１つは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含むことができる。

【0137】

他の非限定的な例または態様が、以下の例証的および例示的な番号づけされた条項に記載される。

【0138】

条項１：
誘電体基板と、基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、基板の表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジが、基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面、基板の表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面、および各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の細長い誘電体リッジとを含む光学偏光子。

【0139】

条項２：
各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含む、条項１に記載の光学偏光子。

【0140】

条項３：
各誘電体リッジが、四角形または長方形の断面を有する、条項１または２に記載の光学偏光子。

【0141】

条項４：
誘電体基板が、ｎ_１の屈折率を有し、誘電体リッジが、ｎ_２の屈折率を有し、ｎ_１＝ｎ_２またはｎ_１≠ｎ_２である、条項１～３のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0142】

条項５：
隣接または近接する対の誘電体リッジの対面する側面上の導電性コーティングの間に溝またはトレンチをさらに含み、少なくとも各溝またはトレンチ内にｎ_３の屈折率を有する誘電体がある、条項１～４のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0143】

条項６：
ｎ_１＝ｎ_２＝ｎ_３であるか、またはｎ_１、ｎ_２、およびｎ_３のうちの少なくとも１つの屈折率が異なる、条項１～５のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0144】

条項７：
誘電体基板および誘電体リッジが、ＳｉＯ_２で形成される、条項１～６のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0145】

条項８：
誘電体基板、誘電体リッジ、および少なくとも各溝またはトレンチ内の誘電体がすべてＳｉＯ_２で形成される、条項１～７のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0146】

条項９：
少なくとも各溝またはトレンチ内の誘電体が、複数の細長い誘電体リッジの上面をさらに覆う、条項１～８のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0147】

条項１０：
誘電体基板が、多層誘電体基板である、条項１～９のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0148】

条項１１：
多層誘電体基板が、ケイ素（Ｓｉ）の層と、ケイ素（Ｓｉ）の層と複数の誘電体リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の誘電体リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含む、条項１～１０のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0149】

条項１２：
各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む複数の誘電体リッジ間の間隔が、一定、または不定／チャープのうちの１つである、条項１～１１のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0150】

条項１３：
誘電体リッジの長さ方向と平行に誘電体基板と複数の誘電体リッジとの間に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの層、または誘電体リッジの長さ方向と平行に複数の誘電体リッジの上に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの層のうちの少なくとも１つをさらに含む、条項１～１２のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0151】

条項１４：
各導電性ストリップの幅が、各誘電体リッジの幅より小さい、条項１～１３のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0152】

条項１５：
複数の誘電体リッジの上面の上に上下に位置づけされたかまたは配置された１対の導電性ストリップの層と、第２の複数の細長い誘電体リッジの各誘電体リッジの各側面に、１対の導電性ストリップの層の間に位置づけされたかまたは配置された導電性コーティングを含む第２の複数の細長い誘電体リッジとをさらに含む、条項１～１４のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0153】

条項１６：
以下のこと、すなわち、第２の複数の誘電体リッジの誘電体リッジが、誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された誘電体リッジとオフセットされてまたは整列せずに位置づけされるかまたは配置されること、および誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の誘電体リッジの上面の上に上下に位置づけされたかまたは配置された導電性ストリップの１対の層の導電性ストリップが、互いにオフセットされてまたは整列せずに位置づけされるかまたは配置されることのうちの少なくとも１つである、条項１～１５のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0154】

条項１７：
各導電性ストリップの幅が、各誘電体リッジの幅より小さい、条項１～１６のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0155】

条項１８：
各細長い誘電体リッジと、前記誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングに、１つまたは複数の中断部または間隙をさらに含み、１つまたは複数の中断部または間隙が、前記中断部または間隙の両側の前記細長い誘電体リッジのセクションの導電性コーティングを電気的に切り離す、条項１～１７のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0156】

条項１９：
隣接または近接する誘電体リッジおよび前記誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの中断部または間隙が、複数の誘電体リッジおよび各誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの長さ方向に対して垂直に延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成すること、あるいは隣接または近接する誘電体リッジおよび前記誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの中断部または間隙が、複数の誘電体リッジおよび各誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの長さ方向を横切って延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成すること、あるいは隣接または近接する誘電体リッジおよび前記誘電体リッジの側面上の導電性コーティングの中断部または間隙が、ランダムまたはオフセットパターンで配置されるかまたは位置づけられることのうちの少なくとも１つである、条項１～１８のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0157】

条項２０：
多層誘電体基板と、多層誘電体基板の表面に離隔関係で位置づけされたかまたは配置された複数の細長い導電性リッジとを含む光学偏光子。一例では、複数の細長い導電性リッジは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0158】

条項２１：
多層誘電体基板が、ケイ素（Ｓｉ）の層と、ケイ素（Ｓｉ）の層と複数の導電性リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の導電性リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含む、条項２０に記載の光学偏光子。

【0159】

条項２２：
多層誘電体基板が、溶融石英（ＦＳ）の層と、溶融石英（ＦＳ）の層と複数の導電性リッジとの間の五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の層と複数の導電性リッジとの間のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）の層とを含む、条項２０に記載の光学偏光子。

【0160】

条項２３：
多層誘電体基板が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の下部層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の下部層と複数の導電性リッジとの間のセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の層と複数の導電性リッジとの間の二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の中間層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の中間層と複数の導電性リッジとの間の硫化亜鉛（ＺｎＳ）の上部層とを含む、条項２０に記載の光学偏光子。

【0161】

条項２４：
少なくとも複数の導電性リッジの間の硫化亜鉛（ＺｎＳ）の上部層に位置づけされたかまたは配置された誘電体材料をさらに含む、条項２３に記載の光学偏光子。

【0162】

条項２５：
誘電体材料が、エポキシまたはＳｉＯ_２である、条項２４に記載の光学偏光子。

【0163】

条項２６：
誘電体材料が、１．５４の屈折率（ｎ）を有する、条項２４または２５に記載の光学偏光子。

【0164】

条項２７：
各導電性リッジに１つまたは複数の中断部または間隙をさらに含み、１つまたは複数の中断部または間隙が、各中断部または間隙の両側の細長い導電性リッジのセクションを電気的に分離する、条項２０～２６のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0165】

条項２８：
隣接または近接する導電性リッジの中断部または間隙が、複数の導電性リッジに対して垂直に延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成すること、あるいは隣接または近接する導電性リッジの中断部または間隙が、複数の細長い導電性リッジを横切って延びる中断部または間隙の１つまたは複数のラインを形成すること、あるいは隣接または近接する導電性リッジの中断部または間隙が、ランダムまたはオフセットパターンで配置されるかまたは位置づけられることのうちの少なくとも１つである、条項２０～２７のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0166】

条項２９：
１対の条項１～１９のいずれか一項に記載の光学偏光子を上下に積み重ねて含む光学偏光子であって、（ａ）１対の光学偏光子の上部または上方のものの誘電体基板が、１対の光学偏光子の上部または上方のものの誘電体リッジと、１対の光学偏光子の上部のものの誘電体基板とは反対側の誘電体リッジの側に位置づけられた誘電体基板を有する１対の光学偏光子の下部のものの誘電体リッジとの間に位置づけされたかまたは配置された光学偏光子の第１の構成、または（ｂ）１対の光学偏光子の誘電体リッジが交互配置または交互嵌合の方法で位置づけされたかまたは配置された光学偏光子の第２の構成のうちの１つを含む、光学偏光子。

【0167】

条項３０：
誘電体基板のうちの少なくとも１つが、多層誘電体基板である、条項２９に記載の光学偏光子。

【0168】

条項３１：
光学偏光子の第１の構成において、１対の光学偏光子の上部のものの基板が、１対の光学偏光子の下部のものの基板と比較して減少した厚さを有する、条項２９または３０に記載の光学偏光子。

【0169】

条項３２：
１対の光学偏光子の下部のものの基板が多層基板であり、１対の光学偏光子の上部のものの基板が単層基板である、条項２９～３１のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0170】

条項３３：
基板が、複数の細長い誘電体リッジを完全に囲むフレームの形態を有する、条項１～３２のいずれか一項に記載の光学偏光子。

【0171】

条項３４：
第１の偏光軸を有し、光信号源からの光信号を直接受け取り、光信号の少なくとも一部を出力するための偏光子と、偏光子によって出力された光信号の少なくとも一部を直接受け取り、その偏光を回転させ、その少なくとも一部を回転子出力光信号として出力するためのファラデー回転子と、第２の偏光軸を有し、回転子出力光信号を直接受け取り、その少なくとも一部を出力するための検光子とを含む光アイソレータであって、偏光子および検光子が、ファラデー回転子の対向表面に結合され、偏光子および検光子の各々が、ファラデー回転子の表面のうちの１つに結合される複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の１つの表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の１つの表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面、および離隔された側面の間に延び、ファラデー回転子の１つの表面に直接結合される上面を含み、各誘電体リッジが、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジを含む、光アイソレータ。一例では、各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0172】

条項３５：
偏光子および検光子のうちの少なくとも１つの複数の離隔された細長い誘電体リッジが、接着剤を介してまたは基板を介してファラデー回転子の１つの表面に結合される、条項３４に記載の光アイソレータ。

【0173】

条項３６：
ファラデー回転子が、ビスマス鉄ガーネット、テルビウムガリウムガーネット、またはイットリウム鉄ガーネットなどのガーネットである、条項３４または３５に記載の光アイソレータ。

【0174】

条項３７：
接着剤が、屈折率整合エポキシである、条項３４～３６のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0175】

条項３８：
検光子の誘電体リッジの上面に結合された波長板をさらに含む、条項３４～３７のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0176】

条項３９：
波長板が、半波長（λ／２）板である、条項３４～３８のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0177】

条項４０：
波長板が、第２の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有する、条項３４～３９のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0178】

条項４１：
基板が、１つまたは複数の層を含む、条項３４～４０のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0179】

条項４２：
１つまたは複数の層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、条項３４～４１のいずれか一項に記載の光アイソレータ。

【0180】

条項４３：
光アイソレータを形成する方法であって、（ａ）各々が、誘電体基板と、誘電体基板の表面に位置づけされたかまたは配置された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、誘電体基板の表面に沿って延びる長さ方向［湾曲したまたは真っすぐな］を有し、各誘電体リッジが、誘電体基板の表面から離れて、例えば、それを横切ってまたはそれに垂直に延びる１対の離隔された側面、誘電体基板の表面から離隔され、誘電体基板の表面とは反対側の離隔された側面の間に延びる上面、および各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジとを含む、偏光子および検光子を用意するステップと、（ｂ）偏光子の誘電体リッジをファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップと、（ｃ）検光子の誘電体リッジをファラデー回転子の対向表面に結合させるステップとを含む、方法。一例では、各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0181】

条項４４：
（１）ステップ（ｂ）は、偏光子の誘電体基板がファラデー回転子の１つの表面から離隔された状態で、偏光子の誘電体リッジの上面をファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップを含み、この方法は、偏光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）は、検光子の誘電体基板がファラデー回転子の対向表面から離隔された状態で、検光子の誘電体リッジの上面をファラデー回転子の対向表面に結合させるステップと、検光子の誘電体基板の少なくとも一部を除去するステップとを含むことのうちの少なくとも１つを含む、条項４３に記載の方法。

【0182】

条項４５：
波長板を、ステップ（２）において除去された検光子の誘電体基板の残りの部分を介して、検光子の誘電体リッジに結合させるステップをさらに含む、条項４３または４４に記載の方法。

【0183】

条項４６：
（１）ステップ（ｂ）が、偏光子の誘電体リッジを、偏光子の誘電体基板を介して、ファラデー回転子の１つの表面に結合させるステップを含むこと、および／または（２）ステップ（ｃ）が、検光子の誘電体リッジを、検光子の誘電体基板を介して、ファラデー回転子の対向表面に結合させるステップを含むことのうちの少なくとも１つを含む、条項４３～４５のいずれか一項に記載の方法。

【0184】

条項４７：
波長板が、半波長（λ／２）板である、条項４３～４６のいずれか一項に記載の方法。

【0185】

条項４８：
波長板が、検光子の偏光軸に対して２２．５°に方向づけられた速軸を有する、条項４３～４７のいずれか一項に記載の方法。

【0186】

条項４９：
ファラデー回転子が、例えば、限定ではなく、ビスマス鉄ガーネット、テルビウムガリウムガーネット、またはイットリウム鉄ガーネットなどのガーネットである、条項４３～４８のいずれか一項に記載の方法。

【0187】

条項５０：
ステップ（ｂ）の結合させることが、第１の接着剤を介するかまたは第１の基板を介するものであること、およびステップ（ｃ）の結合させることが、第２の接着剤を介するかまたは第２の基板を介するものであることのうちの少なくとも１つであり、第１および第２の接着剤が、同じであるか、または異なる、条項４３～４９のいずれか一項に記載の方法。

【0188】

条項５１：
第１および第２の接着剤のうちの少なくとも１つが、屈折率整合エポキシである、条項４３～５０のいずれか一項に記載の方法。

【0189】

条項５２：
第１および第２の誘電体基板のうちの少なくとも１つが、１つまたは複数の層を含む、条項４３～５１のいずれか一項に記載の方法。

【0190】

条項５３：
１つまたは複数の層のうちの少なくとも１つが、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、条項４３～５２のいずれか一項に記載の方法。

【0191】

条項５４：
ファラデー回転子と、ファラデー回転子の表面に結合された光学偏光子であって、光学偏光子が、ファラデー回転子の表面に結合された複数の離隔された細長い誘電体リッジであり、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の表面に沿って延びる長さ方向を有し、各誘電体リッジが、ファラデー回転子の表面から離れて延びる１対の離隔された側面と、離隔された側面の間に延び、ファラデー回転子の１つの表面に直接結合される上面とを含み、各誘電体リッジが、誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングを含む、複数の離隔された細長い誘電体リッジを含む、光学偏光子とを含む光アイソレータ。一例では、各誘電体リッジの各側面上の導電性コーティングが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、およびルテニウム（Ｒｕ）、またはそれらの合金もしくはアマルガメーションのうちの１つまたは複数を含むことができる。

【0192】

条項５５：
ファラデー回転子の対向表面に結合された別の光学偏光子をさらに含む、条項５４に記載の光アイソレータ。

【0193】

本開示が、現在最も実用的で好ましい実施形態であると考えられるものに基づいて、例示の目的のために詳細に説明されたが、そのような詳細は、単にその目的のためのものであること、および本開示が、開示された実施形態に限定されるのではなく、それどころか、添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲内にある変更形態および等価構成を包含するように意図されていることを理解されたい。例えば、本開示は、可能な限り、任意の実施形態の１つまたは複数の特徴を、任意の他の実施形態の１つまたは複数の特徴と組み合わせることができることを意図していることを理解されたい。

【手続補正3】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【図6】

【手続補正4】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【図8】

【手続補正5】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【図13】

【外国語明細書】