(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024156928
(43)【公開日】2024-11-06
(54)【発明の名称】発光素子
(51)【国際特許分類】
H10K 50/852 20230101AFI20241029BHJP
H10K 50/125 20230101ALI20241029BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20241029BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20241029BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20241029BHJP
H10K 102/20 20230101ALN20241029BHJP
【ＦＩ】
H10K50/852
H10K50/125
H10K50/81
H10K50/82
H10K59/38
H10K102:20
【審査請求】有
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024130926
(22)【出願日】2024-08-07
(62)【分割の表示】P 2023100601の分割
【原出願日】2017-05-11
(31)【優先権主張番号】P 2016096369
(32)【優先日】2016-05-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】瀬尾 哲史
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 俊毅
(72)【発明者】
【氏名】山岡 諒平
(57)【要約】
【課題】新規な発光素子を提供する。また、色純度良い赤色発光が得られ、発光効率の良
い発光素子を提供する。また、消費電力の小さいフルカラーの発光装置を提供する。
【解決手段】白色発光を呈する発光素子において、赤色発光の発光波長を従来の良く使わ
れる赤色発光の発光波長に比べて長波長である特定の範囲とし、さらに特定の波長範囲に
おける特定の透過率を有する光学素子を用いる。
【選択図】なし
い発光素子を提供する。また、消費電力の小さいフルカラーの発光装置を提供する。
【解決手段】白色発光を呈する発光素子において、赤色発光の発光波長を従来の良く使わ
れる赤色発光の発光波長に比べて長波長である特定の範囲とし、さらに特定の波長範囲に
おける特定の透過率を有する光学素子を用いる。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
反射電極と、半透過・半反射電極と、の間にＥＬ層を有する発光素子であって、
前記ＥＬ層は、白色発光を呈し、
前記反射電極と前記ＥＬ層との間に透明導電層を有し、
前記透明導電層と前記半透過・半反射電極との光学距離を、前記ＥＬ層から得られる赤色発光を相対的に強めるべく形成し、
前記発光素子の前記半透過・半反射電極側には、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下であり、かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上であるカラーフィルタを有し、
前記発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られる発光素子。
前記ＥＬ層は、白色発光を呈し、
前記反射電極と前記ＥＬ層との間に透明導電層を有し、
前記透明導電層と前記半透過・半反射電極との光学距離を、前記ＥＬ層から得られる赤色発光を相対的に強めるべく形成し、
前記発光素子の前記半透過・半反射電極側には、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下であり、かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上であるカラーフィルタを有し、
前記発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られる発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置に関する。但し、本
発明の一態様は、それらに限定されない。すなわち、本発明の一態様は、物、方法、製造
方法、または駆動方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュ
ファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。また、具体的
には、半導体装置、表示装置、液晶表示装置などを一例として挙げることができる。
発明の一態様は、それらに限定されない。すなわち、本発明の一態様は、物、方法、製造
方法、または駆動方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュ
ファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。また、具体的
には、半導体装置、表示装置、液晶表示装置などを一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0002】
一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる発光素子（有機ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量、入
力信号に対する高速な応答性、低消費電力などの特性を有することから、これらを適用し
たディスプレイは、次世代のフラットパネルディスプレイとして注目されている。
力信号に対する高速な応答性、低消費電力などの特性を有することから、これらを適用し
たディスプレイは、次世代のフラットパネルディスプレイとして注目されている。
【0003】
発光素子は、一対の電極間に電圧を印加することにより、各電極から注入された電子およ
びホールがＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質（有機化合物）が励起状
態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。なお、励起状態の種類としては
、一重項励起状態（Ｓ＊）と三重項励起状態（Ｔ＊）とがあり、一重項励起状態からの発
光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるそ
れらの統計的な生成比率は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であると考えられている。発光物質から
得られる発光スペクトルはその発光物質特有のものであり、異なる種類の有機化合物を発
光物質として用いることによって、様々な発光色の発光素子を得ることができる。
びホールがＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質（有機化合物）が励起状
態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。なお、励起状態の種類としては
、一重項励起状態（Ｓ＊）と三重項励起状態（Ｔ＊）とがあり、一重項励起状態からの発
光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるそ
れらの統計的な生成比率は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であると考えられている。発光物質から
得られる発光スペクトルはその発光物質特有のものであり、異なる種類の有機化合物を発
光物質として用いることによって、様々な発光色の発光素子を得ることができる。
【0004】
例えば、ディスプレイなどの画像を表示する場合にフルカラー表示を実現するためには、
少なくとも赤、緑、青の３色の発光素子が必要となる。さらに、消費電力の少ない発光素
子が求められる。
少なくとも赤、緑、青の３色の発光素子が必要となる。さらに、消費電力の少ない発光素
子が求められる。
【0005】
なお、フルカラー表示を実現する具体的な方式としては、各々の光を発する発光素子を別
々に形成するいわゆる塗り分け方式、白色発光素子に光学素子としてカラーフィルタを組
み合わせた白色カラーフィルタ方式、青色発光素子などの単色発光素子に色変換フィルタ
を組み合わせた色変換方式などがあり、それぞれメリット、デメリットを有している。
々に形成するいわゆる塗り分け方式、白色発光素子に光学素子としてカラーフィルタを組
み合わせた白色カラーフィルタ方式、青色発光素子などの単色発光素子に色変換フィルタ
を組み合わせた色変換方式などがあり、それぞれメリット、デメリットを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００７－５３０９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
フルカラー表示を実現する具体的な方式の一つである白色カラーフィルタ方式は、複数の
発光素子が一つのＥＬ層を共有するため塗り分け方式と比較して高精細化が容易であり、
特にディスプレイ市場に適合した表示方式であるといえる。
発光素子が一つのＥＬ層を共有するため塗り分け方式と比較して高精細化が容易であり、
特にディスプレイ市場に適合した表示方式であるといえる。
【0008】
白色カラーフィルタ方式において、共通のＥＬ層から得られる白色発光を基に赤色、緑色
、青色の発光素子が形成されるため、発光素子の色純度を高める上で各発光色のスペクト
ルをそれぞれ分離させることが望ましい。
、青色の発光素子が形成されるため、発光素子の色純度を高める上で各発光色のスペクト
ルをそれぞれ分離させることが望ましい。
【0009】
従って、本発明の一態様では、新規な発光素子を提供する。また、色純度良い赤色発光が
得られ、発光効率の良い発光素子を提供する。また、消費電力の小さいフルカラーの発光
装置を提供する。
得られ、発光効率の良い発光素子を提供する。また、消費電力の小さいフルカラーの発光
装置を提供する。
【0010】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる発光素子において、白色発光を呈
するＥＬ層から、色純度の良い赤色発光を得ると共に発光効率の向上を図ることができる
。すなわち、白色発光を呈する発光素子において、赤色発光の発光波長は、従来の良く使
われる赤色発光の発光波長に比べて長波長である特定の範囲とし、さらにＥＬ層から取り
出される赤色発光を外部に射出する際、従来の光学素子（カラーフィルタなど）が実現可
能とする波長範囲のうち特定の波長範囲における特定の透過率を有する光学素子を用いる
ことを特徴とする。
するＥＬ層から、色純度の良い赤色発光を得ると共に発光効率の向上を図ることができる
。すなわち、白色発光を呈する発光素子において、赤色発光の発光波長は、従来の良く使
われる赤色発光の発光波長に比べて長波長である特定の範囲とし、さらにＥＬ層から取り
出される赤色発光を外部に射出する際、従来の光学素子（カラーフィルタなど）が実現可
能とする波長範囲のうち特定の波長範囲における特定の透過率を有する光学素子を用いる
ことを特徴とする。
【0012】
なお、赤色発光としては、半値幅（または、半値全幅）が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であ
り、かつ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光を用いる
のが好ましい。また、光学素子としては、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下であり、
かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上である光学素子（例えば、カラーフィルタなど
）を用いるのが好ましい。
り、かつ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光を用いる
のが好ましい。また、光学素子としては、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下であり、
かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上である光学素子（例えば、カラーフィルタなど
）を用いるのが好ましい。
【0013】
また、白色発光を呈するＥＬ層から、赤色発光を効率良く取り出すためには、一対の電極
間の光学距離を調整した構成を組み合わせることが好ましい。
間の光学距離を調整した構成を組み合わせることが好ましい。
【0014】
従って、本発明の一態様は、反射電極と、半透過・半反射電極と、の間にＥＬ層を有する
発光素子であって、ＥＬ層は、白色発光を呈し、反射電極とＥＬ層との間に透明導電層を
有し、透明導電層と半透過・半反射電極との光学距離を、ＥＬ層から得られる赤色発光を
相対的に強めるべく形成し、発光素子の半透過・半反射電極側には、６００ｎｍの光の透
過率が４０％以下であり、かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上である光学素子を有
し、発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルの
ピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られることを特徴とする発光素
子である。
発光素子であって、ＥＬ層は、白色発光を呈し、反射電極とＥＬ層との間に透明導電層を
有し、透明導電層と半透過・半反射電極との光学距離を、ＥＬ層から得られる赤色発光を
相対的に強めるべく形成し、発光素子の半透過・半反射電極側には、６００ｎｍの光の透
過率が４０％以下であり、かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上である光学素子を有
し、発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルの
ピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られることを特徴とする発光素
子である。
【0015】
また、本発明の別の一態様は、反射電極と、半透過・半反射電極と、の間にＥＬ層を有す
る発光素子であって、ＥＬ層は、白色発光を呈し、反射電極とＥＬ層との間に透明導電層
を有し、ＥＬ層は、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である発
光物質を有し、透明導電層と半透過・半反射電極との光学距離を、ＥＬ層から得られる赤
色発光を相対的に強めるべく形成し、発光素子の半透過・半反射電極側には、光学素子を
有し、光学素子は、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下で、かつ６３０ｎｍの光の透過
率が４０％以上であり、発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、か
つ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られること
を特徴とする発光素子である。
る発光素子であって、ＥＬ層は、白色発光を呈し、反射電極とＥＬ層との間に透明導電層
を有し、ＥＬ層は、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である発
光物質を有し、透明導電層と半透過・半反射電極との光学距離を、ＥＬ層から得られる赤
色発光を相対的に強めるべく形成し、発光素子の半透過・半反射電極側には、光学素子を
有し、光学素子は、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下で、かつ６３０ｎｍの光の透過
率が４０％以上であり、発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、か
つ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られること
を特徴とする発光素子である。
【0016】
また、本発明の別の一態様は、反射電極と、半透過・半反射電極と、の間にＥＬ層を有す
る発光素子であって、ＥＬ層は、白色発光を呈し、反射電極とＥＬ層との間に透明導電層
を有し、ＥＬ層は、第１の発光層、電荷発生層、および第２の発光層を有し、透明導電層
と半透過・半反射電極との光学距離を、ＥＬ層から得られる赤色発光を相対的に強めるべ
く１波長以上で形成し、発光素子の半透過・半反射電極側には、６００ｎｍの光の透過率
が４０％以下であり、かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上である光学素子を有し、
発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルのピー
ク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られることを特徴とする発光素子で
ある。
る発光素子であって、ＥＬ層は、白色発光を呈し、反射電極とＥＬ層との間に透明導電層
を有し、ＥＬ層は、第１の発光層、電荷発生層、および第２の発光層を有し、透明導電層
と半透過・半反射電極との光学距離を、ＥＬ層から得られる赤色発光を相対的に強めるべ
く１波長以上で形成し、発光素子の半透過・半反射電極側には、６００ｎｍの光の透過率
が４０％以下であり、かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上である光学素子を有し、
発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルのピー
ク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られることを特徴とする発光素子で
ある。
【0017】
また、本発明の別の一態様は、反射電極と、半透過・半反射電極と、の間にＥＬ層を有す
る発光素子であって、ＥＬ層は、白色発光を呈し、反射電極とＥＬ層との間に透明導電層
を有し、ＥＬ層は、第１の発光層、電荷発生層、および第２の発光層を有し、第１の発光
層または第２の発光層は、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下で
ある発光物質を有し、透明導電層と半透過・半反射電極との光学距離を、ＥＬ層から得ら
れる赤色発光を相対的に強めるべく１波長以上で形成し、発光素子の半透過・半反射電極
側には、光学素子を有し、光学素子は、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下で、かつ６
３０ｎｍの光の透過率が４０％以上であり、発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０
ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である
発光が得られることを特徴とする発光素子である。
る発光素子であって、ＥＬ層は、白色発光を呈し、反射電極とＥＬ層との間に透明導電層
を有し、ＥＬ層は、第１の発光層、電荷発生層、および第２の発光層を有し、第１の発光
層または第２の発光層は、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下で
ある発光物質を有し、透明導電層と半透過・半反射電極との光学距離を、ＥＬ層から得ら
れる赤色発光を相対的に強めるべく１波長以上で形成し、発光素子の半透過・半反射電極
側には、光学素子を有し、光学素子は、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下で、かつ６
３０ｎｍの光の透過率が４０％以上であり、発光素子からは、半値幅が５ｎｍ以上１２０
ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である
発光が得られることを特徴とする発光素子である。
【0018】
なお、上記各構成における光学素子は、特定の波長の光を透過するフィルタのことを指し
、通常カラーフィルタや干渉フィルタと称されるものを用いることができる。
、通常カラーフィルタや干渉フィルタと称されるものを用いることができる。
【0019】
また、上記各構成において、発光物質として燐光性有機金属錯体を用いることが好ましい
。
。
【0020】
また、本発明の別の一態様は、上記各構成に示す発光素子を有する発光装置である。すな
わち、上記構成に示す赤色発光素子に加えて、他の発光色を呈する発光素子を有するフル
カラーの発光装置を発明の範疇に含める。また、発光素子に加えて、筐体や接続端子など
を有する発光装置も発明の範疇に含める。
わち、上記構成に示す赤色発光素子に加えて、他の発光色を呈する発光素子を有するフル
カラーの発光装置を発明の範疇に含める。また、発光素子に加えて、筐体や接続端子など
を有する発光装置も発明の範疇に含める。
【0021】
なお、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光素子や発光装置を
適用した電子機器（具体的には、発光素子や発光装置と、接続端子、または操作キーとを
有する電子機器）および照明装置（具体的には、発光素子や発光装置と、筐体とを有する
照明装置）も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像
表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例
えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔ
ａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先に
プリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇ
ｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含
むものとする。
適用した電子機器（具体的には、発光素子や発光装置と、接続端子、または操作キーとを
有する電子機器）および照明装置（具体的には、発光素子や発光装置と、筐体とを有する
照明装置）も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像
表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例
えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔ
ａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先に
プリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇ
ｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含
むものとする。
【発明の効果】
【0022】
本発明の一態様である発光素子は、白色発光を呈するＥＬ層から得られる赤色発光を特定
の波長範囲とすることにより赤色発光の色純度を高めることができる。なお、色純度を高
めるべく赤色発光を長波長化させる場合、光学素子（カラーフィルタ）との組み合わせに
おいては、光学素子を介することによる発光強度の低下が問題となるが、本発明の一態様
では、この特定の波長範囲を有する赤色発光に、特定の波長範囲で特定の透過率を有する
光学素子を組み合わせることにより、従来、色純度を高めた場合に生じる発光強度の減少
を抑えることができるので、色純度が良く発光効率の高い発光素子を提供することができ
る。また、この赤色発光素子を有することで、消費電力の小さいフルカラーの発光装置を
提供することができる。また、消費電力の小さい電子機器、または照明装置などを提供す
ることができる。
の波長範囲とすることにより赤色発光の色純度を高めることができる。なお、色純度を高
めるべく赤色発光を長波長化させる場合、光学素子（カラーフィルタ）との組み合わせに
おいては、光学素子を介することによる発光強度の低下が問題となるが、本発明の一態様
では、この特定の波長範囲を有する赤色発光に、特定の波長範囲で特定の透過率を有する
光学素子を組み合わせることにより、従来、色純度を高めた場合に生じる発光強度の減少
を抑えることができるので、色純度が良く発光効率の高い発光素子を提供することができ
る。また、この赤色発光素子を有することで、消費電力の小さいフルカラーの発光装置を
提供することができる。また、消費電力の小さい電子機器、または照明装置などを提供す
ることができる。
【0023】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の一態様である発光素子について説明する図。
【図2】発光素子の構造について説明する図。
【図3】発光装置について説明する図。
【図4】発光装置について説明する図。
【図5】電子機器について説明する図。
【図6】電子機器について説明する図。
【図7】自動車について説明する図。
【図8】照明装置について説明する図。
【図9】照明装置について説明する図。
【図10】タッチパネルの一例を示す図。
【図11】タッチパネルの一例を示す図。
【図12】タッチパネルの一例を示す図。
【図13】タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート。
【図14】タッチセンサの回路図。
【図15】表示装置のブロック図。
【図16】表示装置の回路構成。
【図17】表示装置の断面構造。
【図18】発光素子について説明する図。
【図19】発光素子１乃至比較発光素子２の輝度－電流密度特性を示す図。
【図20】発光素子１乃至比較発光素子２の輝度－電圧特性を示す図。
【図21】発光素子１乃至比較発光素子２の電流効率－輝度特性を示す図。
【図22】発光素子１乃至比較発光素子２の電流－電圧特性を示す図。
【図23】発光素子１乃至比較発光素子２の発光スペクトルを示す図。
【図24】カラーフィルタの波長と透過率の関係を示す図。
【図25】カラーフィルタを有する発光素子１の発光スペクトルを示す図。
【図26】カラーフィルタを有する比較発光素子２の発光スペクトルを示す図。
【図27】［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］の溶液中のフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを示す図。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容
に限定して解釈されるものではない。
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容
に限定して解釈されるものではない。
【0026】
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【0027】
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
【0028】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について図１を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について図１を用いて説明する。
【0029】
図１において、基板１００上に発光素子１０５が形成され、基板１０７上に光学素子１０
６が形成されている。なお、図１に示す発光素子では、少なくとも基板１０７が透光性で
あればよく、基板１００および基板１０７には、基板として用いることができるものを適
宜用いることができる。
６が形成されている。なお、図１に示す発光素子では、少なくとも基板１０７が透光性で
あればよく、基板１００および基板１０７には、基板として用いることができるものを適
宜用いることができる。
【0030】
発光素子１０５は、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に白色発光を呈するＥＬ
層を有するが、本実施の形態では、電荷発生層１０４を挟んで第１のＥＬ層１０３ａおよ
び第２のＥＬ層１０３ｂが積層されている場合について示す。なお、第１の電極１０１を
陽極とし、第２の電極１０２を陰極とした場合、電荷発生層１０４は、第１のＥＬ層１０
３ａに電子を注入し、第２のＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。また、電荷
発生層１０４は、透光性を有する。
層を有するが、本実施の形態では、電荷発生層１０４を挟んで第１のＥＬ層１０３ａおよ
び第２のＥＬ層１０３ｂが積層されている場合について示す。なお、第１の電極１０１を
陽極とし、第２の電極１０２を陰極とした場合、電荷発生層１０４は、第１のＥＬ層１０
３ａに電子を注入し、第２のＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。また、電荷
発生層１０４は、透光性を有する。
【0031】
第１のＥＬ層１０３ａおよび第２のＥＬ層１０３ｂから得られる発光は、発光素子１０５
６の第２の電極１０２側から射出されるため、少なくとも第２の電極１０２は透光性を有
する必要がある。本実施の形態では、第１の電極１０１を反射電極となるように形成し、
第２の電極１０２を半透過・半反射電極となるように形成する。
６の第２の電極１０２側から射出されるため、少なくとも第２の電極１０２は透光性を有
する必要がある。本実施の形態では、第１の電極１０１を反射電極となるように形成し、
第２の電極１０２を半透過・半反射電極となるように形成する。
【0032】
発光素子１０５において、第１のＥＬ層１０３ａからの発光と、第２のＥＬ層１０３ｂか
らの発光とを組み合わせることにより白色発光が得られるが、第１のＥＬ層１０３ａから
得られる発光色と第２のＥＬ層１０３ｂから得られる発光色との組み合わせは、適宜調整
することができる。例えば、第１のＥＬ層１０３ａからは、青色発光が得られる構成とし
、第２のＥＬ層１０３ｂからは、緑色発光と赤色発光とが得られる構成とすることができ
る。本実施の形態で示す発光素子１０５において、第１のＥＬ層１０３ａおよび第２のＥ
Ｌ層１０３ｂのいずれかは、赤色発光を示す発光物質（赤色発光物質）を含むこととする
。
らの発光とを組み合わせることにより白色発光が得られるが、第１のＥＬ層１０３ａから
得られる発光色と第２のＥＬ層１０３ｂから得られる発光色との組み合わせは、適宜調整
することができる。例えば、第１のＥＬ層１０３ａからは、青色発光が得られる構成とし
、第２のＥＬ層１０３ｂからは、緑色発光と赤色発光とが得られる構成とすることができ
る。本実施の形態で示す発光素子１０５において、第１のＥＬ層１０３ａおよび第２のＥ
Ｌ層１０３ｂのいずれかは、赤色発光を示す発光物質（赤色発光物質）を含むこととする
。
【0033】
また、発光素子１０５と光学素子１０６は、空間を介して重なるように設けられており、
発光素子１０５からの光は光学素子１０６を介して基板１０７の外部へ射出される。なお
、光学素子１０６として、赤色発光のみを透過するカラーフィルタを用いる場合には、発
光素子１０５からの光は、赤色発光として外部に射出される。また、光学素子１０６とし
て、青色発光のみを透過するカラーフィルタを用いる場合には、発光素子１０５からの光
は、青色発光として外部に射出される。また、光学素子１０６として、緑色発光のみを透
過するカラーフィルタを用いる場合には、発光素子１０５からの光は、緑色発光として外
部に射出される。その他の発光色を得る場合も同様である。
発光素子１０５からの光は光学素子１０６を介して基板１０７の外部へ射出される。なお
、光学素子１０６として、赤色発光のみを透過するカラーフィルタを用いる場合には、発
光素子１０５からの光は、赤色発光として外部に射出される。また、光学素子１０６とし
て、青色発光のみを透過するカラーフィルタを用いる場合には、発光素子１０５からの光
は、青色発光として外部に射出される。また、光学素子１０６として、緑色発光のみを透
過するカラーフィルタを用いる場合には、発光素子１０５からの光は、緑色発光として外
部に射出される。その他の発光色を得る場合も同様である。
【0034】
本実施の形態において、ＥＬ層から得られる白色発光に含まれる赤色発光は、半値幅が５
ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下に発光ピークを有す
る。さらに、光学素子１０６には、６００ｎｍの光の透過率が０％以上４０％以下であり
、かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上１００％以下であるカラーフィルタを用いる
。このようにすることで発光素子１０５の白色発光から、図１の矢印で示すように赤色発
光が外部に射出される。このようにすることで、従来よりも色純度が良く、発光効率の高
い赤色の発光素子が得られる。
ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下に発光ピークを有す
る。さらに、光学素子１０６には、６００ｎｍの光の透過率が０％以上４０％以下であり
、かつ６３０ｎｍの光の透過率が４０％以上１００％以下であるカラーフィルタを用いる
。このようにすることで発光素子１０５の白色発光から、図１の矢印で示すように赤色発
光が外部に射出される。このようにすることで、従来よりも色純度が良く、発光効率の高
い赤色の発光素子が得られる。
【0035】
また、第１のＥＬ層１０３ａまたは第２のＥＬ層１０３ｂに用いる赤色発光物質としては
、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下、好ましくは６２０ｎｍ以
上７００ｎｍ以下である発光物質を用いるのが好ましい。このような発光物質としては、
公知の材料を用いることができる。例えばビス｛４，６－ジメチル－２－［３－（３，５
－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，
６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］、ビス｛４，６－ジメチル－２－［５－
（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－
ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタ
ンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍ
ＣＰ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２－メチル－３－フェニルキノ
キサリナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）２（ａｃａｃ
）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３－ジフェニルキノキサリナト－Ｎ，Ｃ２’
）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）等を用いることが
できる
、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下、好ましくは６２０ｎｍ以
上７００ｎｍ以下である発光物質を用いるのが好ましい。このような発光物質としては、
公知の材料を用いることができる。例えばビス｛４，６－ジメチル－２－［３－（３，５
－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，
６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］、ビス｛４，６－ジメチル－２－［５－
（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－
ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタ
ンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍ
ＣＰ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２－メチル－３－フェニルキノ
キサリナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）２（ａｃａｃ
）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３－ジフェニルキノキサリナト－Ｎ，Ｃ２’
）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）等を用いることが
できる
【0036】
なお、外部に射出される光を緑色発光や青色発光とする場合には、それぞれの発光色の発
光のみを透過させる光学素子を設ければよい。
光のみを透過させる光学素子を設ければよい。
【0037】
このような赤色発光素子、青色発光素子、緑色発光素子を組み合わせて用いることで色純
度が良く、消費電力の小さい発光装置を作製することができる。
度が良く、消費電力の小さい発光装置を作製することができる。
【0038】
また、本実施の形態に示す構成には、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用
いることができる。
いることができる。
【0039】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について説明する。
【0040】
≪発光素子の基本的な構造≫
まず、発光素子の基本的な構造について説明する。図２（Ａ）には、一対の電極間に発光
層を含むＥＬ層を挟んでなる発光素子を示す。具体的には、第１の電極２０１と第２の電
極２０２との間にＥＬ層２０３が挟まれた構造（シングル構造）を有する。
まず、発光素子の基本的な構造について説明する。図２（Ａ）には、一対の電極間に発光
層を含むＥＬ層を挟んでなる発光素子を示す。具体的には、第１の電極２０１と第２の電
極２０２との間にＥＬ層２０３が挟まれた構造（シングル構造）を有する。
【0041】
また、図２（Ｂ）には、一対の電極間に複数（図２（Ｂ）では、２層）のＥＬ層（２０３
ａ、２０３ｂ）を有し、ＥＬ層の間に電荷発生層２０４を挟んでなる積層構造（タンデム
構造）の発光素子を示す。タンデム構造の発光素子は、低電圧駆動が可能で消費電力が低
い発光装置を実現することができる。
ａ、２０３ｂ）を有し、ＥＬ層の間に電荷発生層２０４を挟んでなる積層構造（タンデム
構造）の発光素子を示す。タンデム構造の発光素子は、低電圧駆動が可能で消費電力が低
い発光装置を実現することができる。
【0042】
電荷発生層２０４は、第１の電極２０１と第２の電極２０２に電圧を印加したときに、一
方のＥＬ層（２０３ａまたは２０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（２０３ｂまたは
２０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図２（Ｂ）において、第１の電極２
０１に第２の電極２０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層２０
４からＥＬ層２０３ａに電子が注入され、ＥＬ層２０３ｂに正孔が注入されることとなる
。
方のＥＬ層（２０３ａまたは２０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（２０３ｂまたは
２０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図２（Ｂ）において、第１の電極２
０１に第２の電極２０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層２０
４からＥＬ層２０３ａに電子が注入され、ＥＬ層２０３ｂに正孔が注入されることとなる
。
【0043】
なお、電荷発生層２０４は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する
（具体的には、電荷発生層２０４に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好まし
い。また、電荷発生層２０４は、第１の電極２０１や第２の電極２０２よりも低い導電率
であっても機能する。
（具体的には、電荷発生層２０４に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好まし
い。また、電荷発生層２０４は、第１の電極２０１や第２の電極２０２よりも低い導電率
であっても機能する。
【0044】
また、図２（Ｃ）には、本発明の一態様である発光素子のＥＬ層２０３の積層構造を示す
。但し、この場合、第１の電極２０１は陽極として機能するものとする。ＥＬ層２０３は
、第１の電極２０１上に、正孔（ホール）注入層２１１、正孔（ホール）輸送層２１２、
発光層２１３、電子輸送層２１４、電子注入層２１５が順次積層された構造を有する。な
お、図２（Ｂ）に示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各Ｅ
Ｌ層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極２０１が
陰極で、第２の電極２０２が陽極の場合は、積層順は逆になる。
。但し、この場合、第１の電極２０１は陽極として機能するものとする。ＥＬ層２０３は
、第１の電極２０１上に、正孔（ホール）注入層２１１、正孔（ホール）輸送層２１２、
発光層２１３、電子輸送層２１４、電子注入層２１５が順次積層された構造を有する。な
お、図２（Ｂ）に示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各Ｅ
Ｌ層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極２０１が
陰極で、第２の電極２０２が陽極の場合は、積層順は逆になる。
【0045】
ＥＬ層（２０３、２０３ａ、２０３ｂ）に含まれる発光層２１３は、それぞれ発光物質や
複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光や燐光発光が
得られる構成とすることができる。また、発光層２１３を発光色の異なる積層構造として
もよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質やその他の物質は、それ
ぞれ異なる材料を用いればよい。また、図２（Ｂ）に示す複数のＥＬ層（２０３ａ、２０
３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に
用いる発光物質やその他の物質を異なる材料とすればよい。
複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光や燐光発光が
得られる構成とすることができる。また、発光層２１３を発光色の異なる積層構造として
もよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質やその他の物質は、それ
ぞれ異なる材料を用いればよい。また、図２（Ｂ）に示す複数のＥＬ層（２０３ａ、２０
３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に
用いる発光物質やその他の物質を異なる材料とすればよい。
【0046】
また、本発明の一態様である発光素子において、例えば、図２（Ｃ）に示す第１の電極２
０１を反射電極とし、第２の電極２０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイ
クロキャビティ）構造とすることにより、ＥＬ層２０３に含まれる発光層２１３から得ら
れる発光を両電極間で共振させ、第２の電極２０２から得られる発光を強めることができ
る。
０１を反射電極とし、第２の電極２０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイ
クロキャビティ）構造とすることにより、ＥＬ層２０３に含まれる発光層２１３から得ら
れる発光を両電極間で共振させ、第２の電極２０２から得られる発光を強めることができ
る。
【0047】
なお、発光素子の第１の電極２０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電
性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制
御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層２１３から得られる
光の波長λに対して、第１の電極２０１と、第２の電極２０２との電極間距離がｍλ／２
（ただし、ｍは自然数）近傍となるように調整するのが好ましい。
性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制
御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層２１３から得られる
光の波長λに対して、第１の電極２０１と、第２の電極２０２との電極間距離がｍλ／２
（ただし、ｍは自然数）近傍となるように調整するのが好ましい。
【0048】
また、発光層２１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極
２０１から発光層２１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２
の電極２０２から発光層２１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と
、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）近傍となるように調節する
のが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層２１３における正孔（ホール）と
電子との再結合領域を示す。
２０１から発光層２１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２
の電極２０２から発光層２１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と
、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）近傍となるように調節する
のが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層２１３における正孔（ホール）と
電子との再結合領域を示す。
【0049】
このような光学調整を行うことにより、発光層２１３から得られる特定の単色光のスペク
トルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。
トルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。
【0050】
但し、上記の場合、第１の電極２０１と第２の電極２０２との光学距離は、厳密には第１
の電極２０１における反射領域から第２の電極２０２における反射領域までの総厚という
ことができる。しかし、第１の電極２０１や第２の電極２０２における反射領域を厳密に
決定することは困難であるため、第１の電極２０１と第２の電極２０２の任意の位置を反
射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の
電極２０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極２０１に
おける反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるとい
うことができる。しかし、第１の電極２０１における反射領域や、所望の光が得られる発
光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極２０１の任意
の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで
充分に上述の効果を得ることができるものとする。
の電極２０１における反射領域から第２の電極２０２における反射領域までの総厚という
ことができる。しかし、第１の電極２０１や第２の電極２０２における反射領域を厳密に
決定することは困難であるため、第１の電極２０１と第２の電極２０２の任意の位置を反
射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の
電極２０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極２０１に
おける反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるとい
うことができる。しかし、第１の電極２０１における反射領域や、所望の光が得られる発
光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極２０１の任意
の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで
充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【0051】
図２（Ｃ）に示す発光素子は、マイクロキャビティ構造を有するため、同じＥＬ層を有し
ていても異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。従って、異なる発光色を得
るための塗り分け（例えば、ＲＧＢ）が不要となる。従って、高精細化を実現することが
容易である。また、着色層（カラーフィルタ）との組み合わせも可能である。さらに、特
定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることが
できる。
ていても異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。従って、異なる発光色を得
るための塗り分け（例えば、ＲＧＢ）が不要となる。従って、高精細化を実現することが
容易である。また、着色層（カラーフィルタ）との組み合わせも可能である。さらに、特
定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることが
できる。
【0052】
なお、上述した本発明の一態様である発光素子において、第１の電極２０１と第２の電極
２０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）
とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以
上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、
２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は
、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
２０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）
とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以
上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、
２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は
、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
【0053】
また、上述した本発明の一態様である発光素子において、第１の電極２０１と第２の電極
２０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可
視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。
また、この電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
２０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可
視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。
また、この電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
【0054】
≪発光素子の具体的な構造および作製方法≫
次に、本発明の一態様である発光素子の具体的な構造および作製方法について、図２を用
いて説明する。また、ここでは、図２（Ｂ）に示すタンデム構造を有し、マイクロキャビ
ティ構造を備えた発光素子についても、図２（Ｄ）を用いて説明する。図２（Ｄ）に示す
発光素子がマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極２０１を反射電極として
形成し、第２の電極２０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材
料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極
２０２は、ＥＬ層２０３ｂを形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。また、
これらの電極の作製には、スパッタ法や真空蒸着法を用いることができる。
次に、本発明の一態様である発光素子の具体的な構造および作製方法について、図２を用
いて説明する。また、ここでは、図２（Ｂ）に示すタンデム構造を有し、マイクロキャビ
ティ構造を備えた発光素子についても、図２（Ｄ）を用いて説明する。図２（Ｄ）に示す
発光素子がマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極２０１を反射電極として
形成し、第２の電極２０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材
料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極
２０２は、ＥＬ層２０３ｂを形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。また、
これらの電極の作製には、スパッタ法や真空蒸着法を用いることができる。
【0055】
＜第１の電極および第２の電極＞
第１の電極２０１および第２の電極２０２を形成する材料としては、上述した両電極の機
能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例え
ば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができ
る。具体的には、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｉ－Ｓｎ酸化物（ＩＴ
ＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アル
ミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、
コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、
インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングス
テン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウ
ム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用
いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元
素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウ
ム（Ｓｒ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属およびこ
れらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
第１の電極２０１および第２の電極２０２を形成する材料としては、上述した両電極の機
能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例え
ば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができ
る。具体的には、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｉ－Ｓｎ酸化物（ＩＴ
ＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アル
ミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、
コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、
インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングス
テン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウ
ム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用
いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元
素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウ
ム（Ｓｒ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属およびこ
れらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
【0056】
図２（Ｄ）に示す発光素子において、第１の電極２０１が陽極である場合、第１の電極２
０１上にＥＬ層２０３ａの正孔注入層２１１ａおよび正孔輸送層２１２ａが真空蒸着法に
より順次積層形成される。ＥＬ層２０３ａおよび電荷発生層２０４が形成された後、電荷
発生層２０４上にＥＬ層２０３ｂの正孔注入層２１１ｂおよび正孔輸送層２１２ｂが同様
に順次積層形成される。
０１上にＥＬ層２０３ａの正孔注入層２１１ａおよび正孔輸送層２１２ａが真空蒸着法に
より順次積層形成される。ＥＬ層２０３ａおよび電荷発生層２０４が形成された後、電荷
発生層２０４上にＥＬ層２０３ｂの正孔注入層２１１ｂおよび正孔輸送層２１２ｂが同様
に順次積層形成される。
【0057】
＜正孔注入層および正孔輸送層＞
正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）は、陽極である第１の電極２０１や電荷発生
層（２０４）からＥＬ層（２０３、２０３ａ、２０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層
であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。
正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）は、陽極である第１の電極２０１や電荷発生
層（２０４）からＥＬ層（２０３、２０３ａ、２０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層
であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。
【0058】
正孔注入性の高い材料としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化
物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物が挙げられる。この他、フ
タロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰＣ）等のフタロシア
ニン系の化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフ
ェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，
４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４－エ
チレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ
）等の高分子等を用いることができる。
物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物が挙げられる。この他、フ
タロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰＣ）等のフタロシア
ニン系の化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフ
ェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，
４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４－エ
チレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ
）等の高分子等を用いることができる。
【0059】
また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容
性材料）を含む複合材料を用いることもできる。この場合、アクセプター性材料により正
孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）で正孔
が発生し、正孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）を介して発光層（２１３、２１３
ａ、２１３ｂ）に正孔が注入される。なお、正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）
は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）を含む複合材料からなる単
層で形成しても良いが、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とをそ
れぞれ別の層で積層して形成しても良い。
性材料）を含む複合材料を用いることもできる。この場合、アクセプター性材料により正
孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）で正孔
が発生し、正孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）を介して発光層（２１３、２１３
ａ、２１３ｂ）に正孔が注入される。なお、正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）
は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）を含む複合材料からなる単
層で形成しても良いが、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とをそ
れぞれ別の層で積層して形成しても良い。
【0060】
正孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）は、正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１
ｂ）によって、第１の電極２０１から注入された正孔を発光層（２１３、２１３ａ、２１
３ｂ）に輸送する層である。なお、正孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）は、正孔
輸送性材料を含む層である。正孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）に用いる正孔輸
送性材料は、特に正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）のＨＯＭＯ準位と同じ、あ
るいは近いＨＯＭＯ準位を有するものを用いることが好ましい。
ｂ）によって、第１の電極２０１から注入された正孔を発光層（２１３、２１３ａ、２１
３ｂ）に輸送する層である。なお、正孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）は、正孔
輸送性材料を含む層である。正孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）に用いる正孔輸
送性材料は、特に正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）のＨＯＭＯ準位と同じ、あ
るいは近いＨＯＭＯ準位を有するものを用いることが好ましい。
【0061】
正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）に用いるアクセプター性材料としては、元素
周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的に
は、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タ
ングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは
大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。その他、キノジメタン
誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを
用いることができる。具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テ
トラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１
０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ－ＣＮ）等を用いることができる。
周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的に
は、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タ
ングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは
大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。その他、キノジメタン
誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを
用いることができる。具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テ
トラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１
０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ－ＣＮ）等を用いることができる。
【0062】
正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）および正孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１
２ｂ）に用いる正孔輸送性材料としては、１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有す
る物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のも
のを用いることができる。
２ｂ）に用いる正孔輸送性材料としては、１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有す
る物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のも
のを用いることができる。
【0063】
正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体や
インドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、具体例としては、４，４’－ビス
［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－Ｎ
ＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－
ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－
９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰ
Ｂ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン
（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）
トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－
９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３－［
４－（９－フェナントリル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：
ＰＣＰＰｎ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－
２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ
－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾー
ル－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：
ＰＣＢＢｉＦ）４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－
３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４
’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＡＮＢ）、４、４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾ
ール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ－
フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－フ
ルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－ア
ミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）ト
リフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル
アミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（
３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ
）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，
３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾ
リル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９
－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カ
ルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）
－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６
－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フ
ェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９
－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣ
ｚＰＣＮ１）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略
称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ
－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，
４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢ
Ｔ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－
９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－
（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオ
フェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，
４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３
Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル
］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有
する化合物が挙げられる。
インドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、具体例としては、４，４’－ビス
［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－Ｎ
ＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－
ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－
９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰ
Ｂ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン
（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）
トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－
９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３－［
４－（９－フェナントリル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：
ＰＣＰＰｎ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－
２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ
－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾー
ル－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：
ＰＣＢＢｉＦ）４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－
３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４
’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＡＮＢ）、４、４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾ
ール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ－
フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－フ
ルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－ア
ミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）ト
リフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル
アミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（
３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ
）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，
３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾ
リル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９
－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カ
ルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）
－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６
－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フ
ェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９
－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣ
ｚＰＣＮ１）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略
称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ
－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，
４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢ
Ｔ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－
９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－
（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオ
フェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，
４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３
Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル
］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有
する化合物が挙げられる。
【0064】
さらに、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（
フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることも
できる。
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（
フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることも
できる。
【0065】
但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種
組み合わせて正孔輸送性材料として正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）および正
孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）に用いることができる。なお、正孔輸送層（２
１２、２１２ａ、２１２ｂ）は、各々複数の層から形成されていても良い。すなわち、例
えば第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とが積層されていても良い。
組み合わせて正孔輸送性材料として正孔注入層（２１１、２１１ａ、２１１ｂ）および正
孔輸送層（２１２、２１２ａ、２１２ｂ）に用いることができる。なお、正孔輸送層（２
１２、２１２ａ、２１２ｂ）は、各々複数の層から形成されていても良い。すなわち、例
えば第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とが積層されていても良い。
【0066】
図２（Ｄ）に示す発光素子において、ＥＬ層２０３ａの正孔輸送層２１２ａ上に発光層２
１３ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層２０３ａおよび電荷発生層２０４が
形成された後、ＥＬ層２０３ｂの正孔輸送層２１２ｂ上に発光層２１３ｂが真空蒸着法に
より形成される。
１３ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層２０３ａおよび電荷発生層２０４が
形成された後、ＥＬ層２０３ｂの正孔輸送層２１２ｂ上に発光層２１３ｂが真空蒸着法に
より形成される。
【0067】
＜発光層＞
発光層（２１３、２１３ａ、２１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光物質と
しては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物
質を適宜用いる。また、複数の発光層（２１３ａ、２１３ｂ）に異なる発光物質を用いる
ことにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて
得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有す
る積層構造であっても良い。
発光層（２１３、２１３ａ、２１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光物質と
しては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物
質を適宜用いる。また、複数の発光層（２１３ａ、２１３ｂ）に異なる発光物質を用いる
ことにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて
得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有す
る積層構造であっても良い。
【0068】
また、発光層（２１３、２１３ａ、２１３ｂ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１
種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）を有していても良い。また、
１種または複数種の有機化合物としては、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料や電子
輸送性材料の一方または両方を用いることができる。
種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）を有していても良い。また、
１種または複数種の有機化合物としては、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料や電子
輸送性材料の一方または両方を用いることができる。
【0069】
本発明の一態様である発光素子において、発光層（２１３ａ、２１３ｂ）のいずれかに赤
色発光を呈する発光物質（赤色発光物質）をゲスト材料として用いる。なお、ここで用い
る赤色発光物質としては、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下、
好ましくは６２０ｎｍ以上７００ｎｍ以下である発光物質を用いるのが好ましい。このよ
うな発光物質としては、公知の材料を用いることができる。例えばビス｛４，６－ジメチ
ル－２－［３－（３，５－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］
フェニル－κＣ｝（２，６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］、ビス｛４，６
－ジメチル－２－［５－（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジ
メチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラ
メチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２－メ
チル－３－フェニルキノキサリナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｍｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３－ジフェニルキノキサ
リナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］
）等を用いることができる。
色発光を呈する発光物質（赤色発光物質）をゲスト材料として用いる。なお、ここで用い
る赤色発光物質としては、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下、
好ましくは６２０ｎｍ以上７００ｎｍ以下である発光物質を用いるのが好ましい。このよ
うな発光物質としては、公知の材料を用いることができる。例えばビス｛４，６－ジメチ
ル－２－［３－（３，５－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］
フェニル－κＣ｝（２，６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］、ビス｛４，６
－ジメチル－２－［５－（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジ
メチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラ
メチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２－メ
チル－３－フェニルキノキサリナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｍｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３－ジフェニルキノキサ
リナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］
）等を用いることができる。
【0070】
発光層（２１３、２１３ａ、２１３ｂ）に用いることができる上記以外の発光物質として
は、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、また
は三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。な
お、上記発光物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
は、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、また
は三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。な
お、上記発光物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
【0071】
一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）
が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フル
オレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体
、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導
体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発
光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－
メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス〔３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル
）フェニル〕ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，
Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル
）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（ジベンゾフラン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略
称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾチオフェン－２－イル）－Ｎ，Ｎ
’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（
ピレン－１，６－ジイル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラ
ン）－６－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジ
イル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］
（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０２）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［
（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称
：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）などが挙げられる。
が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フル
オレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体
、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導
体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発
光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－
メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス〔３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル
）フェニル〕ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，
Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル
）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（ジベンゾフラン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略
称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾチオフェン－２－イル）－Ｎ，Ｎ
’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（
ピレン－１，６－ジイル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラ
ン）－６－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジ
イル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］
（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０２）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［
（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称
：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）などが挙げられる。
【0072】
その他にも、５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，
２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－
９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２Ｂ
Ｐｙ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’
－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カル
バゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン
（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジ
フェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジ
フェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾ
ール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４
’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＡＰＡ）、４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－４’－（９－
フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ
）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）
、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フ
ェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン］（略称
：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アン
トリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ－
［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフ
ェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができる
。
２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－
９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２Ｂ
Ｐｙ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’
－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カル
バゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン
（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジ
フェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジ
フェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾ
ール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４
’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＡＰＡ）、４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－４’－（９－
フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ
）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）
、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フ
ェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン］（略称
：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アン
トリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ－
［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフ
ェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができる
。
【0073】
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物
質（燐光材料）や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃ
ｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げら
れる。
質（燐光材料）や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃ
ｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げら
れる。
【0074】
燐光材料としては、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げられ
る。これらは、物質ごとに異なる発光色（発光ピーク）を示すため、必要に応じて適宜選
択して用いる。
る。これらは、物質ごとに異なる発光色（発光ピーク）を示すため、必要に応じて適宜選
択して用いる。
【0075】
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下で
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
【0076】
例えば、トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル
）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，４
－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニ
ル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐ
ｔｚ－３ｂ）３］）、トリス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニ
ル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒ５
ｂｔｚ）３］）、のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３－
メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メチ
ル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有
する有機金属錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フ
ェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３
］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］
フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３
］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフル
オロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾ
リル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピ
リジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビ
ス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’
｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）
、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム
（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有
するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。
）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，４
－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニ
ル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐ
ｔｚ－３ｂ）３］）、トリス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニ
ル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒ５
ｂｔｚ）３］）、のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３－
メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メチ
ル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有
する有機金属錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フ
ェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３
］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］
フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３
］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフル
オロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾ
リル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピ
リジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビ
ス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’
｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）
、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム
（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有
するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。
【0077】
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下で
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
【0078】
例えば、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビ
ス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍ
ｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４
－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａ
ｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニル
ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）
、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニ
ルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）
］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチル
フェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４
，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（
ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルア
セトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５
－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属
イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビ
ス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉ
ｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－
Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａ
ｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４－ジ
フェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２－［４’－（パーフルオロ
フェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：［Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２－フェニルベンゾ
チアゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（
ｂｔ）２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モ
ノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）
］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビ
ス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍ
ｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４
－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａ
ｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニル
ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）
、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニ
ルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）
］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチル
フェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４
，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（
ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルア
セトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５
－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属
イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビ
ス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉ
ｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－
Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａ
ｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４－ジ
フェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２－［４’－（パーフルオロ
フェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：［Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２－フェニルベンゾ
チアゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（
ｂｔ）２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モ
ノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）
］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
【0079】
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下で
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
【0080】
例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミ
ジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビ
ス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ
（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機
金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－ト
リフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フル
オロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（
ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体や、トリス（１－フェニルイ
ソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビ
ス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金
属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポ
ルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３－
ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１－（２－テノイル）－３
，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
ジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビ
ス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ
（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機
金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－ト
リフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フル
オロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（
ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体や、トリス（１－フェニルイ
ソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビ
ス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金
属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポ
ルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３－
ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１－（２－テノイル）－３
，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
【0081】
発光層（２１３、２１３ａ、２１３ｂ）に用いる有機化合物（ホスト材料、アシスト材料
）としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャッ
プを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。なお、上述した正孔輸送
性材料として挙げたものや、後述する電子輸送性材料として挙げられる材料をこのような
有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）として用いることもできる。
）としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャッ
プを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。なお、上述した正孔輸送
性材料として挙げたものや、後述する電子輸送性材料として挙げられる材料をこのような
有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）として用いることもできる。
【0082】
発光物質が蛍光材料である場合、ホスト材料としては一重項励起状態のエネルギー準位が
大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。例
えば、アントラセン誘導体やテトラセン誘導体を用いるのが好ましい。具体的には、９－
フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾ
ール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－
９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセ
ニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニ
ル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇ
ＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベ
ンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１
０－｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４’－イル｝ア
ントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、５，１２－ジフェニルテトラセン、５，１２－ビス（
ビフェニル－２－イル）テトラセンなどが挙げられる。
大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。例
えば、アントラセン誘導体やテトラセン誘導体を用いるのが好ましい。具体的には、９－
フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾ
ール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－
９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセ
ニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニ
ル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇ
ＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベ
ンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１
０－｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４’－イル｝ア
ントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、５，１２－ジフェニルテトラセン、５，１２－ビス（
ビフェニル－２－イル）テトラセンなどが挙げられる。
【0083】
発光物質が燐光材料である場合、ホスト材料としては、発光物質の三重項励起エネルギー
（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有
機化合物を選択すれば良い。なお、この場合には、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、
オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘
導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェ
ナントロリン誘導体等の他、芳香族アミンやカルバゾール誘導体等を用いることができる
。
（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有
機化合物を選択すれば良い。なお、この場合には、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、
オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘
導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェ
ナントロリン誘導体等の他、芳香族アミンやカルバゾール誘導体等を用いることができる
。
【0084】
具体的には、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、ト
リス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、
ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ
２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム
（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ
）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢ
Ｏ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴ
Ｚ）などの金属錯体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル
）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒ
ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：Ｏ
ＸＤ－７）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフ
ェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，
５－ベンゼントリイル）－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：
ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：Ｂ
ＣＰ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェ
ナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサ
ジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素
環化合物、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。
リス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、
ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ
２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム
（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ
）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢ
Ｏ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴ
Ｚ）などの金属錯体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル
）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒ
ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：Ｏ
ＸＤ－７）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフ
ェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，
５－ベンゼントリイル）－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：
ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：Ｂ
ＣＰ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェ
ナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサ
ジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素
環化合物、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。
【0085】
また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジ
ベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９
，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［
４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン
（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン
（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４
－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３
－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、２ＰＣＡＰＡ、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジ
フェニルクリセン、ＤＢＣ１、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェ
ニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニル－９－［４－（１
０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ
）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、
９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－
９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビア
ントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナン
トレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジイル）ジフェナント
レン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５－トリ（１－ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ
３）などを用いることができる。
ベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９
，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［
４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン
（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン
（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４
－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３
－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、２ＰＣＡＰＡ、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジ
フェニルクリセン、ＤＢＣ１、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェ
ニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニル－９－［４－（１
０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ
）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、
９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－
９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビア
ントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナン
トレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジイル）ジフェナント
レン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５－トリ（１－ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ
３）などを用いることができる。
【0086】
また、発光層（２１３、２１３ａ、２１３ｂ）に複数の有機化合物を用いる場合、励起錯
体を形成する化合物を発光物質と混合して用いることが好ましい。この場合、様々な有機
化合物を適宜組み合わせて用いることができるが、効率よく励起錯体を形成するためには
、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電
子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。なお、正孔輸送性材料および電子
輸送性材料の具体例については、本実施の形態で示す材料を用いることができる。
体を形成する化合物を発光物質と混合して用いることが好ましい。この場合、様々な有機
化合物を適宜組み合わせて用いることができるが、効率よく励起錯体を形成するためには
、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電
子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。なお、正孔輸送性材料および電子
輸送性材料の具体例については、本実施の形態で示す材料を用いることができる。
【0087】
ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にア
ップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく
呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三
重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは
０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍
光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。そ
の寿命は、１０－６秒以上、好ましくは１０－３秒以上である。
ップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく
呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三
重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは
０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍
光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。そ
の寿命は、１０－６秒以上、好ましくは１０－３秒以上である。
【0088】
ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン
誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミ
ウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム
（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、
例えば、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソ
ポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－
フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチル
エステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチル
ポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化ス
ズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（Ｐｔ
Ｃｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミ
ウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム
（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、
例えば、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソ
ポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－
フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチル
エステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチル
ポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化ス
ズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（Ｐｔ
Ｃｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
【0089】
その他にも、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［
２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（ＰＩＣ－ＴＲＺ）
、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾ
ール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（ＰＣＣｚ
ＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－
ジフェニル－１，３，５－トリアジン（ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－
５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２
，４－トリアゾール（ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン
－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－
ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルフホン（ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）
、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］
－１０’－オン（ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香
環を有する複素環化合物を用いることができる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子
不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子
不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態の
エネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。
２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（ＰＩＣ－ＴＲＺ）
、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾ
ール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（ＰＣＣｚ
ＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－
ジフェニル－１，３，５－トリアジン（ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－
５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２
，４－トリアゾール（ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン
－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－
ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルフホン（ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）
、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］
－１０’－オン（ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香
環を有する複素環化合物を用いることができる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子
不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子
不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態の
エネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。
【0090】
なお、ＴＡＤＦ材料を用いる場合、他の有機化合物と組み合わせて用いることもできる。
【0091】
図２（Ｄ）に示す発光素子においては、ＥＬ層２０３ａの発光層２１３ａ上に電子輸送層
２１４ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層２０３ａおよび電荷発生層２０４
が形成された後、ＥＬ層２０３ｂの発光層２１３ｂ上に電子輸送層２１４ｂが真空蒸着法
により形成される。
２１４ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層２０３ａおよび電荷発生層２０４
が形成された後、ＥＬ層２０３ｂの発光層２１３ｂ上に電子輸送層２１４ｂが真空蒸着法
により形成される。
【0092】
＜電子輸送層＞
電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）は、電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５
ｂ）によって、第２の電極２０２から注入された電子を発光層（２１３、２１３ａ、２１
３ｂ）に輸送する層である。なお、電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）は、電子
輸送性材料を含む層である。電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）に用いる電子輸
送性材料は、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお
、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる
。
電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）は、電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５
ｂ）によって、第２の電極２０２から注入された電子を発光層（２１３、２１３ａ、２１
３ｂ）に輸送する層である。なお、電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）は、電子
輸送性材料を含む層である。電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）に用いる電子輸
送性材料は、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお
、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる
。
【0093】
電子輸送性材料としては、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子
、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体などが挙げられる
。その他、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物を用いること
もできる。
、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体などが挙げられる
。その他、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物を用いること
もできる。
【0094】
具体的には、Ａｌｑ３、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：
Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：Ｂ
ｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベン
ゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体、２－（４－ビフェニリ
ル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：
ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサ
ジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４’－ｔｅｒｔ－ブチル
フェニル）－４－フェニル－５－（４’’－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール
（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル
）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、
バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，
４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）
などの複素芳香族化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベ
ンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベ
ンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（
略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバ
ゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ
－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ
］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、６－［３－（ジベンゾチオフェン
－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－
ＩＩ）等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体を用いることができる。
Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：Ｂ
ｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベン
ゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体、２－（４－ビフェニリ
ル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：
ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサ
ジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４’－ｔｅｒｔ－ブチル
フェニル）－４－フェニル－５－（４’’－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール
（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル
）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、
バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，
４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）
などの複素芳香族化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベ
ンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベ
ンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（
略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバ
ゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ
－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ
］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、６－［３－（ジベンゾチオフェン
－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－
ＩＩ）等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体を用いることができる。
【0095】
また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシル
フルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－
Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’
－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用
いることもできる。
フルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－
Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’
－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用
いることもできる。
【0096】
また、電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質
からなる層が２層以上積層した構造であってもよい。
からなる層が２層以上積層した構造であってもよい。
【0097】
図２（Ｄ）に示す発光素子において、ＥＬ層２０３ａの電子輸送層２１４ａ上に電子注入
層２１５ａが真空蒸着法により形成される。その後、ＥＬ層２０３ａおよび電荷発生層２
０４が形成され、ＥＬ層２０３ｂの電子輸送層２１４ｂまで形成された後、上に電子注入
層２１５ｂが真空蒸着法により形成される。
層２１５ａが真空蒸着法により形成される。その後、ＥＬ層２０３ａおよび電荷発生層２
０４が形成され、ＥＬ層２０３ｂの電子輸送層２１４ｂまで形成された後、上に電子注入
層２１５ｂが真空蒸着法により形成される。
【0098】
＜電子注入層＞
電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。
電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５ｂ）には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セ
シウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のよ
うなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。ま
た、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。ま
た、電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレ
クトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添
加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）
を構成する物質を用いることもできる。
電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。
電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５ｂ）には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セ
シウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のよ
うなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。ま
た、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。ま
た、電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレ
クトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添
加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）
を構成する物質を用いることもできる。
【0099】
また、電子注入層（２１５、２１５ａ、２１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー
）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によっ
て有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場
合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体
的には、例えば上述した電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）に用いる電子輸送性
材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有
機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカ
リ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、
エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類
金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げら
れる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラ
チアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によっ
て有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場
合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体
的には、例えば上述した電子輸送層（２１４、２１４ａ、２１４ｂ）に用いる電子輸送性
材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有
機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカ
リ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、
エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類
金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げら
れる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラ
チアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【0100】
なお、図２（Ｄ）に示す発光素子において、例えば、発光層２１３ｂから得られる光を増
幅させる場合には、第２の電極２０２と、発光層２１３ｂとの光学距離が、発光層２１３
ｂが呈する光の波長に対してλ／４未満となるように形成するのが好ましい。この場合、
電子輸送層２１４ｂまたは電子注入層２１５ｂの膜厚を変えることにより、調整すること
ができる。
幅させる場合には、第２の電極２０２と、発光層２１３ｂとの光学距離が、発光層２１３
ｂが呈する光の波長に対してλ／４未満となるように形成するのが好ましい。この場合、
電子輸送層２１４ｂまたは電子注入層２１５ｂの膜厚を変えることにより、調整すること
ができる。
【0101】
＜電荷発生層＞
図２（Ｄ）に示す発光素子において、電荷発生層２０４は、第１の電極（陽極）２０１と
第２の電極（陰極）２０２との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層２０３ａに電子を注入
し、ＥＬ層２０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層２０４は、正孔輸
送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に
電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積
層されていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層２０４を形成することによ
り、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
図２（Ｄ）に示す発光素子において、電荷発生層２０４は、第１の電極（陽極）２０１と
第２の電極（陰極）２０２との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層２０３ａに電子を注入
し、ＥＬ層２０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層２０４は、正孔輸
送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に
電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積
層されていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層２０４を形成することによ
り、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【0102】
電荷発生層２０４において、正孔輸送性材料に電子受容体が添加された構成とする場合、
正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子
受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノ
ジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期
表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、
酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タング
ステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。
正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子
受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノ
ジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期
表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、
酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タング
ステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。
【0103】
電荷発生層２０４において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合、
電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子
供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期
表における第２、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる
。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウ
ム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウ
ムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子
供与体として用いてもよい。
電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子
供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期
表における第２、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる
。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウ
ム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウ
ムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子
供与体として用いてもよい。
【0104】
＜基板＞
本実施の形態で示した発光素子は、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の
種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば
単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板
、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タン
グステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、
繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
本実施の形態で示した発光素子は、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の
種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば
単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板
、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タン
グステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、
繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
【0105】
なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム
、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチ
レンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチ
ック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ
塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙
類などが挙げられる。
ス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム
、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチ
レンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチ
ック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ
塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙
類などが挙げられる。
【0106】
なお、本実施の形態で示す発光素子の作製には、蒸着法などの真空プロセスや、スピンコ
ート法やインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場
合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真
空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）や、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることがで
きる。特に発光素子のＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層（２１１ａ、２１１ｂ）、正
孔輸送層（２１２ａ、２１２ｂ）、発光層（２１３ａ、２１３ｂ）、電子輸送層（２１４
ａ、２１４ｂ）、電子注入層（２１５ａ、２１５ｂ）、および電荷発生層２０４）につい
ては、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート
法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（
孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイ
クロコンタクト法、ナノインプリント法等）などの方法により形成することができる。
ート法やインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場
合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真
空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）や、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることがで
きる。特に発光素子のＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層（２１１ａ、２１１ｂ）、正
孔輸送層（２１２ａ、２１２ｂ）、発光層（２１３ａ、２１３ｂ）、電子輸送層（２１４
ａ、２１４ｂ）、電子注入層（２１５ａ、２１５ｂ）、および電荷発生層２０４）につい
ては、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート
法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（
孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイ
クロコンタクト法、ナノインプリント法等）などの方法により形成することができる。
【0107】
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層（２０３ａ、２０３ｂ）を構成する各機能層
（正孔注入層（２１１ａ、２１１ｂ）、正孔輸送層（２１２ａ、２１２ｂ）、発光層（２
１３ａ、２１３ｂ）、電子輸送層（２１４ａ、２１４ｂ）、電子注入層（２１５ａ、２１
５ｂ））や電荷発生層２０４は、上述した材料に限られることはなく、それ以外の材料で
あっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。一例とし
ては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子
と高分子の中間領域の化合物：分子量４００～４０００）、無機化合物（量子ドット材料
等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材
料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料など
を用いることができる。
（正孔注入層（２１１ａ、２１１ｂ）、正孔輸送層（２１２ａ、２１２ｂ）、発光層（２
１３ａ、２１３ｂ）、電子輸送層（２１４ａ、２１４ｂ）、電子注入層（２１５ａ、２１
５ｂ））や電荷発生層２０４は、上述した材料に限られることはなく、それ以外の材料で
あっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。一例とし
ては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子
と高分子の中間領域の化合物：分子量４００～４０００）、無機化合物（量子ドット材料
等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材
料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料など
を用いることができる。
【0108】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが
できるものとする。
できるものとする。
【0109】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について図３（Ａ）を用いて説明する
。なお、図３（Ａ）に示す発光装置は、第１の基板３０１上のトランジスタ（ＦＥＴ）３
０２と発光素子（３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ、３０３Ｗ）が電気的に接続されてなる
アクティブマトリクス型の発光装置であり、複数の発光素子（３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０
３Ｂ、３０３Ｗ）は、共通のＥＬ層３０４を有し、また、各発光素子の発光色に応じて、
各発光素子の電極間の光学距離が調整されたマイクロキャビティ構造を有する。また、Ｅ
Ｌ層３０４から得られた発光が第２の基板３０５に形成されたカラーフィルタ（３０６Ｒ
、３０６Ｇ、３０６Ｂ）を介して射出されるトップエミッション型の発光装置である。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について図３（Ａ）を用いて説明する
。なお、図３（Ａ）に示す発光装置は、第１の基板３０１上のトランジスタ（ＦＥＴ）３
０２と発光素子（３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ、３０３Ｗ）が電気的に接続されてなる
アクティブマトリクス型の発光装置であり、複数の発光素子（３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０
３Ｂ、３０３Ｗ）は、共通のＥＬ層３０４を有し、また、各発光素子の発光色に応じて、
各発光素子の電極間の光学距離が調整されたマイクロキャビティ構造を有する。また、Ｅ
Ｌ層３０４から得られた発光が第２の基板３０５に形成されたカラーフィルタ（３０６Ｒ
、３０６Ｇ、３０６Ｂ）を介して射出されるトップエミッション型の発光装置である。
【0110】
図３（Ａ）に示す発光装置は、第１の電極３０７を反射電極として機能するように形成す
る。また、第２の電極３０８を半透過・半反射電極として機能するように形成する。なお
、第１の電極３０７および第２の電極３０８を形成する電極材料としては、他の実施形態
の記載を参照し、適宜用いればよい。
る。また、第２の電極３０８を半透過・半反射電極として機能するように形成する。なお
、第１の電極３０７および第２の電極３０８を形成する電極材料としては、他の実施形態
の記載を参照し、適宜用いればよい。
【0111】
また、図３（Ａ）において、例えば、発光素子３０３Ｒを赤色発光素子、発光素子３０３
Ｇを緑色発光素子、発光素子３０３Ｂを青色発光素子、発光素子３０３Ｗを白色発光素子
とする場合、図３（Ｂ）に示すように発光素子３０３Ｒは、第１の電極３０７と第２の電
極３０８との間が光学距離３００Ｒとなるように調整し、発光素子３０３Ｇは、第１の電
極３０７と第２の電極３０８との間が光学距離３００Ｇとなるように調整し、発光素子３
０３Ｂは、第１の電極３０７と第２の電極３０８との間が光学距離３００Ｂとなるように
調整する。なお、図３（Ｂ）に示すように、発光素子３０３Ｒにおいて導電層３０７Ｒを
第１の電極３０７に積層し、発光素子３０３Ｇにおいて導電層３０７Ｇを積層することに
より、光学調整を行うことができる。
Ｇを緑色発光素子、発光素子３０３Ｂを青色発光素子、発光素子３０３Ｗを白色発光素子
とする場合、図３（Ｂ）に示すように発光素子３０３Ｒは、第１の電極３０７と第２の電
極３０８との間が光学距離３００Ｒとなるように調整し、発光素子３０３Ｇは、第１の電
極３０７と第２の電極３０８との間が光学距離３００Ｇとなるように調整し、発光素子３
０３Ｂは、第１の電極３０７と第２の電極３０８との間が光学距離３００Ｂとなるように
調整する。なお、図３（Ｂ）に示すように、発光素子３０３Ｒにおいて導電層３０７Ｒを
第１の電極３０７に積層し、発光素子３０３Ｇにおいて導電層３０７Ｇを積層することに
より、光学調整を行うことができる。
【0112】
第２の基板３０５には、カラーフィルタ（３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂ）が形成されて
いる。なお、カラーフィルタは、可視光のうち特定の波長域を通過させ、特定の波長域を
阻止するフィルタである。従って、図３（Ａ）に示すように、発光素子３０３Ｒと重なる
位置に赤の波長域のみを通過させるカラーフィルタ３０６Ｒを設けることにより、発光素
子３０３Ｒから赤色発光を得ることができる。また、発光素子３０３Ｇと重なる位置に緑
の波長域のみを通過させるカラーフィルタ３０６Ｇを設けることにより、発光素子３０３
Ｇから緑色発光を得ることができる。また、発光素子３０３Ｂと重なる位置に青の波長域
のみを通過させるカラーフィルタ３０６Ｂを設けることにより、発光素子３０３Ｂから青
色発光を得ることができる。但し、発光素子３０３Ｗは、カラーフィルタを設けることな
く白色発光を得ることができる。なお、１種のカラーフィルタの端部には、黒色層（ブラ
ックマトリックス）３０９が設けられていてもよい。さらに、カラーフィルタ（３０６Ｒ
、３０６Ｇ、３０６Ｂ）や黒色層３０９は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆わ
れていても良い。
いる。なお、カラーフィルタは、可視光のうち特定の波長域を通過させ、特定の波長域を
阻止するフィルタである。従って、図３（Ａ）に示すように、発光素子３０３Ｒと重なる
位置に赤の波長域のみを通過させるカラーフィルタ３０６Ｒを設けることにより、発光素
子３０３Ｒから赤色発光を得ることができる。また、発光素子３０３Ｇと重なる位置に緑
の波長域のみを通過させるカラーフィルタ３０６Ｇを設けることにより、発光素子３０３
Ｇから緑色発光を得ることができる。また、発光素子３０３Ｂと重なる位置に青の波長域
のみを通過させるカラーフィルタ３０６Ｂを設けることにより、発光素子３０３Ｂから青
色発光を得ることができる。但し、発光素子３０３Ｗは、カラーフィルタを設けることな
く白色発光を得ることができる。なお、１種のカラーフィルタの端部には、黒色層（ブラ
ックマトリックス）３０９が設けられていてもよい。さらに、カラーフィルタ（３０６Ｒ
、３０６Ｇ、３０６Ｂ）や黒色層３０９は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆わ
れていても良い。
【0113】
図３（Ａ）では、第２の基板３０５側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の
発光装置を示したが、ＦＥＴ３０２が形成されている第１の基板３０１側に光を取り出す
構造（ボトムエミッション型）の発光装置としても良い。なお、トップエミッション型の
発光装置の場合には、第１の基板３０１として遮光性の基板および透光性の基板を用いる
ことができるが、ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第１の基板３０１として
透光性の基板を用いる必要がある。
発光装置を示したが、ＦＥＴ３０２が形成されている第１の基板３０１側に光を取り出す
構造（ボトムエミッション型）の発光装置としても良い。なお、トップエミッション型の
発光装置の場合には、第１の基板３０１として遮光性の基板および透光性の基板を用いる
ことができるが、ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第１の基板３０１として
透光性の基板を用いる必要がある。
【0114】
また、図３（Ａ）において、発光素子が、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子、
白色発光素子の場合について示したが、本発明の一態様である発光素子はその構成に限ら
れることはなく、黄色の発光素子や橙色の発光素子を有する構成であっても良い。なお、
これらの発光素子を作製するためにＥＬ層（発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送
層、電子注入層、電荷発生層など）に用いる材料としては、他の実施形態の記載を参照し
、適宜用いればよい。なお、その場合には、また、発光素子の発光色に応じてカラーフィ
ルタを適宜選択する必要がある。
白色発光素子の場合について示したが、本発明の一態様である発光素子はその構成に限ら
れることはなく、黄色の発光素子や橙色の発光素子を有する構成であっても良い。なお、
これらの発光素子を作製するためにＥＬ層（発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送
層、電子注入層、電荷発生層など）に用いる材料としては、他の実施形態の記載を参照し
、適宜用いればよい。なお、その場合には、また、発光素子の発光色に応じてカラーフィ
ルタを適宜選択する必要がある。
【0115】
以上のような構成とすることにより、複数の発光色を呈する発光素子を備えた発光装置を
得ることができる。
得ることができる。
【0116】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる
ことができるものとする。
ことができるものとする。
【0117】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。
【0118】
本発明の一態様である発光素子の素子構成を適用することで、アクティブマトリクス型の
発光装置やパッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。なお、アクティブ
マトリクス型の発光装置は、発光素子とトランジスタ（ＦＥＴ）とを組み合わせた構成を
有する。従って、パッシブマトリクス型の発光装置、アクティブマトリクス型の発光装置
は、いずれも本発明の一態様に含まれる。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の
実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。
発光装置やパッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。なお、アクティブ
マトリクス型の発光装置は、発光素子とトランジスタ（ＦＥＴ）とを組み合わせた構成を
有する。従って、パッシブマトリクス型の発光装置、アクティブマトリクス型の発光装置
は、いずれも本発明の一態様に含まれる。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の
実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。
【0119】
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図４を用いて説明する。
【0120】
なお、図４（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）を鎖線Ａ－Ａ
’で切断した断面図である。アクティブマトリクス型の発光装置は、第１の基板４０１上
に設けられた画素部４０２、駆動回路部（ソース線駆動回路）４０３と、駆動回路部（ゲ
ート線駆動回路）（４０４ａ、４０４ｂ）を有する。画素部４０２および駆動回路部４０
３、４０４ａ、４０４ｂ）は、シール材４０５によって、第１の基板４０１と第２の基板
４０６との間に封止される。
’で切断した断面図である。アクティブマトリクス型の発光装置は、第１の基板４０１上
に設けられた画素部４０２、駆動回路部（ソース線駆動回路）４０３と、駆動回路部（ゲ
ート線駆動回路）（４０４ａ、４０４ｂ）を有する。画素部４０２および駆動回路部４０
３、４０４ａ、４０４ｂ）は、シール材４０５によって、第１の基板４０１と第２の基板
４０６との間に封止される。
【0121】
また、第１の基板４０１上には、引き回し配線４０７が設けられる。引き回し配線４０７
は、外部入力端子であるＦＰＣ４０８と接続される。なお、ＦＰＣ４０８は、駆動回路部
（４０３、４０４ａ、４０４ｂ）に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号
、スタート信号、リセット信号等）や電位を伝達する。また、ＦＰＣ４０８にはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。なお、これらＦＰＣやのＰＷＢが取り
付けられた状態は、発光装置に含まれる。
は、外部入力端子であるＦＰＣ４０８と接続される。なお、ＦＰＣ４０８は、駆動回路部
（４０３、４０４ａ、４０４ｂ）に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号
、スタート信号、リセット信号等）や電位を伝達する。また、ＦＰＣ４０８にはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。なお、これらＦＰＣやのＰＷＢが取り
付けられた状態は、発光装置に含まれる。
【0122】
次に、図４（Ｂ）に断面構造を示す。
【0123】
画素部４０２は、ＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ）４１１、ＦＥＴ（電流制御用ＦＥＴ）
４１２、およびＦＥＴ４１２と電気的に接続された第１の電極４１３を有する複数の画素
により形成される。なお、各画素が有するＦＥＴの数は、特に限定されることはなく、必
要に応じて適宜設けることができる。
４１２、およびＦＥＴ４１２と電気的に接続された第１の電極４１３を有する複数の画素
により形成される。なお、各画素が有するＦＥＴの数は、特に限定されることはなく、必
要に応じて適宜設けることができる。
【0124】
ＦＥＴ４０９、４１０、４１１、４１２は、特に限定されることはなく、例えば、スタガ
型や逆スタガ型などのトランジスタを適用することができる。また、トップゲート型やボ
トムゲート型などのトランジスタ構造であってもよい。
型や逆スタガ型などのトランジスタを適用することができる。また、トップゲート型やボ
トムゲート型などのトランジスタ構造であってもよい。
【0125】
なお、これらのＦＥＴ４０９、４１０、４１１、４１２に用いることのできる半導体の結
晶性については特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、
多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いても
よい。なお、結晶性を有する半導体を用いることで、トランジスタ特性の劣化を抑制でき
るため好ましい。
晶性については特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、
多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いても
よい。なお、結晶性を有する半導体を用いることで、トランジスタ特性の劣化を抑制でき
るため好ましい。
【0126】
また、これらの半導体としては、例えば、第１４族の元素、化合物半導体、酸化物半導体
、有機半導体などを用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウム
ヒ素を含む半導体、インジウムを含む酸化物半導体などを適用することができる。
、有機半導体などを用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウム
ヒ素を含む半導体、インジウムを含む酸化物半導体などを適用することができる。
【0127】
駆動回路部４０３は、ＦＥＴ４０９とＦＥＴ４１０とを有する。なお、ＦＥＴ４０９とＦ
ＥＴ４１０は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路
で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で
形成されても良い。また、外部に駆動回路を有する構成としても良い。
ＥＴ４１０は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路
で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で
形成されても良い。また、外部に駆動回路を有する構成としても良い。
【0128】
第１の電極４１３の端部は、絶縁物４１４により覆われている。なお、絶縁物４１４には
、ネガ型の感光性樹脂や、ポジ型の感光性樹脂（アクリル樹脂）などの有機化合物や、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。絶
縁物４１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面を有するのが好ましい。これに
より、絶縁物４１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。
、ネガ型の感光性樹脂や、ポジ型の感光性樹脂（アクリル樹脂）などの有機化合物や、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。絶
縁物４１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面を有するのが好ましい。これに
より、絶縁物４１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。
【0129】
第１の電極４１３上には、ＥＬ層４１５及び第２の電極４１６が積層形成される。ＥＬ層
４１５は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を
有する。
４１５は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を
有する。
【0130】
なお、本実施の形態で示す発光素子４１７の構成は、他の実施の形態で説明した構成や材
料を適用することができる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極４１６は外部入力
端子であるＦＰＣ４０８に電気的に接続されている。
料を適用することができる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極４１６は外部入力
端子であるＦＰＣ４０８に電気的に接続されている。
【0131】
また、図４（Ｂ）に示す断面図では発光素子４１７を１つのみ図示しているが、画素部４
０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部４０
２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フ
ルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発
光が得られる発光素子の他に、例えば、ホワイト（Ｗ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ
）、シアン（Ｃ）等の発光が得られる発光素子を形成してもよい。例えば、３種類（Ｒ、
Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子に上述の数種類の発光が得られる発光素子を追加する
ことにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果が得ることができる。また、カラー
フィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部４０
２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フ
ルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発
光が得られる発光素子の他に、例えば、ホワイト（Ｗ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ
）、シアン（Ｃ）等の発光が得られる発光素子を形成してもよい。例えば、３種類（Ｒ、
Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子に上述の数種類の発光が得られる発光素子を追加する
ことにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果が得ることができる。また、カラー
フィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【0132】
第１の基板４０１上のＦＥＴ（４０９、４１０、４１１、４１２）や、発光素子４１７は
、第２の基板４０６と第１の基板４０１とをシール材４０５により貼り合わせることによ
り、第１の基板４０１、第２の基板４０６、およびシール材４０５で囲まれた空間４１８
に備えられた構造を有する。なお、空間４１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）や
有機物（シール材４０５を含む）で充填されていてもよい。
、第２の基板４０６と第１の基板４０１とをシール材４０５により貼り合わせることによ
り、第１の基板４０１、第２の基板４０６、およびシール材４０５で囲まれた空間４１８
に備えられた構造を有する。なお、空間４１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）や
有機物（シール材４０５を含む）で充填されていてもよい。
【0133】
シール材４０５には、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いることができる。なお、シ
ール材４０５には、できるだけ水分や酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。ま
た、第２の基板４０６は、第１の基板４０１に用いることができるものを同様に用いるこ
とができる。従って、他の実施形態で説明した様々な基板を適宜用いることができるもの
とする。基板としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ－Ｒｅｉｎｆｏｒｃ
ｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアク
リル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリット
を用いる場合には、接着性の観点から第１の基板４０１及び第２の基板４０６はガラス基
板であることが好ましい。
ール材４０５には、できるだけ水分や酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。ま
た、第２の基板４０６は、第１の基板４０１に用いることができるものを同様に用いるこ
とができる。従って、他の実施形態で説明した様々な基板を適宜用いることができるもの
とする。基板としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ－Ｒｅｉｎｆｏｒｃ
ｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアク
リル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリット
を用いる場合には、接着性の観点から第１の基板４０１及び第２の基板４０６はガラス基
板であることが好ましい。
【0134】
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
【0135】
また、アクティブマトリクス型の発光装置を可撓性基板に形成する場合、可撓性基板上に
ＦＥＴと発光素子とを直接形成しても良いが、剥離層を有する別の基板にＦＥＴと発光素
子を形成した後、熱、力、レーザ照射などを与えることによりＦＥＴと発光素子を剥離層
で剥離し、さらに可撓性基板に転載して作製しても良い。なお、剥離層としては、例えば
、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層や、ポリイミド等の有機樹脂膜等を
用いることができる。また可撓性基板としては、トランジスタを形成することが可能な基
板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、
布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）
若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）
、皮革基板、又はゴム基板などが挙げられる。これらの基板を用いることにより、耐久性
や耐熱性に優れ、軽量化および薄型化を図ることができる。
ＦＥＴと発光素子とを直接形成しても良いが、剥離層を有する別の基板にＦＥＴと発光素
子を形成した後、熱、力、レーザ照射などを与えることによりＦＥＴと発光素子を剥離層
で剥離し、さらに可撓性基板に転載して作製しても良い。なお、剥離層としては、例えば
、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層や、ポリイミド等の有機樹脂膜等を
用いることができる。また可撓性基板としては、トランジスタを形成することが可能な基
板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、
布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）
若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）
、皮革基板、又はゴム基板などが挙げられる。これらの基板を用いることにより、耐久性
や耐熱性に優れ、軽量化および薄型化を図ることができる。
【0136】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができる。
ることができる。
【0137】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用して完成させた様々な電子機器
や自動車の一例について、説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用して完成させた様々な電子機器
や自動車の一例について、説明する。
【0138】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジ
ョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。これらの電子機器の具体例を図５、図６に示す。
ョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。これらの電子機器の具体例を図５、図６に示す。
【0139】
図５（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐
体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示す
ることが可能であり、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）
であってもよい。なお、本発明の一態様である発光装置を表示部７１０３に用いることが
できる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示して
いる。
体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示す
ることが可能であり、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）
であってもよい。なお、本発明の一態様である発光装置を表示部７１０３に用いることが
できる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示して
いる。
【0140】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー
７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機
７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
コン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー
７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機
７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【0141】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【0142】
図５（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キー
ボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。
なお、コンピュータは、本発明の一態様である発光装置をその表示部７２０３に用いるこ
とにより作製することができる。また、表示部７２０３は、タッチセンサ（入力装置）を
搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
ボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。
なお、コンピュータは、本発明の一態様である発光装置をその表示部７２０３に用いるこ
とにより作製することができる。また、表示部７２０３は、タッチセンサ（入力装置）を
搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
【0143】
図５（Ｃ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示部７３０４、操作ボタン７
３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。
３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。
【0144】
ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示部７３０４は、非矩形状の表示領域を
有している。表示部７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０
６等を表示することができる。また、表示部７３０４は、タッチセンサ（入力装置）を搭
載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
有している。表示部７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０
６等を表示することができる。また、表示部７３０４は、タッチセンサ（入力装置）を搭
載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
【0145】
なお、図５（Ｃ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば
、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネ
ル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラ
ム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュ
ータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を
行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示す
る機能、等を有することができる。
、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネ
ル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラ
ム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュ
ータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を
行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示す
る機能、等を有することができる。
【0146】
また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速
度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むも
の）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光装置を
その表示部７３０４に用いることにより作製することができる。
度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むも
の）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光装置を
その表示部７３０４に用いることにより作製することができる。
【0147】
図５（Ｄ）は、携帯電話機（スマートフォンを含む）の一例を示している。携帯電話機７
４００は、筐体７４０１に、表示部７４０２、マイク７４０６、スピーカ７４０５、カメ
ラ７４０７、外部接続部７４０４、操作用ボタン７４０３などを備えている。また、本発
明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成して発光装置を作製した場合、
図５（Ｄ）に示すような曲面を有する表示部７４０２に適用することが可能である。
４００は、筐体７４０１に、表示部７４０２、マイク７４０６、スピーカ７４０５、カメ
ラ７４０７、外部接続部７４０４、操作用ボタン７４０３などを備えている。また、本発
明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成して発光装置を作製した場合、
図５（Ｄ）に示すような曲面を有する表示部７４０２に適用することが可能である。
【0148】
図５（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【0149】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【0150】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。
【0151】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出装置を設ける
ことで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示
を自動的に切り替えるようにすることができる。
ことで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示
を自動的に切り替えるようにすることができる。
【0152】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作
用ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
用ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【0153】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【0154】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【0155】
さらに、携帯電話機（スマートフォンを含む）の別の構成として、図５（Ｄ’－１）や図
５（Ｄ’－２）のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。
５（Ｄ’－２）のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。
【0156】
なお、図５（Ｄ’－１）や図５（Ｄ’－２）のような構造を有する場合には、文字情報や
画像情報などを筐体７５００（１）、７５００（２）の第１面７５０１（１）、７５０１
（２）だけでなく、第２面７５０２（１）、７５０２（２）に表示させることができる。
このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、
第２面７５０２（１）、７５０２（２）などに表示された文字情報や画像情報などを使用
者が容易に確認することができる。
画像情報などを筐体７５００（１）、７５００（２）の第１面７５０１（１）、７５０１
（２）だけでなく、第２面７５０２（１）、７５０２（２）に表示させることができる。
このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、
第２面７５０２（１）、７５０２（２）などに表示された文字情報や画像情報などを使用
者が容易に確認することができる。
【0157】
また、発光装置を適用した電子機器として、図６（Ａ）～（Ｃ）に示すような折りたたみ
可能な携帯情報端末が挙げられる。図６（Ａ）には、展開した状態の携帯情報端末９３１
０を示す。また、図６（Ｂ）には、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に
変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。さらに、図６（Ｃ）には、折りたた
んだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態で
は可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優
れる。
可能な携帯情報端末が挙げられる。図６（Ａ）には、展開した状態の携帯情報端末９３１
０を示す。また、図６（Ｂ）には、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に
変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。さらに、図６（Ｃ）には、折りたた
んだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態で
は可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優
れる。
【0158】
表示部９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されてい
る。なお、表示部９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出
力装置）であってもよい。また、表示部９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体
９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたた
んだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部９３１
１に用いることができる。表示部９３１１における表示領域９３１２は折りたたんだ状態
の携帯情報端末９３１０の側面に位置する表示領域である。表示領域９３１２には、情報
アイコンや使用頻度の高いアプリやプログラムのショートカットなどを表示させることが
でき、情報の確認やアプリなどの起動をスムーズに行うことができる。
る。なお、表示部９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出
力装置）であってもよい。また、表示部９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体
９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたた
んだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部９３１
１に用いることができる。表示部９３１１における表示領域９３１２は折りたたんだ状態
の携帯情報端末９３１０の側面に位置する表示領域である。表示領域９３１２には、情報
アイコンや使用頻度の高いアプリやプログラムのショートカットなどを表示させることが
でき、情報の確認やアプリなどの起動をスムーズに行うことができる。
【0159】
また、発光装置を適用した自動車を図７（Ａ）（Ｂ）に示す。すなわち、発光装置を、自
動車と一体にして設けることができる。具体的には、図７（Ａ）に示す自動車の外側のラ
イト５１０１（車体後部も含む）、タイヤのホイール５１０２、ドア５１０３の一部また
は全体などに適用することができる。また、図７（Ｂ）に示す自動車の内側の表示部５１
０４、ハンドル５１０５、シフトレバー５１０６、座席シート５１０７、インナーリアビ
ューミラー５１０８等に適用することができる。その他、ガラス窓の一部に適用してもよ
い。
動車と一体にして設けることができる。具体的には、図７（Ａ）に示す自動車の外側のラ
イト５１０１（車体後部も含む）、タイヤのホイール５１０２、ドア５１０３の一部また
は全体などに適用することができる。また、図７（Ｂ）に示す自動車の内側の表示部５１
０４、ハンドル５１０５、シフトレバー５１０６、座席シート５１０７、インナーリアビ
ューミラー５１０８等に適用することができる。その他、ガラス窓の一部に適用してもよ
い。
【0160】
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器や自動車を得るこ
とができる。なお、適用できる電子機器や自動車は、本実施の形態に示したものに限らず
、あらゆる分野において適用することが可能である。
とができる。なお、適用できる電子機器や自動車は、本実施の形態に示したものに限らず
、あらゆる分野において適用することが可能である。
【0161】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
ることができる。
【0162】
【0163】
図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）には、照明装置の断面図の一例を示す。なお、図８
（Ａ）、（Ｂ）は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の照明装置であり、図８（
Ｃ）、（Ｄ）は、封止基板側に光を取り出すトップエミッション型の照明装置である。
（Ａ）、（Ｂ）は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の照明装置であり、図８（
Ｃ）、（Ｄ）は、封止基板側に光を取り出すトップエミッション型の照明装置である。
【0164】
図８（Ａ）に示す照明装置４０００は、基板４００１上に発光素子４００２を有する。ま
た、基板４００１の外側に凹凸を有する基板４００３を有する。発光素子４００２は、第
１の電極４００４と、ＥＬ層４００５と、第２の電極４００６を有する。
た、基板４００１の外側に凹凸を有する基板４００３を有する。発光素子４００２は、第
１の電極４００４と、ＥＬ層４００５と、第２の電極４００６を有する。
【0165】
第１の電極４００４は、電極４００７と電気的に接続され、第２の電極４００６は電極４
００８と電気的に接続される。また、第１の電極４００４と電気的に接続される補助配線
４００９を設けてもよい。なお、補助配線４００９上には、絶縁層４０１０が形成されて
いる。
００８と電気的に接続される。また、第１の電極４００４と電気的に接続される補助配線
４００９を設けてもよい。なお、補助配線４００９上には、絶縁層４０１０が形成されて
いる。
【0166】
また、基板４００１と封止基板４０１１は、シール材４０１２で接着されている。また、
封止基板４０１１と発光素子４００２の間には、乾燥剤４０１３が設けられていることが
好ましい。なお、基板４００３は、図８（Ａ）のような凹凸を有するため、発光素子４０
０２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
封止基板４０１１と発光素子４００２の間には、乾燥剤４０１３が設けられていることが
好ましい。なお、基板４００３は、図８（Ａ）のような凹凸を有するため、発光素子４０
０２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
【0167】
また、基板４００３に代えて、図８（Ｂ）の照明装置４１００のように、基板４００１の
外側に拡散板４０１５を設けてもよい。
外側に拡散板４０１５を設けてもよい。
【0168】
【0169】
第１の電極４２０４は、電極４２０７と電気的に接続され、第２の電極４２０６は電極４
２０８と電気的に接続される。また第２の電極４２０６と電気的に接続される補助配線４
２０９を設けてもよい。また、補助配線４２０９の下部に、絶縁層４２１０を設けてもよ
い。
２０８と電気的に接続される。また第２の電極４２０６と電気的に接続される補助配線４
２０９を設けてもよい。また、補助配線４２０９の下部に、絶縁層４２１０を設けてもよ
い。
【0170】
基板４２０１と凹凸のある封止基板４２１１は、シール材４２１２で接着されている。ま
た、封止基板４２１１と発光素子４２０２の間にバリア膜４２１３および平坦化膜４２１
４を設けてもよい。なお、封止基板４２１１は、図８（Ｃ）のような凹凸を有するため、
発光素子４２０２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
た、封止基板４２１１と発光素子４２０２の間にバリア膜４２１３および平坦化膜４２１
４を設けてもよい。なお、封止基板４２１１は、図８（Ｃ）のような凹凸を有するため、
発光素子４２０２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
【0171】
また、封止基板４２１１に代えて、図８（Ｄ）の照明装置４３００のように、発光素子４
２０２の上に拡散板４２１５を設けてもよい。
２０２の上に拡散板４２１５を設けてもよい。
【0172】
なお、本実施の形態で示すように、本発明の一態様である発光素子または発光装置を適用
することで、消費電力の低い照明装置を提供することができる。
することで、消費電力の低い照明装置を提供することができる。
【0173】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
ることができる。
【0174】
【0175】
室内の照明装置としては、シーリングライト８００１として応用できる。シーリングライ
ト８００１には、天井直付型や天井埋め込み型がある。その他にもコードペンダント型（
天井からのコード吊り下げ式）への応用も可能である。
ト８００１には、天井直付型や天井埋め込み型がある。その他にもコードペンダント型（
天井からのコード吊り下げ式）への応用も可能である。
【0176】
また、足元灯８００２は、床面に灯りを照射し、足元の安全性を高めることができる。例
えば、寝室や階段や通路などに使用するのが有効である。その場合、部屋の広さや構造に
応じて適宜サイズや形状を変えることができる。
えば、寝室や階段や通路などに使用するのが有効である。その場合、部屋の広さや構造に
応じて適宜サイズや形状を変えることができる。
【0177】
また、シート状照明８００３は、薄型のシート状の照明装置である。壁面に張り付けて使
用するため、場所を取らず幅広い用途に用いることができる。なお、大面積化も容易であ
る。なお、曲面を有する壁面や筐体に用いることもできる。
用するため、場所を取らず幅広い用途に用いることができる。なお、大面積化も容易であ
る。なお、曲面を有する壁面や筐体に用いることもできる。
【0178】
また、光源からの光が所望の方向のみに制御された照明装置８００４を用いることもでき
る。
る。
【0179】
なお、上記以外にも室内に備えられた家具の一部に発光装置を適用することにより、家具
としての機能を備えた照明装置とすることができる。
としての機能を備えた照明装置とすることができる。
【0180】
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置
は本発明の一態様に含まれるものとする。
は本発明の一態様に含まれるものとする。
【0181】
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
ることができる。
【0182】
【0183】
【0184】
【0185】
表示パネル２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することが
できる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にま
で引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９
（１）と電気的に接続する。
できる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にま
で引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９
（１）と電気的に接続する。
【0186】
基板２５９０には、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する
複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回
され、その一部は端子２５９９を構成する。そして、端子２５９９はＦＰＣ２５０９（２
）と電気的に接続される。なお、図１０（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側
（基板２５７０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実
線で示している。
複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回
され、その一部は端子２５９９を構成する。そして、端子２５９９はＦＰＣ２５０９（２
）と電気的に接続される。なお、図１０（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側
（基板２５７０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実
線で示している。
【0187】
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【0188】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式など
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【0189】
まず、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図１０（Ｂ）を用い
て説明する。なお、投影型静電容量方式の場合には、指等の検知対象の近接または接触を
検知することができる、様々なセンサを適用することができる。
て説明する。なお、投影型静電容量方式の場合には、指等の検知対象の近接または接触を
検知することができる、様々なセンサを適用することができる。
【0190】
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有する
。電極２５９１と電極２５９２は、複数の配線２５９８のうちのそれぞれ異なる配線と電
気的に接続する。また、電極２５９２は、図１０（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰
り返し配置された複数の四辺形が角部で配線２５９４により、一方向に接続される形状を
有する。電極２５９１も同様に複数の四辺形が角部で接続される形状を有するが、接続さ
れる方向は、電極２５９２が接続される方向と交差する方向となる。なお、電極２５９１
が接続される方向と、電極２５９２が接続される方向とは、必ずしも直交する関係にある
必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
。電極２５９１と電極２５９２は、複数の配線２５９８のうちのそれぞれ異なる配線と電
気的に接続する。また、電極２５９２は、図１０（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰
り返し配置された複数の四辺形が角部で配線２５９４により、一方向に接続される形状を
有する。電極２５９１も同様に複数の四辺形が角部で接続される形状を有するが、接続さ
れる方向は、電極２５９２が接続される方向と交差する方向となる。なお、電極２５９１
が接続される方向と、電極２５９２が接続される方向とは、必ずしも直交する関係にある
必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
【0191】
なお、配線２５９４の電極２５９２との交差部の面積は、できるだけ小さくなる形状が好
ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキ
を低減できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減す
ることができる。
ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキ
を低減できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減す
ることができる。
【0192】
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りうる
。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介し
て電極２５９２を複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２
の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面
積を低減できるため好ましい。
。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介し
て電極２５９２を複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２
の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面
積を低減できるため好ましい。
【0193】
【0194】
タッチパネル２０００は、タッチセンサ２５９５と表示パネル２５０１とを有する。
【0195】
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０に接して千鳥格子状に配置された電極２５９１及
び電極２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電
極２５９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。なお、隣り合う電極２５９１の
間には、電極２５９２が設けられている。
び電極２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電
極２５９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。なお、隣り合う電極２５９１の
間には、電極２５９２が設けられている。
【0196】
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成することができ
る。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジ
ウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いるこ
とができる。また、グラフェン化合物を用いることもできる。なお、グラフェン化合物を
用いる場合は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを還元して形成することができる
。還元する方法としては、熱を加える方法やレーザを照射する方法等を挙げることができ
る。
る。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジ
ウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いるこ
とができる。また、グラフェン化合物を用いることもできる。なお、グラフェン化合物を
用いる場合は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを還元して形成することができる
。還元する方法としては、熱を加える方法やレーザを照射する方法等を挙げることができ
る。
【0197】
電極２５９１及び電極２５９２の形成方法としては、例えば、透光性を有する導電性材料
を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々
なパターニング技術により、不要な部分を除去することで形成することができる。
を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々
なパターニング技術により、不要な部分を除去することで形成することができる。
【0198】
絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂
、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機絶縁材料を用いることができる。
、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機絶縁材料を用いることができる。
【0199】
また、絶縁層２５９３の一部に形成された配線２５９４により、隣接する電極２５９１が
電気的に接続される。なお、配線２５９４に用いる材料は、電極２５９１及び電極２５９
２に用いる材料よりも導電性の高い材料を用いることにより電気抵抗を低減することがで
きるため好ましい。
電気的に接続される。なお、配線２５９４に用いる材料は、電極２５９１及び電極２５９
２に用いる材料よりも導電性の高い材料を用いることにより電気抵抗を低減することがで
きるため好ましい。
【0200】
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。なお、
配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８には、例えば、アルミニウム
、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト
、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができ
る。
配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８には、例えば、アルミニウム
、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト
、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができ
る。
【0201】
また、端子２５９９により、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）とが電気的に接続され
る。なお、端子２５９９には、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
る。なお、端子２５９９には、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【0202】
また、配線２５９４に接して接着層２５９７が設けられる。すなわち、タッチセンサ２５
９５は、接着層２５９７を介して、表示パネル２５０１に重なるように張り合わされる。
なお、接着層２５９７と接する表示パネル２５０１の表面は、図１１（Ａ）に示すように
基板２５７０を有していてもよいが、必ずしも必要ではない。
９５は、接着層２５９７を介して、表示パネル２５０１に重なるように張り合わされる。
なお、接着層２５９７と接する表示パネル２５０１の表面は、図１１（Ａ）に示すように
基板２５７０を有していてもよいが、必ずしも必要ではない。
【0203】
接着層２５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができ、具体的には、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロ
キサン系樹脂を用いることができる。
とができ、具体的には、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロ
キサン系樹脂を用いることができる。
【0204】
【0205】
図１１（Ａ）には、表示パネル２５０１の画素の一例として、画素２５０２Ｒを示し、駆
動回路の一例として走査線駆動回路２５０３ｇを示す。
動回路の一例として走査線駆動回路２５０３ｇを示す。
【0206】
画素２５０２Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、発光素子２５５０Ｒに電力を供給することが
できるトランジスタ２５０２ｔとを有する。
できるトランジスタ２５０２ｔとを有する。
【0207】
トランジスタ２５０２ｔは、絶縁層２５２１で覆われている。なお、絶縁層２５２１は、
先に形成されたトランジスタ等に起因する凹凸を平坦化するための機能を有する。また、
絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい。この場合、不純物の
拡散によるトランジスタ等の信頼性の低下を抑制できるので好ましい。
先に形成されたトランジスタ等に起因する凹凸を平坦化するための機能を有する。また、
絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい。この場合、不純物の
拡散によるトランジスタ等の信頼性の低下を抑制できるので好ましい。
【0208】
発光素子２５５０Ｒは、トランジスタ２５０２ｔと配線を介して電気的に接続される。な
お、配線と直接接続されるのは、発光素子２５５０Ｒの一方の電極である。なお、発光素
子２５５０Ｒの一方の電極の端部は、絶縁体２５２８で覆われている。
お、配線と直接接続されるのは、発光素子２５５０Ｒの一方の電極である。なお、発光素
子２５５０Ｒの一方の電極の端部は、絶縁体２５２８で覆われている。
【0209】
発光素子２５５０Ｒは、一対の電極間にＥＬ層を有してなる。また、発光素子２５５０Ｒ
と重なる位置に着色層２５６７Ｒが設けられており、発光素子２５５０Ｒが発する光の一
部は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向に射出される。また、着色層
の端部に遮光層２５６７ＢＭが設けられており、発光素子２５５０Ｒと着色層２５６７Ｒ
との間には、封止層２５６０を有する。
と重なる位置に着色層２５６７Ｒが設けられており、発光素子２５５０Ｒが発する光の一
部は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向に射出される。また、着色層
の端部に遮光層２５６７ＢＭが設けられており、発光素子２５５０Ｒと着色層２５６７Ｒ
との間には、封止層２５６０を有する。
【0210】
なお、発光素子２５５０Ｒからの光を取り出す方向に封止層２５６０が設けられている場
合には、封止層２５６０は、透光性を有するのが好ましい。また、封止層２５６０は、空
気より大きい屈折率を有すると好ましい。
合には、封止層２５６０は、透光性を有するのが好ましい。また、封止層２５６０は、空
気より大きい屈折率を有すると好ましい。
【0211】
走査線駆動回路２５０３ｇは、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃとを有す
る。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。従っ
て、画素回路のトランジスタ２５０２ｔと同様に、駆動回路（走査線駆動回路２５０３ｇ
）のトランジスタ２５０３ｔも絶縁層２５２１で覆われている。
る。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。従っ
て、画素回路のトランジスタ２５０２ｔと同様に、駆動回路（走査線駆動回路２５０３ｇ
）のトランジスタ２５０３ｔも絶縁層２５２１で覆われている。
【0212】
また、トランジスタ２５０３ｔに信号を供給することができる配線２５１１が設けられて
いる。なお、配線２５１１と接して端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９は、
ＦＰＣ２５０９（１）と電気的に接続されており、ＦＰＣ２５０９（１）は、画像信号及
び同期信号等の信号を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２５０９（１）にはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
いる。なお、配線２５１１と接して端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９は、
ＦＰＣ２５０９（１）と電気的に接続されており、ＦＰＣ２５０９（１）は、画像信号及
び同期信号等の信号を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２５０９（１）にはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【0213】
図１１（Ａ）において示す表示パネル２５０１には、ボトムゲート型のトランジスタを適
用する場合について示したが、トランジスタの構造はこれに限られることはなく様々な構
造のトランジスタを適用することができる。また、図１１（Ａ）に示す、トランジスタ２
５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔには、酸化物半導体を含む半導体層をチャネル領域
として用いることができる。その他、アモルファスシリコンを含む半導体層や、レーザー
アニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層をチャネル領域と
して用いることができる。
用する場合について示したが、トランジスタの構造はこれに限られることはなく様々な構
造のトランジスタを適用することができる。また、図１１（Ａ）に示す、トランジスタ２
５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔには、酸化物半導体を含む半導体層をチャネル領域
として用いることができる。その他、アモルファスシリコンを含む半導体層や、レーザー
アニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層をチャネル領域と
して用いることができる。
【0214】
また、図１１（Ａ）に示すボトムゲート型のトランジスタとは異なるトップゲート型のト
ランジスタを適用する場合の構成について、図１１（Ｂ）に示す。なお、トランジスタの
構造が変わった場合でも、チャネル領域に用いることができる半導体層のバリエーション
については同様とする。
ランジスタを適用する場合の構成について、図１１（Ｂ）に示す。なお、トランジスタの
構造が変わった場合でも、チャネル領域に用いることができる半導体層のバリエーション
については同様とする。
【0215】
図１１（Ａ）で示したタッチパネル２０００は、図１１（Ａ）に示すように画素からの光
が外部に射出される側の表面に、少なくとも画素と重なるように反射防止層２５６７ｐを
有するのが好ましい。なお、反射防止層２５６７ｐとして、円偏光板等を用いることがで
きる。
が外部に射出される側の表面に、少なくとも画素と重なるように反射防止層２５６７ｐを
有するのが好ましい。なお、反射防止層２５６７ｐとして、円偏光板等を用いることがで
きる。
【0216】
図１１（Ａ）で示した基板２５１０、基板２５７０、基板２５９０としては、例えば、水
蒸気の透過率が１×１０－５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０－６ｇ／（
ｍ２・ｄａｙ）以下である可撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、こ
れらの基板の熱膨張率が、およそ等しい材料を用いることが好ましい。例えば、線膨張率
が１×１０－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０－５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０－
５／Ｋ以下である材料が挙げられる。
蒸気の透過率が１×１０－５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０－６ｇ／（
ｍ２・ｄａｙ）以下である可撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、こ
れらの基板の熱膨張率が、およそ等しい材料を用いることが好ましい。例えば、線膨張率
が１×１０－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０－５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０－
５／Ｋ以下である材料が挙げられる。
【0217】
【0218】
図１２には、タッチパネル２０００’の断面図を示す。図１２に示すタッチパネル２００
０’は、図１１に示すタッチパネル２０００と、表示パネル２５０１に対するタッチセン
サ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成についてのみ説明し、同様の構成を用い
ることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用することとする。
０’は、図１１に示すタッチパネル２０００と、表示パネル２５０１に対するタッチセン
サ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成についてのみ説明し、同様の構成を用い
ることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用することとする。
【0219】
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１２（Ａ）に示
す発光素子２５５０Ｒからの光は、トランジスタ２５０２ｔが設けられている方向に射出
される。すなわち、発光素子２５５０Ｒからの光（一部）は、着色層２５６７Ｒを透過し
て、図中に示す矢印の方向に射出される。なお、着色層２５６７Ｒの端部には遮光層２５
６７ＢＭが設けられている。
す発光素子２５５０Ｒからの光は、トランジスタ２５０２ｔが設けられている方向に射出
される。すなわち、発光素子２５５０Ｒからの光（一部）は、着色層２５６７Ｒを透過し
て、図中に示す矢印の方向に射出される。なお、着色層２５６７Ｒの端部には遮光層２５
６７ＢＭが設けられている。
【0220】
また、タッチセンサ２５９５は、表示パネル２５０１の発光素子２５５０Ｒから見てトラ
ンジスタ２５０２ｔが設けられている側に設けられている（図１２（Ａ）参照）。
ンジスタ２５０２ｔが設けられている側に設けられている（図１２（Ａ）参照）。
【0221】
また、接着層２５９７は、表示パネル２５０１が有する基板２５１０と接しており、図１
２（Ａ）に示す構造の場合には、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５とを貼り合
わせている。但し、接着層２５９７により貼り合わされる表示パネル２５０１とタッチセ
ンサ２５９５との間に基板２５１０を設けない構成としてもよい。
２（Ａ）に示す構造の場合には、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５とを貼り合
わせている。但し、接着層２５９７により貼り合わされる表示パネル２５０１とタッチセ
ンサ２５９５との間に基板２５１０を設けない構成としてもよい。
【0222】
また、タッチパネル２０００の場合と同様にタッチパネル２０００’の場合も表示パネル
２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。なお、図１２（Ａ）
においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について示したが、図１２（
Ｂ）に示すようにトップゲート型のトランジスタを適用してもよい。
２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。なお、図１２（Ａ）
においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について示したが、図１２（
Ｂ）に示すようにトップゲート型のトランジスタを適用してもよい。
【0223】
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図１３を用いて説明を行う。
【0224】
図１３（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図１３（
Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、図
１３（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１－Ｘ６として、電流の変化
を検知する電極２６２２をＹ１－Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。また
、図１３（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量２
６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換え
てもよい。
Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、図
１３（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１－Ｘ６として、電流の変化
を検知する電極２６２２をＹ１－Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。また
、図１３（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量２
６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換え
てもよい。
【0225】
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１－Ｘ６の配線に順にパルス電圧を印加するための回
路である。Ｘ１－Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する
電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等に
より容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、また
は接触を検出することができる。
路である。Ｘ１－Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する
電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等に
より容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、また
は接触を検出することができる。
【0226】
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１～Ｙ６の配線で
の電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙ６の配線では、被検知体の近接、ま
たは接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接
触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出
は、積分回路等を用いて行えばよい。
の電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙ６の配線では、被検知体の近接、ま
たは接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接
触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出
は、積分回路等を用いて行えばよい。
【0227】
次に、図１３（Ｂ）には、図１３（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出
力波形のタイミングチャートを示す。図１３（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被
検知体の検出を行うものとする。また図１３（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非
タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なお
Ｙ１－Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示してい
る。
力波形のタイミングチャートを示す。図１３（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被
検知体の検出を行うものとする。また図１３（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非
タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なお
Ｙ１－Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示してい
る。
【0228】
Ｘ１－Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１－Ｙ
６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘ６の
配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接ま
たは接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する
。このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘ６の
配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接ま
たは接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する
。このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
【0229】
また、図１３（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設けるパ
ッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型
のタッチセンサとしてもよい。図１４にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセ
ンサ回路の例を示している。
ッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型
のタッチセンサとしてもよい。図１４にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセ
ンサ回路の例を示している。
【0230】
図１４に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ２
６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
【0231】
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に電
圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１の
ゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方がト
ランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳＳ
が与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたはド
レインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳ
が与えられる。
圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１の
ゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方がト
ランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳＳ
が与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたはド
レインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳ
が与えられる。
【0232】
次に、図１４に示すセンサ回路の動作について説明する。まず信号Ｇ２としてトランジス
タ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲートが
接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２として
トランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持
される。続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変
化することに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
タ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲートが
接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２として
トランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持
される。続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変
化することに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
【0233】
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノー
ドｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流
が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出すること
ができる。
ドｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流
が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出すること
ができる。
【0234】
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、酸
化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにトラ
ンジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を長
期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リフ
レッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにトラ
ンジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を長
期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リフ
レッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
【0235】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
ることができる。
【0236】
（実施の形態９）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置として、反射型の
液晶素子と、発光素子と、を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことので
きる表示装置について、図１５～図１７を用いて説明する。なお、このような表示装置は
、ＥＲ－ｈｙｂｒｉｄ ｄｉｓｐｌａｙ（Ｅｍｉｓｓｉｖｅ ＯＬＥＤ ａｎｄ Ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣ Ｈｙｂｒｉｄ ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ぶことができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置として、反射型の
液晶素子と、発光素子と、を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことので
きる表示装置について、図１５～図１７を用いて説明する。なお、このような表示装置は
、ＥＲ－ｈｙｂｒｉｄ ｄｉｓｐｌａｙ（Ｅｍｉｓｓｉｖｅ ＯＬＥＤ ａｎｄ Ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｖｅ ＬＣ Ｈｙｂｒｉｄ ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ぶことができる。
【0237】
なお、本実施の形態で示す表示装置は、屋外など外光の明るい場所において、反射モード
を用いた表示により、極めて電力消費が低い駆動を行うことができる。一方、夜間や室内
など外光が暗い場所では、透過モードを用いた表示により、最適な輝度で画像を表示する
ことができるという特徴を有する。従って、これらを組み合わせて表示させることにより
、従来の表示パネルに比べて、低い消費電力で、且つコントラストの高い表示を行うこと
ができる。
を用いた表示により、極めて電力消費が低い駆動を行うことができる。一方、夜間や室内
など外光が暗い場所では、透過モードを用いた表示により、最適な輝度で画像を表示する
ことができるという特徴を有する。従って、これらを組み合わせて表示させることにより
、従来の表示パネルに比べて、低い消費電力で、且つコントラストの高い表示を行うこと
ができる。
【0238】
本実施の形態で示す表示装置の一例としては、反射電極を備えた液晶素子と、発光素子と
が積層され、発光素子と重なる位置に反射電極の開口部が設けられ、反射モードの際には
可視光を反射電極によって反射させ、透過モードの場合には、反射電極の開口部から発光
素子の光が射出される構成を有する表示装置について示す。なお、これらの素子（液晶素
子および発光素子）の駆動に用いるトランジスタは、同一平面上に配置されていることが
好ましい。また、積層される液晶素子と、発光素子とは、絶縁層を介して形成されること
が好ましい。
が積層され、発光素子と重なる位置に反射電極の開口部が設けられ、反射モードの際には
可視光を反射電極によって反射させ、透過モードの場合には、反射電極の開口部から発光
素子の光が射出される構成を有する表示装置について示す。なお、これらの素子（液晶素
子および発光素子）の駆動に用いるトランジスタは、同一平面上に配置されていることが
好ましい。また、積層される液晶素子と、発光素子とは、絶縁層を介して形成されること
が好ましい。
【0239】
図１５（Ａ）には、本実施の形態で説明する表示装置のブロック図を示す。表示装置３０
００は、回路（Ｇ）３００１、回路（Ｓ）３００２、および表示部３００３を有する。な
お、表示部３００３には、画素３００４が、方向Ｒ及び方向Ｃにマトリクス状に複数配置
されている。また、回路（Ｇ）３００１は、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、及び配線
ＣＳＣＯＭが、それぞれ複数電気的に接続されており、さらにこれらの配線は、方向Ｒに
複数配列された画素３００４とも電気的に接続されている。回路（Ｓ）３００２は、配線
Ｓ１及び配線Ｓ２が、それぞれ複数電気的に接続されており、さらにこれらの配線は、方
向Ｃに複数配列された画素３００４とも電気的に接続されている。
００は、回路（Ｇ）３００１、回路（Ｓ）３００２、および表示部３００３を有する。な
お、表示部３００３には、画素３００４が、方向Ｒ及び方向Ｃにマトリクス状に複数配置
されている。また、回路（Ｇ）３００１は、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、及び配線
ＣＳＣＯＭが、それぞれ複数電気的に接続されており、さらにこれらの配線は、方向Ｒに
複数配列された画素３００４とも電気的に接続されている。回路（Ｓ）３００２は、配線
Ｓ１及び配線Ｓ２が、それぞれ複数電気的に接続されており、さらにこれらの配線は、方
向Ｃに複数配列された画素３００４とも電気的に接続されている。
【0240】
また、画素３００４は、液晶素子と発光素子を有し、これらは、互いに重なる部分を有す
る。
る。
【0241】
図１５（Ｂ１）には、画素３００４が有する液晶素子の反射電極として機能する導電膜３
００５の形状について示す。なお、導電膜３００５の一部で発光素子と重なる位置３００
６に開口部３００７が設けられている。すなわち、発光素子からの光は、この開口部３０
０７を介して射出される。
００５の形状について示す。なお、導電膜３００５の一部で発光素子と重なる位置３００
６に開口部３００７が設けられている。すなわち、発光素子からの光は、この開口部３０
０７を介して射出される。
【0242】
図１５（Ｂ１）に示す画素３００４は、方向Ｒに隣接する画素３００４が異なる色を呈す
るように配列されている。さらに、開口部３００７は、方向Ｒに一列に配列されることの
ないように設けられている。このような配列にすることは、隣接する画素３００４が有す
る発光素子間におけるクロストークを抑制する効果を有する。さらに、素子形成が容易に
なるといったメリットも有する。
るように配列されている。さらに、開口部３００７は、方向Ｒに一列に配列されることの
ないように設けられている。このような配列にすることは、隣接する画素３００４が有す
る発光素子間におけるクロストークを抑制する効果を有する。さらに、素子形成が容易に
なるといったメリットも有する。
【0243】
開口部３００７の形状としては、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形
状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状等の形状としてもよい。
状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状等の形状としてもよい。
【0244】
なお、導電膜３００５の配列のバリエーションとしては、図１５（Ｂ２）に示す配列とし
てもよい。
てもよい。
【0245】
導電膜３００５の総面積（開口部３００７を除く）に対する開口部３００７の割合は、表
示装置の表示に影響を与える。すなわち、開口部３００７の面積が大きいと液晶素子によ
る表示が暗くなり、開口部３００７の面積が小さいと発光素子による表示が暗くなるとい
う問題が生じる。また、上記の比率だけでなく、開口部３００７の面積そのものが小さい
場合にも、発光素子から射出される光の取り出し効率が低下するという問題が生じる。な
お、上記導電膜３００５の総面積（開口部３００７を除く）に対する開口部３００７の面
積の割合としては、５％以上６０％以下とするのが液晶素子および発光素子を組み合わせ
た際の表示品位を保つ上で好ましい。
示装置の表示に影響を与える。すなわち、開口部３００７の面積が大きいと液晶素子によ
る表示が暗くなり、開口部３００７の面積が小さいと発光素子による表示が暗くなるとい
う問題が生じる。また、上記の比率だけでなく、開口部３００７の面積そのものが小さい
場合にも、発光素子から射出される光の取り出し効率が低下するという問題が生じる。な
お、上記導電膜３００５の総面積（開口部３００７を除く）に対する開口部３００７の面
積の割合としては、５％以上６０％以下とするのが液晶素子および発光素子を組み合わせ
た際の表示品位を保つ上で好ましい。
【0246】
【0247】
画素３００４は、トランジスタＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３０１０、トランジスタ
ＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子３０１１等を有する。なお、これ
らは、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２のい
ずれかと画素３００４において、電気的に接続されている。また、液晶素子３０１０は配
線ＶＣＯＭ１と、発光素子３０１１は配線ＶＣＯＭ２と、それぞれ電気的に接続されてい
る。
ＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子３０１１等を有する。なお、これ
らは、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２のい
ずれかと画素３００４において、電気的に接続されている。また、液晶素子３０１０は配
線ＶＣＯＭ１と、発光素子３０１１は配線ＶＣＯＭ２と、それぞれ電気的に接続されてい
る。
【0248】
また、トランジスタＳＷ１のゲートは、配線Ｇ１と接続され、トランジスタＳＷ１のソー
ス又はドレインの一方は、配線Ｓ１と接続され、ソース又はドレインの他方は、容量素子
Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子３０１０の一方の電極と接続されている。なお、容量素
子Ｃ１の他方の電極は、配線ＣＳＣＯＭと接続されている。また、液晶素子３０１０の他
方の電極は、配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
ス又はドレインの一方は、配線Ｓ１と接続され、ソース又はドレインの他方は、容量素子
Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子３０１０の一方の電極と接続されている。なお、容量素
子Ｃ１の他方の電極は、配線ＣＳＣＯＭと接続されている。また、液晶素子３０１０の他
方の電極は、配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
【0249】
また、トランジスタＳＷ２のゲートは、配線Ｇ２と接続され、トランジスタＳＷ２のソー
ス又はドレインの一方は、配線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方は、容量素子
Ｃ２の一方の電極、及びトランジスタＭのゲートと接続されている。なお、容量素子Ｃ２
の他方の電極は、トランジスタＭのソース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続さ
れている。また、トランジスタＭのソース又はドレインの他方は、発光素子３０１１の一
方の電極と接続されている。また、発光素子３０１１の他方の電極は、配線ＶＣＯＭ２と
接続されている。
ス又はドレインの一方は、配線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方は、容量素子
Ｃ２の一方の電極、及びトランジスタＭのゲートと接続されている。なお、容量素子Ｃ２
の他方の電極は、トランジスタＭのソース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続さ
れている。また、トランジスタＭのソース又はドレインの他方は、発光素子３０１１の一
方の電極と接続されている。また、発光素子３０１１の他方の電極は、配線ＶＣＯＭ２と
接続されている。
【0250】
なお、トランジスタＭは、半導体を挟む２つのゲートを有し、これら２つのゲートは、電
気的に接続されている。このような構造とすることにより、トランジスタＭが流す電流量
を増大させることができる。
気的に接続されている。このような構造とすることにより、トランジスタＭが流す電流量
を増大させることができる。
【0251】
配線Ｇ１から与えられる信号によって、トランジスタＳＷ１の導通状態または非導通状態
が制御される。また、配線ＶＣＯＭ１からは、所定の電位が与えられる。また、配線Ｓ１
から与えられる信号によって、液晶素子３０１０の液晶の配向状態を制御することができ
る。また、配線ＣＳＣＯＭからは、所定の電位が与えられる。
が制御される。また、配線ＶＣＯＭ１からは、所定の電位が与えられる。また、配線Ｓ１
から与えられる信号によって、液晶素子３０１０の液晶の配向状態を制御することができ
る。また、配線ＣＳＣＯＭからは、所定の電位が与えられる。
【0252】
配線Ｇ２から与えられる信号によって、トランジスタＳＷ２の導通状態または非導通状態
が制御される。また、配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯからそれぞれ与えられる電位の電位
差によって、発光素子３０１１を発光させることができる。また、配線Ｓ２から与えられ
る信号によって、トランジスタＭの導通状態を制御することができる。
が制御される。また、配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯからそれぞれ与えられる電位の電位
差によって、発光素子３０１１を発光させることができる。また、配線Ｓ２から与えられ
る信号によって、トランジスタＭの導通状態を制御することができる。
【0253】
したがって、本実施の形態で示す構成において、例えば反射モードの場合には、配線Ｇ１
及び配線Ｓ１から与えられる信号により液晶素子３０１０を制御し、光学変調を利用して
表示させることができる。また、透過モードの場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２から与え
られる信号により発光素子３０１１を発光させることができる。さらに両方のモードを同
時に用いる場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれから与えら
れる信号に基づき所望の駆動を行うことができる。
及び配線Ｓ１から与えられる信号により液晶素子３０１０を制御し、光学変調を利用して
表示させることができる。また、透過モードの場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２から与え
られる信号により発光素子３０１１を発光させることができる。さらに両方のモードを同
時に用いる場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれから与えら
れる信号に基づき所望の駆動を行うことができる。
【0254】
次に、本実施の形態で説明する表示装置３０００の断面概略図を図１７に示し、詳細を説
明する。
明する。
【0255】
表示装置３０００は、基板３０２１と基板３０２２との間に、発光素子３０２３および液
晶素子３０２４を有する。なお、発光素子３０２３および液晶素子３０２４は、絶縁層３
０２５を介してそれぞれ形成される。すなわち、基板３０２１と絶縁層３０２５との間に
発光素子３０２３を有し、基板３０２２と絶縁層３０２５との間に液晶素子３０２４を有
する。
晶素子３０２４を有する。なお、発光素子３０２３および液晶素子３０２４は、絶縁層３
０２５を介してそれぞれ形成される。すなわち、基板３０２１と絶縁層３０２５との間に
発光素子３０２３を有し、基板３０２２と絶縁層３０２５との間に液晶素子３０２４を有
する。
【0256】
絶縁層３０２５と発光素子３０２３との間には、トランジスタ３０１５、トランジスタ３
０１６、トランジスタ３０１７、および着色層３０２８等を有する。
０１６、トランジスタ３０１７、および着色層３０２８等を有する。
【0257】
基板３０２１と発光素子３０２３との間には、接着層３０２９を有する。また、発光素子
３０２３は、絶縁層３０２５側から一方の電極となる導電層３０３０、ＥＬ層３０３１、
他方の電極となる導電層３０３２の順に積層された積層構造を有する。なお、発光素子３
０２３は、ボトムエミッション型の発光素子であるため、導電層３０３２は可視光を反射
する材料を含み、導電層３０３０は可視光を透過する材料を含む。発光素子３０２３が発
する光は、着色層３０２８、絶縁層３０２５を透過し、さらに開口部３０３３を通って液
晶素子３０２４を透過した後、基板３０２２から外部に射出される。
３０２３は、絶縁層３０２５側から一方の電極となる導電層３０３０、ＥＬ層３０３１、
他方の電極となる導電層３０３２の順に積層された積層構造を有する。なお、発光素子３
０２３は、ボトムエミッション型の発光素子であるため、導電層３０３２は可視光を反射
する材料を含み、導電層３０３０は可視光を透過する材料を含む。発光素子３０２３が発
する光は、着色層３０２８、絶縁層３０２５を透過し、さらに開口部３０３３を通って液
晶素子３０２４を透過した後、基板３０２２から外部に射出される。
【0258】
絶縁層３０２５と基板３０２２との間には、液晶素子３０２４の他、着色層３０３４、遮
光層３０３５、絶縁層３０４６および構造体３０３６等を有する。また、液晶素子３０２
４は、一方の電極となる導電層３０３７、液晶３０３８、他方の電極となる導電層３０３
９、および配向膜３０４０、３０４１等を有する。なお、液晶素子３０２４は、反射型の
液晶素子であり、導電層３０３９は、反射電極として機能するため反射率の高い材料を用
いる。また、導電層３０３７は、透明電極として機能するため可視光を透過する材料を含
む。さらに、導電層３０３７および導電層３０３９の液晶３０３８側には、それぞれ配向
膜３０４０、３０４１を有する。また、絶縁層３０４６は、着色層３０３４及び遮光層３
０３５を覆うように設けられており、オーバーコートとしての機能を有する。なお、配向
膜３０４０、３０４１は不要であれば設けなくてもよい。
光層３０３５、絶縁層３０４６および構造体３０３６等を有する。また、液晶素子３０２
４は、一方の電極となる導電層３０３７、液晶３０３８、他方の電極となる導電層３０３
９、および配向膜３０４０、３０４１等を有する。なお、液晶素子３０２４は、反射型の
液晶素子であり、導電層３０３９は、反射電極として機能するため反射率の高い材料を用
いる。また、導電層３０３７は、透明電極として機能するため可視光を透過する材料を含
む。さらに、導電層３０３７および導電層３０３９の液晶３０３８側には、それぞれ配向
膜３０４０、３０４１を有する。また、絶縁層３０４６は、着色層３０３４及び遮光層３
０３５を覆うように設けられており、オーバーコートとしての機能を有する。なお、配向
膜３０４０、３０４１は不要であれば設けなくてもよい。
【0259】
導電層３０３９の一部には、開口部３０３３が設けられている。なお、導電層３０３９に
接して導電層３０４３を有しており、導電層３０４３は、透光性を有するため可視光を透
過する材料を含む。
接して導電層３０４３を有しており、導電層３０４３は、透光性を有するため可視光を透
過する材料を含む。
【0260】
構造体３０３６は、絶縁層３０２５と基板３０２２とが必要以上に接近することを抑制す
るスペーサとしての機能を有する。なお、構造体３０３６は不要であれば設けなくてもよ
い。
るスペーサとしての機能を有する。なお、構造体３０３６は不要であれば設けなくてもよ
い。
【0261】
【0262】
トランジスタ３０１６のソース又はドレインのいずれか一方は、端子部３０１８を介して
液晶素子３０２４の導電層３０３９及び導電層３０４３と電気的に接続されている。すな
わち、端子部３０１８は、絶縁層３０２５の両面に設けられる導電層同士を電気的に接続
する機能を有する。なお、トランジスタ３０１６は、図１６に示すトランジスタＳＷ１に
対応する。
液晶素子３０２４の導電層３０３９及び導電層３０４３と電気的に接続されている。すな
わち、端子部３０１８は、絶縁層３０２５の両面に設けられる導電層同士を電気的に接続
する機能を有する。なお、トランジスタ３０１６は、図１６に示すトランジスタＳＷ１に
対応する。
【0263】
基板３０２１と基板３０２２とが重ならない領域には、端子部３０１９が設けられている
。端子部３０１９は端子部３０１８と同様に、絶縁層３０２５の両面に設けられる導電層
同士を電気的に接続する。端子部３０１９は、導電層３０４３と同一の導電膜を加工して
得られた導電層と電気的に接続されている。これにより、端子部３０１９とＦＰＣ３０４
４とを接続層３０４５を介して電気的に接続することができる。
。端子部３０１９は端子部３０１８と同様に、絶縁層３０２５の両面に設けられる導電層
同士を電気的に接続する。端子部３０１９は、導電層３０４３と同一の導電膜を加工して
得られた導電層と電気的に接続されている。これにより、端子部３０１９とＦＰＣ３０４
４とを接続層３０４５を介して電気的に接続することができる。
【0264】
また、接着層３０４２が設けられる一部の領域には、接続部３０４７が設けられている。
接続部３０４７において、導電層３０４３と同一の導電膜を加工して得られた導電層と、
導電層３０３７の一部が、接続体３０４８によって電気的に接続されている。したがって
、導電層３０３７に、ＦＰＣ３０４４から入力される信号または電位を、接続部３０４７
を介して供給することができる。
接続部３０４７において、導電層３０４３と同一の導電膜を加工して得られた導電層と、
導電層３０３７の一部が、接続体３０４８によって電気的に接続されている。したがって
、導電層３０３７に、ＦＰＣ３０４４から入力される信号または電位を、接続部３０４７
を介して供給することができる。
【0265】
導電層３０３７と導電層３０４３の間に、構造体３０３６が設けられている。構造体３０
３６は、液晶素子３０２４のセルギャップを保持する機能を有する。
３６は、液晶素子３０２４のセルギャップを保持する機能を有する。
【0266】
導電層３０４３としては、金属酸化物、金属窒化物、または低抵抗化された酸化物半導体
等の酸化物を用いることが好ましい。酸化物半導体を用いる場合には、水素、ボロン、リ
ン、窒素、及びその他の不純物の濃度、並びに酸素欠損量の少なくとも一が、トランジス
タに用いる半導体層に比べて高められた材料を、導電層３０４３に用いればよい。
等の酸化物を用いることが好ましい。酸化物半導体を用いる場合には、水素、ボロン、リ
ン、窒素、及びその他の不純物の濃度、並びに酸素欠損量の少なくとも一が、トランジス
タに用いる半導体層に比べて高められた材料を、導電層３０４３に用いればよい。
【0267】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
ることができる。
【実施例0268】
本実施例では、本発明の一態様である発光素子の素子構造およびその作製方法について、
説明する。なお、本実施例で説明する発光素子の素子構造を図１８に示し、具体的な構成
について表１に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
説明する。なお、本実施例で説明する発光素子の素子構造を図１８に示し、具体的な構成
について表１に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【0269】
【表1】
【0270】
【化1】
【0271】
【化2】
【0272】
≪発光素子の作製≫
＜発光素子１および比較発光素子２の作製＞
本実施例で示す発光素子は、図１８に示すように基板９００上に第１の電極９０１が形成
され、第１の電極９０１上に第１のＥＬ層９０２ａが形成され、第１のＥＬ層９０２ａ上
に電荷発生層９０４が形成され、電荷発生層９０４上に第２のＥＬ層９０２ｂが形成され
、第２のＥＬ層９０２ｂ上に第２の電極９０３が形成される。
＜発光素子１および比較発光素子２の作製＞
本実施例で示す発光素子は、図１８に示すように基板９００上に第１の電極９０１が形成
され、第１の電極９０１上に第１のＥＬ層９０２ａが形成され、第１のＥＬ層９０２ａ上
に電荷発生層９０４が形成され、電荷発生層９０４上に第２のＥＬ層９０２ｂが形成され
、第２のＥＬ層９０２ｂ上に第２の電極９０３が形成される。
【0273】
まず、基板９００上に第１の電極９０１を形成した。電極面積は、４ｍｍ２（２ｍｍ×２
ｍｍ）とした。また、基板９００には、ガラス基板を用いた。また、第１の電極９０１は
、アルミニウム（Ａｌ）とニッケル（Ｎｉ）とランタン（Ｌａ）の合金膜（Ａｌ－Ｎｉ－
Ｌａ）をスパッタリング法により、２００ｎｍの膜厚で成膜した後、Ｔｉをスパッタリン
グ法により３ｎｍの膜厚で成膜し、さらにＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜して形
成した。ＩＴＳＯの膜厚は、発光素子１の場合７５ｎｍとなるように形成し、比較発光素
子２の場合は８５ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例において、第１の電極９０
１は、陽極として機能する。また、第１の電極９０１は、光を反射する機能を有する反射
電極である。
ｍｍ）とした。また、基板９００には、ガラス基板を用いた。また、第１の電極９０１は
、アルミニウム（Ａｌ）とニッケル（Ｎｉ）とランタン（Ｌａ）の合金膜（Ａｌ－Ｎｉ－
Ｌａ）をスパッタリング法により、２００ｎｍの膜厚で成膜した後、Ｔｉをスパッタリン
グ法により３ｎｍの膜厚で成膜し、さらにＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜して形
成した。ＩＴＳＯの膜厚は、発光素子１の場合７５ｎｍとなるように形成し、比較発光素
子２の場合は８５ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例において、第１の電極９０
１は、陽極として機能する。また、第１の電極９０１は、光を反射する機能を有する反射
電極である。
【0274】
ここで、前処理として、基板の表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオ
ゾン処理を３７０秒行った。その後、１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装
置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を
行った後、基板を３０分程度放冷した。
ゾン処理を３７０秒行った。その後、１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装
置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を
行った後、基板を３０分程度放冷した。
【0275】
次に、第１の電極９０１上に第１の正孔注入層９１１ａを形成した。第１の正孔注入層９
１１ａは、真空蒸着装置内を１０－４Ｐａに減圧した後、３－［４－（９－フェナントリ
ル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）と、酸化モ
リブデンとの重量比をＰＣＰＰｎ：酸化モリブデン＝１：０．５とし、発光素子１の場合
は、膜厚が１５ｎｍとなるように形成し、比較発光素子２の場合は、膜厚が２０ｎｍとな
るように共蒸着して形成した。
１１ａは、真空蒸着装置内を１０－４Ｐａに減圧した後、３－［４－（９－フェナントリ
ル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）と、酸化モ
リブデンとの重量比をＰＣＰＰｎ：酸化モリブデン＝１：０．５とし、発光素子１の場合
は、膜厚が１５ｎｍとなるように形成し、比較発光素子２の場合は、膜厚が２０ｎｍとな
るように共蒸着して形成した。
【0276】
次に、第１の正孔注入層９１１ａ上に第１の正孔輸送層９１２ａを形成した。第１の正孔
輸送層９１２ａは、ＰＣＰＰｎを用い、膜厚が１５ｎｍになるように蒸着して形成した。
輸送層９１２ａは、ＰＣＰＰｎを用い、膜厚が１５ｎｍになるように蒸着して形成した。
【0277】
次に、第１の正孔輸送層９１２ａ上に発光層（Ａ）９１３ａを形成した。
【0278】
発光素子１の場合は、ホスト材料として９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニ
ル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）を用い、ゲスト材料（蛍光材料
）としてＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス〔３－（９－フェニル
－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル〕－ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６
ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）を用い、重量比がＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ＝
１：０．０５、膜厚が２５ｎｍになるように共蒸着して形成した。
ル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）を用い、ゲスト材料（蛍光材料
）としてＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス〔３－（９－フェニル
－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル〕－ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６
ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）を用い、重量比がＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ＝
１：０．０５、膜厚が２５ｎｍになるように共蒸着して形成した。
【0279】
また、比較発光素子２の場合は、ホスト材料として７－［４－（１０－フェニル－９－ア
ントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰ
Ａ）、ゲスト材料（蛍光材料）として１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎを用い、重量比がｃ
ｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ＝１：０．０３、膜厚が２５ｎｍになる
ように共蒸着して形成した。
ントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰ
Ａ）、ゲスト材料（蛍光材料）として１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎを用い、重量比がｃ
ｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ＝１：０．０３、膜厚が２５ｎｍになる
ように共蒸着して形成した。
【0280】
次に、発光層（Ａ）９１３ａ上に第１の電子輸送層９１４ａを形成した。第１の電子輸送
層９１４ａは、発光素子１の場合は、ＣｚＰＡの膜厚が５ｎｍ、バソフェナントロリン（
略称：Ｂｐｈｅｎ）の膜厚が１５ｎｍとなるように順次蒸着して形成した。比較発光素子
２の場合は、ｃｇＤＢＣｚＰＡの膜厚が１０ｎｍ、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル
）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）の膜厚が
１５ｎｍとなるように順次蒸着して形成した。
層９１４ａは、発光素子１の場合は、ＣｚＰＡの膜厚が５ｎｍ、バソフェナントロリン（
略称：Ｂｐｈｅｎ）の膜厚が１５ｎｍとなるように順次蒸着して形成した。比較発光素子
２の場合は、ｃｇＤＢＣｚＰＡの膜厚が１０ｎｍ、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル
）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）の膜厚が
１５ｎｍとなるように順次蒸着して形成した。
【0281】
次に、第１の電子輸送層９１４ａ上に第１の電子注入層９１５ａを形成した。第１の電子
注入層９１５ａは、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を用い、膜厚が０．１ｎｍになるように蒸
着して形成した。
注入層９１５ａは、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を用い、膜厚が０．１ｎｍになるように蒸
着して形成した。
【0282】
次に、第１の電子注入層９１５ａ上に電荷発生層９０４を形成した。電荷発生層９０４は
、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を用い、膜厚が２ｎｍになるように蒸着して形成
した。
、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を用い、膜厚が２ｎｍになるように蒸着して形成
した。
【0283】
次に、電荷発生層９０４上に第２の正孔注入層９１１ｂを形成した。第２の正孔注入層９
１１ｂは、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオ
フェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）と酸化モリブデンとの重量比をＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：
酸化モリブデン＝１：０．５とし、発光素子１の場合は、膜厚が１２．５ｎｍになるよう
に共蒸着し、比較発光素子２の場合は、膜厚が１０ｎｍになるように共蒸着し、それぞれ
形成した。
１１ｂは、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオ
フェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）と酸化モリブデンとの重量比をＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：
酸化モリブデン＝１：０．５とし、発光素子１の場合は、膜厚が１２．５ｎｍになるよう
に共蒸着し、比較発光素子２の場合は、膜厚が１０ｎｍになるように共蒸着し、それぞれ
形成した。
【0284】
次に、第２の正孔注入層９１１ｂ上に第２の正孔輸送層９１２ｂを形成した。第２の正孔
輸送層９１２ｂは、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフ
ェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を用い、発光素子１の場合は、膜厚が２０ｎｍにな
るように蒸着し、比較発光素子２の場合は、膜厚が１５ｎｍになるように蒸着し、それぞ
れ形成した。
輸送層９１２ｂは、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフ
ェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を用い、発光素子１の場合は、膜厚が２０ｎｍにな
るように蒸着し、比較発光素子２の場合は、膜厚が１５ｎｍになるように蒸着し、それぞ
れ形成した。
【0285】
次に、第２の正孔輸送層９１２ｂ上に発光層（Ｂ）９１３ｂを形成した。発光層（Ｂ）９
１３ｂは、発光層（Ｂ１）９１３（ｂ１）と発光層（Ｂ２）９１３（ｂ２）との積層構造
を有する。
１３ｂは、発光層（Ｂ１）９１３（ｂ１）と発光層（Ｂ２）９１３（ｂ２）との積層構造
を有する。
【0286】
発光素子１の場合は、ホスト材料として２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）
ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ
－ＩＩ）、アシスト材料として４、４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、ゲスト
材料（燐光材料）として（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェ
ニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ
）］）を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐ
ｐｍ）２（ａｃａｃ）］＝０．７：０．３：０．０６、膜厚が２０ｎｍになるように共蒸
着して発光層（Ｂ１）９１３（ｂ１）を形成した。また、ホスト材料として２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩ、ゲスト材料（燐光材料）としてビス｛４，６－ジメチル－２－［３－（
３，５－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝
（２，６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］）を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］＝１：０．０４、膜厚が
２０ｎｍになるように共蒸着して発光層（Ｂ２）９１３（ｂ２）を形成した。
ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ
－ＩＩ）、アシスト材料として４、４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、ゲスト
材料（燐光材料）として（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェ
ニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ
）］）を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐ
ｐｍ）２（ａｃａｃ）］＝０．７：０．３：０．０６、膜厚が２０ｎｍになるように共蒸
着して発光層（Ｂ１）９１３（ｂ１）を形成した。また、ホスト材料として２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩ、ゲスト材料（燐光材料）としてビス｛４，６－ジメチル－２－［３－（
３，５－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝
（２，６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］）を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］＝１：０．０４、膜厚が
２０ｎｍになるように共蒸着して発光層（Ｂ２）９１３（ｂ２）を形成した。
【0287】
比較発光素子２の場合は、ホスト材料として２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ、アシスト材料
としてＮ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カ
ルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン
（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、ゲスト材料（燐光材料）として［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａ
ｃａｃ）］を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢ
ｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：０．０６、膜厚が２０ｎｍになるように
共蒸着して発光層（Ｂ１）９１３（ｂ１）を形成した。また、ホスト材料として２ｍＤＢ
ＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ、アシスト材料としてＰＣＢＢｉＦ、ゲスト材料（燐光材料）として
ビス［２－（５－（２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－
２－ピラジニル－κＮ）－４，６－ジメチルフェニル－κＣ］（２，２，６，６－テトラ
メチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ｄｐｍ）］）を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－
ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ｄｐｍ）］＝０．８：０．２
：０．０６、膜厚が１０ｎｍになるように共蒸着した後、ホスト材料として２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩ、アシスト材料としてＰＣＢＢｉＦ、ゲスト材料（燐光材料）として［Ｉ
ｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：Ｐ
ＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：０．０６、膜
厚が１０ｎｍになるように共蒸着して積層構造を有する発光層（Ｂ２）９１３（ｂ２）を
形成した。
としてＮ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カ
ルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン
（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、ゲスト材料（燐光材料）として［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａ
ｃａｃ）］を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢ
ｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：０．０６、膜厚が２０ｎｍになるように
共蒸着して発光層（Ｂ１）９１３（ｂ１）を形成した。また、ホスト材料として２ｍＤＢ
ＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ、アシスト材料としてＰＣＢＢｉＦ、ゲスト材料（燐光材料）として
ビス［２－（５－（２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－
２－ピラジニル－κＮ）－４，６－ジメチルフェニル－κＣ］（２，２，６，６－テトラ
メチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ｄｐｍ）］）を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－
ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ｄｐｍ）］＝０．８：０．２
：０．０６、膜厚が１０ｎｍになるように共蒸着した後、ホスト材料として２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩ、アシスト材料としてＰＣＢＢｉＦ、ゲスト材料（燐光材料）として［Ｉ
ｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］を用い、重量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：Ｐ
ＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：０．０６、膜
厚が１０ｎｍになるように共蒸着して積層構造を有する発光層（Ｂ２）９１３（ｂ２）を
形成した。
【0288】
次に、発光層（Ｂ２）９１３（ｂ２）上に第２の電子輸送層９１４ｂを形成した。第２の
電子輸送層９１４ｂは、発光素子１の場合は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩの膜厚が３０
ｎｍ、Ｂｐｈｅｎの膜厚が１５ｎｍとなるように順次蒸着し、比較発光素子２の場合は、
２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩの膜厚が３０ｎｍ、ＮＢｐｈｅｎの膜厚が１５ｎｍとなるよ
うに順次蒸着して形成した。
電子輸送層９１４ｂは、発光素子１の場合は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩの膜厚が３０
ｎｍ、Ｂｐｈｅｎの膜厚が１５ｎｍとなるように順次蒸着し、比較発光素子２の場合は、
２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩの膜厚が３０ｎｍ、ＮＢｐｈｅｎの膜厚が１５ｎｍとなるよ
うに順次蒸着して形成した。
【0289】
次に、第２の電子輸送層９１５ｂ上に第２の電子注入層９１５ｂを形成した。第２の電子
注入層９１５ｂは、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用い、膜厚が１ｎｍになるように蒸着し
て形成した。
注入層９１５ｂは、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用い、膜厚が１ｎｍになるように蒸着し
て形成した。
【0290】
次に、第２の電子注入層９１５ｂ上に第２の電極９０３を形成した。第２の電極９０３は
、発光素子１の場合は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との体積比を１：０．１とし
、膜厚が１５ｎｍになるように共蒸着して形成した後、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を
スパッタリング法により、膜厚が７０ｎｍとなるように形成した。また、比較発光素子２
の場合は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との体積比を１：０．０５とし、膜厚が１
５ｎｍになるように共蒸着して形成した後、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリ
ング法により、膜厚が７０ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例において、第２の
電極９０３は、陰極として機能する。また、第２の電極９０３は、光を反射する機能と光
を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。
、発光素子１の場合は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との体積比を１：０．１とし
、膜厚が１５ｎｍになるように共蒸着して形成した後、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を
スパッタリング法により、膜厚が７０ｎｍとなるように形成した。また、比較発光素子２
の場合は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との体積比を１：０．０５とし、膜厚が１
５ｎｍになるように共蒸着して形成した後、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリ
ング法により、膜厚が７０ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例において、第２の
電極９０３は、陰極として機能する。また、第２の電極９０３は、光を反射する機能と光
を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。
【0291】
以上の工程により、基板９００上に一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる発光素子を形成し
た。なお、上記工程で説明した第１の正孔注入層９１１ａ、第１の正孔輸送層９１２ａ、
発光層（Ａ）９１３ａ、第１の電子輸送層９１４ａ、第１の電子注入層９１５ａ、第２の
正孔注入層９１１ｂ、第２の正孔輸送層９１２ｂ、発光層（Ｂ）９１３ｂ、第２の電子輸
送層９１４ｂ、第２の電子注入層９１５ｂは、本発明の一態様におけるＥＬ層を構成する
機能層である。また、上述した作製方法における蒸着工程では、全て抵抗加熱法による蒸
着法を用いた。
た。なお、上記工程で説明した第１の正孔注入層９１１ａ、第１の正孔輸送層９１２ａ、
発光層（Ａ）９１３ａ、第１の電子輸送層９１４ａ、第１の電子注入層９１５ａ、第２の
正孔注入層９１１ｂ、第２の正孔輸送層９１２ｂ、発光層（Ｂ）９１３ｂ、第２の電子輸
送層９１４ｂ、第２の電子注入層９１５ｂは、本発明の一態様におけるＥＬ層を構成する
機能層である。また、上述した作製方法における蒸着工程では、全て抵抗加熱法による蒸
着法を用いた。
【0292】
本実施例により作製した発光素子は、図１８に示すように基板９００と基板９０５により
封止される。なお、基板９００と基板９０５との封止は、窒素雰囲気のグローブボックス
内において、封止材を用いて基板９０５を基板９００上に固定し、シール材を基板９００
上に形成された発光素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照
射し、８０℃にて１時間熱処理することにより行った。
封止される。なお、基板９００と基板９０５との封止は、窒素雰囲気のグローブボックス
内において、封止材を用いて基板９０５を基板９００上に固定し、シール材を基板９００
上に形成された発光素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照
射し、８０℃にて１時間熱処理することにより行った。
【0293】
なお、発光素子１および比較発光素子２は、発光素子の第２の電極９０３側から矢印の方
向に光が出る構造を有する。
向に光が出る構造を有する。
【0294】
【0295】
以下の表２に１０００ｃｄ／ｍ２付近における各発光素子の主な初期特性値を示す。
【0296】
【表2】
【0297】
また、発光素子１および比較発光素子２に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した
際の発光スペクトルを、図２３に示す。いずれの素子も赤（［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）
２（ｄｉｂｍ）］および［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ｄｐｍ）］）、緑（［Ｉｒ
（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、青（１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）の三色の発
光材料を有する白色タンデム発光素子であるが、いずれの素子においても赤色領域（６０
０ｎｍ以上）の発光強度がマイクロキャビティ効果により強調されていることが分かる。
なお、発光素子１および比較発光素子２のスペクトルの半値幅は、それぞれ約８０ｎｍお
よび約４０ｎｍである。一方で、図２３に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは６２
４ｎｍ付近にピークを有するのに対し、比較発光素子２の発光スペクトルは６０５ｎｍ付
近にピークを有している。すなわち、発光素子１は、比較発光素子２に比べて発光スペク
トルのピークが長波長化されていることがわかる。
際の発光スペクトルを、図２３に示す。いずれの素子も赤（［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）
２（ｄｉｂｍ）］および［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ｄｐｍ）］）、緑（［Ｉｒ
（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、青（１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）の三色の発
光材料を有する白色タンデム発光素子であるが、いずれの素子においても赤色領域（６０
０ｎｍ以上）の発光強度がマイクロキャビティ効果により強調されていることが分かる。
なお、発光素子１および比較発光素子２のスペクトルの半値幅は、それぞれ約８０ｎｍお
よび約４０ｎｍである。一方で、図２３に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは６２
４ｎｍ付近にピークを有するのに対し、比較発光素子２の発光スペクトルは６０５ｎｍ付
近にピークを有している。すなわち、発光素子１は、比較発光素子２に比べて発光スペク
トルのピークが長波長化されていることがわかる。
【0298】
次に、上記発光素子１および比較発光素子２の構成に加えて、光学素子（カラーフィルタ
）を組み合わせた場合における発光素子の特性評価を行った。
）を組み合わせた場合における発光素子の特性評価を行った。
【0299】
光学素子（カラーフィルタ：ＣＦ）としては、図２４に示す光学特性を有する６種類（Ｃ
Ｆ１、ＣＦ２、ＣＦ３、ＣＦ４、ＣＦ５、ＣＦ６）のカラーフィルタを用いた。
Ｆ１、ＣＦ２、ＣＦ３、ＣＦ４、ＣＦ５、ＣＦ６）のカラーフィルタを用いた。
【0300】
図２５には、発光素子１に６種類のカラーフィルタを組み合わせた際のそれぞれの発光ス
ペクトルと、カラーフィルタを組み合わせない場合の発光スペクトルを示す。また、図２
６には、比較発光素子２に６種類のカラーフィルタを組み合わせた際のそれぞれの発光ス
ペクトルと、カラーフィルタを組み合わせない場合の発光スペクトルを示す。また、以下
の表３には、各カラーフィルタと組み合わせた発光素子１と比較発光素子２の色度をそれ
ぞれ示す。
ペクトルと、カラーフィルタを組み合わせない場合の発光スペクトルを示す。また、図２
６には、比較発光素子２に６種類のカラーフィルタを組み合わせた際のそれぞれの発光ス
ペクトルと、カラーフィルタを組み合わせない場合の発光スペクトルを示す。また、以下
の表３には、各カラーフィルタと組み合わせた発光素子１と比較発光素子２の色度をそれ
ぞれ示す。
【0301】
【表3】
【0302】
この結果、発光素子１との組み合わせにおいて、ＣＦ１の場合は、色度のｘ座標が０．６
８に達しないが、ＣＦ２の場合は、色度のｘ座標が０．６８以上となるため、発光素子１
に用いるカラーフィルタとしては、波長６００ｎｍの光の透過率が４０％以下であること
が好ましいことがわかる。また、ＣＦ３の場合に色度のｘ座標が０．６８５に到達し、色
度がより向上することを考慮すると、発光素子１に用いるカラーフィルタとしては、波長
６００ｎｍの光の透過率が３０％以下であることがより好ましいと言える。また、ＣＦ４
の場合に色度のｘ座標が０．６９１となり、０．６９以上となる。したがって色度がより
向上することを考慮すると、発光素子１に用いるカラーフィルタとしては、波長６００ｎ
ｍの光の透過率が２０％以下であることがさらに好ましいと言える。ここで重要な点は、
図２５に示した発光スペクトルのピーク強度を考慮した場合、ＣＦ２、ＣＦ３、およびＣ
Ｆ４を用いた場合における発光スペクトルのピーク強度は維持されている点である。この
ことは、発光素子１のように発光スペクトルのピーク波長が６２０ｎｍ以上であり、半値
幅が１２０ｎｍ以下であれば、上述した特定のカラーフィルタと組み合わせて色度のｘ座
標が０．６８以上となる赤色を得る際においても、高い効率を維持することができること
を意味している。
８に達しないが、ＣＦ２の場合は、色度のｘ座標が０．６８以上となるため、発光素子１
に用いるカラーフィルタとしては、波長６００ｎｍの光の透過率が４０％以下であること
が好ましいことがわかる。また、ＣＦ３の場合に色度のｘ座標が０．６８５に到達し、色
度がより向上することを考慮すると、発光素子１に用いるカラーフィルタとしては、波長
６００ｎｍの光の透過率が３０％以下であることがより好ましいと言える。また、ＣＦ４
の場合に色度のｘ座標が０．６９１となり、０．６９以上となる。したがって色度がより
向上することを考慮すると、発光素子１に用いるカラーフィルタとしては、波長６００ｎ
ｍの光の透過率が２０％以下であることがさらに好ましいと言える。ここで重要な点は、
図２５に示した発光スペクトルのピーク強度を考慮した場合、ＣＦ２、ＣＦ３、およびＣ
Ｆ４を用いた場合における発光スペクトルのピーク強度は維持されている点である。この
ことは、発光素子１のように発光スペクトルのピーク波長が６２０ｎｍ以上であり、半値
幅が１２０ｎｍ以下であれば、上述した特定のカラーフィルタと組み合わせて色度のｘ座
標が０．６８以上となる赤色を得る際においても、高い効率を維持することができること
を意味している。
【0303】
また、ＣＦ５およびＣＦ６の場合は、いずれも色度のｘ座標が０．７０となる。しかし、
発光スペクトルのピーク強度を比較すると、ＣＦ５の場合には、ＣＦ無しの場合の半分以
上のピーク強度を維持している（６割程度である）が、ＣＦ６の場合には、ＣＦ５よりも
さらにピーク強度が激減し、ＣＦ無しの場合の４割程度にまで低下していることがわかる
。つまり、ＣＦ６のようにカラーフィルタの透過波長を長波長化させるだけでは、色純度
の向上と発光ピーク強度の維持（発光効率の維持）の両方を実現できないことがわかる。
すなわち、波長６３０ｎｍの光においては、ＣＦの透過率が４０％以上であることが好ま
しいと言える。
発光スペクトルのピーク強度を比較すると、ＣＦ５の場合には、ＣＦ無しの場合の半分以
上のピーク強度を維持している（６割程度である）が、ＣＦ６の場合には、ＣＦ５よりも
さらにピーク強度が激減し、ＣＦ無しの場合の４割程度にまで低下していることがわかる
。つまり、ＣＦ６のようにカラーフィルタの透過波長を長波長化させるだけでは、色純度
の向上と発光ピーク強度の維持（発光効率の維持）の両方を実現できないことがわかる。
すなわち、波長６３０ｎｍの光においては、ＣＦの透過率が４０％以上であることが好ま
しいと言える。
【0304】
なお、本実施例では、ＣＦ２、ＣＦ３、およびＣＦ４に加えて、ＣＦ５と発光素子１との
組み合わせにおいて、発光素子の高色純度と高効率を実現できるという結果が得られたこ
とから、本実施例における発光素子１のように、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であ
り、かつ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の発光を示す発光素
子に対し、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下であり、かつ６３０ｎｍの光の透過率が
４０％以上であるカラーフィルタと組み合わせることにより、色度のｘ座標が０．６８以
上となる色度の良い赤色発光を効率よく得ることができる。
組み合わせにおいて、発光素子の高色純度と高効率を実現できるという結果が得られたこ
とから、本実施例における発光素子１のように、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であ
り、かつ発光スペクトルのピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の発光を示す発光素
子に対し、６００ｎｍの光の透過率が４０％以下であり、かつ６３０ｎｍの光の透過率が
４０％以上であるカラーフィルタと組み合わせることにより、色度のｘ座標が０．６８以
上となる色度の良い赤色発光を効率よく得ることができる。
【0305】
一方、比較発光素子２とカラーフィルタとの組み合わせにおいて、カラーフィルタの透過
特性をＣＦ４まで長波長シフトさせることで、色度のｘ座標を０．６８とすることはでき
る。しかし、この時の発光ピーク強度は、ＣＦ無しの場合の半分以下のピーク強度となる
。カラーフィルタの透過特性をさらに長波長シフトさせてＣＦ５やＣＦ６を使った場合に
は、色度のｘ座標が向上（数値の増加）することはなく（色純度が高まることなく）、発
光ピーク強度だけがさらに低下する。
特性をＣＦ４まで長波長シフトさせることで、色度のｘ座標を０．６８とすることはでき
る。しかし、この時の発光ピーク強度は、ＣＦ無しの場合の半分以下のピーク強度となる
。カラーフィルタの透過特性をさらに長波長シフトさせてＣＦ５やＣＦ６を使った場合に
は、色度のｘ座標が向上（数値の増加）することはなく（色純度が高まることなく）、発
光ピーク強度だけがさらに低下する。
【0306】
すなわち、発光素子１の場合と異なり、比較発光素子２の場合には、透過特性を長波長シ
フトさせるべくカラーフィルタを変えても、色度のｘ座標が０．６９以上に向上させるこ
とはできなかった。また、色度のｘ座標が０．６８以上の領域では、顕著に発光効率が低
下した。
フトさせるべくカラーフィルタを変えても、色度のｘ座標が０．６９以上に向上させるこ
とはできなかった。また、色度のｘ座標が０．６８以上の領域では、顕著に発光効率が低
下した。
【0307】
従って、本発明の一態様である発光素子は、本実施例１で示した発光素子１のようにＣＦ
無しの場合において、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルの
ピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られる発光素子であることが好
ましい。なお、このような素子特性を得るためには、本実施例の発光素子１の発光層に用
いた［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］のような発光スペクトルのピーク値が
６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である発光物質を用いることが好ましい。この物質のジク
ロロメタン溶液中におけるフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを図２７に示す。溶
液濃度は約１×１０－５ｍｏｌ／Ｌである。図からわかるように、この物質の発光スペク
トルのピークは６４０ｎｍ近傍である。
無しの場合において、半値幅が５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、かつ発光スペクトルの
ピーク値が６２０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下である発光が得られる発光素子であることが好
ましい。なお、このような素子特性を得るためには、本実施例の発光素子１の発光層に用
いた［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］のような発光スペクトルのピーク値が
６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である発光物質を用いることが好ましい。この物質のジク
ロロメタン溶液中におけるフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを図２７に示す。溶
液濃度は約１×１０－５ｍｏｌ／Ｌである。図からわかるように、この物質の発光スペク
トルのピークは６４０ｎｍ近傍である。
【0308】
（参考例）
本参考例では、本発明の一態様である発光素子の発光層に用いることのできる発光物質で
あって、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である有機金属錯体
、ビス｛４，６－ジメチル－２－［５－（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３
－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，
６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］）（構造式（１００））の
合成方法について説明する。なお、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］の
構造を以下に示す。
本参考例では、本発明の一態様である発光素子の発光層に用いることのできる発光物質で
あって、発光スペクトルのピーク値が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である有機金属錯体
、ビス｛４，６－ジメチル－２－［５－（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３
－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，
６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］）（構造式（１００））の
合成方法について説明する。なお、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］の
構造を以下に示す。
【0309】
【化3】
【0310】
＜ステップ１：５－ヒドロキシ－２，３－（３，５－ジメチルフェニル）ピラジンの合成
＞
まず、３，３’，５，５’－テトラメチルベンジル５．２７ｇとグリシンアミド塩酸塩２
．６１ｇ、水酸化ナトリウム１．９２ｇ、メタノール５０ｍＬを、還流管を付けた三口フ
ラスコに入れ、フラスコ内部を窒素置換した。その後、これを８０℃で７時間撹拌するこ
とで反応させた。ここに１２Ｍ塩酸２．５ｍＬを加え３０分撹拌した後、炭酸水素カリウ
ム２．０２ｇを加え、３０分撹拌した。この懸濁液を吸引ろ過した後、得られた固体を水
、メタノールで洗浄することにより、目的のピラジン誘導体を得た（乳白色粉末、収率７
９％）。ステップ１の合成スキームを下記（ａ－１）に示す。
＞
まず、３，３’，５，５’－テトラメチルベンジル５．２７ｇとグリシンアミド塩酸塩２
．６１ｇ、水酸化ナトリウム１．９２ｇ、メタノール５０ｍＬを、還流管を付けた三口フ
ラスコに入れ、フラスコ内部を窒素置換した。その後、これを８０℃で７時間撹拌するこ
とで反応させた。ここに１２Ｍ塩酸２．５ｍＬを加え３０分撹拌した後、炭酸水素カリウ
ム２．０２ｇを加え、３０分撹拌した。この懸濁液を吸引ろ過した後、得られた固体を水
、メタノールで洗浄することにより、目的のピラジン誘導体を得た（乳白色粉末、収率７
９％）。ステップ１の合成スキームを下記（ａ－１）に示す。
【0311】
【化4】
【0312】
＜ステップ２：５，６－ビス（３，５－ジメチルフェニル）ピラジン－２－イルトリフル
オロメタンスルホン酸の合成＞
次に、上記ステップ１で得た５－ヒドロキシ－２，３－（３，５－ジメチルフェニル）ピ
ラジン４．８０ｇとトリエチルアミン４．５ｍＬ、脱水ジクロロメタン８０ｍＬを三口フ
ラスコに入れ、内部を窒素置換した。このフラスコを－２０℃に冷却した後、トリフルオ
ロメタンスルホン酸無水物３．５ｍＬを滴下し、室温で１７時間半攪拌した。その後、フ
ラスコを０℃に冷却した後、更にトリフルオロメタンスルホン酸無水物０．７ｍＬを滴下
し、室温で２２時間攪拌して反応させた。反応溶液に水５０ｍＬ、１Ｍ塩酸５ｍＬを加え
、ジクロロメタンを加えて、反応溶液中に含まれる物質をジクロロメタン中に抽出させた
。このジクロロメタンに飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和食塩水を加えて洗浄し
、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。乾燥後にこの溶液をろ過し、ろ液を濃縮して得
られた残渣を、トルエン：ヘキサン＝１：１（体積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製し、目的のピラジン誘導体を得た（黄色オイル、収率９６％
）。ステップ２の合成スキームを下記（ａ－２）に示す。
オロメタンスルホン酸の合成＞
次に、上記ステップ１で得た５－ヒドロキシ－２，３－（３，５－ジメチルフェニル）ピ
ラジン４．８０ｇとトリエチルアミン４．５ｍＬ、脱水ジクロロメタン８０ｍＬを三口フ
ラスコに入れ、内部を窒素置換した。このフラスコを－２０℃に冷却した後、トリフルオ
ロメタンスルホン酸無水物３．５ｍＬを滴下し、室温で１７時間半攪拌した。その後、フ
ラスコを０℃に冷却した後、更にトリフルオロメタンスルホン酸無水物０．７ｍＬを滴下
し、室温で２２時間攪拌して反応させた。反応溶液に水５０ｍＬ、１Ｍ塩酸５ｍＬを加え
、ジクロロメタンを加えて、反応溶液中に含まれる物質をジクロロメタン中に抽出させた
。このジクロロメタンに飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和食塩水を加えて洗浄し
、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。乾燥後にこの溶液をろ過し、ろ液を濃縮して得
られた残渣を、トルエン：ヘキサン＝１：１（体積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製し、目的のピラジン誘導体を得た（黄色オイル、収率９６％
）。ステップ２の合成スキームを下記（ａ－２）に示す。
【0313】
【化5】
【0314】
＜ステップ３：５－（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－２，３－ビス（３，５
－ジメチルフェニル）ピラジン（略称：Ｈｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）の合成＞
次に、上記ステップ２で得た５，６－ビス（３，５－ジメチルフェニル）ピラジン－２－
イルトリフルオロメタンスルホン酸２．０５ｇ、４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル
ボロン酸１．００ｇ、リン酸三カリウム３．８１ｇ、トルエン４０ｍＬ、水４ｍＬを三口
フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後
、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．０４４ｇ、トリス（２，６
－ジメトキシフェニル）ホスフィン０．０８４ｇを加え、７時間還流した。反応溶液に水
を加え、トルエンを加えて、反応溶液中に含まれる物質をトルエン中に抽出させた。この
トルエンに飽和食塩水を加えて洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。乾燥後に
この溶液をろ過し、ろ液を濃縮して得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝５：１（体
積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピラジン
誘導体Ｈｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰを得た（白色粉末、収率９０％）。ステップ３の合成ス
キームを下記（ａ－３）に示す。
－ジメチルフェニル）ピラジン（略称：Ｈｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）の合成＞
次に、上記ステップ２で得た５，６－ビス（３，５－ジメチルフェニル）ピラジン－２－
イルトリフルオロメタンスルホン酸２．０５ｇ、４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル
ボロン酸１．００ｇ、リン酸三カリウム３．８１ｇ、トルエン４０ｍＬ、水４ｍＬを三口
フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後
、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．０４４ｇ、トリス（２，６
－ジメトキシフェニル）ホスフィン０．０８４ｇを加え、７時間還流した。反応溶液に水
を加え、トルエンを加えて、反応溶液中に含まれる物質をトルエン中に抽出させた。この
トルエンに飽和食塩水を加えて洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。乾燥後に
この溶液をろ過し、ろ液を濃縮して得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝５：１（体
積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピラジン
誘導体Ｈｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰを得た（白色粉末、収率９０％）。ステップ３の合成ス
キームを下記（ａ－３）に示す。
【0315】
【化6】
【0316】
＜ステップ４：ジ－μ－クロロ－テトラキス｛４，６－ジメチル－２－［５－（４－シア
ノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラジニル
－κＮ］フェニル－κＣ｝ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍ
ＣＰ）２Ｃｌ］２）の合成＞
次に、２－エトキシエタノール１５ｍＬと水５ｍＬ、上記ステップ３で得たＨｄｍｄｐｐ
ｒ－ｄｍＣＰ（略称）１．７４ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ）（フル
ヤ金属社製）０．６０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン
置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を１時間照射し、反応させ
た。溶媒を留去した後、得られた残渣をヘキサンで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（
ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２Ｃｌ］２を得た（褐色粉末、収率８９％）。また、ステップ
４の合成スキームを下記（ａ－４）に示す。
ノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラジニル
－κＮ］フェニル－κＣ｝ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍ
ＣＰ）２Ｃｌ］２）の合成＞
次に、２－エトキシエタノール１５ｍＬと水５ｍＬ、上記ステップ３で得たＨｄｍｄｐｐ
ｒ－ｄｍＣＰ（略称）１．７４ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ）（フル
ヤ金属社製）０．６０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン
置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を１時間照射し、反応させ
た。溶媒を留去した後、得られた残渣をヘキサンで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（
ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２Ｃｌ］２を得た（褐色粉末、収率８９％）。また、ステップ
４の合成スキームを下記（ａ－４）に示す。
【0317】
【化7】
【0318】
＜ステップ５：ビス｛４，６－ジメチル－２－［５－（４－シアノ－２，６－ジメチルフ
ェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ
｝（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］の合成＞
さらに、２－エトキシエタノール３０ｍＬ、上記ステップ４で得た複核錯体［Ｉｒ（ｄｍ
ｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２Ｃｌ］２０．９６ｇ、ジピバロイルメタン（略称：Ｈｄｐｍ）０
．２６ｇ、炭酸ナトリウム０．４８ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ
内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を６０分間照
射した。ここで更に、Ｈｄｐｍ０．１３ｇを加え、反応容器にマイクロ波（２．４５ＧＨ
ｚ １２０Ｗ）を６０分間照射することで反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣を、
ジクロロメタン：ヘキサン＝１：１（体積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにより精製した。更に、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製した後、ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒にて再結
晶することにより、有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］を赤
色粉末として得た（収率３７％）。得られた赤色粉末０．３９ｇを、トレインサブリメー
ション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力２．６Ｐａ、アルゴンガスを流量５
ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３００℃で加熱した。昇華精製後、目的物の赤色固体を収率
８５％で得た。ステップ５の合成スキームを下記（ａ－５）に示す。
ェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ
｝（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］の合成＞
さらに、２－エトキシエタノール３０ｍＬ、上記ステップ４で得た複核錯体［Ｉｒ（ｄｍ
ｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２Ｃｌ］２０．９６ｇ、ジピバロイルメタン（略称：Ｈｄｐｍ）０
．２６ｇ、炭酸ナトリウム０．４８ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ
内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を６０分間照
射した。ここで更に、Ｈｄｐｍ０．１３ｇを加え、反応容器にマイクロ波（２．４５ＧＨ
ｚ １２０Ｗ）を６０分間照射することで反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣を、
ジクロロメタン：ヘキサン＝１：１（体積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにより精製した。更に、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製した後、ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒にて再結
晶することにより、有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］を赤
色粉末として得た（収率３７％）。得られた赤色粉末０．３９ｇを、トレインサブリメー
ション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力２．６Ｐａ、アルゴンガスを流量５
ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３００℃で加熱した。昇華精製後、目的物の赤色固体を収率
８５％で得た。ステップ５の合成スキームを下記（ａ－５）に示す。
【0319】
【化8】
【0320】
なお、上記ステップ５で得られた赤色粉末の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分
析結果を下記に示す。このことから、本合成例において、上述の構造式（１００）で表さ
れる有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］が得られたことがわ
かった。
析結果を下記に示す。このことから、本合成例において、上述の構造式（１００）で表さ
れる有機金属錯体［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］が得られたことがわ
かった。
【0321】
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：０．９１（ｓ，１８Ｈ），１．４１（ｓ，６Ｈ），
１．９５（ｓ，６Ｈ），２．１２（ｓ，１２Ｈ），２．３５（ｓ，１２Ｈ），５．６３（
ｓ，１Ｈ），６．４９（ｓ，２Ｈ），６．８６（ｓ，２Ｈ），７．１７（ｓ，２Ｈ），７
．３４（ｓ，４Ｈ），７．４３（ｓ，４Ｈ），８．１５（ｓ，２Ｈ）．
１．９５（ｓ，６Ｈ），２．１２（ｓ，１２Ｈ），２．３５（ｓ，１２Ｈ），５．６３（
ｓ，１Ｈ），６．４９（ｓ，２Ｈ），６．８６（ｓ，２Ｈ），７．１７（ｓ，２Ｈ），７
．３４（ｓ，４Ｈ），７．４３（ｓ，４Ｈ），８．１５（ｓ，２Ｈ）．
【符号の説明】
【0322】
１００ 基板
１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ａ 第１のＥＬ層、１０３ｂ 第２のＥＬ層
１０４ 電荷発生層
１０５ 発光素子
１０６ 光学素子
１０７ 基板
２０１ 第１の電極
２０２ 第２の電極
２０３ ＥＬ層
２０３ａ、２０３ｂ ＥＬ層
２０４ 電荷発生層
２１１、２１１ａ、２１１ｂ 正孔注入層
２１２、２１２ａ、２１２ｂ 正孔輸送層
２１３、２１３ａ、２１３ｂ 発光層
２１４、２１４ａ、２１４ｂ 電子輸送層
２１５、２１５ａ、２１５ｂ 電子注入層
３０１ 第１の基板
３０２ トランジスタ（ＦＥＴ）
３０３、３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ、３０３Ｗ 発光素子
３０４ ＥＬ層
３０５ 第２の基板
３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂ カラーフィルタ
３０７ 第１の電極
３０８ 第２の電極
３０９ 黒色層（ブラックマトリックス）
３１０Ｒ、３１０Ｇ 導電層
４０１ 第１の基板
４０２ 画素部
４０３ 駆動回路部
４０４ａ、４０４ｂ 駆動回路部
４０５ シール材
４０６ 第２の基板
４０７ 引き回し配線
４０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４０９ ＦＥＴ
４１０ ＦＥＴ
４１１ ＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ）
４１２ ＦＥＴ（電流制御用ＦＥＴ）
４１３ 第１の電極
４１４ 絶縁物
４１５ ＥＬ層
４１６ 第２の電極
４１７ 発光素子
４１８ 空間
２０００ タッチパネル
２０００’ タッチパネル
２５０１ 表示パネル
２５０２Ｒ 画素
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｇ 走査線駆動回路
２５０３ｔ トランジスタ
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 絶縁体
２５５０Ｒ 発光素子
２５６０ 封止層
２５６７ＢＭ 遮光層
２５６７ｐ 反射防止層
２５６７Ｒ 着色層
２５７０ 基板
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 端子
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
３０００ 表示装置
３００１ 回路（Ｇ）
３００２ 回路（Ｓ）
３００３ 表示部
３００４ 画素
３００５ 導電膜
３００７ 開口部
３０１０ 液晶素子
３０１１ 発光素子
３０１５ トランジスタ
３０１６ トランジスタ
３０１７ トランジスタ
３０１８ 端子部
３０１９ 端子部
３０２１ 基板
３０２２ 基板
３０２３ 発光素子
３０２４ 液晶素子
３０２５ 絶縁層
３０２８ 着色層
３０２９ 接着層
３０３０ 導電層
３０３１ ＥＬ層
３０３２ 導電層
３０３３ 開口部
３０３４ 着色層
３０３５ 遮光層
３０３６ 構造体
３０３７ 導電層
３０３８ 液晶
３０３９ 導電層
３０４０ 配向膜
３０４１ 配向膜
３０４２ 接着層
３０４３ 導電層
３０４４ ＦＰＣ
３０４５ 接続層
３０４６ 絶縁層
３０４７ 接続部
３０４８ 接続体
４０００ 照明装置
４００１ 基板
４００２ 発光素子
４００３ 基板
４００４ 電極
４００５ ＥＬ層
４００６ 電極
４００７ 電極
４００８ 電極
４００９ 補助配線
４０１０ 絶縁層
４０１１ 封止基板
４０１２ シール材
４０１３ 乾燥剤
４０１５ 拡散板
４１００ 照明装置
４２００ 照明装置
４２０１ 基板
４２０２ 発光素子
４２０４ 電極
４２０５ ＥＬ層
４２０６ 電極
４２０７ 電極
４２０８ 電極
４２０９ 補助配線
４２１０ 絶縁層
４２１１ 封止基板
４２１２ シール材
４２１３ バリア膜
４２１４ 平坦化膜
４２１５ 拡散板
４３００ 照明装置
５１０１ ライト
５１０２ ホイール
５１０３ ドア
５１０４ 表示部
５１０５ ハンドル
５１０６ シフトレバー
５１０７ 座席シート
５１０８ インナーリアビューミラー
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０２ 筐体
７３０４ 表示部
７３０５ 時刻を表すアイコン
７３０６ その他のアイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作用ボタン
７４０４ 外部接続部
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４０７ カメラ
７５００（１）、７５００（２） 筐体
７５０１（１）、７５０１（２） 第１面
７５０２（１）、７５０２（２） 第２面
８００１ シーリングライト
８００２ 足元灯
８００３ シート状照明
８００４ 照明装置
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示部
９３１２ 表示領域
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体
１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ａ 第１のＥＬ層、１０３ｂ 第２のＥＬ層
１０４ 電荷発生層
１０５ 発光素子
１０６ 光学素子
１０７ 基板
２０１ 第１の電極
２０２ 第２の電極
２０３ ＥＬ層
２０３ａ、２０３ｂ ＥＬ層
２０４ 電荷発生層
２１１、２１１ａ、２１１ｂ 正孔注入層
２１２、２１２ａ、２１２ｂ 正孔輸送層
２１３、２１３ａ、２１３ｂ 発光層
２１４、２１４ａ、２１４ｂ 電子輸送層
２１５、２１５ａ、２１５ｂ 電子注入層
３０１ 第１の基板
３０２ トランジスタ（ＦＥＴ）
３０３、３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ、３０３Ｗ 発光素子
３０４ ＥＬ層
３０５ 第２の基板
３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂ カラーフィルタ
３０７ 第１の電極
３０８ 第２の電極
３０９ 黒色層（ブラックマトリックス）
３１０Ｒ、３１０Ｇ 導電層
４０１ 第１の基板
４０２ 画素部
４０３ 駆動回路部
４０４ａ、４０４ｂ 駆動回路部
４０５ シール材
４０６ 第２の基板
４０７ 引き回し配線
４０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４０９ ＦＥＴ
４１０ ＦＥＴ
４１１ ＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ）
４１２ ＦＥＴ（電流制御用ＦＥＴ）
４１３ 第１の電極
４１４ 絶縁物
４１５ ＥＬ層
４１６ 第２の電極
４１７ 発光素子
４１８ 空間
２０００ タッチパネル
２０００’ タッチパネル
２５０１ 表示パネル
２５０２Ｒ 画素
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｇ 走査線駆動回路
２５０３ｔ トランジスタ
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 絶縁体
２５５０Ｒ 発光素子
２５６０ 封止層
２５６７ＢＭ 遮光層
２５６７ｐ 反射防止層
２５６７Ｒ 着色層
２５７０ 基板
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 端子
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
３０００ 表示装置
３００１ 回路（Ｇ）
３００２ 回路（Ｓ）
３００３ 表示部
３００４ 画素
３００５ 導電膜
３００７ 開口部
３０１０ 液晶素子
３０１１ 発光素子
３０１５ トランジスタ
３０１６ トランジスタ
３０１７ トランジスタ
３０１８ 端子部
３０１９ 端子部
３０２１ 基板
３０２２ 基板
３０２３ 発光素子
３０２４ 液晶素子
３０２５ 絶縁層
３０２８ 着色層
３０２９ 接着層
３０３０ 導電層
３０３１ ＥＬ層
３０３２ 導電層
３０３３ 開口部
３０３４ 着色層
３０３５ 遮光層
３０３６ 構造体
３０３７ 導電層
３０３８ 液晶
３０３９ 導電層
３０４０ 配向膜
３０４１ 配向膜
３０４２ 接着層
３０４３ 導電層
３０４４ ＦＰＣ
３０４５ 接続層
３０４６ 絶縁層
３０４７ 接続部
３０４８ 接続体
４０００ 照明装置
４００１ 基板
４００２ 発光素子
４００３ 基板
４００４ 電極
４００５ ＥＬ層
４００６ 電極
４００７ 電極
４００８ 電極
４００９ 補助配線
４０１０ 絶縁層
４０１１ 封止基板
４０１２ シール材
４０１３ 乾燥剤
４０１５ 拡散板
４１００ 照明装置
４２００ 照明装置
４２０１ 基板
４２０２ 発光素子
４２０４ 電極
４２０５ ＥＬ層
４２０６ 電極
４２０７ 電極
４２０８ 電極
４２０９ 補助配線
４２１０ 絶縁層
４２１１ 封止基板
４２１２ シール材
４２１３ バリア膜
４２１４ 平坦化膜
４２１５ 拡散板
４３００ 照明装置
５１０１ ライト
５１０２ ホイール
５１０３ ドア
５１０４ 表示部
５１０５ ハンドル
５１０６ シフトレバー
５１０７ 座席シート
５１０８ インナーリアビューミラー
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０２ 筐体
７３０４ 表示部
７３０５ 時刻を表すアイコン
７３０６ その他のアイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作用ボタン
７４０４ 外部接続部
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４０７ カメラ
７５００（１）、７５００（２） 筐体
７５０１（１）、７５０１（２） 第１面
７５０２（１）、７５０２（２） 第２面
８００１ シーリングライト
８００２ 足元灯
８００３ シート状照明
８００４ 照明装置
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示部
９３１２ 表示領域
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】