特開 2024-157267 シリンダブロックのめっき処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024157267

(43)【公開日】2024-11-07

(54)【発明の名称】シリンダブロックのめっき処理装置

(51)【国際特許分類】

   C25D 17/00 20060101AFI20241030BHJP

   F02F 1/00 20060101ALI20241030BHJP

   C25D 21/10 20060101ALI20241030BHJP

   C25D 17/12 20060101ALI20241030BHJP

   C25D 5/08 20060101ALI20241030BHJP

   C25D 7/00 20060101ALI20241030BHJP

   C25D 7/04 20060101ALI20241030BHJP

【ＦＩ】

C25D17/00 Z

F02F1/00 G

C25D21/10 301

C25D17/12 J

C25D5/08

C25D7/00 C

C25D7/04

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023071525

(22)【出願日】2023-04-25

(71)【出願人】

【識別番号】000002082

【氏名又は名称】スズキ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001380

【氏名又は名称】弁理士法人東京国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】木村 春樹

【テーマコード（参考）】

3G024

4K024

【Ｆターム（参考）】

3G024AA22

3G024FA14

3G024GA01

3G024GA06

3G024GA18

3G024HA01

3G024HA07

4K024BB04

4K024BB28

4K024BC04

4K024BC06

4K024CB08

4K024CB13

4K024CB15

4K024CB26

(57)【要約】

【課題】より均一なめっき被膜を形成可能なシリンダブロックのめっき処理装置を提供する。
【解決手段】
シリンダブロックのめっき処理装置１は、めっき処理装置本体Ｍと、処理液供給部３１と、を備え、めっき処理装置本体Ｍは、シリンダブロックＣが載置される載置部１１と、シリンダボアＣｂに挿入配置される電極部２１と、を備える。電極部２１は、電極内流路Ｐ１１を有するとともに、ボア内周面との間に、ヘッド合わせ面Ｃｆ１側の第１ボア開口縁からシリンダスカート端面Ｃｆ２側の第２ボア開口縁に至る電極外流路Ｐ１２を形成する。ヘッド合わせ面Ｃｆ１に設置され、シリンダボアＣｂの全周に亘って延在しかつボア内周面Ｃｆｂよりも径方向内方に突出する環状突出部４１１を有するシール部材４１をさらに備える。めっき処理液は、電極内流路Ｐ１１を介して電極外流路Ｐ１２に流入し、電極外流路Ｐ１２を第１ボア開口縁から第２ボア開口縁へ向けて通過する。
【選択図】 図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

シリンダヘッドに対する合わせ面であるヘッド合わせ面を一側端に有するとともに、クランクケースに対する合わせ面であるケース合わせ面側のシリンダスカート端面を他側端に有するシリンダブロックのボア内周面にめっき処理を施すシリンダブロックのめっき処理装置であって、
前記シリンダブロックが載置される載置部と、前記載置部に載置された前記シリンダブロックのシリンダボアに挿入配置される電極部と、を備えるめっき処理装置本体と、
前記めっき処理装置本体にめっき処理液を供給する処理液供給部と、を備え、
前記電極部は、
前記シリンダボアの軸方向に貫通する電極内流路を有するとともに、
前記ボア内周面との間に、前記電極内流路に連通し、前記ヘッド合わせ面側の第１ボア開口縁から前記シリンダスカート端面側の第２ボア開口縁に至る前記めっき処理液の電極外流路を形成し、
前記めっき処理装置本体は、前記ヘッド合わせ面に設置され、前記シリンダボアの全周に亘って延在しかつ前記ボア内周面よりも前記シリンダボアの径方向内方に突出する環状突出部を有するシール部材をさらに備え、
前記めっき処理装置本体において、前記めっき処理液は、前記電極内流路を介して前記電極外流路に流入し、前記電極外流路を前記第１ボア開口縁から前記第２ボア開口縁へ向けて通過する、シリンダブロックのめっき処理装置。

【請求項2】

前記環状突出部は、その全周に亘って形成され、前記第１ボア開口縁よりも前記シリンダボアの内方に延出するリブ部を有する、請求項１に記載のシリンダブロックのめっき処理装置。

【請求項3】

前記環状突出部と前記ボア内周面との内径差が２ｍｍ以上４ｍｍ以下である、請求項２に記載のシリンダブロックのめっき処理装置。

【請求項4】

前記シリンダブロックは、前記第１ボア開口縁に面取りが形成され、
前記シリンダボアの軸方向に定められる前記面取りの高さは、前記軸方向に定められる前記リブ部の高さよりも大きい、請求項２または３に記載のシリンダブロックのめっき処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、シリンダブロックのめっき処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

シリンダブロックのめっき処理装置として、シリンダブロックの載置台と、「陽極棒」と呼ばれる電極部と、を備え、シリンダブロックのシリンダボアに電極部を挿入配置し、ボア内周面と電極部との間に形成された環状の隙間（以下「処理液流路」という場合がある）にめっき処理液を流しながらシリンダブロックと電極部との間に電位差を形成することで、ボア内周面にめっき被膜を形成するものが存在する。

【0003】

このめっき処理装置は、シリンダブロック全体をめっき処理液に浸漬させるものと比較して、めっき処理に要する時間を短縮するとともに、手作業による負担を軽減することが可能である。さらに、めっき処理液の流路が外部に対して閉じた状況にあり、シリンダブロック全体をめっき処理液に浸漬させる必要もないことから、めっき処理液の持ち出しがなく、作業環境の改善およびめっき処理液の節減に寄与する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１１－１２２２０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ボア内周面と電極部とが互いに近接した位置関係にあると、シリンダボアの開口縁に電流が集中しやすく、ボア開口縁およびその近傍でめっき被膜が局部的に肥大化する、いわゆる「花咲き」と呼ばれるめっき不良が発生する。花咲きによる不良めっき部分は、その後のホーニング工程への移行前に除去する必要がある。ボア開口縁に二次電極を設置することによりボア開口縁近傍における花咲きの発生を抑制する技術も存在するが、二次電極にめっき被膜が付着し、これを使用の都度除去することが必要となるため、根本的な解決には至らないのが実情である。

【0006】

そこで、本発明は、花咲きの発生を抑制し、より均一なめっき被膜を形成可能なシリンダブロックのめっき処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前記の課題を解決するため、本発明の一形態に係るシリンダブロックのめっき処理装置は、シリンダヘッドに対する合わせ面であるヘッド合わせ面を一側端に有するとともに、クランクケースに対する合わせ面であるケース合わせ面側のシリンダスカート端面を他側端に有するシリンダブロックのボア内周面にめっき処理を施すシリンダブロックのめっき処理装置であって、めっき処理装置本体と、前記めっき処理装置本体にめっき処理液を供給する処理液供給部と、を備え、めっき処理装置本体は、前記シリンダブロックが載置される載置部と、前記載置部に載置された前記シリンダブロックのシリンダボアに挿入配置される電極部と、を備える。前記電極部は、前記シリンダボアの軸方向に貫通する電極内流路を有するとともに、前記ボア内周面との間に、前記電極内流路に連通し、前記ヘッド合わせ面側の第１ボア開口縁から前記シリンダスカート端面側の第２ボア開口縁に至る前記めっき処理液の電極外流路を形成する。前記めっき処理装置本体は、前記ヘッド合わせ面に設置され、前記シリンダボアの全周に亘って延在しかつ前記ボア内周面よりもシリンダボアの径方向内方に突出する環状突出部を有するシール部材をさらに備え、前記めっき処理液は、前記電極内流路を介して前記電極外流路に流入し、前記電極外流路を前記第１ボア開口縁から前記第２ボア開口縁へ向けて通過する。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、電極内流路を通過しためっき処理液は、環状突出部と電極部との隙間を介して電極外流路に流入するため、シリンダブロックのヘッド合わせ面側のボア開口縁（第１ボア開口縁）は、電極外流路に流入するめっき処理液の流れに対して環状突出部の後方ないし背後に位置することとなる。これにより、第１ボア開口縁およびその近傍におい電極外流路を流れるめっき処理液とボア内周面との接触を適度に制限し、めっき被膜の過度な成長を回避し、花咲きの発生を抑制することが可能となる。よって、めっき被膜の均一形成を促すことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施形態に係るめっき処理装置の全体的な構成を示す断面図である。

【図2】同上実施形態に係るめっき処理装置の構成を模式的に示す概略図である。

【図3】同上実施形態に係るシール部材（環状突出部）の構成をシリンダブロックとの関係のもとに示す（ａ）平面図および（ｂ）断面図である。

【図4】同上実施形態に係る環状突起部の具体的な構成を示す断面図である。

【図5】同上実施形態の変形例に係るシール部材（環状突出部）の構成を示す（ａ）平面図および（ｂ）断面図である。

【図6】比較例に係るシール部材の構成を示す（ａ）平面図および（ｂ）断面図である。

【図7】環状突起部の効果を複数の異なるシリンダボアとの内径差およびリブ部の突出高さについて示す説明図である。

【図8】花咲きが生じたボア開口縁およびその近傍を拡大視により示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下に図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。

【0011】

（めっき処理装置の全体構成）
図１は、本発明の一実施形態に係るめっき処理装置１の全体的な構成を示す断面図である。

【0012】

図２は、本実施形態に係るめっき処理装置１の構成を模式的に示す概略図である。

【0013】

本実施形態において、めっき処理装置１は、車両用の内燃エンジンを構成するシリンダブロックＣのシリンダボアＣｂの内周面（以下「ボア内周面」という）Ｃｆｂにめっき処理を施すのに用いられる。具体的には、内燃エンジンのボア内周面Ｃｆｂにニッケルめっきによる被膜を形成する。内燃エンジンは、レシプロ型であり、単気筒であっても、多気筒であってもよい。シリンダブロックＣは、例えば、アルミニウム合金の鋳物材またはダイキャスト材である。以下の説明では、１つの気筒を構成するシリンダブロックＣを対象として、そのボア内周面Ｃｆｂにめっき被膜を形成するが、複数の気筒を構成するシリンダブロックＣのそれぞれを対象とすることも可能である。その場合は、以下に示すのと同様に構成されるめっき処理装置１により、他のシリンダブロックＣのボア内周面Ｃｆｂについてもめっき被膜を形成する。

【0014】

めっき処理装置１による処理対象であるシリンダブロックＣは、シリンダヘッドおよびクランクケースに対して分割して形成され、互いに結合されることにより、内燃エンジンの本体部を構成する。シリンダブロックＣは、シリンダヘッドに対する合わせ面であるヘッド合わせ面Ｃｆ１を一側端に有するとともに、シリンダスカート端面Ｃｆ２を他側端に有する。組立後のエンジン本体において、シリンダブロックＣは、ヘッド合わせ面Ｃｆ１においてシリンダヘッドに接合し、ケース合わせ面Ｃｆ３においてクランクケースに接合する。そして、シリンダスカート端面Ｃｆ２を含むシリンダブロックＣのスカート部分（「シリンダスカート」と呼ばれる）は、クランクケースの内部に挿入される。

【0015】

（めっき処理装置本体の構成）
図２に示すように、めっき処理装置１は、シリンダブロックＣが載置される載置部１１と、載置部１１に載置されたシリンダブロックＣのシリンダボアＣｂに挿入配置される電極部２１と、を備える。載置部１１および電極部２１は、このめっき処理装置１の本体部（つまり、めっき処理装置本体Ｍ）を構成する。めっき処理装置１は、めっき処理装置本体Ｍにめっき処理液を供給する処理液供給部３１をさらに備える。

【0016】

載置部１１は、載置部本体１１１と、台座部１１２と、上蓋部１１３と、を備える。載置部本体１１１は、シリンダブロックＣの重量を支える支持部となるものである。シリンダブロックＣは、シリンダボアＣｂの中心軸Ａｃが起立し、ヘッド合わせ面Ｃｆ１を上向きに、シリンダスカート端面Ｃｆ２およびケース合わせ面Ｃｆ３を下向きにした状態で配置される。台座部１１２および上蓋部１１３は、いずれも樹脂製であり、シリンダブロックＣを上下から挟み込むように配置される。ここに、台座部１１２が樹脂製であることにより、載置部本体１１１と台座部１１２との間、さらに、台座部１１２とシリンダブロックＣとの間が液密に封止される。

【0017】

めっき処理装置本体Ｍは、シリンダブロックＣと載置部１１の上蓋部１１３との間に挟持されるシール部材４１をさらに備える。シール部材４１は、シリコンゴム等の樹脂材により薄い板状に形成され、シリンダブロックＣのヘッド合わせ面Ｃｆ１に当接した状態で配置される。シール部材４１が樹脂製であることにより、シリンダブロックＣと上蓋部１１３との間が液密に封止される。

【0018】

シール部材４１は、めっき処理装置本体Ｍに設置された状態、つまり、シリンダブロックＣと上蓋部１１３との間に挟持された状態で、ボア内周面ＣｆｂよりもシリンダボアＣｂの径方向内方に突出する環状突出部４１１を有する。環状突出部４１１は、シール部材４１をその厚さ方向に貫通する円形の開口部を形成し、その内径は、シリンダボアＣｂの内径よりも小さく設定されている。

【0019】

以下の説明では、特に言及しない限り、シリンダボアＣｂの中心軸Ａｃに沿った方向、つまり、紙面に対する上下方向を「軸方向」Ｄａとし、これに垂直な方向、つまり、紙面に対する左右方向を「径方向」Ｄｒとする。

【0020】

電極部２１は、電極部本体２１１と、電極支持部２１２と、を備える。電極部本体２１１は、導電性を有し、めっき処理に際してその外周面がシリンダブロックＣのボア内周面Ｃｆｂと対向して配置され、ボア内周面Ｃｆｂとの間に所定の電位差を形成する。電極支持部２１２は、電極部本体２１１に対して分離自在に構成され、載置部本体１１１に固定されている。電極支持部２１２は、めっき処理に際して電極部本体２１１が装着され、電極部本体２１１を載置部本体１１１に対して支持する。電極支持部２１２は、電極部本体２１１と同様に導電材により形成されている。

【0021】

電極部２１は、電極部本体２１１がシリンダボアＣｂに挿入された状態で載置部１１に設置される。載置部本体１１１および台座部１１２は、上蓋部１１３に対して下方に相対移動可能であり、載置部本体１１１を上蓋部１１３に対して下方に移動させ、載置部本体１１１と上蓋部１１３とを上下に離間させることで、載置部本体１１１に固定された電極支持部２１２に電極部本体２１１を装着することが可能である。この状態で、載置部本体１１１を上方へ移動させ、載置部本体１１１と上蓋部１１３とを、シリンダブロックＣを挟み込むように互いに近付けることで、電極部本体２１１がシリンダボアＣｂに挿入配置され、電極部２１の設置が完了する。

【0022】

ここに、電極部本体２１１は、その長さがシリンダボアＣｂの軸方向寸法よりも大きく設定され、電極部２１の設置後の状態において、シリンダボアＣｂを上下に貫通し、シリンダボアＣｂへの挿入方向の先端部（図３に示す上端部２１１ａ）がシリンダブロックＣのヘッド合わせ面Ｃｆ１、つまり、ヘッド合わせ面Ｃｆ１側のボア開口縁よりも上方に位置し、基端部がシリンダスカート端面Ｃｆ２側のボア開口縁よりも下方に位置する。

【0023】

ここに、シリンダブロックＣのうち、ヘッド合わせ面Ｃｆ１側のボア開口縁は、本実施形態に係る「第１ボア開口縁」に相当し、シリンダスカート端面Ｃｆ２側のボア開口縁は、本実施形態に係る「第２ボア開口縁」に相当する。

【0024】

電極部２１は、設置後の状態において、電極部本体２１１とボア内周面Ｃｆｂとの間に環状の処理液流路（以下「電極外流路」という）Ｐ１２を形成する。電極部本体２１１および電極支持部２１２には、それらの内部を軸方向Ｄａに貫通する処理液流路（以下「電極内流路」という）Ｐ１１が形成され、電極内流路Ｐ１１と電極外流路Ｐ１２とは、互いに連続しかつ連通する。

【0025】

めっき処理に際し、めっき処理液は、電極内流路Ｐ１１を下方から上方へ、換言すれば、シリンダブロックＣのシリンダスカート端面Ｃｆ２からヘッド合わせ面Ｃｆ１へ向かう方向に通過する。そして、めっき処理液は、上蓋部１１３の下面による制御を受けて流れの向きを１８０°反転させ、シール部材４１と電極部２１との間でシリンダボアＣｂの径方向Ｄｒに定められる隙間、具体的には、環状突出部４１１と電極部本体２１１との隙間ｇを介して電極外流路Ｐ１２に流入する。めっき処理液は、電極外流路Ｐ１２を上方から下方へ、換言すれば、シリンダブロックＣのヘッド合わせ面Ｃｆ１からシリンダスカート端面Ｃｆ２へ向かう方向に通過する。このように、本実施形態では、電極部本体２１１の管壁部を介してその内外に処理液流路Ｐ１１、Ｐ１２が形成され、電極部２１の本体内に形成される流路（電極内流路）Ｐ１１と本体外に形成される流路（電極外流路）Ｐ１２とは、めっき処理液の流れる向きが互いに逆である。

【0026】

（シール部材周辺の詳細構成）
図３は、本実施形態に係るめっき処理装置１におけるシール部材４１（環状突出部４１１）の構成をシリンダブロックＣとの関係のもとに示す（ａ）平面図および（ｂ）断面図である。図３（ａ）は、シール部材４１を上方、つまり、ヘッド合わせ面Ｃｆ１側から見た平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す直線ａ３－ａ３による断面図である。図３は、電極部２１（電極部本体２１１）の外形を二点鎖線により示す。

【0027】

本実施形態では、シール部材４１の開口部をシリンダボアＣｂよりも小径として、シール部材４１に、シリンダボアＣｂの全周に亘って延在しかつボア内周面ＣｆｂよりもシリンダボアＣｂの径方向内方に突出する環状突起部４１１を形成する。環状突起部４１１および電極部本体２１１は、シリンダボアＣｂと同軸に配置され、よって、環状突起部４１１と電極部本体２１１とは、互いに同軸の関係にある。先に述べたように、電極部本体２１１は、シリンダボアＣｂを上下に貫通する。ここで、電極部本体２１１は、その先端部２１１ａがシール部材４１の上端面よりも下方で終結し、環状突出部４１１により包囲されている。

【0028】

本実施形態では、さらに、環状突出部４１１に、シリンダボアＣｂの軸方向Ｄａに延びるリブ部４１２を形成する。リブ部４１２は、シリンダブロックＣのヘッド合わせ面Ｃｆ１にシール部材４１を設置した状態で、このヘッド合わせ面Ｃｆ１よりもシリンダボアＣｂの内方に延出する。リブ部４１２は、環状突出部４１１の全周に亘って形成され、図３（ａ）に点線で示すように、シール部材４１を上方から見た平面視において環状をなす。

【0029】

図４は、本実施形態に係る環状突起部４１１の具体的な構成を示す断面図であり、環状突出部４１に設けられたシール部材４１２の主要な寸法を、ボア内周面Ｃｆｂおよびヘッド合わせ面Ｃｆ１との関係のもとに示す。

【0030】

図４中、シリンダボアＣｂの内径をｄ１とし、環状突出部４１１の内径、換言すれば、シール部材４１に形成された開口部の内径をｄ２とする。さらに、シリンダブロックＣのヘッド合わせ面Ｃｆ１側の開口縁に形成された面取りＣｃについて、シリンダボアＣｂの軸方向Ｄａに定められる寸法（つまり、高さ）をｈ１とし、リブ部４１１について、同じ軸方向Ｄａに定められる高さをｈ２とする。面取りＣｃは、Ｃ面取りであっても、Ｒ面取りであってもよい。

【0031】

本実施形態において、環状突出部４１１とボア内周面Ｃｆｂとの内径差（＝ｄ１－ｄ２）は、２ｍｍ以上４ｍｍ以下である。つまり、環状突出部４１１がボア内周面Ｃｆｂから径方向内方に突出する長さｌ１は、１ｍｍから２ｍｍである。ボア内周面Ｃｆｂと電極部本体２１１の外周面との間隔ｓ１が５ｍｍである場合に、環状突出部４１１と電極部本体２１１との隙間ｇの径方向寸法ｓ２は、３ｍｍから４ｍｍである。リブ部４１２とボア内周面Ｃｆｂとの隙間について同じ径方向Ｄｒに定められる寸法ｓ３は、例えば、０．１ｍｍ以上である。さらに、面取りＣｃの高さｈ１は、リブ部４１２の高さｈ２よりも大きい。リブ部４１２の高さｈ２は、例えば、０．５ｍｍである。

【0032】

（めっき処理液の給排に関わる構成）
図２に戻り、処理液供給部３１は、めっき液槽３１１と、送液ポンプ３１２と、を備える。めっき液槽３１１および送液ポンプ３１２は、載置部１１に対して水平方向の一側に配置され、電極部２１の電極内流路Ｐ１１に対してその中心軸から水平方向にずらして配置される。本実施形態において、電極内流路Ｐ１１の中心軸は、シリンダボアＣｂの中心軸Ａｃに一致する。

【0033】

処理液供給部３１は、供給配管３１３と、排出配管３１４と、を備える。供給配管３１３は、電極内流路Ｐ１１とめっき液槽３１１とを接続し、排出配管３１４は、電極外流路Ｐ１２とめっき液槽３１１とを接続する。送液ポンプ３１２は、供給配管３１３に介装され、めっき液槽３１１に蓄えられているめっき処理液は、送液ポンプ３１２により供給配管３１３を介してめっき処理装置本体Ｍに供給される。そして、めっき処理液は、装置本体内部の処理液流路、具体的には、電極内流路Ｐ１１、環状突出部４１１と電極部本体２１１との隙間ｇ、電極外流路Ｐ１２を順に通過した後、めっき処理装置本体Ｍから排出配管３１４を介してめっき液槽３１１に排出される。

【0034】

本実施形態において、供給配管３１３は、一端において電極支持部２１２に接続され、この一端から鉛直下向きに延びる直進部３１３ａと、直進部３１３ａに接続され、直進部３１３ａに対して９０°に亘って湾曲するとともに、径方向外方へ延びるＬ字状の湾曲部３１３ｂと、を備える。送液ポンプ３１２により圧送されためっき処理液は、湾曲部３１３ｂに流入し、流れの向きを水平方向から鉛直方向へ９０°に亘って変更する。その後、めっき処理液は、直進部３１３ａを通過し、電極支持部２１２を介して電極部本体２１１の電極内流路Ｐ１１に流入する。ここに、直進部３１３ａは、電極内流路Ｐ１１に対して上下に連続する直線的な流路を形成する。

【0035】

載置部本体１１１および台座部１１２には、電極外流路Ｐ１２に対してシリンダボアＣｂの軸方向下方に続くボア外流路Ｐ２が形成されている。ボア外流路Ｐ２の内径は、シリンダボアＣｂの内径よりも大きく、シリンダボアＣｂからボア外流路Ｐ２にかけて開口断面積が拡大されている。ただし、シリンダボアＣｂの開口断面積とボア外流路Ｐ２の開口断面積とは、互いに同じであってもよいし、ボア外流路Ｐ２の開口断面積を全体または一部でシリンダボアＣｂよりも縮小し、めっき処理液の流れをボア外流路Ｐ２への流入時に絞るようにしてもよい。

【0036】

載置部本体１１１には、さらに、シリンダボアＣｂの中心軸Ａｃに対する一側においてボア外流路Ｐ２に開口する流出口１１１ａが形成され、電極外流路Ｐ１２を通過しためっき処理液は、ボア外流路Ｐ２からこの流出口１１１ａを介して径方向外方へ導出される。

【0037】

排出配管３１４は、載置部本体１１１の流出口１１１ａに接続されている。

【0038】

このような構成のもと、シリンダブロックＣと電極部２１とに電源装置１０１が接続され（図１）、めっき処理の際には、シリンダブロックＣを陰極とし、電極部２１を陽極とする電位差が形成される。めっき条件は、例えば、電流密度が１０～１００Ａ／ｄｍ^２であり、めっき処理液の流速が１００～２００ｃｍ／ｓである。

【0039】

（作用および効果の説明）
処理液供給部３１からめっき処理装置本体Ｍに供給されためっき処理液は、電極部本体２１１および電極支持部２１２に形成された電極内流路Ｐ１１を通過した後、シール部材４１の環状突出部４１１と電極部本体２１１との隙間ｇを介して電極部本体２１１とボア内周面Ｃｆｂとの間の電極外流路Ｐ１２に流入する。

【0040】

ここで、環状突出部４１１がボア内周面ＣｆｂよりもシリンダボアＣｂの径方向内方に突出し、電極内流路Ｐ１１を通過しためっき処理液は、環状突出部４１１と電極部本体２１１との隙間ｇを介して電極外流路Ｐ１２に流入するため、シリンダブロックＢのヘッド合わせ面Ｃｆ１側のボア開口縁（つまり、第１ボア開口縁）は、電極外流路Ｐ１２に流入するめっき処理液の流れ、つまり、図２に示す例において、シリンダブロックＣｂのヘッド合わせ面Ｃｆ１と上蓋部１１３の下面とに包囲された空間から電極外流路Ｐ１２へ向かう下向きの流れに対し、環状突出部４１１の後方ないし背後に位置することとなる。

【0041】

これにより、第１ボア開口縁およびその近傍において電極外流路Ｐ１２を流れるめっき処理液とボア内周面Ｃｆｂとの接触を適度に制限し、めっき被膜の形成に寄与する金属イオンのボア内周面Ｃｆｂへの供給を適度に抑制して、めっき被膜の過度な成長を回避し、花咲きの発生を抑制することが可能となる。

【0042】

このように、本実施形態によれば、第１ボア開口縁およびその近傍におけるめっき被膜の過剰生成を回避し、ボア内周面Ｃｆｂ全体におけるめっき被膜の均一形成を促すことが可能となる。

【0043】

さらに、シリンダブロックＣｂと電極部２１（電極部本体２１１）との間における電流密度を、花咲きの発生を抑制可能な範囲で高く設定することが可能となる。これにより、めっき処理時間を短縮したり、一定のめっき処理時間のもとでより厚いめっき被膜を形成したりすることができる。

【0044】

シリンダブロックＣのヘッド合わせ面Ｃｆ１側の開口縁、つまり、第１ボア開口縁よりもシリンダボアＣｂの内方に延出するリブ部４１２を形成したことで、花咲きの発生を抑制しながら、ボア内周面Ｃｆｂと電極部本体２１１との間により広い隙間を確保することが可能となる。これにより、シリンダボアＣｂに電極部２１を挿入する際に、シール部材４１が電極部２１に接触することにより、電極部２１、特に電極部本体２１１に破損が生じる事態を抑制することができる。

【0045】

さらに、環状に形成されたリブ部４１２によりシール部材４１を構造的に補強して、樹脂製であるシール部材４１の変形を抑制し、シール部材４１本来の機能、つまり、シリンダブロックＣと載置部１１（本実施形態では、上蓋部１１３）との間の液密性を確保し、シリンダブロックＣのヘッド合わせ面Ｃｆ１または上蓋部１１３の下面を伝って生じるめっき処理液の漏れを抑制することが可能となる。

【0046】

環状突出部４１１とボア内周面Ｃｆｂとの内径差を２ｍｍ以上とすることで、花咲きの発生を良好に抑制することが可能となる。

【0047】

ここで、環状突起部４１１とボア内周面Ｃｆｂとの内径差が過度に大きく、環状突出部４１１がボア内周面ＣｆｂからシリンダボアＣｂの径方向内方に過剰に突出する場合は、シリンダボアＣｂに電極部２１を挿入する際の邪魔になるだけでなく、第１ボア開口縁およびその近傍におけるめっき被膜の成長が不充分となり、めっき被膜が機能確保上必要となる厚さに対して不足する事態が生じる。

【0048】

これに対し、内径差を４ｍｍ以下とすることで、めっき被膜の成長を適度に促し、必要な厚さのめっき被膜を形成することが可能となる。

【0049】

第１ボア開口縁に形成される面取りＣｃの高さｈ１を、シリンダボアＣｂの軸方向Ｄａに定められるリブ部４１２の高さ、つまり、リブ部４１２の突出高さｈ２よりも大きくすること、換言すれば、リブ部４１２の突出高さｈ２を面取りＣｃの高さｈ１よりも小さくすることで、面取りＣｃの周辺にめっき被膜を適度な厚さで形成することが可能となる。

【0050】

シール部材４１は、リブ部４１２を有するものに限らず、リブ部４１２を有していないものであってもよい。図５は、本実施形態の変形例に係るシール部材４１（環状突出部４１１）の構成をシリンダブロックＣとの関係のもとに示す（ａ）平面図および（ｂ）断面図である。図３と同様に、図５（ａ）は、シール部材４１を上方から見た平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に直線ａ５－ａ５により示す断面図である。

【0051】

変形例に係るシール部材４１は、図３に示す例に対し、リブ部４１２を有していない点のみにおいて相違する。シール部材４１の開口部をシリンダボアＣｂよりも小径として、ボア内周面ＣｆｂよりもシリンダボアＣｂの径方向内方に突出する環状突起部４１１をシール部材４１に形成し、環状突起部４１１と電極部本体２１１とをいずれもシリンダボアＣｂと同軸に配置することは、図３に示す例と同様である。さらに、電極部本体２１１がシリンダボアＣｂを上下に貫通し、その先端部２１１ａがシール部材４１の上端面よりも下方で終結し、環状突出部４１１により包囲されていることも同様である。

【0052】

図７は、本実施形態に係る環状突起部４１２の効果を、異なる複数のシリンダボアＣｂとの内径差Δｄ１２（＝ｄ１－ｄ２）およびリブ部４１２の突出高さｈ２について示す説明図である。内径差Δｄ１２は、０ｍｍから８ｍｍまでの間で２ｍｍずつ変更し、リブ部４１２の突出高さｈ２は、０ｍｍから１．５ｍｍまでの間で０．５ｍｍずつ変更した。

【0053】

ここで、図６は、比較例として、環状突出部に相当する構成、つまり、ボア内周面ＣｆｂからシリンダボアＣｂの径方向内方に突出する部分を有さず（よって、リブ部に相当する構成も有さず）、開口部がシリンダボアＣｂと同径に形成されたシール部材４１’の構成を、シリンダブロックＣとの関係のもとに示す。図６（ａ）は、シール部材４１’を上方からみた平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に直線ａ６－ａ６により示す断面図である。比較例では、シール部材４１’の開口部とシリンダボアＣｂとが、円筒側面形状をなす一続きの内周面を形成する。

【0054】

図８は、シリンダブロックＣのうち、花咲きが生じたボア開口縁およびその近傍を拡大視により示す断面図である。

【0055】

図８中、符号５０１は、シリンダブロックＣの基材部を示し、符号５０２は、シリンダブロックＣのボア内周面Ｃｆｂに形成されためっき被膜を示す。基材部は、アルミニウム合金の鋳物材またはダイキャスト材により形成されている。符号５０３は、めっき被膜の過剰生成により形成された花咲きを示す。寸法ｔ１は、ボア内周面Ｃｆｂのうち、面取りＣｃを除く周面部におけるめっき被膜の最小厚さを示し、ボア内周面Ｃｆｂから、めっき被膜のうち、最も深い谷の底部までの寸法として規定する。めっき被膜の最小厚さｔ１は、完成後のシリンダブロックＣにおいて確保可能なめっき被膜の最大厚さに相当する。寸法ｔｌｉｍは、めっき被膜の機能確保上必要な最小めっき膜厚（以下「下限膜厚」という）を示す。寸法ｔ２は、めっき被膜の厚さ（以下「めっき膜厚」という）を示す。花咲きを含むめっき被膜の厚さｔ２は、ボア内周面Ｃｆｂから、花咲きを形成する不良めっき被膜のうち、径方向Ｄｒにおいて最も内側に位置する部分、つまり、最も高い山の頂部までの寸法として規定する。

【0056】

ここで、図７中、×印は、めっき膜厚ｔ２が後工程において工具と干渉する可能性が高くなる寸法、例えば、２５０μｍよりも大きくなったか、めっき被膜の最小厚さｔ１が下限膜厚ｔｌｉｍよりも小さくなったことを示す。本実施形態では、めっき膜厚ｔ２が２５０μｍを超える結果となった部分について、花咲きが生じたものと判定する。○印は、めっき膜厚ｔ２が２５０μｍよりも小さくかつ下限膜厚ｔｌｉｍ以上となったことを示す。さらに、△印は、めっき膜厚ｔ２が下限膜厚ｔｌｉｍよりも小さくなったことを示す。

【0057】

図８を参照しながら図７をみると、比較例（内径差Δｄ１２＝０、リブ部の突出高さｈ２＝０）では、めっき膜厚ｔ２が２５０μｍよりも大きく、花咲きが生じる結果であった。これに対し、内径差Δｄ１２を２ｍｍ以上とした場合に、全体的な傾向として、花咲きの発生が抑制される結果が得られた。

【0058】

ただし、内径差Δｄ１２が２ｍｍのもとでは、リブ部４１２の突出高さｈ２が０ｍｍである場合、つまり、リブ部４１２がない場合に、比較例と同様に、めっき膜厚ｔ２が２５０μｍよりも大きくなる結果であった。これは、環状突出部４１１の径方向内方の突出が不足し、ボア開口縁およびその近傍において電極外流路Ｐ１２を流れるめっき処理液とボア内周面Ｃｆｂとの一定程度の接触が保たれ、金属イオンのボア内周面Ｃｆｂへの供給を充分に抑制することができなかったためであると推察される。

【0059】

これに対し、環状突出部４１１にリブ部４１２を形成することにより、花咲きの発生が抑えられ、めっき膜厚ｔ２が２５０μｍよりも小さくなる結果が得られた。ただし、内径差Δｄ１２の増大に対してめっき膜厚が減少する傾向がみられ、例えば、リブ部４１２の突出高さｈ２が０．５ｍｍである場合に、２ｍｍおよび４ｍｍの内径差Δｄ１２に対してめっき膜厚ｔ２が２５０μｍよりも小さく、花咲きの発生が抑えられる一方、６ｍｍ以上の内径差Δｄ１２に対してめっき膜厚ｔ２が下限膜厚ｔｌｉｍよりも小さくなる結果であった。

【0060】

このような結果から、リブ部４１２を形成する効果として、より小さな内径差Δｄ１２にあっても花咲きの発生を良好に抑制し、めっき膜厚ｔ２を２５０μｍよりも小さく抑えられることが分かる。

【0061】

以上の説明では、ニッケルめっきによるめっき処理を施すこととしたが、めっき処理の種類は、これに限定されるものではなく、銅めっきまたはクロムめっきによるめっき処理に適用することも可能である。

【0062】

さらに、以上の説明では、シリンダブロックのボア内周面にめっき処理を施すこととしたが、めっき処理の対象は、これに限定されるものではなく、円筒形状をなす適宜の被めっき物の内周面を対象とし、めっき被膜を形成することが可能である。

【符号の説明】

【0063】

１…めっき処理装置、１１…載置部、１１１…載置部本体、１１２…台座部、１１３…上蓋部、２１…電極部、２１１…電極部本体、２１２…電極支持部、３１…処理液供給部、３１１…めっき液槽、３１２…送液ポンプ、３１３…供給配管、３１４…排出配管、４１…シール部材、４１１…環状突出部、４１２…リブ部、５０１…シリンダブロックの基材部、５０２…めっき被膜、５０３ａ、５０３ｂ…花咲き、Ｃ…シリンダブロック、Ｍ…めっき処理装置本体、Ｃｂ…シリンダボア、Ｃｆ１…ヘッド合わせ面、Ｃｆ２…シリンダスカート端面、Ｃｆ３…ケース合わせ面、Ｃｆｂ…ボア内周面、Ｃｃ…面取り、Ｐ１１…電極内流路、Ｐ１２…電極外流路、Ｐ２…ボア外流路、ｇ…環状突出部と電極部本体との隙間。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】