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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024157348
(43)【公開日】2024-11-07
(54)【発明の名称】電力変換ユニットおよび車両
(51)【国際特許分類】
H02M 7/48 20070101AFI20241030BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20241030BHJP
H01L 23/00 20060101ALI20241030BHJP
【ＦＩ】
H02M7/48 Z
H01L25/04 C
H01L23/00 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023071662
(22)【出願日】2023-04-25
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】高橋 聡一郎
【テーマコード（参考）】
5H770
【Ｆターム（参考）】
5H770AA04
5H770AA21
5H770BA02
5H770CA06
5H770QA01
5H770QA04
5H770QA05
5H770QA06
5H770QA08
5H770QA33
5H770QA35
(57)【要約】
【課題】制御基板への電磁ノイズの影響を低減することが可能な電力変換ユニットを提供する。
【解決手段】電力変換ユニットＡ１０は、半導体素子２１と半導体素子２１を覆う封止部５０とを各々が備える少なくとも１つの半導体モジュールＢ１と、少なくとも１つの半導体モジュールＢ１の各々の半導体素子２１の駆動を制御する制御回路を含む制御基板Ｅ１と、磁気シールド部材Ｆ１と、を備える。磁気シールド部材Ｆ１は、少なくとも１つの半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、少なくとも１つの半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。
【選択図】図１０
【解決手段】電力変換ユニットＡ１０は、半導体素子２１と半導体素子２１を覆う封止部５０とを各々が備える少なくとも１つの半導体モジュールＢ１と、少なくとも１つの半導体モジュールＢ１の各々の半導体素子２１の駆動を制御する制御回路を含む制御基板Ｅ１と、磁気シールド部材Ｆ１と、を備える。磁気シールド部材Ｆ１は、少なくとも１つの半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、少なくとも１つの半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子と当該半導体素子を覆う封止部とを各々が備える少なくとも１つの半導体モジュールと、
前記少なくとも１つの半導体モジュールの各々の前記半導体素子の駆動を制御する制御回路を含む制御基板と、
磁気シールド部材と、
を備え、
前記磁気シールド部材は、前記少なくとも１つの半導体モジュールから前記制御基板を見て、前記制御基板に重なり、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールと前記制御基板との間に配置されている、電力変換ユニット。
前記少なくとも１つの半導体モジュールの各々の前記半導体素子の駆動を制御する制御回路を含む制御基板と、
磁気シールド部材と、
を備え、
前記磁気シールド部材は、前記少なくとも１つの半導体モジュールから前記制御基板を見て、前記制御基板に重なり、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールと前記制御基板との間に配置されている、電力変換ユニット。
【請求項2】
前記少なくとも１つの半導体モジュールを取り付ける取付対象物をさらに備える、請求項１に記載の電力変換ユニット。
【請求項3】
前記磁気シールド部材は、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に押し付け、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に固定する、請求項２に記載の電力変換ユニット。
【請求項4】
前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に押し付け、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に固定する取付部材をさらに備える、請求項２に記載の電力変換ユニット。
【請求項5】
前記磁気シールド部材は、前記取付部材と前記制御基板との間に配置されている、請求項４に記載の電力変換ユニット。
【請求項6】
前記磁気シールド部材は、前記制御基板、前記少なくとも１つの半導体モジュール、前記取付対象物および前記取付部材のいずれからも、電気的に絶縁されている、請求項４に記載の電力変換ユニット。
【請求項7】
前記磁気シールド部材の厚さは、前記取付部材の厚さよりも大きい、請求項４に記載の電力変換ユニット。
【請求項8】
前記磁気シールド部材は、パーマロイ、鉄、あるいはケイ素銅のいずれかを含む、請求項１に記載の電力変換ユニット。
【請求項9】
前記少なくとも１つの半導体モジュールは、複数の半導体モジュールを含む、請求項１に記載の電力変換ユニット。
【請求項10】
前記制御基板は、前記複数の半導体モジュールの各々の前記半導体素子に導通する、請求項９に記載の電力変換ユニット。
【請求項11】
前記制御基板は、複数の個別基板に分離されており、
前記複数の個別基板の各々は、前記複数の半導体モジュールに対してそれぞれ個別に設けられ、且つ、前記複数の半導体モジュールのうちの対応する１つが備える前記半導体素子に導通する、請求項９に記載の電力変換ユニット。
前記複数の個別基板の各々は、前記複数の半導体モジュールに対してそれぞれ個別に設けられ、且つ、前記複数の半導体モジュールのうちの対応する１つが備える前記半導体素子に導通する、請求項９に記載の電力変換ユニット。
【請求項12】
前記制御基板から前記磁気シールド部材を見た時、前記磁気シールド部材は、前記複数の半導体モジュールの全てに重なる、請求項９に記載の電力変換ユニット。
【請求項13】
前記磁気シールド部材は、複数の個別シールド部材に分離されており、
前記複数の個別シールド部材の各々は、前記複数の半導体モジュールに対してそれぞれ個別に設けられており、
前記制御基板から前記複数の個別シールド部材の各々を見た時、前記複数の個別シールド部材の各々は、前記複数の半導体モジュールのうちの対応する１つにそれぞれ重なる、請求項９に記載の電力変換ユニット。
前記複数の個別シールド部材の各々は、前記複数の半導体モジュールに対してそれぞれ個別に設けられており、
前記制御基板から前記複数の個別シールド部材の各々を見た時、前記複数の個別シールド部材の各々は、前記複数の半導体モジュールのうちの対応する１つにそれぞれ重なる、請求項９に記載の電力変換ユニット。
【請求項14】
前記少なくとも１つの半導体モジュールは、前記封止部から突き出た信号端子を備え、
前記信号端子は、前記制御回路に導通する、請求項１に記載の電力変換ユニット。
前記信号端子は、前記制御回路に導通する、請求項１に記載の電力変換ユニット。
【請求項15】
前記信号端子は、前記封止部から離れた端部である先端部を含み、
前記制御基板は、前記先端部に取り付けられており、
前記制御回路は、前記信号端子を介して前記半導体素子に導通する、請求項１４に記載の電力変換ユニット。
前記制御基板は、前記先端部に取り付けられており、
前記制御回路は、前記信号端子を介して前記半導体素子に導通する、請求項１４に記載の電力変換ユニット。
【請求項16】
前記磁気シールド部材には、前記信号端子が挿通される貫通孔を有する、請求項１４に記載の電力変換ユニット。
【請求項17】
前記信号端子は、前記貫通孔の内面から離れており、
前記信号端子と前記貫通孔の内面との間には、絶縁材が充填されている、請求項１６に記載の電力変換ユニット。
前記信号端子と前記貫通孔の内面との間には、絶縁材が充填されている、請求項１６に記載の電力変換ユニット。
【請求項18】
前記少なくとも１つの半導体モジュールの前記半導体素子は、ケイ素よりもバンドギャップが大きい半導体材料を含む、請求項１に記載の電力変換ユニット。
【請求項19】
請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載の電力変換ユニットと、
駆動源と、
を備え、
前記電力変換ユニットは、前記駆動源に導通する、車両。
駆動源と、
を備え、
前記電力変換ユニットは、前記駆動源に導通する、車両。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電力変換ユニットおよび車両に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、パワーモジュールなどの半導体モジュールを備える電力変換ユニットが知られている。たとえば、電気モータによって駆動する電気自動車またはハイブリッド自動車には、電源電力から先述の電気モータを駆動するための駆動用電力に変換するための電力変換ユニットが搭載されている。特許文献１には、従来の電力変換ユニット（電力変換装置）の一例が開示されている。特許文献１に記載の電力変換装置は、複数の半導体モジュールと、複数の半導体モジュールの駆動を制御する制御基板と、を備える。複数の半導体モジュールの各々は、半導体素子が樹脂封止されると共に樹脂成型された半導体モジュール本体と、半導体モジュール本体から突出し、制御基板と電気的に接続される信号端子と、を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－１１５９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
電力変換ユニットの用途は、電気自動車またはハイブリッド自動車に限らず、産業機器および家電機器など、様々であり、その用途に応じて、半導体モジュールには、高出力化あるいは高周波化が求められることがある。しかしながら、半導体モジュールの高出力化あるいは高周波化を行うと、半導体モジュールから発する電磁ノイズが大きくなり、制御基板に誤作動などの悪影響を及ぼすことがある。
【0005】
本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、制御基板への電磁ノイズの影響を低減することが可能な電力変換ユニットを提供することにある。また、他の目的は、制御基板への電磁ノイズの影響が低減された電力変換ユニットを備える車両を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面によって提供される電力変換ユニットは、半導体素子と当該半導体素子を覆う封止部とを各々が備える少なくとも１つの半導体モジュールと、前記少なくとも１つの半導体モジュールの各々の前記半導体素子の駆動を制御する制御回路を含む制御基板と、磁気シールド部材と、を備え、前記磁気シールド部材は、前記少なくとも１つの半導体モジュールから前記制御基板を見て、前記制御基板に重なり、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールと前記制御基板との間に配置されている。
【0007】
本開示の第２の側面によって提供される車両は、第１の側面によって提供される電力変換ユニットと、駆動源と、を備え、前記電力変換ユニットは、前記駆動源に導通する。
【発明の効果】
【0008】
本開示の電力変換ユニットによれば、制御基板への電磁ノイズの影響を低減することが可能となる。また、本開示の車両は、制御基板への電磁ノイズの影響が低減された電力変換ユニットを備えるので、車両の動作不具合を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示の電力変換ユニットおよび車両の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0011】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。
【0012】
図１～図１４は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットＡ１０を示している。電力変換ユニットＡ１０は、複数の半導体モジュールＢ１、１つの取付対象物Ｃ１、１つの取付部材Ｄ１、１つの制御基板Ｅ１および複数の磁気シールド部材Ｆ１を備える。
【0013】
以下の説明では、互いに直交する厚さ方向ｚ、第１方向ｘおよび第２方向ｙを参照する。厚さ方向ｚは、電力変換ユニットＡ１０の厚さ方向に相当する。また、「平面視」とは、厚さ方向ｚに見たときをいう。第１方向ｘは、厚さ方向ｚに直交する。第２方向ｙは、厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに直交する。なお、第１方向ｘの一方側を第１方向ｘのｘ１側、第１方向ｘの他方側を第１方向ｘのｘ２側と称する。また、第２方向ｙの一方側を第２方向ｙのｙ１側、第２方向ｙの他方側を第２方向ｙのｙ２側と称する。また、厚さ方向ｚの一方側を厚さ方向ｚのｚ１側、厚さ方向ｚの他方側を厚さ方向ｚのｚ２側と称する。また、厚さ方向ｚのｚ１側を上方といい、厚さ方向ｚのｚ２側を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。
【0014】
複数の半導体モジュールＢ１は、図２、図４、図７および図８に示すように、第２方向ｙに沿って配置される。複数の半導体モジュールＢ１はそれぞれ、複数の半導体素子２１を備える。後に詳述される構成から理解されるように、複数の半導体素子２１は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）およびＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子であり、複数の半導体モジュールＢ１はそれぞれ、たとえばハーフブリッジ型のスイッチング回路を構成する。複数の半導体素子２１はそれぞれ、半導体材料を含む。当該半導体材料は、何ら限定されないが、好ましくは、Ｓｉ（ケイ素）よりもバンドギャップが大きい半導体であり、例えば、ワイドバンドギャップ半導体であるＳｉＣ（炭化ケイ素）およびＧａＮ（窒化ガリウム）など、あるいは、ウルトラワイドバンドギャップ半導体であるＧａ2Ｏ3（参加ガリウム）、ダイヤモンドおよびＡｌＮ（窒化アルミニウム）などである。
【0015】
また、複数の半導体モジュールＢ１はそれぞれ、図１～図９に示すように、複数の電力端子１３と、複数の信号端子１７と、封止部５０とを備える。複数の半導体モジュールＢ１の各々において、複数の半導体素子２１は、封止部５０に覆われている。複数の電力端子１３は、封止部５０の側面（後述の第２側面５３２）から第１方向ｘに突出する。複数の信号端子１７は、封止部５０の上面（後述の頂面５１）から厚さ方向ｚに突出する。複数の信号端子１７は、複数の半導体素子２１のいずれかに導通する。なお、複数の信号端子１７には、ダミー端子として、複数の半導体素子２１のいずれにも導通しないものがあってもよい。
【0016】
図示された例では、電力変換ユニットＡ１０は、３つの半導体モジュールＢ１を備えているが、２つまたは４つ以上の半導体モジュールＢ１を備える構成であってもよい。以下の説明において、３つの半導体モジュールＢ１を区別する場合、第１モジュールＢ１１、第２モジュールＢ１２および第３モジュールＢ１３という。第１モジュールＢ１１は、複数の半導体モジュールＢ１のうち最も第２方向ｙのｙ１側に位置する。第３モジュールＢ１３は、複数の半導体モジュールＢ１のうち最も第２方向ｙのｙ２側に位置する。第２モジュールＢ１２は、第２方向ｙにおいて、第１モジュールＢ１１と第３モジュールＢ１３との間に位置する。
【0017】
取付対象物Ｃ１は、複数の半導体モジュールＢ１を支持する。取付対象物Ｃ１は、たとえばヒートシンクである。取付対象物Ｃ１は、ヒートシンクではなく、電子機器および電気自動車などの筐体（フレーム等）であってもよい。取付対象物Ｃ１の大半は、複数の半導体モジュールＢ１に対して、厚さ方向ｚの下方（ｚ２側）に位置する。取付対象物Ｃ１は、複数の半導体モジュールＢ１の封止部５０の下面（後述の底面５２）に対向する。取付対象物Ｃ１の材料は、たとえばアルミニウムを含む。当該材料は、アルミニウムに限定されず、他の金属材料、または樹脂材料（好ましくは熱伝導率の良いもの）などでもよい。取付対象物Ｃ１は、本体部７１、複数の台座部７２および複数の位置決め部７３を含む。
【0018】
本体部７１は、板材である。複数の半導体モジュールＢ１は、本体部７１に搭載される。よって、図２、図４、図７および図８に示すように、複数の半導体モジュールＢ１は、本体部７１上に第２方向ｙに沿って配列されている。本体部７１は、複数の半導体モジュールＢ１の各封止部５０の下面（後述の底面５２）に対向する。本体部７１は、各半導体モジュールＢ１に接する。本体部７１は、たとえば平面視矩形状である。
【0019】
複数の台座部７２はそれぞれ、図２、図５および図７～図１３に示すように、本体部７１から厚さ方向ｚ上方に突き出る。図示された例では、複数の台座部７２は、本体部７１と一体的に形成されているが、本体部７１に対して、別体として取り付けられていてもよい。
【0020】
複数の台座部７２の各々は、図９～図１３に示すように、第１部７２１および第２部７２２を含む。第１部７２１は、厚さ方向ｚにおいて、制御基板Ｅ１と本体部７１との間に介在する。第１部７２１の厚さ方向ｚの寸法は、各半導体モジュールＢ１の封止部５０の厚さ方向ｚの寸法よりも大きい。第２部７２２は、第１部７２１上に配置される。制御基板Ｅ１は、第１部７２１と第２部７２２とに挟持される。このような構成により、制御基板Ｅ１は、本体部７１の上面に対して、一定の間隔を空けて配置される。
【0021】
図示された例では、第１部７２１には、雌ネジ加工された凹部があり、第２部７２２には、雄ネジ加工された凸部がある。第１部７２１の雌ネジ部分（凹部）に、第２部７２２の雄ネジ部分（凸部）が挿入されることで、第１部７２１に第２部７２２が締結される。なお、各台座部７２は、第１部７２１と第２部７２２とが嵌合される構造のものであればよい。たとえば、第１部７２１に第２部７２２が圧入される構造のものでもよい。また、第１部７２１に凸部があり、第２部７２２に凹部があってもよい。
【0022】
複数の位置決め部７３はそれぞれ、図２および図１３に示すように、本体部７１から厚さ方向ｚ上方に突き出る。図示された例（たとえば図１３）では、複数の位置決め部７３はそれぞれ、本体部７１に対して、別体として取り付けられている。この例と異なり、各位置決め部７３は、本体部７１と一体的に形成されていてもよい。図１３に示す例では、各位置決め部７３は、本体部７１に形成された貫通孔に圧入されている。各位置決め部７３は、円柱状であり、厚さ方向ｚのｚ１側の先端が先細りした形状である。図示された例において、平面視における各位置決め部７３の径は、平面視における各台座部７２の径よりも小さい。図３および図４に示すように、複数の位置決め部７３には、第１モジュールＢ１１よりも第２方向ｙのｙ１側に配置されたものと、第３モジュールＢ１３よりも第２方向ｙのｙ２側に配置されたものとがある。
【0023】
取付部材Ｄ１は、複数の半導体モジュールＢ１を取付対象物Ｃ１に固定する。取付部材Ｄ１は、たとえば板バネである。取付部材Ｄ１の弾性力により、複数の半導体モジュールＢ１が取付対象物Ｃ１に押さえ付けられる。取付部材Ｄ１の材料は、何ら限定されないが、たとえば銅、鉄、チタン、あるいは、これらのいずれかを含む合金（たとえばステンレスを含む）などである。図４、図７～図１３に示すように、取付部材Ｄ１は、複数の押圧部８１および複数の固定部８２を含む。
【0024】
複数の押圧部８１はそれぞれ、複数の半導体モジュールＢ１に対してそれぞれ個別に設けられる。複数の押圧部８１はそれぞれ、対応する半導体モジュールＢ１の封止部５０（頂面５１）に接する。各押圧部８１は、接する半導体モジュールＢ１を取付対象物Ｃ１の本体部７１に押し付ける。
【0025】
複数の固定部８２はそれぞれ、取付対象物Ｃ１に固定され、本実施形態では、本体部７１に固定されている。複数の固定部８２はそれぞれ、たとえばｘ－ｙ平面に平行な平板状である。複数の固定部８２の各々には、貫通孔が形成されている。当該貫通孔には、締結具８９（図示された例では六角ボルト）が挿通される。当該締結具８９によって、固定部８２は、本体部７１に固定される。
【0026】
複数の固定部８２は、複数の両端配置部８２１および複数の中間配置部８２２を含む。電力変換ユニットＡ１０では、複数の固定部８２は、一対の両端配置部８２１および２つの中間配置部８２２を含む。図４および図１０に示すように、一対の両端配置部８２１の一方は、第１モジュールＢ１１よりも第２方向ｙのｙ１側に位置し、一対の両端配置部８２１の他方は、第３モジュールＢ１３よりも第２方向ｙのｙ２側に位置する。２つの中間配置部８２２の一方は、第１モジュールＢ１１と第２モジュールＢ１２との間に位置し、２つの中間配置部８２２の他方は、第２モジュールＢ１２と第３モジュールＢ１３との間に位置する。
【0027】
図４に示す例では、各両端配置部８２１の幅（第１方向ｘの寸法）は、各押圧部８１の幅（第１方向ｘの寸法）および各中間配置部８２２の幅（第１方向ｘの寸法）よりも小さい。これにより、取付部材Ｄ１（各両端配置部８２１）と各位置決め部７３との干渉を回避している。この例とは異なり、押圧部８１の幅および各中間配置部８２２の幅は、各両端配置部８２１の幅と同じであってもよい。この場合、取付部材Ｄ１を、平面視において矩形状（帯状）に形成できる。あるいは、各中間配置部８２２の幅は、各両端配置部８２１の幅と同じであってもよい。
【0028】
制御基板Ｅ１は、図１、図３、図７および図８に示すように、複数の半導体モジュールＢ１に対して共通に設けられる。この構成とは異なり、複数の制御基板Ｅ１が、複数の半導体モジュールＢ１に対してそれぞれ個別に設けられていてもよい。図９および図１１から理解されるように、制御基板Ｅ１には、複数の半導体モジュールＢ１の各信号端子１７がそれぞれ挿通される。制御基板Ｅ１は、各信号端子１７に導通する。制御基板Ｅ１は、たとえば複数の半導体モジュールＢ１の各半導体素子２１の駆動を制御する制御回路を含む。各半導体素子２１がＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴである例において、制御基板Ｅ１は、ゲートドライバである。制御基板Ｅ１は、複数の半導体モジュールＢ１の各封止部５０の上面（頂面５１）に対向する。制御基板Ｅ１は、複数の半導体モジュールＢ１に対して、取付対象物Ｃ１の本体部７１と反対側に位置する。制御基板Ｅ１は、平面視において、複数の半導体モジュールＢ１の各封止部５０に重なる。制御基板Ｅ１は、複数の台座部７２により、厚さ方向ｚに一定の距離を空けて保持される。
【0029】
図１４に示すように、制御基板Ｅ１は、基材９１、主部配線９２、裏部配線９３および内部配線９４を有する。基材９１には、厚さ方向ｚに貫通する複数のスルーホール９１１が設けられている。主部配線９２は、基材９１の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）に形成されている。裏部配線９３は、基材９１の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）に形成されている。内部配線９４は、複数のスルーホール９１１の内面に配置されている。内部配線９４は、主部配線９２および裏部配線９３に繋がる。主部配線９２は、裏部配線９３および内部配線９４と、制御基板Ｅ１に設けられた回路とが相互に導通するための経路をなしている。
【0030】
複数の半導体モジュールＢ１の各信号端子１７は、制御基板Ｅ１の複数のスルーホール９１１のうち対応する１つにそれぞれ挿通される。図１４には、複数の半導体モジュールＢ１のいずれかの信号端子１７が、基材９１のスルーホール９１１に挿通された状態を示している。なお、複数の半導体モジュールＢ１の各信号端子１７はすべて、図１４に示すように、基材９１のスルーホール９１１に挿通される。各信号端子１７は、対応する半導体モジュールＢ１の封止部５０の内方において、（後述の）複数のスリーブ６４のいずれかに圧入されている。
【0031】
図１４に示すように、各信号端子１７は、先端部１７０を含む。先端部１７０は、各信号端子１７において、封止部５０から離れた端部である。先端部１７０は、膨出部１７０Ａを有する。図１４に示すように、膨出部１７０Ａは、信号端子１７において、厚さ方向ｚに直交する方向に膨らんでいる。
【0032】
図１４に示すように、各信号端子１７の膨出部１７０Ａは、制御基板Ｅ１の複数のスルーホール９１１のいずれかに圧入されている。これにより、複数のスルーホール９１１のいずれかに配置された内部配線９４は、当該スルーホール９１１に挿通される信号端子１７の膨出部１７０Ａに圧接される。したがって、各信号端子１７は、スルーホール９１１に厚さ方向ｚに圧入されることにより、制御基板Ｅ１（の制御回路）に導通している。各信号端子１７が複数のスルーホール９１１の対応する１つに圧入されることで、制御基板Ｅ１は、各信号端子１７により支持される。この構成から理解されるように、制御基板Ｅ１は、各信号端子１７の先端部１７０に取り付けられている。この構成とは異なり、各信号端子１７は、膨出部１７０Ａを含んでいなくてもよい。つまり、各信号端子１７は、太さに変化がないストレートピンであってもよい。この場合、各信号端子１７は、スルーホール９１１に挿通した上で、制御基板Ｅ１にはんだで接合される。
【0033】
【0034】
複数の取付孔９５１には、図３、図９および図１１～図１３に示すように、複数の台座部７２（たとえば第２部７２２）がそれぞれ個別に挿通される。各取付孔９５１は、たとえば平面視において真円に形成される。平面視における各取付孔９５１の径は、平面視における各台座部７２（特に第１部７２１）の径よりも小さい。このため、制御基板Ｅ１は、第１部７２１の厚さ方向ｚの上方（ｚ１側）で保持される。
【0035】
複数の位置決め孔９５２には、図３および図１３に示すように、複数の位置決め部７３がそれぞれ個別に挿通される。図示された例では、制御基板Ｅ１には、２つの位置決め孔９５２が形成されている。２つの位置決め孔９５２の一方（第２方向ｙのｙ１側に配置された位置決め孔９５２）は、真円に形成され、２つの位置決め孔９５２の他方（第２方向ｙのｙ２側に配置された位置決め孔９５２）は、長孔に形成されている。これにより、取付対象物Ｃ１に対する制御基板Ｅ１の位置決めが容易となる。このとき、２つの位置決め孔９５２の一方が長孔に形成されることで、製造誤差による取付対象物Ｃ１および制御基板Ｅ１の微妙なずれを抑制することができる。
【0036】
磁気シールド部材Ｆ１は、図２、図４および図１０から理解されるように、複数の半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なる。磁気シールド部材Ｆ１は、複数の半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。磁気シールド部材Ｆ１は、導電性材料を含む。当該導電性材料は、何ら限定されないが、パーマロイ、鉄、あるいはケイ素銅のいずれかを含む。好ましくは、磁気シールド部材Ｆ１の導電性材料は、比透磁率が高いほうがよい。パーマロイの比透磁率は、約１００，０００、鉄の比透磁率は、約５，０００、ケイ素銅の比透磁率は、約４，０００であるので、これらの例においては、磁気シールド部材Ｆ１の材料は、パーマロイが好ましい。
【0037】
磁気シールド部材Ｆ１は、図４および図１０に示すように、複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３を含む。複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３は、互いに離間する。複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３はそれぞれ、複数の半導体モジュールＢ１に対してそれぞれ個別に設けられている。複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３はそれぞれ、制御基板Ｅ１から複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３を見た時、複数の半導体モジュールＢ１のうちの対応する１つにそれぞれ重なる。本実施形態では、電力変換ユニットＡ１０は、複数の絶縁体９９０を備え、複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３はそれぞれ、複数の絶縁体９９０のいずれかを介して、取付部材Ｄ１に貼り付けられている。
【0038】
図１０に示すように、個別シールド部材Ｆ１１は、第１モジュールＢ１１の封止部５０に接する押圧部８１上に、絶縁体９９０を介して、貼り付けられている。個別シールド部材Ｆ１２は、第２モジュールＢ１２の封止部５０に接する押圧部８１上に、絶縁体９９０を介して、貼り付けられている。個別シールド部材Ｆ１３は、第３モジュールＢ１３の封止部５０に接する押圧部８１上に、絶縁体９９０を介して、貼り付けられている。この構成により、磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）は、各半導体モジュールＢ１および取付部材Ｄ１に対して、電気的に絶縁される。各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３と対応する絶縁体９９０とは、および、各絶縁体９９０と対応する押圧部８１（取付部材Ｄ１）とはそれぞれ、ゲル状あるいはシート状の接着剤などにより貼り付けられる。この例とは異なり、各絶縁体９９０が、磁気シールド部材Ｆ１を取付部材Ｄ１に貼り付ける接着剤であってもよい。なお、磁気シールド部材Ｆ１と取付部材Ｄ１とを意図的に同電位にする場合には、各絶縁体９９０を設けず、導電性の接着剤により磁気シールド部材Ｆ１を取付部材Ｄ１に直接接着させてもよい。
【0039】
図９などに示すように、磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）は、制御基板Ｅ１から離間する。したがって、磁気シールド部材Ｆ１は、制御基板Ｅ１に対して、電気的に絶縁される。本実施形態では、磁気シールド部材Ｆ１は、電力変換ユニットＡ１０の構成要素の全てに対して、電気的に絶縁されている。
【0040】
また、図示された例では、各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３は、対応する押圧部８１よりも小さいが、対応する押圧部８１よりも大きくてもよい。磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）の厚さは、たとえば、取付部材Ｄ１の厚さよりも大きい。この例とは異なり、磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）の厚さは、取付部材Ｄ１の厚さと同じであってもよいし、取付部材Ｄ１よりも小さくてもよい。なお、磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）の厚さとは、厚さ方向ｚに直交する平面（ｘ－ｙ平面）に平行な平坦部においては、厚さ方向ｚの寸法である。また、取付部材Ｄ１の厚さとは、厚さ方向ｚに直交する平面（ｘ－ｙ平面）に平行な平坦部においては、厚さ方向ｚの寸法であり、第２方向ｙに直交する平面（ｘ－ｚ平面）に平行な平坦部においては、第２方向ｙの寸法である。
【0041】
次に、複数の半導体モジュールＢ１の構成例について、図１５～図２６を参照して説明する。図１５～図２６は、複数の半導体モジュールＢ１のいずれか１つを拡大したものである。複数の半導体モジュールＢ１はいずれも、同じ構造である。以下で説明する半導体モジュールＢ１は、特段の断りがない限り、第１モジュールＢ１１、第２モジュールＢ１２および第３モジュールＢ１３で共通する。なお、図１６においては、取付部材Ｄ１の一部および磁気シールド部材Ｆ１の一部（複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３のいずれか）を想像線で示している。
【0042】
図１５～図２６に示すように、各半導体モジュールＢ１（第１モジュールＢ１１、第２モジュールＢ１２および第３モジュールＢ１３の各々）は、上述した複数の電力端子１３、複数の信号端子１７、複数の半導体素子２１および封止部５０の他、支持基板１１、一対のサーミスタ２２、第１導通部材３１、第２導通部材３２、複数のワイヤ、および一対の制御配線６０を備える。複数の電力端子１３は、第１電力端子１４、２つの第２電力端子１５および２つの第３電力端子１６を含み、複数の信号端子１７は、第１信号端子１７１、第２信号端子１７２、第３信号端子１７３、第４信号端子１７４、一対の第５信号端子１８１および一対の第６信号端子１８２を含む。複数のワイヤは、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４を含む。
【0043】
各半導体モジュールＢ１は、第１電力端子１４と、２つの第２電力端子１５とに印加された直流の電源電圧を、複数の半導体素子２１により交流電力に変換する。変換された交流電力は、２つの第３電力端子１６からモータなどの電力供給対象に入力される。
【0044】
支持基板１１は、図１８および図２１に示すように、厚さ方向ｚにおいて複数の半導体素子２１を支持する。支持基板１１は、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板から構成される。図２１～図２６に示すように、支持基板１１は、絶縁層１１１、第１配線層１１２および第２配線層１１３を含む。支持基板１１は、第２配線層１１３の一部を除き封止部５０に覆われている。
【0045】
図２１～図２６に示すように、絶縁層１１１は、厚さ方向ｚにおいて、第１配線層１１２と第２配線層１１３との間に介在する部分を含む。絶縁層１１１は、熱伝導性が比較的高い材料からなる。絶縁層１１１は、たとえば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むセラミックスからなる。絶縁層１１１は、セラミックスの他、絶縁樹脂シートからなる構成でもよい。
【0046】
図１８、図２１～図２６に示すように、第１配線層１１２は、厚さ方向ｚにおいて、絶縁層１１１の上方（ｚ１側）に位置する。第１配線層１１２の組成は、銅（Ｃｕ）を含む。図１８に示すように、第１配線層１１２は、平面視において、絶縁層１１１の周縁に囲まれている。図１８、図２１～図２６に示すように、第１配線層１１２は、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２を含む。第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２はそれぞれ、平面視において、矩形状である。第１搭載部１１２１と第２搭載部１１２２は、第１方向ｘにおいて互いに離れている。複数の半導体素子２１はそれぞれ、第１搭載部１１２１または第２搭載部１１２２のいずれかに接合される。
【0047】
図２１～図２６に示すように、第２配線層１１３は、厚さ方向ｚにおいて、絶縁層１１１の下方（ｚ２側）に位置する。図２０に示すように、第２配線層１１３は、封止部５０から露出している。第２配線層１１３は、取付対象物Ｃ１の本体部７１の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）に接する。第２配線層１１３の組成は、銅を含む。第２配線層１１３は、平面視において矩形状である。第２配線層１１３は、平面視において、絶縁層１１１の周縁に囲まれてる。
【0048】
複数の半導体素子２１の各々は、図１８および図２１に示すように、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２のいずれかに搭載されている。各半導体素子２１は、たとえばＭＯＳＦＥＴである。この他、各半導体素子２１は、ＩＧＢＴなどのスイッチング素子あるいはダイオードでもよい。半導体モジュールＢ１の説明においては、半導体素子２１は、ｎチャンネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。
【0049】
図１８および図２１に示すように、各半導体モジュールＢ１においては、複数の半導体素子２１は、複数の第１素子２１Ａおよび複数の第２素子２１Ｂを含む。複数の第２素子２１Ｂの各々の構造は、複数の第１素子２１Ａの各々の構造と同一である。図１８、図２１および図２２に示すように、複数の第１素子２１Ａは、第１搭載部１１２１に搭載されている。複数の第１素子２１Ａは、第２方向ｙに沿って配列されている。図１８、図２１および図２３に示すように、複数の第２素子２１Ｂは、第２搭載部１１２２に搭載されている。複数の第２素子２１Ｂは、第２方向ｙに沿って配列されている。
【0050】
【0051】
図２２および図２３に示すように、第１電極２１１は、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２のいずれかに対向している。第１電極２１１には、半導体素子２１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極２１１は、半導体素子２１のドレイン電極に相当する。
【0052】
図２２および図２３に示すように、第２電極２１２は、厚さ方向ｚにおいて第１電極２１１とは反対側に位置する。第２電極２１２には、半導体素子２１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２電極２１２は、半導体素子２１のソース電極に相当する。
【0053】
図１８に示すように、第３電極２１３は、厚さ方向ｚにおいて第２電極２１２と同じ側に位置する。第３電極２１３には、半導体素子２１を駆動するための駆動信号（ゲート電圧）が入力される。すなわち、第３電極２１３は、半導体素子２１のゲート電極に相当する。図１８に示すように、平面視において、第３電極２１３の面積は、第２電極２１２の面積よりも小さい。
【0054】
図１８、図２２および図２３に示すように、２つの第４電極２１４はそれぞれ、厚さ方向ｚにおいて第２電極２１２と同じ側に位置し、かつ第１方向ｘにおいて第３電極２１３の隣に位置する。図示された例では、２つの第４電極２１４は、第１方向ｘにおいて、第３電極２１３を挟んで、第３電極２１３の両隣に配置される。各第４電極２１４の電位は、第２電極２１２の電位と等しい。図示された例と異なり、各半導体素子２１は、２つの第４電極２１４のうちの一方のみを含んでいてもよいし、２つの第４電極２１４のいずれも含んでいなくてもよい。
【0055】
本実施形態では、図１６に示すように、複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３の各々（磁気シールド部材Ｆ１）は、平面視において、対応する半導体モジュールＢ１の複数の半導体素子２１に重なる。
【0056】
導電接合層２３は、図２２および図２３に示すように、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２のいずれかと、複数の半導体素子２１のいずれかの第１電極２１１との間に介在している。導電接合層２３は、たとえばはんだである。この他、導電接合層２３は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。複数の第１素子２１Ａの第１電極２１１は、導電接合層２３を介して、第１搭載部１１２１に導電接合されている。これにより、複数の第１素子２１Ａの各第１電極２１１は、第１搭載部１１２１に導通している。複数の第２素子２１Ｂの第１電極２１１は、導電接合層２３を介して第２搭載部１１２２に導電接合されている。これにより、複数の第２素子２１Ｂの各第１電極２１１は、第２搭載部１１２２に導通している。
【0057】
複数の電力端子１３はそれぞれ、複数の半導体素子２１に導通する。複数の電力端子１３には、複数の半導体素子２１によって変換される前の電力に対応する電流あるいは複数の半導体素子２１によって変換された後の電力に対応する電流が流れる。複数の電力端子１３は、第１電力端子１４、２つの第２電力端子１５および２つの第３電力端子１６を含む。
【0058】
第１電力端子１４は、図１８および図２４に示すように、第１搭載部１１２１に接合される。この接合は、何ら限定されず、図示しない導電性接合材（たとえばはんだ）による接合でもよいし、レーザ溶接による接合でもよいし、かしめ接合でもよい。第１電力端子１４は、第１搭載部１１２１を介して、複数の第１素子２１Ａの第１電極２１１に導通する。第１電力端子１４は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＰ端子（正極）である。第１電力端子１４は、図１８に示すように、第１方向ｘにおいて第１搭載部１１２１を間に挟んで第２搭載部１１２２とは反対側に位置する。第１電力端子１４は、第１搭載部１１２１から第１方向ｘの一方側（ｘ１側）に延びており、封止部５０から第１方向ｘの一方側（ｘ１側）に突き出る。図１７および図２４に示すように、第１電力端子１４は、封止部５０に覆われた部分と封止部５０から露出する部分とを含む。第１電力端子１４において、封止部５０に覆われた部分が、第１搭載部１１２１に接合される。また、第１電力端子１４において、封止部５０から露出する部分が、各半導体モジュールＢ１の先述のＰ端子として用いられる。
【0059】
２つの第２電力端子１５には、第２導通部材３２が接合される。２つの第２電力端子１５は、第２導通部材３２を介して、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２に導通する。２つの第２電力端子１５は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＮ端子（負極）である。２つの第２電力端子１５は、第２方向ｙにおいて互いに離れている。２つの第２電力端子１５の間には、第１電力端子１４が位置する。２つの第２電力端子１５はそれぞれ、図１８に示すように、第１方向ｘにおいて、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２に対して第１電力端子１４と同じ側に位置する。２つの第２電力端子１５はそれぞれ、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２から離れている。２つの第２電力端子１５はそれぞれ、第１方向ｘに延びており、封止部５０から第１方向ｘの一方側（ｘ１側）に突き出る。図１７および図２１に示すように、２つの第２電力端子１５はそれぞれ、封止部５０に覆われた部分と封止部５０から露出する部分とを含む。各第２電力端子１５において、封止部５０に覆われた部分に、第２導通部材３２が接合される。また、各第２電力端子１５において、封止部５０から露出する部分が、各半導体モジュールＢ１の先述のＮ端子として用いられる。
【0060】
２つの第３電力端子１６はそれぞれ、図１８および図２１に示すように、第２搭載部１１２２に接合される。この接合は、何ら限定されず、図示しない導電性接合材（たとえばはんだ）による接合でもよいし、レーザ溶接による接合でもよいし、かしめ接合でもよい。２つの第３電力端子１６はそれぞれ、第２搭載部１１２２を介して、複数の第２素子２１Ｂの第１電極２１１に導通する。また、２つの第３電力端子１６はそれぞれ、第２搭載部１１２２および第１導通部材３１を介して、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２に導通する。２つの第３電力端子１６から、複数の半導体素子２１（複数の第１素子２１Ａおよび複数の第２素子２１Ｂ）により変換された交流電力が出力される。つまり、２つの第３電力端子１６はそれぞれ、当該交流電力の出力端子である。２つの第３電力端子１６は、第２方向ｙにおいて互いに離れている。２つの第３電力端子１６はそれぞれ、図１８に示すように、第１方向ｘにおいて第２搭載部１１２２を間に挟んで第１搭載部１１２１とは反対側に位置する。２つの第３電力端子１６はそれぞれ、第２搭載部１１２２から第１方向ｘの他方側（ｘ２側）に延びており、封止部５０から第１方向ｘの他方側（ｘ２側）に突き出る。図１７および図２１に示すように、２つの第３電力端子１６はそれぞれ、封止部５０に覆われた部分と封止部５０から露出する部分とを含む。各第３電力端子１６において、封止部５０に覆われた部分が、第２搭載部１１２２に接合される。また、各第３電力端子１６において、封止部５０から露出する部分が、各半導体モジュールＢ１の先述の出力端子として用いられる。
【0061】
一対の制御配線６０は、複数の信号端子１７と、複数の半導体素子２１との導電経路の一部を構成している。図１７、図１８および図２４に示すように、一対の制御配線６０は、第１配線６０１および第２配線６０２を含む。第１配線６０１は、第１方向ｘにおいて、複数の第１素子２１Ａと、第１電力端子１４および２つの第２電力端子１５との間に位置する。第１配線６０１は、図１８および図２４に示すように、第１搭載部１１２１に接合されている。第２配線６０２は、第１方向ｘにおいて、複数の第２素子２１Ｂと、２つの第３電力端子１６との間に位置する。第２配線６０２は、図１８および図２４に示すように、第２搭載部１１２２に接合されている。一対の制御配線６０は、絶縁層６１、複数の配線層６２、金属層６３および複数のスリーブ６４を有する。一対の制御配線６０は、複数のスリーブ６４の各々の一部を除き封止部５０に覆われている。以下で説明する絶縁層６１、複数の配線層６２、金属層６３および複数のスリーブ６４は、特段の断りがない限り、一対の制御配線６０（第１配線６０１および第２配線６０２）で共通する。
【0062】
図２４に示すように、絶縁層６１は、厚さ方向ｚにおいて複数の配線層６２と、金属層６３との間に介在する部分を含む。絶縁層６１は、たとえばセラミックスからなる。絶縁層６１は、セラミックスの他、絶縁樹脂シートからなる構成でもよい。
【0063】
図２４に示すように、複数の配線層６２は、絶縁層６１の厚さ方向ｚの上方（ｚ１側）に位置する。複数の配線層６２の組成は、銅を含む。図１８に示すように、複数の配線層６２は、第１配線層６２１、第２配線層６２２、第３配線層６２３、第４配線層６２４および第５配線層６２５を含む。
【0064】
図２４に示すように、金属層６３は、厚さ方向ｚにおいて絶縁層６１を間に挟んで複数の配線層６２とは反対側に位置する。金属層６３の組成は、銅を含む。第１配線６０１の金属層６３は、図示しない接着層により第１搭載部１１２１に接合されている。第２配線６０２の金属層６３は、図示しない接着層により第２搭載部１１２２に接合されている。これらの接着層は、導電性の有無を問わない材料からなる。たとえば、これらの接着層は、はんだである。
【0065】
図２４に示すように、複数のスリーブ６４の各々は、図示しない導電性接合層（たとえばはんだ）により複数の配線層６２のいずれかに接合されている。複数のスリーブ６４は、金属などの導電性材料からなる。複数のスリーブ６４の各々は、厚さ方向ｚに沿って延びる筒状である。複数のスリーブ６４の一端（厚さ方向ｚのｚ２側の端縁）は、複数の配線層６２のいずれかに導電接合されている。図２４に示すように、複数のスリーブ６４の他端（厚さ方向ｚのｚ１側の端縁）は、封止部５０から露出している。
【0066】
一対のサーミスタ２２の一方は、図１８に示すように、第１配線６０１の一対の第３配線層６２３に跨って、これらに導通接合されている。一対のサーミスタ２２の他方は、図１８に示すように、第２配線６０２の一対の第３配線層６２３に跨って、これらに導通接合されている。一対のサーミスタ２２はそれぞれ、たとえばＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタである。ＮＴＣサーミスタは、温度上昇に対して緩やかに抵抗が低下する特性を有する。一対のサーミスタ２２はそれぞれ、半導体モジュールＢ１の温度検出用センサとして用いられる。
【0067】
複数の信号端子１７はそれぞれ、図１５および図２４に示すように、厚さ方向ｚに延びる金属ピンからなる。複数の信号端子１７は、封止部５０の後述する頂面５１から突出している。複数の信号端子１７は、一対の制御配線６０の複数のスリーブ６４に個別に圧入されている。これにより、複数の信号端子１７の各々は、複数のスリーブ６４のいずれかに支持され、且つ、複数の配線層６２のいずれに導通する。複数の信号端子１７は、第１信号端子１７１、第２信号端子１７２、第３信号端子１７３、第４信号端子１７４、一対の第５信号端子１８１、一対の第６信号端子１８２および第７信号端子１９を含む。これらの第１信号端子１７１、第２信号端子１７２、第３信号端子１７３、第４信号端子１７４、一対の第５信号端子１８１、一対の第６信号端子１８２および第７信号端子１９は、制御基板Ｅ１に挿通され、当該制御基板Ｅ１に各信号を入力または出力する。
【0068】
第１信号端子１７１は、複数のスリーブ６４のうち、第１配線６０１の第１配線層６２１に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第１信号端子１７１は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第１配線６０１の第１配線層６２１に導通している。さらに、第１信号端子１７１は、複数の第１素子２１Ａの第３電極２１３に導通している。第１信号端子１７１には、複数の第１素子２１Ａが駆動するためのゲート電圧が印加される。
【0069】
第２信号端子１７２は、複数のスリーブ６４のうち、第２配線６０２の第１配線層６２１に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第２信号端子１７２は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第２配線６０２の第１配線層６２１に導通している。さらに、第２信号端子１７２は、複数の第２素子２１Ｂの第３電極２１３に導通している。第２信号端子１７２には、複数の第２素子２１Ｂが駆動するためのゲート電圧が印加される。
【0070】
第３信号端子１７３は、図１８に示すように、第２方向ｙにおいて第１信号端子１７１の隣に位置する。第３信号端子１７３は、複数のスリーブ６４のうち、第１配線６０１の第２配線層６２２に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第３信号端子１７３は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第１配線６０１の第２配線層６２２に導通している。さらに、第３信号端子１７３は、複数の第１素子２１Ａの第４電極２１４に導通している。第３信号端子１７３には、複数の第１素子２１Ａの各々の第４電極２１４に流れる電流のうち最大となる電流に対応した電圧が印加される。
【0071】
第４信号端子１７４は、図８に示すように、第２方向ｙにおいて第２信号端子１７２の隣に位置する。第４信号端子１７４は、複数のスリーブ６４のうち、第２配線６０２の第２配線層６２２に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第４信号端子１７４は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第２配線６０２の第２配線層６２２に導通している。さらに第４信号端子１７４は、複数の第２素子２１Ｂの第４電極２１４に導通している。第４信号端子１７４には、複数の第２素子２１Ｂの各々の第４電極２１４に流れる電流のうち最大となる電流に対応した電圧が印加される。
【0072】
一対の第５信号端子１８１は、図１８に示すように、第２方向ｙにおいて、第１信号端子１７１を挟んで第３信号端子１７３とは反対側に位置する。一対の第５信号端子１８１は、第２方向ｙにおいて互いに隣り合っている。一対の第５信号端子１８１は、第１配線６０１の一対の第３配線層６２３にそれぞれ接合された一対のスリーブ６４に個別に圧入されている。これにより、一対の第５信号端子１８１は、当該一対のスリーブ６４に個別に支持されるとともに、第１配線６０１の一対の第３配線層６２３に個別に導通している。さらに、一対の第５信号端子１８１は、第１配線６０１上のサーミスタ２２に導通している。
【0073】
一対の第６信号端子１８２は、図１８に示すように、第２方向ｙにおいて、第２信号端子１７２を挟んで第４信号端子１７４とは反対側に位置する。一対の第６信号端子１８２は、第２方向ｙにおいて互いに隣り合っている。一対の第６信号端子１８２は、第２配線６０２の一対の第３配線層６２３にそれぞれ接合された一対のスリーブ６４に個別に圧入されている。これにより、一対の第６信号端子１８２は、当該一対のスリーブ６４に個別に支持されるとともに、第２配線６０２の一対の第３配線層６２３に個別に導通している。さらに、一対の第６信号端子１８２は、第２配線６０２上のサーミスタ２２に導通している。
【0074】
第７信号端子１９は、図１８に示すように、第２方向ｙにおいて、第３信号端子１７３を間に挟んで第１信号端子１７１とは反対側に位置する。第７信号端子１９は、第１配線６０１の第５配線層６２５に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第７信号端子１９は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第１配線６０１の第５配線層６２５に導通している。さらに、第７信号端子１９は、第１搭載部１１２１に導通している。第７信号端子１９には、第１電力端子１４に入力された直流電力に相当する電圧が印加される。
【0075】
複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４はそれぞれ、互いに離間する部位間を電気的に接続する。複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４はそれぞれ、ボンディングワイヤである。なお、図１７および図２１～図２４においては、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４を省略する。
【0076】
複数の第１ワイヤ４１のいくつかは、図１８に示すように、複数の第１素子２１Ａの第３電極２１３と、第１配線６０１の第４配線層６２４とに導通接合されている。複数の第３ワイヤ４３のいくつかは、図１８に示すように、第１配線６０１の第４配線層６２４と、第１配線６０１の第１配線層６２１とに導通接合されている。これにより、第１信号端子１７１は、複数の第１素子２１Ａの第３電極２１３に導通している。複数の第１ワイヤ４１、および複数の第３ワイヤ４３の組成は、金（Ａｕ）を含む。この他、複数の第１ワイヤ４１、および複数の第３ワイヤ４３の組成は、銅を含む場合や、アルミニウムを含む場合でもよい。
【0077】
さらに複数の第１ワイヤ４１のいくつかは、図１８に示すように、複数の第２素子２１Ｂの第３電極２１３と、第２配線６０２の第４配線層６２４とに導電接合されている。さらに複数の第３ワイヤ４３のいくつかは、図１８に示すように第２配線６０２の第４配線層６２４と、第２配線６０２の第１配線層６２１とに導電接合されている。これにより、第２信号端子１７２は、複数の第２素子２１Ｂの第３電極２１３に導通している。
【0078】
複数の第２ワイヤ４２のいくつかは、図１８に示すように、複数の第１素子２１Ａの２つの第４電極２１４のいずれかと、第１配線６０１の第２配線層６２２とに導電接合されている。これにより、第３信号端子１７３は、複数の第１素子２１Ａの２つの第４電極２１４のいずれかに導通している。さらに複数の第２ワイヤ４２のいくつかは、図１８に示すように、複数の第２素子２１Ｂの２つの第４電極２１４のいずれかと、第２配線６０２の第２配線層６２２とに導電接合されている。これにより、第４信号端子１７４は、複数の第２素子２１Ｂの２つの第４電極２１４のいずれかに導通している。複数の第２ワイヤ４２の組成は、金を含む。この他、複数の第２ワイヤ４２の組成は、銅を含む場合や、アルミニウムを含む場合でもよい。なお、各半導体素子２１（複数の第１素子２１Ａおよび複数の第２素子２１Ｂの各々）が、２つの第４電極２１４のいずれも含んでいない場合、複数の第２ワイヤ４２は、複数の半導体素子２１の第２電極２１２にそれぞれ１つずつ接合される。
【0079】
第４ワイヤ４４は、図１８に示すように、第１配線６０１の第５配線層６２５と、第１搭載部１１２１とに導電接合されている。これにより、第７信号端子１９は、第１搭載部１１２１を介して、複数の第１素子２１Ａの第１電極２１１に導通している。第４ワイヤ４４の組成は、金を含む。この他、第４ワイヤ４４の組成は、銅を含む場合や、アルミニウムを含む場合でもよい。
【0080】
第１導通部材３１は、図１８および図２１に示すように、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２と、第２搭載部１１２２とに導電接合されている。これにより、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２は、第２搭載部１１２２に導通している。第１導通部材３１の組成は、銅を含む。第１導通部材３１は、金属クリップである。図１８および図２１に示すように、第１導通部材３１は、本体部３１１、複数の第１接合部３１２および複数の第２接合部３１３を有する。
【0081】
本体部３１１は、第１導通部材３１の主要部をなしている。図１８に示すように、本体部３１１は、第１方向ｘに延びている。図１８および図２１に示すように、本体部３１１は、第１搭載部１１２１と第２搭載部１１２２との間を跨いでいる。図１８に示す例では、本体部３１１には、複数の貫通孔が形成されている。複数の貫通孔はそれぞれ、本体部３１１を厚さ方向ｚに貫通する。複数の貫通孔は、平面視において、第１搭載部１１２１と第２搭載部１１２２との間に重なる。これにより、封止部５０の形成時において、本体部３１１の厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）への封止部５０の流入が良好となる。
【0082】
図１８、図２１および図２２に示すように、複数の第１接合部３１２は、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２に個別に接合されている。複数の第１接合部３１２の各々は、複数の第１素子２１Ａのいずれかの第２電極２１２に対向している。平面視において、各第１接合部３１２は、本体部３１１から第１方向ｘのｘ１側に延びる。図示された例において、複数の第１接合部３１２は、本体部３１１から二股に分かれているが、二股に分かれていなくてもよい。各第１接合部３１２の基端（本体部３１１に繋がる側の端部）は、厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に屈曲している。よって、各第１接合部３１２の先端（本体部３１１に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚにおいて、本体部３１１よりも厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に位置する。
【0083】
図１８および図２１に示すように、複数の第２接合部３１３は、第２搭載部１１２２に接合されている。複数の第２接合部３１３の各々は、第２搭載部１１２２に対向している。平面視において、各第２接合部３１３は、本体部３１１から第１方向ｘのｘ２側に延びる。各第２接合部３１３の基端（本体部３１１に繋がる側の端部）は、厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に屈曲している。よって、各第２接合部３１３の先端（本体部３１１に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚにおいて、本体部３１１よりも厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に位置する。
【0084】
半導体モジュールＢ１は、図２２に示すように、第１導電接合層３３をさらに備える。第１導電接合層３３は、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２と、複数の第１接合部３１２との間に介在している。第１導電接合層３３は、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２と、複数の第１接合部３１２とを導電接合する。第１導電接合層３３は、たとえばはんだである。この他、第１導電接合層３３は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。
【0085】
半導体モジュールＢ１は、図２１に示すように、第２導電接合層３４をさらに備える。第２導電接合層３４は、第２搭載部１１２２と、第２接合部３１３との間に介在している。第２導電接合層３４は、第２搭載部１１２２と第２接合部３１３とを導電接合する。第２導電接合層３４は、たとえばはんだである。この他、第２導電接合層３４は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。
【0086】
第２導通部材３２は、図１７に示すように、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２と、２つの第２電力端子１５とに導電接合されている。これにより、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２は、２つの第２電力端子１５に導通している。第２導通部材３２の組成は、銅を含む。第２導通部材３２は、金属クリップである。図１７および図２１～図２６に示すように、第２導通部材３２は、本体部３２１、複数の第３接合部３２２および一対の第４接合部３２３を含む。
【0087】
本体部３２１は、第２導通部材３２の主要部をなしている。図２１および図２５に示すように、本体部３２１は、第１搭載部１１２１の上面および第２搭載部１１２２の上面に対して平行に配置されている。本体部３２１は、第１導通部材３１の本体部３１１から離れるとともに、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２から離れている。
【0088】
図１７、図２１および図２３に示すように、複数の第３接合部３２２は、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２に個別に接合されている。複数の第３接合部３２２の各々は、複数の第２素子２１Ｂのいずれかの第２電極２１２に対向している。平面視において、複数の第３接合部３２２は、本体部３２１から第１方向ｘに延びる。各第３接合部３２２の基端（本体部３２１に繋がる側の端部）は、厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に屈曲している。よって、各第３接合部３２２の先端（本体部３２１に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚにおいて、本体部３２１よりも厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に位置する。
【0089】
【0090】
半導体モジュールＢ１は、図２３に示すように、第３導電接合層３５をさらに備える。第３導電接合層３５は、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２と、複数の第３接合部３２２との間に介在している。第３導電接合層３５は、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２と、複数の第３接合部３２２とを導電接合する。第３導電接合層３５は、たとえばはんだである。この他、第３導電接合層３５は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。
【0091】
半導体モジュールＢ１は、図２１に示すように、第４導電接合層３６をさらに備える。第４導電接合層３６は、２つの第２電力端子１５と一対の第４接合部３２３との間に介在している。第４導電接合層３６は、２つの第２電力端子１５と一対の第４接合部３２３とを導電接合する。第４導電接合層３６は、たとえばはんだである。この他、第４導電接合層３６は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。
【0092】
封止部５０は、図１５～図２６に示すように、複数の半導体素子２１、第１導通部材３１、第２導通部材３２、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４を覆う。さらに、封止部５０は、支持基板１１、複数の電力端子１３、複数の信号端子１７の各々の一部ずつを覆う。封止部５０は、電気絶縁性を有する。封止部５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む。封止部５０は、たとえばモールド成形により形成される。図１５～図１７および図１９～図２６に示すように、封止部５０は、頂面５１、底面５２、複数の樹脂側面５３、および一対の凹部５５を有する。
【0093】
図２１および図２４～図２６に示すように、頂面５１は、厚さ方向ｚにおいて、第１搭載部１１２１の上面および第２搭載部１１２２の上面と同じ方向を向く。各半導体モジュールＢ１の頂面５１は、取付部材Ｄ１に接する。図１９、図２１および図２４～図２６に示すように、底面５２は、厚さ方向ｚにおいて頂面５１とは反対側を向く。図２０、図２１および図２４～図２６に示すように、底面５２から支持基板１１の第２配線層１１３が露出している。各半導体モジュールＢ１の底面５２は、取付対象物Ｃ１の本体部７１に接する。
【0094】
複数の樹脂側面５３は、頂面５１に繋がる。複数の樹脂側面５３は、一対の第１側面５３１および一対の第２側面５３２を含む。
【0095】
図１６、図１７、図１９～図２１および図２４に示すように、一対の第１側面５３１は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する。一対の第１側面５３１は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向き、かつ第２方向ｙに延びている。一対の第１側面５３１は、頂面５１に繋がっている。一対の第１側面５３１のうちの第１方向ｘのｘ１側の第１側面５３１から、第１電力端子１４および２つの第２電力端子１５がそれぞれ突き出る。一対の第１側面５３１のうちの第１方向ｘのｘ２側の第１側面５３１から、２つの第３電力端子１６がそれぞれ突き出る。
【0096】
図１６、図１７、図２０、図２５および図２６に示すように、一対の第２側面５３２は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する。一対の第２側面５３２は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向き、かつ第１方向ｘに延びている。一対の第２側面５３２は、頂面５１および底面５２に繋がっている。
【0097】
図１６、図１７および図２０に示すように、一対の凹部５５は、一対の第１側面５３１のうちの第１方向ｘのｘ１側の第１側面５３１から第１方向ｘに向けて凹んでいる。一対の凹部５５は、厚さ方向ｚにおいて頂面５１から底面５２に至っている。一対の凹部５５は、第１電力端子１４の第２方向ｙの両側に位置する。
【0098】
以上で説明した半導体モジュールＢ１の具体的な構成は、一例であって、上記した例に限定されない。たとえば、複数の信号端子１７の数、または、各信号端子１７が入出力する信号、複数の半導体素子２１の数、第１配線６０１および第２配線６０２の構成などは、適宜変更されうる。また、支持基板１１は、第１配線層１１２（第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２のそれぞれ）上に導電性の板状部材が接合されていてもよい。この場合、当該導電性の板状部材に複数の半導体素子２１（複数の第１素子２１Ａおよび複数の第２素子２１Ｂのそれぞれ）および一対の制御配線６０などが搭載される。
【0099】
次に、図２７に基づき、電力変換ユニットＡ１０を備える車両Ｖについて説明する。車両Ｖは、たとえば電気自動車（ＥＶ：Electric Vehicle）である。
【0100】
図２７に示すように、車両Ｖは、車載充電器ｖ１、蓄電池ｖ２および駆動系統ｖ３を備える。車載充電器ｖ１には、屋外に設置された給電施設（図示略）から無線により電力が供給される。この他、給電施設から車載充電器ｖ１への電力の供給手段は、有線でもよい。車載充電器ｖ１には、昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータが構成されている。車載充電器ｖ１に供給された電力の電圧は、当該コンバータにより昇圧された後、蓄電池ｖ２に給電される。昇圧された電圧は、たとえば６００Ｖである。
【0101】
駆動系統ｖ３は、車両Ｖを駆動する。駆動系統ｖ３は、インバータｖ３１および駆動源ｖ３２を有する。上記電力変換ユニットＡ１０は、インバータｖ３１の一部を構成する。蓄電池ｖ２に蓄えられた電力は、インバータｖ３１に給電される。蓄電池ｖ２からインバータｖ３１に給電される電力は、直流電力である。この他、図２７に示す電力系統とは異なり、蓄電池ｖ２とインバータｖ３１との間に昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータをさらに設けてもよい。インバータｖ３１は、直流電力を交流電力に変換する。インバータｖ３１は、駆動源ｖ３２に導通している。蓄電池ｖ２から給電される直流電力は、電力変換ユニットＡ１０で交流電力に変換される。駆動源ｖ３２は、交流モータおよび変速機を有する。インバータｖ３１によって変換された交流電力が駆動源ｖ３２に供給されると、交流モータが回転するとともに、その回転が変速機に伝達される。変速機は、交流モータから伝達された回転数を適宜減じた上で、車両Ｖの駆動軸を回転させる。これにより、車両Ｖが駆動する。車両Ｖの駆動にあたっては、アクセルペダルの変動量などの情報に基づき交流モータの回転数を自在に操作する必要がある。そこで、インバータｖ３１における電力変換ユニットＡ１０は、要求される交流モータの回転数に対応させるべく、周波数が適宜変化された交流電力を出力するために必要である。
【0102】
電力変換ユニットＡ１０および車両Ｖの作用および効果は、次の通りである。
【0103】
電力変換ユニットＡ１０では、磁気シールド部材Ｆ１は、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なる。または、磁気シールド部材Ｆ１は、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。この構成によれば、各半導体モジュールＢ１の半導体素子２１から電磁ノイズが発せられても、当該電磁ノイズは、磁気シールド部材Ｆ１によって遮蔽される。したがって、電力変換ユニットＡ１０は、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。また、磁気シールド部材Ｆ１により、電磁ノイズを遮蔽できるので、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との距離を大きくする必要がない。したがって、電力変換ユニットＡ１０は、大型化を抑制できる。
【0104】
電力変換ユニットＡ１０では、複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３の各々（磁気シールド部材Ｆ１）は、平面視において、対応する半導体モジュールＢ１の複数の半導体素子２１に重なる。この構成によれば、電磁ノイズの発生源である複数の半導体素子２１に対して、制御基板Ｅ１との間に、磁気シールド部材Ｆ１が介在する。したがって、電力変換ユニットＡ１０は、制御基板Ｅ１への電磁の影響を低減する効果を高めることができる。
【0105】
電力変換ユニットＡ１０は、取付対象物Ｃ１および取付部材Ｄ１を備える。取付部材Ｄ１は、各半導体モジュールＢ１を取付対象物Ｃ１に押し付け、且つ、半導体モジュールＢ１を取付対象物Ｃ１に固定する。この構成によれば、取付部材Ｄ１によって、取付対象物Ｃ１と各半導体モジュールＢ１との間に隙間が生じることを抑制できる。したがって、電力変換ユニットＡ１０は、放熱性の低下を抑制することが可能である。特に、電力変換ユニットＡ１０では、１つの取付部材Ｄ１によって、複数の半導体モジュールＢ１に押圧力を加える。この構成では、半導体モジュールＢ１ごとに取付部材を個別に取り付ける場合よりも、第２方向ｙに隣り合う２つの半導体モジュールＢ１同士の距離を小さくすることが可能となる。つまり、電力変換ユニットＡ１０は、放熱性の低下を抑制しつつ、平面視面積の縮小化を図ることができる。
【0106】
電力変換ユニットＡ１０では、磁気シールド部材Ｆ１の厚さは、取付部材Ｄ１の厚さよりも大きい。この構成によれば、磁気シールド部材Ｆ１の厚さを適度に確保することができるので、磁気シールド部材Ｆ１の電磁ノイズを十分に遮蔽することが可能となる。したがって、電力変換ユニットＡ１０は、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を抑制する上で好ましい。
【0107】
電力変換ユニットＡ１０では、磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）は、取付部材Ｄ１に貼り付けられている。この構成によれば、磁気シールド部材Ｆ１を、取付部材Ｄ１に容易に取り付けることができる。
【0108】
電力変換ユニットＡ１０では、磁気シールド部材Ｆ１は、各半導体モジュールＢ１、取付対象物Ｃ１および取付部材Ｄ１のいずれかからも電気的に絶縁されている。この構成によれば、磁気シールド部材Ｆ１が、電磁ノイズを遮蔽する効果を高めることができる。
【0109】
電力変換ユニットＡ１０では、取付部材Ｄ１の固定部８２は、取付対象物Ｃ１の本体部７１に取り付けられており、取付部材Ｄ１の押圧部８１は、半導体モジュールＢ１の封止部５０の上面に接する。この構成では、取付部材Ｄ１は、各半導体モジュールＢ１に対して、当該半導体モジュールＢ１の第２方向ｙのｙ１側の固定部８２から封止部５０に沿って厚さ方向ｚ上方に屈曲して押圧部８１に繋がる。また、押圧部８１から封止部５０に沿って厚さ方向ｚ下方に屈曲して第２方向ｙのｙ２側の固定部８２に繋がる。したがって、各半導体モジュールＢ１の封止部５０は、第２方向ｙの側面が取付部材Ｄ１に囲まれた状態となる。つまり、電力変換ユニットＡ１０は、各半導体モジュールＢ１の第２方向ｙへの位置ずれを制限することができる。
【0110】
電力変換ユニットＡ１０では、取付対象物Ｃ１は、本体部７１から厚さ方向ｚ上方に突き出た複数の台座部７２を含む。複数の台座部７２の各々は、制御基板Ｅ１を保持する。この構成によれば、複数の半導体モジュールＢ１の各封止部５０から厚さ方向ｚに一定の距離を空けて、制御基板Ｅ１を配置することができる。したがって、各信号端子１７の膨出部１７０Ａと各スルーホール９１１との厚さ方向ｚの位置ずれを抑制できるので、電力変換ユニットＡ１０は、各信号端子１７と制御基板Ｅ１との導通不良を抑制できる。
【0111】
電力変換ユニットＡ１０では、各半導体モジュールＢ１の封止部５０に、当該半導体モジュールＢ１を取付対象物Ｃ１に取り付けるための貫通孔などが形成されていない。当該貫通孔を封止部５０に設けるには、封止部５０の平面視面積を拡張する必要がある。この場合、半導体モジュールＢ１の平面視面積を拡大させることになり、電力変換ユニットＡ１０の小型化が困難である。一方で、電力変換ユニットＡ１０では、取付部材Ｄ１により各半導体モジュールＢ１を取付対象物Ｃ１に取り付けることが可能であるので、先述の通り、各半導体モジュールＢ１には取付対象物Ｃ１に取り付けるための貫通孔などを形成する必要がない。したがって、各半導体モジュールＢ１において封止部５０の平面視面積を極力小さくすることが可能であるので、電力変換ユニットＡ１０は、平面視面積の縮小化を図ることができる。
【0112】
車両Ｖは、電力変換ユニットＡ１０を備える。先述の通り、電力変換ユニットＡ１０は、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できるので、制御基板Ｅ１の誤作動などの悪影響を抑制できる。したがって、車両Ｖは、たとえば制御基板Ｅ１の誤作動によってインバータｖ３１および駆動源ｖ３２の誤動作を抑制できるので、動作不具合を抑制できる。
【0113】
以下に、本開示の電力変換ユニットの他の実施形態および変形例について、説明する。各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。
【0114】
図２８～図３０は、第１実施形態の第１変形例にかかる電力変換ユニットＡ１１を示している。電力変換ユニットＡ１１は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３の大きさが異なる。具体的には、各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３はそれぞれ、対応する押圧部８１よりも大きく、平面視において、押圧部８１の第１方向ｘの両端からそれぞれ突き出ている。
【0115】
電力変換ユニットＡ１１では、各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３は、図２８に示すように、第１方向ｘにおいて、対応する半導体モジュールＢ１の複数の信号端子１７の両外側までそれぞれ延びる。そのため、各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３はそれぞれ、図３０に示すように、複数の貫通孔９９１を含む。複数の貫通孔９９１はそれぞれ、各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３において、厚さ方向ｚに貫通する。複数の貫通孔９９１には、対応する半導体モジュールＢ１の複数の信号端子１７のいずれかがそれぞれ個別に挿通される。図３０に示すように、各信号端子１７は、対応する貫通孔９９１の内面に接していない。つまり、各信号端子１７は、対応する貫通孔９９１の内面から離れている。このため、各信号端子１７と磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）とは、電気的に絶縁されている。
【0116】
図３０に示すように、各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３はそれぞれ、複数の絶縁材９９２を含む。複数の絶縁材９９２はそれぞれ、各信号端子１７と、当該信号端子１７が挿通される貫通孔９９１の内面との間に充填される。この構成により、各信号端子１７と磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）との電気的な絶縁がより強固となる。なお、各信号端子１７と、対応する貫通孔９９１の内面との間隔を、電気的に絶縁する上で、十分に確保できる場合には、各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３はそれぞれ、複数の絶縁材９９２を含んでいなくてもよい。
【0117】
電力変換ユニットＡ１１では、電力変換ユニットＡ１０と同様に、磁気シールド部材Ｆ１が、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。したがって、電力変換ユニットＡ１１は、電力変換ユニットＡ１０と同様に、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。その他、電力変換ユニットＡ１１は、電力変換ユニットＡ１０と共通する構成により、電力変換ユニットＡ１０と同様の効果を奏する。
【0118】
電力変換ユニットＡ１１では、電力変換ユニットＡ１０と比較して、磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）の面積が大きい。このため、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なる磁気シールド部材Ｆ１の面積が大きくなる。したがって、電力変換ユニットＡ１１は、電力変換ユニットＡ１０よりも、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響をさらに低減できる。
【0119】
図３１は、第１実施形態の第２変形例にかかる電力変換ユニットＡ１２を示している。電力変換ユニットＡ１２は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、磁気シールド部材Ｆ１が取付部材Ｄ１の各押圧部８１と各半導体モジュールＢ１の封止部５０との間に配置されている点で異なる。
【0120】
電力変換ユニットＡ１２では、図３１に示すように、磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）は、取付部材Ｄ１によって、複数の半導体モジュールＢ１に押し付けれている。この構成では、磁気シールド部材Ｆ１（各個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）の位置ズレを抑制される。なお、電力変換ユニットＡ１２の各絶縁体９９０は、取付部材Ｄ１と磁気シールド部材Ｆ１とを絶縁するため、磁気シールド部材Ｆ１よりも厚さ方向ｚのｚ２側に配置されている。
【0121】
電力変換ユニットＡ１２では、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ１１と同様に、磁気シールド部材Ｆ１が、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。したがって、電力変換ユニットＡ１２は、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ１１と同様に、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。その他、電力変換ユニットＡ１２は、電力変換ユニットＡ１０，Ａ１１と共通する構成により、当該電力変換ユニットＡ１０，Ａ１１と同様の効果を奏する。
【0122】
図３２および図３３は、第２実施形態にかかる電力変換ユニットＡ２０を示している。電力変換ユニットＡ２０は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、磁気シールド部材Ｆ１が複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３に分離されていない点で異なる。
【0123】
図３２に示すように、電力変換ユニットＡ２０の磁気シールド部材Ｆ１は、制御基板Ｅ１から磁気シールド部材Ｆ１を見た時、複数の半導体モジュールＢ１の全てに重なっている。また、図３３に示すように、磁気シールド部材Ｆ１は、取付部材Ｄ１の各押圧部８１に貼り付けられているのではなく、互いに隣接する押圧部８１と固定部８２との間の屈曲した部分に、各絶縁体９９０を介して、貼り付けられている。
【0124】
電力変換ユニットＡ２０では、電力変換ユニットＡ１０と同様に、磁気シールド部材Ｆ１が、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。したがって、電力変換ユニットＡ２０は、電力変換ユニットＡ１０と同様に、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。その他、電力変換ユニットＡ２０は、電力変換ユニットＡ１０と共通する構成により、電力変換ユニットＡ１０と同様の効果を奏する。また、電力変換ユニットＡ２０から理解されるように、本開示の電力変換ユニットにおいて、磁気シールド部材Ｆ１は、電力変換ユニットＡ１０のように、複数の半導体モジュールＢ１に対して、互いに分離された複数の部材（複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３）で構成されるものに限定されず、電力変換ユニットＡ２０のように、複数の半導体モジュールＢ１に対して、１つの部材で構成されたものを含む。
【0125】
図３４は、第２実施形態の変形例にかかる電力変換ユニットＡ２１を示している。電力変換ユニットＡ２１は、電力変換ユニットＡ２０と比較して、磁気シールド部材Ｆ１が取付部材Ｄ１に貼り付けられていない点で異なる。
【0126】
図３４に示すように、電力変換ユニットＡ２１は、複数の支柱９９５を備える。複数の支柱９９５は、磁気シールド部材Ｆ１を支持する。複数の支柱９９５は、たとえば、取付対象物Ｃ１の本体部７１に固定され、厚さ方向ｚに延びる。複数の支柱９９５はそれぞれ、絶縁材料を含み、電気絶縁性である。なお、取付対象物Ｃ１の電位と磁気シールド部材Ｆ１の電位とを同じにする場合には、複数の支柱９９５はそれぞれ、導電性材料であってもよい。電力変換ユニットＡ２１では、図３４に示すように、複数の支柱９９５によって磁気シールド部材Ｆ１が取付部材Ｄ１に対して所定の間隔を空けて配置されているので、複数の絶縁体９９０はなくてもよい。
【0127】
電力変換ユニットＡ２１では、電力変換ユニットＡ２０と同様に、磁気シールド部材Ｆ１が、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。したがって、電力変換ユニットＡ２１は、電力変換ユニットＡ２０と同様に、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。その他、電力変換ユニットＡ２１は、電力変換ユニットＡ２０と共通する構成により、電力変換ユニットＡ２０と同様の効果を奏する。
【0128】
なお、本変形例（電力変換ユニットＡ２１）のように、磁気シールド部材Ｆ１が、複数の支柱９９５によって支持される構成は、磁気シールド部材Ｆ１が、複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３に分離された構成であっても同様に適用可能である。この場合、複数の個別シールド部材Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３がそれぞれ、複数の支柱９９５に支持される。
【0129】
図３５および図３６は、第３実施形態にかかる電力変換ユニットＡ３０を示している。電力変換ユニットＡ３０は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、次の点で異なる。それは、電力変換ユニットＡ３０の制御基板Ｅ１は、複数の個別基板Ｅ１１，Ｅ１２，Ｅ１３に分離されている点である。
【0130】
図３５および図３６に示すように、個別基板Ｅ１１は、第１モジュールＢ１１の厚さ方向ｚのｚ２側に配置される。個別基板Ｅ１１には、第１モジュールＢ１１の複数の信号端子１７が挿通される。個別基板Ｅ１１には、第１モジュールＢ１１の複数の半導体素子２１の駆動を制御する制御回路が形成されている。個別基板Ｅ１１の制御回路は、第１モジュールＢ１１の信号端子１７を介して、第１モジュールＢ１１の複数の半導体素子２１に導通する。つまり、個別基板Ｅ１１の制御回路は、第１モジュールＢ１１の複数の半導体素子２１の駆動を制御する。
【0131】
図３５および図３６に示すように、個別基板Ｅ１２は、第２モジュールＢ１２の厚さ方向ｚのｚ２側に配置される。個別基板Ｅ１２には、第２モジュールＢ１２の複数の信号端子１７が挿通される。個別基板Ｅ１２には、第２モジュールＢ１２の複数の半導体素子２１の駆動を制御する制御回路が形成されている。個別基板Ｅ１２の制御回路は、第２モジュールＢ１２の信号端子１７を介して、第２モジュールＢ１２の複数の半導体素子２１に導通する。つまり、個別基板Ｅ１２の制御回路は、第２モジュールＢ１２の複数の半導体素子２１の駆動を制御する。
【0132】
図３５および図３６に示すように、個別基板Ｅ１３は、第３モジュールＢ１３の厚さ方向ｚのｚ２側に配置される。個別基板Ｅ１３には、第３モジュールＢ１３の複数の信号端子１７が挿通される。個別基板Ｅ１３には、第３モジュールＢ１３の複数の半導体素子２１を制御する制御回路が形成されている。個別基板Ｅ１３の制御回路は、第３モジュールＢ１３の信号端子１７を介して、第３モジュールＢ１３の複数の半導体素子２１に導通する。つまり、個別基板Ｅ１３の制御回路は、第３モジュールＢ１３の複数の半導体素子２１の駆動を制御する。
【0133】
電力変換ユニットＡ３０では、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０と同様に、磁気シールド部材Ｆ１が、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。したがって、電力変換ユニットＡ３０は、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０と同様に、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。その他、電力変換ユニットＡ３０は、電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０と共通する構成により、当該電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０と同様の効果を奏する。また、電力変換ユニットＡ３０から理解されるように、本開示の電力変換ユニットにおいては、電力変換ユニットＡ１０のように、１つの制御基板Ｅ１によって各半導体モジュールＢ１を一括して制御する構成に限定されず、電力変換ユニットＡ３０のように、複数の半導体モジュールＢ１に対してそれぞれ個別に設けた複数の基板（個別基板Ｅ１１，Ｅ１２，Ｅ１３）で各半導体モジュールＢ１を制御する構成を含む。
【0134】
図３７および図３８は、第４実施形態にかかる電力変換ユニットＡ４０を示している。電力変換ユニットＡ２０は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、取付部材Ｄ１の構成で異なる。具体的には、電力変換ユニットＡ４０の取付部材Ｄ１では、その全体が各半導体モジュールＢ１の封止部５０よりも厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。
【0135】
取付部材Ｄ１は、各固定部８２（各両端配置部８２１および各中間配置部８２２）は、複数の台座部７２のうちの対応する１つに固定される。このとき、各固定部８２は、対応する台座部７２の第１部７２１と第２部７２２とに挟持される。
【0136】
図示された例では、各固定部８２は、平面視において、第１方向ｘを長手方向とする帯状である。各固定部８２の第１方向ｘの寸法は、押圧部８１の第１方向ｘの寸法よりも大きい。各固定部８２には、２つの貫通孔８５１が形成されている。当該２つの貫通孔８５１はそれぞれ、平面視において、複数の台座部７２のうちの対応する１つに重なる。各貫通孔８５１には、取付孔９５１とともに、台座部７２の第２部７２２が挿通される。
【0137】
また、電力変換ユニットＡ４０では、複数の固定部８２のうちの各両端配置部８２１には、貫通孔８５２が形成されてる。各両端配置部８２１において、貫通孔８５２には、位置決め孔９５２とともに、位置決め部７３がそれぞれ挿通される。
【0138】
電力変換ユニットＡ４０の取付部材Ｄ１は、各半導体モジュールＢ１に対して、当該半導体モジュールＢ１の第２方向ｙのｙ１側の固定部８２から厚さ方向ｚ下方に屈曲して押圧部８１に繋がる。また、押圧部８１から厚さ方向ｚ上方に屈曲して第２方向ｙのｙ２側の固定部８２に繋がる。第２方向ｙに隣接する押圧部８１と固定部８２とを繋ぐ部分は、ｘ－ｙ平面に対して傾斜する。
【0139】
電力変換ユニットＡ４０では、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様に、磁気シールド部材Ｆ１が、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。したがって、電力変換ユニットＡ４０は、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様に、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。その他、電力変換ユニットＡ４０は、電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０と共通する構成により、当該電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様の効果を奏する。また、電力変換ユニットＡ４０から理解されるように、本開示の電力変換ユニットにおいて、取付部材Ｄ１は、各半導体モジュールＢ１を取付対象物Ｃ１に固定するものであれば、その構成は、何ら限定されない。たとえば、取付部材Ｄ１は、複数の半導体モジュールＢ１を一括して固定するものに限定されず、複数の取付部材Ｄ１が、複数の半導体モジュールＢ１をそれぞれ個別に固定してもよい。
【0140】
図３９は、第５実施形態にかかる電力変換ユニットＡ５０を示している。電力変換ユニットＡ５０は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、次の点で異なる。それは、電力変換ユニットＡ５０では、磁気シールド部材Ｆ１により、複数の半導体モジュールＢ１が固定されている。
【0141】
図３９に示すように、電力変換ユニットＡ５０の磁気シールド部材Ｆ１は、電力変換ユニットＡ１０の取付部材Ｄ１と同じ形状である。換言すれば、取付部材Ｄ１の材料が、磁気シールド部材Ｆ１の材料で構成されている。
【0142】
電力変換ユニットＡ５０では、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０と同様に、磁気シールド部材Ｆ１が、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。したがって、電力変換ユニットＡ５０は、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０と同様に、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。その他、電力変換ユニットＡ５０は、電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０と共通する構成により、当該電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０と同様の効果を奏する。
【0143】
電力変換ユニットＡ５０では、各半導体モジュールＢ１は、磁気シールド部材Ｆ１によって、取付対象物Ｃ１に固定されている。この構成によれば、磁気シールド部材Ｆ１とは別に取付部材Ｄ１を設ける必要がないので、製造効率の向上および製造コストの低減が可能となる。
【0144】
上記第１ないし第５実施形態では、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０は、複数の半導体モジュールＢ１を備える例を示したが、本開示の電力変換ユニットは、１つの半導体モジュールＢ１を備える構成であってもよい。
【0145】
図４０および図４１は、第６実施形態にかかる電力変換ユニットＡ６０を示している。電力変換ユニットＡ６０は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、半導体モジュールＢ１のパッケージ形状が異なる。なお、第６実施形態では、電力変換ユニットＡ６０が、１つの半導体モジュールＢ１を備える例を示すが、電力変換ユニットＡ１０などと同様に、複数の半導体モジュールＢ１を備えていてもよい。
【0146】
電力変換ユニットＡ６０の半導体モジュールＢ１は、複数の信号端子１７が、封止部５０の頂面５１からではなく、封止部５０の複数の樹脂側面５３のいずれかから突き出ている。図示された例では、複数の信号端子１７はそれぞれ、第１方向ｘに見て、Ｌ字状に屈曲している。この例と異なり、複数の信号端子１７はそれぞれ、屈曲していなくてもよい。つまり、複数の信号端子１７はそれぞれ、第２方向ｙに延びる棒状であってもよい。
【0147】
図４０および図４１に示す構成では、制御基板Ｅ１は、平面視において、半導体モジュールＢ１に重ならない。つまり、本実施形態では、制御基板Ｅ１は、ｘ－ｙ平面において、半導体モジュールＢ１からずれている。この構成においても、磁気シールド部材Ｆ１は、第２方向ｙにおいて、制御基板Ｅ１と半導体モジュールＢ１との間に配置される。本実施形態では、磁気シールド部材Ｆ１は、たとえば、ｘ－ｚ平面に平行な板状であり、取付対象物Ｃ１に対して、立設されている。なお、図示された例と異なり、磁気シールド部材Ｆ１は、ｘ－ｚ平面に平行ではなく、傾斜していてもよい。
【0148】
電力変換ユニットＡ６０では、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０と同様に、磁気シールド部材Ｆ１が、各半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なり、且つ、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されている。したがって、電力変換ユニットＡ６０は、各電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０と同様に、制御基板Ｅ１への電磁ノイズの影響を低減できる。その他、電力変換ユニットＡ６０は、電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０と共通する構成により、当該電力変換ユニットＡ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０と同様の効果を奏する。また、電力変換ユニットＡ６０から理解されるように、本開示の電力変換ユニットにおいて、各半導体モジュールＢ１のパッケージ形状は、何ら限定されず、各半導体モジュールＢ１のパッケージ形状と、各半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との配置に応じて、磁気シールド部材Ｆ１は、適宜変更されうる。つまり、本開示の磁気シールド部材Ｆ１は、半導体モジュールＢ１から制御基板Ｅ１を見て、制御基板Ｅ１に重なるように配置され、且つ、半導体モジュールＢ１と制御基板Ｅ１との間に配置されていれば、その形状、並びに、各半導体モジュールＢ１および制御基板Ｅ１との相対的な位置関係は、何ら限定されない。
【0149】
本開示にかかる電力変換ユニットおよび車両は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の電力変換ユニットおよび車両の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示の電力変換ユニットおよび車両は、以下の付記に関する実施形態を含む。
付記１．
半導体素子と当該半導体素子を覆う封止部とを各々が備える少なくとも１つの半導体モジュールと、
前記少なくとも１つの半導体モジュールの各々の前記半導体素子の駆動を制御する制御回路を含む制御基板と、
磁気シールド部材と、
を備え、
前記磁気シールド部材は、前記少なくとも１つの半導体モジュールから前記制御基板を見て、前記制御基板に重なり、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールと前記制御基板との間に配置されている、電力変換ユニット。
付記２．
前記少なくとも１つの半導体モジュールを取り付ける取付対象物をさらに備える、付記１に記載の電力変換ユニット。
付記３．
前記磁気シールド部材は、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に押し付け、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に固定する、付記２に記載の電力変換ユニット。
付記４．
前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に押し付け、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に固定する取付部材をさらに備える、付記２に記載の電力変換ユニット。
付記５．
前記磁気シールド部材は、前記取付部材と前記制御基板との間に配置されている、付記４に記載の電力変換ユニット。
付記６．
前記磁気シールド部材は、前記制御基板、前記少なくとも１つの半導体モジュール、前記取付対象物および前記取付部材のいずれからも、電気的に絶縁されている、付記４または付記５に記載の電力変換ユニット。
付記７．
前記磁気シールド部材の厚さは、前記取付部材の厚さよりも大きい、付記４ないし付記６のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記８．
前記磁気シールド部材は、パーマロイ、鉄、あるいはケイ素銅のいずれかを含む、付記１ないし付記７のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記９．
前記少なくとも１つの半導体モジュールは、複数の半導体モジュールを含む、付記１ないし付記８のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１０．
前記制御基板は、前記複数の半導体モジュールの各々の前記半導体素子に導通する、付記９に記載の電力変換ユニット。
付記１１．
前記制御基板は、複数の個別基板に分離されており、
前記複数の個別基板の各々は、前記複数の半導体モジュールに対してそれぞれ個別に設けられ、且つ、前記複数の半導体モジュールのうちの対応する１つが備える前記半導体素子に導通する、付記９に記載の電力変換ユニット。
付記１２．
前記制御基板から前記磁気シールド部材を見た時、前記磁気シールド部材は、前記複数の半導体モジュールの全てに重なる、付記９ないし付記１１のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１３．
前記磁気シールド部材は、複数の個別シールド部材に分離されており、
前記複数の個別シールド部材の各々は、前記複数の半導体モジュールに対してそれぞれ個別に設けられており、
前記制御基板から前記複数の個別シールド部材の各々を見た時、前記複数の個別シールド部材の各々は、前記複数の半導体モジュールのうちの対応する１つにそれぞれ重なる、付記９ないし付記１１のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１４．
前記少なくとも１つの半導体モジュールは、前記封止部から突き出た信号端子を備え、
前記信号端子は、前記制御回路に導通する、付記１ないし付記１３のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１５．
前記信号端子は、前記封止部から離れた端部である先端部を含み、
前記制御基板は、前記先端部に取り付けられており、
前記制御回路は、前記信号端子を介して前記半導体素子に導通する、付記１４に記載の電力変換ユニット。
付記１６．
前記磁気シールド部材には、前記信号端子が挿通される貫通孔を有する、付記１４または付記１５に記載の電力変換ユニット。
付記１７．
前記信号端子は、前記貫通孔の内面から離れており、
前記信号端子と前記貫通孔の内面との間には、絶縁材が充填されている、付記１６に記載の電力変換ユニット。
付記１８．
前記少なくとも１つの半導体モジュールの前記半導体素子は、ケイ素よりもバンドギャップが大きい半導体材料を含む、付記１ないし付記１７のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１９．
付記１ないし付記１８のいずれかに記載の電力変換ユニットと、
駆動源と、
を備え、
前記電力変換ユニットは、前記駆動源に導通する、車両。
付記１．
半導体素子と当該半導体素子を覆う封止部とを各々が備える少なくとも１つの半導体モジュールと、
前記少なくとも１つの半導体モジュールの各々の前記半導体素子の駆動を制御する制御回路を含む制御基板と、
磁気シールド部材と、
を備え、
前記磁気シールド部材は、前記少なくとも１つの半導体モジュールから前記制御基板を見て、前記制御基板に重なり、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールと前記制御基板との間に配置されている、電力変換ユニット。
付記２．
前記少なくとも１つの半導体モジュールを取り付ける取付対象物をさらに備える、付記１に記載の電力変換ユニット。
付記３．
前記磁気シールド部材は、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に押し付け、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に固定する、付記２に記載の電力変換ユニット。
付記４．
前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に押し付け、且つ、前記少なくとも１つの半導体モジュールを前記取付対象物に固定する取付部材をさらに備える、付記２に記載の電力変換ユニット。
付記５．
前記磁気シールド部材は、前記取付部材と前記制御基板との間に配置されている、付記４に記載の電力変換ユニット。
付記６．
前記磁気シールド部材は、前記制御基板、前記少なくとも１つの半導体モジュール、前記取付対象物および前記取付部材のいずれからも、電気的に絶縁されている、付記４または付記５に記載の電力変換ユニット。
付記７．
前記磁気シールド部材の厚さは、前記取付部材の厚さよりも大きい、付記４ないし付記６のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記８．
前記磁気シールド部材は、パーマロイ、鉄、あるいはケイ素銅のいずれかを含む、付記１ないし付記７のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記９．
前記少なくとも１つの半導体モジュールは、複数の半導体モジュールを含む、付記１ないし付記８のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１０．
前記制御基板は、前記複数の半導体モジュールの各々の前記半導体素子に導通する、付記９に記載の電力変換ユニット。
付記１１．
前記制御基板は、複数の個別基板に分離されており、
前記複数の個別基板の各々は、前記複数の半導体モジュールに対してそれぞれ個別に設けられ、且つ、前記複数の半導体モジュールのうちの対応する１つが備える前記半導体素子に導通する、付記９に記載の電力変換ユニット。
付記１２．
前記制御基板から前記磁気シールド部材を見た時、前記磁気シールド部材は、前記複数の半導体モジュールの全てに重なる、付記９ないし付記１１のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１３．
前記磁気シールド部材は、複数の個別シールド部材に分離されており、
前記複数の個別シールド部材の各々は、前記複数の半導体モジュールに対してそれぞれ個別に設けられており、
前記制御基板から前記複数の個別シールド部材の各々を見た時、前記複数の個別シールド部材の各々は、前記複数の半導体モジュールのうちの対応する１つにそれぞれ重なる、付記９ないし付記１１のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１４．
前記少なくとも１つの半導体モジュールは、前記封止部から突き出た信号端子を備え、
前記信号端子は、前記制御回路に導通する、付記１ないし付記１３のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１５．
前記信号端子は、前記封止部から離れた端部である先端部を含み、
前記制御基板は、前記先端部に取り付けられており、
前記制御回路は、前記信号端子を介して前記半導体素子に導通する、付記１４に記載の電力変換ユニット。
付記１６．
前記磁気シールド部材には、前記信号端子が挿通される貫通孔を有する、付記１４または付記１５に記載の電力変換ユニット。
付記１７．
前記信号端子は、前記貫通孔の内面から離れており、
前記信号端子と前記貫通孔の内面との間には、絶縁材が充填されている、付記１６に記載の電力変換ユニット。
付記１８．
前記少なくとも１つの半導体モジュールの前記半導体素子は、ケイ素よりもバンドギャップが大きい半導体材料を含む、付記１ないし付記１７のいずれかに記載の電力変換ユニット。
付記１９．
付記１ないし付記１８のいずれかに記載の電力変換ユニットと、
駆動源と、
を備え、
前記電力変換ユニットは、前記駆動源に導通する、車両。
【符号の説明】
【0150】
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２０，Ａ２１，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０，Ａ６０：電力変換ユニット
Ｂ１ ：半導体モジュール
Ｂ１１ ：第１モジュール
Ｂ１２ ：第２モジュール
Ｂ１３ ：第３モジュール
Ｃ１ ：取付対象物
Ｄ１ ：取付部材
Ｅ１ ：制御基板
Ｅ１１，Ｅ１２，Ｅ１３：個別基板
Ｆ１ ：磁気シールド部材
Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３：個別シールド部材
Ｖ ：車両
ｖ１ ：車載充電器
ｖ２ ：蓄電池
ｖ３ ：駆動系統
ｖ３１ ：インバータ
ｖ３２ ：駆動源
１１ ：支持基板
１１１ ：絶縁層
１１２ ：第１配線層
１１２１ ：第１搭載部
１１２２ ：第２搭載部
１１３ ：第２配線層
１３ ：電力端子
１４ ：第１電力端子
１５ ：第２電力端子
１６ ：第３電力端子
１７ ：信号端子
１７０ ：先端部
１７０Ａ ：膨出部
１７１ ：第１信号端子
１７２ ：第２信号端子
１７３ ：第３信号端子
１７４ ：第４信号端子
１８１ ：第５信号端子
１８２ ：第６信号端子
１９ ：第７信号端子
２１ ：半導体素子
２１Ａ ：第１素子
２１Ｂ ：第２素子
２１１ ：第１電極
２１２ ：第２電極
２１３ ：第３電極
２１４ ：第４電極
２２ ：サーミスタ
２３ ：導電接合層
３１ ：第１導通部材
３１１ ：本体部
３１２ ：第１接合部
３１３ ：第２接合部
３２ ：第２導通部材
３２１ ：本体部
３２２ ：第３接合部
３２３ ：第４接合部
３３ ：第１導電接合層
３４ ：第２導電接合層
３５ ：第３導電接合層
３６ ：第４導電接合層
４１ ：第１ワイヤ
４２ ：第２ワイヤ
４３ ：第３ワイヤ
４４ ：第４ワイヤ
５０ ：封止部
５１ ：頂面
５２ ：底面
５３ ：樹脂側面
５３１ ：第１側面
５３２ ：第２側面
５５ ：凹部
６０ ：制御配線
６０１ ：第１配線
６０２ ：第２配線
６１ ：絶縁層
６２ ：配線層
６２１ ：第１配線層
６２２ ：第２配線層
６２３ ：第３配線層
６２４ ：第４配線層
６２５ ：第５配線層
６３ ：金属層
６４ ：スリーブ
７１ ：本体部
７２ ：台座部
７２１ ：第１部
７２２ ：第２部
７３ ：位置決め部
８１ ：押圧部
８２：固定部
８２１ ：両端配置部
８２２ ：中間配置部
８５１，８５２：貫通孔
８９ ：締結具
９１ ：基材
９１１ ：スルーホール
９２ ：主部配線
９３ ：裏部配線
９４ ：内部配線
９５１ ：取付孔
９５２ ：位置決め孔
９９０ ：絶縁体
９９１ ：貫通孔
９９２ ：絶縁材
９９５ ：支柱
Ｂ１ ：半導体モジュール
Ｂ１１ ：第１モジュール
Ｂ１２ ：第２モジュール
Ｂ１３ ：第３モジュール
Ｃ１ ：取付対象物
Ｄ１ ：取付部材
Ｅ１ ：制御基板
Ｅ１１，Ｅ１２，Ｅ１３：個別基板
Ｆ１ ：磁気シールド部材
Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３：個別シールド部材
Ｖ ：車両
ｖ１ ：車載充電器
ｖ２ ：蓄電池
ｖ３ ：駆動系統
ｖ３１ ：インバータ
ｖ３２ ：駆動源
１１ ：支持基板
１１１ ：絶縁層
１１２ ：第１配線層
１１２１ ：第１搭載部
１１２２ ：第２搭載部
１１３ ：第２配線層
１３ ：電力端子
１４ ：第１電力端子
１５ ：第２電力端子
１６ ：第３電力端子
１７ ：信号端子
１７０ ：先端部
１７０Ａ ：膨出部
１７１ ：第１信号端子
１７２ ：第２信号端子
１７３ ：第３信号端子
１７４ ：第４信号端子
１８１ ：第５信号端子
１８２ ：第６信号端子
１９ ：第７信号端子
２１ ：半導体素子
２１Ａ ：第１素子
２１Ｂ ：第２素子
２１１ ：第１電極
２１２ ：第２電極
２１３ ：第３電極
２１４ ：第４電極
２２ ：サーミスタ
２３ ：導電接合層
３１ ：第１導通部材
３１１ ：本体部
３１２ ：第１接合部
３１３ ：第２接合部
３２ ：第２導通部材
３２１ ：本体部
３２２ ：第３接合部
３２３ ：第４接合部
３３ ：第１導電接合層
３４ ：第２導電接合層
３５ ：第３導電接合層
３６ ：第４導電接合層
４１ ：第１ワイヤ
４２ ：第２ワイヤ
４３ ：第３ワイヤ
４４ ：第４ワイヤ
５０ ：封止部
５１ ：頂面
５２ ：底面
５３ ：樹脂側面
５３１ ：第１側面
５３２ ：第２側面
５５ ：凹部
６０ ：制御配線
６０１ ：第１配線
６０２ ：第２配線
６１ ：絶縁層
６２ ：配線層
６２１ ：第１配線層
６２２ ：第２配線層
６２３ ：第３配線層
６２４ ：第４配線層
６２５ ：第５配線層
６３ ：金属層
６４ ：スリーブ
７１ ：本体部
７２ ：台座部
７２１ ：第１部
７２２ ：第２部
７３ ：位置決め部
８１ ：押圧部
８２：固定部
８２１ ：両端配置部
８２２ ：中間配置部
８５１，８５２：貫通孔
８９ ：締結具
９１ ：基材
９１１ ：スルーホール
９２ ：主部配線
９３ ：裏部配線
９４ ：内部配線
９５１ ：取付孔
９５２ ：位置決め孔
９９０ ：絶縁体
９９１ ：貫通孔
９９２ ：絶縁材
９９５ ：支柱
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】