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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024157525
(43)【公開日】2024-11-07
(54)【発明の名称】フィルム状封止剤および回路装置
(51)【国際特許分類】
C08F 2/44 20060101AFI20241030BHJP
H05K 3/28 20060101ALI20241030BHJP
C08L 101/00 20060101ALI20241030BHJP
B32B 27/26 20060101ALI20241030BHJP
B32B 27/30 20060101ALI20241030BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20241030BHJP
C08F 287/00 20060101ALI20241030BHJP
【ＦＩ】
C08F2/44 C
H05K3/28 F
H05K3/28 C
C08L101/00
B32B27/26
B32B27/30 A
H01L23/30 R
C08F287/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024063029
(22)【出願日】2024-04-09
(31)【優先権主張番号】P 2023071296
(32)【優先日】2023-04-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000108410
【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100113424
【弁理士】
【氏名又は名称】野口 信博
(74)【代理人】
【識別番号】100185845
【弁理士】
【氏名又は名称】穂谷野 聡
(72)【発明者】
【氏名】大津 渓杜
(72)【発明者】
【氏名】沼尾 敏和
(72)【発明者】
【氏名】森 康剛
(72)【発明者】
【氏名】菊池 将史
【テーマコード（参考）】
4F100
4J002
4J011
4J026
4M109
5E314
【Ｆターム（参考）】
4F100AK25A
4F100AK25B
4F100AK49B
4F100AK53B
4F100AT00C
4F100BA02
4F100BA03
4F100BA07
4F100CA02A
4F100CA18A
4F100EH46B
4F100EJ173
4F100EJ423
4F100GB41
4F100GB43
4F100JA06A
4F100JB13A
4F100JJ03
4J002AA00W
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4J002BG04X
4J002BP03W
4J002GF00
4J002GQ01
4J002HA00
4J011AA01
4J011CA08
4J011PA79
4J011PC02
4J011PC08
4J026AA44
4J026AC16
4J026BA28
4J026BB01
4J026DA02
4J026DA13
4J026DB06
4J026DB32
4J026GA10
4M109AA01
4M109BA03
4M109CA26
4M109EA03
4M109EA11
4M109EB02
4M109EB11
4M109EB19
5E314AA32
5E314AA33
5E314AA36
5E314BB01
5E314BB05
5E314BB11
5E314CC01
5E314CC15
5E314FF01
5E314GG11
5E314GG24
(57)【要約】
【課題】リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、基板上のチップなどの電子部品の実装と同時に電子部品全体を一括して封止可能なフィルム状封止剤の提供。
【解決手段】フィルム状封止剤４は、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである。また、回路装置１０は、フィルム状封止剤４の硬化物４Ａで、回路基板１上に実装された実装用部品２が封止されている。
【選択図】図１
【解決手段】フィルム状封止剤４は、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである。また、回路装置１０は、フィルム状封止剤４の硬化物４Ａで、回路基板１上に実装された実装用部品２が封止されている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
膜形成成分と、
熱硬化性モノマーと、
硬化剤または重合開始剤とを含み、
２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである、フィルム状封止剤。
熱硬化性モノマーと、
硬化剤または重合開始剤とを含み、
２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである、フィルム状封止剤。
【請求項2】
上記熱硬化性モノマーが、（メタ）アクリレート系モノマーである、請求項１に記載のフィルム状封止剤。
【請求項3】
上記重合開始剤として熱ラジカル重合開始剤を含み、
上記熱ラジカル重合開始剤は、１０時間半減期温度が１４０℃～１７０℃である、請求項１または２に記載のフィルム状封止剤。
上記熱ラジカル重合開始剤は、１０時間半減期温度が１４０℃～１７０℃である、請求項１または２に記載のフィルム状封止剤。
【請求項4】
上記膜形成成分として、２２０℃における溶融粘度が３０～５０Ｐａ・ｓである膜形成成分を含む、請求項１または２に記載のフィルム状封止剤。
【請求項5】
上記膜形成成分が、メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、変性メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレートブロックコポリマー、スチレン－エチレン－プロピレン－スチレン構造を有するエラストマー、および、スチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレン構造を有するエラストマーからなる群から選択される少なくとも１種を含有する、請求項１または２に記載のフィルム状封止剤。
【請求項6】
上記熱硬化性モノマーが、２官能の（メタ）アクリレート系モノマーまたは多官能の（メタ）アクリレート系モノマーである、請求項１または２に記載のフィルム状封止剤。
【請求項7】
界面活性剤をさらに含む、請求項１または２に記載のフィルム状封止剤。
【請求項8】
上記膜形成成分および上記熱硬化性モノマー以外の他の樹脂をさらに含む、請求項１または２に記載のフィルム状封止剤。
【請求項9】
請求項１または２に記載のフィルム状封止剤からなる第１の樹脂層に、第２の樹脂層が積層されている、フィルム状封止剤。
【請求項10】
上記第１の樹脂層と上記第２の樹脂層が下記式１を満たす、請求項９に記載のフィルム状封止剤。
式１：(上記第１の樹脂層の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’（Ｐａ）)×(上記第１の樹脂層の膜厚（μｍ）)×９＜(上記第２の樹脂層の１５０℃における引張弾性率Ｅ’（Ｐａ）)×(上記第２の樹脂層の膜厚（μｍ）)
式１：(上記第１の樹脂層の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’（Ｐａ）)×(上記第１の樹脂層の膜厚（μｍ）)×９＜(上記第２の樹脂層の１５０℃における引張弾性率Ｅ’（Ｐａ）)×(上記第２の樹脂層の膜厚（μｍ）)
【請求項11】
基板上に実装される電子部品を封止するためのフィルム状封止剤であって、
膜形成成分と、
熱硬化性モノマーと、
硬化剤または重合開始剤とを含み、
上記基板と上記電子部品とを接合する接合材料の融点における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである、フィルム状封止剤。
膜形成成分と、
熱硬化性モノマーと、
硬化剤または重合開始剤とを含み、
上記基板と上記電子部品とを接合する接合材料の融点における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである、フィルム状封止剤。
【請求項12】
請求項１１に記載のフィルム状封止剤からなる第１の樹脂層と、上記第１の樹脂層の上記電子部品に接する面とは反対の面上に積層された第２の樹脂層とを有する、フィルム状封止剤。
【請求項13】
上記第１の樹脂層と上記第２の樹脂層が下記式１を満たす、請求項１２に記載のフィルム状封止剤。
式１：(上記第１の樹脂層の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’（Ｐａ）)×(上記第１の樹脂層の膜厚（μｍ）)×９＜(上記第２の樹脂層の１５０℃における引張弾性率Ｅ’（Ｐａ）)×(上記第２の樹脂層の膜厚（μｍ）)
式１：(上記第１の樹脂層の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’（Ｐａ）)×(上記第１の樹脂層の膜厚（μｍ）)×９＜(上記第２の樹脂層の１５０℃における引張弾性率Ｅ’（Ｐａ）)×(上記第２の樹脂層の膜厚（μｍ）)
【請求項14】
上記接合材料がはんだペーストである、請求項１１に記載のフィルム状封止剤。
【請求項15】
請求項１または１１に記載のフィルム状封止剤の硬化物で、基板上に実装された電子部品が封止された、回路装置。
【請求項16】
請求項９に記載のフィルム状封止剤の硬化物で、基板上に実装された電子部品が封止された、回路装置。
【請求項17】
請求項１２に記載のフィルム状封止剤の硬化物で、基板上に実装された電子部品が封止された、回路装置。
【請求項18】
上記基板と、電極バンプを有する上記電子部品とが、はんだ接合物で接合されており、上記はんだ接合部の周囲と、上記電極バンプの周囲と、上記電子部品の上面と、上記電子部品の側面と、上記電子部品の下面とが、上記フィルム状封止剤の硬化物で覆われている、請求項１５に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本技術は、フィルム状封止剤および回路装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、はんだペースト（ソルダーペースト）などを用いたリフローでのチップの表面実装において、リフローでのはんだ接続後に、はんだの腐食防止や、はんだ付けの強度、耐振動性および耐熱衝撃性改善のため、チップ（例えば、半導体素子）に対して封止が行われる。例えば、フリップチップ実装等を行う場合、チップ下部を封止するとともに、チップ下部を含むチップ全体を封止することがある。
【0003】
一方、実装におけるタクトタイムの短縮の要求や、チップの小型化などの理由で、より短時間の実装条件が求められている。また、封止についても、特にチップ部品下部については、より狭い場所の封止が求められている。例えば、はんだ実装とチップ下部の封止を同時に行なう技術として、アンダーフィルフィルムを用いる方法が挙げられる（例えば、特許文献１，２を参照）。また、チップ下部を含むチップ全体を実装後に封止する技術として、特許文献３、４に記載された方法が挙げられる。
【0004】
特許文献１，２に記載された技術は、はんだ実装とチップ下部の封止とを同時に行なうものであるが、チップ全体の封止を行うものではないため、チップ全体を封止する場合には、別途、封止する工程がさらに必要となる。また、特許文献３、４に記載された技術は、チップ全体を封止可能ではあるが、はんだ実装後の封止であり、リフロー工程とは別に、封止する工程がさらに必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１８－１８４６０５号公報
【特許文献2】特開２０２０－０６５０６３号公報
【特許文献3】特開２０１２－０５４３６３号公報
【特許文献4】特開２０１５－２１６２２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本技術は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、基板上のチップなどの電子部品の実装と同時に電子部品全体を一括して封止可能なフィルム状封止剤を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本願発明者らは、鋭意検討の結果、基板と電子部品とを接合する接合材料の融点におけるフィルム状封止剤の粘度に着目し、基板と電子部品とを接合する接合材料の融点（例えば、はんだの液相温度）における溶融粘度が所定範囲であるフィルム状封止剤を用いることにより、上述した課題を解決できることを見出した。
【0008】
本技術に係るフィルム状封止剤は、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである。
【0009】
本技術に係るフィルム状封止剤は、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるフィルム状封止剤からなる第１の樹脂層に、第２の樹脂層が積層されている。
【0010】
本技術は、基板上に実装される電子部品を封止するためのフィルム状封止剤であって、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、上記基板と上記電子部品とを接合する接合材料の融点における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである。
【0011】
本技術は、基板上に実装される電子部品を封止するためのフィルム状封止剤であって、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、上記基板と上記電子部品とを接合する接合材料の融点における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるフィルム状封止剤からなる第１の樹脂層と、上記第１の樹脂層の上記電子部品に接する面とは反対の面上に積層された第２の樹脂層とを有する。
【0012】
本技術に係る回路装置は、上述したフィルム状封止剤の硬化物で、基板上に実装された電子部品が封止されている。
【発明の効果】
【0013】
本技術によれば、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、基板上のチップなどの電子部品の実装と同時に電子部品全体を一括して封止可能なフィルム状封止剤を提供できる。
【0014】
また、本技術によれば、第１の樹脂層と第２の樹脂層とが積層されたフィルム状封止剤とした場合においては、サイズが異なる複数の部品、例えば、チップ（半導体素子）と、チップよりも微細な電子部品（チップ抵抗等）とを混載した基板であっても、これらの部品を一括してリフロー時に実装と同時に封止できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図7】図７は、サイズの異なる実装用部品が回路基板に混載された回路装置の製造方法の一例において、サイズが異なる実装用部品が載置された回路基板についてリフロー処理を行う方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
＜フィルム状封止剤＞
本技術に係るフィルム状封止剤は、第１の実施の形態として、基板上に実装される電子部品を封止するためのフィルム状封止剤であって、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、基板と電子部品とを接合する接合材料の融点における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである。このようなフィルム状封止剤を用いることにより、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、基板上のチップなどの電子部品の実装と同時に電子部品全体を一括して封止できる。
本技術に係るフィルム状封止剤は、第１の実施の形態として、基板上に実装される電子部品を封止するためのフィルム状封止剤であって、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、基板と電子部品とを接合する接合材料の融点における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓである。このようなフィルム状封止剤を用いることにより、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、基板上のチップなどの電子部品の実装と同時に電子部品全体を一括して封止できる。
【0017】
なお、後述するように、本技術に係るフィルム状封止剤は、第２の実施の形態として、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるフィルム状封止剤からなる第１の樹脂層に、第２の樹脂層が積層されていてもよい。例えば、第２の樹脂層は、第１の樹脂層において電子部品と接する面とは反対の面上に、積層することができる。
【0018】
［第１の実施の形態］
図１は、本技術に係るフィルム状封止剤の硬化物で、基板上に実装された電子部品が封止された回路装置の一例を示す断面図である。回路装置１０は、基板としての回路基板１と、電子部品としての実装用部品２とが、はんだペースト３に由来するはんだ接合部３Ａで接合されている。はんだ接合部３Ａは、回路基板１の電極パッド１ａと、実装用部品２の電極バンプ２ａとの間に設けられている。回路装置１０は、実装用部品２の周囲が、本技術に係るフィルム状封止剤４が硬化した封止部４Ａで封止されている。実装用部品２の周囲とは、はんだ接合部３Ａの周囲（はんだ接合部３Ａの側面と、はんだ接合部３Ａ間と実装用部品２と回路基板１とで囲まれた空間Ｓとを含む）と、電極バンプ２ａの周囲（側面）と、実装用部品２の周囲（上面２ｂ、側面２ｃ、下面２ｄ）とを含む。このように、回路装置１０は、回路基板１と実装用部品２との間に実質的に空隙がないように、実装用部品２の周囲が封止部４Ａで覆われている。
図１は、本技術に係るフィルム状封止剤の硬化物で、基板上に実装された電子部品が封止された回路装置の一例を示す断面図である。回路装置１０は、基板としての回路基板１と、電子部品としての実装用部品２とが、はんだペースト３に由来するはんだ接合部３Ａで接合されている。はんだ接合部３Ａは、回路基板１の電極パッド１ａと、実装用部品２の電極バンプ２ａとの間に設けられている。回路装置１０は、実装用部品２の周囲が、本技術に係るフィルム状封止剤４が硬化した封止部４Ａで封止されている。実装用部品２の周囲とは、はんだ接合部３Ａの周囲（はんだ接合部３Ａの側面と、はんだ接合部３Ａ間と実装用部品２と回路基板１とで囲まれた空間Ｓとを含む）と、電極バンプ２ａの周囲（側面）と、実装用部品２の周囲（上面２ｂ、側面２ｃ、下面２ｄ）とを含む。このように、回路装置１０は、回路基板１と実装用部品２との間に実質的に空隙がないように、実装用部品２の周囲が封止部４Ａで覆われている。
【0019】
一般的に、接合材料ごとに推奨されるリフロー条件があり、例えば、接合材料の融点に合わせてリフロー条件を調整する方法や、接合材料の融点に関わらずリフロー条件を変更しない方法が考えられる。まず、接合材料の融点に合わせてリフロー条件を調整する場合、接合材料の融点が低すぎると、リフロー条件がより低温となるため、フィルム状封止剤４の溶融が進みにくく、封止を十分にできないおそれがある。一方、接合材料の融点が高すぎると、リフロー条件がより高温となり、より低粘度化したフィルム状封止剤４が接合材料（例えば、はんだペースト３のはんだ粒子）を押し流すことなどにより、接合の妨げになってしまったり、はんだ粒子の飛散を生じたりしてしまうおそれがある。次に、接合材料の融点に関わらずリフロー条件を変えない場合、接合材料の融点が低すぎると、必要以上の熱がかかることになり、接合材料の耐熱疲労特性が低下し、長期的な接合部の耐久性が低下するおそれがある。一方、接合材料の融点が高すぎると、接合が困難になる傾向にある。
【0020】
本技術では、フィルム状封止剤４の溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓを示すときの温度は、回路基板１と実装用部品２とを接合する接合材料（例えば、はんだペースト３中のはんだ）の融点と一致することが好ましい。本技術に係るフィルム状封止剤４を用いる場合、回路基板１と実装用部品２とを接合する接合材料として、例えば、融点（液相温度）が約２２０℃である接合材料を用いることが好ましく、具体例として、液相温度が２２０℃であるはんだ（例えば、ＳＡＣ－３０５（Ａｇ３．０％－Ｃｕ０．５％－Ｓｎ(残部)）を用いたはんだペースト３を用いることが好ましい。このような接合材料を用いることを前提とした場合、本技術に係るフィルム状封止剤４としては、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるものを用いることが好ましい。
【0021】
以下、液相温度が２２０℃であるはんだを用いたはんだペースト３を用いる場合を前提として、本技術に係るフィルム状封止剤４の一例として、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるフィルム状封止剤について説明する。
【0022】
図２は、リフロー条件の一例を説明するための時間と温度の関係を示すグラフである。図２中のＰで示す枠内の領域は、プリヒート領域（以下、プリヒート領域Ｐをいう）を表す。はんだペースト３には、通常、揮発成分として溶剤とフラックスが含まれる。プリヒート領域Ｐとは、はんだペースト３中の溶剤を揮発させるとともに、フラックスがはんだ表面の酸化膜と被接合部材を洗浄化するための工程を意味する。図２中のＲで示す枠内の領域は、リフロー領域（以下、リフロー領域Ｒという）を表す。リフロー領域Ｒとは、フラックスによるはんだ粒子表面の酸化膜除去とともに、はんだペースト３が溶融し、回路基板１の電極パッド１ａと実装用部品２の電極パッド２ａとの間がセルフアライメントされて接合する工程を意味する。図２中のＡは、プリヒート開始点（例えば１５０～１８０℃）を表す。図２中のＢは、プリヒート終点（例えば１７０～２００℃）を表す。図２中のａの領域は、昇温速度２～４℃／秒で昇温することが好ましい。図２中のＡとＢとの間は、９０±３０秒であることが好ましい。図２中のｂの領域は、昇温速度２～３℃／秒で昇温することが好ましい。図２中のＣは、ピーク温度（例えば２３０～２５０℃）を表す。図２中のＤは、２２０℃以上の保持時間を表し、この保持時間が３０～６０秒であることが好ましい。図２中の２２０℃と２５０℃との間の横方向の破線は、一般的な基板や電子部品の耐熱温度を表す。
【0023】
図２中のプリヒート領域Ｐでは、はんだペースト３中の溶剤が揮発し始める。一方、フィルム状封止剤４は、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるため、プリヒート領域Ｐでは、フィルム状のまま、または、液状になるもののフィルム形状が保たれている。特に、プリヒート領域ＰのＡ付近の低温領域では、フィルム状封止剤４が溶融せずに、フィルム状のまま存在するため、揮発した溶剤の多くは、フィルム状封止剤４の隙間から抜けていくが、フィルム状封止剤４を介して抜けることもある。このように、プリヒート領域Ｐでは、はんだペースト３の溶剤が揮発し、揮発した溶剤が、回路基板１とフィルム状封止剤４の隙間を介して、または、フィルム状封止剤４を介してフィルム状封止剤４の内部から外部に排出される。
【0024】
続いて、図２中のリフロー領域Ｒでは、はんだペースト３中のはんだの溶融が開始し、回路基板１と実装用部品２とがセルフアライメントされる。また、リフロー領域Ｒでは、はんだペースト３中のフラックスが揮発し始め、揮発したフラックスが、液状のフィルム状封止剤４の内部から外部に排出される。そして、リフロー領域Ｒでは、フィルム状封止剤４の溶融が開始し、図１に示すように実装用部品２の周囲が封止部４Ａで覆われる
【0025】
このように、フィルム状封止剤４は、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであることにより、はんだペースト３の溶融と、回路基板１と実装用部品２とのアライメントが先に起こり、続いて、フィルム状封止剤４の溶融が起こるため、回路基板１と実装用部品２とのアライメントが、フィルム状封止剤４によって阻害されにくい。そのため、本技術に係るフィルム状封止剤４を用いることにより、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、実装用部品２の実装と同時に実装用部品２全体を一括して封止できる。
【0026】
フィルム状封止剤４は、２２０℃における溶融粘度が７０Ｐａ・s以下であることにより、フィルム状封止剤４の粘度を十分に低下させ、フィルム状封止剤４が回路基板１や実装用部品２にまとわりついて実装用部品２の下部（図１に示す空間Ｓ）に入り込みにくくなることを抑制でき、その結果、実装用部品２の実装と同時に、実装用部品２の周囲を封止することができる。
【0027】
また、フィルム状封止剤４は、２２０℃における溶融粘度が２５Ｐａ・s以上であることにより、例えば、はんだペースト３が溶融する前に、はんだペースト３を構成する粒子状のはんだが押し流されることを抑制でき、回路基板１と実装用部品２との接続に必要なはんだ粒子が不足しないようにすることができ、その結果、実装用部品２の実装と同時に、実装用部品２の周囲を封止することができる。
【0028】
フィルム状封止剤４は、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであり、２６Ｐａ・ｓ以上であってもよく、３１Ｐａ・ｓ以上であってもよく、４１Ｐａ・ｓ以上であってもよく、４３Ｐａ・ｓ以上であってもよく、４４Ｐａ・ｓ以上であってもよく、５６Ｐａ・ｓ以上であってもよく、６４Ｐａ・ｓ以上であってもよく、２６～６４Ｐａ・ｓであってもよい。フィルム状封止剤の２２０℃における溶融粘度は、例えば、膜形成成分や熱硬化性モノマーの含有量により調整できる。
【0029】
＜膜形成成分＞
膜形成成分は、フィルム状封止剤４が２２０℃付近で溶融して液状になり、２２０℃において溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓを示すように適宜選択される。膜形成成分は、２２０℃における溶融粘度が、３０Ｐａ・ｓ以上であってもよく、４０Ｐａ・ｓ以上であってもよく、４５Ｐａ・ｓ以上であってもよい。また、膜形成成分は、２２０℃における溶融粘度が、３００Ｐａ・ｓ以下であってもよく、２００Ｐａ・ｓ以下であってもよく、１００Ｐａ・ｓ以下であってもよく、８０Ｐａ・ｓ以下であってもよく、７０Ｐａ・ｓ以下であってもよい。膜形成成分は、２２０℃における溶融粘度が、２５～７０Ｐａ・ｓであってもよく、３０～５０Ｐａ・ｓであってもよい。
膜形成成分は、フィルム状封止剤４が２２０℃付近で溶融して液状になり、２２０℃において溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓを示すように適宜選択される。膜形成成分は、２２０℃における溶融粘度が、３０Ｐａ・ｓ以上であってもよく、４０Ｐａ・ｓ以上であってもよく、４５Ｐａ・ｓ以上であってもよい。また、膜形成成分は、２２０℃における溶融粘度が、３００Ｐａ・ｓ以下であってもよく、２００Ｐａ・ｓ以下であってもよく、１００Ｐａ・ｓ以下であってもよく、８０Ｐａ・ｓ以下であってもよく、７０Ｐａ・ｓ以下であってもよい。膜形成成分は、２２０℃における溶融粘度が、２５～７０Ｐａ・ｓであってもよく、３０～５０Ｐａ・ｓであってもよい。
【0030】
膜形成成分は、例えば、スチレン－エチレン－プロピレン－スチレン構造を有する熱可塑性エラストマー、スチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレン構造を有する熱可塑性エラストマー、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレン構造を有する熱可塑性エラストマー、アクリル系ポリマー、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等の種々の樹脂を用いることができる。具体的には、クラリティＬＡ２２５０、ＬＡ４２８５（メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、クラレ社製）、ナノストレングスＭ５１（メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、アルケマ社製）、ナノストレングスＤ５１Ｎ（変性メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレートブロックコポリマー、アルケマ社製）、セプトン２０００シリーズ（スチレン－エチレン－プロピレン－スチレン構造を有するエラストマー）、セプトン４０００シリーズ（スチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレン構造を有するエラストマー、クラレ社製）などが挙げられる。
【0031】
フィルム状封止剤４中の膜形成成分の含有量は、フィルム状封止剤４の溶融粘度が２２０℃において２５～７０Ｐａ・ｓを示す範囲で適宜選択することができ、例えば、４０重量％以上とすることができ、５０重量％以上であってもよく、６０重量％以上であってもよく、７０重量％以上であってもよく、７５重量％以上であってもよい。また、フィルム状封止剤４中の膜形成成分の含有量は、９０重量％以下とすることができ、８５重量％以下とすることができ、８０重量％以下とすることもできる。フィルム状封止剤４中の膜形成成分の含有量は、例えば６５～８５重量％の範囲とすることができ、７０～８０重量％の範囲とすることもできる。
【0032】
膜形成成分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上の膜形成成分を併用する場合、その合計量が上記範囲を満たすことが好ましい。２種以上の膜形成成分を併用する場合、２２０℃における溶融粘度が３０～５０Ｐａ・ｓである膜形成成分を含むことが好ましい。例えば、フィルム状封止剤中の膜形成成分の総量に対する、２２０℃における溶融粘度が３０～５０Ｐａ・ｓである膜形成成分の含有量が、５０重量％以上であることが好ましく、６０重量％以上であってもよく、７０重量％以上であってもよく、８０重量％以上であってもよく、９０重量％以上であってもよく、９５重量％以上であってもよく、９９重量％以上であってもよく、１００重量％であってもよい。
【0033】
＜熱硬化性モノマー＞
熱硬化性モノマーは、フィルム状封止剤４が２２０℃付近で溶融して液状になり、２２０℃において溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓを示すように適宜選択される。熱硬化性モノマーとしては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂など種々の熱硬化性モノマーを用いることができる。熱硬化性モノマーとしては、少量添加での粘度低下効果が大きいことや、官能基数を多くすることで架橋密度を上げ、耐熱性を向上させることができる観点から、（メタ）アクリレート系モノマーが好ましい。また、上述のように、液相温度が２２０℃であるはんだを用いたはんだペースト３を接合材料として用いる場合、硬化温度が低すぎると、はんだペースト３溶融時の樹脂の粘度がより高くなることで実装用部品２がより動きにくくなり、回路基板１と実装用部品２とのアライメントが難しい傾向にあるため、エポキシ樹脂に比べて硬化温度がより高温であるアクリル樹脂を用いることが好ましい。
熱硬化性モノマーは、フィルム状封止剤４が２２０℃付近で溶融して液状になり、２２０℃において溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓを示すように適宜選択される。熱硬化性モノマーとしては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂など種々の熱硬化性モノマーを用いることができる。熱硬化性モノマーとしては、少量添加での粘度低下効果が大きいことや、官能基数を多くすることで架橋密度を上げ、耐熱性を向上させることができる観点から、（メタ）アクリレート系モノマーが好ましい。また、上述のように、液相温度が２２０℃であるはんだを用いたはんだペースト３を接合材料として用いる場合、硬化温度が低すぎると、はんだペースト３溶融時の樹脂の粘度がより高くなることで実装用部品２がより動きにくくなり、回路基板１と実装用部品２とのアライメントが難しい傾向にあるため、エポキシ樹脂に比べて硬化温度がより高温であるアクリル樹脂を用いることが好ましい。
【0034】
（メタ）アクリレート系モノマーとしては、少量でも架橋がより密に進みやすい理由から、２官能の（メタ）アクリレート系モノマーおよび多官能の（メタ）アクリレート系モノマーの少なくとも１種を用いることが好ましい。（メタ）アクリレート系モノマーの具体例としては、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレートなどが挙げられる。
【0035】
フィルム状封止剤４中の（メタ）アクリレート系モノマーの含有量は、フィルム状封止剤４の溶融粘度が２２０℃において２５～７０Ｐａ・ｓを示す範囲で適宜選択することができ、例えば、１重量％以上とすることができ、２重量％以上であってもよく、３重量％以上であってもよく、４重量％以上であってもよく、５重量％以上であってもよい。また、フィルム状封止剤中の（メタ）アクリレート系モノマーの含有量は、例えば、１０重量％以下とすることができ、８重量％以下とすることができ、７重量％以下とすることもでき、６重量％以下とすることもできる。フィルム状封止剤中の（メタ）アクリレート系モノマーの含有量は、例えば、１～１０重量％の範囲とすることができ、３～６重量％の範囲とすることもできる。
【0036】
（メタ）アクリレート系モノマーは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上の（メタ）アクリレート系モノマーを併用する場合、その合計量が上記範囲を満たすことが好ましい。
【0037】
＜硬化剤または重合開始剤＞
フィルム状封止剤４は、熱硬化性モノマーの硬化剤、または、熱硬化性モノマー同士の反応を開始するための重合開始剤を含む。硬化剤または重合開始剤は、熱硬化性モノマーの種類に応じて適宜選択できる。例えば、熱硬化性モノマーとしてアクリル系樹脂を用いる場合、重合開始剤として熱ラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。また、熱硬化性モノマーとしてエポキシ樹脂を用いる場合、硬化剤として、例えば、フェノール樹脂や酸無水物を用いることが好ましい。エポキシ樹脂用の硬化剤としては、例えば、主に硬化触媒として作用するイミダゾール系化合物や３級アミン化合物を用いることもできる。
フィルム状封止剤４は、熱硬化性モノマーの硬化剤、または、熱硬化性モノマー同士の反応を開始するための重合開始剤を含む。硬化剤または重合開始剤は、熱硬化性モノマーの種類に応じて適宜選択できる。例えば、熱硬化性モノマーとしてアクリル系樹脂を用いる場合、重合開始剤として熱ラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。また、熱硬化性モノマーとしてエポキシ樹脂を用いる場合、硬化剤として、例えば、フェノール樹脂や酸無水物を用いることが好ましい。エポキシ樹脂用の硬化剤としては、例えば、主に硬化触媒として作用するイミダゾール系化合物や３級アミン化合物を用いることもできる。
【0038】
熱ラジカル重合開始剤は、加熱によりラジカルを発生し、（メタ）アクリレート系モノマーの重合を開始するためのものである。例えば、リフローによるはんだ実装プロセスにおいて、室温から２～３℃／ｍｉｎの速度で２００～２２０℃程度まで昇温する間に、熱硬化性モノマーの硬化ができるだけ開始しないことが好ましく、また、その後、２５０～２６０℃で熱硬化性モノマーの硬化反応が開始することが好ましい。リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、例えば、図２に示すプレヒート領域Ｐで熱硬化性モノマーが硬化を開始してしまうと、溶融したフィルム状封止剤４の粘性がより高くなってしまい、実装用部品２が動きにくくなることでセルフアライメントが出来ず、回路基板１と実装用部品２とのはんだ接続が妨げられてしまうおそれがある。
【0039】
そのため、熱ラジカル重合開始剤は、反応開始温度ができるだけ高いことが好ましく、例えば、１０時間半減期温度が１４０℃～１７０℃であることが好ましい。熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、１０時間半減期温度が１４０℃～１７０℃である過酸化物が挙げられる。具体的には、１０時間半減期温度が１４０℃～１７０℃である芳香族ヒドロパーオキサイド、脂肪族ヒドロパーオキサイドなどが挙げられる。熱ラジカル重合開始剤の製品例としては、例えば、パーブチルＨ（１０時間半減期温度：１６６．５℃）、パークミルＨ（１０時間半減期温度：１５７．９℃）、パーオクタＨ（１０時間半減期温度：１５２．９℃）、パークミルＰ（１０時間半減期温度：１４５．１℃、以上、日油社製）が挙げられる。
【0040】
硬化剤または重合開始剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。例えば、フィルム状封止剤４が、熱硬化性モノマーとしてアクリル系樹脂を含む場合、重合開始剤として熱ラジカル重合開始剤を含むことが好ましく、熱ラジカル重合開始剤と光重合開始剤を併用してもよく、熱ラジカル重合開始剤を単独で用いてもよい。
【0041】
フィルム状封止剤４中の硬化剤または重合開始剤の含有量は、例えば、フィルム状封止剤４中の膜形成成分と熱硬化性モノマーの総量に対して、０．０１重量％以上とすることができる。また、フィルム状封止剤４中の硬化剤または重合開始剤の含有量は、例えば、フィルム状封止剤４中の膜形成成分と熱硬化性モノマーの総量に対して、２重量％以下とすることができる。例えば、フィルム状封止剤４が熱硬化性モノマーとしてアクリル系樹脂を含む場合、膜形成成分と熱硬化性モノマーの総量に対する重合開始剤の含有量は、０．１～１重量％の範囲とすることができる。２種以上の硬化剤または重合開始剤を併用する場合、その合計量が上記範囲を満たすことが好ましい。
【0042】
＜界面活性剤＞
フィルム状封止剤４は、本技術の効果を損なわない範囲で、上述した成分以外の他の成分をさらに含んでもよい。例えば、リフロー時に、はんだペースト３中の溶剤に起因したアウトガスによって生じる泡をより効率的に破泡させる目的、実装用部品２の周囲、特に実装用部品２の下部（図１に示す空間Ｓ）へのフィルム状封止剤４の浸透性を調整する目的、接着強度をより高める目的などの観点で、フィルム状封止剤４は、界面活性剤をさらに含んでもよい。界面活性剤は、耐熱性や熱硬化性モノマーとの反応性、脱泡性などを考慮して適宜選択できる。界面活性剤としては、例えば、ＢＹＫ３５４、ＢＹＫ３２２（以上、ビックケミー・ジャパン社製）を用いることができる。
フィルム状封止剤４は、本技術の効果を損なわない範囲で、上述した成分以外の他の成分をさらに含んでもよい。例えば、リフロー時に、はんだペースト３中の溶剤に起因したアウトガスによって生じる泡をより効率的に破泡させる目的、実装用部品２の周囲、特に実装用部品２の下部（図１に示す空間Ｓ）へのフィルム状封止剤４の浸透性を調整する目的、接着強度をより高める目的などの観点で、フィルム状封止剤４は、界面活性剤をさらに含んでもよい。界面活性剤は、耐熱性や熱硬化性モノマーとの反応性、脱泡性などを考慮して適宜選択できる。界面活性剤としては、例えば、ＢＹＫ３５４、ＢＹＫ３２２（以上、ビックケミー・ジャパン社製）を用いることができる。
【0043】
フィルム状封止剤４が界面活性剤を含む場合、フィルム状封止剤４中の界面活性剤の含有量は、例えば、１重量％以上とすることができ、１０重量％以上であってもよい。また、フィルム状封止剤４中の界面活性剤の含有量は、例えば、３０重量％以下とすることができ、２０重量％以下であってもよい。界面活性剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上の界面活性剤を併用する場合、その合計量が上記範囲を満たすことが好ましい。
【0044】
＜その他の樹脂＞
フィルム状封止剤４は、膜形成成分の粘度の調整、フィルム状封止剤４の弾性率の調整、フィルム状封止剤４の接着強度をより高める目的などに応じて、膜形成成分および熱硬化性モノマーとは異なる樹脂（以下、その他の樹脂ともいう）をさらに含んでもよい。その他の樹脂は、フィルム状封止剤４が２２０℃付近で溶融して液状になり、フィルム状封止剤４の溶融粘度が２２０℃において２５～７０Ｐａ・ｓを示す材料であれば、特に構造に限定されず用いることができる。例えば、フィルム状封止剤４の常温での弾性率をより高弾性化する観点では、スチレン系やテルペンフェノール系の樹脂を用いることができる。その他の樹脂の製品例としては、ＹＳポリスターＴ１６０（テルペンフェノール樹脂、軟化点：１６０℃、ヤスハラケミカル社製）が挙げられる。
フィルム状封止剤４は、膜形成成分の粘度の調整、フィルム状封止剤４の弾性率の調整、フィルム状封止剤４の接着強度をより高める目的などに応じて、膜形成成分および熱硬化性モノマーとは異なる樹脂（以下、その他の樹脂ともいう）をさらに含んでもよい。その他の樹脂は、フィルム状封止剤４が２２０℃付近で溶融して液状になり、フィルム状封止剤４の溶融粘度が２２０℃において２５～７０Ｐａ・ｓを示す材料であれば、特に構造に限定されず用いることができる。例えば、フィルム状封止剤４の常温での弾性率をより高弾性化する観点では、スチレン系やテルペンフェノール系の樹脂を用いることができる。その他の樹脂の製品例としては、ＹＳポリスターＴ１６０（テルペンフェノール樹脂、軟化点：１６０℃、ヤスハラケミカル社製）が挙げられる。
【0045】
フィルム状封止剤４がその他の樹脂を含む場合、フィルム状封止剤４中のその他の樹脂の含有量は、例えば、１重量％以上とすることができ、２０重量％以上であってもよい。また、フィルム状封止剤４中のその他の樹脂の含有量は、例えば、５０重量％以下とすることができ、４０重量％以下であってもよい。その他の樹脂は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上のその他の樹脂を併用する場合、その合計量が上記範囲を満たすことが好ましい。
【0046】
また、フィルム状封止剤４は、本技術の効果を損なわない範囲で、充填剤、滑剤、酸化防止剤などをさらに含んでもよい。
【0047】
フィルム状封止剤４の厚みは、特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５０～２００μｍの範囲とすることができる。また、フィルム状封止剤４の厚みは、例えば、５０～３００μｍの範囲とすることができ、２００～３００μｍの範囲とすることもできる。
【0048】
上述した説明では、液相温度が２２０℃であるはんだを用いたはんだペースト３を用いた場合のフィルム状封止剤４の例について説明したが、この例に限定されるものではなく、はんだペースト３の液相温度に応じて種々の変形をすることができる。例えば、液相温度が２２０℃より低いはんだを用いたはんだペースト３を用いる場合は、熱硬化性モノマーとして、エポキシ樹脂を用いたり、反応開始温度が低い（例えば、１０時間半減期温度が１４０℃～１７０℃よりも低い）熱ラジカル重合開始剤を用いてもよい。
【0049】
［第２の実施の形態］
図３は、第２の実施の形態であるフィルム状封止剤の一例を示す断面図である。第２の実施の形態に係るフィルム状封止剤２０は、上述した第１の実施の形態に係るフィルム状封止剤からなる第１の樹脂層２１に、第２の樹脂層２２が積層されており、且つ、後に詳述するように、第１の樹脂層２１の剛性と所定の係数との積が、第２の樹脂層２２の剛性よりも小さいことが好ましい。このようなフィルム状封止剤２０を用いることにより、後に詳述するように、相対的にサイズが大きいチップ（例えば、半導体素子）などの部品と、相対的にサイズが小さいチップ抵抗などの微小な部品とが混載された回路基板について、チップ抵抗などの微小な部品がリフロー時にフィルム状封止剤の形状変化によって位置ずれせずに、封止が必要な実装用部品を一括して封止することができる。
図３は、第２の実施の形態であるフィルム状封止剤の一例を示す断面図である。第２の実施の形態に係るフィルム状封止剤２０は、上述した第１の実施の形態に係るフィルム状封止剤からなる第１の樹脂層２１に、第２の樹脂層２２が積層されており、且つ、後に詳述するように、第１の樹脂層２１の剛性と所定の係数との積が、第２の樹脂層２２の剛性よりも小さいことが好ましい。このようなフィルム状封止剤２０を用いることにより、後に詳述するように、相対的にサイズが大きいチップ（例えば、半導体素子）などの部品と、相対的にサイズが小さいチップ抵抗などの微小な部品とが混載された回路基板について、チップ抵抗などの微小な部品がリフロー時にフィルム状封止剤の形状変化によって位置ずれせずに、封止が必要な実装用部品を一括して封止することができる。
【0050】
第１の樹脂層２１は、後述する１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’と膜厚を除いて、上述したフィルム状封止剤４と好ましい範囲は同様である。
【0051】
第２の樹脂層２２を構成する樹脂は、任意の樹脂から選択することができ、例えば、エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。第２の樹脂層２２を構成する樹脂として、エポキシ樹脂やアクリル系樹脂を用いる場合、各樹脂のモノマー等を含む樹脂組成物を、紫外線を照射して硬化させた硬化物や、熱硬化させた硬化物を用いることができる。
【0052】
エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂（例えば、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（３，４－エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート）、シロキサン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等を１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【0053】
アクリル系樹脂としては、例えば、単官能（メタ）アクリレートモノマー、多官能（メタ）アクリレートモノマー、（メタ）アクリレート樹脂を１種単独で用いてもよいし、これらを２種以上併用してもよい。単官能（メタ）アクリレートモノマーとは、（メタ）アクリロイル基を１つ有する（メタ）アクリレートモノマーをいう。多官能（メタ）アクリレートモノマーとは、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する（メタ）アクリレートモノマーをいう。（メタ）アクリレート樹脂は、ポリマーであっても、オリゴマーであってもよい。単官能（メタ）アクリレートモノマーの具体例としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。多官能（メタ）アクリレートモノマーの具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。（メタ）アクリレート樹脂の具体例としては、ポリウレタン骨格を有する（メタ）アクリレートや、ポリイソプレン骨格を有する（メタ）アクリレートが挙げられる。
【0054】
第２の樹脂層２２は、エポキシ樹脂、アクリル系樹脂およびポリイミド樹脂の他に、必要に応じて他の成分をさらに含有していてもよい。他の成分としては、例えば、可塑剤や反応には直接関与しないゴム類等が挙げられる。
【0055】
フィルム状封止剤２０を構成する第１の樹脂層２１と第２の樹脂層２２は、下記式１を満たすことが好ましい。
式１：(第１の樹脂層２１の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’（Ｐａ）)×(第１の樹脂層２１の膜厚（μｍ）)×９＜(第２の樹脂層２２の１５０℃における引張弾性率Ｅ’（Ｐａ）)×(第２の樹脂層２２の膜厚（μｍ）)
式１：(第１の樹脂層２１の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’（Ｐａ）)×(第１の樹脂層２１の膜厚（μｍ）)×９＜(第２の樹脂層２２の１５０℃における引張弾性率Ｅ’（Ｐａ）)×(第２の樹脂層２２の膜厚（μｍ）)
【0056】
フィルム状封止剤２０は、式１を満たす、換言すると、第１の樹脂層２１の剛性と所定の係数との積が、第２の樹脂２２の剛性よりも小さいことで、フィルム状封止剤２０を用いた実装と封止において、相対的にサイズが大きいチップなどの部品と、相対的にサイズが小さいチップ抵抗などの微小な部品とが混載された回路基板であっても、チップ抵抗などの微小な部品がリフロー時にフィルム状封止剤の形状変化によって位置ずれせず、封止が必要な実装用部品を一括して封止することができる。
【0057】
式１において、特定の温度（１５０℃）における第１の樹脂層２１のせん断弾性率Ｇ’と第２の樹脂層２２の引張弾性率Ｅ’に着目した理由は、次の通りである。回路基板に混載された微小な部品（相対的にサイズが小さい実装用部品）が、リフロー時にフィルム状封止剤の流動によって位置ずれしてしまうのは、例えば、図２中のプリヒート領域Ｐ、特に、プリヒート開始点Ａ（例えば１５０～１８０℃）付近までのフィルム状封止剤の弾性率変化によって生じると考えられる。そのため、プリヒート開始点に相当する１５０℃に着目した。また、引張弾性率Ｅ’は、測定対象が低弾性（おおよそ１．０Ｅ＋０４Ｐａ以下）であると測定が困難であるのに対して、せん断弾性率Ｇ’は、低弾性での測定が可能であるものの、高弾性での測定が困難である。そのため、１５０℃において測定が可能な第１の樹脂層２１のせん断弾性率Ｇ’と、第２の樹脂層２２の引張弾性率Ｅ’とを比較した。
【0058】
第１の樹脂層２１の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’は、第１の樹脂層２１または第２の樹脂層２２の厚みにもよるが、式１を満たす範囲で特に限定されず、例えば、３．８Ｅ＋０３Ｐａ以上２．９＋０４Ｐａ以下とすることができる。第１の樹脂層２１の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’は、後述の実施例に記載の方法で測定することができる。また、第１の樹脂層２１の膜厚は、式１を満たす範囲で特に限定されず、例えば、２００～３００μｍの範囲とすることができる。
【0059】
第２の樹脂層２２の１５０℃における引張弾性率Ｅ’は、第１の樹脂層２１または第２の樹脂層２２の厚みにもよるが、式１を満たす範囲で特に限定されず、例えば、リフロー時における第１の樹脂層２１の流動性をより効果的に抑制する観点では、例えば、６．０Ｅ＋０５Ｐａ以上４．０Ｅ＋０９Ｐａ以下とすることができる。第２の樹脂層２２の引張弾性率Ｅ’は、後述の実施例に記載の方法で測定することができる。また、第２の樹脂層２２の膜厚は、式１を満たす範囲で特に限定されず、例えば、５０～１００μｍの範囲とすることができる。
【0060】
＜フィルム状封止剤の製造方法＞
［第１の実施の形態］
次に、本技術に係るフィルム状封止剤４の製造方法について説明する。フィルム状封止剤４の製造方法は、特に限定されず、例えば、所定の成分（例えば、上述した膜形成成分、熱硬化性モノマー、硬化剤または重合開始剤、有機溶媒）を秤量し、攪拌混合、混錬等により、溶解または分散させて、樹脂ワニスを調製し、離型処理を施した基材フィルム上に樹脂ワニスを付与し、加熱で有機溶媒を除去することで得られる。
［第１の実施の形態］
次に、本技術に係るフィルム状封止剤４の製造方法について説明する。フィルム状封止剤４の製造方法は、特に限定されず、例えば、所定の成分（例えば、上述した膜形成成分、熱硬化性モノマー、硬化剤または重合開始剤、有機溶媒）を秤量し、攪拌混合、混錬等により、溶解または分散させて、樹脂ワニスを調製し、離型処理を施した基材フィルム上に樹脂ワニスを付与し、加熱で有機溶媒を除去することで得られる。
【0061】
有機溶媒は、各成分を均一に溶解または分散し得る特性を有するものが好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチルなどが挙げられる。有機溶媒は、１種単独用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【0062】
樹脂ワニス調製の際の攪拌混合または混錬は、例えば、攪拌機、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ビーズミルまたはホモディスパーを用いて行うことができる。また、基材フィルム上への樹脂ワニスの付与は、例えば、ナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター等を用いて行うことができる。
【0063】
樹脂ワニスを付与する基材フィルムは、有機溶媒を揮発させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に限定されない。例えば、基材フィルムは、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等のポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルムなどが挙げられる。基材フィルムは、単層フィルムであってもよいし、多層フィルムであってもよい。基材フィルムが多層フィルムである場合、各層は、互いに異なる材質であってもよく、同じ材質であってもよい。
【0064】
基材フィルム上に付与した樹脂ワニスから有機溶媒を揮発させる際の乾燥条件は、有機溶媒が充分に揮発する条件が好ましく、例えば、５０～２００℃、０．１～９０分間の条件で行うことができる。
【0065】
［第２の実施の形態］
次に、フィルム状封止剤２０の製造方法について説明する。フィルム状封止剤２０の製造方法は、例えば、第１の樹脂層２１を準備するステップと、第２の樹脂層２２を準備するステップと、第１の樹脂層２１と第２の樹脂層２２を貼り合わせてフィルム状封止剤２０を得るステップとを有する。
次に、フィルム状封止剤２０の製造方法について説明する。フィルム状封止剤２０の製造方法は、例えば、第１の樹脂層２１を準備するステップと、第２の樹脂層２２を準備するステップと、第１の樹脂層２１と第２の樹脂層２２を貼り合わせてフィルム状封止剤２０を得るステップとを有する。
【0066】
第１の樹脂層２１を準備するステップでは、例えば、上述の第１の実施の形態と同様の方法で、フィルム状封止剤４（第１の樹脂層２１）を得る。
【0067】
第２の樹脂層２２を準備するステップでは、第２の樹脂層２２用の樹脂組成物を調製し、離型処理を施した基材フィルム上に、調製した樹脂組成物を付与し、光（紫外線）で硬化させて第２の樹脂層２２を得る。あるいは、第２の樹脂層２２として、市販されている樹脂製フィルムをそのまま用いても良い。なお、市販の樹脂製フィルムを第２の樹脂層２２として用いる場合、第２の樹脂層２２を準備するステップは省略できる。
【0068】
第２の樹脂層２２用の樹脂組成物は、例えば、上述したエポキシ樹脂やアクリル系樹脂の前駆体と、光重合開始剤と、可塑剤とを含む。第２の樹脂層２２用の樹脂組成物がアクリル系樹脂を主成分とする場合の具体例としては、ポリウレタン骨格を有する（メタ）アクリレート樹脂と、イソボルニル（メタ）アクリレートと、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートと、光重合開始剤とを含む樹脂組成物や、ポリイソプレン骨格を有する（メタ）アクリレート樹脂と、イソボルニル（メタ）アクリレートと、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートと、光重合開始剤とを含む樹脂組成物が挙げられる。また、第２の樹脂層２２用の樹脂組成物がエポキシ樹脂を主成分とする場合の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、光酸発生剤とを含む樹脂組成物や、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、脂環式エポキシ樹脂と、光酸発生剤とを含む樹脂組成物が挙げられる。
【0069】
基材フィルム上への樹脂組成物の付与は、例えば、バーコーターを用いて行うことができる。基材フィルムは、上述の第１の実施の形態で挙げたものを用いることができる。
【0070】
第１の樹脂層２１と第２の樹脂層２２を貼り合わせてフィルム状封止剤２０を得るステップでは、例えば、ラミネーターを用いて、第１の樹脂層２１と第２の樹脂層２２を貼り合わせることができる。なお、第１の樹脂層２１を準備するステップと第２の樹脂層２２を準備するステップは、どちらを先に行ってもよく、並行して行ってもよい。
【0071】
＜回路装置＞
本技術に係る回路装置１０は、例えば図１に示すように、基板としての回路基板１と、電子部品としての実装用部品２とが、はんだペーストに由来するはんだ接合部３Ａで接合されている。実装用部品２の周囲は、フィルム状封止剤４が硬化した封止部４Ａで覆われている。
本技術に係る回路装置１０は、例えば図１に示すように、基板としての回路基板１と、電子部品としての実装用部品２とが、はんだペーストに由来するはんだ接合部３Ａで接合されている。実装用部品２の周囲は、フィルム状封止剤４が硬化した封止部４Ａで覆われている。
【0072】
回路基板１としては、半導体基板、フレキシブル回路基板、リジッド配線基板、プリント配線基板等の公知の基板が挙げられる。回路基板１の電極パッド１ａは、銅パッド、アルミパッド等の公知の電極パッドを採用できる。電極パッド１ａは、他の形態の電極、例えば、電極バンプなどで代用することも可能である。
【0073】
実装用部品２は、表面実装用の公知の各種部品を適用でき、例えば、半導体チップ、発光ダイオード、コンデンサチップ、抵抗素子等が挙げられる。実装用部品２の電極バンプ２ａは、金バンプやはんだバンプ等の公知の電極バンプを採用できる。電極バンプ２ａは、他の形態の電極、例えば、電極パッドなどで代用することも可能である。
【0074】
はんだ接合部３Ａは、はんだペースト３をリフロー処理することで形成され、実装用部品２の電極バンプ２ａと回路基板１の電極パッド１ａとの間を導通させるものである。
【0075】
封止部４Ａは、フィルム状封止剤４が硬化したものである。封止部４Ａは、上述のように、実装用部品２の周囲と、電極バンプ２ａの周囲と、はんだ接合部３Ａの周囲とを覆うとともに、回路基板１の表面の一部も覆っている。
【0076】
また、本技術に係る回路装置は、フィルム状封止剤２０の硬化物で、基板上に実装された電子部品が封止されていてもよい。
【0077】
＜回路装置の製造方法＞
［第１の実施の形態］
次に、本技術に係る回路装置１０の製造方法の一例について説明する。まず、回路基板１の電極パッド１ａに、はんだペースト３を付与する。はんだペーストは、公知の方法により電極パッド１ａに付与することができ、例えば、精密ディスペンサーやスクリーン印刷機を用いて塗布することができる。
［第１の実施の形態］
次に、本技術に係る回路装置１０の製造方法の一例について説明する。まず、回路基板１の電極パッド１ａに、はんだペースト３を付与する。はんだペーストは、公知の方法により電極パッド１ａに付与することができ、例えば、精密ディスペンサーやスクリーン印刷機を用いて塗布することができる。
【0078】
図４は、回路装置１０の製造方法の一例において、回路基板１に実装用部品２を載置する方法を説明するための断面図である。回路基板１の電極パッド１ａにはんだペースト３を付与した後、図４に示すように、回路基板１に実装用部品２を載置する。具体的には、回路基板１の電極パッド１ａに実装用部品２の電極バンプ２ａを位置合わせし、必要に応じて軽くプレスしてもよい。これにより、実装用部品２の電極バンプ２ａが、はんだペースト３と接触する。電極パッド１ａと電極バンプ２ａとの間のすき間の高さは、特に限定されず、例えば、１０～１００μｍ程度であってもよく、８０μｍ程度であってもよい。
【0079】
図５は、回路装置１０の製造方法の一例において、実装用部品２の周縁にフィルム状封止剤４を付与する方法を説明するための断面図である。例えば、回路基板１に実装用部品２を載置した後、図５に示すように、実装用部品２が覆われるように、実装用部品２上にフィルム状封止剤４を載せる方法が挙げられる。実装用部品２上に載せられたフィルム状封止剤４は、図５に示すように、実装用部品２などの形状に追従しないため、例えば、フィルム状封止剤４と実装用部品２の上面２ｂとの間、フィルム状封止剤４と側面２ｃとの間、フィルム状封止剤４と回路基板１の表面との間には空間が存在する。そのため、上述のように、プレヒート領域Ｐにおいて、揮発した溶剤が、フィルム状封止剤４の内部から外部に抜けやすい。
【0080】
次に、回路基板１の電極パッド１ａと実装用部品２の電極バンプ２ａとの間に挟持されたはんだペースト３に対してリフロー処理を行う。リフロー処理では、はんだ粒子の溶融温度よりも高い温度にはんだペースト３を加熱し、はんだ粒子表面の酸化被膜をフラックスにより除去して、電極パッド１ａと電極バンプ２ａとの間に濡れ拡がらせて、はんだ接合部３Ａを形成するとともに、リフロー処理の際の加熱によりフィルム状封止剤４を硬化させて封止部４Ａを形成する。はんだペースト３のリフロー処理の際、電極パッド１ａの周縁を超えて広がらずに、電極パッド１ａの表面に留まろうとするため、回路基板１に対して実装用部品２をセルフアライメントすることが可能となる。リフロー処理は、常圧で行うことができる。換言すると、リフロー処理では、上述のように、はんだペースト３中の溶剤を揮発させ、液状になったフィルム状封止剤４の内部から外部に揮発した溶剤を排出する工程と、はんだペースト３中のはんだを溶融させて回路基板１と実装用部品２とをセルフアライメントする工程と、はんだペースト３中のフラックスを揮発させ、液状になったフィルム状封止剤４の内部から外部に揮発したフラックスを排出する工程と、フィルム状封止剤４を溶融させ、実装用部品２の周囲を封止部４Ａで封止する工程とを有する。
【0081】
このような製造方法により、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、回路基板１上の実装用部品２の実装と同時に、実装用部品２全体を一括して封止できる。その結果、図１に示すように、封止部４Ａで実装用部品２が封止された回路装置１０が得られる。このように、本技術に係る回路装置１０の製造方法では、はんだペースト３のリフロー処理と、フィルム状封止剤４の硬化処理とを同時に行うことができる。
【0082】
また、本技術に係る回路装置１０の製造方法では、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、ツールでの加圧を必要とせずに、実装用部品２の実装と同時に実装用部品２全体を封止できる。また、本技術に係る回路装置１０の製造方法では、リフローによるはんだ実装プロセスにおいて、はんだボールの飛散を抑えて、はんだペースト３の溶剤（揮発成分）を排出することができる。
【0083】
［第２の実施の形態］
図６は、サイズの異なる実装用部品が回路基板に混載された回路装置の製造方法の一例において、実装用部品の周縁にフィルム状封止剤を付与する方法を説明するための断面図である。
図６は、サイズの異なる実装用部品が回路基板に混載された回路装置の製造方法の一例において、実装用部品の周縁にフィルム状封止剤を付与する方法を説明するための断面図である。
【0084】
図６に示すように、封止が必要な部品としてサイズの異なる部品、具体的には、相対的にサイズが大きい実装用部品３０（以下、単に実装用部品３０という）と、相対的にサイズが小さい実装用部品３１（以下、単に実装用部品３１という）とを回路基板３２に混載させる場合、封止が必要な実装用部品全体を、フィルム状封止剤（例えばフィルム状封止剤４）で封止しようとすると、例えばサイズが１ｍｍ角以下である微小な部品（実装用部品３１）がリフロー処理時にフィルム状封止剤４の流動によって位置ずれしてしまうおそれがある。図６中、封止しない部品３５、換言すると、フィルム状封止剤で封止するのが好ましくない部品は、封止してしまうと本来の機能や性能に影響を与えるおそれがある部品である。封止しない部品３５としては、例えば、発熱によりエレメントを切断するタイプの保護素子、基板上に設けられた電極や発光素子などが挙げられる。
【0085】
図７は、サイズの異なる実装用部品が回路基板に混載された回路装置の製造方法の一例において、サイズが異なる実装用部品が載置された回路基板についてリフロー処理を行う方法を説明するための断面図である。図７に示すように、フィルム状封止剤４を用いて、回路基板３３の電極パッド３２ａと実装用部品３０の電極バンプ３０ａの間に挟持されたはんだペースト３４ａ、および、電極パッド３２ｂと実装用部品３１の電極バンプ３１ａの間に挟持されたはんだペースト３４ｂに対してリフロー処理を行う場合、リフロー処理の昇温により、フィルム状封止剤４の弾性率が変化して、フィルム状封止剤４が湾曲し、湾曲したフィルム状封止剤４によって実装用部品３１が動かされ、図７中に示す矢印の方向に部品ずれ（実装用部品３１のずれ）が発生してしまうおそれがある。このような部品ずれは、はんだペースト３４ｂが溶融してもセルフアライメントで調整することは困難である。
【0086】
このような微小な部品の位置ずれは、特に、回路基板端部に微小な部品を実装する場合、回路基板端部ではなくとも、微小部品の実装部がフィルム状封止剤の端部にあたる場合や、フィルム状封止剤の端部に部品が実装されていない箇所がなく、非常に狭ピッチで部品が実装されている場合に、顕著になりやすい。
【0087】
図８及び図９は、サイズが異なる実装用部品が載置された回路基板についてリフロー処理を行う方法を説明するための断面図である。図８に示すように、フィルム状封止剤４の端部に部品が実装されない箇所がなく、狭ピッチで部品（実装用部品３０，３１）を実装させる場合、リフロー処理の昇温により、フィルム状封止剤４の弾性率が変化して、フィルム状封止剤４が湾曲し、湾曲したフィルム状封止剤４によって実装用部品３１が動かされ、図８中に示す矢印の方向に部品ずれ（実装用部品３１のずれ）が発生してしまうおそれがある。
【0088】
一方、図９に示すように、フィルム状封止剤４の端部に部品（実装用部品３０，３１）が実装されていない箇所がある場合、リフロー処理の昇温により、フィルム状封止剤４の弾性率が変化して、フィルム状封止剤４が湾曲するが、フィルム状封止剤４が実装用部品３０，３１と接する前に回路基板３３に接触し、回路基板３２と接触すると、フィルム状封止剤４がそれ以上動かなくなるため、部品ずれが発生しない。
【0089】
以上の観点から、封止が必要な部品として大きさの異なる部品（実装用部品３０，３１）を回路基板３２に混載させる場合、フィルム状封止剤２０を用いることが好ましい。
【0090】
図１０（Ａ）は、サイズの異なる実装用部品が回路基板に混載された回路装置の製造方法の一例において、サイズの異なる複数の実装用部品の周縁に、第１の樹脂層に第２の樹脂層が積層されたフィルム状封止剤を付与する方法を説明するための断面図である。
【0091】
まず、回路基板３２の電極パッド３２ａ，３２ｂに、はんだペースト３４ａ，３４ｂを付与した後、回路基板３２に実装用部品３０，３１を載置する。具体的には、回路基板３２の電極パッド３２ａに、実装用部品３０の電極バンプ３０ａ（図示せず）を位置合わせするとともに、実装用部品３１の電極バンプ３１ａ（図示せず）を位置合わせし、必要に応じて軽くプレスしてもよい。続いて、例えば、回路基板３２に実装用部品３０，３１を載置した後、図１０（Ａ）に示すように、実装用部品３０，３１が覆われるように、実装用部品３０，３１上にフィルム状封止剤２０を載せる。フィルム状封止剤２０は、第１の樹脂層２１が実装用部品３０，３１側となるように、実装用部品３０，３１上に載せる。
【0092】
図１０（Ｂ）は、サイズの異なる実装用部品が回路基板に混載された回路装置の製造方法の一例において、サイズが異なる実装用部品が載置された回路基板についてリフロー処理を行う方法を説明するための断面図である。また、図１０（Ｃ）は、サイズの異なる実装用部品が回路基板に混載された回路装置の製造方法の一例において、回路基板上の複数の実装用部品の実装と同時に、実装用部品全体が一括して封止された状態を示す断面図である。
【0093】
回路基板３２の電極パッド３２ａと実装用部品３０，３１の電極バンプ３０ａ，３１ａとの間に挟持されたはんだペースト３４ａ，３４ｂに対してリフロー処理を行う。リフロー処理により、はんだ粒子の溶融温度よりも高い温度にはんだペースト３４ａ，３４ｂを加熱し、はんだ粒子表面の酸化被膜をフラックスにより除去して、電極パッド３２ａ，３２ｂと電極バンプ３０ａ，３１ａとの間に濡れ拡がらせて、はんだ接合部３４ａ，３４ｂを形成するとともに、リフロー処理の際の加熱によりフィルム状封止剤２０を硬化させて封止部を形成する。
【0094】
はんだペースト３４ａ，３４ｂのリフロー処理の際、図１０（Ｂ）に示すように、フィルム状封止剤２０における第１の樹脂層２１の動きが、第２の樹脂層２２に抑え込まれ、リフロー処理の昇温によりフィルム状封止剤２０における第１の樹脂層２１の湾曲が抑制されるため、第１の樹脂層２１の湾曲による実装用部品３０，３１（特に、実装用部品３１）のずれの発生が抑制される。また、第１の樹脂層２１が充分に低粘度となってから流動し、流動する第１の樹脂層２１により実装用部品３０，３１全体が封止される。リフロー処理は、回路装置の製造方法の第１の実施の形態と同様に行うことができる。また、リフロー処理の際、図２に示すプリヒート領域Ｐでは、はんだペースト３４ａ，３４ｂの溶剤が揮発し、揮発した溶剤が、回路基板３２とフィルム状封止剤２０の隙間を介して、または、フィルム状封止剤２０を介してフィルム状封止剤２０の内部から外部に排出される。
【0095】
このような製造方法により、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、回路基板３２上の実装用部品３０，３１の実装と同時に、実装用部品３０，３１全体を一括して封止できる。その結果、図１０（Ｃ）に示すように、封止部で実装用部品３０，３１が封止された回路装置３３が得られる。このように、本製造方法では、回路装置の製造方法では、はんだペースト３４のリフロー処理と、フィルム状封止剤２０の硬化処理とを同時に行うことができる。また、本製造方法では、実装用部品３０と実装用部品３１のようにサイズの異なる複数の実装用部品が混載された回路基板３２でも、微小部品（実装用部品３１）が位置ずれすることなく、回路基板３２全面の部品を封止することができる。
【実施例0096】
以下、本技術の実施例について説明する。なお、本技術は、これらの実施例に限定されるものではない。実施例と比較例で使用したフィルム状封止剤の成分は、以下の通りである。
【0097】
［第１の樹脂層］
＜膜形成成分＞
クラリティＬＡ２２５０：メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、２２０℃における粘度：４７Ｐａ・ｓ、クラレ社製
ナノストレングスＭ５１：メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、２２０℃における粘度：４６Ｐａ・ｓ、アルケマ社製
ナノストレングスＤ５１Ｎ：変性メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレートブロックコポリマー、２２０℃における粘度：３３Ｐａ・ｓ、アルケマ社製
クラリティＬＡ４２８５：メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、２２０℃における粘度：５９０Ｐａ・ｓ、クラレ社製
セプトン２００２：スチレン－エチレン－プロピレン－スチレン構造を有するエラストマー、２２０℃における粘度：３５０Ｐａ・ｓ、クラレ社製
＜膜形成成分＞
クラリティＬＡ２２５０：メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、２２０℃における粘度：４７Ｐａ・ｓ、クラレ社製
ナノストレングスＭ５１：メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、２２０℃における粘度：４６Ｐａ・ｓ、アルケマ社製
ナノストレングスＤ５１Ｎ：変性メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレートブロックコポリマー、２２０℃における粘度：３３Ｐａ・ｓ、アルケマ社製
クラリティＬＡ４２８５：メチルメタクリレート－ポリブチルアクリレート－メチルメタクリレートブロックコポリマー、２２０℃における粘度：５９０Ｐａ・ｓ、クラレ社製
セプトン２００２：スチレン－エチレン－プロピレン－スチレン構造を有するエラストマー、２２０℃における粘度：３５０Ｐａ・ｓ、クラレ社製
【0098】
＜熱硬化性モノマー＞
ＮＫエステル Ａ－ＴＭＰＴ：トリメチロールプロパントリアクリレート、新中村化学工業社製
ＨＤＤＡ：１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ダイセル・オルネクス社製
ＮＫエステル Ａ－ＴＭＰＴ：トリメチロールプロパントリアクリレート、新中村化学工業社製
ＨＤＤＡ：１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ダイセル・オルネクス社製
【0099】
＜熱ラジカル重合開始剤＞
パーオクタＨ：１，１，３，３－テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、日油社製
パーオクタＨ：１，１，３，３－テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、日油社製
【0100】
＜その他の樹脂＞
ＹＳポリスターＴ１６０：テルペンフェノール樹脂、軟化点：１６０℃、ヤスハラケミカル社製
ＹＳポリスターＴ１６０：テルペンフェノール樹脂、軟化点：１６０℃、ヤスハラケミカル社製
【0101】
＜界面活性剤＞
ＢＹＫ３５４：ポリアクリレート系界面活性剤、ビックケミー・ジャパン社製
ＢＹＫ３２２：シリコーン系界面活性剤、ビックケミー・ジャパン社製
ＢＹＫ３５４：ポリアクリレート系界面活性剤、ビックケミー・ジャパン社製
ＢＹＫ３２２：シリコーン系界面活性剤、ビックケミー・ジャパン社製
【0102】
［第２の樹脂層］
ＣＮ９０１４ＮＳ：２官能ウレタンアクリレート、アルケマ社製
アクリエステルＩＢＸ：イソボルニルメタクリレート、三菱ケミカル社製
ＮＫエステルＤＣＰ：トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、新中村化学工業社製
ＵＣ－２０３Ｍ：イソプレンメタクリレート、クラレ社製
ＬＢＲ－３０７：ポリブタジエン、クラレ社製
アルコンＭ－１００：脂環族飽和炭化水素樹脂、荒川化学工業社製
ＰＩ－１８４：Ａａｌ Ｃｈｅｍ社製
ＥＸＡ－８５０ＣＲＰ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製
セロキサイド２０２１Ｐ：３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（３，４－エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル社製
ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ７２００Ｌ：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製
ＣＰＩ－２００Ｋ：サンアプロ社製
カプトン２００Ｈ：東レ・デュポン社製（ポリイミド樹脂製フィルム）
ＣＮ９０１４ＮＳ：２官能ウレタンアクリレート、アルケマ社製
アクリエステルＩＢＸ：イソボルニルメタクリレート、三菱ケミカル社製
ＮＫエステルＤＣＰ：トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、新中村化学工業社製
ＵＣ－２０３Ｍ：イソプレンメタクリレート、クラレ社製
ＬＢＲ－３０７：ポリブタジエン、クラレ社製
アルコンＭ－１００：脂環族飽和炭化水素樹脂、荒川化学工業社製
ＰＩ－１８４：Ａａｌ Ｃｈｅｍ社製
ＥＸＡ－８５０ＣＲＰ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製
セロキサイド２０２１Ｐ：３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（３，４－エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル社製
ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ７２００Ｌ：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製
ＣＰＩ－２００Ｋ：サンアプロ社製
カプトン２００Ｈ：東レ・デュポン社製（ポリイミド樹脂製フィルム）
【0103】
＜フィルム状封止剤用の組成物の調製＞
表１に示す各成分を表１に示す配合割合（重量部）で均一に混合し、フィルム状封止剤（第１の樹脂層）用の組成物を調製した。
表１に示す各成分を表１に示す配合割合（重量部）で均一に混合し、フィルム状封止剤（第１の樹脂層）用の組成物を調製した。
【0104】
＜第２の樹脂層用の組成物の調整＞
表２に示す各成分を表２に示す配合割合（重量部）で均一に混合し、フィルム状封止剤（第２の樹脂層）用の組成物を調製した。なお、実施例１５においては、市販のフィルムをそのまま用いた。
表２に示す各成分を表２に示す配合割合（重量部）で均一に混合し、フィルム状封止剤（第２の樹脂層）用の組成物を調製した。なお、実施例１５においては、市販のフィルムをそのまま用いた。
【0105】
＜フィルム状封止剤（１）の作製＞
フィルム状封止剤（第１の樹脂層）用の組成物と有機溶剤（トルエン８０％とメチルエチルケトン２０％の混合溶剤）とを混合した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、離型処理を施した基材フィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）上に、バーコーターを用いて塗布し、１００℃で５分間加熱して有機溶媒を除去することにより厚み５０μｍの一次フィルム状封止剤を得た後、その上から再度樹脂ワニスの塗布・乾燥を繰り返すことで厚さ１００μｍのフィルム状封止剤を得た。以下、このフィルム状封止剤をフィルム状封止剤（１）という。フィルム状封止剤（１）は、後述する封止性評価（１）で使用した。
フィルム状封止剤（第１の樹脂層）用の組成物と有機溶剤（トルエン８０％とメチルエチルケトン２０％の混合溶剤）とを混合した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、離型処理を施した基材フィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）上に、バーコーターを用いて塗布し、１００℃で５分間加熱して有機溶媒を除去することにより厚み５０μｍの一次フィルム状封止剤を得た後、その上から再度樹脂ワニスの塗布・乾燥を繰り返すことで厚さ１００μｍのフィルム状封止剤を得た。以下、このフィルム状封止剤をフィルム状封止剤（１）という。フィルム状封止剤（１）は、後述する封止性評価（１）で使用した。
【0106】
＜フィルム状封止剤（２）の作製＞
上述のフィルム状封止剤（１）の作製と同様の方法で、第１の樹脂層を得た。また、実施例８～１８について、実施例１５を除き、表２に示す各成分を含む第２の樹脂層用の樹脂組成物を、バーコーターを用いて剥離処理されたフィルム上に塗布して紫外線硬化させた。実施例１５では、市販のポリイミド樹脂製フィルムをそのまま用いた。得られた第１の樹脂層と第２の樹脂層をラミネーターで貼り合せることで、第１の樹脂層に第２の樹脂層が積層されたフィルム状封止剤を得た。各層の厚みは表１に記載の通りである。以下、このフィルム状封止剤をフィルム状封止剤（２）という。フィルム状封止剤（２）は、後述する封止性評価（２）で使用した。なお、実施例１～７、比較例１～４では、フィルム状封止剤（１）を封止性評価（２）でも使用した。
上述のフィルム状封止剤（１）の作製と同様の方法で、第１の樹脂層を得た。また、実施例８～１８について、実施例１５を除き、表２に示す各成分を含む第２の樹脂層用の樹脂組成物を、バーコーターを用いて剥離処理されたフィルム上に塗布して紫外線硬化させた。実施例１５では、市販のポリイミド樹脂製フィルムをそのまま用いた。得られた第１の樹脂層と第２の樹脂層をラミネーターで貼り合せることで、第１の樹脂層に第２の樹脂層が積層されたフィルム状封止剤を得た。各層の厚みは表１に記載の通りである。以下、このフィルム状封止剤をフィルム状封止剤（２）という。フィルム状封止剤（２）は、後述する封止性評価（２）で使用した。なお、実施例１～７、比較例１～４では、フィルム状封止剤（１）を封止性評価（２）でも使用した。
【0107】
＜膜形成成分およびフィルム状封止剤の溶融粘度＞
膜形成成分およびフィルム状封止剤の２２０℃における溶融粘度は、レオメータ（ＡＲ－Ｇ２（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて測定した。結果を表１に示す。
膜形成成分およびフィルム状封止剤の２２０℃における溶融粘度は、レオメータ（ＡＲ－Ｇ２（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて測定した。結果を表１に示す。
【0108】
＜第１の樹脂層のせん断弾性率Ｇ’＞
第１の樹脂層の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’は、レオメータ（ＡＲ－Ｇ２（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定して求めた。結果を表１に示す。
第１の樹脂層の１５０℃におけるせん断弾性率Ｇ’は、レオメータ（ＡＲ－Ｇ２（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定して求めた。結果を表１に示す。
【0109】
＜第２の樹脂層の引張弾性率Ｅ’＞
第２の樹脂層の１５０℃における引張弾性率Ｅ’は、粘弾性測定装置（ＤＭＡ７１００、日立ハイテクサイエンス社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定して求めた。結果を表１に示す。
第２の樹脂層の１５０℃における引張弾性率Ｅ’は、粘弾性測定装置（ＤＭＡ７１００、日立ハイテクサイエンス社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定して求めた。結果を表１に示す。
【0110】
＜封止性評価（１）＞
＜回路装置の作製＞
試験用回路基板として以下のＦＲ－４グレードの回路基板を用い、また、試験用実装用部品として以下の半導体素子を用いて、試験用の回路装置を作製した。具体的には、試験用回路基板の電極パッドに、千住金属工業株式会社製のはんだペースト（「Ｍ７０５－ＧＲＮ３６０－Ｋ２－Ｖ」（はんだ粒子：Ａｇ３．０％－Ｃｕ０．５％－Ｓｎ(残部)）を、１５０μｍ厚となるように精密ディスペンサーで塗布し、はんだペーストが塗布された試験用回路基板の電極パッドに対し、試験用実装用部品の電極バンプを位置合わせし、軽くプレスすることにより試験用回路基板に試験用実装用部品を載置した。次に、上述したフィルム状封止剤（１）を、試験用実装用部品が載置された試験用回路基板上に載せ、大気下で常温から１７０℃まで３℃／秒で昇温し、１７０℃で９０秒間保持した。その後、２℃／秒で２５０℃まで昇温した後、２℃／秒で常温へ冷却するリフロー処理を常圧下で行った。これにより、試験用実装用部品と試験用回路基板とをはんだ付けするとともに、試験用実装用部品上部、側面および下部を封止した。その結果、図１に示すようにフィルム状封止剤４の硬化物４Ａで封止された回路装置１０が得られた。リフロー炉は、ＵＮＩ―５０１６Ａ（アントム社製）を用いた。
＜回路装置の作製＞
試験用回路基板として以下のＦＲ－４グレードの回路基板を用い、また、試験用実装用部品として以下の半導体素子を用いて、試験用の回路装置を作製した。具体的には、試験用回路基板の電極パッドに、千住金属工業株式会社製のはんだペースト（「Ｍ７０５－ＧＲＮ３６０－Ｋ２－Ｖ」（はんだ粒子：Ａｇ３．０％－Ｃｕ０．５％－Ｓｎ(残部)）を、１５０μｍ厚となるように精密ディスペンサーで塗布し、はんだペーストが塗布された試験用回路基板の電極パッドに対し、試験用実装用部品の電極バンプを位置合わせし、軽くプレスすることにより試験用回路基板に試験用実装用部品を載置した。次に、上述したフィルム状封止剤（１）を、試験用実装用部品が載置された試験用回路基板上に載せ、大気下で常温から１７０℃まで３℃／秒で昇温し、１７０℃で９０秒間保持した。その後、２℃／秒で２５０℃まで昇温した後、２℃／秒で常温へ冷却するリフロー処理を常圧下で行った。これにより、試験用実装用部品と試験用回路基板とをはんだ付けするとともに、試験用実装用部品上部、側面および下部を封止した。その結果、図１に示すようにフィルム状封止剤４の硬化物４Ａで封止された回路装置１０が得られた。リフロー炉は、ＵＮＩ―５０１６Ａ（アントム社製）を用いた。
【0111】
試験用回路基板としては、表面に金メッキ加工を施した銅配線（１．０×７．２（ｍｍ））を有するＦＲ－４グレード回路基板（２０×４０×０．６（ｍｍ））を使用した。また、試験用実装用部品としては、電極バンプ（１．０×７．２（ｍｍ））を有する半導体素子（５×９．５×１（ｍｍ））を使用した。なお、フィルム状封止剤は、２２ｍｍ×４２ｍｍに切り出して用いた。
【0112】
フィルム状封止剤によって、試験用実装用部品である半導体素子周辺（外周部および下部）が封止されているかを評価した。半導体素子上部並びに側面部は、外観を顕微鏡にて観察して目視にて評価した。半導体素子下部については封止された半導体素子を上部から、内部のはんだペースト部が現れるまで研磨を行なった後、顕微鏡で観察した。半導体素子周辺が封止されているものは○（ＯＫ）と評価し、半導体素子周辺に封止されていない部分があるものを×（ＮＧ）と評価した。結果を表１に示す。
【0113】
【表1】
【0114】
【表2】
【0115】
＜封止性評価（２）＞
図１１は、封止性評価（２）で使用した試験用実装用部品と試験用回路基板の構成例を示す平面図である。図１２は、封止性評価（２）で使用した試験用実装用部品上にフィルム状封止剤を載置した状態の一例を示す断面図である。試験用回路基板４１としては、表面に金メッキ加工を施した銅配線４１ａ，４１ｂを有するＦＲ－４グレード回路基板（５ｍｍ×２０ｍｍ×０．６ｍｍ）を使用した。試験用回路基板４１上の部品の実装部は、２ｍｍ×１ｍｍの銅配線（半導体素子４３実装部）と、０．１ｍｍ×０．２ｍｍの銅配線（チップ部品４２実装部）とを有する。また、試験用実装用部品としては、電極バンプ（２ｍｍ×１ｍｍ）を有する半導体素子４３（４ｍｍ×４ｍｍ×１ｍｍ）に加え、基板４１の端部に０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍ）サイズのチップ抵抗４２を、図１１に示すように配置した。試験用回路基板４１の端部から、試験用回路基板４１の端部側のチップ抵抗４２までの距離は１ｍｍ、チップ抵抗４２間の距離は０．５ｍｍ、半導体素子４３側のチップ抵抗４２と半導体素子４３の端部までの距離は６．１ｍｍである。試験用回路基板４１に試験用実装用部品を載置する方法は、封止性評価（１）と同様に行った。はんだペーストとその塗布方法も封止性評価（１）と同様に行った。
図１１は、封止性評価（２）で使用した試験用実装用部品と試験用回路基板の構成例を示す平面図である。図１２は、封止性評価（２）で使用した試験用実装用部品上にフィルム状封止剤を載置した状態の一例を示す断面図である。試験用回路基板４１としては、表面に金メッキ加工を施した銅配線４１ａ，４１ｂを有するＦＲ－４グレード回路基板（５ｍｍ×２０ｍｍ×０．６ｍｍ）を使用した。試験用回路基板４１上の部品の実装部は、２ｍｍ×１ｍｍの銅配線（半導体素子４３実装部）と、０．１ｍｍ×０．２ｍｍの銅配線（チップ部品４２実装部）とを有する。また、試験用実装用部品としては、電極バンプ（２ｍｍ×１ｍｍ）を有する半導体素子４３（４ｍｍ×４ｍｍ×１ｍｍ）に加え、基板４１の端部に０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍ）サイズのチップ抵抗４２を、図１１に示すように配置した。試験用回路基板４１の端部から、試験用回路基板４１の端部側のチップ抵抗４２までの距離は１ｍｍ、チップ抵抗４２間の距離は０．５ｍｍ、半導体素子４３側のチップ抵抗４２と半導体素子４３の端部までの距離は６．１ｍｍである。試験用回路基板４１に試験用実装用部品を載置する方法は、封止性評価（１）と同様に行った。はんだペーストとその塗布方法も封止性評価（１）と同様に行った。
【0116】
図１２に示すように、フィルム状封止剤を、試験用実装用部品が載置された試験用回路基板４１上に載せた。そののち、封止性評価（１）と同じリフロー条件にて、試験用実装用部品と試験用回路基板４１とをはんだ付けするとともに、試験用実装用部品の上部、側面および下部を封止した。なお、フィルム状封止剤は、７ｍｍ×２２ｍｍに切り出して用いた。
【0117】
そして、フィルム状封止剤によって、試験用実装用部品の周辺、すなわち、チップ抵抗４２と半導体素子４３の周辺（外周部および下部）が封止されているかを封止性評価（１）と同様に評価した。具体的には、試験用実装用部品の周辺が封止されている場合を○（ＯＫ）と評価し、フィルム状封止剤が試験用回路基板４１上と試験用実装用部品の周辺に広がるが、試験用実装用部品（特に、チップ抵抗４２）のずれが発生した場合を△（ＮＧ）と評価し、フィルム状封止剤が広がらず、試験用回路基板４１上や試験用実装用部品の周辺に封止されていない部分がある場合を×（ＮＧ）と評価した。結果を表１に示す。
【0118】
図１３（Ａ）は、フィルム状封止剤（１）を用いて封止性評価（２）を行った後の試験用回路装置の一例を示す平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＡ－Ａ’の断面図である。例えば、第２の樹脂層を有しないフィルム状封止剤（フィルム状封止剤（１））を用いて封止性評価（２）を行った場合、図８に示すように、リフロー処理の昇温により、フィルム状封止剤４の弾性率が変化して、フィルム状封止剤４が湾曲し、湾曲したフィルム状封止剤４によってチップ抵抗４２のずれが発生する。その後、図１３（Ａ），（Ｂ）に示すように、フィルム状封止剤４が試験用回路基板４１上と試験用実装用部品の周辺に広がるが、チップ抵抗４２のずれが発生する。このように、封止性評価（２）が△（ＮＧ）であるとは、例えば、チップ抵抗４２のずれが発生し、チップ抵抗４２が試験用回路基板４１と接続されておらず、硬化後のフィルム状封止剤（封止部４Ｂ）が試験用実装用部品の周辺を覆っている状態をいう。この場合、試験用回路基板４１と半導体素子４３とは、はんだペースト４４ａに由来するはんだ接合部４４Ａで接合されているものの、チップ抵抗４２が、位置４２Ｐ（正しく接続できた場合のチップ抵抗４２の位置）からずれており、試験用回路基板４１とチップ抵抗４２とが、はんだペースト４４ｂに由来するはんだ接合部４４Ｂで十分に接合されていないため、チップ抵抗４２が試験用回路基板４１上で機能を有しない。
【0119】
［封止性評価（１）の結果］
実施例１～１８の結果から、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるフィルム状封止剤（１）を用いた場合、封止性評価が良好であることが分かった。すなわち、実施例１～１８では、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、基板上のチップ（半導体素子）などの電子部品の実装と同時に電子部品全体を一括して封止できることが分かった。
実施例１～１８の結果から、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるフィルム状封止剤（１）を用いた場合、封止性評価が良好であることが分かった。すなわち、実施例１～１８では、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、基板上のチップ（半導体素子）などの電子部品の実装と同時に電子部品全体を一括して封止できることが分かった。
【0120】
また、比較例１～４の結果から、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含むフィルム状封止剤（１）であっても、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓを満たさない場合、封止性評価が良好でないことが分かった。すなわち、比較例１～４では、リフローによるはんだ実装プロセスのリフロー工程において、基板上のチップなどの電子部品の実装と同時に電子部品全体を一括して封止することが困難であることが分かった。
【0121】
例えば、比較例３では、２２０℃における溶融粘度が１０２Ｐａ・ｓであるフィルム状封止剤（１）を用いたため、リフロー処理でフィルム状封止剤（１）が溶融するものの粘度が十分に低下せず、フィルム状封止剤（１）が部品（試験用回路基板および試験用実装用部品）にまとわりついて、試験用実装用部品の下部に入り込みにくいことが分かった。
【0122】
［封止性評価（２）の結果］
実施例８、１０、１２～１５、１７、１８の結果から、上述した式１を満たすフィルム状封止剤（２）を用いることにより、複数のサイズの異なる部品が回路基板に載置されていても、リフローと同時に一括して封止できることに加えて、リフロー時に微小な部品がフィルム状封止剤（２）の形状変化によって位置ずれすることがないことが分かった。
実施例８、１０、１２～１５、１７、１８の結果から、上述した式１を満たすフィルム状封止剤（２）を用いることにより、複数のサイズの異なる部品が回路基板に載置されていても、リフローと同時に一括して封止できることに加えて、リフロー時に微小な部品がフィルム状封止剤（２）の形状変化によって位置ずれすることがないことが分かった。
【0123】
実施例９は、実施例８の第１の樹脂層の厚みをより大きくしたことにより式１を満たさず、チップ抵抗４２の位置ずれは発生したが、半導体素子４３の実装は可能であった。
【0124】
実施例１１は、第２の樹脂層の引張弾性率Ｅ’を低下させたことにより式１を満たさず、チップ抵抗４２の位置ずれは発生したが、半導体素子４３の実装は可能であった。
【0125】
実施例１６は、第１の樹脂層のせん断弾性率Ｇ’を大きくしたことにより式１を満たさず、チップ抵抗４２の位置ずれは発生したが、半導体素子４３の実装は可能であった。
【0126】
実施例１～７では、膜形成成分と、熱硬化性モノマーと、硬化剤または重合開始剤とを含み、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓであるフィルム状封止剤（１）を用いて封止性評価（２）を行ったため、チップ抵抗４２の位置ずれは発生したが、半導体素子４３の実装は可能であった。また、比較例１～４では、２２０℃における溶融粘度が２５～７０Ｐａ・ｓを満たさないフィルム状封止剤（１）を用いて封止性評価（２）を行ったため、フィルム状封止剤が広がらず、試験用回路基板４１上や試験用実装用部品の周辺に封止されていない部分があった。
【符号の説明】
【0127】
１ 回路基板、
１ａ 電極パッド、
２ 実装用部品、
２ａ 電極パンプ、
２ｂ 上面、
２ｃ 側面、
２ｄ 下面、
３ はんだペースト、
３Ａ はんだ接合部、
４ フィルム状封止剤、
４Ａ 封止部、
４Ｂ 封止部、
１０ 回路装置、
２０ フィルム状封止剤、
２０Ａ 封止部、
２１ 第１の樹脂層、
２２ 第２の樹脂層、
３０ 相対的にサイズが大きい実装用部品、
３０ａ 電極パンプ、
３１ 相対的にサイズが小さい実装用部品、
３１ａ 電極パンプ、
３２ 回路基板、
３２ａ 電極パッド、
３２ｂ 電極パッド、
３３ 回路装置、
３４ａ はんだペースト、
３４ｂ はんだペースト、
３４Ａ はんだ接合部、
３４Ｂ はんだ接合部
３５ 封止しない部品、
４１ 試験用回路基板、
４１ａ 銅配線、
４１ｂ 銅配線、
４２ チップ抵抗、
４２Ｐ 正しく接続できた場合のチップ抵抗の位置、
４３ 半導体素子、
４４ａ はんだペースト、
４４ｂ はんだペースト
４４Ａ はんだ接合部、
４４Ｂ はんだ接合部
１ａ 電極パッド、
２ 実装用部品、
２ａ 電極パンプ、
２ｂ 上面、
２ｃ 側面、
２ｄ 下面、
３ はんだペースト、
３Ａ はんだ接合部、
４ フィルム状封止剤、
４Ａ 封止部、
４Ｂ 封止部、
１０ 回路装置、
２０ フィルム状封止剤、
２０Ａ 封止部、
２１ 第１の樹脂層、
２２ 第２の樹脂層、
３０ 相対的にサイズが大きい実装用部品、
３０ａ 電極パンプ、
３１ 相対的にサイズが小さい実装用部品、
３１ａ 電極パンプ、
３２ 回路基板、
３２ａ 電極パッド、
３２ｂ 電極パッド、
３３ 回路装置、
３４ａ はんだペースト、
３４ｂ はんだペースト、
３４Ａ はんだ接合部、
３４Ｂ はんだ接合部
３５ 封止しない部品、
４１ 試験用回路基板、
４１ａ 銅配線、
４１ｂ 銅配線、
４２ チップ抵抗、
４２Ｐ 正しく接続できた場合のチップ抵抗の位置、
４３ 半導体素子、
４４ａ はんだペースト、
４４ｂ はんだペースト
４４Ａ はんだ接合部、
４４Ｂ はんだ接合部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】