(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024157629
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241031BHJP
H01L 21/306 20060101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651Z
H01L21/304 651B
H01L21/304 651L
H01L21/304 643A
H01L21/304 651M
H01L21/306 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023072077
(22)【出願日】2023-04-26
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100105935
【弁理士】
【氏名又は名称】振角 正一
(74)【代理人】
【識別番号】100136836
【弁理士】
【氏名又は名称】大西 一正
(72)【発明者】
【氏名】植村 知浩
(72)【発明者】
【氏名】正司 和大
(72)【発明者】
【氏名】篠原 遼太郎
(72)【発明者】
【氏名】根本 脩平
【テーマコード（参考）】
5F043
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043DD07
5F043DD13
5F043EE07
5F043EE08
5F043EE12
5F157AB02
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157AC04
5F157AC26
5F157BB23
5F157BB44
5F157BH18
5F157CB13
5F157CB23
5F157CE22
5F157CE55
5F157CF16
5F157CF22
5F157CF30
5F157CF34
5F157CF70
5F157CF74
5F157CF92
5F157DB17
5F157DB37
5F157DB51
5F157DC90
(57)【要約】
【課題】基板の上方にカップを上昇させる前に、当該カップを短時間で乾燥させる。
【解決手段】この発明は、基板を回転させつつ当該基板に処理液を供給して薬液処理や洗浄処理などを施す基板処理方法および基板処理装置に関するものである。この発明では、処理液で基板を処理する際に、カップの内周面が基板から飛散する処理液の液滴を捕集する。当該処理後で、かつカップ上昇位置へのカップの上昇前に、カップを回転させた状態で加熱気体が基板の上面を経由してカップの内周面に供給される。このようにカップの回転とカップへの加熱気体の供給とによりカップが乾燥される。
【選択図】図１９
【解決手段】この発明は、基板を回転させつつ当該基板に処理液を供給して薬液処理や洗浄処理などを施す基板処理方法および基板処理装置に関するものである。この発明では、処理液で基板を処理する際に、カップの内周面が基板から飛散する処理液の液滴を捕集する。当該処理後で、かつカップ上昇位置へのカップの上昇前に、カップを回転させた状態で加熱気体が基板の上面を経由してカップの内周面に供給される。このようにカップの回転とカップへの加熱気体の供給とによりカップが乾燥される。
【選択図】図１９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
（ａ）鉛直方向に延びる回転軸まわりに回転可能な基板保持部に保持された、基板の外周をカップで囲みながら前記基板に処理液を供給することで、前記処理液で前記基板を処理しながら前記基板から飛散する前記処理液の液滴を前記カップの内周面で捕集する工程と
（ｂ）前記処理液が付着する前記基板および前記カップを乾燥させる工程と
（ｃ）乾燥された前記カップを前記基板よりも高いカップ上昇位置に上昇させる工程と、を備え、
前記工程（ｂ）は
（ｂ－１）前記基板の外周を前記カップで囲みながら前記基板を保持する前記基板保持部および前記カップを回転軸まわりに回転させる工程と
（ｂ－２）前記カップおよび前記基板の周辺温度よりも高い温度に加熱された加熱気体を回転している前記基板の上面に供給することで、前記基板を乾燥させる工程と
（ｂ－３）回転している前記カップの前記内周面に前記基板の上面を経由して前記加熱気体を供給することで、前記カップを乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする、基板処理方法。
（ｂ）前記処理液が付着する前記基板および前記カップを乾燥させる工程と
（ｃ）乾燥された前記カップを前記基板よりも高いカップ上昇位置に上昇させる工程と、を備え、
前記工程（ｂ）は
（ｂ－１）前記基板の外周を前記カップで囲みながら前記基板を保持する前記基板保持部および前記カップを回転軸まわりに回転させる工程と
（ｂ－２）前記カップおよび前記基板の周辺温度よりも高い温度に加熱された加熱気体を回転している前記基板の上面に供給することで、前記基板を乾燥させる工程と
（ｂ－３）回転している前記カップの前記内周面に前記基板の上面を経由して前記加熱気体を供給することで、前記カップを乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする、基板処理方法。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ａ）は
（ａ－１）前記基板の外周を前記カップで囲みながら前記基板を保持する前記基板保持部および前記カップを回転軸まわりに回転させる工程と
（ａ－２）前記加熱気体を回転している前記基板の上面に供給することで、回転している前記カップの前記内周面に前記基板の上面を経由して前記加熱気体を供給する工程と、を有する、基板処理方法。
前記工程（ａ）は
（ａ－１）前記基板の外周を前記カップで囲みながら前記基板を保持する前記基板保持部および前記カップを回転軸まわりに回転させる工程と
（ａ－２）前記加熱気体を回転している前記基板の上面に供給することで、回転している前記カップの前記内周面に前記基板の上面を経由して前記加熱気体を供給する工程と、を有する、基板処理方法。
【請求項3】
請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ａ－２）は、前記基板の前記上面から上方に第１距離だけ離間した処理位置に遮断部材を配置した状態で実行され、
前記工程（ｂ－２）および工程（ｂ－３）は、前記基板の前記上面から上方に前記第１距離よりも長い第２距離だけ離間した乾燥位置に前記遮断部材を配置した状態で実行される、基板処理方法。
前記工程（ａ－２）は、前記基板の前記上面から上方に第１距離だけ離間した処理位置に遮断部材を配置した状態で実行され、
前記工程（ｂ－２）および工程（ｂ－３）は、前記基板の前記上面から上方に前記第１距離よりも長い第２距離だけ離間した乾燥位置に前記遮断部材を配置した状態で実行される、基板処理方法。
【請求項4】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｂ－３）は、少なくとも前記工程（ｂ－２）と重複して実行される、基板処理方法。
前記工程（ｂ－３）は、少なくとも前記工程（ｂ－２）と重複して実行される、基板処理方法。
【請求項5】
請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｂ－３）は、前記工程（ｂ－２）の完了後も継続して実行される、基板処理方法。
前記工程（ｂ－３）は、前記工程（ｂ－２）の完了後も継続して実行される、基板処理方法。
【請求項6】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ａ）は、前記基板の周縁部に前記処理液を供給することで、前記周縁部を処理する工程であり、
前記工程（ｂ－２）および前記工程（ｂ－３）において、前記加熱気体は前記基板の上面のうち前記基板の上面中央部と前記周縁部との間の中間部に供給される、基板処理方法。
前記工程（ａ）は、前記基板の周縁部に前記処理液を供給することで、前記周縁部を処理する工程であり、
前記工程（ｂ－２）および前記工程（ｂ－３）において、前記加熱気体は前記基板の上面のうち前記基板の上面中央部と前記周縁部との間の中間部に供給される、基板処理方法。
【請求項7】
請求項６に記載の基板処理方法であって、
前記基板保持部は、前記基板の下面のうち前記上面中央部に対向する下面中央部を吸着することで、前記基板を保持する、基板処理方法。
前記基板保持部は、前記基板の下面のうち前記上面中央部に対向する下面中央部を吸着することで、前記基板を保持する、基板処理方法。
【請求項8】
基板を保持しながら鉛直方向に延びる回転軸まわりに回転可能に設けられる基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に処理液を供給して前記基板を処理する処理機構と、
前記基板の外周を囲みながら前記回転軸まわりに回転可能でしかも鉛直方向に昇降可能に設けられたカップを有し、前記基板から飛散する前記処理液の液滴を前記カップの内周面で捕集する回転カップ部と、
前記基板保持部および前記カップを回転させる回転機構と、
前記カップを昇降させる昇降機構と、
前記基板の上面に対し、前記カップおよび前記基板の周辺温度よりも高い温度に加熱された加熱気体を供給する気体供給機構と、
前記カップを前記基板よりも高いカップ上昇位置に上昇させる前に前記基板および前記カップが回転しながら前記加熱気体が前記基板の上面を経由して前記カップの前記内周面に向かうように、前記回転機構、前記昇降機構および前記気体供給機構を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする、基板処理装置。
前記基板保持部に保持された基板に処理液を供給して前記基板を処理する処理機構と、
前記基板の外周を囲みながら前記回転軸まわりに回転可能でしかも鉛直方向に昇降可能に設けられたカップを有し、前記基板から飛散する前記処理液の液滴を前記カップの内周面で捕集する回転カップ部と、
前記基板保持部および前記カップを回転させる回転機構と、
前記カップを昇降させる昇降機構と、
前記基板の上面に対し、前記カップおよび前記基板の周辺温度よりも高い温度に加熱された加熱気体を供給する気体供給機構と、
前記カップを前記基板よりも高いカップ上昇位置に上昇させる前に前記基板および前記カップが回転しながら前記加熱気体が前記基板の上面を経由して前記カップの前記内周面に向かうように、前記回転機構、前記昇降機構および前記気体供給機構を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、基板に処理液を供給して当該基板を処理する基板処理技術に関するものである。ここで、基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）が含まれる。また、処理には、エッチング処理が含まれる。
【背景技術】
【0002】
半導体ウエハなどの基板を回転させつつ当該基板に処理液を供給して薬液処理や洗浄処理などを施す基板処理装置が知られている。例えば特許文献１に記載の装置では、回転される基板から飛散する処理液などを捕集して回収するために飛散防止部が設けられている。飛散防止部は、回転される基板の外周を取り囲むように固定的に配置されたスプラッシュガード（「カップ」と称されることもある）を有している。スプラッシュガードの内周面は、基板の外周と対向しており、回転される基板から振り切られた処理液の液滴を捕集する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－１１０１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
薬液処理や洗浄処理などの処理は、スピンチャックなどの基板保持部に基板を保持した状態で行われる。そして、当該基板に対する一連の処理を行った後で、上記従来、スプラッシュガードは下降し、基板保持部に保持された基板よりも下方に移動していた。しかしながら、近年、一連の処理完了後に、カップやスプラッシュガードなど（以下「カップ」と称す）を基板保持部に保持された基板の上方に移動させる基板処理装置が検討されている。このようにカップを基板よりも上方に移動させる場合、その時点でカップが十分に乾燥していないと、カップに付着している処理液の液滴が基板に落下することがある。基板に落下した液滴はパーティクルの主要因のひとつである。そこで、カップを基板の上方に移動させる前に、短時間でカップを十分に乾燥させる必要がある。しかしながら、このような要望を満足する具体的な技術は従来、存在していなかった。
【0005】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の上方にカップを上昇させる前に、当該カップを短時間で乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様は、基板処理方法であって、（ａ）鉛直方向に延びる回転軸まわりに回転可能な基板保持部に保持された、基板の外周をカップで囲みながら基板に処理液を供給することで、処理液で基板を処理しながら基板から飛散する処理液の液滴をカップの内周面で捕集する工程と、（ｂ）処理液が付着する基板およびカップを乾燥させる工程と、（ｃ）乾燥されたカップを基板よりも高いカップ上昇位置に上昇させる工程と、を備え、工程（ｂ）は、（ｂ－１）基板の外周をカップで囲みながら基板を保持する基板保持部およびカップを回転軸まわりに回転させる工程と、（ｂ－２）カップおよび基板の周辺温度よりも高い温度に加熱された加熱気体を回転している基板の上面に供給することで、基板を乾燥させる工程と、（ｂ－３）回転しているカップの内周面に基板の上面を経由して加熱気体を供給することで、カップを乾燥させる工程と、を有することを特徴としている。
【0007】
また、本発明の他の態様は、基板処理装置であって、基板を保持しながら鉛直方向に延びる回転軸まわりに回転可能に設けられる基板保持部と、基板保持部に保持された基板に処理液を供給して基板を処理する処理機構と、基板の外周を囲みながら回転軸まわりに回転可能でしかも鉛直方向に昇降可能に設けられたカップを有し、基板から飛散する処理液の液滴をカップの内周面で捕集する回転カップ部と、基板保持部およびカップを回転させる回転機構と、カップを昇降させる昇降機構と、基板の上面に対し、カップおよび基板の周辺温度よりも高い温度に加熱された加熱気体を供給する気体供給機構と、カップを基板よりも高いカップ上昇位置に上昇させる前に基板およびカップが回転しながら加熱気体が基板の上面を経由してカップの内周面に向かうように、回転機構、昇降機構および気体供給機構を制御する制御部と、を備えることを特徴としている。
【0008】
このように構成された発明では、処理液で基板を処理する際に、カップの内周面が基板から飛散する処理液の液滴を捕集する。当該処理後で、かつカップ上昇位置へのカップの上昇前に、カップを回転させた状態で加熱気体が基板の上面を経由してカップの内周面に供給される。このようにカップの回転とカップへの加熱気体の供給とによりカップが乾燥される。
【発明の効果】
【0009】
この発明によれば、カップ上昇位置へのカップの上昇前に、当該カップを短時間で乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を装備する基板処理システムの概略構成を示す平面図である。
【図2】本発明に係る基板処理装置の第１実施形態の構成を示す図である。
【図4】動力伝達部の構成を示す平面図である。
【図6】回転カップ部の構造を示す分解組立斜視図である。
【図7】スピンチャックに保持された基板と回転カップ部との寸法関係を示す図である。
【図8】回転カップ部および固定カップ部の一部を示す図である。
【図9】上面保護加熱機構の構成を示す外観斜視図である。
【図11】処理機構に装備される上面側の処理液吐出ノズルを示す斜視図である。
【図12】ベベル処理モードおよびプリディスペンスモードにおけるノズル位置を示す図である。
【図13】処理機構に装備される下面側の処理液吐出ノズルおよび同ノズルを支持するノズル支持部を示す斜視図である。
【図14】雰囲気分離機構の構成を示す部分断面図である。
【図16A】基板の搬出入時における装置各部の動作を示す模式図である。
【図16B】基板のセンタリング時における装置各部の動作を示す模式図である。
【図16C】ベベル処理時における装置各部の動作を示す模式図である。
【図16D】乾燥処理時における装置各部の動作を示す模式図である。
【図16E】観察処理時における装置各部の動作を示す模式図である。
【図17A】上カップの傾斜角を６０゜に設定したときのカップ回転速度とカップ乾燥時間との関係を示すグラフである。
【図17B】上カップの傾斜角を７０゜に設定したときのカップ回転速度とカップ乾燥時間との関係を示すグラフである。
【図18】加熱ガスの流量と乾燥時間との関係を示すグラフである。
【図19】本発明の第１実施形態および比較例における乾燥処理のシーケンスを示す図である。
【図20】本発明の第２実施形態における乾燥処理のシーケンスを示す図である。
【図21】本発明に係る基板処理装置の第４実施形態における上面保護加熱機構の構成を示す断面図である。
【図23】本発明に係る基板処理装置の第５実施形態におけるベベル処理および乾燥処理を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
＜第１実施形態＞
図１は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を装備する基板処理システムの概略構成を示す平面図である。これは基板処理システム１００の外観を示すものではなく、基板処理システム１００の外壁パネルやその他の一部構成を除外することでその内部構造をわかりやすく示した模式図である。この基板処理システム１００は、例えばクリーンルーム内に設置され、一方主面のみに回路パターン等（以下「パターン」と称する）が形成された基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。そして、基板処理システム１００に装備される処理ユニット１において、処理液による基板処理が実行される。本明細書では、基板の両主面のうちパターンが形成されているパターン形成面（一方主面）を「表面」と称し、その反対側のパターンが形成されていない他方主面を「裏面」と称する。また、下方に向けられた面を「下面」と称し、上方に向けられた面を「上面」と称する。また、本明細書において「パターン形成面」とは、基板において、任意の領域に凹凸パターン形成されている面を意味する。
図１は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を装備する基板処理システムの概略構成を示す平面図である。これは基板処理システム１００の外観を示すものではなく、基板処理システム１００の外壁パネルやその他の一部構成を除外することでその内部構造をわかりやすく示した模式図である。この基板処理システム１００は、例えばクリーンルーム内に設置され、一方主面のみに回路パターン等（以下「パターン」と称する）が形成された基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。そして、基板処理システム１００に装備される処理ユニット１において、処理液による基板処理が実行される。本明細書では、基板の両主面のうちパターンが形成されているパターン形成面（一方主面）を「表面」と称し、その反対側のパターンが形成されていない他方主面を「裏面」と称する。また、下方に向けられた面を「下面」と称し、上方に向けられた面を「上面」と称する。また、本明細書において「パターン形成面」とは、基板において、任意の領域に凹凸パターン形成されている面を意味する。
【0012】
ここで、本実施形態における「基板」としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として半導体ウエハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。
【0013】
図１に示すように、基板処理システム１００は、基板Ｗに対して処理を施す基板処理エリア１１０を有している。この基板処理エリア１１０に対し、インデクサ部１２０が隣接して設けられている。インデクサ部１２０は、基板Ｗを収容するための容器Ｃ（複数の基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）など）を複数個保持することができる容器保持部１２１を有している。また、インデクサ部１２０は、容器保持部１２１に保持された容器Ｃにアクセスして、未処理の基板Ｗを容器Ｃから取り出したり、処理済みの基板Ｗを容器Ｃに収納したりするためのインデクサロボット１２２を備えている。各容器Ｃには、複数枚の基板Ｗがほぼ水平な姿勢で収容されている。
【0014】
インデクサロボット１２２は、装置筐体に固定されたベース部１２２ａと、ベース部１２２ａに対し鉛直軸まわりに回動可能に設けられた多関節アーム１２２ｂと、多関節アーム１２２ｂの先端に取り付けられたハンド１２２ｃとを備える。ハンド１２２ｃはその上面に基板Ｗを載置して保持することができる構造となっている。このような多関節アームおよび基板保持用のハンドを有するインデクサロボットは公知であるので詳しい説明を省略する。
【0015】
基板処理エリア１１０では、載置台１１２がインデクサロボット１２２からの基板Ｗを載置可能に設けられている。また、平面視において、基板処理エリア１１０のほぼ中央に基板搬送ロボット１１１が配置される。さらに、この基板搬送ロボット１１１を取り囲むように、複数の処理ユニット１が配置される。具体的には、基板搬送ロボット１１１が配置された空間に面して複数の処理ユニット１が配置される。これらの処理ユニット１に対して基板搬送ロボット１１１は載置台１１２にランダムにアクセスし、載置台１１２との間で基板Ｗを受け渡す。一方、各処理ユニット１は基板Ｗに対して所定の処理を実行するものであり、本発明に係る基板処理装置に相当するものである。本実施形態では、これらの処理ユニット（基板処理装置）１は同一の機能を有している。このため、複数基板Ｗの並列処理が可能となっている。なお、基板搬送ロボット１１１はインデクサロボット１２２から基板Ｗを直接受け渡すことが可能であれば、必ずしも載置台１１２は必要ない。
【0016】
図２は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態の構成を示す図である。また、図３は図２のＡ－Ａ線矢視平面図である。図２、図３および以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。基板処理装置（処理ユニット）１は、回転機構２、飛散防止機構３、上面保護加熱機構４、処理機構５、雰囲気分離機構６、昇降機構７、センタリング機構８および基板観察機構９を備えている。これら各部２～９は、チャンバ１１の内部空間１２に収容された状態で、装置全体を制御する制御ユニット１０と電気的に接続されている。そして、各部２～９は、制御ユニット１０からの指示に応じて動作する。
【0017】
制御ユニット１０としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御ユニット１０においては、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部を制御する。なお、制御ユニット１０の詳しい構成および動作については、後で詳述する。また、本実施形態では、各基板処理装置１に対して制御ユニット１０を設けているが、１台の制御ユニットにより複数の基板処理装置１を制御するように構成してもよい。また、基板処理システム１００全体を制御する制御ユニット（図示省略）により基板処理装置１を制御するように構成してもよい。
【0018】
図２に示すように、チャンバ１１の天井壁１１ａには、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１３が取り付けられている。このファンフィルタユニット１３は、基板処理装置１が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバ１１内の処理空間に供給する。ファンフィルタユニット１３は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバ１１内に送り出すためのファンおよびフィルタ（例えばＨＥＰＡ（High Efficiency Particulate Air）フィルタ）を備えており、天井壁１１ａに設けられた開口１１ｂを介して清浄空気を送り込む。これにより、チャンバ１１内の処理空間に清浄空気のダウンフローが形成される。また、ファンフィルタユニット１３から供給された清浄空気を均一に分散するために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレート１４が天井壁１１ａの直下に設けられている。
【0019】
図１および図３に示すように、基板処理装置１では、チャンバ１１の側面にシャッター１５が設けられている。シャッター１５にはシャッター開閉機構（図示省略）が接続されており、制御ユニット１０からの開閉指令に応じてシャッター１５を開閉させる。より具体的には、基板処理装置１では、未処理の基板Ｗをチャンバ１１に搬入する際にシャッター開閉機構はシャッター１５を開き、基板搬送ロボット１１１のハンド（図１６Ａ中の符号ＲＨ）によって未処理の基板Ｗがフェースアップ姿勢で回転機構２のスピンチャック（基板保持部）２１に搬入される。つまり、基板Ｗは上面Ｗｆを上方に向けた状態でスピンチャック２１上に載置される。そして、当該基板搬入後に基板搬送ロボット１１１のハンドがチャンバ１１から退避すると、シャッター開閉機構はシャッター１５を閉じる。そして、チャンバ１１の処理空間（後で詳述する密閉空間ＳＰｓに相当）内で基板Ｗの周縁部Ｗｓに対するベベル処理が実行される。また、ベベル処理の終了後においては、シャッター開閉機構がシャッター１５を再び開き、基板搬送ロボット１１１のハンドが処理済の基板Ｗをスピンチャック２１から搬出する。このように、本実施形態では、チャンバ１１の内部空間１２が常温環境に保たれる。なお、本明細書において「常温」とは、５℃～３５℃の温度範囲にあることを意味する。
【0020】
回転機構２は、基板Ｗを、その表面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転させるとともに、基板Ｗと同一方向に飛散防止機構３の一部を同期して回転させる機能を有している。回転機構２は、基板Ｗおよび飛散防止機構３の回転カップ部３１を、主面中心を通る鉛直な回転軸ＡＸまわりに回転させる。なお、回転機構２により一体的に回転する部材や部位などを明示するために、図２では被回転部位にドットを付している。
【0021】
回転機構２は、基板Ｗより小さい円板状の部材であるスピンチャック２１を備えている。スピンチャック２１は、その上面が略水平となり、その中心軸が回転軸ＡＸに一致するように設けられている。スピンチャック２１の下面には、円筒状の回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を回転軸ＡＸと一致させた状態で、鉛直方向に延設されている。また、回転軸部２２には、回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続されている。回転駆動部２３は、制御ユニット１０からの回転指令に応じて回転軸部２２をその軸線周りに回転駆動する。したがって、スピンチャック２１は、回転軸部２２とともに回転軸ＡＸまわりに回転可能である。回転駆動部２３と回転軸部２２とは、スピンチャック２１を回転軸ＡＸ中心に回転させる機能を担っており、回転軸部２２の下端部および回転駆動部２３は筒状のケーシング２４内に収容されている。
【0022】
スピンチャック２１の中央部には、図示省略の貫通孔が設けられており、回転軸部２２の内部空間と連通している。内部空間には、バルブ（図示省略）が介装された配管２５を介してポンプ２６が接続されている。当該ポンプ２６およびバルブは、制御ユニット１０に電気的に接続されており、制御ユニット１０からの指令に応じて動作する。これによって、負圧と正圧とが選択的にスピンチャック２１に付与される。例えば基板Ｗがスピンチャック２１の上面に略水平姿勢で置かれた状態でポンプ２６が負圧をスピンチャック２１に付与すると、スピンチャック２１は基板Ｗを下方から吸着保持する。一方、ポンプ２６が正圧をスピンチャック２１に付与すると、基板Ｗはスピンチャック２１の上面から取り外し可能となる。また、ポンプ２６の吸引を停止すると、スピンチャック２１の上面上で基板Ｗは水平移動可能となる。
【0023】
スピンチャック２１には、回転軸部２２の中央部に設けられた配管２８を介して窒素ガス供給部２９が接続されている。窒素ガス供給部２９は、基板処理システム１００が設置される工場のユティリティーなどから供給される常温の窒素ガスを制御ユニット１０からの窒素ガス供給指令に応じた流量およびタイミングでスピンチャック２１に送給し、基板Ｗの下面Ｗｂ側で窒素ガスを中央部から径方向外側に流通させる。なお、本実施形態では、窒素ガスを用いているが、その他の不活性ガスを用いてもよい。この点については、後で説明する中央ノズルから吐出される加熱ガスについても同様である。また、「流量」とは、窒素ガスなどの流体が単位時間当たりに移動する量を意味している。
【0024】
回転機構２は、基板Ｗと一体的にスピンチャック２１を回転させるのみならず、当該回転に同期して回転カップ部３１を回転させるために、動力伝達部２７を有している。図４は動力伝達部の構成を示す平面図であり、図５は図４のＢ－Ｂ線断面図である。動力伝達部２７は、非磁性材料または樹脂で構成される円環部材２７ａと、円環部材２７ａに内蔵される磁石２７ｂと、回転カップ部３１の一構成である下カップ３２に内蔵される磁石２７ｃとを有している。円環部材２７ａは回転軸部２２に取り付けられ、回転軸部２２とともに回転軸ＡＸまわりに回転可能となっている。より詳しくは、回転軸部２２は、図２および図５に示すように、スピンチャック２１の直下位置において、径方向外側に張出したフランジ部位２２ａを有している。そして、フランジ部位２２ａに対して円環部材２７ａが同心状に配置されるとともに、図示省略するボルトなどによって連結固定されている。
【0025】
円環部材２７ａの外周縁部では、図４および図５に示すように、複数（本実施形態では３６個）の磁石２７ｂが回転軸ＡＸを中心として放射状で、しかも等角度間隔（本実施形態では１０゜）で配置されている。本実施形態では、図４の拡大図に示すように、互いに隣り合う２つの磁石２７ｂの一方では、外側および内側がそれぞれＮ極およびＳ極となるように配置され、他方では、外側および内側がそれぞれＳ極およびＮ極となるように配置されている。
【0026】
これらの磁石２７ｂと同様に、複数（本実施形態では３６個）の磁石２７ｃが回転軸ＡＸを中心として放射状で、しかも等角度間隔（本実施形態では１０゜）で配置されている。これらの磁石２７ｃは下カップ３２に内蔵される。下カップ３２は次に説明する飛散防止機構３の構成部品であり、図４および図５に示すように、円環形状を有している。つまり、下カップ３２は、円環部材２７ａの外周面と対向可能な内周面を有している。この内周面の内径は円環部材２７ａの外径よりも大きい。そして、当該内周面を円環部材２７ａの外周面から所定間隔（＝（上記内径－上記外径）／２）だけ離間対向させながら下カップ３２が回転軸部２２および円環部材２７ａと同心状に配置されている。この下カップ３２の外周縁上面には、係合ピン３５および連結用マグネット３６が設けられており、これらにより上カップ３３が下カップ３２と連結され、この連結体が回転カップ部３１として機能する。この点に関しては、後で詳述する。
【0027】
下カップ３２は、図面への図示を省略したベアリングによって、上記配置状態のまま、回転軸ＡＸまわりに回転可能に支持されている。この下カップ３２の内周縁部において、図４および図５に示すように、複数（本実施形態では３６個）の磁石２７ｃが回転軸ＡＸを中心として放射状で、しかも等角度間隔（本実施形態では１０゜）で配置されている。また、互いに隣り合う２つの磁石２７ｃの配置についても磁石２７ｂと同様である。つまり、一方では、外側および内側がそれぞれＮ極およびＳ極となるように配置され、他方では、外側および内側がそれぞれＳ極およびＮ極となるように配置されている。
【0028】
このように構成された動力伝達部２７では、回転駆動部２３により回転軸部２２とともに円環部材２７ａが回転すると、磁石２７ｂ、２７ｃの間での磁力作用によって、下カップ３２がエアギャップＧＰａ（円環部材２７ａと下カップ３２との隙間）を維持しつつ円環部材２７ａと同じ方向に回転する。これにより、回転カップ部３１が回転軸ＡＸまわりに回転する。つまり、回転カップ部３１は基板Ｗと同一方向でしかも同期して回転する。
【0029】
飛散防止機構３は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周を囲みながら回転軸ＡＸまわりに回転可能な回転カップ部３１と、回転カップ部３１を囲むように固定的に設けられる固定カップ部３４と、を有している。回転カップ部３１は、下カップ３２に上カップ３３が連結されることで、回転する基板Ｗの外周を囲みながら回転軸ＡＸまわりに回転可能に設けられている。
【0030】
図６は回転カップ部の構造を示す分解組立斜視図である。図７はスピンチャックに保持された基板と回転カップ部との寸法関係を示す図である。図８は回転カップ部および固定カップ部の一部を示す図である。下カップ３２は円環形状を有している。その外径は基板Ｗの外径よりも大きく、鉛直上方からの平面視においてスピンチャック２１で保持された基板Ｗから径方向にはみ出た状態で下カップ３２は回転軸ＡＸまわりに回転自在に配置されている。当該はみ出た領域、つまり下カップ３２の上面周縁部３２１では、周方向に沿って鉛直上方に立設する係合ピン３５と平板状の下マグネット３６とが交互に取り付けられており、係合ピン３５の合計本数は３本であり、下マグネット３６の合計個数は３個である。これら係合ピン３５および下マグネット３６は回転軸ＡＸを中心として放射状で、しかも等角度間隔（本実施形態では６０゜）で配置されている。
【0031】
一方、上カップ３３は、図２、図３、図６および図７に示すように、下円環部位３３１と、上円環部位３３２と、これらを連結する傾斜部位３３３とを有している。下円環部位３３１の外径Ｄ３３１は下カップ３２の外径Ｄ３２と同一であり、図６に示すように、下円環部位３３１は下カップ３２の周縁部３２１の鉛直上方に位置している。下円環部位３３１の下面では、係合ピン３５の鉛直上方に相当する領域において、下方に開口した凹部３３５が係合ピン３５の先端部と嵌合可能に設けられている。また、下マグネット３６の鉛直上方に相当する領域において、上マグネット３７が取り付けられている。このため、図６に示すように凹部３３５および上マグネット３７がそれぞれ係合ピン３５および下マグネット３６と対向した状態で、上カップ３３は下カップ３２に対して係脱可能となっている。なお、凹部と係合ピンとの関係については逆転させてもよい。また、下マグネット３６と上マグネット３７との組み合わせ以外に、一方をマグネットで他方を強磁性体で構成してもよい。
【0032】
上カップ３３は、昇降機構７により鉛直方向において昇降可能となっている。上カップ３３が昇降機構７により上方に移動されると、鉛直方向において上カップ３３と下カップ３２との間に基板Ｗの搬入出用の搬送空間（図１６Ａ中の符号ＳＰｔ）が形成される。一方、昇降機構７により上カップ３３が下方に移動されると、凹部３３５が係合ピン３５の先端部を被るように嵌合し、下カップ３２に対して上カップ３３が水平方向に位置決めされる。また、上マグネット３７が下マグネット３６に近接し、両者間で生じる引力によって、上記位置決めされた上カップ３３および下カップ３２が互いに結合される。これによって、図３の部分拡大図および図８に示すように、水平方向に延びる隙間ＧＰｃを形成した状態で、上カップ３３および下カップ３２が鉛直方向に一体化される。そして、回転カップ部３１は隙間ＧＰｃを形成したまま回転軸ＡＸまわりに回転自在となっている。
【0033】
回転カップ部３１では、図７に示すように、上円環部位３３２の外径Ｄ３３２は下円環部位３３１の外径Ｄ３３１よりも若干小さい。また、下円環部位３３１および上円環部位３３２の内周面の径ｄ３３１、ｄ３３２を比較すると、下円環部位３３１の方が上円環部位３３２よりも大きく、鉛直上方からの平面視で、上円環部位３３２の内周面が下円環部位３３１の内周面の内側に位置する。そして、上円環部位３３２の内周面と下円環部位３３１の内周面とが上カップ３３の全周にわたって傾斜部位３３３により連結される。このため、傾斜部位３３３の内周面、つまり基板Ｗを取り囲む面は、傾斜面３３４となっている。すなわち、図８に示すように、傾斜部位３３３は回転する基板Ｗの外周を囲んで基板Ｗから飛散する液滴を捕集可能となっており、上カップ３３および下カップ３２で囲まれた空間が捕集空間ＳＰｃとして機能する。
【0034】
しかも、捕集空間ＳＰｃを臨む傾斜部位３３３は、下円環部位３３１から基板Ｗの周縁部の上方に向かって傾斜している。このため、図８に示すように、傾斜部位３３３に捕集された液滴は傾斜面３３４に沿って上カップ３３の下端部、つまり下円環部位３３１に流動し、さらに隙間ＧＰｃを介して回転カップ部３１の外側に排出可能となっている。なお、傾斜面３３４は水平面に対して６０゜傾斜している。つまり、傾斜面３３４の傾斜角は６０゜に設定されている。この点については、後で詳述する。
【0035】
固定カップ部３４は回転カップ部３１を取り囲むように設けられ、排出空間ＳＰｅを形成する。固定カップ部３４は、液受け部位３４１と、液受け部位３４１の内側に設けられた排気部位３４２とを有している。液受け部位３４１は、隙間ＧＰｃの反基板側開口（図８の左手側開口）を臨むように開口したカップ構造を有している。つまり、液受け部位３４１の内部空間が排出空間ＳＰｅとして機能しており、隙間ＧＰｃを介して捕集空間ＳＰｃと連通されている。したがって、回転カップ部３１により捕集された液滴は気体成分とともに隙間ＧＰｃを介して排出空間ＳＰｅに案内される。そして、液滴は液受け部位３４１の底部に集められ、固定カップ部３４から排液される。
【0036】
一方、気体成分は排気部位３４２に集められる。この排気部位３４２は区画壁３４３を介して液受け部位３４１と区画されている。また、区画壁３４３の上方に気体案内部３４４が配置されている。気体案内部３４４は、区画壁３４３の直上位置から排出空間ＳＰｅと排気部位３４２の内部にそれぞれ延設されることで、区画壁３４３を上方から覆ってラビリンス構造を有する気体成分の流通経路を形成している。したがって、液受け部位３４１に流入した流体のうち気体成分が上記流通経路を経由して排気部位３４２に集められる。この排気部位３４２は排気部３８と接続されている。このため、制御ユニット１０からの指令に応じて排気部３８が作動することで固定カップ部３４の圧力が調整され、排気部位３４２内の気体成分が効率的に排気される。また、排気部３８の精密制御により、排出空間ＳＰｅの圧力や流量が調整される。例えば排出空間ＳＰｅの圧力が捕集空間ＳＰｃの圧力よりも下がる。その結果、捕集空間ＳＰｃ内の液滴を効率的に排出空間ＳＰｅに引き込み、捕集空間ＳＰｃからの液滴の移動を促進することができる。
【0037】
図９は上面保護加熱機構の構成を示す外観斜視図である。図１０は図９に示す上面保護加熱機構の断面図である。上面保護加熱機構４は、スピンチャック２１に保持されている基板Ｗの上面Ｗｆの上方に配置された遮断板４１を有している。この遮断板４１は水平な姿勢で保持された円板部４２を有している。円板部４２はヒータ駆動部４２２により駆動制御されるヒータ４２１を内蔵している。この円板部４２は基板Ｗよりも若干短い直径を有している。そして、円板部４２の下面が基板Ｗの上面Ｗｆのうち周縁部Ｗｓを除く表面領域を上方から覆うように、円板部４２は支持部材４３により支持されている。なお、図９中の符号４４は円板部４２の周縁部に設けられた切欠部であり、これは処理機構５に含まれる処理液吐出ノズルとの干渉を防止するために設けられている。切欠部４４は、径方向外側に向かって開口している。
【0038】
支持部材４３の下端部は円板部４２の中央部に取り付けられている。支持部材４３と円板部４２とを上下に貫通するように、円筒状の貫通孔が形成されている。また、当該貫通孔に対し、中央ノズル４５が上下に挿通している。この中央ノズル４５には、図２に示すように、配管４６を介して窒素ガス供給部４７と接続されている。窒素ガス供給部４７は、基板処理システム１００が設置される工場の用力などから供給される常温の窒素ガスを制御ユニット１０からの窒素ガス供給指令に応じた流量およびタイミングで中央ノズル４５に供給する。また、本実施形態では、配管４６の一部にリボンヒータ４８が取り付けられている。リボンヒータ４８は制御ユニット１０からの加熱指令に応じて発熱して配管４６内を流れる窒素ガスを加熱する。
【0039】
こうして加熱された窒素ガス（以下「加熱ガス」という）が中央ノズル４５に向けて圧送され、中央ノズル４５から吐出される。例えば図１０に示すように、円板部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗに近接した処理位置に位置決めされた状態で加熱ガスが供給されることによって、加熱ガスは基板Ｗの上面Ｗｆとヒータ内蔵の円板部４２とに挟まれた空間ＳＰａの中央部から周縁部に向って流れる。これによって、基板Ｗの周囲の雰囲気が基板Ｗの上面Ｗｆに入り込むのを抑制することができる。その結果、上記雰囲気に含まれる液滴が基板Ｗと円板部４２とで挟まれた空間ＳＰａに巻き込まれるのを効果的に防止することができる。また、ヒータ４２１による加熱と加熱ガスによって上面Ｗｆが全体的に加熱され、基板Ｗの面内温度を均一化することができる。これによって、基板Ｗが反るのを抑制し、処理液の着液位置を安定化させることができる。なお、これらの作用効果を得るためには、中央ノズル４５に供給する加熱ガスの温度や流量を制御するのが望ましい。この点については、後でシミュレーション結果（図１７Ａ、１７Ｂ、１８）などに基づき詳述する。
【0040】
図２に示すように、支持部材４３の上端部は、基板Ｗを搬入出する基板搬送方向（図３の左右方向）と直交する水平方向に延びる梁部材４９に固定されている。この梁部材４９は昇降機構７と接続されており、制御ユニット１０からの指令に応じて昇降機構７により昇降される。例えば図２では梁部材４９が下方に位置決めされることで、支持部材４３を介して梁部材４９に連結された円板部４２が処理位置に位置している。一方、制御ユニット１０からの上昇指令を受けて昇降機構７が梁部材４９を上昇させると、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２が一体的に上昇するとともに、上カップ３３も連動して下カップ３２から分離して上昇する。これによって、スピンチャック２１と、上カップ３３および円板部４２との間が広がり、スピンチャック２１に対する基板Ｗの搬出入を行うことが可能となる（図１６Ａ参照）。
【0041】
図１１は処理機構に装備される上面側の処理液吐出ノズルを示す斜視図であり、斜め下方向から見た図である。図１２はベベル処理モードおよびプリディスペンスモードにおけるノズル位置を示す図である。図１３は処理機構に装備される下面側の処理液吐出ノズルおよび同ノズルを支持するノズル支持部を示す斜視図である。処理機構５は、基板Ｗの上面側に配置される処理液吐出ノズル５１Ｆと、基板Ｗの下面側に配置される処理液吐出ノズル５１Ｂと、処理液吐出ノズル５１Ｆ、５１Ｂに処理液を供給する処理液供給部５２とを有している。以下においては、上面側の処理液吐出ノズル５１Ｆと下面側の処理液吐出ノズル５１Ｂとを区別するために、それぞれ「上面ノズル５１Ｆ」および「下面ノズル５１Ｂ」と称する。また、図２において、処理液供給部５２が２つ図示されているが、これらは同一である。
【0042】
本実施形態では、３本の上面ノズル５１Ｆが設けられるとともに、それらに対して処理液供給部５２が接続されている。また、処理液供給部５２はＳＣ１、ＤＨＦ、機能水（ＣＯ２水など）を処理液として供給可能に構成されており、３本の上面ノズル５１ＦからＳＣ１、ＤＨＦおよび機能水がそれぞれ独立して吐出可能となっている。
【0043】
各上面ノズル５１Ｆでは、図１１に示すように、先端下面に処理液を吐出する吐出口５１１が設けられている。そして、図３中の拡大図に示すように、各吐出口５１１を基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部を向けた姿勢で複数（本実施形態では３個）の上面ノズル５１Ｆの下方部が円板部４２の切欠部４４に配置されるとともに、上面ノズル５１Ｆの上方部がノズルホルダ５３に対して基板Ｗの径方向Ｘに移動自在に取り付けられている。このノズルホルダ５３が支持部材５４で支持され、さらに当該支持部材５４が雰囲気分離機構６の下密閉カップ部材６１に固定されている。つまり、上面ノズル５１Ｆおよびノズルホルダ５３は、支持部材５４を介して下密閉カップ部材６１と一体化されており、昇降機構７によって下密閉カップ部材６１とともに鉛直方向Ｚに昇降される。なお、昇降機構７の詳細については、後で説明する。
【0044】
ノズルホルダ５３には、図３および図１２に示すように、上面ノズル５１Ｆを一括して径方向Ｘに移動させるノズル移動部５５が内蔵されている。したがって、制御ユニット１０からのポジション指令に応じてノズル移動部５５は３本の上面ノズル５１Ｆを一括して方向Ｘに駆動させる。これによって、図１２の（ａ）に示すベベル処理位置と、図１２の（ｂ）に示すプリディスペンス位置との間を上面ノズル５１Ｆが往復移動する。このベベル処理位置に位置決めたノズル移動部５５の吐出口５１１は基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部に向いている。そして、制御ユニット１０からの供給指令に応じて処理液供給部５２が３種類の処理液のうち供給指令に対応する処理液を当該処理液用の上面ノズル５１Ｆに供給すると、当該上面ノズル５１Ｆの吐出口５１１から上記処理液が基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部に吐出される。
【0045】
一方、プリディスペンス位置に位置決めされた上面ノズル５１Ｆの吐出口５１１は、上面Ｗｆの周縁部の上方に位置して下カップ３２に向いている。そして、制御ユニット１０からの供給指令に応じて処理液供給部５２が処理液の全部または一部を対応する上面ノズル５１Ｆに供給すると、当該上面ノズル５１Ｆの吐出口５１１から上記処理液が下カップ３２に吐出される。これにより、プリディスペンス処理が実行される。なお、ベベル処理およびプリディスペンス処理により使用された処理液の液滴は、図１２に示すように、隙間ＧＰｃを介して排出空間ＳＰｅに排出される。図１２における符号５６は、上面ノズル５１Ｆと、ノズル移動部５５を内蔵するノズルホルダ５３とで構成される構造体を示しており、以下においては、「ノズルヘッド５６」と称する。また、ノズルヘッド５６に上面ノズル５１Ｆのみを装着しているが、窒素ガスなどの不活性ガスを吐出するガス吐出ノズルを追加装備してもよく、例えば基板Ｗが１回転する間に周縁部Ｗｓから離脱せずに残存している処理液をガス吐出ノズルからの不活性ガスでバージしてもよい。
【0046】
本実施形態では、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部に向けて処理液を吐出するために、下面ノズル５１Ｂおよびノズル支持部５７がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの下方に設けられている。ノズル支持部５７は、図１３に示すように、鉛直方向に延設された薄肉の円筒部位５７１と、円筒部位５７１の上端部において径方向外側に折り広げられた円環形状を有するフランジ部位５７２とを有している。円筒部位５７１は、円環部材２７ａと下カップ３２との間に形成されたエアギャップＧＰａに遊挿自在な形状を有している。そして、図２に示すように、円筒部位５７１がエアギャップＧＰａに遊挿されるとともにフランジ部位５７２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗと下カップ３２との間に位置するように、ノズル支持部５７は固定配置されている。フランジ部位５７２の上面周縁部に対し、３つの下面ノズル５１Ｂが取り付けられている。各下面ノズル５１Ｂは、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部に向けて開口した吐出口５１１を有しており、配管５８を介して処理液供給部５２から供給される処理液を吐出可能となっている。
【0047】
これら上面ノズル５１Ｆおよび下面ノズル５１Ｂから吐出される処理液により、基板Ｗの周縁部に対するベベル処理が実行される。また、基板Ｗの下面側では、周縁部Ｗｓの近傍までフランジ部位５７２が延設される。このため、配管２８を介して下面側に供給された窒素ガスが、図８に示すように、フランジ部位５７２に沿って捕集空間ＳＰｃに流れる。その結果、捕集空間ＳＰｃから液滴が基板Ｗに逆流するのを効果的に抑制する。
【0048】
図１４は雰囲気分離機構の構成を示す部分断面図である。雰囲気分離機構６は、下密閉カップ部材６１と、上密閉カップ部材６２とを有している。下密閉カップ部材６１および上密閉カップ部材６２はともに上下に開口した筒形状を有している。そして、それらの内径は回転カップ部３１の外径よりも大きく、雰囲気分離機構６は、スピンチャック２１、スピンチャック２１に保持された基板Ｗ、回転カップ部３１および上面保護加熱機構４を上方からすっぽりと囲むように配置されている、より詳しくは、図２に示すように、上密閉カップ部材６２は、その上方開口が天井壁１１ａの開口１１ｂを下方から覆うように、パンチングプレート１４の直下位置に固定配置されている。このため、チャンバ１１内に導入された清浄空気のダウンフローは、上密閉カップ部材６２の内部を通過するものと、上密閉カップ部材６２の外側を通過するものとに分けられる。
【0049】
また、上密閉カップ部材６２の下端部は、内側に折り込まれた円環形状を有するフランジ部６２１を有している。このフランジ部６２１の上面にオーリング６４が取り付けられている。上密閉カップ部材６２の内側において、下密閉カップ部材６１が鉛直方向に移動自在に配置されている。
【0050】
下密閉カップ部材６１の上端部は、外側に折り広げられた円環形状を有するフランジ部６１１を有している。このフランジ部６１１は、鉛直上方からの平面視で、フランジ部６２１と重なり合っている。このため、下密閉カップ部材６１が下降すると、図３および図１４に示すように、下密閉カップ部材６１のフランジ部６１１がオーリング６４を介して上密閉カップ部材６２のフランジ部６２１で係止される。これにより、下密閉カップ部材６１は下限位置に位置決めされる。この下限位置では、鉛直方向において上密閉カップ部材６２と下密閉カップ部材６１とが繋がり、上密閉カップ部材６２の内部に導入されたダウンフローがスピンチャック２１に保持された基板Ｗに向けて案内される。
【0051】
下密閉カップ部材６１の下端部は、外側に折り込まれた円環形状を有するフランジ部６１２を有している。このフランジ部６１２は、鉛直上方からの平面視で、固定カップ部３４の上端部（液受け部位３４１の上端部）と重なり合っている。したがって、上記下限位置では、図３中の拡大図および図１４に示すように、下密閉カップ部材６１のフランジ部６１２がオーリング６４を介して固定カップ部３４で係止される。これにより、鉛直方向において下密閉カップ部材６１と固定カップ部３４が繋がり、上密閉カップ部材６２、下密閉カップ部材６１および固定カップ部３４により密閉空間ＳＰｓが形成される。この密閉空間ＳＰｓ内において、基板Ｗに対するベベル処理が実行可能となっている。つまり、下密閉カップ部材６１が下限位置に位置決めされることで、密閉空間ＳＰｓが密閉空間ＳＰｓの外側空間ＳＰｏから分離される（雰囲気分離）。したがって、外側雰囲気の影響を受けることなく、ベベル処理を安定して行うことができる。また、ベベル処理を行うために処理液を用いるが、処理液が密閉空間ＳＰｓから外側空間ＳＰｏに漏れるのを確実に防止することができる。よって、外側空間ＳＰｏに配置する部品の選定・設計の自由度が高くなる。
【0052】
下密閉カップ部材６１は鉛直上方にも移動可能に構成されている。また、鉛直方向における下密閉カップ部材６１の中間部には、上記したように、支持部材５４を介してノズルヘッド５６（＝上面ノズル５１Ｆ＋ノズルホルダ５３）が固定されている。また、これ以外にも、図２および図３に示すように、梁部材４９を介して上面保護加熱機構４が下密閉カップ部材６１の中間部に固定されている。つまり、図３に示すように、下密閉カップ部材６１は、周方向において互いに異なる３箇所で梁部材４９の一方端部、梁部材４９の他方端部および支持部材５４とそれぞれ接続されている。そして、昇降機構７が梁部材４９の一方端部、梁部材４９の他方端部および支持部材５４を昇降させることで、それに伴って下密閉カップ部材６１も昇降する。
【0053】
この下密閉カップ部材６１の内周面では、図２、図３および図１４に示すように、内側に向けて突起部６１３が上カップ３３と係合可能な係合部位として複数本（４本）突設されている。各突起部６１３は上カップ３３の上円環部位３３２の下方空間まで延設されている。また、各突起部６１３は、下密閉カップ部材６１が下限位置に位置決めされた状態で上カップ３３の上円環部位３３２から下方に離れるように取り付けられている。そして、下密閉カップ部材６１の上昇によって各突起部６１３が下方から上円環部位３３２に係合可能となっている。この係合後においても、下密閉カップ部材６１がさらに上昇することで上カップ３３を下カップ３２から離脱させることが可能となっている。
【0054】
本実施形態では、昇降機構７により下密閉カップ部材６１が上面保護加熱機構４およびノズルヘッド５６とともに上昇し始めた後で、上カップ３３も一緒に上昇する。これによって、上カップ３３、上面保護加熱機構４およびノズルヘッド５６がスピンチャック２１から上方に離れる。下密閉カップ部材６１の退避位置（後で説明する図１６Ａにおける位置）への移動によって、基板搬送ロボット１１１のハンド（図１６Ａ中の符号ＲＨ）がスピンチャック２１にアクセスするための搬送空間（図１６Ａ中の符号ＳＰｔ）が形成される。そして、当該搬送空間を介してスピンチャック２１への基板Ｗのローディングおよびスピンチャック２１からの基板Ｗのアンローディングが実行可能となっている。このように、本実施形態では、昇降機構７による下密閉カップ部材６１の最小限の上昇によってスピンチャック２１に対する基板Ｗのアクセスを行うことが可能となっている。
【0055】
昇降機構７は２つの昇降駆動部７１、７２を有している。昇降駆動部７１では、図３に示すように、第１昇降モータ７１１が設けられている。第１昇降モータ７１１は、制御ユニット１０からの駆動指令に応じて作動して回転力を発生する。この第１昇降モータ７１１に対し、２つの昇降部７１２、７１３が連結されている。昇降部７１２、７１３は、第１昇降モータ７１１から上記回転力を同時に受ける。そして、昇降部７１２は、第１昇降モータ７１１の回転量に応じて梁部材４９の一方端部を支持する支持部材４９１を鉛直方向Ｚに昇降させる。また、昇降部７１３は、第１昇降モータ７１１の回転量に応じてノズルヘッド５６を支持する支持部材５４を鉛直方向Ｚに昇降させる。
【0056】
昇降駆動部７２は、図３に示すように、第２昇降モータ７２１と昇降部７２２とを有している。第２昇降モータ７２１は、制御ユニット１０からの駆動指令に応じて作動して回転力を発生し、昇降部７２２に与える。昇降部７２２は、第２昇降モータ７２１の回転量に応じて梁部材４９の他方端部を支持する支持部材４９２を鉛直方向に昇降させる。
【0057】
昇降駆動部７１、７２は、下密閉カップ部材６１の側面に対し、その周方向において互いに異なる３箇所にそれぞれ固定される支持部材４９１、４９２、５４を同期して鉛直方向に移動させる。したがって、上面保護加熱機構４、ノズルヘッド５６および下密閉カップ部材６１の昇降を安定して行うことができる。また、下密閉カップ部材６１の昇降に伴って上カップ３３も安定して昇降させることができる。
【0058】
センタリング機構８は、スピンチャック２１にローディングされた基板Ｗの端面に対して近接および離間可能な当接部材８１と、当接部材８１を水平方向に移動させるためのセンタリング駆動部８２とを有している。本実施形態では、回転軸ＡＸを中心として放射状の３つの当接部材８１が等角度間隔で配置されており、そのうちの１つのみが図２に図示されている。このセンタリング機構８は、ポンプ２６による吸引を停止している間（つまりスピンチャック２１の上面上で基板Ｗが水平移動可能となっている間）に、制御ユニット１０からのセンタリング指令に応じてセンタリング駆動部８２が当接部材８１を基板Ｗに近接させる（センタリング処理）。このセンタリング処理によりスピンチャック２１に対する基板Ｗの偏心が解消され、基板Ｗの中心がスピンチャック２１の中心と一致する。
【0059】
基板観察機構９は、基板Ｗの周縁部を観察するための観察ヘッド９１を有している。この観察ヘッド９１は、基板Ｗの周縁部に対して近接および離間可能に構成されている。観察ヘッド９１には、観察ヘッド駆動部９２が接続されている。そして、観察ヘッド９１により基板Ｗの周縁部を観察する際には、制御ユニット１０から観察指令に応じて観察ヘッド駆動部９２が観察ヘッド９１を基板Ｗに近接させる（観察処理）。そして、観察ヘッド９１を用いて基板Ｗの周縁部が撮像される。撮像された画像は制御ユニット１０に送られる。この画像に基づいてベベル処理が良好に行われたか否かを制御ユニット１０が検査する。
【0060】
制御ユニット１０は、演算処理部１０Ａ、記憶部１０Ｂ、読取部１０Ｃ、画像処理部１０Ｄ、駆動制御部１０Ｅ、通信部１０Ｆおよび排気制御部１０Ｇを有している。記憶部１０Ｂは、ハードディスクドライブなどで構成されており、上記基板処理装置１によりベベル処理を実行するためのプログラムを記憶している。当該プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭ（例えば、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等）に記憶されており、読取部１０Ｃにより記録媒体ＲＭから読み出され、記憶部１０Ｂに保存される。また、当該プログラムの提供は、記録媒体ＲＭに限定されるものではなく、例えば当該プログラムが電気通信回線を介して提供されるように構成してもよい。画像処理部１０Ｄは、基板観察機構９により撮像された画像に種々の処理を施す。駆動制御部１０Ｅは、基板処理装置１の各駆動部を制御する。通信部１０Ｆは、基板処理システム１００の各部を統合して制御する制御部などと通信を行う。排気制御部１０Ｇは排気部３８を制御する。
【0061】
また、制御ユニット１０には、各種情報を表示する表示部１０Ｈ（例えばディスプレイなど）や操作者からの入力を受け付ける入力部１０Ｊ（例えば、キーボードおよびマウスなど）が接続されている。
【0062】
演算処理部１０Ａは、ＣＰＵ（= Central Processing Unit）やＲＡＭ（=Random
Access Memory）等を有するコンピュータにより構成されており、記憶部１０Ｂに記憶されているプログラムにしたがって基板処理装置１の各部を以下のように制御し、ベベル処理を実行する。以下、図１５、図１６Ａないし図１６Ｄを参照しつつ基板処理装置１によるベベル処理について説明する。
Access Memory）等を有するコンピュータにより構成されており、記憶部１０Ｂに記憶されているプログラムにしたがって基板処理装置１の各部を以下のように制御し、ベベル処理を実行する。以下、図１５、図１６Ａないし図１６Ｄを参照しつつ基板処理装置１によるベベル処理について説明する。
【0063】
図１５は図２に示す基板処理装置により基板処理動作の一例として実行されるベベル処理を示すフローチャートである。また、図１６Ａないし図１６Ｅは装置各部の動作を示す模式図である。なお、図１６Ａにおいて一体的に上昇する構成を明示するために当該構成にドットを参考的に付し、図１６Ｃにおいて一体的に回転する構成を明示するために当該構成にドットを参考的に付している。
【0064】
基板処理装置１により基板Ｗにベベル処理を施す際には、演算処理部１０Ａは、昇降駆動部７１、７２により下密閉カップ部材６１、ノズルヘッド５６、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２を一体的に上昇させる。この下密閉カップ部材６１の上昇途中で、突起部６１３が上カップ３３の上円環部位３３２と係合し、それ以降、下密閉カップ部材６１、ノズルヘッド５６、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２と一緒に上カップ３３が上昇して退避位置に位置決めされる。これにより、スピンチャック２１の上方に基板搬送ロボット１１１のハンドＲＨが進入するのに十分な搬送空間ＳＰｔが形成される。そして、搬送空間ＳＰｔの形成完了を確認すると、演算処理部１０Ａは、通信部１０Ｆを介して基板搬送ロボット１１１に基板Ｗのローディングリクエストを行い、図１６Ａに示すように未処理の基板Ｗが基板処理装置１に搬入されてスピンチャック２１の上面に載置されるのを待つ。そして、スピンチャック２１上に基板Ｗが載置される（ステップＳ１）。なお、この時点では、ポンプ２６は停止しており、スピンチャック２１の上面上で基板Ｗは水平移動可能となっている。
【0065】
基板Ｗのローディングが完了すると、基板搬送ロボット１１１が基板処理装置１から退避する。それに続いて、演算処理部１０Ａは、３つの当接部材８１（図１６Ｂでは、２本のみを図示）が基板Ｗに近接するように、センタリング駆動部８２を制御する。これによりスピンチャック２１に対する基板Ｗの偏心が解消され、基板Ｗの中心がスピンチャック２１の中心と一致する（ステップＳ２）。こうしてセンタリング処理が完了すると、演算処理部１０Ａは、３つの当接部材８１が基板Ｗから離間するようにセンタリング駆動部８２を制御するとともに、ポンプ２６を作動させて負圧をスピンチャック２１に付与する。これにより、スピンチャック２１は基板Ｗを下方から吸着保持する。
【0066】
次に、演算処理部１０Ａは、昇降駆動部７１、７２に下降指令を与える。これに応じて、昇降駆動部７１、７２が下密閉カップ部材６１、ノズルヘッド５６、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２を一体的に下降させる。この下降途中で、下密閉カップ部材６１の突起部６１３により下方から支持されている上カップ３３が下カップ３２に連結される。つまり、図６に示すように、凹部３３５が係合ピン３５の先端部を被るように嵌合し、下カップ３２に対して上カップ３３が水平方向に位置決めされるとともに、上マグネット３７と下マグネット３６との間で生じる引力によって、上カップ３３および下カップ３２が互いに結合して回転カップ部３１が形成される。
【0067】
回転カップ部３１の形成後に、下密閉カップ部材６１、ノズルヘッド５６、梁部材４９、支持部材４３および円板部４２が一体的にさらに下降し、下密閉カップ部材６１のフランジ部６１１、６１２がそれぞれ上密閉カップ部材６２のフランジ部６２１および固定カップ部３４で係止される。これにより、下密閉カップ部材６１が下限位置（図２および図１６Ｃでの位置）に位置決めされる（ステップＳ３）。上記係止後においては、上密閉カップ部材６２のフランジ部６２１とおよび下密閉カップ部材６１のフランジ部６１１がオーリング６４を介して密着されるとともに、下密閉カップ部材６１のフランジ部６１２および固定カップ部３４がオーリング６５を介して密着される。その結果、図２に示すように、鉛直方向において下密閉カップ部材６１と固定カップ部３４が繋がり、上密閉カップ部材６２、下密閉カップ部材６１および固定カップ部３４により密閉空間ＳＰｓが形成され、密閉空間ＳＰｓが外側雰囲気（外側空間ＳＰｏ）から分離される（雰囲気分離）。この雰囲気分離状態で、円板部４２の下面が基板Ｗの上面Ｗｆのうち周縁部Ｗｓを除く表面領域を上方から覆っている。また、上面ノズル５１Ｆが、円板部４２の切欠部４４内で吐出口５１１を基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部を向けた姿勢に位置決めされている。
【0068】
次に、演算処理部１０Ａは、窒素ガス供給部４７に窒素ガス供給指令を与える。これにより、図１６Ｃの矢印Ｆ１に示すように、窒素ガス供給部４７から中央ノズル４５に向けて窒素ガスの供給が開始される（ステップＳ４）。この窒素ガスは、配管４６を通過する間、リボンヒータ４８により加熱され、所望温度、より具体的には上カップ３３および基板Ｗの周辺温度よりも高い温度に昇温された後で、中央ノズル４５から基板Ｗと円板部４２とで挟まれた空間ＳＰａ（図１０）に向けて吐出される。これにより、基板Ｗの上面Ｗｆが全面的に加熱される。また、基板Ｗの加熱はヒータ４２１によっても行われる。このため、時間の経過によって基板Ｗの周縁部Ｗｓの温度が上昇し、ベベル処理に適した温度に達する。また、周縁部Ｗｓ以外の温度も、ほぼ等しい温度にまで上昇する。すなわち、本実施形態では、基板Ｗの上面Ｗｆの面内温度は、ほぼ均一である。したがって、基板Ｗが反るのを効果的に抑制することができる。
【0069】
こうして基板Ｗへの処理液の供給準備が完了すると、演算処理部１０Ａは、回転駆動部２３に回転指令を与え、基板Ｗを保持するスピンチャック２１および回転カップ部３１の回転を開始する（ステップＳ５）。基板Ｗおよび回転カップ部３１の回転速度は、例えば１８００回転／分に設定される。また、演算処理部１０Ａはヒータ駆動部４２２を駆動制御してヒータ４２１を所望温度、例えば１８５℃まで昇温させる。
【0070】
これに続いて、演算処理部１０Ａは、処理液供給部５２を制御して上面ノズル５１Ｆおよび下面ノズル５１Ｂに処理液を供給する（同図中の矢印Ｆ２、Ｆ３）。つまり、上面ノズル５１Ｆから基板Ｗの上面周縁部に当たるように処理液の液流が吐出されるとともに、下面ノズル５１Ｂから基板Ｗの下面周縁部に当たるように処理液の液流が吐出される。これによって、基板Ｗの周縁部Ｗｓに対するベベル処理が実行される（ステップＳ６）。そして、演算処理部１０Ａは、基板Ｗのベベル処理に要する処理時間の経過などを検出すると、処理液供給部５２に供給停止指令を与え、処理液の吐出を停止する。
【0071】
このベベル処理中においては、基板Ｗから径方向に飛散した処理液の液滴は傾斜面３３４に着弾する。そして、この着弾位置に当該液滴が留まると、続いて基板Ｗから飛散してきた液滴との衝突が発生することがある。この衝突によって液滴が基板Ｗに飛んで再付着すると、これがパーティクルの発生要因となってしまう。しかしながら、本実施形態では、ベベル処理中も、加熱ガスが基板Ｗの上面Ｗｆに沿って径方向に広がり、上カップ３３の傾斜面３３４に吹き付けられる。しかも、上カップ３３は回転している。したがって、傾斜面３３４に着弾した液滴は、加熱ガスの吹付と上カップ３３の回転との相乗効果によって、当該液滴は速やかに着弾位置から傾斜面３３４を経由して下方に移動する。その結果、パーティクルの発生が効果的に防止される。
【0072】
また、ベベル処理後においては、演算処理部１０Ａは、基板Ｗおよび上カップ３３の乾燥に適した回転数で基板Ｗと回転カップ部３１とが回転するように、回転機構２を制御する。また、演算処理部１０Ａは、図１６Ｄの矢印Ｆ４に示すように上記乾燥に適した流量で加熱ガスが中央ノズル４５から基板Ｗの上面中央部に向けて吐出されるように、窒素ガス供給部４７を制御する。これにより、加熱ガスが回転している基板Ｗの上面Ｗｆに沿って径方向に広がり、基板Ｗを乾燥させる。また、基板Ｗの上面Ｗｆを通過した加熱ガスは上カップ３３の傾斜面３３４に吹き付けられる。したがって、基板Ｗの乾燥処理中に上カップ３３に飛散した液滴は、加熱ガスの吹付と上カップ３３の回転との相乗効果によって、当該液滴は速やかに着弾位置から傾斜面３３４を経由して下方に移動する。このように、基板Ｗの乾燥処理と並行して上カップ３３の乾燥処理が実行される（ステップＳ７）。
【0073】
ここで、上カップ３３の乾燥処理を短時間で行うための手段として、次に説明する実証実験の結果が示すように
（Ａ）上カップ３３の回転数を増速する
（Ｂ）加熱ガスの温度を高く設定する
（Ｃ）加熱ガスの流量を多く設定する
（Ｄ）排気量を多く設定する
（Ｅ）上カップ３３の傾斜角を低くする、
のが好適である。以下、図１７Ａ、図１７Ｂおよび図１８を参照しつつ実証実験の結果について説明する。
（Ａ）上カップ３３の回転数を増速する
（Ｂ）加熱ガスの温度を高く設定する
（Ｃ）加熱ガスの流量を多く設定する
（Ｄ）排気量を多く設定する
（Ｅ）上カップ３３の傾斜角を低くする、
のが好適である。以下、図１７Ａ、図１７Ｂおよび図１８を参照しつつ実証実験の結果について説明する。
【0074】
図１７Ａは上カップの傾斜角を６０゜に設定したときのカップ回転速度とカップ乾燥時間との関係を示すグラフであり、図１７Ｂは上カップの傾斜角を７０゜に設定したときのカップ回転速度とカップ乾燥時間との関係を示すグラフである。この実証実験では、以下の３つカップ乾燥条件ＤＣ１～ＤＣ３、
＜乾燥条件ＤＣ１＞
・排気部３８による排気圧＝８０Ｐａ
・加熱ガスの流量＝１５０［Ｌ／ｍｉｎ］
・（加熱）ガスの温度＝室温（５～３５℃）
＜乾燥条件ＤＣ２＞
・排気部３８による排気圧＝２２０Ｐａ
・加熱ガスの流量＝１５０［Ｌ／ｍｉｎ］
・（加熱）ガスの温度＝室温（５～３５℃）
＜乾燥条件ＤＣ３＞
・排気部３８による排気圧＝１７４Ｐａ
・加熱ガスの流量＝１２０［Ｌ／ｍｉｎ］
・加熱ガスの温度＝１７４℃
を用意した。また、各カップ乾燥条件ＤＣ１～ＤＣ３で上カップ３３の回転数［ｒｐｍ］を１０００ｒｐｍ、１５００ｒｐｍおよび２０００ｒｐｍを多段階に変更しながら上記ステップＳ７を実行した。また、１０００ｒｐｍ、１５００ｒｐｍおよび２０００ｒｐｍで、感水試験紙（単に「感水紙」と称することもある）により上カップ３３から液体成分が完全に除去されたことを確認されるまでに要する時間、つまり上カップ３３の乾燥時間を求めた。
＜乾燥条件ＤＣ１＞
・排気部３８による排気圧＝８０Ｐａ
・加熱ガスの流量＝１５０［Ｌ／ｍｉｎ］
・（加熱）ガスの温度＝室温（５～３５℃）
＜乾燥条件ＤＣ２＞
・排気部３８による排気圧＝２２０Ｐａ
・加熱ガスの流量＝１５０［Ｌ／ｍｉｎ］
・（加熱）ガスの温度＝室温（５～３５℃）
＜乾燥条件ＤＣ３＞
・排気部３８による排気圧＝１７４Ｐａ
・加熱ガスの流量＝１２０［Ｌ／ｍｉｎ］
・加熱ガスの温度＝１７４℃
を用意した。また、各カップ乾燥条件ＤＣ１～ＤＣ３で上カップ３３の回転数［ｒｐｍ］を１０００ｒｐｍ、１５００ｒｐｍおよび２０００ｒｐｍを多段階に変更しながら上記ステップＳ７を実行した。また、１０００ｒｐｍ、１５００ｒｐｍおよび２０００ｒｐｍで、感水試験紙（単に「感水紙」と称することもある）により上カップ３３から液体成分が完全に除去されたことを確認されるまでに要する時間、つまり上カップ３３の乾燥時間を求めた。
【0075】
図１７Ａおよび図１７Ｂでは、乾燥条件ＤＣ１における回転数に対する乾燥時間は黒塗り四角印で示され、乾燥条件ＤＣ２におけるそれは黒塗り三角印で示され、乾燥条件ＤＣ３におけるそれは黒塗り丸印で示されている。この検証結果に基づき、手段（Ａ）および手段（Ｂ）が有効であることがわかる。また、乾燥時間を目標時間、例えば図１７Ａに示すように７秒程度に抑えるためには、加熱ガスの温度を常温よりも高温に設定する必要がある。このことをさらに検証するため、乾燥条件ＤＣ２中の加熱ガスの温度を１７４℃に引き上げると、例えば図１７Ａ中の白抜き三角印で示すように、１５００ｒｐｍでの乾燥時間は約２６秒から６秒程度に短縮される。
【0076】
また、図１７Ａと図１７Ｂとの比較から、上カップ３３の傾斜角の減少にともなってグラフが全体的に低乾燥時間側にシフトしている。このことは、乾燥時間の短縮には上カップ３３の傾斜角を低くすることが有効であることを示している。
【0077】
図１８は加熱ガスの流量と乾燥時間との関係を示すグラフである。ここでは、
＜乾燥条件ＤＣ４＞
・排気部３８による排気圧＝８０Ｐａ
・上カップ３３の傾斜角＝６０゜
・加熱ガスの温度＝１７４℃
を用意し、当該乾燥条件ＤＣ４で加熱ガスの流量を３段階に変更しながら上記ステップＳ７を実行した。そして、各流量で、感水試験紙により上カップ３３の乾燥時間を求めた。同図から明らかなように乾燥時間の短縮には加熱ガスの流量を増大させることが有効であり、上記したように乾燥時間を７秒程度に抑えるためには、加熱ガスの流量を６０［Ｌ／ｍｉｎ］以上に設定することができる。
＜乾燥条件ＤＣ４＞
・排気部３８による排気圧＝８０Ｐａ
・上カップ３３の傾斜角＝６０゜
・加熱ガスの温度＝１７４℃
を用意し、当該乾燥条件ＤＣ４で加熱ガスの流量を３段階に変更しながら上記ステップＳ７を実行した。そして、各流量で、感水試験紙により上カップ３３の乾燥時間を求めた。同図から明らかなように乾燥時間の短縮には加熱ガスの流量を増大させることが有効であり、上記したように乾燥時間を７秒程度に抑えるためには、加熱ガスの流量を６０［Ｌ／ｍｉｎ］以上に設定することができる。
【0078】
図１５に戻って動作説明を続ける。基板Ｗの乾燥処理および上カップ３３の乾燥処理がともに完了すると、演算処理部１０Ａは、回転駆動部２３に回転停止指令を与え、スピンチャック２１および回転カップ部３１の回転を停止させる（ステップＳ８）。また、演算処理部１０Ａは、窒素ガス供給部４７に供給停止指令を与え、窒素ガス供給部４７から中央ノズル４５に向けて窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ９）。
【0079】
次のステップＳ１０で、演算処理部１０Ａは基板Ｗの周縁部Ｗｓを観察してベベル処理の結果を検査する。より具体的には、演算処理部１０Ａは、基板Ｗのローディング時と同様にして、上カップ３３を退避位置に位置決めし、搬送空間ＳＰｔを形成する。そして、演算処理部１０Ａは、観察ヘッド駆動部９２を制御して観察ヘッド９１を基板Ｗに近接させる。そして、観察ヘッド９１により周縁部Ｗｓが撮像されると、演算処理部１０Ａは、観察ヘッド駆動部９２を制御して観察ヘッド９１を基板Ｗから退避させる。これと並行して、演算処理部１０Ａは、撮像された周縁部Ｗｓの画像に基づき、演算処理部１０Ａは、ベベル処理が良好に行われたか否かを検査する。
【0080】
検査後、演算処理部１０Ａは、通信部１０Ｆを介して基板搬送ロボット１１１に基板Ｗのアンローディングリクエストを行い、処理済の基板Ｗが基板処理装置１から搬出される（ステップＳ１１）。なお、これら一連の工程は繰り返して実行される。
【0081】
以上のように、第１実施形態によれば、基板Ｗの上面Ｗｆに供給された加熱ガスを基板Ｗの上面Ｗｆに沿って上カップ３３に供給するのみならず、上カップ３３を回転させている。ここで、上カップ３３の回転による効果を検証するために、ベベル処理に続いて基板Ｗの乾燥処理およびカップの乾燥処理を実行する際、従来技術と同様に上カップ３３を回転させない比較例を図１９の上段に例示する。この比較例と、上カップ３３を回転させる第１実施形態とを比較すると、上カップ３３の乾燥に要する時間が上カップ３３の回転に相当する時間ΔＴ１だけ短縮される。
【0082】
また、図１７Ａ、図１７Ｂおよび図１８を参照しつつ説明したように、上カップ３３を短時間で乾燥させるには、手段（Ａ）～手段（Ｅ）を講じるのが効果的である。これらのうち手段（Ａ）は上カップ３３の回転数に関するものであり、手段（Ｂ）、（Ｃ）は加熱ガスに関するものであり、手段（Ｄ）は排気量に関するものであり、これらについては基板Ｗおよび上カップ３３の乾燥処理において適宜変更可能である。そして、基板Ｗおよび上カップ３３の回転数、加熱ガスの温度や流量、排気量については、上カップ３３を短時間で乾燥させるのに好適な範囲（以下「カップ乾燥適正範囲」という）が存在する。したがって、図１９中の第１実施形態において、基板Ｗおよび上カップ３３の乾燥処理における回転数Ｒ２や加熱ガスの流量ＦＬ１などをカップ乾燥適正範囲内に設定するのが望ましい。
【0083】
上記した第１実施形態では、図１６Ａ、図１６Ｂおよび図１６Ｅに示す上カップ３３の位置が本発明の「カップ上昇位置」の一例に相当している。また、上カップ３３が本発明の「カップ」の一例に相当している。また、乾燥ガスが本発明の「加熱気体」の一例に相当している。スピンチャック２１が本発明の「基板保持部」の一例に相当している。また、配管４６、窒素ガス供給部４７およびリボンヒータ４８が本発明の「気体供給機構」として機能している。制御ユニット１０が本発明の「制御部」の一例に相当している。
【0084】
＜第２実施形態＞
ところで、カップ乾燥適正範囲が基板Ｗの乾燥に好適な範囲（以下「基板乾燥適正範囲」という）から外れていることがある。例えば図２０に示すように、基板Ｗの乾燥処理において基板Ｗを回転数Ｒ２で回転させるのが望ましいが、これがカップ乾燥適正範囲よりも低いことがある。このようなケースでは、基板Ｗの乾燥処理が完了したタイミングで回転数を基板乾燥適正範囲内の回転数Ｒ２からカップ乾燥適正範囲内の回転数Ｒ３に変更してもよい。もちろん、このような乾燥処理条件の変更は、回転数に限定されるものではなく、他の条件、例えば加熱ガスの流量についても同様である。
ところで、カップ乾燥適正範囲が基板Ｗの乾燥に好適な範囲（以下「基板乾燥適正範囲」という）から外れていることがある。例えば図２０に示すように、基板Ｗの乾燥処理において基板Ｗを回転数Ｒ２で回転させるのが望ましいが、これがカップ乾燥適正範囲よりも低いことがある。このようなケースでは、基板Ｗの乾燥処理が完了したタイミングで回転数を基板乾燥適正範囲内の回転数Ｒ２からカップ乾燥適正範囲内の回転数Ｒ３に変更してもよい。もちろん、このような乾燥処理条件の変更は、回転数に限定されるものではなく、他の条件、例えば加熱ガスの流量についても同様である。
【0085】
＜第３実施形態＞
基板Ｗを乾燥させる際の乾燥処理条件、つまり基板Ｗの回転数や加熱ガスの流量などについては、基板Ｗの種類などに応じてユーザがいわゆるレシピに設定することが多い。したがって、レシピに設定された基板Ｗの回転数や加熱ガスの流量などがカップ乾燥適正範囲に収まっているか否かを演算処理部１０Ａが判断してもよい。そして、当該判断に基づいて演算処理部１０Ａが乾燥処理のシーケンスを切り替えるように構成してもよい。例えば基板乾燥処理におけるユーザ指定の回転数などがカップ乾燥適正範囲に収まっていると判断したときに演算処理部１０Ａが図１９の「第１実施形態」に示すシーケンスを実行する一方で、ユーザ指定の回転数などがカップ乾燥適正範囲に収まっていないと判断したときに演算処理部１０Ａが図２０に示すシーケンスを実行するように、構成してもよい。これにより、ユーザ設定のレシピに対して柔軟に対応しながら上カップ３３の乾燥処理に要する時間を短縮することができる。
基板Ｗを乾燥させる際の乾燥処理条件、つまり基板Ｗの回転数や加熱ガスの流量などについては、基板Ｗの種類などに応じてユーザがいわゆるレシピに設定することが多い。したがって、レシピに設定された基板Ｗの回転数や加熱ガスの流量などがカップ乾燥適正範囲に収まっているか否かを演算処理部１０Ａが判断してもよい。そして、当該判断に基づいて演算処理部１０Ａが乾燥処理のシーケンスを切り替えるように構成してもよい。例えば基板乾燥処理におけるユーザ指定の回転数などがカップ乾燥適正範囲に収まっていると判断したときに演算処理部１０Ａが図１９の「第１実施形態」に示すシーケンスを実行する一方で、ユーザ指定の回転数などがカップ乾燥適正範囲に収まっていないと判断したときに演算処理部１０Ａが図２０に示すシーケンスを実行するように、構成してもよい。これにより、ユーザ設定のレシピに対して柔軟に対応しながら上カップ３３の乾燥処理に要する時間を短縮することができる。
【0086】
＜第４実施形態＞
上記第１実施形態ないし第３実施形態では、加熱ガスを基板Ｗの上面中央部に向けて吐出することで加熱ガスを基板Ｗおよび上カップ３３の乾燥に利用しているが、加熱ガスの供給形態はこれに限定されるものではない。例えば加熱ガスが基板Ｗの周縁部と中央部との間の中間領域に供給するように構成してもよい（第４実施形態）。
上記第１実施形態ないし第３実施形態では、加熱ガスを基板Ｗの上面中央部に向けて吐出することで加熱ガスを基板Ｗおよび上カップ３３の乾燥に利用しているが、加熱ガスの供給形態はこれに限定されるものではない。例えば加熱ガスが基板Ｗの周縁部と中央部との間の中間領域に供給するように構成してもよい（第４実施形態）。
【0087】
図２１は本発明に係る基板処理装置の第４実施形態における上面保護加熱機構の構成を示す断面図である。図２２は図２１に示す上面保護加熱機構の分解組立図である。第４実施形態における上面保護加熱機構４が第１実施形態におけるそれと大きく相違している点は加熱ガスの吐出方向であり、その構成である。つまり、第４実施形態では、上面保護加熱機構４は、ベースブロック４１０と、ベースブロック４１０の鉛直下方に配置される第１アンダーブロック４２０および第２アンダーブロック４３０と、第１アンダーブロック４２０の内部に配置される周縁加熱ヒータ４４０と、第２アンダーブロック４３０の内部に配置される中央加熱ヒータ４５０と、を有している。ベースブロック４１０、第１アンダーブロック４２０、第２アンダーブロック４３０、周縁加熱ヒータ４４０および中央加熱ヒータ４５０が、それぞれ以下のように構成され、しかも、それらが組み合わされることで、遮断板構造体４０が構成されている。
【0088】
ベースブロック４１０は、図２２に示すように、全体的には略円盤形状を有している。ベースブロック４１０の上面中央部には、基板Ｗの上面Ｗｆに供給する窒素ガスを導入するための入力ポート４１ａが取り付けられている。入力ポート４１ａには、図２に示すように、配管４６を介して窒素ガス供給部４７と接続される。
【0089】
ベースブロック４１０では、図２１に示すように、入力ポート４１ａの上端部が開口され、この開口４１ｂが「第１開口」の一例に相当している。また、ベースブロック４１０の下面の中央部には、開口４１ｂよりも広い開口４１ｃが設けられている。この開口４１ｃが「第２開口」の一例に相当している。そして、ベースブロック４１０の下面側では、ロート状空間４１ｄが形成されている。このロート状空間４１ｄは、開口４１ｂから下方に向って内径が拡径し、開口４１ｃに繋がっている。
【0090】
第１アンダーブロック４２０は、図２１および図２２に示すように、フランジ付の円環部材４２ａと円環部材４２ｂとを有している。また、円環部材４２ａと円環部材４２ｂとにより円環形状の周縁加熱ヒータ４４０が挟み込まれ、第１アンダーブロック４２０に内蔵される。円環部材４２ａは基板Ｗよりも若干短い直径を有している。また、図２２に示すように、第１アンダーブロック４２０の周縁部には、切欠部４２ｅが設けられている。これは処理機構５に含まれる処理液吐出ノズルとの干渉を防止するために設けられている。切欠部４２ｅは、径方向外側に向かって開口している。
【0091】
円環部材４２ａにおいて、フランジ部位に囲まれた領域の中央部では、開口４１ｃと同一形状の貫通孔が設けられ、当該中央部は中空形状を有している。また、円環部材４２ｂおよび周縁加熱ヒータ４４０も、円環部材４２ａの中央部と同様に、開口４１ｃと同一形状の貫通孔が設けられた円環形状を有している。そして、上記貫通孔を一致させながら、円環部材４２ａの上面に対して周縁加熱ヒータ４４０および円環部材４２ｂがこの順序で積層されている。こうして構成された積層体（＝第１アンダーブロック４２０＋周縁加熱ヒータ４４０）では、円環部材４２ａと円環部材４２ｂとにより円環形状の周縁加熱ヒータ４４０が挟み込まれ、第１アンダーブロック４２０に内蔵されている。また、図２１の左側図面に示すように、当該積層体の中央部に貫通孔４２ｃが形成され、貫通孔４２ｃ内の空間が「貫通空間」の一例に相当している。また、この貫通孔４２ｃの上方側の開口４２ｄが「第３開口」に相当している。そして、開口４２ｄがベースブロック４１０の開口４１ｃと一致するとともに第１アンダーブロック４２０の上面がベースブロック４１０の下面と一致するように、上記積層体がベースブロック４１０に密着されるとともに、ボルトなどの締結部材４１ｅによりベースブロック４１０に対して第１アンダーブロック４２０および周縁加熱ヒータ４４０が固定される。すると、ロート状空間４１ｄと上記貫通空間とが繋がり、一体化される。これによって、次に説明する第２アンダーブロック４３０を遊挿可能な空間（＝ロート状空間４１ｄ＋貫通空間）が形成される。
【0092】
第２アンダーブロック４３０は、円盤部材４３ａ、中間部材４３ｂおよび円錐台部材４３ｃを有している。円盤部材４３ａは、貫通孔４２ｃの内径よりも若干狭い外径を有するとともに、円環部材４２ａと同じ厚み、つまり鉛直方向における高さを有している。また、中間部材４３ｂは、円盤部材４３ａと同一形状の円盤部位と当該円盤部位から鉛直上方に延設された円錐台部位とを有している。そして、円盤部材４３ａと中間部材４３ｂとにより中央加熱ヒータ４５０を挟み込むことで、中央加熱ヒータ４５０が第２アンダーブロック４３０に内蔵される。なお、中央加熱ヒータ４５０は、円盤部材４３ａと同一形状でかつ中央加熱ヒータ４５０と同一厚さを有している。円盤部材４３ａ、中央加熱ヒータ４５０、中間部材４３ｂおよび円錐台部材４３ｃの回転対称軸を一致させながら、円盤部材４３ａの上面に対して中央加熱ヒータ４５０、中間部材４３ｂおよび円錐台部材４３ｃがこの順序で積層されている。こうして形成された積層体（＝第２アンダーブロック４３０＋中央加熱ヒータ４５０）の下面（つまり円盤部材４３ａの下面）が、鉛直方向において第１アンダーブロック４２０の下面と一致するように、ロート状空間４１ｄおよび貫通空間で構成される空間に遊挿される。そして、この遊挿状態のまま、ボルトなどの締結部材４１ｆによりベースブロック４１０に対して第２アンダーブロック４３０および中央加熱ヒータ４５０が固定される。これにより、遮断板構造体４０において、ベースブロック４１０および第１アンダーブロック４２０と第２アンダーブロック４３０との間に隙間領域４０ｃがガス供給経路として形成される。また、第１アンダーブロック４２０の下面と第２アンダーブロック４３０の下面との間に環状吹出口４０ａが形成される。その結果、開口４１ｂを介して加熱ガスが上面保護加熱機構４に導入されると、加熱ガスは隙間領域４０ｃを介して環状吹出口４０ａに案内される。そして、基板Ｗの上面Ｗｆの中央部と周縁部との中間領域、特に周縁部近傍に対し、環状吹出口４０ａから均一に加熱ガスが供給される。
【0093】
また、上面保護加熱機構４では、周縁加熱ヒータ４４０を駆動するために、給電部材４４ａが設けられている。給電部材４４ａは、図２１に示すように、ベースブロック４１０および円環部材４２ｂに設けられた貫通孔（図示省略）に挿通され、周縁加熱ヒータ４４０に接続されている。このため、周縁加熱ヒータ４４０を作動させるための電力がヒータ駆動部４２２から給電部材４４ａを介して周縁加熱ヒータ４４０に与えられると、周縁加熱ヒータ４４０から熱が放出される。この熱は、円環部材４２ａを介して基板Ｗの周縁部Ｗｓに与えられるとともに、隙間領域４０ｃにおいて環状吹出口４０ａに向っている流動する加熱ガスを加熱する。これによって、基板Ｗの周縁部Ｗｓが暖められ、周縁部温度が上昇する。
【0094】
周縁加熱ヒータ４４０のほかに、中央加熱ヒータ４５０を駆動するために、給電部材４５ａが設けられている。給電部材４５ａは、図２１に示すように、ベースブロック４１０、円錐台部材４３ｃおよび中間部材４３ｂに設けられた貫通孔（図示省略）に挿通され、中央加熱ヒータ４５０に接続されている。このため、中央加熱ヒータ４５０を作動させるための電力がヒータ駆動部４４２から給電部材４５ａを介して中央加熱ヒータ４５０に与えられると、中央加熱ヒータ４５０から熱が放出される。この熱は、円環部材４２ａを介して基板Ｗの上面Ｗｆの中央部に与えられるとともに、隙間領域４０ｃにおいて環状吹出口４０ａに向っている加熱ガスを加熱する。これによって、基板Ｗの周縁部近傍に供給される加熱ガスの温度を高め、基板Ｗの周縁部温度を上昇させることができる。また、円盤部材４３ａを介して基板Ｗの上面Ｗｆの中央部が暖められ、周縁部Ｗｓとの温度差を縮めることができる。つまり、基板Ｗの面内温度を均一化することができる。これによって、基板Ｗが反るのを抑制し、処理液の着液位置を安定化させることができる。また、本実施形態では、図２１に示すように、樹脂製のスピンチャック２１と第２アンダーブロックとの間で（Ｄ４３＞Ｄ２１）の関係が成立している。つまり、水平面内において、スピンチャック２１の上面は第２アンダーブロック４３０の下面よりも狭く、第２アンダーブロック４３０の下面の鉛直下方に位置している。したがって、スピンチャック２１は、環状吹出口４０ａから周縁部近傍に供給される加熱ガスや周縁加熱ヒータ４４０からの熱の影響を受けにくく、スピンチャック２１の劣化や形状変化などを防止し、ベベル処理の安定化を図ることができる。
【0095】
さらに、ヒータ駆動部４４２は、周縁加熱ヒータ４４０および中央加熱ヒータ４５０への給電と、周縁加熱ヒータ４４０のみへの給電と、両者への給電停止とを切り替え可能となっている。しかも、周縁加熱ヒータ４４０および中央加熱ヒータ４５０の両方に給電する場合において、周縁加熱ヒータ４４０に与える電力量と、中央加熱ヒータ４５０に与える電力量とを個別に制御可能となっている。この電力制御によって、周縁加熱ヒータ４４０の発熱量と中央加熱ヒータ４５０の発熱量とを、互いに独立して調整することが可能となっている。その結果、本実施形態では、基板Ｗの温度をきめ細かく制御することが可能となっている。特に、周縁加熱ヒータ４４０の発熱量が中央加熱ヒータ４５０の発熱量よりも大きくなるように制御するのが好適である。
【0096】
こうして加熱された窒素ガス、つまり加熱ガスは上記したように基板Ｗの周縁部Ｗｓおよび上カップ３３を加熱する機能のみならず、基板Ｗの周囲の雰囲気が基板Ｗの上面Ｗｆに入り込むのを抑制する機能も有している。つまり、上記雰囲気に含まれる液滴が基板Ｗと遮断板構造体４０とで挟まれた空間ＳＰａに巻き込まれるのを効果的に防止することができる。
【0097】
上記のように構成された上面保護加熱機構４は、図２に示すように、支持部材４３を介して梁部材４９に固定される。このため、第１実施形態と同様に、制御ユニット１０からの指令に応じて昇降機構７により昇降される。例えば図２では梁部材４９が下方に位置決めされることで、
以上のように、第４実施形態では、環状吹出口４０ａが基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部近傍に形成されており、当該環状吹出口４０ａから加熱ガスが基板Ｗの周縁部近傍に直接的に供給される。このため、次のような作用効果が得られる。スピンチャック２１により基板Ｗの下面中央部を吸着保持する装置では、基板Ｗの上面Ｗｆの中央部に供給された加熱ガスはスピンチャック２１により冷やされる。これによって、加熱ガスの温度低下は不可避である。これに対し、第４実施形態では、基板Ｗの上面中央部を経由することなく、加熱ガスを基板Ｗの周縁部Ｗｓおよび上カップ３３に供給することができる。したがって、より少ない加熱ガスで基板Ｗおよび上カップ３３を乾燥させることができる。その結果、加熱ガスの使用量を削減することができ、これによって環境負荷を低減させることができる。また、第１実施形態ないし第３実施形態に比べ、乾燥処理に要する時間をより一層短縮することができる。
以上のように、第４実施形態では、環状吹出口４０ａが基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部近傍に形成されており、当該環状吹出口４０ａから加熱ガスが基板Ｗの周縁部近傍に直接的に供給される。このため、次のような作用効果が得られる。スピンチャック２１により基板Ｗの下面中央部を吸着保持する装置では、基板Ｗの上面Ｗｆの中央部に供給された加熱ガスはスピンチャック２１により冷やされる。これによって、加熱ガスの温度低下は不可避である。これに対し、第４実施形態では、基板Ｗの上面中央部を経由することなく、加熱ガスを基板Ｗの周縁部Ｗｓおよび上カップ３３に供給することができる。したがって、より少ない加熱ガスで基板Ｗおよび上カップ３３を乾燥させることができる。その結果、加熱ガスの使用量を削減することができ、これによって環境負荷を低減させることができる。また、第１実施形態ないし第３実施形態に比べ、乾燥処理に要する時間をより一層短縮することができる。
【0098】
また、隙間領域４０ｃを流通する加熱ガスをさらに加熱するための加熱手段として、周縁加熱ヒータ４４０が第１アンダーブロック４２０に設けられている。つまり、環状吹出口４０ａから供給される直前に加熱ガスがさらに加熱されている。このため、環状吹出口４０ａから高温の加熱ガスが基板Ｗの上面Ｗｆの周縁部Ｗｓに供給される。しかも、この基板Ｗの周縁部Ｗｓは、上記加熱ガスのみならず、周縁加熱ヒータ４４０によっても加熱される。したがって、第１実施形態ないし第３実施形態に比べ、基板Ｗの周縁部Ｗｓの温度を短時間で基板処理に適した温度まで昇降することができる。
【0099】
また、上記実施形態では、周縁加熱ヒータ４４０に加え、中央加熱ヒータ４５０を設けている。このため、基板Ｗの上面Ｗｆの面内温度を均一に保ち、基板Ｗが反るのを効果的に抑制することができる。また、基板Ｗにおいて既に反りが発生していることがあるが、これにも適切に対応可能である。このように反りを有する基板Ｗに対して、周縁加熱ヒータ４４０と中央加熱ヒータ４５０のヒータ出力をそれぞれ個別に調整することで、基板Ｗの中央付近と周縁付近での温度差が生じる。その温度差を利用することで各部の熱膨張量を個別にコントロールすることができる。つまり、ヒータ出力の調整によって、基板Ｗの反りを軽減させることも可能となる。
【0100】
また、上記実施形態では、隙間領域４０ｃが、ベースブロック４１０と第２アンダーブロック４３０とで挟まれた傾斜部位と、第１アンダーブロック４２０と第２アンダーブロック４３０とで挟まれた垂直部位とで構成されている。つまり、加熱ガスの流通経路が傾斜部位から垂直部位に緩やかに変更される。したがって、傾斜部位と垂直部位との接続箇所での加熱ガスの圧損が抑制され、加熱ガスの温度低下を小さくすることができる。
【0101】
＜第５実施形態＞
上記実施形態では、本発明の「遮断部材」の一例に相当する遮断板４１や遮断板構造体４０を基板Ｗの上面Ｗｆから一定の距離だけ上方に離れた位置に配置しながらベベル処理および乾燥処理を行っている。ここで、例えば図２３に示すように、鉛直方向Ｚにおいてベベル処理と乾燥処理とで遮断板４１の位置を相違させてもよい。
上記実施形態では、本発明の「遮断部材」の一例に相当する遮断板４１や遮断板構造体４０を基板Ｗの上面Ｗｆから一定の距離だけ上方に離れた位置に配置しながらベベル処理および乾燥処理を行っている。ここで、例えば図２３に示すように、鉛直方向Ｚにおいてベベル処理と乾燥処理とで遮断板４１の位置を相違させてもよい。
【0102】
図２３は本発明に係る基板処理装置の第５実施形態におけるベベル処理および乾燥処理を模式的に示す図である。同図（ａ）はベベル処理を示す一方、同図（ｂ）は乾燥処理を示している。ベベル処理時においては、同図（ａ）に示すように、遮断板４１は基板Ｗの上面Ｗｆから第１距離だけ上方に離れた処理位置Ｈ１に配置される。したがって、基板Ｗから飛散した処理液の液滴は処理位置Ｈ１の近傍よりも低い位置で上カップ３３の傾斜面３３４に付着する。一方、乾燥処理においては、同図（ｂ）に示すように、遮断板４１は基板Ｗの上面Ｗｆから第２距離（＞第１距離）だけ上方に離れた乾燥位置Ｈ２に配置される。したがって、加熱ガスは処理位置Ｈ１よりも高い乾燥位置Ｈ２と同じまたはそれよりも低い位置で上カップ３３の傾斜面３３４に吹き付けられる。そのため、上カップ３３に付着している処理液の液滴を確実に乾燥除去することができ、乾燥性能を高めることができる。
【0103】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したものに対して種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では、図７に示すように、上円環部位３３２の内周面の径ｄ３３２が基板Ｗの直径Ｄｗよりも小さく、鉛直上方からの平面視で、上円環部位３３２の内周面が基板Ｗの周縁部Ｗｓと重なるように位置している。この配置関係でベベル処理および乾燥処理が実行されるが、径ｄ３３２が直径Ｄｗと同一または直径Ｄｗよりも大きい基板処理装置に対しても、本発明を適用することができる。
【0104】
また、上記実施形態では、基板Ｗと回転カップ部３１とを回転駆動部２３で同期して回転させる基板処理装置に本発明を適用している。本発明の適用範囲は、これに限定されるものではなく、基板Ｗと回転カップ部３１とをそれぞれ異なる回転駆動部により回転させる基板処理装置に対して適用可能である。
【0105】
また、「処理液による基板の処理」の一例としてベベル処理を実行し、その後で基板を乾燥させる基板処理装置に対して本発明を適用している。本発明の適用範囲は、これに限定されるものではなく、回転する基板に処理液を供給することで基板に対して基板処理を施した後で当該基板を乾燥させる基板処理装置全般に本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【0106】
この発明は、基板を回転させつつ当該基板に処理液を供給して薬液処理や洗浄処理などを施す基板処理技術全般に適用することができる。
【符号の説明】
【0107】
１…基板処理装置
２…回転機構
４…上面保護加熱機構
５…処理機構
７…昇降機構
１０…制御ユニット
１０Ａ…演算処理部
２１…スピンチャック（基板保持部）
３１…回転カップ部
３３…上カップ
４０…遮断板構造体（遮断部材）
４１…遮断板（遮断部材）
４６…配管（気体供給機構）
４７…窒素ガス供給部（気体供給機構）
４８…リボンヒータ
ＡＸ…回転軸
Ｈ１…処理位置
Ｈ２…乾燥位置
Ｗｂ…（基板の）下面
Ｗｆ…（基板の）上面
Ｗｓ…（基板の）周縁部
Ｚ…鉛直方向
２…回転機構
４…上面保護加熱機構
５…処理機構
７…昇降機構
１０…制御ユニット
１０Ａ…演算処理部
２１…スピンチャック（基板保持部）
３１…回転カップ部
３３…上カップ
４０…遮断板構造体（遮断部材）
４１…遮断板（遮断部材）
４６…配管（気体供給機構）
４７…窒素ガス供給部（気体供給機構）
４８…リボンヒータ
ＡＸ…回転軸
Ｈ１…処理位置
Ｈ２…乾燥位置
Ｗｂ…（基板の）下面
Ｗｆ…（基板の）上面
Ｗｓ…（基板の）周縁部
Ｚ…鉛直方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図16E】
【図17A】
【図17B】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】