(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024157869
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ
(51)【国際特許分類】
H03H 9/145 20060101AFI20241031BHJP
H03H 9/25 20060101ALI20241031BHJP
H03H 9/72 20060101ALI20241031BHJP
H03H 9/64 20060101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
H03H9/145 Z
H03H9/25 C
H03H9/145 C
H03H9/72
H03H9/25 Z
H03H9/64 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023072493
(22)【出願日】2023-04-26
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100189430
【弁理士】
【氏名又は名称】吉川 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100190805
【弁理士】
【氏名又は名称】傍島 正朗
(72)【発明者】
【氏名】小中 陽平
【テーマコード（参考）】
5J097
【Ｆターム（参考）】
5J097AA01
5J097AA14
5J097BB02
5J097BB11
5J097BB15
5J097DD07
5J097DD16
5J097DD17
5J097DD28
5J097DD29
5J097EE08
5J097FF03
5J097FF04
5J097FF05
5J097GG01
5J097GG04
5J097HA02
5J097HA03
5J097KK03
5J097KK09
(57)【要約】
【課題】共振周波数よりも低周波側における反射損失の増加を抑制する。
【解決手段】弾性波素子１０は、圧電体層１００の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極と、両主面のそれぞれに形成された複数の反射器と、を備える。ＩＤＴ電極は、第１方向ｄ１と交差する第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の電極指を有する。反射器は、第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の反射電極指を有する。第１方向ｄ１に沿って配列された複数の電極指の配列ピッチをＰｉとし、第１方向ｄ１に沿って配列された複数の反射電極指の配列ピッチをＰｒとし、複数の電極指のうち反射器に最近接する電極指の中心と複数の反射電極指のうちＩＤＴ電極に最近接する反射電極指の中心との第１方向ｄ１における距離であるＩＤＴ－反射器ギャップをＧとした場合に、圧電体層１００の厚みは、Ｐｉの２倍以下であり、Ｇ＜Ｐｒ、および、Ｐｒ＞Ｐｉで示される関係を有する。
【選択図】図４
【解決手段】弾性波素子１０は、圧電体層１００の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極と、両主面のそれぞれに形成された複数の反射器と、を備える。ＩＤＴ電極は、第１方向ｄ１と交差する第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の電極指を有する。反射器は、第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の反射電極指を有する。第１方向ｄ１に沿って配列された複数の電極指の配列ピッチをＰｉとし、第１方向ｄ１に沿って配列された複数の反射電極指の配列ピッチをＰｒとし、複数の電極指のうち反射器に最近接する電極指の中心と複数の反射電極指のうちＩＤＴ電極に最近接する反射電極指の中心との第１方向ｄ１における距離であるＩＤＴ－反射器ギャップをＧとした場合に、圧電体層１００の厚みは、Ｐｉの２倍以下であり、Ｇ＜Ｐｒ、および、Ｐｒ＞Ｐｉで示される関係を有する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
圧電体層と、
前記圧電体層の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極と、
前記両主面のそれぞれに形成された複数の反射器と、
を備える弾性波素子であって、
前記ＩＤＴ電極は、対向する一対の櫛歯状電極を有し、
前記一対の櫛歯状電極を構成する各々の櫛歯状電極は、前記圧電体層の主面に沿う方向において第１方向と交差する第２方向に延びるように配置された複数の電極指と、前記複数の電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、を有し、
前記複数の反射器は、前記第１方向において前記ＩＤＴ電極の両外側に配置され、前記第２方向に延びるように配置された複数の反射電極指を有し、
前記第１方向に沿って配列された前記複数の電極指の配列ピッチをＰｉとし、
前記第１方向に沿って配列された前記複数の反射電極指の配列ピッチをＰｒとし、
前記複数の電極指のうち前記反射器に最近接する電極指の中心と前記複数の反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する反射電極指の中心との前記第１方向における距離であるＩＤＴ－反射器ギャップをＧとした場合に、
前記圧電体層の厚みは、Ｐｉの２倍以下であり、
Ｇ＜Ｐｒ、および、Ｐｒ＞Ｐｉで示される関係を有する
弾性波素子。
前記圧電体層の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極と、
前記両主面のそれぞれに形成された複数の反射器と、
を備える弾性波素子であって、
前記ＩＤＴ電極は、対向する一対の櫛歯状電極を有し、
前記一対の櫛歯状電極を構成する各々の櫛歯状電極は、前記圧電体層の主面に沿う方向において第１方向と交差する第２方向に延びるように配置された複数の電極指と、前記複数の電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、を有し、
前記複数の反射器は、前記第１方向において前記ＩＤＴ電極の両外側に配置され、前記第２方向に延びるように配置された複数の反射電極指を有し、
前記第１方向に沿って配列された前記複数の電極指の配列ピッチをＰｉとし、
前記第１方向に沿って配列された前記複数の反射電極指の配列ピッチをＰｒとし、
前記複数の電極指のうち前記反射器に最近接する電極指の中心と前記複数の反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する反射電極指の中心との前記第１方向における距離であるＩＤＴ－反射器ギャップをＧとした場合に、
前記圧電体層の厚みは、Ｐｉの２倍以下であり、
Ｇ＜Ｐｒ、および、Ｐｒ＞Ｐｉで示される関係を有する
弾性波素子。
【請求項2】
Ｇ／Ｐｒは、０．５５以上０．８８以下である
請求項１に記載の弾性波素子。
請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項3】
前記圧電体層は、前記両主面の一方である第１主面、および、他方である第２主面を有し、
前記圧電体層の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極は、前記第１主面に形成された第１のＩＤＴ電極、および、前記第２主面に形成された第２のＩＤＴ電極によって構成され、
前記複数の反射器は、前記第１方向において前記第１のＩＤＴ電極の両外側に配置された複数の第１の反射器、および、前記第１方向において前記第２のＩＤＴ電極の両外側に配置された複数の第２の反射器によって構成され、
前記第１のＩＤＴ電極に含まれる一方の櫛歯状電極と前記第２のＩＤＴ電極に含まれる一方の櫛歯状電極とは、電気的に接続され、
前記第１のＩＤＴ電極に含まれる他方の櫛歯状電極と前記第２のＩＤＴ電極に含まれる他方の櫛歯状電極とは、電気的に接続されている
請求項１に記載の弾性波素子。
前記圧電体層の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極は、前記第１主面に形成された第１のＩＤＴ電極、および、前記第２主面に形成された第２のＩＤＴ電極によって構成され、
前記複数の反射器は、前記第１方向において前記第１のＩＤＴ電極の両外側に配置された複数の第１の反射器、および、前記第１方向において前記第２のＩＤＴ電極の両外側に配置された複数の第２の反射器によって構成され、
前記第１のＩＤＴ電極に含まれる一方の櫛歯状電極と前記第２のＩＤＴ電極に含まれる一方の櫛歯状電極とは、電気的に接続され、
前記第１のＩＤＴ電極に含まれる他方の櫛歯状電極と前記第２のＩＤＴ電極に含まれる他方の櫛歯状電極とは、電気的に接続されている
請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項4】
さらに、
前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板と、
前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速層と、
を備え、
前記低音速層は、前記第２のＩＤＴ電極を覆うように前記第２主面に設けられている
請求項３に記載の弾性波素子。
前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板と、
前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速層と、
を備え、
前記低音速層は、前記第２のＩＤＴ電極を覆うように前記第２主面に設けられている
請求項３に記載の弾性波素子。
【請求項5】
さらに、前記第１のＩＤＴ電極を覆うように前記第１主面に設けられた保護膜を備える
請求項４に記載の弾性波素子。
請求項４に記載の弾性波素子。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波素子を含む
弾性波フィルタ装置。
弾性波フィルタ装置。
【請求項7】
請求項６に記載の弾性波フィルタ装置を含む複数のフィルタを備え、
前記複数のフィルタのそれぞれの入出力端子および入出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続され、
前記弾性波フィルタ装置を除く前記複数のフィルタの少なくとも１つは、前記弾性波フィルタ装置の通過帯域の周波数より低い通過帯域を有する
マルチプレクサ。
前記複数のフィルタのそれぞれの入出力端子および入出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続され、
前記弾性波フィルタ装置を除く前記複数のフィルタの少なくとも１つは、前記弾性波フィルタ装置の通過帯域の周波数より低い通過帯域を有する
マルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、携帯電話のデータ伝送速度を向上させるために、マルチバンドシステムが用いられている。その際、複数の周波数帯域の送受信を行う場合があるため、携帯電話のフロントエンド回路には、異なる周波数帯域の高周波信号を通過させる複数のフィルタ装置が配置される。この場合、上記複数のフィルタ装置には、隣接バンドとの高アイソレーションおよび通過帯域の低損失性が要求される。
【0003】
特許文献１には、圧電層内の構造の一部内に音響波が閉じ込められる導波デバイスが開示され、導波デバイスの一例として、圧電層と、圧電層の上側表面に形成されるＩＤＴ電極と、下側表面に形成されるＩＤＴ電極と、を備える弾性波共振子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２１－４４８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１に記載された弾性波共振子では、ＩＤＴ電極内の反射が大きくなるため、弾性表面波共振子の共振周波数よりも低周波側で発生するスプリアスの影響で、通過特性が劣化するという問題がある。
【0006】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、弾性波共振子の共振周波数よりも低周波側における反射損失の増加を抑制できる弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波素子は、圧電体層と、前記圧電体層の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極と、前記両主面のそれぞれに形成された複数の反射器と、を備える弾性波素子であって、前記ＩＤＴ電極は、対向する一対の櫛歯状電極を有し、前記一対の櫛歯状電極を構成する各々の櫛歯状電極は、前記圧電体層の主面に沿う方向において第１方向と交差する第２方向に延びるように配置された複数の電極指と、前記複数の電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、を有し、前記複数の反射器は、前記第１方向において前記ＩＤＴ電極の両外側に配置され、前記第２方向に延びるように配置された複数の反射電極指を有し、前記第１方向に沿って配列された前記複数の電極指の配列ピッチをＰｉとし、前記第１方向に沿って配列された前記複数の反射電極指の配列ピッチをＰｒとし、前記複数の電極指のうち前記反射器に最近接する電極指の中心と前記複数の反射電極指のうち前記ＩＤＴ電極に最近接する反射電極指の中心との前記第１方向における距離であるＩＤＴ－反射器ギャップをＧとした場合に、前記圧電体層の厚みは、Ｐｉの２倍以下であり、Ｇ＜Ｐｒ、および、Ｐｒ＞Ｐｉで示される関係を有する弾性波素子。
【0008】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波フィルタ装置は、上記の弾性波素子を含む。
【0009】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、上記の弾性波フィルタ装置を含む複数のフィルタを備え、前記複数のフィルタのそれぞれの入出力端子および入出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続され、前記弾性波フィルタ装置を除く前記複数のフィルタの少なくとも１つは、前記弾性波フィルタ装置の通過帯域の周波数より低い通過帯域を有する。
【発明の効果】
【0010】
本発明に係る弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサによれば、弾性波素子の共振周波数よりも低周波側における反射損失の増加を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1A】実施の形態１に係る弾性波素子の第１のＩＤＴ電極および第１の反射器を上から見た図である。
【図1B】実施の形態１に係る弾性波素子の第２のＩＤＴ電極および第２の反射器を上から見た図である。
【図4】弾性波素子におけるＩＤＴ波長、反射器波長およびＩＤＴ－反射器ギャップを示す図である。
【図5】実施例１および比較例の弾性波素子のインピーダンス特性を示すグラフである。
【図6】実施例１および比較例の弾性波素子の反射特性を示すグラフである。
【図7】実施例１、２および３の弾性波素子のインピーダンス特性を示すグラフである。
【図8】実施例１、２および３の弾性波素子の反射特性を示すグラフである。
【図9】実施例１、４および５の弾性波素子のインピーダンス特性を示すグラフである。
【図10】実施例１、４および５の弾性波素子の反射特性を示すグラフである。
【図11】ＩＤＴ－反射器ギャップ／反射器波長を変化させた場合の弾性波素子の反射特性を示すグラフである。
【図12】反射器波長／ＩＤＴ波長を変化させた場合の弾性波素子の反射特性を示すグラフである。
【図13】反射器波長／ＩＤＴ波長を変化させた場合の弾性波素子の反射特性を示すグラフである。
【図14】ＩＤＴ－反射器ギャップ／反射器波長と反射器波長／ＩＤＴ波長とを変化させた場合の弾性波素子の反射特性を示すグラフである。
【図15】スプリアスが改善されるバンド幅の範囲を示す図である。
【図16】ＩＤＴ－反射器ギャップ／反射器波長と、反射損失の抑制領域のバンド幅との関係を示すグラフである。
【図17】実施の形態２に係る弾性波フィルタ装置の回路構成を示す図である。
【図18】実施の形態３に係るマルチプレクサおよびその周辺回路の回路構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施の形態について図表を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施例は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
【0013】
（実施の形態１）
［弾性表面波共振子の構造］
本実施の形態に係る弾性波素子１０の構造について説明する。
［弾性表面波共振子の構造］
本実施の形態に係る弾性波素子１０の構造について説明する。
【0014】
図１Ａは、実施の形態１に係る弾性波素子１０の第１のＩＤＴ電極１１および第１の反射器３１を上から見た図である。図１Ｂは、弾性波素子１０の第２のＩＤＴ電極２２および第２の反射器４２を上から見た図である。図２は、図１Ａおよび図１Ｂに示す弾性波素子１０のＩＩ－ＩＩ線における断面の拡大図である。
【0015】
図１Ａ、図１Ｂおよび図２に示す弾性波素子１０は、圧電体層１００と、複数のＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極と、複数の反射器と、を備える１ポートの弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振子である。
【0016】
図２に示す圧電体層１００は、例えば、θ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からＺ軸方向にθ°回転した軸を法線とする面で切断したニオブ酸リチウム単結晶またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。
【0017】
圧電体層１００は、一方の第１主面１００ａおよび他方の第２主面１００ｂを有している。圧電体層１００の両主面である第１主面１００ａおよび第２主面１００ｂは、互いに背向している。圧電体層１００の厚みは、後述するＩＤＴ波長（λＩＤＴ）以下の寸法である。
【0018】
複数のＩＤＴ電極は、第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２によって構成されている。第１のＩＤＴ電極１１は、圧電体層１００の第１主面１００ａに形成され、第２のＩＤＴ電極２２は、圧電体層１００の第２主面１００ｂに形成されている。つまりＩＤＴ電極は、圧電体層１００の両主面のそれぞれに形成されている。
【0019】
複数の反射器は、複数の第１の反射器３１および複数の第２の反射器４２によって構成されている。複数の第１の反射器３１は、圧電体層１００の第１主面１００ａに形成され、複数の第２の反射器４２は、圧電体層１００の第２主面１００ｂに形成されている。この例では２つの反射器が、圧電体層１００の両主面のそれぞれに形成されている。
【0020】
図１Ａおよび図１Ｂのそれぞれには、圧電体層１００の主面に垂直な方向からＩＤＴ電極および反射器を見た透視図が示されている。図１Ａに示すように、第１の反射器３１の電極は、弾性波伝搬方向である第１方向ｄ１において第１のＩＤＴ電極１１の両外側に配置されている。図１Ｂに示すように、第２の反射器４２の電極は、第１方向ｄ１において第２のＩＤＴ電極２２の両外側に配置されている。
【0021】
図２に示すように、弾性波素子１０は、圧電体層１００と、ＩＤＴ電極および反射器電極を構成する電極層１１０ａおよび１１０ｂと、を含む構成で形成されている。
【0022】
電極層１１０ａ、１１０ｂは、複数の金属が積層された積層構造によって形成されている。例えば、第１のＩＤＴ電極１１および第１の反射器３１の電極を構成する電極層１１０ａは、Ｔｉ、ＡｌＣｕ（例えばＣｕを１％含有したＡｌ）、Ｔｉがこの順で積層された積層構造を有している。第２のＩＤＴ電極２２および第２の反射器４２の電極を構成する電極層１１０ｂは、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｔｉがこの順で積層された積層構造を有している。この例では、電極層１１０ｂの厚みは、電極層１１０ａの厚みよりも薄くなっている。また、電極層１１０ｂの密度は、電極層１１０ａの密度よりも高くなっている。
【0023】
なお、電極層１１０ａ、１１０ｂを構成する材料は、上述した材料に限定されない。また、電極層１１０ａ、１１０ｂは、上記積層構造でなくてもよい。電極層１１０ａ、１１０ｂは、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。なお、電極層１１０ａ、１１０ｂに含まれるＴｉは、他の層との密着性を向上させる機能を有している。
【0024】
また、弾性波素子１０は、第１主面１００ａ側に設けられた保護膜１１３と、第２主面１００ｂ側に設けられた低音速層１５３および高音速支持基板１５５と、を含む構成を有している。
【0025】
保護膜１１３は、電極層１１０ａを覆うように圧電体層１００の第１主面１００ａ上に形成されている。保護膜１１３は、電極層１１０ａを外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする膜である。なお、保護膜１１３は、必ずしも形成されていなくてもよい。
【0026】
低音速層１５３は、電極層１１０ｂを覆うように圧電体層１００の第２主面１００ｂ上に形成されている。第２のＩＤＴ電極２２および第２の反射器４２の電極を構成する電極層１１０ｂは、低音速層１５３に埋め込まれている。低音速層１５３は、圧電体層１００を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速層１５３中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電体層１００と高音速支持基板１５５との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速層１５３は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする膜である。
【0027】
低音速層１５３の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。
【0028】
高音速支持基板１５５は、低音速層１５３、圧電体層１００ならびに電極層１１０ａおよび１１０ｂを支持する基板である。高音速支持基板１５５は、圧電体層１００を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板１５５中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電体層１００および低音速層１５３が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板１５５より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板１５５は、例えば、シリコン基板である。
【0029】
高音速支持基板１５５の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。
【0030】
なお、高音速支持基板１５５は、支持基板と、圧電体層１００を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速層と、が積層された構造を有していてもよい。
【0031】
この場合、支持基板の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどのセラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体、もしくは樹脂、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。また、高音速層は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。
【0032】
圧電体層１００の上記積層構造によれば、圧電体層を単層で使用している構造と比較して、共振周波数および反共振周波数における弾性波共振子のＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。
【0033】
また、第２のＩＤＴ電極２２が低音速層１５３に埋め込まれていることで、圧電体層１００は、弾性波が励振される部分においても低音速層１５３により支持されることとなり、圧電体層１００の形状が変形し難く、電気的特性の変動を抑制することができる。また、第２のＩＤＴ電極２２が低音速層１５３に埋め込まれていることで、高次モードを低音速層１５３側に漏洩させることができる。これにより、高次モードの発生を抑制することができる。
【0034】
図１Ａに示すように、第１のＩＤＴ電極１１は、互いに対向する一対の櫛歯状電極１１Ａおよび１１Ｂを有している。一方の櫛歯状電極１１Ａは、圧電体層１００の主面に沿う方向において第１方向ｄ１と交差する第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の電極指１１ａと、複数の電極指１１ａのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極１１ｃと、で構成されている。他方の櫛歯状電極１１Ｂは、第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の電極指１１ｂと、複数の電極指１１ｂのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極１１ｃと、で構成されている。複数の電極指１１ａ、１１ｂは、第１方向ｄ１に沿って所定のピッチで配列されている。
【0035】
第１の反射器３１は、第１のＩＤＴ電極１１と第１方向ｄ１に隣り合って配置されている。第１の反射器３１は、第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の反射電極指３１ａと、複数の反射電極指３１ａの一端同士を接続するバスバー電極３１ｃと、で構成されている。複数の反射電極指３１ａは、第１方向ｄ１に沿って所定のピッチで配列されている。
【0036】
第２のＩＤＴ電極２２および第２の反射器４２も、第１のＩＤＴ電極１１および第１の反射器３１と同様の構成を有している。
【0037】
図１Ｂに示すように、第２のＩＤＴ電極２２は、互いに対向する一対の櫛歯状電極２２Ａおよび２２Ｂを有している。一方の櫛歯状電極２２Ａは、第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の電極指２２ａと、複数の電極指２２ａのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極２２ｃと、で構成されている。他方の櫛歯状電極２２Ｂは、第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の電極指２２ｂと、複数の電極指２２ｂのそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極２２ｃと、で構成されている。複数の電極指２２ａ、２２ｂは、第１方向ｄ１に沿って所定のピッチで配列されている。
【0038】
第２の反射器４２は、第２のＩＤＴ電極２２と第１方向ｄ１に隣り合って配置されている。第２の反射器４２は、第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の反射電極指４２ａと、複数の反射電極指４２ａの一端同士を接続するバスバー電極４２ｃと、で構成されている。複数の反射電極指４２ａは、第１方向ｄ１に沿って所定のピッチで配列されている。
【0039】
なお、圧電体層１００を挟むように上下に配置されている電極指１１ａと２２ａとは同じ極性を有し、上下の電極指１１ｂと２２ｂとは同じ極性を有している。
【0040】
【0041】
図３に示すように、弾性波素子１０の第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２は、互いに接続されている。
【0042】
例えば、第１のＩＤＴ電極１１に含まれる一方の櫛歯状電極１１Ａと第２のＩＤＴ電極２２に含まれる一方の櫛歯状電極２２Ａとは、電気的に接続されている。具体的には、一方の櫛歯状電極１１Ａのバスバー電極１１ｃと他方の櫛歯状電極２２Ａのバスバー電極２２ｃとは、圧電体層１００を厚み方向に貫通する一方の貫通導体１３０Ａによって接続されている。
【0043】
また、第１のＩＤＴ電極１１に含まれる他方の櫛歯状電極１１Ｂと第２のＩＤＴ電極２２に含まれる他方の櫛歯状電極２２Ｂとは、電気的に接続されている。具体的には、他方の櫛歯状電極１１Ｂのバスバー電極１１ｃと他方の櫛歯状電極２２Ｂのバスバー電極２２ｃとは、圧電体層１００を厚み方向に貫通する他方の貫通導体１３０Ｂによって接続されている。
【0044】
なお、圧電体層１００を挟むように上下に配置されている２つの櫛歯状電極は、バスバー電極が設けられている箇所で電気的に接続されてもよいし、バスバー電極につながるそれぞれの引き出し配線の箇所で電気的に接続されてもよい。また、圧電体層１００を挟むように上下に配置されている第１の反射器３１および第２の反射器４２は、貫通導体等で接続されていないが、ともに基準電位（グランド）に設定されていてもよい。
【0045】
図４は、弾性波素子１０におけるＩＤＴ波長、反射器波長およびＩＤＴ－反射器ギャップを示す図である。
【0046】
図４において、一方の櫛歯状電極１１Ａを構成する複数の電極指１１ａの繰り返しピッチ、および、他方の櫛歯状電極１１Ｂを構成する複数の電極指１１ｂの繰り返しピッチのそれぞれを、ＩＤＴ波長（λＩ１）と定義する。
【0047】
また、一方の櫛歯状電極２２Ａを構成する複数の電極指２２ａの繰り返しピッチ、および、他方の櫛歯状電極２２Ｂを構成する複数の電極指２２ｂの繰り返しピッチのそれぞれを、ＩＤＴ波長（λＩ２）と定義する。
【0048】
本実施の形態では、λＩ１＝λＩ２＝λＩＤＴであるので、以下においてλＩ１およびλＩ２のそれぞれを指してＩＤＴ波長（λＩＤＴ）と呼ぶ。
【0049】
また、第１の反射器３１を構成する複数の反射電極指３１ａの繰り返しピッチの２倍を反射器波長（λＲ１）と定義する。
【0050】
また、第２の反射器４２を構成する複数の反射電極指４２ａの繰り返しピッチの２倍を反射器波長（λＲ２）と定義する。
【0051】
なお、以下においてλＲ１＝λＲ２である場合は、λＲ１およびλＲ２のそれぞれを指して反射器波長（λＲＥＦ）と呼ぶ。
【0052】
また、複数の電極指１１ａのうち第１の反射器３１に最近接する電極指の中心と、複数の反射電極指３１ａのうち第１のＩＤＴ電極１１に最近接する反射電極指の中心との第１方向ｄ１における距離であるＩＤＴ－反射器ギャップを、Ｇ１と定義する。
【0053】
また、複数の電極指２２ａのうち第２の反射器４２に最近接する電極指の中心と、複数の反射電極指４２ａのうち第２のＩＤＴ電極２２に最近接する反射電極指の中心との第１方向ｄ１における距離であるＩＤＴ－反射器ギャップを、Ｇ２と定義する。
【0054】
なお、以下においてＧ１＝Ｇ２である場合は、Ｇ１およびＧ２のそれぞれを指してＩＤＴ－反射器ギャップＧと呼ぶ。
【0055】
上記の定義の下、本実施の形態の弾性波素子１０は、圧電体層１００の厚みがＩＤＴ波長（λＩＤＴ）以下であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧは反射器波長（λＲＥＦ）の０．５倍よりも小さく、かつ、反射器波長（λＲＥＦ）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）よりも大きい、という関係を有する。
【0056】
弾性波素子１０が上記の関係を有することで、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側における反射損失の増加を抑制することが可能となる。
【0057】
なお、上記の波長の関係を、波長の１／２である配列ピッチを用いて言い換えると以下に示す通りとなる。
【0058】
図４において、第１方向ｄ１に沿って配列された複数の電極指１１ａ、１１ｂの配列ピッチをＰｉ１とし、複数の電極指２２ａ、２２ｂの配列ピッチをＰｉ２とする。本実施の形態では、Ｐｉ１＝Ｐｉ２であるので、以下においてＰｉ１およびＰｉ２のそれぞれを指して配列ピッチＰｉと呼ぶ。
【0059】
また、第１方向ｄ１に沿って配列された複数の反射電極指３１ａの配列ピッチをＰｒ１とし、複数の反射電極指４２ａの配列ピッチをＰｒ２とする。なお、以下においてＰｒ１＝Ｐｒ２である場合は、Ｐｒ１およびＰｒ２のそれぞれを指して配列ピッチＰｒと呼ぶ。
【0060】
上記の定義の下、本実施の形態の弾性波素子１０は、圧電体層１００の厚みが配列ピッチＰｉの２倍以下であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧは配列ピッチＰｒよりも小さく（Ｇ＜Ｐｒ）、かつ、配列ピッチＰｒは配列ピッチＰｉよりも大きい（Ｐｒ＞Ｐｉ）、という関係を有する。
【0061】
弾性波素子１０が上記の関係を有することで、弾性波素子１０の共振周波数よりも低周波側における反射損失の増加を抑制することが可能となる。以下、弾性波素子の反射特性等について説明する。
【0062】
［実施例１および比較例の弾性波素子の反射特性等］
実施の形態の一例である実施例１の弾性波素子、および、比較例の弾性波素子について説明する。
実施の形態の一例である実施例１の弾性波素子、および、比較例の弾性波素子について説明する。
【0063】
実施例１の弾性波素子１０は、圧電体層１００と、第１のＩＤＴ電極１１と、第１の反射器３１と、第２のＩＤＴ電極２２と、第２の反射器４２と、保護膜１１３と、低音速層１５３と、高音速支持基板１５５と、を備えている。比較例の弾性波素子も同様である。
【0064】
実施例１の弾性波素子１０において、圧電体層１００の主面に垂直な方向から見た場合、第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２は同じ位置に配置され、第１の反射器３１および第２の反射器４２は同じ位置に配置されている。言い換えると、第１方向ｄ１および第２方向ｄ２の両方に直交する第３方向ｄ３から見た場合、第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２は互いに重なっており、第１の反射器３１および第２の反射器４２は互いに重なっている。比較例の弾性波素子も同様である。
【0065】
実施例１の弾性波素子１０において、圧電体層１００はＬｉＴａＯ３によって形成されており、圧電体層１００の厚みは０．２λＩＤＴである。第１のＩＤＴ電極１１はＴｉ、ＡｌＣｕ、Ｔｉの積層構造によって形成されており、それぞれの厚みは、０．００２λＩＤＴ、０．０７λＩＤＴ、０．００６λＩＤＴである。第２のＩＤＴ電極２２はＴｉ、Ｐｔ、Ｔｉの積層構造によって形成されており、それぞれの厚みは、０．００３λＩＤＴ、０．０１３λＩＤＴ、０．００２λＩＤＴである。保護膜１１３は、ＳｉＯ２によって形成されており、保護膜１１３の厚みは０．０１５λＩＤＴである。低音速層１５３は、ＳｉＯ２によって形成されており、低音速層１５３の厚みは０．２１８λＩＤＴである。なお、低音速層１５３の厚みは、第２のＩＤＴ電極２２の電極指２２ａ、２２ｂが設けられていない箇所、すなわち第２主面１００ｂに当接している箇所における厚みである。高音速支持基板１５５は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上に設けられたＳｉＮと、によって形成されている。高音速支持基板１５５の厚みは０．４５λＩＤＴである。比較例の弾性波素子も同様である。
【0066】
表１に、実施例１および比較例の弾性波素子の電極パラメータを示す。
【0067】
【表1】
【0068】
表１に示すように、比較例の弾性波素子では、ＩＤＴ－反射器ギャップＧは、反射器波長（λＲＥＦ）の０．５倍であるのに対して、実施例１に係る弾性波素子では、ＩＤＴ－反射器ギャップＧは、反射器波長（λＲＥＦ）の０．４倍である。さらに、比較例の弾性波素子では、反射器波長（λＲＥＦ）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）と等しいのに対して、実施例１に係る弾性波素子では、反射器波長（λＲＥＦ）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）の１．０６倍となっている。つまり実施例１では、ＩＤＴ－反射器ギャップＧが反射器波長（λＲＥＦ）の０．４倍であり、反射器波長（λＲＥＦ）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）よりも大きい。
【0069】
【0070】
図６の（ａ）には、弾性波素子の一方の櫛歯状電極（のバスバー電極）からＩＤＴ電極に高周波信号を入力した場合の反射損失が示されている。なお、この場合、他方の櫛歯状電極は、短絡された状態となっている。図６の（ｂ）には、弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも低周波側の帯域の特性が拡大して示され、図６の（ｃ）には、弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも高周波側の帯域の特性が拡大して示されている。
【0071】
図５に示すように、実施例１および比較例のインピーダンス特性は、ほぼ同じである。一方で、図６の（ｂ）に示す反射特性に着目すると、実施例１の弾性波素子１０は、比較例の弾性波素子に比べて、共振周波数ｆｒよりも低周波側において反射損失が低減されている。
【0072】
より詳しく説明すると、実施例１では、ＩＤＴ－反射器ギャップＧを反射器波長（λＲＥＦ）の０．４倍以下とすることで、反射器３１、４２によるストップバンドの低周波端付近に、ＩＤＴ電極１１と反射器３１との境界およびＩＤＴ電極２２と反射器４２との境界における反射に起因したスプリアスを発生させる。なお、本明細書において、「ストップバンド」とは、弾性波が周期構造の金属グレーティングに閉じ込められることにより、弾性波の波長が一定となる領域と定義される。
【0073】
このスプリアスを発生させた状態で、反射器波長（λＲＥＦ）をＩＤＴ波長（λＩＤＴ）よりも大きくして当該スプリアスの発生周波数を低周波側へシフトさせることにより、弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも低周波側の領域（図６の領域ｂ）における反射器３１、４２の応答特性（反射損失リップル）を、当該スプリアスで打ち消すことが可能となる。
【0074】
これにより、実施例１に係る弾性波素子１０は、比較例の弾性波素子と比べて、上記領域ｂにおける反射損失を低減できる。また、実施例１に係る弾性波素子１０では、弾性波共振子の反共振周波数ｆａよりも高周波側の領域（図６の領域ｃ）における反射損失の劣化も抑制できる。
【0075】
また、実施例１の弾性波素子では、表１に示すように、ＩＤＴ電極１１、２２のそれぞれの電極指対数が通常（例えば１００対）よりも少ない８０対としており、ＩＤＴ電極１１、２２の電極指対数を少なくしても、弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも低周波側における反射損失の劣化を抑制できる。また、実施例１では圧電体層１００の厚みがＩＤＴ波長（λＩＤＴ）以下であるため、すなわち圧電体層１００の厚みが配列ピッチＰｉの２倍以下であるため、高次モードの発生を抑制することができる。
【0076】
［実施例２および３の弾性波素子の反射特性等］
実施例２および３では、圧電体層１００の上側と下側とでＩＤＴ－反射器ギャップを変えた例について説明する。
実施例２および３では、圧電体層１００の上側と下側とでＩＤＴ－反射器ギャップを変えた例について説明する。
【0077】
実施例２および３の弾性波素子１０も、圧電体層１００と、第１のＩＤＴ電極１１と、第１の反射器３１と、第２のＩＤＴ電極２２と、第２の反射器４２と、保護膜１１３と、低音速層１５３と、高音速支持基板１５５と、を備えている。
【0078】
実施例２および３の弾性波素子１０では、圧電体層１００の主面に垂直な方向から見た場合、第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２は同じ位置に配置され、第１の反射器３１および第２の反射器４２は異なる位置に配置されている。言い換えると、第３方向ｄ３から見た場合、第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２は互いに重なっており、第１の反射器３１および第２の反射器４２は完全に重なっておらす、少しずれている。
【0079】
実施例２および３の弾性波素子１０において、各層の材質および厚みは、実施例１と同様である。
【0080】
実施例２および３は、以下に示す点で、実施例１と異なっている。表２に、実施例２および３の弾性波素子の電極パラメータを示す。
【0081】
【表2】
【0082】
表２に示すように、実施例２に係る弾性波素子では、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ１は、反射器波長（λＲ１）の０．４１倍であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ２は、反射器波長（λＲ２）の０．４０倍である。すなわち実施例２は、Ｇ１＞Ｇ２となっている。
【0083】
また、実施例３に係る弾性波素子では、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ１は、反射器波長（λＲ１）の０．４０倍であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ２は、反射器波長（λＲ２）の０．４１倍である。すなわち実施例３は、Ｇ１＜Ｇ２となっている。
【0084】
また、実施例２および３に係る弾性波素子では、反射器波長（λＲ１）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）の１．０５倍であり、反射器波長（λＲ２）もＩＤＴ波長（λＩＤＴ）の１．０５倍である。すなわち実施例２および３は、λＲ１＝λＲ２となっている。
【0085】
【0086】
図７に示すように、実施例１、２および３のインピーダンス特性は、ほぼ同じである。また、図８に示すように、実施例１、２および３の反射特性は、ほぼ同じである。具体的には、実施例２のようにＧ１／λＲ１がＧ２／λＲ２よりも０．０１大きくても、反射特性は実施例１とほぼ同じになる。実施例３のようにＧ２／λＲ２がＧ１／λＲ１よりも０．０１大きくても、反射特性は実施例１とほぼ同じになる。このように、圧電体層１００の上側と下側とでＩＤＴ－反射器ギャップＧ１とＩＤＴ－反射器ギャップＧ２とを異ならせても、共振周波数ｆｒよりも低周波側の反射損失を低減することができるので、設計の自由度を上げることができる。
【0087】
実施例２および３の弾性波素子１０は、圧電体層１００の厚みがＩＤＴ波長（λＩＤＴ）以下であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ１は反射器波長（λＲ１）の０．５倍よりも小さく、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ２は反射器波長（λＲ２）の０．５倍よりも小さく、かつ、反射器波長（λＲ１）および反射器波長（λＲ２）のそれぞれはＩＤＴ波長（λＩＤＴ）よりも大きい、という関係を有する。
【0088】
言い換えると、実施例２および３の弾性波素子１０は、圧電体層１００の厚みが配列ピッチＰｉの２倍以下であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ１は配列ピッチＰｒ１よりも小さく（Ｇ１＜Ｐｒ１）、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ２は配列ピッチＰｒ２よりも小さく（Ｇ２＜Ｐｒ２）、かつ、配列ピッチＰｒ１およびＰｒ２のそれぞれは配列ピッチＰｉよりも大きい（Ｐｒ１＞Ｐｉ、Ｐｒ２＞Ｐｉ）、という関係を有する。
【0089】
実施例２および３に係る弾性波素子１０は、実施例１の弾性波素子と同様に、共振周波数ｆｒよりも低周波側における反射損失を低減できる。
【0090】
［実施例４および５の弾性波素子の反射特性等］
実施例４および５では、圧電体層１００の上側と下側とで反射器波長を変えた例について説明する。
実施例４および５では、圧電体層１００の上側と下側とで反射器波長を変えた例について説明する。
【0091】
実施例４および５の弾性波素子１０も、圧電体層１００と、第１のＩＤＴ電極１１と、第１の反射器３１と、第２のＩＤＴ電極２２と、第２の反射器４２と、保護膜１１３と、低音速層１５３と、高音速支持基板１５５と、を備えている。
【0092】
実施例４および５の弾性波素子１０では、圧電体層１００の主面に垂直な方向から見た場合、第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２は同じ位置に配置され、第１の反射器３１および第２の反射器４２のそれぞれは、ＩＤＴ－反射器ギャップは同じであるが、反射電極指の配列ピッチが異なっている。言い換えると、第３方向ｄ３から見た場合、第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２は互いに重なっており、第１の反射器３１および第２の反射器４２は反射電極指の配列ピッチが少しずつずれている。
【0093】
実施例４および５の弾性波素子１０において、各層の材質および厚みは、実施例１と同様である。
【0094】
実施例４および５は、以下に示す点で、実施例１と異なっている。表３に、実施例４および５の弾性波素子の電極パラメータを示す。
【0095】
【表3】
【0096】
表３に示すように、実施例４および５に係る弾性波素子では、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ１は、反射器波長（λＲ１）の０．４０倍であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ２は、反射器波長（λＲ２）の０．４０倍である。すなわち実施例４および５は、Ｇ１＝Ｇ２となっている。
【0097】
また、実施例４に係る弾性波素子では、反射器波長（λＲ１）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）の１．０５倍であり、反射器波長（λＲ２）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）の１、０４５倍である。すなわち実施例４は、λＲ１＞λＲ２となっている。
【0098】
また、実施例５に係る弾性波素子では、反射器波長（λＲ１）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）の１．０５倍であり、反射器波長（λＲ２）はＩＤＴ波長（λＩＤＴ）の１、０６０倍である。すなわち実施例５は、λＲ１＜λＲ２となっている。
【0099】
【0100】
図９に示すように、実施例１、４および５のインピーダンス特性は、ほぼ同じである。また、図１０に示すように、実施例１、４および５の反射特性は、ほぼ同じである。具体的には、実施例４のようにλＲ２／λＩＤＴがλＲ１／λＩＤＴよりも０．００５小さくても、反射特性は実施例１とほぼ同じになる。実施例５のようにλＲ２／λＩＤＴがλＲ１／λＩＤＴよりも０．０１大きくても、反射特性は実施例１とほぼ同じになる。このように、圧電体層１００の上側と下側とで反射器波長λＲ１と反射器波長λＲ２とを異ならせても、共振周波数ｆｒよりも低周波側の反射損失を低減することができるので、設計の自由度を上げることができる。
【0101】
実施例４および５の弾性波素子１０は、圧電体層１００の厚みがＩＤＴ波長（λＩＤＴ）以下であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ１は反射器波長（λＲ１）の０．５倍よりも小さく、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ２は反射器波長（λＲ２）の０．５倍よりも小さく、かつ、反射器波長（λＲ１）および反射器波長（λＲ２）のそれぞれはＩＤＴ波長（λＩＤＴ）よりも大きい、という関係を有する。
【0102】
言い換えると、圧電体層１００の厚みが配列ピッチＰｉの２倍以下であり、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ１は配列ピッチＰｒ１よりも小さく（Ｇ１＜Ｐｒ１）、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ２は配列ピッチＰｒ２よりも小さく（Ｇ２＜Ｐｒ２）、かつ、配列ピッチＰｒ１およびＰｒ２のそれぞれは配列ピッチＰｉよりも大きい（Ｐｒ１＞Ｐｉ、Ｐｒ２＞Ｐｉ）、という関係を有する。
【0103】
実施例４および５に係る弾性波素子１０は、実施例１の弾性波素子と同様に、共振周波数ｆｒよりも低周波側における反射損失を低減できる。
【0104】
［実施例１ｂ－１ｈ、２ａ－２ｈ、３ａ－３ｈ、４ａ－４ｈに係る弾性波素子の反射特性］
ここで、本実施の形態に係る弾性波素子１０を設計する工程について説明する。
ここで、本実施の形態に係る弾性波素子１０を設計する工程について説明する。
【0105】
まず、ＩＤＴ－反射器ギャップＧを、ＩＤＴ電極の複数の電極指の間隔および反射器の反射器電極指の間隔より狭い間隔、つまり、反射器波長（λＲＥＦ）の０．５倍よりも小さく設定する（第１工程）。
【0106】
これにより、反射器によるストップバンドの低周波端付近に、ＩＤＴ電極と反射器との境界における反射に起因したスプリアスを発生させる。
【0107】
次に、反射器波長（λＲＥＦ）を、ＩＤＴ波長（λＩＤＴ）よりも大きく設定する（第２工程）。
【0108】
これにより、第１工程により発生するスプリアスの発生周波数を低周波側へシフトさせる。その結果、弾性波素子１０を構成する弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも低周波側の領域におけるＩＤＴ電極の反射器としての応答特性（反射損失リップル）が、当該スプリアスで打ち消される。
【0109】
上記第１工程および第２工程により、本実施の形態に係る弾性波素子１０において、上記共振周波数ｆｒよりも低周波側の領域における反射損失（反射損失リップル）を低減できる。また、ＩＤＴ電極の電極指対数を少なくしても、弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも低周波側における反射損失の増加を抑制できる。
【0110】
以下、上記第１工程および第２工程について、実施例１ｂ－１ｈ、実施例２ａ－２ｈ、実施例３ａ－３ｈ、実施例４ａ－４ｈに係る弾性波素子の反射特性を示して説明する。
【0111】
まず、弾性波素子の共振周波数ｆｒよりも低周波側の領域におけるＩＤＴ電極の反射器としての応答特性（以下、反射レスポンスと記す）を打ち消すために、ＩＤＴ電極と反射器との間の反射に起因して発生させる（第１工程）スプリアスの発生条件について説明する。
【0112】
図１１は、ＩＤＴ－反射器ギャップ／反射器波長を変化させた場合の弾性波素子の反射特性を示すグラフである。
【0113】
図１１の（ｒｅ）は、比較例の弾性波素子の反射特性をモニタとして示した図である。同図には、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射器波長（λＲＥＦ）＝０．５００としたときの反射特性が示されている。
【0114】
図１１の（ｂ）～（ｈ）は、実施例１ｂ－１ｈの弾性波素子の反射特性を示した図である。同図には、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射器波長（λＲＥＦ）＝０．４７０～０．４００としたときの反射損失が示されている。なお同図には、反射器波長（λＲＥＦ）＝１と固定し、ＩＤＴ－反射器ギャップＧを変化させた例が示されている。
【0115】
図１１の（ｃ）～（ｈ）に示すように、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射器波長（λＲＥＦ）を０．４５０よりも小さくすることで、ＩＤＴ電極と反射器との間の反射に起因して発生するスプリアス（図１１の（ｃ）～（ｈ）の矢印で示された極小点：以下、スプリアスｓｐと記す）が発生する。また、このスプリアスｓｐの反射損失は、Ｇ／λＲＥＦが小さくなるほど大きくなる。
【0116】
【0117】
図１２の（ｒｅ）は、比較例の弾性波素子の反射特性をモニタとして示した図である。同図には、反射器波長（λＲＥＦ）／ＩＤＴ波長（λＩＤＴ）＝１．０００としたときの反射特性が示されている。
【0118】
図１２の（ａ）～（ｈ）は、実施例２ａ－２ｈの弾性波素子の反射特性を示した図である。図１２の（ａ）～（ｈ）に示すように、反射器波長が変化するだけでも反射器のストップバンド端であるキレの部分は改善するが、改善範囲が非常に狭い。また、落ちた部分より高い周波数は反射器のストップバンドに入ることによりＩＤＴの反射によるスプリアスが大きくなる。
【0119】
図１２に示すように、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射器波長（λＲＥＦ）＝０．５００とすると、スプリアスを改善することができない。ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射器波長（λＲＥＦ）＜０．５００である必要がある。言い換えると、Ｇ／Ｐｒ＜１である必要がある。
【0120】
【0121】
図１３の（ｒｅ）は、比較例の弾性波素子の反射特性をモニタとして示した図である。同図には、反射器波長（λＲＥＦ）／ＩＤＴ波長（λＩＤＴ）＝１．０００としたときの反射特性が示されている。
【0122】
図１３の（ａ）～（ｈ）は、実施例３ａ－３ｈの弾性波素子の反射特性を示した図である。図１３の（ａ）～（ｄ）に示すように、反射器波長を大きくすることで、スプリアスｓｐの発生位置を低周波側に移動することができる。図１３の（ｆ）～（ｈ）に示すように、スプリアスｓｐが共振点より低周波側に移動すると、リターンロスが改善する。
【0123】
図１３に示すように、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射器波長（λＲＥＦ）＝０．４００という条件の下、反射器波長（λＲＥＦ）＞ＩＤＴ波長（λＩＤＴ）とすることで、スプリアスｓｐの発生位置を低周波側に移動させ、リターンロスを改善することができる。言い換えると、Ｇ／Ｐｒ＝０．８００という条件の下、Ｐｒ＞Ｐｉとすることで、スプリアスｓｐの発生位置を低周波側に移動させ、リターンロスを改善することができる。
【0124】
【0125】
図１４の（ｒｅ）は、比較例の弾性波素子の反射特性をモニタとして示した図である。同図には、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射器波長（λＲＥＦ）＝０．５００とし、反射器波長（λＲＥＦ）／ＩＤＴ波長（λＩＤＴ）＝１．０００としたときの反射特性が示されている。
【0126】
図１４の（ａ）～（ｈ）は、実施例４ａ－４ｈの弾性波素子の反射特性を示した図である。図１４の（ａ）～（ｈ）に示すバンド幅は、図１５に示すように、低域側から高域側にかけてリプルレベルが比較例と同程度となるときのバンド幅を、反射損失の抑制領域のバンド幅として示したものである。
【0127】
図１４の（ａ）に示す場合では、スプリアスが少し改善するがスプリアスは消え切っていない。図１４の（ｂ）から（ｄ）に変化するにしたがい、スプリアスｓｐの抑制範囲が広くなっている。また、図１４の（ｅ）から（ｈ）に変化するにしたがい、スプリアスｓｐの抑制範囲が狭くなっている。図１４および図１３の結果を図１６にまとめて示す。
【0128】
図１６は、ＩＤＴ－反射器ギャップ／反射器波長と、反射損失の抑制領域のバンド幅との関係を示すグラフである。
【0129】
同図の横軸には、ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射器波長（λＲＥＦ）が示され、縦軸には反射損失の抑制領域のバンド幅が示されている。なお、この例では、反射損失の抑制領域のバンド幅が１２０ＭＨｚ以上である場合を、反射損失の改善が十分になされていることとして評価した。
【0130】
図１６に示すように、ＩＤＴ－反射器ギャップ／反射器波長が０．２７５以上０．４４以下のときに、反射損失の抑制領域のバンド幅が１２０ＭＨｚ以上となっている。言い換えると、（ＩＤＴ－反射器ギャップＧ／反射電極指の配列ピッチＰｒ）が０．５５以上０．８８以下のときに、反射損失の抑制領域のバンド幅が１２０ＭＨｚ以上となっている。このように、Ｇ／Ｐｒを０．５５以上０．８８以下とすることで、反射損失の抑制領域のバンド幅を広げることができる。
【0131】
（実施の形態２）
実施の形態２では、実施の形態１に係る弾性波素子１０を用いたラダー型の弾性波フィルタ装置について説明する。
実施の形態２では、実施の形態１に係る弾性波素子１０を用いたラダー型の弾性波フィルタ装置について説明する。
【0132】
図１７は、実施の形態２に係る弾性波フィルタ装置１の回路構成を示す図である。同図に示すように、弾性波フィルタ装置１は、直列腕共振子ｓ１１、ｓ１２、ｓ１３、ｓ１４およびｓ１５と、並列腕共振子ｐ１１、ｐ１２、ｐ１３およびｐ１４と、端子５０および６０と、を備える。
【0133】
直列腕共振子ｓ１１～ｓ１５は、端子５０と端子６０との間に互いに直列に接続されている。また、並列腕共振子ｐ１１～ｐ１４は、それぞれ、端子５０、直列腕共振子ｓ１１～ｓ１５、および端子６０の各接続点と基準端子（グランド）との間に互いに並列に接続されている。直列腕共振子ｓ１１～ｓ１５および並列腕共振子ｐ１１～ｐ１４の上記接続構成により、弾性波フィルタ装置１は、ラダー型のバンドパスフィルタを構成している。なお、並列腕共振子ｐ１１～ｐ１４とグランドとの間に、インダクタなどの回路素子が挿入されていてもよい。
【0134】
実施の形態２では、弾性波フィルタ装置１に含まれる共振子のうちの全ての直列腕共振子ｓ１１～ｓ１５および並列腕共振子ｐ１１～ｐ１４が上記の弾性波素子１０によって構成されてもよい。また、弾性波フィルタ装置１に含まれる共振子のうちの並列腕共振子ｐ１１～ｐ１４のみが上記の弾性波素子１０によって構成されてもよい。また、弾性波フィルタ装置１に含まれる共振子のうち、共通端子に接続される端子５０に最も近い並列腕共振子ｐ１４または直列腕共振子ｓ１５が上記の弾性波素子１０によって構成されてもよい。
【0135】
なお、弾性波フィルタ装置１は、実施の形態１に係る弾性波素子の構成を含む構成であればよい。図１７に示された回路構成は、その一例であって、直列腕共振子の数、並列腕共振子の数、インダクタの接続箇所などは、図１７の構成に限定されない。また、図１７では、ラダー型の回路構成を例示したが、縦結合型共振回路を含んでいてもよい。
【0136】
（実施の形態３）
実施の形態３では、実施の形態２に係る弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタが、共通端子に直接的または間接的に接続されている構成を有するマルチプレクサについて示す。
実施の形態３では、実施の形態２に係る弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタが、共通端子に直接的または間接的に接続されている構成を有するマルチプレクサについて示す。
【0137】
図１８は、実施の形態３に係るマルチプレクサ５およびその周辺回路（アンテナ４）の回路構成図である。同図に示されたマルチプレクサ５は、弾性波フィルタ装置１と、フィルタ３と、共通端子７０と、入出力端子８１および８２と、を備える。
【0138】
弾性波フィルタ装置１は、弾性波フィルタ装置１の端子５０が共通端子７０に接続され、弾性波フィルタ装置１の端子６０が入出力端子８１に接続されている。
【0139】
フィルタ３は、共通端子７０および入出力端子８２に接続されている。フィルタ３は、例えば、並列腕共振子および直列腕共振子を有するラダー型の弾性波フィルタであるが、ＬＣフィルタなどであってもよく、その回路構成は特に限定されない。
【0140】
ここで、弾性波フィルタ装置１の通過帯域は、フィルタ３の通過帯域よりも高周波側に位置する。
【0141】
なお、弾性波フィルタ装置１とフィルタ３とは、図１８に示すように共通端子７０に直接接続されていなくてもよく、例えば、インピーダンス整合回路、移相器、サーキュレータ、または、２以上のフィルタを選択可能なスイッチ素子、を介して共通端子７０に間接的に接続されていてもよい。
【0142】
なお、本実施の形態では、マルチプレクサ５として、２つのフィルタが共通端子７０に接続された回路構成としたが、共通端子７０に接続されるフィルタの数は２つに限定されず、３以上であってもよい。つまり、本発明に係るマルチプレクサは、弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタを備え、当該複数のフィルタのそれぞれの入出力端子および入出力端子の一方は、共通端子に直接的または間接的に接続され、弾性波フィルタ装置１を除く複数のフィルタの少なくとも１つは、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の周波数より低い通過帯域を有していてもよい。
【0143】
（まとめ）
本発明の一態様に係る弾性波素子等の構成を以下に例示する。
本発明の一態様に係る弾性波素子等の構成を以下に例示する。
【0144】
［例１］本発明の一態様に係る弾性波素子１０は、圧電体層１００の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極と、両主面のそれぞれに形成された複数の反射器と、を備える。ＩＤＴ電極は、対向する一対の櫛歯状電極を有する。一対の櫛歯状電極を構成する各々の櫛歯状電極は、圧電体層１００の主面に沿う方向において第１方向ｄ１と交差する第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の電極指と、複数の電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、を有する。複数の反射器は、第１方向ｄ１においてＩＤＴ電極の両外側に配置され、第２方向ｄ２に延びるように配置された複数の反射電極指を有する。第１方向ｄ１に沿って配列された複数の電極指の配列ピッチをＰｉとし、第１方向ｄ１に沿って配列された複数の反射電極指の配列ピッチをＰｒとし、複数の電極指のうち反射器に最近接する電極指の中心と複数の反射電極指のうちＩＤＴ電極に最近接する反射電極指の中心との第１方向ｄ１における距離であるＩＤＴ－反射器ギャップをＧとした場合に、圧電体層１００の厚みは、Ｐｉの２倍以下であり、Ｇ＜Ｐｒ、および、Ｐｒ＞Ｐｉで示される関係を有する。
【0145】
圧電体層１００を有する基板に形成された弾性波共振子において、当該弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも低周波側では、ＩＤＴ電極の反射器としての応答特性に起因して反射損失が増大してしまう場合がある。特に、小型化に対応すべくＩＤＴ電極を構成する電極指の対数を少なくするほど、上記反射損失は増加する傾向にある。
【0146】
これに対して、上記構成によれば、ＩＤＴ－反射器ギャップＧを反射電極指の配列ピッチＰｒよりも小さくすることにより、反射器のストップバンドの低周波端付近に、ＩＤＴ電極と反射器との境界における反射に起因したスプリアスが発生する。このスプリアスを発生させた状態で、反射電極指の配列ピッチＰｒを電極指の配列ピッチＰｉよりも大きくして当該スプリアスの発生周波数を低周波側へシフトさせることにより、弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも低周波側におけるＩＤＴ電極の反射器としての応答特性を、当該スプリアスで打ち消すことが可能となる。これにより、弾性波共振子の共振周波数ｆｒよりも低周波側における反射損失の増加を抑制できる。
【0147】
また、ストップバンドの高周波端の位置をシフトさせることで、ストップバンドの発生周波数と反射器波長とを反映した反射レスポンスの発生周波数を変化させることができる。これにより、ストップバンドの高周波端（弾性波共振子の反共振周波数ｆａよりも高周波側）における反射レスポンスを分散させることが可能となる。
【0148】
［例２］Ｇ／Ｐｒは、０．５５以上０．８８以下である。
【0149】
これによれば、反射損失の抑制領域のバンド幅を広げることができる。例２の構成は、例１に適用可能である。
【0150】
［例３］圧電体層１００は、両主面の一方である第１主面１００ａ、および、他方である第２主面１００ｂを有する。圧電体層１００の両主面のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極は、第１主面１００ａに形成された第１のＩＤＴ電極１１、および、第２主面１００ｂに形成された第２のＩＤＴ電極２２によって構成される。複数の反射器は、第１方向ｄ１において第１のＩＤＴ電極１１の両外側に配置された複数の第１の反射器３１、および、第１方向ｄ１において第２のＩＤＴ電極２２の両外側に配置された複数の第２の反射器４２によって構成される。第１のＩＤＴ電極１１に含まれる一方の櫛歯状電極１１Ａと第２のＩＤＴ電極２２に含まれる一方の櫛歯状電極２２Ａとは、電気的に接続されている。第１のＩＤＴ電極１１に含まれる他方の櫛歯状電極１１Ｂと第２のＩＤＴ電極２２に含まれる他方の櫛歯状電極２２Ｂとは、電気的に接続されている。
【0151】
このように、一方の櫛歯状電極同士を接続し、他方の櫛歯状電極同士を接続することで、第１のＩＤＴ電極１１および第２のＩＤＴ電極２２の相互作用を発現させることができる。これにより、弾性波素子１０において高次モードの発生を抑制することができる。例３の構成は、例１または例２に適用可能である。
【0152】
［例４］弾性波素子１０は、さらに、圧電体層１００を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板１５５と、高音速支持基板１５５と圧電体層１００との間に配置され、圧電体層１００を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速層１５３と、を備える。低音速層１５３は、第２のＩＤＴ電極２２を覆うように第２主面１００ｂに設けられている。
【0153】
このように、第２のＩＤＴ電極２２が低音速層１５３に埋め込まれていることで、圧電体層１００は、弾性波が励振される部分においても低音速層１５３により支持されることとなり、圧電体層１００の形状が変形し難く、電気的特性の変動を抑制することができる。また、第２のＩＤＴ電極２２が低音速層１５３に埋め込まれていることで、高次モードを低音速層１５３側に漏洩させることができる。これにより、高次モードの発生を抑制することができる。
【0154】
また、弾性波素子１０のＩＤＴ電極が、圧電体層１００、低音速層１５３および高音速支持基板１５５の積層構造を有する基板に形成されている場合、弾性波素子１０のＱ値が高くなるため、上記反射レスポンスは大きくなる。これに対して、配列ピッチＰｒを配列ピッチＰｉよりも大きくし、かつ、ＩＤＴ－反射器ギャップＧを配列ピッチＰｒよりも小さくすることにより、ストップバンドの低周波端または高周波端における反射レスポンスを抑制する効果は大きい。例４の構成は、例３に適用可能である。
【0155】
［例５］弾性波素子１０は、さらに、第１のＩＤＴ電極１１を覆うように第１主面１００ａに設けられた保護膜１１３を備えている。
【0156】
このように弾性波素子１０が上記の保護膜１１３を備えることで、電極層１１０ａを外部環境から保護することができる。また、周波数温度特性を調整する、または、耐湿性を高めることができる。例５の構成は、例３または例４に適用可能である。
【0157】
［例６］本発明の一態様に係る弾性波フィルタ装置１は、上記の弾性波素子１０を含む。
【0158】
上記の弾性波素子１０を用いて、弾性波フィルタ装置１を構成することにより、通過帯域内の挿入損失が、反射器の応答特性により劣化してしまうことを抑制できる。例６の構成は、例１～例５のいずれかに適用可能である。
【0159】
［例７］本発明の一態様に係るマルチプレクサ５は、上記の弾性波フィルタ装置１を含む複数のフィルタ３を備える。複数のフィルタ３のそれぞれの入出力端子８１および入出力端子８２の一方は、共通端子７０に直接的または間接的に接続され、弾性波フィルタ装置１を除く複数のフィルタ３の少なくとも１つは、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の周波数より低い通過帯域を有する。
【0160】
これにより、弾性波フィルタ装置１では、通過帯域よりも低周波側の減衰帯域の減衰量を大きくできるので、弾性波フィルタ装置１の通過帯域よりも低周波側の通過帯域を有するフィルタの通過帯域内の挿入損失を低減できる。
【0161】
（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサについて、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明の弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサは、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる実施例や、本開示の弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
以上、本発明の実施の形態に係る弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサについて、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明の弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサは、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる実施例や、本開示の弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【0162】
例えば、本発明に係る弾性波フィルタ装置１は、さらに、インダクタおよびキャパシタなどの回路素子を備えてもよい。
【0163】
また、本発明に係る弾性波素子は、実施の形態１のような弾性表面波共振子でなくてもよく、弾性境界波を利用した弾性波共振子であってもよい。
【0164】
また上記では、圧電体層１００の第２主面１００ｂ側に、低音速層１５３および高音速支持基板１５５が設けられている例を示したが、それに限られず、圧電体層１００の第２主面１００ｂ側に支持基板のみが設けられていてもよい。
【0165】
また、図１Ａ、図１Ｂ、図２および図３に示す弾性波素子１０は、その典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。また、圧電体層１００等の上記積層構造において例示した各層の材料などは一例であり、例えば、要求される高周波伝搬特性のうち重視すべき特性に応じて変更されるものである。
【0166】
上記の実施の形態の説明において電極指の配列ピッチＰｉとは、例えば、ＩＤＴ電極１１に含まれる複数の電極指１１ａ、１１ｂにおいて、第１方向ｄ１に隣り合う電極指１１ａ、１１ｂ同士の第１方向ｄ１における中心間距離である。ＩＤＴ電極１１内における複数の電極指１１ａ、１１ｂの全ての配列ピッチは同じであってもよく、一部もしくは全ての配列ピッチが異なっていてもよい。
【0167】
電極指の配列ピッチＰｉは、次のように導出できる。例えば、ＩＤＴ電極１１に含まれる電極指１１ａ、１１ｂの総本数をＮｉ本とする。そして、ＩＤＴ電極１１の、第１方向ｄ１における一方端に位置する電極指と、他方端に位置する電極指との中心間距離をＤｉとする。すると、電極指の配列ピッチＰｉは、Ｐｉ＝Ｄｉ／（Ｎｉ－１）という式で表せる。なお、（Ｎｉ－１）は、ＩＤＴ電極１１における、隣接する電極指が作るギャップの総個数ともいえる。ＩＤＴ電極２２についても同様である。
【0168】
反射電極指の配列ピッチＰｒとは、例えば、反射器３１に含まれる複数の反射電極指３１ａにおいて、第１方向ｄ１に隣り合う反射電極指３１ａ同士の第１方向ｄ１における中心間距離である。反射器３１内における複数の反射電極指３１ａの全ての配列ピッチは同じであってもよく、一部もしくは全ての配列ピッチが異なっていてもよい。
【0169】
反射電極指の配列ピッチＰｒは、次のように導出できる。例えば、反射器３１に含まれる反射電極指３１ａの総本数をＮｒ本とする。そして、反射器３１の、第１方向ｄ１における一方端に位置する反射電極指と、他方端に位置する反射電極指との中心間距離をＤｒとする。すると、反射電極指の配列ピッチＰｒは、Ｐｒ＝Ｄｒ／（Ｎｒ－１）という式で表せる。なお、（Ｎｒ－１）は、反射器３１における、隣接する反射電極指が作るギャップの総個数ともいえる。反射器４２についても同様である。
【0170】
電極指のピッチの測定箇所は、所定の隣り合う電極指の交差幅の、第１方向ｄ１における略中間点における、当該距離で求められる。または、１つの電極指あたり、交差幅を第１方向に略２等分する２点、または、略３等分する３点における当該距離の平均値、で求めてもよい。電極指のピッチの測定方法は、上面（第１方向ｄ１および第２方向ｄ２の両方に垂直な方向）からの光学顕微鏡またはＳＥＭ観察、もしくは、研磨等により仮想線を通る断面を出し、光学顕微鏡またはＳＥＭ観察、による測長で測定できる。
【産業上の利用可能性】
【0171】
本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できる低損失かつ小型の弾性波素子、弾性波フィルタおよびマルチプレクサとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【0172】
１ 弾性波フィルタ装置
３ フィルタ
４ アンテナ
５ マルチプレクサ
１０ 弾性波素子
１１ 第１のＩＤＴ電極
１１Ａ、１１Ｂ 櫛歯状電極
１１ａ、１１ｂ 電極指
１１ｃ バスバー電極
２２ 第２のＩＤＴ電極
２２Ａ、２２Ｂ 櫛歯状電極
２２ａ、２２ｂ 電極指
２２ｃ バスバー電極
３１ 第１の反射器
３１ａ 反射電極指
３１ｃ バスバー電極
４２ 第２の反射器
４２ａ 反射電極指
４２ｃ バスバー電極
５０、６０ 端子
７０ 共通端子
８１、８２ 入出力端子
１００ 圧電体層
１００ａ 第１主面
１００ｂ 第２主面
１１０ａ、１１０ｂ 電極層
１１３ 保護膜
１３０Ａ、１３０Ｂ 貫通導体
１５３ 低音速層
１５５ 高音速支持基板
ｄ１ 第１方向
ｄ２ 第２方向
ｄ３ 第３方向
Ｇ、Ｇ１、Ｇ２ ＩＤＴ－反射器ギャップ
Ｐｉ、Ｐｉ１、Ｐｉ２ 電極指の配列ピッチ
Ｐｒ、Ｐｒ１、Ｐｒ２ 反射電極指の配列ピッチ
ｐ１１、ｐ１２、ｐ１３、ｐ１４ 並列腕共振子
ｓ１１、ｓ１２、ｓ１３、ｓ１４、ｓ１５ 直列腕共振子
３ フィルタ
４ アンテナ
５ マルチプレクサ
１０ 弾性波素子
１１ 第１のＩＤＴ電極
１１Ａ、１１Ｂ 櫛歯状電極
１１ａ、１１ｂ 電極指
１１ｃ バスバー電極
２２ 第２のＩＤＴ電極
２２Ａ、２２Ｂ 櫛歯状電極
２２ａ、２２ｂ 電極指
２２ｃ バスバー電極
３１ 第１の反射器
３１ａ 反射電極指
３１ｃ バスバー電極
４２ 第２の反射器
４２ａ 反射電極指
４２ｃ バスバー電極
５０、６０ 端子
７０ 共通端子
８１、８２ 入出力端子
１００ 圧電体層
１００ａ 第１主面
１００ｂ 第２主面
１１０ａ、１１０ｂ 電極層
１１３ 保護膜
１３０Ａ、１３０Ｂ 貫通導体
１５３ 低音速層
１５５ 高音速支持基板
ｄ１ 第１方向
ｄ２ 第２方向
ｄ３ 第３方向
Ｇ、Ｇ１、Ｇ２ ＩＤＴ－反射器ギャップ
Ｐｉ、Ｐｉ１、Ｐｉ２ 電極指の配列ピッチ
Ｐｒ、Ｐｒ１、Ｐｒ２ 反射電極指の配列ピッチ
ｐ１１、ｐ１２、ｐ１３、ｐ１４ 並列腕共振子
ｓ１１、ｓ１２、ｓ１３、ｓ１４、ｓ１５ 直列腕共振子
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】