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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024157921
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】半導体製造テープ用基材フィルム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20241031BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023072591
(22)【出願日】2023-04-26
(71)【出願人】
【識別番号】000108719
【氏名又は名称】タキロンシーアイ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001427
【氏名又は名称】弁理士法人前田特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】石本 享之
(72)【発明者】
【氏名】津守 千亜希
【テーマコード（参考）】
5F063
【Ｆターム（参考）】
5F063AA18
5F063EE02
5F063EE04
5F063EE05
5F063EE08
(57)【要約】
【課題】帯電防止性と剛性と応力緩和性に優れた半導体製造テープ用基材フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体製造テープ用基材フィルム１は、機能層２と、機能層２の少なくとも一方側に設けられた表面層３とを有し、機能層２は、１－ブテンのホモポリマーと、ペンテンのコポリマーと、オレフィン系エラストマーとを含み、表面層３は帯電防止剤を含む。機能層２の全体に対するオレフィン系エラストマーの含有量が０質量％超５０質量％未満であり、表面層３の全体に対する帯電防止剤の含有量が０質量％超４０質量％未満である。
【選択図】図１
【解決手段】
半導体製造テープ用基材フィルム１は、機能層２と、機能層２の少なくとも一方側に設けられた表面層３とを有し、機能層２は、１－ブテンのホモポリマーと、ペンテンのコポリマーと、オレフィン系エラストマーとを含み、表面層３は帯電防止剤を含む。機能層２の全体に対するオレフィン系エラストマーの含有量が０質量％超５０質量％未満であり、表面層３の全体に対する帯電防止剤の含有量が０質量％超４０質量％未満である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
機能層と、該機能層の少なくとも一方側に設けられた表面層とを有する半導体製造テープ用基材フィルムであって、
前記機能層は、１－ブテンのホモポリマーと、ペンテンのコポリマーと、オレフィン系エラストマーとを含み、
前記表面層は帯電防止剤を含み、
前記機能層の全体に対する前記オレフィン系エラストマーの含有量が０質量％超５０質量％未満であり、
前記表面層の全体に対する前記帯電防止剤の含有量が０質量％超４０質量％未満である
ことを特徴とする半導体製造テープ用基材フィルム。
前記機能層は、１－ブテンのホモポリマーと、ペンテンのコポリマーと、オレフィン系エラストマーとを含み、
前記表面層は帯電防止剤を含み、
前記機能層の全体に対する前記オレフィン系エラストマーの含有量が０質量％超５０質量％未満であり、
前記表面層の全体に対する前記帯電防止剤の含有量が０質量％超４０質量％未満である
ことを特徴とする半導体製造テープ用基材フィルム。
【請求項2】
前記帯電防止剤が、プロピレン系樹脂と多価アルコールとのブロック共重合体であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
【請求項3】
前記帯電防止剤が、ポリプロピレンとポリエチレングリコールとのブロック共重合体であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
【請求項4】
前記オレフィン系エラストマーが、プロピレン系エラストマーであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
【請求項5】
前記表面層は、密度が０．９３ｇ／ｃｍ３以下である低密度ポリエチレンを少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
【請求項6】
前記表面層が、１－ブテンのホモポリマーを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体製造テープ用基材フィルム（以下、単に「基材フィルム」という場合がある。）に関する。
【背景技術】
【0002】
ＩＣチップ等の半導体デバイスの製造方法としては、例えば、略円板形状の半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を、ウエハ用の半導体製造テープ（ダイシングテープ）上でダイシングにより分割し、個々の半導体デバイスを得る方法が広く用いられている。そして、ダイシング後は、例えば、ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成した（すなわち、エキスパンド）後、各半導体デバイスがロボット等でピックアップされる。
【0003】
また、ウエハ用の半導体製造テープとして、上述のダイシングテープの粘着層上に接着層が積層されたダイシング・ダイアタッチフィルム（ＤＤＡＦ）が使用されており、ダイシング・ダイアタッチフィルム上でウエハ回路をダイシングにより分割後、ダイシング・ダイアタッチフィルムを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成し、その後、粘着層を光硬化させて、接着層が接着された状態で半導体デバイスが粘着層から剥離されてピックアップされる。
【0004】
ここで、従来、半導体製造テープ用基材フィルムとして、塩化ビニル系の基材フィルムが使用されてきたが、環境負荷の低減、及び塩化物イオンや可塑剤がウエハへ移動することを回避するとの観点から、近年、塩化ビニル系の基材フィルムの代わりに、ポリオレフィン系の基材フィルムが使用されている。
【0005】
また、ＩＣチップの薄膜化等により、ＩＣチップを作製する際に静電気が発生しやすくなっており、当該静電気に起因して、ＩＣチップにおけるウエハ回路が損傷する等の不都合を防止するために、ダイシングテープや基材フィルムに帯電防止性を付与することが求められている。
【0006】
より具体的には、例えば、エチレン系樹脂と、プロピレン系樹脂と、プロピレンと多価アルコールとのブロック共重合体とを含む樹脂組成物から形成されたダイシングテープ用基材フィルムが提案されている。そして、プロピレンと多価アルコールとのブロック共重合体により、帯電防止性を有するポリオレフィン系の基材フィルムを得ることができると記載されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】国際公開第２０２２／０６４９４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかし、上記特許文献１に記載の基材フィルムは、帯電防止性を有するポリオレフィン系の基材フィルムではあるが、剛性および応力緩和性が不十分であるため、帯電防止性を有しつつ、塩化ビニル系の基材フィルムに代替することが可能な物性を有するポリオレフィン系の基材フィルムを得ることが困難であるという問題があった。
【0009】
そこで、本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであり、帯電防止性と剛性と応力緩和性に優れた半導体製造テープ用基材フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するために、本発明の半導体製造テープ用基材フィルムは、機能層と、機能層の少なくとも一方側に設けられた表面層とを有し、機能層は、１－ブテンのホモポリマーと、ペンテンのコポリマーと、オレフィン系エラストマーとを含み、表面層は帯電防止剤を含み、機能層の全体に対するオレフィン系エラストマーの含有量が０質量％超５０質量％未満であり、表面層の全体に対する帯電防止剤の含有量が０質量％超４０質量％未満であることを特徴とする。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、帯電防止性と剛性と応力緩和性に優れた半導体製造テープ用基材フィルムを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体製造テープ用基材フィルムを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の半導体製造テープ用基材フィルムについて具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において、適宜変更して適用することができる。
【0014】
本発明の基材フィルムは、機能層（中間層）と、機能層の少なくとも一方側に設けられた表面層との積層体により構成された基材フィルムである。
【0015】
この多層構造を有する基材フィルムとしては、例えば、図１に示すように、機能層２と、機能層２の両面に積層された表面層３との積層体により構成され、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルム１が挙げられる。
【0016】
機能層としては、１－ブテンのホモポリマーと、ペンテンのコポリマーと、オレフィン系エラストマーとを含有するものが挙げられる。
【0017】
＜１－ブテンのホモポリマー＞
本発明においては、ポリブテンとして、１－ブテンを単独で重合したホモポリマーが使用される。この１－ブテンのホモポリマーは、高分子量であって嵩高い側鎖を有しており、この嵩高い側鎖による強い分子間力により、結晶性高分子であるにも関わらず、非晶性の場合と同様に、基材フィルムの均一伸長性を向上させることができる。
本発明においては、ポリブテンとして、１－ブテンを単独で重合したホモポリマーが使用される。この１－ブテンのホモポリマーは、高分子量であって嵩高い側鎖を有しており、この嵩高い側鎖による強い分子間力により、結晶性高分子であるにも関わらず、非晶性の場合と同様に、基材フィルムの均一伸長性を向上させることができる。
【0018】
また、本発明で使用する１－ブテンのホモポリマーは、重量平均分子量（Ｍｗ）が約５０万～１５０万のものを使用することができる。
【0019】
なお、上記「重量平均分子量」とは、ＪＩＳ Ｋ ７２５２－１：２０１６に準拠して算出されるものを言う。
【0020】
そして、本発明で使用する１－ブテンのホモポリマーは高分子量であるため、表面粘着性が低く、また、非晶性ポリオレフィンに比し、剛性が高いため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出し、及び粘着剤の塗工を含むテープ化が可能な高い剛性を有する基材フィルムを提供することができる。
【0021】
以上より、基材フィルムを形成する樹脂として、１－ブテンのホモポリマーを使用することにより、基材フィルムの均一伸長性と剛性を向上させることができる。
【0022】
なお、均一伸長性と剛性を向上させるとの観点から、機能層２の全体に対する１－ブテンのホモポリマーの含有量は、機能層１００質量％のうち、２０質量％以上７０質量％以下が好ましく、３０質量％以上６０質量％以下がより好ましい。
【0023】
＜ペンテンのコポリマー＞
本発明の基材フィルム１においては、エキスパンド後に半導体製造テープの寸法保持が可能な応力緩和性を向上させるとの観点から、機能層２が、ポリペンテンとしてペンテンのコポリマーを含有している。そして、このようなペンテンのコポリマーを使用することにより、基材フィルム１の応力緩和性が向上するため、グリップリングによる半導体製造テープの保持や、各半導体デバイス（半導体チップ）間の間隔を保持することが可能になる。
本発明の基材フィルム１においては、エキスパンド後に半導体製造テープの寸法保持が可能な応力緩和性を向上させるとの観点から、機能層２が、ポリペンテンとしてペンテンのコポリマーを含有している。そして、このようなペンテンのコポリマーを使用することにより、基材フィルム１の応力緩和性が向上するため、グリップリングによる半導体製造テープの保持や、各半導体デバイス（半導体チップ）間の間隔を保持することが可能になる。
【0024】
このペンテンのコポリマーとしては、特に限定はされないが、室温付近にガラス転移温度を有しており、応力緩和性に優れ、かつコポリマー成分であるα－オレフィンにより柔軟性が良好である４－メチル－１－ペンテンとα－オレフィンの共重合体が好ましい。例えば、４－メチル－１－ペンテンとポリプロピレンの共重合体である三井化学社製の商品名「アブソートマー（登録商標）ＥＰ－１０１３」や三井化学社製の商品名「アブソートマー（登録商標）ＥＰ－１００１」等が挙げられる。
【0025】
なお、４－メチル－１－ペンテンとポリプロピレンの共重合体を使用する場合、柔軟性と応力緩和性を向上させるとの観点から、４－メチル－１－ペンテンとポリプロピレンの共重合体の全体に対するポリプロピレンの含有量は、４－メチル－１－ペンテンとポリプロピレンの共重合体１００モル％のうち、１０モル％以上３０モル％以下が好ましい。
【0026】
また、応力緩和性を向上させるとの観点から、機能層２の全体に対するペンテンのコポリマーの含有量は、機能層１００質量％のうち、１０質量％以上５０質量％未満であることが好ましい。なお、ペンテンのコポリマーの含有量が５０質量％以上の場合は、均一伸長性に寄与する１－ブテンのホモポリマーの含有量が減少するため、均一伸長性が低下する場合がある。
【0027】
また、機能層２の全体に対するペンテンのコポリマーの含有量は、機能層１００質量％のうち、１０質量％以上４０質量％以下であることが好ましい。
【0028】
＜オレフィン系エラストマー＞
また、本発明の基材フィルム１においては、機能層２が、オレフィン系エラストマーを含有している。オレフィン系エラストマーは、ＪＩＳ Ｋ ６２００におけるエラストマーの用語の定義に準ずるオレフィン系材料で構成される。より具体的には、非晶性もしくは低結晶性のα－オレフィンの共重合体で構成される材料がオレフィン系エラストマーに該当し、ポリエチレンが主体となるものをエチレン系エラストマー、ポリプロピレンが主体となるものをプロピレン系エラストマーという。例えば、エチレン系エラストマーとしては、三井化学社製の商品名「タフマー（登録商標）」が該当し、プロピレン系エラストマーとしては、エクソンモービル社製の商品名「ビスタマックス（登録商標）」が該当する。
また、本発明の基材フィルム１においては、機能層２が、オレフィン系エラストマーを含有している。オレフィン系エラストマーは、ＪＩＳ Ｋ ６２００におけるエラストマーの用語の定義に準ずるオレフィン系材料で構成される。より具体的には、非晶性もしくは低結晶性のα－オレフィンの共重合体で構成される材料がオレフィン系エラストマーに該当し、ポリエチレンが主体となるものをエチレン系エラストマー、ポリプロピレンが主体となるものをプロピレン系エラストマーという。例えば、エチレン系エラストマーとしては、三井化学社製の商品名「タフマー（登録商標）」が該当し、プロピレン系エラストマーとしては、エクソンモービル社製の商品名「ビスタマックス（登録商標）」が該当する。
【0029】
なお、プロピレン系エラストマーを使用する場合は、柔軟性を向上させるとの観点から、プロピレン系エラストマーの全体に対するポリエチレンの含有量は、プロピレン系エラストマー１００％のうち、９％以上３０％以下である。
【0030】
そして、このようなオレフィン系エラストマーを使用することにより、結晶化度が低下し、降伏点の発生を抑制することができるため、基材フィルムの均一伸長性を向上させることができる。
【0031】
また、均一伸長性を向上させるとの観点から、機能層２の全体に対するオレフィン系エラストマーの含有量は、機能層１００質量％のうち、０質量％超５０質量％未満である。オレフィン系エラストマーの含有量が５０質量％以上場合は、結晶化度が低いオレフィン系エラストマー成分が過剰となるため、剛性が低下して、基材の巻き出し、及び粘着剤の塗工を含むテープ化が困難になる場合がある。
【0032】
なお、機能層２の全体に対するオレフィン系エラストマーの含有量は、機能層１００質量％のうち、１０質量％以上３０質量％以下が好ましい。
【0033】
また、均一伸長性をより一層向上させるとの観点から、オレフィン系エラストマーの密度は、０．８５０～０．９００ｇ／ｃｍ３であることが好ましく、０．８６０～０．８９０ｇ／ｃｍ３であることがより好ましい。
【0034】
次に、本発明の基材フィルム１における表面層３について説明する。表面層３としては、帯電防止剤を含有するとともに、上述の１－ブテンのホモポリマーや、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂を含有するものが挙げられる。
【0035】
そして、１－ブテンのホモポリマーは、高分子量であるにも関わらず、汎用の押出機で成形が可能であり、高分子量成分によりフィルムの表面粘着性が低いため、表面層において使用した場合、基材フィルムを搬送する際の搬送ロールへの粘着を抑制することができるとともに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキング、及び基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスを抑制することができ、基材フィルムの加工安定性を向上させることができる。
【0036】
また、表面粘着性を抑制するとの観点から、表面層３（すなわち、機能層２の両面に積層された表面層３の各々）の全体に対する１－ブテンのホモポリマーの含有量は、表面層１００質量％のうち、０質量％超３０質量％以下であることが好ましい。
【0037】
また、ポリプロピレンとしては、例えば、ポリプロピレンのホモポリマーやコポリマーが挙げられる。このうち、ポリプロピレンのホモポリマーは、プロピレンを単独で重合したホモポリプロピレンであり、このポリプロピレンのホモポリマーは、立体規則性が高く、融点に寄与する結晶化度が大きいため、耐熱性に優れている。また、結晶化度が大きいため、剛性が大きいが、後述の直鎖状低密度ポリエチレンと混合することで、基材フィルムのエキスパンド性に寄与する柔軟性を得ることができる。
【0038】
＜低密度ポリエチレン＞
表面層３は、ポリオレフィン系樹脂のうち、密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３以下である低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）を含んでいることが好ましい。密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３以下の場合は、結晶化度の過度な上昇を抑制して柔軟性が向上するため、基材フィルムの等方性を向上させることができる。なお、密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３よりも大きい場合は、結晶化度が過度に上昇するため、等方性が低下する場合があり、また、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合がある。
表面層３は、ポリオレフィン系樹脂のうち、密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３以下である低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）を含んでいることが好ましい。密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３以下の場合は、結晶化度の過度な上昇を抑制して柔軟性が向上するため、基材フィルムの等方性を向上させることができる。なお、密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３よりも大きい場合は、結晶化度が過度に上昇するため、等方性が低下する場合があり、また、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合がある。
【0039】
また、加工安定性を向上させるとの観点から、低密度ポリエチレンの密度は、０．８６０ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましく、０．８８０ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましい。
【0040】
すなわち、密度が０．８６０ｇ／ｃｍ３以上０．９３ｇ／ｃｍ３以下である低密度ポリエチレンは、表面粘着性が低いため、表面層において使用した場合、基材フィルムを搬送する際の搬送ロールへの粘着を抑制することができるとともに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキングを抑制することができ、基材フィルムの加工安定性を向上させることができる。
【0041】
また、表面粘着性を抑制するとの観点から、表面層３（すなわち、機能層２の両面に積層された表面層３の各々）における１－ブテンのホモポリマーの含有量と、低密度ポリエチレンの含有量の割合は、１－ブテンのホモポリマー：低密度ポリエチレン＝０：１００～３０：７０であることが好ましい。
【0042】
また、低密度ポリエチレンのうち、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）は、高密度ポリエチレンの直鎖構造に側鎖分岐を有しているため、高密度ポリエチレンと比較して、結晶化度が高くなり過ぎず、柔軟性に優れている。
【0043】
なお、強度の点から、メタロセン系触媒またはチグラー触媒を用いて製造された直鎖状低密度ポリエチレンを使用してもよい。
【0044】
また、直鎖状低密度ポリエチレンのメルトマスフローレート（ＭＦＲ）は、０．５～７．５ｇ／１０分であることが好ましく、１．０～６．０ｇ／１０分がより好ましく、２．０～５．０ｇ／１０分がさらに好ましい。メルトマスフローレート（ＭＦＲ）が０．５ｇ／１０分以上の場合は、分子量が大き過ぎず、柔軟性と加工性を向上させることができるためであり、７．５ｇ／１０分以下の場合は、分子量が小さ過ぎず、加工安定性を向上させることができるためである。
【0045】
なお、上記のメルトマスフローレートは、ＪＩＳ Ｋ７２１０：１９９９の規定に準拠して測定することで得られる。
【0046】
以上より、基材フィルムを形成する樹脂として、密度が０．９３ｇ／ｃｍ３以下である低密度ポリエチレンを使用することにより、基材フィルムの柔軟性と等方性を向上させることができる。
【0047】
なお、表面粘着性を抑制するとの観点から、表面層３（すなわち、機能層２の両面に積層された各表面層３）の全体に対する低密度ポリエチレンの含有量は、表面層１００質量％のうち、４０質量％以上９０質量％以下であることが好ましい。
【0048】
＜帯電防止剤＞
本発明の基材フィルム１においては、基材フィルム１に帯電防止性を付与するとの観点から、表面層３が帯電防止剤を含有している。
本発明の基材フィルム１においては、基材フィルム１に帯電防止性を付与するとの観点から、表面層３が帯電防止剤を含有している。
【0049】
この帯電防止剤としては、例えば、プロピレン系樹脂と多価アルコールとのブロック共重合体、低分子量の界面活性剤、カーボンブラック等のフィラー等が挙げられる。なお、これらの帯電防止剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【0050】
また、このうち、半永久的な帯電防止性を付与するとの観点から、帯電防止剤として、高分子型の帯電防止剤であるプロピレン系樹脂と多価アルコールとのブロック共重合体を使用することが好ましい。
【0051】
プロピレン系樹脂と多価アルコールとのブロック共重合体は、プロピレンに由来する構成単位を含有するプロピレン重合体のセグメントと、多価アルコールに由来する構成単位を含有する多価アルコール重合体のセグメントとを有するブロック共重合体である。
【0052】
このプロピレン系樹脂と多価アルコールとのブロック共重合体は、多価アルコールのポリエーテルの連続相（ソフトセグメント相）が帯電防止性の発現に寄与するとともに、プロピレン系樹脂のハードセグメント相が表面層を形成する樹脂への分散性の向上と当該樹脂における強度の発現に寄与する構造を有している。
【0053】
プロピレン重合体のセグメントは、プロピレンを単独で重合したホモポリプロピレンの重合体のセグメントや、プロピレンとα－オレフィンとの共重合体のセグメントを挙げることができる。
【0054】
また、多価アルコールの重合体セグメントを構成する多価アルコールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール（トリメチレングリコール）、ポリプロピレングリコール等を挙げることができる。
【0055】
また、プロピレン系樹脂と多価アルコールとのブロック共重合体としては、例えば、ペレスタット２３０（三洋化成社製、プロピレン重合体のセグメントとポリエチレングリコールのセグメントとを有するブロック共重合体）や、ペレクトロンＰＶＬ（三洋化成社製、プロピレン重合体のセグメントとポリエチレングリコールのセグメントを有するブロック共重合体）等の市販品を使用することができる。
【0056】
また、帯電防止性と剛性を向上させるとの観点から、本発明の基材フィルム１においては、表面層３（すなわち、機能層２の両面に積層された表面層３の各々）の全体に対する帯電防止剤の含有量は、表面層１００質量％のうち、０質量％超４０質量％未満である。なお、帯電防止剤の含有量は、表面層１００質量％のうち、５質量％以上３０質量％以下が好ましく、１０質量％以上３０質量％以下がより好ましい。
【0057】
以上より、本発明の基材フィルム１は、表面層３において帯電防止剤を含有しているため、静電気に起因して、ＩＣチップにおけるウエハ回路が損傷する等の不都合を防止することができる。従って、ウエハの生産性を向上することが可能になる。
【0058】
＜基材フィルム＞
本発明の基材フィルム１においては、基材フィルムの機械軸（長手）方向（以下、「ＭＤ」という。）及び、これと直交する方向（以下、「ＴＤ」という。）における応力（２０％伸長時）が６．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることが好ましく、７．５ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下であることがより好ましく、８ＭＰａ以上１３ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。応力が２０ＭＰａよりも大きい場合は、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合があり、応力が６．５ＭＰａ未満の場合は、剛性が低くなるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが困難になるとともに、粘着剤の塗工を含むテープ化が困難になる場合がある。
本発明の基材フィルム１においては、基材フィルムの機械軸（長手）方向（以下、「ＭＤ」という。）及び、これと直交する方向（以下、「ＴＤ」という。）における応力（２０％伸長時）が６．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることが好ましく、７．５ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下であることがより好ましく、８ＭＰａ以上１３ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。応力が２０ＭＰａよりも大きい場合は、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合があり、応力が６．５ＭＰａ未満の場合は、剛性が低くなるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが困難になるとともに、粘着剤の塗工を含むテープ化が困難になる場合がある。
【0059】
すなわち、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２０％伸長時）が６．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下の場合、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出し、及び粘着剤の塗工を含むテープ化が可能な剛性に優れた基材フィルムを提供することができる。
【0060】
また、従来のポリオレフィンを含有する基材フィルムの場合、基材フィルムを２０％伸長させた時点ではネッキングは発生せず、均一にエキスパンドできるが、基材フィルムを４０％伸長させた時点からネッキングが発生し始め、均一なエキスパンドが困難となる問題があった。
【0061】
そのため、本発明の基材フィルム１においては、基材フィルムの均一伸長性を向上させるとの観点から、ＭＤ、及びＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、基材フィルムの伸び率）が、０．９５以上２以下であることが好ましい。基材フィルムの伸び率が２よりも大きい場合は、過剰な応力増大に伴い、エキスパンドリングの保持が困難になる場合があり、基材フィルムの伸び率が０．９５未満の場合は、ネッキングが発生して、均一なエキスパンドが困難になる場合がある。
【0062】
すなわち、基材フィルムの伸び率が、０．９５以上２以下であれば、ネッキングが発生せず、均一なエキスパンドが可能になる。
【0063】
なお、基材フィルムの伸び率が１．０５以上１．８以下であることがより好ましく、ネッキングが発生せず、均一なエキスパンドを確実に可能にするとの観点から、基材フィルムの伸び率が１．１以上１．７以下であることがさらに好ましい。
【0064】
また、本発明の基材フィルム１においては、基材フィルムの均一伸長性をより一層向上させるとの観点から、ＭＤ、及びＴＤにおいて、応力（４０％伸長時）に対する応力（５％伸長時）の比が、１．０５未満であることが好ましい。応力（４０％伸長時）に対する応力（５％伸長時）の比が１．０５未満であれば、後述の降伏点（引張速度が３００ｍｍ／分の条件下で、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間の降伏点）の発生を抑制することができるため、ネッキングの発生を抑制して、均一なエキスパンドが可能になる。
【0065】
なお、応力（４０％伸長時）に対する応力（５％伸長時）の比が、０．４０以上１．０５未満であることがより好ましく、ネッキングの発生を防止して、均一なエキスパンドを確実に可能にするとの観点から、応力（４０％伸長時）に対する応力（５％伸長時）の比が、０．５０以上０．９０未満であることがさらに好ましい。
【0066】
また、本発明の基材フィルム１においては、応力緩和率が２５％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、３５％以上であることがさらに好ましい。応力緩和率が２５％未満の場合は、応力の吸収性能に乏しいため、半導体製造テープの寸法保持が困難になる場合がある。
【0067】
すなわち、応力緩和率が２５％以上の場合、半導体製造テープの寸法保持が可能となり、応力緩和性に優れた半導体製造テープ用基材フィルムを提供することができる。
【0068】
なお、ここでいう「応力緩和率」は、後述の実施例において記載した方法で求めることができる。
【0069】
また、エキスパンド時における基材フィルムの等方性により、弛みの発生を抑制するとの観点から、ＴＤにおける応力（２０％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２０％伸長時）の比（すなわち、２０％伸長時における基材フィルムの応力比）が、０．８以上１．３以下であることが好ましく、０．８５以上１．１５以下がより好ましく、０．９以上１．１以下であることがさらに好ましい。
【0070】
また、本発明の基材フィルム１においては、表面抵抗率が１．００×１０１３Ω／□以下であることが好ましく、１．００×１０１1Ω／□以下であることがより好ましく、１．００×１０１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。表面抵抗率が１．００×１０１３Ω／□よりも大きいの場合は、ウエハのダイシングを行う際に、基材フィルムが帯びる静電気により、ＩＣチップにおけるウエハ回路に損傷を与える場合がある。
【0071】
すなわち、表面抵抗率が１．００×１０１３Ω／□以下の場合、静電気に起因して、ＩＣチップにおけるウエハ回路が損傷するという不都合を防止することができる。
【0072】
なお、ここでいう「表面抵抗率」は、ＪＩＳ Ｋ６９１１：２００６の規定に準拠して測定することで得られ、後述の実施例において記載した方法で求めることができる。
【0073】
本発明の基材フィルム１の厚みは、５０～３００μｍが好ましく、８０～１５０μｍがより好ましい。基材フィルムの厚みが５０μｍ以上であれば、ハンドリング性が向上し、厚みが３００μｍ以下であれば、柔軟性（エキスパンド性）を向上させることができる。なお、ウエハ用の基材フィルムの場合は、基材フィルムの厚みが５０～１５０μｍが好ましく、７０～１１０μｍがより好ましい。
【0074】
また、例えば、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムの場合、表面層の厚みは特に限定されないが、２～６０μｍが好ましく、４～４０μｍがより好ましい。また、機能層の厚みは特に限定されないが、４０～１２０μｍが好ましく、５０～８０μｍがより好ましい。
【0075】
また、例えば、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムの場合、加工性と低コストの観点から、基材フィルム全体に対する機能層の比率は４０～９５％が好ましく、５０～９０％がより好ましい。
【0076】
＜製造方法＞
例えば、図１に示す、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルム１を製造する場合、まず、表面層形成用の樹脂材料と、機能層形成用の樹脂材料とを用意する。
例えば、図１に示す、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルム１を製造する場合、まず、表面層形成用の樹脂材料と、機能層形成用の樹脂材料とを用意する。
【0077】
次に、Ｔダイを備える三種三層用の共押出機を用い、表面層形成用の樹脂材料および機能層形成用の樹脂材料を所定の温度で同時に押し出して成形することにより、機能層２と、当該機能層２の両面に積層された表面層３との積層体により構成された本発明の多層構造を有する基材フィルム１が製造される。なお、公知のカレンダー法やインフレーション法により、本発明の基材フィルムを製造してもよい。
【0078】
＜他の形態＞
本発明の基材フィルム１には、各種添加剤が含有されていてもよい。添加剤としては、半導体製造テープに通常用いられる公知の添加剤を用いることができ、例えば、架橋助剤、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、アンチブロッキング剤、着色剤、結晶核剤、加工助剤等が挙げられる。なお、これらの添加剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
本発明の基材フィルム１には、各種添加剤が含有されていてもよい。添加剤としては、半導体製造テープに通常用いられる公知の添加剤を用いることができ、例えば、架橋助剤、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、アンチブロッキング剤、着色剤、結晶核剤、加工助剤等が挙げられる。なお、これらの添加剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【0079】
また、架橋助剤としては、例えば、トリアリルイソシアヌレート等が挙げられ、基材フィルムが架橋助剤を含有する場合、基材フィルム中の架橋助剤の含有量は、基材フィルムを形成する樹脂１００質量部に対して、０．０５～５質量部が好ましく、１～３質量部がより好ましい。
【0080】
また、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムを例に挙げて説明したが、本発明の多層構造を有する基材フィルムは、上述の機能層が設けられていればよく、３層構造に限定されず、例えば、表面層／機能層／機能層／機能層／表面層の順に積層された５層構造を有する基材フィルムであってもよい。
【実施例0081】
以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、これらの実施例を本発明の趣旨に基づいて変形、変更することが可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。
【0082】
基材フィルムの作製に使用した材料を以下に示す。
（１）ＬＬＤＰＥ：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：１２１℃、密度：０．９２２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１．６ｇ／１０分
（２）１－Ｂｕ：１－ブテンのホモポリマー、融点：１２８℃、密度：０．９２０ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：０．５ｇ／１０分
（３）帯電防止剤１：プロピレン重合体のセグメントとポリエチレングリコールのセグメントを有するブロック共重合体、融点：１３５℃、密度：１．１ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１５．０ｇ／１０分
（４）帯電防止剤２：プロピレン重合体のセグメントとポリエチレングリコールのセグメントを有するブロック共重合体、融点：１６３℃、密度：１．１ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１２．０ｇ／１０分
（５）帯電防止剤３：プロピレン重合体のセグメントとポリエチレングリコールのセグメントを有するブロック共重合体、融点：１５０℃、密度：１．１ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：８．０ｇ／１０分、（三洋化成社製、商品名：ペレクトロンＰＶＨ）
（６）ＰＰエラストマー：プロピレン系エラストマー、密度：０．８６２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：３．０ｇ／１０分（２３０℃）、ポリエチレン含有率：１６％（エクソンモービル社製、商品名：ビスタマックス（登録商標） ６１０２ＦＬ）
（７）ペンテンのコポリマー：４－メチル－１－ペンテンとポリプロピレンの共重合体、融点：１３０℃、密度：０．８３８ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１０．０ｇ／１０分、４－メチル－１－ペンテン含有率８５ｍｏｌ％、ポリプロピレン含有率１５ｍｏｌ％
（８）ＥＶＡ：エチレン・酢酸ビニル共重合体、融点：１００℃、密度：０．９２５ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：２．５ｇ／１０分（東ソー社製、商品名：ウルトラセン５１５）
（１）ＬＬＤＰＥ：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：１２１℃、密度：０．９２２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１．６ｇ／１０分
（２）１－Ｂｕ：１－ブテンのホモポリマー、融点：１２８℃、密度：０．９２０ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：０．５ｇ／１０分
（３）帯電防止剤１：プロピレン重合体のセグメントとポリエチレングリコールのセグメントを有するブロック共重合体、融点：１３５℃、密度：１．１ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１５．０ｇ／１０分
（４）帯電防止剤２：プロピレン重合体のセグメントとポリエチレングリコールのセグメントを有するブロック共重合体、融点：１６３℃、密度：１．１ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１２．０ｇ／１０分
（５）帯電防止剤３：プロピレン重合体のセグメントとポリエチレングリコールのセグメントを有するブロック共重合体、融点：１５０℃、密度：１．１ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：８．０ｇ／１０分、（三洋化成社製、商品名：ペレクトロンＰＶＨ）
（６）ＰＰエラストマー：プロピレン系エラストマー、密度：０．８６２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：３．０ｇ／１０分（２３０℃）、ポリエチレン含有率：１６％（エクソンモービル社製、商品名：ビスタマックス（登録商標） ６１０２ＦＬ）
（７）ペンテンのコポリマー：４－メチル－１－ペンテンとポリプロピレンの共重合体、融点：１３０℃、密度：０．８３８ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１０．０ｇ／１０分、４－メチル－１－ペンテン含有率８５ｍｏｌ％、ポリプロピレン含有率１５ｍｏｌ％
（８）ＥＶＡ：エチレン・酢酸ビニル共重合体、融点：１００℃、密度：０．９２５ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：２．５ｇ／１０分（東ソー社製、商品名：ウルトラセン５１５）
【0083】
（実施例１）
＜基材フィルムの作製＞
まず、表１に示す各材料をブレンドして、表１に示す組成（質量部）を有する表面層形成用の樹脂材料と機能層形成用の樹脂材料を用意した。
＜基材フィルムの作製＞
まず、表１に示す各材料をブレンドして、表１に示す組成（質量部）を有する表面層形成用の樹脂材料と機能層形成用の樹脂材料を用意した。
【0084】
次に、Ｔダイを備える三種三層用の共押出機を用い、表面層形成用の樹脂材料および機能層形成用の樹脂材料を、ダイス温度が１８０～２３０℃、チルロール温度が３０℃の条件で同時に押出して成形することにより、表１に示す厚みを有するとともに、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムを得た。
【0085】
＜降伏点の有無の評価＞
作製した基材フィルムを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が４０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、３００ｍｍ／分の引張速度で引張試験を行った。
作製した基材フィルムを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が４０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、３００ｍｍ／分の引張速度で引張試験を行った。
【0086】
そして、ＭＤ及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）において、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点が確認されなかったもの（ネッキングが発生せず、均一なエキスパンドが確実に可能なもの）を◎、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に殆ど降伏点が確認されなかったもの（ネッキングの発生を抑制して、ほぼ均一なエキスパンドが可能なもの）を〇、及び降伏点が確認されたもの（ネッキングが発生し、均一なエキスパンドが不可能なもの）を×とした。以上の結果を表１に示す。
【0087】
＜ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定＞
作製した基材フィルムを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が４０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、引張速度３００ｍｍ／分にて引張試験を行った。
作製した基材フィルムを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が４０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、引張速度３００ｍｍ／分にて引張試験を行った。
【0088】
そして、基材フィルムのＭＤ、及びＴＤにおける、２０％伸長時の応力（２０％応力）を測定するとともに、ＴＤにおける応力（２０％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２０％伸長時）の比（すなわち、２０％伸長時における基材フィルムの応力比）を算出した。以上の結果を表１に示す。
【0089】
また、同様に、基材フィルムのＭＤ、及びＴＤにおける、４０％伸長時の応力（４０％応力）を測定するとともに、ＭＤにおける、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、ＭＤにおける基材フィルムの伸び率）と、ＴＤにおける、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、ＴＤにおける基材フィルムの伸び率）を算出した。以上の結果を表１に示す。
【0090】
また、同様に、基材フィルムのＭＤ、及びＴＤにおける、５％伸長時の応力（５％応力）を測定するとともに、ＭＤにおける、応力（４０％伸長時）に対する応力（５％伸長時）の比と、ＴＤにおける、応力（４０％伸長時）に対する応力（５％伸長時）の比を算出した。以上の結果を表１に示す。
【0091】
＜応力緩和率の算出＞
作製した基材フィルムを用いて、１号ダンベル形状（幅１０ｍｍ、長さ１２０ｍｍ）を有する測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が８０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、引張速度３００ｍｍ／分にて、サンプルをＭＤ（またはＴＤ）に２５％伸長させた。
作製した基材フィルムを用いて、１号ダンベル形状（幅１０ｍｍ、長さ１２０ｍｍ）を有する測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が８０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、引張速度３００ｍｍ／分にて、サンプルをＭＤ（またはＴＤ）に２５％伸長させた。
【0092】
そして、２５％伸長させた際の応力（初期応力Ｓ０）を計測するとともに、そのまま試験片の伸長を６０秒間保持し、６０秒後の応力（緩和後応力Ｓ１）を計測した。そして、下記式（１）を用いて、上述の初期応力Ｓ０と緩和後応力Ｓ１の差から、基材フィルムのＭＤ、及びＴＤにおける応力緩和率［％］を算出した。以上の結果を表１に示す。
【0093】
［数１］
応力緩和率［％］＝［（初期応力Ｓ０－緩和後応力Ｓ１）／初期応力Ｓ０］×１００ （１）
応力緩和率［％］＝［（初期応力Ｓ０－緩和後応力Ｓ１）／初期応力Ｓ０］×１００ （１）
【0094】
＜表面抵抗率の測定＞
ＪＩＳ Ｋ６９１１：２００６の規定に準拠して、作製した基材フィルムの表面抵抗率を測定した。より具体的には、まず、作製した基材フィルムを用いて、Ａ４サイズ（幅２１０ｍｍ、長さ２９７ｍｍ）の測定用のサンプルを得た。次に、高抵抗率計（日東精工アナリテック社製、商品名：ハイレスタＵＸ）を用いて、得られた測定用サンプルの表面抵抗率を測定した。なお、サンプルにプローブを押し当てた状態で、１０００Ｖの印加電圧を加え、１０秒間保った際の表面抵抗率を測定した。以上の結果を表１に示す。
ＪＩＳ Ｋ６９１１：２００６の規定に準拠して、作製した基材フィルムの表面抵抗率を測定した。より具体的には、まず、作製した基材フィルムを用いて、Ａ４サイズ（幅２１０ｍｍ、長さ２９７ｍｍ）の測定用のサンプルを得た。次に、高抵抗率計（日東精工アナリテック社製、商品名：ハイレスタＵＸ）を用いて、得られた測定用サンプルの表面抵抗率を測定した。なお、サンプルにプローブを押し当てた状態で、１０００Ｖの印加電圧を加え、１０秒間保った際の表面抵抗率を測定した。以上の結果を表１に示す。
【0095】
（実施例２～９、比較例２～４）
樹脂成分の組成を、表１、表２に示す組成（質量部）に変更したこと以外は、上述の実施例１と同様にして、表１、表２に示す厚みを有するとともに、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムを作製した。
樹脂成分の組成を、表１、表２に示す組成（質量部）に変更したこと以外は、上述の実施例１と同様にして、表１、表２に示す厚みを有するとともに、表面層／機能層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムを作製した。
【0096】
そして、上述の実施例１と同様にして、降伏点の有無の評価、ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定、応力緩和率の算出、及び表面抵抗率の測定を行った。以上の結果を表１、表２に示す。
【0097】
（比較例１）
まず、表２に示す各材料をブレンドして、表２に示す組成（質量部）を有する表面層形成用の樹脂材料を用意した。
まず、表２に示す各材料をブレンドして、表２に示す組成（質量部）を有する表面層形成用の樹脂材料を用意した。
【0098】
次に、Ｔダイを備える三種三層用の共押出機を用い、表面層形成用の樹脂材料を、ダイス温度が１８０～２３０℃、チルロール温度が３０℃の条件で押出して成形することにより、表２に示す厚みを有するとともに、表面層のみからなる単層構造を有する基材フィルムを得た。
【0099】
そして、上述の実施例１と同様にして、降伏点の有無の評価、ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定、応力緩和率の算出、及び表面抵抗率の測定を行った。以上の結果を表１、表２に示す。
【0100】
【表1】
【0101】
【表2】
【0102】
表１に示すように、機能層が、１－ブテンのホモポリマーと、ペンテンのコポリマーと、オレフィン系エラストマーとを含み、機能層の全体に対するオレフィン系エラストマーの含有量が０質量％超５０質量％未満（２０質量％以上３０質量％以下）である実施例１～９の基材フィルムにおいては、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２０％伸長時）が６．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であるため、剛性に優れていることが分かる。また、応力緩和率が２５％以上であるため、応力緩和性に優れていることが分かる。
【0103】
また、表１に示すように、表面層が、帯電防止層を含み、表面層の全体に対する帯電防止剤の含有量が０質量％超４０質量％未満（５質量％以上２５質量％以下）である実施例１～９の基材フィルムにおいては、表面抵抗率が１．００×１０１３Ω／□以下であるため、帯電防止性に優れていることが分かる。
【0104】
一方、表２に示すように、比較例１の基材フィルムにおいては、機能層に、１－ブテンのホモポリマーと、ペンテンのコポリマーと、オレフィン系エラストマーが含まれていないため、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２０％伸長時）が６．５ＭＰａ未満となり、剛性に乏しいことが分かる。また、応力緩和率が２５％未満であるため、応力緩和性に乏しいことが分かる。
【0105】
また、表２に示すように、比較例２の基材フィルムにおいては、表面層の全体に対する帯電防止剤の含有量が４０質量％であり、軟質の帯電防止剤の含有量が過大となるため、ＴＤにおける応力（２０％伸長時）が６．５ＭＰａ未満となり、剛性に乏しいことが分かる。
【0106】
また、表２に示すように、比較例３の基材フィルムにおいては、機能層の全体に対するオレフィン系エラストマーの含有量が５０質量％であるため、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２０％伸長時）が６．５ＭＰａ未満となり、剛性に乏しいことが分かる。
【0107】
また、表２に示すように、比較例４の基材フィルムにおいては、表面層に帯電防止剤が含まれていないため、表面抵抗率が１．００×１０１３Ω／□よりも大きくなり、帯電防止性に乏しいことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【0108】
以上説明したように、本発明は、半導体製造テープ用基材フィルムに適している。
【符号の説明】
【0109】
１ 基材フィルム
２ 機能層
３ 表面層
２ 機能層
３ 表面層
【図1】
