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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024158104
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 59/80 20230101AFI20241031BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241031BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20241031BHJP
H10K 50/84 20230101ALI20241031BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20241031BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20241031BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20241031BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241031BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241031BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
H10K59/80
H10K59/122
H10K59/124
H10K50/84
H10K50/824
H10K71/16
H10K71/20
H10K50/844
G09F9/30 348A
G09F9/30 349Z
G09F9/00 338
G09F9/30 365
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023072988
(22)【出願日】2023-04-27
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】岩橋 直哉
(72)【発明者】
【氏名】柳澤 昌
(72)【発明者】
【氏名】高橋 英幸
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107DD37
3K107DD89
3K107DD90
3K107DD92
3K107DD95
3K107DD96
3K107EE46
3K107FF15
3K107GG12
3K107GG37
5C094AA31
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA15
5C094FA01
5C094FA02
5C094FA04
5C094FB01
5C094FB02
5C094FB15
5C094HA05
5C094HA08
5G435AA14
5G435BB05
5G435CC09
5G435HH14
5G435KK05
5G435KK10
5G435LL04
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL17
(57)【要約】
【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、前記有機絶縁層は、前記周辺領域において、前記基板の外縁に沿った欠落部を有し、前記第１隔壁は、前記欠落部に配置されている。
【選択図】図７
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、前記有機絶縁層は、前記周辺領域において、前記基板の外縁に沿った欠落部を有し、前記第１隔壁は、前記欠落部に配置されている。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、
前記有機絶縁層は、前記周辺領域において、前記基板の外縁に沿った欠落部を有し、
前記第１隔壁は、前記欠落部に配置されている、表示装置。
前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、
前記有機絶縁層は、前記周辺領域において、前記基板の外縁に沿った欠落部を有し、
前記第１隔壁は、前記欠落部に配置されている、表示装置。
【請求項2】
平面視において、前記第１隔壁は、前記外縁に沿って直線状に形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
さらに、前記基板の角に沿ってＬ字状に形成された金属層を備え、
平面視において、前記金属層は、前記第１隔壁に重なっている、請求項１に記載の表示装置。
平面視において、前記金属層は、前記第１隔壁に重なっている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
基板と、
前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、
前記第１隔壁は、前記有機絶縁層の上方に配置されている、表示装置。
前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、
前記第１隔壁は、前記有機絶縁層の上方に配置されている、表示装置。
【請求項5】
平面視において、前記第１隔壁は、格子状に形成されている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記有機絶縁層は、前記周辺領域において、前記基板の外縁に沿った欠落部を有し、
前記第１隔壁は、さらに、前記溝に配置されている、請求項４に記載の表示装置。
前記第１隔壁は、さらに、前記溝に配置されている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項7】
さらに、前記有機絶縁層を覆う第１無機絶縁層を備え、
前記第１隔壁は、前記第１無機絶縁層の上に配置されている、請求項１または４に記載の表示装置。
前記第１隔壁は、前記第１無機絶縁層の上に配置されている、請求項１または４に記載の表示装置。
【請求項8】
さらに、前記有機絶縁層を覆う第１無機絶縁層と、
前記有機絶縁層の下地となる第２無機絶縁層と、を備え、
前記第１無機絶縁層は、前記欠落部において、前記第２無機絶縁層を覆っている、請求項１または６に記載の表示装置。
前記有機絶縁層の下地となる第２無機絶縁層と、を備え、
前記第１無機絶縁層は、前記欠落部において、前記第２無機絶縁層を覆っている、請求項１または６に記載の表示装置。
【請求項9】
前記第１無機絶縁層は、前記表示領域に配置され、前記下電極に重なる開口を有している、請求項７に記載の表示装置。
【請求項10】
さらに、前記第１無機絶縁層の上に配置され導電材料で形成された第２下部と、前記第２下部の上に配置され前記第２下部の側面から突出した第２上部と、を有する第２隔壁を備え、
前記下電極、前記有機層、及び、前記上電極は、前記第２隔壁で囲まれ、
前記上電極は、前記第２隔壁の前記第２下部に接触している、請求項９に記載の表示装置。
前記下電極、前記有機層、及び、前記上電極は、前記第２隔壁で囲まれ、
前記上電極は、前記第２隔壁の前記第２下部に接触している、請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
前記有機絶縁層は、第１層と、前記第１層の上に位置する第２層と、を有し、しかも、前記欠落部に向かって厚さが低減する階段状の断面を有している、請求項１または６に記載の表示装置。
【請求項12】
前記有機絶縁層は、単層体であり、前記欠落部に向かって厚さが低減する階段状の断面を有している、請求項１または６に記載の表示装置。
【請求項13】
基板の上方に、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って有機絶縁層を形成し、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に下電極を形成し、
前記周辺領域に位置する第１下部と、前記第１下部の上に位置し前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁を形成し、
前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記有機絶縁層を形成する工程は、前記周辺領域に、前記表示領域を囲むループ状の溝を形成する工程を含む、表示装置の製造方法。
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に下電極を形成し、
前記周辺領域に位置する第１下部と、前記第１下部の上に位置し前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁を形成し、
前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記有機絶縁層を形成する工程は、前記周辺領域に、前記表示領域を囲むループ状の溝を形成する工程を含む、表示装置の製造方法。
【請求項14】
前記第１隔壁は、前記溝に形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記第１隔壁は、前記有機絶縁層の上方に形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記下電極を形成した後であって前記第１隔壁を形成する前に、
前記有機絶縁層を覆うとともに、前記下電極に重なる開口を有する第１無機絶縁層を形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
前記有機絶縁層を覆うとともに、前記下電極に重なる開口を有する第１無機絶縁層を形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項17】
前記第１無機絶縁層を形成した後であって前記有機層を形成する前に、
前記第１無機絶縁層の上に前記第１隔壁を形成するとともに、前記第１無機絶縁層の上に位置し導電性を有する第２下部と、前記第２下部の上に位置し前記第２下部の側面から突出した第２上部と、を有する第２隔壁を形成し、
前記有機層及び前記上電極は、前記第２隔壁をマスクとした蒸着によって形成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
前記第１無機絶縁層の上に前記第１隔壁を形成するとともに、前記第１無機絶縁層の上に位置し導電性を有する第２下部と、前記第２下部の上に位置し前記第２下部の側面から突出した第２上部と、を有する第２隔壁を形成し、
前記有機層及び前記上電極は、前記第２隔壁をマスクとした蒸着によって形成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記上電極を形成した後に、
前記第２隔壁をマスクとした蒸着を行い、前記上電極の上にキャップ層を形成し、
前記第２隔壁及び前記キャップ層を覆う封止層を形成する、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
前記第２隔壁をマスクとした蒸着を行い、前記上電極の上にキャップ層を形成し、
前記第２隔壁及び前記キャップ層を覆う封止層を形成する、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項19】
さらに、前記封止層の上に、パターニングしたレジストを形成し、
前記レジストをマスクとしたエッチングを行い、前記封止層の一部、前記キャップ層の一部、前記上電極の一部、及び、前記有機層の一部を順次除去する、請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
前記レジストをマスクとしたエッチングを行い、前記封止層の一部、前記キャップ層の一部、前記上電極の一部、及び、前記有機層の一部を順次除去する、請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記有機絶縁層を形成する前に、第２無機絶縁層を形成し、
前記第１無機絶縁層は、前記溝において、前記第２無機絶縁層を覆っている、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
前記第１無機絶縁層は、前記溝において、前記第２無機絶縁層を覆っている、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、前記有機絶縁層は、前記周辺領域において、前記基板の外縁に沿った欠落部を有し、前記第１隔壁は、前記欠落部に配置されている。
基板と、前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、前記有機絶縁層は、前記周辺領域において、前記基板の外縁に沿った欠落部を有し、前記第１隔壁は、前記欠落部に配置されている。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、前記第１隔壁は、前記有機絶縁層の上方に配置されている。
基板と、前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記周辺領域に配置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、前記第１隔壁は、前記有機絶縁層の上方に配置されている。
【0007】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って有機絶縁層を形成し、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に下電極を形成し、前記周辺領域に位置する第１下部と、前記第１下部の上に位置し前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁を形成し、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記有機絶縁層を形成する工程は、前記周辺領域に、前記表示領域を囲むループ状の溝を形成する工程を含む。
基板の上方に、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って有機絶縁層を形成し、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に下電極を形成し、前記周辺領域に位置する第１下部と、前記第１下部の上に位置し前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁を形成し、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記有機絶縁層を形成する工程は、前記周辺領域に、前記表示領域を囲むループ状の溝を形成する工程を含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0011】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0012】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
【0013】
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0014】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0015】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0016】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0017】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0018】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0019】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0020】
周辺領域ＳＡは、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための複数の端子ＴＥを有している。複数の端子ＴＥは、一方向に並んでいる。図示した例では、複数の端子ＴＥは、第１方向Ｘに沿って並んでいる。また、図示した例では、周辺領域ＳＡは、検査等に用いられるパッドＰＤを有している。なお、パッドＰＤは、省略されてもよい。
【0021】
図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
【0022】
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0023】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0024】
なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0025】
表示領域ＤＡには、無機絶縁層５及び隔壁６が配置されている。無機絶縁層５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有している。これらの開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５は、リブと称する場合がある。
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲む格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲む格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0026】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１、２０２、２０３を備えている。
【0027】
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、及び、上電極ＵＥ１を備える表示素子２０１は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
【0028】
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、及び、上電極ＵＥ２を備える表示素子２０２は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
【0029】
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ３を備える表示素子２０３は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0030】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0031】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0032】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0033】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0034】
【0035】
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
【0036】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。無機絶縁層５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の上に配置されている。無機絶縁層５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２が無機絶縁層５により覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。なお、絶縁層１２のコンタクトホールは、図３では省略するが、図２のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３に相当する。
【0037】
隔壁６は、無機絶縁層５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。上部６２の両端部は、下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0038】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0039】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0040】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0041】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0042】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0043】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0044】
図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
【0045】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１、ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１、ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２、ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２、ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0046】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。
【0047】
無機絶縁層５、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。
【0048】
隔壁６の下部６１は、導電材料で形成され、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２は、例えば導電材料によって形成されているが、絶縁材料で形成されもよい。下部６１は、上部６２とは異なる材料で形成されている。
【0049】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成された金属電極とを含む多層体である。
【0050】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
【0051】
上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、例えば、マグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0052】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0053】
図３に示した回路層１１、絶縁層１２、及び、無機絶縁層５は、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡに亘って配置されている。
【0054】
次に、複数の表示装置ＤＳＰを一括して製造するための表示装置用マザー基板１００について説明する。
【0055】
図４は、表示装置用マザー基板１００の一例を示す平面図である。
表示装置用マザー基板１００は、大型の基板１０の上に、複数のパネル部ＰＰと、これらのパネル部ＰＰよりも外側の余白部ＭＰと、を備えている。大型の基板１０は、例えば矩形状に形成されている。複数のパネル部ＰＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列されている。パネル部ＰＰの各々は、表示装置用マザー基板１００をカットラインに沿って割断することで取り出される。取り出されたパネル部ＰＰの各々は、図１に示した表示パネルＰＮＬに相当する。
表示装置用マザー基板１００は、大型の基板１０の上に、複数のパネル部ＰＰと、これらのパネル部ＰＰよりも外側の余白部ＭＰと、を備えている。大型の基板１０は、例えば矩形状に形成されている。複数のパネル部ＰＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列されている。パネル部ＰＰの各々は、表示装置用マザー基板１００をカットラインに沿って割断することで取り出される。取り出されたパネル部ＰＰの各々は、図１に示した表示パネルＰＮＬに相当する。
【0056】
【0057】
領域１００Ａは、１つのパネル部ＰＰを含んでいる。図５に一点鎖線で示すカットラインＣＬは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って延出している。これらのカットラインＣＬは、図１に示した表示パネルＰＮＬの外形となりうる。パネル部ＰＰの各々は、表示領域ＤＡと、周辺領域ＳＡと、を備えている。
【0058】
有機絶縁層ＩＬは、少なくとも、図３に示した絶縁層１２を含んでいる。有機絶縁層ＩＬは、パネル部ＰＰの各々に配置されるとともに、余白部ＭＰにも配置されている。有機絶縁層ＩＬは、格子状に形成された溝Ｇを有している。図示した例では、溝Ｇは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ延出している。
１つのパネル部ＰＰに着目すると、溝Ｇは、表示領域ＤＡを囲むループ状に形成されている。表示領域ＤＡは、島状の有機絶縁層ＩＬに重なっている。また、周辺領域ＳＡの一部も、有機絶縁層ＩＬに重なっている。
カットラインＣＬは、溝Ｇに重なっている。パネル部ＰＰの各々は、ループ状の溝Ｇで囲まれている。
１つのパネル部ＰＰに着目すると、溝Ｇは、表示領域ＤＡを囲むループ状に形成されている。表示領域ＤＡは、島状の有機絶縁層ＩＬに重なっている。また、周辺領域ＳＡの一部も、有機絶縁層ＩＬに重なっている。
カットラインＣＬは、溝Ｇに重なっている。パネル部ＰＰの各々は、ループ状の溝Ｇで囲まれている。
【0059】
【0060】
隔壁７は、溝Ｇに配置されている。溝Ｇにおいて、隔壁７は、カットラインＣＬに沿って直線状に形成されている。また、カットラインＣＬの交差部においては、隔壁７は、Ｌ字状に形成されている。
金属層ＭＴは、溝Ｇに配置されている。交差部において、４つの金属層ＭＴは、互いに離間し、カットラインＣＬに沿ってＬ字状に形成されている。４つの金属層ＭＴの間には、十字状のスペースが形成されている。これらの４つの金属層ＭＴは、例えば、表示装置用マザー基板１００を位置合わせするためのアライメントマークとして機能する。平面視において、交差部に位置する隔壁７は、金属層ＭＴに重なっている。但し、金属層ＭＴに重なる隔壁７は、アライメントマークの誤認識を防止する観点で、金属層ＭＴが存在しない領域に跨って配置されることはない。
これらの金属層ＭＴ及び隔壁７は、カット不良を防止する観点で、カットラインＣＬに重ならないように配置されている。第１方向Ｘに延出したカットラインＣＬは、第２方向Ｙに隣接する２つの金属層ＭＴの間に位置している。また、第２方向Ｙに延出したカットラインＣＬは、第１方向Ｘに隣接する２つの金属層ＭＴの間に位置している。
金属層ＭＴは、溝Ｇに配置されている。交差部において、４つの金属層ＭＴは、互いに離間し、カットラインＣＬに沿ってＬ字状に形成されている。４つの金属層ＭＴの間には、十字状のスペースが形成されている。これらの４つの金属層ＭＴは、例えば、表示装置用マザー基板１００を位置合わせするためのアライメントマークとして機能する。平面視において、交差部に位置する隔壁７は、金属層ＭＴに重なっている。但し、金属層ＭＴに重なる隔壁７は、アライメントマークの誤認識を防止する観点で、金属層ＭＴが存在しない領域に跨って配置されることはない。
これらの金属層ＭＴ及び隔壁７は、カット不良を防止する観点で、カットラインＣＬに重ならないように配置されている。第１方向Ｘに延出したカットラインＣＬは、第２方向Ｙに隣接する２つの金属層ＭＴの間に位置している。また、第２方向Ｙに延出したカットラインＣＬは、第１方向Ｘに隣接する２つの金属層ＭＴの間に位置している。
【0061】
隔壁７は、さらに、パネル部ＰＰの周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにおいて、有機絶縁層ＩＬの上方に配置されている。有機絶縁層ＩＬに重なる隔壁７は、格子状に形成されている。一例では、隔壁７は、図２に示した格子状の隔壁６と同様のパターンで形成されている。有機絶縁層ＩＬの上方に配置された隔壁７は、溝Ｇに配置された隔壁７から離間している。
【0062】
隔壁７を形成する際のウエットエッチングにおいて、溝Ｇに配置される隔壁７が過度に除去されることに起因した隔壁７の消失を防止する観点で、溝Ｇに配置される隔壁７の幅Ｗ１は、有機絶縁層ＩＬの上方に配置される隔壁７の幅Ｗ２より大きいことが望ましい。
【0063】
パネル部ＰＰの周辺領域ＳＡは、溝Ｇのうち、カットラインＣＬと有機絶縁層ＩＬとの間の部分を含んでいる。
【0064】
【0065】
図６に示したカットラインＣＬは、基板１０の外縁１０Ｅに相当する。
有機絶縁層ＩＬは、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡに亘って配置されている。有機絶縁層ＩＬは、周辺領域ＳＡにおいて、外縁１０Ｅに沿った欠落部ＬＰを有している。図示した例では、欠落部ＬＰは、ループ状に形成され、外縁１０Ｅの全周に沿って形成されている。欠落部ＬＰは、図６に示した溝Ｇの一部に相当する。欠落部ＬＰにおいては、有機絶縁層ＩＬは、下地が露出するように貫通している。
換言すると、有機絶縁層ＩＬの外縁ＩＬＥは、平面視において、基板１０の外縁１０Ｅに重ならず、外縁１０Ｅと表示領域ＤＡとの間に位置している。
有機絶縁層ＩＬは、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡに亘って配置されている。有機絶縁層ＩＬは、周辺領域ＳＡにおいて、外縁１０Ｅに沿った欠落部ＬＰを有している。図示した例では、欠落部ＬＰは、ループ状に形成され、外縁１０Ｅの全周に沿って形成されている。欠落部ＬＰは、図６に示した溝Ｇの一部に相当する。欠落部ＬＰにおいては、有機絶縁層ＩＬは、下地が露出するように貫通している。
換言すると、有機絶縁層ＩＬの外縁ＩＬＥは、平面視において、基板１０の外縁１０Ｅに重ならず、外縁１０Ｅと表示領域ＤＡとの間に位置している。
【0066】
基板１０の１つの角を拡大すると、図６に示したアライメントマークを構成する一部の金属層ＭＴ、及び、隔壁７は、欠落部ＬＰに配置され、平面視において、互いに重なっている。換言すると、金属層ＭＴ及び隔壁７は、平面視において、外縁ＩＬＥと外縁１０Ｅとの間に位置している。金属層ＭＴは、基板１０の角に沿ってＬ字状に形成されている。金属層ＭＴに重なる一部の隔壁７は、外縁１０Ｅに沿って直線状に形成されている。また、金属層ＭＴに重なる他の隔壁７は、基板１０の角に沿ってＬ字状に形成されている。
周辺領域ＳＡにおいて、有機絶縁層ＩＬに重なる隔壁７は、平面視において、格子状に形成されている。
周辺領域ＳＡにおいて、有機絶縁層ＩＬに重なる隔壁７は、平面視において、格子状に形成されている。
【0067】
次に、図６のＣ－Ｄ線に沿った表示装置用マザー基板１００の断面構造について、いくつかの構成例を説明する。
【0068】
《第１グループ》
【0069】
図８Ａは、第１グループの一構成例を示す断面図である。
【0070】
絶縁層１１１は、無機絶縁層であり、基板１０の上に配置されている。金属層ＭＴは、絶縁層１１１の上に配置されている。絶縁層１１２は、無機絶縁層であり、絶縁層１１１の上に配置されるとともに、金属層ＭＴを覆っている。絶縁層１１３は、有機絶縁層であり、絶縁層１１２の上に配置されている。これらの絶縁層１１１、絶縁層１１２、絶縁層１１３、及び、金属層ＭＴは、図３に示した回路層１１に含まれる。なお、回路層１１は、図示した層の他に、絶縁層及び導電層を含んでいる。
【0071】
絶縁層１２は、有機絶縁層であり、絶縁層１１３を覆い、絶縁層１１２に接する領域に溝Ｇを有している。図８Ａに示す構成例では、上記の有機絶縁層ＩＬは、絶縁層１１３及び絶縁層１２を有している。このような構成例においては、絶縁層１１３は第１層に相当し、絶縁層１２は第１層の上に位置する第２層に相当する。このような有機絶縁層ＩＬの断面形状に着目すると、有機絶縁層ＩＬは、溝Ｇに向かって厚さが低減する階段状の断面を有している。
【0072】
有機絶縁層ＩＬの厚さＴ１は、絶縁層１１３の厚さと絶縁層１２の厚さとの総和であり、絶縁層１１２の上面から絶縁層１２のほぼ平坦な上面１２１Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。
【0073】
有機絶縁層ＩＬの厚さＴ２は、絶縁層１２の厚さであり、絶縁層１１２の上面から絶縁層１２のほぼ平坦な上面１２２Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。厚さＴ２は、厚さＴ１より小さい。上面１２２Ａは、上面１２１Ａと溝Ｇとの間に位置し、また、上面１２１Ａよりも下方に位置している。
【0074】
無機絶縁層５は、絶縁層１２を覆い、溝Ｇにおいて絶縁層１１２を覆っている。
【0075】
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方に配置されるとともに、溝Ｇに配置されている。図示した例では、隔壁７は、上面１２１Ａの上方に配置される一方で、上面１２２Ａの上方には配置されていない。但し、隔壁７が上面１２２Ａの上方に配置されてもよい。
【0076】
隔壁７は、無機絶縁層５の上に配置された下部７１と、下部７１の上に配置された上部７２とを有している。上部７２は、下部７１よりも大きい幅を有している。上部７２の両端部は、下部７１の側面よりも突出している。このように、隔壁７は、図３に示した隔壁６と同様のオーバーハング状である。隔壁７は、隔壁６と同一工程で形成することができる。この場合、下部７１は下部６１と同一材料で形成され、上部７２は上部６２と同一材料で形成される。
【0077】
階段状の断面を有する有機絶縁層ＩＬは、例えば、以下のような手法で形成可能である。
まず、絶縁層１１２の上に、絶縁層１１３を形成する。その後、溝Ｇ、上面１２１Ａ及び上面１２２Ａを有する絶縁層１２を形成する。このような絶縁層１２は、例えば、以下のような手法で形成可能である。
すなわち、絶縁層１１３が形成された表示装置用マザー基板１００の全面に、例えばポジ型の有機材料により絶縁層を形成する。その後、絶縁層を露光する。この露光工程では、溝Ｇの露光量は最大に設定され、溝Ｇから外側に向かうにしたがって露光量は段階的に減少するように設定されている。その後、露光された絶縁層を現像する。その後、絶縁層を焼成する。
これにより、上記の断面形状を有する有機絶縁層ＩＬが形成される。この時に形成される溝Ｇは、図５などに示したように、表示領域ＤＡを囲むループ状に形成される。
まず、絶縁層１１２の上に、絶縁層１１３を形成する。その後、溝Ｇ、上面１２１Ａ及び上面１２２Ａを有する絶縁層１２を形成する。このような絶縁層１２は、例えば、以下のような手法で形成可能である。
すなわち、絶縁層１１３が形成された表示装置用マザー基板１００の全面に、例えばポジ型の有機材料により絶縁層を形成する。その後、絶縁層を露光する。この露光工程では、溝Ｇの露光量は最大に設定され、溝Ｇから外側に向かうにしたがって露光量は段階的に減少するように設定されている。その後、露光された絶縁層を現像する。その後、絶縁層を焼成する。
これにより、上記の断面形状を有する有機絶縁層ＩＬが形成される。この時に形成される溝Ｇは、図５などに示したように、表示領域ＤＡを囲むループ状に形成される。
【0078】
図８Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図８Ｂに示す構成例は、図８Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
図８Ｂに示す構成例は、図８Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
【0079】
図８Ｃは、他の構成例を示す断面図である。
図８Ｃに示す構成例は、図８Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
図８Ｃに示す構成例は、図８Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
【0080】
【0081】
図９Ａは、他の構成例を示す断面図である。
図９Ａに示す構成例は、図８Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、金属層ＭＴのすべてが省略された点で相違している。
絶縁層１１３は、基板１０の上に配置されている。絶縁層１２は、絶縁層１１３を覆うとともに、基板１０に接する領域に溝Ｇを有している。無機絶縁層５は、溝Ｇにおいて基板１０を覆っている。
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び溝Ｇにおいて、それぞれ無機絶縁層５の上に配置されている。
図９Ａに示す構成例は、図８Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、金属層ＭＴのすべてが省略された点で相違している。
絶縁層１１３は、基板１０の上に配置されている。絶縁層１２は、絶縁層１１３を覆うとともに、基板１０に接する領域に溝Ｇを有している。無機絶縁層５は、溝Ｇにおいて基板１０を覆っている。
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び溝Ｇにおいて、それぞれ無機絶縁層５の上に配置されている。
【0082】
図９Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図９Ｂに示す構成例は、図９Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
図９Ｂに示す構成例は、図９Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
【0083】
図９Ｃは、他の構成例を示す断面図である。
図９Ｃに示す構成例は、図９Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
図９Ｃに示す構成例は、図９Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
【0084】
図１０Ａは、他の構成例を示す断面図である。
図１０Ａに示す構成例は、図９Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁層５が省略された点で相違している。
絶縁層１１３は、基板１０の上に配置されている。絶縁層１２は、絶縁層１１３を覆うとともに、基板１０に接する領域に溝Ｇを有している。
隔壁７は、絶縁層１２の上に配置されるとともに、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
図１０Ａに示す構成例は、図９Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁層５が省略された点で相違している。
絶縁層１１３は、基板１０の上に配置されている。絶縁層１２は、絶縁層１１３を覆うとともに、基板１０に接する領域に溝Ｇを有している。
隔壁７は、絶縁層１２の上に配置されるとともに、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
【0085】
図１０Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図１０Ｂに示す構成例は、図１０Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１２の上の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
図１０Ｂに示す構成例は、図１０Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１２の上の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
【0086】
【0087】
《第２グループ》
【0088】
図１１Ａは、第２グループの一構成例を示す断面図である。
【0089】
図１１Ａに示す構成例は、図８Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１１３が絶縁層１２よりもカットラインＣＬに向かって延出している点で相違している。絶縁層１１３は、溝Ｇを有している。絶縁層１２は、絶縁層１１３の上に配置されている。絶縁層１１３及び絶縁層１２を有する有機絶縁層ＩＬの断面形状に着目すると、有機絶縁層ＩＬは、溝Ｇに向かって厚さが低減する階段状の断面を有している。
【0090】
有機絶縁層ＩＬの厚さＴ１は、絶縁層１１３の厚さと絶縁層１２の厚さとの総和であり、絶縁層１１２の上面から絶縁層１２のほぼ平坦な上面１２Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。
【0091】
有機絶縁層ＩＬの厚さＴ２は、絶縁層１２から露出した絶縁層１１３の厚さであり、絶縁層１１２の上面から絶縁層１１３のほぼ平坦な上面１１３Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。厚さＴ２は、厚さＴ１より小さい。上面１１３Ａは、上面１２Ａと溝Ｇとの間に位置し、また、上面１２Ａよりも下方に位置している。
【0092】
無機絶縁層５は、絶縁層１２を覆い、絶縁層１２から露出した絶縁層１１３を覆い、溝Ｇにおいて絶縁層１１２を覆っている。
【0093】
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方に配置されるとともに、溝Ｇに配置されている。図示した例では、隔壁７は、上面１２Ａの上方に配置される一方で、上面１１３Ａの上方には配置されていない。但し、隔壁７が上面１１３Ａの上方に配置されてもよい。隔壁７の下部７１は、いずれも無機絶縁層５の上に配置されている。
【0094】
階段状の断面を有する有機絶縁層ＩＬは、例えば、以下のような手法で形成可能である。
まず、絶縁層１１２の上に、溝Ｇ及び上面１１３Ａを有する絶縁層１１３を形成する。その後、絶縁層１１３の上に、上面１２Ａを有する絶縁層１２を形成する。このとき、絶縁層１２は、溝Ｇの近傍において絶縁層１１３の一部を露出するように形成される。
これにより、上記の断面形状を有する有機絶縁層ＩＬが形成される。
まず、絶縁層１１２の上に、溝Ｇ及び上面１１３Ａを有する絶縁層１１３を形成する。その後、絶縁層１１３の上に、上面１２Ａを有する絶縁層１２を形成する。このとき、絶縁層１２は、溝Ｇの近傍において絶縁層１１３の一部を露出するように形成される。
これにより、上記の断面形状を有する有機絶縁層ＩＬが形成される。
【0095】
図１１Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図１１Ｂに示す構成例は、図１１Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
図１１Ｂに示す構成例は、図１１Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
【0096】
図１１Ｃは、他の構成例を示す断面図である。
図１１Ｃに示す構成例は、図１１Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
図１１Ｃに示す構成例は、図１１Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
【0097】
【0098】
図１２Ａは、他の構成例を示す断面図である。
図１２Ａに示す構成例は、図１１Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、金属層ＭＴのすべてが省略された点で相違している。
絶縁層１１３は、基板１０の上に配置され、溝Ｇを有している。無機絶縁層５は、溝Ｇにおいて基板１０を覆っている。
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び溝Ｇにおいて、無機絶縁層５の上に配置されている。
図１２Ａに示す構成例は、図１１Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、金属層ＭＴのすべてが省略された点で相違している。
絶縁層１１３は、基板１０の上に配置され、溝Ｇを有している。無機絶縁層５は、溝Ｇにおいて基板１０を覆っている。
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び溝Ｇにおいて、無機絶縁層５の上に配置されている。
【0099】
図１２Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図１２Ｂに示す構成例は、図１２Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
図１２Ｂに示す構成例は、図１２Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
【0100】
図１２Ｃは、他の構成例を示す断面図である。
図１２Ｃに示す構成例は、図１２Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
図１２Ｃに示す構成例は、図１２Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
【0101】
図１３Ａは、他の構成例を示す断面図である。
図１３Ａに示す構成例は、図１２Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁層５が省略された点で相違している。
絶縁層１１３は、基板１０の上に配置され、溝Ｇを有している。
隔壁７は、絶縁層１２の上に配置されるとともに、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
図１３Ａに示す構成例は、図１２Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁層５が省略された点で相違している。
絶縁層１１３は、基板１０の上に配置され、溝Ｇを有している。
隔壁７は、絶縁層１２の上に配置されるとともに、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
【0102】
図１３Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図１３Ｂに示す構成例は、図１３Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１２の上の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
図１３Ｂに示す構成例は、図１３Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１２の上の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
【0103】
【0104】
《第３グループ》
【0105】
図１４Ａは、第３グループの一構成例を示す断面図である。
【0106】
【0107】
有機絶縁層ＩＬの厚さＴ１は、絶縁層１１２の上面から絶縁層１２のほぼ平坦な上面１２１Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。
有機絶縁層ＩＬの厚さＴ２は、絶縁層１１２の上面から絶縁層１２のほぼ平坦な上面１２２Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。厚さＴ２は、厚さＴ１より小さい。上面１２２Ａは、上面１２１Ａと溝Ｇとの間に位置し、また、上面１２１Ａよりも下方に位置している。
有機絶縁層ＩＬの厚さＴ２は、絶縁層１１２の上面から絶縁層１２のほぼ平坦な上面１２２Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。厚さＴ２は、厚さＴ１より小さい。上面１２２Ａは、上面１２１Ａと溝Ｇとの間に位置し、また、上面１２１Ａよりも下方に位置している。
【0108】
無機絶縁層５は、絶縁層１２を覆い、溝Ｇにおいて絶縁層１１２を覆っている。
【0109】
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方に配置されるとともに、溝Ｇに配置されている。図示した例では、隔壁７は、上面１２１Ａの上方に配置される一方で、上面１２２Ａの上方には配置されていない。但し、隔壁７が上面１２２Ａの上方に配置されてもよい。隔壁７の下部７１は、いずれも無機絶縁層５の上に配置されている。
【0110】
このような絶縁層１２は、例えば、以下のような手法で形成可能である。
すなわち、絶縁層１１２が形成された表示装置用マザー基板１００の全面に、例えばポジ型の有機材料により絶縁層を形成する。その後、絶縁層を露光する。この露光工程では、溝Ｇの露光量は最大に設定され、溝Ｇから外側に向かうにしたがって露光量は段階的に減少するように設定されている。その後、露光された絶縁層を現像する。その後、絶縁層を焼成する。
これにより、上記の断面形状を有する絶縁層１２が形成される。
すなわち、絶縁層１１２が形成された表示装置用マザー基板１００の全面に、例えばポジ型の有機材料により絶縁層を形成する。その後、絶縁層を露光する。この露光工程では、溝Ｇの露光量は最大に設定され、溝Ｇから外側に向かうにしたがって露光量は段階的に減少するように設定されている。その後、露光された絶縁層を現像する。その後、絶縁層を焼成する。
これにより、上記の断面形状を有する絶縁層１２が形成される。
【0111】
図１４Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図１４Ｂに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
図１４Ｂに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
【0112】
図１４Ｃは、他の構成例を示す断面図である。
図１４Ｃに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
図１４Ｃに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
【0113】
【0114】
図１５Ａは、他の構成例を示す断面図である。
図１５Ａに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、金属層ＭＴのすべてが省略された点で相違している。
有機絶縁層ＩＬに相当する絶縁層１２は、基板１０の上に配置され、溝Ｇを有している。無機絶縁層５は、溝Ｇにおいて基板１０を覆っている。
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び溝Ｇにおいて、無機絶縁層５の上に配置されている。
図１５Ａに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、金属層ＭＴのすべてが省略された点で相違している。
有機絶縁層ＩＬに相当する絶縁層１２は、基板１０の上に配置され、溝Ｇを有している。無機絶縁層５は、溝Ｇにおいて基板１０を覆っている。
隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び溝Ｇにおいて、無機絶縁層５の上に配置されている。
【0115】
図１５Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図１５Ｂに示す構成例は、図１５Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
図１５Ｂに示す構成例は、図１５Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて無機絶縁層５の上に配置されている。
【0116】
図１５Ｃは、他の構成例を示す断面図である。
図１５Ｃに示す構成例は、図１５Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
図１５Ｃに示す構成例は、図１５Ａに示した構成例と比較して、溝Ｇにおける隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
【0117】
図１６Ａは、他の構成例を示す断面図である。
図１６Ａに示す構成例は、図１５Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁層５が省略された点で相違している。
有機絶縁層ＩＬに相当する絶縁層１２は、基板１０の上に配置され、溝Ｇを有している。
隔壁７は、絶縁層１２の上に配置されるとともに、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
図１６Ａに示す構成例は、図１５Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁層５が省略された点で相違している。
有機絶縁層ＩＬに相当する絶縁層１２は、基板１０の上に配置され、溝Ｇを有している。
隔壁７は、絶縁層１２の上に配置されるとともに、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
【0118】
図１６Ｂは、他の構成例を示す断面図である。
図１６Ｂに示す構成例は、図１６Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１２の上の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
図１６Ｂに示す構成例は、図１６Ａに示した構成例と比較して、絶縁層１２の上の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、溝Ｇにおいて基板１０の上に配置されている。
【0119】
【0120】
【0121】
まず、図１７に示すように、表示領域ＤＡにおいて、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する。その後、無機絶縁層５を形成する。絶縁層１２及び無機絶縁層５は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにも形成される。周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにおける絶縁層１２を含む有機絶縁層ＩＬの形成手法は、例えば、図８Ａなどを参照して説明した通りである。無機絶縁層５は、有機絶縁層ＩＬを覆い、また、溝Ｇにおいては絶縁層１１２を覆うように形成される。
その後、表示領域ＤＡにおいて、無機絶縁層５の上に位置する下部６１と、下部６１の上に位置する上部６２と、を有する隔壁６を形成する。その後、無機絶縁層５に開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成する。開口ＡＰ１は副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３に重なる。なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の形成工程は、隔壁６の形成工程より前に行ってもよい。
隔壁６を形成するのと同時に、図８Ａなどに示したように、有機絶縁層ＩＬの上方、及び、溝Ｇに隔壁７も形成する。
その後、表示領域ＤＡにおいて、無機絶縁層５の上に位置する下部６１と、下部６１の上に位置する上部６２と、を有する隔壁６を形成する。その後、無機絶縁層５に開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成する。開口ＡＰ１は副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３に重なる。なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の形成工程は、隔壁６の形成工程より前に行ってもよい。
隔壁６を形成するのと同時に、図８Ａなどに示したように、有機絶縁層ＩＬの上方、及び、溝Ｇに隔壁７も形成する。
【0122】
続いて、表示素子２０１を形成する。
【0123】
まず、図１８に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層ＥＭ１、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空環境を維持した状態で連続して形成される。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空環境を維持した状態で連続して形成される。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
【0124】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
【0125】
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにも形成される。
【0126】
続いて、図１９に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状にパターニングされたレジストＲ１を形成する。レジストＲ１は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0127】
続いて、図２０に示すように、レジストＲ１をマスクとしたエッチングを行うことにより、レジストＲ１から露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
その後、レジストＲ１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
その後、レジストＲ１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0128】
続いて、図２１に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0129】
続いて、図２２に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。
【0130】
その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0131】
なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１、２０２、２０３の形成順はこの例に限られない。
【0132】
【0133】
上記の表示素子２０１、２０２、２０３をそれぞれ形成する工程において、多層膜１１５は、余白部ＭＰ及び周辺領域ＳＡにも形成される。ここでの多層膜１１５とは、例えば、図１８を参照して説明した表示素子２０１を形成するための有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を含んでいる。多層膜１１５は、無機絶縁層５及び隔壁７の上に形成される。
【0134】
図１８を参照して説明したのと同様に、多層膜１１５は、オーバーハング状の隔壁７によって分断される。すなわち、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、隔壁７の上部７２によって遮られる。このため、上部７２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部７２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、無機絶縁層５の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。これにより、多層膜１１５は、部分的に分断される。
【0135】
多層膜１１５が隔壁７によって分断されていない場合と比較して、連続した多層膜１１５の面積が低減され、多層膜１１５に生じうる応力が分散される。また、無機絶縁層５及び無機絶縁層５の上の多層膜１１５は、隔壁７で抑え込まれているため、無機絶縁層５の浮き上がり、及び、多層膜１１５の無機絶縁層５からの浮き上りが抑制される。さらに、多層膜１１５が形成された後に形成される封止層ＳＥ１は、隔壁７とともに多層膜１１５を抑え込んでいる。このため、多層膜１１５及び封止層ＳＥ１の無機絶縁層５からの離脱を抑制することができる。
【0136】
また、有機絶縁層ＩＬは、溝Ｇに向かうにしたがって厚さが低減する階段状の断面を有している。したがって、急峻な段差の形成が抑制される。有機絶縁層ＩＬは、厚さが薄いほど伸びが小さい。このため、有機絶縁層ＩＬの上に多層膜１１５が形成された際、多層膜１１５の歪みが小さく、多層膜１１５において、局所的な応力の集中を抑制することができる。これにより、無機絶縁層５からの多層膜１１５の離脱を抑制することができる。
【0137】
ここで、多層膜１１５が無機絶縁層５から浮き上がり、破断した場合に生じうる不具合について説明する。無機絶縁層５から離脱した多層膜１１５は、異物となって製造装置内を浮遊し、汚染源となり得る。また、浮遊した異物が処理基板に付着すると、種々の欠陥を引き起こす原因となり得る。
【0138】
これに対して、本実施形態によれば、カットラインＣＬを含む領域において、多層膜１１５の離脱を抑制することができる。これにより、製造装置の汚染や、不所望な異物の生成が抑制される。したがって、信頼性の低下が抑制される。
【0139】
なお、多層膜１１５が表示素子２０２を形成するための有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を含む場合であっても、同様の効果が得られる。
また、多層膜１１５が表示素子２０３を形成するための有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を含む場合であっても、同様の効果が得られる。
また、多層膜１１５が表示素子２０３を形成するための有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を含む場合であっても、同様の効果が得られる。
【0140】
ここでは、図８Ａに示した構成例について、多層膜１１５の離脱が抑制される効果について説明したが、その他の各構成例についても同様の効果が得られる。
【0141】
上記の実施形態において、例えば、無機絶縁層５は第１無機絶縁層に相当し、絶縁層１１２は第２無機絶縁層に相当し、絶縁層１１３は有機絶縁層の第１層に相当し、絶縁層１２は有機絶縁層の第２層に相当する。また、隔壁７は第１隔壁に相当し、下部７１は第１下部に相当し、上部７２は第１上部に相当し、隔壁６は第２隔壁に相当し、下部６１は第２下部に相当し、上部６２は第２上部に相当する。
【0142】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置、表示装置用マザー基板、及び、表示装置の製造方法を提供することができる。
【0143】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及び表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0144】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0145】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【0146】
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置用マザー基板の一例を以下に付記する。
（Ａ）
画像を表示する表示領域と、前記表示領域よりも外側の周辺領域と、を有するパネル部と、
前記パネル部よりも外側の余白部と、
前記パネル部及び前記余白部に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、
前記有機絶縁層は、前記表示領域を囲むループ状の溝を有し、
前記第１隔壁は、前記溝に配置されている、表示装置用マザー基板。
（Ｂ）
画像を表示する表示領域と、前記表示領域よりも外側の周辺領域と、を有するパネル部と、
前記パネル部よりも外側の余白部と、
前記パネル部及び前記余白部に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、
前記第１隔壁は、前記余白部及び前記周辺領域の少なくとも一方において、前記有機絶縁層の上方に配置されている、表示装置用マザー基板。
（Ａ）
画像を表示する表示領域と、前記表示領域よりも外側の周辺領域と、を有するパネル部と、
前記パネル部よりも外側の余白部と、
前記パネル部及び前記余白部に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、
前記有機絶縁層は、前記表示領域を囲むループ状の溝を有し、
前記第１隔壁は、前記溝に配置されている、表示装置用マザー基板。
（Ｂ）
画像を表示する表示領域と、前記表示領域よりも外側の周辺領域と、を有するパネル部と、
前記パネル部よりも外側の余白部と、
前記パネル部及び前記余白部に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と、
第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、を備え、
前記第１隔壁は、前記余白部及び前記周辺領域の少なくとも一方において、前記有機絶縁層の上方に配置されている、表示装置用マザー基板。
【符号の説明】
【0147】
ＤＳＰ…表示装置 １０…基板
５…無機絶縁層 ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
７…隔壁 ７１…下部 ７２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
ＤＡ…表示領域 ＳＡ…周辺領域
１００…表示装置用マザー基板 ＰＰ…パネル部 ＭＰ…余白部
ＣＬ…カットライン
ＩＬ…有機絶縁層 １２…絶縁層 １１３…絶縁層 ＭＴ…金属層
５…無機絶縁層 ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
７…隔壁 ７１…下部 ７２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
ＤＡ…表示領域 ＳＡ…周辺領域
１００…表示装置用マザー基板 ＰＰ…パネル部 ＭＰ…余白部
ＣＬ…カットライン
ＩＬ…有機絶縁層 １２…絶縁層 １１３…絶縁層 ＭＴ…金属層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図11A】
【図11B】
【図11C】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図14A】
【図14B】
【図14C】
【図15A】
【図15B】
【図15C】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】