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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024158123
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】端子矯正装置および半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
B23K 26/21 20140101AFI20241031BHJP
H01L 23/48 20060101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
B23K26/21 L
H01L23/48 P
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023073062
(22)【出願日】2023-04-27
(71)【出願人】
【識別番号】000006013
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】西尾 駿
【テーマコード（参考）】
4E168
【Ｆターム（参考）】
4E168BA29
4E168BA87
4E168CB04
4E168CB07
4E168EA15
(57)【要約】
【課題】端子間のクリアランスを抑制し、安定したレーザ溶接品質を実現することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】端子矯正装置３０は、各リード端子１２と各外部端子１３とを溶接するための溶接用レーザ２１を照射するレーザヘッド３２と、各リード端子１２と各外部端子１３との間のクリアランス２４を計測するレーザ変位計３１と、クリアランス２４を抑制するために行われる、各リード端子１２または各外部端子１３の矯正に必要な変形量を算出し、変形量に応じた矯正用レーザ３６の出力および照射時間を決定する制御部３３とを備えている。
【選択図】図２
【解決手段】端子矯正装置３０は、各リード端子１２と各外部端子１３とを溶接するための溶接用レーザ２１を照射するレーザヘッド３２と、各リード端子１２と各外部端子１３との間のクリアランス２４を計測するレーザ変位計３１と、クリアランス２４を抑制するために行われる、各リード端子１２または各外部端子１３の矯正に必要な変形量を算出し、変形量に応じた矯正用レーザ３６の出力および照射時間を決定する制御部３３とを備えている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のリード端子を有するコアと前記コアの外周側に配置されかつ複数の外部端子を有するケース部とで構成された半導体装置の組み立て時に、レーザによって各前記リード端子と各前記外部端子とが溶接される端子構造に用いられる端子矯正装置であって、
各前記リード端子と各前記外部端子とを溶接するための前記レーザを照射するレーザヘッドと、
各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測するレーザ変位計と、
前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する制御部と、
を備える、端子矯正装置。
各前記リード端子と各前記外部端子とを溶接するための前記レーザを照射するレーザヘッドと、
各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測するレーザ変位計と、
前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する制御部と、
を備える、端子矯正装置。
【請求項2】
前記制御部は、前記矯正用レーザによる矯正後のスプリングバックを考慮した前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間を決定する、請求項１に記載の端子矯正装置。
【請求項3】
各前記リード端子と各前記外部端子とを溶接するための前記レーザと、前記矯正用レーザは、同一の前記レーザヘッドから照射される、請求項２に記載の端子矯正装置。
【請求項4】
前記レーザヘッドは、前記矯正用レーザとして低出力レーザを複数点に対して照射する、請求項２に記載の端子矯正装置。
【請求項5】
複数のリード端子を有するコアと前記コアの外周側に配置されかつ複数の外部端子を有するケース部とで構成された半導体装置を製造する製造方法であって、
（Ａ）各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測する工程と、
（Ｂ）前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する工程と、
（Ｃ）前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間に従って、各前記リード端子または各前記外部端子に対して前記矯正用レーザを照射する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
（Ａ）各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測する工程と、
（Ｂ）前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する工程と、
（Ｃ）前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間に従って、各前記リード端子または各前記外部端子に対して前記矯正用レーザを照射する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記工程（Ｃ）では、前記矯正用レーザによる矯正後のスプリングバックを考慮した前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間を決定する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、端子矯正装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
車両の電動化に合わせて、車両のキーパーツであるパワーモジュールの配線に使用されている銅接合の需要が増加している。それに伴い、銅に対する吸収率が高いブルーレーザでの溶接が注目されている。
【0003】
しかし、パワーモジュールの構造上、外部端子とリード部とを重ね合わせ溶接する場合に、外部端子とリード端子との間に公差に起因するクリアランスが発生する。レーザ溶接ではクリアランスが溶接品質に大きく影響するため、レーザ溶接前に端子間のクリアランスを抑制する必要がある。
【0004】
端子間のクリアランスを抑制する方法として、例えば、特許文献１には、レーザビーム照射位置において、被溶接体の裏面に形成された凸部を溶接体に接触させた状態で、重ね合わせ溶接を行う方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開平１１－１８５８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
パワーモジュールは外部端子とリード端子とを共に複数有しており、複数の外部端子と複数のリード端子の各々が公差を持つため、外部端子とリード端子との間で異なる寸法を有するクリアランスが発生する。しかし、特許文献１に記載の技術では、被溶接体の裏面に形成された凸部の大きさは一定であり、異なる寸法を有するクリアランスを抑制することは難しかった。
【0007】
端子間にクリアランスがある状態でレーザ溶接を実施すると、クリアランスが０の場合と比べて、熱の伝わりが遅く十分な溶接面積を確保することができない。端子間を溶接することができた場合でも端子間にブリッジが発生する。パワーモジュールに対する振動などにより、ブリッジの根元部に応力がかかることでブリッジが破断し、端子間の溶接強度が低下するという問題があった。
【0008】
そこで、本開示は、端子間のクリアランスを抑制し、安定したレーザ溶接品質を実現することが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本開示に係る端子矯正装置は、複数のリード端子を有するコアと前記コアの外周側に配置されかつ複数の外部端子を有するケース部とで構成された半導体装置の組み立て時に、レーザによって各前記リード端子と各前記外部端子とが溶接される端子構造に用いられる端子矯正装置であって、各前記リード端子と各前記外部端子とを溶接するための前記レーザを照射するレーザヘッドと、各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測するレーザ変位計と、前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する制御部とを備える。
【発明の効果】
【0010】
本開示によれば、各リード端子または各外部端子を矯正することで、端子間のクリアランスを抑制することができるため、安定したレーザ溶接品質を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】実施の形態１における端子矯正装置の構成を示す正面図である。
【図2】実施の形態１における端子矯正手順を示す断面図である。
【図3】実施の形態１における端子矯正原理を示す断面図である。
【図4】関連技術におけるパワーモジュールの斜視図である。
【図5】関連技術におけるコアの斜視図である。
【図6】関連技術におけるケース部の斜視図である。
【図7】関連技術におけるパワーモジュールの断面図である。
【図8】関連技術における外部端子とリード端子との溶接時の状態を示す断面図である。
【図9】関連技術におけるパワーモジュールの組み立て時に発生する端子間のクリアランスを示す断面図である。
【図10】関連技術におけるパワーモジュールの組み立て時に端子間のクリアランスが発生した場合の溶接時の状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
＜関連技術＞
＜パワーモジュールの構成＞
最初に、本開示の実施の形態の関連技術について説明する。図４は、関連技術におけるパワーモジュール１０の斜視図である。図５は、関連技術におけるコア１１の斜視図である。図６は、関連技術におけるケース部１４の斜視図である。
＜パワーモジュールの構成＞
最初に、本開示の実施の形態の関連技術について説明する。図４は、関連技術におけるパワーモジュール１０の斜視図である。図５は、関連技術におけるコア１１の斜視図である。図６は、関連技術におけるケース部１４の斜視図である。
【0013】
図４において、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに直交する。以下の図に示されるＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向も、互いに直交する。以下においては、Ｘ方向と、当該Ｘ方向の反対の方向である－Ｘ方向とを含む方向を「Ｘ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｙ方向と、当該Ｙ方向の反対の方向である－Ｙ方向とを含む方向を「Ｙ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｚ方向と、当該Ｚ方向の反対の方向である－Ｚ方向とを含む方向を「Ｚ軸方向」ともいう。
【0014】
図４に示すように、パワーモジュール１０（半導体装置）は、集積化されたパワー半導体チップ１１４（図７参照）が樹脂でモールドされたコア１１と、コア１１の外周側に配置されたケース部１４と、ベース１５とを備えている。
【0015】
図４と図５に示すように、コア１１は、上方（Ｚ方向）から視て矩形状に形成され、かつ、パワー半導体チップ１１４（図７参照）と接続されている複数のリード端子１２を備えている。複数のリード端子１２は、６本のリード主端子１２１と１０本のリード信号端子１２２とを含んでいる。３本のリード主端子１２１と５本のリード信号端子１２２が、コア１１のＸ方向の側面からＸ方向へ突出し、同様に３本のリード主端子１２１と５本のリード信号端子１２２が、コア１１の－Ｘ方向の側面から－Ｘ方向へ突出している。
【0016】
図４と図６に示すように、ケース部１４は、上方（Ｚ方向）から視て矩形枠状に形成され、かつ、外部機器（図示しない）と接続される複数の外部端子１３を備えている。複数の外部端子１３は、６本の外部主端子１３１と１０本の外部信号端子１３２とを含んでいる。３本の外部主端子１３１と５本の外部信号端子１３２が、ケース部１４のＸ方向の側壁からＸ軸方向へ突出し、同様に３本の外部主端子１３１と５本の外部信号端子１３２が、ケース部１４の－Ｘ方向の側壁からＸ軸方向へ突出している。各外部主端子１３１は、各リード主端子１２１と接続され、各外部信号端子１３２は、各リード信号端子１２２と接続されている。
【0017】
ベース１５は、上方（Ｚ方向）から視て矩形状に形成され、ベース１５の表面（Ｚ方向の面）には、コア１１とケース部１４がはんだにより固定されている。
【0018】
次に、パワーモジュール１０の内部構造について説明する。図７は、関連技術におけるパワーモジュール１０の断面図である。図７に示すように、コア１１は、コアベース板１１１と、絶縁シート１１２と、ヒートスプレッダ１１３と、パワー半導体チップ１１４と、リード主端子１２１と、リード信号端子１２２とを備えており、これらはモールド樹脂１１５によって封止されている。パワー半導体チップ１１４は、ヒートスプレッダ１１３にはんだ付けされており、リード主端子１２１は、パワー半導体チップ１１４と直接はんだ接合するＤＬＢ（Direct Lead Bond）技術を用いて、パワー半導体チップ１１４と接続されている。リード信号端子１２２は、ワイヤ１１６によってパワー半導体チップ１１４と接続されている。
【0019】
＜パワーモジュールの組み立て＞
次に、パワーモジュール１０の組み立て手順について説明する。まず、ベース１５の表面（Ｚ方向の面）にコア１１を配置し、ベース１５の表面（Ｚ方向の面）とコア１１の底面（－Ｚ方向の面）とをはんだ１１７により固定する。このとき、コア１１はベース１５の基準位置に配置されている。その後、複数の外部端子１３を有するケース部１４をコア１１に対して上方（Ｚ方向）からかぶせるように配置する。このとき、ケース部１４もベース１５の基準位置に配置されている。ケース部１４を配置した状態で、各リード端子１２と各外部端子１３は重なり合っている。次に、レーザを用いて各リード端子１２と各外部端子１３とを溶接する。
次に、パワーモジュール１０の組み立て手順について説明する。まず、ベース１５の表面（Ｚ方向の面）にコア１１を配置し、ベース１５の表面（Ｚ方向の面）とコア１１の底面（－Ｚ方向の面）とをはんだ１１７により固定する。このとき、コア１１はベース１５の基準位置に配置されている。その後、複数の外部端子１３を有するケース部１４をコア１１に対して上方（Ｚ方向）からかぶせるように配置する。このとき、ケース部１４もベース１５の基準位置に配置されている。ケース部１４を配置した状態で、各リード端子１２と各外部端子１３は重なり合っている。次に、レーザを用いて各リード端子１２と各外部端子１３とを溶接する。
【0020】
＜リード端子と外部端子のレーザ溶接＞
次に、各リード端子１２と各外部端子１３とのレーザ溶接について説明する。図８は、関連技術における外部端子１３とリード端子１２との溶接時の状態を示す断面図である。図９は、関連技術におけるパワーモジュール１０の組み立て時に発生する端子間のクリアランス２４を示す断面図である。図１０は、関連技術におけるパワーモジュール１０の組み立て時に端子間のクリアランス２４が発生した場合の溶接時の状態を示す断面図である。
次に、各リード端子１２と各外部端子１３とのレーザ溶接について説明する。図８は、関連技術における外部端子１３とリード端子１２との溶接時の状態を示す断面図である。図９は、関連技術におけるパワーモジュール１０の組み立て時に発生する端子間のクリアランス２４を示す断面図である。図１０は、関連技術におけるパワーモジュール１０の組み立て時に端子間のクリアランス２４が発生した場合の溶接時の状態を示す断面図である。
【0021】
図８に示すように、外部端子１３はリード端子１２よりも上側（Ｚ方向）に位置している。外部端子１３とリード端子１２は共に直線状に形成されており、互いに平行である。また、図８には示されていないが、外部端子１３とリード端子１２のうちの外部主端子１３１とリード主端子１２１、外部信号端子１３２とリード信号端子１２２が重なり合っている。
【0022】
溶接用レーザ２１は、外部端子１３の上方（Ｚ方向）から、外部端子１３とリード端子１２が重なり合っている部分に対して照射される。このとき、溶接用レーザ２１によって外部端子１３が先に溶融し、その後、溶接用レーザ２１がリード端子１２まで到達することでリード端子１２が溶融する。溶接用レーザ２１の照射が止まる、または走査することにより、溶接用レーザ２１が照射された部分であるレーザ照射部２２が冷却され、溶接部２３が形成されることにより、リード端子１２と外部端子１３が溶接される。
【0023】
次に、図９に示すように、外部端子１３とリード端子１２との間、つまり、端子間のクリアランス２４が発生した場合を考える。パワーモジュール１０は外部端子１３とリード端子１２とを共に複数有しており、複数の外部端子１３と複数のリード端子１２の各々が公差を持つため、外部端子１３とリード端子１２との間で異なる寸法を有するクリアランス２４が発生する。
【0024】
端子間のクリアランス２４が発生した場合、図１０に示すように、溶接部としてブリッジ２５が形成される可能性がある。ブリッジ２５が形成された場合、パワーモジュール１０に対する振動、またはケース部１４の膨張などにより、ブリッジ２５の根元部に応力がかかることでブリッジ２５が破断し、端子間の溶接強度が低下するという問題があった。実施の形態では、このような問題を解決するためになされたものであり、以下に詳細に説明する。
【0025】
【0026】
次に、端子矯正装置３０の構成について説明する。端子矯正装置３０は、パワーモジュール１０の組み立て時に、溶接用レーザ２１によって各リード端子１２と各外部端子１３とが溶接される前に各リード端子１２の矯正に用いられる。
【0027】
図１に示すように、端子矯正装置３０は、レーザ変位計３１と、レーザヘッド３２と、制御部３３と、ステージ３４とを備えている。
【0028】
レーザヘッド３２は、各リード端子１２と各外部端子１３とを溶接するための溶接用レーザ２１（図８参照）を照射する。ここで、各リード端子１２と各外部端子１３の材料として、例えば、銅（Ｃｕ）が採用される。また、レーザヘッド３２は、出力の制御が可能であり、溶接用レーザ２１だけでなく、各リード端子１２を矯正するための矯正用レーザ３６（図２（ｃ）参照）を照射することが可能である。つまり、溶接用レーザ２１と矯正用レーザ３６は、同一のレーザヘッド３２から照射される。なお、レーザヘッド３２として、ガルバノスキャナまたは固定光学系のどちらも採用可能である。
【0029】
レーザ変位計３１は、各リード端子１２と各外部端子１３の高さ位置を計測し、各リード端子１２と各外部端子１３とのクリアランス２４（図９参照）を計測する。
【0030】
ステージ３４は、表面（Ｚ方向の面）上にワークであるパワーモジュール１０、具体的には、コア１１またはケース部１４を載置し、コア１１またはケース部１４をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる。
【0031】
制御部３３は、レーザヘッド３２、レーザ変位計３１、およびステージ３４を制御する。また、制御部３３は、クリアランス２４を抑制するために行われる、各リード端子１２の矯正に必要な変形量を算出し、変形量に応じた矯正用レーザ３６の出力および照射時間を決定する。このとき、制御部３３は、矯正用レーザ３６による矯正後のスプリングバックを考慮した矯正用レーザ３６の出力および照射時間を決定する。
【0032】
なお、ステージ３４は、パワーモジュール１０を水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）だけでなく、レーザヘッド３２側（Ｚ軸方向）に移動させてもよい。また、レーザ変位計３１はレーザヘッド３２と同軸に配置されてもよく、レーザ変位計３１は計測用レーザ３５（図２（ａ）参照）を矯正用レーザ３６と同軸で照射してもよい。
【0033】
＜端子矯正装置の動作＞
次に、図２（ａ）～（ｃ）と図３（ａ），（ｂ）を用いて、端子矯正装置３０の動作について説明する。図２（ａ）～（ｃ）は、実施の形態１における端子矯正手順を示す断面図である。図３（ａ），（ｂ）は、実施の形態１における端子矯正原理を示す断面図である。
次に、図２（ａ）～（ｃ）と図３（ａ），（ｂ）を用いて、端子矯正装置３０の動作について説明する。図２（ａ）～（ｃ）は、実施の形態１における端子矯正手順を示す断面図である。図３（ａ），（ｂ）は、実施の形態１における端子矯正原理を示す断面図である。
【0034】
まず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、レーザ変位計３１は、計測用レーザ３５を照射し、ベース１５に接合されたコア１１の各リード端子１２と、ケース部１４の各外部端子１３の高さ位置を計測し、各リード端子１２と各外部端子１３の高さ位置から、各リード端子１２と各外部端子１３との間のクリアランス２４（図９参照）を計測する。
【0035】
次に、制御部３３は、各リード端子１２の矯正に必要な変形量を算出し、変形量に応じた矯正用レーザ３６の出力および照射時間を決定する。このとき、矯正後のスプリングバックを考慮した矯正用レーザ３６の出力および照射時間が決定される。
【0036】
次に、図２（ｃ）に示すように、レーザヘッド３２は、制御部３３により決定された矯正用レーザ３６の出力および照射時間に基づいて、矯正用レーザ３６を１回照射する。換言すると、レーザヘッド３２は、矯正用レーザ３６を１点（１箇所）に照射する。なお、図２（ｃ）では、矯正用レーザ３６照射前のリード端子１２を２点鎖線で示し、照射後のリード端子１２を実線で示している。
【0037】
次に、端子矯正原理について説明する。図３（ａ）に示すように、矯正用レーザ３６が照射されることにより、各リード端子１２において熱が集中するエリア４１が発生し、それに伴い熱膨張４２が発生する。その結果、各リード端子１２は、下側（－Ｚ方向）に変形する。さらに、熱膨張４２が発生した部分の周辺の低温部から圧縮応力４３がかかることにより、一部で圧縮塑性歪が発生する。なお、図３（ａ）では、矯正用レーザ３６照射前のリード端子１２を２点鎖線で示し、照射後のリード端子１２を実線で示している。
【0038】
図３（ｂ）に示すように、矯正用レーザ３６の照射が終了すると、急激な放熱による温度変化に伴い、矯正用レーザ３６の照射位置であるエリア４１を中心に収縮する。このとき、矯正用レーザ３６の照射時に発生した圧縮塑性歪は元に戻らないため、各リード端子１２は、矯正用レーザ３６の照射前よりも上側（Ｚ方向）に変形する。なお、図３（ｂ）では、変形前のリード端子１２を２点鎖線で示し、変形後のリード端子１２を実線で示している。
【0039】
なお、上記では、各リード端子１２の矯正を行うとして説明したが、各リード端子１２に代えて各外部端子１３の矯正を行うことも可能である。各外部端子１３の矯正を行う場合については、各リード端子１２の矯正を行う場合と同様の動作となるため、説明は省略する。
【0040】
＜効果＞
以上のように、実施の形態１では、端子矯正装置３０は、各リード端子１２と各外部端子１３とを溶接するための溶接用レーザ２１を照射するレーザヘッド３２と、各リード端子１２と各外部端子１３との間のクリアランス２４を計測するレーザ変位計３１と、クリアランス２４を抑制するために行われる、各リード端子１２または各外部端子１３の矯正に必要な変形量を算出し、変形量に応じた矯正用レーザ３６の出力および照射時間を決定する制御部３３とを備えている。
以上のように、実施の形態１では、端子矯正装置３０は、各リード端子１２と各外部端子１３とを溶接するための溶接用レーザ２１を照射するレーザヘッド３２と、各リード端子１２と各外部端子１３との間のクリアランス２４を計測するレーザ変位計３１と、クリアランス２４を抑制するために行われる、各リード端子１２または各外部端子１３の矯正に必要な変形量を算出し、変形量に応じた矯正用レーザ３６の出力および照射時間を決定する制御部３３とを備えている。
【0041】
したがって、各リード端子１２または各外部端子１３を矯正することで、端子間のクリアランス２４を抑制することができるため、安定したレーザ溶接品質を実現することができる。
【0042】
また、レーザヘッド３２を用いた矯正のため、治工具を用いた矯正を行う場合と比べて作業の高速化が可能となる。
【0043】
また、制御部３３は、矯正用レーザ３６による矯正後のスプリングバックを考慮した矯正用レーザ３６の出力および照射時間を決定するため、さらに精度の高い矯正を行うことが可能となる。
【0044】
また、各リード端子１２と各外部端子１３とを溶接するための溶接用レーザ２１と、矯正用レーザ３６は、同一のレーザヘッド３２から照射されるため、矯正位置と溶接用レーザ２１の照射位置とが一致する。これにより、さらに安定した、各リード端子１２と各外部端子１３との溶接が可能となる。
【0045】
また、各リード端子１２に代えて各外部端子１３の矯正を行うことができるため、仮にパワーモジュール１０のコア１１の構造が複雑な形状であり、リード端子１２に対して矯正用レーザ３６の照射が困難の場合でも、クリアランス２４の抑制が可能となる。
【0046】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２について説明する。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態２について説明する。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【0047】
実施の形態１では、矯正用レーザ３６を１点（１箇所）に照射して矯正を行っているのに対して、実施の形態２では、実施の形態１の場合よりも低出力の矯正用レーザ３６を複数点（複数の異なる位置）に照射して矯正を行っている。つまり、１点（１箇所）当たりの矯正用レーザ３６の照射時間を短くしている。
【0048】
＜効果＞
以上のように、実施の形態２では、レーザヘッド３２は、矯正用レーザ３６として低出力レーザを複数点に対して照射するため、実施の形態１の場合と比べて、矯正用レーザ３６の照射位置周辺への熱影響が抑えられる。その結果、実施の形態１の場合よりも局所的な矯正が可能であり、複雑な端子形状に対しても対応可能である。
以上のように、実施の形態２では、レーザヘッド３２は、矯正用レーザ３６として低出力レーザを複数点に対して照射するため、実施の形態１の場合と比べて、矯正用レーザ３６の照射位置周辺への熱影響が抑えられる。その結果、実施の形態１の場合よりも局所的な矯正が可能であり、複雑な端子形状に対しても対応可能である。
【0049】
なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【0050】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0051】
（付記１）
複数のリード端子を有するコアと前記コアの外周側に配置されかつ複数の外部端子を有するケース部とで構成された半導体装置の組み立て時に、レーザによって各前記リード端子と各前記外部端子とが溶接される端子構造に用いられる端子矯正装置であって、
各前記リード端子と各前記外部端子とを溶接するための前記レーザを照射するレーザヘッドと、
各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測するレーザ変位計と、
前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する制御部と、
を備える、端子矯正装置。
複数のリード端子を有するコアと前記コアの外周側に配置されかつ複数の外部端子を有するケース部とで構成された半導体装置の組み立て時に、レーザによって各前記リード端子と各前記外部端子とが溶接される端子構造に用いられる端子矯正装置であって、
各前記リード端子と各前記外部端子とを溶接するための前記レーザを照射するレーザヘッドと、
各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測するレーザ変位計と、
前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する制御部と、
を備える、端子矯正装置。
【0052】
（付記２）
前記制御部は、前記矯正用レーザによる矯正後のスプリングバックを考慮した前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間を決定する、付記１に記載の端子矯正装置。
前記制御部は、前記矯正用レーザによる矯正後のスプリングバックを考慮した前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間を決定する、付記１に記載の端子矯正装置。
【0053】
（付記３）
各前記リード端子と各前記外部端子とを溶接するための前記レーザと、前記矯正用レーザは、同一の前記レーザヘッドから照射される、付記１または付記２に記載の端子矯正装置。
各前記リード端子と各前記外部端子とを溶接するための前記レーザと、前記矯正用レーザは、同一の前記レーザヘッドから照射される、付記１または付記２に記載の端子矯正装置。
【0054】
（付記４）
前記レーザヘッドは、前記矯正用レーザとして低出力レーザを複数点に対して照射する、付記１から付記３のいずれか１項に記載の端子矯正装置。
前記レーザヘッドは、前記矯正用レーザとして低出力レーザを複数点に対して照射する、付記１から付記３のいずれか１項に記載の端子矯正装置。
【0055】
（付記５）
複数のリード端子を有するコアと前記コアの外周側に配置されかつ複数の外部端子を有するケース部とで構成された半導体装置を製造する製造方法であって、
（Ａ）各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測する工程と、
（Ｂ）前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する工程と、
（Ｃ）前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間に従って、各前記リード端子または各前記外部端子に対して前記矯正用レーザを照射する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
複数のリード端子を有するコアと前記コアの外周側に配置されかつ複数の外部端子を有するケース部とで構成された半導体装置を製造する製造方法であって、
（Ａ）各前記リード端子と各前記外部端子との間のクリアランスを計測する工程と、
（Ｂ）前記クリアランスを抑制するために行われる、各前記リード端子または各前記外部端子の矯正に必要な変形量を算出し、前記変形量に応じた矯正用レーザの出力および照射時間を決定する工程と、
（Ｃ）前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間に従って、各前記リード端子または各前記外部端子に対して前記矯正用レーザを照射する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【0056】
（付記６）
前記工程（Ｃ）では、前記矯正用レーザによる矯正後のスプリングバックを考慮した前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間を決定する、付記５に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程（Ｃ）では、前記矯正用レーザによる矯正後のスプリングバックを考慮した前記矯正用レーザの前記出力および前記照射時間を決定する、付記５に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【0057】
１０ パワーモジュール、１１ コア、１２ リード端子、１３ 外部端子、１４ ケース部、２１ 溶接用レーザ、２４ クリアランス、３０ 端子矯正装置、３１ レーザ変位計、３２ レーザヘッド、３３ 制御部、３６ 矯正用レーザ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】