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  • 特開-充放電スタンド 図1
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024158216
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】充放電スタンド
(51)【国際特許分類】
   H02J 7/00 20060101AFI20241031BHJP
   B60L 50/60 20190101ALI20241031BHJP
   B60L 53/14 20190101ALI20241031BHJP
   B60L 53/30 20190101ALI20241031BHJP
【FI】
H02J7/00 P
H02J7/00 S
B60L50/60
B60L53/14
B60L53/30
【審査請求】未請求
【請求項の数】1
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023073224
(22)【出願日】2023-04-27
(71)【出願人】
【識別番号】000003207
【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000110
【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】下垣 勇介
【テーマコード(参考)】
5G503
5H125
【Fターム(参考)】
5G503AA01
5G503BA01
5G503BB01
5G503FA14
5H125AA01
5H125AC12
5H125AC24
5H125BC21
5H125BE02
5H125DD02
5H125FF14
(57)【要約】
【課題】車両用の充放電スタンドを提供する。
【解決手段】充放電スタンドは、直流電源と、コネクタと、直流電源とコネクタとを接続する第1および第2電力線を備える。充放電スタンドは、第1電力線の経路上に配置されているダイオードを備える。ダイオードは、直流電源側がアノードであり、コネクタ側がカソードである。充放電スタンドは、ダイオードと並列接続されているスイッチを備える。充放電スタンドは、スイッチのオンオフを制御する制御回路を備える。充放電スタンドは、ダイオードに対して直流電源側に配置されている第1および第2コンデンサを備える。第1コンデンサは第1電力線とグランドとを接続し、第2コンデンサは第2電力線とグランドとを接続している。制御回路は、第1電力線と第2電力線との間に発生したサージ電圧が、予め定められたしきい値電圧を超えることに応じて、スイッチをオフ状態からオン状態にする。
【選択図】図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
直流電源と、
車両と接続可能に構成されているコネクタと、
前記直流電源と前記コネクタとを接続する第1電力線および第2電力線と、
前記第1電力線の経路上に配置されているダイオードであって、前記直流電源側がアノードであり、前記コネクタ側がカソードである、前記ダイオードと、
前記ダイオードと並列接続されているスイッチと、
前記スイッチのオンオフを制御する制御回路と、
前記ダイオードに対して前記直流電源側に配置されている第1コンデンサおよび第2コンデンサと、
を備え、
前記第1コンデンサは、前記第1電力線とグランドとを接続しており、
前記第2コンデンサは、前記第2電力線と前記グランドとを接続しており、
前記制御回路は、前記第1電力線と前記第2電力線との間に発生したサージ電圧が、予め定められたしきい値電圧を超えることに応じて、前記スイッチをオフ状態からオン状態にする、
充放電スタンド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書で開示する技術は、車両用の充放電スタンドに関する。
【背景技術】
【0002】
充放電スタンドを用いて車両のバッテリを充放電する技術が知られている。特許文献1には、車両の電気系統をサージ電圧から保護するサージ保護装置を備えた車両が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】WO2014/118002号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
車両にサージ保護回路を搭載すると、車両の製造コストが増大したり、車両の体格や重量が増大してしまうおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本明細書が開示する充放電スタンドは、直流電源を備える。充放電スタンドは、車両と接続可能に構成されているコネクタを備える。充放電スタンドは、直流電源とコネクタとを接続する第1電力線および第2電力線を備える。充放電スタンドは、第1電力線の経路上に配置されているダイオードを備える。ダイオードは、直流電源側がアノードであり、コネクタ側がカソードである。充放電スタンドは、ダイオードと並列接続されているスイッチを備える。充放電スタンドは、スイッチのオンオフを制御する制御回路を備える。充放電スタンドは、ダイオードに対して直流電源側に配置されている第1コンデンサおよび第2コンデンサを備える。第1コンデンサは、第1電力線とグランドとを接続している。第2コンデンサは、第2電力線とグランドとを接続している。制御回路は、第1電力線と第2電力線との間に発生したサージ電圧が、予め定められたしきい値電圧を超えることに応じて、スイッチをオフ状態からオン状態にする。
【0006】
上記の構成によると、サージ電圧が所定のしきい値を超えたときに、スイッチによってダイオードをバイパスすることができる。これにより、サージ電流を第1コンデンサおよび第2コンデンサを経由してグランドに放電することができる。よって、コネクタを経由して車両へ流れ込むサージ電流を抑制することが可能となる。その結果、車両に搭載するサージ保護回路を小型化することや省略化することができるため、車両のコスト削減や重量低減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1】充電システム1の全体構成の概略図である。
図2】充放電スタンド3の動作を説明するフローチャートである。
図3】比較例と本実施例の充放電スタンドにおけるサージ電圧波形図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
図1に、充電システム1の全体構成の概略図を示す。充電システムは、車両2および充放電スタンド3を備える。
【0009】
(充放電スタンド3の構成)
充放電スタンド3は、AC/DC整流器DE1、突入電流抑制回路DE2、コネクタ10、正極側電力線W11、負極側電力線W12、信号線W13、接地線W14、
EMIフィルタCR1、制御回路CR2、逆流防止ダイオードD1、スイッチSW1、寄生インダクタンスPL1-PL4、寄生抵抗PR1-PR4、を備えている。
【0010】
コネクタ10は、車両2のインレット20と接続可能な部位である。コネクタ10がインレット20と係合することにより、正極側電力線W11とW21とが接続し、負極側電力線W12とW22とが接続し、信号線W13とW23とが接続し、接地線W14とW24とが接続する。コネクタ10は、正極側電力線W11および負極側電力線W12によって、AC/DC整流器DE1に接続されている。AC/DC整流器DE1は、直流電源として機能する部位である。
【0011】
AC/DC整流器DE1は、突入電流抑制回路DE2を経由してEMIフィルタCR1に接続されている。EMIフィルタCR1は、YコンデンサC1およびC2、XコンデンサC3、を備えている。YコンデンサC1は、正極側電力線W11とグランドGN1とを接続している。YコンデンサC2は、負極側電力線W12とグランドGN2とを接続している。XコンデンサC3は、正極側電力線W11と負極側電力線W12とを接続している。
【0012】
EMIフィルタCR1に対してコネクタ10側(下流側)の正極側電力線W11の経路上には、逆流防止ダイオードD1が配置されている。すなわち、EMIフィルタCR1のYコンデンサC1およびC2は、逆流防止ダイオードD1に対してAC/DC整流器DE1側(上流側)に配置されている。逆流防止ダイオードD1は、AC/DC整流器DE1側がアノードであり、コネクタ10側がカソードである。逆流防止ダイオードD1は、車両2からAC/DC整流器DE1へ電流が逆流することを防止する部位である。逆流防止ダイオードD1は、ある特定の充放電規格では、搭載が必須とされている。特定の規格の一例としては、CHAdeMO(登録商標)が挙げられる。
【0013】
MOSFET_M1は、逆流防止ダイオードD1と並列接続されている。MOSFET_M1のゲートは、制御回路CR2に接続されている。制御回路CR2は、MOSFET_M1のオンオフを制御する回路である。具体的には、制御回路CR2は、正極側電力線W11と負極側電力線W12との間の電圧V1が予め定められたしきい値電圧を超えることに応じて、MOSFET_M1をオフ状態からオン状態にする。
【0014】
制御回路CR2は、ツェナーダイオードZD1、抵抗器R1-R3、トランジスタQ1、を備えている。ツェナーダイオードZD1のカソードは、正極側電力線W11に接続されている。ツェナーダイオードZD1のアノードは、抵抗器R1およびR2を介して負極側電力線W12に接続されている。ツェナーダイオードZD1は、前述のしきい値電圧を設定する素子である。具体的には、ツェナーダイオードZD1のツェナー電圧(逆方向のブレークダウン電圧)によって、しきい値電圧を予め規定することができる。しきい値電圧は、後述するサージ電圧を抑制する効果が得られるように、適宜設定すればよい。抵抗器R1とR2の接続ノードは、トランジスタQ1のベースに接続されている。トランジスタQ1のエミッタは負極側電力線W12に接続されており、コレクタはMOSFET_M1のゲートに接続されている。抵抗器R3は、プルアップ抵抗であり、正極側電力線W11とMOSFET_M1のゲートとの接続経路上に配置されている。
【0015】
接地線W14の下流側はコネクタ10に接続されており、上流側はグランドGN3に接続されている。信号線W13の下流側はコネクタ10に接続されており、上流側はスイッチSW1を介してグランドGN3に接続されている。スイッチSW1は、充放電動作の開始および停止を制御するための部位である。スイッチSW1は、不図示のコントローラによってオンオフ制御される。
【0016】
正極側電力線W11、負極側電力線W12、信号線W13、接地線W14の各々は、寄生インダクタンスPL1-PL4および寄生抵抗PR1-PR4を備えている。図1ではこれらの寄生インダクタンスおよび寄生抵抗を素子として記載しているが、実際にはこれらの素子は存在していなくてもよい。
【0017】
(車両2の構成)
車両2は、インレット20、バッテリE1、正極側電力線W21、負極側電力線W22、信号線W23、接地線W24、リレーRY1およびRY2、EMIフィルタCR3、ECU(Electronic Control Unit)_DE3を備えている。バッテリE1は、再充電可能な直流電源である。バッテリE1とインレット20とは、正極側電力線W21および負極側電力線W22によって接続されている。
【0018】
バッテリE1は、EMIフィルタCR3に接続されている。EMIフィルタCR3は、YコンデンサC4およびC5、XコンデンサC6、を備えている。YコンデンサC4は、正極側電力線W21と接地線W24とを接続している。YコンデンサC5は、負極側電力線W22と接地線W24とを接続している。XコンデンサC6は、正極側電力線W21と負極側電力線W22とを接続している。EMIフィルタCR3とインレット20との接続経路上には、リレーRY1およびRY2が配置されている。リレーRY1およびRY2は、ECU_DE3によってオンオフ制御される。
【0019】
ECU_DE3は、内部回路DE4およびサージ保護回路CR4を備える。内部回路DE4は、車両2のさまざまな機能を電子制御する装置である。サージ保護回路CR4は、コンデンサC7およびツェナーダイオードZD2を備えている。ツェナーダイオードZD2は双方向ダイオードであり、信号線W23と接地線W24との間を接続する。コンデンサC7は、信号線W23と接地線W24との間を接続する。内部回路DE4およびサージ保護回路CR4は、低圧回路である。
【0020】
(充放電スタンド3の動作)
図2のフローチャートを用いて、充電開始時の充放電スタンド3の動作を説明する。このフローは、コネクタ10がインレット20に係合されている状態で開始される。ステップS10において、充放電スタンド3を用いてバッテリE1を充電する充電シーケンスを開始するか否かが判断される。この判断は、例えば、不図示の充電スイッチがオンされることに応じて行われてもよい。否定判断される場合(S10:NO)には待機し、肯定判断される場合(S10:YES)にはステップS20へ進む。
【0021】
ステップS20において、充放電スタンド3と車両2との間で、充電前の情報交換が行われる。交換される情報の一例としては、バッテリE1の電力残量などが挙げられる。ステップS30において、充電開始前の装置状態の診断結果(例:絶縁・短絡診断)が、良好であるか否かが判断される。良好でない場合(S30:NO)にはフローを終了し、良好である場合(S30:YES)にはステップS40へ進む。
【0022】
ステップS40において、スイッチSW1が、オフ状態からオン状態に切り替えられる。これにより信号線W13およびW23の電圧がグランド電圧となり、充電システム1が充電開始可能な状態となる。
【0023】
ステップS50において、リレーRY1およびRY2が、オフ状態からオン状態に切り替えられる。リレーRY1およびRY2のオン時には、サージ電圧が発生する。サージ電圧は、正極側電力線W11と負極側電力線W12との間の電圧V1に重畳するため、電圧V1が瞬間的に上昇する。
【0024】
ステップS60において、サージ電圧の重畳した電圧V1が、しきい値電圧を超過して上昇したか否かが判断される。当該判断は、ツェナーダイオードZD1によって行うことができる。否定判断される場合(S60:NO)にはS110へスキップし、肯定判断される場合(S60:YES)にはステップS70へ進む。
【0025】
ステップS70-S100において、サージ電流のバイパス動作が行われる。具体的に説明する。S70において、しきい値電圧(すなわちツェナー電圧)を超過する電圧V1がツェナーダイオードZD1に印加される結果、ツェナーダイオードZD1がブレークダウンする。そしてツェナーダイオードZD1にツェナー電流が流れる。これにより、抵抗器R1を通じてトランジスタQ1に電流供給されるため、トランジスタQ1がオフ状態からオン状態に遷移する(ステップS80)。
【0026】
オン状態のトランジスタQ1によって、MOSFET_M1のゲート電圧が低下するため、MOSFET_M1がオフ状態からオン状態に遷移する(ステップS90)。これにより、逆流防止ダイオードD1のアノード・カソード間が、MOSFET_M1によってバイパスされる。サージ電流は、バイパス経路であるMOSFET_M1を経由して、EMIフィルタCR1に流れ込む(図1、矢印Y20参照)。そしてYコンデンサC1およびC2を経由して、グランドGN1およびGN2に放電される(ステップS100)。
【0027】
サージ電流の放電が完了すると、ツェナーダイオードZD1は降伏状態から回復する。従って、トランジスタQ1がオフ状態へ戻る。抵抗器R3を通じた電流供給により、MOSFET_M1のゲート電圧が上昇するため、MOSFET_M1がオフ状態に戻る。これにより、充電シーケンスが続行される(ステップS110)。
【0028】
ステップS120において、充電シーケンスを終了するか否かが判断される。この判断は、例えば、不図示の充電スイッチがオフされることに応じて行われてもよい。否定判断される場合(S120:NO)には充電シーケンスを続行し、肯定判断される場合(S120:YES)にはフローを終了する。
【0029】
(サージ電圧波形の比較)
リレーRY1およびRY2のオン時に発生するサージ電圧の波形を、比較例の充放電スタンド(図3(A))と、本実施例の充放電スタンド3(図3(B))との間で比較した。比較例の充放電スタンドは、本実施例の充放電スタンド3に比して、MOSFET_M1および制御回路CR2を備えていない点のみが異なる。
【0030】
図3(A)を用いて、比較例の充電スタンドにおけるサージ電圧波形を説明する。時刻t1においてスイッチSW1がオンされる。その後、時刻t2においてリレーRY1およびRY2がオンされると、電圧V1にサージ電圧が発生する(領域A1参照)。逆流防止ダイオードD1が配置されているため、サージ電流は、充放電スタンド3側のYコンデンサC1およびC2に流れることができない。従って、サージ電流は、車両2側のYコンデンサC4およびC5を介して、低圧回路へ回り込む(図1、矢印Y10参照)。さらにサージ電流は、接地線W24およびW14を経由して、充放電スタンド3の出力に配置されているYコンデンサC1およびC2に流れ込む。このとき、経路上にある寄生インダクタンスPL、寄生抵抗PR、Yコンデンサ容量によるRLC共振回路により、電圧V2に共振が発生する(領域A2参照)。この共振電圧の電位差によって、車両2の低圧回路(例:ECU_DE3)が破壊する恐れがある。
【0031】
図3(B)を用いて、本実施例の充放電スタンド3におけるサージ電圧波形を説明する。時刻t2においてリレーRY1およびRY2がオンされると、電圧V1にサージ電圧が発生する。サージ電圧の重畳した電圧V1が、しきい値電圧を超過するため、MOSFET_M1がオンする(ステップS60-S90)。サージ電流は、バイパス経路であるMOSFET_M1を経由して、YコンデンサC1およびC2に流れ込むことができる(図1、矢印Y20参照)。そしてサージ電流は、グランドGN1およびGN2に放電される(ステップS100)。これにより、サージ電流が、車両2側の低圧回路へ回り込むことを抑制することができる。従って、電圧V2の電圧共振を抑制することが可能となる(領域A3参照)。
【0032】
(課題および効果)
課題を説明する。上述のように、比較例の充放電スタンドでは、リレーRY1およびRY2のオン時に発生するサージ電流が、車両2側の低圧回路に回り込んでしまう。これに対し、サージサプレッサーダイオードやサージ対策用コンデンサを、車両2の低圧回路に配置する対策がある。しかし、低圧回路に大きなサイズのデバイスを配置することになるため、ECUの基板面積が増大したり、車両2の製造コストが増大してしまう。そこで本明細書の技術では、サージ電圧の重畳した電圧V1がしきい値電圧を超えたときに、MOSFET_M1によって逆流防止ダイオードD1をバイパスすることができる。これにより、サージ電流を充放電スタンド3側で直接に吸収することができる。従って、車両2に搭載する各種の保護回路(例:サージ保護回路CR4)を、小型化することや省略化することができる。ECUの小型化や、車両2のコスト削減が可能となる。そして本明細書の技術は、逆流防止ダイオードD1が必須とされている規格(例:CHAdeMO(登録商標))に準じた充放電スタンド3において、特に有用である。
【0033】
近年、SiCやGaNなど高速スイッチングが可能な化合物半導体トランジスタの活用が進んでおり、充放電スタンド3側のEMIフィルタCR1の定数を大きくするニーズが高まっている。しかし充放電スタンド3のEMIフィルタ定数を大きくすると、サージ電流の車両側への回り込みが大きくなり、車両の低圧回路の共振電圧振幅が大きくなる問題があった(図3(A)、領域A2参照)。本明細書の技術では、サージ電流の車両側への回り込み自体を抑制できるため、この問題を解決することができる。よって、充放電スタンド3のEMIフィルタ定数の設定自由度を高めることが可能となる。
【0034】
(変形例)
本明細書の技術の適用範囲は、CHAdeMO(登録商標)規格のスタンド(V2H、V2B、V2G)に限られず、様々な規格のスタンド(例:DC急速充電スタンド、外部給電スタンド)に適用可能である。
【0035】
車両2は、バッテリE1に蓄えられた電力のみを用いて走行可能な電気自動車(BEV)であってもよいし、バッテリE1に蓄えられた電力とエンジン(不図示)の出力との両方を用いて走行可能なプラグインハイブリッド車(PHEV)であってもよい。
【符号の説明】
【0036】
1:充電システム 2:車両 3:充放電スタンド 10:コネクタ 20:インレット CR1:EMIフィルタ CR2:制御回路 C1、C2:Yコンデンサ D1:逆流防止ダイオード DE1:AC/DC整流器 GN1、GN2:グランド M1:MOSFET W11:正極側電力線 W12:負極側電力線
図1
図2
図3