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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024158351
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】放射線撮像装置
(51)【国際特許分類】
G01T 7/00 20060101AFI20241031BHJP
H04N 25/70 20230101ALI20241031BHJP
A61B 6/42 20240101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
G01T7/00 A
H04N25/70
A61B6/00 300S
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023073485
(22)【出願日】2023-04-27
(71)【出願人】
【識別番号】000236436
【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100140442
【弁理士】
【氏名又は名称】柴山 健一
(74)【代理人】
【識別番号】100183081
【弁理士】
【氏名又は名称】岡▲崎▼ 大志
(72)【発明者】
【氏名】豊田 賢太
(72)【発明者】
【氏名】岩田 卓哉
(72)【発明者】
【氏名】難波 秀平
(72)【発明者】
【氏名】深水 聖司
【テーマコード（参考）】
2G188
4C093
5C024
【Ｆターム（参考）】
2G188AA03
2G188BB02
2G188CC22
2G188CC29
2G188CC30
2G188DD05
2G188DD13
2G188DD14
2G188DD30
2G188DD33
2G188DD35
2G188DD42
2G188DD44
2G188DD47
2G188EE07
4C093CA35
4C093EB12
4C093EB17
4C093EB20
5C024AX16
5C024GX02
(57)【要約】
【課題】信頼性を向上させることができる放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、センサパネル３０と、センサパネル３０を支持する支持部材２０と、支持部材２０の裏面２１ｂに対向する位置に配置された制御基板５０と、センサパネル３０と制御基板５０とを接続するように配置されるフレキシブル基板４１と、フレキシブル基板４１上に搭載されたＩＣチップ４２と、支持部材２０とＩＣチップ４２との間に設けられ、ＩＣチップ４２からの熱を吸収する熱吸収部材６０と、を備える。熱吸収部材６０は、フレキシブル基板４１と重なる領域に配置され、ＩＣチップ４２の表面と接触する接触面６１ａを有する吸熱部６１と、吸熱部６１と接続され、フレキシブル基板４１の外縁よりも外側に延びる放熱部６２と、を有する。放熱部６２の厚さＴ２は、吸熱部６１の厚さＴ１よりも大きい。
【選択図】図９
【解決手段】放射線撮像装置１は、センサパネル３０と、センサパネル３０を支持する支持部材２０と、支持部材２０の裏面２１ｂに対向する位置に配置された制御基板５０と、センサパネル３０と制御基板５０とを接続するように配置されるフレキシブル基板４１と、フレキシブル基板４１上に搭載されたＩＣチップ４２と、支持部材２０とＩＣチップ４２との間に設けられ、ＩＣチップ４２からの熱を吸収する熱吸収部材６０と、を備える。熱吸収部材６０は、フレキシブル基板４１と重なる領域に配置され、ＩＣチップ４２の表面と接触する接触面６１ａを有する吸熱部６１と、吸熱部６１と接続され、フレキシブル基板４１の外縁よりも外側に延びる放熱部６２と、を有する。放熱部６２の厚さＴ２は、吸熱部６１の厚さＴ１よりも大きい。
【選択図】図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
放射線を検出する検出領域が設けられたセンサパネルと、
前記センサパネルを支持する支持面と、前記支持面とは反対側の裏面と、を有する支持部材と、
前記支持部材の前記裏面に対向する位置に配置され、前記センサパネルから読み出される信号を処理する制御基板と、
前記支持面に直交する第１方向から見た場合における前記支持部材の側方を経由して、前記センサパネルと前記制御基板とを接続するように配置されるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に搭載され、前記センサパネルからの前記信号を読み出すための処理を実行するＩＣチップと、
前記支持部材に対して前記センサパネルが位置する側とは反対側において、前記支持部材と前記ＩＣチップとの間に設けられ、前記ＩＣチップからの熱を吸収する熱吸収部材と、を備え、
前記熱吸収部材は、
前記第１方向から見た場合に、前記フレキシブル基板と重なる領域に配置され、前記ＩＣチップの前記フレキシブル基板に対する搭載面とは反対側の表面と接触する側の接触面を有する吸熱部と、
前記吸熱部と接続され、前記第１方向から見た場合に、前記フレキシブル基板の延在方向である第２方向と交差する第３方向において前記フレキシブル基板の外縁よりも外側に延びる放熱部と、を有し、
前記第１方向における前記放熱部の厚さは、前記第１方向における前記吸熱部の厚さよりも大きい、放射線撮像装置。
前記センサパネルを支持する支持面と、前記支持面とは反対側の裏面と、を有する支持部材と、
前記支持部材の前記裏面に対向する位置に配置され、前記センサパネルから読み出される信号を処理する制御基板と、
前記支持面に直交する第１方向から見た場合における前記支持部材の側方を経由して、前記センサパネルと前記制御基板とを接続するように配置されるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に搭載され、前記センサパネルからの前記信号を読み出すための処理を実行するＩＣチップと、
前記支持部材に対して前記センサパネルが位置する側とは反対側において、前記支持部材と前記ＩＣチップとの間に設けられ、前記ＩＣチップからの熱を吸収する熱吸収部材と、を備え、
前記熱吸収部材は、
前記第１方向から見た場合に、前記フレキシブル基板と重なる領域に配置され、前記ＩＣチップの前記フレキシブル基板に対する搭載面とは反対側の表面と接触する側の接触面を有する吸熱部と、
前記吸熱部と接続され、前記第１方向から見た場合に、前記フレキシブル基板の延在方向である第２方向と交差する第３方向において前記フレキシブル基板の外縁よりも外側に延びる放熱部と、を有し、
前記第１方向における前記放熱部の厚さは、前記第１方向における前記吸熱部の厚さよりも大きい、放射線撮像装置。
【請求項2】
前記熱吸収部材は、前記フレキシブル基板及び前記ＩＣチップに接着されていない、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項3】
前記熱吸収部材は、前記第１方向に積層された複数のシート部材を有する、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項4】
前記第１方向から見た場合に、前記熱吸収部材は、前記検出領域の外側に配置されている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項5】
前記第１方向における前記熱吸収部材の厚さは、自然状態において、前記第３方向における前記熱吸収部材の全域において略均一とされており、
前記吸熱部は、前記フレキシブル基板と前記支持部材とに挟まれて前記第１方向に圧縮された状態とされている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
前記吸熱部は、前記フレキシブル基板と前記支持部材とに挟まれて前記第１方向に圧縮された状態とされている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項6】
前記フレキシブル基板の一端は、前記制御基板における前記裏面に対向する面とは反対側の面である接続面に設けられた端子に接続されており、
前記フレキシブル基板には、前記一端と前記ＩＣチップが搭載された領域との間にコンデンサが設けられており、
前記熱吸収部材は、前記コンデンサと接触しないように配置されている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
前記フレキシブル基板には、前記一端と前記ＩＣチップが搭載された領域との間にコンデンサが設けられており、
前記熱吸収部材は、前記コンデンサと接触しないように配置されている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項7】
前記フレキシブル基板の一端は、前記制御基板における前記裏面に対向する面とは反対側の面である接続面に設けられた端子に接続されており、
前記フレキシブル基板には、前記一端と前記ＩＣチップが搭載された領域との間にコンデンサが設けられており、
前記吸熱部の前記接触面のうち前記制御基板に最も近い内側端部が、前記第１方向において、前記制御基板の前記接続面よりも前記裏面から離れた位置にあることにより、前記コンデンサは、前記制御基板と接触しないように配置されている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
前記フレキシブル基板には、前記一端と前記ＩＣチップが搭載された領域との間にコンデンサが設けられており、
前記吸熱部の前記接触面のうち前記制御基板に最も近い内側端部が、前記第１方向において、前記制御基板の前記接続面よりも前記裏面から離れた位置にあることにより、前記コンデンサは、前記制御基板と接触しないように配置されている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項8】
前記フレキシブル基板の一端は、前記制御基板における前記裏面に対向する面とは反対側の面である接続面に設けられた端子に接続されており、
前記第３方向から見た場合に、前記吸熱部の前記接触面は、前記第２方向に沿って前記制御基板に近づくにつれて前記第１方向に沿って前記裏面から離れるように傾斜している、請求項１に記載の放射線撮像装置。
前記第３方向から見た場合に、前記吸熱部の前記接触面は、前記第２方向に沿って前記制御基板に近づくにつれて前記第１方向に沿って前記裏面から離れるように傾斜している、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項9】
前記支持部材は、前記支持面及び前記裏面を有するベース基板と、前記第１方向から見た場合における前記ベース基板の縁部に設けられた放射線遮蔽部材と、を有し、
前記熱吸収部材は、前記放射線遮蔽部材と前記ＩＣチップとの間に設けられている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
前記熱吸収部材は、前記放射線遮蔽部材と前記ＩＣチップとの間に設けられている、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項10】
前記熱吸収部材の熱容量は、前記放射線遮蔽部材の熱容量よりも大きい、請求項９に記載の放射線撮像装置。
【請求項11】
前記第１方向から見た場合に、前記放射線遮蔽部材は、前記制御基板の外縁部と重なる位置又は前記外縁部よりも外側に配置されており、
前記第２方向において前記熱吸収部材が配置されている範囲は、前記第２方向において前記放射線遮蔽部材が配置されている範囲に含まれている、請求項９に記載の放射線撮像装置。
前記第２方向において前記熱吸収部材が配置されている範囲は、前記第２方向において前記放射線遮蔽部材が配置されている範囲に含まれている、請求項９に記載の放射線撮像装置。
【請求項12】
前記第３方向に沿って配列され、それぞれ前記ＩＣチップが搭載された複数の前記フレキシブル基板を備え、
１つの前記熱吸収部材は、複数の前記フレキシブル基板に対応するように、前記第３方向に延在している、請求項１に記載の放射線撮像装置。
１つの前記熱吸収部材は、複数の前記フレキシブル基板に対応するように、前記第３方向に延在している、請求項１に記載の放射線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、放射線撮像装置に関する。
【背景技術】
【0002】
支持部材に支持されたセンサパネル（放射線検出パネル）と、支持部材を挟んでセンサパネルとは反対側に配置された制御基板（信号処理基板）と、支持部材の側方を回り込むように配置されてセンサパネルと制御基板とを接続するフレキシブル基板と、を有する放射線撮像装置が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。特許文献１には、フレキシブル基板上に設けられたＩＣチップと支持部材との間に、接着性を有すると共に熱伝導性に優れた固定材（例えば、シリコンゲル、ウレタンゲル、アクリルゲル等）が配置される構成が開示されている。特許文献２には、フレキシブル基板上に設けられたＩＣチップと支持部材（支持基台）とが、放熱性及び接着性を有する固定材（接着剤又は接着テープ）によって密着固定される構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－０２５８４６号公報
【特許文献2】特開２００２－１３１４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記特許文献１，２に開示された構成によれば、ＩＣチップで発生した熱を、固定材を介して支持部材へと逃がす（伝達させる）ことができる。しかし、支持部材に伝達された熱が支持部材を介してセンサパネルにも伝わってしまい、その結果、センサパネルにおいて熱に起因するノイズが発生し、放射線撮像装置により得られる放射線画像の画質の劣化等が生じ、放射線撮像装置の信頼性が低下するおそれがある。
【0005】
本開示の一側面は、信頼性を向上させることができる放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示は、［１］～［１２］の放射線撮像装置を含む。
【0007】
［１］放射線を検出する検出領域が設けられたセンサパネルと、
前記センサパネルを支持する支持面と、前記支持面とは反対側の裏面と、を有する支持部材と、
前記支持部材の前記裏面に対向する位置に配置され、前記センサパネルから読み出される信号を処理する制御基板と、
前記支持面に直交する第１方向から見た場合における前記支持部材の側方を経由して、前記センサパネルと前記制御基板とを接続するように配置されるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に搭載され、前記センサパネルからの前記信号を読み出すための処理を実行するＩＣチップと、
前記支持部材に対して前記センサパネルが位置する側とは反対側において、前記支持部材と前記ＩＣチップとの間に設けられ、前記ＩＣチップからの熱を吸収する熱吸収部材と、を備え、
前記熱吸収部材は、
前記第１方向から見た場合に、前記フレキシブル基板と重なる領域に配置され、前記ＩＣチップの前記フレキシブル基板に対する搭載面とは反対側の表面と接触する側の接触面を有する吸熱部と、
前記吸熱部と接続され、前記第１方向から見た場合に、前記フレキシブル基板の延在方向である第２方向と交差する第３方向において前記フレキシブル基板の外縁よりも外側に延びる放熱部と、を有し、
前記第１方向における前記放熱部の厚さは、前記第１方向における前記吸熱部の厚さよりも大きい、放射線撮像装置。
前記センサパネルを支持する支持面と、前記支持面とは反対側の裏面と、を有する支持部材と、
前記支持部材の前記裏面に対向する位置に配置され、前記センサパネルから読み出される信号を処理する制御基板と、
前記支持面に直交する第１方向から見た場合における前記支持部材の側方を経由して、前記センサパネルと前記制御基板とを接続するように配置されるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に搭載され、前記センサパネルからの前記信号を読み出すための処理を実行するＩＣチップと、
前記支持部材に対して前記センサパネルが位置する側とは反対側において、前記支持部材と前記ＩＣチップとの間に設けられ、前記ＩＣチップからの熱を吸収する熱吸収部材と、を備え、
前記熱吸収部材は、
前記第１方向から見た場合に、前記フレキシブル基板と重なる領域に配置され、前記ＩＣチップの前記フレキシブル基板に対する搭載面とは反対側の表面と接触する側の接触面を有する吸熱部と、
前記吸熱部と接続され、前記第１方向から見た場合に、前記フレキシブル基板の延在方向である第２方向と交差する第３方向において前記フレキシブル基板の外縁よりも外側に延びる放熱部と、を有し、
前記第１方向における前記放熱部の厚さは、前記第１方向における前記吸熱部の厚さよりも大きい、放射線撮像装置。
【0008】
上記［１］の構成では、熱吸収部材は、フレキシブル基板と重なるように配置されると共に接触面を介してＩＣチップからの熱を効率良く吸収する吸熱部と、吸熱部よりも外側（第３方向）に広がるように形成された放熱部と、を有している。吸熱部に加えて放熱部を設けると共に、第１方向においてフレキシブル基板と重ならない位置に吸熱部よりも厚みのある放熱部を設けることにより、熱吸収部材の全体の体積及び熱容量を効果的に大きくすることができると共に、放熱部において空気に触れる部分の表面積を適切に確保することができる。これにより、ＩＣチップからの熱を効果的に熱吸収部材に吸収させることができると共に、放熱部から空気中へと適切に熱を逃がすことができる。その結果、熱吸収部材から支持部材への熱の移動、すなわち、熱吸収部材から支持部材を介したセンサパネルへの熱の移動を抑制できるため、センサパネルにおける当該熱に起因するノイズの発生を抑制できる。従って、上記［１］の構成によれば、上記ノイズに起因する放射線画像の画質の劣化等が抑制されるため、放射線撮像装置の信頼性を向上させることができる。
【0009】
［２］前記熱吸収部材は、前記フレキシブル基板及び前記ＩＣチップに接着されていない、［１］の放射線撮像装置。
【0010】
上記［２］の構成によれば、フレキシブル基板及びＩＣチップが熱吸収部材を介して支持部材に接着固定されないため、放射線撮像装置のリペア（修理）を行う際等において、フレキシブル基板及びＩＣチップの交換作業を容易に行うことが可能となる。
【0011】
［３］前記熱吸収部材は、前記第１方向に積層された複数のシート部材を有する、［１］又は［２］の放射線撮像装置。
【0012】
上記［３］の構成によれば、熱吸収部材を構成するシート部材の枚数（層数）を調整することにより、例えば、ＩＣチップから熱吸収部材へと熱を効果的に移動させる観点において熱吸収部材が適切な強さでＩＣチップに押し付けられるように、第１方向における熱吸収部材の厚さを容易に調整することが可能となる。
【0013】
［４］前記第１方向から見た場合に、前記熱吸収部材は、前記検出領域の外側に配置されている、［１］～［３］のいずれかの放射線撮像装置。
【0014】
上記［４］の構成によれば、熱吸収部材に吸収された熱が検出領域に及ぼす影響をより一層効果的に低減できるため、センサパネル（検出領域）における熱に起因するノイズの発生をより一層効果的に抑制できる。
【0015】
［５］前記第１方向における前記熱吸収部材の厚さは、自然状態において、前記第３方向における前記熱吸収部材の全域において略均一とされており、
前記吸熱部は、前記フレキシブル基板と前記支持部材とに挟まれて前記第１方向に圧縮された状態とされている、［１］～［４］のいずれかの放射線撮像装置。
前記吸熱部は、前記フレキシブル基板と前記支持部材とに挟まれて前記第１方向に圧縮された状態とされている、［１］～［４］のいずれかの放射線撮像装置。
【0016】
上記［５］の構成によれば、自然状態において略均一の厚みを有する部材のうちフレキシブル基板と支持部材との間に配置される部分（すなわち、吸熱部）に対して第１方向に圧縮する力が加わるように構成することにより、上記［１］で規定した厚さの大小関係を満たす吸熱部及び放熱部を容易に形成することができる。
【0017】
［６］前記フレキシブル基板の一端は、前記制御基板における前記裏面に対向する面とは反対側の面である接続面に設けられた端子に接続されており、
前記フレキシブル基板には、前記一端と前記ＩＣチップが搭載された領域との間にコンデンサが設けられており、
前記熱吸収部材は、前記コンデンサと接触しないように配置されている、［１］～［５］のいずれかの放射線撮像装置。
前記フレキシブル基板には、前記一端と前記ＩＣチップが搭載された領域との間にコンデンサが設けられており、
前記熱吸収部材は、前記コンデンサと接触しないように配置されている、［１］～［５］のいずれかの放射線撮像装置。
【0018】
上記［６］の構成によれば、ＩＣチップで発生した熱が熱吸収部材を介してコンデンサに伝達されることを抑制できる。その結果、熱によるコンデンサの特性の劣化を抑制できる。
【0019】
［７］前記フレキシブル基板の一端は、前記制御基板における前記裏面に対向する面とは反対側の面である接続面に設けられた端子に接続されており、
前記フレキシブル基板には、前記一端と前記ＩＣチップが搭載された領域との間にコンデンサが設けられており、
前記吸熱部の前記接触面のうち前記制御基板に最も近い内側端部が、前記第１方向において、前記制御基板の前記接続面よりも前記裏面から離れた位置にあることにより、前記コンデンサは、前記制御基板と接触しないように配置されている、［１］～［６］のいずれかの放射線撮像装置。
前記フレキシブル基板には、前記一端と前記ＩＣチップが搭載された領域との間にコンデンサが設けられており、
前記吸熱部の前記接触面のうち前記制御基板に最も近い内側端部が、前記第１方向において、前記制御基板の前記接続面よりも前記裏面から離れた位置にあることにより、前記コンデンサは、前記制御基板と接触しないように配置されている、［１］～［６］のいずれかの放射線撮像装置。
【0020】
上記［７］の構成では、上記のように構成された熱吸収部材（吸熱部）が支持部材とＩＣチップとの間に配置されることにより、フレキシブル基板のうち一端とＩＣチップが搭載された領域との間の部分を制御基板の接続面から離間させることができる。これにより、コンデンサが制御基板と接触して損傷することを防止できる。
【0021】
［８］前記フレキシブル基板の一端は、前記制御基板における前記裏面に対向する面とは反対側の面である接続面に設けられた端子に接続されており、
前記第３方向から見た場合に、前記吸熱部の前記接触面は、前記第２方向に沿って前記制御基板に近づくにつれて前記第１方向に沿って前記裏面から離れるように傾斜している、［１］～［７］のいずれかの放射線撮像装置。
前記第３方向から見た場合に、前記吸熱部の前記接触面は、前記第２方向に沿って前記制御基板に近づくにつれて前記第１方向に沿って前記裏面から離れるように傾斜している、［１］～［７］のいずれかの放射線撮像装置。
【0022】
上記［８］の構成によれば、フレキシブル基板のうち制御基板に近い側の部分が制御基板の接続面に接触するリスク（或いは、フレキシブル基板の一部が制御基板の接続面の縁部に強い力で押し当てられるリスク）を低減できると共に、フレキシブル基板の全長を短くすることができる。
【0023】
［９］前記支持部材は、前記支持面及び前記裏面を有するベース基板と、前記第１方向から見た場合における前記ベース基板の縁部に設けられた放射線遮蔽部材と、を有し、
前記熱吸収部材は、前記放射線遮蔽部材と前記ＩＣチップとの間に設けられている、［１］～［８］のいずれかの放射線撮像装置。
前記熱吸収部材は、前記放射線遮蔽部材と前記ＩＣチップとの間に設けられている、［１］～［８］のいずれかの放射線撮像装置。
【0024】
上記［９］の構成によれば、支持部材のうちセンサパネルが支持されるベース基板と熱吸収部材との間に放射線遮蔽部材を介在させることができる。その結果、熱吸収部材からベース基板への熱の伝達、ひいてはセンサパネルへの熱の伝達をより一層効果的に抑制できる。
【0025】
［１０］前記熱吸収部材の熱容量は、前記放射線遮蔽部材の熱容量よりも大きい、［９］の放射線撮像装置。
【0026】
上記［１０］の構成によれば、熱吸収部材から放射線遮蔽部材への熱の移動を効果的に抑制できるため、熱吸収部材から支持部材（放射線遮蔽部材及びベース基板）を介したセンサパネルへの熱の伝達をより一層効果的に抑制できる。
【0027】
［１１］前記第１方向から見た場合に、前記放射線遮蔽部材は、前記制御基板の外縁部と重なる位置又は前記外縁部よりも外側に配置されており、
前記第２方向において前記熱吸収部材が配置されている範囲は、前記第２方向において前記放射線遮蔽部材が配置されている範囲に含まれている、［９］又は［１０］の放射線撮像装置。
前記第２方向において前記熱吸収部材が配置されている範囲は、前記第２方向において前記放射線遮蔽部材が配置されている範囲に含まれている、［９］又は［１０］の放射線撮像装置。
【0028】
上記［１１］の構成によれば、熱吸収部材と制御基板との干渉（接触）を好適に抑制できる。これにより、組立作業（例えば、フレキシブル基板の一端を制御基板の端子に接続する作業等）を容易化できると共に、ＩＣチップで発生した熱が熱吸収部材を介して制御基板に伝達されることを抑制できる。
【0029】
［１２］前記第３方向に沿って配列され、それぞれ前記ＩＣチップが搭載された複数の前記フレキシブル基板を備え、
１つの前記熱吸収部材は、複数の前記フレキシブル基板に対応するように、前記第３方向に延在している、［１］～［１１］のいずれかの放射線撮像装置。
１つの前記熱吸収部材は、複数の前記フレキシブル基板に対応するように、前記第３方向に延在している、［１］～［１１］のいずれかの放射線撮像装置。
【0030】
上記［１２］の構成によれば、第３方向に並んで配置された複数のＩＣチップ（フレキシブル基板）に対して、第３方向に長尺な１つの熱吸収部材を設けることにより、熱吸収部材の体積及び熱容量をより一層効果的に大きくすることができる。これにより、熱吸収部材から支持部材への熱の移動、すなわち、熱吸収部材から支持部材を介したセンサパネルへの熱の移動をより一層効果的に抑制できる。
【発明の効果】
【0031】
本開示の一側面によれば、信頼性を向上させることができる放射線撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】一実施形態の放射線撮像装置の（Ａ）平面図、（Ｂ）底面図、及び（Ｃ）側面図である。
【図4】放射線検出パネルの一部を拡大した平面図である。
【図6】受光部及びＩＣチップの内部構成を示す図である。
【図8】熱吸収部材とフレキシブル基板との位置関係を示す図である。
【図9】熱吸収部材の吸熱部及び放熱部の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。また、図面においては、実施形態に係る特徴部分を分かり易く説明するために誇張している部分がある。このため、図面における各部の寸法比率は、実際の寸法比率とは異なる場合がある。
【0034】
［放射線撮像装置の全体構成］
図１～図３を参照して、一実施形態に係る放射線撮像装置１の構成について説明する。なお、図２においては、後述する天壁１１及び締結部材１５の図示が省略されている。放射線撮像装置１は、例えば医療用Ｘ線撮像システムに用いられる大面積フラットパネルセンサ（Ｘ線撮像装置）である。図１の（Ａ）～（Ｃ）に示されるように、放射線撮像装置１は、略直方体状の筐体１０と、当該筐体１０内に収容される各部材と、によって構成されている。
図１～図３を参照して、一実施形態に係る放射線撮像装置１の構成について説明する。なお、図２においては、後述する天壁１１及び締結部材１５の図示が省略されている。放射線撮像装置１は、例えば医療用Ｘ線撮像システムに用いられる大面積フラットパネルセンサ（Ｘ線撮像装置）である。図１の（Ａ）～（Ｃ）に示されるように、放射線撮像装置１は、略直方体状の筐体１０と、当該筐体１０内に収容される各部材と、によって構成されている。
【0035】
筐体１０は、略直方体状の中空容器である。筐体１０は、天壁１１と、底壁１２と、側壁１３と、を有する。天壁１１及び底壁１２は、いずれも矩形板状に形成されており、互いに離間して対向するように配置されている。本明細書では、天壁１１と底壁１２とが互いに対向する方向をＺ軸方向と表す。また、Ｚ軸方向と直交する方向のうち、後述する棒状の熱吸収部材６０が延在する方向をＸ軸方向と表し、Ｚ軸方向及びＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向と表す。側壁１３は、ＸＺ平面又はＹＺ平面に沿って延びており、天壁１１の外縁部と底壁１２の外縁部とを接続するように矩形環状に形成されている。
【0036】
底壁１２の外面の略中央部には、底壁１２の外面との間に略直方体状の空間を形成するように箱状に設けられた突出壁１４が設けられている。底壁１２には、天壁１１、底壁１２、及び側壁１３に包囲された空間Ｓ１と、底壁１２及び突出壁１４に包囲された空間Ｓ２と、を連通させる一以上（本実施形態では一例として３つ）の挿通孔１２ａが設けられている。例えば、空間Ｓ２には、後述する制御基板５０に電力を供給する電源、後述するセンサパネル３０（放射線検出パネル）により検出された放射線に対応する電気信号を外部のＰＣ装置（例えば、放射線画像を表示する装置等）に出力するインタフェース（Ｉ／Ｆ）回路等が配置され得る。また、突出壁１４の外面には、空間Ｓ２に配置された電源、回路等と接続するための外部接続端子（不図示）等が設けられる。
【0037】
天壁１１は、放射線撮像装置１の検出対象である放射線（例えばＸ線）を筐体１０の内部に透過する部材によって構成されている。天壁１１は、Ｚ軸方向に沿って入射する放射線を筐体１０の内側に導く。すなわち、Ｚ軸方向は、検出対象の放射線の入射方向である。本実施形態では、天壁１１は、２層構造を有する。図３に示されるように、天壁１１は、放射線が入射する側（外側）に設けられたカーボンファイバプレート１１１と、カーボンファイバプレート１１１の内側表面に設けられ、電磁波を遮蔽するためのシールド部材１１２と、を有する。シールド部材１１２は、例えば、カーボンファイバプレート１１１の内側表面にアルミ箔が接着されることにより形成されたアルミシールドである。
【0038】
底壁１２及び側壁１３は、放射線を遮る金属材料（例えば鉄等）によって形成されている。図３に示されるように、側壁１３の上面１３ａは、シールド部材１１２と面接触しており、シールド部材１１２と導通している。これにより、筐体１０外から筐体１０内へと向かう電磁波の遮蔽が図られている。また、図２及び図３に示されるように、側壁１３の上面１３ａには、複数のネジ孔１３ｂが設けられている。締結部材１５が、天壁１１に設けられた貫通孔１１ａに挿通されると共にネジ孔１３ｂに螺合されている。これにより、天壁１１は、側壁１３に固定されている。
【0039】
図２及び図３に示されるように、放射線撮像装置１は、筐体１０内に収容された、支持部材２０、センサパネル３０、複数（一例として２４個）の可撓性回路基板４０、複数（一例として６つ）の可撓性回路基板４０Ａ、制御基板５０、複数（一例として４つ）の熱吸収部材６０、及び複数（一例として３つ）の放射線遮蔽基板７０を有する。
【0040】
支持部材２０は、センサパネル３０、制御基板５０，及び放射線遮蔽基板７０等を筐体１０に対して支持（固定）するための部材である。本実施形態では、支持部材２０は、ベース基板２１と、放射線遮蔽部材２２と、支柱２３と、を有する。
【0041】
ベース基板２１は、センサパネル３０を支持する支持面２１ａと、支持面２１ａとは反対側の裏面２１ｂと、を有する。ベース基板２１は、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレス、タングステン合金、銅タングステン等の金属からなる。本実施形態では一例として、ベース基板２１は、比較的軽量なアルミニウムによって形成されている。支持面２１ａは、天壁１１に対向する面であり、裏面２１ｂは、底壁１２に対向する面である。支持面２１ａは、センサパネル３０のセンサ基板３１を支持している。裏面２１ｂには、例えばＺ方向に延びる柱状に形成された一以上の支持部材５５を介して制御基板５０が固定されている。
【0042】
図２に示されるように、ベース基板２１は、支持面２１ａに直交するＺ軸方向（第１方向）から見て矩形状に形成された本体部２１Ａと、本体部２１Ａの角部（四隅）のそれぞれに形成され、本体部２１Ａの外側に突出する突出部２１Ｂと、を有する。本実施形態では一例として、本体部２１Ａと突出部２１Ｂとは一体的に形成されている。
【0043】
図２及び図３に示されるように、本体部２１Ａの裏面２１ｂには、複数（本実施形態では３つ）に分割された放射線遮蔽基板７０を配置するための凹部２１ｄが設けられている。各放射線遮蔽基板７０は、例えば、鉛（硬鉛）等の放射線遮蔽材料によって形成されており、互いに同じ厚さ（例えば１ｍｍ程度）を有している。本実施形態では、Ｙ軸方向における本体部２１Ａの中央部及び両側縁部の各々の位置に、Ｘ軸方向に延在する矩形板状の放射線遮蔽基板７０が設けられている。各放射線遮蔽基板７０は、Ｙ軸方向において互いに離間するように配置されている。すなわち、凹部２１ｄ内には、放射線遮蔽基板７０が設けられていない領域が存在している。一例として、Ｙ軸方向における本体部２１Ａの中央部に配置される放射線遮蔽基板７０の幅（Ｙ軸方向の長さ）は、その両側に配置される放射線遮蔽基板７０の幅よりも大きくされている。各放射線遮蔽基板７０は、凹部２１ｄ内に配置され、両面テープ等の接着部材を介して、本体部２１Ａの裏面２１ｂ（凹部２１ｄの底面）に接着固定されている。図３に示されるように、凹部２１ｄの深さ（Ｚ軸方向の長さ）は、凹部２１ｄ内に放射線遮蔽基板７０を配置した場合に、本体部２１Ａのうち凹部２１ｄが設けられていない部分の裏面２１ｂと放射線遮蔽基板７０の表面（制御基板５０に対向する面）とが略面一となるように設定されている。すなわち、凹部２１ｄの深さは、放射線遮蔽基板７０の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）と略同一とされている。上記のように、本体部２１Ａの裏面２１ｂの一部の領域のみをカバーするように複数に分割された放射線遮蔽基板７０を設けることにより、制御基板５０のうち放射線の遮蔽が必要な電子部品が配置された領域を重点的にカバーしつつ、裏面２１ｂと略同等の面積を有する硬鉛板を設ける場合と比較して、放射線撮像装置１の重量を抑えることができる。また、ベース基板２１の裏面２１ｂに放射線遮蔽基板７０を収めるための凹部２１ｄを設けることにより、放射線撮像装置１の全体サイズの大型化（Ｚ軸方向における長大化）を抑制し、放射線撮像装置１をコンパクト化できる。
【0044】
放射線遮蔽部材２２は、例えば、鉛、タングステン等のＸ線遮蔽能の高い材料によって形成されている。本実施形態では一例として、放射線遮蔽部材２２は、短冊状（板状）に形成されており、ベース基板２１の裏面２１ｂの縁部に設けられている。図２及び図３に示されるように、放射線遮蔽部材２２の一部は、Ｚ方向から見て、後述するフレキシブル基板４１上に搭載されたＩＣチップ４２と重なるように、ベース基板２１の外側にはみ出している。放射線遮蔽部材２２は、ＩＣチップ４２毎に設けられてもよいし、互いに隣接する複数のＩＣチップ４２に対して１つの放射線遮蔽部材２２（すなわち、Ｚ軸方向から見て当該複数のＩＣチップ４２と重なる大きさに形成された部材）が設けられてもよい。本実施形態では、後者の構成が採用されている。具体的には、Ｘ軸方向に沿ったベース基板２１（本体部２１Ａ）の各縁部において、４つの放射線遮蔽部材２２が、Ｘ軸方向に沿って設けられている。すなわち、１つの放射線遮蔽部材２２は、Ｘ軸方向に連続して並んだ３つのＩＣチップ４２と重なるように設けられている。
【0045】
支柱２３は、底壁１２に対してベース基板２１（突出部２１Ｂ）を支持する部材である。図３に示されるように、支柱２３は、突出部２１Ｂと底壁１２との間において、Ｚ軸方向に延在するように設けられている。一例として、支柱２３は、Ｚ軸方向から見て突出部２１Ｂと略同等の大きさを有する四角柱状に形成されている。支柱２３は、例えば、アルミニウム、或いは、鉄等のアルミニウム以外の金属、ポリアセタール（ＰＯＭ）及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等のエンジニアリングプラスチック等によって形成され得る。支柱２３は、例えば図示しない固定部材（例えばネジ等）を介して、突出部２１Ｂ及び底壁１２に固定されている。本実施形態では、ベース基板２１は、本体部２１Ａの四隅に設けられた各突出部２１Ｂに対応して設けられた４つの支柱２３によって、底壁１２に対して支持されている。
【0046】
センサパネル３０は、矩形板状に形成されたセンサ基板３１を有する。センサ基板３１は、受光部３２（受光面）が形成された第１面３１ａと、第１面３１ａとは反対側の第２面３１ｂと、を有する。第１面３１ａは、天壁１１に対向する面であり、第２面３１ｂは、底壁１２に対向する面である。受光部３２上には、シンチレータ３４が配置されている。シンチレータ３４は、例えばＣｓＩを主成分とするシンチレータ材料を受光部３２上に蒸着することにより形成されている。シンチレータ３４は、天壁１１を介して入射した放射線を光に変換する。具体的には、シンチレータ３４は、放射線の入射強度に応じた強度のシンチレーション光を受光部３２に出力する。これにより、第１面３１ａにおいて受光部３２が形成された領域は、放射線を検出する検出領域Ｒとして機能する。検出領域Ｒは、例えば一辺３０ｃｍ～４０ｃｍ程度の受光面積（一例として、４０ｃｍ×３０ｃｍ）を有する。
【0047】
センサ基板３１は、例えば透明なガラス基板である。センサ基板３１の第２面３１ｂがベース基板２１の支持面２１ａに固定されることにより、センサ基板３１はベース基板２１に固定されている。第２面３１ｂは、例えば両面テープ等の接着部材（不図示）を介して、支持面２１ａに固定されている。Ｚ方向から見て、少なくとも受光部３２及びシンチレータ３４が配置された領域は、ベース基板２１に含まれている。センサ基板３１の第１面３１ａにおいて、検出領域Ｒの外側には、複数の電極パッド３３が形成されている。複数の電極パッド３３は、後述する配線（読出用配線及び行選択用配線）等を介して、受光部３２に形成された画素Ｐｍ，ｎ（図４参照）と電気的に接続されている。本実施形態では一例として、Ｚ軸方向から見た場合に、Ｘ軸方向に沿ったセンサ基板３１の左右の縁部に２４個（１２個×２辺）の電極パッド３３（可撓性回路基板４０と接続される電極パッド）が形成されている。また、Ｙ軸方向に沿ったセンサ基板３１の一方の縁部（本実施形態では、図２における下側の縁部）に６個の電極パッド３３（可撓性回路基板４０Ａと接続される電極パッド）が形成されている。
【0048】
可撓性回路基板４０は、電極パッド３３と電気的に接続された回路部材である。可撓性回路基板４０は、折り曲げ等の変形が可能なフレキシブル基板４１と、フレキシブル基板４１上に搭載されたＩＣチップ４２と、を有する。図２に示されるように、本実施形態では、Ｚ軸方向から見た場合に、Ｘ軸方向に沿ったセンサ基板３１の左右の辺部に沿って、複数（本実施形態では、各辺につき１２個）の可撓性回路基板４０が等間隔に配置されている。各可撓性回路基板４０は、それぞれ対応する電極パッド３３に接続されている。
【0049】
図３に示されるように、フレキシブル基板４１は、Ｚ軸方向から見た場合におけるベース基板２１の側方を経由して（すなわち、ベース基板２１及び放射線遮蔽部材２２と干渉しないように折り曲げられて）、センサパネル３０（電極パッド３３）と制御基板５０（コネクタ５１）とを接続するように配置される。フレキシブル基板４１は、例えば、薄膜上の絶縁体（例えばポリイミド等）上に導体箔（例えば銅等）による回路パターンが形成された構造を有する。フレキシブル基板４１の一方の端部４１ａは、接続部材Ｂを介して電極パッド３３に接続されている。接続部材Ｂは、熱圧着によって接着力を生じさせる部材であり、例えばＡＣＦ（異方性導電フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）等の異方性導電材料である。フレキシブル基板４１の他方の端部４１ｂ（一端）は、制御基板５０のコネクタ５１（端子）に接続されている。
【0050】
ＩＣチップ４２は、センサパネル３０からの信号を読み出すための処理を実行する読出回路（ＲＯＩＣ：Readout IC）である。ＩＣチップ４２の動作例については後述する。
【0051】
センサ基板３１のＹ軸方向に沿った辺部（図２の下辺）には、複数（本実施形態では６つ）の可撓性回路基板４０Ａが等間隔に配置されている。各可撓性回路基板４０Ａは、それぞれ対応する電極パッド３３に接続されている。可撓性回路基板４０Ａは、可撓性回路基板４０と異なる形状及び大きさに形成されているが、基本的な構造は可撓性回路基板４０と同様である。各可撓性回路基板４０Ａには、ＩＣチップ４２Ａが搭載されている。図３に示されるように、各可撓性回路基板４０Ａの制御基板５０側の端部は、制御基板５０のＹ軸方向に沿った辺部（図２の下辺）に沿って設けられたコネクタ５１Ａ（図７参照）に接続されている。
【0052】
制御基板５０は、ベース基板２１の裏面２１ｂに対向する位置に配置され、センサパネル３０から読み出される信号を処理する回路基板である。制御基板５０は、上述したフレキシブル基板４１の端部４１ｂと接続されるコネクタ５１が設けられた接続面５０ａを有する。接続面５０ａは、底壁１２に対向する面であり、制御基板５０におけるベース基板２１に対向する面（図３における制御基板５０の上面）とは反対側の面である。
【0053】
制御基板５０は、ＩＣチップ４２の動作の制御、及びＩＣチップ４２への電源の供給を行うための回路等を含む。本実施形態では、空間Ｓ１（図１の（Ｃ）参照）に配置された制御基板５０は、挿通孔１２ａに挿通される導電性部材（例えば、配線、リードピン等）等を介して、空間Ｓ２（図１の（Ｃ）参照）に配置された上述した電源、Ｉ／Ｆ回路等と電気的に接続される。制御基板５０は、上述した一以上の支持部材５５を介してベース基板２１の裏面２１ｂに固定されている。なお、本実施形態では、ベース基板２１の支持安定性を向上させるために、制御基板５０に設けられた図示しない貫通孔に挿通されて、底壁１２に対してベース基板２１を支持するための複数の支持部材５６が設けられている。なお、制御基板５０は、支持部材５６に支持されておらず、上述したように、支持部材５５によってベース基板２１に対して固定されている。
【0054】
［放射線撮像装置の動作］
次に、放射線撮像装置１の動作（放射線の検出）の一例について説明する。本実施形態では、Ｘ軸方向に沿ったセンサ基板３１のＸ軸方向に沿った周縁部に形成された電極パッド３３に接続される可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２（ＲＯＩＣ）には、信号読出用のアンプチップ（信号接続部）が形成されている。一例として、図２におけるセンサ基板３１の左辺に設けられた可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２によって、信号接続部４２ａが形成されており、センサ基板３１の右辺に設けられた可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２によって、信号接続部４２ｂが形成されている。このように、本実施形態では、信号読出のノイズ低減及び速度向上を図るために、信号読出ライン（データライン）を上下に二分割した構成が採用されている。ただし、信号読出ラインをこのように分割することは必須ではない。他の信号制御に係るデータラインについても同様である。一方、Ｙ軸方向に沿ったセンサ基板３１の縁部（図２の下辺）に形成された電極パッド３３に接続される可撓性回路基板４０ＡのＩＣチップ４２Ａには、垂直シフトレジスタ（垂直走査回路）４２ｃが形成されている。
次に、放射線撮像装置１の動作（放射線の検出）の一例について説明する。本実施形態では、Ｘ軸方向に沿ったセンサ基板３１のＸ軸方向に沿った周縁部に形成された電極パッド３３に接続される可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２（ＲＯＩＣ）には、信号読出用のアンプチップ（信号接続部）が形成されている。一例として、図２におけるセンサ基板３１の左辺に設けられた可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２によって、信号接続部４２ａが形成されており、センサ基板３１の右辺に設けられた可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２によって、信号接続部４２ｂが形成されている。このように、本実施形態では、信号読出のノイズ低減及び速度向上を図るために、信号読出ライン（データライン）を上下に二分割した構成が採用されている。ただし、信号読出ラインをこのように分割することは必須ではない。他の信号制御に係るデータラインについても同様である。一方、Ｙ軸方向に沿ったセンサ基板３１の縁部（図２の下辺）に形成された電極パッド３３に接続される可撓性回路基板４０ＡのＩＣチップ４２Ａには、垂直シフトレジスタ（垂直走査回路）４２ｃが形成されている。
【0055】
図４～図６を参照して、放射線撮像装置１の動作の一例について説明する。図４に示されるように、受光部３２は、Ｍ×Ｎ個の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されることにより構成されている。画素Ｐｍ，ｎは、第ｍ行第ｎ列に位置する画素である。ここで、ｍは１以上Ｍ以下の各整数であり、ｎは１以上Ｎ以下の各整数である。なお、図４において、列方向はＸ軸方向と一致し、行方向はＹ軸方向と一致する。受光部３２に含まれる複数の画素Ｐ１，１～ＰＭ，Ｎのそれぞれは、フォトダイオードＰＤ及び読出用スイッチＳＷ１を備えている。フォトダイオードＰＤのアノード端子にはバイアス電圧が印可されており、フォトダイオードＰＤのカソード端子には、読出用スイッチＳＷ１の一端（一方の電流端子）が接続されている。また、読出用スイッチＳＷ１の他端（他方の電流端子）は、対応する読出用配線（例えば画素Ｐｍ，ｎの場合、第ｎ列読出用配線ＬＯ，ｎ）に接続されている。読出用スイッチＳＷ１の制御端子は、対応する行選択用配線（例えば画素Ｐｍ，ｎの場合、第ｍ行選択用配線ＬＶ，ｍ）に接続されている。
【0056】
図５に示されるように、センサ基板３１の第１面３１ａの全面には、シリコン膜３５が設けられている。そして、フォトダイオードＰＤ、読出用スイッチＳＷ１、及び第ｎ列読出用配線ＬＯ，ｎは、このシリコン膜３５の表面に形成されている。フォトダイオードＰＤ、読出用スイッチＳＷ１、及び第ｎ列読出用配線ＬＯ，ｎは、絶縁層３６によって覆われている。絶縁層３６の上には、シンチレータ３４がセンサ基板３１の第１面３１ａの検出領域Ｒの全体を覆うように設けられている。フォトダイオードＰＤは、例えば、アモルファスシリコンを含んで構成されている。
【0057】
本実施形態のフォトダイオードＰＤは、ｎ型多結晶シリコンからなるｎ型半導体層９１と、ｎ型半導体層９１上に設けられたｉ型アモルファスシリコンからなるｉ型半導体層９２と、ｉ型半導体層９２上に設けられたｐ型アモルファスシリコンからなるｐ型半導体層９３とを有する。また、読出用スイッチＳＷ１は、多結晶シリコンにより形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）であり、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）としての構成を有する。すなわち、読出用スイッチＳＷ１は、チャネル領域９４と、チャネル領域９４の一方の側面に沿って配置されたソース領域９５と、チャネル領域９４の他方の側面に沿って配置されたドレイン領域９６と、チャネル領域９４上に形成されたゲート絶縁膜９７及びゲート電極９８とを有する。第ｎ列読出用配線ＬＯ，ｎは、金属からなる。シンチレータ３４は、入射した放射線に応じてシンチレーション光を発生して放射線像を光像へと変換し、この光像を受光部３２へ出力する。
【0058】
図６には、Ｍ×Ｎ個の画素Ｐｍ，ｎ（ｍ＝１，…，Ｍ、ｎ＝１，…，Ｎ）を代表して、４×４個の画素１００が示されている。画素１００のそれぞれは、フォトダイオードＰＤ及び読出用スイッチＳＷ１を含んで構成されている。フォトダイオードＰＤは、入射光の強度に応じた量の電荷を発生し、発生した電荷を接合容量部に蓄積する。上述した通り、読出用スイッチＳＷ１は、画素１００が属する行に対応する行選択用配線ＬＶに接続されている。ここで、第ｍ行の画素Ｐｍ，ｎに対応する行選択用配線ＬＶは、上述した第ｍ行選択用配線ＬＶ，ｍである。Ｍ本の行選択用配線ＬＶは、垂直シフトレジスタ４２ｃに接続されている。垂直シフトレジスタ４２ｃのそれぞれは、読出用スイッチＳＷ１の導通状態／非導通状態を各行毎に制御するための行選択信号を生成し、当該行選択信号を、各行の行選択用配線ＬＶに対して順次提供する。
【0059】
垂直シフトレジスタ４２ｃから行選択用配線ＬＶに出力される行選択信号が非有意値（例えばローレベル）であるときに、読出用スイッチＳＷ１が開く。このとき、フォトダイオードＰＤで発生した電荷は、対応する列読出用配線ＬＯへ出力されることなく、接合容量部に蓄積される。ここで、第ｎ列の画素Ｐｍ，ｎに対応する列読出用配線ＬＯは、上述した第ｎ列読出用配線ＬＯ，ｎである。一方、行選択信号が有意値（例えばハイレベル）であるときに、読出用スイッチＳＷ１が閉じる。このとき、それまでフォトダイオードＰＤで発生して接合容量部に蓄積されていた電荷は、読出用スイッチＳＷ１を経て、対応する読出用配線ＬＯへ出力される。出力された電荷は、読出用配線ＬＯを介して積分回路１０１へ送られる。本実施形態では、受光部３２に形成された画素１００のうち、センサ基板３１の上辺側の行に位置する画素１００の読出用スイッチＳＷ１は、対応する読出用配線ＬＯを介して、信号接続部４２ａの積分回路１０１に接続されている。一方、受光部３２に形成された画素１００のうち、センサ基板３１の下辺側の行に位置する画素１００の読出用スイッチＳＷ１は、対応する読出用配線ＬＯを介して、信号接続部４２ｂの積分回路１０１に接続されている。なお、センサ基板３１の上辺側の行と下辺側の行との分割の仕方は任意である。例えば、センサ基板３１の上辺側の行の数をＮ１とし、センサ基板３１の下辺側の行の数をＮ２とした場合、「Ｎ１＝Ｎ２」、「Ｎ１＞Ｎ２」、及び「Ｎ１＜Ｎ２」のいずれの関係が成立してもよい。
【0060】
積分回路１０１は、アンプ１０１ａ、容量素子１０１ｂ、及び放電用スイッチ１０１ｃを含む、いわゆる電荷積分型の構成を備えている。容量素子１０１ｂ及び放電用スイッチ１０１ｃは、互いに並列に接続され、且つアンプ１０１ａの入力端子と出力端子との間に接続されている。アンプ１０１ａの入力端子は、列読出用配線ＬＯに接続されている。放電用スイッチ１０１ｃには、リセット用配線ＬＲを介してリセット制御信号ＲＥが提供される。
【0061】
リセット制御信号ＲＥは、Ｎ個の積分回路１０１それぞれの放電用スイッチ１０１ｃの開閉動作を指示する。例えば、リセット制御信号ＲＥが非有意値（例えばハイレベル）であるときに、放電用スイッチ１０１ｃが閉じて、容量素子１０１ｂが放電され、積分回路１０１の出力電圧値が初期化される。また、リセット制御信号ＲＥが有意値（例えばローレベル）であるときに、放電用スイッチ１０１ｃが開いて、積分回路１０１に入力された電荷が容量素子１０１ｂに蓄積され、その蓄積電荷量に応じた電圧値が積分回路１０１から出力される。
【0062】
信号接続部４２ａ及び４２ｂのそれぞれは、Ｎ個の保持回路１０２及び水平シフトレジスタ１０３を更に有する。各保持回路１０２は、入力用スイッチ１０２ａ、出力用スイッチ１０２ｂ、及び電圧保持部１０２ｃを含む。電圧保持部１０２ｃの一端は、入力用スイッチ１０２ａを介して積分回路１０１の出力端に接続され、電圧保持部１０２ｃの他端は、出力用スイッチ１０２ｂを介して電圧出力用配線ＬＯＵＴと接続されている。入力用スイッチ１０２ａには、保持用配線ＬＨを介して保持制御信号Ｈｄが与えられる。保持制御信号Ｈｄは、Ｎ個の保持回路１０２それぞれの入力用スイッチ１０２ａの開閉動作を指示する。保持回路１０２の出力用スイッチ１０２ｂには、水平シフトレジスタ１０３から列選択信号が与えられる。列選択信号は、対応する列の保持回路１０２の出力用スイッチ１０２ｂの開閉動作を指示する。
【0063】
保持制御信号Ｈｄがハイレベルからローレベルに転じると、入力用スイッチ１０２ａが閉状態から開状態に転じて、そのときに保持回路１０２に入力されている電圧値が電圧保持部１０２ｃに保持される。その後、水平シフトレジスタ１０３からの列選択信号が列毎にローレベルからハイレベルに順に転じると、出力用スイッチ１０２ｂが順次閉じて、電圧保持部１０２ｃに保持されている電圧値が列毎に電圧出力用配線ＬＯＵＴへ順次出力される。
【0064】
［熱吸収部材の構成］
次に、主に図３及び図７～図９を参照して、熱吸収部材６０の構成についてより詳細に説明する。図７は、筐体１０内の構造を制御基板５０の下面（接続面５０ａ）に対向する側から見た図である。なお、図７では、Ｙ軸方向における制御基板５０の一方側（図７の右側）の縁部においてＸ軸方向に沿って配置される複数の可撓性回路基板４０の図示が省略されている。すなわち、図７の右側部分は、可撓性回路基板４０を取り付ける前の状態を示している。図８に図示された左端のフレキシブル基板４１については、端部４１ｂがコネクタ５１から外されており、Ｙ軸方向における外側に延びている状態を示している。図９は、支持部材２０（放射線遮蔽部材２２）と各フレキシブル基板４１上に搭載されたＩＣチップ４２との間に配置された熱吸収部材６０を側方（Ｙ軸方向）から見た図である。
次に、主に図３及び図７～図９を参照して、熱吸収部材６０の構成についてより詳細に説明する。図７は、筐体１０内の構造を制御基板５０の下面（接続面５０ａ）に対向する側から見た図である。なお、図７では、Ｙ軸方向における制御基板５０の一方側（図７の右側）の縁部においてＸ軸方向に沿って配置される複数の可撓性回路基板４０の図示が省略されている。すなわち、図７の右側部分は、可撓性回路基板４０を取り付ける前の状態を示している。図８に図示された左端のフレキシブル基板４１については、端部４１ｂがコネクタ５１から外されており、Ｙ軸方向における外側に延びている状態を示している。図９は、支持部材２０（放射線遮蔽部材２２）と各フレキシブル基板４１上に搭載されたＩＣチップ４２との間に配置された熱吸収部材６０を側方（Ｙ軸方向）から見た図である。
【0065】
熱吸収部材６０は、支持部材２０（ベース基板２１及び放射線遮蔽部材２２）に対してセンサパネル３０が位置する側とは反対側において、支持部材２０とＩＣチップ４２との間に設けられ、ＩＣチップ４２からの熱を吸収する。熱吸収部材６０は、Ｘ軸方向に延びる棒状に形成されている。熱吸収部材６０は、Ｚ軸方向に積層された複数のシート部材によって構成されている。一例として、熱吸収部材６０は、それぞれ厚さが１ｍｍの７枚のシート部材を互いに重ねて圧着又は溶着することによって形成されている。熱吸収部材６０を構成する材料は、例えば、アクリル、シリコン、セラミック等である。
【0066】
本実施形態では、熱吸収部材６０は、各フレキシブル基板４１上に搭載されたＩＣチップ４２と放射線遮蔽部材２２との間に設けられている。なお、図３の例では、熱吸収部材６０は、放射線遮蔽部材２２のうちベース基板２１のＹ軸方向における端部２１ｃよりも外側に突出する部分と重なるように配置されている。すなわち、Ｚ軸方向において、熱吸収部材６０は、ベース基板２１と重なっていない。ただし、熱吸収部材６０の配置構成は、上記構成に限定されない。例えば、熱吸収部材６０の少なくとも一部は、放射線遮蔽部材２２及びベース基板２１の両方と重なるように配置されてもよい。また、例えばベース基板２１それ自体が放射線遮蔽材料によって形成されており、放射線遮蔽部材２２が省略される場合等には、熱吸収部材６０は、ベース基板２１とＩＣチップ４２との間に設けられてもよい。
【0067】
図７に示されるように、放射線撮像装置１は、Ｙ軸方向における制御基板５０の両側縁部の各々において、Ｘ軸方向（第３方向）に沿って配列された複数（本実施形態では１２個）のフレキシブル基板４１を備えている。また、それぞれの縁部において、２つずつの棒状の熱吸収部材６０が、Ｘ軸方向に並んで配置されている。すなわち、本実施形態では、１つの熱吸収部材６０は、複数（本実施形態では６個）のフレキシブル基板４１に対応するように（言い換えれば、複数のフレキシブル基板４１上の複数のＩＣチップ４２と放射線遮蔽部材２２との間に配置される部分を有するように）、Ｘ軸方向における制御基板５０の長さの略半分程度の長さを有している。上述したとおり、本実施形態では、３つのフレキシブル基板４１に対して１つの放射線遮蔽部材２２が設けられている。このため、図７の右側部分に示されるように、１つの熱吸収部材６０は、Ｘ軸方向に並んで配置された２つの放射線遮蔽部材２２に跨がるように設けられており、６つのフレキシブル基板４１上のＩＣチップ４２と上記２つの放射線遮蔽部材２２との間に挟まれている。なお、熱吸収部材６０は、両面テープ等によって放射線遮蔽部材２２に対して固定されてもよいし、固定されなくてもよい。熱吸収部材６０を固定しない場合であっても、後述するように熱吸収部材６０がフレキシブル基板４１と放射線遮蔽部材２２とによって挟持されて固定される。熱吸収部材６０を放射線遮蔽部材２２に固定する構成によれば、熱吸収部材６０の位置ずれ等を抑制できる。一方、熱吸収部材６０を放射線遮蔽部材２２に固定しない構成によれば、熱吸収部材６０及び放射線遮蔽部材２２等の交換作業が容易となる。
【0068】
【0069】
吸熱部６１は、Ｚ軸方向から見た場合に、フレキシブル基板４１と重なる領域に配置される部分（すなわち、フレキシブル基板４１と放射線遮蔽部材２２とに挟まれる部分）である。吸熱部６１は、ＩＣチップ４２のフレキシブル基板４１に対する搭載面４２１とは反対側の表面４２２と接触する側の接触面６１ａを有する。図８に示されるように、一例として、ＩＣチップ４２は、フレキシブル基板４１の幅方向（Ｘ軸方向）中央部に配置され、矩形板状を有する。また、Ｙ軸方向に沿った接触面６１ａの幅Ｗ１は、Ｙ軸方向に沿ったＩＣチップ４２の幅Ｗ２と同一又はそれ以上に設定されている。これにより、ＩＣチップ４２の表面４２２の全体が接触面６１ａと接触するように構成されている。
【0070】
放熱部６２は、吸熱部６１と接続され、Ｚ軸方向から見た場合に、フレキシブル基板４１の延在方向（第２方向、Ｙ軸方向）と交差するＸ軸方向（第３方向）においてフレキシブル基板４１の外縁よりも外側に延びる部分である。本実施形態では、上述したとおり、熱吸収部材６０は、Ｘ軸方向に延在する棒状に形成されているため、放熱部６２は、吸熱部６１と同じ部材（材料）によって一体的（連続的）に形成されている。なお、本実施形態のように、１つの熱吸収部材６０が複数のフレキシブル基板４１に跨がって形成される場合、Ｘ軸方向に互いに隣接するフレキシブル基板４１上に位置する２つの吸熱部６１の間に配置される放熱部６２は、当該２つの吸熱部６１によって共有される。例えば、図９の中央部のフレキシブル基板４１に対応して設けられた吸熱部６１に着目した場合、当該吸熱部６１に対応する放熱部６２は、熱吸収部材６０のうち当該吸熱部６１の両側の領域Ａ１，Ａ２に含まれる部分である。この場合、領域Ａ１に対応する放熱部６２は、図９の中央部のフレキシブル基板４１に対応して設けられた吸熱部６１と図９の左端のフレキシブル基板４１に対応して設けられた吸熱部６１とによって共有される。同様に、領域Ａ２に対応する放熱部６２は、図９の中央部のフレキシブル基板４１に対応して設けられた吸熱部６１と図９の右端のフレキシブル基板４１に対応して設けられた吸熱部６１とによって共有される。
【0071】
図９に示されるように、Ｚ軸方向における放熱部６２の厚さＴ２は、Ｚ軸方向における吸熱部６１の厚さＴ１よりも大きい。なお、図９に示されるように、放熱部６２の厚さＴ２は、Ｘ軸方向の位置によってばらつきがある。例えば、本実施形態のように、フレキシブル基板４１と放射線遮蔽部材２２とによって吸熱部６１がＺ軸方向に圧縮される場合、放熱部６２のうちＸ軸方向において吸熱部６１から離れた部分ほど、厚さＴ２が大きくなる傾向がある。従って、上述した厚さＴ１，Ｔ２の関係「Ｔ２＞Ｔ１」を満たすか否かを判断する際における「放熱部６２の厚さＴ２」は、Ｘ軸方向における放熱部６２の全域の厚さの平均値を意味する。
【0072】
また、図３に示されるように、吸熱部６１の厚さＴ１は、Ｙ軸方向における位置によって異なり得る。その結果、吸熱部６１に隣接する放熱部６２の厚さＴ２も、Ｙ軸方向における位置によって異なり得る。このような場合には、「Ｚ軸方向における放熱部６２の厚さＴ２は、Ｚ軸方向における吸熱部６１の厚さＴ１よりも大きい」とは、Ｙ軸方向における任意の位置において「Ｔ２＞Ｔ１」が成立することを意味する。なお、吸熱部６１の厚さＴ１は、フレキシブル基板４１によって押さえ込まれているため、Ｘ軸方向における位置によって大きく変化しないと考えられるが、Ｘ軸方向における位置によって厚さＴ１が大きく変化する場合には、上述した厚さＴ１，Ｔ２の関係「Ｔ２＞Ｔ１」を満たすか否かを判断する際における「吸熱部６１の厚さＴ１」は、Ｘ軸方向における吸熱部６１の全域の厚さの平均値を意味する。
【0073】
なお、放熱部６２の厚さＴ２を十分に確保して放熱部６２の放熱性を向上させる観点から、放熱部６２の厚さＴ２は、吸熱部６１（すなわち、熱吸収部材６０のうちＺ軸方向においてフレキシブル基板４１と重なる部分）の全域の厚さの平均値よりも大きいことが好ましく、吸熱部６１のうちＩＣチップ４２と重なる領域（すなわち、ＩＣチップ４２に押し当てられることによって他の部分よりも厚さが小さくなるように変形し得る領域）を除いた部分の厚さの平均値よりも大きいことがより好ましく、吸熱部６１のうち最も厚い部分の厚さよりも大きいことがさらに好ましい。
【0074】
［作用効果］
以上述べた放射線撮像装置１では、熱吸収部材６０は、フレキシブル基板４１と重なるように配置されると共に接触面６１ａを介してＩＣチップ４２からの熱を効率良く吸収する吸熱部６１と、吸熱部６１よりもＸ軸方向の外側に広がるように形成された放熱部６２と、を有している。吸熱部６１に加えて放熱部６２を設けると共に、Ｚ軸方向においてフレキシブル基板４１と重ならない位置に吸熱部６１よりも厚みのある放熱部６２を設けることにより、熱吸収部材６０の全体の体積及び熱容量を効果的に大きくすることができると共に、放熱部６２において空気に触れる部分の表面積を適切に確保することができる。これにより、ＩＣチップ４２からの熱を効果的に熱吸収部材６０に吸収させることができると共に、放熱部６２から空気中へと適切に熱を逃がすことができる。すなわち、「ＩＣチップ４２→吸熱部６１→放熱部６２→空気中（筐体１０内の空間Ｓ１）」の経路で熱を効率的に逃がすことができる。その結果、熱吸収部材６０から支持部材２０への熱の移動、すなわち、熱吸収部材６０から支持部材２０（本実施形態では、放射線遮蔽部材２２及びベース基板２１）を介したセンサパネル３０への熱の移動を抑制できるため、センサパネル３０（受光部３２）における当該熱に起因するノイズの発生を抑制できる。従って、放射線撮像装置１によれば、上記ノイズに起因する放射線画像の画質の劣化等が抑制されるため、信頼性を向上させることができる。
以上述べた放射線撮像装置１では、熱吸収部材６０は、フレキシブル基板４１と重なるように配置されると共に接触面６１ａを介してＩＣチップ４２からの熱を効率良く吸収する吸熱部６１と、吸熱部６１よりもＸ軸方向の外側に広がるように形成された放熱部６２と、を有している。吸熱部６１に加えて放熱部６２を設けると共に、Ｚ軸方向においてフレキシブル基板４１と重ならない位置に吸熱部６１よりも厚みのある放熱部６２を設けることにより、熱吸収部材６０の全体の体積及び熱容量を効果的に大きくすることができると共に、放熱部６２において空気に触れる部分の表面積を適切に確保することができる。これにより、ＩＣチップ４２からの熱を効果的に熱吸収部材６０に吸収させることができると共に、放熱部６２から空気中へと適切に熱を逃がすことができる。すなわち、「ＩＣチップ４２→吸熱部６１→放熱部６２→空気中（筐体１０内の空間Ｓ１）」の経路で熱を効率的に逃がすことができる。その結果、熱吸収部材６０から支持部材２０への熱の移動、すなわち、熱吸収部材６０から支持部材２０（本実施形態では、放射線遮蔽部材２２及びベース基板２１）を介したセンサパネル３０への熱の移動を抑制できるため、センサパネル３０（受光部３２）における当該熱に起因するノイズの発生を抑制できる。従って、放射線撮像装置１によれば、上記ノイズに起因する放射線画像の画質の劣化等が抑制されるため、信頼性を向上させることができる。
【0075】
また、熱吸収部材６０は、それ自体接着性を有しておらず、少なくともフレキシブル基板４１及びＩＣチップ４２に接着されていない。すなわち、吸熱部６１の接触面６１ａは、ＩＣチップ４２の表面４２２等に接着固定されない。従って、フレキシブル基板４１及びＩＣチップ４２が熱吸収部材６０を介して支持部材２０に接着固定されないため、放射線撮像装置１のリペア（修理）を行う際等において、フレキシブル基板４１及びＩＣチップ４２の交換作業を容易に行うことが可能となる。
【0076】
また、熱吸収部材６０は、Ｚ軸方向に積層された複数（本実施形態では、７つ）のシート部材によって構成されている。上記構成によれば、熱吸収部材６０を構成するシート部材の枚数（層数）を調整することにより、例えば、ＩＣチップ４２から熱吸収部材６０へと熱を効果的に移動させる観点において熱吸収部材６０（吸熱部６１の接触面６１ａ）が適切な強さでＩＣチップ４２の表面４２２に押し付けられるように、Ｚ軸方向における熱吸収部材６０の厚さを容易に調整することが可能となる。また、上記構成によれば、熱吸収部材６０の側面（Ｘ軸方向又はＹ軸方向に交差する側面）が完全な平坦面とならない（例えば、一部のシート部材が隣接するシート部材よりもＸ軸方向又はＹ軸方向に若干突出する）ことにより、熱吸収部材６０と空気との接触面積が増大し、放熱性が向上するという効果も得られる。
【0077】
また、図３に示されるように、Ｚ軸方向から見た場合に、熱吸収部材６０は、検出領域Ｒ（有効受光領域）の外側に配置されている。すなわち、ＩＣチップ４２からの熱を吸収する熱吸収部材６０は、少なくともＺ軸方向において重ならない程度に、検出領域Ｒから離間している。上記構成によれば、熱吸収部材６０に吸収された熱が検出領域Ｒに及ぼす影響をより一層効果的に低減できるため、センサパネル３０（受光部３２）における熱に起因するノイズの発生をより一層効果的に抑制できる。
【0078】
また、Ｚ軸方向における熱吸収部材６０の厚さは、自然状態において、Ｘ軸方向における熱吸収部材６０の全域において略均一とされている。ここで、「自然状態」とは、熱吸収部材６０がフレキシブル基板４１（ＩＣチップ４２）と支持部材２０（放射線遮蔽部材２２）とに挟まれておらず、Ｚ軸方向に圧縮しようとする力が熱吸収部材６０に作用していない状態を意味する。また、図３及び図９に示されるように、吸熱部６１は、フレキシブル基板４１（ＩＣチップ４２）と支持部材２０（放射線遮蔽部材２２）とに挟まれてＺ軸方向に圧縮された状態とされている。すなわち、上述した放熱部６２の厚さＴ２と吸熱部６１の厚さＴ１との関係「Ｔ２＞Ｔ１」は、吸熱部６１に対してＺ軸方向に圧縮する力が作用することによって実現されている。例えば、フレキシブル基板４１の端部４１ａから端部４１ｂまでの長さ、端部４１ａ又は端部４１ｂが対向する部材（電極パッド３３、コネクタ５１等）と接続される位置、熱吸収部材６０の厚さ（例えば、熱吸収部材６０を構成するシート部材の厚さ、枚数等）等を調整することにより、上記のように吸熱部６１がＺ軸方向に圧縮されるように構成することができる。すなわち、自然状態において略均一の厚みを有する熱吸収部材６０のうちフレキシブル基板４１と支持部材２０との間に配置される部分（すなわち、吸熱部６１）に対してＺ軸方向に圧縮する力が加わるように構成することにより、上記の厚さＴ１，Ｔ２の大小関係「Ｔ２＞Ｔ１」を満たすように、吸熱部６１及び放熱部６２を容易に形成することができる。また、このように吸熱部６１に圧力を加えてＩＣチップ４２と吸熱部６１とを接触させることにより、例えば、熱吸収部材６０に対して外部から衝撃が加わった場合において、吸熱部６１とＩＣチップ４２との接触が解除され難くなる。また、吸熱部６１をＩＣチップ４２の表面４２２に押し付けることにより、ＩＣチップ４２の側面に対向する空間に吸熱部６１を押し込むことができるため、吸熱部６１によるＩＣチップ４２からの熱の吸収効率を向上させることができる。
【0079】
また、図３及び図８に示されるように、フレキシブル基板４１には、制御基板５０のコネクタ５１と接続される端部４１ｂとＩＣチップ４２が搭載された領域との間にコンデンサＣ（本実施形態では、複数のコンデンサＣ）が設けられている。図３に示されるように、熱吸収部材６０（吸熱部６１）は、コンデンサＣと接触しないように配置されている。すなわち、Ｙ軸方向における吸熱部６１の幅は、吸熱部６１がＩＣチップ４２の表面４２２と重なる一方でコンデンサＣと重ならないように設定されている。上記構成によれば、ＩＣチップ４２で発生した熱が熱吸収部材６０（吸熱部６１）を介してコンデンサＣに伝達されることを抑制できる。その結果、熱によるコンデンサＣの特性の劣化を抑制できる。また、熱吸収部材６０がコンデンサＣに接触することに起因するコンデンサＣの破損又は剥離等の発生を抑制することもできる。
【0080】
また、図３に示されるように、吸熱部６１の接触面６１ａのうち制御基板５０に最も近い内側端部６１ａ１は、Ｚ軸方向において、制御基板５０の接続面５０ａよりも裏面２１ｂから離れた位置にある。すなわち、Ｘ軸方向から見た場合において、Ｙ軸方向において制御基板５０から最も近い位置にある接触面６１ａの内側端部６１ａ１は、接続面５０ａよりも底壁１２側に位置している。これにより、コンデンサＣは、制御基板５０（接続面５０ａ）と接触しないように配置されている。すなわち、上記のように構成された熱吸収部材６０（吸熱部６１）が支持部材２０（放射線遮蔽部材２２）とＩＣチップ４２との間に配置されることにより、フレキシブル基板４１のうち端部４１ｂとＩＣチップ４２が搭載された領域との間の部分（すなわち、コンデンサＣが配置された部分）を制御基板５０の接続面５０ａから離間させることができる。これにより、コンデンサＣが制御基板５０と接触して損傷することを防止できる。さらに、例えば、ベース基板２１に対して制御基板５０が上方に位置する状態（すなわち、放射線遮蔽部材２２上に熱吸収部材６０を載置可能な状態）で、フレキシブル基板４１の端部４１ｂをコネクタ５１に接続する場合について考える。この場合、内側端部６１ａ１が接続面５０ａよりも上方に配置されるため、フレキシブル基板４１においてコンデンサＣが配置された部分は、接続面５０ａよりも上方に浮いた状態となる。従って、上記構成によれば、放射線撮像装置１の製造時（すなわち、フレキシブル基板４１の端部４１ｂをコネクタ５１に接続する際）においても、コンデンサＣと制御基板５０との接触を適切に防止できる。
【0081】
また、図３に示されるように、Ｘ軸方向から見た場合に、吸熱部６１の接触面６１ａは、Ｙ軸方向に沿って制御基板５０に近づくにつれてＺ軸方向に沿って裏面２１ｂから離れるように（すなわち、底壁１２に近づくように）傾斜している。このように接触面６１ａが傾斜する構成は、例えば、以下の理由によって形成されている。フレキシブル基板４１と放射線遮蔽部材２２とで吸熱部６１を圧迫した場合、吸熱部６１の接触面６１ａのうち最も外側の部分（制御基板５０から最も離れた部分）ほど、放射線遮蔽部材２２側に押し込もうとする力が大きく作用することになる。その結果、上述したような傾斜形状が形成される。上記構成によれば、フレキシブル基板４１のうち制御基板５０に近い側の部分（内側端部６１ａ１）が制御基板５０の接続面５０ａに接触するリスク（或いは、フレキシブル基板４１の一部が制御基板５０の接続面５０ａの縁部に強い力で押し当てられるリスク）を低減できる。また、上述したようなコンデンサＣと制御基板５０との接触を回避するために、内側端部６１ａ１が接続面５０ａよりも底壁１２側に位置するように構成した場合等において、接触面６１ａを図３に示すように傾斜させることにより、フレキシブル基板４１の全長を短くすることができる。
【0082】
また、本実施形態では、熱吸収部材６０は、放射線遮蔽部材２２とＩＣチップ４２との間に設けられている。上記構成によれば、センサパネル３０が支持されるベース基板２１と熱吸収部材６０との間に放射線遮蔽部材２２を介在させることができる。その結果、熱吸収部材６０からベース基板２１への熱の伝達、ひいてはセンサパネル３０（受光部３２）への熱の伝達をより一層効果的に抑制できる。
【0083】
また、上記のように熱吸収部材６０が放射線遮蔽部材２２に接触するように設けられている場合には、熱吸収部材６０の熱容量は、放射線遮蔽部材２２の熱容量よりも大きくされることが好ましい。上記構成によれば、放射線遮蔽部材２２が銅タングステン等の熱伝導率に優れた材料で形成される場合においても、上記のような熱容量差を設けることにより、熱吸収部材６０から放射線遮蔽部材２２への熱の移動を効果的に抑制できる。これにより、熱吸収部材６０から支持部材２０（放射線遮蔽部材２２及びベース基板２１）を介したセンサパネル３０への熱の伝達をより一層効果的に抑制できる。
【0084】
また、Ｚ軸方向から見た場合に、放射線遮蔽部材２２は、制御基板５０の外縁部５０ｂと重なる位置又は外縁部５０ｂよりも外側に配置されている。本実施形態では、図３に示されるように、Ｚ軸方向において、放射線遮蔽部材２２の内側端部は、外縁部５０ｂと重なっている。また、図８に示されるように、Ｙ軸方向において熱吸収部材６０が配置されている範囲Ｒ１は、Ｙ軸方向において放射線遮蔽部材２２が配置されている範囲Ｒ２に含まれている。上記構成によれば、熱吸収部材６０と制御基板５０との干渉（接触）を好適に抑制できる。なお、上記効果は、放射線遮蔽部材２２の内側端部を外縁部５０ｂよりも外側に配置することにより、より好適に発揮される。これにより、組立作業（例えば、フレキシブル基板４１の端部４１ｂを制御基板５０のコネクタ５１に接続する作業等）を容易化できると共に、ＩＣチップ４２で発生した熱が熱吸収部材６０を介して制御基板５０に伝達されることを抑制できる。
【0085】
また、図２及び図７に示されるように、放射線撮像装置１は、Ｘ軸方向に沿って配列され、それぞれＩＣチップ４２が搭載された複数のフレキシブル基板４１を備えている。また、１つの熱吸収部材６０は、複数（本実施形態では６つ）のフレキシブル基板４１に対応するように、Ｘ軸方向に延在している。すなわち、本実施形態では、図７に示されるように、Ｙ軸方向における制御基板５０の両側縁部に、２つずつ（合計４つ）の熱吸収部材６０が設けられている。上記構成によれば、Ｘ軸方向に並んで配置された複数（一例として６つ）のＩＣチップ４２（フレキシブル基板４１）に対して、Ｘ軸方向に長尺な１つの熱吸収部材６０を設けることにより、１つの熱吸収部材６０の体積及び熱容量をより一層効果的に大きくすることができる。これにより、熱吸収部材６０から支持部材２０への熱の移動、すなわち、熱吸収部材６０から支持部材２０を介したセンサパネル３０への熱の移動をより一層効果的に抑制できる。また、熱吸収部材６０をＩＣチップ４２毎に個別に設ける場合と比較して、熱吸収部材６０の部品点数を削減できる共に、熱吸収部材６０の取付作業を容易化できる。また、熱吸収部材６０を支持部材２０（本実施形態では、放射線遮蔽部材２２）に接着等によって固定する場合において、熱吸収部材６０の固定の安定性を高めることもできる。
【0086】
［変形例］
本開示は、上記実施形態に限られない。上述した各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。また、上記実施形態に係る放射線撮像装置１に含まれる一部の構成は、適宜省略又は変更されてもよい。例えば、上記実施形態では、放射線撮像装置１に含まれるいくつかの特徴的な構成、及び各構成によって発揮されるいくつかの効果について説明したが、本開示に係る放射線撮像装置は、必ずしも、上記実施形態で説明された全ての効果を発揮するように構成される必要はなく、上記実施形態で説明された一部の効果のみを発揮するように構成されてもよい。後者の場合には、放射線撮像装置は、少なくとも当該一部の効果を発揮するために必須の構成を備えていればよく、当該一部の効果を発揮するために必須ではない構成は適宜省略又は変更されてもよい。なお、一の効果に着目した場合において、当該一の効果を発揮するために必須の構成は、当業者を基準として、技術常識及び本明細書の記載に基づいて、合理的に把握されるべきである。以下、本開示の放射線撮像装置について、いくつかの具体的な変形例を例示するが、放射線撮像装置の変形例が以下に例示する具体的な形態のみに限定されないことはいうまでもない。
本開示は、上記実施形態に限られない。上述した各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。また、上記実施形態に係る放射線撮像装置１に含まれる一部の構成は、適宜省略又は変更されてもよい。例えば、上記実施形態では、放射線撮像装置１に含まれるいくつかの特徴的な構成、及び各構成によって発揮されるいくつかの効果について説明したが、本開示に係る放射線撮像装置は、必ずしも、上記実施形態で説明された全ての効果を発揮するように構成される必要はなく、上記実施形態で説明された一部の効果のみを発揮するように構成されてもよい。後者の場合には、放射線撮像装置は、少なくとも当該一部の効果を発揮するために必須の構成を備えていればよく、当該一部の効果を発揮するために必須ではない構成は適宜省略又は変更されてもよい。なお、一の効果に着目した場合において、当該一の効果を発揮するために必須の構成は、当業者を基準として、技術常識及び本明細書の記載に基づいて、合理的に把握されるべきである。以下、本開示の放射線撮像装置について、いくつかの具体的な変形例を例示するが、放射線撮像装置の変形例が以下に例示する具体的な形態のみに限定されないことはいうまでもない。
【0087】
上記実施形態では、熱吸収部材６０は、ＲＯＩＣ（ＩＣチップ４２）にのみ設けられたが、上記以外のＩＣチップ（例えば上記実施形態において垂直シフトレジスタを構成するＩＣチップ４２Ａ）に対して設けられてもよい。また、例えば、熱吸収部材６０は、ＩＣチップ４２Ａに対してのみ設けられてもよい。
【0088】
上記実施形態では、検出領域Ｒは、シンチレータ３４によって放射線像を光像に変換した後に受光部３２によって当該光像を撮像して画像を得る間接変換方式が適用された領域であったが、検出領域Ｒは、放射線像を直接的に撮像して画像を得る直接変換方式が適用された領域であってもよい。例えば、センサ基板３１の第１面３１ａにおいて、受光部３２の代わりに、電荷の蓄積及び転送を行うように構成された画素回路が設けられると共に、シンチレータ３４の代わりに、放射線を直接的に電荷に変換する固体材料（変換部）（例えば、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＴｌＢｒ、ＨｇＩ２、ＰｂＩ２、Ｓｉ、Ｇｅ、及びａ－Ｓｅ等）が設けられてもよい。これにより、直接変換方式が適用された検出領域Ｒが得られる。この場合の検出領域Ｒは、放射線が入射する領域であって、且つバイアス電圧が印加される領域（すなわち、画像を取得する対象となる領域）である。
【0089】
上記実施形態では、ガラス基板であるセンサ基板３１上に多結晶シリコン又はアモルファスシリコン等が成膜されてなるセンサパネル３０について説明したが、センサパネル３０は、上記構成に限られず、例えば単結晶シリコン基板上に受光部を形成してなる構成を有していてもよい。また、センサ基板３１は、ガラス基板に限られず、例えばフィルム状の基板（フレキシブル基板）等であってもよい。
【0090】
また、センサパネル３０は、シンチレータ３４を覆うカバー部材（例えばアルミニウム等）を備えてもよい。また、センサ基板３１は、両面テープ等によってベース基板２１に接着されているが、例えば高温高湿環境下においてセンサ基板３１の反り応力が両面テープの接着力よりも大きくなると、センサパネル３０がベース基板２１から浮き上がる（天壁１１側に移動する）おそれがある。このようなセンサパネル３０の浮き上がりを防止するために、センサパネル３０と天壁１１との間に、上記浮き上がりが生じた場合に上記浮き上がりを抑える方向にセンサパネル３０に力を加えるための部材（例えば、ウレタンスポンジ等）が配置されてもよい。
【0091】
また、上記実施形態では、ＩＣチップ４２はフレキシブル基板４１におけるベース基板２１（天壁１１）側の面（図３における上面）に設けられたが、ＩＣチップ４２は、フレキシブル基板４１におけるベース基板２１（天壁１１）側とは反対側（底壁１２側）の面（図３における下面）に設けられてもよい。この場合、コンデンサＣも、ＩＣチップ４２と同様に、フレキシブル基板４１におけるベース基板２１（天壁１１）側とは反対側（底壁１２側）の面に設けられる。上記変形例では、熱吸収部材６０（吸熱部６１）は、ＩＣチップ４２と直接的に接触しないが、フレキシブル基板４１におけるＩＣチップ４２が設けられた部分を介して、ＩＣチップ４２から発生した熱を吸収することができる。従って、上記変形例によっても、上述した放射線撮像装置１と同様の効果（すなわち、ＩＣチップ４２からの熱を効果的に熱吸収部材６０に吸収させることができると共に、放熱部６２から空気中へと適切に熱を逃がすことができる効果）が奏される。なお、上記変形例においては、吸熱部６１は、「Ｚ軸方向（第１方向）から見た場合に、フレキシブル基板４１と重なる領域に配置され、Ｚ軸方向においてＩＣチップ４２の搭載面４２１と重なる部分を含む吸熱部」と定義することができる。また、ＩＣチップ４２は、フレキシブル基板４１に対して吸熱部６１が位置する側とは反対側に配置される。また、上記変形例における吸熱部６１の厚さＴ１は、上記実施形態と同様に定義され得る。
【符号の説明】
【0092】
１…放射線撮像装置、２０…支持部材、２１…ベース基板、２１ａ…支持面、２１ｂ…裏面、２２…放射線遮蔽部材、３０…センサパネル、４１…フレキシブル基板、４１ｂ…端部（一端）、４２，４２Ａ…ＩＣチップ、５０…制御基板、５０ａ…接続面、５０ｂ…外縁部、５１…コネクタ（端子）、６０…熱吸収部材、６１…吸熱部、６１ａ…接触面、６１ａ１…内側端部、６２…放熱部、４２１…搭載面、Ｃ…コンデンサ、Ｒ…検出領域。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】