特開 2024-158583 蓄電デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024158583

(43)【公開日】2024-11-08

(54)【発明の名称】蓄電デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01M 50/536 20210101AFI20241031BHJP

   H01M 50/533 20210101ALI20241031BHJP

   H01G 11/72 20130101ALI20241031BHJP

   H01G 11/86 20130101ALI20241031BHJP

   H01G 11/76 20130101ALI20241031BHJP

【ＦＩ】

H01M50/536

H01M50/533

H01G11/72

H01G11/86

H01G11/76

【審査請求】有

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023073900

(22)【出願日】2023-04-28

(71)【出願人】

【識別番号】520184767

【氏名又は名称】プライムプラネットエナジー＆ソリューションズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100117606

【弁理士】

【氏名又は名称】安部 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100121186

【弁理士】

【氏名又は名称】山根 広昭

(74)【代理人】

【識別番号】100130605

【弁理士】

【氏名又は名称】天野 浩治

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 靖幸

【テーマコード（参考）】

5E078

5H043

【Ｆターム（参考）】

5E078AB02

5E078BA18

5E078BA27

5E078BA44

5E078BA53

5E078CA02

5E078CA06

5E078DA03

5E078DA06

5E078FA02

5E078FA13

5E078FA21

5E078FA23

5E078FA24

5E078KA02

5E078KA07

5E078KA08

5H043AA19

5H043BA01

5H043BA11

5H043BA17

5H043CA04

5H043CA12

5H043EA07

5H043EA39

5H043HA17E

5H043HA40E

5H043JA09E

5H043KA11E

5H043KA15E

(57)【要約】

【課題】集電箔の溶断を抑制し得る蓄電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ここで開示される製造方法は、正極４０と、負極６０とを備える蓄電デバイスの製造方法であって、正極４０および負極６０のうちの少なくとも一方の電極において、複数の積層された集電箔と集電体とを重ね合わせることを含む。また、当該製造方法は、レーザ光透過部材２００を上記重ね合わせた集電箔上に配置することを含み、ここで、レーザ光透過部材２００の一部を当該重ね合わせた集電箔の端部からはみ出す位置に配置する。さらに、当該製造方法は、レーザ光Ｌをレーザ光透過部材２００を通過させて上記重ね合わせた複数の集電箔の上記端部を含む領域に照射し、上記重ね合わせた複数の集電箔と上記集電体とを溶接することを含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の積層された正極集電箔と、該積層された正極集電箔に接続された正極集電体とを備える正極と、
複数の積層された負極集電箔と、該積層された負極集電箔に接続された負極集電体とを備える負極と
を備える蓄電デバイスの製造方法であって:
前記正極および前記負極のうちの少なくとも一方の電極において、前記複数の積層された集電箔と前記集電体とを重ね合わせること；
レーザ光透過部材を前記重ね合わせた集電箔上に配置すること、ここで、該レーザ光透過部材の一部を該重ね合わせた集電箔の端部からはみ出す位置に配置する；および
レーザ光を前記レーザ光透過部材を通過させて前記重ね合わせた複数の集電箔の前記端部を含む領域に照射し、前記重ね合わせた複数の集電箔と前記集電体とを溶接すること；
を含む、蓄電デバイスの製造方法。

【請求項2】

前記レーザ光透過部材を前記集電体側に向かって押圧しながら、前記溶接を行う、請求項１に記載の製造方法。

【請求項3】

前記重ね合わせた集電箔の前記端部が、前記レーザ光透過部材と接している前記集電箔よりも、前記集電体に接している前記集電箔の方が延出するように構成された傾斜部を有する、請求項１または２に記載の製造方法。

【請求項4】

前記傾斜部の前記集電体側に接している前記集電箔の延出した部分から、前記傾斜部の前記レーザ光透過部材と接する部分に至るまで前記レーザ光を走査して前記溶接を行うことを含む、請求項３に記載の製造方法。

【請求項5】

前記レーザ光透過部材の厚み２ｍｍの試験片の該厚み方向における前記レーザ光波長の透過率が８０％以上である、請求項１または２に記載の製造方法。

【請求項6】

前記レーザ光透過部材の前記レーザ光が通過する部分の厚みが５ｍｍ以下である、請求項１または２に記載の製造方法。

【請求項7】

複数の積層された正極集電箔と、該積層された正極集電箔に接続された正極集電体とを備える正極と、
複数の積層された負極集電箔と、該積層された負極集電箔に接続された負極集電体とを備える負極と
を備える蓄電デバイスであって、
前記正極および前記負極のうちの少なくとも一方の電極が、前記集電箔が複数積層された状態で前記集電体と接合しているレーザ溶接部を有しており、
ここで、前記レーザ溶接部は、前記集電箔の端部に設けられている、
蓄電デバイス。

【請求項8】

前記集電体と、前記複数積層された集電箔とが当該積層方向に重ね合わされており、
前記複数積層された集電箔の前記レーザ溶接部が設けられた側の前記端部が、前記積層方向において、前記集電体に近づくほど前記集電箔が延出した傾斜部を含む、請求項７に記載の蓄電デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、蓄電デバイスの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、電極体が備える各電極の複数の集電箔と集電体とを接合には、抵抗溶接若しくは超音波溶接が広く用いられている。一方でコスト削減の観点から、レーザ溶接による複数の集電箔と集電体との接合の技術開発が行われている。例えば、特許文献１には、金属箔の密着性を高めるためを仮止め接合することを含むレーザ溶接技術が開示されている。また、特許文献２～４には、金属箔のレーザ溶接予定領域の周囲を治具により押圧してレーザ溶接する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１４０８９０号公報

【特許文献2】特開２０１４－１３６２４２号公報

【特許文献3】特開２０１６－０３０２８０号公報

【特許文献4】特開２０１９－０６７５７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、複数の積層された集電箔と集電体とをレーザ溶接をした場合に、主にレーザ光が照射された部分において凹みが生じることがある。当該凹みは、集電箔と集電体との境界面にまで達する場合があり、この場合に集電体と集電箔とが溶接される接合幅が減ってしまう。

【0005】

そこで、本開示の主な目的は、集電箔と集電体との接合性を向上し得る技術を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示により、複数の積層された正極集電箔と、該積層された正極集電箔に接続された正極集電体とを備える正極と、複数の積層された負極集電箔と、該積層された負極集電箔に接続された負極集電体とを備える負極とを備える蓄電デバイスの製造方法が提供される。ここで開示される製造方法の一態様は、上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方の電極において、上記複数の積層された集電箔と上記集電体とを重ね合わせることを含む。また、当該製造方法は、レーザ光透過部材を上記重ね合わせた集電箔上に配置することを含み、ここで、該レーザ光透過部材の一部を該重ね合わせた集電箔の端部からはみ出す位置に配置することを含む。さらに、当該製造方法は、レーザ光を上記レーザ光透過部材を通過させて上記重ね合わせた複数の集電箔の上記端部を含む領域に照射し、上記重ね合わせた複数の集電箔と上記集電体とを溶接することを含む。

【0007】

本発明者の検討により、複数の積層された集電箔と集電体とをレーザ溶接をした場合に、レーザ光が照射された部分において凹みが生じる一因は、レーザ光が照射された部分に生じる金属蒸気がその場に留まることであることが見出された。上記製造方法によれば、重ね合わせた複数の集電箔の端部を含む領域にレーザ光を照射するため、レーザ溶接により発生する金属蒸気が、レーザ光Ｌが照射された部分に留まらず、隣接する空間に拡散させる（逃がす）ことができる。これにより、集電箔と集電体とにわたって形成されるレーザ溶接部の溶接幅（接合区間）の損失を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、一実施形態に係る非水電解質二次電池の構成を大まかに示す模式的な断面図である。

【図2】図２は、一実施形態に係る非水電解質二次電池の電極体の構成を模式的に示す分解図である。

【図3】図３は、一実施形態に係るレーザ溶接方法を示す模式図である。

【図4】図４は、一実施形態に係るレーザ溶接部の近傍の断面を示す模式図である。

【図5】図５は、変形例に係るレーザ溶接方法を示す模式図である。

【図6】図６は、実施例１におけるレーザ溶接部近傍の断面ＳＥＭ画像である。

【図7】図７は、実施例２におけるレーザ溶接部近傍の断面ＳＥＭ画像である。

【図8】図８は、比較例におけるレーザ溶接部近傍の断面ＳＥＭ画像である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本技術について詳細に説明する。本明細書において特に言及している事項（例えば、集電箔と集電体とのレーザ溶接方法など）以外の事柄であっても本技術の実施に必要な事柄（例えば、蓄電デバイスの組み立て方等）は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本技術の内容は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

【0010】

各図面は模式的に描かれており、寸法関係（長さ、幅、厚み等）は実際の寸法関係を必ずしも反映するものではない。また、以下に説明する図面において、同じ作用を奏する部材、部位には同じ符号を付し、重複する説明は省略または簡略化することがある。
また、本明細書において、数値範囲を「Ａ～Ｂ（ここでＡ、Ｂは任意の数値）」と記載している場合は、「Ａ以上Ｂ以下」を意味すると共に、「Ａを超えてＢ未満」、「Ａを超えてＢ以下」、および「Ａ以上Ｂ未満」の意味を包含する。

【0011】

本明細書において「蓄電デバイス」とは、充電と放電とを行うことができるデバイスをいう。蓄電デバイスには、一次電池、二次電池（例えば、リチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池）等の電池と、電気二重層キャパシタ等のキャパシタ（物理電池）とが包含される。以下では、ここで開示される製造方法によって製造される蓄電デバイスの一実施形態である非水電解質二次電池について説明する。なお、本技術により製造される蓄電デバイスは非水電解質二次電池に限定されるものではない。

【0012】

図１は、一実施形態に係る非水電解質二次電池１００の構成を大まかに示す模式的な断面図である。非水電解質二次電池１００は、電極体２０と、ケース３０と、正極４０と、負極６０と、非水電解質（図示せず）とを備える。正極４０は、正極端子４２と、正極集電体４４と、正極板５０とを備える。負極６０は、負極端子６２と、負極集電体６４と負極板７０とを備える。特に限定されないが、本実施形態では、非水電解質二次電池１００はリチウムイオン二次電池である。

【0013】

図１に示すように、非水電解質二次電池１００は、ケース３０の内部に、扁平形状の電極体（捲回電極体）２０と、非水電解質（図示せず）とが収容されて構築される角形の密閉型電池である。ケース３０は、開口を有するケース本体３２と、該開口を封止する封口部材３４とを備える。封口部材３４は、ここでは板状である。封口部材３４には、外部接続用の正極端子４２および負極端子６２が備えられている。また、封口部材３４には、ケース３０の内圧が所定レベル以上に上昇した場合に該内圧を開放するように設定された薄肉の安全弁３６が設けられている。さらに、ケース３０には、非水電解質を注入するための注入口（図示せず）が設けられている。ケース３０の材質は、高強度であり軽量で熱伝導性が良い金属材料であることが好ましい。このような金属材料として、例えば、アルミニウムやスチール等が挙げられる。

【0014】

図２は、一実施形態に係る非水電解質二次電池１００の電極体２０の構成を模式的に示す分解図である。図２においては、電極体２０は、長尺シート状の正極板５０と、長尺シート状の負極板７０とが、２枚の長尺シート状のセパレータ８０を介してそれぞれの長手方向が揃うようにして積層され、捲回軸ＷＬを中心として長手方向に捲回された捲回電極体である。正極板５０は、正極集電箔５２と、該正極集電箔５２の片面または両面（ここでは両面）において長手方向に配置された正極活物質層５４とを備えている。正極集電箔５２の捲回軸ＷＬ方向（即ち、長手方向に直交するシート幅方向）の一方の縁部には、該縁部に沿って帯状に正極活物質層５４が形成されずに正極集電箔５２が露出した部分（即ち、正極集電箔露出部５２ａ）が設けられている。負極板７０は、負極集電箔７２と、該負極集電箔７２の片面または両面（ここでは両面）において長手方向に配置された負極活物質層７４とを備えている。負極集電箔７２の捲回軸ＷＬ方向の他方の縁部（即ち、正極集電箔露出部５２ａとは反対側の縁部）には、該縁部に沿って帯状に負極活物質層７４が形成されずに負極集電箔７２が露出した部分（即ち、負極集電箔露出部７２ａ）が設けられている。

【0015】

電極体２０は、電極体２０の厚み方向において、正極集電箔露出部５２ａが複数積層された積層部５２ｓを有している。積層部５２ｓは、例えば、正極集電箔５２が捲回されることで形成される。積層部５２ｓの一部は、正極集電体４４とレーザ溶接により接合されている。即ち、積層部５２ｓと正極集電体４４とは、レーザ溶接部を介して接続（接合）されている。レーザ溶接部は、例えば、積層部５２ｓの端部５２ｅ（図１の電極体２０の左側の端部）に設けられている。該レーザ溶接部については後述する（後述の図４のレーザ溶接部９０参照）。積層部５２ｓにおける正極集電箔５２（正極集電箔露出部５２ａ）の積層数は、例えば１０～１２０、又は２０～１００程度であり得る。負極集電箔７２は、電極体２０の厚み方向において、負極集電箔露出部７２ａが複数積層された積層部７２ｓを有している。積層部７２ｓの一部は、例えば、負極集電体６４とレーザ溶接により接合されている。即ち、積層部７２ｓと負極集電体６４とは、レーザ溶接部を介して接続（接合）されていてもよい。積層部７２ｓにおける負極集電箔７２（負極集電箔露出部７２ａ）の積層数は、例えば１０～１２０、又は２０～１００程度であり得る。負極６０における集電箔と集電体との接合は、正極４０と同様であってよく、異なっていてもよい。例えば、負極６０における集電箔と集電体との接合部は、超音波接合部、抵抗溶接部等であってよい。

【0016】

なお、正極集電箔５２は、正極集電箔５２の短手方向の端部から延出して設けられたタブを有していてもよい。タブの形状は特に限定されず、例えば、平面視において、台形状、矩形状等であり得る。当該タブには、例えば正極集電箔露出部５２ａが設けられる。この場合、電極体２０は、当該タブが複数積層された積層部５２ｓを設けることができる。負極集電箔７２にもタブが設けられてもよい。当該タブの構成は上述した正極集電箔５２のタブと同様であってよい。

【0017】

正極集電体４４は、正極集電箔露出部５２ａと接合されるレーザ溶接部が設けられる部分が板状であることが好ましい。また、正極集電体４４全体が板状であってもよい。正極集電体４４の正極集電箔露出部５２ａと接合される部分の厚みは、例えば０．５ｍｍ～３ｍｍであり得る。
負極集電体６４は、負極集電箔露出部７２ａと接合されるレーザ溶接部が設けられる部分が板状であることが好ましい。また、負極集電体６４全体が板状であってもよい。例えば板状であり得る。負極集電体６４の負極集電箔露出部７２ａと接合される部分の厚みは、例えば０．５～３ｍｍであり得る。

【0018】

正極端子４２と封口部材３４との間には、正極端子４２と封口部材３４との絶縁をするための絶縁部材（図示せず）が配置され得る。絶縁部材は、例えば電気絶縁性を有する樹脂部材によって構成される。かかる樹脂としては、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂、パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素化樹脂や、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等が挙げられる。また、負極端子６２と封口部材３４との間、正極集電体４４と封口部材３４との間、負極集電体６４と封口部材３４との間にも上記絶縁部材が配置されてもよい。

【0019】

正極集電箔５２としては、例えば、アルミニウム箔等が挙げられる。正極集電箔５２の厚みは、例えば５～２０μｍであり得る。正極活物質層５４は正極活物質を含む。正極活物質としては、リチウムイオン二次電池に用いられる公知の正極活物質を用いてよく、例えば層状構造、スピネル構造、オリビン構造等を有するリチウム複合金属酸化物（例えば、ＬｉＮｉ_１／３Ｃｏ_１／３Ｍｎ_１／３Ｏ_２、ＬｉＮｉＯ_２、ＬｉＣｏＯ_２、ＬｉＦｅＯ_２、ＬｉＭｎ_２Ｏ_４、ＬｉＮｉ_０．５Ｍｎ_１．５Ｏ_４，ＬｉＣｒＭｎＯ_４、ＬｉＦｅＰＯ_４等）が挙げられる。また、正極活物質層５４は、導電材、バインダ等を含んでいてもよい。導電材としては、例えばアセチレンブラック（ＡＢ）等のカーボンブラックやその他（グラファイト等）の炭素材料を好適に使用し得る。バインダとしては、例えばポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）等を使用し得る。
正極活物質層５４は、正極活物質と、必要に応じて用いられる材料（導電材、バインダ等）とを適当な溶媒（例えばＮ－メチル－２－ピロリドン：ＮＭＰ）に分散させ、ペースト状（またはスラリー状）の組成物（正極合剤ペースト）を調製し、該組成物の適当量を正極集電箔５２の表面に塗工し、乾燥することによって形成することができる。

【0020】

負極集電箔７２としては、例えば、銅箔等が挙げられる。負極集電箔７２の厚みは、例えば５～２０μｍであり得る。負極活物質層７４は、負極活物質を含む。負極活物質としては、例えば黒鉛、ハードカーボン、ソフトカーボン等の炭素材料を使用し得る。また、負極活物質層７４は、バインダ、増粘剤等をさらに含んでいてもよい。バインダとしては、例えばスチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）等を使用し得る。増粘剤としては、例えばカルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）等を使用し得る。
負極活物質層７４は、例えば、負極活物質と必要に応じて用いられる材料（バインダ等）とを適当な溶媒（例えばイオン交換水）に分散させ、ペースト状（またはスラリー状）の組成物を調製し、該組成物の適当量を負極集電箔７２の表面に塗工し、乾燥することによって形成することができる。

【0021】

セパレータ８０としては、従来と同様の各種微多孔質シートを用いることができ、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等の樹脂から成る微多孔質樹脂シートが挙げられる。かかる微多孔質樹脂シートは、単層構造であってもよく、二層以上の複層構造（例えば、ＰＥ層の両面にＰＰ層が積層された三層構造）であってもよい。また、セパレータ８０は、耐熱層（ＨＲＬ）を備えていてもよい。

【0022】

非水電解質は従来と同様のものを使用可能であり、例えば、有機溶媒（非水溶媒）中に、支持塩を含有させた非水電解液を用いることができる。非水溶媒としては、カーボネート類、エステル類、エーテル類等の非プロトン性溶媒を用いることができる。なかでも、カーボネート類、例えば、エチレンカーボネート（ＥＣ）、ジエチルカーボネート（ＤＥＣ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）、エチルメチルカーボネート（ＥＭＣ）等を好適に採用し得る。あるいは、モノフルオロエチレンカーボネート（ＭＦＥＣ）、ジフルオロエチレンカーボネート（ＤＦＥＣ）、モノフルオロメチルジフルオロメチルカーボネート（Ｆ－ＤＭＣ）、トリフルオロジメチルカーボネート（ＴＦＤＭＣ）のようなフッ素化カーボネート等のフッ素系溶媒を好ましく用いることができる。このような非水溶媒は、１種を単独で、あるいは２種以上を適宜組み合わせて用いることができる。支持塩としては、例えば、ＬｉＰＦ_６、ＬｉＢＦ_４、ＬｉＣｌＯ_４等のリチウム塩を好適に用いることができる。支持塩の濃度は、特に限定されるものではないが、０．７ｍｏｌ／Ｌ以上１．３ｍｏｌ／Ｌ以下程度が好ましい。
なお、上記非水電解質は、本技術の効果を著しく損なわない限りにおいて、上述した非水溶媒、支持塩以外の成分を含んでいてもよく、例えば、ガス発生剤、被膜形成剤、分散剤、増粘剤等の各種添加剤を含み得る。

【0023】

非水電解質二次電池１００等の蓄電デバイスは、各種用途に利用可能であるが、例えば、乗用車、トラック等の車両に搭載されるモータ用の動力源（駆動用電源）として好適に用いることができる。車両の種類は特に限定されないが、例えば、プラグインハイブリッド自動車（Ｐｌｕｇ－ｉｎ Ｈｙｂｒｉｄ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ （ＰＨＥＶ））、ハイブリッド自動車（Ｈｙｂｒｉｄ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ （ＨＥＶ））、電気自動車（Ｂａｔｔｅｒｙ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ （ＢＥＶ））等が挙げられる。

【0024】

また、ここで開示される蓄電デバイスの形状は角形に限定されず、コイン型、ボタン型、円筒型等であってよい。また、ラミネートケースを備える蓄電デバイスとして構成することもできる。また、ここで開示される蓄電デバイスは、非水電解液の代わりにポリマー電解質を用いたポリマー電池や、固体電解質を用いた全固体電池等であり得る。

【0025】

以下、ここで開示される蓄電デバイスの製造方法について説明する。ここで開示される製造方法は、例えば、正極または負極において、集電箔と集電体とレーザ光透過部材とを重ね合わせることを含む重ね合わせ工程と、レーザ光を上記レーザ光透過部材を通過させて集電箔に照射し、集電箔と集電体とをレーザ溶接する溶接工程とを含む。また、ここで開示される製造方法は、溶接工程の他に、例えば、準備工程、組立工程、収容工程、封口工程、注液工程等を必要に応じ、任意の順番で含んでいてもよい。以下、ここで開示される製造方法の一実施形態について説明する。

【0026】

準備工程では、例えば、電極体を準備する。電極体は、上述した電極体２０のような捲回電極体であっても、複数の正極板と、複数の負極板とがセパレータを介して交互に積層された電極体である積層電極体であってもよい。ここでは、上述した電極体２０を例に説明する。電極体２０は、従来公知の手順で作製することができる。

【0027】

重ね合わせ工程は、正極４０および負極６０のうちの少なくとも一方の電極において、複数の積層された集電箔（集電箔露出部）と集電体とを重ね合わせること、および、レーザ光透過部材を上記重ね合わせた複数の集電箔上に配置すること、を含む。以下の説明では、正極４０を例に説明する。

【0028】

図３は、一実施形態に係るレーザ溶接方法を示す模式図である。図４は、一実施形態に係るレーザ溶接部の近傍の断面を示す模式図である。図４は、例えば、図３に示すレーザ溶接方法により形成されるレーザ溶接部の模式図であり得る。図４は、上述した非水電解質二次電池１００の正極集電箔５２の積層部５２ｓと正極集電体４４とのレーザ溶接部９０近傍の構成を模式的に示す図である。

【0029】

図３に示すように、本実施形態では、下板３１０と上板３２０とを備える治具が用いられる。図示は省略しているが、下板３１０と上板３２０とは、下板３１０と上板３２０との間の距離を任意に調整（固定）できるように構成されている。

【0030】

重ね合わせ工程では、例えば、まず下板３１０の上に正極集電体４４を配置する。次に、正極集電体４４の表面４４ａに、電極体２０の正極集電箔５２の積層部５２ｓを重ね合わせる。このとき、電極体２０の捲回軸ＷＬ方向における積層部５２ｓの端部５２ｅが正極集電体４４の上に配置されるようにする。ここでは、積層部５２ｓの端部５２ｅにおいて、積層部５２ｓの重ねられている正極集電箔５２のそれぞれの端部は積層部５２ｓの積層方向に沿って揃えられている。

【0031】

積層部５２ｓは、溶接予定領域４００を有している。溶接予定領域４００は、後述する溶接工程において、レーザ光Ｌが照射される領域である。本実施形態においては、溶接予定領域４００は、積層部５２ｓの端部５２ｅを含んだ領域である。溶接予定領域４００は、レーザ光Ｌの照射によって溶融する。これにより、積層部５２ｓと正極集電体４４とを接合するレーザ溶接部が形成される。

【0032】

次に、レーザ光透過部材２００を積層部５２ｓの上（最上面）に配置する。このとき、レーザ光透過部材２００の一部を、積層部５２ｓの端部５２ｅからはみ出す位置に配置する。換言すれば、レーザ光透過部材２００の一部と正極集電体４４とにより、積層部５２ｓが挟み込まれるようにレーザ光透過部材２００を配置する。また、レーザ光透過部材２００は、溶接予定領域４００を覆うように配置する。これにより、レーザ光透過部材２００が溶接予定領域４００を積層部５２ｓの積層方向から直接押さえることができる。これにより、溶接予定領域４００における積層された正極集電箔５２の箔間の隙間を低減させることができる。なお、レーザ光透過部材２００を配置する際には、正極集電箔５２の溶接予定領域４００のシワを伸ばしてから、レーザ光透過部材２００を配置することが好ましい。これにより、積層部５２ｓの積層された箔間の空隙が減少し、レーザ溶接時の溶断が抑制される。

【0033】

図３に示すように、積層部５２ｓの端部５２ｅからはみ出して配置されるレーザ光透過部材２００の一部と、当該一部と対向する正極集電体４４との間には、レーザ光Ｌが照射された部分から生じる金属蒸気Ａが通り抜け可能な空間５００が設けられている。金属蒸気Ａは、例えば、レーザ光Ｌが照射若しくはレーザ光Ｌの熱が伝達されて溶融した正極集電箔５２または正極集電体４４から生じる。なお、図中の金属蒸気Ａの矢印の向きは、金属蒸気Ａの拡散する方向の一例を示す。空間５００は、積層部５２ｓの端部５２ｅからレーザ光透過部材２００の端部まで連通した空間であることが好ましい。

【0034】

本技術では、当該空間５００を設けることにより、金属蒸気Ａがレーザ光Ｌが照射された部分に留まらず、金属蒸気Ａを当該空間５００に拡散させる（逃がす）ことができる。本技術では、積層部５２ｓの端部５２ｅを含む領域にレーザ光Ｌを照射するため、金属蒸気Ａが積層部５２ｓの端部５２ｅにおいて発生するため、金属蒸気Ａが当該空間５００へと拡散し易い。本発明者の検討によれば、レーザ光Ｌが照射される部分から金属蒸気Ａを拡散させる（逃がす）ことにより、集電箔と集電体とにわたって形成されるレーザ溶接部の溶接幅（接合区間）の損失を抑制できる（後述の試験例（例えば後述の図６～８）を参照）。

【0035】

レーザ光透過部材２００の形状は特に限定されないが、本実施形態においてはプレート状である。レーザ光透過部材２００は、平面視において、円形状、楕円状、矩形状、多角形状でありうる。レーザ光透過部材２００がプレート状であることで、レーザ光透過部材２００を正極集電体４４に向かって押さえた際に、レーザ光透過部材２００と正極集電体４４との間に挟まれた正極集電箔５２をより均一な力で押さることができるため、箔間の隙間をより均一に低減することができる。なお、レーザ光透過部材２００の大きさは、積層部５２ｓ（正極集電箔５２）の溶接予定領域４００を覆うことができれば特に限定されない。

【0036】

次に、上板３２０をレーザ光透過部材２００の上に配置する。これにより、下板３１０と上板３２０とにより、正極集電体４４、積層部５２ｓ、およびレーザ光透過部材２００を挟み込む。これにより、正極集電体４４、積層部５２ｓ、およびレーザ光透過部材２００を固定することができる。また、限定されるものではないが、積層部５２ｓの積層方向が鉛直方向に沿っていることが好ましい。これにより、重力により積層部５２ｓの積層された箔間の隙間が低減され易くなる。

【0037】

なお、重ね合わせ工程において、正極集電体４４、積層部５２ｓ、レーザ光透過部材２００、および治具（ここでは下板３１０、上板３２０）の重ね合わせを行う順番は特に限定されない。本実施形態では、下板３１０から順にこれらを一つずつ上に重ね合わせているが、例えば、これらを同時に重ねてもよく、治具以外を重ね合わせてから治具に固定してもよい。

【0038】

レーザ光透過部材２００のレーザ光Ｌが通過する部分の厚みは、例えば、５ｍｍ以下であるとよく、好ましくは４ｍｍ以下、より好ましくは３ｍｍ以下、さらに好ましくは２ｍｍ以下である。レーザ光Ｌがレーザ光透過部材２００を通過する距離が短いほど、レーザ光Ｌの拡散が抑えられ、レーザ溶接の精度が向上し得る。また、レーザ光透過部材２００のレーザ光Ｌが通過する部分の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上であるとよく、好ましくは０．５ｍｍ以上、より好ましくは０．８ｍｍ以上、さらに好ましくは１ｍｍ以上である。レーザ光透過部材２００の厚みが小さすぎると強度が不十分になり得る。なお、レーザ光透過部材２００のレーザ光Ｌが通過する部分の厚みは、例えば、複数の積層部５２ｓの積層方向における厚みであり得る。

【0039】

レーザ光透過部材２００は、レーザ溶接に用いられるレーザ光Ｌを透過できる材料によって構成され得る。レーザ光透過部材２００は、例えば透明であり得る。レーザ光透過部材２００のレーザ波長の透過率は、例えば、７０％以上であって、好ましくは７５％以上、より好ましくは８０％以上である。レーザ光透過部材２００のレーザ波長の透過率が高いほど、レーザ光Ｌが正極集電箔５２の溶接予定領域４００に精度よく到達するため、レーザ溶接精度が向上する。レーザ波長は、使用するレーザ光の波長に合わせて測定すればよく、例えば、９００ｎｍ～１２００ｎｍ（例えば、１０７０ｎｍ）のレーザ波長に対する透過率であり得る。なお、上記透過率は、レーザ光透過部材２００のうち、レーザ光Ｌを通過させる部分における透過率のことをいう。
本明細書において、レーザ波長の透過率は、レーザ光を所定の時間パワーメータに照射したときにパワーメータで測定されるエネルギーを１００％としたとき、レーザ光をレーザ光透過部材を通過させてパワーメータに照射したときにパワーメータで測定されるエネルギーの比率として算出される。

【0040】

レーザ光透過部材２００は、集電箔と集電体とのレーザ溶接時に発生する熱に耐え得る材料によって構成されることが好ましい。換言すれば、レーザ光透過部材２００は、集電箔の融点よりも高い融点を有した材料で構成されることが好ましい。レーザ光透過部材２００の融点は、例えば、８００℃以上であって、１２００℃以上、１６００℃以上、１７００℃以上、１８００℃以上、１９００℃以上、２０００℃以上、２１００℃以上、２２００℃以上、２３００℃以上、または２４００℃以上であり得る。

【0041】

レーザ光透過部材２００を構成する材料としては、例えば、ＹＡＧ（融点：約１９７０℃）、Ｙ_２Ｏ_３（融点：約２４２５℃）、サファイア（融点：約２０４０℃）、石英ガラス（融点：約１７２３℃）等が挙げられる。ＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３は上記例示の中で比較的理論密度が高い。例えば、レーザ光透過部材２００がＹＡＧまたはＹ_２Ｏ_３で構成されている場合、密度が４ｇ／ｃｍ^３以上、好ましくは４．５ｇ／ｃｍ^３以上、より好ましくは５ｇ／ｃｍ^３以上であり得る。これにより、例えば、鉛直方向に沿ってレーザ光透過部材２００を、積層部５２ｓの上に配置した場合に、レーザ光透過部材２００の自重により、積層部５２ｓの箔間の隙間を低減し易くなる。
なお、上述したレーザ光透過部材２００を構成し得る材料は、レーザ光透過部材２００を主要に構成する成分であればよく、例えば、他の元素がドープされたものを含み得る。ドープされる元素の割合は、例えば、全体の５ｍｏｌ％以下、３ｍｏｌ％以下、または１ｍｏｌ％以下であり得る。

【0042】

溶接工程では、例えば、積層部５２ｓの溶接予定領域４００にレーザ光Ｌを照射する。このとき、レーザ光Ｌが溶接予定領域４００を覆うレーザ光透過部材２００を通過するようにレーザ光Ｌを照射する。例えば、レーザ光Ｌをレーザ光透過部材２００の厚み方向からこれにより、溶接予定領域４００における正極集電箔５２の間の隙間を低減させた状態で、レーザ光Ｌを溶接予定領域４００に照射することができる。

【0043】

レーザ光Ｌを照射するときに、レーザ光透過部材２００を正極集電体４４側に向かって押圧することが好ましい。例えば、下板３１０と上板３２０とにより正極集電体４４、積層部５２ｓ、およびレーザ光透過部材２００を挟み込むことで、押圧することができる。これにより、レーザ光透過部材２００と正極集電体４４との間に配置される積層部５２ｓにおける箔間の隙間が低減され、接合性が向上する。

【0044】

レーザ光透過部材２００を正極集電体４４側に向かって押圧することで、積層部５２ｓの溶接予定領域４００の積層方向において正極集電箔５２間の隙間が実質的になくなることが好ましい。例えば、積層部５２ｓの複数の積層された正極集電箔５２の厚みの合計（正極集電箔５２の１枚あたりの厚み×積層されている枚数）を１００％としたとき、レーザ光透過部材２００により押圧されている溶接予定領域４００における積層部５２ｓの積層方向の厚みは１１０％以下であるとよく、１０５％以下が好ましく、１００％以下であることがより好ましい。これにより、レーザ溶接時の集電箔の溶断が抑制され、接合性が向上する。なお、レーザ光透過部材２００により押圧されている溶接予定領域４００における積層部５２ｓの積層方向の厚みの下限は特に限定されず、レーザ光透過部材２００の押圧により集電箔が破断しなければよい。正極集電箔５２は金属製であるため、元の厚さよりも薄くなる場合がある得る。そのため、レーザ光透過部材２００により押圧されている溶接予定領域４００における積層部５２ｓの積層方向の厚みの下限は、例えば、９０％以上、または９５％以上であり得る。

【0045】

レーザ光透過部材２００を正極集電体４４に向かって押圧する圧力は、特に限定されないが、例えば、１０Ｎ～２００Ｎであって、好ましくは１００Ｎ～２００Ｎである。

【0046】

レーザ光Ｌは、積層部５２ｓ（正極集電箔５２）の１の領域に対して照射してもよいが、離間した２以上の複数箇所に照射してもよい。即ち、積層部５２ｓの溶接予定領域４００は１または２以上であり得る。

【0047】

また、溶接予定領域４００は、レーザ光Ｌの照射径程度の点であってもよく、線であってもよい。溶接予定領域４００が線である場合は、レーザ光Ｌまたは正極集電箔５２を所定の方向に移動（走査）させながらレーザ照射を行ってもよい。この場合、レーザ溶接部の面積が広くなり、より強固に正極集電箔５２と正極集電体４４とを溶接することができる。

【0048】

溶接予定領域４００にレーザ光Ｌを照射するとき、溶接予定領域４００の中でも、積層部５２ｓの端部５２ｅからレーザ光Ｌを照射することが好ましい。換言すれば、積層部５２ｓの端部５２ｅを始点として、レーザ光Ｌを走査することが好ましい。これにより、金属蒸気Ａが積層部５２ｓの端部５２ｅに隣接する空間５００へと流れ易くなり、接合性が向上する。

【0049】

レーザ光Ｌの走査方向は特に限定されないが、例えば、積層部５２ｓの端部５２ｅに沿ってレーザ光Ｌを走査することが好ましい。これにより、発生する金属蒸気Ａがいずれも積層部５２ｓの端部５２ｅに隣接する空間５００へと流れ易くなるため接合性が向上する。

【0050】

レーザ光Ｌの種類は、特に限定されず、集電箔と集電体との構成材料に応じて適宜選択されうる。レーザ光Ｌの種類としては、ＹＡＧレーザ、ＣＯ_２レーザ、半導体レーザ、ディスクレーザ、ファイバーレーザ等が挙げられる。レーザ光Ｌの照射径は、例えば、０．５ｍｍ～１．０ｍｍに設定され得る。
レーザ光Ｌの照射径、出力、照射時間等の諸条件は、例えば、レーザ溶接に供する集電箔及び集電体の材質、集電箔の積層数等によって適宜設定されうる。

【0051】

図４に示すように、レーザ光Ｌを正極集電箔５２の溶接予定領域４００に照射することで、溶接予定領域４００に対応した位置（その周囲も含む）にレーザ溶接部９０が形成される。レーザ溶接部９０は、例えば、正極集電箔５２と正極集電体４４とが溶融し凝固して相互に接合された部位である。レーザ溶接部９０は、複数の積層された正極集電箔５２の最上層から最下層まで接合している（即ち、溶断していない）。

【0052】

レーザ溶接部９０は、図４に示すように、積層部５２ｓの端部５２ｅ（正極集電箔５２の端部）に設けられている。レーザ溶接部９０は、積層部５２ｓの最上面（正極集電体４４から遠い側の外面）から正極集電体４４に向かって外側に傾斜した傾斜部９２を有している。傾斜部９２は、積層部５２ｓの端部５２ｅの正極集電箔５２が溶融し、正極集電体４４に向かって流れて凝固したことで生じる構造であり得る。

【0053】

上述したレーザ溶接方法は、負極６０においても同様に適用することができる。本実施形態では、負極集電箔７２と負極集電体６４とを正極４０と同様にレーザ溶接している。

【0054】

組立工程では、例えば、封口部材３４に取り付けられた正極端子４２に電極体２０に取り付けられた正極集電体４４を接合し、封口部材３４に取り付けられた負極端子６２に電極体２０に取り付けられた負極集電体６４を接合することで、封口部材３４、電極体２０、正極端子４２、正極集電体４４、負極端子６２、および負極集電体６４を備える組立体を構築する。各部材の取り付け方法は公知方法に従えばよく、例えば、カシメ加工、レーザ溶接、超音波溶接、抵抗溶接等で接合することができる。なお、各電極の集電体と端子とは、溶接工程後に接合しなくてもよく、溶接工程前に予め接合されていてもよい。

【0055】

収容工程では、例えば、電極体２０をケース本体３２の内部へ収容する。ここでは、上記構築した組立体の電極体２０をケース本体３２へと収容し、封口部材３４をケース本体３２の開口と重ね合わせる。このとき、予め袋状または箱状に成形した絶縁フィルムを電極体２０とケース本体３２との間に配置してもよい。

【0056】

封口工程では、例えば、封口部材３４とケース本体３２とが重ね合わされた部分を溶接し、ケース本体３２を封止する。溶接方法は従来公知の方法に従えばよく、例えばレーザ溶接により溶接される。

【0057】

注液工程では、ケース３０に設けられた注入口から、従来公知の方法に従って非水電解質を注入する。なお、蓄電デバイスの種類によっては、注液工程は省略される。

【0058】

その後、例えば、所定の条件の下、初期充電、エージング処理等を行うことで、使用可能状態の非水電解質二次電池１００（蓄電デバイス）が作製される。

【0059】

以上、ここで開示される技術について説明したが、上述した実施形態は一例に過ぎない。本技術は、他にも種々の形態にて実施することができる。請求の範囲に記載の技術には、上記に例示した実施形態を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上記した実施形態の一部を他の変形態様に置き換えることも可能であり、上記した実施形態に他の変形態様を追加することも可能である。また、その技術的特徴が必須なものとして説明されていなければ、適宜削除することも可能である。

【0060】

以下、本技術の変形例について説明する。図５は、変形例に係るレーザ溶接方法の模式図である。上述した実施形態では、図３に示すように、積層部５２ｓの端部５２ｅにおいて、積層部５２ｓで重ねられている正極集電箔５２の端部が揃えられていた。しかしながら、積層部５２ｓの端部５２ｅに傾斜部５２ｂが設けられていてもよい。傾斜部５２ｂは、積層部５２ｓの最上層の正極集電箔５２（レーザ光透過部材２００と接している正極集電箔５２）よりも、積層部５２ｓの最下層の正極集電箔５２（正極集電体４４に接している正極集電箔５２）の方が延出するように設けられている。傾斜部５２ｂは、積層部５２ｓの積層方向において、正極集電体４４に近づくほど積層部５２ｓの正極集電箔５２が延出するように構成されることが好ましく、例えば、傾斜部５２ｂは階段状に設けられる。傾斜部５２ｂにおいては、延出した正極集電箔５２とレーザ光透過部材２００との間に隙間（空間５００と連続した空間）が生じるため、レーザ光Ｌを照射したときに発生する金属蒸気Ａが拡散し易くなる。これにより、集電箔と集電体との接合幅の損失が抑制され、接合性が向上する。

【0061】

変形例においては、積層部５２ｓの端部５２ｅの傾斜部５２ｂを含む領域にレーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌを走査する方向は特に限定されない。例えば、図５に示すように、レーザ光Ｌを、傾斜部５２ｂにおいて、正極集電体４４に接している正極集電箔５２の延出した部分（端部）から、レーザ光透過部材２００に接している正極集電箔５２の端部に至るまで走査すること（レーザ光Ｌを図５の矢印方向に走査し、破線部で示すレーザ光Ｌ’の位置まで走査すること）が好ましい。これにより、金属蒸気Ａがより拡散し易くなり、接合性が向上する。なお、傾斜部５２ｂのうち、レーザ光Ｌが照射されない部分は製造される非水電解質二次電池の内部においても、その構造が保持され得る。

【0062】

正極集電体４４の積層部５２ｓが配置された表面４４ａに対する傾斜部５２ｂの角度は、特に限定されないが、例えば、３０°以上であって、４５°以上が好ましく、６０°以上がより好ましい。傾斜部５２ｂの上記角度が小さくなりすぎると、傾斜部５２ｂの全体的な厚みが小さくなり、正極集電箔５２が溶断し易くなるおそれがある。傾斜部５２ｂの上記角度の上限は特に限定されないが、例えば、８０°以下、７５°以下、または７０°以下であり得る。
なお、傾斜部５２ｂの角度は、正極集電箔５２の延出した方向に沿った断面において、最上層の正極集電箔５２の端部と最下層の正極集電箔５２の端部とを繋いだ直線と、正極集電体４４の表面４４ａとがなす角度のことをいう。

【0063】

また、上述した実施形態では、積層部５２ｓに接しているレーザ光透過部材２００の領域上に配置されており、積層部５２ｓの端部５２ｅからはみ出して配置されるレーザ光透過部材２００の一部の上に配置されていなかった。しかしながら、これに限定されず、上板３２０が、積層部５２ｓに接しているレーザ光透過部材２００の領域上に配置するのに加え、積層部５２ｓの端部５２ｅからはみ出して配置されるレーザ光透過部材２００の一部の上にも配置されていてよい。例えば、上板３２０を２枚以上準備してもよく、レーザ光Ｌが通過可能な領域（例えば貫通孔）を備えた上板を準備してもよい。これにより、積層部５２ｓの端部５２ｅにおいて、積層部５２ｓの箔間の隙間が好適に低減され得る。

【0064】

以下、ここで開示される技術の試験例について説明する。ただし、ここで開示される技術は試験例に示すものに限定されるものではない。

【0065】

＜実施例１＞
アルミニウム製の板状の正極集電体と、アルミニウム製の複数の正極集電箔とを準備した。レーザ光透過部材として、厚みが１ｍｍのプレート状の石英ガラス（融点１７２３℃、レーザ波長の透過率８２％）を準備した。図３に示す構成の治具を準備した。図３と同様に正極集電体、複数の正極集電箔、およびレーザ光透過部材を重ね合わせて治具にセットし、レーザ光透過部材を正極集電体側に向かって押圧した。この状態を維持したまま、レーザ光透過部材の厚み方向からＹＡＧレーザ（出力：２０００Ｗ、照射時間：０．００５秒、レーザ投入熱量：１０Ｊ）をレーザ光透過部材を通過させて正極集電箔の端部に照射し、正極集電箔の端部に沿ってＹＡＧレーザを走査した。これにより、正極集電箔と正極集電体とのレーザ溶接を行った。レーザ溶接部近傍の断面ＳＥＭ画像を図６に示す。なお、図６において、太い破線で囲まれた部分はレーザ溶接部を示す（図７、８において同じ）。

【0066】

＜実施例２＞
実施例１と同じ正極集電体、複数の正極集電箔、およびレーザ光透過部材を準備した。複数の正極集電箔は端部が階段状の傾斜部になるように積層し、図５と同様に、正極集電体、複数の正極集電箔、およびレーザ光透過部材を重ね合わせて治具にセットした。実施例１と同様の条件のＹＡＧレーザを複数の正極集電箔の傾斜部の下端（正極集電体に接する正極集電箔の端部）から上端（レーザ光透過部材に接する正極集電箔の端部）まで走査し、レーザ溶接を行った。レーザ溶接部近傍の複数の正極集電箔５２の傾斜部が延出した方向に対し垂直方向の断面ＳＥＭ画像を図７に示す。

【0067】

＜比較例＞
実施例１のうち、ＹＡＧレーザを照射する部分を正極集電箔の端部ではなく、正極集電箔の中央側（端部を含まない領域）に変更した以外は同様にしてレーザ溶接を行った。レーザ溶接部近傍の断面ＳＥＭ画像を図８に示す。

【0068】

図８に示すように、比較例では、正極集電箔は溶断されていないものの、レーザ溶接部に正極集電箔側から正極集電体側に向かって凹んだ凹部が形成された。当該凹部は、正極集電体の正極集電箔が配置された表面を超えて形成されており、正極集電箔と正極集電体との接合区間の一部が損失した区間が生じた。一方で、図６および図７に示すように、実施例１、２では、レーザ溶接部に比較例のような凹部が形成されておらず、正極集電箔と正極集電体との接合区間が損失しなかった。

【0069】

以上のとおり、ここで開示される技術の具体的な態様として、以下の各項に記載のものが挙げられる。
項１：
複数の積層された正極集電箔と、該積層された正極集電箔に接続された正極集電体とを備える正極と、
複数の積層された負極集電箔と、該積層された負極集電箔に接続された負極集電体とを備える負極と
を備える蓄電デバイスの製造方法であって:
上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方の電極において、上記複数の積層された集電箔と上記集電体とを重ね合わせること；
レーザ光透過部材を上記重ね合わせた集電箔上に配置すること、ここで、該レーザ光透過部材の一部を該重ね合わせた集電箔の端部からはみ出す位置に配置する；および
レーザ光を上記レーザ光透過部材を通過させて上記重ね合わせた複数の集電箔の上記端部を含む領域に照射し、上記重ね合わせた複数の集電箔と上記集電体とを溶接すること；
を含む、蓄電デバイスの製造方法。
項２：上記レーザ光透過部材を上記集電体側に向かって押圧しながら、上記溶接を行う、項１に記載の製造方法。
項３：上記重ね合わせた集電箔の上記端部が、上記レーザ光透過部材と接している上記集電箔よりも、上記集電体に接している上記集電箔の方が延出するように構成された傾斜部を有する、項１または２に記載の製造方法。
項４：上記傾斜部の上記集電体側に接している上記集電箔の延出した部分から、上記傾斜部の上記レーザ光透過部材と接する部分に至るまで上記レーザ光を走査して上記溶接を行うことを含む、項３に記載の製造方法。
項５：上記レーザ光透過部材の厚み２ｍｍの試験片の該厚み方向における上記レーザ光波長の透過率が８０％以上である、項１～４のいずれか一項に記載の製造方法。
項６：上記レーザ光透過部材の上記レーザ光が通過する部分の厚みが５ｍｍ以下である、項１～５のいずれか一項に記載の製造方法。
項７：
複数の積層された正極集電箔と、該積層された正極集電箔に接続された正極集電体とを備える正極と、
複数の積層された負極集電箔と、該積層された負極集電箔に接続された負極集電体とを備える負極と
を備える蓄電デバイスであって、
上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方の電極が、上記集電箔が複数積層された状態で上記集電体と接合しているレーザ溶接部を有しており、
ここで、上記レーザ溶接部は、上記集電箔の端部に設けられている、
蓄電デバイス。
項８：
上記集電体と、上記複数積層された集電箔とが当該積層方向に重ね合わされており、
上記複数積層された集電箔の上記レーザ溶接部が設けられた側の上記端部が、上記積層方向において、上記集電体に近づくほど上記集電箔が延出した傾斜部を含む、項７に記載の蓄電デバイス。

【符号の説明】

【0070】

２０ 電極体
３０ ケース
４０ 正極
４２ 正極端子
４４ 正極集電体
５０ 正極板
５２ 正極集電箔
５２ａ 正極集電箔露出部
５２ｂ 傾斜部
５２ｅ 端部
５２ｓ 積層部
６０ 負極
６２ 負極端子
６４ 負極集電体
７０ 負極板
７２ 負極集電箔
７２ａ 負極集電箔露出部
８０ セパレータ
９０ レーザ溶接部
９２ 傾斜部
１００ 非水電解質二次電池
２００ レーザ光透過部材
４００ 溶接予定領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】