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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024158606
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20241031BHJP
C30B 29/36 20060101ALI20241031BHJP
C23C 16/458 20060101ALI20241031BHJP
C30B 25/20 20060101ALN20241031BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101Z
C30B29/36 A
C23C16/458
C30B25/20
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023073949
(22)【出願日】2023-04-28
(71)【出願人】
【識別番号】000006013
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】古賀 信二
(72)【発明者】
【氏名】太原 潤
【テーマコード（参考）】
4G077
4K030
5F004
【Ｆターム（参考）】
4G077AA03
4G077BE08
4G077DB04
4G077DB07
4G077ED06
4G077GA06
4G077HA12
4K030BA37
4K030BB02
4K030CA04
4K030GA06
4K030HA12
4K030JA04
4K030KA36
4K030KA39
4K030KA41
5F004AA14
5F004BA20
5F004BB03
5F004BB18
(57)【要約】
【課題】多結晶の突起物を適切に除去可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造装置は、ステージに載置された半導体部材の第２主面に、第１レーザ光と、第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光とを照射可能なレーザ発振部と、半導体部材の第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、第１レーザ光のうち突起物によって散乱された散乱光を検出する散乱光検出部と、散乱光検出部の検出結果に基づいて、レーザ発振部に突起物へ第２レーザ光を照射させるレーザ制御部とを備える。
【選択図】図１
【解決手段】半導体装置の製造装置は、ステージに載置された半導体部材の第２主面に、第１レーザ光と、第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光とを照射可能なレーザ発振部と、半導体部材の第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、第１レーザ光のうち突起物によって散乱された散乱光を検出する散乱光検出部と、散乱光検出部の検出結果に基づいて、レーザ発振部に突起物へ第２レーザ光を照射させるレーザ制御部とを備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体基板と、前記半導体基板に設けられたエピタキシャル層とを含み、前記エピタキシャル層の前記半導体基板と逆側の第１主面と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層と逆側の第２主面とを有する半導体部材が、前記第２主面の少なくとも一部を露出した状態で載置されるステージと、
前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に、第１レーザ光と、前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光とを照射可能なレーザ発振部と、
前記半導体部材の前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する散乱光検出部と、
前記散乱光検出部の検出結果に基づいて、前記レーザ発振部に前記突起物へ前記第２レーザ光を照射させるレーザ制御部と
を備える、半導体装置の製造装置。
前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に、第１レーザ光と、前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光とを照射可能なレーザ発振部と、
前記半導体部材の前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する散乱光検出部と、
前記散乱光検出部の検出結果に基づいて、前記レーザ発振部に前記突起物へ前記第２レーザ光を照射させるレーザ制御部と
を備える、半導体装置の製造装置。
【請求項2】
請求項１に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記レーザ発振部は、前記半導体基板の前記第２主面から内部に侵入する前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光の量が予め定められた値以下である角度範囲で、前記第２主面に前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光を選択的に照射可能な１つのレーザ発振器である、半導体装置の製造装置。
前記レーザ発振部は、前記半導体基板の前記第２主面から内部に侵入する前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光の量が予め定められた値以下である角度範囲で、前記第２主面に前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光を選択的に照射可能な１つのレーザ発振器である、半導体装置の製造装置。
【請求項3】
請求項２に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記散乱光検出部は、
前記第１レーザ光のうち、前記突起物が設けられていない前記第２主面から反射された光を検出しない、半導体装置の製造装置。
前記散乱光検出部は、
前記第１レーザ光のうち、前記突起物が設けられていない前記第２主面から反射された光を検出しない、半導体装置の製造装置。
【請求項4】
請求項１に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記レーザ発振部は、
前記第１レーザ光を照射可能な第１レーザ発振器と、
前記第１レーザ発振器の前記第１レーザ光の照射と並行して、前記第２レーザ光を照射可能な第２レーザ発振器と
を含む、半導体装置の製造装置。
前記レーザ発振部は、
前記第１レーザ光を照射可能な第１レーザ発振器と、
前記第１レーザ発振器の前記第１レーザ光の照射と並行して、前記第２レーザ光を照射可能な第２レーザ発振器と
を含む、半導体装置の製造装置。
【請求項5】
請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記第２レーザ光のうち前記半導体部材を透過した透過光を検出する透過光検出部をさらに備え、
前記レーザ制御部は、前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果とに基づいて、前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光のそれぞれの出力を変更する、半導体装置の製造装置。
前記第２レーザ光のうち前記半導体部材を透過した透過光を検出する透過光検出部をさらに備え、
前記レーザ制御部は、前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果とに基づいて、前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光のそれぞれの出力を変更する、半導体装置の製造装置。
【請求項6】
請求項５に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記レーザ発振部は、前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光の波長を変更可能であり、
前記レーザ制御部は、前記波長ごとの前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果とに多変量解析を行うことによって前記突起物のサイズ、形状、及び、結晶状態の少なくともいずれか１つを特定する、半導体装置の製造装置。
前記レーザ発振部は、前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光の波長を変更可能であり、
前記レーザ制御部は、前記波長ごとの前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果とに多変量解析を行うことによって前記突起物のサイズ、形状、及び、結晶状態の少なくともいずれか１つを特定する、半導体装置の製造装置。
【請求項7】
請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記ステージは、載置された前記半導体部材とともに並進移動可能及び回転可能であり、
前記半導体部材が前記ステージに載置されている場合に、前記半導体部材に設けられたノッチと、前記半導体部材のエッジとを検出するエッジセンサと、
前記エッジセンサの検出結果に基づいて、前記半導体部材が載置された前記ステージの並進移動及び回転を制御するステージ制御部と
をさらに備える、半導体装置の製造装置。
前記ステージは、載置された前記半導体部材とともに並進移動可能及び回転可能であり、
前記半導体部材が前記ステージに載置されている場合に、前記半導体部材に設けられたノッチと、前記半導体部材のエッジとを検出するエッジセンサと、
前記エッジセンサの検出結果に基づいて、前記半導体部材が載置された前記ステージの並進移動及び回転を制御するステージ制御部と
をさらに備える、半導体装置の製造装置。
【請求項8】
請求項５に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記レーザ発振部は、開口数が異なる複数のレンズから選択された１つのレンズを介して前記第２レーザ光を前記突起物に照射し、
前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果との少なくともいずれか１つに基づいて、前記第２レーザ光の照射に用いられる前記１つのレンズの焦点距離を変更する焦点位置可変部をさらに備える、半導体装置の製造装置。
前記レーザ発振部は、開口数が異なる複数のレンズから選択された１つのレンズを介して前記第２レーザ光を前記突起物に照射し、
前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果との少なくともいずれか１つに基づいて、前記第２レーザ光の照射に用いられる前記１つのレンズの焦点距離を変更する焦点位置可変部をさらに備える、半導体装置の製造装置。
【請求項9】
請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記半導体基板はＳｉＣウェハであり、
前記第２主面は、前記ＳｉＣウェハのＣ面である、半導体装置の製造装置。
前記半導体基板はＳｉＣウェハであり、
前記第２主面は、前記ＳｉＣウェハのＣ面である、半導体装置の製造装置。
【請求項10】
半導体基板と、前記半導体基板に設けられたエピタキシャル層とを含み、前記エピタキシャル層の前記半導体基板と逆側の第１主面と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層と逆側の第２主面とを有する半導体部材を形成する工程と、
前記第２主面の少なくとも一部を露出した状態で前記半導体部材をステージに載置する工程と、
前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に第１レーザ光を照射する工程と、
前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する工程と、
前記散乱光の検出結果に基づいて、前記突起物に前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光を照射する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
前記第２主面の少なくとも一部を露出した状態で前記半導体部材をステージに載置する工程と、
前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に第１レーザ光を照射する工程と、
前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する工程と、
前記散乱光の検出結果に基づいて、前記突起物に前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光を照射する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
単結晶のＳｉＣウェハにエピタキシャル層を形成した場合、ＳｉＣウェハのうちエピタキシャル層が形成された面以外の面に、ＳｉＣウェハの割れなどを引き起こす多結晶の突起物が形成されることがある。これに対して、例えば特許文献１では、結晶性の違いに起因するレーザ光の吸収率差を利用して、突起物が形成された面全体にレーザ光を照射して、突起物を除去する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－７０６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来技術では、突起物を検出して突起物を除去するのではなく、結晶性の違いによるレーザ光の吸収率差のみで突起物を除去するため、突起物の有無及びサイズなどに基づいてレーザ光の制御ができない。このため、突起物が完全に除去できなかったり、レーザ光によって半導体基板に陥没などの損傷が生じたりするという問題があった。
【0005】
そこで、本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、多結晶の突起物を適切に除去可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体装置の製造装置は、半導体基板と、前記半導体基板に設けられたエピタキシャル層とを含み、前記エピタキシャル層の前記半導体基板と逆側の第１主面と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層と逆側の第２主面とを有する半導体部材が、前記第２主面の少なくとも一部を露出した状態で載置されるステージと、前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に、第１レーザ光と、前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光とを照射可能なレーザ発振部と、前記半導体部材の前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する散乱光検出部と、前記散乱光検出部の検出結果に基づいて、前記レーザ発振部に前記突起物へ前記第２レーザ光を照射させるレーザ制御部とを備える。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、多結晶の突起物を第１レーザ光の散乱光によって検出し、検出された突起物に、第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光を照射する。このような構成によれば、多結晶の突起物を適切に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施の形態１に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。
【図2】実施の形態１に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。
【図3】実施の形態１に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。
【図4】実施の形態２に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。
【図5】実施の形態３に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。
【図6】実施の形態４に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。
【図7】実施の形態４に係る半導体部材を示す斜視図である。
【図8】実施の形態５に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の各実施の形態で説明される特徴は例示であり、すべての特徴は必ずしも必須ではない。また、以下に示される説明では、複数の実施の形態において同様の構成要素には同じまたは類似する符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「表」または「裏」などの特定の位置及び方向は、実際の実施時の位置及び方向とは必ず一致しなくてもよい。
【0010】
【0011】
半導体部材３１は、半導体基板であるＳｉＣウェハ３１ａと、ＳｉＣウェハ３１ａに設けられたエピタキシャル層３１ｂとを含む。半導体部材３１は、エピタキシャル層３１ｂのＳｉＣウェハ３１ａと逆側の第１主面である上面と、ＳｉＣウェハ３１ａのエピタキシャル層３１ｂと逆側の第２主面である下面とを有する。エピタキシャル層３１ｂがＳｉＣウェハ３１ａの上面に形成される場合、ＳｉＣウェハ３１ａの下面、つまり半導体部材３１の下面には、異常成長によって多結晶ＳｉＣの突起物３１ｃが存在する場合がある。
【0012】
なお本実施の形態１では、半導体部材３１の下面は、ＳｉＣウェハ３１ａのＣ面、つまりカーボン面である。ＳｉＣの結晶構造として、Ｓｉが最表面に出ている面はシリコン面と呼ばれ、Ｃが最表面に出ている面はカーボン面と呼ばれる。カーボン面はＣが再表面に出ていることから同じＣと結びつきやすく、成長ガスによっては突起物３１ｃがカーボン面に形成されやすい、という傾向がある。
【0013】
【0014】
ステージ１は、半導体部材３１が、半導体部材３１の下面の少なくとも一部を露出した状態で載置される。ステージ１は、載置された半導体部材３１とともに、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の並進移動が可能であり、かつ、半導体部材３１の円周方向に対応するθ方向の回転が可能である。ステージ機構１ａは、ステージ１を並進移動及び回転する。
【0015】
レーザ発振器２は、ステージ１に載置された半導体部材３１の下面に、第１レーザ光と、第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光とを照射可能なレーザ発振部である。本実施の形態１では、第１レーザ光は、突起物３１ｃの検出に用いられ、第２レーザ光は、突起物３１ｃの除去に用いられる。
【0016】
レーザ発振器２は、ＳｉＣウェハ３１ａの下面からの内部に侵入する第１レーザ光及び第２レーザ光の量が予め定められた値以下である角度範囲で、ＳｉＣウェハ３１ａの下面に第１レーザ光及び第２レーザ光を選択的に照射可能に構成されている。ここでいう角度範囲は、例えば、各レーザ光の進行方向が、ＳｉＣウェハ３１ａの下面と平行である角度から当該下面と傾斜する角度までの範囲のうち、内部に侵入する各レーザ光の量が予め定められた値以下である範囲である。
【0017】
レンズ３は、レーザ発振器２から発せられるレーザ光を集光する。レンズ３はレーザ発振器２とともに移動可能となっている。
【0018】
散乱光検出部４は、半導体部材３１の下面に突起物３１ｃが存在する場合に、第１レーザ光のうち突起物３１ｃによって散乱された散乱光を検出する。散乱光検出部４は、第１レーザ光のうち、レンズ３から直接入射された光、及び、突起物３１ｃが設けられていない半導体部材３１の下面から反射された光のいずれも検出しない方向（例えばＳｉＣウェハ３１ａの下面に対して９０度の方向）に設けられている。
【0019】
レーザ制御部５は、散乱光検出部４の検出結果に基づいて信号処理を行うことによって、突起物３１ｃの位置などを特定し、レーザ発振器２に突起物３１ｃへ第２レーザ光を照射させる。これにより、ＳｉＣウェハ３１ａから突起物３１ｃを除去する。
【0020】
ここで、ＳｉＣウェハ３１ａから、高温下及び高電圧下の安定動作、及び、スイッチ速度の高速化が可能な構成される半導体装置を形成可能であり、パワーデバイス用途の半導体装置には、４Ｈ型のＳｉＣウェハがよく用いられる。なお、ＳｉＣウェハ３１ａは、４Ｈ型の単結晶ＳｉＣウェハであってもよいし、６Ｈ型の単結晶ＳｉＣウェハであってもよいし、これ以外の結晶を有するＳｉＣウェハであってもよい。一方、突起物３１ｃは多結晶ＳｉＣを有する。
【0021】
ＳｉＣウェハ３１ａが、４Ｈ型の単結晶ＳｉＣウェハである場合、突起物３１ｃの除去に使用する第２レーザ光の波長として、４Ｈ型の単結晶ＳｉＣよりも多結晶ＳｉＣに吸収されやすい波長、または、ＳｉＣウェハ３１ａへの侵入長が短い波長を選定する。例えば、第２レーザ光の波長は６００ｎｍ以下、好ましくは５３２ｎｍ以下である。本実施の形態１では、第２レーザ光の波長として、３５５ｎｍのＹＡＧレーザの第３高調波を使用する。その場合の光エネルギーは３．５ｅＶであり、ＳｉＣのバンドギャップ３．２６Ｖに対して加工が十分可能な光エネルギーが得られる。なお、ここで記した第２レーザ光の条件は、あくまで一例であり、突起物３１ｃに応じて適切な第２レーザ光の条件が選択されればよい。
【0022】
＜動作＞
このように構成された製造装置において、レーザ発振器２は、ＳｉＣウェハ３１ａの下面に水平または斜めに低出力の第１レーザ光を照射する。なお、屈折率１．０の空気中から屈折率２．６のＳｉＣへ入射するレーザ光に関して、全反射する波長が見いだせないため、下面に斜めに照射される第１レーザ光の照射角度には、ＳｉＣウェハ３１ａの内部に侵入する光の量が最も小さい照射角度が好ましい。
このように構成された製造装置において、レーザ発振器２は、ＳｉＣウェハ３１ａの下面に水平または斜めに低出力の第１レーザ光を照射する。なお、屈折率１．０の空気中から屈折率２．６のＳｉＣへ入射するレーザ光に関して、全反射する波長が見いだせないため、下面に斜めに照射される第１レーザ光の照射角度には、ＳｉＣウェハ３１ａの内部に侵入する光の量が最も小さい照射角度が好ましい。
【0023】
散乱光検出部４は、半導体部材３１の下面に突起物３１ｃが存在する場合に、第１レーザ光のうち突起物３１ｃによって散乱された散乱光を検出する。図２に示すように、ＳｉＣウェハ３１ａの下面に突起物３１ｃが存在している場合には、散乱光検出部４は散乱光を検出する。一方、図３に示すように、ＳｉＣウェハ３１ａの下面に突起物３１ｃが存在しない場合には、散乱光検出部４は散乱光を検出しない。このため、散乱光検出部４の検出結果によって、突起物３１ｃが存在しているか否か、及び、第２レーザ光の照射によって突起物３１ｃが除去されたか否かを判定することができる。
【0024】
散乱光検出部４が散乱光を検出した場合に、レーザ制御部５は、レーザ発振器２が照射するレーザ光を第１レーザ光から第２レーザ光に切り替え、散乱光が検出された位置（例えば座標）へ高出力の第２レーザ光をレーザ発振器２に照射させる。これにより、突起物３１ｃが昇華または脱落し、除去される。
【0025】
＜製造方法＞
上述した製造装置を使用した半導体装置の製造方法は、ＳｉＣウェハ３１ａの上面にエピタキシャル層３１ｂを成長させる成長工程と、半導体部材３１をステージ１に載置する搬送工程と、突起物３１ｃを検出しつつ除去する除去工程とを備える。
上述した製造装置を使用した半導体装置の製造方法は、ＳｉＣウェハ３１ａの上面にエピタキシャル層３１ｂを成長させる成長工程と、半導体部材３１をステージ１に載置する搬送工程と、突起物３１ｃを検出しつつ除去する除去工程とを備える。
【0026】
＜成長工程＞
成長工程では、例えば、成長ガスとして、モノシランなどのシラン系ガスと、プロパンなどの炭化水素系ガスとを導入し、ドーパントガスとして、窒素を含むガス、または、炭化珪素に対してｎ型のドーパントとなる元素を含むガスを導入する。これにより、ＳｉＣウェハ３１ａの上面にエピタキシャル層３１ｂが成長し、半導体部材３１が形成される。成長ガスは、ＳｉＣウェハ３１ａの下面へ周り込み、その結果として、下面において三次元成長した多結晶ＳｉＣを有する突起物３１ｃを形成することがある。特に、突起物３１ｃは、ＳｉＣウェハ３１ａの下面外周部に形成される傾向がある。
成長工程では、例えば、成長ガスとして、モノシランなどのシラン系ガスと、プロパンなどの炭化水素系ガスとを導入し、ドーパントガスとして、窒素を含むガス、または、炭化珪素に対してｎ型のドーパントとなる元素を含むガスを導入する。これにより、ＳｉＣウェハ３１ａの上面にエピタキシャル層３１ｂが成長し、半導体部材３１が形成される。成長ガスは、ＳｉＣウェハ３１ａの下面へ周り込み、その結果として、下面において三次元成長した多結晶ＳｉＣを有する突起物３１ｃを形成することがある。特に、突起物３１ｃは、ＳｉＣウェハ３１ａの下面外周部に形成される傾向がある。
【0027】
一般的なＳｉＣウェハ３１ａの直径は１００ｍｍ～１５０ｍｍであり、その厚みは３５０μｍ～６００μｍであるが、ＳｉＣウェハ３１ａのサイズが８インチ、１２インチと大口径化されるほど、突起物３１ｃの形成範囲が広がる。このため、ＳｉＣウェハ３１ａが大口径化されるほど、本実施の形態１に係る製造装置によって突起物３１ｃを除去することは有用である。
【0028】
＜搬送工程＞
搬送工程では、半導体部材３１の下面の少なくとも一部を露出した状態で半導体部材３１をステージ１に載置するために、図示しない搬送機構が半導体部材３１を搬送する。
搬送工程では、半導体部材３１の下面の少なくとも一部を露出した状態で半導体部材３１をステージ１に載置するために、図示しない搬送機構が半導体部材３１を搬送する。
【0029】
＜除去工程＞
除去工程では、レーザ発振器２は、上述した角度範囲で半導体部材３１の下面、すなわちＳｉＣウェハ３１ａの下面に低出力の第１レーザ光を照射する。本実施の形態１では、ＳｉＣウェハ３１ａの下面がステージ１に載置された状態で、ステージ機構１ａがステージ１を回転させながら、レーザ発振器２が半導体部材３１の下面外周部に第１レーザ光を照射し、散乱光検出部４で散乱光の有無を検出する。突起物３１ｃが存在しない場合には、散乱光検出部４は散乱光を検出しないが、突起物３１ｃが存在する場合には、散乱光検出部４は散乱光を検出する。
除去工程では、レーザ発振器２は、上述した角度範囲で半導体部材３１の下面、すなわちＳｉＣウェハ３１ａの下面に低出力の第１レーザ光を照射する。本実施の形態１では、ＳｉＣウェハ３１ａの下面がステージ１に載置された状態で、ステージ機構１ａがステージ１を回転させながら、レーザ発振器２が半導体部材３１の下面外周部に第１レーザ光を照射し、散乱光検出部４で散乱光の有無を検出する。突起物３１ｃが存在しない場合には、散乱光検出部４は散乱光を検出しないが、突起物３１ｃが存在する場合には、散乱光検出部４は散乱光を検出する。
【0030】
レーザ制御部５は、散乱光検出部４の検出結果と、ステージ１に対するステージ機構１ａの回転情報とに基づいて突起物３１ｃの位置情報を生成し、当該位置情報に基づいて突起物３１ｃに高出力の第２レーザ光を照射する。これにより、ＳｉＣウェハ３１ａの陥没などの損傷を抑制しつつ、突起物３１ｃを昇華または脱落して除去することができる。
【0031】
＜その他の工程＞
除去工程後、半導体部材３１にイオン注入及びエッチングなどを行い、半導体素子を半導体部材３１に形成することで半導体装置が完成する。なお、半導体部材３１に形成される半導体素子は、例えば、ダイオード素子、スイッチング素子などのパワー半導体素子である。ダイオード素子は、例えばＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＰＮＤ（PN junction diode）を含む。スイッチング素子は、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＲＣ－ＩＧＢＴ（Reverse Conducting - IGBT）を含む。
除去工程後、半導体部材３１にイオン注入及びエッチングなどを行い、半導体素子を半導体部材３１に形成することで半導体装置が完成する。なお、半導体部材３１に形成される半導体素子は、例えば、ダイオード素子、スイッチング素子などのパワー半導体素子である。ダイオード素子は、例えばＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＰＮＤ（PN junction diode）を含む。スイッチング素子は、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＲＣ－ＩＧＢＴ（Reverse Conducting - IGBT）を含む。
【0032】
＜実施の形態１のまとめ＞
以上のような本実施の形態１に係る半導体装置の製造装置によれば、突起物３１ｃを低出力の第１レーザ光の散乱光によって検出し、検出された突起物３１ｃに高出力の第２レーザ光を照射する。このような構成によれば、突起物３１ｃが除去されたか否かを確認しながら第２レーザ光を照射することができる。このため、突起物３１ｃの不完全な除去、及び、ＳｉＣウェハ３１ａの損傷を抑制することができ、突起物３１ｃを効率よく適切に除去することができる。
以上のような本実施の形態１に係る半導体装置の製造装置によれば、突起物３１ｃを低出力の第１レーザ光の散乱光によって検出し、検出された突起物３１ｃに高出力の第２レーザ光を照射する。このような構成によれば、突起物３１ｃが除去されたか否かを確認しながら第２レーザ光を照射することができる。このため、突起物３１ｃの不完全な除去、及び、ＳｉＣウェハ３１ａの損傷を抑制することができ、突起物３１ｃを効率よく適切に除去することができる。
【0033】
また本実施の形態１によれば、レーザ発振器２は、ＳｉＣウェハ３１ａの下面からの内部に侵入する第１レーザ光及び第２レーザ光の量が予め定められた値以下である角度範囲で、ＳｉＣウェハ３１ａの下面に第１レーザ光及び第２レーザ光を選択的に照射する。このような構成によれば、ＳｉＣウェハ３１ａの損傷を抑制することができる。また、１つのレーザ発振器２を用いることで、第１レーザ光の照射位置と第２レーザ光の照射位置とを揃えることが容易となる。
【0034】
また本実施の形態１によれば、散乱光検出部４は、第１レーザ光のうち、突起物３１ｃが設けられていない半導体部材３１の下面から反射された光を検出しない。このような構成によれば、突起物３１ｃの検出精度を高めることができる。
【0035】
また本実施の形態１では、半導体部材３１の下面は、ＳｉＣウェハ３１ａのＣ面である。この場合、半導体部材３１の下面に突起物３１ｃが形成されやすいので、以上のような本実施の形態１に係る半導体装置の製造装置の効果は特に有用である。
【0036】
＜実施の形態２＞
図４は、本実施の形態１に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。実施の形態１に係るレーザ発振部は、第１レーザ光及び第２レーザ光を選択的に照射する１つのレーザ発振器２であった。
図４は、本実施の形態１に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。実施の形態１に係るレーザ発振部は、第１レーザ光及び第２レーザ光を選択的に照射する１つのレーザ発振器２であった。
【0037】
これに対して本実施の形態２に係るレーザ発振部は、半導体部材３１の下面に第１レーザ光を照射可能な第１レーザ発振器である検出レーザ発振器２ａと、突起物３１ｃに第２レーザ光を照射可能な第２レーザ発振器である加工レーザ発振器２ｂとを含む。加工レーザ発振器２ｂは、検出レーザ発振器２ａの第１レーザ光の照射と並行して、第２レーザ光を照射可能である。
【0038】
なお図４の例では、検出レーザ発振器２ａ及び加工レーザ発振器２ｂは、ＳｉＣウェハ３１ａの下面外周部と対向して設けられ、検出レーザ発振器２ａ及び加工レーザ発振器２ｂは、ステージ１を挟むように設けられている。ただし、検出レーザ発振器２ａ及び加工レーザ発振器２ｂの位置は、図４に示す位置に限ったものではない。
【0039】
本実施の形態２に係るステージ１及びレンズ３は、実施の形態１に係るステージ１及びレンズ３と同様である。本実施の形態２に係る散乱光検出部４は、実施の形態１に係る散乱光検出部４と同様に、半導体部材３１の下面に突起物３１ｃが存在する場合に、第１レーザ光のうち突起物３１ｃによって散乱された散乱光を検出する。
【0040】
本実施の形態２に係る製造装置は透過光検出部８を備える。透過光検出部８は、加工レーザ発振器２ｂから照射された第２レーザ光のうち半導体部材３１を透過した透過光を検出する。
【0041】
レーザ制御部５は、散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果とに基づいて、検出レーザ発振器２ａの第１レーザ光、及び、加工レーザ発振器２ｂの第２レーザ光のそれぞれの出力を変更する。例えば、レーザ制御部５は、散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果とに基づいて、各レーザ光の単位パルスのエネルギー及び繰り返し周波数を変更することによって、各レーザ光の出力を制御する。なお、検出レーザ発振器２ａからの第１レーザ光の単位パルスのエネルギー及び繰り返し周波数は、突起物３１ｃが検出可能な範囲で極力小さくすることが好ましい。加工レーザ発振器２ｂからの第２レーザ光の単位パルスのエネルギー及び繰り返し周波数は、ＳｉＣウェハ３１ａに損傷を与えない範囲で可能な限り大きくすることが好ましい。
【0042】
＜実施の形態２のまとめ＞
以上のような本実施の形態２に係る半導体装置の製造装置によれば、突起物３１ｃを低出力の第１レーザ光の散乱光によって検出し、検出された突起物３１ｃに高出力の第２レーザ光を照射する。このような構成によれば、実施の形態１と同様に、突起物３１ｃを効率よく適切に除去することができる。
以上のような本実施の形態２に係る半導体装置の製造装置によれば、突起物３１ｃを低出力の第１レーザ光の散乱光によって検出し、検出された突起物３１ｃに高出力の第２レーザ光を照射する。このような構成によれば、実施の形態１と同様に、突起物３１ｃを効率よく適切に除去することができる。
【0043】
また本実施の形態２によれば、加工レーザ発振器２ｂは、検出レーザ発振器２ａの第１レーザ光の照射と並行して、第２レーザ光を照射可能に構成されている。このような構成によれば、第１レーザ光と第２レーザとの切り替えを行わずに、突起物３１ｃの検出及び除去を同時に行うことができるので、処理時間を短縮することができる。
【0044】
また本実施の形態２によれば、レーザ制御部５は、散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果とに基づいて、検出レーザ発振器２ａの第１レーザ光、及び、加工レーザ発振器２ｂの第２レーザ光のそれぞれの出力を変更する。このような構成によれば、突起物３１ｃの検出について冗長性を高めることができ、その結果として第１レーザ光及び第２レーザ光のそれぞれの出力を適切化することができる。また例えば、突起物３１ｃの除去途中の状態に合わせて、第２レーザ光の出力を適切に変更することができるため、突起物３１ｃの除去精度を高めることができる。
【0045】
＜実施の形態３＞
図５は、本実施の形態３に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。図５の構成は、図４の検出レーザ発振器２ａ、加工レーザ発振器２ｂ、及び、レーザ制御部５が、波長可変検出レーザ発振器２ｃ、波長可変加工レーザ発振器２ｄ、及び、解析レーザ制御部５ａに置換された構成と同様である。
図５は、本実施の形態３に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。図５の構成は、図４の検出レーザ発振器２ａ、加工レーザ発振器２ｂ、及び、レーザ制御部５が、波長可変検出レーザ発振器２ｃ、波長可変加工レーザ発振器２ｄ、及び、解析レーザ制御部５ａに置換された構成と同様である。
【0046】
波長可変検出レーザ発振器２ｃは、第１レーザ光の波長を変更可能であり、波長可変加工レーザ発振器２ｄは、第２レーザ光の波長を変更可能である。解析レーザ制御部５ａは、波長ごとの散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果とに多変量解析を行うことによって突起物３１ｃのサイズ、形状、及び、結晶状態の少なくともいずれか１つを特定する。なお、なお本明細書において、例えばＡ、Ｂ、Ｃ、…、及び、Ｚの少なくともいずれか１つとは、Ａ、Ｂ、Ｃ、…、及び、Ｚのグループから１つ以上抜き出した全ての組合せのうちのいずれか１つであることを意味する。そして、解析レーザ制御部５ａは、突起物３１ｃの特定結果に基づいて、波長可変検出レーザ発振器２ｃの第２レーザ光の波長及び出力を変更する。
【0047】
＜実施の形態３のまとめ＞
以上のような本実施の形態３に係る半導体装置の製造装置によれば、波長ごとの散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果とに多変量解析を行うことによって突起物３１ｃのサイズ、形状、及び、結晶状態の少なくともいずれか１つを特定する。このような構成によれば、突起物３１ｃの除去途中の状態を精度良く検出することができる。また、突起物３１ｃの除去途中の状態に合わせて第２レーザ光の波長及び出力を適切に変更することができるため、突起物３１ｃの除去精度を高めることができる。また例えば、第２レーザ光の波長に、散乱光、反射光、透過光などがなるべく小さ波長、つまり、突起物３１ｃのレーザ吸収率が高い波長を用いることで、突起物３１ｃの除去時間を短縮することができる。
以上のような本実施の形態３に係る半導体装置の製造装置によれば、波長ごとの散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果とに多変量解析を行うことによって突起物３１ｃのサイズ、形状、及び、結晶状態の少なくともいずれか１つを特定する。このような構成によれば、突起物３１ｃの除去途中の状態を精度良く検出することができる。また、突起物３１ｃの除去途中の状態に合わせて第２レーザ光の波長及び出力を適切に変更することができるため、突起物３１ｃの除去精度を高めることができる。また例えば、第２レーザ光の波長に、散乱光、反射光、透過光などがなるべく小さ波長、つまり、突起物３１ｃのレーザ吸収率が高い波長を用いることで、突起物３１ｃの除去時間を短縮することができる。
【0048】
＜変形例＞
実施の形態３では、実施の形態２に適用する場合について説明したが、これに限ったものではない。例えば実施の形態１に透過光検出部８を追加し、レーザ発振器２にレーザ光の波長可変機能を追加し、レーザ制御部５を解析レーザ制御部５ａに置換すれば、実施の形態３を適用することができる。
実施の形態３では、実施の形態２に適用する場合について説明したが、これに限ったものではない。例えば実施の形態１に透過光検出部８を追加し、レーザ発振器２にレーザ光の波長可変機能を追加し、レーザ制御部５を解析レーザ制御部５ａに置換すれば、実施の形態３を適用することができる。
【0049】
【0050】
図７に示すように、本実施の形態４に係る半導体部材３１には、半導体部材３１の基準に用いられるノッチ３１ｄが設けられている。図６のエッジセンサ１４は、ノッチ検出機能を有しており、半導体部材３１がステージ１に載置されている間に、半導体部材３１に設けられたノッチ３１ｄと、半導体部材３１の周縁部であるエッジとを検出する。ステージ制御部１５は、エッジセンサ１４の検出結果に基づいて、半導体部材３１が載置されたステージ１の並進移動及び回転を制御する。
【0051】
例えば、ステージ制御部１５が半導体部材３１などをθ方向に回転させている間に、エッジセンサ１４は、半導体部材３１のエッジに向けて照射して得られる反射光または透過光に基づいて、半導体部材３１のノッチ３１ｄの位置及びエッジの位置を検出する。そして、エッジセンサ１４は、ノッチ３１ｄの位置及びエッジの位置に基づいて、半導体部材３１の中心の位置を検出する。ステージ制御部１５は、ノッチ３１ｄの位置と、半導体部材３１の中心の位置とに基づいて、ステージ１及び半導体部材３１を並進移動及び回転するアライメントを行う。
【0052】
＜実施の形態４のまとめ＞
以上のような本実施の形態４に係る半導体装置の製造装置によれば、エッジセンサ１４の検出結果に基づいて、半導体部材３１が載置されたステージ１の並進移動及び回転を制御する。このような構成によれば、半導体部材３１を高精度にアライメントすることができるので、第２レーザ光の照射位置に、半導体部材３１の突起物３１ｃの位置を合わせることができる。この結果、第２レーザ光が、半導体部材３１のうち突起物３１ｃがない部分に照射することを抑制することができるので、ＳｉＣウェハ３１ａの損傷を抑制することができる。
以上のような本実施の形態４に係る半導体装置の製造装置によれば、エッジセンサ１４の検出結果に基づいて、半導体部材３１が載置されたステージ１の並進移動及び回転を制御する。このような構成によれば、半導体部材３１を高精度にアライメントすることができるので、第２レーザ光の照射位置に、半導体部材３１の突起物３１ｃの位置を合わせることができる。この結果、第２レーザ光が、半導体部材３１のうち突起物３１ｃがない部分に照射することを抑制することができるので、ＳｉＣウェハ３１ａの損傷を抑制することができる。
【0053】
＜変形例＞
実施の形態４では、実施の形態３に適用する場合について説明したが、これに限ったものではなく、実施の形態１及び実施の形態２などに適用してもよい。
実施の形態４では、実施の形態３に適用する場合について説明したが、これに限ったものではなく、実施の形態１及び実施の形態２などに適用してもよい。
【0054】
＜実施の形態５＞
図８は、本実施の形態５に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。図８の構成は、図６の構成において、レンズ３を高開口数（高ＮＡ）レンズ３ａに置換し、焦点位置可変部１７を追加した構成と同様である。
図８は、本実施の形態５に係る半導体装置の製造装置の構成を示す模式図である。図８の構成は、図６の構成において、レンズ３を高開口数（高ＮＡ）レンズ３ａに置換し、焦点位置可変部１７を追加した構成と同様である。
【0055】
高開口数レンズ３ａは、開口数が異なる複数のレンズから選択された１つのレンズであり、例えばレンズ３よりも高い開口数を有する。突起物３１ｃの平面視でのサイズが小さいほど、高開口数レンズ３ａの開口数が大きくなるように、高開口数レンズ３ａは選択される。例えば開口数が０．６である高開口数レンズ３ａを選択し、レーザ波長３５５ｎｍで突起物３１ｃに焦点を合わせた場合、約１μｍの集光スポット径を得ることができる。
【0056】
なお、高開口数レンズ３ａの選択及び設定は、ユーザが手動によって行ってもよい。または、製造装置が、散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果との少なくともいずれか１つに基づいて突起物３１ｃのサイズを算出し、当該サイズに基づいて高開口数レンズ３ａの選択及び設定を行ってもよい。
【0057】
波長可変加工レーザ発振器２ｄは、選択された高開口数レンズ３ａを介して突起物３１ｃに第２レーザ光を照射する。焦点位置可変部１７は、散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果との少なくともいずれか１つに基づいて、突起物３１ｃの高さを算出し、当該高さに基づいて、第２レーザ光の照射に用いられる高開口数レンズ３ａの焦点距離を変更する。例えば、焦点位置可変部１７は、突起物３１ｃが高いほど、高開口数レンズ３ａの焦点距離を短くする。なお、突起物３１ｃの高さは、２０μｍ以下が多い。
【0058】
＜実施の形態５のまとめ＞
以上のような本実施の形態５に係る半導体装置の製造装置によれば、開口数が異なる複数のレンズから選択された１つのレンズを介して第２レーザ光を突起物３１ｃに照射し、散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果との少なくともいずれか１つに基づいて、第２レーザ光の照射に用いられるレンズの焦点距離を変更する。このような構成によれば、散乱光検出部４で得られる散乱光の情報と、透過光検出部８の透過光の情報との少なくともいずれか１を、焦点位置可変部１７にフィードバックすることができる。このため、突起物３１ｃの３次元形状に合わせた第２レーザ光の集光ができ、突起物３１ｃに高エネルギーを集中的に与えることができるので、効率的な突起物３１ｃの除去ができる。
以上のような本実施の形態５に係る半導体装置の製造装置によれば、開口数が異なる複数のレンズから選択された１つのレンズを介して第２レーザ光を突起物３１ｃに照射し、散乱光検出部４の検出結果と透過光検出部８の検出結果との少なくともいずれか１つに基づいて、第２レーザ光の照射に用いられるレンズの焦点距離を変更する。このような構成によれば、散乱光検出部４で得られる散乱光の情報と、透過光検出部８の透過光の情報との少なくともいずれか１を、焦点位置可変部１７にフィードバックすることができる。このため、突起物３１ｃの３次元形状に合わせた第２レーザ光の集光ができ、突起物３１ｃに高エネルギーを集中的に与えることができるので、効率的な突起物３１ｃの除去ができる。
【0059】
＜変形例＞
実施の形態５では、実施の形態４に適用する場合について説明したが、これに限ったものではなく、透過光検出部８が追加された実施の形態１、実施の形態２、及び、実施の形態３などに適用してもよい。
実施の形態５では、実施の形態４に適用する場合について説明したが、これに限ったものではなく、透過光検出部８が追加された実施の形態１、実施の形態２、及び、実施の形態３などに適用してもよい。
【0060】
なお、各実施の形態及び各変形例を自由に組み合わせたり、各実施の形態及び各変形例を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【0061】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0062】
（付記１）
半導体基板と、前記半導体基板に設けられたエピタキシャル層とを含み、前記エピタキシャル層の前記半導体基板と逆側の第１主面と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層と逆側の第２主面とを有する半導体部材が、前記第２主面の少なくとも一部を露出した状態で載置されるステージと、
前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に、第１レーザ光と、前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光とを照射可能なレーザ発振部と、
前記半導体部材の前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する散乱光検出部と、
前記散乱光検出部の検出結果に基づいて、前記レーザ発振部に前記突起物へ前記第２レーザ光を照射させるレーザ制御部と
を備える、半導体装置の製造装置。
半導体基板と、前記半導体基板に設けられたエピタキシャル層とを含み、前記エピタキシャル層の前記半導体基板と逆側の第１主面と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層と逆側の第２主面とを有する半導体部材が、前記第２主面の少なくとも一部を露出した状態で載置されるステージと、
前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に、第１レーザ光と、前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光とを照射可能なレーザ発振部と、
前記半導体部材の前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する散乱光検出部と、
前記散乱光検出部の検出結果に基づいて、前記レーザ発振部に前記突起物へ前記第２レーザ光を照射させるレーザ制御部と
を備える、半導体装置の製造装置。
【0063】
（付記２）
前記レーザ発振部は、前記半導体基板の前記第２主面から内部に侵入する前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光の量が予め定められた値以下である角度範囲で、前記第２主面に前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光を選択的に照射可能な１つのレーザ発振器である、付記１に記載の半導体装置の製造装置。
前記レーザ発振部は、前記半導体基板の前記第２主面から内部に侵入する前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光の量が予め定められた値以下である角度範囲で、前記第２主面に前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光を選択的に照射可能な１つのレーザ発振器である、付記１に記載の半導体装置の製造装置。
【0064】
（付記３）
前記散乱光検出部は、
前記第１レーザ光のうち、前記突起物が設けられていない前記第２主面から反射された光を検出しない、付記２に記載の半導体装置の製造装置。
前記散乱光検出部は、
前記第１レーザ光のうち、前記突起物が設けられていない前記第２主面から反射された光を検出しない、付記２に記載の半導体装置の製造装置。
【0065】
（付記４）
前記レーザ発振部は、
前記第１レーザ光を照射可能な第１レーザ発振器と、
前記第１レーザ発振器の前記第１レーザ光の照射と並行して、前記第２レーザ光を照射可能な第２レーザ発振器と
を含む、付記１に記載の半導体装置の製造装置。
前記レーザ発振部は、
前記第１レーザ光を照射可能な第１レーザ発振器と、
前記第１レーザ発振器の前記第１レーザ光の照射と並行して、前記第２レーザ光を照射可能な第２レーザ発振器と
を含む、付記１に記載の半導体装置の製造装置。
【0066】
（付記５）
前記第２レーザ光のうち前記半導体部材を透過した透過光を検出する透過光検出部をさらに備え、
前記レーザ制御部は、前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果とに基づいて、前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光のそれぞれの出力を変更する、付記１から付記４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
前記第２レーザ光のうち前記半導体部材を透過した透過光を検出する透過光検出部をさらに備え、
前記レーザ制御部は、前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果とに基づいて、前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光のそれぞれの出力を変更する、付記１から付記４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【0067】
（付記６）
前記レーザ発振部は、前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光の波長を変更可能であり、
前記レーザ制御部は、前記波長ごとの前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果とに多変量解析を行うことによって前記突起物のサイズ、形状、及び、結晶状態の少なくともいずれか１つを特定する、付記５に記載の半導体装置の製造装置。
前記レーザ発振部は、前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光の波長を変更可能であり、
前記レーザ制御部は、前記波長ごとの前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果とに多変量解析を行うことによって前記突起物のサイズ、形状、及び、結晶状態の少なくともいずれか１つを特定する、付記５に記載の半導体装置の製造装置。
【0068】
（付記７）
前記ステージは、載置された前記半導体部材とともに並進移動可能及び回転可能であり、
前記半導体部材が前記ステージに載置されている場合に、前記半導体部材に設けられたノッチと、前記半導体部材のエッジとを検出するエッジセンサと、
前記エッジセンサの検出結果に基づいて、前記半導体部材が載置された前記ステージの並進移動及び回転を制御するステージ制御部と
をさらに備える、付記１から付記６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
前記ステージは、載置された前記半導体部材とともに並進移動可能及び回転可能であり、
前記半導体部材が前記ステージに載置されている場合に、前記半導体部材に設けられたノッチと、前記半導体部材のエッジとを検出するエッジセンサと、
前記エッジセンサの検出結果に基づいて、前記半導体部材が載置された前記ステージの並進移動及び回転を制御するステージ制御部と
をさらに備える、付記１から付記６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【0069】
（付記８）
前記レーザ発振部は、開口数が異なる複数のレンズから選択された１つのレンズを介して前記第２レーザ光を前記突起物に照射し、
前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果との少なくともいずれか１つに基づいて、前記第２レーザ光の照射に用いられる前記１つのレンズの焦点距離を変更する焦点位置可変部をさらに備える、付記５または付記６に記載の半導体装置の製造装置。
前記レーザ発振部は、開口数が異なる複数のレンズから選択された１つのレンズを介して前記第２レーザ光を前記突起物に照射し、
前記散乱光検出部の検出結果と前記透過光検出部の検出結果との少なくともいずれか１つに基づいて、前記第２レーザ光の照射に用いられる前記１つのレンズの焦点距離を変更する焦点位置可変部をさらに備える、付記５または付記６に記載の半導体装置の製造装置。
【0070】
（付記９）
前記半導体基板はＳｉＣウェハであり、
前記第２主面は、前記ＳｉＣウェハのＣ面である、付記１から付記８のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
前記半導体基板はＳｉＣウェハであり、
前記第２主面は、前記ＳｉＣウェハのＣ面である、付記１から付記８のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【0071】
（付記１０）
半導体基板と、前記半導体基板に設けられたエピタキシャル層とを含み、前記エピタキシャル層の前記半導体基板と逆側の第１主面と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層と逆側の第２主面とを有する半導体部材を形成する工程と、
前記第２主面の少なくとも一部を露出した状態で前記半導体部材をステージに載置する工程と、
前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に第１レーザ光を照射する工程と、
前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する工程と、
前記散乱光の検出結果に基づいて、前記突起物に前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光を照射する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
半導体基板と、前記半導体基板に設けられたエピタキシャル層とを含み、前記エピタキシャル層の前記半導体基板と逆側の第１主面と、前記半導体基板の前記エピタキシャル層と逆側の第２主面とを有する半導体部材を形成する工程と、
前記第２主面の少なくとも一部を露出した状態で前記半導体部材をステージに載置する工程と、
前記ステージに載置された前記半導体部材の前記第２主面に第１レーザ光を照射する工程と、
前記第２主面に多結晶の突起物が存在する場合に、前記第１レーザ光のうち前記突起物によって散乱された散乱光を検出する工程と、
前記散乱光の検出結果に基づいて、前記突起物に前記第１レーザ光よりも出力が高い第２レーザ光を照射する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【0072】
１ ステージ、２ レーザ発振器、２ａ 検出レーザ発振器、２ｂ 加工レーザ発振器、２ｃ 波長可変検出レーザ発振器、２ｄ 波長可変加工レーザ発振器、３ａ 高開口数レンズ、４ 散乱光検出部、５ レーザ制御部、５ａ 解析レーザ制御部、８ 透過光検出部、１４ エッジセンサ、１５ ステージ制御部、１７ 焦点位置制御部、３１ 半導体部材、３１ａ ＳｉＣウェハ、３１ｂ エピタキシャル層、３１ｃ 突起物、３１ｄ ノッチ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】