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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024158674
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】高周波モジュール及び通信装置
(51)【国際特許分類】
H04B 1/38 20150101AFI20241031BHJP
H01L 23/00 20060101ALI20241031BHJP
H01L 25/04 20230101ALI20241031BHJP
H05K 9/00 20060101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
H04B1/38
H01L23/00 C
H01L25/04 Z
H05K9/00 P
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023074060
(22)【出願日】2023-04-28
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110002527
【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】大坪 喜人
(72)【発明者】
【氏名】黒▲柳▼ ▲琢▼真
(72)【発明者】
【氏名】安田 智美
【テーマコード（参考）】
5E321
5K011
【Ｆターム（参考）】
5E321AA02
5E321GG05
5K011AA06
5K011BA04
5K011DA02
5K011DA12
5K011DA27
5K011JA01
5K011KA18
(57)【要約】
【課題】小型化を図る。
【解決手段】高周波モジュール１００は、実装基板９と、第１電子部品１及び第２電子部品２と、シールド部材５と、を備える。実装基板９は、主面９１を有する。第１電子部品１及び第２電子部品２は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置し、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している。実装基板９の主面９１からシールド部材５の頂部５１までの第１高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第１電子部品１の天面１１までの第２高さＨ２と、実装基板９の主面９１から第２電子部品２の天面２１までの第３高さＨ３と、の少なくとも一方よりも低い。
【選択図】図１
【解決手段】高周波モジュール１００は、実装基板９と、第１電子部品１及び第２電子部品２と、シールド部材５と、を備える。実装基板９は、主面９１を有する。第１電子部品１及び第２電子部品２は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置し、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している。実装基板９の主面９１からシールド部材５の頂部５１までの第１高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第１電子部品１の天面１１までの第２高さＨ２と、実装基板９の主面９１から第２電子部品２の天面２１までの第３高さＨ３と、の少なくとも一方よりも低い。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
主面を有する実装基板と、
前記実装基板の前記主面に配置されている第１電子部品及び第２電子部品と、
前記実装基板の前記主面に配置されているシールド部材と、を備え、
前記シールド部材は、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に位置し、前記第１電子部品及び前記第２電子部品と隣接しており、
前記実装基板の前記主面から前記シールド部材の頂部までの第１高さは、前記実装基板の前記主面から前記第１電子部品の天面までの第２高さと、前記実装基板の前記主面から前記第２電子部品の天面までの第３高さと、の少なくとも一方よりも低い、
高周波モジュール。
前記実装基板の前記主面に配置されている第１電子部品及び第２電子部品と、
前記実装基板の前記主面に配置されているシールド部材と、を備え、
前記シールド部材は、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に位置し、前記第１電子部品及び前記第２電子部品と隣接しており、
前記実装基板の前記主面から前記シールド部材の頂部までの第１高さは、前記実装基板の前記主面から前記第１電子部品の天面までの第２高さと、前記実装基板の前記主面から前記第２電子部品の天面までの第３高さと、の少なくとも一方よりも低い、
高周波モジュール。
【請求項2】
前記第１高さは、前記第２高さ及び前記第３高さの両方よりも低い、
請求項１に記載の高周波モジュール。
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項3】
前記第１電子部品と前記第２電子部品とのうち少なくとも一方は、
互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、
前記基板の前記第１主面に形成されている回路部と、
前記回路部に接続されている複数のバンプ電極と、を有し、
前記複数のバンプ電極により前記実装基板に接続されており、
前記第１高さは、前記実装基板の前記主面から前記基板の前記第１主面までの高さよりも高い、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、
前記基板の前記第１主面に形成されている回路部と、
前記回路部に接続されている複数のバンプ電極と、を有し、
前記複数のバンプ電極により前記実装基板に接続されており、
前記第１高さは、前記実装基板の前記主面から前記基板の前記第１主面までの高さよりも高い、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項4】
前記第１電子部品は、送信系電子部品であり、
前記第２電子部品は、受信系電子部品である、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
前記第２電子部品は、受信系電子部品である、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項5】
前記送信系電子部品は、パワーアンプを含む、
請求項４に記載の高周波モジュール。
請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項6】
前記受信系電子部品は、ローノイズアンプを含む、
請求項４に記載の高周波モジュール。
請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項7】
前記実装基板は、前記主面である第３主面に対向する第４主面を有し、
前記実装基板は、
前記シールド部材が配置されているランド電極と、
前記実装基板の厚さ方向において前記ランド電極と前記第４主面との間で、前記ランド電極及び前記第４主面から離隔して配置されているグランド電極と、
前記ランド電極と前記グランド電極とを接続しているビア導体と、を含む、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
前記実装基板は、
前記シールド部材が配置されているランド電極と、
前記実装基板の厚さ方向において前記ランド電極と前記第４主面との間で、前記ランド電極及び前記第４主面から離隔して配置されているグランド電極と、
前記ランド電極と前記グランド電極とを接続しているビア導体と、を含む、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項8】
前記シールド部材を複数備え、
前記ランド電極を複数備える、
請求項７に記載の高周波モジュール。
前記ランド電極を複数備える、
請求項７に記載の高周波モジュール。
【請求項9】
前記実装基板は、前記複数のランド電極のうち少なくとも２つのランド電極を含む導体部と、
前記導体部上に設けられており、少なくとも２つの開口部を有するレジスト層と、を含み、
前記少なくとも２つのランド電極は、前記少なくとも２つの開口部に一対一に対応し、前記導体部のうち前記少なくとも２つの開口部により露出している部分であり、
前記ビア導体は、前記少なくとも２つのランド電極に共通であり、前記導体部と前記グランド電極とを接続している、
請求項８に記載の高周波モジュール。
前記導体部上に設けられており、少なくとも２つの開口部を有するレジスト層と、を含み、
前記少なくとも２つのランド電極は、前記少なくとも２つの開口部に一対一に対応し、前記導体部のうち前記少なくとも２つの開口部により露出している部分であり、
前記ビア導体は、前記少なくとも２つのランド電極に共通であり、前記導体部と前記グランド電極とを接続している、
請求項８に記載の高周波モジュール。
【請求項10】
前記実装基板の前記主面に配置されており、前記第１電子部品の少なくとも一部及び前記第２電子部品の少なくとも一部を覆っている樹脂層と、
前記樹脂層を覆っている外部シールド電極と、を更に備える、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
前記樹脂層を覆っている外部シールド電極と、を更に備える、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項11】
前記実装基板の前記主面に配置されている第３電子部品及び第４電子部品と、
前記実装基板の前記主面において前記第３電子部品と前記第４電子部品との間に配置されている接続用シールド部材と、を備え、
前記実装基板の前記主面から前記第３電子部品の天面までの第４高さは、前記第２高さ及び前記第３高さよりも高く、
前記接続用シールド部材は、前記外部シールド電極に接続されている、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
前記実装基板の前記主面において前記第３電子部品と前記第４電子部品との間に配置されている接続用シールド部材と、を備え、
前記実装基板の前記主面から前記第３電子部品の天面までの第４高さは、前記第２高さ及び前記第３高さよりも高く、
前記接続用シールド部材は、前記外部シールド電極に接続されている、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項12】
前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１電子部品及び前記第２電子部品の各々の外縁は、矩形状であり、
前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記シールド部材は、前記第１電子部品又は前記第２電子部品の隣り合う２辺に沿ったＬ字状である、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記シールド部材は、前記第１電子部品又は前記第２電子部品の隣り合う２辺に沿ったＬ字状である、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項13】
前記第１電子部品と前記シールド部材との間に介在する部分を含む放熱部材を更に備える、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項14】
前記シールド部材は、はんだバンプを含む、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項15】
請求項１又は２に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
通信装置。
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、複数の電子部品を備える高周波モジュール、及び、その高周波モジュールを備える通信装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、基板（実装基板）と、基板上に配置された第１電子部品及び第２電子部品と、内部シールド（シールド部材）と、を備えるモジュール（高周波モジュール）を開示している。第１電子部品は、例えば、音響フィルタである。第２電子部品は、例えば、フリップチップＩＣである。内部シールドは、第１電子部品と第２電子部品との間に配置されている。内部シールドは、一対の分離されたボンディングワイヤを有する。一対の分離されたボンディングワイヤは、ボンディングワイヤループの頂点を除去することによって形成されている。特許文献１に開示されたモジュールは、内部シールドによって、電磁干渉を低減又は排除し、第１電子部品と第２電子部品との間の分離を強化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０１７／０１１８８７５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示された高周波モジュールでは、実装基板の厚さ方向、及び、第１電子部品と第２電子部品との並んでいる方向、それぞれにおいてシールド部材に必要なスペースが大きくなり、高周波モジュールが大型化する場合がある。
【0005】
本発明の目的は、小型化を図ることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、第１電子部品及び第２電子部品と、シールド部材と、を備える。前記実装基板は、主面を有する。前記第１電子部品及び前記第２電子部品は、前記実装基板の前記主面に配置されている。前記シールド部材は、前記実装基板の前記主面に配置されている。前記シールド部材は、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に位置し、前記第１電子部品及び前記第２電子部品と隣接している。前記実装基板の前記主面から前記シールド部材の頂部までの第１高さは、前記実装基板の前記主面から前記第１電子部品の天面までの第２高さと、前記実装基板の前記主面から前記第２電子部品の天面までの第３高さと、の少なくとも一方よりも低い。
【0007】
本発明の一態様に係る通信装置は、上記一態様の高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。
【発明の効果】
【0008】
本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置は、小型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、実施形態１～１３について、図面を参照して説明する。以下の実施形態等において参照する図は、模式的な図であり、図中の構成要素の大きさ及び厚さは必ずしも実際の寸法を反映しているとは限らず、構成要素間における大きさの比及び厚さの比も、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【0011】
（実施形態１）
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１００について、図面を参照して説明する。
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１００について、図面を参照して説明する。
【0012】
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、図１及び図２に示すように、実装基板９と、第１電子部品１及び第２電子部品２と、シールド部材５と、を備える。実装基板９は、主面９１を有する。第１電子部品１及び第２電子部品２は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置している。シールド部材５は、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している。「シールド部材５は、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している」とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、シールド部材５と第１電子部品１及び第２電子部品２それぞれとの間に他の電子部品が配置されることなく、シールド部材５と第１電子部品１及び第２電子部品２とが配置されていることを意味する。
【0013】
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、例えば、図４に示すように、通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール１００は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project） ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１００は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。
【0014】
（１）高周波モジュール及び通信装置の回路構成
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００の回路構成について、図面を参照して説明する。
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００の回路構成について、図面を参照して説明する。
【0015】
（１．１）高周波モジュールの回路構成
高周波モジュール１００は、図４に示すように、複数の外部接続端子Ｔ０と、カプラＣＰ１と、複数（図４の例では４つ）のスイッチ１１０，１２０，１３０，１４０と、複数（図４の例では４つ）のフィルタ１５１～１５４と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数（図４の例では４つ）のローノイズアンプ１６１～１６４と、複数（図４の例では２つ）のパワーアンプ１７１，１７２と、複数（図４の例では４つ）の入力整合回路１８１～１８４と、複数（図４の例では２つ）の出力整合回路１９１，１９２と、を備える。複数の外部接続端子Ｔ０は、第１アンテナ端子Ｔ１と、第２アンテナ端子Ｔ２と、カプラ端子Ｔ３と、複数（図４の例では４つ）の信号出力端子Ｔ４～Ｔ７と、複数（図４の例では２つ）の信号入力端子Ｔ８，Ｔ９と、複数のグランド端子Ｔ１０（図１参照）と、を含む。
高周波モジュール１００は、図４に示すように、複数の外部接続端子Ｔ０と、カプラＣＰ１と、複数（図４の例では４つ）のスイッチ１１０，１２０，１３０，１４０と、複数（図４の例では４つ）のフィルタ１５１～１５４と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数（図４の例では４つ）のローノイズアンプ１６１～１６４と、複数（図４の例では２つ）のパワーアンプ１７１，１７２と、複数（図４の例では４つ）の入力整合回路１８１～１８４と、複数（図４の例では２つ）の出力整合回路１９１，１９２と、を備える。複数の外部接続端子Ｔ０は、第１アンテナ端子Ｔ１と、第２アンテナ端子Ｔ２と、カプラ端子Ｔ３と、複数（図４の例では４つ）の信号出力端子Ｔ４～Ｔ７と、複数（図４の例では２つ）の信号入力端子Ｔ８，Ｔ９と、複数のグランド端子Ｔ１０（図１参照）と、を含む。
【0016】
第１アンテナ端子Ｔ１は、例えば、通信装置３００の第１アンテナ３１１に接続される。
【0017】
第２アンテナ端子Ｔ２は、例えば、通信装置３００の第２アンテナ３１２に接続される。
【0018】
カプラ端子Ｔ３は、例えば、通信装置３００の信号処理回路３０１に接続される。
【0019】
複数の信号出力端子Ｔ４～Ｔ７及び複数の信号入力端子Ｔ８，Ｔ９は、例えば、通信装置３００の信号処理回路３０１に接続される。
【0020】
カプラＣＰ１は、スイッチ１１０と第１アンテナ端子Ｔ１とを結ぶ信号経路（主線路）に配置され、主線路を伝送する高周波信号を検波し、高周波信号の信号強度を測定する。
【0021】
スイッチ１１０は、２つの共通端子１１１，１１２及び４つの選択端子１１３～１１６を有する。スイッチ１１０は、共通端子１１１と４つの選択端子１１３～１１６の少なくとも１つとの接続及び非接続を切り替え、共通端子１１２と４つの選択端子１１３～１１６の少なくとも１つとの接続及び非接続を切り替える。共通端子１１１は、第１アンテナ端子Ｔ１に接続されている。共通端子１１２は、第２アンテナ端子Ｔ２に接続されている。選択端子１１３は、フィルタ１５１に接続されている。選択端子１１４は、フィルタ１５２に接続されている。選択端子１１５は、フィルタ１５３に接続されている。選択端子１１６は、フィルタ１５４に接続されている。
【0022】
スイッチ１２０は、共通端子１２１及び２つの選択端子１２２，１２３を有する。スイッチ１２０の共通端子１２１は、フィルタ１５１に接続されている。スイッチ１２０の一方の選択端子１２２は、入力整合回路１８１を介してローノイズアンプ１６１の入力端子に接続され、スイッチ１２０の他方の選択端子１２３は、出力整合回路１９１を介してパワーアンプ１７１の出力端子に接続されている。スイッチ１２０は、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチ回路で構成される。
【0023】
スイッチ１３０は、共通端子１３１及び２つの選択端子１３２，１３３を有する。スイッチ１３０の共通端子１３１は、フィルタ１５２に接続されている。スイッチ１３０の一方の選択端子１３２は、入力整合回路１８２を介してローノイズアンプ１６２の入力端子に接続され、スイッチ１３０の他方の選択端子１３３は、出力整合回路１９２を介してパワーアンプ１７２の出力端子に接続されている。スイッチ１３０は、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
【0024】
スイッチ１４０は、共通端子１４１及び２つの選択端子１４２，１４３を有する。スイッチ１４０の共通端子１４１は、カプラ端子Ｔ３に接続されている。スイッチ１４０の一方の選択端子１４２は、カプラＣＰ１が有する一方の副線路に接続されており、スイッチ１４０の他方の選択端子１４３は、カプラＣＰ１が有する他方の副線路に接続されている。つまり、スイッチ１４０は、カプラ端子Ｔ３と一方の副線路との接続及びカプラ端子Ｔ３と他方の副線路との接続を切り替える。スイッチ１４０は、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
【0025】
複数のフィルタ１５１～１５４の各々は、弾性波フィルタを含む。弾性波フィルタは、複数の弾性波共振子を有する。複数の弾性波共振子の各々は、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。フィルタ１５１は、第１通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。フィルタ１５２は、第２通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。フィルタ１５３は、第３通信バンドの受信信号を通過させる受信フィルタである。フィルタ１５４は、第４通信バンドの受信信号を通過させる受信フィルタである。
【0026】
複数のローノイズアンプ１６１～１６４の各々は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ１６１は、入力端子から入力された第１通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、出力端子から出力する。ローノイズアンプ１６１の入力端子は、入力整合回路１８１及びスイッチ１２０を介してフィルタ１５１に接続されており、ローノイズアンプ１６１の出力端子は、信号出力端子Ｔ４に接続されている。ローノイズアンプ１６２は、入力端子から入力された第２通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、出力端子から出力する。ローノイズアンプ１６２の入力端子は、入力整合回路１８２及びスイッチ１３０を介してフィルタ１５２に接続されており、ローノイズアンプ１６２の出力端子は、信号出力端子Ｔ５に接続されている。ローノイズアンプ１６３は、入力端子に入力された第３通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、出力端子から出力する。ローノイズアンプ１６３の入力端子は、入力整合回路１８３を介してフィルタ１５３に接続されており、ローノイズアンプ１６３の出力端子は、信号出力端子Ｔ６に接続されている。ローノイズアンプ１６４は、入力端子に入力された第４通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、出力端子から出力する。ローノイズアンプ１６４の入力端子は、入力整合回路１８４を介してフィルタ１５４に接続されており、ローノイズアンプ１６４の出力端子は、信号出力端子Ｔ７に接続されている。
【0027】
複数のパワーアンプ１７１，１７２の各々は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ１７１は、入力端子に入力された第１通信バンドの送信信号を電力増幅し、出力端子から出力する。パワーアンプ１７１の入力端子は、信号入力端子Ｔ８に接続されており、パワーアンプ１７１の出力端子は、出力整合回路１９１及びスイッチ１２０を介してフィルタ１５１に接続されている。パワーアンプ１７２の入力端子は、信号入力端子Ｔ９に接続されており、パワーアンプ１７２の出力端子は、出力整合回路１９２及びスイッチ１３０を介してフィルタ１５２に接続されている。
【0028】
入力整合回路１８１は、スイッチ１２０とローノイズアンプ１６１との間に接続されており、スイッチ１２０とローノイズアンプ１６１とのインピーダンスを整合させる。入力整合回路１８２は、スイッチ１３０とローノイズアンプ１６２との間に接続されており、スイッチ１３０とローノイズアンプ１６２とのインピーダンスを整合させる。入力整合回路１８３は、フィルタ１５３とローノイズアンプ１６３との間に接続されており、フィルタ１５３とローノイズアンプ１６３とのインピーダンスを整合させる。入力整合回路１８４は、フィルタ１５４とローノイズアンプ１６４との間に接続されており、フィルタ１５４とローノイズアンプ１６４とのインピーダンスを整合させる。
【0029】
出力整合回路１９１は、パワーアンプ１７１とスイッチ１２０との間に接続されており、パワーアンプ１７１とスイッチ１２０とのインピーダンスを整合させる。出力整合回路１９２は、パワーアンプ１７２とスイッチ１３０との間に接続されており、パワーアンプ１７２とスイッチ１３０とのインピーダンスを整合させる。
【0030】
（１．２）通信装置の回路構成
通信装置３００は、図４に示すように、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、第１アンテナ３１１と、第２アンテナ３１２と、を備える。
通信装置３００は、図４に示すように、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、第１アンテナ３１１と、第２アンテナ３１２と、を備える。
【0031】
信号処理回路３０１は、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力される高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波システム２００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号又は画像信号である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調される変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通信装置３００のユーザの通話のために使用される。
【0032】
（２）高周波モジュールの構造
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、図１及び図２に示すように、実装基板９と、複数の電子部品と、を備える。複数の電子部品は、ローノイズアンプ１６１と、ローノイズアンプ１６２と、パワーアンプ１７１と、パワーアンプ１７２と、スイッチ１２０と、電子部品Ｅ１と、電子部品Ｅ２と、電子部品Ｅ３と、電子部品Ｅ４と、を有する。電子部品Ｅ１は、フィルタ１５１とフィルタ１５２とを含む。電子部品Ｅ２は、フィルタ１５３とフィルタ１５４とを含む。電子部品Ｅ３は、カプラＣＰ１とスイッチ１４０とを含む。電子部品Ｅ４は、スイッチ１１０とスイッチ１３０とローノイズアンプ１６３とローノイズアンプ１６４とを含む。また、複数の電子部品は、入力整合回路１８１に含まれる複数の回路素子と、入力整合回路１８２に含まれる複数の回路素子と、出力整合回路１９１に含まれる複数の回路素子と、出力整合回路１９２に含まれる複数の回路素子と、を有する。複数の電子部品のうち、パワーアンプ１７１、パワーアンプ１７２、出力整合回路１９１に含まれる複数の回路素子及び出力整合回路１９２に含まれる複数の回路素子の各々は、送信系電子部品である。複数の電子部品のうち、ローノイズアンプ１６１、ローノイズアンプ１６２、電子部品Ｅ２、入力整合回路１８１に含まれる複数の回路素子及び入力整合回路１８２に含まれる複数の回路素子の各々は、受信系電子部品である。
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、図１及び図２に示すように、実装基板９と、複数の電子部品と、を備える。複数の電子部品は、ローノイズアンプ１６１と、ローノイズアンプ１６２と、パワーアンプ１７１と、パワーアンプ１７２と、スイッチ１２０と、電子部品Ｅ１と、電子部品Ｅ２と、電子部品Ｅ３と、電子部品Ｅ４と、を有する。電子部品Ｅ１は、フィルタ１５１とフィルタ１５２とを含む。電子部品Ｅ２は、フィルタ１５３とフィルタ１５４とを含む。電子部品Ｅ３は、カプラＣＰ１とスイッチ１４０とを含む。電子部品Ｅ４は、スイッチ１１０とスイッチ１３０とローノイズアンプ１６３とローノイズアンプ１６４とを含む。また、複数の電子部品は、入力整合回路１８１に含まれる複数の回路素子と、入力整合回路１８２に含まれる複数の回路素子と、出力整合回路１９１に含まれる複数の回路素子と、出力整合回路１９２に含まれる複数の回路素子と、を有する。複数の電子部品のうち、パワーアンプ１７１、パワーアンプ１７２、出力整合回路１９１に含まれる複数の回路素子及び出力整合回路１９２に含まれる複数の回路素子の各々は、送信系電子部品である。複数の電子部品のうち、ローノイズアンプ１６１、ローノイズアンプ１６２、電子部品Ｅ２、入力整合回路１８１に含まれる複数の回路素子及び入力整合回路１８２に含まれる複数の回路素子の各々は、受信系電子部品である。
【0033】
また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子Ｔ０を備える。
【0034】
また、高周波モジュール１００は、複数（図２の例では２０個）のはんだバンプ５０を備える。複数のはんだバンプ５０の各々は、複数の電子部品のうち少なくとも１つの電子部品と隣接している。「複数のはんだバンプ５０の各々は、複数の電子部品のうち少なくとも１つの電子部品と隣接している」とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、はんだバンプ５０と上記少なくとも１つの電子部品との間に他の電子部品が配置されることなく、はんだバンプ５０と上記少なくとも１つの電子部品とが配置されていることを意味する。高周波モジュール１００では、パワーアンプ１７１が第１電子部品１の一例であり、電子部品Ｅ２が、第２電子部品２の一例である。また、高周波モジュール１００では、複数のはんだバンプ５０のうち第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置しているはんだバンプ５０が、シールド部材５の一例である。図２の例では、２０個のはんだバンプ５０のうち９個のはんだバンプ５０が、第１電子部品１の外縁に含まれる４辺のうち隣り合う２辺に沿って並ぶように配置されている。また、図２の例では、２０個のはんだバンプ５０のうち残りの１１個のはんだバンプ５０が、パワーアンプ１７２の外縁に含まれる４辺のうち隣り合う２辺に沿って並ぶように配置されている。第１電子部品１及び第２電子部品２の各々は、図３に示すように、基板１０を有する。基板１０は、基板１０の厚さ方向において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。
【0035】
また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、樹脂層６（以下、第１樹脂層６ともいう）と、第２樹脂層１６と、外部シールド電極７と、を更に備える。なお、図１は、図２のＸ１－Ｘ１線断面図である。図２では、第１樹脂層６及び外部シールド電極７の図示を省略してある。
【0036】
実装基板９は、図１に示すように、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する主面９１（以下、第３主面９１ともいう）及び第４主面９２を有する。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板９の外縁は、例えば、矩形状であるが、矩形状以外の形状であってもよい。実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層（図示せず）が積層された多層基板である。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。実装基板９のグランド層は、複数の外部接続端子Ｔ０に含まれる少なくとも１つのグランド端子と、実装基板９の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。
【0037】
実装基板９は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。なお、実装基板９は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板又は部品内蔵基板であってもよい。
【0038】
高周波モジュール１００では、複数の電子部品は、実装基板９の第３主面９１又は第４主面９２に配置されている。「電子部品が、実装基板９の第３主面９１に配置されている」とは、電子部品が実装基板９の第３主面９１に実装されていること（機械的に接続されていること）と、電子部品が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。「電子部品が、実装基板９の第４主面９２に配置されている」とは、電子部品が実装基板９の第４主面９２に実装されていること（機械的に接続されていること）と、電子部品が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。高周波モジュール１００では、第１電子部品１及び第２電子部品２は、実装基板９の第３主面９１に配置されている。
【0039】
実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の電子部品の各々の外縁は、例えば、矩形状である。
【0040】
ローノイズアンプ１６１及びローノイズアンプ１６２の各々は、Ｓｉ系ＩＣチップである。
【0041】
パワーアンプ１７１は、電力増幅用ＩＣチップである。パワーアンプ１７１は、パワーアンプ１７１に含まれる増幅用トランジスタがバイポーラトランンジスタの場合、例えば、ＧａＡｓ系ＩＣチップである。また、パワーアンプ１７１は、増幅用トランジスタがＦＥＴ（Field Effect Transistor）の場合、例えば、Ｓｉ系ＩＣチップである。上述のようにパワーアンプ１７１は、第１電子部品１の一例である。
【0042】
パワーアンプ１７２は、電力増幅用ＩＣチップである。パワーアンプ１７２は、パワーアンプ１７２に含まれる増幅用トランジスタがバイポーラトランンジスタの場合、例えば、ＧａＡｓ系ＩＣチップである。また、パワーアンプ１７２は、増幅用トランジスタがＦＥＴの場合、例えば、Ｓｉ系ＩＣチップである。
【0043】
出力整合回路１９１に含まれる複数の回路素子の各々は、表面実装型電子部品である。なお、出力整合回路１９１の複数の回路素子のうち一部の回路素子は、実装基板９に内蔵されていてもよい。
【0044】
出力整合回路１９２に含まれる複数の回路素子の各々は、表面実装型電子部品である。なお、出力整合回路１９２の複数の回路素子のうち一部の回路素子は、実装基板９に内蔵されていてもよい。
【0045】
複数の外部接続端子Ｔ０は、実装基板９の第４主面９２に配置されている。複数の外部接続端子Ｔ０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子Ｔ０の各々は、柱状電極（例えば、円柱状の電極）である。
【0046】
第１樹脂層６は、図１に示すように、実装基板９の第３主面９１に配置されており、複数の電子部品の一部、複数のはんだバンプ５０及び実装基板９の第３主面９１を覆っている。第１樹脂層６は、電気絶縁性を有する。第１樹脂層６は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層６は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。
【0047】
第２樹脂層１６は、実装基板９の第４主面９２に配置されている。第２樹脂層１６は、実装基板９の第４主面９２に配置されている電子部品Ｅ３の外周面及び天面と、電子部品Ｅ４の外周面と、スイッチ１２０と、複数の外部接続端子Ｔ０それぞれの外周面と、を覆っている。第２樹脂層１６は、電子部品Ｅ４における実装基板９側とは反対側の主面を覆っていない。第２樹脂層は、電気絶縁性を有する。第２樹脂層１６は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層１６は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１６の材料は、第１樹脂層６の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【0048】
外部シールド電極７は、第１樹脂層６と実装基板９とを覆っている。より詳細には、外部シールド電極７は、第１樹脂層６の主面６１及び外周面６３と、実装基板９の外周面９３と、第２樹脂層１６の外周面１６７と、を覆っている。高周波モジュール１００では、第２樹脂層１６における実装基板９側とは反対側の主面１６６は、外部シールド電極７に覆われておらず、露出している。
【0049】
外部シールド電極７は、導電性を有する。高周波モジュール１００では、外部シールド電極７は、高周波モジュール１００の内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。外部シールド電極７は、実装基板９の有するグランド層の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、外部シールド電極７の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。外部シールド電極７は、複数の金属層が積層された多層構造を有するが、多層構造に限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。
【0050】
（３）第１電子部品及び第２電子部品の構造
図３に示すように、第１電子部品１及び第２電子部品２の各々は、基板１０と、回路部１０３と、複数のバンプ電極１０４（図３では、複数のバンプ電極１０４のうち１つだけ見えている）と、を有する。基板１０は、基板１０の厚さ方向において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。回路部１０３は、基板１０の第１主面１０１に形成されている。複数のバンプ電極１０４は、回路部１０３に接続されている。第１電子部品１では、第１電子部品１の有する基板１０の第２主面１０２が、第１電子部品１の天面１１を構成している。また、第２電子部品２では、第２電子部品２の有する基板１０の第２主面１０２が、第２電子部品２の天面２１を構成している。
図３に示すように、第１電子部品１及び第２電子部品２の各々は、基板１０と、回路部１０３と、複数のバンプ電極１０４（図３では、複数のバンプ電極１０４のうち１つだけ見えている）と、を有する。基板１０は、基板１０の厚さ方向において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。回路部１０３は、基板１０の第１主面１０１に形成されている。複数のバンプ電極１０４は、回路部１０３に接続されている。第１電子部品１では、第１電子部品１の有する基板１０の第２主面１０２が、第１電子部品１の天面１１を構成している。また、第２電子部品２では、第２電子部品２の有する基板１０の第２主面１０２が、第２電子部品２の天面２１を構成している。
【0051】
第１電子部品１及び第２電子部品２は、複数のバンプ電極１０４により実装基板９に接続されている。
【0052】
第１電子部品１がＩＣチップ（例えば、パワーアンプ１７１）の場合、基板１０は、例えば、シリコン基板、ＧａＡｓ基板又はＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を含む。また、第１電子部品１がＩＣチップの場合、第１電子部品１は、絶縁層１０５と、複数のパッド電極１０６と、を有する。絶縁層１０５は、基板１０の第１主面１０１上に形成されている。絶縁層１０５は、例えば、層間絶縁膜と、パッシベーション膜と、を含む。回路部１０３は、基板１０における第１主面１０１と第２主面１０２とのうち第１主面１０１側の領域内と絶縁層１０５内とにわたって形成されている。第１電子部品１がパワーアンプ１７１の場合、回路部１０３は、複数のトランジスタを含む。複数のパッド電極１０６は、回路部１０３と接続されている。第１電子部品１を構成するＩＣチップは、例えば、複数のパッド電極１０６に一対一に接続された複数のバンプ電極１０４により実装基板９に接続されている。各バンプ電極１０４の材料は、例えば、はんだである。
【0053】
第２電子部品２が弾性波フィルタを含む電子部品（一例では電子部品Ｅ２）の場合、基板１０は、例えば、圧電性基板を含む。圧電性基板は、例えば、圧電基板である。圧電基板は、例えば、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。圧電性基板は、圧電基板に限らず、例えば、圧電体層を含む積層型基板であってもよい。積層型基板は、例えば、シリコン基板と、シリコン基板上の窒化ケイ素膜と、窒化ケイ素膜上の酸化ケイ素膜と、酸化ケイ素膜上の圧電体層と、を含む。圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイト基板である。また、回路部１０３は、基板１０の第１主面１０１上に形成されている複数のＩＤＴ電極１０７と、基板１０の第１主面１０１上に形成されている複数の配線部１６８と、を含む。図３では、複数のＩＤＴ電極１０７のうち１つのＩＤＴ電極１０７だけが見えている。また、図３では、複数の配線部１６８のうち１つの配線部１６８だけが見えている。また、電子部品Ｅ２は、スペーサ層１０８と、カバー部材１０９と、複数の貫通電極１６９と、を含む。図３では、複数の貫通電極１６９のうち１つの貫通電極１６９だけが見えている。第２電子部品２を構成する電子部品Ｅ２では、複数の貫通電極１６９に一対一に接続された複数の複数のバンプ電極１０４により実装基板９に接続されている。各バンプ電極１０４の材料は、例えば、はんだである。
【0054】
スペーサ層１０８は、基板１０の第１主面１０１上に形成されている。スペーサ層１０８は、平面視において、基板１０の外縁に沿って形成されている。基板１０の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層１０８は、矩形枠状である。スペーサ層１０８は、基板１０の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極１０７を囲んでいる。スペーサ層１０８は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１０８の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。
【0055】
カバー部材１０９は、平板状である。カバー部材１０９は、基板１０の厚さ方向において基板１０に対向するようにスペーサ層１０８上に配置されている。カバー部材１０９は、基板１０の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極１０７と重複し、かつ、基板１０の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極１０７から離れている。カバー部材１０９は、電気絶縁性を有する。カバー部材１０９の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。電子部品Ｅ２は、基板１０の第１主面１０１とスペーサ層１０８とカバー部材１０９とで囲まれた空間Ｓ２を有する。空間Ｓ２には、気体が入っている。気体は、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。
【0056】
（４）第１電子部品と第２電子部品とシールド部材との関係
第１電子部品１、第２電子部品２及びシールド部材５は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置している。また、シールド部材５は、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している。「シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置している」とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視において第１電子部品１の任意の点と第２電子部品２の任意の点とを結ぶ線分の群のうち少なくとも１つの線分がシールド部材５を通ることを意味する。「シールド部材５は、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している」とは、シールド部材５と第１電子部品１との間に他の電子部品が配置されることなく、かつ、シールド部材５と第２電子部品２との間に他の電子部品が配置されることなく、シールド部材５と第１電子部品１及び第２電子部品２とが配置されていることを意味する。シールド部材５は、例えば、実装基板９の有するグランド層に接続されている。シールド部材５は、第１電子部品１から第２電子部品２への電磁ノイズの影響及び第２電子部品２から第１電子部品１への電磁ノイズの影響を低減する機能を有する。また、シールド部材５は、高周波モジュール１００の外部からの電磁ノイズの影響を低減する機能を有する。
第１電子部品１、第２電子部品２及びシールド部材５は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置している。また、シールド部材５は、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している。「シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置している」とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視において第１電子部品１の任意の点と第２電子部品２の任意の点とを結ぶ線分の群のうち少なくとも１つの線分がシールド部材５を通ることを意味する。「シールド部材５は、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している」とは、シールド部材５と第１電子部品１との間に他の電子部品が配置されることなく、かつ、シールド部材５と第２電子部品２との間に他の電子部品が配置されることなく、シールド部材５と第１電子部品１及び第２電子部品２とが配置されていることを意味する。シールド部材５は、例えば、実装基板９の有するグランド層に接続されている。シールド部材５は、第１電子部品１から第２電子部品２への電磁ノイズの影響及び第２電子部品２から第１電子部品１への電磁ノイズの影響を低減する機能を有する。また、シールド部材５は、高周波モジュール１００の外部からの電磁ノイズの影響を低減する機能を有する。
【0057】
高周波モジュール１００では、シールド部材５は、略球状である。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、シールド部材５は、円形状である。高周波モジュール１００では、第１電子部品１がパワーアンプ１７１であり、第２電子部品２が電子部品Ｅ２である場合、実装基板９の主面９１からシールド部材５の頂部５１までの第１高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第１電子部品１の天面１１までの第２高さＨ２よりも低い。また、高周波モジュール１００では、実装基板９の主面９１からシールド部材５の頂部５１までの高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第２電子部品２の天面２１までの第３高さＨ３よりも低い。シールド部材５の頂部５１は、シールド部材５の表面のうち実装基板９の厚さ方向Ｄ１において実装基板９の主面９１から最も遠い部分である。
【0058】
また、高周波モジュール１００では、図３に示すように、第１高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第１電子部品１の基板１０の第１主面１０１までの高さＨ５よりも高い。また、第１高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第２電子部品２の基板１０の第１主面１０１までの高さＨ５よりも高い。
【0059】
また、高周波モジュール１００では、第１電子部品１と第２電子部品２との間に２つのシールド部材５が配置されている。つまり、高周波モジュール１００は、２つのシールド部材５を備える。高周波モジュール１００では、実装基板９は、２つのシールド部材５に一対一に対応する２つのランド電極９４を有する。２つのシールド部材５の各々は、２つのランド電極９４のうち対応するランド電極９４に配置されている。
【0060】
高周波モジュール１００では、第１高さＨ１が第２高さＨ２と第３高さＨ３との少なくとも一方よりも高ければよい。
【0061】
また、第１電子部品１と第２電子部品２との組み合わせは、パワーアンプ１７１と電子部品Ｅ２との組み合わせだけに限らない。第１電子部品１と第２電子部品２との組み合わせは、例えば、パワーアンプ１７１と電子部品Ｅ１との組み合わせ、又はパワーアンプ１７１とローノイズアンプ１６１との組み合わせであってもよく、いずれの組み合わせの場合も、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置しているはんだバンプ５０がシールド部材５を構成する。
【0062】
（５）効果
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板９と、第１電子部品１及び第２電子部品２と、シールド部材５と、を備える。実装基板９は、主面９１を有する。第１電子部品１及び第２電子部品２は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置している。シールド部材５は、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している。実装基板９の主面９１からシールド部材５の頂部５１までの第１高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第１電子部品１の天面１１までの第２高さＨ２と、実装基板９の主面９１から第２電子部品２の天面２１までの第３高さＨ３との少なくとも一方よりも低い。
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板９と、第１電子部品１及び第２電子部品２と、シールド部材５と、を備える。実装基板９は、主面９１を有する。第１電子部品１及び第２電子部品２は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、実装基板９の主面９１に配置されている。シールド部材５は、第１電子部品１と第２電子部品２との間に位置している。シールド部材５は、第１電子部品１及び第２電子部品２と隣接している。実装基板９の主面９１からシールド部材５の頂部５１までの第１高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第１電子部品１の天面１１までの第２高さＨ２と、実装基板９の主面９１から第２電子部品２の天面２１までの第３高さＨ３との少なくとも一方よりも低い。
【0063】
上記構成によれば、小型化を図ることが可能となる。実施形態１に係る高周波モジュール１００は、第１高さＨ１が第２高さＨ２と第３高さＨ３との少なくとも一方よりも低いので、第１電子部品１と第２電子部品２との間にシールド部材５が配置された構成を採用しながらも小型化を図ることが可能となる。
【0064】
また、高周波モジュール１００では、第１高さＨ１は、第２高さＨ２及び第３高さＨ３の両方よりも低い。
【0065】
上記の構成によれば、より小型化を図ることが可能となる。
【0066】
また、高周波モジュール１００では、第１高さＨ１は、実装基板９の主面９１から第１電子部品１及び第２電子部品２の各々の基板１０の第１主面１０１までの高さＨ５よりも高い。
【0067】
上記構成により、第１電子部品１及び第２電子部品２の少なくとも一方の回路部１０３で発生する磁界をシールド部材５によって遮ることができ、第１電子部品１の回路部１０３と第２電子部品２の回路部１０３とのアイソレーションを向上させつつ小型化を図ることが可能となる。
【0068】
また、高周波モジュール１００では、第１電子部品１は、送信系電子部品であり、第２電子部品２は、受信系電子部品である。
【0069】
上記構成によれば、第１電子部品１である送信系電子部品と第２電子部品２である受信系電子部品とのアイソレーションを向上させつつ小型化を図ることが可能となる。
【0070】
なお、図３においてランド電極９４は実装基板９の内部に埋設するような構造となっているが、実装基板９の主面９１上に配置されていてもよい。そのような構成の場合でも第１高さＨ１、第２高さＨ２及び第３高さＨ３は、実装基板９の主面９１を基準とした高さになるため、第１高さＨ１ないし第３高さＨ３はランド電極９４の実装基板９の厚さ方向Ｄ１の厚みが追加された値となる。
【0071】
（実施形態２）
実施形態２に係る高周波モジュール１００について、図５を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態２に係る高周波モジュール１００について、図５を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0072】
実施形態２に係る高周波モジュール１００は、図５に示すように、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において実装基板９の有するグランド電極９５の一部がシールド部材５と重なるように配置されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。シールド部材５とグランド電極９５とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１においてシールド部材５に重なるビア導体９６により接続されている。
【0073】
実施形態２に係る高周波モジュール１００は、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0074】
また、実施形態２に係る高周波モジュール１００では、実装基板９のグランド電極９５は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１においてランド電極９４と第４主面９２との間で、ランド電極９４及び第４主面９２から離隔して配置されている。ビア導体９６は、ランド電極９４とグランド電極９５とを接続している。
【0075】
上記構成によれば、第１電子部品１と第２電子部品２との少なくとも一方で発生する磁界の実装基板９内での拡がりを抑制することが可能となる。
【0076】
（実施形態３）
実施形態３に係る高周波モジュール１００について、図６を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３に係る高周波モジュール１００について、図６を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0077】
実施形態３に係る高周波モジュール１００では、シールド部材５の形状が、実施形態１に係る高周波モジュール１００のシールド部材５の形状と相違する。実施形態３に係る高周波モジュール１００では、シールド部材５は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１にスタックされている２つのはんだバンプ５０を含む。
【0078】
実施形態３に係る高周波モジュール１００は、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0079】
実施形態３に係る高周波モジュール１００は、シールド部材５において２つのはんだバンプ５０がスタックされているので、実施形態１と比べて、はんだバンプ５０のサイズを小さくでき、シールド部材５と第１電子部品１との間の距離、及び、シールド部材５と第２電子部品２との間の距離それぞれを短くすることが可能となり、より小型化を図ることが可能となる。
【0080】
（実施形態４）
実施形態４に係る高周波モジュール１００について、図７を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態３に係る高周波モジュール１００（図６参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態４に係る高周波モジュール１００について、図７を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態３に係る高周波モジュール１００（図６参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0081】
実施形態４に係る高周波モジュール１００は、シールド部材５に含まれる２つのはんだバンプ５０の各々が、銅コア入りのはんだバンプにより構成されている点で、実施形態３に係る高周波モジュール１００と相違する。
【0082】
実施形態４に係る高周波モジュール１００は、実施形態３に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0083】
また、実施形態４に係る高周波モジュール１００は、シールド部材５に含まれる２つのはんだバンプ５０の各々が、銅コア入りのはんだバンプにより構成されているので、実施形態３と比べて、実装基板９の主面９１からシールド部材５の頂部５１までの第１高さＨ１の精度を向上させることが可能となる。
【0084】
（実施形態５）
実施形態５に係る高周波モジュール１００について、図８を参照して説明する。実施形態５に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図８では、第１樹脂層６（図１参照）及び外部シールド電極７（図１参照）の図示を省略してある。
実施形態５に係る高周波モジュール１００について、図８を参照して説明する。実施形態５に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図８では、第１樹脂層６（図１参照）及び外部シールド電極７（図１参照）の図示を省略してある。
【0085】
実施形態５に係る高周波モジュール１００では、第１電子部品１と第２電子部品２とが実装基板９の厚さ方向Ｄ１（以下、第１方向Ｄ１ともいう）に直交する第２方向Ｄ２において並んでいる。実施形態５に係る高周波モジュール１００は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、シールド部材５の形状が楕円形状である点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。シールド部材５は、楕円形状の短軸が第２方向Ｄ２に平行となり、楕円形状の長軸が第２方向Ｄ２に直交するように配置されている。「楕円形状の短軸が第２方向Ｄ２に平行」とは、厳密に平行である場合のみに限らず、楕円形状の短軸と、第２方向Ｄ２とのなす角度が１０度以下でもよい。「楕円形状の長軸が第２方向Ｄ２に直交する」とは、厳密に直交する場合のみに限らず、楕円形状の長軸と第２方向Ｄ２とのなす角度が８０度以上１００度以下でもよい。
【0086】
実施形態５に係る高周波モジュール１００は、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0087】
また、実施形態５に係る高周波モジュール１００は、シールド部材５の平面視形状が楕円形状なので、実施形態１に係る高周波モジュール１００と比べて、１つのシールド部材５によるシールド性を向上させることが可能となる。
【0088】
（実施形態６）
実施形態６に係る高周波モジュール１００について、図９及び図１０を参照して説明する。実施形態６に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態２に係る高周波モジュール１００（図５参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図９では、第１樹脂層６（図１０参照）及び外部シールド電極７（図１０参照）の図示を省略してある。
実施形態６に係る高周波モジュール１００について、図９及び図１０を参照して説明する。実施形態６に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態２に係る高周波モジュール１００（図５参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図９では、第１樹脂層６（図１０参照）及び外部シールド電極７（図１０参照）の図示を省略してある。
【0089】
【0090】
導体部９８は、複数のランド電極９４のうち少なくとも２つのランド電極９４を含む。レジスト層９７は、導体部９８上に設けられており、少なくとも２つの開口部９７１を有する。レジスト層９７は、例えば、ソルダーレジスト層である。レジスト層９７の材料は、導体部９８よりもはんだ濡れ性が低い材料である。レジスト層９７の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、或いはエポキシ樹脂等が挙げられる。
【0091】
少なくとも２つのランド電極９４は、少なくとも２つの開口部９７１に一対一に対応し、導体部９８のうち少なくとも２つの開口部９７１により露出している部分である。ビア導体９６は、少なくとも２つのランド電極９４に共通であり、導体部９８とグランド電極９５とを接続している。
【0092】
実施形態６に係る高周波モジュール１００は、実施形態２に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0093】
また、実施形態６に係る高周波モジュール１００は、ビア導体９６が少なくとも２つのランド電極９４に共通であり、導体部９８とグランド電極９５とを接続しているので、シールド性の向上を図りつつ実装基板９内の配線レイアウトの自由度が高くなる。
【0094】
（実施形態７）
実施形態７に係る高周波モジュール１００について、図１１及び図１２を参照して説明する。実施形態７に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１１では、第１樹脂層６（図１２参照）及び外部シールド電極７（図１２参照）の図示を省略してある。
実施形態７に係る高周波モジュール１００について、図１１及び図１２を参照して説明する。実施形態７に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１１では、第１樹脂層６（図１２参照）及び外部シールド電極７（図１２参照）の図示を省略してある。
【0095】
実施形態７に係る高周波モジュール１００は、第３電子部品３及び第４電子部品４を備える。第３電子部品３及び第４電子部品４は、実装基板９の主面９１に配置されている。実施形態７に係る高周波モジュール１００では、パワーアンプ１７２が第１電子部品１の一例であり、入力整合回路１８２の複数の回路素子のうち１つの回路素子が第２電子部品２の一例である。また、実施形態７に係る高周波モジュール１００では、入力整合回路１８２の複数の回路素子のうち１つの回路素子が第３電子部品３の一例であり、パワーアンプ１７１が第４電子部品４の一例である。
【0096】
また、実施形態７に係る高周波モジュール１００は、接続用シールド部材８を更に備える。接続用シールド部材８は、実装基板９の主面９１において第３電子部品３と第４電子部品４との間に配置されている。実装基板９の主面９１から第３電子部品３の天面３１までの第４高さＨ４は、実装基板９の主面９１から第１電子部品１の天面１１までの第２高さＨ２（図１参照）及び実装基板９の主面９１から第２電子部品２の天面２１までの第３高さＨ３（図１参照）よりも高い。接続用シールド部材８は、外部シールド電極７に接続されている。接続用シールド部材８は、例えば、シールド部材５は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１にスタックされている２つのはんだバンプ５０を含む。
【0097】
実施形態６に係る高周波モジュール１００は、実施形態２に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0098】
また、実施形態６に係る高周波モジュール１００は、接続用シールド部材８を備え、接続用シールド部材８が外部シールド電極７に接続されているので、シールド性を更に向上させることが可能となる。
【0099】
（実施形態８）
実施形態８に係る高周波モジュール１００について、図１３及び図１４を参照して説明する。実施形態８に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１３では、第１樹脂層６（図１４参照）及び外部シールド電極７（図１４参照）の図示を省略してある。
実施形態８に係る高周波モジュール１００について、図１３及び図１４を参照して説明する。実施形態８に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１３では、第１樹脂層６（図１４参照）及び外部シールド電極７（図１４参照）の図示を省略してある。
【0100】
実施形態８に係る高周波モジュール１００は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視でシールド部材５がＬ字状である点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。シールド部材５は、はんだバンプである。実施形態８では、Ｌ字状のシールド部材５が、第１電子部品１の外縁に含まれる４辺のうち隣り合う２辺に沿って配置されている。実施形態８に係る高周波モジュール１００では、第１電子部品１と第２電子部品２とが実装基板９の厚さ方向Ｄ１（以下、第１方向Ｄ１ともいう）に直交する第２方向Ｄ２において並んでいる。シールド部材５は、第２方向Ｄ２における幅Ｗ５よりも第１高さＨ１のほうが長い。
【0101】
実施形態８に係る高周波モジュール１００は、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0102】
実施形態８に係る高周波モジュール１００は、実施形態１と比べて、第２方向Ｄ２におけるシールド部材５の幅を狭くすることができ、シールド部材５と第１電子部品１との間の距離、及び、シールド部材５と第２電子部品２との間の距離それぞれを短くすることが可能となり、より小型化を図ることが可能となる。
【0103】
実施形態８では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、シールド部材５が、第１電子部品１の外縁に含まれる４辺のうち隣り合う２辺に沿って配置されているＬ字状であるが、Ｌ字状に限らず、４辺のうち３辺に沿って配置されているＵ字状であってもよい。
【0104】
（実施形態９）
実施形態９に係る高周波モジュール１００について、図１５を参照して説明する。実施形態９に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１５では、第１樹脂層６（図１参照）及び外部シールド電極７（図２参照）の図示を省略してある。
実施形態９に係る高周波モジュール１００について、図１５を参照して説明する。実施形態９に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１５では、第１樹脂層６（図１参照）及び外部シールド電極７（図２参照）の図示を省略してある。
【0105】
実施形態９に係る高周波モジュール１００は、第１電子部品１がパワーアンプ１７１であり、第２電子部品２が出力整合回路１９２の複数の回路素子のうちの１つである点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。また、実施形態９に係る高周波モジュール１００は、シールド部材５が長方形状である点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。シールド部材５は、はんだバンプである。シールド部材５は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視でシールド部材５の長手方向が第１電子部品１と第２電子部品２との並んでいる方向と交差するように配置されている。
【0106】
実施形態９に係る高周波モジュール１００は、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0107】
（実施形態１０）
実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａについて、図１６及び図１７を参照して説明する。実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａについて、図１６及び図１７を参照して説明する。実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００（図１～図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0108】
実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａは、放熱部材１５を更に備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。放熱部材１５は、第１電子部品１とシールド部材５との間に介在する部分を含む。実施形態１０では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、放熱部材１５は、Ｌ字状であり、第１電子部品１の４つの側面のうち隣り合う２つの側面に接している。また、放熱部材１５は、第１電子部品１の上記２つの側面に対向している複数のはんだバンプ５０に接している。なお、放熱部材１５は、第１電子部品１の天面１１の少なくとも一部にも形成されていてもよい。
【0109】
放熱部材１５は、熱伝導性及び電気絶縁性を有する。放熱部材１５の材料は、例えば、ＴＩＭ（Thermal Interface Material）を含む。放熱部材１５は、熱伝導シートである。熱伝導シートは、例えば、樹脂と、樹脂に充填されたフィラーと、を含むシート状の部材である。フィラーは、例えば、窒化アルミニウム、窒化ボロン、カーボンナノチューブ又はグラフェンを含む。放熱部材１５は、熱伝導シートに限らず、例えば、熱伝導グリースでもよい。
【0110】
実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0111】
また、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａは、放熱部材１５を備えるので、放熱性を向上させることが可能となり、第１電子部品１の温度上昇を抑制することが可能となる。
【0112】
（実施形態１１）
実施形態１１に係る高周波モジュール１００Ａについて、図１８を参照して説明する。実施形態１１に係る高周波モジュール１００Ａに関し、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａ（図１６及び図１７参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１１に係る高周波モジュール１００Ａについて、図１８を参照して説明する。実施形態１１に係る高周波モジュール１００Ａに関し、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａ（図１６及び図１７参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0113】
実施形態１１に係る高周波モジュール１００Ａは、放熱部材１５が、第１電子部品１の天面１１及び４つの側面を覆っている点で、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａと相違する。
【0114】
実施形態１１に係る高周波モジュール１００Ａは、実施形態１０に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0115】
また、実施形態１１に係る高周波モジュール１００Ａは、放熱部材１５が第１電子部品１の天面１１及び４つの側面を覆っているので、実施形態１０に係る高周波モジュール１００と比べて、放熱性を向上させることが可能となる。
【0116】
（実施形態１２）
実施形態１２に係る高周波モジュール１００Ａについて、図１９を参照して説明する。実施形態１２に係る高周波モジュール１００Ａに関し、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａ（図１６及び図１７参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１２に係る高周波モジュール１００Ａについて、図１９を参照して説明する。実施形態１２に係る高周波モジュール１００Ａに関し、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａ（図１６及び図１７参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0117】
実施形態１２に係る高周波モジュール１００Ａは、シールド部材５の形状が、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａのシールド部材５の形状と相違する。実施形態１２に係る高周波モジュール１００Ａでは、シールド部材５は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１にスタックされている２つのはんだバンプ５０を含む。
【0118】
実施形態１２に係る高周波モジュール１００Ａは、実施形態１０に係る高周波モジュール１００と同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0119】
実施形態１２に係る高周波モジュール１００Ａは、シールド部材５において２つのはんだバンプ５０がスタックされているので、実施形態１０と比べて、はんだバンプ５０のサイズを小さくでき、シールド部材５と第１電子部品１との間の距離、及び第２電子部品２との間の距離それぞれを短くすることが可能となり、より小型化を図ることが可能となる。
【0120】
（実施形態１３）
実施形態１３に係る高周波モジュール１００Ａについて、図２０及び図２１を参照して説明する。実施形態１３に係る高周波モジュール１００Ａに関し、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａ（図１６及び図１７参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１３に係る高周波モジュール１００Ａについて、図２０及び図２１を参照して説明する。実施形態１３に係る高周波モジュール１００Ａに関し、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａ（図１６及び図１７参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0121】
実施形態１３に係る高周波モジュール１００Ａは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視でシールド部材５がＬ字状である点で、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａと相違する。シールド部材５は、はんだバンプである。実施形態１３では、Ｌ字状のシールド部材５が、第１電子部品１の外縁に含まれる４辺のうち隣り合う２辺に沿って配置されている。実施形態１３では、Ｌ字状の放熱部材１５が、Ｌ字状のシールド部材５と第１電子部品１の２つの側面との間に介在している。
【0122】
実施形態１３に係る高周波モジュール１００Ａでは、第１電子部品１と第２電子部品２とが実装基板９の厚さ方向Ｄ１（以下、第１方向Ｄ１ともいう）に直交する第２方向Ｄ２において並んでいる。シールド部材５は、第２方向Ｄ２における幅Ｗ５よりも第１高さＨ１のほうが長い。
【0123】
実施形態１３に係る高周波モジュール１００Ａは、実施形態１０に係る高周波モジュール１００Ａと同様、第１高さＨ１が第２高さＨ２及び第３高さＨ３の少なくとも一方よりも低いので、小型化を図ることが可能となる。
【0124】
また、実施形態１３に係る高周波モジュール１００Ａは、シールド部材５がＬ字状なので、実施形態１０と比べて放熱性を向上させることが可能となる。
【0125】
上記の実施形態１～１３等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～１３等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【0126】
例えば、弾性波フィルタに含まれる複数の弾性波共振子の各々は、ＳＡＷ共振子に限らず、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。この場合、例えば、第２電子部品２の基板１０は、例えば、スピネル基板でもよいし、シリコン基板とシリコン基板上に形成された絶縁膜とを含む基板であってもよい。
【0127】
また、複数の外部接続端子Ｔ０の各々は、柱状電極に限らず、例えば、ボールバンプであってもよい。
【0128】
また、複数の外部接続端子Ｔ０は、実装基板９の構成要素ではないが、実装基板９の構成要素であってもよい。
【0129】
また、通信装置３００は、実施形態１に係る高周波モジュール１００の代わりに、実施形態２～９のいずれかの高周波モジュール１００、又は、実施形態１０～１３のいずれかの高周波モジュール１００Ａを備えていてもよい。
【0130】
（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。
本明細書には、以下の態様が開示されている。
【0131】
第１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）は、実装基板（９）と、第１電子部品（１）及び第２電子部品（２）と、シールド部材（５）と、を備える。実装基板（９）は、主面（９１）を有する。第１電子部品（１）及び第２電子部品（２）は、実装基板（９）の主面（９１）に配置されている。シールド部材（５）は、実装基板（９）の主面（９１）に配置されている。シールド部材（５）は、第１電子部品（１）と第２電子部品（２）との間に位置し、第１電子部品（１）及び第２電子部品（２）と隣接している。実装基板（９）の主面（９１）からシールド部材（５）の頂部（５１）までの第１高さ（Ｈ１）は、実装基板（９）の主面（９１）から第１電子部品（１）の天面（１１）までの第２高さ（Ｈ２）と、実装基板（９）の主面（９１）から第２電子部品（２）の天面（２１）までの第３高さ（Ｈ３）と、の少なくとも一方よりも低い。
【0132】
この態様によれば、小型化を図ることが可能となる。
【0133】
第２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）では、第１の態様において、第１高さ（Ｈ１）は、第２高さ（Ｈ２）及び第３高さ（Ｈ３）の両方よりも低い。
【0134】
この態様によれば、より小型化を図ることが可能となる。
【0135】
第３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）では、第１又は２の態様において、第１電子部品（１）と第２電子部品（２）とのうち少なくとも一方は、基板（１０）と、回路部（１０３）と、複数のバンプ電極（１０４）と、を有する。基板（１０）は、互いに対向する第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）を有する。回路部（１０３）は、基板（１０）の第１主面（１０１）に形成されている。複数のバンプ電極（１０４）は、回路部（１０３）に接続されている。第１電子部品（１）と第２電子部品（２）とのうち少なくとも一方は、複数のバンプ電極（１０４）により実装基板（９）に接続されている。第１高さ（Ｈ１）は、実装基板（９）の主面（９１）から基板（１０）の第１主面（１０１）までの高さ（Ｈ５）よりも高い。
【0136】
この態様によれば、第１電子部品（１）の回路部（１０３）と第２電子部品（２）の回路部（１０３）とのアイソレーションを向上させつつ小型化を図ることが可能となる。
【0137】
第４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）では、第１～３の態様のいずれか一つにおいて、第１電子部品（１）は、送信系電子部品であり、第２電子部品（２）は、受信系電子部品である。
【0138】
この態様によれば、第１電子部品（１）である送信系電子部品と第２電子部品（２）である受信系電子部品とのアイソレーションを向上させつつ小型化を図ることが可能となる。
【0139】
第５の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）では、第４の態様において、送信系電子部品は、パワーアンプ（１７１）を含む。
【0140】
第６の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）は、第４又は５の態様のいずれか一つにおいて、受信系電子部品は、ローノイズアンプ（１６３，１６４）を含む。
【0141】
第７の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）では、第１～６の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（９）は、主面（９１）である第３主面（９１）に対向する第４主面（９２）を有する。実装基板（９）は、ランド電極（９４）と、グランド電極（９５）と、ビア導体（９６）と、を含む。ランド電極（９４）は、シールド部材（５）が配置されている。グランド電極（９５）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）においてランド電極（９４）と第４主面（９２）との間で、ランド電極（９４）及び第４主面（９２）から離隔して配置されている。ビア導体（９６）は、ランド電極（９４）とグランド電極（９５）とを接続している。
【0142】
この態様によれば、第１電子部品（１）と第２電子部品（２）との少なくとも一方で発生する磁界の実装基板（９）内での拡がりを抑制することが可能となる。
【0143】
第８の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）は、第７の態様において、シールド部材（５）を複数備え、ランド電極（９４）を複数備える。
【0144】
この態様によれば、シールド性を更に向上させることができる。
【0145】
第９の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）では、第８の態様において、実装基板（９）は、導体部（９８）と、レジスト層（９７）と、を含む。導体部（９８）は、複数のランド電極（９４）のうち少なくとも２つのランド電極（９４）を含む。レジスト層（９７）は、導体部（９８）上に設けられており、少なくとも２つの開口部（９７１）を有する。少なくとも２つのランド電極（９４）は、少なくとも２つの開口部（９７１）に一対一に対応し、導体部（９８）のうち少なくとも２つの開口部（９７１）により露出している部分である。ビア導体（９６）は、少なくとも２つのランド電極（９４）に共通であり、導体部（９８）とグランド電極（９５）とを接続している。
【0146】
この態様によれば、シールド性の向上を図りつつ実装基板（９）内の配線レイアウトの自由度が高くなる。
【0147】
第１０の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）は、第１～９の態様のいずれか一つにおいて、樹脂層（６）と、外部シールド電極（７）と、を更に備える。樹脂層（６）は、実装基板（９）の主面（９１）に配置されている。樹脂層（６）は、第１電子部品（１）の少なくとも一部及び第２電子部品（２）の少なくとも一部を覆っている。外部シールド電極（７）は、樹脂層（６）を覆っている。
【0148】
この態様によれば、高周波モジュール（１００；１００Ａ）の外部からの電磁波ノイズ及び高周波モジュール（１００）から外部への電磁波ノイズそれぞれに対するシールド性を向上させることができる。
【0149】
第１１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）は、第１０の態様において、第３電子部品（３）及び第４電子部品（４）と、接続用シールド部材（８）と、を更に備える。第３電子部品（３）及び第４電子部品（４）は、実装基板（９）の主面（９１）に配置されている。接続用シールド部材（８）は、実装基板（９）の主面（９１）において第３電子部品（３）と第４電子部品（４）との間に配置されている。実装基板（９）の主面（９１）から第３電子部品（３）の天面（３１）までの第４高さ（Ｈ４）は、第２高さ（Ｈ２）及び第３高さ（Ｈ３）よりも高い。接続用シールド部材（８）は、外部シールド電極（７）に接続されている。
【0150】
この態様によれば、シールド性を更に向上させることが可能となる。
【0151】
第１２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）では、第１～７の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１電子部品（１）及び第２電子部品（２）の各々の外縁は、矩形状である。実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、シールド部材（５）は、第１電子部品（１）又は第２電子部品（２）の隣り合う２辺に沿ったＬ字状である。
【0152】
この態様によれば、シールド性を向上させることが可能となる。
【0153】
第１３の態様に係る高周波モジュール（１００Ａ）は、第１～１２の態様のいずれか一つにおいて、放熱部材（１５）を更に備える。放熱部材（１５）は、第１電子部品（１）とシールド部材（５）との間に介在する部分を含む。
【0154】
この態様によれば、放熱性を向上させることが可能となる。
【0155】
第１４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００Ａ）では、第１～１３の態様のいずれか一つにおいて、シールド部材（５）は、はんだバンプを含む。
【0156】
この態様によれば、シールド部材（５）を印刷法等によって容易に形成することができる。
【0157】
第１５の態様に係る通信装置（３００）は、第１～１４の態様のいずれか一つの高周波モジュール（１００；１００Ａ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１００）に接続されている。
【0158】
この態様によれば、小型化を図ることが可能となる。
【符号の説明】
【0159】
１ 第１電子部品
１１ 天面
２ 第２電子部品
２１ 天面
３ 第３電子部品
３１ 天面
４ 第４電子部品
４１ 天面
５ シールド部材
５０ はんだバンプ
５１ 頂部
６ 樹脂層
７ 外部シールド電極
８ 接続用シールド部材
９ 実装基板
９１ 主面（第３主面）
９２ 第４主面
９３ 外周面
９４ ランド電極
９５ グランド電極
９６ ビア導体
９７ レジスト層
９７１ 開口部
９８ 導体部
１０ 基板
１０１ 第１主面
１０２ 第２主面
１０３ 回路部
１０４ バンプ電極
１０５ 絶縁層
１０６ パッド電極
１０７ ＩＤＴ電極
１０８ スペーサ層
１０９ カバー部材
１５ 放熱部材
１６ 第２樹脂層
１６６ 主面
１６７ 外周面
ＣＰ１ カプラ
１１０ スイッチ
１１１ 共通端子
１１２ 共通端子
１１３～１１６ 選択端子
１２０ スイッチ
１２１ 共通端子
１２２、１２３ 選択端子
１３０ スイッチ
１３１ 共通端子
１３２、１３３ 選択端子
１４０ スイッチ
１４１ 共通端子
１４２、１４３ 選択端子
１５１～１５４ フィルタ
１６１～１６４ ローノイズアンプ
１６８ 配線部
１６９ 貫通電極
１７１、１７２ パワーアンプ
１８１～１８４ 入力整合回路
１９１、１９２ 出力整合回路
１００、１００Ａ 高周波モジュール
３００ 通信装置
３０１ 信号処理回路
３０２ ＲＦ信号処理回路
３０３ ベースバンド信号処理回路
３１１ 第１アンテナ
３１２ 第２アンテナ
Ｄ１ 厚さ方向（第１方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｈ１ 第１高さ
Ｈ２ 第２高さ
Ｈ３ 第３高さ
Ｈ４ 第４高さ
Ｈ５ 高さ
Ｌ１ インダクタ
Ｌ２ インダクタ
Ｌ３ インダクタ
Ｔ０ 外部接続端子
Ｔ１ 第１アンテナ端子
Ｔ２ 第２アンテナ端子
Ｔ３ カプラ端子
Ｔ４ 信号出力端子
Ｔ５ 信号出力端子
Ｔ６ 信号出力端子
Ｔ７ 信号出力端子
Ｔ８ 信号入力端子
Ｔ９ 信号入力端子
１１ 天面
２ 第２電子部品
２１ 天面
３ 第３電子部品
３１ 天面
４ 第４電子部品
４１ 天面
５ シールド部材
５０ はんだバンプ
５１ 頂部
６ 樹脂層
７ 外部シールド電極
８ 接続用シールド部材
９ 実装基板
９１ 主面（第３主面）
９２ 第４主面
９３ 外周面
９４ ランド電極
９５ グランド電極
９６ ビア導体
９７ レジスト層
９７１ 開口部
９８ 導体部
１０ 基板
１０１ 第１主面
１０２ 第２主面
１０３ 回路部
１０４ バンプ電極
１０５ 絶縁層
１０６ パッド電極
１０７ ＩＤＴ電極
１０８ スペーサ層
１０９ カバー部材
１５ 放熱部材
１６ 第２樹脂層
１６６ 主面
１６７ 外周面
ＣＰ１ カプラ
１１０ スイッチ
１１１ 共通端子
１１２ 共通端子
１１３～１１６ 選択端子
１２０ スイッチ
１２１ 共通端子
１２２、１２３ 選択端子
１３０ スイッチ
１３１ 共通端子
１３２、１３３ 選択端子
１４０ スイッチ
１４１ 共通端子
１４２、１４３ 選択端子
１５１～１５４ フィルタ
１６１～１６４ ローノイズアンプ
１６８ 配線部
１６９ 貫通電極
１７１、１７２ パワーアンプ
１８１～１８４ 入力整合回路
１９１、１９２ 出力整合回路
１００、１００Ａ 高周波モジュール
３００ 通信装置
３０１ 信号処理回路
３０２ ＲＦ信号処理回路
３０３ ベースバンド信号処理回路
３１１ 第１アンテナ
３１２ 第２アンテナ
Ｄ１ 厚さ方向（第１方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｈ１ 第１高さ
Ｈ２ 第２高さ
Ｈ３ 第３高さ
Ｈ４ 第４高さ
Ｈ５ 高さ
Ｌ１ インダクタ
Ｌ２ インダクタ
Ｌ３ インダクタ
Ｔ０ 外部接続端子
Ｔ１ 第１アンテナ端子
Ｔ２ 第２アンテナ端子
Ｔ３ カプラ端子
Ｔ４ 信号出力端子
Ｔ５ 信号出力端子
Ｔ６ 信号出力端子
Ｔ７ 信号出力端子
Ｔ８ 信号入力端子
Ｔ９ 信号入力端子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】