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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024158760
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】電気光学装置及び電子機器
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20241031BHJP
G02F 1/1343 20060101ALI20241031BHJP
G02F 1/1368 20060101ALN20241031BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 338
G02F1/1343
G02F1/1368
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023074267
(22)【出願日】2023-04-28
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】杉本 陽平
【テーマコード（参考）】
2H092
2H192
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H092GA13
2H092GA16
2H092GA17
2H092GA25
2H092GA29
2H092GA30
2H092GA61
2H092HA04
2H092JA24
2H092JB04
2H092JB05
2H092KA10
2H092KA11
2H092MA07
2H092NA01
2H092NA13
2H092PA04
2H092QA06
2H092RA05
2H192BC35
2H192BC42
2H192CB02
2H192CB53
2H192CB81
2H192CC12
2H192CC52
2H192GA01
2H192HA14
2H192JB02
5C094AA07
5C094AA31
5C094BA27
5C094BA43
5C094EA01
5C094EA04
(57)【要約】
【課題】電気光学装置の製造時のイオン成分の拡散増による表示不良の発生を防止する。
【解決手段】本発明の電気光学装置において、基板と、基板の一方側に設けられた第１導電部材と、画素電極と、画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材及びダミー画素電極と、画素電極及びダミー画素電極と基板との間に配置される絶縁層と、を備える。画素電極は、第１導電部材と平面視で重なる第１画素電極層と、画素の開口領域とに平面視で重なり、第１画素電極層よりも薄い第２画素電極層と、を有する。ダミー画素電極は、第２導電部材及びダミー画素の開口領域と平面視で重なる第１ダミー画素電極層と、第１ダミー画素電極層と平面視で重なり、第１ダミー画素電極層よりも薄い第２ダミー画素電極層と、を有する。平面視において、第２導電部材と重ならない部分の第１ダミー画素電極層と絶縁層とは、隙間をあけて対向している。
【選択図】図４Ｂ
【解決手段】本発明の電気光学装置において、基板と、基板の一方側に設けられた第１導電部材と、画素電極と、画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材及びダミー画素電極と、画素電極及びダミー画素電極と基板との間に配置される絶縁層と、を備える。画素電極は、第１導電部材と平面視で重なる第１画素電極層と、画素の開口領域とに平面視で重なり、第１画素電極層よりも薄い第２画素電極層と、を有する。ダミー画素電極は、第２導電部材及びダミー画素の開口領域と平面視で重なる第１ダミー画素電極層と、第１ダミー画素電極層と平面視で重なり、第１ダミー画素電極層よりも薄い第２ダミー画素電極層と、を有する。平面視において、第２導電部材と重ならない部分の第１ダミー画素電極層と絶縁層とは、隙間をあけて対向している。
【選択図】図４Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の一方側に設けられた第１導電部材と、
前記第１導電部材と電気的に接続される画素電極と、
前記基板の一方側に設けられ、前記画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材と、
前記第２導電部材と電気的に接続されるダミー画素電極と、
前記画素電極及び前記基板との間と、前記ダミー画素電極及び前記基板との間と、に配置される絶縁層と、
を備え、
前記画素電極は、
前記第１導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１画素電極層と、
前記第１画素電極層と平面視で重なるとともに画素の開口領域とに平面視で重なり、前記基板の厚み方向における前記第１画素電極層の幅よりも前記基板の厚み方向における幅が小さい第２画素電極層と、
を有し、
前記ダミー画素電極は、
前記第２導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１ダミー画素電極層と、
前記第１ダミー画素電極層と平面視で重なり、前記基板の厚み方向における前記第１ダミー画素電極層の幅よりも前記基板の厚み方向における幅が小さい第２ダミー画素電極層と、
を有し、
平面視において、前記第２導電部材と重ならない部分の前記第１ダミー画素電極層及び前記第２ダミー画素電極層と、前記絶縁層と、は、隙間をあけて対向している、
電気光学装置。
前記基板の一方側に設けられた第１導電部材と、
前記第１導電部材と電気的に接続される画素電極と、
前記基板の一方側に設けられ、前記画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材と、
前記第２導電部材と電気的に接続されるダミー画素電極と、
前記画素電極及び前記基板との間と、前記ダミー画素電極及び前記基板との間と、に配置される絶縁層と、
を備え、
前記画素電極は、
前記第１導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１画素電極層と、
前記第１画素電極層と平面視で重なるとともに画素の開口領域とに平面視で重なり、前記基板の厚み方向における前記第１画素電極層の幅よりも前記基板の厚み方向における幅が小さい第２画素電極層と、
を有し、
前記ダミー画素電極は、
前記第２導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１ダミー画素電極層と、
前記第１ダミー画素電極層と平面視で重なり、前記基板の厚み方向における前記第１ダミー画素電極層の幅よりも前記基板の厚み方向における幅が小さい第２ダミー画素電極層と、
を有し、
平面視において、前記第２導電部材と重ならない部分の前記第１ダミー画素電極層及び前記第２ダミー画素電極層と、前記絶縁層と、は、隙間をあけて対向している、
電気光学装置。
【請求項2】
基板と、
前記基板の一方側に設けられた第１導電部材と、
前記第１導電部材と電気的に接続される画素電極と、
前記基板の一方側に設けられ、前記画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材と、
前記第２導電部材と電気的に接続されるダミー画素電極と、
前記画素電極及び前記基板との間と、前記ダミー画素電極及び前記基板との間と、に配置される絶縁層と、
を備え、
前記画素電極は、
前記第１導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１画素電極層と、
前記第１画素電極層と平面視で重なるとともに画素の開口領域とに平面視で重なり、前記基板の厚み方向において、前記第１画素電極層の幅の１／５以下の幅である第２画素電極層と、
を有し、
前記ダミー画素電極は、前記第２導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１ダミー画素電極層を有し、
平面視において、前記第２導電部材と重ならない部分の前記第１ダミー画素電極層と、前記絶縁層と、は、隙間をあけて対向している、
電気光学装置。
前記基板の一方側に設けられた第１導電部材と、
前記第１導電部材と電気的に接続される画素電極と、
前記基板の一方側に設けられ、前記画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材と、
前記第２導電部材と電気的に接続されるダミー画素電極と、
前記画素電極及び前記基板との間と、前記ダミー画素電極及び前記基板との間と、に配置される絶縁層と、
を備え、
前記画素電極は、
前記第１導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１画素電極層と、
前記第１画素電極層と平面視で重なるとともに画素の開口領域とに平面視で重なり、前記基板の厚み方向において、前記第１画素電極層の幅の１／５以下の幅である第２画素電極層と、
を有し、
前記ダミー画素電極は、前記第２導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１ダミー画素電極層を有し、
平面視において、前記第２導電部材と重ならない部分の前記第１ダミー画素電極層と、前記絶縁層と、は、隙間をあけて対向している、
電気光学装置。
【請求項3】
前記画素電極及び前記ダミー画素電極と平面視において重なる配向膜を有し、
前記第１ダミー画素電極層の前記第２導電部材と平面視で重ならない部分と前記絶縁層との間の隙間は、前記配向膜の膜厚よりも大きい、
請求項１又は２に記載の電気光学装置。
前記第１ダミー画素電極層の前記第２導電部材と平面視で重ならない部分と前記絶縁層との間の隙間は、前記配向膜の膜厚よりも大きい、
請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項4】
前記画素電極と前記ダミー画素電極とは、平面視したときの形状が互いに異なる、
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項5】
平面視において、前記第１ダミー画素電極層は、前記第１画素電極層よりも大きい、
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項6】
前記基板の厚み方向において、前記第２画素電極層の幅は、前記第１画素電極層の１／５以下であり、
前記第２ダミー画素電極層の幅は、前記第１ダミー画素電極層の１／５以下である、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２ダミー画素電極層の幅は、前記第１ダミー画素電極層の１／５以下である、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項7】
前記基板の厚み方向において、前記第２画素電極層の幅は、前記第１画素電極層の１／１０以下であり、前記第２ダミー画素電極層の幅は、前記第１ダミー画素電極層の１／１０以下である、
請求項６に記載の電気光学装置。
請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項8】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置を備える、
電子機器。
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、液晶装置及び有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）装置等の電気光学装置では、第１基板と第２基板との間に、液晶や有機化合物を含む電気光学層が配置されている。第１基板において電気光学層に対向する面には、透光性を有する画素電極が形成されている。画素電極は、第１基板において画素電極と素子基板との間に形成されているトランジスターに電気的に接続されている。第１基板のトランジスターは、画素に入射する色光を変調して画像光に変換するためのスイッチング素子として機能する。
【0003】
電気光学装置では、画素電極とトランジスタとのコンタクト抵抗及び画素電極のシート抵抗を適切に低減するために、画素電極を金属層と金属酸化物層との２層構造で形成することが提案されている。例えば、特許文献１には、素子基板の一方の面側に設けられた金属層と、金属層に対して素子基板とは反対側で接する画素電極とを有する電気光学装置が開示されている。特許文献１に開示されている画素電極は、金属層に接する透光性の第１金属酸化物層と、第１金属酸化物層に対して金属層とは反対側に積層された透光性の第２金属酸化物層と、を備える。第２金属酸化物層の酸素含有量は、第１金属酸化物層よりも大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１２－１２３１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上述の特許文献１に開示されている電気光学装置では、画素電極が第１金属酸化物層と第２金属酸化物層との２層で構成されるため、入射する光の透過率を高めることを目的として画素電極の透過率を高めることは難しい。また、画素電極を単層で構成する場合であっても、入射する光の透過率を高めるために、画素電極を薄膜化すると、コンタクト抵抗が過度に増大する場合がある。コンタクト抵抗が過度に増大すると、輝点が発生する。また、画素電極の段差が小さくなることで、電気光学装置の製造時に拡散したイオン性不純物による角シミ、表示ムラ、焼き付き等の表示不良が発生する、という課題があった。すなわち、入射する色光が画像信号に合わせて変調される画素領域において色光の透過率を高め、且つ輝点や表示不良の発生を防止する対策が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一つの態様の電気光学装置は、基板と、基板の一方側に設けられた第１導電部材と、第１導電部材と電気的に接続される画素電極と、基板の一方側に設けられ、画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材と、第２導電部材と電気的に接続されるダミー画素電極と、画素電極及び基板との間と、ダミー画素電極及び基板との間と、に配置される絶縁層と、を備える。画素電極は、第１導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１画素電極層と、第１画素電極層と平面視で重なるとともに画素の開口領域とに平面視で重なり、基板の厚み方向における第１画素電極層の幅よりも基板の厚み方向における幅が小さい第２画素電極層と、を有する。ダミー画素電極は、第２導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１ダミー画素電極層と、第１ダミー画素電極層と平面視で重なり、基板の厚み方向における第１ダミー画素電極層の幅よりも基板の厚み方向における幅が小さい第２ダミー画素電極層と、を有する。平面視において、第２導電部材と重ならない部分の第１ダミー画素電極層及び第２ダミー画素電極層と、絶縁層と、は、隙間をあけて対向している。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図面では、各々の構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺が異なる場合がある。
【0009】
図面には、必要に応じて、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が図示されている。また、Ｘ軸に沿う一方向を＋Ｘ方向と記載し、＋Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向を＋Ｙ方向と表記し、＋Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向と記載する。Ｚ軸に沿う一方向を＋Ｚ方向と表記し、＋Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向と記載する。また、Ｘ軸とＹ軸とを含む面を「ＸＹ面」と記載し、ＸＹ面をＺ軸に沿って見ることを「平面視」と記載する場合がある。
【0010】
以下の説明において、例えば、基板に対して、「基板上に」という記載は、基板の上面に接して配置される場合、基板の上面に基板以外の構造物等の構成要素を介して配置される場合、基板の上面に一部が接して配置され、他の一部が基板以外の構成要素を介して配置される場合の何れかを表す。また、電気光学装置の各々の構成要素の材料や膜厚は、好適な理由等が説明されている場合を除き、例示されている材料や膜厚に限定されない。
【0011】
本発明の一実施形態では、電気光学装置として、画素毎にスイッチング素子としての薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を備えるアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。以下では、薄膜トランジスターをＴＦＴと省略して記載する場合がある。液晶装置は、例えば、後述する電子機器としてのプロジェクターにおいて、光変調装置として好適に用いられる。
【0012】
（液晶装置の物理的な構造の概要）
図１は、本実施形態の液晶装置１００の平面図である。図２は、液晶装置１００の断面図であり、図１に示すＨ－Ｈ’線で矢視した場合の断面図である。図１及び図２に示すように、液晶装置１００は、第１基板１０と、第２基板２０と、液晶層５と、を備える。第２基板２０は、第１基板１０と対向するように配置されている。液晶層５は、Ｚ軸で第１基板１０と第２基板２０との間に挟まれており、液晶装置１００の電気光学層として機能する。液晶層５には、不図示の複数の液晶が含まれている。
図１は、本実施形態の液晶装置１００の平面図である。図２は、液晶装置１００の断面図であり、図１に示すＨ－Ｈ’線で矢視した場合の断面図である。図１及び図２に示すように、液晶装置１００は、第１基板１０と、第２基板２０と、液晶層５と、を備える。第２基板２０は、第１基板１０と対向するように配置されている。液晶層５は、Ｚ軸で第１基板１０と第２基板２０との間に挟まれており、液晶装置１００の電気光学層として機能する。液晶層５には、不図示の複数の液晶が含まれている。
【0013】
第１基板１０の素子基板１１１及び第２基板２０の対向基板１１２には、液晶装置１００に入射する色光を透過可能な材料で形成された基板が用いられ、例えば、ガラス基板、石英基板等の基板が用いられる。
【0014】
平面視したときに、第１基板１０のＸ軸上での幅及びＹ軸上での幅は、第２基板２０よりも大きい。第１基板１０と第２基板２０とは、第２基板２０の外縁に沿って配置されるシール材６を介してＺ軸において接合されている。第１基板１０と第２基板２０とシール材６によって囲まれる空間に、正又は負の誘電異方性を有する液晶が封入され、液晶層５が設けられている。
【0015】
平面視したときに、シール材６の内側には、複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。複数の画素Ｐは、Ｘ軸及びＹ軸に沿ってマトリクス状に配列されている。平面視したときに、表示領域Ｅよりも外側の領域は、周辺領域Ｆである。平面視したときに、周辺領域Ｆのうちでシール材６と表示領域Ｅとの間の第１周辺領域Ｆ１には、ダミー画素ＤＰが設けられている。第１周辺領域Ｆ１は、ＸＹ面で表示領域Ｅを囲んでいる。ダミー画素ＤＰは、第１周辺領域Ｆ１において最も表示領域Ｅに近い領域に配置されている。ダミー画素ＤＰが配置されている領域は、表示に寄与しない、ダミー画素領域ＤＦである。
【0016】
平面視したときに、第１周辺領域Ｆ１に、表示領域Ｅを囲む仕切り材２３が設けられている。例えば、第１周辺領域Ｆ１のうちでＸ軸に沿って延在してＹ軸において＋Ｙ方向側に配置されている１辺のシール材６と表示領域Ｅとの間の領域に、検査回路４１が設けられている。第１周辺領域Ｆ１のうちでＸ軸に沿って延在する２辺のシール材６のそれぞれと表示領域Ｅとの間の領域に、走査線駆動回路４５が設けられている。第１周辺領域Ｆ１のうちでシール材６と検査回路４１との間の領域に、２つの走査線駆動回路４５同士を繋ぐ複数の配線４９が設けられている。
【0017】
周辺領域Ｆのうちでシール材６よりも外側の第１基板１０の第２周辺領域Ｆ２には、複数の外部接続端子４３が設けられている。複数の外部接続端子４３は、例えばＸ軸に沿って延在してＹ軸において－Ｙ方向側の第２周辺領域Ｆ２に、Ｘ軸に沿って互いに間隔をあけて配置されている。平面視したときに、第２周辺領域Ｆ２において、複数の外部接続端子４３が配置されている領域とＸ軸に沿って延在するシール材６との間に、データ線駆動回路４７が設けられている。
【0018】
配線４９は、データ線駆動回路４７及び走査線駆動回路４５に繋がっており、複数の外部接続端子４３に接続されている。なお、検査回路４１は、上述した領域、すなわちＸ軸に沿って延在してＹ軸において＋Ｙ方向側に配置されている１辺のシール材６と表示領域Ｅとの間の領域とは異なる領域に配置されてもよい。
【0019】
図２に示すように、第１基板１０の基材としての素子基板１１１において液晶層５に向く表面に、薄膜トランジスター３０と、検査回路４１と、配線４９と、配向膜１２が設けられている。薄膜トランジスター３０は、画素Ｐ毎に設けられたスイッチング素子である。配向膜１２は、画素電極１１及び薄膜トランジスター３０、配線４９を被覆している。薄膜トランジスター３０及び画素電極１１は、画素Ｐの構成要素である。第１基板１０は、素子基板１１１、画素電極１１、薄膜トランジスター３０、配線４９、及び配向膜１２を含み、これらの構成要素及び検査回路４１によって構成されている。
【0020】
第２基板２０の基材としての対向基板１１２において液晶層５に向く表面に、仕切り材２３と、絶縁層２５と、対向電極２１と、配向膜２２が設けられている。絶縁層２５は、仕切り材２３を被覆している。対向電極２１は、絶縁層２５を被覆して設けられた共通電極として配置されている。配向膜２２は、対向電極２１を被覆している。第２基板２０は、仕切り材２３、対向電極２１、及び配向膜２２を含み、これらの構成要素及び絶縁層２５によって構成されている。なお、共通電極である対向電極２１は一例として第２基板２０に設けられているが、第１基板１０に設けられてもよい。例えば、薄膜トランジスター３０と、検査回路４１と、配線４９とを被覆する不図示の絶縁層が設けられ、対向電極２１は前述の不図示の絶縁層と配向膜１２との間に設けられてもよい。
【0021】
図１に示すように平面視したときに、走査線駆動回路４５及び検査回路４１は、仕切り材２３に重なっている。仕切り材２３は、遮光部として機能する。光Ｌは、不図示の光源装置から射出され、－Ｙ方向に沿って第２基板２０から液晶装置１００に入射する。仕切り材２３は、光Ｌが走査線駆動回路４５等の周辺回路に入射しないように遮光する。仕切り材２３が設けられていることによって、周辺回路の誤動作が防止される。仕切り材２３は、不要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光する。仕切り材２３が設けられていることによって、液晶装置１００におけるコントラストの低下が抑制される。
【0022】
絶縁層２５は、例えば、光Ｌに対して透光性を有する酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の無機材料によって形成されている。絶縁層２５において液晶層５に接する表面は、ＸＹ面に平行な平坦面である。
【0023】
導通部材７は、平面視において、シール材６の四隅に設けられ、Ｚ軸に沿って延在している。対向電極２１は、導通部材７と電気的に接続されている。導通部材７は、後述する共通配線１８と電気的に接続されている。
【0024】
画素電極１１及び対向電極２１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）等の透明導電膜によって形成されている。配向膜１２，２２の材料は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１２，２２の材料としては、例えば、酸化シリコン等の無機化合物、或いは、ポリイミド等の有機化合物が挙げられる。
【0025】
液晶装置１００では、ノーマリーホワイトモード或いはノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。ノーマリーホワイトモードでは、電圧が印加されない状態での画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きい。ノーマリーブラックモードでは、電圧が印加されない状態での画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さい。以下では、液晶装置１００において、ノーマリーブラックモードの光学設計が採用されている場合を想定して説明する。なお、液晶装置１００の光学設計に応じて、液晶装置１００に対して光Ｌの入射側の空間及び射出側の空間のそれぞれに、不図示の偏光素子が配置されている。
【0026】
（液晶装置の電気的な構造の概要）
図３は、液晶装置１００の等価回路図である。図３に示すように、液晶装置１００では、第１基板１０の素子基板１１１上に、複数の走査線１３、複数のデータ線１６、複数の共通配線１８が設けられている。複数の走査線１３は、Ｘ軸と平行に延在している。複数のデータ線１６及び複数の共通配線１８は、Ｙ軸と平行に延在している。複数のデータ線１６は、少なくとも複数の走査線１３と交差している。すなわち、走査線１３が延在する方向とデータ線１６が延在する方向とは、互いに異なる。なお、複数の共通配線１８は必ずしもＹ軸に沿って延在している必要はなく、共通配線１８が延在する方向は特定の方向に限定されない。
図３は、液晶装置１００の等価回路図である。図３に示すように、液晶装置１００では、第１基板１０の素子基板１１１上に、複数の走査線１３、複数のデータ線１６、複数の共通配線１８が設けられている。複数の走査線１３は、Ｘ軸と平行に延在している。複数のデータ線１６及び複数の共通配線１８は、Ｙ軸と平行に延在している。複数のデータ線１６は、少なくとも複数の走査線１３と交差している。すなわち、走査線１３が延在する方向とデータ線１６が延在する方向とは、互いに異なる。なお、複数の共通配線１８は必ずしもＹ軸に沿って延在している必要はなく、共通配線１８が延在する方向は特定の方向に限定されない。
【0027】
画素Ｐは、Ｘ軸に沿って延在する走査線１３と、Ｙ軸に沿って延在するデータ線１６によって、区画されている。画素Ｐには、画素電極１１、薄膜トランジスター３０、第６中継電極５０及び容量素子６０が設けられている。
【0028】
走査線１３は、薄膜トランジスター３０のゲートに電気的に接続されている。データ線１６は、薄膜トランジスター３０のソースに電気的に接続されている。走査線１３は、同一行に設けられた薄膜トランジスター３０のオン、オフを一斉に制御する。画素電極１１は、薄膜トランジスター３０のドレインに電気的に接続されている。
【0029】
データ線１６は、データ線駆動回路４７に電気的に接続されており、データ線駆動回路４７から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線１３は、走査線駆動回路４５に電気的に接続されており、走査線駆動回路４５から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，・・・，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【0030】
データ線駆動回路４７からデータ線１６に供給される画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎは、順次供給されてもよく、互いに隣り合う複数のデータ線１６同士のグループ毎にまとめて供給されてもよい。走査線駆動回路４５は、走査線１３に対して、走査信号ＳＣ１から走査信号ＳＣｍを、所定のタイミングでパルスとして順次供給する。
【0031】
薄膜トランジスター３０に走査信号ＳＣ１が入力されると、ＴＦＴ３０は、一定期間だけオン状態になる。このことによって、データ線１６から供給される画像信号Ｄ１は、所定のタイミングで画素電極１１に書き込まれる。画素電極１１を介して液晶層５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１は、画素電極１１と液晶層５とを介して対向配置されている対向電極２１との間で一定期間保持される。
【0032】
画素電極１１と対向電極２１との間に設けられた液晶容量に対して、容量素子６０が並列に、且つ電気的に接続されている。このことによって、液晶層５に保持された画像信号Ｄ１のリークが防止される。容量素子６０の一端は、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極１１とに電気的に接続している。容量素子６０の他端は、定電位が印加される共通配線１８に電気的に接続している。
【0033】
図３では省略されているが、データ線１６には、検査回路４１が接続されている。そのため、液晶装置１００の製造工程において、画像信号Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄｎを検出することによって、液晶装置１００の動作不具合等の確認が可能である。
【0034】
（液晶素子の電気的な構造の概要）
図４Ａは、液晶装置１００の画素Ｐの平面図である。図４Ｂは、画素Ｐの断面図であり、図４Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図４Ｃは、画素Ｐの他の断面図であり、図４Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図４Ｄは、画素Ｐの断面図であり、図４Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。なお、図４Ｂから図４Ｄまでの各図では、後述する画素Ｐの上部構造は省略されている。
図４Ａは、液晶装置１００の画素Ｐの平面図である。図４Ｂは、画素Ｐの断面図であり、図４Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図４Ｃは、画素Ｐの他の断面図であり、図４Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図４Ｄは、画素Ｐの断面図であり、図４Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。なお、図４Ｂから図４Ｄまでの各図では、後述する画素Ｐの上部構造は省略されている。
【0035】
図４Ａから図４Ｄに示すように、素子基板１１１上に、第１導電層１２１、第２導電層１２２、第３導電層１２３、半導体層３１、第４導電層１２４、第５導電層１２５、第６導電層１２６、第７導電層１２７、及び画素電極１１が＋Ｚ方向に順次積層されている。
【0036】
第１導電層１２１は、容量素子６０の第２容量電極６２を含む。第２導電層１２２は、容量素子６０の第１容量電極６１を含む。第３導電層１２３は、走査線１３を含む。半導体層３１及び第４導電層１２４は、薄膜トランジスター３０を構成する。薄膜トランジスター３０には、トップゲート構造及びＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造が採用されている。半導体層３１は、第１領域ＲＡの半導体層３１Ａと、第２領域ＲＢの半導体層３１Ｂと、第３領域ＲＣの半導体層３１Ｃと、を有する。第４導電層１２４は、薄膜トランジスター３０のゲート電極３２を含む。半導体層３１と第４導電層１２４のゲート電極３２との間に、ゲート絶縁膜３３としての絶縁膜１３３が設けられている。
【0037】
半導体層３１Ａは、Ｚ軸においてゲート絶縁膜３３を介して第４導電層１２４のゲート電極３２と隣り合うように設けられている。すなわち、半導体層３１Ａは、ゲート絶縁膜３３を挟んでゲート電極３２の下方に配置されている。半導体層３１Ｂは、半導体層３１のうちで、Ｙ軸において半導体層３１Ａに隣接し、半導体層３１Ａの＋Ｙ方向側及び－Ｙ方向側に設けられている。半導体層３１Ｂには、リン（Ｐ）等の不純物が注入されている。半導体層３１Ｃは、半導体層３１のうちの半導体層３１Ａ，３１Ｂ以外の残りの部分を含み、Ｙ軸で半導体層３１Ｂに隣接し、半導体層３１Ｂよりも＋Ｙ方向側及び－Ｙ方向側に設けられている。半導体層３１Ｃには、半導体層３１Ｂと同様に、リン等の不純物が注入されている。但し、第３領域ＲＣの半導体層３１Ｃの不純物濃度は、第２領域ＲＢの半導体層３１Ｂの不純物濃度よりも高い。Ｙ軸においてゲート電極３２よりも＋Ｙ方向側に設けられている半導体層３１Ｂ，３１Ｃは、薄膜トランジスター３０のドレイン領域及びソース領域のうちの一方の領域を構成し、本実施形態ではドレイン領域３１ｄを構成する。Ｙ軸においてゲートよりも－Ｙ方向側に設けられている半導体層３１Ｂ，３１Ｃは、薄膜トランジスター３０のドレイン領域及びソース領域のうちの他方の領域を構成し、本実施形態ではソース領域３１ｓを構成する。すなわち、第３領域ＲＣの半導体層３１Ｃに薄膜トランジスター３０のドレイン領域及びソース領域として求められる所定の濃度で不純物が添加されている。第２領域ＲＢの半導体層３１Ｂには、前述のように所定の濃度よりも低濃度で不純物が添加されている。半導体層３１Ｂは、ＬＤＤ３１ｌを構成している。半導体層３１Ｂが配置されていることによって、薄膜トランジスター３０の動作時においてソース・ドレイン拡散層の不純物分布及び電界が緩和され、薄膜トランジスター３０の劣化が抑えられる。
【0038】
第５導電層１２５は、第６中継電極５０を含む。第６導電層１２６は、データ線１６を含む。第７導電層１２７は、共通配線１８を含む。
【0039】
第２容量電極６２である第１導電層１２１と第１容量電極６１である第２導電層１２２との間に、第２誘電膜６３が設けられている。第２導電層１２２と第３導電層１２３との間に、第１層間絶縁層７１が設けられている。第３導電層１２３と半導体層３１との間に、第２層間絶縁層７２が設けられている。第４導電層１２４と第５導電層１２５との間には、第２絶縁層としての第３層間絶縁層７３が設けられている。第５導電層１２５と第６導電層１２６との間には、第１絶縁層としての第４層間絶縁層７４が設けられている。第６導電層１２６と第７導電層１２７との間には、第５層間絶縁層７５が設けられている。
【0040】
図４Ｂに示すように、容量素子６０は、Ｚ軸において走査線１３に近い側、すなわち＋Ｚ方向側に配置されている第１容量電極６１と、Ｚ軸において第１容量電極６１よりも素子基板１１１に近い側、すなわち－Ｚ方向側に配置されている第２容量電極６２と、を有する。
【0041】
図４Ｃ及び図４Ｄに示すように、容量素子６０の第１容量電極６１は、第６導電層１２６に含まれる第１中継電極８１、及び第４導電層１２４に含まれる第２中継電極８２を介して、共通配線１８に電気的に接続されている。図４Ｃに示すように、共通配線１８と第２中継電極８２とは、第６導電層１２６に配置された第１中継電極８１を介して電気的に接続されている。図４Ｃに示すように、第２中継電極８２は、容量素子６０の第１容量電極６１の延出部６１ｔに電気的に接続されている。延出部６１ｔは、後述するように、第１容量電極６１の一部である。
【0042】
第６中継電極５０と容量素子６０の第２容量電極６２は、画素電極１１及び薄膜トランジスター３０のドレイン領域３１ｄに電気的に接続されている。図４Ｄに示すように、画素電極１１は、第７導電層１２７に含まれる第３中継電極８３に電気的に接続されている。図４Ｃに示すように、第３中継電極８３は、第６導電層１２６に含まれる第４中継電極８４に電気的に接続されている。第４中継電極８４は、第６中継電極５０に電気的に接続されている。図４Ｂに示すように、第６中継電極５０は、第４導電層１２４に含まれる第５中継電極８５に電気的に接続されている。第５中継電極８５は、容量素子６０の第２容量電極６２に電気的に接続されている。
【0043】
走査線１３，共通配線１８等の信号配線、薄膜トランジスター３０、及び第１中継電極８１等の電極は、平面的に複数の画素Ｐを区画する遮光領域ＳＤに設けられている。遮光領域ＳＤは、Ｘ軸に沿って延在する走査線１３を含む直線状の部分と、Ｙ軸に沿って延在するデータ線１６を含む直線状の部分とを含み、平面視したときに格子状に設けられている。
【0044】
図５Ａは、液晶装置１００の画素Ｐ及びダミー画素ＤＰの上部構造の平面図である。
図５Ｂは、画素Ｐ及びダミー画素ＤＰの上部構造の断面図であり、図５Ａに示すＣ４－Ｃ４線で矢視した場合の図である。なお、上部構造とは、Ｚ軸において第７導電層１２７を含めて、第５層間絶縁層７５よりも＋Ｚ方向側に形成される構造を意味する。図５Ａ及び図５Ｂでは、配向膜１２は省略されている。
図５Ｂは、画素Ｐ及びダミー画素ＤＰの上部構造の断面図であり、図５Ａに示すＣ４－Ｃ４線で矢視した場合の図である。なお、上部構造とは、Ｚ軸において第７導電層１２７を含めて、第５層間絶縁層７５よりも＋Ｚ方向側に形成される構造を意味する。図５Ａ及び図５Ｂでは、配向膜１２は省略されている。
【0045】
図５Ａ及び図５Ｂに示すように、第６層間絶縁層７６は、表示領域Ｅにおいて第１基板１０の上部、すなわち第１基板１０の＋Ｚ方向側の部分に設けられた第７導電層１２７上に、形成されている。第６層間絶縁層７６は、平面視において表示領域Ｅよりも外側のダミー画素領域ＤＦにおいて、第１基板１０の上部、すなわち第１基板１０の＋Ｚ方向側の部分に設けられた第７導電層１２７上にも、形成されている。ダミー画素領域ＤＦには、液晶装置１００での色ムラ等の表示不良の発生を防止するために、素子基板１１１上から上部構造よりも－Ｚ方向側の画素Ｐの構造と同様の構造が形成されている。
【0046】
表示領域Ｅの複数の画素Ｐ毎に、画素電極１１が設けられている。画素電極１１は、平面視において、画素Ｐとして区画される開口領域ＡＲ１１の第６層間絶縁層７６上に設けられている。画素電極１１は、第１画素電極層３１１と、第２画素電極層３１２と、を有する。
【0047】
第１画素電極層３１１は、平面視において、開口領域ＡＲ１１のうちの－Ｙ方向側の端部且つ開口領域ＡＲ１１のＸ軸での中央部に相当する領域のみに配置され、画素Ｐの第３中継電極８３の延出部８３ｔと重なっている。なお、図５Ｂでは、第７導電層１２７に含まれる共通配線１８及び第３中継電極８３のそれぞれのＺ軸での段差の図示は省略されている。第１画素電極層３１１は、平面視で開口領域ＡＲ１１の－Ｙ方向側の端部且つＸ軸での中央部に形成されるコンタクトホールＣＮＴ１１によって画素Ｐの第３中継電極８３の延出部８３ｔに接続され、画素Ｐの第３中継電極８３と電気的に接続されている。
【0048】
第１画素電極層３１１は、平面視で開口領域ＡＲ１１の－Ｙ方向側の端部且つＸ軸での中央部の周囲近傍の第６層間絶縁層７６上に形成されている。そのため、コンタクトホールＣＮＴ１１の壁面及び底をなす第６層間絶縁層７６上にも、第１画素電極層３１１が設けられている。第６層間絶縁層７６のＸＹ面に平行な表面上に形成された第１画素電極層３１１の厚みｓ１、すなわちＺ軸での高さは、コンタクトホールＣＮＴ１１の壁面及び底に形成された第１画素電極層３１１の厚みｓ２、すなわちＸＹ面又はＺ軸での高さよりも大きい。第１画素電極層３１１は、例えばＩＴＯ等の透明導電体で構成されている。
【0049】
第２画素電極層３１２は、平面視において、第１画素電極層３１１と平面視で重なる領域に形成され、第１画素電極層３１１において第６層間絶縁層７６から露出している表面を全て覆っている。第２画素電極層３１２は、第１画素電極層３１１と平面視で重なる領域を含んで開口領域ＡＲ１１全体に設けられている。第２画素電極層３１２は、前述のように第１画素電極層３１１を＋Ｚ方向側から覆うとともに、開口領域ＡＲ１１のうちで平面視で第１画素電極層３１１が設けられていない領域の第６層間絶縁層７６の表面を覆っている。
【0050】
第２画素電極層３１２は、開口領域ＡＲ１１において略一定の厚みで設けられている。第１画素電極層３１１を覆うように形成された第２画素電極層３１２の厚み、すなわちＸＹ面又はＺ軸での高さと、開口領域ＡＲ１１のうちで平面視で第１画素電極層３１１が設けられていない領域の第６層間絶縁層７６上の第２画素電極層３１２の厚み、すなわちＺ軸での高さとは、互いに同等である。第２画素電極層３１２の厚みｓ３は、第１画素電極層３１１の厚みｓ１よりも小さく、第１画素電極層３１１の厚みｓ２と同等である。第２画素電極層３１２は、例えば第１画素電極層３１１を構成するＩＴＯ等の透明導電体よりも酸素含有量が多い透明導電体で構成されている。第１画素電極層３１１の厚みｓ１は、例えば、１４０ｎｍ程度である。その場合、第２画素電極層３１２の厚みｓ３は、例えば、１０ｎｍ～２０ｎｍ程度である。
【0051】
表示領域Ｅの画素Ｐの開口領域ＡＲ１１では、平面視において、第１画素電極層３１１が設けられている－Ｙ方向側の端部且つＸ軸での中央部にあたる領域の面積は、第１画素電極層３１１が設けられていない領域よりも大幅に小さい。つまり、開口領域ＡＲ１１のほとんどの領域には、第１画素電極層３１１が設けられておらず、第２画素電極層３１２のみが第１画素電極層３１１よりも薄く設けられている。そのため、第１基板１０の＋Ｚ方向側、すなわち図示略の配向膜１２側から素子基板１１１に向けて入射する光Ｌの透過率は、開口領域ＡＲ１１の全体に第１画素電極層３１１が設けられる場合に比べて向上する。
【0052】
＋Ｚ方向側から液晶装置１００に入射する光Ｌの透過率を上述のように高めるために、第２画素電極層３１２の厚みｓ３は、第１画素電極層３１１の厚みｓ１の１／５以下であり、好ましくは１／８以下であり、より好ましくは１／１０以下である。
【0053】
ダミー画素領域ＤＦの複数のダミー画素ＤＰ毎に、ダミー画素電極１５が設けられている。ダミー画素電極１５は、平面視において、ダミー画素ＤＰとして区画される開口領域ＡＲ１５の第６層間絶縁層７６上に設けられている。ダミー画素電極１５を平面視したときの形状は、画素電極１１を平面視したときの形状とは異なる。ダミー画素電極１５は、第１ダミー画素電極層３１５と、第２ダミー画素電極層３１６と、を有する。
【0054】
第１ダミー画素電極層３１５は、平面視において、開口領域ＡＲ１５のうちの－Ｙ方向側の端部且つ開口領域ＡＲ１５のＸ軸での中央部に相当する領域のみに配置され、ダミー画素ＤＰの第３中継電極８３の延出部８３ｔと重なっている。第１ダミー画素電極層３１５は、平面視で開口領域ＡＲ１５の－Ｙ方向側の端部且つＸ軸での中央部に形成されるコンタクトホールＣＮＴ１５によってダミー画素ＤＰの第３中継電極８３の延出部８３ｔに接続され、ダミー画素ＤＰの第３中継電極８３と電気的に接続されている。なお、コンタクトホールＣＮＴ１５は、第６層間絶縁層７６にコンタクトホールＣＮＴ１１が形成される工程において、コンタクトホールＣＮＴ１１と同時に形成される。
【0055】
第１ダミー画素電極層３１５は、平面視で開口領域ＡＲ１５の略全体に形成されている。コンタクトホールＣＮＴ１５の壁面及び底をなす第６層間絶縁層７６上にも、第１ダミー画素電極層３１５が設けられている。ダミー画素ＤＰをなす開口領域ＡＲ１５の平面視したときの形状及び面積は、画素Ｐをなす開口領域ＡＲ１１の平面視したときの形状及び面積と略同様である。平面視において、第１ダミー画素電極層３１５は、第１画素電極層３１１よりも大きい。
【0056】
第６層間絶縁層７６のＸＹ面に平行な表面上に形成された第１ダミー画素電極層３１５の厚みｓ４、すなわちＺ軸での高さは、第１画素電極層３１１の厚みｓ１と同等であり、コンタクトホールＣＮＴ１５の壁面及び底に形成された第１ダミー画素電極層３１５の厚みｓ５、すなわちＸＹ面又はＺ軸での高さよりも大きい。第１ダミー画素電極層３１５は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電体で構成され、第１画素電極層３１１と同じ材質で形成されている。
【0057】
第２ダミー画素電極層３１６は、平面視において、開口領域ＡＲ１５の全体に形成され、第１ダミー画素電極層３１５において第６層間絶縁層７６から露出している表面を全て覆っている。
【0058】
第２ダミー画素電極層３１６は、開口領域ＡＲ１５において略一定の厚みで設けられている。第１ダミー画素電極層３１５を覆うように形成された第２ダミー画素電極層３１６の厚みｓ６、すなわちＸＹ面又はＺ軸での高さは、第１ダミー画素電極層３１５の厚みｓ４よりも小さく、第１ダミー画素電極層３１５の厚みｓ５及び第２画素電極層３１２の厚みｓ３と同等である。第２ダミー画素電極層３１６は、例えば、第１ダミー画素電極層３１５を構成するＩＴＯ等の透明導電体よりも酸素含有量が多い透明導電体で構成され、第２画素電極層３１２と同じ材質でている。第１ダミー画素電極層３１５の厚みｓ４は、例えば、１４０ｎｍ程度である。その場合、第２ダミー画素電極層３１６の厚みｓ６は、例えば、１０ｎｍ程度である。
【0059】
上述したように、第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６は、平面視において、開口領域ＡＲ１５と重なる第６層間絶縁層７６上、すなわち第６層間絶縁層７６よりも＋Ｚ方向側に設けられている。但し、開口領域ＡＲ１５において第３中継電極８３と重ならない領域の少なくとも一部では、第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６は、Ｚ軸において第６層間絶縁層７６と離間している。開口領域ＡＲ１５において第３中継電極８３と重ならない領域の少なくとも一部として、開口領域ＡＲ１５における＋Ｙ方向側の領域が好ましい。開口領域ＡＲ１５の＋Ｙ方向側の領域は、開口領域ＡＲ１５において他の領域に比べてコンタクトホールＣＮＴ１５と最も離れており、平面視においてダミー画素領域ＤＦの外側に近い。
【0060】
具体的には、平面視において、ダミー画素領域ＤＦの各々の開口領域ＡＲ１５の＋Ｙ方向側の領域と重なる第６層間絶縁層７６は、開口領域ＡＲ１５の中央領域と重なる第６層間絶縁層７６よりも－Ｚ方向側に凹んでいる。ダミー画素領域ＤＦにおいてＸＹ面で最も表示領域Ｅに近い開口領域ＡＲ１５を除く１つ以上の開口領域ＡＲ１５では、コンタクトホールＣＮＴ１５に設けられた－Ｙ方向側の第１ダミー画素電極層３１５よりもさらに－Ｙ方向側の領域と重なる第６層間絶縁層７６は、開口領域ＡＲ１５の中央領域と重なる第６層間絶縁層７６よりも－Ｚ方向側に凹んでいる。
【0061】
開口領域ＡＲ１５において、平面視したときの中央領域と重なる第６層間絶縁層７６の表面７６ａと、中央領域よりも＋Ｙ方向側で表面７６ｗよりも－Ｚ方向側の領域を含む外周領域と重なる第６層間絶縁層７６の表面７６ｗとの間に、Ｚ軸での間隔ｇｇが生じている。開口領域ＡＲ１５において、平面視したときの外周領域の第１ダミー画素電極層３１５の底面３１５ｂ、すなわち－Ｚ方向側の面、及び外周領域の第２ダミー画素電極層３１６の底面、すなわち－Ｚ方向側の面と、第６層間絶縁層７６の表面７６ｗとの間に、空間ＴＲが形成されている。なお、空間ＴＲの上壁面、すなわち＋Ｚ方向側の壁面としては、概ね第１ダミー画素電極層３１５の底面３１５ｂが作用するため、図５Ｂでは第２ダミー画素電極層３１６の底面の符号は省略されている。
【0062】
液晶装置の製造過程において、シール材６等から第１周辺領域Ｆ１及びダミー画素領域ＤＦを通って表示領域Ｅの液晶層５に向かってイオン性不純物ＩＯが拡散される場合がある。液晶装置１００では、上述のようにダミー画素領域ＤＦの各々の開口領域ＡＲ１５に空間ＴＲが形成されている。このことによって、例えば、シール材６等からダミー画素領域ＤＦを通って表示領域Ｅに向かって拡散されるイオン性不純物ＩＯは、ＸＹ面で互いに隣り合う開口領域ＡＲ１５同士の隙間を通って空間ＴＲに捕捉される。ＸＹ面において、複数の開口領域ＡＲ１５に空間ＴＲが形成されているため、イオン性不純物ＩＯが空間ＴＲに捕捉される確率は、高められている。イオン性不純物ＩＯが空間ＴＲに捕捉されることによって、表示領域Ｅに到達するイオン性不純物ＩＯは効果的に低減され、液晶装置１００における角シミ、表示ムラ、焼き付き等の表示不良の発生が防止される。
【0063】
間隔ｇｇは、特定値に限定されない。間隔ｇｇが大きい程、イオン性不純物ＩＯが空間ＴＲに捕捉される確率は高い。但し、間隔ｇｇは、Ｚ軸において表面７６ｗとダミー画素領域ＤＦの第３中継電極８３の表面、すなわち＋Ｚ方向側の面との間隔が過度に小さくならない程度に、適切に設定されている。また、間隔ｇｇは、画素電極１１及びダミー画素電極１５の＋Ｚ方向側に設けられている図示略の配向膜１２の膜厚よりも大きい。
【0064】
（液晶装置の製造方法の概要）
次に、液晶装置１００の製造方法を説明する。なお、以下では、液晶装置１００の製造方法のうちで特徴的な構成を含む第１基板１０の製造工程について説明する。
次に、液晶装置１００の製造方法を説明する。なお、以下では、液晶装置１００の製造方法のうちで特徴的な構成を含む第１基板１０の製造工程について説明する。
【0065】
なお、第１基板１０は、基本的に、減圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法、常圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、フォトリソグラフィ法、スパッタリング法、エッチング法、及びＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）法等を含む公知の半導体プロセスで用いられる方法や、これらの方法を組み合せることによって、製造可能である。以下では、上述した液晶装置１００の第１基板１０の構造を製造するために好適な製造方法を説明するが、同等の構造を形成可能、且つ、当該構成に求められる機能、特性が満たされれば、他の製造方法を用いてもよい。
【0066】
図６Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図６Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図６Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図６Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図６Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図６Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図６Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図６Ａから図６Ｄに示すように、素子基板１１１の表面の図示略の遮光領域ＳＤに、複数のトレンチ２０１を形成する。各々のトレンチ２０１のＹ軸上での幅は、Ｘ軸上での幅よりも大きい。すなわち、各々のトレンチ２０１をＹ軸に沿って細長く形成する。
【0067】
図７Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図７Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図７Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図７Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図７Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図７Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図７Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図７Ａから図７Ｄに示すように、トレンチ２０１に容量素子６０の第２容量電極６２を形成する。
【0068】
具体的には、トレンチ２０１の内壁面を含む素子基板１１１上に、導電性のポリシリコン膜を形成する。素子基板１１１上に、リンを含んだデポポリシリコンからなる第１導電層１２１を５０ｎｍから１００ｎｍの膜厚に成膜する。その後、ドライエッチングを用いて、図７Ａから図７Ｃに示す形状にパターニングすることによって、第２容量電極６２が形成される。
【0069】
第２容量電極６２を構成する導電層は、Ｘ軸及びＹ軸において、トレンチ２０１の内壁面を覆い、トレンチ２０１の側壁面の上端からトレンチ２０１の両側の素子基板１１１の表面にも延出している。トレンチ２０１の＋Ｙ方向側でＸ軸に平行な側壁面の上端から素子基板１１１の表面に沿って＋Ｙ方向側にさらに延出している第２容量電極６２を構成する導電層のＹ軸上での幅は、トレンチ２０１の－Ｙ方向側でＸ軸に平行な側壁面の上端から素子基板１１１の表面に沿って－Ｙ方向側にさらに延出している第２容量電極６２を構成する導電層のＹ軸上での幅よりも大きい。トレンチ２０１の＋Ｘ方向側でＹ軸に平行な側壁面の上端から素子基板１１１の表面に沿って＋Ｘ方向にさらに延出している第２容量電極６２を構成する導電層のＸ軸上での幅は、トレンチ２０１の－Ｘ方向側でＹ軸に平行な側壁面の上端から素子基板１１１の表面に沿って－Ｘ方向側にさらに延出している第２容量電極６２を構成する導電層のＸ軸上での幅よりも小さい。
【0070】
第２容量電極６２を形成した後に、第２容量電極６２の一部を覆う酸化膜７２Ｐを形成する。第２容量電極６２の一部とは、トレンチ２０１の＋Ｙ方向側でＸ軸に平行な側壁面の上端から素子基板１１１の表面に沿って＋Ｙ方向側にさらに延出している第２容量電極６２の先端部である。酸化膜７２Ｐは、平面視において、前述の第２容量電極６２の先端部を覆うように、島状に形成される。酸化膜７２Ｐは、例えばＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）膜、又はＨＴＯ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜である。酸化膜７２Ｐの膜厚は、１００ｎｍ程度とする。ＴＥＯＳ等からなる酸化膜を成膜した後、パターニングすることによって、島状の酸化膜７２Ｐを形成する。酸化膜７２Ｐは、後述する第５中継電極８５を設ける位置に配置される。酸化膜７２Ｐは、後述する第１容量電極６１をパターニングする際に、第２容量電極６２を保護するためのエッチングストッパー膜として機能する。
【0071】
図８Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図８Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図８Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図８Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図８Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図８Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図８Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図８Ａから図８Ｄに示すように、図７Ａから図７Ｄを参照して説明した構造に、容量素子６０の第１容量電極６１を形成する。すなわち、第２容量電極６２上及び酸化膜７２Ｐの一部の上に、第２誘電膜６３を形成する。その後、第２誘電膜６３上に第１容量電極６１を形成する。
【0072】
具体的には、第２容量電極６２上に、第２誘電膜６３として、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜、或いはＨｆＯ２，ＺｒＯ２等の金属酸化膜を２０ｎｍの膜厚で成膜する。その後、第２誘電膜６３上に、導電性のポリシリコン膜からなる第１容量電極６１を形成する。具体的には、第２誘電膜６３上に、リンを含んだデポポリシリコンからなる第２導電層１２２を５０ｎｍから１００ｎｍまでの膜厚で成膜する。その後、ドライエッチングを用いて、第２導電層１２２をパターニングすることによって、第２誘電膜６３と第１容量電極６１とを形成する。
【0073】
第１容量電極６１は、後述するように第５中継電極８５を設けるコンタクトホールＣＮＴ３を設ける部分を除いて、平面視において第２容量電極６２よりも一回り大きな面積を有するように形成される。第２誘電膜６３の平面視形状は、第２容量電極６２と同様である。第２容量電極６２の外縁部分の一部は、第２容量電極６２を覆って素子基板１１１に接している。
【0074】
なお、第１容量電極６１において、平面視において酸化膜７２Ｐと重なる部分の一部は、第２導電層１２２のパターニングの際に除去されている。第１容量電極６１と第２中継電極８２とは、コンタクトホールＣＮＴ４に第４導電層１２４が設けられることによって、電気的に接続される。後述するように、コンタクトホールＣＮＴ４は、第１容量電極６１の表面に到達するように形成される。
【0075】
図９Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図９Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図９Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図９Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図９Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図９Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図９Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図９Ａから図９Ｄに示すように、図８Ａから図８Ｄを参照して説明した構造に、走査線１３を形成する。
【0076】
具体的には、第１容量電極６１上に、第１層間絶縁層７１を形成する。その後に、走査線１３を形成する。第１層間絶縁層７１は、例えば、ＴＥＯＳ膜で形成される。第１層間絶縁層７１の膜厚は、例えば４００ｎｍから６００ｎｍである。第１層間絶縁層７１上に、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）膜からなる第３導電層１２３を１００ｎｍから４００ｎｍの膜厚で成膜する。その後、第３導電層１２３を図９Ａに示すようにパターニングし、走査線１３を形成する。
【0077】
走査線１３は、Ｘ軸に沿って延在している。走査線１３は、トレンチ２０１と平面視で重なる位置においてトレンチ２０１よりも＋Ｙ方向側及び－Ｙ方向側に延在する第１部分１３Ａと、Ｘ軸で第１部分１３Ａの両側に配置された第２部分１３Ｂと、を有する。第２部分１３Ｂは、第１部分１３Ａとも異なり、Ｘ軸に沿って延在する部分よりも＋Ｙ方向側及び－Ｙ方向側に延在している。平面視したときの第２部分１３Ｂの位置には、後述するコンタクトホールＣＮＴ１が形成される。走査線１３は、光Ｌに対して遮光性を有する金属材料で形成され、薄膜トランジスター３０の遮光部として機能する。
【0078】
図１０Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図１０Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１０Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図１０Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１０Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図１０Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１０Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図１０Ａから図１０Ｄに示すように、図９Ａから図９Ｄを参照して説明した構造に、半導体層３１を形成する。
【0079】
具体的には、走査線１３上に、第２層間絶縁層７２を形成する。その後、第２層間絶縁層７２上に、半導体層２３１を形成する。第２層間絶縁層７２は、例えば、ＴＥＯＳ膜で形成されている。第２層間絶縁層７２の膜厚は、例えば２００ｎｍから６００ｎｍである。第２層間絶縁層７２上に、アモルファスシリコンを成膜した後、熱処理を行い、ポリシリコンからなる半導体層２３１を形成する。半導体層２３１の長手方向は、トレンチ２０１の長手方向と同じ方向であり、Ｙ軸に平行な方向である。平面視において、半導体層２３１は、トレンチ２０１と重なる位置に形成されている。
【0080】
続いて、半導体層２３１上、及び露出している第２層間絶縁層７２上に、ＨＴＯ膜からなる絶縁膜１３３を形成する。絶縁膜１３３の膜厚は、例えば、３０ｎｍから１００ｎｍである。
【0081】
図１１Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図１１Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１１Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図１１Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１１Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図１１Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１１Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図１１Ａから図１１Ｄに示すように、図１０Ａから図１０Ｄを参照して説明した構造に、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３を形成する。
【0082】
具体的には、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ１は、図１１Ａ及び図１１Ｃに示すように、平面視において、走査線１３の第２部分１３Ｂと重なる位置において、Ｘ軸で半導体層３１のチャネルすなわち半導体層３１Ｂの両脇に形成される。コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ１は、Ｚ軸においてゲート絶縁膜３３と第２層間絶縁層７２とを貫通する。コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ１の底に、走査線１３が露出する。
【0083】
コンタクトホールＣＮＴ２は、図１１Ｂに示すように、Ｚ軸においてゲート絶縁膜３３、第２層間絶縁層７２、第１層間絶縁層７１及び酸化膜７２Ｐを貫通する。コンタクトホールＣＮＴ２の底に、容量素子６０の第２容量電極６２が露出する。コンタクトホールＣＮＴ２の内壁には、ドレイン領域３１ｄをなす半導体層３１Ｃが露出している。Ｙ軸において、半導体層３１Ｃを覆うゲート絶縁膜３３のうちでコンタクトホールＣＮＴ２の開口端に隣り合う端部が剥離される。Ｙ軸において、半導体層３１ＣのうちでコンタクトホールＣＮＴ２の開口端に接する端部が露出する。
【0084】
コンタクトホールＣＮＴ３は、図１１Ｄに示すように、Ｚ軸においてゲート絶縁膜３３、第２層間絶縁層７２及び第１層間絶縁層７１を貫通する。コンタクトホールＣＮＴ３の底に、容量素子６０の第３容量電極６１の延出部６１ｔが露出する。
【0085】
図１２Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図１２Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１２Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図１２Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１２Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図１２Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１２Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図１２Ａから図１２Ｄに示すように、図１１Ａから図１１Ｄを参照して説明した構造に、ゲート電極３２、第２中継電極８２、及び第５中継電極８５を形成する。
【0086】
具体的には、ゲート絶縁膜３３上及びコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３の内部に第４導電層１２４を形成する。第４導電層１２４は、導電性を有するポリシリコン膜と遮光性を有する導電膜とが積層された２層構造を有する。コンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ３の径はコンタクトホールＣＮＴ１と同程度であるが、コンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ３はコンタクトホールＣＮＴ１よりも深い。すなわち、コンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ３は、コンタクトホールＣＮＴ１に比べて、高アスペクト比のコンタクトホールである。このことをふまえ、コンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ３の内部に、例えばリンを含むデポポリシリコンを成膜し、デポポリシリコン膜に、遮光性の導電膜であるタングステンシリサイド膜を積層する。このように２層構造の第４導電層１２４を形成することによって、第４導電層１２４が高アスペクト比のコンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ３の内壁面に安定し、第４導電層１２４を良好な状態でカバレッジすることができる。
【0087】
上述のように第４導電層１２４を成膜した後に、第４導電層１２４をパターニングすることによって、ゲート電極３２、第２中継電極８２及び第５中継電極８５を形成する。
本工程によって、ゲート電極３２は、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ１を介して、走査線１３と電気的に接続される。第５中継電極８５は、コンタクトホールＣＮＴ２を介して、容量素子６０の第２容量電極６２に電気的に接続される。第２中継電極８２は、コンタクトホールＣＮＴ３を介して、容量素子６０の第１容量電極６１の延出部６１ｔに電気的に接続される。なお、ゲート電極３２は、半導体層３１上、及びコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ１内に成膜され、＋Ｚ方向、＋Ｘ方向及び－Ｘ方向に沿って半導体層３１を囲むように設けられるため、半導体層３１の遮光部として機能する。
本工程によって、ゲート電極３２は、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ１を介して、走査線１３と電気的に接続される。第５中継電極８５は、コンタクトホールＣＮＴ２を介して、容量素子６０の第２容量電極６２に電気的に接続される。第２中継電極８２は、コンタクトホールＣＮＴ３を介して、容量素子６０の第１容量電極６１の延出部６１ｔに電気的に接続される。なお、ゲート電極３２は、半導体層３１上、及びコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ１内に成膜され、＋Ｚ方向、＋Ｘ方向及び－Ｘ方向に沿って半導体層３１を囲むように設けられるため、半導体層３１の遮光部として機能する。
【0088】
図１３Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図１３Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１３Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合に対応する図である。図１３Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１３Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合に対応する図である。図１３Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合に対応する図は、図１２Ｄと同様であるため、省略する。図１３Ａから図１３Ｃに示すように、図１２Ａから図１２Ｄを参照して説明した構造において、半導体層３１Ｂ，３１Ｃを形成する。
【0089】
具体的には、Ｙ軸における第２領域ＲＢ及び第３領域ＲＣの半導体層２３１に対して、Ｚ軸において第４導電層１２４をマスクとして、半導体層２３１の反対側から－Ｚ方向に絶縁膜１３３を介して不純物イオンを注入し、チャネルドープを行う。このときに、第２領域ＲＢの半導体層２３１に対する不純物イオンの注入量を第３領域ＲＣの半導体層２３１に対する不純物イオンの注入量よりも少なくする。そのために、上述のように第２領域ＲＢ及び第３領域ＲＣの半導体層２３１に不純物イオンを注入する際に、不純物イオンの注入量をＬＤＤをなす半導体層３１Ｂの不純物濃度に合わせる。第２領域ＲＢ及び第３領域ＲＣの半導体層２３１に半導体層３１Ｂの不純物濃度に合わせて不純物イオンを注入した後に、図１３Ａに示すように、Ｙ軸において第１領域ＲＡ及び第２領域ＲＢの第４導電層１２４上、及び絶縁膜１３３上に、レジストを形成する。続いて、レジストをマスクとして、第３領域ＲＣの半導体層２３１のみに、不純物イオンをさらに注入する。このときに、第３領域ＲＣの半導体層２３１のみへの不純物イオンの追加注入量を、半導体層３１Ｂ，３１Ｃ同士の不純物濃度差に合わせる。
【0090】
本工程によって、半導体層３１に、薄膜トランジスター３０のＬＤＤをなす半導体層３１Ｂと、ドレイン領域３１ｄをなす半導体層３１Ｃと、ソース領域３１ｓをなす半導体層３１Ｃが形成される。
【0091】
次の第１基板１０の製造工程を示す平面図は、図１２Ａと同様であるため、省略する。図１４Ａは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１２Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合に対応する図である。図１４Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１２Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合に対応する図である。図１４Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１２Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合に対応する図である。図１４Ａから図１４Ｃに示すように、図１３Ａから図１３Ｃを参照して説明した構造に、コンタクトホールＣＮＴ４を形成する。
【0092】
具体的には、ゲート電極３２上、第２中継電極８２上、及び第５中継電極８５上に、ＴＥＯＳ膜からなる第３層間絶縁層７３を形成する。第３層間絶縁層７３の膜厚は、２００ｎｍから４００ｎｍである。その後、第５中継電極８５上の第３層間絶縁層７３に、コンタクトホールＣＮＴ４を形成する。コンタクトホールＣＮＴ４の底に、第５中継電極８５が露出する。
【0093】
図１５Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図１５Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１５Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図１５Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１５Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図１５Ａから図１５Ｃに示す第１基板１０の製造工程について、図１５Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図は、図１４Ｃと同様であるため、省略する。図１５Ａから図１５Ｃに示すように、図１４Ａから図１４Ｃを参照して説明した構造に、第６中継電極５０を形成する。
【0094】
第６中継電極５０を構成する第５導電層１２５は、導電性を有するポリシリコン膜と遮光性を有する導電膜との２層構造を備える。具体的には、第３層間絶縁層７３上及びコンタクトホールＣＮＴ５の内部に、リンを含んだデポポリシリコンを成膜する。続いて、デポポリシリコン膜に、遮光性を有する導電膜であるタングステンシリサイド膜を積層する。その後、デポポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との積層膜を図１５Ａ、図１５Ｂ及び図１５Ｃに示すようにパターニングし、第６中継電極５０を形成する。第６中継電極５０は、容量素子６０の第２容量電極６２に電気的に接続された第５中継電極８５と電気的に接続される。
【0095】
図１６Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図１６Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１６Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図１６Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１６Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図１６Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１６Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図１６Ａから図１６Ｄに示すように、図１５Ａから図１５Ｃを参照して説明した構造に、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６，ＣＮＴ７を形成する。
【0096】
具体的には、第６中継電極５０上に、ＴＥＯＳ膜からなる第４層間絶縁層７４を形成する。第４層間絶縁層７４の厚みは、例えば５００ｎｍから１０００ｎｍである。その後、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６，ＣＮＴ７を形成する。コンタクトホールＣＮＴ５は、図１６Ａに示すように、平面視したときに、＋Ｙ方向又は－Ｙ方向において第６中継電極５０とは異なる位置に形成される。コンタクトホールＣＮＴ５は、Ｚ軸において第４層間絶縁層７４及び第３層間絶縁層７３を貫通する。コンタクトホールＣＮＴ５の底に、薄膜トランジスター３０のソース領域３１ｓをなす半導体層３１Ｃ上のゲート絶縁膜３３が露出する。
【0097】
コンタクトホールＣＮＴ６は、図１６Ｃに示すように、Ｚ軸において第４層間絶縁層７４を貫通する。コンタクトホールＣＮＴ６の底に、第２中継電極８２が露出する。
【0098】
コンタクトホールＣＮＴ７は、平面視したときに、第６中継電極５０と重なる位置に形成されている。コンタクトホールＣＮＴ７は、Ｚ軸において第４層間絶縁層７４及び第３層間絶縁層７３を貫通する。コンタクトホールＣＮＴ７の底に、第６中継電極５０が露出する。コンタクトホールＣＮＴ７のＸ軸上での幅は、Ｙ軸上での幅よりも大きい。例えば、コンタクトホールＣＮＴ７のＸ軸上でのでの幅は１．１μｍであり、コンタクトホールＣＮＴ７のＹ軸上での幅は０．５μｍである。
【0099】
図１７Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図１７Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１７Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図１７Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１７Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図１７Ａから図１７Ｃに示す第１基板１０の製造工程について、図１７Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図は、図１６Ｄと同様であるため、省略する。図１７Ａから図１７Ｃに示すように、図１６Ａから図１６Ｄを参照して説明した構造に、データ線１６を形成する。
【0100】
具体的には、第４層間絶縁層７４上及びコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６，ＣＮＴ７の内部に、第６導電層１２６を形成する。第６導電層１２６は、アルミニウム合金膜、又は窒化チタン膜とアルミニウム膜とが２層から４層に積層された積層膜で構成されている。第６導電層１２６を成膜した後、第６導電層１２６を図１７Ａから図１７Ｄに示すようにパターニングすることによって、データ線１６、第１中継電極８１及び第４中継電極８４を形成する。
【0101】
データ線１６は、図１７Ｂに示すように、コンタクトホールＣＮＴ５の内部に成膜され、コンタクトホールＣＮＴ５の底に露出した薄膜トランジスター３０のソース領域３１ｓをなす半導体層３１Ｃに電気的に接続される。
【0102】
第１中継電極８１は、図１７Ｃに示すように、コンタクトホールＣＮＴ６の内部に成膜され、コンタクトホールＣＮＴ６の底に露出した第２中継電極８２に電気的に接続される。第４中継電極８４は、コンタクトホールＣＮＴ７の内部に成膜され、コンタクトホールＣＮＴ７の底に露出した第６中継電極５０に電気的に接続される。
【0103】
図１８Ａは、第１基板１０の製造工程を示す平面図である。図１８Ｂは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１８Ａに示すＣ１－Ｃ１線で矢視した場合の図である。図１８Ｃは、第１基板１０の製造工程を示す他の断面図であり、図１８Ａに示すＣ２－Ｃ２線で矢視した場合の図である。図１８Ｄは、第１基板１０の製造工程を示す断面図であり、図１８Ａに示すＣ３－Ｃ３線で矢視した場合の図である。図１８Ａから図１８Ｄに示すように、図１７Ａから図１７Ｃを参照して説明した構造に、共通配線１８を形成する。
【0104】
具体的には、データ線１６上、第１中継電極８１上、及び第４中継電極８４上に、ＴＥＯＳ膜からなる第５層間絶縁層７５を形成する。第５層間絶縁層７５の膜厚は、５００ｎｍから１０００ｎｍである。
【0105】
続いて、コンタクトホールＣＮＴ９，ＣＮＴ１０を形成する。コンタクトホールＣＮＴ９は、図１８Ａに示すように、平面視において共通配線１８から－Ｘ方向に延在する延在部１８ｔと重なる位置に形成される。図１８Ｃに示すように、コンタクトホールＣＮＴ９は、Ｚ軸において第５層間絶縁層７５を貫通する。コンタクトホールＣＮＴ９の底に、第１中継電極８１が露出する。
【0106】
図１８Ａに示すように、コンタクトホールＣＮＴ１０は、共通配線１８の＋Ｘ方向側に形成される。コンタクトホールＣＮＴ１０は、図１０Ｃに示すように、Ｚ軸において第５層間絶縁層７５を貫通する。コンタクトホールＣＮＴ１０の底に、第４中継電極８４が露出する。
【0107】
続いて、第５層間絶縁層７５上及びコンタクトホールＣＮＴ９，ＣＮＴ１０の内部に、第７導電層１２７を形成する。第７導電層１２７は、アルミニウム合金膜又は窒化チタン膜とアルミニウム膜とが２層から４層に積層された積層膜で構成されている。第７導電層１２７を成膜した後、第７導電層１２７を図１８Ａに示すようにパターニングすることによって、共通配線１８及び第３中継電極８３を形成する。
【0108】
図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、共通配線１８は、平面視においてデータ線１６と平面視で重なる位置に形成される。共通配線１８は、コンタクトホールＣＮＴ９の内部に成膜され、コンタクトホールＣＮＴ９の底に露出した第１中継電極８１に電気的に接続される。
【0109】
図１８Ａに示すように、第３中継電極８３は、Ｘ軸において共通配線１８，１８の間に配置される。第３中継電極８３は、Ｘ軸に沿う部分から＋Ｙ方向に延出する延出部８３ｔを有する。延出部８３ｔは、第２中継電極８２及び第３容量電極６１の延出部６１ｔと重なる位置に形成される。
【0110】
図１８Ｃに示すように、第３中継電極８３は、コンタクトホールＣＮＴ１０の内部に成膜され、コンタクトホールＣＮＴ１０の底に露出した第４中継電極８４に電気的に接続される。
【0111】
図示していないが、続いて、共通配線１８上、及び第３中継電極８３上に、ＴＥＯＳ膜からなる第６層間絶縁層７６を形成する。第６層間絶縁層７６の膜厚は、例えば５００ｎｍから１０００ｎｍである。
【0112】
図１９Ａは、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す平面図である。図１９Ｂは、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す断面図であり、図１９Ａに示すＣ５－Ｃ５線で矢視した場合の図である。なお、図１９Ｂから図２３の断面図では、第７導電層１２７に含まれる共通配線１８及び第３中継電極８３のそれぞれのＺ軸での段差の図示は省略されている。図１９Ａ及び図１９Ｂに示すように、第６層間絶縁層７６にコンタクトホールＣＮＴ１１，ＣＮＴ１５を形成する。具体的には、平面視において、表示領域Ｅの第３中継電極８３と重なる第６層間絶縁層７６にコンタクトホールＣＮＴ１１を形成する。平面視において、ダミー画素領域ＤＦの第３中継電極８３と重なる第６層間絶縁層７６にコンタクトホールＣＮＴ１５を形成する。
【0113】
図２０Ａは、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す平面図である。図２０Ｂは、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す断面図であり、図２０Ａに示すＣ５－Ｃ５線で矢視した場合の図である。図１９Ａ及び図１９Ｂに示す構造において、露出している第６層間絶縁層７６の＋Ｚ方向側の表面と、コンタクトホールＣＮＴ１１の内壁及び底と、コンタクトホールＣＮＴ１５の内壁及び底と、にＩＴＯからなる第８導電層１３８を形成する。このとき、第６層間絶縁層７６の＋Ｚ方向側の表面に形成する第８導電層１３８の厚みｓ１を、コンタクトホールＣＮＴ１１，ＣＮＴ１５のそれぞれの内壁及び底に形成する第８導電層１３８の厚みｓ２よりも大きくする。なお、厚みｓ１を厚みｓ２よりも大きくするために、コンタクトホールＣＮＴ１１，ＣＮＴ１５のそれぞれに第８導電層１３８を一旦充填した後に、コンタクトホールＣＮＴ１１，ＣＮＴ１５の内部の余分な第８導電層１３８を除去してもよい。第８導電層１３８は、例えばＩＴＯ等の透明導電体で構成されている。
【0114】
続いて、第８導電層１３８を図２０Ａ及び図２０Ｂに示すようにパターニングすることによって、表示領域Ｅの複数の開口領域ＡＲ１１のそれぞれに画素電極１１の第１画素電極層３１１を形成するとともに、ダミー画素領域ＤＦの複数の開口領域ＡＲ１５のそれぞれにダミー画素電極１５の第１ダミー画素電極層３１５を形成する。
【0115】
図２１Ａは、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す平面図である。図２１Ｂは、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す断面図であり、図２１Ａに示すＣ５－Ｃ５線で矢視した場合の図である。図２０Ａ及び図２０Ｂに示す構造において、全構成要素上に、第８導電層１３８よりも酸素含有量の多いＩＴＯからなる第９導電層１３９を形成する。第９導電層１３９の厚みｓ３は、第８導電層１３８の厚みｓ１よりも小さく、厚みｓ２と同程度とする。
【0116】
続いて、第９導電層１３９を図２１Ａ及び図２１Ｂに示すようにパターニングすることによって、各々の開口領域ＡＲ１１の第１画素電極層３１１上及び第６層間絶縁層７６上を覆う第２画素電極層３１２を形成するとともに、各々の開口領域ＡＲ１５の第１ダミー画素電極層３１５上を覆う第２ダミー画素電極層３１６を形成する。
【0117】
図２２Ａは、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す平面図である。図２２Ｂは、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す断面図であり、図２２Ａに示すＣ５－Ｃ５線で矢視した場合の図である。図２１Ａ及び図２１Ｂに示す構造において、平面視において、表示領域Ｅの全体と、表示領域Ｅとダミー画素領域ＤＦとの境界から、ダミー画素領域ＤＦの複数の開口領域ＡＲ１５のうちで表示領域Ｅを囲むように最も表示領域Ｅに近くに設けられている開口領域ＡＲ１５においてＸＹ面で第３中継電極８３と重なる領域までと、を覆うように、レジスト３３０を形成する。レジスト３３０は、次の工程で用いられる薬液に対して耐性を有する。
【0118】
図２３は、第１基板１０の上部構造の製造工程を示す断面図であり、図２２Ａに示すＣ５－Ｃ５線で矢視した場合に対応する図である。図２３に示すように、図２２Ａ及び図２２Ｂに示す構造に対し、第６層間絶縁層７６に作用し、レジスト３３０が耐性を有する薬液を用いて、ウェットエッチングにより、図２２Ｂに二点鎖線で囲まれる領域の第６層間絶縁層７６を除去し、図２３に示す空間ＴＲを形成する。具体的には、ウェットエッチングを行うことにより、薬液が矢印で示すように浸透し、ダミー画素領域ＤＦにおいてＸＹ面で互いに隣り合う開口領域ＡＲ１５間の隙間から第６層間絶縁層７６の上端部に自然に拡散する。後処理によって、レジスト３３０が除去され、薬液が浸透した第６層間絶縁層７６の上端部が除去され、空間ＴＲが形成される。
【0119】
なお、空間ＴＲのＸＹ面での面積、及び第６層間絶縁層７６の凹んだ底の表面７６ｗ、空間ＴＲに＋Ｚ方向側に面する第１ダミー画素電極層３１５の底面３１５ｂとの間隔ｇｇと、は、ウェットエッチングにおいて空間ＴＲとして除去されるべき第６層間絶縁層７６に薬液を作用させる時間によって概ね決まる。そのため、前述したように平面視でダミー画素領域ＤＦの外側から表示領域Ｅに向けて拡散されるイオン性不純物ＩＯを空間ＴＲに良好に捕捉するように、求められる空間ＴＲの平面視での面積及び間隔ｇｇに応じて、ウェットエッチングで薬液を作用させる時間等が調整される。
【0120】
上述の工程を経て、電気光学装置としての液晶装置１００が製造される。
【0121】
（電子機器）
本実施形態では、液晶装置１００を備えた電子機器として、プロジェクター１０００を例に挙げて説明する。図２４は、プロジェクター１０００の概略図である。図２４に示すように、プロジェクター１０００は、光源装置１００１と、ダイクロイックミラー１０１１，１０１２と、液晶装置１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒと、反射ミラー１１１１，１１１２，１１１３と、リレーレンズ１１２１，１１２２，１１２３と、クロスダイクロイックプリズム１１３０と、投射レンズ１１４０と、を備える。
本実施形態では、液晶装置１００を備えた電子機器として、プロジェクター１０００を例に挙げて説明する。図２４は、プロジェクター１０００の概略図である。図２４に示すように、プロジェクター１０００は、光源装置１００１と、ダイクロイックミラー１０１１，１０１２と、液晶装置１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒと、反射ミラー１１１１，１１１２，１１１３と、リレーレンズ１１２１，１１２２，１１２３と、クロスダイクロイックプリズム１１３０と、投射レンズ１１４０と、を備える。
【0122】
光源装置１００１は、白色光Ｗを射出する。光源装置１００１は、例えば、放電型のランプユニットであるが、発光ダイオード、レーザー等であってもよく、青色光を射出する発光体と発光体から発せられる青色光の一部を黄色光に変換して射出する蛍光体とを組み合わせた装置であってもよく、特定の光源装置に限定されない。
【0123】
光源装置１００１から射出される白色光Ｗは、２個のダイクロイックミラー１０１１，１０１２によって、互いに異なる波長域の３色の色光に分離される。３色の色光は、赤色光Ｒと、緑色光Ｇと、青色光Ｂと、を含む。ダイクロイックミラー１０１１は、赤色光Ｒを透過し、赤色光Ｒよりも波長が短い緑色光Ｇ及び青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１０１１を透過する赤色光Ｒは、反射ミラー１１１１で反射され、液晶装置１００Ｒに入射する。ダイクロイックミラー１０１１で反射される緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１０１２によって反射された後、液晶装置１００Ｇに入射する。ダイクロイックミラー１０１１で反射される青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１０１２を透過し、リレーレンズ系１１２０へ射出される。
【0124】
リレーレンズ系１１２０は、リレーレンズ１１２１，１１２２，１１２３と、反射ミラー１１１２，１１１３と、を有する。ダイクロイックミラー１０１１から液晶装置１００Ｂまでの青色光Ｂの光路は、ダイクロイックミラー１０１１から液晶装置１００Ｇまでの緑色光Ｇの光路や、ダイクロイックミラー１０１１から液晶装置１００Ｒまでの赤色光Ｒの光路と比べて長い。そのため、青色光Ｂの光束は、緑色光Ｇや赤色光Ｒの光束よりも大きくなり易い。リレーレンズ１１２２が用いられることによって、青色光Ｂの光束の拡大が抑えられている。リレーレンズ系１１２０に入射する青色光Ｂは、反射ミラー１１１２で反射され、リレーレンズ１１２１によってリレーレンズ１１２２の近傍で収束する。青色光Ｂは、反射ミラー１１１３及びリレーレンズ１１２３を経て、液晶装置１００Ｂに入射する。
【0125】
液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは、プロジェクター１０００における光変調装置である。液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂには、上述した電気光学装置としての液晶装置１００が適用されている。
【0126】
液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂのそれぞれは、プロジェクター１０００の外部制御装置に電気的に接続されている。赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂのそれぞれの階調レベルを指定する画像信号は、それぞれの色光の外部制御装置から供給され、液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂのそれぞれに付属する集積回路で処理される。液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは、それぞれの集積回路から受信する画像信号に従って駆動される。液晶装置１００Ｒは、入射する赤色光Ｒを変調する。液晶装置１００Ｇは、入射する緑色光Ｇを変調する。液晶装置１００Ｂは、入射する青色光Ｂを変調する。
【0127】
液晶装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂによって変調された赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、クロスダイクロイックプリズム１１３０に３方向から入射する。クロスダイクロイックプリズム１１３０は、プロジェクター１０００における色合成光学系であり、入射する赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂを合成する。クロスダイクロイックプリズム１１３０において、赤色光Ｒ及び青色光Ｂはそれぞれの入射方向に対して９０度反射され、緑色光Ｇは透過する。その結果、互いに合成される赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、同じ方向に射出される。赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、カラー画像を表示する表示光として合成され、クロスダイクロイックプリズム１１３０から投射レンズ１１４０に向かって射出される。
【0128】
投射レンズ１１４０は、プロジェクター１０００の外側を向いて配置されている。表示光は、投射レンズ１１４０を介して拡大されて射出され、投射対象であるスクリーンＳＣＲに投射される。
【0129】
（作用効果）
以上説明した本実施形態の液晶装置１００は、少なくとも素子基板１１１と、表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３と、画素電極１１と、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と、ダミー画素電極１５と、第６層間絶縁層７６と、を備える。素子基板１１１は、液晶装置１００の「基板」に相当する。表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３は、液晶装置１００の「第１導電部材」に相当する。ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３は、液晶装置１００の「第２導電部材」に相当する。第６層間絶縁層７６は、液晶装置１００の「絶縁層」に相当する。表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３は、素子基板１１１の一方側、すなわち＋Ｚ方向側に設けられている。画素電極１１は、表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３と電気的に接続されている。ダミー画素電極１５は、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と電気的に接続されている。第６層間絶縁層７６は、Ｚ軸において、画素電極１１と素子基板１１１との間と、ダミー画素電極１５と素子基板１１１との間と、に配置されている。画素電極１１は、第１画素電極層３１１と、第２画素電極層３１２と、を有する。第１画素電極層３１１は、表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３と平面視で重なるとともに電気的に接続されている。第２画素電極層３１２は、第１画素電極層３１１と平面視で重なるとともに、画素Ｐの開口領域ＡＲ１１とに平面視で重なっている。素子基板１１１及び第１基板１０の厚み方向であるＺ軸における第２画素電極層３１２の幅、すなわち厚みｓ３は、Ｚ軸における第１画素電極層３１１の幅、すなわち最大の厚みｓ１よりも小さい。ダミー画素電極１５は、第１ダミー画素電極層３１５と、第２ダミー画素電極層３１６と、を有する。第１ダミー画素電極層３１５は、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と平面視で重なるとともに電気的に接続されている。第２ダミー画素電極層３１６は、第１ダミー画素電極層３１５と平面視で重なっている。素子基板１１１及び第１基板１０の厚み方向であるＺ軸における第２ダミー画素電極層３１６の幅、すなわち厚みｓ６は、Ｚ軸における第１ダミー画素電極層３１５の幅、すなわち最大の厚みｓ４よりも小さい。平面視において、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と重ならない部分の第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６と、第６層間絶縁層７６と、は、Ｚ軸で隙間をあけて対向している。平面視において、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と重ならない部分の第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６と、第６層間絶縁層７６との間に、空間ＴＲが形成されている。
以上説明した本実施形態の液晶装置１００は、少なくとも素子基板１１１と、表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３と、画素電極１１と、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と、ダミー画素電極１５と、第６層間絶縁層７６と、を備える。素子基板１１１は、液晶装置１００の「基板」に相当する。表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３は、液晶装置１００の「第１導電部材」に相当する。ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３は、液晶装置１００の「第２導電部材」に相当する。第６層間絶縁層７６は、液晶装置１００の「絶縁層」に相当する。表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３は、素子基板１１１の一方側、すなわち＋Ｚ方向側に設けられている。画素電極１１は、表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３と電気的に接続されている。ダミー画素電極１５は、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と電気的に接続されている。第６層間絶縁層７６は、Ｚ軸において、画素電極１１と素子基板１１１との間と、ダミー画素電極１５と素子基板１１１との間と、に配置されている。画素電極１１は、第１画素電極層３１１と、第２画素電極層３１２と、を有する。第１画素電極層３１１は、表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３と平面視で重なるとともに電気的に接続されている。第２画素電極層３１２は、第１画素電極層３１１と平面視で重なるとともに、画素Ｐの開口領域ＡＲ１１とに平面視で重なっている。素子基板１１１及び第１基板１０の厚み方向であるＺ軸における第２画素電極層３１２の幅、すなわち厚みｓ３は、Ｚ軸における第１画素電極層３１１の幅、すなわち最大の厚みｓ１よりも小さい。ダミー画素電極１５は、第１ダミー画素電極層３１５と、第２ダミー画素電極層３１６と、を有する。第１ダミー画素電極層３１５は、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と平面視で重なるとともに電気的に接続されている。第２ダミー画素電極層３１６は、第１ダミー画素電極層３１５と平面視で重なっている。素子基板１１１及び第１基板１０の厚み方向であるＺ軸における第２ダミー画素電極層３１６の幅、すなわち厚みｓ６は、Ｚ軸における第１ダミー画素電極層３１５の幅、すなわち最大の厚みｓ４よりも小さい。平面視において、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と重ならない部分の第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６と、第６層間絶縁層７６と、は、Ｚ軸で隙間をあけて対向している。平面視において、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と重ならない部分の第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６と、第６層間絶縁層７６との間に、空間ＴＲが形成されている。
【0130】
本実施形態の液晶装置１００では、表示領域Ｅの開口領域ＡＲ１１において第３中継電極８３と平面視で重なる領域のみに第１画素電極層３１１が設けられていることによって、コンタクト抵抗が良好に確保される。開口領域ＡＲ１１の全体に第２画素電極層３１２のみが設けられていることによって、開口領域ＡＲ１１の画素Ｐにおける光Ｌの透過率が向上する。また、本実施形態の液晶装置１００では、ダミー画素領域ＤＦの開口領域ＡＲ１５には、第３中継電極８３と平面視で重なる領域を含めて開口領域ＡＲ１５全体に第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６が設けられており、表示領域Ｅの開口領域ＡＲ１１とは異なる構造が形成されている。開口領域ＡＲ１５のうちで、第３中継電極８３と平面視で重なる領域とはＸＹ面で反対側の領域において、第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６と第６層間絶縁層７６との間に、空間ＴＲが形成されている。そのため、液晶装置１００の製造時に、シール材６等からダミー画素領域ＤＦを通って表示領域Ｅに向けて拡散されるイオン性不純物ＩＯが空間ＴＲで両行に捕捉される。したがって、本実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅにおいて光Ｌの透過率を高めるとともに、イオン性不純物ＩＯの拡散に起因する輝点や表示不良の発生を防止することができる。
【0131】
本実施形態の液晶装置１００は、上述のように少なくとも素子基板１１１と、表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３と、画素電極１１と、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と、ダミー画素電極１５と、第６層間絶縁層７６と、を備える。画素電極１１は、第１画素電極層３１１と、第２画素電極層３１２と、を有する。第１画素電極層３１１は、表示領域Ｅに設けられる第３中継電極８３と平面視で重なるとともに電気的に接続されている。第２画素電極層３１２は、第１画素電極層３１１と平面視で重なるとともに、画素Ｐの開口領域ＡＲ１１とに平面視で重なっている。素子基板１１１及び第１基板１０の厚み方向であるＺ軸における第２画素電極層３１２の幅、すなわち厚みｓ３は、Ｚ軸における第１画素電極層３１１の幅、すなわち最大の厚みｓ１の１／５以下である。ダミー画素電極１５は、第１ダミー画素電極層３１５を有する。第１ダミー画素電極層３１５は、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と平面視で重なるとともに電気的に接続されている。平面視において、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と重ならない部分の第１ダミー画素電極層３１５と第６層間絶縁層７６とは、Ｚ軸で隙間をあけて対向している。平面視において、ダミー画素領域ＤＦに設けられる第３中継電極８３と重ならない部分の第１ダミー画素電極層３１５及び第２ダミー画素電極層３１６と、第６層間絶縁層７６との間に、空間ＴＲが形成されている。
【0132】
本実施形態の液晶装置１００では、表示領域Ｅの開口領域ＡＲ１１において第３中継電極８３と平面視で重なる領域のみに第１画素電極層３１１が設けられていることによって、コンタクト抵抗が良好に確保される。開口領域ＡＲ１１の全体に、第１画素電極層３１１よりも幅すなわち厚みが１／５以下の第２画素電極層３１２のみが設けられていることによって、開口領域ＡＲ１１の画素Ｐにおける光Ｌの透過率が十分向上する。また、本実施形態の液晶装置１００では、ダミー画素領域ＤＦの開口領域ＡＲ１５には、第３中継電極８３と平面視で重なる領域を含めて開口領域ＡＲ１５全体に第１ダミー画素電極層３１５が設けられており、表示領域Ｅの開口領域ＡＲ１１とは異なる構造が形成されている。開口領域ＡＲ１５のうちで、第３中継電極８３と平面視で重なる領域とはＸＹ面で反対側の領域において、第１ダミー画素電極層３１５と第６層間絶縁層７６との間に、空間ＴＲが形成されている。そのため、液晶装置１００の製造時に、シール材６等からダミー画素領域ＤＦを通って表示領域Ｅに向けて拡散されるイオン性不純物ＩＯが空間ＴＲで良好に捕捉される。したがって、本実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅにおいて光Ｌの透過率を十分高めるとともに、イオン性不純物ＩＯの拡散に起因する輝点や表示不良の発生を防止することができる。
【0133】
本実施形態の液晶装置１００は、画素電極１１及びダミー画素電極１５と平面視において重なる配向膜１２を有する。本実施形態の液晶装置１００において、第１ダミー画素電極層３１５のうちで第３中継電極８３と平面視で重ならない部分と第６層間絶縁層７６との間の隙間すなわち空間ＴＲの間隔ｇｇ、すなわちＺ軸での高さは、配向膜１２の膜厚よりも大きい。本実施形態の液晶装置１００によれば、画素Ｐと配向膜１２との電位差を十分確保することができる。
【0134】
本実施形態の液晶装置１００において、前記画素電極と前記ダミー画素電極とは平面視したときの形状が互いに異なっている。本実施形態の液晶装置１００によれば、画素電極１１とダミー画素電極１５との重なりによる自由電子の揺動を抑えることができる。なお、本実施形態の液晶装置１００では、空間ＴＲの平面視したときの形状や配置の自由度が高まり、イオン性不純物ＩＯの空間ＴＲへの捕捉率を向上及び調節することができる。
【0135】
本実施形態の液晶装置１００において、平面視したときに、第１ダミー画素電極層３１５は、第１画素電極層３１１よりも大きい。本実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅの開口領域ＡＲ１１において、第１画素電極層３１１よりも厚みが小さい第２画素電極層３１２のみが設けられている領域が平面視で相対的に大きいため、画素Ｐにおける光Ｌの透過率を向上させることができる。本実施形態の液晶装置１００によれば、ダミー画素領域ＤＦの開口領域ＡＲ１５において、第１ダミー画素電極層３１５が設けられている領域が平面視で相対的に大きいため、空間ＴＲを形成する領域を確保し易く、イオン性不純物ＩＯの空間ＴＲへの捕捉率を向上させることができる。
【0136】
本実施形態の液晶装置１００において、Ｚ軸において、第２画素電極層３１２の幅すなわち厚みｓ３は、第１画素電極層３１１の厚みｓ１の１／５以下である。Ｚ軸において、第２ダミー画素電極層３１６の幅すなわち厚みｓ６は、第１ダミー画素電極層３１５の厚みｓ４の１／５以下である。Ｚ軸は、液晶装置１００における素子基板１１１の「厚み方向」に相当する。本実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅの開口領域ＡＲ１１における大部分の画素電極１１のＺ軸での幅すなわち厚みを低減し、画素Ｐにおける光Ｌの透過率を向上させることができる。本実施形態の液晶装置１００によれば、空間ＴＲの上壁すなわち＋Ｚ方向側の壁部をなすダミー画素電極１５のＺ軸での幅すなわち厚みを過度に増大させずに済むため、空間ＴＲを安定して保持することができる。
【0137】
本実施形態の液晶装置１００において、Ｚ軸において、第２画素電極層３１２の幅すなわち厚みｓ３は、第１画素電極層３１１の厚みｓ１の１／１０以下である。Ｚ軸において、第２ダミー画素電極層３１６の幅すなわち厚みｓ６は、第１ダミー画素電極層３１５の厚みｓ４の１／１０以下である。本実施形態の液晶装置１００によれば、上述のように、画素Ｐにおける光Ｌの透過率を向上させるとともに、空間ＴＲを安定して保持することができる。
【0138】
本実施形態のプロジェクター１０００は、光変調装置として上述した本実施形態の液晶装置１００を備え、赤色光Ｒに対応する液晶装置１００Ｒと、緑色光Ｇに対応する液晶装置１００Ｇと、青色光Ｂに対応する液晶装置１００Ｂと、を備える。
【0139】
本実施形態のプロジェクター１０００では、色光を変調して画像光に変換する光変調装置として、液晶装置１００が用いられる。本実施形態のプロジェクター１０００によれば、液晶装置１００を備えるため、光変調装置から射出される色光の光量を大きくするとともに、表示不良の発生を防止することができる。
【0140】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【0141】
例えば、上述の実施形態では、電気光学装置としての液晶装置として透過型の液晶装置を例示したが、液晶装置は、反射型の液晶装置又はＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ）型の液晶装置であってもよい。また、電気光学装置は、電気光学層として有機化合物からなる層を有する有機ＥＬ装置であってもよく、液晶装置や有機ＥＬ装置以外の電気光学層を有する装置であってもよい。
【0142】
例えば、上述の実施形態では、電子機器としてプロジェクターを例示したが、電子機器は、プロジェクターに限定されない。上述の電気光学装置を備える電子機器は、例えば光造形装置であってもよく、プロジェクターや光造形装置以外で電気光学装置によって変換される画像光を活用する装置であってもよい。
【0143】
［本開示のまとめ］
以下、本開示のまとめを付記する。
（付記１）基板と、前記基板の一方側に設けられた第１導電部材と、前記第１導電部材と電気的に接続される画素電極と、前記基板の一方側に設けられ、前記画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材と、前記第２導電部材と電気的に接続されるダミー画素電極と、前記画素電極及び前記基板との間と、前記ダミー画素電極及び前記基板との間と、に配置される絶縁層と、を備え、前記画素電極は、前記第１導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１画素電極層と、前記第１画素電極層と平面視で重なるとともに画素の開口領域とに平面視で重なり、前記基板の厚み方向における前記第１画素電極層の幅よりも前記基板の厚み方向における幅が小さい第２画素電極層と、を有し、前記ダミー画素電極は、前記第２導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１ダミー画素電極層と、前記第１ダミー画素電極層と平面視で重なり、前記基板の厚み方向における前記第１ダミー画素電極層の幅よりも前記基板の厚み方向における幅が小さい第２ダミー画素電極層と、を有し、平面視において、前記第２導電部材と重ならない部分の前記第１ダミー画素電極層及び前記第２ダミー画素電極層と、前記絶縁層と、は、隙間をあけて対向している、電気光学装置。
以下、本開示のまとめを付記する。
（付記１）基板と、前記基板の一方側に設けられた第１導電部材と、前記第１導電部材と電気的に接続される画素電極と、前記基板の一方側に設けられ、前記画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材と、前記第２導電部材と電気的に接続されるダミー画素電極と、前記画素電極及び前記基板との間と、前記ダミー画素電極及び前記基板との間と、に配置される絶縁層と、を備え、前記画素電極は、前記第１導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１画素電極層と、前記第１画素電極層と平面視で重なるとともに画素の開口領域とに平面視で重なり、前記基板の厚み方向における前記第１画素電極層の幅よりも前記基板の厚み方向における幅が小さい第２画素電極層と、を有し、前記ダミー画素電極は、前記第２導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１ダミー画素電極層と、前記第１ダミー画素電極層と平面視で重なり、前記基板の厚み方向における前記第１ダミー画素電極層の幅よりも前記基板の厚み方向における幅が小さい第２ダミー画素電極層と、を有し、平面視において、前記第２導電部材と重ならない部分の前記第１ダミー画素電極層及び前記第２ダミー画素電極層と、前記絶縁層と、は、隙間をあけて対向している、電気光学装置。
【0144】
付記１の構成によれば、第１画素電極層を設け、コンタクト抵抗を適切に確保し、開口領域と重なる第２画素電極層の厚みを抑え、画素の開口領域において光の透過率を高めることができる。また、付記１の構成によれば、第１ダミー画素電極層及び第２ダミー画素電極層と絶縁層との隙間が形成されるため、ダミー画素電極が設けられている領域から画素が設けられている領域へのイオン性不純物が隙間に捕捉され、イオン性不純物の拡散に起因する輝点や表示不良の発生を防止することができる。
【0145】
（付記２）基板と、前記基板の一方側に設けられた第１導電部材と、前記第１導電部材と電気的に接続される画素電極と、前記基板の一方側に設けられ、前記画素電極が設けられる表示領域よりも外側に配置される第２導電部材と、前記第２導電部材と電気的に接続されるダミー画素電極と、前記画素電極及び前記基板との間と、前記ダミー画素電極及び前記基板との間と、に配置される絶縁層と、を備え、前記画素電極は、前記第１導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１画素電極層と、前記第１画素電極層と平面視で重なるとともに画素の開口領域とに平面視で重なり、前記基板の厚み方向において、前記第１画素電極層の幅の１／５以下の幅である第２画素電極層と、を有し、前記ダミー画素電極は、前記第２導電部材と平面視で重なるとともに電気的に接続される第１ダミー画素電極層を有し、平面視において、前記第２導電部材と重ならない部分の前記第１ダミー画素電極層と、前記絶縁層と、は、隙間をあけて対向している、電気光学装置。
【0146】
付記２の構成によれば、第１画素電極層を設け、コンタクト抵抗を適切に確保し、開口領域と重なる第２画素電極層の厚みを極力抑え、画素の開口領域において光の透過率を十分高めることができる。また、付記２の構成によれば、第１ダミー画素電極層と絶縁層との隙間にイオン性不純物を捕捉し、イオン性不純物の拡散に起因する輝点や表示不良の発生を防止することができる。
【0147】
（付記３）前記画素電極及び前記ダミー画素電極と平面視において重なる配向膜を有し、前記第１ダミー画素電極層の前記第２導電部材と平面視で重ならない部分と前記絶縁層との間の隙間は、前記配向膜の膜厚よりも大きい、付記１又は付記２の電気光学装置。
【0148】
付記３の構成によれば、画素と配向膜との電位差を十分確保することができる。
【0149】
（付記４）前記画素電極と前記ダミー画素電極とは、平面視したときの形状が互いに異なる、付記１から付記３の何れかの電気光学装置。
【0150】
付記４の構成によれば、画素電極とダミー画素電極との重なりによる自由電子の揺動を抑えることができる。
【0151】
（付記５）平面視において、前記第１ダミー画素電極層は、前記第１画素電極層よりも大きい、付記１から付記４の何れかの電気光学装置。
【0152】
付記５の構成によれば、平面視において、第１ダミー画素電極層と絶縁層との隙間を形成する領域を確保し易く、イオン性不純物の隙間への捕捉率を向上させることができる。
【0153】
（付記６）前記基板の厚み方向において、前記第２画素電極層の幅は、前記第１画素電極層の１／５以下であり、前記第２ダミー画素電極層の幅は、前記第１ダミー画素電極層の１／５以下である、付記１の電気光学装置。
【0154】
付記６の構成によれば、画素の開口領域に第１画素電極層よりも十分薄い第２画素電極層を設け、開口領域における光の透過率を向上させることができる。また、付記６の構成によれば、第１ダミー画素電極層と絶縁層との隙間の上方に第１ダミー画素電極層よりも十分薄い第２ダミー画素電極層を設け、隙間の上方のダミー画素電極の厚みが過度に大きくせずに済み、隙間を安定して保持することができる。
【0155】
（付記７）前記基板の厚み方向において、前記第２画素電極層の幅は、前記第１画素電極層の１／１０以下であり、前記第２ダミー画素電極層の幅は、前記第１ダミー画素電極層の１／１０以下である、付記６の電気光学装置。
【0156】
付記７の構成によれば、開口領域における光の透過率をより一層向上させ、第１ダミー画素電極層と絶縁層との隙間を安定して保持することができる。
【0157】
（付記８）付記１から付記７の何れか電気光学装置を備える、電子機器。
【0158】
付記８の構成によれば、光変調装置から射出される色光の光量を大きくするとともに、表示不良の発生を防止することができる。
【符号の説明】
【0159】
１１…画素電極、１５…ダミー画素電極、７６…第６層間絶縁層（絶縁層）、８３…第３中継電極（第１導電部材、第２導電部材）、１００…液晶装置（電気光学装置）、１１１…素子基板（基板）、１０００…プロジェクター（電子機器）、Ｐ…画素、ＤＰ…ダミー画素。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図11A】
【図11B】
【図11C】
【図11D】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図14A】
【図14B】
【図14C】
【図15A】
【図15B】
【図15C】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図18D】
【図19A】
【図19B】
【図20A】
【図20B】
【図21A】
【図21B】
【図22A】
【図22B】
【図23】
【図24】