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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024158822
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20241031BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023074375
(22)【出願日】2023-04-28
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】澤崎 尚樹
【テーマコード（参考）】
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131BA18
5F131BA37
5F131BB03
5F131BB23
5F131CA09
5F131EA06
5F131EB33
5F131EB55
5F131GA14
5F131HA09
5F131HA12
5F131HA13
(57)【要約】
【課題】ノズルから吐出される処理液の電位をより高い精度で所定電位に近づけることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は基板保持部２とノズル３と供給管３２と１つ以上の第１バルブ３３と分岐管４２と第２バルブ４３と導電部材４４とを備える。基板保持部２は基板Ｗを保持する。ノズル３は基板Ｗの主面に向かって第１処理液を吐出する。供給管３２には、第１処理液がノズル３に向かって流れる。第１バルブ３３は供給管３２に介挿される。分岐管４２は、ノズル３に最も近い第１バルブ３３である最終バルブ３３ａとノズル３との間において供給管３２に接続された上流端を有する。第２バルブ４３は分岐管４２に介挿される。導電部材４４は、分岐管４２のうちの第２バルブ４３よりも下流側の少なくとも一部に設けられる。導電部材４４には所定電位が印加される。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理装置は基板保持部２とノズル３と供給管３２と１つ以上の第１バルブ３３と分岐管４２と第２バルブ４３と導電部材４４とを備える。基板保持部２は基板Ｗを保持する。ノズル３は基板Ｗの主面に向かって第１処理液を吐出する。供給管３２には、第１処理液がノズル３に向かって流れる。第１バルブ３３は供給管３２に介挿される。分岐管４２は、ノズル３に最も近い第１バルブ３３である最終バルブ３３ａとノズル３との間において供給管３２に接続された上流端を有する。第２バルブ４３は分岐管４２に介挿される。導電部材４４は、分岐管４２のうちの第２バルブ４３よりも下流側の少なくとも一部に設けられる。導電部材４４には所定電位が印加される。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に向かって第１処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルに接続された下流端を有し、前記第１処理液が前記ノズルに向かって流れる供給管と、
前記供給管に介挿された１つ以上の第１バルブと、
前記ノズルに最も近い前記第１バルブである最終バルブと前記ノズルとの間において前記供給管に接続された上流端を有する分岐管と、
前記分岐管に介挿された第２バルブと、
前記分岐管のうちの前記第２バルブよりも下流側の少なくとも一部に設けられ、所定電位が印加される導電部材と
を備える、基板処理装置。
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に向かって第１処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルに接続された下流端を有し、前記第１処理液が前記ノズルに向かって流れる供給管と、
前記供給管に介挿された１つ以上の第１バルブと、
前記ノズルに最も近い前記第１バルブである最終バルブと前記ノズルとの間において前記供給管に接続された上流端を有する分岐管と、
前記分岐管に介挿された第２バルブと、
前記分岐管のうちの前記第２バルブよりも下流側の少なくとも一部に設けられ、所定電位が印加される導電部材と
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
ノズルに接続された下流端を有する供給管に介挿された１つ以上の第１バルブ、および、最も前記ノズルに近い前記第１バルブである最終バルブと前記ノズルとの間において前記供給管に接続された上流端を有し、所定電位が印加された導電部材を含む分岐管に対して、前記導電部材よりも上流側において前記分岐管に介挿された第２バルブを開いて、前記供給管を通じて前記ノズルおよび前記分岐管に第１処理液を流す電位印加工程を備える、基板処理方法。
【請求項3】
請求項２に記載の基板処理方法であって、
基板を保持する保持工程と、
前記ノズルが待機位置に位置する状態で前記電位印加工程を行いつつ、前記ノズルから待機ポッドに向かって前記第１処理液を吐出させるプリディスペンス工程と、
前記プリディスペンス工程の後に、前記ノズルを処理位置に移動させた状態で、前記第１バルブを開いて、前記ノズルから前記基板の主面に向かって前記第１処理液を吐出させる第１液処理工程と
を備える、基板処理方法。
基板を保持する保持工程と、
前記ノズルが待機位置に位置する状態で前記電位印加工程を行いつつ、前記ノズルから待機ポッドに向かって前記第１処理液を吐出させるプリディスペンス工程と、
前記プリディスペンス工程の後に、前記ノズルを処理位置に移動させた状態で、前記第１バルブを開いて、前記ノズルから前記基板の主面に向かって前記第１処理液を吐出させる第１液処理工程と
を備える、基板処理方法。
【請求項4】
請求項３に記載の基板処理方法であって、
前記プリディスペンス工程において、
前記第１バルブを閉じた時点から所定のサックバック時間が経過したときに前記第２バルブを閉じて、前記第１処理液の液面を、前記供給管のうちの前記ノズルの吐出口と前記分岐管の前記上流端との間に移動させ、
前記第１液処理工程において、
前記第１処理液の液面が、前記供給管のうちの前記ノズルの前記吐出口と前記分岐管の前記上流端との間に位置した状態で、前記ノズルを前記待機位置から前記処理位置に移動させる、基板処理方法。
前記プリディスペンス工程において、
前記第１バルブを閉じた時点から所定のサックバック時間が経過したときに前記第２バルブを閉じて、前記第１処理液の液面を、前記供給管のうちの前記ノズルの吐出口と前記分岐管の前記上流端との間に移動させ、
前記第１液処理工程において、
前記第１処理液の液面が、前記供給管のうちの前記ノズルの前記吐出口と前記分岐管の前記上流端との間に位置した状態で、前記ノズルを前記待機位置から前記処理位置に移動させる、基板処理方法。
【請求項5】
請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記第１液処理工程において、前記ノズルが前記処理位置に位置する状態で、前記第１バルブを開いたと同時またはその後に前記第２バルブを開く、基板処理方法。
前記第１液処理工程において、前記ノズルが前記処理位置に位置する状態で、前記第１バルブを開いたと同時またはその後に前記第２バルブを開く、基板処理方法。
【請求項6】
請求項３から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記第１液処理工程の後に、前記第１バルブを開いて、絶縁性の第２処理液を、前記供給管を通じて、前記第１処理液および前記第２処理液で兼用される前記ノズルに供給し、前記ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記第２処理液を吐出させる第２液処理工程を備え、
前記プリディスペンス工程、前記第１液処理工程および前記第２液処理工程を、基板ごとに行う、基板処理方法。
前記第１液処理工程の後に、前記第１バルブを開いて、絶縁性の第２処理液を、前記供給管を通じて、前記第１処理液および前記第２処理液で兼用される前記ノズルに供給し、前記ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記第２処理液を吐出させる第２液処理工程を備え、
前記プリディスペンス工程、前記第１液処理工程および前記第２液処理工程を、基板ごとに行う、基板処理方法。
【請求項7】
請求項３から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記プリディスペンス工程において、前記第１処理液の導電率が高いほど短い電位印加時間に亘って、前記第１バルブおよび前記第２バルブの両方を開く、基板処理方法。
前記プリディスペンス工程において、前記第１処理液の導電率が高いほど短い電位印加時間に亘って、前記第１バルブおよび前記第２バルブの両方を開く、基板処理方法。
【請求項8】
請求項７に記載の基板処理方法であって、
前記プリディスペンス工程において、前記供給管に介挿された流量調整バルブを制御して、前記第１処理液の導電率が高いほど前記第１処理液の流量を大きく調整する、基板処理方法。
前記プリディスペンス工程において、前記供給管に介挿された流量調整バルブを制御して、前記第１処理液の導電率が高いほど前記第１処理液の流量を大きく調整する、基板処理方法。
【請求項9】
請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記ノズルが処理位置に位置する状態で前記電位印加工程を行いつつ、前記ノズルから基板の主面に向かって前記第１処理液を吐出させる第１液処理工程を備える、基板処理方法。
前記ノズルが処理位置に位置する状態で前記電位印加工程を行いつつ、前記ノズルから基板の主面に向かって前記第１処理液を吐出させる第１液処理工程を備える、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、処理液の電位を調整しつつ当該処理液を基板に供給する基板処理装置が開示されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板処理装置は、基板保持部と、ノズルと、供給管と、補助管とを含む。基板保持部は基板を水平姿勢で保持しつつ、基板を回転させる。ノズルには供給管の下流端が接続され、供給管の上流端は処理液供給源に接続される。供給管には第１バルブが設けられる。補助管の上流端は第１バルブよりも上流側において供給管に接続される。補助管には第２バルブが設けられる。補助管のうちの第２バルブよりも下流側の部分には、導電性の接液部が設けられ、当該接液部には所定電位（例えば接地電位）が印加される。
【0003】
このような基板処理装置において、第１バルブを閉じた状態で第２バルブが開くと、導電性の処理液が供給管の一部および補助管を流れる。このため、導電性の処理液が接液部に接触し、配管中の処理液の電位が所定電位に近づく。所定電位は基板の電位に近い電位（例えば接地電位）である。
【0004】
処理液の電位を所定電位に近づけた状態で、第１バルブが開くと、処理液がノズルから基板の主面に向かって吐出される。処理液の電位は所定電位に近いので、処理液と基板との間で大電流（例えば放電電流）が流れることを抑制することができる。もしも処理液と基板との間で放電等の大電流が流れると、基板のパターンが損傷するかおそれがある。上述の基板処理装置はそのような大電流の発生を抑制するので、大電流に起因した基板の歩留まりの低下を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００８－２５１７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、補助管の上端が第１バルブよりも上流側において供給管に接続される構造では、補助管の上端とノズルとの間の配管長さは比較的に長くなる。配管中の処理液の電位は、接液部から遠ざかるほど、所定電位から離れるので、当該構造では、ノズルの吐出口から吐出される処理液の電位を十分に所定電位に近づけることができない可能性もある。
【0007】
そこで、本開示は、ノズルから吐出される処理液の電位をより高い精度で所定電位に近づけることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
第１の態様は、基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に向かって第１処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに接続された下流端を有し、前記第１処理液が前記ノズルに向かって流れる供給管と、前記供給管に介挿された１つ以上の第１バルブと、前記ノズルに最も近い前記第１バルブである最終バルブと前記ノズルとの間において前記供給管に接続された上流端を有する分岐管と、前記分岐管に介挿された第２バルブと、前記分岐管のうちの前記第２バルブよりも下流側の少なくとも一部に設けられ、所定電位が印加される導電部材とを備える。
【0009】
第２の態様は、基板処理方法であって、ノズルに接続された下流端を有する供給管に介挿された１つ以上の第１バルブ、および、最も前記ノズルに近い前記第１バルブである最終バルブと前記ノズルとの間において前記供給管に接続された上流端を有し、所定電位が印加された導電部材を含む分岐管に対して、前記導電部材よりも上流側において前記分岐管に介挿された第２バルブを開いて、前記供給管を通じて前記ノズルおよび前記分岐管に第１処理液を流す電位印加工程を備える。
【0010】
第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理方法であって、基板を保持する保持工程と、前記ノズルが待機位置に位置する状態で前記電位印加工程を行いつつ、前記ノズルから待機ポッドに向かって前記第１処理液を吐出させるプリディスペンス工程と、前記プリディスペンス工程の後に、前記ノズルを処理位置に移動させた状態で、前記第１バルブを開いて、前記ノズルから前記基板の主面に向かって前記第１処理液を吐出させる第１液処理工程とを備える。
【0011】
第４の態様は、第３の態様にかかる基板処理方法であって、前記プリディスペンス工程において、前記第１バルブを閉じた時点から所定のサックバック時間が経過したときに前記第２バルブを閉じて、前記第１処理液の液面を、前記供給管のうちの前記ノズルの吐出口と前記分岐管の前記上流端との間に移動させ、前記第１液処理工程において、前記第１処理液の液面が、前記供給管のうちの前記ノズルの前記吐出口と前記分岐管の前記上流端との間に位置した状態で、前記ノズルを前記待機位置から前記処理位置に移動させる。
【0012】
第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理方法であって、前記第１液処理工程において、前記ノズルが前記処理位置に位置する状態で、前記第１バルブを開いたと同時またはその後に前記第２バルブを開く。
【0013】
第６の態様は、第３から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記第１液処理工程の後に、前記第１バルブを開いて、絶縁性の第２処理液を、前記供給管を通じて、前記第１処理液および前記第２処理液で兼用される前記ノズルに供給し、前記ノズルから前記基板の前記主面に向かって前記第２処理液を吐出させる第２液処理工程を備え、前記プリディスペンス工程、前記第１液処理工程および前記第２液処理工程を、基板ごとに行う。
【0014】
第７の態様は、第３から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記プリディスペンス工程において、前記第１処理液の導電率が高いほど短い電位印加時間に亘って、前記第１バルブおよび前記第２バルブの両方を開く。
【0015】
第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理方法であって、前記プリディスペンス工程において、前記供給管に介挿された流量調整バルブを制御して、前記第１処理液の導電率が高いほど前記第１処理液の流量を大きく調整する。
【0016】
第９の態様は、第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記ノズルが処理位置に位置する状態で前記電位印加工程を行いつつ、前記ノズルから基板の主面に向かって前記第１処理液を吐出させる第１液処理工程を備える。
【発明の効果】
【0017】
第１の態様によれば、第１バルブおよび第２バルブが開くと、第１処理液が供給管および分岐管に流れる。導電部材が設けられた分岐管を第１処理液が流れると、第１処理液の電位が、導電部材に印加された所定電位に近づく。具体的には、導電部材に近いほど、処理液の電位が所定電位に近づく。第１態様によれば、分岐管の上流端は最終バルブとノズルとの間において供給管に接続される。このため、導電部材とノズルとの間の配管長さを短くすることができ、その結果として、ノズルから吐出される第１処理液の電位をより高い精度で所定電位に近づけることができる。
【0018】
第２の態様によれば、分岐管の上流端が最終バルブとノズルとの間において供給管に接続される。このため、導電部材とノズルとの間の配管長さを短くすることができる。したがって、電位印加工程において、ノズルから吐出される第１処理液の電位をより高精度に所定電位に近づけることができる。
【0019】
第３の態様によれば、プリディスペンス工程において、第１処理液の電位をより高い精度で所定電位に近づけることができる。このため、第１液処理工程の初期から、所定電位に近い電位を有する第１処理液を基板の主面に供給することができる。
【0020】
第４の態様によれば、第１液処理工程の開始時において、第１処理液の液面はノズルの吐出口に近い。このため、第１液処理工程において、第１バルブを開いたときに、第１処理液は吐出口までの短い距離を移動して吐出口から吐出される。このため、当該移動に伴う第１処理液の摩擦帯電は小さい。したがって、第１液処理工程の初期においてノズルの吐出口から吐出される第１処理液の電位をより確実に所定電位に近づけることができる。
【0021】
第５の態様によれば、第１処理液を速やかに基板に供給することができつつ、第１液処理工程において、第１処理液の電位を継続的に所定電位に近づけることができる。
【0022】
第６の態様によれば、第２液処理工程によって、供給管には絶縁性の第２処理液が流れる。このため、第２液処理の終了後には、供給管には第１処理液ではなく第２処理液が存在する。第６の態様によれば、基板ごとにプリディスペンス工程が行われるので、次の基板の処理時のプリディスペンス工程によって、再び、供給管の内部に、所定電位に近い電位を有する第１処理液を存在させることができる。よって、次の第１液処理工程の初期から、所定電位に近い電位を有する第１処理液を当該基板に供給することができる。
【0023】
第７の態様によれば、第１処理液の導電率が高いときには、電位印加時間は短い。このため、高いスループットで第１処理液の電位を所定電位に近づけることができる。一方で、第１処理液の導電率が低いときには、電位印加時間は長い。このため、第１処理液の電位をより所定電位に近づけることができる。
【0024】
第８の態様によれば、第１処理液の導電率が高いときには、流量が大きい。このため、電位印加時間が短くても、吐出される第１処理液の総量を大きくすることができる。したがって、供給管の内部に古い処理液が残留しても、当該古い処理液を適切に吐出することができる。一方、第１処理液の導電率が低いときには、流量は小さい。このため、電位印加時間が長くても、吐出される第１処理液の総量の増加を抑制することができる。したがって、第１処理液の消費量の増加を抑制することができる。
【0025】
第９の態様によれば、第１液処理工程において、第１処理液の電位を継続的に所定電位に近づけることができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】基板処理装置の構成を概略的に示す側断面図である。
【図2】制御部の構成の一例を概略的に示すブロック図である。
【図3】第１の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。
【図4】分岐管の断面形状の一例を概略的に示す図である。
【図5】第１の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一部の一例を概略的に示す縦断面図である。
【図6】処理ユニットの動作の一例を示すフローチャートである。
【図7】各ステップの一例を示すタイミングチャートである。
【図8】各ステップにおける処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。
【図9】各ステップにおける処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。
【図10】第２の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。
【図11】第２液処理工程における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。なお図面においては、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また同様な構成及び機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。
【0028】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【0029】
また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序に限定されるものではない。
【0030】
相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。
【0031】
【0032】
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。以下では、基板Ｗが半導体ウエハであるものとする。基板Ｗは例えば円板形状を有している。基板Ｗの直径は例えば３００ｍｍ程度であり、基板Ｗの膜厚は例えば０．５ｍｍ程度以上かつ３ｍｍ程度以下である。
【0033】
図１の例では、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１０と、処理ブロック１２０と、制御部９０とを含んでいる。処理ブロック１２０は、主として基板Ｗの処理を行う部分であり、インデクサブロック１１０は、主として、基板処理装置１００の外部と処理ブロック１２０との間での基板Ｗの搬送を行う部分である。
【0034】
インデクサブロック１１０は、ロードポート１１１と、第１搬送部１１２とを含む。ロードポート１１１には、外部から搬入された基板収容器（以下、キャリアと呼ぶ）Ｃが載置される。キャリアＣには、複数の基板Ｗが、例えば鉛直方向において互いに間隔を空けて並んだ状態で、収容される。図１の例では、複数のロードポート１１１が配列される。
【0035】
第１搬送部１１２は搬送ロボットであって、各ロードポート１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すことができる。第１搬送部１１２はインデクサロボットとも呼ばれ得る。第１搬送部１１２は、キャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを処理ブロック１２０に搬送する。処理ブロック１２０は該未処理の基板Ｗに処理を行うことができる。また、第１搬送部１１２は、処理済みの基板Ｗを処理ブロック１２０から受け取り、処理済みの基板Ｗをロードポート１１１のキャリアＣに搬送することができる。
【0036】
図１の例では、処理ブロック１２０は、複数の処理ユニット１と、第２搬送部１２２とを含んでいる。第２搬送部１２２は搬送ロボットであって、第１搬送部１１２と複数の処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送することができる。図１の例では、処理ブロック１２０は載置部１２３も含んでいる。載置部１２３は、例えば、複数の基板Ｗを鉛直方向に並べた状態で載置することができる棚である。第１搬送部１１２は未処理の基板Ｗを載置部１２３に載置する。第２搬送部１２２は載置部１２３から未処理の基板Ｗを取り出し、該基板Ｗを処理ユニット１に搬送する。処理ユニット１は基板Ｗを処理する。処理ユニット１の構成については後に述べる。第２搬送部１２２は処理済みの基板Ｗを処理ユニット１から取り出し、該基板Ｗを載置部１２３に搬送する。第１搬送部１１２は載置部１２３から該基板Ｗを取り出し、該基板Ｗをロードポート１１１のキャリアＣに搬送する。
【0037】
図１の例では、複数（例えば４つ）の処理ユニット１は平面視において第２搬送部１２２の周りを囲むように設けられている。この第２搬送部１２２はセンターロボットとも呼ばれ得る。平面視上の各位置において、複数の処理ユニット１が鉛直方向に積層されていてもよい。つまり、鉛直方向に積層された複数の処理ユニット１によって構成されるタワーＴＷの複数（図では４つ）が、第２搬送部１２２を囲むように設けられてもよい。
【0038】
制御部９０は、基板処理装置１００を統括的に制御する。具体的には、制御部９０は第１搬送部１１２、第２搬送部１２２および処理ユニット１を制御する。図２は、制御部９０の構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部９０は電子回路であって、例えばデータ処理部９１および記憶部９２を有している。図２の具体例では、データ処理部９１と記憶部９２とはバス９３を介して相互に接続されている。データ処理部９１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶部９２は非一時的な記憶部（例えばＲＯＭ（Read Only Memory））９２１および一時的な記憶部（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））９２２を有していてもよい。非一時的な記憶部９２１には、例えば制御部９０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部９１がこのプログラムを実行することにより、制御部９０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９０が実行する処理の一部または全部が専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。
【0039】
図２に示されるように、制御部９０は記憶部９４に電気的に接続されていてもよい。記憶部９４は非一時的な記憶部であり、例えば、メモリまたはハードディスクであってもよい。図２では、記憶部９４にはデータＤ１が記憶されている。データＤ１については第３の実施の形態で述べる。
【0040】
＜処理ユニット＞
図３は、第１の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。なお、基板処理装置１００に属する全ての処理ユニット１が、図３に例示された構成を有している必要はない。少なくとも一つの処理ユニット１が、図３に例示された構成を有していればよい。処理ユニット１は、基板保持部２と、ノズル３と、供給管３２と、第１バルブ３３と、分岐管４２と、第２バルブ４３と、導電部材４４とを含んでいる。
図３は、第１の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。なお、基板処理装置１００に属する全ての処理ユニット１が、図３に例示された構成を有している必要はない。少なくとも一つの処理ユニット１が、図３に例示された構成を有していればよい。処理ユニット１は、基板保持部２と、ノズル３と、供給管３２と、第１バルブ３３と、分岐管４２と、第２バルブ４３と、導電部材４４とを含んでいる。
【0041】
図３の例では、処理ユニット１にはチャンバ１０も設けられている。チャンバ１０は内部空間を有している。当該内部空間は、基板Ｗを処理する処理空間に相当する。チャンバ１０には、開閉可能な搬出入口（不図示）が設けられる。第２搬送部１２２は搬出入口を通じて未処理の基板Ｗをチャンバ１０内に搬入し、また、搬出入口を通じて処理済みの基板Ｗをチャンバ１０から搬出する。
【0042】
基板保持部２はチャンバ１０内に設けられている。基板保持部２は、基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。回転軸線Ｑ１は、基板Ｗの中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。このような基板保持部２はスピンチャックとも呼ばれ得る。
【0043】
図３の例では、基板保持部２は、スピンベース２１と、チャックピン２２と、回転駆動部２３とを含んでいる。スピンベース２１は板状の形状（例えば円板形状）を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。スピンベース２１の上面には複数のチャックピン２２が設けられている。複数のチャックピン２２は、回転軸線Ｑ１についての周方向に沿って等間隔に設けられる。複数のチャックピン２２は、次に説明する保持位置と解除位置との間で変位可能に設けられている。保持位置とは、チャックピン２２が基板Ｗの周縁に当接する位置である。複数のチャックピン２２がそれぞれの保持位置で停止することにより、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。図３では、保持位置で停止したチャックピン２２が示されている。解除位置とは、各チャックピン２２が基板Ｗから離れた位置である。複数のチャックピン２２がそれぞれの解除位置で停止することにより、複数のチャックピン２２による基板Ｗの保持が解除される。基板保持部２は、チャックピン２２を変位させるピン駆動部（不図示）も含む。ピン駆動部は、例えば、モータまたはエアシリンダ等の駆動源を含み、制御部９０によって制御される。
【0044】
回転駆動部２３はシャフト２３１とモータ２３２とを含んでいる。シャフト２３１の上端はスピンベース２１の下面に接続されており、シャフト２３１はスピンベース２１の下面から回転軸線Ｑ１に沿って延びている。モータ２３２は制御部９０によって制御され、シャフト２３１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、スピンベース２１、チャックピン２２および基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで一体に回転する。
【0045】
なお、基板保持部２は必ずしもチャックピン２２を有している必要はない。例えば、基板保持部２は、真空チャック、静電チャックおよびベルヌーイチャック等のチャック方式により、基板Ｗを保持してもよい。
【0046】
ノズル３はチャンバ１０内に設けられており、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面に向かって第１処理液を吐出する。図３の例では、ノズル３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられており、基板Ｗの上面に向かって第１処理液を吐出する。ノズル３は、例えば、連続流の状態で第１処理液を吐出するノズルである。ノズル３は例えば筒状の形状を有し、その下端面に吐出口３ａが形成されている。ノズル３は例えば絶縁性樹脂によって形成されてもよい。
【0047】
ノズル３には供給管３２の下流端が接続されている。供給管３２の上流端は第１処理液供給源に接続される。第１処理液供給源は、第１処理液を貯留するタンク（不図示）を有し、第１処理液を供給管３２の上流端に供給する。供給管３２には第１バルブ３３が介挿される。第１バルブ３３は、いわゆる開閉弁であり、供給管３２の開閉を切り換える。第１バルブ３３は制御部９０によって制御される。第１バルブ３３が開くと、第１処理液は処理液供給源からノズル３に向かって供給管３２を流れる。
【0048】
図３の例では、供給管３２には１つの第１バルブ３３が介挿されているものの、複数の第１バルブ３３が供給管３２に介挿されていてもよい。例えば、第１処理液供給源のタンクに接続される上流端および下流端を有する循環配管が設けられ、該循環配管から分岐した複数の分岐供給管の下流端が、それぞれ、複数の処理ユニット１内のノズル３に接続されてもよい。この場合、循環配管に第１バルブ３３が介挿され、各分岐供給管に個別に第１バルブ３３が介挿され得る。供給管３２は循環配管の一部および分岐供給管によって構成されるので、供給管３２には２つの第１バルブ３３が介挿され得る。以下では、供給管３２に介挿された１つ以上の第１バルブ３３のうち、ノズル３に最も近い第１バルブ３３を、最終バルブ３３ａとも呼ぶ。
【0049】
図３の例では、供給管３２には流量調整バルブ３４が介挿される。流量調整バルブ３４は、供給管３２を流れる第１処理液の流量を調整する。流量調整バルブ３４はマスフローコントローラであってもよい。流量調整バルブ３４は制御部９０によって制御される。
【0050】
供給管３２のうち長手方向の少なくとも一部は、フッ素樹脂等の絶縁性樹脂によって形成されたフレキシブル配管である。例えば、供給管３２のうちの最終バルブ３３ａとノズル３との間の部分がフレキシブル配管であってもよい。あるいは、分岐供給管の全体がフレキシブル配管であってもよい。分岐供給管の配管長さは例えば２ｍ以上かつ５ｍ以下である。供給管３２のうちの最終バルブ３３ａとノズル３との間の部分の配管長さは、例えば１ｍ以上かつ１．５ｍ以下である。フッ素樹脂には例えばＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）が適用され得る。
【0051】
第１処理液が供給管３２を流れると、供給管３２の絶縁性の内壁と第１処理液との摩擦により、第１処理液が帯電し得る。ノズル３の内壁が絶縁性を有している場合には、ノズル３の内壁と第１処理液との摩擦によっても、第１処理液は帯電し得る。帯電した第１処理液が基板Ｗの主面に向かって吐出されると、第１処理液が基板Ｗの主面に着液する直前で、第１処理液と基板Ｗとの間で放電が生じたり、あるいは、第１処理液が基板Ｗの主面に着液した後に、第１処理液と基板Ｗとの間で大きな電流が流れたりし得る。このような放電または大電流によって、基板Ｗ（例えばパターン）が損傷し、基板Ｗの歩留まりが低下し得る。
【0052】
第１処理液はイオンを含んでおり、ある程度の導電性を有している。ここでいうある程度の導電性とは、次の２つの条件を満足する程度の導電性を意味する。第１に、第１処理液が供給管３２の内壁およびノズル３の内壁の少なくともいずれか一方との摩擦によって帯電する。第２に、第１処理液が後述の導電部材４４に接触することにより、導電部材４４から離れた位置でも、第１処理液の電位が所定電位（例えば接地電位）に近づく。
【0053】
このような第１処理液の具体的な例として、希フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、バッファードフッ酸、アンモニア水、炭酸水および界面活性剤水溶液が用いられる。アンモニア水とは、アンモニアが水に溶けた液体であり、炭酸水とは、二酸化炭素が水に溶けた液体であり、活性剤水溶液とは、活性剤が水に溶けた液体である。
【0054】
図３に示されるように、供給管３２は最終バルブ３３ａよりも下流側の部分において分岐している。この供給管３２から分岐した配管が分岐管４２に相当する。つまり、分岐管４２の上流端は最終バルブ３３ａとノズル３との間において供給管３２に接続される。分岐管４２には第２バルブ４３が介挿される。第２バルブ４３は、いわゆる開閉弁であり、分岐管４２の開閉を切り換える。第２バルブ４３は制御部９０によって制御される。分岐管４２の下流端は回収部４５に接続される。回収部４５は、分岐管４２内の第１処理液を吸引する吸引部（不図示）を含み得る。吸引部は、第１処理液を分岐管４２の上流端から下流端に向かって吸引する機構である。吸引部は、例えば、エジェクタであってもよく、ポンプであってもよい。あるいは、吸引部は、サイフォン効果を利用した配管構造であってもよい。第１処理液は分岐管４２を通じて例えば回収部４５の所定のタンク（不図示）に回収される。
【0055】
分岐管４２の内部流路の断面積は、例えば、供給管３２の内部流路の断面積よりも小さい。この場合、分岐管４２を流れる第１処理液の流量は供給管３２を流れる第１処理液の流量に比べて小さい。
【0056】
図３に示されるように、分岐管４２のうちの第２バルブ４３よりも下流側の部分には、導電部材４４が設けられている。導電部材４４は、例えば、第２バルブ４３と回収部４５との間の少なくとも一部に設けられる。導電部材４４は、アモルファスカーボンおよびグラッシカーボン等のガラス状の導電性カーボンによって形成されてもよい。あるいは、導電部材４４は、導電性ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）および導電性ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の導電性樹脂により形成されてもよい。導電部材４４は例えば分岐管４２の内壁に設けられる。図３の例では、導電部材４４は分岐管４２の内部において露出する。この場合、第１処理液は分岐管４２を流れる際に導電部材４４に接触する。
【0057】
図４は、分岐管４２の断面形状の一例を概略的に示す図である。図４の例では、分岐管４２は円環状の断面形状を有している。図４の例では、分岐管４２は絶縁部材４２１および導電部材４４によって構成される。絶縁部材４２１および導電部材４４は分岐管４２の周方向において交互に設けられる。図４の例では、４つの絶縁部材４２１および４つの導電部材４４が分岐管４２の周方向において交互に設けられている。４つの絶縁部材４２１および４つの導電部材４４は周方向で連続して、全体として等幅の円環形状を形成している。絶縁部材４２１および導電部材４４は例えば一体に形成される。
【0058】
図４の例では、導電部材４４は、内周部４４１と、外周部４４２と、連結部４４３とを含んでいる。内周部４４１は分岐管４２の内壁側に位置しており、分岐管４２の内壁の周方向の一部を形成する。外周部４４２は分岐管４２の外壁側に位置しており、分岐管４２の外壁の周方向の一部を形成する。連結部４４３は分岐管４２の径方向に沿って延びて、内周部４４１および外周部４４２を接続する。図４の例では、連結部４４３の周方向の幅は内周部４４１の幅および外周部４４２の幅の両方よりも狭い。
【0059】
導電部材４４には、所定電位が印加される。例えば導電部材４４は接地される。具体的な一例として、導電部材４４の外周部４４２の外周面に導電部材４６の一端が接続され、導電部材４６の他端が接地される。導電部材４６の材料は、導電部材４４と同様に、導電性カーボンによって形成されてもよく、導電性樹脂によって形成されてもよい。
【0060】
図３を参照して、第１バルブ３３および第２バルブ４３が開くと、第１処理液は第１処理液供給源から供給管３２を流れ、その一部がノズル３に供給されつつ、残りの一部が分岐管４２に供給される。第１処理液の一部はノズル３の吐出口３ａから吐出され、第１処理液の残りの一部は分岐管４２を流れて導電部材４４（具体的には内周部４４１）に接触する。
【0061】
第１処理液が導電部材４４に接触すると、第１処理液に所定電位が印加される。第１処理液はある程度の導電性を有しており、また、分岐管４２、供給管３２およびノズル３の内部において連続している。このため、第１処理液が導電部材４４に接触すると、分岐管４２、供給管３２およびノズル３内の第１処理液の電位は所定電位に近づく。つまり、導電部材４４から離れた位置でも、第１処理液の電位が所定電位に近づく。これは、電荷が導電性の第１処理液を流れるからと考えられる。なお、ノズル３が連続流の状態で第１処理液を吐出する場合には、ノズル３から吐出された後の第１処理液の電位も所定電位に近づき得る。ただし、第１処理液の電位は導電部材４４に近い位置ほど所定電位に近づく。逆に言えば、第１処理液の電位は導電部材４４から遠い位置ほど所定電位から離れる。つまり、導電部材４４から非常に遠い位置では、第１処理液の電位はほとんど所定電位に近づかない場合もある。第１処理液の電位が所定電位に近づく程度は導電部材４４からの距離および第１処理液自体の導電率に依存する。
【0062】
本実施の形態では、分岐管４２の上流端は最終バルブ３３ａよりもノズル３に近い位置で、供給管３２に接続されている。このため、ノズル３と導電部材４４との間の配管長さを短くすることができる。したがって、ノズル３の吐出口３ａから吐出される第１処理液の電位をより高い精度で所定電位に近づけることができる。所定電位として基板Ｗの電位に近い電位を採用することにより、第１処理液が基板Ｗの主面に着液する直前において第１処理液と基板Ｗとの間で放電が生じる可能性を低減させることができる。さらに、基板Ｗの主面に着液した後の第１処理液と、基板Ｗとの間で大電流が流れる可能性も低減させることができる。
【0063】
また、ノズル３の吐出口３ａから吐出される第１処理液自体は導電部材４４に接触しない。このため、導電部材４４に起因した第１処理液の汚染はほとんど生じない。したがって、導電部材４４に起因した汚染がほとんどない清浄な第１処理液を基板Ｗに供給することができる。このため、導電部材４４の材料選定時において、作業員は導電部材４４による第１処理液の汚染を確認する必要がない。よって、材料選定が容易である。
【0064】
また、分岐管４２は、第１処理液の吐出停止時にノズル３から第１処理液を吸引するためのサックバックラインとして機能することもできる。例えば、第１処理液の吐出停止の際に、第１バルブ３３が閉じた時点から所定のサックバック時間に亘って第２バルブ４３が開く。これにより、ノズル３から第１処理液が分岐管４２に吸引され、ノズル３の内部での第１処理液の液面がノズル３の吐出口３ａよりも上流側に移動する。したがって、吐出停止時に第１処理液が液滴状態でノズル３の吐出口３ａから落下する可能性を低減させることができる。言い換えれば、液滴状態での第１処理液の落下（以下、ぼた落ちと呼ぶ）の発生を抑制することができる。
【0065】
図３の例では、処理ユニット１は、ノズル３を移動させるノズル移動駆動部３７を含んでいる。ノズル移動駆動部３７はノズル３を、次に説明する第１処理位置と第１待機位置との間で移動させる。第１処理位置とは、ノズル３が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面に向かって第１処理液を吐出する位置であり、例えば、基板Ｗの中央部と鉛直方向において対向する位置である。図３の例では、第１処理位置に位置するノズル３が示されている。
【0066】
第１待機位置とは、ノズル３が第１処理液を基板Ｗの主面に向かって吐出しない位置であり、例えば、基板Ｗよりも径方向外側の位置である。図５は、第１の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一部の一例を概略的に示す縦断面図である。図５の例では、第１待機位置で位置するノズル３が示されている。図５の例では、待機ポッド６が設けられている。待機ポッド６はチャンバ１０内において第１待機位置の直下に設けられている。待機ポッド６は、例えば鉛直上方に開口した形状を有する。ノズル３は第１待機位置に位置する状態で第１処理液を待機ポッド６に向かって吐出する。この第１処理液は待機ポッド６によって受け止められる。待機ポッド６の例えば底部には、排出管６１の上流端が接続されている。待機ポッド６が受け止めた第１処理液は排出管６１を通じてチャンバ１０の外部に排出される。
【0067】
図３の例では、ノズル移動駆動部３７は、アーム３７１と、支持柱３７２と、駆動源３７３とを含んでいる。支持柱３７２は、後述のガード７よりも径方向外側に設けられており、鉛直方向に沿って延びている。アーム３７１は水平方向に沿って延びており、その先端がノズル３に接続され、その基端が支持柱３７２に接続されている。駆動源３７３は制御部９０によって制御され、支持柱３７２をその中心軸線Ｑ２のまわりで所定の角度範囲で正逆方向に回転させる。駆動源３７３は例えばモータを含む。支持柱３７２が中心軸線Ｑ２のまわりで所定の角度範囲で正逆方向に回転すると、ノズル３は、中心軸線Ｑ２についての周方向に沿って往復移動する。支持柱３７２は、ノズル３の移動軌跡上に第１処理位置および第１待機位置が位置するように、設置される。なお、ノズル移動駆動部３７は必ずしも図３の態様に限らず、例えばリニアモータ等の直動機構を含んでいてもよい。
【0068】
ノズル３が第１処理位置に位置する状態で、回転中の基板Ｗの主面に向かって第１処理液を吐出すると、第１処理液が基板Ｗの主面に着液する。第１処理液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁よりも外側に飛散する。このとき、第１処理液が基板Ｗの主面に作用することで、第１処理液の種類に応じた処理が基板Ｗに対して行われる。以下では一例として、第１処理液に希フッ酸等の薬液を適用する。
【0069】
図３の例では、処理ユニット１はノズル５も含んでいる。ノズル５はチャンバ１０内に設けられており、絶縁性の第２処理液を吐出する。第２処理液は、例えば、イソプロピルアルコール等の有機溶剤および純水のいずれか一方である。第２処理液の導電率は第１処理液よりも低く、第２処理液はほとんど電流を通さない。図３の例では、ノズル５は、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられている。ノズル５は、例えば、連続流の状態で第２処理液を吐出するノズルである。ノズル５は例えば筒状の形状を有しており、その下端面に吐出口５ａが形成されている。
【0070】
図３の例では、ノズル５には供給管５２の下流端が接続されている。供給管５２の上流端は、第２処理液としてのリンス液（純水または有機溶剤）を供給する第２処理液供給源に接続される。第２処理液供給源は、第２処理液を貯留するタンク（不図示）を有し、第２処理液を供給管５２の上流端に供給する。供給管５２の少なくとも一部には、所定電位が印加された導電部材４４が設けられてもよい。これにより、第２処理液が供給管５２を流れて導電部材４４に接触することで、導電部材４４が設けられた位置で第２処理液に所定電位が印加される。第２処理液は、供給管５２の経路上の導電部材４４を横切って、ノズル５に到達するので、ノズル５から吐出される第２処理液の電位を所定電位に近づけることができる。なお、導電部材４４の材料には、第２処理液を汚染しにくい、または、ほとんど汚染させない材料が適用され得る。
【0071】
供給管５２にはバルブ５３が介挿される。バルブ５３は、いわゆる開閉弁であり、供給管５２の開閉を切り換える。図３の例では、供給管５２には流量調整バルブ５４が介挿される。流量調整バルブ５４は、供給管５２を流れる第２処理液の流量を調整する。流量調整バルブ５４はマスフローコントローラであってもよい。バルブ５３および流量調整バルブ５４は制御部９０によって制御される。
【0072】
図３の例では、処理ユニット１は、ノズル５を移動させるノズル移動駆動部５７も含んでいる。ノズル移動駆動部５７はノズル５を、次に説明する第２処理位置と第２待機位置との間で移動させる。第２処理位置とは、ノズル５が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面に向かって第２処理液を吐出する位置であり、例えば、基板Ｗの中央部と鉛直方向において対向する位置である。第２待機位置とは、ノズル５が第２処理液を基板Ｗの主面に向かって吐出しない位置であり、例えば基板Ｗよりも径方向外側の位置である。図３の例では、第２待機位置で位置するノズル５が示されている。ノズル移動駆動部５７の具体的な一例はノズル移動駆動部３７と同様である。
【0073】
ノズル５が第２処理位置に位置する状態で、回転中の基板Ｗの主面に向かって第２処理液（リンス液）を吐出すると、第２処理液が基板Ｗの主面に着液する。第２処理液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁よりも外側に飛散する。このとき、第２処理液が基板Ｗの主面上の第１処理液（薬液）を押し流すことができる。このため、基板Ｗ上の液体を第１処理液（薬液）から第２処理液（リンス液）に置換することができる。以下では、第１処理液および第２処理液を総称して単に処理液とも呼ぶ。
【0074】
図３の例では、処理ユニット１にはガード７およびガード昇降駆動部７１が設けられている。ガード７は、回転軸線Ｑ１を中心軸とした筒状の形状を有しており、基板保持部２を囲む。ガード７は、基板Ｗの周縁から飛散する処理液を受け止めることができる。ガード昇降駆動部７１はガード７を、次に説明する上位置と下位置との間で昇降させる。上位置とは、ガード７の上端が、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方となる位置である。ガード７は、上位置に位置する状態で、基板Ｗの周縁から飛散した処理液を受け止めることができる。下位置は、上位置よりも低い位置であり、例えば、ガード７の上端がスピンベース２１の上面よりも鉛直下方となる位置である。
【0075】
図３の例では、複数のガード７が設けられている。複数のガード７は同心状に配置される。複数のガード７は処理液の種類に応じて使い分けられてもよい。図３の例では、各ガード７に対応したカップ７５が設けられている。カップ７５は、回転軸線Ｑ１を囲む環状（例えば円環状）の凹部（溝）を有している。各カップ７５は、対応するガード７の内周面を流下した処理液を受け止める。各カップ７５の例えば底部には、排出管７６の上流端が接続されている。各カップ７５で受け止められた処理液は排出管７６を通じて処理ユニット１の外部に排出される。
【0076】
＜基板処理装置の動作例＞
次に処理ユニット１の動作の一例について説明する。図６は、処理ユニット１の動作の一例を示すフローチャートである。制御部９０は、予め設定された処理手順（レシピ）にしたがって、ステップＳ１からステップＳ６の処理を処理ユニット１に実行させる。図７は、ステップＳ２およびステップＳ３の一例を示すタイミングチャートである。図８および図９は、ステップＳ２およびステップＳ３における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図である。
次に処理ユニット１の動作の一例について説明する。図６は、処理ユニット１の動作の一例を示すフローチャートである。制御部９０は、予め設定された処理手順（レシピ）にしたがって、ステップＳ１からステップＳ６の処理を処理ユニット１に実行させる。図７は、ステップＳ２およびステップＳ３の一例を示すタイミングチャートである。図８および図９は、ステップＳ２およびステップＳ３における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図である。
【0077】
まず、第２搬送部１２２が基板Ｗを処理ユニット１に搬送する。ここでは一例として、搬入時点において、基板Ｗはほとんど帯電しておらず、基板Ｗの電位は接地電位に近い。また、基板Ｗは例えば乾燥状態にある。そして、基板保持部２が、第２搬送部１２２から受け取った基板Ｗを保持する（ステップＳ１：保持工程）。具体的な一例として、基板保持部２は複数のチャックピン２２をそれぞれの解除位置から保持位置に変位させる。これにより、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。基板保持部２は、基板Ｗに対する処理の終了まで基板Ｗを保持し続ける。
【0078】
次に、処理ユニット１は、ノズル３が第１待機位置に位置する状態で、ノズル３から第１処理液を吐出させる（ステップＳ２：プリディスペンス工程）。具体的には、制御部９０はノズル３が第１待機位置に位置する状態で、第１バルブ３３および第２バルブ４３を開く（図７も参照）。これにより、図８（ａ）に示されるように、供給管３２を通じてノズル３に第１処理液が供給されて、ノズル３から第１処理液が吐出されるとともに、供給管３２から分岐した分岐管４２にも第１処理液が流入する。図８および図９では、第１処理液が流れる方向を矢印で示している。また、図８および図９では、各配管内の第１処理液を模式的に斜線のハッチングで示している。第１処理液は供給管３２、分岐管４２およびノズル３内において連続するので、第１処理液が分岐管４２の導電部材４４に接触することにより、導電部材４４から離れた位置でも第１処理液の電位が所定電位に近づく。
【0079】
第１バルブ３３および第２バルブ４３が開くタイミングは特に制限されないものの、例えば、制御部９０は、第２バルブ４３を開いたと同時またはその後に第１バルブ３３を開く。言い換えれば、制御部９０は、第２バルブ４３の閉状態から開状態への切り替えと同時またはその後に、第１バルブ３３を閉状態から開状態に切り替える。図７の例では、制御部９０は第２バルブ４３を開いた後に第１バルブ３３を開く。これによれば、第１バルブ３３を開いた直後から第１処理液が分岐管４２に流入する。このため、より速やかに第１処理液の電位を所定電位に近づけることができる。
【0080】
以上のように、第１バルブ３３および第２バルブ４３の両方を開いて、第１処理液をノズル３および分岐管４２に流すことにより、第１処理液に所定電位を印加している。このため、図７では、この工程が電位印加工程として示されている。図７の例では、電位印加工程は、プリディスペンス工程において実行されている。
【0081】
制御部９０は第１バルブ３３を開いた時点から所定のプリディスペンス時間が経過したか否かを判断し、プリディスペンス時間が経過したときに、第１バルブ３３を閉じる。プリディスペンス時間は、第１処理液の電位が十分に所定電位に近づくのに要する時間以上に設定され、例えば予め設定される。プリディスペンス時間は、例えば、数秒から数十秒程度に設定され得る。時間の測定は、例えば、制御部９０に属する不図示のタイマ回路によって実行される。
【0082】
図７の例では、制御部９０は第１バルブ３３を閉じてから所定のサックバック時間が経過したときに第２バルブ４３を閉じる。具体的には、制御部９０は第１バルブ３３を閉じた時点からサックバック時間が経過したか否かを判断し、サックバック時間が経過したときに、第２バルブ４３を閉じる。これによれば、第１バルブ３３を閉じた後にも第２バルブ４３が開いているので、図８（ｂ）に示されるように、ノズル３内の第１処理液は分岐管４２側に吸引される。このため、第１処理液の液面がノズル３の吐出口３ａと分岐管４２の上流端との間の位置に移動する。言い換えれば、サックバック時間は、第１処理液の液面がノズル３の吐出口３ａと分岐管４２の上流端との間の位置に移動するように設定される。具体的には、サックバック時間は例えば数秒程度（具体的には２秒から３秒程度）に設定される。第１処理液の液面がノズル３の吐出口３ａから上流側に移動することにより、ぼた落ちの発生を抑制することができる。
【0083】
上述のプリディスペンス工程によって、所定電位に近い電位を有する第１処理液が供給管３２のうちの分岐管４２の上端よりも下流側の部分（以下、下流部分と呼ぶ）に存在することとなる。なお、プリディスペンス工程（ステップＳ２）は、保持工程（ステップＳ１）よりも前に実行されてもよく、保持工程と並行して実行されてもよい。
【0084】
次に、処理ユニット１は、第１処理液を基板Ｗの主面に供給するための処理を行う（ステップＳ３：第１液処理工程）。ここでは一例として、処理ユニット１は薬液処理を行う。具体的には、まずノズル移動駆動部３７は、図７および図９（ａ）に示されるように、第１バルブ３３および第２バルブ４３を閉じた状態で、ノズル３を第１処理位置に移動させる。図９（ａ）では、ノズル３の移動方向をブロック矢印で示している。第１バルブ３３および第２バルブ４３が閉じているので、ノズル３は、第１処理液が供給管３２の下流部分に存在する状態で、第１処理位置に移動する。また、基板保持部２が基板Ｗの回転を開始させる。基板保持部２は基板Ｗに対する処理の終了まで基板Ｗの回転を継続してもよい。また、ガード昇降駆動部７１が第１液処理用のガード７を上位置に移動させる。
【0085】
次に、制御部９０は第１バルブ３３を開く。第１バルブ３３が開くと、ノズル３から回転中の基板Ｗの主面（ここでは上面）に向かって第１処理液（ここでは薬液）が吐出される。基板Ｗの主面に着液した第１処理液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。このとき、第１処理液が基板Ｗの主面に作用することにより、第１処理液の種類に応じた処理が基板Ｗに対して行われる。例えば処理ユニット１は、基板Ｗの主面上の不純物を洗浄除去する洗浄処理、あるいは、基板Ｗの所定膜をエッチングするエッチング処理を行う。基板Ｗの周縁から飛散した処理液はガード７で受け止められ、排出管７６を通じてチャンバ１０の外部に排出される。
【0086】
本実施の形態では、第１液処理工程の前のプリディスペンス工程によって、第１処理液の電位を所定電位（例えば接地電位）に近づけることができる。特に本実施の形態では、分岐管４２の上流端が最終バルブ３３ａとノズル３との間において供給管３２に接続される。このため、導電部材４４とノズル３との配管長さを短縮化することができる。したがって、ノズル３の吐出口３ａの近傍の第１処理液の電位を、より所定電位に近づけることができる。
【0087】
しかも上述の例では、第１処理液が供給管３２の下流部分に存在する状態で、ノズル３が第１処理位置に移動する。このため、ノズル３が第１処理位置に到達した時点で、所定電位に近い電位を有する第１処理液の液面はノズル３の吐出口３ａに近い。
【0088】
比較のために、供給管３２のうち下流部分が空である場合について説明する。この場合には、第１処理液の液面はノズル３の吐出口３ａから遠くに位置する。したがって、第１液処理工程の初期において第１処理液はノズル３の吐出口３ａまで比較的長い距離を移動する。つまり、第１バルブ３３が閉状態から開状態に切り替わった直後において、第１処理液はノズル３の吐出口３ａまでの長距離を移動した後に、吐出口３ａから吐出される。最終バルブ３３ａからノズル３までの配管長さは例えば１ｍ以上と長いので、当該移動による摩擦は比較的に大きい。このため、摩擦による帯電も大きくなる。つまり、プリディスペンス工程によって第１処理液の電位を所定電位に近づけても、第１液処理工程での吐出口３ａまでの移動で生じる摩擦帯電により、吐出口３ａから吐出される第１処理液の電位が所定電位から遠ざかるおそれがある。
【0089】
これに対して、上述の例では、ノズル３が第１処理位置に到達した時点において、第１処理液の液面はノズル３の吐出口３ａに近い。このため、第１液処理工程で第１バルブ３３が閉状態から開状態に切り替わった直後において、第１処理液の液面がノズル３の吐出口３ａまで移動する際に生じる帯電は小さい。したがって、処理ユニット１は、より所定電位に近い電位を有する第１処理液を、第１液処理工程の初期から基板Ｗに供給することができ、第１処理液と基板Ｗとの間の放電および大電流をより確実に抑制することができる。
【0090】
また、図７の例では、第１液処理工程においても制御部９０は第１バルブ３３とともに第２バルブ４３を開く。つまり、第１液処理工程においても、第１バルブ３３および第２バルブの両方を開く電位印加工程が実行される。この電位印加工程においては、図９（ｂ）に示されるように、ノズル３から基板Ｗの主面に向かって第１処理液が吐出されつつ、第１処理液が分岐管４２を流れて導電部材４４に接触する。なお、分岐管４２を流れる第１処理液の流量は供給管３２を流れる第１処理液の流量よりも十分に小さく、この流れはスローリークとも呼ばれる。このため、分岐管４２に第１処理液が流れることによる第１処理液の使用量の増加を抑制することができる。
【0091】
この電位印加工程によって、第１液処理工程の初期のみならず、ノズル３から吐出される第１処理液の電位を所定電位に継続的に近づけることができる。したがって、第１液処理工程において、第１処理液と基板Ｗとの間に大電流が流れる可能性を低減させ続けることができる。なお、第２バルブ４３は、第１バルブ３３が開く期間の少なくとも一部において開いていればよい。第２バルブ４３が当該期間の大部分（例えば９割以上）に亘って開いていれば、大電流をより長期間に亘って抑制することができる。
【0092】
また、図７の例では、制御部９０は第１液処理工程において、第１バルブ３３を開くのと同時またはその後に第２バルブ４３を開く。これにより、より速やかに第１処理液を基板Ｗに供給することができる。
【0093】
制御部９０は、第１バルブ３３を開いた時点から所定の薬液時間が経過したか否かを判断し、薬液時間が経過したときに、第１バルブ３３を閉じる。薬液時間は、薬液による基板Ｗの処理が十分に行われる程度の時間に予め設定される。薬液時間は例えばプリディスペンス時間よりも長く設定され、例えば数十秒以上に設定される。
【0094】
制御部９０は、第１バルブ３３を閉じた時点から所定のサックバック時間の経過後に第２バルブ４３を閉じてもよい（図７参照）。これにより、第１処理液の吐出停止時のぼた落ちの発生を抑制することができる。ノズル移動駆動部３７は、第１バルブ３３および第２バルブ４３を閉じた状態で、ノズル３を第１待機位置に移動させる。
【0095】
次に、処理ユニット１は、第２処理液を基板Ｗの主面に供給するための処理を行う（ステップＳ４：第２液処理工程）。具体的には、まずノズル移動駆動部５７はノズル５を第２処理位置に移動させる。もしも、第２処理液（リンス液）用のガード７が第１処理液（薬液）用のガード７と異なる場合には、ガード昇降駆動部７１は適宜にガード７を昇降させて、第２処理液用のガード７を上位置に位置させる。そして、制御部９０はバルブ５３を開く。バルブ５３が開くと、ノズル５から基板Ｗの主面（ここでは上面）に向かって第２処理液が吐出される。基板Ｗの主面に着液した第２処理液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。これにより、基板Ｗの主面上の液体が第１処理液から第２処理液に置換される。第２処理液は、例えば、純水もしくはイソプロピルアルコールである。なお、処理ユニット１は純水を供給した後にイソプロピルアルコールを供給してもよい。
【0096】
制御部９０は、バルブ５３を開いた時点から所定のリンス時間が経過したときに、バルブ５３を閉じる。リンス時間は、第１処理液から第２処理液の置換に要する時間以上に予め設定される。そして、ノズル移動駆動部５７はノズル５を第２待機位置に移動させる。
【0097】
次に、処理ユニット１は乾燥処理を実行する（ステップＳ５）。具体的には、基板保持部２が基板Ｗの回転速度を増加させる（いわゆるスピンドライ）。基板Ｗが十分に乾燥すると、処理ユニット１は乾燥処理を終了する。具体的には、乾燥処理の開始から所定の乾燥時間が経過したときに、基板保持部２は基板Ｗの回転を停止させる。これにより、乾燥処理が実質的に終了し、基板Ｗに対する一連の処理が実質的に終了する。次に、ガード昇降駆動部７１は全てのガード７を下位置に位置させる。
【0098】
次に基板保持部２が基板Ｗに対する保持を解除する（ステップＳ６：保持解除工程）。そして、第２搬送部１２２が基板Ｗを処理ユニット１から搬出する。
【0099】
以上のように、上述の基板処理方法では、第１液処理工程の前のプリディスペンス工程において、電位印加工程が実行される。このため、第１液処理工程の初期において、第１処理液と基板Ｗとの間の放電および大電流を抑制することができる。
【0100】
また、上述の例では、第１液処理工程においても電位印加工程が実行される。このため、第１処理液と基板Ｗとの間での大電流を第１液処理工程において継続的に抑制することができる。
【0101】
なお、上述の例では、処理ユニット１はプリディスペンス工程および第１液処理工程の両方において電位印加工程を実行しているものの、いずれか一方のみで実行してもよい。
【0102】
また、上述の例では、処理ユニット１は第１液処理工程の終了時にサックバック処理を行っている。サックバック処理では、供給管３２のうち分岐管４２の上流端よりも下流側の下流部分において第１処理液が存在する状態で第２バルブ４３が開く。このため、供給管３２の下流部分における第１処理液の電位を所定電位に近づけることができる。このため、第１液処理工程の終了時において、所定電位に近い電位を有する第１処理液が供給管３２の下流部分に存在している。そして、ノズル移動駆動部３７は、第１バルブ３３および第２バルブ４３を閉じた状態で、ノズル３を第１待機位置に移動させる。このため、次の基板Ｗに対する処理の際には、既に、所定電位に近い電位を有する第１処理液が供給管３２の下流部分に存在している。したがって、次の基板Ｗに対する処理において、第１処理液の電位を調整するためのプリディスペンス工程は必ずしも必要はない。つまり、制御部９０は第１液処理工程の終了時においてサックバック処理を行うときには、次の基板Ｗの処理時でのプリディスペンス工程を省略してもよい。
【0103】
＜第２の実施の形態＞
図１０は、第２の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。第２の実施の形態にかかる処理ユニット１は、第２処理液を供給するための構成という点で、第１の実施の形態にかかる処理ユニット１と相違する。第２の実施の形態では、ノズル３は第１処理液および第２処理液に兼用される。図１０の例では、供給管３２は、共通管３２ａと、第１処理液管３２ｂと、第２処理液管３２ｃとを含んでいる。共通管３２ａの下流端はノズル３に接続されており、共通管３２ａの上流端は第１処理液管３２ｂの下流端および第２処理液管３２ｃの下流端に共通に接続されている。第１処理液管３２ｂの上流端は第１処理液供給源に接続され、第２処理液管３２ｃの上流端は第２処理液供給源に接続される。第２処理液管３２ｃの少なくとも一部には、所定電位が印加された導電部材４４が設けられてもよい。
図１０は、第２の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。第２の実施の形態にかかる処理ユニット１は、第２処理液を供給するための構成という点で、第１の実施の形態にかかる処理ユニット１と相違する。第２の実施の形態では、ノズル３は第１処理液および第２処理液に兼用される。図１０の例では、供給管３２は、共通管３２ａと、第１処理液管３２ｂと、第２処理液管３２ｃとを含んでいる。共通管３２ａの下流端はノズル３に接続されており、共通管３２ａの上流端は第１処理液管３２ｂの下流端および第２処理液管３２ｃの下流端に共通に接続されている。第１処理液管３２ｂの上流端は第１処理液供給源に接続され、第２処理液管３２ｃの上流端は第２処理液供給源に接続される。第２処理液管３２ｃの少なくとも一部には、所定電位が印加された導電部材４４が設けられてもよい。
【0104】
共通管３２ａには最終バルブ３３ａが介挿され、第１処理液管３２ｂには第１バルブ３３（以下、第１バルブ３３ｂと呼ぶ）が介挿され、第２処理液管３２ｃには第１バルブ３３（以下、第１バルブ３３ｃと呼ぶ）が介挿されている。第１バルブ３３ｂおよび最終バルブ３３ａが開くことにより、第１処理液が第１処理液管３２ｂおよび共通管３２ａを通じてノズル３に供給され、ノズル３の吐出口３ａから吐出される。第１バルブ３３ｃおよび最終バルブ３３ａが開くことにより、第２処理液が第２処理液管３２ｃおよび共通管３２ａを通じてノズル３に供給され、ノズル３の吐出口３ａから吐出される。
【0105】
図１０の例では、第１処理液管３２ｂには流量調整バルブ３４（以下、流量調整バルブ３４ｂと呼ぶ）が介挿される。この流量調整バルブ３４ｂは、第１処理液管３２ｂを流れる第１処理液の流量を調整する。第２処理液管３２ｃには流量調整バルブ３４（以下、流量調整バルブ３４ｃと呼ぶ）が介挿される。この流量調整バルブ３４ｃは、第２処理液管３２ｃを流れる第２処理液の流量を調整する。
【0106】
分岐管４２の上流端は最終バルブ３３ａとノズル３との間において共通管３２ａに接続される。
【0107】
第２の実施の形態にかかる処理ユニット１の動作の一例は図６に示される通りである。また、ステップＳ２（プリディスペンス工程）およびステップＳ３（第１液処理工程）におけるタイミングチャートも図７に示される通りであり、ステップＳ２およびステップＳ３における処理ユニット１の様子の一例も図８および図９に示される通りである。ただし、電位印加工程では、制御部９０は第１バルブ３３ｂおよび最終バルブ３３ａの両方を開いて、第１処理液をノズル３の吐出口３ａから吐出させる。
【0108】
ステップＳ４（第２液処理工程）の具体的な動作は第１の実施の形態にかかるステップＳ４と相違する。図１１は、ステップＳ４における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図である。制御部９０はステップＳ４において第１バルブ３３ｃおよび最終バルブ３３ａを開く。これにより、図１１（ａ）に示すように、絶縁性の第２処理液（リンス液）が第２処理液管３２ｃおよび共通管３２ａを通じてノズル３に供給され、ノズル３の吐出口３ａから基板Ｗの主面に向かって吐出される。このとき、制御部９０は第２バルブ４３を閉じている。
【0109】
制御部９０は最終バルブ３３ａおよび第１バルブ３３ｃを開いた時点から所定のリンス時間が経過したときに、最終バルブ３３ａおよび第１バルブ３３ｃを閉じるとともに、第２バルブ４３を所定時間に亘って開く。つまり、制御部９０は最終バルブ３３ａおよび第１バルブ３３ｃを閉じた時点から所定時間が経過したときに、第２バルブ４３を閉じる。所定時間は、例えば予め第１液処理工程でのサックバック時間よりも長く設定される。
【0110】
所定時間において第１バルブ３３が閉じ、第２バルブ４３が開くことにより、第２処理液がノズル３から分岐管４２に吸引される。これにより、吐出停止時のぼた落ちの発生を抑制することができる。
【0111】
この所定時間において、共通管３２ａのうち最終バルブ３３ａよりも下流側の部分の処理液が分岐管４２に吸引される（図１１（ｂ）参照）。つまり、所定時間は、共通管３２ａのうち最終バルブ３３ａよりも下流側の部分が実質的に空となる程度の時間に設定される。
【0112】
第２バルブ４３を閉じた後に、第１バルブ３３および第２バルブ４３が閉じた状態で、ノズル移動駆動部３７がノズル３を第１待機位置に移動させる。
【0113】
次に処理ユニット１は第１の実施の形態と同様に、ステップＳ５（乾燥工程）およびステップＳ６（保持解除工程）を実行する。
【0114】
以上のように、第２の実施の形態でも、第１の実施の形態と同様に、電位印加工程がステップＳ２（プリディスペンス工程）およびステップＳ３（第１液処理工程）において実行される。このため、第１液処理工程における放電および大電流の発生を抑制することができる。
【0115】
ただし、第２の実施の形態では、ステップＳ４（第２液処理工程）においてノズル３から第２処理液が吐出される。このため、第２液処理工程の終了時点において、第１処理液は共通管３２ａの内部にはほとんど存在していない。上述の例では、共通管３２ａのうちの最終バルブ３３ａよりも下流側の部分は実質的に空である。
【0116】
したがって、次の基板Ｗの処理の開始時にも、共通管３２ａには第１処理液がほとんど存在していない。そこで、第２の実施の形態では、処理ユニット１は、基板Ｗごとに、電位印加工程を含むプリディスペンス工程を行うとよい。つまり、処理ユニット１は、基板Ｗが搬入されるたびに、当該基板Ｗに対してプリディスペンス工程を行う。これにより、各基板Ｗに対する処理において、プリディスペンス工程の終了時には、所定電位に近い電位を有する第１処理液が共通管３２ａのうちノズル３の近い位置まで存在する。このため、各基板Ｗに対する第１液処理工程の初期において、ノズル３から吐出される第１処理液の電位をより確実に所定電位に近づけることができる。
【0117】
＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態では、プリディスペンス工程における電位印加工程の時間（以下、電位印加時間と呼ぶ）および第１処理液の流量について説明する。電位印加時間とは、プリディスペンス工程において、第１バルブ３３および第２バルブ４３の両方を開いて、ノズル３から第１処理液を吐出させつつ、分岐管４２に第１処理液を流す積算時間である。第３の実施の形態では、電位印加時間および第１処理液の流量を第１処理液の導電率に基づいて設定する。以下では、まず、電位印加時間について説明する。
第３の実施の形態では、プリディスペンス工程における電位印加工程の時間（以下、電位印加時間と呼ぶ）および第１処理液の流量について説明する。電位印加時間とは、プリディスペンス工程において、第１バルブ３３および第２バルブ４３の両方を開いて、ノズル３から第１処理液を吐出させつつ、分岐管４２に第１処理液を流す積算時間である。第３の実施の形態では、電位印加時間および第１処理液の流量を第１処理液の導電率に基づいて設定する。以下では、まず、電位印加時間について説明する。
【0118】
＜電位印加時間＞
第１処理液の導電率が高いほど、電位印加工程において第１処理液の電位はより速やかに所定電位に近づくと考えられる。逆に言えば、導電率が低いほど、第１処理液の電位が所定電位に近づくのに要する時間は長くなると考えられる。
第１処理液の導電率が高いほど、電位印加工程において第１処理液の電位はより速やかに所定電位に近づくと考えられる。逆に言えば、導電率が低いほど、第１処理液の電位が所定電位に近づくのに要する時間は長くなると考えられる。
【0119】
そこで、処理ユニット１は第１処理液の導電率が高いほど、電位印加時間を短く設定してもよい。逆に言えば、処理ユニット１は第１処理液の導電率が低いほど、電位印加時間を長く設定してもよい。つまり、電位印加時間は、第１処理液の電位が十分に所定電位に近くなるという条件を満たす限りにおいて、導電率が高いほど、短く設定される。
【0120】
電位印加時間を示すデータＤ１は例えば記憶部９４に記憶されてもよい。データＤ１は、第１処理液の導電率に応じた電位印加時間を示す。データＤ１は、例えば、基板Ｗに対する処理手順（処理内容および処理条件）を示すレシピデータであってもよい。処理内容は、例えば薬液処理およびリンス処理を含み、処理条件は例えば基板Ｗの回転速度、処理液の流量および処理時間を含む。制御部９０は、不図示のユーザインターフェースに対するユーザの入力に応答して、データＤ１を生成してもよい。あるいは、制御部９０は、不図示の通信インターフェースを通じて外部装置からデータＤ１を受信してもよい。
【0121】
制御部９０はプリディスペンス工程において、データＤ１に基づいて第１バルブ３３および第２バルブ４３を制御する。つまり、制御部９０は、第１処理液の導電率が高いほど短い電位印加時間に亘って、第１バルブ３３および第２バルブ４３の両方を開く。より具体的な制御の一例として、制御部９０は第１バルブ３３および第２バルブ４３の両方を開いた時点から、データＤ１によって示される電位印加時間が経過したときに、第１バルブ３３を閉じる。そして、制御部９０は第１バルブ３３を閉じた時点から所定のサックバック時間が経過したときに、第２バルブ４３を閉じる。
【0122】
これによれば、第１処理液の導電率が高い場合には、プリディスペンス工程における電位印加時間が短くなる。このため、第１処理液の電位を適切に所定電位に近づけつつも、プリディスペンス工程の時間を短縮することができる。したがって、スループットを向上させることができる。一方、導電率が低い場合には、プリディスペンス工程における電位印加時間が長い。このため、プリディスペンス工程において、第１処理液の電位を適切に所定電位に近づけることができる。
【0123】
＜第１処理液の流量＞
基板Ｗの処理が終了してから次の基板Ｗの処理が開始するまでに、供給管３２の内部に残留した第１処理液が古くなることがある。この場合、プリディスペンス工程によって、ノズル３は古い第１処理液を待機ポッド６に向かって吐出することができる。これにより、プリディスペンス工程の後の第１液処理工程において、処理ユニット１は基板Ｗにより清浄な第１処理液を供給することができる。
基板Ｗの処理が終了してから次の基板Ｗの処理が開始するまでに、供給管３２の内部に残留した第１処理液が古くなることがある。この場合、プリディスペンス工程によって、ノズル３は古い第１処理液を待機ポッド６に向かって吐出することができる。これにより、プリディスペンス工程の後の第１液処理工程において、処理ユニット１は基板Ｗにより清浄な第１処理液を供給することができる。
【0124】
導電率が高いほど電位印加時間を短く設定すれば、第１処理液の導電率が高い場合、プリディスペンス工程においてノズル３から吐出される第１処理液の総量は比較的に小さくなる。このため、古い第１処理液を十分に吐出できなくなるおそれがある。一方、第１処理液の導電率が低い場合、第１処理液の総量は比較的に大きくなる。このため、第１処理液の消費量の増加を招き得る。
【0125】
そこで、プリディスペンス工程における第１処理液の流量を第１処理液の導電率に基づいて設定することが考えられる。具体的には、第１処理液の導電率が高いほど、第１処理液の流量を大きく設定することが考えらえる。ただし、第１処理液の流量は、第１処理液と供給管３２の内壁との摩擦帯電および第１処理液とノズル３の内壁との摩擦帯電に影響するので、以下では、流量による摩擦帯電への影響についても考察する。
【0126】
さて、第１処理液の流量が大きいほど、第１処理液と供給管３２の内壁との摩擦帯電、および、第１処理液とノズル３の内壁との摩擦帯電が大きくなる、と考えられる。逆に言えば、流量が小さいほど、摩擦帯電は小さくなる、と考えられる。また、摩擦帯電は第１処理液の導電率が低いほど発生しやすいと考えられる。
【0127】
このため、第１処理液の導電率が高い場合には、第１処理液の流量を大きくしても、摩擦帯電の影響は比較的に小さい。つまり、導電率という観点では、摩擦帯電が生じにくいので、その分、第１処理液の流量を大きく設定することができる。このため、第１処理液の導電率が高いほど、第１処理液の流量を大きく設定しても、第１処理液の電位を十分に所定電位に近づけることができる。逆に言えば、第１処理液の導電率が低いほど、第１処理液の流量を小さく設定することができる。つまり、導電率という観点では、摩擦帯電が生じやすいので、流量を小さくして、摩擦帯電の発生を抑制する。
【0128】
以上のように、摩擦帯電という観点でも、導電率が高いほど、流量を大きく設定するとよい。逆に言えば、導電率が低いほど、流量を小さく設定するとよい。要するに、第１処理液の電位を十分に所定電位に近づけ、かつ、古い第１処理液を十分に排出するという条件を満たす限りにおいて、導電率が低いほど流量を小さく設定する。
【0129】
プリディスペンス工程における流量を示すデータはデータＤ１に含まれていてもよい。つまり、導電率に応じた流量を示すデータも記憶部９４に記憶されてもよい。例えば制御部９０は、不図示のユーザインターフェースに対するユーザの入力に応答して、流量を含むデータＤ１を生成してもよい。あるいは、制御部９０は、不図示の通信インターフェースを通じて外部装置から、流量を含むデータＤ１を受信してもよい。
【0130】
制御部９０はプリディスペンス工程において、データＤ１に基づいて流量調整バルブ３４を制御して、第１処理液の導電率が高いほど第１処理液の流量を大きく調整する。これによれば、導電率が高い場合には、第１処理液の電位を所定電位に適切に近づけ、かつ、古い第１処理液を十分に待機ポッド６に向かって吐出しつつも、プリディスペンス工程の所要時間を短縮することができる。一方、導電率が低い場合には、第１処理液の電位を適切に所定電位に近づけつつ、かつ、古い第１処理液を十分に待機ポッド６に向かって吐出させることができる。したがって、処理ユニット１は、次の第１液処理工程の初期から、所定電位に近い電位を有し、かつ、清浄な第１処理液を基板Ｗに供給することができる。
【0131】
＜別例＞
上述の例では、導電部材４４に印加する所定電位として接地電位を適用した。しかしながら、必ずしもこれに限らない。基板Ｗの主面が帯電しているときには、所定電位として基板Ｗの主面の電位と同じ電位を適用してもよい。この場合、導電部材４４は、可変の電圧を出力可能な電位出力部（例えばスイッチング電源）に接続される。所定電位は事前に設定されてもよいし、基板Ｗの主面の電位を測定する表面電位計をチャンバ１０内に設け、制御部９０が該表面電位計の測定結果に基づいて電位出力部を制御してもよい。
上述の例では、導電部材４４に印加する所定電位として接地電位を適用した。しかしながら、必ずしもこれに限らない。基板Ｗの主面が帯電しているときには、所定電位として基板Ｗの主面の電位と同じ電位を適用してもよい。この場合、導電部材４４は、可変の電圧を出力可能な電位出力部（例えばスイッチング電源）に接続される。所定電位は事前に設定されてもよいし、基板Ｗの主面の電位を測定する表面電位計をチャンバ１０内に設け、制御部９０が該表面電位計の測定結果に基づいて電位出力部を制御してもよい。
【0132】
また、上述の例では、導電部材４４は内周部４４１、外周部４４２および連結部４４３を含んでいるものの、導電部材４４は外周部４４２のみを有していてもよい。この場合、処理液が導電部材４４を横切れば、導電部材４４の電位に応じて絶縁部材４２１の内周面に電荷が集まるので、処理液の電位を所定電位に近づけることができる。もちろん、導電部材４４が内周部４４１を含み、内周部４４１に所定電位が印加されることにより、処理液の電位をより所定電位に近づけることができる。
【0133】
以上のように、基板処理装置１００および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において例示であって、基板処理装置１００および基板処理方法がこれ限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記の各実施形態、および、上記の各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【0134】
２ 基板保持部
３ ノズル
３２ 供給管
３３，３３ｂ 第１バルブ
３３ａ 第１バルブ、最終バルブ
３４，３４ｂ 流量調整バルブ
４２ 分岐管
４３ 第２バルブ
４４ 導電部材
Ｗ 基板
３ ノズル
３２ 供給管
３３，３３ｂ 第１バルブ
３３ａ 第１バルブ、最終バルブ
３４，３４ｂ 流量調整バルブ
４２ 分岐管
４３ 第２バルブ
４４ 導電部材
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】