特開 2024-158890 表示装置及び表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024158890

(43)【公開日】2024-11-08

(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/122 20230101AFI20241031BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20241031BHJP

   H10K 50/826 20230101ALI20241031BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20241031BHJP

   H10K 71/20 20230101ALI20241031BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241031BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20241031BHJP

【ＦＩ】

H10K59/122

H10K50/10

H10K50/826

H10K50/844

H10K71/20

G09F9/30 348A

G09F9/30 339Z

G09F9/30 365

G09F9/00 338

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023074508

(22)【出願日】2023-04-28

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】河村 真一

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107CC33

3K107CC45

3K107DD24

3K107DD46X

3K107DD89

3K107EE48

3K107FF15

3K107GG12

5C094AA37

5C094BA27

5C094DA07

5C094DA13

5C094EA04

5C094EA05

5C094EA07

5C094EC04

5C094FA02

5C094JA01

5C094JA08

5G435AA14

5G435BB05

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】表示特性の劣化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の映像方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る表示装置は、下電極と、下電極の第１部分を覆い、下電極の第２部分と重なる画素開口を有するリブと、リブ上に配置されたボトム部と、ボトム部の上に配置された軸部と、当該軸部の上に配置され、当該軸部の側面から突出したトップ部とを含む隔壁と、画素開口を通じて下電極を覆う有機層と、有機層を覆い、ボトム部に接触した上電極とを備える。下電極の第１部分の厚さは、下電極の第２部分の厚さと異なる。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下電極と、
前記下電極の第１部分を覆い、当該下電極の第２部分と重なる画素開口を有するリブと、
前記リブ上に配置されたボトム部と、当該ボトム部の上に配置された軸部と、当該軸部の上に配置され、当該軸部の側面から突出したトップ部とを含む隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆う有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と
を備え、
前記下電極の第１部分の厚さは、当該下電極の第２部分の厚さと異なる
表示装置。

【請求項2】

前記下電極の第１部分の厚さは、当該下電極の第２部分の厚さよりも厚い請求項１記載の表示装置。

【請求項3】

前記下電極は、前記有機層の側に導電性酸化物層が配置された積層構造を有し、
前記下電極の第１部分の前記導電性酸化物層の厚さは、前記下電極の第２部分の前記導電性酸化物層の厚さよりも厚く、
前記下電極の第１部分の前記導電性酸化物層以外の層の厚さは、前記下電極の第２部分の前記導電性酸化物層以外の層の厚さと同一である
請求項２記載の表示装置。

【請求項4】

前記下電極の第２部分の厚さは一定である請求項２記載の表示装置。

【請求項5】

前記下電極の第２部分の前記リブに近い部分の厚さは、当該下電極の第２部分の前記リブから離れた部分の厚さよりも厚い請求項２記載の表示装置。

【請求項6】

前記下電極の第２部分のうちの厚さが最も薄い部分の幅は、前記画素開口の幅よりも短い請求項５記載の表示装置。

【請求項7】

前記下電極の第１部分の厚さは一定である請求項２記載の表示装置。

【請求項8】

前記画素開口を形成する前記リブの端部は、前記下電極と接触する請求項２記載の表示装置。

【請求項9】

前記上電極を覆うキャップ層を更に備える請求項１～８のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項10】

前記キャップ層及び前記隔壁を連続的に覆う封止層を更に備える請求項９記載の表示装置。

【請求項11】

下電極を形成し、
前記下電極の第１部分を覆い、当該下電極の第２部分と重なる画素開口を有するリブを形成し、
前記下電極に作用する薬液を用いて当該下電極の第２部分の表層を除去する
表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記薬液は、酸性の溶液である請求項１１記載の表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記薬液は、アルカリ性の溶液である請求項１１記載の表示装置の製造方法。

【請求項14】

ボトム部と、当該ボトム部の上に位置する軸部と、当該軸部の上に位置するトップ部とを含む隔壁を前記リブの上に形成する請求項１１～１３のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。

【請求項15】

前記画素開口を通じて前記下電極を覆う有機層を形成し、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触する上電極を形成する
請求項１４記載の表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記上電極を覆うキャップ層を形成する請求項１５記載の表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記キャップ層及び前記隔壁を連続的に覆う封止層を形成する請求項１６記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。

【0003】

上記した表示装置を製造する過程において、当該表示装置における表示特性が劣化する可能性がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【特許文献8】特開２０１３－２１３７３３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

そこで、本発明が解決しようとする課題は、表示特性の劣化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極の第１部分を覆い、当該下電極の第２部分と重なる画素開口を有するリブと、前記リブ上に配置されたボトム部と、当該ボトム部の上に配置された軸部と、当該軸部の上に配置され、当該軸部の側面から突出したトップ部とを含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆う有機層と、前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極とを備える。前記下電極の第１部分の厚さは、当該下電極の第２部分の厚さと異なる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態に係る表示装置の構成例を示す図。

【図2】副画素のレイアウトの一例を示す概略的な平面図。

【図3】図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置の概略的な断面図。

【図4】隔壁に適用し得る構成の一例を示す概略的な断面図。

【図5】表示装置の製造方法の一例を示すフローチャート。

【図6】リブ及び隔壁を形成するための工程の一例を示す概略的な断面図。

【図7】図６に続く工程を示す概略的な断面図。

【図8】図７に続く工程を示す概略的な断面図。

【図9】図８に続く工程を示す概略的な断面図。

【図10】図９に続く工程を示す概略的な断面図。

【図11】図１０に続く工程を示す概略的な断面図。

【図12】表示素子を形成するための工程の一例を示す概略的な断面図。

【図13】図１２に続く工程を示す概略的な断面図。

【図14】図１３に続く工程を示す概略的な断面図。

【図15】図１４に続く工程を示す概略的な断面図。

【図16】図１５に続く工程を示す概略的な断面図。

【図17】図１６に続く工程を示す概略的な断面図。

【図18】薬液処理について説明するための図。

【図19】薬液処理が実施された後の画素開口の端部を含む概略的な断面図。

【図20】薬液処理が実施された後の画素開口の端部を含む概略的な断面図。

【図21】表示装置の製造方法の他の例を示すフローチャート。

【発明を実施するための形態】

【0008】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0010】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。

【0011】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形または楕円形等の他の形状であってもよい。

【0013】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２及び赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３とともに、白色等の他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。また、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに代えて、他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0014】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0015】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0016】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。

【0017】

図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２に示す例においては、副画素ＳＰ２及びＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。更に、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３とが第２方向Ｙに並んでいる。

【0018】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列と、副画素ＳＰ２及びＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトは図２に示す例に限られない。

【0019】

表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を有している。図２に示す例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。

【0020】

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間に配置されている。また、第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２及びＡＰ３の間に配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１及びＡＰ２の間に配置されている。また、第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１及びＡＰ３の間に配置されている。

【0021】

図２に示す例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として画素開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を囲う格子状となっている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0022】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。

【0023】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１、ＤＥ２及びＤＥ３は、後述するキャップ層を更に含んでもよい。リブ５及び隔壁６は、これら表示素子ＤＥ１、ＤＥ２及びＤＥ３の各々を囲っている。

【0024】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１を参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。図２に示す例においては、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３が全体的にリブ５及び隔壁６と重なっているが、この例に限られない。

【0025】

図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ及び電源線ＰＬ等の各種回路や配線を含む。

【0026】

回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３は絶縁層１２に設けられている。

【0027】

下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３との上に配置されている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

【0028】

隔壁６は、リブ５の上に配置されたボトム部６１と、ボトム部６１の上に配置された軸部６２と、軸部６２の上に配置されたトップ部６３とを備えている。トップ部６３は、軸部６２よりも大きい幅を有している。これにより、図３においてはトップ部６３の両端部が軸部６２の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0029】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

【0030】

図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。

【0031】

以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１及びキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２及びキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３及びキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶ。

【0032】

薄膜ＦＬ１の一部は、トップ部６３の上に位置している。この薄膜ＦＬ１の一部は、当該薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。更に、薄膜ＦＬ３の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

【0033】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３には、封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬ１及び副画素ＳＰ１の周囲の隔壁を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬ２及び副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、薄膜ＦＬ３及び副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

【0034】

図３に示す例においては、副画素ＳＰ１及びＳＰ２の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１及び封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ２及び封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１及びＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１及び封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３及び封止層ＳＥ３と離間している。

【0035】

封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３及び１５と封止層１４とは、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。

【0036】

偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラス等のカバー部材が樹脂層１５の上方に更に配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｋｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）等の接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。

【0037】

絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５、封止層１４、ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）等の無機絶縁材料で形成することができる。リブ５、封止層１４、ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３は、いずれかの無機絶縁材料の単層構造を有してもよいし、２種類以上の無機絶縁材料の層が重ねられた積層構造を有してもよい。リブ５、封止層１４、ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３をそれぞれ形成する無機絶縁材料は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４、ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。

【0038】

樹脂層１３及び１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面及び下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電性酸化物で形成することができる。

【0039】

上電極ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ）等の金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３はカソードに相当する。

【0040】

有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。

【0041】

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３の少なくとも１つは省略されてもよい。

【0042】

本実施形態において、ボトム部６１は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）またはモリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）で形成されている。軸部６２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成することができる。軸部６２は、アルミニウム合金で形成されてもよい。アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）及びアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）等を用い得る。軸部６２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の単層構造を有していてもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有していてもよい。また、軸部６２は、シリコン窒化物、シリコン酸化物及びシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料で形成された層を含んでもよい。

【0043】

トップ部６３は、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金、モリブデン－ニオブ合金、ＩＴＯ及びＩＺＯのような導電性の材料で形成することができる。トップ部６３は、これらのいずれかの材料の単層構造を有していてもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有していてもよい。また、トップ部６３は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物及びシリコンさん窒化物のような絶縁性の材料で形成された層を含んでもよい。

【0044】

上電極ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３は、ボトム部６１に接触している。ボトム部６１には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３には、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0045】

有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

【0046】

他の例として、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0047】

図４は、隔壁６に適用し得る構成の一例を示す概略的な断面図である。ここでは、隔壁６のうち副画素ＳＰ１及びＳＰ２の間に位置する部分を例示する。隔壁６のうち副画素ＳＰ１及びＳＰ３の間に位置する部分と、副画素ＳＰ２及びＳＰ３の間に位置する部分とについても図４と同様の構造を適用し得る。

【0048】

図４に示す例において、ボトム部６１及び軸部６２は、単層構造を有している。また、トップ部６３は、第１トップ層６３１と、第１トップ層６３１の上に配置された第２トップ層６３２とを有している。第１トップ層６３１及び第２トップ層６３２の材料は、トップ部６３の材料として上述したものから適宜に選定し得る。ボトム部６１及びトップ部６３は、軸部６２よりも薄く形成されている。

【0049】

ボトム部６１は、副画素ＳＰ１側の側面Ｆ１１と、副画素ＳＰ２側の側面Ｆ１２とを有している。軸部６２は、副画素ＳＰ１側の側面Ｆ２１と、副画素ＳＰ２側の側面Ｆ２２とを有している。

【0050】

図４に示す例においては、側面Ｆ１１及びＦ１２が揃っており、段差のない平面を形成している。同様に、側面Ｆ１２及びＦ２２が揃っており、段差のない平面を形成している。他の観点からいうと、図４においては、ボトム部６１の幅と軸部６２の幅が同等である例が示されている。

【0051】

他の例として、側面Ｆ１１が側面Ｆ２１に対してわずかに後退していてもよい。また、側面Ｆ１１が側面Ｆ２１に対して突出していてもよい。同様に、側面Ｆ１２が側面Ｆ２２に対してわずかに後退していてもよい。また、側面Ｆ１２が側面Ｆ２２に対して突出していてもよい。また、図４においては側面Ｆ１１、Ｆ１２、Ｆ２１及びＦ２２が第３方向Ｚと平行であるが、この例に限られない。例えば、側面Ｆ１１、Ｆ１２、Ｆ２１及びＦ２２は、ボトム部６１及び軸部６２の幅がトップ部６３に近づくにつれて狭まるように傾斜していてもよい。

【0052】

トップ部６３は、側面Ｆ２１及びＦ２２から突出している。具体的には、トップ部６３は、側面Ｆ２１から突出する端部Ｅ１と、側面Ｆ２２から突出する端部Ｅ２とを有している。

【0053】

有機層ＯＲ１は、側面Ｆ１１及びＦ２１と離間している。上電極ＵＥ１は、側面Ｆ１１の少なくとも一部に接触している。図４に示す例においては、上電極ＵＥ１が側面Ｆ１１の全体を覆うとともに、側面Ｆ２１の一部にも接触している。この例に限られず、上電極ＵＥ１が側面Ｆ２１に接触しなくてもよい。

【0054】

同様に、有機層ＯＲ２は、側面Ｆ１２及びＦ２２と離間している。上電極ＵＥ２は、側面Ｆ１２の少なくとも一部に接触している。図４に示す例においては、上電極ＵＥ２が側面Ｆ１２の全体を覆うとともに、側面Ｆ２２の一部にも接触している。この例に限られず、上電極ＵＥ２が側面Ｆ２２に接触しなくてもよい。

【0055】

封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬ１を覆うとともに、側面Ｆ２１のうち上電極ＵＥ１で覆われていない部分及び端部Ｅ１の下面を覆っている。同様に、封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬ２を覆うとともに、側面Ｆ２２のうち上電極ＵＥ２で覆われていない部分及び端部Ｅ２の下面を覆っている。

【0056】

なお、図４に示す隔壁６の構成は一例に過ぎない。ボトム部６１及び軸部６２は、２層以上の積層構造を有していてもよい。また、トップ部６３は、単層構造を有していてもよいし、３層以上の積層構造を有していてもよい。

【0057】

続いて、隔壁６が図４に示す構成を有する場合を例に、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは一例として、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、ボトム部６１が窒化チタンで形成され、軸部６２がアルミニウムで形成され、第１トップ層６３１がチタンで形成され、第２トップ層６３２がＩＴＯを形成され、封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている場合を想定する。

【0058】

図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。表示装置ＤＳＰの製造においては、まず基板１０の上に回路層１１、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。更に、リブ５及び隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。

【0059】

図６～図１１は、リブ５及び隔壁６を形成するための工程ＰＲ２の一例を示す概略的な断面図である。これらの図においては、基板１０、回路層１１及び絶縁層１２を省略している。

【0060】

工程ＰＲ２においては、図６に示すように、リブ５に加工するための絶縁層５ａが形成され、ボトム部６１に加工するための第１層Ｌ１が絶縁層５ａの上に形成され、軸部６２に加工するための第２層Ｌ２が第１層Ｌ１の上に形成され、トップ部６３に加工するための第３層Ｌ３が第２層Ｌ２の上に形成される。更に、隔壁６の平面形状にパターニングされたレジストＲ１が第３層Ｌ３の上に形成される。第３層Ｌ３は、第１トップ層６３１ａと、第１トップ層６３１ａを覆う第２トップ層６３２ａとを含む。

【0061】

本実施形態において、絶縁層５ａはシリコン酸窒化物からなり、当該絶縁層５ａの厚さは例えば４００ｎｍである。第１層Ｌ１は窒化チタンからなり、当該第１層Ｌ１の厚さは例えば２０ｎｍである。第２層Ｌ２はアルミニウムからなり、当該第２層Ｌ２の厚さは例えば８００ｎｍである。第１トップ層６３１ａはチタンからなり、当該第１トップ層６３１ａの厚さは例えば１００ｎｍである。第２トップ層６３２ａはＩＴＯからなり、当該第２トップ層６３２ａの厚さは例えば５０ｎｍである。

【0062】

なお、絶縁層５ａは、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）によって形成される。また、第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、第１トップ層６３１ａ及び第２トップ層６３２ａは、例えばスパッタリング法によって形成される。

【0063】

続いて、図７に示すように、第２トップ層６３２ａのうちレジストＲ１から露出した部分がウェットエッチングにより除去される。更に、第１トップ層６３１ａのうちレジストＲ１から露出した部分が異方性のドライエッチングにより除去される。これらのエッチングにより、第１トップ層６３１及び第２トップ層６３２を含むトップ部６３が形成される。

【0064】

上記した異方性のドライエッチングにおいては、第２層Ｌ２のうちレジストＲ１及びトップ部６３から露出した部分の厚さも低減される。この例に限られず、第２層Ｌ２のうちレジストＲ１から露出した部分が全て除去されてもよい。また、図７に示すような第１トップ層６３１ａ及び第２層Ｌ２の加工が異なるエッチングにより行われてもよい。

【0065】

図７の工程の後、図８に示すように、等方性のウェットエッチングにより第２層Ｌ２が加工される。このウェットエッチングにおいては、第２層Ｌ２のうち図７の工程で厚さが低減された部分が除去される。更に、トップ部６３の下方に残された第２層Ｌ２の幅がトップ部６３の幅よりも低減される。これにより、軸部６２が形成される。

【0066】

図８の工程の後、図９に示すように、第１層Ｌ１のうち軸部６２から露出した部分がドライエッチングにより除去される。これにより、ボトム部６１が形成される。以上の図６～図９の工程にて隔壁６が形成された後、レジストＲ１が除去される。

【0067】

次に、図１０に示すように、リブ５の平面形状にパターニングされたレジストＲ２が配置される。更に、図１１に示すように、絶縁層５ａのうちレジストＲ２から露出した部分がドライエッチングにより除去される。これにより、画素開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を有するリブ５が形成される。このドライエッチングの後、レジストＲ２が除去される。

【0068】

なお、図６～図１１に示す例においては、隔壁６が形成された後にリブ５の画素開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３が形成されるものとして説明したが、他の例として、リブ５の画素開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。また、ここで例示したウェットエッチングやドライエッチング等の第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、第３層Ｌ３及びリブ５を加工するための工程は、これらを形成する材料に応じて適宜変更されても構わない。

【0069】

また、図示されていないが、例えば周辺領域ＳＡにおけるリブ５には、例えばボトム部６１に共通電圧を供給する（つまり、ボトム部６１をバックプレーンと接続させる）ためのコンタクトホール等が形成される。

【0070】

ところで、上記したように絶縁層５ａのうちレジストＲ２から露出した部分がドライエッチングにより除去されてリブ５が形成される場合、画素開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３と重なる下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３の表面がドライエッチングに晒されるため、下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３の表面が損傷（ダメージ）を受ける可能性がある。

【0071】

このような下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３の表面が受ける損傷（ダメージ）は、当該下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３の表面特性に影響を与え、表示装置ＤＳＰにおける表示特性に影響を与え得る。

【0072】

このため、本実施形態においては、工程ＰＲ２の後に、上記した下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３の表面が受ける損傷（ダメージ）が、表示装置ＤＳＰにおける表示特性に与える影響を緩和するための薬液処理が実施される（工程ＰＲ３）。なお、工程ＰＲ３における薬液処理については後述する。

【0073】

上記したようにリブ５及び隔壁６が形成され、薬液処理が実施された場合、表示素子ＤＥ１、ＤＥ２及びＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１、ＤＥ２及びＤＥ３が形成される順序はこの例に限られない。

【0074】

図１２～図１７は、表示素子ＤＥ１、ＤＥ２及びＤＥ３を形成するための工程の一例を示す概略的な断面図である。表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、まず図１２に示すように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆う有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆うとともにボトム部６１に接触する上電極ＵＥ１、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ１がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ４）。

【0075】

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１及びキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２及びＳＰ３と隔壁６との上にも配置されている。薄膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ１は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ１及び隔壁６を連続的に覆っている。

【0076】

工程ＰＲ４の後、薄膜ＦＬ１及び封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ５）。このパターニングにおいては、図１３に示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ３が配置される。レジストＲ３は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部の上方に位置している。

【0077】

その後、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、図１４に示すように薄膜ＦＬ１及び封止層ＳＥ１のうちレジストＲ３から露出した部分が除去される。例えば、このエッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１に対して順に行われるウェットエッチングまたはドライエッチングを含む。具体的には、例えば、封止層ＳＥ１がドライエッチングによって除去され、キャップ層ＣＰ１（多層体）がウェットエッチング及びドライエッチングによって除去され、上電極ＵＥ１がウェットエッチングによって除去され、有機層ＯＲ１がドライエッチング（例えば、アッシング）によって除去される。

【0078】

図１４の工程の後、レジストＲ３が除去される。これにより、図１５に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１及び封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２及びＳＰ３に表示素子及び封止層が形成されていない基板を得ることができる。

【0079】

表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ５の後、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆う有機層ＯＲ２、当該有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２及び当該上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ６）。

【0080】

有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２及びキャップ層ＣＰ２を含む薄膜ＦＬ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ２だけでなく副画素ＳＰ１及びＳＰ３と隔壁６との上にも配置される。薄膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ２は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ２及び隔壁６を連続的に覆う。

【0081】

工程ＰＲ６の後、薄膜ＦＬ２及び封止層ＳＥ２がウェットエッチングまたはドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ７）。このパターニングの流れは、工程ＰＲ５と同様である。

【0082】

工程ＰＲ７を経ると、図１６に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１及び封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２及び封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子及び封止層が形成されていない基板を得ることができる。

【0083】

表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１及びＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ７の後、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆う有機層ＯＲ３、当該有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３及び当該上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ３及び隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ８）。

【0084】

有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３及びキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ３だけでなく副画素ＳＰ１及びＳＰ２と隔壁６との上にも配置される。薄膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ３は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ３及び隔壁６を連続的に覆う。

【0085】

工程ＰＲ８の後、薄膜ＦＬ３及び封止層ＳＥ３がウェットエッチングまたはドライエッチングよりパターニングされる（工程ＰＲ９）。このパターニングの流れは工程ＰＲ５と同様である。

【0086】

工程ＰＲ９を経ると、図１７に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１及び封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２及び封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３及び封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。

【0087】

表示素子ＤＥ１、ＤＥ２及びＤＥ３及び封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３が形成された後、図３に示す樹脂層１３、封止層１４及び樹脂層１５が順次形成される（工程ＰＲ１０）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。

【0088】

以下、図１８を参照して、上記した図５に示す工程ＰＲ３において実施される薬液処理について説明する。図１８は、図５に示す工程ＰＲ２において形成されたリブ５が有する画素開口の端部を含む概略的な断面図である。

【0089】

なお、図１８に示す画素開口ＡＰは、上記した画素開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３のうちのいずれか１つを意図している。同様に、図１８に示す下電極ＬＥは、画素開口ＡＰの下に配置される下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３のうちのいずれか１つを意図している。

【0090】

また、以下の説明では、下電極ＬＥのうちリブ５によって覆われた部分ＬＥａを第１部分ＬＥａと称し、当該下電極ＬＥのうち画素開口ＡＰ１と重なる部分ＬＥｂを第２部分ＬＥｂと称する。

【0091】

また、図１８においては、説明の便宜上、絶縁層１２、下電極ＬＥ及びリブ５のみが示されている。

【0092】

ここで、図１８に示すように、下電極ＬＥは、絶縁層１２の上に配置された第１導電性酸化物層ＬＥｃと、当該第１導電性酸化物層ＬＥｃの上に配置された反射層ＬＥｄと、当該反射層ＬＥｄの上に配置された第２導電性酸化物層ＬＥｅとを含む積層構造を有する。

【0093】

なお、第１導電性酸化物層ＬＥｃは例えばＩＴＯで形成され、反射層ＬＥｄは例えば銀で形成され、第２導電性酸化物層ＬＥｅは例えばＩＴＯで形成されている。

【0094】

この場合、下電極ＬＥは、第１導電性酸化物層ＬＥｃに加工するためのＩＴＯから構成される層、反射層ＬＥｄに加工するための銀から構成される層及び第２導電性酸化物層ＬＥｅに加工するためのＩＴＯから構成される層を順にスパッタリング法で形成した後に、レジストが形成されたこれらの層に対して順にウェットエッチングを行うことによって形成される。

【0095】

このように形成された下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂは上記したようにリブ５を形成するためのドライエッチングによって画素開口ＡＰにおいて露出するが、図１８に示すように、有機層ＯＲ１が形成される側に配置される第２導電性酸化物層ＬＥｅの表面は、当該ドライエッチングによって損傷を受ける。

【0096】

表示装置ＤＳＰは第２導電性酸化物層ＬＥｅの上に有機層を形成することによって製造されるが、当該第２導電性酸化物層ＬＥｅの表面が損傷を受けていると、当該表示装置ＤＳＰにおける表示特性が劣化することが考えられる。具体的には、第２導電性酸化物層ＬＥｅの表面における損傷は、当該第２導電性酸化物層ＬＥｅを覆う有機層における正孔（ホール）の注入効率に影響を与え、当該有機層の発光効率を低下させる可能性がある。

【0097】

このため、本実施形態においては、リブ５が形成された後に薬液処理が実施される。なお、本実施形態における薬液処理は、下電極ＬＥ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）に作用する薬液を用いて実施される。

【0098】

ここで、上記した薬液処理に用いられる薬液は、例えば酸性の溶液（以下、酸溶液と表記）を含む。酸溶液の一例は、例えばリン酸、硝酸及び酢酸を混合した混酸である。このような酸溶液を用いた薬液処理においては、当該酸溶液を第２導電性酸化物層ＬＥｅに接触させることによって当該酸溶液が第２導電性酸化物層ＬＥｅに作用し、当該第２導電性酸化物層ＬＥｅの表層（つまり、ダメージ層）を除去することができる。

【0099】

換言すれば、本実施形態における薬液処理は、下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂが損傷を受けた層を除去して、損傷を受けていない層を露出させる処理に相当する。

【0100】

なお、薬液処理（に用いられる薬液）は例えば隔壁６（ボトム部６１、軸部６２及びトップ部６３）にも影響を与える可能性があるため、当該薬液処理は、例えば図１１に示すように、隔壁６がレジストＲ２によって覆われた状態で実施されることが好ましい。

【0101】

ただし、薬液処理は、上記したレジストＲ２が除去（剥離）された後に実施されても構わない。具体的には、レジストＲ２が除去された後に実施される薬液処理によれば例えば隔壁６に含まれるトップ部６３の一部が除去される（削られる）可能性があるが、損傷を受けている第２導電性酸化物層ＬＥｅと比較して、損傷を受けていないトップ部６３が薬液処理によって除去される程度（厚み）は小さいと考えられる。更に、トップ部６３は、１５０ｎｍ程度の厚さがある。すなわち、薬液処理がトップ部６３に与える影響が小さい場合には、レジストＲ２が除去された後に薬液処理が実施される構成が採用されてもよい。更に、隔壁６に備えられる軸部６２がアルミニウムで形成されている場合において、レジストＲ２が除去された後に薬液処理を実施する場合には、当該アルミニウムに対して与える影響が小さい例えばシュウ酸を薬液に用いてもよい。また、リン酸／硝酸／酢酸の混酸を薬液に用いる場合は、リン酸比率を下げた混酸を用いてもよい。

【0102】

更に、ここでは薬液処理に用いられる薬液が酸溶液であるものとして主に説明したが、当該薬液は、アルカリ性の溶液（以下、アルカリ溶液と表記）であってもよい。また、上記した図１１に示すレジストＲ２を除去（剥離）する場合にはアミン系アルカリ剥離液を使用する場合があるが、当該アミン系アルカリ剥離液を薬液処理における薬液として用いてもよい。これによれば、レジストＲ２の除去と薬液処理（第２導電性酸化物層ＬＥｅの表層の除去）とを同時に実施することが可能となり、効率的な表示装置ＤＳＰの製造を実現することができる可能性がある。

【0103】

なお、本実施形態における薬液処理に用いられる薬液は、下電極ＬＥ及び他の構成要素を形成する材料等に応じて適宜選択され得る。

【0104】

ここで、図１９は、薬液処理が実施された後の画素開口ＡＰの端部を含む概略的な断面図である。

【0105】

上記したように薬液処理が実施された場合には、図１９に示すように、下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂと重なる第２導電性酸化物層ＬＥｅの表層が除去される。すなわち、本実施形態に係る製造方法によって製造される表示装置ＤＳＰにおいては、薬液処理によって第２導電性酸化物層ＬＥｅの表面が削られることによって、下電極ＬＥの第１部分ＬＥａの厚さＴ１が当該下電極の第２部分ＬＥｂの厚さＴ２と異なる構造となる。

【0106】

具体的には、下電極ＬＥの第１部分ＬＥａの厚さＴ１は、下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂの厚さＴ２よりも厚くなる。この場合、下電極ＬＥの第１部分ＬＥａと下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂとで第１導電性酸化物層ＬＥｃ及び反射層ＬＥｄ（つまり、第２導電性酸化物層ＬＥｅ以外の層）の厚さは同一であるが、下電極ＬＥの第１部分ＬＥａと重なる第２導電性酸化物層ＬＥｅの厚さが下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂと重なる第２導電性酸化物層ＬＥｅの厚さよりも厚くなる。

【0107】

なお、本実施形態において薬液処理によって除去される下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）の表層の厚さは、例えば３～５ｎｍ程度を想定している。すなわち、上記した図５に示す工程ＰＲ１においては、このように薬液処理によって表層が除去されることを考慮した厚みを有する下電極ＬＥ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）が形成されることが好ましい。

【0108】

ここで、図１９においては、下電極ＬＥの第１部分ＬＥａの厚さＴ１が一定であり、下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂの厚さＴ２が一定である、つまり、リブ５（画素開口ＡＰ）の端部５１と薬液処理によって下電極ＬＥ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）に形成される凹部の端部ＬＥｆとが平面視において揃っている場合について示されているが、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、例えば図２０に示すように、下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂのリブ５（画素開口ＡＰの端部）に近い部分の厚さが当該下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂの当該リブ５から離れた部分の厚さよりも厚くなるような構成であってもよい。換言すれば、本実施形態において下電極ＬＥに形成される凹部は、傾斜面ＬＥｇを有していてもよい。この場合、表示装置ＤＳＰは、下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂのうちの厚さが最も薄い部分の幅Ｗが画素開口ＡＰ１の幅よりも短い構成となる。

【0109】

なお、本実施形態においては下電極ＬＥの上に有機層が形成されるが、本実施形態における下電極ＬＥ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）は、少なくとも当該有機層が平面視においてリブ５の下方に入り込まないような形状に形成されるものとする。この場合、例えば下電極ＬＥの第１部分ＬＥａの厚さが一定である、または、画素開口ＡＰを形成するリブ５の端部が下電極ＬＥ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）と接触しているような構成であればよい。

【0110】

上記したように本実施形態においては、下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）を形成し、当該下電極ＬＥの第１部分ＬＥａを覆い、当該下電極のＬＥ第２部分ＬＥｂと重なる画素開口ＡＰ（ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３）を有するリブ５を形成し、当該下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂに作用する薬液を用いて当該下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）の表層を除去することによって表示装置ＤＳＰが製造される。なお、上記したように製造される表示装置ＤＳＰは、下電極ＬＥの第１部分ＬＥａの厚さＴ１が当該下電極ＬＥの第２部分ＬＥｂの厚さＴ２と異なる構造を有する。

【0111】

これにより、本実施形態においては、リブ５を形成するためのドライエッチングによって下電極ＬＥ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）が受ける損傷の影響を緩和し、表示装置ＤＳＰにける表示特性の劣化（有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３における発光効率の低下）を抑制することができる。

【0112】

なお、本実施形態における薬液処理は、薬液として酸溶液またはアルカリ溶液を用いて実施することができる。また、本実施形態における薬液処理は、リブ５を形成するために隔壁６を覆うレジストＲ２が除去される前に実施されてもよいし、当該レジストＲ２が除去された後に実施されてもよい。

【0113】

更に、本実施形態において薬液として例えばアミン系アルカリ剥離液を用いる場合には、レジストＲ２の除去（剥離）と薬液処理（下電極ＬＥの表層の除去）とを同時に実施してもよい。

【0114】

上記したように本実施形態においてはいくつかの表示装置ＤＳＰの製造方法について説明したが、これらの表示装置ＤＳＰの製造方法は、組み合わせても構わない。具体的には、例えばアミン系アルカリ剥離液を用いてレジストＲ２の除去と薬液処理とを実施した後に、酸溶液を用いて更に薬液処理を実施してもよい。このような構成によれば、表示装置ＤＳＰにおける表示特性の劣化を抑制する確実性を向上させることが可能となる。

【0115】

また、本実施形態においては、リブ５を形成するためのドライエッチングによって下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）の表面が損傷を受けることを考慮して、図５に示す工程ＰＲ３において薬液処理が実施されるものとして説明したが、例えば工程ＰＲ５におけるパターニングにおいて行われるエッチングにより、画素開口ＡＰ２及びＡＰ３と重なる下電極ＬＥ２及びＬＥ３の表面が損傷を受ける可能性がある。更に、図５に示す工程ＰＲ７におけるパターニングにおいて行われるエッチングにより、画素開口ＡＰ３と重なる下電極ＬＥ３の表面が損傷を受ける可能性がある。

【0116】

このため、本実施形態においては、例えば図２１に示す表示装置ＤＳＰの製造方法が適用されてもよい。詳しい説明については省略するが、図２１に示す工程ＰＲ１０１～ＰＲ１０５、ＰＲ１０７、ＰＲ１０８、ＰＲ１１０～ＰＲ１１２は、図５に示す工程ＰＲ１～ＰＲ１０に相当する。すなわち、図２１においては、図５に示す工程ＰＲ５に相当する工程ＰＲ１０５の後の工程ＰＲ１０６において薬液処理を更に実施するとともに、図５に示す工程ＰＲ７に相当する工程ＰＲ１０８の後の工程ＰＲ１０９において薬液処理を更に実施する表示装置ＤＳＰの製造方法が示されている。

【0117】

なお、このように表示装置ＤＳＰの製造工程において複数回実施される薬液処理は、同一の処理であってもよいし、それぞれ異なる処理であってもよい。具体的には、例えば図２１に示す工程ＰＲ１０３においてリン酸、硝酸及び酢酸を混合した混酸を用いた薬液処理を実施し、工程ＰＲ１０６及びＰＲ１０９においてアミン系アルカリ剥離液を用いた薬液処理を実施してもよい。更に、工程ＰＲ１０３においてはレジストＲ２が除去される前に薬液処理を実施し、工程ＰＲ１０６及びＰＲ１０９においてはレジストＲ３が除去された後に薬液処理を実施するようにてもよい。

【0118】

また、図２１においては薬液処理が複数回実施されるが、当該薬液処理のうちの一部が省略されるような構成であってもよい。

【0119】

なお、本実施形態は、表示装置ＤＳＰの表示特性の劣化を抑制するために、薬液処理で下電極ＬＥ（第２導電性酸化物層ＬＥｅ）の表層を除去する構成であればよく、本実施形態において説明した表示装置ＤＳＰの製造方法の少なくとも一部が変更されても構わない。

【0120】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及び表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0121】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0122】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0123】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＡＰ，ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…画素開口、ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＬＥａ…第１部分、ＬＥｂ…第２部分、ＬＥｃ…第１導電性酸化物層、ＬＥｄ…反射層、ＬＥｅ…第２導電性酸化物層、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、５…リブ、６…隔壁、６１…ボトム部、６２…軸部、６３…トップ部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】