特開 2024-159016 光学装置及び光学装置の汚染防止方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024159016

(43)【公開日】2024-11-08

(54)【発明の名称】光学装置及び光学装置の汚染防止方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20241031BHJP

   G02B 5/10 20060101ALI20241031BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 503

G02B5/10

【審査請求】有

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023074735

(22)【出願日】2023-04-28

(71)【出願人】

【識別番号】000115902

【氏名又は名称】レーザーテック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】権平 皓

(72)【発明者】

【氏名】井上 雅貴

(72)【発明者】

【氏名】楠瀬 治彦

【テーマコード（参考）】

2H042

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H042DA01

2H042DA08

2H042DD04

2H042DD05

2H042DD07

2H197BA11

2H197CA01

2H197CA10

2H197DA09

2H197FA02

2H197FA03

2H197FB05

2H197GA01

2H197GA16

2H197GA20

2H197GA24

2H197JA07

(57)【要約】

【課題】より効果的に汚染を防止することができる光学装置及びその汚染防止方法を提供する。
【解決手段】本実施形態にかかる光学装置は、ＥＵＶ光を含む照射光Ｌ１１を生成する光源２１０と、照射光Ｌ１１が照射される対象物が配置された光学系チャンバ１００と、照射光Ｌ１１を導くために光学系チャンバ１００内に設けられた落とし込みミラー１３と、光学系チャンバ１００内にアルゴンを導入する導入部５００と、光学系チャンバ１００内の落とし込みミラー１３に負電圧を与える電源５２と、落とし込みミラー１３に流れるイオン電流を計測する電流計５１と、電流計５１の計測結果に応じて、アルゴンの導入量を制御する制御部５３と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＥＵＶ光を含む光を生成する光源と、
前記光が照射される対象物が配置されたチャンバと、
前記光を導くために前記チャンバ内に設けられた光学素子と、
前記チャンバ内にアルゴンを導入する導入部と、
前記チャンバ内の前記光学素子に負電圧を与える電源と、
前記光学素子に流れるイオン電流を計測する電流計と、
前記電流計の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御する制御部と、
を備えた光学装置。

【請求項2】

前記チャンバ内に導入される前記アルゴンは、アルゴンガスを含み、
前記導入部は、前記チャンバに接続された導入配管を備え、
前記制御部は、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンガスの流量を制御し、
前記チャンバ内に導かれた前記ＥＵＶ光は、前記アルゴンガスをアルゴンプラズマにプラズマ化させる、
請求項１に記載の光学装置。

【請求項3】

前記導入部は、
アルゴンプラズマを発生させるリモートプラズマ発生装置と、
前記リモートプラズマ発生装置と前記チャンバとの間に設けられた導入配管と、
前記導入配管に設けられた可変コンダクタンスバルブと、
を備え、
前記制御部は、前記可変コンダクタンスバルブのコンダクタンスを制御することにより、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンプラズマの流量を制御する、
請求項１に記載の光学装置。

【請求項4】

前記導入配管を冷却する冷却機構が設けられた、
請求項３に記載の光学装置。

【請求項5】

前記対象物がペリクルを有するＥＵＶマスクである、
請求項１に記載の光学装置。

【請求項6】

前記チャンバ内に導入される前記アルゴンは、アルゴンガスを含み、
前記光源は、さらにＶＵＶ光を含む前記光を生成し、
前記チャンバ内には、前記ＶＵＶ光を反射する斜入射ミラーが設けられ、
前記斜入射ミラーで反射した前記ＶＵＶ光は、前記光学素子に入射し、
前記チャンバ内に導かれた前記ＶＵＶ光は、前記アルゴンガスをアルゴンプラズマにプラズマ化させる、
請求項１に記載の光学装置。

【請求項7】

ＥＵＶ光を含む光を生成する光源と、
前記光が照射される対象物が配置されたチャンバと、
前記光を導くために前記チャンバ内に設けられた光学素子と、
を備えた光学装置の汚染防止方法であって、
前記チャンバ内にアルゴンを導入するステップと、
前記チャンバ内の前記光学素子に負電圧を与えるステップと、
前記光学素子に流れるイオン電流を計測するステップと、
前記イオン電流の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御するステップと、
を備えた光学装置の汚染防止方法。

【請求項8】

前記チャンバに導入配管が接続され、
前記チャンバ内にアルゴンを導入するステップにおいて、
前記チャンバ内に導入される前記アルゴンは、アルゴンガスを含み、
前記イオン電流の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御するステップにおいて、
前記計測結果に応じて、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンガスの流量を制御し、
前記チャンバ内に導かれた前記ＥＵＶ光は、前記アルゴンガスをアルゴンプラズマにプラズマ化する、
請求項７に記載の光学装置の汚染防止方法。

【請求項9】

前記光学装置は、
アルゴンプラズマを発生させるリモートプラズマ発生装置と、
前記リモートプラズマ発生装置と前記チャンバとの間に設けられた導入配管と、
前記導入配管に設けられた可変コンダクタンスバルブと、
を備え、
前記チャンバ内にアルゴンを導入するステップにおいて、
前記チャンバ内に導入される前記アルゴンは、前記アルゴンプラズマを含み、
前記イオン電流の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御するステップにおいて、
前記計測結果に応じて、前記可変コンダクタンスバルブのコンダクタンスを制御することにより、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンプラズマの流量を制御する、
請求項７に記載の光学装置の汚染防止方法。

【請求項10】

前記導入配管を冷却する冷却機構が設けられた、
請求項９に記載の光学装置の汚染防止方法。

【請求項11】

前記対象物がペリクルを有するＥＵＶマスクである、
請求項７に記載の光学装置の汚染防止方法。

【請求項12】

前記光源は、さらにＶＵＶ光を含む前記光を生成し、
前記チャンバに導入配管が接続され、
前記チャンバ内には、前記ＶＵＶ光を反射する斜入射ミラーが設けられ、
前記斜入射ミラーで反射したＶＵＶ光は、前記光学素子に入射し、
前記チャンバ内にアルゴンを導入するステップにおいて、
前記チャンバ内に導入される前記アルゴンは、アルゴンガスを含み、
前記イオン電流の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御するステップにおいて、
前記計測結果に応じて、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンガスの流量を制御し、
前記チャンバ内に導かれた前記ＶＵＶ光は、前記アルゴンガスをアルゴンプラズマにプラズマ化する、
請求項７に記載の光学装置の汚染防止方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、光学装置及び光学装置の汚染防止方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）リソグラフィ装置内の汚染を低減するために、洗浄ガスによって反射光学素子を洗浄することが提案されている。特許文献１では、ＥＵＶリソグラフィ装置内に、原子状水素、水素分子、ヘリウムなどの洗浄ガスが添加されている。

【0003】

特許文献２には、光学面から汚染層を除去する方法が開示されている。特許文献２では、原子状水素を含む洗浄ガスを汚染層に接触させている。洗浄ヘッドの一つは、スパッタガスとして、ヘリウムを使用している。特許文献２の電圧発生器は、ＥＵＶ反射光学要素と洗浄ヘッドとの間に電位差を発生させ、発生させた電位差によって、洗浄ガス噴流中のヘリウムイオンを加速させている。

【0004】

特許文献３には、アルゴンプラズマ（Ａｒプラズマ）を用いて基板の酸化膜を除去する方法が開示されている。特許文献３では、フォトレジストを除去した基板に酸素フリー雰囲気でＡｒプラズマを衝突させ、自然酸化膜を除去している。

【0005】

特許文献４には、水素プラズマ又はヘリウムプラズマ（Ｈｅプラズマ）で光学素子をクリーニングすることが開示されている。特許文献４では、リモートプラズマ発生装置によって、水素プラズマ又はＨｅプラズマを発生させ、チャンバ内に導入している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特表２０１３―５０６３０８号公報

【特許文献2】特開２０１２―２５６９４４号公報

【特許文献3】特開２０１０－１９２５０３号公報

【特許文献4】特許第６８４４７９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ＥＵＶ光は、空気や窒素に吸収される。このため、ＥＵＶ光の光学系は、真空チャンバの中で運用される。その際に、光学部品表面に機構部品に用いている潤滑油や、電気配線材料等から発生した有機残留ガスが吸着する。吸着した有機残留ガスにＥＵＶ光が照射されると、有機分子が分解し、カーボンが部品表面に付着する。これによって、ミラーの反射率が低下するという問題がある。

【0008】

ミラー等の光学素子に付着したカーボン等の汚染物質を、水素プラズマ又はＨｅプラズマでクリーニングする技術はあるが、エッチングレートをより高くしてクリーニングする方法が所望されている。

【0009】

本開示は、このような問題点を鑑みてなされたものであり、光学素子の汚染をより効果的に防止することができる光学装置及びその汚染防止方法を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本実施形態の一態様にかかる光学装置は、ＥＵＶ光を含む光を生成する光源と、前記光が照射される対象物が配置されたチャンバと、前記光を導くために前記チャンバ内に設けられた光学素子と、前記チャンバ内にアルゴンを導入する導入部と、前記チャンバ内の前記光学素子に負電圧を与える電源と、前記光学素子に流れるイオン電流を計測する電流計と、前記電流計の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御する制御部と、を備える。

【0011】

上記の光学装置では、前記チャンバ内に導入される前記アルゴンは、アルゴンガスを含み、前記導入部は、前記チャンバに接続された導入配管を備え、前記制御部は、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンガスの流量を制御し、前記チャンバ内に導かれた前記ＥＵＶ光は、前記アルゴンガスをアルゴンプラズマにプラズマ化させてもよい。

【0012】

上記の光学装置では、前記導入部は、アルゴンプラズマを発生させるリモートプラズマ発生装置と、前記リモートプラズマ発生装置と前記チャンバとの間に設けられた導入配管と、前記導入配管に設けられた可変コンダクタンスバルブと、を備え、前記制御部は、前記可変コンダクタンスバルブのコンダクタンスを制御することにより、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンプラズマの流量を制御してもよい。

【0013】

上記の光学装置では、前記導入配管を冷却する冷却機構が設けられてもよい。

【0014】

上記の光学装置では、前記対象物がペリクルを有するＥＵＶマスクでもよい。

【0015】

上記の光学装置では、前記光源は、さらにＶＵＶ光を含む前記光を生成し、前記チャンバ内には、前記ＶＵＶ光を反射する斜入射ミラーが設けられ、前記斜入射ミラーで反射した前記ＶＵＶ光は、前記光学素子に入射し、前記チャンバ内に導かれた前記ＶＵＶ光は、前記アルゴンガスをアルゴンプラズマにプラズマ化させてもよい。

【0016】

本実施形態の一態様にかかる光学装置の汚染防止方法は、ＥＵＶ光を含む光を生成する光源と、前記光が照射される対象物が配置されたチャンバと、前記光を導くために前記チャンバ内に設けられた光学素子と、を備えた光学装置の汚染防止方法であって、前記チャンバ内にアルゴンを導入するステップと、前記チャンバ内の前記光学素子に負電圧を与えるステップと、前記光学素子に流れるイオン電流を計測するステップと、前記イオン電流の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御するステップと、を備える。

【0017】

上記の汚染防止方法では、前記チャンバに導入配管が接続され、前記チャンバ内にアルゴンを導入するステップにおいて、前記チャンバ内に導入される前記アルゴンは、アルゴンガスを含み、前記イオン電流の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御するステップにおいて、前記計測結果に応じて、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンガスの流量を制御し、前記チャンバ内に導かれた前記ＥＵＶ光は、前記アルゴンガスをアルゴンプラズマにプラズマ化してもよい。

【0018】

上記の汚染防止方法では、前記光学装置は、アルゴプラズマを発生させるリモートプラズマ発生装置と、前記リモートプラズマ発生装置と前記チャンバとの間に設けられた導入配管と、前記導入配管に設けられた可変コンダクタンスバルブと、を備え、前記チャンバ内にアルゴンを導入するステップにおいて、前記チャンバ内に導入される前記アルゴンは、前記アルゴンプラズマを含み、前記イオン電流の計測結果に応じて、前記アルゴンの導入量を制御するステップにおいて、前記計測結果に応じて、前記可変コンダクタンスバルブのコンダクタンスを制御することにより、前記導入配管を介して前記チャンバ内に供給される前記アルゴンプラズマの流量を制御してもよい。

【0019】

上記の汚染防止方法では、前記導入配管を冷却する冷却機構が設けられてもよい。

【0020】

上記の汚染防止方法では、前記対象物がペリクルを有するＥＵＶマスクでもよい。

【0021】

上記の汚染防止方法では、前記光源は、さらにＶＵＶ光を含む前記光を生成し、前記チャンバ内には、前記ＶＵＶ光を反射する斜入射ミラーが設けられ、前記斜入射ミラーで反射したＶＵＶ光は、前記光学素子に入射し、前記チャンバ内に導かれた前記ＶＵＶ光は、前記アルゴンガスをアルゴンプラズマにプラズマ化してもよい。

【発明の効果】

【0022】

本開示によれば、光学素子の汚染をより効果的に防止することができる光学装置及びその汚染防止方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】実施形態１に係る光学装置を例示した模式図である。

【図2】実施形態１に係る光学装置の汚染防止方法を例示したフローチャート図である。

【図3】実施形態２に係る光学装置を例示した模式図である。

【図4】実施形態３に係る光学装置を例示した模式図である。

【図5】実施形態４に係る光学装置を例示した模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。以下の説明は、本開示の好適な実施形態を示すものであって、本開示の範囲が以下の実施形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。

【0025】

（実施形態の概要）
実施形態に係る光学装置は、装置内に配置された光学素子の汚染を防止する機能を備えている。具体的には、光学装置は、Ａｒプラズマを用いて、光学素子の汚染を防止する。Ａｒプラズマの生成方法としては、以下の２つの方法があげられる。

【0026】

１．ＥＵＶ光路中へアルゴンガス（Ａｒガス）を導入する。
２．リモートプラズマ発生装置を用いる。

【0027】

まず、以下の実施形態１において、ＥＵＶ光路中へＡｒガスを導入する光学装置及び汚染防止方法を説明する。実施形態２において、リモートプラズマ発生装置を用いる光学装置及び汚染防止方法を説明する。実施形態３において、ＶＵＶ光路中にＡｒガスを導入する光学装置及び汚染防止方法を説明し、実施形態４において、Ａｒプラズマの導入配管を冷却する機構を説明する。

【0028】

（実施形態１）
実施形態１に係る光学装置を説明する。図１は、実施形態１に係る光学装置を例示した模式図である。図１に示すように、本実施形態において、光学装置は、例えば、ＥＵＶ光を用いて、ＥＵＶマスクを検査する検査装置１である。その場合は、試料４０は、ＥＵＶマスクである。試料４０となるＥＵＶマスクは、パターン付きのマスクでもよいし、パターンなしのマスクブランクスでもよい。なお、光学装置は、装置内の雰囲気を制御することができれば、検査装置１に限らず、露光装置等、他の光学装置でもよい。また、試料４０は、光の照射対象となる物であれば、ＥＵＶマスクに限らない。

【0029】

＜装置構成＞
本実施形態に係る検査装置１は、光学系チャンバ１００、光源チャンバ２００、導入部５００、電流計５１、電源５２、及び、制御部５３を備えている。

【0030】

光源チャンバ２００は、真空チャンバであり、図示しない真空ポンプに接続されている。光源チャンバ２００内には、光源２０１が配置されている。

【0031】

光源２０１は、ＥＵＶ光を含む光を生成する。ここでは、光源２０１は、照射対象である試料４０の露光波長と同じ１３．５ｎｍのＥＵＶ光を生成する。光源２０１が生成した光を照射光Ｌ１１とする。光源２０１は、例えば、放電を利用するＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）光源である。光源２０１は、ＥＵＶ光に加えて、さらに、アウトオブバンズ光であるＶＵＶ（Ｖａｃｕｕｍ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を生成してもよい。光源２０１は、ＶＵＶ光及びＥＵＶ光の少なくとも一方を含む光を生成してもよい。なお、ＶＵＶ光は、波長１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の光としてもよい。

【0032】

光学系チャンバ１００は、真空チャンバであり、図示しない真空ポンプに接続されている。光学系チャンバ１００は、光源チャンバ２００に接続されている。光源チャンバ２００と光学系チャンバ１００の内部空間が真空状態となっているため、ＥＵＶ光が真空中を伝播する。なお、光源チャンバ２００及び光学系チャンバ１００の排気は、共通の真空ポンプにより行われてもよく、別々の真空ポンプにより行われてもよい。

【0033】

光学系チャンバ１００には、光学系１０、光検出器２０、ステージ３０、及び、試料４０が配置されている。光学系１０は、光学素子を含み、ＥＵＶ光である照射光Ｌ１１を伝播する。光学系１０は、光学素子として、凹面鏡１１、凹面鏡１２、落とし込みミラー１３、及び、シュバルツシルト光学系１６を備えている。各光学素子は、照射光Ｌ１１を導くために光学系チャンバ１００内に設けられてもよい。光学系１０は、試料４０を撮像するための暗視野光学系となっている。なお、光学系１０は、試料４０を撮像するための明視野光学系でもよい。光学系チャンバ１００内には、試料４０が配置されている。試料４０は、照射光Ｌ１１が照射される対象物である。

【0034】

以下、ＥＵＶ光を導くための光学系１０について説明する。光源２０１で発生した照射光Ｌ１１は拡がりながら進む。光源２０１から発生した照射光Ｌ１１は、凹面鏡１１で反射する。凹面鏡１１は、例えば、楕円面鏡である。凹面鏡１１は、Ｍｏ膜とＳｉ膜が交互に積層された多層膜ミラーとなっており、ＥＵＶ光を反射する。凹面鏡１１で反射した照射光Ｌ１１は、絞られながら進む。照射光Ｌ１１は焦点を結んだ後、拡がりながら進む。そして、照射光Ｌ１１は凹面鏡１２で反射する。

【0035】

凹面鏡１２は、例えば、楕円面鏡である。凹面鏡１２は、Ｍｏ膜とＳｉ膜が交互に積層された多層膜ミラーとなっており、ＥＵＶ光を反射する。凹面鏡１２で反射された照射光Ｌ１１は、絞られながら進んで、落とし込みミラー１３に入射する。落とし込みミラー１３は平面鏡であり、試料４０の真上に配置されている。落とし込みミラー１３で反射した照射光Ｌ１１が試料４０に入射する。落とし込みミラー１３は、試料４０に照射光Ｌ１１を集光する。このように、試料４０の検査領域がＥＵＶ光である照射光Ｌ１１で照明される。したがって、照射光Ｌ１１が試料４０を照明する照明光となる。

【0036】

光学系チャンバ１００には、ステージ３０が設けられている。ステージ３０上には、試料４０が載置されている。ステージ３０は、ＸＹＺステージなどの駆動ステージである。ステージ３０が光軸と垂直なＸＹ平面内及び光軸と平行なＺ軸方向において移動することで、試料４０が移動する。これにより、試料４０の照明位置が変化するため、試料４０の任意の位置を観察することができる。また、試料４０が照明される検査領域を変えることができる。

【0037】

次に、試料４０からの光を検出する検出光学系について説明する。上記のように照射光Ｌ１１は試料４０の検査領域を照明している。試料４０で反射したＥＵＶ光を検出光Ｌ１２とする。試料４０で反射した検出光Ｌ１２はシュバルツシルト光学系１６に入射する。シュバルツシルト光学系１６は試料４０の上に配置された穴開き凹面鏡１４及び凸面鏡１５を備えている。

【0038】

試料４０で反射した検出光Ｌ１２は、穴開き凹面鏡１４に入射する。穴開き凹面鏡１４の中心には、穴１４ａが設けられている。穴開き凹面鏡１４で反射された検出光Ｌ１２は、凸面鏡１５に入射する。凸面鏡１５は、穴開き凹面鏡１４からの検出光Ｌ１２を穴開き凹面鏡１４の穴１４ａに向けて反射する。穴開き凹面鏡１４の穴１４ａを通過した検出光Ｌ１２は、光検出器２０に入射する。シュバルツシルト光学系１６によって、試料４０の検査領域が光検出器２０に拡大投影される。

【0039】

凸面鏡１５で反射された検出光Ｌ１２は、光検出器２０で検出される。光検出器２０は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）センサ、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）センサ、ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）センサ等の撮像装置であり、試料４０を撮像する。すなわち、光検出器２０は、試料４０の検査領域の拡大像を撮像する。

【0040】

光検出器２０で撮像された試料４０の画像は、処理装置２１に出力される。処理装置２１は、プロセッサやメモリなどを有する演算処理装置であり、試料４０の画像に基づいて、検査を行う。例えば、処理装置２１は、試料４０の画像の輝度をしきい値と比較することで欠陥検査を行う。また、処理装置２１は、ステージ３０の座標を制御している。これにより、試料４０の欠陥座標を特定することができる。そして、処理装置２１は、欠陥座標及び欠陥の画像をメモリなどに格納する。処理装置２１は、モニタに欠陥の画像等を表示する。これにより、ユーザが欠陥を確認することができる。

【0041】

電流計５１、電源５２及び制御部５３は、光学系チャンバ１００の外側に配置されている。電源５２は、光学素子に接続されている。光学素子が落とし込みミラー１３の場合には、電源５２は、落とし込みミラー１３に接続されている。電源５２は、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源であり、ＤＣ電圧を発生する。電源５２は、落とし込みミラー１３に負の直流電圧を供給する。例えば、光学系チャンバ１００が接地電位となり、落とし込みミラー１３が負電位となる。電流計５１は、電源５２と落とし込みミラー１３との間に接続されている。電流計５１は、光学素子に流れるイオン電流を計測する。光学素子が落とし込みミラー１３の場合には、電流計５１は、電源５２から落とし込みミラー１３に流れる電流を計測する。制御部５３は、電流計５１の計測結果に応じて、光学系チャンバ１００に導入されるアルゴンの導入量を制御する。

【0042】

＜汚染防止＞
次に、光学装置の汚染防止方法を説明する。光学系チャンバ１００及び光源チャンバ２００内には機構部品や電気配線材料が設けられている。機構部品に用いている潤滑油や電気配線材料などから、有機残留ガスが発生して、光学素子表面に吸着する。ＥＵＶ光が光学素子に照射されると、光学素子表面にカーボン等の汚染物質が堆積する。

【0043】

本実施形態の汚染防止方法は、Ａｒプラズマを発生させ、発生させたＡｒプラズマによって、光学素子に堆積した汚染物質をエッチングする。これにより、光学素子の汚染物質を除去する。

【0044】

光学素子のエッチングレートは、主に、以下の２つのパラメータで制御することができる。

【0045】

Ａ．Ａｒプラズマの密度
Ｂ．光学素子に印加するバイアス電圧

【0046】

まず、Ａｒプラズマの密度を制御する方法を説明する。その後、光学素子に印加するバイアス電圧を制御する方法を説明する。

【0047】

＜Ａｒプラズマの密度＞
本実施形態におけるＡｒプラズマの密度は、光学系チャンバ１００内に導入するアルゴンの流量によって制御される。本実施形態においては、光学系チャンバ１００内に導入するアルゴンは、Ａｒガスを含む。以下では、光学素子の汚染の除去として、落とし込みミラー１３の汚染を防止する例について説明する。

【0048】

図１に示すように、凹面鏡１２で反射された照射光Ｌ１１は絞られながら進む。このため、落とし込みミラー１３では、照射光Ｌ１１のスポットが小さくなる。落とし込みミラー１３において照射光Ｌ１１の光密度が高くなり、落とし込みミラー１３の汚染が促進する。したがって、本実施形態では、落とし込みミラー１３が汚染防止の対象となる光学素子としている。

【0049】

本実施形態では、光学素子の汚染を除去するために導入部５００が設けられている。導入部５００は、光学系チャンバ１００にＡｒガスを導入する。導入部５００は、ガス供給部５０１、ＭＦＣ（Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）５０２及び導入配管５０３を備えている。

【0050】

ガス供給部５０１は、ガスボンベなどを有しており、Ａｒガスを供給する。ガス供給部５０１は、導入配管５０３に接続されている。ガス供給部５０１は、Ａｒガスを導入配管５０３に供給する。

【0051】

導入配管５０３は、光学系チャンバ１００に接続されている。よって、ガス供給部５０１からのＡｒガスは、導入配管５０３を通って、光学系チャンバ１００に供給される。また、導入配管５０３には、ＭＦＣ５０２が設けられている。ＭＦＣ５０２は、ガスの流量を制御する。制御部５３は、電流計５１の計測結果に応じて、ＭＦＣ４０２に制御信号を出力する。ＭＦＣ４０２は、制御信号に基づいて、ガス流量を制御する。

【0052】

このように、制御部５３は、導入配管５０３を介して、光学系チャンバ１００内に供給されるＡｒガスの流量を制御する。光学系チャンバ１００内に導かれたＥＵＶ光は、ＡｒガスをＡｒプラズマにプラズマ化させる。例えば、落とし込みミラー１３に入射する照射光Ｌ１１は、光路上に導入されたＡｒガスを照射し、ＡｒガスをＡｒプラズマにプラズマ化させる。なお、Ａｒガスは、ＥＵＶ光を吸収する。よって、Ａｒガスの流量は、ＥＵＶ光による吸収を考慮して決定してもよい。

【0053】

＜光学素子に印加するバイアス電圧＞
次に、光学素子に印加するバイアス電圧を説明する。前述したように、ＥＵＶ光は、ＡｒガスをＡｒプラズマにプラズマ化させる。生成されたＡｒプラズマは、Ａｒイオン（Ａｒ^＋）を含み、負電圧を与えられた光学素子に向かう。したがって、光学素子に印加するバイアス電圧を変化させることで、光学素子にＡｒプラズマを衝突させるエネルギーを変えることができる。これにより、Ａｒプラズマによるエッチングレートを変化させることができる。よって、光学素子の汚染状況に応じて、バイアス電圧を変化させることで、適切なクリーニング効果を発揮させることができる。以下詳細を説明する。

【0054】

光学系チャンバ１００の内部には、落とし込みミラー１３が配置されている。光学系チャンバ１００と落とし込みミラー１３との間には直流電圧が印加されている。このため、落とし込みミラー１３の周辺には電界が発生して、生成されたＡｒプラズマが加速する。そして、Ａｒプラズマは、落とし込みミラー１３に衝突する。これにより、Ａｒプラズマは、落とし込みミラー１３の汚染をエッチングすることができる。つまり、Ａｒイオンが電界によって加速され、光学素子の表面に衝突することで、カーボンを除去することができる。よって、落とし込みミラー１３の反射率の低下を抑制することができる。

【0055】

落とし込みミラー１３に印加する負の直流電圧は、イオンの衝突によって、落とし込みミラー１３にダメージを与えないレベルにすることが好ましい。例えば、－５０Ｖ～－１００Ｖの電圧を落とし込みミラー１３に印加する。これにより、落とし込みミラー１３の表面に付着したカーボンを効果的に除去することができる。

【0056】

電流計５１は、電源５２から落とし込みミラー１３に流れる電流をモニタする。具体的には、落とし込みミラー１３にはＡｒイオンが衝突するため、落とし込みミラー１３から電源５２に電流が流れる。つまり、電流計５１は、落とし込みミラー１３に衝突したイオン電流を計測する。

【0057】

制御部５３は、電流計５１の計測結果に応じて、Ａｒガスの導入量を制御する。例えば、制御部５３は、電流計５１での計測結果に応じて、ＭＦＣ５０２の開度を制御する。制御部５３は、光学素子の表面積に応じたイオン電流になるように、目標値を設定されてもよい。制御部５３は、電流計５１が計測したイオン電流が目標値となるように、ＭＦＣ５０２をフィードバック制御する。なお、ＥＵＶ光が落とし込みミラー１３に照射されている場合に、測定電流にフォトエミッション電流が重畳されてしまう。したがって、ＥＵＶ光が落とし込みミラー１３に照射されていない状態で目標値を設定することが好ましい。

【0058】

また、試料４０の検査中に導入部５００がＡｒガスを導入することができる。つまり、試料４０の検査と並行して、汚染防止方法を実施することができる。これにより、生産性を向上することができる。

【0059】

アルゴンは、ヘリウム及び水素に比べて質量が高い。よって、Ａｒプラズマが光学素子に衝突するときのエネルギーは大きい。したがって、Ａｒプラズマによるエッチングレートは、Ｈｅプラズマ及び水素プラズマよりも高くなる。これにより、Ｈｅプラズマ及び水素プラズマを用いる方法よりも、汚染防止効果を向上させることができる。

【0060】

また、アルゴンは、ＥＵＶ光の吸収係数が高いので、試料４０を照明するＥＵＶ光を低減させる恐れがある。しかしながら、Ａｒプラズマによるエッチングレートは、上述したように高いので、Ａｒガスの圧力を低下させることができる。加えて、バイアス電圧を高くすれば、さらにＡｒガスの圧力を低下させることができる。これにより、試料４０を照明するＥＵＶ光の低減を抑制させつつ、汚染予防効果を向上させることができる。

【0061】

また、Ａｒガスは、水素及びヘリウムに比べて質量が大きいので、光源２０１から発生するデブリの飛散を抑制することができる。

【0062】

さらに、試料４０がペリクル付きＥＵＶマスクの場合には、ペリクルの破損を防ぐことができる。この理由について以下に説明する。

【0063】

ＥＵＶマスクに装着されているペリクルは非常に薄いので破れやすいが、その原因の一つにペリクルの帯電がある。ペリクルは絶縁されているため、ＥＵＶ光の照射により、光電子が放出される、ペリクルから光電子が放出されると、ペリクルはプラス電位に帯電する。高電位に帯電し静電破壊して放電した場合に放電した箇所にペリクルにダメージが入ることがある。ペリクルには引っ張り応力がかかっているので放電箇所を起点として破損が拡がることがある。また、クーロン力によってペリクルに対して過大な力が加わることによって破れることがある。

【0064】

本実施形態では、ＥＵＶ光によってＡｒプラズマが光学系チャンバ１００に生成される。光電子を放出してペリクルがプラス電位に帯電した場合に、プラズマ中の電子がペリクルに吸収されて中和することができる。この場合、ペリクルの電位は、プラズマ中の浮遊電位に抑えられるので放電を防ぐことができる。

【0065】

また、導入部５００が導入するＡｒガスは、残留ガスを光学系チャンバ１００から追い出す効果がある。

【0066】

次に、本実施形態に係る光学装置の汚染防止方法を説明する。図２は、実施形態１に係る光学装置の汚染防止方法を例示したフローチャート図である。図２に示すように、光学装置の汚染防止方法は、光学系チャンバ１００内にアルゴンを導入するステップＳ１１と、光学系チャンバ１００内の落とし込みミラー１３等の光学素子に負電圧を与えるステップＳ１２と、光学素子に流れるイオン電流を計測するステップＳ１３と、イオン電流の計測結果に応じて、アルゴンの導入量を調整するステップＳ１４と、を備えている。

【0067】

本実施形態では、ステップＳ１１のチャンバ内にアルゴンを導入するステップにおいて、光学系チャンバ１００内に導入されるアルゴンは、Ａｒガスを含む。また、ステップＳ１４のイオン電流の計測結果に応じて、アルゴンの導入量を制御するステップにおいて、計測結果に応じて、導入配管５０３を介して光学系チャンバ１００内に供給されるＡｒガスの流量を制御する。光学系チャンバ１００内に導かれたＥＵＶ光は、ＡｒガスをＡｒプラズマにプラズマ化している。

【0068】

本実施形態では、汚染防止する光学素子が落とし込みミラー１３であったが、その他の光学素子及び光学部品の汚染を防止するようにしてもよい。例えば、凹面鏡１１、凹面鏡１２、穴開き凹面鏡１４及び凸面鏡１５等の汚染を防止するようにしてもよい。この場合、汚染を防止したい光学素子に負の直流電圧を印加すればよい。なお、２つ以上の光学素子に同時に負電圧を印加してもよい。これにより、２つ以上の光学素子に対する汚染を防止することができる。

【0069】

このように、本実施形態では、導入部５００がアルゴンを光学系チャンバ１００に導入している。このようにすることで、より効果的に光学素子の汚染を防止することができる。これに対して、酸素ラジカルでカーボンを酸化して除去する場合に、高エネルギーのＥＵＶ光を照射する必要がある。つまり、光学素子表面または酸素を活性化し酸素分子をラジカルに解離する必要があった。しかしながら、光学素子表面のカーボンの膜厚に応じた光量を照射することは困難であり、除去結果に不均一性が生じやすかった。シリコン等の表面は酸素ラジカルで酸化されやすいため、堆積したカーボンが除去された後はシリコンが露出し、酸化されることで結果的に反射率の低下につながってしまうおそれがある。これに対して、本実施の形態では、アルゴンを用いているため、簡便に汚染を防止することができる。

【0070】

（実施形態２）
次に、実施形態２に係る光学装置を説明する。図３は、実施形態２に係る検査装置を例示した模式図である。図３に示すように、本実施形態の検査装置２は、導入部５００の代わりに、導入部３００が設けられている。本実施形態において、光学系チャンバ１００内に導入されるアルゴンは、Ａｒプラズマを含む。導入部３００は、ガス供給源３０１、ＭＦＣ３０２、ガス配管３０３、導入配管３０４、可変コンダクタンスバルブ３０５及びリモートプラズマ発生装置３１０を備えている。リモートプラズマ発生装置３１０は、アルゴンのリモートプラズマを発生させる。

【0071】

ガス供給源３０１は、Ａｒガスを貯留するガスボンベなどを有している。ガス供給源３０１は、ガス配管３０３を介して、リモートプラズマ発生装置３１０に接続されている。ガス供給源３０１は、Ａｒガスをリモートプラズマ発生装置３１０に供給する。ガス供給源３０１からのＡｒガスは、ガス配管３０３を介して、リモートプラズマ発生装置３１０に導入される。導入されたＡｒガスは、リモートプラズマ発生装置３１０のプラズマチャンバ３１３内に充満させる。ガス配管３０３には、ＭＦＣ３０２が設けられている。ＭＦＣ３０２は、Ａｒガスの流量を制御する。

【0072】

リモートプラズマ発生装置３１０は、コイル３１１、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１２、及び、プラズマチャンバ３１３を備えている。プラズマチャンバ３１３は、真空チャンバであり、図示しない真空ポンプに接続されている。プラズマチャンバ３１３には、ガス供給源３０１からのＡｒガスが満たされている。ＲＦ電源３１２は、コイル３１１にＲＦ電圧を供給する。これにより、コイル３１１に電流が流れるため、プラズマチャンバ３１３内に磁場が発生する。Ａｒ分子がＡｒイオン（Ａｒ^＋）と電子に電離して、プラズマ３１５が発生する。誘導結合に限らず、容量結合によりプラズマ３１５を発生させてもよい。プラズマ３１５は、ＲＦグロー放電を利用して発生させてもよい。あるいは、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマを用いてもよい。

【0073】

プラズマチャンバ３１３には、導入配管３０４が接続されている。さらに、導入配管３０４は、光学系チャンバ１００に接続されている。つまり、導入配管３０４は、リモートプラズマ発生装置３１０と、光学系チャンバ１００との間に設けられている。プラズマチャンバ３１３は、導入配管３０４を介して、光学系チャンバ１００に接続されている。プラズマチャンバ３１３で発生したプラズマ３１５が導入配管３０４を通って、光学系チャンバ１００に導入される。導入配管３０４には可変コンダクタンスバルブ３０５が設けられている。可変コンダクタンスバルブ３０５のコンダクタンス（開度）は可変となっている。

【0074】

制御部５３が、可変コンダクタンスバルブ３０５の開度を変える。制御部５３は、可変コンダクタンスバルブ３０５のコンダクタンスを制御することにより、導入配管３０４を介して光学系チャンバ１００内に供給されるＡｒプラズマの流量を制御する。例えば、可変コンダクタンスバルブ３０５のコンダクタンスを大きくすることで、プラズマの導入量が増加する。反対に、可変コンダクタンスバルブ３０５のコンダクタンスを小さくすることで、プラズマ３１５の導入が減少する。また、制御部５３は、ＲＦ電源３１２を制御してもよい。これにより、プラズマ３１５の密度を制御することができるため、プラズマ３１５の導入量を調整することができる。

【0075】

このように、導入部３００は、光学系チャンバ１００にプラズマ３１５を導入する。つまり、リモートプラズマ発生装置３１０がプラズマ３１５を発生する。電子、Ａｒイオン、Ａｒガス、ラジカルなどを含むプラズマ３１５が、光学系チャンバ１００に導入される。

【0076】

本実施形態では、リモートプラズマ発生装置３１０を有している。光学系チャンバ１００とは離れた別のプラズマチャンバ３１３において、Ａｒプラズマを発生させることができる。プラズマチャンバ３１３と光学系チャンバ１００とが導入配管３０４で接続されているため、熱的に疎な結合とすることができる。リモートプラズマ発生装置３１０の熱が光学系チャンバ１００に伝わりにくく、光学系１０の精度を高く保つことができる。

【0077】

本実施形態では、プラズマ３１５が光学系チャンバ１００に導入される。光電子を放出してペリクルがプラス電位に帯電した場合に、プラズマ中の電子がペリクルに吸収されて中和させることができる。この場合、ペリクルの電位は、プラズマ中の浮遊電位に抑えられるので放電を防ぐことができる。

【0078】

また、導入部３００が導入するＡｒは、Ａｒプラズマだけでなく、中性のＡｒ分子（Ａｒガス）であってもよい。この場合も残留ガスをチャンバから追い出す効果がある。

【0079】

なお、上記の説明では、リモートプラズマ発生装置３１０によって生成されたＡｒプラズマを用いたが、リモートプラズマ発生装置３１０によって生成されたＨｅプラズマ及び水素プラズマを用いてもよい。例えば、光学素子表面がルテニウムなどの水素ラジカル耐性の高い物質でコーティングされている場合に、水素プラズマを用いることができる。水素プラズマを用いる場合、水素は、Ｈｅ及びＡｒよりも質量が小さい。したがって、イオン衝撃効果が小さくなるため、電源５２の電圧を高くする。これにより、イオンの速度エネルギーが大きくなるため、効果的に汚染を防止することができる。

【0080】

さらに、光学系チャンバ１００に導入する水素は、水素プラズマに限らず、水素ガス、水素ラジカルなどであってもよい。もちろん、導入部３００が、ガス、プラズマ、ラジカルなどを混合して導入してもよい。つまり、導入部３００は、アルゴン、水素又はヘリウムをチャンバに導入すればよい。

【0081】

本実施形態にかかる光学装置の汚染防止方法は、前述のステップＳ１１の光学系チャンバ１００内にアルゴンを導入するステップにおいて、光学系チャンバ１００内に導入されるアルゴンは、Ａｒプラズマを含む。また、ステップＳ１４のイオン電流の計測結果に応じて、アルゴンの導入量を制御するステップにおいて、制御部５３は、計測結果に応じて、可変コンダクタンスバルブ３０５のコンダクタンスを制御することにより、導入配管３０４を介して光学系チャンバ１００内に供給されるＡｒプラズマの流量を制御する。これにより、光学素子の汚染を効果的に防止することができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態１の記載に含まれている。

【0082】

（実施形態３）
次に、実施形態３に係る光学装置を説明する。図４は、実施形態３に係る光学装置を例示した模式図である。図４に示すように、本実施形態の検査装置３は、図１の凹面鏡１１及び凹面鏡１２の代わりに、凹面鏡１８及び凹面鏡１９が設けられている。凹面鏡１８及び凹面鏡１９は、斜入射ミラーとなっている。光源２０１は、ＥＵＶ光の他、ＶＵＶ光を含む光を生成する。凹面鏡１８及び凹面鏡１９以外の構成については、図１と同様であるため、適宜説明を省略する。例えば、シュバルツシルト光学系１６については実施形態１と同じ構成となっている。

【0083】

凹面鏡１８及び凹面鏡１９は、斜入射ミラーとなっているので、凹面鏡１８の反射前と反射後の照射光Ｌ１１の光軸が直交していない。一方、実施形態１の凹面鏡１１は、照射光Ｌ１１の光軸に対して凹面鏡１１が４５度傾いているため、凹面鏡１１の反射前と反射後の照射光Ｌ１１の光軸が直交する。

【0084】

同様に凹面鏡１９の反射前と反射後の照射光Ｌ１１の光軸が直交していない。一方、実施形態１の凹面鏡１２は、照射光Ｌ１１の光軸に対して凹面鏡１２が４５度傾いているため、凹面鏡１２の反射前と反射後の照射光Ｌ１１の光軸が直交する。

【0085】

凹面鏡１８及び凹面鏡１９で反射した照射光Ｌ１１は、実施形態１と同様に、落とし込みミラー１３に入射する。落とし込みミラー１３が照射光Ｌ１１を反射することで、試料４０が照明される。よって、実施形態１と同様に、光検出器２０が試料４０を撮像することができる。

【0086】

斜入射ミラーである凹面鏡１８及び１９は、メタルミラー（金属鏡）となっている。例えば、凹面鏡１８及び１９は、Ｒｕ（ルテニウム）膜が形成されたメタルミラーである。凹面鏡１８及び１９は、メタルミラーであるため、光源２０１からのＶＵＶ光及びＥＵＶ光を反射する。つまり、ＥＵＶ光だけでなく、ＶＵＶ光も落とし込みミラー１３まで導かれる。これに対して、実施形態１では、凹面鏡１１及び凹面鏡１２は、多層膜ミラーとなっているので、ＶＵＶ光のほとんどは、落とし込みミラー１３まで導かれない。

【0087】

凹面鏡１８及び１９として斜入射ミラーを用いることで、ＶＵＶ光を落とし込みミラー１３まで導くことができる。凹面鏡１９で反射された照射光Ｌ１１は、ＥＵＶ光及びＶＵＶ光を含む。凹面鏡１９は、試料４０に照射光Ｌ１１を集光する。凹面鏡１９で反射した照射光Ｌ１１は絞られながら進むため、落とし込みミラー１３の近傍において、照射光Ｌ１１の光密度が高くなる。さらに、光学系チャンバ１００には、Ａｒガスが供給されている。

【0088】

照射光Ｌ１１に含まれるＥＵＶ光及びＶＵＶ光は、Ａｒガスに吸収される。そして、光密度の高い落とし込みミラー１３の近傍において、Ａｒガスが電離し、Ａｒプラズマが生成される。落とし込みミラー１３には、実施形態１と同様に負の直流電圧が印加されている。よって、Ａｒプラズマが、落とし込みミラー１３に衝突する。すなわち、光学系チャンバ１００内に導かれたＶＵＶ光は、ＡｒガスをＡｒプラズマにプラズマ化させる。これにより、実施形態１と同様に、汚染を防止することができる。

【0089】

なお、本実施形態では、電流計５１の計測結果に応じて、制御部５３がＭＦＣ５０２を制御する。つまり、電流計５１の計測値が目標値となるように、ＭＦＣ５０２がガス流量を制御する。これにより、光学系チャンバ１００へのアルゴンの導入量を適切に調整することができる。よって、効果的に汚染を防止することができる。

【0090】

本実施形態では、光源２０１で発生したアウトオブバンズ光であるＶＵＶ光を用いて、プラズマを発生させている。つまり、検査用の光源２０１によりＡｒプラズマを発生させることができる。よって、リモートプラズマ発生装置３１０が不要になるため、装置構成を簡素化することができる。Ａｒガスを導入する導入部５００を追加するのみでよいため、装置コストの増加を抑制することができる。

【0091】

本実施形態にかかる光学装置の汚染防止方法は、前述のステップＳ１１の光学系チャンバ１００内にアルゴンを導入するステップにおいて、光学系チャンバ１００内に導入されるアルゴンは、Ａｒプラズマを含む。また、ステップＳ１４のイオン電流の計測結果に応じて、アルゴンの導入量を制御するステップにおいて、制御部５３は、計測結果に応じて、導入配管５０３を介して光学系チャンバ１００内に供給されるＡｒガスの流量を制御する。光学系チャンバ１００内に導かれたＶＵＶ光は、ＡｒガスをＡｒプラズマにプラズマ化する。これにより、光学素子の汚染を効果的に防止することができる。

【0092】

（実施形態４）
次に、実施形態４に係る光学装置を説明する。図５は、実施形態４に係る光学装置を例示した模式図である。図５に示すように、本実施形態の検査装置４では、図３の構成に加えて、導入部３００に冷却機構３３０が追加されている。冷却機構３３０以外の構成は、実施形態２と同様であるため説明を省略する。

【0093】

冷却機構３３０は、たとえば、冷却水が流れる水冷ジャケットを有している。冷却機構３３０は、導入配管３０４に取り付けられている。なお、冷却機構３３０の取り付け位置は導入配管３０４に限らず、プラズマチャンバ３１３などであってもよい。

【0094】

冷却機構３３０は、導入配管３０４を冷却している。よって、リモートプラズマ発生装置３１０で発生する熱が光学系チャンバ１００に伝導するのを防ぐことができる。これにより、光学系チャンバ１００の温度を安定させることができる。熱膨張などにより光学系１０のずれを抑制することができ、精度の高い検査が可能となる。

【0095】

実施形態１～４の各構成は適宜組み合わせてもよい。例えば、実施形態１、２及び４において斜入射ミラーである凹面鏡１８及び１９を用いてもよい。さらに、ガスとプラズマの両方を導入するようにしてもよい。つまり、光学系チャンバ１００に導入部３００と導入部５００とを接続してもよい。

【0096】

以上、本開示の実施形態を説明したが、本開示はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態による限定は受けない。

【符号の説明】

【0097】

１、２、３、４ 検査装置
１０ 光学系
１１ 凹面鏡
１２ 凹面鏡
１３ 落とし込みミラー
１４ 穴開き凹面鏡
１４ａ 穴
１５ 凸面鏡
１６ シュバルツシルト光学系
１８ 凹面鏡
１９ 凹面鏡
２０ 光検出器
２１ 処理装置
３０ ステージ
４０ 試料
５１ 電流計
５２ 電源
５３ 制御部
１００ 光学系チャンバ
２００ 光源チャンバ
２０１ 光源
３００ 導入部
３０１ ガス供給源
３０２ ＭＦＣ
３０３ ガス配管
３０４ 導入配管
３０５ 可変コンダクタンスバルブ
３１０ リモートプラズマ発生装置
３１１ コイル
３１２ ＲＦ電源
３１３ プラズマチャンバ
３１５ プラズマ
３３０ 冷却機構
５００ 導入部
５０１ ガス供給部
５０２ ＭＦＣ
５０３ 導入配管
Ｌ１１ 照射光
Ｌ１２ 検出光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】