(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024159194
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】ボロメータ、及びボロメータ製造方法
(51)【国際特許分類】
G01J 1/02 20060101AFI20241031BHJP
H01C 7/04 20060101ALI20241031BHJP
H01C 1/142 20060101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
G01J1/02 C
H01C7/04
H01C1/142
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023075033
(22)【出願日】2023-04-28
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）令和３年度、防衛装備庁 安全保障技術研究推進制度、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】000004237
【氏名又は名称】日本電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100181135
【弁理士】
【氏名又は名称】橋本 隆史
(72)【発明者】
【氏名】小坂 眞由美
【テーマコード（参考）】
2G065
5E028
5E034
【Ｆターム（参考）】
2G065AA04
2G065AB02
2G065BA12
2G065BA40
5E028BA03
5E028BB10
5E028JC11
5E034BA09
5E034BC09
5E034DB01
(57)【要約】
【課題】検出感度の低下を抑制することができるボロメータ、及びボロメータ製造方法を提供する。
【解決手段】ボロメータは、複数の第一延伸部を備え、複数の第一延伸部が並列方向に並ぶ複数の第一内側面を有し、各第一内側面が並列方向と交差する延伸方向に延びている第一電極と、第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している第二電極と、センサ膜と接続部とを備えるセンサ部と、を備え、第一電極と、センサ膜と、第二電極とが、順に延伸方向に並び、接続部が、複数の第一内側面の間を延伸方向に延びて複数の第一内側面とセンサ膜とを繋ぎ、センサ部が、カーボンナノチューブを含む。
【選択図】図２１
【解決手段】ボロメータは、複数の第一延伸部を備え、複数の第一延伸部が並列方向に並ぶ複数の第一内側面を有し、各第一内側面が並列方向と交差する延伸方向に延びている第一電極と、第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している第二電極と、センサ膜と接続部とを備えるセンサ部と、を備え、第一電極と、センサ膜と、第二電極とが、順に延伸方向に並び、接続部が、複数の第一内側面の間を延伸方向に延びて複数の第一内側面とセンサ膜とを繋ぎ、センサ部が、カーボンナノチューブを含む。
【選択図】図２１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の第一延伸部を備え、前記複数の第一延伸部が並列方向に並ぶ複数の第一内側面を有し、各第一内側面が前記並列方向と交差する延伸方向に延びている第一電極と、
前記第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している第二電極と、
センサ膜と接続部とを備えるセンサ部と、
を備え、
前記第一電極と、前記センサ膜と、前記第二電極とが、順に前記延伸方向に並び、
前記接続部が、前記複数の第一内側面の間を前記延伸方向に延びて前記複数の第一内側面と前記センサ膜とを繋ぎ、
前記センサ部が、カーボンナノチューブを含むボロメータ。
前記第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している第二電極と、
センサ膜と接続部とを備えるセンサ部と、
を備え、
前記第一電極と、前記センサ膜と、前記第二電極とが、順に前記延伸方向に並び、
前記接続部が、前記複数の第一内側面の間を前記延伸方向に延びて前記複数の第一内側面と前記センサ膜とを繋ぎ、
前記センサ部が、カーボンナノチューブを含むボロメータ。
【請求項2】
前記第二電極が、複数の第二延伸部を備え、前記複数の第二延伸部が前記並列方向に並ぶ複数の第二内側面を有し、各第二内側面が前記延伸方向に延びている
請求項１に記載のボロメータ。
請求項１に記載のボロメータ。
【請求項3】
前記接続部において、前記カーボンナノチューブは、前記延伸方向に配向している又は前記延伸方向に並んだ束状になっている
請求項１又は２に記載のボロメータ。
請求項１又は２に記載のボロメータ。
【請求項4】
前記複数の第一延伸部を前記並列方向に繋ぐ下地電極をさらに備える
請求項１又は２に記載のボロメータ。
請求項１又は２に記載のボロメータ。
【請求項5】
前記第一電極が、三角波形状又は矩形波形状を有する
請求項１又は２に記載のボロメータ。
請求項１又は２に記載のボロメータ。
【請求項6】
前記接続部の厚さが、前記センサ膜の厚さより大きい
請求項１又は２に記載のボロメータ。
請求項１又は２に記載のボロメータ。
【請求項7】
前記複数の第一延伸部の間隔が、前記第一電極と前記第二電極との間隔より小さい
請求項１又は２に記載のボロメータ。
請求項１又は２に記載のボロメータ。
【請求項8】
前記カーボンナノチューブが半導体型カーボンナノチューブを含む
請求項１又は２に記載のボロメータ。
請求項１又は２に記載のボロメータ。
【請求項9】
複数の第一延伸部を備え、前記複数の第一延伸部が並列方向に並ぶ複数の第一内側面を有し、各第一内側面が前記並列方向と交差する延伸方向に延びている第一電極と、前記第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している第二電極とを形成し、
センサ膜と接続部とを備えるセンサ部を形成し、
前記第一電極と、前記センサ膜と、前記第二電極とが、順に前記延伸方向に並び、
前記接続部が、前記複数の第一内側面の間を前記延伸方向に延びて前記複数の第一内側面と前記センサ膜とを繋ぎ、
前記センサ部が、カーボンナノチューブを含む
ボロメータ製造方法。
センサ膜と接続部とを備えるセンサ部を形成し、
前記第一電極と、前記センサ膜と、前記第二電極とが、順に前記延伸方向に並び、
前記接続部が、前記複数の第一内側面の間を前記延伸方向に延びて前記複数の第一内側面と前記センサ膜とを繋ぎ、
前記センサ部が、カーボンナノチューブを含む
ボロメータ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ボロメータ、及びボロメータ製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
赤外線を検出するために、ボロメータが用いられることは広く知られている。
例えば、特許文献１には、電極と、電極に電気的に接続されたカーボンナノチューブ層とを備えるボロメータが開示されている。
例えば、特許文献１には、電極と、電極に電気的に接続されたカーボンナノチューブ層とを備えるボロメータが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０２０／２３５６３６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１では、電極がカーボンナノチューブ層に重ねて形成されていることにより、電極とカーボンナノチューブ層とが接続されている。
しかし、特許文献１に開示されたボロメータの構成では、カーボンナノチューブ層が電極の一部にしか繋がらないことがある。
このため、カーボンナノチューブ層と電極との間の接触抵抗が大きくなり、検出感度が低下することがある。
しかし、特許文献１に開示されたボロメータの構成では、カーボンナノチューブ層が電極の一部にしか繋がらないことがある。
このため、カーボンナノチューブ層と電極との間の接触抵抗が大きくなり、検出感度が低下することがある。
【0005】
本開示の目的は、上述した課題を解決するボロメータ、及びボロメータ製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一態様に係るボロメータは、複数の第一延伸部を備え、前記複数の第一延伸部が並列方向に並ぶ複数の第一内側面を有し、各第一内側面が前記並列方向と交差する延伸方向に延びている第一電極と、前記第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している第二電極と、センサ膜と接続部とを備えるセンサ部と、を備え、前記第一電極と、前記センサ膜と、前記第二電極とが、順に前記延伸方向に並び、前記接続部が、前記複数の第一内側面の間を前記延伸方向に延びて前記複数の第一内側面と前記センサ膜とを繋ぎ、前記センサ部が、カーボンナノチューブを含む。
【0007】
本開示の一態様に係るボロメータ製造方法は、複数の第一延伸部を備え、前記複数の第一延伸部が並列方向に並ぶ複数の第一内側面を有し、各第一内側面が前記並列方向と交差する延伸方向に延びている第一電極と、前記第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している第二電極とを形成し、センサ膜と接続部とを備えるセンサ部を形成し、前記第一電極と、前記センサ膜と、前記第二電極とが、順に前記延伸方向に並び、前記接続部が、前記複数の第一内側面の間を前記延伸方向に延びて前記複数の第一内側面と前記センサ膜とを繋ぎ、前記センサ部が、カーボンナノチューブを含む。
【発明の効果】
【0008】
上記一態様によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本開示の第一実施形態に係るボロメータの平面図である。
【図6】本開示の第一実施形態に係るセンサ膜の走査電子顕微鏡像の一例を示す図である。
【図7】本開示の第一実施形態に係る接続部の走査電子顕微鏡像の一例を示す図である。
【図8】本開示の第一実施形態に係るボロメータ製造方法を示すフローチャートである。
【図9】本開示の第一実施形態に係るボロメータの動作を説明する平面図である。
【図10】本開示の第一実施形態の第一変形例に係るボロメータの断面図である。
【図11】本開示の第一実施形態の第三変形例に係るボロメータの平面図である。
【図12】本開示の第一実施形態の第四変形例に係るボロメータの平面図である。
【図13】本開示の第一実施形態の第五変形例に係るボロメータの平面図である。
【図14】本開示の第一実施形態の第六変形例に係るボロメータの平面図である。
【図16】本開示の第一実施形態の第七変形例に係るボロメータの平面図である。
【図18】本開示の第一実施形態の第六変形例又は第七変形例に係るボロメータの一例のＡＡ－ＡＡ線における断面図である。
【図19】本開示の第一実施形態の第六変形例又は第七変形例に係るボロメータの他の例のＡＡ－ＡＡ線における断面図である。
【図20】本開示の第二実施形態に係るボロメータの平面図である。
【図21】本開示のボロメータの最小構成の実施形態に係るボロメータの平面図である。
【図23】本開示のボロメータ製造方法の最小構成の実施形態に係るボロメータ製造方法のフローチャートである。
【図24】本開示の実施例に係る電極の平面図である。
【図25】本開示の実施例で観察された溝におけるカーボンナノチューブ膜の走査電子顕微鏡像である。
【図26】本開示の実施例において調べられた電極溝幅（電極周囲長さ）と抵抗値との関係を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示に係る各種実施形態について、図面を用いて説明する。
【0011】
【0012】
（ボロメータの構成）
図１に示すように、ボロメータ１は、第一電極２と、第二電極３と、センサ部４とを備える。
図２から図５に示すように、ボロメータ１は、基板５と、絶縁層６と、をさらに備える。
ボロメータ１は、例えば、非冷却型赤外線センサに用いられる。
基板５は、例えば、シリコン基板である。
絶縁層６は、例えば、二酸化シリコン層である。
絶縁層６は、基板５上に積層されている。
第一電極２と、第二電極３と、センサ部４とは、絶縁層６上に積層されている。
図１に示すように、ボロメータ１は、第一電極２と、第二電極３と、センサ部４とを備える。
図２から図５に示すように、ボロメータ１は、基板５と、絶縁層６と、をさらに備える。
ボロメータ１は、例えば、非冷却型赤外線センサに用いられる。
基板５は、例えば、シリコン基板である。
絶縁層６は、例えば、二酸化シリコン層である。
絶縁層６は、基板５上に積層されている。
第一電極２と、第二電極３と、センサ部４とは、絶縁層６上に積層されている。
【0013】
（第一電極の構成）
第一電極２は、第一基部２１と複数の第一延伸部２２とを備える。
第一電極２は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として第一基部２１である長方形領域の－Ｘ側の長辺から、複数の第一延伸部２２である櫛歯が、－Ｘ方向に延びている櫛型形状を有する。
複数の第一延伸部２２の間隔は、以下に示す第一電極２と第二電極３との間隔より小さい。
例えば、複数の第一延伸部２２の間隔は、２０μｍ以下であって、第一電極２と第二電極３との間隔は、２０μｍより大きい。
第一電極２は、第一基部２１と複数の第一延伸部２２とを備える。
第一電極２は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として第一基部２１である長方形領域の－Ｘ側の長辺から、複数の第一延伸部２２である櫛歯が、－Ｘ方向に延びている櫛型形状を有する。
複数の第一延伸部２２の間隔は、以下に示す第一電極２と第二電極３との間隔より小さい。
例えば、複数の第一延伸部２２の間隔は、２０μｍ以下であって、第一電極２と第二電極３との間隔は、２０μｍより大きい。
【0014】
第一基部２１及び複数の第一延伸部２２の各々は、絶縁層６上に積層されている層構造であって、絶縁層６から順にチタン層２Ｔｉと金層２Ａｕとが積層されている層構造を有する。
第一基部２１は、ボロメータ１の延伸方向ＤＥ両端のうちの一端（＋Ｘ方向側の一端）において、並列方向ＤＰに延びている。
各第一延伸部２２は、第一基部２１から第二電極３に向かって、延伸方向ＤＥに延びている。
例えば、第一電極２が有する櫛型形状の櫛歯に相当する複数の第一延伸部２２は、第一電極２と第二電極３との間に流れる電流の方向と平行に延びていてもよい。
第一基部２１は、ボロメータ１の延伸方向ＤＥ両端のうちの一端（＋Ｘ方向側の一端）において、並列方向ＤＰに延びている。
各第一延伸部２２は、第一基部２１から第二電極３に向かって、延伸方向ＤＥに延びている。
例えば、第一電極２が有する櫛型形状の櫛歯に相当する複数の第一延伸部２２は、第一電極２と第二電極３との間に流れる電流の方向と平行に延びていてもよい。
【0015】
図２及び図４に示すように、複数の第一延伸部２２は、並列方向ＤＰに並ぶ複数の第一内側面２２Ｓを有する。
各第一内側面２２Ｓは、第一基部２１から第二電極３に向かって、延伸方向ＤＥに延びている。
各第一延伸部２２の第一内側面２２Ｓの一つは、隣の第一延伸部２２の第一内側面２２Ｓの一つと第一溝Ｇ１を挟んで対向している。これにより、第一溝Ｇ１は、延伸方向ＤＥに延び、複数の第一延伸部２２の間を積層方向ＤＳに凹んでいる。
各第一内側面２２Ｓは、第一基部２１から第二電極３に向かって、延伸方向ＤＥに延びている。
各第一延伸部２２の第一内側面２２Ｓの一つは、隣の第一延伸部２２の第一内側面２２Ｓの一つと第一溝Ｇ１を挟んで対向している。これにより、第一溝Ｇ１は、延伸方向ＤＥに延び、複数の第一延伸部２２の間を積層方向ＤＳに凹んでいる。
【0016】
なお、本実施形態において、延伸方向ＤＥは、並列方向ＤＰと交差している。
また、延伸方向ＤＥ方向の一方向を＋Ｘ方向ともいい、延伸方向ＤＥ方向の他方向を－Ｘ方向ともいう。また、並列方向ＤＰ方向の一方向を＋Ｙ方向ともいい、並列方向ＤＰの他方向を－Ｙ方向ともいう。また、積層方向ＤＳの一方向を＋Ｚ方向ともいい、積層方向ＤＳの他方向を－Ｚ方向ともいう。
例えば、延伸方向ＤＥと、並列方向ＤＰと、積層方向ＤＳとは、互いに直交していてもよい。
また、延伸方向ＤＥ方向の一方向を＋Ｘ方向ともいい、延伸方向ＤＥ方向の他方向を－Ｘ方向ともいう。また、並列方向ＤＰ方向の一方向を＋Ｙ方向ともいい、並列方向ＤＰの他方向を－Ｙ方向ともいう。また、積層方向ＤＳの一方向を＋Ｚ方向ともいい、積層方向ＤＳの他方向を－Ｚ方向ともいう。
例えば、延伸方向ＤＥと、並列方向ＤＰと、積層方向ＤＳとは、互いに直交していてもよい。
【0017】
（第二電極の構成）
第二電極３は、第一電極２に対し延伸方向ＤＥに離れて、第一電極２と対向している。
第二電極３は、第二基部３１と複数の第二延伸部３２とを備える。
第二電極３は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として第二基部３１である長方形領域の＋Ｘ側の長辺から、複数の第二延伸部３２である櫛歯が、＋Ｘ方向に延びている櫛型形状を有する。
複数の第二延伸部３２の間隔は、以下に示す第一電極２と第二電極３との間隔より小さい。
例えば、複数の第二延伸部３２の間隔は、２０μｍ以下であって、第一電極２と第二電極３との間隔は、２０μｍより大きい。
第二電極３は、第一電極２に対し延伸方向ＤＥに離れて、第一電極２と対向している。
第二電極３は、第二基部３１と複数の第二延伸部３２とを備える。
第二電極３は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として第二基部３１である長方形領域の＋Ｘ側の長辺から、複数の第二延伸部３２である櫛歯が、＋Ｘ方向に延びている櫛型形状を有する。
複数の第二延伸部３２の間隔は、以下に示す第一電極２と第二電極３との間隔より小さい。
例えば、複数の第二延伸部３２の間隔は、２０μｍ以下であって、第一電極２と第二電極３との間隔は、２０μｍより大きい。
【0018】
第一電極２と第二電極３との間隔とは、第一電極２の最も－Ｘ側の端と、第二電極３の最も＋Ｘ側の端との延伸方向ＤＥにおける距離である。
特に本実施形態の場合、第一電極２と第二電極３との間隔とは、複数の第一延伸部２２の－Ｘ側の最先端と、複数の第二延伸部３２の＋Ｘ側の最先端との延伸方向ＤＥにおける距離である。
特に本実施形態の場合、第一電極２と第二電極３との間隔とは、複数の第一延伸部２２の－Ｘ側の最先端と、複数の第二延伸部３２の＋Ｘ側の最先端との延伸方向ＤＥにおける距離である。
【0019】
第二基部３１及び複数の第二延伸部３２の各々は、絶縁層６上に積層されている層構造であって、絶縁層６から順にチタン層３Ｔｉと金層３Ａｕとが積層されている層構造を有する。
第二基部３１は、ボロメータ１の延伸方向ＤＥ両端のうちの他端（＋Ｘ方向側の一端）において、並列方向ＤＰに延びている。
各第二延伸部３２は、第二基部３１から第一電極２に向かって、延伸方向ＤＥに延びている。
例えば、第二電極３が有する櫛型形状の櫛歯に相当する複数の第二延伸部３２は、第一電極２と第二電極３との間に流れる電流の方向と平行に延びていてもよい。
第二基部３１は、ボロメータ１の延伸方向ＤＥ両端のうちの他端（＋Ｘ方向側の一端）において、並列方向ＤＰに延びている。
各第二延伸部３２は、第二基部３１から第一電極２に向かって、延伸方向ＤＥに延びている。
例えば、第二電極３が有する櫛型形状の櫛歯に相当する複数の第二延伸部３２は、第一電極２と第二電極３との間に流れる電流の方向と平行に延びていてもよい。
【0020】
図４及び図５に示すように、複数の第二延伸部３２は、並列方向ＤＰに並ぶ複数の第二内側面３２Ｓを有する。
各第二内側面３２Ｓは、第二基部３１から第一電極２に向かって、延伸方向ＤＥに延びている。
各第二延伸部３２の第二内側面３２Ｓの一つは、隣の第二延伸部３２の第二内側面３２Ｓの一つと第二溝Ｇ２を挟んで対向している。これにより、第二溝Ｇ２は、延伸方向ＤＥに延び、複数の第二延伸部３２の間を積層方向ＤＳに凹んでいる。
各第二内側面３２Ｓは、第二基部３１から第一電極２に向かって、延伸方向ＤＥに延びている。
各第二延伸部３２の第二内側面３２Ｓの一つは、隣の第二延伸部３２の第二内側面３２Ｓの一つと第二溝Ｇ２を挟んで対向している。これにより、第二溝Ｇ２は、延伸方向ＤＥに延び、複数の第二延伸部３２の間を積層方向ＤＳに凹んでいる。
【0021】
（センサ部の構成）
センサ部４は、ボロメータ１が吸収した赤外線による温度変化を、電気抵抗値の変化として検出する。
例えば、センサ部４は、センサ部４が吸収した赤外線による温度変化を、電気抵抗値の変化として検出してもよい。
センサ部４は、センサ膜４１と接続部４２とを備える。
接続部４２の厚さは、センサ膜４１の厚さより大きい。
センサ部４は、ボロメータ１が吸収した赤外線による温度変化を、電気抵抗値の変化として検出する。
例えば、センサ部４は、センサ部４が吸収した赤外線による温度変化を、電気抵抗値の変化として検出してもよい。
センサ部４は、センサ膜４１と接続部４２とを備える。
接続部４２の厚さは、センサ膜４１の厚さより大きい。
【0022】
センサ膜４１は、カーボンナノチューブとして、半導体型カーボンナノチューブを含む。
センサ膜４１は、第一電極２と第二電極３との間の領域に拡がる膜である。
センサ膜４１は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、一辺が延伸方向ＤＥに延びていて、他辺が並列方向ＤＰに延びている長方形形状を有する。
センサ膜４１と接続部４２とは、電気的に繋がっていて、一体に形成されている。
第一電極２と、センサ膜４１と、第二電極３とは、順に延伸方向ＤＥに並んでいる。
図３及び図４に示すように、センサ膜４１は、絶縁層６に接触する層であって、絶縁層６上に直接積層されている。
センサ膜４１は、第一電極２と第二電極３との間の領域に拡がる膜である。
センサ膜４１は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、一辺が延伸方向ＤＥに延びていて、他辺が並列方向ＤＰに延びている長方形形状を有する。
センサ膜４１と接続部４２とは、電気的に繋がっていて、一体に形成されている。
第一電極２と、センサ膜４１と、第二電極３とは、順に延伸方向ＤＥに並んでいる。
図３及び図４に示すように、センサ膜４１は、絶縁層６に接触する層であって、絶縁層６上に直接積層されている。
【0023】
センサ膜４１は、図６に示すような、複数のカーボンナノチューブがランダムに配向し、互いにネットワークを形成しているカーボンナノチューブネットワーク膜である。
例えば、各カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブである。
例えば、センサ膜４１の厚さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有する。
例えば、各カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブである。
例えば、センサ膜４１の厚さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有する。
【0024】
接続部４２は、複数の第一接続パターン４３と、複数の第二接続パターン４４とを備える。
例えば、各第一接続パターン４３及び各第二接続パターン４４は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有してもよい。その際、各第一接続パターン４３及び各第二接続パターン４４は、センサ膜４１の厚さより大きい。
図４に示すように、各第一接続パターン４３及び各第二接続パターン４４は、センサ膜４１から続いて絶縁層６に接触する層であって、センサ膜４１と同様に絶縁層６上に直接積層されている。
例えば、各第一接続パターン４３及び各第二接続パターン４４は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有してもよい。その際、各第一接続パターン４３及び各第二接続パターン４４は、センサ膜４１の厚さより大きい。
図４に示すように、各第一接続パターン４３及び各第二接続パターン４４は、センサ膜４１から続いて絶縁層６に接触する層であって、センサ膜４１と同様に絶縁層６上に直接積層されている。
【0025】
各第一接続パターン４３は、対応する第一内側面２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。具体的には、各第一接続パターン４３は、センサ膜４１の延伸方向ＤＥ両端のうちの第一基部２１側にある一端（＋Ｘ方向側の一端）から第一基部２１に向かって、対応する第一溝Ｇ１の底Ｇ１ｂに沿って＋Ｘ方向に延びている。
各第一接続パターン４３は、複数の第一内側面２２Ｓと接触することにより、複数の第一内側面２２Ｓとセンサ膜４１とを電気的に繋いでいる。
各第一接続パターン４３は、カーボンナノチューブとして、半導体型カーボンナノチューブを含む。
各第一接続パターン４３は、複数の第一内側面２２Ｓと接触することにより、複数の第一内側面２２Ｓとセンサ膜４１とを電気的に繋いでいる。
各第一接続パターン４３は、カーボンナノチューブとして、半導体型カーボンナノチューブを含む。
【0026】
同様に、各第二接続パターン４４は、対応する第二内側面３２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。具体的には、各第二接続パターン４４は、センサ膜４１の延伸方向ＤＥ両端のうちの第二基部３１側にある他端（－Ｘ方向側の一端）から第二基部３１に向かって、対応する第二溝Ｇ２の底Ｇ２ｂに沿って－Ｘ方向に延びている。
各第二接続パターン４４は、複数の第二内側面３２Ｓと接触することにより、複数の第二内側面３２Ｓとセンサ膜４１とを電気的に繋いでいる。
各第二接続パターン４４は、カーボンナノチューブとして、半導体型カーボンナノチューブを含む。
各第二接続パターン４４は、複数の第二内側面３２Ｓと接触することにより、複数の第二内側面３２Ｓとセンサ膜４１とを電気的に繋いでいる。
各第二接続パターン４４は、カーボンナノチューブとして、半導体型カーボンナノチューブを含む。
【0027】
複数の第一接続パターン４３と複数の第二接続パターン４４との各々において、カーボンナノチューブは、図６に示すような、複数のカーボンナノチューブがランダムに配向し、互いにネットワークを形成しているカーボンナノチューブネットワーク膜である場合もあるが、図７に示すように、延伸方向ＤＥに配向している又は延伸方向ＤＥに並んだ束状になっている場合もある。本開示の効果の点では、延伸方向ＤＥに配向している又は延伸方向ＤＥに並んだ束状の方が望ましい。
【0028】
（ボロメータ製造方法）
本実施形態のボロメータ１の製造方法について説明する。
本実施形態のボロメータ１の製造方法について説明する。
【0029】
図８に示すように、まず、作業者は、基板５の上に積層されている絶縁層６の上に、第一電極２と第二電極３とを形成する（ＳＴ０１：電極形成ステップ）。
例えば、ＳＴ０１では、作業者は、スパッタリング法等により、チタンと金とを順に製膜し、エッチング法等により成膜された層構造をパターニングして、第一電極２と第二電極３とを形成する。
例えば、ＳＴ０１では、作業者は、スパッタリング法等により、チタンと金とを順に製膜し、エッチング法等により成膜された層構造をパターニングして、第一電極２と第二電極３とを形成する。
【0030】
ＳＴ０１の実施に続いて、作業者は、絶縁層６の上にセンサ部４を形成する（ＳＴ０２：センサ部形成ステップ）。
例えば、ＳＴ０２では、作業者は、第一電極２と第二電極３との間で露出している絶縁層６の表面と、第一溝Ｇ１及び第二溝Ｇ２で露出している絶縁層６の表面とに、カーボンナノチューブとして、半導体型カーボンナノチューブが分散している分散液を塗布し（ＳＴ０２１：塗布ステップ）、塗布した分散液を乾燥させる（ＳＴ０２２：乾燥ステップ）。
これにより、第一電極２と第二電極３との間において、センサ膜４１が形成されるだけではなく、第一溝Ｇ１及び第二溝Ｇ２において、複数の第一接続パターン４３と、複数の第二接続パターン４４とが形成される。
例えば、ＳＴ０２では、作業者は、第一電極２と第二電極３との間で露出している絶縁層６の表面と、第一溝Ｇ１及び第二溝Ｇ２で露出している絶縁層６の表面とに、カーボンナノチューブとして、半導体型カーボンナノチューブが分散している分散液を塗布し（ＳＴ０２１：塗布ステップ）、塗布した分散液を乾燥させる（ＳＴ０２２：乾燥ステップ）。
これにより、第一電極２と第二電極３との間において、センサ膜４１が形成されるだけではなく、第一溝Ｇ１及び第二溝Ｇ２において、複数の第一接続パターン４３と、複数の第二接続パターン４４とが形成される。
【0031】
第一溝Ｇ１及び第二溝Ｇ２の狭い領域では、塗布された分散液が溜まりやすい傾向にあるため、ＳＴ０２により形成されたセンサ部４において、各第一接続パターン４３及び各第二接続パターン４４の厚さは、センサ膜４１の厚さより大きくなる傾向にある。
【0032】
ＳＴ０２の実施において配されるカーボンナノチューブは、切り立った壁で画成される領域であって、狭い領域である第一溝Ｇ１及び第二溝Ｇ２に配される。
ここで、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓのような切り立った壁の付近では、分散液の塗布及び乾燥により配されたカーボンナノチューブは、壁に沿って並びやすい傾向にある。
このため、複数の第一接続パターン４３及び複数の第二接続パターン４４が含むカーボンナノチューブは、延伸方向ＤＥに配向しやすい又は延伸方向ＤＥに並んだ束状になる傾向がある。
ここで、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓのような切り立った壁の付近では、分散液の塗布及び乾燥により配されたカーボンナノチューブは、壁に沿って並びやすい傾向にある。
このため、複数の第一接続パターン４３及び複数の第二接続パターン４４が含むカーボンナノチューブは、延伸方向ＤＥに配向しやすい又は延伸方向ＤＥに並んだ束状になる傾向がある。
【0033】
（ボロメータの動作）
本実施形態のボロメータ１の動作について説明する。
ボロメータ１に赤外線が入射し吸収されると、熱が発生する。例えば、センサ部４が赤外線を吸収すると、センサ部４において熱が発生する。
センサ部４は発生した熱により温められ、センサ部４の電気抵抗値が変化する。
ボロメータ１は、第一電極２と第二電極３との間において、図９に示すような電流を電流方向ＤＩに流すことにより、センサ部４における電気抵抗値の変化を電気的に検出し、赤外線を検出する。
本実施形態のボロメータ１の動作について説明する。
ボロメータ１に赤外線が入射し吸収されると、熱が発生する。例えば、センサ部４が赤外線を吸収すると、センサ部４において熱が発生する。
センサ部４は発生した熱により温められ、センサ部４の電気抵抗値が変化する。
ボロメータ１は、第一電極２と第二電極３との間において、図９に示すような電流を電流方向ＤＩに流すことにより、センサ部４における電気抵抗値の変化を電気的に検出し、赤外線を検出する。
【0034】
（作用及び効果）
本実施形態のボロメータ１では、センサ部４が、複数の第一内側面２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
このような構成によれば、接続部４２が、複数の第一内側面２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びているため、センサ部４と第一電極２との接触面積が大きくなる。
加えて、このような構成によれば、複数の第一内側面２２Ｓの間において、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向ＤＥに向きやすい。これにより、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第一内側面２２Ｓとの接触面積が増大する。
このため、センサ部４と第一電極２との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ１によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
本実施形態のボロメータ１では、センサ部４が、複数の第一内側面２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
このような構成によれば、接続部４２が、複数の第一内側面２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びているため、センサ部４と第一電極２との接触面積が大きくなる。
加えて、このような構成によれば、複数の第一内側面２２Ｓの間において、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向ＤＥに向きやすい。これにより、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第一内側面２２Ｓとの接触面積が増大する。
このため、センサ部４と第一電極２との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ１によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
【0035】
同様に、本実施形態のボロメータ１では、センサ部４が、複数の第二内側面３２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
このような構成によれば、接続部４２が、複数の第二内側面３２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びているため、センサ部４と第二電極３との接触面積が大きくなる。
加えて、このような構成によれば、複数の第二内側面３２Ｓの間において、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向ＤＥを向きやすい。これにより、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第二内側面３２Ｓとの接触面積が増大する。
このため、センサ部４と第二電極３との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ１によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
このような構成によれば、接続部４２が、複数の第二内側面３２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びているため、センサ部４と第二電極３との接触面積が大きくなる。
加えて、このような構成によれば、複数の第二内側面３２Ｓの間において、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向ＤＥを向きやすい。これにより、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第二内側面３２Ｓとの接触面積が増大する。
このため、センサ部４と第二電極３との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ１によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
【0036】
カーボンナノチューブによる非冷却型赤外線センサのボロメータの実用化には、ＴＣＲ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ：抵抗温度係数）の向上だけでなく、低抵抗化などの特性向上も必要である。低抵抗化のためには、カーボンナノチューブが電極とどのように接合するかが課題である。
ここでボロメータのＴＣＲが大きい程、温度に対する抵抗変化が大きい。このため、ＴＣＲの向上としてボロメータのＴＣＲを大きくすることにより、赤外線の検出感度は向上する。
他方、ボロメータの抵抗が小さい程、温度に対する抵抗変化を検出しやすい。このため、ボロメータの低抵抗化により、赤外線の検出感度は向上する。
ここでボロメータのＴＣＲが大きい程、温度に対する抵抗変化が大きい。このため、ＴＣＲの向上としてボロメータのＴＣＲを大きくすることにより、赤外線の検出感度は向上する。
他方、ボロメータの抵抗が小さい程、温度に対する抵抗変化を検出しやすい。このため、ボロメータの低抵抗化により、赤外線の検出感度は向上する。
【0037】
比較例として、分散液を用いたドロップキャスト法でのカーボンナノチューブ膜作製工程で、一対の長方形形状の電極間に、長方形形状のカーボンナノチューブ膜が形成されたボロメータについて検討する。
このような比較例の場合、カーボンナノチューブは各電極上にまたがらずに、一対の電極間のカーボンナノチューブの端のみが、各電極の電極壁下部に接続する構造になる。加えて、ドロップキャスト法で作製されたカーボンナノチューブ膜は、ほぼ一層の隙間の多いカーボンナノチューブネットワーク層によって形成されるので、各電極の電極壁下部面積の一部にしかカーボンナノチューブが接続しない。このため、ボロメータの低抵抗化が難しい。
これに対し、本実施形態によれば、上記のとおり、センサ部４と第二電極３との接触面積が大きくなることに加えて、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第二内側面３２Ｓとの接触面積が増大する。このため、ボロメータの低抵抗化が可能となる。
したがって、本実施形態のボロメータ１によれば、上記比較例に比べて、検出感度の低下を抑制することができる。
このような比較例の場合、カーボンナノチューブは各電極上にまたがらずに、一対の電極間のカーボンナノチューブの端のみが、各電極の電極壁下部に接続する構造になる。加えて、ドロップキャスト法で作製されたカーボンナノチューブ膜は、ほぼ一層の隙間の多いカーボンナノチューブネットワーク層によって形成されるので、各電極の電極壁下部面積の一部にしかカーボンナノチューブが接続しない。このため、ボロメータの低抵抗化が難しい。
これに対し、本実施形態によれば、上記のとおり、センサ部４と第二電極３との接触面積が大きくなることに加えて、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第二内側面３２Ｓとの接触面積が増大する。このため、ボロメータの低抵抗化が可能となる。
したがって、本実施形態のボロメータ１によれば、上記比較例に比べて、検出感度の低下を抑制することができる。
【0038】
他の比較例として、各々が櫛型形状であって、互いに延伸方向に離れず、くし歯でかみ合わせ状態になっている一対の電極の間に、上記ドロップキャスト法でカーボンナノチューブ膜が形成されたボロメータについて検討する。
このような他の比較例の場合、櫛歯間を流れる電流の方向に対して、くし歯が延びる方向が交差しているため、一対の電極間のカーボンナノチューブの軸の配向方向が、櫛歯間を流れる電流の方向と交差してしまう。加えて、一対の電極間距離が小さくなることで、金属カーボンナノチューブが電極間に配される場合、ＴＣＲが低下しやすい。
これに対し、本実施形態によれば、第一電極２に対し、第二電極３が延伸方向ＤＥに離れて対向しているため、複数の第一内側面２２Ｓの間と複数の第二内側面３２Ｓの間において、カーボンナノチューブの軸の配向方向が、流れる電流の方向を向いている。このため、ボロメータの低抵抗化が可能となる。
加えて、第一電極２と第二電極３との間の距離が大きいので、たとえ、第一電極２と第二電極３との間に金属カーボンナノチューブが配されても、ＴＣＲが低下しにくい。
したがって、本実施形態のボロメータ１によれば、上記他の比較例に比べて、検出感度の低下を抑制することができる。
このような他の比較例の場合、櫛歯間を流れる電流の方向に対して、くし歯が延びる方向が交差しているため、一対の電極間のカーボンナノチューブの軸の配向方向が、櫛歯間を流れる電流の方向と交差してしまう。加えて、一対の電極間距離が小さくなることで、金属カーボンナノチューブが電極間に配される場合、ＴＣＲが低下しやすい。
これに対し、本実施形態によれば、第一電極２に対し、第二電極３が延伸方向ＤＥに離れて対向しているため、複数の第一内側面２２Ｓの間と複数の第二内側面３２Ｓの間において、カーボンナノチューブの軸の配向方向が、流れる電流の方向を向いている。このため、ボロメータの低抵抗化が可能となる。
加えて、第一電極２と第二電極３との間の距離が大きいので、たとえ、第一電極２と第二電極３との間に金属カーボンナノチューブが配されても、ＴＣＲが低下しにくい。
したがって、本実施形態のボロメータ１によれば、上記他の比較例に比べて、検出感度の低下を抑制することができる。
【0039】
本実施形態のボロメータ１では、櫛型形状の電極の櫛歯の間の溝構造により、例えば溝の底面が二酸化シリコンであって、電極が金属の場合には、図７に示すように、櫛歯の間において、櫛歯が延びる方向にカーボンナノチューブを配向させることができる。カーボンナノチューブが、櫛歯が延びる方向に配向することにより、カーボンナノチューブと電極壁面の接触面積を増加させることができる。
【0040】
本実施形態のボロメータ１では、接続部４２において、カーボンナノチューブは、延伸方向ＤＥに配向している又は延伸方向ＤＥに並んだ束状になっている。
このような構成によれば、接続部４２において、カーボンナノチューブの周壁が、組織的に複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓを向く。
これにより、接続部４２と、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓとの接触面積が増大する。
このような構成によれば、接続部４２において、カーボンナノチューブの周壁が、組織的に複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓを向く。
これにより、接続部４２と、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓとの接触面積が増大する。
【0041】
本実施形態のボロメータ１では、接続部４２の厚さが、センサ膜４１の厚さより大きい。
これにより、接続部４２と、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓとの接触面積が増大する。
これにより、接続部４２と、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓとの接触面積が増大する。
【0042】
本実施形態のボロメータ１では、複数の第一延伸部２２の間隔が、第一電極２と第二電極３との間隔より小さい。
また、本実施形態のボロメータ１では、複数の第二延伸部３２の間隔が、第一電極２と第二電極３との間隔より小さい。
これにより、複数の第一延伸部２２の間及び複数の第二延伸部３２の間において、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向ＤＥと交差しやすくできる一方で、第一電極２と第二電極３との間に大きな領域を設けることができる。
このため、ボロメータ１は、センサ部４と第一電極２との間の接触抵抗とセンサ部４と第二電極３との間の接触抵抗とを小さくできる一方で、センサ膜４１における検出感度を大きくできる。
また、本実施形態のボロメータ１では、複数の第二延伸部３２の間隔が、第一電極２と第二電極３との間隔より小さい。
これにより、複数の第一延伸部２２の間及び複数の第二延伸部３２の間において、センサ部４に含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向ＤＥと交差しやすくできる一方で、第一電極２と第二電極３との間に大きな領域を設けることができる。
このため、ボロメータ１は、センサ部４と第一電極２との間の接触抵抗とセンサ部４と第二電極３との間の接触抵抗とを小さくできる一方で、センサ膜４１における検出感度を大きくできる。
【0043】
本実施形態のボロメータ１では、センサ部４が、カーボンナノチューブとして、半導体型カーボンナノチューブを含む。
これにより、センサ部４のＴＣＲが大きくなる。
このため、センサ部４における検出感度を大きくすることができる。
これにより、センサ部４のＴＣＲが大きくなる。
このため、センサ部４における検出感度を大きくすることができる。
【0044】
（第一変形例）
上述の実施形態では、センサ部４が赤外線を吸収しているが、センサ部４の電気抵抗値が変化すれば、ボロメータにおいて、赤外線はどのように吸収されてもよい。
変形例として、図１０に示すように、ボロメータ１Ａは、センサ部４とは別にセンサ部４の上方を覆う吸収体７を備えてもよい。その際、センサ部４は、吸収体７において赤外線を吸収し、吸収体７において発生した熱による温度変化を、センサ部４における電気抵抗値の変化として検出してもよい。
上述の実施形態では、センサ部４が赤外線を吸収しているが、センサ部４の電気抵抗値が変化すれば、ボロメータにおいて、赤外線はどのように吸収されてもよい。
変形例として、図１０に示すように、ボロメータ１Ａは、センサ部４とは別にセンサ部４の上方を覆う吸収体７を備えてもよい。その際、センサ部４は、吸収体７において赤外線を吸収し、吸収体７において発生した熱による温度変化を、センサ部４における電気抵抗値の変化として検出してもよい。
【0045】
（第二変形例）
上述の実施形態では、接続部４２の厚さがセンサ膜４１の厚さより大きいが、接続部４２が、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓと、センサ膜４１と繋いでいるなら、接続部４２はどのように構成されてもよい。
変形例として、接続部４２の厚さは、センサ膜４１の厚さと同じ又はセンサ膜４１の厚さより小さくてもよい。
上述の実施形態では、接続部４２の厚さがセンサ膜４１の厚さより大きいが、接続部４２が、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓと、センサ膜４１と繋いでいるなら、接続部４２はどのように構成されてもよい。
変形例として、接続部４２の厚さは、センサ膜４１の厚さと同じ又はセンサ膜４１の厚さより小さくてもよい。
【0046】
（第三変形例）
上述の実施形態では、第一電極２は、第一基部２１と複数の第一延伸部２２とを備え、第二電極３は、第二基部３１と複数の第二延伸部３２とを備えるが、第一電極２に対し、延伸方向ＤＥに離れて対向していれば、第二電極３はどのように構成されてもよい。
変形例として、図１１に示すように、ボロメータ１Ｂは、上記実施形態のボロメータ１と同様な第一電極２と、センサ部４とを備える一方、ボロメータ１の第二電極３に代えて、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として長方形形状の第二電極３Ｂを備えてもよい。
このような変形例によれば、センサ部４と第一電極２との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
上述の実施形態では、第一電極２は、第一基部２１と複数の第一延伸部２２とを備え、第二電極３は、第二基部３１と複数の第二延伸部３２とを備えるが、第一電極２に対し、延伸方向ＤＥに離れて対向していれば、第二電極３はどのように構成されてもよい。
変形例として、図１１に示すように、ボロメータ１Ｂは、上記実施形態のボロメータ１と同様な第一電極２と、センサ部４とを備える一方、ボロメータ１の第二電極３に代えて、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として長方形形状の第二電極３Ｂを備えてもよい。
このような変形例によれば、センサ部４と第一電極２との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
【0047】
（第四変形例）
上述の実施形態では、センサ膜４１は、カーボンナノチューブネットワーク膜であるが、発生した熱により、センサ膜４１の電気抵抗値が変化するなら、どのような膜で構成されてもよい。
変形例として、図１２に示すように、ボロメータ１Ｃは、上記実施形態のボロメータ１と同様な第一電極２と、第二電極３とを備える一方、ボロメータ１のセンサ部４に代えて、センサ部４Ｃを備えてもよい。
ここで、センサ部４Ｃは、センサ膜４１Ｃと接続部４２とを備える。
センサ膜４１Ｃは、接続部４２と電気的に繋がっている。
センサ膜４１Ｃは、カーボンナノチューブが延伸方向ＤＥに配向しているカーボンナノチューブ膜である。
カーボンナノチューブが一方向に配向しているカーボンナノチューブ膜は、例えば、絶縁層６にカーボンナノチューブが分散している分散液を一方向に流して塗布することによって製作できる。
このような変形例によれば、センサ部４Ｃにおける電気抵抗値をさらに小さくできるため、センサ部４Ｃにおける熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
上述の実施形態では、センサ膜４１は、カーボンナノチューブネットワーク膜であるが、発生した熱により、センサ膜４１の電気抵抗値が変化するなら、どのような膜で構成されてもよい。
変形例として、図１２に示すように、ボロメータ１Ｃは、上記実施形態のボロメータ１と同様な第一電極２と、第二電極３とを備える一方、ボロメータ１のセンサ部４に代えて、センサ部４Ｃを備えてもよい。
ここで、センサ部４Ｃは、センサ膜４１Ｃと接続部４２とを備える。
センサ膜４１Ｃは、接続部４２と電気的に繋がっている。
センサ膜４１Ｃは、カーボンナノチューブが延伸方向ＤＥに配向しているカーボンナノチューブ膜である。
カーボンナノチューブが一方向に配向しているカーボンナノチューブ膜は、例えば、絶縁層６にカーボンナノチューブが分散している分散液を一方向に流して塗布することによって製作できる。
このような変形例によれば、センサ部４Ｃにおける電気抵抗値をさらに小さくできるため、センサ部４Ｃにおける熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
【0048】
（第五変形例）
上述の実施形態では、第一電極２及び第二電極３は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、矩形波形状を有しているが、センサ部４が、複数の第一内側面２２Ｓの間及び複数の第二内側面３２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びるように構成されるなら、第一電極２及び第二電極３はどのように構成されてもよい。
変形例として、図１３に示すように、ボロメータ１Ｄは、ボロメータ１の第一電極２及び第二電極３に代えて、第一電極２Ｄ及び第二電極３Ｄを備えてもよい。
第一電極２Ｄは、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、－Ｘ側に三角波形状を有する。
第二電極３Ｄは、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、＋Ｘ側に三角波形状を有する。
上述の実施形態では、第一電極２及び第二電極３は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、矩形波形状を有しているが、センサ部４が、複数の第一内側面２２Ｓの間及び複数の第二内側面３２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びるように構成されるなら、第一電極２及び第二電極３はどのように構成されてもよい。
変形例として、図１３に示すように、ボロメータ１Ｄは、ボロメータ１の第一電極２及び第二電極３に代えて、第一電極２Ｄ及び第二電極３Ｄを備えてもよい。
第一電極２Ｄは、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、－Ｘ側に三角波形状を有する。
第二電極３Ｄは、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、＋Ｘ側に三角波形状を有する。
【0049】
（第六変形例）
上述の実施形態では、センサ部４は、絶縁層６上に直接積層されているが、接続部４２が、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓと、センサ膜４１とを繋ぐなら、接続部４２は、絶縁層６上にどのように積層されてもよい。
変形例として、図１４に示すように、ボロメータ１Ｅは、ボロメータ１の第一電極２及び第二電極３に代えて、第一電極２Ｅ及び第二電極３Ｅを備えてもよい。その際、図１４に示すように、第一電極２Ｅは、複数の第一延伸部２２Ｅを備える一方、第一基部を備えなくてもよい。同様に、第二電極３Ｅは、複数の第二延伸部３２Ｅを備える一方、第二基部を備えなくてもよい。
図１５に示すように、第一電極２Ｅの各第一延伸部２２Ｅは、金層２Ａｕで構成されている。
ボロメータ１Ｅは、下地電極として、複数の第一延伸部２２Ｅを並列方向ＤＰに繋ぐ第一下地電極８Ｅを備える。
第一下地電極８Ｅは、チタン層２ＥＴｉである。
第一下地電極８Ｅは、複数の第一延伸部２２Ｅの下及びそれらの間の接続部４２の下を並列方向ＤＰに延びている。
第一下地電極８Ｅは、複数の第一延伸部２２Ｅの下面及びそれらの間の接続部４２の下面に亘り、各第一延伸部２２Ｅの下面及びそれらの間の接続部４２の下面と接触しながら、絶縁層６上を並列方向ＤＰに連続して延びている。
第二電極３Ｅの複数の第二延伸部３２Ｅ及びその下地電極は、第一電極２Ｅの複数の第一延伸部２２Ｅ及び第一下地電極８Ｅと同様に構成されている。
このような変形例によれば、接続部４２の側面だけではなく、接続部４２の下面も、下地電極を介して、第一電極２Ｅ及び第二電極３Ｅに電気的に接続される。
このため、センサ部４と第一電極２Ｅ及び第二電極３Ｅとの間の接触抵抗がさらに小さくなり、センサ部４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
上述の実施形態では、センサ部４は、絶縁層６上に直接積層されているが、接続部４２が、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓと、センサ膜４１とを繋ぐなら、接続部４２は、絶縁層６上にどのように積層されてもよい。
変形例として、図１４に示すように、ボロメータ１Ｅは、ボロメータ１の第一電極２及び第二電極３に代えて、第一電極２Ｅ及び第二電極３Ｅを備えてもよい。その際、図１４に示すように、第一電極２Ｅは、複数の第一延伸部２２Ｅを備える一方、第一基部を備えなくてもよい。同様に、第二電極３Ｅは、複数の第二延伸部３２Ｅを備える一方、第二基部を備えなくてもよい。
図１５に示すように、第一電極２Ｅの各第一延伸部２２Ｅは、金層２Ａｕで構成されている。
ボロメータ１Ｅは、下地電極として、複数の第一延伸部２２Ｅを並列方向ＤＰに繋ぐ第一下地電極８Ｅを備える。
第一下地電極８Ｅは、チタン層２ＥＴｉである。
第一下地電極８Ｅは、複数の第一延伸部２２Ｅの下及びそれらの間の接続部４２の下を並列方向ＤＰに延びている。
第一下地電極８Ｅは、複数の第一延伸部２２Ｅの下面及びそれらの間の接続部４２の下面に亘り、各第一延伸部２２Ｅの下面及びそれらの間の接続部４２の下面と接触しながら、絶縁層６上を並列方向ＤＰに連続して延びている。
第二電極３Ｅの複数の第二延伸部３２Ｅ及びその下地電極は、第一電極２Ｅの複数の第一延伸部２２Ｅ及び第一下地電極８Ｅと同様に構成されている。
このような変形例によれば、接続部４２の側面だけではなく、接続部４２の下面も、下地電極を介して、第一電極２Ｅ及び第二電極３Ｅに電気的に接続される。
このため、センサ部４と第一電極２Ｅ及び第二電極３Ｅとの間の接触抵抗がさらに小さくなり、センサ部４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
【0050】
（第七変形例）
上述の実施形態では、センサ部４は、絶縁層６上に直接積層されているが、接続部４２が、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓと、センサ膜４１とを繋ぐなら、接続部４２は、絶縁層６上にどのように積層されてもよい。
変形例として、図１６に示すように、ボロメータ１Ｆは、ボロメータ１の第一電極２及び第二電極３に代えて、第一電極２Ｆ及び第二電極３Ｆを備えてもよい。その際、図１６に示すように、第一電極２Ｆは、複数の第一延伸部２２Ｆを備える一方、第一基部を備えなくてもよい。同様に、第二電極３Ｆは、複数の第二延伸部３２Ｆを備える一方、第二基部を備えなくてもよい。
図１７に示すように、第一電極２Ｆの各第一延伸部２２Ｆは、金層２Ａｕで構成されている。
ボロメータ１Ｆは、下地電極として、複数の第一延伸部２２Ｆを並列方向ＤＰに繋ぐ第一下地電極８Ｆを備える。
第一下地電極８Ｆは、金である中間層２ＦＡｕ及びチタン層２ＦＴｉの積層構造である。
第一下地電極８Ｆは、複数の第一延伸部２２Ｆの下及びそれらの間の接続部４２の下を並列方向ＤＰに延びている。
第一下地電極８Ｆは、複数の第一延伸部２２Ｆの下面及びそれらの間の接続部４２の下面に亘り、各第一延伸部２２Ｆの下面及びそれらの間の接続部４２の下面と接触しながら、絶縁層６上を並列方向ＤＰに連続して延びている。その際、各第一延伸部２２Ｆの下面には、中間層２ＦＡｕが接触している。
第二電極３Ｆの複数の第二延伸部３２Ｆ及びその下地電極は、第一電極２Ｆの複数の第一延伸部２２Ｆ及び第一下地電極８Ｆと同様に構成されている。
このような変形例によれば、第六変形例に比べて、チタンと金との接触面積が大きくなるため、チタン層に積層されている中間層及び金層が剥がれにくい。
したがって、構造的に強いボロメータ１Ｆを提供できる。
なお、上述の第六変形例及び第七変形例において、下地電極は、一例として、図１８に示すように、第一電極及び第二電極下の延伸方向ＤＥ全体にあってもよいし、他の例として、図１９に示すように、第一電極及び第二電極下の延伸方向ＤＥの端や中央の一部にだけにあってもよい。
上述の実施形態では、センサ部４は、絶縁層６上に直接積層されているが、接続部４２が、複数の第一内側面２２Ｓ及び複数の第二内側面３２Ｓと、センサ膜４１とを繋ぐなら、接続部４２は、絶縁層６上にどのように積層されてもよい。
変形例として、図１６に示すように、ボロメータ１Ｆは、ボロメータ１の第一電極２及び第二電極３に代えて、第一電極２Ｆ及び第二電極３Ｆを備えてもよい。その際、図１６に示すように、第一電極２Ｆは、複数の第一延伸部２２Ｆを備える一方、第一基部を備えなくてもよい。同様に、第二電極３Ｆは、複数の第二延伸部３２Ｆを備える一方、第二基部を備えなくてもよい。
図１７に示すように、第一電極２Ｆの各第一延伸部２２Ｆは、金層２Ａｕで構成されている。
ボロメータ１Ｆは、下地電極として、複数の第一延伸部２２Ｆを並列方向ＤＰに繋ぐ第一下地電極８Ｆを備える。
第一下地電極８Ｆは、金である中間層２ＦＡｕ及びチタン層２ＦＴｉの積層構造である。
第一下地電極８Ｆは、複数の第一延伸部２２Ｆの下及びそれらの間の接続部４２の下を並列方向ＤＰに延びている。
第一下地電極８Ｆは、複数の第一延伸部２２Ｆの下面及びそれらの間の接続部４２の下面に亘り、各第一延伸部２２Ｆの下面及びそれらの間の接続部４２の下面と接触しながら、絶縁層６上を並列方向ＤＰに連続して延びている。その際、各第一延伸部２２Ｆの下面には、中間層２ＦＡｕが接触している。
第二電極３Ｆの複数の第二延伸部３２Ｆ及びその下地電極は、第一電極２Ｆの複数の第一延伸部２２Ｆ及び第一下地電極８Ｆと同様に構成されている。
このような変形例によれば、第六変形例に比べて、チタンと金との接触面積が大きくなるため、チタン層に積層されている中間層及び金層が剥がれにくい。
したがって、構造的に強いボロメータ１Ｆを提供できる。
なお、上述の第六変形例及び第七変形例において、下地電極は、一例として、図１８に示すように、第一電極及び第二電極下の延伸方向ＤＥ全体にあってもよいし、他の例として、図１９に示すように、第一電極及び第二電極下の延伸方向ＤＥの端や中央の一部にだけにあってもよい。
【0051】
＜第二実施形態＞
以下、本開示に係る第二実施形態について、図２０を用いて説明する。
本実施形態のボロメータ１０１は、以下に示す点以外は第一実施形態のボロメータ１と同様な構成を備え、同様に動作し、同様な作用効果を奏する。
以下、本開示に係る第二実施形態について、図２０を用いて説明する。
本実施形態のボロメータ１０１は、以下に示す点以外は第一実施形態のボロメータ１と同様な構成を備え、同様に動作し、同様な作用効果を奏する。
【0052】
図２０に示すように、ボロメータ１０１は、第一電極１０２と、第二電極１０３と、センサ部１０４とを備える。
【0053】
第一電極１０２は、第一基部１２１と複数の第一延伸部１２２とを備える。
第一電極１０２は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として櫛歯が、＋Ｘ方向及び－Ｘ方向に延びている櫛型形状を有する。
第一基部１２１は、ボロメータ１０１の延伸方向ＤＥの中央において、並列方向ＤＰに延びている。
各第一延伸部１２２は、第一基部１２１から第二電極１０３に向かって、延伸方向ＤＥ（＋Ｘ方向及び－Ｘ方向）に延びている。
第一電極１０２は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として櫛歯が、＋Ｘ方向及び－Ｘ方向に延びている櫛型形状を有する。
第一基部１２１は、ボロメータ１０１の延伸方向ＤＥの中央において、並列方向ＤＰに延びている。
各第一延伸部１２２は、第一基部１２１から第二電極１０３に向かって、延伸方向ＤＥ（＋Ｘ方向及び－Ｘ方向）に延びている。
【0054】
複数の第一延伸部１２２は、並列方向ＤＰに並ぶ複数の第一内側面１２２Ｓを有する。
各第一内側面１２２Ｓは、第一基部１２１から第二電極１０３に向かって、延伸方向ＤＥ（＋Ｘ方向及び－Ｘ方向）に延びている。
各第一内側面１２２Ｓは、第一基部１２１から第二電極１０３に向かって、延伸方向ＤＥ（＋Ｘ方向及び－Ｘ方向）に延びている。
【0055】
第二電極１０３は、第三電極１０５と第四電極１０６とを備える。
第三電極１０５は、第一電極１０２の－Ｘ側において、第一電極１０２に対し延伸方向ＤＥに離れて、第一電極１０２と対向している。
第四電極１０６は、第一電極１０２の＋Ｘ側において、第一電極１０２に対し延伸方向ＤＥに離れて、第一電極１０２と対向している。
第三電極１０５と第四電極１０６とは、互いに第一電極１０２を挟んで対向している。
第三電極１０５と第四電極１０６との各々は、第二基部１３１と複数の第二延伸部１３２とを備える。
第三電極１０５は、第一電極１０２の－Ｘ側において、第一電極１０２に対し延伸方向ＤＥに離れて、第一電極１０２と対向している。
第四電極１０６は、第一電極１０２の＋Ｘ側において、第一電極１０２に対し延伸方向ＤＥに離れて、第一電極１０２と対向している。
第三電極１０５と第四電極１０６とは、互いに第一電極１０２を挟んで対向している。
第三電極１０５と第四電極１０６との各々は、第二基部１３１と複数の第二延伸部１３２とを備える。
【0056】
第三電極１０５は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として櫛歯が＋Ｘ方向に延びている櫛型形状を有する。
第三電極１０５の第二基部１３１は、ボロメータ１０１の延伸方向ＤＥ両端のうちの一端（－Ｘ方向側の一端）において、並列方向ＤＰに延びている。
第三電極１０５の複数の第二延伸部１３２は、第三電極１０５の第二基部１３１から第一電極１０２に向かって、延伸方向ＤＥ（＋Ｘ方向）に延びている。
第三電極１０５の第二基部１３１は、ボロメータ１０１の延伸方向ＤＥ両端のうちの一端（－Ｘ方向側の一端）において、並列方向ＤＰに延びている。
第三電極１０５の複数の第二延伸部１３２は、第三電極１０５の第二基部１３１から第一電極１０２に向かって、延伸方向ＤＥ（＋Ｘ方向）に延びている。
【0057】
第四電極１０６は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、全体として櫛歯が－Ｘ方向に延びている櫛型形状を有する。
第四電極１０６の第二基部１３１は、ボロメータ１０１の延伸方向ＤＥ両端のうちの他端（＋Ｘ方向側の一端）において、並列方向ＤＰに延びている。
第四電極１０６の複数の第二延伸部１３２は、第四電極１０６の第二基部１３１から第一電極１０２に向かって、延伸方向ＤＥ（―Ｘ方向）に延びている。
第四電極１０６の第二基部１３１は、ボロメータ１０１の延伸方向ＤＥ両端のうちの他端（＋Ｘ方向側の一端）において、並列方向ＤＰに延びている。
第四電極１０６の複数の第二延伸部１３２は、第四電極１０６の第二基部１３１から第一電極１０２に向かって、延伸方向ＤＥ（―Ｘ方向）に延びている。
【0058】
複数の第二延伸部１３２は、並列方向ＤＰに並ぶ複数の第二内側面１３２Ｓを有する。
第三電極１０５の各第二内側面１３２Ｓは、第三電極１０５の第二基部１３１から第一電極１０２に向かって、延伸方向ＤＥ（＋Ｘ方向）に延びている。
第四電極１０６の各第二内側面１３２Ｓは、第四電極１０６の第二基部１３１から第一電極１０２に向かって、延伸方向ＤＥ（―Ｘ方向）に延びている。
第三電極１０５の各第二内側面１３２Ｓは、第三電極１０５の第二基部１３１から第一電極１０２に向かって、延伸方向ＤＥ（＋Ｘ方向）に延びている。
第四電極１０６の各第二内側面１３２Ｓは、第四電極１０６の第二基部１３１から第一電極１０２に向かって、延伸方向ＤＥ（―Ｘ方向）に延びている。
【0059】
センサ部１０４は、センサ膜１４１と接続部１４２とを備える。
センサ膜１４１は、第一センサ膜１４５と第二センサ膜１４６とを備える。
センサ膜１４１は、第一センサ膜１４５と第二センサ膜１４６とを備える。
【0060】
第一センサ膜１４５は、第一電極１０２と第三電極１０５との間の領域に拡がる膜である。
第一センサ膜１４５は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、一辺が延伸方向ＤＥに延びていて、他辺が並列方向ＤＰに延びている長方形形状を有する。
第一センサ膜１４５と接続部１４２とは、電気的に繋がっていて、一体に形成されている。
第一センサ膜１４５は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、一辺が延伸方向ＤＥに延びていて、他辺が並列方向ＤＰに延びている長方形形状を有する。
第一センサ膜１４５と接続部１４２とは、電気的に繋がっていて、一体に形成されている。
【0061】
第二センサ膜１４６は、第一電極１０２と第四電極１０６との間の領域に拡がる膜である。
第二センサ膜１４６は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、一辺が延伸方向ＤＥに延びていて、他辺が並列方向ＤＰに延びている長方形形状を有する。
第二センサ膜１４６と接続部１４２とは、電気的に繋がっていて、一体に形成されている。
第三電極１０５と、第一センサ膜１４５と、第一電極１０２と、第二センサ膜１４６と、第四電極１０６とは、順に延伸方向ＤＥに並んでいる。
第二センサ膜１４６は、－Ｚ方向に向かって見た時の平面視において、一辺が延伸方向ＤＥに延びていて、他辺が並列方向ＤＰに延びている長方形形状を有する。
第二センサ膜１４６と接続部１４２とは、電気的に繋がっていて、一体に形成されている。
第三電極１０５と、第一センサ膜１４５と、第一電極１０２と、第二センサ膜１４６と、第四電極１０６とは、順に延伸方向ＤＥに並んでいる。
【0062】
接続部１４２は、複数の第一接続パターン１４３と、複数の第二接続パターン１４４とを備える。
【0063】
各第一接続パターン１４３は、対応する第一内側面１２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
各第一接続パターン１４３は、複数の第一内側面１２２Ｓと接触することにより、複数の第一内側面１２２Ｓと第一センサ膜１４５及び第二センサ膜１４６とを電気的に繋いでいる。
各第一接続パターン１４３は、複数の第一内側面１２２Ｓと接触することにより、複数の第一内側面１２２Ｓと第一センサ膜１４５及び第二センサ膜１４６とを電気的に繋いでいる。
【0064】
同様に、各第二接続パターン１４４は、対応する第二内側面１３２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
各第二接続パターン１４４は、複数の第二内側面１３２Ｓと接触することにより、複数の第二内側面１３２Ｓと、第一センサ膜１４５及び第二センサ膜１４６とを電気的に繋いでいる。
各第二接続パターン１４４は、複数の第二内側面１３２Ｓと接触することにより、複数の第二内側面１３２Ｓと、第一センサ膜１４５及び第二センサ膜１４６とを電気的に繋いでいる。
【0065】
（作用及び効果）
本実施形態のボロメータ１０１では、センサ部１０４が、複数の第一内側面１２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
このため、第一実施形態と同様に、センサ部１０４と第一電極１０２との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部１０４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ１０１によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
本実施形態のボロメータ１０１では、センサ部１０４が、複数の第一内側面１２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
このため、第一実施形態と同様に、センサ部１０４と第一電極１０２との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部１０４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ１０１によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
【0066】
なお、第一実施形態で示した各変形例は、本実施形態においても適用できる。
【0067】
【0068】
（ボロメータの構成）
図２１に示すように、ボロメータ９０１は、第一電極９０２と、第二電極９０３と、センサ部９０４とを備える。
第一電極９０２は、複数の第一延伸部９２２を備える。
図２２に示すように、複数の第一延伸部９２２は、並列方向ＤＰに並ぶ複数の第一内側面９２２Ｓを有する。
各第一内側面９２２Ｓは、並列方向ＤＰと交差する延伸方向ＤＥに延びている。
第二電極９０３は、第一電極９０２に対し、延伸方向ＤＥに離れて対向している。
センサ部９０４は、センサ膜９４１と接続部９４２とを備える。
第一電極９０２と、センサ膜９４１と、第二電極９０３とが、順に延伸方向ＤＥに並んでいる。
接続部９４２は、複数の第一内側面９２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びて複数の第一内側面９２２Ｓとセンサ膜９４１とを繋いでいる。
センサ部９０４は、カーボンナノチューブを含む。
図２１に示すように、ボロメータ９０１は、第一電極９０２と、第二電極９０３と、センサ部９０４とを備える。
第一電極９０２は、複数の第一延伸部９２２を備える。
図２２に示すように、複数の第一延伸部９２２は、並列方向ＤＰに並ぶ複数の第一内側面９２２Ｓを有する。
各第一内側面９２２Ｓは、並列方向ＤＰと交差する延伸方向ＤＥに延びている。
第二電極９０３は、第一電極９０２に対し、延伸方向ＤＥに離れて対向している。
センサ部９０４は、センサ膜９４１と接続部９４２とを備える。
第一電極９０２と、センサ膜９４１と、第二電極９０３とが、順に延伸方向ＤＥに並んでいる。
接続部９４２は、複数の第一内側面９２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びて複数の第一内側面９２２Ｓとセンサ膜９４１とを繋いでいる。
センサ部９０４は、カーボンナノチューブを含む。
【0069】
（作用及び効果）
本実施形態のボロメータ９０１では、センサ部９０４が、複数の第一内側面９２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
このような構成によれば、接続部９４２が複数の第一内側面９２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びているため、センサ部９０４と第一電極９０２との接触面積が大きくなる。
加えて、このような構成によれば、複数の第一内側面９２２Ｓの間において、センサ部９０４に含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向ＤＥを向きやすい。これにより、センサ部９０４に含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第一内側面９２２Ｓとの接触面積が増大する。
このため、センサ部９０４と第一電極９０２との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部９０４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ９０１によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
本実施形態のボロメータ９０１では、センサ部９０４が、複数の第一内側面９２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びている。
このような構成によれば、接続部９４２が複数の第一内側面９２２Ｓの間を延伸方向ＤＥに延びているため、センサ部９０４と第一電極９０２との接触面積が大きくなる。
加えて、このような構成によれば、複数の第一内側面９２２Ｓの間において、センサ部９０４に含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向ＤＥを向きやすい。これにより、センサ部９０４に含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第一内側面９２２Ｓとの接触面積が増大する。
このため、センサ部９０４と第一電極９０２との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部９０４における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ９０１によれば、検出感度の低下を抑制することができる。
【0070】
＜ボロメータ製造方法の最小構成の実施形態＞
以下、本開示に係るボロメータ製造方法の最小構成の実施形態について、図２３を用いて説明する。
以下、本開示に係るボロメータ製造方法の最小構成の実施形態について、図２３を用いて説明する。
【0071】
（ボロメータ製造方法）
図２３に示すように、ボロメータ製造方法では、第一電極と第二電極とを形成し（ＳＴ９０１：電極形成ステップ）、センサ部を形成する（ＳＴ９０２：センサ部形成ステップ）。
第一電極は、複数の第一延伸部を備える。
複数の第一延伸部は、並列方向に並ぶ複数の第一内側面を有する。
各第一内側面は、並列方向と交差する延伸方向に延びている。
第二電極は、第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している。
センサ部は、センサ膜と接続部とを備える。
第一電極と、センサ膜と、第二電極とが、順に延伸方向に並んでいる。
接続部は、複数の第一内側面の間を延伸方向に延びて複数の第一内側面とセンサ膜とを繋いでいる。
センサ部は、カーボンナノチューブを含む。
図２３に示すように、ボロメータ製造方法では、第一電極と第二電極とを形成し（ＳＴ９０１：電極形成ステップ）、センサ部を形成する（ＳＴ９０２：センサ部形成ステップ）。
第一電極は、複数の第一延伸部を備える。
複数の第一延伸部は、並列方向に並ぶ複数の第一内側面を有する。
各第一内側面は、並列方向と交差する延伸方向に延びている。
第二電極は、第一電極に対し、延伸方向に離れて対向している。
センサ部は、センサ膜と接続部とを備える。
第一電極と、センサ膜と、第二電極とが、順に延伸方向に並んでいる。
接続部は、複数の第一内側面の間を延伸方向に延びて複数の第一内側面とセンサ膜とを繋いでいる。
センサ部は、カーボンナノチューブを含む。
【0072】
（作用及び効果）
本実施形態のボロメータ製造方法において製造されるボロメータでは、センサ部が、複数の第一内側面の間を延伸方向に延びている。
このような構成によれば、接続部が複数の第一内側面の間を延伸方向に延びているため、センサ部と第一電極との接触面積が大きくなる。
加えて、このような構成によれば、複数の第一内側面の間において、センサに含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向を向きやすい。これにより、センサに含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第一内側面との接触面積が増大する。
このため、センサ部と第一電極との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ製造方法において製造されるボロメータによれば、検出感度の低下を抑制することができる。
本実施形態のボロメータ製造方法において製造されるボロメータでは、センサ部が、複数の第一内側面の間を延伸方向に延びている。
このような構成によれば、接続部が複数の第一内側面の間を延伸方向に延びているため、センサ部と第一電極との接触面積が大きくなる。
加えて、このような構成によれば、複数の第一内側面の間において、センサに含まれるカーボンナノチューブの軸が、延伸方向を向きやすい。これにより、センサに含まれるカーボンナノチューブの周壁と、複数の第一内側面との接触面積が増大する。
このため、センサ部と第一電極との間の接触抵抗が小さくなり、センサ部における熱による電気抵抗値の変化が検出しやすい。
したがって、本実施形態のボロメータ製造方法において製造されるボロメータによれば、検出感度の低下を抑制することができる。
【0073】
以上、本開示の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として示したものであり、本開示の範囲を限定することは意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本開示の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【実施例0074】
以下、実施例により本開示をさらに具体的に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
【0075】
本実施例では、実際に図２４に示すような櫛型形状の電極（櫛歯の間の溝の幅５μｍ）を作製し、カーボンナノチューブが分散している分散液を塗布して乾燥したカーボンナノチューブ膜を作製し、図２５に示すようなＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：；走査電子顕微鏡）像を観察した。
その結果、電極の櫛歯の間に形成されている溝において、電極と平行にカーボンナノチューブが配向している様子が観察された。この配向により、カーボンナノチューブの軸方向の断面ではなく、カーボンナノチューブの周壁が電極の内側面と接続するため、電極の内側面の接触面積が増大すると考えられる。また、カーボンナノチューブが束になっている効果や、電極の櫛歯の間に形成されている溝にカーボンナノチューブ分散液が溜まることによるカーボンナノチューブ膜の膜厚の増加もあると考えられる。
その結果、電極の櫛歯の間に形成されている溝において、電極と平行にカーボンナノチューブが配向している様子が観察された。この配向により、カーボンナノチューブの軸方向の断面ではなく、カーボンナノチューブの周壁が電極の内側面と接続するため、電極の内側面の接触面積が増大すると考えられる。また、カーボンナノチューブが束になっている効果や、電極の櫛歯の間に形成されている溝にカーボンナノチューブ分散液が溜まることによるカーボンナノチューブ膜の膜厚の増加もあると考えられる。
【0076】
【符号の説明】
【0077】
１ ボロメータ
１Ａ ボロメータ
１Ｂ ボロメータ
１Ｃ ボロメータ
１Ｄ ボロメータ
１Ｅ ボロメータ
１Ｆ ボロメータ
２ 第一電極
２Ａｕ 金層
２Ｄ 第一電極
２Ｅ 第一電極
２ＥＴｉ チタン層
２Ｆ 第一電極
２ＦＡｕ 中間層
２ＦＴｉ チタン層
２Ｔｉ チタン層
３ 第二電極
３Ｂ 第二電極
３Ｄ 第二電極
３Ｅ 第二電極
３Ｆ 第二電極
３Ｔｉ チタン層
４ センサ部
４Ｃ センサ部
５ 基板
６ 絶縁層
７ 吸収体
８Ｅ 第一下地電極
８Ｆ 第一下地電極
２１ 第一基部
２２ 第一延伸部
２２Ｅ 第一延伸部
２２Ｆ 第一延伸部
２２Ｓ 第一内側面
３１ 第二基部
３２ 第二延伸部
３２Ｅ 第二延伸部
３２Ｆ 第二延伸部
３２Ｓ 第二内側面
４１ センサ膜
４１Ｃ センサ膜
４２ 接続部
４３ 第一接続パターン
４４ 第二接続パターン
１０１ ボロメータ
１０２ 第一電極
１０３ 第二電極
１０４ センサ部
１０５ 第三電極
１０６ 第四電極
１２１ 第一基部
１２２ 第一延伸部
１２２Ｓ 第一内側面
１３１ 第二基部
１３２ 第二延伸部
１３２Ｓ 第二内側面
１４１ センサ膜
１４２ 接続部
１４３ 第一接続パターン
１４４ 第二接続パターン
１４５ 第一センサ膜
１４６ 第二センサ膜
９０１ ボロメータ
９０２ 第一電極
９０３ 第二電極
９０４ センサ部
９２２ 第一延伸部
９２２Ｓ 第一内側面
９４１ センサ膜
９４２ 接続部
ＤＥ 延伸方向
ＤＩ 電流方向
ＤＰ 並列方向
ＤＳ 積層方向
Ｇ１ 第一溝
Ｇ１ｂ 底
Ｇ２ 第二溝
Ｇ２ｂ 底
ＲＧ 領域
１Ａ ボロメータ
１Ｂ ボロメータ
１Ｃ ボロメータ
１Ｄ ボロメータ
１Ｅ ボロメータ
１Ｆ ボロメータ
２ 第一電極
２Ａｕ 金層
２Ｄ 第一電極
２Ｅ 第一電極
２ＥＴｉ チタン層
２Ｆ 第一電極
２ＦＡｕ 中間層
２ＦＴｉ チタン層
２Ｔｉ チタン層
３ 第二電極
３Ｂ 第二電極
３Ｄ 第二電極
３Ｅ 第二電極
３Ｆ 第二電極
３Ｔｉ チタン層
４ センサ部
４Ｃ センサ部
５ 基板
６ 絶縁層
７ 吸収体
８Ｅ 第一下地電極
８Ｆ 第一下地電極
２１ 第一基部
２２ 第一延伸部
２２Ｅ 第一延伸部
２２Ｆ 第一延伸部
２２Ｓ 第一内側面
３１ 第二基部
３２ 第二延伸部
３２Ｅ 第二延伸部
３２Ｆ 第二延伸部
３２Ｓ 第二内側面
４１ センサ膜
４１Ｃ センサ膜
４２ 接続部
４３ 第一接続パターン
４４ 第二接続パターン
１０１ ボロメータ
１０２ 第一電極
１０３ 第二電極
１０４ センサ部
１０５ 第三電極
１０６ 第四電極
１２１ 第一基部
１２２ 第一延伸部
１２２Ｓ 第一内側面
１３１ 第二基部
１３２ 第二延伸部
１３２Ｓ 第二内側面
１４１ センサ膜
１４２ 接続部
１４３ 第一接続パターン
１４４ 第二接続パターン
１４５ 第一センサ膜
１４６ 第二センサ膜
９０１ ボロメータ
９０２ 第一電極
９０３ 第二電極
９０４ センサ部
９２２ 第一延伸部
９２２Ｓ 第一内側面
９４１ センサ膜
９４２ 接続部
ＤＥ 延伸方向
ＤＩ 電流方向
ＤＰ 並列方向
ＤＳ 積層方向
Ｇ１ 第一溝
Ｇ１ｂ 底
Ｇ２ 第二溝
Ｇ２ｂ 底
ＲＧ 領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】