特開 2024-159239 セラミック電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024159239

(43)【公開日】2024-11-08

(54)【発明の名称】セラミック電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20241031BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201C

H01G4/30 513

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023075094

(22)【出願日】2023-04-28

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】永井 僚

(72)【発明者】

【氏名】阿部 大祐

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 真一

(72)【発明者】

【氏名】吉田 周

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC05

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE11

5E082FF05

5E082FG26

5E082GG10

(57)【要約】

【課題】 クラックの発生を抑制することができるセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 セラミック電子部品は、複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有する積層構造と、前記複数の内部電極層が対向する第１方向と、前記２端面が対向する第２方向とに直交する第３方向において前記積層構造を挟む１対のサイドマージンと、を備え、前記複数の内部電極層の少なくとも隣り合う２層について、前記第３方向における前記２層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の範囲の連続率差が２０％以上となっており、前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第３方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率差は、±１０％以内の範囲にある。
【選択図】 図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有する積層構造と、
前記複数の内部電極層が対向する第１方向と、前記２端面が対向する第２方向とに直交する第３方向において前記積層構造を挟む１対のサイドマージンと、を備え、
前記複数の内部電極層の少なくとも隣り合う２層について、前記第３方向における前記２層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の範囲の連続率差が２０％以上となっており、
前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第３方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率差は、±１０％以内の範囲にある、セラミック電子部品。

【請求項2】

複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有する積層構造と、
前記複数の内部電極層が対向する第１方向と、前記２端面が対向する第２方向とに直交する第３方向において前記積層構造を挟む１対のサイドマージンと、を備え、
前記複数の内部電極層について、前記第３方向における前記複数の内部電極層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の範囲の各内部電極層の連続率の標準偏差は、前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第３方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率の標準偏差よりも大きい、セラミック電子部品。

【請求項3】

前記複数の内部電極層について、前記第３方向における前記複数の内部電極層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の各内部電極層の連続率の平均値は、前記容量部において前記第３方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲の各内部電極層の連続率の平均値よりも小さい、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。

【請求項4】

前記第３方向における前記複数の内部電極層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の範囲において、前記複数の内部電極層の連続率が１層毎に異なる、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。

【請求項5】

複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有し、略直方体形状を有し、第２方向に互いに対向する２端面に前記複数の内部電極層が交互に引き出されるように形成された積層チップを備え、
前記積層チップは、同じ端面に露出する内部電極層同士が、異なる端面に露出する内部電極層を介さずに対向するエンドマージンを備え、
前記複数の内部電極層の少なくとも隣り合う２層について、前記第２方向における前記２層の長さを１００％とした場合に、前記第２方向の前記エンドマージン側端から内方に５％の範囲の連続率差が１５％以上となっており、
前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第２方向の中心から±２０％の範囲かつ前記複数の内部電極層が対向する第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率差は、±１０％以内の範囲にある、セラミック電子部品。

【請求項6】

複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有し、略直方体形状を有し、第２方向に互いに対向する２端面に前記複数の内部電極層が交互に引き出されるように形成された積層チップを備え、
前記積層チップは、同じ端面に露出する内部電極層同士が、異なる端面に露出する内部電極層を介さずに対向するエンドマージンを備え、
前記複数の内部電極層について、前記第２方向における前記複数の内部電極層の長さを１００％とした場合に、前記第２方向の前記エンドマージン側端から内方に５％の範囲の各内部電極層の連続率の標準偏差は、前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第２方向の中心から±２０％の範囲かつ前記複数の内部電極層が対向する第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率の標準偏差よりも大きい、セラミック電子部品。

【請求項7】

前記複数の内部電極層について、前記第２方向における前記複数の内部電極層の長さを１００％とした場合に、前記第２方向の前記エンドマージン側端から内方に５％の範囲の各内部電極層の連続率の平均値は、前記容量部において前記第２方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲の各内部電極層の連続率の平均値よりも小さい、請求項５または請求項６に記載のセラミック電子部品。

【請求項8】

前記第２方向における前記複数の内部電極層の長さを１００％とした場合に、前記第２方向の前記エンドマージン側端から内方に５％の範囲において、前記複数の内部電極層の連続率が１層毎に異なる、請求項５または請求項６に記載のセラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、セラミック電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電子機器の小型高密度化に伴い、積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品（例えば、特許文献１～６参照）も小型大容量化が求められている。積層セラミックコンデンサを大容量化するためには、内部電極層の交差面積を増加させる必要があり、内部電極層の連続率を高めることが効果的である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－１６４４４６号公報

【特許文献2】特開２０２１－０８６９７２号公報

【特許文献3】特開２０１５－１１１６５１号公報

【特許文献4】特開２０１７－１０３２６２号公報

【特許文献5】特開２０１３－８９９４４号公報

【特許文献6】特開２０１５－０５３５２６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、内部電極層の連続率が高くなると、誘電体層と内部電極層との界面の密着力が低下するため、焼成時の収縮差による内部応力が原因で、層間剥離（デラミネーション）といったクラックが発生する可能性がある。また、誘電体層に電圧を印加すると電歪現象（逆圧電現象）が生じる。電歪現象は、電界の印加方向の膨張によって機械的変位が生じる現象である。電歪現象が生じると、強度の低い領域でクラックが発生する可能性がある。これらのクラックが発生することで、破壊電圧や耐電圧の低下を招いてしまうという問題があった。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、クラックの発生を抑制することができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係るセラミック電子部品は、複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有する積層構造と、前記複数の内部電極層が対向する第１方向と、前記２端面が対向する第２方向とに直交する第３方向において前記積層構造を挟む１対のサイドマージンと、を備え、前記複数の内部電極層の少なくとも隣り合う２層について、前記第３方向における前記２層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の範囲の連続率差が２０％以上となっており、前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第３方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率差は、±１０％以内の範囲にある。

【0007】

本発明に係る他のセラミック電子部品は、複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有する積層構造と、前記複数の内部電極層が対向する第１方向と、前記２端面が対向する第２方向とに直交する第３方向において前記積層構造を挟む１対のサイドマージンと、を備え、前記複数の内部電極層について、前記第３方向における前記複数の内部電極層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の範囲の各内部電極層の連続率の標準偏差は、前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第３方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率の標準偏差よりも大きい。

【0008】

上記セラミック電子部品において、前記第３方向における前記複数の内部電極層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の各内部電極層の連続率の平均値は、前記容量部において前記第３方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲の各内部電極層の連続率の平均値よりも小さくてもよい。

【0009】

上記セラミック電子部品において、前記第３方向における前記複数の内部電極層の幅を１００％とした場合に、前記第３方向の前記サイドマージン側端から内方に５％の範囲において、前記複数の内部電極層の連続率が１層毎に異なっていてもよい。

【0010】

本発明に係るセラミック電子部品は、複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有し、略直方体形状を有し、第２方向に互いに対向する２端面に前記複数の内部電極層が交互に引き出されるように形成された積層チップを備え、前記積層チップは、同じ端面に露出する内部電極層同士が、異なる端面に露出する内部電極層を介さずに対向するエンドマージンを備え、前記複数の内部電極層の少なくとも隣り合う２層について、前記第２方向における前記２層の長さを１００％とした場合に、前記第２方向の前記エンドマージン側端から内方に５％の範囲の連続率差が１５％以上となっており、前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第２方向の中心から±２０％の範囲かつ前記複数の内部電極層が対向する第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率差は、±１０％以内の範囲にある。

【0011】

本発明に係る他のセラミック電子部品は、複数の誘電体層と、前記複数の誘電体層を介して設けられ、互いに対向する２端面に交互に引き出された複数の内部電極層と、を有し、略直方体形状を有し、第２方向に互いに対向する２端面に前記複数の内部電極層が交互に引き出されるように形成された積層チップを備え、前記積層チップは、同じ端面に露出する内部電極層同士が、異なる端面に露出する内部電極層を介さずに対向するエンドマージンを備え、前記第２方向における前記複数の内部電極層の長さを１００％とした場合に、前記第２方向の前記エンドマージン側端から内方に５％の範囲の各内部電極層の連続率の標準偏差は、前記２端面に交互に引き出された内部電極層同士が対向する容量部において、前記第２方向の中心から±２０％の範囲かつ前記複数の内部電極層が対向する第１方向の中心から±２０％の範囲における各内部電極層の連続率の標準偏差よりも大きい。

【0012】

上記セラミック電子部品において、前記第２方向における前記複数の内部電極層の長さを１００％とした場合に、前記第２方向の前記エンドマージン側端から内方に５％の範囲の各内部電極層の連続率の平均値は、前記容量部において前記第２方向の中心から±２０％の範囲かつ前記第１方向の中心から±２０％の範囲の各内部電極層の連続率の平均値よりも小さくてもよい。

【0013】

上記セラミック電子部品において、前記第２方向における前記複数の内部電極層の長さを１００％とした場合に、前記第２方向の前記エンドマージン側端から内方に５％の範囲において、前記複数の内部電極層の連続率が１層毎に異なていてもよい。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、クラックの発生を抑制することができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。

【図2】図１のＡ－Ａ線断面図である。

【図3】図１のＢ－Ｂ線断面図である。

【図4】外部電極付近の拡大断面図である。

【図5】連続率を例示する図である。

【図6】（ａ）および（ｂ）は積層セラミックコンデンサのＴＷ断面である。

【図7】積層セラミックコンデンサのＬＴ断面である。

【図8】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。

【図9】内部電極形成工程を例示する図である。

【図10】ＳＥＭ写真を例示する図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。

【0017】

（実施形態）
図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。図１～図３で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、互いに離間している。

【0018】

なお、図１～図３において、Ｔ軸方向（第１方向）は、積層方向であり、各内部電極層が対向する方向である。Ｌ軸方向（第２方向）は、積層チップ１０の長さ方向であって、積層チップ１０の２端面が対向する方向であり、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとが対向する方向である。Ｗ軸方向（第３方向）は、内部電極層の幅方向であり、積層チップ１０の４側面のうち２端面以外の２側面が対向する方向である。Ｔ軸方向と、Ｌ軸方向と、Ｗ軸方向とは、互いに直交している。

【0019】

積層チップ１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、内部電極層とが、交互に積層された構成を有する。内部電極層は、複数の第１内部電極層１２ａおよび複数の第２内部電極層１２ｂを備えている。第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂは、交互に積層されている。第１内部電極層１２ａの端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ａが設けられた第１端面に引き出されている。第２内部電極層１２ｂの端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ｂが設けられた第２端面に引き出されている。それにより、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂは、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、コンデンサ単位が積層された構成を有する。また、誘電体層１１と内部電極層との積層体において、積層方向の最外層には内部電極層が配置され、当該積層体の上面および下面は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３は、誘電体層１１と組成が同じであっても、異なっていても構わない。

【0020】

積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。ただ、大形状品ほどクラック抑制に効果があると考えられるため、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍのサイズ以上であるとなお良い。

【0021】

第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂは、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）等の卑金属やこれらの合金を主成分とする。第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの主成分として、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などの貴金属やこれらを含む合金を用いてもよい。Ｔ軸方向における第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの１層あたりの平均厚みは、２μｍ以下である。第１内部電極層１２ａの１層あたりの平均厚みは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、異なる１０層の第１内部電極層１２ａについてそれぞれ１０点ずつ厚みを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。第２内部電極層１２ｂの１層あたりの平均厚みは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、異なる１０層の第２内部電極層１２ｂについてそれぞれ１０点ずつ厚みを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。

【0022】

誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主相とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ_３－αを含む。例えば、当該セラミック材料として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３），ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３），チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３），チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ_３），ペロブスカイト構造を形成するＢａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等のうち少なくとも１つから選択して用いることができる。Ｂａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３は、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸カルシウムおよびチタン酸ジルコン酸バリウムカルシウムなどである。例えば、誘電体層１１において、主成分セラミックは、９０ａｔ％以上含まれている。Ｔ軸方向における誘電体層１１の１層あたりの平均厚みは、１０μｍ以下である。Ｔ軸方向における誘電体層１１の１層あたりの平均厚みは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、異なる１０層の誘電体層１１についてそれぞれ１０点ずつ厚みを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。

【0023】

誘電体層１１には、添加物が添加されていてもよい。誘電体層１１への添加物として、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム(Ｍｇ）、マンガン(Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム(Ｖ）、クロム(Ｃｒ）、希土類元素(イットリウム(Ｙ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ)、ツリウム（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）)の酸化物、または、コバルト(Ｃｏ）、ニッケル(Ｎｉ）、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）もしくはケイ素（Ｓｉ）を含む酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含むガラスが挙げられる。

【0024】

図２で例示するように、外部電極２０ａに接続された第１内部電極層１２ａと外部電極２０ｂに接続された第２内部電極層１２ｂとが対向する領域は、積層セラミックコンデンサ１００において電気容量を生じる領域である。そこで、当該電気容量を生じる領域を、容量部１４と称する。すなわち、容量部１４は、異なる外部電極に接続された隣接する内部電極層同士が対向する領域である。

【0025】

外部電極２０ａに接続された第１内部電極層１２ａ同士が、外部電極２０ｂに接続された第２内部電極層１２ｂを介さずに積層方向に対向する領域を、第１エンドマージン１５ａと称する。また、外部電極２０ｂに接続された第２内部電極層１２ｂ同士が、外部電極２０ａに接続された第１内部電極層１２ａを介さずに積層方向に対向する領域を、第２エンドマージン１５ｂと称する。各エンドマージンは、同じ外部電極に接続された内部電極層が、異なる外部電極に接続された内部電極層を介さずに積層方向に対向する領域である。第１エンドマージン１５ａおよび第２エンドマージン１５ｂは、電気容量を生じない領域である。

【0026】

図３で例示するように、積層チップ１０において、サイドマージン１６は、誘電体層１１、第１内部電極層１２ａ、および第２内部電極層１２ｂの積層構造の２側面側の端部（Ｗ軸方向の端部）を覆うように設けられた領域である。すなわち、図３においては、サイドマージン１６は、Ｗ軸方向において、容量部１４の外側に設けられた領域である。即ちサイドマージン１６は、積層方向から見た容量部１４に隣接した外側の領域であって、内部電極層が引き出されていない側の容量部１４に隣接した外側の領域である。サイドマージン１６も、電気容量を生じない領域である。

【0027】

図４（ａ）は、外部電極２０ａ付近の拡大断面図である。図４（ａ）では、ハッチングを省略している。図４（ａ）で例示するように、外部電極２０ａは、下地層２１ａ上に、めっき層２２ａが設けられた構造を有している。下地層２１ａは、積層チップ１０の第１端面に接する接触層として機能する。下地層２１ａは、Ｎｉ、Ｃｕなどを主成分とする。下地層２１ａは、ガラス成分を含んでいてもよい。

【0028】

めっき層２２ａは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎなどの金属またはこれらの２以上の合金を主成分とする。めっき層２２ａは、単一金属成分のめっき層でもよく、互いに異なる金属成分の複数のめっき層でもよい。例えば、図４では、めっき層２２ａは、下地層２１ａ側から順に、第１めっき層２３ａ、第２めっき層２４ａおよび第３めっき層２５ａが形成された構造を有する。第１めっき層２３ａは、例えば、Ｓｎめっき層である。第２めっき層２４ａは、例えば、Ｎｉめっき層である。第３めっき層２５ａは、例えば、Ｓｎめっき層である。

【0029】

図４（ｂ）は、外部電極２０ｂ付近の拡大断面図である。図４（ｂ）では、ハッチを省略している。図４（ｂ）で例示するように、外部電極２０ｂは、下地層２１ｂ上に、めっき層２２ｂが設けられた構造を有している。下地層２１ｂは、積層チップ１０の第２端面に接する接触層として機能する。下地層２１ｂは、Ｎｉ、Ｃｕなどを主成分とする。下地層２１ｂは、ガラス成分を含んでいてもよい。

【0030】

めっき層２２ｂは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎなどの金属またはこれらの２以上の合金を主成分とする。めっき層２２ｂは、単一金属成分のめっき層でもよく、互いに異なる金属成分の複数のめっき層でもよい。例えば、めっき層２２ｂは、下地層２１ｂ側から順に、第１めっき層２３ｂ、第２めっき層２４ｂおよび第３めっき層２５ｂが形成された構造を有する。第１めっき層２３ｂは、例えば、Ｓｎめっき層である。第２めっき層２４ｂは、例えば、Ｎｉめっき層である。第３めっき層２５ｂは、例えば、Ｓｎめっき層である。

【0031】

下地層２１ａおよび下地層２１ｂは、同じ組成を有していてもよいが、異なる組成を有していてもよい。めっき層２２ａおよびめっき層２２ｂは、同じ積層構造を有していてもよいが、異なる積層構造を有していてもよい。例えば、めっき層の積層数が異なっていてもよい。第１めっき層２３ａおよび第１めっき層２３ｂは、同じ組成を有していてもよいが、異なる組成を有していてもよい。第２めっき層２４ａおよび第２めっき層２４ｂは、同じ組成を有していてもよいが、異なる組成を有していてもよい。第３めっき層２５ａおよび第３めっき層２５ｂは、同じ組成を有していてもよいが、異なる組成を有していてもよい。

【0032】

このような構造において、小型大容量化を実現するためには、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの連続率を高くして内部電極層同士の交差面積を大きくすることが好ましい。

【0033】

ここで、連続率について説明する。図５は、連続率を表す図である。図５で例示するように、第１内部電極層１２ａまたは第２内部電極層１２ｂにおける長さＬ０の観察領域において、その金属部分の長さＬ１，Ｌ２，・・・，Ｌｎを測定して合計し、金属部分の割合であるΣＬｎ／Ｌ０をその層の連続率と定義することができる。この連続率が１００％に近いほど、内部電極層の連続性が良好ということになる。

【0034】

しかしながら、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの連続率を高めることで、誘電体層１１と、第１内部電極層１２ａまたは第２内部電極層１２ｂとの界面の密着力が低下するおそれがある。誘電体層１１と内部電極層との界面の密着力が低下すると、焼成時の収縮差による内部応力が原因で、層間剥離（デラミネーション）といったクラックが発生する可能性がある。

【0035】

また、積層セラミックコンデンサは、誘電体層に電圧を印加すると電歪現象（逆圧電現象）が生じる。電歪現象は、電界の印加方向への膨張によって機械的変位が生じる現象である。電歪現象により、強度の低いサイドマージン１６、第１エンドマージン１５ａ、または第２エンドマージン１５ｂの近傍でクラックが発生する可能性がある。これらのクラックが発生することで、破壊電圧や耐電圧の低下を招くおそれがある。特に、大形状品ほどクラック抑制に効果があると考えられる。一般的に、大形状品になればなるほど電歪等の応力による変形量が大きくなるため、クラックが発生しやすい傾向にある。ここでいう大形状品とは、例えば、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍのサイズ以上である。

【0036】

そこで、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００は、内部応力を要因とする各種クラックを抑制することができる構成を有している。

【0037】

まず、図２で説明した容量部１４の各領域の名称について説明する。図６（ａ）および図６（ｂ）は、積層セラミックコンデンサ１００のＴＷ断面である。例えば、Ｌ軸方向の中央におけるＴＷ断面である。図６（ａ）および図６（ｂ）で例示するように、容量部１４において、Ｗ軸方向における第１内部電極層１２ａ及び第２内部電極層１２ｂの幅を１００％とした場合に、Ｗ軸方向のサイドマージン１６側端から内方に５％の範囲の領域を外側領域Ｅ＿Ｗと称する。上記外側領域Ｅ＿Ｗは、４％の範囲だとなお良い。容量部１４において、容量部１４のＷ軸方向の幅を１００％とした場合にＷ軸方向において中心から±２０％の範囲、かつ容量部１４のＴ軸方向の幅を１００％とした場合にＴ軸方向において中心から±２０％の範囲の領域を中央領域Ｃ＿Ｗと称する。

【0038】

外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、少なくとも隣り合う２層の内部電極層（第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂ）に着目した場合に、連続率差が２０％以上となっている。例えば、第１内部電極層１２ａの連続率が５０％であり、隣接する第２内部電極層１２ｂの連続率が７０％となっている。したがって、外側領域Ｅ＿Ｗでは、連続率の高い内部電極層と、連続率の低い内部電極層とが混在するようになる。次に、中央領域Ｃ＿Ｗにおいては、各内部電極層の連続率差が、±１０％以内の範囲にある。したがって、中央領域Ｃ＿Ｗでは、各内部電極層の連続率差が小さくなる。このような構成により、内部に向かって段階的に連続率差が小さくなるようになるため、焼成時の収縮差が緩和され、内部応力（収縮応力）そのものが抑制され、クラックの発生が抑制される。

【0039】

外側領域Ｅ＿Ｗの連続率差を大きくする観点から、少なくとも隣り合う２層の内部電極層（第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂ）に着目した場合に、連続率差が２５％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましい。

【0040】

一方で、連続率差が大きいと、第１内部電極層１２ａの連続率を低下させることによる容量低下が懸念される。そこで、少なくとも隣り合う２層の内部電極層（第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂ）に着目した場合の連続率差に上限を設けることが好ましい。当該連続率差は、５０％以下であることが好ましく、４５％以下であることがより好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。

【0041】

例えば、外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、Ｔ軸方向の最外層の２層の内部電極層を除いて、隣り合う各２層の内部電極層（第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂ）に着目した場合に、連続率差が２０％以上であることが好ましく、２５％以上であることがより好ましく、３０％以上であることがさらに好ましい。また、当該連続率差は、５０％以下であることが好ましく、４５％以下であることがより好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。

【0042】

例えば、外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、各第１内部電極層１２ａの連続率の平均値と、各第２内部電極層１２ｂの連続率の平均値との差が、２０％以上であることが好ましく、２５％以上であることがより好ましく、３０％以上であることがさらに好ましい。

【0043】

中央領域Ｃ＿Ｗにおける各内部電極層のバラツキを小さくする観点から、中央領域Ｃ＿Ｗにおける各内部電極層の連続率差は、±８％以内の範囲にあることが好ましく、±５％以内の範囲にあることがより好ましい。

【0044】

中央領域Ｃ＿Ｗにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の平均値よりも、外側領域Ｅ＿Ｗにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の平均値の方が小さくなっていることが好ましい。この構成によれば、サイドマージン１６に近い外側領域Ｅ＿Ｗにおける各内部電極層の連続率が低くなることから、サイドマージン１６近傍ではセラミック比率が高くなり、外側領域Ｅ＿Ｗの強度が高くなってクラックの発生が抑制され、外側領域Ｅ＿Ｗでは誘電体層１１と各内部電極層との密着力が高くなって層間剥離が抑制される。また、中央領域Ｃ＿Ｗでは各内部電極層の連続率の平均値が高いことから、外側領域Ｅ＿Ｗから中央領域Ｃ＿Ｗに向かってセラミック比率が段階的に低下することになり、焼成時の収縮差が緩和され、内部応力（収縮応力）そのものが抑制され、クラックの発生が抑制される。

【0045】

中央領域Ｃ＿Ｗにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の平均値平均値と、外側領域Ｅ＿Ｗにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の平均値との差異は、１０％以上であることが好ましく、１５％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。

【0046】

なお、中央領域Ｃ＿Ｗにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の連続率のバラツキよりも、外側領域Ｅ＿Ｗにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率のバラツキが大きくなっていることが好ましい。この場合、外側領域Ｅ＿Ｗでは、連続率の低い層が設けられる一方で、連続率の高い層も設けられることになる。それにより、容量低下を抑制することができる。例えば、外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、各内部電極層の連続率は、１層おきに低い、高い、を繰り返すことが好ましい。

【0047】

例えば、外側領域Ｅ＿Ｗにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の標準偏差は、中央領域Ｃ＿Ｗにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の標準偏差よりも大きいことが好ましい。

【0048】

次に、ＬＴ断面における容量部１４の各領域の名称について説明する。図７は、積層セラミックコンデンサ１００のＬＴ断面である。例えば、Ｗ軸方向の中央におけるＬＴ断面である。図７で例示するように、容量部１４において、Ｌ軸方向における内部電極層１２の長さを１００％とした場合に、Ｌ軸方向の第１エンドマージン１５ａ側端から内方に５％の範囲の領域および第２エンドマージン１５ｂ側端から内方の５％の範囲の領域をそれぞれ外側領域Ｅ＿Ｌと称する。上記外側領域Ｅ＿Ｌは、３％の範囲だとなお良い。容量部１４において、容量部１４のＬ軸方向の幅を１００％とした場合にＬ軸方向において中心から±２０％の範囲、かつ容量部１４のＴ軸方向の幅を１００％とした場合にＴ軸方向において中心から±２０％の範囲の領域を中央領域Ｃ＿Ｌと称する。

【0049】

外側領域Ｅ＿Ｌにおいて、少なくとも隣り合う２層の内部電極層（第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂ）に着目した場合に、連続率差が１５％以上となっている。例えば、第１内部電極層１２ａの連続率が５５％であり、隣接する第２内部電極層１２ｂの連続率が７０％となっている。したがって、外側領域Ｅ＿Ｌでは、連続率の高い内部電極層と、連続率の低い内部電極層とが混在するようになる。次に、中央領域Ｃ＿Ｌにおいては、各内部電極層の連続率差が、±１０％以内の範囲にある。したがって、中央領域Ｃ＿Ｌでは、各内部電極層の連続率差が小さくなる。このような構成により、内部に向かって段階的に連続率差が小さくなるようになるため、焼成時の収縮差が緩和され、内部応力（収縮応力）そのものが抑制され、クラックの発生が抑制される。

【0050】

外側領域Ｅ＿Ｌの連続率差を大きくする観点から、少なくとも隣り合う２層の内部電極層（第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂ）に着目した場合に、連続率差が２０％以上であることが好ましく、２５％以上であることがより好ましい。

【0051】

一方で、外側領域Ｅ＿Ｌの連続率を低下させることによる容量低下が懸念される。そこで、少なくとも隣り合う２層の内部電極層（第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂ）に着目した場合の連続率差に上限を設けることが好ましい。当該連続率差は、５０％以下であることが好ましく、４５％以下であることがより好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。

【0052】

例えば、外側領域Ｅ＿Ｌにおいて、Ｔ軸方向の最外層の２層の内部電極層を除いて、隣り合う各２層の内部電極層（第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂ）に着目した場合に、連続率差が１５％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましく、２５％以上であることがさらに好ましい。また、当該連続率差は、５０％以下であることが好ましく、４５％以下であることがより好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。

【0053】

例えば、外側領域Ｅ＿Ｌにおいて、各第１内部電極層１２ａの連続率の平均値と、各第２内部電極層１２ｂの連続率の平均値との差が、１５％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましく、２５％以上であることがさらに好ましい。

【0054】

中央領域Ｃ＿Ｌにおける各内部電極層のバラツキを小さくする観点から、中央領域Ｃ＿Ｌにおける各内部電極層の連続率差は、±８％以内の範囲にあることが好ましく、±５％以内の範囲にあることがより好ましい。

【0055】

中央領域Ｃ＿Ｌにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の平均値よりも、外側領域Ｅ＿Ｌにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の平均値の方が小さくなっていることが好ましい。この構成によれば、第１エンドマージン１５ａおよび第２エンドマージン１５ｂに近い外側領域Ｅ＿Ｌにおける各内部電極層の連続率が低くなることから、第１エンドマージン１５ａおよび第２エンドマージン１５ｂの近傍ではセラミック比率が高くなり、外側領域Ｅ＿Ｌの強度が高くなってクラックの発生が抑制され、外側領域Ｅ＿Ｌでは誘電体層１１と各内部電極層との密着力が高くなって層間剥離が抑制される。また、中央領域Ｃ＿Ｌでは各内部電極層の連続率の平均値が高いことから、外側領域Ｅ＿Ｌから中央領域Ｃ＿Ｌに向かってセラミック比率が段階的に低下することになり、焼成時の収縮差が緩和され、内部応力（収縮応力）そのものが抑制され、クラックの発生が抑制される。

【0056】

中央領域Ｃ＿Ｌにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の平均値と、外側領域Ｅ＿Ｌにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の平均値との差異は、１０％以上であることが好ましく、１５％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。

【0057】

なお、中央領域Ｃ＿Ｌにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の連続率のバラツキよりも、外側領域Ｅ＿Ｌにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率のバラツキが大きくなっていることが好ましい。この場合、外側領域Ｅ＿Ｌでは、連続率の低い層が設けられる一方で、連続率の高い層も設けられることになる。それにより、容量低下を抑制することができる。例えば、外側領域Ｅ＿Ｌにおいて、各内部電極層の連続率は、１層おきに低い、高い、を繰り返すことが好ましい。

【0058】

例えば、外側領域Ｅ＿Ｌにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の標準偏差は、中央領域Ｃ＿Ｌにおける全ての第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂの各連続率の標準偏差よりも大きいことが好ましい。

【0059】

続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図８は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。

【0060】

（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ_３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、チタン酸バリウムは、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このチタン酸バリウムは、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。本実施形態においては、楕円形状または針形状の二酸化チタンを用いて、水酸化バリウムの水溶液中で水熱合成を行なう。それにより、扁平形状のチタン酸バリウムの粉末を合成することができる。また、得られるチタン酸バリウムの粉末の粒径をそろえておく。

【0061】

得られたセラミック粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、ジルコニウム、ハフニウム、マグネシウム、マンガン、モリブデン、バナジウム、クロム、希土類元素(イットリウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウムおよびイッテルビウム)の酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含む酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含むガラスが挙げられる。

【0062】

例えば、セラミック原料粉末に添加化合物を含む化合物を湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料を調製する。例えば、上記のようにして得られたセラミック材料について、必要に応じて粉砕処理して粒径を調節し、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整えてもよい。以上の工程により、誘電体材料が得られる。

【0063】

（塗工工程）
次に、得られた原料粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に誘電体グリーンシート５１ａ，５１ｂを塗工して乾燥させる。基材は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムである。塗工工程を例示する図は省略した。

【0064】

（内部電極形成工程）
次に、図９で例示するように、誘電体グリーンシート５１ａの表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストを印刷することで、内部電極パターン５３を配置する。なお、内部電極パターン５３は、内部電極パターン５３aと内部電極パターン５３ｂとから構成されており、内部電極パターン５３ｂは膜厚が薄くなる箇所を示している。誘電体グリーンシート５１ａの表面において、内部電極パターン５３は、Ｌ軸方向の一方端まで延在しているが、他方端までは延在していない。また、内部電極パターン５３は、誘電体グリーンシート５１ａの表面において、Ｗ軸方向の両端までは延在していない。内部電極パターン５３は、低粘度の金属導電ペーストを使用しているため、ぬれ広がりやすく、内部電極パターンの周囲の膜厚が薄くなる。内部電極パターン５３は、第１内部電極層１２ａの形状に対応する。内部電極パターン５３が配置された誘電体グリーンシート５１ａを、第１積層単位と称する。

【0065】

次に、誘電体グリーンシート５１ｂの表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストを印刷することで、内部電極パターン５２を配置する。なお、内部電極パターン５２は、内部電極パターン５２aと内部電極パターン５２ｂとから構成されており、内部電極パターン５２ｂは膜厚が薄くなる箇所を示している。誘電体グリーンシート５１ｂの表面において、内部電極パターン５２は、Ｌ軸方向の他方端まで延在しているが、一方端までは延在していない。また、内部電極パターン５２は、誘電体グリーンシート５１ｂの表面において、Ｗ軸方向の両端およびＬ軸方向の一方端までは延在していない。内部電極パターン５２は、高粘度の金属導電ペーストを使用しているため、ぬれが悪く、Ｌ軸方向の内部電極パターンの片端の膜厚が薄くなる。内部電極パターン５２は、第２内部電極層１２ｂの形状に対応する。内部電極パターン５２が配置された誘電体グリーンシート５１ｂを、第２積層単位と称する。

【0066】

なお、内部電極パターン５２に含まれる金属導電ペーストの粘度を、内部電極パターン５３に含まれる金属導電ペーストの粘度よりも高くする。例えば、内部電極パターン５２に含まれる金属導電ペーストの粘度を、内部電極パターン５３に含まれる金属導電ペーストの粘度の１０倍以上とする。

【0067】

なお、誘電体グリーンシート５１ａの表面において、内部電極パターン５２が配置されていない領域に誘電体パターンを配置して段差を埋めてもよい。誘電体グリーンシート５１ｂの表面において、内部電極パターン５３が配置されていない領域に誘電体パターンを配置して段差を埋めてもよい。

【0068】

その後、図９で例示するように、第１積層単位と第２積層単位とを交互に積層していく。例えば、合計の積層数を１００～５００層とする。第１積層単位と第２積層単位とが積層された積層体の上下に、カバーシート５４を所定数（例えば２～１０層）だけ積層して熱圧着する。カバーシート５４も、セラミック粉末を含むグリーンシートである。

【0069】

このような積層体において、容量部１４に対応する領域において、Ｌ軸方向の両端およびＷ軸方向の両端において、内部電極パターンの粘度が、１層おきに高い、低い、を繰り返すようになる。

【0070】

（焼成工程）
このようにして得られたセラミック積層体を、Ｎ_２雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極２０ａ，２０ｂの下地層となる金属ペーストをディップ法で塗布し、酸素分圧が１０^－１２ＭＰａ～１０^－９ＭＰａ、１１６０℃～１２８０℃（例えば、１１８０℃以上、１２３０℃以下）の還元雰囲気で、５分～１０時間の焼成を行なう。

【0071】

（再酸化処理工程）
還元雰囲気で焼成された誘電体層１１の部分的に還元された主相であるチタン酸バリウムに酸素を戻すために、第１内部電極層１２ａおよび第２内部電極層１２ｂを酸化させない程度に、約１０００℃でＮ_２と水蒸気の混合ガス中、もしくは５００℃～７００℃の大気中での熱処理が行われることがある。この工程は、再酸化処理工程とよばれる。

【0072】

（めっき処理工程）
その後、外部電極２０ａ，２０ｂの下地層上に、めっき処理により、銅、ニッケル、スズ等の金属コーティングを行う。以上の工程により、積層セラミックコンデンサ１００が完成する。

【0073】

本実施形態に係る製造方法によれば、第１積層単位と第２積層単位との積層体において、容量部１４に対応する領域において、Ｌ軸方向の両端およびＷ軸方向の両端において、内部電極パターンに含まれる金属導電ペーストの粘度が、１層おきに低い、高い、を繰り返すようになる。それにより、焼成後の容量部１４において、外側領域Ｅ＿Ｌおよび外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、内部電極層の連続率が、１層おきに低い、高い、を繰り返すようになる。具体的には、粘度の低い金属導電ペーストを含む内部電極パターンにおいては両端が薄くなるため、焼成後の連続率が低下する。その結果、外側領域Ｅ＿Ｌおよび外側領域Ｅ＿Ｗでは、隣り合う２層の内部電極層において連続率差が大きくなり、中央領域Ｃ＿Ｌおよび中央領域Ｃ＿Ｗでは連続率差が小さくなる。内部電極パターンに含まれる金属導電ペーストの粘度調整することによって、積層セラミックコンデンサ１００の構造が得られる。なお、印刷板の設計変更によって印刷膜厚を調整し、内部電極パターンの両端を薄くすることによって、当該両端における焼成後の連続率を低下させてもよい。

【0074】

なお、図９では、各誘電体グリーンシートをカットした後に内部電極パターンを配置しているが、それに限られない。例えば、大きい基材上に、複数の誘電体グリーンシートに対応する領域を形成し、その上に内部電極パターンを配置し、カットすることで、個片化してもよい。

【0075】

なお、上記各実施形態においては、積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の積層セラミック電子部品を用いてもよい。

【実施例0076】

（実施例）
実施例では、上記実施形態に係る製造方法に従って積層セラミックコンデンサを作製した。具体的には、第１積層単位と第２積層単位との積層体において、容量部１４に対応する領域において、Ｌ軸方向の両端およびＷ軸方向の両端において、内部電極パターンの粘度が、１層おきに低い、高い、を繰り返すようにした。第１積層単位と第２積層単位とを合計で６５４層積層した。

【0077】

ＷＴ断面において、Ｗ軸方向における内部電極層の幅を１００％とした場合に、Ｗ軸方向のサイドマージン側端から内方に５％の範囲の外側領域Ｅ＿ＷをＳＥＭで撮影し、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。図１０は、当該領域のＳＥＭ写真を描いた図である。網掛けの部分が内部電極層に相当する。当該外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、１層ごとに内部電極層の連続率が異なっていた。４０％～５０％の連続率を有する内部電極層と、６０％～７０％の連続率を有する内部電極層とが交互に積層されていた。

【0078】

ＷＴ断面において、Ｗ軸方向中央の中央領域Ｃ＿Ｗを、外側領域Ｅ＿Ｗと同じ視野範囲のＳＥＭ写真を取得し、図１０と同様に、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。当該中央領域Ｃ＿Ｗにおいて、各内部電極層の連続率は、６０％～７０％であり、層ごとの連続率差は小さくなっていることが確認された。

【0079】

ＬＴ断面において、Ｌ軸方向における内部電極層の長さを１００％とした場合に、Ｌ軸方向のエンドマージン側端から内方に５％の範囲の外側領域Ｅ＿ＬをＳＥＭで撮影し、図１０と同様に、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。当該外側領域Ｅ＿Ｌにおいて、１層ごとに内部電極層の連続率が異なっていた。５０％～６０％の連続率を有する内部電極層と、６０％～７０％の連続率を有する内部電極層とが交互に積層されていた。

【0080】

ＬＴ断面において、Ｌ軸方向における内部電極層の長さを１００％とした場合に、Ｌ軸方向の反対側のエンドマージン側端から内方に５％の範囲の外側領域Ｅ＿ＬをＳＥＭで撮影し、図１０と同様に、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。当該外側領域Ｅ＿Ｌにおいて、１層ごとに内部電極層の連続率が異なっていた。５０％～６０％の連続率を有する内部電極層と、６０％～７０％の連続率を有する内部電極層とが交互に積層されていた。

【0081】

ＬＴ断面において、Ｌ軸方向中央の中央領域Ｃ＿Ｌを、外側領域Ｅ＿Ｌと同じ視野範囲のＳＥＭ写真を取得し、図１０と同様に、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。当該中央領域Ｃ＿Ｌにおいて、１層ごとに内部電極層の連続率が異なっていた。５０％～７０％の連続率を有する内部電極層と、６０％～７０％の連続率を有する内部電極層とが交互に積層されていた。

【0082】

（比較例）
比較例では、第１積層単位と第２積層単位との積層体において、容量部１４に対応する領域において、Ｌ軸方向の両端およびＷ軸方向の両端において、内部電極パターンの粘度を各層で同じとした。その他の条件は、実施例と同じとした。

【0083】

ＷＴ断面において、Ｗ軸方向における内部電極層の幅を１００％とした場合に、Ｗ軸方向のサイドマージン側端から内方に５％の範囲の外側領域Ｅ＿ＷをＳＥＭで撮影し、図１０と同様に、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。当該外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、各内部電極層の連続率は、６０％～７５％ほどであった。

【0084】

ＷＴ断面において、Ｗ軸方向中央の中央領域Ｃ＿Ｗを、外側領域Ｅ＿Ｗと同じ視野範囲のＳＥＭ写真を取得し、図１０と同様に、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。当該中央領域Ｃ＿Ｗにおいて、各内部電極層の連続率は、６０％～７５％ほどであった。

【0085】

ＬＴ断面において、Ｌ軸方向における内部電極層の長さを１００％とした場合に、Ｌ軸方向のエンドマージン側端から内方に５％の範囲の外側領域Ｅ＿ＬをＳＥＭで撮影し、図１０と同様に、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。当該外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、各内部電極層の連続率は、６０％～７５％ほどであった。

【0086】

ＬＴ断面において、Ｌ軸方向中央の中央領域Ｃ＿Ｌを、外側領域Ｅ＿Ｌと同じ視野範囲のＳＥＭ写真を取得し、図１０と同様に、内部電極層の連続率を１層ごとに測定した。当該中央領域Ｃ＿Ｌにおいて、各内部電極層の連続率は、６０％～７５％ほどであった。

【0087】

表１および表２に各連続率についての測定結果を示す。実施例では、外側領域Ｅ＿Ｗにおいて隣り合う２層の内部電極層の連続率の差の最大値が２０％以上であり、中央領域Ｃ＿Ｗにおいて隣り合う２層の内部電極層の連続率の差の最大値が１０％以内であった。このように、実施例では、中央領域Ｃ＿Ｗと比較して、外側領域Ｅ＿Ｗにおいて連続率の差が大きくなっていた。

【0088】

比較例では、外側領域Ｅ＿Ｗにおいて隣り合う２層の内部電極層の連続率の差の最大値が１０％以内であり、中央領域Ｃ＿Ｗにおいて隣り合う２層の内部電極層の連続率の差の最大値が１０％以内であった。このように、比較例では、外側領域Ｅ＿Ｗおよび中央領域Ｃ＿Ｗにおいて、連続率の差が小さくなっていた。

【0089】

次に、実施例では、外側領域Ｅ＿Ｗの全ての内部電極層の連続率の平均値が６０％であり、中央領域Ｃ＿Ｗの全ての内部電極層の連続率の平均値が７０％であった。このように、実施例では、中央領域Ｃ＿Ｗと比較して、外側領域Ｅ＿Ｗにおいて連続率の平均値が小さくなっていた。

【0090】

比較例では、外側領域Ｅ＿Ｗの全ての内部電極層の連続率の平均値が７０％であり、中央領域Ｃ＿Ｗの全ての内部電極層の連続率の平均値が７０％であった。このように、比較例では、中央領域Ｃ＿Ｗおよび外側領域Ｅ＿Ｗにおいて、連続率の平均値が小さくなっていた。

【表1】

【0091】

実施例では、外側領域Ｅ＿Ｌにおいて隣り合う２層の内部電極層の連続率の差の最大値が２０％以上であり、中央領域Ｃ＿Ｌにおいて隣り合う２層の内部電極層の連続率の差の最大値が１０％以内であった。このように、実施例では、中央領域Ｃ＿Ｌと比較して、外側領域Ｅ＿Ｌにおいて連続率の差が大きくなっていた。

【0092】

比較例では、外側領域Ｅ＿Ｌにおいて隣り合う２層の内部電極層の連続率の差の最大値が１０％以内であり、中央領域Ｃ＿Ｌにおいて隣り合う２層の内部電極層の連続率の差の最大値が１０％以内であった。このように、比較例では、外側領域Ｅ＿Ｌおよび中央領域Ｃ＿Ｌにおいて、連続率の差が小さくなっていた。

【0093】

次に、実施例では、外側領域Ｅ＿Ｌの全ての内部電極層の連続率の平均値が６０％であり、中央領域Ｃ＿Ｌの全ての内部電極層の連続率の平均値が７０％であった。このように、実施例では、中央領域Ｃ＿Ｌと比較して、外側領域Ｅ＿Ｌにおいて連続率の平均値が小さくなっていた。

【0094】

比較例では、外側領域Ｅ＿Ｌの全ての内部電極層の連続率の平均値が７０％であり、中央領域Ｃ＿Ｌの全ての内部電極層の連続率の平均値が７０％であった。このように、比較例では、中央領域Ｃ＿Ｌおよび外側領域Ｅ＿Ｌにおいて、連続率の平均値が小さくなっていた。

【表2】

【0095】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0096】

１０ 積層チップ
１１ 誘電体層
１２ａ 第１内部電極層
１２ｂ 第２内部電極層
１３ カバー層
１４ 容量部
１５ エンドマージン
１６ サイドマージン
２０ａ，２０ｂ 外部電極
５１ 誘電体グリーンシート
５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ 内部電極パターン
５４ カバーシート
１００ 積層セラミックコンデンサ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】