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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024159297
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】配線回路基板およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20241031BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023075192
(22)【出願日】2023-04-28
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】▲桑▼山 裕紀
(72)【発明者】
【氏名】恒川 誠
(72)【発明者】
【氏名】東口 拓矢
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC36
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD24
5E316DD32
5E316DD33
5E316EE33
5E316FF05
5E316FF07
5E316FF08
5E316FF09
5E316FF10
5E316FF14
5E316GG17
5E316GG18
5E316HH40
(57)【要約】
【課題】製造工程数の増加を抑制しつつ複数のビア上に形成される端子部の高さ位置を均一化することを可能にする配線回路基板を提供する。
【解決手段】再配線基板１００は、支持層１０上に複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）が積層された構成を有する。複数の絶縁層のうち最上部の第１の絶縁層５０に複数の貫通孔ＴＨｅが形成されている。各貫通孔ＴＨｅを埋めるように第３の導体層３が形成されている。第３の導体層３の上端部に位置する端子形成部３Ｔ上に端子部Ｔ１が形成されている。複数の貫通孔ＴＨｅは、第１の貫通孔ＴＨ１および第２の貫通孔ＴＨ２を含む。第１の貫通孔ＴＨ１の内周面と第１の絶縁層５０の一面との間のテーパ角α１と、第２の貫通孔ＴＨ２の内周面と第１の絶縁層５０の一面との間のテーパ角α２とは互いに異なる。
【選択図】図７
【解決手段】再配線基板１００は、支持層１０上に複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）が積層された構成を有する。複数の絶縁層のうち最上部の第１の絶縁層５０に複数の貫通孔ＴＨｅが形成されている。各貫通孔ＴＨｅを埋めるように第３の導体層３が形成されている。第３の導体層３の上端部に位置する端子形成部３Ｔ上に端子部Ｔ１が形成されている。複数の貫通孔ＴＨｅは、第１の貫通孔ＴＨ１および第２の貫通孔ＴＨ２を含む。第１の貫通孔ＴＨ１の内周面と第１の絶縁層５０の一面との間のテーパ角α１と、第２の貫通孔ＴＨ２の内周面と第１の絶縁層５０の一面との間のテーパ角α２とは互いに異なる。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有するとともに、前記第１の面から前記第２の面にそれぞれ貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部に設けられた第１のビア部と、
前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部に設けられた第２のビア部とを備え、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる、配線回路基板。
前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部に設けられた第１のビア部と、
前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部に設けられた第２のビア部とを備え、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる、配線回路基板。
【請求項2】
一の面上に形成される第１の配線層および第２の配線層をさらに備え、
前記第１の絶縁層は、前記第２の面が前記一の面に接するとともに前記第１の配線層および前記第２の配線層を覆うように形成され、
前記第１の貫通孔は、前記第１の絶縁層の前記第２の面側で前記第１の配線層により閉塞される第１の底部開口を有し、
前記第２の貫通孔は、前記第１の絶縁層の前記第２の面側で前記第２の配線層により閉塞される第２の底部開口を有し、
前記第１のビア部は、前記第１の貫通孔内で前記第１の配線層上に形成され、
前記第２のビア部は、前記第２の貫通孔内で前記第２の配線層上に形成され、
前記第１の底部開口の大きさと前記第２の底部開口の大きさとは互いに異なる、請求項１記載の配線回路基板。
前記第１の絶縁層は、前記第２の面が前記一の面に接するとともに前記第１の配線層および前記第２の配線層を覆うように形成され、
前記第１の貫通孔は、前記第１の絶縁層の前記第２の面側で前記第１の配線層により閉塞される第１の底部開口を有し、
前記第２の貫通孔は、前記第１の絶縁層の前記第２の面側で前記第２の配線層により閉塞される第２の底部開口を有し、
前記第１のビア部は、前記第１の貫通孔内で前記第１の配線層上に形成され、
前記第２のビア部は、前記第２の貫通孔内で前記第２の配線層上に形成され、
前記第１の底部開口の大きさと前記第２の底部開口の大きさとは互いに異なる、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項3】
前記厚み方向において互いに逆方向を向く第３の面および第４の面を有するとともに、前記第３の面が前記第２の面に接するように前記第１の絶縁層の前記第２の面上に設けられる第２の絶縁層をさらに備える、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項4】
前記第２の絶縁層の前記第４の面上に直接的または間接的に設けられ、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層よりも高い剛性を有する支持層をさらに備える、請求項３記載の配線回路基板。
【請求項5】
前記第１の絶縁層は、感光性材料からなる、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項6】
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有するとともに、前記第１の面から前記第２の面にそれぞれ貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部にめっきにより第１のビア部を形成するとともに、前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部にめっきにより第２のビア部を形成する工程とを含み、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる、配線回路基板の製造方法。
前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部にめっきにより第１のビア部を形成するとともに、前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部にめっきにより第２のビア部を形成する工程とを含み、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる、配線回路基板の製造方法。
【請求項7】
前記第１の絶縁層を形成する工程は、
所定の面上に感光性材料の前駆体からなる仮絶縁層を形成する工程と、
前記所定の面に対向する位置から前記仮絶縁層に、前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔に対応するパターンを有するマスクを介して露光光を照射することにより前記仮絶縁層を露光する工程と、
露光後の前記仮絶縁層を現像する工程とを含む、請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
所定の面上に感光性材料の前駆体からなる仮絶縁層を形成する工程と、
前記所定の面に対向する位置から前記仮絶縁層に、前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔に対応するパターンを有するマスクを介して露光光を照射することにより前記仮絶縁層を露光する工程と、
露光後の前記仮絶縁層を現像する工程とを含む、請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項8】
前記露光光は、
前記第１の貫通孔に対応する第１の露光光と、
前記第２の貫通孔に対応する第２の露光光とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に光源部から前記マスクを通して前記第１の露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記光源部から前記マスクを通して前記第２の露光光を照射することとを含み、
前記マスクから前記光源部を見た前記第１の露光光の光源部の寸法を角度で表す第１のコリメーション半角と、前記マスクから前記光源部を見た前記第２の露光光の光源部の寸法を角度で表す第２のコリメーション半角とは互いに異なる、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
前記第１の貫通孔に対応する第１の露光光と、
前記第２の貫通孔に対応する第２の露光光とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に光源部から前記マスクを通して前記第１の露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記光源部から前記マスクを通して前記第２の露光光を照射することとを含み、
前記マスクから前記光源部を見た前記第１の露光光の光源部の寸法を角度で表す第１のコリメーション半角と、前記マスクから前記光源部を見た前記第２の露光光の光源部の寸法を角度で表す第２のコリメーション半角とは互いに異なる、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項9】
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に対して、第１の距離をおいて前記マスクを配置し、前記露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に対して、前記第１の距離とは異なる第２の距離をおいて前記マスクを配置し、前記露光光を照射することとを含む、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に対して、第１の距離をおいて前記マスクを配置し、前記露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に対して、前記第１の距離とは異なる第２の距離をおいて前記マスクを配置し、前記露光光を照射することとを含む、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項10】
前記露光光は、
予め定められた複数の波長領域のうち一の波長領域の光からなる第３の露光光と、
前記複数の波長領域のうち２以上の波長領域の光からなる第４の露光光とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に前記第３の露光光を照射し、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記第４の露光光を照射することを含む、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
予め定められた複数の波長領域のうち一の波長領域の光からなる第３の露光光と、
前記複数の波長領域のうち２以上の波長領域の光からなる第４の露光光とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に前記第３の露光光を照射し、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記第４の露光光を照射することを含む、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項11】
前記マスクは、
グレイトーンマスク、ハーフトーンマスクおよび位相シフトマスクのうち一のマスクの構造を有し、前記第１の貫通孔に対応する第１のマスク部と、
前記グレイトーンマスク、前記ハーフトーンマスクおよび前記位相シフトマスクのうち他のマスクの構造を有し、前記第２の貫通孔に対応する第２のマスク部とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に光源部から前記マスクの前記第１のマスク部を通して前記露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記光源部から前記マスクの前記第２のマスク部を通して前記露光光を照射することとを含む、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
グレイトーンマスク、ハーフトーンマスクおよび位相シフトマスクのうち一のマスクの構造を有し、前記第１の貫通孔に対応する第１のマスク部と、
前記グレイトーンマスク、前記ハーフトーンマスクおよび前記位相シフトマスクのうち他のマスクの構造を有し、前記第２の貫通孔に対応する第２のマスク部とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に光源部から前記マスクの前記第１のマスク部を通して前記露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記光源部から前記マスクの前記第２のマスク部を通して前記露光光を照射することとを含む、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
複数の電子部品間で電気信号の授受を行わせるために配線回路基板が用いられる。配線回路基板に半導体チップ等の電子部品を実装する場合、当該配線回路基板と電子部品との間の接続には、高い信頼性が求められる。
【0003】
半導体チップをフリップチップ実装可能な配線回路基板においては、その一面（半導体チップの実装面）上に、半導体チップの複数の端子にそれぞれ対応する複数の端子が設けられる。ここで、配線回路基板の厚み方向における各部分の位置を高さ位置と呼ぶ。
【0004】
複数の端子部の高さ位置に大きなばらつきがあると、半導体チップと配線回路基板との間の電気的な接続の信頼性を確保することができない。複数の端子部の高さ位置のばらつきは、特に複数のビア上にそれぞれ形成される複数の端子部間で発生しやすい。このような課題を考慮した配線回路基板が提案されている。
【0005】
特許文献１に記載の配線基板は、複数の絶縁層間に形成された複数の配線層を備える。複数の配線層のうちの一部の配線層は、配線基板の一面の近傍に位置する。その一部の配線層には、複数の端子部として複数の表面処理層が形成されている。各表面処理層の高さ位置は、当該表面処理層が形成される配線層の厚み方向の大きさに応じて定まる。そこで、上記の配線基板においては、複数の配線層の厚み方向の厚みを揃えるための工夫が施されている。
【0006】
まず、配線部は、３つの金属層（第１金属層、第２金属層および第３金属層）からなるパッド構造体により構成される。第１金属層、第２金属層および第３金属層は、この順で下方から上方に向かって並んでいる。パッド構造体の形成時には、最初に、一の絶縁層に形成されたビアホールの内壁および当該ビアホールの下端部で露出する他の配線層の表面上に、第１の金属層がシード層として形成される。続いて、第１の金属層上に第２の金属層が形成される。また、一の絶縁層の上面全体が一定の厚みを有する第２の金属層で覆われるように、第２の金属層が薄化される。その後、第２の金属層上に第３の金属層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０２０－１５５６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
上記の配線基板のように、半導体チップが接続されるパッド構造体を複数の金属層で構成し、その一部の金属層の厚みを薄化により正確に均一化することができれば、複数の端子部の高さ位置のばらつきを低減することができる。しかしながら、上記のような金属層の薄化は、エッチング、バフ研磨、または化学機械研磨等の処理を高い精度で行う必要があり、製造工程数の増加を招く。
【0009】
また、特許文献１に記載された配線基板の製造方法では、第２の金属層についての厚みの調整が行われているが、第３の金属層についての厚みの調整は行われていない。そのため、実際には、第３の金属層の形成時に、第３の金属層の厚さにばらつきが生じる可能性がある。
【0010】
本発明の目的は、製造工程数の増加を抑制しつつ複数のビア上に形成される端子部の高さ位置を均一化することを可能にする配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一局面に従う配線回路基板は、厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有するとともに、前記第１の面から前記第２の面にそれぞれ貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部に設けられた第１のビア部と、前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部に設けられた第２のビア部とを備え、前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる。
【0012】
本発明の他の局面に従う配線回路基板の製造方法は、厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有するとともに、前記第１の面から前記第２の面にそれぞれ貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部にめっきにより第１のビア部を形成するとともに、前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部にめっきにより第２のビア部を形成する工程とを含み、前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、製造工程数の増加を抑制しつつ複数のビア上に形成される端子部の高さ位置を均一化することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本発明の一実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。
【図4】複数の第３の導体層の端子形成部の形状のばらつきを説明するための図である。
【図5】貫通孔の形状と当該貫通孔に形成されるめっき層の成長の傾向を説明するための図である。
【図6】貫通孔の形状と当該貫通孔に形成されるめっき層の成長の傾向を説明するための図である。
【図7】再配線基板において互いに異なる寸法で形成された２つの貫通孔とそれらの内部に生成される２つの第３の導体層の形状とを示す縦断面図である。
【図8】再配線基板の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置の一例を示す模式的側面図である。
【図20】第１の絶縁層に形成される各貫通孔のテーパ角に影響を及ぼす仮絶縁層の露光条件を説明するための図である。
【図21】第１の絶縁層に形成される各貫通孔のテーパ角に影響を及ぼす仮絶縁層の露光条件を説明するための図である。
【図22】複数種類のマスクを含むマスクの一例を示す図である。
【図23】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図24】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図25】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図26】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図27】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図28】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図29】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図30】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図31】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図32】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図33】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図34】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図35】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図36】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図37】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図38】参考形態に係る再配線基板の一構成例を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板および配線回路基板の製造方法について図面を参照しつつ説明する。配線回路基板の一例として、再配線基板を説明する。再配線基板は、例えば半導体素子等の電子部品とリジッドプリント配線回路基板（以下、リジッド基板と略記する。）等の他の配線回路基板との間に配置され、電子部品の微細パターンと他の配線回路基板の粗パターンとのピッチを変換する役割を担う。再配線基板は、インターポーザ基板とも呼ばれる。
【0016】
１．再配線基板の基本構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。図２は、図１の再配線基板１００の平面図である。図３は、図１の再配線基板１００の底面図である。図１は、図２および図３のＡ－Ａ線断面を表す。図１に示すように、再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第１の面（本例では上面）１０１および第２の面（本例では下面）１０２を有する。図１において、再配線基板１００の厚み方向ＤＴは、下から上に向く矢印で示される。以下の説明では、図１の再配線基板１００において、第１の面１０１が向く方向を適宜再配線基板１００の上方と呼び、第２の面１０２が向く方向を適宜再配線基板１００の下方と呼ぶ。
図１は、本発明の一実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。図２は、図１の再配線基板１００の平面図である。図３は、図１の再配線基板１００の底面図である。図１は、図２および図３のＡ－Ａ線断面を表す。図１に示すように、再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第１の面（本例では上面）１０１および第２の面（本例では下面）１０２を有する。図１において、再配線基板１００の厚み方向ＤＴは、下から上に向く矢印で示される。以下の説明では、図１の再配線基板１００において、第１の面１０１が向く方向を適宜再配線基板１００の上方と呼び、第２の面１０２が向く方向を適宜再配線基板１００の下方と呼ぶ。
【0017】
再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて半導体チップ２００とリジッド基板３００との間に配置される。第１の面１０１上には、複数の端子部Ｔ１が形成されている。半導体チップ２００は、再配線基板１００に実装された状態で再配線基板１００に対向する対向面２１１を有する。また、半導体チップ２００は、対向面２１１から一定長さ突出するように形成された複数の柱状接合部２２０を有する。柱状接合部２２０の先端部は、半導体チップ２００の接続端子を構成し、予め対応付けられた再配線基板１００の端子部Ｔ１に半田Ｓを介して接合される。
【0018】
半導体チップ２００の対向面２１１と再配線基板１００の第１の面１０１との間には、アンダーフィル２９０が充填される。アンダーフィル２９０は、例えばエポキシ樹脂により形成される。再配線基板１００の第１の面１０１上には、半導体チップ２００を覆う蓋部材（図示せず）が設けられてもよい。図１および図２では、半導体チップ２００が一点鎖線で示される。
【0019】
再配線基板１００の第２の面１０２上には、複数の端子部Ｔ２が形成されている。複数の端子部Ｔ２は、円形状を有する。端子部Ｔ２は、端子部Ｔ１よりも大きい。リジッド基板３００は、当該リジッド基板３００の複数の接続端子として複数の電極パッド３０１を有する。電極パッド３０１は、予め対応付けられた再配線基板１００の端子部Ｔ２に半田Ｓを介して接合される。図１～図３では、リジッド基板３００が二点鎖線で示される。
【0020】
なお、本実施の形態においては、再配線基板１００の複数の端子部Ｔ２に半田ボールが設けられる。これにより、再配線基板１００の第２の面１０２上には、例えばＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）が形成される。
【0021】
再配線基板１００は、主として一の支持層１０、複数の絶縁層および複数の導体層から構成される。支持層１０は、複数の絶縁層よりも高い剛性を有する。また、支持層１０は、厚み方向ＤＴにおいて再配線基板１００の略中央部に位置し、厚み方向ＤＴにおいて互いに逆方向を向く第３の面ｓ１および第４の面ｓ２を有する。第３の面ｓ１は第１の面１０１に対向し、第４の面ｓ２は第２の面１０２に対向する。
【0022】
本実施の形態に係る支持層１０は、具体的には、金属支持体１１０および絶縁被覆層１２０を含む。金属支持体１１０は、互いに逆方向を向く第５の面１１０ａおよび第６の面１１０ｂを有する。金属支持体１１０の複数の部分には円形の貫通孔が形成されている。
【0023】
金属支持体１１０は、例えばステンレス鋼で形成される。なお、金属支持体１１０は、ステンレス鋼に代えて、銅、銅合金、アルミニウム、チタン、または、鉄およびニッケルを含む合金のいずれかにより形成されてもよい。鉄およびニッケルを含む合金としては、インバー、４２アロイ、４５パーマロイおよびコパール等が挙げられる。金属支持体１１０の厚みは、１０μｍ以上１００μｍ以下である。
【0024】
絶縁被覆層１２０は、金属支持体１１０の第５の面１１０ａおよび第６の面１１０ｂを覆うとともに、金属支持体１１０の複数の貫通孔の内周面を覆うように形成されている。支持層１０の複数の部分においては、金属支持体１１０の複数の貫通孔を厚み方向ＤＴに通過するように、複数の円形の貫通孔が形成されている。
【0025】
絶縁被覆層１２０は、例えば感光性ポリイミドにより形成され、３μｍ以上２０μｍ以下の厚みを有する。なお、絶縁被覆層１２０は、感光性ポリイミドに代えて、他の感光性材料で形成されてもよい。このような他の感光性材料としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。
【0026】
絶縁被覆層１２０の材料として、感光性材料以外の材料が用いられてもよい。例えば、絶縁被覆層１２０の材料としては、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いることもできる。具体的には、絶縁被覆層１２０の材料としては、炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウム等を用いることもできる。
【0027】
図１の再配線基板１００は、５つの絶縁層を含む。５つの絶縁層のうち３つの絶縁層は、支持層１０の第３の面ｓ１上に積層形成されている。４つの絶縁層のうち残りの２つの絶縁層は、支持層１０の第４の面ｓ２上に積層形成されている。以下の説明では、図１の再配線基板１００を構成する５つの絶縁層を区別する場合に、５つの絶縁層をそれぞれカバー絶縁層４０、第１の絶縁層５０、第２の絶縁層６０、第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０と呼ぶ。第２の絶縁層６０、第１の絶縁層５０およびカバー絶縁層４０は、この順で支持層１０の第３の面ｓ１から上方に向かって積層形成されている。第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０は、この順で支持層１０の第４の面ｓ２から下方に向かって積層形成されている。
【0028】
５つの絶縁層（４０，５０，６０，７０，８０）の各々は、感光性材料で形成される。５つの絶縁層（４０，５０，６０，７０，８０）に用いられる感光性材料としては、例えば感光性ポリイミドが用いられる。なお、絶縁層（４０，５０，６０，７０，８０）は、感光性ポリイミドに代えて、他の感光性樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の感光性樹脂）により形成されてもよい。絶縁層（４０，５０，６０，７０，８０）の各々の厚みは、３μｍ以上２０μｍ以下である。
【0029】
複数の導体層は、複数の第１の導体層１、複数の第２の導体層２、複数の第３の導体層３および複数の第４の導体層４を含む。図１の例において、複数の第１の導体層１は、支持層１０の複数の貫通孔にそれぞれ対応するように形成されている。各第１の導体層１は、対応する支持層１０の貫通孔を通って厚み方向ＤＴに延びる部分（ビア部）と、第３の面ｓ１および第４の面ｓ２上にそれぞれ所定パターンで形成される部分（配線部）とを含む。
【0030】
第２の絶縁層６０は、複数の第１の導体層１のうち支持層１０の第３の面ｓ１上に位置する部分を覆うように、支持層１０の第３の面ｓ１上に形成されている。第２の絶縁層６０には、厚み方向ＤＴに延びる複数（本例では３つ）の円形の貫通孔がビアホールとして形成されている。各貫通孔の一端部（図１の例では下端部）は、複数の第１の導体層１上に位置する。
【0031】
第２の絶縁層６０に対応するように、複数（本例では５つ）の第２の導体層２が形成されている。複数の第２の導体層２のうち一部は、配線部として第２の絶縁層６０上に所定パターンで形成されている。一方、複数の第２の導体層２のうち残りは、第２の絶縁層６０の貫通孔を通って厚み方向ＤＴに延びる部分（ビア部）と、第２の絶縁層６０上に所定パターンで形成される部分（配線部）とを含む。
【0032】
第１の絶縁層５０は、複数の第２の導体層２を覆うように、第２の絶縁層６０上に形成されている。第１の絶縁層５０には、厚み方向ＤＴに延びる複数（本例では３つ）の円形の貫通孔がビアホールとして形成されている。各貫通孔の一端部（図１の例では下端部）は、複数の第２の導体層２上に位置する。
【0033】
第１の絶縁層５０の複数の貫通孔を埋めるように、複数の第３の導体層３がビアとして形成されている。複数の第３の導体層３の一部（図１の例では上端部）に複数の端子部Ｔ１が形成されている。各端子部Ｔ１は、第３の導体層３の当該一部で構成されてもよいし、第３の導体層３の当該一部に表面処理を施すことにより形成されてもよい。例えば、各端子部Ｔ１は、第３の導体層３の一部に、金等の耐食性に優れた金属のめっき層を成長させることにより形成されてもよい。
【0034】
カバー絶縁層４０は、複数の端子部Ｔ１を上方に露出させつつ複数の第３の導体層３の一部を覆うように第１の絶縁層５０上に形成され、第１の絶縁層５０上に形成された第３の導体層３を保護する。カバー絶縁層４０の一面（上面）は、再配線基板１００の外部に露出している。このカバー絶縁層４０の一面は、再配線基板１００の第１の面１０１を構成する。
【0035】
第３の絶縁層７０は、複数の第１の導体層１のうち支持層１０の第４の面ｓ２上に位置する部分を覆うように、支持層１０の第４の面ｓ２上に形成されている。第３の絶縁層７０には、厚み方向ＤＴに延びる複数（本例では２つ）の円形の貫通孔がビアホールとして形成されている。各貫通孔の一端部（図１の例では上端部）は、複数の第１の導体層１上に位置する。
【0036】
第３の絶縁層７０の複数の貫通孔を埋めるように、複数の第４の導体層４がビアとして形成されている。複数の第４の導体層４の一部（図１の例では下端部）に複数の端子部Ｔ２が形成されている。各端子部Ｔ２は、第４の導体層４の当該一部で構成されてもよいし、第４の導体層４の当該一部に表面処理を施すことにより形成されてもよい。例えば、各端子部Ｔ２は、第４の導体層４の一部に、金等の耐食性に優れた金属のめっき層を成長させることにより形成されてもよい。
【0037】
第４の絶縁層８０は、複数の端子部Ｔ２を下方に露出させつつ複数の第４の導体層４の一部を覆うように第３の絶縁層７０上に形成され、第３の絶縁層７０上に形成された第４の導体層４を保護するためのカバー絶縁層として機能する。第４の絶縁層８０の一面（下面）は、再配線基板１００の外部に露出している。この第４の絶縁層８０の一面は、再配線基板１００の第２の面１０２を構成する。
【0038】
上記の各導体層（１，２，３，４）は、シード層上に電解めっき法によりめっき層を成長させることにより形成される。導体層を形成するシード層は、例えばクロム薄膜および銅薄膜からなる。または、シード層は銅薄膜からなる。あるいは、シード層は、ニッケルおよびパラジウムのいずれかを含んでもよい。一方、めっき層は、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステンおよびルテニウム等のうち１種または複数種を含む金属または合金により形成される。本実施の形態においては、めっき層は銅である。
【0039】
上記の複数の第１の導体層１のうち、支持層１０の第３の面ｓ１および第４の面ｓ２の各々に形成される部分（配線部）の厚みは、３μｍ以上１０μｍ以下である。また、上記の複数の導体層（２，３，４）のうち、４つの絶縁層（５０，６０，７０，８０）のいずれかの面上に形成される部分（配線部）の厚みは、３μｍ以上１０μｍ以下である。
【0040】
なお、本実施の形態では、再配線基板１００の第１の面１０１に位置する複数の端子部Ｔ１の数と、再配線基板１００の第２の面１０２に位置する複数の端子部Ｔ２の数とは一致するが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００の第１の面１０１に位置する複数の端子部Ｔ１の数と、再配線基板１００の第２の面１０２に位置する複数の端子部Ｔ２の数とは一致しなくてもよい。
【0041】
２．半導体チップ２００に接続される複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつき
以下の説明では、再配線基板１００の厚み方向ＤＴにおける再配線基板１００の各部分の位置を、適宜、当該部分の高さ位置と呼ぶ。図１の再配線基板１００においては、その第１の面１０１上に半導体チップ２００が実装される。そのため、背景技術において説明したように、複数の端子部Ｔ１の高さ位置に大きなばらつきがあると、半導体チップ２００と再配線基板１００との間の電気的な接続の信頼性を確保することができない。
以下の説明では、再配線基板１００の厚み方向ＤＴにおける再配線基板１００の各部分の位置を、適宜、当該部分の高さ位置と呼ぶ。図１の再配線基板１００においては、その第１の面１０１上に半導体チップ２００が実装される。そのため、背景技術において説明したように、複数の端子部Ｔ１の高さ位置に大きなばらつきがあると、半導体チップ２００と再配線基板１００との間の電気的な接続の信頼性を確保することができない。
【0042】
複数の端子部Ｔ１の各々は、第３の導体層３のうち予め定められた表面部分（以下、端子形成部と呼ぶ。）に形成される。本実施の形態においては、第３の導体層３の上端面の中央部に端子形成部が設定されるものとする。この場合、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきは、複数の第３の導体層３の端子形成部の形状のばらつき（高さ位置のばらつき）に起因して発生する。
【0043】
図４は、複数の第３の導体層３の端子形成部の形状のばらつきを説明するための図である。図４の最上段に、図１の再配線基板１００に形成される可能性がある第３の導体層３の形状の一例が縦断面図で示される。その第３の導体層３は、第２の絶縁層６０上に形成された第２の導体層２上で、第１の絶縁層５０の貫通孔ＴＨｅを埋めるように形成されている。また、図４の最上段の例では、端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰが第１の面１０１から距離ｄ１分上方にあり、第３の導体層３の上端面は全体に渡って平坦である。
【0044】
ここで、上記のように、第３の導体層３は、電解めっき法により形成される。そのため、互いに離間した位置にある複数の第３の導体層３の間では、めっき槽におけるめっき液の各種成分の濃度分布のばらつき、あるいはめっき槽における電気力線の分布のばらつき等のめっきの処理条件のばらつきに起因した形状のばらつきが発生する。
【0045】
例えば、めっきの処理条件のばらつきにより、第１の絶縁層５０の一の貫通孔ＴＨｅ内でめっき層の成長の度合いが局所的に低い場合を想定する。この場合、図４の上から２段目の縦断面図に示すように、当該一の貫通孔ＴＨｅに形成される第３の導体層３の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰは、第１の絶縁層５０の第１の面１０１よりも低くなる可能性がある。
【0046】
また、めっきの処理条件のばらつきにより、第１の絶縁層５０の一の貫通孔ＴＨｅ内でめっき層の成長の度合いが局所的に高い場合を想定する。この場合、図４の上から３段目の縦断面図に示すように、当該一の貫通孔ＴＨｅに形成される第３の導体層３の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰは、第１の絶縁層５０の第１の面１０１に比べて著しく高くなる可能性がある。図４の上から３段目の縦断面図の例では、端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰが第１の面１０１から距離ｄ２分上方にある。距離ｄ２は、最上段の例で示される距離ｄ１よりも大きい。
【0047】
複数の第３の導体層３の間の形状のばらつきは、めっきの処理条件の他に、複数の第３の導体層３のそれぞれの下部に形成されている複数の第２の導体層２の形状によっても発生する。例えば、図４の最下段に示すように、一の第３の導体層３の下部に設けられている第２の導体層２がビアであった場合を想定する。この場合、当該一の第３の導体層３の形状は、ビアを構成しない第２の導体層２上に形成された他の第３の導体層３の形状と異なる可能性がある。
【0048】
ところで、上記のような複数の第３の導体層３の間に発生し得る形状のばらつきは、予めシミュレーションまたは実験等を行うことにより、再配線基板１００の複数の第３の導体層３の各々についてある程度把握することができる。また、上記のように電解めっき法を利用する場合、第１の絶縁層５０の各貫通孔ＴＨｅ内でのめっき層の成長の程度は、当該貫通孔ＴＨｅの形状によって調整することができる。そこで、本発明者らは、予め再配線基板１００の複数の第３の導体層３間で発生し得る形状のばらつきを把握した上で、それらのばらつきの発生が低減されつつめっき層が成長するように、複数の貫通孔ＴＨｅの各々の形状を設定する方法を想到した。
【0049】
図５および図６は、貫通孔ＴＨｅの形状と当該貫通孔ＴＨｅに形成されるめっき層の成長の傾向を説明するための図である。図５および図６では、再配線基板１００のうち一の貫通孔ＴＨｅおよびその周辺部分の縦断面図が複数示される。これらの縦断面図においては、貫通孔ＴＨｅの形状が理解しやすいように、カバー絶縁層４０の図示が省略されている。図５の上段の縦断面図に示すように、例えば再配線基板１００の厚み方向ＤＴに平行な縦断面において、貫通孔ＴＨｅの内周面と第１の絶縁層５０の一面（上面または下面）とがなす角度（以下、テーパ角と呼ぶ。）αに着目する。
【0050】
この場合、一の貫通孔ＴＨｅの内部に形成されるめっき層の成長の程度は、テーパ角αが小さいほど低くなる傾向がある。したがって、一の貫通孔ＴＨｅについてテーパ角αを小さく設定すると、図５の中段の縦断面図に示すように、その貫通孔ＴＨｅに形成される第３の導体層３の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰは低くなりやすい。一方、貫通孔ＴＨｅの内部に形成されるめっき層の成長の程度は、テーパ角αが大きいほど高くなる傾向がある。したがって、一の貫通孔ＴＨｅについてテーパ角αを大きく設定すると、図５の下段の縦断面図に示すように、その貫通孔ＴＨｅに形成される第３の導体層３の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰは高くなりやすい。
【0051】
また、図６の上段の縦断面図に示すように、例えば再配線基板１００の厚み方向ＤＴに平行な縦断面において、貫通孔ＴＨｅの底部の寸法に着目する。具体的には、各貫通孔ＴＨｅの底部開口は、第２の導体層２により閉塞されている。その底部開口の内径の寸法（以下、底部寸法と呼ぶ。）ＢＤに着目する。
【0052】
この場合、一の貫通孔ＴＨｅの内部に形成されるめっき層の成長の程度は、底部寸法ＢＤが小さいほど高くなる傾向がある。したがって、一の貫通孔ＴＨｅについて底部寸法ＢＤを小さく設定すると、図６の中段の縦断面図に示すように、その貫通孔ＴＨｅに形成される第３の導体層３の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰは高くなりやすい。一方、一の貫通孔ＴＨｅの内部に形成されるめっき層の成長の程度は、底部寸法ＢＤが大きいほど低くなる傾向がある。したがって、一の貫通孔ＴＨｅについて底部寸法ＢＤを大きく設定すると、図６の下段の縦断面図に示すように、その貫通孔ＴＨｅに形成される第３の導体層３の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰは低くなりやすい。
【0053】
上記の点を考慮して、本実施の形態に係る再配線基板１００においては、第１の絶縁層５０の複数の貫通孔ＴＨｅの各々について、テーパ角αおよび底部寸法ＢＤが設定される。なお、本実施の形態に係る再配線基板１００においては、複数の貫通孔ＴＨｅの各々のテーパ角αは、５５°以上に設定されることが好ましく、６０°以上に設定されることがより好ましく、６５°以上に設定されることがさらに好ましい。
【0054】
図７は、再配線基板１００において互いに異なる寸法で形成された２つの貫通孔ＴＨｅとそれらの内部に生成される２つの第３の導体層３の形状とを示す縦断面図である。図７には、再配線基板１００の全体を示す縦断面図とともに、その縦断面図のうちの一部（太い点線部）が吹き出し内に拡大して示される。図７の説明では、吹き出し内に示すように、ビアを形成する第２の導体層２上の一の貫通孔ＴＨｅを適宜第１の貫通孔ＴＨ１と呼び、ビアを形成しない他の第２の導体層２上の貫通孔ＴＨｅを適宜第２の貫通孔ＴＨ２と呼ぶ。
【0055】
本例の再配線基板１００の作製前には、予めシミュレーションまたは実験等を行うことにより、再配線基板１００の複数の第３の導体層３に発生し得る形状のばらつきが把握されている。その上で、それらの形状のばらつきが低減されるように、シミュレーションまたは実験等により把握された事前情報に基づいて複数の貫通孔ＴＨｅのテーパ角αおよび底部寸法ＢＤが設定されている。ここで、事前情報は、「ビアを形成する第２の導体層２上の端子部Ｔ１の高さ位置ＨＰは、ビアを形成しない第２の導体層２上の端子部Ｔ１の高さ位置ＨＰよりも高くなる傾向がある。」ことを含むものとする。
【0056】
図７の第１の絶縁層５０の例では、互いに隣り合う２つの貫通孔ＴＨｅは、テーパ角αおよび底部寸法ＢＤが互いに異なるように形成されている。具体的には、ビアを形成する第２の導体層２上の第１の貫通孔ＴＨ１のテーパ角α１は、ビアを形成しない他の第２の導体層２上の第２の貫通孔ＴＨ２のテーパ角α２よりも大きい。また、ビアを形成する第２の導体層２上の一の第１の貫通孔ＴＨ１の底部寸法ＢＤ１は、ビアを形成しない他の第２の導体層２上の第２の貫通孔ＴＨ２の底部寸法ＢＤ２よりも小さい。
【0057】
この場合、複数の第３の導体層３の形成時には、第１の貫通孔ＴＨ１内に形成される第３の導体層３の成長の度合いが第２の貫通孔ＴＨ２内に形成される第３の導体層３の成長の度合いに比べて高くなる。それにより、２つの貫通孔ＴＨｅ（第１の貫通孔ＴＨ１および第２の貫通孔ＴＨ２）にそれぞれ形成される２つの第３の導体層３の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰが互いに等しくなるように最終的に調整される。
【0058】
３．再配線基板１００の製造方法
本実施の形態においては、再配線基板１００は、例えばロール・ツー・ロール方式により製造される。図８は、再配線基板１００の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置５００の一例を示す模式的側面図である。
本実施の形態においては、再配線基板１００は、例えばロール・ツー・ロール方式により製造される。図８は、再配線基板１００の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置５００の一例を示す模式的側面図である。
【0059】
図８に示すように、ロール・ツー・ロール装置５００は、巻き出し部５０１、巻き取り部５０２および複数の処理部５１０，５２０，…を含む。まず、長尺状の金属支持体１１０が巻回されたロール（繰り出しロール）Ｒ１が用意され、ロール・ツー・ロール装置５００の巻き出し部５０１にセットされる。
【0060】
用意された繰り出しロールＲ１から金属支持体１１０が繰り出される。繰り出された金属支持体１１０は、図８に点線の矢印で示すように、巻き取り部５０２にセットされた他のロール（巻き取りロール）Ｒ２に巻き取られる。
【0061】
ロール・ツー・ロール装置５００においては、複数の処理部５１０，５２０，…が、２つのロール（Ｒ１，Ｒ２）の間で、金属支持体１１０の移動方向に沿って並ぶように設けられている。複数の処理部５１０，５２０，…は、２つのロール（Ｒ１，Ｒ２）間を移動する長尺状の金属支持体１１０に絶縁被覆層１２０を形成する。また、絶縁被覆層１２０が形成された金属支持体１１０の各領域に、上記の複数の絶縁層および複数の導体層等をそれぞれ形成する。それにより、巻き取りロールＲ２に巻き取られる金属支持体１１０に、複数の再配線基板１００が形成される。以下、再配線基板１００の製造方法について詳細を説明する。
【0062】
図９～図１９は、図１の再配線基板１００の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図９～図１９に示される模式的断面図は、図１の再配線基板１００の模式的断面図に対応する。図９～図１９の各図には、図１の厚み方向ＤＴが示される。
【0063】
上記のように、金属支持体１１０が巻回された繰り出しロールＲ１（図８）が用意され、当該繰り出しロールＲ１から金属支持体１１０が繰り出される。図９に、繰り出された金属支持体１１０の一部の断面が示される。上記のように、金属支持体１１０は、厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第５の面１１０ａおよび第６の面１１０ｂを有する。
【0064】
まず、金属支持体１１０の第６の面１１０ｂ全体を覆うように、当該第６の面１１０ｂ上に感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、塗布された感光性ポリイミドの前駆体が、露光され、現像される。それにより、図１０に示すように、金属支持体１１０の第６の面１１０ｂ上に第１の仮被覆層１２１が形成される。形成された第１の仮被覆層１２１は硬化処理される。なお、第１の仮被覆層１２１は、第６の面１１０ｂ上に感光性ポリイミドの前駆体を塗布することに代えて、感光性ポリイミドからなるキャリアフィルムを貼り付けることにより形成されてもよい。
【0065】
次に、金属支持体１１０の第５の面１１０ａ上に所定パターンのエッチングレジストが形成される。また、金属支持体１１０の第５の面１１０ａのうち、エッチングレジストの開口部を通して露出する部分がエッチングされる。その後、エッチングレジストが金属支持体１１０から剥離される。これにより、図１１に示すように、金属支持体１１０に複数の貫通孔ＴＨａが形成される。
【0066】
上記のように、金属支持体１１０は、第５の面１１０ａから第６の面１１０ｂに向かってエッチングされる。この場合、各貫通孔ＴＨａは、第５の面１１０ａから第６の面１１０ｂに向かって内径が漸次小さくなるように形成される。金属支持体１１０のエッチングに用いられるエッチング液は、第１の仮被覆層１２１を溶解しない。そのため、各貫通孔ＴＨａの一端部は、第１の仮被覆層１２１によって閉塞される。
【0067】
なお、金属支持体１１０の複数の貫通孔ＴＨａは、エッチングに限らず、例えばレーザ加工により形成されてもよい。この場合、レーザ光は、第５の面１１０ａから第６の面１１０ｂに向かって進行するようにかつ第１の仮被覆層１２１を貫通しないように、金属支持体１１０に照射される。
【0068】
次に、金属支持体１１０の第５の面１１０ａ全体を覆うようにかつ各貫通孔ＴＨａの内部に進入するように、当該第５の面１１０ａ上に感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、塗布された感光性ポリイミドの前駆体が、露光され、現像される。それにより、図１２に示すように、金属支持体１１０の第５の面１１０ａおよび複数の貫通孔ＴＨａの内周面を覆うとともに、複数の貫通孔ＴＨａを埋めるように、第２の仮被覆層１２２が形成される。形成された第２の仮被覆層１２２は硬化処理される。なお、第２の仮被覆層１２２は、第１の仮被覆層１２１と同様に、第５の面１１０ａ上に感光性ポリイミドの前駆体を塗布することに代えて、感光性ポリイミドからなるキャリアフィルムを貼り付けることにより形成されてもよい。
【0069】
その後、図１３に示すように、金属支持体１１０の各貫通孔ＴＨａの内部を通って厚み方向ＤＴに延びるように、金属支持体１１０の複数の部分に複数の貫通孔ＴＨｂがそれぞれ形成される。これらの複数の貫通孔ＴＨｂは、例えばエッチングまたはレーザ加工により形成される。このようにして、支持層１０が完成する。
【0070】
次に、支持層１０の第３の面ｓ１のうち予め定められた領域、支持層１０の第４の面ｓ２のうち予め定められた領域、および貫通孔ＴＨｂの内周面に、シード層が形成され、シード層上にめっき層が形成される。それにより、図１４に示すように、主として複数の貫通孔ＴＨｂの内部を埋める複数の第１の導体層１が形成される。
【0071】
次に、図１５に示すように、支持層１０の第３の面ｓ１上に、複数の第１の導体層１のうち第３の面ｓ１上で露出する部分を覆うように第２の絶縁層６０が形成される。このとき、複数の第１の導体層１の上端部の一部が上方に露出するように、第２の絶縁層６０には複数の貫通孔ＴＨｃが形成される。また、支持層１０の第４の面ｓ２上に、複数の第１の導体層１のうち第４の面ｓ２上で露出する部分を覆うように第３の絶縁層７０が形成される。このとき、複数の第１の導体層１の下端部の一部が下方に露出するように、第３の絶縁層７０には複数の貫通孔ＴＨｄが形成される。本実施の形態では、第２の絶縁層６０および第３の絶縁層７０は感光性材料で形成される。そこで、これらの第２の絶縁層６０および第３の絶縁層７０の形成には、フォトリソグラフィが利用される。
【0072】
次に、露出する第２の絶縁層６０の表面のうち予め定められた領域、および露出する第３の絶縁層７０の表面のうち予め定められた領域にシード層が形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｃ，ＴＨｄの内周面および複数の第１の導体層１のうち露出する部分にシード層が形成される。形成されたシード層上にめっき層が形成される。それにより、図１６に示すように、複数の第２の導体層２および複数の第４の導体層４が形成される。複数の第２の導体層２の一部分（ビア部）は、第２の絶縁層６０に形成された複数の貫通孔ＴＨｃを埋める。複数の第２の導体層２の他の一部分（配線部）は、第２の絶縁層６０上に所定パターンで形成される。複数の第４の導体層４は、第３の絶縁層７０に形成された複数の貫通孔ＴＨｄを埋める。
【0073】
次に、図１７に示すように、第２の絶縁層６０上に、複数の第２の導体層２のうち第２の絶縁層６０上で露出する部分を覆うように第１の絶縁層５０が形成される。このとき、複数の第２の導体層２の上端部の一部が上方に露出するように、第１の絶縁層５０には複数の貫通孔ＴＨｅが形成される。また、第３の絶縁層７０上に、複数の第４の導体層４のうち第３の絶縁層７０上で露出する部分を覆うように第４の絶縁層８０が形成される。このとき、複数の第４の導体層４の下端部の一部が下方に露出するように、第４の絶縁層８０には複数の貫通孔ＴＨｆが形成される。本実施の形態では、第１の絶縁層５０および第４の絶縁層８０は感光性材料で形成される。そこで、これらの第１の絶縁層５０および第４の絶縁層８０の形成には、フォトリソグラフィが利用される。
【0074】
ここで、本実施の形態に係る第１の絶縁層５０においては、上記のように、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきを低減するために、複数の貫通孔ＴＨｅの各々のテーパ角αおよび底部寸法ＢＤが個別に設定される。そのため、第１の絶縁層５０の形成時には、複数の貫通孔ＴＨｅの各々のテーパ角αおよび底部寸法ＢＤが当該貫通孔ＴＨｅに対応して設定された値となるように、フォトリソグラフィの処理条件が調整される。このフォトリソグラフィの処理条件の調整については後述する。
【0075】
次に、第１の絶縁層５０上の予め定められた領域にシード層が形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｅの内周面および複数の第２の導体層２のうち露出する部分にシード層が形成される。形成されたシード層上にめっき層が形成される。それにより、図１８に示すように、主として複数の貫通孔ＴＨｂの内部を埋める複数の第３の導体層３が形成される。
【0076】
次に、図１９に示すように、第１の絶縁層５０上に、複数の第３の導体層３のうち第１の絶縁層５０上で露出する部分を覆うようにカバー絶縁層４０が形成される。このとき、複数の第３の導体層３の上端部の一部が上方に露出するように、カバー絶縁層４０には複数の貫通孔ＴＨｅが形成される。この状態で、複数の第３の導体層３の各々は、上方に露出する端子形成部３Ｔ（図４等）を有する。なお、カバー絶縁層４０は感光性材料で形成される。そのため、カバー絶縁層４０の形成には、フォトリソグラフィが利用される。
【0077】
最後に、複数の第３の導体層３の端子形成部３Ｔ上に複数の端子部Ｔ１がそれぞれ形成される。また、複数の第４の導体層４のうち複数の貫通孔ＴＨｆを介して露出する部分に複数の端子部Ｔ２がそれぞれ形成される。それにより、図１の再配線基板１００が完成する。
【0078】
４．貫通孔ＴＨｅの形状に応じたフォトリソグラフィの処理条件の調整
第１の絶縁層５０をフォトリソグラフィを利用して形成する場合には、図１６の第２の絶縁層６０上に感光性材料（本例では感光性ポリイミド）の前駆体が塗布される。または、図１６の第２の絶縁層６０上に感光性材料の前駆体を含むキャリアフィルムが貼り付けられる。このようにして、第２の絶縁層６０上に形成される感光性材料の前駆体の層を仮絶縁層と呼ぶ。
第１の絶縁層５０をフォトリソグラフィを利用して形成する場合には、図１６の第２の絶縁層６０上に感光性材料（本例では感光性ポリイミド）の前駆体が塗布される。または、図１６の第２の絶縁層６０上に感光性材料の前駆体を含むキャリアフィルムが貼り付けられる。このようにして、第２の絶縁層６０上に形成される感光性材料の前駆体の層を仮絶縁層と呼ぶ。
【0079】
その後、第２の絶縁層６０の上方に設けられる光源部から所定パターンの光透過部が形成されたマスクを介して、仮絶縁層に露光光が照射される。これにより、仮絶縁層がマスクの光透過部のパターンとは逆のパターンで露光される。また、露光後の仮絶縁層が現像され、第１の絶縁層５０が形成される。
【0080】
【0081】
第１の絶縁層５０に形成される各貫通孔ＴＨｅの底部寸法ＢＤは、仮絶縁層に照射される露光光のパターンのサイズに応じて定まる。したがって、第１の絶縁層５０の形成時には、複数の貫通孔ＴＨｅの底部寸法ＢＤにそれぞれ対応する複数のサイズの光透過部のパターンを有するマスクを用いる。それにより、一度の露光処理で、底部寸法ＢＤが互いに異なる複数の貫通孔ＴＨｅを形成することが可能になる。
【0082】
続いて、第１の絶縁層５０に形成される各貫通孔ＴＨｅのテーパ角αについて説明する。図２０および図２１は、第１の絶縁層５０に形成される各貫通孔ＴＨｅのテーパ角αに影響を及ぼす仮絶縁層の露光条件を説明するための図である。図２０では、仮絶縁層５０ｘの露光処理を行うための構成が模式的に示される。図２０に示すように、仮絶縁層５０ｘに所定パターンで露光光ＥＬを照射する際には、仮絶縁層５０ｘの上方に、予め定められた距離をおいてマスク６１０が配置される。あるいは、仮絶縁層５０ｘの上面に接するようにマスク６１０が配置される。
【0083】
また、マスク６１０のさらに上方に、予め定められた距離をおいて光源部６００が配置される。光源部６００は、露光光ＥＬを発生する光発生部、露光光ＥＬをマスク６１０に導くとともに収束させる各種光学系、および露光光ＥＬの出射方向および焦点等を調整するための各種駆動部を含む。
【0084】
ここで、上記のフォトリソグラフィの露光処理において、マスク６１０から光源部６００を見たときの角度の大きさは、コリメーション半角βとして表すことができる。コリメーション半角βは視角とも呼ばれる。また、以下の説明では、マスクと仮絶縁層との間の距離をマスク距離ＭＤと呼ぶ。
【0085】
第１の絶縁層５０に形成される各貫通孔ＴＨｅのテーパ角αは、仮絶縁層に照射される露光光ＥＬのコリメーション半角β、マスク距離ＭＤおよび露光光ＥＬの波長に応じて定まる。図２１に、露光処理時のコリメーション半角β、マスク距離ＭＤおよび露光光ＥＬの波長と、貫通孔ＴＨｅのテーパ角αの大きさとの関係を示す一覧表が示される。
【0086】
図２０の一覧表に示すように、貫通孔ＴＨｅのテーパ角αは、コリメーション半角βが大きいほど小さくなり、コリメーション半角βが小さいほど大きくなる傾向がある。コリメーション半角βは、例えば光源部６００の光学系におけるアパーチャを切り替えること等により調整することができる。なお、コリメーション半角βは、例えば０．２５°以上５°以下の範囲内で調整される。
【0087】
また、貫通孔ＴＨｅのテーパ角αは、マスク距離ＭＤが大きいほど小さくなり、マスク距離ＭＤが小さいほど大きくなる傾向がある。マスク距離ＭＤは、マスク６１０を支持する部材と、仮絶縁層５０ｘを含む対象物を支持する部材とを相対的に移動させる移動装置を用いることにより調整することができる。なお、マスク距離ＭＤは、例えば０μｍ以上２５０μｍ以下の範囲内で調整される。
【0088】
さらに、貫通孔ＴＨｅのテーパ角αは、露光光ＥＬの波長が短いほど大きくなり、露光光ＥＬの波長が長いほど小さくなる傾向がある。そのため、ｉ線の発光スペクトルのみを有する露光光ＥＬで露光処理を行う場合、ｇ線、ｈ線およびｉ線の発光スペクトルを有する露光光ＥＬで露光処理を行う場合に比べて貫通孔ＴＨｅのテーパ角αは大きくなりやすい。ｉ線の発光スペクトルに対応する光の波長はｇ線およびｈ線の発光スペクトルに対応する光の波長よりも短いためである。露光光ＥＬの波長は、例えば光源部６００に互いに異なる波長領域の光を発生する複数種類の光発生部を設け、それらの複数の光発生部の動作状態を切り替えること等により調整することができる。
【0089】
仮絶縁層５０ｘの露光処理では、グレイトーンマスク、ハーフトーンマスクおよび位相シフトマスク等の複数種類のマスクのうちいずれか１種類のマスクを上記のマスク６１０として用いることができる。あるいは、上記の複数種類のマスクのうちいずれか２以上の種類のマスクが組み合わされたマスクをマスク６１０として用いることができる。
【0090】
グレイトーンマスクによれば、仮絶縁層５０ｘのうち露光光ＥＬが照射される領域と露光光ＥＬが照射されない領域との間の輪郭部分（エッジ部分）で、露光光ＥＬの態様の一つとして露光光ＥＬのコントラストが比較的低くなる。そのため、グレイトーンマスクで形成される貫通孔ＴＨｅのテーパ角αは小さくなる傾向がある。
【0091】
一方、ハーフトーンマスクおよび位相シフトマスクによれば、仮絶縁層５０ｘのうち露光光ＥＬが照射される領域と露光光ＥＬが照射されない領域との間の輪郭部分（エッジ部分）で、露光光ＥＬの態様の一つとして露光光ＥＬのコントラストが比較的高くなる。そのため、ハーフトーンマスクおよび位相シフトマスクで形成される貫通孔ＴＨｅのテーパ角αは大きくなる傾向がある。
【0092】
図２２は、複数種類のマスクを含むマスク６１０の一例を示す図である。図２２のマスク６１０は、グレイトーンマスクからなる第１のマスク部分６１１と、ハーフトーンマスクからなる第２のマスク部分６１２とを含む。これにより、一のマスク６１０を用いて再配線基板１００の複数の部分に互いにテーパ角αが異なる複数の貫通孔ＴＨｅを形成することができる。なお、図２２のマスク６１０は、ポジ型の感光性を有する絶縁層に対応するマスクである。ネガ型の感光性を有する絶縁層に対応するマスクは、例えば図２２のマスク６１０に対して濃淡が反転した構成を有する。
【0093】
５．効果
（ａ）上記の再配線基板１００においては、第１の絶縁層５０に形成された複数の貫通孔ＴＨｅを埋めるように複数の第３の導体層３が形成されている。各第３の導体層３の端子形成部３Ｔ上に、端子部Ｔ１が形成されている。
（ａ）上記の再配線基板１００においては、第１の絶縁層５０に形成された複数の貫通孔ＴＨｅを埋めるように複数の第３の導体層３が形成されている。各第３の導体層３の端子形成部３Ｔ上に、端子部Ｔ１が形成されている。
【0094】
第３の導体層３は、貫通孔ＴＨｅの底部開口が第２の導体層２により閉塞された状態で、貫通孔ＴＨｅの内部に電解めっき法により形成される。この場合、貫通孔ＴＨｅ内に形成される端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰは貫通孔ＴＨｅの形状に応じて定まる。
【0095】
上記の構成によれば、複数の第３の導体層３の複数の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰのばらつきの範囲が小さくなるように、複数の貫通孔ＴＨｅの各々のテーパ角αおよび底部寸法ＢＤが調整される。それにより、複数の貫通孔ＴＨｅのうち一の貫通孔ＴＨａのテーパ角αおよび底部寸法ＢＤは、他の貫通孔ＴＨａのテーパ角αおよび底部寸法ＢＤと異なるように設定される。
【0096】
個別に設定されたテーパ角αおよび底部寸法ＢＤをそれぞれ有する複数の第３の導体層３が形成されることにより、それらの複数の第３の導体層３の端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰのばらつきが低減される。この場合、再配線基板１００の作製時に、端子形成部３Ｔの高さ位置ＨＰを揃えるために、複数の第３の導体層３の上端部のエッチング、研磨または切削等の加工を行うことが不要となる。したがって、製造工程数の増加を抑制しつつ複数の第３の導体層３上の複数の端子部Ｔ１の高さ位置を均一化することが可能になる。
【0097】
（ｂ）上記のように、第１の絶縁層５０は、感光性材料からなる。したがって、当該第１の絶縁層５０をフォトリソグラフィを利用して形成することにより、機械的な加工を要することなく、複数の貫通孔ＴＨｅを容易に形成することができる。また、フォトリソグラフィの処理条件を調整することにより、複数の貫通孔ＴＨｅの各々を設定された寸法に応じて形成することができる。
【0098】
（ｃ）本実施の形態に係る再配線基板１００は、ロール・ツー・ロール方式により製造され、全体的に柔軟性を有する。このような場合でも、再配線基板１００は、金属支持体１１０を含む支持層１０を備える。支持層１０は、複数の絶縁層および複数の導体層よりも高い剛性を有する。したがって、再配線基板１００の各部の構成が支持層１０により支持されるので、再配線基板１００の信頼性が向上する。また、再配線基板１００の取り扱い性が向上する。
【0099】
６．他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態に係る再配線基板１００においては、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきを低減するために、第１の絶縁層５０に形成される複数の貫通孔ＴＨｅの寸法が個別に設定されるが、本発明はこれに限定されない。
（ａ）上記実施の形態に係る再配線基板１００においては、複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきを低減するために、第１の絶縁層５０に形成される複数の貫通孔ＴＨｅの寸法が個別に設定されるが、本発明はこれに限定されない。
【0100】
上記の再配線基板１００においては、複数の端子部Ｔ２の高さ位置のばらつきを低減するために、第３の絶縁層７０に形成される複数の貫通孔ＴＨｄ（図１５）の寸法が個別に設定されてもよい。この場合、再配線基板１００とリジッド基板３００（図１）との間の電気的な接続の信頼性が向上する。
【0101】
また、上記の再配線基板１００においては、支持層１０および第２の絶縁層６０の少なくとも一方に形成される複数の貫通孔ＴＨｂ，ＴＨｃの寸法が個別に設定されてもよい。この場合、支持層１０に形成される複数の第１の導体層１について、上端部および下端部の高さ位置のばらつきがそれぞれ低減される。また、第２の絶縁層６０に形成される複数の第２の導体層２について、上端部の高さ位置のばらつきが低減される。
【0102】
（ｂ）上記実施の形態において、図７の例では、複数の貫通孔ＴＨｅのうち第１の貫通孔ＴＨ１と第２の貫通孔ＴＨ２との間で、テーパ角αおよび底部寸法ＢＤがともに異なるように設定されているが、本発明はこれに限定されない。第１の貫通孔ＴＨ１と第２の貫通孔ＴＨ２との間では、少なくともテーパ角αが異なるように設定されていればよい。
【0103】
（ｃ）上記実施の形態において、図７の例では、複数の貫通孔ＴＨｅのうち２つの貫通孔ＴＨｅ（第１の貫通孔ＴＨ１および第２の貫通孔ＴＨ２）について形状が異なるように設定される例を説明したが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００においては、複数の貫通孔ＴＨｅのうち３つ以上の貫通孔ＴＨｅの形状が異なるように設定されてもよい。
【0104】
（ｄ）上記実施の形態に係る再配線基板１００は、支持層１０の第３の面ｓ１上に３つの絶縁層（６０，５０，４０）が積層されかつ支持層１０の第４の面ｓ２上に２つの絶縁層（７０，８０）が積層された構成を有するが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００は、支持層１０の第３の面ｓ１上に１つの絶縁層または３以上の絶縁層が積層された構成を有してもよい。また、再配線基板１００は、支持層１０の第４の面ｓ２上に１つの絶縁層または３以上の絶縁層が積層された構成を有してもよい。この場合、支持層１０の第３の面ｓ１上で最上部に位置する絶縁層において、端子部Ｔ１の高さ位置を考慮した形状を有する複数の貫通孔が形成される。
【0105】
（ｅ）上記実施の形態に係る支持層１０は金属支持体１１０および絶縁被覆層１２０により形成されるが、本発明はこれに限定されない。支持層１０は、複数の絶縁層（４０，５０，６０，７０，８０）よりも高い剛性を有すればよく、単一の材料からなる単一部材で構成されてもよい。このような材料としては、例えば複数の絶縁層（４０，５０，６０，７０，８０）よりも高い剛性を有する有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料が挙げられる。
【0106】
この場合、有機材料としては、ポリイミド等を用いることができる。また、無機材料としては、セラミック等を用いることができる。セラミックは、例えばガラスである。また、有機無機ハイブリッド材料および複合材料としてはガラスエポキシ等を用いることができる。
【0107】
上記の他、支持層１０には、ガラス繊維で構成された布にエポキシ樹脂を含浸させて硬化させることにより作製された材料（ＦＲ４）等を用いることもできる。この場合、金属支持体１１０を絶縁被覆層１２０で被覆する工程が不要になる。あるいは、既製品を用いることが可能になる。それにより、支持層１０の製造工程が単純化される。
【0108】
（ｆ）上記実施の形態に係る再配線基板１００は、図９～図１９に示される例に限らず、以下の方法で作製されてもよい。なお、以下に説明する再配線基板１００の製造方法においても、再配線基板１００は、例えばロール・ツー・ロール方式により作製される。
【0109】
図２３～図３７は、他の実施の形態に係る再配線基板１００の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図２３～図３７に示される模式的断面図は、図９～図１９の例と同様に、図１の再配線基板１００の模式的断面図に対応する。図２３～図３７の各図には、図１の厚み方向ＤＴが示される。図２３～図３７の厚み方向ＤＴの矢印の向きは、再配線基板１００が半導体チップ２００とリジッド基板３００との間に配置される場合にリジッド基板３００から半導体チップ２００に向く方向であるものとする。
【0110】
まず、第５の面１１０ａおよび第６の面１１０ｂを有する図９の金属支持体１１０が用意される。次に、図２３に示すように、金属支持体１１０の第５の面１１０ａ上に、第１の仮被覆層１２３が形成される。また、第１の仮被覆層１２３に複数の貫通孔ＴＨｇが形成される。第１の仮被覆層１２１の露出する一面が、支持層１０の第３の面ｓ１となる。
【0111】
第１の仮被覆層１２３は、第５の面１１０ａ上に感光性ポリイミドの前駆体を塗布することまたは感光性ポリイミドからなるキャリアフィルムを貼り付けることにより形成される。複数の貫通孔ＴＨｇは、所定のフォトマスクを用いて感光性ポリイミドを露光し、現像することにより形成されてもよいし、硬化処理された第１の仮被覆層１２３の一部をエッチングまたはレーザ加工することにより形成されてもよい。
【0112】
次に、第３の面ｓ１のうち予め定められた領域および貫通孔ＴＨｇの内周面に、シード層が形成され、シード層上にめっき層が形成される。それにより、図２４に示すように、第３の面ｓ１の一部領域上に複数の貫通孔ＴＨｇの内部を埋める複数の部分導体層１ａが形成される。部分導体層１ａの形成後、シード層は除去される。
【0113】
次に、図２５に示すように、第３の面ｓ１上に、部分導体層１ａのうち第３の面ｓ１上で露出する部分を覆うように第２の絶縁層６０が形成される。また、複数の部分導体層１ａの一部が第２の絶縁層６０上に露出するように、第２の絶縁層６０には複数の貫通孔ＴＨｈが形成される。
【0114】
次に、露出する第２の絶縁層６０の表面のうち予め定められた領域にシード層が形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｈの内周面および複数の部分導体層１ａのうち露出する部分にシード層が形成される。形成されたシード層上にめっき層が形成される。それにより、図２６に示すように、第２の絶縁層６０上に、複数の第２の導体層２が形成される。第２の導体層２の形成後、シード層は除去される。複数の第２の導体層２の一部分（ビア部）は、第２の絶縁層６０に形成された複数の貫通孔ＴＨｈを埋める。複数の第２の導体層２の他の一部分（配線部）は、第２の絶縁層６０上に所定パターンで形成される。
【0115】
次に、図２７に示すように、第２の絶縁層６０上に、複数の第２の導体層２のうち第２の絶縁層６０上で露出する部分を覆うように第１の絶縁層５０が形成される。また、複数の第２の導体層２の一部が第１の絶縁層５０上に露出するように、第１の絶縁層５０には複数の貫通孔ＴＨｉが形成される。本例の第１の絶縁層５０においても、上記実施の形態に係る第１の絶縁層５０の例と同様に、再配線基板１００の複数の端子部Ｔ１の高さ位置のばらつきを低減するために、複数の貫通孔ＴＨｉの各々のテーパ角αおよび底部寸法ＢＤが個別に設定される。
【0116】
次に、露出する第１の絶縁層５０の表面のうち予め定められた領域にシード層が形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｉの内周面および複数の第２の導体層２のうち露出する部分にシード層が形成される。形成されたシード層上にめっき層が形成される。それにより、図２８に示すように、第１の絶縁層５０上に、複数の第３の導体層３が形成される。第３の導体層３の形成後、シード層は除去される。複数の第３の導体層３の一部分（ビア部）は、第１の絶縁層５０に形成された複数の貫通孔ＴＨｉを埋める。複数の第３の導体層３の他の一部分（配線部）は、第１の絶縁層５０上に所定パターンで形成される。
【0117】
次に、図２９に示すように、第１の絶縁層５０上に、複数の第３の導体層３のうち第１の絶縁層５０上で露出する部分を覆うようにカバー絶縁層４０が形成される。また、複数の第３の導体層３の一部がカバー絶縁層４０上に露出するように、カバー絶縁層４０には複数の貫通孔ＴＨｊが形成される。上記実施の形態の例と同様に、第２の絶縁層６０、第１の絶縁層５０およびカバー絶縁層４０は感光性材料で形成される。そこで、これらの絶縁層の形成には、フォトリソグラフィが利用される。
【0118】
その後、図３０に示すように、複数の第３の導体層３のうち複数の貫通孔ＴＨｊを介して露出する部分に端子部Ｔ１が形成される。上記の図２３～図３０の処理で、再配線基板１００のうち金属支持体１１０の第５の面１１０ａ上に位置する部分（図１の半導体チップ２００側の部分）が完成する。
【0119】
続いて、再配線基板１００のうち金属支持体１１０の第６の面１１０ｂ上に位置する部分（図１のリジッド基板３００側の部分）が作製される。図３１～図３７では、再配線基板１００のうちリジッド基板３００側の部分を作製していることが理解しやすいように、模式的断面図の厚み方向ＤＴの向きを図２３～図３０の模式的断面図に対して上下方向で反転させている。
【0120】
まず、図３１に示すように、金属支持体１１０の予め定められた複数の部分に複数の貫通孔ＴＨｋが形成される。複数の貫通孔ＴＨｋは、複数の部分導体層１ａの一部を当該貫通孔ＴＨｋを通して金属支持体１１０の第６の面１１０ｂ上に露出させる。
【0121】
ここで、金属支持体１１０の複数の貫通孔ＴＨｋの形成方法は、上記実施の形態で説明した金属支持体１１０の複数の貫通孔ＴＨａの形成方法と同じである。そのため、各貫通孔ＴＨｋは、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かって内径が漸次小さくなるように形成される。
【0122】
次に、金属支持体１１０の第６の面１１０ｂの全体を覆うとともに複数の貫通孔ＴＨｋが埋まるように、金属支持体１１０の第６の面１１０ｂ上に第２の仮被覆層１２４が形成される。また、各貫通孔ＴＨｋ内の第２の仮被覆層１２４の部分にさらに貫通孔ＴＨｌが形成される。それにより、図３２に示すように、金属支持体１１０の第５の面１１０ａ、第６の面１１０ｂおよび金属支持体１１０の貫通孔ＴＨｋ（図３１）の内周面を覆う絶縁被覆層１２０が完成する。
【0123】
金属支持体１１０および絶縁被覆層１２０により支持層１０が形成される。第２の仮被覆層１２４の露出する一面が、支持層１０の第４の面ｓ２となる。各貫通孔ＴＨｌの内部では、第１の仮被覆層１２３の貫通孔ＴＨｇ内に形成された部分導体層１ａの一部が露出する。なお、第２の仮被覆層１２４の形成方法および複数の貫通孔ＴＨｌの形成方法は、基本的に第１の仮被覆層１２３の形成方法および複数の貫通孔ＴＨｇの形成方法と同じである。
【0124】
次に、第４の面ｓ２のうち予め定められた領域、複数の貫通孔ＴＨｌの内周面および各貫通孔ＴＨｌ内で露出する部分導体層１ａの部分に、シード層が形成され、シード層上にめっき層が形成される。それにより、図３３に示すように、第４の面ｓ２上に、複数の部分導体層１ｂが形成される。部分導体層１ｂの形成後、シード層は除去される。複数の部分導体層１ｂの一部分（ビア部）は、複数の貫通孔ＴＨｌを埋める。複数の部分導体層１ｂの他の一部分（配線部）は、第４の面ｓ２上に所定パターンで形成される。
【0125】
ここで、複数の部分導体層１ｂは、複数の貫通孔ＴＨｌの一端部に位置する複数の部分導体層１ａにそれぞれ電気的に接続される。互いに電気的に接続された一対の部分導体層１ａおよび部分導体層１ｂにより、上記実施の形態に係る第１の導体層１が形成される。
【0126】
次に、図３４に示すように、第４の面ｓ２上に、部分導体層１ｂのうち第４の面ｓ２上で露出する部分を覆うように第３の絶縁層７０が形成される。また、複数の部分導体層１ｂの一部が第３の絶縁層７０上に露出するように、第３の絶縁層７０には複数の貫通孔ＴＨｍが形成される。
【0127】
次に、露出する第３の絶縁層７０の表面のうち予め定められた領域にシード層が形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｍの内周面および複数の部分導体層１ｂのうち露出する部分にシード層が形成される。形成されたシード層上にめっき層が形成される。それにより、図３５に示すように、第３の絶縁層７０上に、複数の第４の導体層４が形成される。第４の導体層４の形成後、シード層は除去される。複数の第４の導体層４の一部分（ビア部）は、第３の絶縁層７０に形成された複数の貫通孔ＴＨｍを埋める。複数の第４の導体層４の他の一部分（配線部）は、第３の絶縁層７０上に所定パターンで形成される。
【0128】
次に、図３６に示すように、第３の絶縁層７０上に、複数の第４の導体層４のうち第３の絶縁層７０上で露出する部分を覆うように第４の絶縁層８０が形成される。また、複数の第４の導体層４の一部が第４の絶縁層８０上に露出するように、第４の絶縁層８０には複数の貫通孔ＴＨｎが形成される。
【0129】
その後、図３７に示すように、複数の第４の導体層４のうち複数の貫通孔ＴＨｎを介して露出する部分に端子部Ｔ２が形成される。それにより、他の実施の形態に係る再配線基板１００が完成する。
【0130】
なお、本例の再配線基板１００の製造方法において、複数の絶縁層（４０，５０，６０，７０，８０）の形成方法および各絶縁層の複数の貫通孔（ＴＨｈ，ＴＨｉ，ＴＨｊ，ＴＨｍ，ＴＨｎ）の形成方法は、基本的に第１の仮被覆層１２１の形成方法および複数の貫通孔ＴＨｇの形成方法と同じである。
【0131】
図２３～図３７の製造方法によれば、再配線基板１００のうち金属支持体１１０を基準として半導体チップ２００側の部分と、再配線基板１００のうち金属支持体１１０を基準としてリジッド基板３００側の部分とが個別に形成される。それにより、再配線基板１００のうち半導体チップ２００側の部分とリジッド基板３００側の部分とを同時に形成する場合に比べて、各部の形成時の位置決めおよび処理条件の調整が容易になる。その結果、設計寸法に対して高い精度で各部を形成することが可能になる。また、複雑な処理が必要ないので、高価な製造装置を用意する必要がない。
【0132】
上記のように、図２３～図３７に示される製造方法の例では、基本的に導体層の形成と絶縁層の形成とが交互に行われることにより再配線基板１００の半導体チップ２００側の部分およびリジッド基板３００側の部分が形成される。しかしながら、再配線基板１００のうちの少なくとも一部で、ドライフィルムレジストを用いて厚み方向ＤＴに連続する複数の導体層を形成することにより、複数の絶縁層を貫通する導体層が形成されてもよい。
【0133】
（ｇ）上記実施の形態に係る再配線基板１００においては、複数の貫通孔ＴＨｅは、フォトリソグラフィを利用して形成されるが、レーザ加工により形成されてもよい。
【0134】
（ｈ）上記実施の形態に係る再配線基板１００においては、支持層１０および複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）に形成される複数の貫通孔ＴＨａ～ＴＨｆの各々は平面視で円形状を有するが、本発明はこれに限定されない。複数の貫通孔ＴＨａ～ＴＨｆの各々は、平面視で円形状以外の形状（楕円形状または多角形状）を有してもよい。
【0135】
（ｉ）上記実施の形態では、再配線基板１００は、ロール・ツー・ロール方式により製造されるが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００は、ロール・ツー・ロール方式以外の方式で作製されてもよい。例えば、１枚のシートに順次処理を行う枚葉方式で作製されてもよい。この場合、再配線基板１００は、柔軟性を有しないリジッド基板であってもよい。
【0136】
（ｊ）上記実施の形態は本発明を再配線基板に適用した例であるが、これに限らず、複数の絶縁層および複数の導体層が積層形成された他の配線回路基板に本発明を適用してもよい。
【0137】
【0138】
図７の再配線基板１００においては、第１の絶縁層５０に形成される複数の貫通孔ＴＨｅのうち一の貫通孔ＴＨｅ（第１の貫通孔ＴＨ１）と他の貫通孔ＴＨｅ（第２の貫通孔ＴＨ２）とが互いに異なるテーパ角α１，α２で形成されている。
【0139】
これに対して、本参考形態に係る図３８の再配線基板１００においては、第１の絶縁層５０に形成される複数の貫通孔ＴＨｅが共通のテーパ角α１で形成されている。一方、第２の絶縁層６０の各貫通孔ＴＨｃのテーパ角α３は、第１の絶縁層５０の各貫通孔ＴＨｅのテーパ角α１よりも小さい。
【0140】
このように、積層配置される絶縁層ごとに、当該絶縁層に形成される貫通孔の形状（テーパ角）を設定する。それにより、各絶縁層でビアを形成する導体層の形状を調整することができる。なお、図３８の例では、第２の絶縁層６０の各貫通孔ＴＨｃのテーパ角α３が第１の絶縁層５０の各貫通孔ＴＨｅのテーパ角α１よりも小さいが、第２の絶縁層６０の各貫通孔ＴＨｃのテーパ角α３は第１の絶縁層５０の各貫通孔ＴＨｅのテーパ角α１よりも大きくてもよい。
【0141】
８．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【0142】
上記実施の形態では、再配線基板１００が配線回路基板の例であり、第１の絶縁層５０が第１の絶縁層の例であり、第１の絶縁層５０の上面が第１の面の例であり、第１の絶縁層５０の下面が第２の面の例であり、ビアを形成する第２の導体層２上に形成された貫通孔ＴＨｅ（第１の貫通孔ＴＨ１）が第１の貫通孔の例であり、ビアを形成しない第２の導体層２上に形成された貫通孔ＴＨｅ（第２の貫通孔ＴＨ２）が第２の貫通孔の例である。
【0143】
また、ビアを形成する第２の導体層２上に形成された貫通孔ＴＨｅを埋める第３の導体層３が第１のビア部の例であり、ビアを形成しない第２の導体層２上に形成された貫通孔ＴＨｅを埋める第３の導体層３が第２のビア部の例であり、テーパ角α１が第１の角度の例であり、テーパ角α２が第２の角度の例である。
【0144】
また、第２の絶縁層６０上に形成される複数の第２の導体層２の部分が第１の配線層および第２の配線層の例であり、ビアを形成する第２の導体層２上に形成された貫通孔ＴＨｅが第１の貫通孔の底部開口が第１の底部開口の例であり、ビアを形成しない第２の導体層２上に形成された貫通孔ＴＨｅの底部開口が第２の底部開口の例であり、底部寸法ＢＤ１が第１の底部開口の大きさの例であり、底部寸法ＢＤ２が第２の底部開口の大きさの例である。
【0145】
また、第２の絶縁層６０が第２の絶縁層の例であり、第２の絶縁層６０の上面が第３の面の例であり、第２の絶縁層６０の下面が第４の面の例であり、支持層１０が支持層の例であり、マスク６１０がマスクの例であり、光源部６００が光源部の例であり、第１のマスク部分６１１が第１のマスク部の例であり、第２のマスク部分６１２が第２のマスク部の例である。
【0146】
９．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る配線回路基板は、
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有するとともに、前記第１の面から前記第２の面にそれぞれ貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部に設けられた第１のビア部と、
前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部に設けられた第２のビア部とを備え、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる。
（第１項）第１項に係る配線回路基板は、
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有するとともに、前記第１の面から前記第２の面にそれぞれ貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部に設けられた第１のビア部と、
前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部に設けられた第２のビア部とを備え、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる。
【0147】
上記の配線回路基板において、第１の貫通孔の第２の面側の開口部が閉塞された状態で、第１の貫通孔の内部にめっきにより第１のビア部が形成される場合を想定する。この場合、第１の面が向く方向における第１のビア部の厚み方向の高さ位置は第１の貫通孔の形状に応じて定まる。また、第２の貫通孔の第２の面側の開口部が閉塞された状態で、第２の貫通孔の内部にめっきにより第２のビア部が形成される場合を想定する。この場合、第１の面が向く方向における第２のビア部の厚み方向の高さ位置は第２の貫通孔の形状に応じて定まる。
【0148】
上記の構成によれば、第１の貫通孔の形状を特定する第１の角度と、第２の貫通孔の形状を特定する第２の角度とが異なる。そこで、第１の絶縁層の複数の部分でめっきの形成状態にばらつきが生じる場合でも、そのばらつきの範囲が小さくなるように複数の部分に第１の貫通孔および第２の貫通孔を適宜形成する。この場合、配線回路基板の作製時に、複数のビア部の高さを揃えるための工程が不要となる。したがって、製造工程数の増加を抑制しつつ複数のビア部上に位置する複数の端子部の高さ位置を均一化することが可能になる。
【0149】
（第２項）第１項に記載の配線回路基板において、
前記配線回路基板は、
一の面上に形成される第１の配線層および第２の配線層をさらに備え、
前記第１の絶縁層は、前記第２の面が前記一の面に接するとともに前記第１の配線層および前記第２の配線層を覆うように形成され、
前記第１の貫通孔は、前記第１の絶縁層の前記第２の面側で前記第１の配線層により閉塞される第１の底部開口を有し、
前記第２の貫通孔は、前記第１の絶縁層の前記第２の面側で前記第２の配線層により閉塞される第２の底部開口を有し、
前記第１のビア部は、前記第１の貫通孔内で前記第１の配線層上に形成され、
前記第２のビア部は、前記第２の貫通孔内で前記第２の配線層上に形成され、
前記第１の底部開口の大きさと前記第２の底部開口の大きさとは互いに異なってもよい。
前記配線回路基板は、
一の面上に形成される第１の配線層および第２の配線層をさらに備え、
前記第１の絶縁層は、前記第２の面が前記一の面に接するとともに前記第１の配線層および前記第２の配線層を覆うように形成され、
前記第１の貫通孔は、前記第１の絶縁層の前記第２の面側で前記第１の配線層により閉塞される第１の底部開口を有し、
前記第２の貫通孔は、前記第１の絶縁層の前記第２の面側で前記第２の配線層により閉塞される第２の底部開口を有し、
前記第１のビア部は、前記第１の貫通孔内で前記第１の配線層上に形成され、
前記第２のビア部は、前記第２の貫通孔内で前記第２の配線層上に形成され、
前記第１の底部開口の大きさと前記第２の底部開口の大きさとは互いに異なってもよい。
【0150】
上記の構成によれば、第１の貫通孔の形状を特定する第１の底部開口の大きさと、第２の貫通孔の形状を特定する第２の底部開口の大きさとが異なる。そこで、これらの形状の相違を考慮しつつ第１の絶縁層の複数の部分に第１の貫通孔および第２の貫通孔を適宜形成する。それにより、複数のビア部の高さ位置をより均一化することができる。
【0151】
（第３項）第１項または第２項に記載の配線回路基板において、
前記配線回路基板は、
前記厚み方向において互いに逆方向を向く第３の面および第４の面を有するとともに、前記第３の面が前記第２の面に接するように前記第１の絶縁層の前記第２の面上に設けられる第２の絶縁層をさらに備えてもよい。
前記配線回路基板は、
前記厚み方向において互いに逆方向を向く第３の面および第４の面を有するとともに、前記第３の面が前記第２の面に接するように前記第１の絶縁層の前記第２の面上に設けられる第２の絶縁層をさらに備えてもよい。
【0152】
この場合、第２の絶縁層に貫通孔を設け、当該貫通孔内にさらなるビア部を形成することができる。それにより、配線回路基板における配線の設計の自由度が向上する。
【0153】
（第４項）第３項に記載の配線回路基板において、
前記配線回路基板は、
前記第２の絶縁層の前記第４の面上に直接的または間接的に設けられ、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層よりも高い剛性を有する支持層をさらに備えてもよい。
前記配線回路基板は、
前記第２の絶縁層の前記第４の面上に直接的または間接的に設けられ、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層よりも高い剛性を有する支持層をさらに備えてもよい。
【0154】
この場合、第１のビア部および第２のビア部を含む配線回路の構成が支持層により支持されるので、配線回路基板の信頼性が向上する。また、配線回路基板が全体的にフレキシブル性を有する場合でも、支持層により配線回路基板の取り扱い性が向上する。
【0155】
（第５項）第１項または第２項に記載の配線回路基板において、
前記第１の絶縁層は、感光性材料からなってもよい。
前記第１の絶縁層は、感光性材料からなってもよい。
【0156】
この場合、フォトリソグラフィにより第１の絶縁層に第１の貫通孔および第２の貫通孔を形成することができる。それにより、機械的な加工を要することなく、複数のビア部の高さ位置を均一化することができる。
【0157】
（第６項）第６項に係る配線回路基板の製造方法は、
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有するとともに、前記第１の面から前記第２の面にそれぞれ貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部にめっきにより第１のビア部を形成するとともに、前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部にめっきにより第２のビア部を形成する工程とを含み、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる。
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有するとともに、前記第１の面から前記第２の面にそれぞれ貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の内部にめっきにより第１のビア部を形成するとともに、前記第１の絶縁層の前記第２の貫通孔の内部にめっきにより第２のビア部を形成する工程とを含み、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第１の角度と、前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部と前記第１の面とがなす第２の角度とは互いに異なる。
【0158】
上記の製造方法により作製される配線回路基板において、第１の貫通孔の第２の面側の開口部が閉塞された状態で、第１の貫通孔の内部にめっきにより第１のビア部が形成される場合を想定する。この場合、第１の面が向く方向における第１のビア部の厚み方向の高さ位置は第１の貫通孔の形状に応じて定まる。また、第２の貫通孔の第２の面側の開口部が閉塞された状態で、第２の貫通孔の内部にめっきにより第２のビア部が形成される場合を想定する。この場合、第１の面が向く方向における第２のビア部の厚み方向の高さ位置は第２の貫通孔の形状に応じて定まる。
【0159】
上記の構成によれば、第１の貫通孔の形状を特定する第１の角度と、第２の貫通孔の形状を特定する第２の角度とが異なる。そこで、第１の絶縁層の複数の部分でめっきの形成状態にばらつきが生じる場合でも、そのばらつきの範囲が小さくなるように複数の部分に第１の貫通孔および第２の貫通孔を適宜形成する。この場合、配線回路基板の作製時に、複数のビア部の高さを揃えるための工程が不要となる。したがって、製造工程数の増加を抑制しつつ複数のビア部上に位置する複数の端子部の高さ位置を均一化することが可能になる。
【0160】
（第７項）第６項に記載の配線回路基板の製造方法において、
前記第１の絶縁層を形成する工程は、
所定の面上に感光性材料の前駆体からなる仮絶縁層を形成する工程と、
前記所定の面に対向する位置から前記仮絶縁層に、前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔に対応するパターンを有するマスクを介して露光光を照射することにより前記仮絶縁層を露光する工程と、
露光後の前記仮絶縁層を現像する工程とを含んでもよい。
前記第１の絶縁層を形成する工程は、
所定の面上に感光性材料の前駆体からなる仮絶縁層を形成する工程と、
前記所定の面に対向する位置から前記仮絶縁層に、前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔に対応するパターンを有するマスクを介して露光光を照射することにより前記仮絶縁層を露光する工程と、
露光後の前記仮絶縁層を現像する工程とを含んでもよい。
【0161】
この場合、第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する第１の絶縁層を、フォトリソグラフィにより容易に作製することができる。
【0162】
（第８項）第７項に記載の配線回路基板の製造方法において、
前記露光光は、
前記第１の貫通孔に対応する第１の露光光と、
前記第２の貫通孔に対応する第２の露光光とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に光源部から前記マスクを通して前記第１の露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記光源部から前記マスクを通して前記第２の露光光を照射することとを含み、
前記マスクから前記光源部を見た前記第１の露光光の光源部の寸法を角度で表す第１のコリメーション半角と、前記マスクから前記光源部を見た前記第２の露光光の光源部の寸法を角度で表す第２のコリメーション半角とは互いに異なってもよい。
前記露光光は、
前記第１の貫通孔に対応する第１の露光光と、
前記第２の貫通孔に対応する第２の露光光とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に光源部から前記マスクを通して前記第１の露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記光源部から前記マスクを通して前記第２の露光光を照射することとを含み、
前記マスクから前記光源部を見た前記第１の露光光の光源部の寸法を角度で表す第１のコリメーション半角と、前記マスクから前記光源部を見た前記第２の露光光の光源部の寸法を角度で表す第２のコリメーション半角とは互いに異なってもよい。
【0163】
仮絶縁層にマスクを通して露光光を照射し、現像処理を行うことにより一の貫通孔を有する絶縁層を形成する場合を想定する。この場合、一の貫通孔の内周面と絶縁層の一面とがなす角度は、マスクから光源部を見た露光光の光源部の寸法を角度で表すコリメーション半角に応じて変化する。上記の方法によれば、第１の貫通孔を形成するための第１の露光光に対応する第１のコリメーション半角と、第２の貫通孔を形成するための第２の露光光に対応する第２のコリメーション半角とが異なる。したがって、簡単な調整作業で第１の角度と第２の角度とを異ならせることができる。
【0164】
（第９項）第７項に記載の配線回路基板の製造方法において、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に対して、第１の距離をおいて前記マスクを配置し、前記露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に対して、前記第１の距離とは異なる第２の距離をおいて前記マスクを配置し、前記露光光を照射することとを含んでもよい。
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に対して、第１の距離をおいて前記マスクを配置し、前記露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に対して、前記第１の距離とは異なる第２の距離をおいて前記マスクを配置し、前記露光光を照射することとを含んでもよい。
【0165】
仮絶縁層にマスクを通して露光光を照射し、現像処理を行うことにより一の貫通孔を有する絶縁層を形成する場合を想定する。この場合、一の貫通孔の内周面と絶縁層の一面とがなす角度は、上記の露光光の照射時におけるマスクと仮絶縁層との間の距離に応じて変化する。上記の方法によれば、第１の貫通孔を形成するための露光と、第２の貫通孔を形成するための露光との間で、マスクと仮絶縁層との間の距離が異なる。したがって、簡単な調整作業で第１の角度と第２の角度とを異ならせることができる。
【0166】
（第１０項）第７項に記載の配線回路基板の製造方法において、
前記露光光は、
予め定められた複数の波長領域のうち一の波長領域の光からなる第３の露光光と、
前記複数の波長領域のうち２以上の波長領域の光からなる第４の露光光とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に前記第３の露光光を照射し、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記第４の露光光を照射することを含んでもよい。
前記露光光は、
予め定められた複数の波長領域のうち一の波長領域の光からなる第３の露光光と、
前記複数の波長領域のうち２以上の波長領域の光からなる第４の露光光とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に前記第３の露光光を照射し、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記第４の露光光を照射することを含んでもよい。
【0167】
仮絶縁層にマスクを通して露光光を照射し、現像処理を行うことにより一の貫通孔を有する絶縁層を形成する場合を想定する。この場合、一の貫通孔の内周面と絶縁層の一面とがなす角度は、上記の露光光を構成する光の波長分布に応じて変化する。上記の方法によれば、第１の貫通孔を形成するための第３の露光光の波長分布と、第２の貫通孔を形成するための第４の露光光の波長分布とが異なる。したがって、簡単な調整作業で第１の角度と第２の角度とを異ならせることができる。
【0168】
（第１１項）第７項に記載の配線回路基板の製造方法において、
前記マスクは、
グレイトーンマスク、ハーフトーンマスクおよび位相シフトマスクのうち一のマスクの構造を有し、前記第１の貫通孔に対応する第１のマスク部と、
前記グレイトーンマスク、前記ハーフトーンマスクおよび前記位相シフトマスクのうち他のマスクの構造を有し、前記第２の貫通孔に対応する第２のマスク部とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に光源部から前記マスクの前記第１のマスク部を通して前記露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記光源部から前記マスクの前記第２のマスク部を通して前記露光光を照射することとを含んでもよい。
前記マスクは、
グレイトーンマスク、ハーフトーンマスクおよび位相シフトマスクのうち一のマスクの構造を有し、前記第１の貫通孔に対応する第１のマスク部と、
前記グレイトーンマスク、前記ハーフトーンマスクおよび前記位相シフトマスクのうち他のマスクの構造を有し、前記第２の貫通孔に対応する第２のマスク部とを含み、
前記仮絶縁層を露光する工程は、
前記仮絶縁層のうち前記第１の貫通孔が形成されることになる第１の部分または前記第１の部分を取り囲む部分に光源部から前記マスクの前記第１のマスク部を通して前記露光光を照射することと、
前記仮絶縁層のうち前記第２の貫通孔が形成されることになる第２の部分または前記第２の部分を取り囲む部分に前記光源部から前記マスクの前記第２のマスク部を通して前記露光光を照射することとを含んでもよい。
【0169】
仮絶縁層にマスクを通して露光光を照射し、現像処理を行うことにより一の貫通孔を有する絶縁層を形成する場合を想定する。この場合、一の貫通孔の内周面と絶縁層の一面とがなす角度は、マスクを通して仮絶縁層に入射する光の態様（強度分布および拡散度合い等）に応じて変化する。上記の方法においては、マスクにおける第１のマスク部の構成と第２のマスク部の構成とが異なる。そのため、第１の貫通孔を形成するために第１のマスク部を通して仮絶縁層に照射される光の態様と、第２の貫通孔を形成するために第２のマスク部を通して仮絶縁層に照射される光の態様とは異なる。したがって、第１のマスク部および第２のマスク部を含むマスクを用いることにより、第１の角度と第２の角度とを容易に異ならせることができる。
【符号の説明】
【0170】
１…第１の導体層，１ａ，１ｂ…部分導体層，２…第２の導体層，３…第３の導体層，３Ｔ…端子形成部，４…第４の導体層，１０…支持層，４０…カバー絶縁層，５０…第１の絶縁層，５０ｘ…仮絶縁層，６０…第２の絶縁層，７０…第３の絶縁層，８０…第４の絶縁層，１００…再配線基板，１０１…第１の面，１０２…第２の面，１１０…金属支持体，１１０ａ…第５の面，１１０ｂ…第６の面，１２０…絶縁被覆層，１２１，１２３…第１の仮被覆層，１２２，１２４…第２の仮被覆層，２００…半導体チップ，２１１…対向面，２２０…柱状接合部，２９０…アンダーフィル，３００…リジッド基板，３０１…電極パッド，５００…ロール装置，５０１…巻き出し部，５０２…巻き取り部，５１０，５２０…処理部，６００…光源部，６１０…マスク，６１１…第１のマスク部分，６１２…第２のマスク部分，ＢＤ，ＢＤ１，ＢＤ２…底部寸法，ＤＴ…厚み方向，ＥＬ…露光光，ＨＰ…高さ位置，ＭＤ…マスク距離，Ｒ１…繰り出しロール，Ｒ２…巻き取りロール，Ｓ…半田，Ｔ１，Ｔ２…端子部，ＴＨ１…第１の貫通孔，ＴＨ２…第２の貫通孔，ＴＨａ，ＴＨｂ，ＴＨｃ，ＴＨｄ，ＴＨｅ，ＴＨｆ，ＴＨｇ，ＴＨｈ，ＴＨｉ，ＴＨｊ，ＴＨｋ，ＴＨｌ，ＴＨｍ，ＴＨｎ…貫通孔，ｄ１，ｄ２…距離，ｓ１…第３の面，ｓ２…第４の面，α，α１，α２，α３…テーパ角，β…コリメーション半角
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
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