(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024159298
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】配線回路基板およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20241031BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023075193
(22)【出願日】2023-04-28
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】石井 淳
(72)【発明者】
【氏名】藤林 征宏
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA15
5E316AA32
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5E316FF14
5E316GG15
5E316GG17
5E316HH40
(57)【要約】
【課題】複数の配線および複数の端子間の電気的な接続の信頼性が高く、配線の設計の自由度が拡大された配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】再配線基板１００において、支持層１０の第３の面ｓ１上に第２の絶縁層６０および第１の絶縁層５０が積層形成され、それらの層内に複数の導体層が形成される。支持層１０の第４の面ｓ２上に第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０が積層形成され、それらの層内に複数の導体層が形成される。支持層１０には、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１に向かって漸次小さくなる貫通孔ＴＨｂが形成されている。その内部にビア導体部１０ｖが形成されている。第３の面ｓ１上でビア導体部１０ｖの一端を覆うように第１のランド部１１Ｌが形成されている。第４の面ｓ２上でビア導体部１０ｖの他端を覆うように第１のランド部１１Ｌよりも大きい第２のランド部１２Ｌが形成されている。
【選択図】図１
【解決手段】再配線基板１００において、支持層１０の第３の面ｓ１上に第２の絶縁層６０および第１の絶縁層５０が積層形成され、それらの層内に複数の導体層が形成される。支持層１０の第４の面ｓ２上に第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０が積層形成され、それらの層内に複数の導体層が形成される。支持層１０には、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１に向かって漸次小さくなる貫通孔ＴＨｂが形成されている。その内部にビア導体部１０ｖが形成されている。第３の面ｓ１上でビア導体部１０ｖの一端を覆うように第１のランド部１１Ｌが形成されている。第４の面ｓ２上でビア導体部１０ｖの他端を覆うように第１のランド部１１Ｌよりも大きい第２のランド部１２Ｌが形成されている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に形成される第１の端子と、前記第２の面に形成され、前記第１の端子よりも大きい第２の端子とを含む配線回路基板であって、
前記第１の面と前記第２の面との間に設けられ、前記第１の面に対向する第３の面および前記第２の面に対向する第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層と、
前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第３の面上に形成される第１の絶縁層と、
前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第４の面上に形成される第２の絶縁層と、
前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続された第１の導体層と、
前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続された第２の導体層と、
前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びるように形成され、前記第３の面側に位置する第１の端部および前記第４の面側に位置する第２の端部を有する第３の導体層とを備え、
前記第１の導体層は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層の前記第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子が電気的に接続される第１のランド部を含み、
前記第２の導体層は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層の前記第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子が電気的に接続される第２のランド部を含み、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、
前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい、配線回路基板。
前記第１の面と前記第２の面との間に設けられ、前記第１の面に対向する第３の面および前記第２の面に対向する第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層と、
前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第３の面上に形成される第１の絶縁層と、
前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第４の面上に形成される第２の絶縁層と、
前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続された第１の導体層と、
前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続された第２の導体層と、
前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びるように形成され、前記第３の面側に位置する第１の端部および前記第４の面側に位置する第２の端部を有する第３の導体層とを備え、
前記第１の導体層は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層の前記第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子が電気的に接続される第１のランド部を含み、
前記第２の導体層は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層の前記第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子が電気的に接続される第２のランド部を含み、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、
前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい、配線回路基板。
【請求項2】
前記支持層は、
前記第３の面と前記第４の面との間に設けられ、前記第３の面に対向する第５の面および前記第４の面に対向する第６の面を有するとともに前記第５の面から前記第６の面に貫通する第２の貫通孔を有する金属支持体と、
前記支持層の前記第５の面および前記第６の面を覆うとともに前記第２の貫通孔の内周面を覆い、絶縁性材料からなる絶縁被覆層とを含み、
前記第１の貫通孔の内周面は、前記絶縁被覆層のうち前記第２の貫通孔の内周面を覆う部分により形成される、請求項１記載の配線回路基板。
前記第３の面と前記第４の面との間に設けられ、前記第３の面に対向する第５の面および前記第４の面に対向する第６の面を有するとともに前記第５の面から前記第６の面に貫通する第２の貫通孔を有する金属支持体と、
前記支持層の前記第５の面および前記第６の面を覆うとともに前記第２の貫通孔の内周面を覆い、絶縁性材料からなる絶縁被覆層とを含み、
前記第１の貫通孔の内周面は、前記絶縁被覆層のうち前記第２の貫通孔の内周面を覆う部分により形成される、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項3】
前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第６の面から前記第５の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成された、請求項２記載の配線回路基板。
【請求項4】
前記支持層は、有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料からなる、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項5】
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に形成される第１の端子と、前記第２の面に形成され、前記第１の端子よりも大きい第２の端子とを含む配線回路基板の製造方法であって、
前記厚み方向において互いに逆方向を向く第３の面および第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層を用意する工程と、
前記支持層よりも低い剛性を有する第１の絶縁層を前記支持層の前記第３の面上に形成する工程と、
前記支持層よりも低い剛性を有する第２の絶縁層を前記支持層の前記第４の面上に形成する工程と、
前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続されることになる第１の導体層を形成する工程と、
前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続されることになる第２の導体層を形成する工程と、
前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びる第３の導体層を形成する工程とを含み、
前記第１の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層のうち前記第３の面側に位置する第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子と電気的に接続されることになる第１のランド部を形成することを含み、
前記第２の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層のうち前記第４の面側に位置する第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子と電気的に接続されることになる第２のランド部を形成することを含み、
前記支持層の前記第３の面は、前記第１の面に対向し、
前記支持層の前記第４の面は、前記第２の面に対向し、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、
前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい、配線回路基板の製造方法。
前記厚み方向において互いに逆方向を向く第３の面および第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層を用意する工程と、
前記支持層よりも低い剛性を有する第１の絶縁層を前記支持層の前記第３の面上に形成する工程と、
前記支持層よりも低い剛性を有する第２の絶縁層を前記支持層の前記第４の面上に形成する工程と、
前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続されることになる第１の導体層を形成する工程と、
前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続されることになる第２の導体層を形成する工程と、
前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びる第３の導体層を形成する工程とを含み、
前記第１の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層のうち前記第３の面側に位置する第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子と電気的に接続されることになる第１のランド部を形成することを含み、
前記第２の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層のうち前記第４の面側に位置する第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子と電気的に接続されることになる第２のランド部を形成することを含み、
前記支持層の前記第３の面は、前記第１の面に対向し、
前記支持層の前記第４の面は、前記第２の面に対向し、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、
前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい、配線回路基板の製造方法。
【請求項6】
前記支持層は、
前記第３の面と前記第４の面との間に設けられ、前記第３の面に対向する第５の面および前記第４の面に対向する第６の面を有するとともに前記第５の面から前記第６の面に貫通する第２の貫通孔を有する金属支持体と、
前記支持層の前記第５の面および前記第６の面を覆うとともに前記第２の貫通孔の内周面を覆い、絶縁性材料からなる絶縁被覆層とを含み、
前記支持層を用意する工程は、
前記第５の面および前記第６の面を有する金属板を用意する工程と、
前記金属板の前記第５の面から前記第６の面に向かって前記第２の貫通孔を形成することにより前記金属支持体を形成することと、
形成された前記金属支持体の前記第５の面および前記第６の面をそれぞれ覆うことにより前記第３の面および前記第４の面を形成するとともに、前記第２の貫通孔を埋めるように、前記金属支持体の外表面に仮絶縁被覆層を形成することと、
前記第２の貫通孔の内部の仮絶縁層の部分に前記第１の貫通孔を形成することにより前記絶縁被覆層を形成することとを含む、請求項５記載の配線回路基板の製造方法。
前記第３の面と前記第４の面との間に設けられ、前記第３の面に対向する第５の面および前記第４の面に対向する第６の面を有するとともに前記第５の面から前記第６の面に貫通する第２の貫通孔を有する金属支持体と、
前記支持層の前記第５の面および前記第６の面を覆うとともに前記第２の貫通孔の内周面を覆い、絶縁性材料からなる絶縁被覆層とを含み、
前記支持層を用意する工程は、
前記第５の面および前記第６の面を有する金属板を用意する工程と、
前記金属板の前記第５の面から前記第６の面に向かって前記第２の貫通孔を形成することにより前記金属支持体を形成することと、
形成された前記金属支持体の前記第５の面および前記第６の面をそれぞれ覆うことにより前記第３の面および前記第４の面を形成するとともに、前記第２の貫通孔を埋めるように、前記金属支持体の外表面に仮絶縁被覆層を形成することと、
前記第２の貫通孔の内部の仮絶縁層の部分に前記第１の貫通孔を形成することにより前記絶縁被覆層を形成することとを含む、請求項５記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項7】
前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第６の面から前記第５の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成された、請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項8】
前記支持層は、有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料からなる、請求項５記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
パッケージオンパッケージ技術に利用可能な配線回路基板の一例として、特許文献１には、互いに逆方向を向く第１の主面および第２の主面を有するプリント配線板が記載されている。そのプリント配線板は、複数の配線層と複数の絶縁層とが交互に積層されたビルドアップ構造を有する。
【0003】
プリント配線板の第１の主面上には、複数の導体パッドを含む配線層が形成されている。第１の主面の配線層が形成されていない領域に、接着層を介してベース板が貼り付けられている。プリント配線板の第２の主面上には、電子部品を実装するための構成（ビア導体を被覆する表面処理層）、および当該プリント配線板を他の配線板と電気的に接続するための構成（導体ポスト）が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１７－１５２５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記のプリント配線板のように、一の配線回路基板の一の主面上に、電子部品を実装するとともに、他の配線回路基板との電気的接続のための構成を設ける場合を想定する。この場合、当該一の主面上には高密度で多数の配線および多数の端子が形成されることが望ましい。それにより、配線回路基板における配線の設計の自由度が拡大される。
【0006】
また、上記のように、配線回路基板において配線の高密度化を図る場合、複数の配線および複数の端子間の電気的な接続には、高い信頼性が求められる。
【0007】
本発明の目的は、複数の配線および複数の端子間の電気的な接続の信頼性が高く、配線の設計の自由度が拡大された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一局面に従う配線回路基板は、厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に形成される第１の端子と、前記第２の面に形成され、前記第１の端子よりも大きい第２の端子とを含む配線回路基板であって、前記第１の面と前記第２の面との間に設けられ、前記第１の面に対向する第３の面および前記第２の面に対向する第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層と、前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第３の面上に形成される第１の絶縁層と、前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第４の面上に形成される第２の絶縁層と、前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続された第１の導体層と、前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続された第２の導体層と、前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びるように形成され、前記第３の面側に位置する第１の端部および前記第４の面側に位置する第２の端部を有する第３の導体層とを備え、前記第１の導体層は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層の前記第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子が電気的に接続される第１のランド部を含み、前記第２の導体層は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層の前記第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子が電気的に接続される第２のランド部を含み、前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい。
【0009】
本発明の他の局面に従う配線回路基板の製造方法は、厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に形成される第１の端子と、前記第２の面に形成され、前記第１の端子よりも大きい第２の端子とを含む配線回路基板の製造方法であって、前記厚み方向において互いに逆方向を向く第３の面および第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層を用意する工程と、前記支持層よりも低い剛性を有する第１の絶縁層を前記支持層の前記第３の面上に形成する工程と、前記支持層よりも低い剛性を有する第２の絶縁層を前記支持層の前記第４の面上に形成する工程と、前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続されることになる第１の導体層を形成する工程と、前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続されることになる第２の導体層を形成する工程と、前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びる第３の導体層を形成する工程とを含み、前記第１の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層のうち前記第３の面側に位置する第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子と電気的に接続されることになる第１のランド部を形成することを含み、前記第２の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層のうち前記第４の面側に位置する第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子と電気的に接続されることになる第２のランド部を形成することを含み、前記支持層の前記第３の面は、前記第１の面に対向し、前記支持層の前記第４の面は、前記第２の面に対向し、前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、配線回路基板における複数の配線および複数の端子間の電気的な接続の信頼性が向上するとともに、配線回路基板における配線の設計の自由度が拡大される。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の一実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。
【図5】再配線基板の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置５００の一例を示す模式的側面図である。
【図17】他の実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。
【図18】さらに他の実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。
【図19】さらに他の実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。
【図20】さらに他の実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。
【図21】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図22】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図23】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図24】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図25】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図26】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図27】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図28】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図29】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図30】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図31】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図32】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図33】他の実施の形態に係る再配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板および配線回路基板の製造方法について図面を参照しつつ説明する。配線回路基板の一例として、再配線基板を説明する。再配線基板は、例えば半導体素子等の電子部品とリジッドプリント配線回路基板（以下、リジッド基板と略記する。）等の他の配線回路基板との間に配置され、電子部品の微細パターンと他の配線回路基板の粗パターンとのピッチを変換する役割を担う。再配線基板は、インターポーザ基板とも呼ばれる。
【0013】
１．再配線基板の基本構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。図２は、図１の再配線基板１００の平面図である。図３は、図１の再配線基板１００の底面図である。図４は、図１の再配線基板１００の一部拡大縦断面図である。図１は、図２および図３のＡ－Ａ線断面を表す。図１に示すように、再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第１の面（本例では上面）１０１および第２の面（本例では下面）１０２を有する。図１において、再配線基板１００の厚み方向ＤＴは、下から上に向く矢印で示される。
図１は、本発明の一実施の形態に係る再配線基板の縦断面図である。図２は、図１の再配線基板１００の平面図である。図３は、図１の再配線基板１００の底面図である。図４は、図１の再配線基板１００の一部拡大縦断面図である。図１は、図２および図３のＡ－Ａ線断面を表す。図１に示すように、再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第１の面（本例では上面）１０１および第２の面（本例では下面）１０２を有する。図１において、再配線基板１００の厚み方向ＤＴは、下から上に向く矢印で示される。
【0014】
再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて半導体素子２００とリジッド基板３００との間に配置される。第１の面１０１上には、複数の端子部Ｔ１が形成されている。複数の端子部Ｔ１は、円形状を有し、平面視で共通の最大寸法（直径）を有する。端子部Ｔ１の直径は例えば２０μｍ以上１００μｍ以下であり、３０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましい。半導体素子２００は、再配線基板１００に実装された状態で再配線基板１００に対向する対向面２１１を有する。また、半導体素子２００は、対向面２１１から一定長さ突出するように形成された複数の柱状接合部２２０を有する。柱状接合部２２０の先端部は、半導体素子２００の接続端子を構成し、予め対応付けられた再配線基板１００の端子部Ｔ１に半田Ｓを介して接合される。
【0015】
半導体素子２００の対向面２１１と再配線基板１００の第１の面１０１との間には、アンダーフィル２９０が充填されている。アンダーフィル２９０は、例えばエポキシ樹脂により形成される。再配線基板１００の第１の面１０１上には、半導体素子２００を覆う蓋部材（図示せず）が設けられてもよい。図１および図２では、半導体素子２００が一点鎖線で示される。
【0016】
再配線基板１００の第２の面１０２上には、複数の端子部Ｔ２が形成されている。複数の端子部Ｔ２は、円形状を有し、平面視で共通の最大寸法（直径）を有する。端子部Ｔ２の直径は、端子部Ｔ１の直径よりも大きく、例えば１００μｍ以上３００μｍ以下であり、１７０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましく、１７５μｍ以上２３０μｍ以下であることがより好ましい。リジッド基板３００は、当該リジッド基板３００の複数の接続端子として複数の電極パッド３０１を有する。電極パッド３０１は、予め対応付けられた再配線基板１００の端子部Ｔ２に半田Ｓを介して接合される。図１～図３では、リジッド基板３００が二点鎖線で示される。
【0017】
なお、本実施の形態においては、再配線基板１００の複数の端子部Ｔ２に半田ボールが設けられる。これにより、再配線基板１００の第２の面１０２上には、例えばＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）が形成される。
【0018】
再配線基板１００は、主として一の支持層１０、複数の絶縁層および複数の導体層から構成される。支持層１０は、複数の絶縁層よりも高い剛性を有する。また、支持層１０は、厚み方向ＤＴにおいて再配線基板１００の略中央部に位置し、厚み方向ＤＴにおいて互いに逆方向を向く第３の面ｓ１および第４の面ｓ２を有する。第３の面ｓ１は第１の面１０１に対向し、第４の面ｓ２は第２の面１０２に対向する。
【0019】
本実施の形態に係る支持層１０は、具体的には、金属支持体１１０および絶縁被覆層１２０を含み、金属支持体１１０の外表面が絶縁被覆層１２０により覆われた構成を有する。
【0020】
図４に示すように、金属支持体１１０は、厚み方向ＤＴにおいて互いに逆方向を向く第５の面１１０ａおよび第６の面１１０ｂを有する。第５の面１１０ａは第１の面１０１（図１）に対向し、第６の面１１０ｂは第２の面１０２（図１）に対向する。金属支持体１１０には、複数の貫通孔ＴＨａが形成されている（図４の点線の矢印参照）。各貫通孔ＴＨａは、平面視で円形状を有する。その貫通孔ＴＨａの内周面は、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かって、厚み方向ＤＴに直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されている。貫通孔ＴＨａの内径は、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａにかけて１０μｍ以上８０μｍ以下の範囲内にあり、２０μｍ以上７０μｍ以下の範囲内にあることが好ましく、３０μｍ以上６０μｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【0021】
金属支持体１１０は、例えばステンレス鋼で形成される。なお、金属支持体１１０は、ステンレス鋼に代えて、銅、銅合金、アルミニウム、チタン、または、鉄およびニッケルを含む合金のいずれかにより形成されてもよい。鉄およびニッケルを含む合金としては、インバー、４２アロイ、４５パーマロイおよびコパール等が挙げられる。金属支持体１１０の厚みは、１０μｍ以上１００μｍ以下であり、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。
【0022】
絶縁被覆層１２０は、金属支持体１１０の第５の面１１０ａ、第６の面１１０ｂおよび貫通孔ＴＨａの内周面を覆うように形成されている。支持層１０の複数の部分においては、金属支持体１１０の貫通孔ＴＨａの形成部分を厚み方向ＤＴに通過するように、貫通孔ＴＨｂが形成されている（図４の一点差鎖線の矢印参照）。各貫通孔ＴＨｂは、平面視で円形状を有する。その貫通孔ＴＨｂの内周面は、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１に向かって、厚み方向ＤＴに直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されている。貫通孔ＴＨｂの内径は、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１にかけて５μｍ以上８５μｍ以下の範囲内にあり、１５μｍ以上７５μｍ以下の範囲内にあることが好ましく、２５μｍ以上６５μｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【0023】
絶縁被覆層１２０は、例えば感光性ポリイミドにより形成され、１μｍ以上２５μｍ以下の厚みを有し、３μｍ以上２０μｍ以下の厚みを有することが好ましい。なお、絶縁被覆層１２０は、感光性ポリイミドに代えて、他の感光性材料で形成されてもよい。このような他の感光性材料としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。なお、絶縁被覆層１２０の材料として、感光性材料以外の材料が用いられてもよい。例えば、絶縁被覆層１２０の材料としては、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いることもできる。具体的には、絶縁被覆層１２０の材料としては、炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウム等を用いることもできる。
【0024】
支持層１０の貫通孔ＴＨｂの内部には、厚み方向ＤＴに延びるように、導電性材料からなるビア導体部１０ｖが形成されている。支持層１０の第３の面ｓ１上には、ビア導体部１０ｖの第３の面ｓ１側の端部を覆うように導電性材料からなるランド部１１Ｌが形成されている。本実施の形態においては、ランド部１１Ｌは、平面視で円形状を有する。そのランド部１１Ｌの外径は、第３の面ｓ１における貫通孔ＴＨｂの開口部の内径よりも３０μｍ程度大きい。例えば、ランド部１１Ｌは、第３の面ｓ１において、貫通孔ＴＨｂの内縁から約１５μｍの範囲をカバーするように設計される。
【0025】
支持層１０の第４の面ｓ２上には、ビア導体部１０ｖの第４の面ｓ２側の端部を覆うように導電性材料からなるランド部１２Ｌが形成されている。本実施の形態においては、ランド部１２Ｌは、平面視で円形状を有する。そのランド部１２Ｌの外径は、第４の面ｓ２における貫通孔ＴＨｂの開口部の内径よりも３０μｍ程度大きい。例えば、ランド部１２Ｌは、第４の面ｓ２において、貫通孔ＴＨｂの内縁から約１５μｍの範囲をカバーするように設計される。
【0026】
上記のような構成により、貫通孔ＴＨｂのうち最小径の部分をカバーするランド部１１Ｌは、貫通孔ＴＨｂのうち最大径の部分をカバーするランド部１２Ｌよりも小さい。上記のビア導体部１０ｖおよびランド部１１Ｌ，１２Ｌは、複数の導体層の一部である。
【0027】
図１の再配線基板１００は、４つの絶縁層を含む。４つの絶縁層のうち２つの絶縁層は、支持層１０の第３の面ｓ１上に積層形成されている。４つの絶縁層のうち残りの２つの絶縁層は、支持層１０の第４の面ｓ２上に積層形成されている。以下の説明では、図１の再配線基板１００を構成する４つの絶縁層を区別する場合に、４つの絶縁層をそれぞれ第１の絶縁層５０、第２の絶縁層６０、第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０と呼ぶ。第２の絶縁層６０および第１の絶縁層５０は、この順で支持層１０の第３の面ｓ１上に積層形成されている。第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０は、この順で支持層１０の第４の面ｓ２上に積層形成されている。
【0028】
４つの絶縁層（５０，６０，７０，８０）の各々は、感光性材料で形成される。４つの絶縁層（５０，６０，７０，８０）に用いられる感光性材料としては、本実施の形態では感光性ポリイミドが用いられる。なお、絶縁層（５０，６０，７０，８０）は、感光性ポリイミドに代えて、他の感光性樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の感光性樹脂）により形成されてもよい。絶縁層（５０，６０，７０，８０）の各々の導体上の厚みは、２μｍ以上２５μｍ以下であり、４μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。
【0029】
複数の導体層は、上記の複数のビア導体部１０ｖおよび複数のランド部１１Ｌ，１２Ｌに加えて、複数のビア導体部６０ｖ，７０ｖ、複数のランド部６１Ｌ，７１Ｌおよび複数の配線部１１Ｔ，１２Ｔ，６１Ｔ，７１Ｔを含む。
【0030】
配線部１１Ｔは、複数のランド部１１Ｌとともに支持層１０の第３の面ｓ１上に形成されている。第２の絶縁層６０は、複数のランド部１１Ｌおよび配線部１１Ｔを覆うように支持層１０の第３の面ｓ１上に形成されている。第２の絶縁層６０には、厚み方向ＤＴに延びる複数の貫通孔ＴＨｃ（後述する図１２参照）がビアホールとして形成されている。それらの複数の貫通孔ＴＨｃ内に、ビア導体部６０ｖが形成されている。
【0031】
複数のランド部６１Ｌは、複数のビア導体部６０ｖを覆うように第２の絶縁層６０上に形成されている。配線部６１Ｔは、複数のランド部６１Ｌとともに第２の絶縁層６０上に形成されている。第１の絶縁層５０は、複数のランド部６１Ｌおよび配線部６１Ｔを覆うように第２の絶縁層６０上に形成されている。第１の絶縁層５０には、複数のランド部６１Ｌの各々を再配線基板１００の第１の面１０１上に露出させるための複数の貫通孔ＴＨｅ（後述する図１４参照）が形成されている。各貫通孔ＴＨｅ内に端子部Ｔ１が形成されている。端子部Ｔ１は、ランド部６１Ｌの一部で構成されてもよいし、ランド部６１Ｌの一部に表面処理を施すことにより形成されてもよい。例えば、端子部Ｔ１は、ランド部６１Ｌの一部に防錆処理を施すことにより形成されてもよい。あるいは、端子部Ｔ１は、ランド部６１Ｌの一部に、金等の耐食性に優れた金属のめっき層を成長させることにより形成されてもよい。
【0032】
上記の再配線基板１００において第１の面１０１と支持層１０との間に形成される複数のランド部１１Ｌ，６１Ｌおよび配線部１１Ｔ，６１Ｔの各々は、直接的または間接的に、複数の端子部Ｔ１のいずれかに電気的に接続されている。また、複数のランド部１１Ｌ，６１Ｌおよび複数の配線部１１Ｔ，６１Ｔの各々は、直接的または間接的に、複数のビア導体部１０ｖのいずれかに電気的に接続されている。
【0033】
配線部１２Ｔは、複数のランド部１２Ｌとともに支持層１０の第４の面ｓ２上に形成されている。第３の絶縁層７０は、複数のランド部１２Ｌおよび配線部１２Ｔを覆うように支持層１０の第４の面ｓ２上に形成されている。第３の絶縁層７０には、厚み方向ＤＴに延びる複数の貫通孔ＴＨｄ（後述する図１２参照）がビアホールとして形成されている。それらの複数の貫通孔ＴＨｄ内に、ビア導体部７０ｖが形成されている。
【0034】
複数のランド部７１Ｌは、複数のビア導体部７０ｖを覆うように第３の絶縁層７０上に形成されている。複数の配線部７１Ｔは、複数のランド部７１Ｌとともに第３の絶縁層７０上に形成されている。第４の絶縁層８０は、複数のランド部７１Ｌおよび配線部７１Ｔを覆うように第３の絶縁層７０上に形成されている。第４の絶縁層８０には、複数のランド部７１Ｌの各々を再配線基板１００の第２の面１０２上に露出させるための複数の貫通孔ＴＨｆ（後述する図１４参照）が形成されている。各貫通孔ＴＨｆ内に端子部Ｔ２が形成されている。端子部Ｔ２は、ランド部７１Ｌの一部で構成されてもよいし、ランド部７１Ｌの一部に表面処理を施すことにより形成されてもよい。例えば、端子部Ｔ２は、ランド部７１Ｌの一部に防錆処理を施すことにより形成されてもよい。あるいは、端子部Ｔ２は、ランド部７１Ｌの一部に、金等の耐食性に優れた金属のめっき層を成長させることにより形成されてもよい。
【0035】
上記の再配線基板１００において第２の面１０２と支持層１０との間に形成される複数のランド部１２Ｌ，７１Ｌおよび配線部１２Ｔ，７１Ｔの各々は、直接的または間接的に、複数の端子部Ｔ２のいずれかに電気的に接続されている。また、複数のランド部１２Ｌ，７１Ｌおよび複数の配線部１２Ｔ，７１Ｔの各々は、直接的または間接的に、複数のビア導体部１０ｖのいずれかに電気的に接続されている。
【0036】
複数の導体層の各々は、基本的には、シード層上に電解めっき法によりめっき層を成長させることにより形成される。導体層を形成するシード層は、例えばクロム薄膜および銅薄膜からなる。または、シード層は銅薄膜からなる。あるいは、シード層は、ニッケルおよびパラジウムのいずれかを含んでもよい。一方、めっき層は、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステンおよびルテニウム等のうち１種または複数種を含む金属または合金により形成される。本実施の形態においては、めっき層は銅である。上記のランド部１１Ｌ，６１Ｌおよび配線部１１Ｔ，６１Ｔの各々の厚みは、２０μｍ以上１２０μｍ以下であり、４０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、６０μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましい。また、上記のランド部１２Ｌ，７１Ｌおよび配線部１２Ｔ，７１Ｔの各々の厚みは、２０μｍ以上３００μｍ以下であり、５０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。
【0037】
なお、本実施の形態では、再配線基板１００の第１の面１０１に位置する複数の端子部Ｔ１の数と、再配線基板１００の第２の面１０２に位置する複数の端子部Ｔ２の数とは一致するが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００の第１の面１０１に位置する複数の端子部Ｔ１の数と、再配線基板１００の第２の面１０２に位置する複数の端子部Ｔ２の数とは一致しなくてもよい。
【0038】
２．再配線基板１００の製造方法
本実施の形態においては、再配線基板１００は、例えばロール・ツー・ロール方式により製造される。図５は、再配線基板１００の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置５００の一例を示す模式的側面図である。
本実施の形態においては、再配線基板１００は、例えばロール・ツー・ロール方式により製造される。図５は、再配線基板１００の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置５００の一例を示す模式的側面図である。
【0039】
図５に示すように、ロール・ツー・ロール装置５００は、巻き出し部５０１、巻き取り部５０２および複数の処理部５１０，５２０，…を含む。まず、長尺状の金属支持体１１０が巻回されたロール（繰り出しロール）Ｒ１が用意され、ロール・ツー・ロール装置５００の巻き出し部５０１にセットされる。
【0040】
用意された繰り出しロールＲ１から金属支持体１１０が繰り出される。繰り出された金属支持体１１０は、図５に点線の矢印で示すように、巻き取り部５０２にセットされた他のロール（巻き取りロール）Ｒ２に巻き取られる。
【0041】
ロール・ツー・ロール装置５００においては、複数の処理部５１０，５２０，…が、２つのロール（Ｒ１，Ｒ２）の間で、金属支持体１１０の移動方向に沿って並ぶように設けられている。複数の処理部５１０，５２０，…は、２つのロール（Ｒ１，Ｒ２）間を移動する長尺状の金属支持体１１０に絶縁被覆層１２０を形成する。また、絶縁被覆層１２０が形成された金属支持体１１０の各領域に、上記の複数の絶縁層および複数の導体層等をそれぞれ形成する。それにより、巻き取りロールＲ２に巻き取られる金属支持体１１０に、複数の再配線基板１００が形成される。
【0042】
以下、再配線基板１００の製造方法について詳細を説明する。
【0043】
図６～図１５は、図１の再配線基板１００の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図６～図１５に示される模式的断面図は、図１の再配線基板１００の模式的断面図に対応する。図６～図１５の各図には、図１の厚み方向ＤＴが示される。
【0044】
上記のように、金属支持体１１０が巻回された繰り出しロールＲ１（図５）が用意され、当該繰り出しロールＲ１から金属支持体１１０が繰り出される。図６に、繰り出された金属支持体１１０の一部の断面が示される。上記のように、金属支持体１１０は、厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第５の面１１０ａおよび第６の面１１０ｂを有する。
【0045】
まず、金属支持体１１０の一面（本例では、第５の面１１０ａ）全体を覆うように、当該第５の面１１０ａ上に感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、塗布された感光性ポリイミドの前駆体が、露光され、現像される。それにより、図７に示すように、金属支持体１１０の第５の面１１０ａ上に第１の仮被覆層１２１が形成される。形成された第１の仮被覆層１２１は硬化処理される。なお、第１の仮被覆層１２１は、第５の面１１０ａ上に感光性ポリイミドの前駆体を塗布することに代えて、感光性ポリイミドからなるフィルムを貼り付けることにより形成されてもよい。
【0046】
次に、金属支持体１１０の他面（本例では、第６の面１１０ｂ）上に所定パターンのエッチングレジストが形成される。また、金属支持体１１０の第６の面１１０ｂのうち、エッチングレジストの開口部を通して露出する部分がエッチングされ、金属支持体１１０に複数の貫通孔ＴＨａが形成される。その後、エッチングレジストが金属支持体１１０から剥離される。
【0047】
上記のように、金属支持体１１０は、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かってエッチングされる。この場合、図８に示すように、各貫通孔ＴＨａは、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かって内径が漸次小さくなるように形成される。金属支持体１１０のエッチングに用いられるエッチング液は、第１の仮被覆層１２１を溶解しない。そのため、各貫通孔ＴＨａの一端部は、第１の仮被覆層１２１によって塞がれる。
【0048】
なお、金属支持体１１０の複数の貫通孔ＴＨａは、エッチングに限らず、例えばレーザ加工により形成されてもよい。この場合、レーザ光は、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かって進行するようにかつ第１の仮被覆層１２１を貫通しないように、金属支持体１１０に照射される。これにより、各貫通孔ＴＨａは、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かって内径が漸次小さくなるように形成される。また、各貫通孔ＴＨａの一端部は、第１の仮被覆層１２１によって塞がれる。
【0049】
次に、金属支持体１１０の他面（本例では、第６の面１１０ｂ）全体を覆うようにかつ各貫通孔ＴＨａの内部に進入するように、当該第６の面１１０ｂ上に感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、塗布された感光性ポリイミドの前駆体が、露光され、現像される。それにより、図９に示すように、金属支持体１１０の第６の面１１０ｂおよび複数の貫通孔ＴＨａの内周面を覆うとともに、複数の貫通孔ＴＨａを埋めるように、第２の仮被覆層１２２が形成される。形成された第２の仮被覆層１２２は硬化処理される。なお、第２の仮被覆層１２２は、第６の面１１０ｂ上に感光性ポリイミドの前駆体を塗布することに代えて、感光性ポリイミドからなるフィルムを貼り付けることにより形成されてもよい。
【0050】
その後、図１０に示すように、金属支持体１１０の各貫通孔ＴＨａの内部を通って厚み方向ＤＴに延びるように、金属支持体１１０の複数の部分に複数の貫通孔ＴＨｂがそれぞれ形成される。これらの複数の貫通孔ＴＨｂは、例えばエッチングまたはレーザ加工により形成される。ここで、各貫通孔ＴＨｂの形成時において、エッチングまたはレーザ加工は、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かって孔が形成されるように行われる。これにより、各貫通孔ＴＨｂは、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かって内径が漸次小さくなるように形成される。このようにして、支持層１０が完成する。
【0051】
次に、支持層１０の第３の面ｓ１のうち予め定められた領域、支持層１０の第４の面ｓ２のうち予め定められた領域、および貫通孔ＴＨｂの内周面に、シード層が形成され、シード層上にめっき層が形成される。それにより、図１１に示すように、支持層１０の第３の面ｓ１上に、複数のランド部１１Ｌおよび複数の配線部１１Ｔが形成される。また、支持層１０の第４の面ｓ２上に、複数のランド部１２Ｌおよび配線部１２Ｔが形成される。さらに、支持層１０の複数の貫通孔ＴＨａの内部に複数のビア導体部１０ｖが形成される。
【0052】
次に、図１２に示すように、支持層１０の第３の面ｓ１上に、複数のランド部１１Ｌおよび複数の配線部１１Ｔを覆うように第２の絶縁層６０が形成される。また、複数のランド部１１Ｌのうち一部が第２の絶縁層６０上に露出するように、第２の絶縁層６０に複数の貫通孔ＴＨｃが形成される。さらに、支持層１０の第４の面ｓ２上に、複数のランド部１２Ｌおよび配線部１２Ｔを覆うように第３の絶縁層７０が形成される。また、複数のランド部１２Ｌのうち一部が第３の絶縁層７０上に露出するように、第３の絶縁層７０に複数の貫通孔ＴＨｄが形成される。
【0053】
次に、露出する第２の絶縁層６０の表面のうち予め定められた領域、および露出する第３の絶縁層７０の表面のうち予め定められた領域にシード層が形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｃ，ＴＨｄの内周面および複数のランド部１１Ｌ，１２Ｌのうち露出する部分にシード層が形成される。形成されたシード層上にめっき層が形成される。それにより、図１３に示すように、第２の絶縁層６０上に、複数のランド部６１Ｌおよび複数の配線部６１Ｔが形成される。また、第３の絶縁層７０上に、複数のランド部７１Ｌおよび配線部７１Ｔが形成される。さらに、第２の絶縁層６０の複数の貫通孔ＴＨｃの内部に複数のビア導体部６０ｖが形成され、第３の絶縁層７０の複数の貫通孔ＴＨｄの内部に複数のビア導体部７０ｖが形成される。
【0054】
次に、図１４に示すように、第２の絶縁層６０上に、複数のランド部６１Ｌおよび複数の配線部６１Ｔを覆うように第１の絶縁層５０が形成される。また、複数のランド部６１Ｌのうち一部が第１の絶縁層５０上に露出するように、第１の絶縁層５０に複数の貫通孔ＴＨｅが形成される。さらに、第３の絶縁層７０上に、複数のランド部７１Ｌおよび配線部７１Ｔを覆うように第４の絶縁層８０が形成される。また、複数のランド部７１Ｌのうち一部が第４の絶縁層８０上に露出するように、第４の絶縁層８０に複数の貫通孔ＴＨｆが形成される。
【0055】
最後に、図１５に示すように、複数のランド部６１Ｌのうち複数の貫通孔ＴＨｅを介して露出する部分に端子部Ｔ１が形成される。また、複数のランド部７１Ｌのうち複数の貫通孔ＴＨｆを介して露出する部分に端子部Ｔ２が形成される。それにより、図１の再配線基板１００が完成する。
【0056】
３．効果
（ａ）上記の再配線基板１００においては、支持層１０は、複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）よりも高い剛性を有する。それにより、上記の再配線基板１００は、支持層１０を含まない場合に比べて高い取り扱い性を有する。
（ａ）上記の再配線基板１００においては、支持層１０は、複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）よりも高い剛性を有する。それにより、上記の再配線基板１００は、支持層１０を含まない場合に比べて高い取り扱い性を有する。
【0057】
支持層１０に形成された各貫通孔ＴＨｂの内周面は、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１に向かって、厚み方向ＤＴに直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されている。それにより、支持層１０の第３の面ｓ１における貫通孔ＴＨｂの開口面積は、第４の面ｓ２における貫通孔ＴＨｂの開口面積よりも小さい。また、支持層１０の第３の面ｓ１に形成されるランド部１１Ｌは、第４の面ｓ２に形成されるランド部１２Ｌよりも小さい。このように、厚み方向ＤＴにおけるビア導体部１０ｖの両端に位置するランド部１１Ｌ，１２Ｌが、貫通孔ＴＨｂの開口面積に応じて形成されている。それにより、ビア導体部１０ｖと一方のランド部１１Ｌとの間の電気的な接続の信頼性が確保され、ビア導体部１０ｖと他方のランド部１２Ｌとの間の電気的な接続の信頼性が確保される。
【0058】
ここで、再配線基板１００のうち支持層１０よりも第１の面１０１側に位置する部分を、第１の基板部と呼ぶ。また、再配線基板１００のうち支持層１０よりも第２の面１０２側に位置する部分を、第２の基板部と呼ぶ。
【0059】
第１の基板部に形成されるランド部１１Ｌは、第２の基板部に形成されるランド部１２Ｌよりも小さい。また、第１の基板部に形成される端子部Ｔ１は、第２の基板部に形成される端子部Ｔ２よりも小さい。この場合、第１の基板部においては、第２の基板部でランド部１２Ｌおよび端子部Ｔ２を形成するために必要となる領域に比べて、ランド部１１Ｌおよび端子部Ｔ１を形成するために必要となる領域を低減することができる。
【0060】
それにより、複数の配線部１１Ｔ，６１Ｔを高い密度で第１の基板部に形成することができる。したがって、高い配線密度を要する半導体素子２００を第１の面１０１上に実装することが可能になる。また、高い配線密度を要しないリジッド基板３００上に第２の基板部を接続することができる。
【0061】
これらの結果、電気的な接続の信頼性が高く、配線の設計の自由度が拡大された再配線基板１００が実現される。
【0062】
（ｂ）上記の再配線基板１００においては、支持層１０が金属支持体１１０を含む。それにより、支持層１０において、再配線基板１００に要求される剛性を確保しやすい。
【0063】
（ｃ）上記のように、支持層１０に形成された各貫通孔ＴＨｂの内周面は、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１に向かって、厚み方向ＤＴに直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されている。さらに、支持層１０においては、絶縁被覆層１２０により被覆される金属支持体１１０の各貫通孔ＴＨａも、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１に向かって、厚み方向ＤＴに直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されている。
【0064】
この場合、絶縁被覆層１２０により形成される貫通孔ＴＨｂの内周面の形状と、金属支持体１１０により形成される貫通孔ＴＨａの内周面の形状とが概ね一致する。これにより、貫通孔ＴＨｂの内周面を形成する絶縁被覆層１２０の部分が、金属支持体１１０の貫通孔ＴＨａの内周面により適切に補強される。したがって、支持層１０における貫通孔ＴＨｂおよびその近傍部分の機械的強度が向上し、ビア導体部１０ｖにおける電気的導通の信頼性が向上する。
【0065】
４．図１の再配線基板１００の適用例
図１６は、図１の再配線基板１００の適用例を示す図である。図１６では、図１の再配線基板１００を積層型の半導体装置に適用した例が示される。図１６の半導体装置９００は、２つの再配線基板１００および２つの半導体素子２００を備え、リジッド基板３００上に実装される。
図１６は、図１の再配線基板１００の適用例を示す図である。図１６では、図１の再配線基板１００を積層型の半導体装置に適用した例が示される。図１６の半導体装置９００は、２つの再配線基板１００および２つの半導体素子２００を備え、リジッド基板３００上に実装される。
【0066】
ここで、図１６の２つの再配線基板１００を区別する場合に、一方の再配線基板１００を第１の再配線基板１００Ａと呼び、他方の再配線基板１００を第２の再配線基板１００Ｂと呼ぶ。また、図１６の２つの半導体素子２００を区別する場合に、一方の半導体素子２００を第１の半導体素子２００Ａと呼び、他方の半導体素子２００を第２の半導体素子２００Ｂと呼ぶ。
【0067】
半導体装置９００においては、第１の再配線基板１００Ａ上に第１の半導体素子２００Ａがフリップチップボンディングにより実装されている。また、第１の再配線基板１００Ａ上に、第１の半導体素子２００Ａを覆うように、第２の再配線基板１００Ｂが積層配置されている。さらに、第２の再配線基板１００Ｂ上に第２の半導体素子２００Ｂがフリップチップボンディングにより実装されている。第１の再配線基板１００Ａと第２の再配線基板１００Ｂとの間では、複数の半田ボールを用いて複数の配線間の電気的導通が確保されている。また、第１の再配線基板１００Ａとリジッド基板３００との間でも、複数の半田ボールを用いて複数の配線間の電気的導通が確保されている。
【0068】
第１の半導体素子２００Ａは、第２の再配線基板１００Ｂ上に実装された第２の半導体素子２００Ｂとの間で電気信号の授受を行うとともに、リジッド基板３００上に実装された他の電子部品と電気信号の授受を行う。そのため、第１の再配線基板１００Ａのうち第１の半導体素子２００Ａが実装される面側では、第１の半導体素子２００Ａが第２の半導体素子２００Ｂおよびリジッド基板３００上の他の電子機器と電気信号の授受を行うための多数の配線が必要になる。
【0069】
図１の再配線基板１００は、上記のように、第１の面１０１側で配線密度を高くすることができる。そこで、第１の面１０１上に第１の半導体素子２００Ａを実装するとともに第２の再配線基板１００Ｂを積層配置する。それにより、大型化を抑制しつつ、第１の半導体素子２００Ａに対する信頼性の高い配線構造を確保することができる。このように、図１の再配線基板１００は、パッケージオンパッケージ技術を利用した構成に有効に利用することができる。
【0070】
【0071】
図１７の再配線基板１００においては、白抜きの矢印で示すように、金属支持体１１０の複数の貫通孔ＴＨａがテーパ状に形成されていない。換言すれば、金属支持体１１０の複数の貫通孔ＴＨａの各々は、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１にかけて一定の内径を有する。しかしながら、絶縁被覆層１２０に形成される貫通孔ＴＨｂ（支持層１０の貫通孔ＴＨｂ）は、第４の面ｓ２から第３の面ｓ１に向かって、厚み方向ＤＴに直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されている。これにより、上記実施の形態に係る再配線基板１００と同様に、複数の導体層間で信頼性の高い電気的接続を確保するとともに配線の設計の自由度を拡大することが可能になる。
【0072】
【0073】
図１８の再配線基板１００においては、白抜きの矢印で示すように、貫通孔ＴＨｂが一部くびれるように形成されている。このような場合でも、第３の面ｓ１における貫通孔ＴＨｂの開口部の内径が、第４の面ｓ２における貫通孔ＴＨｂの開口部の内径よりも小さければよい。これにより、上記実施の形態に係る再配線基板１００と同様に、複数の導体層間で信頼性の高い電気的接続を確保するとともに配線の設計の自由度を拡大することが可能になる。
【0074】
【0075】
支持層１０は、複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）よりも高い剛性を有すればよい。そこで、図１９の再配線基板１００においては、支持層１０として図１の金属支持体１１０を含まない単一部材が用いられる。本例の支持層１０にもちいられる材料としては、例えば複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）よりも高い剛性を有する有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料が挙げられる。
【0076】
この場合、有機材料としては、ポリイミド等を用いることができる。また、無機材料としては、ガラス等のセラミックを用いることができる。また、有機無機ハイブリッド材料および複合材料としては、エポキシ樹脂とシリカフィラーとで構成される材料、またはエポキシ樹脂とガラス繊維とで構成される材料（いわゆるガラスエポキシ）等を用いることができる。
【0077】
上記の他、支持層１０には、ガラス繊維で構成された布にエポキシ樹脂を含浸させて硬化させることにより作製された材料（ＦＲ４）等を用いることもできる。この場合、金属支持体１１０を絶縁被覆層１２０で被覆する工程が不要になる。あるいは、既製品を用いることが可能になる。それにより、支持層１０の製造工程が単純化される。
【0078】
【0079】
図２０の再配線基板１００においては、支持層１０の第３の面ｓ１上に第２の絶縁層６０が形成されているが、第２の絶縁層６０上には図１の第１の絶縁層５０が形成されていない。また、支持層１０の第４の面ｓ２上に第３の絶縁層７０が形成されているが、第３の絶縁層７０上には図１の第４の絶縁層８０が形成されていない。そのため、再配線基板１００のうち支持層１０よりも第１の面１０１側の第１の基板部には、単一面内に複数の導体層（ランド部１１Ｌおよび配線部１１Ｔ）が形成されている。また、再配線基板１００のうち支持層１０よりも第２の面１０２側の第２の基板部にも、単一面内に複数の導体層（ランド部１２Ｌおよび配線部１２Ｔ）が形成されている。このような構成においても、第１の基板部に形成される配線部１１Ｔの密度を高くすることができる。
【0080】
（ｅ）上記実施の形態に係る再配線基板１００は、図６～図１５に示される例に限らず、以下の方法で作製されてもよい。なお、以下に説明する再配線基板１００の製造方法においても、再配線基板１００は、例えばロール・ツー・ロール方式により作製される。
【0081】
図２１～図３３は、他の実施の形態に係る再配線基板１００の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図２１～図３３に示される模式的断面図は、図６～図１５の例と同様に、図１の再配線基板１００の模式的断面図に対応する。図２１～図３３の各図には、図１の厚み方向ＤＴが示される。図２１～図３３の厚み方向ＤＴの矢印の向きは、再配線基板１００が半導体素子２００とリジッド基板３００との間に配置される場合にリジッド基板３００から半導体素子２００に向く方向であるものとする。
【0082】
まず、第５の面１１０ａおよび第６の面１１０ｂを有する図６の金属支持体１１０が用意される。次に、図２１に示すように、金属支持体１１０の第５の面１１０ａ上に、第１の仮被覆層１２１が形成される。また、第１の仮被覆層１２１に１または複数（本例では２つ）の貫通孔ＴＨｇが形成される。第１の仮被覆層１２１の露出する一面が、支持層１０の第３の面ｓ１となる。
【0083】
第１の仮被覆層１２１は、第５の面１１０ａ上に感光性ポリイミドの前駆体を塗布することまたは感光性ポリイミドからなるフィルムを貼り付けることにより形成される。１または複数の貫通孔ＴＨｇは、所定のフォトマスクを用いて感光性ポリイミドを露光し、現像することにより形成されてもよいし、硬化処理された第１の仮被覆層１２１の一部をエッチングまたはレーザ加工することにより形成されてもよい。
【0084】
次に、第３の面ｓ１のうち予め定められた領域および貫通孔ＴＨｇの内周面に、シード層が形成され、シード層上にめっき層が形成される。それにより、図２２に示すように、第３の面ｓ１上に、複数のランド部１１Ｌおよび複数の配線部１１Ｔが形成される。さらに、第１の仮被覆層１２１の複数の貫通孔ＴＨｇの内部に複数のビア導体部が形成される。ランド部１１Ｌ、配線部１１Ｔおよびビア導体部の形成後、シード層は除去される。
【0085】
次に、図２３に示すように、第３の面ｓ１上に、複数のランド部１１Ｌおよび複数の配線部１１Ｔを覆うように第２の絶縁層６０が形成される。また、複数のランド部１１Ｌのうち一部が第２の絶縁層６０上に露出するように、第２の絶縁層６０に複数の貫通孔ＴＨｈが形成される。
【0086】
次に、露出する第２の絶縁層６０の表面のうち予め定められた領域にシード層が形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｈの内周面および複数のランド部１１Ｌのうち露出する部分にシード層が形成される。形成されたシード層上にめっき層が形成される。それにより、図２４に示すように、第２の絶縁層６０上に、複数のランド部６１Ｌおよび複数の配線部６１Ｔが形成される。また、第２の絶縁層６０の複数の貫通孔ＴＨｈの内部に複数のビア導体部６０ｖが形成される。ランド部６１Ｌ、配線部６１Ｔおよびビア導体部６０ｖの形成後、シード層は除去される。
【0087】
次に、図２５に示すように、第２の絶縁層６０上に、複数のランド部６１Ｌおよび複数の配線部６１Ｔを覆うように第１の絶縁層５０が形成される。また、複数のランド部６１Ｌのうち一部が第１の絶縁層５０上に露出するように、第１の絶縁層５０に複数の貫通孔ＴＨｉが形成される。その後、図２６に示すように、複数のランド部６１Ｌのうち複数の貫通孔ＴＨｉを介して露出する部分に端子部Ｔ１が形成される。上記の図２２～図２６の処理で、再配線基板１００のうち金属支持体１１０の第５の面１１０ａ上に位置する部分（図１の半導体素子２００側の部分）が完成する。
【0088】
続いて、再配線基板１００のうち金属支持体１１０の第６の面１１０ｂ上に位置する部分（図１のリジッド基板３００側の部分）が作製される。図２７～図３３では、再配線基板１００のうちリジッド基板３００側の部分を作製していることが理解しやすいように、模式的断面図の厚み方向ＤＴの向きを図２２～図２６の模式的断面図に対して上下方向で反転させている。
【0089】
まず、図２７に示すように、金属支持体１１０の予め定められた複数の部分に複数の貫通孔ＴＨｊが形成される。複数の貫通孔ＴＨｊの各々は、第１の仮被覆層１２１の複数の貫通孔ＴＨｇ（図２１）内部に形成されたビア導体部の一部を当該貫通孔ＴＨｊを通して金属支持体１１０の第６の面１１０ｂ上に露出させる。
【0090】
ここで、金属支持体１１０の複数の貫通孔ＴＨｊの形成方法は、上記実施の形態で説明した金属支持体１１０の複数の貫通孔ＴＨａの形成方法と同じである。そのため、各貫通孔ＴＨｊは、第６の面１１０ｂから第５の面１１０ａに向かって内径が漸次小さくなるように形成される。
【0091】
次に、金属支持体１１０の第６の面１１０ｂの全体を覆うとともに複数の貫通孔ＴＨｊが埋まるように、金属支持体１１０の第６の面１１０ｂ上に第２の仮被覆層１２２が形成される。また、各貫通孔ＴＨｊ内の第２の仮被覆層１２２の部分にさらに貫通孔ＴＨｋが形成される。それにより、図２８に示すように、金属支持体１１０の第５の面１１０ａ、第６の面１１０ｂおよび金属支持体１１０の貫通孔ＴＨｊ（図２７）の内周面を覆う絶縁被覆層１２０が完成する。
【0092】
金属支持体１１０および絶縁被覆層１２０により支持層１０が形成される。第２の仮被覆層１２２の露出する一面が、支持層１０の第４の面ｓ２となる。各貫通孔ＴＨｋの内部では、第１の仮被覆層１２１の貫通孔ＴＨｇ内に形成された導体層（ビア導体部）の一部が露出する。なお、第２の仮被覆層１２２の形成方法および複数の貫通孔ＴＨｋの形成方法は、基本的に第１の仮被覆層１２１の形成方法および複数の貫通孔ＴＨｇの形成方法と同じである。
【0093】
次に、第４の面ｓ２のうち予め定められた領域、複数の貫通孔ＴＨｋの内周面および各貫通孔ＴＨｋ内で露出する導体層（ビア導体部）の部分に、シード層が形成され、シード層上にめっき層が形成される。それにより、図２９に示すように、第４の面ｓ２上に、複数のランド部１２Ｌおよび配線部１２Ｔが形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｋの内部に複数のビア導体部１０ｖが形成される。ランド部１２Ｌ、配線部１２Ｔおよびビア導体部１０ｖの形成後、シード層は除去される。
【0094】
次に、図３０に示すように、第４の面ｓ２上に、複数のランド部１２Ｌおよび配線部１２Ｔを覆うように第３の絶縁層７０が形成される。また、複数のランド部１２Ｌのうち一部が第３の絶縁層７０上に露出するように、第３の絶縁層７０に複数の貫通孔ＴＨｌが形成される。
【0095】
次に、露出する第３の絶縁層７０の表面のうち予め定められた領域にシード層が形成される。また、複数の貫通孔ＴＨｌの内周面および複数のランド部１２Ｌのうち露出する部分にシード層が形成される。形成されたシード層上にめっき層が形成される。それにより、図３１に示すように、第３の絶縁層７０上に、複数のランド部７１Ｌおよび配線部７１Ｔが形成される。また、第３の絶縁層７０の複数の貫通孔ＴＨｌの内部に複数のビア導体部７０ｖが形成される。ランド部７１Ｌ、配線部７１Ｔおよびビア導体部７０ｖの形成後、シード層は除去される。
【0096】
次に、図３２に示すように、第３の絶縁層７０上に、複数のランド部７１Ｌおよび配線部７１Ｔを覆うように第４の絶縁層８０が形成される。また、複数のランド部７１Ｌのうち一部が第４の絶縁層８０上に露出するように、第４の絶縁層８０に複数の貫通孔ＴＨｍが形成される。その後、図３３に示すように、複数のランド部７１Ｌのうち複数の貫通孔ＴＨｍを介して露出する部分に端子部Ｔ２が形成される。それにより、他の実施の形態に係る再配線基板１００が完成する。
【0097】
なお、本例の再配線基板１００の製造方法において、複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）の形成方法および各絶縁層の複数の貫通孔（ＴＨｉ，ＴＨｈ，ＴＨｌ，ＴＨｍ）の形成方法は、基本的に第１の仮被覆層１２１の形成方法および複数の貫通孔ＴＨｇの形成方法と同じである。
【0098】
図２１～図３３の製造方法によれば、再配線基板１００のうち金属支持体１１０を基準として半導体素子２００側の部分と、再配線基板１００のうち金属支持体１１０を基準としてリジッド基板３００側の部分とが個別に形成される。それにより、再配線基板１００のうち半導体素子２００側の部分とリジッド基板３００側の部分とを同時に形成する場合に比べて、各部の形成時の位置決めおよび処理条件の調整が容易になる。その結果、設計寸法に対して高い精度で各部を形成することが可能になる。また、複雑な処理が必要ないので、高価な製造装置を用意する必要がない。
【0099】
上記のように、図２２～図２６に示される製造方法の例では、第１の仮被覆層１２１上に、ランド部および配線部を含む導体層の形成と絶縁層の形成とが交互に行われる。それにより、再配線基板１００のうち半導体素子２００側の部分が作製され、半導体素子２００用の複数の端子部Ｔ１が形成される。しかしながら、再配線基板１００における複数の端子部Ｔ１の形状または配線のレイアウトによっては、再配線基板１００の半導体素子２００側の部分は、以下のように作製されてもよい。
【0100】
まず、図２２に示すように、第３の面ｓ１上に、複数のランド部１１Ｌおよび複数の配線部１１Ｔが形成された状態で、それらの導体層の形成に用いたシード層を除去することなく、第３の面ｓ１上にドライフィルムレジストを貼り合わせる。その上で、貼り合わされたドライフィルムレジストを所望のパターンで露光し、現像し、ドライフィルムレジストに所定パターンの開口部を形成する。ここで、開口部の所定パターンは、複数のランド部１１Ｌの一部を露出させるように定められる。
【0101】
次に、第３の面ｓ１上に残留するシード層を用いて、ドライフィルムレジストの開口部で露出するランド部１１Ｌ上に追加のめっき層を形成する。その後、ドライフィルムレジストを除去し、シード層を除去する。
【0102】
上記の追加のめっき層は、当該めっき層が形成されたランド部１１Ｌから第３の面ｓ１が向く方向に所定距離突出する。ランド部１１Ｌ上に形成される追加のめっき層を、めっき突出部と呼ぶ。
【0103】
めっき突出部が形成された後の第３の面ｓ１上では、当該めっき突出部を除く領域に比較的容易に絶縁層を形成することができる。そこで、第３の面ｓ１上でめっき突出部以外の部分を覆うように、第２の絶縁層６０を形成する。あるいは、めっき突出部を含む第３の面ｓ１上の全体に第２の絶縁層６０を形成した後、当該第２の絶縁層６０のうちめっき突出部に重なる部分に開口を形成する。これらの場合、めっき突出部の先端部に端子部Ｔ１を形成することができる。
【0104】
（ｆ）上記実施の形態に係る再配線基板１００においては、端子部Ｔ１および端子部Ｔ２の各々が平面視で円形状を有するが、本発明はこれに限定されない。端子部Ｔ１および端子部Ｔ２の各々は、平面視で円形状以外の形状（楕円形状または多角形状）を有してもよい。
【0105】
（ｇ）上記実施の形態に係る再配線基板１００においては、貫通孔ＴＨａおよび貫通孔ＴＨｂの各々が平面視で円形状を有するが、本発明はこれに限定されない。貫通孔ＴＨａおよび貫通孔ＴＨｂの各々は、平面視で円形状以外の形状（楕円形状または多角形状）を有してもよい。
【0106】
（ｈ）上記実施の形態に係る再配線基板１００においては、複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）の各々に対応するように配線部１１Ｔ，１２Ｔ，６１Ｔ，７１Ｔが形成されているが、本発明はこれに限定されない。
【0107】
複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）のうち一部の絶縁層にのみ対応するように配線部が形成されてもよい。例えば、図１の再配線基板１００においては、配線部７１Ｔは設けられなくてもよい。また、図１の再配線基板１００においては、配線部１２Ｔは設けられなくてもよい。
【0108】
（ｉ）上記実施の形態では、再配線基板１００は、ロール・ツー・ロール方式により製造されるが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００は、ロール・ツー・ロール方式以外の方式で作製されてもよい。例えば、１枚のシートに順次処理を行う枚葉方式で作製されてもよい。
【0109】
（ｊ）上記実施の形態は本発明を再配線基板に適用した例であるが、これに限らず、複数の絶縁層および複数の導体層が積層形成された他の配線回路基板に本発明を適用してもよい。
【0110】
６．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【0111】
上記実施の形態では、再配線基板１００が配線回路基板の例であり、第１の面１０１が第１の面の例であり、第２の面１０２が第２の面の例であり、端子部Ｔ１が第１の端子の例であり、端子部Ｔ２が第２の端子の例であり、第３の面ｓ１が第３の面の例であり、第４の面ｓ２が第４の面の例である。
【0112】
また、支持層１０が支持層の例であり、貫通孔ＴＨｂが第１の貫通孔の例であり、第１の絶縁層５０および第２の絶縁層６０が第１の絶縁層の例であり、第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０が第２の絶縁層の例であり、ランド部１１Ｌ，６１Ｌおよび配線部１１Ｔ，６１Ｔが第１の導体層の例であり、ランド部１２Ｌ，７１Ｌおよび配線部１２Ｔ，７１Ｔが第２の導体層の例であり、ビア導体部１０ｖが第３の導体層の例である。
【0113】
また、ランド部１１Ｌが第１のランド部の例であり、ランド部１２Ｌが第２のランド部の例であり、第５の面１１０ａが第５の面の例であり、第６の面１１０ｂが第６の面の例であり、金属支持体１１０が金属支持体の例であり、絶縁被覆層１２０が絶縁被覆層の例である。
【0114】
７．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る配線回路基板は、
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に形成される第１の端子と、前記第２の面に形成され、前記第１の端子よりも大きい第２の端子とを含む配線回路基板であって、
前記第１の面と前記第２の面との間に設けられ、前記第１の面に対向する第３の面および前記第２の面に対向する第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層と、
前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第３の面上に形成される第１の絶縁層と、
前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第４の面上に形成される第２の絶縁層と、
前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続された第１の導体層と、
前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続された第２の導体層と、
前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びるように形成され、前記第３の面側に位置する第１の端部および前記第４の面側に位置する第２の端部を有する第３の導体層とを備え、
前記第１の導体層は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層の前記第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子が電気的に接続される第１のランド部を含み、
前記第２の導体層は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層の前記第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子が電気的に接続される第２のランド部を含み、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、
前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい。
（第１項）第１項に係る配線回路基板は、
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に形成される第１の端子と、前記第２の面に形成され、前記第１の端子よりも大きい第２の端子とを含む配線回路基板であって、
前記第１の面と前記第２の面との間に設けられ、前記第１の面に対向する第３の面および前記第２の面に対向する第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層と、
前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第３の面上に形成される第１の絶縁層と、
前記支持層よりも低い剛性を有し、前記第４の面上に形成される第２の絶縁層と、
前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続された第１の導体層と、
前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に形成される複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続された第２の導体層と、
前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びるように形成され、前記第３の面側に位置する第１の端部および前記第４の面側に位置する第２の端部を有する第３の導体層とを備え、
前記第１の導体層は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層の前記第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子が電気的に接続される第１のランド部を含み、
前記第２の導体層は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層の前記第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子が電気的に接続される第２のランド部を含み、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、
前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい。
【0115】
その配線回路基板においては、支持層は、第１の絶縁層および第２の絶縁層よりも高い剛性を有する。それにより、上記の配線回路基板は、支持層を含まない場合に比べて高い取り扱い性を有する。
【0116】
支持層の第１の貫通孔の内周面は、少なくとも一部がテーパ状に形成される。それにより、支持層の第３の面における当該第１の貫通孔の開口面積を、支持層の第４の面における当該第１の貫通孔の開口面積よりも小さくすることができる。そのため、第３の導体層における第１の端部の大きさと第２の端部の大きさとの関係が、第１のランド部の大きさと第２のランド部の大きさとの関係に一致する。したがって、第３の導体層と第１のランド部との間の電気的な接続の信頼性が確保され、第３の導体層と第２のランド部との間の電気的な接続の信頼性が確保される。
【0117】
配線回路基板のうち支持層よりも第１の面側に位置する部分を、第１の基板部と呼ぶ。第１のランド部は、第１の端子とともに第１の基板部に形成されている。配線回路基板のうち支持層よりも第２の面側に位置する部分を、第２の基板部と呼ぶ。第２のランド部は、第２の端子とともに第２の基板部に形成されている。第１の端子は第２の端子よりも小さく、第１のランド部は第２のランド部よりも小さい。
【0118】
この場合、第１の基板部においては、第２の基板部で第２のランド部および第２の端子部を形成するために必要となる領域に比べて、第１のランド部および第１の端子部を形成するために必要となる領域を低減することができる。それにより、第１の導体層を構成する複数の配線部を高い密度で第１の基板部に形成することができる。したがって、高い配線密度を要する半導体チップ等の一の電気的要素を第１の面上に実装することが可能になる。また、高い配線密度を要しないリジッドプリント配線回路基板等の他の電気的要素上に第２の基板部を実装することにより、上記の配線回路基板は再配線基板として用いることもできる。
【0119】
これらの結果、電気的な接続の信頼性が高く、配線の設計の自由度が拡大された配線回路基板が実現される。
【0120】
（第２項）第１項に記載の配線回路基板において、
前記支持層は、
前記第３の面と前記第４の面との間に設けられ、前記第３の面に対向する第５の面および前記第４の面に対向する第６の面を有するとともに前記第５の面から前記第６の面に貫通する第２の貫通孔を有する金属支持体と、
前記支持層の前記第５の面および前記第６の面を覆うとともに前記第２の貫通孔の内周面を覆い、絶縁性材料からなる絶縁被覆層とを含み、
前記第１の貫通孔の内周面は、前記絶縁被覆層のうち前記第２の貫通孔の内周面を覆う部分により形成されてもよい。
前記支持層は、
前記第３の面と前記第４の面との間に設けられ、前記第３の面に対向する第５の面および前記第４の面に対向する第６の面を有するとともに前記第５の面から前記第６の面に貫通する第２の貫通孔を有する金属支持体と、
前記支持層の前記第５の面および前記第６の面を覆うとともに前記第２の貫通孔の内周面を覆い、絶縁性材料からなる絶縁被覆層とを含み、
前記第１の貫通孔の内周面は、前記絶縁被覆層のうち前記第２の貫通孔の内周面を覆う部分により形成されてもよい。
【0121】
この場合、支持層が金属支持体を含むので、配線回路基板に要求される剛性を確保しやすい。
【0122】
（第３項）第２項に記載の配線回路基板において、
前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第６の面から前記第５の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されてもよい。
前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第６の面から前記第５の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されてもよい。
【0123】
この場合、第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部の形状と、第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部の形状とが概ね一致する。これにより、第１の貫通孔の内周面を形成する絶縁被覆層の部分が、金属支持体の第２の貫通孔の内周面により適切に補強される。したがって、支持層における第１の貫通孔およびその近傍部分の機械的強度が向上し、第３の導体層における電気的導通の信頼性が向上する。
【0124】
（第４項）第１項に記載の配線回路基板において、
前記支持層は、有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料からなってもよい。
前記支持層は、有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料からなってもよい。
【0125】
この場合、絶縁性の有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料を用いることにより、支持層を単一部材で構成することができる。それにより、支持層の作製に要する材料および作業工程を低減することができる。
【0126】
（第５項）第５項に係る配線回路基板の製造方法は、
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に形成される第１の端子と、前記第２の面に形成され、前記第１の端子よりも大きい第２の端子とを含む配線回路基板の製造方法であって、
前記厚み方向において互いに逆方向を向く第３の面および第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層を用意する工程と、
前記支持層よりも低い剛性を有する第１の絶縁層を前記支持層の前記第３の面上に形成する工程と、
前記支持層よりも低い剛性を有する第２の絶縁層を前記支持層の前記第４の面上に形成する工程と、
前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続されることになる第１の導体層を形成する工程と、
前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続されることになる第２の導体層を形成する工程と、
前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びる第３の導体層を形成する工程とを含み、
前記第１の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層のうち前記第３の面側に位置する第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子と電気的に接続されることになる第１のランド部を形成することを含み、
前記第２の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層のうち前記第４の面側に位置する第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子と電気的に接続されることになる第２のランド部を形成することを含み、
前記支持層の前記第３の面は、前記第１の面に対向し、
前記支持層の前記第４の面は、前記第２の面に対向し、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、
前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい。
厚み方向において互いに逆方向を向く第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に形成される第１の端子と、前記第２の面に形成され、前記第１の端子よりも大きい第２の端子とを含む配線回路基板の製造方法であって、
前記厚み方向において互いに逆方向を向く第３の面および第４の面を有するとともに前記第３の面から前記第４の面に貫通する第１の貫通孔を有する支持層を用意する工程と、
前記支持層よりも低い剛性を有する第１の絶縁層を前記支持層の前記第３の面上に形成する工程と、
前記支持層よりも低い剛性を有する第２の絶縁層を前記支持層の前記第４の面上に形成する工程と、
前記第３の面上または前記第１の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第１の端子に電気的に接続されることになる第１の導体層を形成する工程と、
前記第４の面上または前記第２の絶縁層上に複数の配線部を含み、前記第２の端子に電気的に接続されることになる第２の導体層を形成する工程と、
前記支持層の前記第１の貫通孔の内部で前記厚み方向に延びる第３の導体層を形成する工程とを含み、
前記第１の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第３の面上で前記第３の導体層のうち前記第３の面側に位置する第１の端部を覆うとともに、前記第１の導体層または前記第１の端子と電気的に接続されることになる第１のランド部を形成することを含み、
前記第２の導体層を形成する工程は、前記支持層の前記第４の面上で前記第３の導体層のうち前記第４の面側に位置する第２の端部を覆うとともに、前記第２の導体層または前記第２の端子と電気的に接続されることになる第２のランド部を形成することを含み、
前記支持層の前記第３の面は、前記第１の面に対向し、
前記支持層の前記第４の面は、前記第２の面に対向し、
前記第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第４の面から前記第３の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成され、
前記第１のランド部は、前記第２のランド部よりも小さい。
【0127】
その製造方法により作製される配線回路基板においては、支持層は、第１の絶縁層および第２の絶縁層よりも高い剛性を有する。それにより、上記の配線回路基板は、支持層を含まない場合に比べて高い取り扱い性を有する。
【0128】
支持層の第１の貫通孔の内周面は、少なくとも一部がテーパ状に形成される。それにより、支持層の第３の面における当該第１の貫通孔の開口面積を、支持層の第４の面における当該第１の貫通孔の開口面積よりも小さくすることができる。そのため、第３の導体層における第１の端部の大きさと第２の端部の大きさとの関係が、第１のランド部の大きさと第２のランド部の大きさとの関係に一致する。したがって、第３の導体層と第１のランド部との間の電気的な接続の信頼性が確保され、第３の導体層と第２のランド部との間の電気的な接続の信頼性が確保される。
【0129】
配線回路基板のうち支持層よりも第１の面側に位置する部分を、第１の基板部と呼ぶ。第１のランド部は、第１の端子とともに第１の基板部に形成されている。配線回路基板のうち支持層よりも第２の面側に位置する部分を、第２の基板部と呼ぶ。第２のランド部は、第２の端子とともに第２の基板部に形成されている。第１の端子は第２の端子よりも小さく、第１のランド部は第２のランド部よりも小さい。
【0130】
この場合、第１の基板部においては、第２の基板部で第２のランド部および第２の端子部を形成するために必要となる領域に比べて、第１のランド部および第１の端子部を形成するために必要となる領域を低減することができる。それにより、第１の導体層を構成する複数の配線部を高い密度で第１の基板部に形成することができる。したがって、高い配線密度を要する半導体チップ等の一の電気的要素を第１の面上に実装することが可能になる。また、高い配線密度を要しないリジッドプリント配線回路基板等の他の電気的要素上に第２の基板部を実装することにより、上記の配線回路基板は再配線基板として用いることもできる。
【0131】
これらの結果、電気的な接続の信頼性が高く、配線の設計の自由度が拡大された配線回路基板が実現される。
【0132】
（第６項）第５項に係る配線回路基板の製造方法において、
前記支持層は、
前記第３の面と前記第４の面との間に設けられ、前記第３の面に対向する第５の面および前記第４の面に対向する第６の面を有するとともに前記第５の面から前記第６の面に貫通する第２の貫通孔を有する金属支持体と、
前記支持層の前記第５の面および前記第６の面を覆うとともに前記第２の貫通孔の内周面を覆い、絶縁性材料からなる絶縁被覆層とを含み、
前記支持層を用意する工程は、
前記第５の面および前記第６の面を有する金属板を用意する工程と、
前記金属板の前記第５の面から前記第６の面に向かって前記第２の貫通孔を形成することにより前記金属支持体を形成することと、
形成された前記金属支持体の前記第５の面および前記第６の面をそれぞれ覆うことにより前記第３の面および前記第４の面を形成するとともに、前記第２の貫通孔を埋めるように、前記金属支持体の外表面に仮絶縁被覆層を形成することと、
前記第２の貫通孔の内部の仮絶縁層の部分に前記第１の貫通孔を形成することにより前記絶縁被覆層を形成することとを含んでもよい。
前記支持層は、
前記第３の面と前記第４の面との間に設けられ、前記第３の面に対向する第５の面および前記第４の面に対向する第６の面を有するとともに前記第５の面から前記第６の面に貫通する第２の貫通孔を有する金属支持体と、
前記支持層の前記第５の面および前記第６の面を覆うとともに前記第２の貫通孔の内周面を覆い、絶縁性材料からなる絶縁被覆層とを含み、
前記支持層を用意する工程は、
前記第５の面および前記第６の面を有する金属板を用意する工程と、
前記金属板の前記第５の面から前記第６の面に向かって前記第２の貫通孔を形成することにより前記金属支持体を形成することと、
形成された前記金属支持体の前記第５の面および前記第６の面をそれぞれ覆うことにより前記第３の面および前記第４の面を形成するとともに、前記第２の貫通孔を埋めるように、前記金属支持体の外表面に仮絶縁被覆層を形成することと、
前記第２の貫通孔の内部の仮絶縁層の部分に前記第１の貫通孔を形成することにより前記絶縁被覆層を形成することとを含んでもよい。
【0133】
この場合、支持層が金属支持体を含むので、配線回路基板に要求される剛性を確保しやすい。
【0134】
（第７項）第６項に係る配線回路基板の製造方法において、
前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第６の面から前記第５の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されてもよい。
前記第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部は、前記第６の面から前記第５の面に向かって、前記厚み方向に直交する開口断面が漸次小さくなるテーパ状に形成されてもよい。
【0135】
この場合、第１の貫通孔の内周面の少なくとも一部の形状と、第２の貫通孔の内周面の少なくとも一部の形状とが概ね一致する。これにより、第１の貫通孔の内周面を形成する絶縁被覆層の部分が、金属支持体の第２の貫通孔の内周面により適切に補強される。したがって、支持層における第１の貫通孔およびその近傍部分の機械的強度が向上し、第３の導体層における電気的導通の信頼性が向上する。
【0136】
（第８項）第５項に係る配線回路基板の製造方法において、
前記支持層は、有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料からなってもよい。
前記支持層は、有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料からなってもよい。
【0137】
この場合、絶縁性の有機材料、無機材料、有機無機ハイブリッド材料または複合材料を用いることにより、支持層を単一部材で構成することができる。それにより、支持層の作製に要する材料および作業工程を低減することができる。
【符号の説明】
【0138】
１０…支持層，１０ｖ，６０ｖ，７０ｖ…ビア導体部，１１Ｌ，６１Ｌ，７１Ｌ…ランド部，１１Ｔ，６１Ｔ，７１Ｔ…配線部，１２Ｌ…ランド部，１２Ｔ…配線部，５０…第１の絶縁層，６０…第２の絶縁層，７０…第３の絶縁層，８０…第４の絶縁層，１００…再配線基板，１００Ａ…第１の再配線基板，１００Ｂ…第２の再配線基板，１０１…第１の面，１０２…第２の面，１１０…金属支持体，１１０ａ…第５の面，１１０ｂ…第６の面，１２０…絶縁被覆層，１２１…第１の仮被覆層，１２２…第２の仮被覆層，２００…半導体素子，２００Ａ…第１の半導体素子，２００Ｂ…第２の半導体素子，２１１…対向面，２２０…柱状接合部，２９０…アンダーフィル，３００…リジッド基板，３０１…電極パッド，５００…ロール装置，５０１…巻き出し部，５０２…巻き取り部，５１０…処理部，５２０…処理部，９００…半導体装置，ＤＴ…厚み方向，Ｒ１…繰り出しロール，Ｒ２…巻き取りロール，Ｓ…半田，Ｔ１…端子部，Ｔ２…端子部，ＴＨａ，ＴＨｂ，ＴＨｃ，ＴＨｄ，ＴＨｅ，ＴＨｆ，ＴＨｇ，ＴＨｈ，ＴＨｉ，ＴＨｊ，ＴＨｋ，ＴＨｌ，ＴＨｍ…貫通孔，ｓ１…第３の面，ｓ２…第４の面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】