▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024159472
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】プリント回路基板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20241031BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 B
H01L23/12 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024008048
(22)【出願日】2024-01-23
(31)【優先権主張番号】10-2023-0054850
(32)【優先日】2023-04-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2023-0118778
(32)【優先日】2023-09-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】閔 太泓
(72)【発明者】
【氏名】朴 鍾殷
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA06
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC16
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC34
5E316CC37
5E316DD33
5E316EE06
5E316EE33
5E316FF13
5E316FF14
5E316FF17
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH26
5E316HH31
(57)【要約】
【課題】高い歩留まり及び低いコストで高密度微細回路の形成が可能であり、反り制御に優れたプリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本開示は、無機絶縁層、上記無機絶縁層の外側面の少なくとも一部を覆う樹脂層、並びに上記無機絶縁層及び上記樹脂層のそれぞれの下面の少なくとも一部を覆い、上記樹脂層と層間境界を有する第２絶縁層を含むコア層と、上記コア層の上面上に配置された第１配線層と、上記コア層の下面上に配置された第２配線層と、を含み、上記無機絶縁層の外側面は、上記無機絶縁層の上面及び下面の少なくとも一つに対して実質的に垂直である、プリント回路基板及びその製造方法に関するものである。
【選択図】図３
【解決手段】本開示は、無機絶縁層、上記無機絶縁層の外側面の少なくとも一部を覆う樹脂層、並びに上記無機絶縁層及び上記樹脂層のそれぞれの下面の少なくとも一部を覆い、上記樹脂層と層間境界を有する第２絶縁層を含むコア層と、上記コア層の上面上に配置された第１配線層と、上記コア層の下面上に配置された第２配線層と、を含み、上記無機絶縁層の外側面は、上記無機絶縁層の上面及び下面の少なくとも一つに対して実質的に垂直である、プリント回路基板及びその製造方法に関するものである。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
無機絶縁層、前記無機絶縁層の外側面の少なくとも一部を覆う樹脂層、並びに前記無機絶縁層及び前記樹脂層のそれぞれの下面の少なくとも一部を覆い、前記樹脂層と層間境界を有する第２絶縁層を含むコア層と、
前記コア層の上面上に配置された第１配線層と、
前記コア層の下面上に配置された第２配線層と、を含み、
前記無機絶縁層の外側面は、前記無機絶縁層の上面及び下面の少なくとも一つに対して実質的に垂直である、プリント回路基板。
前記コア層の上面上に配置された第１配線層と、
前記コア層の下面上に配置された第２配線層と、を含み、
前記無機絶縁層の外側面は、前記無機絶縁層の上面及び下面の少なくとも一つに対して実質的に垂直である、プリント回路基板。
【請求項2】
前記コア層は、前記無機絶縁層及び前記樹脂層のそれぞれの上面の少なくとも一部を覆い、前記樹脂層と層間境界を有する第１絶縁層をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記無機絶縁層の上面及び下面は前記樹脂層の上面及び下面とそれぞれ実質的に同一平面上にある、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記樹脂層は、前記第１及び第２絶縁層とは異なる有機絶縁物質を含む、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記無機絶縁層を貫通する貫通ビアと、
前記第１絶縁層を貫通し、前記第１配線層と連結され、前記貫通ビアの上面と接触する第１接続ビアと、
前記第２絶縁層を貫通し、前記第２配線層と連結され、前記貫通ビアの下面と接触する第２接続ビアと、をさらに含み、
前記第１及び第２接続ビアは、互いに反対方向にテーパ形状を有する、請求項２に記載のプリント回路基板。
前記第１絶縁層を貫通し、前記第１配線層と連結され、前記貫通ビアの上面と接触する第１接続ビアと、
前記第２絶縁層を貫通し、前記第２配線層と連結され、前記貫通ビアの下面と接触する第２接続ビアと、をさらに含み、
前記第１及び第２接続ビアは、互いに反対方向にテーパ形状を有する、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記樹脂層は、前記無機絶縁層の上面の少なくとも一部を覆うように延びて配置される、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項7】
前記無機絶縁層を貫通する貫通ビアと、
前記樹脂層を貫通し、前記第１配線層と連結され、前記貫通ビアの上面と接触する第１接続ビアと、
前記第２絶縁層を貫通し、前記第２配線層と連結され、前記貫通ビアの下面と接触する第２接続ビアと、をさらに含み、
前記第１及び第２接続ビアは互いに反対方向にテーパ形状を有する、請求項６に記載のプリント回路基板。
前記樹脂層を貫通し、前記第１配線層と連結され、前記貫通ビアの上面と接触する第１接続ビアと、
前記第２絶縁層を貫通し、前記第２配線層と連結され、前記貫通ビアの下面と接触する第２接続ビアと、をさらに含み、
前記第１及び第２接続ビアは互いに反対方向にテーパ形状を有する、請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項8】
前記無機絶縁層は、ガラス層またはシリコン層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項9】
前記コア層の上面上に配置され、前記第１配線層を覆う一層以上の第１ビルドアップ絶縁層と、
前記一層以上の第１ビルドアップ絶縁層上にまたは内にそれぞれ配置される一層以上の第１ビルドアップ配線層と、
前記一層以上の第１ビルドアップ絶縁層の少なくとも一つをそれぞれ貫通する一層以上の第１ビルドアップビア層と、
前記コア層の下面上に配置され、前記第２配線層を覆う一層以上の第２ビルドアップ絶縁層と、
前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層上にまたは内にそれぞれ配置される一層以上の第２ビルドアップ配線層と、
前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層の少なくとも一つをそれぞれ貫通する一層以上の第２ビルドアップビア層と、をさらに含み、
前記一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層は、互いに反対方向にテーパ形状を有する、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記一層以上の第１ビルドアップ絶縁層上にまたは内にそれぞれ配置される一層以上の第１ビルドアップ配線層と、
前記一層以上の第１ビルドアップ絶縁層の少なくとも一つをそれぞれ貫通する一層以上の第１ビルドアップビア層と、
前記コア層の下面上に配置され、前記第２配線層を覆う一層以上の第２ビルドアップ絶縁層と、
前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層上にまたは内にそれぞれ配置される一層以上の第２ビルドアップ配線層と、
前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層の少なくとも一つをそれぞれ貫通する一層以上の第２ビルドアップビア層と、をさらに含み、
前記一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層は、互いに反対方向にテーパ形状を有する、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項10】
前記一層以上の第１ビルドアップ絶縁層は、前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層よりも多い層数を有する、請求項９に記載のプリント回路基板。
【請求項11】
前記一層以上の第１ビルドアップ絶縁層上に配置され、前記一層以上の第１ビルドアップ配線層のうち最上側の第１ビルドアップ配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる一つ以上の第１開口を有する第１レジスト層と、
前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層上に配置され、前記一層以上の第２ビルドアップ配線層のうち最下側の第２ビルドアップ配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる一つ以上の第２開口を有する第２レジスト層と、
前記第１レジスト層上にそれぞれ配置され、前記一つ以上の第１開口を介して露出した前記最上側の第１ビルドアップ配線層の少なくとも一部とそれぞれ連結される一つ以上の半導体チップと、をさらに含む、請求項９に記載のプリント回路基板。
前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層上に配置され、前記一層以上の第２ビルドアップ配線層のうち最下側の第２ビルドアップ配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる一つ以上の第２開口を有する第２レジスト層と、
前記第１レジスト層上にそれぞれ配置され、前記一つ以上の第１開口を介して露出した前記最上側の第１ビルドアップ配線層の少なくとも一部とそれぞれ連結される一つ以上の半導体チップと、をさらに含む、請求項９に記載のプリント回路基板。
【請求項12】
貫通部を有するフレームの前記貫通部に無機絶縁層を配置する段階と、
前記無機絶縁層の外側面及び前記貫通部の壁面間の空間の少なくとも一部を樹脂層で充填する段階と、
前記無機絶縁層及び前記樹脂層の下側に第２絶縁層を積層してコア層を形成する段階と、
前記コア層の上側及び下側にそれぞれ第１及び第２配線層を形成する段階と、
前記フレームを削除する段階と、を含む、プリント回路基板の製造方法。
前記無機絶縁層の外側面及び前記貫通部の壁面間の空間の少なくとも一部を樹脂層で充填する段階と、
前記無機絶縁層及び前記樹脂層の下側に第２絶縁層を積層してコア層を形成する段階と、
前記コア層の上側及び下側にそれぞれ第１及び第２配線層を形成する段階と、
前記フレームを削除する段階と、を含む、プリント回路基板の製造方法。
【請求項13】
前記コア層を形成する段階において、
前記無機絶縁層及び前記樹脂層の上側に第１絶縁層をさらに積層する、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記無機絶縁層及び前記樹脂層の上側に第１絶縁層をさらに積層する、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項14】
前記無機絶縁層を配置する段階の前に、
前記無機絶縁層を貫通する貫通ビアを形成する段階をさらに含み、
前記第１及び第２配線層を形成する段階において、
前記第１及び第２絶縁層をそれぞれ貫通し、前記第１及び第２配線層とそれぞれ連結され、前記貫通ビアの上面及び下面とそれぞれ接触する第１及び第２接続ビアをさらに形成する、請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記無機絶縁層を貫通する貫通ビアを形成する段階をさらに含み、
前記第１及び第２配線層を形成する段階において、
前記第１及び第２絶縁層をそれぞれ貫通し、前記第１及び第２配線層とそれぞれ連結され、前記貫通ビアの上面及び下面とそれぞれ接触する第１及び第２接続ビアをさらに形成する、請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項15】
前記無機絶縁層の外側面及び前記貫通部の壁面の間の空間の少なくとも一部を樹脂層で充填する段階において、
前記フレーム及び前記無機絶縁層の上側を前記樹脂層で覆う、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記フレーム及び前記無機絶縁層の上側を前記樹脂層で覆う、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項16】
前記無機絶縁層を配置する段階前に、
前記無機絶縁層を貫通する貫通ビアを形成する段階をさらに含み、
前記第１及び第２配線層を形成する段階において、
前記樹脂層及び前記第２絶縁層をそれぞれ貫通し、前記第１及び第２配線層とそれぞれ連結され、前記貫通ビアの上面及び下面とそれぞれ接触する第１及び第２接続ビアをさらに形成する、請求項１５に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記無機絶縁層を貫通する貫通ビアを形成する段階をさらに含み、
前記第１及び第２配線層を形成する段階において、
前記樹脂層及び前記第２絶縁層をそれぞれ貫通し、前記第１及び第２配線層とそれぞれ連結され、前記貫通ビアの上面及び下面とそれぞれ接触する第１及び第２接続ビアをさらに形成する、請求項１５に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項17】
前記無機絶縁層を配置する段階において、
前記無機絶縁層はガラス層またはシリコン層を含む、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記無機絶縁層はガラス層またはシリコン層を含む、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項18】
前記無機絶縁層を配置する段階において、
前記フレームは、前記貫通部を複数個有し、前記複数の貫通部のそれぞれに前記無機絶縁層を配置する、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記フレームは、前記貫通部を複数個有し、前記複数の貫通部のそれぞれに前記無機絶縁層を配置する、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項19】
前記第１及び第２配線層を形成する段階の後に、
前記第１及び第２絶縁層上にそれぞれ一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層を形成する段階と、
前記一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層のそれぞれの上にまたは内に一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層を形成する段階と、
前記一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層のそれぞれに一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層を形成する段階と、をさらに含む、請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記第１及び第２絶縁層上にそれぞれ一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層を形成する段階と、
前記一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層のそれぞれの上にまたは内に一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層を形成する段階と、
前記一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層のそれぞれに一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層を形成する段階と、をさらに含む、請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項20】
前記第１及び第２配線層を形成する段階の後に、
前記一層以上の第１ビルドアップ絶縁層上に、前記一層以上の第１ビルドアップ配線層のうち最上側に配置された第１ビルドアップ配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる一つ以上の第１開口を有する第１レジスト層を形成する段階と、
前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層上に、前記一層以上の第２ビルドアップ配線層のうち最下側に配置された第２ビルドアップ配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる一つ以上の第２開口を有する第２レジスト層を形成する段階と、
前記第１レジスト層上に前記一つ以上の第１開口を介して露出した前記最上側の第１ビルドアップ配線層の少なくとも一部とそれぞれ連結される一つ以上の半導体チップを配置する段階と、をさらに含む、請求項１９に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記一層以上の第１ビルドアップ絶縁層上に、前記一層以上の第１ビルドアップ配線層のうち最上側に配置された第１ビルドアップ配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる一つ以上の第１開口を有する第１レジスト層を形成する段階と、
前記一層以上の第２ビルドアップ絶縁層上に、前記一層以上の第２ビルドアップ配線層のうち最下側に配置された第２ビルドアップ配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる一つ以上の第２開口を有する第２レジスト層を形成する段階と、
前記第１レジスト層上に前記一つ以上の第１開口を介して露出した前記最上側の第１ビルドアップ配線層の少なくとも一部とそれぞれ連結される一つ以上の半導体チップを配置する段階と、をさらに含む、請求項１９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、プリント回路基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
最近、従来の携帯機器中心の事業から大容量サーバ中心の事業に市場が変化して、データ量が急増し、サーバ、ネットワーク、ストレージがさらに急速に増加している状況である。これに伴い、高多層の新構造基板が拡大し、ＦＯＭＣＭ（Ｆａｎ－ｏｕｔ ｍｕｌｔｉ ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ）、ＦＯＥＢ（Ｆａｎ－ｏｕｔ Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｂｒｉｄｇｅ）、ＥＭＩＢ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｍｕｌｔｉ－ｄｉｅ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ ｂｒｉｄｇｅ）などが開発されている。一方、大容量サーバ市場対応のために、基板ラベルでは２．１Ｄを最終目標として多くの企業で開発を試みているが、一般的なプリント回路基板の層数が基本的に高多層であり、微細回路が適用されるため、実際の歩留まり及びコストの観点から課題を解決する上で限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本開示のいくつかの目的の一つは、高い歩留まり及び低いコストで高密度微細回路の形成が可能なプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。
【0004】
本開示のいくつかの目的のもう一つは、反り制御に優れたプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示を通じて提案するいくつかの解決手段の一つは、貫通部を有するフレームを用いて無機絶縁層の外側面を樹脂層で覆い、その後、無機絶縁層と樹脂層上に絶縁層を積層し、この後、平坦化を進行して、平坦度が向上したコア層を形成し、形成されたコア層上に配線層などを形成してプリント回路基板を製造することである。
【0006】
例えば、一例によるプリント回路基板は、無機絶縁層、上記無機絶縁層の外側面の少なくとも一部を覆う樹脂層、並びに上記無機絶縁層及び上記樹脂層のそれぞれの下面の少なくとも一部を覆い、上記樹脂層と層間境界を有する第２絶縁層を含むコア層と、上記コア層の上面上に配置された第１配線層と、上記コア層の下面上に配置された第２配線層と、を含み、上記無機絶縁層の外側面は上記無機絶縁層の上面及び下面の少なくとも一つに対して実質的に垂直であることができる。
【0007】
例えば、一例によるプリント回路基板の製造方法は、貫通部を有するフレームの上記貫通部に無機絶縁層を配置する段階と、上記無機絶縁層の外側面及び上記貫通部の壁面間の空間の少なくとも一部を樹脂層で充填する段階と、上記無機絶縁層及び上記樹脂層の下側に第２絶縁層を積層してコア層を形成する段階と、上記コア層の上側及び下側にそれぞれ第１及び第２配線層を形成する段階と、上記フレームを除去する段階と、を含むものであることができる。
【発明の効果】
【0008】
本開示の様々な効果のうち一効果として、高い歩留まり及び低いコストで高密度微細回路の形成が可能なプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。
【0009】
本開示の様々な効果のうち他の一効果として、反り制御に優れたプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。
【図2】電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。
【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。
【図6a】複数の貫通部を有するフレームに複数の無機絶縁層を配置する場合の一例を概略的に示した工程図である。
【図6b】複数の貫通部を有するフレームに複数の無機絶縁層を配置する場合の一例を概略的に示した工程図である。
【図7】プリント回路基板の他の一例を概略的に示した断面図である。
【図9】プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。
【図12】プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、添付の図面を参照して本開示について説明する。図面における要素の形状および大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【0012】
電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。
【0013】
図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、およびその他の部品１０４０などが物理的および／又は電気的に連結されている。これらは、後述する他の電子部品とも結合されて、様々な信号ライン１０９０を形成する。
【0014】
チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップと、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップと、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これに限定されるものではなく、これ以外にもその他の形態のチップ関連の電子部品が含まれることができる。さらに、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせることができる。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であることもできる。
【0015】
ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、およびそれ以降のものとして指定された任意の他の無線および有線プロトコルが含まれるが、これに限定されず、これ以外にもその他の多数の無線または有線標準やプロトコルのいずれかが含まれ得る。また、ネットワーク関連部品１０３０がチップ関連部品１０２０とともに互いに組み合わされることもできる。
【0016】
その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ｆｉｌｔｅｒ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これに限定されるものではなく、これ以外にもその他の様々な用途のために用いられるチップ部品の形態の受動素子などが含まれ得る。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０および／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせることもできる。
【0017】
電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的および／又は電気的に連結されるか、または連結されない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例を挙げると、カメラ１０５０、アンテナ１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリー１０８０などがある。但し、これに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）なども挙げられる。これ以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれることもできる。
【0018】
電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビジョン（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであることができる。但し、これに限定されず、これ以外にもデータを処理する任意の他の電子機器であることができる。
【0019】
図２は、電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。
【0020】
図面を参照すると、電子機器は例えば、スマートフォン１１００であることができる。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には様々な部品１１２０が物理的および／又は電気的に連結されている。さらに、カメラモジュール１１３０および／又はスピーカー１１４０のように、マザーボード１１１０に物理的および／又は電気的に連結されるか、または連結されない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であることができ、例えば、部品パッケージ１１２１であることができるが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品および／又は受動部品を含む電子部品が表面に実装配置されたプリント回路基板の形態であることができる。または、部品パッケージ１１２１は、能動部品および／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であることもできる。一方、電子機器は必ずスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であることもできる。
【0021】
プリント回路基板
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。
【0022】
図面を参照すると、一例によるプリント回路基板１００Ａは、無機絶縁層１１１と、無機絶縁層１１１の外側面を覆う樹脂層１１２と、無機絶縁層１１１及び樹脂層１１２のそれぞれの上面を覆う第１絶縁層１１３と、無機絶縁層１１１及び樹脂層１１２のそれぞれの下面を覆う第２絶縁層１１４を含むコア層１１０、コア層１１０の上面上に配置された第１配線層１２１、コア層１１０の下面上に配置された第２配線層１２２を含むことができる。無機絶縁層１１１の外側面は、無機絶縁層１１１の上面及び／または下面に対して実質的に垂直であることができる。樹脂層１１２は、第１及び第２絶縁層１１３、１１４とそれぞれ層間境界を有することができる。
【0023】
このように、一例によるプリント回路基板１００Ａは、コア層１１０が無機絶縁層１１１を含むため、基本的に優れた平坦度を有することができ、また低い熱膨張係数（ＣＴＥ）などを介して反り制御に有利であることができる。また、後述する工程のように、フレームを用いる製造工程を通じてコア層１１０が製造されることができるため、無機絶縁層１１１の垂直な外側面を有することができ、このような外側面が樹脂層１１２で覆われて外部に露出しないようにすることができる。また、無機絶縁層１１１と樹脂層１１２上に第１及び第２絶縁層１１３、１１４が積層されるため、平坦度をより高めることができ、したがって微細ピッチを有する高密度の微細回路の形成により有利であることができる。また、無機絶縁層１１１の誘電特性、例えば無機絶縁層１１１がガラスを含む場合、Ｄｋ２．５～１１の可変性質を有するガラス（Ｇｌａｓｓ）の特徴によって、プリント回路基板１００Ａの層数を減少させることができ、デザイン自由度をより増加させることができる。このようなプリント回路基板１００Ａを介して、より容易に２．ｘＤレベルのＦＣＢ（Ｆｉｌｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏａｒｄ）基板を製造することができる。
【0024】
一方、無機絶縁層１１１の上面と樹脂層１１２の上面は、互いに実質的に同一平面上にあることができ、無機絶縁層１１１の下面と樹脂層１１２の下面は互いに実質的に同一平面上にあることができる。したがって、第１及び第２絶縁層１１３、１１４がうねりを最小化して積層されることができ、第１及び第２絶縁層１１３、１１４上により容易に微細回路を含む第１及び第２配線層１２１、１２２を形成することができる。
【0025】
一方、樹脂層１１２は、第１及び第２絶縁層１１３、１１４と異なる有機絶縁物質を含むことができる。例えば、樹脂層１１２と第１及び第２絶縁層１１３、１１４は、互いに物理的に材料的に区分される層であることができる。例えば、樹脂層１１２は、後述する工程でフレームの貫通部を充填することができるため、好ましくはアンダーフィルまたはＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。一方、第１及び第２絶縁層１１３、１１４は、第１及び第２配線層１２１、１２２を形成するための層であることができるため、好ましくはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）及び／またはＢＳ（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｓｈｅｅｔ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【0026】
一方、一例によるプリント回路基板１００Ａは、無機絶縁層１１１を貫通する貫通ビア１３１、第１絶縁層１１３を貫通し、第１配線層１２１と連結されて貫通ビア１３１の上面と接触する第１接続ビア１３２、及び第２絶縁層１１４を貫通し、第２配線層１２２と連結されて貫通ビア１３１の下面と接触する第２接続ビア１３３をさらに含むことができる。例えば、無機絶縁層１１１の上面及び下面には密着力の確保が困難であるため、パッドパターンなどを含む配線層が直接形成されないことができる。貫通ビア１３１の側面は、貫通ビア１３１の上面及び／または下面に対して実質的に垂直であることができるが、これに限定されるものではなく、必要に応じては砂時計などのテーパ形状であることもできる。第１及び第２接続ビア１３２、１３３は、互いに反対方向にテーパ形状を有することができる。
【0027】
一方、一例によるプリント回路基板１００Ａは、コア層１１０の上面上に配置され、第１配線層１２１を覆う一層以上の第１ビルドアップ絶縁層１４１、一層以上の第１ビルドアップ絶縁層１４１上にまたは内にそれぞれ配置される一層以上の第１ビルドアップ配線層１４２、一層以上の第１ビルドアップ絶縁層１４１の少なくとも一つをそれぞれ貫通し、一層以上の第１ビルドアップ配線層１４２の少なくとも一つとそれぞれ連結される一層以上の第１ビルドアップビア層１４３、コア層１１０の下面上に配置され、第２配線層１２２を覆う一層以上の第２ビルドアップ絶縁層１５１、一層以上の第２ビルドアップ絶縁層１５１上にまたは内にそれぞれ配置される一層以上の第２ビルドアップ配線層１５２、及び一層以上の第２ビルドアップ絶縁層１５１の少なくとも一つをそれぞれ貫通し、一層以上の第２ビルドアップ配線層１５２の少なくとも一つとそれぞれ連結される一層以上の第２ビルドアップビア層１５３をさらに含むことができる。一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１は、互いに同じ層数を有することができる。一つ以上の第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３は、互いに反対方向にテーパ形状を有することができる。例えば、プリント回路基板１００Ａは、実質的に対称構造を有する２．ｘＤレベルのＦＣＢ基板であることができる。
【0028】
一方、一例によるプリント回路基板１００Ａは、一層以上の第１ビルドアップ絶縁層１４１上に配置され、一層以上の第１ビルドアップ配線層１４２のうち最上側の第１ビルドアップ配線層をそれぞれ露出させる一つ以上の第１開口１６１ｈを有する第１レジスト層１６１、及び一層以上の第２ビルドアップ絶縁層１５１上に配置され、一層以上の第２ビルドアップ配線層１５２のうち最下側の第２ビルドアップ配線層をそれぞれ露出させる一つ以上の第２開口１６２ｈを有する第２レジスト層１６２をさらに含むことができる。
【0029】
以下では、図面を参照して一例によるプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。
【0030】
無機絶縁層１１１は、無機絶縁物質を含むことができる。無機絶縁物質は、例えば、ガラス（ｇｌａｓｓ）またはシリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）であることができる。例えば、無機絶縁層１１１は、ガラス層またはシリコン層を含むことができる。ガラス層は、非結晶質固体であるガラスを含むことができる。ガラスは、例えば、純粋二酸化ケイ素（約１００％ＳｉＯ２）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス（ａｌｕｍｉｎｏ－ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）などを含むことができる。但し、これに限定されず、代替のガラス材料である、例えば、フルオロガラス、リン酸ガラス、カルコゲナイドガラスなどもガラス層の材料として用いられることができる。さらに、特定の物理的特性を有するガラスを形成するためにその他の添加剤をさらに含むこともできる。これらの添加剤は、炭酸カルシウム（例えば、石灰）及び炭酸ナトリウム（例えば、ソーダ）だけでなく、マグネシウム、カルシウム、マンガン、アルミニウム、鉛、ホウ素、鉄、クロム、カリウム、硫黄及びアンチモン、及びこれらの元素及び他の元素の炭酸塩及び／または酸化物を含むことができる。ガラス層は、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などを含む材料、例えばＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などとは区別される層であり、例えば、板ガラスなどとして理解されることができる。シリコン層は、純粋シリコン（Ｓｉ）を含むことができる。必要に応じては、シリコン層は、シリコン（Ｓｉ）上に形成された酸化層を含むこともできる。酸化層は、シリコン酸化膜を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【0031】
樹脂層１１２は有機絶縁物質を含むことができる。有機絶縁物質は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂などであることができる。必要に応じては、無機フィラー及び／または有機フィラーをさらに含むことができる。例えば、樹脂層１１２は、公知のアンダーフィル樹脂（Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ Ｒｅｓｉｎ）やＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｕｍｐｏｕｎｄ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【0032】
第１及び第２絶縁層１１３、１１４はそれぞれ有機絶縁物質を含むことができる。有機絶縁物質は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、または樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー、及び／またはガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁物質はＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であることができるが、これに限定されるものではなく、その他にも他の高分子素材が用いられることができる。また、絶縁物質は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であることもできる。また、絶縁物質は、ＢＳ（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｓｈｅｅｔ）などの接着シートを含むこともできる。
【0033】
第１及び第２配線層１２１、１２２はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１及び第２配線層１２１、１２２は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなどの様々な形態を有することができる。第１及び第２配線層１２１、１２２はそれぞれ無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができる。あるいは、金属箔（または銅箔）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができる。または、金属箔（または銅箔）、無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（または化学銅）の代わりにスパッタリング層を含むこともでき、必要に応じては両方とも含むこともできる。
【0034】
貫通ビア１３１は金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。貫通ビア１３１は、無機絶縁層１１１の上面及び下面間を貫通することができる。貫通ビア１３１の上面及び下面は、無機絶縁層１１１の上面及び下面と実質的に同一平面上にあることができる。貫通ビア１３１は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。貫通ビア１３１は、平面上で略円形または楕円形を有することができるが、これに限定されず、例えば、比表面積の増加による密着確保の観点から平面上で略花形状を有することもできる。
【0035】
第１及び第２接続ビア１３２、１３３はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１及び第２接続ビア１３２、１３３は、それぞれビアホールを充填するフィールドビア（ｆｉｌｅｄ ＶＩＡ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）を含むこともできる。第１及び第２接続ビア１３２、１３３は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。第１及び第２接続ビア１３２、１３３は、断面上で互いに反対方向のテーパ形状を有することができる。第１及び第２接続ビア１３２、１３３はそれぞれ無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（または化学銅）の代わりにスパッタリング層を含むこともでき、必要に応じては両方を全て含むこともできる。
【0036】
一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１は、それぞれ絶縁材を含むことができる。絶縁材は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／またはガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であることができるが、これに限定されるものではなく、その他にも他の高分子素材が用いられることができる。また、絶縁材は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であることができる。一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１は、互いに実質的に同一の絶縁材を含むか、または異なる絶縁材を含むことができる。
【0037】
一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２は、それぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなどの様々な形態を有することができる。一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができる。あるいは、金属箔（または銅箔）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができる。または、金属箔（または銅箔）、無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（または化学銅）の代わりにスパッタリング層を含むこともでき、必要に応じては両方を全て含むこともできる。
【0038】
一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３は、それぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３は、それぞれビアホールを充填するフィールドビア（ｆｉｌｅｄ ＶＩＡ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）を含むこともできる。第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３は、断面上で互いに反対方向のテーパ形状を有することができる。一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（または化学銅）の代わりにスパッタリング層を含むこともでき、必要に応じては両方を全て含むこともできる。
【0039】
第１及び第２レジスト層１６１、１６２は、液状又はフィルムタイプのソルダーレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）を含むことができるが、これに限定されるものではなく、他の種類の絶縁材が用いられることもできる。一つ以上の第１開口１６１ｈ及び／または第２開口１６２ｈに露出するパターン上にはそれぞれ必要に応じて表面処理層が形成されることができる。あるいは、一つ以上の第１開口１６１ｈ及び／または第２開口１６２ｈに露出するパターン上にはそれぞれ金属バンプを形成されることもできる。
【0040】
【0041】
図面を参照すると、変形例によるプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａにおいて、第１レジスト層１６１にそれぞれ配置され、一層以上の第１ビルドアップ配線層１４２のうち最上側の第１ビルドアップ配線層上にそれぞれ配置される第１及び第２半導体チップ１７１、１７２をさらに含むことができる。第１及び第２半導体チップ１７１、１７２は、それぞれ第１及び第２接続部材１８１、１８２を介して最上側の第１ビルドアップ配線層の一つ以上の第１開口１６１ｈを介して露出した少なくとも一部とそれぞれ連結されることができる。第１及び第２半導体チップ１７１、１７２は、一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２と第１及び第２配線層１２１、１２２等を介して互いに電気的に連結されることができる。第２レジスト層１６２の一つ以上の第２開口１６２ｈ上には電気連結金属１８３がそれぞれ配置されることができる。電気連結金属１８３は、それぞれ第２開口１６２ｈを介して露出した一層以上の第２ビルドアップ配線層１５２のうち、最下側の第２ビルドアップ配線層と連結されることができる。例えば、他の一例によるプリント回路基板１００Ｂは、実質的に対称構造を有する２．ｘＤレベルのＦＣＢ基板を含む半導体パッケージ構造であることができる。
【0042】
第１および第２半導体チップ１７１、１７２は、それぞれ数百～数百万個以上の素子が１つのチップ内に集積化している集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）を含むことができる。このとき、集積回路は、例えば、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、アプリケーションプロセッサ（例えば、ＡＰ）、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップであることができるが、これに限定されるものではなく、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ、またはＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ）などのように異なる種類であることもできる。例えば、第１半導体チップ１７１はＧＰＵなどのロジックチップを含むことができ、第２半導体チップ１７２はＨＢＭなどのメモリチップを含むことができる。
【0043】
第１および第２半導体チップ１７１、１７２は、それぞれアクティブウエハーを基盤に形成されたものであることができ、この場合、それぞれの本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが用いられることができる。本体には、様々な回路が形成されていることができる。各本体には、接続パッドが形成されることができ、接続パッドはアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含むことができる。第１および第２半導体チップ１７１、１７２はそれぞれベアダイ（ｂａｒｅ ｄｉｅ）であることができ、この場合、接続パッド上には金属バンプが配置されることができる。第１および第２半導体チップ１７１、１７２は、それぞれパッケージングダイ（ｐａｃｋａｇｅｄ ｄｉｅ）であることもでき、この場合、接続パッド上にさらに再配線層が形成され、再配線層上に金属バンプが配置されることができる。
【0044】
第１及び第２接続部材１８１、１８２は、それぞれ低融点金属、例えば、スズ（Ｓｎ）－アルミニウム（Ａｌ）－銅（Ｃｕ）などのソルダーなどで形成されることができるが、これは一例に過ぎず、材質が特にこれに限定されるものではない。第１および第２接続部材１８１、１８２は、それぞれボールであることができる。第１および第２接続部材１８１、１８２は、それぞれ多重層または単一層で形成されることができる。多重層で形成される場合には、銅柱およびソルダーを含むことができ、単一層で形成される場合には、スズ－銀ソルダーや銅を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【0045】
電気連結金属１８３は、プリント回路基板１００Ｂを電子機器のメインボードや他の基板などに連結させるための構成である。電気連結金属１８３は、必要に応じてアンダーバンプ金属を介して配置されることができる。電気連結金属１８３は、導電性物質、例えばソルダーなどで形成されることができるが、これは一例に過ぎず、材質が特にこれに限定されるものではない。電気連結金属１８３は、それぞれボール、ピンなどであることができる。電気連結金属１８３は、それぞれ多重層または単一層で形成されることができる。多重層で形成される場合には銅柱およびソルダーを含むことができ、単一層で形成される場合にはスズ－銀ソルダーや銅を含むことができるが、これに限定されるものではない。電気連結金属１８３は、複数個であることができ、その数は特に限定されない。
【0046】
その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａ及び製造方法で説明したとおり、実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0047】
【0048】
図面を参照すると、一例によるプリント回路基板１００Ａの製造方法は、貫通部２１０Ｈを有するフレーム２１０の貫通部２１０Ｈに無機絶縁層１１１を配置する段階、無機絶縁層１１１の外側面及び貫通部２１０Ｈの壁面との間の空間を樹脂層１１２で充填する段階、無機絶縁層１１１及び樹脂層１１２の上側及び下側にそれぞれ第１及び第２絶縁層１１３、１１４を積層してコア層１１０を形成する段階、コア層１１０の上側及び下側にそれぞれ第１及び第２配線層１２１、１２２を形成する段階、及びフレーム２１０を除去する段階を含むことができる。このような工程を用いる場合、高い歩留まり及び低いコストで高密度微細回路形成が可能なプリント回路基板を製造することができる。また、反り制御に優れたプリント回路基板を製造することができる。
【0049】
一方、一例によるプリント回路基板１００Ａの製造方法は、無機絶縁層１１１を配置する段階の前に無機絶縁層１１１を貫通する貫通ビア１３１を形成する段階をさらに含むことができる。例えば、貫通ビア１３１を形成した状態で無機絶縁層１１１をフレーム２１０の貫通部２１０Ｈに配置することができる。また、第１及び第２配線層１２１、１２２を形成する段階において、第１及び第２絶縁層１１３、１１４をそれぞれ貫通し、第１及び第２配線層１２１、１２２とそれぞれ連結され、貫通ビア１３１の上面及び下面とそれぞれ接触する第１及び第２接続ビア１３２、１３３をさらに形成することができる。
【0050】
一方、一例によるプリント回路基板１００Ａの製造方法は、無機絶縁層１１１を配置する段階でフレーム２１０の下側にテープ２２０を付着し、貫通部２１０Ｈを介して露出するテープ２２０上に無機絶縁層１１１を付着することができる。このとき、無機絶縁層１１１は、上述したようにガラス層またはシリコン層を含むことができる。また、第１及び第２絶縁層１１３、１１４を積層する段階で、無機絶縁層１１１及び樹脂層１１２の上側に第１絶縁層１１３を積層し、その後、テープ２２０を除去することができ、この後、無機絶縁層１１１及び樹脂層１１２の下側に第２絶縁層１１４を積層することができる。
【0051】
一方、一例によるプリント回路基板１００Ａの製造方法は、第１及び第２配線層１２１、１２２を形成する段階の後に、第１及び第２絶縁層１１３、１１４上にそれぞれ一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１を形成する段階、及び一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１のそれぞれの上にまたは内に一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２を形成する段階をさらに含むことができる。さらに、一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２を形成する段階において、一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１の少なくとも一つをそれぞれ貫通し、一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２の少なくとも一つとそれぞれ連結される一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３をさらに形成することができる。
【0052】
このような製造方法で形成される一例によるプリント回路基板１００Ａは、上述したように無機絶縁層１１１を含むため、基本的に優れた平坦度を有することができ、また低い熱膨張係数（ＣＴＥ）などを介して反り制御に有利であることができる。また、フレームを用いる製造工程を用いるため、無機絶縁層１１１の垂直な外側面を有することができ、このような外側面が樹脂層１１２で覆われて外部に露出しないようにすることができる。また、無機絶縁層１１１と樹脂層１１２上に第１及び第２絶縁層１１３、１１４が積層されるため、平坦度をより高めることができ、したがって、微細ピッチを有する高密度の微細回路の形成により有利であることができる。また、無機絶縁層１１１の誘電特性、例えばＤｋ２．５～１１の可変性質を有するガラス（Ｇｌａｓｓ）の特徴によって、プリント回路基板１００Ａの層数を減少させることができ、デザイン自由度をより増加させることができる。このようなプリント回路基板１００Ａを介して、より容易に２．ｘＤレベルのＦＣＢ（Ｆｉｌｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏａｒｄ）基板を製造することができる。
【0053】
以下では、図面を参照して一例によるプリント回路基板１００Ａの製造方法についてより詳細に説明する。
【0054】
図５ａを参照すると、無機絶縁層１１１を準備する。無機絶縁層１１１はガラス層であることができ、ガラス層はガラス板（ｇｌａｓｓ ｐｌａｔｅ）形態であることができる。または、無機絶縁層１１１は、シリコン層であることができ、シリコン層はシリコン板（ｓｉｌｉｃｏｎ ｐｌａｔｅ）形態であるか、またはシリコン板上に酸化層が形成された形態であることができる。
【0055】
図５ｂを参照すると、無機絶縁層１１１に貫通孔１１１ｈを形成する。貫通孔１１１ｈは、レーザ加工、機械的加工、化学的加工などの様々な方法で形成することができる。貫通孔１１１ｈは、複数個を形成することができる。
【0056】
図５ｃを参照すると、無機絶縁層１１１の上面及び下面と貫通孔１１１ｈの壁面上にシード金属層ｍを形成する。シード金属層ｍは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。シード金属層ｍは、無電解めっき（または化学銅めっき）やスパッタリングで形成することができる。
【0057】
図５ｄを参照すると、貫通孔１１１ｈに貫通ビア１３１を形成する。貫通ビア１３１は、シード金属層ｍ上に電解めっき（または電気銅めっき）を行って形成することができる。貫通ビア１３１は、貫通孔１１１ｈを充填することができ、無機絶縁層１１１の上面及び下面上のめっき層は、エッチングにより除去することができる。
【0058】
図５ｅを参照すると、無機絶縁層１１１をフレーム２１０の貫通部２１０Ｈに配置する。例えば、フレーム２１０の下側に貫通部２１０Ｈの下側を塞ぐ粘着テープ２２０を付着した後、貫通部２１０Ｈから露出するテープ２２０上に無機絶縁層１１１を付着することができる。フレーム２１０は、金属、有機絶縁材などの様々な物質を含むことができる。フレーム２１０は、治具（ｊｉｇ）の形態を有することもできる。テープ２２０は、ポリイミド（ＰＩ）などを含むことができるが、これに限定されるものではない。
【0059】
図５ｆを参照すると、貫通部２１０Ｈの残りの空間を樹脂層１１２で充填する。次に、無機絶縁層１１１と樹脂層１１２の上側に第１絶縁層１１３を積層する。このとき、必要に応じて平坦化を進めることができる。樹脂層１１２はアンダーフィル工程で形成することができる。第１絶縁層１１３は、ラミネーション工程で形成することができる。
【0060】
図５ｇを参照すると、テープ２２０を除去し、テープ２２０を除去した無機絶縁層１１１と樹脂層１１２の下側に第２絶縁層１１４を積層する。このとき、必要に応じて平坦化を進めることができる。第２絶縁層１１４は、ラミネーション工程で形成することができる。これにより、コア層１１０が形成されることができる。
【0061】
図５ｈを参照すると、第１及び第２絶縁層１１３、１１４にビアホールを加工した後、めっき工程で第１及び第２配線層１２１、１２２と第１及び第２接続ビア１３２、１３３を形成する。また、第１及び第２絶縁層１１３、１１４上にビルドアップ工程及びめっき工程で一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１と、一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２と、一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３と、を形成する。また、一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１上にラミネーション工程またはコーティング工程で第１及び第２レジスト層１６１、１６２を形成する。また、フレーム２１０を除去する。フレーム２１０は、シンギュレーション工程で除去することができる。一連の過程を介して、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａが製造されることができる。
【0062】
その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0063】
【0064】
図面を参照すると、フレーム２１０は複数の貫通部２１０Ｈを有することができ、複数の貫通部２１０Ｈに複数の無機絶縁層１１１がそれぞれ配置されることができる。複数の無機絶縁層１１１は、それぞれ上述したように貫通ビア１３１が形成されたものであることができる。複数の無機絶縁層１１１は、上述したようにテープ２２０を用いて配置されることができる。この後、上述した図５ｆ～図５ｈの工程を用いて複数のプリント回路基板１００Ａのユニットを製造することができ、シンギュレーション工程を通じて複数のプリント回路基板１００Ａを得ることができる。このように、一回の工程で複数のプリント回路基板１００Ａを製造することができる。
【0065】
その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａ及びその製造方法で説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0066】
【0067】
図面を参照すると、他の一例によるプリント回路基板１００Ｃ及び変形例によるプリント回路基板１００Ｄは、それぞれ上述した一例によるプリント回路基板１００Ａ及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｂにおいて、一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１が異なる層数を有することができる。例えば、一層以上の第１ビルドアップ絶縁層１４１の層数を一層以上の第２ビルドアップ絶縁層１５１の層数よりも多くすることができる。また、一層以上の第１ビルドアップ配線層１４２の層数を一層以上の第２ビルドアップ配線層１５２の層数よりも多くすることができる。さらに、一層以上の第１ビルドアップビア層１４３の数を一層以上の第２ビルドアップビア層１５３の数よりも多くすることができる。必要に応じては、一層以上の第２ビルドアップ絶縁層１５１と一層以上の第２ビルドアップ配線層１５２と一層以上の第２ビルドアップビア層１５３とは、省略することができる。例えば、他の一例によるプリント回路基板１００Ｃ及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｄは、非対称構造を有する２．ｘＤレベルのＦＣＢ基板及びこれを含む半導体パッケージ構造であることができる。
【0068】
その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａ、その変形例によるプリント回路基板１００Ｂ、及びその製造方法で説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0069】
【0070】
図面を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板１００Ｅ及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｆは、それぞれ上述した一例によるプリント回路基板１００Ａ及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｂにおいて、第１絶縁層１１３が省略されることができ、第１絶縁層１１３の代わりに樹脂層１１２がその位置に配置されることができる。例えば、樹脂層１１２が無機絶縁層１１１の上面を覆うように延びて配置されることができる。よって、第１接続ビア１３２は樹脂層１１２を貫通することができる。例えば、また他の一例によるプリント回路基板１００Ｅ及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｆはコア層１１０が非対称構造を有する２．ｘＤレベルのＦＣＢ基板及びこれを含む半導体パッケージ構造であることができる。
【0071】
それ以外に他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａ、及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｂで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0072】
【0073】
図面を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板１００Ｅの製造方法は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａの製造方法において、無機絶縁層１１１の外側面及び貫通部２１０Ｈの壁面間の空間を樹脂層１１２に充填する段階で、フレーム２１０及び無機絶縁層１１１の上側を樹脂層１１２で覆うことができる。また、第１及び第２配線層１２１、１２２を形成する段階で、第１接続ビア１３２は樹脂層１１２を貫通して形成されることができる。
【0074】
以下では、図面を参照してまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｅの製造方法についてより詳細に説明する。
【0075】
【0076】
図１１ｂを参照すると、貫通部２１０Ｈの残りの空間を樹脂層１１２で充填する。また、フレーム２１０と無機絶縁層１１１の上側を樹脂層１１２で覆う。このとき、必要に応じて平坦化を行うことができる。
【0077】
図１１ｃを参照すると、テープ２２０を除去し、テープ２２０を除去した無機絶縁層１１１と樹脂層１１２の下側に第２絶縁層１１４を積層する。このとき、必要に応じて平坦化を行うことができる。これにより、コア層１１０が形成されることができる。
【0078】
図１１ｄを参照すると、樹脂層１１２と第２絶縁層１１４にビアホールを加工した後、めっき工程で第１及び第２配線層１２１、１２２と第１及び第２接続ビア１３２、１３３を形成する。また、コア層１１０上にビルドアップ工程及びめっき工程で一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１と一層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１４２、１５２と一層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１４３、１５３とを形成する。また、一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１上にラミネーション工程またはコーティング工程で第１及び第２レジスト層１６１、１６２を形成する。また、フレーム２１０を除去する。フレーム２１０は、シンギュレーション工程などで除去することができる。一連の過程を介して上述したまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｅが製造されることができる。
【0079】
それ以外に他の内容は、上述したまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｅ、及び上述した一例によるプリント回路基板１００Ａの製造方法で説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0080】
【0081】
図面を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板１００Ｇ及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｈは、それぞれ上述した一例によるプリント回路基板１００Ｅ及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｆにおいて、一層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１４１、１５１が異なる層数を有することができる。例えば、一層以上の第１ビルドアップ絶縁層１４１の層数を一層以上の第２ビルドアップ絶縁層１５１の層数よりも多くすることができる。また、一層以上の第１ビルドアップ配線層１４２の層数を一層以上の第２ビルドアップ配線層１５２の層数よりも多くすることができる。また、一層以上の第１ビルドアップビア層１４３の数を一層以上の第２ビルドアップビア層１５３の数よりも多くすることができる。必要に応じては、一層以上の第２ビルドアップ絶縁層１５１と一層以上の第２ビルドアップ配線層１５２と一層以上の第２ビルドアップビア層１５３とは省略されることができる。例えば、また他の一例によるプリント回路基板１００Ｇ及びその変形例によるプリント回路基板１００Ｈは、非対称構造を有する２．ｘＤレベルのＦＣＢ基板及びこれを含む半導体パッケージ構造であることができる。
【0082】
それ以外に他の内容は、上述したまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｅ、その変形例によるプリント回路基板１００Ｆ、及びその製造方法で説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0083】
本開示において、覆うという表現は、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、また直接覆う場合だけでなく、間接的に覆う場合も含むことができる。また、充填するという表現は、完全に充填する場合だけでなく、大略的に充填する場合を含むことができ、例えば、一部空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。また、囲むという表現は、完全に囲む場合だけでなく、大略的に囲む場合を含むことができる。また、露出させることは、完全に露出させる場合だけでなく、一部を露出させる場合を含むことができ、露出は該当構成を埋め込むものから露出することを意味することができる。例えば、開口がパッドを露出させることは、レジスト層からパッドを露出させることであることができ、露出したパッド上には表面処理層などがさらに配置されることができる。
【0084】
本開示において、実質的には製造工程上で発生する段階誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含んで判断することができる。例えば、実質的に垂直であるということは、完全に垂直な場合だけでなく、大略的に垂直な場合を含むことができる。また、実質的にコプラナーであるということは、全く同一平面に存在する場合だけでなく、大略的に同一平面に存在する場合も含むことができる。
【0085】
本開示において、同じ絶縁材は完全に同じ絶縁材である場合だけでなく、同じタイプの絶縁材を含む意味であることができる。したがって、絶縁材の組成は実質的に同一であるが、これらの具体的な組成比は少しずつ異なる場合がある。
【0086】
本開示において、断面上での意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、または対象物を垂直に切断したときの断面形状、または対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上での意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、または対象物をトップビューまたはボトムビューで見たときの平面形状を意味することができる。
【0087】
本開示において、下側、下部、下面などは、便宜上図面の断面を基準に下方の方向を意味するものとして用い、上側、上部、上面などはその逆方向を意味するものと用いた。但し、これは説明の便宜上の方向を定義したものであって、特許請求の範囲の権利範囲がこの方向に対する記載によって特に限定されるものではなく、上／下の概念はいつでも変更されることができる。
【0088】
本開示において、連結されるという意味は、直接連結された場合だけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結された場合を含む概念である。また、電気的に連結されるという意味は、物理的に連結された場合と、連結されていない場合をともに含む概念である。さらに、第１、第２などの表現は、ある構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるものであって、該当構成要素の順序および／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。
【0089】
本開示で用いられた一例という表現は、互いに同一の実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一例は、他の一例の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一例に関連した説明であると理解することができる。
【0090】
本開示で用いられた用語は、単に一例を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0091】
１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ プリント回路基板
１１０ コア層
１１１ 無機絶縁層
１１２ 樹脂層
１１３、１１４ 絶縁層
１２１、１２２ 配線層
１３１ 貫通ビア
１３２、１３３ 接続ビア
１４１、１５１ ビルドアップ絶縁層
１４２、１５２ ビルドアップ配線層
１４３、１５３ ビルドアップビア層
１６１、１６２ レジスト層
１６１ｈ、１６２ｈ 開口
１７１、１７２ 半導体チップ
１８１、１８２ 接続部材
１８３ 電気連結金属
２１０ フレーム
２１０Ｈ 貫通部
２２０ テープ
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ プリント回路基板
１１０ コア層
１１１ 無機絶縁層
１１２ 樹脂層
１１３、１１４ 絶縁層
１２１、１２２ 配線層
１３１ 貫通ビア
１３２、１３３ 接続ビア
１４１、１５１ ビルドアップ絶縁層
１４２、１５２ ビルドアップ配線層
１４３、１５３ ビルドアップビア層
１６１、１６２ レジスト層
１６１ｈ、１６２ｈ 開口
１７１、１７２ 半導体チップ
１８１、１８２ 接続部材
１８３ 電気連結金属
２１０ フレーム
２１０Ｈ 貫通部
２２０ テープ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図5d】
【図5e】
【図5f】
【図5g】
【図5h】
【図6a】
【図6b】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11a】
【図11b】
【図11c】
【図11d】
【図12】
【図13】
