特開 2024-159494 セラミックスヒータ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024159494

(43)【公開日】2024-11-08

(54)【発明の名称】セラミックスヒータ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241031BHJP

   H05B 3/68 20060101ALI20241031BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/68 R

H05B3/68

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024024095

(22)【出願日】2024-02-20

(31)【優先権主張番号】P 2023074521

(32)【優先日】2023-04-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100099793

【弁理士】

【氏名又は名称】川北 喜十郎

(74)【代理人】

【識別番号】100154586

【弁理士】

【氏名又は名称】藤田 正広

(72)【発明者】

【氏名】関谷 秀介

(72)【発明者】

【氏名】三矢 耕平

【テーマコード（参考）】

3K092

5F131

【Ｆターム（参考）】

3K092QA03

3K092QB03

3K092QB45

5F131AA02

5F131CA03

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EA04

5F131EA11

5F131EA14

5F131EA15

5F131EA16

5F131EA17

5F131EA18

5F131EB54

5F131EB72

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB81

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】外部環境からのガスがリフトピン穴を通じて、基板とセラミックス基材の表面によって画定される空間へ流入することを抑制するとともに、基板の、周囲凸部の直上の領域にヒートスポットが発生することを抑制するための技術を提供する。
【解決手段】
セラミックスヒータ１００のセラミックス基材１１０の上面１１１は、複数の凸部１５６と、周囲凸部１５７とが設けられている。周囲凸部１５７は、リフトピン穴１６６の周りを取り囲んでいる。周囲凸部１５７の高さをＨ１（ｍ）とし、複数の凸部１５６の高さをＨ２（ｍ）とし、高さＨ２（ｍ）と高さＨ１（ｍ）との差（Ｈ２－Ｈ１）をΔ（ｍ）としたとき、Ｈ１＜Ｈ２、且つ、１×１０^－６（ｍ）≦Δ＜５０×１０^－６（ｍ）である。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面、及び、前記上面と上下方向において対向する下面を有し、且つ、前記上面から前記下面まで貫通する貫通孔または切り欠き部を有する円板状のセラミックス基材と、
前記セラミックス基材に埋設された、又は前記セラミックス基材の前記下面に配置された発熱体と、を備え、
前記セラミックス基材は、
前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する複数の凸部と、
前記セラミックス基材の前記上面の、前記貫通孔または前記切り欠き部の周囲に配置されて、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する周囲凸部とを備え、
前記セラミックス基材の前記上面から前記周囲凸部の頂面までの前記上下方向の長さをＨ１（ｍ）とし、前記セラミックス基材の前記上面から前記複数の凸部の頂面までの前記上下方向の長さをＨ２（ｍ）とし、前記長さＨ２（ｍ）と前記長さＨ１（ｍ）との差（Ｈ２－Ｈ１）をΔ（ｍ）としたとき、
Ｈ１＜Ｈ２、且つ、１×１０^－６（ｍ）≦Δ＜５０×１０^－６（ｍ）
であることを特徴とするセラミックスヒータ。

【請求項2】

前記長さＨ２（ｍ）と前記長さＨ１（ｍ）との差Δ（ｍ）が、
３×１０^－６（ｍ）≦Δ≦３０×１０^－６（ｍ）
であることを特徴とする請求項１に記載のセラミックスヒータ。

【請求項3】

前記長さＨ２（ｍ）と前記長さＨ１（ｍ）との差Δ（ｍ）が、
５×１０^－６（ｍ）≦Δ≦１５×１０^－６（ｍ）
であることを特徴とする請求項２に記載のセラミックスヒータ。

【請求項4】

前記周囲凸部の径方向の幅をＷ（ｍ）とし、前記周囲凸部の内径をｒ（ｍ）としたとき、
ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）≦１．０×１０^－８（ｍ^２）
であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のセラミックスヒータ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、シリコンウェハ等の基板を保持して加熱するセラミックスヒータに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、内部に発熱体が埋設されたセラミックスヒータが開示されている。特許文献１に記載のセラミックスヒータの、基板が載置されるセラミックス基材の表面（加熱面）には、基板との接触面積を小さくするためや基板とセラミックス基材の表面によって画定される空間にガスを流す目的のため、複数の凸部（エンボス部）が形成されている。

【0003】

一般に、セラミックスヒータにおいては、載置された基板の一部にヒートスポットが形成されることがある。特許文献１においては、ヒートスポットと重なる領域の複数の凸部の数を減らすことにより、ヒートスポットの抑制を図っていた。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００２－１２４３６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

セラミックスヒータのセラミックス基材には、基板を上下方向に変位させるためのリフトピンが挿入されるリフトピン穴が形成されることがある。外部環境からのガスがリフトピン穴を通じて、基板とセラミックス基材の表面によって画定される空間へ流入することを抑制するために、リフトピン穴の周囲にはリフトピン穴を取り囲む周囲凸部が形成されることがある。本願発明者らは、基板の、周囲凸部の直上の領域にヒートスポットが発生しうることを見いだした。

【0006】

本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであり、外部環境からのガスがリフトピン穴を通じて、基板とセラミックス基材の表面によって画定される空間へ流入することを抑制するとともに、基板の、周囲凸部の直上の領域にヒートスポットが発生することを抑制するための技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の態様に従えば、上面、及び、前記上面と上下方向において対向する下面を有し、且つ、前記上面から前記下面まで貫通する貫通孔または切り欠き部を有する円板状のセラミックス基材と、
前記セラミックス基材に埋設された、又は前記セラミックス基材の前記下面に配置された発熱体と、を備え、
前記セラミックス基材は、
前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する複数の凸部と、
前記セラミックス基材の前記上面の、前記貫通孔または前記切り欠き部の周囲に配置されて、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する周囲凸部とを備え、
前記セラミックス基材の前記上面から前記周囲凸部の頂面までの前記上下方向の長さをＨ１（ｍ）とし、前記セラミックス基材の前記上面から前記複数の凸部の頂面までの前記上下方向の長さをＨ２（ｍ）とし、前記長さＨ２（ｍ）と前記長さＨ１（ｍ）との差（Ｈ２－Ｈ１）をΔ（ｍ）としたとき、
Ｈ１＜Ｈ２、且つ、１×１０^－６（ｍ）≦Δ＜５０×１０^－６（ｍ）であることを特徴とするセラミックスヒータが提供される。

【発明の効果】

【0008】

上記の構成のように、セラミックス基材の上面から周囲凸部の頂面までの高さ（上下方向の長さ）をＨ１（ｍ）とし、セラミックス基材の上面から複数の凸部の頂面までの高さをＨ２（ｍ）とし、高さＨ２（ｍ）と高さＨ１（ｍ）との差（Ｈ２－Ｈ１）をΔ（ｍ）としたとき、Ｈ１＜Ｈ２、且つ、１×１０^－６（ｍ）≦Δ＜５０×１０^－６（ｍ）である場合には、セラミックスヒータに載置されるウェハを真空吸着する際のガスの消費量を抑えることができる。また、ウェハの、周囲凸部の直上の部分において、ヒートスポットが発生することを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、セラミックスヒータ１００の上面図である。

【図2】図２は、セラミックスヒータ１００の概略説明図である。

【図3】図３は、電極１２０の概略説明図である。

【図4】図４は、ヒータ電極１２２の概略説明図である。

【図5】（ａ）～（ｅ）は、セラミックス基材１１０の製造方法の流れを示す図である。

【図6】（ａ）～（ｄ）は、セラミックス基材１１０の別の製造方法の流れを示す図である。

【図7】図７は実施例１～１３及び比較例１、２の結果をまとめた表である。

【図8】図８は環状凸部１５２と周囲凸部１５７とが協同してリフトピン穴１６６の周囲を取り囲む状態を説明するための概略説明図である。

【図9】図９は切り欠き１６６ａを囲むように周囲凸部１５７が設けられている状態を説明するための概略説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

＜セラミックスヒータ１００＞
本発明の実施形態に係るセラミックスヒータ１００について、図１、２を参照しつつ説明する。本実施形態に係るセラミックスヒータ１００は、例えば、半導体製造装置の内部でシリコンウェハなどの半導体ウェハ（以下、単にウェハ１０という）を保持し加熱するために用いられる。なお、以下の説明においては、セラミックスヒータ１００が使用可能に設置された状態（図２の状態）を基準として上下方向５が定義される。図２に示されるように、本実施形態に係るセラミックスヒータ１００は、セラミックス基材１１０と、電極１２０と、給電線１４０、１４１とを備える。

【0011】

セラミックス基材１１０は、直径１２インチ（約３００ｍｍ）の円形の板状の形状を有する部材であり、セラミックス基材１１０の上にはウェハ１０が載置される。セラミックス基材１１０は、例えば、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、アルミナ、窒化ケイ素等のセラミックス焼結体により形成することができる。なお、図２では図面を見やすくするためにウェハ１０とセラミックス基材１１０とを離して図示している。図１に示されるように、セラミックス基材１１０の上面１１１には、環状の凸部１５２（以下、単に環状凸部１５２という）と、複数の凸部１５６とが設けられている。なお、図２においては、図面を見やすくするために、図１と比べて複数の凸部１５６の数を減らして図示している。また、図１に示されるように、セラミックス基材１１０の中心には、ガス流路１６４（図２参照）の開口１６４ａが設けられている。開口１６４ａの直径は５ｍｍである。また、セラミックス基材１１０の中心に対して半径８０ｍｍの円を３等配した位置には、それぞれ、リフトピン穴１６６が設けられている。リフトピン穴１６６の直径は５ｍｍである。

【0012】

図１、２に示されるように、環状凸部１５２は、セラミックス基材１１０の上面１１１の外周部（外縁部）に配置された円環状の凸部であり、上面１１１から上方に突出している。図２に示されるように、ウェハ１０がセラミックス基材１１０の上に載置されたとき、環状凸部１５２の頂面１５２ａはウェハ１０の下面と当接する。つまり、環状凸部１５２は、ウェハ１０がセラミックス基材１１０の上に載置されたときに、上下方向５においてウェハ１０と重なる位置に配置されている。

【0013】

セラミックス基材１１０の上面１１１の、環状凸部１５２の内側には、複数の凸部１５６が設けられている。複数の凸部１５６は、同心円状に配置されている。複数の凸部１５６の頂面１５６ａの形状は円形である。図２に示されるように、リフトピン穴１６６の周囲には、リフトピン穴１６６を取り囲む周囲凸部１５７が配置されている。周囲凸部１５７の頂面１５７ａは円環状の形状を有しており、その中心はリフトピン穴１６６の中心と一致する。なお、凸部１５６が配置される位置及び／又は数は、用途、作用、機能に応じて適宜設定される。例えば、複数の凸部１５６は、正三角形などの正多角形を敷き詰めたときの各頂点の位置に配置することができる。あるいは、複数の凸部１５６をランダムな位置に配置することもできる。

【0014】

以下の説明において、周囲凸部１５７の高さをＨ１とし、複数の凸部１５６の高さをＨ２とし、環状凸部１５２の高さをＨ３とする。なお、本明細書において、環状凸部１５２の高さ及び複数の凸部１５６の高さは、セラミックス基板１１０の上面１１１からの上下方向の長さとして定義される。なお、セラミックス基板１１０の上面１１１が平坦でなく、例えば段差を有している場合には、セラミックス基板１１０の上面１１１のうち、最も高い位置を基準にして、そこからの上下方向の長さとして定義される。周囲凸部１５７の高さＨ１、複数の凸部１５６の高さＨ２、環状凸部１５２の高さＨ３は、複数個所の平均値で算出することがこのましい。複数の凸部１５６に関して複数箇所が選択される場合は、周囲凸部１５７に最も近接する凸部１５６から順に９か所以上選択されることが好ましい。周囲凸部１５７に関して複数箇所が選択される場合は、中心線を円周方向に２等配以上に分割した位置を採用することが好ましい。環状凸部１５２に関して複数箇所が選択される場合は、環状凸部１５２の中心線を円周方向に８等配以上に分割した位置を採用することが好ましい。本実施形態において、複数の凸部１５６の高さＨ２と環状凸部１５２の高さＨ３は同じであり、５μｍ～２ｍｍの範囲にすることができる。これに対して、周囲凸部１５７の高さＨ１は、複数の凸部１５６の高さＨ２よりも低く、複数の凸部１５６の高さＨ２と周囲凸部１５７の高さＨ１との差をΔ（＝Ｈ２－Ｈ１）としたとき、１μｍ≦Δ＜５０μｍとなる。

【0015】

環状凸部１５２の頂面１５２ａの幅は、一定の幅であることが望ましく、０．１ｍｍ～１０ｍｍにすることができる。環状凸部１５２の頂面１５２ａの中心線平均粗さＲａは１．６μｍ以下にすることができる。なお、中心線平均粗さＲａは、表面の凹凸を、その中心線からの偏差の絶対値の平均で表したものである。同様に、複数の凸部１５６の頂面１５６ａの中心線平均粗さＲａは１．６μｍ以下にすることができる。なお、環状凸部１５２の頂面１５２ａ及び複数の凸部１５６の頂面１５６ａの中心線平均粗さＲａは０．４μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以下であることがさらに好ましく、０．１μｍ以下であることがさらに好ましい。

【0016】

複数の凸部１５６の、各凸部の離間距離は、１．５ｍｍ～３０ｍｍの範囲にすることができる。

【0017】

上述のように、上面１１１の略中心には、ガス流路１６４の開口１６４ａが開口している（図２参照）。ガス流路１６４は、開口１６４ａを備えるガス流路であり、セラミックス基材１１０の内部に形成されている。本実施形態において、ガス流路１６４は、開口１６４ａから下方に延びている。ガス流路１６４は、セラミックス基材１１０の上面１１１とウェハ１０の下面とによって画定される空間（間隙）にガスを供給するための流路として用いることができる。例えば、ウェハ１０とセラミックス基材１１０との間の伝熱のための伝熱ガスを供給することができる。伝熱ガスとして、例えば、ヘリウム、アルゴンのような不活性ガスや、窒素ガスなどを用いることができる。伝熱ガスは、ガス流路１６４を通じて、１００Ｐａ～４００００Ｐａの範囲内で設定された圧力で供給される。また、環状凸部１５２の頂面１５２ａとウェハ１０の下面との隙間から、環状凸部１５２の内側の間隙にプロセスガスが侵入してくる場合には、ガス流路１６４を介して、ガスを排気することができる。この際、排気圧を調整することによって間隙の外側の圧力と、間隙の内側の圧力の差圧を調節することができる。これにより、ウェハ１０をセラミックス基材１１０の上面１１１に向けて吸着させることができる。さらに、周囲凸部の上面とウェハ１０の下面との隙間からプロセスガスが侵入してくる場合も、ガス流路１６４を介して、ガスを排気することができる。

【0018】

図２に示されるように、セラミックス基材１１０の内部には、電極１２０が埋設されている。電極１２０は、ヒータ電極１２２と、静電吸着用電極１２４とを含んでいる。静電吸着用電極１２４はヒータ電極１２２の上方に埋設されている。

【0019】

図３に示されるように、静電吸着用電極１２４は２つの半円形状の電極１２４ａ、１２４ｂが所定の間隔を隔てて向かい合うように配置されており、全体として略円形の形状を有している。本実施形態において、静電吸着用電極１２４の外径は２９２ｍｍである。電極１２４ａ及び電極１２４ｂにそれぞれ所定の電圧（例えば、±５００Ｖ）を印加することにより、ウェハ１０を静電吸着することができる。

【0020】

図４に示されるように、ヒータ電極１２２は帯状に裁断された金属製のメッシュや箔である。ヒータ電極１２２の外径は２９８ｍｍである。ヒータ電極１２０はセラミックス基材１１０の側面から露出しない。ヒータ電極１２０の略中央には、給電線１４０（図１参照）と接続される端子部１２１が設けられている。ヒータ電極１２２はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン及び／又はタングステンを含む合金のワイヤーを織ったメッシュや箔等の耐熱金属（高融点金属）により形成されている。タングステン、モリブデンの純度は９９％以上であることが好ましい。ヒータ電極１２２の厚さは０．１５ｍｍ以下である。なお、ヒータ電極１２２の抵抗値を高くして、セラミックスヒータ１００の消費電流を低減させるという観点からは、ワイヤーの線径を０．１ｍｍ以下、ヒータ電極１２２の厚さをワイヤーの交点を除き０．１ｍｍ以下にすることが好ましい。また、帯状に裁断されたヒータ電極１２２の幅は２．５ｍｍ～２０ｍｍであることが好ましく、５ｍｍ～１５ｍｍであることがさらに好ましい。本実施形態においては、ヒータ電極１２２は、図４に示される形状に裁断されているがヒータ電極１２２の形状はこれには限られず、適宜変更しうる。なお、セラミックス基材１１０の内部にはヒータ電極１２２に加えて、あるいは、ヒータ電極１２２に代えて、セラミックス基材１１０の上方にプラズマを発生させるためのプラズマ電極が埋設されていてもよい。

【0021】

図２に示されるように、セラミックスヒータ１００には、ヒータ電極１２２に電力を供給するための給電線１４０と、静電吸着用電極１２４に電力を供給するための給電線１４１とが配置されている。なお、図２においては、給電線１４０、１４１はそれぞれ１つずつしか図示されていないが、実際には複数の給電線１４０及び複数の給電線１４１が配置されている。給電線１４０の上端は、ヒータ電極１２２の中央に配置された端子部１２１（図４参照）に電気的に接続されている。給電線１４０は、不図示のヒータ用電源に接続される。これにより、給電線１４０を介してヒータ電極１２２に電力が供給される。同様に、給電線１４１を介して、静電吸着用電極１２４に電力が供給される。

【0022】

次に、セラミックスヒータ１００の製造方法について説明する。以下では、セラミックス基材１１０が窒化アルミニウムで形成される場合を例に挙げて説明する。

【0023】

まず、セラミックス基材１１０の製造方法について説明する。なお、説明を簡略化するために、セラミックス基材１１０の内部には、電極１２０としてヒータ電極１２２のみが埋設されているものとする。図５（ａ）に示されるように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末を主成分とする造粒粉Ｑをカーボン製の有床型６０１に投入し、パンチ６０２で仮プレスする。なお、造粒粉Ｑには、５ｗｔ％以下の焼結助剤（例えば、Ｙ_２Ｏ_３）が含まれることが好ましい。次に、図５（ｂ）に示されるように、仮プレスされた造粒粉Ｑの上に、所定形状に裁断されたヒータ電極１２２を配置する。なお、ヒータ電極１２２は、加圧方向に垂直な面（有床型６０１の底面）に平行になるように配置される。このとき、Ｗのペレット又はＭｏのペレットをヒータ電極１２２の端子１２１（図４参照）の位置に埋設してもよい。

【0024】

図５（ｃ）に示されるように、ヒータ電極１２２を覆うようにさらに造粒粉Ｑを有床型６０１に投入し、パンチ６０２でプレスして成形する。次に、図５（ｄ）に示されるように、ヒータ電極１２２が埋設された造粒粉Ｑをプレスした状態で焼成する。焼成の際に加える圧力は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。また、１８００℃以上の温度で焼成することが好ましい。次に、図５（ｅ）に示されるように、端子１２１を形成するために、ヒータ電極１２２までの止まり穴加工を行う。なお、ペレットを埋設した場合には、ペレットまでの止まり穴加工を行えばよい。さらに、ガス流路１６４の一部となる貫通孔を形成する。これにより、内部にガス流路１６４が形成されたセラミックス基材１１０を作製することができる。この場合、ヒータ電極１２２がガス流路１６４から露出しないように、予めヒータ電極１２２に所定の開口部を設けることが好ましい。

【0025】

なお、セラミックス基材１１０は以下の方法によっても製造することができる。図６（ａ）に示されるように、窒化アルミニウムの造粒粉Ｑにバインダーを加えてＣＩＰ成型し、円板状に加工して、窒化アルミニウムの成形体６１０を作製する。次に、図６（ｂ）に示されるように、成形体６１０の脱脂処理を行い、バインダーを除去する。

【0026】

図６（ｃ）に示されるように、脱脂された成形体６１０に、ヒータ電極１２２を埋設するための凹部５１１を形成する。成形体６１０の凹部６１１にヒータ電極１２２を配置し、別の成形体６１０を積層する。なお、凹部６１１は予め成形体６１０に形成しておいてもよい。次に、図６（ｄ）に示されるように、ヒータ電極１２２を挟むように積層された成形体６１０をプレスした状態で焼成し、焼成体を作製する。焼成の際に加える圧力は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。また、１８００℃以上の温度で焼成することが好ましい。焼成体を作製した後の工程は、上述の工程と同様であるので、説明を省略する。

【0027】

このようにして形成されたセラミックス基材１１０の上面１１１に対して研削を行い、研磨加工を行う。さらに、上面１１１に対してサンドブラスト加工を行うことにより、上面１１１に複数の凸部１５６、１５７及び環状凸部１５２を形成する。このとき、複数の凸部１５６、１５７の高さは同じになるように加工される。また、環状凸部１５２の頂面１５２ａも所定の形状に加工される。なお、複数の凸部１５６、１５７、環状凸部１５２を形成するための加工方法は、サンドブラスト加工が好適であるが、他の加工方法を用いることもできる。

【実施例0028】

以下、本発明について実施例１～１３を用いて更に説明する。但し、本発明は、以下に説明する実施例に限定されない。なお、図７には、実施例１～１３及び比較例１、２の結果をまとめた表が示されている。

【0029】

［実施例１］
実施例１のセラミックスヒータ１００（図２参照）について説明する。実施例１においては、５ｗｔ％の焼結助剤（Ｙ_２Ｏ_３）を添加した窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を原料として、上述の作製方法により直径３００ｍｍ、厚さ１５ｍｍのセラミックス基材１１０を作製した。なお、実施例１のセラミックスヒータ１００には、上述の静電吸着用電極１２４は埋設されておらず、図３に示される形状のヒータ電極１２２がセラミックス基材１１０に埋設されている。

【0030】

セラミックス基材１１０の中心には、ガス流路１６４（図２参照）の開口１６４ａを設けた。開口１６４ａの直径は４ｍｍであった。また、セラミックス基材１１０の中心に対して半径６４ｍｍの円（ピッチ円直径１２８ｍｍの仮想円）を３等配した位置に、それぞれ、リフトピン穴１６６を設けた。リフトピン穴１６６の直径は４ｍｍであった。

【0031】

セラミックス基材１１０の上面１１１に、内径２９６ｍｍ、外径３００ｍｍ、幅２ｍｍの環状凸部１５２を形成した。環状凸部１５２の高さＨ３は１５０μｍとした。さらに、セラミックス基材１１０の上面１１１に、円柱形状の複数の凸部１５６を形成した。複数の凸部１５６の頂面１５６ａの形状は、直径３ｍｍの円形とした。複数の凸部１５６の高さＨ２は１５０μｍとした。複数の凸部１５６は直径２０ｍｍ～１４０ｍｍ、１０ｍｍ間隔の同心円上に、８～１２ｍｍおきに等間隔で並んでいる。セラミックス基材１１０の上面１１１の、リフトピン１６６を取り囲む位置には、周囲凸部１５７を形成した。周囲凸部１５７の頂面１５７ａは、直径２ｒを１０ｍｍ（１０×１０^－３ｍ）とし、幅Ｗを１ｍｍ（１．０×１０^－３ｍ）とする円環形状とした。周囲凸部１５７の高さＨ１は１４０μｍとした。つまり、高さＨ２と高さＨ１との差Δを１０μｍ（１．０×１０^－５ｍ）とした。なお、環状凸部１５２の頂面１５２ａ、複数の凸部１５６の頂面１５６ａ、周囲凸部１５７の頂面１５７ａの中心線平均粗さＲａを、いずれも０．４μｍとした。

【0032】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に直径３００ｍｍの温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、セラミックスヒータ１００のヒータ電極１２２に不図示の外部電源を接続した。以下の手順でシリコンウェハの真空吸着時におけるガスリーク量の評価と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。

【0033】

ガスリーク量の測定においては、真空チャンバ内の圧力を２００Ｔｏｒｒに減圧し、ガス流路１６４を不図示の排気装置に接続し、排気装置の排気孔圧力を５０Ｔｏｒｒとした。これにより、差圧（１５０Ｔｏｒｒ）でシリコンウェハを真空吸着した。なお、ガスのリーク量は、主に周囲凸部１５７の頂面１５７ａとシリコンウェハの下面との間の隙間を通じて、ガス流路１６４から排気されたガスの流量に対応する。発明者らの知見によれば、ガスのリーク量は、周囲凸部１５７の頂面１５７ａとシリコンウェハの下面との間の隙間のコンダクタンスに依存し、コンダクタンスは値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）によって特徴付けられる。実施例１において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は２．３×１０^－９（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は３３ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。

【0034】

シリコンウェハの温度分布評価においては、上記の手順で温度評価用のシリコンウェハを真空吸着した状態で、定常状態でシリコンウェハの上面の温度が５００℃となるように外部電源の出力電力を調整した。その後、温度評価用のシリコンウェハの温度分布を赤外線カメラで計測した。シリコンウェハの上面の、周囲凸部１５７の直上の位置において、周囲凸部１５７を横断する線上で貫通孔の中心より±１５ｍｍ離間した両端を範囲として温度差ΔＴを測定した。実施例１において、温度差ΔＴは１．０℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0035】

［実施例２］
実施例２のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の高さＨ１を１４７μｍとし、高さＨ２と高さＨ１との差Δを３μｍ（３×１０^－６ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0036】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例２において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は２．６×１０^－１０（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は４ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例２において、温度差ΔＴは１．４℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0037】

［実施例３］
実施例３のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の高さＨ１を１４５μｍとし、高さＨ２と高さＨ１との差Δを５μｍ（５×１０^－６ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0038】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例３において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は６．６×１０^－１０（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は１０ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例３において、温度差ΔＴは０．９℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0039】

［実施例４］
実施例４のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の高さＨ１を１３５μｍとし、高さＨ２と高さＨ１との差Δを１５μｍ（１．５×１０^－５ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0040】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例４において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は４．７×１０^－９（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は６８ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例４において、温度差ΔＴは１．２℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0041】

［実施例５］
実施例５のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の高さＨ１を１３０μｍとし、高さＨ２と高さＨ１との差Δを２０μｍ（２．０×１０^－５ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0042】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例５において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は７．８×１０^－９（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は１１３ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍを超えているものの、３００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は可であると判定された。実施例５において、温度差ΔＴは１．３℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0043】

［実施例６］
実施例６のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の高さＨ１を１２０μｍとし、高さＨ２と高さＨ１との差Δを３０μｍ（３．０×１０^－５ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0044】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例６において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は１．６×１０^－８（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は２２８ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍを超えているものの、３００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は可であると判定された。実施例６において、温度差ΔＴは１．７℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0045】

［実施例７］
実施例７のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の幅Ｗを０．５ｍｍ（５．０×１０^－４ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0046】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例７において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は３．９×１０^－９（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は５７ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例７において、温度差ΔＴは１．１℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0047】

［実施例８］
実施例８のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の幅Ｗを２ｍｍ（２．０×１０^－３ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0048】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例８において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は１．３×１０^－９（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は１９ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例８において、温度差ΔＴは０．９℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0049】

［実施例９］
実施例９のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の幅Ｗを３ｍｍ（３．０×１０^－３ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0050】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例９において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は９．５×１０^－１０（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は１４ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例９において、温度差ΔＴは０．８℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0051】

［実施例１０］
実施例１０のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の幅Ｗを５ｍｍ（５．０×１０^－３ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0052】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例１０において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は６．２×１０^－１０（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は９ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例１０において、温度差ΔＴは０．７℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0053】

［実施例１１］
実施例１１のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の直径２ｒを５ｍｍ（５．０×１０^－３ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0054】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例１１において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は１．２×１０^－９（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は１７ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例１０において、温度差ΔＴは０．９であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0055】

［実施例１２］
実施例１２のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の直径２ｒを１５ｍｍ（１．５×１０^－２ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0056】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例１２において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は３．５×１０^－９（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は５０ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例１２において、温度差ΔＴは１．０℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0057】

［実施例１３］
実施例１３のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の直径２ｒを２０ｍｍ（２．０×１０^－２ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0058】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。実施例１３において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は４．６×１０^－９（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は６７ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。実施例１３において、温度差ΔＴは１．１℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0059】

［比較例１］
比較例１のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の高さＨ１を１５０μｍとし、複数の凸部１５６の高さＨ２と同じにした。この場合、高さＨ２と高さＨ１との差Δは、周囲凸部１５７の頂面１５７ａ及び複数の凸部１５６の頂面１５６ａの中心線平均粗さＲａ（０．４μｍ）と同程度となる。比較例１においては、高さＨ２と高さＨ１との差Δを０．４μｍ（４．０×１０^－７ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0060】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。比較例１において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は６．３×１０^－１２（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は０ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が１００ｓｃｃｍ以下であり、リーク量評価は良好であると判定された。しかしながら、比較例１において、温度差ΔＴは２．１℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以上であり、シリコンウェハの温度分布評価は不可であると判定された。

【0061】

［比較例２］
比較例２のセラミックスヒータ１００は、周囲凸部１５７の高さＨ１を１００μｍとし、高さＨ２と高さＨ１との差Δを５０μｍ（５．０×１０^－５ｍ）としたことを除いて、実施例１のセラミックスヒータ１００と同様の構成を有する。

【0062】

このような形状のセラミックスヒータ１００を真空チャンバに設置し、セラミックスヒータ１００に実施例１と同様の温度評価用のシリコンウェハを載置した。そして、実施例１と同様の手順でガスリーク量の測定と、シリコンウェハの温度分布評価を行った。比較例２において、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）は３．７×１０^－８（ｍ^２）であり、ガスのリーク量は５４２ｓｃｃｍであった。ガスのリーク量が３００ｓｃｃｍを超えており、リーク量評価は不可であると判定された。なお、比較例２において、温度差ΔＴは１．８℃であった。温度差ΔＴが２．０℃以下であり、シリコンウェハの温度分布評価は良好であると判定された。

【0063】

＜実施形態の作用効果＞
上記実施形態及び実施例１～１３において、セラミックスヒータ１００は、円板状のセラミックス基材１１０と、セラミックス基材１１０に埋設されたヒータ電極１２２とを備えている。セラミックス基材１１０の上面１１１は、複数の凸部１５６と、周囲凸部１５７とが設けられている。周囲凸部１５７は、セラミックス基材１１０に形成された貫通孔であるリフトピン穴１６６の周りを取り囲むようにリフトピン穴１６６の周囲に配置されている。セラミックス基材１１０の上面１１１から周囲凸部１５７の頂面１５７ａまでの高さ（上下方向５の長さ）をＨ１（ｍ）とし、セラミックス基材１１０の上面１１１から複数の凸部１５６の頂面１５６ａまでの高さをＨ２（ｍ）とし、高さＨ２（ｍ）と高さＨ１（ｍ）との差（Ｈ２－Ｈ１）をΔ（ｍ）としたとき、Ｈ１＜Ｈ２、且つ、１×１０^－６（ｍ）≦Δ＜５０×１０^－６（ｍ）である。

【0064】

実施例１～１３のように、Ｈ１＜Ｈ２であり、且つ、１×１０^－６（ｍ）≦Δ＜５０×１０^－６（ｍ）である場合には、リーク量を３００ｓｃｃｍ以下に抑えることができるとともに、温度差ΔＴを２．０℃以下に抑えることができる。これにより、ウェハ１０を真空吸着する際のガスの消費量を抑えることができるとともに、ウェハ１０の周囲凸部１５７の直上においてヒートスポットが発生することを抑制することができる。

【0065】

なお、比較例１においては、上述のように、周囲凸部１５７の高さＨ１と複数の凸部１５６の高さＨ２が同じ（Ｈ１＝Ｈ２）であり、高さＨ２と高さＨ１との差Δが、周囲凸部１５７の頂面１５７ａ及び複数の凸部１５６の頂面１５６ａの中心線平均粗さＲａ（０．４μｍ）と同程度であった。このように、高さＨ２と高さＨ１との差Δが１μｍより小さい場合には、温度差ΔＴが２．０℃を超え、ウェハ１０の周囲凸部１５７の直上においてヒートスポットが発生してしまうことがわかった。また、比較例２のように、高さＨ２と高さＨ１との差Δが５０μｍ以上である場合には、リーク量を３００ｓｃｃｍ以下に抑えることができず、真空吸着を行うことが非常に困難になることがわかった。

【0066】

上記実施例１～１３のように、３×１０^－６（ｍ）≦Δ≦３０×１０^－６（ｍ）である場合には、リーク量を２３０ｓｃｃｍ未満に抑えることができるとともに、温度差ΔＴを１．８℃未満に抑えることができる。これにより、ウェハ１０を真空吸着する際のガスの消費量を抑えることができるとともに、ウェハ１０の周囲凸部１５７の直上においてヒートスポットが発生することを抑制することができる。

【0067】

上記実施例１、３、４、７、８～１３のように、５×１０^－６（ｍ）≦Δ≦１５×１０^－６（ｍ）である場合には、リーク量を７０ｓｃｃｍ以下に抑えることができるとともに、温度差ΔＴを１．２℃以下に抑えることができる。これにより、ウェハ１０を真空吸着する際のガスの消費量をさらに抑えることができるとともに、ウェハ１０の周囲凸部１５７の直上においてヒートスポットが発生することをさらに抑制することができる。

【0068】

上記実施例１～５及び７～１３のように、値ｒ・Δ^２／Ｗ・ｌｎ（Ｗ／Δ）が１．０×１０^－８（ｍ^２）以下である場合には、リーク量を１２０ｓｃｃｍ以下に抑えることができるとともに、温度差ΔＴを１．４℃以下に抑えることができる。これにより、ウェハ１０を真空吸着する際のガスの消費量を抑えることができるとともに、ウェハ１０の周囲凸部１５７の直上においてヒートスポットが発生することを抑制することができる。

【0069】

＜変更形態＞
上述の実施形態は、あくまで例示に過ぎず、適宜変更しうる。例えば、セラミックス基材１１０の形状、寸法は上記実施形態のものには限られず、適宜変更しうる。環状凸部１５２の高さ、幅等の寸法、環状凸部１５２の頂面１５２ａの形状、頂面１５２ａの中心線平均粗さＲａの大きさは適宜変更しうる。複数の凸部１５６の高さ、頂面１５６ａの形状、頂面１５６ａの中心線平均粗さＲａの大きさは適宜変更しうる。例えば、複数の凸部１５６の頂面１５６ａの形状は必ずしも円形でなくてもよく、例えば、正方形などの適宜の形状にすることができる。

【0070】

また、周囲凸部１５７の頂面１５７ａの形状は、円環形状でなくてもよい。例えば、リフトピン穴１６６が環状凸部１５２の近傍にある場合には、図８に示されるように、環状凸部１５２と周囲凸部１５７とが連続するように配置され、環状凸部１５２と周囲凸部１５７とが協同してリフトピン穴１６６の周囲を取り囲んでいてもよい。この場合にも、上記実施形態及び実施例１～１３と同様に、ウェハ１０を真空吸着する際のガスの消費量を抑えることができるとともに、ウェハ１０の周囲凸部１５７の直上においてヒートスポットが発生することを抑制することができる。

【0071】

上記実施形態及び実施例１～１３において、全てのリフトピン穴１６６の周囲に周囲凸部１５７が設けられていたが、本発明はそのような態様には限られない。複数のリフトピン穴１６６のうち、いずれか１つの穴の周囲に周囲凸部１５７を設けることもできる。また、リフトピン穴１６６は貫通孔であったが、本発明はそのような態様には限られない。例えば、図９に示されるように、リフトピン穴１６６に代えて、セラミックス基材１１０の外周部分に切り欠き１６６ａが設けられており、切り欠き１６６ａを囲むように周囲凸部１５７が設けられていてもよい。この場合、切り欠き部の内径の半径がｒ、幅がＷとなる。この場合にも、上記実施形態及び実施例１～１３と同様に、ウェハ１０を真空吸着する際のガスの消費量を抑えることができるとともに、ウェハ１０の周囲凸部１５７の直上においてヒートスポットが発生することを抑制することができる。

【0072】

上記実施形態においては、ヒータ電極１２２として、モリブデン、タングステン、モリブデン及び／又はタングステンを含む合金を用いていたが、本発明はそのような態様には限られない。例えば、モリブデン、タングステン以外の金属又は合金を用いることもできる。また、電極１２０は発熱体としてのヒータ電極１２２を含んでいた。しかしながら、電極１２０は必ずしも発熱体としてのヒータ電極１２２を含む必要は無く、例えば、高周波電極を含んでいてもよい。

【0073】

上記実施形態においては、セラミックスヒータ１００はセラミックス基材１１０に埋設されたヒータ電極１２２を備えていたが、本発明はそのような態様には限られず、ヒータ電極１２２はセラミックスヒータ１００のセラミックス基材１１０に埋設されていなくてもよい。例えば、発熱体としてのヒータ電極１２２又は高周波電極がセラミックス基材１１０の裏面１１３に貼付されていてもよい。

【0074】

以上、発明の実施形態及びその変更形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記の記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが当業者に明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれうることが請求の範囲の記載からも明らかである。

【0075】

明細書、及び図面中において示した製造方法における各処理の実行順序は、特段に順序が明記されておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるので無い限り、任意の順序で実行しうる。便宜上、「まず、」「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するわけではない。

【符号の説明】

【0076】

１００ 基板保持部材
１１０ セラミックス基材
１２２ ヒータ電極
１４０、１４１ 給電線
１５２ 環状凸部
１５６ 複数の凸部
１５７ 周囲凸部
１６４ ガス流路
１６６ リフトピン穴

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】