特開 2024-160480 プラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024160480

(43)【公開日】2024-11-14

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20241107BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 R

H05H1/46 L

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023075520

(22)【出願日】2023-05-01

(71)【出願人】

【識別番号】000003942

【氏名又は名称】日新電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】東 大介

(72)【発明者】

【氏名】酒井 敏彦

(72)【発明者】

【氏名】藤原 将喜

【テーマコード（参考）】

2G084

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA03

2G084AA04

2G084AA05

2G084AA07

2G084BB02

2G084BB14

2G084CC08

2G084CC09

2G084CC13

2G084CC33

2G084DD03

2G084DD04

2G084DD12

2G084DD22

2G084DD25

2G084DD35

2G084DD55

2G084FF07

2G084FF32

2G084HH02

2G084HH18

2G084HH20

2G084HH26

2G084HH30

2G084HH34

2G084HH42

2G084HH45

2G084HH52

(57)【要約】

【課題】複数のアンテナを用いてプラズマを安定させながら処理室の内部の被処理物に所要のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置（１）は、筐体（２）と、筐体（２）の内部にプラズマを発生させるための磁界を生成する、複数のアンテナ（７）と、複数のアンテナ（７）のそれぞれに、それぞれ磁界を生成させるための高周波電流を供給する、少なくとも２つの電源（８）と、制御部（Ｃ）と、を備える。電源（８）は、プラズマを所要の周期で間歇的に発生させるように、周期のうちの所要のデューティ比の第１期間において、プラズマを発生させる高周波電流を供給する。制御部（Ｃ）は、少なくとも２つの電源（８）におけるデューティ比を個別に制御する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理室と、
前記処理室の内部にプラズマを発生させるための磁界を生成する、複数のアンテナと、
前記複数のアンテナに前記磁界を生成させるための高周波電流を供給する、少なくとも２つの電源と、
制御部と、を備え、
前記電源は、前記プラズマを所要の周期で間歇的に発生させるように、前記周期のうちの所要のデューティ比の第１期間において、前記プラズマを発生させる高周波電流を供給する電源であり、
前記制御部は、
前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御する、プラズマ処理装置。

【請求項2】

前記処理室の内部に生じたプラズマの発光をモニタする、複数のプラズマ発光モニタを、さらに備え、
前記制御部は、前記複数のプラズマ発光モニタの検出結果を用いて、前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記複数のアンテナは、所定の配列方向に沿って配列されており、
前記複数のプラズマ発光モニタには、前記配列方向及び当該配列方向に直交する直交方向の各々の方向に沿って複数設けられた前記プラズマ発光モニタが含まれている、請求項２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記複数のアンテナは、所定の配列方向に沿って配列されており、
前記処理室の内部で被処理物を前記配列方向に搬送する搬送機構を、さらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記処理室の内部に生じたプラズマの発光をモニタする、複数のプラズマ発光モニタを、さらに備え、
前記複数のプラズマ発光モニタは、前記配列方向に沿って設けられ、
前記制御部は、前記複数のプラズマ発光モニタの検出結果を用いて、前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御する、請求項４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記被処理物の温度を検知する、複数の温度検知部を、さらに備え、
前記複数の温度検知部は、前記配列方向に沿って設けられ、
前記制御部は、前記複数の温度検知部の検知結果を用いて、前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御する、請求項４または５に記載のプラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

真空容器内に配置したアンテナを用いて当該真空容器内に誘導結合性のプラズマを発生させるプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、その種別に応じて、発生させたプラズマを用いた所定のプラズマ処理を被処理物に施す。

【0003】

また、プラズマ処理装置においては、真空容器内に複数のアンテナを設けて被処理物にプラズマ処理を行うものが知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００２-６９６５３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

プラズマ処理装置において、複数のアンテナを用いてプラズマを安定させながら処理室の内部の被処理物に所要のプラズマ処理を行うことについては改善の余地がある。

【0006】

本開示は上記の問題点を鑑みてなされたものであり、複数のアンテナを用いてプラズマを安定させながら処理室の内部の被処理物に所要のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記の課題を解決するために、本開示の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理室と、前記処理室の内部にプラズマを発生させるための磁界を生成する、複数のアンテナと、前記複数のアンテナに前記磁界を生成させるための高周波電流を供給する、少なくとも２つの電源と、制御部と、を備え、前記電源は、前記プラズマを所要の周期で間歇的に発生させるように、前記周期のうちの所要のデューティ比の第１期間において、前記プラズマを発生させる高周波電流を供給する電源であり、前記制御部は、前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御する。

【発明の効果】

【0008】

本開示の一態様によれば、複数のアンテナを用いてプラズマを安定させながら処理室の内部の被処理物に所要のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示の実施形態１に係るプラズマ処理装置の構成を説明する図である。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。

【図3】上記プラズマ処理装置の要部構成を示す図である。

【図4】図１に示した電源の具体的な動作例を示す図である。

【図5】上記プラズマ処理装置において、デューティ比を変更した場合での発光強度比の変化の具体例を示すグラフである。

【図6】上記プラズマ処理装置において、デューティ比を変更した場合での成膜速度の変化の具体例を示すグラフである。

【図7】本開示の実施形態２に係るプラズマ処理装置の要部構成を説明する図である。

【図8】図７に示したプラズマ処理装置において、デューティ比を変更した場合での表面温度と成膜速度との具体的な関係の例を説明するグラフである。

【図9】図７に示したプラズマ処理装置の変形例の要部構成を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

〔実施形態１〕
以下、本開示の実施形態１について、図１乃至図４を用いて詳細に説明する。図１は、本開示の実施形態１に係るプラズマ処理装置１の構成を説明する図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。図３は、上記プラズマ処理装置１の要部構成を示す図である。図４は、図１に示した電源８の具体的な動作例を示す図である。

【0011】

なお、以下の説明では、所定のプラズマ処理として、誘導結合性のプラズマを使用したプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相堆積）法によって、被処理物としての被処理サンプルＷの表面に所定の皮膜を成膜する成膜処理を行うプラズマ処理装置１を例示して説明する。

【0012】

しかしながら、本開示は、所定のプラズマ処理として、例えば、スパッタ法によって被処理サンプルＷに所定の皮膜を成膜する成膜処理を行うプラズマ処理装置に適用することができる。また、本開示は、所定のプラズマ処理として、プラズマを用いて、被処理サンプルＷの表面に対して、所定の加工を行う表面加工処理、例えば、エッチング処理あるいはアッシング処理を行うプラズマ処理装置に適用することができる。なお、スパッタ法を行うプラズマ処理装置においては、ターゲットは、例えば、後述するプラズマ生成領域ＨＡの内部に設置される。

【0013】

＜プラズマ処理装置１の構成＞
図１に示すように、本実施形態１のプラズマ処理装置１は、筐体２と、フランジ３と、真空カバー４と、アンテナカバー５と、ステージ６と、を備えている。また、プラズマ処理装置１は、アンテナ７と、制御部Ｃと、ステージ駆動部ＳＤと、プラズマ発光モニタＰＤと、を備えている。さらに、プラズマ処理装置１では、被処理サンプルＷは搬送機構によってステージ６と公知のロードロック室との間で搬送される（図示せず）。

【0014】

図２及び図３に示すように、プラズマ処理装置１には、複数、例えば、３つのアンテナ７１、７２、及び７３（”７”で総称する）が設けられており、真空カバー４及びアンテナカバー５は、アンテナ７毎に設置されている。これらのアンテナ７は、例えば、隣接する２つのアンテナ７どうしが等間隔に配置された状態で、例えば、図２及び図３に示した所定の配列方向ＭＨに沿って配列されている。

【0015】

被処理サンプルＷは、例えば、液晶パネルディスプレイ、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルディスプレイなどに用いられるガラス基板、合成樹脂基板であり得る。また、被処理サンプルＷは、各種用途に用いられる半導体基板であり得る。プラズマ処理装置１は、上記所定のプラズマ処理によってバリア（防湿）膜などの所定の皮膜を被処理サンプルＷ上に成膜するほか、表面やコーティング層の少なくとも一部のエッチングや表面改質を行う。なお、被処理サンプルＷ以外に、立体的かつ比較的複雑な形状のボルトや金具等の治具などの構造物を被処理物として適用し得る。

【0016】

＜筐体２＞
筐体２は、被処理サンプルＷに対して上記所定のプラズマ処理を行う処理室を構成するための筐体本体２ａを備え、当該筐体本体２ａの上部には、上記処理室の内部と外部とを連通する第１の開口部２ｂが設けられている。筐体２（筐体本体２ａ）の上面側には、複数の開口部を有するフランジ３が気密に取り付けられている。

【0017】

プラズマ処理装置１においては、筐体本体２ａにフランジ３が取り付けられた状態において、フランジ３の開口部は、上記処理室の内部と外部とを連通する第１の開口部２ｂに含まれる。換言すれば、筐体２の上面側において、フランジ３及び真空カバー４が取り付けられた場合、第１の開口部２ｂはフランジ３及び真空カバー４によって閉塞される。

【0018】

また、筐体２には、上記所定のプラズマ処理に対応した、上記皮膜の成膜用ガスを含んだ処理ガスを筐体２のプラズマ生成領域ＨＡ（処理室）の内部に導入する処理ガス供給部を備えており（図示せず）、処理ガスの雰囲気下で当該プラズマ処理が行われるようになっている。なお、処理ガスは、例えば、アルゴン、水素、窒素、シラン、または酸素である。

【0019】

また、筐体２には、ステージ６の温度を検出する温度センサが設けられており（図示せず）、当該温度センサの検出結果は、制御部Ｃに出力される。そして、制御部Ｃは、入力した温度センサの検出結果を用いたフィードバック制御を行うことにより、上記プラズマ処理中に、ステージ６を予め定められた設定温度となるように制御する。

【0020】

また、筐体２には、図１に示すように、ステージ６を駆動するためのステージ駆動部ＳＤが設けられている。ステージ駆動部ＳＤは、図示しないモータ等の駆動機構を含んでおり、制御部Ｃからの指示に従って、ステージ６について、所定の駆動動作を行うよう構成されている。具体的にいえば、ステージ駆動部ＳＤは、例えば、筐体２の内部で、被処理サンプルＷを載置した状態のステージ６に揺動動作を行わせたり、ステージ６に回転動作を行わせたり、ステージ６に昇降動作を行わせたりするようになっている。

【0021】

＜フランジ３＞
フランジ３は、図２に示すように、例えば、互いに対向する２つの第１辺部３ａと、第１辺部３ａに直交するとともに、互いに対向する２つの第２辺部３ｂ（図１）と、を有する矩形状の枠体を備えている。また、フランジ３は、例えば、上記枠体の内側において一方の第２辺部３ｂから他方の第２辺部３ｂにわたって設けられた、第３辺部３ｃ及び第４辺部３ｄを備えている。換言すれば、これらの第３辺部３ｃ及び第４辺部３ｄの各両端部は、第２辺部３ｂに連続して形成されている。第３辺部３ｃ及び第４辺部３ｄは、２つの第１辺部３ａの間において、第１辺部３ａと平行となるように形成されてもよい。

【0022】

また、第１辺部３ａ、第２辺部３ｂ、第３辺部３ｃ、及び第４辺部３ｄはそれぞれ、第１の開口部２ｂ側に突出する後述の突出部を有していてよい。なお、以下の説明では、第１辺部３ａ、第２辺部３ｂ、第３辺部３ｃ、及び第４辺部３ｄについて、辺部３ｈと総称する。

【0023】

＜真空カバー４＞
また、プラズマ処理装置１には、第１の開口部２ｂを閉塞する真空カバー４が、当該第１の開口部２ｂに脱着可能に取り付けられるように構成されている。つまり、真空カバー４は、第１の開口部２ｂを閉塞するようにフランジ３に気密に取り付けられるとともに、可逆的にフランジ３から取り外し可能に取り付けられる。

【0024】

ここで、フランジ３は、上記処理室の外部から当該処理室の内部に向かう方向において第１の開口部２ｂの開口面積を段階的に小さくするように形成された突出部を有していてよい。例えば、第１辺部３ａ、第３辺部３ｃ及び第４辺部３ｄのそれぞれは、第１の開口部２ｂの内部において、真空カバー４の周縁部を係止するように突出する第１の支持部を有していてよい。第１の支持部は上記突出部の一部であってよい。

【0025】

また、真空カバー４は、外側カバーの一例であり、第２辺部３ｂの上面に当接するとともに、第１辺部３ａ、第３辺部３ｃ及び第４辺部３ｄにおける第１の支持部の上面に当接して支持される。真空カバー４は、例えば、金属製である。

【0026】

＜アンテナカバー５＞
また、プラズマ処理装置１には、アンテナカバー５が第１の開口部２ｂの内部にてフランジ３に対し取り外し可能に支持されている。具体的には、アンテナカバー５は、図１及び図２に示すように、例えば、断面Ｕ字状に構成されたアンテナ収容部５ａを備えている。また、アンテナカバー５は、カバー支持部５ｂと、カバー開口部５ｃとを備えている。カバー支持部５ｂは、断面Ｕ字状のアンテナ収容部５ａの２つの端部から連続的に形成されるとともに、アンテナ収容部５ａの端部から外向きに張り出すように形成された鍔部である。つまり、カバー支持部５ｂは、外向きフランジ形状を有する。

【0027】

ここで、例えば、フランジ３の辺部３ｈは、第１の開口部２ｂの内部において、アンテナカバー５の周縁部を係止するように突出する第２の支持部を有していてよい。第２の支持部は、上記突出部の一部であり、上記第１の支持部よりも第１の開口部２ｂの内部側に突出している（突出長が大きい）。アンテナカバー５が第１の開口部２ｂの内部に支持された状態において、カバー支持部５ｂは、フランジ３の辺部３ｈ（の上記第２の支持部）によって支持される。また、アンテナカバー５は、アンテナ収容部５ａによって囲まれて形成されたカバー開口部５ｃを有している。

【0028】

また、アンテナカバー５は、例えば、アルミナなどの誘電材料を用いて構成されており、誘電性を有する内側カバーを構成している。また、アンテナカバー５には、アンテナ収容部５ａは、アンテナ７の形状に対応するように形成されている。アンテナ収容部５ａは、アンテナ７が取り付けられた状態において、アンテナ７の外周面の一部を覆うような形状に構成されている。

【0029】

また、アンテナカバー５には、カバー支持部５ｂがフランジ３の辺部３ｈに取り外し可能に支持されている。さらに、アンテナカバー５には、カバー開口部５ｃが真空カバー４側に開口するように設けられている。このカバー開口部５ｃは、後述のアンテナ収容空間ＡＫの一部を構成する第２の開口部の一例である。

【0030】

また、筐体２には、少なくとも真空カバー４及びアンテナカバー５によって囲まれたアンテナ収容空間ＡＫが形成されている。本実施形態のプラズマ処理装置１には、アンテナ収容空間ＡＫは、フランジ３の内壁面によっても囲まれている。このアンテナ収容空間ＡＫは、包囲空間の一例であり、誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナ７が収容されている。但し、このアンテナ収容空間ＡＫには、その空間の大きさがアンテナ７によるプラズマを維持することができない大きさに設定されているため、プラズマ非生成領域として機能する。

【0031】

具体的いえば、筐体２には、第１の開口部２ｂの内部にアンテナカバー５を取り付けることによって、当該筐体２の内部空間が画定されてプラズマ生成領域ＨＡが筐体本体２ａの内部に形成される。このプラズマ生成領域ＨＡの内部には、ステージ６及び当該ステージ６に支持された被処理サンプルＷが配置されるようになっており、プラズマ生成領域ＨＡが上記処理室を実質的に構成している。換言すれば、筐体２では、アンテナカバー５により、プラズマ生成領域ＨＡと上記プラズマ非生成領域とが互いに区切られている。

【0032】

さらに、筐体２においては、フランジ３及び真空カバー４がそれぞれ筐体本体２ａ及びフランジ３に気密に取り付けられることにより、上記処理室を含んだ真空容器を構成している。つまり、図１に示すように、筐体２においては、真空ポンプＰＯが筐体本体２ａに連結されており、制御部Ｃが真空ポンプＰＯの制御を行うことにより、プラズマ生成領域ＨＡの内部は少なくともプラズマ処理の際に所定の真空度とされる。

【0033】

具体的にいえば、筐体２においては、真空ポンプＰＯを用いて排気することにより、プラズマ生成領域ＨＡ内が減圧されるとともに、アンテナ収容空間ＡＫも減圧される。これは、アンテナカバー５と筐体２とが、互いに接する部分は真空シールされておらず、隙間を介してプラズマ生成領域ＨＡとアンテナ収容空間ＡＫとは互いに連通しているためである。

【0034】

また、アンテナ収容空間ＡＫは、プラズマ生成領域ＨＡと比べると狭く、プラズマの生成及び維持が困難な領域（プラズマ非生成領域）となっており、アンテナ７に通電してプラズマ生成領域ＨＡにプラズマを発生させている状態において、アンテナ収容空間ＡＫの気圧は、プラズマ生成領域ＨＡと同等の、例えば１Ｐａ～１００Ｐａであってよい。

【0035】

なお、図１に示すように、筐体２及びステージ６は、各々電気的に接地されている。また、筐体２には、プラズマ生成領域ＨＡの内部での圧力（真空度）を検知する圧力計（図示せず）が設けられており、制御部Ｃは、当該圧力計の検知結果を用いて、プラズマ生成領域ＨＡの内部の真空度の制御を行う。

【0036】

＜アンテナ７＞
アンテナ７は、例えば、円筒状に構成されるとともに、銅などの金属材料を用いて構成されている。また、アンテナ７は、配列方向ＭＨに直交する直交方向ＴＨ（図３）に沿って平行に設けられた直線状部を有する直線状のアンテナ７である。

【0037】

また、アンテナ７の一方の端部及び他方の端部は、それぞれアンテナ絶縁部１３Ａ及び１３Ｂを介して真空カバー４に電気的に絶縁された状態で設けられており、筐体２の外部に気密に引き出されている。換言すれば、アンテナ７においては、上記直線状部の両端部が、図１に示すように、各々略９０°折り曲げられることにより、アンテナ７の一方の端部及び他方の端部が筐体２の上方に向かって伸ばされている。

【0038】

また、アンテナ７には、チラー１２が接続されており、当該チラー１２によって循環された冷却媒体、例えば、冷却水によってアンテナ７は所定温度に冷却されるようになっている。具体的には、チラー１２は、図示しないポンプ等の駆動部を含み、冷却水を循環させるためのチラー本体１２ａと、チラー本体１２ａに気密に連結された配管１２ｂとを備えている。

【0039】

また、配管１２ｂは、アンテナ７の内部空間にも配置されており、アンテナ７の当該内部空間を冷却水の循環路として利用するよう構成されている。すなわち、アンテナ７には、図１に矢印Ｒ１及びＲ２にて示すように、アンテナ７の内部空間に冷却水を流すことにより、当該アンテナ７の冷却を行うようになっている。

【0040】

＜電源８等＞
また、アンテナ７の一方の端部及び他方の端部には、インピーダンス調整部９及びインピーダンス調整部１０がそれぞれ電気的に接続されている。インピーダンス調整部９は、図１に示すように可変コンデンサを有する整合回路（マッチングボックス）を備えており、整合回路を介してアンテナ７の一方の端部が電源８に接続されている。また、インピーダンス調整部１０は、可変コンデンサを備えており、アンテナ７の他方の端部は可変コンデンサを介して電気的に接地されている。

【0041】

電源８は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、インピーダンス調整部１０を介してアンテナ７の一方の端部に供給する。プラズマ処理装置１には、制御部Ｃがインピーダンス調整部１０の上記可変コンデンサの容量を変更することにより、アンテナ７に高周波電力が効率的に供給されるように制御する。

【0042】

また、本実施形態１においては、電源８、インピーダンス調整部９、及びインピーダンス調整部１０がアンテナ７毎に設けられている。換言すれば、本実施形態１のプラズマ処理装置１は、電源８、インピーダンス調整部９、アンテナ７、及びインピーダンス調整部１０を備えた、高周波回路をアンテナ７毎に有する。

【0043】

具体的にいえば、本実施形態１においては、図３に示すように、３つのアンテナ７１、７２、及び７３に応じて、３つの電源８１、８２、及び８３（”８”で総称する）がそれぞれ設けられており、各電源８は、対応するアンテナ７に対して、インピーダンス調整部９及びインピーダンス調整部１０を用いて、高周波電流を供給する。

【0044】

＜プラズマ発光モニタＰＤ＞
また、図１乃至図３に示すように、本実施形態１のプラズマ処理装置１においては、筐体（処理室）２の内部に生じたプラズマの発光をモニタするプラズマ発光モニタＰＤが複数設けられている。具体的にいえば、図３に示すように、複数、例えば、３つのプラズマ発光モニタＰＤがアンテナ７の配列方向ＭＨに沿って設けられている。また、複数、例えば、２つのプラズマ発光モニタＰＤが直交方向ＴＨに沿って設けられている。

【0045】

換言すれば、図３に示すように、３つの各プラズマ発光モニタＰＤがアンテナ７と対向するように当該アンテナ７の直交方向ＴＨに設けられ、２つの各プラズマ発光モニタＰＤが３つの各アンテナ７の長手方向の上記直線状部と対向するように設けられている。

【0046】

具体的にいえば、プラズマ発光モニタＰＤは、例えば、筐体２の内部のプラズマからの光を検知する受光素子と、当該受光素子が検知した検知光を分光する分光器と、を備えている（図示せず）。そして、プラズマ発光モニタＰＤでは、分光器は受光素子によって受光した光の波長スペクトル（つまり、プラズマの発光スぺクトル）を取得して、制御部Ｃに出力する。

【0047】

＜制御部Ｃ＞
制御部Ｃは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等を含み、情報処理に応じてプラズマ処理装置１の各部の制御を行う機能ブロックである。具体的には、制御部Ｃは、プラズマ生成領域ＨＡにおける被処理サンプルＷのプラズマ処理について、所定の制御処理を実行する。

【0048】

また、本実施形態１においては、制御部Ｃは、アンテナ７毎の電源８（つまり、上記高周波回路）の制御を行うことにより、各アンテナ７で発生させるプラズマの生成制御を実行し得る。これにより、本実施形態１では、制御部Ｃは、アンテナ７をより適切に動作させることができ、アンテナ収容空間ＡＫでのプラズマの発生を確実に抑制可能となる。この結果、本実施形態１では、アンテナ収容空間ＡＫでの不必要なプラズマによるアンテナ７の損傷等の発生をより確実に抑えることができる。

【0049】

また、本実施形態１の制御部Ｃにおいては、各電源８は、制御部Ｃからの指示に従って、対応するアンテナ７に対して供給する、高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、当該アンテナ７によるプラズマを所要の周期で間歇的に発生させるように、周期のうちの所要のデューティ比の第１期間において、プラズマを発生させる高周波電流を供給する。換言すれば、本実施形態１の制御部Ｃは、３つの電源８におけるデューティ比を個別に制御する。

【0050】

具体的にいえば、制御部Ｃは、１組のアンテナ７及び電源８に対して、図４に例示するように、オンの期間（上記第１期間）及びオフの期間を調整することによって、当該電源８におけるデューティ比の個別制御を行う。また、本実施形態１では、制御部Ｃは、後に詳述するように、複数のプラズマ発光モニタＰＤの検出結果を用いて、複数の電源８における上記デューティ比を個別に制御する。

【0051】

なお、上記周期が、例えば、１ｍsecの場合、オンの期間及びオフの期間は、それぞれ、例えば、０．９ｍsec～０．１ｍsecの範囲内の値及び０．１ｍsec～０．９ｍsecの範囲内の値である。具体的には、例えば、０．８ｍsecのプラズマのオンの期間及び０．２ｍsecのプラズマのオフの期間の時間設定をしてもよい。

【0052】

また、制御部Ｃは、５つの各プラズマ発光モニタＰＤの検出結果を用いて、３つの電源８における上記デューティ比を個別に制御する。具体的にいえば、制御部Ｃは、５つの各プラズマ発光モニタＰＤから検出結果が入力されると、所要の分光強度（上記波長スペクトルにおける所要の波長帯の強度）に基づき、筐体２の内部に生じたプラズマの発光強度を取得する。そして、制御部Ｃは、取得した筐体２の内部のプラズマの発光強度を基に、電源８毎の上記デューティ比を決定して、決定したデューティ比に従って、対応する電源８の駆動制御を行う。

【0053】

また、制御部Ｃは、発光分光分析装置（Optical Emission Spectrometer）としても機能するようになっており、各プラズマ発光モニタＰＤの上記受光素子の検知光に対して、所定の分光分析処理を実行するよう構成されている。これにより、制御部Ｃにおいては、筐体２の内部にプラズマが発生した場合、分光分析結果を基に、そのプラズマに含まれる、元素及び元素の濃度を検知することが可能となる。なお、上記プラズマの発光強度及び分光分析結果は、プラズマ発光モニタＰＤの検出結果であり、プラズマに関する所定の発光データの具体例である。

【0054】

＜作用＞
以上のように構成された本実施形態１のプラズマ処理装置１は、筐体２と、筐体２の内部にプラズマを発生させるための磁界を生成する、３つのアンテナ７と、３つのアンテナ７のそれぞれに、それぞれ磁界を生成させるための高周波電流を供給する、３つの電源８と、制御部Ｃと、を備える。３つの電源８は、プラズマを所要の周期で間歇的に発生させるように、周期のうちの所要のデューティ比の第１期間において、プラズマを発生させる高周波電流を供給する。

【0055】

制御部Ｃは、３つの電源８におけるデューティ比を個別に制御する。これにより、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、３つのアンテナ７を用いてプラズマを安定させながら筐体（処理室）２の内部の被処理サンプルＷに所要のプラズマ処理を行うことができる。なお、ここでいう所要のプラズマ処理とは、被処理サンプルＷに対して、例えば、面内均一に成膜処理などの処理を行うことをいう。

【0056】

具体的にいえば、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、電源８におけるデューティ比を個別に制御することにより、各アンテナ７に対応した、上記高周波回路のインピーダンス（例えば、上記整合回路の可変コンデンサの容量）を変更することなく、各アンテナ７によるプラズマを安定させた状態で維持することができる。この結果、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、プラズマに含まれたラジカル及びイオンなどの被処理サンプルＷに向かう活性種のフラックス比の制御をアンテナ７単位に適切に行うことができ、被処理サンプルＷに対する所要のプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0057】

また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナ７単位に上記デューティ比を制御することから、各アンテナ７によるプラズマの密度を局所的に調整することができる。この結果、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、被処理サンプルＷに対して、アンテナ７毎に異なる条件での所要のプラズマ処理を行うことができる。換言すれば、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、アンテナ７単位に、被処理サンプルＷに対して、例えば、異なる特性の皮膜を成膜したり、異なる条件でエッチング処理したりすることができる。

【0058】

また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、図３に示したように、３つのプラズマ発光モニタＰＤ及び２つのプラズマ発光モニタＰＤが配列方向ＭＨ及び直交方向ＴＨの各々の方向に沿ってそれぞれ設けられている。また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃは５つのプラズマ発光モニタＰＤの検出結果を用いて、３つの電源８における上記デューティ比を個別に制御する。

【0059】

これにより、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃは３つの各アンテナ７によるプラズマの状態を把握することができる。この結果、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃはプラズマの安定な状態を確保しつつ、被処理サンプルＷに対する高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0060】

具体的にいえば、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃが５つの各プラズマ発光モニタＰＤの検出結果を用いることにより、制御部Ｃは、被処理サンプルＷに向かう、上記活性種のフラックスに対して、同じ分子量においてもラジカルまたはイオンの解離状態に対応したプラズマの発光強度で区別して、当該発光強度をリアルタイムで検知することができる。この結果、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃはアンテナ７単位に、所望の活性種のフラックス比でのプラズマ処理を被処理サンプルＷに施すことができる。

【0061】

換言すれば、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃが５つのプラズマ発光モニタＰＤの各検出結果に含まれた発光強度が均一になるように、各アンテナ７のデューティ比を制御することにより、被処理サンプルＷに対するフラックス比を均一化して、成膜される、皮膜の膜質分布を均一にすることができる。

【0062】

また、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃは電源８における上記デューティ比の個別制御を行うことから、アンテナ７毎に高周波電流を流さない、オフの期間（つまり、上記第１期間以外の期間）を容易に設定することができる。これにより、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃはオフの期間の間、被処理サンプルＷに対して、プラズマによる温度上昇及びシース電界を低下させることが可能となり、当該被処理サンプルＷに対するイオン衝撃によるダメージを抑制することができる。

【0063】

＜動作例＞
ここで、図５及び図６も参照して、本実施形態１のプラズマ処理装置１における、制御部Ｃの制御動作による効果について具体的に説明する。図５は、上記プラズマ処理装置１において、デューティ比を変更した場合での発光強度比の変化の具体例を示すグラフである。図６は、上記プラズマ処理装置１において、デューティ比を変更した場合での成膜速度の変化の具体例を示すグラフである。

【0064】

なお、図５を用いた説明においては、本実施形態１のプラズマ処理装置１に対して、例えば、フッ化シリコンガス（ＳｉＦ₄）、窒素ガス、及び水素ガスを上記処理ガスとした状態で、被処理サンプルＷにシリコン窒化膜を形成する、第１検証試験の結果を例示して説明する。

【0065】

また、図５において、プラズマ発光モニタＰＤの検出結果である、プラズマに含まれた波長スペクトルとして、シリコンは２５３ｎｍ、フッ化シリコン（ＳｉＦ）は２９５ｎｍ、窒素ガスは３１６ｎｍ、及び水素ガスは６５７ｎｍを採用して、下記の各発光強度比を求めた。さらに、この第１検証試験では、デューティ比の周期として、例えば、１ｍｓｅｃを用いて、オンの期間／オフの期間のデューティ比を変更した。

【0066】

図５の横軸に例示するように、制御部Ｃがアンテナ７のデューティ比を変更した場合、窒素ガス／フッ化シリコンの発光強度比は、デューティ比に応じて、同図５に△にて示す値が求められた。また、この検証試験の結果、被処理サンプルＷにおいては、デューティ比が小さいほど、長寿命である窒素ガスのラジカルが当該被処理サンプルＷ近傍に多数存在する。このため、被処理サンプルＷにおいては、窒化が促進されて、良質なシリコン窒化膜が成膜されることが確認された。

【0067】

また、制御部Ｃがアンテナ７のデューティ比を変更した場合、シリコン／フッ化シリコンの発光強度比は、デューティ比に応じて、同図５に〇にて示す値が求められた。また、この検証試験の結果、フッ化シリコンガスのプラズマによる分解に対して、シリコンのラジカルの存在は過剰なプラズマ反応と考えられる。また、シリコンのラジカルは、未結合手も多いことから、シリコン窒化膜中への欠陥要因となる。このため、シリコンのラジカルが少ない方、つまり、デューティ比が小さいほど、良質なシリコン窒化膜を被処理サンプルＷに成膜できることが確認された。

【0068】

また、制御部Ｃがアンテナ７のデューティ比を変更した場合、窒素ガス／水素ガスの発光強度比は、デューティ比に応じて、同図５に□にて示す値が求められた。また、この検証試験の結果、被処理サンプルＷにおいては、デューティ比が小さいほど、長寿命である窒素ガスのラジカルが当該被処理サンプルＷ近傍に多数存在する。このため、被処理サンプルＷにおいては、窒化が促進されて、良質なシリコン窒化膜が成膜されることが確認された。

【0069】

以上のように、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃが５つの各プラズマ発光モニタＰＤの検出結果を用いることにより、所望の活性種のフラックス比でのプラズマ処理を被処理サンプルＷに施すことができることが実証された。

【0070】

次に、図６を用いて、本実施形態１のプラズマ処理装置１における、第２検証試験の結果例を説明する。この第２検証試験では、上記第１検証試験と同じ処理ガスを用いて、被処理サンプルＷにシリコン窒化膜を形成した場合における成膜速度を測定した。

【0071】

図６に点線７０にて示すように、第２検証試験において、制御部Ｃがアンテナ７のデューティ比を変更することにより、被処理サンプルＷに対する、シリコン窒化膜の成膜速度を制御（変更）できることが確かめられた。換言すれば、本実施形態１のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃはプラズマ処理の処理時間を鑑みつつ、良質な皮膜の成膜処理を選択的に行えることが実証された。

【0072】

また、デューティ比と成膜速度は単純な比例関係になく、オンの期間を短くする割に成膜速度が高い。そのため、デューティ比の制御によって、被処理サンプルＷ０の表面の温度上昇（オンの期間に比例する事象）を抑えつつ、高い成膜速度を実現することができることが確認された。

【0073】

なお、複数のアンテナに対して、電源からの投入電力の増減調整または高周波電流の振幅変調などを一括して制御する比較例では、本実施形態１のものと異なり、上記高周波回路のインピーダンスが大きく変化して、上記整合回路内の可変コンデンサの容量もまた変化することにより、プラズマが不安定なものとなる。

【0074】

換言すれば、比較例では、可変コンデンサの容量が変化すると、プラズマ点灯時において、上記整合回路でのマッチングまでに時間を要することとなり、プロセス処理が不安定になったり、可変コンデンサの摺動部の劣化が進行し易くなったりするという別の問題点が生じる。さらに、この比較例においては、本実施形態１のものと異なり、筐体（処理室）内のプラズマの密度を局所的に調整（制御）することが困難であり、本実施形態１のものと異なり、単一の処理室の内部において、異なる条件でのプラズマ処理を行うことは難しいものであった。

【0075】

〔実施形態２〕
本開示の実施形態２について図７を用いて具体的に説明する。図７は、本開示の実施形態２に係るプラズマ処理装置１の要部構成を説明する図である。なお、説明の便宜上、上記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、図７では、図面の簡略化のために、図１に示したステージ駆動部ＳＤの図示は省略している。

【0076】

実施形態２と実施形態１との主な相違点は、筐体２の内部で被処理サンプルＷ０を配列方向ＭＨに搬送する搬送機構Ｍ１を設けるとともに、被処理サンプルＷ０の温度を検知する温度検知部Ｓ１、Ｓ２を設けた点である。

【0077】

図７に示すように、本実施形態２のプラズマ処理装置１においては、被処理物としての被処理サンプルＷ０がステージ６１上に設置されている。ステージ６１には、例えば、図１に示したステージ駆動部ＳＤに加えて、当該ステージ６１を配列方向ＭＨに沿って往復移動するための搬送機構Ｍ１が設けられている。搬送機構Ｍ１は、図示しないモータ等の駆動部材を備えるとともに、制御部Ｃからの指示に従って、被処理サンプルＷ０を載置したステージ６１を、図７に示す状態から同図７に矢印ＳＨに示す方向（つまり、配列方向ＭＨ）に沿って搬送する。

【0078】

換言すれば、本実施形態２のプラズマ処理装置１においては、被処理サンプルＷ０は、搬送機構Ｍ１の動作によるステージ６１の移動に応じて、３つのアンテナ７の下方、つまり、各アンテナ７による局所的なプラズマの発生領域を順次通過するように搬送される。

【0079】

また、本実施形態２のプラズマ処理装置１においては、複数、例えば、２つの温度検知部Ｓ１、Ｓ２が配列方向ＭＨに沿って設けられている。具体的にいえば、図７に示すように、温度検知部Ｓ１がアンテナ７１とアンテナ７２との間で第３辺部３ｃに設置され、温度検知部Ｓ２がアンテナ７２とアンテナ７２との間で第４辺部３ｄに設置されている。また、温度検知部Ｓ１、Ｓ２は、各々、その下方を通過する被処理サンプルＷ０の温度として、当該被処理サンプルＷ０の表面温度を検知して、検知結果を制御部Ｃに出力するようになっている。

【0080】

また、本実施形態２のプラズマ処理装置１においては、制御部Ｃは、実施形態１のものと同様に、５つの各プラズマ発光モニタＰＤから検出結果が入力される。また、制御部Ｃは、各プラズマ発光モニタＰＤから検出結果と２つの温度検知部Ｓ１、Ｓ２の検知結果を用いて、３つのアンテナ７毎に上記デューティ比を個別に制御する。

【0081】

以上の構成により、本実施形態２のプラズマ処理装置１は、実施形態１のものと同様な効果を奏する。

【0082】

また、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、被処理サンプルＷ０は搬送機構Ｍ１によって３つのアンテナ７の配列方向ＭＨに沿って搬送されるので、当該被処理サンプルＷ０に対して、異なるアンテナ７によるプラズマを用いたプラズマ処理を施すことができ、異なる条件でのプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0083】

換言すれば、本実施形態２では、実施形態１に比べて、各アンテナ７によるプラズマの密度を局所的により容易に調整することができることから、アンテナ７単位に、被処理サンプルＷ０に対して、例えば、異なる特性の複数の皮膜を積層するように順次成膜したり、異なる条件で、硬度が互いに相違する積層膜に対して順次エッチング処理したりすることができる。

【0084】

また、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃは、実施形態１のものと同様に、５つのプラズマ発光モニタＰＤの検出結果を用いて、３つの電源８における上記デューティ比を個別に制御する。これにより、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃは３つの各アンテナ７によるプラズマの状態を把握することができ、制御部Ｃはプラズマの安定な状態を確保しつつ、被処理サンプルＷに対する高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0085】

また、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃは、２つの温度検知部Ｓ１、Ｓ２の検知結果を用いて、３つの電源８における上記デューティ比を個別に制御する。これにより、本実施形態２のプラズマ処理装置１では、制御部Ｃは被処理サンプルＷ０の温度を把握することができることから、プラズマの安定な状態を確保しつつ、被処理サンプルＷ０に対するより高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0086】

ここで、図８を用いて、本実施形態２のプラズマ処理装置１における、第３検証試験の結果例を説明する。図８は、図７に示したプラズマ処理装置１において、デューティ比を変更した場合での表面温度と成膜速度との具体的な関係の例を説明するグラフである。この第３検証試験では、上記第１検証試験と同じ処理ガスを用いて、被処理サンプルＷ０にシリコン窒化膜を形成した。

【0087】

また、第３検証試験では、上記温度センサによって検出される、ステージ６１の温度を、例えば、１５０℃（図８に実線９１及び実線９４にて図示）または２４０℃（図８に点線９２及び点線９３にて図示）とした場合について説明する。また、図８では、縦軸が左右の２軸に応じたものであり、点線９３と実線９４は左の縦軸、実線９１と点線９２は右の縦軸に対応している。さらに、左の縦軸の成膜速度は、例えば、エリプソメーターで測定した膜厚と成膜時間とを基に求めた。

【0088】

図８に実線９１及び点線９２に示すように、いずれのステージ６１の温度の場合も、被処理サンプルＷ０の温度は、デューティ比の減少に伴いリニアに減少した。これは、デューティ比に関わらず、被処理サンプルＷ０の温度がオンの期間の長さに比例することを表す。一方、いずれのステージ６１の温度の場合も、成膜速度は、デューティ比の減少に伴いリニアに減少した場合の値よりも大きい値をとった。

【0089】

これは、デューティ比を下げることにより、オンの期間の長さあたりの成膜速度は上昇することを表す。この理由としては、プラズマ消灯中においても残留したラジカルがプラズマ処理に寄与するためである。結果として、プラズマ処理中に高周波電流のデューティ比を下げることにより、プラズマ処理に要するオンの期間を短縮でき、被処理サンプルＷ０の温度を低減できる。

【0090】

なお、被処理サンプルＷ０の表面温度が３００℃以下である場合には、制御部Ｃが、各アンテナ７のデューティ比を変更する場合、ステージ６１の温度に関わらず、被処理サンプルＷ０の表面温度及び被処理サンプルＷ０に対するシリコン窒化膜の成膜速度も変化することが確認された。

【0091】

また、図８に実線９４及び点線９３に示すように、被処理サンプルＷ０の表面温度が３００℃以上５００℃以下である場合には、制御部Ｃが、各アンテナ７のデューティ比を変更する場合、ステージ６１の温度に関わらず、被処理サンプルＷ０の表面温度及び被処理サンプルＷ０に対するシリコン窒化膜の成膜速度も変化することが確認された。さらに、被処理サンプルＷ０の表面温度が高い温度である場合の方が、各アンテナ７のデューティ比を大きくするにつれて、被処理サンプルＷ０の表面温度が低い温度である場合に比べて、当該表面温度の温度上昇及び上記成膜速度の速度上昇も大きくなることが実証された。

【0092】

〔変形例〕
本開示の変形例について、図９を用いて具体的に説明する。図９は、図７に示したプラズマ処理装置１の変形例の要部構成を説明する図である。なお、説明の便宜上、上記実施形態２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

【0093】

変形例と実施形態２との主な相違点は、搬送機構Ｍ１に代えて、ステージ６上で被処理サンプルＷ０を配列方向ＭＨに沿って搬送する搬送機構Ｍ２を設けた点である。図９に示すように、本変形例のプラズマ処理装置１においては、ステージ６上で被処理サンプルＷ０を挟持した状態で配列方向ＭＨに沿って往復移動するための搬送機構Ｍ２が設けられている。

【0094】

搬送機構Ｍ２は、図示しないモータ等の駆動部材を備えるとともに、制御部Ｃからの指示に従って、被処理サンプルＷ０を、図９に示す状態から同図９に矢印ＳＨに示す方向（つまり、配列方向ＭＨ）に沿って搬送する。以上の構成により、本変形例のプラズマ処理装置１は、実施形態２のものと同様な効果を奏する。

【0095】

なお、上記の説明では、直線状のアンテナ７を用いた場合について説明したが、本開示は処理室（筐体２）の内部にプラズマを発生させるための磁界を生成するものであれば何等限定されない。例えば、渦巻状に形成されたアンテナを用いることもできる。

【0096】

また、上記の説明では、少なくとも２つの電源８として、アンテナ７の設置数と同じ３つの電源８を用いた場合について説明したが、本開示の電源８の設置数はこれに限定されるものではなく、制御部Ｃが少なくとも２つの電源８におけるデューティ比を個別に制御するものであればよい。具体的にいえば、例えば、４つのアンテナ７を設けた場合において、１つの電源８に対して、２つのアンテナ７を並列または直列に接続することにより、制御部Ｃは、当該１つの電源８と、残り２つのアンテナ７にそれぞれ直列に接続された２つの各電源８とにおいて、３つの電源８におけるデューティ比を個別に制御するものでもよい。

【0097】

〔まとめ〕
上記の課題を解決するために、本開示の第１態様のプラズマ処理装置は、処理室と、前記処理室の内部にプラズマを発生させるための磁界を生成する、複数のアンテナと、前記複数のアンテナに前記磁界を生成させるための高周波電流を供給する、少なくとも２つの電源と、制御部と、を備え、前記電源は、前記プラズマを所要の周期で間歇的に発生させるように、前記周期のうちの所要のデューティ比の第１期間において、前記プラズマを発生させる高周波電流を供給する電源であり、前記制御部は、前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御する。

【0098】

上記構成によれば、複数のアンテナを用いてプラズマを安定させながら処理室の内部の被処理物に所要のプラズマ処理を行うことができる。

【0099】

本開示の第２態様は、第１態様のプラズマ処理装置において、前記処理室の内部に生じたプラズマの発光をモニタする、複数のプラズマ発光モニタを、さらに備え、前記制御部は、前記複数のプラズマ発光モニタの検出結果を用いて、前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御してもよい。

【0100】

上記構成によれば、制御部は複数の各アンテナによるプラズマの状態を把握することができることから、複数のアンテナを用いてプラズマを安定させながら処理室の内部の被処理物に所要のプラズマ処理をより高精度に行うことができる。

【0101】

本開示の第３態様は、第２態様のプラズマ処理装置において、前記複数のアンテナは、所定の配列方向に沿って配列されており、前記複数のプラズマ発光モニタには、前記配列方向及び当該配列方向に直交する直交方向の各々の方向に沿って複数設けられた前記プラズマ発光モニタが含まれてもよい。

【0102】

上記構成によれば、複数のプラズマ発光モニタが複数のアンテナの配列方向及び当該配列方向に直交する直交方向の各々の方向に沿って設けられているので、プラズマの安定な状態を確保しつつ、被処理物に対する高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0103】

本開示の第４態様は、第１態様から第３態様のいずれかの態様のプラズマ処理装置において、前記複数のアンテナは、所定の配列方向に沿って配列されており、前記処理室の内部で被処理物を前記配列方向に搬送する搬送機構を、さらに備えてもよい。

【0104】

上記構成によれば、被処理物は搬送機構によって複数のアンテナの配列方向に沿って搬送されるので、当該被処理物に対して、異なるアンテナによるプラズマを用いたプラズマ処理を施すことができ、異なる条件でのプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0105】

本開示の第５態様は、第４態様のプラズマ処理装置において、前記処理室の内部に生じたプラズマの発光をモニタする、複数のプラズマ発光モニタを、さらに備え、前記複数のプラズマ発光モニタは、前記配列方向に沿って設けられ、前記制御部は、前記複数のプラズマ発光モニタの検出結果を用いて、前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御してもよい。

【0106】

上記構成によれば、制御部は複数の各アンテナによるプラズマの状態を把握することができることから、被処理物に対して、異なるアンテナによるプラズマを用いたより高精度なプラズマ処理を施すことができ、異なる条件でのより高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0107】

本開示の第６態様は、第１態様から第５態様のいずれかの態様のプラズマ処理装置において、前記被処理物の温度を検知する、複数の温度検知部を、さらに備え、前記複数の温度検知部は、前記配列方向に沿って設けられ、前記制御部は、前記複数の温度検知部の検知結果を用いて、前記少なくとも２つの電源における前記デューティ比を個別に制御してもよい。

【0108】

上記構成によれば、制御部は被処理物の温度を把握することができることから、プラズマの安定な状態を確保しつつ、被処理物に対するより高精度なプラズマ処理を容易に行うことができる。

【0109】

本開示は上述した各実施形態及び変形例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態及び変形例に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0110】

１ プラズマ処理装置
２ 筐体（処理室）
７、７１、７２、７３ アンテナ
８、８１、８２、８３ 電源
Ｃ 制御部
ＰＤ プラズマ発光モニタ
Ｓ１、Ｓ２ 温度検知部
Ｍ１、Ｍ２ 搬送機構

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】