(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024160481
(43)【公開日】2024-11-14
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法
(51)【国際特許分類】
H05H 1/46 20060101AFI20241107BHJP
【ＦＩ】
H05H1/46 R
H05H1/46 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023075521
(22)【出願日】2023-05-01
(71)【出願人】
【識別番号】000003942
【氏名又は名称】日新電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000338
【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ
(72)【発明者】
【氏名】藤原 将喜
(72)【発明者】
【氏名】東 大介
(72)【発明者】
【氏名】酒井 敏彦
【テーマコード（参考）】
2G084
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084AA03
2G084AA04
2G084AA05
2G084BB11
2G084CC08
2G084CC12
2G084CC13
2G084CC33
2G084DD04
2G084DD12
2G084DD22
2G084DD25
2G084DD32
2G084DD35
2G084DD55
2G084FF32
2G084HH21
2G084HH26
2G084HH32
2G084HH45
2G084HH57
(57)【要約】
【課題】基板の温度を適切に検知できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置（１）は、アンテナ（７）と、高周波電源（８）と、基板（Ｗ）の温度を検知する少なくとも１つの検知部（Ｄ）と、を備え、前記高周波電源は、高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、プラズマを間歇的に発生させ、前記検知部は、前記プラズマの消灯に同期して基板の温度を検知する。
【選択図】図１
【解決手段】プラズマ処理装置（１）は、アンテナ（７）と、高周波電源（８）と、基板（Ｗ）の温度を検知する少なくとも１つの検知部（Ｄ）と、を備え、前記高周波電源は、高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、プラズマを間歇的に発生させ、前記検知部は、前記プラズマの消灯に同期して基板の温度を検知する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、
前記真空容器に設けられた観測窓と、
前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、
前記高周波電源は、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させ、
前記検知部は、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する、プラズマ処理装置。
真空容器と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、
前記真空容器に設けられた観測窓と、
前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、
前記高周波電源は、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させ、
前記検知部は、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する、プラズマ処理装置。
【請求項2】
前記検知部が検知した前記基板の温度に基づき、前記高周波電流の波形を制御する制御部をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
複数の前記プラズマ発生部と、
前記複数のプラズマ発生部に高周波電流を供給する少なくとも２つの前記高周波電源と、
複数の前記検知部と、を備え、
前記複数の検知部がそれぞれ検知した前記基板の温度に基づき、前記少なくとも２つの高周波電源がそれぞれ前記複数のプラズマ発生部に供給する前記高周波電流の波形を個別に制御する制御部をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記複数のプラズマ発生部に高周波電流を供給する少なくとも２つの前記高周波電源と、
複数の前記検知部と、を備え、
前記複数の検知部がそれぞれ検知した前記基板の温度に基づき、前記少なくとも２つの高周波電源がそれぞれ前記複数のプラズマ発生部に供給する前記高周波電流の波形を個別に制御する制御部をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記複数の検知部は、前記基板の第１位置における温度を検知する第１検知部と、前記基板の第２位置における温度を検知する第２検知部とを含み、
前記制御部は、前記第１位置における温度と前記第２位置における温度との差を低減するように、前記少なくとも２つの高周波電源がそれぞれ前記複数のプラズマ発生部に供給する前記高周波電流の波形を制御する、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記第１位置における温度と前記第２位置における温度との差を低減するように、前記少なくとも２つの高周波電源がそれぞれ前記複数のプラズマ発生部に供給する前記高周波電流の波形を制御する、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記制御部は、前記プラズマの点灯に対応する、前記高周波電流の大きさが第１電流値以上である期間の割合を制御する、請求項２または３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
前記検知部は、前記基板の表面に対向する位置に設けられる、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】
前記真空容器内を照明する照明部をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】
プラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置の制御方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
真空容器と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、
前記真空容器に設けられた観測窓と、
前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、
前記高周波電源により、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させるプラズマ発生ステップと、
前記検知部により、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する検知ステップと、を含む、プラズマ処理装置の制御方法。
前記プラズマ処理装置は、
真空容器と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、
前記真空容器に設けられた観測窓と、
前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、
前記高周波電源により、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させるプラズマ発生ステップと、
前記検知部により、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する検知ステップと、を含む、プラズマ処理装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、処理室（真空容器）内にプラズマを発生させて基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が知られている。例えば、特許文献１には、アンテナに高周波電流を流すことにより誘導結合型のプラズマを生成する誘導結合プラズマ処理装置であって、処理室内に供給される高周波電力を時間変調することにより、処理室内のプラズマ密度を制御する誘導結合プラズマ処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２００２－５３８６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上述のような従来技術は、基板の温度を検知するといった技術的思想を有しない。そのため、製品の品質および歩留まりを向上させるといった観点において、改善の余地があった。
【0005】
本発明の一態様は、基板の温度を適切に検知できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るプラズマ処理装置は、プラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置であって、真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、前記真空容器に設けられた観測窓と、前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、前記高周波電源は、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させ、前記検知部は、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する。
【0007】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るプラズマ処理装置の制御方法は、プラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置の制御方法であって、前記プラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、前記真空容器に設けられた観測窓と、前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、前記高周波電源により、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させるプラズマ発生ステップと、前記検知部により、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する検知ステップと、を含む。
【発明の効果】
【0008】
本発明の一態様によれば、基板の温度を適切に検知できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の実施形態１に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図2】上記プラズマ処理装置の側面断面図である。
【図3】上記プラズマ処理装置の高周波電源がアンテナに供給する高周波電流の波形の一例を示す図である。
【図4】上記プラズマ処理装置の監視装置の要部構成を示す機能ブロック図である。
【図5】基板の温度の制御方法の一例を説明する図である。
【図6】上記高周波電流のデューティ比に対する成膜速度および基板の温度を示す図である。
【図7】本発明の実施形態２に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図8】上記プラズマ処理装置の側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
〔実施形態１〕
図１は、あるアンテナ７を含む切断面でプラズマ処理装置１を切断した正面断面図である。図２は、複数のアンテナ７がそれぞれ延びる方向に垂直な切断面でプラズマ処理装置１を切断した側面断面図である。図２では、一部の部材（高周波電源８）の図示を省略している。まず、プラズマ処理装置１の概略構成について図１、図２を参照して以下に説明する。
図１は、あるアンテナ７を含む切断面でプラズマ処理装置１を切断した正面断面図である。図２は、複数のアンテナ７がそれぞれ延びる方向に垂直な切断面でプラズマ処理装置１を切断した側面断面図である。図２では、一部の部材（高周波電源８）の図示を省略している。まず、プラズマ処理装置１の概略構成について図１、図２を参照して以下に説明する。
【0011】
＜プラズマ処理装置１の構成＞
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、筐体２と、フランジ３と、真空カバー４と、アンテナカバー５と、ステージ６と、アンテナ７（プラズマ発生部）と、高周波電源８と、監視装置２０とを備える。プラズマ処理装置１では、アンテナ７に高周波電源８から高周波電圧を印加することにより、アンテナ７に高周波電流が流れる。これにより、筐体２内に誘導電界が発生して誘導結合型のプラズマが生成される。プラズマ処理装置１は、このような誘導結合型のプラズマを用いて、筐体２内に配置された基板Ｗ（被処理サンプル）に所定のプラズマ処理を施すものである。
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、筐体２と、フランジ３と、真空カバー４と、アンテナカバー５と、ステージ６と、アンテナ７（プラズマ発生部）と、高周波電源８と、監視装置２０とを備える。プラズマ処理装置１では、アンテナ７に高周波電源８から高周波電圧を印加することにより、アンテナ７に高周波電流が流れる。これにより、筐体２内に誘導電界が発生して誘導結合型のプラズマが生成される。プラズマ処理装置１は、このような誘導結合型のプラズマを用いて、筐体２内に配置された基板Ｗ（被処理サンプル）に所定のプラズマ処理を施すものである。
【0012】
ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイまたは有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板、フレキシブル基板などである。また、基板Ｗに施すプラズマ処理は、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相堆積）法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリングなどである。
【0013】
なお、このプラズマ処理装置１は、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う場合はプラズマＣＶＤ装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。
【0014】
図２に示すように、プラズマ処理装置１には、複数のアンテナ７が並んで設けられている。後述する真空カバー４及びアンテナカバー５は、アンテナ７毎に設置されている。以下、プラズマ処理装置１において、複数のアンテナ７が設けられている側を上方、ステージ６が設けられている側を下方と称する。また、複数のアンテナ７がそれぞれ延びる方向を左右方向、複数のアンテナ７が並ぶ方向を前後方向と称する。なお、本実施形態では、プラズマ処理装置１に４つのアンテナ７が設けられている一例を示しているが、アンテナ７の数としてはこれに限定されない。
【0015】
＜筐体２＞
筐体２は、基板Ｗに対して上記所定のプラズマ処理を行う処理室を構成するための筐体本体２ａを備える。筐体本体２ａは、上側が開口した箱体状の部材である。
筐体２は、基板Ｗに対して上記所定のプラズマ処理を行う処理室を構成するための筐体本体２ａを備える。筐体本体２ａは、上側が開口した箱体状の部材である。
【0016】
筐体本体２ａの開口部（筐体開口部２ｂ）には、複数の開口部を有するフランジ３が気密に取り付けられている。フランジ３の複数の開口部は、真空カバー４によって閉塞される。換言すれば、筐体２の上面側において、フランジ３及び真空カバー４が取り付けられた場合、筐体開口部２ｂは、フランジ３及び真空カバー４によって閉塞される。このように、フランジ３及び真空カバー４がそれぞれ筐体本体２ａ及びフランジ３に気密に取り付けられることにより、筐体２は、上記処理室を含んだ真空容器を構成する。
【0017】
また、筐体開口部２ｂの内部に後述するアンテナカバー５を取り付けることによって、当該筐体２の内部空間が画定されてプラズマ生成領域ＨＡが筐体本体２ａの内部に形成される。このプラズマ生成領域ＨＡの内部には、ステージ６及び当該ステージ６に支持された基板Ｗが配置されるようになっており、プラズマ生成領域ＨＡが上記処理室を実質的に構成している。換言すれば、筐体２では、アンテナカバー５により、プラズマ生成領域ＨＡとプラズマ非生成領域（後述するアンテナ収容空間ＡＫ）とが互いに区切られている。
【0018】
また、図１に示すように、筐体２では、真空ポンプＰＯが筐体本体２ａに連結されている。プラズマ生成領域ＨＡの内部は、真空ポンプＰＯにより少なくともプラズマ処理の際に所定の真空度とされる。
【0019】
また、筐体２は、上記所定のプラズマ処理に対応した処理ガスを、所定の真空度となったプラズマ生成領域ＨＡ（処理室）の内部に導入する処理ガス供給部（図示せず）を備えてもよい。処理ガスの雰囲気下で当該プラズマ処理が行われるようになっている。なお、処理ガスは、例えば、アルゴン、水素、窒素、シラン、メタン、酸素、または三フッ化窒素である。
【0020】
＜フランジ３＞
フランジ３は、例えば、互いに対向する２つの第１辺部３ａ（図２）と、第１辺部３ａに直交するとともに、互いに対向する２つの第２辺部３ｂ（図１）と、を有する矩形状の枠体を備える。また、フランジ３は、例えば、上記枠体の内側において一方の第２辺部３ｂから他方の第２辺部３ｂにわたって設けられた、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅを備える。換言すれば、これらの第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅの各両端部は、第２辺部３ｂに連続して形成されている。第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅは、２つの第１辺部３ａの間において、第１辺部３ａと平行となるように形成されていてよい。
フランジ３は、例えば、互いに対向する２つの第１辺部３ａ（図２）と、第１辺部３ａに直交するとともに、互いに対向する２つの第２辺部３ｂ（図１）と、を有する矩形状の枠体を備える。また、フランジ３は、例えば、上記枠体の内側において一方の第２辺部３ｂから他方の第２辺部３ｂにわたって設けられた、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅを備える。換言すれば、これらの第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅの各両端部は、第２辺部３ｂに連続して形成されている。第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅは、２つの第１辺部３ａの間において、第１辺部３ａと平行となるように形成されていてよい。
【0021】
また、第１辺部３ａ、第２辺部３ｂ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅはそれぞれ、筐体開口部２ｂ側に突出する後述の突出部を有していてよい。以下、第１辺部３ａ、第２辺部３ｂ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅを、辺部３ｈと総称する。
【0022】
＜真空カバー４＞
また、プラズマ処理装置１には、筐体開口部２ｂを閉塞する真空カバー４が、当該筐体開口部２ｂに脱着可能に取り付けられるように構成されている。ここで、フランジ３は、上記処理室の外部から当該処理室の内部に向かう方向において筐体開口部２ｂの開口面積を段階的に小さくするように形成された突出部を有していてよい。例えば、第１辺部３ａ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅのそれぞれは、筐体開口部２ｂの内部において、真空カバー４の周縁部を係止するように突出する第１の支持部を有していてよい。第１の支持部は上記突出部の一部であってよい。また、真空カバー４は、外側カバーの一例であり、第２辺部３ｂの上面に当接するとともに、第１辺部３ａ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅにおける第１の支持部の上面に当接して支持される。真空カバー４は、例えば、金属製である。
また、プラズマ処理装置１には、筐体開口部２ｂを閉塞する真空カバー４が、当該筐体開口部２ｂに脱着可能に取り付けられるように構成されている。ここで、フランジ３は、上記処理室の外部から当該処理室の内部に向かう方向において筐体開口部２ｂの開口面積を段階的に小さくするように形成された突出部を有していてよい。例えば、第１辺部３ａ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅのそれぞれは、筐体開口部２ｂの内部において、真空カバー４の周縁部を係止するように突出する第１の支持部を有していてよい。第１の支持部は上記突出部の一部であってよい。また、真空カバー４は、外側カバーの一例であり、第２辺部３ｂの上面に当接するとともに、第１辺部３ａ、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、及び第５辺部３ｅにおける第１の支持部の上面に当接して支持される。真空カバー４は、例えば、金属製である。
【0023】
＜アンテナカバー５＞
また、プラズマ処理装置１には、アンテナカバー５が筐体開口部２ｂの内部にてフランジ３に対し取り外し可能に支持されている。具体的には、アンテナカバー５は、図１及び図２に示すように、例えば、断面Ｕ字状に構成されたアンテナ収容部５ａを備える。また、アンテナカバー５は、カバー支持部５ｂと、カバー開口部５ｃとを備える。アンテナカバー５は、例えば、アルミナなどの誘電材料を用いて構成されており、誘電性を有する内側カバーを構成している。
また、プラズマ処理装置１には、アンテナカバー５が筐体開口部２ｂの内部にてフランジ３に対し取り外し可能に支持されている。具体的には、アンテナカバー５は、図１及び図２に示すように、例えば、断面Ｕ字状に構成されたアンテナ収容部５ａを備える。また、アンテナカバー５は、カバー支持部５ｂと、カバー開口部５ｃとを備える。アンテナカバー５は、例えば、アルミナなどの誘電材料を用いて構成されており、誘電性を有する内側カバーを構成している。
【0024】
アンテナ収容部５ａは、アンテナ７の形状に対応するように形成されている。アンテナ収容部５ａは、アンテナ７が取り付けられた状態において、アンテナ７の外周面の一部を覆うような形状に構成されている。
【0025】
カバー支持部５ｂは、断面Ｕ字状のアンテナ収容部５ａの２つの端部から連続的に形成されるとともに、アンテナ収容部５ａの端部から外向きに張り出すように形成された鍔部である。つまり、カバー支持部５ｂは、外向きフランジ形状を有する。
【0026】
ここで、例えば、フランジ３の辺部３ｈは、筐体開口部２ｂの内部において、アンテナカバー５の周縁部を係止するように突出する第２の支持部を有していてよい。第２の支持部は、上記突出部の一部であり、上記第１の支持部よりも筐体開口部２ｂの内部側に突出している（突出長が大きい）。アンテナカバー５が筐体開口部２ｂの内部に支持された状態において、カバー支持部５ｂは、フランジ３の辺部３ｈ（の上記第２の支持部）によって支持される。
【0027】
カバー開口部５ｃは、アンテナ収容部５ａによって囲まれて形成された開口である。カバー開口部５ｃは、真空カバー４側に開口するように設けられている。
【0028】
また、筐体２には、少なくとも真空カバー４及びアンテナカバー５によって囲まれたアンテナ収容空間ＡＫが形成されている。このアンテナ収容空間ＡＫは、包囲空間の一例であり、誘導結合性のプラズマを発生させるためのアンテナ７が収容されている。但し、このアンテナ収容空間ＡＫには、その空間の大きさがアンテナ７によるプラズマを維持することができない大きさに設定されているため、プラズマ非生成領域として機能する。
【0029】
＜アンテナ７＞
図１に示すように、アンテナ７は、長尺の直線状部と、当該直線状部の両端において上方に屈曲する屈曲部とを有する。アンテナ７は、例えば、円筒状に構成されるとともに、銅などの金属材料を用いて構成されている。また、アンテナ７の一方の端部及び他方の端部は、それぞれアンテナ絶縁部４１ａ及び４１ｂを介して真空カバー４に電気的に絶縁された状態で設けられており、筐体２の外部に気密に引き出されている。
図１に示すように、アンテナ７は、長尺の直線状部と、当該直線状部の両端において上方に屈曲する屈曲部とを有する。アンテナ７は、例えば、円筒状に構成されるとともに、銅などの金属材料を用いて構成されている。また、アンテナ７の一方の端部及び他方の端部は、それぞれアンテナ絶縁部４１ａ及び４１ｂを介して真空カバー４に電気的に絶縁された状態で設けられており、筐体２の外部に気密に引き出されている。
【0030】
アンテナ７の一方の端部は、高周波電源８から供給される高周波電力を受け取る。アンテナ７の他方の端部は、電気的に接地されている。以下、アンテナ７の一方の端部及び他方の端部をそれぞれ給電側端部７ａ及び接地側端部７ｂと称する。アンテナ７の給電側端部７ａには整合回路９が接続されている。アンテナ７の接地側端部７ｂには可変コンデンサＶＣが接続されている。可変コンデンサＶＣは、インピーダンスが可変であるインピーダンス調整部の一例であり、これに限定されるものではない。
【0031】
また、アンテナ７には、チラー１０が接続されており、当該チラー１０によって循環された冷却媒体、例えば、冷却水によってアンテナ７は所定温度に冷却されるようになっている。具体的には、チラー１０は、図示しないポンプ等の駆動部を含み、冷却水を循環させるためのチラー本体１０ａと、チラー本体１０ａに気密に連結された配管１０ｂとを備えている。また、配管１０ｂは、アンテナ７の内部空間にも配置されており、アンテナ７の当該内部空間を冷却水の循環路として利用するよう構成されている。すなわち、アンテナ７には、図１に矢印Ｒ１及びＲ２にて示すように、アンテナ７の内部空間に冷却水を流すことにより、当該アンテナ７の冷却を行うようになっている。
【0032】
＜高周波電源８＞
高周波電源８は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を整合回路９を介して給電側端部７ａに供給する。ここで、高周波電源８は、高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、プラズマを間歇的に発生させる。詳細には、高周波電源８は、プラズマの点灯に対応する、高周波電流の大きさが第１電流値以上である第１期間ＴＡ（オンの期間）と、プラズマの消灯に対応する、高周波電流の大きさが第１電流値未満である第２期間ＴＢ（オフの期間）とを交互に繰り返す高周波電流をアンテナ７に供給する。高周波電源８は、当該高周波電流をアンテナ７に供給することにより、第１期間ＴＡにおいてプラズマ生成領域ＨＡにプラズマを発生させ、第２期間ＴＢにおいてプラズマ生成領域ＨＡにプラズマを発生させない。
高周波電源８は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を整合回路９を介して給電側端部７ａに供給する。ここで、高周波電源８は、高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、プラズマを間歇的に発生させる。詳細には、高周波電源８は、プラズマの点灯に対応する、高周波電流の大きさが第１電流値以上である第１期間ＴＡ（オンの期間）と、プラズマの消灯に対応する、高周波電流の大きさが第１電流値未満である第２期間ＴＢ（オフの期間）とを交互に繰り返す高周波電流をアンテナ７に供給する。高周波電源８は、当該高周波電流をアンテナ７に供給することにより、第１期間ＴＡにおいてプラズマ生成領域ＨＡにプラズマを発生させ、第２期間ＴＢにおいてプラズマ生成領域ＨＡにプラズマを発生させない。
【0033】
図３は、高周波電源８がアンテナ７に供給する高周波電流の波形の一例を示すグラフである。なお、図３は、以下の説明と併せて参照したときに分かり易いように示したものであり、波長および振幅等の縮尺は正確ではない。例えば、高周波電源８をオンして高周波電流をアンテナ７に供給し、高周波電源８をオフして高周波電流を停止することにより、高周波電源８は、図３に示すような第１電流値以上の電流値と零電流値とを交互に繰り返す高周波電流を生成してもよい。また、高周波電流を所定の信号波に基づき振幅変調することにより、高周波電流を生成してもよい。以下、高周波電流における第１期間ＴＡの割合を高周波電流のデューティ比と称する。
【0034】
＜検知部Ｄ＞
プラズマ処理装置１は、観測窓１１を介して基板Ｗの温度を検知する検知部Ｄをさらに備える。検知部Ｄは、例えば基板Ｗから放射される電磁波のスペクトルデータに基づき基板Ｗの温度を検知可能な放射温度計等である。観測窓１１は、例えばフッ化バリウム、フッ化カルシウムまたはゲルマニウムなどの基板Ｗから放射される電磁波に対する透過率が高い材質を含む。
プラズマ処理装置１は、観測窓１１を介して基板Ｗの温度を検知する検知部Ｄをさらに備える。検知部Ｄは、例えば基板Ｗから放射される電磁波のスペクトルデータに基づき基板Ｗの温度を検知可能な放射温度計等である。観測窓１１は、例えばフッ化バリウム、フッ化カルシウムまたはゲルマニウムなどの基板Ｗから放射される電磁波に対する透過率が高い材質を含む。
【0035】
検知部Ｄは、プラズマの消灯に同期して基板Ｗの温度を検知する。言い換えると、検知部Ｄは、高周波電流の大きさが第１電流値未満である第２期間ＴＢにおいて、基板Ｗの温度を検知する。これにより、プラズマの消灯時において基板Ｗの表面でのプラズマ処理を進行させながら、基板Ｗの温度を検知できる。したがって、プラズマ処理を終えてから基板Ｗの温度を測定する必要がないため、プラズマ処理全体に要する時間を短縮でき、生産性を向上できる。また、仮にプラズマの点灯時において基板Ｗの温度を検知する場合、検知部Ｄは、基板Ｗから放射される電磁波に加えてプラズマから赤外線を検知してしまう可能性がある。プラズマの消灯時において基板Ｗの温度を検知することにより、プラズマ処理装置１は、このような可能性を排除できる。したがって、プラズマ処理装置１は、基板Ｗの温度を適切に検知できる。また、プラズマ処理中に基板Ｗの温度が異常値を示した場合、当該プラズマ処理の停止等の処置を速やかに行える。
【0036】
検知部Ｄは、基板Ｗの表面に対向する位置に設けられるとよい。これにより、検知部Ｄは、基板Ｗの表面における所定の位置の上方に配置されることで、当該所定の位置の温度を適切に検知できる。
【0037】
本実施形態では、検知部Ｄは、フランジ３の第４辺部３ｄに一体的に設けられる。検知部Ｄは、第４辺部３ｄの、左右方向における中央部に配置される。これにより、検知部Ｄは、基板Ｗの表面の中央部の温度を適切に検知できる。
【0038】
また、プラズマ処理装置１は、処理室の内部を照明する照明部Ｌをさらに備えてもよい。照明部Ｌは、例えば、ランプやＬＥＤなどの発光部材を備えており、当該発光部材から所定の照明光を発することにより、処理室の内部を照明する。本実施形態では、照明部Ｌは、検知部Ｄとともに、フランジ３の第４辺部３ｄに一体的に設けられている。これにより、基板Ｗの表面における所定の位置を目視で確認しながら、検知部Ｄの位置調整ができる。プラズマ処理装置１は、処理室の内部を撮像する撮像部をさらに備え、当該撮像部により、基板Ｗの表面における所定の位置を確認してもよい。
【0039】
【0040】
取得部２１は、検知部Ｄから基板Ｗの温度を取得する。取得部２１は、基板Ｗの温度を記憶部２２に格納する。取得部２１は、例えば、有線形式または無線形式のネットワークを介して検知部Ｄと通信する通信インターフェースである。記憶部２２は、監視装置２０が使用する各種データを記憶する。出力部２４は、監視装置２０にて扱う各種情報（例えば基板Ｗの温度）を外部に出力する。
【0041】
制御部２３は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等を含み、情報処理に応じてプラズマ処理装置１の各部の制御を行う機能ブロックである。具体的には、制御部２３は、プラズマ生成領域ＨＡにおける基板Ｗのプラズマ処理について、所定の制御処理を実行する。制御部２３は、電源制御部２３１、ステージ制御部２３２、および検知制御部２３３を備える。
【0042】
電源制御部２３１は、高周波電源８がアンテナ７に供給する高周波電流の波形を制御する。具体的には、電源制御部２３１は、ユーザからのプラズマ処理動作の開始指示を受領すると、高周波電源８を制御して、アンテナ７への高周波電流の大きさを周期的に増減させる。そして、電源制御部２３１は、記憶部２２から基板Ｗの温度に係る温度データ（例えば、現在の基板Ｗの温度または基板Ｗの温度の時系列データ）を取得し、当該温度データに基づき高周波電流の波形を更新する。これにより、電源制御部２３１は、基板Ｗの温度を調整する。電源制御部２３１は、高周波電流における第１期間ＴＡの割合（デューティ比）を制御することにより、基板Ｗの温度を調整することが好ましい。デューティ比を制御することにより、可変コンデンサＶＣのインピーダンスを変えることなく基板Ｗの温度を調整できる。電源制御部２３１は、高周波電流の強度を制御することにより、基板Ｗの温度を調整してもよい。
【0043】
ステージ制御部２３２は、ステージ６に内蔵される、基板Ｗを加熱するためのヒータの温度を制御する。具体的には、ステージ制御部２３２は、記憶部２２から基板Ｗの温度に係る温度データを取得し、当該温度データに基づきステージ６のヒータの温度を調整する。
【0044】
検知制御部２３３は、電源制御部２３１が決定した高周波電流の波形に基づき、検知部Ｄの検知タイミングを制御する。具体的には、検知制御部２３３は、検知部Ｄがプラズマの消灯に同期して基板Ｗの温度を検知するように、検知部Ｄの検知タイミングを決定する。言い換えると、検知制御部２３３は、検知部Ｄが第２期間ＴＢにおいて基板Ｗの温度を検知するように、検知部Ｄの検知タイミングを決定する。
【0045】
なお、図４に示した監視装置２０の構成要素のうち、制御部２３は必須の要素ではない。監視装置２０は、少なくとも基板Ｗの温度を監視する（例えば、プラズマ処理中に基板Ｗの温度が異常値を示した場合、当該プラズマ処理の停止等の処置を行う）機能を有していればよい。この場合、例えば、監視装置２０が取得した基板Ｗの温度に基づき、ユーザが高周波電流の波形を決定してもよいし、ステージ６のヒータの温度を調整してもよい。
【0046】
また、本実施形態では、プラズマ処理装置１の一例としての誘導結合プラズマ処理装置に、基板Ｗの温度を監視するための検知部Ｄを適用した場合について説明した。ここで、誘導結合プラズマ処理装置は、プラズマ発生部である複数のアンテナ７が発生させる誘導結合プラズマを用いて基板Ｗに処理を施す装置である。しかしながら、プラズマ処理装置１としてはこれに限定されず、プラズマを用いて基板Ｗに処理を施す装置（例えば、容量結合プラズマ処理装置）であればよい。
【0047】
＜プラズマ処理装置１の動作例＞
以下、図５を参照して、本実施形態１のプラズマ処理装置１の動作例の一例について具体的に説明する。図５は、基板Ｗの温度の制御方法の一例を説明する図である。図５では、縦軸が左右の２軸に応じたものであり、実線５Ａは左の縦軸、実線５Ｂは右の縦軸に対応している。
以下、図５を参照して、本実施形態１のプラズマ処理装置１の動作例の一例について具体的に説明する。図５は、基板Ｗの温度の制御方法の一例を説明する図である。図５では、縦軸が左右の２軸に応じたものであり、実線５Ａは左の縦軸、実線５Ｂは右の縦軸に対応している。
【0048】
本実施形態１のプラズマ処理装置１では、ユーザからのプラズマ処理動作の開始指示を受領すると、電源制御部２３１が高周波電源８を制御して、アンテナ７への高周波電流の大きさを周期的に増減させる。具体的には、高周波電源８は、プラズマの点灯に対応する、高周波電流の大きさが第１電流値以上である第１期間ＴＡと、プラズマの消灯に対応する、高周波電流の大きさが第１電流値未満である第２期間ＴＢとを交互に繰り返す高周波電流をアンテナ７へ供給する。第２期間ＴＢにおける高周波電流の大きさは０であってもよい。これにより、高周波電源８は、プラズマ生成領域ＨＡにプラズマを間歇的に発生させる（プラズマ発生ステップ）。すなわち、高周波電源８は、第１期間ＴＡにおいてプラズマを発生させ、第２期間ＴＢにおいてプラズマを発生させない。
【0049】
また、検知制御部２３３が検知部Ｄを制御して、プラズマの消灯に同期して基板Ｗの温度を検知させる。言い換えると、検知部Ｄは、第２期間ＴＢにおいて、基板Ｗの温度を検知する（検知ステップ）。これにより、基板Ｗの温度に係る温度データが記憶部２２に記憶される。
【0050】
次に、温度データに基づき、電源制御部２３１がプラズマ発生ステップにて決定した高周波電流の波形を更新する。例えば、電源制御部２３１は、図５に示すように、検知部Ｄが検知した基板Ｗの温度が第１所定温度以上となったとき、各アンテナ７に供給する高周波電流のデューティ比を低減させる。これにより、基板Ｗの温度の上昇が抑制される。
【0051】
上記の構成によれば、監視装置２０は、プラズマ処理中の基板Ｗの温度に基づき、高周波電流の波形を制御することで、プラズマ処理中の基板Ｗの温度を制御できる。したがって、製品の品質安定化および歩留まり向上を実現できる。
【0052】
なお、温度データに基づき、ステージ制御部２３２がステージ６のヒータの温度を調整してもよい。例えば、ステージ制御部２３２は、基板Ｗの温度が第１所定温度以上となったとき、ヒータの温度を下げる。これにより、基板Ｗの温度の上昇が抑制される。
【0053】
＜実施例＞
上述のプラズマ処理装置１において、図３に示した高周波電流をアンテナ７に供給したときの成膜速度および基板Ｗの温度を測定した。図６は、このような高周波電流のデューティ比に対する成膜速度および基板Ｗの温度を示す図である。ここで、ステージ温度は、１５０℃（図６に実線６Ａ及び実線６Ｄにて図示）または２４０℃（図６に点線６Ｂ及び点線６Ｃにて図示）とし、高周波電流のデューティ比は、０．５、０．７、０．９、または１とした。また、図６では、縦軸が左右の２軸に応じたものであり、点線６Ｃと実線６Ｄは左の縦軸、実線６Ａと点線６Ｂは右の縦軸に対応している。さらに、左の縦軸の成膜速度は、エリプソメーターで測定した膜厚と成膜時間とを基に求めた。
上述のプラズマ処理装置１において、図３に示した高周波電流をアンテナ７に供給したときの成膜速度および基板Ｗの温度を測定した。図６は、このような高周波電流のデューティ比に対する成膜速度および基板Ｗの温度を示す図である。ここで、ステージ温度は、１５０℃（図６に実線６Ａ及び実線６Ｄにて図示）または２４０℃（図６に点線６Ｂ及び点線６Ｃにて図示）とし、高周波電流のデューティ比は、０．５、０．７、０．９、または１とした。また、図６では、縦軸が左右の２軸に応じたものであり、点線６Ｃと実線６Ｄは左の縦軸、実線６Ａと点線６Ｂは右の縦軸に対応している。さらに、左の縦軸の成膜速度は、エリプソメーターで測定した膜厚と成膜時間とを基に求めた。
【0054】
図６に実線６Ａと点線６Ｂに示すように、いずれのステージ温度の場合も、基板Ｗの温度は、デューティ比の減少に伴いリニアに減少した。これは、デューティ比に関わらず、基板Ｗの温度がオンの期間の長さに比例することを表す。
【0055】
一方、図６に点線６Ｃと実線６Ｄに示すように、いずれのステージ温度の場合も、成膜速度は、デューティ比の減少に伴いリニアに減少した場合（図６に点線６Ｅ及び実線６Ｆにて図示）の値よりも大きい値をとった。これは、デューティ比を下げることにより、オンの期間の長さあたりの成膜速度は上昇することを表す。この理由としては、プラズマ消灯中においても残留したラジカルがプラズマ処理に寄与するためである。
【0056】
結果として、プラズマ処理中に高周波電流のデューティ比を下げることにより、プラズマ処理に要するオンの期間の長さを短縮でき、基板Ｗの温度を低減できることが確認された。
【0057】
換言すれば、デューティ比と成膜速度は単純な比例関係になく、オンの期間を短くする割に成膜速度が高い。そのため、デューティ比の制御によって、基板Ｗの表面の温度上昇（オンの期間に比例する事象）を抑えつつ、高い成膜速度を実現することができることが確認された。
【0058】
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
【0059】
図７は、実施形態２に係るプラズマ処理装置１Ａの正面断面図である。図８は、実施形態２に係るプラズマ処理装置１Ａの側面断面図である。プラズマ処理装置１Ａは、複数の検知部Ｄを備える点で、プラズマ処理装置１と相違する。以下、複数のアンテナ７をそれぞれ、前方から後方に向かって順に、第１アンテナ７１、第２アンテナ７２、第３アンテナ７３、および第４アンテナ７４と称する。また、プラズマ処理装置１Ａは、少なくとも２つの高周波電源８を備える。例えば、少なくとも２つの高周波電源８は、複数のアンテナ７ごとに対応して設けられる４つの高周波電源であってもよい。例えば、少なくとも２つの高周波電源８は、第１アンテナ７１および第２アンテナ７２に高周波電流を供給する高周波電源と、第３アンテナ７３および第４アンテナ７４に高周波電流を供給する高周波電源とからなる２つの高周波電源であってもよい。
【0060】
図８に示す一例では、複数の検知部Ｄは、フランジ３の第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅにそれぞれ設けられた第１検知部Ｄ１、第２検知部Ｄ２、および第３検知部Ｄ３を含む。第１検知部Ｄ１は、第１アンテナ７１と第２アンテナ７２との間に配置される。第２検知部Ｄ２は、第２アンテナ７２と第３アンテナ７３との間に配置される。第３検知部Ｄ３は、第３アンテナ７３と第４アンテナ７４との間に配置される。また、図７に示すように、第３辺部３ｃ、第４辺部３ｄ、および第５辺部３ｅにそれぞれ、第１検知部Ｄ１、第２検知部Ｄ２、および第３検知部Ｄ３以外の２つの検知部が左右方向に沿って設けられていてもよい。
【0061】
第１検知部Ｄ１は、基板Ｗの表面における第１検知部Ｄ１の下方の第１位置の温度を検知する。第２検知部Ｄ２は、基板Ｗの表面における第２検知部Ｄ２の下方の第２位置の温度を検知する。第３検知部Ｄ３は、基板Ｗの表面における第３検知部Ｄ３の下方の第３位置の温度を検知する。
【0062】
取得部２１は、複数の検知部Ｄからそれぞれ、基板Ｗの表面における複数の検知部Ｄに対応する位置での温度を取得する。取得部２１は、基板Ｗにおける複数の検知部Ｄに対応する位置での温度を、基板Ｗの温度分布データとして記憶部２２に格納する。
【0063】
電源制御部２３１は、記憶部２２から基板Ｗの温度分布データを取得し、当該温度分布データに基づき、少なくとも２つの高周波電源８がそれぞれ複数のアンテナ７に供給する高周波電流の波形を個別に制御する。電源制御部２３１は、第１位置における温度と第２位置における温度との差を低減するように、少なくとも２つの高周波電源８がそれぞれ複数のアンテナ７に供給する高周波電流の波形を制御するとよい。例えば、第１位置における温度が第２位置における温度より高い場合、電源制御部２３１は、第１位置における温度を下げるように、上面視において第１位置を挟んで位置する第１アンテナ７１と第２アンテナ７２とに供給する高周波電流のデューティ比を下げる。これにより、第１位置における温度を下げて、第１位置における温度と第２位置における温度との差を低減する。
【0064】
上記の構成によれば、基板Ｗの温度分布を均一にできる。したがって、製品の品質安定化および歩留まり向上を実現できる。
【0065】
（まとめ）
本発明の態様１に係るプラズマ処理装置は、プラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置であって、真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、前記真空容器に設けられた観測窓と、前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、前記高周波電源は、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させ、前記検知部は、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する。
本発明の態様１に係るプラズマ処理装置は、プラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置であって、真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、前記真空容器に設けられた観測窓と、前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、前記高周波電源は、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させ、前記検知部は、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する。
【0066】
本発明の態様２に係るプラズマ処理装置は、上記態様１において、前記検知部が検知した前記基板の温度に基づき、前記高周波電流の波形を制御する制御部をさらに備える。
【0067】
本発明の態様３に係るプラズマ処理装置は、上記態様１において、複数の前記プラズマ発生部と、前記複数のプラズマ発生部に高周波電流を供給する少なくとも２つの前記高周波電源と、複数の前記検知部と、を備え、前記複数の検知部がそれぞれ検知した前記基板の温度に基づき、前記少なくとも２つの高周波電源がそれぞれ前記複数のプラズマ発生部に供給する前記高周波電流の波形を個別に制御する制御部をさらに備える。
【0068】
本発明の態様４に係るプラズマ処理装置では、上記態様３において、前記複数の検知部は、前記基板の第１位置における温度を検知する第１検知部と、前記基板の第２位置における温度を検知する第２検知部とを含み、前記制御部は、前記第１位置における温度と前記第２位置における温度との差を低減するように、前記少なくとも２つの高周波電源がそれぞれ前記複数のプラズマ発生部に供給する前記高周波電流の波形を制御する。
【0069】
本発明の態様５に係るプラズマ処理装置では、上記態様２から４において、前記制御部は、前記プラズマの点灯に対応する、前記高周波電流の大きさが第１電流値以上である期間の割合を制御する。
【0070】
本発明の態様６に係るプラズマ処理装置では、上記態様１から５において、前記検知部は、前記基板の表面に対向する位置に設けられる。
【0071】
本発明の態様７に係るプラズマ処理装置は、上記態様１から６において、前記真空容器内を照明する照明部をさらに備える。
【0072】
本発明の態様８に係るプラズマ処理装置の制御方法は、プラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置の制御方法であって、前記プラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に高周波電流を供給する高周波電源と、前記真空容器に設けられた観測窓と、前記観測窓を介して前記基板の温度を検知する検知部と、を備え、前記高周波電源により、前記高周波電流の大きさを周期的に増減させることにより、前記プラズマを間歇的に発生させるプラズマ発生ステップと、前記検知部により、前記プラズマの消灯に同期して前記基板の温度を検知する検知ステップと、を含む。
【0073】
〔ソフトウェアによる実現例〕
監視装置２０（以下、「装置」と呼ぶ）の機能は、当該装置としてコンピュータを機能させるためのプログラムであって、当該装置の各制御ブロック（特に制御部２３に含まれる各部）としてコンピュータを機能させるためのプログラムにより実現することができる。
監視装置２０（以下、「装置」と呼ぶ）の機能は、当該装置としてコンピュータを機能させるためのプログラムであって、当該装置の各制御ブロック（特に制御部２３に含まれる各部）としてコンピュータを機能させるためのプログラムにより実現することができる。
【0074】
この場合、上記装置は、上記プログラムを実行するためのハードウェアとして、少なくとも１つの制御装置（例えばプロセッサ）と少なくとも１つの記憶装置（例えばメモリ）を有するコンピュータを備えている。この制御装置と記憶装置により上記プログラムを実行することにより、上記各実施形態で説明した各機能が実現される。
【0075】
上記プログラムは、一時的ではなく、コンピュータ読み取り可能な、１または複数の記録媒体に記録されていてもよい。この記録媒体は、上記装置が備えていてもよいし、備えていなくてもよい。後者の場合、上記プログラムは、有線または無線の任意の伝送媒体を介して上記装置に供給されてもよい。
【0076】
また、上記各制御ブロックの機能の一部または全部は、論理回路により実現することも可能である。例えば、上記各制御ブロックとして機能する論理回路が形成された集積回路も本発明の範疇に含まれる。この他にも、例えば量子コンピュータにより上記各制御ブロックの機能を実現することも可能である。
【0077】
また、上記各実施形態で説明した各処理は、ＡＩ（Artificial Intelligence：人工知能）に実行させてもよい。この場合、ＡＩは上記制御装置で動作するものであってもよいし、他の装置（例えばエッジコンピュータまたはクラウドサーバ等）で動作するものであってもよい。
【0078】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0079】
１、１Ａ プラズマ処理装置
７ アンテナ（プラズマ発生部）
８ 高周波電源
１１ 観測窓
２０ 監視装置
２３ 制御部
Ｄ 検知部
Ｄ１ 第１検知部
Ｄ２ 第２検知部
Ｌ 照明部
７ アンテナ（プラズマ発生部）
８ 高周波電源
１１ 観測窓
２０ 監視装置
２３ 制御部
Ｄ 検知部
Ｄ１ 第１検知部
Ｄ２ 第２検知部
Ｌ 照明部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】