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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024160725
(43)【公開日】2024-11-15
(54)【発明の名称】センサ及び検査装置
(51)【国際特許分類】
G01R 33/09 20060101AFI20241108BHJP
G01R 33/02 20060101ALI20241108BHJP
H10N 50/20 20230101ALI20241108BHJP
【ＦＩ】
G01R33/09
G01R33/02 V
H10N50/20
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023075941
(22)【出願日】2023-05-02
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成３０年度、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、「戦略的イノベーション創造プログラム（ＳＩＰ）第２期／フィジカル空間デジタルデータ処理基盤／サブテーマＩＩ：超低消費電力ＩｏＴデバイス・革新的センサ技術／超高感度センサシステムの研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(74)【代理人】
【識別番号】110004026
【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ
(72)【発明者】
【氏名】喜々津 哲
(72)【発明者】
【氏名】東 祥弘
(72)【発明者】
【氏名】白鳥 聡志
【テーマコード（参考）】
2G017
5F092
【Ｆターム（参考）】
2G017AA02
2G017AA10
2G017AC07
2G017AD55
2G017BA03
2G017BA09
2G017BA12
2G017BA15
5F092AA15
5F092AB01
5F092AC06
5F092BB31
5F092EA01
5F092FA08
(57)【要約】
【課題】特性の向上が可能なセンサ及び検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、センサは、第１、第２磁性領域、第１、第２対向磁性領域、第１、第２素子、導電部材、第１、第２端子を含む。前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含む。前記第１導電領域は、第１素子の第１部分に対応する第１導電部分と、第１素子の第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含む。前記第２導電領域は、第２素子の第２部分に対応する第２導電部分と、第２素子の第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含む。前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と連続する。前記第１端子は、前記第１他導電部分及び前記第２導電部分と電気的に接続される。前記第２端子は、前記第１導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続される。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態によれば、センサは、第１、第２磁性領域、第１、第２対向磁性領域、第１、第２素子、導電部材、第１、第２端子を含む。前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含む。前記第１導電領域は、第１素子の第１部分に対応する第１導電部分と、第１素子の第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含む。前記第２導電領域は、第２素子の第２部分に対応する第２導電部分と、第２素子の第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含む。前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と連続する。前記第１端子は、前記第１他導電部分及び前記第２導電部分と電気的に接続される。前記第２端子は、前記第１導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と連続した、前記導電部材と、
前記第１他導電部分及び前記第２導電部分と電気的に接続された第１端子と、
前記第１導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続された第２端子と、
を備えたセンサ。
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と連続した、前記導電部材と、
前記第１他導電部分及び前記第２導電部分と電気的に接続された第１端子と、
前記第１導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続された第２端子と、
を備えたセンサ。
【請求項2】
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と離れ、前記第１導電部分は前記第２導電部分と接続された、前記導電部材と、
前記第１他導電部分と電気的に接続された第１端子と、
前記第２他導電部分と電気的に接続された第２端子と、
を備えたセンサ。
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と離れ、前記第１導電部分は前記第２導電部分と接続された、前記導電部材と、
前記第１他導電部分と電気的に接続された第１端子と、
前記第２他導電部分と電気的に接続された第２端子と、
を備えたセンサ。
【請求項3】
交流回路を含む制御部をさらに備え、
前記交流回路は、前記第１端子と前記第２端子との間に交流成分を含む導電部材電流を供給可能である、請求項１または２に記載のセンサ。
前記交流回路は、前記第１端子と前記第２端子との間に交流成分を含む導電部材電流を供給可能である、請求項１または２に記載のセンサ。
【請求項4】
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記導電部材に交流成分を含む導電部材電流が供給された場合に、前記導電部材電流が前記第１他導電部分から前記第１導電部分への向きを有するとき、前記導電部材電流は前記第２導電部分から前記第２他導電部分への向きを有する、前記導電部材と、
を備えたセンサ。
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記導電部材に交流成分を含む導電部材電流が供給された場合に、前記導電部材電流が前記第１他導電部分から前記第１導電部分への向きを有するとき、前記導電部材電流は前記第２導電部分から前記第２他導電部分への向きを有する、前記導電部材と、
を備えたセンサ。
【請求項5】
交流回路を含む制御部をさらに備え、
前記交流回路は、前記導電部材に導電部材電流を供給可能である、請求項１または２に記載のセンサ。
前記交流回路は、前記導電部材に導電部材電流を供給可能である、請求項１または２に記載のセンサ。
【請求項6】
前記制御部は、素子電流回路及び検出回路をさらに備え、
前記素子電流回路は、前記第１部分及び前記第３部分の第１接続点と、前記第２他部分及び前記第４他部分の第２接続点と、の間に素子電流を供給可能であり、
前記検出回路は、前記第３他部分及び前記第２部分の第３接続点と、前記第１他部分及び前記第４部分の第４接続点と、の間に生じる検出信号を検出可能である、請求項３記載のセンサ。
前記素子電流回路は、前記第１部分及び前記第３部分の第１接続点と、前記第２他部分及び前記第４他部分の第２接続点と、の間に素子電流を供給可能であり、
前記検出回路は、前記第３他部分及び前記第２部分の第３接続点と、前記第１他部分及び前記第４部分の第４接続点と、の間に生じる検出信号を検出可能である、請求項３記載のセンサ。
【請求項7】
前記検出回路は、前記導電部材電流の周波数に基づいて前記検出信号を処理した出力信号を出力可能である、請求項６に記載のセンサ。
【請求項8】
前記第１素子及び前記第２素子に沿って延びる導電層をさらに備え、
前記制御部は、前記導電層に直流成分を含む導電層電流を供給可能である、請求項３に記載のセンサ。
前記制御部は、前記導電層に直流成分を含む導電層電流を供給可能である、請求項３に記載のセンサ。
【請求項9】
前記導電部材電流に基づく磁界は、前記第１方向の成分を含む、請求項３に記載のセンサ。
【請求項10】
請求項１に記載のセンサと、
前記センサから得られる信号を処理する処理部と、
を備えた検査装置。
前記センサから得られる信号を処理する処理部と、
を備えた検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、センサ及び検査装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、磁性層を用いたセンサがある。センサにおいて、特性の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－１５５７１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、特性の向上が可能なセンサ及び検査装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施形態によれば、センサは、第１磁性領域、第１対向磁性領域、第１素子、第２磁性領域、第２対向磁性領域、第２素子、導電部材、第１端子及び第２端子を含む。前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れる。前記第１素子は、第１磁性層を含む。前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にある。前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含む。前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差する。前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う。前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れる。前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う。前記第２素子は、第２磁性層を含む。前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にある。前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含む。前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う。前記第３素子は、第３部分及び第３他部分を含む。前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続される。前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続される。前記第４素子は、第４部分及び第４他部分を含む。前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続される。前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続される。前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含む。前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含む。前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含む。前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と連続する。前記第１端子は、前記第１他導電部分及び前記第２導電部分と電気的に接続される。前記第２端子は、前記第１導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続される。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
（第１実施形態）
図１及び図２は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図３（ａ）は、図１のＥ１－Ｅ２線断面図である。図３（ｂ）は、図１のＦ１－Ｆ２線断面図である。
図１及び図２は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図３（ａ）は、図１のＥ１－Ｅ２線断面図である。図３（ｂ）は、図１のＦ１－Ｆ２線断面図である。
【0009】
図１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０は、素子部１０Ｅを含む。素子部１０Ｅは、第１磁性領域５１、第１対向磁性領域５１Ａ、第１素子１１、第２磁性領域５２、第２対向磁性領域５２Ａ、第２素子１２、第３素子１３、第４素子１４、導電部材２０、第１端子２５Ａ、及び、第２端子２５Ｂを含む。
【0010】
第１対向磁性領域５１Ａは、第１磁性領域５１から第１対向磁性領域５１Ａへの第１方向Ｄ１において、第１磁性領域５１から離れる。
【0011】
第１方向Ｄ１をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。
【0012】
図３（ａ）に示すように、第１素子１１は、第１磁性層１１ａ及び第１対向磁性層１１ｂを含む。第１素子１１は、磁性素子である。第１素子１１は、第１非磁性層１１ｎを含んで良い。第１非磁性層１１ｎは、第１磁性層１１ａと第１対向磁性層１１ｂとの間に設けられる。第１非磁性層１１ｎは、例えばＣｕなどを含む。第１素子１１は、例えばＧＭＲ（Giant Magnetoresistive effect）素子である。
【0013】
第１素子１１の少なくとも一部の第１方向Ｄ１における位置は、第１磁性領域５１の第１方向Ｄ１における位置と、第１対向磁性領域５１Ａの第１方向Ｄ１における位置と、の間にある。
【0014】
図３（ａ）に示すように、第１磁性領域５１と第１対向磁性領域５１Ａとの間に、領域５１Ｓが存在する。Ｚ軸方向において、第１素子１１の少なくとも一部は、領域５１Ｓと重なる。後述するように、第１素子１１の一部は、Ｚ軸方向において第１磁性領域５１と重なっても良い。後述するように、第１素子１１の一部は、Ｚ軸方向において第１対向磁性領域５１Ａと重なっても良い。
【0015】
図３（ａ）に示すように、第１磁性領域５１、第１対向磁性領域５１Ａ、第１素子１１及び第３素子１３の互いの間に絶縁部材８１が設けられても良い。領域５１Ｓに絶縁部材８１が設けられて良い。
【0016】
図３（ａ）に示すように、この例では、第１素子１１は、第３方向Ｄ３において、第１磁性領域５１及び第１対向磁性領域５１Ａから離れている。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面と交差する。
【0017】
図１に示すように、第１素子１１は、第１部分１１ｅ及び第１他部分１１ｆを含む。第１部分１１ｅから第１他部分１１ｆへの第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と交差する。第２方向Ｄ２、例えば、Ｙ軸方向である。
【0018】
第１磁性領域５１から第２磁性領域５２への方向は、第２方向Ｄ２に沿う。第２磁性領域５２は、第１磁性領域５１から離れても良い。第２磁性領域５２は、第１磁性領域５１と連続しても良い。第２磁性領域５２が第１磁性領域５１と連続する場合、これらの領域の境界は明確でも不明確でも良い。
【0019】
第２対向磁性領域５２Ａは、第１方向Ｄ１において第２磁性領域５２から離れる。第１対向磁性領域５１Ａから第２対向磁性領域５２Ａへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。第２対向磁性領域５２Ａは、第１対向磁性領域５１Ａから離れても良い。第２対向磁性領域５２Ａは、第１対向磁性領域５１Ａと連続しても良い。第２対向磁性領域５２Ａが第１対向磁性領域５１Ａと連続する場合、これらの領域の境界は明確でも不明確でも良い。
【0020】
図３（ｂ）に示すように、第２素子１２は、第２磁性層１２ａ及び第２対向磁性層１２ｂを含む。第２素子１２は、磁性素子である。第２素子１２は、第２非磁性層１２ｎを含んで良い。第２非磁性層１２ｎは、第２磁性層１２ａと第２対向磁性層１２ｂとの間に設けられる。第２非磁性層１２ｎは、例えばＣｕなどを含む。第２素子１２は、例えばＧＭＲ素子である。
【0021】
第２素子１２の少なくとも一部の第１方向Ｄ１における位置は、第２磁性領域５２の第１方向Ｄ１における位置と、第２対向磁性領域５２Ａの第１方向Ｄ１における位置と、の間にある。
【0022】
図３（ｂ）に示すように、第２磁性領域５２と第２対向磁性領域５２Ａとの間に、領域５２Ｓが存在する。Ｚ軸方向において、第２素子１２の少なくとも一部は、領域５２Ｓと重なる。後述するように、第２素子１２の一部は、Ｚ軸方向において第２磁性領域５２と重なっても良い。後述するように、第２素子１２の一部は、Ｚ軸方向において第２対向磁性領域５２Ａと重なっても良い。
【0023】
図３（ｂ）に示すように、第２磁性領域５２、第２対向磁性領域５２Ａ、第２素子１２及び第４素子１４の互いの間に絶縁部材８１が設けられても良い。領域５２Ｓに絶縁部材８１が設けられて良い。
【0024】
図３（ｂ）に示すように、この例では、第２素子１２は、第３方向Ｄ３において、第２磁性領域５２及び第２対向磁性領域５２Ａから離れている。
【0025】
第２素子１２は、第２部分１２ｅ及び第２他部分１２ｆを含む。第２部分１２ｅから第２他部分１２ｆへの方向は、第２方向Ｄ２に沿う。
【0026】
第３素子１３は、第３部分１３ｅ及び第３他部分１３ｆを含む。第３部分１３ｅは第１部分１１ｅと電気的に接続される。第３他部分１３ｆは第２部分１２ｅと電気的に接続される。この例では、第３素子１３は、第３磁性層１３ａを含む。
【0027】
第４素子１４は、第４部分１４ｅ及び第４他部分１４ｆを含む。第４部分１４ｅは第１他部分１１ｆと電気的に接続される。第４他部分１４ｆは第２他部分１２ｆと電気的に接続される。この例では、第４素子１４は、第４磁性層１４ａを含む。
【0028】
例えば、配線７８ａにより、第３部分１３ｅが第１部分１１ｅと電気的に接続される。配線７８ｂにより、第３他部分１３ｆは第２部分１２ｅと電気的に接続される。配線７８ｃにより、第４部分１４ｅは第１他部分１１ｆと電気的に接続される。配線７８ｄにより、第４他部分１４ｆは第２他部分１２ｆと電気的に接続される。
【0029】
上記のように、素子部１０Ｅは、４つの素子を含む。４つの素子はブリッジ接続される。ブリッジ接続により、より高い精度の検出が可能になる。
【0030】
検出対象磁界Ｈｓ（図１参照）が、第１磁性領域５１及び第１対向磁性領域５１Ａにより集められる。集められた検出対象磁界Ｈｓが効率良く第１素子１１に印加される。検出対象磁界Ｈｓが、第２磁性領域５２及び第２対向磁性領域５２Ａにより集められる。集められた検出対象磁界Ｈｓが効率良く第２素子１２に印加される。磁性領域及び対向磁性領域は、ＭＦＣ（Magnetic Flux Concentrator）として機能する。
【0031】
第１素子１１の電気抵抗、及び、第２素子１２の電気抵抗は、素子部１０Ｅの周りの磁界（検出対象磁界Ｈｓ）に応じて変化可能である。
する。
する。
【0032】
一方、第３素子１３及び第４素子１４には、ＭＦＣにより集められた磁界が実質的に印加されない。第３素子１３の電気抵抗、及び、第４素子１４の電気抵抗は、素子部１０Ｅの周りの磁界（検出対象磁界Ｈｓ）が変化しても、実質的に変化しない。第３素子１３の電気抵抗の検出対象磁界Ｈｓに対する変化、及び、第４素子１４の電気抵抗の検出対象磁界Ｈｓに対する変化は、第１素子１１の電気抵抗の検出対象磁界Ｈｓに対する変化よりも小さく、第２素子１２の電気抵抗の検出対象磁界Ｈｓに対する変化よりも小さい。
【0033】
このような構成のブリッジ回路により、第１素子１１の電気抵抗の変化、及び、第２素子１２の電気抵抗の変化が検出される。これにより、検出対象磁界Ｈｓが高い精度で検出できる。
【0034】
図２において、図１の一部が抜き出されて描かれている。図２に示すように、導電部材２０は、第１導電領域２１及び第２導電領域２２を含む。第１導電領域２１は、第１部分１１ｅに対応する第１導電部分２１ｅと、第１他部分１１ｆに対応する第１他導電部分２１ｆと、を含む。第２導電領域２２は、第２部分１２ｅに対応する第２導電部分２２ｅと、第２他部分１２ｆに対応する第２他導電部分２２ｆと、を含む。この例では、第１他導電部分２１ｆは、第２導電部分２２ｅと連続する。
【0035】
図２に示すように、第１端子２５Ａは、第１他導電部分２１ｆ及び第２導電部分２２ｅと電気的に接続される。第２端子２５Ｂは、第１導電部分２１ｅ及び第２他導電部分２２ｆと電気的に接続される。
【0036】
例えば、第１端子２５Ａと第２端子２５Ｂとの間に電流（導電部材電流Ｉａｃ）が供給される。導電部材電流Ｉａｃは、交流成分を含む。
【0037】
図１に示すように、例えば、制御部７０が設けられて良い。制御部７０は、センサ１１０に含まれても良い。制御部７０は、センサ１１０とは別に設けられても良い。制御部７０は、交流回路７３を含む。交流回路７３は、交流成分を含む導電部材電流Ｉａｃを第１端子２５Ａ及び第２端子２５Ｂを介して導電部材２０に供給可能である。
【0038】
導電部材２０に交流成分を含む導電部材電流Ｉａｃが供給された場合の１つの状態（図２参照）において、導電部材電流Ｉａｃが第１他導電部分２１ｆから第１導電部分２１ｅへの向きを有する。このとき、導電部材電流Ｉａｃは第２導電部分２２ｅから第２他導電部分２２ｆへの向きを有する。
【0039】
すなわち、第１導電領域２１及び第２導電領域２２において、逆位相の交流電流が流れる。逆位相の交流電流に基づく交流磁界Ｈａｃが、第１素子１１及び第２素子１２に加わる。交流磁界Ｈａｃに基づいて、第１素子１１の第１電気抵抗、及び、第２素子１２の第２電気抵抗が変化する。交流磁界Ｈａｃに基づく電気抵抗の変化の増減は、これらの素子において逆になる。位相が反転した交流磁界Ｈａｃがこれらの素子に加わる。
【0040】
第１素子１１及び第２素子１２には、上記の検出対象磁界Ｈｓに加えて、上記の交流磁界Ｈａｃが印加される。第１素子１１の第１電気抵抗、及び、第２素子１２の第２電気抵抗は、検出対象磁界Ｈｓ及び交流磁界Ｈａｃに応じて変化する。以下、１つの素子の電気抵抗の変化の例について説明する。
【0041】
図４は、第１実施形態に係るセンサの特性を例示する模式図である。
図４の横軸は、素子に印加される磁界Ｈである。縦軸は、素子から得られる信号Ｖである。信号Ｖは、電気抵抗に対応する。図４に示すように、素子から得られる信号Ｖ（電気抵抗）は、印加される磁界Ｈに対して偶関数で変化する。
図４の横軸は、素子に印加される磁界Ｈである。縦軸は、素子から得られる信号Ｖである。信号Ｖは、電気抵抗に対応する。図４に示すように、素子から得られる信号Ｖ（電気抵抗）は、印加される磁界Ｈに対して偶関数で変化する。
【0042】
このような特性を有する素子に、交流磁界Ｈａｃ及び検出対象磁界Ｈｓが印加される。交流磁界Ｈａｃの周波数を「ｆ」としたとき、素子から得られる信号Ｖは、１ｆの周波数の成分と、２ｆの周波数の成分を含む。１ｆの周波数の成分は、検出対象磁界Ｈｓに基づく。２ｆの周波数の成分は、交流磁界Ｈａｃに基づく。
【0043】
図４に示すような特性が、第１素子１１及び第２素子１２において生じる。このとき、上記のように、第１素子１１に加わる交流磁界Ｈａｃと、第２素子１２に加わる交流磁界Ｈａｃにおいて、位相が反転する。これにより、第１素子１１及び第２素子１２の組みにおいて得られる信号Ｖから、２ｆの周波数の成分が除去される。これにより、検出対象磁界Ｈｓに基づく１ｆの周波数の成分が効率的に抽出できる。１ｆの周波数の成分を増幅することで、高い信号強度が容易に得られる。高いＳＮ比が得られる。実施形態によれれば、特性の向上が可能なセンサを提供できる。信号Ｖは、第１素子１１及び第２素子１２を含むブリッジ回路から得られる信号で良い。
【0044】
図１に示すように、素子電流回路７１及び検出回路７２が設けられて良い。例えば、素子電流回路７１及び検出回路７２は、センサ１１０に含まれて良い。
【0045】
素子電流回路７１は、第１部分１１ｅ及び第３部分１３ｅの第１接続点ＣＰ１と、第２他部分１２ｆ及び第４他部分１４ｆの第２接続点ＣＰ２と、の間に素子電流Ｉｅを供給可能である。
【0046】
検出回路７２は、第３他部分１３ｆ及び第２部分１２ｅの第３接続点ＣＰ３と、第１他部分１１ｆ及び第４部分１４ｅの第４接続点ＣＰ４と、の間に生じる検出信号Ｓｉｇ１を検出可能である。
【0047】
素子電流回路７１及び検出回路７２は、例えば、制御部７０に含まれて良い。制御部７０（例えば検出回路７２）から検出信号Ｓｉｇ１に基づく出力信号Ｓｉｇ２が出力される。
【0048】
検出回路７２は、導電部材電流Ｉａｃの周波数に基づいて、検出信号Ｓｉｇ１を処理した出力信号Ｓｉｇ２を出力可能である。検出回路７２は、検出信号Ｓｉｇ１の内の１ｆの周波数の成分に対応する値を出力信号Ｓｉｇ２として出力可能である。出力信号Ｓｉｇ２は、検出対象磁界Ｈｓを反映している。検出回路７２は、例えば、フィルタ回路を含んで良い。検出回路７２は、例えば、ロックインアンプ回路を含んで良い。ロックインアンプ回路は、導電部材電流Ｉａｃの周波数を参照して、検出信号Ｓｉｇ１を処理する。
【0049】
実施形態において、ブリッジ回路の対角の位置に、第１素子１１及び第２素子１２が設けられる。第１素子１１及び第２素子１２が検出素子として機能する。第３素子１３及び第４素子１４が、ブリッジ回路の別の対角の位置に設けられる。第３素子１３及び第４素子１４は、参照抵抗として機能する。
【0050】
実施形態においては、検出素子として機能する、第１素子１１及び第２素子１２のそれぞれに、ＭＦＣが設けられる。一方、参照抵抗として機能する、第３素子１３及び第４素子１４にはＭＦＣは設けられない。これにより素子部１０Ｅが小型である。例えば、高い空間分解能での検出が可能である。
【0051】
図５は、参考例に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図５に示すように、参考例に係るセンサ１１９は、４つの素子、４つの磁性領域、及び、４つの対向磁性領域を含む。複数の磁性領域は、ＭＦＣとして機能する。第１素子１１は、第１磁性領域５１と第１対向磁性領域５１Ａとの間の領域と重なる。第２素子１２は、第２磁性領域５２と第２対向磁性領域５２Ａとの間の領域と重なる。第３素子１３は、第３磁性領域５３と第３対向磁性領域５３Ａとの間の領域と重なる。第４素子１４は、第４磁性領域５４と第４対向磁性領域５４Ａとの間の領域と重なる。４つの素子がブリッジ接続される。
図５に示すように、参考例に係るセンサ１１９は、４つの素子、４つの磁性領域、及び、４つの対向磁性領域を含む。複数の磁性領域は、ＭＦＣとして機能する。第１素子１１は、第１磁性領域５１と第１対向磁性領域５１Ａとの間の領域と重なる。第２素子１２は、第２磁性領域５２と第２対向磁性領域５２Ａとの間の領域と重なる。第３素子１３は、第３磁性領域５３と第３対向磁性領域５３Ａとの間の領域と重なる。第４素子１４は、第４磁性領域５４と第４対向磁性領域５４Ａとの間の領域と重なる。４つの素子がブリッジ接続される。
【0052】
センサ１１９においては、４つの素子のそれぞれ電気抵抗が検出対象磁界Ｈｓに応じて変化する。センサ１１９においては、高い出力信号が得られる。しかしながら、センサ１１９において、第１素子１１及び第２素子１２がブリッジ回路の対角に設けられる。第３素子１３及び第４素子１４がブリッジ回路の対角に設けられる。センサ１１９においては、第１素子１１と第２素子１２との間の第１方向Ｄ１（例えばＸ軸方向）に沿う距離が長い。センサ１１９において、高い空間分解能を得ることが困難である。
【0053】
これに対して、実施形態に係るセンサ１１０においては、第３素子１３及び第４素子１４においてＭＦＣが省略される。これにより、第１素子１１と第２素子１２との間の第１方向Ｄ１に沿う距離を短くできる。センサ１１０において、センサ１１９よりも高い空間分解能を得ることができる。
【0054】
センサ１１０においては、第３素子１３の電気抵抗及び第４素子１４の電気抵抗は、検出対象磁界Ｈｓに対して実質的に変化しない。このため、センサ１１０における出力信号は、センサ１１９における出力信号よりも低い。しかしながら、センサ１１０における検出の空間分解能は、センサ１１９における検出の空間分解能よりも高い。例えば、高い位置精度で検出対象磁界Ｈｓを検出することができる。実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサを提供できる。
【0055】
図６は、センサの特性を例示するグラフである。
図６の横軸は、検出対象磁界Ｈｓを発生する検出対象物質と素子部１０Ｅとの間の距離ｄＺである。縦軸は、パラメータＦＷＨＭ（Full Width at Half Maximum）である。ＦＷＨＭは、有限要素法によって算出されたＸ軸方向の感度分布関数におけるピーク値の半値における全幅である。小さいＦＷＨＭは、高い空間分解能に対応する。図４には、センサ１１０の特性及びセンサ１１９の特性が例示されている。
図６の横軸は、検出対象磁界Ｈｓを発生する検出対象物質と素子部１０Ｅとの間の距離ｄＺである。縦軸は、パラメータＦＷＨＭ（Full Width at Half Maximum）である。ＦＷＨＭは、有限要素法によって算出されたＸ軸方向の感度分布関数におけるピーク値の半値における全幅である。小さいＦＷＨＭは、高い空間分解能に対応する。図４には、センサ１１０の特性及びセンサ１１９の特性が例示されている。
【0056】
図６に示すように、センサ１１０において、センサ１１９よりも小さいＦＷＨＭが得られる。特に、高い空間分解能での観察において、距離ｄＺが短い場合に、この特性の差が顕著である。実施形態によれば、高い空間分解能の検出が可能である。
【0057】
例えば、図１に例示するように、センサ１１０において、第１素子１１から第２素子１２への方向は、第２方向Ｄ２に沿う。より高い空間分解能が得やすい。
【0058】
図３（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０において、第３素子１３は、第３磁性層１３ａ及び第３対向磁性層１３ｂを含む。第３素子１３は、第３磁性層１３ａと第３対向磁性層１３ｂとの間に設けられた第３非磁性層１３ｎを含んで良い。
【0059】
図３（ｂ）に示すように、第４素子１４は、第４磁性層１４ａ及び第４対向磁性層１４ｂを含む。第４素子１４は、第４磁性層１４ａと第４対向磁性層１４ｂとの間に設けられた第４非磁性層１４ｎを含んで良い。
【0060】
第３素子１３及び第４素子１４は、例えば、ＧＭＲ素子である。第３素子１３は、例えば、第１素子１１に含まれる材料を同じ材料を含む。第４素子１４は、例えば、第２素子１２に含まれる材料を同じ材料を含む。簡単なプロセスによりこれらの素子が得られる。上記を除くセンサ１１１の構成は、センサ１１０の構成と同様で良い。
【0061】
第１磁性層１１ａから第１対向磁性層１１ｂへの方向は、第３方向Ｄ３に沿う。既に説明したように、第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面と交差する。第２磁性層１２ａから第２対向磁性層１２ｂへの方向は、第３方向Ｄ３に沿う。第３磁性層１３ａから第３対向磁性層１３ｂへの方向は、第３方向Ｄ３に沿う。第４磁性層１４ａから第４対向磁性層１４ｂへの方向は、第３方向Ｄ３に沿う。
【0062】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的平面図である。
図７（ａ）に示すように、例えば、第１素子１１の第２方向Ｄ２に沿う長さＬ１１は、第１素子１１の第１方向Ｄ１に沿う長さＷ１１よりも長い。このような形状により、第１磁性層１１ａの磁化及び第１対向磁性層１１ｂの磁化が、より安定する。図７（ｂ）に示すように、第２素子１２の第２方向Ｄ２に沿う長さＬ１２は、第２素子１２の第１方向Ｄ１に沿う長さＷ１２よりも長い。このような形状により、第２磁性層１２ａの磁化及び第２対向磁性層１２ｂの磁化が、より安定する。
図７（ａ）に示すように、例えば、第１素子１１の第２方向Ｄ２に沿う長さＬ１１は、第１素子１１の第１方向Ｄ１に沿う長さＷ１１よりも長い。このような形状により、第１磁性層１１ａの磁化及び第１対向磁性層１１ｂの磁化が、より安定する。図７（ｂ）に示すように、第２素子１２の第２方向Ｄ２に沿う長さＬ１２は、第２素子１２の第１方向Ｄ１に沿う長さＷ１２よりも長い。このような形状により、第２磁性層１２ａの磁化及び第２対向磁性層１２ｂの磁化が、より安定する。
【0063】
第１磁性層１１ａ及び第１対向磁性層１１ｂの一方は、磁化自由層である。第１磁性層１１ａ及び第１対向磁性層１１ｂの他方は、磁化参照層である。第２磁性層１２ａ及び第２対向磁性層１２ｂの一方は、磁化自由層である。第２磁性層１２ａ及び第２対向磁性層１２ｂの他方は、磁化参照層である。
【0064】
第１磁性層１１ａ、第１対向磁性層１１ｂ、第２磁性層１２ａ及び第２対向磁性層１２ｂは、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【0065】
図８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図８に示すように、センサ１１０において、第１磁性領域５１は、第１外側部５１ｏ及び第１内側部５１ｉを含む。第１対向磁性領域５１Ａは、第１対向内側部５１Ａｉ及び第１対向外側部５１Ａｏを含む。第１内側部５１ｉは、第１外側部５１ｏと第１対向外側部５１Ａｏとの間にある。第１対向内側部５１Ａｉは、第１内側部５１ｉと第１対向外側部５１Ａｏとの間にある。
図８に示すように、センサ１１０において、第１磁性領域５１は、第１外側部５１ｏ及び第１内側部５１ｉを含む。第１対向磁性領域５１Ａは、第１対向内側部５１Ａｉ及び第１対向外側部５１Ａｏを含む。第１内側部５１ｉは、第１外側部５１ｏと第１対向外側部５１Ａｏとの間にある。第１対向内側部５１Ａｉは、第１内側部５１ｉと第１対向外側部５１Ａｏとの間にある。
【0066】
この例では、第１内側部５１ｉの第２方向Ｄ２に沿う長さＬｉ１は、第１外側部５１ｏの第２方向Ｄ２に沿う長さＬｏ１よりも短い。第１対向内側部５１Ａｉの第２方向Ｄ２に沿う長さＬＡｉ１は、第１対向外側部５１Ａｏの第２方向Ｄ２に沿う長さＬＡｏ１よりも短い。
【0067】
第２磁性領域５２は、第２外側部５２ｏ及び第２内側部５２ｉを含む。第２対向磁性領域５２Ａは、第２対向内側部５２Ａｉ及び第２対向外側部５２Ａｏを含む。第２内側部５２ｉは、第２外側部５２ｏと第２対向外側部５２Ａｏとの間にある。第２対向内側部５２Ａｉは、第２内側部５２ｉと第２対向外側部５２Ａｏとの間にある。
【0068】
第２内側部５２ｉの第２方向Ｄ２に沿う長さＬｉ２は、第２外側部５２ｏの第２方向Ｄ２に沿う長さＬｏ２よりも短い。第２対向内側部５２Ａｉの第２方向Ｄ２に沿う長さＬＡｉ２は、第２対向外側部５２Ａｏの第２方向Ｄ２に沿う長さＬＡｏ２よりも短い。
【0069】
内側部の長さ（長さＬｉ１、長さＬＡｉ１、長さＬｉ２及び長さＬＡｉ２）が外側部の長さよりも短いことで、検出対象磁界Ｈｓがより効果的に集中して第１素子１１及び第２素子１２に印加される。より高い感度が得られる。
【0070】
例えば、第１外側部５１ｏは、第１磁性領域５１の外側の端部で良い。第１内側部５１ｉは、第１磁性領域５１の内側の端部で良い。第１対向外側部５１Ａｏは、第１対向磁性領域５１Ａの外側の端部で良い。第１対向内側部５１Ａｉは、第１対向磁性領域５１Ａの内側の端部で良い。
【0071】
例えば、第２外側部５２ｏは、第２磁性領域５２の外側の端部で良い。第２内側部５２ｉは、第２磁性領域５２の内側の端部で良い。第２対向外側部５２Ａｏは、第２対向磁性領域５２Ａの外側の端部で良い。第２対向内側部５２Ａｉは、第２対向磁性領域５２Ａの内側の端部で良い。
【0072】
実施形態において、内側部の長さ（長さＬｉ１、長さＬＡｉ１、長さＬｉ２及び長さＬＡｉ２）が外側部の長さ（長さＬｏ１、長さＬＡｏ１、長さＬｏ２及び長さＬＡｏ２）と実質的に同じでも良い。製造が容易である。低コストの製造が可能になる。
【0073】
図８に示すように、センサ１１０において、第１磁性領域５１の第１方向Ｄ１における位置、及び、第１対向磁性領域５１Ａの第１方向Ｄ１における位置の少なくともいずれかは、第３素子１３の第１方向Ｄ１における位置と、第４素子１４の第１方向Ｄ１における位置と、の間にある。
【0074】
図８に示すように、第２磁性領域５２の第１方向Ｄ１における位置、及び、第２対向磁性領域５２Ａの第１方向Ｄ１における位置の少なくともいずれかは、第３素子１３の第１方向Ｄ１における位置と、第４素子１４の第１方向Ｄ１における位置と、の間にある。
【0075】
以下、センサの構成についてのいくつかの例について説明する。以下では、導電部材２０などの一部の要素が適宜省略されて図示される。
【0076】
図９は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図９に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｐにおいて、複数の磁性領域（第１磁性領域５１など）の辺は、カーブしている。この例では、カーブは、凸状である。
図９に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｐにおいて、複数の磁性領域（第１磁性領域５１など）の辺は、カーブしている。この例では、カーブは、凸状である。
【0077】
図１０は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図１０に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｑにおいて、複数の磁性領域（第１磁性領域５１など）の辺は、カーブしている。この例では、カーブは、凹状である。
図１０に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｑにおいて、複数の磁性領域（第１磁性領域５１など）の辺は、カーブしている。この例では、カーブは、凹状である。
【0078】
センサ１１０ｐ及びセンサ１１０ｑにおいて、磁性領域の辺がカーブしていることで、例えば、端部における磁区の発生が抑制される。これにより、ノイズが抑制される。加工において高い歩留まりを得易い。
【0079】
図１１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図１１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｒにおいて、複数の磁性領域のそれぞれにおいて、第２方向Ｄ２の長さは、実施形態に一定である。このようなセンサ１１０ｒにおいても、特性の向上が可能である。
図１１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｒにおいて、複数の磁性領域のそれぞれにおいて、第２方向Ｄ２の長さは、実施形態に一定である。このようなセンサ１１０ｒにおいても、特性の向上が可能である。
【0080】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１２（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ａにおいて、第１素子１１の１つの端部の第１方向Ｄ１における位置は、第１磁性領域５１の端部の第１方向Ｄ１における位置と重なる。第１素子１１の別の端部の第１方向Ｄ１における位置は、第１対向磁性領域５１Ａの端部の第１方向Ｄ１における位置と重なる。
図１２（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ａにおいて、第１素子１１の１つの端部の第１方向Ｄ１における位置は、第１磁性領域５１の端部の第１方向Ｄ１における位置と重なる。第１素子１１の別の端部の第１方向Ｄ１における位置は、第１対向磁性領域５１Ａの端部の第１方向Ｄ１における位置と重なる。
【0081】
図１２（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ａにおいて、第２素子１２の１つの端部の第１方向Ｄ１における位置は、第２磁性領域５２の端部の第１方向Ｄ１における位置と重なる。第２素子１２の別の端部の第１方向Ｄ１における位置は、第２対向磁性領域５２Ａの端部の第１方向Ｄ１における位置と重なる。
【0082】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１３（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｂにおいて、第１素子１１は、第１方向Ｄ１において第１磁性領域５１及び第１対向磁性領域５１Ａの少なくともいずれかと重なる。第３素子１３は、第１方向Ｄ１において第１磁性領域５１及び第１対向磁性領域５１Ａの少なくともいずれかと重なって良い。
図１３（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｂにおいて、第１素子１１は、第１方向Ｄ１において第１磁性領域５１及び第１対向磁性領域５１Ａの少なくともいずれかと重なる。第３素子１３は、第１方向Ｄ１において第１磁性領域５１及び第１対向磁性領域５１Ａの少なくともいずれかと重なって良い。
【0083】
図１３（ｂ）に示すように、第２素子１２は、第１方向Ｄ１において第２磁性領域５２及び第２対向磁性領域５２Ａの少なくともいずれかと重なる。第４素子１４は、第１方向Ｄ１において第２磁性領域５２及び第２対向磁性領域５２Ａの少なくともいずれかと重なって良い。上記を除くセンサ１１０ｂの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0084】
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１４（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｃにおいて、第１素子１１の一部は、第３方向Ｄ３において、第１磁性領域５１及び第１対向磁性領域５１Ａの少なくともいずれかと重なる。既に説明したように、第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面と交差する。
図１４（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｃにおいて、第１素子１１の一部は、第３方向Ｄ３において、第１磁性領域５１及び第１対向磁性領域５１Ａの少なくともいずれかと重なる。既に説明したように、第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面と交差する。
【0085】
図１４（ｂ）に示すように、第２素子１２の一部は、第３方向Ｄ３において、第２磁性領域５２及び第２対向磁性領域５２Ａの少なくともいずれかと重なる。上記を除くセンサ１１０ｃの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0086】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｄにおいて、磁性領域のＺ軸方向における厚さが変化する。これを除くセンサ１１０ｄの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｄにおいて、磁性領域のＺ軸方向における厚さが変化する。これを除くセンサ１１０ｄの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0087】
図１５（ａ）に示すように、センサ１１０ｄにおいて、第１磁性領域５１において、第１内側部５１ｉの第３方向Ｄ３に沿う長さｔｉ１は、第１外側部５１ｏの第３方向Ｄ３に沿う長さｔｏ１よりも短い。第１対向内側部５１Ａｉの第３方向Ｄ３に沿う長さｔＡｉ１は、第１対向外側部５１Ａｏの第３方向Ｄ３に沿う長さｔＡｏ１よりも短い。
【0088】
図１５（ｂ）に示すように、第２内側部５２ｉの第３方向Ｄ３に沿う長さｔｉ２は、第２外側部５２ｏの第３方向Ｄ３に沿う長さｔｏ２よりも短い。第２対向内側部５２Ａｉの第３方向Ｄ３に沿う長さｔＡｉ２は、第２対向外側部５２Ａｏの第３方向Ｄ３に沿う長さｔＡｏ２よりも短い。
【0089】
内側部の厚さ（第３方向Ｄ３に沿う長さ）が外側部の厚さよりも短いことで、検出対象磁界Ｈｓがより効果的に集中して第１素子１１及び第２素子１２に印加される。より高い感度が得られる。
【0090】
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｅにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の構成が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の構成と異なる。これを除くセンサ１１０ｅの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｅにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の構成が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の構成と異なる。これを除くセンサ１１０ｅの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0091】
センサ１１０ｅにおいては、第３素子１３及び第４素子１４のそれぞれは、抵抗部材で良い。第３素子１３及び第４素子１４のそれぞれは、磁性層を含む抵抗部材でも良い。
【0092】
第３素子１３及び第４素子１４のそれぞれが抵抗部材である場合、これらの素子は、制御部７０などに設けられて良い。例えば、第３素子１３及び第４素子１４は、素子電流回路７１に含まれても良い。または、第３素子１３及び第４素子１４は、素子部１０Ｅ及び制御部７０とは別に設けられても良い。この場合も、高いＳＮ比が得られる。
【0093】
図１７は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図１７に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｆにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の位置が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の位置と異なる。これを除くセンサ１１０ｆの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
図１７に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｆにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の位置が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の位置と異なる。これを除くセンサ１１０ｆの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0094】
センサ１１０ｆにおいて、第１磁性領域５１の第２方向Ｄ２における位置、及び、第２磁性領域５２の第２方向Ｄ２における位置は、第３素子１３の第２方向Ｄ２における位置と、第４素子１４の第２方向Ｄ２における位置と、の間にある。
【0095】
図１８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図１８に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｇにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の位置が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の位置と異なる。これを除くセンサ１１０ｇの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
図１８に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｇにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の位置が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の位置と異なる。これを除くセンサ１１０ｇの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0096】
センサ１１０ｇにおいて、第１素子１１から第２素子１２への方向は、第２方向Ｄ２に沿う。第３素子１３から第１素子１１への方向は、第２方向Ｄ２に沿う。第２素子１２から第４素子１４への方向は、第２方向Ｄ２に沿う。
【0097】
図１９は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図１９に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｈにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の位置が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の位置と異なる。これを除くセンサ１１０ｈの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
図１９に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｈにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の位置が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の位置と異なる。これを除くセンサ１１０ｈの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0098】
センサ１１０ｈにおいて、第３素子１３の第２方向Ｄ２における位置、及び、第４素子１４の第２方向Ｄ２における位置の少なくともいずれかは、第１磁性領域５１の第２方向Ｄ２における位置と、第２磁性領域５２の第２方向Ｄ２における位置と、の間にある。
【0099】
上記の各種のセンサにおいては、第１素子１１の少なくとも一部の第１方向Ｄ１における位置、及び、第２素子１２の少なくとも一部の第１方向Ｄ１における位置の少なくともいずれかは、第３素子１３の第１方向Ｄ１における位置と、第４素子１４の第１方向Ｄ１における位置と、の間にある。
【0100】
上記の各種のセンサにおいて、第３素子１３及び第４素子１４は、第３方向Ｄ３において、第１磁性領域５１、第１対向磁性領域５１Ａ、第２磁性領域５２及び第２対向磁性領域５２Ａと重ならない。
【0101】
図２０は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図２０に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｉにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の位置が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の位置と異なる。これを除くセンサ１１０ｉの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
図２０に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｉにおいて、第３素子１３及び第４素子１４の位置が、センサ１１０における第３素子１３及び第４素子１４の位置と異なる。これを除くセンサ１１０ｉの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0102】
センサ１１０ｉにおいて、第３素子１３は、第３方向Ｄ３において、第２対向磁性領域５２Ａと重なる。第４素子１４は、第３方向Ｄ３において、第１磁性領域５１と重なる。例えば、小さい素子部１０Ｅが得やすい。
【0103】
実施形態において、第３素子１３及び第４素子１４の少なくともいずれかは、第３方向Ｄ３において、第１磁性領域５１、第１対向磁性領域５１Ａ、第２磁性領域５２及び第２対向磁性領域５２Ａの少なくともいずれかと重なって良い。
【0104】
上記のセンサにおいても、高い空間分解能が得られる。特性の向上が可能なセンサが提供できる。
【0105】
図２１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図２１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｊにおいて、第２素子１２の第１方向Ｄ１における位置は、第１素子１１の第１方向Ｄ１における位置と異なる。第２素子１２は、第１素子１１からシフトしても良い。これを除くセンサ１１０ｊの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
図２１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｊにおいて、第２素子１２の第１方向Ｄ１における位置は、第１素子１１の第１方向Ｄ１における位置と異なる。第２素子１２は、第１素子１１からシフトしても良い。これを除くセンサ１１０ｊの構成は、センサ１１０などの構成と同様で良い。
【0106】
センサ１１０ｊにおいて、第１素子１１の第１方向Ｄ１における位置と、第２素子１２の第１方向Ｄ１における位置と、の間の第１方向Ｄ１に沿う距離（シフト量）は、第１磁性領域５１の第１方向Ｄ１における長さの０．３倍以下で良い。
【0107】
図２２は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図２２に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｋにおいても、第２素子１２の第１方向Ｄ１における位置は、第１素子１１の第１方向Ｄ１における位置と異なる。センサ１１０ｋにおいて、第１外側部５１ｏの第１方向Ｄ１における位置は、第２外側部５２ｏの第１方向Ｄ１における位置と実質的に同じで良い。第１対向外側部５１Ａｏの第１方向Ｄ１における位置は、第２対向外側部５２Ａｏの第１方向Ｄ１における位置と実質的に同じで良い。これを除くセンサ１１０ｋの構成は、センサ１１０ｊの構成と同様で良い。
図２２に示すように、実施形態に係るセンサ１１０ｋにおいても、第２素子１２の第１方向Ｄ１における位置は、第１素子１１の第１方向Ｄ１における位置と異なる。センサ１１０ｋにおいて、第１外側部５１ｏの第１方向Ｄ１における位置は、第２外側部５２ｏの第１方向Ｄ１における位置と実質的に同じで良い。第１対向外側部５１Ａｏの第１方向Ｄ１における位置は、第２対向外側部５２Ａｏの第１方向Ｄ１における位置と実質的に同じで良い。これを除くセンサ１１０ｋの構成は、センサ１１０ｊの構成と同様で良い。
【0108】
図２３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図２３に示すように、実施形態に係るセンサ１１１において、導電部材２０及び端子の構成が、センサ１１０におけるそれらの構成と異なる。これを除くセンサ１１１の構成は、センサ１１０の構成と同様で良い。
図２３に示すように、実施形態に係るセンサ１１１において、導電部材２０及び端子の構成が、センサ１１０におけるそれらの構成と異なる。これを除くセンサ１１１の構成は、センサ１１０の構成と同様で良い。
【0109】
センサ１１１において、導電部材２０は、第１導電領域２１及び第２導電領域２２を含む。第１導電領域２１は、第１部分１１ｅに対応する第１導電部分２１ｅと、第１他部分１１ｆに対応する第１他導電部分２１ｆと、を含む。第２導電領域２２は、第２部分１２ｅに対応する第２導電部分２２ｅと、第２他部分１２ｆに対応する第２他導電部分２２ｆと、を含む。第１他導電部分２１ｆは、第２導電部分２２ｅと離れる。第１導電部分２１ｅは第２導電部分２２ｅと接続される。第１端子２５Ａは、第１他導電部分２１ｆと電気的に接続される。第２端子２５Ｂは、第２他導電部分２２ｆと電気的に接続される。
【0110】
図２３に示すように、交流回路７３を含む制御部７０が設けられて良い。交流回路７３は、第１端子２５Ａと第２端子２５Ｂとの間に、交流成分を含む導電部材電流Ｉａｃを供給可能である。
【0111】
交流回路７３は、これらの端子を介して導電部材２０に交流成分を含む導電部材電流Ｉａｃを供給可能である。導電部材電流Ｉａｃが第１他導電部分２１ｆから第１導電部分２１ｅへの向きを有するときに、導電部材電流Ｉａｃは第２導電部分２２ｅから第２他導電部分２２ｆへの向きを有する。
【0112】
導電部材電流Ｉａｃに基づく交流磁界Ｈａｃが、第１素子１１及び第２素子１２に印加される。交流磁界Ｈａｃの位相は、これらの素子において反転する。反転した交流磁界Ｈａｃがこれらの素子に印加されることで、ブリッジ出力において２ｆの周波数の成分が効果的に除去される。高いＳＮ比が得られる。センサ１１１によれば、特性の向上が可能なセンサを提供できる。
【0113】
センサ１１１において、センサ１１０ｐ～センサ１１０ｒ、及び、センサ１１０ａ～センサ１１０ｋの構成が適用されて良い。
【0114】
図２４は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図２５（ａ）及び図２５（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図２５（ａ）は、図２４のＥ１－Ｅ２線断面図である。図２５（ｂ）は、図２４のＦ１－Ｆ２線断面図である。
図２４、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１２は、導電層２０Ｌをさらに含む。これを除くセンサ１１２の構成は、センサ１１０の構成と同様で良い。
図２５（ａ）及び図２５（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図２５（ａ）は、図２４のＥ１－Ｅ２線断面図である。図２５（ｂ）は、図２４のＦ１－Ｆ２線断面図である。
図２４、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１２は、導電層２０Ｌをさらに含む。これを除くセンサ１１２の構成は、センサ１１０の構成と同様で良い。
【0115】
導電層２０Ｌは、第１素子１１及び第２素子１２に沿って延びる。導電層２０Ｌに導電層電流Ｉｃが供給されて良い。導電層電流Ｉｃは、例えば、直流成分を含む。導電層電流Ｉｃにより、例えば、地磁気の影響を補正できる。より高い精度で検出対象磁界Ｈｓを検出できる。
【0116】
図２４に示すように、制御部７０は、導電層２０Ｌに直流成分を含む導電層電流Ｉｃを供給可能である。制御部７０は、電流回路７４を含んで良い。電流回路７４は、導電層２０Ｌに導電層電流Ｉｃを供給可能である。
【0117】
図２５（ａ）に示すように、導電層２０Ｌは、第３方向Ｄ３において第１素子１１と重なって良い。図２５（ｂ）に示すように、導電層２０Ｌは、第３方向Ｄ３において第２素子１２と重なって良い。積層順は任意である。
【0118】
図２６は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図２６に示すように、実施形態に係るセンサ１１３は、導電層２０Ｌをさらに含む。これを除くセンサ１１３の構成は、センサ１１１の構成と同様で良い。例えば、地磁気の影響を補正できる。より高い精度で検出対象磁界Ｈｓを検出できる。制御部７０は、電流回路７４を含んで良い。
図２６に示すように、実施形態に係るセンサ１１３は、導電層２０Ｌをさらに含む。これを除くセンサ１１３の構成は、センサ１１１の構成と同様で良い。例えば、地磁気の影響を補正できる。より高い精度で検出対象磁界Ｈｓを検出できる。制御部７０は、電流回路７４を含んで良い。
【0119】
（第２実施形態）
第２実施形態は、検査装置に係る。後述するように、検査装置は、診断装置を含んでも良い。
第２実施形態は、検査装置に係る。後述するように、検査装置は、診断装置を含んでも良い。
【0120】
図２７は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的図である。
図２７に示すように、第２実施形態に係る検査装置７１０Ａは、第１実施形態に係るセンサ（例えばセンサ１１０など）と、処理部７７０と、を含む。処理部７７０は、センサ１１０から得られる信号を処理する。処理部７７０において、センサ１１０から得られた信号と、基準値と、の比較などが行われても良い。処理部７７０は、処理結果に基づいて、検査結果を出力可能である。
図２７に示すように、第２実施形態に係る検査装置７１０Ａは、第１実施形態に係るセンサ（例えばセンサ１１０など）と、処理部７７０と、を含む。処理部７７０は、センサ１１０から得られる信号を処理する。処理部７７０において、センサ１１０から得られた信号と、基準値と、の比較などが行われても良い。処理部７７０は、処理結果に基づいて、検査結果を出力可能である。
【0121】
例えば、検査装置７１０Ａにより、検査対象６８０が検査される。検査対象６８０は、例えば、電子装置（半導体回路などを含む）である。検査対象６８０は、例えば、基板８０と、配線８０ｃと、を含む。センサ１１０は、配線８０ｃを流れる電流に基づく検出対象磁界Ｈｓを検出する。高い空間位置精度で、検出対象磁界Ｈｓが検出できる。例えば、配線８０ｃの異常を高い位置精度で検出できる。
【0122】
図２８は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的斜視図である。
図２８に示すように、第２実施形態に係る検査装置７１０は、センサ１５０ａ（磁気センサ）と、処理部７７０と、を含む。センサ１５０ａは、第１実施形態に係るセンサ及びその変形で良い。処理部７７０は、センサ１５０ａから得られる信号を処理する。処理部７７０において、センサ１５０ａから得られた信号と、基準値と、の比較などが行われても良い。処理部７７０は、処理結果に基づいて、検査結果を出力可能である。
図２８に示すように、第２実施形態に係る検査装置７１０は、センサ１５０ａ（磁気センサ）と、処理部７７０と、を含む。センサ１５０ａは、第１実施形態に係るセンサ及びその変形で良い。処理部７７０は、センサ１５０ａから得られる信号を処理する。処理部７７０において、センサ１５０ａから得られた信号と、基準値と、の比較などが行われても良い。処理部７７０は、処理結果に基づいて、検査結果を出力可能である。
【0123】
例えば、検査装置７１０により、検査対象６８０が検査される。検査対象６８０は、例えば、電子装置（半導体回路などを含む）である。検査対象６８０は、例えば、電池６１０などでも良い。
【0124】
例えば、実施形態に係るセンサ１５０ａは、電池６１０とともに用いられても良い。例えば、電池システム６００は、電池６１０及びセンサ１５０ａを含む。センサ１５０ａは、電池６１０に流れる電流により生じる磁界を検出できる。
【0125】
図２９は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的平面図である。
図２９に示すように、センサ１５０ａは、例えば、実施形態に係る複数のセンサを含む。この例では、センサ１５０ａは、複数のセンサ（センサ１１０などの素子部１０Ｅなど）を含む。複数のセンサは、例えば、２つの方向に沿って並ぶ。複数のセンサ１１０は、例えば、基板の上に設けられる。
図２９に示すように、センサ１５０ａは、例えば、実施形態に係る複数のセンサを含む。この例では、センサ１５０ａは、複数のセンサ（センサ１１０などの素子部１０Ｅなど）を含む。複数のセンサは、例えば、２つの方向に沿って並ぶ。複数のセンサ１１０は、例えば、基板の上に設けられる。
【0126】
センサ１５０ａは、検査対象６８０（例えば電池６１０でも良い）に流れる電流により生じる磁界を検出できる。例えば、電池６１０が異常な状態に近づくと、電池６１０に異常な電流が流れる場合がある。センサ１５０ａにより異常な電流を検出することで、電池６１０の状態の変化を知ることができる。例えば、電池６１０に近づけてセンサ１５０ａが置かれた状態で、２つの方向のセンサ群駆動手段を用いて、電池６１０の全体を短時間で検査できる。センサ１５０ａは、電池６１０の製造における、電池６１０の検査に用いられても良い。
【0127】
実施形態に係るセンサは、例えば、診断装置などの検査装置７１０に応用できる。
図３０は、実施形態に係るセンサ及び検査装置を示す模式図である。
図３０に示すように、検査装置７１０の例である診断装置５００は、センサ１５０を含む。センサ１５０は、第１実施形態に関して説明したセンサ、及び、それらの変形を含む。
図３０は、実施形態に係るセンサ及び検査装置を示す模式図である。
図３０に示すように、検査装置７１０の例である診断装置５００は、センサ１５０を含む。センサ１５０は、第１実施形態に関して説明したセンサ、及び、それらの変形を含む。
【0128】
診断装置５００において、センサ１５０は、例えば、脳磁計である。脳磁計は、脳神経が発する磁界を検出する。センサ１５０が脳磁計に用いられる場合、センサ１５０に含まれる素子のサイズは、例えば、１ｍｍ以上１０ｍｍ未満である。このサイズは、例えば、ＭＦＣを含めた長さである。
【0129】
図３０に示すように、センサ１５０（脳磁計）は、例えば、人体の頭部に装着される。センサ１５０（脳磁計）は、センサ部３０１を含む。センサ１５０（脳磁計）は、複数のセンサ部３０１を含んでも良い。複数のセンサ部３０１の数は、例えば、約１００個（例えば５０個以上１５０個以下）である。複数のセンサ部３０１は、柔軟性を有する基体３０２に設けられる。
【0130】
センサ１５０は、例えば、差動検出などの回路を含んでも良い。センサ１５０は、センサとは別のセンサ（例えば、電位端子または加速度センサなど）を含んでも良い。
【0131】
センサ１５０のサイズは、従来のＳＱＵＩＤセンサのサイズに比べて小さい。このため、複数のセンサ部３０１の設置が容易である。複数のセンサ部３０１と、他の回路と、の設置が容易である。複数のセンサ部３０１と、他のセンサと、の共存が容易である。
【0132】
基体３０２は、例えばシリコーン樹脂などの弾性体を含んでも良い。基体３０２に、例えば、複数のセンサ部３０１が繋がって設けられる。基体３０２は、例えば、頭部に密着できる。
【0133】
センサ部３０１の入出力コード３０３は、診断装置５００のセンサ駆動部５０６及び信号入出力部５０４と接続される。センサ駆動部５０６からの電力と、信号入出力部５０４からの制御信号と、に基づいて、センサ部３０１において、磁界測定が行われる。その結果は、信号入出力部５０４に入力される。信号入出力部５０４で得た信号は、信号処理部５０８に供給される。信号処理部５０８において、例えば、ノイズの除去、フィルタリング、増幅、及び、信号演算などの処理が行われる。信号処理部５０８で処理された信号が、信号解析部５１０に供給される。信号解析部５１０は、例えば、脳磁計測のための特定の信号を抽出する。信号解析部５１０において、例えば、信号位相を整合させる信号解析が行われる。
【0134】
信号解析部５１０の出力（信号解析が終了したデータ）が、データ処理部５１２に供給される。データ処理部５１２では、データ解析が行われる。このデータ解析において、例えば、ＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）などの画像データが取り入られることが可能である。このデータ解析においては、例えば、ＥＥＧ（Electroencephalogram）などの頭皮電位情報などが取り入れられることが可能である。データ解析により、例えば、神経発火点解析、または、逆問題解析などが行われる。
【0135】
データ解析の結果は、例えば、画像化診断部５１６に供給される。画像化診断部５１６において、画像化が行われる。画像化により、診断が支援される。
【0136】
上記の一連の動作は、例えば、制御機構５０２によって制御される。例えば、一次信号データ、または、データ処理途中のメタデータなどの必要なデータは、データサーバに保存される。データサーバと制御機構とは、一体化されても良い。
【0137】
実施形態に係る診断装置５００は、センサ１５０と、センサ１５０から得られる信号を処理する処理部と、を含む。この処理部は、例えば、信号処理部５０８及びデータ処理部５１２の少なくともいずれかを含む。処理部は、例えば、コンピュータなどを含む。
【0138】
図３０に示すセンサ１５０では、センサ部３０１は、人体の頭部に設置されている。センサ部３０１は、人体の胸部に設置されても良い。これにより、心磁測定が可能となる。例えば、センサ部３０１を妊婦の腹部に設置しても良い。これにより、胎児の心拍検査を行うことができる。
【0139】
被験者を含めたセンサ装置は、シールドルーム内に設置されるのが好ましい。これにより、例えば、地磁気または磁気ノイズの影響が抑制できる。
【0140】
例えば、人体の測定部位、または、センサ部３０１を局所的にシールドする機構を設けても良い。例えば、センサ部３０１にシールド機構を設けても良い。例えば、信号解析またはデータ処理において、実効的なシールドを行っても良い。
【0141】
実施形態において、基体３０２は、柔軟性を有しても良く、柔軟性を実質的に有しなくても良い。この例では、基体３０２は、連続した膜を帽子状に加工したものである。基体３０２は、ネット状でも良い。これにより、例えば、良好な装着性が得られる。例えば、基体３０２の人体への密着性が向上する。基体３０２は、ヘルメット状で、硬質でも良い。
【0142】
【0143】
図３１に示した例において、センサ部３０１から得られる信号の入出力は、図３０に関して説明した入出力と同様である。図３１に示した例において、センサ部３０１から得られる信号の処理は、図３０に関して説明した処理と同様である。
【0144】
生体から発生する磁界などの微弱な磁界を計測する装置として、SQUID (Superconducting Quantum Interference Device：超伝導量子干渉素子)センサを用いる参考例がある。この参考例においては、超伝導を用いるため、装置が大きく、消費電力も大きい。測定対象(患者)の負担が大きい。
【0145】
実施形態によれば、装置が小型にできる。消費電力を抑制できる。測定対象(患者)の負担が軽減できる。実施形態によれば、磁界検出のＳＮ比を向上できる。感度を向上できる。
【0146】
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んで良い。
（構成１）
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と連続した、前記導電部材と、
前記第１他導電部分及び前記第２導電部分と電気的に接続された第１端子と、
前記第１導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続された第２端子と、
を備えたセンサ。
（構成１）
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と連続した、前記導電部材と、
前記第１他導電部分及び前記第２導電部分と電気的に接続された第１端子と、
前記第１導電部分及び前記第２他導電部分と電気的に接続された第２端子と、
を備えたセンサ。
【0147】
（構成２）
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と離れ、前記第１導電部分は前記第２導電部分と接続された、前記導電部材と、
前記第１他導電部分と電気的に接続された第１端子と、
前記第２他導電部分と電気的に接続された第２端子と、
を備えたセンサ。
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記第１他導電部分は、前記第２導電部分と離れ、前記第１導電部分は前記第２導電部分と接続された、前記導電部材と、
前記第１他導電部分と電気的に接続された第１端子と、
前記第２他導電部分と電気的に接続された第２端子と、
を備えたセンサ。
【0148】
（構成３）
交流回路を含む制御部をさらに備え、
前記交流回路は、前記第１端子と前記第２端子との間に交流成分を含む導電部材電流を供給可能である、構成１または２に記載のセンサ。
交流回路を含む制御部をさらに備え、
前記交流回路は、前記第１端子と前記第２端子との間に交流成分を含む導電部材電流を供給可能である、構成１または２に記載のセンサ。
【0149】
（構成４）
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記導電部材に交流成分を含む導電部材電流が供給された場合に、前記導電部材電流が前記第１他導電部分から前記第１導電部分への向きを有するとき、前記導電部材電流は前記第２導電部分から前記第２他導電部分への向きを有する、前記導電部材と、
を備えたセンサ。
第１磁性領域と、
第１対向磁性領域であって、前記第１対向磁性領域は、前記第１磁性領域から前記第１対向磁性領域への第１方向において前記第１磁性領域から離れた、前記第１対向磁性領域と、
第１磁性層を含む第１素子であって、前記第１素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第１磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１素子は、第１部分及び第１他部分を含み、前記第１部分から前記第１他部分への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１素子と、
第２磁性領域であって、前記第１磁性領域から前記第２磁性領域への方向は、前記第２方向に沿い、
第２対向磁性領域であって、前記第２対向磁性領域は、前記第１方向において前記第２磁性領域から離れ、前記第１対向磁性領域から前記第２対向磁性領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２対向磁性領域と、
第２磁性層を含む第２素子であって、前記第２素子の少なくとも一部の前記第１方向における位置は、前記第２磁性領域の前記第１方向における位置と、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第２素子は、第２部分及び第２他部分を含み、前記第２部分から前記第２他部分への方向は、前記第２方向に沿う、前記第２素子と、
第３部分及び第３他部分を含む第３素子であって、前記第３部分は前記第１部分と電気的に接続され、前記第３他部分は前記第２部分と電気的に接続された、前記第３素子と、
第４部分及び第４他部分を含む第４素子であって、前記第４部分は前記第１他部分と電気的に接続され、前記第４他部分は前記第２他部分と電気的に接続された、前記第４素子と、
導電部材であって、前記導電部材は、第１導電領域及び第２導電領域を含み、前記第１導電領域は、前記第１部分に対応する第１導電部分と、前記第１他部分に対応する第１他導電部分と、を含み、前記第２導電領域は、前記第２部分に対応する第２導電部分と、前記第２他部分に対応する第２他導電部分と、を含み、前記導電部材に交流成分を含む導電部材電流が供給された場合に、前記導電部材電流が前記第１他導電部分から前記第１導電部分への向きを有するとき、前記導電部材電流は前記第２導電部分から前記第２他導電部分への向きを有する、前記導電部材と、
を備えたセンサ。
【0150】
（構成５）
交流回路を含む制御部をさらに備え、
前記交流回路は、前記導電部材に導電部材電流を供給可能である、構成１または２に記載のセンサ。
交流回路を含む制御部をさらに備え、
前記交流回路は、前記導電部材に導電部材電流を供給可能である、構成１または２に記載のセンサ。
【0151】
（構成６）
前記制御部は、素子電流回路及び検出回路をさらに備え、
前記素子電流回路は、前記第１部分及び前記第３部分の第１接続点と、前記第２他部分及び前記第４他部分の第２接続点と、の間に素子電流を供給可能であり、
前記検出回路は、前記第３他部分及び前記第２部分の第３接続点と、前記第１他部分及び前記第４部分の第４接続点と、の間に生じる検出信号を検出可能である、構成３または５に記載のセンサ。
前記制御部は、素子電流回路及び検出回路をさらに備え、
前記素子電流回路は、前記第１部分及び前記第３部分の第１接続点と、前記第２他部分及び前記第４他部分の第２接続点と、の間に素子電流を供給可能であり、
前記検出回路は、前記第３他部分及び前記第２部分の第３接続点と、前記第１他部分及び前記第４部分の第４接続点と、の間に生じる検出信号を検出可能である、構成３または５に記載のセンサ。
【0152】
（構成７）
前記検出回路は、前記導電部材電流の周波数に基づいて前記検出信号を処理した出力信号を出力可能である、構成６に記載のセンサ。
前記検出回路は、前記導電部材電流の周波数に基づいて前記検出信号を処理した出力信号を出力可能である、構成６に記載のセンサ。
【0153】
（構成８）
前記第１素子及び前記第２素子に沿って延びる導電層をさらに備え、
前記制御部は、前記導電層に直流成分を含む導電層電流を供給可能である、構成３または５に記載のセンサ。
前記第１素子及び前記第２素子に沿って延びる導電層をさらに備え、
前記制御部は、前記導電層に直流成分を含む導電層電流を供給可能である、構成３または５に記載のセンサ。
【0154】
（構成９）
前記導電部材電流に基づく磁界は、前記第１方向の成分を含む、構成３～５のいずれか１つに記載のセンサ。
前記導電部材電流に基づく磁界は、前記第１方向の成分を含む、構成３～５のいずれか１つに記載のセンサ。
【0155】
（構成１０）
前記第１磁性領域の前記第１方向における前記位置、及び、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における前記位置の少なくともいずれかは、前記第３素子の前記第１方向における位置と、前記第４素子の前記第１方向における位置と、の間にあり、
前記第２磁性領域の前記第１方向における前記位置、及び、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における前記位置の少なくともいずれかは、前記第３素子の前記第１方向における前記位置と、前記第４素子の前記第１方向における前記位置と、の間にある、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１磁性領域の前記第１方向における前記位置、及び、前記第１対向磁性領域の前記第１方向における前記位置の少なくともいずれかは、前記第３素子の前記第１方向における位置と、前記第４素子の前記第１方向における位置と、の間にあり、
前記第２磁性領域の前記第１方向における前記位置、及び、前記第２対向磁性領域の前記第１方向における前記位置の少なくともいずれかは、前記第３素子の前記第１方向における前記位置と、前記第４素子の前記第１方向における前記位置と、の間にある、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
【0156】
（構成１１）
前記第１素子の前記少なくとも一部の前記第１方向における前記位置、及び、前記第２素子の前記少なくとも一部の前記第１方向における前記位置の少なくともいずれかは、前記第３素子の前記第１方向における位置と、前記第４素子の前記第１方向における位置と、の間にある、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１素子の前記少なくとも一部の前記第１方向における前記位置、及び、前記第２素子の前記少なくとも一部の前記第１方向における前記位置の少なくともいずれかは、前記第３素子の前記第１方向における位置と、前記第４素子の前記第１方向における位置と、の間にある、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
【0157】
（構成１２）
前記第１磁性領域の前記第２方向における位置、及び、前記第２磁性領域の前記第２方向における位置は、前記第３素子の前記第２方向における位置と、前記第４素子の前記第２方向における位置と、の間にある、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１磁性領域の前記第２方向における位置、及び、前記第２磁性領域の前記第２方向における位置は、前記第３素子の前記第２方向における位置と、前記第４素子の前記第２方向における位置と、の間にある、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
【0158】
（構成１３）
前記第３素子の前記第２方向における位置、及び、前記第４素子の前記第２方向における位置の少なくともいずれかは、前記第１磁性領域の前記第２方向における位置と、前記第２磁性領域の前記第２方向における位置と、の間にある、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第３素子の前記第２方向における位置、及び、前記第４素子の前記第２方向における位置の少なくともいずれかは、前記第１磁性領域の前記第２方向における位置と、前記第２磁性領域の前記第２方向における位置と、の間にある、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
【0159】
（構成１４）
前記第３素子及び前記第４素子は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向において、前記第１磁性領域、前記第１対向磁性領域、前記第２磁性領域及び前記第２対向磁性領域と重ならない、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第３素子及び前記第４素子は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向において、前記第１磁性領域、前記第１対向磁性領域、前記第２磁性領域及び前記第２対向磁性領域と重ならない、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。
【0160】
（構成１５）
前記第１素子の第１電気抵抗、及び、前記第２素子の第２電気抵抗は、検出対象磁界に応じて変化可能である、構成１～１４のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１素子の第１電気抵抗、及び、前記第２素子の第２電気抵抗は、検出対象磁界に応じて変化可能である、構成１～１４のいずれか１つに記載のセンサ。
【0161】
（構成１６）
前記第３素子の第３電気抵抗の前記磁界に対する変化、及び、前記第４素子の第４電気抵抗の前記磁界に対する変化は、前記第１電気抵抗の前記磁界に対する変化よりも小さく、前記第２電気抵抗の前記磁界に対する変化よりも小さい、構成１５に記載のセンサ。
前記第３素子の第３電気抵抗の前記磁界に対する変化、及び、前記第４素子の第４電気抵抗の前記磁界に対する変化は、前記第１電気抵抗の前記磁界に対する変化よりも小さく、前記第２電気抵抗の前記磁界に対する変化よりも小さい、構成１５に記載のセンサ。
【0162】
（構成１７）
前記第１素子は、第１対向磁性層をさらに含み、
前記第２素子は、第２対向磁性層をさらに含み、
前記第１磁性層から前記第１対向磁性層への方向、及び、前記第２磁性層から前記第２対向磁性層への方向の少なくともいずれかは、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う、構成１～８のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１素子は、第１対向磁性層をさらに含み、
前記第２素子は、第２対向磁性層をさらに含み、
前記第１磁性層から前記第１対向磁性層への方向、及び、前記第２磁性層から前記第２対向磁性層への方向の少なくともいずれかは、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う、構成１～８のいずれか１つに記載のセンサ。
【0163】
（構成１８）
前記第１素子の前記第２方向に沿う長さは、前記第１素子の前記第１方向に沿う長さよりも長く、
前記第２素子の前記第２方向に沿う長さは、前記第２素子の前記第１方向に沿う長さよりも長い、構成１～１７のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第１素子の前記第２方向に沿う長さは、前記第１素子の前記第１方向に沿う長さよりも長く、
前記第２素子の前記第２方向に沿う長さは、前記第２素子の前記第１方向に沿う長さよりも長い、構成１～１７のいずれか１つに記載のセンサ。
【0164】
（構成１９）
前記第３素子は、第３磁性層及び第３対向磁性層を含み、
前記第４素子は、第４磁性層及び第４対向磁性層を含む、構成１～１８のいずれか１つに記載のセンサ。
前記第３素子は、第３磁性層及び第３対向磁性層を含み、
前記第４素子は、第４磁性層及び第４対向磁性層を含む、構成１～１８のいずれか１つに記載のセンサ。
【0165】
（構成２０）
構成１～１９のいずれか１つに記載のセンサと、
前記センサから得られる信号を処理する処理部と、
を備えた検査装置。
構成１～１９のいずれか１つに記載のセンサと、
前記センサから得られる信号を処理する処理部と、
を備えた検査装置。
【0166】
実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサ及び検査装置が提供できる。
【0167】
以上、例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの例に限定されるものではない。例えば、センサまたは検査装置に含まれる、磁性層、素子、導電部材、制御部及び処理部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【0168】
各例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0169】
本発明の実施の形態として上述したセンサ及び検査装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサ及び検査装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【0170】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【0171】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0172】
１０Ｅ…素子部、 １１～１４…第１～第４素子、 １１ａ～１４ａ…第１～第４磁性層、 １１ｂ～１４ｂ…第１～第４対向磁性層、 １１ｅ～１４ｅ…第１～第４部分、 １１ｆ～１４ｆ…第１～第４他部分、 １１ｎ～１４ｎ…第１～第４非磁性層、 ２０…導電部材、 ２０Ｌ…導電層、 ２１、２２…第１、第２導電領域、 ２１ｅ、２２ｅ…第１、第２導電部分、 ２１ｆ、２２ｆ…第１、第２他導電部分、 ２５Ａ、２５Ｂ…第１、第２端子、 ５１～５４…第１～第４磁性領域、 ５１Ａ～５４Ａ…第１～第４対向磁性領域、 ５１Ａｉ、５２Ａｉ…第１、第２対向内側部、 ５１Ａｏ、５２Ａｏ…第１、第２対向外側部、 ５１Ｓ、５２Ｓ…領域、 ５１ｉ、５２ｉ…第１、第２内側部、 ５１ｏ、５２ｏ…第１、第２外側部、 ７０…制御部、 ７１…素子電流回路、 ７２…検出回路、 ７３…交流回路、 ７４…電流回路、 ７８ａ～７８ｄ…配線、 ８０…基板、 ８０ｃ…配線、 ８１…絶縁部材、 １１０、１１０ａ～１１０ｋ、１１０ｐ～１１０ｒ、１１１～１１３、１１９、１５０、１５０ａ…センサ、 ３０１…センサ部、 ３０２…基体、 ３０３…入出力コード、 ３０５…基体、 ５００…診断装置、 ５０２…制御機構、 ５０４…信号入出力部、 ５０６…センサ駆動部、 ５０８…信号処理部、 ５１０…信号解析部、 ５１２…データ処理部、 ５１６…画像化診断部、 ６００…電池システム、 ６１０…電池、 ６８０…検査対象、 ７１０、７１０Ａ…検査装置、 ７７０…処理部、 ＣＰ１～ＣＰ４…第１～第４接続点、 Ｄ１～Ｄ３…第１～第３方向、 Ｈ…磁界、 Ｈａｃ…交流磁界、 Ｈｓ…検出対象磁界、 Ｉａｃ…導電部材電流、 Ｉｃ…導電層電流、 Ｉｅ…素子電流、 Ｌ１１、Ｌ１２、ＬＡｉ１、ＬＡｉ２、ＬＡｏ１、ＬＡｏ２、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｏ１、Ｌｏ２…長さ、 Ｓｉｇ１…検出信号、 Ｓｉｇ２…出力信号、 Ｗ１１、Ｗ１２…長さ、 ｄＹ…距離、 ｔＡｉ１、ｔＡｉ２、ｔＡｏ１、ｔＡｏ２、ｔｉ１、ｔｉ２、ｔｏ１、ｔｏ２…長さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】