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▶ スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024161341
(43)【公開日】2024-11-19
(54)【発明の名称】ダイサイズの低減、関連するデバイス及び方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20241112BHJP
【ＦＩ】
H01L21/92 602F
H01L21/92 602J
H01L21/92 604S
【審査請求】未請求
【請求項の数】31
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024073350
(22)【出願日】2024-04-30
(31)【優先権主張番号】63/464575
(32)【優先日】2023-05-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】503031330
【氏名又は名称】スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＳＫＹＷＯＲＫＳ ＳＯＬＵＴＩＯＮＳ，ＩＮＣ．
(74)【代理人】
【識別番号】100083806
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 秀和
(74)【代理人】
【識別番号】100111235
【弁理士】
【氏名又は名称】原 裕子
(74)【代理人】
【識別番号】100195257
【弁理士】
【氏名又は名称】大渕 一志
(72)【発明者】
【氏名】イ、 ジュンヒュン
(72)【発明者】
【氏名】ナンガリア、 サンディープ ナンド
(72)【発明者】
【氏名】ポルジャ、 ルドルフ
(57)【要約】 （修正有）
【課題】送受信器と、アンテナと、電気的に送受信器とアンテナとの間になるように実装された無線周波数デバイスと、を含む無線デバイスを提供する。
【解決手段】無線周波数デバイスは、半導体ダイを含み、半導体ダイは、一以上の基板層１４６の上に形成され、信号の引き回しを目的とする金属層１３０と、金属層の上に形成される導電パッド１２０と、を含むバンプ付き構成１４８を含む。バンプ付き構成は、導電パッドの上に形成されるアンダーバンプ金属化層１１１を含み、金属層は、バンプ１１０がアンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に、導電パッド及びアンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続される。金属層の側方寸法は、導電パッドの側方寸法よりも小さい。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】無線周波数デバイスは、半導体ダイを含み、半導体ダイは、一以上の基板層１４６の上に形成され、信号の引き回しを目的とする金属層１３０と、金属層の上に形成される導電パッド１２０と、を含むバンプ付き構成１４８を含む。バンプ付き構成は、導電パッドの上に形成されるアンダーバンプ金属化層１１１を含み、金属層は、バンプ１１０がアンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に、導電パッド及びアンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続される。金属層の側方寸法は、導電パッドの側方寸法よりも小さい。
【選択図】図３Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体ダイのためのバンプ付きアセンブリであって、
一以上の基板層と、
前記一以上の基板層の上に形成された金属層であって、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する金属層と、
前記金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと、
前記導電パッドの上に形成されて側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層と
を含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、バンプ付きアセンブリ。
一以上の基板層と、
前記一以上の基板層の上に形成された金属層であって、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する金属層と、
前記金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと、
前記導電パッドの上に形成されて側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層と
を含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、バンプ付きアセンブリ。
【請求項2】
前記導電パッドの側方寸法は、前記アンダーバンプ金属化層の側方寸法と等しいか又はそれよりも大きい、請求項１のバンプ付きアセンブリ。
【請求項3】
前記導電パッドの側方寸法は、前記アンダーバンプ金属化層の側方寸法と等しいか又はそれよりも大きい、請求項２のバンプ付きアセンブリ。
【請求項4】
前記金属層の側方寸法が前記導電パッドの側方寸法よりも小さいことにより、前記バンプ付きアセンブリに関連付けられるダイにおける複数の金属層の輻輳が低減され、前記複数の金属層の輻輳の低減により前記ダイのサイズが低減される、請求項１のバンプ付きアセンブリ。
【請求項5】
前記複数の金属層の輻輳の低減により、前記バンプ付きアセンブリなしの他のダイと比較した場合、前記ダイのサイズの低減が得られる、請求項４のバンプ付きアセンブリ。
【請求項6】
前記導電パッドの側方寸法に対する前記金属層の側方寸法の比は、０．９５未満、０．９０未満、０．８５未満、０．８０未満、０．７５未満、０．７０未満、０．６５未満、又は０．６０未満である、請求項１のバンプ付きアセンブリ。
【請求項7】
前記バンプ付きアセンブリは、前記半導体ダイにフリップチップ取り付け機能を与えるように構成される、請求項１のバンプ付きアセンブリ。
【請求項8】
前記導電パッドは、側方寸法を有するネック部分を通って金属層の上に配置される、請求項１のバンプ付きアセンブリ。
【請求項9】
前記ネック部分の側方寸法は、前記金属層の側方寸法よりも小さい、請求項８のバンプ付きアセンブリ。
【請求項10】
前記ネック部分は、前記導電パッドと同じ材料から形成される、請求項８のバンプ付きアセンブリ。
【請求項11】
前記アンダーバンプ金属化層、前記導電パッド及び前記金属層のそれぞれのフットプリントが、それぞれの形状を有し、前記導電パッドのフットプリントと前記金属層のフットプリントとは同様の形状を有する、請求項１のバンプ付きアセンブリ。
【請求項12】
前記導電パッド及び金属層のフットプリントの前記同様の形状は、多角形の形状を含み、前記金属層のフットプリントの多角形の形状は、前記導電パッドのフットプリントの多角形の形状の中に存在する、請求項１１のバンプ付きアセンブリ。
【請求項13】
半導体ダイを処理する方法であって、
一以上の基板層を設ける又は形成することと、
前記一以上の基板層の上に金属層を形成することであって、前記金属層は信号を引き回すように構成されて側方寸法を有することと、
前記金属層の上に導電パッドを形成することであって、前記導電パッドは側方寸法を有することと、
前記導電パッドの上にアンダーバンプ金属化層を形成することであって、前記アンダーバンプ金属化層は側方寸法を有することと
を含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、方法。
一以上の基板層を設ける又は形成することと、
前記一以上の基板層の上に金属層を形成することであって、前記金属層は信号を引き回すように構成されて側方寸法を有することと、
前記金属層の上に導電パッドを形成することであって、前記導電パッドは側方寸法を有することと、
前記導電パッドの上にアンダーバンプ金属化層を形成することであって、前記アンダーバンプ金属化層は側方寸法を有することと
を含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、方法。
【請求項14】
前記金属層を形成することは、開口を有するパターン層を形成することと、前記開口の中に金属構造物を形成することとを含み、前記開口は、前記金属層の側方寸法と近似的に同じ側方寸法を有する、請求項１３の方法。
【請求項15】
前記導電パッドを形成することは、
側方寸法が前記金属層の側方寸法よりも小さい開口を有する第１パターン状パッシベーション層を形成することと、
前記第１パターン状パッシベーション層の上に、開口を有する第２パターン状パッシベーション層を形成することと
を含み、
前記第２パターン状パッシベーション層の開口は、側方寸法が前記金属層の側方寸法よりも大きい、請求項１４の方法。
側方寸法が前記金属層の側方寸法よりも小さい開口を有する第１パターン状パッシベーション層を形成することと、
前記第１パターン状パッシベーション層の上に、開口を有する第２パターン状パッシベーション層を形成することと
を含み、
前記第２パターン状パッシベーション層の開口は、側方寸法が前記金属層の側方寸法よりも大きい、請求項１４の方法。
【請求項16】
前記導電パッドを形成することはさらに、前記第１パターン状パッシベーション層及び前記第２パターン状パッシベーション層それぞれの開口の中に金属構造物を形成することを含む、請求項１５の方法。
【請求項17】
前記第１パターン状パッシベーション層の開口の中の金属構造物と前記第２パターン状パッシベーション層の開口の中の金属構造物とは同じ材料から形成される、請求項１６の方法。
【請求項18】
前記アンダーバンプ金属化層を形成することは、
少なくとも前記第２パターン状パッシベーション層の開口に関連付けられる前記金属構造物まわりにおいて、前記第２パターン状パッシベーション層を除去することと、
前記第２パターン状パッシベーション層の開口に関連付けられる前記金属構造物の上面の一部分を露出させるようにパッシベーション層を形成することと
を含む、請求項１６の方法。
少なくとも前記第２パターン状パッシベーション層の開口に関連付けられる前記金属構造物まわりにおいて、前記第２パターン状パッシベーション層を除去することと、
前記第２パターン状パッシベーション層の開口に関連付けられる前記金属構造物の上面の一部分を露出させるようにパッシベーション層を形成することと
を含む、請求項１６の方法。
【請求項19】
前記アンダーバンプ金属化層を形成することはさらに、前記第２パターン状パッシベーション層の開口に関連付けられる前記金属構造物の上面の露出された一部分の上に前記アンダーバンプ金属化層を形成し、バンプを受容するバンプ空間を与えることを含む、請求項１８の方法。
【請求項20】
半導体ダイであって、
一以上の基板層と、
前記一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスと、
前記一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリと
を含み、
各バンプ付きアセンブリが、前記一以上の基板層の上に形成された金属層であって、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する金属層を含み、
各バンプ付きアセンブリはさらに、前記金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと前記導電パッドの上に形成されて側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、半導体ダイ。
一以上の基板層と、
前記一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスと、
前記一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリと
を含み、
各バンプ付きアセンブリが、前記一以上の基板層の上に形成された金属層であって、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する金属層を含み、
各バンプ付きアセンブリはさらに、前記金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと前記導電パッドの上に形成されて側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、半導体ダイ。
【請求項21】
各バンプ付きアセンブリの前記アンダーバンプ金属化層に固定されたバンプをさらに含む、請求項２０の半導体ダイ。
【請求項22】
前記半導体ダイはフリップチップダイとして実装される、請求項２０の半導体ダイ。
【請求項23】
前記金属層の側方寸法が前記導電パッドの側方寸法よりも小さいことにより、前記バンプ付きアセンブリに関連付けられる複数の金属層の輻輳の低減が得られ、前記複数の金属層の輻輳の低減により、前記半導体ダイのサイズが、前記バンプ付きアセンブリなしの他の半導体ダイと比較した場合に低減される、請求項２０の半導体ダイ。
【請求項24】
パッケージモジュールであって、
パッケージング基板と、
前記パッケージング基板に取り付けられた半導体ダイと
を含み、
前記半導体ダイは、一以上の基板層、前記一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスを含み、
前記半導体ダイはさらに、前記一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリを含み、
各バンプ付きアセンブリが、前記一以上の基板層の上に形成された金属層であって、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する金属層を含み、
各バンプ付きアセンブリはさらに、前記金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと前記導電パッドの上に形成されて側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、パッケージモジュール。
パッケージング基板と、
前記パッケージング基板に取り付けられた半導体ダイと
を含み、
前記半導体ダイは、一以上の基板層、前記一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスを含み、
前記半導体ダイはさらに、前記一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリを含み、
各バンプ付きアセンブリが、前記一以上の基板層の上に形成された金属層であって、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する金属層を含み、
各バンプ付きアセンブリはさらに、前記金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと前記導電パッドの上に形成されて側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、パッケージモジュール。
【請求項25】
前記パッケージング基板は第１側及び第２側を含み、前記第２側は、前記パッケージモジュールを回路基板に取り付けることを許容するように構成される、請求項２４のパッケージモジュール。
【請求項26】
前記半導体ダイは、前記パッケージング基板の第１側又は第２側に取り付けられる、請求項２５のパッケージモジュール。
【請求項27】
前記パッケージング基板の第１側又は第２側に取り付けられた他の半導体ダイをさらに含む、請求項２５のパッケージモジュール。
【請求項28】
前記半導体ダイは、前記パッケージング基板の第１側及び第２側の一側に取り付けられ、前記他の半導体ダイは、前記パッケージモジュールが両面モジュールとなるように前記パッケージング基板の他側に取り付けられる、請求項２７のパッケージモジュール。
【請求項29】
前記パッケージング基板の少なくとも第１側に実装されたモールド構造物をさらに含む、請求項２８のパッケージモジュール。
【請求項30】
前記モールド構造物と前記パッケージモジュールの両側面とを覆うように実装されたコンフォーマル遮蔽層をさらに含む、請求項２９のパッケージモジュール。
【請求項31】
無線デバイスであって、
送受信器と、
アンテナと、
電気的に前記送受信器と前記アンテナとの間になるように実装された無線周波数デバイスと
を含み、
前記無線周波数デバイスは半導体ダイを含み、
前記半導体ダイは、一以上の基板層、前記一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスを含み、
前記半導体ダイはさらに、前記一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリを含み、
各バンプ付きアセンブリが、前記一以上の基板層の上に形成された金属層であって、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する金属層を含み、
各バンプ付きアセンブリはさらに、前記金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと前記導電パッドの上に形成されて側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、無線デバイス。
送受信器と、
アンテナと、
電気的に前記送受信器と前記アンテナとの間になるように実装された無線周波数デバイスと
を含み、
前記無線周波数デバイスは半導体ダイを含み、
前記半導体ダイは、一以上の基板層、前記一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスを含み、
前記半導体ダイはさらに、前記一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリを含み、
各バンプ付きアセンブリが、前記一以上の基板層の上に形成された金属層であって、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する金属層を含み、
各バンプ付きアセンブリはさらに、前記金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと前記導電パッドの上に形成されて側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、
前記金属層はバンプに、前記バンプが前記アンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に前記導電パッド及び前記アンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続され、
前記金属層の側方寸法は前記導電パッドの側方寸法よりも小さい、無線デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本願は、２０２３年５月７日に出願された「ダイサイズの低減、関連するデバイス及び方法」との名称の米国仮出願第６３／４６４，５７５号の優先権を主張し、その開示は、その対応する全体が参照によりここに明示的に組み込まれる。
本願は、２０２３年５月７日に出願された「ダイサイズの低減、関連するデバイス及び方法」との名称の米国仮出願第６３／４６４，５７５号の優先権を主張し、その開示は、その対応する全体が参照によりここに明示的に組み込まれる。
【0002】
本開示は、半導体ダイのためのバンプ付きアセンブリ並びに関連するデバイス及び方法に関する。
【背景技術】
【0003】
多くのアプリケーションにおいて、半導体ダイを基板に取り付けるべく複数のバンプが利用されている。かかるバンプ付き構成は、例えば、フリップチップ取り付け構成であってよく、基材は、例えば、パッケージ基材、他のダイ、又は回路基板であってよい。
【発明の概要】
【0004】
一定数の実装例によれば、本開示は、半導体ダイのためのバンプ付きアセンブリに関する。バンプ付きアセンブリは、一以上の基板層と、当該一以上の基板層の上に形成された金属層とを含み、金属層は、信号の引き回しを目的として構成されて側方寸法を有する。バンプ付きアセンブリはさらに、金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと、導電パッドの上に形成された側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、金属層はバンプに、バンプがアンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に導電パッド及びアンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続される。金属層の側方寸法は、導電パッドの側方寸法よりも小さい。
【0005】
いくつかの実施形態において、導電パッドの側方寸法は、アンダーバンプ金属化層の側方寸法と等しいか又はそれよりも大きくしてよい。導電パッドの側方寸法は、アンダーバンプ金属化層の側方寸法よりも大きくてよい。
【0006】
いくつかの実施形態において、導電パッドの側方寸法よりも小さい金属層の側方寸法は、バンプ付きアセンブリに関連付けられるダイにおける金属層の輻輳を低減することができ、この金属層の輻輳の低減によりダイのサイズの低減がもたらされる。金属層の輻輳の低減により、バンプ付きアセンブリなしの他のダイと比較した場合、ダイのサイズの低減が得られる。
【0007】
いくつかの実施形態において、導電パッドの側方寸法に対する金属層の側方寸法の比は、０．９５未満、０．９０未満、０．８５未満、０．８０未満、０．７５未満、０．７０未満、０．６５未満、又は０．６０未満となり得る。
【0008】
いくつかの実施形態において、バンプ付きアセンブリは、半導体ダイのフリップチップ取り付け機能を与えるように構成され得る。
【0009】
いくつかの実施形態において、導電パッドは、側方寸法を有するネック部分を通って金属層の上に配置され得る。ネック部分の側方寸法は、金属層の側方寸法よりも小さくてよい。ネック部分は、導電パッドと同じ材料から形成され得る。
【0010】
いくつかの実施形態において、アンダーバンプ金属化層、導電パッド及び金属層のそれぞれのフットプリントは、それぞれの形状を有してよく、導電パッドのフットプリントと金属層のフットプリントとは、同様の形状を有してよい。いくつかの実施形態において、導電パッド及び金属層のフットプリントの同様の形状は、例えば、多角形の形状を含んでよく、金属層のフットプリントの多角形の形状が、導電パッドのフットプリントの多角形の形状内に存在する。
【0011】
いくつかの実施形態において、本開示は、半導体ダイを処理する方法に関する。方法は、一以上の基板層を与え又は形成することと、一以上の基板層の上に金属層を形成することとを含み、金属層は、信号の引き回しを目的として構成されて側方寸法を有する。方法はさらに、金属層の上に側方寸法を有する導電パッドを形成することと、導電パッドの上に側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層を形成することとを含み、金属層はバンプに、バンプがアンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に導電パッド及びアンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続される。金属層の側方寸法は、導電パッドの側方寸法よりも小さい。
【0012】
いくつかの実施形態において、金属層を形成することは、開口を有するパターン層を形成することと、開口の中に金属構造物を形成することとを含んでよく、開口は、金属層の側方寸法と近似的に同じ側方寸法を有する。導電パッドを形成することは、側方寸法が金属層の側方寸法よりも小さい開口を有する第１パターン状パッシベーション層を形成することと、第１パターン状パッシベーション層の上に開口を有する第２パターン状パッシベーション層を形成することとを含んでよく、第２パターン状パッシベーション層の開口は、側方寸法が金属層の側方寸法よりも大きい。導電パッドを形成することはさらに、第１パターン状パッシベーション層及び第２パターン状パッシベーション層それぞれの開口の中に金属構造物を形成することを含んでよい。第１パターン状パッシベーション層の開口の中の金属構造物と、第２パターン状パッシベーション層の開口の中の金属構造物とは、同じ材料から形成されてよい。
【0013】
いくつかの実施形態において、アンダーバンプ金属化層を形成することは、少なくとも第２パターン状パッシベーション層の開口に関連付けられる金属構造物まわりにおいて、第２パターン状パッシベーション層を除去することと、第２パターン状パッシベーション層の開口に関連付けられる金属構造物の上面の一部分を露出させるようにパッシベーション層を形成することとを含んでよい。アンダーバンプ金属化層を形成することはさらに、第２パターン状パッシベーション層の開口に関連付けられる金属構造物の上面の露出された一部分の上にアンダーバンプ金属化層を形成し、バンプを受容するバンプ空間を与えることを含んでよい。
【0014】
いくつかの教示によれば、本開示は、一以上の基板層と、一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスとを含む半導体ダイに関する。半導体ダイはさらに、一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリを含む。各バンプ付きアセンブリは、一以上の基板層の上に形成された金属層を含み、金属層は、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する。バンプ付きアセンブリはさらに、金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと、導電パッドの上に形成された側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、金属層はバンプに、バンプがアンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に導電パッド及びアンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続される。金属層の側方寸法は、導電パッドの側方寸法よりも小さい。
【0015】
いくつかの実施形態において、半導体ダイはさらに、それぞれのバンプ付きアセンブリのアンダーバンプ金属化層に固定されたバンプを含んでよい。いくつかの実施形態において、半導体ダイはフリップチップダイとして実装されてよい。
【0016】
いくつかの実施形態において、金属層の側方寸法が導電パッドの側方寸法よりも小さいことにより、バンプ付きアセンブリに関連付けられる複数の金属層の輻輳の低減が得られ、複数の金属層の輻輳の低減により、半導体ダイのサイズが、バンプ付きアセンブリなしの他の半導体ダイと比較した場合に低減される。
【0017】
いくつかの実装例において、本開示は、パッケージング基板と当該パッケージング基板に取り付けられた半導体ダイとを含むパッケージモジュールに関する。半導体ダイは、一以上の基板層と、一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスとを含む。半導体ダイはさらに、一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリを含む。各バンプ付きアセンブリは、一以上の基板層の上に形成された金属層を含み、金属層は、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する。バンプ付きアセンブリはさらに、金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと、導電パッドの上に形成された側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、金属層はバンプに、バンプがアンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に導電パッド及びアンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続される。金属層の側方寸法は、導電パッドの側方寸法よりも小さい。
【0018】
いくつかの実施形態において、パッケージング基板は、第１側と、パッケージモジュールを回路基板に取り付けることを許容するように構成された第２側を含んでよい。いいくつかの実施形態において、半導体ダイは、パッケージング基板の第１側又は第２側に取り付けられてよい。
【0019】
いくつかの実施形態において、パッケージモジュールはさらに、パッケージング基板の第１側又は第２側に取り付けられた他の半導体ダイを含んでよい。
【0020】
いくつかの実施形態において、パッケージモジュールが両面モジュールとなるように、半導体ダイがパッケージング基板の第１側及び第２側の一方に取り付けられ、他の半導体ダイがパッケージング基板の他側に取り付けられてよい。
【0021】
いくつかの実施形態において、パッケージモジュールはさらに、パッケージング基板の少なくとも第１側に実装されたモールド構造物を含んでよい。いくつかの実施形態において、パッケージモジュールはさらに、モールド構造物とパッケージモジュールの両側面とを覆うように実装されたコンフォーマル遮蔽層を含んでよい。
【0022】
いくつかの実装例によれば、本開示は、送受信器と、アンテナと、電気的に送受信器とアンテナとの間になるように実装された無線周波数デバイスとを含む無線デバイスに関する。無線周波数デバイスは半導体ダイを含み、この半導体ダイは、一以上の基板層と、当該一以上の基板層の一側に実装されて無線周波数機能を与えるように構成された集積回路及び／又はデバイスとを含む。半導体ダイはさらに、一以上の基板層の他側に実装された一アレイのバンプ付きアセンブリを含む。各バンプ付きアセンブリは、一以上の基板層の上に形成された金属層を含み、金属層は、信号を引き回すように構成されて側方寸法を有する。バンプ付きアセンブリはさらに、金属層の上に形成されて側方寸法を有する導電パッドと、導電パッドの上に形成された側方寸法を有するアンダーバンプ金属化層とを含み、金属層はバンプに、バンプがアンダーバンプ金属化層の上に実装される場合に導電パッド及びアンダーバンプ金属化層を通して電気的に接続される。金属層の側方寸法は、導電パッドの側方寸法よりも小さい。
【0023】
本開示をまとめることを目的として、本発明の所定の側面、利点、及び新規な特徴がここに記載されてきた。かかる利点の必ずしもすべてが、本発明のいずれかの特定の実施形態に従って達成されるわけではないことを理解すべきである。すなわち、本発明は、ここに教示又は示唆され得る他の利点を必ずしも達成することなく、ここに教示される一つの利点又は複数の利点の一群を達成又は最適化する態様で具体化し又は実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1A】従来型バンプ付き構成の断面側面図を、バンプありで示す。
【図2A】バンプ付き構成の断面側面図を、バンプありで示す。
【図3A】ここに記載される一以上の特徴を有する例示バンプ付き構成の断面側面図を、バンプありで示す。
【図7】一の基板と複数のバンプとを有するパッケージダイの一例を示す。これらのバンプの一部又はすべてが、ここに記載されるバンプ付き構成によって当該基板に取り付けられ得る。
【図8】ここに記載されるバンプ付き構成を有する一以上のダイが、パッケージング基板のいずれか又は双方の側に取り付けられ得るパッケージモジュールの一例を示す。
【図9】ここに記載される一以上のダイを有する例示無線デバイスを描く。
【発明を実施するための形態】
【0025】
ここに与えられる見出しは、あったとしても便宜上にすぎず、必ずしも特許請求される発明の範囲又は意味に影響を与えるわけではない。
【0026】
ここに記載されるのは、バンプ下にある下方レベルの金属において小さなパッドを利用することによりサイズが低減された、半導体ダイのようなダイに関する様々な例である。かかる構成において、頂部金属層がその側方サイズを維持することにより、例えば標準的なバンプ積層構成を許容するバンプ関連信頼性が得られる。
【0027】
図１Ａは従来型バンプ付き構成４８の断面側面図をバンプ１０ありで示し、図１Ｂは同バンプ付き構成４８の平面図をバンプなしで示す。一定数のこのようなバンプ付き構成が利用されることにより、ダイが、パッケージング基板、他のダイ、回路基板等のような基板への当該ダイの取り付け（例えばフリップチップ取り付け）を許容することができる。
【0028】
いくつかの例が、ボール形状のバンプの文脈でここに記載されるにもかかわらず、本開示の一以上の特徴は、銅ピラー（ＣｕＰ）のようなピラーバンプにも利用できることが理解される。
【0029】
図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、従来型バンプ付き構成４８は、パッシベーション層４０と導電パッド２０の露出表面との上に形成されたアンダーバンプ金属化（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ（ＵＢＭ））層１１を含み、露出表面は一般に、パッシベーション層４０の開口によって画定される。一般に理解されることだが、ＵＢＭ層１１は、バンプ（例えば図１Ａにおける１０）と導電パッド２０との間に望ましい界面を与える。
【0030】
図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、導電パッド２０は、パッシベーション層４０と同じ材料から形成されてもされなくてもよいパッシベーション層４２のパターン状の開口を通して、下方レベルの金属層３０の上に形成されるように示される。金属層３０は、層４２と同じ材料から形成されてもされなくてもよいパターン状の層４４を含む層の一部であるように示される。金属層３０及びパターン状の層４４を有する層は、まとめて４６として示される一以上の基板層の上に形成されるように示される。
【0031】
したがって、電気接続が、バンプ１０がＵＢＭ１１の上に形成された場合に、金属層３０とバンプ１０との間に、導電パッド２０及びＵＢＭ１１を通して与えられるように示される。
【0032】
図１Ａ及び図１Ｂの例において、図１Ｂの平面図で見たときに、ＵＢＭ１１は、円形状のフットプリント１２を有するように示され、導電パッド２０は、八角形状のフットプリント２２を有するように示され、金属層３０は、八角形状のフットプリント３２を有するように示される。図１Ａ及び図１Ｂのバンプ付き構成４８のＵＢＭ１１、導電パッド２０及び金属層３０の、このような例示のフットプリント形状に対し、代表的な側方寸法が、図４において左側のフットプリント描写に示される。
【0033】
図２Ａはバンプ付き構成８８の断面側面図をバンプ５０ありで示し、図２Ｂは同バンプ付き構成８８の平面図をバンプなしで示す。かかる構成は、導電パッド及び下方レベルの金属層の双方に対しては低減された側方寸法を含むが、ＵＢＭは、図１Ａ及び図１Ｂの従来型バンプ付き構成４８と同様の側方寸法を有する。
【0034】
詳しくは、図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、バンプ付き構成８８は、パッシベーション層８０と導電パッド６０の露出表面との上に形成されたアンダーバンプ金属化（ＵＢＭ）層５１を含み、露出表面は一般に、パッシベーション層８０の開口によって画定される。よって、ＵＢＭ層５１は、バンプ（例えば図２Ａにおける５０）と導電パッド６０との間に望ましい界面を与える。
【0035】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、導電パッド６０は、パッシベーション層８０と同じ材料から形成されてもされなくてもよいパッシベーション層８２のパターン状の開口を通して、下方レベルの金属層７０の上に形成されるように示される。金属層７０は、層８２と同じ材料から形成されてもされなくてもよいパターン状の層８４を含む層の一部であるように示される。金属層７０及びパターン状の層８４を有する層は、まとめて８６として示される一以上の基板層の上に形成されるように示される。
【0036】
したがって、電気接続が、バンプ５０がＵＢＭ５１の上に形成された場合に、金属層７０とバンプ５０との間に、導電パッド６０及びＵＢＭ５１を通して与えられるように示される。
【0037】
図２Ａ及び図２Ｂの例において、図２Ｂの平面図で見たときに、ＵＢＭ５１は、円形状のフットプリント５２を有するように示され、導電パッド６０は、八角形状のフットプリント６２を有するように示され、金属層７０は、八角形状のフットプリント７２を有するように示される。図２Ａ及び図２Ｂのバンプ付き構成８８のＵＢＭ５１、導電パッド６０及び金属層７０の、このような例示のフットプリント形状に対し、代表的な側方寸法が、図４において右側のフットプリント描写に示される。
【0038】
図２Ａ及び図２Ｂの例を参照し、ＵＢＭフットプリント５２の側方寸法が、図１Ａ及び図１ＢのＵＢＭフットプリント１２の側方寸法と近似的に同じであると仮定すると、導電パッドフットプリント６２及び金属層フットプリント７２の側方寸法はそれぞれが、ＵＢＭフットプリント５２の側方寸法よりも小さいことに気づく。
【0039】
さらに、かかる構成が、パッケージの信頼性及び／又は有効性の問題をもたらし得ることに気づく。例えば、導電パッドフットプリント６２の、ＵＢＭフットプリント５２に対する側方寸法の低減により、高い信頼性でＵＢＭをそれぞれのコンタクトパッドに形成するときの困難性が増加し得る。さらに、導電パッドフットプリント６２及び金属層フットプリント７２の側方寸法の低減に対応するべく、パッシベーションの増加（例えば倍増）が必要となり得るので、対応するダイのコストが増大し得る。
【0040】
図３はバンプ付き構成１４８の断面側面図をバンプ１１０ありで示し、図３Ｂは同バンプ付き構成１４８の平面図をバンプなしで示す。かかる構成は、下方レベルの金属層に対しては低減された側方寸法を含むが、ＵＢＭ及び導電パッドは、図１Ａ及び図１Ｂの従来型バンプ付き構成４８のＵＢＭ及び導電パッドと同様の側方寸法を有する。
【0041】
詳しくは、図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、バンプ付き構成１４８は、パッシベーション層１４０と導電パッド１２０の露出表面との上に形成されたアンダーバンプ金属化（ＵＢＭ）層１１１を含み、露出表面は一般に、パッシベーション層１４０の開口によって画定される。よって、ＵＢＭ層１１１は、バンプ（例えば図３Ａにおける１１０）と導電パッド１２０との間に望ましい界面を与える。
【0042】
図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、導電パッド１２０は、パッシベーション層１４０と同じ材料から形成されてもされなくてもよいパッシベーション層１４２のパターン状の開口を通して、下方レベルの金属層１３０の上に形成されるように示される。金属層１３０は、層１４２と同じ材料から形成されてもされなくてもよいパターン状の層１４４を含む層の一部であるように示される。金属層１３０及びパターン状の層１４４を有する層は、まとめて１４６として示される一以上の基板層の上に形成されるように示される。
【0043】
したがって、電気接続が、バンプ１１０がＵＢＭ１１１の上に形成されたときに、金属層１３０とバンプ１１０との間に、導電パッド１２０及びＵＢＭ１１１を通して与えられるように示される。
【0044】
図３Ａ及び図３Ｂの例において、図３Ｂの平面図で見たときに、ＵＢＭ１１１は、円形状のフットプリント１１２を有するように示され、導電パッド１２０は、八角形状のフットプリント１２２を有するように示され、金属層１３０は、八角形状のフットプリント１３２を有するように示される。図３Ａ及び図３Ｂのバンプ付き構成１４８のＵＢＭ１１１、導電パッド１２０及び金属層１３０のこのような例示のフットプリントに対し、代表的な側方寸法が、図４において中央のフットプリント描写に示される。
【0045】
図３Ａ及び図３Ｂの例を参照すると、金属層１３０のような下方レベルの金属層の低減された側方寸法の使用により、一定数の望ましい特徴が得られることに気づく。例えば、複数の金属層の輻輳が低減されるので、バンプ付き構成の対応レベルにおける余白スペースが低減され得る。したがって、ダイサイズの低減も得られる。
【0046】
さらに気づくのは、（ＵＢＭの側方寸法に対して）非低減の側方寸法を有する導電パッド１２０の使用により、図１Ａ及び図１Ｂの例と比較した場合、バンプに関連する信頼性が影響を受けない結果となるということである。
【0047】
上述したように、図４は、図１から図３の３つの例示バンプ付き構成に関連付けられる様々な側方寸法のフットプリントを示す。詳しくは、図４の左側が、図１Ａ及び図１Ｂのバンプ付き構成４８の（ＵＢＭ層１１の）フットプリント１２、（導電パッド２０の）フットプリント２２、及び（金属層３０の）フットプリント３２の側方寸法を示す。ｄ１２として示される寸法がＵＢＭ層１１のフットプリント１２の寸法であり、ｄ２２ａとして示される寸法が、導電パッド２０のフットプリント２２及び金属層３０のフットプリント３２の八角形状の対向する２辺間の距離であり、ｄ２２ｂとして示される寸法が、導電パッド２０のフットプリント２２及び金属層３０のフットプリント３２の八角形状の対向する２頂点間の距離である。
【0048】
図４の右側が、図２Ａ及び図２Ｂのバンプ付き構成８８の（ＵＢＭ層５１の）フットプリント５２、（導電パッド６０の）フットプリント６２、及び（金属層７０の）フットプリント７２の側方寸法を示す。ｄ５２として示される寸法がＵＢＭ層５１のフットプリント５２の寸法であり、ｄ６２ａとして示される寸法が、導電パッド６０のフットプリント６２及び金属層７０のフットプリント７２の八角形状の対向する２辺間の距離であり、ｄ６２ｂとして示される寸法が、導電パッド６０のフットプリント６２及び金属層７０のフットプリント７２の八角形状の対向する２頂点間の距離である。
【0049】
図４の中央部分が、図３Ａ及び図３Ｂのバンプ付き構成１４８の（ＵＢＭ層１１１の）フットプリント１１２、（導電パッド１２０の）フットプリント１２２、及び（金属層１３０の）フットプリント１３２の側方寸法を示す。ｄ１１２として示される寸法が、ＵＢＭ層１１１のフットプリント１１２の直径である。ｄ１２２ａとして示される寸法が、導電パッド１２０のフットプリント１２２の八角形状の対向する２辺間の距離であり、ｄ１３２ａとして示される寸法が、金属層１３０のフットプリント１３２の八角形状の対向する２辺間の距離である。ｄ１２２ｂとして示される寸法が、導電パッド１２０のフットプリント１２２の八角形状の対向する２辺間の距離であり、ｄ１３２ｂとして示される寸法が、金属層１３０のフットプリント１３２の八角形状の対向する２頂点間の距離である。
【0050】
例として、図１Ａ及び図１Ｂのバンプ付き構成４８にとって、ＵＢＭ層の寸法ｄ１２は近似的に７０μｍであってよく、導電パッド及び金属層の寸法ｄ２２ａは近似的に８０μｍであってよい。図２Ａ及び図２Ｂのバンプ付き構成８８にとって、ＵＢＭ層の寸法ｄ５２は近似的に７０μｍであってよく、導電パッド及び金属層の寸法ｄ６２ａは近似的に５５μｍであってよい。図３Ａ及び図３Ｂのバンプ付き構成１４８にとって、ＵＢＭ層の寸法ｄ１１２は近似的に７０μｍであってよく、導電パッドの寸法ｄ１２２ａは近似的に８０μｍであってよく、金属層の寸法ｄ１３２ａは近似的に５５μｍであってよい。図３Ａ及び図３Ｂの例において、導電パッド１２０のネック部分は、近似的に５１μｍの側方寸法を有してよい。
【0051】
図１から図４の例を参照すると、いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有するバンプ付き構成は、側方寸法ｄＵＢＭを有するＵＢＭ層と、ＵＢＭ層の下にあって側方寸法ｄｐａｄを有する導電パッドと、導電パッドの下にあって側方寸法ｄＭを有する金属層とを有する。ここで、ｄＵＢＭはｄｐａｄ以下であり、ｄＭはｄｐａｄ未満である。いくつかの実施形態において、ｄＭ／ｄｐａｄが０．９５未満、０．９０未満、０．８５未満、０．８０未満、０．７５未満、０．７０未満、０．６５未満、又は０．６０未満となるように、ｄＭをｄｐａｄよりも小さくしてよい。
【0052】
図１から図４の例において、導電パッド（図１Ａの２０、図２Ａの６０、図３Ａの１２０）及び金属層（図１Ａの３０、図２Ａの７０、図３Ａの１３０）それぞれのフットプリントが八角形状を有するように描かれ、ＵＢＭ層（図１Ａの１１、図２Ａの５１、図３Ａの１１１）それぞれのフットプリントが円形状を有するように描かれる。理解されることだが、かかる形状は例であって、他の形状もまた、ここに記載される一以上の特徴を実装するべく利用されてよい。
【0053】
図５Ａから図５Ｃは、ここに記載される導電パッド及び金属層が異なる形状を有し得る非限定的な例を示す。例えば、図５Ａは、図３Ｂのバンプ付き構成１４８と同様のバンプ付き構成１４８を示す。ここで、導電パッド（図３Ａの１２０）は八角形状のフットプリント１２２を有し、金属層（図３Ａの１３０）もまた八角形状のフットプリント１３２を有する。かかるフットプリントに対し、八角形フットプリント１２２の対向する２辺間の例示寸法がｄ１２２として示され、八角形フットプリント１３２の対向する２辺間の等価寸法がｄ１３２として示される。
【0054】
他例において、図５Ｂは、導電パッド（図３Ａの１２０）が矩形（例えば正方形）の形状のフットプリント１２２を有し、金属層（図３Ａの１３０）もまた矩形（例えば正方形）の形状のフットプリント１３２を有するバンプ付き構成１４８を示す。かかるフットプリントに対し、正方形フットプリント１２２の対向する２辺間の例示寸法がｄ１２２として示され、正方形フットプリント１３２の対向する２辺間の等価寸法がｄ１３２として示される。
【0055】
他例において、図５Ｃは、導電パッド（図３Ａの１２０）が円形状フットプリント１２２を有し、金属層（図３Ａの１３０）もまた円形状フットプリント１３２を有するバンプ付き構成１４８を示す。かかるフットプリントに対し、円形フットプリント１２２の直径の例示寸法がｄ１２２として示され、円形フットプリント１３２の直径の等価寸法がｄ１３２として示される。
【0056】
図５Ａから図５Ｃの各例において、それぞれの導電パッドのフットプリント１２２及びそれぞれの金属層のフットプリント１３２は、小さなフットプリント（１３２）が大きなフットプリント（１２２）の中に対称的に入れ子状になるような配向で示される。理解されることだが、いくつかの実施形態において、一のフットプリントが、他のフットプリントに対する対称性を有しても有さなくてもよい。
【0057】
例えば、図５Ａ及び図５Ｂのフットプリント構成のそれぞれにおいて、（図示のように見た場合）小さなフットプリント（１３２）が大きなフットプリント（１２２）に対し、これら２つのフットプリントが互いに対して非対称となるように回転されてよい。いくつかの実施形態において、このような導電パッド及び金属層の２つのフットプリントの非対称な配列において、等価寸法ｄ１２２及びｄ１３２は、ｄ１３２がｄ１２２未満となるように選択されてよい。
【0058】
図５Ａから図５Ｃの各例において、それぞれのＵＢＭ層（図３Ａの１１１）のフットプリント１１２は、円形状を有するように描かれる。理解されることだが、かかる円形状は一例であり、他のフットプリントもまた、ＵＢＭ層がここに記載される一以上の特徴を実装するように利用されてよい。
【0059】
【0060】
図６Ａは、まとめて１４６として示される一以上の基板層を含むアセンブリ２００を示す。
【0061】
図６Ｂは、一の又は複数の基板層１４６の上に開口を有するパターン層２０２が設けられてアセンブリ２０６が形成される段階を示す。
【0062】
【0063】
図６Ｄは、第１パターン状パッシベーション層２１２が、パターン層２０２及び金属層１３０の上に、金属層１３０の側方寸法未満の側方寸法を有する開口２１４を設けるように形成されてアセンブリ２１６が形成される段階を示す。
【0064】
図６Ｅは、第２パターン状パッシベーション層２１８が、第１パッシベーション層２１２の上に、金属層１３０の側方寸法よりも大きな側方寸法を有する開口２２０を設けるように形成されてアセンブリ２２２が形成される段階を示す。
【0065】
図６Ｆは、第１パッシベーション層２１２の開口（図６Ｅの２１４）及び第２パッシベーション層２１８の開口２２０を充填するべく金属構造物２２４が形成されて上面２２６が設けられ、アセンブリ２２８が形成される段階を示す。
【0066】
図６Ｇは、金属構造物２２４の大きな側方寸法部分まわりに空間２３０を設けるべく第２パッシベーション層２１８が除去されてアセンブリ２３２が形成される段階を示す。
【0067】
【0068】
図６Ｉは、バンプを受容するバンプ空間２４２を設けるべくＵＢＭ層１１１が金属構造物（図６Ｈの２２４）及びパッシベーション層（図６Ｈの２３８）の上に形成され、図３Ａ及び図３Ｂのバンプ構成１４８と同様のアセンブリ２４４が形成される段階を示す。したがって、図６Ｉにおいて、図６Ｆから図６Ｈの金属構造物２２４が１２０として示される。
【0069】
図７は、基板３０２及びその上の集積回路を有するダイ３００の一例を示す。かかるダイは、複数のバンプ１１０が設けられるように示され、かかるバンプはそれぞれが、バンプ付き構成１００に取り付けられ得る。いくつかの実施形態において、バンプ付き構成１００は、図３Ａ、図３Ｂ、図４、図５Ａから図５Ｃ、及び図６Ａから図６Ｉを参照してここに記載される特徴の一部又はすべてを含んでよい。いくつかの実施形態において、図７のダイ３００は、フリップチップダイとして実装してよい。
【0070】
図８は、パッケージング基板４０２の第１側及び第２側それぞれに取り付けられた第１ダイ３００ａ及び第２ダイ３００ｂを有するパッケージモジュール４００の一例を示す。図８の例において、第１ダイ３００ａ及び第２ダイ３００ｂはそれぞれが、バンプ付き構成１００の文脈において図７の例示のダイ３００と同様となるように示される。
【0071】
図８の例において、パッケージング基板４０２の第１側は、第１モールド構造物４０４が設けられるように示され、パッケージング基板４０２の第２側は、第２モールド構造物４１２が設けられるように示される。パッケージング基板４０２の第２側はまた、金属ポストのような複数の導電性取り付け特徴部４１０が設けられるように示される。
【0072】
図８の例において、パッケージモジュール４００は、当該モジュールの上面及び側壁を覆うコンフォーマル遮蔽層４０６も含むように示される。かかる遮蔽層は、モジュール４００の中の箇所とモジュール４００の外側の箇所との間を電磁的に遮蔽することができる。
【0073】
いくつかの実装において、ここに記載される一以上の特徴を有するデバイス及び／又は回路が、無線デバイスのようなＲＦ電子デバイスに含まれてよい。いくつかの実施形態において、かかる無線デバイスは、例えば、携帯電話機、スマートフォン、電話機能あり又はなしのハンドヘルド無線デバイス、無線タブレット等を含み得る。
【0074】
図９は、ここに記載される一以上の有利な特徴を有する無線デバイス１４００の一例を描く。図９の例において、ここに記載される一以上の特徴を有するＲＦモジュールが、一定数の場所に実装され得る。例えば、ＲＦモジュールが、４００ａとして示されるフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）として実装されてよい。他例において、ＲＦモジュールが、４００ｂとして示される電力増幅器モジュール（ＰＡＭ）として実装されてよい。他例において、ＲＦモジュールが、４００ｃとして示されるアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）として実装されてよい。他例において、ＲＦモジュールが、４００ｄとして示されるダイバーシティ受信（ＤＲｘ）モジュールとして実装されてよい。理解されることだが、ここに記載される一以上の特徴を有するＲＦモジュールが、他のコンポーネントの組み合わせとともに実装されてよい。
【0075】
図９を参照すると、複数の電力増幅器（ＰＡ）１４２０が、対応するＲＦ信号を送受信器１４１０から受信し得る。送受信器１４１０は、増幅及び送信されるＲＦ信号を生成するべく、及び受信した信号を処理するべく、構成され及び動作し得る。送受信器１４１０は、ベース帯域サブシステム１４０８と相互作用するように示される。ベース帯域サブシステム１４０８は、ユーザにとって適切なデータ及び／又は音声信号と、送受信器１４１０にとって適切なＲＦ信号との変換を与えるように構成される。送受信器１４１０はまた、無線デバイス１４００の動作のための電力を管理するように構成される電力管理コンポーネント１４０６と通信することができる。
【0076】
ベース帯域サブシステム１４０８は、ユーザへ与えられ及びユーザから受信される音声及び／又はデータの様々な入出力を容易にするべくユーザインタフェイス１４０２に接続されるように示される。ベース帯域サブシステム１４０８はまた、無線デバイスの動作を容易にするべく、及び／又はユーザのために情報を格納するべく、データ及び／又は命令を格納するように構成されるメモリ１４０４にも接続される。
【0077】
無線デバイス１４００の例において、複数のＰＡ１４２０の出力が、（対応する整合回路１４２２を介して）整合されてその対応するデュプレクサ１４２４まで引き回されるように示される。このような増幅されてフィルタリングされた信号が、送信を目的としてアンテナスイッチ１４１４を通して一次アンテナ１４１６まで引き回される。いくつかの実施形態において、デュプレクサ１４２４は、共通アンテナ（例えば一次アンテナ１４１６）を使用して同時に行われる送信及び受信の動作を許容し得る。図９において、受信信号は、例えば低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含む「Ｒｘ」経路へと引き回されるように示される。
【0078】
図９の例において、無線デバイス１４００はまた、ダイバーシティアンテナ１４２６と、ダイバーシティアンテナ１４２６から信号を受信する遮蔽されたＤＲｘモジュール４００ｄとを含む。遮蔽されたＤＲｘモジュール４００ｄは、受信した信号を処理し、処理された信号を、伝送線路１４３５を介してダイバーシティＲＦモジュール４００ｅまで送信する。ダイバーシティＲＦモジュール４００ｅは、信号をさらに処理した後にその信号を送受信器１４１０に供給する。
【0079】
文脈が明確にそうでないことを要求しない限り、明細書及び特許請求の範囲全体を通して、「含む」、「備える」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは逆の、包括的な意味で、すなわち「～を含むがこれに限られない」意味で解釈されるべきである。ここで一般に使用される用語「結合」は、２つ以上の要素が、直接に接続されるか、又は一以上の中間要素を経由して接続されるかのいずれかとなり得ることを言及する。加えて、本願において使用される場合、用語「ここで」、「上」、「下」、及び同様の意味の用語は、本願全体を言及するものとし、本願のいずれか特定の部分を言及するわけではない。文脈上許容される場合、単数又は複数の数を使用する上記の説明における用語は、それぞれ複数又は単数の数も含み得る。２つ以上の項目のリストを参照する「又は」及び「若しくは」という用語は、その用語の以下の解釈、すなわち、リスト内の項目のいずれか、リスト内の項目のすべて、及びリスト内の項目の任意の組み合わせ、のすべてをカバーする。
【0080】
本発明の実施形態の上記説明は、網羅的であることを意図したものではなく、又は上記開示の正確な形態に本発明を限定することを意図したものでもない。本発明の特定の実施形態及び例は、説明目的のために上述されているが、当業者が認識するように、本発明の範囲内で様々な等価な修正例が可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示される一方、代替の実施形態が異なる順序でステップを有するルーチンを実行し又はブロックを有するシステムを用いることができ、いくつかのプロセス又はブロックは、削除、移動、追加、細分化、結合及び／又は修正され得る。これらのプロセス又はブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装してよい。また、プロセス又はブロックは、直列に実行されるように示されることがある一方、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに並列に実行されてもよく、又は異なる時刻に実行されてもよい。
【0081】
ここに与えられる本発明の教示は、必ずしも上述のシステムというわけではない他のシステムに適用することができる。上述の様々な実施形態の要素及び作用は、さらなる実施形態を与えるべく組み合わせてよい。
【0082】
本発明の一定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は例としてのみ提示されており、本開示の範囲を限定することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法及びシステムは、様々な他の形式で具体化してよく、さらには、ここに記載される方法及びシステムの形式の様々な省略、置換及び変更を、本開示の要旨から逸脱することなく行ってよい。添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物は、本開示の範囲及び要旨に収まるような形式又は修正をカバーすることが意図される。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5A-5C】
【図6A-6E】
【図6F-6I】
【図7】
【図8】
【図9】
【外国語明細書】