特開 2024-161596 タッチ及び指紋センサ付き表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024161596

(43)【公開日】2024-11-19

(54)【発明の名称】タッチ及び指紋センサ付き表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20241112BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20241112BHJP

   G06F 3/041 20060101ALI20241112BHJP

   G06F 3/0354 20130101ALI20241112BHJP

   H10K 59/40 20230101ALI20241112BHJP

   H10K 59/126 20230101ALI20241112BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 349Z

G09F9/00 309A

G09F9/00 366A

G09F9/30 349C

G09F9/30 338

G06F3/041 412

G06F3/041 430

G06F3/0354 452

H10K59/40

H10K59/126

【審査請求】有

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024145479

(22)【出願日】2024-08-27

(62)【分割の表示】P 2022559279の分割

【原出願日】2021-10-29

(31)【優先権主張番号】P 2020182821

(32)【優先日】2020-10-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】501232056

【氏名又は名称】三国電子有限会社

(74)【代理人】

【識別番号】100141586

【弁理士】

【氏名又は名称】沖中 仁

(72)【発明者】

【氏名】田中 栄

(57)【要約】      （修正有）

【課題】応答速度に優れたタッチ及び指紋センサ付き表示装置を提供する。
【解決手段】タッチ及び指紋センサ付き表示装置は、第１方向に延びる第１センサ電極と第１方向と交差する第２方向に延びる第２センサ電極とを含むセンサ部と、センサ部と重なる領域を含む表示部と、センサ部と表示部とに挟まれたシールド電極と、第１センサ電極及び第２センサ電極とシールド電極との間の第１絶縁層と、シールド電極と表示部との間の第２絶縁層とを有する。表示部は第２センサ電極と重なるトランジスタを含み、シー
ルド電極は、第２センサ電極と重なる領域に開口部を有し、トランジスタはゲート電極を有し、ゲート電極が、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通するコンタクトホールにより第２センサ電極と電気的に接続され、コンタクトホールは、開口部と重なり、開口部より孔径が小さい。
【選択図】図１３Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に延びる第１センサ電極と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２セ
ンサ電極と、を含むセンサ部と、
前記センサ部と重なる領域を含む表示部と、
前記センサ部と前記表示部とに挟まれたシールド電極と、
前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極と、前記シールド電極との間の第１絶縁層
と、
前記シールド電極と前記表示部との間の第２絶縁層と、
を有し、
前記表示部は、前記第２センサ電極と重なるトランジスタを含み、
前記シールド電極は、前記第２センサ電極と重なる領域に開口部を有し、
前記トランジスタはゲート電極を有し、前記ゲート電極が、前記第１絶縁層及び前記第
２絶縁層を貫通するコンタクトホールにより前記第２センサ電極と電気的に接続され、
前記コンタクトホールは、前記開口部と重なり、前記開口部より孔径が小さい、
ことを特徴とするタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項2】

前記第２方向に延びる補助電極を有し、
前記補助電極が、前記第２センサ電極の上面に接して設けられている、
請求項１に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項3】

前記コンタクトホールが前記補助電極と重なり、前記ゲート電極が前記補助電極と電気
的に接続されており、前記補助電極が走査信号線を兼ねている、
請求項２に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項4】

前記トランジスタが、前記第２絶縁層の上に設けられ、前記ゲート電極と重なる領域を
有する半導体層を含み、
前記半導体層が、前記第２センサ電極と重なるように配置されている、
請求項３に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項5】

前記半導体層と重なる遮光層を有し、
前記遮光層が、前記補助電極から延在する導電層で形成されている、
請求項４に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項6】

前記半導体層と重なる第２のゲート電極を有し、
前記第２のゲート電極が、前記シールド電極に接している、
請求項４に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項7】

前記コンタクトホールが、前記半導体層の外側の領域に設けられている、
請求項４に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項8】

前記第１センサ電極、前記第２センサ電極、及び前記シールド電極が透光性を有し、
前記第２センサ電極の幅が前記補助電極の幅より広い、
請求項２に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項9】

第１方向に延びる第１センサ電極と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２セ
ンサ電極と、を含むセンサ部と、
前記センサ部と重なる領域を含む表示部と、
前記表示部の外側の周辺領域と、
前記センサ部と前記表示部とに挟まれたシールド電極と、
前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極と、前記シールド電極との間の第１絶縁層
と、
前記シールド電極と前記表示部との間の第２絶縁層と、
を有し、
前記表示部は、前記第２センサ電極と重なるトランジスタと、走査信号線と、を含み、
前記第２センサ電極は、前記表示部から前記周辺領域にかけて設けられ、
前記シールド電極は、前記周辺領域において、前記第２センサ電極と重なる領域に開口
部を有し、
前記トランジスタは、前記走査信号線から延びるゲート電極を有し、
前記走査信号線が前記第２絶縁層の上に設けられ、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層
を貫通するコンタクトホールにより前記第２センサ電極と電気的に接続され、
前記コンタクトホールは、前記開口部と重なり、前記開口部より孔径が小さい、
ことを特徴とするタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項10】

前記第２方向に延びる補助電極を有し、
前記補助電極が、前記走査信号線と重ねて配置され、前記第２センサ電極の上面に接し
て設けられている、
請求項９に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項11】

前記コンタクトホールが前記補助電極と重なり、前記走査信号線が前記補助電極と電気
的に接続されている、
請求項１０に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項12】

前記トランジスタが、前記第２絶縁層の上に設けられ、前記ゲート電極と重なる領域を
有する半導体層を含み、
前記半導体層が、前記第２センサ電極と重なるように配置されている、
請求項１１に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項13】

前記半導体層と重なる遮光層を有し、
前記遮光層が、前記補助電極と同じ層に形成された導電層で形成されている、
請求項１２に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項14】

前記半導体層と重なる第２のゲート電極を有し、
前記第２のゲート電極が、前記シールド電極に接している、
請求項１２に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項15】

前記走査信号線の一端の側において、前記コンタクトホールが複数個設けられている、
請求項１２に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【請求項16】

前記第１センサ電極、前記第２センサ電極、及び前記シールド電極が透光性を有し、
前記第２センサ電極の幅が、前記走査信号線及び前記補助電極の幅より広い、
請求項１０に記載のタッチ及び指紋センサ付き表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一実施形態は、タッチセンサとしての機能に加え指紋、掌紋等の生体情報を検
出することのできるセンサが付加された表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

不正利用を防ぎ、個人情報を保護するために、生体認証によって利用者の識別を行う電
子機器の開発が進められている。例えば、有機発光ダイオードで画素が形成された表示パ
ネルの背面に、指紋認証用のセンサが装着された表示装置が開示されている（特許文献１
参照）。また、表示パネルの上にタッチセンサが設けられ、指紋及びタッチ圧力の認識が
可能な表示装置が開示されている（特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－０８５１１４号公報

【特許文献2】特開２０１８－００５９１０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

表示画面が機器の前面全体を占める携帯型電子機器は、機能性を高めるために、表示画
面のあらゆるところで指紋認証を可能にしたいという市場のニーズがある。このようなニ
ーズに対して、特許文献１で開示されるような表示装置は、指紋認証用のセンサが小さな
個別の部品として搭載されるために、画面の全体で指紋を検出することができないという
問題がある。仮に、全画面で指紋認証を可能にしようとすると、筐体が大型化してしまう
という問題がある。

【0005】

一方、特許文献２で開示される表示装置は、画像表示を行う回路と指紋センサを駆動す
る回路が完全に分離されているため、信号の入出力を行う接続端子の数が大幅に増加する
という問題がある。表示パネルの寸法は搭載する電子機器により決まっており、接続端子
を配置できる位置も限定される。従って、映像信号を入力するための接続端子に加え、指
紋センサの信号を出力する端子を加えると、接続端子を狭ピッチ化する必要がある。しか
し、端子電極のピッチが狭くなると、従来の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いた接続
方法でフレキシブル配線基板との接続が難しくなり、歩留まりが低下することが問題とな
る。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋検出機能付き表示装置は、複数のデータ信号
線、少なくとも１つの第１センサ電極、を含む表示部と、第１端子、第２端子を含む端子
部と、表示部と端子部との間に配置され、一つの入力端と複数の出力端を有し、一つの入
力端に入力される入力信号を複数の出力端に分配する切替回路とを含み、切替回路は、入
力側が第１端子と接続され、複数のデータ信号線が複数の出力端に接続され、少なくとも
１つの第１センサ電極が第２端子と接続された構造を有する。

【0007】

本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置は、第１方向の延伸する
第１センサ電極と、第１方向と交差する第２方向に延伸する第２センサ電極と、第２方向
に延伸する走査信号線と、第２センサ電極と重なる画素と、画素に設けられたトランジス
タとを有する。トランジスタのゲート電極は走査信号線と接続され、走査信号線は第２セ
ンサ電極に接続されている。

【発明の効果】

【0008】

本発明の一実施形態によれば、複数のデータ信号線と接続する切替回路を有することで
、第１センサ電極を高密度で配置することができ、その場合であっても接続端子数の増加
を抑制することができる。その結果、端子部においてフレキシブル回路基板との接続不良
を低減することができる。本発明の一実施形態によれば、走査信号線が第２センサ電極と
接続されることで、走査信号線を第２センサ電極の補助電極として併用することができる
。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の展開図を示す。

【図2】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部、タッチ及び指紋センサ部、切替回路、駆動回路の構成を示す。

【図3A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の動作を説明するタイミングチャートを示す。

【図3B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の動作を説明するタイミングチャートを示す。

【図4】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の画素の等価回路の一例を示す。

【図5】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の切替回路、端子部、第２駆動回路の構成を示す。

【図6】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の切替回路、端子部、第２駆動回路の構成を示す。

【図7】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の切替回路、端子部、第２駆動回路の構成を示す。

【図8】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の切替回路、端子部、第２駆動回路の構成を示す。

【図9】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の画素の配列と第１及び第２センサ電極の配置を示す。

【図10】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の画素の配列と第１及び第２センサ電極の配置を示し、第１センサ電極が２つの画素列に対して１本の割合で設けられ、第２センサ電極が２つの画素行に対して１本の割合で設けられる例を示す。

【図11A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極の平面図を示す。

【図11B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極の平面図に示すＡ１－Ａ２線に対応する断面図を示す。

【図12A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極の平面図を示す。

【図12B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極の平面図に示すＢ１－Ｂ２線に対応する断面図を示す。

【図13A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第２センサ電極の平面図を示す。

【図13B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第２センサ電極の平面図に示すＣ１－Ｃ２線に対応する断面図を示す。

【図14A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第２センサ電極の平面図を示す。

【図14B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第２センサ電極の平面図に示すＣ３－Ｃ４線に対応する断面図を示す。

【図14C】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第２センサ電極の平面図に示すＣ５－Ｃ６線に対応する断面図を示す。

【図15】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素を構成する駆動トランジスタ、選択トランジスタ、容量素子、及びＥＬ素子の平面レイアウトの一例を示す。

【図16A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の構成を示し、図１５に示すＤ１－Ｄ２線に対応する断面図を示す。

【図16B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の構成を示し、図１５に示すＤ３－Ｄ４線に対応する断面図を示す。

【図17】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素を構成する駆動トランジスタ、選択トランジスタ、容量素子、及びＥＬ素子の平面レイアウトの一例を示す。

【図18】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素を構成する駆動トランジスタ、選択トランジスタ、容量素子、及びＥＬ素子の平面レイアウトの一例を示す。

【図19A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の構成を示し、図１８に示すＤ５－Ｄ６線に対応する断面図を示す。

【図19B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の構成を示し、図１８に示すＤ７－Ｄ８線に対応する断面図を示す。

【図20】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素を構成する駆動トランジスタ、選択トランジスタ、容量素子、及びＥＬ素子の平面レイアウトの一例を示す。

【図21A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の構成を示し、図２０に示すＤ９－Ｄ１０線に対応する断面図を示す。

【図21B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の構成を示し、図２０に示すＤ１１－Ｄ１２線に対応する断面図を示す。

【図22A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、遮光層が端子部の下に延びる構成を示す。

【図22B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、第１絶縁層が端子部の下に延びる構成を示す。

【図23A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、遮光層が端子部の下に延び第２絶縁層が引き出し配線の上に延びる構成を示す。

【図23B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、第１絶縁層が引き出し配線の下側に延び第２絶縁層が引き出し配線の上側に延びる構成を示す。

【図24A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、遮光層、第１絶縁層及び第２絶縁層が引き出し配線及び端子部の下に延びる構成を示す。

【図24B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、第１絶縁層及び第２絶縁層が端子部の下に延びる構成を示す。

【図25A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、端子部の下側に遮光層が設けられ、引き出し配線が複数のコンタクトホールにより第１センサ電極と接続される構成を示す。

【図25B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、引き出し配線が複数のコンタクトホールにより第１センサ電極と接続される構成を示す。

【図26】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部、タッチ及び指紋センサ部、切替回路、及びフレキシブル回路基板の構成を示す。

【図27】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置のフレキシブル回路基板の配線構造を示す。

【図28】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の端子部とフレキシブル回路基板との接続構造を示す。

【図29】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の端子部とフレキシブル回路基板との接続構造を示す。

【図30】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部、タッチ及び指紋センサ部、切替回路、及びフレキシブル回路基板の構成を示す。

【図31】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置のフレキシブル回路基板の配線構造を示す。

【図32】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部、タッチ及び指紋センサ部、切替回路、駆動回路の構成を示す。

【図33】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の出力切替回路の一例を示す。

【図34】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の出力切替回路の一例を示す。

【図35】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部、タッチ及び指紋センサ部、切替回路、駆動回路の構成を示す。

【図36A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第２センサ電極の平面図を示す。

【図36B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第２センサ電極の構造を示し、平面図に示すＣ７－Ｃ８線に対応する断面図を示す。

【図36C】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第２センサ電極の構造を示し、平面図に示すＣ９－Ｃ１０線に対応する断面図を示す。

【図37】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の動作を説明するタイミングチャートを示す。

【図38】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部、タッチ及び指紋センサ部、切替回路、駆動回路の構成を示す。

【図39】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部、タッチ及び指紋センサ部、切替回路、駆動回路の構成を示す。

【図40】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の端子部と駆動回路の接続構造を示す。

【図41】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置に設けられる画素の等価回路の一例を示す。

【図42】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の画素の駆動方法を説明するタイミングチャートを示す。

【図43】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置に設けられる画素の等価回路の一例を示す。

【図44】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の画素の駆動方法を説明するタイミングチャートを示す。

【図45】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の端子部とフレキシブル回路基板との接続構造を示す。

【図46】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部、タッチ及び指紋センサ部、切替回路、駆動回路の構成を示す。

【図47】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部に設けられるデータ信号線とコモン配線の配置を示す。

【図48】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素を構成する駆動トランジスタ、選択トランジスタ、容量素子、及びＥＬ素子の平面レイアウトの一例を示す。

【図49】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の断面図を示す。

【図50】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素に設けられる有機ＥＬ素子の平面レイアウトと、図中に示すＥ１－Ｅ２間及びＥ３－Ｅ４間の断面構造を示す。

【図51】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置に設けられる画素の等価回路の一例を示す。

【図52】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素を構成する駆動トランジスタ、選択トランジスタ、容量素子、及びＥＬ素子の平面レイアウトの一例を示す。

【図53】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の断面図を示す。

【図54】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素を構成する駆動トランジスタ、選択トランジスタ、容量素子、及びＥＬ素子の平面レイアウトの一例を示す。

【図55】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の断面図を示す。

【図56】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の断面図であり、ワイヤグリッド偏光子と光散乱層が設けられた構造を示す。

【図57】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の断面図であり、ワイヤグリッド偏光子と光散乱層が設けられた構造を示す。

【図58】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部に設けられるワイヤグリッド偏光子の断面構造を示す。

【図59】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部に設けられるワイヤグリッド偏光子の断面構造を示す。

【図60】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部に設けられるワイヤグリッド偏光子と、偏光軸回転板の偏光軸の関係を示す。

【図61】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部に設けられるワイヤグリッド偏光子の配置を示す。

【図62】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部に設けられるワイヤグリッド偏光子の配置を示す。

【図63A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、第２センサ電極とデータ信号線と同じ層で形成される引き出し配線の接続構造を示す。

【図63B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、第２センサ電極と走査信号線と同じ層で形成される引き出し配線の接続構造を示す。

【図64A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、第１センサ電極と走査信号線と同じ層で形成される引き出し配線の接続構造を示す。

【図64B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、有機ＥＬ素子の第２電極と引き出し配線の接続構造を示す。

【図65A】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造として、データ信号線と引き出し配線との接続構造を示す。

【図65B】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の第１センサ電極と引き出し配線との接続構造の一例として、第２センサ電極と引き出し配線の接続構造を示す。

【図66】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の副画素の断面図であり、ワイヤグリッド偏光子と光散乱層が設けられた構造を示す。

【図67】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置に設けられるワイヤグリッド偏光子の配置を示す。

【図68】本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置の表示部に設けられるワイヤグリッド偏光子の断面構造と動作原理を示す。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異
なる態様を含み、以下に例示する実施形態に限定して解釈されるものではない。本明細書
に添付される図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形
状等について模式的に表される場合があるが、それはあくまで一例であって、本発明の内
容を必ずしも限定するものではない。また、本発明において、ある図面に記載された特定
の要素と、他の図面に記載された特定の要素とが同一又は対応する関係にあるときは、同
一の符号（又は符号として記載された数字の後にａ、ｂ等を付した符号）を付して、繰り
返しの説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記
された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がな
い限りそれ以上の意味を有しない。

【0011】

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」ある
とする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場
合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含む。すなわち、他の部
材又は領域の上方（又は下方）においてある部材又は領域との間に別の構成要素が含まれ
ている場合も含む。

【0012】

［第１実施形態］
本実施形態は、表示部とタッチ及び指紋センサ部が重ねて配置された表示装置の一例を
示す。

【0013】

１－１．タッチ及び指紋センサ付き表示装置の構成
図１は、本発明の一実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００の展開図
を示す。タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、複数の画素１０４が配列された表
示部１０２と、少なくとも１つの第１センサ電極１１２及び少なくとも１つの第２センサ
電極１１４を含むタッチ及び指紋センサ部１１０とを含む。表示部１０２とタッチ及び指
紋センサ部１１０との間にはシールド電極１１６が配置される。

【0014】

少なくとも１つの第１センサ電極１１２はＹ方向に延伸するように配置され、少なくと
も１つの第２センサ電極１１４はＸ方向に延伸するように配置される。少なくとも１つの
第１センサ電極１１２は複数の第１センサ電極（以下同様に符号「１１２」が付される）
から成り、複数の第１センサ電極１１２はＸ方向に配列される。少なくとも１つの第２セ
ンサ電極１１４は複数の第２センサ電極（以下同様に符号「１１４」が付される）から成
り、複数の第２センサ電極１１４はＹ方向に配列される。複数の第１センサ電極１１２と
複数の第２センサ電極１１４とは図示されない絶縁層を挟んで交差するように配置される
。

【0015】

表示部１０２の外側の領域には、第１駆動回路１１８、切替回路１２０（「マルチプレ
ックス回路」、「デマルチプレクサ」ともいう）、端子部１２２が設けられる。シールド
電極１１６は、表示部１０２とタッチ及び指紋センサ部１１０とを電気的に分離するため
に設けられる。シールド電極１１６は一定の電位（例えば、接地電位）が印加される。

【0016】

複数の画素１０４のそれぞれは発光素子を含む。発光素子としては、例えば、エレクト
ロルミネセンス素子（以下、「ＥＬ素子」ともいう）が用いられる。複数の画素１０４の
それぞれに設けられるＥＬ素子は、シールド電極１１６の側に光を出射するボトムエミッ
ション型である。第１センサ電極１１２、第２センサ電極１１４、及びシールド電極１１
６は透光性を有する。第１センサ電極１１２、第２センサ電極１１４、及びシールド電極
１１６は透明導電膜で形成される。または、第１センサ電極１１２、第２センサ電極１１
４、及びシールド電極１１６は、複数の画素１０４の配置に合わせて開口部が設けられて
いてもよい。このような構成により、ＥＬ素子の発光は、シールド電極１１６及びタッチ
及び指紋センサ部１１０を通して出射される。

【0017】

タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、表示部１０２に表示される画像をタッチ
及び指紋センサ部１１０が設けられた側から視認する構成を有する。タッチ及び指紋セン
サ部１１０は、表示部１０２と重畳するように設けられるため、タッチ及び指紋センサ付
き表示装置１００は表示画面の任意の位置でタッチ及び指紋の検出が可能となる。

【0018】

表示部１０２の上には、封止層１２４が設けられていてもよい。封止層１２４は、表示
部１０２、第１駆動回路１１８、及び切替回路１２０を保護するために設けられる。封止
層１２４の構成は任意である。例えば、封止層１２４は、酸化シリコン膜、窒化シリコン
膜等の無機絶縁膜で形成される。また、封止層１２４は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂
、又はエポキシ樹脂等の樹脂材料を用いて形成されていてもよい。

【0019】

図２は、本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００の表示部１０２、
タッチ及び指紋センサ部１１０、第１駆動回路１１８、切替回路１２０、端子部１２２、
第２駆動回路１２８を示す。表示部１０２、タッチ及び指紋センサ部１１０、第１駆動回
路１１８、切替回路１２０、及び端子部１２２は透明樹脂基板２００の上に設けられる。
第２駆動回路１２８はフレキシブル回路基板１２６の上に設けられる。第２駆動回路１２
８はＣＯＦ（Chip on Film）によりフレキシブル回路基板１２６に実装される。

【0020】

表示部１０２は複数の画素１０４を含む。複数の画素１０４は、例えば、ストライプ配
列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列、ダイヤモンドペンタイル配列等の配列
で配置される。表示部１０２には、データ信号線１０８と図示されない走査信号線が設け
られる。第１方向（列方向）及び第２方向（行方向）に配列する複数の画素１０４に対し
、データ信号線１０８は第１方向（列方向）に延伸し、走査信号線は第１方向と交差する
第２方向（行方向）に延伸するように配設される。

【0021】

第１駆動回路１１８は表示部１０２の外側の領域（以下、「周辺領域」ともいう。）に
配置される。第１駆動回路１１８は、図示されない走査信号線と接続される。第１駆動回
路１１８は表示部１０２の一辺に沿って配設される。図示されない複数のデータ信号線１
０８は、第１方向（列方向）に配列され、切替回路１２０と接続される。

【0022】

透明樹脂基板２００の一端に複数の接続端子が配列された端子部１２２が設けられる。
切替回路１２０は表示部１０２と端子部１２２との間の領域に配置される。切替回路１２
０は一つの入力を複数の出力に分配する機能を有する。切替回路１２０は、端子部１２２
に設けられた一つの接続端子と複数のデータ信号線１０８とを接続する。

【0023】

タッチ及び指紋センサ部１１０は、第１方向（列方向）に延伸された複数の第１センサ
電極１１２と、第２方向（行方向）に延伸された複数の第２センサ電極１１４とを含む。
複数の第１センサ電極１１２のそれぞれは、端子部１２２に配設された接続端子と接続さ
れる。複数の第２センサ電極１１４は、第１駆動回路１１８と接続される。複数の第１セ
ンサ電極１１２と複数の第２センサ電極１１４とは図示されない絶縁層を挟んで交差する
ように配置され、指紋センサ、タッチセンサとしてとして機能する。

【0024】

フレキシブル回路基板１２６は、第１駆動回路１１８、切替回路１２０、及び第１セン
サ電極１１２と、第２駆動回路１２８とを接続する配線を含む。フレキシブル回路基板１
２６は異方性導電材料を介して端子部１２２の接続端子と接続される。第２駆動回路１２
８の走査信号線駆動回路ブロック１３０は、第１駆動回路１１８と接続され、データ信号
線駆動回路ブロック１３２は切替回路１２０と接続され、タッチ及び指紋センサ検出回路
ブロック１３４は第１センサ電極１１２と接続される。

【0025】

第２駆動回路１２８において、走査信号線駆動回路ブロック１３０は、表示部１０２の
走査信号及びタッチ及び指紋センサ部１１０のスキャン信号を出力する第１駆動回路１１
８を駆動するための信号を出力する機能を有し、データ信号線駆動回路ブロック１３２は
ビデオ信号を出力する機能を有し、タッチ及び指紋センサ検出回路ブロック１３４は、第
１センサ電極１１２から出力されたセンシング信号を増幅してセンサ出力としてのデジタ
ル信号を生成する機能を有する。

【0026】

図２は、第２駆動回路１２８が、複数の回路ブロックを一つの半導体チップに集積化し
た複合集積回路（複合ＩＣ）で提供される例を示す。このような複合集積回路を用いるこ
とで、個別のＩＣチップを実装する場合に比べ工程数を減らすことができ、製造コストを
低減することができる。なお、第２駆動回路１２８は、この例に限定されず、それぞれの
回路ブロックが個別の集積回路で実現されたものが用いられてもよい。

【0027】

図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示すタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００のタイミン
グチャートを示す。タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、第１駆動回路１１８が
、表示部１０２の走査信号線駆動回路とタッチ及び指紋センサ部１１０のスキャン信号出
力回路を兼ねている。そのため、タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、表示期間
とセンシング期間が交互に出現するように駆動される。

【0028】

図３Ａは、１フレームの表示期間毎にセンシング期間が出現する例を示す。図３Ｂは２
フレーム分の表示期間に１回の割合でセンシング期間が出現する例を示す。センシング期
間の長さは任意であり、１フレーム期間より短く設定することができる。フレーム周波数
は６０Ｈｚ以上であるため、フレーム間にセンシング期間を設けても、表示部１０２には
視覚に影響を与えない状態で、画像を表示しつつタッチ又は指紋のセンシングを行うこと
ができる。

【0029】

１－２．画素の等価回路
図４は、画素１０４の等価回路の一例を示す。画素１０４は、第１副画素１０５ｒ、第
２副画素１０５ｇ、及び第３副画素１０５ｂを含む。第１副画素１０５ｒは、駆動トラン
ジスタ１３６、選択トランジスタ１３８、容量素子１４０、及びＥＬ素子１４２、を含む
。第２副画素１０５ｇ及び第３副画素１０５ｂも同じ構成を有する。図４において、駆動
トランジスタ１３６及び選択トランジスタ１３８を示す記号は、２つのゲート電極で半導
体層を挟むデュアルゲート構造であることを示す。駆動トランジスタ１３６は、下側の第
１ゲート電極１５０と上側の第２ゲート電極１５１を有し、選択トランジスタ１３８は下
側の第１ゲート電極１５２と上側の第２ゲート電極１５３を有する。駆動トランジスタ１
３６及び選択トランジスタ１３８は、ｎチャネル型トランジスタである。

【0030】

選択トランジスタ１３８の第２ゲート電極１５３は走査信号線１０６ａと、ソース側が
データ信号線１０８と、ドレイン側が容量素子１４０及び駆動トランジスタ１３６の第２
ゲート電極１５１と接続される。駆動トランジスタ１３６の第１ゲート電極１５０はコモ
ン配線１４４ｂと、ソース側がコモン電極１４４ａと、ドレイン側がＥＬ素子１４２の陰
極と接続される。容量素子１４０は、一方の端子（第１端子）が選択トランジスタ１３８
のドレイン側と、他方の端子がコモン配線１４４ｂと接続される。ＥＬ素子１４２の陽極
は電源線１５４と接続される。

【0031】

図４において、コモン電極１４４ａとコモン配線１４４ｂは等価回路において区別して
示されているが、両者は同電位であり、一定の電位（例えば、接地電位）に固定されてい
る点において機能的に同一である。電源線１５４は、コモン電極１４４ａ、コモン配線１
４４ｂの電位より高い電源電位ＶＤＤが与えられる。駆動トランジスタ１３６がオン状態
のとき、ＥＬ素子１４２には電源線１５４からコモン電極１４４ａにかけて電流が流れる
状態となる。このとき流れる電流は、駆動トランジスタ１３６のドレイン電流でもあり、
第２ゲート電極１５１の電位によって電流量（ＥＬ素子の発光強度でもある）を制御する
ことが可能である。

【0032】

なお、図４に示す画素の等価回路は一例であり、本実施形態に係るタッチ及び指紋セン
サ付き表示装置１００は、他の回路構成を有する画素回路を適用することもできる。例え
ば、駆動トランジスタのしきい値電圧を補正する回路が組み込まれた画素回路を適用する
ことができる。

【0033】

１－３．切替回路
図５は、本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００の切替回路１２０
（１２０＿１～１２０＿ｈ）、端子部１２２、第２駆動回路１２８の構成を示す。切替回
路１２０（１２０＿１～１２０＿ｈ）及び端子部１２２は透明樹脂基板２００に設けられ
る。第２駆動回路１２８はフレキシブル回路基板１２６に実装される。

【0034】

端子部１２２は第１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂを含む。第１接続端子
１４６ａは切替回路１２０（１２０＿１～１２０＿ｈ）と接続される端子であり、第２接
続端子１４６ｂは第１センサ電極１１２（１１２＿１～１１２＿ｋ）と接続される端子で
ある。フレキシブル回路基板１２６は、第３接続端子１４８ａ及び第４接続端子１４８ｂ
を含む。第１接続端子１４６ａは第３接続端子１４８ａと、第２接続端子１４６ｂは第４
接続端子１４８ｂと接続される。透明樹脂基板２００側に設けられる接続端子とフレキシ
ブル回路基板１２６側に設けられる接続端子とは異方性導電接着材により接続される。

【0035】

切替回路１２０（１２０＿１～１２０＿ｈ）は、一つの入力端と３つの出力端とを含む
。切替回路１２０（１２０＿１～１２０＿ｈ）は、入力端と出力端との間に設けられた第
１スイッチング素子１５６ａ、第２スイッチング素子１５６ｂ、及び第３スイッチング素
子１５６ｃを含む。第１スイッチング素子１５６ａ、第２スイッチング素子１５６ｂ、及
び第３スイッチング素子１５６ｃはトランジスタで形成される。第１スイッチング素子１
５６ａ、第２スイッチング素子１５６ｂ、及び第３スイッチング素子１５６ｃは、トラン
ジスタのゲートに接続される制御信号線１５７ａ、１５７ｂ、１５７ｃによってオン及び
オフが制御される。

【0036】

第１切替回路１２０＿１は、第１スイッチング素子１５６ａ、第２スイッチング素子１
５６ｂ、及び第３スイッチング素子１５６ｃを含み、制御信号線１５７ａ、１５７ｂ、１
５７ｃの制御信号により排他的にスイッチングする。すなわち、第１スイッチング素子１
５６ａは制御信号線１５７ａの制御信号により、第２スイッチング素子１５６ｂは制御信
号線１５７ｂの制御信号により、及び第３スイッチング素子１５６ｃは制御信号線１５７
ｃの制御信号により、これらのスイッチング素子のうちいずれか一つのスイッチング素子
がオンとなり、他の二つのスイッチング素子がオフとなるように制御される。このような
動作は、他の切替回路１２０＿２～１２０＿ｈも同様である。

【0037】

第１切替回路１２０＿１は、入力端に第１接続端子１４６ａが接続され、出力端に複数
のデータ信号線１０８（Ｓ_１～Ｓ_３）が接続される。詳細には、第１切替回路１２０＿１
において、第１スイッチング素子１５６ａが第１接続端子１４６ａとデータ信号線１０８
（Ｓ_１）との間に接続され、第２スイッチング素子１５６ｂが第１接続端子１４６ａとデ
ータ信号線１０８（Ｓ_２）との間に接続され、第３スイッチング素子１５６ｃが第１接続
端子１４６ａとデータ信号線１０８（Ｓ_３）との間に接続される。他の切替回路１２０＿
２～１２０＿ｈについても同様の回路構成を有する。第１切替回路１２０＿１は、第１ス
イッチング素子１５６ａ、第２スイッチング素子１５６ｂ、第３スイッチング素子１５６
ｃのスイッチング動作により、第１接続端子１４６ａに入力された信号を、複数のデータ
信号線１０８（Ｓ_１～Ｓ_３）に分配する機能を有する。他の切替回路１２０＿２～１２０
＿ｈも同様の機能を有する。

【0038】

第１切替回路１２０＿１と第２切替回路１２０＿２との間には第１センサ電極１１２＿
１が配設される。第１センサ電極１１２＿１は、第２接続端子１４６ｂと接続される。他
の第１センサ電極１１２＿２～１１２＿ｋも同様に他の切替回路１２０＿２～１２０＿ｈ
の間に配設される。

【0039】

シールド電極１１６は、端子部１２２の領域と重なるように設けられる。シールド電極
１１６の端部は、第１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂの外側に位置している
。第１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂは、図示されない絶縁層を挟んでシー
ルド電極１１６の上層側に設けられる。第１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂ
は、シールド電極１１６の上側に設けられることで、フレキシブル回路基板１２６を接続
するときの圧着処理に耐えることができ、陥没、変形、及び剥離を防止することができる
。また、第１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂがシールド電極１１６の上側に
設けられることで、ビデオ信号がノイズとしてタッチ及び指紋センサ部１１０に伝搬する
のを防止することができる。

【0040】

第１センサ電極１１２＿１～１１２＿ｋは、図示されない絶縁層を挟んでシールド電極
１１６の下層側に設けられる。第１センサ電極１１２＿１と第２接続端子１４６ｂから伸
びる配線とを接続するために、シールド電極１１６に第１開口部１５８が設けられ、その
第１開口部１５８の内側に図示されない絶縁層を貫通する第１コンタクトホール１５９が
設けられる。第１センサ電極１１２＿１と第２接続端子１４６ｂとは、第１開口部１５８
の口径よりも小さい孔径を有する第１コンタクトホール１５９により接続される。

【0041】

第２駆動回路１２８は、データ信号線駆動回路ブロック１３２とタッチ及び指紋センサ
検出回路ブロック１３４とを含む（さらに図示されない走査信号線駆動回路ブロック１３
０を含む）。データ信号線駆動回路ブロック１３２は、切替回路１２０（１２０＿１～１
２０＿ｈ）の動作を制御する回路を含む。第２駆動回路１２８においてそれぞれの回路ブ
ロックの配置は任意であり、データ信号線駆動回路ブロック１３２とタッチ及び指紋セン
サ検出回路ブロック１３４の配置が図示される配置と入れ替わっていてもよい。

【0042】

接続端子が配列される端子部において、複数のデータ信号線及び複数の第１センサ電極
の全てを個々の接続端子でそれぞれ別々に独立して接続しようとすると、接続端子のピッ
チが小さくなる。一般に、端子部に設ける接続端子のピッチが小さくなるとフレキシブル
回路基板との接続が難しくなり、不良が発生し、製造歩留まりが低下することが問題とな
る。

【0043】

これに対し本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、切替回路１
２０（１２０＿１～１２０＿ｈ）が設けられることにより接続端子の数が削減されている
。すなわち、切替回路１２０を設けることにより、一つの第１接続端子１４６ａに対し複
数のデータ信号線１０８（例えば、Ｓ_１～Ｓ_３）を接続することが可能となり、接続端子
の数が削減されている。これにより、端子部１２２に第１センサ電極１１２と接続される
第２接続端子１４６ｂが追加されても接続端子数の単純増加が防止され、接続端子の狭ピ
ッチ化を防止することができる。その結果、フレキシブル回路基板１２６との接続不良を
防止することができる。

【0044】

図６は、切替回路１２０（１２０＿１～１２０＿ｈ）を構成する第１スイッチング素子
１５６ａ、第２スイッチング素子１５６ｂ、及び第３スイッチング素子１５６ｃをデュア
ルゲート型のトランジスタで構成した例を示す。第１スイッチング素子１５６ａ、第２ス
イッチング素子１５６ｂ、及び第３スイッチング素子１５６ｃとしてデュアルゲート型の
トランジスタを用いることで、スイッチングの立ち上がり及び立ち下がりが急峻になり、
切替回路１２０（１２０＿１～１２０＿ｈ）の駆動周波数を高くしても動作することがで
きる。これにより、タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００のフレーム周波数が高くな
った場合でも、切替回路１２０（１２０＿１～１２０＿ｈ）をフレーム周波数に同期して
動作させることができる。また、第１スイッチング素子１５６ａ、第２スイッチング素子
１５６ｂ、及び第３スイッチング素子１５６ｃとしてデュアルゲート型のトランジスタに
することで、オフ電流（スイッチがオフのときの漏れ電流）を低減することができ、確実
なスイッチング動作を行うとともに、消費電力を低減することができる。

【0045】

図７は、シールド電極１１６の端部が端子部１２２より内側に配置された例を示す。シ
ールド電極１１６の端部は端子部１２２と第１開口部１５８との間の領域に配置され、第
１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂはシールド電極１１６の外側に配置される
。このような構造によれば、第１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂと、シール
ド電極１１６との間の寄生容量を低減することができ消費電力を低減することができる。
なお、図７において、シールド電極１１６以外の構成は図５に示すものと同様である。

【0046】

図５は、画素１０４の一列の配列に対して１本の第１センサ電極１１２が設けられると
きの構成を示す。指紋センサとしての感度がある程度低下しても許容できる場合には、第
１センサ電極１１２の本数を減らすことも可能である。例えば、画素１０４の２列の配列
に対して１本の第１センサ電極１１２が設けられてもよい。図８は、この場合の切替回路
１２０と第１センサ電極１１２の配列を示す。図８に示すように、第１センサ電極１１２
の数を減らす場合であっても切替回路１２０を配置することができ、端子部１２２の接続
端子のピッチを大きくすることができる。

【0047】

なお、図５、図６、図７、及び図８では端子部１２２の接続端子のピッチが均一に配置
されていないが、端子部１２２とフレキシブル回路基板１２６とを接続する工程の歩留ま
りをさらに向上させるには、接続端子のピッチを均一に配置することが好ましい。

【0048】

１－４．センサ電極の構造
１－４－１．第１センサ電極
図９は、複数の画素１０４の配列と、複数の第１センサ電極１１２及び複数の第２セン
サ電極１１４の配置を示す。図９は、複数の画素１０４が、赤色（Ｒ）に対応する第１副
画素１０５ｒ、緑色（Ｇ）に対応する第２副画素１０５ｇ、青色（Ｂ）に対応する第３副
画素１０５ｂを含み、各色に対応する副画素が第１方向（列方向）にストライプ状に配列
された例を示す。第１方向（列方向）に延伸する第１センサ電極１１２は、複数の画素１
０４の第１方向（列方向）の配列に対応して配置され、第２方向（行方向）に延伸する第
２センサ電極１１４も複数の画素１０４の第２方向（行方向）の配列に対応して配置され
る。

【0049】

指紋を検出するために、第１センサ電極１１２は２５μｍ～１２０μｍのピッチで設け
ることが必要であり、４５μｍ～７５μｍのピッチ範囲が最も適している。第２センサ電
極１１４も同様のピッチで設けることが必要となる。第１センサ電極１１２及び第２セン
サ電極１１４のピッチが大きすぎると分解能が低下し指紋を正確に検出できなくなる。一
方、ピッチを２５μｍ未満にしても指紋の検出精度の向上はなく、センサ電極の数が増え
るばかりでオーバースペックとなる。

【0050】

図９には図示されないが、データ信号線は第１副画素１０５ｒ、第２副画素１０５ｇ、
及び第３副画素１０５ｂの第１方向（列方向）の配列に対応して設けられる。したがって
、第１センサ電極１１２は３本のデータ信号線に対して１本の割合で設けられる。第１副
画素１０５ｒ、第２副画素１０５ｇ、及び第３副画素１０５ｂに対応したデータ信号線の
ピッチは、例えば、５．５インチ、フルハイビジョン対応のスマートフォンの表示パネル
の場合１７μｍとなる。したがって、各画素１０４の列方向に対応して第１センサ電極１
１２を配設すると、第１センサ電極１１２のピッチは５１μｍとなる。この場合、図５、
図６、及び図７を参照すれば、第１接続端子１４６ａが５１μｍのピッチで配置され、そ
の間に第２接続端子１４６ｂが配置されることになるので、端子部１２２における接続端
子のピッチは２５．５μｍとなる。なお、第２センサ電極１１４に関しては、第１副画素
１０５ｒ、第２副画素１０５ｇ、及び第３副画素１０５ｂの第２方向（行方向）に対応し
た走査信号線のピッチが５１μｍとなり、第２センサ電極１１４のピッチも同様に５１μ
ｍとなる。

【0051】

指紋を検出するセンサとしては、分解能の観点からセンサ電極のピッチは５０μｍ程度
が必要であると考えられる。指紋センサとしての感度がある程度低下しても許容できる場
合には、第１センサ電極１１２の本数を減らしてもよい。例えば、第１センサ電極１１２
を１画素おきに配設してもよい。その場合、上記の例に従えば、第１センサ電極１１２の
ピッチは１０２μｍとなり、端子部１２２における接続端子のピッチを３４μｍ程度に広
げることが可能となる。

【0052】

図１０は、図９に示す第１センサ電極１１２及び第２センサ電極１１４の配列に対して
、両方のセンサ電極のピッチを大きくした場合の一例を示す。すなわち、図１０は、画素
１０４の列方向の２列の配列に対し１本の第１センサ電極１１２が設けられ、行方向の２
行の配列に対し１本の第２センサ電極１１４が設けられる例を示す。前述のように第１セ
ンサ電極１１２と第２センサ電極１１４のピッチは１００μｍ程度となるが、このような
ピッチであっても指紋を検出することができる。図１０に示す第１センサ電極１１２の配
列に対し、切替回路１２０と端子部１２２における接続端子の配列は図８に示すようにな
り、接続端子のピッチを広げることができる。

【0053】

図１１Ａ及び図１１Ｂは、第１センサ電極１１２の一例を示す。図１１Ａは第１センサ
電極１１２の平面図を示し、図１１Ｂは、Ａ１－Ａ２間に対応する断面図を示す。

【0054】

第１センサ電極１１２は、表示部１０２において第１方向（列方向）に沿って伸びるス
トライプ状のパターンを有する。第１センサ電極１１２は透光性を有する第１センサ電極
層２０４で形成される。第１センサ電極層２０４は、例えば、酸化インジウムスズ（Indi
um Tin Oxide：ＩＴＯ）、アルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜
鉛（Zinc Oxide：ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）、酸化
スズ（Tin Oxide：ＳｎＯ_２）、ニオブ（Ｎｂ）をドープした酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）等
の導電性を有する金属酸化物、窒化チタン（ＴｉＮ_ｘ） 、酸窒化チタン（ＴｉＯＮ）等
の金属窒化物又は金属酸窒化物等の導電性透明導電膜、ポリアニリン、グラフェン等の導
電性を有する有機物で形成される。第１センサ電極１１２の幅Ｗ１は、副画素１０５の幅
Ｗｐより広くなるように設けられる。第１センサ電極層２０４は、副画素１０５の第１方
向（列方向）の配列に合わせて配設されるので、第１センサ電極１１２は副画素１０５の
全体を覆うように設けられる。

【0055】

第１センサ電極層２０４には第１補助電極２０５ａが付加されていてもよい。第１補助
電極２０５ａは、第１センサ電極層２０４のストライプ状のパターンの両側の上縁に沿っ
た細線状のパターンを有する。また、第１補助電極２０５ａは、第１方向（列方向）に配
列する副画素１０５同士が離間する領域で、両側の細線状のパターンを繋ぐ帯状のパター
ンが含まれていてもよい。第１補助電極２０５ａは、第１センサ電極層２０４を形成する
透明導電膜材料よりも低抵抗材料で形成される。例えば、第１補助電極２０５ａはアルミ
ニウム（Ａｌ）等の金属膜、窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属窒化物、チタンシリサイド（
ＴｉＳｉ_ｘ）等の金属シリサイド等の導電性材料で形成される。このような導電性材料で
形成される第１補助電極２０５ａは、表示部１０２に設けられるデータ信号線１０８と実
質的に同じ幅（太さ）で形成され、データ信号線１０８と重なる位置に配置される。第１
センサ電極層２０４に接する第１補助電極２０５ａを設けることで、第１センサ電極１１
２の低抵抗化を図ることができる。

【0056】

第１センサ電極層２０４の幅Ｗ１が副画素１０５の幅Ｗｐより大きいことにより、副画
素１０５の開口率を低下させずに、第１センサ電極１１２の低抵抗化を図ることができる
。例えば、前述で例示された５．５インチ、フルハイビジョン対応のスマートフォンの表
示パネルの場合、第１センサ電極１１２の幅を１７μｍ（５１μｍ／３）より広く２０μ
ｍとすることができる。また、第１補助電極２０５ａの帯状のパターンのピッチＬ１は、
副画素１０５の長さＬｐより大きいことが好ましい。この帯状のパターンのピッチＬ１は
、走査信号線のピッチと同じであってもよい。前述の例に従えば、ピッチＬ１は５１μｍ
であってもよい。

【0057】

この帯状のパターンの幅（太さ）は、走査信号線１０６と実質的に同じ幅（太さ）に形
成され、走査信号線１０６と重なる位置に配置される。このような配置により、開口率を
低下させずに第１センサ電極１１２の低抵抗化を実現することができる。

【0058】

このように第１センサ電極層２０４に第１補助電極２０５ａを設けることで、第１セン
サ電極１１２の低抵抗化を図ることができる。これにより、タッチ及び指紋センサ部１１
０の感度の低下、応答速度の低下を防ぐことができる。

【0059】

図１２Ａ及び図１２Ｂは、第１センサ電極１１２の他の一例を示す。図１２Ａは第１セ
ンサ電極１１２の平面図を示し、図１２Ｂは、Ｂ１－Ｂ２間に対応する断面図を示す。

【0060】

第１補助電極２０５ｂが第１センサ電極層２０４に接して設けられる。第１補助電極２
０５ｂは、第１センサ電極層２０４の中央部分に設けられる細線状のパターンと、副画素
１０５が配列する間の領域に設けられる帯状のパターンとが複合化された形状を有する。
第１補助電極２０５ｂは金属膜、金属窒化物膜、金属シリサイド膜で形成される。図１２
Ａ及び図１２Ｂに示す形状の第１補助電極２０５ｂは、表示部１０２のデータ信号線１０
８と実質的に同じ幅（太さ）で形成され、データ信号線１０８と重なるように配置される
。第１補助電極２０５ｂの帯状のパターンは走査信号線１０６と実質的に同じ幅（太さ）
で形成され、走査信号線１０６と重なるように配置される。このような第１補助電極２０
５ｂによっても第１センサ電極１１２の低抵抗化を図ることができる。

【0061】

１－４－２．第２センサ電極
図１３Ａは第２センサ電極１１４の平面図を示す。図１３Ａは、さらに第２センサ電極
１１４の上に設けられる選択トランジスタ１３８の一部の構造（第１ゲート電極１５２、
第２酸化物半導体層１８０ｂ、第２ゲート電極１５３）を点線で示す。図１３Ｂは、図１
３Ａに示すＣ１－Ｃ２間に対応する断面構造を示す。

【0062】

第２センサ電極１１４は、表示部１０２において第２方向（行方向）に沿って伸びるス
トライプ状のパターンを有する。第２センサ電極１１４は表示部１０２を第２方向（行方
向）に沿って横断し、両端が周辺領域に達するように設けられる。第２センサ電極１１４
は透光性を有する第２センサ電極層２０６で形成される。第２センサ電極層２０６は、第
１センサ電極層２０４と同様に透明導電膜で形成される。

【0063】

第２センサ電極１１４は、第２補助電極２０７が設けられる。第２補助電極２０７は第
２センサ電極層２０６に接して設けられる。第２補助電極２０７は、第２センサ電極層２
０６の長手方向に沿って設けられる。第２補助電極２０７は金属膜、金属窒化物膜、金属
シリサイド膜で形成される。第１センサ電極１１２と同様に、第２センサ電極１１４も第
２センサ電極層２０６と第２補助電極２０７とで形成されることにより低抵抗化が図られ
る。

【0064】

図１３Ｂは、透明樹脂基板２００として、第１透明樹脂層２０２ａ、第２透明樹脂層２
０２ｂ、第３透明樹脂層２０２ｃ、第４透明樹脂層２０２ｄ、第１絶縁層２１０、第２絶
縁層２１２が積層された構造を示す。第２センサ電極層２０６は、第２透明樹脂層２０２
ｂと第３透明樹脂層２０２ｃとの間に設けられる。第２補助電極２０７は、第２センサ電
極層２０６と第３透明樹脂層２０２ｃとの間に設けられる。シールド電極１１６は第３透
明樹脂層２０２ｃの上に設けられる。シールド電極１１６の上には第４透明樹脂層２０２
ｄが設けられる。第４透明樹脂層２０２ｄの上には第１絶縁層２１０が設けられる。また
、第２酸化物半導体層１８０ｂが、第１絶縁層２１０と第２絶縁層２１２の間に設けられ
、第２ゲート電極１５３が第２絶縁層２１２の上に設けられる。

【0065】

第１ゲート電極１５２の下層側に第２遮光層２０８ｂが設けられる。第２遮光層２０８
ｂは、第２補助電極２０７から連続する導電膜で形成される。別言すれば、図１３Ａに示
すように、第２方向（行方向）に延伸する第２補助電極２０７の線状のパターンが、選択
トランジスタ１３８が設けられる領域で凸状に突出するパターンを有する。このようなパ
ターンを有する第２補助電極２０７は、副画素１０５に対する第２遮光層２０８ｂとして
の機能を有する。なお、第２補助電極２０７から突出する第２遮光層２０８ｂの平面視に
おける形状は任意であり、図１３Ａに示される形状に限定されない。

【0066】

第２補助電極２０７は、表示部１０２の走査信号線（ゲートバスライン）１０６として
の機能も有する。第２ゲート電極１５３は第２絶縁層２１２の上に設けられる。第２ゲー
ト電極１５３は、副画素１０５ごとに分離され個別に設けられる。第２ゲート電極１５３
は、第２絶縁層２１２、第１絶縁層２１０、第４透明樹脂層２０２ｄ、第３透明樹脂層２
０２ｃを貫通する第３コンタクトホール１６３によって第２補助電極２０７と接続される
。第３透明樹脂層２０２ｃと第４透明樹脂層２０２ｄとの間に配置されるシールド電極１
１６には、第３コンタクトホール１６３の孔径ｄ２よりも大きな口径ｄ１を有する第３開
口部１６２が設けられる。第３コンタクトホール１６３は、第３開口部１６２の内側の領
域を貫通するように設けられる。

【0067】

第１ゲート電極１５２は、シールド電極１１６との上に接続された状態で設けられる。
第１ゲート電極１５２はシールド電極１１６と同じ電位に固定される。選択トランジスタ
１３８は、第２ゲート電極１５３の反対側（バックチャネル側）に一定電位が印加された
第１ゲート電極１５２が設けられることにより電気的な特性変動が抑制される。

【0068】

図１３Ａ及び図１３Ｂに示す構造は、走査信号線１０６が、第２酸化物半導体層１８０
ｂより下層側に配置されるので、第２絶縁層２１２の膜厚を１００ｎｍ～２００ｎｍ程度
まで薄くすることができる。第２ゲート電極１５３はデータ信号線１０８と交差しないの
で、第２絶縁層２１２の膜厚を薄くしても両者が短絡することはない。ゲート絶縁層とし
て機能する第２絶縁層２１２が薄膜化されることで、スイッチング特性に優れ応答速度の
速い選択トランジスタ１３８を得ることができる。

【0069】

なお、図１３Ａは選択トランジスタ１３８のみを示し、駆動トランジスタ１３６が省略
されている。しかし、第２補助電極２０７を形成する金属層を用いて駆動トランジスタ１
３６に対しても同様に遮光層を設けることができる。

【0070】

図１４Ａ及び図１４Ｂは、第２センサ電極１１４が図１３Ａ及び図１３Ｂに示す構造と
異なる態様を示す。図１４Ａは第２センサ電極１１４の平面図を示す。図１４Ａは、さら
に第２センサ電極１１４の上に設けられる選択トランジスタ１３８の一部の構造（第１ゲ
ート電極１５２、第２酸化物半導体層１８０ｂ、第２ゲート電極１５３、走査信号線１０
６）を示す。図１４Ｂは、図１４Ａに示すＣ３－Ｃ４間に対応する断面構造を示し、図１
４Ｃは、図１４Ａに示すＣ５－Ｃ６間に対応する断面構造を示す。

【0071】

第２センサ電極１１４は、第２センサ電極層２０６及び第２補助電極２０７で形成され
る。第２補助電極２０７は表示部１０２において第２センサ電極１１４の長手方向に沿っ
て伸びる線状のパターンを有する。第２センサ電極１１４の上には、第２補助電極２０７
を形成する金属膜により、第２酸化物半導体層１８０ｂと重なる第２遮光層２０８ｂが設
けられる。

【0072】

第２絶縁層２１２の上に第２ゲート電極１５３及び走査信号線１０６が設けられる。第
２ゲート電極１５３は走査信号線１０６から連続するパターンで形成される。すなわち、
第２ゲート電極１５３と走査信号線１０６とは同じ導電層で形成される。第２ゲート電極
１５３は、副画素１０５の行毎に走査信号線１０６により連結された状態で設けられる。

【0073】

走査信号線１０６は、周辺領域において第２補助電極２０７と接続される。周辺領域に
おいてシールド電極１１６には第４開口部１６４が設けられる。走査信号線１０６は、第
４開口部１６４の内側に設けられ、第４開口部１６４の口径よりも小さな孔径を有する第
４コンタクトホール１６５により第２補助電極２０７と接続される。第２遮光層２０８ｂ
は、図示されるように第２補助電極２０７と分離されていてもよいし、図１３Ｂに示すよ
うに第２補助電極２０７から連続するように設けられていてもよい。

【0074】

このように、走査信号線１０６を第２補助電極２０７と周辺領域で接続することにより
配線抵抗を低減することができる。別言すれば、第２補助電極２０７を、走査信号線１０
６に対する補助配線として用いることができる。

【0075】

なお、図１４Ａ及び図１４Ｃは選択トランジスタ１３８のみを示し駆動トランジスタ１
３６が省略されている。駆動トランジスタ１３６は選択トランジスタ１３８と同様の構造
を有し、第２補助電極２０７を形成する金属膜を用いて第２遮光層２０８ｂが設けられて
いてもよい。

【0076】

１－５．画素及びセンサの部分構造
図１５は、図４の等価回路に示す副画素１０５（第１副画素１０５ｒ、第２副画素１０
５ｇ、第３副画素１０５ｂのそれぞれに対応）の平面レイアウトの一例を示す。なお、図
１５において、第１センサ電極１１２及び第２センサ電極１１４、並びにＥＬ素子１４２
の積層構造の詳細は省略されている。

【0077】

図１５に示すように、副画素１０５は駆動トランジスタ１３６、選択トランジスタ１３
８、容量素子１４０、ＥＬ素子１４２を含む。副画素１０５の領域には、走査信号線１０
６ａ、データ信号線１０８、コモン電極１４４ａ、コモン配線１４４ｂが設けられる。駆
動トランジスタ１３６は、第１酸化物半導体層１８０ａを挟んで第１ゲート電極１５０（
下層側）及び第２ゲート電極１５１（上層側）が設けられた構造を有する。選択トランジ
スタ１３８は、第２酸化物半導体層１８０ｂを挟んで第１ゲート電極１５２（下層側）と
第２ゲート電極１５３（上層側）が設けられた構造を有する。駆動トランジスタ１３６の
下層側には第１遮光層２０８ａが設けられ、選択トランジスタ１３８の下層側には第２遮
光層２０８ｂが設けられる。第１遮光層２０８ａ及び第２遮光層２０８ｂは走査信号線１
０６ａを形成する導電層と同じ導電層で形成される。第１遮光層２０８ａ及び第２遮光層
２０８ｂは、走査信号線１０６ａから連続するパターンで形成される。

【0078】

駆動トランジスタ１３６は、第１酸化物半導体層１８０ａ、第１金属酸化物導電層１７
６ａ、及び第２金属酸化物導電層１７６ｂを含む。第１金属酸化物導電層１７６ａ及び第
２金属酸化物導電層１７６ｂは、第１酸化物半導体層１８０ａと接するように設けられる
。第１金属酸化物導電層１７６ａと第２金属酸化物導電層１７６ｂとは、端部が離隔し対
向するように配置された領域を含む。その端部及び離隔する領域は第１ゲート電極１５０
、第２ゲート電極１５１、及び第１酸化物半導体層１８０ａと重なる位置に配置される。
駆動トランジスタ１３６のチャネルは第１金属酸化物導電層１７６ａと第２金属酸化物導
電層１７６ｂとが離隔する部分に形成される。

【0079】

第１金属酸化物導電層１７６ａはソース配線１７０と接して設けられる。ソース配線１
７０は、第５コンタクトホール１６６を介してコモン電極１４４ａと接続される。第２金
属酸化物導電層１７６ｂは、ＥＬ素子１４２を形成する第１電極２２０と接して形成され
る。第２金属酸化物導電層１７６ｂと第１電極２２０とは連続するパターンで設けられる
。

【0080】

第２金属酸化物導電層１７６ｂはＥＬ素子１４２の領域に延伸され、第１電極（陰極）
２２０を形成する。第１酸化物半導体層１８０ａは、ＥＬ素子１４２の領域に延伸され、
第１電子輸送層２２２ａを形成する。第１電子輸送層２２２ａは第１電極２２０を覆うよ
うに設けられる。

【0081】

選択トランジスタ１３８は、第２酸化物半導体層１８０ｂ、第３金属酸化物導電層１７
６ｃ、及び第４金属酸化物導電層１７６ｄを含む。第３金属酸化物導電層１７６ｃ及び第
４金属酸化物導電層１７６ｄは、第２酸化物半導体層１８０ｂと接するように設けられる
。第３金属酸化物導電層１７６ｃと第４金属酸化物導電層１７６ｄとは、端部が離隔し対
向するように配置された領域を含む。その端部及び離隔する領域は第１ゲート電極１５２
、第２ゲート電極１５３、及び第２酸化物半導体層１８０ｂと重なる位置に配置される。
選択トランジスタ１３８のチャネルはその第３金属酸化物導電層１７６ｃと第４金属酸化
物導電層１７６ｄとが離隔する部分に形成される。

【0082】

第３金属酸化物導電層１７６ｃはデータ信号線１０８と重なり接する領域を含むように
設けられる。第４金属酸化物導電層１７６ｄは、ドレイン配線１７３と接するように設け
られる。第４金属酸化物導電層１７６ｄ及びドレイン配線１７３は、容量素子１４０の領
域に延伸するように設けられる。

【0083】

選択トランジスタ１３８の第２ゲート電極１５３は副画素１０５ごとに個別に設けられ
ており、第３コンタクトホール１６３を介して走査信号線１０６ａ（２０７）と接続され
る。駆動トランジスタ１３６の第２ゲート電極１５１は、第７コンタクトホール１６８を
介してドレイン配線１７３と接続される。

【0084】

容量素子１４０は、ドレイン配線１７３及び第４金属酸化物導電層１７６ｄと、コモン
配線１４４ｂとが重なる領域に形成される。ドレイン配線１７３及び第４金属酸化物導電
層１７６ｄと、コモン配線１４４ｂとの間には絶縁層が介在する（図１５では図示されな
い）。

【0085】

図１６Ａは、図１５に示すＤ１－Ｄ２線に対応する副画素１０５の断面構造を示す。図
１６Ｂは、図１５に示すＤ３－Ｄ４線に対応する副画素１０５の断面構造を示す。図１６
Ａは駆動トランジスタ１３６及びＥＬ素子１４２の断面構造を示し、図１６Ｂは選択トラ
ンジスタ１３８及び容量素子１４０の断面構造を示す。

【0086】

第１センサ電極１１２及び第２センサ電極１１４は透明樹脂基板２００に設けられる。
駆動トランジスタ１３６、選択トランジスタ１３８、容量素子１４０、及びＥＬ素子１４
２は透明樹脂基板２００の上に設けられる。透明樹脂基板２００は複数の透明樹脂層が積
層された構造を有する。透明樹脂基板２００は、第１透明樹脂層２０２ａ、第２透明樹脂
層２０２ｂ、及び第３透明樹脂層２０２ｃが積層された構造を有する。第１透明樹脂層２
０２ａと第２透明樹脂層２０２ｂとの間には第１センサ電極１１２が設けられ、第２透明
樹脂層２０２ｂと第３透明樹脂層２０２ｃとの間には第２センサ電極１１４が設けられる
。タッチ及び指紋センサ部１１０は、透明樹脂基板２００に埋め込まれた状態で設けられ
る。

【0087】

本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、画素１０４（具体的に
は各副画素１０５に設けられるＥＬ素子１４２）の発光が透明樹脂基板２００側から出射
される。画素１０４と重なる領域に配置される第１センサ電極１１２及び第２センサ電極
１１４は、画素１０４から出射される光が透過するように透明導電膜で形成される。また
は、第１センサ電極１１２及び第２センサ電極１１４の配置に合わせて光が通過する開口
部が設けられていてもよい。すなわち、第１センサ電極１１２及び第２センサ電極１１４
は、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す第１補助電極２０５ａのような梯子形のパターンを有す
るアルミニウム（Ａｌ）等の金属膜、窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属窒化物膜、チタンシ
リサイド（ＴｉＳｉ_ｘ）等の金属シリサイド膜で形成されていてもよい。

【0088】

第１透明樹脂層２０２ａ、第２透明樹脂層２０２ｂ、第３透明樹脂層２０２ｃ、及び第
４透明樹脂層２０２ｄは、３μｍ～２０μｍ、好ましくは１０μｍ～１５μｍの厚さを有
する。透明樹脂基板２００は、このような膜厚の透明樹脂層が積層された構造により可撓
性を有する。タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、透明樹脂基板２００側がセン
シング及び表示面となる。第１センサ電極１１２及び第２センサ電極１１４を、指紋を検
出するための電極として用いる場合、第１透明樹脂層２０２ａの厚さは薄いことが好まし
い。第１透明樹脂層２０２ａ及び第２透明樹脂層２０２ｂは１０μｍ～１５μｍ程度の厚
さで設けられることにより高い指紋の検出感度を得ることができる。コンタクトホールを
形成するために第２透明樹脂層２０２ｂ、第３透明樹脂層２０２ｃ、第４透明樹脂層２０
２ｄは、ピンホールが生成されなければ可能な限り薄い方が好ましいが、寄生容量が増大
する問題が生じるので実際には３μｍ～５μｍの厚さを有することが好ましい。第１透明
樹脂層２０２ａは、透明樹脂基板２００の骨格となる層であるため、２０μｍ～５０μｍ
程度の厚さを有することが好ましい。

【0089】

第２センサ電極１１４の上には、駆動トランジスタ１３６と重なる第１遮光層２０８ａ
及び選択トランジスタ１３８と重なる第２遮光層２０８ｂが設けられる。第１遮光層２０
８ａ及び第２遮光層２０８ｂは金属膜、金属窒化物膜、金属シリサイド膜で形成される。
第１遮光層２０８ａ及び第２遮光層２０８ｂは、図１５に示すように第２センサ電極１１
４に設けられる走査信号線１０６ａ（第２補助電極２０７でもある）と同じ層に設けられ
る。

【0090】

駆動トランジスタ１３６、選択トランジスタ１３８、容量素子１４０、及びＥＬ素子１
４２と、第１センサ電極１１２及び第２センサ電極１１４との間にはシールド電極１１６
が設けられる。シールド電極１１６は第３透明樹脂層２０２ｃと第４透明樹脂層２０２ｄ
との間に設けられる。シールド電極１１６は表示部１０２の全体に亘って設けられる。

【0091】

シールド電極１１６は透明導電膜で形成される。透明導電膜としては、酸化インジウム
スズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（Indium
Zinc Oxide：ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）等の導電性を有する金属酸化物、窒化チ
タン（ＴｉＮｘ）酸窒化チタン（ＴｉＯＮ）等の金属窒化物又は金属酸窒化物等の導電性
透明導電膜、ポリアニリン、グラフェン等の導電性を有する有機物が用いられる。また、
別の形態として、シールド電極１１６が、アルミニウム、チタン、銅等の金属材料で形成
され、画素の配置に合わせて光が透過するように開口部が設けられた構造を有していても
よい。シールド電極１１６の上面に接してコモン電極１４４ａ、コモン配線１４４ｂが設
けられる。コモン配線１４４ｂは、走査信号線１０６ａが延伸する方向と同じ方向に延伸
するように設けられる。コモン電極１４４ａ、コモン配線１４４ｂはアルミニウム（Ａｌ
）等の金属膜で形成される。コモン電極１４４ａ、コモン配線１４４ｂとシールド電極１
１６は同電位であり一定電位が印加される。例えば、シールド電極１１６及びコモン電極
１４４ａ、コモン配線１４４ｂは接地電位が印加される。

【0092】

シールド電極１１６の上には駆動トランジスタ１３６の第１ゲート電極１５０、及び選
択トランジスタ１３８の第１ゲート電極１５２が設けられる。第１ゲート電極１５０及び
第１ゲート電極１５２はコモン電極１４４ａ、コモン配線１４４ｂと同じ層に形成される
。第１ゲート電極１５０及び第１ゲート電極１５２は金属膜で形成される。第１ゲート電
極１５０及び第１ゲート電極１５２はシールド電極１１６の上面に接して設けられる。第
１ゲート電極１５０及び第１ゲート電極１５２はシールド電極１１６と同じ電位が印加さ
れる。

【0093】

タッチ及び指紋センサ部１１０において、第１センサ電極１１２はレシーバ電極（Ｒｘ
電極）であり、第２センサ電極１１４はトランスミッタ電極（Ｔｘ電極）としての機能を
有する。タッチ及び指紋センサ部１１０が駆動するとき、第２センサ電極１１４には矩形
パルス電圧が印加される。第２センサ電極１１４に印加された矩形パルス電圧により発生
する電界はシールド電極１１６により遮蔽される。シールド電極１１６の電界遮蔽効果に
より、表示部１０２とタッチ及び指紋センサ部１１０は相互に干渉しないで駆動すること
が可能となる。タッチ及び指紋センサ部１１０は表示部１０２の駆動に伴うノイズの影響
が排除され、精度の高い指紋検出をすることができる。また、表示部１０２は、タッチ及
び指紋センサ部１１０の影響を受けずに安定した状態で画像を表示することができる。

【0094】

シールド電極１１６の上には第４透明樹脂層２０２ｄが設けられる。第１透明樹脂層２
０２ａ、第２透明樹脂層２０２ｂ、第３透明樹脂層２０２ｃ、及び第４透明樹脂層２０２
ｄは樹脂組成物を塗布して形成されるため、第１センサ電極１１２、第２センサ電極１１
４、第１ゲート電極１５０、第１ゲート電極１５２、及びコモン電極１４４ａ、コモン配
線１４４ｂによる凹凸を埋め込むことができ、第４透明樹脂層２０２ｄの表面を平坦化す
ることができる。

【0095】

第１透明樹脂層２０２ａ、第２透明樹脂層２０２ｂ、第３透明樹脂層２０２ｃ、第４透
明樹脂層２０２ｄを形成する樹脂材料として、透明ポリイミド樹脂、透明ポリエチレンナ
フタレート樹脂、透明パラ系ポリアミド樹脂等が用いられる。透明ポリイミド樹脂、透明
ポリエチレンナフタレート樹脂は、ガラス基板に比べてガスバリア性が劣るため、さらに
、窒化シリコン膜等で形成されるガスバリア膜が設けられていてもよい。一方、透明パラ
系ポリアミド樹脂は、透明性、耐熱性、ガスバリア性を有するので、透明樹脂基板２００
を形成する材料として好適に用いることができる。第１透明樹脂層２０２ａ、第２透明樹
脂層２０２ｂ、第３透明樹脂層２０２ｃ、及び第４透明樹脂層２０２ｄは、同じ樹脂材料
で形成されていてもよいし、一部の層又は全部の層が異なる樹脂材料で形成されていても
よい。例えば、第４透明樹脂層２０２ｄは、剛性が高くガスバリア性の高い透明パラ系ポ
リアミド樹脂を用いることで、ＥＬ素子１４２の長期信頼性を高めることができる。

【0096】

透明樹脂基板２００は、１５０℃～４００℃の耐熱性を有していることが好ましい。駆
動トランジスタ１３６及び選択トランジスタ１３８を形成するときの最高プロセス温度（
加熱温度）が２５０℃以下の場合は、樹脂材料としてパラ系ポリアミド樹脂を用いること
ができる。パラ系ポリアミド樹脂を用いることで、透明樹脂基板２００自体にガスバリア
性を持たせることができる。一方、駆動トランジスタ１３６及び選択トランジスタ１３８
を形成するときの最高プロセス温度（加熱温度）が２５０℃以上であるときは、耐熱性の
観点から透明樹脂基板２００を形成する材料として透明ポリイミド樹脂を用いることが好
ましい。

【0097】

また、透明ポリイミド樹脂及び透明パラ系ポリアミド樹脂に対し、ナノセルロースファ
イバ（ＣＮＦ）が透明ポリイミド樹脂、透明パラ系ポリアミド樹脂に混合されていてもよ
い。ナノセルロースファイバ（ＣＮＦ）が混合された透明ポリイミド樹脂及び透明パラ系
ポリアミド樹脂は、剛性が向上し、収縮が抑制されて寸法の安定性が向上するという利点
を有する。透明樹脂基板２００の耐熱性を向上させるために、第１透明樹脂層２０２ａ、
第２透明樹脂層２０２ｂ、及び第３透明樹脂層２０２ｃ、並びに第４透明樹脂層２０２ｄ
の少なくとも１つの層にナノセルロースファイバ（ＣＮＦ）が混合されていてもよい。透
明ポリイミド樹脂及び透明パラ系ポリアミド樹脂に対するナノセルロースファイバ（ＣＮ
Ｆ）の混合比率は、１重量％～１０重量％であることが好ましい。

【0098】

図１６Ａに示す駆動トランジスタ１３６は、第１ゲート電極１５０、第１絶縁層２１０
、第１酸化物半導体層１８０ａ、第２絶縁層２１２、第２ゲート電極１５１が積層された
構造を有する。第１ゲート電極１５０は第１絶縁層２１０を介して第１酸化物半導体層１
８０ａと重なるように配置され、第２ゲート電極１５１は第２絶縁層２１２を介して第１
酸化物半導体層１８０ａと重なるように配置される。第１ゲート電極１５０、第２ゲート
電極１５１、及び第１酸化物半導体層１８０ａは、相互に重畳する領域を有し、駆動トラ
ンジスタ１３６はその重畳する領域にチャネルが形成される。なお、駆動トランジスタ１
３６は、第１ゲート電極１５０がシールド電極１１６と同じ電位が印加され、第２ゲート
電極１５１にデータ信号に基づく電圧（ビデオ信号に基づく電圧）が印加される。

【0099】

第１金属酸化物導電層１７６ａ及び第２金属酸化物導電層１７６ｂは、第１絶縁層２１
０と第１酸化物半導体層１８０ａとの間に配置される。第１金属酸化物導電層１７６ａと
第２金属酸化物導電層１７６ｂは、平面視において第１ゲート電極１５０及び第２ゲート
電極１５１を両側から挟むように配置される。第１金属酸化物導電層１７６ａ及び第２金
属酸化物導電層１７６ｂは、第１酸化物半導体層１８０ａの下面と接するように設けられ
る。駆動トランジスタ１３６は、第２金属酸化物導電層１７６ｂが第１酸化物半導体層１
８０ａと接する領域がドレイン領域となり、第１金属酸化物導電層１７６ａが第１酸化物
半導体層１８０ａと接する領域がソース領域となる。

【0100】

第１酸化物半導体層１８０ａは、金属酸化物半導体材料を用いて形成される。金属酸化
物半導体材料として、四元系金属酸化物材料、三元系金属酸化物材料、二元系金属酸化物
材料、及び一元系金属酸化物半導体材料が用いられる。これらの金属酸化物半導体材料は
単層構造であってもよいし、積層構造を有していてもよい。また、金属酸化物半導体材料
は、アモルファスであってもよいし、結晶性を有していてもよい。

【0101】

四元系酸化物材料として、Ｉｎ_２Ｏ_３－Ｇａ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２－ＺｎＯ系酸化物材料、
三元系酸化物材料としてＩｎ_２Ｏ_３－Ｇａ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２系酸化物材料、Ｉｎ_２Ｏ_３－
Ｇａ_２Ｏ_３－ＺｎＯ系酸化物材料、Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２－ＺｎＯ系酸化物材料、Ｉｎ_２
Ｏ_３－Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｎＯ系酸化物材料、Ｇａ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２－ＺｎＯ系酸化物材料、
Ｇａ_２Ｏ_３－Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｎＯ系酸化物材料、ＳｎＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｎＯ系酸化物
材料、二元系酸化物材料としてＩｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ系酸化物材料、ＳｎＯ_２－ＺｎＯ系酸
化物材料、Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｎＯ系酸化物材料、ＭｇＯ－ＺｎＯ系酸化物材料、ＳｎＯ_２－
ＭｇＯ系酸化物材料、Ｉｎ_２Ｏ_３－ＭｇＯ系酸化物材料、一元系酸化物材料として、Ｉｎ
_２Ｏ_３系金属酸化物材料、ＳｎＯ_２系金属酸化物材料、ＺｎＯ系金属酸化物材料等を用い
ることができる。また、上記酸化物半導体にシリコン（Ｓｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タン
グステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）が含まれてい
てもよい。なお、例えば、上記で示すＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物材料は、少なくとも
ＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物材料であり、その組成比に特に制限はない。なお、上記の
四元系酸化物材料、三元系酸化物材料、二元系酸化物材料、一元系酸化物材料は、含まれ
る酸化物が化学量論的組成のものに限定されず、化学量論的組成からずれた組成を有する
酸化物材料によって構成されてもよい。このような金属酸化物半導体材料は、３．０ｅＶ
以上のバンドギャップを有し、可視光帯域の光に対して透明である。

【0102】

第１金属酸化物導電層１７６ａ及び第２金属酸化物導電層１７６ｂは、導電性を有する
金属酸化物材料、金属窒化物材料又は金属酸窒化物材料を用いて作製される。導電性を有
する金属酸化物材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、ニオブが添加された酸化
チタン（ＴｉＮｂＯ_ｘ）等が用いられる。また、窒化チタン（ＴｉＮ_ｘ）、酸窒化チタン
（ＴｉＯＮ）等の、透明性と導電性を有する金属窒化物及び金属酸窒化物を用いることも
できる。

【0103】

駆動トランジスタ１３６のソース電極（第１金属酸化物導電層１７６ａ）はコモン電極
１４４ａと接続される。第１金属酸化物導電層１７６ａは第５コンタクトホール１６６を
介してコモン電極１４４ａと接するように設けられる。第１金属酸化物導電層１７６ａの
上には金属膜で形成されるソース配線１７０が設けられる。ソース配線１７０は第５コン
タクトホール１６６の領域に延伸して設けられる。第５コンタクトホール１６６は、第１
絶縁層２１０、第４透明樹脂層２０２ｄを貫通するように形成される。ソース配線１７０
及びコモン電極１４４ａ、コモン配線１４４ｂは、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ
）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料で形成される。

【0104】

第１絶縁層２１０は、例えば、第４透明樹脂層２０２ｄの側から、第１窒化シリコン膜
２１４ａ、第１酸化シリコン膜２１５ａが積層された構造を有する。第２絶縁層２１２は
、例えば、第１酸化物半導体層１８０ａの側から、第２酸化シリコン膜２１５ｂ、第２窒
化シリコン膜２１４ｂが積層された構造を有する。第１酸化物半導体層１８０ａは、第１
酸化シリコン膜２１５ａ及び第２酸化シリコン膜２１５ｂと接して設けられる。第１酸化
物半導体層１８０ａは、上面及び下面が酸化シリコン膜と接して設けられることで、酸素
欠損の生成が抑制される。

【0105】

第１ゲート電極１５０及び第２ゲート電極１５１は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料を用
いて作製される。アルミニウム合金としては、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）
、アルミニウム・ネオジム－ニッケル合金（ＡｌＮｄＮｉ）、アルミニウム・カーボン・
ニッケル合金（ＡｌＣＮｉ）、銅－ニッケル合金（ＣｕＮｉ）等を用いることができる。
例えば、第１ゲート電極１５０及び第２ゲート電極１５１は、アルミニウム（Ａｌ）、モ
リブデン－タングステン（ＭｏＷ）合金、モリブデン－チタン（ＭｏＴｉ）合金等の膜で
形成される。

【0106】

選択トランジスタ１３８は、第１ゲート電極１５２、第１絶縁層２１０、第２酸化物半
導体層１８０ｂ、第２絶縁層２１２、第２ゲート電極１５３が積層された構造を有する。
選択トランジスタ１３８は、第２酸化物半導体層１８０ｂが、第１ゲート電極１５２及び
第２ゲート電極１５３と重畳する領域にチャネルが形成される。第１ゲート電極１５２は
、シールド電極１１６と接して設けられる。

【0107】

第３金属酸化物導電層１７６ｃ及び第４金属酸化物導電層１７６ｄは第１絶縁層２１０
と第２酸化物半導体層１８０ｂとの間に設けられる。第３金属酸化物導電層１７６ｃ及び
第４金属酸化物導電層１７６ｄは、第２酸化物半導体層１８０ｂの下面と接して設けられ
ることで、ソース領域、ドレイン領域として機能する。第３金属酸化物導電層１７６ｃと
第４金属酸化物導電層１７６ｄとは、平面視において第１ゲート電極１５２及び第２ゲー
ト電極１５３両側から挟むように設けられる。

【0108】

第３金属酸化物導電層１７６ｃは、データ信号線１０８の下面に接して設けられる。デ
ータ信号線１０８は、第３金属酸化物導電層１７６ｃと直接接触することでコンタクトホ
ールを介して接続される場合と比べて接触面積が増大し、接触抵抗が低減される。

【0109】

第４金属酸化物導電層１７６ｄの上面にドレイン配線１７３が接して設けられる。第２
酸化物半導体層１８０ｂは、第４金属酸化物導電層１７６ｄ及びドレイン配線１７３の上
面を覆うように設けられる。ドレイン配線１７３は、駆動トランジスタ１３６の第２ゲー
ト電極１５１と第７コンタクトホール１６８を介して接続される。

【0110】

図１６Ｂに示す容量素子１４０は、ドレイン配線１７３、第４金属酸化物導電層１７６
ｄ、第１絶縁層２１０、第４透明樹脂層２０２ｄ、コモン配線１４４ｂが重畳する領域に
形成される。容量素子１４０は、第４金属酸化物導電層１７６ｄ及びドレイン配線１７３
が一方の容量電極を形成し、コモン配線１４４ｂが他方の容量電極を形成する。容量素子
１４０は、選択トランジスタ１３８のドレイン電極とコモン配線１４４ｂとの間に設けら
れる。

【0111】

駆動トランジスタ１３６及び選択トランジスタ１３８は、第３絶縁層２１６で覆われる
。第３絶縁層２１６は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリシロキサン
樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂材料で形成される。第３絶縁層２１６は、これらの樹
脂組成物により形成されることで駆動トランジスタ１３６及び選択トランジスタ１３８を
埋め込む平坦化膜としての機能を有する。第３絶縁層２１６は、酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜等の無機絶縁膜で形成されていてもよい。

【0112】

図１６Ａに示すように、ＥＬ素子１４２は、透明樹脂基板２００の側から、陰極に相当
する第１電極２２０、電子輸送層２２２（第１電子輸送層２２２ａ、第２電子輸送層２２
２ｂ）、電子注入層２２４、発光層２２６、正孔輸送層２２８、正孔注入層２３０、陽極
に相当する第２電極２３２が積層された構造を有する。ＥＬ素子は、便宜上、陽極の上に
正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極のように陽極側から積層する構造を順積み構造と
呼び、その逆の積層順を有する場合を逆積み構造と呼ばれることがある。図１６Ａに示す
ＥＬ素子１４２は逆積み構造に分類される。

【0113】

第１電極２２０は第１金属酸化物導電層１７６ａから連続し、第１電子輸送層２２２ａ
は、第１酸化物半導体層１８０ａから連続する構造を有する。このような構造を有するこ
とにより駆動トランジスタ１３６とＥＬ素子１４２とがコンタクトホールを用いずに接続
された状態が形成される。陰極に相当する第１電極２２０は、第１金属酸化物導電層１７
６ａと同じ金属酸化物導電材料で形成される。また、第１電子輸送層２２２ａは、第１酸
化物半導体層１８０ａと同じ酸化物半導体材料で形成される。

【0114】

ＥＬ素子１４２が形成される領域には、第３絶縁層２１６及び第２絶縁層２１２に第３
開口部２３４が設けられる。第３開口部２３４により、第１電極２２０の上層側に配置さ
れた第１電子輸送層２２２ａの上面が露出される。第１電子輸送層２２２ａの上には、第
２電子輸送層２２２ｂ、電子注入層２２４、発光層２２６、正孔輸送層２２８、正孔注入
層２３０、陽極としての第２電極２３２が積層される。これらの積層体と、第１電極２２
０とが重なる領域がＥＬ素子１４２の発光領域となる。

【0115】

第１電極２２０の上層には、第１酸化物半導体層１８０ａと同じ層で形成される第１電
子輸送層２２２ａが設けられる。第１電子輸送層２２２ａは、バンドギャップが３．０ｅ
Ｖ以上であり可視光に対して透光性を有することが好ましい。第２電子輸送層２２２ｂは
、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム（Ｇａ）酸化物、スズ（Ｓｎ）酸化物、マグ
ネシウム（Ｍｇ）酸化物、シリコン（Ｓｉ）酸化物、ハフニウム（Ｈｆ）酸化物、タンタ
ル（Ｔａ）酸化物、ニオブ（Ｎｂ）酸化物から選ばれた一種又は複数種の元素を含む金属
酸化物材料で形成される。これらの金属酸化物材料はバンドギャップが３．０ｅＶ以上で
あり、可視光に対して透光性を有する。第２電子輸送層２２２ｂは、５０ｎｍ～１０００
ｎｍの膜厚で形成される。ＥＬ素子１４２は、第２電子輸送層２２２ｂがこの範囲の膜厚
を有することにより第１電極２２０と第２電極２３２との短絡が防止されている。

【0116】

第２電子輸送層２２２ｂのキャリア濃度は、第１電子輸送層２２２ａのキャリア濃度の
１０分の１以下、好ましくは１００分の１以下であることが好ましい。具体的には、第２
電子輸送層２２２ｂのキャリア濃度が１０^１３／ｃｍ^３～１０^１７／ｃｍ^３であるのに対
し、第１電子輸送層２２２ａのキャリア濃度は１０^１５／ｃｍ^３～１０^１９／ｃｍ^３の範
囲にあり、双方のキャリア濃度の差は上述のように１桁以上、好ましくは２桁以上差があ
ることが好ましい。第１電子輸送層２２２ａは、キャリア濃度が１０^１５／ｃｍ^３～１０
^１９／ｃｍ^３の範囲にあることで、駆動トランジスタ１３６とＥＬ素子１４２との接続に
おいて抵抗損失を低減し、駆動電圧の上昇を抑えることができる。第２電子輸送層２２２
ｂは、キャリア濃度が１０^２０／ｃｍ^３以上となると、発光層２２６における励起状態が
失活して発光効率が低下する。一方、第２電子輸送層２２２ｂのキャリア濃度が１０^１３
／ｃｍ^３未満であると、発光層２２６に供給されるキャリアが低減し十分な輝度を得るこ
とができない。このように、第１電子輸送層２２２ａを第２電子輸送層２２２ｂと接して
設けると共に、双方のキャリア濃度を異ならせることで、駆動電圧の上昇を防ぎ、ＥＬ素
子１４２の発光効率を高めることができる。

【0117】

第１電子輸送層２２２ａ及び第２電子輸送層２２２ｂのキャリア濃度は、酸化物半導体
の酸素欠損の濃度により制御することができる。酸化物半導体の酸素欠損はドナーとして
作用する。酸化物半導体の酸素欠損密度を増加させるとキャリア濃度が増加し、酸素欠損
密度を低下させるとキャリア濃度が低下する。酸化物半導体の酸素欠損は、例えば、水素
を作用させることにより増加させることができ、酸素を供給することにより減少させるこ
とができる。

【0118】

ＥＬ素子において電子注入層は陰極から電子輸送層へ電子を注入するためのエネルギー
障壁を小さくするために用いられる。電子注入層２２４は第２電子輸送層２２２ｂから発
光層２２６へ電子が注入されやすくするために設けられる。電子注入層２２４は、第２電
子輸送層２２２ｂと発光層２２６との間に設けられる。

【0119】

電子注入層２２４は仕事関数が小さい材料が用いられる。電子注入層２２４は、例えば
、Ｃ１２Ａ７（１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３）エレクトライド、Ｍｇ_０．３Ｚｎ_０．７Ｏ、
Ｚｎ_０．７Ｓｉ_０．３Ｏ_ｘを含む酸化物半導体材料で形成される。電子注入層２２４は１
ｎｍ～１００ｎｍの厚さで形成される。このような電子注入層２２４を用いることで第２
電子輸送層２２２ｂから発光層２２６へ注入される電子の量を増やすことができ、発光効
率を高めることができる。

【0120】

発光層２２６は、種々の発光材料の適用が可能である。発光層２２６は、例えば、蛍光
材料、燐光を発光する燐光材料、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ：Thermally Activated De
layed Fluorescence）材料を用いて形成される。発光層２２６は、画素１０４に含まれる
複数の副画素１０５に対応して発光色が異なる材料が用いられる。発光層２２６を白色発
光層とするには、青色発光層と黄色発光層とが積層された構造が用いられる。発光層２２
６は、蒸着法、転写法、スピンコート法、スプレーコート法、グラビア印刷法等により作
製することができる。発光層２２６の膜厚は適宜選択されればよいが、例えば、１０ｎｍ
～１００ｎｍの範囲で設けられる。

【0121】

正孔輸送層２２８は、例えば、アリールアミン系化合物、カルバゾール基を含むアミン
化合物、およびフルオレン誘導体を含むアミン化合物等で形成される。正孔輸送層２２８
は、真空蒸着法、塗布法等によって作製される。正孔輸送層２２８は、１０ｎｍ～５００
ｎｍの膜厚で形成される。正孔注入層２３０が形成される場合、正孔輸送層２２８は省略
されてもよい。

【0122】

正孔注入層２３０は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タン
グステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いて形成される。また、正孔注入層
２３０は、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）
、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボンニトリル（ＨＡＴ－（ＣＮ）６）等の材料を
用いて形成される。正孔注入層２３０は、１ｎｍ～１００ｎｍの厚さで形成される。

【0123】

陽極に相当する第２電極２３２は、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料で形成されること
が好ましい。第２電極２３２は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウ
ム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化タングステン（ＷＯ_ｘ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有した酸化
インジウム（ＩＷＺＯ）等の導電性金属酸化物を用いて形成される。ＥＬ素子１４２はボ
トムエミッション型であるため、第２電極２３２は光反射面を有していることが好ましい
。前述の導電性金属酸化物は透光性を有しているので、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ
）等の金属膜を積層させて光反射面を形成することが好ましい。

【0124】

図１６Ａ及び図１６Ｂでは省略されているが、ＥＬ素子１４２の上に酸素、水分の浸入
を遮断するパッシベーション膜が設けられていてもよい。

【0125】

このように、本実施形態に係る副画素１０５は、ｎチャネル型の駆動トランジスタ１３
６とＥＬ素子１４２とが接続された構造を有する。ＥＬ素子１４２は、ボトムエミッショ
ン型でありシールド電極１１６の側に光を出射する構造を有する。ＥＬ素子１４２は、電
子輸送層及び電子注入層が無機金属酸化物半導体材料で形成されるので、水分（Ｈ_２Ｏ）
や酸素（Ｏ_２）による発光特性の劣化を抑制する構造を有している。

【0126】

図１７は、副画素１０５の他の構成を示す平面レイアウト図を示す。図１７で示される
副画素１０５は、選択トランジスタ１３８の第２ゲート電極１５３と走査信号線１０６ａ
が同じ導電層で形成された構造を有する。第２センサ電極１１４の上には第２補助電極２
０７が設けられる（図１７は第２センサ電極１１４のパターンが省略され、第２補助電極
２０７のみが示されている）。第１遮光層２０８ａ及び第２遮光層２０８ｂは、第２補助
電極２０７と同じ金属膜で形成され、第２センサ電極１１４の上に設けられる。

【0127】

図１８は副画素１０５の平面レイアウトを示し、図１５に示す副画素１０５に対して駆
動トランジスタ１３６とコモン電極１４４ａとの接続構造が異なる態様を示す。また、図
１９Ａは、図１８に示すＤ５－Ｄ６線に対応する断面構造を示し、図１９ＢはＤ７－Ｄ８
線に対応する断面構造を示す。

【0128】

図１８及び図１９Ａに示すように、駆動トランジスタ１３６のソース配線１７０は、第
２ゲート電極１５１と同じ導電層で形成される接続配線１７２によってコモン電極１４４
ａと接続される。接続配線１７２は、第２絶縁層２１２に形成された第８コンタクトホー
ル１７１によりソース配線１７０と接続され、第２絶縁層２１２、第１絶縁層２１０、及
び第４透明樹脂層２０２ｄに形成された第５コンタクトホール１６６によりコモン電極１
４４ａと接続される。このような接続構造によっても、図４の等価回路に示す第１副画素
１０５ｒ、第２副画素１０５ｇ、及び第３副画素１０５ｂのそれぞれを実現することがで
きる。

【0129】

図２０は副画素１０５の平面レイアウトを示し、図１８に示す副画素１０５に対して選
択トランジスタ１３８とデータ信号線１０８との接続構造が異なる態様を示す。また、図
２１Ａは、図２０に示すＤ９－Ｄ１０線に対応する断面構造を示し、図２１ＢはＤ１１－
Ｄ１２線に対応する断面構造を示す。

【0130】

図２０及び図２１Ｂに示すように、選択トランジスタ１３８のソース電極１７４は第２
ゲート電極１５３と同じ導電層で形成されるデータ信号線１０８と接続される。データ信
号線１０８は、第２絶縁層２１２の上に設けられ、第９コンタクトホール１７５を介して
ソース電極１７４と接続される。走査信号線１０６ａは、第１絶縁層２１０よりも下層側
に設けられている。そのため、第２絶縁層２１２を薄く形成した場合であっても、第２ゲ
ート電極１５３と同じ層に設けられるデータ信号線１０８を走査信号線１０６ａと交差す
るように設けても交差部での短絡を防止することができる。

【0131】

１－６．封止構造
図２２Ａは、第１センサ電極１１２と引き出し配線１４７との接続構造の一例を示す。
引き出し配線１４７は、第１センサ電極１１２と第２接続端子１４６ｂとを接続する配線
である。第１センサ電極１１２は、表示部１０２の外側領域で引き出し配線１４７と接続
される。引き出し配線１４７は、第２接続端子１４６ｂと同様に第４透明樹脂層２０２ｄ
の上に設けられる。図５に示す構造と同様に、シールド電極１１６は、第２接続端子１４
６ｂの下まで延伸して設けられる。第２接続端子１４６ｂは、シールド電極１１６の上側
に設けられることで、フレキシブル回路基板１２６を接続するときの圧着処理に耐えるこ
とができ、第２接続端子１４６ｂの陥没、変形、及び剥離を防止することができる。

【0132】

シールド電極１１６は、第１開口部１５８を有する。この部分に第１開口部１５８の口
径よりも小さな孔径を有する第１コンタクトホール１５９が設けられる。第１コンタクト
ホール１５９は、第４透明樹脂層２０２ｄ、第３透明樹脂層２０２ｃ、及び第２透明樹脂
層２０２ｂを貫通し、第１センサ電極１１２の上面を露出させている。引き出し配線１４
７は、第２接続端子１４６ｂから第１コンタクトホール１５９まで延伸され第１センサ電
極１１２と接続される。

【0133】

第４透明樹脂層２０２ｄの上に、第１絶縁層２１０、第２絶縁層２１２、及び第３絶縁
層２１６が設けられる。第３絶縁層２１６の上に第２電極２３２が設けられる。図２２は
、第２電極２３２の上層側に封止層２３６が設けられた状態を示す。封止層２３６の構造
は様々であるが、例えば、シリコン窒化炭素膜２３７ａ、窒化シリコン膜２３８、シリコ
ン窒化炭素膜２３７ｂが積層された構造を有する。

【0134】

引き出し配線１４７は、第３絶縁層２１６、封止層２３６に覆われた領域から外側（透
明樹脂基板２００の端部側）に延伸され、第２接続端子１４６ｂと接続される。引き出し
配線１４７と第２接続端子１４６ｂとは同じ導電層で形成され、一つの連続するパターン
で形成される。

【0135】

図２２Ａは、透明樹脂基板２００の端部近傍の領域に分断領域２４０を有する態様を示
す。透明樹脂基板２００は製造工程において図示されない支持基板の上に設けられ、個々
のパネルに個片化するときに分断領域２４０で分断される。分断領域２４０には、表示パ
ネルを囲むように連続する開口溝が形成される。開口溝は、例えば、レーザ加工により形
成される。透明樹脂基板２００は、分断領域２４０を形成した後レーザアブレーション加
工により支持基板から剥離される。

【0136】

図２２Ｂは、図７に示すようにシールド電極１１６が第２接続端子１４６ｂの領域まで
延伸しない構造を示す。この構造では、引き出し配線１４７及び第２接続端子１４６ｂの
下側に第１絶縁層２１０が設けられていることが好ましい。引き出し配線１４７は、第１
絶縁層２１０、第４透明樹脂層２０２ｄ、第３透明樹脂層２０２ｃ、及び第２透明樹脂層
２０２ｂを貫通する第１コンタクトホール１５９により第１センサ電極１１２と接続され
る。

【0137】

第２接続端子１４６ｂの下側にシールド電極１１６が設けられない場合でも、第１絶縁
層２１０が設けられることで、フレキシブル回路基板１２６を接続するときの圧着処理に
耐えることができ、第２接続端子１４６ｂの陥没、変形、及び剥離を防止することができ
る。なお、図示されないが、第２接続端子１４６ｂの下層側に第１絶縁層２１０及びシー
ルド電極１１６の両方が設けられていても同様の効果を得ることができる。また、図２２
Ａ及び図２２Ｂには示されないが、端子部における第１接続端子１４６ａの構造も第２接
続端子１４６ｂと同様であり、同様の効果を得ることができる。

【0138】

図２３Ａ及び図２３Ｂは、第２絶縁層２１２の構成が図２２Ａ及び図２２Ｂと異なる態
様を示す。図２３Ａ及び図２３Ｂの説明については、図２２Ａ及び図２２Ｂと相違する部
分を中心に説明する。

【0139】

図２３Ａは、第２接続端子１４６ｂの下にシールド電極１１６が設けられた構造を有し
、かつ引き出し配線１４７の上に第２絶縁層２１２が設けられた構造を有する。第２絶縁
層２１２は、引き出し配線１４７の上面及び側面を覆い、図示されないが引き出し配線１
４７が設けられない領域では第４透明樹脂層２０２ｄに接して設けられる。第２絶縁層２
１２は、第３絶縁層２１６の外側（第２接続端子１４６ｂの側）に延伸して設けられる。
第２絶縁層２１２は、第３絶縁層２１６の外側で封止層２３６と接する領域を有する。

【0140】

第２絶縁層２１２と封止層２３６とは、無機絶縁材料で形成される絶縁膜を含む。この
ような第２絶縁層２１２と封止層２３６とが、第３絶縁層２１６の外側で接して設けられ
ることで、封止性能を高めることができる。図１６Ａに示すように、ＥＬ素子１４２を形
成する層は第３絶縁層２１６に接して設けられる。ＥＬ素子１４２に接する第３絶縁層２
１６が、第２絶縁層２１２と封止層２３６とで挟まれて、かつ第３絶縁層２１６の端部が
、第２絶縁層２１２及び封止層２３６の外側端部より内側に設けられることでＥＬ素子１
４２の劣化を防止する性能を高めることができる。さらに、第２絶縁層２１２は、引き出
し配線１４７の保護膜としての機能を有するので、配線の劣化及び損傷を防止することが
できる。他の構造は図２２Ａと同様であり、同様の作用効果を得ることができる。

【0141】

図２３Ｂは、第２接続端子１４６ｂの下に第１絶縁層２１０が設けられた構造を有し、
かつ引き出し配線１４７の上に第２絶縁層２１２が設けられた構造を有する。この構造も
、図２３Ａに示す構造と同様に封止性能を高めることができる。他の構造は図２２Ｂと同
様であり、同様の作用効果を得ることができる。なお、図２３Ｂには図示されないが、第
２接続端子１４６ｂの下層側に第１絶縁層２１０及びシールド電極１１６の両方が設けら
れていても同様の効果を得ることができる。

【0142】

図２４Ａ及び図２４Ｂは、第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２１２の構成が図２３Ａ及
び図２３Ｂと異なる態様を示す。図２４Ａ及び図２４Ｂの説明については、図２３Ａ及び
図２３Ｂと相違する部分を中心に説明する。

【0143】

図２４Ａ及び図２４Ｂは、第２接続端子１４６ｂの下にシールド電極１１６が設けられ
た構造を有し、かつ引き出し配線１４７及び第２接続端子１４６ｂの下に第１絶縁層２１
０及び第２絶縁層２１２が設けられた構造を有する。第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２
１２は、第２接続端子１４６ｂの下側全面に設けられるので、フレキシブル回路基板１２
６を接続するときの圧着処理に耐えることができ、第２接続端子１４６ｂの陥没、変形、
及び剥離に対する耐性をより高めることができる。

【0144】

また、第３絶縁層２１６外側の領域で、封止層２３６が引き出し配線１４７と接し、及
び第２絶縁層２１２とも接する（図示されず）領域を有するので封止性能を高めることが
でき、ＥＬ素子１４２の劣化を防止することができる。

【0145】

図２５Ａ及び図２５Ｂは、引き出し配線１４７の構成が図２２Ａ及び図２２Ｂと異なる
態様を示す。図２５Ａと図２５Ｂの違いは、第２接続端子１４６ｂの下のシールド電極１
１６の有無にある。図２５Ａ及び図２５Ｂの説明については、図２２Ａ及び図２２Ｂと相
違する部分を中心に説明する。

【0146】

図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように、第１センサ電極１１２と第２接続端子１４６ｂの
接続構造は、複数のコンタクトホールと複数の引き出し配線とによって接続される構造を
有する。具体的には、第２透明樹脂層２０２ｂにコンタクトホール１６９ａが形成され、
第１引き出し配線１４７ａが第１センサ電極１１２と接続され、第３透明樹脂層２０２ｃ
にコンタクトホール１６９ｂが形成され、第２引き出し配線１４７ｂが第１引き出し配線
１４７ａと接続され、第４透明樹脂層２０２ｄにコンタクトホール１６９ｃが形成され、
第３引き出し配線１４７ｃが第２引き出し配線１４７ｂと接続された構造を有する。

【0147】

第１引き出し配線１４７ａを第１センサ電極１１２と接続するために設けられるコンタ
クトホール１６９ａと、第２引き出し配線１４７ｂを第１引き出し配線１４７ａと接続す
るためのコンタクトホール１６９ｂの位置は異なっている。また。第２引き出し配線１４
７ｂを第１引き出し配線１４７ａと接続するためのコンタクトホール１６９ｂの位置と、
第３引き出し配線１４７ｃを第２引き出し配線１４７ｂと接続するためのコンタクトホー
ル１６９ｃの位置は異なっている。このように、複数のコンタクトホールの位置をずらし
て設けることで、一段当たりのコンタクトホールの深さを浅くすることができ、引き出し
配線の接続を確実に形成することができる。

【0148】

図２５Ａ及び図２５Ｂに示す構成は、図２３Ａ及び図２３Ｂ、図２４Ａ及び図２４Ｂに
示す構成に適用することができる。

【0149】

１－７．フレキシブル回路基板及び集積回路
図２６は、表示部１０２及びタッチ及び指紋センサ部１１０が設けられた透明樹脂基板
２００の構成と、第２駆動回路１２８が設けられるフレキシブル回路基板１２６の構成を
示す。

【0150】

フレキシブル回路基板１２６は、フィルム基材１２７に設けられた第３接続端子１４８
ａ、第４接続端子１４８ｂ、第５接続端子１４８ｃ、第６接続端子１４９、及び配線群１
２９ａ、１２９ｂを含む。配線群１２９は、第３接続端子１４８ａ～第５接続端子１４８
ｃと第２駆動回路１２８との間、及び第２駆動回路１２８と第６接続端子１４９との間を
接続する。第３接続端子１４８ａは、透明樹脂基板２００側の第１接続端子１４６ａと接
続され、第４接続端子１４８ｂは、透明樹脂基板２００側の第２接続端子１４６ｂと接続
され、第５接続端子１４８ｃは、透明樹脂基板２００側の第１駆動回路１１８に接続され
る接続端子と接続される。第６接続端子１４９は、タッチ及び指紋センサ付き表示装置１
００を駆動する外部回路と接続される。

【0151】

第２駆動回路１２８は、図５で示すように、第１走査信号線駆動回路ブロック、データ
信号線駆動回路ブロック、タッチ及び指紋センサ検出回路ブロックが一体化された複合集
積回路である。第２駆動回路１２８はＣＯＦ（Chip on Film）によりフィルム基材１２７
の表面に実装される。

【0152】

図２７は、フレキシブル回路基板１２６の平面図を示す。フレキシブル回路基板１２６
は、ポリイミド等で形成されるフィルム基材１２７の第１の側に第３接続端子１４８ａ、
第４接続端子１４８ｂ、及び第５接続端子１４８ｃが設けられ、第１の側と反対の第２の
側に第６接続端子１４９が設けられる。第２駆動回路１２８は、フィルム基材１２７の中
央側の領域に実装される。図２７は、第２駆動回路１２８が実装される領域を点線で示す
。

【0153】

第３接続端子１４８ａ、第４接続端子１４８ｂ、及び第５接続端子１４８ｃと第２駆動
回路１２８との間の領域には配線群１２９ａが設けられる。第２駆動回路１２８と第６接
続端子１４９との間の領域には配線群１２９ｂが設けられる。配線群１２９ｂのそれぞれ
の配線は、第６接続端子１４９から第２駆動回路１２８のパッド１３５が位置する領域に
引き込まれている。配線群１２９ａのそれぞれの配線は、第２駆動回路１２８のパッド１
３５が位置する領域から第３接続端子１４８ａ、第４接続端子１４８ｂ、及び第５接続端
子１４８ｃまで引き出されている。

【0154】

第２駆動回路１２８のパッド１３５は、機能ブロックに対応して設けられる。すなわち
、第２駆動回路１２８のパッド１３５は、走査信号線駆動回路ブロック１３０、データ信
号線駆動回路ブロック１３２、タッチ及び指紋センサ検出回路ブロック１３４に対応して
、それぞれの回路ブロックの領域に配置される。配線群１２９ａ、１２９ｂのそれぞれの
配線とパッド１３５との接続は導電性材料により接続される。また、第３接続端子１４８
ａ、第４接続端子１４８ｂ、及び第５接続端子１４８ｃと、透明樹脂基板２００側の接続
端子との接続も導電性材料により接続される。

【0155】

図２８は、図７に示す切替回路１２０及び第１センサ電極１１２の構成に対応し、端子
部１２２にフレキシブル回路基板１２６が重ねられ、導電性材料で接続端子が接続された
状態を示す。フレキシブル回路基板１２６は、透明樹脂基板２００の端子部１２２に設け
られた第１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂに対応して、第３接続端子１４８
ａ及び第４接続端子１４８ｂが設けられる。図５を参照して説明したように、第１接続端
子１４６ａは切替回路１２０に接続され、第２接続端子１４６ｂはシールド電極１１６の
第１開口部１５８の内側の領域に設けられた第１コンタクトホール１５９を介して第１セ
ンサ電極１１２と接続される。

【0156】

第１接続端子１４６ａと第３接続端子１４８ａ、及び第２接続端子１４６ｂと第４接続
端子１４８ｂとは離間した状態で対向配置される。第１接続端子１４６ａと第３接続端子
１４８ａとの間には少なくとも１つの導電性粒子２４２が設けられる。少なくとも１つの
導電性粒子２４２は、第１接続端子１４６ａと第３接続端子１４８ａとの間で加圧変形し
た状態で保持される。少なくとも１つの導電性粒子２４２は第１接続端子１４６ａ及び第
３接続端子１４８ａに接触している。第１接続端子１４６ａと第３接続端子１４８ａとは
、少なくとも１つの導電性粒子２４２により電気的に接続される。第２接続端子１４６ｂ
と第４接続端子１４８ｂとの間にも同様に導電性粒子が設けられる。なお、少なくとも１
つの導電性粒子２４２は、複数の導電性粒子から成っていることが好ましい。

【0157】

導電性粒子２４２は、樹脂２４４の中に分散された状態で第１接続端子１４６ａ（又は
第３接続端子１４８ａ）の上に配置される。この状態で第１接続端子１４６ａと第３接続
端子１４８ａとを対向させ、導電性粒子２４２が加圧変形する程度にまで両者の間隔を狭
めると、導電性粒子２４２が樹脂２４４からはみ出して第１接続端子１４６ａ及び第３接
続端子１４８ａと直接接触させることができる。

【0158】

樹脂２４４の中には複数の導電性粒子２４２が含まれていることが好ましい。例えば、
一つの樹脂２４４の領域の中に２～７個の導電性粒子２４２が含まれていることが好まし
い。その結果、第１接続端子１４６ａと第３接続端子１４８ａとの間に複数の導電性粒子
２４２が介在することになり、電気的な接続を確実に図ることができる。

【0159】

図２８に示すように、複数の導電性粒子２４２を含む樹脂２４４は、第１接続端子１４
６ａと第３接続端子１４８ａとの間で複数箇所に分散するように配置される。換言すれば
、第１接続端子１４６ａと第３接続端子１４８ａとの間には、導電性粒子２４２が、その
数及び位置が制御された状態で配置される。このように、第１接続端子１４６ａと第３接
続端子１４８ａとの間の領域に、導電性粒子２４２の数及び位置を制御した状態で配置す
ることで、電気的な接続状態を確実に形成することができ、また隣接する接続端子と短絡
することを防止することができる。このような構成は、接続端子のピッチが狭くなった場
合において有効に作用する。

【0160】

導電性粒子２４２の直径は２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。こ
のような大きさであれば、接続端子のピッチが３０μｍ以下になっても隣接する接続端子
間の短絡を防止することができる。また、図２８に示すように、導電性粒子２４２を含む
樹脂２４４が接続端子間に複数箇所に離散するように配置される場合は、その離散する間
隔は５μｍ以上であることが好ましい。このような配置にすることで、導電性粒子２４２
を含む樹脂２４４が第１接続端子１４６ａ及び第３接続端子１４８ａからはみ出さないよ
うにすることができ、第１接続端子１４６ａ及び第３接続端子１４８ａの間隔を一定に保
つことができる。

【0161】

導電性粒子２４２の構造、形状、材質に限定はないが、例えば、高硬質樹脂材料をゴム
状弾性樹脂で被覆した粒子核、又は高硬質無機材料をゴム状無機弾性体で被覆した粒子核
を、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属で被覆した金属被覆粒子であっ
てもよい。また、導電性粒子２４２の形状は球形に限定されず、長球状、コンペイトー型
であってもよい。

【0162】

樹脂２４４は硬化性樹脂材料が用いられる。硬化性樹脂材料はラジカル重合型樹脂を含
む。ラジカル重合型樹脂材料としては、（メタ）アクリルモノマーまたは（メタ）アクリ
レートオリゴマーであることが好ましく、エステル型で結合しているものがより好ましい
。（メタ）アクリルオリゴマーは、（メタ）アクリロイル基を少なくとも１つ以上有する
もので、例えば、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレ
ート、ポリブタジエンアクリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルアクリレー
ト、シリコーン樹脂アクリレート、メラミンアクリレート等を用いることができる。単官
能性、多官能性のどちらでも良いが、多官能性モノマーまたはオリゴマーを含むことがよ
り好ましい。硬化性樹脂材料は、（メタ）アクリレートモノマーおよび（メタ）アクリレ
ートオリゴマーから２種類以上を選択して構成してもよい。

【0163】

図示されないが、樹脂２４４の周りには第２樹脂が設けられていてもよい。第２樹脂は
硬化性樹脂材料が用いられる。硬化性樹脂材料としては、フルオレン系アクリレートを用
いることができ、また、アリルエーテル基、ビニルエーテル基、アクリレート基及びメタ
クリレート基からなる群より選択される官能基を分子内に２以上有するエン化合物又は上
記エン化合物の２種以上の混合物であるエン化合物、及び、１分子中に２個以上のチオー
ル基を有するチオール化合物を含むエン／チオール系硬化性樹脂を酸化性化合物処理する
ことによって得られたものを用いてもよい。

【0164】

樹脂２４４及び第２樹脂は、さらに光硬化開始成分を含む。光硬化開始成分は、光ラジ
カル開始剤であって、紫外線または可視光線を照射することにより、ラジカルを発生する
化合物であれば良い。紫外線ラジカル開始剤としては、例えば、アセトフェノン系開始剤
、ベンゾインエーテル系開始剤、ベンゾフェノン系開始剤、αジケトン系開始剤、および
チオキサントン系開始剤等を用いることができる。

【0165】

導電性粒子２４２を含む樹脂２４４は印刷法によって第１接続端子１４６ａ（又は第３
接続端子１４８ａ）の上に設けることができる。印刷法としては、オフセット印刷法が用
いられる。インクに相当する樹脂２４４が導電性粒子２４２を含むことから、オフセット
印刷法の中でも凹版を使用するパッド印刷法を用いることが好ましい。

【0166】

導電性粒子２４２を含む樹脂２４４を印刷法で第１接続端子１４６ａ（又は第３接続端
子１４８ａ）に配置して、透明樹脂基板２００にフレキシブル回路基板１２６を接続する
ので、接続端子が微細化し、ピッチが狭くなっても正確に接続することができる。本実施
形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、タッチ及び指紋センサ部１１０
の第１センサ電極１１２が微細化されていることにより、センサ信号を取り出す接続端子
の数が増加する。図２６に示すように、端子部１２２の中に表示部１０２に映像を表示す
るための信号を入力する接続端子と、タッチ及び指紋センサ部１１０用の接続端子を同じ
配列の中に含ませることで狭ピッチ化した場合であっても、導電性粒子２４２を含む樹脂
２４４によってフレキシブル回路基板１２６と接続をすることで、フレキシブル回路基板
１２６を端子部１２２に貼り合わせて電気的な接続を形成することができる。

【0167】

図２９は、図８に示す切替回路１２０及び第１センサ電極１１２の構成に対応し、端子
部１２２にフレキシブル回路基板１２６が重ねられ、導電性材料で接続端子が接続された
状態を示す。図２９は、画素１０４の２列の配列に対して１本の第１センサ電極１１２が
設けられる。そのため、端子部１２２に設けられ切替回路１２０に接続される第１接続端
子１４６ａと、フレキシブル回路基板１２６に設けられる第３接続端子１４８ａとは近接
して設けられる。このような接続端子の配列であっても、第１接続端子１４６ａと第３接
続端子１４８ａを接続する際に、樹脂２４４の中に個数が制御された状態で分散された導
電性粒子２４２を用いることで隣接する端子間の短絡を防ぐことができる。

【0168】

図３０は、第２駆動回路１２８が、複数の機能が集積された複合集積回路で構成される
例を示す。本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００はこの例に限定さ
れず、図３０に示すように、表示部１０２を駆動するドライバＩＣ１２５ａとタッチ及び
指紋センサを駆動するドライバＩＣ１２５ｂとが別々のＩＣチップで形成されてフレキシ
ブル回路基板１２６に実装されていてもよい。

【0169】

図３１は、表示部１０２を駆動するドライバＩＣ１２５ａとタッチ及び指紋センサを駆
動するドライバＩＣ１２５ｂとが実装されたフレキシブル回路基板１２６の平面図を示す
。第１センサ電極１１２の信号が出力される配線は、表示部を駆動するドライバＩＣ１２
５ａの領域を通過し、タッチ及び指紋センサを駆動するドライバＩＣ１２５ｂに達するよ
うに配設される。表示部を駆動するドライバＩＣ１２５ａと第６接続端子１４９とを接続
する配線は、タッチ及び指紋センサを駆動するドライバＩＣ１２５ｂの領域を通過し第６
接続端子１４９に達するように配設される。

【0170】

表示部を駆動するドライバＩＣ１２５ａは、走査信号線駆動回路ブロック１３０とデー
タ信号線駆動回路ブロック１３２に区画されていてもよい。本実施形態は、図２に示すよ
うに、第１駆動回路１１８が走査信号線駆動回路と第２センサ電極１１４の駆動回路を兼
ねている。第１駆動回路１１８に対し、走査信号線を駆動する信号は表示部を駆動するド
ライバＩＣ１２５ａから出力され、第２センサ電極の駆動を制御する信号は、タッチ及び
指紋センサを駆動するドライバＩＣ１２５ｂから出力される。

【0171】

図３０及び図３１に示すように、表示部を駆動するドライバＩＣとタッチ及び指紋セン
サ部を駆動するドライバＩＣとを個別に設ける場合であっても、配線構造を変更すること
によりフレキシブル回路基板１２６に２つのドライバＩＣを実装することができる。

【0172】

本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置によれば、データ信号線を切替回
路に接続することで、タッチ及び指紋センサ部を設けた場合であっても接続端子の増加を
抑制することができる。別言すれば、データ信号線を切替回路に接続することで、第１セ
ンサ電極（レシーバ電極）を高密度に配置しても接続端子の増加を抑制することができる
。その結果、端子部においてフレキシブル回路基板との接続不良を低減することができる
。

【0173】

本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置によれば、タッチ及び指紋センサ
部１１０の第２センサ電極（トランスミッタ電極）と表示部１０２の走査信号線とを接続
することで、表示部１０２の走査信号線を第２センサ電極の抵抗を低減する補助電極とし
て併用することができる。また、走査信号線を第２センサ電極と接して設け、第２ゲート
電極と走査信号線とをコンタクトホールを介して接続することで、第２ゲート絶縁層を薄
くしてもデータ信号線と走査信号線との短絡を防止することができ、トランジスタ（薄膜
トランジスタ）の駆動能力を高めることができる。さらに、走査信号線を第２センサ電極
に接する金属層で形成することで、当該金属層でトランジスタに対する遮光層を形成する
ことができる。

【0174】

［第２実施形態］
図３２は、画素１０４が配列された表示部１０２、第１センサ電極１１２及び第２セン
サ電極１１４が配置されたタッチ及び指紋センサ部１１０、第１駆動回路１１８、切替回
路１２０、端子部１２２、フレキシブル回路基板１２６が設けられたタッチ及び指紋セン
サ付き表示装置１００を示す。第１駆動回路１１８は、走査信号線に走査信号及び第２セ
ンサ電極１１４にスキャン信号を出力する走査信号線駆動回路１１８ａと、走査線と第２
センサ電極１１４との接続を切り替える出力切替回路１１８ｂとを含む。

【0175】

第２駆動回路１２８は、第１実施形態と同様に異なる機能を有する回路ブロックが一体
化された複合集積回路で形成されていてもよい。走査信号線駆動回路１１８ａ及び出力切
替回路１１８ｂの制御信号は、走査信号線駆動回路ブロック１３０から出力される。

【0176】

図３３は、図９に示す第２センサ電極１１４の配列に対応する出力切替回路１１８ｂの
一例を示す。出力切替回路１１８ｂは、第１駆動回路１１８の出力に対し、走査信号線（
Ｇ＿１）に接続される第１スイッチング素子１４１＿１と第２センサ電極１１４（ＳＣ＿
１）に接続される第２スイッチング素子１４５＿１を含む。第１スイッチング素子１４１
＿１と第２スイッチング素子１４５＿１は並列に接続される。走査信号線（Ｇ＿１～Ｇ＿
ｎ）に対して第１スイッチング素子１４１＿１～１４１＿ｎが設けられ、第２センサ電極
１１４（ＳＣ＿１～ＳＣ＿ｎ）に対して第２スイッチング素子１４５＿１～１４５＿ｎが
設けられる。第１スイッチング素子１４１＿１と第２スイッチング素子１４５＿１はトラ
ンジスタで形成され、オンオフを制御するゲートが第１出力切替信号線１４３ａ、第２出
力切替信号線１４３ｂに接続される。第１出力切替信号線１４３ａ及び第２出力切替信号
線１４３ｂは第２駆動回路１２８に接続されており、走査信号線駆動回路ブロック１３０
から出力される制御信号によりオンオフが制御される。

【0177】

表示期間において、第１出力切替信号線１４３ａの制御信号により第１スイッチング素
子１４１＿１～１４１＿ｎがオンになり、第２出力切替信号線１４３ｂの制御信号により
第２スイッチング素子１４５＿１～１４５＿ｎがオフになり、走査信号線（Ｇ＿１～Ｇ＿
ｎ）に走査信号が順次出力される。センシング期間においては、第１出力切替信号線１４
３ａの制御信号により第１スイッチング素子１４１＿１～１４１＿ｎがオフになり、第２
出力切替信号線１４３ｂの制御信号により第２スイッチング素子１４５＿１～１４５＿ｎ
がオンになり、第２センサ電極１１４（ＳＣ＿１～ＳＣ＿ｎ）にスキャン信号が順次出力
される。このように、第１駆動回路１１８は、第１スイッチング素子１４１＿１～１４１
＿ｎ及び第２スイッチング素子１４５＿１～１４５＿ｎにより、走査信号線（Ｇ＿１～Ｇ
＿ｎ）及び第２センサ電極１１４（ＳＣ＿１～ＳＣ＿ｎ）を切り替えることにより、表示
部１０２を駆動する走査信号線駆動回路とタッチ及び指紋センサ部１１０のスキャン回路
とを共通化することができる。

【0178】

図３４は、図１０に示す第２センサ電極１１４の配列に対応する切替回路１１８ｂの構
成を示す。図１０は、画素１０４の２行に対して１本の第２センサ電極１１４が配設され
るため、第２センサ電極１１４の本数は走査信号線の本数の半分となる。そのため、出力
切替回路１１８ｂは、第１駆動回路１１８の出力に対し、走査信号線（Ｇ＿１）に接続さ
れる第１スイッチング素子１４１＿１と第２センサ電極１１４（ＳＣ＿１）に接続される
第２スイッチング素子１４５＿１とが並列に設けられる回路と、第２走査信号線（Ｇ＿２
）に接続される第１スイッチング素子１４１＿２のみの回路とが交互に配置された構成を
有する。図３４に示す切替回路１１８ｂの構成によっても同様に走査信号線（Ｇ＿１～Ｇ
＿ｎ）及び第２センサ電極１１４（ＳＣ＿１～ＳＣ＿（ｎ＋１）／２）を切り替えてタッ
チ及び指紋センサ付き表示装置１００を駆動することができる。

【0179】

図３２に示すタッチ及び指紋センサ付き表示装置は、第１駆動回路１１８の構成が異な
る他は第１実施形態に示すタッチ及び指紋センサ付き表示装置と同様であり、同様の作用
効果を得ることができる。

【0180】

［第３実施形態］
本実施形態は、第１実施形態に対し、走査信号及びスキャン信号を出力する駆動回路の
構成が異なっているタッチ及び指紋センサ付き表示装置の一例を示す。以下の説明におい
ては、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。

【0181】

図３５は、画素１０４が配列された表示部１０２、第１センサ電極１１２及び第２セン
サ電極１１４が配置されたタッチ及び指紋センサ部１１０、第１駆動回路１１８、切替回
路１２０、端子部１２２、フレキシブル回路基板１２６が設けられたタッチ及び指紋セン
サ付き表示装置１００を示す。第１駆動回路１１８は、走査信号線に走査信号を出力する
走査信号線駆動回路１１８ｃと第２センサ電極１１４にスキャン信号を出力するスキャン
回路１１８ｄとの２つの回路ブロックに分けられている。

【0182】

第２駆動回路１２８は、第１実施形態と同様に異なる機能を有する回路ブロックが一体
化された複合集積回路で形成されていてもよい。表示部１０２の走査信号線駆動回路１１
８ｃ及びタッチ及び指紋センサ部１１０のスキャン回路１１８ｄへの制御信号は走査信号
線駆動回路ブロック１３０から出力される。

【0183】

図３５に示すタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、走査信号線駆動回路１１８
ｃとスキャン回路１１８ｄとが独立した２つの回路ブロックで形成されていることにより
画像の表示とタッチ及び指紋センサのセンシングを同時に行うことができる。

【0184】

図３６Ａは、図３５に示す構成に対応する第２センサ電極１１４の平面図を示す。図３
６Ｂは、また、第２センサ電極１１４の上に設けられる走査信号線１０６、選択トランジ
スタ１３８を点線で示す。図３６Ｂは、図３６Ａに示すＣ７－Ｃ８間に対応する断面構造
を示し、図３６ＣはＣ９－Ｃ１０間に対応する断面構造を示す。

【0185】

図３６Ａに示すように、第２センサ電極１１４は第２センサ電極層２０６及び第２補助
電極２０７で構成される。図３６Ｂに示すように、第２センサ電極１１４と走査信号線１
０６との間には、第４透明樹脂層２０２ｄ、第１絶縁層２１０、及び第２絶縁層２１２が
設けられ、両者は絶縁されている。このような配線構造によれば、第２センサ電極１１４
に対するスキャン信号と走査信号線１０６に対する走査信号とを同時に入力することがで
きる。すなわち、タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、画像を表示しながら指紋
の検出を行うことができる。

【0186】

図３７は、図３５に示すタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００のタイミングチャー
トを示す。図３７に示すように、本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１
００は、表示期間とセンシング期間が同じタイミングで出現する。本実施形態に係るタッ
チ及び指紋センサ付き表示装置１００は、第１駆動回路１１８において、表示部１０２の
走査信号線駆動回路１１８ｃとタッチ及び指紋センサ部１１０のスキャン回路１１８ｄと
が独立した回路ブロックで設けられており、また第２駆動回路１２８においてデータ信号
線駆動回路ブロック１３２とタッチ及び指紋センサ検出回路ブロック１３４も独立した回
路ブロックで設けられているため画像の表示とセンシングを同時に行うことが可能である
。

【0187】

本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００によれば、例えば、動画を
表示しながらタッチ又は指紋のセンシングをすることができる。他構成は、第１実施形態
におけるタッチ及び指紋センサ付き表示装置と同じであり、同様の効果を奏することがで
きる。

【0188】

［第４実施形態］
本実施形態は、第１実施形態に示すタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００に対し、
透明樹脂基板２００の一部を超薄型強化ガラス（Ultra-Thin Glass：ＵＴＧ）で置き換え
た一例を説明する。

【0189】

図３８は、透明樹脂基板２００の一部に超薄型強化ガラスが用いられたタッチ及び指紋
センサ付き表示装置１００を示す。具体的に本実施形態に係る透明樹脂基板２００は、図
１６Ａ及び図１６Ｂに示す透明樹脂基板２００の構造において、第１透明樹脂層２０２ａ
に超薄型強化ガラスが適用される。適用される超薄型強化ガラスの厚さは２５μｍ～５０
μｍ、例えば３０μｍである。図３８に示すように、本実施形態に係る透明樹脂基板２０
０は、破損を防ぐために、４つの角部が半径（Ｒ）２ｍｍ～５ｍｍのラウンド形状に加工
されている。超薄型強化ガラスは折り曲げ可能であり、このような透明樹脂基板２００を
用いたタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、表示画面を折り畳むことのできる電
子機器（例えば、スマートフォン、タブレット端末等）に適用することができる。なお、
本実施形態に係る構成は第２実施形態及び第３実施形態に示すタッチ及び指紋センサ付き
表示装置に適用することができる。

【0190】

［第５実施形態］
本実施形態は、駆動回路の実装方式として、チップ・オン・プラスチック（Chip On Pl
astic：ＣＯＰ）による実装方法を採用したタッチ及び指紋センサ付き表示装置の一例を
示す。

【0191】

図３９は、透明樹脂基板２００の一部に超薄型強化ガラスが用いられたタッチ及び指紋
センサ付き表示装置１００を示す。表示部１０２、タッチ及び指紋センサ部１１０、第１
駆動回路１１８、切替回路１２０、端子部１２２、及び透明樹脂基板２００は、第４実施
形態に示すものと同様である。一方、本実施形態においては、第２駆動回路１２８が透明
樹脂基板２００に実装されている点で相違する。

【0192】

第４実施形態で示す透明樹脂基板と同様に、本実施形態の透明樹脂基板２００も４つの
角部は半径（Ｒ）２ｍｍ～５ｍｍのラウンド形状に加工される。透明樹脂基板２００に超
薄型強化ガラスを用いる場合、このような角部の形状を有することによりアセンブリ工程
において４隅の破損を防止し、歩留まりを向上させることができる。

【0193】

図４０は、第２駆動回路１２８が実装される領域と端子部１２２の断面構造を示す。第
２駆動回路１２８は、第１パッド１３５ａ及び第２パッド１３５ｂを含む。第１パッド１
３５ａは第１接続端子１４６ａと導電性粒子２４２を介して接続され、第２パッド１３５
ｂは第２接続端子１４６ｂと導電性粒子２４２を介して接続される。第２駆動回路１２８
は、非加熱室温加圧実装技術を採用することで透明樹脂基板２００に実装することができ
る。導電性粒子２４２は樹脂２４４に分散されており、この詳細は図２８の説明の中で詳
細に述べた通りである。

【0194】

第２駆動回路１２８が実装される領域の外側に端子部１２２が設けられる。図４０は、
シールド電極１１６、第１絶縁層２１０が、第２駆動回路１２８が実装される領域から端
子部１２２の領域まで延伸された構造を示す。このような構造とすることで、第２駆動回
路１２８を実装する領域の剛性を高めることができ、接続端子の変形や剥離を防止するこ
とができる。それにより、第２駆動回路１２８を接続する工程の歩留まりを向上させるこ
とができる。また、第４透明樹脂層２０２ｄに剛性の高いパラ系ポリアミド樹脂を用いる
とさらに好ましい。

【0195】

図３９及び図４０に示すように、透明樹脂基板２００に第２駆動回路１２８をＣＰＯで
実装することによっても、タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００を実現することがで
きる。本実施形態に係るタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００は、第２駆動回路１２
８が透明樹脂基板２００上に実装されたことによりフレキシブル回路基板が省略され、部
品点数及び製造工程を削減することができる。

【0196】

［第６実施形態］
本実施形態は、画素１０４の回路構成が第１実施形態とは異なる態様を有するタッチ及
び指紋センサ付き表示装置１００の構成を示す。

【0197】

図４１は、画素１０４の等価回路の一例であって、電圧書き込み方式の画素回路の一例
を示す。第１実施形態で説明するように、画素１０４は第１副画素１０５ｒ、第２副画素
１０５ｇ、第３副画素１０５ｂを含むが、図４１は第１副画素１０５ｒと第２副画素１０
５ｇの構成を詳細に示す。画素１０４は、第１副画素１０５ｒの列、第２副画素１０５ｇ
の列、及び第３副画素１０５ｂの列がストライプ状に配列する構成を有する。

【0198】

第１副画素１０５ｒは、駆動トランジスタ１３６ｒ、選択トランジスタ１３８ｒ、容量
素子１４０ｒ、及びＥＬ素子１４２ｒを含み、第２副画素１０５ｇは、駆動トランジスタ
１３６ｇ、選択トランジスタ１３８ｇ、容量素子１４０ｇ、及びＥＬ素子１４２ｇを含む
。第１副画素１０５ｒの選択トランジスタ１３８ｒは、第２ゲート電極が走査信号線１０
６（ＧＢｎ）に接続されソース側がデータ信号線１０８（Ｄｍ）に接続される。第２副画
素１０５ｇの選択トランジスタ１３８ｇは、第２ゲート電極が走査信号線１３６（ＧＡｎ
）に接続されソース側がデータ信号線１０８（Ｄｍ＋１）に接続される。また、第３副画
素１０５ｂの選択トランジスタ１３８ｂは、第２ゲート電極が走査信号線１３６（ＧＢｎ
）に接続されソース側がデータ信号線１０８（Ｄｍ＋１）に接続される。このように、本
実施形態に係る画素回路は、隣接する副画素の選択トランジスタの第２ゲート電極が異な
る走査信号線に接続され、かつソース側が同じデータ信号線に接続される構成を有する。
また、画素１０４は、コモン配線１４４が第１副画素１０５ｒの列Ｌｒと第２副画素１０
５ｇの列Ｌｇとで共有するように配設されている。

【0199】

図４２は、図４１に示す画素１０４を駆動するときのタイミングチャートを示す。図４
２は、走査信号線１０６（ＧＡｎ）の走査信号が時刻ｔ_－１でローレベル（Ｌレベル）か
らハイレベル（Ｈレベル）に遷移して選択トランジスタ１３８ｇがオンとなり、これに同
期してデータ信号線１０８（Ｄｍ＋１）にデータ信号が入力され第２副画素１０５ｇにデ
ータが書き込まれ、時刻ｔ_０で走査信号がＬレベルに遷移して選択トランジスタ１３８ｇ
がオフとなり、同時に走査信号線１０６（ＧＢｎ）の走査信号が時刻ｔ_０でローレベル（
Ｌレベル）からハイレベル（Ｈレベル）に遷移して選択トランジスタ１３８ｒ及び選択ト
ランジスタ１３８ｂがオンとなり、これに同期してデータ信号線１０８（Ｄｍ）及びデー
タ信号線１０８（Ｄｍ＋１）にデータ信号が入力され第１副画素１０８ｒ及び第３副画素
１０８ｂにデータが書き込まれ、時刻ｔ_１で走査信号がＬレベルに遷移して選択トランジ
スタ１３８ｒ及び選択トランジスタ１４３８ｂがオフとなる動作を示す。

【0200】

このように、隣接する副画素（第１副画素１０５ｒと第２副画素１０５ｇ、第２副画素
１０５ｇと第３副画素１０５ｂ）の選択トランジスタが異なる走査信号線に接続されるこ
とで、隣接する副画素（例えば、第２副画素１０５ｂと第３副画素１０５ｂ）同士でデー
タ信号線１０８（Ｄｍ＋１）を共有し、それぞれ異なるタイミングでデータを書き込むこ
とができる。このような画素回路の構成により、データ信号線の本数を減らすことができ
る。すなわち、端子部１２２における接続端子の数を減らすことができる。

【0201】

図４３は、画素１０４の等価回路の一例であって、電流書き込み方式の画素回路の一例
を示す。画素１０４は第１副画素１０５ｒ、第２副画素１０５ｇ、第３副画素１０５ｂを
含むが、図４３は第１副画素１０５ｒと第２副画素１０５ｇの構成を詳細に示す。

【0202】

第１副画素１０５ｒは、第１トランジスタ１３８ｒ（選択トランジスタ）、第２トラン
ジスタ１３９ｒ、駆動トランジスタ１３６ｒ、発光制御トランジスタ１３７ｒ、容量素子
１４０ｒ、及びＥＬ素子１４２ｒを含む。第１トランジスタ１３８ｒ及び第２トランジス
タ１３９ｒは、第２ゲート電極が走査信号線１０６（ＧＢｎ）に接続されソース側がデー
タ信号線１０８（Ｄｍ）に接続される。第１トランジスタ１３８ｒのドレイン側が駆動ト
ランジスタ１３６の第２ゲート電極及び容量素子１４０に接続され、データ信号を書き込
むタイミングを制御するために用いられる。第２トランジスタ１３９ｒは、駆動トランジ
スタ１３６のドレインに接続され、第１トランジスタ１３８ｒと同じタイミングでオンオ
フ動作が制御され、駆動トランジスタ１３６ｒのしきい値電圧を補償するために設けられ
る。発光制御トランジスタ１３７ｒはＥＬ素子１４２ｒと駆動トランジスタ１３６ｒとの
間に直列に接続され、第２ゲートが第２走査信号線１０７（Ｅｎ）に接続されてＥＬ素子
１４２ｒの発光のタイミングを制御する。第２副画素１０５ｇも同様の構成を有する。

【0203】

第２走査信号線１０７と第１トランジスタ１３８ｒのドレインとの間には、第２容量素
子２７４ｒが設けられていてもよい。第２容量素子２７４ｒを設けることで、第１トラン
ジスタ１３８ｒが立ち下がったときのゲート－ドレイン間容量Ｃｇｄの変動に伴い、容量
素子１４０ｒの電圧がΔＶｇｄだけ変動することを抑制することができる。

【0204】

なお、図示されないが、第１副画素１０５ｒの列Ｌｒと同様の構成を有し第１トランジ
スタ及び第２トランジスタのソース側がデータ信号線１０８（Ｄｍ＋１）に接続され、第
２ゲート電極が走査信号線１０６（ＧＢｎ）に接続され、発光制御トランジスタの第２ゲ
ート電極が第２走査信号線１０７（Ｅｎ）に接続される第３副画素１０５ｂの列を有する
。

【0205】

図４４は、図４３に示す画素１０４を駆動するときのタイミングチャートを示す。図４
４は、走査信号線１０６（ＧＡｎ）の走査信号が時刻ｔ_０でローレベル（Ｌレベル）から
ハイレベル（Ｈレベル）に遷移して第１トランジスタ１３８ｇ及び第２トランジスタ１３
９ｇがオンとなり、これに同期してデータ信号線１０８（Ｄｍ＋１）にデータ信号が入力
され第２副画素１０５ｇにデータが書き込まれ、また、駆動トランジスタ１３６ｇのしき
い値電圧を補償する動作が行われる。時刻ｔ_１で走査信号線１０６（ＧＡｎ）の走査信号
がＬレベルに遷移して第１トランジスタ１３８ｇ及び第２トランジスタ１３９ｇがオフと
なり、同時に走査信号線１０６（ＧＢｎ）の走査信号が時刻ｔ_１でローレベル（Ｌレベル
）からハイレベル（Ｈレベル）に遷移して第１トランジスタ１３８ｒ及び第２トランジス
タ１３９ｒがオンとなり、これに同期してデータ信号線１０８（Ｄｍ）にデータ信号が入
力され第１副画素１０８ｒでデータの書き込みと駆動トランジスタ１３６ｒのしきい値電
圧を補償する動作が行われる。このようなデータ書き込み期間において、第２走査信号線
１０７（Ｅｎ）はＬレベルとなっており、発光制御トランジスタ１３７ｒ、１３７ｇはオ
フとなっている。

【0206】

データ書き込み期間が終了すると、発光期間に遷移する。すなわち、第２走査信号線１
０７がＬレベルからＨレベルに遷移して発光信号が入力され、発光制御トランジスタ１３
７ｒ、１３７ｇがオンになる。これにより、第１副画素１０５ｒ及び第２副画素１０８ｇ
では駆動トランジスタ１３６ｒ、１３６ｇのドレイン電流に応じた電流がＥＬ素子１４２
ｒ、１４２ｇに流れ発光する。

【0207】

隣接する副画素（第１副画素１０５ｒと第２副画素１０５ｇ）の選択トランジスタが異
なる走査信号線に接続されることで、データ信号線１０８の本数を削減することができ、
端子部１２２における接続端子の数を減らすことができる。

【0208】

図４７は、図４１及び図４３に示すデータ信号線１０８とコモン配線１４４の配置を示
す。データ信号線１０８は第４透明樹脂層２０２ｄよりも上層側に設けられるのに対し、
コモン配線１４４は第３透明樹脂層２０２ｃと第４透明樹脂層２０２ｄとの間であって、
シールド電極１１６と接するように設けられる。シールド電極１１６が透明導電膜で形成
されるのに対し、コモン配線１４４は金属膜で形成される。コモン配線１４４がストライ
プ状のパターンでシールド電極１１６の一端から他端にかけて延びるように設けられるこ
とで、シールド電極１１６の低抵抗化を図ることができる。

【0209】

図４６は、本実施形態に係る透明樹脂基板２００の一部に超薄型強化ガラスが用いられ
たタッチ及び指紋センサ付き表示装置１００を示す。図４６に示すタッチ及び指紋センサ
付き表示装置１００は、切替回路１２０が設けられておらず、第３接続端子１４８ａ及び
第２走査信号線駆動回路１１８ｅの構成が異なる他は、図３９に示すものと同様の構成を
有する。

【0210】

第２駆動回路１２８において、データ信号線駆動回路ブロック１３２に設けられた第３
接続端子１４８ａは、データ信号線１０８に接続されており、切替回路を介さずにデータ
信号が表示部１０２の各画素１０４に出力される。図４１及び図４３に示すように、デー
タ信号線１０８の本数は隣接する画素列で共有するように配設されているので、第３接続
端子１４８ａの数は従来に比べて削減されている。

【0211】

図４５は、透明樹脂基板２００と第２駆動回路１２８との接続部の詳細を示す。透明樹
脂基板２００は第１接続端子１４６ａ及び第２接続端子１４６ｂが設けられる。第１接続
端子１４６ａはデータ信号線１０８が接続され、第２接続端子１４６ｂは第１センサ電極
１１２が接続される。第２駆動回路１２８の第３接続端子１４８ａは第１接続端子１４６
ａと接続され、第４端子１４８ｂは第２接続端子１４６ｂと接続される。接続部には樹脂
２４４の中に分散された導電性粒子２４２が用いられる。接続構造の詳細は図２８に示す
構造と同様である。

【0212】

本実施形態によれば、表示部１０２がストライプ状に各色に対応した画素が配列される
構成を有する場合において、隣接する画素列がデータ信号線１０８を共用する画素回路を
有することで、データ信号線１０８の本数を削減し、ひいては切替回路１２０を用いなく
ても接続端子の数を削減することができる。

【0213】

［第７実施形態］
本実施形態は、図４３に示す電圧書き込み型の画素１０４を構成する各素子のレイアウ
トの一例を示す。

【0214】

図４８は、第１副画素１０５ｒ及び第２副画素１０５ｇのレイアウトの一例を示す。第
１副画素１０５ｒは、第１トランジスタ１３８ｒ、第２トランジスタ１３９ｒ、駆動トラ
ンジスタ１３６ｒ、発光制御トランジスタ１３７ｒ、容量素子１４０ｒを有し、第２副画
素１０５ｇは、第１トランジスタ１３８ｇ、第２トランジスタ１３９ｇ、駆動トランジス
タ１３６ｇ、発光制御トランジスタ１３７ｇ、容量素子１４０ｇを有する。なお、ＥＬ素
子１４２ｒ、１４２ｇを構成する各層は省略されている。また、第１センサ電極１１２及
び第２センサ電極１１４も省略されている。

【0215】

第１副画素１０５ｒに着目すると、第１トランジスタ１３８ｒは、第１酸化物半導体層
１８０ａ、ソースを形成する第３金属酸化物導電層１７６ｃ、ドレインを形成する第４金
属酸化物導電層１７６ｄ、第１走査信号線１０６（ＧＢｎ）と積層され、第１トランジス
タ１３８ｒの領域に延びる透明導電膜で形成される第２ゲート電極１５３が、図示されな
い第２絶縁層２１２を介して積層され、また、図示されない第１絶縁層２１０を介してシ
ールド電極１１６によって形成される第１ゲート電極１５２が積層された構造を有する。
第１酸化物半導体層１８０ａに対し、第１ゲート電極１５２は下層に設けられ、第２ゲー
ト電極１５３は上層に設けられる。

【0216】

第２トランジスタ１３９ｒは、第１トランジスタ１３８ｒと同様の構成を有し、ドレイ
ンを形成する第５金属酸化物導電層１７６ｅが駆動トランジスタ１３６ｒを形成する第２
金属酸化物導電層１７６ａに接続される構成を有する。

【0217】

駆動トランジスタ１３６ｒは、第１酸化物半導体層１８０ａ、第１金属酸化物導電層１
７６ａ、及び第２金属酸化物導電層１７６ｂを覆うように第２ゲート電極１５３と同層の
第２ゲート電極１５１が設けられた構造を有する。第２ゲート電極１５１と第２金属酸化
物導電層１７６ｂが重なる領域に容量素子１４０ｒが形成される。

【0218】

発光制御トランジスタ１３７ｒは、第１酸化物半導体層１８０ａ、第１金属酸化物導電
層１７６ａに接続される第６金属酸化物導電層１７６ｆ、この導電層に間隙をもって配置
される第７金属酸化物導電層１７６ｇ、この２つの金属酸化物導電層と重なり、かつ第２
走査信号線１０７（Ｅｎ）を形成し、発光制御トランジスタ１３７ｒの領域と重なる領域
に形成される第２ゲート電極２６８、図示されないシールド電極１１６によって形成され
る第１ゲート電極（２６６）が積層された構造を有する。そして、図示されないＥＬ素子
１４２ｒは、第８コンタクトホール２６４を介して発光制御トランジスタ１３７ｒと接続
される。

【0219】

第２副画素１０５ｇも同様の構成を有し、第１副画素１０５ｒをコモン配線１４４を中
心に反転させ、さらに上下方向を反転させたレイアウトを有する。

【0220】

図４９は、第１副画素１０５ｒの部分的な断面構造を示し、主として図４８で説明した
発光制御トランジスタ１３７ｒ、容量素子１４０ｒ、ＥＬ素子１４２ｒの断面構造を示す
。図４９に示すように、発光制御トランジスタ１３７ｒは、第６金属酸化物導電層１７６
ｆ及び第２金属酸化物導電層１７６ｇは、第１絶縁層２１０と第１酸化物半導体層１８０
ａとの間に設けられ、第１ゲート電極２４８はシールド電極１１６と同じ層で形成され、
第２ゲート電極２５０（第２走査信号線１０７）は第２絶縁層２１２を介して第１酸化物
半導体層１８０ａと重なるように設けられる。また、容量素子１４０ｒは、第２絶縁層２
１２を挟んで重畳する第２ゲート電極１５１を形成する透明導電膜と第２金属酸化物導電
層１７６ｂとによって形成される。第２金属酸化物導電層１７６ｂは、第５コンタクトホ
ール１６６によってシールド電極１１６に接続される構造を有する。ＥＬ素子１４２ｒは
、第１電極２２０（陰極）側から、電子輸送層２２２、電子注入層２２４、発光層２２６
、電子ブロッキング層２２７、正孔輸送層２２８、正孔注入層２３０、第２電極２３２が
積層された構造を有する。発光制御トランジスタ１３７ｒ等の素子の上に平坦化層２４６
、パッシベーション層２４８が設けられる。ＥＬ素子１４２ｒは平坦化層２４６の上に設
けられる。

【0221】

図５０は、ＥＬ素子１４２の平面レイアウトと、Ｅ１－Ｅ２間及びＥ３－Ｅ４間の断面
構造を示す。第１電極２２０は周縁部が隔壁２６２で覆われている。また、第１電極２２
０が発光制御トランジスタ１３７と接続される第８コンタクトホール２６４も隔壁２６２
に覆われる位置に設けられる。電子輸送層２２２が塗布型の材料で形成される場合、電子
輸送層２２２は第１電極２２０の上面であって、隔壁２６２に囲まれる領域に設けられる
。電子注入層２２４、電子ブロッキング層２２７、正孔輸送層２２８、正孔注入層２３０
が蒸着法で作製される場合、隔壁２６２を覆って表示部１０２の全体に広がるように設け
られる。発光層２２６は蒸着の際にシャドーマスクが用いられ、隔壁２６２の開口部に重
なるように設けられる。また、発光層２２６は、インクジェット塗布法、グラビアオフセ
ット印刷法等を用いて形成することも可能である。

【0222】

図４８及び図５０を参照すれば明らかなように、ＥＬ素子１４２と、第１トランジスタ
１３８、第２トランジスタ１３９、駆動トランジスタ１３６、及び発光制御トランジスタ
１３７とが重なるように配置される。画素回路を形成するこれらのトランジスタのゲート
電極、ソース及びドレイン電極、並びに酸化物半導体層は可視光を透過する透明材料で形
成されるため、ＥＬ素子１４２がボトムエミッション型であっても、透明樹脂基板２００
を通して光を外部に出射することができる。

【0223】

［第８実施形態］
ＥＬ素子１４２を駆動する駆動トランジスタ１３６は、データ信号に基づいた電圧を保
持するために容量素子１４０を有する。ここで、容量素子１４０に書き込まれた電圧情報
が、選択トランジスタ１３８のゲート－ドレイン間容量Ｃｇｄにより、ゲート電圧が立ち
下がるときにΔＶｇｄだけ変動する。容量素子１４０の容量が大きい場合には問題となら
ないが、中小型ディスプレイにおいて高精細化されたことにより画素サイズが縮小し容量
素子１４０の容量を大きくとれないときはこの影響を無視できなくなる。また、電流書き
込み方式では、容量素子１４０の容量を大きくすると書き込み時間を長くする必要がある
が、画素数及び駆動周波数の関係で十分な書き込み時間がとれないために階調表現に支障
をきたすという問題がある。

【0224】

図５１は、上記のようなΔＶｇｄの変動を抑制することのできる画素回路の一例を示す
。具体的には、副画素１０５が、第１トランジスタ１３８（選択トランジスタ）が駆動ト
ランジスタ１３６のゲートにデータ信号を印加するように接続され、ＥＬ素子１４２と駆
動トランジスタ１３６との間に発光制御トランジスタ１３７が接続される構成において、
第２トランジスタ１３９をデータ線信号１０８と発光制御トランジスタ１３７のドレイン
との間に接続し、さらに、第２トランジスタ１３９と駆動トランジスタ１３６の第２ゲー
ト電極との間に第２容量素子２７４を接続することで、第１トランジスタ１３８のゲート
電圧が立ち下がるときに容量素子１４０の電圧がΔＶｇｄだけ変動しないようにしている
。

【0225】

図５２は、図５１に示す副画素１０５の平面レイアウトを示し、図５３は副画素１０５
の部分的な断面構造であって、第１トランジスタ１３８、第２容量素子２７４、及びその
上層側に配置されるＥＬ素子１４２の断面構造を示す。第２容量素子２７４は、第２容量
電極２７２が第１トランジスタ１３８から延びる第４金属酸化物導電層１７６ｄと第２絶
縁層２１２を介して重なるように設けられた構造を有する。第２容量電極２７２は、駆動
トランジスタ１３６の第２ゲート電極１５１と同じ層で形成することができるので、新た
な層を追加する必要がなく、フォトマスクの枚数を増加させないで形成することができる
。

【0226】

また、図５４の副画素１０５のレイアウト図及び図５５の副画素１０５の部分断面図に
示すように、駆動トランジスタ１３６の第２ゲート電極１５１を発光制御トランジスタ１
３７のドレインと接続し、第１トランジスタ１３８から延びる第４金属酸化物導電層１７
６ｄと第２絶縁層２１２を介して重なるように設けることで第２容量素子２７４を形成す
るようにしてもよい。

【0227】

このように、第２容量素子２７４を設けることで、選択トランジスタ１３８のゲート－
ドレイン間容量Ｃｇｄによりゲート電圧が立ち下がるときにΔＶｇｄだけ変動することに
よる容量素子１４０の電圧変動を抑制することができる。本実施形態は、第１実施形態に
示すタッチ及び指紋センサ付き表示装置と適宜組み合わせて実施することができる。

【0228】

［第９実施形態］
本実施形態は、タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００に設けられるＥＬ素子１４２
の光取り出し構造の一例を示す。

【0229】

図５６は、本実施形態に係る副画素１０５の断面構造を示す。本実施形態に係る副画素
１０５は、ＥＬ素子１４２が光を出射する側にワイヤグリッド偏光子２５０が設けられた
構造を有する。例えば、ワイヤグリッド偏光子２５０は、第１センサ電極１１２及び第２
センサ電極１１４が設けられた透明樹脂基板２００とＥＬ素子１４２との間に設けられる
。具体的に図５６は、ワイヤグリッド偏光子２５０はシールド電極１１６の上面に設けら
れる一例を示す。ＥＬ素子１４２は、図１６Ａを参照して説明したように、第１電極２２
０と第２電極２３２との間に、電子輸送層２２２、電子注入層２２４、発光層２２６、正
孔輸送層２２８、正孔注入層２３０が積層された構造を有する。

【0230】

ＥＬ素子１４２は、透明樹脂基板２００の側に光を出射するため、第１電極２２０が透
明導電膜で形成され第２電極２３２が金属膜で形成される。本実施形態に示すＥＬ素子１
４２は、さらに電子注入層２３０と第２電極２３２との間に光散乱層２５１が設けられた
構造を有する。光散乱層２５１は、透明光散乱ビーズ２５２を含む透明接着インク２５４
を電子注入層２３０の上に塗布することにより形成される。例えば、透明光散乱ビーズ２
５２を含む透明接着インク２５４を、インクジェット印刷法等の印刷法により副画素１０
５の領域に塗布することで、光散乱層２５１を形成することができる。

【0231】

図５８は、ワイヤグリッド偏光子２５０の詳細な構造を示す。ワイヤグリッド偏光子２
５０は、細線パターンが周期的に並んだ構造を有する。細線パターンは、アルミニウム（
Ａｌ）、アルミニウム－銀合金（ＡｌＡｇ）、シリコン又はネオジムが添加されたアルミ
ニウム合金（Ａｌ－Ｓｉ、Ａｌ－Ｎｄ）等で形成される金属細線２５８で形成される。金
属細線２５８のシールド電極１１６側には、可視光を吸収する光吸収層２５６が設けられ
ていてもよい。光吸収層２５６は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコン
ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等の可視光に光吸収帯を有する半導体材料、高融点金属シリサ
イド（クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）等の高融点金属とシリコンとの化合物
）で形成されることが好ましい。金属細線２５８の幅は、１００ｎｍ以下、好ましくは７
０ｎｍ以下、厚さは１００ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以上を有し、可視光の波長の
半分以下のピッチ（例えば、２００ｎｍ以下）で配設される。このため、目視では金属の
光沢面が視認されるが、ワイヤグリッド偏光子２５０の視認される側の面に金属細線２５
８に重ねて光吸収層２５６が設けられることで、表示画面の鏡面化を防止することができ
る。

【0232】

図５９は、絶縁層２６０の上にワイヤグリッド偏光子２５０を設けた一例を示す。ワイ
ヤグリッド偏光子２５０を構成する金属細線２５８は、可視光の波長の半分以下のピッチ
（例えば、２００ｎｍ以下）で配設されるため、シールド電極１１６を兼ねることができ
る。このとき、金属細線２５８は、シールド電極１１６と同様に、一定の電位（例えば、
接地電位）に制御されていることが好ましい。

【0233】

ワイヤグリッド偏光子２５０は直線偏光子であり、透過偏光軸と反射偏光軸を有する。
図６８に示すように、ワイヤグリッド偏光子２５０が設けられることにより、ＥＬ素子１
４２の出射光の内、透過偏光軸に平行な偏光成分（ＴＭ波）は透過して透明樹脂基板２０
０から出射され、反射偏光軸に平行な偏光成分（ＴＥ波）は反射される。すなわち、ＥＬ
素子１４２から出射された光の半分はワイヤグリッド偏光子２５０で反射され再びＥＬ素
子１４２に入射する。ＥＬ素子１４２に再入射した光は光散乱層２５１で散乱され偏光軸
がランダムになる。そして再びＥＬ素子１４２から出射され、一部はワイヤグリッド偏光
子２５０を透過して外部に出射され、残りの成分は反射される。このようにワイヤグリッ
ド偏光子２５０と光散乱層２５１を設けることで、ＥＬ素子１４２から出射される光を多
重反射させ、出射光の偏光軸を一方向に収斂するようにすることができる。

【0234】

図５６には図示されないが、タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００には、コントラ
スト向上のため表示画面側に偏光軸回転板が設けられる。偏光軸回転板は、直線偏光板に
１／２位相差板を組み合わせたものであり、直線偏光軸と１／２位相差遅延軸とが４５度
傾いた状態で組合わされている。このとき、図６０に示すように、ワイヤグリッド偏光子
２５０の透過偏光軸に対し偏光軸回転板の直線偏光軸を４５度傾けて配置することで、Ｅ
Ｌ素子１４２から出射される光の取り出し効率を大きく向上させることができる。

【0235】

ワイヤグリッド偏光子２５０の透過偏光軸の方向は、金属細線２５８が延びる方向を変
えることにより自由に設定することができる。図６１は、走査信号線１０６とデータ信号
線１０８とで囲まれる領域内（副画素１０５の領域）に金属細線２５８のパターンが設け
られる一例を示す。図６１に示すように、金属細線２５８は、走査信号線１０６が延びる
方向と平行な方向に伸長するパターンを有することにより、透過偏光軸がデータ信号線１
０８の伸長する方向と平行な方向に配置される。なお、図示されないが、金属細線２５８
が、データ信号線１０８が延びる方向と平行な方向に伸長するパターンを有していてもよ
い。図６２は、金属細線２５８のパターンが、走査信号線１０６及びデータ信号線１０８
に対し所定の角度で傾いて配置されたパターンを有することにより、透過偏光軸が金属細
線２５８の長手方向と直行する方向に配置される例を示す。

【0236】

図５７は、ワイヤグリッド偏光子２５０が平坦化層２４６に埋め込まれるように設けら
れた一例を示す。金属細線２５８は、１００ｎｍ～２００ｎｍ程度の厚さで形成される。
このような金属細線２５８を平坦化膜２４６に埋め込むように設けることで、ワイヤグリ
ッド偏光子２５０を所謂インセルの形態で設けても、平坦性を阻害しないでＥＬ素子１４
２を設けることができる。

【0237】

図６６は、第１電極２２０の上面にワイヤグリッド偏光子２５０が設けられた一例を示
す。ワイヤグリッド偏光子２５０を構成する金属細線２５８及び光吸収層２５６は、第１
電極２２０を形成する透明導電膜の上に形成される。金属細線２５８及び光吸収層２５６
は、第１電極２２０の上面に凹凸構造を形成するが、電子輸送層２２２を塗布型の材料で
金属細線２５８を埋め込むように設けることで発光層２２６へ影響が及ばないようにし、
第２電極２３２との短絡を防止することができる。

【0238】

図６７は、第１電極２２０と金属細線２５８の平面図を示す。金属細線２５８は、第１
電極２２０を形成する透明導電膜の上に設けられる。第１電極２２０の一端の側から他端
の側へ延伸するように金属細線２５８が形成される。また、図６７に示すように、金属細
線２５８を形成する金属膜で第１電極２３８の外周を囲む金属パターンを設け、金属細線
２５８が繋がることで透明導電膜（第１電極２２０）の低抵抗化を図ることができる。

【0239】

本実施形態に示すように、タッチ及び指紋センサ付き表示装置１００を形成する層の中
にワイヤグリッド偏光子２５０を設けることで、コントラストの向上を図るために偏光軸
回転板が設けられたとしても、光の取り出し効率を大きく向上させることができる。

【0240】

［第１０実施形態］
本実施形態は、第１実施形態に示す封止構造及び引き出し配線の構造のさらなるバリエ
ーションを示す。

【0241】

図６３Ａは、データ信号線１０８と同じ層で形成される引き出し配線１４７によって第
２センサ電極１１４が透明樹脂基板２００上の配線又は回路と接続される構造を示す。引
き出し配線１４７は第１絶縁層２１０の上に設けられ、第１絶縁層２１０、第４透明樹脂
層２０２ｄ、及び第３透明樹脂層２０２ｃを貫通するコンタクトホール１５９と接続され
る構造を示す。第１引き出し配線１４７及び第１コンタクトホール１５９の上には第２絶
縁層２１２が設けられ、さらに窒化シリコン膜２１４ｃで覆われていることにより、外部
からの水分の侵入を防ぐことができる。

【0242】

図６３Ｂは、走査信号線１０６又は第２走査信号線１０７と同じ層で形成される引き出
し配線１４７によって第２センサ電極１１４が透明樹脂基板２００上の配線又は回路と接
続される構造を示す。この引き出し配線１４７は第２絶縁層２１２上に設けられており、
第２絶縁層２１２、第１絶縁層２１０、第４透明樹脂層２０２ｄを貫通するコンタクトホ
ール１５９によって、第３透明樹脂層２０２ｃ上にシールド電極１１６と同じ層に形成さ
れた第１引き出し配線１４７ａと接続される。さらに第１引き出し配線１４７ａは、第３
透明樹脂層２０２ｃに形成されたコンタクトホール１６９によって第２センサ電極１１４
と接続されている。このような構造によっても、第２センサ電極１１４が透明樹脂基板２
００上の配線又は回路と接続することができる。

【0243】

図６４Ａは、図２２Ａに示す構造に対し、引き出し配線１４７が第２絶縁層２１２の上
に設けられた構造を示す。引き出し配線１４７は第２走査信号線１０７と同じ層で形成さ
れる。引き出し配線１４７の上が窒化シリコン膜２１４ｃで覆われていることにより、引
き出し配線１４７が第２接続端子１４６ｂを形成するように外側に延びた構造を有してい
ても、封止層２３６と密着する構造を形成することができ、信頼性を高めることができる
。

【0244】

図６４Ｂは、第２電極２３２と、第３接続端子１４６ｃとの接続構造を示す。第２電極
２３２は、透明樹脂基板２００の端部に引き出され、第２走査信号線１０７と同じ層で形
成される引き出し配線１４７と接続される。引き出し配線１４７は、第３接続端子１４６
ｃを形成するように外側に延びた構造を有するが、この構造においても引き出し配線１４
７が窒化シリコン膜２１４ｃで覆われることにより、封止層２３６と密着する構造を形成
することができ、信頼性を高めることができる。

【0245】

図６５Ａは、データ信号線１０８と第１接続端子１４６ａとの接続構造を示す。データ
信号線１０８は、透明樹脂基板２００の端部に引き出され、第２走査信号線１０７と同じ
層で形成される引き出し配線１４７と接続される。この引き出し配線１４７は、第１接続
端子１４６ａを形成するように外側に延びた構造を有するが、この構造においても引き出
し配線１４７が窒化シリコン膜２１４ｃで覆われることにより、封止層２３６と密着する
構造を形成することができ、信頼性を高めることができる。

【0246】

図６５Ｂは、図６３Ｂに対し、第２絶縁層２１２、第１絶縁層２１０、第４透明樹脂層
２０２ｄ、第３透明樹脂層２０２ｃを貫通するコンタクトホール１５９によって、引き出
し配線１４７が第２センサ電極１１４と直接接続される構造を示す。このような構成によ
っても第２センサ電極１１４が透明樹脂基板２００上の配線又は回路と接続することがで
きる。

【0247】

図１６、図１９、図２１、図４９、図５３、及び図５５において、外界から表示パネル
内部に入射する外光が、表示パネルを構成する各種金属によって反射され、再度外界へ出
射されることでコントラストが著しく低下してしまう。このようなコントラストの低下を
防止するために、実際には円偏光板（直線偏光板と１／４波長板とを組み合わせた光学部
材）が透明樹脂層２０２ａと密着するように設置されるが、上記の図面では省略されてい
る。

【0248】

図５６、図５７、及び図６６は、光の取り出し効率を向上させるためにワイヤグリッド
偏光子２５０を内蔵した表示パネルを示すが、外光が入射すると表示パネルを構成する金
属材料で形成される各種電極及び配線によって反射され、再度外界へ出射されることでコ
ントラストが著しく低下してしまう。このようなコントラストの低下を防止するために、
表示パネルを構成する金属材料で形成される電極及び配線の下層には、ワイヤグリッド偏
光子２５０を構成する光吸収層２５６と同様の光吸収層が設けられることが好ましいが、
上記の図面では省略されている。

【符号の説明】

【0249】

１００・・・タッチ及び指紋センサ付き表示装置、１０２・・・表示部、１０４・・・画
素、１０５・・・副画素、１０６・・・走査信号線、１０７・・・第２走査信号線、１０
８・・・データ信号線、１１０・・・タッチ及び指紋センサ部、１１２・・・第１センサ
電極、１１４・・・第２センサ電極、１１６・・・シールド電極、１１８・・・第１駆動
回路、１１８ｂ・・・出力切替回路、１１８ｃ・・・走査信号線駆動回路、１１８ｄ・・
・スキャン回路、１２０・・・切替回路、１２２・・・端子部、１２４・・・封止層、１
２５・・・ドライバＩＣ、１２６・・・フレキシブル回路基板、１２７・・・フィルム基
材、１２８・・・第２駆動回路、１２９・・・配線群、１３０・・・走査信号線駆動回路
ブロック、１３２・・・データ信号線駆動回路ブロック、１３４・・・タッチ及び指紋セ
ンサ検出回路ブロック、１３５・・・パッド、１３６・・・駆動トランジスタ、１３７・
・・発光制御トランジスタ、１３８・・・選択トランジスタ（第１トランジスタ）、１３
９・・・第２トランジスタ、１４０・・・容量素子、１４２・・・ＥＬ素子、１４１・・
・第１スイッチング素子、１４３・・・出力切替信号線、１４４ａ・・・コモン電極、１
４４ｂ・・・コモン配線、１４５・・・第２スイッチング素子、１４６・・・接続端子、
１４７・・・引き出し配線、１４８・・・接続端子、１４９・・・第６接続端子、１５０
・・・第１ゲート電極、１５１・・・第２ゲート電極、１５２・・・第１ゲート電極、１
５３・・・第２ゲート電極、１５４・・・電源線、１５６・・・スイッチング素子、１５
７・・・制御信号線、１５８・・・第１開口部、１５９・・・第１コンタクトホール、１
６０・・・第２開口部、１６１・・・第２コンタクトホール、１６２・・・第３開口部、
１６３・・・第３コンタクトホール、１６４・・・第４開口部、１６５・・・第４コンタ
クトホール、１６６・・・第５コンタクトホール、１６８・・・第７コンタクトホール、
１６９・・・コンタクトホール、１７０・・・ソース配線、１７１・・・第８コンタクト
ホール、１７２・・・接続配線、１７３・・・ドレイン配線、１７４・・・ソース電極、
１７５・・・第９コンタクトホール、１７６・・金属酸化物導電層、１８０・・・酸化物
半導体層、２００・・・透明樹脂基板、２０２・・・透明樹脂層、２０４・・・第１セン
サ電極層、２０５・・・第１補助電極、２０６・・・第２センサ電極層、２０７・・・第
２補助電極、２０８・・・遮光層、２１０・・・第１絶縁層、２１２・・・第２絶縁層、
２１４・・・窒化シリコン膜、２１５・・・酸化シリコン膜、２１６・・・第３絶縁層、
２２０・・・第１電極、２２２・・・電子輸送層、２２４・・・電子注入層、２２６・・
・発光層、２２７・・・電子ブロッキング層、２２８・・・正孔輸送層、２３０・・・正
孔注入層、２３２・・・第２電極、２３４・・・第３開口部、２３６・・・封止層、２３
７・・・シリコン窒化炭素膜、２３８・・・窒化シリコン膜、２４０・・・分断領域、２
４２・・・導電性粒子、２４４・・・樹脂、２４６・・・平坦化層、２４８・・・パッシ
ベーション層、２５０・・・ワイヤグリッド偏光子、２５１・・・光散乱層、２５２・・
・ビーズ、２５４・・・接着インク、２５６・・・光吸収層、２５８・・・金属細線、２
６０・・・絶縁層、２６２・・・隔壁、２６４・・・第８コンタクトホール、２６６・・
・第１ゲート電極、２６８・・・第２ゲート電極、２７０・・・第２容量素子、２７２・
・・容量電極、２７４・・・第２容量素子

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11A】

【図11B】

【図12A】

【図12B】

【図13A】

【図13B】

【図14A】

【図14B】

【図14C】

【図15】

【図16A】

【図16B】

【図17】

【図18】

【図19A】

【図19B】

【図20】

【図21A】

【図21B】

【図22A】

【図22B】

【図23A】

【図23B】

【図24A】

【図24B】

【図25A】

【図25B】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36A】

【図36B】

【図36C】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】

【図44】

【図45】

【図46】

【図47】

【図48】

【図49】

【図50】

【図51】

【図52】

【図53】

【図54】

【図55】

【図56】

【図57】

【図58】

【図59】

【図60】

【図61】

【図62】

【図63A】

【図63B】

【図64A】

【図64B】

【図65A】

【図65B】

【図66】

【図67】

【図68】