特開 2024-162080 検査装置及び電子制御装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024162080

(43)【公開日】2024-11-21

(54)【発明の名称】検査装置及び電子制御装置

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/00 20060101AFI20241114BHJP

【ＦＩ】

G01R31/00

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023077265

(22)【出願日】2023-05-09

(71)【出願人】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(74)【代理人】

【識別番号】110000567

【氏名又は名称】弁理士法人サトー

(72)【発明者】

【氏名】友廣 隆貴

(72)【発明者】

【氏名】田代 誠

【テーマコード（参考）】

2G036

【Ｆターム（参考）】

2G036AA28

2G036BA36

2G036BB09

(57)【要約】

【課題】スイッチング素子のスルーレートにばらつきがあっても、個々のスイッチング素子のスルーレートに合わせて構成できるようにした検査装置及び電子制御装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＳスルーレート観測ブロック５５、５６は、ＭＯＳトランジスタ３４、３５のそれぞれのスルーレートを観測する。目標スルーレート範囲記憶部５４ａは、予め設定された目標スルーレートの範囲を記憶する。判定ブロック５４ｂは、ＭＯＳスルーレート観測ブロック５５、５６の観測結果が記憶された目標スルーレートの範囲内か範囲外かを判定する。スルーレート調整値算出ブロック５２、５３は、範囲外の場合には判定ブロック５４ｂの判定結果に基づいてスルーレートの調整値を算出する。記憶メモリ書込ブロック５１は、調整値をマイコン２０が参照するメモリ２２に書込む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

制御部（２０）と、複数のスイッチング素子（３４、３５）とを備えた電子制御装置（１０）を検査する検査装置であって、
前記複数のスイッチング素子のそれぞれのスルーレートを観測するスルーレート観測部（５５、５６）と、
予め設定された目標スルーレートの範囲を記憶する目標スルーレート範囲記憶部（５４ａ）と、
前記スルーレート観測部の観測結果が前記記憶された前記目標スルーレートの範囲内か範囲外かを判定する判定部（５４ｂ）と、
前記範囲外の場合には前記判定部の判定結果に基づいて前記スルーレートの調整値を算出するスルーレート調整部（５２、５３）と、
前記調整値を前記制御部が参照する制御部用記憶部（２２）に書込む書込部（５１）と、
を備える検査装置。

【請求項2】

前記目標スルーレート範囲記憶部には前記目標スルーレートの範囲の最大値と最小値が予め設定されており、
前記判定部は、前記スルーレート観測部の観測結果が前記最大値と前記最小値の間にある場合には調整完了と判断し、前記最大値と前記最小値の間にない場合には調整未完了と判断する請求項１記載の検査装置。

【請求項3】

制御部（２０）と、複数のスイッチング素子（３４、３５）とを備えた電子制御装置（１０）であって、
検査装置により事前にスルーレート調整値が書き込まれる制御部用記憶部（２２、２２ａ、２２ｂ）と、
前記複数のスイッチング素子に対応して設けられる複数のスイッチ制御部（４１、４２）と、を備え、
前記複数のスイッチ制御部は、前記制御部用記憶部に記憶されるスルーレート調整値に基づいて前記複数のスイッチング素子をそれぞれ制御する電子制御装置。

【請求項4】

前記制御部用記憶部に記憶されるスルーレート調整値は、通信により前記制御部用記憶部とは異なるスイッチ制御部用記憶部（４３ａ、４３ｂ）に格納され、
前記複数のスイッチ制御部は、前記スイッチ制御部用記憶部に記憶されるスルーレート調整値に基づいて前記複数のスイッチング素子をそれぞれ制御する請求項３記載の電子制御装置。

【請求項5】

前記複数のスイッチング素子ごとにそれぞれ前記スイッチ制御部用記憶部を設け、
前記複数のスイッチ制御部は、それぞれ前記スイッチ制御部用記憶部を参照し前記複数のスイッチング素子ごとにスルーレートを制御する請求項４記載の電子制御装置。

【請求項6】

予め定められた所定の範囲内でスルーレートが最も急峻となる値を予め初期値として記憶する初期値記憶部（４３）を備え、
電源が投入された直後は、前記複数のスイッチ制御部は前記初期値記憶部に記憶された前記初期値に従って前記複数のスイッチング素子をそれぞれ制御する請求項３から５の何れか一項に記載の電子制御装置。

【請求項7】

前記複数のスイッチ制御部が、前記初期値に従って前記複数のスイッチング素子をそれぞれ制御した後、前記制御部は事前に書き込まれた前記制御部用記憶部から前記スルーレート調整値を前記スイッチ制御部用記憶部に通信し、前記複数のスイッチ制御部は前記スルーレート調整値に基づいて前記スイッチング素子のスルーレートを制御する請求項６記載の電子制御装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、検査装置及び電子制御装置に関する。

【背景技術】

【0002】

電力変換装置は、その一例としてスイッチング電源回路を挙げることができる。スイッチング電源回路は、従来、一次側の電源入力を二個のスイッチング素子を相補的にオンオフし電圧を昇降圧制御して任意の電源電圧を生成できる（例えば、特許文献１参照）。スイッチング電源回路は、スイッチング素子のオンオフ速度を制御することでスイッチング素子のスルーレートを変化させることができ、降圧時の変換効率を制御できる。この場合、スイッチング素子のオンオフ速度を速くすれば変換効率を良好にできる。

【0003】

スイッチング電源回路は、スイッチング素子のオン／オフ速度を遅くすることで任意の電圧生成の過程で生じるノイズを小さくしている。これにより、スイッチング素子がオン／オフする際に生じるノイズや、スイッチング素子の通電端子間（ＭＯＳトランジスタのドレインソース間）を流れる電流の立上り／立下り時のノイズを小さくできる。

【0004】

特に、車両用電子制御装置の技術分野では、狙いの電源電圧を電源効率よく生成することで生成ノイズを規格内に収めることができる。しかし、スイッチング電源回路に使用されるスイッチング素子は、それぞれが異なるスルーレート特性を備えている。このため実際に基板上に回路を実装するまで、スイッチング素子のスルーレートは設計者に把握できるものではない。

【0005】

このため、設計段階では最悪の事態を考慮し、スルーレートが最大となるスイッチング素子を組付けたことを想定すると共に当該スイッチング素子のオン／オフ速度を上限よりも緩やかにするように制御する。これにより、発生ノイズを規格内に収めることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特許第３４６３６２８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

スイッチング素子のスルーレートにはバラツキがある。このため、実際には、スルーレートが想定よりも緩やかなスイッチング素子が組付けられることもある。この場合、前述したように最悪の事態を想定した上でオン／オフ制御のスルーレートを緩やかに設計した場合、想定以上にスルーレートが緩やかになってしまい、効率悪化につながる。これは、スイッチング電源回路を構成する全てのスイッチング素子にて生じる問題となる。

【0008】

本開示は、スイッチング素子のスルーレートにばらつきがあっても、個々のスイッチング素子のスルーレートに合わせて実装できるようにした検査装置及び電子制御装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

請求項１記載の発明は、制御部の指令に基づき制御される複数のスイッチング素子を備えた電子制御装置を検査する検査装置を対象としている。スルーレート観測部は、複数のスイッチング素子のそれぞれのスルーレートを観測する。目標スルーレート範囲記憶部は、予め設定された目標スルーレートの範囲を記憶する。判定部は、スルーレート観測部の観測結果が記憶された目標スルーレートの範囲内か範囲外かを判定する。

【0010】

スルーレート調整部は、範囲外の場合には前記判定部の判定結果に基づいて前記スルーレートの調整値を算出する。書込部は、制御部が参照する制御部用記憶部にスルーレート調整値を書込む。これにより、電子制御装置は、スルーレート調整値を参照してスイッチング素子のスルーレートを調整できるため、スイッチング素子のスルーレートにばらつきがあったとしても、個々のスイッチング素子のスルーレートに合わせて実装できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】一実施形態における電子制御装置及び検査装置内のブロック構成図

【図2】ＥＣＵ検査工程のフローチャート

【図3】各部の波形のタイムチャート

【図4】ＥＣＵの実動作時のフローチャート

【図5】比較例の方法を用いてスルーレートを検査して実装して動作させた場合の特性結果

【図6】一実施形態の方法を用いてスルーレートを調整した場合の特性結果

【発明を実施するための形態】

【0012】

検査装置５０及び電子制御装置１０の一実施形態について図面を参照しながら説明する。車両用の電子制御装置１０は、プリント基板に回路１１を実装して構成される。電子制御装置１０はＥＣＵと称される。ＥＣＵはElectronic Control Unitの略を示す。この回路１１は設計者により設計されると共に製造工場にて実装される。このとき実装される回路１１を図１に例示している。なお、図１、図２、図４中の「ＳＲ」はスルーレートの略を示す。

【0013】

図１に例示した電子制御装置１０の回路１１は、図示しない負荷を駆動制御するための回路を示す。回路１１は、マイコン２０、電源回路３８、及び、制御ＩＣ４０を備える。電源回路３８は、π型フィルタ３０、複数のＭＯＳトランジスタ３４、３５、インダクタ３６及びコンデンサ３７を図示形態に搭載し電力変換装置を構成する。ＭＯＳトランジスタ３４、３５は、本開示のスイッチング素子相当となる。

【0014】

電源端子－グランド間には、π型フィルタ３０、ＭＯＳトランジスタ３４のドレインソース間、及びＭＯＳトランジスタ３５のドレインソース間が直列接続されている。π型フィルタ３０は、インダクタ３１とコンデンサ３２、３３をπ型に組み合わせたローパスフィルタを示す。

【0015】

ＭＯＳトランジスタ３４、３５は、それぞれＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴにより構成される。ＭＯＳトランジスタ３４、３５のゲートは制御ＩＣ４０に接続されており、制御ＩＣ４０は、ＭＯＳトランジスタ３４、３５を相補的にオン／オフ制御する。

【0016】

ＭＯＳトランジスタ３４、３５のドレイン／ソース共通接続点は、インダクタ３６及びコンデンサ３７に接続されており、この出力電圧がマイコン２０に直流電源として入力されている。電源回路３８は、制御ＩＣ４０の制御に基づいて直流電源を生成しマイコン２０に入力させる。

【0017】

マイコン２０は、電源回路３８により生成される電源が供給されることで動作可能になっている。マイコン２０は、プロセッサ２１、メモリ２２、及び通信部２３を搭載しており、所定の制御を主体的に実行する。メモリ２２は、スルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂとしての不揮発性記憶部を備える。メモリ２２、スルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂは、非遷移的実体的記録媒体として用いられる。

【0018】

スルーレート調整値記憶メモリ２２ａは、ハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４のスルーレートの調整値を記憶する。スルーレート調整値記憶メモリ２２ｂは、ローサイドのＭＯＳトランジスタ３５のスルーレートの調整値を記憶する。これらのスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂは、本開示の制御部用記憶部相当となっている。マイコン２０の通信部２３は、制御ＩＣ４０の通信部４４との間でシリアル通信可能に構成されている。

【0019】

制御ＩＣ４０は、所謂ＡＳＩＣにより構成されており、ＡＳＩＣの内部には、上ＭＯＳ制御ブロック４１、下ＭＯＳ制御ブロック４２、記憶部４３、及び、通信部４４などが備えられている。ＡＳＩＣは、Application Specific Integrated Circuitの略を示す。上ＭＯＳ制御ブロック４１は、ハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４を制御するスイッチ制御部相当である。下ＭＯＳ制御ブロック４２は、ローサイドのＭＯＳトランジスタ３５を制御するスイッチ制御部相当である。記憶部４３は、ハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４のスルーレート調整値記憶レジスタ４３ａ、及び、ローサイドのＭＯＳトランジスタ３５のスルーレート調整値記憶レジスタ４３ｂをスイッチ制御部用記憶部として備える。その他、記憶部４３は、スルーレートの初期値を不揮発的に記憶する初期値記憶部としての領域を備える。

【0020】

制御ＩＣ４０の上ＭＯＳ制御ブロック４１は、ハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４を駆動制御する。制御ＩＣ４０の下ＭＯＳ制御ブロック４２は、ローサイドのＭＯＳトランジスタ３５を駆動制御する。このような回路１１が電子制御装置１０に搭載されている。

【0021】

＜製造検査工程＞
製造工程では、電子制御装置１０を構成する際に、ＭＯＳトランジスタ３４、３５や制御ＩＣ４０などの外付け部品が同一のプリント基板に実装される。この後、検査工程にて検査が実施される。検査工程では、ＭＯＳトランジスタ３４、３５と制御ＩＣ４０とを同一のプリント基板上に実装し、各部品を実際に結線した状態で検査する。このため、ＭＯＳトランジスタ３４、３５の単体の諸特性ではなく、制御ＩＣ４０の出力インピーダンス等の特性、及び、ＭＯＳトランジスタ３４、３５の入出力特性を考慮した検査を実施できる。

【0022】

検査工程では、電子制御装置１０に検査装置５０を接続して検査を実施する。検査装置５０は、図１に示したように、記憶メモリ書込ブロック５１、スルーレート調整値算出ブロック５２、５３、目標スルーレート記憶ブロック５４ａ、判定ブロック５４ｂ、ＭＯＳスルーレート観測ブロック５５、５６に分けて機能構成されている。スルーレート調整値算出ブロック５２、５３はスルーレート調整部相当であり、目標スルーレート記憶ブロック５４ａは目標スルーレート範囲記憶部相当である。また判定ブロック５４ｂは判定部相当であり、記憶メモリ書込ブロック５１は書込部相当である。

【0023】

以下、検査工程における詳細方法について図２を参照しながら説明する。
検査工程では、図２のＳ１０１にて電子制御装置１０に電源投入される。電源が制御ＩＣ４０に投入されると、制御ＩＣ４０は、Ｓ１０２において予め定められたデフォルトのスルーレートで、上ＭＯＳ制御ブロック４１によりハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４を駆動すると共に、下ＭＯＳ制御ブロック４２によりローサイドのＭＯＳトランジスタ３５を駆動する。図３のタイミングｔ０～ｔ１のハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４のスルーレートＳＲｕ０、ローサイドのＭＯＳトランジスタ３５のスルーレートＳＲｄ０参照。

【0024】

このとき、ハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４とローサイドのＭＯＳトランジスタ３５は相補的にオンオフ動作する。電源回路３８は、ＭＯＳトランジスタ３４、３５を相補的にオンオフすることで、インダクタ３６及びコンデンサ３７を通じて直流電圧を生成しマイコン２０に電源を供給する。

【0025】

ＭＯＳスルーレート観測ブロック５５は、ハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４のゲートソース間電圧を観測する。ＭＯＳスルーレート観測ブロック５６は、ローサイドのＭＯＳトランジスタ３５のゲートソース間電圧を観測する。ＭＯＳスルーレート観測ブロック５５、５６は、それぞれＭＯＳトランジスタ３４、３５がオフ状態となるオフ電圧からオン状態となるオン閾値電圧までの到達時間を計測してスルーレートを算出する。

【0026】

目標スルーレート記憶ブロック５４ａには予め目標スルーレートが記憶されている。目標スルーレートとは、ノイズ規格を満足しつつ、最も変換効率が高くなるスルーレートを指しており、電子制御装置１０の設計時に定義した値である。

【0027】

判定ブロック５４ｂは、当該目標スルーレートに公差を加減算した値と、ＭＯＳスルーレート観測ブロック５５、５６により観測されたスルーレートとを比較し、観測スルーレートが適切であるか判定する。具体的には、判定ブロック５４ｂは、Ｓ１０４において、ＭＯＳトランジスタ３４、３５の観測スルーレートが（目標スルーレート－公差）＜観測スルーレート＜（目標スルーレート＋公差）の条件を満たしているか否か、つまり、目標スルーレートの最大値及び最小値の範囲内であるか範囲外であるか判定する。

【0028】

判定ブロック５４ｂは、Ｓ１０４の条件を満たしている場合ＹＥＳと判定し、記憶メモリ書込ブロック５１は、マイコン２０のスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂに観測スルーレートをそのままスルーレート調整値として書込む（書込部としての機能）。又は、記憶メモリ書込ブロック５１は、観測スルーレートから目標スルーレートを差し引きした差分だけ調整したスルーレートをスルーレート調整値としてマイコン２０のスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂに書込んでも良い。

【0029】

この場合、検査装置５０は、スルーレートの検査を正常と判定し調整完了と判断し、Ｓ１１１において電子制御装置１０の電源をオフし、Ｓ１１２にて制御ＩＣ４０の記憶部４３の内部のスルーレート調整値記憶レジスタ４３ａ、４３ｂを初期化して検査を終了する。

【0030】

他方、判定ブロック５４ｂが、Ｓ１０４の条件を満たしていないと判定した場合、調整未完了と判断し、Ｓ１０５～Ｓ１０９においてＭＯＳトランジスタ３４、３５のスルーレートを目標スルーレートに近づけるための調整作業を実施する。

【0031】

スルーレート調整値算出ブロック５２、５３は、Ｓ１０５において判定ブロック５４ｂの判定結果に基づいてスルーレート調整値をそれぞれ算出する。スルーレート調整値は、ＭＯＳトランジスタ３４、３５を駆動する際の駆動電圧のスルーレートを目標スルーレートに近づけるための調整後のスルーレートそのもの、又は、相対的な調整値を示す。

【0032】

すなわちスルーレート調整値は、スルーレートそのものを表す絶対的な値であっても、実際のスルーレートの絶対的な値に対応して予め規則に沿って対応して定められた値であってもよい。またスルーレート調整値は、ある標準値を基準とした相対的な値であってもよいし、さらにこのスルーレートの相対的な値に対応して予め規則に沿って対応して定められた値であってもよい。

【0033】

例えば、実際の観測スルーレートが目標スルーレートよりも小さい場合、スルーレート調整値算出ブロック５２、５３は、観測されたＭＯＳトランジスタ３４、３５のスルーレートを上げるようにスルーレート調整値を算出する。逆に、観測スルーレートが目標スルーレートよりも大きい場合、スルーレート調整値算出ブロック５２、５３は、観測されたＭＯＳトランジスタ３４、３５のスルーレートを下げるようにスルーレート調整値を算出する。

【0034】

ＭＯＳトランジスタ３４、３５のオン／オフ速度の目標スルーレートが標準値１Ｖ／μｓと予め設定されている場合を考える。例えば、ＭＯＳトランジスタ３４、３５のスルーレートが０．５Ｖ／μｓと低く観測された場合、スルーレート調整値算出ブロック５２、５３は、１．２Ｖ／μｓと目標スルーレートの標準値より高くするように、ＭＯＳトランジスタ３４、３５のオン／オフ速度のスルーレート調整値を算出する。

【0035】

そして、スルーレート調整値算出ブロック５２、５３は、Ｓ１０６において記憶メモリ書込ブロック５１にスルーレート調整値を送信する。記憶メモリ書込ブロック５１は、Ｓ１０７においてマイコン２０にスルーレート調整値を送信し、Ｓ１０８においてスルーレート調整値をスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂに書込む。

【0036】

この後、マイコン２０の通信部２３と制御ＩＣ４０の通信部４４とが、Ｓ１０９において通信することでスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂに記憶されたスルーレート調整値をマイコン２０から制御ＩＣ４０に送信する。制御ＩＣ４０は、スルーレート調整値記憶レジスタ４３ａ、４３ｂにスルーレート調整値を書込む。

【0037】

上ＭＯＳ制御ブロック４１は、Ｓ１１１においてスルーレート調整値記憶レジスタ４３ａに記憶されたスルーレート調整値に基づいてハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４を駆動する。このとき、上ＭＯＳ制御ブロック４１は、スルーレート調整値によりスルーレートを調整したゲート電圧をハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４のゲートに印加する。

【0038】

下ＭＯＳ制御ブロック４２は、Ｓ１１１においてスルーレート調整値記憶レジスタ４３ｂに記憶されたスルーレート調整値に基づいてローサイドのＭＯＳトランジスタ３５を駆動する。このとき、下ＭＯＳ制御ブロック４２は、スルーレート調整値によりスルーレートを調整したゲート電圧をローサイドのＭＯＳトランジスタ３５のゲートに印加する。このような場合、上ＭＯＳ制御ブロック４１、下ＭＯＳ制御ブロック４２は、それぞれデジタル処理することで段階的にゲート電圧を上昇又は下降させることでゲート電圧を生成してＭＯＳトランジスタ３４、３５のゲートにそれぞれ印加する。

【0039】

そして処理をＳ１０３に戻す。この後、判定ブロック５４ｂがＳ１０４の条件を満たしたと判定するまで、Ｓ１０５～Ｓ１１１の処理が繰り返される。例えば、１回目のＳ１０３におけるスルーレートの観測では０．５Ｖ／μｓと（目標スルーレート－公差）よりも低く観測され、１回目のＳ１０５～Ｓ１１１の処理が実行された後もＭＯＳトランジスタ３４、３５のスルーレートが０．７Ｖ／μｓと低く観測された場合を考慮する。

【0040】

この場合、スルーレート調整値算出ブロック５２、５３は、前回算出されたスルーレート調整値１．２Ｖ／μｓよりも高い１．４Ｖ／μｓをＭＯＳトランジスタ３４、３５のオン／オフ速度のスルーレート調整値として算出する。このように、Ｓ１０３～Ｓ１１１のループを繰り返すことでスルーレート調整値を徐々に上げることができる。これにより、観測された実際のスルーレートが目標スルーレートよりも大幅に低かったとしても、スルーレート調整値を徐々に上げることで、実際のスルーレートを目標スルーレートに近づけることができる。

【0041】

逆に、１回目のＳ１０３におけるスルーレートの観測では（目標スルーレート＋公差）よりも高く観測され、１回目のＳ１０５～Ｓ１１１の処理が実行された後も（目標スルーレート＋公差）よりも高く観測された場合も同様である。この場合、検査装置５０のスルーレート調整値算出ブロック５２、５３は、１回目にスルーレート調整値を標準値よりも低く算出しているが、２回目ではさらに低くスルーレート調整値を算出する。このように、Ｓ１０３～Ｓ１１１のループを繰り返すことでスルーレート調整値を徐々に下げることができる。これにより、観測された実際のスルーレートが目標スルーレートよりも大幅に高かったとしても、スルーレート調整値を徐々に下げることで、実際のスルーレートを目標スルーレートに近づけることができる。

【0042】

判定ブロック５４ｂは、Ｓ１０４の条件を満たしている場合にＹＥＳと判定し、記憶メモリ書込ブロック５１は、マイコン２０のスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂにスルーレート調整値を書込む。

【0043】

この場合、検査装置５０は、スルーレートの検査を終了して調整完了と判断し、Ｓ１１１において電子制御装置１０の電源をオフし、Ｓ１１２にて制御ＩＣ４０のレジスタを初期化して検査を終了する。

【0044】

製造者は、電子制御装置１０の検査終了後、検査装置５０を取り外し、電子制御装置１０を出荷する。電子制御装置１０は、出荷後に図示しない車体に組付けられる。車体に各種部品が組付けられると車両は走行できる。

【0045】

車両運転時、図４に示すように、Ｓ２０１において図示しないイグニッションスイッチがオンされると、Ｓ２０２にて電子制御装置１０に電源投入される。電子制御装置１０に電源投入されると制御ＩＣ４０に電源が通電される。なお、制御ＩＣ４０に電源通電されていないと、スルーレート調整値記憶レジスタ４３ａ、４３ｂは、記憶部４３に不揮発的に記憶されているスルーレート初期値にリセットされる。ここでの初期値はスルーレートの標準値を示すが、予め設計により定められた所定の範囲内でスルーレートが最も急峻となる値を予め初期値とすることが望ましい。

【0046】

電子制御装置１０の制御ＩＣ４０に電源通電されると、上ＭＯＳ制御ブロック４１が、記憶部４３に記憶されたスルーレートの初期値を設定し、ハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４を駆動する。また、下ＭＯＳ制御ブロック４２が、記憶部４３に記憶されたスルーレートの初期値によりローサイドのＭＯＳトランジスタ３５を駆動する。

【0047】

所定の範囲内で予め最も急峻となる値がスルーレートの初期値とされている。このため、ノイズ量は増えるもののＭＯＳトランジスタ３４、３５の発熱を抑制できる。このため、後にスルーレートが調整されるまでの電源投入直後の短時間のみ初期値で制御することで、ＭＯＳトランジスタ３４、３５やその周辺回路に発熱により異常を生じることを防止できる。これにより、Ｓ２０３においてマイコン２０に通電することができマイコン２０が起動する。

【0048】

マイコン２０が起動すると、Ｓ２０４においてマイコン２０と制御ＩＣ４０は通信部２３、４４を通じて通信する。スルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂには検査装置５０から事前にスルーレート調整値が書込まれている。マイコン２０の通信部２３は、マイコン２０のスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂからスルーレート調整値を読出し、シリアル通信によりスルーレート調整値を制御ＩＣ４０の通信部４４に送信する。制御ＩＣ４０は、スルーレート調整値をスルーレート調整値記憶レジスタ４３ａ、４３ｂに記憶させる。

【0049】

Ｓ２０５において、制御ＩＣ４０の上ＭＯＳ制御ブロック４１は、通信部４４により受信しスルーレート調整値記憶レジスタ４３ａに記憶されたスルーレート調整値に沿ってハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４を駆動する。制御ＩＣ４０の下ＭＯＳ制御ブロック４２は、通信部４４により受信しスルーレート調整値記憶レジスタ４３ｂに記憶されたスルーレート調整値に沿ってローサイドのＭＯＳトランジスタ３５を駆動する。

【0050】

これ以降、Ｓ２０６に示されるように、上ＭＯＳ制御ブロック４１は、受信したスルーレート調整値によりハイサイドのＭＯＳトランジスタ３４を駆動継続し、下ＭＯＳ制御ブロック４２は、受信したスルーレート調整値によりローサイドのＭＯＳトランジスタ３５を駆動継続する。

【0051】

この後、イグニッションスイッチがオフされると、Ｓ２０７において電子制御装置１０の電源通電も遮断される。すると、制御ＩＣ４０は、Ｓ２０８においてスルーレート調整値記憶レジスタ４３ａ、４３ｂの記憶値をクリアする。再度イグニッションスイッチがオンされると、Ｓ２０１より処理が繰り返されることになる。

【0052】

＜本実施形態の技術的意義の説明＞
図５に従来の方法（比較例）を用いてスルーレートを検査した結果を示し、図６に本実施形態の方法を用いてスルーレートを調整した場合の結果を示している。例えば、図５に示すように、寄生容量が比較的小さくスルーレートが比較的急峻であるＭＯＳトランジスタ３４、３５のＡ品と、寄生容量が比較的大きくスルーレートが比較的緩やかなＭＯＳトランジスタ３４、３５のＢ品と、をそれぞれ搭載した複数の電子制御装置１０を量産化した場合について考慮する。

【0053】

寄生容量が小さくスルーレートが急峻なＡ品の場合、スイッチング損失や熱、供給電流が比較的小さいもののノイズが大きくなる。逆に、寄生容量が大きくスルーレートが緩やかなＢ品の場合、スイッチング損失や熱、供給電流、生成ノイズを共に中程度に抑えることができる。

【0054】

このようなＡ品、Ｂ品を用いて同一ロットで電子制御装置１０をそれぞれ製造した場合、Ａ品に生じているノイズを抑制するため、ＭＯＳトランジスタ３４、３５のスルーレートを緩やかにするように調整することが考えられる。するとＡ品を用いた電子制御装置１０では、スイッチング損失や熱、供給電流が若干大きく中程度になるものの、大きく生じていたノイズを抑制できる（図５の調整Ｋ１の「大」→「中」参照）。

【0055】

同一ロット内でＡ品と同様の調整をＢ品にも実施されると、Ｂ品に生じているノイズを小さく抑制できるものの、スイッチング損失、発熱、供給電流が大きくなってしまい、予め定められた規定から外れてしまう虞がある（図５の調整Ｋ２の「中」→「大」参照）。

【0056】

他方、本実施形態の検査装置５０を用いてＡ品、Ｂ品のスルーレートを調整すると、Ａ品、Ｂ品の個々の部品に合わせてスルーレートを調整できる。寄生容量が小さなＡ品の場合、検査装置５０がスルーレートを観測し、前述と同様に生成ノイズを少なくするようにスルーレートを緩やかに調整することで、スイッチング損失、発熱、供給電流、生成ノイズを中程度に調整できる。他方、寄生容量が大きなＢ品の場合、検査装置５０がスルーレートを観測した結果、スルーレートが基準に比較して緩やかであることを検出できるため、スルーレートを急峻にするように調整できる。このため、ノイズの発生を抑制しつつ、スイッチング損失、発熱、供給電流を中程度に抑制できる。この結果、部品の定格サイズを抑制できるようになりコスト増を防ぐことができる。

【0057】

＜本実施形態のまとめ＞
本実施形態によれば、電子制御装置１０に実装されたＭＯＳトランジスタ３４、３５のスルーレートを検査装置５０により観測し、観測したスルーレートを目標スルーレートの上限値及び下限値の範囲内であるか範囲外であるか判定している。このとき、範囲外の場合は、その都度、ＭＯＳトランジスタ３４、３５のオン／オフ速度を変化させることでスルーレートを目標スルーレートに近づけるように調整している。これにより、検査装置５０は、ＭＯＳトランジスタ３４、３５ごとにスルーレートを観測しそれぞれ最適なスルーレートに調整し、電子制御装置１０のメモリ２２に調整値を書込むことができる。結果、電子制御装置１０は、電源回路３８の効率化及びノイズの抑制を図ることができる。

【0058】

また判定ブロック５４ｂは、ＭＯＳスルーレート観測ブロック５５、５６の観測結果が最大値と最小値の間にある場合には調整完了と判断し、最大値と前記最小値の間にない場合には調整未完了と判断するようにしている。これにより、目標スルーレートの最大値と最小値の範囲内にスルーレートが収まっているか否かを確認し調整が完了しているかを判断できる。

【0059】

また従来、効率悪化による熱対策として大きくしていた定格の部品サイズや、それに伴うコスト増を低減する効果も得られる。つまり、部品の定格を縮小化したことに伴う部品サイズの小型化を実現できコストを低減できる。

【0060】

上ＭＯＳ制御ブロック４１、下ＭＯＳ制御ブロック４２は、それぞれスルーレート調整値記憶レジスタ４３ａ、４３ｂを参照し複数のＭＯＳトランジスタ３４、３５ごとにスルーレートを制御するようにしているため、ＭＯＳトランジスタ３４、３５毎にスルーレートを制御でき、より最適なスルーレートでＭＯＳトランジスタ３４、３５を制御できる。

【0061】

初期値記憶部はスルーレートが最も急峻となる値を予め初期値として記憶しており、電源が投入された直後は、上ＭＯＳ制御ブロック４１、下ＭＯＳ制御ブロック４２は、それぞれ初期値記憶部に記憶された初期値に従ってＭＯＳトランジスタ３４、３５をそれぞれ制御している。このため、電源投入直後のＭＯＳトランジスタ３４、３５の発熱による異常を防止できる。

【0062】

上ＭＯＳ制御ブロック４１及び下ＭＯＳ制御ブロック４２が、初期値記憶部に記憶された初期値に従ってＭＯＳトランジスタ３４、３５をそれぞれ制御した後、マイコン２０は事前に書き込まれたスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂからスルーレート調整値をスルーレート調整値記憶レジスタ４３ａ、４３ｂに通信する。

【0063】

そして、上ＭＯＳ制御ブロック４１及び下ＭＯＳ制御ブロック４２は、スルーレート調整値に基づいてＭＯＳトランジスタ３４、３５のスルーレートを制御するようにしている。このため、マイコン２０と制御ＩＣ４０とが連携してスルーレート調整値を用いてＭＯＳトランジスタ３４、３５の駆動用のスルーレートを調整できるようになる。

【0064】

（他の実施形態）
本開示は、前述実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形又は拡張が可能である。
検査装置５０がＭＯＳトランジスタ３４、３５を検査する際に、ＭＯＳトランジスタ３４、３５のオン時のスルーレート及びオフ時のスルーレートの何れを観測対象としてもよいし両者を観測対象としてもよい。また、ＭＯＳトランジスタ３４、３５のオン時のスルーレートのみを観測対象としてオン時のスルーレートのみを調整するようにしてもよいし、オフ時のスルーレートのみを観測対象としてオフ時のスルーレートのみを調整するようにしてもよい。すなわち、「スルーレート」としては、オン時のスルーレート、又は、オフ時のスルーレート、オン時及びオフ時の両スルーレートの何れでも適用できる。

【0065】

マイコン２０のスルーレート調整値記憶メモリ２２ａ、２２ｂが、マイコン２０に内蔵している形態を説明したが、マイコン２０に内蔵されているものに限られない。スルーレートの調整値を記憶するメモリ２２は、マイコン２０に外付けで構成しても良い。

【0066】

ＭＯＳトランジスタ３４、３５を用いた形態を例示したが、例えばバイポーラジャンクショントランジスタ、ＩＧＢＴなどの各種のスイッチング素子を適用できる。

【0067】

本開示に記載の検査装置５０、電子制御装置１０及びその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の検査装置５０、電子制御装置１０及びその手法は、一つ以上の専用ハードウェア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。

【0068】

もしくは、本開示に記載の検査装置５０、電子制御装置１０及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリと一つ以上のハードウェア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。

【0069】

つまりプロセッサ等が提供する手段および／または機能は、実体的なメモリ装置に記録されたソフトウェアおよびそれを実行するコンピュータ、ソフトウェアのみ、ハードウェアのみ、あるいはそれらの組合せによって提供できる。たとえばプロセッサが備える機能の一部または全部はハードウェアとして実現されても良い。或る機能をハードウェアとして実現する態様には、ひとつ以上のＩＣなどを用いて実現する態様が含まれる。

【0070】

本開示の発明には特許請求の範囲に記載の発明に加えて以下の発明も含まれる。
［１］
制御部（２０）と、複数のスイッチング素子（３４、３５）とを備えた電子制御装置（１０）を検査する検査装置であって、
複数のスイッチング素子のそれぞれのスルーレートを観測するスルーレート観測部（５５、５６）と、
予め設定された目標スルーレートの範囲を記憶する目標スルーレート範囲記憶部（５４ａ）と、
スルーレート観測部の観測結果が前記記憶された前記目標スルーレートの範囲内か範囲外かを判定する判定部（５４ｂ）と、
範囲外の場合には判定部の判定結果に基づいてスルーレートの調整値を算出するスルーレート調整部（５２、５３）と、
調整値を制御部が参照する制御部用記憶部（２２）に書込む書込部（５１）と、
を備える検査装置。

【0071】

［２］
目標スルーレート範囲記憶部には前記目標スルーレートの範囲の最大値と最小値が予め設定されており、
判定部は、スルーレート観測部の観測結果が前記最大値と前記最小値の間にある場合には調整完了と判断し、最大値と最小値の間にない場合には調整未完了と判断する［１］記載の検査装置。

【0072】

［３］
制御部（２０）と、複数のスイッチング素子（３４、３５）とを備えた電子制御装置（１０）であって、
検査装置により事前にスルーレート調整値が書き込まれる制御部用記憶部（２２、２２ａ、２２ｂ）と、
複数のスイッチング素子に対応して設けられる複数のスイッチ制御部（４１、４２）と、を備え、
複数のスイッチ制御部は、制御部用記憶部に記憶されるスルーレート調整値に基づいて複数のスイッチング素子をそれぞれ制御する電子制御装置。

【0073】

［４］
制御部用記憶部に記憶されるスルーレート調整値は、通信により制御部用記憶部とは異なるスイッチ制御部用記憶部（４３ａ、４３ｂ）に格納され、
複数のスイッチ制御部は、スイッチ制御部用記憶部に記憶されるスルーレート調整値に基づいて複数のスイッチング素子をそれぞれ制御する［３］記載の電子制御装置。

【0074】

［５］
複数のスイッチング素子ごとにそれぞれスイッチ制御部用記憶部を設け、
複数のスイッチ制御部は、それぞれスイッチ制御部用記憶部を参照し複数のスイッチング素子ごとにスルーレートを制御する［３］又は［４］記載の電子制御装置。

【0075】

［６］
予め定められた所定の範囲内でスルーレートが最も急峻となる値を予め初期値として記憶する初期値記憶部を備え、
電源が投入された直後は、複数のスイッチ制御部は初期値記憶部に記憶された前記初期値に従って複数のスイッチング素子をそれぞれ制御する［３］から［５］の何れか一つに記載の電子制御装置。

【0076】

［７］
複数のスイッチ制御部が、初期値に従って複数のスイッチング素子をそれぞれ制御した後、制御部は事前に書き込まれた制御部用記憶部からスルーレート調整値をスイッチ制御部用記憶部に通信し、複数のスイッチ制御部はスルーレート調整値に基づいてスイッチング素子のスルーレートを制御する［３］から［６］の何れか一つに記載の電子制御装置。

【0077】

本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

【符号の説明】

【0078】

図面中、１０は電子制御装置、２０はマイコン（制御部）、２２ａ、２２ｂはスルーレート調整値記憶メモリ（制御部用記憶部）、３４、３５はＭＯＳトランジスタ（スイッチング素子）、４１は上ＭＯＳ制御ブロック（スイッチ制御部）、４２は下ＭＯＳ制御ブロック（スイッチ制御部）、４３ａ、４３ｂはスルーレート調整値記憶レジスタ（スイッチ制御部用記憶部）、５０は検査装置、５１は記憶メモリ書込ブロック（書込部）、５２、５３はスルーレート調整値算出ブロック（スルーレート調整部）、５４ａは目標スルーレート記憶ブロック（目標スルーレート範囲記憶部）、５４ｂは判定ブロック（判定部）、を示す。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】