特開 2024-162175 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024162175

(43)【公開日】2024-11-21

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20241114BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20241114BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20241114BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 643C

H01L21/306 R

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

H01L21/30 572B

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023077477

(22)【出願日】2023-05-09

(71)【出願人】

【識別番号】309042864

【氏名又は名称】株式会社ジェイ・イー・ティ

(74)【代理人】

【識別番号】110002675

【氏名又は名称】弁理士法人ドライト国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】舟橋 倫正

【テーマコード（参考）】

5F043

5F146

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F043CC16

5F043DD13

5F043EE07

5F043EE08

5F146MA07

5F146MA10

5F157AA15

5F157AA64

5F157AB02

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB90

5F157AC01

5F157AC26

5F157BB22

5F157BB24

5F157BC53

5F157BE23

5F157BE43

5F157BH18

5F157CF16

5F157CF22

5F157CF34

5F157DB02

5F157DB37

(57)【要約】

【課題】基板の処理面への均一な処理液の供給に資する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、処理面Ｓ１を下向きにして基板１１を回転テーブル１４の上方に水平に保持する。回転テーブル１４と基板１１との間に傾斜面ユニット１７が回動自在に配される。傾斜面ユニット１７は、回転テーブル１４と同軸に配され回転テーブル１４と逆向きに回転する回転板３１と、回転板３１の上面に設けられた複数の衝突ブロック３２を有し、衝突ブロック３２に傾斜面が形成されている。傾斜面は、基板１１の径方向及び周方向に互いにずらして配されている。回転板３１の中央に配されたノズルから噴出される硫酸過水を傾斜面に衝突させ、処理面Ｓ１に向けて飛散させる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を水平に保持し、前記基板の処理面に対する処理の際に、鉛直軸まわりに前記基板と一体に回転する基板回転部と、
前記基板回転部に保持される前記基板の前記処理面側で前記基板回転部の回転中心の近傍に前記処理面から離して配され、前記基板の径方向に処理液を噴出するノズルと、
前記基板の前記処理面側に前記基板の径方向及び周方向に互いにずらして配され、前記ノズルからの処理液が衝突して前記処理面に向けて処理液を飛散させる複数の傾斜面を有し、前記基板回転部と同軸に配されるとともに、前記処理面に対する処理の際に前記複数の傾斜面が一体に前記ノズルからの処理液の噴出方向に対して相対的に回転する傾斜面ユニットと
を備えることを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

前記複数の傾斜面のそれぞれは、回転移動の先端から後端に向かうにしたがい、当該傾斜面の面位置が外周側に漸次ずれていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記複数の傾斜面のそれぞれは、前記基板の径方向に傾きを持つ直線に沿って延びた平面であることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記複数の傾斜面は、径方向に直交する成分の長さに対する径方向成分の長さの比が外周に配されるものほど小さいことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記傾斜面ユニットは、前記複数の傾斜面の一部が配される複数の配置領域に前記基板の周方向に分けられ、前記周方向に隣接する前記配置領域の配置パターンが互いに異なることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記ノズルは、前記基板の回転中心からオフセットされ、前記基板の回転中心側に処理液を噴出することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記基板回転部は、前記処理面を下向きにして前記基板を保持することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般に、半導体デバイス製造プロセスにおいて、回路パターンを形成するためのエッチング又はイオン注入などのマスクとして感光性樹脂であるレジスト膜が広く使用されている。例えばシリコン基板（シリコンウエハ）の処理面に形成されたレジスト膜をマスクとしてエッチングやイオン注入などを行った後に、シリコン基板の処理面からレジスト膜を除去する。レジスト膜を除去する手法として、ＳＰＭ洗浄法が知られている。ＳＰＭ洗浄法では、硫酸と過酸化水素水を混合した硫酸過水にシリコン基板を浸漬することで、硫酸過水で生成される過硫酸（カロ酸、ペルオキソ一硫酸）によりレジスト膜を溶解して除去する。通常は、硫酸過水を１００℃以上に加熱することで、過硫酸の生成を促進している。

【0003】

また、シリコン基板を、例えば回路パターンを形成する処理面を下向きにした状態で保持する基板処理装置が知られている（例えば特許文献１を参照）。この基板処理装置では、処理面を下向きにした姿勢で回転テーブルの上方にシリコン基板を保持し、そのシリコン基板を回転テーブルと一体に回転させている間に、加熱したシリコン基板の処理面に硫酸過水を吹き付けることによって、レジスト膜を除去する。硫酸過水は、回転テーブルの回転中心に配されたスプレーノズルから処理面に噴霧される。処理液を処理面の径方向に広げてスプレーノズルから処理面に供給し、シリコン基板の回転による遠心力によって、供給された処理液を処理面の外周部にまで展開している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０１１／０７４５２１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上記のように、回転テーブルの回転中心に配したスプレーノズルからの噴霧によって、処理面に処理液を広げて供給する構成では、処理面上の噴霧される領域の中心部と外周部とでは処理液の供給量に違いが生じる。このため、高い均一性で処理面を処理することが難しかった。

【0006】

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、基板の処理面への均一な処理液の供給に資する基板処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の基板処理装置は、基板を水平に保持し、基板の処理面に対する処理の際に、鉛直軸まわりに基板と一体に回転する基板回転部と、基板回転部に保持される基板の処理面側で基板回転部の回転中心の近傍に処理面から離して配され、基板の径方向に処理液を噴出するノズルと、基板の処理面側に基板の径方向及び周方向に互いにずらして配され、ノズルからの処理液が衝突して処理面に向けて処理液を飛散させる複数の傾斜面を有し、基板回転部と同軸に配されるとともに、処理面に対する処理の際に複数の傾斜面が一体にノズルからの処理液の噴出方向に対して相対的に回転する傾斜面ユニットとを備えるものである。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、基板の径方向及び周方向に互いにずらして配された傾斜面にノズルからの処理液を衝突させて飛散した処理液を回転する基板の処理面に供給するようにしたので、処理面により均一に処理液が供給できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】基板処理装置の構成を示す断面図である。

【図2】ノズルから噴出される硫酸過水が傾斜面に衝突して飛散する状態を模式的に示す説明図である。

【図3】回転板上に設けた衝突ブロックを示す斜視図である。

【図4】回転板上での傾斜面の配置のパターンの一例を模式的に示す説明図である。

【図5】回転板上での傾斜面の配置のパターンの別の例を模式的に示す説明図である。

【図6】供給量を調整する溝を設けた衝突ブロックの例を示す斜視図である。

【図7】傾斜面を周方向に沿った曲面とした衝突ブロックの例を示す斜視図である。

【図8】回転テーブルに処理面を上向きにして保持する基板処理装置の例を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

図１において、基板処理装置１０は、基板１１に形成されたレジスト膜（図示省略）を除去するものである。この例では、基板１１は、単結晶のシリコンウエハ（シリコン基板）であり、硫酸と過酸化水素水を混合した硫酸過水を用いてレジスト（フォトレジスト、感光性樹脂）膜を除去する。基板１１は、その一方の面が処理対象となる処理面Ｓ１である。すなわち、処理面Ｓ１が半導体素子などで構成される回路が形成される基板面（シリコンウエハの表面）であって、基板処理装置１０は、この処理面Ｓ１に回路を形成する際に形成したレジスト膜を除去する。基板１１は、シリコン以外の材料で形成されたものであってもよく、例えば化合物半導体基板（例えばＩｎＰやＧａＡｓ等のＩＩＩ－Ｖ族半導体基板）、ＳｉＣ基板等であってもよい。

【0011】

基板処理装置１０は、ハウジング１２、回転テーブル１４、ローディング機構１５、ノズル部１６、傾斜面ユニット１７、加熱部１８、排出部１９等を備えており、各部は、制御部（図示省略）によって統括的に制御される。ハウジング１２には、基板１１が収容される。ハウジング１２は、有底の円筒状であり、上部には円形状に開口した上部開口１２ａが設けられている。上部開口１２ａは、基板１１よりも大きな径で形成されている。この上部開口１２ａを通して、ハウジング１２内に対する基板１１の出し入れを行う。また、後述するように、この例では、上部開口１２ａがハウジング１２内に外気を取り込む取込口になっている。

【0012】

回転テーブル１４は、円盤状であって、ハウジング１２内に配されている。回転テーブル１４は、テーブル駆動軸としての外側駆動軸２１の上端に固定されている。この外側駆動軸２１は、回転テーブル１４と同軸にされている。外側駆動軸２１は、ハウジング１２の底面１２ｂをその厚み方向（上下方向）に貫通している。外側駆動軸２１の内部に上下方向に貫通する貫通孔２１ａが形成されており、回転テーブル１４の中央部には、貫通孔２１ａと連接した貫通孔１４ａが形成されている。

【0013】

回転テーブル１４は、外側駆動軸２１と一体に、鉛直な回転軸（鉛直回転軸）Ｚまわりに回動自在にされており、その上面を水平にした状態で回動する。また、回転テーブル１４は、外側駆動軸２１と一体に上下方向に移動自在にされており、後述する基板保持部２５の上部を上部開口１２ａから突出した上昇位置と、この上昇位置から下方に移動し、基板１１をハウジング内に収容して処理を行う降下位置との間で移動する。ローディング機構１５と基板保持部２５との間で基板１１を授受する際に、回転テーブル１４は、上昇位置にされる。

【0014】

回転テーブル１４の上面には、基板１１を保持する基板保持部２５が設けられている。この基板保持部２５は、回転テーブル１４とともに基板回転部を構成する。基板保持部２５は、回転テーブル１４の周縁部に設けられた複数のチャックピン２５ａと各チャックピン２５ａのそれぞれに隣接して設けられた複数の支持ピン（図示省略）とからなり、これらのチャックピン２５ａ及び支持ピンは回転テーブル１４と一体に回転する。複数のチャックピン２５ａ及び支持ピンは、回転テーブル１４の周方向に所定の間隔で配列されている。なお、図１では、２本のチャックピン２５ａだけを描いてあるが、実際には例えば６本のチャックピン２５ａと６本の支持ピンとが設けられている。

【0015】

基板保持部２５の各支持ピンは、回転テーブル１４の上面からの高さが互いに同じになるように調整されている。回転テーブル１４上に基板１１を保持する場合には、各支持ピンの上端に基板１１の周縁部がローディング機構１５によって載せられ、この状態でチャックピン２５ａがそれぞれ回転テーブル１４の中心に向かって移動する。これにより、チャックピン２５ａが基板１１を挟持し、基板１１を回転テーブル１４の上面と所定の間隔をあけて平行すなわち水平にした状態に保持する。このように、基板１１は、基板保持部２５に保持され、回転テーブル１４と同軸に固定される。固定された基板１１は、回転テーブル１４と一体に回転する。基板１１をローディング機構１５に渡す際には、チャックピン２５ａがそれぞれ回転テーブル１４の外周に向かって移動し、基板１１の保持を解除する。なお、上記の基板保持部２５の構成は一例であり、これに限定されない。

【0016】

上述のように、基板保持部２５に対する基板１１の授受は、ローディング機構１５により行われる。ローディング機構１５は、複数の搬送アームや基板反転部等で構成される。基板１１は、処理面Ｓ１が上向きとなる姿勢で収納カセット（図示省略）に収納されている。処理対象となる基板１１は、搬送アームによって収納カセットから取り出されて基板反転部に搬送され、この基板反転部で処理面Ｓ１が下向きになるように上下が反転されてから、別の搬送アームによって基板反転部から基板保持部２５が支持する位置まで移動される。したがって、この例では、ローディング機構１５は、処理面Ｓ１を下向きにして基板１１を基板保持部２５にセットするセット機構になっている。

【0017】

傾斜面ユニット１７は、回転板３１と、この回転板３１の上面に設けた複数の衝突ブロック３２を有する。各衝突ブロック３２には、処理液としての硫酸過水を処理面Ｓ１に向けて飛散させる傾斜面３２ａ（図２参照）をそれぞれ形成してある。各衝突ブロック３２は、回転板３１の回転により一体に回転する。衝突ブロック３２及びその傾斜面３２ａの詳細は、後述する。なお、図１では、図の煩雑化を避けるために、２個の衝突ブロック３２だけを描いてある。

【0018】

回転板３１は、円板形状であって、回転板駆動軸としての内側駆動軸３３の上端に固定されている。回転板３１は、基板保持部２５に保持される基板１１よりも低い位置で回転テーブル１４の上方に配されており、回転テーブル１４及び基板１１に対して平行にされている。内側駆動軸３３は、上記回転テーブル１４の貫通孔１４ａ及び外側駆動軸２１の貫通孔２１ａに通されている。回転板３１と内側駆動軸３３とは、回転テーブル１４と同軸であり、回転軸Ｚまわりに回動自在にされている。回転板３１及び内側駆動軸３３は、回転テーブル１４とともに上下方向に移動する。内側駆動軸３３には、その内部に上下方向に貫通する貫通孔３３ａが形成され、回転板３１の中央部には、貫通孔３３ａと連接した貫通孔３１ａ（図２参照）が形成されている。

【0019】

駆動機構部２３は、外側駆動軸２１及び内側駆動軸３３の回転及び上下方向の移動を行なう。この駆動機構部２３は、動力源となるモータや、このモータの駆動力で外側駆動軸２１及び内側駆動軸３３を回転させ、また上下方向に移動させるギア等から構成されている。駆動機構部２３は、外側駆動軸２１を回転することによって、回転テーブル１４を回転し、外側駆動軸２１を上下方向に移動することによって、回転テーブル１４を上昇位置と降下位置との間で移動する。また、駆動機構部２３は、外側駆動軸２１を回転することによって、回転テーブル１４を回転し、内側駆動軸３３を回転することによって、回転板３１を回転する。

【0020】

この例では、駆動機構部２３は、回転テーブル１４と回転板３１とを互いに逆向きに回転する。また、駆動機構部２３は、外側駆動軸２１と内側駆動軸３３とを一体に上下方向に移動することによって、回転テーブル１４を上昇位置と降下位置との間で移動するとともに、これにあわせて回転板３１を上下方向に移動する。

【0021】

ノズル部１６は、図２に示すように、処理面Ｓ１に形成されているレジスト膜を除去するための硫酸過水を噴出するノズルヘッド３５及び処理面Ｓ１を洗浄（純水リンス）するための純水を噴出するノズルヘッド３６を有し、回転板３１の貫通孔３１ａ内に配されている。すなわち、ノズル部１６は、回転板３１の中央部に配されている。なお、ノズル部１６は、回転テーブル１４、回転板３１と一体に上下方向に移動するが、回転方向については回転テーブル１４、回転板３１から切り離されて固定されており回転しない。

【0022】

ノズルヘッド３５は、硫酸過水を噴出するノズル３５ａを有し、このノズル３５ａから噴出する硫酸過水を各衝突ブロック３２に衝突させることによって、硫酸過水を上方の処理面Ｓ１に向けて飛散させるように偏向する。これにより、回転する基板１１の処理面Ｓ１に硫酸過水を供給する。ノズルヘッド３６は、供給される純水を噴出する複数のノズル３６ａからなり、各々のノズル３６ａから回転する基板１１の処理面Ｓ１に向けて純水を噴出する。これにより、回転する基板１１の処理面Ｓ１の全面に純水を供給して処理面Ｓ１を洗浄する。

【0023】

図１において、供給管３７ａ、３７ｂは、内側駆動軸３３の貫通孔３３ａ内にそれぞれ通されて、それらの一端がノズルヘッド３５、３６にそれぞれ接続されている。供給管３７ａ、３７ｂの他端は、供給ユニット２６にそれぞれ接続されている。供給ユニット２６は、ノズルヘッド３５に対して供給管３７ａを介して硫酸過水を、ノズルヘッド３６に対して供給管３７ｂを介して純水を供給する。硫酸過水と純水の供給とは選択的に行われ、純水の供給は、硫酸過水によるレジスト膜の除去処理後に行う。

【0024】

加熱部１８は、基板１１に光を照射することによって、その基板１１を加熱するものであり、例えばハロゲンランプヒータで構成され、下向きに赤外線を放射する。この加熱部１８は、上部開口１２ａの直上に配されており、上部開口１２ａに近接して基板１１を加熱する加熱位置と、この加熱位置から上方に移動して、上部開口１２ａから基板１１の出し入れを許容する退避位置との間で上下方向に移動機構３９によって移動される。加熱位置における加熱部１８は、上部開口１２ａの周縁との間に小さな隙間を形成する。この例では、加熱部１８を上下方向に移動して加熱位置と退避位置とにしているが、基板１１の出し入れに支障がないように上部開口１２ａの直上から水平に移動した位置を退避位置として加熱部１８を水平方向に移動してもよい。

【0025】

基板１１のレジスト膜を除去する際には、加熱部１８が加熱位置とされる。この加熱位置において、加熱部１８は、その直下にある基板１１の背面Ｓ２（処理面Ｓ１と反対側の面、シリコンウエハの裏面）に、上部開口１２ａを通して赤外線を照射して基板１１を加熱する。基板１１を加熱することで、硫酸過水によるレジスト膜の酸化分解を促進する。

【0026】

ハウジング１２内には、ガイド筒４１が設けられている。この例におけるガイド筒４１は、その上部が上方に向って径が漸減するテーパ形状をした筒状である。ガイド筒４１は、例えばハウジング１２に固定されており、その軸心が回転テーブル１４の回転中心と一致するように調整されている。また、ガイド筒４１の下端は、ハウジング１２の底面１２ｂに達している。ガイド筒４１の上部の開口４１ａ内に、降下位置の回転テーブル１４が配される。降下位置では、回転テーブル１４は、その表面がガイド筒４１の上端と同じ高さに、あるいはそれよりも僅かに高くされる。開口４１ａの内径は、回転テーブル１４の外径よりも僅かに大きい程度であり、回転テーブル１４とガイド筒４１との間の隙間を小さくしてある。このガイド筒４１は、ハウジング１２との間に排気のルートを形成する。また、このガイド筒４１を設けることによって、回転テーブル１４の回転によるパーティクルの巻き上げを防止して、パーティクルの基板１１への付着を抑制し、また処理液やその気化物が外側駆動軸２１等の機構部に流れることを防止する。

【0027】

排出部１９は、上述の取込口としての上部開口１２ａ、ハウジング１２の底面１２ｂに形成された排出ポート４４、吸引機４５等で構成される。吸引機４５としては、例えばポンプが用いられており、排出ポート４４に接続されている。この排出部１９は、吸引機４５を駆動して排出ポート４４から吸引を行うことにより、基板１１と回転テーブル１４との間及び上部開口１２ａよりも、排出ポート４４の圧力を小さくする圧力差を生じさせる。これにより、上部開口１２ａからハウジング１２とガイド筒４１との間を通って排出ポート４４に向う気流を形成し、基板１１と回転テーブル１４との間から流出する各種のガス、処理液やその飛沫、さらには処理によって発生するパーティクル等の異物を効率的に排出ポート４４に導いてハウジング１２の外部に排出するとともに、それらが上部開口１２ａからハウジング１２の外部に漏れ出ることを防止する。排出ポート４４には、気液分離機構が設けられており、気体と液体とを分離して排出する。なお、排出ポート４４から排出される気体中のミストや処理液が気化したガスはデミスター等により捕集される。

【0028】

ハウジング１２の外側で上部開口１２ａの近傍に送水パイプ４７が設けられている。この送水パイプ４７は、その先端から噴出する純水をハウジング１２内の回転テーブル１４に保持された基板１１の背面Ｓ２に供給して、背面Ｓ２を洗浄する。

【0029】

傾斜面ユニット１７は、ノズルヘッド３５のノズル３５ａから噴出される硫酸過水を処理面Ｓ１に向けて供給するように偏向すなわち処理液の進行方向を変化させるとともに、その硫酸過水で処理面Ｓ１を走査する走査機構として機能する。硫酸過水の偏向は、衝突ブロック３２の傾斜面３２ａに硫酸過水を衝突させて上方すなわち処理面Ｓ１に向けて飛散させることによって行う。

【0030】

処理面Ｓ１の走査は、硫酸過水が飛散する領域（以下、飛散領域と称する）を基板１１の径方向に移動する径方向走査と飛散領域を基板１１の周方向に移動する周方向走査とに分けることができる。径方向走査は、回転板３１の回転によって、傾斜面３２ａとの硫酸過水の衝突位置を基板１１の径方向に移動することで行なう。また、周方向走査は、基板１１を回転することによって、傾斜面３２ａとの硫酸過水の衝突位置を基板１１の周方向に移動することで行なう。

【0031】

径方向走査は、回転板３１すなわち傾斜面ユニット１７とノズル３５ａの硫酸過水の噴出方向との相対的な回転でよく、例えば傾斜面ユニット１７を固定してノズル３５ａの硫酸過水の噴出方向を回転軸Ｚまわりに回転させてもよい。また、周方向走査は、傾斜面３２ａと硫酸過水との衝突位置に対して処理面Ｓ１（基板１１）が回転すればよいので、ノズル３５ａの硫酸過水の噴出方向と基板１１とが相対的に回転すればよい。

【0032】

図２に示されるように、上述のようにノズル部１６のノズルヘッド３５には、硫酸過水を噴出するノズル３５ａが設けられている。ノズル３５ａは、基板１１の回転中心である回転軸Ｚに対してオフセット配置されている。具体的には、ノズル３５ａの先端が、ノズル３５ａからの硫酸過水の噴出する向きとは逆向きに回転軸Ｚから離れるようにずらして配されている。これにより、回転板３１の中央部近傍に配置した衝突ブロック３２の傾斜面３２ａにノズル３５ａからの硫酸過水を衝突させて飛散させることにより、処理面Ｓ１の中央部にも硫酸過水が供給されるようにしている。なお、例えば、処理面Ｓ１の中央部に最も近い傾斜面３２ａについて、他の傾斜面３２ａよりも後述する傾斜角θを大きくして、ノズル３５ａ側上方に飛散する硫酸過水の量を多くすることで処理面Ｓ１の中央部への硫酸過水の供給量を調整してもよい。

【0033】

ノズル３５ａは、傾斜面３２ａに入射する高さで、硫酸過水を水平に噴出するように調整されている。ノズル３５ａからの硫酸過水が傾斜面３２ａに衝突すると、その硫酸過水が飛散して処理面Ｓ１に供給される。傾斜面３２ａの水平面（回転板３１の上面）となす傾斜角θを増減することによって、基板１１の径方向及び周方向における硫酸過水の飛散範囲を調整できる。傾斜角θを大きくするほど、径方向及び周方向における硫酸過水の飛散範囲が大きくなる。傾斜角θは、衝突ブロック３２ごとに設定してもよく、また１つの傾斜面３２ａにおいて傾斜角θを変えてもよい。

【0034】

図３に１つの衝突ブロック３２を示す。衝突ブロック３２は回転板３１の上面に設けられ、回転板３１と一体に回転方向（矢印Ａ方向）に回転する。衝突ブロック３２は、その回転における径方向すなわち回転板３１の径方向と交差する方向に延びて形成されている。この衝突ブロック３２の内周側に当該衝突ブロック３２と同方向に延びた傾斜面３２ａが形成されている。

【0035】

傾斜面３２ａは、上述のように、水平面に対して所定の角度で傾斜した面であって、処理面Ｓ１及び回転板３１の中央を向く上向き斜面として形成されている。すなわち、傾斜面３２ａの法線ベクトルが処理面Ｓ１に向う成分及び衝突ブロック３２の回転中心すなわち回転板３１の回転中心に向う成分を有することを意味する。これにより、回転板３１の中央に配されたノズル３５ａから噴出される硫酸過水が傾斜面３２ａに衝突すると、その硫酸過水が処理面Ｓ１に向けて飛散する。なお、衝突ブロック３２の回転における径方向、回転中心は、基板保持部２５に保持される基板１１、回転テーブル１４、回転板３１の径方向、回転中心と同義である。

【0036】

この例では、直線状に延びた衝突ブロック３２に、回転板３１の径方向と所定の角度で交差する直線状に延びた平面（直線に沿って延びた平面）として傾斜面３２ａを形成してある。傾斜面３２ａは、その回転方向の先端側の端部Ｐｆから後端側の端部Ｐｅに向かうにしたがい傾斜面３２ａの面位置が外周側に漸次ずらした斜行配置となっている。傾斜面３２ａの先端側は、当該傾斜面３２ａにおいて最初に処理液が衝突する側であり、後端側は、当該傾斜面３２ａにおいて最後に処理液が衝突する側である。なお、図３では、回転板３１上で端部Ｐｆが通る軌跡を符号Ｂで示してある。

【0037】

上述のように傾斜面３２ａを斜行配置しているため、傾斜面３２ａの回転移動によって硫酸過水が傾斜面３２ａに衝突する位置が外周に向かって漸次ずれる。すなわち、処理面Ｓ１への硫酸過水の供給位置が径方向外側に移動する。また、後述するように、複数の衝突ブロック３２は、回転板３１上の径方向にずらして配置されており、それらの傾斜面３２ａに順次にノズル３５ａからの硫酸過水が衝突することによって、基板１１の中心から外縁まで硫酸過水が供給される。さらに、傾斜面３２ａの斜行配置により、傾斜面３２ａへの衝突による硫酸過水の微粒化の妨げとなる傾斜面３２ａ上の硫酸過水の滞留を効果的に防止している。

【0038】

図４に回転板３１上の傾斜面３２ａの配置の一例を模式的に示す。この例では、配置領域数が「４」であって、回転板３１の上面が、中心角９０°の扇形状の第１配置領域Ｄ１～第４配置領域Ｄ４に４分割されている。すなわち、基板１１の周方向に４分割されている。これらの配置順は、第１配置領域Ｄ１から反時計回りに第２配置領域Ｄ２、第３配置領域Ｄ３、第４配置領域Ｄ４である。第１配置領域Ｄ１～第４配置領域Ｄ４には、それぞれ対応する配置パターンで複数の傾斜面３２ａ（衝突ブロック３２）が配置される。

【0039】

また、この例では、配置パターン数が「２」であって、互いに配置パターンが異なる第１配置パターンと第２配置パターンとがある。第１配置領域Ｄ１及び第３配置領域Ｄ３には、第１配置パターンで傾斜面３２ａが配置され、第２配置領域Ｄ２及び第４配置領域Ｄ４には、第２配置パターンで傾斜面３２ａが配置されている。

【0040】

基板１１の処理面Ｓ１に対面する回転板３１の上面の円形領域Ｃを径方向に第１トラック～第８トラックに分割してあり、トラック数が「８」になっている。第１トラックは、貫通孔３１ａを囲むように区画された回転板３１の中央部の領域であり、この第１トラックから外側に向って順番に第２トラック、第３トラック、・・・第８トラックとなっている。第１トラック～第８トラックは、それぞれドーナツ状（円環状）の領域である。

【0041】

第１配置パターンと第２配置パターンとは、傾斜面３２ａが中心から外周に向って交互にトラックに割り当てられるように、傾斜面３２ａの配置パターンが決められている。具体的には、第１配置パターンは、第１トラック、第３トラック、第５トラック、第７トラックに傾斜面３２ａがそれぞれ配置され、第２配置パターンは、第２トラック、第４トラック、第６トラック、第８トラックに傾斜面３２ａが配置される。

【0042】

また、第１配置パターン及び第２配置パターンは、いずれも回転板３１の径方向において傾斜面３２ａが互いに重ならないように、回転板３１の回転方向に複数の傾斜面３２ａをずらして配置してある。具体的には、第１配置パターンでは、第１トラック、第３トラック、第５トラック、第７トラックの順番で、回転板３１の回転と逆向き（図４において反時計方向）にずらして傾斜面３２ａがそれぞれ配置されている。また、第２配置パターンでは、第２トラック、第４トラック、第６トラック、第８トラックの順番で、回転板３１の回転と逆向きにずらして傾斜面３２ａがそれぞれ配置されている。これにより、ノズル３５ａからの硫酸過水が内周側の傾斜面３２ａで遮られることなく、外周側の傾斜面３２ａに到達するようにしている。

【0043】

各々の傾斜面３２ａは、それが配置されるトラックの内周側のトラックの境界上に先端側の端部Ｐｆが、また外周側のトラックの境界上に後端側の端部Ｐｅがそれぞれ配されるように斜行配置される。また、傾斜面３２ａは、径方向に直交する成分の長さ（Ｌａ）に対する径方向成分の長さ（Ｌｂ）の比（＝Ｌｂ／Ｌａ、成分比と称する）を調整することにより、処理面Ｓ１の径方向の単位長さ当たりの硫酸過水の供給量が調整されている。換言すれば、各傾斜面３２ａが、そのような成分比となるように、第１トラック～第８トラックの幅（径方向の長さ：外径と内径の差）が決められており、傾斜面３２ａの端部Ｐｆ、Ｐｅの位置がトラックの境界になる。

【0044】

１つの観点からは、外周に配される傾斜面３２ａほど、成分比が小さくなるように斜行配置する。このような成分比の関係となるように各傾斜面３２ａを配することによって、周速度が大きくなる処理面Ｓ１の外周に対応し、また周速度が大きくなる外周の傾斜面３２ａほど、径方向走査の速度を小さくし、処理面Ｓ１の径方向の単位長さ当たりの硫酸過水の供給量を多くしている。これにより、基板１１の径方向についての処理面Ｓ１に対する硫酸過水が均一に供給されるようにしている。

【0045】

上記のように回転板３１上には、全体としてまた配置領域ごとに、複数の傾斜面３２ａが離散的に配置されており、傾斜面３２ａ上の硫酸過水の滞留を効果的に防止する。この例では、複数の傾斜面３２ａが離散的な配置と、各傾斜面３２ａの傾斜配置とを併用することで硫酸過水の滞留の防止効果が大きくなっている。なお、この例の各配置パターンは、内周側のものから外周側のものに向かって順番に硫酸過水が衝突するように傾斜面３２ａが配置されているが、硫酸過水が衝突する傾斜面３２ａの順番は、どのようなものであってもよい。例えば、外周側のものから内周側のものに向かって順番に硫酸過水が衝突するように傾斜面３２ａを配置してもよい。また、例えば第１トラック、第７トラック、第３トラック、第５トラックの順番でそのトラックに配置された傾斜面３２ａに硫酸過水が衝突するように配置してもよい。

【0046】

図４の例では、回転板３１の中心から各傾斜面３２ａを臨む角度が同じになるようにして、外周に配される傾斜面３２ａほど成分比を小さくしている。また、周方向に隣接する各傾斜面３２ａの間には隙間がないように配置している。

【0047】

なお、この例のように、傾斜面３２ａが直線状に延びている場合の成分比は、例えば傾斜面３２ａの延びた方向における中心（端部Ｐｆと端部Ｐｅとの中間点）を通る径についての径方向成分の長さの径方向に直交する方向成分の長さに対する比とする。

【0048】

回転板３１の回転速度は、硫酸過水を処理面Ｓ１に供給して処理をしている処理期間中に、ノズル３５ａからの硫酸過水の噴出方向と基板１１の回転位置と回転板３１上の傾斜面３２ａの配置パターンとの位置関係が同じにならないようにすることが好ましく、この例でもそのようにしている。これにより、より均一に処理面Ｓ１に硫酸過水を供給する。ここで、基板１１の回転位置は、１回転するごとにノズル３５ａからの硫酸過水の噴出方向と同じ位置関係になる。一方、傾斜面３２ａの配置パターンは、回転板３１が１／２回転するごとにノズル３５ａからの硫酸過水の噴出方向に対して同じ位置関係になる。なお、この例における処理期間中の基板１１の回転速度は、１８０ｒｐｍ（１８０回毎分）程度であり、回転板３１の回転速度は５３ｒｐｍ（５３回毎分）程度である。

【0049】

次に上記構成の作用について説明する。なお、以下に説明する処理の手順は一例であり、処理の手順を限定するものではない。吸引機４５は、常時駆動されており、ハウジング１２内が吸引された状態になっている。基板１１に処理を行なう際には、加熱部１８が退避位置に移動されている状態で、まず回転テーブル１４が上昇位置とされ、ハウジング１２の上部開口１２ａから基板保持部２５の支持ピンの先端が上方に突出される。この状態で、ローディング機構１５が処理面Ｓ１を下向きにした姿勢の基板１１の周縁部を各支持ピン上に載せる。

【0050】

ローディング機構１５による基板１１の保持が解除された後、各チャックピン２５ａによって基板１１が挟持される。これにより、基板１１がその処理面Ｓ１を下向きにした状態で、回転テーブル１４上に固定される。基板１１の固定後には、回転テーブル１４が降下位置に移動される。なお、上記回転テーブル１４の上昇位置への上昇、降下位置への降下の際には、回転板３１が回転テーブル１４とともに、駆動機構部２３によって上昇し、また降下する。

【0051】

続いて、駆動機構部２３によって、回転テーブル１４が回転され、この回転テーブル１４と一体に基板１１が回転する。また、駆動機構部２３によって、回転板３１が回転テーブル１４と逆向きに回転される。さらに、回転テーブル１４の回転開始後、加熱部１８が加熱位置に移動される。そして、加熱部１８のハロゲンランプヒータが点灯して、基板１１が背面Ｓ２側から所定の温度（例えば２４０℃）にまで加熱される。

【0052】

処理期間になると、供給ユニット２６から供給管３７ａを介してノズルヘッド３５に硫酸過水の供給が開始され、ノズル３５ａから硫酸過水が水平に噴出する。噴出した硫酸過水は、回転板３１と一体に回転する衝突ブロック３２の傾斜面３２ａに衝突（入射）する。傾斜面３２ａに衝突した硫酸過水は、その傾斜面３２ａとの衝突点を起点に、径方向及び周方向に広がりながら上方の処理面Ｓ１に向かって飛散する。そして、その硫酸過水が飛散している飛散領域を通過している処理面Ｓ１の部分に飛散した硫酸過水が供給される。このようにして処理面Ｓ１に供給された硫酸過水は、基板１１の回転によって作用する遠心力で処理面Ｓ１の外周に向って処理面Ｓ１上を流れ、基板１１の外縁部から処理面Ｓ１の外側に排出される。

【0053】

傾斜面３２ａに硫酸過水が衝突する衝突点は、回転板３１の回転にともなって当該傾斜面３２ａの端部Ｐｅに向かって移動し、衝突点が端部Ｐｅに達すると、硫酸過水は、それまで衝突していた傾斜面３２ａとは径方向にずらして配されている別の傾斜面３２ａに衝突する。そして、その別の傾斜面３２ａの端部Ｐｆから端部Ｐｅに向かって衝突点が移動する。上述のように傾斜面３２ａが傾斜配置されているので、１つの傾斜面３２ａ内における衝突点は、傾斜面３２ａ内すなわち端部Ｐｆから端部Ｐｅにまで移動する間に径方向外側に向かって移動する。この結果、硫酸過水が飛散する飛散領域も径方向に移動する。

【0054】

また、回転板３１の回転によって、硫酸過水が衝突する傾斜面３２ａが順次に切り換わる。この傾斜面３２ａの切り替わりによって、硫酸過水の衝突点の径方向の移動範囲が径方向にずれる。これにより、傾斜面３２ａの径方向のずれ分だけ、硫酸過水の飛散領域の移動範囲も径方向にずれる。そして、次々と傾斜面３２ａが切り換わることによって、飛散領域の移動範囲も次々に径方向にずれる。

【0055】

この例では、上述のように第１配置領域Ｄ１～第４配置領域Ｄ４に第１配置パターンと第２配置パターンとを回転方向（基板１１の周方向）に交互に並ぶように割り当てて、回転板３１上の傾斜面３２ａを配置している。このため、硫酸過水の衝突点が傾斜面３２ａ内を移動し、また硫酸過水が衝突する傾斜面３２ａが順次に切り換わることによって、回転板３１が半回転することで、処理面Ｓ１の半径分の領域を網羅するように１回の径方向走査がなされる。すなわち、１回の径方向走査では、硫酸過水の飛散領域が処理面Ｓ１の半径分だけ移動する。そして、回転板３１が半回転するごとに径方向走査がなされる。

【0056】

一方、基板１１の回転によって、飛散領域に対して処理面Ｓ１がその周方向に移動して、周方向走査がなされる。そして、回転板３１の繰り返しの回転すなわち径方向走査の繰り返しと、基板１１の繰り返しの回転による周方向走査の繰り返しによって、処理面Ｓ１の全面が飛散領域を通過し、硫酸過水が処理面Ｓ１の全面に直接に供給される。

【0057】

処理面Ｓ１のレジスト膜は、硫酸過水に曝されると、その部分が硫酸過水で酸化分解されて徐々に除去される。そして、処理面Ｓ１が下向きとなっていることから、処理面Ｓ１で生じたパーティクル等の異物が処理面Ｓ１に残留し難い。処理面Ｓ１から離れたパーティクル等は、硫酸過水とともに回転板３１上に落下し、あるいは硫酸過水とともに基板１１の外側に運ばれ、排出ポート４４を介して排出される。このときに、加熱部１８からの赤外線によって基板１１が加熱されているため、硫酸過水によるレジスト膜の酸化分解が促進される。硫酸過水の供給開始から所定処理時間が経過すると、供給ユニット２６からの硫酸過水の供給が停止され処理期間が終了する。また、加熱部１８のハロゲンランプヒータが消灯され、加熱部１８が退避位置に移動される。なお、所定処理時間は、レジスト膜を完全に除去できる時間として予め設定されている。

【0058】

処理時間内では、上記のように、ノズル３５ａからの硫酸過水の噴出方向と、基板１１の回転位置と、回転板３１上の傾斜面３２ａの配置パターンとの位置関係が同じにならないように回転板３１の回転速度を決めてあるから、処理面Ｓ１は、その全面に硫酸過水が均一に供給され、レジスト膜の酸化分解がより均一に進んだ状態になっている。

【0059】

また、上記のように、硫酸過水の飛散の起点である硫酸過水と傾斜面３２ａとの衝突点を処理面Ｓ１の径方向に半径分移動させて、飛散する硫酸過水を処理面Ｓ１に供給している。このため、飛散領域の中心部とそれよりも外側の外周部において飛散量の違いが生じていても、その飛散領域が径方向に半径分移動するため、処理面Ｓ１の径方向に硫酸過水の供給ムラが生じることがない。すなわち、従来のように、回転テーブルの中央部に設けた１または複数のスプレーノズルから処理面に向けて硫酸過水を供給する構成では、スプレーノズルによる硫酸過水の噴霧領域の中心部と外周部との噴霧量の差が生じ、その差が処理面Ｓ１の径方向について固定されるので、径方向の供給ムラとなる。しかしながら、この基板処理装置１０ではそのような供給ムラが生じない。したがって、処理面Ｓ１は、より高い均一性をもって処理される。

【0060】

さらに、硫酸過水と傾斜面３２ａとの衝突点を処理面Ｓ１の径方向に半径分移動させて、傾斜面３２ａから直接に硫酸過水が処理面Ｓ１に供給される。このため、処理面Ｓ１の径方向における温度ムラが抑制され、より高い均一性をもって処理される。すなわち、加熱された基板１１の処理面に硫酸過水を供給する場合、硫酸過水が直接に供給される領域（以下、直接供給領域という）は、直接に供給される硫酸過水に熱が移動するが、その直接供給領域から基板１１の回転による遠心力で展開される硫酸過水が供給される領域（以下、間接供給領域という）は硫酸過水に熱の移動がほとんどない。このため、直接供給領域と間接供給領域とに温度差が生じ、処理のより高い均一性を確保するうえでの支障になっていた。しかしながら、基板処理装置１０では、上記のように処理面Ｓ１の径方向の領域に傾斜面３２ａから直接に硫酸過水を供給しているので、温度差が生じない。

【0061】

加熱部１８の退避位置への移動後、供給ユニット２６から供給管３７ｂを介してノズルヘッド３６に純水が供給される。これにより、ノズルヘッド３６から基板１１の処理面Ｓ１に向けて純水が噴出され、純水が基板１１の回転により、処理面Ｓ１上で周方向に広がりながら、基板１１の周縁に向って流れる。また、送水パイプ４７から基板１１の背面Ｓ２に純水が供給される。これにより、純水が基板１１の回転により、背面Ｓ２上で周方向に広がりながら、基板１１の周縁に向って流れる。このようにして、処理面Ｓ１及び背面Ｓ２の全面にそれぞれ純水が供給されて洗浄される。所定の時間の経過後に、ノズルヘッド３６及び送水パイプ４７への純水の供給が停止される。

【0062】

上記の純水による処理の際には、ノズル部１６に設けた回転板用ノズル（図示せず）から回転板３１の上面に純水を供給する。これにより、基板１１と同様に、回転板３１及び各衝突ブロック３２についても、付着したパーティクル等の異物の除去と純水による洗浄が行われる。回転する基板１１、回転板３１から飛び散った硫酸過水及び純水がハウジング１２の内壁に衝突する。これによって、ハウジング１２の内壁に付着したパーティクル等の異物の除去と純水による洗浄が行われる。このようにして、基板処理装置１０は、基板１１の処理と同時に、ハウジング１２の内部がセルフクリーニングされる。なお、チャックピン２５ａ及び支持ピンについては、所定の処理枚数ごとに、それらに専用に設けたノズルより純水を供給することで洗浄が行われる。

【0063】

純水による洗浄後、回転テーブル１４及び回転板３１の回転速度が増大される。これにより、基板１１の両面に付着している純水が遠心力で飛ばされ、基板１１が水切りされる。また、回転テーブル１４、基板保持部２５、回転板３１、各衝突ブロック３２も同様に水切りされる。

【0064】

上記のようにレジスト膜の除去、純水による洗浄、水切りを行っているときに、基板１１や回転板３１から流れ出た硫酸過水及び純水、さらにはハウジング１２の内壁に付着して流れ落ちる硫酸過水及び純水は、排出ポート４４から吸引されて排出される。また、硫酸過水及び純水の細かな飛沫や蒸気が発生しても、その飛沫や蒸気は上部開口１２ａからの気流によって排出ポート４４に導かれる。このため、硫酸過水及び純水の飛沫や蒸気が上部開口１２ａから漏れ出ることはない。

【0065】

水切りが完了すると、回転テーブル１４、回転板３１の回転を停止する。回転テーブル１４が降下位置から上昇位置に移動し、チャックピン２５ａによる挟持による基板１１の保持が解除される。そして、ローディング機構１５によって、基板１１が別の基板処理装置に搬送され、ＳＣ－１処理液、純水による洗浄を順次に行なった後に乾燥される。この後に、基板１１は、ローディング機構１５によって収納カセットに戻される。

【0066】

以上のようにして、１枚の基板１１に対する処理が終了し、この後に同様な手順で新たな基板１１に対する処理を行う。上記のように回転板３１やハウジング１２の内部のセルフクリーニングが完了しているから、新たな基板１１の処理を直ちに行うことができる。

【0067】

図５は、傾斜面３２ａの別の配置パターンの例を示している。この例は、配置領域数が「３」、配置パターン数が「３」、トラック数が「１２」である。回転板３１の上面の円形領域Ｃは、中心角が１２０°の扇形状の第１配置領域Ｄ１Ａ～第３配置領域Ｄ３Ａに３分割されており、第１配置領域Ｄ１Ａから反時計回りに第２配置領域Ｄ２Ａ、第３配置領域Ｄ３Ａになっている。第１配置領域Ｄ１Ａには第１配置パターンで、第２配置領域Ｄ２Ａには第２配置パターンで、第３配置領域Ｄ３Ａには第３配置パターンで、それぞれ複数の傾斜面３２ａが配置されている。第１配置パターン、第２配置パターン、第３配置パターンは、互いに傾斜面３２ａの配置が異なっている。

【0068】

径方向には円形領域Ｃは、第１トラック～第１２トラックに分割している。第１トラックは、回転板３１の中央部の領域であり、この第１トラックから外側に向って順番に第２トラック、第３トラック、・・・第１２トラックとなっている。第１トラック～第１２トラックは、それぞれドーナツ状の領域である。

【0069】

第１配置パターンは、第１トラック、第４トラック、第７トラック、第１０トラックに傾斜面３２ａが配される。また、第２配置パターンは、第２トラック、第５トラック、第８トラック、第１１トラックに傾斜面３２ａがそれぞれ配され、第３配置パターンは、第３トラック、第６トラック、第９トラック、第１２トラックに傾斜面３２ａがそれぞれ配される。

【0070】

また、第１～第３配置パターンは、図４の例の第１、第２配置パターンと同様に、いずれも回転板３１の径方向において傾斜面３２ａが互いに重ならないように、回転板３１の回転方向に複数の傾斜面３２ａをずらして配置してある。これにより、ノズル３５ａからの処理液が内周側の傾斜面３２ａで遮られることなく、外周側の傾斜面３２ａに到達するようにしている。各傾斜面３２ａは、外周に配されるものほど成分比を小さくしている。

【0071】

傾斜面３２ａの配置は、図４、図５に示されるものに限定されず、配置領域数、配置パターン数、トラック数は、２以上の値に適宜に決めることができる。例えば配置領域数が「４」、配置パターン数が「４」、トラック数が「１６」としたり、配置領域数が「６」、配置パターン数が「２」、トラック数が「８」としたりすることができる。また、上記の各配置パターンでは、硫酸過水が衝突する傾斜面３２ａが配置パターン内において内周側のものから外周側のものに向かって順番に切り替わるように傾斜面３２ａを配置しているが、その順番は任意であり、例えば外周側のものから内周側のものに向かって順番に切り替わるよう配置してもよい。

【0072】

図６は、処理面Ｓ１への供給量を調整する溝５１が設けられた衝突ブロック３２の例を示している。この例では、衝突ブロック３２に複数の溝５１が設けられ、各溝５１は、衝突ブロック３２を傾斜面３２ａから背面（外周側の面）３２ｂまで貫通している。傾斜面３２ａに入射するノズル３５ａからの硫酸過水の一部が溝５１を通して逃げる。これにより、処理面Ｓ１に向けて飛散する硫酸過水が減少する。衝突ブロック３２に設ける溝５１の幅、ピッチ、深さ等を変えることによって、飛散する硫酸過水の量を調整できる。なお、溝５１に代えて傾斜面３２ａから背面３２ｂまで貫通する１または複数の貫通孔を衝突ブロック３２に設けてもよい。

【0073】

上記の例の傾斜面は、直線状に延びた平面であるが、図７に示す例のように、傾斜面３２ａを回転板３１の回転方向（周方向）に沿って円弧状に延びる曲面としてもよい。この場合には、飛散する硫酸過水の径方向の広がりにより、傾斜面３２ａの直上を含む領域に硫酸過水を供給する。

【0074】

図８は、処理面Ｓ１を上向きにして、回転テーブル１４の基板保持部２５で基板１１を保持する例を示している。この例の基板処理装置１０では、基板保持部２５で保持される基板１１の上方に傾斜面ユニット１７が配される。傾斜面ユニット１７は、回転板３１の下面に衝突ブロック３２が設けられる。回転板３１の下面側中央にノズル部１６が露呈される。ノズル部１６に設けたノズル３５ａから噴出される硫酸過水は、衝突ブロック３２の傾斜面３２ａに衝突し、衝突で飛散する硫酸過水は、その勢いと重力とによって処理面Ｓ１に向かって供給される。傾斜面ユニット１７は、ローディング機構１５と基板保持部２５との間で基板１１を授受する際には、ハウジング１２の上部開口１２ａから離れた非処理位置に移動し、基板１１に対して処理を行なう場合には、図８に示されるように、ハウジング１２内で処理面Ｓ１に近づいた処理位置に移動する。なお、図８では、断面を示すハッチングを省略している。

【0075】

上記では処理液として硫酸過水を用いてレジスト膜を除去する例について説明しているが、本発明は、これに限らず、種々の処理液を基板の処理面に供給して各種処理をする場合に利用することができる。例えば、処理液としてリン酸水溶液等のリン酸を含むリン酸溶液を基板の処理面に供給し、処理面上の窒化ケイ素膜（ＳｉＮ）をエッチングする場合にも利用できる。

【0076】

上記の例では、ハウジング内に１個のガイド筒を設けているが、上部の開口の高さが異なる複数のガイド筒を、回転テーブルの回転中心と各軸心を一致させて設けるとともに、回転テーブルを、各ガイド筒の上部に形成した各開口内で回転可能なように昇降させる構成としてもよい。この構成によれば、一番外側のガイド筒とハウジングとの間、及びガイド筒とガイド筒との間に気流の複数の経路が形成される。これにより、供給するガスや処理液の種類によって、回転テーブルの高さ変えて処理することで、回転テーブルと基板との間から流れ出るガスや処理液を流す経路を変えて、それらを別々にハウジング外に排出することが可能となる。なお、このような構成については、特開２０１２－２０９５５９号公報、特開２００７－１８０２６８号公報に記載されている。

【0077】

処理液を処理面に向けて供給する構成、例えば硫酸過水を処理面に噴霧するスプレーを併用してもよい。例えば、ノズル部に処理液を噴霧するスプレーを設け、処理面の中央部に対しては、このスプレーからの噴霧によって処理液を供給してもよい。

【符号の説明】

【0078】

１０ 基板処理装置
１１ 基板
１４ 回転テーブル
１７ 傾斜面ユニット
２５ 基板保持部
３１ 回転板
３２ 衝突ブロック
３２ａ 傾斜面
３５ａ ノズル
Ｓ１ 処理面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】