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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024162694
(43)【公開日】2024-11-21
(54)【発明の名称】パストライザにおける水膜形成装置
(51)【国際特許分類】
A61L 2/04 20060101AFI20241114BHJP
【ＦＩ】
A61L2/04
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023078498
(22)【出願日】2023-05-11
(71)【出願人】
【識別番号】595012121
【氏名又は名称】株式会社加藤製缶鉄工所
(74)【代理人】
【識別番号】100086438
【弁理士】
【氏名又は名称】東山 喬彦
(74)【代理人】
【識別番号】100217168
【弁理士】
【氏名又は名称】東山 裕樹
(72)【発明者】
【氏名】加藤 勉
【テーマコード（参考）】
4C058
【Ｆターム（参考）】
4C058AA25
4C058BB03
4C058CC04
4C058EE23
4C058EE26
(57)【要約】
【課題】 処理対象物に散水された処理水を利用することなく、処理温度が異なる処理ゾーンの境界部に水膜（水壁）を形成するようにした、パストライザにおける水膜形成装置の開発を技術課題とした。
【解決手段】 本発明の水膜形成装置１０は、パストライザ１の幅方向にわたって設けられるものであって、異なる温度の処理水Ｗを散布するノズル装置３の間に設けられ、水膜形成用の処理水Ｗ１を下方に向けて流下させる水膜形成用ノズル１１と、この水膜形成用ノズル１１に処理水Ｗ１を供給する処理水供給部１２とを具え、水膜形成用ノズル１１から処理水Ｗ１を流下させることにより、パストライザ１の幅方向にわたって水膜ＷＭを形成することを特徴とする。
【選択図】 図１
【解決手段】 本発明の水膜形成装置１０は、パストライザ１の幅方向にわたって設けられるものであって、異なる温度の処理水Ｗを散布するノズル装置３の間に設けられ、水膜形成用の処理水Ｗ１を下方に向けて流下させる水膜形成用ノズル１１と、この水膜形成用ノズル１１に処理水Ｗ１を供給する処理水供給部１２とを具え、水膜形成用ノズル１１から処理水Ｗ１を流下させることにより、パストライザ１の幅方向にわたって水膜ＷＭを形成することを特徴とする。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理対象物を搬送しながら搬送方向に配設した複数の処理ゾーン毎に所定の処理温度の処理水を、処理対象物の上方に配置したノズル装置から散水し、処理対象物に所定の温度変化を与えるパストライザにおいて、
前記処理温度が異なる処理ゾーンの境界部には、パストライザの幅方向にわたって水膜を形成する水膜形成装置を具えるものであり、
この水膜形成装置は、
異なる温度の処理水を散布するノズル装置の間に設けられ、水膜形成用の処理水を下方に向けて流下させる水膜形成用ノズルと、
この水膜形成用ノズルに処理水を供給する処理水供給部とを具え、
当該水膜形成用ノズルから処理水を流下させることにより、パストライザの幅方向にわたって水膜を形成する構成であることを特徴とする、パストライザにおける水膜形成装置。
前記処理温度が異なる処理ゾーンの境界部には、パストライザの幅方向にわたって水膜を形成する水膜形成装置を具えるものであり、
この水膜形成装置は、
異なる温度の処理水を散布するノズル装置の間に設けられ、水膜形成用の処理水を下方に向けて流下させる水膜形成用ノズルと、
この水膜形成用ノズルに処理水を供給する処理水供給部とを具え、
当該水膜形成用ノズルから処理水を流下させることにより、パストライザの幅方向にわたって水膜を形成する構成であることを特徴とする、パストライザにおける水膜形成装置。
【請求項2】
前記水膜形成装置は、目的の処理ゾーンにおいて処理対象物の搬送方向上流側端部と搬送方向下流側端部との双方に設けられ、目的の処理ゾーンの前後に水膜を形成する構成であることを特徴とする請求項１記載の、パストライザにおける水膜形成装置。
【請求項3】
前記処理水供給部は、水膜形成用の処理水を貯留するチャンバーを有することを特徴とする請求項１または２記載の、パストライザにおける水膜形成装置。
【請求項4】
前記処理水供給部は、チャンバーの底面が、水膜形成用ノズルに向かって下窄まり状に形成されることを特徴とする請求項３記載の、パストライザにおける水膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば飲料などを充填・密封した容器を処理対象物とし、このものに加熱殺菌処理を行うパストライザに関するものであって、特に殺菌ゾーンにおける正確な温度設定や維持・管理が行えるようにした、パストライザにおける新規な水膜形成装置に係るものである。
【背景技術】
【0002】
一般にパストライザは、例えば飲料が充填・密封されたボトル等を処理対象物とし、これを搬送しながら、その上方から処理ゾーン毎に適宜の温度の処理水を処理対象物に吹き付けて、処理対象物を一定の時間・一定の高温雰囲気に保ち、加熱殺菌処理を行っている。具体的には、まず昇温ゾーンで処理水によって処理対象物を昇温させ、その後、殺菌ゾーンで処理水によって昇温した所定温度を一定時間維持するようにし、更にその後、冷却ゾーンで低温の処理水を吹き付け、処理対象物を適宜の温度まで冷却している。
【0003】
ところで、このようなパストライザにおいて、処理温度が異なる処理ゾーンの境界部では、次のような現象により処理環境の厳密な維持ができない、という問題があった。
すなわち、このような処理ゾーンの境界部では、その境界部を挟んで一方には（例えば搬送方向上流側）、高温の処理水が吹き付けられ、他方では（例えば搬送方向下流側）、低温の処理水が吹き付けられているところが存在する。このような状況下では、高温側ゾーンから低温側ゾーンに高温の湯気が逃げるように流出し、一方、低温側ゾーンから高温側ゾーンには低温空気が流入してしまい、高温側ゾーンの所定温度環境を維持し難くなっている。もとより、殺菌ゾーン等の高温側ゾーンは、本来、目的の殺菌を行うべく、所定の時間、高温状態を維持しなければならないが、このような問題から、所定の時間の殺菌が行えないこともあり得、そのために所定の時間、殺菌ゾーンを通過したにも係わらず、殺菌不足・殺菌不充分になることもあった（いわゆる殺菌不良）。
すなわち、このような処理ゾーンの境界部では、その境界部を挟んで一方には（例えば搬送方向上流側）、高温の処理水が吹き付けられ、他方では（例えば搬送方向下流側）、低温の処理水が吹き付けられているところが存在する。このような状況下では、高温側ゾーンから低温側ゾーンに高温の湯気が逃げるように流出し、一方、低温側ゾーンから高温側ゾーンには低温空気が流入してしまい、高温側ゾーンの所定温度環境を維持し難くなっている。もとより、殺菌ゾーン等の高温側ゾーンは、本来、目的の殺菌を行うべく、所定の時間、高温状態を維持しなければならないが、このような問題から、所定の時間の殺菌が行えないこともあり得、そのために所定の時間、殺菌ゾーンを通過したにも係わらず、殺菌不足・殺菌不充分になることもあった（いわゆる殺菌不良）。
【0004】
因みに、上述したような殺菌ゾーンからの湯気の流出、及び殺菌ゾーンへの低温空気の流入は、高温側ゾーンと低温側ゾーンとが境界部で連通状態となっているためと考えられる。すなわち、高温側ゾーンの空気（湯気）が、隣接する低温ゾーンの空気に触れると、その間で高温空気（湯気）が凝縮・液化状態となり、一気に空気流ができてしまうためと考えられる。
そして、このような対策として本出願人は、処理対象物に吹き付ける処理水の一部を利用して、温度が異なる処理ゾーンの境界部に水膜を形成することを試み、特許出願に至っている（例えば特許文献１参照）。
そして、このような対策として本出願人は、処理対象物に吹き付ける処理水の一部を利用して、温度が異なる処理ゾーンの境界部に水膜を形成することを試み、特許出願に至っている（例えば特許文献１参照）。
【0005】
もちろん、温度が異なる処理ゾーンを仕切るように、これらのゾーンの境界部に仕切板を設けることは従来より案出されていた（例えば特許文献２参照）。
しかしながら、このような仕切板では、一定の効果はあるものの、隣り合ったゾーンが連通してしまい、厳密な処理ゾーン毎の温度管理はできていないのが実情であった。
しかしながら、このような仕切板では、一定の効果はあるものの、隣り合ったゾーンが連通してしまい、厳密な処理ゾーン毎の温度管理はできていないのが実情であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０２１－１０１９６６号公報
【特許文献2】特開２００２－０６６４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、このような開発の一環としてなされたものであって、処理対象物に吹き付けられる処理水を利用することなく、処理温度が異なる処理ゾーンの境界部に水膜（水壁）を形成するようにした、新規なパストライザにおける水膜形成装置を開発することを技術課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
すなわち請求項１記載の、パストライザにおける水膜形成装置は、
処理対象物を搬送しながら搬送方向に配設した複数の処理ゾーン毎に所定の処理温度の処理水を、処理対象物の上方に配置したノズル装置から散水し、処理対象物に所定の温度変化を与えるパストライザにおいて、
前記処理温度が異なる処理ゾーンの境界部には、パストライザの幅方向にわたって水膜を形成する水膜形成装置を具えるものであり、
この水膜形成装置は、
異なる温度の処理水を散布するノズル装置の間に設けられ、水膜形成用の処理水を下方に向けて流下させる水膜形成用ノズルと、
この水膜形成用ノズルに処理水を供給する処理水供給部とを具え、
当該水膜形成用ノズルから処理水を流下させることにより、パストライザの幅方向にわたって水膜を形成する構成であることを特徴として成るものである。
処理対象物を搬送しながら搬送方向に配設した複数の処理ゾーン毎に所定の処理温度の処理水を、処理対象物の上方に配置したノズル装置から散水し、処理対象物に所定の温度変化を与えるパストライザにおいて、
前記処理温度が異なる処理ゾーンの境界部には、パストライザの幅方向にわたって水膜を形成する水膜形成装置を具えるものであり、
この水膜形成装置は、
異なる温度の処理水を散布するノズル装置の間に設けられ、水膜形成用の処理水を下方に向けて流下させる水膜形成用ノズルと、
この水膜形成用ノズルに処理水を供給する処理水供給部とを具え、
当該水膜形成用ノズルから処理水を流下させることにより、パストライザの幅方向にわたって水膜を形成する構成であることを特徴として成るものである。
【0009】
また請求項２記載の、パストライザにおける水膜形成装置は、前記請求項１記載の要件に加え、
前記水膜形成装置は、目的の処理ゾーンにおいて処理対象物の搬送方向上流側端部と搬送方向下流側端部との双方に設けられ、目的の処理ゾーンの前後に水膜を形成する構成であることを特徴として成るものである。
前記水膜形成装置は、目的の処理ゾーンにおいて処理対象物の搬送方向上流側端部と搬送方向下流側端部との双方に設けられ、目的の処理ゾーンの前後に水膜を形成する構成であることを特徴として成るものである。
【0010】
また請求項３記載の、パストライザにおける水膜形成装置は、前記請求項１または２記載の要件に加え、
前記処理水供給部は、水膜形成用の処理水を貯留するチャンバーを有することを特徴として成るものである。
前記処理水供給部は、水膜形成用の処理水を貯留するチャンバーを有することを特徴として成るものである。
【0011】
また請求項４記載の、パストライザにおける水膜形成装置は、前記請求項３記載の要件に加え、
前記処理水供給部は、チャンバーの底面が、水膜形成用ノズルに向かって下窄まり状に形成されることを特徴として成るものである。
前記処理水供給部は、チャンバーの底面が、水膜形成用ノズルに向かって下窄まり状に形成されることを特徴として成るものである。
【発明の効果】
【0012】
これら各請求項記載の発明の構成を手段として前記課題の解決が図られる。
まず請求項１記載の発明によれば、処理対象物に吹き付けられる処理水を利用することなく、処理温度が異なる処理ゾーンの境界部に水膜（水壁）を形成するため処理ゾーン内の熱的遮断性を向上させることができる。すなわち、本発明によれば例えば特に高温ゾーンである殺菌ゾーンと、低温ゾーンである冷却ゾーンとの境界部に水膜を形成することができ、この場合、殺菌ゾーンが冷却ゾーンに連通してしまうことを確実に防止することができる。従って、殺菌ゾーンにおける規定時間の温度保持（維持管理）を厳格に行うことができることはもちろん、高温側の殺菌ゾーン内の湯気が、隣接する冷却ゾーンに流出することも防止できる。
なお、境界部に水膜が形成されないために殺菌ゾーンから冷却ゾーンに湯気が流出した場合には、殺菌ゾーンにおいて定められた高温殺菌時間が厳守できないことに加え、冷却ゾーンに流入した湯気が、冷却ゾーンで冷却され体積が減少する。このため冷却ゾーンが負圧化（真空化）し、ますます高温側の殺菌ゾーン内の湯気が、隣接する冷却ゾーンに流出することになる。また、このような状況下では、殺菌ゾーンで散水された処理水を貯留する処理水タンクの水も減り易くなり、処理水の管理も難しくなるものであった。
まず請求項１記載の発明によれば、処理対象物に吹き付けられる処理水を利用することなく、処理温度が異なる処理ゾーンの境界部に水膜（水壁）を形成するため処理ゾーン内の熱的遮断性を向上させることができる。すなわち、本発明によれば例えば特に高温ゾーンである殺菌ゾーンと、低温ゾーンである冷却ゾーンとの境界部に水膜を形成することができ、この場合、殺菌ゾーンが冷却ゾーンに連通してしまうことを確実に防止することができる。従って、殺菌ゾーンにおける規定時間の温度保持（維持管理）を厳格に行うことができることはもちろん、高温側の殺菌ゾーン内の湯気が、隣接する冷却ゾーンに流出することも防止できる。
なお、境界部に水膜が形成されないために殺菌ゾーンから冷却ゾーンに湯気が流出した場合には、殺菌ゾーンにおいて定められた高温殺菌時間が厳守できないことに加え、冷却ゾーンに流入した湯気が、冷却ゾーンで冷却され体積が減少する。このため冷却ゾーンが負圧化（真空化）し、ますます高温側の殺菌ゾーン内の湯気が、隣接する冷却ゾーンに流出することになる。また、このような状況下では、殺菌ゾーンで散水された処理水を貯留する処理水タンクの水も減り易くなり、処理水の管理も難しくなるものであった。
【0013】
また請求項２記載の発明によれば、例えば高温ゾーンである殺菌ゾーン等の処理ゾーンの前後両方に水膜を形成するから、殺菌ゾーンが水膜でシールドされるようになり（いわゆる水密構造）、殺菌ゾーン内の熱的遮断性をより向上させることができる。
【0014】
また請求項３記載の発明によれば、処理水供給部が、処理水を貯留するチャンバー状に形成されるから、貯留した処理水を滝のように一気に流下させることにより、確実に厚い層の水膜を形成することができる。
【0015】
また請求項４記載の発明によれば、処理水供給部としてのチャンバーの底面が、水膜形成用ノズルに向けて下り傾斜を有するように形成されるから、チャンバー内において特に底面付近に位置する処理水は、下窄まりの傾斜に沿うように案内されて勢い良く流下するようになり、より一層強固な水膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の水膜形成装置を適用したパストライザを骨格的に示す説明図である 。
【図2】水膜形成装置を拡大して示す説明図である。
【図3】処理水供給部としてのチャンバーにおいて、底面の態様を異ならせた二種の 構成例を示す説明図である。
【図4】主に処理水供給部の他の構成例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
本発明を実施するための形態は、以下の実施例に述べるものをその一つとするとともに、更にその技術思想内において改良し得る種々の手法をも含むものである。
【0018】
以下、本発明の、パストライザにおける水膜形成装置１０（以下、単に「水膜形成装置１０」とする）について説明するが、これに先立ち、本発明の水膜形成装置１０が適用されるパストライザ１について説明する。
【0019】
パストライザ１は、上述したように例えば飲料を充填・密封したペットボトル等を処理対象物Ｔとし、このものに加熱処理ないしは冷却処理を施して、飲料の殺菌等の安定化処理を行う設備装置である。このパストライザ１は、幅１．０～２．３ｍ、長さ数ｍ～十数ｍ程度の工場設備であり、一例として図１に示すように、大別してペットボトル等の処理対象物Ｔを搬送する搬送系の装置と、処理媒体となる処理水Ｗの供給系装置とを具え、処理水Ｗの供給系装置は、搬送系の装置を上下から挟むように設けられている。
すなわち、パストライザ１は、処理水Ｗの供給系装置を構成するノズル装置３を、搬送系の装置を構成する搬送装置２の上方に配置するとともに、処理対象物Ｔに向けて噴出させた処理水Ｗを貯留・回収する処理水タンク４を、搬送装置２の下方に具えて成るものである。ここでノズル装置３に供給される処理水Ｗは、処理水タンク４に貯留された処理水Ｗが循環利用される。
以下、搬送装置２、ノズル装置３、処理水タンク４について説明する。
すなわち、パストライザ１は、処理水Ｗの供給系装置を構成するノズル装置３を、搬送系の装置を構成する搬送装置２の上方に配置するとともに、処理対象物Ｔに向けて噴出させた処理水Ｗを貯留・回収する処理水タンク４を、搬送装置２の下方に具えて成るものである。ここでノズル装置３に供給される処理水Ｗは、処理水タンク４に貯留された処理水Ｗが循環利用される。
以下、搬送装置２、ノズル装置３、処理水タンク４について説明する。
【0020】
搬送装置２は、容器等の処理対象物Ｔを安定的に微速（例えば１分間に２５０ｍｍ～１０００ｍｍ）で搬送すべく、搬送面が平滑で、且つ処理水Ｗの流下を許容できるように、例えば樹脂製のコンベヤ要素を組み合わせて構成され、全体として無端軌道を描くベルト状に形成される。
この搬送装置２は、装置架台に対して支持されるとともに、搬送方向上流側にターンスプロケット２１を具え、下流側に駆動スプロケット２２を具えて成る。
この搬送装置２は、装置架台に対して支持されるとともに、搬送方向上流側にターンスプロケット２１を具え、下流側に駆動スプロケット２２を具えて成る。
【0021】
処理対象物Ｔは、搬送装置２による搬送を受けながら、その搬送位置に応じて受ける実質的な処理、つまりパストライザ１によって処理対象物Ｔが受ける処理温度が異なるものであり、以下、これについて説明する。
パストライザ１は、一例として上記図１に示すように、処理対象物Ｔの搬送方向に見て、直列状に三つの処理ゾーンに区画されて成り、これを搬送方向上流側から昇温ゾーンＺ１、殺菌ゾーンＺ２、冷却ゾーンＺ３とする。
以下、各処理ゾーンについて説明する。
パストライザ１は、一例として上記図１に示すように、処理対象物Ｔの搬送方向に見て、直列状に三つの処理ゾーンに区画されて成り、これを搬送方向上流側から昇温ゾーンＺ１、殺菌ゾーンＺ２、冷却ゾーンＺ３とする。
以下、各処理ゾーンについて説明する。
【0022】
昇温ゾーンＺ１は、処理対象物Ｔの温度（製品温度）を、例えば常温状態から目的の殺菌温度まで徐々に上昇させて行く処理ゾーンであり、ここでは更に三つの区間に分けられており、これを搬送方向上流側から第一予備加熱区間Ｚ１１、第二予備加熱区間Ｚ１２、加熱区間Ｚ１３とする。なお、区間ごとに、ノズル装置３と処理水タンク４とが設けられており、これらを区別して示す場合には、第一予備加熱区間Ｚ１１のノズル装置３と処理水タンク４を各々「３Ａ」、「４Ａ」とする。また、第二予備加熱区間Ｚ１２のノズル装置３と処理水タンク４を各々「３Ｂ」、「４Ｂ」とする。また、加熱区間Ｚ１３のノズル装置３と処理水タンク４を各々「３Ｃ」、「４Ｃ」とする。
【0023】
殺菌ゾーンＺ２は、昇温ゾーンＺ１において目的の殺菌温度まで上昇させた処理対象物Ｔを、適宜の時間、当該温度に維持して、実質的な殺菌を行う処理ゾーンであり、ここでは二つの区間に分けられており、これを搬送方向上流側から第一殺菌区間Ｚ２１、第二殺菌区間Ｚ２２とする。ここでも区間ごとに、ノズル装置３と処理水タンク４が設けられており、これらを区別して示す場合には、第一殺菌区間Ｚ２１のノズル装置３と処理水タンク４を各々「３Ｄ」、「４Ｄ」とする。また、第二殺菌区間Ｚ２２のノズル装置３と処理水タンク４を各々「３Ｅ」、「４Ｅ」とする。
なお、図中符号「（・・・）Ｚ２ｎ」で示した区間は、殺菌ゾーンＺ２のｎ番目の区間である「第ｎ殺菌区間」を示しており、これは殺菌ゾーンＺ２を三つ以上の複数区間で構成し得ることを示している。
なお、図中符号「（・・・）Ｚ２ｎ」で示した区間は、殺菌ゾーンＺ２のｎ番目の区間である「第ｎ殺菌区間」を示しており、これは殺菌ゾーンＺ２を三つ以上の複数区間で構成し得ることを示している。
【0024】
冷却ゾーンＺ３は、実質的な殺菌を終えた処理対象物Ｔを、常温程度まで徐々に冷まして行く処理ゾーンであり、ここでは三つの区間に分けられており、これを搬送方向上流側から、第一徐冷区間Ｚ３１、第二徐冷区間Ｚ３２、冷却区間Ｚ３３とする。ここでも区間ごとに、ノズル装置３と処理水タンク４が設けられており、これらを区別して示す場合には、第一徐冷区間Ｚ３１のノズル装置３と処理水タンク４を各々「３Ｆ」、「４Ｆ」とする。また、第二徐冷区間Ｚ３２のノズル装置３と処理水タンク４を各々「３Ｇ」、「４Ｇ」とする。また、冷却区間Ｚ３３のノズル装置３と処理水タンク４を各々「３Ｈ」、「４Ｈ」とする。
【0025】
各区間における処理水Ｗの作用温度は、一例として図中に示した通りであり、各ノズル装置３Ａ～３Ｈの上方に示した数値が、各ノズル装置３Ａ～３Ｈからスプレーされる処理水Ｗの温度の一例である。
なお、昇温ゾーンＺ１及び殺菌ゾーンＺ２においては、各ノズル装置３Ａ～３Ｅから放出された処理水Ｗは、各処理水タンク４Ａ～４Ｅに貯留・回収される時点では、処理対象物Ｔを加熱した分、数度低下し、各処理水タンク４Ａ～４Ｅの上方に示した数値のようになるが、この数値はあくまでも一例である。
また、冷却ゾーンＺ３においては、各ノズル装置３Ｆ～３Ｈから放出された処理水Ｗは、各処理水タンク４Ｆ～４Ｈに貯留・回収される時点では、処理対象物Ｔから熱を奪った分、数度上昇し、各処理水タンク４Ｆ～４Ｈの上方に示した数値のようになるが、この数値もあくまでも一例である。
なお、昇温ゾーンＺ１及び殺菌ゾーンＺ２においては、各ノズル装置３Ａ～３Ｅから放出された処理水Ｗは、各処理水タンク４Ａ～４Ｅに貯留・回収される時点では、処理対象物Ｔを加熱した分、数度低下し、各処理水タンク４Ａ～４Ｅの上方に示した数値のようになるが、この数値はあくまでも一例である。
また、冷却ゾーンＺ３においては、各ノズル装置３Ｆ～３Ｈから放出された処理水Ｗは、各処理水タンク４Ｆ～４Ｈに貯留・回収される時点では、処理対象物Ｔから熱を奪った分、数度上昇し、各処理水タンク４Ｆ～４Ｈの上方に示した数値のようになるが、この数値もあくまでも一例である。
【0026】
また、処理対象物Ｔは、このような区間を通過することに伴い、温度が刻々と変化するものであり、以下、この製品温度の変化の一例について説明しておく。
処理対象物Ｔは、例えば図１に併せ示すように、第一予備加熱区間Ｚ１１の搬送装置２の入口付近で５℃、第一予備加熱区間Ｚ１１の搬送終端部及び第二予備加熱区間Ｚ１２の搬送開始部で２０℃、第二予備加熱区間Ｚ１２の搬送終端部及び加熱区間Ｚ１３の搬送開始部で３５℃となる。
また、加熱区間Ｚ１３の搬送終端部で６５℃となり、殺菌ゾーンＺ２の搬送中、すなわち第一殺菌区間Ｚ２１、第二殺菌区間Ｚ２２の搬送中は、この６５℃の温度で維持される
。なお、加熱区間Ｚ１３では、処理対象物Ｔの温度を６５℃とするために、これよりも高温である７２℃の処理水Ｗを吹き付けるようにしている。
そして、処理対象物Ｔは、冷却ゾーンＺ３の搬送中に製品温度が下げられるものであり、例えば第一徐冷区間Ｚ３１の入口で６５℃、第一徐冷区間Ｚ３１の搬送終端部及び第二徐冷区間Ｚ３２の搬送開始部で５６℃、第二徐冷区間Ｚ３２の搬送終端部及び冷却区間Ｚ３３の搬送開始部で４４℃となり、冷却区間Ｚ３３の搬送終端部つまり搬送装置２の出口付近で３８℃となる。
処理対象物Ｔは、例えば図１に併せ示すように、第一予備加熱区間Ｚ１１の搬送装置２の入口付近で５℃、第一予備加熱区間Ｚ１１の搬送終端部及び第二予備加熱区間Ｚ１２の搬送開始部で２０℃、第二予備加熱区間Ｚ１２の搬送終端部及び加熱区間Ｚ１３の搬送開始部で３５℃となる。
また、加熱区間Ｚ１３の搬送終端部で６５℃となり、殺菌ゾーンＺ２の搬送中、すなわち第一殺菌区間Ｚ２１、第二殺菌区間Ｚ２２の搬送中は、この６５℃の温度で維持される
。なお、加熱区間Ｚ１３では、処理対象物Ｔの温度を６５℃とするために、これよりも高温である７２℃の処理水Ｗを吹き付けるようにしている。
そして、処理対象物Ｔは、冷却ゾーンＺ３の搬送中に製品温度が下げられるものであり、例えば第一徐冷区間Ｚ３１の入口で６５℃、第一徐冷区間Ｚ３１の搬送終端部及び第二徐冷区間Ｚ３２の搬送開始部で５６℃、第二徐冷区間Ｚ３２の搬送終端部及び冷却区間Ｚ３３の搬送開始部で４４℃となり、冷却区間Ｚ３３の搬送終端部つまり搬送装置２の出口付近で３８℃となる。
【0027】
なお、パストライザ１（搬送装置２）の各処理ゾーンを構成する区間の数は、適宜、増減させることが可能である。具体的には、処理対象物Ｔのサイズや性状、あるいは殺菌温度・殺菌時間等によって適宜増減し得るものであり、例えば昇温ゾーンＺ１を一つの予備加熱区間と加熱区間との二区間で構成することが考えられるし、あるいは殺菌ゾーンＺ２を三つの殺菌区間で構成すること等も考えられる。
【0028】
次に、ノズル装置３について説明する。
ノズル装置３は、処理水タンク４からポンプＰで汲み上げた処理水Ｗを、処理対象物Ｔにスプレー状に吹き付けるものであり、一例として上記図１に骨格的に示すように、全体として各区間において、搬送方向に見て数本から十数本程度のノズルパイプ３１を、それぞれ搬送方向を横切るように垂下状態に配置して成る。
なお、このノズルパイプ３１についても、区間ごとに区別する場合には、末尾符号Ａ～Ｈを付して区別する。
ノズル装置３は、処理水タンク４からポンプＰで汲み上げた処理水Ｗを、処理対象物Ｔにスプレー状に吹き付けるものであり、一例として上記図１に骨格的に示すように、全体として各区間において、搬送方向に見て数本から十数本程度のノズルパイプ３１を、それぞれ搬送方向を横切るように垂下状態に配置して成る。
なお、このノズルパイプ３１についても、区間ごとに区別する場合には、末尾符号Ａ～Ｈを付して区別する。
【0029】
次に、処理水タンク４について説明する。
処理水タンク４は、各ノズル装置３Ａ～３Ｈから放出された処理水Ｗを、搬送装置２の下方で受けて、貯留・回収するタンクであり、上述したように各区間にそれぞれ配置される。なお、各処理水タンク４に貯留・回収された処理水Ｗは、ポンプＰで汲み上げられ、その温度に適した処理水Ｗとして各ノズル装置３に供給される（いわゆる循環利用）。
処理水タンク４は、各ノズル装置３Ａ～３Ｈから放出された処理水Ｗを、搬送装置２の下方で受けて、貯留・回収するタンクであり、上述したように各区間にそれぞれ配置される。なお、各処理水タンク４に貯留・回収された処理水Ｗは、ポンプＰで汲み上げられ、その温度に適した処理水Ｗとして各ノズル装置３に供給される（いわゆる循環利用）。
【0030】
また、このような循環利用にあたり、各処理水タンク４Ａ～４Ｈに貯留・回収された処理水Ｗが、目的の温度よりも低いまたは高いことがあり得る。このため各処理水タンク４Ａ～４Ｈには、貯留した処理水Ｗを目的の温度に加熱するための加温装置５と、目的の温度に低下させるための冷却装置６とが設けられる。なお、これら加温装置５と冷却装置６とを処理水タンク４Ａ～４Ｈごとに区別する場合には、末尾符号Ａ～Ｈを付して区別する。
【0031】
このような加温装置５（５Ａ～５Ｈ）としては、例えば図示を省略するボイラーから供給される蒸気Ｓを、各処理水タンク４Ａ～４Ｈ内に吹き込むことによって加温を図る手法が挙げられる。この場合、一例として前記処理水タンク４Ａ～４Ｈ内に、蒸気Ｓの吹出し用の諸装置を配置して、蒸気Ｓの熱により処理水Ｗの加温を図る。
【0032】
一方、各処理水タンク４Ａ～４Ｈに貯留された処理水Ｗを冷却する冷却装置６（６Ａ～６Ｈ）としては、各処理水タンク４Ａ～４Ｈに、図示を省略する冷却水源からの配管を接続する手法が挙げられる。この場合、処理水Ｗの温度を下げるには、例えば当該配管中に設けたポンプ（図示略）を稼働させて、冷却水源から冷却水を処理水タンク４に導入し、適宜の温度に調整する。なお、冷却水としては、例えば水道水（上水）が挙げられる。
【0033】
次に、上述した処理水タンク４からノズル装置３に処理水Ｗを供給する経路について説明する。各処理水タンク４Ａ～４Ｈに貯留された処理水Ｗは、上述したように、その温度に応じてスプレーすべきノズル装置３の区間を選択してスプレーするように構成されており、これは言わば処理水Ｗを循環使用する形態である。
具体的には、本実施例では昇温ゾーンＺ１における第一予備加熱区間Ｚ１１の処理水タンク４Ａに貯留された処理水Ｗが、約３３℃となり、冷却ゾーンＺ３における第二徐冷区間Ｚ３２のノズルパイプ３１Ｇに移送され、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けられる。一方、冷却ゾーンＺ３における第二徐冷区間Ｚ３２の処理水タンク４Ｇに貯留された処理水Ｗが、約３５℃となり、昇温ゾーンＺ１における第一予備加熱区間Ｚ１１のノズルパイプ３１Ａに移送され、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けられる。なお、このような異なる区間同士、つまり昇温ゾーンＺ１の第一予備加熱区間Ｚ１１と、冷却ゾーンＺ３の第二徐冷区間Ｚ３２との間で、処理水Ｗを循環利用する形態を相互循環と称する。
具体的には、本実施例では昇温ゾーンＺ１における第一予備加熱区間Ｚ１１の処理水タンク４Ａに貯留された処理水Ｗが、約３３℃となり、冷却ゾーンＺ３における第二徐冷区間Ｚ３２のノズルパイプ３１Ｇに移送され、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けられる。一方、冷却ゾーンＺ３における第二徐冷区間Ｚ３２の処理水タンク４Ｇに貯留された処理水Ｗが、約３５℃となり、昇温ゾーンＺ１における第一予備加熱区間Ｚ１１のノズルパイプ３１Ａに移送され、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けられる。なお、このような異なる区間同士、つまり昇温ゾーンＺ１の第一予備加熱区間Ｚ１１と、冷却ゾーンＺ３の第二徐冷区間Ｚ３２との間で、処理水Ｗを循環利用する形態を相互循環と称する。
【0034】
また、本実施例では別の相互循環も構成されている。具体的には、昇温ゾーンＺ１の第二予備加熱区間Ｚ１２と、冷却ゾーンＺ３の第一徐冷区間Ｚ３１との相互循環である。より詳細には、昇温ゾーンＺ１における第二予備加熱区間Ｚ１２の処理水タンク４Ｂに貯留された処理水Ｗが、約４８℃となり、冷却ゾーンＺ３における第一徐冷区間Ｚ３１のノズルパイプ３１Ｆに移送され、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けられる。一方、冷却ゾーンＺ３における第一徐冷区間Ｚ３１の処理水タンク４Ｆに貯留された処理水Ｗが、約５０℃となり、昇温ゾーンＺ１における第二予備加熱区間Ｚ１２のノズルパイプ３１Ｂに移送され、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けられる。
なお、相互循環における各区間の組み合わせは変更することもあり得、例えば昇温ゾーンＺ１が、一つの予備加熱区間（第一予備加熱区間Ｚ１１）と、加熱区間Ｚ１３との二区間で構成された場合などが想定される。
なお、相互循環における各区間の組み合わせは変更することもあり得、例えば昇温ゾーンＺ１が、一つの予備加熱区間（第一予備加熱区間Ｚ１１）と、加熱区間Ｚ１３との二区間で構成された場合などが想定される。
【0035】
また、本実施例では、回収した処理水Ｗを同一区間内のノズル装置３に戻すように移送する循環利用も行っており、これを自己循環と称し、上記相互循環と区別している。
自己循環は、昇温ゾーンＺ１の加熱区間Ｚ１３、殺菌ゾーンＺ２の第一殺菌区間Ｚ２１及び第二殺菌区間Ｚ２２、冷却ゾーンＺ３の冷却区間Ｚ３３について実施されている。すなわち、これらの区間では、同じ区間内の処理水タンク４（４Ｃ・４Ｄ・４Ｅ・４Ｈ）に貯留された処理水Ｗを、同区間内のノズルパイプ３１（３１Ｃ・３１Ｄ・３１Ｅ・３１Ｈ）に戻し、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けるようにしている。
なお、相互循環及び自己循環ともに、処理水タンク４から処理水Ｗを汲み上げる作用は、循環回路中に組み込まれたポンプＰが担うものである。
自己循環は、昇温ゾーンＺ１の加熱区間Ｚ１３、殺菌ゾーンＺ２の第一殺菌区間Ｚ２１及び第二殺菌区間Ｚ２２、冷却ゾーンＺ３の冷却区間Ｚ３３について実施されている。すなわち、これらの区間では、同じ区間内の処理水タンク４（４Ｃ・４Ｄ・４Ｅ・４Ｈ）に貯留された処理水Ｗを、同区間内のノズルパイプ３１（３１Ｃ・３１Ｄ・３１Ｅ・３１Ｈ）に戻し、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けるようにしている。
なお、相互循環及び自己循環ともに、処理水タンク４から処理水Ｗを汲み上げる作用は、循環回路中に組み込まれたポンプＰが担うものである。
【0036】
パストライザ１は、以上のような基本構造を有するものであって、以下、このようなパストライザ１を適用して処理対象物Ｔを加熱殺菌する際の基本的な処理態様について説明する。
処理対象物Ｔは、一例として図１に示すように、搬送装置２の搬送面上に正立姿勢で載置されながら、搬送方向上流の入口側から搬送方向下流の出口側に向けて搬送される。その搬送速度は、例えば２５０ｍｍ／ｍｉｎ～１０００ｍｍ／ｍｉｎ程度のほぼ一定の速度であり、この搬送過程で処理対象物Ｔは、各区間で定められた温度の処理水Ｗが上方からスプレーされて（吹き付けられて）、目的の処理が成される。以下、処理ゾーンごとに説明する。
処理対象物Ｔは、一例として図１に示すように、搬送装置２の搬送面上に正立姿勢で載置されながら、搬送方向上流の入口側から搬送方向下流の出口側に向けて搬送される。その搬送速度は、例えば２５０ｍｍ／ｍｉｎ～１０００ｍｍ／ｍｉｎ程度のほぼ一定の速度であり、この搬送過程で処理対象物Ｔは、各区間で定められた温度の処理水Ｗが上方からスプレーされて（吹き付けられて）、目的の処理が成される。以下、処理ゾーンごとに説明する。
【0037】
（１）昇温ゾーン
処理対象物Ｔは、まず昇温ゾーンＺ１で、殺菌に必要な温度まで徐々に加熱される。具体的には、第一予備加熱区間Ｚ１１で所定の時間、３５℃の処理水Ｗによる予備加熱を受ける。次いで第二予備加熱区間Ｚ１２で所定の時間、５０℃の処理水Ｗによる予備加熱を受ける。次いで加熱区間Ｚ１３で所定の時間、７２℃の処理水Ｗによる加熱を受ける。なお、各区間の処理水タンク４Ａ～４Ｃに回収される処理水Ｗの温度は、いずれも上記温度よりも数度低下して回収され、例えば処理水タンク４Ａでは３３～３４℃、処理水タンク４Ｂでは４８～４９℃、処理水タンク４Ｃでは７０～７１℃程度である。因みに、各処理水タンク４Ａ～４Ｃに貯留された処理水Ｗの温度は、次のスプレーに供する温度よりも低い場合には、加温装置５Ａ～５Ｃによって適宜加温するものであり、処理水Ｗの温度が、次のスプレーに供する温度よりも高い場合には、冷却装置６Ａ～６Ｃによって適宜冷却するものであり、各ノズルパイプ３１Ｇ・３１Ｆ・３１Ｃには、常に同じ温度の処理水Ｗが供給される。
また、このような昇温ゾーンＺ１の搬送中に、処理対象物Ｔの製品温度は上昇するものであり、例えば第一予備加熱区間Ｚ１１の入口付近で５℃、第一予備加熱区間Ｚ１１の搬送終端部及び第二予備加熱区間Ｚ１２の搬送開始部で２０℃、第二予備加熱区間Ｚ１２の搬送終端部及び加熱区間Ｚ１３の搬送開始部で３５℃、加熱区間Ｚ１３の搬送終端部で６５℃となる。
処理対象物Ｔは、まず昇温ゾーンＺ１で、殺菌に必要な温度まで徐々に加熱される。具体的には、第一予備加熱区間Ｚ１１で所定の時間、３５℃の処理水Ｗによる予備加熱を受ける。次いで第二予備加熱区間Ｚ１２で所定の時間、５０℃の処理水Ｗによる予備加熱を受ける。次いで加熱区間Ｚ１３で所定の時間、７２℃の処理水Ｗによる加熱を受ける。なお、各区間の処理水タンク４Ａ～４Ｃに回収される処理水Ｗの温度は、いずれも上記温度よりも数度低下して回収され、例えば処理水タンク４Ａでは３３～３４℃、処理水タンク４Ｂでは４８～４９℃、処理水タンク４Ｃでは７０～７１℃程度である。因みに、各処理水タンク４Ａ～４Ｃに貯留された処理水Ｗの温度は、次のスプレーに供する温度よりも低い場合には、加温装置５Ａ～５Ｃによって適宜加温するものであり、処理水Ｗの温度が、次のスプレーに供する温度よりも高い場合には、冷却装置６Ａ～６Ｃによって適宜冷却するものであり、各ノズルパイプ３１Ｇ・３１Ｆ・３１Ｃには、常に同じ温度の処理水Ｗが供給される。
また、このような昇温ゾーンＺ１の搬送中に、処理対象物Ｔの製品温度は上昇するものであり、例えば第一予備加熱区間Ｚ１１の入口付近で５℃、第一予備加熱区間Ｚ１１の搬送終端部及び第二予備加熱区間Ｚ１２の搬送開始部で２０℃、第二予備加熱区間Ｚ１２の搬送終端部及び加熱区間Ｚ１３の搬送開始部で３５℃、加熱区間Ｚ１３の搬送終端部で６５℃となる。
【0038】
（２）殺菌ゾーン
その後、処理対象物Ｔは、殺菌ゾーンＺ２に搬送され、ここで適宜の時間・適宜の高温状態で保持され、所望の殺菌が実質的に施される。具体的には、第一殺菌区間Ｚ２１で所定の時間、６５℃の処理水Ｗによる殺菌を受ける。次いで第二殺菌区間Ｚ２２で所定の時間、６５℃の処理水Ｗによる殺菌を受ける。なお、殺菌ゾーンＺ２における両区間の処理水タンク４Ｄ・４Ｅに回収される処理水Ｗの温度は、いずれも上記温度より数度低下するものであり、例えばいずれの処理水タンク４Ｄ・４Ｅにおいても６３～６４℃程度となる。もちろん、ここでも各処理水タンク４Ｄ・４Ｅに貯留された処理水Ｗの温度が、次のスプレーに供する温度よりも低い場合には、加温装置５Ｄ・５Ｅによって適宜加温するものであり、各ノズルパイプ３１Ｄ・３１Ｅには、常に同じ温度の処理水Ｗが供給される。
また、このような殺菌ゾーンＺ２の搬送中、具体的には第一殺菌区間Ｚ２１の搬送開始部から第二殺菌区間Ｚ２２の搬送終端部に至るまで、処理対象物Ｔは、製品温度が６５℃に維持され、実質的な殺菌が施される。
その後、処理対象物Ｔは、殺菌ゾーンＺ２に搬送され、ここで適宜の時間・適宜の高温状態で保持され、所望の殺菌が実質的に施される。具体的には、第一殺菌区間Ｚ２１で所定の時間、６５℃の処理水Ｗによる殺菌を受ける。次いで第二殺菌区間Ｚ２２で所定の時間、６５℃の処理水Ｗによる殺菌を受ける。なお、殺菌ゾーンＺ２における両区間の処理水タンク４Ｄ・４Ｅに回収される処理水Ｗの温度は、いずれも上記温度より数度低下するものであり、例えばいずれの処理水タンク４Ｄ・４Ｅにおいても６３～６４℃程度となる。もちろん、ここでも各処理水タンク４Ｄ・４Ｅに貯留された処理水Ｗの温度が、次のスプレーに供する温度よりも低い場合には、加温装置５Ｄ・５Ｅによって適宜加温するものであり、各ノズルパイプ３１Ｄ・３１Ｅには、常に同じ温度の処理水Ｗが供給される。
また、このような殺菌ゾーンＺ２の搬送中、具体的には第一殺菌区間Ｚ２１の搬送開始部から第二殺菌区間Ｚ２２の搬送終端部に至るまで、処理対象物Ｔは、製品温度が６５℃に維持され、実質的な殺菌が施される。
【0039】
（３）冷却ゾーン
その後、処理対象物Ｔは、冷却ゾーンＺ３に搬送され、ここで殺菌直後の高温状態が、徐々に冷却されて行く。具体的には第一徐冷区間Ｚ３１で所定の時間、４８℃の処理水Ｗによる徐冷を受ける。次いで第二徐冷区間Ｚ３２で所定の時間、３３℃の処理水Ｗによる徐冷を受ける。次いで冷却区間Ｚ３３で所定の時間、２８℃の処理水Ｗによる冷却を受ける。なお、各区間の処理水タンク４Ｆ～４Ｈに回収される処理水Ｗの温度は、いずれも上記温度よりも数度上昇し、例えば処理水タンク４Ｆでは４９～５０℃、処理水タンク４Ｇでは３４～３５℃、処理水タンク４Ｈでは２９～３０℃程度となる。もちろん、ここでも各処理水タンク４Ｆ～４Ｈに貯留された処理水Ｗの温度が、次のスプレーに供する温度よりも低い場合には、加温装置５Ｆ～５Ｈによって適宜加温するものであり、次のスプレーに供する温度よりも高い場合には、冷却装置６Ｆ～６Ｈによって適宜冷却するものであり、各ノズルパイプ３１Ｂ・３１Ａ・３１Ｈには、常に同じ温度の処理水Ｗが供給される。
また、このような冷却ゾーンＺ３の搬送中に、処理対象物Ｔは、製品温度が徐々に下降して行くものであり、例えば第一徐冷区間Ｚ３１の搬送開始部で６５℃、第一徐冷区間Ｚ３１の搬送終端部及び第二徐冷区間Ｚ３２の搬送開始部で５６℃、第二徐冷区間Ｚ３２の搬送終端部及び冷却区間Ｚ３３の搬送開始部で４４℃となり、冷却区間Ｚ３３の搬送終端部つまり出口付近で３８℃まで冷却される。
その後、処理対象物Ｔは、冷却ゾーンＺ３に搬送され、ここで殺菌直後の高温状態が、徐々に冷却されて行く。具体的には第一徐冷区間Ｚ３１で所定の時間、４８℃の処理水Ｗによる徐冷を受ける。次いで第二徐冷区間Ｚ３２で所定の時間、３３℃の処理水Ｗによる徐冷を受ける。次いで冷却区間Ｚ３３で所定の時間、２８℃の処理水Ｗによる冷却を受ける。なお、各区間の処理水タンク４Ｆ～４Ｈに回収される処理水Ｗの温度は、いずれも上記温度よりも数度上昇し、例えば処理水タンク４Ｆでは４９～５０℃、処理水タンク４Ｇでは３４～３５℃、処理水タンク４Ｈでは２９～３０℃程度となる。もちろん、ここでも各処理水タンク４Ｆ～４Ｈに貯留された処理水Ｗの温度が、次のスプレーに供する温度よりも低い場合には、加温装置５Ｆ～５Ｈによって適宜加温するものであり、次のスプレーに供する温度よりも高い場合には、冷却装置６Ｆ～６Ｈによって適宜冷却するものであり、各ノズルパイプ３１Ｂ・３１Ａ・３１Ｈには、常に同じ温度の処理水Ｗが供給される。
また、このような冷却ゾーンＺ３の搬送中に、処理対象物Ｔは、製品温度が徐々に下降して行くものであり、例えば第一徐冷区間Ｚ３１の搬送開始部で６５℃、第一徐冷区間Ｚ３１の搬送終端部及び第二徐冷区間Ｚ３２の搬送開始部で５６℃、第二徐冷区間Ｚ３２の搬送終端部及び冷却区間Ｚ３３の搬送開始部で４４℃となり、冷却区間Ｚ３３の搬送終端部つまり出口付近で３８℃まで冷却される。
【0040】
本実施例では、上述したように昇温ゾーンＺ１と冷却ゾーンＺ３との間で処理水Ｗを相互循環させている。具体的には、まず一つ目の相互循環として、昇温ゾーンＺ１における第一予備加熱区間Ｚ１１の処理水タンク４Ａに貯留された処理水Ｗを、冷却ゾーンＺ３における第二徐冷区間Ｚ３２のノズルパイプ３１Ｇに移送し、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けている。一方、冷却ゾーンＺ３における第二徐冷区間Ｚ３２の処理水タンク４Ｇに貯留された処理水Ｗを、昇温ゾーンＺ１における第一予備加熱区間Ｚ１１のノズルパイプ３１Ａに移送し、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けている。
また、二つ目の相互循環として、昇温ゾーンＺ１における第二予備加熱区間Ｚ１２の処理水タンク４Ｂに貯留された処理水Ｗを、冷却ゾーンＺ３における第一徐冷区間Ｚ３１のノズルパイプ３１Ｆに移送し、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けている。一方、冷却ゾーンＺ３における第一徐冷区間Ｚ３１の処理水タンク４Ｆに貯留した処理水Ｗを、昇温ゾーンＺ１における第二予備加熱区間Ｚ１２のノズルパイプ３１Ｂに移送し、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けている。
また、二つ目の相互循環として、昇温ゾーンＺ１における第二予備加熱区間Ｚ１２の処理水タンク４Ｂに貯留された処理水Ｗを、冷却ゾーンＺ３における第一徐冷区間Ｚ３１のノズルパイプ３１Ｆに移送し、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けている。一方、冷却ゾーンＺ３における第一徐冷区間Ｚ３１の処理水タンク４Ｆに貯留した処理水Ｗを、昇温ゾーンＺ１における第二予備加熱区間Ｚ１２のノズルパイプ３１Ｂに移送し、ここから処理対象物Ｔに向けて吹き付けている。
【0041】
このような相互循環を行うのは、第一予備加熱区間Ｚ１１の処理水タンク４Ａに貯留された処理水Ｗの温度が、第二徐冷区間Ｚ３２で処理対象物Ｔに吹き付ける処理水Ｗの温度とほぼ同じであり、また第二徐冷区間Ｚ３２の処理水タンク４Ｇに貯留された処理水Ｗの温度が、第一予備加熱区間Ｚ１１で処理対象物Ｔに吹き付ける処理水Ｗの温度とほぼ同じであり、処理水Ｗの温度として、互いに適しているためである。
また、第二予備加熱区間Ｚ１２の処理水タンク４Ｂに貯留された処理水Ｗの温度は、第一徐冷区間Ｚ３１で処理対象物Ｔに吹き付ける処理水Ｗの温度とほぼ同じであり、また第一徐冷区間Ｚ３１の処理水タンク４Ｆに貯留された処理水Ｗの温度は、第二予備加熱区間Ｚ１２で処理対象物Ｔに吹き付ける処理水Ｗの温度とほぼ同じであり、処理水Ｗの温度として、互いに適しているため、上記のような二組の相互循環が構成されている。
そして、このような相互循環を図ることにより、加温装置５によって行われる蒸気Ｓによる加熱や、冷却装置６によって行われる上水等による冷却を行って、処理水Ｗの温度を調整する場合でも、使用するエネルギーを節約することができる。なお、このような処理水Ｗの相互循環利用を交流と称することもある。
また、第二予備加熱区間Ｚ１２の処理水タンク４Ｂに貯留された処理水Ｗの温度は、第一徐冷区間Ｚ３１で処理対象物Ｔに吹き付ける処理水Ｗの温度とほぼ同じであり、また第一徐冷区間Ｚ３１の処理水タンク４Ｆに貯留された処理水Ｗの温度は、第二予備加熱区間Ｚ１２で処理対象物Ｔに吹き付ける処理水Ｗの温度とほぼ同じであり、処理水Ｗの温度として、互いに適しているため、上記のような二組の相互循環が構成されている。
そして、このような相互循環を図ることにより、加温装置５によって行われる蒸気Ｓによる加熱や、冷却装置６によって行われる上水等による冷却を行って、処理水Ｗの温度を調整する場合でも、使用するエネルギーを節約することができる。なお、このような処理水Ｗの相互循環利用を交流と称することもある。
【0042】
そして、本発明では処理ゾーンの境界部、特に殺菌ゾーンＺ２の前後の境界部に、殺菌ゾーンＺ２内の雰囲気温度を維持する水膜形成装置１０を設けるものであり、以下これについて説明する。
水膜形成装置１０は、上述したように、処理対象物Ｔに向けてシャワーリングされた処理水Ｗを利用することなく、処理温度が異なる処理ゾーンの境界部において、パストライザ１の幅方向にわたって水膜ＭＷを形成する装置であり、一例として図１・図２に示すように、水膜形成用の処理水Ｗ１を下方に向けて流下させる水膜形成用ノズル１１と、この水膜形成用ノズル１１に上記処理水Ｗ１供給するための処理水供給部１２とを具えて成る。
ここで「Ｗ１」という符号は、ノズル装置３からシャワーリングされる処理水Ｗと区別するために付した符号であるが、実装置においては同じ水を適用することもでき、本明細書ではシャワーリング用と水膜形成用という用途・作用で区別したものである。
水膜形成装置１０は、上述したように、処理対象物Ｔに向けてシャワーリングされた処理水Ｗを利用することなく、処理温度が異なる処理ゾーンの境界部において、パストライザ１の幅方向にわたって水膜ＭＷを形成する装置であり、一例として図１・図２に示すように、水膜形成用の処理水Ｗ１を下方に向けて流下させる水膜形成用ノズル１１と、この水膜形成用ノズル１１に上記処理水Ｗ１供給するための処理水供給部１２とを具えて成る。
ここで「Ｗ１」という符号は、ノズル装置３からシャワーリングされる処理水Ｗと区別するために付した符号であるが、実装置においては同じ水を適用することもでき、本明細書ではシャワーリング用と水膜形成用という用途・作用で区別したものである。
【0043】
また上記図１・図２に示す処理水供給部１２としては、水膜形成用の処理水Ｗ１を適宜貯留することができるチャンバー１２ａを図示している。つまり、本実施例では、処理水供給部１２としてのチャンバー１２ａに適宜貯留した処理水Ｗ１を、一挙に水膜形成用ノズル１１の吐出口１１ａから流下させるようにして水膜（水壁）ＷＭを形成するものであり、これにより処理水Ｗ１を勢い良く流下させ、厚みを有する水膜ＷＭを形成するものである。
なお、処理水Ｗ１を吐出口１１ａから流下させることによって水膜ＷＭを形成している間、チャンバー１２ａ内に貯留した処理水Ｗ１の貯留量を減らさないようにするには、処理水供給部１２への給水量（処理水Ｗ１の供給量）は、単位時間当たり、水膜形成用ノズル１１から吐出される流下量と同量以上に設定することが好ましい。
なお、処理水Ｗ１を吐出口１１ａから流下させることによって水膜ＷＭを形成している間、チャンバー１２ａ内に貯留した処理水Ｗ１の貯留量を減らさないようにするには、処理水供給部１２への給水量（処理水Ｗ１の供給量）は、単位時間当たり、水膜形成用ノズル１１から吐出される流下量と同量以上に設定することが好ましい。
【0044】
また、上記図１・図２に示す実施例では、処理水供給部１２としてのチャンバー１２ａの底面は、水膜形成用ノズル１１に向かって下窄まり状に形成される。すなわちチャンバー１２ａの底面は、水膜形成用ノズル１１の取付部を挟む前後が、水膜形成用ノズル１１に向けて下り傾斜を有するように形成され、これによりチャンバー１２ａ内、特に底面付近に位置する処理水Ｗ１を、上記傾斜面１２ｋに沿ってより勢い良く水膜形成用ノズル１１に送るようにし、かかる構成により、より強固な水膜ＷＭを形成することができる。
【0045】
なお、水膜形成用の処理水Ｗ１を処理水供給部１２に供給するにあたっては、前記ノズル装置３に処理水Ｗを移送する供給経路から分岐させて処理水供給部１２に供給することが可能である他、前記ノズル装置３に処理水Ｗを移送する供給経路とは全く別系統で処理水供給部１２に供給することも可能である。
因みに水膜形成用の処理水Ｗ１を、ノズル装置３の処理水供給経路から分岐して取り出すようにした場合には、従来のパストライザ１の構成を大幅に改造することなく、水膜形成装置１０を後付けすることも可能である。一方、ノズル装置３に処理水Ｗを移送する供給経路とは全く別系統で、水膜形成用の処理水Ｗ１を処理水供給部１２に供給した場合には、チャンバー１２ａ内の貯留量が制御し易いものである。
因みに水膜形成用の処理水Ｗ１を、ノズル装置３の処理水供給経路から分岐して取り出すようにした場合には、従来のパストライザ１の構成を大幅に改造することなく、水膜形成装置１０を後付けすることも可能である。一方、ノズル装置３に処理水Ｗを移送する供給経路とは全く別系統で、水膜形成用の処理水Ｗ１を処理水供給部１２に供給した場合には、チャンバー１２ａ内の貯留量が制御し易いものである。
【0046】
また水膜形成用ノズル１１（吐出口１１ａ）からの処理水Ｗ１の吐出量、すなわち水膜ＷＭの流下状態は、例えばＯＮ／ＯＦＦ式の開閉バルブや流量調整弁などによって制御することが可能である。具体的には例えば吐出量を少（または吐出ＯＦＦ）とすることで、殺菌ゾーンＺ２を冷却ゾーンＺ３と意図的に連通させることができる。これにより例えばチョコ停などと称される一時停止状態に至った場合、殺菌ゾーンＺ２の終盤まで搬送されていた処理対象物Ｔは、搬送停止後、そのまま加熱されてしまうことがなく、過剰殺菌の発生を未然に防ぐことができる（殺菌処理が所定の時間以上行われないようにすることができる）。一方、バルブ操作により、例えば処理水Ｗ１の吐出量を中から大に調整することなどにより、水膜ＷＭの厚さを増加させる等の調整を行うことができる。
【0047】
そして、このような水膜形成装置１０が、パストライザ１の幅方向にわたって直線状に構成されるため、処理対象物Ｔの搬送方向において適宜の厚みを有する水膜ＷＭが、上記幅方向にわたって間断なく形成され、殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との連通を確実に遮断するものである。もちろん、殺菌ゾーンＺ２の前後の境界部に水膜形成装置１０が、設けられた場合には、殺菌ゾーンＺ２内をシールドする水密構造が確実に得られるものである。
【0048】
また、上記図１に示す実施例では、殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との境界部に水膜形成装置１０を一基設け、且つ殺菌ゾーンＺ２と昇温ゾーンＺ１との境界部に水膜形成装置１０を一基設ける態様を示したが、それぞれの境界部に二基ずつ水膜形成装置１０を設けるようにしても構わない。これは例えば図２に示すように、殺菌ゾーンＺ２の移送終端部に水膜形成装置１０を設置し、且つ冷却ゾーンＺ３の移送開始部に水膜形成装置１０を設置する形態であり、このような構成を採ることで、殺菌ゾーンＺ２は、前後の境界部において各々二重の水膜ＷＭが形成され、殺菌ゾーンＺ２内の水密構造をより一層確実に図ることができる。
【0049】
因みに、例えば殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との間に水膜ＷＭを形成しない場合には、上述したように殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３とが連通状態となってしまい、殺菌ゾーンＺ２内の湯気が冷却ゾーンＺ３に流出する一方、冷却ゾーンＺ３の低温空気が殺菌ゾーンＺ２内に流入してしまい、殺菌ゾーンＺ２の温度低下を招くものであった。そして、このような温度低下は、以下のような不具合をもたらすものである。すなわち、殺菌ゾーンＺ２は、一般に処理対象物Ｔを適宜の時間・適宜の高温状態に維持することによって、目的の殺菌を行う処理空間である。しかしながら、殺菌ゾーンＺ２内の温度が、例えば搬送終端部で低下してしまうと、一例として図１のグラフに破線で示すように、処理対象物Ｔが、まだ殺菌ゾーンＺ２を搬送中であるにも係わらず、品温は目的の殺菌温度よりも低下してしまい、結果的に所定時間の殺菌が行われず、最悪の場合には、殺菌不足・殺菌不充分で、不良品になることもあった。そのため、本実施例では、特に殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３の境界部に、水膜形成装置１０を設け、殺菌ゾーンＺ２内の搬送終端部における温度低下を防止している。
【0050】
なお、上述したように、殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との境界部に仕切板を設けること自体は従来より案出されていた。しかしながら、境界部に仕切板を設けること、あるいは当該仕切板にノズル装置３から散水された処理水Ｗを当てて、そのまま垂直に流下させただけでは、隣接する処理ゾーン同士が連通してしまうため、上記のように殺菌ゾーンＺ２において定められた所定温度保持時間が維持できなくなってしまうものであった（図１のグラフ参照）。
また、高温側の殺菌ゾーンＺ２から低温側の冷却ゾーンＺ３に流出した湯気は、冷却ゾーンＺ３が低温であるため、水滴化し、体積も大きく縮むものである。このため低温側の冷却ゾーンＺ３が負圧となり（真空化し）、高温側の殺菌ゾーンＺ２内の湯気は、真空化した冷却ゾーンＺ３に次々に吸い込まれて行き、結果的に殺菌ゾーンＺ２からの湯気の流出が、ますます促進されるものであった。
加えて、このような状況になると、殺菌ゾーンＺ２側で散布された処理水Ｗを貯留する処理水タンク４内の水も減少（蒸発）し易くなり、処理水Ｗの適正な管理が行い難い事態も生じるものであった。
この点、本願発明では、高温側の殺菌ゾーンＺ２内を厚い水膜でシールドすることができるため、このような事態を防止することができるものである。
また、高温側の殺菌ゾーンＺ２から低温側の冷却ゾーンＺ３に流出した湯気は、冷却ゾーンＺ３が低温であるため、水滴化し、体積も大きく縮むものである。このため低温側の冷却ゾーンＺ３が負圧となり（真空化し）、高温側の殺菌ゾーンＺ２内の湯気は、真空化した冷却ゾーンＺ３に次々に吸い込まれて行き、結果的に殺菌ゾーンＺ２からの湯気の流出が、ますます促進されるものであった。
加えて、このような状況になると、殺菌ゾーンＺ２側で散布された処理水Ｗを貯留する処理水タンク４内の水も減少（蒸発）し易くなり、処理水Ｗの適正な管理が行い難い事態も生じるものであった。
この点、本願発明では、高温側の殺菌ゾーンＺ２内を厚い水膜でシールドすることができるため、このような事態を防止することができるものである。
【0051】
〔他の実施例〕
本発明は以上述べた実施例を一つの基本的な技術思想とするものであるが、更に次のような改変が考えられる。
まず、上述した基本の実施例では、昇温ゾーンＺ１及び冷却ゾーンＺ３を、ともに三つの区間で形成したが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではない。具体的には、例えば昇温ゾーンＺ１及び冷却ゾーンＺ３を四つ以上の区間で形成することも可能であるし、あるいは昇温ゾーンＺ１を二つの区間で形成することも可能である。また、上述した基本の実施例では、相互循環を二組形成したが、特に上記区間数などに応じて、相互循環は一組だけ設けるようにしても構わない。
また先に述べた基本の実施例では、上記図１・図２に示すように、水膜形成装置１０は、殺菌ゾーンＺ２を挟むように、当該殺菌ゾーンＺ２の前後の境界部に設けた。しかしながら、殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との境界部における連通を防止することが重要になる場合には、殺菌ゾーンＺ２の後部、つまり殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との境界部にのみ水膜形成装置１０を設けるようにしても構わない。
本発明は以上述べた実施例を一つの基本的な技術思想とするものであるが、更に次のような改変が考えられる。
まず、上述した基本の実施例では、昇温ゾーンＺ１及び冷却ゾーンＺ３を、ともに三つの区間で形成したが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではない。具体的には、例えば昇温ゾーンＺ１及び冷却ゾーンＺ３を四つ以上の区間で形成することも可能であるし、あるいは昇温ゾーンＺ１を二つの区間で形成することも可能である。また、上述した基本の実施例では、相互循環を二組形成したが、特に上記区間数などに応じて、相互循環は一組だけ設けるようにしても構わない。
また先に述べた基本の実施例では、上記図１・図２に示すように、水膜形成装置１０は、殺菌ゾーンＺ２を挟むように、当該殺菌ゾーンＺ２の前後の境界部に設けた。しかしながら、殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との境界部における連通を防止することが重要になる場合には、殺菌ゾーンＺ２の後部、つまり殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との境界部にのみ水膜形成装置１０を設けるようにしても構わない。
【0052】
また先に述べた基本の実施例では、処理ゾーン同士の境界部、より詳細には殺菌ゾーンＺ２と冷却ゾーンＺ３との境界部、及び昇温ゾーンＺ１と殺菌ゾーンＺ２との境界部に水膜形成装置１０を設ける形態を説明した。
しかしながら、処理工程を細かくみれば、例えば同じ昇温ゾーンＺ１であっても第一予備加熱区間Ｚ１１と第二予備加熱区間Ｚ１２とでは処理温度が異なるし、第二予備加熱区間Ｚ１２と加熱区間Ｚ１３でも処理温度が異なる。また、同じ冷却ゾーンＺ３であっても、第一徐冷区間Ｚ３１と第二徐冷区間Ｚ３２では処理温度が異なるし、第二徐冷区間Ｚ３２と冷却区間Ｚ３３でも処理温度が異なる。そのため、このような処理温度が異なる各区間の境界部にも、上記水膜形成装置１０を設けることができ、このようにすることで、処理温度が異なる各区間の加熱処理・冷却処理が、より厳密な温度管理の下に行い得るものである。
しかしながら、処理工程を細かくみれば、例えば同じ昇温ゾーンＺ１であっても第一予備加熱区間Ｚ１１と第二予備加熱区間Ｚ１２とでは処理温度が異なるし、第二予備加熱区間Ｚ１２と加熱区間Ｚ１３でも処理温度が異なる。また、同じ冷却ゾーンＺ３であっても、第一徐冷区間Ｚ３１と第二徐冷区間Ｚ３２では処理温度が異なるし、第二徐冷区間Ｚ３２と冷却区間Ｚ３３でも処理温度が異なる。そのため、このような処理温度が異なる各区間の境界部にも、上記水膜形成装置１０を設けることができ、このようにすることで、処理温度が異なる各区間の加熱処理・冷却処理が、より厳密な温度管理の下に行い得るものである。
【0053】
また先に述べた基本の実施例では、チャンバー１２ａの底面は、水膜形成用ノズル１１を挟む前後両側が、水膜形成用ノズル１１に向けて下り傾斜を有する傾斜面１２ｋとして形成されていた（図２参照）。
しかしながら、チャンバー１２ａの底面に形成される傾斜面１２ｋは、必ずしも水膜形成用ノズル１１を挟む前後両側に形成される必要はなく、例えば図３（ａ）に示すように、水膜形成用ノズル１１の前方側、すなわち処理対象物Ｔの搬送方向上流側のみに傾斜面１２ｋを形成しても構わない。また、この場合、例えば上記図３（ａ）に併せ示すように、傾斜面１２ｋの対向側、すなわちここでは水膜形成用ノズル１１の後方側（搬送方向下流側）のチャンバー１２ａ壁面を、吐出口１１ａよりも下方に突出させるように垂下状に形成すれば、この壁面が流下状態に吐出される水膜ＷＭの案内面として機能する（ここを水膜ガイド板１２ｇとする）。
しかしながら、チャンバー１２ａの底面に形成される傾斜面１２ｋは、必ずしも水膜形成用ノズル１１を挟む前後両側に形成される必要はなく、例えば図３（ａ）に示すように、水膜形成用ノズル１１の前方側、すなわち処理対象物Ｔの搬送方向上流側のみに傾斜面１２ｋを形成しても構わない。また、この場合、例えば上記図３（ａ）に併せ示すように、傾斜面１２ｋの対向側、すなわちここでは水膜形成用ノズル１１の後方側（搬送方向下流側）のチャンバー１２ａ壁面を、吐出口１１ａよりも下方に突出させるように垂下状に形成すれば、この壁面が流下状態に吐出される水膜ＷＭの案内面として機能する（ここを水膜ガイド板１２ｇとする）。
【0054】
また先に述べた基本の実施例では、チャンバー１２ａの底面が下窄まり状になるよう傾斜面１２ｋを形成したが、例えば図３（ｂ）に示すように、チャンバー１２ａの底面は、ほぼ水平なフラット状に形成することも可能である。
【0055】
更に先に述べた基本の実施例では、水膜形成用ノズル１１に処理水Ｗ１を供給する処理水供給部１２は、適宜の貯留空間を有するチャンバー１２ａとして形成されたが、処理水供給部１２は、例えば図４に示すように、パイプ状など処理水Ｗ１の供給管部材として構成することもできる。この場合、処理水供給部１２は、処理水Ｗ１の貯留というよりは、むしろ処理水Ｗ１の供給管（移送管）として機能するが、このような供給管部材も処理水供給部１２に包含される。
また、上記図４では、水膜形成用ノズル１１（吐出口１１ａ）をパストライザ１の幅方向に多数設けており、このような構成でパストライザ１の幅方向にわたって水膜ＷＭを形成することも可能である。
また、上記図４では、水膜形成用ノズル１１（吐出口１１ａ）をパストライザ１の幅方向に多数設けており、このような構成でパストライザ１の幅方向にわたって水膜ＷＭを形成することも可能である。
【符号の説明】
【0056】
１ パストライザ
２ 搬送装置
３ ノズル装置
４ 処理水タンク
５ 加温装置
６ 冷却装置
１０ 水膜形成装置（パストライザにおける水膜形成装置）
１１ 水膜形成用ノズル
１１ａ 吐出口
１２ 処理水供給部
１２ａ チャンバー
１２ｋ 傾斜面
１２ｇ 水膜ガイド板
２１ ターンスプロケット
２２ 駆動スプロケット
３Ａ ノズル装置（第一予備加熱区間）
３Ｂ ノズル装置（第二予備加熱区間）
３Ｃ ノズル装置（加熱区間）
３Ｄ ノズル装置（第一殺菌区間）
３Ｅ ノズル装置（第二殺菌区間）
３Ｆ ノズル装置（第一徐冷区間）
３Ｇ ノズル装置（第二徐冷区間）
３Ｈ ノズル装置（冷却区間）
４Ａ 処理水タンク（第一予備加熱区間）
４Ｂ 処理水タンク（第二予備加熱区間）
４Ｃ 処理水タンク（加熱区間）
４Ｄ 処理水タンク（第一殺菌区間）
４Ｅ 処理水タンク（第二殺菌区間）
４Ｆ 処理水タンク（第一徐冷区間）
４Ｇ 処理水タンク（第二徐冷区間）
４Ｈ 処理水タンク（冷却区間）
５Ａ 加温装置（第一予備加熱区間）
５Ｂ 加温装置（第二予備加熱区間）
５Ｃ 加温装置（加熱区間）
５Ｄ 加温装置（第一殺菌区間）
５Ｅ 加温装置（第二殺菌区間）
５Ｆ 加温装置（第一徐冷区間）
５Ｇ 加温装置（第二徐冷区間）
５Ｈ 加温装置（冷却区間）
３１ ノズルパイプ
３１Ａ ノズルパイプ（第一予備加熱区間）
３１Ｂ ノズルパイプ（第二予備加熱区間）
３１Ｃ ノズルパイプ（加熱区間）
３１Ｄ ノズルパイプ（第一殺菌区間）
３１Ｅ ノズルパイプ（第二殺菌区間）
３１Ｆ ノズルパイプ（第一徐冷区間）
３１Ｇ ノズルパイプ（第二徐冷区間）
３１Ｈ ノズルパイプ（冷却区間）
６Ａ 冷却装置（第一予備加熱区間）
６Ｂ 冷却装置（第二予備加熱区間）
６Ｃ 冷却装置（加熱区間）
６Ｄ 冷却装置（第一殺菌区間）
６Ｅ 冷却装置（第二殺菌区間）
６Ｆ 冷却装置（第一徐冷区間）
６Ｇ 冷却装置（第二徐冷区間）
６Ｈ 冷却装置（冷却区間）
Ｔ 処理対象物
Ｗ 処理水
Ｗ１ 処理水（水膜形成用）
ＷＭ 水膜（水壁）
Ｐ ポンプ
Ｓ 蒸気
Ｚ１ 昇温ゾーン
Ｚ１１ 第一予備加熱区間
Ｚ１２ 第二予備加熱区間
Ｚ１３ 加熱区間
Ｚ２ 殺菌ゾーン
Ｚ２１ 第一殺菌区間
Ｚ２２ 第二殺菌区間
Ｚ２ｎ 第ｎ殺菌区間
Ｚ３ 冷却ゾーン
Ｚ３１ 第一徐冷区間
Ｚ３２ 第二徐冷区間
Ｚ３３ 冷却区間
２ 搬送装置
３ ノズル装置
４ 処理水タンク
５ 加温装置
６ 冷却装置
１０ 水膜形成装置（パストライザにおける水膜形成装置）
１１ 水膜形成用ノズル
１１ａ 吐出口
１２ 処理水供給部
１２ａ チャンバー
１２ｋ 傾斜面
１２ｇ 水膜ガイド板
２１ ターンスプロケット
２２ 駆動スプロケット
３Ａ ノズル装置（第一予備加熱区間）
３Ｂ ノズル装置（第二予備加熱区間）
３Ｃ ノズル装置（加熱区間）
３Ｄ ノズル装置（第一殺菌区間）
３Ｅ ノズル装置（第二殺菌区間）
３Ｆ ノズル装置（第一徐冷区間）
３Ｇ ノズル装置（第二徐冷区間）
３Ｈ ノズル装置（冷却区間）
４Ａ 処理水タンク（第一予備加熱区間）
４Ｂ 処理水タンク（第二予備加熱区間）
４Ｃ 処理水タンク（加熱区間）
４Ｄ 処理水タンク（第一殺菌区間）
４Ｅ 処理水タンク（第二殺菌区間）
４Ｆ 処理水タンク（第一徐冷区間）
４Ｇ 処理水タンク（第二徐冷区間）
４Ｈ 処理水タンク（冷却区間）
５Ａ 加温装置（第一予備加熱区間）
５Ｂ 加温装置（第二予備加熱区間）
５Ｃ 加温装置（加熱区間）
５Ｄ 加温装置（第一殺菌区間）
５Ｅ 加温装置（第二殺菌区間）
５Ｆ 加温装置（第一徐冷区間）
５Ｇ 加温装置（第二徐冷区間）
５Ｈ 加温装置（冷却区間）
３１ ノズルパイプ
３１Ａ ノズルパイプ（第一予備加熱区間）
３１Ｂ ノズルパイプ（第二予備加熱区間）
３１Ｃ ノズルパイプ（加熱区間）
３１Ｄ ノズルパイプ（第一殺菌区間）
３１Ｅ ノズルパイプ（第二殺菌区間）
３１Ｆ ノズルパイプ（第一徐冷区間）
３１Ｇ ノズルパイプ（第二徐冷区間）
３１Ｈ ノズルパイプ（冷却区間）
６Ａ 冷却装置（第一予備加熱区間）
６Ｂ 冷却装置（第二予備加熱区間）
６Ｃ 冷却装置（加熱区間）
６Ｄ 冷却装置（第一殺菌区間）
６Ｅ 冷却装置（第二殺菌区間）
６Ｆ 冷却装置（第一徐冷区間）
６Ｇ 冷却装置（第二徐冷区間）
６Ｈ 冷却装置（冷却区間）
Ｔ 処理対象物
Ｗ 処理水
Ｗ１ 処理水（水膜形成用）
ＷＭ 水膜（水壁）
Ｐ ポンプ
Ｓ 蒸気
Ｚ１ 昇温ゾーン
Ｚ１１ 第一予備加熱区間
Ｚ１２ 第二予備加熱区間
Ｚ１３ 加熱区間
Ｚ２ 殺菌ゾーン
Ｚ２１ 第一殺菌区間
Ｚ２２ 第二殺菌区間
Ｚ２ｎ 第ｎ殺菌区間
Ｚ３ 冷却ゾーン
Ｚ３１ 第一徐冷区間
Ｚ３２ 第二徐冷区間
Ｚ３３ 冷却区間
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】