(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024163154
(43)【公開日】2024-11-21
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/336 20060101AFI20241114BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20241114BHJP
H01L 21/8234 20060101ALI20241114BHJP
H01L 27/088 20060101ALI20241114BHJP
H10B 99/00 20230101ALI20241114BHJP
H10B 41/70 20230101ALI20241114BHJP
H10B 12/00 20230101ALI20241114BHJP
H10B 80/00 20230101ALI20241114BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 626C
H01L29/78 618B
H01L29/78 617K
H01L27/06 102A
H01L27/088 E
H01L27/088 331E
H10B99/00 441
H10B41/70
H10B12/00 671Z
H10B12/00 801
H10B80/00
【審査請求】有
【請求項の数】2
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024148116
(22)【出願日】2024-08-30
(62)【分割の表示】P 2023024496の分割
【原出願日】2018-07-26
(31)【優先権主張番号】P 2017151446
(32)【優先日】2017-08-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2018027721
(32)【優先日】2018-02-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】山崎 舜平
(72)【発明者】
【氏名】松林 大介
(72)【発明者】
【氏名】浅見 良信
(57)【要約】
【課題】微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物と、酸化物上に、互いに離して配置された第１の導電体、および第２
の導電体と、第１の導電体および第２の導電体上に配置され、第１の導電体と第２の導電
体の間に重畳して開口が形成された第１の絶縁体と、開口の中に配置された第３の導電体
と、酸化物、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁体と、第３の導電体と、の
間に配置された第２の絶縁体と、を有し、第２の絶縁体は、酸化物と第３の導電体の間に
おいて、第１の膜厚を有し、第１の導電体または第２の導電体と第３の導電体の間におい
て、第２の膜厚を有し、第１の膜厚は、第２の膜厚より薄い。
【選択図】図２
【解決手段】酸化物と、酸化物上に、互いに離して配置された第１の導電体、および第２
の導電体と、第１の導電体および第２の導電体上に配置され、第１の導電体と第２の導電
体の間に重畳して開口が形成された第１の絶縁体と、開口の中に配置された第３の導電体
と、酸化物、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁体と、第３の導電体と、の
間に配置された第２の絶縁体と、を有し、第２の絶縁体は、酸化物と第３の導電体の間に
おいて、第１の膜厚を有し、第１の導電体または第２の導電体と第３の導電体の間におい
て、第２の膜厚を有し、第１の膜厚は、第２の膜厚より薄い。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
開口が設けられた第１の絶縁体と、
前記開口内に配置された領域を有し、且つゲート電極としての機能を有する第１の導電体と、
前記開口内に配置された領域を有し、且つ前記第１の導電体の底面と側面に接する第２の絶縁体と、
前記第１の導電体と重なる領域を有する酸化物半導体と、
前記酸化物半導体と接する領域を有する第２の導電体と、を有し、
前記酸化物半導体は、酸化インジウムを有し、
前記酸化物半導体は、前記第２の絶縁体の第１の領域を介して前記第１の導電体の底面と対向する領域を有し、
前記第２の導電体は、前記第２の絶縁体の第２の領域を介して前記第１の導電体の側面と対応する領域を有し、
前記第１の絶縁体は、前記第２の絶縁体の第３の領域を介して前記第１の導電体の側面と対向する領域を有し、
前記第２の領域の膜厚及び前記第３の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも厚い、半導体装置。
前記開口内に配置された領域を有し、且つゲート電極としての機能を有する第１の導電体と、
前記開口内に配置された領域を有し、且つ前記第１の導電体の底面と側面に接する第２の絶縁体と、
前記第１の導電体と重なる領域を有する酸化物半導体と、
前記酸化物半導体と接する領域を有する第２の導電体と、を有し、
前記酸化物半導体は、酸化インジウムを有し、
前記酸化物半導体は、前記第２の絶縁体の第１の領域を介して前記第１の導電体の底面と対向する領域を有し、
前記第２の導電体は、前記第２の絶縁体の第２の領域を介して前記第１の導電体の側面と対応する領域を有し、
前記第１の絶縁体は、前記第２の絶縁体の第３の領域を介して前記第１の導電体の側面と対向する領域を有し、
前記第２の領域の膜厚及び前記第３の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも厚い、半導体装置。
【請求項2】
請求項１において、
第３の導電体を有し、
前記第３の導電体は、前記第１の領域を介して、前記第１の導電体の底面と対向する領域を有する、半導体装置。
第３の導電体を有し、
前記第３の導電体は、前記第１の領域を介して、前記第１の導電体の底面と対向する領域を有する、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、半導体装置、ならびに半導体装置の作製方法に関する。または、本
発明の一態様は、半導体ウエハ、モジュール、および電子機器に関する。
発明の一態様は、半導体ウエハ、モジュール、および電子機器に関する。
【0002】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装
置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装
置は、半導体装置の一態様である。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置など）、投影
装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、および電
子機器などは、半導体装置を有すると言える場合がある。
置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装
置は、半導体装置の一態様である。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置など）、投影
装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、および電
子機器などは、半導体装置を有すると言える場合がある。
【0003】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様
は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マ
ター）に関するものである。
の一態様は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様
は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マ
ター）に関するものである。
【背景技術】
【0004】
近年、半導体装置の開発が進められ、ＬＳＩやＣＰＵやメモリが主に用いられている。
ＣＰＵは、半導体ウエハから切り離された半導体集積回路（少なくともトランジスタおよ
びメモリ）を有し、接続端子である電極が形成された半導体素子の集合体である。
ＣＰＵは、半導体ウエハから切り離された半導体集積回路（少なくともトランジスタおよ
びメモリ）を有し、接続端子である電極が形成された半導体素子の集合体である。
【0005】
ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体回路（ＩＣチップ）は、回路基板、例えば、プリ
ント配線板に実装され、様々な電子機器の部品の一つとして用いられる。
ント配線板に実装され、様々な電子機器の部品の一つとして用いられる。
【0006】
また、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成す
る技術が注目されている。当該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（単に表
示装置とも表記する。）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適
用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料と
して酸化物半導体が注目されている。
る技術が注目されている。当該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（単に表
示装置とも表記する。）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適
用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料と
して酸化物半導体が注目されている。
【0007】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が
小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのリーク電流が
低いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献１参照。
）。
小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのリーク電流が
低いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献１参照。
）。
【0008】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタで、ゲート電極を開口部に埋め込んで作製す
る方法などが開示されている（特許文献２参照。）。
る方法などが開示されている（特許文献２参照。）。
【0009】
また、近年では電子機器の小型化、軽量化に伴い、トランジスタなどを高密度に集積し
た集積回路の要求が高まっている。また、集積回路を含む半導体装置の生産性の向上が求
められている。
た集積回路の要求が高まっている。また、集積回路を含む半導体装置の生産性の向上が求
められている。
【0010】
酸化物半導体としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛などの一元系金属の酸化物
のみでなく、多元系金属の酸化物も知られている。多元系金属の酸化物の中でも、特に、
Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（以下、ＩＧＺＯとも呼ぶ。）に関する研究が盛んに行われてい
る。
のみでなく、多元系金属の酸化物も知られている。多元系金属の酸化物の中でも、特に、
Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（以下、ＩＧＺＯとも呼ぶ。）に関する研究が盛んに行われてい
る。
【0011】
ＩＧＺＯに関する研究により、酸化物半導体において、単結晶でも非晶質でもない、Ｃ
ＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造およびｎｃ（ｎ
ａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造が見出された（非特許文献１乃至非特許文献３参照
。）。非特許文献１および非特許文献２では、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体を用い
てトランジスタを作製する技術も開示されている。さらに、ＣＡＡＣ構造およびｎｃ構造
よりも結晶性の低い酸化物半導体でさえも、微小な結晶を有することが、非特許文献４お
よび非特許文献５に示されている。
ＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造およびｎｃ（ｎ
ａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造が見出された（非特許文献１乃至非特許文献３参照
。）。非特許文献１および非特許文献２では、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体を用い
てトランジスタを作製する技術も開示されている。さらに、ＣＡＡＣ構造およびｎｃ構造
よりも結晶性の低い酸化物半導体でさえも、微小な結晶を有することが、非特許文献４お
よび非特許文献５に示されている。
【0012】
さらに、ＩＧＺＯを活性層として用いたトランジスタは極めて低いオフ電流を持ち（非
特許文献６参照。）、その特性を利用したＬＳＩおよびディスプレイが報告されている（
非特許文献７および非特許文献８参照。）。
特許文献６参照。）、その特性を利用したＬＳＩおよびディスプレイが報告されている（
非特許文献７および非特許文献８参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0013】
【特許文献1】特開２０１２－２５７１８７号公報
【特許文献2】特開２０１７－０５０５３０号公報
【非特許文献】
【0014】
【非特許文献1】Ｓ． Ｙａｍａｚａｋｉ ｅｔ ａｌ．， “ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ”， ２０１２， ｖｏｌｕｍｅ ４３， ｉｓｓｕｅ １， ｐ．１８３－１８６
【非特許文献2】Ｓ． Ｙａｍａｚａｋｉ ｅｔ ａｌ．， “Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ”， ２０１４， ｖｏｌｕｍｅ ５３， Ｎｕｍｂｅｒ ４Ｓ， ｐ．０４ＥＤ１８－１－０４ＥＤ１８－１０
【非特許文献3】Ｓ． Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．， “Ｔｈｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＡＭ－ＦＰＤ’１３ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ”， ２０１３， ｐ．１５１－１５４
【非特許文献4】Ｓ． Ｙａｍａｚａｋｉ ｅｔ ａｌ．， “ＥＣＳ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”， ２０１４， ｖｏｌｕｍｅ ３， ｉｓｓｕｅ ９， ｐ．Ｑ３０１２－Ｑ３０２２
【非特許文献5】Ｓ． Ｙａｍａｚａｋｉ， “ＥＣＳ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ”，２０１４， ｖｏｌｕｍｅ ６４， ｉｓｓｕｅ １０， ｐ．１５５－１６４
【非特許文献6】Ｋ． Ｋａｔｏ ｅｔ ａｌ．， “Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ”， ２０１２， ｖｏｌｕｍｅ ５１， ｐ．０２１２０１－１－０２１２０１－７
【非特許文献7】Ｓ． Ｍａｔｓｕｄａ ｅｔ ａｌ．， “２０１５ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ”， ２０１５， ｐ．Ｔ２１６－Ｔ２１７
【非特許文献8】Ｓ． Ａｍａｎｏ ｅｔ ａｌ．， “ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ”， ２０１０， ｖｏｌｕｍｅ ４１， ｉｓｓｕｅ １， ｐ．６２６－６２９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
本発明の一態様は、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することを課題の
一つとする。本発明の一態様は、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することを課
題の一つとする。本発明の一態様は、良好な周波数特性を有する半導体装置を提供するこ
とを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性が良好な半導体装置を提供することを
課題の一つとする。本発明の一態様は、生産性の高い半導体装置を提供することを課題の
一つとする。
一つとする。本発明の一態様は、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することを課
題の一つとする。本発明の一態様は、良好な周波数特性を有する半導体装置を提供するこ
とを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性が良好な半導体装置を提供することを
課題の一つとする。本発明の一態様は、生産性の高い半導体装置を提供することを課題の
一つとする。
【0016】
本発明の一態様は、長期間においてデータの保持が可能な半導体装置を提供することを
課題の一つとする。本発明の一態様は、情報の書き込み速度が速い半導体装置を提供する
ことを課題の一つとする。本発明の一態様は、設計自由度が高い半導体装置を提供するこ
とを課題の一つとする。本発明の一態様は、消費電力を抑えることができる半導体装置を
提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な半導体装置を提供すること
を課題の一つとする。
課題の一つとする。本発明の一態様は、情報の書き込み速度が速い半導体装置を提供する
ことを課題の一つとする。本発明の一態様は、設計自由度が高い半導体装置を提供するこ
とを課題の一つとする。本発明の一態様は、消費電力を抑えることができる半導体装置を
提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な半導体装置を提供すること
を課題の一つとする。
【0017】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本発明の一態様は、酸化物と、酸化物上に、互いに離して配置された第１の導電体、お
よび第２の導電体と、第１の導電体および第２の導電体上に配置され、第１の導電体と第
２の導電体の間に重畳して開口が形成された第１の絶縁体と、開口の中に配置された第３
の導電体と、酸化物、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁体と、第３の導電
体と、の間に配置された第２の絶縁体と、を有し、第２の絶縁体は、酸化物と第３の導電
体の間において、第１の膜厚を有し、第１の導電体または第２の導電体と第３の導電体の
間において、第２の膜厚を有し、第１の膜厚は、第２の膜厚より薄い、ことを特徴とする
半導体装置である。
よび第２の導電体と、第１の導電体および第２の導電体上に配置され、第１の導電体と第
２の導電体の間に重畳して開口が形成された第１の絶縁体と、開口の中に配置された第３
の導電体と、酸化物、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁体と、第３の導電
体と、の間に配置された第２の絶縁体と、を有し、第２の絶縁体は、酸化物と第３の導電
体の間において、第１の膜厚を有し、第１の導電体または第２の導電体と第３の導電体の
間において、第２の膜厚を有し、第１の膜厚は、第２の膜厚より薄い、ことを特徴とする
半導体装置である。
【0019】
また、上記において、第２の絶縁体は、第３の絶縁体と第４の絶縁体とを有し、第３の
絶縁体は、酸化物、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁体と、第３の導電体
と、の間に配置され、第４の絶縁体は、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁
体と、第３の絶縁体と、の間に配置されてもよい。
絶縁体は、酸化物、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁体と、第３の導電体
と、の間に配置され、第４の絶縁体は、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁
体と、第３の絶縁体と、の間に配置されてもよい。
【0020】
また、上記において、酸化物、第１の導電体、および第２の導電体と、第１の絶縁体と
、の間に第５の絶縁体が配置され、第５の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウムの少
なくとも一方を含む、酸化物であってもよい。
、の間に第５の絶縁体が配置され、第５の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウムの少
なくとも一方を含む、酸化物であってもよい。
【0021】
また、上記において、酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）
と、Ｚｎと、を有する、ことが好ましい。
と、Ｚｎと、を有する、ことが好ましい。
【0022】
また、本発明の他の一態様は、第１の酸化物と、第１の酸化物上に、互いに離して配置
された第１の導電体、および第２の導電体と、第１の導電体および第２の導電体上に配置
され、第１の導電体と第２の導電体の間に重畳して開口が形成された第１の絶縁体と、開
口の中に配置された第３の導電体と、第１の酸化物、第１の導電体、第２の導電体、およ
び第１の絶縁体と、第３の導電体と、の間に配置された第２の絶縁体と、第１の酸化物、
第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、の間に配置され
た第２の酸化物と、を有し、第２の絶縁体は、第１の酸化物と第３の導電体の間において
、第１の膜厚を有し、第１の導電体または第２の導電体と第３の導電体の間において、第
２の膜厚を有し、第１の膜厚は、第２の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置であ
る。
された第１の導電体、および第２の導電体と、第１の導電体および第２の導電体上に配置
され、第１の導電体と第２の導電体の間に重畳して開口が形成された第１の絶縁体と、開
口の中に配置された第３の導電体と、第１の酸化物、第１の導電体、第２の導電体、およ
び第１の絶縁体と、第３の導電体と、の間に配置された第２の絶縁体と、第１の酸化物、
第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、の間に配置され
た第２の酸化物と、を有し、第２の絶縁体は、第１の酸化物と第３の導電体の間において
、第１の膜厚を有し、第１の導電体または第２の導電体と第３の導電体の間において、第
２の膜厚を有し、第１の膜厚は、第２の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置であ
る。
【0023】
また、上記において、第１の酸化物、第１の導電体、および第２の導電体と、第１の絶
縁体と、の間に第３の絶縁体が配置され、第３の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウ
ムの少なくとも一方を含む、酸化物であってもよい。
縁体と、の間に第３の絶縁体が配置され、第３の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウ
ムの少なくとも一方を含む、酸化物であってもよい。
【0024】
また、上記において、第４の絶縁体は、第１の導電体、第２の導電体、および第１の絶
縁体と、第２の酸化物と、の間に配置され、第４の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニ
ウムの少なくとも一方を含む、酸化物であってもよい。
縁体と、第２の酸化物と、の間に配置され、第４の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニ
ウムの少なくとも一方を含む、酸化物であってもよい。
【0025】
また、上記において、第１の酸化物および第２の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ
、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有することが好ましい。
、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有することが好ましい。
【0026】
また、上記において、第１の絶縁体の上面と、第３の導電体の上面と、第２の絶縁体の
上面は概略一致してもよい。また、上記において、第１の絶縁体の上面と、第３の導電体
の上面と、第２の絶縁体の上面に接して、第６の絶縁体が配置され、第６の絶縁体は、ア
ルミニウムを含む酸化物であってもよい。
上面は概略一致してもよい。また、上記において、第１の絶縁体の上面と、第３の導電体
の上面と、第２の絶縁体の上面に接して、第６の絶縁体が配置され、第６の絶縁体は、ア
ルミニウムを含む酸化物であってもよい。
【0027】
また、上記において、第１の導電体、および第２の導電体は、アルミニウム、クロム、
銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウ
ム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジ
ウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、およびランタンの少なくとも一を有す
る、ことが好ましい。
銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウ
ム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジ
ウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、およびランタンの少なくとも一を有す
る、ことが好ましい。
【0028】
また、上記において、第１の導電体、および第２の導電体は、窒化タンタル、窒化チタ
ン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ル
テニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、およびランタン
とニッケルを含む酸化物の少なくとも一を有する、ことが好ましい。
ン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ル
テニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、およびランタン
とニッケルを含む酸化物の少なくとも一を有する、ことが好ましい。
【発明の効果】
【0029】
本発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することがで
きる。本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができ
る。本発明の一態様により、良好な周波数特性を有する半導体装置を提供することができ
る。本発明により、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。本発明の一態様
により、生産性の高い半導体装置を提供することができる。
きる。本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができ
る。本発明の一態様により、良好な周波数特性を有する半導体装置を提供することができ
る。本発明により、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。本発明の一態様
により、生産性の高い半導体装置を提供することができる。
【0030】
または、長期間においてデータの保持が可能な半導体装置を提供することができる。ま
たは、データの書き込み速度が速い半導体装置を提供することができる。または、設計自
由度が高い半導体装置を提供することができる。または、消費電力を抑えることができる
半導体装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる
。
たは、データの書き込み速度が速い半導体装置を提供することができる。または、設計自
由度が高い半導体装置を提供することができる。または、消費電力を抑えることができる
半導体装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる
。
【0031】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図2】本発明の一態様に係る半導体装置の断面図。
【図3】本発明の一態様に係る半導体装置の断面図。
【図4】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図5】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図6】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図7】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図8】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図9】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図10】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図11】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図12】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図13】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図14】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図15】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図16】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図17】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図18】本発明の一態様に係る記憶装置の上面図および断面図。
【図19】本発明の一態様に係る記憶装置の回路図。
【図20】本発明の一態様に係る記憶装置の模式図。
【図21】本発明の一態様に係る記憶装置の模式図。
【図22】本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図。
【図23】本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図。
【図24】本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示すブロック図。
【図25】本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示す回路図。
【図26】本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示す回路図。
【図27】本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示すブロック図。
【図28】本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示すブロック図および回路図。
【図29】本発明の一態様に係るＡＩシステムの構成例を示すブロック図。
【図30】本発明の一態様に係るＡＩシステムの応用例を説明するブロック図。
【図31】本発明の一態様に係るＡＩシステムを組み込んだＩＣの構成例を示す斜視模式図。
【図32】本発明の一態様に係る電子機器を示す図。
【図33】本発明の一態様に係る電子機器を示す図。
【図34】本発明の一態様に係る電子機器を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその
形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがっ
て、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその
形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがっ
て、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0034】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されてい
る場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、図面は、理想的な
例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。例えば、
実際の製造工程において、エッチングなどの処理により層やレジストマスクなどが意図せ
ずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために省略して示すことがある。また、
図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で
共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、同様の機能を指す場合
には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
る場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、図面は、理想的な
例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。例えば、
実際の製造工程において、エッチングなどの処理により層やレジストマスクなどが意図せ
ずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために省略して示すことがある。また、
図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で
共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、同様の機能を指す場合
には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【0035】
また、特に上面図（「平面図」ともいう。）や斜視図などにおいて、発明の理解を容易
とするため、一部の構成要素の記載を省略する場合がある。また、一部の隠れ線などの記
載を省略する場合がある。
とするため、一部の構成要素の記載を省略する場合がある。また、一部の隠れ線などの記
載を省略する場合がある。
【0036】
また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるもので
あり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２
の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に
記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しな
い場合がある。
あり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２
の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に
記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しな
い場合がある。
【0037】
また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の
位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置
関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で
説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置
関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で
説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【0038】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている
場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている
場合と、ＸとＹとが直接的に接続されている場合とが、本明細書等に開示されているもの
とする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定
されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されている
ものとする。
場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている
場合と、ＸとＹとが直接的に接続されている場合とが、本明細書等に開示されているもの
とする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定
されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されている
ものとする。
【0039】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
層、など）であるとする。
【0040】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可
能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合で
あり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容
量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さず
に、ＸとＹとが、接続されている場合である。
能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合で
あり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容
量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さず
に、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【0041】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可
能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されること
が可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流す
か流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択
して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘ
とＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されること
が可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流す
か流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択
して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘ
とＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【0042】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可
能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号
変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（
電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など
）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きくでき
る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生
成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能で
ある。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信
号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、Ｘと
Ｙとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、Ｘと
Ｙとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号
変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（
電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など
）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きくでき
る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生
成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能で
ある。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信
号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、Ｘと
Ｙとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、Ｘと
Ｙとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【0043】
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイ
ン領域、またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域、またはソース電極）
の間にチャネルが形成される領域を有しており、チャネルが形成される領域を介して、ソ
ースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において
、チャネルが形成される領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイ
ン領域、またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域、またはソース電極）
の間にチャネルが形成される領域を有しており、チャネルが形成される領域を介して、ソ
ースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において
、チャネルが形成される領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
【0044】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができる場合があ
る。
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができる場合があ
る。
【0045】
なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトラ
ンジスタがオン状態のときに、半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに
重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソー
ス電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一
つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。すな
わち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため
、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、
最大値、最小値、または平均値とする。
ンジスタがオン状態のときに、半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに
重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソー
ス電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一
つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。すな
わち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため
、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、
最大値、最小値、または平均値とする。
【0046】
チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに、半導体の
中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成され
る領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つ
のトランジスタにおいて、チャネル幅が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。すなわ
ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、
本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最
大値、最小値、または平均値とする。
中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成され
る領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つ
のトランジスタにおいて、チャネル幅が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。すなわ
ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、
本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最
大値、最小値、または平均値とする。
【0047】
なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャ
ネル幅（以下、「実効的なチャネル幅」ともいう。）と、トランジスタの上面図において
示されるチャネル幅（以下、「見かけ上のチャネル幅」ともいう。）と、が異なる場合が
ある。例えば、ゲート電極が半導体の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上
のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細
かつゲート電極が半導体の側面を覆うトランジスタでは、半導体の側面に形成されるチャ
ネル形成領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、見かけ上のチャネル幅よりも
、実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
ネル幅（以下、「実効的なチャネル幅」ともいう。）と、トランジスタの上面図において
示されるチャネル幅（以下、「見かけ上のチャネル幅」ともいう。）と、が異なる場合が
ある。例えば、ゲート電極が半導体の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上
のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細
かつゲート電極が半導体の側面を覆うトランジスタでは、半導体の側面に形成されるチャ
ネル形成領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、見かけ上のチャネル幅よりも
、実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
【0048】
このような場合、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある
。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知とい
う仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的な
チャネル幅を正確に測定することは困難である。
。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知とい
う仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的な
チャネル幅を正確に測定することは困難である。
【0049】
そこで、本明細書では、見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓ
ｕｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細
書では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャ
ネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、
実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネ
ル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを解析する
ことなどによって、値を決定することができる。
ｕｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細
書では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャ
ネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、
実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネ
ル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを解析する
ことなどによって、値を決定することができる。
【0050】
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃
度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。不純物が含まれることにより、例えば、
半導体のＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）が高くなることや、結晶性が低
下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を
変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１４族
元素、第１５族元素、および酸化物半導体の主成分以外の遷移金属などがあり、例えば、
水素、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物
半導体の場合、水も不純物として機能する場合がある。また、酸化物半導体の場合、例え
ば不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコンである
場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素
、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。
度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。不純物が含まれることにより、例えば、
半導体のＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）が高くなることや、結晶性が低
下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を
変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１４族
元素、第１５族元素、および酸化物半導体の主成分以外の遷移金属などがあり、例えば、
水素、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物
半導体の場合、水も不純物として機能する場合がある。また、酸化物半導体の場合、例え
ば不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコンである
場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素
、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。
【0051】
なお、本明細書等において、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸
素の含有量が多いものである。例えば、好ましくは酸素が５５原子％以上６５原子％以下
、窒素が１原子％以上２０原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素
が０．１原子％以上１０原子％以下の濃度範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シ
リコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものである。例えば、好
ましくは窒素が５５原子％以上６５原子％以下、酸素が１原子％以上２０原子％以下、シ
リコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０．１原子％以上１０原子％以下の濃度
範囲で含まれるものをいう。
素の含有量が多いものである。例えば、好ましくは酸素が５５原子％以上６５原子％以下
、窒素が１原子％以上２０原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素
が０．１原子％以上１０原子％以下の濃度範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シ
リコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものである。例えば、好
ましくは窒素が５５原子％以上６５原子％以下、酸素が１原子％以上２０原子％以下、シ
リコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０．１原子％以上１０原子％以下の濃度
範囲で含まれるものをいう。
【0052】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
【0053】
また、本明細書等において、「絶縁体」という用語を、絶縁膜または絶縁層と言い換え
ることができる。また、「導電体」という用語を、導電膜または導電層と言い換えること
ができる。また、「半導体」という用語を、半導体膜または半導体層と言い換えることが
できる。
ることができる。また、「導電体」という用語を、導電膜または導電層と言い換えること
ができる。また、「半導体」という用語を、半導体膜または半導体層と言い換えることが
できる。
【0054】
また、本明細書等に示すトランジスタは、明示されている場合を除き、電界効果トラン
ジスタとする。また、本明細書等に示すトランジスタは、明示されている場合を除き、ｎ
チャネル型のトランジスタとする。よって、その閾値電圧（「Ｖｔｈ」ともいう。）は、
明示されている場合を除き、０Ｖよりも大きいものとする。
ジスタとする。また、本明細書等に示すトランジスタは、明示されている場合を除き、ｎ
チャネル型のトランジスタとする。よって、その閾値電圧（「Ｖｔｈ」ともいう。）は、
明示されている場合を除き、０Ｖよりも大きいものとする。
【0055】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が－１０度以上１０度以下の角
度で配置されている状態をいう。したがって、－５度以上５度以下の場合も含まれる。ま
た、「略平行」とは、二つの直線が－３０度以上３０度以下の角度で配置されている状態
をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０度以上１００度以下の角度で配置されて
いる状態をいう。したがって、８５度以上９５度以下の場合も含まれる。また、「略垂直
」とは、二つの直線が６０度以上１２０度以下の角度で配置されている状態をいう。
度で配置されている状態をいう。したがって、－５度以上５度以下の場合も含まれる。ま
た、「略平行」とは、二つの直線が－３０度以上３０度以下の角度で配置されている状態
をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０度以上１００度以下の角度で配置されて
いる状態をいう。したがって、８５度以上９５度以下の場合も含まれる。また、「略垂直
」とは、二つの直線が６０度以上１２０度以下の角度で配置されている状態をいう。
【0056】
なお、本明細書において、バリア膜とは、水素などの不純物および酸素の透過を抑制す
る機能を有する膜のことであり、当該バリア膜に導電性を有する場合は、導電性バリア膜
と呼ぶことがある。
る機能を有する膜のことであり、当該バリア膜に導電性を有する場合は、導電性バリア膜
と呼ぶことがある。
【0057】
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い意味での金属
の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む
。）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう
。）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当
該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ ＦＥＴあるいはＯＳ
トランジスタと記載する場合においては、酸化物または酸化物半導体を有するトランジス
タと換言することができる。
の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む
。）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう
。）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当
該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ ＦＥＴあるいはＯＳ
トランジスタと記載する場合においては、酸化物または酸化物半導体を有するトランジス
タと換言することができる。
【0058】
また、本明細書等において、ノーマリーオフとは、ゲートに電位を印加しない、または
ゲートに接地電位を与えたときに、トランジスタに流れるチャネル幅１μｍあたりの電流
が、室温において１×１０－２０Ａ以下、８５℃において１×１０－１８Ａ以下、または
１２５℃において１×１０－１６Ａ以下であることをいう。
ゲートに接地電位を与えたときに、トランジスタに流れるチャネル幅１μｍあたりの電流
が、室温において１×１０－２０Ａ以下、８５℃において１×１０－１８Ａ以下、または
１２５℃において１×１０－１６Ａ以下であることをいう。
【0059】
（実施の形態１）
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の一例につい
て説明する。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の一例につい
て説明する。
【0060】
【0061】
図１（Ａ）は、トランジスタ２００を有する半導体装置の上面図である。また、図１（
Ｂ）、および図１（Ｃ）は、当該半導体装置の断面図である。ここで、図１（Ｂ）は、図
１（Ａ）にＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャ
ネル長方向の断面図でもある。また、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）にＡ３－Ａ４の一点鎖線
で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。な
お、図１（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
Ｂ）、および図１（Ｃ）は、当該半導体装置の断面図である。ここで、図１（Ｂ）は、図
１（Ａ）にＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャ
ネル長方向の断面図でもある。また、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）にＡ３－Ａ４の一点鎖線
で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。な
お、図１（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【0062】
本発明の一態様の半導体装置は、トランジスタ２００と、層間膜として機能する絶縁体
２１０、絶縁体２１２、および絶縁体２８１を有する。また、トランジスタ２００と電気
的に接続し、配線として機能する導電体２０３、およびプラグとして機能する導電体２４
０（導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂ）とを有する。
２１０、絶縁体２１２、および絶縁体２８１を有する。また、トランジスタ２００と電気
的に接続し、配線として機能する導電体２０３、およびプラグとして機能する導電体２４
０（導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂ）とを有する。
【0063】
なお、導電体２０３は、絶縁体２１２の開口の内壁に接して導電体２０３ａが形成され
、さらに内側に導電体２０３ｂが形成されている。ここで、導電体２０３の上面の高さと
、絶縁体２１２の上面の高さは同程度にできる。なお、トランジスタ２００では、導電体
２０３が導電体２０３ａおよび導電体２０３ｂの積層構造となる構成について示している
が、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２０３を単層、または３層以
上の積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造を有する場合、形成順に
序数を付与し、区別する場合がある。
、さらに内側に導電体２０３ｂが形成されている。ここで、導電体２０３の上面の高さと
、絶縁体２１２の上面の高さは同程度にできる。なお、トランジスタ２００では、導電体
２０３が導電体２０３ａおよび導電体２０３ｂの積層構造となる構成について示している
が、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２０３を単層、または３層以
上の積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造を有する場合、形成順に
序数を付与し、区別する場合がある。
【0064】
また、導電体２４０は、絶縁体２４４、絶縁体２８０、絶縁体２７４、および絶縁体２
８１の開口の内壁に接して導電体２４０の第１の導電体が形成され、さらに内側に導電体
２４０の第２の導電体が形成されている。ここで、導電体２４０の上面の高さと、絶縁体
２８１の上面の高さは同程度にできる。なお、トランジスタ２００では、導電体２４０の
第１の導電体および導電体２４０の第２の導電体を積層する構成について示しているが、
本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２４０を単層、または３層以上の
積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造を有する場合、形成順に序数
を付与し、区別する場合がある。
８１の開口の内壁に接して導電体２４０の第１の導電体が形成され、さらに内側に導電体
２４０の第２の導電体が形成されている。ここで、導電体２４０の上面の高さと、絶縁体
２８１の上面の高さは同程度にできる。なお、トランジスタ２００では、導電体２４０の
第１の導電体および導電体２４０の第２の導電体を積層する構成について示しているが、
本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２４０を単層、または３層以上の
積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造を有する場合、形成順に序数
を付与し、区別する場合がある。
【0065】
［トランジスタ２００］
図１に示すように、トランジスタ２００は、基板（図示しない。）の上に配置された酸
化物２３０ａと、酸化物２３０ａの上に配置された酸化物２３０ｂと、酸化物２３０ｂ上
に、互いに離して配置された導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂと、導電体２４２ａ
および導電体２４２ｂ上に配置され、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間に重畳して開
口が形成された絶縁体２８０と、開口の中に配置された導電体２６０と、酸化物２３０ｂ
、導電体２４２ａ、導電体２４２ｂ、および絶縁体２８０と、導電体２６０と、の間に配
置された絶縁体２５０と、酸化物２３０ｂ、導電体２４２ａ、導電体２４２ｂ、および絶
縁体２８０と、絶縁体２５０と、の間に配置された酸化物２３０ｃと、を有する。また、
図１に示すように、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、導電体２４２ａ、および導電体２
４２ｂと、絶縁体２８０の間に絶縁体２４４が配置されることが好ましい。また、図１に
示すように、導電体２６０は、絶縁体２５０の内側に設けられた導電体２６０ａと、導電
体２６０ａの内側に埋め込まれるように設けられた導電体２６０ｂと、を有することが好
ましい。また、図１に示すように、絶縁体２８０、導電体２６０、および絶縁体２５０の
上に絶縁体２７４が配置されることが好ましい。
図１に示すように、トランジスタ２００は、基板（図示しない。）の上に配置された酸
化物２３０ａと、酸化物２３０ａの上に配置された酸化物２３０ｂと、酸化物２３０ｂ上
に、互いに離して配置された導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂと、導電体２４２ａ
および導電体２４２ｂ上に配置され、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間に重畳して開
口が形成された絶縁体２８０と、開口の中に配置された導電体２６０と、酸化物２３０ｂ
、導電体２４２ａ、導電体２４２ｂ、および絶縁体２８０と、導電体２６０と、の間に配
置された絶縁体２５０と、酸化物２３０ｂ、導電体２４２ａ、導電体２４２ｂ、および絶
縁体２８０と、絶縁体２５０と、の間に配置された酸化物２３０ｃと、を有する。また、
図１に示すように、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、導電体２４２ａ、および導電体２
４２ｂと、絶縁体２８０の間に絶縁体２４４が配置されることが好ましい。また、図１に
示すように、導電体２６０は、絶縁体２５０の内側に設けられた導電体２６０ａと、導電
体２６０ａの内側に埋め込まれるように設けられた導電体２６０ｂと、を有することが好
ましい。また、図１に示すように、絶縁体２８０、導電体２６０、および絶縁体２５０の
上に絶縁体２７４が配置されることが好ましい。
【0066】
なお、以下において、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃをまと
めて酸化物２３０という場合がある。また、導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂをまと
めて導電体２４２という場合がある。
めて酸化物２３０という場合がある。また、導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂをまと
めて導電体２４２という場合がある。
【0067】
なお、トランジスタ２００では、チャネルが形成される領域（以下、チャネル形成領域
ともいう。）と、その近傍において、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２
３０ｃの３層を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではな
い。例えば、酸化物２３０ｂの単層、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ａの２層構造、酸化
物２３０ｂと酸化物２３０ｃの２層構造、または４層以上の積層構造を設ける構成にして
もよい。また、トランジスタ２００では、導電体２６０を２層の積層構造として示してい
るが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２６０が、単層構造であっ
てもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。
ともいう。）と、その近傍において、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２
３０ｃの３層を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではな
い。例えば、酸化物２３０ｂの単層、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ａの２層構造、酸化
物２３０ｂと酸化物２３０ｃの２層構造、または４層以上の積層構造を設ける構成にして
もよい。また、トランジスタ２００では、導電体２６０を２層の積層構造として示してい
るが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２６０が、単層構造であっ
てもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。
【0068】
ここで、導電体２６０は、トランジスタのゲート電極として機能し、導電体２４２ａお
よび導電体２４２ｂは、それぞれソース電極またはドレイン電極として機能する。上記の
ように、導電体２６０は、絶縁体２８０の開口、および導電体２４２ａと導電体２４２ｂ
に挟まれた領域に埋め込まれるように形成される。ここで、導電体２６０、導電体２４２
ａおよび導電体２４２ｂの配置は、絶縁体２８０の開口に対して、自己整合的に選択され
る。つまり、トランジスタ２００において、ゲート電極を、ソース電極とドレイン電極の
間に、自己整合的に配置させることができる。よって、導電体２６０を位置合わせのマー
ジンを設けることなく形成することができるので、トランジスタ２００の占有面積の縮小
を図ることができる。これにより、半導体装置の微細化、高集積化を図ることができる。
よび導電体２４２ｂは、それぞれソース電極またはドレイン電極として機能する。上記の
ように、導電体２６０は、絶縁体２８０の開口、および導電体２４２ａと導電体２４２ｂ
に挟まれた領域に埋め込まれるように形成される。ここで、導電体２６０、導電体２４２
ａおよび導電体２４２ｂの配置は、絶縁体２８０の開口に対して、自己整合的に選択され
る。つまり、トランジスタ２００において、ゲート電極を、ソース電極とドレイン電極の
間に、自己整合的に配置させることができる。よって、導電体２６０を位置合わせのマー
ジンを設けることなく形成することができるので、トランジスタ２００の占有面積の縮小
を図ることができる。これにより、半導体装置の微細化、高集積化を図ることができる。
【0069】
さらに、導電体２６０が、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間の領域に自己整合的に
形成されるので、導電体２６０は、導電体２４２ａまたは導電体２４２ｂと重畳する領域
を有さない。これにより、導電体２６０と導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂとの間に
形成される寄生容量を低減することができる。よって、トランジスタ２００のスイッチン
グ速度を向上させ、トランジスタ２００に高い周波数特性を有することができる。
形成されるので、導電体２６０は、導電体２４２ａまたは導電体２４２ｂと重畳する領域
を有さない。これにより、導電体２６０と導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂとの間に
形成される寄生容量を低減することができる。よって、トランジスタ２００のスイッチン
グ速度を向上させ、トランジスタ２００に高い周波数特性を有することができる。
【0070】
また、トランジスタ２００は、絶縁体２１２の上に配置された絶縁体２１４と、絶縁体
２１４の上に配置された絶縁体２１６と、絶縁体２１４および絶縁体２１６に埋め込まれ
るように配置された導電体２０５と、絶縁体２１６と導電体２０５の上に配置された絶縁
体２２０と、絶縁体２２０の上に配置された絶縁体２２２と、絶縁体２２２の上に配置さ
れた絶縁体２２４と、を有することが好ましい。絶縁体２２４の上に酸化物２３０ａが配
置されることが好ましい。
２１４の上に配置された絶縁体２１６と、絶縁体２１４および絶縁体２１６に埋め込まれ
るように配置された導電体２０５と、絶縁体２１６と導電体２０５の上に配置された絶縁
体２２０と、絶縁体２２０の上に配置された絶縁体２２２と、絶縁体２２２の上に配置さ
れた絶縁体２２４と、を有することが好ましい。絶縁体２２４の上に酸化物２３０ａが配
置されることが好ましい。
【0071】
また、トランジスタ２００は、チャネル形成領域を含む酸化物２３０（酸化物２３０ａ
、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃ）に、酸化物半導体として機能する金属酸化物
（以下、酸化物半導体ともいう。）を用いることが好ましい。
、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃ）に、酸化物半導体として機能する金属酸化物
（以下、酸化物半導体ともいう。）を用いることが好ましい。
【0072】
チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたトランジスタ２００は、非導通状態において
極めてリーク電流が小さいため、低消費電力の半導体装置を提供できる。また、酸化物半
導体は、スパッタリング法などを用いて成膜できるため、高集積型の半導体装置を構成す
るトランジスタ２００に用いることができる。
極めてリーク電流が小さいため、低消費電力の半導体装置を提供できる。また、酸化物半
導体は、スパッタリング法などを用いて成膜できるため、高集積型の半導体装置を構成す
るトランジスタ２００に用いることができる。
【0073】
例えば、酸化物２３０として、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリ
ウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲ
ルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、
タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）等
の金属酸化物を用いるとよい。また、酸化物２３０として、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｚ
ｎ酸化物を用いてもよい。
ウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲ
ルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、
タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）等
の金属酸化物を用いるとよい。また、酸化物２３０として、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｚ
ｎ酸化物を用いてもよい。
【0074】
ここで、酸化物２３０は、水素、窒素、または金属元素などの不純物が存在すると、キ
ャリア密度が増大し、低抵抗化する場合がある。また、酸化物２３０に含まれる酸素濃度
が低下すると、キャリア密度が増大し、低抵抗化する場合がある。
ャリア密度が増大し、低抵抗化する場合がある。また、酸化物２３０に含まれる酸素濃度
が低下すると、キャリア密度が増大し、低抵抗化する場合がある。
【0075】
酸化物２３０上に接するように設けられ、ソース電極やドレイン電極として機能する導
電体２４２（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）が、酸化物２３０の酸素を吸収す
る機能を有する場合、または酸化物２３０に水素、窒素、または金属元素などの不純物を
供給する機能を有する場合、酸化物２３０には、部分的に低抵抗領域が形成される場合が
ある。
電体２４２（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）が、酸化物２３０の酸素を吸収す
る機能を有する場合、または酸化物２３０に水素、窒素、または金属元素などの不純物を
供給する機能を有する場合、酸化物２３０には、部分的に低抵抗領域が形成される場合が
ある。
【0076】
絶縁体２４４は、導電体２４２の酸化を抑制するために設けられている。よって、導電
体２４２が、耐酸化性材料、または酸素を吸収しても導電性が著しく低下することがない
場合は、絶縁体２４４は必ずしも設ける必要はない。
体２４２が、耐酸化性材料、または酸素を吸収しても導電性が著しく低下することがない
場合は、絶縁体２４４は必ずしも設ける必要はない。
【0077】
ここで、図１（Ｂ）において一点鎖線で囲む、領域２３９の拡大図を図２に示す。図２
に示すように、絶縁体２５０は、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間において、膜厚Ｔ１
を有し、導電体２４２ａまたは導電体２４２ｂと導電体２６０の間において、膜厚Ｔ２を
有する。絶縁体２５０において、膜厚Ｔ１は膜厚Ｔ２より薄いことが好ましい。
に示すように、絶縁体２５０は、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間において、膜厚Ｔ１
を有し、導電体２４２ａまたは導電体２４２ｂと導電体２６０の間において、膜厚Ｔ２を
有する。絶縁体２５０において、膜厚Ｔ１は膜厚Ｔ２より薄いことが好ましい。
【0078】
絶縁体２５０の膜厚Ｔ１を、膜厚Ｔ２より薄くするには、例えば、酸化物２３０ｂと、
導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０を単層とし、導電体２４２と、導電体２６０の
間に位置する絶縁体２５０を積層構造とすることが好ましい。酸化物２３０ｂと、導電体
２６０の間に位置する絶縁体２５０を積層構造とする場合、導電体２４２と、導電体２６
０の間に位置する絶縁体２５０の積層数は、酸化物２３０ｂと、導電体２６０の間に位置
する絶縁体２５０の積層数より多くすればよい。
導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０を単層とし、導電体２４２と、導電体２６０の
間に位置する絶縁体２５０を積層構造とすることが好ましい。酸化物２３０ｂと、導電体
２６０の間に位置する絶縁体２５０を積層構造とする場合、導電体２４２と、導電体２６
０の間に位置する絶縁体２５０の積層数は、酸化物２３０ｂと、導電体２６０の間に位置
する絶縁体２５０の積層数より多くすればよい。
【0079】
このように絶縁体２５０の膜厚Ｔ２を、膜厚Ｔ１より厚くすることにより、導電体２６
０と導電体２４２の間の寄生容量を低減し、高い周波数特性を有するトランジスタ２００
を提供することができる。さらに、膜厚Ｔ１が薄いので、ゲート電極からの電界が弱まる
こともないので、良好な電気特性を有するトランジスタ２００を提供することができる。
０と導電体２４２の間の寄生容量を低減し、高い周波数特性を有するトランジスタ２００
を提供することができる。さらに、膜厚Ｔ１が薄いので、ゲート電極からの電界が弱まる
こともないので、良好な電気特性を有するトランジスタ２００を提供することができる。
【0080】
また、図２に示すように、酸化物２３０上に接するように導電体２４２が設けられ、酸
化物２３０の、導電体２４２との界面とその近傍には、低抵抗領域として、領域２４３（
領域２４３ａ、および領域２４３ｂ）が形成されている。酸化物２３０は、トランジスタ
２００のチャネル形成領域として機能する領域２３４と、領域２４３の一部を含み、ソー
ス領域またはドレイン領域として機能する領域２３１（領域２３１ａ、および領域２３１
ｂ）と、領域２４３の一部を含み、接合領域として機能する領域２３２（領域２３２ａ、
および領域２３２ｂ）と、を有する。
化物２３０の、導電体２４２との界面とその近傍には、低抵抗領域として、領域２４３（
領域２４３ａ、および領域２４３ｂ）が形成されている。酸化物２３０は、トランジスタ
２００のチャネル形成領域として機能する領域２３４と、領域２４３の一部を含み、ソー
ス領域またはドレイン領域として機能する領域２３１（領域２３１ａ、および領域２３１
ｂ）と、領域２４３の一部を含み、接合領域として機能する領域２３２（領域２３２ａ、
および領域２３２ｂ）と、を有する。
【0081】
ソース領域またはドレイン領域として機能する領域２３１において、特に領域２４３は
、酸素濃度が低い、または水素や、窒素や、金属元素などの不純物を含む、ことでキャリ
ア濃度が増加し、低抵抗化した領域である。すなわち、領域２３１は、領域２３４と比較
して、キャリア密度が高く、低抵抗な領域である。また、チャネル形成領域として機能す
る領域２３４は、領域２３１のうち、特に領域２４３よりも、酸素濃度が高い、または不
純物濃度が低いため、キャリア密度が低い高抵抗領域である。また、領域２３２の酸素濃
度は、領域２３１の酸素濃度と同等、またはそれよりも高く、領域２３４の酸素濃度と同
等、またはそれよりも低いことが好ましい。または、領域２３２の不純物濃度は、領域２
３１の不純物濃度と同等、またはそれよりも低く、領域２３４の不純物濃度と同等、また
はそれよりも高いことが好ましい。
、酸素濃度が低い、または水素や、窒素や、金属元素などの不純物を含む、ことでキャリ
ア濃度が増加し、低抵抗化した領域である。すなわち、領域２３１は、領域２３４と比較
して、キャリア密度が高く、低抵抗な領域である。また、チャネル形成領域として機能す
る領域２３４は、領域２３１のうち、特に領域２４３よりも、酸素濃度が高い、または不
純物濃度が低いため、キャリア密度が低い高抵抗領域である。また、領域２３２の酸素濃
度は、領域２３１の酸素濃度と同等、またはそれよりも高く、領域２３４の酸素濃度と同
等、またはそれよりも低いことが好ましい。または、領域２３２の不純物濃度は、領域２
３１の不純物濃度と同等、またはそれよりも低く、領域２３４の不純物濃度と同等、また
はそれよりも高いことが好ましい。
【0082】
なお、低抵抗領域である領域２４３が金属元素を含む場合、領域２４３は、酸化物２３
０に含まれる金属元素の他に、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニ
ッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガ
ン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、
ストロンチウム、ランタンなどの金属元素の中から選ばれるいずれか一つまたは複数の金
属元素を有することが好ましい。
０に含まれる金属元素の他に、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニ
ッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガ
ン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、
ストロンチウム、ランタンなどの金属元素の中から選ばれるいずれか一つまたは複数の金
属元素を有することが好ましい。
【0083】
また、図２では、領域２４３が、酸化物２３０ｂの膜厚方向において、酸化物２３０ｂ
の導電体２４２との界面近傍に形成されているが、これに限られない。例えば、領域２４
３は、酸化物２３０ｂの膜厚と概略同じ厚さを有していてもよいし、酸化物２３０ａにも
、形成されていてもよい。また、図２では、領域２４３が領域２３１、および領域２３２
に形成されているが、これに限らない。例えば、領域２３１のみに形成されていてもよい
し、領域２３１と、領域２３２の一部と、に形成されていてもよいし、領域２３１と、領
域２３２と、領域２３４の一部と、に形成されていてもよい。
の導電体２４２との界面近傍に形成されているが、これに限られない。例えば、領域２４
３は、酸化物２３０ｂの膜厚と概略同じ厚さを有していてもよいし、酸化物２３０ａにも
、形成されていてもよい。また、図２では、領域２４３が領域２３１、および領域２３２
に形成されているが、これに限らない。例えば、領域２３１のみに形成されていてもよい
し、領域２３１と、領域２３２の一部と、に形成されていてもよいし、領域２３１と、領
域２３２と、領域２３４の一部と、に形成されていてもよい。
【0084】
また、酸化物２３０において、各領域の境界を明確に検出することが困難な場合がある
。各領域内で検出される金属元素、ならびに水素、および窒素などの不純物元素の濃度は
、領域ごとの段階的な変化に限らず、各領域内でも連続的に変化（グラデーションともい
う。）していてもよい。つまり、チャネル形成領域に近い領域であるほど、金属元素、な
らびに水素、および窒素などの不純物元素の濃度が減少していればよい。
。各領域内で検出される金属元素、ならびに水素、および窒素などの不純物元素の濃度は
、領域ごとの段階的な変化に限らず、各領域内でも連続的に変化（グラデーションともい
う。）していてもよい。つまり、チャネル形成領域に近い領域であるほど、金属元素、な
らびに水素、および窒素などの不純物元素の濃度が減少していればよい。
【0085】
酸化物２３０を、選択的に低抵抗化するには、導電体２４２として、例えば、アルミニ
ウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングス
テン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリ
リウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンなどの導電性
を高める金属元素、および不純物の少なくとも一を含む材料を用いることが好ましい。ま
たは、導電体２４２となる導電膜２４２Ａの形成において、酸化物２３０に、酸素欠損を
形成する元素、または酸素欠損に捕獲される元素などの不純物が注入される材料や成膜方
法などを用いればよい。例えば、当該元素として、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、
リン、硫黄、塩素、希ガス等が挙げられる。また、希ガス元素の代表例としては、ヘリウ
ム、ネオン、アルゴン、クリプトン、およびキセノン等がある。
ウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングス
テン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリ
リウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンなどの導電性
を高める金属元素、および不純物の少なくとも一を含む材料を用いることが好ましい。ま
たは、導電体２４２となる導電膜２４２Ａの形成において、酸化物２３０に、酸素欠損を
形成する元素、または酸素欠損に捕獲される元素などの不純物が注入される材料や成膜方
法などを用いればよい。例えば、当該元素として、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、
リン、硫黄、塩素、希ガス等が挙げられる。また、希ガス元素の代表例としては、ヘリウ
ム、ネオン、アルゴン、クリプトン、およびキセノン等がある。
【0086】
ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタは、酸化物半導体中のチャネルが形成され
る領域に不純物および酸素欠損が存在すると、電気特性が変動しやすく、信頼性が悪くな
る場合がある。また、酸化物半導体中のチャネルが形成される領域に酸素欠損が含まれて
いると、トランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。したがって、チャネルが形成
される領域２３４中の酸素欠損はできる限り低減されていることが好ましい。
る領域に不純物および酸素欠損が存在すると、電気特性が変動しやすく、信頼性が悪くな
る場合がある。また、酸化物半導体中のチャネルが形成される領域に酸素欠損が含まれて
いると、トランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。したがって、チャネルが形成
される領域２３４中の酸素欠損はできる限り低減されていることが好ましい。
【0087】
トランジスタのノーマリーオン化を抑制するには、酸化物２３０と近接する絶縁体２５
０が、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素（過剰酸素ともいう。）を含むこと
が好ましい。絶縁体２５０が有する酸素は、酸化物２３０へと拡散し、酸化物２３０の酸
素欠損を低減し、トランジスタのノーマリーオン化を抑制することができる。
０が、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素（過剰酸素ともいう。）を含むこと
が好ましい。絶縁体２５０が有する酸素は、酸化物２３０へと拡散し、酸化物２３０の酸
素欠損を低減し、トランジスタのノーマリーオン化を抑制することができる。
【0088】
つまり、絶縁体２５０および絶縁体２８０が有する酸素が、酸化物２３０の領域２３４
へと拡散することで、酸化物２３０の領域２３４における酸素欠損を低減することができ
る。
へと拡散することで、酸化物２３０の領域２３４における酸素欠損を低減することができ
る。
【0089】
また、絶縁体２５０および絶縁体２８０に酸素領域を設けるには、絶縁体２５０および
絶縁体２８０の上面に接する絶縁体２７４として、酸化物を、スパッタリング法により成
膜するとよい。酸化物の成膜にスパッタリング法を用いることにより、酸素を多く含み、
かつ、水または水素などの不純物の少ない絶縁体を成膜することができる。例えば、絶縁
体２７４は、酸化アルミニウムを用いることが好ましい。
絶縁体２８０の上面に接する絶縁体２７４として、酸化物を、スパッタリング法により成
膜するとよい。酸化物の成膜にスパッタリング法を用いることにより、酸素を多く含み、
かつ、水または水素などの不純物の少ない絶縁体を成膜することができる。例えば、絶縁
体２７４は、酸化アルミニウムを用いることが好ましい。
【0090】
スパッタリング法による成膜時には、ターゲットと基板との間には、イオンとスパッタ
された粒子とが存在する。例えば、ターゲットは、電源が接続されており、電位Ｅ０が与
えられる。また、基板は、接地電位などの電位Ｅ１が与えられる。ただし、基板が電気的
に浮いていてもよい。また、ターゲットと基板の間には電位Ｅ２となる領域が存在する。
各電位の大小関係は、Ｅ２＞Ｅ１＞Ｅ０である。
された粒子とが存在する。例えば、ターゲットは、電源が接続されており、電位Ｅ０が与
えられる。また、基板は、接地電位などの電位Ｅ１が与えられる。ただし、基板が電気的
に浮いていてもよい。また、ターゲットと基板の間には電位Ｅ２となる領域が存在する。
各電位の大小関係は、Ｅ２＞Ｅ１＞Ｅ０である。
【0091】
プラズマ内のイオンが、電位差Ｅ２－Ｅ０によって加速され、ターゲットに衝突するこ
とにより、ターゲットからスパッタされた粒子がはじき出される。このスパッタされた粒
子が成膜表面に付着し、堆積することにより成膜が行われる。また、一部のイオンはター
ゲットによって反跳し、反跳イオンとして形成された膜を通過し、被成膜面と接する絶縁
体２５０および絶縁体２８０に取り込まれる場合がある。また、プラズマ内のイオンは、
電位差Ｅ２－Ｅ１によって加速され、成膜表面を衝撃する。この際、一部のイオンは、絶
縁体２８０内部まで到達する。イオンが絶縁体２５０および絶縁体２８０に取り込まれる
ことにより、イオンが取り込まれた領域が絶縁体２８０に形成される。つまり、イオンが
酸素を含むイオンであった場合において、絶縁体２５０および絶縁体２８０に過剰酸素領
域が形成される。
とにより、ターゲットからスパッタされた粒子がはじき出される。このスパッタされた粒
子が成膜表面に付着し、堆積することにより成膜が行われる。また、一部のイオンはター
ゲットによって反跳し、反跳イオンとして形成された膜を通過し、被成膜面と接する絶縁
体２５０および絶縁体２８０に取り込まれる場合がある。また、プラズマ内のイオンは、
電位差Ｅ２－Ｅ１によって加速され、成膜表面を衝撃する。この際、一部のイオンは、絶
縁体２８０内部まで到達する。イオンが絶縁体２５０および絶縁体２８０に取り込まれる
ことにより、イオンが取り込まれた領域が絶縁体２８０に形成される。つまり、イオンが
酸素を含むイオンであった場合において、絶縁体２５０および絶縁体２８０に過剰酸素領
域が形成される。
【0092】
絶縁体２５０および絶縁体２８０に過剰な酸素を導入することで、絶縁体２５０および
絶縁体２８０中に過剰酸素領域を形成することができる。絶縁体２５０および絶縁体２８
０の過剰な酸素は、熱処理などによって、酸化物２３０に供給され、酸化物２３０の領域
２３４における酸素欠損を補填することができる。
絶縁体２８０中に過剰酸素領域を形成することができる。絶縁体２５０および絶縁体２８
０の過剰な酸素は、熱処理などによって、酸化物２３０に供給され、酸化物２３０の領域
２３４における酸素欠損を補填することができる。
【0093】
なお、絶縁体２８０は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、空孔を
有する酸化シリコンを用いることが好ましい。酸化窒化シリコンなどの材料は、過剰酸素
領域を形成されやすい傾向がある。一方、上述の酸化窒化シリコンなどの材料と比較して
、酸化物２３０は、スパッタリング法を用いて成膜した酸化膜を、酸化物２３０上に形成
したとしても、過剰酸素領域が形成されにくい傾向がある。したがって、過剰酸素領域を
有する絶縁体２８０を、酸化物２３０の領域２３４の周辺に設けることで、酸化物２３０
の領域２３４へ、絶縁体２８０の過剰酸素を効果的に供給することができる。
有する酸化シリコンを用いることが好ましい。酸化窒化シリコンなどの材料は、過剰酸素
領域を形成されやすい傾向がある。一方、上述の酸化窒化シリコンなどの材料と比較して
、酸化物２３０は、スパッタリング法を用いて成膜した酸化膜を、酸化物２３０上に形成
したとしても、過剰酸素領域が形成されにくい傾向がある。したがって、過剰酸素領域を
有する絶縁体２８０を、酸化物２３０の領域２３４の周辺に設けることで、酸化物２３０
の領域２３４へ、絶縁体２８０の過剰酸素を効果的に供給することができる。
【0094】
以上より、オン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる
。または、オフ電流が小さいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。
または、電気特性の変動を抑制し、安定した電気特性を有するとともに、信頼性を向上さ
せた半導体装置を提供することができる。
。または、オフ電流が小さいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。
または、電気特性の変動を抑制し、安定した電気特性を有するとともに、信頼性を向上さ
せた半導体装置を提供することができる。
【0095】
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の詳細な構成
について説明する。
について説明する。
【0096】
導電体２０３は、図１（Ａ）および図１（Ｃ）に示すように、チャネル幅方向に延伸さ
れており、導電体２０５に電位を印加する配線として機能する。なお、導電体２０３は、
絶縁体２１２に埋め込まれて設けることが好ましい。
れており、導電体２０５に電位を印加する配線として機能する。なお、導電体２０３は、
絶縁体２１２に埋め込まれて設けることが好ましい。
【0097】
導電体２０５は、酸化物２３０、および導電体２６０と、重なるように配置する。また
、導電体２０５は、導電体２０３の上に接して設けるとよい。また、導電体２０５は、絶
縁体２１４および絶縁体２１６に埋め込まれて設けることが好ましい。
、導電体２０５は、導電体２０３の上に接して設けるとよい。また、導電体２０５は、絶
縁体２１４および絶縁体２１６に埋め込まれて設けることが好ましい。
【0098】
ここで、導電体２６０は、第１のゲート（トップゲートともいう。）電極として機能す
る場合がある。また、導電体２０５は、第２のゲート（ボトムゲートともいう。）電極と
して機能する場合がある。その場合、導電体２０５に印加する電位を、導電体２６０に印
加する電位と、連動させず、独立して変化させることで、トランジスタ２００のＶｔｈを
制御することができる。特に、導電体２０５に負の電位を印加することにより、トランジ
スタ２００のＶｔｈを０Ｖより大きくし、オフ電流を低減することが可能となる。したが
って、導電体２０５に負の電位を印加したほうが、印加しない場合よりも、導電体２６０
に印加する電位が０Ｖのときのドレイン電流を小さくすることができる。
る場合がある。また、導電体２０５は、第２のゲート（ボトムゲートともいう。）電極と
して機能する場合がある。その場合、導電体２０５に印加する電位を、導電体２６０に印
加する電位と、連動させず、独立して変化させることで、トランジスタ２００のＶｔｈを
制御することができる。特に、導電体２０５に負の電位を印加することにより、トランジ
スタ２００のＶｔｈを０Ｖより大きくし、オフ電流を低減することが可能となる。したが
って、導電体２０５に負の電位を印加したほうが、印加しない場合よりも、導電体２６０
に印加する電位が０Ｖのときのドレイン電流を小さくすることができる。
【0099】
また、導電体２０３上に導電体２０５を設けることで、第１のゲート電極、および配線
としての機能を有する導電体２６０と、導電体２０３との距離を適宜設計することが可能
となる。つまり、導電体２０３と導電体２６０の間に絶縁体２１４および絶縁体２１６な
どが設けられることで、導電体２０３と導電体２６０の間の寄生容量を低減し、導電体２
０３と導電体２６０の間の絶縁耐圧を高めることができる。
としての機能を有する導電体２６０と、導電体２０３との距離を適宜設計することが可能
となる。つまり、導電体２０３と導電体２６０の間に絶縁体２１４および絶縁体２１６な
どが設けられることで、導電体２０３と導電体２６０の間の寄生容量を低減し、導電体２
０３と導電体２６０の間の絶縁耐圧を高めることができる。
【0100】
また、導電体２０３と導電体２６０の間の寄生容量を低減することで、トランジスタ２
００のスイッチング速度を向上させ、高い周波数特性を有するトランジスタにすることが
できる。また、導電体２０３と導電体２６０の間の絶縁耐圧を高めることで、トランジス
タ２００の信頼性を向上させることができる。よって、絶縁体２１４および絶縁体２１６
の膜厚を厚くすることが好ましい。なお、導電体２０３の延伸方向はこれに限られず、例
えば、トランジスタ２００のチャネル長方向に延伸されてもよい。
００のスイッチング速度を向上させ、高い周波数特性を有するトランジスタにすることが
できる。また、導電体２０３と導電体２６０の間の絶縁耐圧を高めることで、トランジス
タ２００の信頼性を向上させることができる。よって、絶縁体２１４および絶縁体２１６
の膜厚を厚くすることが好ましい。なお、導電体２０３の延伸方向はこれに限られず、例
えば、トランジスタ２００のチャネル長方向に延伸されてもよい。
【0101】
なお、導電体２０５は、図１（Ａ）に示すように、酸化物２３０、および導電体２６０
と重なるように配置する。また、導電体２０５は、酸化物２３０における領域２３４より
も、大きく設けるとよい。特に、図１（Ｃ）に示すように、導電体２０５は、酸化物２３
０の領域２３４のチャネル幅方向と交わる端部よりも外側の領域においても、延伸してい
ることが好ましい。つまり、酸化物２３０のチャネル幅方向における側面の外側において
、導電体２０５と、導電体２６０とは、絶縁体を介して重畳していることが好ましい。
と重なるように配置する。また、導電体２０５は、酸化物２３０における領域２３４より
も、大きく設けるとよい。特に、図１（Ｃ）に示すように、導電体２０５は、酸化物２３
０の領域２３４のチャネル幅方向と交わる端部よりも外側の領域においても、延伸してい
ることが好ましい。つまり、酸化物２３０のチャネル幅方向における側面の外側において
、導電体２０５と、導電体２６０とは、絶縁体を介して重畳していることが好ましい。
【0102】
上記構成を有することで、導電体２６０、および導電体２０５に電位を印加した場合、
導電体２６０から生じる電界と、導電体２０５から生じる電界と、がつながり、酸化物２
３０に形成されるチャネル形成領域を覆うことができる。
導電体２６０から生じる電界と、導電体２０５から生じる電界と、がつながり、酸化物２
３０に形成されるチャネル形成領域を覆うことができる。
【0103】
つまり、第１のゲート電極としての機能を有する導電体２６０の電界と、第２のゲート
電極としての機能を有する導電体２０５の電界によって、領域２３４のチャネル形成領域
を電気的に取り囲むことができる。本明細書において、第１のゲート電極、および第２の
ゲート電極の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの構造を
、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。
電極としての機能を有する導電体２０５の電界によって、領域２３４のチャネル形成領域
を電気的に取り囲むことができる。本明細書において、第１のゲート電極、および第２の
ゲート電極の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの構造を
、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。
【0104】
また、導電体２０５は、絶縁体２１４および絶縁体２１６の開口の内壁に接して導電体
２０５ａが形成され、さらに内側に導電体２０５ｂが形成されている。ここで、導電体２
０５ａおよび導電体２０５ｂの上面の高さと、絶縁体２１６の上面の高さは同程度にでき
る。なお、トランジスタ２００では、導電体２０５ａおよび導電体２０５ｂを積層する構
成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２０５
は、単層、または３層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造
を有する場合、形成順に序数を付与し、区別する場合がある。
２０５ａが形成され、さらに内側に導電体２０５ｂが形成されている。ここで、導電体２
０５ａおよび導電体２０５ｂの上面の高さと、絶縁体２１６の上面の高さは同程度にでき
る。なお、トランジスタ２００では、導電体２０５ａおよび導電体２０５ｂを積層する構
成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２０５
は、単層、または３層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造
を有する場合、形成順に序数を付与し、区別する場合がある。
【0105】
ここで、導電体２０５ａまたは導電体２０３ａは、水素原子、水素分子、水分子、窒素
原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡
散を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい。）導電性材料を用いることが好
ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制
する機能を有する（上記酸素が透過しにくい。）導電性材料を用いることが好ましい。な
お、本明細書において、不純物、または酸素の拡散を抑制する機能とは、上記不純物、ま
たは上記酸素のいずれか一またはすべての拡散を抑制する機能とする。
原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡
散を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい。）導電性材料を用いることが好
ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制
する機能を有する（上記酸素が透過しにくい。）導電性材料を用いることが好ましい。な
お、本明細書において、不純物、または酸素の拡散を抑制する機能とは、上記不純物、ま
たは上記酸素のいずれか一またはすべての拡散を抑制する機能とする。
【0106】
導電体２０５ａまたは導電体２０３ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、
導電体２０５ｂまたは導電体２０３ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することが
できる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒
化タンタル、ルテニウムまたは酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。したがって
、導電体２０５ａまたは導電体２０３ａとしては、上記導電性材料を単層または積層とす
ればよい。これにより、水素、水などの不純物が、導電体２０３、および導電体２０５を
通じて、トランジスタ２００側に拡散するのを抑制することができる。
導電体２０５ｂまたは導電体２０３ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することが
できる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒
化タンタル、ルテニウムまたは酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。したがって
、導電体２０５ａまたは導電体２０３ａとしては、上記導電性材料を単層または積層とす
ればよい。これにより、水素、水などの不純物が、導電体２０３、および導電体２０５を
通じて、トランジスタ２００側に拡散するのを抑制することができる。
【0107】
また、導電体２０５ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電
性材料を用いることが好ましい。なお、導電体２０５ｂを単層で図示したが、積層構造と
してもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。
性材料を用いることが好ましい。なお、導電体２０５ｂを単層で図示したが、積層構造と
してもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。
【0108】
また、導電体２０３ｂは、配線として機能するため、導電体２０５ｂより導電性が高い
導電体を用いることが好ましい。例えば、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性
材料を用いることができる。また、導電体２０３ｂは積層構造としてもよく、例えば、チ
タン、窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。
導電体を用いることが好ましい。例えば、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性
材料を用いることができる。また、導電体２０３ｂは積層構造としてもよく、例えば、チ
タン、窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。
【0109】
特に、導電体２０３ｂに、銅を用いることが好ましい。銅は抵抗が小さいため、配線等
に用いることが好ましい。一方、銅は拡散しやすいため、酸化物２３０に拡散することで
、トランジスタ２００の電気特性を低下させる場合がある。そこで、例えば、絶縁体２１
４には、銅の透過性が低い酸化アルミニウム、または酸化ハフニウムなどの材料を用いる
ことで、銅の拡散を抑えることができる。
に用いることが好ましい。一方、銅は拡散しやすいため、酸化物２３０に拡散することで
、トランジスタ２００の電気特性を低下させる場合がある。そこで、例えば、絶縁体２１
４には、銅の透過性が低い酸化アルミニウム、または酸化ハフニウムなどの材料を用いる
ことで、銅の拡散を抑えることができる。
【0110】
なお、導電体２０５、絶縁体２１４、および絶縁体２１６は必ずしも設けなくともよい
。その場合、導電体２０３の一部が第２のゲート電極として機能することができる。
。その場合、導電体２０３の一部が第２のゲート電極として機能することができる。
【0111】
絶縁体２１０、および絶縁体２１４は、水または水素などの不純物が、基板側からトラ
ンジスタ２００に混入するのを抑制するバリア絶縁膜として機能することが好ましい。し
たがって、絶縁体２１０、および絶縁体２１４は、水素原子、水素分子、水分子、窒素原
子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散
を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい。）絶縁性材料を用いることが好ま
しい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制す
る機能を有する（上記酸素が透過しにくい。）絶縁性材料を用いることが好ましい。
ンジスタ２００に混入するのを抑制するバリア絶縁膜として機能することが好ましい。し
たがって、絶縁体２１０、および絶縁体２１４は、水素原子、水素分子、水分子、窒素原
子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散
を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい。）絶縁性材料を用いることが好ま
しい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制す
る機能を有する（上記酸素が透過しにくい。）絶縁性材料を用いることが好ましい。
【0112】
例えば、絶縁体２１０として酸化アルミニウムなどを用い、絶縁体２１４として窒化シ
リコンなどを用いることが好ましい。これにより、水素、水などの不純物が絶縁体２１０
および絶縁体２１４よりも基板側からトランジスタ２００側に拡散するのを抑制すること
ができる。または、絶縁体２２４などに含まれる酸素が、絶縁体２１０および絶縁体２１
４よりも基板側に、拡散するのを抑制することができる。
リコンなどを用いることが好ましい。これにより、水素、水などの不純物が絶縁体２１０
および絶縁体２１４よりも基板側からトランジスタ２００側に拡散するのを抑制すること
ができる。または、絶縁体２２４などに含まれる酸素が、絶縁体２１０および絶縁体２１
４よりも基板側に、拡散するのを抑制することができる。
【0113】
また、導電体２０３の上に導電体２０５を積層して設ける構成にすることにより、導電
体２０３と導電体２０５の間に絶縁体２１４を設けることができる。ここで、導電体２０
３ｂに銅など拡散しやすい金属を用いても、絶縁体２１４として窒化シリコンなどを設け
ることにより、当該金属が絶縁体２１４より上の層に拡散するのを抑制することができる
。
体２０３と導電体２０５の間に絶縁体２１４を設けることができる。ここで、導電体２０
３ｂに銅など拡散しやすい金属を用いても、絶縁体２１４として窒化シリコンなどを設け
ることにより、当該金属が絶縁体２１４より上の層に拡散するのを抑制することができる
。
【0114】
また、層間膜として機能する絶縁体２１２、絶縁体２１６、絶縁体２８０、および絶縁
体２８１は、絶縁体２１０、または絶縁体２１４よりも誘電率が低いことが好ましい。誘
電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる
。
体２８１は、絶縁体２１０、または絶縁体２１４よりも誘電率が低いことが好ましい。誘
電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる
。
【0115】
例えば、絶縁体２１２、絶縁体２１６、絶縁体２８０、および絶縁体２８１として、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム
、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉＯ３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などの絶縁体を単層
または積層で用いることができる。またはこれらの絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム
、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タン
グステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁
体を窒化処理してもよい。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコン、または窒化
シリコンを積層して用いてもよい。
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム
、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉＯ３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などの絶縁体を単層
または積層で用いることができる。またはこれらの絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム
、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タン
グステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁
体を窒化処理してもよい。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコン、または窒化
シリコンを積層して用いてもよい。
【0116】
絶縁体２２０、絶縁体２２２、絶縁体２２４、および絶縁体２５０は、ゲート絶縁体と
しての機能を有する。
しての機能を有する。
【0117】
ここで、酸化物２３０と接する絶縁体２２４は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多
くの酸素を含む絶縁体を用いることが好ましい。つまり、絶縁体２２４には、過剰酸素領
域が形成されていることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を酸化物２３０に
接して設けることにより、酸化物２３０中の酸素欠損を低減し、トランジスタ２００の信
頼性を向上させることができる。
くの酸素を含む絶縁体を用いることが好ましい。つまり、絶縁体２２４には、過剰酸素領
域が形成されていることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を酸化物２３０に
接して設けることにより、酸化物２３０中の酸素欠損を低減し、トランジスタ２００の信
頼性を向上させることができる。
【0118】
過剰酸素領域を有する絶縁体として、具体的には、加熱により一部の酸素が脱離する酸
化物材料を用いることが好ましい。加熱により酸素を脱離する酸化物とは、ＴＤＳ（Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析にて、酸素原子に
換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１．０
×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、さらに好ましくは２．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以上、または３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である酸化物膜である。なお
、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１
００℃以上４００℃以下の範囲が好ましい。
化物材料を用いることが好ましい。加熱により酸素を脱離する酸化物とは、ＴＤＳ（Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析にて、酸素原子に
換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１．０
×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、さらに好ましくは２．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以上、または３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である酸化物膜である。なお
、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１
００℃以上４００℃以下の範囲が好ましい。
【0119】
また、絶縁体２２４が、過剰酸素領域を有する場合、絶縁体２２２は、酸素（例えば、
酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透
過しにくい。）ことが好ましい。
酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透
過しにくい。）ことが好ましい。
【0120】
絶縁体２２２が、酸素や不純物の拡散を抑制する機能を有することで、酸化物２３０が
有する酸素は、絶縁体２２０側へ拡散することがなく、好ましい。また、導電体２０５が
、絶縁体２２４や、酸化物２３０が有する酸素と反応することを抑制することができる。
有する酸素は、絶縁体２２０側へ拡散することがなく、好ましい。また、導電体２０５が
、絶縁体２２４や、酸化物２３０が有する酸素と反応することを抑制することができる。
【0121】
絶縁体２２２は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジ
ルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３
）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などのいわゆるｈｉｇｈ－ｋ材料を含む絶縁
体を単層または積層で用いることが好ましい。トランジスタの微細化、および高集積化が
進むと、ゲート絶縁体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲー
ト絶縁体として機能する絶縁体にｈｉｇｈ－ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保ちなが
ら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。
ルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３
）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などのいわゆるｈｉｇｈ－ｋ材料を含む絶縁
体を単層または積層で用いることが好ましい。トランジスタの微細化、および高集積化が
進むと、ゲート絶縁体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲー
ト絶縁体として機能する絶縁体にｈｉｇｈ－ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保ちなが
ら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。
【0122】
特に、不純物、および酸素などの拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにく
い。）絶縁性材料であるアルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む
絶縁体を用いるとよい。アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む
絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含
む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。このような材料を用
いて絶縁体２２２を形成した場合、絶縁体２２２は、酸化物２３０からの酸素の放出や、
トランジスタ２００の周辺部から酸化物２３０への水素等の不純物の混入を抑制する層と
して機能する。
い。）絶縁性材料であるアルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む
絶縁体を用いるとよい。アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む
絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含
む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。このような材料を用
いて絶縁体２２２を形成した場合、絶縁体２２２は、酸化物２３０からの酸素の放出や、
トランジスタ２００の周辺部から酸化物２３０への水素等の不純物の混入を抑制する層と
して機能する。
【0123】
または、これらの絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニ
ウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、
酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁体を窒化処理してもよい。上記
の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい
。
ウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、
酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁体を窒化処理してもよい。上記
の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい
。
【0124】
また、絶縁体２２０は、熱的に安定していることが好ましい。例えば、酸化シリコンお
よび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、ｈｉｇｈ－ｋ材料の絶縁体と絶縁体２
２０とを組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができ
る。
よび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、ｈｉｇｈ－ｋ材料の絶縁体と絶縁体２
２０とを組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができ
る。
【0125】
なお、絶縁体２２０、絶縁体２２２、および絶縁体２２４が、２層以上の積層構造を有
していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からな
る積層構造でもよい。
していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からな
る積層構造でもよい。
【0126】
酸化物２３０は、酸化物２３０ａと、酸化物２３０ａ上の酸化物２３０ｂと、酸化物２
３０ｂ上の酸化物２３０ｃと、を有する。酸化物２３０ｂ下に酸化物２３０ａを有するこ
とで、酸化物２３０ａよりも下方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の
拡散を抑制することができる。また、酸化物２３０ｂ上に酸化物２３０ｃを有することで
、酸化物２３０ｃよりも上方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の拡散
を抑制することができる。
３０ｂ上の酸化物２３０ｃと、を有する。酸化物２３０ｂ下に酸化物２３０ａを有するこ
とで、酸化物２３０ａよりも下方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の
拡散を抑制することができる。また、酸化物２３０ｂ上に酸化物２３０ｃを有することで
、酸化物２３０ｃよりも上方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の拡散
を抑制することができる。
【0127】
なお、酸化物２３０は、各金属原子の原子数比が異なる酸化物により、積層構造を有す
ることが好ましい。具体的には、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物において、構成元素
中の元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物における、構成元素中の元
素Ｍの原子数比より、大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物
において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物におけ
る、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ｂに
用いる金属酸化物において、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、酸化物２３０ａに用いる
金属酸化物における、元素Ｍに対するＩｎの原子数比より大きいことが好ましい。また、
酸化物２３０ｃは、酸化物２３０ａまたは酸化物２３０ｂに用いることができる金属酸化
物を、用いることができる。
ることが好ましい。具体的には、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物において、構成元素
中の元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物における、構成元素中の元
素Ｍの原子数比より、大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物
において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物におけ
る、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ｂに
用いる金属酸化物において、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、酸化物２３０ａに用いる
金属酸化物における、元素Ｍに対するＩｎの原子数比より大きいことが好ましい。また、
酸化物２３０ｃは、酸化物２３０ａまたは酸化物２３０ｂに用いることができる金属酸化
物を、用いることができる。
【0128】
また、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの伝導帯下端のエネルギーが、酸化物２３
０ｂの伝導帯下端のエネルギーより高くなることが好ましい。また、言い換えると、酸化
物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの電子親和力が、酸化物２３０ｂの電子親和力より小さ
いことが好ましい。
０ｂの伝導帯下端のエネルギーより高くなることが好ましい。また、言い換えると、酸化
物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの電子親和力が、酸化物２３０ｂの電子親和力より小さ
いことが好ましい。
【0129】
ここで、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの接合部において、
伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、酸化物２３０ａ、酸化
物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの接合部における伝導帯下端のエネルギー準位は、連
続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようにするためには、酸化物
２３０ａと酸化物２３０ｂとの界面、および酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃとの界面に
おいて形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。
伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、酸化物２３０ａ、酸化
物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの接合部における伝導帯下端のエネルギー準位は、連
続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようにするためには、酸化物
２３０ａと酸化物２３０ｂとの界面、および酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃとの界面に
おいて形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。
【0130】
具体的には、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂ、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃが、
酸素以外に共通の元素を有する（主成分とする。）ことで、欠陥準位密度が低い混合層を
形成することができる。例えば、酸化物２３０ｂがＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物の場合、酸化
物２３０ａおよび酸化物２３０ｃとして、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｚｎ酸化物、
酸化ガリウムなどを用いるとよい。
酸素以外に共通の元素を有する（主成分とする。）ことで、欠陥準位密度が低い混合層を
形成することができる。例えば、酸化物２３０ｂがＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物の場合、酸化
物２３０ａおよび酸化物２３０ｃとして、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｚｎ酸化物、
酸化ガリウムなどを用いるとよい。
【0131】
このとき、キャリアの主たる経路は酸化物２３０ｂとなる場合がある。酸化物２３０ａ
、酸化物２３０ｃを上述の構成とすることで、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂとの界面
、および酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃとの界面における欠陥準位密度を低くすること
ができる。そのため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さくなり、トランジスタ
２００は高いオン電流を得られる。
、酸化物２３０ｃを上述の構成とすることで、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂとの界面
、および酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃとの界面における欠陥準位密度を低くすること
ができる。そのため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さくなり、トランジスタ
２００は高いオン電流を得られる。
【0132】
また、酸化物２３０は、領域２３１および領域２３４を有する。なお、領域２３１の少
なくとも一部は、導電体２４２と接する領域を有する。
なくとも一部は、導電体２４２と接する領域を有する。
【0133】
なお、トランジスタ２００をオンさせると、領域２３１ａ、または領域２３１ｂは、ソ
ース領域、またはドレイン領域として機能する。一方、領域２３４の少なくとも一部は、
チャネルが形成される領域として機能する。また、領域２３１と領域２３４との間に、接
合領域として機能する領域２３２を有していてもよい。
ース領域、またはドレイン領域として機能する。一方、領域２３４の少なくとも一部は、
チャネルが形成される領域として機能する。また、領域２３１と領域２３４との間に、接
合領域として機能する領域２３２を有していてもよい。
【0134】
つまり、各領域の範囲を適宜選択することにより、回路設計に合わせて、要求に見合う
電気特性を有するトランジスタを容易に提供することができる。
電気特性を有するトランジスタを容易に提供することができる。
【0135】
酸化物２３０は、酸化物半導体として機能する金属酸化物（以下、酸化物半導体ともい
う。）を用いることが好ましい。例えば、領域２３４となる金属酸化物としては、バンド
ギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上のものを用いることが好ましい。この
ように、バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を
低減することができる。
う。）を用いることが好ましい。例えば、領域２３４となる金属酸化物としては、バンド
ギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上のものを用いることが好ましい。この
ように、バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を
低減することができる。
【0136】
酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さい
ため、低消費電力の半導体装置を提供できる。また、酸化物半導体は、スパッタリング法
などを用いて成膜できるため、高集積型の半導体装置を構成するトランジスタに用いるこ
とができる。
ため、低消費電力の半導体装置を提供できる。また、酸化物半導体は、スパッタリング法
などを用いて成膜できるため、高集積型の半導体装置を構成するトランジスタに用いるこ
とができる。
【0137】
酸化物２３０ｂ上には、ソース電極、およびドレイン電極として機能する導電体２４２
（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）が設けられる。導電体２４２としては、アル
ミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タン
グステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、
ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンから選ば
れた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合
わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステ
ン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ル
テニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッ
ケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタ
ンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム
、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含
む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料
であるため、好ましい。
（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）が設けられる。導電体２４２としては、アル
ミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タン
グステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、
ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンから選ば
れた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合
わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステ
ン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ル
テニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッ
ケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタ
ンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム
、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含
む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料
であるため、好ましい。
【0138】
酸化物２３０と接するように上記導電体２４２を設けることで、領域２４３の酸素濃度
が低減する場合がある。また、領域２４３に導電体２４２に含まれる金属と、酸化物２３
０の成分とを含む金属化合物層が形成される場合がある。このような場合、領域２４３の
キャリア密度が増加し、領域２４３は、低抵抗領域となる。
が低減する場合がある。また、領域２４３に導電体２４２に含まれる金属と、酸化物２３
０の成分とを含む金属化合物層が形成される場合がある。このような場合、領域２４３の
キャリア密度が増加し、領域２４３は、低抵抗領域となる。
【0139】
ここで、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間の領域は、絶縁体２８０の開口に重畳し
て形成される。これにより、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間に導電体２６０を自己
整合的に配置することができる。
て形成される。これにより、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間に導電体２６０を自己
整合的に配置することができる。
【0140】
絶縁体２４４は、導電体２４２を覆うように設けられ、導電体２４２の酸化を抑制する
。このとき、絶縁体２４４は、酸化物２３０の側面を覆い、絶縁体２２４と接するように
設けられてもよい。
。このとき、絶縁体２４４は、酸化物２３０の側面を覆い、絶縁体２２４と接するように
設けられてもよい。
【0141】
絶縁体２４４として、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニ
ウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウ
ムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。
ウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウ
ムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。
【0142】
特に、アルミニウム、またはハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体である
、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハ
フニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。特に、ハフニウムアルミネートは
、酸化ハフニウム膜よりも、耐熱性が高い。そのため、後の工程での熱履歴において、結
晶化しにくいため好ましい。なお、導電体２４２が耐酸化性を有する材料、または、酸素
を吸収しても著しく導電性が低下しない場合、絶縁体２４４は、必須の構成ではない。求
めるトランジスタ特性により、適宜設計すればよい。
、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハ
フニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。特に、ハフニウムアルミネートは
、酸化ハフニウム膜よりも、耐熱性が高い。そのため、後の工程での熱履歴において、結
晶化しにくいため好ましい。なお、導電体２４２が耐酸化性を有する材料、または、酸素
を吸収しても著しく導電性が低下しない場合、絶縁体２４４は、必須の構成ではない。求
めるトランジスタ特性により、適宜設計すればよい。
【0143】
絶縁体２５０は、ゲート絶縁体として機能する。絶縁体２５０は、酸化物２３０ｃの内
側（上面および側面）に接して配置されることが好ましい。絶縁体２５０は、加熱により
酸素が放出される絶縁体を用いて形成することが好ましい。例えば、昇温脱離ガス分光法
分析（ＴＤＳ分析）にて、酸素分子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、さらに好まし
くは２．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、または３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以上である酸化物膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては
１００℃以上７００℃以下の範囲が好ましい。
側（上面および側面）に接して配置されることが好ましい。絶縁体２５０は、加熱により
酸素が放出される絶縁体を用いて形成することが好ましい。例えば、昇温脱離ガス分光法
分析（ＴＤＳ分析）にて、酸素分子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、さらに好まし
くは２．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、または３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以上である酸化物膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては
１００℃以上７００℃以下の範囲が好ましい。
【0144】
具体的には、過剰酸素を有する酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、
窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素およ
び窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンを用いることができる。特に
、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは熱に対し安定であるため好ましい。
窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素およ
び窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンを用いることができる。特に
、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは熱に対し安定であるため好ましい。
【0145】
加熱により酸素が放出される絶縁体を、絶縁体２５０として、酸化物２３０ｃの上面に
接して設けることにより、絶縁体２５０から、酸化物２３０ｃを通じて、酸化物２３０ｂ
の領域２３４に効果的に酸素を供給することができる。また、絶縁体２２４と同様に、絶
縁体２５０中の水または水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。絶縁体
２５０の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とするのが好ましい。
接して設けることにより、絶縁体２５０から、酸化物２３０ｃを通じて、酸化物２３０ｂ
の領域２３４に効果的に酸素を供給することができる。また、絶縁体２２４と同様に、絶
縁体２５０中の水または水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。絶縁体
２５０の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とするのが好ましい。
【0146】
また、絶縁体２５０は、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間だけでなく、導電体２４２
と導電体２６０の間にも設けられる。絶縁体２５０として要求される膜厚により、導電体
２４２と導電体２６０の間に寄生容量が形成され、トランジスタ２００、あるいは半導体
装置の特性に悪影響を与えてしまう場合には、導電体２４２と導電体２６０の間に位置す
る絶縁体２５０の膜厚を、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０の
膜厚より、厚くするのが好ましい。そのためには、例えば、導電体２４２と導電体２６０
の間に位置する絶縁体２５０を２層構造とし、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間に位置
する絶縁体２５０を単層構造とすればよい。詳細は後述するが、酸化物２３０ｃとなる酸
化膜２３０Ｃの内側に、第１の絶縁体となる絶縁膜を形成し、該絶縁膜に対して異方性エ
ッチングを行い、酸化膜２３０Ｃの内壁のみに第１の絶縁体を形成する。続けて、第２の
絶縁体となる絶縁膜を形成することで、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間に位置する絶
縁体２５０は単層構造となり、導電体２４２と導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０
は２層構造となる。よって、導電体２４２と導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０の
膜厚を酸化物２３０ｂと導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０の膜厚より、厚くする
ことができる。
と導電体２６０の間にも設けられる。絶縁体２５０として要求される膜厚により、導電体
２４２と導電体２６０の間に寄生容量が形成され、トランジスタ２００、あるいは半導体
装置の特性に悪影響を与えてしまう場合には、導電体２４２と導電体２６０の間に位置す
る絶縁体２５０の膜厚を、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０の
膜厚より、厚くするのが好ましい。そのためには、例えば、導電体２４２と導電体２６０
の間に位置する絶縁体２５０を２層構造とし、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間に位置
する絶縁体２５０を単層構造とすればよい。詳細は後述するが、酸化物２３０ｃとなる酸
化膜２３０Ｃの内側に、第１の絶縁体となる絶縁膜を形成し、該絶縁膜に対して異方性エ
ッチングを行い、酸化膜２３０Ｃの内壁のみに第１の絶縁体を形成する。続けて、第２の
絶縁体となる絶縁膜を形成することで、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間に位置する絶
縁体２５０は単層構造となり、導電体２４２と導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０
は２層構造となる。よって、導電体２４２と導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０の
膜厚を酸化物２３０ｂと導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０の膜厚より、厚くする
ことができる。
【0147】
また、絶縁体２５０が有する過剰酸素を、効率的に酸化物２３０へ供給するために、絶
縁体２５０と導電体２６０との間に金属酸化物を設けてもよい。当該金属酸化物は、絶縁
体２５０から導電体２６０への酸素拡散を抑制することが好ましい。酸素の拡散を抑制す
る金属酸化物を設けることで、絶縁体２５０から導電体２６０への過剰酸素の拡散が抑制
される。つまり、酸化物２３０へ供給する過剰酸素量の減少を抑制することができる。ま
た、過剰酸素による導電体２６０の酸化を抑制することができる。
縁体２５０と導電体２６０との間に金属酸化物を設けてもよい。当該金属酸化物は、絶縁
体２５０から導電体２６０への酸素拡散を抑制することが好ましい。酸素の拡散を抑制す
る金属酸化物を設けることで、絶縁体２５０から導電体２６０への過剰酸素の拡散が抑制
される。つまり、酸化物２３０へ供給する過剰酸素量の減少を抑制することができる。ま
た、過剰酸素による導電体２６０の酸化を抑制することができる。
【0148】
また、当該金属酸化物は、ゲート絶縁体の一部としての機能を有する場合がある。した
がって、絶縁体２５０に酸化シリコンや酸化窒化シリコンなどを用いる場合、当該金属酸
化物は、比誘電率が高いｈｉｇｈ－ｋ材料である金属酸化物を用いることが好ましい。ゲ
ート絶縁体を、絶縁体２５０と当該金属酸化物との積層構造とすることで、熱に対して安
定、かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。したがって、ゲート絶縁体の物理
膜厚を保持したまま、トランジスタ動作時に印加するゲート電位の低減化が可能となる。
また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の薄膜化が可能とな
る。
がって、絶縁体２５０に酸化シリコンや酸化窒化シリコンなどを用いる場合、当該金属酸
化物は、比誘電率が高いｈｉｇｈ－ｋ材料である金属酸化物を用いることが好ましい。ゲ
ート絶縁体を、絶縁体２５０と当該金属酸化物との積層構造とすることで、熱に対して安
定、かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。したがって、ゲート絶縁体の物理
膜厚を保持したまま、トランジスタ動作時に印加するゲート電位の低減化が可能となる。
また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の薄膜化が可能とな
る。
【0149】
具体的には、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、タ
ングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウムなどか
ら選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。
ングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウムなどか
ら選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。
【0150】
特に、アルミニウム、またはハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体である
、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハ
フニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。特に、ハフニウムアルミネートは
、酸化ハフニウム膜よりも、耐熱性が高い。そのため、後の工程での熱履歴において、結
晶化しにくいため好ましい。なお、当該金属酸化物は、必須の構成ではない。求めるトラ
ンジスタ特性により、適宜設計すればよい。
、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハ
フニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。特に、ハフニウムアルミネートは
、酸化ハフニウム膜よりも、耐熱性が高い。そのため、後の工程での熱履歴において、結
晶化しにくいため好ましい。なお、当該金属酸化物は、必須の構成ではない。求めるトラ
ンジスタ特性により、適宜設計すればよい。
【0151】
第１のゲート電極として機能する導電体２６０は、図１では２層構造として示している
が、単層構造でもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。
が、単層構造でもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。
【0152】
導電体２６０ａは、導電体２０５ａと同様に、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子
、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散を
抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素
原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いる
ことが好ましい。
、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散を
抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素
原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いる
ことが好ましい。
【0153】
また、導電体２６０ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、絶縁体２５０に
含まれる酸素により、導電体２６０ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することが
できる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒
化タンタル、ルテニウム、または酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。
含まれる酸素により、導電体２６０ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することが
できる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒
化タンタル、ルテニウム、または酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。
【0154】
また、導電体２６０ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電
性材料を用いることが好ましい。また、導電体２６０ｂは、配線としても機能するため、
導電性が高い導電体を用いることが好ましい。例えば、タングステン、銅、またはアルミ
ニウムを主成分とする導電性材料を用いることができる。また、導電体２６０ｂは積層構
造としてもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との積層構造としてもよ
い。
性材料を用いることが好ましい。また、導電体２６０ｂは、配線としても機能するため、
導電性が高い導電体を用いることが好ましい。例えば、タングステン、銅、またはアルミ
ニウムを主成分とする導電性材料を用いることができる。また、導電体２６０ｂは積層構
造としてもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との積層構造としてもよ
い。
【0155】
また、図１（Ｃ）に示すように、導電体２０５が、酸化物２３０のチャネル幅方向と交
わる端部よりも外側の領域において、延伸している場合、導電体２６０は、当該領域にお
いて、絶縁体２５０を介して、導電体２０５と重畳していることが好ましい。つまり、酸
化物２３０の側面の外側において、導電体２０５と、絶縁体２５０と、導電体２６０とは
、積層構造を形成することが好ましい。
わる端部よりも外側の領域において、延伸している場合、導電体２６０は、当該領域にお
いて、絶縁体２５０を介して、導電体２０５と重畳していることが好ましい。つまり、酸
化物２３０の側面の外側において、導電体２０５と、絶縁体２５０と、導電体２６０とは
、積層構造を形成することが好ましい。
【0156】
上記構成を有することで、導電体２６０、および導電体２０５に電位を印加した場合、
導電体２６０から生じる電界と、導電体２０５から生じる電界と、がつながり、酸化物２
３０に形成されるチャネル形成領域を覆うことができる。
導電体２６０から生じる電界と、導電体２０５から生じる電界と、がつながり、酸化物２
３０に形成されるチャネル形成領域を覆うことができる。
【0157】
つまり、第１のゲート電極としての機能を有する導電体２６０の電界と、第２のゲート
電極としての機能を有する導電体２０５の電界によって、領域２３４のチャネル形成領域
を電気的に取り囲むことができる。
電極としての機能を有する導電体２０５の電界によって、領域２３４のチャネル形成領域
を電気的に取り囲むことができる。
【0158】
絶縁体２８０は、絶縁体２４４を介して、導電体２４２上に設けられる。絶縁体２８０
は、過剰酸素領域を有することが好ましい。例えば、絶縁体２８０として、酸化シリコン
、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン
、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する
酸化シリコン、または樹脂などを有することが好ましい。特に、酸化シリコンおよび酸化
窒化シリコンは、熱的に安定であるため好ましい。特に、酸化シリコン、空孔を有する酸
化シリコンは、後の工程で、容易に過剰酸素領域を形成することができるため好ましい。
は、過剰酸素領域を有することが好ましい。例えば、絶縁体２８０として、酸化シリコン
、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン
、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する
酸化シリコン、または樹脂などを有することが好ましい。特に、酸化シリコンおよび酸化
窒化シリコンは、熱的に安定であるため好ましい。特に、酸化シリコン、空孔を有する酸
化シリコンは、後の工程で、容易に過剰酸素領域を形成することができるため好ましい。
【0159】
上述のように、絶縁体２８０は、過剰酸素領域を有することが好ましい。加熱により酸
素が放出される絶縁体２８０を、酸化物２３０ｃと接して設けることで、絶縁体２８０中
の酸素を、酸化物２３０ｃを通じて、酸化物２３０の領域２３４へと効率良く供給するこ
とができる。なお、絶縁体２８０中の水または水素などの不純物濃度が低減されているこ
とが好ましい。
素が放出される絶縁体２８０を、酸化物２３０ｃと接して設けることで、絶縁体２８０中
の酸素を、酸化物２３０ｃを通じて、酸化物２３０の領域２３４へと効率良く供給するこ
とができる。なお、絶縁体２８０中の水または水素などの不純物濃度が低減されているこ
とが好ましい。
【0160】
また、絶縁体２８０の上面は、導電体２６０の上面、および絶縁体２５０の上面と概略
一致することが好ましい。
一致することが好ましい。
【0161】
絶縁体２７４は、絶縁体２８０の上面、導電体２６０の上面、および絶縁体２５０の上
面に接して設けられることが好ましい。絶縁体２７４をスパッタリング法で成膜すること
で、絶縁体２５０および絶縁体２８０へ過剰酸素領域を設けることができる。これにより
、当該過剰酸素領域から、酸化物２３０中に酸素を供給することができる。
面に接して設けられることが好ましい。絶縁体２７４をスパッタリング法で成膜すること
で、絶縁体２５０および絶縁体２８０へ過剰酸素領域を設けることができる。これにより
、当該過剰酸素領域から、酸化物２３０中に酸素を供給することができる。
【0162】
例えば、絶縁体２７４として、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、
ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、またはマグ
ネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることがで
きる。
ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、またはマグ
ネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることがで
きる。
【0163】
特に、酸化アルミニウムはバリア性が高く、０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の薄膜であ
っても、水素、および窒素の拡散を抑制することができる。したがって、スパッタリング
法で成膜した酸化アルミニウムは、酸素供給源であるとともに、水素などの不純物のバリ
ア膜としての機能も有することができる。例えば、スパッタリング法で成膜した酸化アル
ミニウムを絶縁体２７４に用いることで、絶縁体２７４は、絶縁体２８０に酸素供給を行
うとともに、絶縁体２７４の上方からの水素などの不純物が、絶縁体２８０側に混入する
のを抑制することができる。
っても、水素、および窒素の拡散を抑制することができる。したがって、スパッタリング
法で成膜した酸化アルミニウムは、酸素供給源であるとともに、水素などの不純物のバリ
ア膜としての機能も有することができる。例えば、スパッタリング法で成膜した酸化アル
ミニウムを絶縁体２７４に用いることで、絶縁体２７４は、絶縁体２８０に酸素供給を行
うとともに、絶縁体２７４の上方からの水素などの不純物が、絶縁体２８０側に混入する
のを抑制することができる。
【0164】
また、絶縁体２７４の上に、層間膜として機能する絶縁体２８１を設けることが好まし
い。絶縁体２８１は、絶縁体２２４などと同様に、膜中の水または水素などの不純物濃度
が低減されていることが好ましい。
い。絶縁体２８１は、絶縁体２２４などと同様に、膜中の水または水素などの不純物濃度
が低減されていることが好ましい。
【0165】
また、絶縁体２８１、絶縁体２７４、絶縁体２８０、および絶縁体２４４に形成された
開口に、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂを配置する。導電体２４０ａおよび導電体
２４０ｂは、導電体２６０を挟んで対向して設ける。なお、導電体２４０ａおよび導電体
２４０ｂの上面の高さは、絶縁体２８１の上面と、同一平面上としてもよい。
開口に、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂを配置する。導電体２４０ａおよび導電体
２４０ｂは、導電体２６０を挟んで対向して設ける。なお、導電体２４０ａおよび導電体
２４０ｂの上面の高さは、絶縁体２８１の上面と、同一平面上としてもよい。
【0166】
なお、絶縁体２８１、絶縁体２７４、絶縁体２８０、および絶縁体２４４の開口の内壁
に接して、導電体２４０ａの第１の導電体が形成されている。当該開口の底部の少なくと
も一部には導電体２４２ａが位置しており、導電体２４０ａが導電体２４２ａと接する。
同様に、絶縁体２８１、絶縁体２７４、絶縁体２８０、および絶縁体２４４の開口の内壁
に接して、導電体２４０ｂの第１の導電体が形成されている。当該開口の底部の少なくと
も一部には導電体２４２ｂが位置しており、導電体２４０ｂが導電体２４２ｂと接する。
に接して、導電体２４０ａの第１の導電体が形成されている。当該開口の底部の少なくと
も一部には導電体２４２ａが位置しており、導電体２４０ａが導電体２４２ａと接する。
同様に、絶縁体２８１、絶縁体２７４、絶縁体２８０、および絶縁体２４４の開口の内壁
に接して、導電体２４０ｂの第１の導電体が形成されている。当該開口の底部の少なくと
も一部には導電体２４２ｂが位置しており、導電体２４０ｂが導電体２４２ｂと接する。
【0167】
ここで、図３（Ａ）に、図１（Ａ）にＡ５－Ａ６の一点鎖線で示す部位、すなわちトラ
ンジスタ２００のソース領域またはドレイン領域の断面図を示す。図３に示すように、導
電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）は、少なくとも導電体２４２ａ（導電体２４２ｂ）の上
面、および側面と接し、さらに酸化物２３０ｂの側面、および酸化物２３０ａの側面と接
することが好ましい。特に、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）は、酸化物２３０のチャ
ネル幅方向と交わる側面において、Ａ５側の側面、およびＡ６側の側面の双方または一方
と接することが好ましい。また、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）が、酸化物２３０の
チャネル長方向と交わる側面において、Ａ１側（Ａ２側）の側面と接する構成にしてもよ
い。このように、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂを、導電体２４２ａ（導電体２
４２ｂ）の上面、および側面に加えて、酸化物２３０ｂの側面、および酸化物２３０ａの
側面と接する構成にすることにより、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）と導電体２４２
ａ（導電体２４２ｂ）のコンタクト部の上面積を増やすことなく、コンタクト部の接触面
積を増加させ、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）と導電体２４２ａ（導電体２４２ｂ）
の接触抵抗を低減することができる。これにより、トランジスタのソース電極およびドレ
イン電極の微細化を図りつつ、オン電流を大きくすることができる。
ンジスタ２００のソース領域またはドレイン領域の断面図を示す。図３に示すように、導
電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）は、少なくとも導電体２４２ａ（導電体２４２ｂ）の上
面、および側面と接し、さらに酸化物２３０ｂの側面、および酸化物２３０ａの側面と接
することが好ましい。特に、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）は、酸化物２３０のチャ
ネル幅方向と交わる側面において、Ａ５側の側面、およびＡ６側の側面の双方または一方
と接することが好ましい。また、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）が、酸化物２３０の
チャネル長方向と交わる側面において、Ａ１側（Ａ２側）の側面と接する構成にしてもよ
い。このように、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂを、導電体２４２ａ（導電体２
４２ｂ）の上面、および側面に加えて、酸化物２３０ｂの側面、および酸化物２３０ａの
側面と接する構成にすることにより、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）と導電体２４２
ａ（導電体２４２ｂ）のコンタクト部の上面積を増やすことなく、コンタクト部の接触面
積を増加させ、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）と導電体２４２ａ（導電体２４２ｂ）
の接触抵抗を低減することができる。これにより、トランジスタのソース電極およびドレ
イン電極の微細化を図りつつ、オン電流を大きくすることができる。
【0168】
また、図３（Ｂ）は、導電体２４２ａ（導電体２４２ｂ）の一部を露出する開口を形成
する際、リソグラフィー法におけるマスクのアライメントが、Ａ５方向にずれてしまった
場合の例を示している。チャネル幅方向において、導電体２４２ａ（導電体２４２ｂ）、
酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ａの幅よりも、開口の幅を大きくすることにより、
アライメントずれが生じても、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）は、導電体２４２ａ（
導電体２４２ｂ）の上面、および側面、酸化物２３０ｂの側面、および酸化物２３０ａの
側面と接することができ、良好なコンタクトが得られる。
する際、リソグラフィー法におけるマスクのアライメントが、Ａ５方向にずれてしまった
場合の例を示している。チャネル幅方向において、導電体２４２ａ（導電体２４２ｂ）、
酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ａの幅よりも、開口の幅を大きくすることにより、
アライメントずれが生じても、導電体２４０ａ（導電体２４０ｂ）は、導電体２４２ａ（
導電体２４２ｂ）の上面、および側面、酸化物２３０ｂの側面、および酸化物２３０ａの
側面と接することができ、良好なコンタクトが得られる。
【0169】
導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主
成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体２４０ａおよび導電体２４
０ｂは積層構造としてもよい。
成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体２４０ａおよび導電体２４
０ｂは積層構造としてもよい。
【0170】
また、導電体２４０を積層構造とする場合、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、導電体
２４２、絶縁体２４４、絶縁体２８０、絶縁体２７４、絶縁体２８１と接する導電体には
、導電体２０５ａなどと同様に、水または水素などの不純物の透過を抑制する機能を有す
る導電性材料を用いることが好ましい。例えば、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化
チタン、ルテニウム、または酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。また、水また
は水素などの不純物の透過を抑制する機能を有する導電性材料は、単層または積層で用い
てもよい。当該導電性材料を用いることで、絶縁体２８１より上層から水素、水などの不
純物が、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂを通じて酸化物２３０に混入するのを抑制
することができる。
２４２、絶縁体２４４、絶縁体２８０、絶縁体２７４、絶縁体２８１と接する導電体には
、導電体２０５ａなどと同様に、水または水素などの不純物の透過を抑制する機能を有す
る導電性材料を用いることが好ましい。例えば、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化
チタン、ルテニウム、または酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。また、水また
は水素などの不純物の透過を抑制する機能を有する導電性材料は、単層または積層で用い
てもよい。当該導電性材料を用いることで、絶縁体２８１より上層から水素、水などの不
純物が、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂを通じて酸化物２３０に混入するのを抑制
することができる。
【0171】
また、図示しないが、導電体２４０ａの上面、および導電体２４０ｂの上面に接して配
線として機能する導電体を配置してもよい。配線として機能する導電体は、タングステン
、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、当
該導電体は、積層構造としてもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との
積層としてもよい。なお、当該導電体は、導電体２０３などと同様に、絶縁体に設けられ
た開口に埋め込むように形成してもよい。
線として機能する導電体を配置してもよい。配線として機能する導電体は、タングステン
、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、当
該導電体は、積層構造としてもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との
積層としてもよい。なお、当該導電体は、導電体２０３などと同様に、絶縁体に設けられ
た開口に埋め込むように形成してもよい。
【0172】
＜半導体装置の構成材料＞
以下では、半導体装置に用いることができる構成材料について説明する。
以下では、半導体装置に用いることができる構成材料について説明する。
【0173】
＜＜基板＞＞
トランジスタ２００を形成する基板としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板、また
は導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サ
ファイア基板、安定化ジルコニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基
板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの半導
体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム
、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導
体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ
Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金
基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を
有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、
半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が
設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよ
い。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記
憶素子などがある。
トランジスタ２００を形成する基板としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板、また
は導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サ
ファイア基板、安定化ジルコニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基
板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの半導
体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム
、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導
体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ
Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金
基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を
有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、
半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が
設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよ
い。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記
憶素子などがある。
【0174】
また、基板として、可撓性基板を用いてもよい。なお、可撓性基板上にトランジスタを
設ける方法としては、非可撓性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥
離し、可撓性基板である基板に転置する方法もある。その場合には、非可撓性基板とトラ
ンジスタとの間に剥離層を設けるとよい。また、基板が伸縮性を有してもよい。また、基
板は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有してもよい。または、
元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板は、例えば、５μｍ以上７００μｍ以下、
好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以上３００μｍ以下
の厚さとなる領域を有する。基板を薄くすると、トランジスタを有する半導体装置を軽量
化することができる。また、基板を薄くすることで、ガラスなどを用いた場合にも伸縮性
を有する場合や、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有する場合が
ある。そのため、落下などによって基板上の半導体装置に加わる衝撃などを緩和すること
ができる。すなわち、丈夫な半導体装置を提供することができる。
設ける方法としては、非可撓性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥
離し、可撓性基板である基板に転置する方法もある。その場合には、非可撓性基板とトラ
ンジスタとの間に剥離層を設けるとよい。また、基板が伸縮性を有してもよい。また、基
板は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有してもよい。または、
元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板は、例えば、５μｍ以上７００μｍ以下、
好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以上３００μｍ以下
の厚さとなる領域を有する。基板を薄くすると、トランジスタを有する半導体装置を軽量
化することができる。また、基板を薄くすることで、ガラスなどを用いた場合にも伸縮性
を有する場合や、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有する場合が
ある。そのため、落下などによって基板上の半導体装置に加わる衝撃などを緩和すること
ができる。すなわち、丈夫な半導体装置を提供することができる。
【0175】
可撓性基板である基板としては、例えば、金属、合金、樹脂もしくはガラス、またはそ
れらの繊維などを用いることができる。また、基板として、繊維を編み込んだシート、フ
ィルムまたは箔などを用いてもよい。可撓性基板である基板は、線膨張率が低いほど環境
による変形が抑制されて好ましい。可撓性基板である基板としては、例えば、線膨張率が
１×１０－３／Ｋ以下、５×１０－５／Ｋ以下、または１×１０－５／Ｋ以下である材質
を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（
ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリルなどがある。特に
、アラミドは、線膨張率が低いため、可撓性基板である基板として好適である。
れらの繊維などを用いることができる。また、基板として、繊維を編み込んだシート、フ
ィルムまたは箔などを用いてもよい。可撓性基板である基板は、線膨張率が低いほど環境
による変形が抑制されて好ましい。可撓性基板である基板としては、例えば、線膨張率が
１×１０－３／Ｋ以下、５×１０－５／Ｋ以下、または１×１０－５／Ｋ以下である材質
を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（
ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリルなどがある。特に
、アラミドは、線膨張率が低いため、可撓性基板である基板として好適である。
【0176】
＜＜絶縁体＞＞
絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化
物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。
絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化
物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。
【0177】
例えば、トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁体の薄膜化によ
り、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体として機能する絶縁体に、
ｈｉｇｈ－ｋ材料を用いることで物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時の低電圧化
が可能となる。一方、層間膜として機能する絶縁体には、比誘電率が低い材料を用いるこ
とで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。したがって、絶縁体の機能に応
じて、材料を選択するとよい。
り、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体として機能する絶縁体に、
ｈｉｇｈ－ｋ材料を用いることで物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時の低電圧化
が可能となる。一方、層間膜として機能する絶縁体には、比誘電率が低い材料を用いるこ
とで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。したがって、絶縁体の機能に応
じて、材料を選択するとよい。
【0178】
また、比誘電率の高い絶縁体としては、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニ
ウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを
有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、シリコンおよびハフニウ
ムを有する酸化窒化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する窒化物などがある。
ウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを
有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、シリコンおよびハフニウ
ムを有する酸化窒化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する窒化物などがある。
【0179】
また、比誘電率が低い絶縁体としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シ
リコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、
炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などが
ある。
リコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、
炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などが
ある。
【0180】
また、特に、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定である。そのため、
例えば、樹脂と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすること
ができる。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロ
ン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリルなどがある。また、
例えば、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは、比誘電率の高い絶縁体と組み合わせ
ることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。
例えば、樹脂と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすること
ができる。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロ
ン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリルなどがある。また、
例えば、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは、比誘電率の高い絶縁体と組み合わせ
ることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。
【0181】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、水素などの不純物および酸素の透過を抑
制する機能を有する絶縁体で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にするこ
とができる。
制する機能を有する絶縁体で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にするこ
とができる。
【0182】
水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体としては、例えば、
ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩
素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオ
ジム、ハフニウム、またはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい
。具体的には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体として
、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イット
リウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、または酸化
タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いることがで
きる。
ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩
素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオ
ジム、ハフニウム、またはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい
。具体的には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体として
、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イット
リウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、または酸化
タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いることがで
きる。
【0183】
例えば、絶縁体２７４として、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、
ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マ
グネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることが
できる。また、シリコンの窒化物や、酸素を含むシリコンの窒化物、すなわち、窒化シリ
コンや、窒化酸化シリコンなどを用いることができる。
ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マ
グネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることが
できる。また、シリコンの窒化物や、酸素を含むシリコンの窒化物、すなわち、窒化シリ
コンや、窒化酸化シリコンなどを用いることができる。
【0184】
特に、酸化アルミニウムはバリア性が高く、０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の薄膜であ
っても、水素、および窒素の拡散を抑制することができる。また、酸化ハフニウムは、酸
化アルミニウムよりもバリア性が低いが、膜厚を厚くすることによりバリア性を高めるこ
とができる。したがって、酸化ハフニウムの膜厚を調整することで、水素、および窒素の
適切な添加量を調整することができる。
っても、水素、および窒素の拡散を抑制することができる。また、酸化ハフニウムは、酸
化アルミニウムよりもバリア性が低いが、膜厚を厚くすることによりバリア性を高めるこ
とができる。したがって、酸化ハフニウムの膜厚を調整することで、水素、および窒素の
適切な添加量を調整することができる。
【0185】
例えば、ゲート絶縁体として機能する絶縁体２５０および絶縁体２２４は、過剰酸素領
域を有する絶縁体であることが好ましい。例えば、過剰酸素領域を有する酸化シリコンま
たは酸化窒化シリコンを酸化物２３０と接する構造とすることで、酸化物２３０が有する
酸素欠損を補償することができる。
域を有する絶縁体であることが好ましい。例えば、過剰酸素領域を有する酸化シリコンま
たは酸化窒化シリコンを酸化物２３０と接する構造とすることで、酸化物２３０が有する
酸素欠損を補償することができる。
【0186】
また、例えば、ゲート絶縁体の一部として機能する絶縁体２２２において、アルミニウ
ム、ハフニウム、およびガリウムの一種または複数種の酸化物を含む絶縁体を用いること
ができる。特に、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体
として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化
物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。
ム、ハフニウム、およびガリウムの一種または複数種の酸化物を含む絶縁体を用いること
ができる。特に、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体
として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化
物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。
【0187】
例えば、絶縁体２２０には、熱に対して安定である酸化シリコンまたは酸化窒化シリコ
ンを用いることが好ましい。ゲート絶縁体として、熱に対して安定な膜と、比誘電率が高
い膜との積層構造とすることで、物理膜厚を保持したまま、ゲート絶縁体の等価酸化膜厚
（ＥＯＴ）の薄膜化が可能となる。
ンを用いることが好ましい。ゲート絶縁体として、熱に対して安定な膜と、比誘電率が高
い膜との積層構造とすることで、物理膜厚を保持したまま、ゲート絶縁体の等価酸化膜厚
（ＥＯＴ）の薄膜化が可能となる。
【0188】
上記積層構造とすることで、ゲート電極からの電界の影響を弱めることなく、オン電流
の向上を図ることができる。また、ゲート絶縁体の物理的な厚みにより、ゲート電極と、
チャネルが形成される領域との間の距離を保つことで、ゲート電極とチャネル形成領域と
の間のリーク電流を抑制することができる。
の向上を図ることができる。また、ゲート絶縁体の物理的な厚みにより、ゲート電極と、
チャネルが形成される領域との間の距離を保つことで、ゲート電極とチャネル形成領域と
の間のリーク電流を抑制することができる。
【0189】
絶縁体２１２、絶縁体２１６、絶縁体２８０、および絶縁体２８１は、比誘電率の低い
絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁体２１２、絶縁体２１６、絶縁体２８０、
および絶縁体２８１は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリ
コン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を
添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などを有することが好ま
しい。または、絶縁体２１２、絶縁体２１６、絶縁体２８０、および絶縁体２８１は、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸
化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、ま
たは空孔を有する酸化シリコンと、樹脂と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シ
リコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、樹脂と組み合わせることで、
熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすることができる。樹脂としては、例えば、ポ
リエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポ
リカーボネート、またはアクリルなどがある。
絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁体２１２、絶縁体２１６、絶縁体２８０、
および絶縁体２８１は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリ
コン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を
添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などを有することが好ま
しい。または、絶縁体２１２、絶縁体２１６、絶縁体２８０、および絶縁体２８１は、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸
化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、ま
たは空孔を有する酸化シリコンと、樹脂と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シ
リコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、樹脂と組み合わせることで、
熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすることができる。樹脂としては、例えば、ポ
リエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポ
リカーボネート、またはアクリルなどがある。
【0190】
絶縁体２１０、絶縁体２１４、絶縁体２４４、および絶縁体２７４としては、水素など
の不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。絶縁体２１０
、絶縁体２１４、絶縁体２４４、および絶縁体２７４としては、例えば、酸化アルミニウ
ム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イット
リウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、または酸化タンタルなどの金
属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いればよい。
の不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。絶縁体２１０
、絶縁体２１４、絶縁体２４４、および絶縁体２７４としては、例えば、酸化アルミニウ
ム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イット
リウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、または酸化タンタルなどの金
属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いればよい。
【0191】
＜＜導電体＞＞
導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チ
タン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネ
シウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチ
ウム、ランタンなどから選ばれた金属元素を１種以上含む材料を用いることができる。ま
た、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半
導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チ
タン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネ
シウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチ
ウム、ランタンなどから選ばれた金属元素を１種以上含む材料を用いることができる。ま
た、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半
導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
【0192】
また、上記の材料で形成される導電層を複数積層して用いてもよい。例えば、前述した
金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい
。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層
構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、窒
素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。
金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい
。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層
構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、窒
素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。
【0193】
なお、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物を用いる場合において、ゲート電極と
して機能する導電体には、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を
組み合わせた積層構造を用いることが好ましい。この場合は、酸素を含む導電性材料をチ
ャネル形成領域側に設けるとよい。酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設ける
ことで、当該導電性材料から離脱した酸素がチャネル形成領域に供給されやすくなる。
して機能する導電体には、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を
組み合わせた積層構造を用いることが好ましい。この場合は、酸素を含む導電性材料をチ
ャネル形成領域側に設けるとよい。酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設ける
ことで、当該導電性材料から離脱した酸素がチャネル形成領域に供給されやすくなる。
【0194】
特に、ゲート電極として機能する導電体として、チャネルが形成される金属酸化物に含
まれる金属元素および酸素を含む導電性材料を用いることが好ましい。また、前述した金
属元素および窒素を含む導電性材料を用いてもよい。例えば、窒化チタン、窒化タンタル
などの窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物、酸化タングス
テンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタ
ンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化
物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウ
ムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい。このような材料を用いることで、チャネルが形成
される金属酸化物に含まれる水素を捕獲することができる場合がある。または、外方の絶
縁体などから混入する水素を捕獲することができる場合がある。
まれる金属元素および酸素を含む導電性材料を用いることが好ましい。また、前述した金
属元素および窒素を含む導電性材料を用いてもよい。例えば、窒化チタン、窒化タンタル
などの窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物、酸化タングス
テンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタ
ンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化
物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウ
ムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい。このような材料を用いることで、チャネルが形成
される金属酸化物に含まれる水素を捕獲することができる場合がある。または、外方の絶
縁体などから混入する水素を捕獲することができる場合がある。
【0195】
導電体２６０、導電体２０３、導電体２０５、導電体２４２、および導電体２４０とし
ては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブ
デン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジル
コニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタ
ンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元
素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、
タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化
物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ラン
タンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チ
タン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化
ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニ
ッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維
持する材料であるため、好ましい。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコ
ンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用い
てもよい。
ては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブ
デン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジル
コニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタ
ンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元
素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、
タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化
物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ラン
タンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チ
タン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化
ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニ
ッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維
持する材料であるため、好ましい。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコ
ンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用い
てもよい。
【0196】
＜＜金属酸化物＞＞
酸化物２３０として、酸化物半導体として機能する金属酸化物（以下、酸化物半導体と
もいう。）を用いることが好ましい。以下では、本発明に係る酸化物２３０に適用可能な
金属酸化物について説明する。
酸化物２３０として、酸化物半導体として機能する金属酸化物（以下、酸化物半導体と
もいう。）を用いることが好ましい。以下では、本発明に係る酸化物２３０に適用可能な
金属酸化物について説明する。
【0197】
金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特に、インジ
ウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム
、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、チタン、
鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジ
ム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、
または複数種が含まれていてもよい。
ウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム
、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、チタン、
鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジ
ム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、
または複数種が含まれていてもよい。
【0198】
ここでは、金属酸化物が、インジウム、元素Ｍおよび亜鉛を有するＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化
物である場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、また
はスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、チタン、鉄、
ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、
ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして
、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
物である場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、また
はスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、チタン、鉄、
ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、
ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして
、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
【0199】
なお、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘ
ｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅ
ｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
ｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅ
ｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【0200】
［金属酸化物の構成］
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃ
ｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）－ＯＳの構成について説明する。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃ
ｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）－ＯＳの構成について説明する。
【0201】
なお、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａ
ｌ）、およびＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場
合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の
一例を表す。
ｌ）、およびＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場
合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の
一例を表す。
【0202】
ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機
能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有す
る。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの半導
体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（または正孔）を流す機能であ
り、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁
性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏ
ｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与すること
ができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機
能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有す
る。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの半導
体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（または正孔）を流す機能であ
り、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁
性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏ
ｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与すること
ができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機
能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【0203】
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、および絶
縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶
縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子
レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料
中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察
される場合がある。
縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶
縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子
レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料
中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察
される場合がある。
【0204】
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、
絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎ
ｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎ
ｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【0205】
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップ
を有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘ
ｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因する
ナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際
に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャッ
プを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有
する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記
ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域
に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流
、および高い電界効果移動度を得ることができる。
を有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘ
ｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因する
ナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際
に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャッ
プを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有
する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記
ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域
に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流
、および高い電界効果移動度を得ることができる。
【0206】
すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合
材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【0207】
［金属酸化物の構造］
酸化物半導体（金属酸化物）は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半
導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－
ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘ
ｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ
：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、および
非晶質酸化物半導体などがある。
酸化物半導体（金属酸化物）は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半
導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－
ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘ
ｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ
：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、および
非晶質酸化物半導体などがある。
【0208】
ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ－ｂ面方向において複数のナノ結晶が連
結し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する
領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列
の向きが変化している箇所を指す。
結し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する
領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列
の向きが変化している箇所を指す。
【0209】
ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合
がある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある
。なお、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウ
ンダリーともいう。）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結
晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向
において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距
離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
がある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある
。なお、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウ
ンダリーともいう。）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結
晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向
において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距
離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
【0210】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元
素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶
構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置
換可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ
）層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，
Ｍ）層と表すこともできる。
素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶
構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置
換可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ
）層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，
Ｍ）層と表すこともできる。
【0211】
ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶性の高い金属酸化物である。一方、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な結
晶粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにく
いといえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下す
る場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ ｖ
ａｃａｎｃｙともいう。）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ
－ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有す
る金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
晶粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにく
いといえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下す
る場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ ｖ
ａｃａｎｃｙともいう。）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ
－ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有す
る金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
【0212】
ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上
３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるナ
ノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導
体と区別が付かない場合がある。
３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるナ
ノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導
体と区別が付かない場合がある。
【0213】
なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する金属酸化物の一種である、インジ
ウム－ガリウム－亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶により構成されるこ
とで安定な構造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向
があるため、大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな
結晶（例えば、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
ウム－ガリウム－亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶により構成されるこ
とで安定な構造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向
があるため、大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな
結晶（例えば、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
【0214】
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する金属酸
化物である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ－ｌｉ
ｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、結晶性が低い。
化物である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ－ｌｉ
ｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、結晶性が低い。
【0215】
酸化物半導体（金属酸化物）は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。
本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ－ｌｉ
ｋｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ－ｌｉ
ｋｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
【0216】
［金属酸化物を有するトランジスタ］
続いて、上記金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合について説明
する。
続いて、上記金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合について説明
する。
【0217】
なお、上記金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、高い電界効
果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実
現することができる。
果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実
現することができる。
【0218】
また、トランジスタには、キャリア密度の低い金属酸化物を用いることが好ましい。金
属酸化物膜のキャリア密度を低くする場合においては、金属酸化物膜中の不純物濃度を低
くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準
位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性という。例えば、金属酸化物は
、キャリア密度が８×１０１１／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、さ
らに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０－９／ｃｍ３以上とすればよ
い。
属酸化物膜のキャリア密度を低くする場合においては、金属酸化物膜中の不純物濃度を低
くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準
位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性という。例えば、金属酸化物は
、キャリア密度が８×１０１１／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、さ
らに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０－９／ｃｍ３以上とすればよ
い。
【0219】
また、高純度真性または実質的に高純度真性である金属酸化物膜は、欠陥準位密度が低
いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。
いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。
【0220】
また、金属酸化物のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長
く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い
金属酸化物をチャネル形成領域に有するトランジスタは、電気特性が不安定となる場合が
ある。
く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い
金属酸化物をチャネル形成領域に有するトランジスタは、電気特性が不安定となる場合が
ある。
【0221】
したがって、トランジスタの電気特性を安定にするためには、金属酸化物中の不純物濃
度を低減することが有効である。また、金属酸化物中の不純物濃度を低減するためには、
近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、ア
ルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
度を低減することが有効である。また、金属酸化物中の不純物濃度を低減するためには、
近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、ア
ルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
【0222】
また、トランジスタの半導体に用いる金属酸化物として、結晶性の高い薄膜を用いるこ
とが好ましい。該薄膜を用いることで、トランジスタの安定性または信頼性を向上させる
ことができる。該薄膜として、例えば、単結晶金属酸化物の薄膜または多結晶金属酸化物
の薄膜が挙げられる。しかしながら、単結晶金属酸化物の薄膜または多結晶金属酸化物の
薄膜を基板上に形成するには、高温またはレーザー加熱の工程が必要とされる。よって、
製造工程のコストが増加し、さらに、スループットも低下してしまう。
とが好ましい。該薄膜を用いることで、トランジスタの安定性または信頼性を向上させる
ことができる。該薄膜として、例えば、単結晶金属酸化物の薄膜または多結晶金属酸化物
の薄膜が挙げられる。しかしながら、単結晶金属酸化物の薄膜または多結晶金属酸化物の
薄膜を基板上に形成するには、高温またはレーザー加熱の工程が必要とされる。よって、
製造工程のコストが増加し、さらに、スループットも低下してしまう。
【0223】
２００９年に、ＣＡＡＣ構造を有するＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯと
呼ぶ。）が発見されたことが、非特許文献１および非特許文献２で報告されている。ここ
では、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯは、ｃ軸配向性を有する、結晶粒界が明確に確認されない、低
温で基板上に形成可能である、ことが報告されている。さらに、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯを用
いたトランジスタは、優れた電気特性および信頼性を有することが報告されている。
呼ぶ。）が発見されたことが、非特許文献１および非特許文献２で報告されている。ここ
では、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯは、ｃ軸配向性を有する、結晶粒界が明確に確認されない、低
温で基板上に形成可能である、ことが報告されている。さらに、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯを用
いたトランジスタは、優れた電気特性および信頼性を有することが報告されている。
【0224】
また、２０１３年には、ｎｃ構造を有するＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（ｎｃ－ＩＧＺＯと
呼ぶ。）が発見された（非特許文献３参照。）。ここでは、ｎｃ－ＩＧＺＯは、微小な領
域（例えば、１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有し、異なる該
領域間で結晶方位に規則性が見られないことが報告されている。
呼ぶ。）が発見された（非特許文献３参照。）。ここでは、ｎｃ－ＩＧＺＯは、微小な領
域（例えば、１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有し、異なる該
領域間で結晶方位に規則性が見られないことが報告されている。
【0225】
非特許文献４および非特許文献５では、上記のＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ、ｎｃ－ＩＧＺＯ、
および結晶性の低いＩＧＺＯのそれぞれの薄膜に対する電子線の照射による平均結晶サイ
ズの推移が示されている。結晶性の低いＩＧＺＯの薄膜において、電子線が照射される前
でさえ、１ｎｍ程度の結晶性ＩＧＺＯが観察されている。よって、ここでは、ＩＧＺＯに
おいて、完全な非晶質構造（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ）の存在を確認できなかった、と報告されている。さらに、結晶性の低いＩＧＺＯ
の薄膜と比べて、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯの薄膜およびｎｃ－ＩＧＺＯの薄膜は電子線照射に
対する安定性が高いことが示されている。よって、トランジスタの半導体として、ＣＡＡ
Ｃ－ＩＧＺＯの薄膜またはｎｃ－ＩＧＺＯの薄膜を用いることが好ましい。
および結晶性の低いＩＧＺＯのそれぞれの薄膜に対する電子線の照射による平均結晶サイ
ズの推移が示されている。結晶性の低いＩＧＺＯの薄膜において、電子線が照射される前
でさえ、１ｎｍ程度の結晶性ＩＧＺＯが観察されている。よって、ここでは、ＩＧＺＯに
おいて、完全な非晶質構造（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ）の存在を確認できなかった、と報告されている。さらに、結晶性の低いＩＧＺＯ
の薄膜と比べて、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯの薄膜およびｎｃ－ＩＧＺＯの薄膜は電子線照射に
対する安定性が高いことが示されている。よって、トランジスタの半導体として、ＣＡＡ
Ｃ－ＩＧＺＯの薄膜またはｎｃ－ＩＧＺＯの薄膜を用いることが好ましい。
【0226】
金属酸化物を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さい、
具体的には、トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流がｙＡ／μｍ（１０－２
４Ａ／μｍ）オーダである、ことが非特許文献６に示されている。例えば、金属酸化物を
用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが
開示されている（非特許文献７参照。）。
具体的には、トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流がｙＡ／μｍ（１０－２
４Ａ／μｍ）オーダである、ことが非特許文献６に示されている。例えば、金属酸化物を
用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが
開示されている（非特許文献７参照。）。
【0227】
また、金属酸化物を用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を利用した、該
トランジスタの表示装置への応用が報告されている（非特許文献８参照。）。表示装置で
は、表示される画像が１秒間に数十回切り換っている。１秒間あたりの画像の切り換え回
数はリフレッシュレートと呼ばれている。また、リフレッシュレートを駆動周波数と呼ぶ
こともある。このような人の目で知覚が困難である高速の画面の切り換えが、目の疲労の
原因として考えられている。そこで、表示装置のリフレッシュレートを低下させて、画像
の書き換え回数を減らすことが提案されている。また、リフレッシュレートを低下させた
駆動により、表示装置の消費電力を低減することが可能である。このような駆動方法を、
アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動と呼ぶ。
トランジスタの表示装置への応用が報告されている（非特許文献８参照。）。表示装置で
は、表示される画像が１秒間に数十回切り換っている。１秒間あたりの画像の切り換え回
数はリフレッシュレートと呼ばれている。また、リフレッシュレートを駆動周波数と呼ぶ
こともある。このような人の目で知覚が困難である高速の画面の切り換えが、目の疲労の
原因として考えられている。そこで、表示装置のリフレッシュレートを低下させて、画像
の書き換え回数を減らすことが提案されている。また、リフレッシュレートを低下させた
駆動により、表示装置の消費電力を低減することが可能である。このような駆動方法を、
アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動と呼ぶ。
【0228】
ＣＡＡＣ構造およびｎｃ構造の発見は、ＣＡＡＣ構造またはｎｃ構造を有する金属酸化
物を用いたトランジスタの電気特性および信頼性の向上、ならびに、製造工程のコスト低
下およびスループットの向上に貢献している。また、該トランジスタのリーク電流が低い
という特性を利用した、該トランジスタの表示装置およびＬＳＩへの応用研究が進められ
ている。
物を用いたトランジスタの電気特性および信頼性の向上、ならびに、製造工程のコスト低
下およびスループットの向上に貢献している。また、該トランジスタのリーク電流が低い
という特性を利用した、該トランジスタの表示装置およびＬＳＩへの応用研究が進められ
ている。
【0229】
［不純物］
ここで、金属酸化物中における各不純物の影響について説明する。
ここで、金属酸化物中における各不純物の影響について説明する。
【0230】
金属酸化物において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、金属酸
化物において欠陥準位が形成される。このため、金属酸化物におけるシリコンや炭素の濃
度と、金属酸化物との界面近傍のシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭ
Ｓ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られ
る濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以下とする。
化物において欠陥準位が形成される。このため、金属酸化物におけるシリコンや炭素の濃
度と、金属酸化物との界面近傍のシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭ
Ｓ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られ
る濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以下とする。
【0231】
また、金属酸化物にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形
成し、キャリアを生成する場合がある。したがって、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属が含まれている金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタはノーマリーオン
特性となりやすい。このため、金属酸化物中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃
度を低減することが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる金属酸化物中のアル
カリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ま
しくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
成し、キャリアを生成する場合がある。したがって、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属が含まれている金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタはノーマリーオン
特性となりやすい。このため、金属酸化物中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃
度を低減することが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる金属酸化物中のアル
カリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ま
しくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【0232】
また、金属酸化物において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア
密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている金属酸化物をチャネル形
成領域に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。したがって、当該金属
酸化物において、チャネル形成領域の窒素はできる限り低減されていることが好ましい。
例えば、金属酸化物中の窒素濃度は、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする
。
密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている金属酸化物をチャネル形
成領域に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。したがって、当該金属
酸化物において、チャネル形成領域の窒素はできる限り低減されていることが好ましい。
例えば、金属酸化物中の窒素濃度は、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする
。
【0233】
また、金属酸化物に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため
、酸素欠損を形成する場合がある。当該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電
子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キ
ャリアである電子を生成することがある。したがって、水素が含まれている金属酸化物を
用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりやすい。
、酸素欠損を形成する場合がある。当該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電
子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キ
ャリアである電子を生成することがある。したがって、水素が含まれている金属酸化物を
用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりやすい。
【0234】
また、金属酸化物に含まれる水素は、金属酸化物中に浅い欠陥準位（ｓＤＯＳ：ｓｈａ
ｌｌｏｗ ｌｅｖｅｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）を形成する場合がある。
浅い欠陥準位とは、伝導帯下端の近くに位置する界面準位を指す。浅い欠陥準位は、金属
酸化物中の高密度領域と低密度領域の境界近傍に存在することが推定される。ここでは、
金属酸化物中の高密度領域と低密度領域は、領域に含まれる水素の量で区別する。すなわ
ち、低密度領域と比較して、高密度領域は、水素をより多く含む領域とする。金属酸化物
中の高密度領域と低密度領域の境界近傍は、両領域間の応力歪によって、微小なクラック
が生じやすく、当該クラック近傍に酸素欠損およびインジウムのダングリングボンドが発
生し、ここに、水素または水などの不純物が局在することで、浅い欠陥準位が形成される
ものと推定される。
ｌｌｏｗ ｌｅｖｅｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）を形成する場合がある。
浅い欠陥準位とは、伝導帯下端の近くに位置する界面準位を指す。浅い欠陥準位は、金属
酸化物中の高密度領域と低密度領域の境界近傍に存在することが推定される。ここでは、
金属酸化物中の高密度領域と低密度領域は、領域に含まれる水素の量で区別する。すなわ
ち、低密度領域と比較して、高密度領域は、水素をより多く含む領域とする。金属酸化物
中の高密度領域と低密度領域の境界近傍は、両領域間の応力歪によって、微小なクラック
が生じやすく、当該クラック近傍に酸素欠損およびインジウムのダングリングボンドが発
生し、ここに、水素または水などの不純物が局在することで、浅い欠陥準位が形成される
ものと推定される。
【0235】
また、上記金属酸化物中の高密度領域は、低密度領域よりも結晶性が高くなる場合があ
る。また、上記金属酸化物中の高密度領域は、低密度領域よりも膜密度が高くなる場合が
ある。また、上記金属酸化物が、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、有する組成の場合
、高密度領域は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、低密度領域は、インジウ
ムと、亜鉛と、を有する場合がある。別言すると、低密度領域は、高密度領域よりもガリ
ウムの割合が少ない場合がある。
る。また、上記金属酸化物中の高密度領域は、低密度領域よりも膜密度が高くなる場合が
ある。また、上記金属酸化物が、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、有する組成の場合
、高密度領域は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、低密度領域は、インジウ
ムと、亜鉛と、を有する場合がある。別言すると、低密度領域は、高密度領域よりもガリ
ウムの割合が少ない場合がある。
【0236】
なお、上記浅い欠陥準位は、酸素欠損に起因すると推定される。金属酸化物中の酸素欠
損が増えると、浅い欠陥準位とともに深い欠陥準位（ｄＤＯＳ：ｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌ
Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）も増えると推定される。これは、深い欠陥準位も
酸素欠損によるものだと考えられるためである。なお、深い欠陥準位とは、バンドギャッ
プの中央付近に位置する欠陥準位を指す。
損が増えると、浅い欠陥準位とともに深い欠陥準位（ｄＤＯＳ：ｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌ
Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）も増えると推定される。これは、深い欠陥準位も
酸素欠損によるものだと考えられるためである。なお、深い欠陥準位とは、バンドギャッ
プの中央付近に位置する欠陥準位を指す。
【0237】
したがって、金属酸化物中の酸素欠損を抑制することで、浅い欠陥準位及び深い欠陥準
位の双方の準位を低減させることが可能となる。また、浅い欠陥準位については、金属酸
化物の成膜時の温度を調整することで、ある程度制御できる可能性がある。具体的には、
金属酸化物の成膜時の温度を、１７０℃またはその近傍、好ましくは１３０℃またはその
近傍、さらに好ましくは室温とすることで、浅い欠陥準位を低減することができる。
位の双方の準位を低減させることが可能となる。また、浅い欠陥準位については、金属酸
化物の成膜時の温度を調整することで、ある程度制御できる可能性がある。具体的には、
金属酸化物の成膜時の温度を、１７０℃またはその近傍、好ましくは１３０℃またはその
近傍、さらに好ましくは室温とすることで、浅い欠陥準位を低減することができる。
【0238】
また、金属酸化物の浅い欠陥準位は、金属酸化物を半導体層に用いたトランジスタの電
気特性に影響を与える。すなわち、浅い欠陥準位によって、トランジスタのドレイン電流
－ゲート電圧（Ｉｄ－Ｖｇ）特性において、ゲート電圧Ｖｇに対するドレイン電流Ｉｄの
変化が緩やかとなり、トランジスタのオフ状態からオン状態への立ち上がり特性の良し悪
しの目安の１つである、Ｓ値（Ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｓｗｉｎｇ、ＳＳとも言う。
）が悪化する。これは浅い欠陥準位に電子がトラップされたためと考えられる。
気特性に影響を与える。すなわち、浅い欠陥準位によって、トランジスタのドレイン電流
－ゲート電圧（Ｉｄ－Ｖｇ）特性において、ゲート電圧Ｖｇに対するドレイン電流Ｉｄの
変化が緩やかとなり、トランジスタのオフ状態からオン状態への立ち上がり特性の良し悪
しの目安の１つである、Ｓ値（Ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｓｗｉｎｇ、ＳＳとも言う。
）が悪化する。これは浅い欠陥準位に電子がトラップされたためと考えられる。
【0239】
このため、金属酸化物中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的に
は、金属酸化物において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１
０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満
とする。不純物が十分に低減された金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用い
ることで、安定した電気特性を付与することができる。
は、金属酸化物において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１
０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満
とする。不純物が十分に低減された金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用い
ることで、安定した電気特性を付与することができる。
【0240】
＜半導体装置の作製方法＞
次に、本発明に係るトランジスタ２００を有する半導体装置について、作製方法を図４
乃至図１３を用いて説明する。また、図４乃至図１３において、各図の（Ａ）は上面図を
示す。また、各図の（Ｂ）は、（Ａ）に示すＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位に対応する
断面図であり、トランジスタ２００のチャネル長方向の断面図でもある。また、各図の（
Ｃ）は、（Ａ）にＡ３－Ａ４の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジス
タ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。なお、各図の（Ａ）の上面図では、図の明
瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
次に、本発明に係るトランジスタ２００を有する半導体装置について、作製方法を図４
乃至図１３を用いて説明する。また、図４乃至図１３において、各図の（Ａ）は上面図を
示す。また、各図の（Ｂ）は、（Ａ）に示すＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位に対応する
断面図であり、トランジスタ２００のチャネル長方向の断面図でもある。また、各図の（
Ｃ）は、（Ａ）にＡ３－Ａ４の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジス
タ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。なお、各図の（Ａ）の上面図では、図の明
瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【0241】
まず、基板（図示しない。）を準備し、当該基板上に絶縁体２１０を成膜する。絶縁体
２１０の成膜は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法などを用いて行うことができる。
２１０の成膜は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法などを用いて行うことができる。
【0242】
なお、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃ
ＶＤ）法、光を利用する光ＣＶＤ（Ｐｈｏｔｏ ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに用
いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ
（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法に分けることができる。
Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃ
ＶＤ）法、光を利用する光ＣＶＤ（Ｐｈｏｔｏ ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに用
いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ
（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法に分けることができる。
【0243】
プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、熱ＣＶＤ法は、プラ
ズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法
である。例えば、半導体装置に含まれる配線、電極、素子（トランジスタ、容量素子など
）などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき
、蓄積した電荷によって、半導体装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合
がある。一方、プラズマを用いない熱ＣＶＤ法の場合、こういったプラズマダメージが生
じないため、半導体装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱ＣＶＤ法では、成
膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。
ズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法
である。例えば、半導体装置に含まれる配線、電極、素子（トランジスタ、容量素子など
）などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき
、蓄積した電荷によって、半導体装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合
がある。一方、プラズマを用いない熱ＣＶＤ法の場合、こういったプラズマダメージが生
じないため、半導体装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱ＣＶＤ法では、成
膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。
【0244】
また、ＡＬＤ法も、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法
である。また、ＡＬＤ法は、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜
が得られる。なお、ＡＬＤ法で用いるプリカーサには炭素などの不純物を含むものがある
。このため、ＡＬＤ法により設けられた膜は、他の成膜法により設けられた膜と比較して
、炭素などの不純物を多く含む場合がある。なお、不純物の定量は、Ｘ線光電子分光法（
ＸＰＳ：Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用い
て行うことができる。
である。また、ＡＬＤ法は、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜
が得られる。なお、ＡＬＤ法で用いるプリカーサには炭素などの不純物を含むものがある
。このため、ＡＬＤ法により設けられた膜は、他の成膜法により設けられた膜と比較して
、炭素などの不純物を多く含む場合がある。なお、不純物の定量は、Ｘ線光電子分光法（
ＸＰＳ：Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用い
て行うことができる。
【0245】
ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法と
は異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがっ
て、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特
に、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比
の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、比較的成膜
速度が遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いること
が好ましい場合もある。
は異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがっ
て、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特
に、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比
の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、比較的成膜
速度が遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いること
が好ましい場合もある。
【0246】
ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御する
ことができる。例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意
の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、成膜
しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜
することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用
いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整にかかる時間を要さない分、成膜にかかる時
間を短くすることができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合
がある。
ことができる。例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意
の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、成膜
しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜
することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用
いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整にかかる時間を要さない分、成膜にかかる時
間を短くすることができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合
がある。
【0247】
本実施の形態では、絶縁体２１０として、スパッタリング法によって酸化アルミニウム
を成膜する。また、絶縁体２１０は、多層構造としてもよい。例えば、スパッタリング法
によって酸化アルミニウムを成膜し、当該酸化アルミニウム上に、ＡＬＤ法によって酸化
アルミニウムを成膜する構造としてもよい。または、ＡＬＤ法によって酸化アルミニウム
を成膜し、当該酸化アルミニウム上に、スパッタリング法によって酸化アルミニウムを成
膜する構造としてもよい。
を成膜する。また、絶縁体２１０は、多層構造としてもよい。例えば、スパッタリング法
によって酸化アルミニウムを成膜し、当該酸化アルミニウム上に、ＡＬＤ法によって酸化
アルミニウムを成膜する構造としてもよい。または、ＡＬＤ法によって酸化アルミニウム
を成膜し、当該酸化アルミニウム上に、スパッタリング法によって酸化アルミニウムを成
膜する構造としてもよい。
【0248】
次に絶縁体２１０上に絶縁体２１２を成膜する。絶縁体２１２の成膜は、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
本実施の形態では、絶縁体２１２として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを成膜する。
グ法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
本実施の形態では、絶縁体２１２として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを成膜する。
【0249】
次に、絶縁体２１２に、絶縁体２１０に達する開口を形成する。開口とは、例えば、溝
やスリットなども含まれる。また、開口が形成された領域を指して開口部とする場合があ
る。開口の形成にはウエットエッチング法を用いてもよいが、ドライエッチング法を用い
るほうが微細加工には好ましい。また、絶縁体２１０は、絶縁体２１２をエッチングして
開口を形成する際のエッチングストッパ膜として機能する絶縁体を選択することが好まし
い。例えば、開口を形成する絶縁体２１２に酸化シリコン膜を用いた場合は、絶縁体２１
０は、エッチングストッパ膜として機能する絶縁膜として、窒化シリコン膜、酸化アルミ
ニウム膜、酸化ハフニウム膜を用いるとよい。
やスリットなども含まれる。また、開口が形成された領域を指して開口部とする場合があ
る。開口の形成にはウエットエッチング法を用いてもよいが、ドライエッチング法を用い
るほうが微細加工には好ましい。また、絶縁体２１０は、絶縁体２１２をエッチングして
開口を形成する際のエッチングストッパ膜として機能する絶縁体を選択することが好まし
い。例えば、開口を形成する絶縁体２１２に酸化シリコン膜を用いた場合は、絶縁体２１
０は、エッチングストッパ膜として機能する絶縁膜として、窒化シリコン膜、酸化アルミ
ニウム膜、酸化ハフニウム膜を用いるとよい。
【0250】
開口の形成後に、導電体２０３ａとなる導電膜を成膜する。当該導電膜は、酸素の透過
を抑制する機能を有する導電体を含むことが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化タン
グステン、窒化チタンなどを用いることができる。またはタンタル、タングステン、チタ
ン、モリブデン、アルミニウム、銅、モリブデンタングステン合金との積層膜とすること
ができる。導電体２０３ａとなる導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ
法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
を抑制する機能を有する導電体を含むことが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化タン
グステン、窒化チタンなどを用いることができる。またはタンタル、タングステン、チタ
ン、モリブデン、アルミニウム、銅、モリブデンタングステン合金との積層膜とすること
ができる。導電体２０３ａとなる導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ
法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【0251】
本実施の形態では、導電体２０３ａとなる導電膜として、スパッタリング法によって窒
化タンタル、または、窒化タンタルの上に窒化チタンを積層した膜を成膜する。導電体２
０３ａとしてこのような金属窒化物を用いることにより、後述する導電体２０３ｂで銅な
ど拡散しやすい金属を用いても、当該金属が導電体２０３ａから外に拡散するのを抑制す
ることができる。
化タンタル、または、窒化タンタルの上に窒化チタンを積層した膜を成膜する。導電体２
０３ａとしてこのような金属窒化物を用いることにより、後述する導電体２０３ｂで銅な
ど拡散しやすい金属を用いても、当該金属が導電体２０３ａから外に拡散するのを抑制す
ることができる。
【0252】
次に、導電体２０３ａとなる導電膜上に、導電体２０３ｂとなる導電膜を成膜する。当
該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法
などを用いて行うことができる。本実施の形態では、導電体２０３ｂとなる導電膜として
、銅などの低抵抗導電性材料を成膜する。
該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法
などを用いて行うことができる。本実施の形態では、導電体２０３ｂとなる導電膜として
、銅などの低抵抗導電性材料を成膜する。
【0253】
次に、ＣＭＰ処理を行うことで、導電体２０３ａとなる導電膜、ならびに導電体２０３
ｂとなる導電膜の一部を除去し、絶縁体２１２を露出する。その結果、開口部のみに、導
電体２０３ａとなる導電膜、ならびに導電体２０３ｂとなる導電膜が残存する。これによ
り、上面が平坦な、導電体２０３ａおよび導電体２０３ｂを含む導電体２０３を形成する
ことができる（図４参照。）。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２１２の一部が除去
される場合がある。
ｂとなる導電膜の一部を除去し、絶縁体２１２を露出する。その結果、開口部のみに、導
電体２０３ａとなる導電膜、ならびに導電体２０３ｂとなる導電膜が残存する。これによ
り、上面が平坦な、導電体２０３ａおよび導電体２０３ｂを含む導電体２０３を形成する
ことができる（図４参照。）。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２１２の一部が除去
される場合がある。
【0254】
次に、絶縁体２１２、および導電体２０３上に絶縁体２１４を成膜する。絶縁体２１４
の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用
いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２１４として、ＣＶＤ法によって窒化
シリコンを成膜する。このように、絶縁体２１４として、窒化シリコンなどの銅が透過し
にくい絶縁体を用いることにより、導電体２０３ｂに銅など拡散しやすい金属を用いても
、当該金属が絶縁体２１４より上の層に拡散するのを抑制することができる。
の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用
いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２１４として、ＣＶＤ法によって窒化
シリコンを成膜する。このように、絶縁体２１４として、窒化シリコンなどの銅が透過し
にくい絶縁体を用いることにより、導電体２０３ｂに銅など拡散しやすい金属を用いても
、当該金属が絶縁体２１４より上の層に拡散するのを抑制することができる。
【0255】
次に、絶縁体２１４上に絶縁体２１６を成膜する。絶縁体２１６の成膜は、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる
。本実施の形態では、絶縁体２１６として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを成膜する。
ング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる
。本実施の形態では、絶縁体２１６として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを成膜する。
【0256】
次に、絶縁体２１４および絶縁体２１６に、導電体２０３に達する開口を形成する。開
口の形成にはウエットエッチング法を用いてもよいが、ドライエッチング法を用いるほう
が微細加工には好ましい。
口の形成にはウエットエッチング法を用いてもよいが、ドライエッチング法を用いるほう
が微細加工には好ましい。
【0257】
開口の形成後に、導電体２０５ａとなる導電膜を成膜する。該導電膜は、酸素の透過を
抑制する機能を有する導電性材料を含むことが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化タ
ングステン、窒化チタンなどを用いることができる。またはタンタル、タングステン、チ
タン、モリブデン、アルミニウム、銅、モリブデンタングステン合金との積層膜とするこ
とができる。導電体２０５ａとなる導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢ
Ｅ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
抑制する機能を有する導電性材料を含むことが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化タ
ングステン、窒化チタンなどを用いることができる。またはタンタル、タングステン、チ
タン、モリブデン、アルミニウム、銅、モリブデンタングステン合金との積層膜とするこ
とができる。導電体２０５ａとなる導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢ
Ｅ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【0258】
本実施の形態では、導電体２０５ａとなる導電膜として、スパッタリング法によって窒
化タンタルを成膜する。
化タンタルを成膜する。
【0259】
次に、導電体２０５ａとなる導電膜上に、導電体２０５ｂとなる導電膜を成膜する。当
該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法
などを用いて行うことができる。
該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法
などを用いて行うことができる。
【0260】
本実施の形態では、導電体２０５ｂとなる導電膜として、ＣＶＤ法によって窒化チタン
を成膜し、当該窒化チタン上にＣＶＤ法によってタングステンを成膜する。
を成膜し、当該窒化チタン上にＣＶＤ法によってタングステンを成膜する。
【0261】
次に、ＣＭＰ処理を行うことで、導電体２０５ａとなる導電膜、ならびに導電体２０５
ｂとなる導電膜の一部を除去し、絶縁体２１６を露出する。その結果、開口部のみに、導
電体２０５ａ、および導電体２０５ｂとなる導電膜が残存する。これにより、上面が平坦
な、導電体２０５ａおよび導電体２０５ｂを含む導電体２０５を形成することができる（
図４参照。）。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２１６の一部が除去される場合があ
る。
ｂとなる導電膜の一部を除去し、絶縁体２１６を露出する。その結果、開口部のみに、導
電体２０５ａ、および導電体２０５ｂとなる導電膜が残存する。これにより、上面が平坦
な、導電体２０５ａおよび導電体２０５ｂを含む導電体２０５を形成することができる（
図４参照。）。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２１６の一部が除去される場合があ
る。
【0262】
次に、絶縁体２１６、および導電体２０５上に絶縁体２２０を成膜する。絶縁体２２０
の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用
いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２２０として、ＣＶＤ法によって酸化
シリコンを成膜する。
の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用
いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２２０として、ＣＶＤ法によって酸化
シリコンを成膜する。
【0263】
次に、絶縁体２２０上に絶縁体２２２を成膜する。絶縁体２２２として、アルミニウム
およびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を成膜するとよい。なお、アル
ミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体として、酸化アルミニ
ウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミ
ネート）などを用いることが好ましい。アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方
の酸化物を含む絶縁体は、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する。絶縁体２２
２が、水素および水に対するバリア性を有することで、トランジスタ２００の周辺に設け
られた構造体に含まれる水素、および水が、絶縁体２２２を通じてトランジスタ２００の
内側へ拡散することが抑制され、酸化物２３０中の酸素欠損の生成を抑制することができ
る。
およびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を成膜するとよい。なお、アル
ミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体として、酸化アルミニ
ウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミ
ネート）などを用いることが好ましい。アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方
の酸化物を含む絶縁体は、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する。絶縁体２２
２が、水素および水に対するバリア性を有することで、トランジスタ２００の周辺に設け
られた構造体に含まれる水素、および水が、絶縁体２２２を通じてトランジスタ２００の
内側へ拡散することが抑制され、酸化物２３０中の酸素欠損の生成を抑制することができ
る。
【0264】
絶縁体２２２の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡ
ＬＤ法などを用いて行うことができる。
ＬＤ法などを用いて行うことができる。
【0265】
次に、絶縁体２２２上に絶縁体２２４を成膜する。絶縁体２２４の成膜は、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる
。本実施の形態では、絶縁体２２４として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを成膜する。
ング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる
。本実施の形態では、絶縁体２２４として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを成膜する。
【0266】
続いて、加熱処理を行うと好ましい。加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好まし
くは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上４５０℃以下で行えばよ
い。なお、加熱処理は、窒素または不活性ガス雰囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以
上、１％以上、もしくは１０％以上含む雰囲気で行う。また、加熱処理は減圧状態で行っ
てもよい。または、加熱処理は、窒素または不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離
した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、または１０％以上含む雰
囲気で加熱処理を行ってもよい。
くは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上４５０℃以下で行えばよ
い。なお、加熱処理は、窒素または不活性ガス雰囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以
上、１％以上、もしくは１０％以上含む雰囲気で行う。また、加熱処理は減圧状態で行っ
てもよい。または、加熱処理は、窒素または不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離
した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、または１０％以上含む雰
囲気で加熱処理を行ってもよい。
【0267】
本実施の形態では、加熱処理として、絶縁体２２４の成膜後に窒素雰囲気にて４００℃
の温度で１時間の処理を行う。当該加熱処理によって、絶縁体２２４に含まれる水素や水
などの不純物を除去することなどができる。
の温度で１時間の処理を行う。当該加熱処理によって、絶縁体２２４に含まれる水素や水
などの不純物を除去することなどができる。
【0268】
また、加熱処理は、絶縁体２２０成膜後、および絶縁体２２２の成膜後のそれぞれのタ
イミングで行うこともできる。当該加熱処理は、上述した加熱処理条件を用いることがで
きるが、絶縁体２２０成膜後の加熱処理は、窒素を含む雰囲気中で行うことが好ましい。
イミングで行うこともできる。当該加熱処理は、上述した加熱処理条件を用いることがで
きるが、絶縁体２２０成膜後の加熱処理は、窒素を含む雰囲気中で行うことが好ましい。
【0269】
ここで、絶縁体２２４に過剰酸素領域を形成するために、減圧状態で酸素を含むプラズ
マ処理を行ってもよい。酸素を含むプラズマ処理は、例えば、マイクロ波を用いた高密度
プラズマを発生させる電源を有する装置を用いることが好ましい。または、基板側にＲＦ
（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を印加する電源を有してもよい。高密度プラズマを
用いることより、高密度の酸素ラジカルを生成することができ、基板側にＲＦを印加する
ことで、高密度プラズマによって生成された酸素ラジカルを効率良く絶縁体２２４内に導
くことができる。または、この装置を用いて不活性ガスを含むプラズマ処理を行った後に
、脱離した酸素を補うために酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。なお、当該プラズ
マ処理の条件を適宜選択することにより、絶縁体２２４に含まれる水素や水などの不純物
を除去することができる。その場合、加熱処理は行わなくてもよい。
マ処理を行ってもよい。酸素を含むプラズマ処理は、例えば、マイクロ波を用いた高密度
プラズマを発生させる電源を有する装置を用いることが好ましい。または、基板側にＲＦ
（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を印加する電源を有してもよい。高密度プラズマを
用いることより、高密度の酸素ラジカルを生成することができ、基板側にＲＦを印加する
ことで、高密度プラズマによって生成された酸素ラジカルを効率良く絶縁体２２４内に導
くことができる。または、この装置を用いて不活性ガスを含むプラズマ処理を行った後に
、脱離した酸素を補うために酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。なお、当該プラズ
マ処理の条件を適宜選択することにより、絶縁体２２４に含まれる水素や水などの不純物
を除去することができる。その場合、加熱処理は行わなくてもよい。
【0270】
ここで、絶縁体２２４上に、後工程において、絶縁体２８０、絶縁体２４４Ａ、および
導電体２４２Ｂをエッチングする際のストッパとして機能する絶縁体を成膜してもよい。
当該絶縁体としては、絶縁体２２２に用いることができる絶縁体を用いればよい。当該絶
縁体の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法など
を用いて行うことができる。当該絶縁体の成膜後に、前述した加熱処理を行ってもよい。
導電体２４２Ｂをエッチングする際のストッパとして機能する絶縁体を成膜してもよい。
当該絶縁体としては、絶縁体２２２に用いることができる絶縁体を用いればよい。当該絶
縁体の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法など
を用いて行うことができる。当該絶縁体の成膜後に、前述した加熱処理を行ってもよい。
【0271】
次に、絶縁体２２４上に、酸化物２３０ａとなる酸化膜２３０Ａと、酸化物２３０ｂと
なる酸化膜２３０Ｂを順に成膜する（図４参照。）。なお、上記酸化膜は、大気環境に晒
さずに連続して成膜することが好ましい。大気開放せずに成膜することで、酸化膜２３０
Ａ、および酸化膜２３０Ｂ上に大気環境からの不純物または水分が付着することを防ぐこ
とができ、酸化膜２３０Ａと酸化膜２３０Ｂとの界面近傍を清浄に保つことができる。
なる酸化膜２３０Ｂを順に成膜する（図４参照。）。なお、上記酸化膜は、大気環境に晒
さずに連続して成膜することが好ましい。大気開放せずに成膜することで、酸化膜２３０
Ａ、および酸化膜２３０Ｂ上に大気環境からの不純物または水分が付着することを防ぐこ
とができ、酸化膜２３０Ａと酸化膜２３０Ｂとの界面近傍を清浄に保つことができる。
【0272】
酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ
法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【0273】
例えば、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法によって成膜する
場合は、スパッタリングガスとして酸素、または、酸素と希ガスの混合ガスを用いる。ス
パッタリングガスに含まれる酸素の割合を高めることで、成膜される酸化膜中の過剰酸素
を増やすことができる。また、上記の酸化膜をスパッタリング法によって成膜する場合は
、例えば、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物ターゲットを用いることができる。
場合は、スパッタリングガスとして酸素、または、酸素と希ガスの混合ガスを用いる。ス
パッタリングガスに含まれる酸素の割合を高めることで、成膜される酸化膜中の過剰酸素
を増やすことができる。また、上記の酸化膜をスパッタリング法によって成膜する場合は
、例えば、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物ターゲットを用いることができる。
【0274】
特に、酸化膜２３０Ａの成膜時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が絶縁体
２２４に供給される場合がある。したがって、酸化膜２３０Ａのスパッタリングガスに含
まれる酸素の割合は７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％とすれ
ばよい。
２２４に供給される場合がある。したがって、酸化膜２３０Ａのスパッタリングガスに含
まれる酸素の割合は７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％とすれ
ばよい。
【0275】
また、酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法で形成する場合、スパッタリングガスに含ま
れる酸素の割合を１％以上３０％以下、好ましくは５％以上２０％以下として成膜すると
、酸素欠乏型の酸化物半導体が形成される。酸素欠乏型の酸化物半導体をチャネル形成領
域に用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られる。
れる酸素の割合を１％以上３０％以下、好ましくは５％以上２０％以下として成膜すると
、酸素欠乏型の酸化物半導体が形成される。酸素欠乏型の酸化物半導体をチャネル形成領
域に用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られる。
【0276】
本実施の形態では、酸化膜２３０Ａとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：
Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて成膜する。また、酸化膜２３０Ｂと
して、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のタ
ーゲットを用いて成膜する。なお、各酸化膜は、成膜条件、および原子数比を適宜選択す
ることで、酸化物２３０に求める特性に合わせて形成するとよい。
Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて成膜する。また、酸化膜２３０Ｂと
して、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のタ
ーゲットを用いて成膜する。なお、各酸化膜は、成膜条件、および原子数比を適宜選択す
ることで、酸化物２３０に求める特性に合わせて形成するとよい。
【0277】
次に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、上述した加熱処理条件を用いることがで
きる。加熱処理によって、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂ中の水素や水などの不
純物を除去することなどができる。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で
１時間の処理を行った後に、連続して酸素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行
う。
きる。加熱処理によって、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂ中の水素や水などの不
純物を除去することなどができる。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で
１時間の処理を行った後に、連続して酸素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行
う。
【0278】
次に、酸化膜２３０Ｂ上に導電膜２４２Ａを形成する。導電膜２４２Ａは、アルミニウ
ム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステ
ン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリ
ウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンから選ばれた金
属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた
合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チ
タンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウ
ム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを
含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとア
ルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化
ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化
物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料である
ため、好ましい。なお、導電膜２４２Ａの形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ
法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
ム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステ
ン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリ
ウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンから選ばれた金
属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた
合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チ
タンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウ
ム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを
含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとア
ルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化
ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化
物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料である
ため、好ましい。なお、導電膜２４２Ａの形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ
法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【0279】
次に、導電膜２４２Ａを加工して、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂを加工する
ためのハードマスクを形成する。
ためのハードマスクを形成する。
【0280】
なお、導電膜２４２Ａの加工はリソグラフィー法を用いて行えばよい。また、当該加工
はドライエッチング法やウエットエッチング法を用いることができる。ドライエッチング
法による加工は微細加工に適している。
はドライエッチング法やウエットエッチング法を用いることができる。ドライエッチング
法による加工は微細加工に適している。
【0281】
リソグラフィー法では、まず、マスクを介してレジストを露光する。次に、露光された
領域を、現像液を用いて除去または残存させてレジストマスクを形成する。次に、当該レ
ジストマスクを介してエッチング処理することで導電体、半導体または絶縁体などを所望
の形状に加工することができる。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレー
ザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光などを用いて、レジストを
露光することでレジストマスクを形成すればよい。また、基板と投影レンズとの間に液体
（例えば水）を満たして露光する、液浸技術を用いてもよい。また、前述した光に代えて
、電子ビームやイオンビームを用いてもよい。なお、電子ビームやイオンビームを用いる
場合には、レジスト上に直接描画を行うため、上述のレジスト露光用のマスクは不要とな
る。なお、レジストマスクは、アッシングなどのドライエッチング処理を行う、ウエット
エッチング処理を行う、ドライエッチング処理後にウエットエッチング処理を行う、また
はウエットエッチング処理後にドライエッチング処理を行う、などで、除去することがで
きる。
領域を、現像液を用いて除去または残存させてレジストマスクを形成する。次に、当該レ
ジストマスクを介してエッチング処理することで導電体、半導体または絶縁体などを所望
の形状に加工することができる。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレー
ザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光などを用いて、レジストを
露光することでレジストマスクを形成すればよい。また、基板と投影レンズとの間に液体
（例えば水）を満たして露光する、液浸技術を用いてもよい。また、前述した光に代えて
、電子ビームやイオンビームを用いてもよい。なお、電子ビームやイオンビームを用いる
場合には、レジスト上に直接描画を行うため、上述のレジスト露光用のマスクは不要とな
る。なお、レジストマスクは、アッシングなどのドライエッチング処理を行う、ウエット
エッチング処理を行う、ドライエッチング処理後にウエットエッチング処理を行う、また
はウエットエッチング処理後にドライエッチング処理を行う、などで、除去することがで
きる。
【0282】
次に、レジストマスクを用いて、導電膜２４２Ａをエッチングすることでハードマスク
として機能する導電体２４２Ｂを形成する（図５参照。）。導電体２４２Ｂ形成後は、レ
ジストマスクを除去してから酸化膜の加工を行ってもよいし、レジストマスクを残したま
ま行ってもよい。後者の場合、エッチング中にレジストマスクが消失することがある。上
記酸化膜のエッチング後にハードマスクをエッチングにより除去してもよいが、本実施の
形態では、導電体２４２Ｂをさらに加工して、ソース電極、およびドレイン電極を形成す
るため、導電体２４２Ｂは除去しない。
として機能する導電体２４２Ｂを形成する（図５参照。）。導電体２４２Ｂ形成後は、レ
ジストマスクを除去してから酸化膜の加工を行ってもよいし、レジストマスクを残したま
ま行ってもよい。後者の場合、エッチング中にレジストマスクが消失することがある。上
記酸化膜のエッチング後にハードマスクをエッチングにより除去してもよいが、本実施の
形態では、導電体２４２Ｂをさらに加工して、ソース電極、およびドレイン電極を形成す
るため、導電体２４２Ｂは除去しない。
【0283】
ドライエッチング装置としては、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ
：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いる
ことができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板
型電極の一方の電極に高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方
の電極に複数の異なった高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それ
ぞれに同じ周波数の高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれ
に周波数の異なる高周波電源を印加する構成でもよい。または高密度プラズマ源を有する
ドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチン
グ装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌ
ｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。
：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いる
ことができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板
型電極の一方の電極に高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方
の電極に複数の異なった高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それ
ぞれに同じ周波数の高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれ
に周波数の異なる高周波電源を印加する構成でもよい。または高密度プラズマ源を有する
ドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチン
グ装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌ
ｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。
【0284】
次に、導電体２４２Ｂをハードマスクとして用い、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３
０Ｂを島状に加工して、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂを形成する（図５参照。
）。なお、当該加工処理にて、絶縁体２２４の一部が除去される場合がある。
０Ｂを島状に加工して、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂを形成する（図５参照。
）。なお、当該加工処理にて、絶縁体２２４の一部が除去される場合がある。
【0285】
ここで、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂは、少なくとも一部が導電体２０５と
重なるように形成する。また、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂの側面は、絶縁体
２２２の上面に対し、略垂直であることが好ましい。酸化物２３０ａ、および酸化物２３
０ｂの側面が、絶縁体２２２の上面に対し、略垂直であることで、複数のトランジスタ２
００を設ける際に、小面積化、高密度化が可能となる。なお、酸化物２３０ａ、および酸
化物２３０ｂの側面と絶縁体２２２の上面のなす角が鋭角になる構成にしてもよい。その
場合、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂの側面と絶縁体２２２の上面のなす角は大
きいほど好ましい。
重なるように形成する。また、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂの側面は、絶縁体
２２２の上面に対し、略垂直であることが好ましい。酸化物２３０ａ、および酸化物２３
０ｂの側面が、絶縁体２２２の上面に対し、略垂直であることで、複数のトランジスタ２
００を設ける際に、小面積化、高密度化が可能となる。なお、酸化物２３０ａ、および酸
化物２３０ｂの側面と絶縁体２２２の上面のなす角が鋭角になる構成にしてもよい。その
場合、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂの側面と絶縁体２２２の上面のなす角は大
きいほど好ましい。
【0286】
また、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電体２４２Ｂの側面と、導電体２４
２Ｂの上面との間に、湾曲面を有する。つまり、側面の端部と上面の端部は、湾曲してい
ることが好ましい（以下、ラウンド状ともいう）。湾曲面は、例えば、導電体２４２Ｂの
端部において、曲率半径が、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、５ｎｍ以上６ｎｍ以
下とする。端部に角を有さないことで、以降の成膜工程における膜の被覆性が向上する。
２Ｂの上面との間に、湾曲面を有する。つまり、側面の端部と上面の端部は、湾曲してい
ることが好ましい（以下、ラウンド状ともいう）。湾曲面は、例えば、導電体２４２Ｂの
端部において、曲率半径が、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、５ｎｍ以上６ｎｍ以
下とする。端部に角を有さないことで、以降の成膜工程における膜の被覆性が向上する。
【0287】
なお、当該酸化膜の加工は、導電体２４２Ｂをハードマスクに用い、ドライエッチング
法やウエットエッチング法を用いることができる。ドライエッチング法による加工は微細
加工に適している。
法やウエットエッチング法を用いることができる。ドライエッチング法による加工は微細
加工に適している。
【0288】
また、上記ドライエッチングなどの処理を行うことによって、エッチングガスなどに起
因した不純物が、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂなどの側面または内部に付着ま
たは拡散することがある。不純物としては、例えば、フッ素または塩素などがある。
因した不純物が、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂなどの側面または内部に付着ま
たは拡散することがある。不純物としては、例えば、フッ素または塩素などがある。
【0289】
上記の不純物などを除去するために、洗浄を行う。洗浄方法としては、洗浄液など用い
たウエット洗浄、プラズマを用いたプラズマ処理、または熱処理による洗浄などがあり、
上記洗浄を適宜組み合わせて行ってもよい。
たウエット洗浄、プラズマを用いたプラズマ処理、または熱処理による洗浄などがあり、
上記洗浄を適宜組み合わせて行ってもよい。
【0290】
ウエット洗浄としては、シュウ酸、リン酸、過酸化水素水、またはフッ化水素酸などを
炭酸水または純水で希釈した水溶液を用いて洗浄処理を行ってもよい。または、純水また
は炭酸水を用いた超音波洗浄を行ってもよい。本実施の形態では、純水または炭酸水を用
いた超音波洗浄を行う。
炭酸水または純水で希釈した水溶液を用いて洗浄処理を行ってもよい。または、純水また
は炭酸水を用いた超音波洗浄を行ってもよい。本実施の形態では、純水または炭酸水を用
いた超音波洗浄を行う。
【0291】
続いて、加熱処理を行ってもよい。加熱処理の条件は、前述の加熱処理の条件を用いる
ことができる。ただし、該加熱処理により、導電体２４２Ｂの酸化が懸念される場合、該
加熱処理は、酸素を含まない雰囲気で行われることが好ましい。一方、導電体２４２Ｂが
、耐酸化性材料を含む場合、該加熱処理を、酸素を含む雰囲気で行ってもよい。
ことができる。ただし、該加熱処理により、導電体２４２Ｂの酸化が懸念される場合、該
加熱処理は、酸素を含まない雰囲気で行われることが好ましい。一方、導電体２４２Ｂが
、耐酸化性材料を含む場合、該加熱処理を、酸素を含む雰囲気で行ってもよい。
【0292】
次に、絶縁体２２４、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電体２４２Ｂ上に絶
縁体２４４Ａを成膜する（図６参照。）。なお、絶縁体２４４Ａは、絶縁性バリアとして
機能することが好ましく、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含
む絶縁体を成膜するとよい。なお、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸
化物を含む絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフ
ニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。バリア性
を有する絶縁体２４４Ａにより、導電体２４２Ｂの酸化を抑制することができる。なお、
導電体２４２Ｂが、耐酸化性材料を含む場合、絶縁体２４４Ａは、必ずしも設ける必要は
無い。なお、絶縁体２４４Ａの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ
法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
縁体２４４Ａを成膜する（図６参照。）。なお、絶縁体２４４Ａは、絶縁性バリアとして
機能することが好ましく、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含
む絶縁体を成膜するとよい。なお、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸
化物を含む絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフ
ニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。バリア性
を有する絶縁体２４４Ａにより、導電体２４２Ｂの酸化を抑制することができる。なお、
導電体２４２Ｂが、耐酸化性材料を含む場合、絶縁体２４４Ａは、必ずしも設ける必要は
無い。なお、絶縁体２４４Ａの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ
法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【0293】
次に、絶縁体２４４Ａの上に、絶縁体２８０を成膜する。絶縁体２８０は、比誘電率の
低い絶縁体を有することが好ましい。例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸
化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコ
ン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂な
どを有することが好ましい。特に、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン
、空孔を有する酸化シリコンを絶縁体２８０に用いると、後の工程で絶縁体２８０中に過
剰酸素領域を容易に形成できるため好ましい。また、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコ
ンは、熱的に安定であるため好ましい。絶縁体２８０の成膜は、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。または、ス
ピンコート法、ディップ法、液滴吐出法（インクジェット法など）、印刷法（スクリーン
印刷、オフセット印刷など）、ドクターナイフ法、ロールコーター法、またはカーテンコ
ーター法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２８０として、ＣＶ
Ｄ法によって酸化窒化シリコンを成膜する。
低い絶縁体を有することが好ましい。例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸
化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコ
ン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂な
どを有することが好ましい。特に、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン
、空孔を有する酸化シリコンを絶縁体２８０に用いると、後の工程で絶縁体２８０中に過
剰酸素領域を容易に形成できるため好ましい。また、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコ
ンは、熱的に安定であるため好ましい。絶縁体２８０の成膜は、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。または、ス
ピンコート法、ディップ法、液滴吐出法（インクジェット法など）、印刷法（スクリーン
印刷、オフセット印刷など）、ドクターナイフ法、ロールコーター法、またはカーテンコ
ーター法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２８０として、ＣＶ
Ｄ法によって酸化窒化シリコンを成膜する。
【0294】
なお、絶縁体２８０は、上面が平坦性を有するように形成することが好ましい。例えば
、絶縁体２８０は、成膜した直後に上面が平坦性を有していてもよい。または、例えば、
絶縁体２８０は、成膜後に基板裏面などの基準面と平行になるよう絶縁体などを上面から
除去していくことで平坦性を有してもよい。このような処理を、平坦化処理と呼ぶ。平坦
化処理としては、ＣＭＰ処理、ドライエッチング処理などがある。本実施の形態では、平
坦化処理として、ＣＭＰ処理を用いる。ただし、絶縁体２８０の上面は必ずしも平坦性を
有さなくてもよい。
、絶縁体２８０は、成膜した直後に上面が平坦性を有していてもよい。または、例えば、
絶縁体２８０は、成膜後に基板裏面などの基準面と平行になるよう絶縁体などを上面から
除去していくことで平坦性を有してもよい。このような処理を、平坦化処理と呼ぶ。平坦
化処理としては、ＣＭＰ処理、ドライエッチング処理などがある。本実施の形態では、平
坦化処理として、ＣＭＰ処理を用いる。ただし、絶縁体２８０の上面は必ずしも平坦性を
有さなくてもよい。
【0295】
次に、少なくとも導電体２０５と重なる領域を有するように、絶縁体２８０に対して加
工処理を行い、開口２４５を形成する（図７参照。）。開口の形成にはウエットエッチン
グ法を用いてもよいが、微細加工が可能な点、また絶縁体２８０の側面を概略垂直に加工
できる点からドライエッチング法を用いるほうが好ましい。また、開口２４５の形成は、
絶縁体２８０上にハードマスクを形成して行うことが好ましい。当該ハードマスクは、導
電体を用いてもよいし、絶縁体を用いてもよい。
工処理を行い、開口２４５を形成する（図７参照。）。開口の形成にはウエットエッチン
グ法を用いてもよいが、微細加工が可能な点、また絶縁体２８０の側面を概略垂直に加工
できる点からドライエッチング法を用いるほうが好ましい。また、開口２４５の形成は、
絶縁体２８０上にハードマスクを形成して行うことが好ましい。当該ハードマスクは、導
電体を用いてもよいし、絶縁体を用いてもよい。
【0296】
次に、絶縁体２４４Ａ、および導電体２４２Ｂを加工し、絶縁体２４４、および導電体
２４２（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）を形成する（図８参照。）。該加工に
は、異方性エッチングが可能なドライエッチングを用いることが好ましい。該加工により
、酸化物２３０ａの側面、酸化物２３０ｂの表面、側面、および絶縁体２２４の表面の一
部が露出する。また、該加工により絶縁体２２４の一部がエッチングされる場合がある。
また、導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂが互いに向かい合う面の断面は、テーパー
形状を有する場合がある。一方、該断面は概略垂直形状を有していてもよい。
２４２（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）を形成する（図８参照。）。該加工に
は、異方性エッチングが可能なドライエッチングを用いることが好ましい。該加工により
、酸化物２３０ａの側面、酸化物２３０ｂの表面、側面、および絶縁体２２４の表面の一
部が露出する。また、該加工により絶縁体２２４の一部がエッチングされる場合がある。
また、導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂが互いに向かい合う面の断面は、テーパー
形状を有する場合がある。一方、該断面は概略垂直形状を有していてもよい。
【0297】
このとき、絶縁体２８０および／または上記ハードマスクをマスクとして用いて、導電
体２４２ａ、および導電体２４２ｂを形成する。よって、絶縁体２８０に形成された開口
２４５は、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間の領域に重畳することになる。これによ
り、後の工程において、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間に導電体２６０を自己整合
的に配置することができる。
体２４２ａ、および導電体２４２ｂを形成する。よって、絶縁体２８０に形成された開口
２４５は、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間の領域に重畳することになる。これによ
り、後の工程において、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間に導電体２６０を自己整合
的に配置することができる。
【0298】
ここで、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好
ましくは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上４５０℃以下で行え
ばよい。なお、加熱処理は、窒素または不活性ガス雰囲気で行う。一方、導電体２４２が
耐酸化性を有する導電体の場合、該加熱処理を、酸素を含む雰囲気で行ってもよい。また
、加熱処理は減圧状態で行ってもよい。例えば、加熱処理として、窒素雰囲気にて４００
℃の温度で１時間の処理を行う。
ましくは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上４５０℃以下で行え
ばよい。なお、加熱処理は、窒素または不活性ガス雰囲気で行う。一方、導電体２４２が
耐酸化性を有する導電体の場合、該加熱処理を、酸素を含む雰囲気で行ってもよい。また
、加熱処理は減圧状態で行ってもよい。例えば、加熱処理として、窒素雰囲気にて４００
℃の温度で１時間の処理を行う。
【0299】
該加熱処理により、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂに含まれる水素や水などの
不純物を除去することができる。また、上記加工におけるドライエッチングにて酸化物２
３０ａ、または酸化物２３０ｂに生じたダメージを回復することができる。また、酸素を
含む雰囲気で加熱処理を行った場合、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂに酸素を添
加することができる。
不純物を除去することができる。また、上記加工におけるドライエッチングにて酸化物２
３０ａ、または酸化物２３０ｂに生じたダメージを回復することができる。また、酸素を
含む雰囲気で加熱処理を行った場合、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂに酸素を添
加することができる。
【0300】
また、上記加熱処理により、導電体２４２から、上述した金属元素が酸化物２３０へ拡
散し、酸化物２３０に金属元素を添加することができる。また、酸化物２３０の導電体２
４２との界面近傍における酸素が導電体２４２に吸収される場合がある。その結果、酸化
物２３０の導電体２４２との界面近傍が金属化合物となり、低抵抗化する。なお、その際
、酸化物２３０の一部と、上述した金属元素とが、合金化してもよい。酸化物２３０の一
部と金属元素が、合金化することで、酸化物２３０に添加された金属元素は、比較的安定
な状態となるため、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、図８（Ｂ）
では、酸化物２３０の上記低抵抗化領域の一例として、点線にて領域２４３ａ、および領
域２４３ｂを示している。
散し、酸化物２３０に金属元素を添加することができる。また、酸化物２３０の導電体２
４２との界面近傍における酸素が導電体２４２に吸収される場合がある。その結果、酸化
物２３０の導電体２４２との界面近傍が金属化合物となり、低抵抗化する。なお、その際
、酸化物２３０の一部と、上述した金属元素とが、合金化してもよい。酸化物２３０の一
部と金属元素が、合金化することで、酸化物２３０に添加された金属元素は、比較的安定
な状態となるため、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、図８（Ｂ）
では、酸化物２３０の上記低抵抗化領域の一例として、点線にて領域２４３ａ、および領
域２４３ｂを示している。
【0301】
領域２４３ａ、および領域２４３ｂは、酸化物２３０ｂの導電体２４２近傍において、
深さ方向に拡散するように設けられる例を示しているが、本発明はこれに限らない。領域
２４３ａ、および領域２４３ｂは、深さ方向において、酸化物２３０ｂの全体に形成され
ていてもよいし、酸化物２３０ａに形成されていてもよい。また、領域２４３ａ、および
領域２４３ｂは、水平方向において、導電体２４２から水平方向に拡散した領域（図２に
示す領域２３１、および領域２３２）に形成される例を示しているが、本発明はこれに限
らない。領域２４３ａ、および領域２４３ｂは、導電体２４２と重なる領域（領域２３１
）のみに形成されてもよいし、後工程で形成される導電体２６０の一部と重なる領域（領
域２３４の一部）にも形成されてもよい。
深さ方向に拡散するように設けられる例を示しているが、本発明はこれに限らない。領域
２４３ａ、および領域２４３ｂは、深さ方向において、酸化物２３０ｂの全体に形成され
ていてもよいし、酸化物２３０ａに形成されていてもよい。また、領域２４３ａ、および
領域２４３ｂは、水平方向において、導電体２４２から水平方向に拡散した領域（図２に
示す領域２３１、および領域２３２）に形成される例を示しているが、本発明はこれに限
らない。領域２４３ａ、および領域２４３ｂは、導電体２４２と重なる領域（領域２３１
）のみに形成されてもよいし、後工程で形成される導電体２６０の一部と重なる領域（領
域２３４の一部）にも形成されてもよい。
【0302】
また、酸化物２３０中の水素は、図２で示した、領域２３１に拡散し、領域２３１に存
在する酸素欠損の中に入った場合、比較的安定な状態となる。また、領域２３４に存在す
る酸素欠損中の水素は、２５０℃以上の熱処理によって、酸素欠損から抜け出し、領域２
３１に拡散し、領域２３１に存在する酸素欠損の中に入り、比較的安定な状態となる。し
たがって、熱処理によって、領域２３１は、より低抵抗化し、領域２３４は、高純度化（
水、水素などの不純物の低減）し、より高抵抗化する。
在する酸素欠損の中に入った場合、比較的安定な状態となる。また、領域２３４に存在す
る酸素欠損中の水素は、２５０℃以上の熱処理によって、酸素欠損から抜け出し、領域２
３１に拡散し、領域２３１に存在する酸素欠損の中に入り、比較的安定な状態となる。し
たがって、熱処理によって、領域２３１は、より低抵抗化し、領域２３４は、高純度化（
水、水素などの不純物の低減）し、より高抵抗化する。
【0303】
また、窒素または不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上
、１％以上、または１０％以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、２５
０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０
℃以上４５０℃以下で行えばよい。
、１％以上、または１０％以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、２５
０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０
℃以上４５０℃以下で行えばよい。
【0304】
なお、導電膜２４２Ａの成膜後、または、導電体２４２の形成後の加熱処理において、
導電膜２４２Ａまたは導電体２４２に、酸化物２３０の領域２３１の酸素が吸収されるこ
とで、領域２３１に酸素欠損が生じる場合がある。酸化物２３０中の水素が、当該酸素欠
損に入ることで、領域２３１のキャリア密度は、増加する。したがって、酸化物２３０の
領域２３１は、ｎ型となり、低抵抗化される。
導電膜２４２Ａまたは導電体２４２に、酸化物２３０の領域２３１の酸素が吸収されるこ
とで、領域２３１に酸素欠損が生じる場合がある。酸化物２３０中の水素が、当該酸素欠
損に入ることで、領域２３１のキャリア密度は、増加する。したがって、酸化物２３０の
領域２３１は、ｎ型となり、低抵抗化される。
【0305】
領域２３１の酸素濃度は、領域２３４の酸素濃度より低い場合がある。また、領域２３
２の酸素濃度は、領域２３１の酸素濃度以上、領域２３４の酸素濃度以下となる場合があ
る。また、領域２３１の水素濃度は、領域２３４の水素濃度より高い場合がある。また、
領域２３２の水素濃度は、領域２３４の水素濃度以上、領域２３１の水素濃度以下となる
場合がある。
２の酸素濃度は、領域２３１の酸素濃度以上、領域２３４の酸素濃度以下となる場合があ
る。また、領域２３１の水素濃度は、領域２３４の水素濃度より高い場合がある。また、
領域２３２の水素濃度は、領域２３４の水素濃度以上、領域２３１の水素濃度以下となる
場合がある。
【0306】
次に、酸化物２３０ａの側面、酸化物２３０ｂの上面および側面、導電体２４２の側面
、絶縁体２８０の側面と接する領域を有するように、絶縁体２８０上に酸化物２３０ｃと
なる酸化膜２３０Ｃを成膜する（図９参照）。
、絶縁体２８０の側面と接する領域を有するように、絶縁体２８０上に酸化物２３０ｃと
なる酸化膜２３０Ｃを成膜する（図９参照）。
【0307】
酸化膜２３０Ｃの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、または
ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。酸化物２３０ｃに求める特性に合わせて、酸化
膜２３０Ａ、または酸化膜２３０Ｂと同様の成膜方法を用いて、酸化膜２３０Ｃを成膜す
ればよい。本実施の形態では、酸化膜２３０Ｃとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ
：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて成膜する。
ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。酸化物２３０ｃに求める特性に合わせて、酸化
膜２３０Ａ、または酸化膜２３０Ｂと同様の成膜方法を用いて、酸化膜２３０Ｃを成膜す
ればよい。本実施の形態では、酸化膜２３０Ｃとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ
：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて成膜する。
【0308】
続いて、酸化膜２３０Ｃ上に、絶縁体２５０Ａを成膜する（図９参照。）。
【0309】
絶縁体２５０Ａは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ
法などを用いて成膜することができる。絶縁体２５０Ａとして、ＣＶＤ法により、酸化窒
化シリコンを成膜することが好ましい。なお、絶縁体２５０Ａを成膜する際の成膜温度は
、３５０℃以上４５０℃未満、特に４００℃前後とすることが好ましい。絶縁体２５０Ａ
を、４００℃で成膜することで、不純物が少ない絶縁体を成膜することができる。
法などを用いて成膜することができる。絶縁体２５０Ａとして、ＣＶＤ法により、酸化窒
化シリコンを成膜することが好ましい。なお、絶縁体２５０Ａを成膜する際の成膜温度は
、３５０℃以上４５０℃未満、特に４００℃前後とすることが好ましい。絶縁体２５０Ａ
を、４００℃で成膜することで、不純物が少ない絶縁体を成膜することができる。
【0310】
なお、マイクロ波で酸素を励起し、高密度な酸素プラズマを発生させ、当該酸素プラズ
マに絶縁体２５０Ａを曝すことで、絶縁体２５０Ａ、へ酸素を導入することができる。
マに絶縁体２５０Ａを曝すことで、絶縁体２５０Ａ、へ酸素を導入することができる。
【0311】
また、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、前述の加熱処理条件を用いることができ
る。当該加熱処理によって、絶縁体２５０Ａの水分濃度および水素濃度を低減させること
ができる。
る。当該加熱処理によって、絶縁体２５０Ａの水分濃度および水素濃度を低減させること
ができる。
【0312】
ここで、導電体２４２と、後工程で形成される導電体２６０は、寄生容量を形成し得る
。すなわち、導電体２４２の側面に設けられる絶縁膜は、該寄生容量の誘電体として機能
し得る。一方、該絶縁膜は、トランジスタ２００のゲート絶縁体として機能するため、２
０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以下の薄膜で形成するのが
好ましい。導電体２４２の側面に設けられる絶縁膜を、上記寄生容量が無視できる程度に
厚くするためには、絶縁膜を、少なくとも導電体２４２の側面において２層以上の積層構
造とするのが好ましい。
。すなわち、導電体２４２の側面に設けられる絶縁膜は、該寄生容量の誘電体として機能
し得る。一方、該絶縁膜は、トランジスタ２００のゲート絶縁体として機能するため、２
０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以下の薄膜で形成するのが
好ましい。導電体２４２の側面に設けられる絶縁膜を、上記寄生容量が無視できる程度に
厚くするためには、絶縁膜を、少なくとも導電体２４２の側面において２層以上の積層構
造とするのが好ましい。
【0313】
【0314】
次に、酸化膜２３０Ｃ、および絶縁体２５０Ｂを覆うように絶縁体２５０Ｃを形成する
（図１１参照）。絶縁体２５０Ｃは、絶縁体２５０Ａと同様の装置を用いて、同様の材料
にて形成することができる。上記工程により、酸化物２３０ｂ上方には、絶縁体２５０Ｃ
が設けられ、導電体２４２の側面には、絶縁体２５０Ｂ、および絶縁体２５０Ｃを設ける
ことができる。すなわち、導電体２４２の側面に、酸化物２３０ｂ上方の絶縁体より厚い
絶縁体を設けることができる。
（図１１参照）。絶縁体２５０Ｃは、絶縁体２５０Ａと同様の装置を用いて、同様の材料
にて形成することができる。上記工程により、酸化物２３０ｂ上方には、絶縁体２５０Ｃ
が設けられ、導電体２４２の側面には、絶縁体２５０Ｂ、および絶縁体２５０Ｃを設ける
ことができる。すなわち、導電体２４２の側面に、酸化物２３０ｂ上方の絶縁体より厚い
絶縁体を設けることができる。
【0315】
続いて、導電膜２６０Ａ、および導電膜２６０Ｂを順次成膜する（図１１参照。）。導
電膜２６０Ａおよび導電膜２６０Ｂは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ
法、またはＡＬＤ法などを用いて成膜することができる。例えば、導電膜２６０Ａとして
、窒化チタンを成膜し、導電膜２６０Ｂとして、タングステンを成膜してもよい。
電膜２６０Ａおよび導電膜２６０Ｂは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ
法、またはＡＬＤ法などを用いて成膜することができる。例えば、導電膜２６０Ａとして
、窒化チタンを成膜し、導電膜２６０Ｂとして、タングステンを成膜してもよい。
【0316】
導電膜２６０Ａとして、ＣＶＤ法、またはスパッタリング法により、金属窒化物を形成
するとよい。導電膜２６０Ａに金属窒化物を用いることにより、絶縁体２５０Ｃが有する
酸素により、導電膜２６０Ｂが酸化して導電率が低下することを防ぐことができる。
するとよい。導電膜２６０Ａに金属窒化物を用いることにより、絶縁体２５０Ｃが有する
酸素により、導電膜２６０Ｂが酸化して導電率が低下することを防ぐことができる。
【0317】
また、導電膜２６０Ｂとして、低抵抗の金属膜を積層することで、駆動電圧が小さなト
ランジスタを提供することができる。
ランジスタを提供することができる。
【0318】
続いて、加熱処理を行うことができる。加熱処理は、前述の加熱処理条件を用いること
ができる。なお、加熱処理は行わなくてもよい場合がある。本加熱処理によって、酸化物
２３０ｂに低抵抗領域が形成される場合がある。
ができる。なお、加熱処理は行わなくてもよい場合がある。本加熱処理によって、酸化物
２３０ｂに低抵抗領域が形成される場合がある。
【0319】
次に、導電膜２６０Ｂ、導電膜２６０Ａ、絶縁体２５０Ｂ、絶縁体２５０Ｃ、および酸
化膜２３０Ｃを加工して平坦化処理を行い、導電体２６０（導電体２６０ａ、および導電
体２６０ｂ）、絶縁体２５０（絶縁体２５０ａ、および絶縁体２５０ｂ）、および酸化物
２３０ｃを形成する（図１２参照。）。平坦化処理には、ＣＭＰ法を用いて、導電膜２６
０Ｂ、導電膜２６０Ａ、絶縁体２５０Ｂ、絶縁体２５０Ｃ、および酸化膜２３０Ｃを研磨
する方法や、エッチバック法を用いる方法などがある。なお、導電膜２６０Ｂ、導電膜２
６０Ａ、絶縁体２５０Ｂ、絶縁体２５０Ｃ、および酸化膜２３０Ｃを一括で加工する必要
はなく、条件を適宜変更しながら加工すればよい。
化膜２３０Ｃを加工して平坦化処理を行い、導電体２６０（導電体２６０ａ、および導電
体２６０ｂ）、絶縁体２５０（絶縁体２５０ａ、および絶縁体２５０ｂ）、および酸化物
２３０ｃを形成する（図１２参照。）。平坦化処理には、ＣＭＰ法を用いて、導電膜２６
０Ｂ、導電膜２６０Ａ、絶縁体２５０Ｂ、絶縁体２５０Ｃ、および酸化膜２３０Ｃを研磨
する方法や、エッチバック法を用いる方法などがある。なお、導電膜２６０Ｂ、導電膜２
６０Ａ、絶縁体２５０Ｂ、絶縁体２５０Ｃ、および酸化膜２３０Ｃを一括で加工する必要
はなく、条件を適宜変更しながら加工すればよい。
【0320】
このようにして、導電体２６０は、絶縁体２８０の開口、および導電体２４２ａと導電
体２４２ｂに挟まれた領域に、埋め込まれるように形成される。導電体２６０の形成は、
リソグラフィー法を用いることなく自己整合的に行われるので、導電体２６０の位置合わ
せのマージンを設ける必要がない。よって、トランジスタ２００の占有面積の縮小を図り
、半導体装置の微細化、高集積化を図ることができる。また、リソグラフィー工程が不要
となるので工程簡略化による生産性の向上が見込まれる。
体２４２ｂに挟まれた領域に、埋め込まれるように形成される。導電体２６０の形成は、
リソグラフィー法を用いることなく自己整合的に行われるので、導電体２６０の位置合わ
せのマージンを設ける必要がない。よって、トランジスタ２００の占有面積の縮小を図り
、半導体装置の微細化、高集積化を図ることができる。また、リソグラフィー工程が不要
となるので工程簡略化による生産性の向上が見込まれる。
【0321】
また、半導体装置を微細化するに当たり、ゲート長を短くすることが求められるが、導
電体２６０の導電性が下がらないようにする必要がある。そのために導電体２６０の膜厚
を大きくすると、導電体２６０はアスペクト比が高い形状となりうる。本実施の形態では
、導電体２６０を絶縁体２８０の開口に埋め込むように設けるため、導電体２６０をアス
ペクト比の高い形状にしても、工程中に導電体２６０を倒壊させることなく、形成するこ
とができる。
電体２６０の導電性が下がらないようにする必要がある。そのために導電体２６０の膜厚
を大きくすると、導電体２６０はアスペクト比が高い形状となりうる。本実施の形態では
、導電体２６０を絶縁体２８０の開口に埋め込むように設けるため、導電体２６０をアス
ペクト比の高い形状にしても、工程中に導電体２６０を倒壊させることなく、形成するこ
とができる。
【0322】
このとき、導電体２６０は、少なくとも一部が、導電体２０５、酸化物２３０ａ、およ
び酸化物２３０ｂと重なるように形成される。
び酸化物２３０ｂと重なるように形成される。
【0323】
また、該加工により、絶縁体２８０の上面と、導電体２６０の上面と、絶縁体２５０の
上面と、酸化物２３０ｃの上面は、概略一致することが好ましい。
上面と、酸化物２３０ｃの上面は、概略一致することが好ましい。
【0324】
ここで、絶縁体２５０ｂは、酸化物２３０ｂ、導電体２４２ａ（導電体２４２ｂ）、お
よび絶縁体２８０と、導電体２６０との間に配置され、絶縁体２５０ａは、導電体２４２
ａ（導電体２４２ｂ）、および絶縁体２８０と、絶縁体２５０ｂとの間に配置される。つ
まり、絶縁体２５０は、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間において、絶縁体２５０ｂを
有し、導電体２４２と導電体２６０の間において、絶縁体２５０ａおよび絶縁体２５０ｂ
を有する。よって、以上の方法でトランジスタ２００を作製することにより、絶縁体２５
０の膜厚Ｔ１を、膜厚Ｔ２より薄くすることができる。これにより、導電体２６０と導電
体２４２の間の寄生容量を低減し、高い周波数特性を有するトランジスタ２００を提供す
ることができる。
よび絶縁体２８０と、導電体２６０との間に配置され、絶縁体２５０ａは、導電体２４２
ａ（導電体２４２ｂ）、および絶縁体２８０と、絶縁体２５０ｂとの間に配置される。つ
まり、絶縁体２５０は、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間において、絶縁体２５０ｂを
有し、導電体２４２と導電体２６０の間において、絶縁体２５０ａおよび絶縁体２５０ｂ
を有する。よって、以上の方法でトランジスタ２００を作製することにより、絶縁体２５
０の膜厚Ｔ１を、膜厚Ｔ２より薄くすることができる。これにより、導電体２６０と導電
体２４２の間の寄生容量を低減し、高い周波数特性を有するトランジスタ２００を提供す
ることができる。
【0325】
なお、本実施の形態では、絶縁体２５０を絶縁体２５０ａと絶縁体２５０ｂを用いて作
製する方法を示したが、本実施の形態に示す半導体装置の作製方法はこれに限られるもの
ではない。例えば、図１０に示す工程の異方性エッチングにおいて、絶縁体２５０Ａの開
口２４５の底部に当たる領域を完全に除去するのではなく、当該領域の膜厚を薄くする程
度にすれればよい。これにより、絶縁体２５０Ａだけで、膜厚Ｔ１が膜厚Ｔ２より薄い絶
縁体２５０を形成することができる。
製する方法を示したが、本実施の形態に示す半導体装置の作製方法はこれに限られるもの
ではない。例えば、図１０に示す工程の異方性エッチングにおいて、絶縁体２５０Ａの開
口２４５の底部に当たる領域を完全に除去するのではなく、当該領域の膜厚を薄くする程
度にすれればよい。これにより、絶縁体２５０Ａだけで、膜厚Ｔ１が膜厚Ｔ２より薄い絶
縁体２５０を形成することができる。
【0326】
また、本実施の形態において、絶縁体２５０に絶縁体２５０ａと絶縁体２５０ｂの２層
を用いたが、トランジスタ２００の構成はこれに限られるものではない。導電体２４２と
、導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０の積層数を、酸化物２３０ｂと、導電体２６
０の間に位置する絶縁体２５０の積層数より多くするなら、絶縁体２５０が３層以上で構
成されていてもよい。
を用いたが、トランジスタ２００の構成はこれに限られるものではない。導電体２４２と
、導電体２６０の間に位置する絶縁体２５０の積層数を、酸化物２３０ｂと、導電体２６
０の間に位置する絶縁体２５０の積層数より多くするなら、絶縁体２５０が３層以上で構
成されていてもよい。
【0327】
次に、絶縁体２８０、および導電体２６０上に絶縁体２７４を成膜する（図１３参照。
）。絶縁体２７４は、バリア性を有するアルミニウムおよびハフニウムの一方または双方
の酸化物を用いることが好ましい。例えば、スパッタリング法を用いて酸化アルミニウム
を成膜することが好ましい。スパッタリング法を用いることにより、酸素を多く含み、か
つ、水または水素などの不純物の少ない酸化アルミニウムを成膜することができる。
）。絶縁体２７４は、バリア性を有するアルミニウムおよびハフニウムの一方または双方
の酸化物を用いることが好ましい。例えば、スパッタリング法を用いて酸化アルミニウム
を成膜することが好ましい。スパッタリング法を用いることにより、酸素を多く含み、か
つ、水または水素などの不純物の少ない酸化アルミニウムを成膜することができる。
【0328】
また、スパッタリング装置を用いて、酸素ガスを含む雰囲気下で成膜を行うことで、絶
縁体２７４を成膜しながら、絶縁体２５０および絶縁体２８０に酸素を導入することもで
きる。これにより、絶縁体２７４を酸素供給源として、絶縁体２５０および絶縁体２８０
に絶縁体２７４中の酸素が供給され、絶縁体２５０および絶縁体２８０中に過剰酸素領域
を形成することができる。
縁体２７４を成膜しながら、絶縁体２５０および絶縁体２８０に酸素を導入することもで
きる。これにより、絶縁体２７４を酸素供給源として、絶縁体２５０および絶縁体２８０
に絶縁体２７４中の酸素が供給され、絶縁体２５０および絶縁体２８０中に過剰酸素領域
を形成することができる。
【0329】
上述のようにして過剰酸素領域が形成された絶縁体２５０および絶縁体２８０は、当該
過剰酸素領域から、酸化物２３０ｃなどを通じて、酸化物２３０の領域２３４へ、酸素を
効果的に供給することができる。
過剰酸素領域から、酸化物２３０ｃなどを通じて、酸化物２３０の領域２３４へ、酸素を
効果的に供給することができる。
【0330】
続いて、加熱処理を行うことができる。加熱処理は、前述の加熱処理条件を用いること
ができる。加熱処理を行うことで、絶縁体２５０などの絶縁体が有する酸素を酸化物２３
０に供給することができる。また、酸化物２３０の領域２３１に形成された酸素欠損に捕
獲された水素が、絶縁体２４４、および絶縁体２８０を通じて、絶縁体２７４へ吸収され
、酸化物２３０中の水素を低減することができる場合がある。
ができる。加熱処理を行うことで、絶縁体２５０などの絶縁体が有する酸素を酸化物２３
０に供給することができる。また、酸化物２３０の領域２３１に形成された酸素欠損に捕
獲された水素が、絶縁体２４４、および絶縁体２８０を通じて、絶縁体２７４へ吸収され
、酸化物２３０中の水素を低減することができる場合がある。
【0331】
次に、絶縁体２７４の上に、絶縁体２８１を成膜する。絶縁体２８１の成膜は、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことがで
きる。または、スピンコート法、ディップ法、液滴吐出法（インクジェット法など）、印
刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷など）、ドクターナイフ法、ロールコーター法、
またはカーテンコーター法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、当該絶縁
体２８１として、酸化窒化シリコンを用いる。
タリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことがで
きる。または、スピンコート法、ディップ法、液滴吐出法（インクジェット法など）、印
刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷など）、ドクターナイフ法、ロールコーター法、
またはカーテンコーター法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、当該絶縁
体２８１として、酸化窒化シリコンを用いる。
【0332】
次に、絶縁体２８１の一部を除去する。絶縁体２８１は、上面が平坦性を有するように
形成することが好ましい。例えば、絶縁体２８１は、成膜した直後に上面が平坦性を有し
ていてもよい。または、例えば、絶縁体２８１は、成膜後に基板裏面などの基準面と平行
になるよう絶縁体などを上面から除去していくことで平坦性を有してもよい。このような
処理を、平坦化処理と呼ぶ。平坦化処理としては、ＣＭＰ処理、ドライエッチング処理な
どがある。本実施の形態では、平坦化処理として、ＣＭＰ処理を用いる。ただし、絶縁体
２８１の上面は必ずしも平坦性を有さなくてもよい。
形成することが好ましい。例えば、絶縁体２８１は、成膜した直後に上面が平坦性を有し
ていてもよい。または、例えば、絶縁体２８１は、成膜後に基板裏面などの基準面と平行
になるよう絶縁体などを上面から除去していくことで平坦性を有してもよい。このような
処理を、平坦化処理と呼ぶ。平坦化処理としては、ＣＭＰ処理、ドライエッチング処理な
どがある。本実施の形態では、平坦化処理として、ＣＭＰ処理を用いる。ただし、絶縁体
２８１の上面は必ずしも平坦性を有さなくてもよい。
【0333】
次に、絶縁体２８１、絶縁体２７４、絶縁体２８０、および絶縁体２４４に、酸化物２
３０に達する開口を形成する。当該開口の形成は、リソグラフィー法を用いて行えばよい
。なお、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂが酸化物２３０の側面に接して設けられ
るように、酸化物２３０に達する開口において、酸化物２３０の側面が露出するように、
当該開口を形成する。
３０に達する開口を形成する。当該開口の形成は、リソグラフィー法を用いて行えばよい
。なお、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂが酸化物２３０の側面に接して設けられ
るように、酸化物２３０に達する開口において、酸化物２３０の側面が露出するように、
当該開口を形成する。
【0334】
次に、導電体２４０の第１の導電体、および導電体２４０の第２の導電体となる導電膜
を成膜する。当該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、
またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
を成膜する。当該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、
またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【0335】
次に、ＣＭＰ処理を行うことで、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂとなる導電膜
の一部を除去し、絶縁体２８１を露出する。その結果、上記開口のみに、当該導電膜が残
存することで上面が平坦な導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂを形成することができ
る（図１３参照。）。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２８１の一部が除去する場合
がある。
の一部を除去し、絶縁体２８１を露出する。その結果、上記開口のみに、当該導電膜が残
存することで上面が平坦な導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂを形成することができ
る（図１３参照。）。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２８１の一部が除去する場合
がある。
【0336】
以上により、トランジスタ２００を有する半導体装置を作製することができる。図４乃
至図１３に示すように、本実施の形態に示す半導体装置の作製方法を用いることで、良好
な電気特性を有し、微細化または高集積化が可能なトランジスタ２００を作製することが
できる。
至図１３に示すように、本実施の形態に示す半導体装置の作製方法を用いることで、良好
な電気特性を有し、微細化または高集積化が可能なトランジスタ２００を作製することが
できる。
【0337】
本発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することがで
きる。または、本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供するこ
とができる。または、本発明の一態様により、良好な周波数特性を有する半導体装置を提
供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性が良好な半導体装置を提供
することができる。または、本発明の一態様により、オフ電流の小さい半導体装置を提供
することができる。または、本発明の一態様により、オン電流の大きい半導体装置を提供
することができる。または、本発明の一態様により、消費電力が低減された半導体装置を
提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性の高い半導体装置を提供
することができる。
きる。または、本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供するこ
とができる。または、本発明の一態様により、良好な周波数特性を有する半導体装置を提
供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性が良好な半導体装置を提供
することができる。または、本発明の一態様により、オフ電流の小さい半導体装置を提供
することができる。または、本発明の一態様により、オン電流の大きい半導体装置を提供
することができる。または、本発明の一態様により、消費電力が低減された半導体装置を
提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性の高い半導体装置を提供
することができる。
【0338】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと
適宜組み合わせて用いることができる。
適宜組み合わせて用いることができる。
【0339】
【0340】
また、図１４乃至図１７において、各図の（Ａ）は上面図を示す。また、各図の（Ｂ）
は、（Ａ）に示すＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジス
タ２００のチャネル長方向の断面図でもある。また、各図の（Ｃ）は、（Ａ）にＡ３－Ａ
４の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向
の断面図でもある。なお、各図の（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を
省いて図示している。
は、（Ａ）に示すＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジス
タ２００のチャネル長方向の断面図でもある。また、各図の（Ｃ）は、（Ａ）にＡ３－Ａ
４の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向
の断面図でもある。なお、各図の（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を
省いて図示している。
【0341】
なお、図１４乃至図１７に示す半導体装置において、＜半導体装置の構成例＞に示した
半導体装置（図１参照。）を構成する構造と同機能を有する構造には、同符号を付記する
。なお、本項目において、トランジスタ２００の構成材料については＜半導体装置の構成
例＞で詳細に説明した材料を用いることができる。
半導体装置（図１参照。）を構成する構造と同機能を有する構造には、同符号を付記する
。なお、本項目において、トランジスタ２００の構成材料については＜半導体装置の構成
例＞で詳細に説明した材料を用いることができる。
【0342】
図１４に示すトランジスタ２００は、酸化物２３０、導電体２４２、および絶縁体２８
０と、酸化物２３０ｃと、の間に絶縁体２５２が配置されている点において、図１に示す
トランジスタ２００と異なる。ここで、絶縁体２５２は、絶縁体２４４に用いることがで
きる、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい
。このような絶縁体２５２を用いることにより、導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂの
絶縁体２５２と接する面の酸化を抑制することができる。
０と、酸化物２３０ｃと、の間に絶縁体２５２が配置されている点において、図１に示す
トランジスタ２００と異なる。ここで、絶縁体２５２は、絶縁体２４４に用いることがで
きる、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい
。このような絶縁体２５２を用いることにより、導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂの
絶縁体２５２と接する面の酸化を抑制することができる。
【0343】
また、図１４に示すトランジスタ２００は、導電体２４２と導電体２６０の間に絶縁体
２５２が設けられ、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間には絶縁体２５２が設けられない
。よって、図１４に示すトランジスタ２００では、絶縁体２５２が設けられることで、導
電体２６０と導電体２４２の間の寄生容量を低減することができる。これにより、図１４
に示すトランジスタ２００では、導電体２４２と導電体２６０の間の絶縁体２５０の膜厚
と、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間の絶縁体２５０の膜厚を概略同じにする構成にし
てもよい。
２５２が設けられ、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間には絶縁体２５２が設けられない
。よって、図１４に示すトランジスタ２００では、絶縁体２５２が設けられることで、導
電体２６０と導電体２４２の間の寄生容量を低減することができる。これにより、図１４
に示すトランジスタ２００では、導電体２４２と導電体２６０の間の絶縁体２５０の膜厚
と、酸化物２３０ｂと導電体２６０の間の絶縁体２５０の膜厚を概略同じにする構成にし
てもよい。
【0344】
また、図１に示すトランジスタ２００においては、酸化物２３０として、酸化物２３０
ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの３層を積層する構成を示したが、本実施の
形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、図１５に示すトランジス
タ２００のように、酸化物２３０ｃを設けない構成にしてもよい。
ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの３層を積層する構成を示したが、本実施の
形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、図１５に示すトランジス
タ２００のように、酸化物２３０ｃを設けない構成にしてもよい。
【0345】
また、図１に示すトランジスタ２００においては、導電体２４２、酸化物２３０、およ
び絶縁体２２４を覆って、絶縁体２４４を設ける構成を示したが、本実施の形態に示す半
導体装置はこれに限られるものではない。例えば、導電体２４２に耐酸化性材料を用いる
場合、図１６に示すトランジスタ２００のように、絶縁体２４４を設けない構成にしても
よい。
び絶縁体２２４を覆って、絶縁体２４４を設ける構成を示したが、本実施の形態に示す半
導体装置はこれに限られるものではない。例えば、導電体２４２に耐酸化性材料を用いる
場合、図１６に示すトランジスタ２００のように、絶縁体２４４を設けない構成にしても
よい。
【0346】
絶縁体２４４を設けない構成にすることにより、絶縁体２７４の成膜により、絶縁体２
８０に添加した酸素を、酸化物２３０の側面からも供給することができる。また、この場
合、絶縁体２８０に添加した酸素を、絶縁体２２４を介して酸化物２３０に供給すること
もできる。これにより、酸化物２３０の領域２３４へ、酸素をより効果的に供給すること
ができる。
８０に添加した酸素を、酸化物２３０の側面からも供給することができる。また、この場
合、絶縁体２８０に添加した酸素を、絶縁体２２４を介して酸化物２３０に供給すること
もできる。これにより、酸化物２３０の領域２３４へ、酸素をより効果的に供給すること
ができる。
【0347】
図１７に示すトランジスタ２００は、導電体２４２が設けられていない点において、図
１に示すトランジスタ２００と異なる。図１７に示すトランジスタ２００においては、例
えば、酸化物２３０のキャリア密度を増大させ、低抵抗化させることができる元素をドー
パントとして添加することによって、領域２４３を形成すればよい。
１に示すトランジスタ２００と異なる。図１７に示すトランジスタ２００においては、例
えば、酸化物２３０のキャリア密度を増大させ、低抵抗化させることができる元素をドー
パントとして添加することによって、領域２４３を形成すればよい。
【0348】
ドーパントとしては、酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素などを
用いればよい。このような元素としては、代表的には、ホウ素、またはリンが挙げられる
。また、水素、炭素、窒素、フッ素、硫黄、塩素、チタン、希ガス等を用いてもよい。ま
た、希ガス元素の代表例としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及びキセ
ノン等がある。また、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、
チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグ
ネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロン
チウム、ランタンなどの金属元素の中から選ばれるいずれか一つまたは複数の金属元素を
添加してもよい。上述した中でもドーパントとしては、ホウ素、及びリンが好ましい。ホ
ウ素、リンをドーパントとして用いる場合、アモルファスシリコン、または低温ポリシリ
コンの製造ラインの装置を使用することができるため、設備投資を抑制することができる
。上記元素の濃度は、ＳＩＭＳなどを用いて測定すればよい。
用いればよい。このような元素としては、代表的には、ホウ素、またはリンが挙げられる
。また、水素、炭素、窒素、フッ素、硫黄、塩素、チタン、希ガス等を用いてもよい。ま
た、希ガス元素の代表例としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及びキセ
ノン等がある。また、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、
チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグ
ネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロン
チウム、ランタンなどの金属元素の中から選ばれるいずれか一つまたは複数の金属元素を
添加してもよい。上述した中でもドーパントとしては、ホウ素、及びリンが好ましい。ホ
ウ素、リンをドーパントとして用いる場合、アモルファスシリコン、または低温ポリシリ
コンの製造ラインの装置を使用することができるため、設備投資を抑制することができる
。上記元素の濃度は、ＳＩＭＳなどを用いて測定すればよい。
【0349】
特に、領域２４３に添加する元素として、酸化物を形成しやすい元素を用いることが好
ましい。このような元素としては、代表的にはホウ素、リン、アルミニウム、マグネシウ
ム等がある。領域２４３に添加された当該元素は、酸化物２３０中の酸素を奪って酸化物
を形成しうる。その結果、領域２４３には多くの酸素欠損が生じる。当該酸素欠損と、酸
化物２３０中の水素とが結合することでキャリアが生じ、極めて低抵抗な領域となる。さ
らに、領域２４３に添加された元素は安定な酸化物の状態で領域２４３に存在するため、
その後の工程で高い温度を要する処理が行われたとしても、領域２４３から脱離しにくい
。すなわち、領域２４３に添加する元素として、酸化物を形成しやすい元素を用いること
で、酸化物２３０中に高温のプロセスを経ても高抵抗化しにくい領域を形成できる。
ましい。このような元素としては、代表的にはホウ素、リン、アルミニウム、マグネシウ
ム等がある。領域２４３に添加された当該元素は、酸化物２３０中の酸素を奪って酸化物
を形成しうる。その結果、領域２４３には多くの酸素欠損が生じる。当該酸素欠損と、酸
化物２３０中の水素とが結合することでキャリアが生じ、極めて低抵抗な領域となる。さ
らに、領域２４３に添加された元素は安定な酸化物の状態で領域２４３に存在するため、
その後の工程で高い温度を要する処理が行われたとしても、領域２４３から脱離しにくい
。すなわち、領域２４３に添加する元素として、酸化物を形成しやすい元素を用いること
で、酸化物２３０中に高温のプロセスを経ても高抵抗化しにくい領域を形成できる。
【0350】
酸化物２３０にソース領域またはドレイン領域として機能する領域２４３を形成するこ
とで、金属で形成されたソース電極およびドレイン電極を設けることなく、領域２４３に
プラグとして機能する導電体２４０を接続することができる。
とで、金属で形成されたソース電極およびドレイン電極を設けることなく、領域２４３に
プラグとして機能する導電体２４０を接続することができる。
【0351】
ドーパントの添加によって領域２４３を形成する場合、例えば、酸化物２３０ｃ、絶縁
体２５０、および導電体２６０を設ける位置に、ダミーゲートを形成し、当該ダミーゲー
トをマスクとして用いて、ドーパントの添加を行えばよい。これにより、酸化物２３０に
おいて、当該ダミーゲートが重畳していない領域に、上記の元素を含む領域２４３を形成
することができる。
体２５０、および導電体２６０を設ける位置に、ダミーゲートを形成し、当該ダミーゲー
トをマスクとして用いて、ドーパントの添加を行えばよい。これにより、酸化物２３０に
おいて、当該ダミーゲートが重畳していない領域に、上記の元素を含む領域２４３を形成
することができる。
【0352】
ドーパントの添加方法としては、イオン化された原料ガスを質量分離して添加するイオ
ン注入法、イオン化された原料ガスを質量分離せずに添加するイオンドーピング法、プラ
ズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いることができる。質量分離を
行う場合、添加するイオン種およびその濃度を厳密に制御することができる。一方、質量
分離を行わない場合、短時間で高濃度のイオンを添加することができる。また、原子また
は分子のクラスターを生成してイオン化するイオンドーピング法を用いてもよい。なお、
ドーパントを、イオン、ドナー、アクセプター、不純物または元素などと言い換えてもよ
い。
ン注入法、イオン化された原料ガスを質量分離せずに添加するイオンドーピング法、プラ
ズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いることができる。質量分離を
行う場合、添加するイオン種およびその濃度を厳密に制御することができる。一方、質量
分離を行わない場合、短時間で高濃度のイオンを添加することができる。また、原子また
は分子のクラスターを生成してイオン化するイオンドーピング法を用いてもよい。なお、
ドーパントを、イオン、ドナー、アクセプター、不純物または元素などと言い換えてもよ
い。
【0353】
また、領域２４３に酸素欠損を形成する元素を添加して、熱処理を行うことで、チャネ
ル形成領域として機能する領域２３４に含まれる水素を、領域２４３に含まれる酸素欠損
で捕獲できる場合がある。これにより、トランジスタ２００に安定な電気特性を与え、信
頼性の向上を図ることができる。
ル形成領域として機能する領域２３４に含まれる水素を、領域２４３に含まれる酸素欠損
で捕獲できる場合がある。これにより、トランジスタ２００に安定な電気特性を与え、信
頼性の向上を図ることができる。
【0354】
なお、ドーパントの添加後は、図６に示すように絶縁体２８０を成膜し、ダミーゲート
が露出するまでＣＭＰ処理を行い、露出したダミーゲートを除去すればよい。このように
して、図７に示す開口２４５を形成することができる。
が露出するまでＣＭＰ処理を行い、露出したダミーゲートを除去すればよい。このように
して、図７に示す開口２４５を形成することができる。
【0355】
以上、本実施の形態に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態に示す構成、構造
、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0356】
【0357】
＜記憶装置１＞
図１８（Ａ）（Ｂ）に記憶装置を構成するセル６００を示す。セル６００は、トランジ
スタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂを有
している。図１８（Ａ）は、セル６００の上面図である。また、図１８（Ｂ）は、図１８
（Ａ）にＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、図１８（Ａ）の上面図
では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図１８（Ａ）（Ｂ）に記憶装置を構成するセル６００を示す。セル６００は、トランジ
スタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂを有
している。図１８（Ａ）は、セル６００の上面図である。また、図１８（Ｂ）は、図１８
（Ａ）にＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、図１８（Ａ）の上面図
では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【0358】
セル６００は、トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂを有し、トランジス
タ２００ａの上に重畳して容量素子１００ａを有し、トランジスタ２００ｂの上に重畳し
て容量素子１００ｂを有する。セル６００では、トランジスタ２００ａとトランジスタ２
００ｂ、および容量素子１００ａと容量素子１００ｂは、線対称に配置される場合がある
。よって、トランジスタ２００ａとトランジスタ２００ｂは同様の構成を有することが好
ましく、容量素子１００ａと容量素子１００ｂは同様の構成を有することが好ましい。
タ２００ａの上に重畳して容量素子１００ａを有し、トランジスタ２００ｂの上に重畳し
て容量素子１００ｂを有する。セル６００では、トランジスタ２００ａとトランジスタ２
００ｂ、および容量素子１００ａと容量素子１００ｂは、線対称に配置される場合がある
。よって、トランジスタ２００ａとトランジスタ２００ｂは同様の構成を有することが好
ましく、容量素子１００ａと容量素子１００ｂは同様の構成を有することが好ましい。
【0359】
トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂ上の絶縁体２８１の上に絶縁体１３
０を有し、絶縁体１３０の上に絶縁体１５０を有する。ここで、絶縁体１５０は、絶縁体
２８１に用いることができる絶縁体を用いればよい。
０を有し、絶縁体１３０の上に絶縁体１５０を有する。ここで、絶縁体１５０は、絶縁体
２８１に用いることができる絶縁体を用いればよい。
【0360】
さらに、絶縁体１５０の上に導電体１６０を有する。また、絶縁体２８０、絶縁体２７
４、絶縁体２８１、絶縁体１３０、および絶縁体１５０に形成された開口に埋め込まれる
ように導電体２４０が設けられる。導電体２４０の下面は導電体２４２ｂと接し、導電体
２４０の上面は導電体１６０と接している。
４、絶縁体２８１、絶縁体１３０、および絶縁体１５０に形成された開口に埋め込まれる
ように導電体２４０が設けられる。導電体２４０の下面は導電体２４２ｂと接し、導電体
２４０の上面は導電体１６０と接している。
【0361】
トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂは、上記実施の形態に示すトランジ
スタ２００を用いることができる。よって、トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２
００ｂの構成については、上記トランジスタ２００の記載を参酌することができる。また
、図１８（Ａ）（Ｂ）において、トランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂの要素の
符号は省略している。なお、図１８（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ２００ａおよびトラ
ンジスタ２００ｂは一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適
切なトランジスタを用いればよい。
スタ２００を用いることができる。よって、トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２
００ｂの構成については、上記トランジスタ２００の記載を参酌することができる。また
、図１８（Ａ）（Ｂ）において、トランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂの要素の
符号は省略している。なお、図１８（Ａ）（Ｂ）に示すトランジスタ２００ａおよびトラ
ンジスタ２００ｂは一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適
切なトランジスタを用いればよい。
【0362】
トランジスタ２００ａとトランジスタ２００ｂは、両方とも酸化物２３０により構成さ
れており、トランジスタ２００ａのソースおよびドレインの一方と、トランジスタ２００
ｂのソースおよびドレインの一方は、いずれも導電体２４２ｂと接している。よって、ト
ランジスタ２００ａのソースおよびドレインの一方と、トランジスタ２００ｂのソースお
よびドレインの一方は、導電体２４２ｂを介して導電体２４０と電気的に接続している。
これにより、トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂのコンタクト部が共有さ
れ、プラグとコンタクトホールの数を低減することができる。このように、ソースおよび
ドレインの一方と電気的に接続する配線を共有することで、メモリセルアレイの占有面積
をさらに縮小することができる。
れており、トランジスタ２００ａのソースおよびドレインの一方と、トランジスタ２００
ｂのソースおよびドレインの一方は、いずれも導電体２４２ｂと接している。よって、ト
ランジスタ２００ａのソースおよびドレインの一方と、トランジスタ２００ｂのソースお
よびドレインの一方は、導電体２４２ｂを介して導電体２４０と電気的に接続している。
これにより、トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂのコンタクト部が共有さ
れ、プラグとコンタクトホールの数を低減することができる。このように、ソースおよび
ドレインの一方と電気的に接続する配線を共有することで、メモリセルアレイの占有面積
をさらに縮小することができる。
【0363】
［容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂ］
図１８（Ａ）（Ｂ）に示すように、容量素子１００ａは、トランジスタ２００ａと重畳
する領域に設ける。同様に、容量素子１００ｂは、トランジスタ２００ｂと重畳する領域
に設ける。なお、容量素子１００ｂは、容量素子１００ａが有する構造と、それぞれ対応
する構造を有する。以下において、容量素子１００ａの詳細な構造について説明するが、
特にことわりが無い限り容量素子１００ｂについては、容量素子１００ａの説明を参酌す
ることができる。
図１８（Ａ）（Ｂ）に示すように、容量素子１００ａは、トランジスタ２００ａと重畳
する領域に設ける。同様に、容量素子１００ｂは、トランジスタ２００ｂと重畳する領域
に設ける。なお、容量素子１００ｂは、容量素子１００ａが有する構造と、それぞれ対応
する構造を有する。以下において、容量素子１００ａの詳細な構造について説明するが、
特にことわりが無い限り容量素子１００ｂについては、容量素子１００ａの説明を参酌す
ることができる。
【0364】
容量素子１００ａは、導電体１１０、絶縁体１３０、絶縁体１３０上の導電体１２０を
有する。ここで、導電体１１０および導電体１２０は、導電体２０３、導電体２０５、ま
たは導電体２６０などに用いることができる導電体を用いればよい。
有する。ここで、導電体１１０および導電体１２０は、導電体２０３、導電体２０５、ま
たは導電体２６０などに用いることができる導電体を用いればよい。
【0365】
容量素子１００ａは、絶縁体２４４、絶縁体２８０、絶縁体２７４、および絶縁体２８
１が有する開口に形成されている。当該開口の、底面、および側面において、下部電極と
して機能する導電体１１０と、上部電極として機能する導電体１２０が、誘電体として機
能する絶縁体１３０を挟んで対向する構成である。ここで、容量素子１００ａの導電体１
１０は、トランジスタ２００ａの導電体２４２ａに接して形成されている。
１が有する開口に形成されている。当該開口の、底面、および側面において、下部電極と
して機能する導電体１１０と、上部電極として機能する導電体１２０が、誘電体として機
能する絶縁体１３０を挟んで対向する構成である。ここで、容量素子１００ａの導電体１
１０は、トランジスタ２００ａの導電体２４２ａに接して形成されている。
【0366】
特に、絶縁体２８０、絶縁体２７４、および絶縁体２８１が有する開口の深さを深くす
ることで、投影面積は変わらず、容量素子１００ａの静電容量を大きくすることができる
。従って、容量素子１００ａは、シリンダー型（底面積よりも、側面積の方が大きい）と
することが好ましい。
ることで、投影面積は変わらず、容量素子１００ａの静電容量を大きくすることができる
。従って、容量素子１００ａは、シリンダー型（底面積よりも、側面積の方が大きい）と
することが好ましい。
【0367】
上記構成とすることで、容量素子１００ａの単位面積当たりの静電容量を大きくでき、
半導体装置の微細化または高集積化を推し進めることができる。また、絶縁体２８０、絶
縁体２７４、および絶縁体２８１の膜厚により、容量素子１００ａの静電容量の値を、適
宜設定することができる。従って、設計自由度が高い半導体装置を提供することができる
。
半導体装置の微細化または高集積化を推し進めることができる。また、絶縁体２８０、絶
縁体２７４、および絶縁体２８１の膜厚により、容量素子１００ａの静電容量の値を、適
宜設定することができる。従って、設計自由度が高い半導体装置を提供することができる
。
【0368】
また、絶縁体１３０は、誘電率の大きい絶縁体を用いることが好ましい。例えば、アル
ミニウム及びハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を用いることができる。
アルミニウム及びハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体として、酸化アルミ
ニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアル
ミネート）などを用いることが好ましい。
ミニウム及びハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を用いることができる。
アルミニウム及びハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体として、酸化アルミ
ニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアル
ミネート）などを用いることが好ましい。
【0369】
また、絶縁体１３０は、積層構造であってもよく、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミ
ニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などから、２層以上を
選び積層構造としても良い。例えば、ＡＬＤ法によって、酸化ハフニウム、酸化アルミニ
ウムおよび酸化ハフニウムを順に成膜し、積層構造とすることが好ましい。酸化ハフニウ
ムおよび酸化アルミニウムの膜厚は、それぞれ、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下とする。この
ような積層構造とすることで、容量値が大きく、かつ、リーク電流の小さな容量素子１０
０ａとすることができる。
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミ
ニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などから、２層以上を
選び積層構造としても良い。例えば、ＡＬＤ法によって、酸化ハフニウム、酸化アルミニ
ウムおよび酸化ハフニウムを順に成膜し、積層構造とすることが好ましい。酸化ハフニウ
ムおよび酸化アルミニウムの膜厚は、それぞれ、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下とする。この
ような積層構造とすることで、容量値が大きく、かつ、リーク電流の小さな容量素子１０
０ａとすることができる。
【0370】
なお、導電体１１０、または導電体１２０は、積層構造であってもよい。例えば、導電
体１１０、または導電体１２０は、チタン、窒化チタン、タンタル、または窒化タンタル
を主成分とする導電性材料と、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導
電性材料と、の積層構造としてもよい。また、導電体１１０、または導電体１２０は、単
層構造としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。
体１１０、または導電体１２０は、チタン、窒化チタン、タンタル、または窒化タンタル
を主成分とする導電性材料と、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導
電性材料と、の積層構造としてもよい。また、導電体１１０、または導電体１２０は、単
層構造としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。
【0371】
また、容量素子１００ａを形成する開口において、導電体１２０の内側に絶縁体１４０
を形成することが好ましい。ここで、絶縁体１４０は、絶縁体２８１に用いることができ
る絶縁体を用いればよい。また、絶縁体１４０の上面は、導電体１２０の上面と概略面一
であることが好ましい。ただし、これに限られず、例えば、導電体１２０の膜厚を大きく
して開口を埋めてもよいし、導電体１２０の内側に開口が形成された状態で、絶縁体１５
０を成膜して当該開口を埋めてもよい。
を形成することが好ましい。ここで、絶縁体１４０は、絶縁体２８１に用いることができ
る絶縁体を用いればよい。また、絶縁体１４０の上面は、導電体１２０の上面と概略面一
であることが好ましい。ただし、これに限られず、例えば、導電体１２０の膜厚を大きく
して開口を埋めてもよいし、導電体１２０の内側に開口が形成された状態で、絶縁体１５
０を成膜して当該開口を埋めてもよい。
【0372】
【0373】
図１９は、図１８に示すセルを、マトリクス状に配置した一形態を示す回路図である。
図２０は、図１９に示す回路図のセル６００と、セル６００に隣接するセル６０１の近傍
の断面構造を示す模式図である。図２１は、図１９に示す回路図の配線ＷＬ、配線ＢＬ、
および酸化物２３０のレイアウトを示した模式図である。図１９乃至図２１では、配線Ｂ
Ｌの延伸方向をｘ方向とし、配線ＷＬの延伸方向をｙ方向とし、ｘｙ平面に垂直な方向を
ｚ方向とする。なお、図１９および図２１では、セルを３×３個配置する例を示している
が、本実施の形態はこれに限られることなく、セルアレイに含まれるメモリセルまたは配
線等の、個数及び配置は、適宜設定すればよい。また、図２１の上面図では、図の明瞭化
のために、図１９に示す一部の要素を省いて図示している。
図２０は、図１９に示す回路図のセル６００と、セル６００に隣接するセル６０１の近傍
の断面構造を示す模式図である。図２１は、図１９に示す回路図の配線ＷＬ、配線ＢＬ、
および酸化物２３０のレイアウトを示した模式図である。図１９乃至図２１では、配線Ｂ
Ｌの延伸方向をｘ方向とし、配線ＷＬの延伸方向をｙ方向とし、ｘｙ平面に垂直な方向を
ｚ方向とする。なお、図１９および図２１では、セルを３×３個配置する例を示している
が、本実施の形態はこれに限られることなく、セルアレイに含まれるメモリセルまたは配
線等の、個数及び配置は、適宜設定すればよい。また、図２１の上面図では、図の明瞭化
のために、図１９に示す一部の要素を省いて図示している。
【0374】
図１９に示すように、セルを構成するトランジスタ２００ａとトランジスタ２００ｂの
ソースおよびドレインの一方が共通の配線ＢＬ（ＢＬ０１、ＢＬ０２、ＢＬ０３）と電気
的に接続する。また、当該配線ＢＬは、ｘ方向に配列されたセル６００が有するトランジ
スタ２００ａとトランジスタ２００ｂのソースおよびドレインの一方とも電気的に接続す
る。一方、セル６００を構成する、トランジスタ２００ａの第１のゲートと、トランジス
タ２００ｂの第１のゲートは、それぞれ異なる配線ＷＬ（ＷＬ０１乃至ＷＬ０６）と電気
的に接続する。また、これらの配線ＷＬは、ｙ方向に配列されたセル６００が有する、ト
ランジスタ２００ａの第１のゲートと、トランジスタ２００ｂの第１のゲートと、それぞ
れ電気的に接続する。
ソースおよびドレインの一方が共通の配線ＢＬ（ＢＬ０１、ＢＬ０２、ＢＬ０３）と電気
的に接続する。また、当該配線ＢＬは、ｘ方向に配列されたセル６００が有するトランジ
スタ２００ａとトランジスタ２００ｂのソースおよびドレインの一方とも電気的に接続す
る。一方、セル６００を構成する、トランジスタ２００ａの第１のゲートと、トランジス
タ２００ｂの第１のゲートは、それぞれ異なる配線ＷＬ（ＷＬ０１乃至ＷＬ０６）と電気
的に接続する。また、これらの配線ＷＬは、ｙ方向に配列されたセル６００が有する、ト
ランジスタ２００ａの第１のゲートと、トランジスタ２００ｂの第１のゲートと、それぞ
れ電気的に接続する。
【0375】
また、セル６００が有する、容量素子１００ａの一方の電極、および容量素子１００ｂ
の一方の電極は、配線ＰＬと電気的に接続する。例えば、配線ＰＬはｙ方向に延伸して形
成すればよい。
の一方の電極は、配線ＰＬと電気的に接続する。例えば、配線ＰＬはｙ方向に延伸して形
成すればよい。
【0376】
また、各セル６００が有するトランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂには第
２のゲートＢＧが設けられていてもよい。ＢＧに印加される電位により、トランジスタの
しきい値を制御することができる。当該ＢＧはトランジスタ４００と接続されており、Ｂ
Ｇに印加される電位は、トランジスタ４００によって制御することができる。
２のゲートＢＧが設けられていてもよい。ＢＧに印加される電位により、トランジスタの
しきい値を制御することができる。当該ＢＧはトランジスタ４００と接続されており、Ｂ
Ｇに印加される電位は、トランジスタ４００によって制御することができる。
【0377】
例えば、図２０に示すように、導電体１６０をｘ方向に延伸させて配線ＢＬとして機能
させ、導電体２６０をｙ方向に延伸させて配線ＷＬとして機能させ、導電体１２０をｙ方
向に延伸させて配線ＰＬとして機能させることができる。また、導電体２０３をｙ方向に
延伸させてＢＧに接続する配線として機能させることもできる。
させ、導電体２６０をｙ方向に延伸させて配線ＷＬとして機能させ、導電体１２０をｙ方
向に延伸させて配線ＰＬとして機能させることができる。また、導電体２０３をｙ方向に
延伸させてＢＧに接続する配線として機能させることもできる。
【0378】
また、図２０に示すように、セル６００が有する容量素子１００ｂの一方の電極として
機能する導電体１２０が、セル６０１が有する容量素子１００ａの一方の電極をも兼ねる
構成とすることが好ましい。また、図示しないが、セル６００が有する容量素子１００ａ
の一方の電極として機能する導電体１２０が、セル６００の左側に隣接するセルの容量素
子の一方の電極を兼ねている。セル６０１の右側のセルについても同様の構成となってい
る。従って、セルアレイを構成することができる。当該セルアレイの構成とすることで、
隣り合うセルの間隔を小さくすることができるので、セルアレイの投影面積を小さくする
ことができ、高集積化が可能となる。
機能する導電体１２０が、セル６０１が有する容量素子１００ａの一方の電極をも兼ねる
構成とすることが好ましい。また、図示しないが、セル６００が有する容量素子１００ａ
の一方の電極として機能する導電体１２０が、セル６００の左側に隣接するセルの容量素
子の一方の電極を兼ねている。セル６０１の右側のセルについても同様の構成となってい
る。従って、セルアレイを構成することができる。当該セルアレイの構成とすることで、
隣り合うセルの間隔を小さくすることができるので、セルアレイの投影面積を小さくする
ことができ、高集積化が可能となる。
【0379】
また、図２１に示すように、酸化物２３０および配線ＷＬをマトリクス状に配置するこ
とで、図１９に示す回路図の半導体装置を形成することができる。ここで、配線ＢＬは、
配線ＷＬおよび酸化物２３０とは異なる層に設けることが好ましい。特に、配線ＢＬより
も、下層に容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂを設けることで、酸化物２３０の
長辺方向と、配線ＢＬが、概略平行になるレイアウトを実現することができる。従って、
セルのレイアウトを単純化することができ、設計の自由度が向上し、工程コストを低減す
ることができる。
とで、図１９に示す回路図の半導体装置を形成することができる。ここで、配線ＢＬは、
配線ＷＬおよび酸化物２３０とは異なる層に設けることが好ましい。特に、配線ＢＬより
も、下層に容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂを設けることで、酸化物２３０の
長辺方向と、配線ＢＬが、概略平行になるレイアウトを実現することができる。従って、
セルのレイアウトを単純化することができ、設計の自由度が向上し、工程コストを低減す
ることができる。
【0380】
また、図２１では、酸化物２３０の長辺が配線ＷＬの延伸方向と概略直交するように、
酸化物２３０および配線ＷＬを設けたが、これに限られるものではない。例えば、酸化物
２３０の長辺が配線ＷＬの延伸方向と直交せず、酸化物２３０の長辺が配線ＷＬの延伸方
向に対して傾けて配置されるレイアウトにしてもよい。好ましくは、酸化物２３０の長辺
と配線ＷＬのなす角が、２０°以上７０°以下、好ましくは３０°以上６０°以下になる
ように、酸化物２３０と配線ＷＬを設ければよい。
酸化物２３０および配線ＷＬを設けたが、これに限られるものではない。例えば、酸化物
２３０の長辺が配線ＷＬの延伸方向と直交せず、酸化物２３０の長辺が配線ＷＬの延伸方
向に対して傾けて配置されるレイアウトにしてもよい。好ましくは、酸化物２３０の長辺
と配線ＷＬのなす角が、２０°以上７０°以下、好ましくは３０°以上６０°以下になる
ように、酸化物２３０と配線ＷＬを設ければよい。
【0381】
また、当該セルアレイを平面のみでなく積層する構成としてもよい。複数のセルアレイ
を積層することにより、セルアレイの専有面積を増やすことなく、セルを集積して配置す
ることができる。つまり、３Ｄセルアレイを構成することができる。
を積層することにより、セルアレイの専有面積を増やすことなく、セルを集積して配置す
ることができる。つまり、３Ｄセルアレイを構成することができる。
【0382】
以上のように、本発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提
供することができる。または、本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装
置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オフ電流の小さい半導体装
置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オン電流の大きい半導体装
置を提供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。または、本発明の一態様により、消費電力が低減された半導体装
置を提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性の高い半導体装置を
提供することができる。
供することができる。または、本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装
置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オフ電流の小さい半導体装
置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オン電流の大きい半導体装
置を提供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。または、本発明の一態様により、消費電力が低減された半導体装
置を提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性の高い半導体装置を
提供することができる。
【0383】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと
適宜組み合わせて用いることができる。
適宜組み合わせて用いることができる。
【0384】
【0385】
＜記憶装置２＞
図２２に示す記憶装置は、トランジスタ３００と、トランジスタ２００、および容量素
子１００を有している。図２２は、トランジスタ２００およびトランジスタ３００のチャ
ネル長方向の断面図である。図２３には、トランジスタ３００近傍のトランジスタ３００
のチャネル幅方向の断面図を示す。
図２２に示す記憶装置は、トランジスタ３００と、トランジスタ２００、および容量素
子１００を有している。図２２は、トランジスタ２００およびトランジスタ３００のチャ
ネル長方向の断面図である。図２３には、トランジスタ３００近傍のトランジスタ３００
のチャネル幅方向の断面図を示す。
【0386】
トランジスタ２００は、酸化物半導体を有する半導体層にチャネルが形成されるトラン
ジスタである。トランジスタ２００は、オフ電流が小さいため、これを記憶装置に用いる
ことにより長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動
作を必要としない、あるいは、リフレッシュ動作の頻度が極めて少ないため、記憶装置の
消費電力を十分に低減することができる。
ジスタである。トランジスタ２００は、オフ電流が小さいため、これを記憶装置に用いる
ことにより長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動
作を必要としない、あるいは、リフレッシュ動作の頻度が極めて少ないため、記憶装置の
消費電力を十分に低減することができる。
【0387】
図２２に示す記憶装置において、配線１００１はトランジスタ３００のソースと電気的
に接続され、配線１００２はトランジスタ３００のドレインと電気的に接続されている。
また、配線１００３はトランジスタ２００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続
され、配線１００４はトランジスタ２００のトップゲートと電気的に接続され、配線１０
０６はトランジスタ２００のボトムゲートと電気的に接続されている。そして、トランジ
スタ３００のゲート、およびトランジスタ２００のソースおよびドレインの他方は、容量
素子１００の電極の一方と電気的に接続され、配線１００５は容量素子１００の電極の他
方と電気的に接続されている。
に接続され、配線１００２はトランジスタ３００のドレインと電気的に接続されている。
また、配線１００３はトランジスタ２００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続
され、配線１００４はトランジスタ２００のトップゲートと電気的に接続され、配線１０
０６はトランジスタ２００のボトムゲートと電気的に接続されている。そして、トランジ
スタ３００のゲート、およびトランジスタ２００のソースおよびドレインの他方は、容量
素子１００の電極の一方と電気的に接続され、配線１００５は容量素子１００の電極の他
方と電気的に接続されている。
【0388】
図２２に示す記憶装置は、トランジスタ３００のゲートの電位が保持可能という特性を
有することで、以下に示すように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
有することで、以下に示すように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
【0389】
情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、配線１００４の電位を、トランジ
スタ２００が導通状態となる電位にして、トランジスタ２００を導通状態とする。これに
より、配線１００３の電位が、トランジスタ３００のゲート、および容量素子１００の電
極の一方と電気的に接続するノードＳＮに与えられる。すなわち、トランジスタ３００の
ゲートには、所定の電荷が与えられる（書き込み）。ここでは、異なる二つの電位レベル
を与える電荷（以下、Ｌｏｗレベル電荷、Ｈｉｇｈレベル電荷という。）のどちらかが与
えられるものとする。その後、配線１００４の電位を、トランジスタ２００が非導通状態
となる電位にして、トランジスタ２００を非導通状態とすることにより、ノードＳＮに電
荷が保持される（保持）。
スタ２００が導通状態となる電位にして、トランジスタ２００を導通状態とする。これに
より、配線１００３の電位が、トランジスタ３００のゲート、および容量素子１００の電
極の一方と電気的に接続するノードＳＮに与えられる。すなわち、トランジスタ３００の
ゲートには、所定の電荷が与えられる（書き込み）。ここでは、異なる二つの電位レベル
を与える電荷（以下、Ｌｏｗレベル電荷、Ｈｉｇｈレベル電荷という。）のどちらかが与
えられるものとする。その後、配線１００４の電位を、トランジスタ２００が非導通状態
となる電位にして、トランジスタ２００を非導通状態とすることにより、ノードＳＮに電
荷が保持される（保持）。
【0390】
トランジスタ２００のオフ電流が小さい場合、ノードＳＮの電荷は長期間にわたって保
持される。
持される。
【0391】
次に情報の読み出しについて説明する。配線１００１に所定の電位（定電位）を与えた
状態で、配線１００５に適切な電位（読み出し電位）を与えると、配線１００２は、ノー
ドＳＮに保持された電荷量に応じた電位をとる。これは、トランジスタ３００をｎチャネ
ル型とすると、トランジスタ３００のゲートにＨｉｇｈレベル電荷が与えられている場合
の見かけ上の閾値電圧Ｖｔｈ＿Ｈは、トランジスタ３００のゲートにＬｏｗレベル電荷が
与えられている場合の見かけ上の閾値電圧Ｖｔｈ＿Ｌより低くなるためである。ここで、
見かけ上の閾値電圧とは、トランジスタ３００を導通状態とするために必要な配線１００
５の電位をいうものとする。したがって、配線１００５の電位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌ
の間の電位Ｖ０とすることにより、ノードＳＮに与えられた電荷を判別できる。例えば、
書き込みにおいて、ノードＳＮにＨｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、配線１
００５の電位がＶ０（＞Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ３００は導通状態となる。
一方、ノードＳＮにＬｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、配線１００５の電位が
Ｖ０（＜Ｖｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ３００は非導通状態のままである。この
ため、配線１００２の電位を判別することで、ノードＳＮに保持されている情報を読み出
すことができる。
状態で、配線１００５に適切な電位（読み出し電位）を与えると、配線１００２は、ノー
ドＳＮに保持された電荷量に応じた電位をとる。これは、トランジスタ３００をｎチャネ
ル型とすると、トランジスタ３００のゲートにＨｉｇｈレベル電荷が与えられている場合
の見かけ上の閾値電圧Ｖｔｈ＿Ｈは、トランジスタ３００のゲートにＬｏｗレベル電荷が
与えられている場合の見かけ上の閾値電圧Ｖｔｈ＿Ｌより低くなるためである。ここで、
見かけ上の閾値電圧とは、トランジスタ３００を導通状態とするために必要な配線１００
５の電位をいうものとする。したがって、配線１００５の電位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌ
の間の電位Ｖ０とすることにより、ノードＳＮに与えられた電荷を判別できる。例えば、
書き込みにおいて、ノードＳＮにＨｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、配線１
００５の電位がＶ０（＞Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ３００は導通状態となる。
一方、ノードＳＮにＬｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、配線１００５の電位が
Ｖ０（＜Ｖｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ３００は非導通状態のままである。この
ため、配線１００２の電位を判別することで、ノードＳＮに保持されている情報を読み出
すことができる。
【0392】
なお、メモリセルをアレイ状に配置する場合、読み出し時には、所望のメモリセルの情
報を読み出さなくてはならない。例えば、メモリセルアレイがＮＯＲ型の構成の場合、情
報を読み出さないメモリセルのトランジスタ３００を非導通状態にすることで、所望のメ
モリセルの情報のみを読み出すことができる。この場合、ノードＳＮに与えられた電荷に
よらずトランジスタ３００が非導通状態となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｈより低い
電位を、情報を読み出さないメモリセルと接続される配線１００５に与えればよい。また
は、例えば、メモリセルアレイがＮＡＮＤ型の構成の場合、情報を読み出さないメモリセ
ルのトランジスタ３００を導通状態にすることで、所望のメモリセルの情報のみを読み出
すことができる。この場合、ノードＳＮに与えられた電荷によらずトランジスタ３００が
導通状態となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｌより高い電位を、情報を読み出さないメ
モリセルと接続される配線１００５に与えればよい。
報を読み出さなくてはならない。例えば、メモリセルアレイがＮＯＲ型の構成の場合、情
報を読み出さないメモリセルのトランジスタ３００を非導通状態にすることで、所望のメ
モリセルの情報のみを読み出すことができる。この場合、ノードＳＮに与えられた電荷に
よらずトランジスタ３００が非導通状態となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｈより低い
電位を、情報を読み出さないメモリセルと接続される配線１００５に与えればよい。また
は、例えば、メモリセルアレイがＮＡＮＤ型の構成の場合、情報を読み出さないメモリセ
ルのトランジスタ３００を導通状態にすることで、所望のメモリセルの情報のみを読み出
すことができる。この場合、ノードＳＮに与えられた電荷によらずトランジスタ３００が
導通状態となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｌより高い電位を、情報を読み出さないメ
モリセルと接続される配線１００５に与えればよい。
【0393】
＜記憶装置２の構造＞
本発明の一態様の記憶装置は、図２２に示すようにトランジスタ３００、トランジスタ
２００、容量素子１００を有する。トランジスタ２００はトランジスタ３００の上方に設
けられ、容量素子１００はトランジスタ３００、およびトランジスタ２００の上方に設け
られている。
本発明の一態様の記憶装置は、図２２に示すようにトランジスタ３００、トランジスタ
２００、容量素子１００を有する。トランジスタ２００はトランジスタ３００の上方に設
けられ、容量素子１００はトランジスタ３００、およびトランジスタ２００の上方に設け
られている。
【0394】
トランジスタ３００は、基板３１１上に設けられ、導電体３１６、絶縁体３１５、基板
３１１の一部からなる半導体領域３１３、およびソース領域またはドレイン領域として機
能する低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂを有する。
３１１の一部からなる半導体領域３１３、およびソース領域またはドレイン領域として機
能する低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂを有する。
【0395】
トランジスタ３００は、図２３に示すように、半導体領域３１３の上面およびチャネル
幅方向の側面が絶縁体３１５を介して導電体３１６に覆われている。このように、トラン
ジスタ３００をＦｉｎ型とすることにより、実効上のチャネル幅が増大することによりト
ランジスタ３００のオン特性を向上させることができる。また、ゲート電極の電界の寄与
を高くすることができるため、トランジスタ３００のオフ特性を向上させることができる
。
幅方向の側面が絶縁体３１５を介して導電体３１６に覆われている。このように、トラン
ジスタ３００をＦｉｎ型とすることにより、実効上のチャネル幅が増大することによりト
ランジスタ３００のオン特性を向上させることができる。また、ゲート電極の電界の寄与
を高くすることができるため、トランジスタ３００のオフ特性を向上させることができる
。
【0396】
トランジスタ３００は、ｐチャネル型、あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。
【0397】
半導体領域３１３のチャネルが形成される領域、その近傍の領域、ソース領域、または
ドレイン領域となる低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂなどにおいて、シリ
コン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい
。または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリ
ウムヒ素）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成しても
よい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコン
を用いた構成としてもよい。またはＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジ
スタ３００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ）としてもよい。
ドレイン領域となる低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂなどにおいて、シリ
コン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい
。または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリ
ウムヒ素）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成しても
よい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコン
を用いた構成としてもよい。またはＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジ
スタ３００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ）としてもよい。
【0398】
低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂは、半導体領域３１３に適用される半
導体材料に加え、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、またはホウ素などのｐ
型の導電性を付与する元素を含む。
導体材料に加え、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、またはホウ素などのｐ
型の導電性を付与する元素を含む。
【0399】
ゲート電極として機能する導電体３１６は、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する
元素、もしくはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材
料、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる
。
元素、もしくはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材
料、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる
。
【0400】
なお、導電体の材料により、仕事関数が定まるため、導電体の材料を変更することでト
ランジスタのＶｔｈを調整することができる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タ
ンタルなどの材料を用いることが好ましい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために
導電体にタングステンやアルミニウムなどの金属材料を積層として用いることが好ましく
、特にタングステンを用いることが耐熱性の点で好ましい。
ランジスタのＶｔｈを調整することができる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タ
ンタルなどの材料を用いることが好ましい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために
導電体にタングステンやアルミニウムなどの金属材料を積層として用いることが好ましく
、特にタングステンを用いることが耐熱性の点で好ましい。
【0401】
なお、図２２に示すトランジスタ３００は一例であり、その構造に限定されず、回路構
成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
【0402】
トランジスタ３００を覆って、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶
縁体３２６が順に積層して設けられている。
縁体３２６が順に積層して設けられている。
【0403】
絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６として、例えば、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、
酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いればよい。
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、
酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いればよい。
【0404】
絶縁体３２２は、その下方に設けられるトランジスタ３００などによって生じる段差を
平坦化する平坦化膜としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁体３２２の上面は、
平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ）法等を用いた平坦化処理により平坦化され
ていてもよい。
平坦化する平坦化膜としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁体３２２の上面は、
平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ）法等を用いた平坦化処理により平坦化され
ていてもよい。
【0405】
また、絶縁体３２４には、基板３１１、またはトランジスタ３００などから、トランジ
スタ２００が設けられる領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を
用いることが好ましい。
スタ２００が設けられる領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を
用いることが好ましい。
【0406】
水素に対するバリア性を有する膜の一例として、例えば、ＣＶＤ法で形成した窒化シリ
コンを用いることができる。ここで、トランジスタ２００等の酸化物半導体を有する半導
体素子に、水素が拡散することで、当該半導体素子の特性が低下する場合がある。したが
って、トランジスタ２００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を
用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少な
い膜とする。
コンを用いることができる。ここで、トランジスタ２００等の酸化物半導体を有する半導
体素子に、水素が拡散することで、当該半導体素子の特性が低下する場合がある。したが
って、トランジスタ２００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を
用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少な
い膜とする。
【0407】
水素の脱離量は、例えば、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ）などを用いて分析することが
できる。例えば、絶縁体３２４の水素の脱離量は、ＴＤＳ分析において、膜の表面温度が
５０℃から５００℃の範囲において、水素原子に換算した脱離量が、絶縁体３２４の面積
当たりに換算して、１０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、好ましくは５×１０１５ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であればよい。
できる。例えば、絶縁体３２４の水素の脱離量は、ＴＤＳ分析において、膜の表面温度が
５０℃から５００℃の範囲において、水素原子に換算した脱離量が、絶縁体３２４の面積
当たりに換算して、１０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、好ましくは５×１０１５ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であればよい。
【0408】
なお、絶縁体３２６は、絶縁体３２４よりも誘電率が低いことが好ましい。例えば、絶
縁体３２６の比誘電率は４未満が好ましく、３未満がより好ましい。また例えば、絶縁体
３２６の比誘電率は、絶縁体３２４の比誘電率の０．７倍以下が好ましく、０．６倍以下
がより好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低
減することができる。
縁体３２６の比誘電率は４未満が好ましく、３未満がより好ましい。また例えば、絶縁体
３２６の比誘電率は、絶縁体３２４の比誘電率の０．７倍以下が好ましく、０．６倍以下
がより好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低
減することができる。
【0409】
また、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６には容量素子
１００、またはトランジスタ２００と電気的に接続する導電体３２８、および導電体３３
０等が埋め込まれている。なお、導電体３２８、および導電体３３０はプラグ、または配
線としての機能を有する。また、プラグまたは配線としての機能を有する導電体は、複数
の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と
、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が
配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
１００、またはトランジスタ２００と電気的に接続する導電体３２８、および導電体３３
０等が埋め込まれている。なお、導電体３２８、および導電体３３０はプラグ、または配
線としての機能を有する。また、プラグまたは配線としての機能を有する導電体は、複数
の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と
、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が
配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
【0410】
各プラグ、および配線（導電体３２８、および導電体３３０等）の材料としては、金属
材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層また
は積層して用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンな
どの高融点材料を用いることが好ましく、タングステンを用いることが好ましい。または
、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材
料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。
材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層また
は積層して用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンな
どの高融点材料を用いることが好ましく、タングステンを用いることが好ましい。または
、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材
料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。
【0411】
絶縁体３２６、および導電体３３０上に、配線層を設けてもよい。例えば、図２２にお
いて、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４が順に積層して設けられている
。また、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４には、導電体３５６が形成さ
れている。導電体３５６は、プラグ、または配線としての機能を有する。なお導電体３５
６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
いて、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４が順に積層して設けられている
。また、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４には、導電体３５６が形成さ
れている。導電体３５６は、プラグ、または配線としての機能を有する。なお導電体３５
６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【0412】
なお、例えば、絶縁体３５０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有す
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３５６は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トラ
ンジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３５６は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トラ
ンジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
【0413】
なお、水素に対するバリア性を有する導電体としては、例えば、窒化タンタル等を用い
るとよい。また、窒化タンタルと導電性が高いタングステンを積層することで、配線とし
ての導電性を保持したまま、トランジスタ３００からの水素の拡散を抑制することができ
る。この場合、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル層が、水素に対するバリア性
を有する絶縁体３５０と接する構造であることが好ましい。
るとよい。また、窒化タンタルと導電性が高いタングステンを積層することで、配線とし
ての導電性を保持したまま、トランジスタ３００からの水素の拡散を抑制することができ
る。この場合、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル層が、水素に対するバリア性
を有する絶縁体３５０と接する構造であることが好ましい。
【0414】
絶縁体３５４、および導電体３５６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図２２にお
いて、絶縁体３６０、絶縁体３６２、および絶縁体３６４が順に積層して設けられている
。また、絶縁体３６０、絶縁体３６２、および絶縁体３６４には、導電体３６６が形成さ
れている。導電体３６６は、プラグ、または配線としての機能を有する。なお、導電体３
６６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
いて、絶縁体３６０、絶縁体３６２、および絶縁体３６４が順に積層して設けられている
。また、絶縁体３６０、絶縁体３６２、および絶縁体３６４には、導電体３６６が形成さ
れている。導電体３６６は、プラグ、または配線としての機能を有する。なお、導電体３
６６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【0415】
なお、例えば、絶縁体３６０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有す
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３６６は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３６０が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トラ
ンジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３６６は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３６０が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トラ
ンジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
【0416】
絶縁体３６４、および導電体３６６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図２２にお
いて、絶縁体３７０、絶縁体３７２、および絶縁体３７４が順に積層して設けられている
。また、絶縁体３７０、絶縁体３７２、および絶縁体３７４には、導電体３７６が形成さ
れている。導電体３７６は、プラグ、または配線としての機能を有する。なお、導電体３
７６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
いて、絶縁体３７０、絶縁体３７２、および絶縁体３７４が順に積層して設けられている
。また、絶縁体３７０、絶縁体３７２、および絶縁体３７４には、導電体３７６が形成さ
れている。導電体３７６は、プラグ、または配線としての機能を有する。なお、導電体３
７６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【0417】
なお、例えば、絶縁体３７０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有す
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３７６は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３７０が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トラ
ンジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３７６は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３７０が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トラ
ンジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
【0418】
絶縁体３７４、および導電体３７６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図２２にお
いて、絶縁体３８０、絶縁体３８２、および絶縁体３８４が順に積層して設けられている
。また、絶縁体３８０、絶縁体３８２、および絶縁体３８４には、導電体３８６が形成さ
れている。導電体３８６は、プラグ、または配線としての機能を有する。なお導電体３８
６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
いて、絶縁体３８０、絶縁体３８２、および絶縁体３８４が順に積層して設けられている
。また、絶縁体３８０、絶縁体３８２、および絶縁体３８４には、導電体３８６が形成さ
れている。導電体３８６は、プラグ、または配線としての機能を有する。なお導電体３８
６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【0419】
なお、例えば、絶縁体３８０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有す
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３８６は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３８０が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トラ
ンジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
る絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３８６は、水素に対するバリア性を有す
る導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３８０が有
する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トラ
ンジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
【0420】
上記において、導電体３５６を含む配線層、導電体３６６を含む配線層、導電体３７６
を含む配線層、および導電体３８６を含む配線層、について説明したが、本実施の形態に
係る記憶装置はこれに限られるものではない。導電体３５６を含む配線層と同様の配線層
を３層以下にしてもよいし、導電体３５６を含む配線層と同様の配線層を５層以上にして
もよい。
を含む配線層、および導電体３８６を含む配線層、について説明したが、本実施の形態に
係る記憶装置はこれに限られるものではない。導電体３５６を含む配線層と同様の配線層
を３層以下にしてもよいし、導電体３５６を含む配線層と同様の配線層を５層以上にして
もよい。
【0421】
絶縁体３８４上には絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および絶縁体２１６
が、順に積層して設けられている。絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および
絶縁体２１６のいずれかは、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ま
しい。
が、順に積層して設けられている。絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および
絶縁体２１６のいずれかは、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ま
しい。
【0422】
例えば、絶縁体２１０、および絶縁体２１４には、例えば、基板３１１、またはトラン
ジスタ３００を設ける領域などから、トランジスタ２００を設ける領域に、水素や不純物
が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。したがって、絶縁体３
２４と同様の材料を用いることができる。
ジスタ３００を設ける領域などから、トランジスタ２００を設ける領域に、水素や不純物
が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。したがって、絶縁体３
２４と同様の材料を用いることができる。
【0423】
水素に対するバリア性を有する膜の一例として、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用
いることができる。ここで、トランジスタ２００等の酸化物半導体を有する半導体素子に
、水素が拡散することで、当該半導体素子の特性が低下する場合がある。したがって、ト
ランジスタ２００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いるこ
とが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜とす
る。
いることができる。ここで、トランジスタ２００等の酸化物半導体を有する半導体素子に
、水素が拡散することで、当該半導体素子の特性が低下する場合がある。したがって、ト
ランジスタ２００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いるこ
とが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜とす
る。
【0424】
また、水素に対するバリア性を有する膜として、例えば、絶縁体２１０、および絶縁体
２１４には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用い
ることが好ましい。
２１４には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用い
ることが好ましい。
【0425】
特に、酸化アルミニウムは、酸素、およびトランジスタの電気特性の変動要因となる水
素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、
酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分など
の不純物のトランジスタ２００への混入を防止することができる。また、トランジスタ２
００を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジス
タ２００に対する保護膜として用いることに適している。
素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、
酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分など
の不純物のトランジスタ２００への混入を防止することができる。また、トランジスタ２
００を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジス
タ２００に対する保護膜として用いることに適している。
【0426】
また、例えば、絶縁体２１２、および絶縁体２１６には、絶縁体３２０と同様の材料を
用いることができる。また、比較的誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生
じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体２１２、および絶縁体２１６とし
て、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。
用いることができる。また、比較的誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生
じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体２１２、および絶縁体２１６とし
て、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。
【0427】
また、絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および絶縁体２１６には、導電体
２１８、およびトランジスタ２００を構成する導電体（導電体２０５）等が埋め込まれて
いる。なお、導電体２１８は、容量素子１００、またはトランジスタ３００と電気的に接
続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体２１８は、導電体３２８、およ
び導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
２１８、およびトランジスタ２００を構成する導電体（導電体２０５）等が埋め込まれて
いる。なお、導電体２１８は、容量素子１００、またはトランジスタ３００と電気的に接
続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体２１８は、導電体３２８、およ
び導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【0428】
特に、絶縁体２１０、および絶縁体２１４と接する領域の導電体２１８は、酸素、水素
、および水に対するバリア性を有する導電体であることが好ましい。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、酸素、水素、および水に対するバリア性を
有する層で、分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ２００への水素
の拡散を抑制することができる。
、および水に対するバリア性を有する導電体であることが好ましい。当該構成により、ト
ランジスタ３００とトランジスタ２００とは、酸素、水素、および水に対するバリア性を
有する層で、分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ２００への水素
の拡散を抑制することができる。
【0429】
絶縁体２１６の上方には、トランジスタ２００が設けられている。なお、トランジスタ
２００の構造は、先の実施の形態で説明した半導体装置が有するトランジスタを用いれば
よい。また、図２２に示すトランジスタ２００は一例であり、その構造に限定されず、回
路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
２００の構造は、先の実施の形態で説明した半導体装置が有するトランジスタを用いれば
よい。また、図２２に示すトランジスタ２００は一例であり、その構造に限定されず、回
路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
【0430】
トランジスタ２００の上方には、絶縁体２８１を設ける。
【0431】
絶縁体２８１上には、絶縁体２８２が設けられている。絶縁体２８２は、酸素や水素に
対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。したがって、絶縁体２８２には、絶
縁体２１４と同様の材料を用いることができる。例えば、絶縁体２８２には、酸化アルミ
ニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。
対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。したがって、絶縁体２８２には、絶
縁体２１４と同様の材料を用いることができる。例えば、絶縁体２８２には、酸化アルミ
ニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。
【0432】
特に、酸化アルミニウムは、酸素、およびトランジスタの電気特性の変動要因となる水
素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、
酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分など
の不純物のトランジスタ２００への混入を防止することができる。また、トランジスタ２
００を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジス
タ２００に対する保護膜として用いることに適している。
素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、
酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分など
の不純物のトランジスタ２００への混入を防止することができる。また、トランジスタ２
００を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジス
タ２００に対する保護膜として用いることに適している。
【0433】
また、絶縁体２８２上には、絶縁体２８６が設けられている。絶縁体２８６は、絶縁体
３２０と同様の材料を用いることができる。また、比較的誘電率が低い材料を層間膜とす
ることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体２８６とし
て、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。
３２０と同様の材料を用いることができる。また、比較的誘電率が低い材料を層間膜とす
ることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体２８６とし
て、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。
【0434】
また、絶縁体２２０、絶縁体２２２、絶縁体２２４、絶縁体２８０、絶縁体２７４、絶
縁体２８１、絶縁体２８２、および絶縁体２８６には、導電体２４６、および導電体２４
８等が埋め込まれている。
縁体２８１、絶縁体２８２、および絶縁体２８６には、導電体２４６、および導電体２４
８等が埋め込まれている。
【0435】
導電体２４６、および導電体２４８は、容量素子１００、トランジスタ２００、または
トランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電
体２４６、および導電体２４８は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用
いて設けることができる。
トランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電
体２４６、および導電体２４８は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用
いて設けることができる。
【0436】
続いて、トランジスタ２００の上方には、容量素子１００が設けられている。容量素子
１００は、導電体１１０と、導電体１２０、絶縁体１３０とを有する。
１００は、導電体１１０と、導電体１２０、絶縁体１３０とを有する。
【0437】
また、導電体２４６、および導電体２４８上に、導電体１１２を設けてもよい。導電体
１１２は、容量素子１００、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と電気的に
接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体１１０は、容量素子１００の
電極としての機能を有する。なお、導電体１１２、および導電体１１０は、同時に形成す
ることができる。
１１２は、容量素子１００、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と電気的に
接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体１１０は、容量素子１００の
電極としての機能を有する。なお、導電体１１２、および導電体１１０は、同時に形成す
ることができる。
【0438】
導電体１１２、および導電体１１０には、モリブデン、チタン、タンタル、タングステ
ン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を含む金属膜
、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化タンタル膜、窒化チタン膜、窒化
モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。または、インジウム錫酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜
鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適
用することもできる。
ン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を含む金属膜
、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化タンタル膜、窒化チタン膜、窒化
モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。または、インジウム錫酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜
鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適
用することもできる。
【0439】
図２２では、導電体１１２、および導電体１１０は単層構造を示したが、当該構成に限
定されず、２層以上の積層構造でもよい。例えば、バリア性を有する導電体と導電性が高
い導電体との間に、バリア性を有する導電体、および導電性が高い導電体に対して密着性
が高い導電体を形成してもよい。
定されず、２層以上の積層構造でもよい。例えば、バリア性を有する導電体と導電性が高
い導電体との間に、バリア性を有する導電体、および導電性が高い導電体に対して密着性
が高い導電体を形成してもよい。
【0440】
絶縁体１３０を介して、導電体１１０と重畳するように、導電体１２０を設ける。なお
、導電体１２０は、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用い
ることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料
を用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが好ましい。また、導電体など
の他の構造と同時に形成する場合は、低抵抗金属材料であるＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニ
ウム）等を用いればよい。
、導電体１２０は、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用い
ることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料
を用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが好ましい。また、導電体など
の他の構造と同時に形成する場合は、低抵抗金属材料であるＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニ
ウム）等を用いればよい。
【0441】
導電体１２０、および絶縁体１３０上には、絶縁体１５０が設けられている。絶縁体１
５０は、絶縁体３２０と同様の材料を用いて設けることができる。また、絶縁体１５０は
、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。
５０は、絶縁体３２０と同様の材料を用いて設けることができる。また、絶縁体１５０は
、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。
【0442】
本構造を用いることで、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置におい
て、電気特性の変動を抑制するとともに、信頼性を向上させることができる。または、オ
ン電流が大きい酸化物半導体を有する半導体装置を提供することができる。または、オフ
電流が小さい酸化物半導体を有する半導体装置を提供することができる。または、消費電
力が低減された半導体装置を提供することができる。または、酸化物半導体を有するトラ
ンジスタを用いた半導体装置において、微細化または高集積化を図ることができる。
て、電気特性の変動を抑制するとともに、信頼性を向上させることができる。または、オ
ン電流が大きい酸化物半導体を有する半導体装置を提供することができる。または、オフ
電流が小さい酸化物半導体を有する半導体装置を提供することができる。または、消費電
力が低減された半導体装置を提供することができる。または、酸化物半導体を有するトラ
ンジスタを用いた半導体装置において、微細化または高集積化を図ることができる。
【0443】
以上、本実施の形態に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態に示す構成、構造
、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0444】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図２４乃至図２６を用いて、本発明の一態様に係る、酸化物を半導
体に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと呼ぶ。）、および容量素子が適用さ
れている記憶装置の一例として、ＮＯＳＲＡＭについて説明する。ＮＯＳＲＡＭ（登録商
標）とは「Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＲＡＭ
」の略称であり、ゲインセル型（２Ｔ型、３Ｔ型）のメモリセルを有するＲＡＭを指す。
なお、以下において、ＮＯＳＲＡＭのようにＯＳトランジスタを用いたメモリ装置を、Ｏ
Ｓメモリと呼ぶ場合がある。
本実施の形態では、図２４乃至図２６を用いて、本発明の一態様に係る、酸化物を半導
体に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと呼ぶ。）、および容量素子が適用さ
れている記憶装置の一例として、ＮＯＳＲＡＭについて説明する。ＮＯＳＲＡＭ（登録商
標）とは「Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＲＡＭ
」の略称であり、ゲインセル型（２Ｔ型、３Ｔ型）のメモリセルを有するＲＡＭを指す。
なお、以下において、ＮＯＳＲＡＭのようにＯＳトランジスタを用いたメモリ装置を、Ｏ
Ｓメモリと呼ぶ場合がある。
【0445】
ＮＯＳＲＡＭでは、メモリセルにＯＳトランジスタが用いられるメモリ装置（以下、「
ＯＳメモリ」と呼ぶ。）が適用されている。ＯＳメモリは、少なくとも容量素子と、容量
素子の充放電を制御するＯＳトランジスタを有するメモリである。ＯＳトランジスタが極
小オフ電流のトランジスタであるので、ＯＳメモリは優れた保持特性をもち、不揮発性メ
モリとして機能させることができる。
ＯＳメモリ」と呼ぶ。）が適用されている。ＯＳメモリは、少なくとも容量素子と、容量
素子の充放電を制御するＯＳトランジスタを有するメモリである。ＯＳトランジスタが極
小オフ電流のトランジスタであるので、ＯＳメモリは優れた保持特性をもち、不揮発性メ
モリとして機能させることができる。
【0446】
＜＜ＮＯＳＲＡＭ１６００＞＞
図２４にＮＯＳＲＡＭの構成例を示す。図２４に示すＮＯＳＲＡＭ１６００は、メモリ
セルアレイ１６１０、コントローラ１６４０、行ドライバ１６５０、列ドライバ１６６０
、出力ドライバ１６７０を有する。なお、ＮＯＳＲＡＭ１６００は、１のメモリセルで多
値データを記憶する多値ＮＯＳＲＡＭである。
図２４にＮＯＳＲＡＭの構成例を示す。図２４に示すＮＯＳＲＡＭ１６００は、メモリ
セルアレイ１６１０、コントローラ１６４０、行ドライバ１６５０、列ドライバ１６６０
、出力ドライバ１６７０を有する。なお、ＮＯＳＲＡＭ１６００は、１のメモリセルで多
値データを記憶する多値ＮＯＳＲＡＭである。
【0447】
メモリセルアレイ１６１０は複数のメモリセル１６１１、複数のワード線ＷＷＬ、複数
のワード線ＲＷＬ、ビット線ＢＬ、ソース線ＳＬを有する。ワード線ＷＷＬは書き込みワ
ード線であり、ワード線ＲＷＬは読み出しワード線である。ＮＯＳＲＡＭ１６００では、
１のメモリセル１６１１で３ビット（８値）のデータを記憶する。
のワード線ＲＷＬ、ビット線ＢＬ、ソース線ＳＬを有する。ワード線ＷＷＬは書き込みワ
ード線であり、ワード線ＲＷＬは読み出しワード線である。ＮＯＳＲＡＭ１６００では、
１のメモリセル１６１１で３ビット（８値）のデータを記憶する。
【0448】
コントローラ１６４０は、ＮＯＳＲＡＭ１６００全体を統括的に制御し、データＷＤＡ
［３１：０］の書き込み、データＲＤＡ［３１：０］の読み出しを行う。コントローラ１
６４０は、外部からのコマンド信号（例えば、チップイネーブル信号、書き込みイネーブ
ル信号など）を処理して、行ドライバ１６５０、列ドライバ１６６０および出力ドライバ
１６７０の制御信号を生成する。
［３１：０］の書き込み、データＲＤＡ［３１：０］の読み出しを行う。コントローラ１
６４０は、外部からのコマンド信号（例えば、チップイネーブル信号、書き込みイネーブ
ル信号など）を処理して、行ドライバ１６５０、列ドライバ１６６０および出力ドライバ
１６７０の制御信号を生成する。
【0449】
行ドライバ１６５０は、アクセスする行を選択する機能を有する。行ドライバ１６５０
は、行デコーダ１６５１、およびワード線ドライバ１６５２を有する。
は、行デコーダ１６５１、およびワード線ドライバ１６５２を有する。
【0450】
列ドライバ１６６０は、ソース線ＳＬおよびビット線ＢＬを駆動する。列ドライバ１６
６０は、列デコーダ１６６１、書き込みドライバ１６６２、ＤＡＣ（デジタル－アナログ
変換回路）１６６３を有する。
６０は、列デコーダ１６６１、書き込みドライバ１６６２、ＤＡＣ（デジタル－アナログ
変換回路）１６６３を有する。
【0451】
ＤＡＣ１６６３は３ビットのデジタルデータをアナログ電圧に変換する。ＤＡＣ１６６
３は３２ビットのデータＷＤＡ［３１：０］を３ビットごとに、アナログ電圧に変換する
。
３は３２ビットのデータＷＤＡ［３１：０］を３ビットごとに、アナログ電圧に変換する
。
【0452】
書き込みドライバ１６６２は、ソース線ＳＬをプリチャージする機能、ソース線ＳＬを
電気的に浮遊状態にする機能、ソース線ＳＬを選択する機能、選択されたソース線ＳＬに
ＤＡＣ１６６３で生成した書き込み電圧を入力する機能、ビット線ＢＬをプリチャージす
る機能、ビット線ＢＬを電気的に浮遊状態にする機能等を有する。
電気的に浮遊状態にする機能、ソース線ＳＬを選択する機能、選択されたソース線ＳＬに
ＤＡＣ１６６３で生成した書き込み電圧を入力する機能、ビット線ＢＬをプリチャージす
る機能、ビット線ＢＬを電気的に浮遊状態にする機能等を有する。
【0453】
出力ドライバ１６７０は、セレクタ１６７１、ＡＤＣ（アナログ－デジタル変換回路）
１６７２、出力バッファ１６７３を有する。セレクタ１６７１は、アクセスするソース線
ＳＬを選択し、選択されたソース線ＳＬの電位をＡＤＣ１６７２に送信する。ＡＤＣ１６
７２は、アナログ電圧を３ビットのデジタルデータに変換する機能を持つ。ソース線ＳＬ
の電位はＡＤＣ１６７２において、３ビットのデータに変換され、出力バッファ１６７３
はＡＤＣ１６７２から出力されるデータを保持する。
１６７２、出力バッファ１６７３を有する。セレクタ１６７１は、アクセスするソース線
ＳＬを選択し、選択されたソース線ＳＬの電位をＡＤＣ１６７２に送信する。ＡＤＣ１６
７２は、アナログ電圧を３ビットのデジタルデータに変換する機能を持つ。ソース線ＳＬ
の電位はＡＤＣ１６７２において、３ビットのデータに変換され、出力バッファ１６７３
はＡＤＣ１６７２から出力されるデータを保持する。
【0454】
なお、本実施の形態に示す、行ドライバ１６５０、列ドライバ１６６０、および出力ド
ライバ１６７０の構成は、上記に限定されるものではない。メモリセルアレイ１６１０の
構成または駆動方法などに応じて、これらのドライバおよび当該ドライバに接続される配
線の配置を変更してもよいし、これらのドライバおよび当該ドライバに接続される配線の
有する機能を変更または追加してもよい。例えば、上記のソース線ＳＬが有する機能の一
部を、ビット線ＢＬに有する構成にしてもよい。
ライバ１６７０の構成は、上記に限定されるものではない。メモリセルアレイ１６１０の
構成または駆動方法などに応じて、これらのドライバおよび当該ドライバに接続される配
線の配置を変更してもよいし、これらのドライバおよび当該ドライバに接続される配線の
有する機能を変更または追加してもよい。例えば、上記のソース線ＳＬが有する機能の一
部を、ビット線ＢＬに有する構成にしてもよい。
【0455】
なお、上記においては、各メモリセル１６１１に保持させる情報量を３ビットとしたが
、本実施の形態に示す記憶装置の構成はこれに限られない。各メモリセル１６１１に保持
させる情報量を２ビット以下にしてもよいし、４ビット以上にしてもよい。例えば、各メ
モリセル１６１１に保持させる情報量を１ビットにする場合、ＤＡＣ１６６３およびＡＤ
Ｃ１６７２を設けない構成にしてもよい。
、本実施の形態に示す記憶装置の構成はこれに限られない。各メモリセル１６１１に保持
させる情報量を２ビット以下にしてもよいし、４ビット以上にしてもよい。例えば、各メ
モリセル１６１１に保持させる情報量を１ビットにする場合、ＤＡＣ１６６３およびＡＤ
Ｃ１６７２を設けない構成にしてもよい。
【0456】
＜メモリセル１６１１乃至メモリセル１６１４＞
図２５（Ａ）はメモリセル１６１１の構成例を示す回路図である。メモリセル１６１１
は２Ｔ型のゲインセルであり、メモリセル１６１１はワード線ＷＷＬ、ワード線ＲＷＬ、
ビット線ＢＬ、ソース線ＳＬ、配線ＢＧＬに電気的に接続されている。メモリセル１６１
１は、ノードＳＮ、ＯＳトランジスタＭＯ６１、トランジスタＭＰ６１、容量素子Ｃ６１
を有する。ＯＳトランジスタＭＯ６１は書き込みトランジスタである。トランジスタＭＰ
６１は読み出しトランジスタであり、例えばｐチャネル型Ｓｉトランジスタで構成される
。容量素子Ｃ６１はノードＳＮの電位を保持するための保持容量である。ノードＳＮはデ
ータの保持ノードであり、ここではトランジスタＭＰ６１のゲートに相当する。
図２５（Ａ）はメモリセル１６１１の構成例を示す回路図である。メモリセル１６１１
は２Ｔ型のゲインセルであり、メモリセル１６１１はワード線ＷＷＬ、ワード線ＲＷＬ、
ビット線ＢＬ、ソース線ＳＬ、配線ＢＧＬに電気的に接続されている。メモリセル１６１
１は、ノードＳＮ、ＯＳトランジスタＭＯ６１、トランジスタＭＰ６１、容量素子Ｃ６１
を有する。ＯＳトランジスタＭＯ６１は書き込みトランジスタである。トランジスタＭＰ
６１は読み出しトランジスタであり、例えばｐチャネル型Ｓｉトランジスタで構成される
。容量素子Ｃ６１はノードＳＮの電位を保持するための保持容量である。ノードＳＮはデ
ータの保持ノードであり、ここではトランジスタＭＰ６１のゲートに相当する。
【0457】
メモリセル１６１１の書き込みトランジスタがＯＳトランジスタＭＯ６１で構成されて
いるため、ＮＯＳＲＡＭ１６００は長時間データを保持することが可能である。
いるため、ＮＯＳＲＡＭ１６００は長時間データを保持することが可能である。
【0458】
図２５（Ａ）の例では、ビット線は、書き込みと読み出しで共通のビット線であるが、
図２５（Ｂ）に示すように、書き込みビット線として機能する、ビット線ＷＢＬと、読み
出しビット線として機能する、ビット線ＲＢＬとを設けてもよい。
図２５（Ｂ）に示すように、書き込みビット線として機能する、ビット線ＷＢＬと、読み
出しビット線として機能する、ビット線ＲＢＬとを設けてもよい。
【0459】
図２５（Ｃ）乃至図２５（Ｅ）にメモリセルの他の構成例を示す。図２５（Ｃ）乃至図
２５（Ｅ）には、書き込み用のビット線ＷＢＬと読み出し用のビット線ＲＢＬを設けた例
を示しているが、図２５（Ａ）のように書き込みと読み出しで共有されるビット線を設け
てもよい。
２５（Ｅ）には、書き込み用のビット線ＷＢＬと読み出し用のビット線ＲＢＬを設けた例
を示しているが、図２５（Ａ）のように書き込みと読み出しで共有されるビット線を設け
てもよい。
【0460】
図２５（Ｃ）に示すメモリセル１６１２は、メモリセル１６１１の変形例であり、読み
出しトランジスタをｎチャネル型トランジスタ（ＭＮ６１）に変更したものである。トラ
ンジスタＭＮ６１はＯＳトランジスタであってもよいし、Ｓｉトランジスタであってもよ
い。
出しトランジスタをｎチャネル型トランジスタ（ＭＮ６１）に変更したものである。トラ
ンジスタＭＮ６１はＯＳトランジスタであってもよいし、Ｓｉトランジスタであってもよ
い。
【0461】
メモリセル１６１１、メモリセル１６１２において、ＯＳトランジスタＭＯ６１はボト
ムゲートの無いＯＳトランジスタであってもよい。
ムゲートの無いＯＳトランジスタであってもよい。
【0462】
図２５（Ｄ）に示すメモリセル１６１３は、３Ｔ型ゲインセルであり、ワード線ＷＷＬ
、ＲＷＬ、ビット線ＷＢＬ、ビット線ＲＢＬ、ソース線ＳＬ、配線ＢＧＬ、配線ＰＣＬに
電気的に接続されている。メモリセル１６１３は、ノードＳＮ、ＯＳトランジスタＭＯ６
２、トランジスタＭＰ６２、トランジスタＭＰ６３、容量素子Ｃ６２を有する。ＯＳトラ
ンジスタＭＯ６２は書き込みトランジスタである。トランジスタＭＰ６２は読み出しトラ
ンジスタであり、トランジスタＭＰ６３は選択トランジスタである。
、ＲＷＬ、ビット線ＷＢＬ、ビット線ＲＢＬ、ソース線ＳＬ、配線ＢＧＬ、配線ＰＣＬに
電気的に接続されている。メモリセル１６１３は、ノードＳＮ、ＯＳトランジスタＭＯ６
２、トランジスタＭＰ６２、トランジスタＭＰ６３、容量素子Ｃ６２を有する。ＯＳトラ
ンジスタＭＯ６２は書き込みトランジスタである。トランジスタＭＰ６２は読み出しトラ
ンジスタであり、トランジスタＭＰ６３は選択トランジスタである。
【0463】
図２５（Ｅ）に示すメモリセル１６１４は、メモリセル１６１３の変形例であり、読み
出しトランジスタおよび選択トランジスタをｎチャネル型トランジスタ（トランジスタＭ
Ｎ６２、トランジスタＭＮ６３）に変更したものである。トランジスタＭＮ６２、トラン
ジスタＭＮ６３はＯＳトランジスタであってもよいし、Ｓｉトランジスタであってもよい
。
出しトランジスタおよび選択トランジスタをｎチャネル型トランジスタ（トランジスタＭ
Ｎ６２、トランジスタＭＮ６３）に変更したものである。トランジスタＭＮ６２、トラン
ジスタＭＮ６３はＯＳトランジスタであってもよいし、Ｓｉトランジスタであってもよい
。
【0464】
メモリセル１６１１乃至メモリセル１６１４に設けられるＯＳトランジスタは、ボトム
ゲートの無いトランジスタでもよいし、ボトムゲートが有るトランジスタであってもよい
。
ゲートの無いトランジスタでもよいし、ボトムゲートが有るトランジスタであってもよい
。
【0465】
上記においては、メモリセル１６１１などが並列に接続された、いわゆるＮＯＲ型の記
憶装置について説明したが、本実施の形態に示す記憶装置はこれに限られるものではない
。例えば、以下に示すようなメモリセル１６１５が直列に接続された、いわゆるＮＡＮＤ
型の記憶装置にしてもよい。
憶装置について説明したが、本実施の形態に示す記憶装置はこれに限られるものではない
。例えば、以下に示すようなメモリセル１６１５が直列に接続された、いわゆるＮＡＮＤ
型の記憶装置にしてもよい。
【0466】
図２６はＮＡＮＤ型のメモリセルアレイ１６１０の構成例を示す回路図である。図２６
に示すメモリセルアレイ１６１０は、ソース線ＳＬ、ビット線ＲＢＬ、ビット線ＷＢＬ、
ワード線ＷＷＬ、ワード線ＲＷＬ、配線ＢＧＬ、およびメモリセル１６１５を有する。メ
モリセル１６１５は、ノードＳＮ、ＯＳトランジスタＭＯ６３、トランジスタＭＮ６４、
容量素子Ｃ６３を有する。ここで、トランジスタＭＮ６４は、例えばｎチャネル型Ｓｉト
ランジスタで構成される。これに限られず、トランジスタＭＮ６４は、ｐチャネル型Ｓｉ
トランジスタ、であってもよいし、ＯＳトランジスタであってもよい。
に示すメモリセルアレイ１６１０は、ソース線ＳＬ、ビット線ＲＢＬ、ビット線ＷＢＬ、
ワード線ＷＷＬ、ワード線ＲＷＬ、配線ＢＧＬ、およびメモリセル１６１５を有する。メ
モリセル１６１５は、ノードＳＮ、ＯＳトランジスタＭＯ６３、トランジスタＭＮ６４、
容量素子Ｃ６３を有する。ここで、トランジスタＭＮ６４は、例えばｎチャネル型Ｓｉト
ランジスタで構成される。これに限られず、トランジスタＭＮ６４は、ｐチャネル型Ｓｉ
トランジスタ、であってもよいし、ＯＳトランジスタであってもよい。
【0467】
以下では、図２６に示すメモリセル１６１５ａおよびメモリセル１６１５ｂを例として
説明する。ここで、メモリセル１６１５ａまたはメモリセル１６１５ｂのいずれかに接続
する配線、または回路素子の符号については、ａまたはｂの符号を付して表す。
説明する。ここで、メモリセル１６１５ａまたはメモリセル１６１５ｂのいずれかに接続
する配線、または回路素子の符号については、ａまたはｂの符号を付して表す。
【0468】
メモリセル１６１５ａにおいて、トランジスタＭＮ６４ａのゲートと、ＯＳトランジス
タＭＯ６３ａのソースおよびドレインの一方と、容量素子Ｃ６３ａの電極の一方とは、電
気的に接続されている。また、ビット線ＷＢＬとＯＳトランジスタＭＯ６３ａのソースお
よびドレインの他方とは、電気的に接続されている。また、ワード線ＷＷＬａと、ＯＳト
ランジスタＭＯ６３ａのゲートとは、電気的に接続されている。また、配線ＢＧＬａと、
ＯＳトランジスタＭＯ６３ａのボトムゲートとは、電気的に接続されている。そして、ワ
ード線ＲＷＬａと、容量素子Ｃ６３ａの電極の他方は電気的に接続されている。
タＭＯ６３ａのソースおよびドレインの一方と、容量素子Ｃ６３ａの電極の一方とは、電
気的に接続されている。また、ビット線ＷＢＬとＯＳトランジスタＭＯ６３ａのソースお
よびドレインの他方とは、電気的に接続されている。また、ワード線ＷＷＬａと、ＯＳト
ランジスタＭＯ６３ａのゲートとは、電気的に接続されている。また、配線ＢＧＬａと、
ＯＳトランジスタＭＯ６３ａのボトムゲートとは、電気的に接続されている。そして、ワ
ード線ＲＷＬａと、容量素子Ｃ６３ａの電極の他方は電気的に接続されている。
【0469】
メモリセル１６１５ｂは、ビット線ＷＢＬとのコンタクト部を対称の軸として、メモリ
セル１６１５ａと対称的に設けることができる。よって、メモリセル１６１５ｂに含まれ
る回路素子も、上記メモリセル１６１５ａと同じように配線と接続される。
セル１６１５ａと対称的に設けることができる。よって、メモリセル１６１５ｂに含まれ
る回路素子も、上記メモリセル１６１５ａと同じように配線と接続される。
【0470】
さらに、メモリセル１６１５ａが有するトランジスタＭＮ６４ａのソースは、メモリセ
ル１６１５ｂのトランジスタＭＮ６４ｂのドレインと電気的に接続される。メモリセル１
６１５ａが有するトランジスタＭＮ６４ａのドレインは、ビット線ＲＢＬと電気的に接続
される。メモリセル１６１５ｂが有するトランジスタＭＮ６４ｂのソースは、複数のメモ
リセル１６１５が有するトランジスタＭＮ６４を介してソース線ＳＬと電気的に接続され
る。このように、ＮＡＮＤ型のメモリセルアレイ１６１０では、ビット線ＲＢＬとソース
線ＳＬの間に、複数のトランジスタＭＮ６４が直列に接続される。
ル１６１５ｂのトランジスタＭＮ６４ｂのドレインと電気的に接続される。メモリセル１
６１５ａが有するトランジスタＭＮ６４ａのドレインは、ビット線ＲＢＬと電気的に接続
される。メモリセル１６１５ｂが有するトランジスタＭＮ６４ｂのソースは、複数のメモ
リセル１６１５が有するトランジスタＭＮ６４を介してソース線ＳＬと電気的に接続され
る。このように、ＮＡＮＤ型のメモリセルアレイ１６１０では、ビット線ＲＢＬとソース
線ＳＬの間に、複数のトランジスタＭＮ６４が直列に接続される。
【0471】
図２６に示すメモリセルアレイ１６１０を有する記憶装置では、同じワード線ＷＷＬ（
またはワード線ＲＷＬ）に接続された複数のメモリセル（以下、メモリセル列と呼ぶ。）
ごとに、書き込み動作および読み出し動作を行う。例えば、書き込み動作は次のように行
うことができる。書き込みを行うメモリセル列に接続されたワード線ＷＷＬにＯＳトラン
ジスタＭＯ６３がオン状態となる電位を与え、書き込みを行うメモリセル列のＯＳトラン
ジスタＭＯ６３をオン状態にする。これにより、指定したメモリセル列のトランジスタＭ
Ｎ６４のゲートおよび容量素子Ｃ６３の電極の一方にビット線ＷＢＬの電位が与えられ、
当該ゲートに所定の電荷が与えられる。それから当該メモリセル列のＯＳトランジスタＭ
Ｏ６３をオフ状態にすると、当該ゲートに与えられた所定の電荷を保持することができる
。このようにして、指定したメモリセル列のメモリセル１６１５にデータを書き込むこと
ができる。
またはワード線ＲＷＬ）に接続された複数のメモリセル（以下、メモリセル列と呼ぶ。）
ごとに、書き込み動作および読み出し動作を行う。例えば、書き込み動作は次のように行
うことができる。書き込みを行うメモリセル列に接続されたワード線ＷＷＬにＯＳトラン
ジスタＭＯ６３がオン状態となる電位を与え、書き込みを行うメモリセル列のＯＳトラン
ジスタＭＯ６３をオン状態にする。これにより、指定したメモリセル列のトランジスタＭ
Ｎ６４のゲートおよび容量素子Ｃ６３の電極の一方にビット線ＷＢＬの電位が与えられ、
当該ゲートに所定の電荷が与えられる。それから当該メモリセル列のＯＳトランジスタＭ
Ｏ６３をオフ状態にすると、当該ゲートに与えられた所定の電荷を保持することができる
。このようにして、指定したメモリセル列のメモリセル１６１５にデータを書き込むこと
ができる。
【0472】
また、例えば、読み出し動作は次のように行うことができる。まず、読み出しを行うメ
モリセル列に接続されていないワード線ＲＷＬに、トランジスタＭＮ６４のゲートに与え
られた電荷によらず、トランジスタＭＮ６４がオン状態となるような電位を与え、読み出
しを行うメモリセル列以外のトランジスタＭＮ６４をオン状態とする。それから、読み出
しを行うメモリセル列に接続されたワード線ＲＷＬに、トランジスタＭＮ６４のゲートが
有する電荷によって、トランジスタＭＮ６４のオン状態またはオフ状態が選択されるよう
な電位（読み出し電位）を与える。そして、ソース線ＳＬに定電位を与え、ビット線ＲＢ
Ｌに接続されている読み出し回路を動作状態とする。ここで、ソース線ＳＬ－ビット線Ｒ
ＢＬ間の複数のトランジスタＭＮ６４は、読み出しを行うメモリセル列を除いてオン状態
となっているため、ソース線ＳＬ－ビット線ＲＢＬ間のコンダクタンスは、読み出しを行
うメモリセル列のトランジスタＭＮ６４の状態（オン状態またはオフ状態）によって決定
される。読み出しを行うメモリセル列のトランジスタＭＮ６４のゲートが有する電荷によ
って、トランジスタのコンダクタンスは異なるから、それに応じて、ビット線ＲＢＬの電
位は異なる値をとることになる。ビット線ＲＢＬの電位を読み出し回路によって読み出す
ことで、指定したメモリセル列のメモリセル１６１５から情報を読み出すことができる。
モリセル列に接続されていないワード線ＲＷＬに、トランジスタＭＮ６４のゲートに与え
られた電荷によらず、トランジスタＭＮ６４がオン状態となるような電位を与え、読み出
しを行うメモリセル列以外のトランジスタＭＮ６４をオン状態とする。それから、読み出
しを行うメモリセル列に接続されたワード線ＲＷＬに、トランジスタＭＮ６４のゲートが
有する電荷によって、トランジスタＭＮ６４のオン状態またはオフ状態が選択されるよう
な電位（読み出し電位）を与える。そして、ソース線ＳＬに定電位を与え、ビット線ＲＢ
Ｌに接続されている読み出し回路を動作状態とする。ここで、ソース線ＳＬ－ビット線Ｒ
ＢＬ間の複数のトランジスタＭＮ６４は、読み出しを行うメモリセル列を除いてオン状態
となっているため、ソース線ＳＬ－ビット線ＲＢＬ間のコンダクタンスは、読み出しを行
うメモリセル列のトランジスタＭＮ６４の状態（オン状態またはオフ状態）によって決定
される。読み出しを行うメモリセル列のトランジスタＭＮ６４のゲートが有する電荷によ
って、トランジスタのコンダクタンスは異なるから、それに応じて、ビット線ＲＢＬの電
位は異なる値をとることになる。ビット線ＲＢＬの電位を読み出し回路によって読み出す
ことで、指定したメモリセル列のメモリセル１６１５から情報を読み出すことができる。
【0473】
容量素子Ｃ６１、容量素子Ｃ６２、または容量素子Ｃ６３の充放電によってデータを書
き換えるため、ＮＯＳＲＡＭ１６００は原理的には書き換え回数に制約はなく、かつ、低
エネルギーで、データの書き込みおよび読み出しが可能である。また、長時間データを保
持することが可能であるので、リフレッシュ頻度を低減できる。
き換えるため、ＮＯＳＲＡＭ１６００は原理的には書き換え回数に制約はなく、かつ、低
エネルギーで、データの書き込みおよび読み出しが可能である。また、長時間データを保
持することが可能であるので、リフレッシュ頻度を低減できる。
【0474】
上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１６１１、メモリセル１６１２、メモリ
セル１６１３、メモリセル１６１４、メモリセル１６１５に用いる場合、ＯＳトランジス
タＭＯ６１、ＯＳトランジスタＭＯ６２、ＯＳトランジスタＭＯ６３としてトランジスタ
２００を用い、容量素子Ｃ６１、容量素子Ｃ６２、容量素子Ｃ６３として容量素子１００
を用い、トランジスタＭＰ６１、トランジスタＭＰ６２、トランジスタＭＰ６３、トラン
ジスタＭＮ６１、トランジスタＭＮ６２、トランジスタＭＮ６３、トランジスタＭＮ６４
としてトランジスタ３００を用いることができる。これにより、トランジスタと容量素子
一組当たりの上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る
記憶装置をさらに高集積化させることができる。よって、本実施の形態に係る記憶装置の
単位面積当たりの記憶容量を増加させることができる。
セル１６１３、メモリセル１６１４、メモリセル１６１５に用いる場合、ＯＳトランジス
タＭＯ６１、ＯＳトランジスタＭＯ６２、ＯＳトランジスタＭＯ６３としてトランジスタ
２００を用い、容量素子Ｃ６１、容量素子Ｃ６２、容量素子Ｃ６３として容量素子１００
を用い、トランジスタＭＰ６１、トランジスタＭＰ６２、トランジスタＭＰ６３、トラン
ジスタＭＮ６１、トランジスタＭＮ６２、トランジスタＭＮ６３、トランジスタＭＮ６４
としてトランジスタ３００を用いることができる。これにより、トランジスタと容量素子
一組当たりの上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る
記憶装置をさらに高集積化させることができる。よって、本実施の形態に係る記憶装置の
単位面積当たりの記憶容量を増加させることができる。
【0475】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
ができる。
【0476】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図２７および図２８を用いて、本発明の一態様に係る、ＯＳトラン
ジスタ、および容量素子が適用されている記憶装置の一例として、ＤＯＳＲＡＭについて
説明する。ＤＯＳＲＡＭ（登録商標）とは、「Ｄｙｎａｍｉｃ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ ＲＡＭ」の略称であり、１Ｔ（トランジスタ）１Ｃ（容量）型のメモ
リセルを有するＲＡＭを指す。ＤＯＳＲＡＭも、ＮＯＳＲＡＭと同様に、ＯＳメモリが適
用されている。
本実施の形態では、図２７および図２８を用いて、本発明の一態様に係る、ＯＳトラン
ジスタ、および容量素子が適用されている記憶装置の一例として、ＤＯＳＲＡＭについて
説明する。ＤＯＳＲＡＭ（登録商標）とは、「Ｄｙｎａｍｉｃ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ ＲＡＭ」の略称であり、１Ｔ（トランジスタ）１Ｃ（容量）型のメモ
リセルを有するＲＡＭを指す。ＤＯＳＲＡＭも、ＮＯＳＲＡＭと同様に、ＯＳメモリが適
用されている。
【0477】
＜＜ＤＯＳＲＡＭ１４００＞＞
図２７にＤＯＳＲＡＭの構成例を示す。図２７に示すように、ＤＯＳＲＡＭ１４００は
、コントローラ１４０５、行回路１４１０、列回路１４１５、メモリセルおよびセンスア
ンプアレイ１４２０（以下、「ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０」と呼ぶ。）を有する。
図２７にＤＯＳＲＡＭの構成例を示す。図２７に示すように、ＤＯＳＲＡＭ１４００は
、コントローラ１４０５、行回路１４１０、列回路１４１５、メモリセルおよびセンスア
ンプアレイ１４２０（以下、「ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０」と呼ぶ。）を有する。
【0478】
行回路１４１０はデコーダ１４１１、ワード線ドライバ回路１４１２、列セレクタ１４
１３、センスアンプドライバ回路１４１４を有する。列回路１４１５はグローバルセンス
アンプアレイ１４１６、入出力回路１４１７を有する。グローバルセンスアンプアレイ１
４１６は複数のグローバルセンスアンプ１４４７を有する。ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０は
メモリセルアレイ１４２２、センスアンプアレイ１４２３、グローバルビット線ＧＢＬＬ
、ＧＢＬＲを有する。
１３、センスアンプドライバ回路１４１４を有する。列回路１４１５はグローバルセンス
アンプアレイ１４１６、入出力回路１４１７を有する。グローバルセンスアンプアレイ１
４１６は複数のグローバルセンスアンプ１４４７を有する。ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０は
メモリセルアレイ１４２２、センスアンプアレイ１４２３、グローバルビット線ＧＢＬＬ
、ＧＢＬＲを有する。
【0479】
（ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０）
ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０は、メモリセルアレイ１４２２をセンスアンプアレイ１４２
３上に積層した積層構造をもつ。グローバルビット線ＧＢＬＬ、グローバルビット線ＧＢ
ＬＲはメモリセルアレイ１４２２上に積層されている。ＤＯＳＲＡＭ１４００では、ビッ
ト線の構造に、ローカルビット線とグローバルビット線とで階層化された階層ビット線構
造が採用されている。
ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０は、メモリセルアレイ１４２２をセンスアンプアレイ１４２
３上に積層した積層構造をもつ。グローバルビット線ＧＢＬＬ、グローバルビット線ＧＢ
ＬＲはメモリセルアレイ１４２２上に積層されている。ＤＯＳＲＡＭ１４００では、ビッ
ト線の構造に、ローカルビット線とグローバルビット線とで階層化された階層ビット線構
造が採用されている。
【0480】
メモリセルアレイ１４２２は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のローカルメモリセルアレイ
１４２５＜０＞乃至ローカルメモリセルアレイ１４２５＜Ｎ－１＞を有する。図２８（Ａ
）にローカルメモリセルアレイ１４２５の構成例を示す。ローカルメモリセルアレイ１４
２５は、複数のメモリセル１４４５、複数のワード線ＷＬ、複数のビット線ＢＬＬ、複数
のビット線ＢＬＲを有する。図２８（Ａ）の例では、ローカルメモリセルアレイ１４２５
の構造はオープンビット線型であるが、フォールデッドビット線型であってもよい。
１４２５＜０＞乃至ローカルメモリセルアレイ１４２５＜Ｎ－１＞を有する。図２８（Ａ
）にローカルメモリセルアレイ１４２５の構成例を示す。ローカルメモリセルアレイ１４
２５は、複数のメモリセル１４４５、複数のワード線ＷＬ、複数のビット線ＢＬＬ、複数
のビット線ＢＬＲを有する。図２８（Ａ）の例では、ローカルメモリセルアレイ１４２５
の構造はオープンビット線型であるが、フォールデッドビット線型であってもよい。
【0481】
図２８（Ｂ）に共通のビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬＲ）に接続される、ペア状の一組
のメモリセル１４４５ａおよびメモリセル１４４５ｂの回路構成例を示す。メモリセル１
４４５ａはトランジスタＭＷ１ａ、容量素子ＣＳ１ａ、端子Ｂ１ａ、端子Ｂ２ａを有し、
ワード線ＷＬａ、ビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬＲ）に接続される。また、メモリセル１
４４５ｂはトランジスタＭＷ１ｂ、容量素子ＣＳ１ｂ、端子Ｂ１ｂ、端子Ｂ２ｂを有し、
ワード線ＷＬｂ、ビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬＲ）に接続される。なお、以下において
、メモリセル１４４５ａおよびメモリセル１４４５ｂのいずれかを特に限定しない場合は
、メモリセル１４４５およびそれに付属する構成にａまたはｂの符号を付さない場合があ
る。
のメモリセル１４４５ａおよびメモリセル１４４５ｂの回路構成例を示す。メモリセル１
４４５ａはトランジスタＭＷ１ａ、容量素子ＣＳ１ａ、端子Ｂ１ａ、端子Ｂ２ａを有し、
ワード線ＷＬａ、ビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬＲ）に接続される。また、メモリセル１
４４５ｂはトランジスタＭＷ１ｂ、容量素子ＣＳ１ｂ、端子Ｂ１ｂ、端子Ｂ２ｂを有し、
ワード線ＷＬｂ、ビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬＲ）に接続される。なお、以下において
、メモリセル１４４５ａおよびメモリセル１４４５ｂのいずれかを特に限定しない場合は
、メモリセル１４４５およびそれに付属する構成にａまたはｂの符号を付さない場合があ
る。
【0482】
トランジスタＭＷ１ａは容量素子ＣＳ１ａの充放電を制御する機能をもち、トランジス
タＭＷ１ｂは容量素子ＣＳ１ｂの充放電を制御する機能をもつ。トランジスタＭＷ１ａの
ゲートはワード線ＷＬａに電気的に接続され、第１端子はビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬ
Ｒ）に電気的に接続され、第２端子は容量素子ＣＳ１ａの第１端子に電気的に接続されて
いる。また、トランジスタＭＷ１ｂのゲートはワード線ＷＬｂに電気的に接続され、第１
端子はビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬＲ）に電気的に接続され、第２端子は容量素子ＣＳ
１ｂの第１端子に電気的に接続されている。このように、ビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬ
Ｒ）がトランジスタＭＷ１ａの第１端子とトランジスタＭＷ１ｂの第１端子に共通で用い
られる。
タＭＷ１ｂは容量素子ＣＳ１ｂの充放電を制御する機能をもつ。トランジスタＭＷ１ａの
ゲートはワード線ＷＬａに電気的に接続され、第１端子はビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬ
Ｒ）に電気的に接続され、第２端子は容量素子ＣＳ１ａの第１端子に電気的に接続されて
いる。また、トランジスタＭＷ１ｂのゲートはワード線ＷＬｂに電気的に接続され、第１
端子はビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬＲ）に電気的に接続され、第２端子は容量素子ＣＳ
１ｂの第１端子に電気的に接続されている。このように、ビット線ＢＬＬ（ビット線ＢＬ
Ｒ）がトランジスタＭＷ１ａの第１端子とトランジスタＭＷ１ｂの第１端子に共通で用い
られる。
【0483】
トランジスタＭＷ１は容量素子ＣＳ１の充放電を制御する機能をもつ。容量素子ＣＳ１
の第２端子は端子Ｂ２に電気的に接続されている。端子Ｂ２には、定電位（例えば、低電
源電位）が入力される。
の第２端子は端子Ｂ２に電気的に接続されている。端子Ｂ２には、定電位（例えば、低電
源電位）が入力される。
【0484】
上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１４４５ａ、メモリセル１４４５ｂに用
いる場合、トランジスタＭＷ１ａとしてトランジスタ２００ａ、トランジスタＭＷ１ｂと
してトランジスタ２００ｂを用い、容量素子ＣＳ１ａとして容量素子１００ａを用い、容
量素子ＣＳ１ｂとして容量素子１００ｂを用いることができる。これにより、トランジス
タと容量素子一組当たりの上面視における占有面積を低減することができるので、本実施
の形態に係る記憶装置を高集積化させることができる。よって、本実施の形態に係る記憶
装置の単位面積当たりの記憶容量を増加させることができる。
いる場合、トランジスタＭＷ１ａとしてトランジスタ２００ａ、トランジスタＭＷ１ｂと
してトランジスタ２００ｂを用い、容量素子ＣＳ１ａとして容量素子１００ａを用い、容
量素子ＣＳ１ｂとして容量素子１００ｂを用いることができる。これにより、トランジス
タと容量素子一組当たりの上面視における占有面積を低減することができるので、本実施
の形態に係る記憶装置を高集積化させることができる。よって、本実施の形態に係る記憶
装置の単位面積当たりの記憶容量を増加させることができる。
【0485】
トランジスタＭＷ１はボトムゲートを備えており、ボトムゲートは端子Ｂ１に電気的に
接続されている。そのため、端子Ｂ１の電位によって、トランジスタＭＷ１のＶｔｈを変
更することができる。例えば、端子Ｂ１の電位は固定電位（例えば、負の定電位）であっ
てもよいし、ＤＯＳＲＡＭ１４００の動作に応じて、端子Ｂ１の電位を変化させてもよい
。
接続されている。そのため、端子Ｂ１の電位によって、トランジスタＭＷ１のＶｔｈを変
更することができる。例えば、端子Ｂ１の電位は固定電位（例えば、負の定電位）であっ
てもよいし、ＤＯＳＲＡＭ１４００の動作に応じて、端子Ｂ１の電位を変化させてもよい
。
【0486】
トランジスタＭＷ１のボトムゲートをトランジスタＭＷ１のゲート、ソース、またはド
レインに電気的に接続してもよい。あるいは、トランジスタＭＷ１にボトムゲートを設け
なくてもよい。
レインに電気的に接続してもよい。あるいは、トランジスタＭＷ１にボトムゲートを設け
なくてもよい。
【0487】
センスアンプアレイ１４２３は、Ｎ個のローカルセンスアンプアレイ１４２６＜０＞乃
至ローカルセンスアンプアレイ１４２６＜Ｎ－１＞を有する。ローカルセンスアンプアレ
イ１４２６は、１のスイッチアレイ１４４４、複数のセンスアンプ１４４６を有する。セ
ンスアンプ１４４６には、ビット線対が電気的に接続されている。センスアンプ１４４６
は、ビット線対をプリチャージする機能、ビット線対の電位差を増幅する機能、この電位
差を保持する機能を有する。スイッチアレイ１４４４は、ビット線対を選択し、選択した
ビット線対とグローバルビット線対との間を導通状態にする機能を有する。
至ローカルセンスアンプアレイ１４２６＜Ｎ－１＞を有する。ローカルセンスアンプアレ
イ１４２６は、１のスイッチアレイ１４４４、複数のセンスアンプ１４４６を有する。セ
ンスアンプ１４４６には、ビット線対が電気的に接続されている。センスアンプ１４４６
は、ビット線対をプリチャージする機能、ビット線対の電位差を増幅する機能、この電位
差を保持する機能を有する。スイッチアレイ１４４４は、ビット線対を選択し、選択した
ビット線対とグローバルビット線対との間を導通状態にする機能を有する。
【0488】
ここで、ビット線対とは、センスアンプによって、同時に比較される２本のビット線の
ことをいう。グローバルビット線対とは、グローバルセンスアンプによって、同時に比較
される２本のグローバルビット線のことをいう。ビット線対を一対のビット線と呼ぶこと
ができ、グローバルビット線対を一対のグローバルビット線と呼ぶことができる。ここで
は、ビット線ＢＬＬとビット線ＢＬＲが１組のビット線対を成す。グローバルビット線Ｇ
ＢＬＬとグローバルビット線ＧＢＬＲとが１組のグローバルビット線対をなす。以下、ビ
ット線対（ＢＬＬ，ＢＬＲ）、グローバルビット線対（ＧＢＬＬ，ＧＢＬＲ）とも表す。
ことをいう。グローバルビット線対とは、グローバルセンスアンプによって、同時に比較
される２本のグローバルビット線のことをいう。ビット線対を一対のビット線と呼ぶこと
ができ、グローバルビット線対を一対のグローバルビット線と呼ぶことができる。ここで
は、ビット線ＢＬＬとビット線ＢＬＲが１組のビット線対を成す。グローバルビット線Ｇ
ＢＬＬとグローバルビット線ＧＢＬＲとが１組のグローバルビット線対をなす。以下、ビ
ット線対（ＢＬＬ，ＢＬＲ）、グローバルビット線対（ＧＢＬＬ，ＧＢＬＲ）とも表す。
【0489】
（コントローラ１４０５）
コントローラ１４０５は、ＤＯＳＲＡＭ１４００の動作全般を制御する機能を有する。
コントローラ１４０５は、外部からの入力されるコマンド信号を論理演算して、動作モー
ドを決定する機能、決定した動作モードが実行されるように、行回路１４１０、列回路１
４１５の制御信号を生成する機能、外部から入力されるアドレス信号を保持する機能、内
部アドレス信号を生成する機能を有する。
コントローラ１４０５は、ＤＯＳＲＡＭ１４００の動作全般を制御する機能を有する。
コントローラ１４０５は、外部からの入力されるコマンド信号を論理演算して、動作モー
ドを決定する機能、決定した動作モードが実行されるように、行回路１４１０、列回路１
４１５の制御信号を生成する機能、外部から入力されるアドレス信号を保持する機能、内
部アドレス信号を生成する機能を有する。
【0490】
（行回路１４１０）
行回路１４１０は、ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０を駆動する機能を有する。デコーダ１４
１１はアドレス信号をデコードする機能を有する。ワード線ドライバ回路１４１２は、ア
クセス対象行のワード線ＷＬを選択する選択信号を生成する。
行回路１４１０は、ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０を駆動する機能を有する。デコーダ１４
１１はアドレス信号をデコードする機能を有する。ワード線ドライバ回路１４１２は、ア
クセス対象行のワード線ＷＬを選択する選択信号を生成する。
【0491】
列セレクタ１４１３、センスアンプドライバ回路１４１４はセンスアンプアレイ１４２
３を駆動するための回路である。列セレクタ１４１３は、アクセス対象列のビット線を選
択するための選択信号を生成する機能をもつ。列セレクタ１４１３の選択信号によって、
各ローカルセンスアンプアレイ１４２６のスイッチアレイ１４４４が制御される。センス
アンプドライバ回路１４１４の制御信号によって、複数のローカルセンスアンプアレイ１
４２６は独立して駆動される。
３を駆動するための回路である。列セレクタ１４１３は、アクセス対象列のビット線を選
択するための選択信号を生成する機能をもつ。列セレクタ１４１３の選択信号によって、
各ローカルセンスアンプアレイ１４２６のスイッチアレイ１４４４が制御される。センス
アンプドライバ回路１４１４の制御信号によって、複数のローカルセンスアンプアレイ１
４２６は独立して駆動される。
【0492】
（列回路１４１５）
列回路１４１５は、データ信号ＷＤＡ［３１：０］の入力を制御する機能、データ信号
ＲＤＡ［３１：０］の出力を制御する機能を有する。データ信号ＷＤＡ［３１：０］は書
き込みデータ信号であり、データ信号ＲＤＡ［３１：０］は読み出しデータ信号である。
列回路１４１５は、データ信号ＷＤＡ［３１：０］の入力を制御する機能、データ信号
ＲＤＡ［３１：０］の出力を制御する機能を有する。データ信号ＷＤＡ［３１：０］は書
き込みデータ信号であり、データ信号ＲＤＡ［３１：０］は読み出しデータ信号である。
【0493】
グローバルセンスアンプ１４４７はグローバルビット線対（ＧＢＬＬ，ＧＢＬＲ）に電
気的に接続されている。グローバルセンスアンプ１４４７はグローバルビット線対（ＧＢ
ＬＬ，ＧＢＬＲ）間の電位差を増幅する機能、この電位差を保持する機能を有する。グロ
ーバルビット線対（ＧＢＬＬ，ＧＢＬＲ）へのデータの書き込み、および読み出しは、入
出力回路１４１７によって行われる。
気的に接続されている。グローバルセンスアンプ１４４７はグローバルビット線対（ＧＢ
ＬＬ，ＧＢＬＲ）間の電位差を増幅する機能、この電位差を保持する機能を有する。グロ
ーバルビット線対（ＧＢＬＬ，ＧＢＬＲ）へのデータの書き込み、および読み出しは、入
出力回路１４１７によって行われる。
【0494】
ＤＯＳＲＡＭ１４００の書き込み動作の概要を説明する。入出力回路１４１７によって
、データがグローバルビット線対に書き込まれる。グローバルビット線対のデータは、グ
ローバルセンスアンプアレイ１４１６によって保持される。アドレス信号が指定するロー
カルセンスアンプアレイ１４２６のスイッチアレイ１４４４によって、グローバルビット
線対のデータが、対象列のビット線対に書き込まれる。ローカルセンスアンプアレイ１４
２６は、書き込まれたデータを増幅し、保持する。指定されたローカルメモリセルアレイ
１４２５において、行回路１４１０によって、対象行のワード線ＷＬが選択され、選択行
のメモリセル１４４５にローカルセンスアンプアレイ１４２６の保持データが書き込まれ
る。
、データがグローバルビット線対に書き込まれる。グローバルビット線対のデータは、グ
ローバルセンスアンプアレイ１４１６によって保持される。アドレス信号が指定するロー
カルセンスアンプアレイ１４２６のスイッチアレイ１４４４によって、グローバルビット
線対のデータが、対象列のビット線対に書き込まれる。ローカルセンスアンプアレイ１４
２６は、書き込まれたデータを増幅し、保持する。指定されたローカルメモリセルアレイ
１４２５において、行回路１４１０によって、対象行のワード線ＷＬが選択され、選択行
のメモリセル１４４５にローカルセンスアンプアレイ１４２６の保持データが書き込まれ
る。
【0495】
ＤＯＳＲＡＭ１４００の読み出し動作の概要を説明する。アドレス信号によって、ロー
カルメモリセルアレイ１４２５の１行が指定される。指定されたローカルメモリセルアレ
イ１４２５において、対象行のワード線ＷＬが選択状態となり、メモリセル１４４５のデ
ータがビット線に書き込まれる。ローカルセンスアンプアレイ１４２６によって、各列の
ビット線対の電位差がデータとして検出され、かつ保持される。スイッチアレイ１４４４
によって、ローカルセンスアンプアレイ１４２６の保持データの内、アドレス信号が指定
する列のデータが、グローバルビット線対に書き込まれる。グローバルセンスアンプアレ
イ１４１６は、グローバルビット線対のデータを検出し、保持する。グローバルセンスア
ンプアレイ１４１６の保持データは入出力回路１４１７に出力される。以上で、読み出し
動作が完了する。
カルメモリセルアレイ１４２５の１行が指定される。指定されたローカルメモリセルアレ
イ１４２５において、対象行のワード線ＷＬが選択状態となり、メモリセル１４４５のデ
ータがビット線に書き込まれる。ローカルセンスアンプアレイ１４２６によって、各列の
ビット線対の電位差がデータとして検出され、かつ保持される。スイッチアレイ１４４４
によって、ローカルセンスアンプアレイ１４２６の保持データの内、アドレス信号が指定
する列のデータが、グローバルビット線対に書き込まれる。グローバルセンスアンプアレ
イ１４１６は、グローバルビット線対のデータを検出し、保持する。グローバルセンスア
ンプアレイ１４１６の保持データは入出力回路１４１７に出力される。以上で、読み出し
動作が完了する。
【0496】
容量素子ＣＳ１の充放電によってデータを書き換えるため、ＤＯＳＲＡＭ１４００には
原理的には書き換え回数に制約はなく、かつ、低エネルギーで、データの書き込みおよび
読み出しが可能である。また、メモリセル１４４５の回路構成が単純であるため、大容量
化が容易である。
原理的には書き換え回数に制約はなく、かつ、低エネルギーで、データの書き込みおよび
読み出しが可能である。また、メモリセル１４４５の回路構成が単純であるため、大容量
化が容易である。
【0497】
トランジスタＭＷ１はＯＳトランジスタである。ＯＳトランジスタはオフ電流が極めて
小さいため、容量素子ＣＳ１から電荷がリークすることを抑えることができる。したがっ
て、ＤＯＳＲＡＭ１４００の保持時間はＤＲＡＭに比べて非常に長い。したがってリフレ
ッシュの頻度を低減できるため、リフレッシュ動作に要する電力を削減できる。よって、
ＤＯＳＲＡＭ１４００は大容量のデータを高頻度で書き換えるメモリ装置、例えば、画像
処理に利用されるフレームメモリに好適である。
小さいため、容量素子ＣＳ１から電荷がリークすることを抑えることができる。したがっ
て、ＤＯＳＲＡＭ１４００の保持時間はＤＲＡＭに比べて非常に長い。したがってリフレ
ッシュの頻度を低減できるため、リフレッシュ動作に要する電力を削減できる。よって、
ＤＯＳＲＡＭ１４００は大容量のデータを高頻度で書き換えるメモリ装置、例えば、画像
処理に利用されるフレームメモリに好適である。
【0498】
ＭＣ－ＳＡアレイ１４２０が積層構造であることによって、ローカルセンスアンプアレ
イ１４２６の長さと同程度の長さにビット線を短くすることができる。ビット線を短くす
ることで、ビット線容量が小さくなり、メモリセル１４４５の保持容量を低減することが
できる。また、ローカルセンスアンプアレイ１４２６にスイッチアレイ１４４４を設ける
ことで、長いビット線の本数を減らすことができる。以上の理由から、ＤＯＳＲＡＭ１４
００のアクセス時に駆動する負荷が低減され、消費電力を低減することができる。
イ１４２６の長さと同程度の長さにビット線を短くすることができる。ビット線を短くす
ることで、ビット線容量が小さくなり、メモリセル１４４５の保持容量を低減することが
できる。また、ローカルセンスアンプアレイ１４２６にスイッチアレイ１４４４を設ける
ことで、長いビット線の本数を減らすことができる。以上の理由から、ＤＯＳＲＡＭ１４
００のアクセス時に駆動する負荷が低減され、消費電力を低減することができる。
【0499】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
ができる。
【0500】
【0501】
図２９は、ＡＩシステム４０４１の構成例を示すブロック図である。ＡＩシステム４０
４１は、演算部４０１０と、制御部４０２０と、入出力部４０３０を有する。
４１は、演算部４０１０と、制御部４０２０と、入出力部４０３０を有する。
【0502】
演算部４０１０は、アナログ演算回路４０１１と、ＤＯＳＲＡＭ４０１２と、ＮＯＳＲ
ＡＭ４０１３と、ＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）４０１４と、を有
する。ＤＯＳＲＡＭ４０１２およびＮＯＳＲＡＭ４０１３として、上記実施の形態に示す
、ＤＯＳＲＡＭ１４００、ＮＯＳＲＡＭ１６００を用いることができる。また、ＦＰＧＡ
４０１４は、コンフィギュレーションメモリ、およびレジスタにＯＳメモリが適用されて
いる。ここでは、このようなＦＰＧＡを「ＯＳ－ＦＰＧＡ」と呼ぶ。
ＡＭ４０１３と、ＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）４０１４と、を有
する。ＤＯＳＲＡＭ４０１２およびＮＯＳＲＡＭ４０１３として、上記実施の形態に示す
、ＤＯＳＲＡＭ１４００、ＮＯＳＲＡＭ１６００を用いることができる。また、ＦＰＧＡ
４０１４は、コンフィギュレーションメモリ、およびレジスタにＯＳメモリが適用されて
いる。ここでは、このようなＦＰＧＡを「ＯＳ－ＦＰＧＡ」と呼ぶ。
【0503】
制御部４０２０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）４０
２１と、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）４０２２と、Ｐ
ＬＬ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）４０２３と、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒ
ａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）４０２４と、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａ
ｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）４０２５と、メモリコントローラ４０２６
と、電源回路４０２７と、ＰＭＵ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ）４０
２８と、を有する。
２１と、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）４０２２と、Ｐ
ＬＬ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）４０２３と、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒ
ａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）４０２４と、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａ
ｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）４０２５と、メモリコントローラ４０２６
と、電源回路４０２７と、ＰＭＵ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ）４０
２８と、を有する。
【0504】
入出力部４０３０は、外部記憶制御回路４０３１と、音声コーデック４０３２と、映像
コーデック４０３３と、汎用入出力モジュール４０３４と、通信モジュール４０３５と、
を有する。
コーデック４０３３と、汎用入出力モジュール４０３４と、通信モジュール４０３５と、
を有する。
【0505】
演算部４０１０は、ニューラルネットワークによる学習または推論を実行することがで
きる。
きる。
【0506】
アナログ演算回路４０１１はＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換回路、Ｄ／Ａ（デジタ
ル／アナログ）変換回路、および積和演算回路を有する。
ル／アナログ）変換回路、および積和演算回路を有する。
【0507】
アナログ演算回路４０１１はＯＳトランジスタを用いて形成することが好ましい。ＯＳ
トランジスタを用いたアナログ演算回路４０１１は、アナログメモリを有し、学習または
推論に必要な積和演算を、低消費電力で実行することが可能になる。
トランジスタを用いたアナログ演算回路４０１１は、アナログメモリを有し、学習または
推論に必要な積和演算を、低消費電力で実行することが可能になる。
【0508】
ＤＯＳＲＡＭ４０１２は、ＯＳトランジスタを用いて形成されたＤＲＡＭであり、ＤＯ
ＳＲＡＭ４０１２は、ＣＰＵ４０２１から送られてくるデジタルデータを一時的に格納す
るメモリである。ＤＯＳＲＡＭ４０１２は、ＯＳトランジスタを含むメモリセルと、Ｓｉ
トランジスタを含む読み出し回路部を有する。上記メモリセルと読み出し回路部は、積層
された異なる層に設けることができるため、ＤＯＳＲＡＭ４０１２は、全体の回路面積を
小さくすることができる。
ＳＲＡＭ４０１２は、ＣＰＵ４０２１から送られてくるデジタルデータを一時的に格納す
るメモリである。ＤＯＳＲＡＭ４０１２は、ＯＳトランジスタを含むメモリセルと、Ｓｉ
トランジスタを含む読み出し回路部を有する。上記メモリセルと読み出し回路部は、積層
された異なる層に設けることができるため、ＤＯＳＲＡＭ４０１２は、全体の回路面積を
小さくすることができる。
【0509】
ニューラルネットワークを用いた計算は、入力データが１０００を超えることがある。
上記入力データをＳＲＡＭに格納する場合、ＳＲＡＭは回路面積に制限があり、記憶容量
が小さいため、上記入力データを小分けにして格納せざるを得ない。ＤＯＳＲＡＭ４０１
２は、限られた回路面積でも、メモリセルを高集積に配置することが可能であり、ＳＲＡ
Ｍに比べて記憶容量が大きい。そのため、ＤＯＳＲＡＭ４０１２は、上記入力データを効
率良く格納することができる。
上記入力データをＳＲＡＭに格納する場合、ＳＲＡＭは回路面積に制限があり、記憶容量
が小さいため、上記入力データを小分けにして格納せざるを得ない。ＤＯＳＲＡＭ４０１
２は、限られた回路面積でも、メモリセルを高集積に配置することが可能であり、ＳＲＡ
Ｍに比べて記憶容量が大きい。そのため、ＤＯＳＲＡＭ４０１２は、上記入力データを効
率良く格納することができる。
【0510】
ＮＯＳＲＡＭ４０１３はＯＳトランジスタを用いた不揮発性メモリである。ＮＯＳＲＡ
Ｍ４０１３は、フラッシュメモリや、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎ
ｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの他の不揮発性メモリと比べて、データを書
き込む際の消費電力が小さい。また、フラッシュメモリやＲｅＲＡＭのように、データを
書き込む際に素子が劣化することもなく、データの書き込み可能回数に制限が無い。
Ｍ４０１３は、フラッシュメモリや、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎ
ｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの他の不揮発性メモリと比べて、データを書
き込む際の消費電力が小さい。また、フラッシュメモリやＲｅＲＡＭのように、データを
書き込む際に素子が劣化することもなく、データの書き込み可能回数に制限が無い。
【0511】
また、ＮＯＳＲＡＭ４０１３は、１ビットの２値データの他に、２ビット以上の多値デ
ータを記憶することができる。ＮＯＳＲＡＭ４０１３は多値データを記憶することで、１
ビット当たりのメモリセル面積を小さくすることができる。
ータを記憶することができる。ＮＯＳＲＡＭ４０１３は多値データを記憶することで、１
ビット当たりのメモリセル面積を小さくすることができる。
【0512】
また、ＮＯＳＲＡＭ４０１３は、デジタルデータの他にアナログデータを記憶すること
ができる。そのため、アナログ演算回路４０１１は、ＮＯＳＲＡＭ４０１３をアナログメ
モリとして用いることもできる。ＮＯＳＲＡＭ４０１３は、アナログデータのまま記憶す
ることができるため、Ｄ／Ａ変換回路やＡ／Ｄ変換回路が不要である。そのため、ＮＯＳ
ＲＡＭ４０１３は周辺回路の面積を小さくすることができる。なお、本明細書においてア
ナログデータとは、３ビット（８値）以上分解能を有するデータのことを指す。上述した
多値データがアナログデータに含まれる場合もある。
ができる。そのため、アナログ演算回路４０１１は、ＮＯＳＲＡＭ４０１３をアナログメ
モリとして用いることもできる。ＮＯＳＲＡＭ４０１３は、アナログデータのまま記憶す
ることができるため、Ｄ／Ａ変換回路やＡ／Ｄ変換回路が不要である。そのため、ＮＯＳ
ＲＡＭ４０１３は周辺回路の面積を小さくすることができる。なお、本明細書においてア
ナログデータとは、３ビット（８値）以上分解能を有するデータのことを指す。上述した
多値データがアナログデータに含まれる場合もある。
【0513】
ニューラルネットワークの計算に用いられるデータやパラメータは、一旦、ＮＯＳＲＡ
Ｍ４０１３に格納することができる。上記データやパラメータは、ＣＰＵ４０２１を介し
て、ＡＩシステム４０４１の外部に設けられたメモリに格納してもよいが、内部に設けら
れたＮＯＳＲＡＭ４０１３の方が、より高速かつ低消費電力に上記データやパラメータを
格納することができる。また、ＮＯＳＲＡＭ４０１３は、ＤＯＳＲＡＭ４０１２よりもビ
ット線を長くすることができるので、記憶容量を大きくすることができる。
Ｍ４０１３に格納することができる。上記データやパラメータは、ＣＰＵ４０２１を介し
て、ＡＩシステム４０４１の外部に設けられたメモリに格納してもよいが、内部に設けら
れたＮＯＳＲＡＭ４０１３の方が、より高速かつ低消費電力に上記データやパラメータを
格納することができる。また、ＮＯＳＲＡＭ４０１３は、ＤＯＳＲＡＭ４０１２よりもビ
ット線を長くすることができるので、記憶容量を大きくすることができる。
【0514】
ＦＰＧＡ４０１４は、ＯＳトランジスタを用いたＦＰＧＡである。ＡＩシステム４０４
１は、ＦＰＧＡ４０１４を用いることによって、ハードウェアで後述する、ディープニュ
ーラルネットワーク（ＤＮＮ）、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ）、再帰型ニ
ューラルネットワーク（ＲＮＮ）、自己符号化器、深層ボルツマンマシン（ＤＢＭ）、深
層信念ネットワーク（ＤＢＮ）などの、ニューラルネットワークの接続を構成することが
できる。上記のニューラルネットワークの接続をハードウェアで構成することで、より高
速に実行することができる。
１は、ＦＰＧＡ４０１４を用いることによって、ハードウェアで後述する、ディープニュ
ーラルネットワーク（ＤＮＮ）、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ）、再帰型ニ
ューラルネットワーク（ＲＮＮ）、自己符号化器、深層ボルツマンマシン（ＤＢＭ）、深
層信念ネットワーク（ＤＢＮ）などの、ニューラルネットワークの接続を構成することが
できる。上記のニューラルネットワークの接続をハードウェアで構成することで、より高
速に実行することができる。
【0515】
ＦＰＧＡ４０１４は、ＯＳトランジスタを有するＦＰＧＡである。ＯＳ－ＦＰＧＡは、
ＳＲＡＭで構成されるＦＰＧＡよりもメモリの面積を小さくすることができる。そのため
、コンテキスト切り替え機能を追加しても面積増加が少ない。また、ＯＳ－ＦＰＧＡはブ
ースティングによりデータやパラメータを高速に伝えることができる。
ＳＲＡＭで構成されるＦＰＧＡよりもメモリの面積を小さくすることができる。そのため
、コンテキスト切り替え機能を追加しても面積増加が少ない。また、ＯＳ－ＦＰＧＡはブ
ースティングによりデータやパラメータを高速に伝えることができる。
【0516】
ＡＩシステム４０４１は、アナログ演算回路４０１１、ＤＯＳＲＡＭ４０１２、ＮＯＳ
ＲＡＭ４０１３、およびＦＰＧＡ４０１４を１つのダイ（チップ）の上に設けることがで
きる。そのため、ＡＩシステム４０４１は、高速かつ低消費電力に、ニューラルネットワ
ークの計算を実行することができる。また、アナログ演算回路４０１１、ＤＯＳＲＡＭ４
０１２、ＮＯＳＲＡＭ４０１３、およびＦＰＧＡ４０１４は、同じ製造プロセスで作製す
ることができる。そのため、ＡＩシステム４０４１は、低コストで作製することができる
。
ＲＡＭ４０１３、およびＦＰＧＡ４０１４を１つのダイ（チップ）の上に設けることがで
きる。そのため、ＡＩシステム４０４１は、高速かつ低消費電力に、ニューラルネットワ
ークの計算を実行することができる。また、アナログ演算回路４０１１、ＤＯＳＲＡＭ４
０１２、ＮＯＳＲＡＭ４０１３、およびＦＰＧＡ４０１４は、同じ製造プロセスで作製す
ることができる。そのため、ＡＩシステム４０４１は、低コストで作製することができる
。
【0517】
なお、演算部４０１０は、ＤＯＳＲＡＭ４０１２、ＮＯＳＲＡＭ４０１３、およびＦＰ
ＧＡ４０１４を、全て有する必要はない。ＡＩシステム４０４１が解決したい課題に応じ
て、ＤＯＳＲＡＭ４０１２、ＮＯＳＲＡＭ４０１３、およびＦＰＧＡ４０１４の一または
複数を、選択して設ければよい。
ＧＡ４０１４を、全て有する必要はない。ＡＩシステム４０４１が解決したい課題に応じ
て、ＤＯＳＲＡＭ４０１２、ＮＯＳＲＡＭ４０１３、およびＦＰＧＡ４０１４の一または
複数を、選択して設ければよい。
【0518】
ＡＩシステム４０４１は、解決したい課題に応じて、ディープニューラルネットワーク
（ＤＮＮ）、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ）、再帰型ニューラルネットワー
ク（ＲＮＮ）、自己符号化器、深層ボルツマンマシン（ＤＢＭ）、深層信念ネットワーク
（ＤＢＮ）などの手法を実行することができる。ＰＲＯＭ４０２５は、これらの手法の少
なくとも一つを実行するためのプログラムを保存することができる。また、当該プログラ
ムの一部または全てを、ＮＯＳＲＡＭ４０１３に保存してもよい。
（ＤＮＮ）、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ）、再帰型ニューラルネットワー
ク（ＲＮＮ）、自己符号化器、深層ボルツマンマシン（ＤＢＭ）、深層信念ネットワーク
（ＤＢＮ）などの手法を実行することができる。ＰＲＯＭ４０２５は、これらの手法の少
なくとも一つを実行するためのプログラムを保存することができる。また、当該プログラ
ムの一部または全てを、ＮＯＳＲＡＭ４０１３に保存してもよい。
【0519】
ライブラリとして存在する既存のプログラムは、ＧＰＵの処理を前提としているものが
多い。そのため、ＡＩシステム４０４１はＧＰＵ４０２２を有することが好ましい。ＡＩ
システム４０４１は、学習と推論で用いられる積和演算のうち、律速となる積和演算を演
算部４０１０で実行し、それ以外の積和演算をＧＰＵ４０２２で実行することができる。
そうすることで、学習と推論を高速に実行することができる。
多い。そのため、ＡＩシステム４０４１はＧＰＵ４０２２を有することが好ましい。ＡＩ
システム４０４１は、学習と推論で用いられる積和演算のうち、律速となる積和演算を演
算部４０１０で実行し、それ以外の積和演算をＧＰＵ４０２２で実行することができる。
そうすることで、学習と推論を高速に実行することができる。
【0520】
電源回路４０２７は、論理回路用の低電源電位を生成するだけではなく、アナログ演算
のための電位生成も行う。電源回路４０２７はＯＳメモリを用いてもよい。電源回路４０
２７は、基準電位をＯＳメモリに保存することで、消費電力を下げることができる。
のための電位生成も行う。電源回路４０２７はＯＳメモリを用いてもよい。電源回路４０
２７は、基準電位をＯＳメモリに保存することで、消費電力を下げることができる。
【0521】
ＰＭＵ４０２８は、ＡＩシステム４０４１の電力供給を一時的にオフにする機能を有す
る。
る。
【0522】
ＣＰＵ４０２１およびＧＰＵ４０２２は、レジスタとしてＯＳメモリを有することが好
ましい。ＣＰＵ４０２１およびＧＰＵ４０２２はＯＳメモリを有することで、電力供給が
オフになっても、ＯＳメモリ中にデータ（論理値）を保持し続けることができる。その結
果、ＡＩシステム４０４１は、電力を節約することができる。
ましい。ＣＰＵ４０２１およびＧＰＵ４０２２はＯＳメモリを有することで、電力供給が
オフになっても、ＯＳメモリ中にデータ（論理値）を保持し続けることができる。その結
果、ＡＩシステム４０４１は、電力を節約することができる。
【0523】
ＰＬＬ４０２３は、クロックを生成する機能を有する。ＡＩシステム４０４１は、ＰＬ
Ｌ４０２３が生成したクロックを基準に動作を行う。ＰＬＬ４０２３はＯＳメモリを有す
ることが好ましい。ＰＬＬ４０２３はＯＳメモリを有することで、クロックの発振周期を
制御するアナログ電位を保持することができる。
Ｌ４０２３が生成したクロックを基準に動作を行う。ＰＬＬ４０２３はＯＳメモリを有す
ることが好ましい。ＰＬＬ４０２３はＯＳメモリを有することで、クロックの発振周期を
制御するアナログ電位を保持することができる。
【0524】
ＡＩシステム４０４１は、ＤＲＡＭなどの外部メモリにデータを保存してもよい。その
ため、ＡＩシステム４０４１は、外部のＤＲＡＭとのインターフェースとして機能するメ
モリコントローラ４０２６を有することが好ましい。また、メモリコントローラ４０２６
は、ＣＰＵ４０２１またはＧＰＵ４０２２の近くに配置することが好ましい。そうするこ
とで、データのやり取りを高速に行うことができる。
ため、ＡＩシステム４０４１は、外部のＤＲＡＭとのインターフェースとして機能するメ
モリコントローラ４０２６を有することが好ましい。また、メモリコントローラ４０２６
は、ＣＰＵ４０２１またはＧＰＵ４０２２の近くに配置することが好ましい。そうするこ
とで、データのやり取りを高速に行うことができる。
【0525】
制御部４０２０に示す回路の一部または全ては、演算部４０１０と同じダイの上に形成
することができる。そうすることで、ＡＩシステム４０４１は、高速かつ低消費電力に、
ニューラルネットワークの計算を実行することができる。
することができる。そうすることで、ＡＩシステム４０４１は、高速かつ低消費電力に、
ニューラルネットワークの計算を実行することができる。
【0526】
ニューラルネットワークの計算に用いられるデータは外部記憶装置（ＨＤＤ（Ｈａｒｄ
Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）など）に保
存される場合が多い。そのため、ＡＩシステム４０４１は、外部記憶装置とのインターフ
ェースとして機能する外部記憶制御回路４０３１を有することが好ましい。
Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）など）に保
存される場合が多い。そのため、ＡＩシステム４０４１は、外部記憶装置とのインターフ
ェースとして機能する外部記憶制御回路４０３１を有することが好ましい。
【0527】
ニューラルネットワークを用いた学習と推論は、音声や映像を扱うことが多いので、Ａ
Ｉシステム４０４１は音声コーデック４０３２および映像コーデック４０３３を有する。
音声コーデック４０３２は、音声データのエンコード（符号化）およびデコード（復号）
を行い、映像コーデック４０３３は、映像データのエンコードおよびデコードを行う。
Ｉシステム４０４１は音声コーデック４０３２および映像コーデック４０３３を有する。
音声コーデック４０３２は、音声データのエンコード（符号化）およびデコード（復号）
を行い、映像コーデック４０３３は、映像データのエンコードおよびデコードを行う。
【0528】
ＡＩシステム４０４１は、外部センサから得られたデータを用いて学習または推論を行
うことができる。そのため、ＡＩシステム４０４１は汎用入出力モジュール４０３４を有
する。汎用入出力モジュール４０３４は、例えば、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒ
ｉａｌ Ｂｕｓ）やＩ２Ｃ（Ｉｎｔｅｒ－Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）など
を含む。
うことができる。そのため、ＡＩシステム４０４１は汎用入出力モジュール４０３４を有
する。汎用入出力モジュール４０３４は、例えば、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒ
ｉａｌ Ｂｕｓ）やＩ２Ｃ（Ｉｎｔｅｒ－Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）など
を含む。
【0529】
ＡＩシステム４０４１は、インターネットを経由して得られたデータを用いて学習また
は推論を行うことができる。そのため、ＡＩシステム４０４１は、通信モジュール４０３
５を有することが好ましい。
は推論を行うことができる。そのため、ＡＩシステム４０４１は、通信モジュール４０３
５を有することが好ましい。
【0530】
アナログ演算回路４０１１は、多値のフラッシュメモリをアナログメモリとして用いて
もよい。しかし、フラッシュメモリは書き換え可能回数に制限がある。また、多値のフラ
ッシュメモリは、エンベディッドで形成する（演算回路とメモリを同じダイの上に形成す
る。）ことが非常に難しい。
もよい。しかし、フラッシュメモリは書き換え可能回数に制限がある。また、多値のフラ
ッシュメモリは、エンベディッドで形成する（演算回路とメモリを同じダイの上に形成す
る。）ことが非常に難しい。
【0531】
また、アナログ演算回路４０１１は、ＲｅＲＡＭをアナログメモリとして用いてもよい
。しかし、ＲｅＲＡＭは書き換え可能回数に制限があり、記憶精度の点でも問題がある。
さらに、２端子でなる素子であるため、データの書き込みと読み出しを分ける回路設計が
複雑になる。
。しかし、ＲｅＲＡＭは書き換え可能回数に制限があり、記憶精度の点でも問題がある。
さらに、２端子でなる素子であるため、データの書き込みと読み出しを分ける回路設計が
複雑になる。
【0532】
また、アナログ演算回路４０１１は、ＭＲＡＭをアナログメモリとして用いてもよい。
しかし、ＭＲＡＭは抵抗変化率が低く、記憶精度の点で問題がある。
しかし、ＭＲＡＭは抵抗変化率が低く、記憶精度の点で問題がある。
【0533】
以上を鑑み、アナログ演算回路４０１１は、ＯＳメモリをアナログメモリとして用いる
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【0534】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
ができる。
【0535】
【0536】
【0537】
図３０（Ａ）に図示するＡＩシステム４０４１Ａは、複数のＡＩシステム４０４１＿１
乃至ＡＩシステム４０４１＿ｎ（ｎは自然数）を有する。ＡＩシステム４０４１＿１乃至
ＡＩシステム４０４１＿ｎは、バス線４０９８を介して互いに接続されている。
乃至ＡＩシステム４０４１＿ｎ（ｎは自然数）を有する。ＡＩシステム４０４１＿１乃至
ＡＩシステム４０４１＿ｎは、バス線４０９８を介して互いに接続されている。
【0538】
【0539】
図３０（Ｂ）に図示するＡＩシステム４０４１Ｂは、複数のＡＩシステム４０４１＿１
乃至ＡＩシステム４０４１＿ｎを有する。ＡＩシステム４０４１＿１乃至ＡＩシステム４
０４１＿ｎは、ネットワーク４０９９を介して互いに接続されている。
乃至ＡＩシステム４０４１＿ｎを有する。ＡＩシステム４０４１＿１乃至ＡＩシステム４
０４１＿ｎは、ネットワーク４０９９を介して互いに接続されている。
【0540】
ネットワーク４０９９は、ＡＩシステム４０４１＿１乃至ＡＩシステム４０４１＿ｎの
それぞれに通信モジュールを設け、無線または有線による通信を行う構成とすればよい。
通信モジュールは、アンテナを介して通信を行うことができる。例えばＷｏｒｌｄ Ｗｉ
ｄｅ Ｗｅｂ（ＷＷＷ）の基盤であるインターネット、イントラネット、エクストラネッ
ト、ＰＡＮ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａ
ｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＣＡＮ（Ｃａｍｐｕｓ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＭＡ
Ｎ（Ｍｅｔｒｏｐｏｌｉｔａｎ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＷＡＮ（Ｗｉｄｅ Ａｒ
ｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＧＡＮ（Ｇｌｏｂａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等のコン
ピュータネットワークに各電子装置を接続させ、通信を行うことができる。無線通信を行
う場合、通信プロトコルまたは通信技術として、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌ
ｕｔｉｏｎ）、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍ
ｕｎｉｃａｔｉｏｎ：登録商標）、ＥＤＧＥ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄａｔａ Ｒａｔｅｓ
ｆｏｒ ＧＳＭ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、ＣＤＭＡ２０００（Ｃｏｄｅ Ｄｉｖｉｓｉ
ｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ ２０００）、Ｗ－ＣＤＭＡ（登録商標）などの
通信規格、またはＷｉ－Ｆｉ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＺｉｇＢ
ｅｅ（登録商標）等のＩＥＥＥにより通信規格化された仕様を用いることができる。
それぞれに通信モジュールを設け、無線または有線による通信を行う構成とすればよい。
通信モジュールは、アンテナを介して通信を行うことができる。例えばＷｏｒｌｄ Ｗｉ
ｄｅ Ｗｅｂ（ＷＷＷ）の基盤であるインターネット、イントラネット、エクストラネッ
ト、ＰＡＮ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａ
ｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＣＡＮ（Ｃａｍｐｕｓ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＭＡ
Ｎ（Ｍｅｔｒｏｐｏｌｉｔａｎ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＷＡＮ（Ｗｉｄｅ Ａｒ
ｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＧＡＮ（Ｇｌｏｂａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等のコン
ピュータネットワークに各電子装置を接続させ、通信を行うことができる。無線通信を行
う場合、通信プロトコルまたは通信技術として、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌ
ｕｔｉｏｎ）、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍ
ｕｎｉｃａｔｉｏｎ：登録商標）、ＥＤＧＥ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄａｔａ Ｒａｔｅｓ
ｆｏｒ ＧＳＭ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、ＣＤＭＡ２０００（Ｃｏｄｅ Ｄｉｖｉｓｉ
ｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ ２０００）、Ｗ－ＣＤＭＡ（登録商標）などの
通信規格、またはＷｉ－Ｆｉ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＺｉｇＢ
ｅｅ（登録商標）等のＩＥＥＥにより通信規格化された仕様を用いることができる。
【0541】
図３０（Ａ）および図３０（Ｂ）の構成とすることで、外部のセンサ等で得られたアナ
ログ信号を別々のＡＩシステムで処理することができる。例えば、生体情報のように、脳
波、脈拍、血圧、体温等といった情報を脳波センサ、脈波センサ、血圧センサ、温度セン
サといった各種センサで取得し、別々のＡＩシステムでアナログ信号を処理することがで
きる。別々のＡＩシステムのそれぞれで信号の処理、または学習を行うことで一つのＡＩ
システムあたりの情報処理量を少なくできる。そのため、より少ない演算量で信号の処理
、または学習を行うことができる。その結果、認識精度を高めることができる。それぞれ
のＡＩシステムで得られた情報から、複雑に変化する生体情報の変化を瞬時に統合的に把
握することができるといったことが期待できる。
ログ信号を別々のＡＩシステムで処理することができる。例えば、生体情報のように、脳
波、脈拍、血圧、体温等といった情報を脳波センサ、脈波センサ、血圧センサ、温度セン
サといった各種センサで取得し、別々のＡＩシステムでアナログ信号を処理することがで
きる。別々のＡＩシステムのそれぞれで信号の処理、または学習を行うことで一つのＡＩ
システムあたりの情報処理量を少なくできる。そのため、より少ない演算量で信号の処理
、または学習を行うことができる。その結果、認識精度を高めることができる。それぞれ
のＡＩシステムで得られた情報から、複雑に変化する生体情報の変化を瞬時に統合的に把
握することができるといったことが期待できる。
【0542】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
ができる。
【0543】
（実施の形態８）
本実施の形態では、上記実施の形態に示すＡＩシステムが組み込まれたＩＣの一例を示
す。
本実施の形態では、上記実施の形態に示すＡＩシステムが組み込まれたＩＣの一例を示
す。
【0544】
上記実施の形態に示すＡＩシステムは、ＣＰＵ等のＳｉトランジスタでなるデジタル処
理回路と、ＯＳトランジスタを用いたアナログ演算回路、ＯＳ－ＦＰＧＡおよびＤＯＳＲ
ＡＭ、ＮＯＳＲＡＭ等のＯＳメモリを、１のダイに集積することができる。
理回路と、ＯＳトランジスタを用いたアナログ演算回路、ＯＳ－ＦＰＧＡおよびＤＯＳＲ
ＡＭ、ＮＯＳＲＡＭ等のＯＳメモリを、１のダイに集積することができる。
【0545】
図３１に、ＡＩシステムを組み込んだＩＣの一例を示す。図３１に示すＡＩシステムＩ
Ｃ７０００は、リード７００１および回路部７００３を有する。ＡＩシステムＩＣ７００
０は、例えばプリント基板７００２に実装される。このようなＩＣチップが複数組み合わ
されて、それぞれがプリント基板７００２上で電気的に接続されることで電子部品が実装
された基板（実装基板７００４）が完成する。回路部７００３には、上記実施の形態で示
した各種の回路が１のダイに設けられている。回路部７００３は、先の実施の形態に示す
ように、積層構造をもち、Ｓｉトランジスタ層７０３１、配線層７０３２、ＯＳトランジ
スタ層７０３３に大別される。ＯＳトランジスタ層７０３３をＳｉトランジスタ層７０３
１に積層して設けることができるため、ＡＩシステムＩＣ７０００の小型化が容易である
。
Ｃ７０００は、リード７００１および回路部７００３を有する。ＡＩシステムＩＣ７００
０は、例えばプリント基板７００２に実装される。このようなＩＣチップが複数組み合わ
されて、それぞれがプリント基板７００２上で電気的に接続されることで電子部品が実装
された基板（実装基板７００４）が完成する。回路部７００３には、上記実施の形態で示
した各種の回路が１のダイに設けられている。回路部７００３は、先の実施の形態に示す
ように、積層構造をもち、Ｓｉトランジスタ層７０３１、配線層７０３２、ＯＳトランジ
スタ層７０３３に大別される。ＯＳトランジスタ層７０３３をＳｉトランジスタ層７０３
１に積層して設けることができるため、ＡＩシステムＩＣ７０００の小型化が容易である
。
【0546】
図３１では、ＡＩシステムＩＣ７０００のパッケージにＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）を適用しているが、パッケージの態様はこれに限定されない。
Ｐａｃｋａｇｅ）を適用しているが、パッケージの態様はこれに限定されない。
【0547】
ＣＰＵ等のデジタル処理回路と、ＯＳトランジスタを用いたアナログ演算回路、ＯＳ－
ＦＰＧＡおよびＤＯＳＲＡＭ、ＮＯＳＲＡＭ等のＯＳメモリは、全て、Ｓｉトランジスタ
層７０３１、配線層７０３２およびＯＳトランジスタ層７０３３に形成することができる
。すなわち、上記ＡＩシステムを構成する素子は、同一の製造プロセスで形成することが
可能である。そのため、本実施の形態に示すＩＣは、構成する素子が増えても製造プロセ
スを増やす必要がなく、上記ＡＩシステムを低コストで組み込むことができる。
ＦＰＧＡおよびＤＯＳＲＡＭ、ＮＯＳＲＡＭ等のＯＳメモリは、全て、Ｓｉトランジスタ
層７０３１、配線層７０３２およびＯＳトランジスタ層７０３３に形成することができる
。すなわち、上記ＡＩシステムを構成する素子は、同一の製造プロセスで形成することが
可能である。そのため、本実施の形態に示すＩＣは、構成する素子が増えても製造プロセ
スを増やす必要がなく、上記ＡＩシステムを低コストで組み込むことができる。
【0548】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
ができる。
【0549】
【0550】
図３２（Ａ）に示すロボット２１００は、演算装置２１１０、照度センサ２１０１、マ
イクロフォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５
、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７、移動機構２１０８を備える。
イクロフォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５
、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７、移動機構２１０８を備える。
【0551】
マイクロフォン２１０２は、使用者の話し声及び環境音等を検知する機能を有する。ま
た、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフ
ォン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとること
が可能である。
た、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフ
ォン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとること
が可能である。
【0552】
ディスプレイ２１０５は、種々の情報の表示を行う機能を有する。ロボット２１００は
、使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレ
イ２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。
、使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレ
イ２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。
【0553】
上部カメラ２１０３および下部カメラ２１０６は、ロボット２１００の周囲を撮像する
機能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１
００が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２
１００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用い
て、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。
機能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１
００が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２
１００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用い
て、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。
【0554】
図３２（Ｂ）に示す飛行体２１２０は、演算装置２１２１と、プロペラ２１２３と、カ
メラ２１２２と、を有し、自律して飛行する機能を有する。
メラ２１２２と、を有し、自律して飛行する機能を有する。
【0555】
飛行体２１２０において、演算装置２１２１およびカメラ２１２２に上記電子部品を用
いることができる。
いることができる。
【0556】
図３２（Ｃ）は、自動車の一例を示す外観図である。自動車２９８０は、カメラ２９８
１等を有する。また、自動車２９８０は、赤外線レーダー、ミリ波レーダー、レーザーレ
ーダーなど各種センサなどを備える。自動車２９８０は、カメラ２９８１が撮影した画像
を解析し、歩行者の有無など、周囲の交通状況を判断し、自動運転を行うことができる。
１等を有する。また、自動車２９８０は、赤外線レーダー、ミリ波レーダー、レーザーレ
ーダーなど各種センサなどを備える。自動車２９８０は、カメラ２９８１が撮影した画像
を解析し、歩行者の有無など、周囲の交通状況を判断し、自動運転を行うことができる。
【0557】
図３２（Ｄ）に、互いに別々の言語で話す複数の人間のコミュニケーションにおいて、
携帯電子機器２１３０に同時通訳を行わせる状況を示す。
携帯電子機器２１３０に同時通訳を行わせる状況を示す。
【0558】
携帯電子機器２１３０は、マイクロフォンおよびスピーカ等を有し、使用者の話し声を
認識してそれを話し相手の話す言語に翻訳する機能を有する。
認識してそれを話し相手の話す言語に翻訳する機能を有する。
【0559】
【0560】
図３３（Ａ）は、ペースメーカの一例を示す断面模式図である。
【0561】
ペースメーカ本体５３００は、バッテリー５３０１ａ、５３０１ｂと、レギュレータと
、制御回路と、アンテナ５３０４と、右心房へのワイヤ５３０２、右心室へのワイヤ５３
０３とを少なくとも有している。
、制御回路と、アンテナ５３０４と、右心房へのワイヤ５３０２、右心室へのワイヤ５３
０３とを少なくとも有している。
【0562】
ペースメーカ本体５３００は手術により体内に設置され、二本のワイヤは、人体の鎖骨
下静脈５３０５及び上大静脈５３０６を通過させて一方のワイヤ先端が右心室、もう一方
のワイヤ先端が右心房に設置されるようにする。
下静脈５３０５及び上大静脈５３０６を通過させて一方のワイヤ先端が右心室、もう一方
のワイヤ先端が右心房に設置されるようにする。
【0563】
また、アンテナ５３０４で電力が受信でき、その電力は複数のバッテリー５３０１ａ、
５３０１ｂに充電され、ペースメーカの交換頻度を少なくすることができる。ペースメー
カ本体５３００は複数のバッテリーを有しているため、安全性が高く、一方が故障したと
してももう一方が機能させることができるため、補助電源としても機能する。
５３０１ｂに充電され、ペースメーカの交換頻度を少なくすることができる。ペースメー
カ本体５３００は複数のバッテリーを有しているため、安全性が高く、一方が故障したと
してももう一方が機能させることができるため、補助電源としても機能する。
【0564】
また、電力を受信できるアンテナ５３０４とは別に、生理信号を送信できるアンテナを
有していてもよく、例えば、脈拍、呼吸数、心拍数、体温などの生理信号を外部のモニタ
装置で確認できるような心臓活動を監視するシステムを構成してもよい。
有していてもよく、例えば、脈拍、呼吸数、心拍数、体温などの生理信号を外部のモニタ
装置で確認できるような心臓活動を監視するシステムを構成してもよい。
【0565】
図３３（Ｂ）に示すセンサ５９００は、接着パッド等を用いて人体に取り付けられる。
センサ５９００は、配線５９３２を介して人体に取り付けられた電極５９３１等に信号を
与えて心拍数、心電図等の生体情報等を取得する。取得された情報は無線信号として、読
み取り器等の端末に送信される。
センサ５９００は、配線５９３２を介して人体に取り付けられた電極５９３１等に信号を
与えて心拍数、心電図等の生体情報等を取得する。取得された情報は無線信号として、読
み取り器等の端末に送信される。
【0566】
図３４は、掃除ロボットの一例を示す模式図である。
【0567】
掃除ロボット５１００は、上面に配置されたディスプレイ５１０１、側面に配置された
複数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されて
いないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。
掃除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾ
センサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット
５１００は、無線による通信手段を備えている。
複数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されて
いないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。
掃除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾ
センサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット
５１００は、無線による通信手段を備えている。
【0568】
掃除ロボット５１００は自走し、ゴミ５１２０を検知し、下面に設けられた吸い込み口
からゴミを吸引することができる。
からゴミを吸引することができる。
【0569】
また、掃除ロボット５１００はカメラ５１０２が撮影した画像を解析し、壁、家具また
は段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブ
ラシ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めること
ができる。
は段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブ
ラシ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めること
ができる。
【0570】
ディスプレイ５１０１には、バッテリーの残量や、吸引したゴミの量などを表示するこ
とができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させて
もよい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディス
プレイ５１０１に設けてもよい。
とができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させて
もよい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディス
プレイ５１０１に設けてもよい。
【0571】
掃除ロボット５１００は、スマートフォンなどの携帯電子機器５１４０と通信すること
ができる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることが
できる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知
ることができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機
器で確認することもできる。
ができる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることが
できる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知
ることができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機
器で確認することもできる。
【0572】
例えば、本発明の一態様の半導体装置を用いた記憶装置は、上述した電子機器の制御情
報や、制御プログラムなどを長期間保持することができる。本発明の一態様に係る半導体
装置を用いることで、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
報や、制御プログラムなどを長期間保持することができる。本発明の一態様に係る半導体
装置を用いることで、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【0573】
また、例えば、上述した電子機器の演算装置などに、先の実施の形態で示したＡＩシス
テムが組み込まれたＩＣを用いることができる。これにより、本実施の形態に示す電子機
器は、ＡＩシステムによって、状況に応じた的確な動作を、低消費電力で行うことができ
る。
テムが組み込まれたＩＣを用いることができる。これにより、本実施の形態に示す電子機
器は、ＡＩシステムによって、状況に応じた的確な動作を、低消費電力で行うことができ
る。
【0574】
本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施すること
が可能である。
が可能である。
【符号の説明】
【0575】
２００：トランジスタ、２００ａ：トランジスタ、２００ｂ：トランジスタ、２０３：導
電体、２０３ａ：導電体、２０３ｂ：導電体、２０５：導電体、２０５ａ：導電体、２０
５ｂ：導電体、２１０：絶縁体、２１２：絶縁体、２１４：絶縁体、２１６：絶縁体、２
１８：導電体、２２０：絶縁体、２２２：絶縁体、２２４：絶縁体、２３０：酸化物、２
３０ａ：酸化物、２３０Ａ：酸化膜、２３０ｂ：酸化物、２３０Ｂ：酸化膜、２３０ｃ：
酸化物、２３０Ｃ：酸化膜、２３１：領域、２３１ａ：領域、２３１ｂ：領域、２３２：
領域、２３２ａ：領域、２３２ｂ：領域、２３４：領域、２３９：領域、２４０：導電体
、２４０ａ：導電体、２４０ｂ：導電体、２４２：導電体、２４２ａ：導電体、２４２Ａ
：導電膜、２４２ｂ：導電体、２４２Ｂ：導電体、２４３：領域、２４３ａ：領域、２４
３ｂ：領域、２４４：絶縁体、２４４Ａ：絶縁体、２４５：開口、２４６：導電体、２４
８：導電体、２５０：絶縁体、２５０ａ：絶縁体、２５０Ａ：絶縁体、２５０ｂ：絶縁体
、２５０Ｂ：絶縁体、２５０Ｃ：絶縁体、２５２：絶縁体、２６０：導電体、２６０ａ：
導電体、２６０Ａ：導電膜、２６０ｂ：導電体、２６０Ｂ：導電膜、２７４：絶縁体、２
８０：絶縁体、２８１：絶縁体、２８２：絶縁体、２８６：絶縁体、
電体、２０３ａ：導電体、２０３ｂ：導電体、２０５：導電体、２０５ａ：導電体、２０
５ｂ：導電体、２１０：絶縁体、２１２：絶縁体、２１４：絶縁体、２１６：絶縁体、２
１８：導電体、２２０：絶縁体、２２２：絶縁体、２２４：絶縁体、２３０：酸化物、２
３０ａ：酸化物、２３０Ａ：酸化膜、２３０ｂ：酸化物、２３０Ｂ：酸化膜、２３０ｃ：
酸化物、２３０Ｃ：酸化膜、２３１：領域、２３１ａ：領域、２３１ｂ：領域、２３２：
領域、２３２ａ：領域、２３２ｂ：領域、２３４：領域、２３９：領域、２４０：導電体
、２４０ａ：導電体、２４０ｂ：導電体、２４２：導電体、２４２ａ：導電体、２４２Ａ
：導電膜、２４２ｂ：導電体、２４２Ｂ：導電体、２４３：領域、２４３ａ：領域、２４
３ｂ：領域、２４４：絶縁体、２４４Ａ：絶縁体、２４５：開口、２４６：導電体、２４
８：導電体、２５０：絶縁体、２５０ａ：絶縁体、２５０Ａ：絶縁体、２５０ｂ：絶縁体
、２５０Ｂ：絶縁体、２５０Ｃ：絶縁体、２５２：絶縁体、２６０：導電体、２６０ａ：
導電体、２６０Ａ：導電膜、２６０ｂ：導電体、２６０Ｂ：導電膜、２７４：絶縁体、２
８０：絶縁体、２８１：絶縁体、２８２：絶縁体、２８６：絶縁体、
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】