知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024163564
(43)【公開日】2024-11-22
(54)【発明の名称】光検出装置
(51)【国際特許分類】
H01L 27/146 20060101AFI20241115BHJP
【ＦＩ】
H01L27/146 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023079299
(22)【出願日】2023-05-12
(71)【出願人】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103850
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 秀▲てつ▼
(74)【代理人】
【識別番号】100114177
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 龍
(74)【代理人】
【識別番号】100066980
【弁理士】
【氏名又は名称】森 哲也
(72)【発明者】
【氏名】中野 拓也
(72)【発明者】
【氏名】丸山 耕大
【テーマコード（参考）】
4M118
【Ｆターム（参考）】
4M118AA10
4M118AB01
4M118BA14
4M118CA03
4M118CA22
4M118FA06
4M118FA38
4M118GA02
4M118GB07
4M118GB11
4M118GC07
4M118GD03
4M118GD04
4M118HA25
4M118HA30
4M118HA31
4M118HA33
(57)【要約】
【課題】バンプ電極とパッド電極との接合性を向上させることが可能な光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置は、画素領域と、画素領域の周辺に位置する周辺領域とを有する第１基板部と、バンプ電極を有する半導体チップと、を備える。第１基板部は、第１半導体層と、画素領域の第１半導体層に設けられた光電変換部と、周辺領域の第１半導体層の一方の面側に設けられたパッド電極と、第１半導体層の一方の面側に設けられた絶縁膜と、を有する。絶縁膜にはパッド電極の上方を開口するパッド開口部が設けられている。バンプ電極は、パッド開口部の開口端の周縁部から離れた状態でパッド電極に接合されている。
【選択図】図３Ｂ
【解決手段】光検出装置は、画素領域と、画素領域の周辺に位置する周辺領域とを有する第１基板部と、バンプ電極を有する半導体チップと、を備える。第１基板部は、第１半導体層と、画素領域の第１半導体層に設けられた光電変換部と、周辺領域の第１半導体層の一方の面側に設けられたパッド電極と、第１半導体層の一方の面側に設けられた絶縁膜と、を有する。絶縁膜にはパッド電極の上方を開口するパッド開口部が設けられている。バンプ電極は、パッド開口部の開口端の周縁部から離れた状態でパッド電極に接合されている。
【選択図】図３Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素領域と、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域とを有する第１基板部と、
バンプ電極を有する半導体チップと、を備え、
前記第１基板部は、
第１半導体層と、
前記画素領域の前記第１半導体層に設けられた光電変換部と、
前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられたパッド電極と、
前記第１半導体層の前記一方の面側に設けられた絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜には前記パッド電極の上方を開口するパッド開口部が設けられており、
前記バンプ電極は、前記パッド開口部の開口端の周縁部から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、光検出装置。
バンプ電極を有する半導体チップと、を備え、
前記第１基板部は、
第１半導体層と、
前記画素領域の前記第１半導体層に設けられた光電変換部と、
前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられたパッド電極と、
前記第１半導体層の前記一方の面側に設けられた絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜には前記パッド電極の上方を開口するパッド開口部が設けられており、
前記バンプ電極は、前記パッド開口部の開口端の周縁部から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、光検出装置。
【請求項2】
前記バンプ電極は、前記パッド開口部の側面から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、請求項１に記載の光検出装置。
【請求項3】
前記開口端の径は、前記パッド電極の径と同じ、又は、前記パッド電極の径よりも小さい、請求項１に記載の光検出装置。
【請求項4】
前記開口端の前記周縁部は、前記パッド電極の表面と面一である、請求項１に記載の光検出装置。
【請求項5】
前記開口端の径は、前記パッド電極の径よりも大きい、請求項１に記載の光検出装置。
【請求項6】
前記パッド開口部は、
前記開口端を含む第１開口部と、
前記第１開口部の底部に連通し、前記パッド電極を底面とする第２開口部とを有し、
前記第１開口部よりも前記第２開口部の方が径が小さい、請求項１に記載の光検出装置。
前記開口端を含む第１開口部と、
前記第１開口部の底部に連通し、前記パッド電極を底面とする第２開口部とを有し、
前記第１開口部よりも前記第２開口部の方が径が小さい、請求項１に記載の光検出装置。
【請求項7】
前記バンプ電極は、前記第１開口部の側面から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、請求項６に記載の光検出装置。
【請求項8】
前記パッド開口部は、
前記第１開口部の底部の一部であって、前記絶縁膜の表面から凹んでいる凹み部を有し、
前記凹み部は、前記第２開口部の周縁の少なくとも一部に設けられている、請求項６に記載の光検出装置。
前記第１開口部の底部の一部であって、前記絶縁膜の表面から凹んでいる凹み部を有し、
前記凹み部は、前記第２開口部の周縁の少なくとも一部に設けられている、請求項６に記載の光検出装置。
【請求項9】
前記開口端の前記周縁部を外周縁部とし、
前記凹み部の前記第２開口部側の端部を内周縁部とすると、
前記内周縁部の厚さは１μｍ以下である、請求項８に記載の光検出装置。
前記凹み部の前記第２開口部側の端部を内周縁部とすると、
前記内周縁部の厚さは１μｍ以下である、請求項８に記載の光検出装置。
【請求項10】
前記開口端の前記周縁部を外周縁部とし、
前記凹み部の前記第２開口部側の端部を内周縁部とすると、
前記内周縁部の側面は、
前記第２開口部の開口端から前記第２開口部の底面に近づくにつれて前記第２開口部の径が小さくなるように、前記第２開口部の底面に対して傾斜又は湾曲している、請求項８に記載の光検出装置。
前記凹み部の前記第２開口部側の端部を内周縁部とすると、
前記内周縁部の側面は、
前記第２開口部の開口端から前記第２開口部の底面に近づくにつれて前記第２開口部の径が小さくなるように、前記第２開口部の底面に対して傾斜又は湾曲している、請求項８に記載の光検出装置。
【請求項11】
前記第１開口部の側面は、
前記第１開口部の底面に近づくにつれて前記第１開口部の径が小さくなるように、前記第１開口部の底面に対して傾斜又は湾曲している、請求項６に記載の光検出装置。
前記第１開口部の底面に近づくにつれて前記第１開口部の径が小さくなるように、前記第１開口部の底面に対して傾斜又は湾曲している、請求項６に記載の光検出装置。
【請求項12】
前記第１基板部の厚さ方向からの平面視で、
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに同一の形状を有する、請求項６に記載の光検出装置。
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに同一の形状を有する、請求項６に記載の光検出装置。
【請求項13】
前記第１基板部の厚さ方向からの平面視で、
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに異なる形状を有する、請求項６に記載の光検出装置。
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに異なる形状を有する、請求項６に記載の光検出装置。
【請求項14】
前記バンプ電極は、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）の合金で構成された合金層を有し、
前記合金層が前記パッド電極に接合されている、請求項１に記載の光検出装置。
前記合金層が前記パッド電極に接合されている、請求項１に記載の光検出装置。
【請求項15】
前記第１基板部は、
前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられた配線、をさらに有し、
前記パッド電極は、
電極膜と、
前記電極膜と前記配線との間に設けられたバリアメタル膜と、を有する、請求項１に記載の光検出装置。
前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられた配線、をさらに有し、
前記パッド電極は、
電極膜と、
前記電極膜と前記配線との間に設けられたバリアメタル膜と、を有する、請求項１に記載の光検出装置。
【請求項16】
前記電極膜は、コバルト（Ｃｏ）膜と、前記コバルト（Ｃｏ）膜上に設けられた銅（Ｃｕ）膜とを含み、
前記バンプ電極は前記銅（Ｃｕ）膜に接合されている、請求項１５に記載の光検出装置。
前記バンプ電極は前記銅（Ｃｕ）膜に接合されている、請求項１５に記載の光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、光検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
入射した光を光電変換する画素部と、信号処理を行う周辺回路部とを別素子（センサ素子及びロジック素子）に分割し、例えば画素部を有するセンサ素子の画素部外の領域にロジック素子をフリップチップ実装する固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－１７１２９７号公報
【特許文献2】特開２０２０－０８０３６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
フリップチップ実装の一形態であるＣｏＷ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｗａｆｅｒ）接合では、例えば、チップに設けられているバンプ電極を、ウェハに設けられているパッド電極に接合する。
【0005】
ウェハ側において、パッド電極の上方を開口するパッド開口部の深さは、集光特性要求や配線構造物配置により、高背化し深くなる傾向がある。パッド開口部の深さが深くなると、バンプ電極をパッド電極に接合する接合工程の初期において、バンプ電極の先端をパッド開口部の底部に位置するパッド電極の表面に接触させることが難しくなり、バンプ電極とパッド電極との接合性が低下する可能性がある。
【0006】
本開示はこのような事情に鑑みてなされたもので、バンプ電極とパッド電極との接合性を向上させることが可能な光検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様に係る光検出装置は、画素領域と、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域とを有する第１基板部と、バンプ電極を有する半導体チップと、を備える。前記第１基板部は、第１半導体層と、前記画素領域の前記第１半導体層に設けられた光電変換部と、前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられたパッド電極と、前記第１半導体層の前記一方の面側に設けられた絶縁膜と、を有する。前記絶縁膜には前記パッド電極の上方を開口するパッド開口部が設けられている。前記バンプ電極は、前記パッド開口部の開口端の周縁部から離れた状態で前記パッド電極に接合されている。
【0008】
これによれば、パッド開口部の開口端の周縁部に沿ってバンプ電極が歪な形状に形成されることを防ぐことができる。これにより、バンプ電極の内部に応力（内部応力）が発生することを抑制することができ、内部応力が原因でバンプ電極にクラックが生じることを抑制することができる。
【0009】
また、バンプ電極をパッド電極に溶融接合する際に、溶融状態のバンプ電極をパッド開口部の側面に接触させることなく、パッド電極に平行な水平方向に広げることが容易となる。これにより、バンプ電極の高さを低くすることができ、半導体チップとパッド電極との間の物理的距離を縮めることができる。
【0010】
以上から、バンプ電極とパッド電極との接合性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下において、図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下の説明で参照する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【0013】
以下の説明における上下等の方向の定義は、単に説明の便宜上の定義であって、本開示の技術的思想を限定するものではない。例えば、対象を９０°回転して観察すれば上下は左右に変換して読まれ、１８０°回転して観察すれば上下は反転して読まれることは勿論である。
【0014】
以下の説明では、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の文言を用いて、方向を説明する場合がある。例えば、Ｚ軸方向は、後述する撮像装置１、１Ａ、１Ｂの厚さ方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、Ｚ軸方向と直交する方向である。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は、互いに直交する。
以下の説明で、平面視とは、Ｚ軸方向から見ることを意味する。
以下の説明で、平面視とは、Ｚ軸方向から見ることを意味する。
【0015】
＜実施形態１＞
（撮像装置の全体構成）
図１は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の構成例を示す断面図である。図２は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の構成例を示す平面図である。なお、図１は、図２に示す平面図をＡ－Ａ´線で切断した断面を示している。また、図２では、図１に示すロジックチップ５０の図示を省略している。
（撮像装置の全体構成）
図１は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の構成例を示す断面図である。図２は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の構成例を示す平面図である。なお、図１は、図２に示す平面図をＡ－Ａ´線で切断した断面を示している。また、図２では、図１に示すロジックチップ５０の図示を省略している。
【0016】
図１及び図２に示す撮像装置１は、本開示の「光検出装置」の一例である。撮像装置１は、例えば、裏面照射型（裏面受光型）のＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサであり、センサ素子１０（本開示の「第１基板部」の一例）上に、信号処理を行う各種の信号処理回路を有するロジックチップ５０（本開示の「半導体チップ」の一例）がフリップチップ実装された積層型の撮像装置である。
【0017】
（センサ素子）
図１及び図２に示すように、センサ素子１０は、シリコン基板１１（本開示の「第１半導体層」の一例）に複数の光電変換部１２が２次元配列されてなる画素領域（すなわち、受光領域）１００Ａと、画素領域１００Ａの周辺に設けられた周辺領域１００Ｂとを有する。センサ素子１０は、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１（本開示の「一方の面」の一例）が光入射面となっており、シリコン基板１１の表面１１Ｓ２に多層配線層２０が設けられている。ロジックチップ５０は、センサ素子１０の周辺領域１００Ｂにおいて、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられたパッド電極３４（本開示の「パッド電極」の一例）を介して実装されている。
図１及び図２に示すように、センサ素子１０は、シリコン基板１１（本開示の「第１半導体層」の一例）に複数の光電変換部１２が２次元配列されてなる画素領域（すなわち、受光領域）１００Ａと、画素領域１００Ａの周辺に設けられた周辺領域１００Ｂとを有する。センサ素子１０は、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１（本開示の「一方の面」の一例）が光入射面となっており、シリコン基板１１の表面１１Ｓ２に多層配線層２０が設けられている。ロジックチップ５０は、センサ素子１０の周辺領域１００Ｂにおいて、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられたパッド電極３４（本開示の「パッド電極」の一例）を介して実装されている。
【0018】
パッド電極３４は、例えば、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１上に設けられた配線３３（本開示の「配線」の一例）と、シリコン基板１１を貫通する貫通ビア１３とを介して、シリコン基板１１の表面１１Ｓ２側に設けられた多層配線層２０を構成する配線２２に電気的に接続されている。
【0019】
撮像装置１では、センサ素子１０の周辺領域１００Ｂにおいて、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に外部基板（図示せず）との接続に用いられるパッド電極３６がさらに設けられている。パッド電極３４とパッド電極３６とは、例えば、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１上に設けられた配線３３のみを介して電気的に接続されている。
【0020】
または、図１には示さないが、パッド電極３４とパッド電極３６とは、例えば、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１上に設けられた配線３３と、シリコン基板１１を貫通する貫通ビア１３と、シリコン基板１１の表面１１Ｓ２側に設けられた多層配線層２０を構成する配線２２とによって電気的に接続されていてもよい。
【0021】
（画素領域）
画素領域１００Ａには、単位画素Ｐ（例えば、後述の図２６参照）毎に、それぞれ異なる波長域の光を選択的に検出して光電変換を行う光電変換部１２が設けられている。光電変換部１２は、シリコン基板１１の厚み方向（図１ではＺ軸方向）に形成された、例えばｎ型半導体領域であり、シリコン基板１１の表面１１Ｓ２に設けられたｐ型半導体領域とのｐｎ接合型のフォトダイオード（ＰＤ）によって構成されている。光電変換部１２は、例えば、単位画素Ｐごとにシリコン基板１１に埋設形成されている。
画素領域１００Ａには、単位画素Ｐ（例えば、後述の図２６参照）毎に、それぞれ異なる波長域の光を選択的に検出して光電変換を行う光電変換部１２が設けられている。光電変換部１２は、シリコン基板１１の厚み方向（図１ではＺ軸方向）に形成された、例えばｎ型半導体領域であり、シリコン基板１１の表面１１Ｓ２に設けられたｐ型半導体領域とのｐｎ接合型のフォトダイオード（ＰＤ）によって構成されている。光電変換部１２は、例えば、単位画素Ｐごとにシリコン基板１１に埋設形成されている。
【0022】
シリコン基板１１には、さらに、表面１１Ｓ２近傍に、光電変換部１２で発生した信号電荷を蓄積する電荷蓄積部や、電荷蓄積部に信号電荷を転送する転送トランジスタ（ＴＧ）が設けられている。シリコン基板１１の表面１１Ｓ２近傍には、転送トランジスタ（ＴＧ）と共に、例えばリセットトランジスタ（ＲＳＴ）、増幅トランジスタ（ＡＭＰ）及び選択トランジスタ（ＳＥＬ）などが設けられている。
【0023】
このようなトランジスタは例えばＭＯＳＥＦＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、単位画素Ｐごとに回路を構成する。各回路は、例えば転送トランジスタ（ＴＧ）、リセットトランジスタ（ＲＳＴ）及び増幅トランジスタ（ＡＭＰ）を含む３トランジスタ構成であってもよく、あるいはこれに選択トランジスタ（ＳＥＬ）が加わった４トランジスタ構成であってもよい。転送トランジスタ（ＴＧ）以外のトランジスタは、画素間で共有することも可能である。
【0024】
画素領域１００Ａには、シリコン基板１１の受光面（裏面１１Ｓ１）側に、例えば、層間絶縁膜３１（本開示の「絶縁膜」の一例）、インナーレンズ３７Ｌ、平坦化層３８、保護層４０、カラーフィルタ４１及びオンチップレンズ４２Ｌがこの順に設けられている。インナーレンズ３７Ｌ、カラーフィルタ４１及びオンチップレンズ４２Ｌは、それぞれ、例えば各単位画素Ｐに設けられた光電変換部１２と対向配置されている。
【0025】
層間絶縁膜３１、インナーレンズ３７Ｌ、平坦化層３８、保護層４０、カラーフィルタ４１及びオンチップレンズ４２Ｌは、それぞれ、例えば光透過性を有する材料により構成されている。具体的には、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）及び酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などのうちのいずれかよりなる単層膜、あるいはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜により構成されている。
【0026】
各単位画素Ｐの間には、画素分離部３５、３９が設けられている。画素分離部３５は層間絶縁膜３１に、画素分離部３９は平坦化層３８にそれぞれ設けられており、互いに接続されている。画素分離部３５、３９は、例えば、タングステン（Ｗ）などの遮光性を有する材料を用いて形成されている。
【0027】
（周辺領域）
周辺領域１００Ｂには、例えば、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に、例えば、層間絶縁膜３１、インナーレンズ層３７、平坦化層３８、保護層４０及びオンチップレンズ層４２がこの順に積層されている。インナーレンズ層３７及びオンチップレンズ層４２は、それぞれ、画素領域１００Ａに設けられたインナーレンズ３７Ｌ及びオンチップレンズ４２Ｌから延在するものである。
周辺領域１００Ｂには、例えば、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に、例えば、層間絶縁膜３１、インナーレンズ層３７、平坦化層３８、保護層４０及びオンチップレンズ層４２がこの順に積層されている。インナーレンズ層３７及びオンチップレンズ層４２は、それぞれ、画素領域１００Ａに設けられたインナーレンズ３７Ｌ及びオンチップレンズ４２Ｌから延在するものである。
【0028】
周辺領域１００Ｂには、センサ素子１０上にロジックチップ５０を実装するための、例えば４つのパッド電極３４（図１では、そのうち２つを図示）と、外部基板との接続に用いられる、例えば１つのパッド電極３６とがそれぞれ設けられている。
【0029】
詳細は後述するが、パッド電極３４、３６は、例えば、層間絶縁膜３１と平坦化層３８との間に設けられている。層間絶縁膜３１内には、例えば、パッド電極３４とパッド電極３６とを電気的に接続する配線３３が設けられている。更に、層間絶縁膜３１内には、例えば画素領域１００Ａと周辺領域１００Ｂとの間に、例えば、タングステン（Ｗ）などの遮光性を有する導電性材料からなる遮光膜３２が設けられていてもよい。
【0030】
シリコン基板１１には、例えば、裏面１１Ｓ１と表面１１Ｓ２との間を貫通する貫通ビア１３が設けられている。貫通ビア１３は、例えばパッド電極３４、３６毎に設けられている。例えば図２に示すように、４つのパッド電極３４は、配線３３を介して、貫通ビア１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ａ３、１３Ａ４にそれぞれ接続されている。
【0031】
配線３３は、例えば、銅（Ｃｕ）又はＣｕ合金で構成されている。配線３３の厚さは、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。配線３３は、Ｃｕ又はＣｕ合金で構成されているため、アルミニウム（Ａｌ）又はＡｌ合金で構成される場合と比べて、厚さを十分に薄くする（例えば、１／１０以下にする）ことが可能である。これにより、センサ素子１０の低背化が可能であり、ひいては撮像装置１の低背化が可能である。
【0032】
なお、本開示の実施形態において、配線３３を構成する材料は、Ｃｕ又はＣｕ合金に限定されるものではない。例えば、厚さを考慮しないのであれば、配線３３はＡｌ又はＡｌ合金で構成されていてもよい。
【0033】
パッド電極３４上の絶縁膜３８Ａ、インナーレンズ層３７、平坦化層３８、保護層４０及びオンチップレンズ層４２には、パッド電極３４を露出させるパッド開口部Ｈ１１（本開示の「パッド開口部」の一例）が設けられている。
【0034】
パッド電極３６は、外部基板との接続に用いられるものであり、例えば、層間絶縁膜３１上に設けられている。パッド電極３６上のインナーレンズ層３７、平坦化層３８、保護層４０及びオンチップレンズ層４２には、パッド電極３６を露出させる開口部Ｈ１２が設けられている。
【0035】
更に、パッド電極３６は、例えばパッド電極３４と同等の高さに設けられていることが望ましい。ここで、同等とは、例えば、パッド電極３４及びパッド電極３６の下面の高さの差が、パッド電極３４及びパッド電極３６の一方が設けられた絶縁層の厚み以下であるものとする。これにより、パッド電極３４及びパッド電極３６の加工が容易となる。
【0036】
シリコン基板１１の表面１１Ｓ２上には、絶縁層２１と配線２２とからなる多層配線層２０が設けられている。絶縁層２１は、例えば、絶縁層２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅからなる。配線２２は、各絶縁層２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅの間にそれぞれ設けられた配線２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄからなる。シリコン基板１１を貫通する貫通ビア１３は、一方がシリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられたパッド電極３４に接続された配線３３と接続されており、他方がシリコン基板１１の表面１１Ｓ２側に設けられた配線２２Ａと接続されている。
【0037】
（ロジックチップ）
ロジックチップ５０は、信号処理を行う各種の信号処理回路が形成されたものである。ロジックチップ５０には、例えば、バンプ電極５５（本開示の「バンプ電極」の一例）が下面に設けられている。本実施の形態では、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられ、複数のパッド開口部Ｈ１１を介してそれぞれ露出された複数のパッド電極３４上に、ロジックチップ５０のバンプ電極５５が接合されている。
ロジックチップ５０は、信号処理を行う各種の信号処理回路が形成されたものである。ロジックチップ５０には、例えば、バンプ電極５５（本開示の「バンプ電極」の一例）が下面に設けられている。本実施の形態では、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられ、複数のパッド開口部Ｈ１１を介してそれぞれ露出された複数のパッド電極３４上に、ロジックチップ５０のバンプ電極５５が接合されている。
【0038】
（パッド電極及びバンプ電極とその周辺部の構成例）
図３Ａは、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の一部であって、センサ素子１０のパッド電極３４と、パッド電極３４に接合される直前（すなわち、初期状態）のロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。図３Ｂは、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の一部であって、センサ素子１０のパッド電極３４と、パッド電極３４に接合した後のロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。
図３Ａは、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の一部であって、センサ素子１０のパッド電極３４と、パッド電極３４に接合される直前（すなわち、初期状態）のロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。図３Ｂは、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の一部であって、センサ素子１０のパッド電極３４と、パッド電極３４に接合した後のロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。
【0039】
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、バンプ電極５５は、パッド電極３４に接合される前の初期状態だけでなく、接合された後においても、パッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧから離れている。バンプ電極５５と、パッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧは非接触構造となっている。
【0040】
例えば、図３Ａに示すように、バンプ電極５５の初期状態における径をＲ５５とする。また、図３Ｂに示すように、バンプ電極５５の接合後の径をＲ５５´とする。バンプ電極５５の径Ｒ５５、Ｒ５５´は、いずれも、パッド開口部Ｈ１１の開口端の径ＲＨ１１よりも小さい。これにより、バンプ電極５５の先端をパッド電極３４の予め設定された位置（例えば、平面視でパッド電極３４の中央部）に接触させたときに、バンプ電極５５は、パッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧと、パッド開口部Ｈ１１の側面Ｈ１１ｃとに接触しない。
【0041】
また、この状態でリフローを行い、バンプ電極５５をパッド電極３４に接合する。接合後においても、バンプ電極５５は周縁部ＦＲＧ及び側面Ｈ１１ｃから離れており、接触しない。バンプ電極５５と周縁部ＦＲＧとの間、及び、バンプ電極５５と側面Ｈ１１ｃとの間は、接合工程の初期だけでなく、接合後においても離間しており、スペースＳが確保されている。
【0042】
なお、リフローとは、ロジックチップ５０のバンプ電極５５の先端をセンサ素子１０のパッド電極３４に接触させた状態で、センサ素子１０及びロジックチップ５０を含む基板をリフロー炉と呼ばれる熱処理装置内に配置し、リフロー炉内でバンプ電極５５の少なくとも一部（例えば、後述の合金層５１）を溶融させて、バンプ電極５５をパッド電極３４に接合させる工程である。
【0043】
パッド電極３４は、例えば、電極膜と、電極膜と配線３３との間に設けられたバリアメタルＢＭとを有する。電極膜は、例えばコバルト（Ｃｏ）膜３４１と、Ｃｏ膜３４１上に設けられた銅（Ｃｕ）膜３４２とを含む。バンプ電極５５はＣｕ膜３４２に接合されており、Ｃｕ膜３４２等を含むパッド電極３４を介して、配線３３に電気的に接続されている。
【0044】
バンプ電極５５は、例えば錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）の合金で構成された合金層５１と、Ｎｉ層５２とを有する。合金層５１がパッド電極３４のＣｕ膜３４２に接合されている。
【0045】
図４は、本開示の実施形態１に係るセンサ素子１０のパッド開口部Ｈ１１と、その周辺部の構成例（その１）を示す平面図である。図４に示すように、パッド開口部Ｈ１１のＺ軸方向からの平面視による形状（以下、平面形状という）は、例えば正円形である。この場合、この正円形の直径が、上記の径ＲＨ１１に相当する。
【0046】
構成例１では、パッド開口部Ｈ１１の径ＲＨ１１は、パッド電極３４のＣｕ膜３４２の径Ｒ３４２と同じ、又は、径Ｒ３４よりも小さい。Ｃｕ膜３４２の平面形状は、例えば正方形である。この正方形の一辺の長さが、Ｃｕ膜３４２の径Ｒ３４２に相当する。
【0047】
正円形のパッド開口部Ｈ１１の底面がパッド電極３４のＣｕ膜３４２となっており、この底面のＣｕ膜３４２にバンプ電極５５（例えば図３Ａ、図３Ｂ参照）が接合される。なお、図４をＢ－Ｂ´線で切断した断面が、図３Ａ、図３Ｂに示すパッド開口部Ｈ１１とその周辺部の断面に対応している。
【0048】
本開示の実施形態において、パッド開口部Ｈ１１の平面形状は正円形に限定されない。図５は、本開示の実施形態１に係るセンサ素子１０のパッド開口部Ｈ１１と、その周辺部の構成例（その２）を示す平面図である。図５に示すように、パッド開口部Ｈ１１の平面形状は、正方形であってもよい。この場合、この正方形の一辺の長さが、上記の径ＲＨ１１に相当する。
【0049】
この構成例２においても、図４に示した構成例１と同様に、パッド電極３４のＣｕ膜３４２の径Ｒ３４２よりも、パッド開口部Ｈ１１の径ＲＨ１１の方が小さい。
【0050】
正方形のパッド開口部Ｈ１１の底面がパッド電極３４のＣｕ膜３４２となっており、この底面のＣｕ膜３４２にバンプ電極５５（例えば図３Ａ、図３Ｂ参照）が接合される。なお、図５をＣ－Ｃ´線で切断した断面が、上記の図３Ａ、図３Ｂに示すパッド開口部Ｈ１１とその周辺部の断面に対応している。
【0051】
（実施形態１の効果）
以上説明したように、本開示の実施形態１に係る撮像装置１は、画素領域１００Ａと、画素領域１００Ａの周辺に位置する周辺領域１００Ｂとを有するセンサ素子１０と、バンプ電極５５を有するロジックチップ５０と、を備える。センサ素子１０は、シリコン基板１１と、画素領域１００Ａのシリコン基板１１に設けられた光電変換部１２と、周辺領域１００Ｂのシリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられたパッド電極３４と、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられた層間絶縁膜３１と、を有する。層間絶縁膜３１にはパッド電極３４の上方を開口するパッド開口部Ｈ１１が設けられている。バンプ電極５５は、パッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧから離れた状態でパッド電極３４に接合されている。
以上説明したように、本開示の実施形態１に係る撮像装置１は、画素領域１００Ａと、画素領域１００Ａの周辺に位置する周辺領域１００Ｂとを有するセンサ素子１０と、バンプ電極５５を有するロジックチップ５０と、を備える。センサ素子１０は、シリコン基板１１と、画素領域１００Ａのシリコン基板１１に設けられた光電変換部１２と、周辺領域１００Ｂのシリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられたパッド電極３４と、シリコン基板１１の裏面１１Ｓ１側に設けられた層間絶縁膜３１と、を有する。層間絶縁膜３１にはパッド電極３４の上方を開口するパッド開口部Ｈ１１が設けられている。バンプ電極５５は、パッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧから離れた状態でパッド電極３４に接合されている。
【0052】
これによれば、例えば溶融前のバンプ電極５５（例えば、図３Ａ参照）をパッド電極３４上に配置する接合工程の初期において、バンプ電極５５をパッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧに接触させずに、バンプ電極５５の先端をパッド電極３４の表面に接触させることが可能である。センサ素子１０の高背化が進展し、パッド開口部Ｈ１１の深さが深くなる場合でも、バンプ電極５５の先端をパッド電極３４の表面に接触させることが容易となる。
【0053】
バンプ電極５５の先端をパッド電極３４の表面に接触させて溶融接合する際に、バンプ電極５５は、パッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧから離れている（すなわち、非接触である）。溶融状態のバンプ電極５５は、周縁部ＦＲＧと非接触を維持したまま冷却、固化されるため、周縁部ＦＲＧに沿ってバンプ電極５５が歪な形状に形成されることを防ぐことができる。これにより、バンプ電極５５の内部に応力（内部応力）が発生することを抑制することができ、内部応力が原因でバンプ電極５５にクラックが生じることを抑制することができる。
【0054】
溶融状態のバンプ電極５５をパッド開口部Ｈ１１の側面Ｈ１１ｃに接触させることなく、パッド電極３４に平行な水平方向に広げることが容易となる。これにより、バンプ電極５５の高さを低くすることができる。バンプ電極５５の高さを低くすることで、ロジックチップ５０とパッド電極３４との間の物理的距離を縮めることができる。
【0055】
溶融状態のバンプ電極５５は少なくともパッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧから離れている。より好ましくは、溶融状態のバンプ電極５５は、周縁部ＦＲＧだけでなく、パッド開口部Ｈ１１の側面Ｈ１１ｃからも離れている。これにより、溶融状態のバンプ電極５５は、周縁部ＦＲＧや側面Ｈ１１ｃと接触する場合と比べて、空気との接触界面が増えるので、表面張力を強くすることができる。これにより、バンプ電極５５の高さをさらに低くすることができ、ロジックチップ５０とパッド電極３４との間の物理的距離をさらに縮めることができる。
【0056】
表面張力について、より詳しく説明する。溶融状態のバンプ電極５５がパッド電極３４と接触すると表面張力が働き、収縮・反発する力が釣り合う状態でバンプ電極５５とパッド電極３４に合金層（図示せず）が形成される。バンプ電極５５と周縁部ＦＲＧとが非接触となることで、水平方向に合金層（図示せず）の形成が進み、ロジックチップ５０とパッド電極３４との距離が縮まる。この距離が縮まった状態では、バンプ電極５５が押し潰される方向に表面張力が作用し、バンプ電極５５とパッド電極３４との接合性が向上する。
【0057】
ロジックチップ５０全体の現象として、ロジックチップ５０とパッド電極３４との距離が縮まると、バンプ電極５５とパッド電極３４との総接触面積が増え、バンプ電極５５毎に表面張力が働くため、ロジックチップ５０をセンサ素子１０に接合し易くなる。
【0058】
例えば、バンプ電極５５をパッド電極３４に溶融接合する際に、ロジックチップ５０に変形、歪みが生じた場合でも、ロジックチップ５０全体の現象として、バンプ電極５５毎に表面張力が働き、バンプ電極５５毎に接合性が向上する。これにより、ロジックチップ５０に変形、歪みが生じた場合でも、この変形、歪みに対する追従性が向上するため、ロジックチップ５０をセンサ素子１０に接合し易くなる。
【0059】
以上から、バンプ電極５５とパッド電極３４との接合性を向上させることが可能である。
【0060】
（実施形態１の変形例）
（１）変形例１
図６は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の変形例１を示す断面図である。図６に示すように、撮像装置１において、パッド開口部Ｈ１１（例えば、図３Ａ、図３Ｂ参照）の高さはゼロ（０）であり、パッド電極３４の表面は層間絶縁膜３１の表面３１ａと面一であってもよい。この変形例１では、バリアメタルＢＭ、Ｃｏ膜３４１及びＣｕ膜３４２を含むパッド電極３４の直上がパッド開口部Ｈ１１に相当する。
（１）変形例１
図６は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の変形例１を示す断面図である。図６に示すように、撮像装置１において、パッド開口部Ｈ１１（例えば、図３Ａ、図３Ｂ参照）の高さはゼロ（０）であり、パッド電極３４の表面は層間絶縁膜３１の表面３１ａと面一であってもよい。この変形例１では、バリアメタルＢＭ、Ｃｏ膜３４１及びＣｕ膜３４２を含むパッド電極３４の直上がパッド開口部Ｈ１１に相当する。
【0061】
この変形例１では、初期状態のバンプ電極５５の径Ｒ５５（または、接合後のバンプ電極の径Ｒ５５´）よりも、パッド電極３４のＣｕ膜３４２の径Ｒ３４２の方が大きい。また、Ｃｕ膜３４２の径Ｒ３４２よりも、パッド開口部Ｈ１１（すなわち、パッド電極３４の直上）の径ＲＨ１１の方が大きい。
【0062】
このような態様であっても、周縁部ＦＲＧに沿ってバンプ電極５５が歪な形状に形成されることを防ぐことができる。これにより、バンプ電極５５に内部応力が発生することを抑制することができ、内部応力が原因でバンプ電極５５にクラックが生じることを抑制することができる。
【0063】
溶融状態のバンプ電極５５をパッド開口部Ｈ１１の側面Ｈ１１ｃに接触させることなく、パッド電極３４に平行な水平方向に広げることができる。これにより、バンプ電極５５の高さを低くすることができる。バンプ電極５５の高さを低くすることで、ロジックチップ５０とパッド電極３４との間の物理的距離を縮めることができる。
【0064】
上記の実施形態１と同様に、この変形例１においても、バンプ電極５５とパッド電極３４との接合性を向上させることが可能である。
【0065】
（２）変形例２
図７は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の変形例２を示す断面図である。図７に示すように、撮像装置１の変形例２では、パッド開口部Ｈ１１の高さはゼロ（０）よりも大きい。変形例２のパッド開口部Ｈ１１は、図３Ａ、図３Ｂに示した実施形態１の構成例と同様に、深さを有する。
図７は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１の変形例２を示す断面図である。図７に示すように、撮像装置１の変形例２では、パッド開口部Ｈ１１の高さはゼロ（０）よりも大きい。変形例２のパッド開口部Ｈ１１は、図３Ａ、図３Ｂに示した実施形態１の構成例と同様に、深さを有する。
【0066】
この変形例２では、上記の変形例１と同様に、初期状態のバンプ電極５５の径Ｒ５５（または、接合後のバンプ電極の径Ｒ５５´）よりも、パッド電極３４のＣｕ膜３４２の径Ｒ３４２の方が大きい。また、Ｃｕ膜３４２の径Ｒ３４２よりも、パッド開口部Ｈ１１（すなわち、パッド電極３４の直上）の径ＲＨ１１の方が大きい。これにより、パッド開口部Ｈ１１の底面の一部が層間絶縁膜３１で構成されている。パッド開口部Ｈ１１の開口端の周縁部ＦＲＧは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に平行な水平方向において、Ｃｕ膜３４２の端部よりも外側（すなわち、Ｃｕ膜３４２の中心部から遠い側）に位置する。
【0067】
このような態様であれば、上記の実施形態１と比べて、パッド開口部Ｈ１１の側面Ｈ１１ｃとバンプ電極５５との間のスペースＳをさらに広げることができる。これにより、溶融状態のバンプ電極５５をパッド開口部Ｈ１１の側面Ｈ１１ｃに接触させることなく、パッド電極３４に平行な水平方向に広げることがさらに容易となる。
【0068】
上記の実施形態１と同様に、この変形例２においても、バンプ電極５５とパッド電極３４との接合性を向上させることが可能である。
【0069】
＜実施形態２＞
本開示の実施形態において、複数のパッド開口部Ｈ１１の各々は、複数の開口部で構成されていてもよい。
（構成例）
図８Ａは、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの一部であって、センサ素子１０のパッド電極３４と、パッド電極３４に接合される直前の（すなわち、初期状態の）ロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。図８Ｂは、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの一部であって、センサ素子１０のパッド電極３４と、パッド電極３４に接合した後のロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。図９は、本開示の実施形態２に係るパッド開口部Ｈ１１Ａの構成例を示す断面図である。
本開示の実施形態において、複数のパッド開口部Ｈ１１の各々は、複数の開口部で構成されていてもよい。
（構成例）
図８Ａは、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの一部であって、センサ素子１０のパッド電極３４と、パッド電極３４に接合される直前の（すなわち、初期状態の）ロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。図８Ｂは、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの一部であって、センサ素子１０のパッド電極３４と、パッド電極３４に接合した後のロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。図９は、本開示の実施形態２に係るパッド開口部Ｈ１１Ａの構成例を示す断面図である。
【0070】
図８Ａから図９に示すように、実施形態２に係るパッド開口部Ｈ１１Ａは、開口端（図中では、上端）の周縁部ＦＲＧを含む第１開口部Ｈ１１１と、第１開口部Ｈ１１１に連通し、パッド電極３４のＣｕ膜３４２を底面とする第２開口部Ｈ１１２とを有する。第１開口部Ｈ１１１よりも第２開口部Ｈ１１２の方が径が小さい。第１開口部Ｈ１１１の径をＲＨ１１１とし、第２開口部Ｈ１１２の径をＲＨ１１２とすると、径ＲＨ１１１よりも径ＲＨ１１２の方が小さい。
【0071】
パッド開口部Ｈ１１Ａの開口端の周縁部ＦＲＧを外周縁部とすると、パッド開口部Ｈ１１Ａは、第２開口部Ｈ１１２の周縁に設けられた内周縁部ＦＲＧ２を有する。内周縁部ＦＲＧ２は、第１開口部Ｈ１１１の底面とパッド電極３４の表面（すなわち、Ｃｕ膜３４２）との間であって、第２開口部Ｈ１１２の少なくとも一部に設けられている。実施形態２では、後述の図１０に示すように、Ｚ軸方向からの平面視で、第２開口部Ｈ１１２の周縁全てに内周縁部ＦＲＧ２が設けられている。
【0072】
図１０は、本開示の実施形態２に係るセンサ素子１０Ａのパッド開口部Ｈ１１Ａと、その周辺部の構成例を示す平面図である。図１０は、第１開口部Ｈ１１１と第２開口部Ｈ１１２とが互いに異なる平面形状を有する場合を例示している。図１０に示すように、パッド開口部Ｈ１１Ａのうち、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は、例えば正方形である。この場合、この正円形の直径が、上記の径ＲＨ１１１に相当する。また、パッド開口部Ｈ１１Ａのうち、第２開口部Ｈ１１２の平面形状は、例えば正円形である。この場合、この正円形の直径が、上記の径ＲＨ１１２に相当する。
【0073】
正円形の第２開口部Ｈ１１２の底面がパッド電極３４のＣｕ膜３４２となっており、この底面のＣｕ膜３４２にバンプ電極５５（例えば図８Ａ、８Ｂ参照）が接合される。
【0074】
第１開口部Ｈ１１１の底部のうち、第２開口部Ｈ１１２が設けられていない領域は、層間絶縁膜３１で構成されている。この領域は、層間絶縁膜３１の表面３１ａから凹んでいるため、凹み部３１１と呼称してもよい。凹み部３１１のうち、第２開口部Ｈ１１２側の端部が内周縁部ＦＲＧ２である。実施形態２では、内周縁部ＦＲＧ２を含む凹み部３１１が、第２開口部Ｈ１１１の周縁全てに設けられている。なお、図１０をＤ－Ｄ´線で切断した断面が、図８Ａ、図８Ｂ、図９に示すパッド開口部Ｈ１１Ａとその周辺部の断面に対応している。
【0075】
図８Ａに示すように、バンプ電極５５の接合直前（すなわち、初期状態）の径Ｒ５５と、バンプ電極５５の接合後の径Ｒ５５´は、いずれも、第１開口部Ｈ１１１の開口端の径ＲＨ１１１よりも小さい。これにより、バンプ電極５５の先端をパッド電極３４の予め設定された位置（例えば、平面視でパッド電極３４の中央部）に接触させたときに、バンプ電極５５は、第１開口部Ｈ１１１の開口端の外周縁部ＦＲＧと、第１開口部Ｈ１１１の側面Ｈ１１１ｃとに接触しない。
【0076】
この状態でリフローを行い、バンプ電極５５をパッド電極３４に接合する。接合後においても、バンプ電極５５は外周縁部ＦＲＧと側面Ｈ１１１ｃとから離れており、接触しない。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとの間、及び、バンプ電極５５と側面Ｈ１１１ｃとの間は、接合工程の初期だけでなく、接合後においても離間しており、スペースＳが確保されている。
【0077】
（実施形態２の効果）
実施形態２に係る撮像装置１Ａにおいて、バンプ電極５５は、パッド開口部Ｈ１１の少なくとも外周縁部ＦＲＧから離れた状態でパッド電極３４に接合されている。これにより、撮像装置１Ａは、実施形態１に係る撮像装置１と同様の効果を奏する。
実施形態２に係る撮像装置１Ａにおいて、バンプ電極５５は、パッド開口部Ｈ１１の少なくとも外周縁部ＦＲＧから離れた状態でパッド電極３４に接合されている。これにより、撮像装置１Ａは、実施形態１に係る撮像装置１と同様の効果を奏する。
【0078】
すなわち、溶融前のバンプ電極５５（例えば、図８Ａ参照）をパッド電極３４上に配置する接合工程の初期において、バンプ電極５５をパッド開口部Ｈ１１Ａの外周縁部ＦＲＧに接触させずに、バンプ電極５５の先端をパッド電極３４の表面に接触させることが可能である。センサ素子１０Ａの高背化が進展し、パッド開口部Ｈ１１Ａの深さが深くなる場合でも、バンプ電極５５の先端をパッド電極３４の表面に接触させることが容易となる。
【0079】
バンプ電極５５の先端をパッド電極３４の表面に接触させて溶融接合する際に、バンプ電極５５は、パッド開口部Ｈ１１Ａの外周縁部ＦＲＧから離れている（すなわち、非接触である）。溶融状態のバンプ電極５５は、外周縁部ＦＲＧと非接触を維持したまま冷却、固化されるため、バ外周縁部ＦＲＧに沿ってンプ電極５５が歪な形状に形成されることを防ぐことができる。これにより、バンプ電極５５の内部に応力（内部応力）が発生することを抑制することができ、内部応力が原因でバンプ電極５５にクラックが生じることを抑制することができる。
【0080】
溶融状態のバンプ電極５５を第１開口部Ｈ１１１の側面Ｈ１１１ｃに接触させることなく、パッド電極３４に平行な水平方向に広げることが容易となる。これにより、バンプ電極５５の高さを低くすることができる。バンプ電極５５の高さを低くすることで、ロジックチップ５０とパッド電極３４との間の物理的距離を縮めることができる。
【0081】
溶融状態のバンプ電極５５は少なくともパッド開口部Ｈ１１の外周縁部ＦＲＧから離れている。より好ましくは、溶融状態のバンプ電極５５は、外周縁部ＦＲＧだけでなく、第１開口部Ｈ１１１の側面Ｈ１１１ｃからも離れている。これにより、溶融状態のバンプ電極５５は、外周縁部ＦＲＧや側面Ｈ１１１ｃと接触する場合と比べて、空気との接触界面が増えるので、表面張力を強くすることができる。これにより、バンプ電極５５の高さをさらに低くすることができ、ロジックチップ５０とパッド電極３４との間の物理的距離をさらに縮めることができる。
【0082】
表面張力についての詳しい説明は、実施形態１と同様である。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとが非接触となることで、水平方向に合金層（図示せず）の形成が進み、ロジックチップ５０とパッド電極３４との距離が縮まる。この距離が縮まった状態では、バンプ電極５５が押し潰される方向に表面張力が作用し、バンプ電極５５とパッド電極３４との接合性が向上する。ロジックチップ５０全体の現象として、ロジックチップ５０とパッド電極３４との距離が縮まると、バンプ電極５５とパッド電極３４との総接触面積が増え、バンプ電極５５毎に表面張力が働くため、ロジックチップ５０をセンサ素子１０Ａに接合し易くなる。
【0083】
実施形態１と同様に、ロジックチップ５０に変形、歪みが生じた場合でも、この変形、歪みに対する追従性が向上するため、ロジックチップ５０をセンサ素子１０Ａに接合し易くなる。
【0084】
以上から、バンプ電極５５とパッド電極３４との接合性を向上させることが可能である。
【0085】
また、撮像装置１Ａでは、第２開口部Ｈ１１２によってパッド電極３４の開口面（すなわち、バンプ電極５５との接合面）が規定される。第１開口部Ｈ１１１のサイズ（例えば、径）や平面形状、配置間隔はバンプ電極５５に制約されるが、第２開口部Ｈ１１２のサイズや平面形状、配置間隔はバンプ電極５５による制約少なく、比較的自由に設定することができる。これにより、パッド電極３４やバンプ電極５５の設計の自由度を高めることができる。
【0086】
例えば、第１開口部Ｈ１１１やバンプ電極５５のサイズや平面形状、配置位置を変更することなく、第２開口部Ｈ１１２のサイズや平面形状、配置間隔を変更することができる。これにより、パッド電極３４のサイズや平面形状、配置間隔も変更することができる。例えば、第２開口部Ｈ１１２のサイズや平面形状、配置間隔を変更することで、パッド電極３４の配置間隔や、配線間をシュリンクすることが容易となる。
【0087】
第２開口部Ｈ１１２の配置間隔を変更することで、第２開口部Ｈ１１２を通してパッド電極３４に接合されるバンプ電極５５の配置間隔をシュリンクできる場合がある。これにより、ロジックチップ５０のチップサイズの縮小に寄与できる場合がある。
【0088】
このように、実施形態２に係る撮像装置１Ａは、撮像装置１と同様にバンプ電極５５とパッド電極３４との接合性を向上させることができ、さらに、パッド電極３４やバンプ電極５５の設計の自由度を高めることができるなど、利点が多い。
【0089】
なお、内周縁部ＦＲＧ２の厚さｄは１μｍ以下であることが好ましい。これにより、バンプ電極５５において、内周縁部ＦＲＧ２との接触が原因で生じる内部応力を極力小さく抑えることができる。この点は、後述する実施形態２の変形例や、実施形態３においても同様である。
【0090】
図９に示すように、内周縁部ＦＲＧ２の内側の側面ＦＲＧ－２は、第２開口部Ｈ１１２の開口端から第２開口部Ｈ１１２の底面（すなわち、Ｃｕ膜３４２）に近づくにつれて第２開口部Ｈ１１２の径が小さくなるように、第２開口部Ｈ１１２の底面に対して傾斜又は湾曲していてもよい。図９は、湾曲している場合を例示している。これにより、内周縁部ＦＲＧ２の内側の側面ＦＲＧ－２を初期状態のバンプ電極５５の形状に沿わせることができ、内周縁部ＦＲＧ２との接触が原因で生じる内部応力をさらに小さくできる可能性がある。
【0091】
（実施形態２の変形例）
（１）変形例１から４
上記の実施形態２では、パッド開口部Ｈ１１Ａの一部である第１開口部Ｈ１１１の平面形状が正方形であり、パッド開口部Ｈ１１Ａの他の一部である第２開口部Ｈ１１２の平面形状が正円形であることを説明した。しかしながら、本開示の実施形態２において、第１開口部Ｈ１１１及び第２開口部Ｈ１１２の各平面形状はこれに限定されない。
（１）変形例１から４
上記の実施形態２では、パッド開口部Ｈ１１Ａの一部である第１開口部Ｈ１１１の平面形状が正方形であり、パッド開口部Ｈ１１Ａの他の一部である第２開口部Ｈ１１２の平面形状が正円形であることを説明した。しかしながら、本開示の実施形態２において、第１開口部Ｈ１１１及び第２開口部Ｈ１１２の各平面形状はこれに限定されない。
【0092】
図１１から図１４は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例１から４を示す平面図である。図１１、図１３、図１４は、第１開口部Ｈ１１１と第２開口部Ｈ１１２とが互いに同一の平面形状を有する場合を例示している。図１２は、第１開口部Ｈ１１１と第２開口部Ｈ１１２とが互いに異なる平面形状を有する場合を例示している。
【0093】
図１１に示すように、第１開口部Ｈ１１１及び第２開口部Ｈ１１２の各平面形状が正円形であってもよい。図１２に示すように、第１開口部Ｈ１１１の平面形状が正八角形であり、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が正円形であってもよい。図１３に示すように、第１開口部Ｈ１１１及び第２開口部Ｈ１１２の各平面形状が正方形であってもよい。図１４に示すように、第１開口部Ｈ１１１及び第２開口部Ｈ１１２の各平面形状が正八角形であってもよい。
【0094】
図１１から図１４に示す変形例１から４のいずれの場合も、上記の実施形態２と同様に、バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧは、接合工程の初期だけでなく、接合後においても、接触しない。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとの間には、スペースＳが確保される。これにより、上記の実施形態２と同様の効果を奏する。
【0095】
（２）変形例５
図１５は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例５を示す断面図である。図１６は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例５を示す平面図である。図１６をＥ－Ｅ´線で切断した断面が、図１５に示す断面に対している。
図１５は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例５を示す断面図である。図１６は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例５を示す平面図である。図１６をＥ－Ｅ´線で切断した断面が、図１５に示す断面に対している。
【0096】
図１５及び図１６に示すように、撮像装置１Ａは、パッド開口部Ｈ１１Ａの周囲に設けられた配線６３を備えてもよい。配線６３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等で構成された他のパッド電極（図示せず）に接続されている。
【0097】
配線６３とパッド電極３４との間、及び、配線６３と配線３３との間にはそれぞれ層間絶縁膜３１の一部が介在している。これにより、配線６３は、パッド電極３４及び配線３３からそれぞれ絶縁されている。
【0098】
配線６３は、層間絶縁膜３１の他の一部で覆われており、パッド開口部Ｈ１１Ａから離れている。これにより、配線６３は、バンプ電極５５から絶縁されている。
【0099】
このような態様であっても、バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧは、接合工程の初期だけでなく、接合後においても、接触しない。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとの間には、スペースＳが確保される。これにより、上記の実施形態２と同様の効果を奏する。
【0100】
（３）変形例６
図１７は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例６を示す断面図である。図１７に示すように、第１開口部Ｈ１１１の側面Ｈ１１１ｃは、第１開口部Ｈ１１１の開口端から第１開口部Ｈ１１１の底面（すなわち、凹み部３１１）に近づくにつれて第１開口部Ｈ１１１の径が小さくなるように、第１開口部Ｈ１１１の底面に対して傾斜又は湾曲していてもよい。この変形例６では、第１開口部Ｈ１１１の側面Ｈ１１１ｃは湾曲しているため、湾曲した凹み部３１１でもある。このため、凹み部３１１は、外周縁部ＦＲＧから内周縁部ＦＲＧ２に近づくにつれて表面３１ａから深くなるように傾斜していると言い換えてもよい。
図１７は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例６を示す断面図である。図１７に示すように、第１開口部Ｈ１１１の側面Ｈ１１１ｃは、第１開口部Ｈ１１１の開口端から第１開口部Ｈ１１１の底面（すなわち、凹み部３１１）に近づくにつれて第１開口部Ｈ１１１の径が小さくなるように、第１開口部Ｈ１１１の底面に対して傾斜又は湾曲していてもよい。この変形例６では、第１開口部Ｈ１１１の側面Ｈ１１１ｃは湾曲しているため、湾曲した凹み部３１１でもある。このため、凹み部３１１は、外周縁部ＦＲＧから内周縁部ＦＲＧ２に近づくにつれて表面３１ａから深くなるように傾斜していると言い換えてもよい。
【0101】
このような態様であっても、バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧは、接合工程の初期だけでなく、接合後においても、接触しない。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとの間には、スペースＳが確保される。これにより、上記の実施形態２と同様の効果を奏する。
【0102】
（４）変形例７、８
本開示の実施形態２において、凹み部３１１は凹凸を有してもよい。
図１８は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例７を示す断面図である。図１９は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例８を示す断面図である。図１８に示すように、凹み部３１１における凹凸の頂点は、外周縁部ＦＲＧと内周縁部ＦＲＧ２との間の中間に位置してもよい。図１９に示すように、凹み部３１１における凹凸の頂点は、内周縁部ＦＲＧ２に位置してもよい。
本開示の実施形態２において、凹み部３１１は凹凸を有してもよい。
図１８は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例７を示す断面図である。図１９は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１Ａの変形例８を示す断面図である。図１８に示すように、凹み部３１１における凹凸の頂点は、外周縁部ＦＲＧと内周縁部ＦＲＧ２との間の中間に位置してもよい。図１９に示すように、凹み部３１１における凹凸の頂点は、内周縁部ＦＲＧ２に位置してもよい。
【0103】
図１８に示す変形例７及び図１９に示す変形例８のいずれの態様であっても、バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧは、接合工程の初期だけでなく、接合後においても、接触しない。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとの間には、スペースＳが確保される。これにより、上記の実施形態２と同様の効果を奏する。
【0104】
＜実施形態３＞
上記の実施形態２では、Ｚ軸方向からの平面視で第２開口部Ｈ１１２の周縁の全てに、凹み部３１１が設けられている態様を示した。しかしながら、本開示の実施形態はこれに限定されない。凹み部３１１は、第２開口部Ｈ１１２の周縁の一部にのみ設けられていてもよい。
上記の実施形態２では、Ｚ軸方向からの平面視で第２開口部Ｈ１１２の周縁の全てに、凹み部３１１が設けられている態様を示した。しかしながら、本開示の実施形態はこれに限定されない。凹み部３１１は、第２開口部Ｈ１１２の周縁の一部にのみ設けられていてもよい。
【0105】
（構成例）
図２０は、本開示の実施形態３に係る撮像装置１Ｂの一部であって、センサ素子１０Ｂのパッド電極３４と、パッド電極３４に接合される直前の（すなわち、初期状態の）ロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。図２１は、本開示の実施形態３に係る撮像装置１Ｂの一部であって、センサ素子１０Ｂのパッド開口部Ｈ１１Ａと、その周辺部の構成例を示す平面図である。なお、図２１をＦ－Ｆ´線で切断した断面が、図２０に示すパッド開口部Ｈ１１Ｂとその周辺部の断面に対応している。
図２０は、本開示の実施形態３に係る撮像装置１Ｂの一部であって、センサ素子１０Ｂのパッド電極３４と、パッド電極３４に接合される直前の（すなわち、初期状態の）ロジックチップ５０のバンプ電極５５と、その周辺部の構成例を示す断面図である。図２１は、本開示の実施形態３に係る撮像装置１Ｂの一部であって、センサ素子１０Ｂのパッド開口部Ｈ１１Ａと、その周辺部の構成例を示す平面図である。なお、図２１をＦ－Ｆ´線で切断した断面が、図２０に示すパッド開口部Ｈ１１Ｂとその周辺部の断面に対応している。
【0106】
図２０及び図２１に示すように、実施形態３に係るパッド開口部Ｈ１１Ｂは、開口端（図中では、上端）の周縁部ＦＲＧを含む第１開口部Ｈ１１１と、第１開口部Ｈ１１１に連通し、パッド電極３４のＣｕ膜３４２を底面とする第２開口部Ｈ１１２とを有する。実施形態３では、実施形態２と同様に、第１開口部Ｈ１１１よりも第２開口部Ｈ１１２の方が径が小さい。また、センサ素子１０Ｂの凹み部３１１は、第２開口部Ｈ１１２の周縁の一部にのみ設けられている。
【0107】
（実施形態３の効果）
図２０及び図２１に示す態様であっても、バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧは、接合工程の初期だけでなく、接合後においても、接触しない。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとの間には、スペースＳが確保される。これにより、実施形態２と同様の効果を奏する。
図２０及び図２１に示す態様であっても、バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧは、接合工程の初期だけでなく、接合後においても、接触しない。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとの間には、スペースＳが確保される。これにより、実施形態２と同様の効果を奏する。
【0108】
（実施形態３の変形例）
図２２から図２５は、本開示の実施形態３に係る撮像装置１Ｂの変形例１から４を示す平面図である。図２２の変形例１は、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が楕円であり、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は楕円と、この楕円よりも径が大きい半楕円とを組み合わせた形状である場合を示している。図２３の変形例２は、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が楕円であり、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は楕円と、この楕円よりも一方向（例えば、Ｙ軸方向）の径が大きい多角形とを組み合わせた形状である場合を示している。図２４の変形例３は、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が正方形であり、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は正方形と、この正方形よりも一方向（例えば、Ｙ軸方向）の径が大きい長方形とを組み合わせた形状である場合を示している。図２５の変形例４は、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が八角形であり、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は八角形と、この八角形よりも一方向（例えば、Ｙ軸方向）の径が大きい多角形（例えば、八角形を平面視で半分に分割した形）とを組み合わせた形状である場合を示している。
図２２から図２５は、本開示の実施形態３に係る撮像装置１Ｂの変形例１から４を示す平面図である。図２２の変形例１は、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が楕円であり、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は楕円と、この楕円よりも径が大きい半楕円とを組み合わせた形状である場合を示している。図２３の変形例２は、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が楕円であり、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は楕円と、この楕円よりも一方向（例えば、Ｙ軸方向）の径が大きい多角形とを組み合わせた形状である場合を示している。図２４の変形例３は、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が正方形であり、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は正方形と、この正方形よりも一方向（例えば、Ｙ軸方向）の径が大きい長方形とを組み合わせた形状である場合を示している。図２５の変形例４は、第２開口部Ｈ１１２の平面形状が八角形であり、第１開口部Ｈ１１１の平面形状は八角形と、この八角形よりも一方向（例えば、Ｙ軸方向）の径が大きい多角形（例えば、八角形を平面視で半分に分割した形）とを組み合わせた形状である場合を示している。
【0109】
このように、実施形態３において、第２開口部Ｈ１１２の平面形状は、例えば正円形や楕円形、多角形など、任意の形状であってよい。また、第１開口部Ｈ１１１の平面形状についても任意である。第１開口部Ｈ１１１の平面形状は、例えば、第２開口部Ｈ１１２の平面形状と、正円形や楕円形、多角形などの任意の形状とを組み合わせた形状であってよい。
【0110】
このような場合であっても、バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧは、接合工程の初期だけでなく、接合後においても、接触しない。バンプ電極５５と外周縁部ＦＲＧとの間には、スペースＳが確保される。これにより、実施形態２と同様の効果を奏する。
【0111】
＜適用例＞
（適用例１）
図２６は、例えば、実施形態１において説明した撮像装置１の全体構成を表したものである。この撮像装置１は、ＣＭＯＳイメージセンサであり、シリコン基板１１上に、撮像エリアとしての画素部１ａを有すると共に、この画素部１ａの周辺領域に、例えば、行走査部１３１、水平選択部１３３、列走査部１３４及びシステム制御部１３２からなる周辺回路部１３０を有している。なお、適用例１では、撮像装置１として説明しているが、本構成は、実施形態２、３に係る撮像装置１Ａ、１Ｂのいずれにも適用される。
（適用例１）
図２６は、例えば、実施形態１において説明した撮像装置１の全体構成を表したものである。この撮像装置１は、ＣＭＯＳイメージセンサであり、シリコン基板１１上に、撮像エリアとしての画素部１ａを有すると共に、この画素部１ａの周辺領域に、例えば、行走査部１３１、水平選択部１３３、列走査部１３４及びシステム制御部１３２からなる周辺回路部１３０を有している。なお、適用例１では、撮像装置１として説明しているが、本構成は、実施形態２、３に係る撮像装置１Ａ、１Ｂのいずれにも適用される。
【0112】
画素部１ａは、例えば、行列状に２次元配置された複数の単位画素Ｐ（光電変換部１２に相当）を有している。この単位画素Ｐには、例えば、画素行ごとに画素駆動線Ｌｒｅａｄ（具体的には行選択線及びリセット制御線）が配線され、画素列ごとに垂直信号線Ｌｓｉｇが配線されている。画素駆動線Ｌｒｅａｄは、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものである。画素駆動線Ｌｒｅａｄの一端は、行走査部１３１の各行に対応した出力端に接続されている。
【0113】
行走査部１３１は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、画素部１ａの各単位画素Ｐを、例えば、行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部１３１によって選択走査された画素行の各単位画素Ｐから出力される信号は、垂直信号線Ｌｓｉｇの各々を通して水平選択部１３３に供給される。水平選択部１３３は、垂直信号線Ｌｓｉｇごとに設けられたアンプや水平選択スイッチなどによって構成されている。
【0114】
列走査部１３４は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、水平選択部１３３の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。この列走査部１３４による選択走査により、垂直信号線Ｌｓｉｇの各々を通して伝送される各画素の信号が順番に水平信号線１３５に出力され、当該水平信号線１３５を通してシリコン基板１１の外部へ伝送される。
【0115】
行走査部１３１、水平選択部１３３、列走査部１３４及び水平信号線１３５からなる回路部分は、シリコン基板１１上に直に形成されていてもよいし、あるいは外部制御ＩＣに配設されたものであってもよい。また、それらの回路部分は、ケーブルなどにより接続された他の基板に形成されていてもよい。
【0116】
システム制御部１３２は、シリコン基板１１の外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、撮像装置１の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部１３２はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部１３１、水平選択部１３３及び列走査部１３４などの周辺回路の駆動制御を行う。
【0117】
（適用例２）
上述の撮像装置１は、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラなどのカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの撮像装置に適用することができる。図２７に、その一例として、電子機器５（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器５は、例えば、静止画又は動画を撮影可能なビデオカメラであり、撮像装置１と、光学系（光学レンズ）２１０と、シャッタ装置２１１と、撮像装置１及びシャッタ装置２１１を駆動する駆動部２１３と、信号処理部２１２とを有する。
上述の撮像装置１は、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラなどのカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの撮像装置に適用することができる。図２７に、その一例として、電子機器５（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器５は、例えば、静止画又は動画を撮影可能なビデオカメラであり、撮像装置１と、光学系（光学レンズ）２１０と、シャッタ装置２１１と、撮像装置１及びシャッタ装置２１１を駆動する駆動部２１３と、信号処理部２１２とを有する。
【0118】
光学系２１０は、被写体からの像光（入射光）を撮像装置１の画素部１ａへ導くものである。この光学系２１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置２１１は、撮像装置１への光照射期間及び遮光期間を制御するものである。駆動部２１３は、撮像装置１の転送動作及びシャッタ装置２１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部２１２は、撮像装置１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄｏｕｔは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタなどに出力される。
【0119】
なお、適用例２では、撮像装置１として説明しているが、本構成は、実施形態２、３に係る撮像装置１Ａ、１Ｂのいずれにも適用される。
【0120】
＜移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボットなどのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボットなどのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
【0121】
図２８は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
【0122】
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２８に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
【0123】
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータなどの車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置などの制御装置として機能する。
【0124】
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプなどの各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプなどを制御する。
【0125】
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字などの物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
【0126】
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線などの非可視光であっても良い。
【0127】
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
【0128】
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告などを含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
【0129】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置などを制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転などを目的とした協調制御を行うことができる。
【0130】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替えるなどの防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
【0131】
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２８の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６
２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【0132】
【0133】
撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部などの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線などの検出に用いられる。
【0134】
なお、図２９には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２、１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２、１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
【0135】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
【0136】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）などを行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転などを目的とした協調制御を行うことができる。
【0137】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱などその他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運
転支援を行うことができる。
転支援を行うことができる。
【0138】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコンなどを所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
【0139】
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、撮像装置１、１Ａ、１Ｂは、撮像部１２０３１に適用することができる。
【0140】
＜その他の実施形態＞
上記のように、本開示は実施形態及び変形例、適用例、応用例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本開示を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、互いに隣り合う一方のパッド開口部Ｈ１１の平面形状と、他方のパッド開口部Ｈ１１の平面形状は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。パッド開口部Ｈ１１Ａ、１１Ｂについても同様である。
上記のように、本開示は実施形態及び変形例、適用例、応用例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本開示を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、互いに隣り合う一方のパッド開口部Ｈ１１の平面形状と、他方のパッド開口部Ｈ１１の平面形状は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。パッド開口部Ｈ１１Ａ、１１Ｂについても同様である。
【0141】
本技術はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。上述した実施形態及び変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
【0142】
なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
画素領域と、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域とを有する第１基板部と、
バンプ電極を有する半導体チップと、を備え、
前記第１基板部は、
第１半導体層と、
前記画素領域の前記第１半導体層に設けられた光電変換部と、
前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられたパッド電極と、
前記第１半導体層の前記一方の面側に設けられた絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜には前記パッド電極の上方を開口するパッド開口部が設けられており、
前記バンプ電極は、前記パッド開口部の開口端の周縁部から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、光検出装置。
（２）
前記バンプ電極は、前記パッド開口部の側面から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、前記（１）に記載の光検出装置。
（３）
前記開口端の径は、前記パッド電極の径と同じ、又は、前記パッド電極の径よりも小さい、前記（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（４）
前記開口端の前記周縁部は、前記パッド電極の表面と面一である、前記（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（５）
前記開口端の径は、前記パッド電極の径よりも大きい、前記（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（６）
前記パッド開口部は、
前記開口端を含む第１開口部と、
前記第１開口部の底部に連通し、前記パッド電極を底面とする第２開口部とを有し、
前記第１開口部よりも前記第２開口部の方が径が小さい、前記（１）、（３）、（５）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（７）
前記バンプ電極は、前記第１開口部の側面から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、前記（６）に記載の光検出装置。
（８）
前記パッド開口部は、
前記第１開口部の底部の一部であって、前記絶縁膜の表面から凹んでいる凹み部を有し、
前記凹み部は、前記第２開口部の周縁の少なくとも一部に設けられている、前記（６）又は（７）に記載の光検出装置。
（９）
前記開口端の前記周縁部を外周縁部とし、
前記凹み部の前記第２開口部側の端部を内周縁部とすると、
前記内周縁部の厚さは１μｍ以下である、前記（８）に記載の光検出装置。
（１０）
前記開口端の前記周縁部を外周縁部とし、
前記凹み部の前記第２開口部側の端部を内周縁部とすると、
前記内周縁部の側面は、
前記第２開口部の開口端から前記第２開口部の底面に近づくにつれて前記第２開口部の径が小さくなるように、前記第２開口部の底面に対して傾斜又は湾曲している、前記（８）又は（９）に記載の光検出装置。
（１１）
前記第１開口部の側面は、
前記第１開口部の底面に近づくにつれて前記第１開口部の径が小さくなるように、前記第１開口部の底面に対して傾斜又は湾曲している、前記（６）から（１０）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１２）
前記第１基板部の厚さ方向からの平面視で、
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに同一の形状を有する、前記（６）から（１１）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１３）
前記第１基板部の厚さ方向からの平面視で、
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに異なる形状を有する、前記（６）から（１１）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１４）
前記バンプ電極は、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）の合金で構成された合金層を有し、
前記合金層が前記パッド電極に接合されている、前記（１）から（１３）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１５）
前記第１基板部は、
前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられた配線、をさらに有し、
前記パッド電極は、
電極膜と、
前記電極膜と前記配線との間に設けられたバリアメタル膜と、を有する、前記（１）から（１４）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１６）
前記電極膜は、コバルト（Ｃｏ）膜と、前記コバルト（Ｃｏ）膜上に設けられた銅（Ｃｕ）膜とを含み、
前記バンプ電極は前記銅（Ｃｕ）膜に接合されている、前記（１５）に記載の光検出装置。
（１）
画素領域と、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域とを有する第１基板部と、
バンプ電極を有する半導体チップと、を備え、
前記第１基板部は、
第１半導体層と、
前記画素領域の前記第１半導体層に設けられた光電変換部と、
前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられたパッド電極と、
前記第１半導体層の前記一方の面側に設けられた絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜には前記パッド電極の上方を開口するパッド開口部が設けられており、
前記バンプ電極は、前記パッド開口部の開口端の周縁部から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、光検出装置。
（２）
前記バンプ電極は、前記パッド開口部の側面から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、前記（１）に記載の光検出装置。
（３）
前記開口端の径は、前記パッド電極の径と同じ、又は、前記パッド電極の径よりも小さい、前記（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（４）
前記開口端の前記周縁部は、前記パッド電極の表面と面一である、前記（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（５）
前記開口端の径は、前記パッド電極の径よりも大きい、前記（１）又は（２）に記載の光検出装置。
（６）
前記パッド開口部は、
前記開口端を含む第１開口部と、
前記第１開口部の底部に連通し、前記パッド電極を底面とする第２開口部とを有し、
前記第１開口部よりも前記第２開口部の方が径が小さい、前記（１）、（３）、（５）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（７）
前記バンプ電極は、前記第１開口部の側面から離れた状態で前記パッド電極に接合されている、前記（６）に記載の光検出装置。
（８）
前記パッド開口部は、
前記第１開口部の底部の一部であって、前記絶縁膜の表面から凹んでいる凹み部を有し、
前記凹み部は、前記第２開口部の周縁の少なくとも一部に設けられている、前記（６）又は（７）に記載の光検出装置。
（９）
前記開口端の前記周縁部を外周縁部とし、
前記凹み部の前記第２開口部側の端部を内周縁部とすると、
前記内周縁部の厚さは１μｍ以下である、前記（８）に記載の光検出装置。
（１０）
前記開口端の前記周縁部を外周縁部とし、
前記凹み部の前記第２開口部側の端部を内周縁部とすると、
前記内周縁部の側面は、
前記第２開口部の開口端から前記第２開口部の底面に近づくにつれて前記第２開口部の径が小さくなるように、前記第２開口部の底面に対して傾斜又は湾曲している、前記（８）又は（９）に記載の光検出装置。
（１１）
前記第１開口部の側面は、
前記第１開口部の底面に近づくにつれて前記第１開口部の径が小さくなるように、前記第１開口部の底面に対して傾斜又は湾曲している、前記（６）から（１０）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１２）
前記第１基板部の厚さ方向からの平面視で、
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに同一の形状を有する、前記（６）から（１１）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１３）
前記第１基板部の厚さ方向からの平面視で、
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに異なる形状を有する、前記（６）から（１１）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１４）
前記バンプ電極は、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）の合金で構成された合金層を有し、
前記合金層が前記パッド電極に接合されている、前記（１）から（１３）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１５）
前記第１基板部は、
前記周辺領域の前記第１半導体層の一方の面側に設けられた配線、をさらに有し、
前記パッド電極は、
電極膜と、
前記電極膜と前記配線との間に設けられたバリアメタル膜と、を有する、前記（１）から（１４）のいずれか１項に記載の光検出装置。
（１６）
前記電極膜は、コバルト（Ｃｏ）膜と、前記コバルト（Ｃｏ）膜上に設けられた銅（Ｃｕ）膜とを含み、
前記バンプ電極は前記銅（Ｃｕ）膜に接合されている、前記（１５）に記載の光検出装置。
【符号の説明】
【0143】
１、１Ａ、１Ｂ 撮像装置
１ａ 画素部
５ 電子機器
１０、１０Ａ、１０Ｂ センサ素子
１１ シリコン基板
１１Ｂ パッド開口部
１１Ｓ１ 裏面
１１Ｓ２、３１ａ 表面
１２ 光電変換部
１３、１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ａ３、１３Ａ４ 貫通ビア
２０ 多層配線層
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ 絶縁層
２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ、３３、６３ 配線
３１ 層間絶縁膜
３２ 遮光膜
３４、３６ パッド電極
３５ 画素分離部
３７ インナーレンズ層
３７Ｌ インナーレンズ
３８ 平坦化層
３８Ａ 絶縁膜
３９ 画素分離部
４０ 保護層
４１ カラーフィルタ
４２ オンチップレンズ層
４２Ｌ オンチップレンズ
５０ ロジックチップ
５１ 合金層
５２ Ｎｉ層
５５ バンプ電極
１００Ａ 画素領域
１００Ｂ 周辺領域
１３０ 周辺回路部
１３１ 行走査部
１３２ システム制御部
１３３ 水平選択部
１３４ 列走査部
１３５ 水平信号線
２１０ 光学系
２１１ シャッタ装置
２１２ 信号処理部
２１３ 駆動部
３１１ 凹み部
３４１ Ｃｏ膜
３４２ Ｃｕ膜
１２０６ 表示部
１２０００ 車両制御システム
１２００１ 通信ネットワーク
１２０１０ 駆動系制御ユニット
１２０２０ ボディ系制御ユニット
１２０３０ 車外情報検出ユニット
１２０３１ 撮像部
１２０４０ 車内情報検出ユニット
１２０４１ 運転者状態検出部
１２０５０ 統合制御ユニット
１２０５１ マイクロコンピュータ
１２０５２ 音声画像出力部
１２０６１ オーディオスピーカ
１２０６２ 表示部
１２０６３ インストルメントパネル
１２１００ 車両
１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５、１２１１１、１２１１２、１２１１３、１２１１４ 撮像範囲
ＡＭＰ 増幅トランジスタ
ＢＭ バリアメタル
Ｄｏｕｔ 映像信号
ＦＲＧ 周縁部（外周縁部）
ＦＲＧ２ 内周縁部
ＦＲＧ－２、Ｈ１１ｃ、Ｈ１１１ｃ 側面
Ｈ１１、Ｈ１１Ａ、Ｈ１１Ｂ パッド開口部
Ｈ１２ 開口部
Ｈ１１１ 第１開口部
Ｈ１１２ 第２開口部
Ｉ 車載ネットワーク
ＩＣ 外部制御
Ｌｒｅａｄ 画素駆動線
Ｌｓｉｇ 垂直信号線
Ｐ 単位画素
ＰＤ フォトダイオード
ＲＳＴ リセットトランジスタ
Ｓ スペース
ＳＥＬ 選択トランジスタ
ＴＧ 転送トランジスタ
１ａ 画素部
５ 電子機器
１０、１０Ａ、１０Ｂ センサ素子
１１ シリコン基板
１１Ｂ パッド開口部
１１Ｓ１ 裏面
１１Ｓ２、３１ａ 表面
１２ 光電変換部
１３、１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ａ３、１３Ａ４ 貫通ビア
２０ 多層配線層
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ 絶縁層
２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ、３３、６３ 配線
３１ 層間絶縁膜
３２ 遮光膜
３４、３６ パッド電極
３５ 画素分離部
３７ インナーレンズ層
３７Ｌ インナーレンズ
３８ 平坦化層
３８Ａ 絶縁膜
３９ 画素分離部
４０ 保護層
４１ カラーフィルタ
４２ オンチップレンズ層
４２Ｌ オンチップレンズ
５０ ロジックチップ
５１ 合金層
５２ Ｎｉ層
５５ バンプ電極
１００Ａ 画素領域
１００Ｂ 周辺領域
１３０ 周辺回路部
１３１ 行走査部
１３２ システム制御部
１３３ 水平選択部
１３４ 列走査部
１３５ 水平信号線
２１０ 光学系
２１１ シャッタ装置
２１２ 信号処理部
２１３ 駆動部
３１１ 凹み部
３４１ Ｃｏ膜
３４２ Ｃｕ膜
１２０６ 表示部
１２０００ 車両制御システム
１２００１ 通信ネットワーク
１２０１０ 駆動系制御ユニット
１２０２０ ボディ系制御ユニット
１２０３０ 車外情報検出ユニット
１２０３１ 撮像部
１２０４０ 車内情報検出ユニット
１２０４１ 運転者状態検出部
１２０５０ 統合制御ユニット
１２０５１ マイクロコンピュータ
１２０５２ 音声画像出力部
１２０６１ オーディオスピーカ
１２０６２ 表示部
１２０６３ インストルメントパネル
１２１００ 車両
１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５、１２１１１、１２１１２、１２１１３、１２１１４ 撮像範囲
ＡＭＰ 増幅トランジスタ
ＢＭ バリアメタル
Ｄｏｕｔ 映像信号
ＦＲＧ 周縁部（外周縁部）
ＦＲＧ２ 内周縁部
ＦＲＧ－２、Ｈ１１ｃ、Ｈ１１１ｃ 側面
Ｈ１１、Ｈ１１Ａ、Ｈ１１Ｂ パッド開口部
Ｈ１２ 開口部
Ｈ１１１ 第１開口部
Ｈ１１２ 第２開口部
Ｉ 車載ネットワーク
ＩＣ 外部制御
Ｌｒｅａｄ 画素駆動線
Ｌｓｉｇ 垂直信号線
Ｐ 単位画素
ＰＤ フォトダイオード
ＲＳＴ リセットトランジスタ
Ｓ スペース
ＳＥＬ 選択トランジスタ
ＴＧ 転送トランジスタ
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】