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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024016357
(43)【公開日】2024-02-07
(54)【発明の名称】表示パネル、表示装置、及び、表示パネルの製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/26 20060101AFI20240131BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240131BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240131BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20240131BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20240131BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240131BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20240131BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240131BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240131BHJP
【ＦＩ】
H05B33/26 Z
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/02
H05B33/10
H05B33/12 B
H05B33/22 Z
G09F9/30 365
G09F9/00 338
G09F9/30 338
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022118412
(22)【出願日】2022-07-26
(71)【出願人】
【識別番号】514188173
【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ
(71)【出願人】
【識別番号】515203228
【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＴＣＬ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．９－２，Ｔａｎｇｍｉｎｇ Ｒｄ，Ｇｕａｎｇｍｉｎｇ Ｎｅｗ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ ５１８１３２
(74)【代理人】
【識別番号】100189430
【弁理士】
【氏名又は名称】吉川 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100190805
【弁理士】
【氏名又は名称】傍島 正朗
(72)【発明者】
【氏名】林 海
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC33
3K107CC36
3K107CC45
3K107DD21
3K107DD26
3K107DD37
3K107DD39
3K107DD58
3K107DD71
3K107DD74
3K107DD89
3K107EE03
3K107FF15
3K107GG06
3K107GG11
3K107GG14
5C094AA21
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094FB12
5G435AA16
5G435BB05
5G435CC09
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】開口率の低下を抑制しつつ、補助電極上に形成される貫通孔の加工品質を安定化させることができる表示パネルなどを提供する。
【解決手段】表示パネル１０は、基板３０と、薄膜トランジスタ層４０と、絶縁膜５０と、絶縁膜５０の上方に配置される第一導電層５１と、第一導電層５１の上方に配置され、有機材料を含む発光層６２と、発光層６２の上方に配置される機能層と、機能層の上方に配置される第二導電層５２とを備え、絶縁膜５０は、上方に向かって突出する突起５０Ｐを有し、第一導電層５１は、各画素電極、及び各画素電極から電気的に絶縁された補助電極５１Ｓを有し、補助電極５１Ｓは、突起５０Ｐの上方に配置され、各画素電極より上方に位置する突出領域５１ＳＰを有し、機能層には、突出領域の上方において貫通孔５２Ｈが形成されており、第二導電層５２は、貫通孔５２Ｈを介して突出領域５１ＳＰに接続される。
【選択図】図４
【解決手段】表示パネル１０は、基板３０と、薄膜トランジスタ層４０と、絶縁膜５０と、絶縁膜５０の上方に配置される第一導電層５１と、第一導電層５１の上方に配置され、有機材料を含む発光層６２と、発光層６２の上方に配置される機能層と、機能層の上方に配置される第二導電層５２とを備え、絶縁膜５０は、上方に向かって突出する突起５０Ｐを有し、第一導電層５１は、各画素電極、及び各画素電極から電気的に絶縁された補助電極５１Ｓを有し、補助電極５１Ｓは、突起５０Ｐの上方に配置され、各画素電極より上方に位置する突出領域５１ＳＰを有し、機能層には、突出領域の上方において貫通孔５２Ｈが形成されており、第二導電層５２は、貫通孔５２Ｈを介して突出領域５１ＳＰに接続される。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の上方に配置される薄膜トランジスタ層と、
前記薄膜トランジスタ層の上方に配置される絶縁膜と、
前記絶縁膜の上方に配置される第一導電層と、
前記第一導電層の上方に配置され、有機材料を含む発光層と、
前記発光層の上方に配置される機能層と、
前記機能層の上方に配置される第二導電層とを備え、
前記絶縁膜は、上方に向かって突出する突起を有し、
前記第一導電層は、画素電極、及び前記画素電極から電気的に絶縁された補助電極を有し、
前記補助電極は、前記突起の上方に配置され、前記画素電極より上方に位置する突出領域を有し、
前記機能層には、前記突出領域の上方において貫通孔が形成されており、
前記第二導電層は、前記貫通孔を介して前記突出領域に接続される
表示パネル。
前記基板の上方に配置される薄膜トランジスタ層と、
前記薄膜トランジスタ層の上方に配置される絶縁膜と、
前記絶縁膜の上方に配置される第一導電層と、
前記第一導電層の上方に配置され、有機材料を含む発光層と、
前記発光層の上方に配置される機能層と、
前記機能層の上方に配置される第二導電層とを備え、
前記絶縁膜は、上方に向かって突出する突起を有し、
前記第一導電層は、画素電極、及び前記画素電極から電気的に絶縁された補助電極を有し、
前記補助電極は、前記突起の上方に配置され、前記画素電極より上方に位置する突出領域を有し、
前記機能層には、前記突出領域の上方において貫通孔が形成されており、
前記第二導電層は、前記貫通孔を介して前記突出領域に接続される
表示パネル。
【請求項2】
前記薄膜トランジスタ層は、
下部導電層と、
前記下部導電層の上方に配置される中間導電層と、
前記中間導電層の上方に配置される上部導電層とを有し、
前記突起の下方において、前記下部導電層と、前記中間導電層と、前記上部導電層とが重ねて配置される
請求項１に記載の表示パネル。
下部導電層と、
前記下部導電層の上方に配置される中間導電層と、
前記中間導電層の上方に配置される上部導電層とを有し、
前記突起の下方において、前記下部導電層と、前記中間導電層と、前記上部導電層とが重ねて配置される
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記絶縁膜の前記突起における膜厚は、前記突起以外の領域における膜厚より大きい
請求項１に記載の表示パネル。
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項4】
前記発光層は、塗布膜である
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項5】
前記突出領域の上方における前記発光層の膜厚は、前記画素電極の上方における前記発光層の膜厚より小さい
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記表示パネルは、複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素を有し、
前記補助電極は、前記赤色副画素に配置される
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
前記複数の画素の各々は、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素を有し、
前記補助電極は、前記赤色副画素に配置される
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記表示パネルは、複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素を有し、
前記表示パネルは、さらに、
前記赤色副画素、前記緑色副画素、及び前記青色副画素を区画する列バンクと、
隣り合う二つの前記赤色副画素を区画する行バンクとを有し、
前記突出領域の上面は、前記行バンクの上面より上方に位置し、前記列バンクの上面より下方に位置する
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
前記複数の画素の各々は、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素を有し、
前記表示パネルは、さらに、
前記赤色副画素、前記緑色副画素、及び前記青色副画素を区画する列バンクと、
隣り合う二つの前記赤色副画素を区画する行バンクとを有し、
前記突出領域の上面は、前記行バンクの上面より上方に位置し、前記列バンクの上面より下方に位置する
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項8】
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネルを備える
表示装置。
表示装置。
【請求項9】
表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に薄膜トランジスタ層を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ層の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上方に、画素電極、及び前記画素電極から電気的に絶縁された補助電極を有する第一導電層を形成する工程と、
前記第一導電層の上方に有機材料を含む発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に機能層を形成する工程と、
前記機能層に貫通孔を形成する工程と、
前記機能層の上方に、前記貫通孔を介して前記補助電極に接続される第二導電層を形成する工程とを含み、
前記絶縁膜は、上方に向かって突出する突起を有し、
前記補助電極は、前記突起の上方に配置され、前記画素電極より上方に位置する突出領域を有し、
前記貫通孔は、前記突出領域の上方に形成される
表示パネルの製造方法。
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に薄膜トランジスタ層を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ層の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上方に、画素電極、及び前記画素電極から電気的に絶縁された補助電極を有する第一導電層を形成する工程と、
前記第一導電層の上方に有機材料を含む発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に機能層を形成する工程と、
前記機能層に貫通孔を形成する工程と、
前記機能層の上方に、前記貫通孔を介して前記補助電極に接続される第二導電層を形成する工程とを含み、
前記絶縁膜は、上方に向かって突出する突起を有し、
前記補助電極は、前記突起の上方に配置され、前記画素電極より上方に位置する突出領域を有し、
前記貫通孔は、前記突出領域の上方に形成される
表示パネルの製造方法。
【請求項10】
前記薄膜トランジスタ層を形成する工程は、
下部導電層を形成する工程と、
前記下部導電層の上方に中間導電層を形成する工程と、
前記中間導電層の上方に上部導電層を形成する工程とを含み、
前記突起の下方において、前記下部導電層と、前記中間導電層と、前記上部導電層とが重ねて配置される
請求項９に記載の表示パネルの製造方法。
下部導電層を形成する工程と、
前記下部導電層の上方に中間導電層を形成する工程と、
前記中間導電層の上方に上部導電層を形成する工程とを含み、
前記突起の下方において、前記下部導電層と、前記中間導電層と、前記上部導電層とが重ねて配置される
請求項９に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項11】
前記絶縁膜の前記突起における膜厚は、前記突起以外の領域における膜厚より大きい
請求項９に記載の表示パネルの製造方法。
請求項９に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項12】
前記絶縁膜を形成する工程において、前記突起は、ハーフトーン露光によって形成される
請求項１１に記載の表示パネルの製造方法。
請求項１１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項13】
前記発光層を形成する工程において、前記発光層を塗布によって形成する
請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項14】
前記表示パネルは、複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素を有し、
前記補助電極は、前記赤色副画素に配置される
請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
前記複数の画素の各々は、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素を有し、
前記補助電極は、前記赤色副画素に配置される
請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項15】
前記貫通孔を形成する工程において、前記貫通孔をレーザアブレーションによって形成する
請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項16】
前記表示パネルは、複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素を有し、
前記表示パネルは、さらに、
前記赤色副画素、前記緑色副画素、及び前記青色副画素を区画する列バンクと、
隣り合う二つの前記赤色副画素を区画する行バンクとを有し、
前記突出領域の上面は、前記行バンクの上面より上方に位置し、前記列バンクの上面より下方に位置する
請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
前記複数の画素の各々は、赤色副画素、緑色副画素、及び青色副画素を有し、
前記表示パネルは、さらに、
前記赤色副画素、前記緑色副画素、及び前記青色副画素を区画する列バンクと、
隣り合う二つの前記赤色副画素を区画する行バンクとを有し、
前記突出領域の上面は、前記行バンクの上面より上方に位置し、前記列バンクの上面より下方に位置する
請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、表示パネル、表示装置、及び表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
表示装置に用いられる表示パネルとして、複数の画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルが知られている（例えば、特許文献１、２など）。有機ＥＬ表示パネルにおいては、複数の画素の各々が、自発光型の発光素子である有機ＥＬ素子を有する。有機ＥＬ表示パネルにおいて、大型化、及び高精細化が求められている。有機ＥＬ表示パネルにおいて、表示部の外側に配置される給電端から表示部に配置される画素のカソード電極などへ電圧が印加される。大型高精細の有機ＥＬ表示パネルにおいては、例えば、給電端から遠い位置にある画素では、カソード電極における電圧降下が大きくなるため、正常な表示ができない場合がある。
【0003】
このような電圧降下を低減するために、特許文献１、２に記載された発明においては、給電端に接続される補助電極を設けることで給電端から画素までの抵抗を低減しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００７－１０３０９８号公報
【特許文献2】特開２０２０－９６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１、２に記載された発明においては、補助電極は、画素電極（有機ＥＬ素子のアノード電極）と同一の層において画素と画素との間に配置され、給電端まで延在する。このため、特許文献１、２に記載された発明においては、このような補助電極を設けない場合と比較して、開口率（表示パネルの表示領域において自発光領域が占める面積の割合）が低下する。
【0006】
これに対して、補助電極を、画素を区画するバンク内の一部の領域に形成し、かつ、画素回路に含まれる薄膜トランジスタの電極と同一の層に形成された導電層を介して補助電極を給電端に接続することで、開口率の低下を抑制し得る。この場合、貫通孔を形成する位置に形成された有機材料層は、貫通孔形成時に、レーザアブレーションなどを用いて除去する必要がある。このため、有機材料層が形成されていない箇所に貫通孔を形成する場合と比較して、レーザアブレーションにおけるレーザ光の強度を高める必要がある。これに伴い、貫通孔の底に位置する補助電極へのダメージが大きくなる。また、貫通孔内に有機材料層などの残渣が残り得る。このため、貫通孔の加工品質を安定化させることが難しい。
【0007】
本開示は、上記の問題を解決するためになされたものであり、開口率の低下を抑制しつつ、補助電極上に形成される貫通孔の加工品質を安定化させることができる表示パネルなどを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る表示パネルは、基板と、前記基板の上方に配置される薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層の上方に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜の上方に配置される第一導電層と、前記第一導電層の上方に配置され、有機材料を含む発光層と、前記発光層の上方に配置される機能層と、前記機能層の上方に配置される第二導電層とを備え、前記絶縁膜は、上方に向かって突出する突起を有し、前記第一導電層は、画素電極、及び前記画素電極から電気的に絶縁された補助電極を有し、前記補助電極は、前記突起の上方に配置され、前記画素電極より上方に位置する突出領域を有し、前記機能層には、前記突出領域の上方において貫通孔が形成されており、前記第二導電層は、前記貫通孔を介して前記突出領域に接続される。
【0009】
上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る表示装置は、上記表示パネルを備える。
【0010】
上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方に薄膜トランジスタ層を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ層の上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上方に、画素電極、及び前記画素電極から電気的に絶縁された補助電極を有する第一導電層を形成する工程と、前記第一導電層の上方に有機材料を含む発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に機能層を形成する工程と、前記機能層に貫通孔を形成する工程と、前記機能層の上方に、前記貫通孔を介して前記補助電極に接続される第二導電層を形成する工程とを含み、前記絶縁膜は、上方に向かって突出する突起を有し、前記補助電極は、前記突起の上方に配置され、前記画素電極より上方に位置する突出領域を有し、前記貫通孔は、前記突出領域の上方に形成される。
【発明の効果】
【0011】
本開示によれば、開口率の低下を抑制しつつ、補助電極上に形成される貫通孔の加工品質を安定化させることができる表示パネルなどを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】実施の形態１に係る表示装置の構成を示す模式的な平面図
【図2】実施の形態１に係る表示パネルが有する赤色副画素の回路構成の一例を示す回路図
【図3】実施の形態１に係る表示パネルの一部を示す模式的な平面図
【図4】実施の形態１に係る表示パネルの一部を示す模式的な第一の断面図
【図5】実施の形態１に係る表示パネルの一部を示す模式的な第二の断面図
【図6】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第一工程を示す模式的な断面図
【図7】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第二工程を示す模式的な断面図
【図8】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第三工程を示す模式的な断面図
【図9】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第四工程を示す模式的な断面図
【図10】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第五工程を示す模式的な断面図
【図11】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第六工程を示す模式的な第一の断面図
【図12】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第六工程を示す模式的な第二の断面図
【図13】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第七工程を示す模式的な第一の断面図
【図14】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第七工程を示す模式的な第二の断面図
【図15】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第八工程を示す模式的な第一の断面図
【図16】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第八工程を示す模式的な第二の断面図
【図17】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第九工程を示す模式的な第一の断面図
【図18】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第九工程を示す模式的な第二の断面図
【図19】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第十工程を示す模式的な断面図
【図20】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第十一工程を示す模式的な断面図
【図21】実施の形態１に係る表示パネルの製造方法の第十二工程を示す模式的な断面図
【図22】実施の形態２に係る表示パネルの一部を示す模式的な断面図
【図23】実施の形態２に係る絶縁膜の形成工程を示す模式的な断面図
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本開示の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【0014】
また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【0015】
また、本明細書において、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。また、「上方」及び「下方」という用語は、２つの構成要素が互いに間隔をあけて配置されて２つの構成要素の間に別の構成要素が存在する場合のみならず、２つの構成要素が互いに接する状態で配置される場合にも適用される。
【0016】
（実施の形態１）
実施の形態１に係る表示パネル、表示装置、及び、表示パネルの製造方法について説明する。
実施の形態１に係る表示パネル、表示装置、及び、表示パネルの製造方法について説明する。
【0017】
［１－１．表示装置の構成］
本実施の形態に係る表示装置の構成について図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る表示装置１の構成を示す模式的な平面図である。図１及び以下に示す各図には、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、右手系の直交座標系である。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向をそれぞれ、表示パネル１０における行方向、列方向、及び厚さ方向とも称する。
本実施の形態に係る表示装置の構成について図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る表示装置１の構成を示す模式的な平面図である。図１及び以下に示す各図には、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、右手系の直交座標系である。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向をそれぞれ、表示パネル１０における行方向、列方向、及び厚さ方向とも称する。
【0018】
図１に示される表示装置１は、表示パネル１０を備える。本実施の形態では、表示装置１は、表示パネル１０に接続される駆動制御回路部２０をさらに備える。駆動制御回路部２０は、例えば、４つの駆動回路２１～２４と制御回路２５とを有する。
【0019】
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用する有機ＥＬ表示パネルである。表示パネル１０は、複数の画素１１を有し、複数の画素１１が表示パネル１０の表示部を構成する。複数の画素１１は、例えば、マトリクス状に配列されている。
【0020】
複数の画素１１の各々は、複数の互いに異なる色を表示する副画素を有する。本実施の形態では、複数の画素１１の各々は、赤色副画素１１Ｒ、緑色副画素１１Ｇ、及び青色副画素１１Ｂを有する（後述する図３など参照）。なお、本実施の形態では、複数の画素１１の各々は、３個の副画素を備えるが、複数の画素１１の構成はこれに限定されない。例えば、複数の画素１１の各々は、４個の副画素を備えてもよい。
【0021】
ここで、各副画素の回路構成例について、図２を用いて説明する。図２は、本実施の形態に係る表示パネル１０が有する赤色副画素１１Ｒの回路構成の一例を示す回路図である。なお、ここでは、各副画素を代表して、赤色副画素１１Ｒの回路構成について説明するが、緑色副画素１１Ｇ、及び青色副画素１１Ｂも同様の回路構成を有する。
【0022】
図２に示されるように、赤色副画素１１Ｒは、二つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と、一つのキャパシタＣと、有機ＥＬ素子ＥＬとを有する。
【0023】
トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は、薄膜トランジスタであり、トランジスタＴｒ１は、駆動トランジスタとして機能し、トランジスタＴｒ２は、スイッチングトランジスタとして機能する。
【0024】
トランジスタＴｒ１のドレインＤ１は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１は、有機ＥＬ素子ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
【0025】
トランジスタＴｒ２のゲートＧ２は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続されている。トランジスタＴｒ２のドレインＤ２は、トランジスタＴｒ１のゲートＧ１に接続されている。
【0026】
キャパシタＣの第１端は、トランジスタＴｒ２のドレインＤ２及びトランジスタＴｒ１のゲートＧ１と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
【0027】
各副画素のゲートＧ２からゲートラインが引き出され、走査ラインＶｓｃｎに接続されている。走査ラインＶｓｃｎは、例えば、駆動回路２３及び駆動回路２４の少なくとも一方に接続される。各副画素のソースＳ２からソースラインが引き出され、データラインＶｄａｔに接続されている。データラインＶｄａｔは、例えば、駆動回路２１及び駆動回路２２の少なくとも一方に接続されている。
【0028】
各副画素の電源ラインＶａ、及び、各副画素の接地ラインＶｃａｔは集約されて、それぞれ、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
【0029】
続いて、本実施の形態に係る表示パネル１０の詳細構成について、図３～図５を用いて説明する。図３、図４、及び図５は、それぞれ、本実施の形態に係る表示パネル１０の一部を示す模式的な平面図、第一の断面図、及び第二の断面図である。図４、及び図５には、図３に示されるＩＶ－ＩＶ線、及びＶ－Ｖ線における断面が示されている。
【0030】
図３に示されるように、表示パネル１０は、マトリクス状に配列された複数の画素１１を有する。複数の画素１１の各々は、赤色副画素１１Ｒ、緑色副画素１１Ｇ、及び青色副画素１１Ｂを有する。また、表示パネル１０は、赤色副画素１１Ｒ、緑色副画素１１Ｇ、及び青色副画素１１Ｂを区画する列バンク１２Ｙと、隣り合う二つの赤色副画素１１Ｒ、隣り合う二つの緑色副画素１１Ｇ、及び隣り合う二つの青色副画素１１Ｂをそれぞれ区画する行バンク１２Ｘとを備える。
【0031】
表示パネル１０は、第一導電層５１を有する。第一導電層５１は、画素電極５１Ｒ、５１Ｒ１、５１Ｇ、５１Ｂ、及び、各画素電極から電気的に絶縁された補助電極５１Ｓを有する。第一導電層５１の詳細構成については、後述する。
【0032】
各画素電極は、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとして機能する電極であり、絶縁膜５０（後述する図４、及び図５参照）に形成されたコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＧＨ、又は５１ＢＨを介して、各副画素が有するトランジスタＴｒ１のソースＳ１に接続される（図２参照）。
【0033】
補助電極５１Ｓは、接地ラインＶｃａｔの電圧降下を抑制するための電極である。本実施の形態では、補助電極５１Ｓは、赤色副画素１１Ｒに配置される。補助電極５１Ｓが配置される赤色副画素１１Ｒの画素電極５１Ｒ１は、他の副画素の各画素電極より面積が小さくなる。しかしながら、赤色副画素１１Ｒが有する有機ＥＬ素子ＥＬは、他の副画素が有する有機ＥＬ素子ＥＬより寿命が長いため、他の副画素より早く劣化することを抑制できる。なお、補助電極５１Ｓは、複数の赤色副画素１１Ｒのうち、少なくとも一つの赤色副画素１１Ｒに配置されればよく、すべての赤色副画素１１Ｒに配置されなくてもよい。補助電極５１Ｓは、コンタクトホール５１ＳＨを介して、他の導電層に接続されてもよい。
【0034】
続いて、図４、及び図５を用いて、表示パネル１０の積層構造について説明する。図４、及び図５に示されるように、表示パネル１０は、基板３０と、薄膜トランジスタ層４０と、絶縁膜５０と、第一導電層５１と、正孔輸送層６１と、発光層６２と、電子輸送層６３と、第二導電層５２とを備える。本実施の形態では、表示パネル１０は、行バンク１２Ｘ（図４参照）と、列バンク１２Ｙ（図５参照）と、封止層１７と、対向基板１８とをさらに備える。
【0035】
基板３０は、表示パネル１０の回路基板の基台となる絶縁性の板状部材である。本実施の形態では、基板３０は、ガラス基板である。なお、基板３０は、絶縁性の基板であれば特に限定されない。例えば、基板３０として、フレキシブル基板などを用いてもよい。
【0036】
薄膜トランジスタ層４０は、基板３０の上方に配置される積層体であり、画素１１に含まれるトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、キャパシタＣなどを有する。なお、図４、及び図５などの断面図においては、薄膜トランジスタ層４０に含まれるトランジスタＴｒ１，ｔｒ２などの層構成の図示を省略している。薄膜トランジスタ層４０は、下部導電層４１、下部導電層４１の上方に配置される中間導電層４５と、中間導電層４５の上方に配置される上部導電層４８と、半導体層４３と、絶縁膜４２、４４、４６、４７、４９とを有する。
【0037】
下部導電層４１は、基板３０の上方に配置される導電層である。下部導電層４１は、例えば、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のシールド電極などとして用いられる。下部導電層４１として、任意の導電膜を用いることができる。本実施の形態では、下部導電層４１として、ＭｏＷ膜を用いる。
【0038】
絶縁膜４２は、下部導電層４１の上方に配置される絶縁膜である。絶縁膜４２は、下部導電層４１を覆う。絶縁膜４２として、例えば、ＳｉＮｘ膜及びＳｉＯ２膜を含む積層膜を用いることができる。
【0039】
半導体層４３は、絶縁膜４２の上方に配置される半導体層である。半導体層４３は、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のチャネル領域を形成する半導体層として用いられる。本実施の形態では、半導体層４３は、酸化物半導体を含む。半導体層４３は、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、及びＮｂのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む酸化物半導体から構成されている。半導体層４３として、例えば、ＩＴＺＯ（酸化インジウムスズ亜鉛）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＩＧＯ（酸化インジウムガリウム）、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩｎＯなどを用いることができる。
【0040】
絶縁膜４４は、半導体層４３の上方に配置される絶縁膜である。絶縁膜４４として、例えば、ＳｉＯ２膜を用いることができる。本実施の形態では、絶縁膜４４は、中間導電層４５と同一の形状にパターニングされている。
【0041】
中間導電層４５は、下部導電層４１の上方に配置される導電層である。本実施の形態では、中間導電層４５は、絶縁膜４４の上方に配置される。中間導電層４５は、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のゲートを含む導電層である。中間導電層４５として、例えば、任意の導電膜を用いることができる。本実施の形態では、中間導電層４５として、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、及びＴｉ膜からなる積層膜を用いる。
【0042】
絶縁膜４６は、中間導電層４５の上方に配置される絶縁膜である。絶縁膜４６として、例えば、ＳｉＯ２膜を用いることができる。絶縁膜４６として、例えば、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜などの無機絶縁膜、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。
【0043】
絶縁膜４７は、絶縁膜４６の上方に配置される絶縁膜である。絶縁膜４７として、例えば、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜などの無機絶縁膜、又は、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜を用いることができる。なお、表示パネル１０は、絶縁膜４７を備えなくてもよい。
【0044】
上部導電層４８は、中間導電層４５の上方に配置される導電層である。本実施の形態では、上部導電層４８は、絶縁膜４７の上方に配置される。上部導電層４８は、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のソース及びドレインを含む導電層である。上部導電層４８として、例えば、任意の導電膜を用いることができる。上部導電層４８として、中間導電層４５と同じ構成の導電膜を用いてもよい。本実施の形態では、上部導電層４８として、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、及びＴｉ膜からなる積層膜を用いる。
【0045】
絶縁膜４９は、上部導電層４８の上方に配置される絶縁膜である。絶縁膜４９として、例えば、ＳｉＯ２膜を用いることができる。絶縁膜４９には、絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨが形成されている。絶縁膜４９として、例えば、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜などの無機絶縁膜、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。
【0046】
絶縁膜５０は、薄膜トランジスタ層４０の上方に配置される絶縁膜である。絶縁膜５０は、上方に向かって突出する突起５０Ｐを有する。突起５０Ｐの下方において、下部導電層４１と、中間導電層４５と、上部導電層４８とが重ねて配置される。本実施の形態では、突起５０Ｐの下方において、絶縁膜４２、４４、４６、４７、４９と、半導体層４３とがさらに重ねて配置される。本実施の形態では、絶縁膜５０は、有機材料を含む。絶縁膜５０には、絶縁膜５０を貫通するコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨが形成されている。絶縁膜５０として、例えば、ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの感光性有機材料を用いることができる。
【0047】
第一導電層５１は、絶縁膜５０の上方に配置される導電層である。第一導電層５１は、画素電極５１Ｒ、５１Ｒ１、５１Ｇ、５１Ｂ、及び、各画素電極から電気的に絶縁された補助電極５１Ｓを有する（図３参照）。各画素電極は、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとして機能する。画素電極５１Ｒ、５１Ｒ１は、コンタクトホール５１ＲＨを介して上部導電層４８に接続される。同様に、画素電極５１Ｇ、及び５１Ｂは、それぞれ、コンタクトホール５１ＧＨ、及び５１ＢＨを介して上部導電層４８に接続される（図３参照）。補助電極５１Ｓは、絶縁膜５０の突起５０Ｐの上方に配置され、各画素電極より上方に位置する突出領域５１ＳＰを有する。
【0048】
第一導電層５１として、例えば、任意の導電膜を用いることができる。本実施の形態では、第一導電層５１として、ＡｌＮｄ膜などが用いられる。第一導電層５１として、例えばＡｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇなどの金属元素の単体又は合金を含む導電膜を用いてもよい。また、第一導電層５１は、これらの金属元素の単体又は合金を含む導電膜と、光透過性を有する透明導電膜との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えば、Ａｌを添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、Ｇａを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。
【0049】
第一導電層５１は、正孔注入層を有してもよい。正孔注入層は、各画素電極から供給される正孔を正孔輸送層６１及び発光層６２へ注入する層である。正孔注入層として、例えば、Ａｇ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗ、Ｎｉなどの酸化物を含む層を用いることができる。
【0050】
行バンク１２Ｘは、隣り合う二つの赤色副画素１１Ｒ、隣り合う二つの緑色副画素１１Ｇ、及び隣り合う二つの青色副画素１１Ｂをそれぞれ区画する素子分離層である。行バンク１２Ｘは、Ｘ軸方向に延在する。
【0051】
補助バンク１２Ｓは、画素電極５１Ｒ１と、補助電極５１Ｓとの間に配置される素子分離層である。補助バンク１２Ｓは、Ｘ軸方向に延在する。
【0052】
列バンク１２Ｙは、赤色副画素１１Ｒ、緑色副画素１１Ｇ、及び青色副画素１１Ｂを区画する素子分離層である。列バンク１２Ｙは、Ｙ軸方向に延在する。
【0053】
本実施の形態では、図４に示されるように、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上面は、行バンク１２Ｘの上面より上方に位置する。また、図５に示されるように、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上面は、列バンク１２Ｙの上面より下方に位置する。
【0054】
本実施の形態では、行バンク１２Ｘ、補助バンク１２Ｓ、及び列バンク１２Ｙは、樹脂等の有機材料を用い形成されており、絶縁性を有する。各バンクとしては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等を用いることができる。各バンクは、有機溶剤耐性を有してもよい。
【0055】
各バンクとして、無機材料を用いてもよい。この場合、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いてもよい。各バンクとして、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用いてもよい。
【0056】
本実施の形態では、行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓの表面は、列バンク１２Ｙより撥水性が低減されている。撥水性を低減するために、行バンク１２Ｘに紫外線照射、低温でのベーク処理などを施してもよい。列バンク１２Ｙの表面には、撥水性を高めるために、フッ素処理が施されてもよい。また、列バンク１２Ｙとして、フッ素を含有する材料を用いてもよい。これにより、正孔輸送層６１及び発光層６２を印刷などによって形成する際に、塗布された材料が、列バンク１２Ｙを超えて、隣の副画素に漏れることを抑制できる。
【0057】
正孔輸送層６１は、第一導電層５１の上方に配置され、有機材料を含む層である。正孔輸送層６１は、各画素電極から注入される正孔を発光層６２へ輸送する層である。本実施の形態では、正孔輸送層６１は、印刷などによって形成される塗布膜である。図４に示されるように、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方における正孔輸送層６１の膜厚は、画素電極５１Ｒ、５１Ｒ１の上方における正孔輸送層６１の膜厚より小さい。なお、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方における正孔輸送層６１の膜厚はゼロであってもよい。つまり、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方に正孔輸送層６１が配置されなくてもよい。本実施の形態では、正孔輸送層６１には、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方において、貫通孔５２Ｈが形成されている。
【0058】
正孔輸送層６１として、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、若しくは、アミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、又は、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９－ｄｉ－ｎ－ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ－ａｌｔ－（１、４－ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ－（（４－ｓｅｃ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）－１、４－ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。
【0059】
発光層６２は、第一導電層５１の上方に配置され、有機材料を含む層である。本実施の形態では、発光層６２は、正孔輸送層６１の上方に配置される。発光層６２は、有機ＥＬ素子ＥＬの発光層として機能する。本実施の形態では、発光層６２は、印刷などによって形成される塗布膜である。図４に示されるように、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方における発光層６２の膜厚は、画素電極５１Ｒ、５１Ｒ１の上方における発光層６２の膜厚より小さい。なお、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方における発光層６２の膜厚はゼロであってもよい。つまり、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方に発光層６２が配置されなくてもよい。本実施の形態では、発光層６２には、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方において、貫通孔５２Ｈが形成されている。
【0060】
発光層６２は、正孔輸送層６１から輸送される正孔と、電子輸送層６３から輸送される電子とを再結合させることで光を出力する。発光層６２として、例えば、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることができる。具体的には、発光層６２として、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質を用いることができる。
【0061】
電子輸送層６３は、発光層６２の上方に配置される機能層の一例である。本実施の形態では、電子輸送層６３は、第二導電層５２から供給される電子を発光層６２へ輸送する層である。電子輸送層６３は、各画素電極、及び補助電極５１Ｓの上方に配置される。電子輸送層６３には、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方において、貫通孔５２Ｈが形成されている。本実施の形態では、貫通孔５２Ｈは、電子輸送層６３と、発光層６２と、正孔輸送層６１とを連続して貫通する孔である。電子輸送層６３として、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料を用いることができる。また、電子輸送層６３は、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでもよい。
【0062】
第二導電層５２は、電子輸送層６３の上方に配置される導電層である。第二導電層５２は、電子輸送層６３（発光層６２、及び正孔輸送層６１）に形成された貫通孔５２Ｈを介して補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰに接続される。本実施の形態では、第二導電層５２は、電子輸送層６３の上面全体に配置され、複数の有機ＥＬ素子ＥＬのカソードとして機能する共通電極である。第二導電層５２が補助電極５１Ｓに接続されることで、有機ＥＬ素子ＥＬのカソードとして機能する第二導電層５２及び補助電極５１Ｓ、並びに、補助電極５１Ｓに接続される上部導電層４８を含む導電層全体の電気抵抗を低減できる。したがって、有機ＥＬ素子ＥＬのカソードとして機能する導電層全体における電圧降下を低減できる。これにより、表示パネル１０が大型化される場合においても正常な表示を実現できる。
【0063】
第二導電層５２として、例えば、透明導電膜を用いることができる。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えば、Ａｌを添加した酸化亜鉛、Ｇａを添加した酸化亜鉛などが挙げられる。また、第二導電層５２として、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金などが用いられてもよい。
【0064】
封止層１７は、第二導電層５２の上方に配置される絶縁層である。封止層１７は、有機ＥＬ素子ＥＬを封止する機能を有する。封止層１７として、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用いることができる。また、封止層１７は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層と、当該層の上に配置される、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層とを有してもよい。
【0065】
対向基板１８は、基板３０に対向して配置される透光性部材であり、封止層１７の上方に配置される。対向基板１８は、封止層１７などとともに、有機ＥＬ素子ＥＬを封止する機能を有する。対向基板１８として、例えば、有機ＥＬ素子ＥＬで発生した光に対して透明なガラス、プラスチックなどの材料を含む。また、対向基板１８は、光学フィルタを有してもよい。対向基板１８は、光学フィルタとして、例えば、カラーフィルタ、円偏光フィルタ、反射防止フィルタなどを有してもよい。
【0066】
［１－２．表示パネルの製造方法］
表示パネル１０の製造方法について、図４～図２１を用いて説明する。図６～図２１は、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法の各工程を示す模式的な断面図である。図６～図９、図１１、図１３、図１９～図２１には、図４と同様の位置における表示パネル１０の断面が示されている。図１０、図１２、図１４には、図５と同様の位置における表示パネル１０の断面が示されている。
表示パネル１０の製造方法について、図４～図２１を用いて説明する。図６～図２１は、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法の各工程を示す模式的な断面図である。図６～図９、図１１、図１３、図１９～図２１には、図４と同様の位置における表示パネル１０の断面が示されている。図１０、図１２、図１４には、図５と同様の位置における表示パネル１０の断面が示されている。
【0067】
まず、図６に示されるように、絶縁性の基板３０を準備し、基板３０の上方に薄膜トランジスタ層４０を形成する。
【0068】
薄膜トランジスタ層４０を形成する工程は、下部導電層４１を形成する工程と、下部導電層４１の上方に中間導電層４５を形成する工程と、中間導電層４５の上方に上部導電層４８を形成する工程とを含む。本実施の形態では、薄膜トランジスタ層４０を形成する工程は、絶縁膜４２を形成する工程と、半導体層４３を形成する工程と、絶縁膜４４を形成する工程と、絶縁膜４６を形成する工程と、絶縁膜４７を形成する工程と、絶縁膜４９を形成する工程とをさらに含む。また、後に形成される絶縁膜５０の突起５０Ｐの下方において、下部導電層４１と、中間導電層４５と、上部導電層４８とが重ねて配置される。
【0069】
薄膜トランジスタ層４０を形成する工程において、まず、基板３０の上方に、下部導電層４１を形成する。本実施の形態では、スパッタ法を用いて、膜厚５０ｎｍのＭｏＷ膜を基板３０上に成膜し、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系又はＳＦ系のガスを用いたドライエッチングによりパターニングする。
【0070】
続いて、下部導電層４１の上方に絶縁膜４２を形成する。本実施の形態では、基板３０上、及び下部導電層４１上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、膜厚１００ｎｍのＳｉＮｘ膜、及び膜厚２００ｎｍのＳｉＯ２膜をこの順に成膜する。
【0071】
続いて、絶縁膜４２の上方に半導体層４３を形成する。本実施の形態では、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む膜厚３０ｎｍの酸化物半導体膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングする。この時、酸化物半導体膜のキャリア濃度調整などの目的で、適宜酸素を含む雰囲気などでアニール処理を行ってもよい。
【0072】
続いて、半導体層４３の上方に絶縁膜４４を形成する。本実施の形態では、絶縁膜４２上、及び半導体層４３上に、ＣＶＤ法により、膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ２膜を成膜する。
【0073】
続いて、絶縁膜４４の上方に中間導電層４５を形成する。本実施の形態では、絶縁膜４４上に、スパッタ法により、導電膜として、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３００ｎｍのＡｌ膜、及び、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜をこの順に成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法、及びＣｌ系のガスを用いたドライエッチングにより、中間導電層４５を所定の形状にパターニングする。
【0074】
続いて、絶縁膜４４をパターニングする。本実施の形態では、中間導電層４５をマスクとして絶縁膜４４をドライエッチングによってパターニングする。ドライエッチングにおいては、例えば、ＣＦ系ガスを用いることができる。これにより、絶縁膜４４は、中間導電層４５と同一の形状にパターニングされる。
【0075】
続いて、中間導電層４５の上方に絶縁膜４６を形成する。本実施の形態では、中間導電層４５上、半導体層４３上、及び絶縁膜４２上に、ＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍのＳｉＯ２膜を成膜する。
【0076】
続いて、絶縁膜４６をパターニングする。本実施の形態では、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングにより、パターニングを行う。
【0077】
続いて、絶縁膜４６の上方に絶縁膜４７を形成する。本実施の形態では、絶縁膜４７として、ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの感光性有機材料を塗布する。なお、絶縁膜４７として、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜などの無機絶縁膜を形成してもよいし、絶縁膜４７の形成は省略されてもよい。
【0078】
続いて、絶縁膜４７の上方に、上部導電層４８を形成する。本実施の形態では、絶縁膜４７上に、スパッタ法により、導電膜として、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３００ｎｍのＡｌ膜、及び、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜をこの順に成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法、及びＣｌ系のガスを用いたドライエッチングにより、上部導電層４８を所定の形状にパターニングする。
【0079】
続いて、上部導電層４８の上方に絶縁膜４９を形成する。本実施の形態では、上部導電層４８上、及び絶縁膜４７上に、ＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍのＳｉＯ２膜を成膜する。
【0080】
続いて、絶縁膜４９をパターニングする。本実施の形態では、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングにより、絶縁膜４９にコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨ、５１ＧＨ、５１ＢＨ（コンタクトホール５１ＧＨ、５１ＢＨについては図３を参照）を形成する。
【0081】
以上のように薄膜トランジスタ層４０が形成される。
【0082】
続いて、図７に示されるように、薄膜トランジスタ層４０の上方に絶縁膜５０を形成する。本実施の形態では、絶縁膜４９の上方に、ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのポジ型の感光性有機材料を塗布する。続いて、絶縁膜５０をパターニングする。具体的には、露光、現像、及び焼成の工程により、絶縁膜５０をパターニングする。これにより、コンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨが形成される。このように形成された絶縁膜５０は、下部導電層４１、中間導電層４５、及び上部導電層４８が重ねて配置される領域の上方において、上方に向かって突出する突起５０Ｐを有する。
【0083】
続いて、図８に示されるように、絶縁膜５０の上方に、各画素電極、及び各画素電極から電気的に絶縁された補助電極５１Ｓを有する第一導電層５１を形成する。なお、図８には、第一導電層５１が有する画素電極５１Ｒ，５１Ｒ１、補助電極５１Ｓだけが示されているが、本工程において、図３に示される画素電極５１Ｇ、５１Ｂも形成される。本実施の形態では、絶縁膜５０上、及びコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨ、５１ＧＨ、５１ＢＨ（コンタクトホール５１ＧＨ、５１ＢＨについては図３参照）の内部に、スパッタ法により、導電膜として、膜厚２００ｎｍのＡｌＮｄ膜を成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法、及びリン酸－酢酸－硝酸系のエッチャントを用いたエッチングにより、第一導電層５１を所定の形状にパターニングすることで、各画素電極、及び補助電極５１Ｓを形成する。このようにして形成された補助電極５１Ｓは、絶縁膜５０の突起５０Ｐの上方に配置され、各画素電極より上方に位置する突出領域５１ＳＰを有する。
【0084】
続いて、図９に示されるように、第一導電層５１の上方に、行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓを形成する。本実施の形態では、第一導電層５１の上に、スピンコート法などを用い、行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる樹脂膜を形成する。そして、当該樹脂膜をパターニングすることで行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓを形成する。行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）を行うことによってパターニングされる。
【0085】
続いて、図１０に示されるように、第一導電層５１の上方に、列バンク１２Ｙを形成する。列バンク１２Ｙの形成工程では、第一導電層５１上、行バンク１２Ｘ上、及び補助バンク１２Ｓ上に、スピンコート法などを用い、列バンク１２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる樹脂膜を積層形成する。そして、当該樹脂膜をパターニングすることで列バンク１２Ｙを形成する。列バンク１２Ｙは、フォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）を行うことによってパターニングされる。なお、第一導電層５１の上面にＡｇ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗ、Ｎｉなどの導電膜を形成しておき、行バンク１２Ｘ、補助バンク１２Ｓ、及び列バンク１２Ｙの焼成工程を利用して、第一導電層５１の上面の導電層を酸化することで、正孔注入層を形成してもよい。
【0086】
続いて、第一導電層５１の上方に有機材料を含む正孔輸送層６１を形成する。正孔輸送層６１の形成工程について、図１１～図１４を用いて説明する。まず、図１１及び図１２に示されるように、正孔輸送層６１の構成材料を第一導電層５１上に配置する。本実施の形態では、正孔輸送層６１は、塗布によって形成される。より具体的には、正孔輸送層６１は、インクジェット法、グラビア印刷法などの印刷によって形成される。これにより、図１２に示されるように隣り合う二つの列バンク１２Ｙの間に、正孔輸送層６１の構成材料が塗布される。正孔輸送層６１の構成材料の上面の高さは、Ｙ軸方向においては、図１１に示されるようにほぼ一様となり、Ｘ軸方向においては、図１２に示されるように、中央部が凸状の形状になり得る。この際、行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓの撥水性が低いため、正孔輸送層６１の構成材料が行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓを超え得る。一方、列バンク１２Ｙは撥水性を有するため、図１２に示されるように、列バンク１２Ｙの上面より正孔輸送層６１の構成材料の上面が上方に位置する場合にも、正孔輸送層６１の構成材料が列バンク１２Ｙを超えることを抑制できる。
【0087】
続いて、正孔輸送層６１の構成材料を乾燥させる。これにより、図１３、及び図１４に示されるように、正孔輸送層６１の体積が減少し、正孔輸送層６１の上面が低下する。ここで、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上面は、行バンク１２Ｘ，及び補助バンク１２Ｓ、並びに、各画素電極の上面より上方に位置する。このため、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方における正孔輸送層６１の膜厚は、各画素電極の上方における正孔輸送層６１の膜厚より小さくなる。なお、正孔輸送層６１は、以上のような工程を、各々が正孔輸送層６１の一部を構成する複数の層に対して繰り返し行うことで形成されてもよい。
【0088】
続いて、第一導電層５１の上方に有機材料を含む発光層６２を形成する。本実施の形態では、正孔輸送層６１の上方に発光層６２を形成する。発光層６２の形成工程について、図１５～図１８を用いて説明する。まず、図１５及び図１６に示されるように、発光層６２の構成材料を正孔輸送層６１上に配置する。本実施の形態では、発光層６２は、正孔輸送層６１と同様に、塗布によって形成される。より具体的には、発光層６２は、インクジェット法、グラビア印刷法などの印刷によって形成される。これにより、図１６に示されるように隣り合う二つの列バンク１２Ｙの間に、発光層６２の構成材料が塗布される。発光層６２の構成材料の上面の高さは、Ｙ軸方向においては、図１５に示されるようにほぼ一様となり、Ｘ軸方向においては、図１６に示されるように、中央部が凸状の形状になり得る。この際、行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓの撥水性が低いため、発光層６２の構成材料が行バンク１２Ｘ、及び補助バンク１２Ｓを超え得る。一方、列バンク１２Ｙは撥水性を有するため、図１６に示されるように、列バンク１２Ｙの上面より発光層６２の構成材料の上面が上方に位置する場合にも、発光層６２の構成材料が列バンク１２Ｙを超えることを抑制できる。
【0089】
続いて、発光層６２の構成材料を乾燥させる。これにより、図１７、及び図１８に示されるように、発光層６２の体積が減少し、発光層６２の上面が低下する。ここで、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上面は、行バンク１２Ｘ，及び補助バンク１２Ｓ、並びに、各画素電極の上面より上方に位置する。このため、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方における発光層６２の膜厚は、各画素電極の上方における発光層６２の膜厚より小さくなる。なお、発光層６２は、以上のような工程を、各々が発光層６２の一部を構成する複数の層に対して繰り返し行うことで形成されてもよい。
【0090】
続いて、図１９に示されるように、発光層６２の上方に電子輸送層６３を形成する。本実施の形態では、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層６３を形成する。真空蒸着法を用いることにより、有機膜である発光層６２に与える損傷を低減できる。また、高真空化で行う真空蒸着法は、成膜対象の分子が基板３０に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層６３の第一層として、発光層６２の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。続いて、第一層上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、第二層を、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。電子輸送層６３は、全体として、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有する。なお、電子輸送層６３の膜厚は、一例であり、上記数値に限られない。
【0091】
続いて、図２０に示されるように、電子輸送層６３に貫通孔５２Ｈを形成する。本実施の形態では、貫通孔５２Ｈは、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方にレーザアブレーションによって形成される。具体的には、貫通孔５２Ｈを形成する領域（つまり、補助電極５１Ｓの突出領域５１ＳＰの上方の領域）に、レーザ光を照射することで電子輸送層６３の一部を除去する。これにより、貫通孔５２Ｈを形成することができる。本実施の形態では、発光層６２及び正孔輸送層６１の一部も除去される。なお、補助電極５１Ｓの上面に正孔注入層が形成されている場合には、レーザアブレーションによって、正孔注入層を除去することで、正孔注入層に貫通孔５２Ｈを形成してもよい。また、レーザアブレーションによって、正孔注入層を除去しなくてもよい。
【0092】
レーザアブレーションにおいて用いるレーザ光として、例えば、２００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光を用いることができる。具体的には、ＹＡＧレーザの第３高調波（波長約３５５ｎｍ）、第４高調波（波長約２６６ｎｍ）などを用いることができる。
【0093】
なお、補助電極５１Ｓは、レーザアブレーションの下地層となる。このため、補助電極５１Ｓのレーザ光に対する光吸収率は、電子輸送層６３、発光層６２、及び正孔輸送層６１の光吸収率より低くてもよい。これにより、補助電極５１Ｓにおけるレーザアブレーションの際のレーザ光の吸収量を低減できるため、補助電極５１Ｓの損傷を抑制できる。
【0094】
続いて、図２１に示されるように、電子輸送層６３の上方に、貫通孔５２Ｈを介して補助電極５１Ｓに接続される第二導電層５２を形成する。本実施の形態では、第二導電層５２の第一層として、真空蒸着法により銀膜などの金属層を形成する。続いて、第一層上に、スパッタリング法などを用いてＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属酸化物からなる透明導電層を形成する。これにより、貫通孔５２Ｈを介して補助電極５１Ｓに接続される第二導電層５２を形成できる。
【0095】
続いて、図４、及び図５に示されるように、封止層１７を形成し、対向基板１８を配置する。封止層１７は、第二導電層５２を覆うように、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて形成される。対向基板１８は、例えば、透光性の接合材を用いて、封止層１７に接合される。
【0096】
以上のような工程によって、表示パネル１０を製造することができる。
【0097】
［１－３．効果］
以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、絶縁膜５０は、上方に向かって突出する突起５０Ｐを有し、補助電極５１Ｓは、突起５０Ｐの上方に配置され、各画素電極より上方に位置する突出領域５１ＳＰを有する。また、第二導電層５２は、貫通孔５２Ｈを介して突出領域５１ＳＰに接続される。
以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、絶縁膜５０は、上方に向かって突出する突起５０Ｐを有し、補助電極５１Ｓは、突起５０Ｐの上方に配置され、各画素電極より上方に位置する突出領域５１ＳＰを有する。また、第二導電層５２は、貫通孔５２Ｈを介して突出領域５１ＳＰに接続される。
【0098】
このように、貫通孔５２Ｈが、突出領域５１ＳＰの上方に形成される。突出領域５１ＳＰは、各画素電極より上方に位置するため、突出領域５１ＳＰ上に配置される発光層６２の膜厚は、各画素電極の上方に配置される発光層６２の膜厚より小さくなる。したがって、貫通孔５２Ｈを形成する際に、除去する発光層６２の膜厚を低減できる。これにより、例えば、レーザアブレーションによって貫通孔５２Ｈを形成する場合、レーザアブレーションにおいて用いるレーザ光の強度を低減できる。したがって、補助電極５１Ｓの損傷を抑制できる。また、除去する発光層６２の量を低減できるため、貫通孔５２Ｈ内に残る発光層６２の残渣を低減できる。また、レーザアブレーションの際に飛散する発光層６２の量も低減できるため、飛散した発光層６２の表示パネル１０への悪影響を低減できる。このように、貫通孔５２Ｈを形成する際の悪影響を抑制できるため、貫通孔５２Ｈの加工品質を安定化させることができる。また、本実施の形態では、貫通孔５２Ｈを赤色副画素１１Ｒなどの副画素内に配置できるため、表示パネル１０の開口率の低下を抑制できる。
【0099】
また、本実施の形態では、下部導電層４１と、中間導電層４５と、上部導電層４８とが重ねて配置されることで、絶縁膜５０の突起５０Ｐが形成される。このため、新たに層を追加したり、製造工程を追加したりすることなく、突起５０Ｐを形成できる。
【0100】
また、本実施の形態では、発光層６２は、印刷によって形成される塗布膜であるため、製造工程を簡素化することができる。
【0101】
また、本実施の形態では、補助電極５１Ｓは、赤色副画素１１Ｒに配置される。ここで、赤色副画素１１Ｒにおける発光層６２は、他の副画素の発光層６２より寿命が長い。このため、赤色副画素１１Ｒに補助電極５１Ｓを設けることで、発光層６２の面積が縮小されることに伴い、赤色副画素１１Ｒの有機ＥＬ素子ＥＬに供給される電流密度が上昇しても、他の副画素より先に劣化することを抑制できる。
【0102】
また、本実施の形態では、突出領域５１ＳＰの上面は、行バンク１２Ｘの上面より上方に位置する。これにより、突出領域５１ＳＰの上方における発光層６２の膜厚を、各画素電極の上方における発光層６２の膜厚より確実に小さくすることができる。
【0103】
また、本実施の形態では、突出領域５１ＳＰの上面は、列バンク１２Ｙの上面より下方に位置する。これにより、発光層６２の構成材料を塗布する際に、隣り合う赤色副画素１１Ｒ間における、発光層６２の構成材料の流出入の阻害を抑制できる。
【0104】
（実施の形態２）
実施の形態２に係る表示パネルについて説明する。本実施の形態に係る表示パネルは、主に、絶縁膜の突起の下方の構成、及び、突起の形成方法において、実施の形態１に係る表示パネル１０と相違する。以下、本実施の形態に係る表示パネルについて、実施の形態１に係る表示パネル１０との相違点を中心に説明する。
実施の形態２に係る表示パネルについて説明する。本実施の形態に係る表示パネルは、主に、絶縁膜の突起の下方の構成、及び、突起の形成方法において、実施の形態１に係る表示パネル１０と相違する。以下、本実施の形態に係る表示パネルについて、実施の形態１に係る表示パネル１０との相違点を中心に説明する。
【0105】
［２－１．表示パネルの構成］
本実施の形態に係る表示パネルの構成について、図２２を用いて説明する。図２２は、本実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式的な断面図である。図２２には、図４と同様の位置における表示パネルの断面が示されている。
本実施の形態に係る表示パネルの構成について、図２２を用いて説明する。図２２は、本実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式的な断面図である。図２２には、図４と同様の位置における表示パネルの断面が示されている。
【0106】
図２２に示されるように、本実施の形態に係る表示パネルは、実施の形態１に係る表示パネル１０と同様に、突起５０Ｐを有する絶縁膜５０を備えるが、絶縁膜５０の下方の薄膜トランジスタ層４０の構成において、実施の形態１に係る表示パネル１０と相違する。本実施の形態に係る表示パネルにおいては、絶縁膜５０の突起５０Ｐにおける膜厚は、突起５０Ｐ以外の領域における膜厚より大きい。つまり、本実施の形態では、薄膜トランジスタ層４０に各導電層を重ねて配置することなく、絶縁膜５０の膜厚を局所的に大きくすることで、突起５０Ｐを形成している。
【0107】
このような構成を有する表示パネルにおいても、実施の形態１に係る表示パネルと同様の効果を得ることができる。
【0108】
［２－２．表示パネルの製造方法］
本実施の形態に係る表示パネルの製造方法について説明する。本実施の形態に係る表示パネルの製造方法は、絶縁膜５０の突起５０Ｐの下方における薄膜トランジスタ層４０の各層のパターニングにおいて、実施の形態１に係る表示パネル１０の製造方法と相違する。また、本実施の形態に係る表示パネルの製造方法は、絶縁膜５０の突起５０Ｐの形成方法において、実施の形態１に係る表示パネル１０の製造方法と相違する。以下、本実施の形態に係る絶縁膜５０の突起５０Ｐの形成方法について、図２３を用いて説明する。図２３は、本実施の形態に係る絶縁膜５０の形成方法を示す模式的な断面図である。図２３には、図２２と同様の位置における表示パネルの断面が示されている。
本実施の形態に係る表示パネルの製造方法について説明する。本実施の形態に係る表示パネルの製造方法は、絶縁膜５０の突起５０Ｐの下方における薄膜トランジスタ層４０の各層のパターニングにおいて、実施の形態１に係る表示パネル１０の製造方法と相違する。また、本実施の形態に係る表示パネルの製造方法は、絶縁膜５０の突起５０Ｐの形成方法において、実施の形態１に係る表示パネル１０の製造方法と相違する。以下、本実施の形態に係る絶縁膜５０の突起５０Ｐの形成方法について、図２３を用いて説明する。図２３は、本実施の形態に係る絶縁膜５０の形成方法を示す模式的な断面図である。図２３には、図２２と同様の位置における表示パネルの断面が示されている。
【0109】
本実施の形態に係る絶縁膜５０の形成において、実施の形態１に係る絶縁膜５０と同様に、絶縁膜４９の上方に、ポリイミド樹脂，ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのポジ型の感光性有機材料を塗布する。
【0110】
続いて、図２３に示されるように、ハーフトーン露光によって、突起５０Ｐ及びコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨを形成する。つまり、本実施の形態において、絶縁膜５０をパターニングするめの露光マスク１９０は、すべてのレーザ光（図２３の直線矢印）を遮断する遮断部１９０ａと、一部のレーザ光を透過し、他のレーザ光を遮断する半透過部１９０ｂと、すべてのレーザ光を透過する透過部１９０ｃとを有する。なお、遮断部１９０ａのレーザ光の透過率は０％でなくてもよく、半透過部１９０ｂより透過率が低ければよい。また、透過部１９０ｃのレーザ光の透過率は１００％でなくてもよく、半透過部１９０ｂより透過率が高ければよい。
【0111】
図２３に示されるように、遮断部１９０ａは、突起５０Ｐに対応する領域に設けられる。また、透過部１９０ｃは、コンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨに対応する領域に設けられる。これにより、絶縁膜５０の突起５０Ｐに対応する領域は、露光によってほとんど除去されず、絶縁膜５０のコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨに対応する領域は、露光によって、除去される。また、絶縁膜５０のそれら以外の領域は、一部が露光によって除去される。これにより、図２２に示されるような突起５０Ｐ及びコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨを有する絶縁膜５０を形成することができる。
【0112】
本実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、絶縁膜５０のコンタクトホール５１ＲＨ、５１ＳＨを形成するための露光工程において、ハーフトーン露光を用いるだけで、突起５０Ｐを形成できる。したがって、製造工程を追加することなく、突起５０Ｐを形成できる。
【0113】
（その他の実施の形態）
以上、本開示に係る表示パネルなどについて、実施の形態に基づいて説明したが、本開示に係る表示パネルなどは、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本開示に含まれる。
以上、本開示に係る表示パネルなどについて、実施の形態に基づいて説明したが、本開示に係る表示パネルなどは、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本開示に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【0114】
本開示は、特に、有機ＥＬ素子、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum dot Light Emitting Diode）などの発光素子を用いる大型かつ高精細の表示パネルを備える表示装置などに有用である。
【符号の説明】
【0115】
１ 表示装置
１０ 表示パネル
１１ 画素
１１Ｂ 青色副画素
１１Ｇ 緑色副画素
１１Ｒ 赤色副画素
１２Ｓ 補助バンク
１２Ｘ 行バンク
１２Ｙ 列バンク
１７ 封止層
１８ 対向基板
２０ 駆動制御回路部
２１、２２、２３、２４ 駆動回路
２５ 制御回路
３０ 基板
４０ 薄膜トランジスタ層
４１ 下部導電層
４２、４４、４６、４７、４９、５０ 絶縁膜
４３ 半導体層
４５ 中間導電層
４８ 上部導電層
５０Ｐ 突起
５１ 第一導電層
５１Ｂ、５１Ｇ、５１Ｒ、５１Ｒ１ 画素電極
５１ＢＨ、５１ＧＨ、５１ＲＨ、５１ＳＨ コンタクトホール
５１Ｓ 補助電極
５１ＳＰ 突出領域
５２ 第二導電層
５２Ｈ 貫通孔
６１ 正孔輸送層
６２ 発光層
６３ 電子輸送層
１９０ 露光マスク
１９０ａ 遮断部
１９０ｂ 半透過部
１９０ｃ 透過部
Ｃ キャパシタ
Ｄ１、Ｄ２ ドレイン
Ｇ１、Ｇ２ ゲート
ＥＬ 有機ＥＬ素子
Ｓ１、Ｓ２ ソース
Ｔｒ１、Ｔｒ２ トランジスタ
Ｖａ 電源ライン
Ｖｃａｔ 接地ライン
Ｖｄａｔ データライン
Ｖｓｃｎ 走査ライン
１０ 表示パネル
１１ 画素
１１Ｂ 青色副画素
１１Ｇ 緑色副画素
１１Ｒ 赤色副画素
１２Ｓ 補助バンク
１２Ｘ 行バンク
１２Ｙ 列バンク
１７ 封止層
１８ 対向基板
２０ 駆動制御回路部
２１、２２、２３、２４ 駆動回路
２５ 制御回路
３０ 基板
４０ 薄膜トランジスタ層
４１ 下部導電層
４２、４４、４６、４７、４９、５０ 絶縁膜
４３ 半導体層
４５ 中間導電層
４８ 上部導電層
５０Ｐ 突起
５１ 第一導電層
５１Ｂ、５１Ｇ、５１Ｒ、５１Ｒ１ 画素電極
５１ＢＨ、５１ＧＨ、５１ＲＨ、５１ＳＨ コンタクトホール
５１Ｓ 補助電極
５１ＳＰ 突出領域
５２ 第二導電層
５２Ｈ 貫通孔
６１ 正孔輸送層
６２ 発光層
６３ 電子輸送層
１９０ 露光マスク
１９０ａ 遮断部
１９０ｂ 半透過部
１９０ｃ 透過部
Ｃ キャパシタ
Ｄ１、Ｄ２ ドレイン
Ｇ１、Ｇ２ ゲート
ＥＬ 有機ＥＬ素子
Ｓ１、Ｓ２ ソース
Ｔｒ１、Ｔｒ２ トランジスタ
Ｖａ 電源ライン
Ｖｃａｔ 接地ライン
Ｖｄａｔ データライン
Ｖｓｃｎ 走査ライン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】