特開 2024-163572 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024163572

(43)【公開日】2024-11-22

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/10 20060101AFI20241115BHJP

   H01L 23/04 20060101ALI20241115BHJP

   H05K 1/18 20060101ALI20241115BHJP

【ＦＩ】

H01L25/10 Z

H01L23/04 Z

H05K1/18 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】2

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023079313

(22)【出願日】2023-05-12

(71)【出願人】

【識別番号】000233273

【氏名又は名称】ミネベアパワーデバイス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】福井 昭一

(72)【発明者】

【氏名】沼田 敦

【テーマコード（参考）】

5E336

【Ｆターム（参考）】

5E336AA04

5E336AA16

5E336CC02

5E336CC22

5E336DD02

5E336EE03

5E336GG05

(57)【要約】

【課題】外形寸法を変えずに配線基板上の転倒の発生を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は半導体チップ２を収容するベース３を備える。ベース３は、半導体チップ２を搭載するペディスタル３１１が盛り上がるように一方側の第１面３１ａに形成された矩形板状のベース本体３１と、ベース本体３１の外周縁部から立ち上がり半導体チップ２の外周を取り囲む周壁３２とを有する。周壁３２は、配線基板１０１の実装面１０１ａに対向配置される第１壁部３２１と、第１壁部に対向する第２壁部３２２と、第１壁部と第２壁部の一方側端部を繋ぐ第３壁部３２３と、第１壁部と第２壁部の他方側端部を繋ぐ第４壁部３２４とで構成される。ペディスタル３１１は、高さＨの方向の中心位置Ｃｐがベース３の高さＨの方向の中心位置Ｃｂと一致するよう配置される。第１壁部３２１は、その厚みが第２壁部３２２よりも厚くなるように構成される。
【選択図】 図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線パターンが形成された配線基板に実装される半導体装置であって、
半導体チップと、
前記半導体チップを収容するベースとを備え、
前記ベースは、
前記半導体チップを搭載するペディスタルが盛り上がるように一方側の第１面に対して形成された矩形板状のベース本体と、
前記ベース本体の外周縁部から立ち上がり前記半導体チップの外周を取り囲む周壁とを有し、
前記周壁は、
前記配線基板の実装面に対して対向するように配置される第１壁部と、
前記ペディスタルを挟んで前記第１壁部の反対側に位置する第２壁部と、
前記第１壁部の一方側端部と前記第２壁部の一方側端部とを繋ぐ第３壁部と、
前記第１壁部の他方側端部と前記第２壁部の他方側端部とを繋ぐ第４壁部とで構成され、
前記ペディスタルは、前記第１壁部と前記第２壁部の並び方向である前記ベースの高さ方向における前記ペディスタルの中心位置が前記高さ方向における前記ベースの中心位置と一致するように配置され、
前記第１壁部は、その厚みが前記第２壁部よりも厚くなるように構成されている
ことを特徴とする半導体装置。

【請求項2】

請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１壁部は、その厚みが前記第３壁部及び前記第４壁部よりも厚くなるように構成されている
ことを特徴とする半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線パターンが形成された配線基板に実装される半導体装置（半導体デバイス）に係り、更に詳しくは、配線基板に対して垂直方向に立てた状態（直立した状態）で配置される縦置きの半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

実装基板の中には、小型化及び高密度化のために、基板表面上に電子部品が直立した状態で実装されるものがある。基板表面上に直立状態で搭載される縦置きの電子部品は、基板表面の専有面積が少なくて済む分、倒れやすいという問題がある。例えば、表面実装タイプの電子部品は、リフローはんだ付けによって配線基板に対して接合される。電子部品が基板表面上に半田ペーストを介して搭載された状態でリフロー炉内において加熱され、半田ペーストが加熱により溶融して電子部品が配線基板に接合される。基板上に半田ペーストを介して仮付状態で搭載された縦置きの電子部品は、リフロー炉内で搬送される際に生じる振動や慣性によって倒れる懸念がある。

【0003】

このような問題点に対して、例えば、特許文献１に記載の技術が提案されている。特許文献１に記載の半導体装置は、実装基板の実装面に対して垂直に配置されて表面実装されるものであり、半導体ペレットを封止する樹脂封止体の細長い長方形の下面から下方に引き出された複数本のアウタリードを備えている。複数本のアウタリードの各々は、樹脂封止体の下面に対して直角かつ同一平面内に含まれるように屈曲されて半田付け実装部を形成している。樹脂封止体は、半田付け実装部を含む面に一致した接触面部を有している。さらに、樹脂封止体の接触面部には、アウタリードの半田付け実装部とは反対方向に突出した接触面積増加部が形成されている（特許文献１の図７参照）。

【0004】

特許文献１に記載の半導体装置においては、アウタリードの半田付け実装部がプリント配線基板の各ランドに整合されて当接されると、樹脂封止体の接触面部がプリント配線基板の対向面に当接する状態になる。加えて、樹脂封止体の接触面部は、接触面積増加部によってプリント配線基板に対する接触面積が増加する。これにより、垂直実装パッケージの傾きや倒れ等の事故をより一層確実に防止することを意図している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平９－１２１０１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に記載の半導体装置においては、樹脂封止体にアウタリードの半田付け実装部とは反対方向に突出する接触面積増加部が設けられている。この構成の場合、当該半導体装置の外形寸法が基板表面上に対して接触面積増加部の分だけ大きくなってしまう。このことは、垂直実装（縦置き）の半導体装置の利点である実装基板の小型化及び高密度化を損なう虞がある。

【0007】

実装基板の小型化及び高密度化の観点からは、基板表面に対する半導体装置の専有面積の増加を回避するため、半導体装置の外形寸法を変更しないことが好ましい。一方で、基板表面上に直立状態で搭載される縦置きの半導体装置に対して転倒の発生を抑制することも求められている。

【0008】

本発明は、上記の問題点を解消するためになされたものであり、その目的は、外形寸法を変えることなく配線基板上での転倒の発生を抑制可能な半導体装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいる。その一例を挙げるならば、配線パターンが形成された配線基板に実装される半導体装置であって、半導体チップと、前記半導体チップを収容するベースとを備え、前記ベースは、前記半導体チップを搭載するペディスタルが盛り上がるように一方側の第１面に対して形成された矩形板状のベース本体と、前記ベース本体の外周縁部から立ち上がり前記半導体チップの外周を取り囲む周壁とを有し、前記周壁は、前記配線基板の実装面に対して対向するように配置される第１壁部と、前記ペディスタルを挟んで前記第１壁部の反対側に位置する第２壁部と、前記第１壁部の一方側端部と前記第２壁部の一方側端部とを繋ぐ第３壁部と、前記第１壁部の他方側端部と前記第２壁部の他方側端部とを繋ぐ第４壁部とで構成され、前記ペディスタルは、前記第１壁部と前記第２壁部の並び方向である前記ベースの高さ方向における前記ペディスタルの中心位置が前記高さ方向における前記ベースの中心位置と一致するように配置され、前記第１壁部は、その厚みが前記第２壁部よりも厚くなるように構成されている。

【発明の効果】

【0010】

本発明の一例によれば、ベースの高さ方向の中心位置にペディスタルを配置しつつ、ベースにおける配線基板側の第１壁部を第２壁部よりも厚くしたので、半導体チップの搭載位置をベースの高さ方向において引き上げることなく、周壁の厚みが全周に亘って同一であるベースに比べてベースの重心位置を引き下げることができる。したがって、ベースの外形寸法を変えることなく配線基板上での半導体装置の転倒の発生を抑制することが可能である。
上記以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態に係る半導体装置を備えた回路基板の一部を拡大した状態で示す図である。

【図2】図１に示す一実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。

【図3】図２に示す一実施形態に係る半導体装置を矢視III－IIIから見た断面図である。

【図4】図３に示す一実施形態に係る半導体装置のベースを示す正面図である。

【図5】図４に示す一実施形態に係る半導体装置のベースを矢視V－Vから見た断面図である。

【図6】一実施形態に係る半導体装置に対する比較例の半導体装置を示す正面図である。

【図7】図６に示す比較例の半導体装置のベースを示す正面図である。

【図8】図７に示す比較例の半導体装置のベースを矢視VIII－VIIIから見た断面図である。

【図9】図７及び図８に示す比較例の半導体装置のベースの一例における重心位置を示す説明図である。

【図10】図４及び図５に示す一実施形態に係る半導体装置のベースの一例における重心位置を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の半導体装置の実施形態について図面を用いて説明する。まず、本発明の一実施の形態に係る半導体装置を実装した回路基板の構成について図１及び図２を用いて説明する。図１は一実施形態に係る半導体装置を備えた回路基板の一部を拡大した状態で示す図である。図２は図１に示す一実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。

【0013】

図１において、回路基板１００は、配線パターン（図示せず）が形成された配線基板１０１上に半導体装置１を含む複数の電子部品（図示せず）が実装されたものである。配線基板１０１は、半導体装置１が実装される実装面としての第１面１０１ａと、第１面１０１ａの裏面である第２面１０１ｂとを有している。配線基板１０１は、半導体装置１が実装される第１面１０１ａのみに他の電子部品も実装される片面基板又は第１面１０１ａ以外に第２面１０１ｂにも他の電子部品が実装される両面基板として構成することが可能である。

【0014】

半導体装置１は、配線基板１０１の配線パターン（パッド）に対して、はんだ１０２を介して電気的に接続されている。本実施の形態に係る半導体装置１は、図１及び図２示すように、配線基板１０１に直立した状態で実装されるように構成されたものであり、配線基板１０１の第１面１０１ａ（実装面）上に載置される領域の寸法（幅Ｗ及び奥行Ｄ）に対する高さＨの比が相対的に大きい部品である。

【0015】

半導体装置１を含む複数の電子部品は、例えば、リフローはんだ付けによって配線基板１０１に実装される。具体的には、ペースト状の半田が塗布又は印刷された配線基板１０１の第１面１０１ａ上に半導体装置１を含む複数の電子部品が搭載される。半導体装置１を含む複数の電子部品は、配線基板１０１に半田ペーストを介して仮付け状態となっている。半導体装置１を含む複数の電子部品が搭載された配線基板１０１は、リフロー炉内で搬送されつつ加熱される。これより、半田ペーストが溶融して半導体装置１を含む複数の電子部品が配線基板に接合される。

【0016】

半導体装置１は、配線基板１０１上に直立状態で搭載される縦置きの部品であり、リフローはんだ付けの際に配線基板１０１上に半田ペーストを介して仮付け状態で搭載されるものである。このため、直立状態の半導体装置１は、リフロー炉内で搬送される際に生じる振動や慣性力によって転倒する懸念がある。そこで、本実施の形態に係る半導体装置１は、後述の比較例と比べて重心位置を引き下げる構造を備えたものである。

【0017】

次に、一実施の形態に係る半導体装置の構成及び構造を図１～図３を用いて説明する。図３は図２に示す一実施形態に係る半導体装置を矢視III－IIIから見た断面図である。

【0018】

図３において、半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を収容するベース３と、半導体チップ２を配線基板１０１の配線パターンに電気的に接続するためのリード４とを備えている。半導体装置１は、図１及び図２に示すように、略直方体状の部品であり、リード４の一部が配線基板１０１への接続のために突き出ている。

【0019】

図３に示す半導体チップ２は、例えば、矩形板状のダイオードチップである。半導体チップ２は、一方面（図３中、左面）が接合材５を介してベース３に接合されていると共に、他方面（図３中、右面）が接合材５を介してリード４の一方側部分４１に接合されている。

【0020】

ベース３は、図２及び図３に示すように、半導体チップ２を収容可能な凹部３ａが形成された略直方体状の金属製部材である。ベース３は、半導体チップ２を配線基板１０１の配線パターンに電気的に接続する機能を有していると共に、半導体チップ２で発生した熱を逃がす放熱機能を有している。ベース３の外表面には導電性及び熱伝導性に優れた材料によるメッキが施されており、ベース３の外表面が金属性皮膜６で覆われている。ベース３の構造の詳細は後述する。

【0021】

ベース３の凹部３ａには、半導体チップ２がベース３及びリード４に接合された状態において、電気的絶縁性を有する樹脂封止部７が充填されている。樹脂封止部７は、半導体チップ２及びリード４の一方側部分を封止するものである。

【0022】

リード４は、一方側部分４１が半導体チップ２に接合されると共に、他方側部分４２が配線基板１０１の配線パターンに接合される。リード４の一方側は、樹脂封止部７によってベース３の凹部３ａ内に封止されている。リード４の他方側は、ベース３の凹部３ａ内の樹脂封止部７から突き出て外部へ露出している。

【0023】

次に、一実施の形態に係る半導体装置のベースの構造を図３～図５を用いて説明する。図４は図３に示す一実施形態に係る半導体装置のベースを示す正面図である。図５は図４に示す一実施形態に係る半導体装置のベースを矢視V－Vから見た断面図である。

【0024】

半導体装置１のベース３は、図４及び図５に示すように、一方側に第１面３１ａを有すると共に第１面３１ａの反対側である他方側に第２面３１ｂを有する略矩形の板状のベース本体３１と、ベース本体３１における第１面３１ａの外周縁部から立ち上がり当該外周縁部の全周に亘って延在する周壁３２とを有している。ベース本体３１は、ベース３の凹部３ａの底部を構成するものである。周壁３２は、ベース３の凹部３ａの側壁を構成するものであり、半導体チップ２の外周を取り囲んでいる。

【0025】

ベース本体３１は、図３及び図４に示すように、半導体チップ２を搭載するペディスタル３１１が第１面３１ａに対して盛り上がるように矩形状に形成されている。ペディスタル３１１は、例えば、ベース３の高さＨの方向及び幅Ｗの方向（図２参照）におけるペディスタル３１１の中心位置Ｃｐがベース３の高さＨの方向及び幅Ｗの方向（図２参照）におけるベース３の中心位置Ｃｂと一致するように配置されている。ペディスタル３１１は、矩形状の周壁３２に対して隙間が生じるように形成されている。これは、半導体チップ２のペディスタル３１１への搭載の容易性を確保するための構造である。

【0026】

周壁３２は、配線基板１０１の第１面１０１ａ（実装面）に対して対向するように配置される第１壁部３２１と、ベース本体３１のペディスタル３１１を挟んで第１壁部３２１の反対側に位置する第２壁部３２２と、第１壁部３２１の一方側端部（図４中、右側端部）と第２壁部３２２の一方側端部（図４中、右側端部）とを繋ぐ第３壁部３２３と、第１壁部３２１の他方側端部（図４中、左側端部）と第２壁部３２２の他方側端部（図４中、左側端部）とを繋ぐ第４壁部３２４とで構成されている。第１壁部３２１は、その厚みｔ１が第２壁部３２２の厚みｔ２よりも厚くなるように構成されている。さらに、第１壁部３２１は、その厚みｔ１が第３壁部３２３の厚みｔ３及び第４壁部３２４の厚みｔ４よりも厚くなるように構成されている。また、第２壁部３２２、第３壁部３２３、第４壁部３２４は、例えば、それらの厚みｔ２、厚みｔ３、厚みｔ４が互いに同じ厚みになるように構成されている。

【0027】

このように、本実施の形態においては、周壁３２を構成する４つの壁部３２１、３２２、３２３、３２４のうちの配線基板１０１の第１面１０１ａ（実装面）に対向する第１壁部３２１が配線基板１０１から離れた位置にある第２壁部３２２よりも厚くなるように構成されている。この構成により、第１壁部３２１が厚くなる分、ベース３の重心位置が下がる。

【0028】

また、本実施の形態においては、ベース本体３１のペディスタル３１１がベース３の高さ方向及び幅方向における中心部に配置される。この構成により、ベース３の第１壁部３２１を厚くしても、半導体チップ２の搭載位置の高さＨの方向への引き上げを回避することができる。したがって、の第１壁部３２１の厚みによるベース３の重心位置の下げ効果が相殺されることがない。

【0029】

次に、一実施の形態に係る半導体装置の作用及び効果を比較例の半導体装置と比較して説明する。先ず、比較例の半導体装置の構造について図６～図８を用いて説明する。図６は一実施形態に係る半導体装置に対する比較例の半導体装置を示す正面図である。図７は図６に示す比較例の半導体装置のベースを示す正面図である。図８は図７に示す比較例の半導体装置のベースを矢視VIII－VIIIから見た断面図である。なお、図６～図８において、図１～図５に示す符号と同符号のものは、同様な部分であり、説明は省略する。

【0030】

図６において、比較例の半導体装置２０１は、図２に示す本実施の形態に係る半導体装置１と同様に、半導体チップ（図示せず）を保持するベース２０３と、半導体チップを配線基板１０１（図１参照）に電気的に接続するリード４とを備えている。比較例の半導体装置２０１は、図２に示す本実施の形態に係る半導体装置１と同様に、配線基板１０１に直立状態で搭載されるように構成されたものであり、配線基板１０１の実装面上に載置される領域の寸法（幅Ｗ及び奥行Ｄ）に対する高さＨの比が相対的に大きい部品である。

【0031】

比較例の半導体装置２０１のベース２０３は、図７及び図８に示すように、半導体チップを収容可能な凹部２０３ａが形成された略直方体状の金属製部材であり、その外形寸法（高さＨ、幅Ｗ、奥行Ｄ）が本実施の形態に係る半導体装置１のベース３の外形寸法と同じものである。ベース２０３は、本実施の形態と同様な構造のベース本体３１と、本実施の形態に係るベース３の周壁３２とは異なる構造の周壁２３２とを有している。ペディスタル３１１は、本実施の形態と同様な構造のものであり、ベース２０３の高さＨの方向及び幅Ｗの方向におけるペディスタル３１１の中心位置Ｃｐがベース２０３の高さＨの方向及び幅Ｗの方向におけるベース２０３の中心位置Ｃｂと一致するように配置されている。

【0032】

周壁２３２は、全周に亘って厚みが略均一となるように形成されており、配線基板１０１側に配置される第１壁部２３２１が第２壁部３２２、第３壁部３２３、第４壁部３２４と同じ厚みになるにように構成されている。すなわち、周壁２３２の第１壁部２３２１の厚みｔ１ｃは、第２壁部３２２の厚みｔ２、第３壁部３２３の厚みｔ３、第４壁部３２４の厚みｔ４と同じとなるように設定されている。

【0033】

次に、一実施の形態に係る半導体装置の効果を図９及び図１０を用いて説明する。図９は図７及び図８に示す比較例の半導体装置のベースの一例における重心位置を示す説明図である。図１０は図４及び図５に示す一実施形態に係る半導体装置のベースの一例における重心位置を示す説明図である。

【0034】

比較例の半導体装置２０１のベース２０３及び本実施の形態に係る半導体装置１のベース３は、一例として、図９及び図１０に示すように、幅Ｗが９ｍｍ、高さＨが９ｍｍ、奥行Ｄが３．３ｍｍの同一の外形寸法を有するものとする。また、比較例のベース２０３及び本実施の形態に係るベース３におけるベース本体３１は、ペディスタル３１１を除いた厚みが０．９ｍｍの同一寸法を有するものとする。さらに、比較例及び本実施の形態に係るベース本体３１におけるペディスタル３１１は、１辺が５ｍｍの正方形かつ厚みが０．５ｍｍの同一寸法を有するものとする。ペディスタル３１１の中心位置とベース３、２０３の外形寸法の中心位置とが一致するものとする。

【0035】

ここで、幅Ｗの方向をＸ軸、高さＨの方向をＺ軸、奥行Ｄの方向をＹ軸とする。原点Ｏは、Ｘ軸が周壁２３２、３２の第４壁部３２４の外面の位置、Ｚ軸が周壁２３２、３２の第１壁部２３２１、３２１の外面（配線基板１０１の実装面に対向する対向面）の位置、Ｙ軸がベース本体３１の第２面３１ｂの位置とする。

【0036】

この条件下において、比較例の半導体装置２０１のベース２０３の重心位置と本実施の形態に係る半導体装置１のベース３の重心位置とを比較する。

【0037】

比較例の半導体装置２０１のベース２０３においては、矩形状の周壁２３２の厚みが全周に亘って略均一である。周壁２３２の厚みの一例として、図９に示すように、０．５ｍｍとする。すなわち、周壁２３２の第１壁部２３２１の厚みｔ１ｃ、第２壁部３２２の厚みｔ２、第３壁部３２３の厚みｔ３、第４壁部３２４の厚みｔ４は、全て０．５ｍｍである。比較例のベース２０３が上述したような寸法を有する場合、当該ベース２０３の重心位置は、Ｘ軸が４．５（ｍｍ）、Ｚ軸が４．５（ｍｍ）、Ｙ軸が１．１（ｍｍ）となる。

【0038】

一方、本実施の形態に係るベース３においては、矩形状の周壁３２を構成する４つの壁部３２１、３２２、３２３、３２４のうち、第１壁部３２１がその他の壁部３２２、３２３、３２４よりも厚くなるように構成されている。第１壁部３２１の厚みｔ１の一例として、図１０に示すように、１．５ｍｍとする。また、周壁３２の第２壁部３２２の厚みｔ２、第３壁部３２３の厚みｔ３、第４壁部３２４の厚みｔ４は、一例として、比較例のベース２０３の周壁３２の厚みと同一寸法の０．５ｍｍとする。本実施の形態に係るベース３が上述したような寸法を有する場合、当該ベース３の重心位置は、Ｘ軸が４．５（ｍｍ）、Ｚ軸が４．０５（ｍｍ）、Ｙ軸が１．２３（ｍｍ）となる。

【0039】

本実施の形態に係るベース３の重心位置は、比較例のベース２０３の重心位置と比べると、高さＨの方向を示すＺ軸が４．５（ｍｍ）から４．０５（ｍｍ）へと下がっている。また、本実施の形態に係るベース３の重心位置は、比較例のベース２０３の重心位置と比べると、奥行Ｄの方向を示すＹ軸が１．１（ｍｍ）から１．２３（ｍｍ）へと奥行Ｄの方向における中心位置に接近する方向に移動することが明らかとなった。

【0040】

このように、本実施の形態に係るベース３は、配線基板１０１の実装面１０１ａに配置される第１壁部３２１の厚みｔ１を対向する位置にある第２壁部３２２よりも厚くすることで、比較例のベース２０３よりも重心位置が配線基板１０１の実装面１０１ａに接近する方向に移動すると共に、奥行Ｄの方向における中心位置に接近する方向に移動する。したがって、本実施の形態に係る半導体装置１は、配線基板１０１の第１面１０１ａに直立状態で搭載されたときの転倒の発生が抑制される。

【0041】

上述した第１の実施の形態に係る半導体装置１は、配線パターンが形成された配線基板１０１に実装されるものであり、半導体チップ２と、半導体チップ２を収容するベース３とを備えている。ベース３は、半導体チップ２を搭載するペディスタル３１１が盛り上がるように一方側の第１面３１ａに対して形成された矩形板状のベース本体３１と、ベース本体３１の外周縁部から立ち上がり半導体チップ２の外周を取り囲む周壁３２とを有している。周壁３２は、配線基板１０１の第１面１０１ａ（実装面）に対して対向するように配置される第１壁部３２１と、ペディスタル３１１を挟んで第１壁部３２１の反対側に位置する第２壁部３２２と、第１壁部３２１の一方側端部と第２壁部３２２の一方側端部とを繋ぐ第３壁部３２３と、第１壁部３２１の他方側端部と第２壁部３２２の他方側端部とを繋ぐ第４壁部３２４とで構成されている。ペディスタル３１１は、第１壁部２３２１と第２壁部３２２の並び方向であるベース３の高さＨの方向におけるペディスタル３１１の中心位置Ｃｐが高さＨの方向におけるベース３の中心位置Ｃｂと一致するように配置される。第１壁部３２１は、その厚みｔ１が第２壁部３２２よりも厚くなるように構成されている。

【0042】

この構成によれば、ベース３の高さＨの方向の中心位置Ｃｂにペディスタル３１１を配置しつつ、ベース３における配線基板１０１側の第１壁部３２１を第２壁部３２２よりも厚くしたので、半導体チップ２の搭載位置をベース３の高さＨの方向において引き上げることなく、周壁３２の厚みｔ１ｃ、ｔ２、ｔ３、ｔ４が全周に亘って同一であるベース２０３に比べてベース３の重心位置を引き下げることができる。したがって、ベース３の外形寸法を変えることなく配線基板１０１上での半導体装置１の転倒の発生を抑制することが可能である。

【0043】

また、本実施の形態に係る半導体装置１において、周壁３２の第１壁部３２１は、その厚みｔ１が第３壁部３２３及び第４壁部３２４よりも厚くなるように構成されている。

【0044】

この構成によれば、ベース３の重心位置を下げる要因となるので、外形寸法を変えずに配線基板１０１上での半導体装置１の転倒の発生を更に抑制することが可能となる。

【0045】

また、本実施の形態に係る半導体装置１においては、ベース本体３１のペディスタル３１１が周壁３２の第１壁部３２１と第２壁部３２２と第３壁部３２３と第４壁部３２４の全てに対して隙間が生じる位置に形成されている。

【0046】

この構成によれば、ペディスタル３１１を取り囲む第１壁部３２１の厚みｔ１を厚くしても、第１壁部３２１が半導体チップ２のペディスタル３１１への搭載の妨げとなることを回避することができる。

【0047】

なお、本説明における矩形のベース本体３１は、完全な矩形として形成されるもの以外に、角部が丸められた矩形形状を含むものとする。

【0048】

［その他の実施の形態］
なお、上述した一実施の形態においては、半導体装置１をダイオードに適用した例を示した。しかし、本発明は、半導体チップ２をベース３の凹部３ａに収容する半導体装置に広く適用することが可能である。

【0049】

また、本発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、様々な変形例が含まれる。上述した実施形態は本発明をわかり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。一実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。

【0050】

例えば、上述した一実施の形態においては、周壁３２の第１壁部３２１が第３壁部３２３及び第４壁部３２４よりも厚くなるように構成した例を示した。しかし、周壁３２の第１壁部３２１は、第２壁部３２２よりも厚ければ、第３壁部３２３及び第４壁部３２４と同じ厚みである構成も可能である。

【0051】

また、上述した一実施の形態においては、ベース本体３１のペディスタル３１１が矩形状に形成された例を示した。しかし、ペディスタル３１１は、円形などの半導体チップ２を搭載可能な形状とすることが可能である。

【符号の説明】

【0052】

１…半導体装置、 ２…半導体チップ、 ３…ベース、 ３１…ベース本体、 ３１１…ペディスタル、 ３２…周壁、 ３２１…第１壁部、 ３２２…第２壁部、 ３２３…第３壁部、 ３２４…第４壁部、 １０１…配線基板、 ｔ１…第１壁部の厚み、 ｔ２…第２壁部の厚み、 ｔ３…第３壁部の厚み、 ｔ４…第４壁部の厚み

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】