特開 2024-163851 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024163851

(43)【公開日】2024-11-22

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20241115BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 201K

H01G4/30 201N

H01G4/30 515

H01G4/30 512

【審査請求】未請求

【請求項の数】43

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024039923

(22)【出願日】2024-03-14

(31)【優先権主張番号】10-2023-0061808

(32)【優先日】2023-05-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2023-0110119

(32)【優先日】2023-08-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チャエ、ヒュン シク

(72)【発明者】

【氏名】リー、ジ ヒェオン

(72)【発明者】

【氏名】リー、エウン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】リー、ジョン ホ

(72)【発明者】

【氏名】リー、ヨン ファ

(72)【発明者】

【氏名】キム、ミン スー

(72)【発明者】

【氏名】ジュン、ドン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ヒョ サブ

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AD02

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE05

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC19

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082GG11

5E082GG28

5E082JJ03

5E082JJ12

5E082JJ23

(57)【要約】      （修正有）

【課題】低温焼成であっても、耐湿信頼性が高く、電界集中現象を緩和できる積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体１１層及び誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ及び容量形成部の第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）にそれぞれ配置されるカバー部１１２、１１３を含み、第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、第１面から第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体１１０と、本体の第３面及び第４面上にそれぞれ配置される外部電極と、本体の第５面及び第６面にそれぞれ配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、を含み、容量形成部、カバー部及びサイドマージン部の少なくとも１つは、ガリウム（Ｇａ）を含む二次相を含む。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層、及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、及び前記容量形成部の前記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部を含み、前記第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、
前記本体の前記第３面及び前記第４面上に配置される外部電極と、
前記本体の前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、
前記容量形成部、前記カバー部、及び前記サイドマージン部の少なくとも一つは、ガリウム（Ｇａ）を含む二次相を含む、積層型電子部品。

【請求項2】

前記二次相はケイ素（Ｓｉ）をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記誘電体層、前記容量形成部、前記カバー部、及び前記サイドマージン部の少なくとも一つは、複数の結晶粒及び隣接する結晶粒間に配置される結晶粒界を含み、３つ以上の結晶粒界が会う地点を三重点とするとき、少なくとも一つの三重点に前記二次相が配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記結晶粒の少なくとも１つはガリウム（Ｇａ）を含む、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記結晶粒界の少なくとも１つはガリウム（Ｇａ）を含む、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記二次相に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）は０．２ａｔ％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記二次相に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）に対するガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の割合は、３．９４％以上である、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は０．１モル以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は３．０モル以下である、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記二次相は、スズ（Ｓｎ）をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記二次相に含まれたスズ（Ｓｎ）の原子百分率（ａｔ％）は０．３ａｔ％以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記サイドマージン部は、スズ（Ｓｎ）をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数は、０．１モル以上５．０モル以下である、請求項１２に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＭＧ、前記容量形成部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＡＧとするとき、０＜ＭＧ及び０≦ＡＧ≦ＭＧを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＭＧ、前記誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＤＧとするとき、０＜ＭＧ及び０≦ＡＧ≦ＭＧを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＭＧ、前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＣＧと定義するとき、０＜ＭＧ及び０≦ＣＧ≦ＭＧを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項17】

前記サイドマージン部の前記第１方向及び前記第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、前記サイドマージン部は前記外部電極と接しており、前記サイドマージン部と前記外部電極が接する界面から前記サイドマージン部の方向に１０μｍ以内の領域はガリウム（Ｇａ）を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項18】

前記サイドマージン部は、前記本体の前記第５面に配置される第１サイドマージン部及び前記本体の前記第６面に配置される第２サイドマージン部を含み、
前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部の少なくとも一つは、前記第３方向の平均大きさが２０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項19】

前記サイドマージン部の単位面積１５０μｍ^２当たりの気孔の数は３０個以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項20】

前記二次相は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の少なくとも一つをさらに含む、請求項１から１９のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項21】

前記二次相は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バリウム（Ｂａ）、及び希土類元素の少なくとも一つをさらに含む、請求項１から１９のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項22】

誘電体層、及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部と、前記第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、
前記本体の前記第３面及び前記第４面上に配置される外部電極と、
前記本体の前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、
前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＭＧ、前記容量形成部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＡＧとするとき、０＜ＭＧ及び０≦ＡＧ≦ＭＧを満たす、積層型電子部品。

【請求項23】

前記容量形成部の前記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部を含む、請求項２２に記載の積層型電子部品。

【請求項24】

前記容量形成部、前記カバー部、及び前記サイドマージン部の少なくとも一つは、ガリウム（Ｇａ）を含む二次相を含む、請求項２３に記載の積層型電子部品。

【請求項25】

前記二次相はケイ素（Ｓｉ）をさらに含む、請求項２４に記載の積層型電子部品。

【請求項26】

前記容量形成部、前記カバー部及び前記サイドマージン部の少なくとも一つは、複数の結晶粒、及び隣接する結晶粒間に配置される結晶粒界を含み、３つ以上の結晶粒界が会う地点を三重点とするとき、少なくとも一つの三重点に前記二次相が配置される、請求項２４に記載の積層型電子部品。

【請求項27】

前記結晶粒の少なくとも１つはガリウム（Ｇａ）を含む、請求項２６に記載の積層型電子部品。

【請求項28】

前記結晶粒界の少なくとも１つはガリウム（Ｇａ）を含む、請求項２６に記載の積層型電子部品。

【請求項29】

前記二次相に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）は０．２ａｔ％以上である、請求項２４に記載の積層型電子部品。

【請求項30】

前記二次相に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）に対するガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の割合は、３．９４％以上である、請求項２５に記載の積層型電子部品。

【請求項31】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は０．１モル以上である、請求項２２に記載の積層型電子部品。

【請求項32】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は３．０モル以下である、請求項３１に記載の積層型電子部品。

【請求項33】

前記二次相は、スズ（Ｓｎ）をさらに含む、請求項２４に記載の積層型電子部品。

【請求項34】

前記二次相に含まれたスズ（Ｓｎ）の原子百分率（ａｔ％）は０．３ａｔ％以下である、請求項３３に記載の積層型電子部品。

【請求項35】

前記サイドマージン部は、スズ（Ｓｎ）をさらに含む、請求項２２に記載の積層型電子部品。

【請求項36】

前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数は、０．１モル以上５．０モル以下である、請求項３５に記載の積層型電子部品。

【請求項37】

前記誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＤＧとするとき、０＜ＭＧ及び０≦ＤＧ≦ＭＧを満たす、請求項２２に記載の積層型電子部品。

【請求項38】

前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＣＧとするとき、０＜ＭＧ及び０≦ＣＧ≦ＭＧを満たす、請求項２３に記載の積層型電子部品。

【請求項39】

前記サイドマージン部の前記第１方向及び前記第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、前記サイドマージン部は前記外部電極と接しており、前記サイドマージン部と前記外部電極が接する界面から前記サイドマージン部の方向に１０μｍ以内の領域はガリウム（Ｇａ）を含む、請求項２２から３８のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項40】

前記サイドマージン部は、前記本体の前記第５面に配置される第１サイドマージン部、及び前記本体の前記第６面に配置される第２サイドマージン部を含み、
前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部の少なくとも一つは、前記第３方向の平均大きさが２０μｍ以下である、請求項２２から３８のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項41】

前記サイドマージン部の単位面積１５０μｍ^２当たりの気孔の数は３０個以下である、請求項２２から３８のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項42】

前記二次相は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の少なくとも１つをさらに含む、請求項２４に記載の積層型電子部品。

【請求項43】

前記二次相は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バリウム（Ｂａ）、及び希土類元素の少なくとも１つをさらに含む、請求項２４に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

かかる積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器などの各種電子機器が小型化、高出力化されながら、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求が増大している。

【0004】

積層セラミックキャパシタの小型及び高容量化のためには、電極有効面積の最大化（容量実現に必要な有効体積分率を増加）が求められる。上記のように小型及び高容量の積層セラミックキャパシタを実現するために、積層セラミックキャパシタを製造する際に、内部電極が本体の幅方向に露出するようにすることで、マージンのない設計を介して内部電極の幅方向の面積を最大化するが、このような本体製作後の焼成前段階で本体の幅方向の電極露出面にサイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途付着した後に焼結する方法が適用されている。

【0005】

サイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途付着する方法によりサイドマージン部を形成することで、キャパシタの単位体積当たりの容量は向上させることができるが、本体とサイドマージン部の界面接合部を介して外部からの水分浸透やめっき工程中のめっき液浸透などにより、チップの寿命が短縮したり、不良が発生するなどの問題点が生じることがあり、これを解決するための開発が求められている。

【0006】

より具体的には、サイドマージン部形成過程で本体とサイドマージン部が接触する界面に気孔（ｐｏｒｅ）が多く生成されて信頼性が低下することがあり、上記気孔により電界集中が発生するようになり、これにより絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）が低くなるという問題が発生することがある。また、本体とサイドマージン部の境界に界面接合部が発生するにつれて接合力の低下及びこれによる耐湿信頼性の低下が生じるか、上記気孔により焼結緻密度の低下による耐湿信頼性の低下が生じることがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】日本特許公開第２０２２－０６８５２５公報

【特許文献2】日本特許公開第２００６－０６２９３７公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、低温焼成においても誘電体の緻密度に優れた積層型電子部品を提供することである。

【0009】

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、気孔の数が少なく、耐湿信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0010】

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、誘電体結晶粒の大きさを減少させて電界集中現象を緩和することにより、電気的特性が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0011】

但し、本発明が解決しようとする様々な課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、及び上記容量形成部の上記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部を含み、上記第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、上記本体の第３面及び第４面上に配置される外部電極と、上記本体の第５面及び第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、上記容量形成部、カバー部、及びサイドマージン部の少なくとも１つは、ガリウム（Ｇａ）を含む二次相を含むことができる。

【0013】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部と、上記第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、上記本体の第３面及び第４面上に配置される外部電極と、上記本体の第５面及び第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、上記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＭＧ、上記容量形成部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＡＧと定義するとき、０＜ＭＧ及び０≦ＡＧ≦ＭＧを満たすことができる。

【発明の効果】

【0014】

本発明のいくつかの効果の一つは、低温焼成においても積層型電子部品の緻密度に優れることである。

【0015】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の気孔の数が減少し、耐湿信頼性が向上することである。

【0016】

本発明のいくつかの効果の一つは、誘電体結晶粒の大きさが小さくて電界集中現象を緩和させ、積層型電子部品の電気的特性を向上させることである。

【0017】

但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。

【図2】図１の積層型電子部品における外部電極を除いた斜視図を概略的に示したものである。

【図3】図１の積層型電子部品における外部電極及びサイドマージン部を除いた斜視図を概略的に示したものである。

【図4】内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものである。

【図5】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図6】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図7】誘電体微細構造を概略的に示したものである。

【図8】（ａ）はサイドマージン部を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いてＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、（ｂ）は同一領域でケイ素（Ｓｉ）及びガリウム（Ｇａ）をＥＤＳで分析したイメージであり、（ｃ）は同一領域でガリウム（Ｇａ）をＥＤＳで分析したイメージである。

【図9】（ａ）及び（ｂ）は、図６のＭ領域をＳＥＭで撮影したイメージである。具体的には、（ａ）は、比較例の容量形成部及びサイドマージン部をＳＥＭで撮影したイメージであり、（ｂ）は、実施例の容量形成部及びサイドマージン部をＳＥＭで撮影したイメージである。

【図10】（ａ）は比較例の耐湿信頼性評価のグラフであり、（ｂ）は実施例の耐湿信頼性評価のグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

【0020】

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0021】

図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

【0022】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１の積層型電子部品における外部電極を除いた斜視図を概略的に示したものであり、図３は、図１の積層型電子部品における外部電極及びサイドマージン部を除いた斜視図を概略的に示したものであり、図４は、内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものであり、図５は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図６は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図７は、誘電体微細構造を概略的に示したものである。

【0023】

以下、図１～図７を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

【0024】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、及び上記容量形成部Ａｃの上記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部１１２、１１３を含み、上記第１方向に互いに向かい合う第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面３及び第４面４、上記第１面１、第２面２、第３面３、第４面４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記本体１１０の第３面３及び第４面４上に配置される外部電極１３１、１３２と、上記本体１１０の第５面５及び第６面６に配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、を含み、上記容量形成部Ａｃ、カバー部１１２、１１３、及びサイドマージン部１１４、１１５の少なくとも一つは、ガリウム（Ｇａ）を含む二次相２０を含むことができる。

【0025】

本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃと、上記第１方向に互いに向かい合う第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面３及び第４面４、上記第１面１、第２面２、第３面３、第４面４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記本体１１０の第３面３及び第４面４上に配置される外部電極１３１、１３２と、上記本体１１０の第５面５及び第６面６に配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、を含み、上記サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＭＧ、上記容量形成部Ａｃに含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＡＧと定義するとき、０＜ＭＧ及び０≦ＡＧ≦ＭＧを満たすことができる。

【0026】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されることができる。

【0027】

より具体的には、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１、及び誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0028】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示したように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程において本体１１０に含まれたセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

【0029】

本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３、第４面４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面５及び第６面６を有することができる。

【0030】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は、焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0031】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り制限されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を用いることができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを用いることができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粒子を含むことができ、セラミック粒子の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）等が挙げられる。

【0032】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粒子に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0033】

また、誘電体層１１１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの誘電体物質を用いて形成されることができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒１１、及び隣接する結晶粒１１間に配置される結晶粒界１２を含み、３つ以上の結晶粒界１２が会う地点である三重点１３を、それぞれ複数個で含むことができる。

【0034】

誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0035】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために誘電体層１１１の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0036】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0037】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向の大きさを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0038】

誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、スキャンされたイメージから１つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔の３０つの地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔の３０つの地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０つの誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0039】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

【0040】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0041】

より具体的には、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0042】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されずに第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。

【0043】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成して形成されることができる。

【0044】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気導電性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含み得る。

【0045】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0046】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0047】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0048】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の大きさを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0049】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの内部電極の第１方向の平均大きさは、スキャンされたイメージから１つの内部電極を第２方向に等間隔の３０つの地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔の３０つの地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０つの内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0050】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0051】

より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0052】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0053】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１と同じ材料を含むことができるが、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１と異なる組成を有することもできる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0054】

また、カバー部１１２、１１３は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの誘電体物質を用いて形成されることができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒１１、及び隣接する結晶粒１１間に配置される結晶粒界１２を含み、３つ以上の結晶粒界１２が会う地点である三重点１３を含むことができる。

【0055】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

【0056】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましくは２０μｍ以下であることができる。

【0057】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0058】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、１つのカバー部をスキャンしたイメージから第２方向に等間隔の３０つの地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値であることができる。

【0059】

また、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均大きさと実質的に同じ大きさを有することができる。

【0060】

一方、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上にはサイドマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

【0061】

より具体的には、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。すなわち、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されることができる。

【0062】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0063】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0064】

サイドマージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成されるところを除いて導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に第３方向に積層して形成することもできる。

【0065】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１と同じ材料を含むことができるが、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１と異なる組成を有することもできる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0066】

また、サイドマージン部１１４、１１５は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの誘電体物質を用いて形成されることができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒１１、及び隣接する結晶粒１１間に配置される結晶粒界１２を含み、３つ以上の結晶粒界１２が会う地点である三重点１３を含むことができる。

【0067】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0068】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であることができる。

【0069】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５のそれぞれの第３方向の大きさを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができる。

【0070】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさは、積層型電子部品１００の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、１つのサイドマージン部をスキャンしたイメージから第１方向に等間隔の１０つの地点で第３方向の大きさを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0071】

一方、積層セラミックキャパシタの小型及び高容量化のためには、電極有効面積の最大化（容量実現に必要な有効体積分率を増加）が要求される。上記のように小型及び高容量の積層セラミックキャパシタを実現するために、積層セラミックキャパシタを製造することにおいて、内部電極が本体の幅方向に露出するようにすることで、マージンのない設計により内部電極の幅方向の面積を最大化するが、このような本体製作後の焼成前段階で本体の幅方向の電極露出面にサイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途付着した後に焼結する方法が適用されている。

【0072】

サイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途付着する方法によりサイドマージン部を形成することによってキャパシタの単位体積当たりの容量は向上させることができるが、本体とサイドマージン部の界面接合部を介して外部からの水分浸透やめっき工程中のめっき液浸透などにより、チップの寿命が短縮したり、不良が発生するなどの問題点が発生することがあるため、これを解決するための開発が求められている。

【0073】

より具体的には、サイドマージン部形成過程で本体とサイドマージン部が接触する界面に気孔（ｐｏｒｅ）が多く生成されて信頼性が低下することがあり、上記気孔により電界集中が発生するようになり、これにより絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）が低くなるという問題が発生する可能性がある。また、本体とサイドマージン部の境界に界面接合部が発生するにつれて接合力の低下及びこれに伴う耐湿信頼性の低下が生じたり、上記気孔により焼結緻密度の低下に伴う耐湿信頼性の低下が生じることがある。

【0074】

積層型電子部品の信頼性を向上させるためにサイドマージン部の緻密度を改善する開発が進められているが、現在サイドマージン部に用いるセラミック材料でスズ（Ｓｎ）が含まれたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）は結晶粒サイズ（ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）の減少効果で電界集中が緩和されて電気的特性が改善される効果があるが、気孔（ｐｏｒｅ）が増加する問題があり、信頼性を低下させる問題があった。これを解決するために誘電体セラミックの焼成温度を下げると知られている低温焼成物質を用いて気孔生成を抑制し、積層型電子部品の信頼性を向上させる研究が進められてきた。

【0075】

しかし、低温焼結物質の場合、融点が低いが沸点も低くて揮発性が強いため、セラミックを主成分とするＭＬＣＣのような電子部品の高温焼成過程でガス化が進行して、焼結炉（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｆｕｒｎａｃｅ）を汚染させる副効果を発生させることがあり、工程条件の最適化が難しくて、却って気孔生成がさらに促進される問題点が発生するおそれがある。

【0076】

そこで、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、積層型電子部品に用いられる誘電体物質、組成物、結晶粒等の誘電体微細構造にガリウム（Ｇａ）を含ませるようにすることにより、低温焼成工程においても上述した副効果を生じない効果がある。また、ガリウム（Ｇａ）が添加されることにより気孔生成が抑制されて耐湿信頼性が向上することができ、電気的特性または機械的特性などが向上することができる。

【0077】

本発明に関する説明は、積層型電子部品内の微細構造であればいずれでも適用されることができ、誘電体微細構造を例として説明するが、特にこれに制限されるものではない。具体的には、例えば、本体１１０の誘電体層１１１、内部電極１２１、１２２、及び外部電極と連結されない内部電極の端部領域の第２方向（長さ方向）のマージン部（図面符号なし）を含む容量形成部Ａｃ、カバー部１１２、１１３、またはサイドマージン部１１４、１１５に適用することができる。

【0078】

本発明で説明する容量形成部Ａｃは、容量を形成する領域のみを厳密に意味するものではなく、外部電極と連結されない内部電極の端部領域の長さ方向のマージン部（図面符号なし）を含む概念を意味することができる。

【0079】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、容量形成部Ａｃ、カバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５の少なくとも一つはガリウム（Ｇａ）を含む二次相２０を含むことができる。

【0080】

容量形成部Ａｃ、カバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５の少なくとも一つがガリウム（Ｇａ）を含む二次相２０を含むことにより、容量形成部Ａｃ、カバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５の少なくとも一つに含まれた誘電体微細構造の気孔生成が抑制され、耐湿信頼性が向上することができ、又は電気的、機械的特性が向上することができる。

【0081】

また、上述したように、誘電体層１１１、容量形成部Ａｃ、カバー部１１２、１１３、及びサイドマージン部１１４、１１５の少なくとも一つは、複数の結晶粒１１及び隣接する結晶粒間に配置される結晶粒界１２を含み、結晶粒１１の少なくとも１つはガリウム（Ｇａ）を含むことができ、結晶粒界１２の少なくとも１つはガリウム（Ｇａ）を含むことができる。

【0082】

本発明において「二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）」とは、ペロブスカイト系（ＡＢＯ_３）誘電体粒子とは異なる組成を有する粒子または偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）を意味することができる。具体的には、二次相粒子中のバリウム（Ｂａ）の原子百分率（ａｔ％）は３０．０ａｔ％以下、二次相粒子中のチタン（Ｔｉ）の原子百分率（ａｔ％）は３０．０ａｔ％以下、二次相粒子中のケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）は１５．０ａｔ％以下、二次相粒子中のアルミニウム（Ａｌ）の原子百分率（ａｔ％）は１５．０ａｔ％以下であるか、または二次相粒子中のガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）は０．２ａｔ％以上であることができる。また、上記バリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）及びガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の条件を全て満たす粒子を意味することができる。

【0083】

より具体的には、二次相２０に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）は、０．２ａｔ％以上であることができる。

【0084】

二次相２０に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が０．２ａｔ％以上を満たすことにより、誘電体微細構造の気孔生成が抑制され、耐湿信頼性が向上することができる。

【0085】

二次相２０に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の上限値は、耐湿信頼性の向上のためであれば、特に制限されるものではないが、ガリウム（Ｇａ）の過量添加による副効果を防止するために、好ましくは１．０ａｔ％以下、より好ましくは０．７ａｔ％以下であることができる。

【0086】

二次相２０に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が０．２ａｔ％未満の場合、ＥＤＳ分析時のノイズ（ｎｏｉｓｅ）との区分が明確でない場合があり、または気孔生成の抑制効果が僅かであって耐湿信頼性の向上効果に優れない場合がある。

【0087】

本発明において、積層型電子部品１００の各構成に含まれた元素の含有量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いてチップの中央部で誘電体結晶粒の内部の成分を分析することができる。まず、焼結が完了した本体の断面のうち誘電体微細構造を含む領域で集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ）装備を用いて薄片化した分析試料を用意する。そして、薄片化した試料をアルゴン（Ａｒ）イオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去し、この後、ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ、またはＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージから各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性/定量分析を進める。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量百分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、またはモル百分率（ｍｏｌ％）で換算して表すこともできる。

【0088】

また他の方法としては、チップを粉砕して誘電体微細構造が含まれた領域を選別し、このように選別された誘電体微細構造が含まれた部分を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて、誘電体微細構造が含まれた領域の成分を分析することができる。

【0089】

一方、二次相２０はガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができ、例えば、ケイ素（Ｓｉ）系ガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができ、またはアルミニウム（Ａｌ）－ケイ素（Ｓｉ）系ガラスを含むことができる。

【0090】

二次相２０がガラスを含むことで、ガラスによる二次相２０の形成がより容易であり、ガリウム（Ｇａ）以外の元素がチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系誘電体物質に固溶されず、二次相２０に含まれることができる。

【0091】

より具体的には、二次相２０は、ガリウム（Ｇａ）以外の他の元素をさらに含むことができる。

【0092】

例えば、低温焼結助剤としてガリウム（Ｇａ）以外に、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の少なくとも１つをさらに含むことができる。ガリウム（Ｇａ）以外の低温焼結助剤は揮発性が強く、最終製品での検出が容易でない場合があり、製造工程中に焼結炉（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｆｕｒｎａｃｅ）を汚染させるなどの問題点がある。但し、焼成雰囲気や温度条件などを制御して上述した問題点を最小化することができ、Ｘ線回折（Ｘ－ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ、ＸＲＤ）分析装備などで検出が可能であるため、必要に応じてリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の少なくとも１つをさらに添加することができる。

【0093】

また、二次相２０がガラスによる二次相である場合、ケイ素（Ｓｉ）をさらに含むか、アルミニウム（Ａｌ）をさらに含むことができる。

【0094】

二次相２０がケイ素（Ｓｉ）を含む場合、二次相２０に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）は１５．０ａｔ％以下であることができ、好ましくは１３．４ａｔ％以下であることができる。

【0095】

そして、二次相２０がアルミニウム（Ａｌ）を含む場合、二次相２０に含まれたアルミニウム（Ａｌ）の原子百分率（ａｔ％）は１５．０ａｔ％以下であることができ、好ましくは１１．２ａｔ％以下であることができる。

【0096】

また、特にこれに制限されるものではないが、スズ（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、バリウム（Ｂａ）、及び希土類元素の少なくとも一つをさらに含む他の副成分をさらに含むことができる。

【0097】

ここで、希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）はランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）の少なくとも１つであることができる。

【0098】

より具体的には、二次相２０に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）に対するガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の割合は、３．９４％以上であることができる。

【0099】

二次相２０に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）に対するガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の割合が３．９４％以上を満足することにより、誘電体微細構造の気孔生成が抑制され、耐湿信頼性が向上することができる。

【0100】

二次相２０に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）に対するガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の割合の上限値は特に制限されるものではないが、８．００％以下であることができ、好ましくは７．２１％以下であることができる。

【0101】

二次相２０に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）に対するガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の割合が３．９４％未満の場合、気孔生成の抑制効果が僅かであり、耐湿信頼性の向上効果に優れない可能性がある。

【0102】

また、上述したように、二次相２０は、スズ（Ｓｎ）を含むことができる。

【0103】

このとき、二次相２０に含まれたスズ（Ｓｎ）の原子百分率（ａｔ％）は、０．３ａｔ％以下であることができる。

【0104】

二次相２０に含まれたスズ（Ｓｎ）の原子百分率（ａｔ％）が０．３ａｔ％以下を満たすことにより、結晶粒１１の大きさの制御が容易であり、結晶粒１１の大きさの減少により電界集中が緩和されて電気的特性などが改善されるか、機械的特性が向上することができる。

【0105】

二次相２０に含まれたスズ（Ｓｎ）の原子百分率（ａｔ％）は０．３ａｔ％超過である場合、気孔が過度に生成されて耐湿信頼性が低下するおそれがある。

【0106】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つの三重点１３に二次相２０が配置されることができる。

【0107】

但し、二次相２０は、少なくとも１つの三重点１３にのみ配置されるものではなく、少なくとも１つの結晶粒界１２に配置されることができ、または少なくとも１つの結晶粒１１に配置されることもできる。

【0108】

本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。

【0109】

これは、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた二次相２０にガリウム（Ｇａ）が含まれた場合のみを意味するものではなく、サイドマージン部１１４、１１５の誘電体微細構造、例えば、少なくとも１つの結晶粒１１、少なくとも１つの結晶粒界１２、または少なくとも１つの三重点１３は、ガリウム（Ｇａ）を含む意味であることができる。

【0110】

より具体的には、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、０．１モル以上であることができる。

【0111】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．１モル以上を満たすことにより、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた誘電体微細構造の気孔生成が抑制されて耐湿信頼性が向上することができる。

【0112】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数の上限値は、耐湿信頼性の向上のためであれば、特に制限されるものではないが、ガリウム（Ｇａ）の過量添加による絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）の低下などの副効果を防止するために、ガリウム（Ｇａ）のモル数の上限値は３．０モル以下であることができ、好ましくは２．０モル以下であることができる。

【0113】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．１モル未満である場合、気孔生成の抑制効果が僅かであり、耐湿信頼性の向上効果に優れない場合がある。

【0114】

サイドマージン部１１４、１１５は、ガリウム（Ｇａ）以外の他の元素をさらに含むことができる。

【0115】

例えば、低温焼結助剤としてガリウム（Ｇａ）以外に、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の少なくとも１つをさらに含むことができる。ガリウム（Ｇａ）以外の低温焼結助剤は揮発性が強くて最終製品での検出が容易でない場合があり、製造工程中に焼結炉（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｆｕｒｎａｃｅ）を汚染させるなどの問題点がある。但し、焼成雰囲気や温度条件などを制御して上述した問題点を最小化することができ、ＥＤＳ分析や、Ｘ線回折（ＸＲＤ）分析装備などで検出が可能であるため、必要に応じてリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の少なくとも１つの低温焼結助剤をさらに添加することができる。

【0116】

また、サイドマージン部１１４、１１５は、ケイ素（Ｓｉ）をさらに含むか、アルミニウム（Ａｌ）をさらに含むことができる。また、特にこれに制限されるものではないが、スズ（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、バリウム（Ｂａ）、及び希土類元素の少なくとも一つをさらに含む他の副成分をさらに含むことができる。

【0117】

ここで、希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）はランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）の少なくとも１つであることができ、好ましくは、イットリウム（Ｙ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、及びイッテルビウム（Ｙｂ）のうち１つであることができる。

【0118】

上述したように、サイドマージン部１１４、１１５はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。

【0119】

このとき、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数は、０．１モル以上５．０モル以下であることができる。

【0120】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数が０．１モル以上５．０モル以下を満足することにより、結晶粒１１の大きさの制御が容易であり、結晶粒１１の大きさが小さく、大きさの散布が狭くなることができ、耐湿信頼性が向上し、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）などの電気的特性が改善されるか、耐衝撃性または耐クラック性などの機械的特性などが改善されることができる。

【0121】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数が０．１モル未満である場合、耐湿信頼性、電気的特性又は機械的特性の向上効果が僅かであることがあり、スズ（Ｓｎ）のモル数が５．０モル超過である場合、過度の焼結抑制により誘電体粉末粒子の焼結が進行されず、誘電体微細構造が実現され難いことがあり、または誘電体結晶粒大きさが小さくて、耐湿信頼性または機械的特性が低下するおそれがある。

【0122】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＭＧ、容量形成部Ａｃに含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＡＧとするとき、０＜ＭＧ及び０≦ＡＧ≦ＭＧを満たすことができる。

【0123】

ここで、容量形成部Ａｃは、誘電体層１１１、内部電極１２１、１２２、及び外部電極と連結されない内部電極の端部領域の第２方向（長さ方向）のマージン部（図面符号なし）を含む概念であることができる。

【0124】

サイドマージン部１１４、１１５にガリウム（Ｇａ）を添加することにより（０＜ＭＧ）、気孔生成が抑制され、耐湿信頼性が向上することができる。

【0125】

一方、容量形成部Ａｃにガリウム（Ｇａ）を添加しなくても（ＡＧ＝０）、サイドマージン部１１４、１１５にガリウム（Ｇａ）を添加することにより、外部からの水分やめっき液浸透等を効果的に防止することができる。

【0126】

また、容量形成部Ａｃにガリウム（Ｇａ）を添加する場合には（０＜ＡＧ）、外部からの水分やめっき液浸透などをより効果的に防止することができることは明らかである。但し、容量形成部Ａｃに含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数を超過しないことにより（ＡＧ≦ＭＧ）、予想できない容量形成部Ａｃの電気的特性又は機械的特性の不良を防止することができ、これにより外部からの水分やめっき液浸透等を効果的に防止することができる。

【0127】

これは、本体１１０の第５面５及び第６面６に別途のサイドマージン部１１４、１１５を付着することにより、本体１１０とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面が外部からの水分やめっき液浸透により脆くなることがあるが、サイドマージン部１１４、１１５にガリウム（Ｇａ）を添加することにより（０＜ＭＧ）、耐湿信頼性がより向上することができ、焼成過程でサイドマージン部１１４、１１５に含まれたガリウム（Ｇａ）が容量形成部Ａｃに拡散することにより、本体１１０とサイドマージン部１１４、１１５の境界面での耐湿信頼性がさらに向上することができる。ここで、本体１１０とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面は、容量形成部Ａｃとサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面を含むことができる。

【0128】

容量形成部Ａｃに含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数がサイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数より多い場合にも（ＭＧ＜ＡＧ）、焼成過程で本体１１０に含まれたガリウム（Ｇａ）がサイドマージン部１１４、１１５に拡散することにより、本体１１０とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面での耐湿信頼性がさらに向上することができるが、サイドマージン部１１４、１１５でのガリウム（Ｇａ）含有量が少ない場合、外部からの水分やめっき液浸透などを効果的に防止し難いことがある。

【0129】

換言すると、０＜ＭＧ及び０≦ＡＧ≦ＭＧを満たすことにより、微細構造の気孔生成がより抑制され、耐湿信頼性が向上することができる。

【0130】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＤＧとするとき、０＜ＭＧ及び０≦ＤＧ≦ＭＧを満たすことができる。

【0131】

一方、誘電体層１１１にチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）を添加しなくても（ＤＧ＝０）、サイドマージン部１１４、１１５にガリウム（Ｇａ）を添加することにより、外部からの水分やめっき液浸透などを効果的に防止することができる。

【0132】

また、誘電体層１１１にガリウム（Ｇａ）を少量添加する場合（０＜ＤＧ）、外部からの水分やめっき液浸透などをさらに効果的に防止することができることは明らかである。但し、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数を超過しないことにより（ＤＧ≦ＭＧ）、予想できない誘電体層１１１の電気的特性または機械的特性の不良を防止することができ、外部からの水分やめっき液浸透などを効果的に防止することができる。

【0133】

これは、誘電体層１１１を含む本体１１０の第５面５及び第６面６に別途のサイドマージン部１１４、１１５を付着することにより、誘電体層１１１とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面が外部からの水分やめっき液浸透により脆くなることがあるが、サイドマージン部１１４、１１５にガリウム（Ｇａ）を添加することにより（０＜ＭＧ）、耐湿信頼性がより向上することができ、焼成過程でサイドマージン部１１４、１１５に含まれたガリウム（Ｇａ）が誘電体層１１１に拡散するにつれて、誘電体層１１１とサイドマージン部１１４、１１５の境界面での耐湿信頼性がさらに向上することができる。ここで、本体１１０とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面は、誘電体層１１１とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面を含むことができる。

【0134】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数がサイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数よりも多い場合にも（ＭＧ＜ＤＧ）、焼成過程で誘電体層１１１に含まれたガリウム（Ｇａ）がサイドマージン部１１４、１１５に拡散するにつれて、本体１１０とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面での耐湿信頼性がさらに向上することができるが、サイドマージン部１１４、１１５でのガリウム（Ｇａ）含有量が少ない場合、外部からの水分やめっき液浸透などを効果的に防止し難いことがある。

【0135】

換言すると、０＜ＭＧ及び０≦ＤＧ≦ＭＧを満たすことにより、微細構造の気孔生成がより抑制され、耐湿信頼性が向上することができる。

【0136】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数をＣＧと定義するとき、０＜ＭＧ及び０≦ＣＧ≦ＭＧを満たすことができる。

【0137】

一方、カバー部１１２、１１３にガリウム（Ｇａ）を添加しなくても（ＣＧ＝０）、サイドマージン部１１４、１１５にガリウム（Ｇａ）を添加することにより（０＜ＭＧ）、外部からの水分やめっき液浸透などを効果的に防止することができる。

【0138】

また、カバー部１１２、１１３にガリウム（Ｇａ）を少量添加する場合（０＜ＣＧ）、外部からの水分やめっき液浸透などをより効果的に防止することができることは明らかである。

【0139】

但し、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数を超過しないことで（ＣＧ≦ＭＧ）、予想できないカバー部１１２、１１３の電気的特性または機械的特性の不良を防止することができ、外部からの水分やめっき液浸透などを効果的に防止することができる。

【0140】

これは、カバー部１１２、１１３を含む本体１１０の第５面５及び第６面６に別途のサイドマージン部１１４、１１５を付着することにより、カバー部１１２、１１３とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面が外部からの水分やめっき液浸透により脆弱になることがあるが、サイドマージン部１１４、１１５にガリウム（Ｇａ）を添加することにより（０＜ＭＧ）、耐湿信頼性をより向上させることができ、焼成過程でサイドマージン部１１４、１１５に含まれたガリウム（Ｇａ）がカバー部１１２、１１３に拡散するにつれて、カバー部１１２、１１３とサイドマージン部１１４、１１５の境界面での耐湿信頼性がさらに向上することができる。

【0141】

カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数がサイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数よりも多い場合にも（ＭＧ＜ＣＧ）、焼成過程でカバー部１１２、１１３に含まれたガリウム（Ｇａ）がサイドマージン部１１４、１１５に拡散するにつれて、カバー部１１２、１１３とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面での耐湿信頼性がさらに向上することができるが、サイドマージン部１１４、１１５でのガリウム（Ｇａ）含有量が少ない場合、本体１１０とサイドマージン部１１４、１１５との間の境界面への外部からの水分やめっき液浸透などを効果的に防止し難いことがある。これは、内部電極１２１、１２２の第３方向の端部がサイドマージン部１１４、１１５と接しているかまたは近く位置するためであることがあり、これによりカバー部１１２、１１３よりもサイドマージン部１１４、１１５での外部からの水分やめっき液浸透などが容易であるためである。

【0142】

換言すると、０＜ＭＧ及び０≦ＣＧ≦ＭＧを満たすことにより、微細構造の気孔生成がより抑制され、耐湿信頼性が向上することができる。

【0143】

一方、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、サイドマージン部１１４、１１５の第１方向及び第２方向（厚さ及び長さ方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、サイドマージン部１１４、１１５は、外部電極１３１、１３２とそれぞれ接しており、サイドマージン部１１４、１１５と外部電極１３１、１３２が接する界面からサイドマージン部１１４、１１５の方向に１０μｍ以内の領域はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。

【0144】

サイドマージン部１１４、１１５と外部電極１３１、１３２との間の界面は、外部からの水分やめっき液が浸透する経路に該当することができ、これにより耐湿信頼性が低下する問題点が発生する可能性がある。しかし、サイドマージン部１１４、１１５と外部電極１３１、１３２が接する界面からサイドマージン部１１４、１１５の方向に１０μｍ以内の領域にガリウム（Ｇａ）が含まれることにより、気孔生成をより抑制して外部からの水分浸透やめっき液浸透経路となる領域の耐湿信頼性をより効果的に向上させることができる。

【0145】

このとき、サイドマージン部１１４、１１５と外部電極１３１、１３２が接する界面からサイドマージン部１１４、１１５の方向に１０μｍ以内の領域にガリウム（Ｇａ）が含まれることは、微細構造がガリウム（Ｇａ）を含むことを意味することができ、該当領域に配置され得る結晶粒１１、結晶粒界１２、三重点１３、及び二次相２０等がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、気孔生成が抑制され、耐湿信頼性が向上したことを意味することができる。

【0146】

一方、本発明において、サイドマージン部１１４、１１５にガリウム（Ｇａ）が含まれることにより、気孔生成が抑制されるという意味は、特にこれに制限されるものではないが、サイドマージン部１１４、１１５の単位面積１５０μｍ^２当たりの気孔の数が３０個以下、好ましくは２５個以下、より好ましくは２１個以下を意味することができる。

【0147】

単位面積１５０μｍ^２当たりの気孔の数が３０個以下を満たすことで、耐湿信頼性が向上することができる。

【0148】

本発明の一実施形態である図９の（ｂ）を例として単位面積１５０μｍ^２について説明すると、積層型電子部品１００の第２方向の中心で第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、内部電極の端部と１つのサイドマージン部を含む領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージを撮影したとき、サイドマージン部領域の１５０μｍ^２を意味することができる。このとき、１５０μｍ^２の領域は特にこれに制限されるものではないが、第３方向の大きさ×第１方向の大きさが（７．５μｍ×２０μｍ）の領域に該当することができる。

【0149】

本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。

【0150】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置されて内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0151】

より具体的には、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0152】

また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面１及び第２面２上の一部に延びて配置されることができ、または本体１１０の第５面５及び第６面６上の一部に延びて配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５、第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５、第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。

【0153】

外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気導電性を有するものであれば、どのような物質を用いても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して、具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

【0154】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0155】

電極層１３１ａ、１３２ａに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。

【0156】

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であることができる。

【0157】

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。

【0158】

電極層１３１ａ、１３２ａに用いられる導電性金属は、静電容量形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる材質であれば、特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粒子にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することで形成されることができる。

【0159】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0160】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｂ、１３２ｂであることができ、複数の層で形成されることができる。

【0161】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0162】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

【0163】

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００で本発明による効果がより顕著になり得る。

【0164】

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、これは発明の具体的な理解を助けるためであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

【0165】

（実施例）
比較例１は、ガリウム（Ｇａ）が添加されていないサイドマージン部が適用された積層型電子部品で製作した。

【0166】

実施例１は、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モルが添加されたサイドマージン部が適用された積層型電子部品で製作した。サイドマージン部にチタン（Ｔｉ）１００モルに対して０．３モルのガリウム（Ｇａ）を添加した以外には、比較例１と同様の条件で製作した。

【0167】

以下の表１は、比較例１及び実施例１の焼成工程中、１０５０℃から１１５０℃まで２５℃毎にサンプルチップを取り出して、焼成密度（ｇ／ｃｍ^３）の大略的な値を測定して示したものである。

【0168】

【表1】

【0169】

比較例１の場合、１０５０℃での焼成密度は約４．２０ｇ／ｃｍ^３、１０７５℃での焼成密度は約４．６０ｇ／ｃｍ^３、１１００℃での焼成密度は約５．１０ｇ／ｃｍ^３、１１２５℃での焼成密度は約５．７０ｇ／ｃｍ^３、１１５０℃での焼成密度は約５．９０ｇ／ｃｍ^３で確認された。実施例１の場合、１０５０℃での焼成密度は約４．６０ｇ／ｃｍ^３、１０７５℃での焼成密度は約５．００ｇ／ｃｍ^３、１１００℃での焼成密度は約５．８５ｇ／ｃｍ^３、１１２５℃での焼成密度は約５．９０ｇ／ｃｍ^３、１１５０℃での焼成密度は約５．９５ｇ／ｃｍ^３で確認された。ガリウム（Ｇａ）が添加されていない比較例１の場合、約１１５０℃で焼結がほぼ完了したのに対し、ガリウム（Ｇａ）が添加された実施例１の場合、約１１００℃で焼結がほぼ完了したことから、ガリウム（Ｇａ）が添加されることで焼結温度が低下したと見られる。また、後述する実施例２～実施例４の結果に照らしてみたとき、誘電体微細構造の緻密度と耐湿信頼性の向上効果があることが予測でき、焼結温度が低下するにつれて焼成工程の制御も容易であることが分かる。

【0170】

次に、実施例２の二次相に含まれた様々な元素の原子百分率（ａｔ％）を測定した。

【0171】

具体的に、実施例２は、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モルが添加されたサイドマージン部が適用された積層型電子部品で製作し、実施例１と同じ条件で製作した。

【0172】

実施例２のサイドマージン部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）をＴＥＭ－ＥＤＳで分析してガリウム（Ｇａ）、及びケイ素（Ｓｉ）をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して観察し、これに対する分析イメージを図８の（ａ）～（ｃ）から確認することができる。

【0173】

より具体的には、図８の（ａ）はサイドマージン部の断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて高角度暗視野（Ｈｉｇｈ－Ａｎｇｌｅ Ａｎｎｕｌａｒ Ｄａｒｋ－Ｆｉｅｌｄ、ＨＡＡＤＦ）モードで撮影したイメージであり、図８の（ｂ）は同じ領域でケイ素（Ｓｉ）及びガリウム（Ｇａ）をＥＤＳで分析したイメージであり、図８の（ｃ）は同じ領域でガリウム（Ｇａ）をＥＤＳで分析したイメージである。

【0174】

また、図８の（ｂ）に示したように、ガリウム（Ｇａ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む二次相がサイドマージン部に含まれた三重点に配置されていることが確認でき、９つの二次相に表示した領域（地点）である１．ｓｐｘ～９．ｓｐｘについてＥＤＳ分析を行い、以下の表２に示した。

【0175】

表２は、イメージで検出されたそれぞれの二次相領域（地点）ごとに、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及びケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）をＴＥＭ－ＥＤＳで測定して記載したものであり、二次相に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）に対するガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）の割合を百分率（％）で表したものである。

【0176】

一方、二次相はマグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バリウム（Ｂａ）、及びジスプロシウム（Ｄｙ）の少なくとも一つを含むと分析されたが、各元素の具体的な原子百分率（ａｔ％）値は表２に記載しなかった。

【0177】

【表2】

【0178】

実施例１と同様の条件で製作した実施例２において、二次相に含まれたケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）に対するガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）に関する割合（Ｇａ／Ｓｉ）は、３．９４％以上であり、７．２１％以下であることを確認することができる。実施例１、実施例３及び実施例４を参照したとき、二次相に含まれた元素が表２の原子百分率（ａｔ％）範囲で誘電体微細構造の気孔生成が抑制され、耐湿信頼性が向上することを予測することができる。

【0179】

次に、比較例２及び実施例３に対するサイドマージン部内の気孔の数を比較した。

【0180】

比較例２は、ガリウム（Ｇａ）が添加されていないサイドマージン部が適用された積層型電子部品で製作し、比較例１と同じ条件で製作した。

【0181】

実施例３は、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モルが添加されたサイドマージン部が適用された積層型電子部品で製作し、実施例１または実施例２と同じ条件で製作した。

【0182】

図９の（ａ）及び図９の（ｂ）は、積層型電子部品１００の第２方向の中心で第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、内部電極の端部と１つのサイドマージン部が含まれる領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージを撮影したものである。

【0183】

より具体的には、図９の（ａ）は比較例２の容量形成部及びサイドマージン部を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、図９の（ｂ）は実施例３の容量形成部及びサイドマージン部を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージである。

【0184】

比較例２及び実施例３のサイドマージン部の四角形領域に該当する単位面積１５０μｍ^２に含まれた気孔の数を観測し、比較例２の場合、気孔の数は４５個であり、実施例３の場合、気孔の数は２１個で観測された。

【0185】

これから、ガリウム（Ｇａ）を添加した実施例３の場合、ガリウム（Ｇａ）を添加していない比較例２よりも気孔生成が抑制されることが確認できる。

【0186】

次に、比較例３及び実施例４に対する耐湿信頼性評価を比較した。

【0187】

比較例３は、ガリウム（Ｇａ）が添加されていないサイドマージン部が適用された積層型電子部品で製作し、比較例１または比較例２と同じ条件で製作した。

【0188】

実施例４は、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モルが添加されたサイドマージン部が適用された積層型電子部品で製作し、実施例１～実施例３と同じ条件で製作した。

【0189】

比較例３及び実施例４の条件を有するサンプルチップをそれぞれ４０個ずつ製作して耐湿信頼性評価を進めた。

【0190】

耐湿信頼性評価は、温度条件８５℃、相対湿度８５％、電圧条件１．２Ｖｒの条件で８時間行った。４０個のサンプルチップのうち、絶縁抵抗（ＩＲ）値が１０^４Ω以下に減少したサンプルチップを不良とカウントして表３に記載した。

【0191】

【表3】

【0192】

図１０の（ａ）は比較例３の耐湿信頼性評価のグラフであり、図１０の（ｂ）は実施例４の耐湿信頼性評価のグラフである。比較例３の場合、不良が発生したチップは２個であるのに対し、実施例４の場合、不良が発生したチップは０個に該当することを確認した。これからガリウム（Ｇａ）を添加した実施例４の場合、ガリウム（Ｇａ）を添加していない比較例３に比べて耐湿信頼性が向上したことが確認できる。

【0193】

次に、サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数を異ならせて比較例及び実施例を製作し、０６０３（長さ×幅：０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）サイズのチップ（ｃｈｉｐ）でそれぞれ３０個ずつ製作した後、誘電正接（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ Ｆａｃｔｏｒ、ＤＦ）、容量（μＦ）、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）、ショート率（％）を測定・評価して表４に記載した。

【0194】

【表4】

【0195】

サイドマージン部にガリウム（Ｇａ）を添加していない比較例４及び比較例５と、サイドマージン部にガリウム（Ｇａ）を添加した実施例５～１３のＤＦ（％）、容量（μＦ）、ＢＤＶ（Ｖ）、ｓｈｏｒｔ（％）を比較したとき、ガリウム（Ｇａ）の添加によってＤＦ、容量、ＢＤＶ、ｓｈｏｒｔの１つ以上の特性が改善されることを確認することができる。これは、ガリウム（Ｇａ）の添加によって、サイドマージン部及び容量形成部のうちサイドマージン部に隣接する領域の誘電体結晶粒大きさ（ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）が増加することによるものと予測される。但し、ガリウム（Ｇａ）の含有量が多くなるほどＢＤＶ特性が低下することから、目標とする特性を達成するためには、サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は３．０モルまでが適正含有量であると予想される。

【0196】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0197】

また、本明細書で用いられた「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0198】

本明細書で用いられた用語は、単に一実施形態を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0199】

１１ 結晶粒
１２ 結晶粒界
１３ 三重点
２０ 二次相
１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ サイドマージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】