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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024163913
(43)【公開日】2024-11-22
(54)【発明の名称】金属酸窒化物膜
(51)【国際特許分類】
H01L 21/203 20060101AFI20241115BHJP
C23C 14/06 20060101ALI20241115BHJP
C23C 14/34 20060101ALI20241115BHJP
C23C 14/08 20060101ALI20241115BHJP
H01L 33/26 20100101ALI20241115BHJP
H01L 21/20 20060101ALI20241115BHJP
H01L 33/40 20100101ALN20241115BHJP
【ＦＩ】
H01L21/203 S
C23C14/06 A
C23C14/34 Z
C23C14/08 Z
H01L33/26
H01L21/20
H01L33/40
【審査請求】有
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024123599
(22)【出願日】2024-07-30
(62)【分割の表示】P 2023096241の分割
【原出願日】2019-06-24
(31)【優先権主張番号】P 2018128964
(32)【優先日】2018-07-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】種村 和幸
(72)【発明者】
【氏名】三本菅 正太
(72)【発明者】
【氏名】奥野 直樹
(57)【要約】
【課題】金属酸窒化物膜を低温でエピタキシャル成長させて成膜する方法を提供する。
【解決手段】単結晶の基板上に、窒素ガスを含む気体を導入して、酸化物ターゲットを用
いて、スパッタリング法によって、エピタキシャル成長させる金属酸窒化物膜の作製方法
であって、酸化物ターゲットは、亜鉛を含み、金属酸窒化物膜の成膜中の基板は、８０℃
以上４００℃以下であり、窒素ガスの流量は、気体の全流量中の５０％以上１００％以下
である。
【選択図】図１
【解決手段】単結晶の基板上に、窒素ガスを含む気体を導入して、酸化物ターゲットを用
いて、スパッタリング法によって、エピタキシャル成長させる金属酸窒化物膜の作製方法
であって、酸化物ターゲットは、亜鉛を含み、金属酸窒化物膜の成膜中の基板は、８０℃
以上４００℃以下であり、窒素ガスの流量は、気体の全流量中の５０％以上１００％以下
である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
面方位が（１１１）であるイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）基板上の金属酸窒化物膜であり、
前記金属酸窒化物膜は、亜鉛、インジウムおよびガリウムを含み、
前記金属酸窒化物膜は、面内配向した膜である、金属酸窒化物膜。
前記金属酸窒化物膜は、亜鉛、インジウムおよびガリウムを含み、
前記金属酸窒化物膜は、面内配向した膜である、金属酸窒化物膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、金属酸窒化物膜、および金属酸窒化物膜の作製方法に関する。また
、本発明の一態様は、当該金属酸窒化物膜を用いた発光素子、照明装置、表示装置、電子
機器、および半導体装置に関する。
、本発明の一態様は、当該金属酸窒化物膜を用いた発光素子、照明装置、表示装置、電子
機器、および半導体装置に関する。
【0002】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装
置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装
置は、半導体装置の一態様である。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置など）、投影
装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、電子機器
などは、半導体装置を有すると言える場合がある。
置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装
置は、半導体装置の一態様である。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置など）、投影
装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、電子機器
などは、半導体装置を有すると言える場合がある。
【0003】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様は、物、方法、または、製造方法に関するものである。また、本発明の一態様は
、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マタ
ー）に関するものである。
の一態様は、物、方法、または、製造方法に関するものである。また、本発明の一態様は
、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マタ
ー）に関するものである。
【背景技術】
【0004】
顔料や光触媒材料として、金属、酸素、および窒素を有する金属酸窒化物が知られてい
る。また、金属酸窒化物は、半導体装置などに用いる半導体材料や絶縁性材料としても注
目されている。特許文献１では、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む金属酸窒化物
を有する半導体材料が開示されている。
る。また、金属酸窒化物は、半導体装置などに用いる半導体材料や絶縁性材料としても注
目されている。特許文献１では、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む金属酸窒化物
を有する半導体材料が開示されている。
【0005】
また、面内配向した薄膜（単結晶の薄膜ともいう。）を形成する方法の一つとして、エ
ピタキシャル成長方法が知られている。ここで、面内配向とは、基板に対して水平方向の
結晶方位の規則性をさす。特許文献２では、単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を、反
応性固相エピタキシャル法によって形成する方法が開示されている。
ピタキシャル成長方法が知られている。ここで、面内配向とは、基板に対して水平方向の
結晶方位の規則性をさす。特許文献２では、単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を、反
応性固相エピタキシャル法によって形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１５－１８９２９号公報
【特許文献2】特開２００４－１０３９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
特許文献１に開示されている金属酸窒化物の状態は、原子間の結合が不秩序なアモルフ
ァス状態である。アモルファス状態の金属酸窒化物は、鬆または低密度領域を有するため
、当該金属酸窒化物の安定性は低い。よって、半導体装置などに用いる金属酸窒化物は、
高い結晶性を有することが好ましい。特に、金属酸窒化物は、面内配向していることが好
ましい。
ァス状態である。アモルファス状態の金属酸窒化物は、鬆または低密度領域を有するため
、当該金属酸窒化物の安定性は低い。よって、半導体装置などに用いる金属酸窒化物は、
高い結晶性を有することが好ましい。特に、金属酸窒化物は、面内配向していることが好
ましい。
【0008】
また、特許文献２に開示されている反応性固相エピタキシャル法では、ＩｎＧａＯ３（
ＺｎＯ）５薄膜の成膜前に、基板を１０００℃以上に加熱する処理を行う、当該薄膜の成
膜後に、１３００℃以上の温度で加熱拡散処理を行う、などの高温処理が必要とされる。
また、単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を形成するために、基板上に、エピタキシャ
ル成長させたＺｎＯ薄膜を設ける必要がある。このように、従来技術を用いてエピタキシ
ャル成長させた薄膜を形成するには、様々な制約がある。なお、本明細書では、高温とは
、例えば、７００℃以上の温度をさし、低温とは、例えば、６００℃以下の温度をさす。
ＺｎＯ）５薄膜の成膜前に、基板を１０００℃以上に加熱する処理を行う、当該薄膜の成
膜後に、１３００℃以上の温度で加熱拡散処理を行う、などの高温処理が必要とされる。
また、単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を形成するために、基板上に、エピタキシャ
ル成長させたＺｎＯ薄膜を設ける必要がある。このように、従来技術を用いてエピタキシ
ャル成長させた薄膜を形成するには、様々な制約がある。なお、本明細書では、高温とは
、例えば、７００℃以上の温度をさし、低温とは、例えば、６００℃以下の温度をさす。
【0009】
そこで、本発明の一態様は、金属酸窒化物膜を低温でエピタキシャル成長させて成膜す
る方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、金属酸窒化物膜の成
膜前後で、高温処理を行わずに、当該金属酸窒化物膜をエピタキシャル成長させて成膜す
る方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、エピタキシャル成長
させて成膜した金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などを提供することを課題の一とする
。
る方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、金属酸窒化物膜の成
膜前後で、高温処理を行わずに、当該金属酸窒化物膜をエピタキシャル成長させて成膜す
る方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、エピタキシャル成長
させて成膜した金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などを提供することを課題の一とする
。
【0010】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一態様は、単結晶の基板上に、窒素ガスを含む気体を導入して、酸化物ターゲ
ットを用いて、スパッタリング法によって、エピタキシャル成長させる金属酸窒化物膜の
作製方法であって、酸化物ターゲットは、亜鉛を含み、金属酸窒化物膜の成膜中の基板は
、８０℃以上４００℃以下であり、窒素ガスの流量は、気体の全流量中の５０％以上１０
０％以下である。
ットを用いて、スパッタリング法によって、エピタキシャル成長させる金属酸窒化物膜の
作製方法であって、酸化物ターゲットは、亜鉛を含み、金属酸窒化物膜の成膜中の基板は
、８０℃以上４００℃以下であり、窒素ガスの流量は、気体の全流量中の５０％以上１０
０％以下である。
【0012】
また、本発明の一態様は、単結晶の基板上に、窒素ガスを含む気体を導入して、酸化物
ターゲットを用いて、スパッタリング法によって、面内配向した膜を成膜する金属酸窒化
物膜の作製方法であって、酸化物ターゲットは、亜鉛を含み、金属酸窒化物膜の成膜中の
基板は、８０℃以上４００℃以下であり、窒素ガスの流量は、気体の全流量中の５０％以
上１００％以下である。
ターゲットを用いて、スパッタリング法によって、面内配向した膜を成膜する金属酸窒化
物膜の作製方法であって、酸化物ターゲットは、亜鉛を含み、金属酸窒化物膜の成膜中の
基板は、８０℃以上４００℃以下であり、窒素ガスの流量は、気体の全流量中の５０％以
上１００％以下である。
【0013】
上記金属酸窒化物膜の作製方法において、酸化物ターゲットは、インジウムおよびガリ
ウムの少なくとも一を含む、ことが好ましい。
ウムの少なくとも一を含む、ことが好ましい。
【0014】
上記金属酸窒化物膜の作製方法において、基板は、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳ
Ｚ）基板であり、基板の面方位は（１１１）である、ことが好ましい。または、基板は、
Ａ面サファイア基板であり、基板の面方位は（１１０）である、ことが好ましい。
Ｚ）基板であり、基板の面方位は（１１１）である、ことが好ましい。または、基板は、
Ａ面サファイア基板であり、基板の面方位は（１１０）である、ことが好ましい。
【0015】
上記金属酸窒化物膜の作製方法において、金属酸窒化物膜の結晶構造は、ウルツ鉱型構
造である、ことが好ましい。
造である、ことが好ましい。
【0016】
また、上記金属酸窒化物膜の作製方法において、金属酸窒化物膜に対して、極点測定を
行った場合、極点測定の、金属酸窒化物膜の結晶の（１０１）面に対するφスキャンにて
、６回対称を示す回折ピークが観測される、ことが好ましい。
行った場合、極点測定の、金属酸窒化物膜の結晶の（１０１）面に対するφスキャンにて
、６回対称を示す回折ピークが観測される、ことが好ましい。
【0017】
また、上記金属酸窒化物膜の作製方法において、金属酸窒化物膜の広域逆格子空間マッ
プにおいて、第１のスポットと、第２のスポットとが観察され、第１のスポットのピーク
は、角度２θが３０°以上３５°以下、かつ、角度ψが０°付近に位置し、第１のスポッ
トの半値幅は、２°未満であり、第２のスポットのピークは、角度２θが３３°以上３７
°以下、かつ、角度ψが６１°以上６５°以下に位置し、第２のスポットの半値幅が、２
°未満である、ことが好ましい。
プにおいて、第１のスポットと、第２のスポットとが観察され、第１のスポットのピーク
は、角度２θが３０°以上３５°以下、かつ、角度ψが０°付近に位置し、第１のスポッ
トの半値幅は、２°未満であり、第２のスポットのピークは、角度２θが３３°以上３７
°以下、かつ、角度ψが６１°以上６５°以下に位置し、第２のスポットの半値幅が、２
°未満である、ことが好ましい。
【発明の効果】
【0018】
本発明の一態様により、金属酸窒化物膜を低温でエピタキシャル成長させて成膜する方
法を提供することができる。また、本発明の一態様により、金属酸窒化物膜の成膜前後で
、高温処理を行わずに、当該金属酸窒化物膜をエピタキシャル成長させて成膜する方法を
提供することができる。また、本発明の一態様により、エピタキシャル成長させて成膜し
た金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などを提供することができる。
法を提供することができる。また、本発明の一態様により、金属酸窒化物膜の成膜前後で
、高温処理を行わずに、当該金属酸窒化物膜をエピタキシャル成長させて成膜する方法を
提供することができる。また、本発明の一態様により、エピタキシャル成長させて成膜し
た金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などを提供することができる。
【0019】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその
形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがっ
て、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその
形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがっ
て、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0022】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されてい
る場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、図面は、理想的な
例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。例えば、
実際の製造工程において、エッチングなどの処理により層やレジストマスクなどが意図せ
ずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために図に反映しないことがある。また
、図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間
で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、同様の機能を指す場
合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
る場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、図面は、理想的な
例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。例えば、
実際の製造工程において、エッチングなどの処理により層やレジストマスクなどが意図せ
ずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために図に反映しないことがある。また
、図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間
で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、同様の機能を指す場
合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【0023】
また、特に上面図（「平面図」ともいう。）や斜視図などにおいて、発明の理解を容易
とするため、一部の構成要素の記載を省略する場合がある。また、一部の隠れ線などの記
載を省略する場合がある。
とするため、一部の構成要素の記載を省略する場合がある。また、一部の隠れ線などの記
載を省略する場合がある。
【0024】
また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の
位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置
関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で
説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置
関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で
説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【0025】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている
場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている
場合と、ＸとＹとが直接的に接続されている場合とが、本明細書等に開示されているもの
とする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定
されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されている
ものとする。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子
、導電膜、層、など）であるとする。
場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている
場合と、ＸとＹとが直接的に接続されている場合とが、本明細書等に開示されているもの
とする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定
されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されている
ものとする。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子
、導電膜、層、など）であるとする。
【0026】
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイ
ン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間
にチャネルが形成される領域（以下、チャネル形成領域ともいう。）を有しており、チャ
ネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。
なお、本明細書等において、チャネル形成領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイ
ン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間
にチャネルが形成される領域（以下、チャネル形成領域ともいう。）を有しており、チャ
ネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。
なお、本明細書等において、チャネル形成領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
【0027】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができる場合があ
る。
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができる場合があ
る。
【0028】
また、本明細書等において、「絶縁体」という用語を、絶縁膜または絶縁層と言い換え
ることができる。また、「導電体」という用語を、導電膜または導電層と言い換えること
ができる。また、「半導体」という用語を、半導体膜または半導体層と言い換えることが
できる。
ることができる。また、「導電体」という用語を、導電膜または導電層と言い換えること
ができる。また、「半導体」という用語を、半導体膜または半導体層と言い換えることが
できる。
【0029】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が－１０°以上１０°以下の角
度で配置されている状態をいう。したがって、－５°以上５°以下の場合も含まれる。ま
た、「略平行」とは、二つの直線が－３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態
をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されて
いる状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直
」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
度で配置されている状態をいう。したがって、－５°以上５°以下の場合も含まれる。ま
た、「略平行」とは、二つの直線が－３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態
をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されて
いる状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直
」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
【0030】
また、本明細書では、結晶面を、ミラー指数を用いて表す。ミラー指数は、丸括弧の中
の３つの整数で示される。また、結晶面の並びの方向（結晶面に対して垂直方向）を、結
晶方位という。結晶方位は、角括弧の３つの整数で示される。例えば、結晶面を表す際は
（１１１）と示し、結晶方位を表す際は［１１１］で示す。なお、六方晶系では、ミラー
－ブラベー（Ｍｉｌｌｅｒ－Ｂｒａｖａｉｓ）指数と呼ばれる表記が利用される場合があ
る。具体的には、六方晶格子の面指数を、４つの整数（ｈ、ｋ、ｉ、ｌ）を用いて、（ｈ
ｋｉｌ）で表す。ここでｉ＝－（ｈ＋ｋ）である。指数ｉは指数ｈと指数ｋの値から計算
できるため、本明細書では、六方晶系の結晶面に対しても、３つの整数を用いたミラー指
数（ｈｋｌ）で表記する。
の３つの整数で示される。また、結晶面の並びの方向（結晶面に対して垂直方向）を、結
晶方位という。結晶方位は、角括弧の３つの整数で示される。例えば、結晶面を表す際は
（１１１）と示し、結晶方位を表す際は［１１１］で示す。なお、六方晶系では、ミラー
－ブラベー（Ｍｉｌｌｅｒ－Ｂｒａｖａｉｓ）指数と呼ばれる表記が利用される場合があ
る。具体的には、六方晶格子の面指数を、４つの整数（ｈ、ｋ、ｉ、ｌ）を用いて、（ｈ
ｋｉｌ）で表す。ここでｉ＝－（ｈ＋ｋ）である。指数ｉは指数ｈと指数ｋの値から計算
できるため、本明細書では、六方晶系の結晶面に対しても、３つの整数を用いたミラー指
数（ｈｋｌ）で表記する。
【0031】
また、本明細書では、単結晶基板の表面に現れる結晶面を、単結晶基板の面方位と呼ぶ
場合がある。
場合がある。
【0032】
また、本明細書では、結晶面に対応する、逆格子における格子点（逆格子点ともいう）
を、括弧なしの指数で表記する。例えば、広域逆格子空間マップで観察されるスポットに
示す逆格子点１１１は、結晶面（１１１）に対応する。
を、括弧なしの指数で表記する。例えば、広域逆格子空間マップで観察されるスポットに
示す逆格子点１１１は、結晶面（１１１）に対応する。
【0033】
また、ミラー指数では、負の方向を表す場合、指数を表す数字の上にバーをつけるが、
本明細書では、便宜上、指数を表す数字の前にマイナス記号をつける。また、（１１１）
と等価な面として、（－１１１）、（１－１１）、（１１－１）などがある。本明細書に
おいて、（１１１）と記述する場合、（１１１）には、（－１１１）、（１－１１）、（
１１－１）などの等価な面も含む場合がある。
本明細書では、便宜上、指数を表す数字の前にマイナス記号をつける。また、（１１１）
と等価な面として、（－１１１）、（１－１１）、（１１－１）などがある。本明細書に
おいて、（１１１）と記述する場合、（１１１）には、（－１１１）、（１－１１）、（
１１－１）などの等価な面も含む場合がある。
【0034】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である金属酸窒化物膜の作製方法について説明する
。
本実施の形態では、本発明の一態様である金属酸窒化物膜の作製方法について説明する
。
【0035】
金属、酸素、および窒素を有する金属酸窒化物は、半導体装置に用いる半導体材料や絶
縁性材料として注目されている。半導体装置に用いる金属酸窒化物は、不純物や欠陥が少
なく、安定性が高いことが好ましい。ここで、金属酸窒化物の安定性が高いとは、半導体
装置の動作に伴う発熱などによって、当該金属酸窒化物に接する材料と反応しにくい、当
該金属酸窒化物の結晶性が変化しない、当該金属酸窒化物に欠陥が生じにくい、などをさ
す。不純物や欠陥が少なく、安定性が高い金属酸窒化物を半導体装置に用いることで、当
該半導体装置の信頼性を向上させることができる。
縁性材料として注目されている。半導体装置に用いる金属酸窒化物は、不純物や欠陥が少
なく、安定性が高いことが好ましい。ここで、金属酸窒化物の安定性が高いとは、半導体
装置の動作に伴う発熱などによって、当該金属酸窒化物に接する材料と反応しにくい、当
該金属酸窒化物の結晶性が変化しない、当該金属酸窒化物に欠陥が生じにくい、などをさ
す。不純物や欠陥が少なく、安定性が高い金属酸窒化物を半導体装置に用いることで、当
該半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【0036】
金属酸窒化物における不純物とは、例えば、金属酸窒化物を構成する主成分以外をいう
。例えば、金属酸窒化物において、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物といえる。当
該元素として、例えば、水素、シリコン、ホウ素、リン、炭素、金属酸窒化物を構成する
主成分以外の遷移金属などがある。また、金属酸窒化物における欠陥とは格子欠陥のこと
であり、例えば、酸素欠損、窒素欠損などの点欠陥、転位などの線欠陥、結晶粒界などの
面欠陥等がある。また、金属酸窒化物における欠陥には、鬆などのボイド欠陥等がある。
。例えば、金属酸窒化物において、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物といえる。当
該元素として、例えば、水素、シリコン、ホウ素、リン、炭素、金属酸窒化物を構成する
主成分以外の遷移金属などがある。また、金属酸窒化物における欠陥とは格子欠陥のこと
であり、例えば、酸素欠損、窒素欠損などの点欠陥、転位などの線欠陥、結晶粒界などの
面欠陥等がある。また、金属酸窒化物における欠陥には、鬆などのボイド欠陥等がある。
【0037】
また、薄膜には、結晶性の観点から、面内配向した薄膜、配向性薄膜、無配向薄膜（多
結晶薄膜）、非晶質薄膜（アモルファス薄膜）などがある。配向性薄膜は、薄膜に含まれ
る結晶において、少なくとも一つの結晶軸が特定の方向に揃っている状態の薄膜である。
また、面内配向した薄膜は、薄膜に含まれる結晶において、３つの結晶軸が特定の方向に
揃っている状態の薄膜である。
結晶薄膜）、非晶質薄膜（アモルファス薄膜）などがある。配向性薄膜は、薄膜に含まれ
る結晶において、少なくとも一つの結晶軸が特定の方向に揃っている状態の薄膜である。
また、面内配向した薄膜は、薄膜に含まれる結晶において、３つの結晶軸が特定の方向に
揃っている状態の薄膜である。
【0038】
半導体装置などに用いる金属酸窒化物の薄膜は、配向性を有する金属酸窒化物の薄膜で
あることが好ましく、面内配向した金属酸窒化物の薄膜であることがさらに好ましい。面
内配向した金属酸窒化物の薄膜は、不純物や欠陥が少なく、緻密な構造を有している。よ
って、面内配向した金属酸窒化物の薄膜を半導体装置などに用いることで、当該半導体装
置などの信頼性を向上させることができる。
あることが好ましく、面内配向した金属酸窒化物の薄膜であることがさらに好ましい。面
内配向した金属酸窒化物の薄膜は、不純物や欠陥が少なく、緻密な構造を有している。よ
って、面内配向した金属酸窒化物の薄膜を半導体装置などに用いることで、当該半導体装
置などの信頼性を向上させることができる。
【0039】
面内配向した薄膜の形成方法として、エピタキシャル成長が知られている。エピタキシ
ャル成長とは、単結晶の基板上に、薄膜を構成する結晶が一定の結晶方位関係をもって成
長することをいう。なお、単結晶の基板上に、当該基板と同じ材料を用いて、当該基板の
有する結晶の格子定数と同じである結晶が成長することを、ホモエピタキシャル成長と呼
ぶ。また、単結晶の基板上に、当該基板と異なる材料を用いて、または、当該基板の有す
る結晶の格子定数と異なる材料を用いて、結晶が成長することを、ヘテロエピタキシャル
成長と呼ぶ。ヘテロエピタキシャル成長は、基板の有する結晶に対して格子不整合が小さ
い材料を選択する、基板と薄膜の間に格子歪みを緩和する層（バッファ層ともいう）を設
ける、などにより可能となる。
ャル成長とは、単結晶の基板上に、薄膜を構成する結晶が一定の結晶方位関係をもって成
長することをいう。なお、単結晶の基板上に、当該基板と同じ材料を用いて、当該基板の
有する結晶の格子定数と同じである結晶が成長することを、ホモエピタキシャル成長と呼
ぶ。また、単結晶の基板上に、当該基板と異なる材料を用いて、または、当該基板の有す
る結晶の格子定数と異なる材料を用いて、結晶が成長することを、ヘテロエピタキシャル
成長と呼ぶ。ヘテロエピタキシャル成長は、基板の有する結晶に対して格子不整合が小さ
い材料を選択する、基板と薄膜の間に格子歪みを緩和する層（バッファ層ともいう）を設
ける、などにより可能となる。
【0040】
エピタキシャル成長の方法には、固相エピタキシャル成長（ＳＰＥ：Ｓｏｌｉｄ Ｐｈ
ａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａ
ｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、気相エピタキシャル成長（ＶＰＥ：Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法がある。
ａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａ
ｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、気相エピタキシャル成長（ＶＰＥ：Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法がある。
【0041】
ＳＰＥ法は、基板表面に薄膜を形成し、当該薄膜を電子ビーム照射などにより加熱して
、当該薄膜の結晶構造を基板の有する結晶と同じ結晶構造に変える方法である。また、Ｌ
ＰＥ法は、過飽和溶液から基板表面に結晶部分を析出させる方法である。また、ＶＰＥ法
は、気相中の成分を基板表面に堆積させる方法である。ＶＰＥ法には、パルスレーザ堆積
（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ
：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシャル成長（
ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法などがある。ＭＢＥ法は、
超高真空中で目的の結晶を構成する元素あるいは元素を含む材料を加熱蒸発させ、加熱さ
れた基板上に結晶を堆積させる方法である。
、当該薄膜の結晶構造を基板の有する結晶と同じ結晶構造に変える方法である。また、Ｌ
ＰＥ法は、過飽和溶液から基板表面に結晶部分を析出させる方法である。また、ＶＰＥ法
は、気相中の成分を基板表面に堆積させる方法である。ＶＰＥ法には、パルスレーザ堆積
（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ
：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシャル成長（
ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法などがある。ＭＢＥ法は、
超高真空中で目的の結晶を構成する元素あるいは元素を含む材料を加熱蒸発させ、加熱さ
れた基板上に結晶を堆積させる方法である。
【0042】
従来技術では、薄膜をエピタキシャル成長させるのに、様々な制約がある。当該制約と
して、例えば、当該薄膜を高温で成膜する、当該薄膜を成膜した後に高温（例えば、１０
００℃以上）で熱処理を行う、当該薄膜を成膜する前に基板表面の平坦化処理を施す、基
板上に１以上のバッファ層を設ける、格子定数や熱膨張係数の近い基板を選択する、など
がある。基板表面の平坦化処理として、例えば、当該基板に対して高温で熱処理を行う、
などがある。
して、例えば、当該薄膜を高温で成膜する、当該薄膜を成膜した後に高温（例えば、１０
００℃以上）で熱処理を行う、当該薄膜を成膜する前に基板表面の平坦化処理を施す、基
板上に１以上のバッファ層を設ける、格子定数や熱膨張係数の近い基板を選択する、など
がある。基板表面の平坦化処理として、例えば、当該基板に対して高温で熱処理を行う、
などがある。
【0043】
そこで、本発明の一態様は、金属酸窒化物膜を低温でエピタキシャル成長させる、金属
酸窒化物膜の作製方法である。当該作製方法は、具体的には、単結晶の基板上に、反応室
へ気体を導入して、スパッタリング法によって、金属酸窒化物膜をエピタキシャル成長さ
せる方法である。なお、本発明の一態様は、エピタキシャル成長させることで面内配向し
た膜を形成する作製方法であるので、当該作製方法でエピタキシャル成長した膜は、面内
配向した膜である。
酸窒化物膜の作製方法である。当該作製方法は、具体的には、単結晶の基板上に、反応室
へ気体を導入して、スパッタリング法によって、金属酸窒化物膜をエピタキシャル成長さ
せる方法である。なお、本発明の一態様は、エピタキシャル成長させることで面内配向し
た膜を形成する作製方法であるので、当該作製方法でエピタキシャル成長した膜は、面内
配向した膜である。
【0044】
エピタキシャル成長させる金属酸窒化物膜の結晶構造は、六方晶系の結晶構造であるこ
とが好ましい。六方晶系の結晶構造のうち、特に、ウルツ鉱型構造であることが好ましい
。ウルツ鉱型構造は、立方晶系（例えば、ダイヤモンド構造、蛍石型構造、閃亜鉛型構造
など）に対してエピタキシャル成長が可能な結晶方位関係を有する。例えば、立方晶の［
１１１］とウルツ鉱型構造の［００１］とは、エピタキシャル成長が可能な結晶方位関係
である。よって、六方晶系の結晶構造を有する金属酸窒化物膜を、立方晶系、六方晶系な
どの結晶構造を有する単結晶の基板上にエピタキシャル成長させやすくすることができる
。また、当該金属酸窒化物膜上に、立方晶系、六方晶系などの結晶構造を有する材料をエ
ピタキシャル成長させやすくすることができる。
とが好ましい。六方晶系の結晶構造のうち、特に、ウルツ鉱型構造であることが好ましい
。ウルツ鉱型構造は、立方晶系（例えば、ダイヤモンド構造、蛍石型構造、閃亜鉛型構造
など）に対してエピタキシャル成長が可能な結晶方位関係を有する。例えば、立方晶の［
１１１］とウルツ鉱型構造の［００１］とは、エピタキシャル成長が可能な結晶方位関係
である。よって、六方晶系の結晶構造を有する金属酸窒化物膜を、立方晶系、六方晶系な
どの結晶構造を有する単結晶の基板上にエピタキシャル成長させやすくすることができる
。また、当該金属酸窒化物膜上に、立方晶系、六方晶系などの結晶構造を有する材料をエ
ピタキシャル成長させやすくすることができる。
【0045】
上記単結晶の基板として、サファイア基板、安定化ジルコニア基板（イットリア安定化
ジルコニア（ＹＳＺ）基板など）などの絶縁体基板を用いることができる。金属酸窒化物
の結晶構造がウルツ鉱型構造である場合、上記基板として、例えば、面方位が（１１１）
であるＹＳＺ基板、または面方位が（１１０）であるＡ面サファイア基板を用いることが
好ましい。上記基板としてＹＳＺ基板またはＡ面サファイア基板を用いることで、ウルツ
鉱型構造の結晶を有し、面内配向した金属酸窒化物の薄膜を形成しやすくなる。なお、シ
リコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム
、酸化亜鉛を材料とする半導体基板を用いてもよい。
ジルコニア（ＹＳＺ）基板など）などの絶縁体基板を用いることができる。金属酸窒化物
の結晶構造がウルツ鉱型構造である場合、上記基板として、例えば、面方位が（１１１）
であるＹＳＺ基板、または面方位が（１１０）であるＡ面サファイア基板を用いることが
好ましい。上記基板としてＹＳＺ基板またはＡ面サファイア基板を用いることで、ウルツ
鉱型構造の結晶を有し、面内配向した金属酸窒化物の薄膜を形成しやすくなる。なお、シ
リコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム
、酸化亜鉛を材料とする半導体基板を用いてもよい。
【0046】
エピタキシャル成長した薄膜の結晶の格子定数と、基板の結晶の格子定数との差（格子
不整合ともいう）は小さい方が好ましい。格子不整合を小さくすることで、単結晶の基板
上に、薄膜をエピタキシャル成長させやすくすることができる。
不整合ともいう）は小さい方が好ましい。格子不整合を小さくすることで、単結晶の基板
上に、薄膜をエピタキシャル成長させやすくすることができる。
【0047】
格子不整合の度合いを評価する方法の一つとして、格子不整合度がある。格子不整合度
Δａは、エピタキシャル成長した薄膜の結晶の格子定数ａｅと、基板の結晶の格子定数ａ
ｓと、以下の数式（１）より算出される。
Δａは、エピタキシャル成長した薄膜の結晶の格子定数ａｅと、基板の結晶の格子定数ａ
ｓと、以下の数式（１）より算出される。
【0048】
【数1】
【0049】
エピタキシャル成長させる金属酸窒化物膜と、単結晶の基板との格子不整合度は、１５
％以下が好ましく、１０％以下がより好ましい。これにより、単結晶の基板上に、金属酸
窒化物膜をエピタキシャル成長させやすくすることができる。
％以下が好ましく、１０％以下がより好ましい。これにより、単結晶の基板上に、金属酸
窒化物膜をエピタキシャル成長させやすくすることができる。
【0050】
なお、立方晶系の単結晶の基板上に、ウルツ鉱型構造の結晶を有する金属酸窒化物膜を
エピタキシャル成長させる場合、例えば、当該基板表面の結晶方位は［１１１］であり、
当該金属酸窒化物膜表面の結晶方位は［００１］であることから、当該基板および当該金
属酸化物膜の結晶方位が異なる。そこで、ａｓを当該基板の結晶の格子定数を２分のルー
ト２倍した値とすることで、格子不整合度を算出することができる。具体的には、当該単
結晶の基板として、ａ軸方向の格子定数が約０．５１ｎｍであるＹＳＺ基板を用いる場合
、ＹＳＺ基板を［１１１］方向から見たときの最隣接原子間距離は、最小のもので約０．
３６ｎｍとなる。よって、上記した格子不整合度の好ましい範囲を鑑みて、金属酸窒化物
膜の結晶の、ａ軸方向の格子定数は、０．３１ｎｍ以上０．４１ｎｍ以下が好ましく、０
．３２ｎｍ以上０．４０ｎｍ以下がより好ましい。
エピタキシャル成長させる場合、例えば、当該基板表面の結晶方位は［１１１］であり、
当該金属酸窒化物膜表面の結晶方位は［００１］であることから、当該基板および当該金
属酸化物膜の結晶方位が異なる。そこで、ａｓを当該基板の結晶の格子定数を２分のルー
ト２倍した値とすることで、格子不整合度を算出することができる。具体的には、当該単
結晶の基板として、ａ軸方向の格子定数が約０．５１ｎｍであるＹＳＺ基板を用いる場合
、ＹＳＺ基板を［１１１］方向から見たときの最隣接原子間距離は、最小のもので約０．
３６ｎｍとなる。よって、上記した格子不整合度の好ましい範囲を鑑みて、金属酸窒化物
膜の結晶の、ａ軸方向の格子定数は、０．３１ｎｍ以上０．４１ｎｍ以下が好ましく、０
．３２ｎｍ以上０．４０ｎｍ以下がより好ましい。
【0051】
単結晶の基板上にエピタキシャル成長させた、金属酸窒化物膜を含む構造体の模式図を
図１（Ａ）に示す。図１（Ａ）は、単結晶の基板１０上に、金属酸窒化物膜２０を成膜し
た構造体の模式図である。図１（Ａ）には、金属酸窒化物膜２０が、ウルツ鉱型構造の結
晶３０を有する場合を図示している。本発明の一態様である作製方法によって、ウルツ鉱
型構造の結晶３０のｃ軸（［００１］）方向が、単結晶の基板１０表面の法線方向と一致
するように、金属酸窒化物膜２０はエピタキシャル成長する。ここで、本発明の一態様の
作製方法でエピタキシャル成長した膜は、当該膜に含まれる結晶のｃ軸（［００１］）方
向が、単結晶の基板表面の法線方向と一致するので、本発明の一態様の作製方法でエピタ
キシャル成長した膜を、ｃ軸エピタキシャル膜と呼ぶ場合がある。
図１（Ａ）に示す。図１（Ａ）は、単結晶の基板１０上に、金属酸窒化物膜２０を成膜し
た構造体の模式図である。図１（Ａ）には、金属酸窒化物膜２０が、ウルツ鉱型構造の結
晶３０を有する場合を図示している。本発明の一態様である作製方法によって、ウルツ鉱
型構造の結晶３０のｃ軸（［００１］）方向が、単結晶の基板１０表面の法線方向と一致
するように、金属酸窒化物膜２０はエピタキシャル成長する。ここで、本発明の一態様の
作製方法でエピタキシャル成長した膜は、当該膜に含まれる結晶のｃ軸（［００１］）方
向が、単結晶の基板表面の法線方向と一致するので、本発明の一態様の作製方法でエピタ
キシャル成長した膜を、ｃ軸エピタキシャル膜と呼ぶ場合がある。
【0052】
図１（Ｂ）を用いて、ウルツ鉱型構造の結晶面について説明する。図１（Ｂ）には、ウ
ルツ鉱型構造の代表的な結晶面（（００１）面、（１０１）面）を示している。図１（Ｂ
）に示すウルツ鉱型構造の（００１）面は、単結晶の基板１０表面と平行な面となる。
ルツ鉱型構造の代表的な結晶面（（００１）面、（１０１）面）を示している。図１（Ｂ
）に示すウルツ鉱型構造の（００１）面は、単結晶の基板１０表面と平行な面となる。
【0053】
図１（Ｃ）に、ウルツ鉱型構造における原子配置を示す。図１（Ｃ）中の配置Ｘ１は、
金属原子の配置であり、配置Ｘ２は酸素原子または窒素原子の配置である。なお、配置Ｘ
１が酸素原子または窒素原子の配置であり、配置Ｘ２が金属原子の配置であってもよい。
金属原子の配置であり、配置Ｘ２は酸素原子または窒素原子の配置である。なお、配置Ｘ
１が酸素原子または窒素原子の配置であり、配置Ｘ２が金属原子の配置であってもよい。
【0054】
上記スパッタリング法に用いるスパッタリングターゲットは、亜鉛を含む酸化物ターゲ
ットであることが好ましく、インジウムおよびガリウムの少なくとも一方と、亜鉛と、を
含む酸化物ターゲットであることがより好ましい。当該酸化物ターゲットとして、例えば
、酸化亜鉛ターゲット、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸化物）ターゲット、ガリウ
ム亜鉛酸化物（Ｇａ－Ｚｎ酸化物）ターゲット、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－
Ｇａ－Ｚｎ酸化物）ターゲットなどを用いることができる。特に、当該酸化物ターゲット
として、インジウムガリウム亜鉛酸化物ターゲットを用いるとよい。窒化インジウム、窒
化ガリウム、酸化亜鉛の結晶構造はいずれも、ウルツ鉱型構造である。よって、当該酸化
物ターゲットを用いて成膜することで、ウルツ鉱型構造の結晶を有し、面内配向した金属
酸窒化物の薄膜を形成し易くなる。
ットであることが好ましく、インジウムおよびガリウムの少なくとも一方と、亜鉛と、を
含む酸化物ターゲットであることがより好ましい。当該酸化物ターゲットとして、例えば
、酸化亜鉛ターゲット、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸化物）ターゲット、ガリウ
ム亜鉛酸化物（Ｇａ－Ｚｎ酸化物）ターゲット、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－
Ｇａ－Ｚｎ酸化物）ターゲットなどを用いることができる。特に、当該酸化物ターゲット
として、インジウムガリウム亜鉛酸化物ターゲットを用いるとよい。窒化インジウム、窒
化ガリウム、酸化亜鉛の結晶構造はいずれも、ウルツ鉱型構造である。よって、当該酸化
物ターゲットを用いて成膜することで、ウルツ鉱型構造の結晶を有し、面内配向した金属
酸窒化物の薄膜を形成し易くなる。
【0055】
図２を用いて、上記酸化物ターゲットを構成する金属の原子数比の好ましい範囲につい
て説明する。図２は、上記酸化物ターゲットが有するインジウム、ガリウム、および亜鉛
の原子数比を表す図である。なお、図２には、酸素の原子数比については記載しない。ま
た、上記酸化物ターゲットが有するインジウム、ガリウム、および亜鉛の原子数比のそれ
ぞれの項を［Ｉｎ］、［Ｇａ］、および［Ｚｎ］とする。
て説明する。図２は、上記酸化物ターゲットが有するインジウム、ガリウム、および亜鉛
の原子数比を表す図である。なお、図２には、酸素の原子数比については記載しない。ま
た、上記酸化物ターゲットが有するインジウム、ガリウム、および亜鉛の原子数比のそれ
ぞれの項を［Ｉｎ］、［Ｇａ］、および［Ｚｎ］とする。
【0056】
図２において、破線は、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１－α）：１
の原子数比（αは－１以上１以下の実数）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］
＝（１＋α）：（１－α）：２の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］
＝（１＋α）：（１－α）：３の原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［
Ｚｎ］＝（１＋α）：（１－α）：４の原子数比となるラインを表す。
の原子数比（αは－１以上１以下の実数）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］
＝（１＋α）：（１－α）：２の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］
＝（１＋α）：（１－α）：３の原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［
Ｚｎ］＝（１＋α）：（１－α）：４の原子数比となるラインを表す。
【0057】
また、一点鎖線は、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝４：１：βの原子数比（βはゼロ
以上の実数）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝２：１：βの原子数比とな
るライン、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝１：１：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ
］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝１：２：βの原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｇａ
］：［Ｚｎ］＝１：４：βの原子数比となるラインを表す。
以上の実数）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝２：１：βの原子数比とな
るライン、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝１：１：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ
］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝１：２：βの原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｇａ
］：［Ｚｎ］＝１：４：βの原子数比となるラインを表す。
【0058】
図２に示す領域Ａは、上記酸化物ターゲットが有するインジウム、ガリウム、および亜
鉛の原子数比の好ましい範囲の一例について示している。領域Ａには、［Ｉｎ］：［Ｇａ
］：［Ｚｎ］＝４：２：４．１、および［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝１：１：１のＩ
ｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物ターゲット、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝２：０：１（［Ｉｎ
］：［Ｚｎ］＝２：１）のＩｎ－Ｚｎ酸化物ターゲット、ならびに［Ｉｎ］：［Ｇａ］：
［Ｚｎ］＝０：０：１の酸化亜鉛ターゲットが含まれる。
鉛の原子数比の好ましい範囲の一例について示している。領域Ａには、［Ｉｎ］：［Ｇａ
］：［Ｚｎ］＝４：２：４．１、および［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝１：１：１のＩ
ｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物ターゲット、［Ｉｎ］：［Ｇａ］：［Ｚｎ］＝２：０：１（［Ｉｎ
］：［Ｚｎ］＝２：１）のＩｎ－Ｚｎ酸化物ターゲット、ならびに［Ｉｎ］：［Ｇａ］：
［Ｚｎ］＝０：０：１の酸化亜鉛ターゲットが含まれる。
【0059】
なお、上記スパッタリング法に用いるスパッタリングターゲットは、酸化物ターゲット
に限られず、酸窒化物ターゲットでもよい。酸窒化物ターゲットとして、例えば、インジ
ウムガリウム亜鉛酸窒化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸窒化物）ターゲット、インジウムガリウ
ム酸窒化物（Ｉｎ－Ｇａ酸窒化物）ターゲット、インジウム亜鉛酸窒化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸
窒化物）ターゲットなどを用いることができる。
に限られず、酸窒化物ターゲットでもよい。酸窒化物ターゲットとして、例えば、インジ
ウムガリウム亜鉛酸窒化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸窒化物）ターゲット、インジウムガリウ
ム酸窒化物（Ｉｎ－Ｇａ酸窒化物）ターゲット、インジウム亜鉛酸窒化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸
窒化物）ターゲットなどを用いることができる。
【0060】
上記金属酸窒化物膜の成膜中の基板温度は、室温（２５℃）以上５００℃以下であるこ
とが好ましく、８０℃以上４００℃以下であることがより好ましく、１００℃以上２５０
℃以下であることがさらに好ましい。基板温度を５００℃以下にして成膜できるので、当
該金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などの生産性を高めることができる。
とが好ましく、８０℃以上４００℃以下であることがより好ましく、１００℃以上２５０
℃以下であることがさらに好ましい。基板温度を５００℃以下にして成膜できるので、当
該金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などの生産性を高めることができる。
【0061】
金属酸窒化物膜の成膜中に反応室へ導入する気体として、窒素ガスを含む気体を用いる
ことが好ましい。例えば、当該気体として、窒素ガス、窒素ガスと酸素ガスとの混合ガス
、窒素ガスと希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）との混合ガスなどを用いることが好まし
い。ここで、窒素ガスの流量は、当該気体の全流量中の５０％以上１００％以下が好まし
い。なお、当該気体の流量に対する窒素ガスの流量比を調整することで、得られる金属酸
窒化物膜の組成を調整することができる。
ことが好ましい。例えば、当該気体として、窒素ガス、窒素ガスと酸素ガスとの混合ガス
、窒素ガスと希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）との混合ガスなどを用いることが好まし
い。ここで、窒素ガスの流量は、当該気体の全流量中の５０％以上１００％以下が好まし
い。なお、当該気体の流量に対する窒素ガスの流量比を調整することで、得られる金属酸
窒化物膜の組成を調整することができる。
【0062】
以上の作製方法により、基板と薄膜との間にバッファ層を設けずに、金属酸窒化物膜を
エピタキシャル成長させることができる。
エピタキシャル成長させることができる。
【0063】
＜スパッタリング装置＞
次に、図３（Ａ）および図３（Ｂ）を用いて、本発明の一態様である金属酸窒化物膜の
作製方法に係るスパッタリング装置について説明する。図３（Ａ）は、スパッタリング装
置が有する成膜室４１を説明する断面図であり、図３（Ｂ）は、スパッタリング装置が有
するマグネットユニット５４ａ、およびマグネットユニット５４ｂの平面図である。
次に、図３（Ａ）および図３（Ｂ）を用いて、本発明の一態様である金属酸窒化物膜の
作製方法に係るスパッタリング装置について説明する。図３（Ａ）は、スパッタリング装
置が有する成膜室４１を説明する断面図であり、図３（Ｂ）は、スパッタリング装置が有
するマグネットユニット５４ａ、およびマグネットユニット５４ｂの平面図である。
【0064】
図３（Ａ）に示す成膜室４１は、ターゲットホルダ５２ａと、ターゲットホルダ５２ｂ
と、バッキングプレート５０ａと、バッキングプレート５０ｂと、スパッタリングターゲ
ット７０ａと、スパッタリングターゲット７０ｂと、部材５８と、基板ホルダ６２と、を
有する。なお、スパッタリングターゲット７０ａは、バッキングプレート５０ａ上に配置
される。また、バッキングプレート５０ａは、ターゲットホルダ５２ａ上に配置される。
また、マグネットユニット５４ａは、バッキングプレート５０ａを介してスパッタリング
ターゲット７０ａ下に配置される。また、スパッタリングターゲット７０ｂは、バッキン
グプレート５０ｂ上に配置される。また、バッキングプレート５０ｂは、ターゲットホル
ダ５２ｂ上に配置される。また、マグネットユニット５４ｂは、バッキングプレート５０
ｂを介してスパッタリングターゲット７０ｂ下に配置される。
と、バッキングプレート５０ａと、バッキングプレート５０ｂと、スパッタリングターゲ
ット７０ａと、スパッタリングターゲット７０ｂと、部材５８と、基板ホルダ６２と、を
有する。なお、スパッタリングターゲット７０ａは、バッキングプレート５０ａ上に配置
される。また、バッキングプレート５０ａは、ターゲットホルダ５２ａ上に配置される。
また、マグネットユニット５４ａは、バッキングプレート５０ａを介してスパッタリング
ターゲット７０ａ下に配置される。また、スパッタリングターゲット７０ｂは、バッキン
グプレート５０ｂ上に配置される。また、バッキングプレート５０ｂは、ターゲットホル
ダ５２ｂ上に配置される。また、マグネットユニット５４ｂは、バッキングプレート５０
ｂを介してスパッタリングターゲット７０ｂ下に配置される。
【0065】
図３（Ａ）、および図３（Ｂ）に示すように、マグネットユニット５４ａは、マグネッ
ト５４Ｎ１と、マグネット５４Ｎ２と、マグネット５４Ｓと、マグネットホルダ５６と、
を有する。なお、マグネットユニット５４ａにおいて、マグネット５４Ｎ１、マグネット
５４Ｎ２およびマグネット５４Ｓは、マグネットホルダ５６上に配置される。また、マグ
ネット５４Ｎ１およびマグネット５４Ｎ２は、マグネット５４Ｓと間隔を空けて配置され
る。なお、マグネットユニット５４ｂは、マグネットユニット５４ａと同様の構造を有す
る。なお、成膜室４１に基板６０を搬入する場合、基板６０は基板ホルダ６２に接して配
置される。
ト５４Ｎ１と、マグネット５４Ｎ２と、マグネット５４Ｓと、マグネットホルダ５６と、
を有する。なお、マグネットユニット５４ａにおいて、マグネット５４Ｎ１、マグネット
５４Ｎ２およびマグネット５４Ｓは、マグネットホルダ５６上に配置される。また、マグ
ネット５４Ｎ１およびマグネット５４Ｎ２は、マグネット５４Ｓと間隔を空けて配置され
る。なお、マグネットユニット５４ｂは、マグネットユニット５４ａと同様の構造を有す
る。なお、成膜室４１に基板６０を搬入する場合、基板６０は基板ホルダ６２に接して配
置される。
【0066】
スパッタリングターゲット７０ａ、バッキングプレート５０ａおよびターゲットホルダ
５２ａと、スパッタリングターゲット７０ｂ、バッキングプレート５０ｂおよびターゲッ
トホルダ５２ｂと、は部材５８によって離間されている。なお、部材５８は絶縁体である
ことが好ましい。ただし、部材５８が導電体または半導体であっても構わない。また、部
材５８が、導電体または半導体の表面を絶縁体で覆ったものであっても構わない。
５２ａと、スパッタリングターゲット７０ｂ、バッキングプレート５０ｂおよびターゲッ
トホルダ５２ｂと、は部材５８によって離間されている。なお、部材５８は絶縁体である
ことが好ましい。ただし、部材５８が導電体または半導体であっても構わない。また、部
材５８が、導電体または半導体の表面を絶縁体で覆ったものであっても構わない。
【0067】
ターゲットホルダ５２ａとバッキングプレート５０ａとは、ネジ（ボルトなど）を用い
て固定されており、等電位となる。また、ターゲットホルダ５２ａは、バッキングプレー
ト５０ａを介してスパッタリングターゲット７０ａを支持する機能を有する。また、ター
ゲットホルダ５２ｂとバッキングプレート５０ｂとは、ネジ（ボルトなど）を用いて固定
されており、等電位となる。また、ターゲットホルダ５２ｂは、バッキングプレート５０
ｂを介してスパッタリングターゲット７０ｂを支持する機能を有する。
て固定されており、等電位となる。また、ターゲットホルダ５２ａは、バッキングプレー
ト５０ａを介してスパッタリングターゲット７０ａを支持する機能を有する。また、ター
ゲットホルダ５２ｂとバッキングプレート５０ｂとは、ネジ（ボルトなど）を用いて固定
されており、等電位となる。また、ターゲットホルダ５２ｂは、バッキングプレート５０
ｂを介してスパッタリングターゲット７０ｂを支持する機能を有する。
【0068】
バッキングプレート５０ａは、スパッタリングターゲット７０ａを固定する機能を有す
る。また、バッキングプレート５０ｂは、スパッタリングターゲット７０ｂを固定する機
能を有する。
る。また、バッキングプレート５０ｂは、スパッタリングターゲット７０ｂを固定する機
能を有する。
【0069】
なお、図３（Ａ）には、マグネットユニット５４ａによって形成される磁力線６４ａ、
および磁力線６４ｂが明示されている。
および磁力線６４ｂが明示されている。
【0070】
また、図３（Ｂ）に示すように、マグネットユニット５４ａは、長方形または略長方形
のマグネット５４Ｎ１と、長方形または略長方形のマグネット５４Ｎ２と、長方形または
略長方形のマグネット５４Ｓと、がマグネットホルダ５６に固定されている構成を有する
。そして、マグネットユニット５４ａを、図３（Ｂ）に示す矢印のように左右に揺動させ
ることができる。例えば、マグネットユニット５４ａを、０．１Ｈｚ以上１ｋＨｚ以下の
ビート（リズム、拍子、パルス、周波、周期、サイクルなどと言い換えてもよい。）で揺
動させればよい。
のマグネット５４Ｎ１と、長方形または略長方形のマグネット５４Ｎ２と、長方形または
略長方形のマグネット５４Ｓと、がマグネットホルダ５６に固定されている構成を有する
。そして、マグネットユニット５４ａを、図３（Ｂ）に示す矢印のように左右に揺動させ
ることができる。例えば、マグネットユニット５４ａを、０．１Ｈｚ以上１ｋＨｚ以下の
ビート（リズム、拍子、パルス、周波、周期、サイクルなどと言い換えてもよい。）で揺
動させればよい。
【0071】
スパッタリングターゲット７０ａ上の磁場は、マグネットユニット５４ａの揺動ととも
に変化する。磁場の強い領域は高密度プラズマ領域となるため、その近傍においてスパッ
タリングターゲット７０ａのスパッタリング現象が起こりやすい。これは、マグネットユ
ニット５４ｂについても同様である。
に変化する。磁場の強い領域は高密度プラズマ領域となるため、その近傍においてスパッ
タリングターゲット７０ａのスパッタリング現象が起こりやすい。これは、マグネットユ
ニット５４ｂについても同様である。
【0072】
なお、図３（Ａ）および図３（Ｂ）では、平行平板型のスパッタリング装置を用いる例
について示したが、本実施の形態に係る金属酸窒化物膜の成膜方法はこれに限られるもの
ではない。例えば、対向ターゲット型のスパッタリング装置を用いて金属酸窒化物膜を成
膜してもよい。
について示したが、本実施の形態に係る金属酸窒化物膜の成膜方法はこれに限られるもの
ではない。例えば、対向ターゲット型のスパッタリング装置を用いて金属酸窒化物膜を成
膜してもよい。
【0073】
スパッタリング法は、低温での成膜が可能であるため、当該金属酸窒化物膜を用いた半
導体装置などの生産性を高めることができる。
導体装置などの生産性を高めることができる。
【0074】
本発明の一態様により、金属酸窒化物膜を低温でエピタキシャル成長させて成膜する方
法を提供することができる。また、本発明の一態様により、金属酸窒化物膜の成膜前後で
、高温処理を行わずに、当該金属酸窒化物膜をエピタキシャル成長させて成膜する方法を
提供することができる。また、本発明の一態様により、エピタキシャル成長させて成膜し
た金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などを提供することができる。また、本発明の一態
様により、金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などの生産性を高めることができる。
法を提供することができる。また、本発明の一態様により、金属酸窒化物膜の成膜前後で
、高温処理を行わずに、当該金属酸窒化物膜をエピタキシャル成長させて成膜する方法を
提供することができる。また、本発明の一態様により、エピタキシャル成長させて成膜し
た金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などを提供することができる。また、本発明の一態
様により、金属酸窒化物膜を用いた半導体装置などの生産性を高めることができる。
【0075】
＜薄膜の結晶性および配向性の評価方法＞
エピタキシャル成長の評価は、評価方法によって、薄膜の成膜中または薄膜の成膜後に
行うことができる。
エピタキシャル成長の評価は、評価方法によって、薄膜の成膜中または薄膜の成膜後に
行うことができる。
【0076】
薄膜の成膜中に行う、エピタキシャル成長の評価方法として、例えば、反射高速電子線
回折（ＲＨＥＥＤ：Ｒｅｆｌｅｃｔｏｎ Ｈｉｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）、表面光吸収法（ＳＰＡ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏａｂｓ
ｏｒｐｔｉｏｎ）などが挙げられる。
回折（ＲＨＥＥＤ：Ｒｅｆｌｅｃｔｏｎ Ｈｉｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）、表面光吸収法（ＳＰＡ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏａｂｓ
ｏｒｐｔｉｏｎ）などが挙げられる。
【0077】
また、成膜した薄膜のエピタキシャル成長（結晶性および配向性）は、透過型電子顕微
鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、
Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）法における、逆格子空間マッ
ピング、広域逆格子空間マッピング（ＷＲＳＭ：Ｗｉｄｅ－ａｎｇｌｅ Ｒｅｃｉｐｒｏ
ｃａｌ Ｓｐａｃｅ Ｍａｐｐｉｎｇ）、極点測定、Ｏｕｔ－ｏｆ－Ｐｌａｎｅ測定、Ｉ
ｎ－Ｐｌａｎｅ測定などを組み合わせて評価することができる。
鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、
Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）法における、逆格子空間マッ
ピング、広域逆格子空間マッピング（ＷＲＳＭ：Ｗｉｄｅ－ａｎｇｌｅ Ｒｅｃｉｐｒｏ
ｃａｌ Ｓｐａｃｅ Ｍａｐｐｉｎｇ）、極点測定、Ｏｕｔ－ｏｆ－Ｐｌａｎｅ測定、Ｉ
ｎ－Ｐｌａｎｅ測定などを組み合わせて評価することができる。
【0078】
以下では、薄膜の結晶性および配向性の評価に用いることができる測定方法について説
明する。
明する。
【0079】
＜広域逆格子空間マッピング＞
広域逆格子空間マッピングについて説明する。
広域逆格子空間マッピングについて説明する。
【0080】
逆格子空間とは、逆格子空間の基本ベクトル（逆格子ベクトルともいう）によって構成
される空間であり、実空間の周期性が反映される。ここで、逆格子ベクトルｂｊは、実空
間格子の基本ベクトルａｉと以下の数式（２）の関係にある。数式（２）において、δｉ
，ｊはクロネッカーのデルタである。つまり、実空間の結晶において定義される面を、逆
格子における格子点として扱う。
される空間であり、実空間の周期性が反映される。ここで、逆格子ベクトルｂｊは、実空
間格子の基本ベクトルａｉと以下の数式（２）の関係にある。数式（２）において、δｉ
，ｊはクロネッカーのデルタである。つまり、実空間の結晶において定義される面を、逆
格子における格子点として扱う。
【0081】
【数2】
【0082】
エピタキシャル成長した薄膜は、当該薄膜を構成する結晶の結晶方位のばらつきが小さ
い、つまり、配向性が高い。よって、エピタキシャル成長した薄膜に対して逆格子空間マ
ップを取得した場合、観測されるスポットの強度は高く、スポットの半値幅は小さくなる
。一方、結晶の結晶方位のばらつきが大きい、つまり、配向性が低い薄膜に対して逆格子
空間マップを取得した場合、観察されるスポットの強度は低く、スポットの半値幅は大き
くなる。以上より、逆格子空間マップを取得することで、薄膜の結晶性および配向性を評
価することができる。
い、つまり、配向性が高い。よって、エピタキシャル成長した薄膜に対して逆格子空間マ
ップを取得した場合、観測されるスポットの強度は高く、スポットの半値幅は小さくなる
。一方、結晶の結晶方位のばらつきが大きい、つまり、配向性が低い薄膜に対して逆格子
空間マップを取得した場合、観察されるスポットの強度は低く、スポットの半値幅は大き
くなる。以上より、逆格子空間マップを取得することで、薄膜の結晶性および配向性を評
価することができる。
【0083】
図４を用いて、Ｘ線分析装置を用いた広域逆格子空間マッピングについて説明する。こ
こで、図４に示すように、Ｘ線分析装置を上面から見て、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅ、試料ｓａ
ｍｐｌｅ、および検出器ｄｅｔｅｃｔｏｒが、一列に並ぶ方向をψ軸とする。また、Ｘ線
分析装置を上面から見て、ψ軸に対して垂直な方向をθ軸とする。また、ψ軸およびθ軸
に対して垂直な方向をφ軸とする。つまり、φ軸は、Ｘ線分析装置を上面から見る方向と
平行である。なお、本明細書でψ軸としている軸は、装置によってはχ軸としている場合
がある。そのためψ軸はχ軸と言い換えることもできる。同様に、本明細書でθ軸として
いる軸は、装置によってはω軸としている場合がある。そのためθ軸はω軸と言い換える
こともできる。
こで、図４に示すように、Ｘ線分析装置を上面から見て、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅ、試料ｓａ
ｍｐｌｅ、および検出器ｄｅｔｅｃｔｏｒが、一列に並ぶ方向をψ軸とする。また、Ｘ線
分析装置を上面から見て、ψ軸に対して垂直な方向をθ軸とする。また、ψ軸およびθ軸
に対して垂直な方向をφ軸とする。つまり、φ軸は、Ｘ線分析装置を上面から見る方向と
平行である。なお、本明細書でψ軸としている軸は、装置によってはχ軸としている場合
がある。そのためψ軸はχ軸と言い換えることもできる。同様に、本明細書でθ軸として
いる軸は、装置によってはω軸としている場合がある。そのためθ軸はω軸と言い換える
こともできる。
【0084】
広域逆格子空間マッピングでは、検出器として、２次元検出器を用いる。２次元検出器
は、検出面に２θとψ方向に対する位置情報を有する。なお、図４に示す検出器ｄｅｔｅ
ｃｔｏｒは、２次元検出器を模して示している。
は、検出面に２θとψ方向に対する位置情報を有する。なお、図４に示す検出器ｄｅｔｅ
ｃｔｏｒは、２次元検出器を模して示している。
【0085】
図４に示すように、広域逆格子空間マッピングは、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅが固定されてい
る場合、試料ｓａｍｐｌｅおよび検出器ｄｅｔｅｃｔｏｒを稼働することで行われる。こ
こで、検出器ｄｅｔｅｃｔｏｒは、２θ方向に傾けることができ、試料ｓａｍｐｌｅは、
θ方向、φ方向およびψ方向に傾けることができる。広域逆格子空間マッピングは、試料
ｓａｍｐｌｅをψ方向に段階的に傾けながら、各ψ位置（角度）において２θ／θスキャ
ンを実行するという測定手法である。これにより、逆格子空間内の広い範囲を測定対象と
した広域逆格子空間マップを取得することができる。なお、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅが可動式
の場合、広域逆格子空間マッピングは、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅ、試料ｓａｍｐｌｅおよび検
出器ｄｅｔｅｃｔｏｒを稼働することで行われる。ここで、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅは、θ方
向に傾けることができる。なお、特に断りがない場合、本明細書では、Ｘ線源として、Ｃ
ｕＫα線（波長：０．１５４１８ｎｍ）を用いる。
る場合、試料ｓａｍｐｌｅおよび検出器ｄｅｔｅｃｔｏｒを稼働することで行われる。こ
こで、検出器ｄｅｔｅｃｔｏｒは、２θ方向に傾けることができ、試料ｓａｍｐｌｅは、
θ方向、φ方向およびψ方向に傾けることができる。広域逆格子空間マッピングは、試料
ｓａｍｐｌｅをψ方向に段階的に傾けながら、各ψ位置（角度）において２θ／θスキャ
ンを実行するという測定手法である。これにより、逆格子空間内の広い範囲を測定対象と
した広域逆格子空間マップを取得することができる。なお、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅが可動式
の場合、広域逆格子空間マッピングは、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅ、試料ｓａｍｐｌｅおよび検
出器ｄｅｔｅｃｔｏｒを稼働することで行われる。ここで、Ｘ線源ｓｏｕｒｃｅは、θ方
向に傾けることができる。なお、特に断りがない場合、本明細書では、Ｘ線源として、Ｃ
ｕＫα線（波長：０．１５４１８ｎｍ）を用いる。
【0086】
なお、上記取得した広域逆格子空間マップに現れる強度分布を解析するために、広域逆
格子空間マップのシミュレーションを行う。広域逆格子空間マップのシミュレーションに
は、例えば、ブルカージャパン社が提供しているソフトウェア「ＳＭＡＰ／ｆｏｒ Ｃｒ
ｏｓｓ Ｓｅｃｔｉｏｎａｌ ＸＲＤ－ＲＳＭ」を用いることができる。当該ソフトウェ
アに、結晶構造、格子定数、および配向のパラメータを入力することで、入力値に対応す
る広域逆格子空間マップが出力される。当該シミュレーションにより出力された広域逆格
子空間マップと、測定により取得した広域逆格子空間マップを比較することで、測定によ
り取得した広域逆格子空間マップに現れる強度分布を解析することができる。
格子空間マップのシミュレーションを行う。広域逆格子空間マップのシミュレーションに
は、例えば、ブルカージャパン社が提供しているソフトウェア「ＳＭＡＰ／ｆｏｒ Ｃｒ
ｏｓｓ Ｓｅｃｔｉｏｎａｌ ＸＲＤ－ＲＳＭ」を用いることができる。当該ソフトウェ
アに、結晶構造、格子定数、および配向のパラメータを入力することで、入力値に対応す
る広域逆格子空間マップが出力される。当該シミュレーションにより出力された広域逆格
子空間マップと、測定により取得した広域逆格子空間マップを比較することで、測定によ
り取得した広域逆格子空間マップに現れる強度分布を解析することができる。
【0087】
金属酸窒化物膜の結晶構造が（００１）配向したウルツ鉱型構造である場合、当該金属
酸窒化物膜の広域逆格子空間マップでは、逆格子点００２、逆格子点１０１などに対応す
るスポットが観察される。ここで、逆格子点００２に対応するスポットのピークは、角度
２θが３０°以上３５°以下、かつ、角度ψが０°付近に位置することが好ましい。また
、逆格子点１０１に対応するスポットのピークは、角度２θが３３°以上３７°以下、か
つ、角度ψが６１°以上６５°以下に位置することが好ましい。また、逆格子点００２お
よび逆格子点１０１に対応するスポットの半値幅は２°未満であることが好ましい。これ
により、当該金属酸窒化物膜が、当該金属酸窒化物膜に含まれる結晶のｃ軸方向と単結晶
の基板表面の法線方向とが一致するようにエピタキシャル成長したと判断する指標の一つ
とすることができる。
酸窒化物膜の広域逆格子空間マップでは、逆格子点００２、逆格子点１０１などに対応す
るスポットが観察される。ここで、逆格子点００２に対応するスポットのピークは、角度
２θが３０°以上３５°以下、かつ、角度ψが０°付近に位置することが好ましい。また
、逆格子点１０１に対応するスポットのピークは、角度２θが３３°以上３７°以下、か
つ、角度ψが６１°以上６５°以下に位置することが好ましい。また、逆格子点００２お
よび逆格子点１０１に対応するスポットの半値幅は２°未満であることが好ましい。これ
により、当該金属酸窒化物膜が、当該金属酸窒化物膜に含まれる結晶のｃ軸方向と単結晶
の基板表面の法線方向とが一致するようにエピタキシャル成長したと判断する指標の一つ
とすることができる。
【0088】
＜極点測定＞
極点測定は、Ｘ線源と検出器の位置（角度）を一定に保ったまま、試料をあらゆる方向
に回転させることで、回折強度の分布を測定する方法である。極点測定では、検出器とし
て、本明細書では、２次元検出器を用いる。具体的には、検出器ｄｅｔｅｃｔｏｒを検出
角度（２θ）に固定し、試料ｓａｍｐｌｅをθ方向とψ方向に傾けた状態で、面内方向（
φ方向）に回転させてあらゆる方向に傾いた格子面を測定する。極点測定で得られる回折
強度から、薄膜の結晶性および配向性を評価することができる。なお、極点測定に用いる
検出器としては２次元検出器に限られず、０次元検出器でもよい。
極点測定は、Ｘ線源と検出器の位置（角度）を一定に保ったまま、試料をあらゆる方向
に回転させることで、回折強度の分布を測定する方法である。極点測定では、検出器とし
て、本明細書では、２次元検出器を用いる。具体的には、検出器ｄｅｔｅｃｔｏｒを検出
角度（２θ）に固定し、試料ｓａｍｐｌｅをθ方向とψ方向に傾けた状態で、面内方向（
φ方向）に回転させてあらゆる方向に傾いた格子面を測定する。極点測定で得られる回折
強度から、薄膜の結晶性および配向性を評価することができる。なお、極点測定に用いる
検出器としては２次元検出器に限られず、０次元検出器でもよい。
【0089】
極点測定により得られる回折強度について、図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）を用いて説明す
る。極点測定により得られる回折強度は、極図形で表される。図５（Ａ）に、極図形を示
す。図５（Ａ）に示すように、極図形の中心Ｐ０は、角度ψが０°であり、極図形の外周
Ｐ１は、角度ψが９０°である。また、極図形の中心Ｐ０から極図形の外周Ｐ１に向かっ
て、真上に伸びる直線（図５（Ａ）で、Ｐ０－Ｐ２の一点鎖線で示す直線）は、角度φが
０°であり、当該直線と、極図形の中心Ｐ０から極図形の外周Ｐ１に向かって伸びる直線
（図５（Ａ）で、Ｐ０－Ｐ３の一点鎖線で示す直線）とのなす角は、角度φとなる。なお
、図５（Ａ）では、反時計回りに回転させた場合に、角度φが大きくなるよう図示してい
るが、これに限られず、装置などによっては、時計回りに回転させた場合に、角度φが大
きくなる場合がある。また、ψスキャンの範囲によっては、極点測定で得られる極図形の
角度が、０°以上９０°以下の範囲で取得されない場合がある。
る。極点測定により得られる回折強度は、極図形で表される。図５（Ａ）に、極図形を示
す。図５（Ａ）に示すように、極図形の中心Ｐ０は、角度ψが０°であり、極図形の外周
Ｐ１は、角度ψが９０°である。また、極図形の中心Ｐ０から極図形の外周Ｐ１に向かっ
て、真上に伸びる直線（図５（Ａ）で、Ｐ０－Ｐ２の一点鎖線で示す直線）は、角度φが
０°であり、当該直線と、極図形の中心Ｐ０から極図形の外周Ｐ１に向かって伸びる直線
（図５（Ａ）で、Ｐ０－Ｐ３の一点鎖線で示す直線）とのなす角は、角度φとなる。なお
、図５（Ａ）では、反時計回りに回転させた場合に、角度φが大きくなるよう図示してい
るが、これに限られず、装置などによっては、時計回りに回転させた場合に、角度φが大
きくなる場合がある。また、ψスキャンの範囲によっては、極点測定で得られる極図形の
角度が、０°以上９０°以下の範囲で取得されない場合がある。
【0090】
図５（Ｂ）および図５（Ｃ）に、極点測定で得られる回折強度の模式図を示す。図５（
Ｂ）は、角度ψの同心円（図中の、一点鎖線で示す円）上に、スポット状の強度分布が観
察される場合の、回折強度の模式図であり、図５（Ｃ）は、リング状の強度分布が観測さ
れる場合の、回折強度の模式図である。
Ｂ）は、角度ψの同心円（図中の、一点鎖線で示す円）上に、スポット状の強度分布が観
察される場合の、回折強度の模式図であり、図５（Ｃ）は、リング状の強度分布が観測さ
れる場合の、回折強度の模式図である。
【0091】
例えば、ウルツ鉱型構造の（１０１）面は、６回対称性を有する。つまり、ウルツ鉱型
構造の結晶を有するｃ軸エピタキシャル膜に対して極点測定を行った場合、図５（Ｂ）に
示すように、ある角度ψの同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布（回折ピーク）が
観測される。よって、ウルツ鉱型構造の結晶を有する薄膜が、ｃ軸にエピタキシャル成長
した場合、極点測定の、薄膜の結晶の（１０１）面に対するφスキャンにて、６回対称を
示す回折ピークが観測される。具体的には、角度ψが約６２°の同心円上に、角度φに対
して約６０°おきに回折ピークが観測される。
構造の結晶を有するｃ軸エピタキシャル膜に対して極点測定を行った場合、図５（Ｂ）に
示すように、ある角度ψの同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布（回折ピーク）が
観測される。よって、ウルツ鉱型構造の結晶を有する薄膜が、ｃ軸にエピタキシャル成長
した場合、極点測定の、薄膜の結晶の（１０１）面に対するφスキャンにて、６回対称を
示す回折ピークが観測される。具体的には、角度ψが約６２°の同心円上に、角度φに対
して約６０°おきに回折ピークが観測される。
【0092】
他方、エピタキシャル成長していない薄膜に対して極点測定を行った場合、図５（Ｃ）
に示すようなリング状の強度分布が観察される、または、回折ピークが観察されない。し
たがって、極点測定で観察される強度分布を解析することで、薄膜がエピタキシャル成長
しているかについて評価することができる。
に示すようなリング状の強度分布が観察される、または、回折ピークが観察されない。し
たがって、極点測定で観察される強度分布を解析することで、薄膜がエピタキシャル成長
しているかについて評価することができる。
【0093】
なお、極点測定の、単結晶のＹＳＺ基板の（１１１）面に対するφスキャンでは、３回
対称を示す回折ピークが観測される。具体的には、角度ψが約７０°の同心円上に、角度
φに対して約１２０°おきに回折ピークが観測される。また、極点測定の、単結晶のＡ面
サファイア基板の（１０４）面に対するφスキャンでは、２回対称を示す回折ピークが観
測される。具体的には、角度ψが約５８°の同心円上に、角度φに対して約１８０°おき
に回折ピークが観測される。
対称を示す回折ピークが観測される。具体的には、角度ψが約７０°の同心円上に、角度
φに対して約１２０°おきに回折ピークが観測される。また、極点測定の、単結晶のＡ面
サファイア基板の（１０４）面に対するφスキャンでは、２回対称を示す回折ピークが観
測される。具体的には、角度ψが約５８°の同心円上に、角度φに対して約１８０°おき
に回折ピークが観測される。
【0094】
＜Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定＞
ＸＲＤ法を用いた測定には、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測
定がある。Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定は、薄膜の表面に対して平行な結晶面を評価す
る手法であり、Ｉｎ－ｐｌａｎｅ測定は、薄膜の表面に対して垂直な結晶面を評価する手
法である。Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定では、検出器とし
て、０次元検出器を用いても良い。
ＸＲＤ法を用いた測定には、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測
定がある。Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定は、薄膜の表面に対して平行な結晶面を評価す
る手法であり、Ｉｎ－ｐｌａｎｅ測定は、薄膜の表面に対して垂直な結晶面を評価する手
法である。Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定では、検出器とし
て、０次元検出器を用いても良い。
【0095】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態や実施例に示す構成、方
法などと適宜組み合わせて用いることができる。
法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0096】
（実施の形態２）
本実施の形態では、先の実施の形態で示した、エピタキシャル成長した金属酸窒化物膜
の用途について説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で示した、エピタキシャル成長した金属酸窒化物膜
の用途について説明する。
【0097】
上記金属酸窒化物膜の用途として、例えば、発光素子、受光素子、半導体装置などがあ
る。特に、発光素子（発光ダイオードまたはＬＥＤともいう）に用いることができる。
る。特に、発光素子（発光ダイオードまたはＬＥＤともいう）に用いることができる。
【0098】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）を用いて、上記金属酸窒化物膜を用いた発光素子の構成例
について説明する。なお、本実施の形態では、ダブルヘテロ接合を有する発光素子につい
て説明する。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、量子井戸接合を有する発光素
子でもよい。
について説明する。なお、本実施の形態では、ダブルヘテロ接合を有する発光素子につい
て説明する。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、量子井戸接合を有する発光素
子でもよい。
【0099】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、本発明の一態様に係る金属酸窒化物膜を用いた発光素
子１００である。図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、発光素子１００は、基板１
０２と、ｎ型のクラッド層１０４と、活性層１０６と、ｐ型のクラッド層１０８と、ｎ型
電極１１０と、ｐ型電極１１２と、を有する。
子１００である。図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、発光素子１００は、基板１
０２と、ｎ型のクラッド層１０４と、活性層１０６と、ｐ型のクラッド層１０８と、ｎ型
電極１１０と、ｐ型電極１１２と、を有する。
【0100】
活性層１０６は、ｎ型のクラッド層１０４とｐ型のクラッド層１０８とに挟持されてい
る。活性層１０６では、電子と正孔が結合して光を発する。つまり、活性層１０６は、発
光層と呼ぶことができる。ｎ型のクラッド層１０４、活性層１０６、およびｐ型のクラッ
ド層１０８を含む積層構造は、赤色、黄色、緑色、青色などの光を呈するように形成され
る。例えば、当該積層構造には、ガリウム・リン化合物、ガリウム・ヒ素化合物、ガリウ
ム・アルミニウム・ヒ素化合物、アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン化合物、ガ
リウム窒化物、インジウム・窒化ガリウム化合物、セレン・亜鉛化合物等を用いることが
できる。
る。活性層１０６では、電子と正孔が結合して光を発する。つまり、活性層１０６は、発
光層と呼ぶことができる。ｎ型のクラッド層１０４、活性層１０６、およびｐ型のクラッ
ド層１０８を含む積層構造は、赤色、黄色、緑色、青色などの光を呈するように形成され
る。例えば、当該積層構造には、ガリウム・リン化合物、ガリウム・ヒ素化合物、ガリウ
ム・アルミニウム・ヒ素化合物、アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン化合物、ガ
リウム窒化物、インジウム・窒化ガリウム化合物、セレン・亜鉛化合物等を用いることが
できる。
【0101】
本発明の一態様に係る金属酸窒化物膜を構成する金属の原子数比、成膜時に反応室へ導
入する窒素ガスの流量などを適宜選択することで、当該金属酸窒化物膜の導電性（または
絶縁性）、バンドギャップ、光の透過性などを調整することができる。例えば、当該窒素
ガスの流量が多いほど、当該膜の導電性が高くなる傾向がある。したがって、当該金属酸
窒化物膜は、当該金属酸窒化物膜の導電性を調整することで、図６（Ａ）に示すｎ型のク
ラッド層１０４、または図６（Ｂ）に示すｎ型電極１１０に用いることができる。
入する窒素ガスの流量などを適宜選択することで、当該金属酸窒化物膜の導電性（または
絶縁性）、バンドギャップ、光の透過性などを調整することができる。例えば、当該窒素
ガスの流量が多いほど、当該膜の導電性が高くなる傾向がある。したがって、当該金属酸
窒化物膜は、当該金属酸窒化物膜の導電性を調整することで、図６（Ａ）に示すｎ型のク
ラッド層１０４、または図６（Ｂ）に示すｎ型電極１１０に用いることができる。
【0102】
なお、当該金属酸窒化物膜は、図６（Ｂ）に示すｎ型電極１１０およびｎ型のクラッド
層１０４に用いてもよい。当該金属酸窒化物膜を、図６（Ｂ）に示すｎ型電極１１０およ
びｎ型のクラッド層１０４に用いる場合、当該金属酸窒化物膜を窒素ガスの流量を調整し
ながら成膜することで、図６（Ｂ）に示すｎ型電極１１０およびｎ型のクラッド層１０４
を連続して成膜することができる。
層１０４に用いてもよい。当該金属酸窒化物膜を、図６（Ｂ）に示すｎ型電極１１０およ
びｎ型のクラッド層１０４に用いる場合、当該金属酸窒化物膜を窒素ガスの流量を調整し
ながら成膜することで、図６（Ｂ）に示すｎ型電極１１０およびｎ型のクラッド層１０４
を連続して成膜することができる。
【0103】
さらに、当該金属酸窒化物膜は、当該膜上に薄膜をエピタキシャル成長させるためのバ
ッファ層として機能することができる。よって、当該金属酸窒化物膜上に形成するｎ型の
クラッド層１０４または活性層１０６の結晶性を高めることができる。なお、当該金属酸
窒化物膜の結晶構造は、六方晶系であり、特に、ウルツ鉱型結晶構造である。よって、当
該金属酸窒化物膜上に形成するｎ型のクラッド層１０４または活性層１０６には、ガリウ
ム窒化物、インジウム・窒化ガリウム化合物などのウルツ鉱型結晶構造を形成する材料を
用いることが好ましい。
ッファ層として機能することができる。よって、当該金属酸窒化物膜上に形成するｎ型の
クラッド層１０４または活性層１０６の結晶性を高めることができる。なお、当該金属酸
窒化物膜の結晶構造は、六方晶系であり、特に、ウルツ鉱型結晶構造である。よって、当
該金属酸窒化物膜上に形成するｎ型のクラッド層１０４または活性層１０６には、ガリウ
ム窒化物、インジウム・窒化ガリウム化合物などのウルツ鉱型結晶構造を形成する材料を
用いることが好ましい。
【0104】
以上より、当該金属酸窒化物膜は、六方晶系結晶成長用の下地（バッファ層）としての
機能を有し、かつ、ｎ型電極またはｎ型のクラッド層としての機能を有する。当該金属酸
窒化物膜をｎ型電極１１０またはｎ型のクラッド層１０４に用いることで、ｎ型のクラッ
ド層１０４または活性層１０６をエピタキシャル成長させやすく、ｎ型のクラッド層１０
４または活性層１０６の結晶性を高くする。よって、発光効率や耐久寿命などの発光素子
の特性を向上させることができる。
機能を有し、かつ、ｎ型電極またはｎ型のクラッド層としての機能を有する。当該金属酸
窒化物膜をｎ型電極１１０またはｎ型のクラッド層１０４に用いることで、ｎ型のクラッ
ド層１０４または活性層１０６をエピタキシャル成長させやすく、ｎ型のクラッド層１０
４または活性層１０６の結晶性を高くする。よって、発光効率や耐久寿命などの発光素子
の特性を向上させることができる。
【0105】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。
【0106】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を様々な照明装置に適用する一例につい
て、図７（Ａ）および図７（Ｂ）を用いて説明する。本発明の一態様である発光素子を用
いることで、発光効率が良好な、信頼性の高い照明装置を作製できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を様々な照明装置に適用する一例につい
て、図７（Ａ）および図７（Ｂ）を用いて説明する。本発明の一態様である発光素子を用
いることで、発光効率が良好な、信頼性の高い照明装置を作製できる。
【0107】
図７（Ａ）は、発光素子を室内の照明装置として用いた例である。複数の発光素子を用
いることで、大面積の照明装置８５０１および曲面を有する照明装置８５０２を形成する
ことができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照
明装置８５０１、照明装置８５０２、および照明装置８５０３に、タッチセンサを設けて
、電源のオンまたはオフを行ってもよい。
いることで、大面積の照明装置８５０１および曲面を有する照明装置８５０２を形成する
ことができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照
明装置８５０１、照明装置８５０２、および照明装置８５０３に、タッチセンサを設けて
、電源のオンまたはオフを行ってもよい。
【0108】
また、発光素子をテーブルの表面側に用いることにより、テーブルとしての機能を備え
た照明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光素子を用いる
ことにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
た照明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光素子を用いる
ことにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
【0109】
また、本発明の一態様の発光素子を適用した発光装置は、自動車の照明にも適用するこ
とができ、例えば、ダッシュボード、フロントガラス、天井等に照明を設置することもで
きる。
とができ、例えば、ダッシュボード、フロントガラス、天井等に照明を設置することもで
きる。
【0110】
図７（Ｂ）に自動車７９００の外観を示す。自動車７９００は、車体７９０１、車輪７
９０２、フロントガラス７９０３、ライト７９０４、フォグランプ７９０５等を有する。
本発明の一態様の発光素子は、例えば、図７（Ｂ）に示すライト７９０４およびフォグラ
ンプ７９０５に用いることができる。また、例えば、図示しないが、サイドウィンカー、
バックランプ、ドアカーテシランプなどに用いることができる。
９０２、フロントガラス７９０３、ライト７９０４、フォグランプ７９０５等を有する。
本発明の一態様の発光素子は、例えば、図７（Ｂ）に示すライト７９０４およびフォグラ
ンプ７９０５に用いることができる。また、例えば、図示しないが、サイドウィンカー、
バックランプ、ドアカーテシランプなどに用いることができる。
【0111】
以上のようにして、本発明の一態様の発光素子を適用して照明装置を得ることができる
。なお、適用できる照明装置は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の照
明機器に適用することが可能である。
。なお、適用できる照明装置は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の照
明機器に適用することが可能である。
【0112】
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態および実施例に示した構成と適宜組
み合わせて用いることができる。
み合わせて用いることができる。
【0113】
【0114】
本実施の形態の表示装置は、発光素子を用いて映像を表示する機能を有する。本実施の
形態では、特に、発光素子として、マイクロ発光ダイオード（以下、マイクロＬＥＤとも
記す）を用いる場合の例について説明する。
形態では、特に、発光素子として、マイクロ発光ダイオード（以下、マイクロＬＥＤとも
記す）を用いる場合の例について説明する。
【0115】
表示素子としてマイクロＬＥＤを用いることで、表示装置の消費電力を低減することが
できる。また、表示装置の薄型・軽量化が可能である。また、表示素子としてマイクロＬ
ＥＤを用いた表示装置は、コントラストが高く視野角が広いため、表示品位を高めること
ができる。
できる。また、表示装置の薄型・軽量化が可能である。また、表示素子としてマイクロＬ
ＥＤを用いた表示装置は、コントラストが高く視野角が広いため、表示品位を高めること
ができる。
【0116】
マイクロＬＥＤの光を射出する領域の面積は、１ｍｍ２以下が好ましく、１００００μ
ｍ２以下がより好ましく、３０００μｍ２以下がより好ましく、７００μｍ２以下がさら
に好ましい。
ｍ２以下がより好ましく、３０００μｍ２以下がより好ましく、７００μｍ２以下がさら
に好ましい。
【0117】
図８（Ａ）に、発光素子を用いた表示装置４００の構成例を示す。表示装置４００は、
画素部４０１、駆動回路４０２、および駆動回路４０３を有する。
画素部４０１、駆動回路４０２、および駆動回路４０３を有する。
【0118】
画素部４０１は、複数の画素ｐｉｘによって構成される。画素ｐｉｘはそれぞれ、配線
ＳＬおよび配線ＧＬと接続されている。また、配線ＧＬはそれぞれ駆動回路４０２と接続
され、配線ＳＬはそれぞれ駆動回路４０３と接続されている。配線ＧＬには選択信号が供
給され、配線ＳＬには映像信号が供給される。
ＳＬおよび配線ＧＬと接続されている。また、配線ＧＬはそれぞれ駆動回路４０２と接続
され、配線ＳＬはそれぞれ駆動回路４０３と接続されている。配線ＧＬには選択信号が供
給され、配線ＳＬには映像信号が供給される。
【0119】
駆動回路４０２は、選択信号を画素ｐｉｘに供給する機能を有する。具体的には、駆動
回路４０２は、配線ＧＬに選択信号を供給する機能を有し、配線ＧＬは、駆動回路４０２
から出力された選択信号を画素ｐｉｘに伝える機能を有する。なお、駆動回路４０２は、
ゲート側駆動回路、ゲートドライバと呼ぶことができ、配線ＧＬは、選択信号線、ゲート
線などと呼ぶこともできる。
回路４０２は、配線ＧＬに選択信号を供給する機能を有し、配線ＧＬは、駆動回路４０２
から出力された選択信号を画素ｐｉｘに伝える機能を有する。なお、駆動回路４０２は、
ゲート側駆動回路、ゲートドライバと呼ぶことができ、配線ＧＬは、選択信号線、ゲート
線などと呼ぶこともできる。
【0120】
駆動回路４０３は、映像信号を画素ｐｉｘに供給する機能を有する。具体的には、駆動
回路４０３は、配線ＳＬに映像信号を供給する機能を有し、配線ＳＬは、駆動回路４０３
から出力された映像信号を画素ｐｉｘに伝える機能を有する。なお、駆動回路４０３は、
ソース側駆動回路、ソースドライバと呼ぶことができ、配線ＳＬは、映像信号線、ソース
線などと呼ぶこともできる。
回路４０３は、配線ＳＬに映像信号を供給する機能を有し、配線ＳＬは、駆動回路４０３
から出力された映像信号を画素ｐｉｘに伝える機能を有する。なお、駆動回路４０３は、
ソース側駆動回路、ソースドライバと呼ぶことができ、配線ＳＬは、映像信号線、ソース
線などと呼ぶこともできる。
【0121】
図８（Ｂ）に、表示素子として発光素子を用いた画素ｐｉｘの構成例を示す。図８（Ｂ
）に示す画素ｐｉｘは、トランジスタＴｒ３１、トランジスタＴｒ３２、容量素子Ｃ３１
、および発光素子ＬＥを有する。なお、ここではトランジスタＴｒ３１、トランジスタＴ
ｒ３２をｎチャネル型としているが、トランジスタの極性は適宜変更することができる。
上記実施の形態で説明した発光素子は、発光素子ＬＥに用いることができる。
）に示す画素ｐｉｘは、トランジスタＴｒ３１、トランジスタＴｒ３２、容量素子Ｃ３１
、および発光素子ＬＥを有する。なお、ここではトランジスタＴｒ３１、トランジスタＴ
ｒ３２をｎチャネル型としているが、トランジスタの極性は適宜変更することができる。
上記実施の形態で説明した発光素子は、発光素子ＬＥに用いることができる。
【0122】
トランジスタＴｒ３１のゲートは配線ＧＬと接続され、ソースまたはドレインの一方は
トランジスタＴｒ３２のゲート、および容量素子Ｃ３１の一方の電極と接続され、ソース
またはドレインの他方は配線ＳＬと接続されている。トランジスタＴｒ３２のソースまた
はドレインの一方は容量素子Ｃ３１の他方の電極、および発光素子ＬＥの一方の電極と接
続され、ソースまたはドレインの他方は電位Ｖａが供給される配線と接続されている。発
光素子ＬＥの他方の電極は、電位Ｖｃが供給される配線と接続されている。トランジスタ
Ｔｒ３１のソースまたはドレインの一方、トランジスタＴｒ３２のゲート、および容量素
子Ｃ３１の一方の電極と接続されたノードを、ノードＮ３１とする。また、トランジスタ
Ｔｒ３２のソースまたはドレインの一方、容量素子Ｃ３１の他方の電極、および発光素子
ＬＥの一方の電極と接続されたノードを、ノードＮ３２とする。
トランジスタＴｒ３２のゲート、および容量素子Ｃ３１の一方の電極と接続され、ソース
またはドレインの他方は配線ＳＬと接続されている。トランジスタＴｒ３２のソースまた
はドレインの一方は容量素子Ｃ３１の他方の電極、および発光素子ＬＥの一方の電極と接
続され、ソースまたはドレインの他方は電位Ｖａが供給される配線と接続されている。発
光素子ＬＥの他方の電極は、電位Ｖｃが供給される配線と接続されている。トランジスタ
Ｔｒ３１のソースまたはドレインの一方、トランジスタＴｒ３２のゲート、および容量素
子Ｃ３１の一方の電極と接続されたノードを、ノードＮ３１とする。また、トランジスタ
Ｔｒ３２のソースまたはドレインの一方、容量素子Ｃ３１の他方の電極、および発光素子
ＬＥの一方の電極と接続されたノードを、ノードＮ３２とする。
【0123】
ここでは、電位Ｖａを高電源電位とし、電位Ｖｃを低電源電位とした場合について説明
する。電位Ｖａおよび電位Ｖｃはそれぞれ、複数の画素ｐｉｘで共通の電位とすることが
できる。また、容量素子Ｃ３１は、ノードＮ３１の電位を保持するための保持容量として
の機能を有する。
する。電位Ｖａおよび電位Ｖｃはそれぞれ、複数の画素ｐｉｘで共通の電位とすることが
できる。また、容量素子Ｃ３１は、ノードＮ３１の電位を保持するための保持容量として
の機能を有する。
【0124】
トランジスタＴｒ３１は、配線ＳＬの電位のノードＮ３１への供給を制御する機能を有
する。具体的には、配線ＧＬの電位を制御してトランジスタＴｒ３１をオン状態とするこ
とにより、映像信号に対応する配線ＳＬの電位がノードＮ３１に供給され、画素ｐｉｘの
書き込みが行われる。その後、配線ＧＬの電位を制御してトランジスタＴｒ３１をオフ状
態とすることにより、ノードＮ３１の電位が保持される。
する。具体的には、配線ＧＬの電位を制御してトランジスタＴｒ３１をオン状態とするこ
とにより、映像信号に対応する配線ＳＬの電位がノードＮ３１に供給され、画素ｐｉｘの
書き込みが行われる。その後、配線ＧＬの電位を制御してトランジスタＴｒ３１をオフ状
態とすることにより、ノードＮ３１の電位が保持される。
【0125】
そして、ノードＮ３１、ノードＮ３２の間の電圧に応じてトランジスタＴｒ３２のソー
スとドレインとの間に流れる電流量が制御され、発光素子ＬＥが当該電流量に応じた輝度
で発光する。これにより、画素ｐｉｘの階調を制御することができる。なお、トランジス
タＴｒ３２は飽和領域で動作させることが好ましい。
スとドレインとの間に流れる電流量が制御され、発光素子ＬＥが当該電流量に応じた輝度
で発光する。これにより、画素ｐｉｘの階調を制御することができる。なお、トランジス
タＴｒ３２は飽和領域で動作させることが好ましい。
【0126】
ここで、トランジスタＴｒ３１とトランジスタＴｒ３２とは、同じ層に設けられてもよ
いし、積層して設けてもよい。トランジスタＴｒ３１とトランジスタＴｒ３２とを同じ層
に設けることで、トランジスタＴｒ３１とトランジスタＴｒ３２を同時に作製することが
でき、表示装置の作製工程を短縮することができる。または、トランジスタＴｒ３１とト
ランジスタＴｒ３２とを積層して設けることで、表示装置の集積度を高めることができる
。
いし、積層して設けてもよい。トランジスタＴｒ３１とトランジスタＴｒ３２とを同じ層
に設けることで、トランジスタＴｒ３１とトランジスタＴｒ３２を同時に作製することが
でき、表示装置の作製工程を短縮することができる。または、トランジスタＴｒ３１とト
ランジスタＴｒ３２とを積層して設けることで、表示装置の集積度を高めることができる
。
【0127】
また、図８（Ｂ）に示すように、画素ｐｉｘ内に２つのトランジスタ（Ｔｒ３１および
Ｔｒ３２）を有する構成が好適である。ただし、本発明の一態様についてはこれに限定さ
れず、画素ｐｉｘ内に３つ以上のトランジスタを有する構成としてもよい。
Ｔｒ３２）を有する構成が好適である。ただし、本発明の一態様についてはこれに限定さ
れず、画素ｐｉｘ内に３つ以上のトランジスタを有する構成としてもよい。
【0128】
図８（Ｃ）は、図８（Ｂ）とは異なる、表示素子として発光素子を用いた画素ｐｉｘの
構成例である。図８（Ｃ）に示す画素ｐｉｘは、トランジスタＴｒ３１、トランジスタＴ
ｒ３２、トランジスタＴｒ３３、容量素子Ｃ３１、および発光素子ＬＥを有する。つまり
、図８（Ｃ）に示す画素ｐｉｘは、図８（Ｂ）に示す画素ｐｉｘに、トランジスタＴｒ３
２を流れる電流量をモニターするためのトランジスタＴｒ３３が追加された画素である。
構成例である。図８（Ｃ）に示す画素ｐｉｘは、トランジスタＴｒ３１、トランジスタＴ
ｒ３２、トランジスタＴｒ３３、容量素子Ｃ３１、および発光素子ＬＥを有する。つまり
、図８（Ｃ）に示す画素ｐｉｘは、図８（Ｂ）に示す画素ｐｉｘに、トランジスタＴｒ３
２を流れる電流量をモニターするためのトランジスタＴｒ３３が追加された画素である。
【0129】
トランジスタＴｒ３１のゲートは配線ＧＬと接続され、ソースまたはドレインの一方は
トランジスタＴｒ３２のゲート、および容量素子Ｃ３１の一方の電極と接続され、ソース
またはドレインの他方は配線ＳＬと接続されている。トランジスタＴｒ３２のソースまた
はドレインの一方は容量素子Ｃ３１の他方の電極、発光素子ＬＥの一方の電極、およびト
ランジスタＴｒ３３のソースまたはドレインの一方と接続され、ソースまたはドレインの
他方は電位Ｖａが供給される配線と接続されている。発光素子ＬＥの他方の電極は、電位
Ｖｃが供給される配線と接続されている。トランジスタＴｒ３３のゲートは配線ＧＬと接
続され、ソースまたはドレインの他方は、モニター線ＭＬと接続されている。トランジス
タＴｒ３１のソースまたはドレインの一方、トランジスタＴｒ３２のゲート、および容量
素子Ｃ３１の一方の電極と接続されたノードを、ノードＮ３１とする。また、トランジス
タＴｒ３２のソースまたはドレインの一方、容量素子Ｃ３１の他方の電極、発光素子ＬＥ
の一方の電極、およびトランジスタＴｒ３３のソースまたはドレインの一方と接続された
ノードを、ノードＮ３２とする。
トランジスタＴｒ３２のゲート、および容量素子Ｃ３１の一方の電極と接続され、ソース
またはドレインの他方は配線ＳＬと接続されている。トランジスタＴｒ３２のソースまた
はドレインの一方は容量素子Ｃ３１の他方の電極、発光素子ＬＥの一方の電極、およびト
ランジスタＴｒ３３のソースまたはドレインの一方と接続され、ソースまたはドレインの
他方は電位Ｖａが供給される配線と接続されている。発光素子ＬＥの他方の電極は、電位
Ｖｃが供給される配線と接続されている。トランジスタＴｒ３３のゲートは配線ＧＬと接
続され、ソースまたはドレインの他方は、モニター線ＭＬと接続されている。トランジス
タＴｒ３１のソースまたはドレインの一方、トランジスタＴｒ３２のゲート、および容量
素子Ｃ３１の一方の電極と接続されたノードを、ノードＮ３１とする。また、トランジス
タＴｒ３２のソースまたはドレインの一方、容量素子Ｃ３１の他方の電極、発光素子ＬＥ
の一方の電極、およびトランジスタＴｒ３３のソースまたはドレインの一方と接続された
ノードを、ノードＮ３２とする。
【0130】
上記の動作を配線ＧＬごとに順次行うことにより、第１フレーム分の映像を表示するこ
とができる。
とができる。
【0131】
なお、配線ＧＬの選択には、プログレッシブ方式を用いてもよいし、インターレース方
式を用いてもよい。また、配線ＳＬへの映像信号の供給は、配線ＳＬに順次映像信号を供
給する点順次駆動を用いて行ってもよいし、全ての配線ＳＬに一斉に映像信号を供給する
線順次駆動を用いて行ってもよい。また、複数の配線ＳＬごとに順に、映像信号を供給し
てもよい。
式を用いてもよい。また、配線ＳＬへの映像信号の供給は、配線ＳＬに順次映像信号を供
給する点順次駆動を用いて行ってもよいし、全ての配線ＳＬに一斉に映像信号を供給する
線順次駆動を用いて行ってもよい。また、複数の配線ＳＬごとに順に、映像信号を供給し
てもよい。
【0132】
その後、第２のフレーム期間において、第１のフレーム期間と同様の動作により、映像
の表示が行われる。これにより、画素部４０１に表示される映像が書き換えられる。
の表示が行われる。これにより、画素部４０１に表示される映像が書き換えられる。
【0133】
画素ｐｉｘが有するトランジスタに用いられる半導体としては、シリコン、ゲルマニウ
ムなどの第１４族の元素、ガリウムヒ素などの化合物半導体、有機半導体、金属酸化物な
どを用いることができる。また、半導体は、非単結晶半導体（非晶質半導体、微結晶半導
体、多結晶半導体など）、であってもよいし、単結晶半導体であってもよい。
ムなどの第１４族の元素、ガリウムヒ素などの化合物半導体、有機半導体、金属酸化物な
どを用いることができる。また、半導体は、非単結晶半導体（非晶質半導体、微結晶半導
体、多結晶半導体など）、であってもよいし、単結晶半導体であってもよい。
【0134】
画素ｐｉｘが有するトランジスタは、チャネル形成領域に非晶質半導体、特に、水素化
アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ：Ｈ）を含むことが好ましい。非晶質半導体を用いたト
ランジスタは、基板の大面積化に対応することが容易であるため、例えば４Ｋ２Ｋ放送、
８Ｋ４Ｋ放送などに対応可能な大画面の表示装置を作製する場合に、製造工程を簡略化す
ることができる。
アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ：Ｈ）を含むことが好ましい。非晶質半導体を用いたト
ランジスタは、基板の大面積化に対応することが容易であるため、例えば４Ｋ２Ｋ放送、
８Ｋ４Ｋ放送などに対応可能な大画面の表示装置を作製する場合に、製造工程を簡略化す
ることができる。
【0135】
また、画素ｐｉｘが有するトランジスタには、チャネル形成領域に金属酸化物を含むト
ランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いることもできる。ＯＳトランジスタは、水素化ア
モルファスシリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が高い。また、多結
晶シリコンを用いたトランジスタなどで必要であった結晶化の工程が不要である。
ランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いることもできる。ＯＳトランジスタは、水素化ア
モルファスシリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が高い。また、多結
晶シリコンを用いたトランジスタなどで必要であった結晶化の工程が不要である。
【0136】
また、ＯＳトランジスタはオフ電流が極めて小さいため、トランジスタＴｒ３１として
ＯＳトランジスタを用いる場合、画素ｐｉｘに映像信号を極めて長期間にわたって保持す
ることができる。これにより、画素部４０１に表示される映像に変化がない期間、または
変化が一定以下である期間において、映像信号の更新の頻度を極めて低く設定することが
できる。映像信号の更新の頻度は、例えば、０．１秒間に１回以下、１秒間に１回以下、
１０秒間に１回以下などに設定することができる。特に、４Ｋ２Ｋ放送、８Ｋ４Ｋ放送な
どに対応して画素ｐｉｘが多数設けられる場合は、映像信号の更新を省略することによっ
て消費電力を低減することは効果的である。
ＯＳトランジスタを用いる場合、画素ｐｉｘに映像信号を極めて長期間にわたって保持す
ることができる。これにより、画素部４０１に表示される映像に変化がない期間、または
変化が一定以下である期間において、映像信号の更新の頻度を極めて低く設定することが
できる。映像信号の更新の頻度は、例えば、０．１秒間に１回以下、１秒間に１回以下、
１０秒間に１回以下などに設定することができる。特に、４Ｋ２Ｋ放送、８Ｋ４Ｋ放送な
どに対応して画素ｐｉｘが多数設けられる場合は、映像信号の更新を省略することによっ
て消費電力を低減することは効果的である。
【0137】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例の記載と適宜組み合わせることができる
。
。
【0138】
（実施の形態５）
本実施の形態では、先の実施の形態に示す表示装置を用いた本発明の一態様の電子機器
について、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態に示す表示装置を用いた本発明の一態様の電子機器
について、図面を参照して説明する。
【0139】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパ
ーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニター、デジタルサイネージ、パチンコ
機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、
デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情
報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
ーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニター、デジタルサイネージ、パチンコ
機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、
デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情
報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
【0140】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信す
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。なお、表示部は表示装置に
よって構成することができるので、表示部は表示装置と呼ぶこともできる。また、電子機
器がアンテナおよび二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい
。
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。なお、表示部は表示装置に
よって構成することができるので、表示部は表示装置と呼ぶこともできる。また、電子機
器がアンテナおよび二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい
。
【0141】
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転
数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力
、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を
有していてもよい。
数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力
、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を
有していてもよい。
【0142】
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報
（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレ
ンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行
する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す
機能等を有することができる。
（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレ
ンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行
する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す
機能等を有することができる。
【0143】
【0144】
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【0145】
図９（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７００
０にタッチセンサを備えていてもよく、指、スタイラスなどで表示部７０００に触れるこ
とで操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、リモコン操作機７１１１から出力する
情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーま
たはタッチパネルにより、チャンネルおよび音量の操作を行うことができ、表示部７００
０に表示される映像を操作することができる。
ッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７００
０にタッチセンサを備えていてもよく、指、スタイラスなどで表示部７０００に触れるこ
とで操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、リモコン操作機７１１１から出力する
情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーま
たはタッチパネルにより、チャンネルおよび音量の操作を行うことができ、表示部７００
０に表示される映像を操作することができる。
【0146】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機およびモデムなどを備えた構成とする。受
信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線また
は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）また
は双方向（送信者と受信者間、受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線また
は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）また
は双方向（送信者と受信者間、受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【0147】
図９（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータ７２００を示す。ノート型パーソナル
コンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス
７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み
込まれている。
コンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス
７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み
込まれている。
【0148】
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【0149】
図９（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージの一例を示す。
【0150】
図９（Ｃ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、ス
ピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操
作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
ピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操
作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【0151】
【0152】
図９（Ｃ）、（Ｄ）において、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用す
ることができる。
ることができる。
【0153】
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表
示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることが
できる。
示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることが
できる。
【0154】
表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を
表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報
、交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユー
ザビリティを高めることができる。
表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報
、交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユー
ザビリティを高めることができる。
【0155】
また、図９（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタル
サイネージ７４００は、ユーザーが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１また
は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部
７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画
面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操
作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
サイネージ７４００は、ユーザーが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１また
は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部
７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画
面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操
作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
【0156】
また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機
７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実
行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザーが同時にゲームに参加し、楽
しむことができる。
７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実
行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザーが同時にゲームに参加し、楽
しむことができる。
【0157】
また、本発明の一態様に係る表示装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、また
は、車両の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。図９（Ｅ）に、本発
明の一態様に係る表示装置の車両への搭載例を示す。
は、車両の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。図９（Ｅ）に、本発
明の一態様に係る表示装置の車両への搭載例を示す。
【0158】
図９（Ｅ）に、表示部５００１を備えた車両の構成例を示す。表示部５００１として、
本発明の一態様に係る表示装置を用いることができる。なお、図９（Ｅ）には表示部５０
０１が右ハンドルの車両に搭載された例を示すが、特に限定されず、左ハンドルの車両に
搭載することもできる。この場合、図９（Ｅ）に示す構成の左右の配置が替わる。
本発明の一態様に係る表示装置を用いることができる。なお、図９（Ｅ）には表示部５０
０１が右ハンドルの車両に搭載された例を示すが、特に限定されず、左ハンドルの車両に
搭載することもできる。この場合、図９（Ｅ）に示す構成の左右の配置が替わる。
【0159】
図９（Ｅ）には、運転席と助手席の周辺に配置されるダッシュボード５００２、ハンド
ル５００３、フロントガラス５００４などを示している。表示部５００１は、ダッシュボ
ード５００２の所定の位置、具体的には運転者の回りに配置され、概略Ｔ字形状を有する
。図９（Ｅ）には、複数の表示パネル５００７（表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５
００７ｃ、５００７ｄ）を用いて形成される１つの表示部５００１を、ダッシュボード５
００２に沿って設けた例を示しているが、表示部５００１は複数箇所に分けて配置しても
よい。
ル５００３、フロントガラス５００４などを示している。表示部５００１は、ダッシュボ
ード５００２の所定の位置、具体的には運転者の回りに配置され、概略Ｔ字形状を有する
。図９（Ｅ）には、複数の表示パネル５００７（表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５
００７ｃ、５００７ｄ）を用いて形成される１つの表示部５００１を、ダッシュボード５
００２に沿って設けた例を示しているが、表示部５００１は複数箇所に分けて配置しても
よい。
【0160】
なお、複数の表示パネル５００７は可撓性を有していてもよい。この場合、表示部５０
０１を複雑な形状に加工することができ、表示部５００１をダッシュボード５００２など
の曲面に沿って設ける構成や、ハンドルの接続部分、計器の表示部、送風口５００６など
に表示部５００１の表示領域を設けない構成などを容易に実現することができる。
０１を複雑な形状に加工することができ、表示部５００１をダッシュボード５００２など
の曲面に沿って設ける構成や、ハンドルの接続部分、計器の表示部、送風口５００６など
に表示部５００１の表示領域を設けない構成などを容易に実現することができる。
【0161】
また、後側方の状況を撮影するカメラ５００５を車外に複数設けてもよい。図９（Ｅ）
においてはサイドミラーの代わりにカメラ５００５を設置する例を示しているが、サイド
ミラーとカメラの両方を設置してもよい。
においてはサイドミラーの代わりにカメラ５００５を設置する例を示しているが、サイド
ミラーとカメラの両方を設置してもよい。
【0162】
カメラ５００５としては、ＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラなどを用いることができる。
また、これらのカメラに加えて、赤外線カメラを組み合わせて用いてもよい。赤外線カメ
ラは、被写体の温度が高いほど出力レベルが高くなるため、人や動物等の生体を検知又は
抽出することができる。
また、これらのカメラに加えて、赤外線カメラを組み合わせて用いてもよい。赤外線カメ
ラは、被写体の温度が高いほど出力レベルが高くなるため、人や動物等の生体を検知又は
抽出することができる。
【0163】
カメラ５００５で撮像された画像は、表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５００７ｃ
、５００７ｄのいずれか一または複数に出力することができる。この表示部５００１を用
いて主に車両の運転を支援する。カメラ５００５によって後側方の状況を幅広い画角で撮
影し、その画像を表示パネル５００７に表示することで、運転者の死角領域の視認が可能
となり、事故の発生を防止することができる。
、５００７ｄのいずれか一または複数に出力することができる。この表示部５００１を用
いて主に車両の運転を支援する。カメラ５００５によって後側方の状況を幅広い画角で撮
影し、その画像を表示パネル５００７に表示することで、運転者の死角領域の視認が可能
となり、事故の発生を防止することができる。
【0164】
また、車のルーフ上などに距離画像センサを設け、距離画像センサによって得られた画
像を表示部５００１に表示してもよい。距離画像センサとしては、イメージセンサやライ
ダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）などを
用いることができる。イメージセンサによって得られた画像と、距離画像センサによって
得られた画像とを表示部５００１に表示することにより、より多くの情報を運転手に提供
し、運転を支援することができる。
像を表示部５００１に表示してもよい。距離画像センサとしては、イメージセンサやライ
ダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）などを
用いることができる。イメージセンサによって得られた画像と、距離画像センサによって
得られた画像とを表示部５００１に表示することにより、より多くの情報を運転手に提供
し、運転を支援することができる。
【0165】
また、表示部５００１は、地図情報、交通情報、テレビ映像、ＤＶＤ映像などを表示す
る機能を有していてもよい。例えば、表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５００７ｃ、
５００７ｄを１つの表示画面として、地図情報を大きく表示することができる。なお、表
示パネル５００７の数は、表示される映像に応じて増やすことができる。
る機能を有していてもよい。例えば、表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５００７ｃ、
５００７ｄを１つの表示画面として、地図情報を大きく表示することができる。なお、表
示パネル５００７の数は、表示される映像に応じて増やすことができる。
【0166】
また、表示パネル５００７ａ、５００７ｂ、５００７ｃ、５００７ｄに表示される映像
は、運転手の好みによって自由に設定することができる。例えば、テレビ映像、ＤＶＤ映
像を左側の表示パネル５００７ｄに表示し、地図情報を中央部の表示パネル５００７ｂに
表示し、計器類を右側の表示パネル５００７ｃに表示し、オーディオ類を変速ギア近傍（
運転席と助手席の間）の表示パネル５００７ａに表示することができる。また、複数の表
示パネル５００７を組み合わせることにより、表示部５００１にフェールセーフの機能を
付加することができる。例えば、ある表示パネル５００７が何らかの原因で故障したとし
ても、表示領域を変更し、他の表示パネル５００７を用いて表示を行うことができる。
は、運転手の好みによって自由に設定することができる。例えば、テレビ映像、ＤＶＤ映
像を左側の表示パネル５００７ｄに表示し、地図情報を中央部の表示パネル５００７ｂに
表示し、計器類を右側の表示パネル５００７ｃに表示し、オーディオ類を変速ギア近傍（
運転席と助手席の間）の表示パネル５００７ａに表示することができる。また、複数の表
示パネル５００７を組み合わせることにより、表示部５００１にフェールセーフの機能を
付加することができる。例えば、ある表示パネル５００７が何らかの原因で故障したとし
ても、表示領域を変更し、他の表示パネル５００７を用いて表示を行うことができる。
【0167】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例の記載と適宜組み合わせることができる
。
。
【実施例0168】
本実施例では、上記実施の形態に示す方法を用いて作製した金属酸窒化物膜の結晶性お
よび配向性を評価した結果について説明する。具体的には、基板上に、金属酸窒化物膜を
上記実施の形態に示す方法にて成膜した複数の試料（試料１乃至試料７）を用意し、各試
料に対して広域逆格子空間マッピング、極点測定、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定、Ｉｎ
－ｐｌａｎｅ測定などを行った。
よび配向性を評価した結果について説明する。具体的には、基板上に、金属酸窒化物膜を
上記実施の形態に示す方法にて成膜した複数の試料（試料１乃至試料７）を用意し、各試
料に対して広域逆格子空間マッピング、極点測定、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定、Ｉｎ
－ｐｌａｎｅ測定などを行った。
【0169】
＜試料の作製方法＞
まず、試料１乃至試料７の作製方法について説明する。
まず、試料１乃至試料７の作製方法について説明する。
【0170】
試料１乃至試料７は、実施の形態１に示す金属酸窒化物膜の作製方法を用いて作製した
。具体的には、単結晶の基板を用意し、当該基板上に、反応室へ気体を導入して、酸化物
ターゲットを用いて、スパッタリング法によって、金属酸窒化物膜を成膜した。なお、当
該基板上に金属酸窒化物膜を成膜する前に、当該基板に対して、大気アニール、真空アニ
ールなどの前処理は行っていない。また、成膜した金属酸窒化物膜に対して熱処理は行っ
ていない。
。具体的には、単結晶の基板を用意し、当該基板上に、反応室へ気体を導入して、酸化物
ターゲットを用いて、スパッタリング法によって、金属酸窒化物膜を成膜した。なお、当
該基板上に金属酸窒化物膜を成膜する前に、当該基板に対して、大気アニール、真空アニ
ールなどの前処理は行っていない。また、成膜した金属酸窒化物膜に対して熱処理は行っ
ていない。
【0171】
試料１乃至試料７に共通する金酸窒化物膜の成膜条件として、成膜圧力を０．４Ｐａと
し、成膜電力を２００Ｗとし、酸化物ターゲットと基板との間隔を１３０ｍｍとした。
し、成膜電力を２００Ｗとし、酸化物ターゲットと基板との間隔を１３０ｍｍとした。
【0172】
各試料の作製に用いた、単結晶の基板について説明する。単結晶の基板として、試料１
乃至試料６では、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）基板を用意した。当該ＹＳＺ基
板の面方位は（１１１）である。また、単結晶の基板として、試料７では、Ａ面サファイ
ア基板を用意した。当該Ａ面サファイア基板の面方位は（１１０）である。
乃至試料６では、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）基板を用意した。当該ＹＳＺ基
板の面方位は（１１１）である。また、単結晶の基板として、試料７では、Ａ面サファイ
ア基板を用意した。当該Ａ面サファイア基板の面方位は（１１０）である。
【0173】
次に、各試料の作製に用いた酸化物ターゲットについて説明する。酸化物ターゲットと
して、試料１、試料５、試料６、および試料７では、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１
［原子数比］のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物ターゲットを用いた。よって、試料１、試料５、
試料６、および試料７の金属酸窒化物膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸窒化物膜である。また、
酸化物ターゲットとして、試料２では、Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］のＩｎ－Ｚｎ酸
化物ターゲットを用いた。よって、試料２の金属酸窒化物膜は、Ｉｎ－Ｚｎ酸窒化物膜で
ある。また、酸化物ターゲットとして、試料３では、酸化亜鉛を用いた。よって、試料３
の金属酸窒化物膜は、酸窒化亜鉛膜である。また、酸化物ターゲットとして、試料４では
、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物ターゲットを用
いた。よって、試料４の金属酸窒化物膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸窒化物膜である。
して、試料１、試料５、試料６、および試料７では、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１
［原子数比］のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物ターゲットを用いた。よって、試料１、試料５、
試料６、および試料７の金属酸窒化物膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸窒化物膜である。また、
酸化物ターゲットとして、試料２では、Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］のＩｎ－Ｚｎ酸
化物ターゲットを用いた。よって、試料２の金属酸窒化物膜は、Ｉｎ－Ｚｎ酸窒化物膜で
ある。また、酸化物ターゲットとして、試料３では、酸化亜鉛を用いた。よって、試料３
の金属酸窒化物膜は、酸窒化亜鉛膜である。また、酸化物ターゲットとして、試料４では
、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物ターゲットを用
いた。よって、試料４の金属酸窒化物膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸窒化物膜である。
【0174】
次に、反応室へ導入した気体（成膜ガスともいう）について説明する。成膜ガスとして
、試料１、試料２、試料３、試料４、試料６、および試料７では、窒素ガス（Ｎ２）４５
ｓｃｃｍを用いた。また、成膜ガスとして、試料５では、窒素ガス（Ｎ２）４５ｓｃｃｍ
とアルゴンガス（Ａｒ）４５ｓｃｃｍとの混合ガスを用いた。
、試料１、試料２、試料３、試料４、試料６、および試料７では、窒素ガス（Ｎ２）４５
ｓｃｃｍを用いた。また、成膜ガスとして、試料５では、窒素ガス（Ｎ２）４５ｓｃｃｍ
とアルゴンガス（Ａｒ）４５ｓｃｃｍとの混合ガスを用いた。
【0175】
次に、金属酸窒化物膜を成膜中の基板温度について説明する。試料１、試料２、試料３
、試料４、試料５、および試料７では、基板温度を２００℃とした。また、試料６では、
基板温度を１００℃とした。
、試料４、試料５、および試料７では、基板温度を２００℃とした。また、試料６では、
基板温度を１００℃とした。
【0176】
以上により、試料１乃至試料７を作製した。各試料の処理条件についてまとめたものを
表１に示す。
表１に示す。
【0177】
【表1】
【0178】
作製した試料１乃至試料７のそれぞれに対して、広域逆格子空間マッピング、極点測定
、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定、Ｉｎ－ｐｌａｎｅ測定などを行った。広域逆格子空間
マッピング、極点測定、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定、およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定用
の装置は、ブルカージャパン社製Ｘ線回折装置Ｄ８ ＤＯＳＣＯＶＥＲを用い、検出器は
、広域逆格子空間マッピングおよび極点測定では、ＶÅＮＴＥＣ－５００ ２次元検出器
を用い、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定では、０次元検出器
を用いた。なお、後述するように、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎ
ｅ測定は、主に、広域逆格子空間マップのシミュレーションの入力値として用いる格子定
数を見積もるために行っている。そこで、本実施例では、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定
およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定の結果の図示などは省略する。
、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定、Ｉｎ－ｐｌａｎｅ測定などを行った。広域逆格子空間
マッピング、極点測定、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定、およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定用
の装置は、ブルカージャパン社製Ｘ線回折装置Ｄ８ ＤＯＳＣＯＶＥＲを用い、検出器は
、広域逆格子空間マッピングおよび極点測定では、ＶÅＮＴＥＣ－５００ ２次元検出器
を用い、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定では、０次元検出器
を用いた。なお、後述するように、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定およびＩｎ－ｐｌａｎ
ｅ測定は、主に、広域逆格子空間マップのシミュレーションの入力値として用いる格子定
数を見積もるために行っている。そこで、本実施例では、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定
およびＩｎ－ｐｌａｎｅ測定の結果の図示などは省略する。
【0179】
広域逆格子空間マッピングは、角度２θを２次元検出器（図４中のｄｅｔｅｃｔｏｒ）
で一括で見込み、角度ψのそれぞれで角度θをスキャンして測定した。具体的には、試料
（図４中のｓａｍｐｌｅ）と２次元検出器（図４中のｄｅｔｅｃｔｏｒ）との間の距離を
約１５０ｍｍとした。また、角度２θを４０°にセットして、角度２θが２０°以上６０
°以下となる範囲を一括記録した。また、角度θは１０°以上３０°以下の範囲でスキャ
ンした。また、角度ψは０°以上８５°以下の範囲を５°刻み（計１８ステップ）とした
。コリメータを用いて入射Ｘ線径を０．３ｍｍφとし、Ｘ線源にはＣｕＫα線（波長：０
．１５４１８ｎｍ）を用い、Ｘ線の出力を５０ｋＶ、１００ｍＡとした。１ステップあた
りのＸ線露光時間を６０秒間とした。各試料に対して広域逆格子空間マッピングを行い、
各試料の広域逆格子空間マップを取得した。なお、広域逆格子空間マップを示す各図にお
いて、横軸は角度２θ［°］であり、縦軸は角度ψ［°］である。また、広域逆格子空間
マップの各点における強度を、広域逆格子空間マップの右に示すバーと対応させて表す。
具体的には、強度が高いほど、色が黒く（濃く）、強度が低いほど、色が白く（淡く）表
される。
で一括で見込み、角度ψのそれぞれで角度θをスキャンして測定した。具体的には、試料
（図４中のｓａｍｐｌｅ）と２次元検出器（図４中のｄｅｔｅｃｔｏｒ）との間の距離を
約１５０ｍｍとした。また、角度２θを４０°にセットして、角度２θが２０°以上６０
°以下となる範囲を一括記録した。また、角度θは１０°以上３０°以下の範囲でスキャ
ンした。また、角度ψは０°以上８５°以下の範囲を５°刻み（計１８ステップ）とした
。コリメータを用いて入射Ｘ線径を０．３ｍｍφとし、Ｘ線源にはＣｕＫα線（波長：０
．１５４１８ｎｍ）を用い、Ｘ線の出力を５０ｋＶ、１００ｍＡとした。１ステップあた
りのＸ線露光時間を６０秒間とした。各試料に対して広域逆格子空間マッピングを行い、
各試料の広域逆格子空間マップを取得した。なお、広域逆格子空間マップを示す各図にお
いて、横軸は角度２θ［°］であり、縦軸は角度ψ［°］である。また、広域逆格子空間
マップの各点における強度を、広域逆格子空間マップの右に示すバーと対応させて表す。
具体的には、強度が高いほど、色が黒く（濃く）、強度が低いほど、色が白く（淡く）表
される。
【0180】
また、各試料に対応する広域逆格子空間マップのシミュレーションには、ブルカージャ
パン社のソフトウェア「ＳＭＡＰ／ｆｏｒ Ｃｒｏｓｓ Ｓｅｃｔｉｏｎａｌ ＸＲＤ－
ＲＳＭ」を用いた。なお、各試料が有する金属酸窒化物の結晶構造は、ウルツ鉱型構造で
あると仮定し、格子定数は、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定、Ｉｎ－ｐｌａｎｅ測定、そ
の他の逆格子点のスキャン結果から見積もった格子定数とした。なお、同じ対称性（また
は空間群）を有し、格子定数が異なる結晶構造の広域逆格子空間マップ同士を比較した場
合、当該マップに現れるスポットのピークの位置（角度２θ、角度ψ）は、ずれて観測さ
れる場合がある。
パン社のソフトウェア「ＳＭＡＰ／ｆｏｒ Ｃｒｏｓｓ Ｓｅｃｔｉｏｎａｌ ＸＲＤ－
ＲＳＭ」を用いた。なお、各試料が有する金属酸窒化物の結晶構造は、ウルツ鉱型構造で
あると仮定し、格子定数は、Ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ測定、Ｉｎ－ｐｌａｎｅ測定、そ
の他の逆格子点のスキャン結果から見積もった格子定数とした。なお、同じ対称性（また
は空間群）を有し、格子定数が異なる結晶構造の広域逆格子空間マップ同士を比較した場
合、当該マップに現れるスポットのピークの位置（角度２θ、角度ψ）は、ずれて観測さ
れる場合がある。
【0181】
なお、シミュレーションで得られる広域逆格子空間マップには、当該シミュレーション
で仮定した結晶で観測され得る全てのスポットが示される。よって、エピタキシャル成長
した薄膜の広域逆格子空間マップとシミュレーションで得られる広域逆格子空間マップと
では、角度φによって面内配向した結晶方位が異なる場合があるため、観察されるスポッ
トが異なる場合がある。
で仮定した結晶で観測され得る全てのスポットが示される。よって、エピタキシャル成長
した薄膜の広域逆格子空間マップとシミュレーションで得られる広域逆格子空間マップと
では、角度φによって面内配向した結晶方位が異なる場合があるため、観察されるスポッ
トが異なる場合がある。
【0182】
本実施例では、広域逆格子空間マップで観察される逆格子点に対応する結晶面と極点測
定で観察する結晶面とを対応させるため、角度φを調整して、広域逆格子空間マッピング
を行っている。具体的には、試料１乃至試料６では、広域逆格子空間マップで、各試料が
有する金属酸窒化物膜の（１０１）面と、各試料が有する基板の（１１１）面が同時に観
測されるように、角度φを調整して広域逆格子空間マッピングを行うとよい。また、試料
７では、広域逆格子空間マップで、試料７が有する金属酸窒化物膜の（１０１）面と、試
料７が有する基板の（１０４）面が同時に観察されるように、角度φを調整して広域逆格
子空間マッピングを行うとよい。
定で観察する結晶面とを対応させるため、角度φを調整して、広域逆格子空間マッピング
を行っている。具体的には、試料１乃至試料６では、広域逆格子空間マップで、各試料が
有する金属酸窒化物膜の（１０１）面と、各試料が有する基板の（１１１）面が同時に観
測されるように、角度φを調整して広域逆格子空間マッピングを行うとよい。また、試料
７では、広域逆格子空間マップで、試料７が有する金属酸窒化物膜の（１０１）面と、試
料７が有する基板の（１０４）面が同時に観察されるように、角度φを調整して広域逆格
子空間マッピングを行うとよい。
【0183】
また、本実施例で示す極点測定の結果は、極図形で表される。
【0184】
＜試料１の評価＞
試料１の広域逆格子空間マップを図１０（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）に示す。図１０（Ｂ）は、
試料１の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１０（Ｃ）は、試料１
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
試料１の広域逆格子空間マップを図１０（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）に示す。図１０（Ｂ）は、
試料１の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１０（Ｃ）は、試料１
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
【0185】
図１０（Ａ）では、複数のスポットが観察された。観察された複数のスポットと、図１
０（Ｂ）および図１０（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
０（Ｂ）および図１０（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
【0186】
次に、試料１に対する極点測定の結果を図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示す。図１
１（Ａ）は、試料１の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１１（Ｂ）は、試料
１の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
１（Ａ）は、試料１の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１１（Ｂ）は、試料
１の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
【0187】
図１１（Ａ）に実線の円で示すように、角度ψが約７０°の同心円上の３箇所に、スポ
ット状の強度分布が観測された。当該スポットは、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ
）の（１１１）面に由来する３回対称のスポットである。また、図１１（Ｂ）に実線の円
で示すように、角度ψが約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測さ
れた。つまり、試料１の金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料１
の金属酸窒化物膜は面内配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２
）面と（１０１）面とのなす角度は、約６２°であることから、試料１の金属酸窒化物膜
が有する結晶は、ウルツ型構造であることが分かる。また、図１１（Ａ）および図１１（
Ｂ）より、試料１の金属酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ
軸エピタキシャル膜であることが分かる。
ット状の強度分布が観測された。当該スポットは、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ
）の（１１１）面に由来する３回対称のスポットである。また、図１１（Ｂ）に実線の円
で示すように、角度ψが約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測さ
れた。つまり、試料１の金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料１
の金属酸窒化物膜は面内配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２
）面と（１０１）面とのなす角度は、約６２°であることから、試料１の金属酸窒化物膜
が有する結晶は、ウルツ型構造であることが分かる。また、図１１（Ａ）および図１１（
Ｂ）より、試料１の金属酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ
軸エピタキシャル膜であることが分かる。
【0188】
以上より、試料１の金属酸窒化物膜は、ウルツ鉱型構造を有し、エピタキシャル成長し
ていることが分かる。
ていることが分かる。
【0189】
＜試料２の評価＞
試料２の広域逆格子空間マップを図１２（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）に示す。図１２（Ｂ）は、
試料２の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１２（Ｃ）は、試料２
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
試料２の広域逆格子空間マップを図１２（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）に示す。図１２（Ｂ）は、
試料２の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１２（Ｃ）は、試料２
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
【0190】
図１２（Ａ）では、複数のスポットが観察された。観察された複数のスポットと、図１
２（Ｂ）および図１２（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３４°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
２（Ｂ）および図１２（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３４°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
【0191】
次に、試料２に対する極点測定の結果を図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示す。図１
３（Ａ）は、試料２の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１３（Ｂ）は、試料
２の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
３（Ａ）は、試料２の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１３（Ｂ）は、試料
２の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
【0192】
図１３（Ａ）に実線の円で示すように、角度ψが約７０°の同心円上の３箇所に、スポ
ット状の強度分布が観測された。また、図１３（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料２の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料２の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料２の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）より、試料２の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
ット状の強度分布が観測された。また、図１３（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料２の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料２の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料２の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）より、試料２の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
【0193】
以上より、試料２の金属酸窒化物膜は、ウルツ鉱型構造を有し、エピタキシャル成長し
ていることが分かる。
ていることが分かる。
【0194】
＜試料３の評価＞
試料３の広域逆格子空間マップを図１４（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１４（Ｂ）および図１４（Ｃ）に示す。図１４（Ｂ）は、
試料３の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１４（Ｃ）は、試料３
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
試料３の広域逆格子空間マップを図１４（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１４（Ｂ）および図１４（Ｃ）に示す。図１４（Ｂ）は、
試料３の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１４（Ｃ）は、試料３
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
【0195】
図１４（Ａ）では、複数のスポットが観察された。観察された複数のスポットと、図１
４（Ｂ）および図１４（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３６°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４７°かつ角度ψが約４２°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
４（Ｂ）および図１４（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３６°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４７°かつ角度ψが約４２°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
【0196】
次に、試料３に対する極点測定の結果を図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示す。図１
５（Ａ）は、試料３の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１５（Ｂ）は、試料
３の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
５（Ａ）は、試料３の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１５（Ｂ）は、試料
３の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
【0197】
図１５（Ａ）に実線の円で示すように、角度ψが約７０°の同心円上の３箇所に、スポ
ット状の強度分布が観測された。また、図１５（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料３の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料３の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料３の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）より、試料３の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
ット状の強度分布が観測された。また、図１５（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料３の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料３の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料３の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）より、試料３の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
【0198】
以上より、試料３の金属酸窒化物膜は、ウルツ鉱型構造を有し、エピタキシャル成長し
ていることが分かる。
ていることが分かる。
【0199】
＜試料４の評価＞
試料４の広域逆格子空間マップを図１６（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）に示す。図１６（Ｂ）は、
試料４の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１６（Ｃ）は、試料４
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
試料４の広域逆格子空間マップを図１６（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）に示す。図１６（Ｂ）は、
試料４の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１６（Ｃ）は、試料４
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
【0200】
図１６（Ａ）では、複数のスポットが観察された。観察された複数のスポットと、図１
６（Ｂ）および図１６（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
６（Ｂ）および図１６（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
【0201】
次に、試料４に対する極点測定の結果を図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）に示す。図１
７（Ａ）は、試料４の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１７（Ｂ）は、試料
４の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
７（Ａ）は、試料４の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１７（Ｂ）は、試料
４の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
【0202】
図１７（Ａ）に実線の円で示すように、角度ψが約７０°の同心円上の３箇所に、スポ
ット状の強度分布が観測された。また、図１７（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料４の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料４の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料４の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）より、試料４の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
ット状の強度分布が観測された。また、図１７（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料４の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料４の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料４の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）より、試料４の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
【0203】
以上より、試料４の金属酸窒化物膜は、ウルツ鉱型構造を有し、エピタキシャル成長し
ていることが分かる。
ていることが分かる。
【0204】
＜試料５の評価＞
試料５の広域逆格子空間マップを図１８（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）に示す。図１８（Ｂ）は、
試料５の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１８（Ｃ）は、試料５
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
試料５の広域逆格子空間マップを図１８（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）に示す。図１８（Ｂ）は、
試料５の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図１８（Ｃ）は、試料５
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
【0205】
図１８（Ａ）では、複数のスポットが観察された。観察された複数のスポットと、図１
８（Ｂ）および図１８（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
８（Ｂ）および図１８（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
【0206】
次に、試料５に対する極点測定の結果を図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）に示す。図１
９（Ａ）は、試料５の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１９（Ｂ）は、試料
５の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
９（Ａ）は、試料５の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図１９（Ｂ）は、試料
５の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
【0207】
図１９（Ａ）に実線の円で示すように、角度ψが約７０°の同心円上の３箇所に、スポ
ット状の強度分布が観測された。また、図１９（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料５の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料５の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料５の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）より、試料５の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
ット状の強度分布が観測された。また、図１９（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料５の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料５の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料５の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）より、試料５の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
【0208】
以上より、試料５の金属酸窒化物膜は、ウルツ鉱型構造を有し、エピタキシャル成長し
ていることが分かる。
ていることが分かる。
【0209】
＜試料６の評価＞
試料６の広域逆格子空間マップを図２０（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図２０（Ｂ）および図２０（Ｃ）に示す。図２０（Ｂ）は、
試料６の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図２０（Ｃ）は、試料６
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
試料６の広域逆格子空間マップを図２０（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図２０（Ｂ）および図２０（Ｃ）に示す。図２０（Ｂ）は、
試料６の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図２０（Ｃ）は、試料６
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
【0210】
図２０（Ａ）では、複数のスポットが観察された。観察された複数のスポットと、図２
０（Ｂ）および図２０（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
０（Ｂ）および図２０（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
【0211】
次に、試料６に対する極点測定の結果を図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）に示す。図２
１（Ａ）は、試料６の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図２１（Ｂ）は、試料
６の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
１（Ａ）は、試料６の単結晶の基板の（１１１）面の結果であり、図２１（Ｂ）は、試料
６の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
【0212】
図２１（Ａ）に実線の円で示すように、角度ψが約７０°の同心円上の３箇所に、スポ
ット状の強度分布が観測された。また、図２１（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料６の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料６の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料６の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）より、試料６の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
ット状の強度分布が観測された。また、図２１（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料６の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料６の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料６の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）より、試料６の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
【0213】
以上より、試料６の金属酸窒化物膜は、ウルツ鉱型構造を有し、エピタキシャル成長し
ていることが分かる。
ていることが分かる。
【0214】
＜試料７の評価＞
試料７の広域逆格子空間マップを図２２（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図２２（Ｂ）および図２２（Ｃ）に示す。図２２（Ｂ）は、
試料７の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図２２（Ｃ）は、試料７
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
試料７の広域逆格子空間マップを図２２（Ａ）に示す。また、シミュレーションで得ら
れた広域逆格子空間マップを図２２（Ｂ）および図２２（Ｃ）に示す。図２２（Ｂ）は、
試料７の単結晶の基板に対応する広域逆格子空間マップであり、図２２（Ｃ）は、試料７
の金属酸窒化物膜が有する結晶に対応する広域逆格子空間マップである。
【0215】
図２２（Ａ）では、複数のスポットが観察された。観察された複数のスポットと、図２
２（Ｂ）および図２２（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
２（Ｂ）および図２２（Ｃ）に示すスポットとを比較することで、角度２θが約３５°か
つ角度ψが約６２°にピークが位置するスポットは、ウルツ鉱型構造の（１０１）面に相
当し、角度２θが約４４°かつ角度ψが約４４°にピークが位置するスポットは、ウルツ
鉱型構造の（１０２）面に相当することが分かる。
【0216】
次に、試料７に対する極点測定の結果を図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）に示す。図２
３（Ａ）は、試料７の単結晶の基板の（１０４）面の結果であり、図２３（Ｂ）は、試料
７の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
３（Ａ）は、試料７の単結晶の基板の（１０４）面の結果であり、図２３（Ｂ）は、試料
７の金属酸窒化物膜の（１０１）面の結果である。
【0217】
図２３（Ａ）に実線の円で示すように、角度ψが約５８°の同心円上の２箇所に、スポ
ット状の強度分布が観測された。当該スポットは、Ａ面サファイアの（１０４）面に由来
する２回対称のスポットである。また、図２３（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料７の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料７の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料７の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）より、試料７の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
ット状の強度分布が観測された。当該スポットは、Ａ面サファイアの（１０４）面に由来
する２回対称のスポットである。また、図２３（Ｂ）に実線の円で示すように、角度ψが
約６２°の同心円上の６箇所に、スポット状の強度分布が観測された。つまり、試料７の
金属酸窒化物膜の（１０１）面が６回対称を有しており、試料７の金属酸窒化物膜は面内
配向していることが分かる。また、ウルツ鉱型構造の、（００２）面と（１０１）面との
なす角度は、約６２°であることから、試料７の金属酸窒化物膜が有する結晶は、ウルツ
型構造であることが分かる。また、図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）より、試料７の金属
酸化物膜は、結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まないｃ軸エピタキシャル膜であ
ることが分かる。
【0218】
以上より、試料７の金属酸窒化物膜は、ウルツ鉱型構造を有し、エピタキシャル成長し
ていることが分かる。
ていることが分かる。
【0219】
本実施例に示す構成、方法などは、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実
施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【0220】
１０：基板、２０：金属酸窒化物膜、３０：結晶、４１：成膜室、５０ａ：バッキング
プレート、５０ｂ：バッキングプレート、５２ａ：ターゲットホルダ、５２ｂ：ターゲッ
トホルダ、５４ａ：マグネットユニット、５４ｂ：マグネットユニット、５４Ｎ１：マグ
ネット、５４Ｎ２：マグネット、５４Ｓ：マグネット、５６：マグネットホルダ、５８：
部材、６０：基板、６２：基板ホルダ、６４ａ：磁力線、６４ｂ：磁力線、７０ａ：スパ
ッタリングターゲット、７０ｂ：スパッタリングターゲット、１００：発光素子、１０２
：基板、１０４：クラッド層、１０６：活性層、１０８：クラッド層、１１０：ｎ型電極
、１１２：ｐ型電極、４００：表示装置、４０１：画素部、４０２：駆動回路、４０３：
駆動回路、５００１：表示部、５００２：ダッシュボード、５００３：ハンドル、５００
４：フロントガラス、５００５：カメラ、５００６：送風口、５００７：表示パネル、５
００７ａ：表示パネル、５００７ｂ：表示パネル、５００７ｃ：表示パネル、５００７ｄ
：表示パネル、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１
０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュー
タ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２
１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：ス
ピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１
１：情報端末機、７９００：自動車、７９０１：車体、７９０２：車輪、７９０３：フロ
ントガラス、７９０４：ライト、７９０５：フォグランプ、８５０１：照明装置、８５０
２：照明装置、８５０３：照明装置、８５０４：照明装置
プレート、５０ｂ：バッキングプレート、５２ａ：ターゲットホルダ、５２ｂ：ターゲッ
トホルダ、５４ａ：マグネットユニット、５４ｂ：マグネットユニット、５４Ｎ１：マグ
ネット、５４Ｎ２：マグネット、５４Ｓ：マグネット、５６：マグネットホルダ、５８：
部材、６０：基板、６２：基板ホルダ、６４ａ：磁力線、６４ｂ：磁力線、７０ａ：スパ
ッタリングターゲット、７０ｂ：スパッタリングターゲット、１００：発光素子、１０２
：基板、１０４：クラッド層、１０６：活性層、１０８：クラッド層、１１０：ｎ型電極
、１１２：ｐ型電極、４００：表示装置、４０１：画素部、４０２：駆動回路、４０３：
駆動回路、５００１：表示部、５００２：ダッシュボード、５００３：ハンドル、５００
４：フロントガラス、５００５：カメラ、５００６：送風口、５００７：表示パネル、５
００７ａ：表示パネル、５００７ｂ：表示パネル、５００７ｃ：表示パネル、５００７ｄ
：表示パネル、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１
０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュー
タ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２
１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：ス
ピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１
１：情報端末機、７９００：自動車、７９０１：車体、７９０２：車輪、７９０３：フロ
ントガラス、７９０４：ライト、７９０５：フォグランプ、８５０１：照明装置、８５０
２：照明装置、８５０３：照明装置、８５０４：照明装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
