特開 2024-164403 電子装置及び電子装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024164403

(43)【公開日】2024-11-27

(54)【発明の名称】電子装置及び電子装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20241120BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20241120BHJP

   C09J 7/30 20180101ALI20241120BHJP

   C09J 201/00 20060101ALI20241120BHJP

   C09J 5/00 20060101ALI20241120BHJP

   H01L 21/02 20060101ALI20241120BHJP

   B23K 20/16 20060101ALI20241120BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 311S

H01L25/08 B

C09J7/30

C09J201/00

C09J5/00

H01L21/02 B

B23K20/16

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023079851

(22)【出願日】2023-05-15

(71)【出願人】

【識別番号】000004178

【氏名又は名称】ＪＳＲ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002918

【氏名又は名称】弁理士法人扶桑国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】志水 誠

(72)【発明者】

【氏名】志保 浩司

【テーマコード（参考）】

4E167

4J004

4J040

5F044

【Ｆターム（参考）】

4E167AA03

4E167AA06

4E167AA08

4E167AA09

4E167AA10

4E167AB00

4E167CA05

4E167DA05

4J004AA17

4J004BA02

4J004FA05

4J004FA08

4J040HD30

4J040HD32

4J040JA09

4J040KA14

4J040KA23

4J040LA09

4J040NA20

4J040PA00

5F044KK05

5F044KK07

5F044KK16

5F044LL07

5F044LL13

5F044QQ01

5F044RR03

(57)【要約】

【課題】電子部品群の導体部同士が低プロセス負荷で接合される電子装置を実現する。
【解決手段】電子装置１は、導体部１２を有する電子部品１０と、導体部１２と対向する導体部２２を有する電子部品２０とを含む。電子装置１は更に、導体部１２と導体部２２との間に設けられ、導体部１２と導体部２２とを接合する有機化合物から形成される接合層３０を含む。接合層３０は、例えば、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で、導体部１２と導体部２２との間に設けられる。接合層３０は、例えば、導体部１２及び導体部２２に化学結合される官能基３１及び官能基３２を有するオリゴマーを含む。導体部１２と導体部２２とは、接合層３０を介して電気的に接続される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体部を有する第１電子部品と、
前記第１導体部と対向する第２導体部を有する第２電子部品と、
前記第１導体部と前記第２導体部との間に設けられ、前記第１導体部と前記第２導体部とを接合する有機化合物から形成された接合層と、
を含み、
前記第１導体部と前記第２導体部とは、前記接合層を介して電気的に接続される、
電子装置。

【請求項2】

前記第１導体部と前記第２導体部との間の前記接合層の膜厚が０．１ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下の範囲である、請求項１に記載の電子装置。

【請求項3】

前記接合層は接合材により形成され、前記接合材は化合物αを含み、前記化合物αは前記第１導体部及び前記第２導体部に化学結合される複数の官能基を有する化合物である、請求項１に記載の電子装置。

【請求項4】

前記化合物αの前記複数の官能基において、第１の官能基が、アミノ基、ヒドラジノ基、ヒドロキシ基、チオール基、オキシラニル基、オキセタニル基、カルボキシ基、アジリジニル基、アジド基、アジドスルホニル基、ジアゾメチル基から選ばれる少なくとも一種であり、第２の官能基がカテコール基、ホスホン酸基、シラノール基、アルコキシシリル基から選ばれる少なくとも一種である、請求項３に記載の電子装置。

【請求項5】

前記第１導体部と前記第２導体部とは、前記接合層によって互いに隔離される、請求項１に記載の電子装置。

【請求項6】

前記第１導体部と前記第２導体部とは、互いの一部同士が接触する、請求項１に記載の電子装置。

【請求項7】

第１導体部を有する第１電子部品を準備する工程と、
第２導体部を有する第２電子部品を準備する工程と、
前記第１導体部と前記第２導体部とを、有機化合物から形成された接合層を介して対向させ、前記接合層を用いて接合する工程と、
を含み、
前記第１導体部と前記第２導体部とは、前記接合層を介して電気的に接続される、
電子装置の製造方法。

【請求項8】

前記第１導体部と前記第２導体部とを前記接合層を用いて接合する工程において、前記第１導体部と前記第２導体部との間の前記接合層の膜厚が０．１ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下の範囲である、請求項７に記載の電子装置の製造方法。

【請求項9】

前記接合層は接合材により形成され、前記接合材は化合物αを含み、前記化合物αは前記第１導体部及び前記第２導体部に化学結合される複数の官能基を有する化合物である、請求項７に記載の電子装置の製造方法。

【請求項10】

前記第１導体部と前記第２導体部とを前記接合層を用いて接合する工程前に、前記第１導体部及び前記第２導体部の前記接合層が設けられる表面を平坦化する工程を含む、請求項７に記載の電子装置の製造方法。

【請求項11】

前記第１導体部と前記第２導体部とを前記接合層を用いて接合する工程前に、前記第１導体部及び前記第２導体部の前記接合層が設けられる表面を活性化する工程を含む、請求項７に記載の電子装置の製造方法。

【請求項12】

前記第１導体部と前記第２導体部とを前記接合層を用いて接合する工程前に、前記接合層を加熱する工程、加圧する工程、紫外線照射する工程、プラズマ照射する工程から選ばれる少なくとも一種の工程を含む、請求項７に記載の電子装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子装置及び電子装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

複数の電子部品を含み、それらの端子等の導体部同士を接合した構成を有する電子装置が知られている。例えば、複数の半導体基板（チップ）をそれらの金属層同士を半田で接合することによって積層した積層型半導体装置が知られている（特許文献１）。このほか、絶縁基板とその両面に設けられた導体層とを有する基板の、その一方の面側に、焼結体等を用いて接合された半導体チップや導電部材を備えたパワー半導体モジュールが知られている（特許文献２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１７４１３４号公報

【特許文献2】特開２０２１－１１４５３７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

電子装置に含まれる電子部品群の導体部同士を接合する手法の１つとして、半田や焼結体等の導電性の接合材を用いる手法がある。しかし、この手法では、用いる接合材の種類によっては、接合温度が比較的高くなったり、含有される有機成分のアウトガスが比較的多く発生したり、金属間化合物等の異相の形成によって接合信頼性が低下したりすることが起こり得る。

【0005】

近年、このような半田や焼結体等の接合材を用いて電子部品群の導体部同士を接合する手法に代えて、電子部品群の導体部同士を直接接合する手法を用いることが提案されている。しかし、この手法では、導体部の接合面を予め十分に平坦化しておくことを要したり、導体部の接合面の活性化及び接合のために、高温下、高真空下又は高圧力下での処理を要したりする等、プロセス負荷が比較的大きくなる場合がある。

【0006】

１つの側面では、本発明は、電子部品群の導体部同士が低プロセス負荷で接合される電子装置を実現することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

１つの態様では、第１導体部を有する第１電子部品と、前記第１導体部と対向する第２導体部を有する第２電子部品と、前記第１導体部と前記第２導体部との間に設けられ、前記第１導体部と前記第２導体部とを接合する有機化合物から形成された接合層と、を含み、前記第１導体部と前記第２導体部とは、前記接合層を介して電気的に接続される、電子装置が提供される。

【0008】

また、１つの態様では、第１導体部を有する第１電子部品を準備する工程と、第２導体部を有する第２電子部品を準備する工程と、前記第１導体部と前記第２導体部とを、有機化合物から形成された接合層を介して対向させ、前記接合層を用いて接合する工程と、を含み、前記第１導体部と前記第２導体部とは、前記接合層を介して電気的に接続される、電子装置の製造方法が提供される。

【発明の効果】

【0009】

１つの側面では、電子部品群の導体部同士が低プロセス負荷で接合される電子装置を実現することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。

【図2】第１実施形態に係る電子装置の接合形態の例について説明する図である。

【図3】第１実施形態に係る電子装置における電子部品導体部の表面形状の例について説明する図である。

【図4】第１実施形態に係る電子装置の製造方法の例について説明する図である。

【図5】第２実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。

【図6】第３実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。

【図7】第４実施形態に係る電子装置製造の例について説明する図である。

【図8】第５実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。

【図9】第６実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。

【図10】第７実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。

【図11】第８実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。

【図12】第９実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

［第１実施形態］
図１は第１実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。図１（Ａ）には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。図１（Ｂ）には、図１（Ａ）のＰ１部を拡大して模式的に示している。

【0012】

図１（Ａ）に示す電子装置１は、電子部品１０及び電子部品２０を含む。電子部品１０は、本体１１と、本体１１に設けられた導体部１２とを有する。電子部品２０は、本体２１と、本体２１に設けられた導体部２２とを有する。電子部品１０と電子部品２０とは、互いの導体部１２と導体部２２とが対向するように設けられる。電子装置１は更に、電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２との間に設けられる接合層３０を含む。

【0013】

電子部品１０及び電子部品２０にはそれぞれ、各種電子部品を用いることができる。例えば、電子部品１０及び電子部品２０にはそれぞれ、半導体チップ、半導体パッケージ、回路基板、チップ部品、リードフレーム等、各種電子部品が用いられる。電子部品１０及び電子部品２０には、互いに同種の電子部品が用いられてもよいし、互いに異種の電子部品が用いられてもよい。電子部品１０の導体部１２及び電子部品２０の導体部２２は、各種電子部品（その本体）に設けられる電極、或いは、各種電子部品の一部（他部が本体）である。導体部１２及び導体部２２にはそれぞれ、各種導体材料、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス等の金属材料、合金材料が用いられる。このほか、導体部１２及び導体部２２にはそれぞれ、導電性の炭素材料、導電性の樹脂材料等が用いられてもよい。導体部１２及び導体部２２には、互いに同種の導体材料が用いられてもよいし、互いに異種の導体材料が用いられてもよい。

【0014】

接合層３０は、有機化合物から形成される。接合層３０は、接合材により形成される。例えば、接合層３０を形成する接合材には、全体が有機物である化合物、或いは、少なくとも官能基として有機基を有する化合物を含む材料が用いられる。接合層３０は、絶縁性を有してもよい。電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２とは、接合層３０を用いて接合される。電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２とは、それらを接合する接合層３０を介して電気的に接続される。接合層３０は、接合層３０によって導体部１２と導体部２２とが隔離されている状態であっても、接合層３０を介して導体部１２と導体部２２とが電気的に接続されるような膜厚Ｔ１で、導体部１２と導体部２２との間に設けられる。例えば、接合層３０は、ｎｍオーダーといった極めて薄い膜厚Ｔ１で、導体部１２と導体部２２との間に設けられる。一例として、接合層３０は、導体部１２と導体部２２との間の膜厚Ｔ１が０．１ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下の範囲となるように、導体部１２と導体部２２との間に設けられる。導体部１２と導体部２２とが極めて薄い膜厚Ｔ１の接合層３０で接合されることで、導体部１２と導体部２２との電気的な接続が実現される。

【0015】

尚、電子部品１０を「第１電子部品」とも言い、その導体部１２を「第１導体部」とも言う。電子部品２０を「第２電子部品」とも言い、その導体部２２を「第２導体部」とも言う。

【0016】

導体部１２と導体部２２とを接合する接合層３０は、次のように形成される。まず、導体部１２と導体部２２の両方、若しくは一方の上に、化合物αを含む接合材を塗布することにより、接合材の塗膜を形成する。これを乾燥することで接合層３０を形成する。以下、接合材及び接合材に含まれる化合物αについて詳述する。

【0017】

（化合物α）
接合層３０を形成する接合材に含まれる化合物αについて説明する。化合物αは、導体部１２の表面の金属等と反応して結合することが可能な第１官能基と、導体部２２の表面の金属等と反応して結合することが可能な第２官能基とを有する。

【0018】

化合物αは、２つの物質の接合体（結合体）を界面分子結合により形成させるための材料であると考えられる。界面分子結合は、２つの物質の界面に、ある化合物を介在させ、化学反応により各物質と上記化合物とをそれぞれ化学結合させて上記２つの物質を結合させること、又はその結果生じる結合を意味する。

【0019】

化合物αは、界面分子結合材（Interface Molecular Bonding；ＩＭＢ）とも称される。
第１官能基は、金属等と反応して結合する基であることが好ましい。第１官能基としては、アミノ基、ヒドラジノ基、ヒドロキシ基、チオール基、オキシラニル基、オキセタニル基、カルボキシ基、アジリジニル基、アジド基、アジドスルホニル基、ジアゾメチル基等が挙げられ、アジド基、アジドスルホニル基又はジアゾメチル基（以下、「アジド基、アジドスルホニル基又はジアゾメチル基」をアジド基等とも称する。）が好ましい。アジド基等は、化学反応により、主に、樹脂等の有機物と「－Ｎ－Ｃ－タイプ」等の化学結合を形成することができる。第１官能基がアジド基等である場合、導体部とより強固な結合が可能となる。

【0020】

化合物αは、芳香環を有することが好ましい。更には、化合物αは芳香環を有し、第１官能基が、この芳香環に直接結合したアジド基、アジドスルホニル基又はジアゾメチル基であることがより好ましい。芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族炭素環、及びチオフェン環、フラン環、トリアジン環等の芳香族複素環等が挙げられる。芳香環としては、これらの中でも、芳香族炭素環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。アジド基等がベンゼン環に直接結合している場合、そうでない場合と比べて、紫外線照射又は加熱により、アジド基等から窒素分子（Ｎ_２）が脱離する反応の反応速度が大きくなる。従って、ベンゼン環にアジド基等が直接結合した化合物αを用いることで、比較的低温度及び短時間の加熱処理で且つ紫外線照射を行わなくても、良好な密着性が発現される。このためこのような化合物αを用いることで、効率的な処理が可能となる。また、ベンゼン環にアジド基等が直接結合した化合物αを用いることで、導体部の劣化が生じ難い長波長の紫外線を照射した場合でも、良好な密着性が発現される。

【0021】

第２官能基は、金属等と反応して結合する基である。第２官能基は、導体部の金属、及び導体部がめっきされた場合は、めっき触媒に含まれる金属の少なくとも一方の金属と反応して結合する基であることが好ましく、形成される金属パターンを構成する金属と反応して結合する基であることがより好ましい。第２官能基としては、アミノ基、チオール基、カテコール基、カルボキシ基、ホスホン酸基、シラノール基、アルコキシシリル基等が挙げられ、シラノール基又はアルコキシシリル基が好ましい。シラノール基及びアルコキシシリル基は、化学反応により、主に、金属等の無機物Ｍと「－Ｓｉ－Ｏ－Ｍ－タイプ」の化学結合を形成することができる。第２官能基がこれらの基である場合、導体部とより強固な結合が可能となる。

【0022】

アルコキシシリル基とは、ケイ素原子にアルコキシ基（オキシ炭化水素基）が結合した基をいう。アルコキシ基とは、酸素原子に炭化水素基が結合した基をいい、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ビニルオキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基等を挙げることができる。ケイ素原子に結合しているアルコキシ基の数は、１、２又は３であってよく、３が好ましい。アルコキシシリル基においては、ケイ素原子にアルコキシ基以外の基が結合していてもよく、このような基としては、アルキル基、フェニル基、ヒドロキシ基、水素原子等が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１から１２のアルコキシ基が好ましく、炭素数１から３のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基及びプロポキシ基がより好ましい。アルコキシシリル基の例としては、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリベンジルオキシシリル基等が挙げられる。また、通常、アルコキシシリル基が加水分解することで、シラノール基が生じる。

【0023】

化合物αの好適な一形態としては、下記式（１）又は（２）で表される化合物α１、及び、化合物α１を含む加水分解性シラン化合物を加水分解縮合して得られる化合物α２、が挙げられる。化合物αが、化合物α１及び化合物α２のうちの少なくとも一方である場合、比較的低温度及び短時間の加熱処理で且つ紫外線照射を行わなくても、良好な密着性が発現される。このためこれらの化合物を用いることで、効率的な処理が可能となる。

【0024】

（化合物α１）
化合物α１は、下記式（１）又は（２）で表される化合物である。即ち、化合物α１は、第１官能基としてベンゼン環に直接結合したアジド基等を有し、第２官能基としてシラノール基又はアルコキシシリル基を有する化合物αの一例である。

【0025】

【化1】

【0026】

上記式（１）中、Ｒ^１は、水素原子、炭素数１から１２のアルキル基、フェニル基、炭素数１から１２のアルコキシ基、又はヒドロキシ基である。複数のＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基である。Ｘ^１は、アジド基、アジドスルホニル基、又はジアゾメチル基である。Ｙ^１は、単結合、エステル基、エーテル基、チオエーテル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基、－ＮＨＲ^３－で表される基、又は下記式（３ａ）若しくは（３ｂ）で表される基である。Ｒ^３は、炭素数１から６のアルキル基である。Ｚ^１は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、又は炭素数２から１２のアルキレン基の末端若しくは炭素－炭素結合間に－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－及び－Ｓ（Ｏ）－のうちの１つ以上の基を含む基である。ｍは、１から３の整数である。Ｒ^１、Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１が、それぞれ複数の場合、これらはそれぞれ独立して上記定義を満たす。但し、１又は複数のＲ^１の少なくとも１つは、炭素数１から１２のアルコキシ基である。

【0027】

上記式（２）中、複数のＲ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１から１２のアルキル基、フェニル基、炭素数１から１２のアルコキシ基、又はヒドロキシ基であり、複数のＲ^４、Ｒ^５及びＲ^６のうちの少なくとも１つは、炭素数１から１２のアルコキシ基である。複数のＲ^７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基である。Ｘ^２は、アジド基、アジドスルホニル基、又はジアゾメチル基である。複数のＺ^２は、それぞれ独立して、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、又は炭素数２から１２のアルキレン基の末端若しくは炭素－炭素結合間に－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－及び－Ｓ（Ｏ）－のうちの１つ以上の基を含む基である。

【0028】

【化2】

【0029】

上記式（３ａ）中、Ｒ^８は、水素原子又はメチル基である。
Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６で表される炭素数１から１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等が挙げられる。

【0030】

Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６で表される炭素数１から１２のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。
Ｒ^２及びＲ^７で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

【0031】

Ｒ^２及びＲ^７で表される１価の有機基としては、１価の炭化水素基、アルコキシ基、－Ｙ^１－Ｚ^１－Ｓｉ－Ｒ^１ _３（Ｙ^１、Ｚ^１及びＲ^１は、式（１）中のＹ^１、Ｚ^１及びＲ^１とそれぞれ同義である。）で表される基、－ＣＯＯ－Ｎ－（－Ｚ^２－ＳｉＲ^４Ｒ^５Ｒ^６）_２（Ｚ^２、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、式（２）中のＺ^２、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６とそれぞれ同義である。）、後述する式（１４）で表される基等が挙げられる。

【0032】

Ｒ^３で表される炭素数１から６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
式（１）で表される化合物の好適な形態は以下の通りである。

【0033】

Ｒ^１としては、炭素数１から１２のアルコキシ基が好ましく、炭素数１から６のアルコキシ基がより好ましく、炭素数１から３のアルコキシ基が更に好ましい。
Ｒ^２としては、水素原子が好ましい。

【0034】

Ｘ^１としては、アジド基及びアジドスルホニル基が好ましい。Ｘ^１は、Ｙ^１等を含む基に対してパラ位又はメタ位に結合していることが好ましい。
Ｙ^１としては、アミド基が好ましく、＊－ＣＯＮＨ－（＊は、ベンゼン環との結合部位を示す。）で表されるアミド基がより好ましい。

【0035】

Ｚ^１としては、炭素数２から１２のアルキレン基が好ましく、炭素数２から６のアルキレン基がより好ましい。
ｍは、３が好ましい。

【0036】

式（２）で表される化合物の好適な形態は以下の通りである。
Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６としては、炭素数１から１２のアルコキシ基が好ましく、炭素数１から６のアルコキシ基がより好ましく、炭素数１から３のアルコキシ基が更に好ましい。

【0037】

Ｒ^７としては、水素原子が好ましい。
Ｘ^２としては、アジド基及びアジドスルホニル基が好ましい。Ｘ^２は、－ＣＯＯ－Ｎ－（－Ｚ^２－ＳｉＲ^４Ｒ^５Ｒ^６）_２で表される基に対してパラ位又はメタ位に結合していることが好ましい。

【0038】

Ｚ^２としては、炭素数２から１２のアルキレン基が好ましく、炭素数２から６のアルキレン基がより好ましい。
化合物α１は、下記式（１１）、（１２）又は（１３）で表される化合物であってもよい。

【0039】

【化3】

【0040】

上記式（１１）から（１４）中、Ｘ^１０、Ｘ^１１及びＸ^１２は、それぞれ独立して、アジド基、アジドスルホニル基又はジアゾメチル基である。Ｅ^１１及びＥ^１２は、それぞれ独立して、カルボニル基、メチレン基又は炭素数２から１２のアルキレン基である。Ｙ^１１、Ｙ^１２、Ｙ^１３及びＹ^１４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１から１２のアルキル基、又は－Ｊ^１３－Ｓｉ（ＯＡ^１０）_３－ｋ（Ｒ^１０）_ｋで表される基である。Ｊ^１１、Ｊ^１２及びＪ^１３は、それぞれ独立して、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、又は炭素数２から１２のアルキレン基の炭素－炭素結合間に酸素原子（－Ｏ－）を含む基である。Ｙ^１５は、－Ｒ^１５又は－ＯＡ^１５で表される基である。Ｙ^１６は、－Ｒ^１６又は－ＯＡ^１６で表される基である。Ａ^１０、Ａ^１５及びＡ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１から４のアルキル基、ベンジル基又は水素原子である。Ｒ^１０、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１から４のアルキル基又はベンジル基である。ｋは、０から２の整数である。Ｑ^１０は、水素原子又は式（１４）で表される有機基である。式（１１）及び（１２）において、Ｙ^１１とＹ^１２との少なくとも一方は、酸素原子を含む。式（１３）において、Ｙ^１５とＹ^１６との少なくとも一方は酸素原子を含む。式（１３）において、ベンゼン環に結合している基Ｘ^１１及びＸ^１２は、それぞれ独立して、パラ位又はメタ位に結合している。

【0041】

（化合物α１の合成方法）
化合物α１の合成方法は特に限定されないが、例えば、アルコキシシリル基と、アルコキシシリル基以外の反応性基ａとを有するシランカップリング剤Ａと、上記反応性基ａと結合反応可能な反応性基ｂと、ベンゼン環と、アジド基、アジドスルホニル基及びジアゾメチル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基とを有する化合物Ｂとを公知の方法により反応させることにより得ることができる。反応性基ａと反応性基ｂとの組み合わせとしては、イソシアネート基、エポキシ基、アミノ基等と、カルボキシ基との組み合わせ等が挙げられる。

【0042】

シランカップリング剤Ａとしては、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）アミン、ビス（３－トリメトキシシリルプロピル）アミン、ビス（３－アミノプロピル）ジエトキシシラン、ビス（３－アミノプロピル）ジメトキシシラン等が挙げられる。

【0043】

化合物Ｂとしては、アジド安息香酸、アジドスルホニル安息香酸、ジアゾメチル安息香酸、３－（４－アジドフェニル）プロピオン酸、これらのカルボン酸の塩化物、アジドアニリン、アジドフェノール等が挙げられる。

【0044】

（化合物α２）
化合物α２においては、通常、未反応のアルコキシシリル基が残存している。即ち、化合物α２も、第１官能基としてベンゼン環に直接結合したアジド基等を有し、第２官能基としてシラノール基又はアルコキシシリル基を有する化合物αの一例である。

【0045】

化合物α１を含む加水分解性シラン化合物を加水分解縮合して得られる化合物α２は、化合物α１に由来する構造単位Ａを有する。化合物α２は、構造が化合物α１を含む加水分解性シラン化合物を加水分解縮合して得られる化合物と同一であれば、他の合成方法により得られたものであってもよい。化合物α２は、シルセスキオキサン化合物であることが好ましい。化合物α２は、アルコキシシリル基及びヒドロキシシリル基の少なくとも一方を有することが好ましく、ヒドロキシシリル基を有することがより好ましい。

【0046】

構造単位Ａとしては、下記式（４）で表される構造単位が挙げられる。下記式（４）で表される構造単位は、ｍが３である式（１）で表される化合物α１に由来する構造単位である。

【0047】

【化4】

【0048】

式（４）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１は、式（１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１とそれぞれ同義である。ａは、０から２の整数である。
式（４）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１の具体例は、式（１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１の具体例と同様である。式（４）中のＲ^１は、反応性等の観点からはヒドロキシ基又はアルコキシ基であることが好ましく、ヒドロキシ基であることがより好ましい。ａは、１が好ましい。

【0049】

化合物α２における全構造単位に対する構造単位Ａの含有量の下限は、１０モル％が好ましく、２０モル％がより好ましく、３０モル％が更に好ましい。一方、この含有量の上限は、９０モル％が好ましく、８０モル％がより好ましく、７０モル％が更に好ましい。

【0050】

化合物α２は、アミノ基（－ＮＨ_２）を含む構造単位Ｂを有することが好ましい。化合物α２が構造単位Ｂを有する場合、化合物α２の水溶性が向上する等の利点がある。構造単位Ｂを与える加水分解性シラン化合物としては、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

【0051】

化合物α２における全構造単位に対する構造単位Ｂの含有量の下限は、１０モル％が好ましく、２０モル％がより好ましく、３０モル％が更に好ましい。一方、この含有量の上限は、９０モル％が好ましく、８０モル％がより好ましく、７０モル％が更に好ましい。

【0052】

化合物α２は、構造単位Ａ及び構造単位Ｂ以外の構造単位Ｃを有していてもよい。構造単位Ｃを与える加水分解性シラン化合物としては、下記式（Ｃ）で表される化合物が挙げられる。

【0053】

【化5】

【0054】

式（Ｃ）中、Ｒ^ｄは、水素原子、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数２から１０のアルケニル基、炭素数６から１５のアリール基、又は反応性基を有する有機基であり、複数のＲ^ｄはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ^ｅは、水素原子、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数２から６のアシル基、又は炭素数６から１５のアリール基であり、複数のＲ^ｅはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ｘは０から３の整数を表す。また、これらのアルキル基、アルケニル基、アリール基はいずれも無置換体及び置換体のどちらでもよく、特性に応じて選択できる。

【0055】

Ｒ^ｄ及びＲ^ｅで表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－デシル基、トリフルオロメチル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、３－グリシドキシプロピル基、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル基、〔（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ〕プロピル基、３－メルカプトプロピル基、３－イソシアネートプロピル基等が挙げられる。Ｒ^ｄで表されるアルケニル基の具体例としては、ビニル基、３－アクリロキシプロピル基、３－メタクリロキシプロピル基等が挙げられる。Ｒ^ｄ及びＲ^ｅで表されるアリール基の具体例としては、フェニル基、トリル基、ｐ－ヒドロキシフェニル基、ｐ－メトキシフェニル基、１－（ｐ－ヒドロキシフェニル）エチル基、２－（ｐ－ヒドロキシフェニル）エチル基、４－ヒドロキシ－５－（ｐ－ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチル基、ナフチル基等が挙げられる。Ｒ^ｄで表される反応性基を有する有機基としては、イソシアネート基、イソシアヌレート構造とアルコキシシリル基とを有する基等が挙げられる。Ｒ^ｄで表される反応性基を有する有機基の炭素数としては、１以上４０以下が好ましい。Ｒ^ｅで表されるアシル基の具体例としては、アセチル基が挙げられる。

【0056】

式（Ｃ）において、ｘ＝０の場合は４官能性シラン、ｘ＝１の場合は３官能性シラン、ｘ＝２の場合は２官能性シラン、ｘ＝３の場合は１官能性シランである。
式（Ｃ）で表される加水分解性シラン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラフェノキシシラン等の４官能性シラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリｎ－ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリｎ－ブトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、ｎ－ブチルトリメトキシシラン、ｎ－ブチルトリエトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｐ－ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、ｐ－メトキシフェニルトリメトキシシラン、１－（ｐ－ヒドロキシフェニル）エチルトリメトキシシラン、２－（ｐ－ヒドロキシフェニル）エチルトリメトキシシラン、４－ヒドロキシ－５－（ｐ－ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリメトキシシラン、１－ナフチルトリメトキシシラン、２－ナフチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、〔（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ〕プロピルトリメトキシシラン、〔（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ〕プロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－トリメトキシシリルプロピルコハク酸等の３官能性シラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジｎ－ブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、（３－グリシドキシプロピル）メチルジメトキシシラン、（３－グリシドキシプロピル）メチルジエトキシシラン等の２官能性シラン、トリメチルメトキシシラン、トリｎ－ブチルエトキシシラン、（３－グリシドキシプロピル）ジメチルメトキシシラン、（３－グリシドキシプロピル）ジメチルエトキシシラン等の１官能性シランが挙げられる。

【0057】

また、式（Ｃ）で表される加水分解性シラン化合物には、１，３，５－トリス［３－（トリメトキシシリル）プロピル］イソシアヌレート等、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を５個以上有する化合物も含まれる。

【0058】

加水分解性シラン化合物は、１種を単独で使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
化合物α２の重量平均分子量（Ｍｗ）は特に制限されないが、好ましくはＧＰＣ（ゲルパーミネーションクロマトグラフィ）で測定されるポリスチレン換算で１，０００以上１００，０００以下、更に好ましくは２，０００以上５０，０００以下である。

【0059】

（化合物α２の合成方法）
化合物α２は、（ｉ）化合物α１を含む加水分解性シラン化合物を加水分解縮合して得る方法、（ｉｉ）加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であって、構造単位Ｂを有する化合物に対して、「アミノ基と結合反応可能な反応性基と、ベンゼン環と、アジド基、アジドスルホニル基及びジアゾメチル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基とを有する化合物Ｘ」（アジド安息香酸、アジドスルホニル安息香酸、ジアゾメチル安息香酸等）を反応させて得る方法等が挙げられる。上記（ｉｉ）においては、構造単位Ｂ中のアミノ基が化合物Ｘと反応することにより、構造単位Ａが形成される。

【0060】

化合物α２を得るための加水分解縮合には、一般的な方法を用いることができる。例えば、加水分解性シラン化合物に溶媒、水、必要に応じて触媒を添加し、３０から１５０℃で０．５から１００時間程度加熱撹拌する。尚、撹拌中、必要に応じて、蒸留によって加水分解副生物（メタノール等のアルコール）及び縮合副生物（水）等の留去を行ってもよい。

【0061】

必要に応じて添加される触媒に特に制限はないが、酸触媒及び塩基触媒が好ましく用いられる。酸触媒の具体例としては塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、多価カルボン酸又はその無水物、イオン交換樹脂等が挙げられる。塩基触媒の具体例としては、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、ジエチルアミン、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミノ基を有するアルコキシシラン、イオン交換樹脂等が挙げられる。触媒の添加量は、加水分解性シラン化合物１００質量部に対して０．０１から１０質量部が好ましい。

【0062】

化合物α２を含む溶液の貯蔵安定性の観点から、加水分解縮合後の溶液には触媒が含まれないことが好ましく、必要に応じて触媒の除去を行うことができる。除去方法としては特に制限は無いが、好ましくは水洗浄又はイオン交換樹脂の処理が挙げられる。水洗浄とは、溶液を適当な疎水性溶剤で希釈した後、水で数回洗浄して得られた有機層をエバポレーターで濃縮する方法である。イオン交換樹脂での処理とは、溶液を適当なイオン交換樹脂に接触させる方法である。

【0063】

加水分解縮合の反応に用いる溶媒は特に制限はないが、好ましくはアルコール性水酸基を有する化合物が用いられる。アルコール性水酸基を有する化合物は特に制限されないが、好ましくは大気圧下の沸点が１１０から２５０℃である化合物である。

【0064】

アルコール性水酸基を有する化合物の具体例としては、アセトール、３－ヒドロキシ－３－メチル－２－ブタノン、４－ヒドロキシ－３－メチル－２－ブタノン、５－ヒドロキシ－２－ペンタノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン（ジアセトンアルコール）、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノｎ－プロピルエーテル、プロピレングリコールモノｎ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノｔ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、３－メトキシ－１－ブタノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール等が挙げられる。尚、これらのアルコール性水酸基を有する化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0065】

また、溶媒としては、アルコール性水酸基を有する化合物と共にその他の溶媒を用いてもよい。その他の溶媒としては、酢酸エチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－１－ブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシ－１－ブチルアセテート、アセト酢酸エチル等のエステル類、メチルイソブチルケトン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトン、アセチルアセトン等のケトン類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ－ブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、等のエーテル類、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、δ－バレロラクトン、炭酸プロピレン、Ｎ－メチルピロリドン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。

【0066】

化合物α１及び化合物α２としては、より具体的には下記式（１５）、（１６）、（１７）、（１８ａ）、（１８ｂ）、（１８ｃ）又は（１９）で表される化合物を挙げることができる。式（１５）、（１６）、（１７）、（１８ａ）、（１８ｂ）又は（１８ｃ）で表される化合物は、化合物α１の具体例である。式（１９）で表される化合物は、化合物α２の具体例である。式（１５）、（１６）及び（１７）中、Ｅｔはエチル基を表す。

【0067】

【化6】

【0068】

【化7】

【0069】

式（１９）で表される化合物は、式（１９）中に示された３種類の構造単位が、それぞれ１個、ｍ個、ｎ個結合して構成されるシルセスキオキサン化合物であり、Ｘはアジド基であり、１は０以上の任意の整数、ｍは１以上の任意の整数、ｎは０以上の任意の整数である。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は－Ｏ－である。Ｒ^ｆは、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数２以上１０以下のアルケニル基、炭素数６以上１５以下のアリール基、又は反応性基を有する有機基であり、複数のＲ^ｆはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。これらのアルキル基、アルケニル基、アリール基はいずれも無置換体及び置換体のどちらでもよく、特性に応じて選択できる。式（１９）で表される化合物（「ＩＭＢ－４ＫＰ」）は、例えば、１：ｍ：ｎ＝１：１：０の場合には水溶性である。一般に、この化合物は、比１／（ｍ＋ｎ）の値が０に近い場合（例えば、０．２未満又は０．１未満）を除いて水溶性である。すなわち、比１／（ｍ＋ｎ）の値の下限は、水溶性の観点から、０．２が好ましく、０．５がより好ましく、１が更に好ましい。比１／（ｍ＋ｎ）の値の上限は、５が好ましく、２がより好ましい。

【0070】

化合物αの他の形態としては、下記式（５）で表される化合物α３、及び、化合物α３を含む加水分解性シラン化合物を加水分解縮合して得られる化合物α４、が挙げられる。
（化合物α３）
化合物α３は、下記式（５）で表される化合物である。

【0071】

【化8】

【0072】

式（５）中、Ｘ^２１は、第１官能基である。Ｘ^２２は、第１官能基又は－Ｎ（Ｒ^２１）_２で表される基である。複数のＲ^２１は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１以上２４以下の炭化水素基、又は－Ｒ^２２－Ｓｉ（ＯＲ^２３）_３－ｐ（Ｒ^２４）_ｐで表される基である。Ｒ^２２は、メチレン基又は炭素数２以上１２以下のアルキレン基である。Ｒ^２３は、水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基である。Ｒ^２４は、炭素数１以上４以下のアルキル基である。ｐは、０以上２以下の整数である。但し、式（５）で表される化合物が有する複数のＲ^２１のうちの少なくとも一つは、－Ｒ^２２－Ｓｉ（ＯＲ^２３）_３－ｐ（Ｒ^２４）_ｐで表される基である。

【0073】

Ｘ^２１又はＸ^２２で表される第１官能基としては、アミノ基、チオール基、アジド基、アジドスルホニル基又はジアゾメチル基が好ましく、アジド基、アジドスルホニル基又はジアゾメチル基がより好ましく、アジド基が更に好ましい。

【0074】

Ｘ^２２は、第１官能基であることが好ましい。
化合物α３としては、例えば（株）いおう化学研究所製のｎ－ＴＥＳ、Ｐ－ＴＥＳ、Ａ－ＴＥＳ等を用いることができる。

【0075】

化合物α３の具体例としては、２，４－ジアジド－６－（３－トリエトキシシリルプロピル）アミノ－１，３，５－トリアジン（以下、「ＩＭＢ－Ｐ」と呼ぶ）、２，４－ジアジド－６－（４－トリエトキシシリルブチル）アミノ－１，３，５－トリアジン、６－（３－トリエトキシシリルプロピル）アミノ－１，３，５－トリアジン－２，４－ジチオール、２，４－ジアミノ－６－（３－トリエトキシシリルプロピル）アミノ－１，３，５－トリアジン等が挙げられる。

【0076】

（化合物α４）
化合物α４は、化合物α３を含む加水分解性シラン化合物を加水分解縮合して得られる化合物である。化合物α４は、化合物α１に替えて化合物α３が用いられていること以外は化合物α２と同様の加水分解縮合物である。

【0077】

化合物αは、１種又は２種以上を用いることができる。
化合物αを含む接合材は、通常、化合物αと溶媒とを含む溶液である。溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン等の脂肪族炭化水素、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル等のエステル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エチルブチルエーテル、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等のエーテル、水等を用いることができる。また、加水分解縮合に用いられる溶媒として例示した溶媒も用いることができる。これらの中でも、アルコール、エーテル及び水が好ましい。溶媒は、１種又は２種以上を混合して用いることができる。

【0078】

接合材（化合物αを含む溶液）における化合物αの濃度としては、０．０５質量％以上５質量％以下が好ましい。化合物αの濃度を上記範囲とすることで、適度な厚さの化合物αを含む接合層３０を効果的に形成すること等ができるため、導体部１２と導体部２２との結合性（接着性）を高めることができる。

【0079】

接合材は、化合物α及び溶媒以外の他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、化合物αを合成したときの未反応物、副反応生成物、界面活性剤等を挙げることができる。但し、当該接合材における全固形分（溶媒以外の全成分）に対する化合物αの含有量としては、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましい。当該接合材における全固形分に対する化合物αの含有量は１００質量％であってもよい。

【0080】

接合材を基材の表面に塗布する方法としては、従来公知のコーティング方法、例えば、インクジェット方式、グラビアコート方式、キスコート方式、ダイコート方式、リップコート方式、コンマコート方式、ブレードコート方式、ロールコート方式、ナイフコート方式、スプレーコート方式、バーコート方式、スピンコート方式、ディップコート方式等が挙げられる。ディップコート方式を用いた場合の浸漬時間としては、例えば３秒以上６０秒以下が好ましい。

【0081】

上記接合層は接合層を加熱する工程、加圧する工程、紫外線照射する工程、プラズマ照射する工程から選ばれる少なくとも一種、若しくは組み合わせることでより強固な接合性を発現できる。

【0082】

図１（Ｂ）に示すように、接合層３０には、複数の官能基を有するオリゴマー、即ち、上記のようなアジド基及びアルコキシル基といった２種類の官能基３１及び官能基３２を有するオリゴマーが用いられる。接合層３０が導体部１２と導体部２２との間に設けられた際には、そのオリゴマーが有する２種類の官能基３１及び官能基３２が導体部１２及び導体部２２の互いの対向面に化学結合される。接合層３０では、ポリマーに比べて主鎖３３の分子鎖長が短いオリゴマーの官能基３１及び官能基３２の化学結合によって導体部１２と導体部２２とを接合することができるため、導体部１２と導体部２２とを接合するための接合層３０をｎｍオーダーといった薄い膜厚Ｔ１とすることができる。接合層３０によれば、それをｎｍオーダーといった薄い膜厚Ｔ１としても、導体部１２と導体部２２とを強固に接合することができる。そして、導体部１２と導体部２２との接合を、このような薄い膜厚Ｔ１の接合層３０を用いて実現することができるため、接合層３０が介在されても、導体部１２と導体部２２との間の電気接続２を確保することができる。

【0083】

接合層３０は、例えば、導体部１２と導体部２２との間の膜厚Ｔ１が０．１ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下の範囲となるように、導体部１２と導体部２２との間に設けられる。接合層３０の膜厚Ｔ１が０．１ｎｍを下回ると、導体部１２と導体部２２とを十分な接合強度で接合できなくなることが生じる恐れがある。接合層３０の膜厚Ｔ１が３０．０ｎｍを上回ると、導体部１２と導体部２２との電気的な接続が実現されなくなることが生じる恐れがある。このような観点から、接合層３０の膜厚Ｔ１は、０．１ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下の範囲とすることが好ましい。

【0084】

尚、導体部１２と導体部２２との間に設けられる接合層３０には、接合層３０の仕様或いは接合層３０が用いられる電子装置１及び製造プロセスの仕様に応じて、上記のような主鎖３３に２種類の官能基３１及び官能基３２が結合したオリゴマーのほか、溶剤、硬化剤、粘度調整剤等、他の成分が含有されてもよい。

【0085】

続いて、電子装置１における電子部品１０の導体部１２及び電子部品２０の導体部２２の、接合層３０による接合形態の例について説明する。電子装置１の接合形態としては、例えば、次の図２に示すようなものが挙げられる。

【0086】

図２は第１実施形態に係る電子装置の接合形態の例について説明する図である。図２（Ａ）から図２（Ｄ）にはそれぞれ、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。
一例として、電子装置１の電子部品１０及び電子部品２０にそれぞれ、半導体チップ、半導体パッケージ、回路基板といった電子部品が用いられる場合、電子装置１には、図２（Ａ）から図２（Ｄ）に示すような接合形態が採用され得る。

【0087】

図２（Ａ）には、本体１１に設けられる導体部１２としてピラー電極を有する電子部品１０と、本体２１に設けられる導体部２２としてピラー電極を有する電子部品２０とを含む電子装置１を例示している。導体部１２のピラー電極と、導体部２２のピラー電極とが、上記のような接合層３０で接合され、且つ、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0088】

図２（Ｂ）には、本体１１に設けられる導体部１２としてパッド電極を有する電子部品１０と、本体２１に設けられる導体部２２としてピラー電極を有する電子部品２０とを含む電子装置１を例示している。導体部１２のパッド電極と、導体部２２のピラー電極とが、上記のような接合層３０で接合され、且つ、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0089】

図２（Ｃ）には、本体１１に設けられる導体部１２としてパッド電極を有する電子部品１０と、本体２１に設けられる導体部２２としてパッド電極を有する電子部品２０とを含む電子装置１を例示している。導体部１２のパッド電極と、導体部２２のパッド電極とが、上記のような接合層３０で接合され、且つ、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0090】

図２（Ｄ）には、本体１１に設けられる導体部１２としてプレーナ電極を有する電子部品１０と、本体２１に設けられる導体部２２としてプレーナ電極を有する電子部品２０とを含む電子装置１を例示している。導体部１２のプレーナ電極と、導体部２２のプレーナ電極とが、上記のような接合層３０で接合され、且つ、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0091】

尚、図２（Ａ）から図２（Ｄ）にそれぞれ示した電子部品１０と電子部品２０との接合形態は、接合形態の一例である。電子部品１０と電子部品２０との接合形態は、図２（Ａ）から図２（Ｄ）に示したようなものには限定されない。電子部品１０と電子部品２０とは、各々の構成に従い、それらの導体部１２と導体部２２とが対向され、接合層３０で接合されて、電気的に接続される。

【0092】

続いて、電子装置１における電子部品１０の導体部１２及び電子部品２０の導体部２２の、表面形状の例について説明する。
図３は第１実施形態に係る電子装置における電子部品導体部の表面形状の例について説明する図である。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0093】

電子装置１では、電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２とが接合層３０で接合される。導体部１２及び導体部２２は、例えば、上記図１（Ａ）に示したように、接合層３０が設けられる各々の表面１２ａ及び表面２２ａが、平坦面とされる。このほか、導体部１２及び導体部２２は、図３（Ａ）に示すように、接合層３０が設けられる各々の表面１２ａ及び表面２２ａが、凹凸を有する面とされてもよい。

【0094】

電子装置１では、導体部１２と導体部２２とが接合層３０で接合される。そのため、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａは、必ずしもそれらを直接接合する場合のような高い平坦性を有していることを要しない。凹凸を有する表面１２ａと表面２２ａとの間の隙間を埋めるように設けられる接合層３０によって、導体部１２と導体部２２とが接合される。このように、表面１２ａ及び表面２２ａが凹凸を有する構成であっても、上記のような接合層３０が用いられることで、導体部１２と導体部２２とが強固に接合される。

【0095】

表面１２ａに凹凸を有する導体部１２と、表面２２ａに凹凸を有する導体部２２とが、接合層３０で接合される場合において、導体部１２と導体部２２とは、接合層３０によって互いに隔離されてもよいし、図３（Ａ）に示すように、互いの一部同士が接触してもよい。導体部１２と導体部２２とが、互いの一部同士が接触した状態で接合される場合には、互いに隔離された状態で接合される場合に比べて、導体部１２と導体部２２との間の電気抵抗が低減されることが期待される。

【0096】

尚、図３（Ａ）には、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａの両方が凹凸を有する例を示したが、表面１２ａ及び表面２２ａのうちいずれか一方のみが凹凸を有する構成とされてもよい。

【0097】

電子部品１０において、導体部１２の表面１２ａの凹凸は、本体１１への導体部１２の形成に伴って不可避的に形成されるものであってもよいし、導体部１２の形成時又は形成後に行われる粗化処理（めっき処理やエッチング処理等）によって意図的に形成されるものであってもよい。同様に、電子部品２０において、導体部２２の表面２２ａの凹凸は、本体２１への導体部２２の形成に伴って不可避的に形成されるものであってもよいし、導体部２２の形成時又は形成後に行われる粗化処理（めっき処理やエッチング処理等）によって意図的に形成されるものであってもよい。

【0098】

また、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａの少なくともいずれか一方には、所定の形状となるようにパターニングされた凹凸が設けられてもよい。一例として、図３（Ｂ）には、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａのうち、一方の導体部２２の表面２２ａに、パターニングにより凹部２２ｂ及び凸部２２ｃが形成された構成例を示す。導体部２２の凹部２２ｂを接合層３０が設けられる領域として利用すると共に、導体部２２の凸部２２ｃを導体部１２に接触させる領域として利用することで、導体部１２と導体部２２との接合層３０による強固な接合、及び、導体部１２と導体部２２との接触による電気抵抗の低減が図られる。

【0099】

続いて、電子装置１の製造方法について説明する。
図４は第１実施形態に係る電子装置の製造方法の例について説明する図である。図４（Ａ）には、電子部品準備工程の一例の要部断面図を模式的に示している。図４（Ｂ）には、接合層配置工程の一例の要部断面図を模式的に示している。図４（Ｃ）には、電子部品接合工程の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0100】

電子装置１の製造では、まず、図４（Ａ）に示すような電子部品１０及び電子部品２０が準備される。電子部品１０は、本体１１及び導体部１２を有する。電子部品２０は、本体２１及び導体部２２を有する。

【0101】

電子部品１０及び電子部品２０が、半導体チップ、半導体パッケージ、回路基板、チップ部品（積層セラミックコンデンサ、固体電池等）といった電子部品である場合、導体部１２及び導体部２２は、当該電子部品の電極（ピラー電極、パッド電極、外部電極等）である。電子部品１０及び電子部品２０が、リードフレーム、クリップ等の導電部材（電子部品）である場合、導体部１２及び導体部２２は、当該導電部材の一部（他部が本体）である。電子部品１０及び電子部品２０は、互いに同種の電子部品であってもよいし、互いに異種の電子部品であってもよい。導体部１２及び導体部２２は、互いに同種の導体材料であってもよいし、互いに異種の導体材料であってもよい。

【0102】

電子部品１０及び電子部品２０の準備後、例えば、図４（Ｂ）に示すように、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａに、未硬化状態の接合層３０、即ち、接合層３０を形成する接合材（化合物αを含む接合材）が配置される。例えば、液状の接合層３０（接合材）が、スプレー、ディップ、印刷、滴下等の手法が用いられて、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａに塗布され、配置される。電子部品１０の導体部１２の表面１２ａに配置される未硬化の接合層３０の膜厚は、例えば、導体部１２の表面１２ａの形状（表面平坦度、表面粗さ、表面凹凸の有無等）、硬化後に得られる接合層３０、即ち、接合材により形成される接合層３０の膜厚等に基づいて設定される。

【0103】

ここで、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａに接合層３０が配置される際には、電子部品１０及び接合層３０を取り扱う雰囲気が調整されてもよい。例えば、非酸化性雰囲気で電子部品１０及び接合層３０を取り扱うようにすると、導体部１２の表面酸化を抑えたり、接合層３０の変質や劣化を抑えたりすることが可能になる。尚、このような導体部１２の表面酸化、接合層３０の変質や劣化が、生じないか或いは生じ難い場合には、電子部品１０及び接合層３０を、大気中等の雰囲気で取り扱うようにすることもできる。また、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａに接合層３０が配置される際には、温度が調整されてもよい。電子部品１０及び接合層３０の取り扱いは、常温で行うことができるほか、導体部１２の表面酸化、接合層３０の変質や劣化が、より一層抑えられるような温度で行うこともできる。

【0104】

接合層３０の配置後、例えば、図４（Ｃ）に示すように、接合層３０が配置された電子部品１０と対向するように、電子部品２０が配置される。電子部品２０は、その導体部２２が、電子部品１０の導体部１２と、接合層３０を介して対向するように、配置される。そして、電子部品２０の導体部２２の表面２２ａが接合層３０に接触され、接合層３０が硬化されて、導体部２２と導体部１２とが接合層３０で接合される。

【0105】

ここで、電子部品２０の導体部２２の表面２２ａが接合層３０に接触される際には、電子部品２０並びに接合層３０が設けられた電子部品１０を取り扱う雰囲気及び温度が、導体部２２等の表面酸化、接合層３０の変質や劣化が抑えられるような雰囲気及び温度に調整されてもよい。また、電子部品２０の導体部２２の表面２２ａが接合層３０に接触される際、電子部品２０は、対向する電子部品１０側に加圧されてもよい。この加圧により、導体部１２と導体部２２とを接合する接合層３０の膜厚が調整されてもよい。

【0106】

電子部品１０の導体部１２の表面１２ａに配置され、電子部品２０の導体部２２の表面２２ａが接触された接合層３０は、例えば、所定の雰囲気中、常温で又は加熱により硬化される。接合層３０の硬化温度は、その組成に基づき、常温から２００℃程度の範囲、例えば、１５０℃から２００℃の範囲に設定される。このほか、接合層３０は、紫外線等の光により硬化される組成とされてもよい。接合層３０の膜厚が、ｎｍオーダーといった薄い膜厚に設定されることで、接合層３０の硬化時に生じるアウトガス量が抑えられる。

【0107】

例えば、以上のような工程により、上記図１（Ａ）に示したような構成を有する電子装置１、即ち、電子部品２０の導体部２２と電子部品１０の導体部１２とが、硬化状態の接合層３０（接合材により形成される接合層３０）によって接合された、電子装置１が得られる。

【0108】

尚、図４（Ａ）から図４（Ｃ）には、電子部品１０及び電子部品２０のうち、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａに接合層３０を配置し、これに電子部品２０の導体部２２の表面２２ａを接触させ、接合する例を示した。このほか、電子部品２０の導体部２２の表面２２ａに接合層３０を配置し、その接合層３０を、接合層３０を配置していない電子部品１０の導体部１２に接触させ、接合するようにしてもよい。或いは、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａに接合層３０を配置し、且つ、電子部品２０の導体部２２の表面２２ａに接合層３０を配置して、互いの接合層３０同士を接触させ、接合するようにすることもできる。

【0109】

また、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａ及び電子部品２０の導体部２２の表面２２ａは、接合層３０による接合前に、平坦化されてもよい。一例として、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａに対し、研磨処理を行い、表面１２ａ及び表面２２ａを平坦化する。例えば、導体部１２及び導体部２２は、それらの表面１２ａ及び表面２２ａの凹凸が、硬化後に得られる接合層３０の膜厚よりも小さくなるように、平坦化される。これにより、導体部１２と導体部２２とを、接合層３０によって隔離した状態で、接合層３０のみによって、接合することが可能になる。

【0110】

また、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａ及び電子部品２０の導体部２２の表面２２ａは、接合層３０による接合前に、不可避的に或いは意図的に粗化されていてもよい（図３（Ｂ））。これにより、導体部１２と導体部２２とを、一部では接触させ、他部では隔離させた状態で、接合層３０によって接合し、電気抵抗の低減と強固な接合とを図ることが可能になる。

【0111】

また、電子部品１０の導体部１２の表面１２ａ及び電子部品２０の導体部２２の表面２２ａ（平坦化された或いは粗化された表面１２ａ及び表面２２ａ）は、接合層３０による接合前に、活性化されてもよい。一例として、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａに対し、コロナ処理やプラズマ処理を行い、表面１２ａ及び表面２２ａの酸化膜や不純物を除去し、表面エネルギーの高い高活性な清浄表面を得る。これにより、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａと接合層３０との結合力を高めたり、接合層３０を介して電気的に接続される導体部１２と導体部２２との間の電気抵抗を低減したりすることが可能になる。

【0112】

但し、上記の通り、電子装置１では、電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２とが接合層３０で接合される。そのため、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａは、必ずしもそれらを直接接合する場合のような高い平坦性を有していることを要しない。更に、導体部１２の表面１２ａ及び導体部２２の表面２２ａは、必ずしもそれらを直接接合する場合のような高い活性又は清浄性を有していることを要しない。導体部１２及び導体部２２に用いられる導体材料の種類、それらの間に要求される接合強度及び電気抵抗等に基づき、表面平坦化処理、表面粗化処理、表面活性化処理を行うか否かを選択することができる。

【0113】

上記の通り、電子装置１では、電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２との接合に、室温から２００℃程度といった比較的低温で硬化、接合が可能な接合層３０が用いられる。そのため、接合層３０を用いた接合では、導体部１２と導体部２２とを直接接合する場合や、半田や焼結材を用いて接合（ろう接）する場合のような、比較的高い接合温度とすることを要しない。接合層３０を用いた接合では、比較的低い接合温度とすることができるため、電子部品１０及び電子部品２０、或いは、電子装置１に含まれる他の電子部品に対する、熱的なプロセス負荷を抑えることができる。更に、接合層３０を用いた接合では、導体部１２と導体部２２とを直接接合する場合のような高い真空環境、高い加圧力を要しない。そのため、接合時の雰囲気や加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。

【0114】

電子装置１では、電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２とを低プロセス負荷で接合することができるため、接合時のプロセスが煩雑になることを抑えたり、接合時のプロセス負荷に起因した電子部品１０及び電子部品２０或いは電子装置１に含まれる他の電子部品の機械的損傷や性能劣化を抑えたりすることができる。

【0115】

上記のような接合層３０によれば、電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２とが低プロセス負荷で接合される電子装置１が実現される。そして、電子部品１０の導体部１２と電子部品２０の導体部２２とが接合層３０で強固に接合され、接合層３０を介して導体部１２と導体部２２とが電気的に接続される電子装置１が実現される。

【0116】

ここで、一例として、金－金接合について評価した結果について述べる。評価のため、シリコン（Ｓｉ）ウェハに金を成膜したものを複数準備した。試料の１つとして、一対のシリコンウェハの金同士を、表面研磨処理を行うことなく、直接接合したものを準備した。また、試料の別の１つとして、一対のシリコンウェハの金同士を、表面研磨処理を行うことなく、膜厚３ｎｍの接合層３０で接合したものを準備した。また、試料の更に別の１つとして、一対のシリコンウェハの金同士を、表面研磨処理を行うことなく、膜厚１２ｎｍの接合層３０で接合したものを準備した。また、比較のため、シリコンウェハ同士を膜厚３ｎｍの接合層３０で接合したもの、及び、シリコンウェハ同士を膜厚１２ｎｍの接合層３０で接合したものを準備した。

【0117】

金同士を接合層３０で接合した試料と、シリコンウェハ同士を接合層３０で接合した試料とについて、引き剥がしを行った。その結果、接合層３０の膜厚が３ｎｍ及び１２ｎｍのいずれの場合も、金同士を接合層３０で接合した試料では、シリコンウェハ同士を接合層３０で接合した試料に比べて、高い接合強度が得られることが確認された。

【0118】

また、金同士を接合層３０で接合した試料と、金同士を直接接合した試料とについて、電気抵抗を測定した。その結果、金単体の電気抵抗２．０７Ωに対し、金同士を膜厚３ｎｍの接合層３０で接合した試料の金－金間電気抵抗は１．９１Ω、金同士を膜厚１２ｎｍの接合層３０で接合した試料の金－金間電気抵抗は２．１６Ω、金同士を直接接合した試料の金－金間電気抵抗は２．８２Ωであった。金同士を膜厚３ｎｍ及び１２ｎｍの接合層３０で接合した試料では、金単体や金同士を直接接合した試料の電気抵抗と同等又はそれよりも低い電気抵抗が得られることが確認された。

【0119】

以下、上記のような接合層３０を適用した電子装置の例を、第２から第９実施形態として説明する。
［第２実施形態］
図５は第２実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0120】

図５（Ａ）に示す電子装置１００Ａは、回路基板１１０と、回路基板１１０に実装された半導体装置１２０とを含む。
回路基板１１０には、プリント基板等の各種回路基板が用いられる。回路基板１１０は、本体１１１と、本体１１１の一方の面側（半導体装置１２０と対向する面側）に設けられた電極１１２とを有する。電極１１２には、銅、金等の金属材料が用いられる。

【0121】

ここでは図示を省略するが、回路基板１１０の本体１１１には、銅等の金属材料が用いられた配線層が設けられる。回路基板１１０の電極１１２は、回路基板１１０の本体１１１に設けられる配線層と接続される。回路基板１１０の電極１１２は、半導体装置１２０の電極１２２と対応する位置に設けられる。回路基板１１０の電極１１２は、例えば、パッド電極である。このほか、回路基板１１０の電極１１２は、本体１１１から所定の高さで突出したピラー電極であってもよい。

【0122】

回路基板１１０に実装される半導体装置１２０には、例えば、半導体チップが用いられる。このほか、半導体装置１２０には、回路基板とそれに実装された半導体チップとを含む半導体パッケージが用いられてもよい。半導体装置１２０は、本体１２１と、本体１２１の一方の面側（回路基板１１０と対向する面側）に設けられた電極１２２とを有する。電極１２２には、銅、金等の金属材料が用いられる。

【0123】

半導体装置１２０の本体１２１は、スイッチング機能を有するトランジスタ素子を含んでもよく、トランジスタ素子群が集積された集積回路を含んでもよい。半導体装置１２０の本体１２１は、プロセッサ機能を有する集積回路を含んでもよく、或いは、メモリ機能を有する集積回路を含んでもよい。このほか、半導体装置１２０の本体１２１は、受光機能、発光機能又は受発光機能を有する光素子を含んでもよい。半導体装置１２０の本体１２１は、圧力等のセンシング機能を有するＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical Systems）センサ素子を含んでもよい。

【0124】

半導体装置１２０の電極１２２は、半導体装置１２０の本体１２１に含まれる素子又は集積回路と接続される。半導体装置１２０の電極１２２は、回路基板１１０の電極１１２と対応する位置に設けられる。半導体装置１２０の電極１２２は、例えば、パッド電極である。このほか、半導体装置１２０の電極１２２は、本体１２１から所定の高さで突出したピラー電極であってもよい。

【0125】

図５（Ａ）に示すように、電子装置１００Ａでは、回路基板１１０の電極１１２と、半導体装置１２０の電極１２２とが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極１１２と電極１２２との間にｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極１１２と電極１２２とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0126】

電子装置１００Ａにおいて、回路基板１１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極１１２は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置１２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極１２２は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0127】

接合層３０を用いた電極１１２と電極１２２との接合では、それらをろう接する場合や直接接合する場合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極１１２と電極１２２とを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極１１２と電極１２２とを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0128】

また、図５（Ｂ）に示す電子装置１００Ｂは、回路基板１３０と、回路基板１３０に実装された複数の半導体装置、ここでは一例として３つの半導体装置１４０（下層）、半導体装置１５０（中層）及び半導体装置１６０（上層）とを含む。

【0129】

回路基板１３０には、プリント基板等の各種回路基板が用いられる。回路基板１３０は、本体１３１と、本体１３１の一方の面側に設けられたパッド電極等の電極１３２とを有する。回路基板１３０の電極１３２には、銅、金等の金属材料が用いられる。回路基板１３０の電極１３２は、本体１３１に設けられる配線層（図示せず）と接続される。回路基板１３０の電極１３２は、半導体装置１４０の電極１４２ａと対応する位置に設けられる。

【0130】

下層の半導体装置１４０には、例えば、半導体チップ又は半導体パッケージが用いられる。半導体装置１４０は、各種素子又は集積回路を含む本体１４１と、本体１４１の一方の面側に設けられて本体１４１の素子又は集積回路と接続されるパッド電極等の電極１４２ａとを有する。半導体装置１４０の電極１４２ａは、回路基板１３０の電極１３２と対応する位置に設けられる。半導体装置１４０は更に、本体１４１の他方の面側に設けられるパッド電極等の電極１４２ｂを有する。電極１４２ｂは、例えば、本体１４１を貫通する貫通電極１４３を介して反対面側の電極１４２ａと電気的に接続されるか、或いは、当該電極１４２ａと接続される本体１４１の素子又は集積回路と電気的に接続される。半導体装置１４０の電極１４２ａ、電極１４２ｂ及び貫通電極１４３には、銅、金等の金属材料が用いられる。

【0131】

中層の半導体装置１５０には、例えば、半導体チップ又は半導体パッケージが用いられる。半導体装置１５０は、各種素子又は集積回路を含む本体１５１と、本体１５１の一方の面側に設けられて本体１５１の素子又は集積回路と接続されるパッド電極等の電極１５２ａとを有する。半導体装置１５０の電極１５２ａは、半導体装置１４０の電極１４２ｂと対応する位置に設けられる。半導体装置１５０は更に、本体１５１の他方の面側に設けられるパッド電極等の電極１５２ｂを有する。電極１５２ｂは、例えば、本体１５１を貫通する貫通電極１５３を介して反対面側の電極１５２ａと電気的に接続されるか、或いは、当該電極１５２ａと接続される本体１５１の素子又は集積回路と電気的に接続される。半導体装置１５０の電極１５２ａ、電極１５２ｂ及び貫通電極１５３には、銅、金等の金属材料が用いられる。

【0132】

上層の半導体装置１６０には、例えば、半導体チップ又は半導体パッケージが用いられる。半導体装置１６０は、各種素子又は集積回路を含む本体１６１と、本体１６１の一方の面側に設けられて本体１６１の素子又は集積回路と接続されるパッド電極等の電極１６２とを有する。半導体装置１６０の電極１６２は、半導体装置１５０の電極１５２ｂと対応する位置に設けられる。半導体装置１６０の電極１６２には、銅、金等の金属材料が用いられる。

【0133】

半導体装置１４０、半導体装置１５０及び半導体装置１６０は、互いに同種の素子又は集積回路を含むものであってもよいし、互いに異種の素子又は集積回路を含むものであってもよい。また、半導体装置１４０、半導体装置１５０及び半導体装置１６０のうち、下層の半導体装置１４０及び中層の半導体装置１５０の一方又は双方には、半導体チップや半導体パッケージに代えて、プリント基板やインターポーザ基板等の回路基板（中継基板）が用いられてもよい。

【0134】

図５（Ｂ）に示すように、電子装置１００Ｂでは、回路基板１３０の電極１３２と、半導体装置１４０の電極１４２ａとが、上記のような接合層３０を用いて接合される。半導体装置１４０の電極１４２ｂと、半導体装置１５０の電極１５２ａとが、上記のような接合層３０を用いて接合される。半導体装置１５０の電極１５２ｂと、半導体装置１６０の電極１６２とが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極１３２と電極１４２ａとの間、電極１４２ｂと電極１５２ａとの間、及び、電極１５２ｂと電極１６２との間に、それぞれｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられる。電極１３２と電極１４２ａ、電極１４２ｂと電極１５２ａ、及び、電極１５２ｂと電極１６２は、それぞれの間に設けられる接合層３０を介して電気的に接続される。

【0135】

電子装置１００Ｂにおいて、回路基板１３０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極１３２は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置１４０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極１４２ａは、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0136】

或いは、電子装置１００Ｂにおいて、半導体装置１４０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極１４２ｂは、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置１５０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極１５２ａは、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0137】

或いは、電子装置１００Ｂにおいて、半導体装置１５０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極１５２ｂは、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置１６０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極１６２は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0138】

電極１３２と電極１４２ａ、電極１４２ｂと電極１５２ａ、及び、電極１５２ｂと電極１６２の、接合層３０を用いた接合では、それらをろう接する場合や直接接合する場合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極１３２と電極１４２ａ、電極１４２ｂと電極１５２ａ、及び、電極１５２ｂと電極１６２を、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極１３２と電極１４２ａ、電極１４２ｂと電極１５２ａ、及び、電極１５２ｂと電極１６２を強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0139】

［第３実施形態］
図６は第３実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0140】

図６（Ａ）に示す電子装置２００Ａは、半導体装置２１０と、半導体装置２１０に実装された半導体装置２２０とを含む。半導体装置２１０及び半導体装置２２０はそれぞれ、半導体パッケージの一例である。

【0141】

下層の半導体装置２１０は、回路基板２１１と、回路基板２１１に実装された半導体チップ２１２と、半導体チップ２１２を封止する封止材２１３とを含む。回路基板２１１には、パッド電極等の電極２１１ａ及び電極２１１ｂが設けられる。電極２１１ａ及び電極２１１ｂには、銅、金等の金属材料が用いられる。電極２１１ａは、半導体チップ２１２の電極２１２ａと対応する位置に設けられる。電極２１１ｂは、半導体チップ２１２の実装領域の外側、この例では、半導体チップ２１２を封止する封止材２１３の外側に、設けられる。

【0142】

半導体装置２１０では、回路基板２１１の電極２１１ａと、半導体チップ２１２の電極２１２ａとが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極２１１ａと電極２１２ａとの間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極２１１ａと電極２１２ａとは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0143】

半導体装置２１０において、回路基板２１１は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極２１１ａは、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体チップ２１２は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極２１２ａは、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0144】

上層の半導体装置２２０は、回路基板２２１と、回路基板２２１に実装された半導体チップ２２２と、半導体チップ２２２を封止する封止材２２３とを含む。半導体チップ２２２は、接着材２２４を用いて回路基板２２１の一方の面側に固定される。回路基板２２１の一方の面側には、半導体チップ２２２の外側に、パッド電極等の電極２２１ａが設けられる。電極２２１ａには、銅、金等の金属材料が用いられる。半導体チップ２２２は、回路基板２２１の電極２２１ａに、ワイヤ２２５を用いて接続される。回路基板２２１の、半導体チップ２２２が実装される面側とは反対の面側には、ピラー電極等の一定の高さを有する電極２２１ｂが設けられる。電極２２１ｂには、銅、金等の金属材料が用いられる。電極２２１ｂは、下層の半導体装置２１０の電極２１１ｂと対応する位置に設けられる。

【0145】

電子装置２００Ａでは、下層の半導体装置２１０の電極２１１ｂと、上層の半導体装置２２０の電極２２１ｂとが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極２１１ｂと電極２２１ｂとの間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極２１１ｂと電極２２１ｂとは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0146】

電子装置２００Ａにおいて、半導体装置２１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極２１１ｂは、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置２２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極２２１ｂは、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0147】

電子装置２００Ａにおける、電極２１１ａと電極２１２ａ、及び、電極２１１ｂと電極２２１ｂの、接合層３０を用いた接合では、それらをろう接する場合や直接接合する場合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極２１１ａと電極２１２ａ、及び、電極２１１ｂと電極２２１ｂを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極２１１ａと電極２１２ａ、及び、電極２１１ｂと電極２２１ｂを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0148】

また、図６（Ｂ）に示す電子装置２００Ｂは、半導体装置２３０と、半導体装置２３０に実装された半導体装置２４０とを含む。半導体装置２３０及び半導体装置２４０はそれぞれ、半導体パッケージの一例である。

【0149】

下層の半導体装置２３０は、回路基板２１１及びそれに実装された半導体チップ２１２を覆うように封止材２１３が設けられ、その封止材２１３を貫通して電極２１１ｂと接続されるように貫通電極２１４が設けられ、その貫通電極２１４と接続されるように電極２１５が設けられた構成を有する。貫通電極２１４及び電極２１５には、銅、金等の金属材料が用いられる。半導体装置２３０は、このような構成を有する点で、上記半導体装置２１０と相違する。また、上層の半導体装置２４０は、回路基板２２１の、半導体チップ２２２が実装される面側とは反対の面側に、パッド電極等の比較的低背の電極２２１ｃが設けられた構成を有する。電極２２１ｃには、銅、金等の金属材料が用いられる。半導体装置２４０は、このような構成を有する点で、上記半導体装置２２０と相違する。

【0150】

電子装置２００Ｂでは、半導体装置２３０内の電極２１１ａと電極２１２ａとが上記のような接合層３０を用いて接合されるほか、半導体装置２３０の電極２１５と半導体装置２４０の電極２２１ｃとが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極２１１ａと電極２１２ａとの間、及び、電極２１５と電極２２１ｃとの間に、それぞれｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられる。電極２１１ａと電極２１２ａ、及び、電極２１５と電極２２１ｃは、それぞれの間に設けられる接合層３０を介して電気的に接続される。

【0151】

電子装置２００Ｂにおいて、半導体装置２３０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極２１５は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置２４０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極２２１ｃは、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0152】

電子装置２００Ｂにおける、電極２１１ａと電極２１２ａ、及び、電極２１５と電極２２１ｃの、接合層３０を用いた接合では、ろう接や直接接合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極２１１ａと電極２１２ａ、及び、電極２１５と電極２２１ｃを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極２１１ａと電極２１２ａ、及び、電極２１５と電極２２１ｃを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0153】

［第４実施形態］
図７は第４実施形態に係る電子装置製造の例について説明する図である。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置製造の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0154】

上記のような接合層３０は、回路基板と半導体装置（半導体チップ又は半導体パッケージ）との接合、半導体装置同士の接合のほか、ウェハと半導体装置との接合、ウェハ同士の接合にも適用することができる。

【0155】

図７（Ａ）には、接合層３０を用いたウェハ３００と半導体装置３２０との接合を例示している。
ウェハ３００には、複数の半導体装置３１０が形成される。ウェハ３００は、例えば、半導体チップ形成用のウェハ、即ち、トランジスタ素子等を形成した半導体基板とその上に設けられた多層配線とを含むような構成を有するウェハである。このほか、ウェハ３００は、ＷＬＰ（Wafer Level Package）形成用のウェハ、即ち、半導体チップが埋設された樹脂層とその上に設けられた再配線層とを含むような構成を有するウェハ（疑似ウェハ等とも称される）であってもよい。ウェハ３００の複数の半導体装置３１０は、半導体チップ又は半導体パッケージである。複数の半導体装置３１０は、スクライブライン３１１によって画定される。このようなウェハ３００の半導体装置３１０上に、接合層３０を用いて半導体装置３２０が接合される。半導体装置３２０は、半導体チップ又は半導体パッケージである。

【0156】

尚、図７（Ａ）には便宜上、ウェハ３００の半導体装置３１０と、半導体装置３２０との、接合層３０による接合状態を、簡略化して模式的に図示している。
電子装置製造においては、ウェハ３００の半導体装置３１０の、半導体装置３２０との対向面側に設けられる電極（図示せず）と、半導体装置３２０の、ウェハ３００の半導体装置３１０との対向面側に設けられる電極（図示せず）とが、接合層３０によって接合される。半導体装置３１０及び半導体装置３２０の電極には、銅、金等の金属材料が用いられる。例えば、上記第２及び第３実施形態（図５及び図６）で述べたような例に従い、ウェハ３００の半導体装置３１０と、半導体装置３２０との、互いの対向する電極同士が、接合層３０で接合される。

【0157】

ここで、ウェハ３００又はその半導体装置３１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置３２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0158】

図７（Ａ）には便宜上、１つの半導体装置３２０を図示するが、ウェハ３００上には、その複数の半導体装置３１０上にそれぞれ接合層３０を用いて複数の半導体装置３２０が接合されてもよい。また、ウェハ３００の半導体装置３１０上に接合された半導体装置３２０の上には、例えば、上記第２及び第３実施形態（図５及び図６）で述べたような例に従い、接合層３０を用いて更に別の半導体装置が接合されてもよい。

【0159】

ウェハ３００の半導体装置３１０上に、接合層３０を用いて半導体装置３２０（又は更に別の半導体装置）が接合された後、ウェハ３００のスクライブライン３１１に沿ってダイシングが行われ、個片化が行われる。これにより、接合層３０を用いて接合された半導体装置３１０と半導体装置３２０とを含む、個々の電子装置が製造される。

【0160】

また、図７（Ｂ）には、接合層３０を用いたウェハ３００とウェハ３３０との接合を例示している。
ウェハ３００上には、上記のような半導体装置３２０に代えて、別のウェハ３３０が接合されてもよい。ウェハ３３０には、複数の半導体装置３４０が形成される。ウェハ３３０は、例えば、半導体チップ形成用のウェハ、或いは、ＷＬＰ形成用のウェハである。ウェハ３３０の複数の半導体装置３４０は、半導体チップ又は半導体パッケージである。複数の半導体装置３４０は、スクライブライン３４１によって画定される。ウェハ３３０のスクライブライン３４１は、ウェハ３３０と接合されるウェハ３００のスクライブライン３１１と対応する位置に設けられる。このようなウェハ３３０が、上記のような複数の半導体装置３１０が形成されたウェハ３００上に、対応するスクライブライン３４１及びスクライブライン３１１の位置を揃えて、接合層３０を用いて接合される。

【0161】

尚、図７（Ｂ）には便宜上、ウェハ３００とウェハ３３０との接合層３０による接合状態を、簡略化して模式的に図示している。
電子装置製造においては、ウェハ３００の半導体装置３１０の、ウェハ３３０との対向面側に設けられる電極（図示せず）と、ウェハ３３０の半導体装置３４０の、ウェハ３００との対向面側に設けられる電極（図示せず）とが、接合層３０によって接合される。半導体装置３１０及び半導体装置３４０の電極には、銅、金等の金属材料が用いられる。例えば、上記第２及び第３実施形態（図５及び図６）で述べたような例に従い、ウェハ３００の半導体装置３１０と、ウェハ３３０の半導体装置３４０との、互いの対向する電極同士が、接合層３０で接合される。

【0162】

ここで、ウェハ３００又はその半導体装置３１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。ウェハ３３０又はその半導体装置３４０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0163】

図７（Ｂ）には便宜上、ウェハ３００上に接合された１枚のウェハ３３０を図示するが、ウェハ３００上に接合されたウェハ３３０の上には、接合層３０を用いて更に別のウェハが接合されてもよい。

【0164】

ウェハ３００上に、接合層３０を用いてウェハ３３０（又は更に別のウェハ）が接合された後、ウェハ３３０のスクライブライン３４１及びウェハ３００のスクライブライン３１１に沿ってダイシングが行われ、個片化が行われる。これにより、接合層３０を用いて接合された半導体装置３１０と半導体装置３４０とを含む、個々の電子装置が製造される。

【0165】

このように接合層３０は、ウェハ３００と半導体装置３２０又はウェハ３３０等との接合に適用することもできる。
［第５実施形態］
図８は第５実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0166】

図８（Ａ）に示す電子装置４００Ａは、電力変換回路やインバータ回路に用いられる半導体モジュールの一例である。電子装置４００Ａは、絶縁回路基板４１０と、絶縁回路基板４１０に実装された複数（一例としてハイサイド（右側）とローサイド（左側）の２つ）の半導体装置４２０とを含む。電子装置４００Ａは更に、ベース板４３０、ケース４４０及び封止材４５０を含む。

【0167】

絶縁回路基板４１０は、絶縁基板４１１と、絶縁基板４１１の一方の面側に設けられた導体層４１２と、絶縁基板４１１の他方の面側に設けられた導体層４１３とを有する。絶縁基板４１１には、アルミナ、アルミナを主成分とする複合セラミックス、窒化アルミニウム、窒化珪素等の基板が用いられる。導体層４１２及び導体層４１３には、銅等の金属材料が用いられる。絶縁回路基板４１０には、ＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板、ＡＭＢ（Active Metal Brazed）基板等が用いられる。

【0168】

半導体装置４２０には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等を含むパワー半導体デバイスが用いられる。半導体装置４２０には、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）やＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）等のダイオード素子が集積されてもよい。半導体装置４２０は、一方の面側に設けられた負荷電極４２１と、他方の面側に設けられた負荷電極４２２及び制御電極４２３とを有する。負荷電極４２１、負荷電極４２２及び制御電極４２３には、銅、金、アルミニウム等の金属材料が用いられる。半導体装置４２０がＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等を含む場合、例えば、負荷電極４２１はコレクタ電極又はドレイン電極として機能し、負荷電極４２２はエミッタ電極又はソース電極として機能し、制御電極４２３はベース電極又はゲート電極として機能する。

【0169】

絶縁回路基板４１０の一方の面側の導体層４１２は、複数の領域に分割される。例えば、導体層４１２の分割された領域にそれぞれ、上記のような接合層３０を用いて、半導体装置４２０の負荷電極４２１が接合される。

【0170】

半導体装置４２０が搭載された絶縁回路基板４１０は、ベース板４３０上に接合される。ベース板４３０には、銅、アルミニウム等の金属材料が用いられる。絶縁回路基板４１０は、半導体装置４２０が搭載される導体層４１２側とは反対側の導体層４１３が、半田や焼結材等の接合層４８０を介して、ベース板４３０と接合される。ベース板４３０上には、半導体装置４２０が搭載された絶縁回路基板４１０を囲むケース４４０が、接着剤等を用いて固定される。ケース４４０には、ポリフェニレンサルファイド等の樹脂材料が用いられる。例えば、ケース４４０には、端子４４１が設けられる。

【0171】

半導体装置４２０群のうち、ハイサイドの半導体装置４２０（図８（Ａ）右側）の負荷電極４２１が接合層３０を用いて接合される導体層４１２（ハイサイドの導体層４１２とも言う）は、ケース４４０に設けられた端子４４１（Ｐ端子）に、ワイヤ４６０で接続される。ハイサイドの半導体装置４２０の負荷電極４２２は、ローサイドの半導体装置４２０（図８（Ａ）左側）の負荷電極４２１が接合層３０を用いて接合される導体層４１２（ローサイドの導体層４１２とも言う）に、ワイヤ４６１で接続される。ローサイドの半導体装置４２０の負荷電極４２２は、ケース４４０に設けられた端子４４１（Ｎ端子）に、ワイヤ４６２で接続される。これにより、ハイサイド及びローサイドの半導体装置４２０が、一方の端子４４１（Ｐ端子）と他方の端子４４１（Ｎ端子）との間に、導体層４１２、ワイヤ４６０、ワイヤ４６１及びワイヤ４６２を用いて、直列接続される。尚、ここでは図示を省略するが、ハイサイド及びローサイドの半導体装置４２０の制御電極４２３も同様に、ケース４４０に設けられた所定の端子に、別のワイヤで接続される。

【0172】

ベース板４３０上のケース４４０の内側に設けられ、ワイヤ４６０、ワイヤ４６１及びワイヤ４６２等が接続された絶縁回路基板４１０及び半導体装置４２０群は、封止材４５０によって封止される。封止材４５０には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が用いられる。

【0173】

上記のような構成を有する電子装置４００Ａにおける、絶縁回路基板４１０の導体層４１２と、半導体装置４２０の負荷電極４２１との接合に、接合層３０が用いられる。接合層３０は、導体層４１２と負荷電極４２１との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、導体層４１２と負荷電極４２１とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0174】

電子装置４００Ａにおいて、絶縁回路基板４１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その導体層４１２は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置４２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その負荷電極４２１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0175】

接合層３０を用いた導体層４１２と負荷電極４２１との接合では、それらをろう接する場合や直接接合する場合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、導体層４１２と負荷電極４２１とを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、導体層４１２と負荷電極４２１とを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0176】

また、図８（Ｂ）に示す電子装置４００Ｂは、上記のようなワイヤ４６０、ワイヤ４６１及びワイヤ４６２に代えて、クリップ４７０、クリップ４７１及びクリップ４７２が用いられた構成を有する。尚、クリップ４７０、クリップ４７１及びクリップ４７２は、導電部材の一例であって、クリップのほか、リード、リードフレーム、バスバー等とも称される。

【0177】

クリップ４７０は、一端部４７０ａが接合層３０を用いてケース４４０の端子４４１（Ｐ端子）と接合され、他端部４７０ｂが接合層３０を用いて絶縁回路基板４１０のハイサイドの導体層４１２と接合される。クリップ４７１は、一端部４７１ａが接合層３０を用いてハイサイドの半導体装置４２０（図８（Ｂ）右側）の負荷電極４２２と接合され、他端部４７１ｂが接合層３０を用いて絶縁回路基板４１０のローサイドの導体層４１２（図８（Ｂ）左側）と接合される。クリップ４７２は、一端部４７２ａが接合層３０を用いてローサイドの半導体装置４２０（図８（Ｂ）左側）の負荷電極４２２と接合され、他端部４７２ｂが接合層３０を用いてケース４４０の端子４４１（Ｎ端子）と接合される。尚、ここでは図示を省略するが、ハイサイド及びローサイドの半導体装置４２０の制御電極４２３も同様に、ケース４４０に設けられた所定の端子に、別のクリップで接続される。

【0178】

電子装置４００Ｂは、このような構成を有する点で、上記図８（Ａ）に示した電子装置４００Ａと相違する。
電子装置４００Ｂにおいて、クリップ４７０、クリップ４７１及びクリップ４７２が接続されるケース４４０、絶縁回路基板４１０及び半導体装置４２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、それらの端子４４１、導体層４１２及び負荷電極４２２は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。クリップ４７０、クリップ４７１及びクリップ４７２は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、それらの一端部４７０ａ、４７１ａ、４７２ａ及び他端部４７０ｂ、４７１ｂ、４７２ｂは、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。尚、それらの一端部４７０ａと他端部４７０ｂとの間、一端部４７１ａと他端部４７１ｂとの間、及び、一端部４７２ａと他端部４７２ｂとの間の部位が、それぞれクリップ４７０、クリップ４７１及びクリップ４７２の本体に相当する。

【0179】

接合層３０を用いたクリップ４７０、クリップ４７１及びクリップ４７２の接合では、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、クリップ４７０、クリップ４７１及びクリップ４７２を、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、クリップ４７０、クリップ４７１及びクリップ４７２を強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0180】

［第６実施形態］
図９は第６実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0181】

図９（Ａ）に示す電子装置５００Ａは、リードフレーム５１０と、リードフレーム５１０に実装された半導体装置５２０と、リードフレーム５１０の一部及び半導体装置５２０を封止する封止材５３０とを含む。

【0182】

リードフレーム５１０には、銅、アルミニウム等の金属材料が用いられる。リードフレーム５１０は、半導体装置５２０が搭載されるダイパッド５１１と、封止材５３０の外部に引き出されるリード５１２及びリード５１３とを有する。

【0183】

半導体装置５２０は、半導体チップ又は半導体パッケージである。例えば、半導体装置５２０には、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等を含むパワー半導体デバイス、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）等を含む半導体デバイスが用いられる。半導体装置５２０には、ＦＷＤやＳＢＤ等のダイオード素子が集積されてもよい。半導体装置５２０は、一方の面側に設けられた負荷電極５２１と、他方の面側に設けられた負荷電極５２２及び制御電極５２３とを有する。負荷電極５２１、負荷電極５２２及び制御電極５２３には、銅、金、アルミニウム等の金属材料が用いられる。半導体装置５２０がＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等を含む場合、例えば、負荷電極５２１はコレクタ電極又はドレイン電極として機能し、負荷電極５２２はエミッタ電極又はソース電極として機能し、制御電極５２３はベース電極又はゲート電極として機能する。半導体装置５２０がＨＥＭＴ等を含む場合、例えば、負荷電極５２１はソース電極として機能し、負荷電極５２２はドレイン電極として機能し、制御電極５２３はゲート電極として機能する。

【0184】

半導体装置５２０は、リードフレーム５１０のダイパッド５１１に搭載される。その際、リードフレーム５１０のダイパッド５１１と、半導体装置５２０の負荷電極５２１とが、上記のような接合層３０を用いて接合される。

【0185】

半導体装置５２０の負荷電極５２２はダイパッド５１１と分離されたリード５１２に、ワイヤ５４０で接続される。尚、ここでは図示を省略するが、半導体装置５２０の制御電極５２３も同様に、ダイパッド５１１と分離された所定のリードに、別のワイヤで接続される。

【0186】

リードフレーム５１０及びそのダイパッド５１１に搭載された半導体装置５２０は、半導体装置５２０から延びるワイヤ５４０が接続されたリード５１２の一部と、ダイパッド５１１に繋がるリード５１３の一部とが露出するように、エポキシ樹脂等の封止材５３０で封止される。封止材５３０から露出するリード５１２の一部及びリード５１３の一部等が、電子装置５００Ａの端子として機能する。

【0187】

電子装置５００Ａでは、リードフレーム５１０のダイパッド５１１と、半導体装置５２０の負荷電極５２１との接合に、接合層３０が用いられる。接合層３０は、ダイパッド５１１と負荷電極５２１との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、ダイパッド５１１と負荷電極５２１とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0188】

電子装置５００Ａにおいて、リードフレーム５１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、そのダイパッド５１１は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置５２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その負荷電極５２１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0189】

接合層３０を用いたダイパッド５１１と負荷電極５２１との接合では、それらをろう接する場合や直接接合する場合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、ダイパッド５１１と負荷電極５２１とを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、ダイパッド５１１と負荷電極５２１とを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0190】

また、図９（Ｂ）に示す電子装置５００Ｂは、上記のようなワイヤ５４０に代えて、クリップ５５０が用いられた構成を有する。クリップ５５０は、一端部５５０ａが接合層３０を用いて半導体装置５２０の負荷電極５２２と接合され、他端部５５０ｂが接合層３０を用いてリードフレーム５１０のリード５１２と接合される。尚、ここでは図示を省略するが、半導体装置５２０の制御電極５２３も同様に、ダイパッド５１１と分離された所定のリードに、別のクリップで接続される。電子装置５００Ｂは、このような構成を有する点で、上記図９（Ａ）に示した電子装置５００Ａと相違する。

【0191】

電子装置５００Ｂにおいて、クリップ５５０が接続される半導体装置５２０及びリードフレーム５１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、それらの負荷電極５２２及びリード５１２は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。クリップ５５０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その一端部５５０ａ及び他端部５５０ｂは、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0192】

接合層３０を用いたクリップ５５０の接合では、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、クリップ５５０を、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、クリップ５５０を強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0193】

［第７実施形態］
図１０は第７実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0194】

図１０（Ａ）に示す電子装置６００Ａは、２枚の回路基板６１０及び回路基板６２０を含む。回路基板６１０及び回路基板６２０には、各種回路基板を用いることができる。回路基板６１０と回路基板６２０とは、互いに同種の回路基板であってもよいし、互いに異種の回路基板であってもよい。例えば、回路基板６１０と回路基板６２０とは、いずれもプリント基板であってもよい。回路基板６１０と回路基板６２０とは、一方がパッケージ基板、他方がインターポーザ基板といった組み合わせであってもよいし、一方がマザーボード、他方がパッケージ基板やインターポーザ基板といった組み合わせであってもよい。

【0195】

回路基板６１０及び回路基板６２０は、互いの対応する位置に、それぞれ電極６１１及び電極６２１を有する。電極６１１及び電極６２１はそれぞれ、回路基板６１０及び回路基板６２０に設けられる配線層（図示せず）と電気的に接続される。電極６１１及び電極６２１には、銅、金等の金属材料が用いられる。対向する電極６１１と電極６２１とが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極６１１と電極６２１との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極６１１と電極６２１とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0196】

電子装置６００Ａにおいて、回路基板６１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極６１１は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。回路基板６２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極６２１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0197】

接合層３０を用いた電極６１１と電極６２１との接合では、それらをろう接する場合や直接接合する場合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極６１１と電極６２１とを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極６１１と電極６２１とを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0198】

また、図１０（Ｂ）に示す電子装置６００Ｂは、回路基板６１０と接合される回路基板として、フレキシブル基板６３０が用いられた構成を有する点で、上記図１０（Ａ）に示した電子装置６００Ａと相違する。

【0199】

フレキシブル基板６３０は、回路基板６１０に電極６１１と共に設けられる電極６１２と対応する位置に、電極６３１を有する。電極６１２及び電極６３１はそれぞれ、回路基板６１０及びフレキシブル基板６３０に設けられる配線層（図示せず）と電気的に接続される。電極６１２及び電極６３１には、銅、金等の金属材料が用いられる。対向する電極６１２と電極６３１とが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極６１２と電極６３１との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極６１２と電極６３１とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0200】

電子装置６００Ｂにおいて、回路基板６１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極６１２は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。フレキシブル基板６３０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極６３１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0201】

接合層３０を用いた電極６１２と電極６３１との接合では、それらをろう接する場合や直接接合する場合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極６１２と電極６３１とを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極６１２と電極６３１とを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0202】

［第８実施形態］
図１１は第８実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。図１１には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0203】

図１１に示す電子装置７００は、回路基板７１０、回路基板７２０及び半導体装置７４０を含む。電子装置７００は更に、熱界面材料（Thermal Interface Material；ＴＩＭ）７５０、ヒートシンク７６０、プレート７７０及びばね付きねじ７８０を含む。

【0204】

回路基板７１０及び回路基板７２０には、例えば、プリント基板が用いられる。一例として、回路基板７１０はマザーボードであり、回路基板７２０はパッケージ基板である。回路基板７１０及び回路基板７２０は、互いの対応する位置に、それぞれ電極７１１及び電極７２１を有する。電極７１１及び電極７２１はそれぞれ、回路基板７１０及び回路基板７２０に設けられる配線層（図示せず）と電気的に接続される。電極７１１及び電極７２１には、銅、金等の金属材料が用いられる。対向する電極７１１と電極７２１とが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極７１１と電極７２１との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極７１１と電極７２１とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0205】

半導体装置７４０には、例えば、半導体チップ又は半導体パッケージが用いられる。半導体装置７４０は、回路基板７２０の電極７２２と対応する位置に、電極７４１を有する。電極７４１は、半導体装置７４０に設けられる素子又は集積回路（図示せず）と電気的に接続される。電極７４１には、銅、金等の金属材料が用いられる。対向する電極７４１と電極７２２とが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極７４１と電極７２２との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極７４１と電極７２２とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0206】

半導体装置７４０の、回路基板７２０側とは反対側に、ＴＩＭ７５０を介してヒートシンク７６０が設けられる。図１１には一例として、複数のフィン７６１を備えるヒートシンク７６０を例示している。尚、このようなフィン７６１を備えるヒートシンク７６０に代えて、内部に液体冷媒又は気体冷媒の流路を備える冷媒流通式のヒートシンクが設けられてもよい。ヒートシンク７６０には、良好な熱伝導性を有する材料、例えば、銅、アルミニウム等の金属材料が用いられる。半導体装置７４０は、ＴＩＭ７５０を介してヒートシンク７６０と熱的に接続される。

【0207】

ヒートシンク７６０は、貫通孔７６２を有する。回路基板７１０は、ヒートシンク７６０の貫通孔７６２と対応する位置に、貫通孔７１２を有する。回路基板７１０の、回路基板７２０側とは反対側には、回路基板７１０の貫通孔７１２と対応する位置にねじ穴７７１を有するプレート７７０が設けられる。ヒートシンク７６０の貫通孔７６２及び回路基板７１０の貫通孔７１２に、ばね付きねじ７８０が挿通され、ばね付きねじ７８０の先端部がプレート７７０のねじ穴７７１に螺合される。これにより、回路基板７１０及びそれに実装された回路基板７２０、並びに、その回路基板７２０に実装された半導体装置７４０が、ばね付きねじ７８０で接続されるヒートシンク７６０とプレート７７０との間に挟まれて固定される。

【0208】

尚、電子装置７００の回路基板７２０には、例えば、電子装置７００と他の電子装置との電気的な接続のために、更に別の回路基板が接合されてもよい。例えば、このような回路基板として、フレキシブル基板７３０が接合されてもよい。この場合、回路基板７２０には、電極７２３が更に設けられる。フレキシブル基板７３０には、回路基板７２０の電極７２３と対応する位置に、電極７３１が設けられる。電極７２３及び電極７３１はそれぞれ、回路基板７２０及びフレキシブル基板７３０に設けられる配線層（図示せず）と電気的に接続される。電極７２３及び電極７３１には、銅、金等の金属材料が用いられる。対向する電極７２３と電極７３１とが、上記のような接合層３０を用いて接合される。接合層３０は、電極７２３と電極７３１との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極７２３と電極７３１とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0209】

電子装置７００において、回路基板７１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極７１１は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。回路基板７２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極７２１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0210】

或いは、電子装置７００において、回路基板７２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極７２２は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。半導体装置７４０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極７４１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0211】

また、電子装置７００において、フレキシブル基板７３０が接合される場合には、回路基板７２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極７２３は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。フレキシブル基板７３０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その電極７３１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0212】

接合層３０を用いた電極７１１と電極７２１との接合、及び、電極７２２と電極７４１との接合、或いは更に電極７２３と電極７３１との接合では、それらをろう接する場合や直接接合する場合に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極７１１と電極７２１、電極７２２と電極７４１、及び、電極７２３と電極７３１を、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極７１１と電極７２１、電極７２２と電極７４１、及び、電極７２３と電極７３１を強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0213】

［第９実施形態］
図１２は第９実施形態に係る電子装置の例について説明する図である。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）にはそれぞれ、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。

【0214】

図１２（Ａ）に示す電子装置８００Ａは、回路基板８１０と、回路基板８１０に実装されたチップ部品８２０とを含む。
回路基板８１０には、プリント基板等の各種回路基板が用いられる。回路基板８１０は、電極８１１を有する。電極８１１は、回路基板８１０に設けられる配線層（図示せず）と電気的に接続される。電極８１１には、銅、金等の金属材料が用いられる。

【0215】

チップ部品８２０には、積層セラミックコンデンサ、固体電池等の各種チップ部品が用いられる。チップ部品８２０は、その内部に設けられる内部電極（図示せず）と電気的に接続される外部電極８２１を有する。電極８２１には、銀、スズ、ニッケル等の金属材料が用いられる。回路基板８１０の電極８１１は、チップ部品８２０の外部電極８２１と対応する位置に設けられる。

【0216】

電子装置８００Ａにおける、回路基板８１０の電極８１１と、チップ部品８２０の外部電極８２１との接合に、上記のような接合層３０が用いられる。接合層３０は、電極８１１と外部電極８２１との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極８１１と外部電極８２１とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0217】

電子装置８００Ａにおいて、回路基板８１０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極８１１は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。チップ部品８２０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、その外部電極８２１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0218】

接合層３０を用いた電極８１１と外部電極８２１との接合では、それらをろう接する場合等に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極８１１と外部電極８２１とを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極８１１と外部電極８２１とを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0219】

また、図１２（Ｂ）に示す電子装置８００Ｂは、回路基板８３０と、回路基板８３０に実装されたリード部品８４０とを含む。
回路基板８３０には、プリント基板等の各種回路基板が用いられる。回路基板８３０は、電極８３１と、電極８３１に通じる貫通孔８３２とを有する。電極８３１には、銅、金等の金属材料が用いられる。

【0220】

リード部品８４０には、抵抗、コンデンサ、インダクタ等のほか、トランジスタ等の各種リード部品が用いられる。リード部品８４０は、端子として機能するリード８４１を有する。リード８４１には、銅、金、アルミニウム、ステンレス等の金属材料が用いられる。回路基板８３０の貫通孔８３２は、リード部品８４０のリード８４１に対応する位置に設けられる。

【0221】

リード部品８４０は、そのリード８４１が回路基板８３０の貫通孔８３２に挿入されて折り曲げられ、回路基板８３０の電極８３１と接合される。回路基板８３０の電極８３１と、リード部品８４０のリード８４１との接合に、上記のような接合層３０が用いられる。接合層３０は、電極８３１とリード８４１との間に、ｎｍオーダーといった薄い膜厚で設けられ、電極８３１とリード８４１とは、当該接合層３０を介して電気的に接続される。

【0222】

電子装置８００Ｂにおいて、回路基板８３０は、上記第１実施形態で述べた電子部品１０（第１電子部品）の一形態であり、その電極８３１は、上記第１実施形態で述べた導体部１２（第１導体部）の一形態である。リード部品８４０は、上記第１実施形態で述べた電子部品２０（第２電子部品）の一形態であり、そのリード８４１は、上記第１実施形態で述べた導体部２２（第２導体部）の一形態である。

【0223】

接合層３０を用いた電極８３１とリード８４１との接合では、それらをろう接する場合等に比べて、接合時の温度、雰囲気又は加圧力について、プロセス負荷を抑えることができる。接合層３０によれば、電極８３１とリード８４１とを、接合時のプロセス負荷を抑えて接合することができる。接合層３０は、ｎｍオーダーといった薄い膜厚とすることができる。薄い膜厚の接合層３０によって、電極８３１とリード８４１とを強固に接合し、且つ、電気的に接続することができる。

【0224】

以上、第１実施形態及び第２から第９実施形態で述べたように、接合層３０は、各種電子部品群の導体部同士の接合、即ち、電気的な接続に適用することができる。

【符号の説明】

【0225】

１、１００Ａ、１００Ｂ、２００Ａ、２００Ｂ、４００Ａ、４００Ｂ、５００Ａ、５００Ｂ、６００Ａ、６００Ｂ、７００、８００Ａ、８００Ｂ 電子装置
２ 電気接続
１０、２０ 電子部品
１１、２１、１１１、１２１、１３１、１４１、１５１、１６１ 本体
１２、２２ 導体部
１２ａ、２２ａ 表面
２２ｂ 凹部
２２ｃ 凸部
３０ 接合層
３１、３２ 官能基
３３ 主鎖
１１０、１３０、２１１、２２１、６１０、６２０、７１０、７２０、８１０、８３０ 回路基板
１１２、１２２、１３２、１４２ａ、１４２ｂ、１５２ａ、１５２ｂ、１６２、２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１５、２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ、６１１、６１２、６２１、６３１、７１１、７２１、７２２、７２３、７３１、７４１、８１１、８２１、８３１ 電極
１２０、１４０、１５０、１６０、２１０、２２０、２３０、２４０、３１０、３２０、３４０、４２０、５２０、７４０ 半導体装置
１４３、１５３、２１４ 貫通電極
２１２、２２２ 半導体チップ
２１３、２２３、４５０、５３０ 封止材
２２４ 接着材
２２５、４６０、４６１、４６２、５４０ ワイヤ
３００、３３０ ウェハ
３１１、３４１ スクライブライン
４１０ 絶縁回路基板
４１１ 絶縁基板
４１２、４１３ 導体層
４２１、４２２、５２１、５２２ 負荷電極
４２３、５２３ 制御電極
４３０ ベース板
４４０ ケース
４４１ 端子
４７０、４７１、４７２、５５０ クリップ
４７０ａ、４７１ａ、４７２ａ、５５０ａ 一端部
４７０ｂ、４７１ｂ、４７２ｂ、５５０ｂ 他端部
４８０ 接合層
５１０ リードフレーム
５１１ ダイパッド
５１２、５１３、８４１ リード
６３０、７３０ フレキシブル基板
７１２、７６２、８３２ 貫通孔
７５０ ＴＩＭ
７６０ ヒートシンク
７６１ フィン
７７０ プレート
７７１ ねじ穴
７８０ ばね付きねじ
８２０ チップ部品
８２１ 外部電極
８４０ リード部品
Ｔ１ 膜厚

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】