特開 2024-164493 インゴットの検査方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024164493

(43)【公開日】2024-11-27

(54)【発明の名称】インゴットの検査方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20241120BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023080002

(22)【出願日】2023-05-15

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100075384

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 昂

(74)【代理人】

【識別番号】100172281

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100206553

【弁理士】

【氏名又は名称】笠原 崇廣

(74)【代理人】

【識別番号】100189773

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 英哲

(74)【代理人】

【識別番号】100184055

【弁理士】

【氏名又は名称】岡野 貴之

(74)【代理人】

【識別番号】100185959

【弁理士】

【氏名又は名称】今藤 敏和

(72)【発明者】

【氏名】森 一輝

(72)【発明者】

【氏名】平田 和也

【テーマコード（参考）】

4M106

【Ｆターム（参考）】

4M106AA01

4M106AA20

4M106BA04

4M106CB01

4M106DH12

4M106DH31

4M106DJ20

(57)【要約】

【課題】不純物濃度が異なる領域を精度よく特定することが可能なインゴットの検査方法を提供する。
【解決手段】インゴットの不純物濃度が異なる領域を特定するためのインゴットの検査方法であって、インゴットに含まれる複数の領域に対して順番にパルス発光する光源から所定波長の励起光を１パルス分照射することによって生じ、かつ、光子数が経時変化する蛍光を受光する受光ステップと、蛍光の光子数が漸減中の所定の期間において生じる蛍光の光子数を参照して、複数の領域のそれぞれを不純物濃度の高い領域又は低い領域に分類する分類ステップと、を備える。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

インゴットの不純物濃度が異なる領域を特定するためのインゴットの検査方法であって、
該インゴットに含まれる複数の領域に対して順番にパルス発光する光源から所定波長の励起光を１パルス分照射することによって該複数の領域のいずれかから生じ、かつ、光子数が経時変化する蛍光を受光する受光ステップと、
該蛍光の光子数が漸減中の所定の期間において生じる該蛍光の光子数を参照して、該複数の領域のそれぞれを不純物濃度の高い領域又は低い領域に分類する分類ステップと、
を備えるインゴットの検査方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インゴットの不純物濃度が異なる領域を特定するためのインゴットの検査方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスのチップは、一般的に、円盤状のウエーハを用いて製造される。このウエーハは、例えば、ワイヤーソーを用いて円柱状の半導体インゴットから切り出されることによって製造される。ただし、このようにウエーハを製造すると、インゴットの大部分がカーフロス（切り代）として失われ、経済的ではないという問題がある。

【0003】

さらに、パワーデバイス用の材料として用いられる単結晶ＳｉＣ（炭化シリコン）は硬度が高い。そのため、ワイヤーソーを用いて単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを切り出す場合には、切り出しに時間がかかってしまい生産性が低い。

【0004】

これらの問題を解決するために、ワイヤーソーを用いることなく、レーザービームを用いてインゴットからウエーハを切り出す方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法においては、インゴットを透過する波長のレーザービームの集光点がインゴットの内部に位置付けられるようにインゴットにレーザービームを照射する。

【0005】

これにより、インゴットの内部に改質部と改質部から伸展するクラックとを含む剥離層が形成される。そして、剥離層が形成されたインゴットに超音波振動等によって外力を加えると、インゴットが剥離層において分離してウエーハが製造される。

【0006】

ところで、単結晶ＳｉＣインゴットには、一般的に、導電性を付与するために窒素等の不純物がドープされている。ただし、単結晶ＳｉＣインゴットにおいては、このような不純物が一様にドープされることなく、不純物濃度が異なる複数の領域が含まれることがある。

【0007】

例えば、単結晶ＳｉＣの成長過程において形成されるファセット領域と呼ばれる原子レベルで平坦な領域の不純物濃度は、その他の領域（非ファセット領域）よりも高い。そして、ファセット領域のように不純物濃度が高い領域は、非ファセット領域と比較して屈折率が高いとともにエネルギーの吸収率が高い。

【0008】

そのため、上述した方法によってファセット領域を含む単結晶ＳｉＣインゴットに剥離層を形成する場合、剥離層が形成される位置（高さ）が不均一になり、カーフロスが大きくなるという問題がある。

【0009】

そこで、単結晶ＳｉＣインゴットの不純物濃度が異なる領域を特定するインゴットの検査方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。具体的には、この方法においては、単結晶ＳｉＣインゴットの特定の領域に励起光を照射することで生じる蛍光の強度が所定値以下であれば、この特定の領域が、不純物濃度が高い領域、すなわち、ファセット領域であると判定される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【特許文献1】特開２０１６－１１１１４３号公報

【特許文献2】特開２０２０－７７７８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

インゴットの特定の領域に励起光を照射することで生じる蛍光の強度、すなわち、その光子数の総量は、当該特定の領域の不純物濃度のみならず、インゴットの個体差、具体的には、その製造に利用される装置及び／又は方法等の違いに起因する格子欠陥の多寡等に依存して変化することがある。そのため、インゴットの不純物濃度が異なる領域を上述した方法によって特定する場合には、その精度が低くなるおそれがある。

【0012】

この点に鑑み、本発明の目的は、不純物濃度が異なる領域を精度よく特定することが可能なインゴットの検査方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0013】

インゴットに励起光が照射されると、インゴットから生じる蛍光の光子数が経時変化する。具体的には、この蛍光の光子数は、インゴットに励起光を照射した直後にピークを迎え、その後漸減するように変化する。このような蛍光の光子数の経時変化を注意深く観察することによって、本発明者らは本発明に想到した。

【0014】

具体期には、本発明者らは、インゴットに内在する格子欠陥の多寡は、経時変化する蛍光の光子数のピーク高さに大きく影響するのに対して、ピークを越えた後に生じる蛍光の光子数にはそれほど影響しないことを見出して本発明に想到した。すなわち、本発明者らは、このピークを越えた後に生じる蛍光の光子数は、インゴットの励起光が照射された領域に含まれる不純物濃度に大きく影響されることを見出して本発明に想到した。

【0015】

例えば、本発明によれば、インゴットの不純物濃度が異なる領域を特定するためのインゴットの検査方法であって、該インゴットに含まれる複数の領域に対して順番にパルス発光する光源から所定波長の励起光を１パルス分照射することによって生じ、かつ、光子数が経時変化する蛍光を受光する受光ステップと、該蛍光の光子数が漸減中の所定の期間において生じる該蛍光の光子数を参照して、該複数の領域のそれぞれを不純物濃度の高い領域又は低い領域に分類する分類ステップと、を備えるインゴットの検査方法が提供される。

【発明の効果】

【0016】

本発明においては、蛍光の光子数が漸減中の所定の期間において生じる蛍光の光子数を参照して、インゴットの励起光が照射された領域を不純物濃度の高い領域又は低い領域に分類する。

【0017】

すなわち、この分類は、その量がインゴットの励起光が照射される領域の不純物濃度に大きく影響される蛍光の光子数を参照して行われる。そのため、本発明においては、不純物濃度が異なる領域を精度よく特定することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】図１（Ａ）は、インゴットの一例を模式的に示す正面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるインゴットを模式的に示す上面図である。

【図2】図２は、検査装置の一例を模式的に示す図である。

【図3】図３は、インゴットの不純物濃度が異なる領域を特定するインゴットの検査方法の一例を模式的に示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0019】

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、インゴットの一例を模式的に示す正面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるインゴットを模式的に示す上面図である。

【0020】

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されるインゴット１１は、例えば、概ね平行な上面（表面）１１ａ及び下面（裏面）１１ｂを有する円柱状の単結晶ＳｉＣからなる。このインゴット１１は、単結晶ＳｉＣのｃ軸１１ｃが表面１１ａ及び裏面１１ｂの垂線１１ｄに対して僅かに傾くようにエピタキシャル成長を利用して生成される。

【0021】

例えば、ｃ軸１１ｃと垂線１１ｄとがなす角（オフ角）αは、１°～６°（代表的には４°）である。また、インゴット１１の側面には、単結晶ＳｉＣの特定の結晶方位を示すための２つの平部、すなわち、一次オリエンテーションフラット１３及び二次オリエンテーションフラット１５が形成されている。

【0022】

一次オリエンテーションフラット１３は、二次オリエンテーションフラット１５よりも長い。また、二次オリエンテーションフラット１５は、単結晶ＳｉＣのｃ面１１ｅに平行な面と表面１１ａ又は裏面１１ｂとが交差する交差線に平行になるように形成されている。

【0023】

さらに、インゴット１１には、導電性を付与するために窒素等の不純物がドープされている。また、インゴット１１には、原子レベルで平坦な領域であるファセット領域１１ｆとファセット領域１１ｆ以外の領域である非ファセット領域１１ｇとが含まれる。

【0024】

そして、ファセット領域１１ｆの不純物濃度は、非ファセット領域１１ｇの不純物濃度よりも高い。なお、図１（Ｂ）においては、ファセット領域１１ｆと非ファセット領域１１ｇとの境界が点線で示されているが、この境界線は、仮想線であり、実際のインゴット１１には存在しない。

【0025】

なお、インゴット１１の材料は、ＳｉＣに限定されず、ＬｉＴａＯ_３（タンタル酸リチウム：ＬＴ）又はＧａＮ（窒化ガリウム）であってもよい。また、インゴット１１の側面には、一次オリエンテーションフラット１３及び二次オリエンテーションフラット１５の一方又は双方が設けられなくてもよい。

【0026】

図２は、インゴット１１の不純物濃度が異なる領域を特定することが可能な検査装置の一例を模式的に示す図である。なお、図２においては、検査装置の構成要素の一部がブロックで示されている。図２に示される検査装置２は、インゴット１１が置かれる概ね水平な上面（保持面）４ａを有する円盤状のチャックテーブル４を有する。

【0027】

チャックテーブル４は、水平方向移動機構（不図示）に連結されている。この水平方向移動機構は、例えば、ボールねじ及びモータ等を有する。そして、水平方向移動機構を動作させると、保持面４ａに概ね平行な方向（水平方向）に沿ってチャックテーブル４が移動する。

【0028】

また、チャックテーブル４は、回転機構（不図示）に連結されている。この回転機構は、例えば、プーリ及びモータ等を有する。そして、回転機構を動作させると、保持面４ａに概ね直交する方向（鉛直方向）に沿い、かつ、保持面４ａの中心を通る直線Ｌを回転軸としてチャックテーブル４が回転する。

【0029】

また、チャックテーブル４は、吸引機構（不図示）に連結されている。この吸引機構は、例えば、エジェクタ等を有する。そして、吸引機構を動作させると、保持面４ａ近傍の空間に吸引力が作用する。そのため、チャックテーブル４の保持面４ａにインゴット１１が置かれた状態で吸引機構を動作させると、インゴット１１がチャックテーブル４側に吸引されて保持される。

【0030】

チャックテーブル４の上方には、検査ユニット６が設けられている。この検査ユニット６は、パルス発光する光源８を有する。この光源８は、発光ダイオード（ＬＥＤ）を有し、インゴット１１に吸収される所定波長（例えば、３７５ｎｍ）の励起光Ａをミラー１０に向けて照射する。

【0031】

そして、ミラー１０に照射された励起光Ａは、ミラー１０から直下に向かうように反射されて集光レンズ１２に到る。さらに、集光レンズ１２に到った励起光Ａは、集光レンズ１２の直下において集光点を形成するように集光される。

【0032】

また、検査ユニット６は、内側に反射面１４ａを有する円環状の楕円鏡１４を有する。なお、図２においては、楕円鏡１４の断面が示されている。この反射面１４ａは、鉛直方向に沿って延在する長軸と水平方向に沿って延在する短軸とを有する楕円１４ｂを、当該長軸を中心に回転させた回転楕円体の曲面の一部に相当する。

【0033】

楕円鏡１４は、２つの焦点Ｆ１，Ｆ２を有し、その一方（例えば、焦点Ｆ１）から生じた光を他方（例えば、焦点Ｆ２）に集光する。なお、集光レンズ１２は、その焦点が焦点Ｆ１に概ね一致するように設計される。すなわち、励起光Ａが集光される集光点は、焦点Ｆ１と重なる。

【0034】

また、検査ユニット６は、受光部１６を有する。この受光部１６は、その受光面１６ａの中心が楕円鏡１４の焦点Ｆ２と一致するように設けられている。そして、受光部１６は、受光した光の光子数の経時変化を示す電気信号を出力する。

【0035】

また、楕円鏡１４の焦点Ｆ１と焦点Ｆ２との間の光路には、励起光Ａよりも長い所定範囲の波長の光を透過させ、かつ、それ以外の波長の光を遮断するバンドパスフィルタ１８が設けられている。そして、焦点Ｆ１で生じ、かつ、楕円鏡１４によって反射された光は、バンドパスフィルタ１８を通って焦点Ｆ２に到る。

【0036】

なお、バンドパスフィルタ１８は、例えば、５１０ｎｍ～５５０ｎｍ、代表的には約５３０ｎｍの可視光を透過させ、かつ、それ以外の波長の光を遮断する可視光フィルタである。あるいは、バンドパスフィルタ１８は、例えば、７５０ｎｍ以上の波長の赤外線（ＩＲ）を透過させ、かつ、それ以外の波長の光を遮断するＩＲフィルタであってもよい。

【0037】

さらに、検査ユニット６は、鉛直方向移動機構（不図示）に連結されている。この鉛直方向移動機構は、例えば、ボールねじ及びモータ等を有する。そして、鉛直方向移動機構を動作させると、鉛直方向に沿って検査ユニット６が移動する。

【0038】

加えて、検査装置２は、上述した構成要素を制御するためのコントローラ（不図示）を備える。このコントローラは、プロセッサとメモリとを有する。そして、プロセッサは、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等を含む。また、メモリは、例えば、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）又はＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の揮発性メモリと、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）（ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ）又はＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）（磁気記憶装置）等の不揮発性メモリと、を含む。

【0039】

そして、メモリは、プロセッサにおいて用いられる各種の情報（データ及びプログラム等）を記憶する。例えば、メモリは、インゴット１１の不純物濃度が異なる領域を特定するために利用されるデータを記憶する。また、プロセッサは、メモリに記憶された各種のプログラムを読みだして実行し、検査装置２の構成要素を制御する。例えば、プロセッサは、インゴット１１の不純物濃度が異なる領域を特定するインゴットの検査方法を実施するように検査装置２の構成要素を制御する。

【0040】

図３は、この検査方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この検査方法においては、まず、インゴット１１に含まれる複数の領域に対して順番に光源８から励起光Ａを１パルス分照射することによって生じ、かつ、光子数が経時変化する蛍光Ｂを受光する（受光ステップＳ１）。

【0041】

具体的には、この受光ステップＳ１においては、まず、インゴット１１の表面１１ａが上を向くようにチャックテーブル４の保持面４ａにインゴット１１を置く。次いで、インゴット１１がチャックテーブル４側に吸引されて保持されるように、プロセッサが吸引機構を動作させる。

【0042】

次いで、楕円鏡１４の焦点Ｆ１がインゴット１１の表面１１ａと同じ高さに位置付けられるように、プロセッサが鉛直方向移動機構を動作させて検査ユニット６を移動させる。次いで、この焦点Ｆ１をインゴット１１に含まれる複数の領域のいずれかに位置付けるように、プロセッサが水平方向移動機構及び／又は回転機構を動作させてチャックテーブル４を移動及び／又は回転させる。

【0043】

次いで、光源８から１パルス分の励起光Ａを照射させるように、プロセッサが光源８を動作させる。これにより、励起光Ａがミラー１０及び集光レンズ１２を介してインゴット１１に含まれる複数の領域のいずれかに照射される。そして、この領域に励起光Ａが照射されると、この領域において励起光Ａが吸収されて蛍光Ｂが生じる。

【0044】

なお、励起光Ａの波長が３７５ｎｍであれば、インゴット１１の表面１１ａから深さ１０μｍ程度まで励起光Ａが侵入する。そして、インゴット１１の励起光Ａが侵入した領域から蛍光Ｂが生じる。また、この蛍光Ｂの光子数は、インゴット１１に励起光Ａを照射した直後にピークを迎え、その後漸減するように経時変化する。

【0045】

さらに、この蛍光Ｂは、楕円鏡１４の反射面によって反射された後、バンドパスフィルタ１８を通過して受光部１６に到達する。そのため、蛍光Ｂのうち所定範囲の波長以外の光はバンドパスフィルタ１８によって遮断され、受光部１６においては蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光のみが受光される。

【0046】

これにより、蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光の光子数の経時変化を示すデータ（経時変化データ）が受光部１６から出力される。そして、経時変化データはプロセッサに入力され、プロセッサは経時変化データをメモリに記憶させる。

【0047】

さらに、インゴット１１に含まれる複数の領域の全てに励起光Ａが照射されるまで上述した動作が繰り返される。具体的には、インゴット１１の複数の領域のうち未だ励起光Ａが照射されていない領域に焦点Ｆ１を位置付けるためのチャックテーブル４の移動及び／又は回転と、光源８からの１パルス分の励起光Ａの照射と、が交互に繰り返される。

【0048】

これにより、インゴット１１に含まれる複数の領域から生じた蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光の光子数の経時変化をそれぞれ示す複数の経時変化データが受光部１６から順番に出力される。そして、複数の経時変化データはプロセッサに入力され、プロセッサは複数の経時変化データをメモリに記憶させる。以上によって、受光ステップＳ１が完了する。

【0049】

受光ステップＳ１の後には、蛍光Ｂの光子数が漸減中の所定の期間において生じる蛍光Ｂの光子数を参照して、複数の領域のそれぞれを不純物濃度の高い領域又は低い領域に分類する（分類ステップＳ２）。

【0050】

具体的には、この分類ステップＳ２においては、まず、インゴット１１に励起光Ａを照射してから、経時変化する蛍光Ｂの光子数がピークから漸減してピークのｎ（ｎは、例えば、１／１０以下１／１０００以上の値、代表的には１／１００）倍程度になるまでの期間（不算入期間）をプロセッサが特定する。

【0051】

なお、この不算入期間の特定に利用される倍率の値、すなわち、ｎの値は、予めメモリに記憶されている。また、この不算入期間は、１つの経時変化データを参照してプロセッサが特定してもよいし、複数の経時変化データを参照して、例えば、平均的な期間としてプロセッサが特定してもよい。

【0052】

次いで、複数の経時変化データを参照して、不算入期間経過後から所定の期間においてインゴット１１に含まれる複数の領域からそれぞれ生じる蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光の光子数をプロセッサが算出する。なお、この所定の期間は、例えば、予めメモリに記憶されている。

【0053】

あるいは、この所定の期間は、１又は複数の経時変化データを参照してプロセッサによって特定されてもよい。具体的には、プロセッサは、不算入期間から蛍光Ｂの光子数のピークのｍ（ｍは、例えば、１／１００以下１／１００００以上の値、代表的には１／１０００）倍程度になるまでの期間を当該所定の期間として特定してもよい。

【0054】

そして、インゴット１１に含まれる複数の領域のいずれかと、不算入期間経過後から所定の期間において複数の領域のいずれかから生じた蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光の光子数と、がそれぞれにおいて紐付けられた複数のデータ（複数の蛍光データ）をプロセッサがメモリに記憶させる。

【0055】

次いで、複数の蛍光データを参照して、インゴット１１に含まれる複数の領域のそれぞれをプロセッサが不純物濃度の高い領域又は低い領域に分類する。例えば、プロセッサは、複数の蛍光データを参照して、予めメモリに閾値として記憶されている光子数よりも少ない光子数に紐付けられている領域を不純物濃度の高い領域に分類し、また、それよりも多い光子数に紐付けられている領域を不純物濃度の低い領域に分類する。

【0056】

あるいは、プロセッサは、複数の蛍光データのそれぞれに含まれる光子数を比較して、相対的に少ない光子数に紐付けられている領域を不純物濃度の高い領域に分類し、また、相対的に多い光子数に紐付けられている領域を不純物濃度の低い領域に分類してもよい。

【0057】

図３に示されるインゴットの検査方法においては、蛍光Ｂの光子数が漸減中の所定の期間において生じる蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光の光子数を参照して、インゴット１１の励起光Ａが照射された領域を不純物濃度の高い領域又は低い領域に分類する。

【0058】

すなわち、この分類は、その量がインゴット１１の励起光Ａが照射される領域の不純物濃度に大きく影響される蛍光Ｂの光子数を参照して行われる。そのため、この方法においては、不純物濃度が異なる領域を精度よく特定することが可能である。

【0059】

なお、上述した内容は本発明の一態様であって、本発明は上述した内容に限定されない。例えば、上述した方法においては、蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光のみが受光部１６において受光されていたが、本発明の方法においては、蛍光Ｂの全てが受光部１６において受光されてもよい。この場合、検査装置２においては、バンドパスフィルタ１８が設けられなくてもよい。

【0060】

また、上述した方法においては、上記の不算入期間及び上記の所定の期間の双方において蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光が受光部１６において受光されていたが、本発明においては、上記の所定の期間のみにおいて蛍光Ｂのうち所定範囲の波長の光が受光部１６において受光されてもよい。この場合、検査装置２においては、上記の不算入期間において蛍光Ｂを遮断するとともに上記の所定の期間において蛍光Ｂを透過させる遮光フィルタが楕円鏡１４の焦点Ｆ１と焦点Ｆ２との間の光路に設けられてもよい。

【0061】

また、本発明の方法においては、受光ステップＳ１と分類ステップＳ２とが並行して行われてもよい。すなわち、本発明の方法においては、インゴット１１に含まれる複数の領域の全てに対する励起光Ａの照射が完了する前に、既に励起光Ａが照射された領域の不純物領域の高い領域又は低い領域への分類が随時行われてもよい。

【0062】

また、本発明の方法においては、それぞれにおける不純物濃度が異なる３つ以上の領域にインゴット１１に含まれる複数の領域のそれぞれが分類されてもよい。このような分類は、例えば、予めメモリに記憶され、かつ、それぞれの値が異なる２つ以上の光子数の閾値のそれぞれと、複数の蛍光データのそれぞれに含まれる光子数と、をプロセッサが比較することによって行われる。

【0063】

その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

【符号の説明】

【0064】

２ ：検査装置
４ ：チャックテーブル
６ ：検査ユニット
８ ：光源
１０：ミラー
１１：インゴット
（１１ａ：上面（表面）、１１ｂ：下面（裏面）、１１ｃ：ｃ軸）
（１１ｄ：垂線、１１ｅ：ｃ面）
（１１ｆ：ファセット領域、１１ｇ：非ファセット領域）
１２：集光レンズ
１３：一次オリエンテーションフラット
１４：楕円鏡（１４ａ：反射面）
１５：二次オリエンテーションフラット
１６：受光部（１６ａ：受光面）
１８：バンドパスフィルタ

【図1】

【図2】

【図3】