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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024016450
(43)【公開日】2024-02-07
(54)【発明の名称】スイッチ回路及び高周波回路
(51)【国際特許分類】
H04B 1/38 20150101AFI20240131BHJP
H03K 17/00 20060101ALI20240131BHJP
H03K 17/693 20060101ALI20240131BHJP
【ＦＩ】
H04B1/38
H03K17/00 G
H03K17/693 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022118583
(22)【出願日】2022-07-26
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100189430
【弁理士】
【氏名又は名称】吉川 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100190805
【弁理士】
【氏名又は名称】傍島 正朗
(72)【発明者】
【氏名】中嶋 礼滋
【テーマコード（参考）】
5J055
5K011
【Ｆターム（参考）】
5J055AX28
5J055BX06
5J055CX03
5J055CX24
5J055DX03
5J055DX12
5J055DX61
5J055EY17
5J055EY21
5J055EZ09
5J055EZ14
5J055GX02
5J055GX09
5K011DA01
5K011DA27
5K011JA01
5K011KA01
5K011KA18
(57)【要約】
【課題】アイソレーションを改善することができる多入力多出力のスイッチ回路を提供する。
【解決手段】スイッチ回路５１は、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続可能な選択端子ＳＴ１と、ノードＮＤ１を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続可能であり、かつ、ノードＮＤ２を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続可能な選択端子ＳＴ２及びＳＴ３と、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１との間に接続されるスイッチＳＷ１～ＳＷ３と、共通端子ＣＴ１及びＣＴ３とノードＮＤ１との間に接続されるスイッチＳＷ４及びＳＷ５と、共通端子ＣＴ１及びＣＴ２とノードＮＤ２との間に接続されるスイッチＳＷ６及びＳＷ７と、選択端子ＳＴ２及びＳＴ３とノードＮＤ１との間に接続されるスイッチＳＷ８及びＳＷ９と、選択端子ＳＴ２及びＳＴ３とノードＮＤ２との間に接続されるスイッチＳＷ１０及びＳＷ１１と、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】スイッチ回路５１は、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続可能な選択端子ＳＴ１と、ノードＮＤ１を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続可能であり、かつ、ノードＮＤ２を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続可能な選択端子ＳＴ２及びＳＴ３と、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１との間に接続されるスイッチＳＷ１～ＳＷ３と、共通端子ＣＴ１及びＣＴ３とノードＮＤ１との間に接続されるスイッチＳＷ４及びＳＷ５と、共通端子ＣＴ１及びＣＴ２とノードＮＤ２との間に接続されるスイッチＳＷ６及びＳＷ７と、選択端子ＳＴ２及びＳＴ３とノードＮＤ１との間に接続されるスイッチＳＷ８及びＳＷ９と、選択端子ＳＴ２及びＳＴ３とノードＮＤ２との間に接続されるスイッチＳＷ１０及びＳＷ１１と、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１共通端子、第２共通端子及び第３共通端子と、
前記第１共通端子、前記第２共通端子及び前記第３共通端子に接続可能な第１選択端子と、
第１ノードを介して前記第１共通端子及び前記第３共通端子に接続可能であり、かつ、第２ノードを介して前記第１共通端子及び前記第２共通端子に接続可能な第２選択端子及び第３選択端子と、
前記第１共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第１スイッチと、
前記第２共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第２スイッチと、
前記第３共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第３スイッチと、
前記第１共通端子及び前記第１ノードの間に接続される第４スイッチと、
前記第３共通端子及び前記第１ノードの間に接続される第５スイッチと、
前記第１共通端子及び前記第２ノードの間に接続される第６スイッチと、
前記第２共通端子及び前記第２ノードの間に接続される第７スイッチと、
前記第２選択端子及び前記第１ノードの間に接続される第８スイッチと、
前記第３選択端子及び前記第１ノードの間に接続される第９スイッチと、
前記第２選択端子及び前記第２ノードの間に接続される第１０スイッチと、
前記第３選択端子及び前記第２ノードの間に接続される第１１スイッチと、を備える、
スイッチ回路。
前記第１共通端子、前記第２共通端子及び前記第３共通端子に接続可能な第１選択端子と、
第１ノードを介して前記第１共通端子及び前記第３共通端子に接続可能であり、かつ、第２ノードを介して前記第１共通端子及び前記第２共通端子に接続可能な第２選択端子及び第３選択端子と、
前記第１共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第１スイッチと、
前記第２共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第２スイッチと、
前記第３共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第３スイッチと、
前記第１共通端子及び前記第１ノードの間に接続される第４スイッチと、
前記第３共通端子及び前記第１ノードの間に接続される第５スイッチと、
前記第１共通端子及び前記第２ノードの間に接続される第６スイッチと、
前記第２共通端子及び前記第２ノードの間に接続される第７スイッチと、
前記第２選択端子及び前記第１ノードの間に接続される第８スイッチと、
前記第３選択端子及び前記第１ノードの間に接続される第９スイッチと、
前記第２選択端子及び前記第２ノードの間に接続される第１０スイッチと、
前記第３選択端子及び前記第２ノードの間に接続される第１１スイッチと、を備える、
スイッチ回路。
【請求項2】
前記第１共通端子、前記第２共通端子、前記第３共通端子、前記第１選択端子、前記第２選択端子、前記第３選択端子、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第３スイッチ、前記第４スイッチ、前記第５スイッチ、前記第６スイッチ、前記第７スイッチ、前記第８スイッチ、前記第９スイッチ、前記第１０スイッチ、及び、前記第１１スイッチは、半導体集積回路に含まれ、
前記半導体集積回路の平面視において、前記第２選択端子及び前記第３選択端子の各々よりも前記第１選択端子の方が前記第１共通端子、前記第２共通端子及び前記第３共通端子の近くに配置される、
請求項１に記載のスイッチ回路。
前記半導体集積回路の平面視において、前記第２選択端子及び前記第３選択端子の各々よりも前記第１選択端子の方が前記第１共通端子、前記第２共通端子及び前記第３共通端子の近くに配置される、
請求項１に記載のスイッチ回路。
【請求項3】
前記スイッチ回路は、さらに、
前記第１ノードを介して前記第１共通端子及び前記第３共通端子に接続可能であり、かつ、前記第２ノードを介して前記第１共通端子及び前記第２共通端子に接続可能な１以上の第４選択端子と、
前記１以上の第４選択端子と前記第１ノードとの間にそれぞれ接続される１以上の第１２スイッチと、
前記１以上の第４選択端子と前記第２ノードとの間にそれぞれ接続される１以上の第１３スイッチと、を備える、
請求項１に記載のスイッチ回路。
前記第１ノードを介して前記第１共通端子及び前記第３共通端子に接続可能であり、かつ、前記第２ノードを介して前記第１共通端子及び前記第２共通端子に接続可能な１以上の第４選択端子と、
前記１以上の第４選択端子と前記第１ノードとの間にそれぞれ接続される１以上の第１２スイッチと、
前記１以上の第４選択端子と前記第２ノードとの間にそれぞれ接続される１以上の第１３スイッチと、を備える、
請求項１に記載のスイッチ回路。
【請求項4】
前記第１共通端子、前記第２共通端子、前記第３共通端子、前記第１選択端子、前記第２選択端子、前記第３選択端子、前記１以上の第４選択端子、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第３スイッチ、前記第４スイッチ、前記第５スイッチ、前記第６スイッチ、前記第７スイッチ、前記第８スイッチ、前記第９スイッチ、前記第１０スイッチ、前記第１１スイッチ、前記１以上の第１２スイッチ、及び、前記１以上の第１３スイッチは、半導体集積回路に含まれ、
前記半導体集積回路の平面視において、前記第２選択端子、前記第３選択端子及び前記１以上の第４選択端子の各々よりも前記第１選択端子の方が前記第１共通端子、前記第２共通端子及び前記第３共通端子の近くに配置される、
請求項３に記載のスイッチ回路。
前記半導体集積回路の平面視において、前記第２選択端子、前記第３選択端子及び前記１以上の第４選択端子の各々よりも前記第１選択端子の方が前記第１共通端子、前記第２共通端子及び前記第３共通端子の近くに配置される、
請求項３に記載のスイッチ回路。
【請求項5】
請求項１～４のいずれかに記載のスイッチ回路と、
前記第１共通端子に接続される第１ローパスフィルタと、
前記第２共通端子に接続される第２ローパスフィルタと、
前記第３共通端子に接続される第３ローパスフィルタと、を備える、
高周波回路。
前記第１共通端子に接続される第１ローパスフィルタと、
前記第２共通端子に接続される第２ローパスフィルタと、
前記第３共通端子に接続される第３ローパスフィルタと、を備える、
高周波回路。
【請求項6】
前記高周波回路は、さらに、
前記第１選択端子に接続される第４フィルタと、
前記第２選択端子に接続される第５フィルタと、
前記第３選択端子に接続される第６フィルタと、を備える、
請求項５に記載の高周波回路。
前記第１選択端子に接続される第４フィルタと、
前記第２選択端子に接続される第５フィルタと、
前記第３選択端子に接続される第６フィルタと、を備える、
請求項５に記載の高周波回路。
【請求項7】
前記第４フィルタは、第１バンドの受信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタである、
請求項６に記載の高周波回路。
請求項６に記載の高周波回路。
【請求項8】
前記第５フィルタは、前記第１バンドと同時通信可能な第２バンドの送信帯域を含む通過帯域を有する送信フィルタと前記第２バンドの受信帯域を含む通過帯域を有する受信フィルタとを含むデュプレクサである、
請求項７に記載の高周波回路。
請求項７に記載の高周波回路。
【請求項9】
前記第６フィルタは、前記第１バンド及び前記第２バンドと同時通信可能な第３バンドの送信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタである、
請求項８に記載の高周波回路。
請求項８に記載の高周波回路。
【請求項10】
前記高周波回路は、さらに、第２世代セルラーネットワークのための送信経路を備え、
前記送信経路は、前記第１選択端子に接続される、
請求項５に記載の高周波回路。
前記送信経路は、前記第１選択端子に接続される、
請求項５に記載の高周波回路。
【請求項11】
スイッチ回路と、
第１ローパスフィルタ及び第２ローパスフィルタと、を備え、
前記スイッチ回路は、
第１共通端子、第２共通端子及び第３共通端子と、
第１選択端子、第２選択端子及び第３選択端子と、
第１ノードを介して前記第１共通端子及び前記第３共通端子に接続される第１接続端子と、
第２ノードを介して前記第１共通端子及び前記第２共通端子に接続される第２接続端子と、
第３ノードを介して前記第２選択端子及び前記第３選択端子に接続される第３接続端子と、
第４ノードを介して前記第２選択端子及び前記第３選択端子に接続される第４接続端子と、
前記第１共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第１スイッチと、
前記第２共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第２スイッチと、
前記第３共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第３スイッチと、
前記第１共通端子及び前記第１ノードの間に接続される第４スイッチと、
前記第３共通端子及び前記第１ノードの間に接続される第５スイッチと、
前記第１共通端子及び前記第２ノードの間に接続される第６スイッチと、
前記第２共通端子及び前記第２ノードの間に接続される第７スイッチと、
前記第２選択端子及び前記第３ノードの間に接続される第８スイッチと、
前記第３選択端子及び前記第３ノードの間に接続される第９スイッチと、
前記第２選択端子及び前記第４ノードの間に接続される第１０スイッチと、
前記第３選択端子及び前記第４ノードの間に接続される第１１スイッチと、を備え、
前記第１ローパスフィルタは、前記第１接続端子及び前記第３接続端子の間に接続され、
前記第２ローパスフィルタは、前記第２接続端子及び前記第４接続端子の間に接続される、
高周波回路。
第１ローパスフィルタ及び第２ローパスフィルタと、を備え、
前記スイッチ回路は、
第１共通端子、第２共通端子及び第３共通端子と、
第１選択端子、第２選択端子及び第３選択端子と、
第１ノードを介して前記第１共通端子及び前記第３共通端子に接続される第１接続端子と、
第２ノードを介して前記第１共通端子及び前記第２共通端子に接続される第２接続端子と、
第３ノードを介して前記第２選択端子及び前記第３選択端子に接続される第３接続端子と、
第４ノードを介して前記第２選択端子及び前記第３選択端子に接続される第４接続端子と、
前記第１共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第１スイッチと、
前記第２共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第２スイッチと、
前記第３共通端子及び前記第１選択端子の間に接続される第３スイッチと、
前記第１共通端子及び前記第１ノードの間に接続される第４スイッチと、
前記第３共通端子及び前記第１ノードの間に接続される第５スイッチと、
前記第１共通端子及び前記第２ノードの間に接続される第６スイッチと、
前記第２共通端子及び前記第２ノードの間に接続される第７スイッチと、
前記第２選択端子及び前記第３ノードの間に接続される第８スイッチと、
前記第３選択端子及び前記第３ノードの間に接続される第９スイッチと、
前記第２選択端子及び前記第４ノードの間に接続される第１０スイッチと、
前記第３選択端子及び前記第４ノードの間に接続される第１１スイッチと、を備え、
前記第１ローパスフィルタは、前記第１接続端子及び前記第３接続端子の間に接続され、
前記第２ローパスフィルタは、前記第２接続端子及び前記第４接続端子の間に接続される、
高周波回路。
【請求項12】
前記高周波回路は、さらに、
前記第１選択端子に接続される第４フィルタと、
前記第２選択端子に接続される第５フィルタと、
前記第３選択端子に接続される第６フィルタと、を備える、
請求項１１に記載の高周波回路。
前記第１選択端子に接続される第４フィルタと、
前記第２選択端子に接続される第５フィルタと、
前記第３選択端子に接続される第６フィルタと、を備える、
請求項１１に記載の高周波回路。
【請求項13】
前記第４フィルタは、第１バンドの受信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタである、
請求項１２に記載の高周波回路。
請求項１２に記載の高周波回路。
【請求項14】
前記第５フィルタは、前記第１バンドと同時通信可能な第２バンドの送信帯域を含む通過帯域を有する送信フィルタと前記第２バンドの受信帯域を含む通過帯域を有する受信フィルタとを含むデュプレクサである、
請求項１３に記載の高周波回路。
請求項１３に記載の高周波回路。
【請求項15】
前記第６フィルタは、前記第１バンド及び前記第２バンドと同時通信可能な第３バンドの送信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタである、
請求項１４に記載の高周波回路。
請求項１４に記載の高周波回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、スイッチ回路及び高周波回路に関する。
【背景技術】
【0002】
マルチバンド化及びマルチモード化に対応した通信装置では、複数の高周波信号の同時通信を実現するために複数のアンテナが用いられ、複数のアンテナを切り替えるためのスイッチ回路が要求される。
【0003】
例えば、特許文献１には、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）をオン／オフすることにより信号経路を切り替える多入力多出力スイッチが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００５－３２３３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記従来の技術では、複数の高周波信号の同時通信において信号経路間のアイソレーションを確保することが難しい場合がある。
【0006】
そこで、本発明は、アイソレーションを改善することができる多入力多出力のスイッチ回路及びそれを備える高周波回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様に係るスイッチ回路は、第１共通端子、第２共通端子及び第３共通端子と、第１共通端子、第２共通端子及び第３共通端子に接続可能な第１選択端子と、第１ノードを介して第１共通端子及び第３共通端子に接続可能であり、かつ、第２ノードを介して第１共通端子及び第２共通端子に接続可能な第２選択端子及び第３選択端子と、第１共通端子及び第１選択端子の間に接続される第１スイッチと、第２共通端子及び第１選択端子の間に接続される第２スイッチと、第３共通端子及び第１選択端子の間に接続される第３スイッチと、第１共通端子及び第１ノードの間に接続される第４スイッチと、第３共通端子及び第１ノードの間に接続される第５スイッチと、第１共通端子及び第２ノードの間に接続される第６スイッチと、第２共通端子及び第２ノードの間に接続される第７スイッチと、第２選択端子及び第１ノードの間に接続される第８スイッチと、第３選択端子及び第１ノードの間に接続される第９スイッチと、第２選択端子及び第２ノードの間に接続される第１０スイッチと、第３選択端子及び第２ノードの間に接続される第１１スイッチと、を備える。
【0008】
本発明の一態様に係る高周波回路は、上記スイッチ回路と、第１共通端子に接続される第１ローパスフィルタと、第２共通端子に接続される第２ローパスフィルタと、第３共通端子に接続される第３ローパスフィルタと、を備える。
【0009】
本発明の一態様に係る高周波回路は、スイッチ回路と、第１ローパスフィルタ及び第２ローパスフィルタと、を備え、スイッチ回路は、第１共通端子、第２共通端子及び第３共通端子と、第１選択端子、第２選択端子及び第３選択端子と、第１ノードを介して第１共通端子及び第３共通端子に接続される第１接続端子と、第２ノードを介して第１共通端子及び第２共通端子に接続される第２接続端子と、第３ノードを介して第２選択端子及び第３選択端子に接続される第３接続端子と、第４ノードを介して第２選択端子及び第３選択端子に接続される第４接続端子と、第１共通端子及び第１選択端子の間に接続される第１スイッチと、第２共通端子及び第１選択端子の間に接続される第２スイッチと、第３共通端子及び第１選択端子の間に接続される第３スイッチと、第１共通端子及び第１ノードの間に接続される第４スイッチと、第３共通端子及び第１ノードの間に接続される第５スイッチと、第１共通端子及び第２ノードの間に接続される第６スイッチと、第２共通端子及び第２ノードの間に接続される第７スイッチと、第２選択端子及び第３ノードの間に接続される第８スイッチと、第３選択端子及び第３ノードの間に接続される第９スイッチと、第２選択端子及び第４ノードの間に接続される第１０スイッチと、第３選択端子及び第４ノードの間に接続される第１１スイッチと、を備え、第１ローパスフィルタは、第１接続端子及び第３接続端子の間に接続され、第２ローパスフィルタは、第２接続端子及び第４接続端子の間に接続される。
【発明の効果】
【0010】
本発明の一態様に係るスイッチ回路によれば、多入力多出力のスイッチ回路においてアイソレーションを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
（本発明に至った経緯）
多入力多出力スイッチ回路では、スイッチ回路内で経路の交差又は立体交差が発生し、経路間のアイソレーションを確保することが難しい場合がある。例えば、３Ｐ３Ｔ（Triple-Pole Triple-Throw）型のスイッチ回路では、３つの共通端子と３つの選択端子とをそれぞれ接続する９つの経路において少なくとも１つの交差又は立体交差が発生する。
多入力多出力スイッチ回路では、スイッチ回路内で経路の交差又は立体交差が発生し、経路間のアイソレーションを確保することが難しい場合がある。例えば、３Ｐ３Ｔ（Triple-Pole Triple-Throw）型のスイッチ回路では、３つの共通端子と３つの選択端子とをそれぞれ接続する９つの経路において少なくとも１つの交差又は立体交差が発生する。
【0013】
図１は、比較例に係る３Ｐ３Ｔ型のスイッチ回路の回路構成図である。比較例に係るスイッチ回路１０００は、共通端子ＣＴ１００１～ＣＴ１００３と、選択端子ＳＴ１００１～ＳＴ１００３と、各経路に直列に配置されたＳＰＳＴ（Single-Pole Single-Throw）型のスイッチＳＷ１００１～ＳＷ１００９と、を備える。このようなスイッチ回路１０００内の経路では、少なくとも１つの交差又は立体交差が発生する。図１では、共通端子ＣＴ１００１及び選択端子ＳＴ１００２を接続する経路と、共通端子ＣＴ１００２及び選択端子ＳＴ１００３を接続する経路との間で立体交差ＧＳ１００１が発生している。この場合、２つの経路間でアイソレーションを確保することが難しく、スイッチＳＷ１００４及びＳＷ１００８の両方が閉じられる（つまり、オンされる）ときに信号の干渉が増大する。
【0014】
そこで、以下では、アイソレーションを改善することができる多入力多出力のスイッチ回路について、実施の形態に基づいて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
【0015】
なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。
【0016】
以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
【0017】
本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味し、Ａ及びＢを結ぶ経路に直列接続されることを意味する。
【0018】
本発明の回路構成において、「端子」とは、要素内の導体が終了するポイントを意味する。なお、要素間の経路として機能する導体のインピーダンスが十分に低い場合には、端子は、単一のポイントだけでなく、要素間の経路上の任意のポイント又は経路全体と解釈される。また、「ノード」とは、要素間の経路上の任意のポイント又は経路全体を意味する。
【0019】
本発明において、「送信帯域」とは、通信装置において送信に用いられる周波数バンドを意味する。また、「受信帯域」とは、通信装置において受信に用いられる周波数バンドを意味する。例えば、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）バンドでは、送信帯域及び受信帯域として、互いに異なる周波数バンドが用いられ、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）バンドでは、送信帯域及び受信帯域は、同一の周波数バンドが用いられる。特に、通信装置がセルラー通信システムのユーザ端末（ＵＥ：：User Equipment）として機能する場合には、ＦＤＤバンドにおいて、アップリンク動作バンド（uplink operation band）を送信帯域として用いることができ、ダウンリンク動作バンド（downlink operation band）を受信帯域として用いることができる。逆に、通信装置がセルラー通信システムの基地局（ＢＳ：Base Station）として機能する場合には、ＦＤＤバンドにおいて、ダウンリンク動作バンドを送信帯域として用いることができ、アップリンク動作バンドを受信帯域として用いることができる。
【0020】
本発明の部品配置において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「ＡがＢ及びＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。「ＢよりもＡの方が複数のＣの近くに配置される」とは、Ａと複数のＣとの間の最短距離が、Ｂと複数のＣとの間の最短距離よりも短いことを意味する。なお、Ａと複数のＣとの間の最短距離とは、Ａと複数のＣの各々との間の距離のうち最も短いものを意味する。「平行」及び「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、及び、「矩形」などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。
【0021】
（実施の形態１）
以下に、実施の形態１に係る通信装置５について説明する。本実施の形態に係る通信装置５は、セルラー通信システムにおけるユーザ端末に相当し、典型的には、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ウェアラブル・デバイス等である。なお、通信装置５は、ＩｏＴ（Internet of Things）センサ・デバイス、医療／ヘルスケア・デバイス、車、無人航空機（ＵＡＶ：Unmanned Aerial Vehicle）（いわゆるドローン）、無人搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）であってもよい。また、通信装置５は、セルラー通信システムにおける基地局として用いられてもよい。
以下に、実施の形態１に係る通信装置５について説明する。本実施の形態に係る通信装置５は、セルラー通信システムにおけるユーザ端末に相当し、典型的には、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ウェアラブル・デバイス等である。なお、通信装置５は、ＩｏＴ（Internet of Things）センサ・デバイス、医療／ヘルスケア・デバイス、車、無人航空機（ＵＡＶ：Unmanned Aerial Vehicle）（いわゆるドローン）、無人搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）であってもよい。また、通信装置５は、セルラー通信システムにおける基地局として用いられてもよい。
【0022】
本実施の形態に係る通信装置５、高周波回路１及びスイッチ回路５１の回路構成について、図２及び図３を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成図である。図３は、本実施の形態に係るスイッチ回路５１の回路構成図である。
【0023】
なお、図２及び図３は、例示的な回路構成であり、通信装置５、高周波回路１及びスイッチ回路５１は、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供される通信装置５、高周波回路１及びスイッチ回路５１の説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0024】
［１．１ 通信装置５の回路構成］
まず、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成について、図２を参照しながら説明する。通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２ａ～２ｃと、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）４と、を備える。
まず、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成について、図２を参照しながら説明する。通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２ａ～２ｃと、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）４と、を備える。
【0025】
高周波回路１は、アンテナ２ａ～２ｃとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の内部構成については後述する。
【0026】
アンテナ２ａ～２ｃは、高周波回路１のアンテナ接続端子１０１～１０３にそれぞれ接続される。アンテナ２ａ～２ｃの各々は、通信装置５の外部から高周波信号を受信して高周波回路１へ伝送する。また、アンテナ２ａ～２ｃの各々は、高周波回路１から高周波信号を受けて通信装置５の外部に出力する。なお、アンテナ２ａ～２ｃは、通信装置５に含まれなくてもよい。また、通信装置５は、アンテナ２ａ～２ｃに加えて、さらに１以上のアンテナを備えてもよい。
【0027】
ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波回路１に出力する。さらに、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチ及び増幅器等を制御する制御部を有してもよい。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に構成されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波回路１に含まれてもよい。
【0028】
ＢＢＩＣ４は、高周波回路１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のための音声信号が用いられる。なお、ＢＢＩＣ４は、通信装置５に含まれなくてもよい。
【0029】
［１．２ 高周波回路１の回路構成］
次に、本実施の形態に係る高周波回路１について図２を参照しながら説明する。高周波回路１は、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１及び２２と、フィルタ３１～３３と、ローパスフィルタ４１～４３と、スイッチ回路５１と、アンテナ接続端子１０１～１０３と、入力端子１１１及び１１２と、出力端子１２１及び１２２と、を備える。
次に、本実施の形態に係る高周波回路１について図２を参照しながら説明する。高周波回路１は、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１及び２２と、フィルタ３１～３３と、ローパスフィルタ４１～４３と、スイッチ回路５１と、アンテナ接続端子１０１～１０３と、入力端子１１１及び１１２と、出力端子１２１及び１２２と、を備える。
【0030】
アンテナ接続端子１０１～１０３の各々は、高周波回路１の外部接続端子であり、高周波回路１の外部から受信信号を受けるための端子、及び／又は、高周波回路１の外部に送信信号を供給するための端子である。アンテナ接続端子１０１～１０３は、高周波回路１の外部でアンテナ２ａ～２ｃにそれぞれ接続され、高周波回路１の内部でローパスフィルタ４１～４３にそれぞれ接続される。
【0031】
入力端子１１１及び１１２は、高周波回路１の外部接続端子であり、高周波回路１の外部から送信信号を受けるための端子である。入力端子１１１は、高周波回路１の外部でＲＦＩＣ３に接続され、高周波回路１の内部で電力増幅器１１の入力端に接続される。入力端子１１２は、高周波回路１の外部でＲＦＩＣ３に接続され、高周波回路１の内部で電力増幅器１２の入力端に接続される。
【0032】
出力端子１２１及び１２２は、高周波回路１の外部接続端子であり、高周波回路１の外部に受信信号を供給するための端子である。出力端子１２１は、高周波回路１の外部でＲＦＩＣ３に接続され、高周波回路１の内部で低雑音増幅器２１の出力端に接続される。出力端子１２２は、高周波回路１の外部でＲＦＩＣ３に接続され、高周波回路１の内部で低雑音増幅器２２の出力端に接続される。
【0033】
電力増幅器１１は、入力端子１１１とフィルタ３２との間に接続される。具体的には、電力増幅器１１の入力端は、入力端子１１１に接続され、電力増幅器１１の出力端は、フィルタ３２に含まれる送信フィルタ３２１に接続される。この接続構成において、電力増幅器１１は、ＲＦＩＣ３から入力端子１１１を介して供給される高周波信号を増幅することができる。
【0034】
電力増幅器１２は、入力端子１１２とフィルタ３３との間に接続される。具体的には、電力増幅器１２の入力端は、入力端子１１２に接続され、電力増幅器１２の出力端は、フィルタ３３に接続される。この接続構成において、電力増幅器１２は、ＲＦＩＣ３から入力端子１１２を介して供給される高周波信号を増幅することができる。
【0035】
低雑音増幅器２１は、フィルタ３１と出力端子１２１との間に接続される。具体的には、低雑音増幅器２１の入力端は、フィルタ３１に接続され、低雑音増幅器２１の出力端は、出力端子１２１に接続される。この接続構成において、低雑音増幅器２１は、フィルタ３１を通過した高周波信号を増幅することができる。
【0036】
低雑音増幅器２２は、フィルタ３２と出力端子１２２との間に接続される。具体的には、低雑音増幅器２２の入力端は、フィルタ３２に含まれる受信フィルタ３２２に接続され、低雑音増幅器２２の出力端は、出力端子１２２に接続される。この接続構成において、低雑音増幅器２２は、受信フィルタ３２２を通過した高周波信号を増幅することができる。
【0037】
フィルタ３１（Ａ－Ｒｘ）は、第４フィルタの一例であり、スイッチ回路５１と低雑音増幅器２１の入力端との間に接続される。フィルタ３１は、バンドＡの受信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタである。
【0038】
フィルタ３２は、第５フィルタの一例であり、スイッチ回路５１と電力増幅器１１及び低雑音増幅器２２との間に接続される。フィルタ３２は、送信フィルタ３２１及び受信フィルタ３２２を含むデュプレクサである。
【0039】
送信フィルタ３２１（Ｂ－Ｔｘ）は、スイッチ回路５１と電力増幅器１１の出力端との間に接続される。送信フィルタ３２１は、バンドＢの送信帯域を含む通過帯域を有する。
【0040】
受信フィルタ３２２（Ｂ－Ｒｘ）は、スイッチ回路５１と低雑音増幅器２２の入力端との間に接続される。受信フィルタ３２２は、バンドＢの受信帯域を含む通過帯域を有する。
【0041】
フィルタ３３（Ｃ－Ｔｘ）は、第６フィルタの一例であり、スイッチ回路５１と電力増幅器１２の出力端との間に接続される。フィルタ３３は、バンドＣの送信帯域を含む通過帯域を有する。
【0042】
バンドＡ～Ｃは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのための周波数バンドであり、同時に利用可能なバンドの組み合わせである。バンドＡ～Ｃは、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義される。通信システムの例としては、５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を挙げることができる。
【0043】
ローパスフィルタ４１は、第１ローパスフィルタの一例であり、アンテナ接続端子１０１とスイッチ回路５１との間に接続される。ローパスフィルタ４１は、バンドＡ～Ｃよりも高いカットオフ周波数を有する。
【0044】
ローパスフィルタ４２は、第２ローパスフィルタの一例であり、アンテナ接続端子１０２とスイッチ回路５１との間に接続される。ローパスフィルタ４２は、バンドＡ～Ｃよりも高いカットオフ周波数を有する。
【0045】
ローパスフィルタ４３は、第３ローパスフィルタの一例であり、アンテナ接続端子１０３とスイッチ回路５１との間に接続される。ローパスフィルタ４３は、バンドＡ～Ｃよりも高いカットオフ周波数を有する。
【0046】
スイッチ回路５１は、ローパスフィルタ４１～４３とフィルタ３１～３３との間に接続される。スイッチ回路５１は、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１～ＳＴ３とを含む。共通端子ＣＴ１は、第１共通端子の一例であり、ローパスフィルタ４１に接続される。共通端子ＣＴ２は、第２共通端子の一例であり、ローパスフィルタ４２に接続される。共通端子ＣＴ３は、第３共通端子の一例であり、ローパスフィルタ４３に接続される。選択端子ＳＴ１は、第１選択端子の一例であり、フィルタ３１に接続される。選択端子ＳＴ２は、第２選択端子の一例であり、フィルタ３２に接続される。選択端子ＳＴ３は、第３選択端子の一例であり、フィルタ３３に接続される。
【0047】
［１．３ スイッチ回路５１の回路構成］
次に、本実施の形態に係るスイッチ回路５１の回路構成について図３を参照しながら説明する。スイッチ回路５１は、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１～ＳＴ３に加えて、ＳＰＳＴ型のスイッチＳＷ１～ＳＷ１１を含む。
次に、本実施の形態に係るスイッチ回路５１の回路構成について図３を参照しながら説明する。スイッチ回路５１は、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１～ＳＴ３に加えて、ＳＰＳＴ型のスイッチＳＷ１～ＳＷ１１を含む。
【0048】
スイッチＳＷ１は、第１スイッチの一例であり、共通端子ＣＴ１及び選択端子ＳＴ１の間に接続される。スイッチＳＷ１が閉じられる（つまり、オンされる）ことにより、共通端子ＣＴ１は、選択端子ＳＴ１に接続される。逆に、スイッチＳＷ１が開かれる（つまり、オフされる）ことにより、共通端子ＣＴ１は、選択端子ＳＴ１に接続されない。
【0049】
スイッチＳＷ２は、第２スイッチの一例であり、共通端子ＣＴ２及び選択端子ＳＴ１の間に接続される。スイッチＳＷ２が閉じられることにより、共通端子ＣＴ２は、選択端子ＳＴ１に接続される。逆に、スイッチＳＷ２が開かれることにより、共通端子ＣＴ２は、選択端子ＳＴ１に接続されない。
【0050】
スイッチＳＷ３は、第３スイッチの一例であり、共通端子ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１の間に接続される。スイッチＳＷ３が閉じられることにより、共通端子ＣＴ３は、選択端子ＳＴ１に接続される。逆に、スイッチＳＷ３が開かれることにより、共通端子ＣＴ３は、選択端子ＳＴ１に接続されない。
【0051】
スイッチＳＷ４は、第４スイッチの一例であり、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ１の間に接続される。スイッチＳＷ４が閉じられることにより、共通端子ＣＴ１は、ノードＮＤ１に接続される。逆に、スイッチＳＷ４が開かれることにより、共通端子ＣＴ１は、ノードＮＤ１に接続されない。
【0052】
スイッチＳＷ５は、第５スイッチの一例であり、共通端子ＣＴ３及びノードＮＤ１の間に接続される。スイッチＳＷ５が閉じられることにより、共通端子ＣＴ３は、ノードＮＤ１に接続される。逆に、スイッチＳＷ５が開かれることにより、共通端子ＣＴ３は、ノードＮＤ１に接続されない。
【0053】
スイッチＳＷ６は、第６スイッチの一例であり、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ２の間に接続される。スイッチＳＷ６が閉じられることにより、共通端子ＣＴ１は、ノードＮＤ２に接続される。逆に、スイッチＳＷ６が開かれることにより、共通端子ＣＴ１は、ノードＮＤ２に接続されない。
【0054】
スイッチＳＷ７は、第７スイッチの一例であり、共通端子ＣＴ２及びノードＮＤ２の間に接続される。スイッチＳＷ７が閉じられることにより、共通端子ＣＴ２は、ノードＮＤ２に接続される。逆に、スイッチＳＷ７が開かれることにより、共通端子ＣＴ２は、ノードＮＤ２に接続されない。
【0055】
スイッチＳＷ８は、第８スイッチの一例であり、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ１の間に接続される。スイッチＳＷ８が閉じられることにより、選択端子ＳＴ２は、ノードＮＤ１に接続される。逆に、スイッチＳＷ８が開かれることにより、選択端子ＳＴ２は、ノードＮＤ１に接続されない。
【0056】
スイッチＳＷ９は、第９スイッチの一例であり、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ１の間に接続される。スイッチＳＷ９が閉じられることにより、選択端子ＳＴ３は、ノードＮＤ１に接続される。逆に、スイッチＳＷ９が開かれることにより、選択端子ＳＴ３は、ノードＮＤ１に接続されない。
【0057】
スイッチＳＷ１０は、第１０スイッチの一例であり、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ２の間に接続される。スイッチＳＷ１０が閉じられることにより、選択端子ＳＴ２は、ノードＮＤ２に接続される。逆に、スイッチＳＷ１０が開かれることにより、選択端子ＳＴ２は、ノードＮＤ２に接続されない。
【0058】
スイッチＳＷ１１は、第１１スイッチの一例であり、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ２の間に接続される。スイッチＳＷ１１が閉じられることにより、選択端子ＳＴ３は、ノードＮＤ２に接続される。逆に、スイッチＳＷ１１が開かれることにより、選択端子ＳＴ３は、ノードＮＤ２に接続されない。
【0059】
ノードＮＤ１は、第１ノードの一例であり、スイッチＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ８及びＳＷ９を互いに接続する。共通端子ＣＴ１及びＣＴ３は、ノードＮＤ１を介して選択端子ＳＴ２及びＳＴ３に接続される。
【0060】
ノードＮＤ２は、第２ノードの一例であり、スイッチＳＷ６、ＳＷ７、ＳＷ１０及びＳＷ１１を互いに接続する。共通端子ＣＴ１及びＣＴ２は、ノードＮＤ２を介して選択端子ＳＴ２及びＳＴ３に接続される。
【0061】
なお、スイッチ回路５１は、図３の回路構成に限定されない。例えば、スイッチ回路５１は、信号経路をグランドに接続するシャントスイッチを含んでもよい。この場合、シャントスイッチは、信号経路が非導通状態のときに閉じられてもよい。これにより、経路間のアイソレーションを向上させることができる。
【0062】
［１．４ スイッチ回路５１の接続状態］
次に、スイッチ回路５１内の共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１～ＳＴ３との間の接続について図４～図９を参照しながら説明する。図４～図９は、本実施の形態に係るスイッチ回路５１内の接続状態を示す図である。
次に、スイッチ回路５１内の共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１～ＳＴ３との間の接続について図４～図９を参照しながら説明する。図４～図９は、本実施の形態に係るスイッチ回路５１内の接続状態を示す図である。
【0063】
図４～図９の左上には、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１～ＳＴ３との間の接続状態図が表され、その下には、スイッチ回路５１の回路構成図が表されている。回路構成図において、実線で表された経路は導通状態を示し、破線で表された経路は非導通状態を示す。
【0064】
図４では、スイッチＳＷ１、ＳＷ５、ＳＷ７、ＳＷ９、ＳＷ１０が閉じられ、他のスイッチが開かれている。これにより、共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ１を介して選択端子ＳＴ１に接続される。共通端子ＣＴ２は、スイッチＳＷ７、ノードＮＤ２及びスイッチＳＷ１０を介して選択端子ＳＴ２に接続される。共通端子ＣＴ３は、スイッチＳＷ５、ノードＮＤ１及びスイッチＳＷ９を介して選択端子ＳＴ３に接続される。
【0065】
図５では、スイッチＳＷ１、ＳＷ５、ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ１１が閉じられ、他のスイッチが開かれている。これにより、共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ１を介して選択端子ＳＴ１に接続される。共通端子ＣＴ２は、スイッチＳＷ７、ノードＮＤ２及びスイッチＳＷ１１を介して選択端子ＳＴ３に接続される。共通端子ＣＴ３は、スイッチＳＷ５、ノードＮＤ１及びスイッチＳＷ８を介して選択端子ＳＴ２に接続される。
【0066】
図６では、スイッチＳＷ２、ＳＷ５、ＳＷ６、ＳＷ９、ＳＷ１０が閉じられ、他のスイッチが開かれている。これにより、共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ６、ノードＮＤ２及びスイッチＳＷ１０を介して選択端子ＳＴ２に接続される。共通端子ＣＴ２は、スイッチＳＷ２を介して選択端子ＳＴ１に接続される。共通端子ＣＴ３は、スイッチＳＷ５、ノードＮＤ１及びスイッチＳＷ９を介して選択端子ＳＴ３に接続される。
【0067】
図７では、スイッチＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ１１が閉じられ、他のスイッチが開かれている。これにより、共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ４、ノードＮＤ１及びスイッチＳＷ８を介して選択端子ＳＴ２に接続される。共通端子ＣＴ２は、スイッチＳＷ７、ノードＮＤ２及びスイッチＳＷ１１を介して選択端子ＳＴ３に接続される。共通端子ＣＴ３は、スイッチＳＷ３を介して選択端子ＳＴ１に接続される。
【0068】
図８では、スイッチＳＷ２、ＳＷ５、ＳＷ６、ＳＷ８、ＳＷ１１が閉じられ、他のスイッチが開かれている。これにより、共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ６、ノードＮＤ２及びスイッチＳＷ１１を介して選択端子ＳＴ３に接続される。共通端子ＣＴ２は、スイッチＳＷ２を介して選択端子ＳＴ１に接続される。共通端子ＣＴ３は、スイッチＳＷ５、ノードＮＤ１及びスイッチＳＷ８を介して選択端子ＳＴ２に接続される。
【0069】
図９では、スイッチＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ７、ＳＷ９、ＳＷ１０が閉じられ、他のスイッチが開かれている。これにより、共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ４、ノードＮＤ１及びスイッチＳＷ９を介して選択端子ＳＴ３に接続される。共通端子ＣＴ２は、スイッチＳＷ７、ノードＮＤ２及びスイッチＳＷ１０を介して選択端子ＳＴ２に接続される。共通端子ＣＴ３は、スイッチＳＷ３を介して選択端子ＳＴ１に接続される。
【0070】
以上のように、スイッチ回路５１では、３つの共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と３つの選択端子ＳＴ１～ＳＴ３との間の接続において、３つの経路間の交差及び立体交差を排除することができ、比較例に対して経路間のアイソレーションを改善することができる。
【0071】
なお、図４～図９では、３つの共通端子ＣＴ１～ＣＴ３が３つの選択端子ＳＴ１～ＳＴ３に接続される接続状態について説明したが、スイッチ回路５１内の共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１～ＳＴ３との間の接続は図４～図９に限定されない。例えば、３つの共通端子ＣＴ１～ＣＴ３のうちの１つ又は２つのみが選択端子ＳＴ１～ＳＴ３のうちの１つ又は２つに接続されてもよい。この場合、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３のうちの残りの２つ又は１つは選択端子に接続されなくてもよい。
【0072】
［１．５ 高周波回路１の実装例］
次に、高周波回路１の実装例について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。図１０は、本実施の形態に係る高周波回路１が実装された高周波モジュールの平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ａ上の部品を透視した図である。図１１は、本実施の形態に係る高周波回路１が実装された高周波モジュールの平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ｂ上の部品を透視した図である。図１０及び図１１において、各部品の配置関係が容易に理解されるように、各部品にはそれを表す文字が付されているものがあるが、実際の各部品には、当該文字は付されなくてもよい。また、図１０及び図１１において、部品間を接続する配線の図示が省略されている。
次に、高周波回路１の実装例について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。図１０は、本実施の形態に係る高周波回路１が実装された高周波モジュールの平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ａ上の部品を透視した図である。図１１は、本実施の形態に係る高周波回路１が実装された高周波モジュールの平面図であり、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ｂ上の部品を透視した図である。図１０及び図１１において、各部品の配置関係が容易に理解されるように、各部品にはそれを表す文字が付されているものがあるが、実際の各部品には、当該文字は付されなくてもよい。また、図１０及び図１１において、部品間を接続する配線の図示が省略されている。
【0073】
なお、図１０及び図１１は、例示的な高周波回路１の実装図であり、高周波回路１は、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供される高周波回路１の実装例の説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0074】
高周波回路１は、モジュール基板９１に実装されている。モジュール基板９１は、互いに対向する２つの主面９１ａ及び９１ｂを有する。図１０に示すように、モジュール基板９１の主面９１ａには、電力増幅器１１及び１２（ＰＡ）と、低雑音増幅器２１及び２２（ＬＮＡ）と、フィルタ３１及び３３（Ａ－Ｒｘ、Ｃ－Ｔｘ）と、送信フィルタ３２１（Ｂ－Ｔｘ）及び受信フィルタ３２２（Ｂ－Ｒｘ）を含むフィルタ３２と、ローパスフィルタ４１～４３（ＬＰＦ）と、スイッチ回路５１（ＳＷ）と、が配置される。また、図１１に示すように、モジュール基板９１の主面９１ｂには、アンテナ接続端子１０１～１０３と、入力端子１１１及び１１２と、出力端子１２１及び１２２と、を含む複数の外部接続端子が配置される。
【0075】
電力増幅器１１及び１２は、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor）を用いて半導体集積回路に実装される。半導体材料としては、例えばシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）又はガリウムヒ素（ＧａＡｓ）が用いられる。なお、電力増幅器１１の増幅トランジスタはＨＢＴに限定されない。例えば、電力増幅器１１には、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）又はＭＥＳＦＥＴ（Metal-Semiconductor Field Effect Transistor）が用いられてもよい。この場合、半導体材料としては、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）が用いられてもよい。
【0076】
低雑音増幅器２１及び２２は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いて半導体集積回路に実装される。このとき、半導体集積回路は、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより製造されてもよい。半導体材料としては、例えばシリコン（Ｓｉ）が用いられる。なお、半導体材料として、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちの少なくとも１つが用いられてもよい。
【0077】
フィルタ３１～３３は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタ、ＬＣフィルタ、若しくは、誘電体フィルタ、又は、これらの任意の組み合わせを用いて実装される。なお、フィルタ３１～３３の実装手段は、上記に限定されない。
【0078】
ローパスフィルタ４１～４３は、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＢＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、若しくは、誘電体フィルタ、又は、これらの任意の組み合わせを用いて実装される。なお、ローパスフィルタ４１～４３の実装方法は、上記に限定されない。
【0079】
スイッチ回路５１は、例えば、ＦＥＴ及び／又はバイポーラトランジスタを用いて半導体集積回路に実装される。半導体材料としては、例えばシリコン（Ｓｉ）が用いられる。なお、半導体材料として、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちの少なくとも１つが用いられてもよい。
【0080】
［１．６ スイッチ回路５１の実装例］
ここで、スイッチ回路５１が実装された半導体集積回路５１１の内部構造について図１２を参照しながら説明する。図１２は、本実施の形態に係るスイッチ回路５１が実装された半導体集積回路５１１の平面図であり、ｚ軸正側から半導体集積回路５１１内の素子を透視した図である。
ここで、スイッチ回路５１が実装された半導体集積回路５１１の内部構造について図１２を参照しながら説明する。図１２は、本実施の形態に係るスイッチ回路５１が実装された半導体集積回路５１１の平面図であり、ｚ軸正側から半導体集積回路５１１内の素子を透視した図である。
【0081】
なお、図１２は、例示的なスイッチ回路５１の実装図であり、スイッチ回路５１は、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供されるスイッチ回路５１の実装例の説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0082】
半導体集積回路５１１には、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１～ＳＴ３が含まれ、スイッチＳＷ１～ＳＷ１１が実装されている。スイッチＳＷ１～ＳＷ１１の各々は、直列に接続された複数のＦＥＴで構成される。
【0083】
以下に、半導体集積回路５１１の平面視における各素子の配置について説明する。
【0084】
共通端子ＣＴ１～ＣＴ３は、ｘ軸に沿って配置されている。共通端子ＣＴ１は、共通端子ＣＴ２及びＣＴ３の間に配置されている。
【0085】
スイッチＳＷ１～ＳＷ３は、ｘ軸に沿って配置されている。スイッチＳＷ１は、スイッチＳＷ２及びＳＷ３の間に配置されている。
【0086】
スイッチＳＷ４～ＳＷ７は、ｘ軸に沿って配置されている。スイッチＳＷ４及びＳＷ６は、スイッチＳＷ５及びＳＷ７の間に配置されている。スイッチＳＷ４及びＳＷ５は隣り合っており、スイッチＳＷ６及びＳＷ７は隣り合っている。
【0087】
スイッチＳＷ１、共通端子ＣＴ１及びスイッチＳＷ４は、略ｙ軸に沿って配置されている。共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ１及びＳＷ４の間に配置され、スイッチＳＷ１及びＳＷ４に隣接している。
【0088】
スイッチＳＷ１、共通端子ＣＴ１及びスイッチＳＷ６は、略ｙ軸に沿って配置されている。共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ１及びＳＷ６の間に配置され、スイッチＳＷ１及びＳＷ６に隣接している。
【0089】
スイッチＳＷ２、共通端子ＣＴ２及びスイッチＳＷ７は、ｙ軸に沿って配置されている。共通端子ＣＴ２は、スイッチＳＷ２及びＳＷ７の間に配置され、スイッチＳＷ２及びＳＷ７に隣接している。
【0090】
スイッチＳＷ３、共通端子ＣＴ３及びスイッチＳＷ５は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。共通端子ＣＴ３は、スイッチＳＷ３及びＳＷ５の間に配置され、スイッチＳＷ３及びＳＷ５に隣接している。
【0091】
選択端子ＳＴ２及びＳＴ３はｘ軸に沿って配置され、スイッチＳＷ８及びＳＷ９もｘ軸に沿って配置され、スイッチＳＷ１０及びＳＷ１１もｘ軸に沿って配置されている。
【0092】
スイッチＳＷ８、選択端子ＳＴ２及びスイッチＳＷ１０は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。選択端子ＳＴ２は、スイッチＳＷ８及びＳＷ１０の間に配置され、スイッチＳＷ８及びＳＷ１０に隣接している。
【0093】
スイッチＳＷ９、選択端子ＳＴ３及びスイッチＳＷ１１は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。選択端子ＳＴ３は、スイッチＳＷ９及びＳＷ１１の間に配置され、スイッチＳＷ９及びＳＷ１１に隣接している。
【0094】
選択端子ＳＴ１は、スイッチＳＷ１～ＳＷ３に対して共通端子ＣＴ１～ＣＴ３とは反対側に配置されている。選択端子ＳＴ２及びＳＴ３の各々よりも選択端子ＳＴ１の方が共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の近くに配置されている。つまり、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１２では、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ３との間の最短距離）は、選択端子ＳＴ２と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１２では、選択端子ＳＴ２と共通端子ＣＴ１との間の最短距離）よりも短く、かつ、選択端子ＳＴ３と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１２では、選択端子ＳＴ３と共通端子ＣＴ１との間の最短距離）よりも短い。
【0095】
［１．７ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係るスイッチ回路５１は、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続可能な選択端子ＳＴ１と、ノードＮＤ１を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続可能であり、かつ、ノードＮＤ２を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続可能な選択端子ＳＴ２及びＳＴ３と、共通端子ＣＴ１及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ１と、共通端子ＣＴ２及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ２と、共通端子ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ３と、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ１の間に接続されるスイッチＳＷ４と、共通端子ＣＴ３及びノードＮＤ１の間に接続されるスイッチＳＷ５と、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ２の間に接続されるスイッチＳＷ６と、共通端子ＣＴ２及びノードＮＤ２の間に接続されるスイッチＳＷ７と、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ１の間に接続されるスイッチＳＷ８と、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ１の間に接続されるスイッチＳＷ９と、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ２の間に接続されるスイッチＳＷ１０と、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ２の間に接続されるスイッチＳＷ１１と、を備える。
以上のように、本実施の形態に係るスイッチ回路５１は、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続可能な選択端子ＳＴ１と、ノードＮＤ１を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続可能であり、かつ、ノードＮＤ２を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続可能な選択端子ＳＴ２及びＳＴ３と、共通端子ＣＴ１及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ１と、共通端子ＣＴ２及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ２と、共通端子ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ３と、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ１の間に接続されるスイッチＳＷ４と、共通端子ＣＴ３及びノードＮＤ１の間に接続されるスイッチＳＷ５と、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ２の間に接続されるスイッチＳＷ６と、共通端子ＣＴ２及びノードＮＤ２の間に接続されるスイッチＳＷ７と、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ１の間に接続されるスイッチＳＷ８と、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ１の間に接続されるスイッチＳＷ９と、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ２の間に接続されるスイッチＳＷ１０と、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ２の間に接続されるスイッチＳＷ１１と、を備える。
【0096】
これによれば、選択端子ＳＴ２及びＳＴ３は、ノードＮＤ１を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続でき、ノードＮＤ２を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続できる。これにより、ノードＮＤ１及びＮＤ２を除いて、スイッチ回路５１内の経路の交差又は立体交差を排除することができる。また、スイッチ回路５１では、ノードＮＤ１と共通端子ＣＴ１及びＣＴ３並びに選択端子ＳＴ２及びＳＴ３の各々との間にスイッチが接続され、ノードＮＤ２と共通端子ＣＴ１及びＣＴ２並びに選択端子ＳＴ２及びＳＴ３の各々との間にスイッチが接続される。したがって、３つの共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と３つの選択端子ＳＴ１～ＳＴ３とが一対一で接続される場合に、どのような接続に対しても各ノードに接続される端子間の経路を１つに制限することができる（図４～図９を参照）。このように、スイッチ回路５１では、同時に使用される複数の経路間の交差又は立体交差を排除することができ、アイソレーションを改善することができる。このようなスイッチ回路５１は、サウンディング参照信号（ＳＲＳ：Sounding Reference Signal）を送信するための複数のアンテナの切り替えなどに好適に利用することができる。
【0097】
また例えば、本実施の形態に係るスイッチ回路５１において、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３、選択端子ＳＴ１～ＳＴ３及びスイッチＳＷ１～ＳＷ１１は半導体集積回路５１１に含まれてもよく、半導体集積回路５１１の平面視において、選択端子ＳＴ２及びＳＴ３の各々よりも選択端子ＳＴ１の方が共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の近くに配置されてもよい。
【0098】
これによれば、選択端子ＳＴ１が共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の近傍に配置される。したがって、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の各々との間の配線長を短くすることができ、配線抵抗による損失及び配線の浮遊容量による不整合損を低減することができる。特に、選択端子ＳＴ１は、ノードを介さずに、より少ないスイッチで共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続されるため、選択端子ＳＴ１を通過する経路の挿入損失は他の選択端子ＳＴ２及びＳＴ３を通過する経路よりも小さくなる。したがって、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の配線長の短縮による損失の低減効果は大きい。
【0099】
また、本実施の形態に係る高周波回路１は、スイッチ回路５１と、共通端子ＣＴ１に接続されるローパスフィルタ４１と、共通端子ＣＴ２に接続されるローパスフィルタ４２と、共通端子ＣＴ３に接続されるローパスフィルタ４３と、を備える。
【0100】
これによれば、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の各々にローパスフィルタが接続される。したがって、どの共通端子が送信経路に接続されても高調波歪を低減することができ、送信信号の品質を向上させることができる。
【0101】
また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１は、さらに、選択端子ＳＴ１に接続されるフィルタ３１と、選択端子ＳＴ２に接続されるフィルタ３２と、選択端子ＳＴ３に接続されるフィルタ３３と、を備えてもよい。
【0102】
これによれば、選択端子ＳＴ１～ＳＴ３の各々にフィルタが接続される。したがって、少なくとも３つの周波数バンドで同時通信を実現することができる。
【0103】
また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、フィルタ３１は、バンドＡの受信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタであってもよい。
【0104】
これによれば、選択端子ＳＴ１をバンドＡの受信経路に用いることができる。選択端子ＳＴ１は、ノードを介さずに、より少ないスイッチで共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続されるので、バンドＡの受信経路の挿入損失を低減して受信感度を向上させることができる。
【0105】
また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、フィルタ３２は、バンドＡと同時通信可能なバンドＢの送信帯域を含む通過帯域を有する送信フィルタ３２１とバンドＢの受信帯域を含む通過帯域を有する受信フィルタ３２２とを含むデュプレクサであってもよい。
【0106】
これによれば、選択端子ＳＴ２をバンドＢの送信経路及び受信経路の両方に用いることができる。
【0107】
また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、フィルタ３３は、バンドＡ及びＢと同時通信可能なバンドＣの送信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタであってもよい。
【0108】
これによれば、選択端子ＳＴ３をバンドＣの送信経路に用いることができる。
【0109】
（実施の形態１の変形例１）
次に、実施の形態１の変形例１について説明する。本変形例では、スイッチ回路の選択端子の数が増加している点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本変形例について、上記実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
次に、実施の形態１の変形例１について説明する。本変形例では、スイッチ回路の選択端子の数が増加している点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本変形例について、上記実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
【0110】
【0111】
なお、図１３は、例示的な回路構成であり、スイッチ回路５１Ａは、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供されるスイッチ回路５１Ａの説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0112】
スイッチ回路５１Ａは、スイッチ回路５１の代わりに高周波回路１に含まれ、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３、選択端子ＳＴ１～ＳＴ３、及び、スイッチＳＷ１～ＳＷ１１に加えて、選択端子ＳＴ４～ＳＴ７及びスイッチＳＷ１２～ＳＷ１９を含む。
【0113】
選択端子ＳＴ４～ＳＴ７は、１以上の第４選択端子の一例であり、送信経路及び／又は受信経路に接続される。例えば、選択端子ＳＴ４～ＳＴ７の各々は、バンドパスフィルタ、又は、デュプレクサに接続される。
【0114】
スイッチＳＷ１２～ＳＷ１５は、１以上の第１２スイッチの一例であり、選択端子ＳＴ４～ＳＴ７とノードＮＤ１との間に接続される。スイッチＳＷ８、ＳＷ９及びＳＷ１２～ＳＷ１５が選択的に閉じられることにより、選択端子ＳＴ２～ＳＴ７がノードＮＤ１に選択的に接続される。
【0115】
スイッチＳＷ１６～ＳＷ１９は、１以上の第１３スイッチの一例であり、選択端子ＳＴ４～ＳＴ７とノードＮＤ２との間に接続される。スイッチＳＷ１０、ＳＷ１１及びＳＷ１６～ＳＷ１９が選択的に閉じられることにより、選択端子ＳＴ２～ＳＴ７が選択的にノードＮＤ２に接続される。
【0116】
以上のようなスイッチ回路５１Ａは、選択端子ＳＴ１を共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の任意の１つに接続し、選択端子ＳＴ２～ＳＴ７のうちの任意の２つを共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の残りの２つに一対一で接続する場合に、３つの選択端子を３つの共通端子にそれぞれ接続する３つの経路間の交差及び立体交差を排除することができ、経路間のアイソレーションを改善することができる。
【0117】
［２．２ スイッチ回路５１Ａの実装例］
このようなスイッチ回路５１Ａが実装された半導体集積回路５１１Ａの内部構造について図１４を参照しながら説明する。図１４は、本変形例に係るスイッチ回路５１Ａが実装された半導体集積回路５１１Ａの平面図であり、ｚ軸正側から半導体集積回路５１１Ａ内の素子を透視した図である。
このようなスイッチ回路５１Ａが実装された半導体集積回路５１１Ａの内部構造について図１４を参照しながら説明する。図１４は、本変形例に係るスイッチ回路５１Ａが実装された半導体集積回路５１１Ａの平面図であり、ｚ軸正側から半導体集積回路５１１Ａ内の素子を透視した図である。
【0118】
なお、図１４は、例示的なスイッチ回路５１Ａの実装図であり、スイッチ回路５１Ａは、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供されるスイッチ回路５１Ａの実装例の説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0119】
半導体集積回路５１１Ａには、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１～ＳＴ７が含まれ、スイッチＳＷ１～ＳＷ１９が実装されている。スイッチＳＷ１～ＳＷ１９の各々は、直列に接続された複数のＦＥＴで構成される。
【0120】
以下に、半導体集積回路５１１Ａの平面視における各素子の配置について説明する。
【0121】
共通端子ＣＴ１～ＣＴ３は、ｘ軸に沿って配置されている。共通端子ＣＴ１は、共通端子ＣＴ２及びＣＴ３の間に配置されている。
【0122】
スイッチＳＷ１～ＳＷ３は、ｘ軸に沿って配置されている。スイッチＳＷ１は、スイッチＳＷ２及びＳＷ３の間に配置されている。
【0123】
スイッチＳＷ４～ＳＷ７は、ｘ軸に沿って配置されている。スイッチＳＷ４及びＳＷ６は、スイッチＳＷ５及びＳＷ７の間に配置されている。スイッチＳＷ４及びＳＷ５は隣り合っており、スイッチＳＷ６及びＳＷ７は隣り合っている。
【0124】
スイッチＳＷ１、共通端子ＣＴ１及びスイッチＳＷ４は、略ｙ軸に沿って配置されている。共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ１及びＳＷ４の間に配置され、スイッチＳＷ１及びＳＷ４に隣接している。
【0125】
スイッチＳＷ１、共通端子ＣＴ１及びスイッチＳＷ６は、略ｙ軸に沿って配置されている。共通端子ＣＴ１は、スイッチＳＷ１及びＳＷ６の間に配置され、スイッチＳＷ１及びＳＷ６に隣接している。
【0126】
スイッチＳＷ２、共通端子ＣＴ２及びスイッチＳＷ７は、ｙ軸に沿って配置されている。共通端子ＣＴ２は、スイッチＳＷ２及びＳＷ７の間に配置され、スイッチＳＷ２及びＳＷ７に隣接している。
【0127】
スイッチＳＷ３、共通端子ＣＴ３及びスイッチＳＷ５は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。共通端子ＣＴ３は、スイッチＳＷ３及びＳＷ５の間に配置され、スイッチＳＷ３及びＳＷ５に隣接している。
【0128】
選択端子ＳＴ２～ＳＴ７はｘ軸に沿って配置され、スイッチＳＷ８、ＳＷ９及びＳＷ１２～ＳＷ１５もｘ軸に沿って配置され、スイッチＳＷ１０、ＳＷ１１及びＳＷ１６～ＳＷ１９もｘ軸に沿って配置されている。
【0129】
スイッチＳＷ８、選択端子ＳＴ２及びスイッチＳＷ１０は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。選択端子ＳＴ２は、スイッチＳＷ８及びＳＷ１０の間に配置され、スイッチＳＷ８及びＳＷ１０に隣接している。
【0130】
スイッチＳＷ９、選択端子ＳＴ３及びスイッチＳＷ１１は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。選択端子ＳＴ３は、スイッチＳＷ９及びＳＷ１１の間に配置され、スイッチＳＷ９及びＳＷ１１に隣接している。
【0131】
スイッチＳＷ１２、選択端子ＳＴ４及びスイッチＳＷ１６は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。選択端子ＳＴ４は、スイッチＳＷ１２及びＳＷ１６の間に配置され、スイッチＳＷ１２及びＳＷ１６に隣接している。
【0132】
スイッチＳＷ１３、選択端子ＳＴ５及びスイッチＳＷ１７は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。選択端子ＳＴ５は、スイッチＳＷ１３及びＳＷ１７の間に配置され、スイッチＳＷ１３及びＳＷ１７に隣接している。
【0133】
スイッチＳＷ１４、選択端子ＳＴ６及びスイッチＳＷ１８は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。選択端子ＳＴ６は、スイッチＳＷ１４及びＳＷ１８の間に配置され、スイッチＳＷ１４及びＳＷ１８に隣接している。
【0134】
スイッチＳＷ１５、選択端子ＳＴ７及びスイッチＳＷ１９は、ｙ軸に沿って並んで配置されている。選択端子ＳＴ７は、スイッチＳＷ１５及びＳＷ１９の間に配置され、スイッチＳＷ１５及びＳＷ１９に隣接している。
【0135】
選択端子ＳＴ１は、スイッチＳＷ１～ＳＷ３に対して共通端子ＣＴ１～ＣＴ３とは反対側に配置されている。選択端子ＳＴ２～ＳＴ７の各々よりも選択端子ＳＴ１の方が共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の近くに配置されている。つまり、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ３との間の最短距離）は、選択端子ＳＴ２と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ２と共通端子ＣＴ２との間の最短距離）よりも短く、かつ、選択端子ＳＴ３と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ３と共通端子ＣＴ２との間の最短距離）よりも短い。さらに、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ３との間の最短距離）は、選択端子ＳＴ４と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ４と共通端子ＣＴ１との間の最短距離）よりも短く、かつ、選択端子ＳＴ５と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ５と共通端子ＣＴ３との間の最短距離）よりも短い。さらに、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ３との間の最短距離）は、選択端子ＳＴ６と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ６と共通端子ＣＴ３との間の最短距離）よりも短く、かつ、選択端子ＳＴ７と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の最短距離（図１４では、選択端子ＳＴ７と共通端子ＣＴ３との間の最短距離）よりも短い。
【0136】
［２．３ 効果など］
以上のように、本変形例に係るスイッチ回路５１Ａは、さらに、ノードＮＤ１を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続可能であり、かつ、ノードＮＤ２を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続可能な選択端子ＳＴ４～ＳＴ７と、選択端子ＳＴ４～ＳＴ７とノードＮＤ１との間にそれぞれ接続されるスイッチＳＷ１２～ＳＷ１５と、選択端子ＳＴ４～ＳＴ７とノードＮＤ２との間にそれぞれ接続されるスイッチＳＷ１６～ＳＷ１９と、を備えてもよい。
以上のように、本変形例に係るスイッチ回路５１Ａは、さらに、ノードＮＤ１を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続可能であり、かつ、ノードＮＤ２を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続可能な選択端子ＳＴ４～ＳＴ７と、選択端子ＳＴ４～ＳＴ７とノードＮＤ１との間にそれぞれ接続されるスイッチＳＷ１２～ＳＷ１５と、選択端子ＳＴ４～ＳＴ７とノードＮＤ２との間にそれぞれ接続されるスイッチＳＷ１６～ＳＷ１９と、を備えてもよい。
【0137】
これによれば、選択端子ＳＴ２～ＳＴ７は、ノードＮＤ１を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続でき、ノードＮＤ２を介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続できる。これにより、ノードＮＤ１及びＮＤ２を除いて、スイッチ回路５１内の経路の交差又は立体交差を排除することができる。また、スイッチ回路５１Ａでは、ノードＮＤ１と共通端子ＣＴ１及びＣＴ３並びに選択端子ＳＴ２～ＳＴ７の各々との間にスイッチが接続され、ノードＮＤ２と共通端子ＣＴ１及びＣＴ２並びに選択端子ＳＴ２～ＳＴ７の各々との間にスイッチが接続される。したがって、選択端子ＳＴ１を共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の任意の１つに接続し、選択端子ＳＴ２～ＳＴ７のうちの任意の２つを共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の残りの２つに一対一で接続する場合に、どのような接続に対しても各ノードに接続される端子間の経路を１つに制限することができる。このように、スイッチ回路５１Ａでは、同時に使用される複数の経路間の交差又は立体交差を排除することができ、アイソレーションを改善することができる。このようなスイッチ回路５１Ａは、ＳＲＳを送信するための複数のアンテナの切り替えなどに好適に利用することができる。
【0138】
また例えば、本変形例に係るスイッチ回路５１Ａにおいて、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３、選択端子ＳＴ１～ＳＴ７及びスイッチＳＷ１～ＳＷ１９は半導体集積回路５１１Ａに含まれ、半導体集積回路５１１Ａの平面視において、選択端子ＳＴ２～ＳＴ７の各々よりも選択端子ＳＴ１の方が共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の近くに配置されてもよい。
【0139】
これによれば、選択端子ＳＴ１が共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の近傍に配置される。したがって、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３の各々との間の配線長を短くすることができ、配線抵抗による損失及び配線の浮遊容量による不整合損を低減することができる。特に、選択端子ＳＴ１は、ノードを介さずに、より少ないスイッチで共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続されるため、選択端子ＳＴ１を通過する経路の挿入損失は他の選択端子ＳＴ２～ＳＴ７を通過する経路よりも小さくなる。したがって、選択端子ＳＴ１と共通端子ＣＴ１～ＣＴ３との間の配線長の短縮による損失の低減効果は大きい。
【0140】
なお、本変形例に係るスイッチ回路５１Ａにおいて、スイッチ回路５１と比べて選択端子が増加されているが、選択端子の数は７に限定されない。例えば、選択端子の数は、４、５、６、８及び９のいずれであってもよく、１０以上であってもよい。
【0141】
（実施の形態１の変形例２）
次に、実施の形態１の変形例２について説明する。本変形例では、スイッチ回路５１の選択端子ＳＴ１に第２世代（２Ｇ：2nd Generation）セルラーネットワークのための送信経路が接続される点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本変形例について、上記実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
次に、実施の形態１の変形例２について説明する。本変形例では、スイッチ回路５１の選択端子ＳＴ１に第２世代（２Ｇ：2nd Generation）セルラーネットワークのための送信経路が接続される点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本変形例について、上記実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
【0142】
【0143】
高周波回路１Ｂは、高周波回路１の代わりに通信装置５に含まれ、電力増幅器１１～１３と、低雑音増幅器２２と、送信フィルタ３２１及び受信フィルタ３２２を含むフィルタ３２と、フィルタ３３と、ローパスフィルタ４１～４３と、スイッチ回路５１と、アンテナ接続端子１０１～１０３と、入力端子１１１～１１３と、出力端子１２２と、を備える。
【0144】
入力端子１１３は、高周波回路１Ｂの外部接続端子であり、高周波回路１Ｂの外部から２Ｇセルラーネットワークの送信信号を受けるための端子である。入力端子１１３は、高周波回路１Ｂの外部でＲＦＩＣ３に接続され、高周波回路１Ｂの内部で電力増幅器１３の入力端に接続される。
【0145】
電力増幅器１３は、入力端子１１３とスイッチ回路５１との間に接続され、２Ｇセルラーネットワークの送信経路ＴＰ１を構成する。具体的には、電力増幅器１３の入力端は、入力端子１１３に接続され、電力増幅器１３の出力端は、スイッチ回路５１の選択端子ＳＴ１に接続される。この接続構成において、電力増幅器１３は、ＲＦＩＣ３から入力端子１１３を介して供給される２Ｇセルラーネットワークの送信信号を増幅することができる。
【0146】
［３．２ 効果など］
以上のように、本変形例に係る高周波回路１Ｂは、２Ｇセルラーネットワークのための送信経路ＴＰ１を備えてもよく、送信経路ＴＰ１は、選択端子ＳＴ１に接続されてもよい。
以上のように、本変形例に係る高周波回路１Ｂは、２Ｇセルラーネットワークのための送信経路ＴＰ１を備えてもよく、送信経路ＴＰ１は、選択端子ＳＴ１に接続されてもよい。
【0147】
これによれば、ノードを介さずにより少ないスイッチで共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続される選択端子ＳＴ１に、比較的高い出力電力が要求される２Ｇセルラーネットワークのための送信経路ＴＰ１が接続される。したがって、より高い耐電力性が必要なスイッチの数を削減することができる。
【0148】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、ローパスフィルタがスイッチ回路の共通端子と選択端子との間に接続される点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、上記実施の形態１と異なる点を中心に、本実施の形態について図面を参照しながら説明する。
次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、ローパスフィルタがスイッチ回路の共通端子と選択端子との間に接続される点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、上記実施の形態１と異なる点を中心に、本実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【0149】
本実施の形態に係る通信装置５Ｃ、高周波回路１Ｃ及びスイッチ回路５１Ｃの回路構成について、図１６及び図１７を参照しながら説明する。図１６は、本実施の形態に係る通信装置５Ｃの回路構成図である。図１７は、本実施の形態に係るスイッチ回路５１Ｃの回路構成図である。
【0150】
なお、図１６及び図１７は、例示的な回路構成であり、通信装置５Ｃ、高周波回路１Ｃ及びスイッチ回路５１Ｃは、多種多様な回路実装及び回路技術のいずれかを使用して実装され得る。したがって、以下に提供される通信装置５Ｃ、高周波回路１Ｃ及びスイッチ回路５１Ｃの説明は、限定的に解釈されるべきではない。
【0151】
また、通信装置５Ｃは、高周波回路１の代わりに高周波回路１Ｃを備える点を除いて、通信装置５と同様であるので説明を省略する。
【0152】
［４．１ 高周波回路１Ｃの回路構成］
本実施の形態に係る高周波回路１Ｃについて図１６を参照しながら説明する。高周波回路１Ｃは、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１及び２２と、フィルタ３１～３３と、ローパスフィルタ４１Ｃ及び４２Ｃと、スイッチ回路５１Ｃと、アンテナ接続端子１０１～１０３と、入力端子１１１及び１１２と、出力端子１２１及び１２２と、を備える。
本実施の形態に係る高周波回路１Ｃについて図１６を参照しながら説明する。高周波回路１Ｃは、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１及び２２と、フィルタ３１～３３と、ローパスフィルタ４１Ｃ及び４２Ｃと、スイッチ回路５１Ｃと、アンテナ接続端子１０１～１０３と、入力端子１１１及び１１２と、出力端子１２１及び１２２と、を備える。
【0153】
ローパスフィルタ４１Ｃは、第１ローパスフィルタの一例であり、スイッチ回路５１Ｃに接続される。ローパスフィルタ４１Ｃは、バンドＡ～Ｃよりも高いカットオフ周波数を有する。
【0154】
ローパスフィルタ４２Ｃは、第２ローパスフィルタの一例であり、スイッチ回路５１Ｃに接続される。ローパスフィルタ４２Ｃは、バンドＡ～Ｃよりも高いカットオフ周波数を有する。
【0155】
［４．２ スイッチ回路５１Ｃの回路構成］
次に、本実施の形態に係るスイッチ回路５１Ｃの回路構成について図１７を参照しながら説明する。スイッチ回路５１Ｃは、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１～ＳＴ３とスイッチＳＷ１～ＳＷ１１とに加えて、フィルタ接続端子ＦＴ１～ＦＴ４を含む。
次に、本実施の形態に係るスイッチ回路５１Ｃの回路構成について図１７を参照しながら説明する。スイッチ回路５１Ｃは、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１～ＳＴ３とスイッチＳＷ１～ＳＷ１１とに加えて、フィルタ接続端子ＦＴ１～ＦＴ４を含む。
【0156】
フィルタ接続端子ＦＴ１は、第１接続端子の一例であり、スイッチ回路５１Ｃ外でローパスフィルタ４１Ｃの一端に接続される。また、フィルタ接続端子ＦＴ１は、スイッチ回路５１Ｃ内でノードＮＤ１Ｃに接続される。
【0157】
フィルタ接続端子ＦＴ２は、第２接続端子の一例であり、スイッチ回路５１Ｃ外でローパスフィルタ４２Ｃの一端に接続される。また、フィルタ接続端子ＦＴ２は、スイッチ回路５１Ｃ内でノードＮＤ２Ｃに接続される。
【0158】
フィルタ接続端子ＦＴ３は、第３接続端子の一例であり、スイッチ回路５１Ｃ外でローパスフィルタ４１Ｃの他端に接続される。また、フィルタ接続端子ＦＴ３は、スイッチ回路５１Ｃ内でノードＮＤ３Ｃに接続される。
【0159】
フィルタ接続端子ＦＴ４は、第４接続端子の一例であり、スイッチ回路５１Ｃ外でローパスフィルタ４２Ｃの他端に接続される。また、フィルタ接続端子ＦＴ４は、スイッチ回路５１Ｃ内でノードＮＤ４Ｃに接続される。
【0160】
ノードＮＤ１Ｃは、第１ノードの一例であり、スイッチＳＷ４及びＳＷ５をフィルタ接続端子ＦＴ１に接続する。共通端子ＣＴ１及びＣＴ３は、ノードＮＤ１Ｃを介してフィルタ接続端子ＦＴ１に接続される。
【0161】
ノードＮＤ２Ｃは、第２ノードの一例であり、スイッチＳＷ６及びＳＷ７をフィルタ接続端子ＦＴ２に接続する。共通端子ＣＴ１及びＣＴ２は、ノードＮＤ２Ｃを介してフィルタ接続端子ＦＴ２に接続される。
【0162】
ノードＮＤ３Ｃは、第３ノードの一例であり、スイッチＳＷ８及びＳＷ９をフィルタ接続端子ＦＴ３に接続する。選択端子ＳＴ２及びＣＴ３は、ノードＮＤ３Ｃを介してフィルタ接続端子ＦＴ３に接続される。
【0163】
ノードＮＤ４Ｃは、第４ノードの一例であり、スイッチＳＷ１０及びＳＷ１１をフィルタ接続端子ＦＴ４に接続する。選択端子ＳＴ２及びＣＴ３は、ノードＮＤ４Ｃを介してフィルタ接続端子ＦＴ４に接続される。
【0164】
なお、ローパスフィルタ４１Ｃ及び４２Ｃは、スイッチ回路５１Ｃに含まれてもよい。この場合、スイッチ回路５１Ｃは、フィルタ接続端子ＦＴ１～ＦＴ４を備えなくてもよい。
【0165】
なお、スイッチ回路５１Ｃ内の共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と選択端子ＳＴ１～ＳＴ３との間の接続及びスイッチ回路５１Ｃの実装については、実施の形態１と同様であるので図示及び説明を省略する。
【0166】
［４．３ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃは、スイッチ回路５１Ｃと、ローパスフィルタ４１Ｃ及び４２Ｃと、を備え、スイッチ回路５１Ｃは、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と、選択端子ＳＴ１～ＳＴ３と、ノードＮＤ１Ｃを介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続されるフィルタ接続端子ＦＴ１と、ノードＮＤ２Ｃを介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続されるフィルタ接続端子ＦＴ２と、ノードＮＤ３Ｃを介して選択端子ＳＴ２及びＳＴ３に接続されるフィルタ接続端子ＦＴ３と、ノードＮＤ４Ｃを介して選択端子ＳＴ２及びＳＴ３に接続されるフィルタ接続端子ＦＴ４と、共通端子ＣＴ１及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ１と、共通端子ＣＴ２及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ２と、共通端子ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ３と、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ１Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ４と、共通端子ＣＴ３及びノードＮＤ１Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ５と、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ２Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ６と、共通端子ＣＴ２及びノードＮＤ２Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ７と、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ３Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ８と、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ３Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ９と、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ４Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ１０と、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ４Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ１１と、を備え、ローパスフィルタ４１Ｃは、フィルタ接続端子ＦＴ１及びＦＴ３の間に接続され、ローパスフィルタ４２Ｃは、フィルタ接続端子ＦＴ２及びＦＴ４の間に接続される。
以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃは、スイッチ回路５１Ｃと、ローパスフィルタ４１Ｃ及び４２Ｃと、を備え、スイッチ回路５１Ｃは、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３と、選択端子ＳＴ１～ＳＴ３と、ノードＮＤ１Ｃを介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ３に接続されるフィルタ接続端子ＦＴ１と、ノードＮＤ２Ｃを介して共通端子ＣＴ１及びＣＴ２に接続されるフィルタ接続端子ＦＴ２と、ノードＮＤ３Ｃを介して選択端子ＳＴ２及びＳＴ３に接続されるフィルタ接続端子ＦＴ３と、ノードＮＤ４Ｃを介して選択端子ＳＴ２及びＳＴ３に接続されるフィルタ接続端子ＦＴ４と、共通端子ＣＴ１及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ１と、共通端子ＣＴ２及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ２と、共通端子ＣＴ３及び選択端子ＳＴ１の間に接続されるスイッチＳＷ３と、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ１Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ４と、共通端子ＣＴ３及びノードＮＤ１Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ５と、共通端子ＣＴ１及びノードＮＤ２Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ６と、共通端子ＣＴ２及びノードＮＤ２Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ７と、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ３Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ８と、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ３Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ９と、選択端子ＳＴ２及びノードＮＤ４Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ１０と、選択端子ＳＴ３及びノードＮＤ４Ｃの間に接続されるスイッチＳＷ１１と、を備え、ローパスフィルタ４１Ｃは、フィルタ接続端子ＦＴ１及びＦＴ３の間に接続され、ローパスフィルタ４２Ｃは、フィルタ接続端子ＦＴ２及びＦＴ４の間に接続される。
【0167】
これによれば、ローパスフィルタ４１ＣがノードＮＤ１Ｃ及びＮＤ３Ｃの間に接続され、ローパスフィルタ４２ＣがノードＮＤ２Ｃ及びＮＤ４Ｃの間に接続される。これにより、各共通端子ＣＴ１～ＣＴ３にローパスフィルタが接続される場合よりも、ローパスフィルタの数を削減することができる。なお、ローパスフィルタは、送信信号の高調波歪を減衰させるために用いられるので、選択端子ＳＴ１に接続される受信経路にはローパスフィルタは接続されなくてもよい。
【0168】
また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃは、さらに、選択端子ＳＴ１に接続されるフィルタ３１と、選択端子ＳＴ２に接続されるフィルタ３２と、選択端子ＳＴ３に接続されるフィルタ３３と、を備えてもよい。
【0169】
これによれば、選択端子ＳＴ１～ＳＴ３の各々にフィルタが接続される。したがって、少なくとも３つの周波数バンドで同時通信を実現することができる。
【0170】
また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃにおいて、フィルタ３１は、バンドＡの受信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタであってもよい。
【0171】
これによれば、選択端子ＳＴ１をバンドＡの受信経路に用いることができる。選択端子ＳＴ１は、ノードを介さずに、より少ないスイッチで共通端子ＣＴ１～ＣＴ３に接続されるので、バンドＡの受信経路の挿入損失を低減して受信感度を向上させることができる。
【0172】
また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃにおいて、フィルタ３２は、バンドＡと同時通信可能なバンドＢの送信帯域を含む通過帯域を有する送信フィルタ３２１とバンドＢの受信帯域を含む通過帯域を有する受信フィルタ３２２とを含むデュプレクサであってもよい。
【0173】
これによれば、選択端子ＳＴ２をバンドＢの送信経路及び受信経路の両方に用いることができる。
【0174】
また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃにおいて、フィルタ３３は、バンドＡ及びＢと同時通信可能なバンドＣの送信帯域を含む通過帯域を有するバンドパスフィルタであってもよい。
【0175】
これによれば、選択端子ＳＴ３をバンドＣの送信経路に用いることができる。
【0176】
（他の実施の形態）
以上、本発明に係るスイッチ回路及び高周波回路について、実施の形態及びその変形例に基づいて説明したが、本発明に係るスイッチ回路及び高周波回路は、上記実施の形態及びその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態及びその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態又はその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記スイッチ回路又は上記高周波回路を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
以上、本発明に係るスイッチ回路及び高周波回路について、実施の形態及びその変形例に基づいて説明したが、本発明に係るスイッチ回路及び高周波回路は、上記実施の形態及びその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態及びその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態又はその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記スイッチ回路又は上記高周波回路を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【0177】
例えば、上記各実施の形態に係るスイッチ回路又は高周波回路の回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、高周波回路において、電力増幅器及び／又は低雑音増幅器とフィルタとの間にインピーダンス整合回路が挿入されてもよい。
【0178】
また例えば、上記実施の形態２に上記実施の形態１の変形例１が組み合わせられてもよい。例えば、スイッチ回路５１Ｃに、スイッチ回路５１Ａと同様に選択端子ＳＴ４～ＳＴ７が増設されてもよい。
【0179】
また、上記各実施の形態及び各変形例において、スイッチ回路は、単一の半導体集積回路に実装されていたが、複数の半導体集積回路に分かれて実装されてもよい。例えば、実施の形態１に係るスイッチ回路５１において、共通端子ＣＴ１～ＣＴ３、選択端子ＳＴ１、及び、スイッチＳＷ１～ＳＷ７が１つの半導体集積回路に含まれ、選択端子ＳＴ２及びＳＴ３、並びに、スイッチＳＷ８～ＳＷ１１が他の１つの半導体集積回路に含まれてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0180】
本発明は、フロントエンド部に配置されるスイッチ回路又は高周波回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【0181】
１、１Ｂ、１Ｃ 高周波回路
２ａ、２ｂ、２ｃ アンテナ
３ ＲＦＩＣ
４ ＢＢＩＣ
５、５Ｃ 通信装置
１１、１２、１３ 電力増幅器
２１、２２ 低雑音増幅器
３１、３２、３３ フィルタ
４１、４１Ｃ、４２、４２Ｃ、４３ ローパスフィルタ
５１、５１Ａ、５１Ｃ スイッチ回路
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
１０１、１０２、１０３ アンテナ接続端子
１１１、１１２、１１３ 入力端子
１２１、１２２ 出力端子
５１１、５１１Ａ 半導体集積回路
ＣＴ１、ＣＴ２、ＣＴ３ 共通端子
ＦＴ１、ＦＴ２、ＦＴ３、ＦＴ４ フィルタ接続端子
ＮＤ１、ＮＤ１Ｃ、ＮＤ２、ＮＤ２Ｃ、ＮＤ３Ｃ、ＮＤ４Ｃ ノード
ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４、ＳＴ５、ＳＴ６、ＳＴ７ 選択端子
ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６、ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ９、ＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４、ＳＷ１５、ＳＷ１６、ＳＷ１７、ＳＷ１８、ＳＷ１９ スイッチ
ＴＰ１ 送信経路
２ａ、２ｂ、２ｃ アンテナ
３ ＲＦＩＣ
４ ＢＢＩＣ
５、５Ｃ 通信装置
１１、１２、１３ 電力増幅器
２１、２２ 低雑音増幅器
３１、３２、３３ フィルタ
４１、４１Ｃ、４２、４２Ｃ、４３ ローパスフィルタ
５１、５１Ａ、５１Ｃ スイッチ回路
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
１０１、１０２、１０３ アンテナ接続端子
１１１、１１２、１１３ 入力端子
１２１、１２２ 出力端子
５１１、５１１Ａ 半導体集積回路
ＣＴ１、ＣＴ２、ＣＴ３ 共通端子
ＦＴ１、ＦＴ２、ＦＴ３、ＦＴ４ フィルタ接続端子
ＮＤ１、ＮＤ１Ｃ、ＮＤ２、ＮＤ２Ｃ、ＮＤ３Ｃ、ＮＤ４Ｃ ノード
ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４、ＳＴ５、ＳＴ６、ＳＴ７ 選択端子
ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６、ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ９、ＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４、ＳＷ１５、ＳＷ１６、ＳＷ１７、ＳＷ１８、ＳＷ１９ スイッチ
ＴＰ１ 送信経路
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】