特開 2024-164782 プリント回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024164782

(43)【公開日】2024-11-27

(54)【発明の名称】プリント回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20241120BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 J

H05K1/02 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023148428

(22)【出願日】2023-09-13

(31)【優先権主張番号】10-2023-0062403

(32)【優先日】2023-05-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】鄭 治鉉

(72)【発明者】

【氏名】郭 鉉想

(72)【発明者】

【氏名】李 晟煥

(72)【発明者】

【氏名】金 碩煥

【テーマコード（参考）】

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E338AA03

5E338AA15

5E338AA18

5E338BB12

5E338BB25

5E338BB63

5E338BB75

5E338CD02

5E338EE11

(57)【要約】

【課題】本発明の様々な目的の一つは、ガラス層に形成される配線の電気的な特性を改善することができるプリント回路基板を提供することである。
【解決手段】本発明は、第１ガラス層と、上記第１ガラス層の上側に埋め込まれた第１配線層と、上記第１ガラス層の下側に埋め込まれた第２配線層と、を含み、上記第１配線層及び第２配線層のうち少なくとも一つは、厚さが互いに異なる複数の埋め込みパターンを含む、プリント回路基板に関する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１ガラス層と、
前記第１ガラス層の上側に埋め込まれた第１配線層と、
前記第１ガラス層の下側に埋め込まれた第２配線層と、を含み、
前記第１配線層及び第２配線層のうち少なくとも一つは、厚さが互いに異なる複数の埋め込みパターンを含む、プリント回路基板。

【請求項2】

前記第１配線層及び第２配線層のうち少なくとも一つの複数の埋め込みパターンは、厚さが互いに異なる複数の信号パターンを含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記第１配線層及び第２配線層のうち少なくとも一つの前記複数の埋め込みパターンは、接地パターン及びパワーパターンのうち少なくとも一つをさらに含み、
前記接地パターン及びパワーパターンのうち少なくとも一つは、前記複数の信号パターンのそれぞれよりも幅がさらに広い、請求項２に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記第１ガラス層は板ガラス（ｐｌａｔｅ ｇｌａｓｓ）を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記第１ガラス層の上面及び下面は、それぞれ前記第１配線層の上面及び前記第２配線層の下面と実質的に共面をなす、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記第１ガラス層を貫通し、前記第１配線層及び第２配線層と連結された第１ビア層をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記第１ガラス層の上面上に配置された第２ガラス層と、
前記第２ガラス層の上側に埋め込まれた第３配線層と、
前記第２ガラス層を貫通し、前記第１配線層及び第３配線層と連結された第２ビア層と、をさらに含み、
前記第１ガラス層は前記第２ガラス層よりも厚い、請求項６に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記第３配線層は、厚さが互いに異なる複数の埋め込みパターンを含む、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記第３配線層の複数の埋め込みパターンは、長さが相対的に長い第１トレースと長さが相対的に短い第２トレースとを含み、
前記第１トレースは前記第２トレースよりも厚い、請求項８に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記第２ガラス層は前記第１ガラス層と直接接触し、
前記第２ビア層は前記第１配線層と直接接触する、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

前記第１ガラス層及び第２ガラス層の間に配置された接着層をさらに含み、
前記第２ビア層は前記接着層をさらに貫通し、
前記接着層は前記第１配線層の露出した上面を覆う、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項12】

前記第１ガラス層の下面上に配置された第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の下側に配置された第４配線層と、
前記第３絶縁層を貫通し、前記第２配線層及び第４配線層と連結された第３ビア層と、をさらに含み、
前記第１ガラス層は前記第３絶縁層よりも厚い、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

前記第４配線層は、厚さが互いに異なる複数の埋め込みパターンを含む、請求項１２に記載のプリント回路基板。

【請求項14】

前記第３絶縁層は、有機絶縁層（ｏｒｇａｎｉｃ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）又は板ガラス（ｐｌａｔｅ ｇｌａｓｓ）を含む、請求項１３に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記第２ガラス層の上面上に配置され、前記第３配線層の少なくとも一部を露出させる第１開口を有する第１レジスト層と、
前記第３絶縁層の下面上に配置され、前記第４配線層の少なくとも一部を露出させる第２開口を有する第２レジスト層と、
前記第１レジスト層の第１開口上に配置され、接続部材を介して前記第３配線層の露出した少なくとも一部と連結された半導体チップと、
前記第２レジスト層の第２開口上に配置され、前記第４配線層の露出した少なくとも一部と連結された電気連結金属と、をさらに含む、請求項１３に記載のプリント回路基板。

【請求項16】

上面及び下面にそれぞれ第１パターン溝及び第２パターン溝が形成され、前記第１パターン溝及び第２パターン溝の間に前記第１パターン溝及び第２パターン溝を連結する第１貫通孔が形成された第１ガラス層と、
前記第１パターン溝及び第２パターン溝と前記第１貫通孔を充填する第１金属層と、
前記第１ガラス層の上面上に配置され、上面に第３パターン溝が形成され、前記第３パターン溝の下側に第２貫通孔が形成された第２ガラス層と、
前記第３パターン溝及び前記第２貫通孔を充填する第２金属層と、を含み、
前記第１パターン溝及び第２パターン溝は、それぞれ深さが異なる複数の溝部を含む、プリント回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はプリント回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

パッケージ技術は絶えず発展しており、特に伝統的な基板作製方式である有機（ｏｒｇａｎｉｃ）材料から脱却してガラス（ｇｌａｓｓ）材料を使用しようとする試みが続いている。一般に、パッケージ基板分野では、トレースの厚さやパワー及び接地の厚さを一括して同一に適用した構造を使用している。但し、トレースを微細パターンで形成する場合、微細パターンは電気的な抵抗が大きい可能性があるため導体による損失が大きくなることがあり、それによりトレースの長さの制限が生じることがある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明の様々な目的の一つは、ガラス層に形成される配線の電気的な特性を改善することができるプリント回路基板を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本発明を通じて提案するいくつかの解決手段の一つは、ガラス層に深さの多様なパターン溝を形成した後、めっきで充填して埋め込みパターンを形成することである。

【0005】

例えば、一例に係るプリント回路基板は、第１ガラス層と、上記第１ガラス層の上側に埋め込まれた第１配線層と、上記第１ガラス層の下側に埋め込まれた第２配線層と、を含み、上記第１配線層及び第２配線層のうち少なくとも一つは、厚さが互いに異なる複数の埋め込みパターンを含むものであることができる。

【0006】

例えば、一例に係るプリント回路基板は、上面及び下面にそれぞれ第１パターン溝及び第２パターン溝が形成され、上記第１パターン溝及び第２パターン溝の間に上記第１パターン溝及び第２パターン溝を連結する第１貫通孔が形成された第１ガラス層と、上記第１パターン溝及び第２パターン溝と上記第１貫通孔を充填する第１金属層と、上記第１ガラス層の上面上に配置され、上面に第３パターン溝が形成され、上記第３パターン溝の下側に第２貫通孔が形成された第２ガラス層と、上記第３パターン溝及び上記第２貫通孔を充填する第２金属層と、を含み、上記第１パターン溝及び第２パターン溝は、それぞれ深さが異なる複数の溝部を含むものであってもよい。

【発明の効果】

【0007】

本発明の様々な効果のうち一効果として、ガラス層に形成される配線の電気的な特性を改善することができるプリント回路基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】電子機器システムの一例を概略的に示すブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。

【図4】複数の半導体チップ間のインタコネクションのために、ガラス層に形成されたトレースの厚さの差を概略的に示す斜視図である。

【図5a】ガラス層の上側及び／又は下側に様々な厚さの埋め込みパターンを形成することを概略的に示す工程図である。

【図5b】ガラス層の上側及び／又は下側に様々な厚さの埋め込みパターンを形成することを概略的に示す工程図である。

【図5c】ガラス層の上側及び／又は下側に様々な厚さの埋め込みパターンを形成することを概略的に示す工程図である。

【図5d】ガラス層の上側及び／又は下側に様々な厚さの埋め込みパターンを形成することを概略的に示す工程図である。

【図5e】ガラス層の上側及び／又は下側に様々な厚さの埋め込みパターンを形成することを概略的に示す工程図である。

【図5f】ガラス層の上側及び／又は下側に様々な厚さの埋め込みパターンを形成することを概略的に示す工程図である。

【図5g】ガラス層の上側及び／又は下側に様々な厚さの埋め込みパターンを形成することを概略的に示す工程図である。

【図6】プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。

【図7】図３のプリント回路基板の変形例を概略的に示す断面図である。

【図8】図６のプリント回路基板の変形例を概略的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付の図面を参照して本発明について説明する。図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張又は縮小することができる。

【0010】

電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【0011】

図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは後述する他の電子部品とも結合して様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0012】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ；アナログ－デジタルコンバータ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にもその他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよいことは言うまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよいことは勿論である。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であってもよい。

【0013】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる多数の無線又は有線標準やプロトコルのうち任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と併せて互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0014】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる様々な用途のために使用されるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0015】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されても又はされなくてもよい他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例としては、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリー１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために使用されるその他の電子部品などが含まれてもよいことは言うまでもない。

【0016】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0017】

図２は、電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【0018】

図面を参照すると、電子機器は、例えば、スマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のようにマザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されても又はされなくてもよい他の部品が内部に収容されている。部品１１２０のうち一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば、部品パッケージ１１２１であってもよいが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されるプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0019】

プリント回路基板
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。

【0020】

図面を参照すると、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１ガラス層１１１、第１ガラス層１１１の上側及び下側にそれぞれ埋め込まれた第１配線層及び第２配線層１２１、１２２、第１ガラス層１１１を貫通して第１配線層及び第２配線層１２１、１２２と連結された第１ビア層１３１、第１ガラス層１１１の上面上に配置された第２ガラス層１１２、第２ガラス層１１２の上側に埋め込まれた第３配線層１２３、第２ガラス層１１２を貫通して第１配線層及び第３配線層１２１、１２３と連結された第２ビア層１３２、第１ガラス層１１１の下面上に配置された第３ガラス層１１３、第３ガラス層１１３の下側に埋め込まれた第４配線層１２４、及び／又は第３ガラス層１１３を貫通して第２配線層及び第４配線層１２２、１２４と連結された第３ビア層１３３を含むことができる。

【0021】

必要に応じて、第２ガラス層１１２の上面上に配置され、第３配線層１２３の少なくとも一部を露出させる第１開口ｏ１を有する第１レジスト層１４１、第３ガラス層１１３の下面上に配置され、第４配線層１２４の少なくとも一部を露出させる第２開口ｏ２を有する第２レジスト層１４２、第１開口ｏ１上に配置され、接続部材１５２を介して第３配線層１２３の露出した少なくとも一部と連結された半導体チップ１５１、第１開口ｏ１内で半導体チップ１５１の下側を固定するアンダーフィル１５３、及び／又は第２レジスト層１４１の第２開口ｏ２上に配置され、第４配線層１２４の露出した少なくとも一部と連結された電気連結金属１５４をさらに含むことができる。

【0022】

第１ガラス層１１１の上面は第２ガラス層１１２の下面と直接接触することができ、第１ガラス層１１１の下面は第３ガラス層１１３の上面と直接接触することができる。例えば、第１ガラス層及び第２ガラス層１１１、１１２のそれぞれの二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）と第１ガラス層及び第３ガラス層１１１、１１３のそれぞれの二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）とが直接接合されることができる。また、第１配線層１２１は第２ビア層１３２と直接接触することができ、第２配線層１２２は第３ビア層１３３と直接接触することができる。例えば、第１配線層１２１及び第２ビア層１３２のそれぞれの銅（Ｃｕ）が直接接合されることができ、第２配線層１２２及び第３ビア層１３３のそれぞれの銅（Ｃｕ）が直接接合されることができる。例えば、第１金属層ｍ１と第２金属層ｍ２とが直接接合されることができ、第１金属層ｍ１と第３金属層ｍ３とが直接接合されることができる。例えば、銅（Ｃｕ）－二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）ハイブリッド接合により第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４及び第１～第３ビア層１３１、１３２、１３３が形成された第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３が上下に接合されることができる。

【0023】

第１ガラス層１１１の上面及び下面にはそれぞれ第１パターン溝及び第２パターン溝ｇ１、ｇ２が形成されることができ、第１パターン溝及び第２パターン溝ｇ１、ｇ２の間には第１パターン溝及び第２パターン溝ｇ１、ｇ２を連結する第１貫通孔ｈ１が形成されることができる。第１パターン溝及び第２パターン溝ｇ１ａ、ｇ２と第１貫通孔ｈ１は、第１金属層ｍ１で充填されることができる。第２ガラス層１１２の上面には第３パターン溝ｇ３が形成されることができ、第３パターン溝ｇ３の下側には第２貫通孔ｈ２が形成されることができる。第３パターン溝ｇ３及び第２貫通孔ｈ２は、第２金属層ｍ２で充填されることができる。第３ガラス層１１３の下面には第４パターン溝ｇ４が形成されることができ、第４パターン溝ｇ４の下側には第３貫通孔ｈ３が形成されることができる。第４パターン溝ｇ４及び第３貫通孔ｈ３は、第３金属層ｍ３で充填されることができる。第１～第３金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３は、互いに区分される別途の層であってもよい。

【0024】

第１ガラス層１１１の上面及び下面にそれぞれ形成された第１パターン溝及び第２パターン溝ｇ１、ｇ２は、それぞれ様々な深さを有する複数の溝を含むことができる。例えば、第１パターン溝ｇ１が第１金属層ｍ１で充填されて形成される第１配線層１２１は、様々な厚さの複数の埋め込みパターン１２１Ｓ、１２１Ｇを含むことができる。複数の埋め込みパターン１２１Ｓ、１２１Ｇは、厚さが互いに異なる複数の信号パターン１２１Ｓを含むことができ、必要に応じて、接地パターン１２１Ｇをさらに含むことができる。接地パターン１２１Ｇはパワーパターンで代替されてもよく、又はその両方を含んでもよい。また、第２パターン溝ｇ２が第１金属層ｍ１で充填されて形成される第２配線層１２２も、様々な厚さの複数の埋め込みパターン１２２Ｓ、１２２Ｇを含むことができる。複数の埋め込みパターン１２２Ｓ、１２２Ｇは、厚さが互いに異なる複数の信号パターン１２２Ｓを含むことができ、必要に応じて、接地パターン１２２Ｇをさらに含むことができる。接地パターン１２２Ｇはパワーパターンで代替されてもよく、又はその両方を含んでもよい。第２ガラス層１１２の上面及び第３ガラス層１１３の下面にそれぞれ形成された第３パターン溝及び第４パターン溝ｇ３、ｇ４も、それぞれ様々な深さを有する複数の溝を含むことができる。例えば、第３パターン溝及び第４パターン溝ｇ３、ｇ４がそれぞれ第２金属層及び第３金属層ｍ２、ｍ３で充填されて形成される第３配線層及び第４配線層１２３、１２４も、それぞれ厚さが互いに異なる複数の埋め込みパターンを含むことができ、それぞれの複数の埋め込みパターンは、信号パターン、接地パターン及び／又はパワーパターンを含むことができる。

【0025】

このように、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３に第１～第４パターン溝ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４及び第１～第３貫通孔ｈ１、ｈ２、ｈ３を形成した後、これらを第１～第３金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３で充填することができ、その結果、第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３に埋め込みパターンの形態で第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４及び第１～第３ビア層１３１、１３２、１３３を形成することができる。したがって、平坦度によって第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４が第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３と密着しないという問題を解決することができる。また、このような第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３が上下に接合された構造を有することにより、別途の蒸着工程がなくても多層形態のプリント回路基板を実現することができる。

【0026】

また、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３が有機（ｏｒｇａｎｉｃ）材料ではなくガラス（ｇｌａｓｓ）材料を含むため、一般的な絶縁コアに比べて誘電損失Ｄｆが相対的に小さい可能性がある。したがって、基本的に少ない損失を誘導することができる。また、加工精度が高く、公差による損失も低減でき、さらに表面粗さによる損失も低減することができる。また、ファインパターニングにおいてより有利である可能性があり、高い誘電率で基板サイズをより減少させることができる。

【0027】

特に、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３に形成された第１～第４パターン溝ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４がそれぞれ深さの異なる複数の溝を含むことができ、これにより、第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４はそれぞれ厚さの異なる複数の埋め込みパターンを含むことができる。この場合、トレースの断面厚さを調節することができるため、信号の有効距離が増加でき、信号特性を改善することができる。また、接地及び／又はパワーの面積を増加させてＩＲドロップ（ＩＲ－Ｄｒｏｐ）を減少させることができる。さらに、第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３に埋め込まれる第１～第３金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３の厚さを制御することができるため、反り（ｗａｒｐａｇｅ）を改善することができる。

【0028】

以下では、図面を参照して一例に係るプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。

【0029】

第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３はそれぞれ非晶質固体であるガラスを含むことができる。ガラスは、例えば、純粋な二酸化ケイ素（約１００％ＳｉＯ_２）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス（ａｌｕｍｉｎｏ－ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）などを含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、代案のガラス材料である、例えば、フッ素ガラス、リン酸ガラス、カルコゲンガラスなども材料として使用することができる。なお、特定の物理的特性を有するガラスを形成するために、その他の添加剤をさらに含むこともできる。このような添加剤は、炭酸カルシウム（例えば、石灰）及び炭酸ナトリウム（例えば、ソーダ）だけでなく、マグネシウム、カルシウム、マンガン、アルミニウム、鉛、ホウ素、鉄、クロム、カリウム、硫黄及びアンチモンと、このような元素、並びに他の元素の炭酸塩及び／又は酸化物を含むことができる。

【0030】

第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３は、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などを含む有機絶縁材料、例えば、銅張積層板（ＣＣＬ：Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、プレプリグ（ＰＰＧ：Ｐｒｅｐｒｅｇ）などとは区別される層であってもよい。例えば、第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３はそれぞれ板ガラス（ｐｌａｔｅ ｇｌａｓｓ）を含むことができる。第１ガラス層１１１はコア層であってもよく、第２ガラス層及び第３ガラス層１１２、１１３はビルドアップ層であってもよい。したがって、第１ガラス層１１１は第２ガラス層及び第３ガラス層１１２、１１３のそれぞれより厚いことができる。

【0031】

第１～第４パターン溝ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４は、それぞれ第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３のうちいずれか一つの上面又は下面から、厚さ方向に第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３のうちいずれか一つの一部を貫通することができる。例えば、第１パターン溝ｇ１は、第１ガラス層１１１の上面から第１ガラス層１１１の一部を厚さ方向に貫通することができ、第２パターン溝ｇ２は、第１ガラス層１１１の下面から第１ガラス層１１１の一部を厚さ方向に貫通することができ、第３パターン溝ｇ３は、第２ガラス層１１２の上面から第２ガラス層１１２の一部を厚さ方向に貫通することができ、第４パターン溝ｇ４は、第３ガラス層１１３の下面から第３ガラス層１１３の一部を厚さ方向に貫通することができる。第１～第４パターン溝ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４は、それぞれライン（又はトレース）形態、プレーン（又はプレート）形態、パッド（又はランド）形態などで様々に形成されてもよい。第１～第４パターン溝ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４は、それぞれ一つ以上の溝、好ましくは、複数の溝を有することができる。第１～第４パターン溝ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４は、それぞれ断面形状が四角形であってもよいが、これに限定されるものではなく、円形又は楕円形に形成されてもよい。

【0032】

第１～第３貫通孔ｈ１、ｈ２、ｈ３は、それぞれ第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３を厚さ方向に貫通することができる。例えば、第１貫通孔ｈ１は第１ガラス層１１１を貫通して第１パターン溝及び第２パターン溝ｇ１、ｇ２と連結されることができ、第２貫通孔ｈ２は第２ガラス層１１２を貫通して第１パターン溝及び第３パターン溝ｇ１、ｇ３と連結されることができ、第３貫通孔ｈ３は第３ガラス層１１３を貫通して第２パターン溝及び第４パターン溝ｇ２、ｇ４と連結されることができる。第１～第３貫通孔ｈ１、ｈ２、ｈ３はそれぞれ一つ以上のホール、好ましくは、複数のホールを有することができる。第１～第３貫通孔ｈ１、ｈ２、ｈ３は、それぞれ断面形状がテーパ形状であってもよいが、これに限定されるものではなく、楕円形状、砂時計形状など、他の形態で形成されてもよい。限定されない一例として、第１貫通孔ｈ１と第２貫通孔ｈ２とは、互いに同じ方向にテーパ形状を有することができ、第３貫通孔ｈ３は、第１貫通孔及び第２貫通孔ｈ１、ｈ２とは反対方向にテーパ形状を有することができる。

【0033】

第１～第３金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３は、それぞれ第１～第４パターン溝ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４及び第１～第３貫通孔ｈ１、ｈ２、ｈ３を充填することができる。例えば、第１金属層ｍ１は第１パターン溝及び第２パターン溝ｇ１、ｇ２と第１貫通孔ｈ１を充填することができ、第２金属層ｍ２は第３パターン溝ｇ３及び第２貫通孔ｈ２を充填することができ、第３金属層ｍ３は第４パターン溝ｇ４及び第３貫通孔ｈ３を充填することができる。第１～第３金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができ、好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これらに限定されるものではない。第１～第３金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３は、互いに境界を有する区分された層であってもよい。第１～第３金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３はそれぞれシード金属層をさらに含むことができる。第１～第３金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３のそれぞれのシード金属層は、第１～第４パターン溝ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４及び第１～第３貫通孔ｈ１、ｈ２、ｈ３のそれぞれの壁面と底面に薄い厚さで配置されることができる。

【0034】

第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンは、それぞれライン（又はトレース）、プレーン（又はプレート）、パッド（又はランド）などの様々な形態を有することができる。第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、両方を含んでもよい。

【0035】

第１ガラス層１１１の上面及び下面は、それぞれ第１配線層１２１の上面及び第２配線層１２２の下面と実質的に共面をなすことができる。第２ガラス層１１２の上面は、第３配線層１２３の上面と実質的に共面をなすことができる。第３ガラス層１１３の下面は、第４配線層１２４の下面と実質的に共面をなすことができる。例えば、第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４は、第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３に実質的に埋め込みトレース基板（ＥＴＳ：Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）の形態で埋め込まれてもよい。したがって、平坦度による密着問題を容易に解決することができ、微細回路の形成がより容易となる可能性があり、基板の全厚を容易に減少させることができる。

【0036】

第１～第３ビア層１３１、１３２、１３３はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１～第３ビア層１３１、１３２、１３３は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。第１～第３ビア層１３１、１３２、１３３は、それぞれ断面形状がテーパ形状であってもよいが、これに限定されるものではなく、楕円形状、砂時計形状など、他の形態で形成されてもよい。第１～第３ビア層１３１、１３２、１３３は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、両方を含んでもよい。

【0037】

第１ビア層１３１は、第１配線層及び第２配線層１２１、１２２と同じ第１金属層ｍ１を含むことができ、これにより第１ビア層１３１は第１配線層及び第２配線層１２１、１２２のそれぞれの少なくとも一部と境界なしに一体化することができる。第２ビア層１３２は、第３配線層１２３と同じ第２金属層ｍ２を含むことができ、これにより第２ビア層１３２は、第３配線層１２３の少なくとも一部と境界なしに一体化することができる。第３ビア層１３３は、第４配線層１２４と同じ第３金属層ｍ３を含むことができ、これにより第３ビア層１３３は、第４配線層１２４の少なくとも一部と境界なしに一体化することができる。

【0038】

第１レジスト層及び第２レジスト層１４１、１４２は、それぞれ液状又はフィルムタイプの半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）を含むことができるが、これに限定されるものではなく、他の種類の絶縁材を含むこともできる。第１開口ｏ１及び／又は第２開口ｏ２に露出するパターン上には、必要に応じて表面処理層が形成されることができる。また、第１開口ｏ１及び／又は第２開口ｏ２に露出するパターン上には金属バンプが形成されてもよい。

【0039】

半導体チップ１５１は、数百～数百万個以上の素子が一つのチップ内に集積化された集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）を含むことができる。このとき、集積回路は、例えば、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、アプリケーションプロセッサ（例えば、ＡＰ）、アナログ－デジタルコンバータ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップであってもよいが、これらに限定されるものではなく、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、高帯域幅メモリ（ＨＢＭ：Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ、又は電源管理ＩＣ（ＰＭＩＣ：Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ）のような他の種類であってもよいことは勿論である。半導体チップ１５１は複数個であってもよく、この場合、互いに同一又は異なってもよい。

【0040】

半導体チップ１５１はアクティブウエハに基づいて形成されたものであってもよく、この場合、本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが使用されることができる。本体には様々な回路が形成されていてもよい。本体には接続パッドが形成されることができ、接続パッドはアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含むことができる。半導体チップ１５１はベアダイ（ｂａｒｅ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上には金属バンプが配置されてもよい。半導体チップ１５１は、パッケージ化されたダイ（ｐａｃｋａｇｅｄ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上にさらに再配線層が形成され、再配線層上に金属バンプが配置されることができる。

【0041】

接続部材１５２は、低融点金属、例えば、錫（Ｓｎ）－アルミニウム（Ａｌ）－銅（Ｃｕ）などの半田などで形成されてもよいが、これは一例に過ぎず、材質が特にこれに限定されるものではない。接続部材１５２はボールなどであってもよい。接続部材１５２は多重層又は単一層で形成されてもよい。多重層で形成される場合には銅柱及び半田を含むことができ、単一層で形成される場合には錫－銀半田や銅を含むことができるが、これに限定されるものではない。接続部材１５２は複数個であってもよく、その数は特に限定されない。

【0042】

アンダーフィル１５３は、絶縁材、例えば、エポキシ絶縁材を含むことができるが、これに限定されるものではない。アンダーフィル１５３は、第２ガラス層１１２の上面と半導体チップ１５１の下面との間に配置されることができ、接続部材１５２を覆うことができる。

【0043】

電気連結金属１５４は、プリント回路基板１００Ａを電子機器のメインボードや他の基板などに連結させることができる。電気連結金属１５４は、導電性物質、例えば、半田などで形成されてもよいが、これは一例に過ぎず、材質が特にこれに限定されるものではない。電気連結金属１５４はボール、ピンなどであってもよい。電気連結金属１５４は多重層又は単一層で形成されてもよい。多重層で形成される場合には銅柱及び半田を含むことができ、単一層で形成される場合には、錫－銀半田や銅を含むことができるが、これに限定されるものではない。電気連結金属１５４は複数個であってもよく、その数は特に限定されない。

【0044】

図４は、複数の半導体チップ間のインタコネクションのために、ガラス層に形成されたトレースの厚さの差を概略的に示す斜視図である。

【0045】

図面を参照すると、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａにおいて、半導体チップ１５１は、第１半導体及び第２半導体チップ１５１－１、１５１－２を含むことができ、第３配線層１２３は、第１トレース１２３Ｓ－１及び第２トレース１２３Ｓ－２を含むことができる。第１半導体及び第２半導体チップ１５１－１、１５１－２はそれぞれロジックチップ及びメモリチップであってもよいが、これに限定されるものではない。第１トレース及び第２トレース１２３Ｓ－１、１２３Ｓ－２はそれぞれ信号パターンであってもよいが、これに限定されるものではない。上述したように、第３配線層１２３は様々な厚さの埋め込みパターンを含むことができ、これにより、第１トレース及び第２トレース１２３Ｓ－１、１２３Ｓ－２は互いに厚さが異なることができる。第１トレース１２３Ｓ－１は第２トレース１２３Ｓ－２よりも相対的に長さがさらに長くてもよく、第２トレース１２３Ｓ－２は第１トレース１２３Ｓ－１よりも相対的に長さがさらに短くてもよい。相対的に長さの長い第１トレース１２３Ｓ－１は、相対的に長さの短い第２トレース１２３Ｓ－２より厚くてもよい。これによって、より最適化された信号設計が可能となり得る。

【0046】

その他の内容は、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複説明は省略する。

【0047】

図５ａ～図５ｇは、ガラス層の上側及び／又は下側に様々な厚さの埋め込みパターンを形成することを概略的に示す工程図である。

【0048】

図５ａを参照すると、ガラス層１１１’を準備する。ガラス層１１１’は板ガラス（ｐｌａｔｅ ｇｌａｓｓ）の形態であってもよい。

【0049】

図５ｂを参照すると、ガラス層１１１’の上面上に第１－１溝２１０Ｈ１を有する第１マスク２１０－１を付着する。第１－１溝２１０Ｈ１は、第１マスク２１０－１を厚さ方向に貫通する形態であってもよい。第１－１溝２１０Ｈ１は、ライン（又はトレース）、プレーン（又はプレート）、パッド（又はランド）など様々な形態を有することができる。次に、ガラス層１１１’の上面に第１－１パターン溝ｇ１－１を形成する。例えば、第１マスク２１０－１の第１－１溝２１０Ｈ１を介して露出するガラス層１１１’の上面をエッチング処理して第１－１パターン溝ｇ１－１を形成することができる。

【0050】

図５ｃを参照すると、ガラス層１１１’に第１－１金属層ｍ１－１を形成する。例えば、めっき工程で第１－１パターン溝ｇ１－１を充填して第１－１金属層ｍ１－１を形成することができる。めっき工程は、無電解めっき、電解めっきなどを順次に行うことができる。必要に応じて、他の導電体プラグ工程を用いることができる。第１－１金属層ｍ１－１で充填された第１－１パターン溝ｇ１－１は信号パターンを含むことができるが、これに限定されない。

【0051】

図５ｄを参照すると、ガラス層１１１’の上面上に第１－２溝２１０Ｈ２を有する第２マスク２１０－２を付着する。第１－２溝２１０Ｈ２は、第２マスク２１０－２を厚さ方向に貫通する形態であってもよい。第１－２溝２１０Ｈ２は、ライン（又はトレース）、プレーン（又はプレート）、パッド（又はランド）など様々な形態を有することができる。次に、ガラス層１１１’の上面に第１－２パターン溝ｇ１－２を形成する。例えば、第２マスク２１０－２の第１－２溝２１０Ｈ２を介して露出するガラス層１１１’の上面をエッチング処理して第１－２パターン溝ｇ１－２を形成することができる。第１－２パターン溝ｇ１－２は、第１－１パターン溝ｇ１－１より深い深さを有することができる。

【0052】

図５ｅを参照すると、ガラス層１１１’に第１－２金属層ｍ１－２を形成する。例えば、めっき工程で第１－２パターン溝ｇ１－２を充填して第１－２金属層ｍ１－２を形成することができる。めっき工程は、無電解めっき、電解めっきなどを順次に行うことができる。必要に応じて、他の導電体プラグ工程を用いることができる。第１－２金属層ｍ１－２で充填された第１－２パターン溝ｇ１－２は信号パターンを含むことができるが、これに限定されない。

【0053】

図５ｆを参照すると、５ｂ～５ｅを通じて説明した工程と実質的に同じ工程によって、ガラス層１１１’の下面に深さが互いに異なる第２－１及び第２－２パターン溝ｇ２－１、ｇ２－２と、第２－１及び第２－２金属層ｍ２－１、ｍ２－２を形成する。第２－１及び第２－２金属層ｍ２－１、ｍ２－２で充填された第２－１及び第２－２パターン溝ｇ２－１、ｇ２－２はそれぞれ信号パターンを含むことができるが、これに限定されない。

【0054】

図５ｇを参照すると、５ｂ～５ｆを通じて説明した工程と実質的に同じ工程によって、ガラス層１１１’の上面に深さが互いに異なる第１－３パターン溝及び第１－４パターン溝ｇ１－３、ｇ１－４と、これらを充填する第１－３金属層及び第１－４金属層ｍ１－３、ｍ１－４を形成し、さらに、ガラス層１１１’の下面に深さが互いに異なる第２－３パターン溝及び第２－４パターン溝ｇ２－３、ｇ２－４と、第２－３金属層及び第２－４金属層ｍ２－３、ｍ２－４を形成する。第１－３パターン溝及び第１－４パターン溝ｇ１－３、ｇ１－４は、第１－１及び第１－２パターン溝ｇ１－１、ｇ１－２よりも幅がさらに広くてもよい。第２－３パターン溝及び第２－４パターン溝ｇ２－３、ｇ２－４は、第２－１及び第２－２パターン溝ｇ２－１、ｇ２－２よりも幅がさらに広くてもよい。第１－３金属層及び第１－４金属層ｍ１－３、ｍ１－４で充填された第１－３パターン溝及び第１－４パターン溝ｇ１－３、ｇ１－４は、それぞれ接地パターン及び／又はパワーパターンを含むことができるが、これに限定されない。第２－３金属層及び第２－４金属層ｍ２－３、ｍ２－４で充填された第２－３パターン溝及び第２－４パターン溝ｇ２－３、ｇ２－４は、それぞれ接地パターン及び／又はパワーパターンを含むことができるが、これに限定されない。

【0055】

その他の内容は、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複説明は省略する。

【0056】

図６は、プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。

【0057】

図面を参照すると、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａにおいて、第１ガラス層及び第２ガラス層１１１、１１２の間に配置された第１接着層１６１、及び／又は第１ガラス層及び第３ガラス層１１１、１１３の間に配置された第２接着層１６２をさらに含むことができる。第２貫通孔ｈ２、例えば、第２ビア層１３２は第１接着層１６１をさらに貫通することができ、第３貫通孔ｈ３、例えば、第３ビア層１３３は第２接着層１６２をさらに貫通することができる。第１接着層１６１は第１配線層１２１の露出した上面を覆うことができ、第２接着層１６２は第２配線層１２２の露出した下面を覆うことができる。このように、他の一例では、第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４及び第１～第３ビア層１３１、１３２、１３３が形成された第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３が第１接着層及び第２接着層１６１、１６２を介して上下に接合されることができる。第１接着層及び第２接着層１６１、１６２は、アクリル樹脂又はエポキシ樹脂を含む接着フィルムなどを含むことができるが、これに限定されるものではなく、その他にも異なる接合材料を含むことができる。第１接着層及び第２接着層１６１、１６２のそれぞれの厚さは特に限定されないが、少なくとも第１～第３ガラス層１１１、１１２、１１３のそれぞれより薄くてもよい。

【0058】

その他の内容は、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複説明は省略する。

【0059】

図７及び図８は、それぞれ図３及び図６のプリント回路基板の変形例を概略的に示す断面図である。

【0060】

図面を参照すると、変形例に係るプリント回路基板１００Ｃ、１００Ｄは、それぞれ上述した一例及び他の一例に係るプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂにおいて、第３絶縁層である第３ガラス層１１３が第３有機絶縁層１１３’で代替されることができる。例えば、変形例に係るプリント回路基板１００Ｃ、１００Ｄがボールグリッドアレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）基板等に適用されるとき、底面側には相対的にファインパターンが不要であることがある。よって、この場合には、下側に一般的な有機絶縁層（ｏｒｇａｎｉｃ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、例えば、味の素ビルドアップフィルム（ＡＢＦ：Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、プレプリグ（ＰＰＧ：Ｐｒｅｐｒｅｇ）などをビルドアップ層として適用することができる。例えば、第３有機絶縁層１１３’は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又は樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む有機絶縁材を含むことができる。第３有機絶縁層１１３’の下側に配置される第４配線層１２４は、第３有機絶縁層１１３’の下側に埋め込まれてもよいが、これに限定されるものではなく、必要に応じて、第３有機絶縁層１１３’の下面上に突出して配置されてもよい。

【0061】

その他の内容は、上述した一例及び他の一例に係るプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複説明は省略する。

【0062】

本発明において、深さ、厚さ、幅、長さなどは、それぞれプリント回路基板を研磨又は切断した断面を基準として走査顕微鏡や光学顕微鏡などで測定することができる。切断断面は垂直断面又は水平断面であってもよく、必要な切断断面を基準としてそれぞれの数値を測定することができる。数値が一定でない場合には、任意の５地点で測定した値の平均値で数値を決定することができる。

【0063】

本発明において、「覆う」とは、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、また直接覆う場合だけでなく、間接的に覆う場合も含むことができる。また、「充填する」とは、完全に充填する場合だけでなく、ほぼ充填する場合を含むことができ、例えば、一部の空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。

【0064】

本発明において、実質的には、製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断することができる。例えば、「実質的に共面をなす」とは、完全に同一平面に存在する場合だけでなく、ほぼ同一平面に存在する場合も含むことができる。

【0065】

本発明において、「同じ絶縁材」とは、完全に同一の絶縁材である場合だけでなく、同じタイプの絶縁材を含む意味であることができる。したがって、絶縁材の組成は実質的に同一であるものの、それらの具体的な組成比は少しずつ異なることがある。

【0066】

本発明において、断面上における意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物を垂直に切断したときの断面形状、あるいは対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上における意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、あるいは対象物をトップビュー又はボトムビューで見たときの平面形状を意味することができる。

【0067】

本発明において、下側、下部、下面などは、便宜上、図面の断面を基準として下方向を意味するものとして使用し、上側、上部、上面などは、その反対方向を意味するものとして使用している。但し、これは、説明の便宜上、方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことは勿論であり、上／下の概念はいつでも変更することができる。

【0068】

本発明において、「連結される」とは、直接連結されることだけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結された場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１、第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために使用するものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、同様に、第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよい。

【0069】

本発明で使用される「一例」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一例に説明されている事項が、他の一例に説明されていなくても、他の一例において、その事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一例に関連する説明として理解することができる。

【0070】

本発明で使用される用語は、単に一例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0071】

１０００：電子機器
１０１０：メインボード
１０２０：チップ関連部品
１０３０：ネットワーク関連部品
１０４０：その他の部品
１０５０：カメラ
１０６０：アンテナ
１０７０：ディスプレイ
１０８０：バッテリー
１０９０：信号ライン
１１００：スマートフォン
１１１０：マザーボード
１１２０：部品
１１２１：部品パッケージ
１１３０：カメラモジュール
１１４０：スピーカ
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ：プリント回路基板
１１１’、１１１、１１２、１１３：ガラス層
ｇ１、ｇ１－１、ｇ１－２、ｇ１－３、ｇ１－４、ｇ２、ｇ２－１、ｇ２－２、ｇ２－３、ｇ２－４、ｇ３、ｇ４：パターン溝
ｈ１、ｈ２、ｈ３：貫通孔
ｍ１、ｍ１－１、ｍ１－２、ｍ１－３、ｍ１－４、ｍ２、ｍ２－１、ｍ２－２、ｍ２－３、ｍ２－４、ｍ３：金属層
１２１、１２２、１２３、１２４：配線層
１２１Ｓ、１２１Ｇ、１２２Ｓ、１２２Ｇ：埋め込みパターン
１３１、１３２、１３３：ビア層
１４１、１４２：レジスト層
ｏ１、ｏ２：開口
１５１、１５１－１、１５１－２：半導体チップ
１５２：接続部材
１５３：アンダーフィル
１５４：電気連結金属
１６１、１６２：接着層
２１０－１、２１０－２：マスク
２１０Ｈ１、２１０Ｈ２：溝

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図5c】

【図5d】

【図5e】

【図5f】

【図5g】

【図6】

【図7】

【図8】