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特開2024-164884情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024164884
(43)【公開日】2024-11-28
(54)【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム
(51)【国際特許分類】
   G06F 12/00 20060101AFI20241121BHJP
   G06F 1/3206 20190101ALI20241121BHJP
   G06F 11/14 20060101ALI20241121BHJP
【FI】
G06F12/00 550Z
G06F1/3206
G06F12/00 597U
G06F11/14 648
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023080581
(22)【出願日】2023-05-16
(71)【出願人】
【識別番号】000004237
【氏名又は名称】日本電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100109313
【弁理士】
【氏名又は名称】机 昌彦
(74)【代理人】
【識別番号】100149618
【弁理士】
【氏名又は名称】北嶋 啓至
(72)【発明者】
【氏名】堀田 効助
【テーマコード(参考)】
5B011
5B160
【Fターム(参考)】
5B011EA02
5B011KK01
5B011KK02
5B011LL11
5B011MA07
5B160AA14
5B160NA02
(57)【要約】      (修正有)
【課題】温度が上下する環境下においても、不揮発性メモリに保存されたデータを保持することができる情報処理装置、方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】情報処理装置(10)において、計算部(11)は、不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリの温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算し、実行部(12)は、計算された値の累計が閾値に達した後、不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する。
【選択図】図2
【特許請求の範囲】
【請求項1】
不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算する計算手段と、
計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する実行手段と
を備えた情報処理装置。
【請求項2】
前記閾値は、前記不揮発性メモリのデータ保持が保証される期間である
ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。
【請求項3】
前記計算手段は、前記不揮発性メモリが非通電状態になったときからの経過時間を計算する
ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。
【請求項4】
前記実行手段は、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置として、少なくとも、前記不揮発性メモリへの給電を実行する
ことを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。
【請求項5】
周辺の温度を示す情報を取得する取得手段をさらに備え、
前記計算手段は、前記不揮発性メモリのデータ保持の保証と関係する前記時間と、前記取得手段が取得した前記温度との組み合わせに応じた前記値を一定時間ごとに計算する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の情報処理装置。
【請求項6】
コンピュータが、
不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算し、
計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する
情報処理方法。
【請求項7】
不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算することと、
計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行することと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、不揮発性メモリに保存されたデータを保持するためのデータリテンション技術に関する。
【背景技術】
【0002】
待機系(予備)のサーバは、稼働系や他システムに影響を与えないように、または節電(省エネ)の要請により、電源オフの状態で保管される場合がある。このような運用方法は、コールドスタンバイと呼ばれる。
【0003】
SSD(Solid State Drive)などの不揮発性メモリで構成されたサーバが、長期間にわたって、電源オフの状態のままであったとき、不揮発性メモリは非通電状態となる。その結果、非通電状態の不揮発性メモリから、電荷抜けが発生し、サーバに保存されたデータが消失する可能性がある。
【0004】
非通電状態の不揮発性メモリがデータを保持できることが保証される期間は、リテンション期間と呼ばれる。リテンション期間は、データリテンション基準(スペック)によって定められている。サーバが高温にさらされると、不揮発性メモリのリテンション期間は短くなる。
【0005】
関連する技術の一例では、サーバが配置された空間の室温を監視し、定期的に、あるいは、一定の条件にしたがい、サーバの電源をオフからオンに切り替える。例えば、室温が一定値を超えた場合、または、室温に関わらず3カ月が経過した場合、関連する技術は、サーバの電源を、オフからオンに切り替える。
【0006】
特許文献1には、温度センサが検知した環境温度に応じて、フラッシュメモリのリテンション期間を変更することが記載されている。
【0007】
特許文献1に記載の関連する技術では、例えば、環境温度が10℃である場合、フラッシュメモリのリテンション期間は、25,700(書き換え回数)に設定される。一方、環境温度が55℃である場合、同じフラッシュメモリのリテンション期間は、5,000(書き換え回数)に設定される。環境温度が55℃を超える場合、フラッシュメモリの現在の書き換え回数に関わらず、アラートが通知される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2021-174020号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
特許文献1に記載の関連する技術では、環境温度が最も低いときのリテンション期間が適用される。例えば、サーバが電源オフの状態である間に、環境温度が25℃から10℃まで低下した場合、特許文献1に記載の関連する技術では、リテンション期間は、環境温度が25℃であったときの20,000から、環境温度が10℃であるときの27,500に変更される。
【0010】
環境温度が上昇する場合、特許文献1に記載の関連する技術では、環境温度が高い期間(上記の例では25℃)における不揮発性メモリへの影響が考慮されない。そのため、予期しないデータ消失が生じる可能性がある。
【0011】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度が上下する環境下においても、不揮発性メモリに保存されたデータを保持できるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の一態様に係る情報処理装置は、不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算する計算手段と、計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する実行手段とを備えている。
【0013】
本発明の一態様に係る情報処理方法では、コンピュータが、不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算し、計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する。
【0014】
本発明の一態様に係るプログラムは、不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算することと、計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行することとをコンピュータに実行させる。
【発明の効果】
【0015】
本発明の一態様によれば、温度が上下する環境下においても、不揮発性メモリに保存されたデータを保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
図1】実施形態1に係るサーバの構成の一例を概略的に示す図である。
図2】実施形態1に係る情報処理装置の構成を示すブロック図である。
図3】実施形態1に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
図4】実施形態2に係るサーバの構成の一例を概略的に示す図である。
図5】実施形態2に係る情報処理装置の構成を示すブロック図である。
図6】実施形態2に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
図7】実施形態3に係る情報処理装置の構成を示すブロック図である。
図8】データリテンション基準テーブルの一例を示す図である。
図9】実施形態3に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
図10】実施形態1~3に係る情報処理装置のハードウェア構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
〔実施形態1〕
図1図3を参照して、実施形態1について説明する。
【0018】
(サーバ100の構成)
図1は、本実施形態1に係るサーバ100の構成の一例を模式的に示す図である。図1のように、サーバ100は、PSU(Power Supply Unit)とBMC(Baseboard Management Controller)を具備する。
【0019】
PSUとは、電源ユニットであり、BMCとは、IPMI(Intelligent Platform Management Interface)規格に基づいて、遠隔からサーバ100を管理するための制御用チップである。PSUに外部電源から電力が供給されている限り、BMCの機能が有効となる。
【0020】
図1に示すように、サーバ100は、情報処理装置10を備えている。情報処理装置10は、サーバ100が具備する不揮発性メモリ120(一例では、SSD;Solid State Drive)のデータを保持するために、不揮発性メモリ120のデータリテンション基準を満足させる。
【0021】
情報処理装置10は、メモリ搭載位置を記憶する機能と、不揮発性メモリ120を起動/給電する機能と、冷却用ファン130を起動/停止する機能とを有する。また、情報処理装置10は、不揮発性メモリ120の温度を監視する機能と、BMCへアラーム出力を指示する機能と、外部電源からの電力をサーバ100へ入力する機能とをさらに有する。
【0022】
情報処理装置10は、BMCとの接続バスを具備する。一例では、接続バスは、SM Bus(System Management Bus)である。情報処理装置10は、BMCに対して、電源ステータス確認要求、タイムスタンプの要求、メモリ搭載位置情報の要求、冷却用ファン130の起動または停止の要求、アラーム出力の要求、および、リセットコマンドの送信を行う。
【0023】
不揮発性メモリ120は、専用カードに搭載されてもよいし、ドライブケージ(バックプレーン)に搭載されてもよい。情報処理装置10とBMCとの接続バスは、IPMB(Intelligent Platform Management Bus)、PCI管理バス、またはLANで構築されてもよい。
【0024】
情報処理装置10は、BMCから、サーバ100に搭載されている不揮発性メモリ120の位置を示すメモリ搭載位置情報を取得する。
【0025】
また、情報処理装置10は、不揮発性メモリ120のリフレッシュに必要な日数(リフレッシュ日数と呼ぶ)を示す情報を取得する。不揮発性メモリ120のリフレッシュとは、不揮発性メモリ120への給電を実行して、不揮発性メモリ120からの電荷の抜けを防止するための処理である。
【0026】
情報処理装置10からBMCへの電源ステータス確認要求に対する応答として、情報処理装置10は、BMCから、電源ステータス応答を受信する。一方、BMCへの電源ステータス確認要求が通らない場合、情報処理装置10は、サーバ100が停止している(電源オフの状態)であると判断する。
【0027】
サーバ100が停止(電源オフ)したとき、情報処理装置10は、BMCに対して、メモリ搭載位置情報を要求する。その後、情報処理装置10は、BMCに対して、一定間隔で、サーバ100が起動しているかどうかを確認する電源ステータス確認要求を送信する。
【0028】
また、情報処理装置10は、メモリ搭載位置情報を確認して、電源状態テーブルを初期化する。その後、情報処理装置10は、サーバ100の電源がオフになったときのタイムスタンプを、電源状態テーブル(図示せず)に記録する。
【0029】
不揮発性メモリ120の温度が、平常(例えば、40℃以下)より大きく、かつ、上限温度(例えば、55℃)以下である場合、情報処理装置10は、冷却用ファン130の起動を要求する。それとともに、情報処理装置10は、後述するデータリテンション基準違反の判定処理を開始する。
【0030】
一方、不揮発性メモリ120の温度が、上限温度(例えば、55℃)を超える場合、情報処理装置10は、データリテンション基準違反であると判定する。そして、情報処理装置10は、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置を行う。
【0031】
例えば、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置は、不揮発性メモリ120への給電である。他の一例では、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置は、冷却用ファン130の起動、およびBMCに対するアラーム出力要求である。
【0032】
不揮発性メモリ120の温度が、データリテンション基準における上限温度(例えば55℃)を超える場合、情報処理装置10は、不揮発性メモリ120からのデータ化けを防ぐためのその他の処置を行ってもよい。
【0033】
不揮発性メモリ120の温度が、平常(例えば、40℃以下)に戻った後、情報処理装置10は、BMCに対して、冷却用ファン130の停止、または通常動作への復帰を要求する。
【0034】
以上で説明した通り、情報処理装置10が、サーバ100に搭載されている不揮発性メモリ120の温度に応じて、サーバ100に搭載された不揮発性メモリ120への給電をコントロールすることにより、不揮発性メモリ120のデータ保持を保証することが可能になる。
【0035】
情報処理装置10は、グローバルタイムを計測するカウンタを具備していてもよい。
【0036】
PSUに対する電力の供給がない場合、BMCは無効(機能停止の状態)となる。この場合、情報処理装置10は、BMCから情報を得る代わりに、情報処理装置10自身がBMCと同じ機能を実行していてもよい。
【0037】
(情報処理装置10の構成)
図2は、本実施形態1に係る情報処理装置10の構成を示すブロック図である。図2に示すように、情報処理装置10は、計算部11および実行部12を備えている。
【0038】
計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリ120の温度との組み合わせに応じた値(以下、加算値と呼ぶ)を、一定時間ごとに計算する。計算部11は、計算手段の一例である。
【0039】
例えば、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間は、サーバ100が電源オフの状態にあり、不揮発性メモリ120が給電されていない時間である。
【0040】
一例では、計算部11は、BMCへ電源ステータス確認要求を送信したときのタイムスタンプと、BMCから電源ステータス応答を受信したときのタイムスタンプとを使用して、サーバ100が電源オフの状態であった期間(以下、電源オフ期間と呼ぶ)を特定する。言い換えれば、計算部11は、BMCから電源ステータス応答を受信できなかった期間が、サーバ100の電源オフ期間であると特定する。
【0041】
電源オフ期間中、計算部11は、不揮発性メモリ120の温度と、不揮発性メモリ120の温度が測定された時刻を示すタイムスタンプとを使用して、一定時間の平均温度を計算する。
【0042】
本例では、不揮発性メモリ120の一定時間の平均温度が、不揮発性メモリ120の温度に相当する。
【0043】
計算部11は、データリテンション基準テーブル(図8)を参照して、一定時間ごとの平均温度に応じた加算値を計算する。
【0044】
電源オフ期間中、計算部11は、一定時間ごとに、上述の加算値を計算する。計算部11は、計算した加算値のデータを、実行部12へ出力する。
【0045】
実行部12は、計算部11によって計算された加算値の累計が閾値に達した後、不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する。実行部12は、実行手段の一例である。
【0046】
一例では、電源オフ期間中、実行部12は、計算部11から、一定時間ごとに、上述の加算値を受信する。実行部12は、これまでに受信した加算値の累計を計算する。
【0047】
次に、実行部12は、加算値の累計と、閾値とを比較する。一例では、閾値は、不揮発性メモリ120のデータ保持が保証される期間である。加算値の累計が閾値を超える場合、実行部12は、データリテンション基準違反が発生したと判定する。
【0048】
データリテンション基準違反が発生したと判定された場合、実行部12は、不揮発性メモリ120からのデータ化けを防ぐために、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置を実行する。
【0049】
例えば、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置は、不揮発性メモリ120への給電である。不揮発性メモリ120の温度が、データリテンション基準において与えられた上限温度(例えば55℃)を超える場合、実行部12は、不揮発性メモリ120からのデータ化けを防ぐためのその他の処置(例えば、アラーム出力要求)を行ってもよい。
【0050】
(情報処理装置10の動作)
図3を参照して、本実施形態1に係る情報処理装置10の動作を説明する。図3は、情報処理装置10の動作を示すフローチャートである。以下で説明する動作は、サーバ100の電源オフ期間中に実行される。
【0051】
図3に示すように、計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリ120の温度との組み合わせに応じた値(加算値)を、一定時間ごとに計算する(S101)。
【0052】
計算部11は、計算した加算値のデータを、実行部12へ出力する。
【0053】
実行部12は、計算部11から、加算値のデータを受信する。実行部12は、計算部11によって計算された加算値の累計が閾値に達したかどうかを判定する(S102)。
【0054】
加算値の累計が閾値に達していない場合(S102でNo)、計算部11は、前回のステップS101の処理が実行されたときから、一定時間が経過したかどうかを判定する(S104)。
【0055】
前回のステップS101の処理が実行されたときから、一定時間が経過したとき(S104でYes)、フローはステップS101に戻る。
【0056】
加算値の累計が閾値に達している場合(S102でYes)、実行部12は、不揮発性メモリ120に関する処理を実行する(S103)。
【0057】
その後、計算部11は、電源状態テーブル(図示せず)を参照して、サーバ100が電源オンの状態になったかどうかを判定する(S105)。
【0058】
サーバ100が電源オフの状態のままである場合(S105でNo)、フローはステップS101へ戻る。一方、サーバ100が電源オンの状態になっている場合(S105でYes)、フローは終了する。
【0059】
以上で、本実施形態1に係る情報処理装置10の動作は終了する。
【0060】
(本実施形態の効果)
本実施形態の構成によれば、計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリ120の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算する。実行部12は、計算された値の累計が閾値に達した後、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置を実行する。一定時間ごとに、不揮発性メモリ120の温度に基づく値が再計算される。そして、計算された値の累計に基づいて、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置の実行が決定される。
【0061】
これにより、温度が上下する環境下においても、不揮発性メモリ120がデータ保持することができる。
【0062】
〔実施形態2〕
図4図6を参照して、実施形態2について説明する。前記実施形態1では、不揮発性メモリ120の温度を監視する構成を説明した。本実施形態2では、不揮発性メモリ120の温度に代えて、サーバ200の周辺の温度を示す情報を取得する構成を説明する。
【0063】
本実施形態2では、前記実施形態1と共通する構成要素について、前記実施形態1における説明を引用して、ここでの説明を省略する。
【0064】
(サーバ200の構成)
図4は、本実施形態2に係るサーバ200の構成の一例を模式的に示す図である。
【0065】
図4のように、サーバ200は、PSUとBMCを具備する。
【0066】
図4に示すように、サーバ200は、情報処理装置20を備えている。情報処理装置20は、サーバ200が具備する不揮発性メモリ120(一例では、SSD)のデータを保持するために、不揮発性メモリ120のデータリテンション基準を満足させる。
【0067】
情報処理装置20は、メモリ搭載位置を記憶する機能と、不揮発性メモリ120を起動/給電する機能と、冷却用ファン130を起動/停止する機能とを有する。また、情報処理装置20は、BMCへアラーム出力を指示する機能と、外部電源からの電力をサーバ200へ入力する機能とをさらに有する。
【0068】
情報処理装置20は、サーバ200の周辺の設置された温度センサ110を用いて、サーバ200の周辺の温度を監視する。
【0069】
情報処理装置20は、BMCとの接続バスを具備する。一例では、BMCとの接続バスは、SM Busである。情報処理装置20は、BMCに対して、電源ステータス確認要求、タイムスタンプの要求、メモリ搭載位置情報の要求、冷却用ファン130の起動または停止の要求、アラーム出力の要求、およびリセットコマンドの送信を行う。
【0070】
不揮発性メモリ120は、専用カードに搭載されてもよいし、ドライブケージ(バックプレーン)に搭載されてもよい。情報処理装置20とBMCとの接続バスは、IPMB(Intelligent Platform Management Bus)、PCI管理バス、またはLANで構築されてもよい。
【0071】
情報処理装置20は、BMCから、サーバ200に搭載されている不揮発性メモリ120の位置を示すメモリ搭載位置情報を取得する。
【0072】
また、情報処理装置20は、不揮発性メモリ120のリフレッシュに必要な日数(リフレッシュ日数と呼ぶ)を示す情報を取得する。不揮発性メモリ120のリフレッシュとは、不揮発性メモリ120への給電を実行して、不揮発性メモリ120からの電荷の抜けを防止する処置である。
【0073】
情報処理装置20からBMCへの電源ステータス確認要求に対する応答として、情報処理装置20は、BMCから、電源ステータス応答を受信する。一方、BMCへの電源ステータス確認要求が通らない場合、情報処理装置20は、サーバ200が停止している(電源オフの状態)であると判断する。
【0074】
サーバ200が停止(電源オフ)したとき、情報処理装置20は、BMCに対して、メモリ搭載位置情報を要求する。その後、情報処理装置20は、BMCに対して、一定間隔で、サーバ200が起動(復帰)しているかどうかを確認するために、電源ステータス確認要求を送信する。
【0075】
また、情報処理装置20は、メモリ搭載位置情報を確認して、電源状態テーブルを初期化する。その後、情報処理装置20は、サーバ200の電源がオフになったときのタイムスタンプを、図示しない電源状態テーブルに保存する。
【0076】
サーバ200の周辺の温度が、平常(例えば40℃)より大きく、かつ、上限温度(例えば、55℃)以下である場合、情報処理装置20は、冷却用ファン130の起動を要求する。それとともに、情報処理装置20は、後述するデータリテンション基準違反の判定処理を開始する。
【0077】
一方、サーバ200の周辺の温度が、上限温度(例えば、55℃)を超える場合、情報処理装置20は、データリテンション基準違反であると判定する。そして、情報処理装置20は、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置を行う。
【0078】
例えば、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置は、不揮発性メモリ120への給電である。他の一例では、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置は、冷却用ファン130の起動、およびアラーム出力要求である。
【0079】
サーバ200の周辺の温度が、データリテンション基準における上限温度(例えば55℃)を超える場合、情報処理装置20は、不揮発性メモリ120からのデータ化けを防ぐためのその他の処置を行ってもよい。
【0080】
サーバ200の周辺の温度が、平常(例えば、40℃以下)に戻った後、情報処理装置20は、BMCに対して、冷却用ファン130の停止、または通常動作への復帰を要求する。
【0081】
以上で説明した通り、情報処理装置20が、サーバ200に搭載された不揮発性メモリ120への給電をコントロールすることにより、不揮発性メモリ120のデータ保持を保証することが可能になる。
【0082】
情報処理装置20は、グローバルタイムを計測するカウンタを具備していてもよい。
【0083】
PSUに対する電力の供給がない場合、BMCは無効(機能停止の状態)となる。この場合、情報処理装置20は、BMCから情報を得る代わりに、情報処理装置20自身がBMCと同様の機能を具備していてもよい。
【0084】
(情報処理装置20の構成)
図5は、本実施形態2に係る情報処理装置20の構成を示すブロック図である。図5に示すように、情報処理装置20は、計算部11および実行部12を備えている。情報処理装置20は、取得部23をさらに備えている。
【0085】
取得部23は、サーバ200の周辺に設置された温度センサ110から、サーバ200の周辺の温度を示す情報を取得する。取得部23は、取得手段の一例である。
【0086】
取得部23は、一定時間ごとに、サーバ200の周辺の温度を示す情報を、計算部11へ出力する。
【0087】
計算部11は、取得部23から、一定時間ごとに、サーバ200の周辺の温度を示す情報を受信する。計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、取得部23が取得した温度との組み合わせに応じた値(加算値と呼ぶ)を、一定時間ごとに計算する。
【0088】
電源オフ期間中、計算部11は、一定時間ごとに、上述の加算値を計算する。計算部11は、計算した加算値のデータを、実行部12へ出力する。
【0089】
(情報処理装置20の動作)
図6を参照して、本実施形態2に係る情報処理装置20の動作を説明する。図6は、情報処理装置20の動作を示すフローチャートである。以下で説明する動作は、サーバ200の電源オフ期間中に実行される。
【0090】
図6に示すように、取得部23は、サーバ200の周辺に設置された温度センサ110から、サーバ200の周辺の温度を示す情報を取得する(S201)。
【0091】
取得部23は、一定時間ごとに、サーバ200の周辺の温度を示す情報を、計算部11へ出力する。
【0092】
計算部11は、取得部23から、一定時間ごとに、サーバ200の周辺の温度を示す情報を受信する。
【0093】
次に、計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、サーバ200の周辺の温度との組み合わせに応じた値(加算値)を、一定時間ごとに計算する(S202)。
【0094】
計算部11は、計算した加算値のデータを、実行部12へ出力する。
【0095】
実行部12は、計算部11から、加算値のデータを受信する。実行部12は、計算部11によって計算された加算値の累計が閾値に達したかどうかを判定する(S203)。
【0096】
加算値の累計が閾値に達していない場合(S203でNo)、計算部11は、前回のステップS201の処理が実行されたときから、一定時間が経過したかどうかを判定する(S205)。
【0097】
前回のステップS201の処理が実行されたときから、一定時間が経過したとき(S205でYes)、フローはステップS201に戻る。
【0098】
加算値の累計が閾値に達している場合(S203でYes)、実行部12は、不揮発性メモリ120に関する処理を実行する(S204)。
【0099】
その後、計算部11は、電源状態テーブル(図示せず)を参照して、サーバ200が電源オンの状態になったかどうかを判定する(S206)。
【0100】
サーバ200が電源オフの状態のままである場合(S206でNo)、フローはステップS101へ戻る。一方、サーバ200が電源オンの状態になっている場合(S206でYes)、フローは終了する。
【0101】
以上で、本実施形態2に係る情報処理装置20の動作は終了する。
【0102】
(本実施形態の効果)
本実施形態の構成によれば、計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算する。実行部12は、計算された値の累計が閾値に達した後、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置を実行する。
【0103】
一定時間ごとに、周辺の温度に基づく値が再計算される。そして、計算された値の累計に基づいて、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置の実行が決定される。
【0104】
これにより、温度が上下する環境下においても、不揮発性メモリ120がデータ保持することができる。
【0105】
さらに、本実施形態の構成によれば、取得部23は、温度センサ110を用いて、サーバ200の周辺の温度を取得する。
【0106】
計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、取得部23が取得した温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算する。
【0107】
これにより、不揮発性メモリ120が置かれている環境の温度に基づいて、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置の実行を決定することができる。
【0108】
〔実施形態3〕
図7図9を参照して、実施形態3について説明する。前記実施形態1では、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値(加算値)を計算する構成を説明した。本実施形態3では、データリテンション基準テーブル(図8)を参照して、加算値を計算する構成を説明する。
【0109】
(情報処理装置30の構成)
図7は、本実施形態3に係る情報処理装置30の構成を示すブロック図である。図7に示すように、情報処理装置30は、計算部11および実行部12を備えている。
【0110】
計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値(以下、加算値と呼ぶ)を、一定時間ごとに計算する。計算部11は、計算手段の一例である。
【0111】
電源オフ期間中、計算部11は、一定時間ごとに、上述の加算値を計算する。計算部11は、計算した加算値のデータを、実行部12へ出力する。
【0112】
実行部12は、計算部11によって計算された加算値の累計が閾値に達した後、不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する。実行部12は、実行手段の一例である。
【0113】
実行部12は、加算値の累計と、閾値とを比較する。一例では、閾値は、不揮発性メモリ120のデータ保持が保証される期間である。加算値の累計が閾値を超える場合、実行部12は、データリテンション基準違反が発生したと判定する。
【0114】
データリテンション基準違反が発生したと判定された場合、実行部12は、不揮発性メモリ120からのデータ化けを防ぐために、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置を実行する。
【0115】
例えば、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置は、不揮発性メモリ120への給電である。不揮発性メモリ120の温度が、データリテンション基準において与えられた上限温度(例えば55℃)を超える場合、実行部12は、不揮発性メモリ120からのデータ化けを防ぐためのその他の処置を行ってもよい。
【0116】
(データリテンション基準テーブルの一例)
図8は、計算部11が加算値を計算するために参照するデータリテンション基準テーブルの一例を示す図である。
【0117】
図8に示す一例では、左端の列には、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度が記載されている。左端から2-3列目には、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間(例えば、データリテンション基準で規定された保証期間)が記載されている。右端から2番目の列には、共通の値imaxである「91」が記載されている。この値imaxは、上述した「閾値」と対応する。閾値は、不揮発性メモリ120のデータ保持が保証される期間に相当する。
【0118】
図8に示すデータリテンション基準テーブルにおいて、右端の列には、一定時間ごとの「加算値」の一例が記載されている。加算値は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値である。
【0119】
例えば、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度が40℃以下である場合、図8に示すデータリテンション基準テーブルによれば、加算値は、1.00(/日)である。この加算値は、閾値imaxの91分の1に相当する。一方、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度が40℃を超え、かつ、45℃以下である場合、加算値は、1.86(/日)である。この加算値は、閾値imaxの49分の1に相当する。温度が高くなるにつれて、1日あたりの加算値も大きくなる。
【0120】
(情報処理装置30の動作)
図9を参照して、本実施形態3に係る情報処理装置30の動作を説明する。図9は、情報処理装置30の動作を示すフローチャートである。以下で説明する動作は、サーバ100の電源オフ期間中に実行される。
【0121】
図9に示すように、パラメータ(i,j)の初期値i=0,j=1が設定される。計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度(T)との組み合わせに応じた値(加算値)を、一定時間(ここでは24時間)ごとに計算する(S301)。
【0122】
計算部11は、電源状態テーブルに格納されたタイムスタンプに基づいて、サーバ100が電源オフになったときから経過した時間(B)を計算する(S302)。
【0123】
サーバ100が電源オフになったときから経過した時間Bがj×24(時間)に満たない場合、フローはステップS301へ戻る。
【0124】
サーバ100が電源オフになったときから経過した時間Bがj×24(時間)以上である場合、パラメータjに1が加算されて、フローはステップS303へ進む。なお、ここでの24時間は、上述した「一定時間」の一例である。
【0125】
計算部11は、温度Tに応じて、パラメータiに対する加算値を計算する(S303)。具体的には、温度Tが40℃以下である場合、パラメータiに加算値1が加算される。温度Tが40℃を超え、かつ45℃以下である場合、パラメータiに加算値1.86が加算される。温度Tが45℃を超え、かつ50℃以下である場合、パラメータiに加算値3.25が加算される。温度Tが50℃を超え、かつ55℃以下である場合、パラメータiに加算値6.5が加算される。温度Tが55℃を超える場合、パラメータiは閾値imaxに設定される。
【0126】
計算部11は、加算値を示す情報を、実行部12へ出力する。
【0127】
実行部12は、加算値の累計(パラメータiの値)と、閾値imaxとを比較する。加算値の累計(i)が閾値imaxに満たない場合、フローはステップS301へ戻る。
一方、加算値の累計(i)が閾値imax以上である場合、実行部12は、不揮発性メモリ120に関する処理を実行する(S304)。
【0128】
以上で、本実施形態3に係る情報処理装置30の動作は終了する。
【0129】
(本実施形態の効果)
本実施形態の構成によれば、計算部11は、不揮発性メモリ120のデータを保持できることが保証される時間と、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算する。実行部12は、計算された値の累計が閾値に達した後、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置を実行する。一定時間ごとに、不揮発性メモリ120の温度または周辺の温度に基づく値が再計算される。そして、計算された値の累計に基づいて、不揮発性メモリ120のデータを保持するための処置の実行が決定される。
【0130】
これにより、温度が上下する環境下においても、不揮発性メモリ120がデータ保持することができる。
【0131】
(ハードウェア構成について)
前記実施形態1~3で説明した情報処理装置10~30の各構成要素は、機能単位のブロックを示している。これらの構成要素の一部又は全部は、例えば図10に示すような情報処理装置900により実現される。図10は、情報処理装置900のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【0132】
図10に示すように、情報処理装置900は、一例として、以下のような構成を含む。
【0133】
CPU(Central Processing Unit)901
ROM(Read Only Memory)902
RAM(Random Access Memory)903
・RAM903にロードされるプログラム904
プログラム904を格納する記憶装置905
記録媒体906の読み書きを行うドライブ装置907
通信ネットワーク909と接続する通信インタフェース908
データの入出力を行う入出力インタフェース910
各構成要素を接続するバス911
前記実施形態1~3で説明した情報処理装置10~30の各構成要素は、これらの機能を実現するプログラム904をCPU901が読み込んで実行することで実現される。各構成要素の機能を実現するプログラム904は、例えば、予め記憶装置905やROM902に格納されており、必要に応じてCPU901がRAM903にロードして実行される。なお、プログラム904は、通信ネットワーク909を介してCPU901に供給されてもよいし、予め記録媒体906に格納されており、ドライブ装置907が当該プログラムを読み出してCPU901に供給してもよい。
【0134】
上記の構成によれば、前記実施形態1~3において説明した情報処理装置10~30が、ハードウェアとして実現される。したがって、前記実施形態1~3において説明した効果と同様の効果を奏することができる。
【0135】
上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
【0136】
(付記1)
不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算する計算手段と、
計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する実行手段と
を備えた情報処理装置。
【0137】
(付記2)
前記閾値は、前記不揮発性メモリのデータ保持が保証される期間である
ことを特徴とする付記1に記載の情報処理装置。
【0138】
(付記3)
前記計算手段は、前記不揮発性メモリが非通電状態になったときからの経過時間を計算する
ことを特徴とする付記1に記載の情報処理装置。
【0139】
(付記4)
前記実行手段は、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置として、少なくとも、前記不揮発性メモリへの給電を実行する
ことを特徴とする付記1に記載の情報処理装置。
【0140】
(付記5)
周辺の温度を示す情報を取得する取得手段をさらに備え、
前記計算手段は、前記不揮発性メモリのデータ保持の保証と関係する前記時間と、前記取得手段が取得した前記温度との組み合わせに応じた前記値を一定時間ごとに計算する
ことを特徴とする付記1から4のいずれか1項に記載の情報処理装置。
【0141】
(付記6)
コンピュータが、
不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算し、
計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行する
情報処理方法。
【0142】
(付記7)
不揮発性メモリのデータを保持できることが保証される時間と、前記不揮発性メモリの温度または周辺の温度との組み合わせに応じた値を一定時間ごとに計算することと、
計算された前記値の累計が閾値に達した後、前記不揮発性メモリのデータを保持するための処置を実行することと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【符号の説明】
【0143】
10 情報処理装置
11 計算部
12 実行部
20 情報処理装置
23 取得部
30 情報処理装置
100 サーバ
110 温度センサ
120 不揮発性メモリ
130 冷却用ファン
200 サーバ
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10