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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024164953
(43)【公開日】2024-11-28
(54)【発明の名称】フィルタ
(51)【国際特許分類】
H01P 1/203 20060101AFI20241121BHJP
【ＦＩ】
H01P1/203
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023080703
(22)【出願日】2023-05-16
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004185
【氏名又は名称】インフォート弁理士法人
(74)【代理人】
【識別番号】110002907
【氏名又は名称】弁理士法人イトーシン国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】澤口 修平
(72)【発明者】
【氏名】後藤 哲三
(72)【発明者】
【氏名】芦田 裕太
(72)【発明者】
【氏名】立松 雅大
(72)【発明者】
【氏名】渋谷 敬悟
(72)【発明者】
【氏名】照井 智理
【テーマコード（参考）】
5J006
【Ｆターム（参考）】
5J006HB04
5J006HB05
5J006JA01
5J006JA11
5J006JA21
5J006LA03
5J006LA21
5J006MA07
5J006NA07
(57)【要約】
【課題】小型化が可能なフィルタを実現する。
【解決手段】フィルタ１は、互いに間隔を開けて配置されたグランド導体層６８１およびグランド導体層５２１と、グランド導体層６８１とグランド導体層５２１との間に配置され、共振器１２の一部を構成する共振器用導体層５９２と、グランド導体層６８１と共振器用導体層５９２とを接続し、共振器１２の他の一部を構成するスルーホールＴ３と、本体５０とを備えている。共振器用導体層５９２は、グランド導体層５２１には直接接続されていない。
【選択図】図１５
【解決手段】フィルタ１は、互いに間隔を開けて配置されたグランド導体層６８１およびグランド導体層５２１と、グランド導体層６８１とグランド導体層５２１との間に配置され、共振器１２の一部を構成する共振器用導体層５９２と、グランド導体層６８１と共振器用導体層５９２とを接続し、共振器１２の他の一部を構成するスルーホールＴ３と、本体５０とを備えている。共振器用導体層５９２は、グランド導体層５２１には直接接続されていない。
【選択図】図１５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の端子と、
第２の端子と、
それぞれグランドに接続されると共に、互いに間隔を開けて配置された第１のグランド導体層および第２のグランド導体層と、
前記第１のグランド導体層と前記第２のグランド導体層との間に配置され、回路構成上前記第１の端子と前記第２の端子との間に設けられる第１の特定の共振器の一部を構成する第１の共振器用導体層と、
前記第１のグランド導体層と前記第１の共振器用導体層とを接続し、前記第１の特定の共振器の他の一部を構成する第１のスルーホールと、
誘電体よりなり、前記第１の端子、前記第２の端子、前記第１のグランド導体層、前記第２のグランド導体層、前記第１の共振器用導体層および前記第１のスルーホールを一体化する本体とを備え、
前記第１の共振器用導体層は、前記第２のグランド導体層には直接接続されていないことを特徴とするフィルタ。
第２の端子と、
それぞれグランドに接続されると共に、互いに間隔を開けて配置された第１のグランド導体層および第２のグランド導体層と、
前記第１のグランド導体層と前記第２のグランド導体層との間に配置され、回路構成上前記第１の端子と前記第２の端子との間に設けられる第１の特定の共振器の一部を構成する第１の共振器用導体層と、
前記第１のグランド導体層と前記第１の共振器用導体層とを接続し、前記第１の特定の共振器の他の一部を構成する第１のスルーホールと、
誘電体よりなり、前記第１の端子、前記第２の端子、前記第１のグランド導体層、前記第２のグランド導体層、前記第１の共振器用導体層および前記第１のスルーホールを一体化する本体とを備え、
前記第１の共振器用導体層は、前記第２のグランド導体層には直接接続されていないことを特徴とするフィルタ。
【請求項2】
更に、回路構成上、前記第１の端子と前記第２の端子との間に設けられた複数の共振器を備え、
前記複数の共振器のうちの少なくとも１つは、前記第１の共振器用導体層と前記第１のスルーホールとを用いて構成されていることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。
前記複数の共振器のうちの少なくとも１つは、前記第１の共振器用導体層と前記第１のスルーホールとを用いて構成されていることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。
【請求項3】
更に、前記第１のグランド導体層と前記第２のグランド導体層との間に配置され、回路構成上前記第１の端子と前記第２の端子との間に設けられる第２の特定の共振器を構成する第２の共振器用導体層と、
前記第２のグランド導体層と前記第２の共振器用導体層とを接続する少なくとも１つの第２のスルーホールとを備え、
前記複数の共振器のうちの他の少なくとも１つは、前記第２の共振器用導体層を用いて構成されていることを特徴とする請求項２記載のフィルタ。
前記第２のグランド導体層と前記第２の共振器用導体層とを接続する少なくとも１つの第２のスルーホールとを備え、
前記複数の共振器のうちの他の少なくとも１つは、前記第２の共振器用導体層を用いて構成されていることを特徴とする請求項２記載のフィルタ。
【請求項4】
更に、前記第１のグランド導体層と前記第２の共振器用導体層とを接続する少なくとも１つの第３のスルーホールを備えたことを特徴とする請求項３記載のフィルタ。
【請求項5】
前記少なくとも１つの第２のスルーホールと前記少なくとも１つの第３のスルーホールの少なくとも一方は複数であり、
前記少なくとも１つの第２のスルーホールの数と、前記少なくとも１つの第３のスルーホールの数は、互いに異なることを特徴とする請求項４記載のフィルタ。
前記少なくとも１つの第２のスルーホールの数と、前記少なくとも１つの第３のスルーホールの数は、互いに異なることを特徴とする請求項４記載のフィルタ。
【請求項6】
前記複数の共振器の各々は、片端短絡型共振器であることを特徴とする請求項２記載のフィルタ。
【請求項7】
前記複数の共振器は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成されていることを特徴とする請求項２記載のフィルタ。
【請求項8】
更に、それぞれ前記第１の共振器用導体層と前記第１のスルーホールとを用いて構成された第１の共振器および第２の共振器を備えたことを特徴とする請求項１記載のフィルタ。
【請求項9】
前記第１の共振器と前記第２の共振器の各々の前記第１の共振器用導体層は、前記第１の共振器の前記第１のスルーホールと前記第２の共振器の前記第１のスルーホールとが並ぶ方向に延在していることを特徴とする請求項８記載のフィルタ。
【請求項10】
前記第１の共振器の前記第１の共振器用導体層と、前記第２の共振器の前記第１の共振器用導体層は、前記第１の共振器の前記第１のスルーホールと前記第２の共振器の前記第１のスルーホールとの間に位置し且つ前記第１の共振器の前記第１のスルーホールと前記第２の共振器の前記第１のスルーホールとが並ぶ前記方向と交差する仮想の平面を中心として、互いに対称な形状を有していることを特徴とする請求項９記載のフィルタ。
【請求項11】
前記第１の共振器用導体層は、前記第１の共振器用導体層の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有し、
前記第１のスルーホールは、前記第１の共振器用導体層の前記第１端の近傍部分に接続され、
前記第１の共振器と前記第２の共振器の一方の前記第１の共振器用導体層は、前記第１の共振器と前記第２の共振器の他方から遠ざかるまたは近づくように、前記第１端から前記第２端に向かって延在していることを特徴とする請求項９記載のフィルタ。
前記第１のスルーホールは、前記第１の共振器用導体層の前記第１端の近傍部分に接続され、
前記第１の共振器と前記第２の共振器の一方の前記第１の共振器用導体層は、前記第１の共振器と前記第２の共振器の他方から遠ざかるまたは近づくように、前記第１端から前記第２端に向かって延在していることを特徴とする請求項９記載のフィルタ。
【請求項12】
前記本体は、被実装体に対向する第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有し、
前記第１のグランド導体層は、前記第２のグランド導体層よりも前記第１の面により近い位置に配置され、
前記第２のグランド導体層は、前記第１のグランド導体層よりも前記第２の面により近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のフィルタ。
前記第１のグランド導体層は、前記第２のグランド導体層よりも前記第１の面により近い位置に配置され、
前記第２のグランド導体層は、前記第１のグランド導体層よりも前記第２の面により近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項13】
前記本体は、被実装体に対向する第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有し、
前記第１のグランド導体層は、前記第２のグランド導体層よりも前記第２の面により近い位置に配置され、
前記第２のグランド導体層は、前記第１のグランド導体層よりも前記第１の面により近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のフィルタ。
前記第１のグランド導体層は、前記第２のグランド導体層よりも前記第２の面により近い位置に配置され、
前記第２のグランド導体層は、前記第１のグランド導体層よりも前記第１の面により近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数の共振器を含むフィルタに関する。
【背景技術】
【0002】
通信装置に用いられる電子部品の一つには、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタがある。複数の共振器の各々は、例えば、一方向に長い導体部を有する導体層によって構成されている。特に小型の通信装置に用いられるバンドパスフィルタには、小型化が求められる。小型化に適したバンドパスフィルタとしては、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体を用いたものが知られている。
【0003】
特許文献１には、複数の誘電体層を積層した構造を有するチップ本体と、チップ本体内に設けられた共振器電極とを備えたチップ型フィルタ部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】国際公開第２００９／０６０６９６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
近年、小型移動体通信機器の小型化、省スペース化が市場から要求されており、その通信機器に用いられるバンドパスフィルタの小型化も要求されている。バンドパスフィルタが複数の共振器を含んでいる場合、バンドパスフィルタが小型化すると、複数の共振器間の電磁界結合が強くなりすぎる場合がある。また、複数の共振器の各々が一方向に長い導体部を有する導体層によって構成されている場合、複数の導体層は、例えば、同一平面上に形成される。この場合、複数の導体層間の電磁界結合を抑制するためには、複数の導体層間の間隔を大きくする必要がある。これらのことから、複数の共振器を含むバンドパスフィルタを小型化することが難しかった。
【0006】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、小型化が可能なフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明のフィルタは、第１の端子と、第２の端子と、それぞれグランドに接続されると共に、互いに間隔を開けて配置された第１のグランド導体層および第２のグランド導体層と、第１のグランド導体層と第２のグランド導体層との間に配置され、回路構成上第１の端子と第２の端子との間に設けられる第１の特定の共振器の一部を構成する第１の共振器用導体層と、第１のグランド導体層と第１の共振器用導体層とを接続し、第１の特定の共振器の他の一部を構成する第１のスルーホールと、誘電体よりなり、第１の端子、第２の端子、第１のグランド導体層、第２のグランド導体層、第１の共振器用導体層および第１のスルーホールを一体化する本体とを備えている。第１の共振器用導体層は、第２のグランド導体層には直接接続されていない。
【発明の効果】
【0008】
本発明のフィルタでは、第１の特定の共振器の一部を構成する第１の共振器用導体層は、第１のグランド導体層と第２のグランド導体層との間に配置されている。第１の特定の共振器の他の一部を構成する第１のスルーホールは、第１のグランド導体層と第１の共振器用導体層とを接続している。第１の共振器用導体層は、第２のグランド導体層には直接接続されていない。これにより、本発明によれば、小型化が可能なフィルタを実現することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの回路構成の一例を示す回路図である。
【図2】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの外観を示す斜視図である。
【図3】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における１層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図4】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図5】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図6】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における４層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図7】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における５層目および６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図8】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図9】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図10】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における９層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図11】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における１０層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図12】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における１１層目ないし１７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図13】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における１８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図14】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体における１９層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図15】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体の内部を示す斜視図である。
【図16】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体の内部を示す平面図である。
【図17】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの本体の内部を示す平面図である。
【図18】本発明の第１の実施の形態に係るフィルタの通過減衰特性と反射減衰特性の一例を示す特性図である。
【図19】本発明の第２の実施の形態に係るフィルタの本体の内部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るフィルタ１の構成の概略について説明する。図１は、本実施の形態に係るフィルタ１の回路構成を示す回路図である。フィルタ１は、第１の端子２と、第２の端子３と、複数の共振器とを備えている。第１および第２の端子２，３の各々は、信号の入力または出力のための端子である。すなわち、第１の端子２に信号が入力される場合には、第２の端子３から信号が出力される。第２の端子３に信号が入力される場合には、第１の端子２から信号が出力される。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るフィルタ１の構成の概略について説明する。図１は、本実施の形態に係るフィルタ１の回路構成を示す回路図である。フィルタ１は、第１の端子２と、第２の端子３と、複数の共振器とを備えている。第１および第２の端子２，３の各々は、信号の入力または出力のための端子である。すなわち、第１の端子２に信号が入力される場合には、第２の端子３から信号が出力される。第２の端子３に信号が入力される場合には、第１の端子２から信号が出力される。
【0011】
複数の共振器は、回路構成上、第１の端子２と第２の端子３の間に設けられている。また、複数の共振器は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成されている。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。
【0012】
図１に示したように、本実施の形態では特に、複数の共振器は、６つの共振器１１，１２，１３，１４，１５，１６を含んでいる。６つの共振器１１，１２，１３，１４，１５，１６は、回路構成上、第１の端子２側からこの順に配置されている。共振器１１～１６は、共振器１１，１２が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器１２，１３が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器１３，１４が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器１４，１５が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器１５，１６が回路構成上隣接して電磁結合するように構成されている。また、本実施の形態では特に、回路構成上隣接する２つの共振器の間の電磁結合は、容量性である。
【0013】
また、共振器１１～１６は、回路構成上隣接しない特定の２つの共振器が電磁結合するように構成されている。本実施の形態では、共振器１２，１５の組、共振器１１，１３の組および共振器１４，１６の組が電磁結合するように構成されている。本実施の形態では特に、共振器１２，１５間の電磁結合、共振器１１，１３間の電磁結合および共振器１４，１６間の電磁結合は、いずれも、誘導性である。
【0014】
また、本実施の形態では特に、共振器１１～１６の各々は、一端が短絡され他端が開放された片端短絡型の１／４波長共振器である。
【0015】
フィルタ１は、更に、共振器１１，１２間の容量結合を実現するキャパシタＣ１と、共振器１２，１３間の容量結合を実現するキャパシタＣ２と、共振器１３，１４間の容量結合を実現するキャパシタＣ３と、共振器１４，１５間の容量結合を実現するキャパシタＣ４と、共振器１５，１６間の容量結合を実現するキャパシタＣ５とを備えている。
【0016】
フィルタ１は、更に、第１の端子２と共振器１１とを接続する第１の伝送路４と、第２の端子３と共振器１６とを接続する第２の伝送路５とを備えている。第１の伝送路４は、インダクタＬ１を含んでいる。インダクタＬ１の一端は、第１の端子２に電気的に接続されている。インダクタＬ１の他端は、共振器１１に電気的に接続されている。すなわち、共振器１１は、インダクタＬ１を介して、第１の端子２に電気的に接続されている。第１の伝送路４は、第１の端子２と共振器１１に電気的に接続されている。
【0017】
第２の伝送路５は、インダクタＬ２を含んでいる。インダクタＬ２の一端は、第２の端子３に電気的に接続されている。インダクタＬ２の他端は、共振器１６に電気的に接続されている。すなわち、共振器１６は、インダクタＬ２を介して、第２の端子３に電気的に接続されている。第２の伝送路５は、第２の端子３と共振器１２に電気的に接続されている。
【0018】
なお、本出願において、「電気的に接続」という表現は、金属導体（インダクタを含む）を介して電気的に接続する場合を含むが、キャパシタを介して接続する場合を含まない。
【0019】
本実施の形態では、共振器１１～１６、キャパシタＣ１～Ｃ５およびインダクタＬ１，Ｌ２は、フィルタ１が、所定の周波数帯域内の信号を選択的に通過させるバンドパスフィルタとして機能するように構成されている。
【0020】
【0021】
フィルタ１は、更に、誘電体よりなり、第１の端子２、第２の端子３、共振器１１～１６、キャパシタＣ１～Ｃ５およびインダクタＬ１，Ｌ２を一体化するための本体５０を備えている。本体５０は、積層された複数の誘電体層と、複数の導体（複数の導体層および複数のスルーホール）とを含んでいる。共振器１１～１６、キャパシタＣ１～Ｃ５およびインダクタＬ１，Ｌ２は、本体５０内に設けられた複数の導体によって構成されている。
【0022】
本体５０は、複数の誘電体層の積層方向Ｔの両端に位置する第１の面５０Ａおよび第２の面５０Ｂと、第１の面５０Ａと第２の面５０Ｂを接続する４つの側面５０Ｃ～５０Ｆとを有している。側面５０Ｃ，５０Ｄは互いに反対側を向き、側面５０Ｅ，５０Ｆも互いに反対側を向いている。側面５０Ｃ～５０Ｆは、第１の面５０Ａおよび第２の面５０Ｂに対して垂直になっている。
【0023】
ここで、図２に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、積層方向Ｔに平行な一方向を、Ｚ方向とする。また、Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向とし、Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向とし、Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向とする。
【0024】
図２に示したように、第１の面５０Ａは、本体５０における－Ｚ方向の端に位置する。第１の面５０Ａは、本体５０の底面でもある。第２の面５０Ｂは、本体５０におけるＺ方向の端に位置する。第２の面５０Ｂは、本体５０の上面でもある。側面５０Ｃは、本体５０における－Ｘ方向の端に位置する。側面５０Ｄは、本体５０におけるＸ方向の端に位置する。側面５０Ｅは、本体５０における－Ｙ方向の端に位置する。側面５０Ｆは、本体５０におけるＹ方向の端に位置する。
【0025】
フィルタ１は、更に、本体５０の第１の面５０Ａに設けられた電極１１１，１１２を備えている。電極１１１は、側面５０Ｃの近傍に配置されている。電極１１２は、側面５０Ｄの近傍に配置されている。電極１１１は第１の端子２に対応し、電極１１２は第２の端子３に対応する。従って、第１および第２の端子２，３は、本体５０の第１の面５０Ａに設けられている。
【0026】
フィルタ１は、更に、本体５０の第１の面５０Ａに設けられた複数のグランド電極１１３を備えている。本実施の形態では特に、複数のグランド電極１１３は、電極１１１，１１２と側面５０Ｅとの間に配置された複数の電極と、電極１１１，１１２と側面５０Ｆとの間に配置された複数の電極と、電極１１１と電極１１２との間に配置された複数の電極とを含んでいる。複数のグランド電極１１３の各々は、グランドに接続される。
【0027】
第１の面５０Ａは、基板等の図示しない被実装体に対向する。第２の面５０Ｂは、第１の面５０Ａとは反対側の面である。
【0028】
次に、図３ないし図１４を参照して、本体５０を構成する複数の誘電体層および複数の導体の一例について説明する。この例では、本体５０は、積層された１９層の誘電体層を有している。以下、この１９層の誘電体層を、下から順に１層目ないし１９層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし１９層目の誘電体層を符号５１～６９で表す。
【0029】
図３ないし図１２において、複数の円は複数のスルーホールを表している。誘電体層５１～６７の各々には、複数のスルーホールが形成されている。複数のスルーホールは、それぞれ、スルーホール用の孔に導体ペーストを充填することによって形成される。複数のスルーホールの各々は、電極、導体層または他のスルーホールに接続されている。以下の説明では、複数のスルーホールの各々と、電極、導体層または他のスルーホールとの接続関係については、１層目ないし１９層目の誘電体層５１～６９が積層された状態における接続関係について説明している。また、図３ないし図１２では、複数のスルーホールのうちの複数の特定のスルーホールに、それぞれ符号を付している。
【0030】
図３は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面を示している。誘電体層５１のパターン形成面には、電極１１１，１１２と、複数のグランド電極１１３とが形成されている。
【0031】
図３において符号５１Ｔ１，５１Ｔ２を付したスルーホールは、それぞれ電極１１１，１１２に接続されている。なお、以下の説明では、符号５１Ｔ１を付したスルーホールを、単にスルーホール５１Ｔ１と記す。また、スルーホール５１Ｔ１以外の符号を付したスルーホールについても、スルーホール５１Ｔ１と同様に記す。
【0032】
図４は、２層目の誘電体層５２のパターン形成面を示している。誘電体層５２のパターン形成面には、グランド導体層５２１が形成されている。また、スルーホール５１Ｔ１，５１Ｔ２は、それぞれ、図４に示したスルーホール５２Ｔ１，５２Ｔ２に接続されている。図４に示したスルーホール５２Ｔ５，５２Ｔ６，５２Ｔ７は、グランド導体層５２１に接続されている。
【0033】
図５は、３層目の誘電体層５３のパターン形成面を示している。スルーホール５２Ｔ１，５２Ｔ２，５２Ｔ５，５２Ｔ６，５２Ｔ７は、それぞれ、図５に示したスルーホール５３Ｔ１，５３Ｔ２，５３Ｔ５，５３Ｔ６，５３Ｔ７に接続されている。
【0034】
図６は、４層目の誘電体層５４のパターン形成面を示している。誘電体層５４のパターン形成面には、インダクタ用の導体層５４１，５４２が形成されている。スルーホール５３Ｔ１と図６に示したスルーホール５４Ｔ１ａ，５４Ｔ１ｂは、導体層５４１に接続されている。スルーホール５３Ｔ２と図６に示したスルーホール５４Ｔ２ａ，５４Ｔ２ｂは、導体層５４２に接続されている。スルーホール５３Ｔ５，５３Ｔ６，５３Ｔ７は、それぞれ、図６に示したスルーホール５４Ｔ５，５４Ｔ６，５４Ｔ７に接続されている。
【0035】
図７は、５層目および６層目の誘電体層５５，５６の各々のパターン形成面を示している。スルーホール５４Ｔ１ａ，５４Ｔ１ｂ，５４Ｔ２ａ，５４Ｔ２ｂ，５４Ｔ５，５４Ｔ６，５４Ｔ７は、それぞれ、誘電体層５５に形成されたスルーホール５５Ｔ１ａ，５５Ｔ１ｂ，５５Ｔ２ａ，５５Ｔ２ｂ，５５Ｔ５，５５Ｔ６，５５Ｔ７に接続されている。また、誘電体層５５，５６では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。
【0036】
図８は、７層目の誘電体層５７のパターン形成面を示している。誘電体層５７のパターン形成面には、インダクタ用の導体層５７１，５７２が形成されている。誘電体層５６に形成されたスルーホール５５Ｔ１ａ，５５Ｔ１ｂと図８に示したスルーホール５７Ｔ１は、導体層５７１に接続されている。誘電体層５６に形成されたスルーホール５５Ｔ２ａ，５５Ｔ２ｂと図８に示したスルーホール５７Ｔ２は、導体層５７２に接続されている。誘電体層５６に形成されたスルーホール５５Ｔ５，５５Ｔ６，５５Ｔ７は、それぞれ、図８に示したスルーホール５７Ｔ５，５７Ｔ６，５７Ｔ７に接続されている。
【0037】
図９は、８層目の誘電体層５８のパターン形成面を示している。誘電体層５８のパターン形成面には、導体層５８１，５８２が形成されている。また、スルーホール５７Ｔ１，５７Ｔ２，５７Ｔ５，５７Ｔ６，５７Ｔ７は、それぞれ、図９に示したスルーホール５８Ｔ１，５８Ｔ２，５８Ｔ５，５８Ｔ６，５８Ｔ７に接続されている。
【0038】
図１０は、９層目の誘電体層５９のパターン形成面を示している。誘電体層５９のパターン形成面には、共振器用の導体層５９１，５９２，５９３，５９４，５９５，５９６と、導体層５９７が形成されている。導体層５９１，５９６の各々は、一方向に延在する部分を含んでいる。導体層５９２～５９５の各々は、一方向に長い形状を有している。
【0039】
スルーホール５８Ｔ１，５８Ｔ２は、それぞれ、導体層５９１，５９６に接続されている。図１０に示したスルーホール５９Ｔ３，５９Ｔ４は、それぞれ、導体層５９２，５９５に接続されている。スルーホール５８Ｔ５，５８Ｔ６，５８Ｔ７は、それぞれ、図１０に示したスルーホール５９Ｔ５，５９Ｔ６，５９Ｔ７に接続されている。
【0040】
図１１は、１０層目の誘電体層６０のパターン形成面を示している。誘電体層６０のパターン形成面には、導体層６０１，６０２，６０３が形成されている。また、スルーホール５９Ｔ３，５９Ｔ４，５９Ｔ５，５９Ｔ６，５９Ｔ７は、それぞれ、図１１に示したスルーホール６０Ｔ３，６０Ｔ４，６０Ｔ５，６０Ｔ６，６０Ｔ７に接続されている。
【0041】
図１２は、１１層目ないし１７層目の誘電体層６１～６７の各々のパターン形成面を示している。スルーホール６０Ｔ３，６０Ｔ４，６０Ｔ５，６０Ｔ６，６０Ｔ７は、それぞれ、誘電体層６１に形成されたスルーホール６１Ｔ３，６１Ｔ４，６１Ｔ５，６１Ｔ６，６１Ｔ７に接続されている。また、誘電体層６１～６７では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。
【0042】
図１３は、１８層目の誘電体層６８のパターン形成面を示している。誘電体層６８のパターン形成面には、グランド導体層６８１が形成されている。誘電体層６７に形成されたスルーホール６１Ｔ３，６１Ｔ４，６１Ｔ５，６１Ｔ６，６１Ｔ７は、グランド導体層６８１に接続されている。
【0043】
図１４は、１９層目の誘電体層６９のパターン形成面を示している。誘電体層６９のパターン形成面には、マーク６９１が形成されている。
【0044】
図２に示した本体５０は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面が本体５０の第１の面５０Ａになり、１９層目の誘電体層６９のパターン形成面が本体５０の第２の面５０Ｂになるように、１層目ないし１９層目の誘電体層５１～６９が積層されて構成される。
【0045】
図１５は、１層目ないし１９層目の誘電体層５１～６９が積層されて構成された本体５０の内部を示している。図１５に示したように、本体５０の内部では、図３ないし図１３に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。なお、図１５では、マーク６９１を省略している。
【0046】
以下、図１に示したフィルタ１の構成要素と、図２ないし図１４に示した本体５０の内部の構成要素との対応関係について説明する。共振器１１は、共振器用の導体層５９１によって構成されている。共振器１２は、共振器用の導体層５９２と、スルーホール５９Ｔ３，６０Ｔ３，６１Ｔ３とによって構成されている。
【0047】
共振器１３は、共振器用の導体層５９３によって構成されている。共振器１４は、共振器用の導体層５９４によって構成されている。
【0048】
共振器１５は、共振器用の導体層５９５と、スルーホール５９Ｔ４，６０Ｔ４，６１Ｔ４とによって構成されている。共振器１６は、共振器用の導体層５９６によって構成されている。
【0049】
キャパシタＣ１は、導体層５９１，５９２，６０１と、これらの導体層の間の誘電体層５９とによって構成されている。キャパシタＣ２は、導体層５８１，５９２，５９３と、これらの導体層の間の誘電体層５８とによって構成されている。キャパシタＣ３は、導体層５９３，５９４，６０２と、これらの導体層の間の誘電体層５９とによって構成されている。キャパシタＣ４は、導体層５８２，５９４，５９５と、これらの導体層の間の誘電体層５８とによって構成されている。キャパシタＣ５は、導体層５９５，５９６，６０３と、これらの導体層の間の誘電体層５９とによって構成されている。
【0050】
インダクタＬ１は、導体層５４１，５７１と、スルーホール５４Ｔ１ａ，５４Ｔ１ｂ，５５Ｔ１ａ，５５Ｔ１ｂとによって構成されている。第１の伝送路４は、インダクタＬ１を構成する導体層５４１，５７１およびスルーホール５４Ｔ１ａ，５４Ｔ１ｂ，５５Ｔ１ａ，５５Ｔ１ｂと、スルーホール５１Ｔ１，５２Ｔ１，５３Ｔ１，５７Ｔ１，５８Ｔ１によって構成されている。
【0051】
インダクタＬ２は、導体層５４２，５７２と、スルーホール５４Ｔ２ａ，５４Ｔ２ｂ，５５Ｔ２ａ，５５Ｔ２ｂとによって構成されている。第２の伝送路５は、インダクタＬ２を構成する導体層５４２，５７２およびスルーホール５４Ｔ２ａ，５４Ｔ２ｂ，５５Ｔ２ａ，５５Ｔ２ｂと、スルーホール５１Ｔ２，５２Ｔ２，５３Ｔ２１，５７Ｔ２，５８Ｔ２によって構成されている。
【0052】
次に、図１ないし図１７を参照して、本実施の形態に係るフィルタ１の構造上の特徴について説明する。図１６および図１７は、本体５０の内部を示す平面図である。図１６は、第２の面５０Ｂ側から見た本体５０の内部を示している。なお、図１６では、グランド導体層６８１およびマーク６９１を省略している。また、図１７は、第１の面５０Ａ側から見た本体５０の内部を示している。なお、図１７では、電極１１１，１１２と、複数のグランド電極１１３と、グランド導体層５２１と、スルーホール５１Ｔ１，５１Ｔ２と、複数のグランド電極１１３に接続された複数のスルーホールとを省略している。
【0053】
図１５において、符号Ｔ３は、スルーホール５９Ｔ３，６０Ｔ３，６１Ｔ３が直列に接続されることによって構成された構造物を示している。以下、２つ以上のスルーホールが直列に接続されることによって構成された構造物についても、スルーホールと言う。
【0054】
本体５０は、それぞれ２つ以上のスルーホールが直列に接続されることによって構成されたスルーホールＴ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６，Ｔ７を含んでいる。スルーホールＴ３の一端は、共振器用の導体層５９２に接続されている。スルーホールＴ３の他端は、グランド導体層６８１に接続されている。
【0055】
スルーホールＴ４は、スルーホール５９Ｔ４，６０Ｔ４，６１Ｔ４が直列に接続されることによって構成されている。スルーホールＴ４の一端は、共振器用の導体層５９５に接続されている。スルーホールＴ４の他端は、グランド導体層６８１に接続されている。
【0056】
スルーホールＴ５は、スルーホール５２Ｔ５，５３Ｔ５，５４Ｔ５，５５Ｔ５，５７Ｔ５，５８Ｔ５，５９Ｔ５，６０Ｔ５，６１Ｔ５が直列に接続されることによって構成されている。スルーホールＴ６は、スルーホール５２Ｔ６，５３Ｔ６，５４Ｔ６，５５Ｔ６，５７Ｔ６，５８Ｔ６，５９Ｔ６，６０Ｔ６，６１Ｔ６が直列に接続されることによって構成されている。スルーホールＴ７は、スルーホール５２Ｔ７，５３Ｔ７，５４Ｔ７，５５Ｔ７，５７Ｔ７，５８Ｔ７，５９Ｔ７，６０Ｔ７，６１Ｔ７が直列に接続されることによって構成されている。スルーホールＴ５～Ｔ７の各一端は、グランド導体層５２１に接続されている。スルーホールＴ５～Ｔ７の各他端は、グランド導体層６８１に接続されている。
【0057】
本体５０は、更に、複数のスルーホールＴ８と、複数のスルーホールＴ９Ａと、複数のスルーホールＴ９Ｂとを含んでいる。複数のスルーホールＴ８、複数のスルーホールＴ９Ａおよび複数のスルーホールＴ９Ｂの各々は、２つ以上のスルーホールが直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホールＴ８および複数のスルーホールＴ９Ａの各一端は、グランド導体層５２１に接続されている。複数のスルーホールＴ９Ｂの各一端は、導体層５９１，５９３，５９４，５９６，５９７のうちのいずれかに接続されている。複数のスルーホールＴ８および複数のスルーホールＴ９Ｂの各他端は、グランド導体層６８１に接続されている。複数のスルーホールＴ９Ａの各他端は、導体層５９１，５９３，５９４，５９６，５９７のうちのいずれかに接続されている。
【0058】
複数のスルーホールＴ９Ａおよび複数のスルーホールＴ９Ｂのうち、導体層５９１に接続された複数のスルーホールは、共振器１１をグランドに接続するためのスルーホールである。図３ないし図１７に示した例では、導体層５９１に接続された複数のスルーホールＴ９Ａの数は２つであり、導体層５９１に接続された複数のスルーホールＴ９Ｂの数は５つである。２つのスルーホールＴ９Ａは、グランド導体層５２１と導体層５９１とを接続している。５つのスルーホールＴ９Ｂは、グランド導体層６８１と導体層５９１とを接続している。
【0059】
複数のスルーホールＴ９Ａおよび複数のスルーホールＴ９Ｂのうち、導体層５９３に接続された複数のスルーホールは、共振器１３をグランドに接続するためのスルーホールである。図３ないし図１７に示した例では、導体層５９３に接続された複数のスルーホールＴ９Ａの数と、導体層５９３に接続された複数のスルーホールＴ９Ｂの数は、いずれも、２つである。２つのスルーホールＴ９Ａは、グランド導体層５２１と導体層５９３とを接続している。２つのスルーホールＴ９Ｂは、グランド導体層６８１と導体層５９３とを接続している。
【0060】
複数のスルーホールＴ９Ａおよび複数のスルーホールＴ９Ｂのうち、導体層５９４に接続された複数のスルーホールは、共振器１４をグランドに接続するためのスルーホールである。図３ないし図１７に示した例では、導体層５９４に接続された複数のスルーホールＴ９Ａの数と、導体層５９４に接続された複数のスルーホールＴ９Ｂの数は、いずれも、２つである。２つのスルーホールＴ９Ａは、グランド導体層５２１と導体層５９４とを接続している。５つのスルーホールＴ９Ｂは、グランド導体層６８１と導体層５９４とを接続している。
【0061】
複数のスルーホールＴ９Ａおよび複数のスルーホールＴ９Ｂのうち、導体層５９６に接続された複数のスルーホールは、共振器１６をグランドに接続するためのスルーホールである。図３ないし図１７に示した例では、導体層５９６に接続された複数のスルーホールＴ９Ａの数は２つであり、導体層５９６に接続された複数のスルーホールＴ９Ｂの数は５つである。２つのスルーホールＴ９Ａは、グランド導体層５２１と導体層５９６とを接続している。５つのスルーホールＴ９Ｂは、グランド導体層６８１と導体層５９６とを接続している。
【0062】
グランド導体層６８１は、スルーホールＴ５～Ｔ７、複数のスルーホールＴ８、複数のスルーホールＴ９Ａおよび複数のスルーホールＴ９Ｂを介してグランド導体層５２１に接続されている。グランド導体層５２１は、複数のスルーホールを介して複数のグランド電極１１３に接続されている。従って、グランド導体層５２１，６８１は、複数のグランド電極１１３を介してグランドに接続されている。
【0063】
ここで、以下のように、周囲スルーホールを定義する。まず、それぞれ２つ以上のスルーホールが直列に接続されることによって構成された複数のスルーホールの各々について、本体５０の側面５０Ｃ～５０Ｆのうち、そのスルーホールに最も近い側面を特定する。そして、複数のスルーホールのうち、そのスルーホールと特定された側面との間に他のスルーホールが存在しないスルーホールを、周囲スルーホールと定義する。複数の周囲スルーホールは、側面５０Ｃ～５０Ｆに沿って配置されている。複数の周囲スルーホールは、スルーホールＴ５と、複数のスルーホールＴ８のうちのいくつかと、複数のスルーホールＴ９Ａのうちのいくつかと、複数のスルーホールＴ９Ｂのうちのいくつかとを含んでいる。
【0064】
次に、共振器１２，１５に関わる特徴について説明する。共振器１２は、共振器用の導体層５９２とスルーホールＴ３とによって構成されている。共振器１５は、共振器用の導体層５９５とスルーホールＴ４とによって構成されている。導体層５９２，５９５は、本体５０内において互いに間隔を開けて配置されたグランド導体層５２１とグランド導体層６８１との間に配置されている。スルーホールＴ３は、グランド導体層６８１と導体層５９２とを接続している。スルーホールＴ４は、グランド導体層６８１と導体層５９５とを接続している。導体層５９２，５９５は、グランド導体層５２１には直接接続されていない。
【0065】
導体層５９２，５９５は、本発明の「第１の共振器用導体層」に対応する。スルーホールＴ３，Ｔ４は、本発明の「第１のスルーホール」に対応する。従って、本実施の形態に係るフィルタ１は、複数の第１の共振器用導体層と、複数の第１のスルーホールとを備えている。
【0066】
導体層５９２，５９５の各々は、スルーホールＴ３とスルーホールＴ４とが並ぶ方向すなわちＸ方向に平行な方向に延在している。また、導体層５９２と導体層５９５は、スルーホールＴ３とスルーホールＴ４との間に位置し、スルーホールＴ３とスルーホールＴ４とが並ぶ方向すなわちＸ方向に平行な方向と交差する仮想の平面を中心として、互いに対称な形状を有している。仮想の平面は、ＹＺ平面に平行な平面であってもよい。
【0067】
導体層５９２は、導体層５９２の長手方向の両端に位置する第１端５９２ａおよび第２端５９２ｂを有している。スルーホールＴ３は、導体層５９２の第１端５９２ａの近傍部分に接続されている。導体層５９２は、導体層５９５から遠ざかるように、第１端５９２ａから第２端５９２ｂに向かって延在している。
【0068】
導体層５９５は、導体層５９５の長手方向の両端に位置する第１端５９５ａおよび第２端５９５ｂを有している。スルーホールＴ４は、導体層５９５の第１端５９５ａの近傍部分に接続されている。導体層５９５は、導体層５９２から遠ざかるように、第１端５９５ａから第２端５９５ｂに向かって延在している。
【0069】
グランド導体層５２１は、グランド導体層６８１よりも、本体５０の第１の面５０Ａにより近い位置に配置されている。グランド導体層６８１は、グランド導体層５２１よりも、本体５０の第２の面５０Ｂにより近い位置に配置されている。本実施の形態では、グランド導体層５２１は、本発明の「第２のグランド導体層」に対応する。グランド導体層６８１は、本発明の「第１のグランド導体層」に対応する。
【0070】
次に、共振器１１，１６に関わる特徴について説明する。共振器１１を構成する共振器用の導体層５９１と、共振器１６を構成する共振器用の導体層５９６は、グランド導体層５２１とグランド導体層６８１との間に配置されている。
【0071】
図１６および図１７に示したように、共振器１１を構成する共振器用の導体層５９１は、第１の導体部５９１Ａと、第１の導体部５９１Ａに接続された第３の導体部５９１Ｂとを含んでいる。図１６および図１７では、第１の導体部５９１Ａと第３の導体部５９１Ｂとの境界を点線で示している。
【0072】
第１の導体部５９１Ａには、第１の伝送路４を構成するスルーホール５８Ｔ１が接続されている。第３の導体部５９１Ｂは、第１の導体部５９１Ａと本体５０の側面５０Ｃとの間に配置されている。複数のスルーホールＴ９Ａのうちの２つのスルーホールＴ９Ａは、グランド導体層５２１と第３の導体部５９１Ｂとを接続している。複数のスルーホールＴ９Ｂのうちの５つのスルーホールＴ９Ｂは、グランド導体層６８１と第３の導体部５９１Ｂとを接続している。
【0073】
図１６および図１７に示したように、共振器１６を構成する共振器用の導体層５９６は、第２の導体部５９６Ａと、第２の導体部５９６Ａに接続された第４の導体部５９６Ｂとを含んでいる。図１６および図１７では、第２の導体部５９６Ａと第４の導体部５９６Ｂとの境界を点線で示している。
【0074】
第２の導体部５９６Ａには、第２の伝送路５を構成するスルーホール５８Ｔ２が接続されている。第４の導体部５９６Ｂは、第２の導体部５９６Ａと本体５０の側面５０Ｄとの間に配置されている。複数のスルーホールＴ９Ａのうちの他の２つのスルーホールＴ９Ａは、グランド導体層５２１と第４の導体部５９６Ｂとを接続している。複数のスルーホールＴ９Ｂのうちの他の５つのスルーホールＴ９Ｂは、グランド導体層６８１と第４の導体部５９６Ｂとを接続している。
【0075】
第１の導体部５９１Ａは、第３の導体部５９１Ｂを介して複数のスルーホールＴ９Ａと複数のスルーホールＴ９Ｂに電気的に接続されている。第２の導体部５９６Ａは、第４の導体部５９６Ｂを介して複数のスルーホールＴ９Ａと複数のスルーホールＴ９Ｂに電気的に接続されている。
【0076】
周囲スルーホールは、第１の導体部５９１Ａと第２の導体部５９６Ａとを囲むが、第３の導体部５９１Ｂと第４の導体部５９６Ｂとを囲まないように配置されている。周囲スルーホールは、更に、共振器用の導体層５９２～５９５を囲むように配置されている。周囲スルーホールは、グランド導体層５２１とグランド導体層６８１とを接続している。グランド導体層５２１，６８１および周囲スルーホールは、共振器１１～１６から周囲へ電磁波が放射されることを防止するシールドとして機能する。
【0077】
導体層５９１，５９６は、本発明の「第２の共振器用導体層」に対応する。複数のスルーホールＴ９Ａは、本発明の「第２のスルーホール」に対応する。複数のスルーホールＴ９Ｂは、本発明の「第３のスルーホール」に対応する。従って、本実施の形態に係るフィルタ１は、複数の第２の共振器用導体層と、複数の第２のスルーホールと、複数の第３のスルーホールとを備えている。
【0078】
前述のように、本実施の形態では、導体層５９１に接続された複数のスルーホールＴ９Ａ（第２のスルーホール）の数と、導体層５９１に接続された複数のスルーホールＴ９Ｂ（第３のスルーホール）の数は、互いに異なっている。また、導体層５９６に接続された複数のスルーホールＴ９Ａ（第２のスルーホール）の数と、導体層５９６に接続された複数のスルーホールＴ９Ｂ（第３のスルーホール）の数は、互いに異なっている。
【0079】
第１の導体部５９１Ａと第２の導体部５９６Ａの各々は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。また、第１の導体部５９１Ａと第２の導体部５９６Ａは、第１の導体部５９１Ａと第２の導体部５９６Ａとの間に位置し、Ｘ方向に平行な方向と交差する仮想の平面を中心として、互いに対称な形状を有している。仮想の平面は、ＹＺ平面に平行な平面であってもよい。
【0080】
第１の導体部５９１Ａは、第１の導体部５９１Ａの長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。第３の導体部５９１Ｂは、第１の導体部５９１Ａの第１端の近傍部分に接続されている。第１の導体部５９１Ａは、第２の導体部５９６Ａに近づくように、第１端から第２端に向かって延在している。
【0081】
第２の導体部５９６Ａは、第２の導体部５９６Ａの長手方向の両端に位置する第３端および第４端を有している。第４の導体部５９６Ｂは、第２の導体部５９６Ａの第３端の近傍部分に接続されている。第２の導体部５９６Ａは、第１の導体部５９１Ａに近づくように、第３端から第４端に向かって延在している。
【0082】
次に、共振器１３，１４に関わる特徴について説明する。共振器１３を構成する導体層５９３と、共振器１４を構成する導体層５９４は、グランド導体層５２１とグランド導体層６８１との間に配置されている。
【0083】
複数のスルーホールＴ９Ａのうちの２つのスルーホールＴ９Ａは、グランド導体層５２１と導体層５９３とを接続している。複数のスルーホールＴ９Ａのうちの他の２つのスルーホールＴ９Ａは、グランド導体層５２１と導体層５９４とを接続している。
【0084】
複数のスルーホールＴ９Ｂのうちの２つのスルーホールＴ９Ｂは、グランド導体層６８１と導体層５９３とを接続している。複数のスルーホールＴ９Ｂのうちの他の２つのスルーホールＴ９Ｂは、グランド導体層６８１と導体層５９４とを接続している。
【0085】
導体層５９３，５９４の各々は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。また、導体層５９３と導体層５９４は、導体層５９３と導体層５９４との間に位置し、Ｘ方向に平行な方向と交差する仮想の平面を中心として、互いに対称な形状を有している。仮想の平面は、ＹＺ平面に平行な平面であってもよい。
【0086】
導体層５９３は、導体層５９３の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。２つのスルーホールＴ９Ａと２つのスルーホールＴ９Ｂは、導体層５９３の第１端の近傍部分に接続されている。導体層５９３は、導体層５９４に近づくように、第１端から第２端に向かって延在している。
【0087】
導体層５９４は、導体層５９４の長手方向の両端に位置する第３端および第４端を有している。他の２つのスルーホールＴ９Ａと他の２つのスルーホールＴ９Ｂは、導体層５９４の第３端の近傍部分に接続されている。導体層５９４は、導体層５９３に近づくように、第３端から第４端に向かって延在している。
【0088】
次に、本実施の形態に係るフィルタ１の作用および効果について説明する。本実施の形態に係るフィルタ１は、第１の端子２と、第２の端子３と、グランド導体層５２１，６８１と、グランド導体層５２１とグランド導体層６８１との間に配置された共振器用の導体層５９２，５９５と、導体層５９２とグランド導体層６８１とを接続するスルーホールＴ３と、導体層５９５とグランド導体層６８１とを接続するスルーホールＴ４とを備えている。導体層５９２は、回路構成上第１の端子２と第２の端子３との間に設けられる共振器１２の一部を構成する。導体層５９５は、回路構成上第１の端子２と第２の端子３との間に設けられる共振器１５の一部を構成する。スルーホールＴ３は、共振器１２の他の一部を構成する。スルーホールＴ４は、共振器１５の他の一部を構成する。導体層５９２，５９５の各々は、グランド導体層５２１には直接接続されていない。
【0089】
本実施の形態では、共振器１２の一部が積層方向Ｔに直交する方向に延在し、共振器１２の他の一部が積層方向Ｔに延在している。また、本実施の形態では、共振器１５の一部が積層方向Ｔに直交する方向に延在し、共振器１５の他の一部が積層方向Ｔに延在している。これらのことから、本実施の形態によれば、共振器１２，１５の各々の全体が積層方向Ｔに直交する方向に延在している場合に比べて、フィルタ１の本体の平面形状（Ｚ方向から見た形状）を小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、フィルタ１を小型化することができる。
【0090】
また、本実施の形態によれば、導体層５９２，５９５の各々がグランド導体層５２１とグランド導体層６８１の両方に直接接続されている場合に比べて、フィルタ１を小型化することができる。以下、この効果について詳しく説明する。一例では、導体層５９２とスルーホールＴ３の各々の寸法をある大きさにしたときの、共振器１２の共振周波数は、２９．９５ＧＨｚである。また、導体層５９２とスルーホールＴ３の各々の寸法を同じにしながら、導体層５９２をグランド導体層５２１，６８１に直接接続した場合の第１の比較例の共振器の共振周波数は、４３．５１ＧＨｚである。第１の比較例の共振器において、共振周波数を２９．９５ＧＨｚにするためには、導体層５９２の寸法を大きくする必要がある。すなわち、本実施の形態によれば、所望の共振周波数を実現するための導体層５９２の寸法を、第１の比較例の共振器に比べて小さくすることができる。
【0091】
上記の共振器１２の共振周波数についての説明は、共振器１５の共振周波数にも当てはまる。従って、本実施の形態によれば、導体層５９２，５９５の各々がグランド導体層５２１，６８１に直接接続されている場合に比べて、導体層５９２，５９５の各々の寸法を小さくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、フィルタ１を小型化することができる。
【0092】
また、本実施の形態では、共振器１１と共振器１２は、回路構成上隣接している。共振器１１を構成する導体層５９１と、共振器１２の一部を構成する導体層５９２は、積層方向Ｔに直交する方向に延在している。また、共振器１２の他の一部を構成するスルーホールＴ３は、積層方向Ｔに延在している。このように、本実施の形態では、共振器１２の一部を、共振器１１を構成する導体層の延在方向に対して直交させている。すなわち、本実施の形態では、共振器１２の一部から発生される電磁界を、共振器１１から発生される電磁界に対して直交させている。これにより、本実施の形態によれば、共振器１２の全体が積層方向Ｔに直交する方向に延在している場合に比べて、共振器１１と共振器１２との間の電磁結合の強さを抑制することができる。すなわち、本実施の形態によれば、共振器１１と共振器１２との間の電磁結合が強くなりすぎることを防止しながら、フィルタ１を小型化することができる。
【0093】
同様に、本実施の形態によれば、共振器１２と共振器１３との間の電磁結合の強さと、共振器１４と共振器１５との間の電磁結合の強さと、共振器１５と共振器１６との間の電磁結合の強さを、それぞれ抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、複数の共振器間の電磁結合が強くなりすぎることを防止しながら、フィルタ１を小型化することができる。
【0094】
ここで、複数の共振器間の電磁結合の強さを求めたシミュレーションの結果について説明する。シミュレーションでは、比較例のモデルと第１の実施例のモデルと第２の実施例のモデルを用いた。比較例のモデルは、共振器１２の代わりに、第２の比較例の共振器を含むフィルタ１のモデルである。第２の比較例の共振器は、その全体が積層方向Ｔに延在するスルーホールによって構成されている。
【0095】
第１の実施例のモデルと第２の実施例のモデルの各々は、本実施の形態に係るフィルタ１のモデルである。第２の実施例のモデルでは、スルーホールＴ３の直径を、第１の実施例のモデルの１．５倍にしている。
【0096】
シミュレーションでは、第２の比較例の共振器と共振器１２の共振周波数をほぼ同じ大きさにしながら、共振器１１と共振器１２との間の結合係数と、共振器１２と共振器１３との間の結合係数を求めた。第２の比較例の共振器の共振周波数は、２９．９３ＧＨｚである。第１の実施例のモデルでは、共振器１２の共振周波数は、２９．９５ＧＨｚである。第２の実施例のモデルでは、共振器１２の共振周波数は、２９．９６ＧＨｚである。
【0097】
また、比較例のモデル、第１の実施例のモデルおよび第２の実施例のモデルの各々において、共振器１１の共振周波数は２７．５３ＧＨｚであり、共振器１３の共振周波数は２９．５１ＧＨｚである。
【0098】
以下、シミュレーションの結果について説明する。比較例のモデルでは、共振器１１と共振器１２との間の結合係数は０であり、共振器１２と共振器１３との間の結合係数は０．００９である。第１の実施例のモデルでは、共振器１１と共振器１２との間の結合係数は０．０６５であり、共振器１２と共振器１３との間の結合係数は０．０４６である。第２の実施例のモデルでは、共振器１１と共振器１２との間の結合係数は０．０７６であり、共振器１２と共振器１３との間の結合係数は０．０５１である。
【0099】
比較例のモデルの結果と第１の実施例のモデルの結果から、共振器１２を積層方向Ｔに延在させると、結合係数を小さくできることが分かる。すなわち、これらの結果から、共振器１２を積層方向Ｔに延在させると、共振器１１と共振器１２との間の電磁結合の強さと共振器１２と共振器１３との間の電磁結合の強さを抑制できることが分かる。なお、比較例のモデルのように、共振器１２の全体を積層方向Ｔに延在させると、結合係数が小さくなりすぎる。そのため、共振器１２の一部のみを、積層方向Ｔに延在させることが好ましい。
【0100】
第１の実施例のモデルの結果と第２の実施例のモデルの結果から、スルーホールＴ３の直径を小さくすると、結合係数を小さくできることが分かる。スルーホールＴ３の長さを同じにして比較すると、スルーホールＴ３の直径が小さくなるに従って、スルーホールＴ３のインダクタンスの値が大きくなる。そのため、スルーホールＴ３の直径を小さくしながら同じ共振周波数を実現しようとすると、導体層５９２の長さが短くなる。これにより、導体層５９２と導体層５９１または導体層５９３との間の電磁結合の強さを抑制することができる。
【0101】
次に、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、共振器１２の一部を構成する導体層５９２は、共振器１５の一部を構成する導体層５９５から遠ざかるように、第１端５９２ａから第２端５９２ｂに向かって延在している。また、導体層５９５は、導体層５９２から遠ざかるように、第１端５９５ａから第２端５９５ｂに向かって延在している。スルーホールＴ３は、導体層５９２の第１端５９２ａの近傍部分に接続されている。スルーホールＴ４は、導体層５９５の第１端５９５ａの近傍部分に接続されている。製造ばらつきに起因して導体層５９２，５９５またはスルーホールＴ３，Ｔ４がＸ方向に平行な方向にずれた場合、導体層５９２，５９５の一方は長くなり、他方は短くなる。これにより、本実施の形態によれば、導体層５９２，５９５の長さの変化に起因する共振器１２，１５の特性の変化を相殺することができる。
【0102】
上記の共振器１２，１５の組についての説明は、共振器１１，１６の組および共振器１３，１４の組にも当てはまる。これらのことから、本実施の形態によれば、その結果、製造ばらつきに起因するフィルタ１の特性の変化を抑制することができる。
【0103】
次に、本実施の形態に係るフィルタ１の特性の一例について説明する。図１８は、フィルタ１の通過減衰特性と反射減衰特性の一例を示す特性図である。図１８において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図１８において、符号８１を付した曲線は、第１の端子２と第２の端子３との間の通過減衰特性を示し、符号８２を付した曲線は、第１の端子２における反射減衰特性を示している。図１８から、本実施の形態に係るフィルタ１は、バンドパスフィルタとして、実用上、十分な特性を有することが分かる。
【0104】
【0105】
本実施の形態に係るフィルタ１は、第１の実施の形態におけるスルーホールＴ３の代わりに、スルーホールＴ１３を備えている。本実施の形態では、共振器１２は、共振器用の導体層５９２とスルーホールＴ１３とによって構成されている。スルーホールＴ１３は、グランド導体層５２１と導体層５９２とを接続している。また、スルーホールＴ１３は、導体層５９２の第１端５９２ａ（図１６および図１７参照）の近傍部分に接続されている。導体層５９２は、グランド導体層６８１には直接接続されていない。
【0106】
また、本実施の形態に係るフィルタ１は、第１の実施の形態におけるスルーホールＴ４の代わりに、スルーホールＴ１４を備えている。本実施の形態では、共振器１５は、共振器用の導体層５９５とスルーホールＴ１４とによって構成されている。スルーホールＴ１４は、グランド導体層５２１と導体層５９５とを接続している。また、スルーホールＴ４は、導体層５９５の第１端５９５ａ（図１６および図１７参照）の近傍部分に接続されている。導体層５９５は、グランド導体層６８１には直接接続されていない。
【0107】
本実施の形態では、グランド導体層５２１は、本発明の「第１のグランド導体層」に対応する。グランド導体層６８１は、本発明の「第２のグランド導体層」に対応する。
【0108】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【0109】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明のフィルタは、バンドパスフィルタに限らず、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタ以外のフィルタであってもよい。また、複数の共振器の数は、６つに限らず、５つ以下であってもよいし、７つ以上であってもよい。
【0110】
また、共振器１１を構成する共振器用の導体層５９１には、複数のスルーホールＴ９Ａと複数のスルーホールＴ９Ｂのうちの一方のみが接続されていてもよい。同様に、共振器１３を構成する共振器用の導体層５９３には、複数のスルーホールＴ９Ａと複数のスルーホールＴ９Ｂのうちの一方のみが接続されていてもよい。同様に、共振器１４を構成する共振器用の導体層５９４には、複数のスルーホールＴ９Ａと複数のスルーホールＴ９Ｂのうちの一方のみが接続されていてもよい。同様に、共振器１６を構成する共振器用の導体層５９６には、複数のスルーホールＴ９Ａと複数のスルーホールＴ９Ｂのうちの一方のみが接続されていてもよい。
【0111】
以上説明したように、本発明のフィルタは、第１の端子と、第２の端子と、それぞれグランドに接続されると共に、互いに間隔を開けて配置された第１のグランド導体層および第２のグランド導体層と、第１のグランド導体層と第２のグランド導体層との間に配置され、回路構成上第１の端子と第２の端子との間に設けられる第１の特定の共振器の一部を構成する第１の共振器用導体層と、第１のグランド導体層と第１の共振器用導体層とを接続し、第１の特定の共振器の他の一部を構成する第１のスルーホールと、誘電体よりなり、第１の端子、第２の端子、第１のグランド導体層、第２のグランド導体層、第１の共振器用導体層および第１のスルーホールを一体化する本体とを備えている。第１の共振器用導体層は、第２のグランド導体層には直接接続されていない。
【0112】
本発明のフィルタは、更に、回路構成上、第１の端子と第２の端子との間に設けられた複数の共振器を備えていてもよい。複数の共振器のうちの少なくとも１つは、第１の共振器用導体層と第１のスルーホールとを用いて構成されていてもよい。また、本発明のフィルタは、更に、第１のグランド導体層と第２のグランド導体層との間に配置され、回路構成上第１の端子と第２の端子との間に設けられる第２の特定の共振器を構成する第２の共振器用導体層と、第２のグランド導体層と第２の共振器用導体層とを接続する少なくとも１つの第２のスルーホールとを備えていてもよい。複数の共振器のうちの他の少なくとも１つは、第２の共振器用導体層を用いて構成されていてもよい。また、本発明のフィルタは、更に、第１のグランド導体層と第２の共振器用導体層とを接続する少なくとも１つの第３のスルーホールを備えていてもよい。少なくとも１つの第２のスルーホールと少なくとも１つの第３のスルーホールの少なくとも一方は複数であってもよい。少なくとも１つの第２のスルーホールの数と、少なくとも１つの第３のスルーホールの数は、互いに異なっていてもよい。
【0113】
複数の共振器の各々は、片端短絡型共振器であってもよい。複数の共振器は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成されていてもよい。
【0114】
また、本発明のフィルタは、更に、それぞれ第１の共振器用導体層と第１のスルーホールとを用いて構成された第１の共振器および第２の共振器を備えていてもよい。第１の共振器と第２の共振器の各々の第１の共振器用導体層は、第１の共振器の第１のスルーホールと第２の共振器の第１のスルーホールとが並ぶ方向に延在していてもよい。第１の共振器の第１の共振器用導体層と、第２の共振器の第１の共振器用導体層は、第１の共振器の第１のスルーホールと第２の共振器の第１のスルーホールとの間に位置し且つ第１の共振器の第１のスルーホールと第２の共振器の第１のスルーホールとが並ぶ方向と交差する仮想の平面を中心として、互いに対称な形状を有していてもよい。第１の共振器用導体層は、第１の共振器用導体層の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有していてもよい。第１のスルーホールは、第１の共振器用導体層の第１端の近傍部分に接続されていてもよい。第１の共振器と第２の共振器の一方の第１の共振器用導体層は、第１の共振器と第２の共振器の他方から遠ざかるまたは近づくように、第１端から第２端に向かって延在していてもよい。
【0115】
また、本発明のフィルタにおいて、本体は、被実装体に対向する第１の面と、第１の面とは反対側の第２の面とを有していてもよい。第１のグランド導体層は、第２のグランド導体層よりも第１の面により近い位置に配置されていてもよい。この場合、第２のグランド導体層は、第１のグランド導体層よりも第２の面により近い位置に配置されていてもよい。あるいは、第１のグランド導体層は、第２のグランド導体層よりも第２の面により近い位置に配置されていてもよい。この場合、第２のグランド導体層は、第１のグランド導体層よりも第１の面により近い位置に配置されていてもよい。
【符号の説明】
【0116】
１…フィルタ、２…第１の端子、３…第２の端子、４…第１の伝送路、５…第２の伝送路、１１～１６…共振器、５０…本体、５１～６９…誘電体層、５２１…グランド導体層、５９１～５９６…共振器用の導体層、６８１…グランド導体層、Ｔ３～Ｔ８，Ｔ９Ａ，Ｔ９Ｂ…スルーホール。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】