特開 2024-165039 表示装置及び表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024165039

(43)【公開日】2024-11-28

(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1343 20060101AFI20241121BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20241121BHJP

   G02F 1/1337 20060101ALI20241121BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1343

G02F1/1368

G02F1/1337

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023080858

(22)【出願日】2023-05-16

(71)【出願人】

【識別番号】520487808

【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001036

【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】伊達 昌浩

(72)【発明者】

【氏名】秋山 泰人

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

2H290

【Ｆターム（参考）】

2H092GA13

2H092GA14

2H092GA15

2H092GA31

2H092HA04

2H092JA24

2H092MA15

2H092MA17

2H092MA43

2H092NA01

2H092PA02

2H092PA09

2H092QA06

2H192AA24

2H192BA23

2H192BB01

2H192BB13

2H192EA22

2H192EA32

2H192EA43

2H192FA01

2H192GD12

2H192JA13

2H192JA33

2H290AA33

2H290AA73

2H290BA26

2H290CA13

2H290CA42

2H290CA46

(57)【要約】

【課題】表示ムラの発生を抑制する。
【解決手段】表示装置１１は、画像が表示される表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡに配され、透明電極膜１１Ｆ１からなる複数の画素電極１８と、表示領域ＡＡを取り囲む非表示領域ＮＡＡと、非表示領域ＮＡＡに配される回路部１４と、非表示領域ＮＡＡのうちの回路部１４と表示領域ＡＡとの間に位置して配され、透明電極膜１１Ｆ１のうちの画素電極１８とは別の部分からなるダミー部２８と、を備え、ダミー部２８は、画素電極１８とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なる。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

画像が表示される表示領域と、
前記表示領域に配され、透明電極膜からなる複数の画素電極と、
前記表示領域を取り囲む非表示領域と、
前記非表示領域に配される回路部と、
前記非表示領域のうちの前記回路部と前記表示領域との間に位置して配され、前記透明電極膜のうちの前記画素電極とは別の部分からなるダミー部と、を備え、
前記ダミー部は、前記画素電極とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なる表示装置。

【請求項2】

前記表示領域と前記非表示領域とに跨がって配され、前記透明電極膜の上層側に配される配向膜を備えており、
前記配向膜は、前記表示領域にて前記画素電極を覆い、前記非表示領域にて前記ダミー部を覆う請求項１記載の表示装置。

【請求項3】

前記ダミー部は、前記画素電極とは前記平面形状及び前記大きさが共に異なっていて、前記表示領域から遠ざかる向きである第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向と、のそれぞれについて間隔を空けて複数が分散配置されている請求項１または請求項２記載の表示装置。

【請求項4】

前記ダミー部は、前記画素電極とは前記平面形状及び前記大きさが共に異なっていて、前記表示領域から遠ざかる向きである第１方向について第１間隔を空けて複数が並んで配されるとともに、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在して設けられている請求項１または請求項２記載の表示装置。

【請求項5】

前記画素電極は、前記第１方向と交差する第３方向に沿って延在する部分を含んでいて、間に第２間隔を空けて配される少なくとも２つの電極部を有しており、
前記ダミー部は、幅寸法が前記電極部の幅寸法と等しく、前記第２間隔が前記第１間隔と等しい請求項４記載の表示装置。

【請求項6】

前記画素電極は、前記表示領域から遠ざかる向きである第１方向と交差する第３方向に沿って延在する電極部を有しており、
前記ダミー部は、前記画素電極とは前記平面形状及び前記大きさが共に異なっていて、前記第１方向について間隔を空けて複数が並んで配されるとともに、前記電極部の外形に並行するよう延在して設けられている請求項１または請求項２記載の表示装置。

【請求項7】

画像が表示される表示領域を取り囲む非表示領域に回路部を設け、
前記表示領域と前記非表示領域とに跨がるよう透明電極膜を成膜し、
前記透明電極膜の上層側にフォトレジスト膜を成膜し、
前記フォトレジスト膜を露光してから現像し、
現像された前記フォトレジスト膜を介して前記透明電極膜をエッチングし、残存した前記透明電極膜の一部によって前記表示領域に配される複数の画素電極を設け、残存した前記透明電極膜のうち前記画素電極とは別の部分によって前記非表示領域のうちの前記回路部と前記表示領域との間に位置して配されて前記画素電極とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なるダミー部を設ける表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記透明電極膜の上層側に前記表示領域と前記非表示領域とに跨がって配される配向膜を成膜し、成膜された前記配向膜によって前記表示領域にて前記画素電極を覆い、前記非表示領域にて前記ダミー部を覆う請求項７記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書が開示する技術は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１には、表示装置として液晶表示装置が記載されている。特許文献１に記載の液晶表示装置は、第１の基板上において、画素選択用ＴＦＴとそれに接続した画素電極とを備えた複数の画素を含む表示画素領域が形成されている。また、表示画素領域に隣接して、画素選択用ＴＦＴとそれに接続した画素電極とを備えブラックマトリクスによって遮光された複数のダミー画素を含むダミー画素領域が形成されている。さらに、ダミー画素の画素電極と重畳するようにして、駆動用ＴＦＴ、即ちサンプリング用ＴＦＴが形成されている。即ち、ダミー画素の画素電極は、平坦化絶縁膜を介して、サンプリング用ＴＦＴのチャネル領域の少なくとも一部と重畳している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７－１０１７０１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記した特許文献１に記載の液晶表示装置では、ダミー画素領域にあるダミー画素の画素電極は、表示画素領域にある画素の画素電極と平面形状及び大きさが同一とされる。このため、ダミー画素領域の大きさによっては、ダミー画素領域におけるダミー画素の画素電極のパターン密度が、表示画素領域における画素の画素電極のパターン密度から大きく解離する場合がある。その場合、表示画素領域のうちの外端付近に位置する画素電極の仕上がりが、表示画素領域のうちの中央付近に位置する画素電極の仕上がりとは異なるものとなり、それに起因して表示画素領域のうちの外端付近において局所的に透過率が高くなるおそれがあった。

【0005】

本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、表示ムラの発生を抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（１）本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、画像が表示される表示領域と、前記表示領域に配され、透明電極膜からなる複数の画素電極と、前記表示領域を取り囲む非表示領域と、前記非表示領域に配される回路部と、前記非表示領域のうちの前記回路部と前記表示領域との間に位置して配され、前記透明電極膜のうちの前記画素電極とは別の部分からなるダミー部と、を備え、前記ダミー部は、前記画素電極とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なる。

【0007】

（２）また、上記表示装置は、上記（１）に加え、前記表示領域と前記非表示領域とに跨がって配され、前記透明電極膜の上層側に配される配向膜を備えており、前記配向膜は、前記表示領域にて前記画素電極を覆い、前記非表示領域にて前記ダミー部を覆ってもよい。

【0008】

（３）また、上記表示装置は、上記（１）または上記（２）に加え、前記ダミー部は、前記画素電極とは前記平面形状及び前記大きさが共に異なっていて、前記表示領域から遠ざかる向きである第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向と、のそれぞれについて間隔を空けて複数が分散配置されてもよい。

【0009】

（４）また、上記表示装置は、上記（１）または上記（２）に加え、前記ダミー部は、前記画素電極とは前記平面形状及び前記大きさが共に異なっていて、前記表示領域から遠ざかる向きである第１方向について第１間隔を空けて複数が並んで配されるとともに、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在して設けられてもよい。

【0010】

（５）また、上記表示装置は、上記（４）に加え、前記画素電極は、前記第１方向と交差する第３方向に沿って延在する部分を含んでいて、間に第２間隔を空けて配される少なくとも２つの電極部を有しており、前記ダミー部は、幅寸法が前記電極部の幅寸法と等しく、前記第２間隔が前記第１間隔と等しくてもよい。

【0011】

（６）また、上記表示装置は、上記（１）または上記（２）に加え、 前記画素電極は、前記表示領域から遠ざかる向きである第１方向と交差する第３方向に沿って延在する電極部を有しており、前記ダミー部は、前記画素電極とは前記平面形状及び前記大きさが共に異なっていて、前記第１方向について間隔を空けて複数が並んで配されるとともに、前記電極部の外形に並行するよう延在して設けられてもよい。

【0012】

（７）本明細書に記載の技術に関わる表示装置の製造方法は、画像が表示される表示領域を取り囲む非表示領域に回路部を設け、前記表示領域と前記非表示領域とに跨がるよう透明電極膜を成膜し、前記透明電極膜の上層側にフォトレジスト膜を成膜し、前記フォトレジスト膜を露光してから現像し、現像された前記フォトレジスト膜を介して前記透明電極膜をエッチングし、残存した前記透明電極膜の一部によって前記表示領域に配される複数の画素電極を設け、残存した前記透明電極膜のうち前記画素電極とは別の部分によって前記非表示領域のうちの前記回路部と前記表示領域との間に位置して配されて前記画素電極とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なるダミー部を設ける。

【0013】

（８）また、上記表示装置の製造方法は、上記（７）に加え、前記透明電極膜の上層側に前記表示領域と前記非表示領域とに跨がって配される配向膜を成膜し、成膜された前記配向膜によって前記表示領域にて前記画素電極を覆い、前記非表示領域にて前記ダミー部を覆ってもよい。

【発明の効果】

【0014】

本明細書に記載の技術によれば、表示ムラの発生を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】実施形態１に係る液晶パネル、ドライバ及びフレキシブル基板の平面図

【図2】実施形態１に係る液晶パネル、ドライバ及びフレキシブル基板の断面図

【図3】実施形態１に係る液晶パネルの画素配列に示す平面図

【図4】実施形態１に係る液晶パネルの表示領域の断面構成を示す断面図

【図5】実施形態１に係る液晶パネルに備わるアレイ基板における画素電極の配列を示す平面図

【図6】実施形態１に係る画素電極を構成する電極部の幅寸法における基準値からの差分と光透過率との関係を表すグラフ

【図7】実施形態１に係る画素電極に印加される電圧値と光透過率との関係を表すグラフ

【図8】実施形態１に係るアレイ基板のうち、表示領域の外端付近と非表示領域の内端付近との構成を示す平面図

【図9】実施形態１に係る表示領域の外端付近と非表示領域の内端付近との構成を示す断面図

【図10】実施形態１に係る表示領域における画素電極の位置と電極部の幅寸法との関係を表すグラフ

【図11】実施形態１に係る表示領域における透過光量の測定位置と光透過率との関係を表すグラフ

【図12】実施形態１に係る表示領域における透過光量の測定位置とｕ′値との関係を表すグラフ

【図13】実施形態１に係る表示領域における透過光量の測定位置とｖ′値との関係を表すグラフ

【図14】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法を構成するアレイ基板製造工程の第５工程にて、フォトレジスト膜を露光した状態を示す断面図

【図15】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法を構成するアレイ基板製造工程の第５工程にて、フォトレジスト膜を現像した状態を示す断面図

【図16】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法を構成するアレイ基板製造工程の第５工程にて、透明電極膜をエッチングした状態を示す断面図

【図17】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法を構成するアレイ基板製造工程の第６工程にて、配向膜材料を塗布する途中の状態を示す断面図

【図18】実施形態２に係るアレイ基板のうち、表示領域の外端付近と非表示領域の内端付近との構成を示す平面図

【図19】実施形態３に係るアレイ基板のうち、表示領域の外端付近と非表示領域の内端付近との構成を示す平面図

【図20】実施形態４に係るアレイ基板のうち、表示領域の外端付近と非表示領域の内端付近との構成を示す平面図

【発明を実施するための形態】

【0016】

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図１７によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図２，図４，図９，図１４から図１７の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。

【0017】

液晶表示装置１０は、図１に示すように、横長の方形状をなしていて画像を表示可能な液晶パネル（表示装置）１１と、液晶パネル１１に対して表示に利用するための光を照射する外部光源であるバックライト装置（照明装置）と、を少なくとも備える。バックライト装置は、液晶パネル１１に対して裏側（背面側）に配置され、白色の光（白色光）を発する光源（例えばＬＥＤなど）や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。液晶パネル１１は、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域ＡＡとされる。これに対し、液晶パネル１１の画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。

【0018】

液晶パネル１１に関して図１に加えて図２を参照して詳しく説明する。液晶パネル１１は、図１及び図２に示すように、一対のほぼ透明な（透光性を有する）基板１１Ａ，１１Ｂを貼り合わせてなる。一対の基板１１Ａ，１１Ｂのうち表側（正面側）が対向基板（ＣＦ基板）１１Ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（ＴＦＴ基板）１１Ｂとされる。対向基板１１Ａ及びアレイ基板１１Ｂは、いずれもガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。互いに貼り合わせられる対向基板１１Ａとアレイ基板１１Ｂとの間には、所定の間隔が空けられている。対向基板１１Ａとアレイ基板１１Ｂとの間には、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層１１Ｃが挟持される。一対の基板１１Ａ，１１Ｂの外周端部間には、液晶層１１Ｃを封止する封止部（シール部）１１Ｄが介在して設けられている。封止部１１Ｄは、液晶層１１Ｃを取り囲むよう方形の枠状に形成されている。なお、両基板１１Ａ，１１Ｂの外面側には、それぞれ偏光板１１Ｅ，１１Ｆが貼り付けられている。

【0019】

アレイ基板１１Ｂは、図１及び図２に示すように、長辺寸法が対向基板１１Ａの同寸法よりも大きくされており、長辺方向についての一方の端部が、対向基板１１Ａから側方に突き出す突き出し部１１Ｂ１となっている。突き出し部１１Ｂ１は、対向基板１１Ａにより覆われずに露出している。突き出し部１１Ｂ１は、全域が非表示領域ＮＡＡであり、各種信号を供給するためのドライバ１２及びフレキシブル基板１３が取り付けられている。ドライバ１２は、突き出し部１１Ｂ１に対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。ドライバ１２は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、フレキシブル基板１３により供給される各種信号を処理し、詳しくは後述するソース配線１６に画像信号を供給する。フレキシブル基板１３は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板１３は、その一方の端部が突き出し部１１Ｂ１に、他方の端部がコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されており、コントロール基板から供給される信号をアレイ基板１１Ｂに伝送する。

【0020】

アレイ基板１１Ｂの非表示領域ＮＡＡには、図１に示すように、ゲート回路部（回路部）１４が設けられている。ゲート回路部１４は、アレイ基板１１Ｂにモノリシックに設けられており、フレキシブル基板１３によってアレイ基板１１Ｂに伝送される信号を処理し、詳しくは後述するゲート配線１５に走査信号を供給する。ゲート回路部１４は、表示領域ＡＡをＸ軸方向について両側から挟み込む形で一対が配されている。ゲート回路部１４は、ゲート配線１５の並び方向であるＹ軸方向に沿って延在する帯状をなしている。ゲート回路部１４に関しては、後に改めて説明する。

【0021】

図３を用いてアレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡにおける画素配列について説明する。アレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡにおける内面側には、図３に示すように、格子状をなす複数本ずつのゲート配線（走査配線）１５及びソース配線（画像配線）１６が配されている。ゲート配線１５及びソース配線１６の交差部位付近には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１７及び画素電極１８が設けられている。ゲート配線１５は、表示領域ＡＡを横断する形で概ねＸ軸方向に沿って延在し、各ＴＦＴ１７のゲート電極１７Ａに接続される。ゲート配線１５は、複数がＹ軸方向に間隔を空けて並んで配される。ソース配線１６は、表示領域ＡＡを縦断する形で概ねＹ軸方向に沿って延在し、各ＴＦＴ１７のソース電極１７Ｂに接続される。ソース配線１６は、複数がＸ軸方向に間隔を空けて配される。ゲート配線１５及びソース配線１６は、互いに交差するものの、間に絶縁膜が介在することで絶縁されている。ＴＦＴ１７及び画素電極１８は、複数個ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って規則的に並んでマトリクス状（行列状）に平面配置されている。画素電極１８は、ＴＦＴ１７のドレイン電極１７Ｃに接続されている。画素電極１８は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極材料からなる。ＴＦＴ１７は、上記したゲート電極１７Ａ、ソース電極１７Ｂ及びドレイン電極１７Ｃに加えて、半導体部１７Ｄを有する。半導体部１７Ｄは、半導体材料からなり、ソース電極１７Ｂとドレイン電極１７Ｃとに接続される。そして、ＴＦＴ１７は、ゲート配線１５に供給される走査信号に基づいて駆動されると、ソース配線１６に供給される画像信号（データ信号）に基づいた電位に画素電極１８を充電する。

【0022】

図４を用いて液晶パネル１１の表示領域ＡＡにおける断面構成について説明する。なお、図４では、上記したゲート配線１５、ソース配線１６及びＴＦＴ１７を、「画素回路部１９」として簡略化して図示している。液晶パネル１１を構成する対向基板１１Ａの表示領域ＡＡには、図４に示すように、アレイ基板１１Ｂに備わる各画素電極１８と重畳する位置に多数個のカラーフィルタ２０が設けられている。カラーフィルタ２０は、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）を呈する３色がＸ軸方向に沿って繰り返し交互に並ぶ配置とされるとともに、それらがＹ軸方向に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。各色のカラーフィルタ２０は、アレイ基板１１Ｂ側の画素電極１８と対向している。赤色のカラーフィルタ２０と対向する画素電極１８とが赤色画素を構成する。緑色のカラーフィルタ２０と対向する画素電極１８とが緑色画素を構成する。青色のカラーフィルタ２０と対向する画素電極１８とが青色画素を構成する。この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶ赤色画素、緑色画素及び青色画素によって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。対向基板１１Ａの表示領域ＡＡには、隣り合うカラーフィルタ２０間を仕切ることで混色を防ぐなどのために遮光部（ブラックマトリクス）２１が設けられている。遮光部２１は、非表示領域ＮＡＡにも設けられている。遮光部２１は、表示領域ＡＡではゲート配線１５及びソース配線１６と重畳するよう格子状をなしているものの、非表示領域ＮＡＡではベタ状をなしている。カラーフィルタ２０及び遮光部２１の上層側には、オーバーコート膜２２が形成される。オーバーコート膜２２は、対向基板１１Ａにおいてほぼ全域にわたって概ねベタ状に設けられている。オーバーコート膜２２は、例えばアクリル樹脂（例えばＰＭＭＡ等）等の有機材料からなり、自身よりも下層側に生じた段差を平坦化するのに機能する。本実施形態では、オーバーコート膜２２の表面を、対向基板１１Ａの第１主面１１Ａ１とする。なお、オーバーコート膜２２の上層側（対向基板１１Ａの最内面）には、液晶層１１Ｃに含まれる液晶を配向させるための第１配向膜２３が設けられている。

【0023】

液晶パネル１１を構成するアレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡには、図４に示すように、下層側から順に、画素回路部１９、平坦化膜２４、共通電極２５、層間絶縁膜２６、画素電極１８及び第２配向膜（配向膜）２７が設けられている。このうちの共通電極２５は、画素電極１８と同様に透明電極材料からなる。共通電極２５は、全体として表示領域ＡＡと同等の大きさを有する。共通電極２５は、層間絶縁膜２６を介して全ての画素電極１８に対して重畳して配されている。共通電極２５には、共通電位（基準電位）が供給されている。従って、共通電極２５と画素電極１８との間には、画素電極１８に充電された電位に基づく電位差が生じ得る。この電位差を利用して液晶層１１Ｃに含まれる液晶の配向状態を制御することができる。画素電極１８の上層側（アレイ基板１１Ｂの最内面）には、液晶層１１Ｃに含まれる液晶を配向させるための第２配向膜２７が設けられている。

【0024】

層間絶縁膜２６は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機材料からなる。平坦化膜２４は、例えばアクリル樹脂（例えばＰＭＭＡ等）等の有機材料からなり、自身よりも下層側に生じた段差を平坦化するのに機能する。平坦化膜２４は、無機材料からなる層間絶縁膜２６等よりも大きな膜厚を有する。本実施形態では、平坦化膜２４の表面を、アレイ基板１１Ｂの第２主面１１Ｂ２とする。第２配向膜２７は、例えばポリイミド等の有機材料からなる。第２配向膜２７は、液晶層１１Ｃに臨む表面に光配向処理が施された光配向膜である。第２配向膜２７は、表示領域ＡＡの全域に加えて、非表示領域ＮＡＡの一部（少なくとも表示領域ＡＡに隣接する内周端側部分を含む）にまで延在する、ベタ状をなしている。つまり、第２配向膜２７は、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がって配されている。なお、アレイ基板１１Ｂ側の第１配向膜２３も、第２配向膜２７と同様の構成である。

【0025】

画素電極１８の詳しい構成について図５を参照して説明する。図５には、アレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡにおける画素電極１８の配列が図示されており、画素電極１８以外の構成（各配線１５，１６及びＴＦＴ１７）の図示が省略されている。画素電極１８は、図５に示すように、画素電極本体１８Ａと、画素回路部１９に含まれるＴＦＴ１７のドレイン電極１７Ｃに接続されるコンタクト部１８Ｂと、を有する。このうち、コンタクト部１８Ｂは、画素電極本体１８ＡからＹ軸方向に沿って片側に突出して設けられている。コンタクト部１８Ｂは、平面に視て略方形状をなしている。コンタクト部１８Ｂは、ドレイン電極１７Ｃ（図３を参照）に対して重畳して配されており、平坦化膜２４等に開口形成されたコンタクトホールを通してドレイン電極１７Ｃに接続されている。

【0026】

画素電極本体１８Ａは、平面形状が縦長形状とされ、その長手方向について途中で屈曲している。詳しくは、画素電極本体１８Ａは、長手側の両側縁がＹ軸方向に対して僅かに傾斜するとともにほぼ中央位置にて一度屈曲されていて浅い逆Ｖ字型をなしている。このように、画素電極１８の「長手方向」には、Ｙ軸方向に対して傾いた第１斜め方向（第３方向）と、Ｙ軸方向に対して傾き且つ第１斜め方向に対して交差する第２斜め方向（第４方向）と、が含まれる。上記した第１斜め方向は、図５において左下から右上へ向かう方向である。上記した第２斜め方向は、図５において左上から右下へ向かう方向である。画素電極本体１８Ａは、Ｘ軸方向について間隔を空けて並ぶ複数の電極部１８Ａ１と、複数の電極部１８Ａ１における長手方向についての両端部同士を繋ぐ繋ぎ部１８Ａ２と、を有する。画素電極本体１８Ａにおいて隣り合う電極部１８Ａ１の間には、スリット１８Ａ３が設けられている。スリット１８Ａ３の設置数は、画素電極本体１８Ａの設置数から１を差し引いた数とされる。図５では、電極部１８Ａ１が４本とされ、スリット１８Ａ３が３本とされる場合が図示されている。電極部１８Ａ１及びスリット１８Ａ３は、画素電極本体１８Ａにおける長手側の外形に倣った平面形状であり、Ｙ軸方向に対して僅かに傾斜するとともにほぼ中央位置にて一度屈曲されていて浅い逆Ｖ字型をなしている。繋ぎ部１８Ａ２は、Ｘ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐに延在している。

【0027】

このような構成の画素電極１８と共通電極２５との間に電位差が生じると、図４に示すように、画素電極１８におけるスリット１８Ａ３の開口縁と共通電極２５との間に電界が生じ、その電界には、アレイ基板１１Ｂの第２主面１１Ｂ２に沿う成分に加えて、アレイ基板１１Ｂの第２主面１１Ｂ２に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が含まれる。従って、本実施形態に係る液晶パネル１１の表示モードは、フリンジ電界を利用して液晶層１１Ｃに含まれる液晶の配向状態を制御する、いわゆるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。

【0028】

ところで、上記した画素電極１８は、表示領域ＡＡには存在するものの、非表示領域ＮＡＡには存在しない。このことに起因して、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８と、表示領域ＡＡの中央付近に位置する画素電極１８と、で仕上がりに違いが生じるおそれがある。具体的には、既知のフォトリソグラフィ法によってアレイ基板１１Ｂを製造する過程で画素電極１８を設けるには、透明電極材料からなる透明電極膜１１Ｆ１とフォトレジスト膜１１Ｆ２とを順次に成膜してから（図１４を参照）、フォトレジスト膜１１Ｆ２を露光・現像することで、フォトレジスト膜１１Ｆ２を部分的に除去し、残存したフォトレジスト膜１１Ｆ２を介して透明電極膜１１Ｆ１をエッチングする。ここで、仮に非表示領域ＮＡＡに透明電極膜１１Ｆ１からなる構造物が存在しない場合には、フォトレジスト膜１１Ｆ２を現像すると、表示領域ＡＡではフォトレジスト膜１１Ｆ２が残存するものの、非表示領域ＮＡＡではフォトレジスト膜１１Ｆ２が残存することがなくなる。このため、表示領域ＡＡに比べて非表示領域ＮＡＡでは現像液ＤＥ（図１５を参照）の濃度が低下し、表示領域ＡＡの外端付近に位置するフォトレジスト膜１１Ｆ２が、表示領域ＡＡの中央付近に位置するフォトレジスト膜１１Ｆ２よりも仕上がり寸法が大きくなる傾向にある。そうなると、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８が、表示領域ＡＡの中央付近に位置する画素電極１８よりも仕上がり寸法が大きくなり易く、結果として表示領域ＡＡの外端付近での光透過率が、表示領域ＡＡの中央付近での光透過率よりも高くなるおそれがあった。

【0029】

以下、図６を用いて画素電極１８の仕上がり寸法と光透過率との関係について説明する。図６は、横軸を電極部１８Ａ１の幅寸法における基準値からの差分（単位は「μｍ」）とし、縦軸を光透過率（単位は「％」）としたグラフである。電極部１８Ａ１の幅寸法における基準値（０μｍ）は、電極部１８Ａ１の設計値である。図６の横軸における「＋」符号は、電極部１８Ａ１の幅寸法における基準値よりも大きいことを意味し、「－」の符号は、電極部１８Ａ１の幅寸法における基準値よりも小さいことを意味する。光透過率における基準値（１００％）は、電極部１８Ａ１の幅寸法が基準値の場合における光透過率である。また、図６には、画素電極１８の各寸法（短辺寸法、長辺寸法、電極部１８Ａ１の幅寸法、スリット１８Ａ３の幅寸法等）が異なる３種類の機種Ａ～Ｃに関してプロットが記されている。図６によれば、上記した差分の絶対値が大きくなるほど、光透過率が低下する傾向にあることが分かる。詳しくは、差分の絶対値が同じであっても差分が負の値である場合よりも差分が正の値である場合の方が、光透過率が大きく低下する傾向にある。例えば、表示領域ＡＡの中央付近に位置する画素電極１８は、差分の値が－０．２～－０．３程度となる仕上がりだった場合、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８は、差分の値が－０．１～＋０．２程度となる仕上がりとなり得る。この場合、表示領域ＡＡの外端付近での光透過率が、表示領域ＡＡの中央付近での光透過率よりも高くなる。

【0030】

また、仮に非表示領域ＮＡＡに透明電極膜１１Ｆ１からなる構造物が存在しない場合には、透明電極膜１１Ｆ１の上層側に配される第２配向膜２７に膜厚ムラが生じるおそれがある。具体的には、アレイ基板１１Ｂを製造する過程では、透明電極膜１１Ｆ１からなる画素電極１８が設けられた後に、配向膜材料を塗布することで、第２配向膜２７が成膜される。このとき、第２配向膜２７は、表示領域ＡＡにおいては画素電極１８の上層側に成膜されるものの、非表示領域ＮＡＡにおいては層間絶縁膜２６の上層側に成膜される。このため、第２配向膜２７のうち、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がる部分が適切にレベリングされず、当該部分の膜厚が、表示領域ＡＡの中央付近に位置する部分の膜厚よりも小さくなりがちとされる。表示領域ＡＡの外端付近と、表示領域ＡＡの中央付近と、で第２配向膜２７の膜厚が異なると、表示領域ＡＡの外端付近での表示色と、表示領域ＡＡの中央付近での表示色と、に差が生じるおそれがある。

【0031】

以下、図７を用いて第２配向膜２７の膜厚とＶＴ特性（画素電極１８の電圧値と光透過率との関係）との関係について説明する。図７は、横軸を画素電極１８に印加される電圧値（単位は「Ｖ」）とし、縦軸を光透過率（単位は「％」）としたグラフである。光透過率における基準値（１００％）は、画素電極１８に電圧の最大値（５．２Ｖ程度）が印加された場合における光透過率である。電圧の最大値が印加された画素電極１８によって画素は、最大階調（例えば２５５階調）での表示を行うことになる。図７には、第２配向膜２７の膜厚が設計値と一致した場合が実線によって示され、第２配向膜２７の膜厚が設計値よりも小さい場合が破線によって示されている。図７によれば、電圧が概ね１Ｖ～６Ｖの範囲において、第２配向膜２７の膜厚が設計値よりも小さい場合は、第２配向膜２７の膜厚が設計値と一致した場合に比べると、光透過率が全般的に高いことが分かる。このため、例えば、全ての表示画素が橙色を呈するよう画像表示した場合、次の問題が生じ得る。表示画素において橙色を表示するには、青色画素を構成する画素電極１８の電圧を２．２Ｖ（例えば１５９階調：図７の横軸に「Ｂ」と表記）とし、緑色画素を構成する画素電極１８の電圧を３Ｖ（例えば２１９階調：図７の横軸に「Ｇ」と表記）とし、赤色画素を構成する画素電極１８の電圧を５．２Ｖ（例えば２５５階調：図７の横軸に「Ｒ」と表記）とする。ここで、表示領域ＡＡの中央付近での第２配向膜２７の膜厚が設計値（図７の実線のグラフ）とされ、表示領域ＡＡの外端付近での第２配向膜２７の膜厚が設計値よりも小さい場合（図７の破線のグラフ）を想定する。全表示画素を橙色表示した場合、表示領域ＡＡの外端付近では、表示領域ＡＡの中央付近よりも、青色画素の光透過率が差分α高く、緑色画素の光透過率が差分β高く、赤色画素の光透過率が差分γ高い。緑色画素の光透過率の差分βが最大であり、その次に青色画素の光透過率の差分αが大きく、赤色画素の光透過率の差分γが最小となっている。つまり、表示領域ＡＡの外端付近での表示色は、表示領域ＡＡの中央付近での表示色に比べると、緑色味が最も強く、次いで青色味が強く、赤色味が僅かに強くなる。このため、表示領域ＡＡの外端付近では、表示領域ＡＡの中央付近に比べると、ＣＩＥ（Commission Internationale d'Eclairage:国際照明委員会）１９７６色度図における色度座標の値であるｕ′値が小さい数値となる。つまり、第２配向膜２７に上記のような膜厚ムラが生じると、表示領域ＡＡの外端付近での表示色と、表示領域ＡＡの中央付近での表示色と、の間に差が生じるおそれがある。なお、表示色が橙色以外であっても、上記のような色ムラが生じるおそれがある。

【0032】

そこで、本実施形態に係るアレイ基板１１Ｂの非表示領域ＮＡＡには、図８及び図９に示すように、透明電極膜１１Ｆ１（図１４を参照）のうちの画素電極１８とは別の部分からなるダミー部２８が設けられている。なお、図８では、透明電極膜１１Ｆ１からなる構成を網掛け状にして図示している。ダミー部２８は、非表示領域ＮＡＡのうちのゲート回路部１４と表示領域ＡＡとの間に位置して配されている。つまり、ダミー部２８は、ゲート回路部１４よりも表示領域ＡＡに近い配置であり、非表示領域ＮＡＡのうちの内端付近に配されている、と言える。ダミー部２８は、非表示領域ＮＡＡの内端付近において、表示領域ＡＡを全周にわたって取り囲むよう配されている。ダミー部２８は、非表示領域ＮＡＡの内端付近において、層間絶縁膜２６の上層側に配されている。このように、非表示領域ＮＡＡの内端付近にダミー部２８が配されているので、フォトレジスト膜１１Ｆ２を現像する際に用いられる現像液ＤＥの濃度が表示領域ＡＡの外端付近において低下する事態が生じ難くなる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８の仕上がりを、表示領域ＡＡの中央付近に位置する画素電極１８の仕上がりに近くすることができる。以上により、表示領域ＡＡの外端付近において局所的に透過率が高くなる事態が生じ難くなり、輝度ムラのような表示不良が生じ難くなる。

【0033】

また、非表示領域ＮＡＡの内端付近に配されるダミー部２８は、図９に示すように、第２配向膜２７によって上層側から覆われている。このようにすれば、仮にダミー部が存在しない場合に比べると、第２配向膜２７のうちの表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がる部分が良好にレベリングされる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近での第２配向膜２７の膜厚と、表示領域ＡＡの中央付近での第２配向膜２７の膜厚と、の間に差が生じ難くなる。つまり、第２配向膜２７の膜厚を、表示領域ＡＡの外端付近と表示領域ＡＡの中央付近とのいずれにおいても設計値に近い厚みとすることができる（図７を参照）。従って、表示領域ＡＡの外端付近での表示色と、表示領域ＡＡの中央付近での表示色と、の間に差が生じ難くなるので、色ムラのような表示不良が生じ難くなる。

【0034】

また、ダミー部２８は、図８に示すように、非表示領域ＮＡＡのうち、ゲート回路部１４に接続された接続配線２９に対して平面に視て重畳する位置に配されている。以下、ゲート回路部１４及び接続配線２９の構成に関して詳しく説明する。まず、ゲート回路部１４は、いわゆるシフトレジスタ回路であり、複数の単位回路部を有している。複数の単位回路部は、Ｙ軸方向に沿って並んで配されており、それぞれが複数の接続配線２９を介して複数のゲート配線１５に対して個別に接続されている。ゲート回路部１４は、複数の単位回路部のうちの上段側から順に、走査信号を複数のゲート配線１５に供給することができる。接続配線２９は、Ｘ軸方向についてゲート回路部１４と表示領域ＡＡとの間に挟まれた配置、つまりゲート回路部１４よりも表示領域ＡＡに近い配置とされる。接続配線２９は、ゲート回路部１４から接続対象のゲート配線１５に至るまで、途中で繰り返し蛇行するよう配索されている。接続配線２９がこのように配索されることで、走査信号の伝送特性に係る時定数を容易に調整することが可能となっている。なお、ゲート回路部１４には、透明電極膜１１Ｆ１のうちの画素電極１８及びダミー部２８とは別の部分からなる回路重畳部３０が平面に視て重畳して配されている。また、接続配線２９のうちのゲート配線１５に接続される部分には、透明電極膜１１Ｆ１のうちの画素電極１８、ダミー部２８及び回路重畳部３０とは別の部分からなる共通配線３１が平面に視て重畳して配されている。共通配線３１は、共通電位信号を伝送するものであり、共通電極２５に接続されている。共通配線３１は、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとの境界位置に臨む位置（非表示領域ＮＡＡのうちの外端位置）に配されており、表示領域ＡＡを全周にわたって取り囲むよう延在して全体として枠状をなしている。

【0035】

そして、本実施形態に係るダミー部２８は、図８及び図９に示すように、画素電極１８とは平面形状及び大きさが共に異なっている。つまり、ダミー部２８の平面形状及び大きさは、画素電極１８の平面形状及び大きさとは無関係に設定されている。具体的には、ダミー部２８には、平面形状が丸形とされる第１ダミー部２８Ａと、平面形状が四角形とされる第２ダミー部２８Ｂと、平面形状が三角形とされる第３ダミー部２８Ｃと、が含まれている。また、各ダミー部２８Ａ～２８Ｃは、いずれも画素電極１８のようなスリット１８Ａ３を有さない。このような３種類のダミー部２８Ａ～２８Ｃは、アレイ基板１１Ｂの第２主面１１Ｂ２の面内において千鳥状に分散配置されている。詳しくは、表示領域ＡＡから遠ざかる向きを第１方向（例えば図８ではＸ軸方向）とし、第１方向と交差する方向を第２方向（例えば図８ではＹ軸方向）としたとき、３種類のダミー部２８Ａ～２８Ｃは、第１方向及び第２方向のそれぞれについて間隔を空けて複数が分散配置されている。第１ダミー部２８Ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の双方に対して傾いた斜め方向に沿って間隔を空けて複数が並んで配されている。第２ダミー部２８Ｂは、第１ダミー部２８Ａの並び方向（斜め方向）に並行する形で間隔を空けて複数が並んで配されている。第３ダミー部２８Ｃは、第１ダミー部２８Ａ及び第２ダミー部２８Ｂの並び方向（斜め方向）に並行する形で間隔を空けて複数が並んで配されている。このような複数のダミー部２８は、回路重畳部３０と共通配線３１との間に挟まれた第１領域Ａ１と、共通配線３１と表示領域ＡＡとの間に挟まれた第２領域Ａ２と、にそれぞれ配されている。第１領域Ａ１は、接続配線２９の大部分が配される領域であり、複数のダミー部２８を千鳥状に配置する上で十分な広さとなっている。第２領域Ａ２は、Ｘ軸方向についてダミー部２８を１つ弱程度しか配置することができない広さであり、第１領域Ａ１に比べるとかなり狭い。

【0036】

以上のように、ダミー部２８は、図８及び図９に示すように、画素電極１８とは平面形状及び大きさが共に異なっているから、パターン密度に係る自由度が高くなっている。従って、ダミー部２８を配置する領域Ａ１，Ａ２がどのような広さであっても、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極１８のパターン密度に近似させることができる。具体的には、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極１８のパターン密度の±１０％程度にまで近似させることができる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８の仕上がりを、表示領域ＡＡの中央付近に位置する画素電極１８の仕上がりにより近くすることができるので、表示領域ＡＡのうちの外端付近において局所的に透過率が高くなる事態をより生じ難くすることができる。以上により、表示ムラの発生を抑制することができる。しかも、複数のダミー部２８は、第１方向と第２方向とのそれぞれについて間隔を空けて分散配置されているから、第１方向についての配列間隔や第２方向についての配列間隔を調整することで、パターン密度を細やかに制御することができる。

【0037】

次に、本実施形態に係るダミー部２８による作用及び効果について検証するため、以下の比較実験１を行った。比較実験１では、ダミー部２８を有さない液晶パネルを比較例１とし、ダミー部２８を有する液晶パネル１１を実施例１とした。実施例１の液晶パネル１１は、本段落以前に説明した通りである。比較例１の液晶パネルは、ダミー部２８を有さない点を除いては、実施例１の液晶パネル１１と同様の構成とされる。比較実験１では、比較例１及び実施例１の各液晶パネル１１を製造し、製造された各液晶パネル１１に備わる画素電極１８における電極部１８Ａ１の幅寸法を測定した。測定結果に基づき、表示領域ＡＡにおける画素電極１８の位置と、電極部１８Ａ１の幅寸法と、の関係を示すグラフを作成した。作成したグラフは、図１０に示される通りである。図１０は、横軸を表示領域ＡＡにおける画素電極の位置（無単位）とし、縦軸を電極部１８Ａ１の幅寸法（単位は「μｍ」）としたグラフである。図１０に示される実線が実施例１であり、破線が比較例１である。図１０の横軸には、表示領域ＡＡ内の位置である「端位置」と「中央位置」とが記されている。その上で、比較実験１では、比較例１及び実施例１の各液晶パネル１１に対し、テスト用のバックライト装置から光を照射しつつ、全表示画素を橙色表示した場合の透過光量を測定した。測定した透過光量に基づいて、表示領域ＡＡにおける測定位置と、光透過率と、の関係を示すグラフを作成した。作成したグラフは、図１１に示される通りである。図１１は、横軸を表示領域ＡＡにおける透過光量の測定位置（無単位）とし、縦軸を光透過率（無単位）としたグラフである。図１１に示される実線が実施例１であり、破線が比較例１である。図１１の横軸には、表示領域ＡＡ内の位置である「端位置」と「中央位置」とが記されている。図１１の縦軸である光透過率は、比較例１及び実施例１における光透過率の最大値を基準（１．０）とした相対値である。さらには、比較実験１では、比較例１及び実施例１の各液晶パネル１１に対し、テスト用のバックライト装置から光を照射しつつ、全表示画素を橙色表示した場合の色度を測定した。ここでは、色度としてＣＩＥ１９７６色度図における色度座標の値であるｕ′値及びｖ′値を測定した。測定結果に基づき、表示領域ＡＡにおける測定位置とｕ′値との関係を示すグラフと、表示領域ＡＡにおける測定位置とｖ′値との関係を示すグラフと、を作成した。作成したグラフは、図１２及び図１３に示される通りである。図１２は、横軸を表示領域ＡＡにおける透過光量の測定位置（無単位）とし、縦軸をｕ′値（無単位）としたグラフである。図１３は、横軸を表示領域ＡＡにおける透過光量の測定位置（無単位）とし、縦軸をｖ′値（無単位）としたグラフである。図１２及び図１３に示される実線が実施例１であり、破線が比較例１である。図１２及び図１３の横軸には、表示領域ＡＡ内の位置である「端位置」と「中央位置」とが記されている。図１２及び図１３の縦軸であるｕ′値及びｖ′値は、表示領域ＡＡの中央位置でのｕ′値及びｖ′値をそれぞれ基準（０）とした相対値である。

【0038】

比較実験１の実験結果について説明する。図１０によれば、比較例１及び実施例１は、いずれも表示領域ＡＡの端位置付近では、中央位置付近に比べると、電極部１８Ａ１の幅寸法が大きい。しかし、実施例１は、比較例１に比べると、表示領域ＡＡの端位置付近での電極部１８Ａ１の幅寸法の変化量及び変化率がいずれも小さい。具体的には、表示領域ＡＡの端位置での電極部１８Ａ１の幅寸法を比べると、比較例１は、２．４μｍ程度であるのに対し、実施例１は、２．２２μｍ程度となっている。図１１によれば、比較例１及び実施例１は、いずれも表示領域ＡＡの端位置付近では、中央位置付近に比べると、光透過率が高い。しかし、実施例１は、比較例１に比べると、表示領域ＡＡの端位置付近での光透過率の変化量及び変化率がいずれも小さい。具体的には、表示領域ＡＡの端位置での光透過率を比べると、比較例１は、１．０であるのに対し、実施例１は、０．９５程度となっている。図１３によれば、比較例１及び実施例１は、いずれも表示領域ＡＡの端位置付近と、中央位置付近と、でｖ′値に関して殆ど同じとされる。一方、図１２によれば、実施例１は、表示領域ＡＡの端位置付近と、中央位置付近と、でｕ′値に関して殆ど変化がないのに対し、比較例１は、表示領域ＡＡの端位置付近では、中央位置付近に比べると、ｕ′値が大きく低下している。具体的には、表示領域ＡＡの端位置でのｕ′値を比べると、比較例１は、－０．０１強程度であるのに対し、実施例１は、－０．００１弱程度となっている。以上のように、比較実験１の実験結果である図１０から図１３によれば、実施例１は、比較例１に比べると、表示領域ＡＡの端位置付近において、電極部１８Ａ１の幅寸法が大きくなるのが抑制され、それによって光透過率が高くなるのが抑制され、さらにはｕ′値の低下が抑制されている。つまり、実施例１は、比較例１に比べると、表示領域ＡＡの端位置付近で輝度ムラ及び色ムラが生じ難くなっている、と言える。

【0039】

本実施形態は以上のような構造であり、続いて液晶パネル１１の製造方法を説明する。液晶パネル１１の製造方法には、対向基板１１Ａを製造する対向基板製造工程（ＣＦ基板製造工程）と、アレイ基板１１Ｂを製造するアレイ基板製造工程と、製造された対向基板１１Ａとアレイ基板１１Ｂとを貼り合わせる貼り合わせ工程と、が含まれている。以下では、このうちのアレイ基板製造工程について説明する。

【0040】

アレイ基板製造工程には、画素回路部１９を形成する第１工程と、平坦化膜２４を形成する第２工程と、共通電極２５を形成する第３工程と、層間絶縁膜２６を形成する第４工程と、画素電極１８及びダミー部２８等を形成する第５工程と、第２配向膜２７を形成する第６工程と、が少なくとも含まれる。このうちの第５工程及び第６工程に関して図１４から図１７を用いて説明する。

【0041】

第５工程では、図１４に示すように、アレイ基板１１Ｂにおける層間絶縁膜２６の上層側に透明電極膜１１Ｆ１をベタ状に成膜し、さらに透明電極膜１１Ｆ１の上層側にフォトレジスト膜１１Ｆ２をベタ状に成膜する。その後、露光装置と、フォトマスク１１Ｐと、を用いてフォトレジスト膜１１Ｆ２を露光する。第５工程で用いられるフォトレジスト膜１１Ｆ２は、ポジ型の感光性レジスト材料からなる。ここで、フォトマスク１１Ｐについて説明する。フォトマスク１１Ｐは、十分に高い透光性を有する透明な基材１１Ｐ１と、基材１１Ｐ１の主面に形成される遮光膜１１Ｐ２と、を備える。遮光膜１１Ｐ２は、露光装置の光源からの露光光を遮光し、部分的な開口１１Ｐ２Ａを有する。フォトマスク１１Ｐは、遮光膜１１Ｐ２の形成範囲が光を遮る遮光領域とされ、開口１１Ｐ２Ａの形成範囲（遮光膜１１Ｐ２の非形成範囲）が光を透過する透過領域とされている。遮光膜１１Ｐ２は、表示領域ＡＡにおいて複数の画素電極１８と重畳するよう設けられ、非表示領域ＮＡＡにおいて複数のダミー部２８、回路重畳部３０及び共通配線３１のそれぞれと重畳するよう設けられている。

【0042】

第５工程において、露光装置の光源から発せられた露光光が、上記のような構成のフォトマスク１１Ｐを介してフォトレジスト膜１１Ｆ２に対して照射されると、フォトレジスト膜１１Ｆ２は、遮光膜１１Ｐ２と重畳する範囲が非露光とされ、開口１１Ｐ２Ａと重畳する範囲が選択的に露光される。露光に続いて現像が行われると、図１５に示すように、ポジ型のフォトレジスト膜１１Ｆ２のうちの露光部分は、現像液ＤＥによって溶解される速度、つまり溶解速度が早いので除去される。一方、非露光部分については溶解速度が遅くなっていて残存することになる。現像の結果、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとにそれぞれフォトレジスト膜１１Ｆ２が残存する。ここで、本実施形態では、フォトレジスト膜１１Ｆ２の非露光部分は、表示領域ＡＡに加えて非表示領域ＮＡＡにも存在しており、そのパターン密度が表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとで近似したものとなっている。従って、現像に際してフォトレジスト膜１１Ｆ２のうちの現像液ＤＥによって溶解される部分の分布密度が、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとで近似することになる。これにより、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとで現像液ＤＥの濃度に差が生じ難くなるので、表示領域ＡＡの外端付近と表示領域ＡＡの中央付近とでフォトレジスト膜１１Ｆ２の仕上がり寸法に差が生じ難くなる。

【0043】

以上のようにしてフォトレジスト膜１１Ｆ２をパターニングしたら、フォトレジスト膜１１Ｆ２をマスクとして用いて透明電極膜１１Ｆ１をエッチングする。エッチングが行われて透明電極膜１１Ｆ１がパターニングされると、図１６に示すように、表示領域ＡＡには複数の画素電極１８が設けられ、非表示領域には複数のダミー部２８、回路重畳部３０及び共通配線３１がそれぞれ設けられる。エッチングのマスクとして用いられるフォトレジスト膜１１Ｆ２は、表示領域ＡＡの外端付近と表示領域ＡＡの中央付近とで仕上がり寸法に差が生じ難くなってるから、エッチングにより形成された画素電極１８の仕上がり寸法も、表示領域ＡＡの外端付近と表示領域ＡＡの中央付近とで差が生じ難くなる。結果として、表示領域ＡＡの外端付近と表示領域ＡＡの中央付近とで画素電極１８の電極部１８Ａ１の幅寸法に差が生じ難くなる。透明電極膜１１Ｆ１のエッチングを終えたら、フォトレジスト膜１１Ｆ２を剥離する。

【0044】

第６工程では、図１７に示すように、透明電極膜１１Ｆ１からなる構造物の上層側に、インクジェット装置やスピンコータ装置等によって第２配向膜２７の配向膜材料ＰＩを塗布する。スピンコータ装置を用いた場合、配向膜材料ＰＩは、表示領域ＡＡの中央側から非表示領域ＮＡ側へ向けて塗り広げられていく。表示領域ＡＡでは複数の画素電極１８が配向膜材料ＰＩによって覆われ、非表示領域ＮＡＡでは複数のダミー部２８、回路重畳部３０及び共通配線３１がそれぞれ配向膜材料ＰＩによって覆われる。このようにして塗布された配向膜材料ＰＩによって第２配向膜２７が設けられる。第２配向膜２７には、光配向処理が施される。このようにして設けられた第２配向膜２７は、非表示領域ＮＡＡにおいて複数のダミー部２８、回路重畳部３０及び共通配線３１を覆うことで、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がる部分が良好にレベリングされる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近での第２配向膜２７の膜厚と、表示領域ＡＡの中央付近での第２配向膜２７の膜厚と、の間に差が生じ難くなっている。

【0045】

以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１１は、画像が表示される表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡに配され、透明電極膜１１Ｆ１からなる複数の画素電極１８と、表示領域ＡＡを取り囲む非表示領域ＮＡＡと、非表示領域ＮＡＡに配されるゲート回路部（回路部）１４と、非表示領域ＮＡＡのうちのゲート回路部１４と表示領域ＡＡとの間に位置して配され、透明電極膜１１Ｆ１のうちの画素電極１８とは別の部分からなるダミー部２８と、を備え、ダミー部２８は、画素電極１８とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なる。

【0046】

表示領域ＡＡに配された複数の画素電極１８がそれぞれ充電されることで、表示領域ＡＡに所定の画像が表示される。非表示領域ＮＡＡのうちのゲート回路部１４と表示領域ＡＡとの間には、透明電極膜１１Ｆ１のうちの画素電極１８とは別の部分からなるダミー部２８が配されているので、表示領域ＡＡの外端付近と、非表示領域ＮＡＡの内端付近と、にそれぞれ透明電極膜１１Ｆ１のパターンが存在することになる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８の仕上がりを、表示領域ＡＡの中央付近に位置する画素電極１８の仕上がりに近くすることができるので、表示領域ＡＡの外端付近において局所的に透過率が高くなる事態が生じ難くなる。

【0047】

その上で、ダミー部２８は、画素電極１８とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なっているから、パターン密度に係る自由度が高くなっている。従って、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極１８のパターン密度に近似させることができる。具体的には、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極１８のパターン密度の±１０％程度にまで近似させることができる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８の仕上がりを、表示領域ＡＡの中央付近に位置する画素電極１８の仕上がりにより近くすることができるので、表示領域ＡＡのうちの外端付近において局所的に透過率が高くなる事態をより生じ難くすることができる。以上により、表示ムラの発生を抑制することができる。

【0048】

また、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がって配され、透明電極膜１１Ｆ１の上層側に配される第２配向膜（配向膜）２７を備えており、第２配向膜２７は、表示領域ＡＡにて画素電極１８を覆い、非表示領域ＮＡＡにてダミー部２８を覆う。第２配向膜２７は、非表示領域ＮＡＡの内端付近にてダミー部２８を覆っているので、仮にダミー部２８が存在しない場合に比べると、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がる部分が良好にレベリングされる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近での第２配向膜２７の膜厚と、表示領域ＡＡの中央付近での第２配向膜２７の膜厚と、の間に差が生じ難くなるので、表示領域ＡＡの外端付近での表示色と、表示領域ＡＡの中央付近での表示色と、の間にも差が生じ難くなる。

【0049】

また、ダミー部２８は、画素電極１８とは平面形状及び大きさが共に異なっていて、表示領域ＡＡから遠ざかる向きである第１方向と、第１方向と交差する第２方向と、のそれぞれについて間隔を空けて複数が分散配置されている。ダミー部２８は、画素電極１８とは平面形状及び大きさが共に異なっているから、パターン密度に係る自由度がより高い。複数のダミー部２８は、第１方向と第２方向とのそれぞれについて間隔を空けて分散配置されているから、第１方向についての配列間隔や第２方向についての配列間隔を調整することで、パターン密度を細やかに制御することができる。

【0050】

また、本実施形態に係る液晶パネル１１の製造方法は、画像が表示される表示領域ＡＡを取り囲む非表示領域ＮＡＡにゲート回路部１４を設け、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がるよう透明電極膜１１Ｆ１を成膜し、透明電極膜１１Ｆ１の上層側にフォトレジスト膜１１Ｆ２を成膜し、フォトレジスト膜１１Ｆ２を露光してから現像し、現像されたフォトレジスト膜１１Ｆ２を介して透明電極膜１１Ｆ１をエッチングし、残存した透明電極膜１１Ｆ１の一部によって表示領域ＡＡに配される複数の画素電極１８を設け、残存した透明電極膜１１Ｆ１のうち画素電極１８とは別の部分によって非表示領域ＮＡＡのうちのゲート回路部１４と表示領域ＡＡとの間に位置して配されて画素電極１８とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なるダミー部２８を設ける。

【0051】

透明電極膜１１Ｆ１及びフォトレジスト膜１１Ｆ２を順次に成膜してから、フォトレジスト膜１１Ｆ２を露光・現像することで、フォトレジスト膜１１Ｆ２を部分的に除去することができる。現像の結果、残存したフォトレジスト膜１１Ｆ２を介して透明電極膜１１Ｆ１をエッチングすると、透明電極膜１１Ｆ１のうち、フォトレジスト膜１１Ｆ２の開口部分と重畳する部分が除去され、フォトレジスト膜１１Ｆ２と重畳する部分が残存する。エッチングの結果、残存した透明電極膜１１Ｆ１のうち、表示領域ＡＡに配される部分が複数の画素電極１８となり、非表示領域ＮＡＡに配される部分がダミー部２８となる。ダミー部２８は、非表示領域ＮＡＡのうちのゲート回路部１４と表示領域ＡＡとの間、つまり非表示領域ＮＡＡの内端付近に配されており、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８に近い配置とされる。従って、フォトレジスト膜１１Ｆ２を現像する際には、非表示領域ＮＡＡの内端付近と、表示領域ＡＡの外端付近と、表示領域ＡＡの中央付近と、にそれぞれフォトレジスト膜１１Ｆ２が残存することになるので、現像液ＤＥの濃度を、非表示領域ＮＡＡの内端付近と、表示領域ＡＡの外端付近と、表示領域ＡＡの中央側と、で均一化することができる。これにより、フォトレジスト膜１１Ｆ２の仕上がりが、表示領域ＡＡの外端付近と、表示領域ＡＡの中央付近と、で近似したものとなり、結果としてパターニングされた透明電極膜１１Ｆ１の残存部分である画素電極１８の仕上がりを、表示領域ＡＡの外端付近と、表示領域ＡＡの中央付近と、で近似させることができる。もって表示領域ＡＡの外端付近において局所的に透過率が高くなる事態が生じ難くなる。
その上で、ダミー部２８は、画素電極１８とは平面形状及び大きさのうちの少なくとも一方が異なっているから、パターン密度に係る自由度が高くなっている。従って、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極１８のパターン密度に近似させることができる。具体的には、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極１８のパターン密度の±１０％程度にまで近似させることができる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近に位置する画素電極１８の仕上がりを、表示領域ＡＡの中央付近に位置する画素電極１８の仕上がりにより近くすることができるので、表示領域ＡＡのうちの外端付近において局所的に透過率が高くなる事態をより生じ難くすることができる。以上により、表示ムラの発生を抑制することができる。

【0052】

また、透明電極膜１１Ｆ１の上層側に表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がって配される第２配向膜２７を成膜し、成膜された第２配向膜２７によって表示領域ＡＡにて画素電極１８を覆い、非表示領域ＮＡＡにてダミー部２８を覆う。第２配向膜２７を成膜すると、表示領域ＡＡでは第２配向膜２７によって画素電極１８が覆われ、非表示領域ＮＡＡでは第２配向膜２７によってダミー部２８が覆われる。このようにすれば、仮にダミー部２８が存在しない場合に比べると、第２配向膜２７のうち、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がる部分が良好にレベリングされる。これにより、表示領域ＡＡの外端付近での第２配向膜２７の膜厚と、表示領域ＡＡの中央付近での第２配向膜２７の膜厚と、の間に差が生じ難くなるので、表示領域ＡＡの外端付近での表示色と、表示領域ＡＡの中央付近での表示色と、の間にも差が生じ難くなる。

【0053】

＜実施形態２＞
実施形態２を図１８によって説明する。この実施形態２では、ダミー部１２８の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0054】

本実施形態に係るダミー部１２８は、図１８に示すように、Ｙ軸方向に沿って直線的に延在する帯状をなしている。なお、図１８では、透明電極膜１１Ｆ１（図１４を参照）からなる構成を網掛け状にして図示している。詳しくは、表示領域ＡＡから遠ざかる向きを第１方向（例えば図１８ではＸ軸方向）とし、第１方向と交差する方向を第２方向（例えば図１８ではＹ軸方向）としたとき、ダミー部１２８は、第２方向に沿って延在するとともに、複数が第１方向について第１間隔Ｃ１を空けて並んで配されている。ダミー部１２８の延在方向は、第２方向と一致しており、画素電極１１８を構成する電極部１１８Ａ１の延在方向（第３方向及び第４方向）に対して交差する関係とされる。また、画素電極１１８において互いに隣り合う２つの電極部１１８Ａ１の間には、第２間隔Ｃ２が空けられている。

【0055】

このように、本実施形態では、画素電極１１８とは平面形状及び大きさが共に異なるダミー部１２８が、第１方向について第１間隔Ｃ１を空けて複数が並んで配されるとともに、第２方向に沿って延在して設けられているので、第１間隔Ｃ１や幅寸法Ｗ１を調整することで、パターン密度を細やかに制御することができる。そして、本実施形態では、複数のダミー部１２８の配列間隔である第１間隔Ｃ１は、複数の電極部１１８Ａ１の配列間隔である第２間隔Ｃ２と等しくなっている。さらには、ダミー部１２８の幅寸法Ｗ１は、電極部１１８Ａ１の幅寸法Ｗ２と等しくなっている。このようにすれば、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部１２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極１１８のパターン密度により近づけることができる。また、第２配向膜２７（図９を参照）を塗布する際にも、第２配向膜２７のうち、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がる部分を良好にレベリングすることができる。

【0056】

以上説明したように本実施形態によれば、ダミー部１２８は、画素電極１１８とは平面形状及び大きさが共に異なっていて、表示領域ＡＡから遠ざかる向きである第１方向について第１間隔Ｃ１を空けて複数が並んで配されるとともに、第１方向と交差する第２方向に沿って延在して設けられている。ダミー部１２８は、画素電極１１８とは平面形状及び大きさが共に異なっているから、パターン密度に係る自由度がより高い。複数のダミー部１２８は、第１方向について第１間隔Ｃ１を空けて並んで配されるとともに、第２方向に沿って延在して設けられているから、第１間隔Ｃ１や幅寸法Ｗ１を調整することで、パターン密度を細やかに制御することができる。

【0057】

また、画素電極１１８は、第１方向と交差する第３方向に沿って延在する部分を含んでいて、間に第２間隔Ｃ２を空けて配される少なくとも２つの電極部１１８Ａ１を有しており、ダミー部１２８は、幅寸法Ｗ１が電極部１１８Ａ１の幅寸法Ｗ２と等しく、第２間隔Ｃ２が第１間隔Ｃ１と等しい。このようにすれば、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部１２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極１１８のパターン密度により近づけることができる。

【0058】

＜実施形態３＞
実施形態３を図１９によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態２からダミー部２２８の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0059】

本実施形態に係るダミー部２２８は、図１９に示すように、概ねＹ軸方向に沿って延在するものの、ジグザグ状に繰り返し屈曲して設けられている。なお、図１９では、透明電極膜１１Ｆ１（図１４を参照）からなる構成を網掛け状にして図示している。詳しくは、ダミー部２２８は、表示領域ＡＡにおいてＹ軸方向に沿って間隔を空けて並ぶ複数の画素電極２１８の各外形に並行するよう延在して設けられている。ダミー部２２８は、画素電極２１８を構成する電極部２１８Ａ１の側縁に並行する部分と、コンタクト部２１８Ｂの側縁に並行する部分と、を有する。ダミー部２２８のうち、電極部２１８Ａ１の側縁に並行する部分は、電極部２１８Ａ１と同様に、浅いＶ字型をなすよう屈曲した平面形状となっている。ダミー部２２８のうち、コンタクト部２１８Ｂの側縁に並行する部分は、Ｙ軸方向に沿って延在する。このようにすれば、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部２２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極２１８のパターン密度にさらに近づけることができる。また、第２配向膜２７（図９を参照）を塗布する際にも、第２配向膜２７のうち、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨がる部分を良好にレベリングすることができる。

【0060】

以上説明したように本実施形態によれば、画素電極２１８は、表示領域ＡＡから遠ざかる向きである第１方向と交差する第３方向に沿って延在する電極部２１８Ａ１を有しており、ダミー部２２８は、画素電極２１８とは平面形状及び大きさが共に異なっていて、第１方向について間隔を空けて複数が並んで配されるとともに、電極部２１８Ａ１の外形に並行するよう延在して設けられている。ダミー部２２８は、画素電極２１８とは平面形状及び大きさが共に異なっているから、パターン密度に係る自由度がより高い。複数のダミー部２２８は、第１方向について間隔を空けて並んで配されるとともに、電極部２１８Ａ１の外形に並行するよう延在して設けられているから、第１方向についての配列間隔や幅寸法を調整することで、パターン密度を細やかに制御することができるとともに、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部２２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極２１８のパターン密度にさらに近づけることができる。

【0061】

＜実施形態４＞
実施形態４を図２０によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１からダミー部３２８の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0062】

本実施形態に係るアレイ基板３１１Ｂでは、図２０に示すように、透明電極膜１１Ｆ１（図１４を参照）からなる構成に、実施形態１にて説明した共通配線３１が含まれない。なお、図２０では、透明電極膜１１Ｆ１からなる構成を網掛け状にして図示している。これに伴い、複数のダミー部３２８は、非表示領域ＮＡＡにおいて回路重畳部３３０と表示領域ＡＡとの間に挟まれた領域である第３領域Ａ３の全域にわたって分散配置されている。第３領域Ａ３は、実施形態１にて説明した第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に、共通配線３１の配置領域を加えた広さとなっている（図８を参照）。このように、複数のダミー部３２８は、回路重畳部３３０から表示領域ＡＡに至るまでの第３領域Ａ３において広く分散配置されるから、非表示領域ＮＡＡの内端付近でのダミー部３２８のパターン密度を、表示領域ＡＡの外端付近での画素電極３１８のパターン密度により近づけることができる。

【0063】

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

【0064】

（１）ダミー部２８，１２８，２２８，３２８の具体的な平面形状は、図示以外にも適宜に変更可能である。例えば、ダミー部２８，１２８，２２８，３２８は、画素電極１８，１１８，２１８，３１８と相似形で（平面形状が同一）で大きさが異なるよう構成されてもよい。逆に、ダミー部２８，１２８，２２８，３２８は、画素電極１８，１１８，２１８，３１８と大きさが同じで平面形状が異なるよう構成されてもよい。

【0065】

（２）実施形態１，４に記載の構成において、複数のダミー部２８，３２８は、行列状に分散配置されてもよい。

【0066】

（３）実施形態１，４に記載の構成において、複数のダミー部２８，３２８における具体的な平面に視た大きさ（画素電極１８，３１８に対する相対的な大きさ）や配列間隔等は、図示以外にも適宜に変更可能である。

【0067】

（４）実施形態２，３に記載の構成において、ダミー部１２８，２２８は、電極部１１８Ａ１，２１８Ａ１とは幅寸法が異なってもよい。また、ダミー部１２８，２２８は、電極部１１８Ａ１，２１８Ａ１とは配列間隔が異なってもよい。また、ダミー部１２８，２２８は、電極部１１８Ａ１，２１８Ａ１とは幅寸法と配列間隔との両方が異なってもよい。

【0068】

（５）画素電極１８，１１８，２１８，３１８の具体的な平面形状は、図示以外にも適宜に変更可能である。例えば、画素電極１８，１１８，２１８，３１８は、Ｙ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐな縦長の方形状でもよい。その場合、電極部１８Ａ１，１１８Ａ１，２１８Ａ１及びスリット１８Ａ３は、いずれもＹ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐに延在する形状となる。

【0069】

（６）画素電極１８，１１８，２１８，３１８における電極部１８Ａ１，１１８Ａ１，２１８Ａ１及びスリット１８Ａ３の具体的な設置本数や平面形状等は、図示以外にも適宜に変更可能である。

【0070】

（７）フォトレジスト膜１１Ｆ２は、ポジ型の感光性レジスト材料でもよいが、ネガ型の感光性レジスト材料でもよい。

【0071】

（８）ゲート回路部１４は、設置数１つとされ、表示領域ＡＡに対してＸ軸方向について片側に隣り合うよう配されてもよい。

【0072】

（９）液晶パネル１１の平面形状は、縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などでもよい。

【0073】

（１０）液晶パネル１１の表示モードは、ＦＦＳモード以外にもＶＡモード、ＩＰＳモード等でもよい。

【0074】

（１１）液晶パネル１１は、透過型以外にも反射型や半透過型であってもよい。

【符号の説明】

【0075】

１１…液晶パネル（表示装置）、１１Ｆ１…透明電極膜、１１Ｆ２…フォトレジスト膜、１４…ゲート回路部（回路部）、１８，１１８，２１８，３１８…画素電極、１８Ａ１，１１８Ａ１，２１８Ａ１…電極部、２７…第２配向膜（配向膜）、２８，１２８，２２８，３２８…ダミー部、ＡＡ…表示領域、Ｃ１…第１間隔、Ｃ２…第２間隔、ＮＡＡ…非表示領域、Ｗ１…幅寸法、Ｗ２…幅寸法

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】